2.

2 Etaje de amplificare cu MOS

2.2.1 Etaje surs comun (SC)

Fig. 2.1
 2.2 Etaje de amplificare cu MOS

(a),(b),(c),(d) Ri (2.1)

1
(a),(b),(c) Ro = = ro1 || ro 2 (2.2)
g o1 + g o 2
1
(d) Ro = (2.3)
g m 2 + g o1 + g o 2
Fig 2.2

G D
ig = 0

Ugs gmUgs r=1/g

o o=rds= 1/gds Transconductanta
gm= kn(UGS-VT)
S kn-factor de curent
S
La tranzistoarele MOS cu doua porti (substrat folosit ca a 2-a poarta), in circuitul de iesire apare un
generator de curent suplimentar gmbUbs
gmb- transconductanta datorata substratului; Ubs tensiunea de comanda pe a 2-a poarta
 2.2 Etaje de amplificare cu MOS

g m1 + g m 2
(a) Av = (2.4)
g o1 + g o 2

g m1
(b) Av = (2.5)
g o1 + g o 2

(c) gm2 (2.6)

Av =
g o1 + g o 2

g m1
(d) Av = (2.7)
g m 2 + g o1 + g o 2
 2.2 Etaje de amplificare cu MOS

2.2.2 Etaj dren comun (DC)

Fig. 2.3
 2.2 Etaje de amplificare cu MOS

1
R = RL || ro1 || ro 2 || g
'
L mb1

Ri (2.8)

1
Ro = (2.9)
g m1 + g mb1 + g o1 + g o 2
g m1R 'L
Av = (2.10)
1 + g m1R 'L
Ai = Ai,g = A p = A p,g (2.11)

Transconductanta gm= kn(UGS-VT)

gmb- transconductanta datorata substratului

 2.2 Etaje de amplificare cu MOS

2.2.4 Inversorul CMOS

Fig. 2.4
 2.2 Etaje de amplificare cu MOS

Caracteristica de transfer

Fig. 2.5
 2.2 Etaje de amplificare cu MOS

Caracteristica de transfer

Fig. 2.6

vo g m1 + g m2
Av =
Av.max == =
( g m1 + g m2 ) ( ro1 || ro2 ) (2.12)
vi g o1 + g o2

Ro = ro1 || ro 2 (2.13)
2.2 Etaje de amplificare cu MOS

2.2.5 Cascodul CMOS

Fig. 2.7
 2.4 Amplificatoare cascod

Ri (foarte mare) (2.14)

g m1 RL'
Av = Av ,g = (2.15)
1 + g ds 2 R'L
1+
( g m2 + g ds 2 ) rds1

rds1 = rds 2 R 'L = R L || rds3

=
Av Av ,g g m R'L (2.16)

R o = rds3 (2.17)
In absenta sursei cu Q3
Ro ( g m2 + g ds2 ) rds1 rds2 (2.18)