DCE Analogic

DCE - Cap.1.
INTRODUCERE 9
Cap.1. INTRODUCERE
În curs se prezintă dispozitivele şi circuitele electronice fundamentale ce intervin în

prelucrarea electronică a semnalelor analogice. Termenul de "electronic" este asociat mecanismului
electronic de conducţie electrică.
Prin componentă electronică se înţelege realizarea fizică a unui element electric individual,
într-un corp fizic independent, care nu poate fi redus mai departe sau divizat, fără a distruge
posibilitatea de a îndeplini funcţia pentru care a fost realizat. Componentele electronice se împart în
două categorii: pasive şi active. Componentele pasive sunt elemente disipative (consumă putere
activă şi o transformă în căldură) şi nu pot controla fluxul de energie dintr-un circuit electric. Ex.:
rezistoare, condensatoare, bobine de inductanţă, transformatoare etc. Circuitele formate numai din
componente pasive nu pot efectua cea mai importantă funcţie electronică: amplificarea. Aceasta
poate fi realizată de componentele active, care sunt elemente care pot comanda sau modula fluxul
de energie dintr-un circuit. Ex.: dioda semiconductoare, tranzistoare, tuburi cu vid sau cu gaz,
dispozitive optoelectronice etc. Uzual, pentru componentele pasive se foloseşte termenul de
"componente", iar pentru cele active, termenul de "dispozitive". Dispozitivele electronice se
bazează pe controlul mişcării purtătorilor de sarcină în corpul solid (de regulă în semiconductoare),
în gaze sau în vid.
Circuitele electronice sunt acele circuite electrice care folosesc dispozitive electronice. Ele
realizează diverse funcţii electronice: amplificarea, redresarea, stabilizarea tensiunii, generarea de
oscilaţii armonice, modularea, demodularea etc. Circuitele electronice se împart în două categorii:
1) circuite digitale (numerice, logice): acele circuite care prelucrează semnale binare, adică
semnale care pot avea numai două valori (0 sau 1);
2) circuite analogice: circuitele la care semnalul de ieşire variază continuu în timp, urmărind
după o anumită lege variaţia semnalului de intrare. După natura funcţiei de transfer, adică a relaţiei
dintre mărimea de intrare şi cea de ieşire, circuitele analogice se împart în circuite liniare şi
neliniare.
Dispozitivele electronice sunt în general neliniare, dar ele pot fi considerate suficient de
liniare în domenii de funcţionare limitate.
Tubul electronic a fost primul dispozitiv folosit în electronică. Încă din anul 1883, Thomas
Edison, a studiat şi a construit o lampă cu filament de carbon, atrăgându-i atenţia înnegrirea tubului
de sticlă după câteva ore de funcţionare. Cu intenţia de a capta unele din particulele care înnegreau
sticla, a introdus în balonul de sticlă o placă metalică şi a fost surprins să descopere că dacă făcea
placa pozitivă în raport cu filamentul, în circuit apărea un curent. Timp de douăzeci de ani nimeni
nu a ştiut că acest efect termoelectronic numit "efect Edison", era datorat electronilor emişi de
filamentul cald şi captaţi de anodul (placa) încărcat pozitiv. Înnegrirea lămpii a fost studiată şi de
Ambrose Fleming, cercetând realizarea unui detector evoluat pentru undele radio ale lui Marconi.
În 1904 el şi-a patentat "tubul oscilator" cu doi electrozi (dioda) care permitea trecerea curentului
într-o singură direcţie. Lee de Forest a construit în 1907 un tub electronic cu o grilă (reţea) metalică
între catod şi anod, numit triodă. Urmează tetroda (Schottky, 1919), pentoda (Tellegen, 1928) etc.
În anii ’30 au apărut redresoarele cu diode metal-semiconductor (cu seleniu, cu oxid
cupros), apoi cu germaniu (Ge) şi cu siliciu (Si). Primul tranzistor bipolar a fost cel cu contacte
punctiforme, realizat de Bardeen şi Brattain în 1948, dar nu s-a impus din cauza puterii foarte mici.
Cel mai important dispozitiv electronic este, la ora actuală, tranzistorul bipolar cu joncţiuni,
inventat de Shockley în 1949.
Cu excepţia unor aplicaţii specializate (în emiţătoarele radio, tuburile catodice), tuburile
electronice au fost înlocuite după 1960 de dispozitivele semiconductoare discrete şi integrate.
Un circuit integrat este o unitate constructivă inseparabilă de microelemente interconectate
electric, plasate în volumul sau pe suprafaţa unui substrat comun. D.p.d.v. tehnologic, ele pot fi
realizate sub formă monolitică sau sub formă hibridă. Circuitele integrate monolitice se obţin
10 DCE - Cap.1. INTRODUCERE
integral pe aceeaşi plăcuţă (“cip”) de material semiconductor. Cele hibride conţin şi unele elemente
neintegrabile (condensatoare şi inductanţe mari).
Pentru analiza circuitelor electronice se utilizează legile fundamentale ale circuitelor (legea
lui Ohm, legile lui Kirchhoff), precum şi o serie de teoreme (superpoziţiei, Thèvenin, Norton etc.).
Teorema superpoziţiei poate fi enunţată în două forme: una în termenii unei reţele de
impedanţe şi alta în termenii unei reţele de admitanţe. În orice reţea liniară de impedanţe şi
generatoare, curentul dintr-o ramură este egal cu suma curenţilor ce străbat acea ramură datorită
fiecărui generator considerat separat, cu toate celelalte generatoare înlocuite prin impedanţele lor
interne.
În exemplul din figura 1.1 vom aplica teorema superpoziţiei pentru a calcula curentul I din
ramura circuitului cu rezistorul având rezistenţa de 5.
Isc
5 Z in
 I1 I2 2 Yin
12V I 6V V
Fig. 1.1. Aplicaţie pentru utilizarea Fig. 1.2. Circuit echivalent Fig. 1.3. Circuit echivalent
teoremei superpoziţiei pentru teorema lui Thèvenin pentru teorema lui Norton
Considerăm bateria de 12V singură şi înlocuim bateria de 6V lăsând doar impedanţa sa

internă de 2. Pentru acest circuit avem:
I  I1  12 / 6  2 * 5 / 2  5* 2 / 2  5  24 / 52 A
Acum considerând bateria de 6V singură, înlocuim bateria de 12V lăsând doar impedanţa sa internă
de 6. Rezultă:
I  I 2  6 /2  5 * 6  / 5  6 * 6 / 5  6   36 / 52A
Cu ajutorul teoremei superpoziţiei avem:
I  I1  I 2  24 / 52  36 / 52  1,1538A
A doua modalitate de exprimare a teoremei superpoziţiei este: în orice reţea de admitanţe şi
generatoare de curent, potenţialul de-a lungul unei ramuri este egal cu suma potenţialelor de-a
lungul acestei ramuri datorate fiecărui generator considerat ca acţionând separat, cu toate celelalte
generatoare înlocuite prin admitanţele lor interne.
Teorema lui Thèvenin (teorema generatorului echivalent de tensiune, teorema lui
Helmholz-Thèvenin) arată că orice reţea de generatoare şi impedanţe, cu două terminale, poate fi
înlocuită printr-un "unic generator de tensiune în serie cu o singură impedanţă". In figura 1.2.
reţeaua este prezentată ca o "cutie" cu două terminale, în partea stângă, iar circuitul echivalent
alcătuit din generatorul unic de tensiune V şi impedanţa Zin în partea dreaptă (tot cu două
terminale).
Componentele circuitului echivalent pot fi calculate după cum urmează:
- generatorul de tensiune V are valoarea egală cu tensiunea măsurată la bornele reţelei când
nu este conectată nici o sarcină (tensiune de mers în gol);
- impedanţa Zin este impedanţa măsurată între terminale când toate generatoarele interne
sunt suprimate şi înlocuite cu impedanţele lor interne.
Teorema lui Norton (teorema generatorului echivalent de curent) este similară cu
teorema lui Helmholz-Thèvenin cu excepţia că circuitul echivalent este exprimat ca un generator de
curent în paralel cu o admitanţă. În figura 1.3 reţeaua este prezentată ca o cutie cu două terminale
având în dreapta sa circuitul echivalent Norton.
Componentele circuitului echivalent pot fi calculate după cum urmează:
- Isc este curentul care ar străbate un "scurtcircuit" plasat între terminale;
DCE - Cap.1. INTRODUCERE 11
- Yin este admitanţa măsurată între terminale cu toate generatoarele suprimate (Yin este
bineînţeles inversul impedanţei Zin echivalente din cazul teoremei lui Helmholz-Thèvenin).
DCE - Cap.2. NOŢIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR 11
Cap.2. NOŢIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR
2.1. PURTĂTORI DE SARCINĂ MOBILI ÎN SEMICONDUCTOARE

2.1.1. Semiconductoare pure
Dispozitivele electronice actuale sunt realizate, în marea majoritate, din materiale

semiconductoare. Semiconductoarele formează, din punctul de vedere al conductivităţii electrice, o
categorie intermediară între metale şi izolatoare. Ele permit (la T>0K) conducţia curentului
electric. Între banda de valenţă (B.V.) şi cea de conducţie (B.C.) există o bandă interzisă (B.I.),
având lărgimea energetică E=Ec-Ev<3eV (fig.2.1).
La metale, B.V. şi B.C. sunt parţial suprapuse. Materialele semiconductoare cele mai folosite sunt:
Si, Ge (grupa IV a sistemului periodic, reţea cristalină tetraedrică tip diamant, legături chimice
covalente), GaAs, InP, GaP, InSb (reţea cristalină cubică tip blenda -ZnS, legături chimice
covalente cu contribuţie ionică, în sensul că electronii de legătură rămân mai concentraţi în jurul
atomilor pentavalenţi).
E=1.12eV pentru Si E=0.67eV pentru Ge E=1.4eV pentru GaAs
Într-un semiconductor pur, la 0K, se presupune că toţi electronii de valenţă sunt localizaţi
în legături covalente şi nu există purtători de sarcină mobili. Materialul se comportă ca un izolator,
cu B.V. complet ocupată de electroni, iar B.C. goală (fig. 2.2.a, fig. 2.2.b).
Fig. 2.1 Fig. 2.2.a Fig. 2.3.a
Si Si Si Fig. 2.2.b Si Si Si
Atomi într-un cristal
de Si ilustrând legăturile
Si Si Si covalente Si Si Si
Fig. 2.3.b gol
Cristal cu un electron
Si Si Si Si Si Si
liber şi un gol datoraţi
agitaţiei termice
electron
La T>0K, o parte din electronii de valenţă pot primi de la agitaţia termică o energie
suficient de mare (>E) pentru a se desprinde din legăturile covalente şi a trece din B.V. în B.C.,
unde se comportă ca electronii liberi din metale, participând la conducţia curentului electric. Aceşti
electroni se numesc electroni liberi sau de conducţie, iar procesul se numeşte generarea directă a
purtătorilor de sarcină. Legăturile covalente pot fi rupte şi pe alte căi, spre exemplu, prin absorbţia
de către electronii de valenţă a unor fotoni de energie >E. La Si pur, la temperatura ambiantă, doar
o legătură la 7013 este ruptă la un moment dat. În figurile 2.3.a şi 2.3.b se observă locul rămas
12 DCE - Cap.2. NOŢIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR
liber (golul) prin ruperea legăturii covalente. Golurile pot fi ocupate de alţi electroni din alte
legături covalente. Descrierea mişcării golurilor prin mişcarea electronilor de valenţă este foarte
complicată. De aceea se introduce o particulă fictivă - golul - considerând că acesta are masă
efectivă şi sarcină pozitivă. Conceptul de gol poate fi justificat prin mişcarea unei bule de aer într-
un lichid. În concluzie, în semiconductoare există două feluri de purtători de sarcină mobili:
electronii şi golurile. La semiconductoarele pure, purtătorii sunt generaţi numai ca perechi electron-
gol. Este posibil şi procesul invers: un electron din banda de conducţie poate să cadă într-un gol din
banda de valenţă, legătura se reface, purtătorii dispar (tot în perechi). Procesul poartă denumirea de
recombinare directă a purtătorilor. În consecinţă, concentraţia volumică a electronilor liberi (n) la
un semiconductor pur este egală cu concentraţia volumică a golurilor (p): n=p=ni , unde ni se
numeşte concentraţie intrinsecă niT/E. Semiconductoarele pure mai sunt numite şi intrinsece (de
tip i).
2.1.2. Semiconductoare cu impurităţi
În construcţia dispozitivelor electronice, de obicei se utilizează semiconductoare cu

impurităţi. Procesul prin care într-un semiconductor se introduc impurităţi se numeşte dopare.
Pentru Ge şi Si se utilizează două tipuri de dopări: cu elemente pentavalente (P, Sb, As, Bi -
donoare de electroni) şi cu elemente trivalente (B, Al, In, Ga - acceptoare de electroni). Atomii
acestor impurităţi intră în nodurile reţelei cristaline, substituind atomii de semiconductor, rezultând
în final semiconductoare de tip n (când purtătorii majoritari sunt electronii) şi respectiv p (când
purtătorii majoritari sunt golurile).
Semiconductoare de tip n
Să considerăm, de exemplu, că o parte din atomii de Si sunt substituiţi cu atomi pentavalenţi
de P. Patru din cei cinci electroni de valenţă ai atomului de P intră în legături covalente cu atomii
vecini de Si. Al cincilea electron de valenţă nu poate intra în legătură covalentă şi va evolua pe o
orbită cu raza mult mai mare decât distanţa dintre doi atomi vecini. Nivelul energetic al acestui
electron (Ed) se plasează în B.I. foarte aproape de B.C. (fig. 2.4.a, 2.4.b).
Fig. 2.4.a Fig. 2.5.a
Fig. 2.4.b Fig. 2.5.b

