Universitatea Tehnică a Moldovei

Departamentul Microelectronica și
Inginerie Biomedicală

Circuite Analogice și de Conversie

lect. univ. Postica Vasile (cab. 3-425) *E-mail: vasile.postica@mib.utm.md

1
Chișinău 2020
 Modulul T4 (9 ore). SCHEME TIPICE ALE AMPLIFICATOARELOR
OPERAȚIONALE.

În modulul dat este prezentat:

1. Descrierea structurii interne a unui AO;
2. Structura, analiza și schemotehnica amplificatoarelor pe bază de 2 sau mai
multe etaje în cascadă;
3. Analiză în frecvență a parametrilor AO;
4. Etajele de ieșire a AO;
5. Exemple concrete de scheme electrice ale AO (741).
 Modulul T4 (9 ore). SCHEME TIPICE ALE AMPLIFICATOARELOR
OPERAȚIONALE.

4.1. Structura internă a unui AO tipic

4.2. Răspunsul AO la frecvență
4.3. Etaje de ieșire a AO
4.4. Circuite electrice a AO (741)
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
Amplificatoarele operaționale practice sunt formate din mai multe etaje, tipic un etaj de
intrare diferențial, etaj de mijloc și etajul de ieșire:
• Toate etajele sunt cuplate direct în cascadă.
• Etajul de intrare are tipic rezistență mare de intrare și o rejecție pe mod comun la fel
destu de mare.
• Funcția etajului din mijloc este mărirea principală a câștigului în tensiune. Alte funcții
pot fi convertirea diferențială în single-ended și deplasarea de nivel pentru a permite
evaluarea semnalului de ieșire în ambele polarități.
• Etajul de ieșire este tipic un repetor pe emitor cu câștigul de o unitate.
• Etajul de ieșire furnizează o impedanță de ieșire mică pentru a putea dirija o sarcină cu
valori a rezistenței destul de mici.
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
Câștigul fiecărui etaj (în afară de ultimul) este tipic 300 – 1000.

În rezultat, câștigul total A0 este tipic de 105 – 106. În general, AO pe bază de tranzistoare
BJT au un câștig mai mare în tensiune, în timp ce cele pe bază de MOS au o rezistență de
intrare mai mare.
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de CMOS cu două etaje

În figură este prezentat un circuit

tipic. Tensiunea de alimentare
variază de la ± 2.5 V pentru
tehnologia de 0.5 μm și ± 0.5 V
pentru tehnologia 65 nm.

Sursa de curent IREF poate fi

conectată extern sau poate fi
formată direct pe chip.

Oglinda de curenți Q8 și Q5
alimentează perechea
diferențială de intrare Q1 și Q2 cu
curent.

Raportul W/L a Q5 este ales în

așa mod pentru a furniza
valoarea curentului necesar I.
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de CMOS cu două etaje

Perechea diferențială are ca

sarcină oglinda de curenți Q3 și
Q4 .

Al doilea etaj este format din Q6,

care prezintă un amplificator cu
sursă comună care are ca sarcină
sursa de curent formată de Q7.

Rolul capacității CC va fi discutat

în alt capitol.

Un dezavantaj al circuitului
prezintă rezistența mare de ieșire
(ro6 || r07)
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de CMOS cu două etaje

Conform analizei precedente a

etajului diferențial avem câștigul:

unde gm1 prezintă

transconductanța oricărui
tranzistor de intrare (Q1 sau Q2).

Câștigul etajului următor (repetor

pe sursă) este dat de relația:

Câștigul total este produsul A1 și

A2 .
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de CMOS cu două etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de CMOS cu două etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de CMOS cu două etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de CMOS cu două etaje
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje

Circuitul constă din 4 etaje.

Primul etja constă dintr-o
intrare diferențială cu ieșire
diferențială (Q1 și Q2), care
sunt polarizate cu curentul
de la sursa de curent (Q3).

Al doilea etaj este de

asemenea o pereche
diferențială (Q4 și Q5) dar cu
o singură ieșire la colectorul
Q5. Etajul dat este polarizat
de sursa de curent de la Q6.
Trebuie de reamintit că o
astfel de convertire
diferențială – single-ended
conduce la pierderea
câștigului de 2 ori.
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
Pentru a avea un câștig în
tensiune este introdus al treilea
etaj, format dintr-un tranzistor
pnp Q7, care are rolul de
deplasare de nivel.

Astfel, în timp ce semnalul la

colectorul Q5 nu are voie să se
balanseze sub tensiunea de la
bază (+10V), semnalul de la
colectorul Q7 poate evalua în
ambele polarități.

Conform principiilor AO, ieșirea

trebuie să se modifice în ambele
polarități, astfel orice AO are la
ieșire un deplasator de nivel.

Etajul de ieșire constă dintr-un

repetor pe emitor format din Q8.
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
4.1. Structura internă a unui AO tipic
AO pe bază de BJT cu patru etaje
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
Etaje de deplasare a nivelului

Pentru deplasarea nivelului se utilizează de obicei repetorul pe sursă (emitor).

În cazul tranzistorilor MOS deplasarea este de VGS, deoarece VO = VG – VGS. Astfel, ideea
principală este de a crea o tensiune la terminalul de sursă, care poate fi completată cu
un divizor de tensiune, o sursă de curent sau diodă zenner.
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
Etaje de deplasare a nivelului

În primul caz:

Deoarece VGS este fixat pentru un curent de drenă specific,

modificări mici în ΔvGS vor conduce la modificări similare la
ieșire:
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
Etaje de deplasare a nivelului

Rezistența R2 din ciruitul trecut poate fi înlocuită cu o sursă de

curent IO. Deplasarea în tensiune va fi:

Deoarece curentul prin R1 este fix, căderea de tensiunea pe

aceasta la fel este fixată.
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
Etaje de deplasare a nivelului

Rezistența R1 din primul circuit poate fi înlocuită cu o diodă

Zenner cu tensiunea de străpungere VZ. Deplasarea în tensiune
va fi:

Deoarece tensiunea pe VZ este fixă, căderea de tensiunea pe

aceasta la fel este fixată.
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
Etaje de deplasare a nivelului

În cazul tranzistorilor BJT deplasarea este de VBE ≈ 0.7 V, deoarece VO = VS – VBE. Astfel,
ideea principală este de a crea o tensiune la emitor, care poate fi completată cu un
divizor de tensiune, o sursă de curent sau diodă zenner.
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
Etaje de deplasare a nivelului

În primul caz:

Dacă înlocuim iE cu

Vom avea următoarea tensiune de ieșire:

Deși cirucuitul realizează deplasarea de nivel, acesta

produce și atenuarea semnalului cu:
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
Etaje de deplasare a nivelului

Atenuarea poate fi exclusă prin înlocuirea R2 cu o sursă de curent

IO. Deplasarea în tensiune este:

Ceea ce rezultă în tensiunea de ieșire:

Deoarece curentul prin R1 este fix, căderea de tensiunea pe

aceasta la fel este fixată.
 4.1. Structura internă a unui AO tipic
Etaje de deplasare a nivelului

Rezistența R1 din primul circuit poate fi înlocuită cu o diodă

Zenner cu tensiunea de străpungere VZ. Deplasarea în tensiune
va fi:

Deoarece tensiunea pe VZ este fixă, căderea de tensiunea pe

aceasta la fel este fixată.