2.

Pierderi n comutaie

Energia este pierdut pe durata comutrii elementelor

semiconductoare prin cteva mecanisme:

Timpii de comutare ai tranzistoarelor

Sarcina stocat a diodei
Energia nmagazinat n capacitile dispozitivelor i inductanele
parazite

Dispozitivele semiconductoare sunt comandate prin sarcin

Timpul necesar injectrii sau nlturrii sarcinii de comand determin
timpii de comutare (de comutaie)

Procesoare de putere de nalt frecven 1 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 2.1. Timpii de comutare ai tranzistoarelor
Comutarea tranzistorului cu sarcin inductiv cu limitare
Forme de
und tranz.
iA vA L Vg
+ iL(t) vA (t)
iL
MOSFET
iA(t)
fizic
Vg + vB Diod
ideal 0 0
+

driver + t
iB iL
DTs Ts
Forme de
und diod

iB(t)
Exemplu: convertor buck 0 0
t
vB(t)
vB(t) = vA(t) Vg Blocare
i A(t) + iB(t) = iL tranzistor Vg

pA(t) Vg iL
= vA iA
arie
Woff
W off = 1 Vgi L (t 2 t 0)
2
t
t0 t1 t2

Procesoare de putere de nalt frecven 2 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 Pierderi de comutaie generate de blocarea tranzistorului

Energia disipat la blocarea tranzistorului:

W off = 1 VgiL (t 2 t 0)
2

Rezultat similar la aducerea n conducie.

Puterea disipat la comutaie:

Psw = 1 pA(t) dt = (W on + W off ) fs

Ts
durata
comutrilor

Procesoare de putere de nalt frecven 3 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 Coada de curent n IGBT

Forme de
und n
IGBT Vg
vA(t)
iL
iA(t)
C
0 0
t
iL
Forme de
und diod

iB(t)
0 0
t
G vB(t)

Vg
i1 i2

pA(t) Vg iL
= vA i A
E

aria W ff

t
t0 t1 t2 t3

Procesoare de putere de nalt frecven 4 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 Pierderile de comutaie cauzate de coada de curent
din IGBT
Forme de
und IGBT
iA vA L Vg
+ iL(t)
vA(t)
iL
IGBT iA(t)
fizic
Vg + vB Diod
ideal
+

0
driver +
DTs Ts iB t
iL
Forme de
und diod

Exemplu: convertor buck cu IGBT 0

iB(t)
0
t
vB(t)

Blocarea
tranzistorului Vg

pA(t) Vg iL
= vA iA
Psw = 1 pA(t) dt = (W on + W off ) fs
Ts
duratele
comutrilor aria W ff

t
t0 t1 t2 t3

Procesoare de putere de nalt frecven 5 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 2.2. Blocarea diodei

v(t)

(4) Dioda rmne polarizat direct.

(5) Dioda este polarizat invers.
i(t)

tr 0
di t
dt

Aria
Qr
(1) (2) (3) (4) (5) (6)

Procesoare de putere de nalt frecven 6 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 Blocarea diodei conduce la pierderi de
comutaie n tranzistor
iA vA L iA(t)
+ iL(t) Forme de
und tranz. Qr
Transistor
rapid Vg

Vg + vB iL
Diod v A(t)
+

+ cu siliciu 0 0
iB
t

Forme de iB(t)
und diod iL

Sarcina stocat Qr a diodei 0

vB(t)
0
t
trece prin tranzistor la aducerea aria
n conducie a tranzistorului Qr Vg

genernd pierderi de comutaie.

Qr depinde de curentul diodei n tr

conducie i de viteza de pA(t)

descretere a curentului prin = vA i A
aria
diod la blocarea acesteia. ~QrVg
aria
~iLVgtr
t0 t1 t 2 t
Procesoare de putere de nalt frecven 7
Capitolul 2: Pierderi n comutaie
 Calculul pierderilor n comutaie

iA(t)
Energia disipat n tranzistor: Forme de
und
tranzistor
Qr Diod soft-
Vg recovery:
iL
WD = vA(t) i A(t) dt v A(t)
(t2 t1) >> (t1 t0)
0 0
durata
t
comutrii
Diod abrupt-
Diod abrupt-recovery: Forme de
iL
iB(t) recovery:
und diod
vB(t)
0 0 (t2 t1) << (t1 t0)
t
WD Vg (iL iB(t)) dt aria
Qr Vg
durata
comutrii

