- Partea I -

Capitolul al VI - lea ( Microprelucrarea siliciului monocristalin )

Solutiile constructive pentru senzori si traductorii micromecanici se deosebesc de cele utilizate frecvent astazi.
Pentru ca motivul principal al micrometrizarii este acela al integrarii senzorilor in structuri comune cu
sistemele electronice de prelucrare a semnalelor, unul din materialele cele mai utilizate pentru confectionarea
lor este siliciul monocristalin.
Analog cu prelucrarile mecanice care transforma semifabricatele in piese de diferite forme si profile, tot asa
microprelucrarea siliciului monocristalin permite obtinerea cavitatilor de diferite forme, a orificiilor deschise,
sau inchise de membrane plane/profilate, de elemente elastice - de tipul arcurilor lamelare sau al arcurilor
spirale plane duble etc.
Producerea acestor forme se bazeaza pe eroziune chimica umeda, selectiva, anizotropa si cu influentarea
formei prin dopaj controlat al materialului din care sunt confectionate.

6.1. Anizotropia
Anizotropia este capacitatea materialelor cristaline de a prezenta comportari sau proprietati fizice diferite,
functie de distributia preferentiala a atomilor sau moleculelor in spatiu.
In procesul configurarii unei microstructuri prin eroziune chimica cu diferite substante, comportarea
materialului difera, putand oscila, teoretic, intre o izotropie si o anizotropie totale sau ideale.
Anizotropia poate fi exprimata printr-o relatie in care raportul dintre marimea corodarii pe directia de actiune
a substantei de corodare, care reprezinta adancimea corodarii ( h ) si marimea corodarii pe directie
perpendiculara, care reprezinta atacul lateral ( e ) :
A=1−e /h
Figura 6.1 infatiseaza cele doua situatii ideale : cand A=0, pentru corodarea total izotropa si A=1, pentru
corodare total anizotropa.

In realitate orice proces de corodare este caracterizat de un anume grad de anizotropie, deci : 0< A real <1.
Cateva notiuni de cristalografie ( fig. 6.2 ) sunt necesare, pentru ca intreaga tehnologie a structurilor
micromecanice in siliciu monocristalin se bazeaza pe anizotropa cristalina a acestuia.
Este cunoscut faptul ca materialele cristaline ( majoritare in randul corpurilor solide ) sunt structurate in 14
retele tridimensionale de cristalizare ( Bravais ), provenind din 7 sisteme cristaline de baza, a caror unica celula
elementara este un poliedru cu 6 fete de forma unui patrulater, 12 muchii si 8 varfuri ( fig. 6.2 a ); cele 7 sisteme
cristaline de baza provin din diferenta care poate exista intre laturile a, b, c, ale poliedrului - constantele retelei,
ca si intre unghiurile distre laturi α, β,γ.
Pentru notarea varfurilor sau nodurilor retelei se foloseste sistemul de coordonate al celulei elementare,
coordonatele nodurilor fiind exprimate in indici care arata valoarea raportului intre pozitia reala a nodului si
constanta retelei, considerata ca valoare unitara - fig. 6.2 b.

1
 Exemplele de noduri ale retelei cristaline : 000, 100, planului care cuprinde diagonalele fetelor - (110) si a
010, 001, 110, 101, 011, 111. planului care cuprinde diagonala cubului - (111).
Sau, pentru reteaua cubica cu fete centrate, Planele echivalente se noteaza cu acolade { }.
coordonatele centrelor celor sase fete vor fi : 1/2, 1/2 0, Profilele de corodare obtinute prin eroziune chimica
1/2 0 1/2, 0 1/2 1/2, 1/2 1/2 1, 1/2 1 1/2, 1 1/2 1/2. pot fi diferite functie de atac cu corelarea anizotropiei
Directiile cristaline sunt determinate de drepte care substantei de atac cu anizotropia materialului de
contin cel putin doua noduri. O directie cristalina este structurare. Fig. 6.3 arata cateva din formele astfel
definita prin indici intregi corespunzatori coordonatelor obtinute [ 6.4; 6.5 ] si cele mai utilizate in practica.
nodului care - prin unire cu originea celulei elementare Siliciul cristalizeaza in sistemul cubic si are structura
- determina directia ( fig 6.2 c ); indicii introdusi in diamantului. Celula sa elementara este un octaedru
paranteze patrate [ ]. limitat de familia de plane {111} ( fig. 6.4 ) si asa se
Exemple de directii ale retelei cristaline :
 [111] : directia obtinuta prin unirea originii
celulei elementare cu nodul 111;
 [111] : directia obtinuta prin unirea originii
celulei elementare cu nodul a carui coordonata c
este in sens contrar coordonatei de referinta.

Totalitatea directiilor echivalnte din reteaua cristalina

se noteaza cu paranteze unghiulare < >.
In figura 6.2 d poate fi vazuta multimea directiilor
echivalente ale diagonalelor <111> pentru celula
elementara a sistemului cubic.
Planul cirstalin este determinat de trei noduri ale
retelei si este notat prin indicii Miller ( h, k, l ) introdusi
in paranteze rotunde ( ).
Indicii Miller se ibtin din raportul: 1/Coordonata
punctului in care planul cristalin intersecteaza axa sau
axele celulei elementare.
Figura 6.2 e, este un exemplu general de obtinere a
indicilor Miller; sau, pentru sistemul cubic - fig. 6.2 f,
notarea planului care cuprinde fetele cubului - (100), a

2
 Pe placheta (110) corodarea anizotropa va duce la
apritia unui contur paralelipipedic ( fig. 6.5 b ), cu
unghiurile de : 70,5˚si 109,5˚, formate de planele
{111}, ale peretilor verticali. Pentru obtinerea
structurilor suspendate, orientarea lor pe lungime
trebuie sa tina cont inca din proiectare de evolutia
corodarii de-a lungul plachetelor cristaline ( fig.
6.6).

explica unghiurile
formate de peretii inclinati ai cavitatilor cu planurile
(100)/(110)/(111), dupa care sunt debitate
plachetele in care se formeaza cavitatile sau
canalele.
Astfel, eroziunea chimica anizotropa formeaza pe
suprafata unei plachete debitata dupa planul (100),
cavitati cu conturul unui patrulater cu unghiuri
drepte, ai carui pereti laterali formeaza cu planul
(100) unghiuri de 54,74˚ ( fig. 6.3 a-i ).
Adancimea acestor cavitati este limitata de
intersectia planelor (111) care stopeaza actiunea
substantei de atac; latimea ( l ) si adancimea ( h ) ale
unei cavitati piramidale sunt dependente una de
cealalta l/h=√ 2.
Orientarea mastii in raport cu planele cristaline
influenteaza atat forma cavitatii cat si capacitatea de
realizare a structurilor suspendate de tip grinda sau
micropunte rezonanta ( fig. 6.3 g, h ).
Orientarea sau eroarea de orientare a mastii pe
directia plachetei (100) va duce la aparitia
cavitatilor piramidale cu pereti inclinati ( fig.6.5 a ).