Concentraţia impurităţilor este foarte mică (de ordinul a 1 atom de P la 107 atomi de Si),
atomii de impurităţi fiind izolaţi între ei (învelişurile lor electronice nu se influenţează reciproc). De
aceea nivelele introduse de impurităţi sunt locale (le vom reprezenta prin linii întrerupte). Dar
electronii de pe aceste nivele nu pot participa la conducţie. Aceasta ar fi structura la 0K, când B.C.
nu conţine electroni. La T>0K, electronii de pe nivelele Ed pot trece foarte uşor în B.C. devenind
electroni liberi. Energia Ed=Ec-Ed se numeşte energie de activare a impurităţilor (~0.01eV).
Atomii pentavalenţi constituie o sursă de electroni de conducţie şi de aceea ei se numesc donori, iar
nivelele Ed nivele donoare.
Electronii eliberaţi de impurităţile donoare nu lasă în urma lor goluri, ci ioni pozitivi ficşi în
reţeaua cristalină. Agitaţia termică determină ruperea legăturilor covalente, adică generarea
perechilor electron-gol. Astfel există şi goluri, dar mai puţine decât electronii. Purtătorii de sarcină
în număr mai mare, adică electronii, se numesc majoritari, semiconductorul se numeşte de tip n, iar
golurile sunt purtători minoritari.
Semiconductoare de tip p
Să considerăm acum că o parte din atomii semiconductorului au fost substituiţi cu atomi
trivalenţi, de exemplu B. Aceşti atomi nu vor putea satisface decât trei legături de covalenţă cu
atomii de Si, o legătură rămânând nesatisfacută. Lipsa unui electron nu reprezintă un gol propriu-
zis, deoarece nivelul energetic al acestei legături este local şi se plasează în B.I., puţin deasupra
B.V.(fig. 2.5.a, 2.5.b).
La 0K banda de valenţă ar fi complet ocupată, în B.C. nerămânând electroni. Energia de
activare a impurităţilor Ea=Ea-Ev fiind mică (~0.01eV), la T>0K, unii electroni de covalenţă pot
primi de la agitaţia termică energia necesară pentru a trece din B.V. pe nivelele acceptoare din B.I..
Abia acum apar în B.V. goluri veritabile; electronii de pe nivelele acceptoare locale nu participă la
conducţie, ci formează ioni negativi ficşi în reţeaua cristalină. Impurităţile se numesc acceptoare,
purtătorii majoritari sunt golurile, iar semiconductorul este de tip p.
Semiconductoarele de tip n şi p se mai numesc şi semiconductoare extrinsece.
Impurităţile dau nivele izolate numai dacă concentraţia lor este mai mică de 1025 atomi/m3.
La concentraţii mai mari, atomii de impuritate încep să interacţioneze între ei şi corpul devine
semimetal. În practică se utilizează concentraţii între 1020 şi 1024 atomi/m3, mai mari decât
concentraţia intrinsecă ni.
Semiconductoarele pot conţine simultan impurităţi de ambele tipuri (fig. 2.6).
La 0K, cristalul trebuie să se afle în starea de minim energetic, deci electronii de pe Ed vor
trece pe Ea, cristalul comportându-se ca un semiconductor tip n în cazul figurii 2.6.a, respectiv p
pentru figura 2.6.b, cu o concentraţie efectivă de impurităţi N=Nd-Na. Acest fenomen se numeşte
compensarea impurităţilor. Dacă Nd=Na, cristalul se numeşte compensat şi se comportă ca un
semiconductor intrinsec (fig. 2.6.c).
Fig. 2.6.a Fig. 2.6.b Fig. 2.6.c

2.2. TRANSPORTUL PURTĂTORILOR DE SARCINĂ ÎN SEMICONDUCTOARE
Într-un semiconductor omogen, aflat la echilibru termic, electronii din B.C. şi golurile din
B.V. suferă doar o mişcare de agitaţie termică, care are un caracter haotic şi este însoţită de ciocniri
cu reţeaua. În medie, electronii şi golurile nu suferă o deplasare netă. Această situaţie corespunde
absenţei curenţilor electrici macroscopici de conducţie. Deplasare efectivă apare în două situaţii:
1) sub acţiunea unui câmp electric, când este numită drift, iar curenţii se numesc curenţi de
câmp sau de drift;
2) în prezenţa unui gradient de concentraţie a impurităţilor, când se numeşte difuzie, iar
curenţii se numesc curenţi de difuzie.
2.2.1. Mişcarea purtătorilor de sarcină în câmp electric
În figura 2.7. s-a reprezentat (cu linie continuă)

drumul haotic al unui gol, în absenţa câmpului electric.
Dacă E0, mişcarea golului îşi păstrează caracterul (linia
punctată), dar peste deplasarea dezordonată se suprapune
o deplasare dirijată, în direcţia câmpului.
Viteza medie (netă) pe direcţia câmpului electric
pe care o capătă purtătorii este Vn=nE pentru electroni
Fig. 2.7 şi Vp=pE pentru goluri, unde E = intensitatea câmpului
electric şi n, p = mobilitatea electronilor, respectiv a golurilor. n>p datorită concentraţiilor
diferite în care are loc mişcarea acestor particule. Mobilitatea scade cu creşterea E, cu creşterea T,
şi cu creşterea concentraţiilor impurităţilor.
2.2.2. Difuzia purtătorilor de sarcină
În majoritatea dispozitivelor semiconductoare concentraţia purtătorilor este neuniformă, fie

prin faptul că unele regiuni ale semiconductorului sunt dopate cu impurităţi acceptoare iar altele cu
impurităţi donoare, fie datorită dopării uniforme cu un
anumit număr de impurităţi, fie ca rezultat al
introducerii unor purtători suplimentari din exterior. În
aceste cazuri există tendinţa ca purtătorii din regiunile
cu concentraţie mare să se deplaseze spre regiunile cu
concentraţie mai mică. Fenomenul este similar cu
difuzia gazelor (cu excepţia rezultatului final, după
cum vom vedea).
Pentru a discuta fenomenul difuziei,
considerăm o bară semiconductoare în care
concentraţia golurilor variază după axa x şi
presupunem că pe axa y concentraţia este constantă
(fig. 2.8).
În unitatea de timp o anumită fracţiune din
golurile din boxa din stânga vor trece în cea din
dreapta prin zona de separaţie. În acelaşi timp o
fracţiune din golurile boxei din dreapta vor trece în cea
din stânga.
Pentru că sunt mai multe goluri în stânga va
exista un flux net de purtători de la stânga la dreapta.
Va apare un curent de difuzie:
Jdp=qDpdp/dx
Jdn=qDndn/dx
Fig. 2.8 Jdp= densitatea curentului de difuzie pentru goluri
Jdn= densitatea curentului de difuzie pentru electroni
Dp= coeficient de difuzie a golurilor
Dn= coeficient de difuzie a electronilor
Obs:
1) curentul de difuzie nu este rezultatul acţiunii unor forţe asupra purtătorilor, ci este o consecinţă a
mişcării lor haotice;
2) densitatea curentului depinde de gradientul concentraţiei şi nu de valoarea absolută a ei;
3) apare un câmp electric intern care însoţeşte fenomenul de difuzie. Acest câmp se opune difuziei.
La echilibru curentul de difuzie este egal şi de sens opus cu curentul produs de câmpul intern.
Aceasta este diferenţa faţă de gaze.
Coeficientul de difuzie este o măsură a uşurinţei cu care purtătorii se deplasează în reţeaua
cristalină. Există o relaţie între D şi . Această relaţie a dedus-o Einstein: Dp=KT/qp, K=
constanta lui Boltzmann.
Se defineşte Ut=KT/q= tensiune termică; la 300K Ut=25mV.
2.3. GENERAREA ŞI RECOMBINAREA PURTĂTORILOR DE SARCINĂ
Spre deosebire de metale, unde electronii au o existenţă nedefinită, la semiconductoare

electronii au un timp de viaţă statistic finit. Are loc un proces continuu de generare a purtătorilor ca
urmare a agitaţiei termice şi în paralel procesul invers. La echilibru trebuie ca viteza de generare să
fie egală cu cea de recombinare. Viteza de generare reprezintă numărul de purtători generaţi în
unitatea de timp şi unitatea de volum.
Procesele de generare şi recombinare sunt directe şi indirecte.
Generarea şi recombinarea directă prezentate anterior au importanţă doar la dispozitivele
electronice pe bază de Ga-As.
Procesul indirect de generare şi recombinare predomină la Ge şi Si. Saltul se face prin
intermediul unor nivele donoare sau acceptoare plasate aproape de mijlocul benzii interzise. Astfel
de nivele pot fi produse de defectele reţelei cristaline, spaţii interstiţiale, dislocaţii, precum şi
impurităţi voite (Au) sau nedorite (Fe, Co, Ni). Aceste nivele acţionează ca trepte intermediare la
tranziţia electronilor între B.V. şi B.C.. Energia cerută de acest proces este aproape de E/2 şi de
aceea procesul este mult mai probabil decât tranziţia directă.
Timpul mediu pe care purtătorii îl petrec de la generare până la recombinare se numeşte
timp de viaţă. La echilibru termodinamic vitezele de generare şi recombinare sunt egale. Să
presupunem că echilibrul a fost perturbat de un flux de fotoni. Sistemul tinde spre echilibru. În
condiţiile de exces de purtători predomină recombinarea, invers predomină generarea.
2.4. INJECŢIA PURTĂTORILOR DE SARCINĂ
Când concentraţiile purtătorilor sunt mai mari decât la echilibru se spune că

semiconductorul se află în stare de injecţie (np>ni2). Dacă concentraţiile sunt mai mici ca la
echilibru spunem că semiconductorul se află în stare de extracţie (np<ni2).
Vom trata un caz particular de injecţie: o plăcuţă semiconductoare (fig. 2.9), de exemplu de
tip n, în care se injectează în mod continuu şi uniform purtători minoritari (goluri) pe una din feţe
(y0z). Injecţia se poate realiza cu ajutorul unui contact metalic pe suprafaţa y0z sau prin iluminarea
acesteia continuu şi uniform (deci injecţie cu fotoni). La suprafaţă concentraţia golurilor va creşte
faţă de cea din interiorul cristalului şi atunci golurile vor difuza spre interior.
În timpul difuziei are loc şi procesul de recombinare astfel încât la o anumită distanţă toţi
purtătorii injectaţi se recombină şi semiconductorul se află în echilibru (fig. 2.10.a). Se dă legea de
variaţie a concentraţiei golurilor de la suprafaţă spre interior: p=p0+pexp(-x/Lp), unde Lp2=
pDp, Lp= lungimea de difuzie a golurilor în exces, de fapt valoarea medie a adâncimii până la
recombinare.
n
y
injecţie de 0 x
goluri Fig. 2.9
O relaţie similară se poate scrie şi pentru electroni: n=n0+nexp(-x/Ln). Această lege este
valabilă şi pentru extracţie, cu limitarea pp0 (fig. 2.10.b). Putem avea extracţie totală sau
parţială.
Fig. 2.10.a. Fig. 2.10.b.

DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 17
Cap.3. JONCŢIUNEA p-n
Majoritatea dispozitivelor conţin atât regiuni p cât şi regiuni n în acelaşi cristal.

Definiţie: Regiunea în care se face trecerea de la p la n se numeşte joncţiune p-n.
După modul în care variază concentraţia efectivă a
impurităţilor (N=Nd-Na) la trecerea dintr-o regiune în
cealaltă, joncţiunile pot fi abrupte sau gradate.
Un caz particular de joncţiune gradată îl constituie
joncţiunea gradată liniar (fig. 3.1.c), la care concentraţia
efectivă variază liniar: N=Nd-Na=a*x, unde a este o
constantă (gradientul concentraţiei). Dacă trecerea de la p la
n se face pe distanţă mare, avem de-a face cu un
semiconductor neomogen. Marea majoritate a dispozitivelor
semiconductoare conţin una sau mai multe joncţiuni. Cel
mai simplu dispozitiv electronic, realizat cu o singură
joncţiune este dioda semiconductoare. Dioda
semiconductoare nu este acelaşi lucru cu joncţiunea p-n.
Există diode semiconductoare realizate pe baza contactului
metal-semiconductor. În plus o diodă conţine, pe lângă
eventuala joncţiune p-n, şi alte structuri, cum ar fi:
contactele ohmice, sistemele de prindere şi de evacuare a
căldurii etc.
3.1. JONCŢIUNEA p-n LA ECHILIBRU TERMIC
O joncţiune nu poate fi realizată prin punerea în

contact mecanic a unui cristal de tip p cu altul de tip n,
deoarece oricât de fin ar fi prelucrate suprafeţele ce vin în
contact, ansamblul astfel format are două reţele cristaline
independente, iar în zona contactului apar o mulţime de
Fig. 3.1 defecte ce împiedică mişcarea purtătorilor de sarcină şi
măresc foarte mult viteza de recombinare.
Să presupunem că am putea obţine o joncţiune abruptă prin contact mecanic. Imediat după
realizarea contactului la interfaţă, concentraţiile de purtători au un gradient foarte mare, datorită
căruia unele goluri din p difuzează în n (fig. 3.2.a). La interfaţă, concentraţia are un gradient infinit
datorită căruia unele goluri din regiunea p difuzează în n, iar electronii invers. Ca urmare a acestei
difuzii în vecinătatea interfeţei, concentraţiile de purtători mobili devin mult mai mici decât
concentraţiile impurităţilor ionizate. În final rezultă abateri de la neutralitatea electrică; în zona p,
plecând goluri şi sosind electroni, apare sarcina spaţială  negativă. Sarcina apărută generează câmp
electric E de la (+) la (-), câmp care se opune difuziei. După realizarea echilibrului termodinamic
curentul de difuzie va fi egal şi de semn opus celui de câmp.
În figura 3.2.b este reprezentată concentraţia impurităţilor; în figura 3.2.c este reprezentată
concentraţia golurilor; în figura 3.2.d este reprezentată concentraţia electronilor; în figura 3.2.e
sarcina spaţială  pozitivă este egală în valoare absolută cu cea negativă; în figura 3.2.f în afara
regiunii cu sarcină spaţială , câmpul electric E este nul.
Regiunea în care există sarcină spaţială şi câmp electric se numeşte regiune de tranziţie.
Regiunile fără sarcină spaţială se numesc regiuni neutre. Suprafaţa între p şi n (adică porţiunea în
care concentraţia efectivă de impurităţi este nulă - Na=0) se numeşte joncţiune metalurgică. Prin
joncţiune p-n se înţelege atât regiunea de tranziţie, precum şi cele două regiuni neutre.
În figura 3.2.g apare bariera de potenţial de mărime Uo. Uo a fost reprezentat luând ca
referinţă regiunea p. Câmpul din barieră are tendinţa să treacă golurile din n în p.
18 DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n
Deci energia golurilor din p este mai mică decât în n. Pentru ca

golurile majoritare din p să treacă în n, trebuie să posede o
energie suficient de mare pentru a învinge bariera de potenţial.
Având în vedere distribuţia statistică după energie, va exista în
regiunea p lângă zona de tranziţie un anumit număr de goluri cu
energie suficient de mare pentru a putea traversa bariera.
Grosimea regiunii de tranziţie este foarte mică în
comparaţie cu regiunea transversală (de aceea considerăm numai
variaţia după Ox). Deoarece în regiunea de tranziţie în jurul zonei
metalurgice concentraţia impurităţilor este apropiată de cea
intrinsecă, rezultă că în această porţiune sarcina spaţială este
determinată practic doar de impurităţile ionizate. De aceea, se
presupune că în regiunea de tranziţie nu avem concentraţii de
purtători faţă de cele ale impurităţilor.
Presupunem că regiunea de tranziţie este golită de
purtători; deci rămân numai impurităţile ionizate. Această
aproximaţie se numeşte aproximaţie de golire. În această ipoteză
sarcina spaţială are o distribuţie rectangulară (fig. 3.3) şi
lp0*Na=ln0*Nb, unde lp0, ln0 sunt adâncimile pe care se întinde .
Această relaţie reprezintă neutralitatea globală a
semiconductorului şi indică pătrunderea mai accentuată a
regiunilor de sarcină spaţială  în zona mai slab dopată.
l0=lp0+ln0=0.1m
Un caz particular de dopare a joncţiunii p-n este dat de
Fig. 3.2 profilul asimetric, iar joncţiunea se numeşte abruptă unilaterală
(fig. 3.4). Această joncţiune se întâlneşte la semiconductoarele la
care una din regiuni este mult mai dopată ca cealaltă şi se notează
+
cu p n (p este mai puternic dopat). La aceste joncţiuni regiunea de tranziţie se extinde practic numai
în regiunea slab dopată: l0ln0. Într-o astfel de joncţiune toate fenomenele electrice sunt dependente
numai de concentraţia de impurităţi din regiunea slab dopată.
Fig. 3.3 Fig. 3.4

Pentru joncţiunea gradată liniar variaţia concentraţiei impurităţilor se aproximează liniar în

jurul joncţiunii metalurgice: Nd-Na=a*x, unde a este o constantă (fig. 3.5.a şi fig. 3.5.b). Pentru
joncţiunile reale gradate neliniar variaţiile sunt neliniare ca în figura 3.6.
. Fig. 3.5.a Fig. 3.5.b Fig. 3.6
3.2. JONCŢIUNEA p-n ÎN REGIM STAŢIONAR

3.2.1. Joncţiunea p-n polarizată
Aplicând prin intermediul unor contacte pe extremităţile regiunilor neutre o tensiune

joncţiunii, echilibrul termodinamic este perturbat. Prin joncţiune va trece un anumit curent.
Regiunile p şi n au conductivitate mare, astfel încât căderea de tensiune de pe ele poate fi neglijată.
Întreaga tensiune aplicată din exterior se regăseşte pe regiunea de tranziţie având ca efect
modificarea înălţimii barierei de potenţial. Se modifică şi dimensiunile regiunii de tranziţie precum
şi concentraţia purtătorilor.
mare mic
-
e e-
g(+)
fluxuri mici fluxuri mari
Fig. 3.7 Fig. 3.8

Să considerăm că se aplică joncţiunii o tensiune cu minusul pe regiunea p şi plusul pe n.
Înălţimea barierei va creşte cu Ua (fig. 3.7). Ca urmare numărul de purtători majoritari care vor
escalada bariera scade. Tensiuni foarte mici aplicate cu această polaritate sunt suficiente pentru a
bloca scurgerea purtătorilor majoritari în joncţiune. Se constată că acest curent este limitat la
valoarea de saturaţie Is. Polarizarea aceasta se numeşte inversă deoarece determină absenţa
conducţiei. Fizic, la polarizare inversă purtătorii majoritari sunt îndepărtaţi de regiunea de tranziţie
care se măreşte, devenind un izolator.
Când se aplică joncţiunii tensiunea cu (+) pe regiunea p şi (–) pe n, bariera de potenţial se
micşorează cu valoarea acestei tensiuni (fig. 3.8). Regiunea p neutră va injecta prin regiunea de
tranziţie goluri în regiunea n neutră. Golurile injectate difuzează în n şi se recombină cu electronii
majoritari. Similar şi regiunea n va injecta electroni în p şi curenţii se adună corespunzător.
Curentul purtătorilor injectaţi este alimentat de purtătorii majoritari din regiunile neutre şi de aceea
poate lua valori foarte mari (trebuie limitat din exterior cu rezistenţe sau alte dispozitive). Această
polarizare se numeşte directă. Fizic, tensiunea directă împinge purtătorii majoritari din regiunile
neutre în regiunea de tranziţie.
Concluzie: Joncţiunea p-n are o caracteristică de dispozitiv unidirecţional (de redresor). Prin
convenţie se consideră tensiunea directă şi curenţii direcţi cu semne pozitive, iar cei inverşi cu
semne negative (fig. 3.9).
3.2.2. Caracteristica statică idealizată a joncţiunii p-n
Când se aplică joncţiunii o tensiune ea se află în stare de injecţie sau extracţie. Perturbarea
se extinde pe o anumită adâncime şi în regiunile neutre, dar datorită fenomenelor de generare şi
recombinare scade pe măsura depărtării de zona de tranziţie. La o distanţă mai mare decât lungimea
de difuzie perturbarea nu se mai simte.
În studiul caracteristicii statice se fac următoarele aproximaţii şi presupuneri:
1) aproximaţia de golire (la o joncţiune abruptă);
2) presupunem că întreaga tensiune aplicată cade pe regiunea de tranziţie;
3) se neglijează fenomenele de generare şi recombinare din regiunea de tranziţie;
4) presupunem că ne aflăm la nivele mici de injecţie; aceasta presupune că injecţia de
purtători minoritari se face într-o măsură care permite neglijarea concentraţiei purtătorilor
minoritari faţă de cele ale purtătorilor majoritari;
5) presupunem că joncţiunea este groasă faţă de lungimea de difuzie şi din acest motiv
purtătorii minoritari se recombină în totalitate înainte de a atinge extremităţile joncţiunii.
Curentul prin joncţiune se va obţine ca o sumă a curenţilor de
difuzie a purtătorilor minoritari la limitele regiunii de tranziţie. De
aceea este numit uneori curent de difuzie şi are expresia dedusă de
Shockley: Ia=Is*[exp(q*Ua/KT)-1], unde Is este curentul de saturaţie
(rezidual). Această formulă este valabilă atât pentru polarizările directe,
cât şi pentru cele inverse.
Fig. 3.9 În regim de conducţie directă (Ua>0) curentul creşte
exponenţial. În domeniul Ua>4*(KT/q)=0.1V (la 300ºK) acel “-1” din
formulă se poate neglija faţă de termenul exponenţial. Se obţine astfel
expresia simplificată a ecuaţiei lui Shockley: IaIs*exp(q*Ua/KT).
Obs: Formula lui Shockley este valabilă numai pentru tensiuni
directe inferioare lui Uo.
La polarizări inverse, în valori absolute mai mari de 0.1V
termenul exponenţial este neglijabil faţă de unitate, astfel încât Ia= -Is.
Această valoare reprezintă curentul maxim de purtători ce poate fi
Fig. 3.10 extras din regiunile neutre şi se numeşte curent de saturaţie sau curent
rezidual.
La germaniu Is este între 1 şi 100 A (relativ mare!), la siliciu Is<1nA.
3.2.3. Abateri de la caracteristica statică idealizată a joncţiunii p-n
În figura 3.11 se arată caracteristica statică reală a unei joncţiuni. În conducţie inversă apar 2
regiuni:
Fig. 3.11
- regiunea II, în care curentul are o creştere uşoară cu modulul tensiunii aplicate; la
joncţiunile de Ge creşterea este foarte slabă, astfel încât fenomenul de saturaţie este evident
(curentul de saturaţie este mare:1..100 A); la joncţiunile de Si şi Ga-As creşterea este atât de
pronunţată, încât fenomenul de conducţie nici nu poate fi observat (Isat este foarte mic la Si: sub
1nA)
- regiunea I, în care curentul creşte brusc cu tensiunea inversă, joncţiunea pierzându-şi
caracterul de dispozitiv unidirecţional. Fenomenul este numit străpungerea joncţiunii, iar tensiunea
la care apare (tensiunea de străpungere) este cuprinsă între câţiva volţi şi câteva sute de volţi. În
regim de conducţie directă se pot distinge 4 regiuni:
- la tensiuni mici, dar întrecând de câteva ori tensiunea termică, caracteristica statică poate fi
aproximată în forma din regiunea III:
IA  exp(qUA / (mKT)), unde m este un coeficient cuprins între 1 şi 2.
- la tensiuni ceva mai mari, dar mai mici decât Uo (IV) curentul variază aproape după
ecuaţia idealizată;
- la tensiuni mai mari decât Uo (regiunea V) curentul creşte din nou ceva mai lent cu
tensiunea (regiunea III);
- în fine, la tensiuni directe foarte mari (regiunea VI) curentul ajunge proporţional cu
tensiunea.
Abaterea caracteristicilor reale de la ecuaţia idealizată are următoarele cauze:
- generarea şi recombinarea purtătorilor în regiunea de tranziţie;
- pătrunderea în domeniul nivelelor mari de injecţie;
- efectul tunel;
- rezistenţa serie a regiunilor neutre;
- multiplicarea prin avalanşă;
- efecte de suprafaţă.
Toate aceste efecte nu au fost luate în considerare la deducerea ecuaţiei idealizate. Ne vom
ocupa de ele în continuare.
Abaterile joncţiunilor reale de la caracteristica idealizată în regiunile II şi III pot fi explicate
prin luarea în considerare a proceselor de generare-recombinare în regiunea de tranziţie. În
polarizare inversă, concentraţiile purtătorilor în regiunea de tranziţie fiind mult mai mici decât cele
de echilibru, va predomina generarea purtătorilor. Purtătorii generaţi termic sunt trecuţi imediat de
către câmpul existent în barieră: electronii în regiunea n neutră, iar golurile în regiunea p neutră. În
consecinţă, pe lângă curentul de saturaţie a purtătorilor minoritari (Is) va apare încă un curent
cauzat de fenomenul de generare în regiunea de tranziţie Igen, având acelaşi sens cu primul.
IA = -(Is+Igen) va fi curentul total prin joncţiunea polarizată invers. Semnul (-) apare
datorită convenţiei de semn făcute. Igen (deci şi Is) creşte cu valoarea tensiunii inverse datorită
creşterii volumului regiunii de tranziţie. Raportul celor 2 componente ale curentului invers este: Is /
Igenni (concentraţia intrinsecă). Rezultă că pentru un material dat ponderea curentului de generare
scade cu creşterea temperaturii; peste o anumită temperatură efectul generării poate fi neglijat. Pe
de altă parte, la o temperatură dată, ponderea Igen este mai mică la materiale cu concentraţie
intrinsecă ni mai mare. Spre exemplu, comparând joncţiunile de Si cu cele de Ge, constatăm că la
cele de Si, Igen are o pondere de aproximativ 1000 mai mare. La temperatura ambiantă, la
joncţiunea de Si curentul Igen depăşeşte Is.
În regim de conducţie directă, concentraţiile purtătorilor în zona de tranziţie sunt mai mari
decât la echilibru şi vor predomina procesele de recombinare.
Efecte la nivele mari de injecţie
Când tensiunea directă aplicată joncţiunii este apropiată de înălţimea barierei Uo,
concentraţiile purtătorilor minoritari injectaţi în regiunile neutre ajung de ordinul concentraţiilor
purtătorilor majoritari; joncţiunea intră în domeniul nivelelor mari de injecţie. În aceste condiţii nu
se mai poate neglija componenta de câmp a purtătorilor minoritari.
Un alt efect de care trebuie să se ţină seama la nivele mari de injecţie îl constituie căderile
de tensiune pe regiunile neutre. Când densitatea de curent ia valori mari, aceste căderi de tensiune
reprezintă o proporţie importantă din tensiunea aplicată, nemaiputând fi neglijată. Tensiunea ce
revine regiunii de tranziţie va fi deci mai mică decât tensiunea aplicată din exterior. Domeniul
nivelelor mari de injecţie începe la o densitate de curent de ordinul a 1A/mm2.
Este posibil ca la unele joncţiuni de Si (la care curentul de recombinare predomină la
tensiuni directe mari) să nu se observe regiunea în care curentul prin joncţiune ascultă de ecuaţia
idealizată. Efectul suprafeţei semiconductorului asupra componentei de generare-recombinare a
curentului este evident, atât datorită întreruperii periodicităţii reţelei, cât şi impurităţilor inevitabile
care apar la suprafaţa semiconductorului. Acest curent va creşte şi trebuie făcută observaţia că este
important la multe dispozitive semiconductoare de larg consum ale căror grad de prelucrare a
suprafeţei nu este prea avansat. Aceasta poate duce la creşterea excesivă a curenţilor inverşi şi la
instabilitatea în timp a caracteristicilor statice.
3.2.4. Dependenţa de temperatură a caracteristicii statice
Curentul prin joncţiune este influenţat de temperatură pe două căi:

