UNIVERSITATEA DIN ORADEA

FACULTATEA DE INGINERIE ELECTRICĂ ŞI

TEHNOLOGIA INFORMAŢIEI
SPECIALIZARE “REŢELE SI SOFTWARE DE TELECOMUNICAŢII”

PROIECT

Coordonator: Student:
Prof.dr.ing.MOLDOVAN LIVIU Leuce Marius Tudor
Tranzistor MOS cu canal N
 Spalare Piranha

apare oxidarea la T°>500℃

Fotolitografie Obtinem zone perfect

delimitate, protejate
cu rasina fotosensibila

n+ n+
Dopare
 n+ n+ Un solvent puternic
Acetona
solubil
in apa, biodegradabil
Substrat p-

Fotolitografie

Dopare de tip P- n+ P n+

Substrat p-
 n+ P n+
Acetona
Substrat p-

SiO2
n+ n+ Are loc la T°
Oxidare P
mari in prezenta
oxigenului sau
Substrat p- vaporilor apei

SiO2
n+ P n+
Fotolitografie

Substrat p-
 SiO2 SiO2 SiO2
n+ P n+
Gravare

Substrat p-

SiO2 SiO2 SiO2

n+ P n+
Acetona

Substrat p-

SiO2 SiO2 SiO2

n+ P n+
Fotolitografie

Substrat p-
 SiO2 SiO2
SiO2
n+ P n+
Gravare selectiva

Substrat p-

SiO2 SiO2
SiO2
n+ P n+
Acetona

Substrat p-

SiO2 SiO2
SiO2
n+ P n+
Fotolitografie

Substrat p-
 SiO2 SiO2
SiO2

Metalizare n+ P n+

Substrat p-

SiO2 SiO2
SiO2
n+ P n+
Acetona

Substrat p-