6.2. "Selectivitatea" procesului de corodare

3
 "Selectivitatea" S a procesului de corodare inseamna raportul dintre rata de corodare a stratului de structurare,
R S si rata de corodare a materialului sau a stratului de stopare a corodarii R X .
La obtinerea microstructurilor se utilizeaza, de obicei, ca material de structurare siliciul; pentru masti se
recomanda: Au; Cr; Ta; Mo; foto - sau electronorezist; ca strat de stopare a corodarii se poate utiliza : Si3 N 4 ;
siliciu dopat.
Diferite solutii de atac - daca se ia in discutie numai corodarea umeda - dau rate diferite de corodare pentru
straturile de SiO 2, Si3 N 4 , diferite metale ca Al, Au, siliciu dopat si care difera fata de rata de corodare a
siliciului pur.
Pentru obtinerea unei structuri de adancime ( h ), se porneste de la un substrat din materialul de structurare, de
grosime mai mica ( fig. 6.7 a ) al carui strat superficial este dopat cu un element care reduce mult rata de
corodare a materialului de structurare ( fig. 6.7 b ); dupa crestere epitaxiala cu grosimea 'h' ( fig. 6.7 c ) si
aplicarea mastii ( fig. 6.7 d ), prin corodare in zonele descoperite de masca se obtine structura dorita, a carei
adancime 'h' va fi conditionata de stratul de stopare ( fig. 6.7 e ).
Pentru ca efectele corodarii mastii asupra dimensiunilor microstructurii sa fie cat mai mici, se recomanda
raportul : S=R S / R X sa fie cat mai mare.
Selectivitatea poate fi influentata, in principal, prin doi factori : compozitia substantei de atac si temperatura
baii. Pentru comparare, in tabelul 6.1 se dau cateva solutii de corodare pentru materiale uzual folosite la
realizarea microstructurilor.
De altfel, pe "selectivitate" se bazeaza si utilizarea straturilor de sacrificiu
a caror natura si compozitie se a caror natura si compozitie se alege astfel incat sa le asigure o rata
maxima de corodare in raport cu materialul structurii micromecanice.

6.3. Efectele corelarii anizotropiei cu selectivitatea

In figura 6.8 se poate vedea ce ar insemna corelarea selectivitatii ideale cu
anizotropia ideala la obtinerea unui profil caracterizat printr-o dimensiune in
plan 'd' si o adancime 'h'.
Pentru toate situatiile prezentate se considera ca selectivitatea substantei de
atac este maxima fata de materialul de structurare si neglijabila fata de stratul
de stopare.
In figura 6.8 a, structura cu dimensiunile d si h corespunde dimensiunilor
mastii si espectiv grosimii stratului adaugat daca selectivitatea este maxima
pentru materialul de structurare si nula pentru materialul mastii, iar procesul
este perfect anizotrop ( A=1 ).
4
 In figura 6.8 b, procesul de corodare se caracterizeaza prin S MS=max ;
S M =0; A=0, deoarece substanta de atac lucreaza uniform atat in
adancime cat si lateral, sub masca.
In figura 6.8 c, substanta de atac actioneaza si asupra materialului mastii
reducandu-i grosimea si modificand dimensiunea de mascare cu atacul lateral
'e' : S MS=a ; S M =1(a> 1); A=1.
In figura 6.8 d, se vede rezultatul unui proces cu : S MS=max ; S M =0;
0<A<1; forma structurii rezultate este posibila la materialele cristaline,
debitate dupa anumite plane de cristalizare, care, cu cat sunt mai dense, cu atat
sunt mai greu de corodat.
De exemplu, in cazul siliciului rata de corodare este minima pentru directiile <111>, ceva mai mare pentru
R¿ 100> ¿
directiile <110> si maxima pentru <100>: ¿ de aceea forma structurii rezulta trapezoidala,
R ¿111>¿ =25+60 , ¿
cu unghiul ζ= 54-55˚. Daca lipseste stratul de stopare a corodarii ( fig. 6.8 e ) forma golului rezultat va avea
aspectul unei piramide rasturnate.

6.4. Aplicatie
6.4.1. Suprafete antireflectante

Pentru marimea coeficientului de absorbtie al unor suprafete de siliciu monocristalin orientat (100) si (110)
iluminate cu un laser He-Ne cu λ=632.8 nm au fost folosite tehnici cu corodare anizotropa, izotropa si de
depunere de straturi subtir.
Suprafata plachetei este brazdata de crestaturi ( fig. 6.9 ) in forma de V ( a ), cu pereti verticali ( c ) sau de
cavitati piramidale dispuse regulat ( b ) sau aleatoriu.
Au fost folosite plachete de siliciu monocristalin crecut prin
metoda Czochralski. Plachetele cu orientare (100) au fost de
tip n ( dopate cu P ) si o grosime medie de 380 µm. Plachetele
cu orientare (110) au fost de tip p ( dopate cu B ) si o grosime
medie de 289 µm. Stratul de SiO2 cu grosimea de 0.63 ÷ 1.5
µm care a servit ca masca, a fost obtinut prin oxidare termica
uscata la 1050˚C, timp de 17 ÷ 144 ore.
Masca in oxid a fost obtinuta prin corodare izotropa cu
N H 4 OH : HF , 4:1, utilizand protectie foto cu fotorezist nega-
tiv. Suprafata acoperita cu cavitati piramidale nu a necesitat
masca.
La corodarea anizotropa a plachetelor de siliciu s-a folosit KOH.
Pentru marirea coeficientului de absorbtie, microprelucrarea a fost urmata de o acoperire cu o succesiune de
straturi subtiri Si3 N 4 ( n=2 ), Ta 2 O 5 ( n=2.1 ), TiO 2 ( n=2.3 ) si Zr O 2 ( n=2 ). Grosimea totala a straturilor
depuse a fost de 0.16 µm.
Cele mai bune rezultate au fost obtinute la plachetele (110), acoperite cu crestaturi, avand pereti verticali.