- prin curentul de saturaţie;
- prin tensiunea termică UT = KT / q, ce apare în argumentul exponenţialei.
Influenţa temperaturii asupra joncţiunii este caracterizată prin trei coeficienţi pe care îi vom
defini în continuare.
a) În domeniul polarizărilor inverse, IA = -IS, temperatura are ca efect translatarea
caracteristicii statice după axa verticală. Se defineşte un coeficient de temperatură al IS:
CT IS = (1 / IS)(dIS / dT). Datorită componentei de extracţie pt. Is  CT IS = 0,1 (K)-1 pentru
Ge şi 0,15 (K)-1 pentru Si. Pe baza acestor valori se găseşte că în jurul temperaturii ambiante Is îşi
dublează valoarea la o creştere a temperaturii cu 7K în cazul Ge şi cu 4,5K în cazul Si. Ţinând
cont şi de scurgerile superficiale şi de procesele de regenerare în regiunea de tranziţie (care variază
mai puţin cu temperatura), rezultă că dublarea Is are loc atât la Ge cât şi la Si pentru o creştere a
temperaturii cu 8…10K.
b) În conducţia directă se defineşte un prim coeficient de temperatură al curentului direct la
tensiune constantă:
(CT IA)u = (1 / IA)*(dIA / dT) = (CTIs)-(1 / T)*(qUA / KT) (deci mai mic decât CTIs).
Fig. 3.12
c) Într-un alt regim de lucru se poate menţine curentul direct prin joncţiune constant,
rezultând o scădere a tensiunii pe joncţiune la creşterea temperaturii. Pentru a caracteriza influenţa
temperaturii în acest caz, se defineşte un coeficient de temperatură al tensiunii pe joncţiune
(CTUA)I.
În cazul unei joncţiuni de Ge, la 300K, având UA=0,2V rezultă (CTUA)I=-1,8*10-3V/K. În
cazul unei joncţiuni de Si având UA=0,6V rezultă (CTUA)I=-2,2*10-3V/K.
Acest coeficient variază lent cu temperatura, aşa încât, pentru un domeniu restrâns de
temperatură, se poate considera că tensiunea directă pe joncţiune la curent constant scade liniar cu
temperatura. În jurul temperaturii ambiante, atât la Ge cât şi la Si se poate considera un coeficient
(CTUA)I-2mV/˚K. Este important de reţinut că influenţa temperaturii asupra joncţiunii este mult
mai mică la curent constant decât la tensiune constantă.
Observaţie: Temperatura T trebuie măsurată la joncţiunea (Tj); ea este de regulă mai mare decât
temperatura ambiantă (Ta), datorită disipării de putere electrică (Pd = Ua*Ia): Tj = Ta + Rthj-a*Pd.
Coeficientul de proporţionalitate Rthj-a se numeşte rezistenţă termică şi înglobează proprietăţile de
conducţie a căldurii de la joncţiune la mediul ambiant.
Un alt parametru al caracteristicii statice dependent de temperatură este tensiunea de
străpungere.
3.2.5. Străpungerea joncţiunii p-n
Când tensiunea inversă aplicată unei joncţiuni depăşeşte o anumită valoare limită, curentul
prin joncţiune creşte foarte repede cu tensiunea, atingând valori mari: are loc străpungerea
joncţiunii.
Există trei mecanisme de străpungere: ambalarea termică, tunelarea şi multiplicarea prin
avalanşă. Ultimele două mecanisme au la bază creşterea câmpului electric din regiunea de tranziţie
odată cu creşterea tensiunii inverse.
Ambalarea termică decurge în felul următor: curentul invers disipă o anumită putere în
joncţiune determinând creşterea temperaturii; la rândul ei, creşterea de temperatură determină o
creştere a curentului invers ş.a.m.d. În anumite condiţii procesul poate fi cumulativ conducând la
mărirea temperaturii până la o valoare la care joncţiunea se distruge. Ambalarea termică se
manifestă numai la joncţiunile care au curent de saturaţie mare, spre exemplu, joncţiuni de Ge
deasupra temperaturii ambiante. La joncţiunile de Si, în tot domeniul de temperaturi de interes
practic, nu apare ambalarea termică.
Străpungerea prin efect tunel

Prima explicaţie a străpungerii joncţiunii s-a dat pe baza efectului tunel (Carl Zener, 1934)
şi mai apoi s-a constatat că de cele mai multe ori rolul de bază în străpungerea joncţiunilor îl are un
alt proces, şi anume multiplicarea prin avalanşă, rolul efectului tunel fiind secundar.
Numim regiune Zener zona de străpungere a joncţiunii. Efectul tunel constă în generarea de
perechi electron-gol într-un semiconductor sub acţiunea câmpului electric puternic.
La tensiuni inverse mari, benzile de energie au o
înclinare mare în regiunea de tranziţie şi limita inferioară a
B.C. din regiunea n coboară sub limita superioară a B.V.
din regiunea p. În această situaţie electronii B.V. pot trece
în B.C. prin efect tunel. Din punctul de vedere al fizicii
clasice, electronul din A poate trece în C numai dacă
primeşte o energie cel puţin egală cu înălţimea barierei.
Mecanica cuantică arată că există o anumită probabilitate
ca electronul să treacă de barieră chiar dacă energia lui
este
Fig. 3.13 mai mică decât înălţimea barierei. Probabilitatea este cu atât
mai mare cu cât înălţimea AB este mai mare şi AC mai mică. Întinderea barierei scade cu creşterea
înclinării benzilor, deci cu creşterea câmpului din regiunea de tranziţie. Joncţiunea se străpunge
pentru câmpuri mai mari de 5*107 V/m. Câmpuri atât de mari se ating la joncţiuni puternic dopate
de ambele părţi, la care regiunea de tranziţie pe care se repartizează tensiunea exterioară este foarte
mică. Tensiunea la care apare efectul de tunel scade cu creşterea temperaturii, deoarece E scade şi
ea. În consecinţă, aceeaşi densitate de curent se atinge la temperatură mai mare, aplicând joncţiunii
o tensiune mai mică.
Multiplicarea în avalanşă
Între două ciocniri succesive, purtătorii sunt acceleraţi de câmp câştigând energie cinetică.
La polarizări inverse câmpul poate deveni atât de mare încât între două ciocniri succesive, energia
acumulată de un purtător poate depăşi E. Un astfel de purtător ciocnind un atom al reţelei poate
furniza unui electron de valenţă energia necesară pentru a trece în BC. Astfel apare o pereche
electron-gol iar procesul se numeşte ionizare prin şoc. Purtătorii sunt acceleraţi de câmp şi pot da
naştere la alte perechi electron-gol. Rezultă posibilitatea multiplicării în avalanşă a purtătorilor.
Câmpul la care apare multiplicarea în avalanşă este de aproximativ 2*107 V/m, mai mic deci decât
cel la care efectul Zener devine important. Important este faptul că ambele categorii de purtători pot
produce ionizări prin şoc.
Fenomenul de multiplicare prin avalanşă se poate caracteriza global prin coeficientul de
multiplicare M definit ca raport între numărul purtătorilor ce ies din regiunea de tranziţie şi cel al
celor ce intră în ea. Notăm cu Iinv curentul invers în absenţa multiplicării şi I’inv = M*Iinv -
curentul invers după multiplicare.
M=I’inv / Iinv ; M= 1 / [1 - (UA / Ustr)] , unde n[2,6]
Străpungerea are loc când M tinde către infinit. Tensiunea de străpungere Ustr creşte cu
temperatura deoarece scade drumul mediu dintre două ciocniri succesive şi este necesar un câmp
mai mare pentru ca un purtător să acumuleze între două ciocniri succesive energia E. De asemenea
o străpungere prin avalanşă scade concentraţia impurităţilor de o parte şi de alta a joncţiunii
metalurgice. La creşterea nivelului de dopare scade grosimea regiunii de tranziţie. Câmpul critic de
apariţie a ionizărilor prin şoc se atinge la o valoare mai mică a tensiunii aplicate.
Străpungerea prin avalanşă necesită pe lângă depăşirea câmpului critic şi o anumită grosime
a regiunii de tranziţie, pentru ca în ea purtătorii să sufere mai multe ciocniri. Când regiunea de
tranziţie are o grosime apropiată de drumul mediu dintre două ciocniri succesive, nu mai poate avea
loc străpungerea prin avalanşă şi atunci va avea loc efectul tunel.
Dacă doparea este sub 1023 atomi/m3 are loc străpungerea prin avalanşă. Când doparea este
mai mare, străpungerea are loc prin efect tunel.
Joncţiunile care au tensiunea de străpungere mai mică de 4V se străpung prin efect tunel, iar
cele cu Ustr mai mari de 7V se străpung prin avalanşă. Între 4V şi 7V participă ambele mecanisme.
Străpungerea prin efect tunel şi avalanşă nu este distructivă dacă curentul prin joncţiune este
sub valoarea corespunzătoare puterii maxime disipate admisibilă.
3.2.6. Modele liniarizate pentru joncţiunea p-n în regim staţionar
Pentru calculul în regim staţionar, caracteristica statică a joncţiunii se aproximează prin

