8.

2.2.3. Direcţii cristalografice

Z
w
A(u,v,w) Direcţia [uvw] poate fi definită ca fiind
direcţia ce trece prin origine şi prin punctul A
c de coordonate u, v, w

O v Y
u
a

X b
A1(x1,y1,z1) şi A2(x2,y2,z2) indicii cristalografici se obţin prin scăderea
coordonatelor celor două puncte. Direcţia cristalografică ce va trece prin aceste două
puncte va avea indicii [u v w], unde
u = x1-x2
v = y1-y2
w = z1-z2
 x Ua
=
cos
2
=
2 2 2 2 2 2
2 2
x +y +z Ua+ Vb+ Wc
y Vb
=
cos
2
=
2 2 2 2 2 2
2 2
x +y +z Ua+ Vb+ Wc
z Wc
=
cos
2
=
2 2 2 2 2 2
2 2
x +y +z Ua+ Vb+ Wc

Unghiul dintre două direcţii care au indicii [UVW] şi [U1V1W1] se determină pornind de la relaţia:
cos
=
cos
cos 1+cos cos 1+cos cos 1

U  U1  a 2 +V V1  b2 +W  W1  c 2 +
cos =
U 2  a 2 +V 2  b2 +W 2  c 2  U12  a 2 +V12  b2 +W12  c 2
familie de direcţii cristalografice se reprezintă înscriind indicii uneia dintre direcţii în
paranteze unghiulare <UVW>.
Pentru o anumită direcţie se poate definii densitatea liniară ρl (numărul de atomi
corespunzător unităţii de lungime pe direcţia respectivă):
NA
l =
l
 9. 2.2.4. Plane cristalografice
x y z
+ + =1
z OAOBOC
C

a b c
h= ; k= ; l=
OA OB OC

c h k l
B  x+  y+  z =1
O a b c
y
b
a
indicii Miller (h k l)
A
x

familie de plane cristalografice se simbolizează prin indicii unui plan înscrişi

între acolade {hkl}
 z

  
C
OP
d OP
d OP
d

cos
= ; 
cos
= ; 
cos
=
a
OA b
OB c
OC
() () ()
h k l

cos+cos+cos =1
2 2 2
 P
d B 2 2 2
d d d
 O 2
+ 2
+ 2
=1
 y a b c
( ) ( ) ( )
A h k l
x
h
cos  = a
2 2 2
h k l
( ) +( ) +( )
a b c 1
k d=
2 2 2
b h k l
cos  = ( )+
( )+
( )
h
2
k l
2 2
a b c
( ) +( ) +( )
a b c
l
cos  = c
2 2 2 a
h k l
( ) +( ) +( ) în sistemul cubic (a=b=c) d=
2 2 2
a b c h+ k+ l
 z
z
2
3
2
1

O v
y y
1 3
x
x
Densitatea de atomi ρ - numărul de atomi N de pe unitatea de suprafaţă:
Sistemul cubic
cea mai mare densitate de atomi o au planele {111} din sistemul CFC.
Aplicaţii:
A.2.9 Să se calculeze densitatea de atomi prin planul (100) pentru cupru. Se
cunoaşte raza atomică a cuprului R = 0,1278 nm.
Rezolvare:
Constanta reticulară a celulei cuprului
(CFC) este:

a = 2 2R

Pe faţa cubului cu suprafaţa a2 din planul (100) sunt conţinuţi 2 atomi

(un atom complet şi patru sferturi).
Densitatea de atomi va fi:

1
1+  4
4 2 2 1
= 2
= 2
= = = 15,3 atomi / nm
2

a a 8 R2 4 R2
 = 15,3  1012 atomi/ mm2
 10.
2.2.5. Structura cristalină a materialelor ceramice

Reţele ionice
Numărul de coordinaţie este Z=6.
Reţeaua clorurii de sodiu Numărul de ioni din celula elementară este:
Reţeaua clorurii de sodiu 1 1
N Cl = 1 + 12 = 1 + 3 = 4 atomi de Cl
z
1 4