6.5. Sudare anodica

5
 La obtinerea structurilor tridimensionale rigide,flexibile sau rigide prin microprelucrarea substratului este
adesea nevoie de imbinarea mai multor plachete de siliciu monocristalin sau a plachetelor de siliciu cu placate
de sticla.
Metoda cea mai simpla de asamblare pentru asemenea cazuri a fost descoperita in anii ’70 de Wallis si
Pomerantz.O placa de sticla si o placheta de siliciu au fost puse in contact sip e o placa incalzita la 400-
500°C.La aceasta temperature siticla devine conductive.Daca se aplica un curent de inalta tensiune (~1000 V)
ionii de Na incarcati pozitiv,si care se gasesc in cantitate mare in sticla, migreaza de la suprafata de contact
sticla-siliciu catre catodul de pe suprafata exterioara a sticlei,unde sunt neutralizati.
Ca urmare a migrarii acestori ioni pozitivi,la suprafata de contact sticla-siliciu,ca si in sticla,se formeaza o
zona cu anioni de oxygen,deoarece anionii – datorita marimii lor – au o mobilitate mai scazuta.Acest exces de
sarcini negative produce un puternic camd electrostatic care mentine cele doua suprafete in contact cu o forta
foarte mare.
Pentru a obtine o imbinare sigura sunt necesare anumite conditii privind acuratetea si planitatea ambelor
suprafete,ca si o valoarea apropiata a coeficientilor de dilatare termica.Se recomanda sticla Pyrex (sticla alcalina
de silicati) al carei coeficient de dilatare terminca este foarte apropiat de cel al siliciului.
Pentru imbinari siliciu-siliciu este necesar un strat intermediar de ~5μm de Pyrex depus prin pulverizare
RF,pe ambele suprafete ce vor fi imbinate.Un tratament la temperature inalta in atmosfera umeda oxidata
asigura refacerea legaturilor dintre atomii de siliciu si cei de oxigen,inainte de aplicarea procedeului de imbinare
electrostatica.Din cauza stratului de sticla relative subtire,tensiunea la care se va lucra nu va depasi ~50 V
pentru a evita strapungerea electrica a straturilor depuse.

Capitolul al VII-lea ( Microprelucrarea siliciului policristalin )

7.1. Tehnica straturilor de sacrificiu

Tehnica straturilor de sacrificiu, utilizata pentru prima data de Nathanson, in 1967, are la baza depunerea si
configurarea unor straturi subtiri sau groase al caror profil in plan sau in spatiu reprezinta negativul unor spatii
sau cavitati necesare obtinerii micro- sau nanostructurilor si care - in finalul procesului tehnologic - sunt
"sacrificate", deci dispar.
Materialele din care sunt confectionate starturile de sacrificiu pot fi :
 materiale sublimabile ( camfor, naftalina, iod );
 polimeri care ard sau se topesc la temperaturi nu mai mari de
150˚C;

6
  substante care se dizolva in fiferiti solventi.
Aceasta solutie din urma se utilizeaza cel mai adesea pentru obtinerea
structurilor precise si cu configuratii complexe. Substantele mai frecvent
folosite sunt : fotorezistii si bioxidul de siliciu. Indepartarea lor se face
prin dizolvarea cu solutii a caror selectivitate de actiune face vulnerabile
numai straturile de sacrificiu, restul materialelor din care sunt alcatuite
microstructurile ramanand inerte la aceasta actiune.
Substantele de dizolvare trebuie : sa fie capabile de a ataca preferential
straturile de sacrificiu respactand portiunile structurate, sa aiba o
vascozitate adecvata si tensiuni superficiale cu valori corespunzatoare
indepartarii eficiente a stratului de sacrificiu, sa nu lase reziduuri.
Exemplul cel mai simplu. care poate fi si o ilustrare a tehnicii straturilor
de sacrificiu, este obtinerea unei structuri rezonante, ceea ce unui
specialist de formatie mecanica ii sugereaza un arc lamelar preformat
simplu ( fig. 7.1 ) sau incastrat la ambele capete ( fig. 7.2 ). In functie de
metoda de obtinere a stratului de siliciu se pot distinge doua variante
constructive, si anume :
a) structuri suprapuse - prin utilizarea unui strat de SI O2 obtinut prin
depunerea chimica din stare de vapori (CVD); stratul de
polisiliciu acopera modelul de SI O 2, astfel incat elementele
obtinute in final se formeaza treptat deasupra substratului ( fig.
7.2 a );
b) structuri planare - prin utilizarea unui strat de SI O 2 obtinut prin
oxidare termica selectiva ( sau locala ) a substratului de siliciu
(Locos) in ferestrele create prin eroziune chimica in stratul de
protectie din Si3 N 4 , astfel incat structurile obtinute sunt practic la
acelasi nivel cu substratul ( fig. 7.2 b ).
Un alt exemplu de apicare a tehnicii straturilor de sacrificiu il poate
oferi realizarea unor cavitati inchise de diferite forme si dimensiuni.
Pentru obtinerea unui senzor capacitiv de presiune cu membrana
metalica ( fig. 7.3 ) si dimensiunile prezentate in figura, se propune
solutia tehnologica : dupa structura partiala a senzorului prin procedee
caracteristice straturilor subtiri ( fig. 7.3 a ) ( depuneri, dopari, configurari
prin eroziune chimica ), aplicarea membranei metalice nu se poate face
decat asigurandu-i un suport in timpul depunerii; de aceea cavitatea se va
umple cu o solutie de polimetilstirol in
metilcellosolveacetat, nivelata la inaltimea distantierului ( fig. 7.3 b ).
Pe partea opusa senzorului, prin eroziune chimica selectiva sau prin
eroziune cu laser, se deschide un orificiu care are atat rol functional cat si
tehnologic ( fig. 7.3 c ); se depune membrana metalica ( fig. 7.3 d );
incalzind la aproximativ 150˚C materialul plastic - suport de sacrificiu -
este eliminat prin orificiul anterior prelucrat ( fig. 7.3 e ).
Pentru obtinerea unor cavitati tridimensionale de forma complexa si
precizie scazuta se poate realiza forma negativului cavitatii printr-o