segmente de dreaptă. Foarte răspândită este aproximaţia prin două segmente de dreaptă, ca în figura
3.14, unde Di este dioda ideală, Ri - rezistenţa internă, UD - tensiunea de deschidere.
Fig. 3.14
Obs.: Cazul d (dioda ideală) este o bună aproximaţie pentru practică.
La Ge : UD = 0.2…0.4 V
Si : UD = 0.5…0.8 V
Ga-As : UD = 1…2 V
Ri depinde foarte mult de domeniul curentului în care se aplică modelul.
1 1 KT 1
Ri    
d Ia q qUa q Ia
 Is  exp( )
d Ua KT KT
25  10 3
Ex.: Ia=5mA Ri   5
5  10 3
3.3. JONCŢIUNEA p-n ÎN REGIM DINAMIC
Regimul dinamic reprezintă funcţionarea structurii în cazul aplicării unor semnale variabile
în timp. Metoda cea mai folosită constă în stabilirea unor circuite electronice echivalente cu care să
se înlocuiască joncţiunea în schema unde funcţionează. Circuitul echivalent nu este unic, el
depinzând, de regulă, de specificul semnalului variabil aplicat.
3.3.1. Regimul cvasistaţionar al joncţiunii
Funcţionarea joncţiunii în regim staţionar este descrisă de ecuaţia lui Shockley sau de
caracteristica statică. Este foarte normal să încercăm a descrie comportarea în regim variabil pe
baza funcţionării în regim static. Dacă examinăm procesele ce au loc în joncţiune la trecerea dintr-o
stare staţionară în alta, rezultă că o asemenea tratare (pe baza regimurilor staţionare) nu poate fi
acceptată decât la frecvenţe joase. Într-adevăr, o stare staţionară a joncţiunii este caracterizată de
anumite dimensiuni ale regiunii de tranziţie - adică de o anumită sarcină existentă în barieră şi o
anumită distribuţie a purtătorilor minoritari. Când se trece la o altă stare staţionară acestea se
modifică. Ambele procese sunt legate de o variaţie de sarcină electrică şi cer un anumit timp.
Dacă timpul necesar joncţiunii pentru a trece dintr-o stare staţionară în alta este mult mai
mic decât perioada semnalului, putem considera că în fiecare moment joncţiunea se află într-o stare
staţionară. Un astfel de regim se numeşte regim cvasistaţionar, iar frecvenţa maximă până la care
regimul poate fi considerat cvasistaţionar diferă de la un dispozitiv la altul. Deci pentru curent
continuu şi frecvenţe joase se pot aplica modelele anterioare (regimul de curent continuu - de
polarizare - se mai numeşte de semnal mare).
Fig. 3.15.a
Semnalul aplicat unui dispozitiv este considerat mic atunci când caracteristicile statice ale
dispozitivului pot fi aproximate liniar pentru întreaga excursie a punctului de funcţionare pe durata
unei perioade. În cazul joncţiunii p-n condiţia de semnal mic este deosebit de restrictivă,
caracteristica statică exponenţială putând fi considerată liniară numai pentru variaţii foarte mici de
tensiune: UA << KT/q0.025V.
În regim cvasistaţionar de semnal mic joncţiunea este echivalentă cu o rezistenţă ri = Ri. În
c.c. se folosesc notaţii cu litere mari, iar în c.a. cu litere mici.
ri = 1 / (dIa / dUa)  (KT / q)*(1 / Ia), numită rezistenţă internă. Ia reprezintă valoarea curentului în
punctul static de funcţionare (PSF) la polarizare directă.
În cazul Ia = -Is, la polarizare inversă, rezistenţa internă teoretic este infinită, dar în practică
are o valoare de aproximativ 1 M la Si.
EA  UD
IA 
Ri  RS
ua
ia 
1 ri  R S
XC   R S , ri
 C
Fig. 3.15.b
3.3.2. Capacitatea de barieră
Considerăm o joncţiune abruptă ideală, cu o tensiune aplicată Ua, la

care corespunde linia continuă de pe figură pentru distribuţia de sarcină
spaţială în regiunea de tranziţie în ipoteza golirii complete de purtători.
dQ b dQ b dUa dUa
ib     Cb  , Cb- capacitatea de barieră.
dt dUa dt dt
Regiunea de sarcină spaţială se micşorează când trecem de la Ua la
Ua+dUa (respectiv curba punctată). Trecerea de la o stare la alta necesită
deplasarea unui număr de purtători majoritari din regiunile neutre în zonele
haşurate pentru neutralizarea sarcinilor, impurităţilor ionizate. Sarcina dQb
Fig. 3.16
a acestor purtători este aria haşurată. Dacă trecerea de la Ua la Ua+dUa se
face într-un interval de timp dt, atunci curentul necesar pentru modificarea sarcinii stocate în
regiunile de tranziţie va fi:
ib = dQb / dt = (dQb / dUa)*(dUa / dt); unde Cb= dQb / dUa; Ua constantă.
Modelăm acest proces cu o capacitate Cb pusă în paralel cu Ri şi numită capacitate de
barieră.
C b  C bo 1  Ua / Uo (pentru joncţiunea abruptă ideală)
Cbo - reprezintă capacitatea de barieră pentru Ua=0; Cbo=1…10pF
În general C b  C bo n 1  Ua / Uo .
Această relaţie depinde de legea de variaţie a concentraţiei impurităţilor din regiunea de tranziţie.
3.3.3. Capacitatea de difuzie
Trecerea de la starea Ua la Ua+dUa necesită o

creştere a sarcinii de purtători minoritari în exces în
regiunile neutre.
Purtătorii sunt injectaţi prin regiunea de
tranziţie şi apoi înaintează în adâncul regiunilor neutre
prin difuzie.
Curenţii corespunzători variaţiei sarcinilor
Fig. 3.17.a stocate în cele două regiuni neutre se adună.
dQ d dQ d dUa dUa
id     Cd 
dt dUa dt dt
Dacă timpul în care a avut loc variaţia de tensiune este dt, suma curenţilor va fi:
id=dQd/dt=(dQd/dUa)*(dUa/dt) ; Cd=dQd/dUa ; dUa=ct ; Cd- capacitatea de difuzie.
C d  C do  exp(qUa/KT)
 C d  (C do  Ia/Is)
Ia  Is  exp(qUa/KT) 
Cd- la polarizări directe atinge mărimi de ordinul nF (102…104pF). Cd ~ Ia.
Cdo- capacitatea de difuzie pentru Ua=0.
Există o deosebire fizică importantă între modurile în
care se încarcă cele două capacităţi. Cea de difuzie Cd se
încarcă prin difuzia minoritarilor, deci este un proces lent.
Din această cauză, Cd scade cu frecvenţa. Capacitatea de
barieră Cb se încarcă prin curentul de câmp al purtătorilor
Fig. 3.17.b majoritari; este un proces foarte rapid şi nu variază cu
frecvenţa.
3.3.4. Circuite echivalente pentru joncţiune la semnale mici şi frecvenţe înalte
În regim variabil, curentul prin joncţiune e format din trei componente: iri, iCd, iCb (fig. 3.18)
rs - este rezistenţa electrică a zonelor neutre (~ 100 )
În funcţie de polarizare, se poate simplifica modelul :
- la polarizare directă (fig. 3.19)

se neglijează Cb; (Cb<<Cd)
Fig. 3.18 Fig. 3.19

- la polarizarea inversă (fig. 3.20)
se neglijează Cd şi rs
Fig. 3.20
Dacă ri poate fi neglijată (ex.: într-un circuit oscilant pp. ri  ) atunci rămâne doar -| |- (Cb).
3.4. TIPURI DE DIODE SEMICONDUCTOARE
3.4.1. Procedee de realizare a joncţiunii p-n. Tipuri de diode
Tipul de conductibilitate (p sau n) al unui semiconductor fiind determinat doar de

concentraţia efectivă a impurităţilor N=Nd-Na, el poate fi schimbat prin introducerea de impurităţi
corespunzătoare.
Spre exemplu, dacă într-un cristal având Nd=1021atomi/m3 se introduc acceptori cu o
concentraţie mai mare Na=1022atomi/m3, cristalul de tip n devine p, având o concentraţie efectivă
de acceptori N=(Nd-Na)=9*1021atomi/m3.
Dacă impurităţi de tip diferit se introduc numai într-o regiune a cristalului, la graniţa dintre
aceasta şi restul cristalului apare o joncţiune p-n.
Cea mai veche metodă de realizare a unei joncţiuni este cea care a fost folosită la diodele cu
contact punctiform (subcapitolul 3.4.4). Cea mai importantă metodă în anii '50 era metoda creşterii
(la diodele redresoare cu Ge).
În prezent, pentru a schimba tipul de conductibilitate se folosesc: alierea (la Ge), difuzia
planară (într-un gaz de impurităţi) la Si, epitaxia (realizarea semiconductorului într-o atmosferă de
vapori de semiconductor şi impurităţi) la Si. Un procedeu modern la Si este implantarea ionică.
3.4.2. Diode redresoare

3.4.2.1. Diode redresoare de uz general
Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic care prezintă conducţie unilaterală, pe

baza unei joncţiuni p-n şi două contacte ohmice metal-semiconductor închise ermetic într-o capsulă.
Clasificarea diodelor după funcţiile îndeplinite:
- diode redresoare (cele cu Si au practic o rezistenţă zero într-un sens şi infinită în celălalt);
- diode de comutaţie (pentru frecvenţă înaltă – cu impurităţi Au);
- diode stabilizatoare de tensiune – Zener;
- diode speciale – varicap, tunel, IMPATT (Read, 1958), Gunn (1963);
- fotodiode.
Avantajele diodelor semiconductoare faţă de cele cu gaz:
- în conducţie directă căderea de tensiune e mai mică (1V faţă de 30…40V);
- nu necesită circuit de încălzire;
- sunt mai robuste;
- au volum mic;
- au durată mare de funcţionare.
Parametrii diodelor redresoare:
- curentul mediu redresat: Io (mici: 1A; medii: zeci de A; mari: sute şi mii de A);
- curent de vârf maxim admis: IVM, care poate fi: IFRM- curent direct maxim repetitiv;
IFSM- curent maxim direct accidental de
suprasarcină;
- tensiunea inversă maximă admisă: UIM; UIM = (0.5...0.8) din Ustrăpungere (50...2000V);
- tensiunea inversă: VR;
- tensiunea inversă maximă: VRM;
- tensiunea repetitivă inversă maximă: VRRM;
- tensiunea inversă maximă de suprasarcină: VRSM;
- tensiunea inversă maximă de lucru: VRWM;
- căderea de tensiune directă VF pentru o anumită valoare a curentului (VF = 0.8| IF = 1A);
- curentul invers pentru o anumită tensiune: IR;