1 1
Na+
N Na = 6 + 8 = 3 + 1 = 4 atomi de Na
2 8
Cl-

O
y
Aşadar celula elementară este
x neutră.
a

Acest tip de reţea se întâlneşte şi la alte materiale ceramice uzuale: MnS,

FeO, CaO, LiF, BaO, MgO, NiO.
Reţeaua clorurii de cesiu z

O sare a cesiului cu acidul

clorhidric cu formula chimică CsCl. Cs+
Cl-
Pulbere solubila in apa, aplicatii in

a
chimia analitica si medicina, O
y
toxicitate redusa dar are o forma x
radioactiva – accident Brazilia

Reţeaua fluorinei fluorit, fluorina este un mineral, cu formula chimică CaF2

are duritatea 4 pe scara Mohs z

Ca+
F-

a
O
y
x
 Reţele covalente
Reţeaua diamantului z
0
,1
O 1
/2
0
,1
y
3
/4
1
/4
0
,1
1
/2 1
/2

a
1
/4
O 3
/4

y 0
,1
x 1
/2 0
,1
x

Reţeaua grafitului
a

Parametrii celulei sunt a = 0,2456 nm şi c = 0,6696nm.

Distanta dintre două straturi este c/2=0,335nm.
 (c) 2003 Brooks/Cole
Publishing / Thomson
Learning™

a) b)
Reprezentarea în plan a aranjamentului atomic în SiO2: a) Structura cristalină;
b) Structura amorfă
 11. 2.2.6. Structura cristalină a polimerilor

(103…105) de unităţi (denumite monomeri sau meri de la grecescul meros-parte)

După forma lanţurilor macromoleculare, polimerii pot să fie:

- polimeri liniari sau filiformi - lanţurile macromoleculare sunt dezvoltate într-o
singură direcţie;
- polimeri ramificaţi –lanţurile macromoleculare sunt dezvoltate după două
direcţii;
- polimeri tridimensionali – lanţurile macromoleculare formează o reţea spaţială.

polimeri liniari polimeri ramificaţi polimeri tridimensionali

polimerii amorfi polimeri cristalini polimeri semicristalini
polimerilor semicristalini (polietilena, politetrafluoretilena) sunt caracterizaţi
prin gradul de cristalinitate
Masa zonelor cristaline
Gcr = ⋅ 100 ,
Masa totală
Densitatea polimerilor cristalini este mai mare decât cea a polimerilor amorfi
Gradul de cristalinitate pentru un anumit material polimeric poate fi determinat
experimental cu relaţia ρc (ρs − ρa )
Gcr = ⋅ 100 ,%
ρ s (ρ c− ρa )

•ρs este densitatea materialului analizat;

•ρc este densitatea materialului considerat, având structură complet cristalină;
•ρa este densitatea materialului considerat, având structură complet amorfă.
ρs se determină experimental pe eşantionul analizat iar valorile ρc şi ρa sunt
determinate pentru fiecare tip de polimer.
12. 2.3. Imperfecţiuni în structura cristalină
După raportul dintre cele trei dimensiuni, defectele de reţea se
împart în:
 - defecte punctiforme;
 - defecte liniare;
 - defecte de suprafaţă

proprietăţisensibile structural (rezistenţa de rupere, limita de

curgere, câmpul coercitiv).
 proprietăţi insensibile structural (modulul de elasticitate sau
magnetizarea de saturaţie ) - nu sunt afectate de defectele de
structură
 2.3.1. Defecte punctiforme
 vacanţele
 atomii interstiţiali
 substituţiile de atomi

Autodifuzia prin vacanţe

V

U f -N – numărul de atomi din cristal;



n = N  e K  T - kf - constanta lui Boltzman (k = 1,38x10-23

-U - energia de formare [J];
vacanţă
J/grad);
- T – temperatura absolută.

I Proporţia vacanţelor
•10-8 din numărul noduri ale reţelei, la temperatura ambiantă
• 5·10-3 din numărul de noduri ale reţelei, la temperatura de topire
atom interstiţial
 2.3.2. Defecte liniare
dislocaţii marginale Dislocaţiile elicoidale
B vectorului Burgers
B'
D
C'
C
B
b b
A'
A
b B'
A
B

Dislocaţiile mixte

Liniadislocaţiei
a b

pozitive notate cu  negative, notate cu T

Deplasarea dislocaţiilor
 densitatea de dislocaţii  (lungimea totală a dislocaţiilor din unitatea de volum):