7
 succesiune de straturi groase felurit configurate in plan si aplicate prin
serigrafiere ( fig. 7.4 ).
Uneori stratul de sacrificiu poate fi chiar substratul pe care sunt
configurate structurile necesare functionarii ansamblului. Ultima operatie
devine fatala pentru suportul care - pe baza selectivitatii de actiune a
substantelor de atac - este "lichidat".
In fig. 7.5 se prezinta procesul tehnologic simplificat al unui senzor de
presiune confectionat pe siliciu si care functioneaza pe baza efectului
piezorezistiv. In tehnologia de realizare se observa ca sunt configurate in
paralel doua plachete de siliciu 1 si 9 : placheta 1 reprezinta suportul
senzorului, iar placheta 9 contribuie la formarea membranei
piezorezistive 7 si reprezinta materialulde sacrificiu. Stratul 3 de SiO2-
CVD, configurat printr-un proces de fotolitografie ( fig 7.5 a ) reprezinta
masca deprotectie pentru corodarea anizotropa selectiva a plachetei 1
( fig. 7.5 b ). Stratul 10 SiO2-CVD, configurat pe placheta 9 reprezinta
masca de protectie pentru difuzia selectiva de bor, care formeaza stratul
piezorezistiv 7 ( fig. 7.5 c ).
Urmeaza depunerea stratului izolator 5, din Si3 N 4 - CVD cu grosimea
de ( 0,1...2) μm si stratul de imbinare 4 din sticla fosfatica cu punct
scazut de inmuiere ( fig. 7.5 d ). Cele doua plachete astfel configurate
sunt suprapuse, aliniate pe un microscop cu radiatii infrarosii, sudate
provizoriu cu laser si introduse intr-un cuptor cu atmosfera vidata unde -
prin incalzire la ~1000˚C se produce asamblarea finala ( fig. 7.5 e ).
Ansamblul este acoperit cu un lac de protectie la coroziune, ramanand
descoperita numai placheta 9 care este stopat la aparitia configuratiei
piezorezistive ( fig. 7.5 f ). Se depune un nou strat de protectie 6 de SiO 2
, configurat prin fotolitografiere ( fig. 7.5 g ). pentru a permite

depunerea stratului conductiv 8, care culege variatiile de curent provocate de stratul piezorezistiv, solicitat la
variatii de presiune ( fig. 7.5 h ).
7.2. Aplicatie
7.2.1. Motor electrostatic integrat

Constructia sa a evoluat rapid de la prima varianta "side-drive ",

propusa initial in 1983 de Howe si Muller de la Universitatea
Berkeley - California, la una din ultimele cunoscute - varianta
"top-drive" ( fig. 7.10 ), autorii Paratte - Rooij, de la Universitatea
din Neuchatel - Elvetia, in 1991.
Un astfel de motor utilizeaza pentru functionare fortele de atractie
si de respingere caracteristice electrostatismului. Aceste forte sunt
direct proportionale cu patratul distantei dintre ele. In domeniul
microstructurilor, unde distantele sunt de ordinul micrometrilor,
la potentiale foarte scazute se pot obtine forte motrice apreciabile.
Distanta dintre rotor si stator pe directie radiala sau frontala este de
ordinul 0,5...0,8 μm. Cand statorul este alimentat cu un curent de un

8
anumit sens, in paletele rotorului este indus un camp de sens contrar
care face ca intre paletele rotorului si statorului sa apara o forta de
atractie, ceea ce duce la rotirea rotorului; inainte de a se obtine o
pozitie de echilibru paletele statorului vor fi alimentate cu curent de
sens contrar, astfel incat paletele rotorului, care initial fusesera
atrase, vor fi, acum, respinse in sensul rotatiei. Rotatia poate fi
intretinuta prin reglarea sensului si frecventei curentului. Micromo-
torul va putea fi integrat pe aceeasi placheta cu microprocesorul si
vor fi realizate simultan, prin aceleasi procedee tehnologice.
Pentru realizarea unui asemenea micromotor se utilizeaza
urmatoarele materiale : polisiliciul tip n - obtinut prin CVD si dopare cu fosfor - ca material de structurare a
statorului si rotorului; straturi de Si3 N 4 depuse prin CVD - ca material de izolare; starturi de SiO2 - ca material
de sacrificiu; suportul intregii structuri este o placheta din siliciu monocristalin.
Procesul tehnologic simplificat de fabricatie a mtorului din varianta reprezentata in fig. 7.10, rezulta din
succesiunea principalelor operatii. In urma prelucrarii mecanice care asigura forma si rugozitatea suprafetei, se
aplica o polisare chimica pentru indepartarea startului de defetcte ( fig. 7.10 a ); doparea cu fosfor se face prin
procedeul difuziei selective ( fig. 7.10 b ); configurarea polilor statorului ( fig. 7.10 f ) se realizeaza prin
eroziune in plasma reactiva (RIE). Dificultatea care apare in continuare provine din faptul ca nu toti polii
rotorului se suprapun peste polii statorului in timpul procesului de fabricatie, deci nu au aceeasi inaltime; de
aceea in doua etape se vor pretinde depuneri de grosime foarte mare ( fig. 7.10 h, 7.10 l ); substanta ce se
depune este pe baza de SiO2 si este o sticla fosfatica cu un punct de topire scazut PSG. Suprafata este acoperita
prin pulverizare, iar planarizarea se obtine prin incalzire.
Gravarea din fig. 7.10 i, contribuie la formarea mansonului rotorului; adancimea de corodare nu trebuie sa
strapunga complet stratul de PSG, pentru a mentine si in continuare suportul de formare a elementului mobil,
care este rotorul. O noua configurare RIE ( fig. 7.10 k ) afecteaza numai zona din afara ariei rotorului. Prin
depunerea stratului de polisiliciu (fig. 7.10 n ), urmata de configurarea lui (fig. 7.10 o ), este obtinut lagarul
rotorului ca si legatura cu polii statorului. Contactele de aluminiu se vor obtine prin evaporarea termica in vid,
utilizand procedeul aditiv "lift-off".
In urma dizolvarii stratului de sacrificiu structura va avea configuratia finala rezultata din sectiunea initiala.
H. Guckel si colaboratorii au conchis ca, in procesul tehnologic de realizare a structurilor mobile din poli - Si,
doua etape influenteaza in cea mai mare masura calitatea suprafetei si anume:
 regimul de lucru de la depunerea straturilor de poli - Si si
 metoda de indepartare a stratului de sacrificiu.
Controlul dimensiunii particulelor care formeaza stratul de poli - Si se face prin regimul termic : astfel,
depunerile LPCVD sub 580˚C sunt amorfe, iar cele peste 580˚C duc la dimensiuni de granule care cresc cu
temperatura, ceea ce din punct de vedere mecanic, nu se doreste pentru ca astfel scade rezistenta structurii, iar
uneori ea se poate dezagrega.
Temperatura pe care autorii o recomanda este de 591.5˚C; s-au obtinut cristalite neorientate cu dimensiuni
intre 100 si 4000 Å. O recoacere in N 2 la 1150˚C, timp de 3 ore compacteaza stratul fara a conduce la reduceri
de volum.
Pentru eliminarea reziduurilor observate dupa atacul stratului de sacrificiu cu HF se recomanda, ca una din
cele mai simple solutii, clatire abundenta cu hidroxid de amoniu.
Pentru reducera frecarii dintre structurile mobile se mai poate actiona si in faza de proiectare utilizandu-se
levitatia electrica sub presiune.
Un lagar gazodinamic lubrificat are suprafetele de frecare complet separate