- rezistenţa termică ce caracterizează capacitatea diodei de a elimina puterea disipată spre mediul
ambiant: Rth-a ; Rth-c;
- temperatura maximă a joncţiunii: Tjmax.
Toţi parametrii sunt mai slabi la Ge decât la Si. Singurul avantaj la Ge este tensiunea VF
care este mai mică.
Particularităţile constructive ale diodelor semiconductoare sunt determinate de faptul că ele
lucrează la curenţi mari, deci în joncţiune apare o cantitate mare de căldură care trebuie eliminată
spre mediu. La diodele de curenţi mari se utilizează ceramica.
Exemple: în capsulă de plastic F126: 1N4001, DRD1; în sticlă: 1N4148 (comutaţie) etc.
3.4.2.2. Dioda cu avalanşă controlată
Se realizează prin metoda difuziei. Pastila este sudată între doi electrozi de molibden ca în
figură. Pentru curenţi mari se folosesc arcuri. Placheta a fost polizată înclinat pentru eliminarea
zonelor periferice şi pentru crearea unei configuraţii avantajoase a câmpului electric la suprafaţa
joncţiunii. Astfel, câmpul electric la suprafaţă este mai mic decât în
interiorul volumului (deoarece tensiunea se distribuie pe o distanţă mai
mare la suprafaţă: E = U / d).
Dioda poate funcţiona în regiunea de străpungere până la valori
mari de curenţi, cu condiţia să nu depăşească puterea maximă admisă.
Fig. 3.21 Sunt în general folosite pentru protecţia altor dispozitive (tiristoare).
Codificare: D10A4 (10 amperi, 400V).
Stratul slab dopat de tip p dintre n+ şi p+ conferă o tensiune de
străpungere mare. Explicaţia o dăm pe următorul tip de diodă.
3.4.2.3. Dioda redresoare pin
Grosimea regiunii intrinsece este mai mică decât lungimea de

difuzie (pentru a-şi păstra proprietăţile). În regiunea intrinsecă nu
avem sarcină spaţială => un câmp constant.
Străpungerea regiunii intrinsece are loc pentru un câmp de
Ecr = 2.107 V/m la o tensiune de Ustr = W.Ecr (W = lăţimea regiunii
intrinsece; W = 0.1mm  Ustr = 2000V).
Ex. KYX30 – 30KV, 1mA care conţine 2 diode de 15KV.
3.4.2.4. Conectarea în serie şi în paralel a diodelor
Deşi există diode cu tensiuni inverse mari, capabile să

redreseze curenţi mari, apar uneori situaţii când trebuie folosite mai
multe diode în serie pentru a putea rezista la Umax inversă, sau pentru
a asigura valoarea cerută a curentului redresat.
Fig. 3.22 În conducţia inversă apare pericolul distribuirii neuniforme a
tensiunii pe lanţul de diode generat de inegalitatea curenţilor inverşi.
Pe dioda ce are curentul invers cel mai mic, va cădea tensiunea U cea mai mare, care poate
depăşi Uinv.max. şi dioda se va străpunge. Tensiunea se redistribuie pe celelalte diode =>se vor
distruge toate. Pentru evitarea acestui lucru, montăm în paralel cu fiecare diodă câte o rezistenţă de
egalizare a tensiunii inverse. Valoarea acestor rezistenţe Rp se alege mult mai mică decât rezistenţa
inversă astfel încât divizarea tensiunii să se facă pe Rp, dar nu se pot alege valori prea mici pentru
că rezultă pierderi.
Ex. PY88 se înlocuieşte pentru 5KV cu 7…10 diode BAY159 în paralel cu R=100K.
Fig. 3.23
Obs: La diodele cu avalanşă controlată nu sunt necesare rezistenţe de egalizare pentru că
intrarea în avalanşă e permisă până la curenţi relativ mari.
La montarea în paralel a mai multor diode, dispersia caracteristicii inverse nu periclitează
funcţionarea. Dar dispersia caracteristicii directe, mai ales Udesch, conduce la o repartiţie inegală a
curentului total pe diode. Neajunsul se înlătură punând în serie cu diodele câte o rezistenţă Rp.
Uniformizarea repartiţiei e mai bună cu cât Rp e mai mare, dar randamentul scade.
3.4.3. Diode stabilizatoare de tensiune (Zener)
Aceste diode utilizează proprietatea joncţiunii p-n de a avea în conducţie inversă o tensiune
constantă la borne, independent de valoarea curentului când apare fenomenul de străpungere (fig.
3.24).
La realizarea structurilor diodelor semiconductoare Zener, se
iau măsuri speciale pentru ca în regiunea de străpungere curentul să se
distribuie uniform pe toată aria secţiunii => diodele Zener lucrează
până la curenţi de putere maximă admisă. Simboluri:
VZ1
Fig. 3.24
Fig. 3.25
Valoarea tensiunii Zener este determinată de nivelul dopărilor: Uz = 2,7...400 V.
Puteri: 0,25...50 W. rz = Ua / Ia; rz = 10…100  - rezistenţă dinamică (internă) Zener
CTUz = VZ = 1 / UzdUz / dT
În regiunea de stabilizare: Uz prezintă o uşoară creştere cu curentul invers (Ia).
Exemplu: PL10Z Uz =10 V => vz = 5.10-4 (C)-1; PL5V1Z (5.1V,1W capsulă de plastic
F126); DZ5V1 (5.1V, 0.4W capsulă de sticlă).
 vz poate fi micşorat înseriind cu dioda Zener, una sau mai multe diode polarizate direct, la
care  scade cu temperatura. Se pun toate diodele pe aceeaşi plăcuţă pentru ca temperatura să nu
difere între ele (fig. 3.26). Ex.: ZTC33 sau circuitul integrat TAA550.
Obs: În domeniul curenţilor mici descărcarea în avalanşă se
amorsează şi se stinge haotic => zgomot. Tot în acest
domeniu, tensiunea variază mult cu curentul. Nu se
recomandă să se lucreze sub o anumită valoare IZT = 3...5
Fig. 3.26
mA. Se poate folosi un model echivalent pentru dioda Zener (fig. 3.27).
Fig. 3.27 Fig. 3.28
Diodele Zener se folosesc ca stabilizatoare de

tensiune (fig. 3.28). Rb este rezistenţa de limitare, protecţie sau de balast. Ea se alege astfel încât
dioda să lucreze în regiunea Zener pentru întreg domeniul de variaţie a lui Ea şi Is. Curentul de
sarcină Is nu poate depăşi în mod normal (pentru Us = Uz =constantă) valoarea pentru care se mai
asigură IZT prin dioda Zener. I=Iz+Is; Ea=Rb*I+Uz.
Acest stabilizator de tensiune parametric, de tip paralel (dioda Zener este paralel cu sarcina
Rs) are protecţie intrinsecă la scurtcircuit d.p.d.v. al diodei Zener. Pentru Us=0 rezulta Iz=0. Este
cel mai greu regim de lucru pentru Rb care se dimensionează la puterea maximă disipată
(Ea*Ea/Rb).
Pentru ca Iz < Izmax => Rb>(Eamax-Uz)/Izmax (pp. Is=0). Lipsa sarcinii (Is=0) este cel
mai greu regim de lucru pentru dioda Zener (I=Iz). În acest regim se verifică puterea maximă
disipată de dioda Zener (Uz*I). Dacă Ea creşte => creşte si Iz, producând pe Rb o creştere a căderii
de tensiune aproape egală cu creşterea lui Ea. Us rămâne aproape constantă =Uz. Stabilizarea este
cu atât mai bună cu cât rezistenţa dinamică Zener este mai mică si Rb este mai mare. Circuitul
stabilizează Us şi la variaţia Is. Dacă Is creşte (Rs scade), Iz scade, iar I va rămâne aproximativ
constant, ca şi Us.
3.4.4. Diode cu contact punctiform
Construcţia lor actuală constă dintr-un cristal

semiconductor de Ge sau Si de tip n, pe suprafaţa căruia se
realizează un contact punctiform cu un fir metalic ascuţit la
vârf (fig. 3.29.).
După asamblarea mecanică urmează operaţia de
formatare a diodei: o serie de impulsuri de curent cu valori
mult peste cele nominale.
În jurul firului de wolfram, Ge îşi schimbă tipul în p, în
urma răcirii se formează o joncţiune foarte mică cu
S= 10 4 mm 2 şi cu grosimea 10 3 mm .
Firul are rol de legătură între anod şi Ge de tip n.
Datorită suprafeţei mici a joncţiunii, capacitatea de
barieră e foarte mică => se folosesc la frecvenţe mari.
Rezistenţa regiunii neutre e mare: sute de ohmi.
Nivelul de injecţie este mare, chiar la curenţi mici. În
conducţie inversă, Irezidual este mare şi are Ustrăpungere
mică, pentru că Irezidual mare înseamnă străpungere prin
Fig. 3.29 ambalare termică (fig. 3.30).
Utilizare: la detecţie (radio), la modulaţie în fază şi în amplitudine, la

schimbarea de frecvenţă, comutaţie. Se folosesc până la zeci de GHz, dar în
construcţie coaxială.
Ex. EFD 108,EFD 109, EFD110...
3.4.5. Diode cu capacitate variabilă
Exploatează proprietăţile joncţiunii de a se comporta la polarizare

Fig. 3.30
inversă ca o capacitate dependentă de tensiunea aplicată. Capacitatea
descreşte pe măsură ce tensiunea de polarizare inversă creşte, deoarece regiunea de tranziţie creşte.
Cea mai importantă caracteristică este legea de variaţie a capacităţii de barieră cu Uinv
aplicată.
unde: n= coeficient care depinde de 1 1
Cb0 constructor (n=0.5 - o diodă foarte bună f   UA
C b 2  LC
2 L
Cb0
U a n de utilizat într-un circuit acordat).
1
U
(1  ) Obs: Orice diodă poate lucra în (1  A ) 2
U0
U0 această regiune de capacitate variabilă,
dar se fac diode speciale, cu un n specific pentru anumite performanţe. Printr-
o alegere corespunzătoare a dopajului, se realizează diode speciale "varicap" care prezintă o
variaţie de capacitate între 10pF si 2pF pentru o creştere a tensiunii inverse între 2V si 30V.
Ex. Se poate demonstra expresia factorului de calitate al condensatorului Cb.
Q- factorul de calitate.
Q  Cbri. Q creşte cu frecvenţa la frecvenţe joase.
Q  1 /  Cbrs. Q scade cu frecvenţa la frecvenţe înalte.
Fig. 3.31 Simbolurile sunt prezentate în figura 3.32.
Frecvenţa maximă la care se pot folosi este:
1
 km   100GHz
C b rs
Fig. 3.32 Cb=1..10pF, iar rs poate fi scăzută până la 1 ohm.
Utilizări: acordul automat al circuitelor oscilante (televiziune, radio) - diodele varicap; pentru
generarea de armonice la frecvenţe foarte înalte - diode varactor.
Ex. BB139 (domeniul VHF) , BB125 (domeniul UHF). Aceste diode varicap permit acordul
automat pe frecvenţa dorită (staţia dorită).
3.4.6. Diode tunel
Dioda tunel a fost inventată de Esaki în 1958 şi se foloseşte ca oscilator sau amplificator.
Cele două joncţiuni sunt dopate foarte puternic: 1025 at / m3 . Atomii de impurităţi
interacţionează între ei ducând la apariţia unei benzi ce se suprapune pe banda de conducţie şi
parţial pe banda de valenţă (fig. 3.33). Aceste semiconductoare se numesc degenerate.
Fig. 3.33 Fig. 3.34

Câmpul din regiunea de barieră este foarte mare, încât chiar în absenţa polarizării, electronii
traversează bariera prin efect tunel (până la Up). Peste Up, IT scade apărând curentul normal prin
diodă. Peste Uv, curentul tunel IT nu mai există (fig. 3.34).
Pentru utilizare se foloseşte zona cu ri<0.
Nu se foloseşte Si ci Ge, Ga-As, In-Sb.
Viteza cu care electronii traversează bariera prin efect tunel este foarte mare; de aceea dioda
tunel este un dispozitiv ce poate lucra la frecvenţe foarte înalte.
Diodele tunel sunt utilizate ca amplificatoare şi generatoare de semnale sinusoidale, în
circuitele de comutaţie de mare viteză, în memoriile rapide ale calculatoarelor etc.
Simboluri:
Fig. 3.35
Dioda cu conducţie inversă (dioda backward)
Este o variantă de diodă tunel cu următoarea structură a benzilor:
Fig. 3.36 Fig. 3.37
Se utilizează ca detector sau mixer în domeniul microundelor.

