Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
TECJ
TECJ
DISPOZITIVE ELECTRONICE
ÎNDRUMAR DE LABORATOR
Bucureşti-2009
2 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator
CUPRINS
3.4 ÎNTREBĂRI
4 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator
INSTRUCŢIUNI DE UTILIZARE
La dezambalarea modulului sau la începerea lucrării puneţi toate accesoriile în ordine pentru a
nu le pierde şi verificaţi integritatea acestuia. Faceţi un control vizual pentru a vă asigura ca nu
sunt stricăciuni vizibile.
Acest modul trebuie utilizat numai conform scopului pentru care a fost conceput respectiv
pentru educaţie şi trebuie utilizat numai sub directa supervizare a personalului specializat.
Orice altă utilizare nu este corectă şi astfel periculoasă. Utilizarea improprie sau neraţională a
modulului poate conduce la stricăciuni iremediabile.
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 5
Caracteristici statice
Se consideră un TEC-J cu canal n cu structura simplificată, simbolul şi mărimile asociate din
fig. 3.3.
Se demonstrează că dependenţa curent-tensiune pentru structura prezentată în fig. 3.3 este după
cum urmează:
Pentru VT ≤ v GS ≤ 0 , v DS ≥ 0 şi v DS foarte mic (sute de mV):
1
Φ − v GS 2
i D = G0 ⋅ 1 − B0 ⋅ v DS
(3.1)
B0
Φ − VT
unde,
q⋅ ND ⋅a2
VT = − + Φ B0 este tensiunea de prag;
2
2q ⋅ µ n ⋅ N D ⋅ a ⋅ Z
G0 = este conductanţa maximă (constructivă) a canalului;
L
Pentru VT ≤ v GS ≤ 0 , v DS ≥ 0 şi 0 ≤ v DS ≤ v DS ,sat = v GS − vT :
1
2 x 2
f ( x ) = x ⋅ 1 − ⋅
3 Φ B0 − VT
Pentru VT ≤ v GS ≤ 0 şi vDS ≥ vDS ,sat = vGS − vT (saturaţie):
1 1
iD = G0 ⋅ ( Φ B0 − VT ) ⋅ − ⋅ f ( Φ B0 − vGS ) (3.3)
3 Φ B 0 − VT
în cazul saturaţiei, curentul de drenă poate fi exprimat aproximativ cu ajutorul relaţiei:
2
1 Φ −v
iD = ⋅ G0 ⋅ ( Φ B0 − VT ) ⋅ 1 − B0 GS (3.4)
3 Φ B0 − VT
unde,
1
I DSS = ⋅ G0 ⋅ VT
3
Caracteristicile de ieşire iD ( v DS ) şi de transfer, în saturaţie iD ( vGS ) sunt date în fig. 3.4.
Pe caracteristicile de ieşire iD ( v DS ) din fig. 3.4a se disting două zone: zona liniară în care
tranzistorul TEC-J funcţionează la tensiuni VDS mici şi are comportament de rezistenţă comandată în
tensiune (curentul de drenă depinde de ambele tensiuni – VGS şi VDS ) şi zona de saturaţie (curentul de
drenă depinde de tensiunea VGS şi foarte puţin de tensiunea VDS ).
(a)
8 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator
(b)
Fig. 3.4 Caracteristicile TEC-J: (a) de ieşire iD ( vDS ) ; (b) de transfer, în saturaţie iD ( vGS ) .
∂i D ∆i D Id
gm = = =
∂vGS ID
∆vGS vDS =VDS ,iD = I D
V gs
vds =0
1 ∂i ∆i D Id
= D = =
rds ∂v DS ID
∆v DS vGS =VGS ,iD = I D
Vds vds =0
conductanţa mutuală) se obţine prin derivarea relaţiei (3.2) sau a uneia din relaţiile (3.3), (3.4) sau (3.5)
în funcţie de regimul static al TEC-J.
Fig. 3.5 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă pentru funcţionarea în saturaţie.
1
Expresia analitică pentru conductanţa canalului g d = rezultă prin derivarea relaţiei (3.1) sau
rds
(3.2). în regim de saturaţie, prin derivarea relaţiilor (3.4), (3.5) rezultă g d = 0 . în realitate însă,
conductanţa canalului este nenulă în orice condiţii.