9
printr-o pelicula de gaz. Se propun crestaturi longitudinale in corpul lagarului
( fig. 7.11 a ), folosind tehnica stratului de sacrificiu - prin corodare selectiva
sau canale in spirala pe suprafata plana a suportului pentru a reduce frecarea
datorata greutatii rotorului ( fig. 7.11 b ).
Canalele spirale cu latimi de 4 μm si adancime de 300 nm sunt configurate
in primul strat de siliciu policristalin prin procedee litografice, dupa care este
urmata succesiunea cunoscuta de operatii. In acest fel planul de baza al
micromotorului va fi confectionat din poli - Si, iar arborele va fi ancorat la
acesta, in loc sa ia contact cu substratul monocristalului.
Pentru obtinerea canalelor longitudinale in corpul arborelui se va utiliza
corodarea selectiva in cel de-al treilea strat de poli - Si, in zona arborelui, care
are un diametru de ~48 μm.

Capitolul al VIII-lea ( Procedeul LIGA )

Pentru obtinerea microstructurilor metalice din polimeri, dezvoltate in spatiu, pe 2 1/2 axe si pe 3 axe, cu
raport mare intre inaltimea si dimensiunea lor in plan, a fost facut cunoscut, in anul 1980, procedeul LIGA. Cel
care a comunicat aparitia acestui nou procedeu de lucru a fost Wolfgang Ehrfeld, de la Centrul de Cercetari
Nucleare din Karstuhe. Prima realizare a fost minicentrifuga pentru separarea izotopilor de uraniu, din nichel, a
carei dimensiune minima in plan era de 5 μm si avea o inaltime de 300 μm.
Numele procedeului este un acronim al denumirii in limba germana ale metodelor de lucru pe care se bazeaza
procedeul : Lithographie, Galvanoformung, Abformung ( litografie, galvanoplastie, modelare/turnare ).
Procedeul si-a gasit numeroare aplicatii: zone Fresnel, elemente fluidice, lentile si prisme din PMMA,
microcontacte din nichel, microbobile din cupru, cleme metalice si roti dintate din nichel, formate pe un substrat
separat si asamblate ulterior cu arborii, prisme hexagonale din nichel – adaosuri metalice pentru materiale
compozite, duze pentru tragerea fibrelor din materiale plastice, microturbine din nichel sau cupru – cu fibra
optica integrata pentru masurarea turatiei turninei, micromotoare magnetice, micromotoare electrostatice, masti
metalice pentru structurarea in plasma a suprafetelor asferice nanometrice.

8.1. Descrierea procedeului pentru structuri spatiale 2 1/2D si 3D

10
 Procedeul tehnologic schematic de obtinere a micro-
structurilor prin procedeul LIGA rezulta din fig. 8.1.
Spre deodebire de microstructurare superficiala a
Siliciului, pe care s-au bazat celelalte prelucrari micro-
mecanice, la aplicarea procedeului LIGA, grosimea
stratului de rezist corespunde cu inaltimea dorita a
microstructurii, deci va fi de cateva sute de micrometri;
substratul se prefera a fi metalic, iar daca este un dielec-
tric sau semiconductor – el va fi acoperit inainte cu un
strat metalic subtirecare sa-i confere proprietati conduc-
tive; rezistul utilizat este PMMA ( denumirea comer-
ciala : PLEXIGLAS ); masca prin intermediul careia
este configurat stratul de rezist este de o constructie
speciala, astfel incat sa aiba calitati absorbante sau
transparente pentru radiatia utilizata; radiatia X
sincrotronica folosita, de lungime de unda 0,1...2 nm
are calitatea de a fi foarte puternica – pentru a putea
actiona pe intreaga grosime foarte mare a rezistului, are
o divergentafoarte mica apreciata la ~ 5 mrad (practic,radiatia este paralela) si aceasta permite obtinerea
peretilor verticali de mare inaltime (de altfel-litografia cu radiatie sincotronica poarta si numele de „litografie
adanca”).
Zonele expuse radiatiei X vor deveni usor solubile in developant, deci PMMA lucreaza ca un rezsit pozitiv.
Etapele de expunere si developare ( fig. 8.1 a ) reprezinta faza de LITOGRAFIE.
Utilizand depunerea galvanica rezulta un profil negativ al formei obtinute din rezist; se poate depune cupru,
nichel, aur sau orice alt metal; depunerea este selectiva si se face pe substratul conductiv neacoperit de
configuratia din rezist. Daca grosimea stratului metalic depus este inferioara grosimii de PMMA, dupa
indepartarea rezistului se obtine microstructura metalica unicat. Daca depunerea galvanica continua pana la
acoperirea completa a modelului de PMMA, se obtine o forma cu goluri reprezentand negativul modelului.
Rigiditatea formei depinde de grosmiea stratului metalic care acopera modelul. Aceasta este etapa de
GALVANIZARE.
In continuare, prin aplicarea unei placi de injectare prin reteaua careia se poate injecta material plastic, se pot
obtine rapid si ieftin numeroase copii din polimeri; este faza de MODELARE/TURNARE/INJECTARE.
Poate urma o a doua GALVANIZARE care va copia – in negativ – profilul structurilor din polimeri, fixate la
placa de injectare. Placa metalica de turnare, acoperita in prealabil cu un strat de separare, va servi drept
electrod, iar depunerea galvanica va reprezenta copia independenta metalica.
Forma din polimeri poate constitui modelul pentru presarea pulberilor ceramice; se obtin astfel piese unicat a
caror desprindere de pe model se va face prin distrugerea acestuia.
Pentru obtinerea microstructurilor 3D exista mai multe variante ( fig. 8.1 b, c, d, e ) care se deosebesc intre ele
prin etapa de expunere. Radiatia X poate fi inclinata cu unghiuri diferite fata de suprafata rezistului, poate fi
rotita sau expunerea se poate face secvential – in fiecare secventa folosindu-se cate o masca cu configuratii
diferite.