DCE - Cap.4. REDRESOARE 33
Cap.4. REDRESOARE
4.1. REDRESOARE MONOFAZATE

4.1.1. Redresorul monofazat monoalternanţă
Avem nevoie de o sursă de curent continuu, care se poate obţine cu un redresor monofazat
din curent alternativ. Se numeşte monoalternanţă pentru că se redresează doar o alternanţă.
Fig. 4.1.a Fig. 4.1.b

Valoarea medie a lui Uin=0
U max
Valoarea efectivă pentru Uin: U ef 
2
Valoarea maximă pentru Uin: U max  U ef 2
Presupunem că dioda este ideală în montaj; în sens direct ea conduce şi rezultă Us>0; în
sens invers al curentului alternativ ea nu conduce şi rezultă Us=0, deci dioda redresează. Calculăm:
T 
1 1 1  1 U 2Uef Uef
Usmed   Us(t)dt ...   Umax sin(t)dt  Um  cos(t)  Um(1  1)  m  
T0 2 0 2 0 2   .
22
Tensiunea alternativă se descompune în componenta continuă, fundamentală şi armonici:
Us max Us max 2Us max   U 0
Us   sin(t )  sin  2t    ...U l max  +…
  2 3  2 2
U0  U1 max 
tensiune amplitudinea
continua fundamentala
Pentru a aprecia cât de apropiată este forma tensiunii redresate faţă de tensiunea alternativă
U 
(cât de bună este redresarea) se introduce factorul de ondulaţie (zgomot):   1m   157 .
U0 2
Pentru alegerea diodei trebuie precizată tensiunea maximă aplicată pe dioda (care este Um).
O tensiune cu o formă îmbunătăţită se obţine cu redresorul bialternanţă.
4.1.2. Redresorul dublă alternanţă cu punct median
Fig. 4.2.a Fig. 4.2.b

"*" indică în figura 4.2.a începutul înfăşurării.
34 DCE - Cap.4. REDRESOARE
Avem două tensiuni de intrare: Uin1 si Uin2

Umax= 2Uef
Sarcina de intrare pe RS va fi pozitivă, indiferent de alternanţă.
T 
1 1 1  1 2Um
Usmed   Us( t )dt   U m sin(t )dt  U m   cos(t )  U m 1  1  
T0 0  0  
Descompunerea tensiunii Us:
Usm 2 Usm  
Us    sin  2 t    ...
  3  2
U0 U2m
Uinv max este 2Um (este un dezavantaj), deci trebuie folosite diode pentru tensiuni mari (cel
puţin 2Um), peste 2 2  220 V.
4.1.3. Redresorul dublă alternanţă în punte
În alternanţa pozitivă, când tensiunea are semnul din

figura 4.3, conduc D1 si D2 (polarizate direct), iar D3 si D4
sunt blocate şi Us=U1n >0.
În alternanţa negativă conduc D4 şi D3, D1 şi D2 fiind
blocate şi Us=-Uint >0.
Rezultă Us >0 în ambele alternanţe.
Usmed si  sunt la fel ca la redresorul dublă alternanţă cu
Fig. 4.3 punct median, cu diferenţa că Uinv max=Umax(=Um).
Usmed=200V pentru Uef=220V. Aparent se pierd 20V, dar nu se pierde nimic (1,2V0), pentru că se
măsoară doi parametri diferiţi (o valoare medie şi una efectivă) ai aceleiaşi tensiuni. Dacă
Ualim<10V diodele nu mai pot fi considerate ideale pentru că pe ele “cad” 0.6V =Udeschidere scade
tensiunea redresată cu aproximativ 2UD=1,2V. La Ualim>10V se poate neglija UD.
4.2. REDRESOARE MONOFAZATE CU SARCINĂ RC
În multe cazuri se impune ca ondulaţiile Us să fie mici, acestea atenuându-se cu un

condensator pus în paralel cu sarcina.
Uintrare=Umsin(t)
Fig. 4.4.a Fig. 4.4.b

Funcţionare: Condensatorul se încarcă la valoarea maximă a tensiunii de intrare şi se

descarcă aproximativ exponenţial pe sarcină în timpul când dioda e blocată.
Dioda conduce doar în intervalul t (adică în impulsuri). Amplitudinea la vârf a ondulaţiei
poate să fie aproximată prin scăderea tensiunii pe grupul RC pe o perioadă.
  T 
Dacă t<<T : U Um 1  exp  
  R sC  
Presupunem că RsC>>T U; aproximăm
T Um T I max T
că: U  Um C C
RS C U  RS U
Aceeaşi formulă rezultă şi energetic: Q=ImT=CU
Curentul de vârf pe diodă trebuie comparat cu curentul mediu repetitiv pe diodă.
Presupunem că IDV este constant şi că t<<T  IDVt=IST. Intervalul de conducţie (pentru diodă)
începe când U<Umax, adică la momentul t1 şi se termină aproximativ când se atinge Um, la
momentul t2.
U  2   t  T 2  U
 1  cos  Dacă se dezvoltă cosinusul în serie  t  .
Um  T  2 Um
Dacă înlocuiesc în relaţie IDVt=ISt o relaţie pentru verificarea diodelor în cazul
condensatoarelor mari:
Um
I DV  2   IS IDV = curentul de vârf al diodei; scade cu U şi creşte cu C.
2  U
T Um
Pentru redresoare dublă alternanţă: U  U m , I DV    IS 
2 RS  C 2  U
îmbunătăţirea condiţiilor de lucru pentru diodă.
Obs: Uinv max  2Um (reiese din figură)  la redresorul monoalternanţă dioda trebuie să
reziste la 2 2  220 V+ o rezervă  1000V.
Mai există şi redresoare cu sarcina RLC (au şi o inductanţă L).
4.3. REDRESOARE MONOFAZATE CU DUBLARE DE TENSIUNE

36 DCE - Cap.4. REDRESOARE
Pentru a obţine Usarcină>Umax; C1=C2;

primul redresor: C1-D1, al doilea: C2-D2.
Cele două redresoare au ca masă punctul M.
Dacă au punctul B ca masă  2Um=US. Pe
noi ne interesează punctul B ca masă. În
alternanţă directă, prin D1 se încarcă C1, iar
în alternanţă negativă, prin D2 se încarcă C2.
Tensiunea de pe C1 se adună cu cea de pe C2
 Us va fi 2Um. În prezenţa sarcinii, C1 şi
C2 se descarcă puţin cu câte U  vom avea
US=2Um-2U=2(Um-U).
Schema a doua foloseşte pentru
alimentarea cu două tensiuni (+) (-) faţă de
masă a unui circuit. Schema nu este propriu-
zis un dublor de tensiune, totuşi între
extremităţi avem tensiune dublă. Schema
conţine două redresoare dublă alternanţă cu
punct median.
D1, D4, C1- reprezintă primul redresor;
D2, D3, C2- reprezintă al doilea redresor.
Fig. 4.5
A treia schemă serveşte pentru
dublarea lui Um (adică se obţine US=2Um) şi tot de la acelaşi transformator se poate obţine cu alt
redresor monoalternanţă încă o tensiune US2=Um, deoarece masa sarcinii este comună cu o ieşire a
transformatorului.
Funcţionare: - în alternanţa negativă D1 încarcă pe C1;
- în alternanţa pozitivă tensiunea de pe C1 se adună cu Uin  C2 se încarcă la 2Um,
dar condiţia este ca C2>C1.
4.4. REDRESOARE TRIFAZATE
Instalaţiile mari consumatoare de curent continuu utilizează în special redresoare trifazate,

care prezintă o serie de avantaje faţă de cele monofazate: încărcarea reţelei de alimentare este mai
uniformă, reducându-se interferenţele la funcţionarea cu alte echipamente conectate la aceeaşi reţea;
tensiunea redresată este mai netedă, ceea ce determină eventuala utilizare a unor filtre de netezire
mai simple, factorul de utilizare al transformatorului de alimentare este mai mare, obţinându-se
pentru o putere redresată dată o reducere a gabaritului şi a preţului de cost.
Schemele de redresare trifazate pot fi realizate cu punct median (scheme cu 3 diode faţă de
nul, punctul median) şi în punte (scheme cu 6 diode sau multiplu de 6).
Alimentarea circuitelor de redresare poate fi realizată cu sau fără transformator, direct de la
reţea. Utilizarea transformatorului în circuitul energetic al redresorului permite multiplicarea
numărului m de faze secundare în scopul realizării unor performanţe superioare faţă de cele
corespunzătoare la trei faze (m=3). Primarul transformatorului poate fi conectat atât în stea, cât şi în
triunghi. Pentru a reduce dezechilibrele se foloseşte conexiunea în triunghi, evitându-se astfel
deformarea tensiunii în secundar.
Conexiunea în punte
Reprezintă în fapt, înserierea a două scheme de redresare identice, cu punct median
alimentate de la aceeaşi sursă de energie. Fiecare fază din secundar conduce în intervalul unei
perioade de două ori şi este parcursă de curent în ambele sensuri.
În figura 4.6 este reprezentată schema de

redresare în punte trifazată. Înfăşurările primare nu
au fost reprezentate, transformatorul de alimentare
i21 putând avea orice conexiune în primar.
Unghiul de conducţie al dispozitivelor redresoare
este 2/3. Întotdeauna conduc simultan două diode,
i22 care au potenţialul cel mai pozitiv al anodului şi
respectiv cel mai negativ al catodului, în intervalul
considerat. Pentru un redresor trifazat în punte
i23
valoarea medie a tensiunii de ieşire este dublul
valorii de la un redresor trifazat în stea:
Rs Ls
+ Udpo=2*Udo=2*1,17*U2=2,34*U2
-
Conexiunile în punte nu au dezechilibru de curent
Fig. 4.6 continuu pe partea secundară deoarece există
circulaţie alternativă de curent. Din acelaşi motiv
factorul de utilizare al transformatorului creşte. Schemele de redresare în punte mai au avantajul că
pot fi alimentate direct de la reţea, însă în acest caz circuitul de c.c. nu mai este izolat galvanic.
Redresoarele prezentate în acest capitol sunt realizate numai cu diode (redresoare
necomandate) şi asigură la ieşire o tensiune continuă de valoare medie constantă. Pentru o tensiune
continuă la ieşire reglabilă se utilizează redresoarele semicomandate (realizate cu diode şi tiristoare)
şi redresoarele comandate (realizate numai cu tiristoare).
DCE - Cap.5. CONTACTUL METAL – SEMICONDUCTOR 37
Cap.5. CONTACTUL METAL – SEMICONDUCTOR
5.1. GENERALITĂŢI
Contactul metal-semiconductor (m-s) este o structură fizică care intră în construcţia tuturor
dispozitivelor electronice. Principala sa funcţie este de a conecta diverse regiuni semiconductoare la
terminalele capsulei. În acest caz contactul trebuie să prezinte o rezistenţă foarte mică în ambele
sensuri de polarizare; un astfel de contact se va numi contact ohmic. Contactul metal-semiconductor
poate avea şi conducţie unilaterală, atunci purtând denumirea de contact redresor.
Obţinerea funcţionării ohmice sau redresoare a contactului m-s se face prin alegerea
metalului, a semiconductorului sau a gradului de impurificare.
Contactele ohmice se apropie mai mult sau mai puţin de contactul ideal. Industrial,
contactele ohmice pe Si se realizează, aproape în exclusivitate, cu aluminiu. S-a constatat
experimental că Al face contact ohmic cu siliciu tip p dacă rezistivitatea acestuia este sub 10-2
mdopare Na>1022 atomi/m3. În cazul Si tip n, contactul este ohmic numai la dopări puternice
(Na>1025 atomi/m3) şi din acest motiv, înaintea depunerii Al se măreşte gradul de dopare în
regiunea de contact.
5.2. CONTACTUL METAL-SEMICONDUCTOR REDRESOR
Suprafaţa semiconductorului reprezintă o discontinuitate a structurii periodice din interiorul