ρ=
∑ l [ m-2 ]
V
1 rezistenţa ideală (teoretică)
1-2 rezistenţa cristalelor filiforme cu număr foarte
Rezistenta Rm

redus de defecte (whiskers) obţinute în condiţii

1
speciale


2

5



3-4 material metalic cu structură de echilibru
3 4 (material turnat sau recopt) cu densitatea de

dislocaţii =108-1012m-2
4-5 materialele metalice care, în urma unor
Densitatea de dislocatii  tratamente termice sau prin ecruisare, ajung la o
densitate de dislocaţii de ordinul =1016m-2
 Zona
2.3.3. Defecte de suprafaţă maclata

 - limite de grăunţi;
 - sublimite;
 - macle;
 - limite de domenii magnetice.


Plan de maclare

Macle

limite de grăunţi

sublimite de grăunţi
 13. 2.2.7. Solide necristaline
Materiale amorfe
Conservă proprietăţile de bază ale fazelor cristaline
anizotropie

temperatură de topire definită

variaţie bruscă a căldurii specifice, a greutăţii specifice şi a altor proprietăţi la

temperatura de topire
Funcţia de distribuţie radială g(r) exprimă numărul de atomi ale căror centre se află pe
sfera cu raza r.
Deoarece atomii se găsesc într-o stare de agitaţie termică, este mai corect să se
definească, în loc de sfere de coordinaţie, straturi sferice (volumul delimitat de razele r
şi r+dr).

0 1 2 x=r/r0 0 1 2 x=r/r0
 Structura cvasicristalină
 la cristale, nu pot exista decât axe de simetrie de ordinul
n=2,3,4 şi 6, la care corespund unghiuri de rotaţie de 180,
90, 60 şi multiplii lor.
 Din aceste considerente, în cristalografie se admite ca
valabil principiul că axe de simetrie de ordinul 5 sau mai mare
decât 6 nu există în nici un cristal.
 planului care nu poate fi acoperit decât de poligoane
cărora le corespund axe de simetrie de ordinul 2, 3, 4 sau 6
(paralelogram, dreptunghi, romb, triunghi echilateral, hexagon
regulat centrat),
 în spaţiu nu se poate realiza o împachetare compactă după
modelul icosaedrului.
 poliedrul care are axa de simetrie de ordinul 5 –
icosaedrul
 Structura nanocristalină
materialecare au o structură cristalină cu
dimensiuni ale grăunţilor de până la 100 nm.

defectele de suprafaţă (limite de grăunţi)

reprezintă aproximativ 50% din volumul de
material

în cazul materialelor metalice uzuale cu

grăunţi cristalini zonele de limită
distanţe interatomice de 0,2...0,4 nm. Rezultă
că un grăunte poate avea 5...25 straturi atomice.
nanomateriale
zonele de limită au influenţă asupra reţelei
cristaline a grăunţilor prin distorsionările care
se pot propaga până la câteva distanţe
interatomice
 Cristale lichide

 modelele de aranjament numite mezomorfe,

intermediare între stările lichidă şi solidă
 moleculele din care sunt alcătuite aceste materiale
sunt dipoli electrici sau pot fi polarizate cu uşurinţă.
 sunt materiale cu anizotropie însemnată, care au Solid cristalin Cristal lichid Lichid
ordonare după o direcţie
Funcţie de tipul de ordonare:
- aranjamentul smectic la care moleculele se aliniază în straturi (a);
- aranjamentul nematic la care lipseşte orientarea în straturi (b);
- aranjamentul colesteric la care moleculele se aranjează în straturi între care
există diferenţe mici de orientare, formând o structură elicoidală al cărei pas
depinde de temperatură (c); ca rezultat, culoarea cristalelor colesterice depinde de
temperatură.

a) b) c)
14 2.4. Identificarea constituenţilor structurali prin
difracţie de raze X
Razele X (raze Röntgen) sunt radiaţii electromagnetice
cu lungimea de undă l=0,1...10Å , emise de un tub de
raze X prin bombardarea unui metal cu electroni de
înaltă energie

λ
Δ = A' B + AB = 2  d  sinθ = n 
2
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
0 
1 
2 
3 
4 U
ng
h l 0
iu 
1 
2 
3 
4 U
ng
h l
iu