8.2. Masca pentru radiatie X sincrotronica

11
 Masca pentru radiatie X sincotronica are trei componente distincte:
 un suport cu cat mai mare transparenta la radiatia X, de grosime cat mai mica si care sa poate fi obtinuta
sub forma de membrana subtire;
 pentru asigurarea contrastului e necesar un material absorbant care sa poata avea o grosime cat mai
mare, fara ca precizia conturului configuratiei sa fie afectata;
 rama care sa asigure rigiditatea mecanica necesara pozitionarii, centrarii si schimbarii automate a mastii.
Dintre materialele suport care indeplinesc conditiile de mai sus se utilizeaza siliciul si titanul, dar pentru
motive de stabilitate dimensionala se recomanda, de asemenea, beriliul si nitrura de bor.
Ca material absorbant se recomanda aur, wolfram sau tantal. Capacitatea absorbanta este apreciata prin
raportul intre densitatea de putere a radiatiei rezultata la trecerea prin zona transparenta si prin zona opaca; acest
raport trebuie sa depaseasca valoarea de 1000 pentru ca ,asca sa fie considerata a avea contrast suficient.
Structura absorbanta poate fi obtinuta prin procedee substractive sau aditive ( lift-off ) – acestea din urma
asigurand o rezolutie mai buna, primele asigurand un traseu tehnologic mai scurt.
O combinatie intre cele doua procedee face posibila obtinerea structurii absorbante dintr-un prim strat metalic
subtire structurat substrativ, urmand ca cea mai mare parte din structura absorbanta de aur sa fie sructurata
aditiv.
Pentru configurarea structurii absorbante de grosime mare este nevoie de o masca intermediara.
Principalele etape ale tehnologiei de realizare a mastii pentru procedeul LIGA sunt :
a) obtinerea suportului;
b) structurarea stratului de rezist pentru masca intermediara;
c) depunerea galvanica a structurii absorbante;
d) copierea mastii intermediare pe masca de lucru.
Rama care sustine suportul structurii absorbante sau membrana transparenta la raze X, poate fi confectionata
din INVAR ( aliaj cu 18% Co, 28% Ni, 54% Fe ) si este formata odata cu suportul, printr-o succesiune de
operatii cunoscuta : prelucrarea mecanica a semifabricatului masiv INVAR pana la obtinerea unei rugozitati
Ra =0.25 μm , aplicarea stratului – suport, corodarea partiala a grosimii ramei pentru a mentine un perete de ~1
mm cu rol de rigidizare, structurarea stratului de rezist, depunerea galvanica selectiva a structurii absorbante,
indepartarea stratului de rezist, corodarea completa a peretelui INVAR.
Procedeul este evitat datorita prelucrarilor mecanice pretentioase; de aceea suportul este aplicat printr-un strat
intermediar de carbon, cu rol de strat de separare, pe o placheta de siliciu. Prelucrarea mecanica a siliciului este
mai lesnicioasa si asigura o foarte buna calitate suprafetei membranei – suport.
Fig. 8.2 arata etapele de ralizare a membrane - suport din titan,prin “transfer”.
Un strat de carbon de slaba aderenta la placheta de siliciu este depus selectiv
prinprocedeul CVD, astfel incat marginea plachetei sa ramana libera (a); prin
pulverizare catodica se depune un strat de 2-3 μm grosime, din titan –
materialul suportului mastii, avand o buna aderenta la marginea plachetei de
siliciu (b); placheta este lipita cu un adeziv pe rama (c); printr-o usoara indoire
a plachetei de siliciu se asigura desprinderea membrane (d); prin corodare
usoara in plasma de oxigen se inlatura stratul intermediar de carbon (e).
Realizarea mastii intermediare, care are ca suport al structurii absorbante o
membrana de siliciu, este prezentata schematic in fig. 8.3. Pentru cnfigurarea
structurii se foloseste litografia cu fascicul de electroni.
Fig. 8.3 a : suportul este o placheta de siliciu corodata partial in zona viitoarei
membrane pana la o grosime de ~2 μm. Marginea plachetei poate fi aplicata pe
o placa de sticla, pentru a usura manipularea. Se depun straturi de aderenta ( de

12
exemplu, paladiu/staniu colloidal ) si de amorsare a depunerii galvanice
( nichel/cupru ). Grosimea stratului de resist de baza nu depaseste grosimea
uzuala la litografia optica sau litografia electronica ~1500 nm. Stratul metalic
intermediar are rolul de a fi purtatorul profilului structurii de resist de baza in
care se va depune ga lvanic absorbantul radiatiei sincrotronice. Pentru confi-
gurarea stratului de electrorezist – PMMA se utilizeaza expunerea prin baleiere
cu fascicul de electroni.
Se obtine – fig. 8.3 b – o masca de PMMA care va contribui la configurarea
stratului metalic intermediar, prin corodare anizotropa in plasma reactiva CH F 3.
Figura 8.3 c : structura absorbanta din aur se depune galvanic intr-o grosime
de ~1 μm.
Figura 8.3 d : prin dizolvarea modelului de resist se indeparteaza si stratul
intermediar metalic, iar cee ace se obtine este masca intermediara necesara
litografiei cu raze X.
Masca de lucru : o structura asemanatoare mastii intermediare are si masca
de lucru, cu singura deosebire ca structura absorbata ( din aur - de exemplu )
are o inaltime mult mai mare ( ~10…20 μm ).
Succesiunea principalelor etape ( fig. 8.4 ) arata modul de transpunere a profilului mastii intermediare in
stratul gros de PMMA ( care poate ajunge si la o grosime de 0,5…1 mm ) prin radiate sincotronica.
Principalul factor de imprecizie il constituie, de fiecare data, repozitionarea mastii intermediare fata de stratul
de PMMA, anterior expus si developat. Singura solutie in acest caz este utilizarea unor opritoare atasate ramie
mastii intermediare, care trebuie sa vina de fiecare data in contact cu opritoarele ramie mastii de lucru. Solutia
este pur mecanica si garanteaza o precizie de pozitionare sub 0.2 μm, cu conditia ca temperature din spatial de
lucru sa fie riguros controlata, pentru a Evita deformari ale structurii provenite din diferenta coeficientilor de
dilatare ai materialului structurii si materialului ramei.
Aplicarea unui strat uniform de grosime mare pana la 1 mm de rezist
( PMMA ) se face prin turnarea si uniformizarea prin laminare a unui
monomer, urmata de polimerizarea acestuia la temperatura inalta, sau la
temperatura camerei daca i se adauga un initiator de polimerizare; in urma
polimerizarii MMA trece in PMMA.
Placile destinate aplicarii procedeului LIGA sunt pregatite separat in
laboratoare specializate.
Pentru asigurarea aderentei stratului de PMMA la membrane - suport de
Ti, astfel incat modelul sa nu se desprinda de suport la mentinerea
indelungata in baia de galvanizare, se recomanda crearea unor ancose
mecanice la suprafata stratului de titan prin oxidarea umeda superficiala
a acestuia, pe 30 - 40 μm,prin cufundare intr-o solutie de hidroxid de sodiu
si peroxid.
De asemenea, pentru a fi depasit rapid planul de contact dintre stratul de
PMMA si suportul de titan, se recomanda ca inainte de aurire sa se depuna
un strat de ~1 μm de Ni sau Cu la o densitate mare de current ( 2-4 A/d m2).