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 9
Dacă se analizează structura reală a unui TEC-J se remarcă prezenţa între extremităţile
canalului propriu-zis şi contactele metalice S şi D, a unor porţiuni de siliciu n (sau p pentru TEC-J cu
canal p) a căror rezistenţă trebuie luată în considerare în construirea unui model dinamic mai rafinat.
Astfel, modelul se completează cu rezistenţele Rd şi Rs şi este prezentat în fig. 3.6.
Rezistenţele Rd şi Rs depind de tensiunile aplicate tranzistorului. Valorile măsurate pentru g m
şi g d pot diferi de cele care rezultă din formulele teoretice datorită prezenţei acestor rezistenţe.
Fig. 3.6 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă ce include efectul rezistenţelor serie din
zona de sursă respectiv drenă.
Fig. 3.7 Zona optimă de lucru pentru tranzistorul TEC-J ca amplificator de semnal mic.
i d = g m ⋅ v gs
unde,
g m = transconductanţa sau panta tranzistorului TEC-J.
Ca şi tranzistorul bipolar, TEC-J-ul poate lucra ca amplificator într-una din cele patru
conexiuni: sursă comună (SC), grilă comună (GC), drenă comună (DC) sau repetor pe sursă şi sarcină
distribuită (SD).
10 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator
În fig. 3.8 este prezentat un circuit de amplificare în care tranzistorul lucrează în conexiunea
SC. Tranzistorul este atacat pe grilă cu un generator de semnal prin intermediul condensatorului de
decuplare C1. Rezistorul RG este utilizat pentru întoarcerea curentului de poartă catre punctul de masă.
Curentul prin tranzistor se fixează cu ajutorul rezistorului RS. Condensatorul CS este utilizat ca şi
condensator de decuplare în circuitul sursei. Pentru o valoare bine aleasă acesta va scurtcircuita RS în
curent alternativ în banda de lucru punând tranzistorul cu sursa la masă (sursă comună).
Rezistenţa de sarcină a etajului este constituită numai din RD, rezistor ce are rol şi pentru
polarizarea în curent continuu a tranzistorului.
Amplificarea de tensiune a etajului SC este dată de relaţia:
vo
AV = = − g m ⋅ RD
vi
Semnul minus din relaţia ce dă amplificarea de tensiune a etajului semnifică faptul că la ieşire
semnalul este defazat cu 1800 faţă de semnalul de intare.
Rezistenţele de intare/ieşire în/din etaj sunt:
vi
Ri = = RG
ii
vo
Ro = = RD
io
Calculul acestora au presupus o rezistenţă de intrare şi o rezistenţă rds infinite pentru tranzistorul
TEC-J.
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 11
Se porneşte de la modulul aflat pe placa MCM-4 stânga sus cu schema electrică pentru
măsurători pe tranzistorul TEC-J prezentată în fig. 3.9:
Tehnica de polarizare aleasă este cu două surse:
Sursa fixă de 12V/-12V şi un divizor rezistiv reglabil pentru tensiunea VGS;
Sursă variabilă 1,2V-24V (VCC) şi o rezistenţă serie pentru polarizarea drenă-sursă.
Fig. 3.9 Schema electrică pentru măsurători pe tranzistorul TEC-J de pe modulul MCM-4.
12 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator
Caracteristica de transfer
Se realizează circuitul din fig. 3.10 prin conectarea jumperilor J18, J22, J30, J37. Pentru
măsurarea tensiunilor se utilizează voltmetrul sau osciloscopul aşa cum se arată în figură.
Se fixează tensiunea VCC = 15V.
Cu ajutorul potenţiometrului RV8 se reglează tensiunea VGS a tranzistorului la valorile din
tabelul 3.1 şi se măsoară curentul de drenă ID indirect, prin măsurarea căderii de tensiune pe rezistorul
R12.