= Vg i L t r + Vg Q r tr

pA(t)
= vA i A
Adesea este cea mai aria
mare component a ~QrVg

pierderilor n comutaie aria

~iLVgtr
t0 t1 t 2 t
8
Procesoare de putere de nalt frecven Capitolul 2: Pierderi n comutaie
 Tipuri de diode de putere

Standard recovery
Timpul de blocare nu este specificat, pentru 50/60Hz
Fast recovery i ultra-fast recovery
Timpul de blocare i sarcina stocat sunt specificate.
Utilizate n aplicaii cu convertoare
Diode Schottky
Dispozitiv cu conducie prin purttori majoritari
Practic nu au sarcin stocat
Aplicaii de tensiune mic (cteva componente pot bloca
100V sau mai mult)

Procesoare de putere de nalt frecven 9 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 2.3. Capacitile dispozitivelor, inductane de
scpri, ale capsulelor i ale cablajului

Capacitile care apar efectiv n paralel cu elemente de comutaie sunt

scurtcircuitate la aducerea n conducie a elementului de comutaie.
Energia nmagazinat n ele se pierde pe durata de aducere n conducie a
elementului de comutaie.
Inductanele care apar efectiv n serie cu elemente de comutaie sunt
circuite ntrerupte la blocarea elementului de comutaie. Energia stocat n
ele se pierde pe durata comutrii n blocare.
Energia total stocat n capacitile i inductanele liniare este:

WC =
elemente
1
2 CiV i2 WL =
elemente
1
2 L jI 2j
capacitive inductive

Procesoare de putere de nalt frecven 10 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 2.3.1. Pierderi de comutaie
t
cauzate de capacitile semiconductoarelor

Un circuit echivalent simplu al MOSFET-ului

D
Cgs : mare, practic constant
Cgd : mic, puternic nenliniar
Cgd
Cds : valoare medie, puternic neliniar
G
Cds
timpii de comutaie sunt determinai de
Cgs viteza cu care driver-ul grilei
ncarc/descarc pe Cgs i Cgd

S
C0 V0 C 0'
Cds(vds) = Cds(vds) C0 vds = vds
v
1 + ds
V0

Procesoare de putere de nalt frecven 11 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 2.3.1.1. Capacitatea neliniar Cds

Aproximm dependena lui Cds de vds :

V0 C 0'
Cds(vds) C0 vds = vds

Energia stocat n Cds la vds = VDS :

V DS
W Cds = vds i C dt = vds C ds(vds) dvds
0
V DS
W Cds = C 0' (vds) vds dvds = 23 C ds(V DS) V 2DS
0

4 Cds(VDS)
aceleai pierderi de energie ca n capacitatea liniar 3

Procesoare de putere de nalt frecven 12 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 2.3.1.2. Pierderi de comutaie
t
cauzate de capacitile de ieire ale semiconductoarelor

Exemplu: convertor Buck

Cds

Vg + Cj

+

Energia pierdut pe durata aducerii n conducie a MOSFET-ului

(presupunnd capaciti liniare):
1 2
W C = 2 (C ds + C j) V g

Procesoare de putere de nalt frecven 13 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 2.3.2. Alte cteva surse de astfel de pierderi de comutaie

Dioda Schottky
Nu are sarcin stocat
Capacitate semnificativ a jonciunii la polarizare
invers
Inductanele de scpri ale transformatoarelor
Inductane efectiv n serie cu nfurrile
Pierderi semnificative cnd nfurrile nu sunt strns
cuplate.
Inductane de interconectare i ale capsulelor
Diode
Tranzistoare
Pierderi semnificative la aplicaii de cureni mari

Procesoare de putere de nalt frecven 14 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

2.3.3. Oscilaii provocate de sarcina stocat a diodei

iL(t) L vi(t) V1
+ iB(t) t
vL(t) 0
+
Diod cu V2
vi(t) + siliciu
vB(t) C


iL(t)