8.3. Depunerea galvanica pentru obtinerea microstructurilor

13
 Stratul gros de PMMA depus si developat poate constitui el insusi o microstructura din polimer.
Pentru obtinerea microstructurilor metalice este necesara depunerea galvanica, folosind ca electrod suportul
metalic al mastii; dar, depunerea galvanica este necesara si la obtinerea unor forme metalice rigide pentru
injectarea in serie a microstructurilor din polimeri - in acest caz placa metalica a instalatiei de injectat fiind
utilizata ca electrod.
Oricare ar fi destinatia depunerii, dificultatile ridicate de microgalvanizare sunt urmatoarele:
 aderenta insuficienta care ar putea duce la desprinderea microstructurilor; fenomenul este cu atat mai
probabil cu cat la inaltimea foarte mare a a microstructurii aria de cntact cu placa de baza este foarte
mica. Oxidul amorf de titan favorizeaza nu numai aderenta stratului de PMMA, ci si aderenta startului
de aur depus galvanic;
 depunerile metalice de la baza structurii PMMA sunt favorizate de slaba ei aderenta si de
microasperitatile de la marginea de contact cu suportul si modifica dimensiunile si profilul
microstructurii metalice obtinute;
 tensiunile interne din interiorul stratului depus galvanic duc la deformarea microstructurii; pentru a Evita
deformarea se recomanda ca tensiunile interne sa nu depaseasca 10-20 N /mm2 . Principalii factori care
influenteaza aparitia tensiunilor interne sunt : densitatea de curent, grosimea stratului depus si
temperatura;
 lipsa de uniformitate a stratului depus poate fi evitata sau numai redusa prin aplicarea unor masti
profilate de corectie din material dielectric si prin introducerea in compozitia baii de depunere a unui
agent de polarizare;
 raportul foarte mare intre inaltimea si latimea microstructurii face ca depunerile metalice in canalele
foarte inguste sa nu fie uniforme; de aceea compozitia baii de microgalvanizare trebuie sa asigure
“udarea” uniforma a intregii structure;
 degajarea hidrogenului in timpul depunerii favorizeaza formarea structurii poroase sau chiar structuri
incomplete, numai daca baia de depunere nu este suficient de curate ( are particule de praf, reziduuri
anodice etc. ); se recomanda filtrarea continua a electrolitului prin filtre care retin particule de ~0.2 μm.
Impuritatile organice sunt eliminate prin introducerea de carbune activ.
Metalul din care se realizeaza cel mai adesea microstructurile prin procedeul LIGA este nichelul.
O compozitie tipica a unei bai de sulfamat de nichel pentru microgalvanizari contine : 327 g/l anhidrida de
sulfamat de nichel; 76 g/l ¿2 +¿¿ - ioni; 40 g/l acid boric; 2 ml/l agent de umectare.
Parametrii tehnologici ai depunerii sunt :
 pH – solutie 4.0;
 temperatura 52º C;
 densitatea de curent 1-2 A/dm2.
Se asigura astfel o rata de depunere de 12-120 μm/ora.
Rugozitatea stratului depus depinde de rugozitatea suportului de depunere. Pentru straturi cu inaltimea mai
mare de 100 μm, rugozitatea are valori sub 1 μm.
Duritatea stratului depus scade cu cresterea densitatii de curent si este cuprinsa intre 350-200 Vickers ( la o
incarcare de 100 g ).

8.4. Celula de microgalvanizare

Celula de microgalvanizare ( fig. 8.5 ) trebuie sa asigure depunerea metalului in cele mai inguste adancituri;
de aceea anodul va fi format din bile de nichel depolarizate, introduce intr-un

14
cos; catodul va fi rotit continuu, iar electrolitul – continuu filtrat. Diafragma se
foloseste pentru uniformizarea densitatii de curent. Se mai poate depune, prin
microgalvanizare : aur ( masti necesare procedeului LIGA ), cupru ( microbobi-
ne ), aliaje nichel – cobalt, aliaje fier – nichel ( micromotoare electromagnetice )
etc.
Microstructura metalica astfel obtinuta poate fi utilizata ca atre ( amplificatoare
fluidice ) sau poate constitui forma in care va fi injectat sau preset polimerul unor
viitoare micorstructuri sintr-un asemenea material.
La realizarea formei de presare sau injectare cu rigiditate sporita, se va proceda
asa cum rezulta din fig. 8.6.
Pe o placa de baza, care ulterior va fi sacrificata, este realizata microstructura
din rezist ( PMMA ) prin litografie adanca cu radiatie X sincrotronica (fig. 8.6 a ).
Utilizand placa de baza drept electrod se obtine negativul metalic din nichel al microstructurii din rezist ( fig.
8.6 b ).
Depunerea continua pentru a forma o placa metalica groasa de de ~5 mm, menita sa rigidizeze
microstructurile metalice. Intre etapele b si c regimul de depunere va diferi prin
densitatea de curent, care insa nu trebuie sa duca la inducerea unor tensiuni interne;
acestea ar putea compromite legatura dintre microstructura metalica si placa de
rigidizare. Prelucrarea mecanica finala trebuie sa micsoreze abaterile de planeitate
ale placii de rigidizare ( fig. 8.6 c ).
Rugozitatea si abaterile de planeitate ale partii posterioare a formei ar putea
afecta dimensiunile si forma microstructurii din material plastic; aceasta pentru ca,
la contactul cu placa de otel a masinii de injectare ( fig. 8.6 c’ ), forma se poate
deforma.
Exista si posibilitatea netezirii suprafetei depuse de nichel prin adaugarea in baia
de depunere a unui agent de netezire care este un produs organic. Dezavantajul
acestui procedeu provine din faptul ca agentul de netezire este retinut la filtrarea
electrolitului prin carbune activ, operatie necesara pentru evitarea structurii
poroase; deci, compozitia electrolitului trebuie refacuta dupa filtrarea prin carbune
activ.
Rugozitatile obtinute pe suprafata posterioara a formei la depunerea de nichel, fara sau cu prelucrarea
mecanica ulterioara, rezulta din tabelul 8.1.
Placa de baza este indepartata prin prelucra-
re mecanica, pentru a elibera microstructura
din rezist ( fig. 8.6 d ). Indepartarea placii se
poate face si fara a o sacrifice, daca inaintea
procesului de litografiere se aplica pe placa de
baza un strat care sa reduca aderenta la supra-
fata sa si care va fi indepartat in faza d, prin
dizolvare selective – dipa tehnica “ straturilor
de sacrificiu”. Prelucrarea mecanica ( prin frezare, lepuire ) ar putea fi necesara ulterior indepartarii placii de
baza numai in masura in care rugozitatea sa initiala nu asigura rugozitatea si planeitatea impusa placii de
formare.
Microstructura din rezist este indepartata prin dizolvare sau corodare uscata ( fig. 8.6 e ).