Curentul ID se calculează cu relaţia:
VCC − V DS
ID =
R12
Tabelul 3.1
VGS
0 -0,5 -1 -1,5 -1,8 -2 -2,2 -2,5 -2,7 -3 -3,5
[V]
VDS
[V]
ID
[mA]
VGS= -1 VDD
[V]
R12
[kΩ]
ID
[mA]
VGS=-1,5 VDD
[V]
R12
[kΩ]
ID
[mA]
VGS= -2 VDD
[V]
R12
[kΩ]
ID
[mA]
VGS=-2,5 VDD
[V]
R12
[kΩ]
ID
[mA]
VGS= -3 VDD
[V]
R12
[kΩ]
ID
[mA]
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 15
di D ∆i D
g d ,lin = =
dv DS VDS =0
∆v DS VDS =0
Tabelul 3.3
VGS [ V ] 0 -0,5 -0,1 -1,5 -2 -2,5 -3
g d ,lin1 [ mA / V ]
rezultă că pentru VGS = 0V se obţine I D = I DSS = ct . = max im . Dacă VT < VGS < 0V şi VGS = ct . atunci
tranzistorul va funcţiona în continuare ca generator de curent constant dar cu un curent de drenă de
valoare mai mică decât I DSS . Pentru verificarea acestui comportament se va utiliza circuitul din fig.
3.13.
Se reglează sursa de tensiune la valoarea de +24V. Se conectează jumper-ii J18, J22, J31 şi
J34. Se variază rezitorul RV9 fixându-se pentru VDS valorile din tabelul 3.4.
Tabelul 3.4
VDS [V] 13 14 15 16 17 18 19
VDD - VD [V]
VGS= 0 R12 [kΩ]
ID [mA]
16 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator
Fig. 3.13 Circuitul pentru măsurarea caracteristii curent-tensiune a sursei de curent constant realizate cu
TEC-J.
Se măsoară indirect curentul în circuit. Acesta trebuie să rămână constant câtă vreme
tranzistorul rămâne în saturaţie.
Se trasează graficul ID = f (VDS).
Estimarea rd în saturaţie
Se realizează configuraţia din fig. 3.14. Se conectează jumper-ii J18, J21, J30 şi J37.
1
Se conectează rezistenţa RJ22 = 10kΩ şi condensatorul CJ20 (10µF) se fixează VGS = −2V şi
Tabelul 3.5
R J 22 [ kΩ ] 10 22
Vds [ mV ]
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 17
Fig. 3.14 Circuitul pentru măsurarea rezistenţei dinamice în saturaţie (rd) şi a gm,sat.
1 RJ2 22 − RJ1 22
Se calculează: rd ,sat = =
g d ,sat RJ2 22 ⋅ vds1
−1
RJ1 22 ⋅ vds 2
Se calculează conductanţa mutuală măsurată, g m ,sat 1 , iar valorile se trec în tabelul 3.6.
vds
g m ,sat 1 =
R12 ⋅ vds V DS = 4V
Tabelul 3.6
VGS [ V ] 0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3
Vds [ mV ]
g m ,sat 1 [ mA / V ]
g m ,sat 2 [ mA / V ]
2 I DSS
g m ,sat 2 = ⋅ VT − VGS
(VT )2 VDS = 4V
Tabelul 3.7
VGS [ V ] 0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3
Vdd [ mV ]
g d ,lin 2 [ mA / V ]
g d ,lin 3 [ mA / V ]
Fig. 3.15 Circuitul pentru măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară - gd,lin.
Utilizând datele din tab. 3.7 se calculează pentru fiecare valoare a lui VGS , parametrul:
Vdd
−1
V
g d ,lin 2 = ds
RJ 22
V DS = 0V
2 I DSS
g d ,lin 3 = ⋅ VT − vGS
( VT )2 V DS = 0V
Rezultatele se trec în tabelul 3.7. Cu datele din tabelele 3.3 şi 3.7 se trasează grafic curbele:
C3: g d ,lin1 = f (VGS ) , pentru V DS = 0V
Cum explicaţi diferenţele care rezultă între conductanţele drenă-sursă măsurate prin diferite
metode g d ,lin1 şi g d ,lin 2 şi conductanţa g d ,lin 3 calculată cu relaţia?
v o , pp
Av =
v i , pp
3.4 ÎNTREBĂRI
b) VGS = VT ;
c) VGS = 0V ;
d) VGS = −5V ;
e) V DS = −1V .
4. Ce erori se introduc în determinările asupra caracteristicilor statice prin menţinerea prea îndelungată
a TEC-J într-un regim de putere disipată relativ mare (ID şi VDS mari)?
b) Polarizare în saturaţie;
c) în oricare regiune a caracteristicii I D (V DS ) ;
d) La VGS < VT ;
e) La V DS = 0V .