Diode este polarizat direct la iL(t) > 0

0
Curentul negativ nltur sarcina stocat Qr aria t
Qr

Cnd dioda este polarizat invers curentul vB(t)

t
negativ din bobin circul prin capacitatea 0
C.
V2
Oscilaia reelei L-C este amortizat de
pierderile parazite. Energia de oscilaie t1 t2 t3
este pierdut.
Procesoare de putere de nalt frecven 15 Capitolul 2: Pierderi n comutaie
 Energia asociat cu oscilaia

t3
vi(t) V1
Sarcina stocat este: Qr = iL(t) dt
t2
t
0

Energia nmagazinat n bobin pe intervalul V2

t2 t t3 : t3
WL = vL(t) iL(t) dt iL(t)
t2

Tensiunea pe bobin n intervalul

t2 t t3 : 0
di (t) aria t
vL(t) = L L = V 2
dt Qr
Deci,
vB(t)
t3
d i L(t) t3
t
WL = L i L(t) dt = ( V2) i L(t) dt 0
t2 dt t2

V2
W L = 12 L i 2L(t 3) = V 2 Q r
t1 t2 t3
Procesoare de putere de nalt frecven 16 Capitolul 2: Pierderi n comutaie
 2.4. Randamentul funcie de frecvena de comutaie

Summ toate pierderile de energie de pe durata unei perioade de

comutaie:

W tot = W on + W off + W D + W C + W L + ...

Puterea activ disipat este

Psw = W tot fsw

Pierderile totale de putere vor fi date de:

Ploss = Pcond + Pfixed + W tot fsw

unde Pfixed = pierderi fixe (independene de sarcin i fsw)

Pcond = pierderi de conducie

Procesoare de putere de nalt frecven 17 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 Randamentul funcie de frecvena de comutaie

Ploss = Pcond + Pfixed + W tot fsw Pierderile de comutaie sunt

100% egale cu celelalte pierderi din
convertor la frecvena critic.
asimptot de current continuu Deci:
90%
fcrit
Pcond + Pfixed
fcrit =
W tot
80%

Aceast frecven critic

70% poate fi privit ca o limit

superioar estimativ
frecvenei de comutaie a
60% unui convertor.
Pentru fsw > fcrit, randamentul
50% scade rapid cu frecvena
10kHz 100kHz 1MHz

fsw
Procesoare de putere de nalt frecven 18 Capitolul 2: Pierderi n comutaie
 Rezumat capitolul 2

1. Dispozitivele cu conducie prin purttori majoritari, cum sunt MOSFET-ul i

dioda Schottky, au timpi de comutaie foarte mici, controlai de ncrcarea
i descrcarea capacitilor dispozitivelor. Totui tensiunea n conducie pe
aceste dispozitive crete rapid odat cu tensiunea de strpungere.
2. Dispozitivele cu conducie prin purttori minoritari, cum sunt BJT-ul, IGBT-
ul i tiristoarele au tensiuni de strpungere mari, cu tensiuni mici n
conducie. Totui timpii lor de comutaie sunt mai mari i sunt dai de
timpul necesar inserrii sau nlturrii purttorilor minoritari.
3. Energia este pierdut pe durata comutrilor din cauza unei varieti de
mecanisme. Puterea disipat corespunztoare, adic pierderile n
comutaie, este egal cu aceast energie multiplicat cu frecvena de
comutaie. Pierderile de comutaie impun o limit superioar pentru
frecvena de comutaie a convertoarelor practice.

Procesoare de putere de nalt frecven 19 Capitolul 2: Pierderi n comutaie

 Rezumat capitolul 2

4. Dioda i bobina prezint o sarcin inductiv limitat pentru transistor.

Cnd un transistor comand o astfel de sarcin, el este supus unor pierderi
de putere instantanee mari pe durata intervalelor de comutaie. Un
exemplu unde acestea duc la pierderi de comutaie semnificative este
IGBT-ul i coada de curent observabil pe durata blocrii.

5. Alte surse semnificative de pierderi de comutaie sunt sarcina stocat a

diodei i energia nmagazinat n anumite capaciti i inductane parazite.
Oscilaiile parazite indic de asemenea prezena unor pierderi de
comutaie.

Procesoare de putere de nalt frecven 20 Capitolul 2: Pierderi n comutaie