15
8.5. Microinjectarea

Polimerii utilizati pentru obtinerea microstructurilor pot fi :

 termorigizi ( Poliuretan – UP );
 termoplastici ( Policlorura de vinil – PVC, Acrilonitril – butandienstiren – ABS, Polimetilmetacrilat –
PMMA );
Parametrii tehnologici caracteristici procesului de formare a microstructurilor din polimeri rezulta din tabelul
8.2.

Instalatiile de injectare sau presare folosite pentru etapa

de formare a microstructurilor din polimeri nu se deose-
besc de cele clasice, ci numai ciclul de lucru este
adaptat raportului foarte mare intre adancimea structurii –h
si dimensiunea sa minima transversal - d min.
Daca la discurile compacte ( unde h= 0.1 μm, iar d min=
0.6 μm ) raportul h/d = 0.16, la structurile micromecanice
obtinute prin procedeul LIGA acest raport este cu doua
ordine de marime mai mare ( de exemplu, pentru o structura de forma unei retele h=100 μm, d min=2 μm ) h /d min
=501.
De aceea, temperatura formei este mai mare decat la procesele obisnuite de
injectare si mentinuta tot timpul formarii la o valoare cu ~70°C inferioara temperatu-
rii de topire a polimerului. Aceasta face ca timpul de umplere al formei sa creasca,
iar viteza de injectare sa scada.
Ciclul de lucru al masinii de injectat cu melc evolueaza dupa schema reprezentata
in fig 8.7. Reducerea vitezei de deplasare a melcului in intervalul t n 1 si t n 2 fata de
momentul initial, ca si variatia de presiune in aceleasi interval, asigura umplerea
completa a formelor celor mai complicate si cu raport mare h /d min.

8.6. Aplicatie a procedeului LIGA

In acceptiunea comuna procedeul LIGA se refera exclusive la structure a caror

inaltime depaseste 100 μm si ajunge la 1 mm, si care au nevoie, in etapa de litografiere, de radiatie X
sincrotronica; aceeasi succesiune de etape de lucru ( litografie, galvanizare, formare ) poate fi, insa, intalnita si
pentru alte structure, cu inaltimi mult mai mici si care – deci – permit utilizarea, in etapa de litografiere, fie a
electronorezistilor – cu expunere la fascicul de electroni, fie fotorezisti – cu expunere la radiatii ultraviolet sau
radiatii laser.

8.6.1 Matrite de multiplicare a discurilor

Pentru obtinerea matritelor de multiplicare a discurilor de pick-up si a

16
discurilor cu citire optica ( fig. 8.9 ) se porneste de la un model diferit,
dar este urmata aceeasi succesiune de etape.
La discurile de pick-up modelul ( fig. 8.9 a ) este format intr-un strat
de lac pe baza de nitroceluloza in care o mica spatula incalzita transfoma
semnalul de pe banda intr-o vibratie materializata printr-o urma in
spirala, cu pasul de ~100 μm si adancimi de ~25 μm.
La discurile cu citire optica modelul ( fig. 8.9 b ) este format dintr-un
suport de sticla polisata, acoperit cu un strat de lac fotosensibil.
Informatia este inregistrata sub forma unor adancituri de latime 0.4 μm,
lungime 0,5…2 μm si adancime corespunzatoare grosimii de lac foto-
sensibil – 0.12 μm ( sau proeminente – functie de tipul de disc ), dispuse
dupa o spirala cu pasul de 1.6 μm.
Inregistrarea se face cu un laser de argon cu l=458 nm, al carui spot cu dimensiuni de ~400 nm este focalizat
pe suprafata lacului fotosensibil.
Lacul fotosensibil este pozitiv, deci prin expunere devine solubil in developant; aceasta a fost etapa de
litografie – utilizand expunere cu fascicul laser.
Modelul este apoi acoperit cu un strat conductor ( fig. 8.9 c ), la care – la discurile cu citire optica – trebuie sa
aiba un grad de reflexie sporit, pentru ca originalul sa
poata fi citit.
In principiu, pot fi utilizate diverse material metalice,
care insa trebuie sa raspunda la mai multe cerinte
impuse de procesul tehnologic.
Tabelul 8.3 lamureste de ce este ales argintul ca
material de placare.
Depunerea stratului de argint se poate face prin eva-
porare termica in vid, pulverizare catodica sau reducere
chimica din solutie; pentru discurile obisnuite se foloseste ultima metoda; pentru discurile cu citire optica se
recomanda evaporarea, deoarece prin depunere chimica rezulta o suprafata mai rugoasa.
Etapele reprezentate in fig. 8.9 d – g sunt de galvanizare, iar ca forma de lucru, deci ca matrita pentru
realizarea copiilor in serie, este utilizat cel de-al doilea profil negative.
Formarea discurilor ( fig. 8.9 h ) este diferita functie de natura polimerului utilizat pentru obtinerea corpului
discului sau – altfel spus – suportul informatiei. Profilul formei poate fi copiat prin polimerizarea unui lac
fotosensibil la radiatia UV (h1), prin injectarea unui polimer thermoplastic (h2 ), prin presarea unui polimer
termorigid (h3 ).

17
18