monocristalului. În plus atomii de la suprafaţa semiconductorului nu mai au vecini în exterior
pentru formarea legăturilor covalente. Toate acestea se traduc prin apariţia în banda interzisă a unor
nivele energetice numite stări rapide de suprafaţă.
Existenţa stărilor rapide de suprafaţă produce modificări în regiunea adiacentă, care se traduc
prin apariţia unor regiuni golite.
Pentru un semiconductor de tip n, electronii de conducţie din apropierea suprafeţei tind să
umple complet stările rapide de suprafaţă; pe măsura umplerii acestora, la suprafaţă se acumulează
sarcini negative, iar în volum – sarcini pozitive (ale ionilor donori). Apare astfel o regiune golită la
suprafaţă şi un câmp electric care se opune transferului de electroni către suprafaţă. Se obţine o
situaţie de echilibru, în urma căreia sunt umplute numai o parte dintre stările de suprafaţă.
În mod asemănător se formează o regiune golită la un semiconductor de tip p. Aici, electronii
care ocupau deja stările rapide de suprafaţă trec în banda de valenţă, unde sunt nivelele energetice
libere (echivalent cu prezenţa golurilor). Suprafaţa semiconductorului se încarcă pozitiv, iar
volumul semiconductorului, negativ. Diagrama energetică a
n
suprafeţei semiconductorului poate fi controlată prin diverse
m
l0 procedee tehnologice, de exemplu, prin realizarea unui strat
subţire de oxid.
+
Cel mai răspândit contact m-s este realizat cu Al depus
 pe siliciu tip n. La efectuarea contactului, electronii cu energie
mai mare din semiconductor vor trece pe nivelele libere, de
x
energie mai coborâtă, din metal; ca urmare, regiunea din metal
-
vecină suprafeţei se încarcă cu o sarcină negativă (fig. 5.1).
Prin plecarea electronilor din semiconductor rămân, în
regiune vecină suprafeţe de contact, ioni pozitivi de impuritate
u donoare necompensaţi; această regiune se încarcă cu o sarcină
pozitivă. La contactul metal-semiconductor apare un strat
U0
electric dublu, deci un câmp electric.
x În regiunea de trecere care apare se manifestă o barieră
de potenţial care poate fi modificată prin aplicarea unei tensiuni
Fig. 5.1
38 DCE - Cap.5. CONTACTUL METAL – SEMICONDUCTOR
de polarizare din exterior; contactul metal-semiconductor considerat are o comportare similară unei
joncţiuni pn.
La polarizarea directă (+ pe metal şi – pe semiconductor) creşte componenta de electroni
care trece din semiconductor în metal, iar la polarizarea inversă, curentul net prin contact va fi
determinat de curentul de electroni care trece din metal în semiconductor, care se menţine la
valoarea de la echilibru şi are o valoare mică.
5.3. DIODA METAL-SEMICONDUCTOR
Contactele redresoare stau la baza construcţiei diodelor metal-semiconductor, care pot fi: cu
seleniu (în anii ‘30), cu oxid cupros, cu Ge, cu Si. Diodele m-s cu Si se numesc şi diode Schottky, şi
se realizează ca în figura 5.2. Pe o plachetă de Si n+ este crescut epitaxial un strat slab dopat de tip
n, peste care se depune un strat de aliaj argint-titan (sau aluminiu), care formează contact redresor
cu Si tip n. Pe regiunea n+ se realizează un contact ohmic pentru catod.
Fig. 5.2 Fig. 5.3. Simbolul diodei Schottky
Contactul m-s realizat se comportă ca o joncţiune pn+, curentul direct fiind determinat de
electronii majoritari ce trec din semiconductor în metal. În metal electronii îşi uniformizează
concentraţia pe câteva straturi atomice. Injecţia de goluri dinspre metal spre semiconductor este
foarte slabă, întrucât regiunea p apărută prin inversiune are o concentraţie mică de goluri. Practic nu
există sarcini de purtători minoritari stocate în regiunile neutre şi deci capacitatea de difuzie este
neglijabilă. Timpii de comutaţie pot ajunge la 100 ps.
Căderea de tensiune directă pe o diodă Schottky este de numai 0,3…0,5V faţă de 0,6…0,8V la
joncţiunile din Si; această proprietate este utilizată în circuitele integrate logice rapide (tip
tranzistor-tranzistor-logic TTL-Schottky) pentru evitarea saturării tranzistoarelor bipolare.
Principalul avantaj al diodei Schottky este posibilitatea de a lucra la frecvenţe foarte înalte
(zeci de GHz). De aceea ea este utilizată în detectoarele de frecvenţă foarte înaltă, în redresoarele
de putere la frecvenţe foarte ridicate şi în circuitele integrate TTL-Schottky.
DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR 39
Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

Cel mai important dispozitiv electronic este, la ora actuală, tranzistorul bipolar (TB) cu
joncţiuni. Acest dispozitiv a fost inventat de Shockley în 1949. Denumirea de tranzistor provine din
limba engleză: TRANSFER – RESISTOR, cuvinte ce desemnează funcţia de bază a dispozitivului.
Tranzistoarele se împart în două categorii: bipolare şi unipolare. Funcţionarea TB se bazează pe
ambele categorii de purtători: majoritari şi minoritari, în timp ce tranzistoarele unipolare (sau cu
efect de câmp) funcţionează numai pe baza purtătorilor majoritari. Istoric primul TB a fost cel cu
contacte punctiforme, realizat de Bardeen şi Brattain în 1948, dar nu s-a impus din cauza puterii
foarte mici. În continuare prin TB vom înţelege de fapt TB cu joncţiuni.
6.1. PRINCIPIUL DE FUNCŢIONARE AL TRANZISTORULUI BIPOLAR.

SIMBOLURI. NOTAŢII.
Tranzistorul bipolar constă dintr-un monocristal semiconductor (Si sau Ge) care prezintă o
succesiune de trei regiuni distincte, regiunea din mijloc fiind dopată cu impurităţi de tip diferit faţă
de regiunile laterale (fig. 6.1). Regiunea centrală poartă numele de bază (B), iar cele laterale de
emitor (E) şi colector (C), după rolul pe care îl au în funcţionarea tranzistorului.
p n p n p n
E B C E B C
Fig. 6.1 Fig. 6.2
Pe fiecare din aceste regiuni este realizat câte un contact ohmic pe care se sudează
conductoarele terminale. În structura TB se formează două joncţiuni p-n: joncţiunea emitoare (JEB)
şi joncţiunea colectoare (JCB). În funcţie de tipul conductibilităţii celor trei regiuni, TB pot fi de tip
pnp sau npn.
Structura de TB prezintă următoarele particularităţi:
1. Grosimea bazei (dB) este mult mai mare decât lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari;
dB =1...10 μm;
2. Regiunile E şi C au (de regulă) grosimi mult mai mari decât lungimea de difuzie a purtătorilor
minoritari;
3. Emitorul este mult mai puternic dopat decât baza;
4. Joncţiunile E şi C sunt plane şi paralele între ele; de aceea toate mărimile electrice variază în
structură numai după perpendiculara pe joncţiuni (x).
În funcţionarea normală a TB, JE este polarizată direct, iar JC invers. Funcţionarea TB nu
poate fi dedusă, aşa cum s-ar părea la prima impresie, considerându-l echivalent cu două joncţiuni
independente. Schema echivalentă cu două diode este utilă doar pentru măsurări cu ohmmetrul (fig.
6.2). Distanţa între cele două joncţiuni fiind mică, ele se influenţează reciproc: apare un efect numit
efect de tranzistor.
În figura 6.3. se arată simbolurile utilizate pentru tranzistoarele bipolare npn şi pnp.
Terminalul emitorului este pus în evidenţă printr-o săgeată orientată după sensul “real" (de fapt cel
convenţional: de la plus la minus) al
curentului de emitor în polarizare normală
(JE polarizată direct şi JC polarizată invers).
Sensurile pentru curenţi şi tensiuni sunt
aceleaşi pentru tranzistoarele bipolare pnp
cât şi pentru cele npn. Curenţii se consideră
Fig. 6.3 pozitivi când întră în tranzistor şi negativi în
caz contrar. Tensiunile se măsoară faţă de
40 DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR
unul din terminale şi se notează cu doi indici: primul indică terminalul a cărui tensiune se măsoară,
iar al doilea indică terminalul luat ca referinţă de potenţial.
Între tranzistorul bipolar pnp şi npn există o analogie perfectă. Ne vom referi în continuare la
tranzistorul bipolar pnp, însă toate rezultatele ce se vor obţine sunt aplicabile şi la TB npn, cu
următoarele precizări:
1. Se schimbă toate mărimile referitoare la goluri în mărimile referitoare la electroni şi invers;
2. Polaritatea tensiunilor şi mărimile “reale” ale curenţilor sunt inverse. Se prezintă mai jos un
tabel cu tensiunile şi curenţii unui TB în funcţionarea normală:
UEB UCB UCE IE IC IB

pnp + - - + - -
npn - + + - + +
Fig. 6.4
Să considerăm un tranzistor pnp polarizat normal. JE va fi străbătută de un curent dominant

de golurile injectate de E în B (fig. 6.4). Datorită faptului că B este subţire, doar o mică parte din
golurile injectate de E în B se vor recombina cu e- majoritari din B. Cele mai multe goluri ajung
prin difuzie la JC. Aici intră sub acţiunea câmpului electric din regiunea de tranziţie şi sunt trecute
în regiunea neutră a colectorului. Curentul de goluri ce traversează JC (IpC) este foarte apropiat ca
valoare de curentul injectat de E în B (IpE) şi constituie componenta principală a curentului de C.
Acest efect de comandă a curentului printr-o joncţiune polarizată invers (JC) cu ajutorul curentului
unei joncţiuni polarizate direct şi plasată în apropiere (JE), se numeşte efect de tranzistor.
O fracţiune mică din golurile injectate în B se recombină cu electronii intraţi prin contactul B
dând I de recombinare al B, Ir. IpE=IpC+Ir. JE mai este străbătută de un flux de electroni pe care B îi
injectează în E. Notăm cu Ine curentul corespunzător acestui flux, valoarea totală a IE=IpE+InE. IC
este format din I de goluri ce sosesc de la E (IpC) şi curentul invers al JC (ICBo) IC =-IpC+ ICBo.
Semnul minus apare datorită convenţiei de semne făcută. ICBo este foarte mic, de ordinul a 1 nA la
TB cu Si şi 1A la cele cu Ge, motiv pentru care de multe ori se neglijează. IB alimentează
recombinarea în B şi injecţia de electroni din B în E. În acelaşi timp în B sosesc un număr mic de
electroni: IB =-Ir-InE+InC
Efectul util în funcţionarea TB îl constituie comanda IC prin intermediul IE; InE- curent local,
trebuie să fie cât mai mic (din construcţie). Din acest motiv, B se dopează mult mai slab decât E.
Pentru a aprecia măsura în care curentul de goluri Ip predomină în curentul ce traversează JE se
utilizează coeficientul de injecţie (sau eficienţa emitorului), definit astfel: γ=IpE/ IE =0.99...0.998
Recombinarea golurilor în bază este un fenomen parazit pentru funcţionarea tranzistorului.
Pentru ca la C să ajungă cât mai multe din golurile injectate de E în B, trebuie ca grosimea B să fie
mult mai mică decât lungimea de difuzie a golurilor în bază, fenomen caracterizat de coeficientul de
transport:
T=IpE/IpC=0.99...0.998. IpC=α T IpE=T. ˙ IE = IE, unde α= T α = 0.95... 0.998
Coeficientul  poartă numele de coeficient de amplificare în curent E-C (coeficient de

amplificare în conexiune bază comună – figura 6.7). Se poate exprima relaţia dintre curenţii IC şi IE
astfel: IC =-αIE+ICBo=-αIE.
IB fiind legat de fenomene secundare este mult mai mic decât IE şi IC. Mai observăm că în
timp IE şi IC curg în lungul structurii (perpendicular pe joncţiune) iar IB curge paralel cu joncţiunea.
Din acest motiv curentul de purtători majoritari din regiunea B este numit curent transversal. Când
tensiunea inversă aplicată pe JC este foarte mare, intervine şi fenomenul de multiplicare în avalanşă
în regiunea de tranziţie caracterizat de coeficientul de multiplicare:
M=1/[1-(UCB/UCBo)n] unde UCBo este tensiunea de străpungere a JC, iar n un coeficient cuprins între
2 şi 6. În domeniul tensiunilor mari α=˙ αT -M şi în anumite situaţii poate deveni mai mare decât 1.
În majoritatea aplicaţiilor, TB este comandat prin IB. Pentru astfel de aplicaţii interesează
dependenţa IC (IB), care se obţine înlocuind: IE =- IC - IB, în care IC = IE + ICBo =>
IC = IC + IB + ICBo; IC (1-)= IB + ICBo; IC =(α/(1-α)) IB +(α/(1-α)) ICBo; =α/(1-α); α=/(+1)
 se numeşte coeficient de amplificare în curent B-C sau coeficient de amplificare în
conexiune emitor comun – figura 6.7.
IC = IB +(+1) ICBo; IC =- IC + ICBo. La TB obişnuite, βЄ(30, 500).
Până în prezent au fost elaborate mai multe procedee de fabricare a tranzistoarelor, rezultând
mai multe tipuri de tranzistoare: aliate, difuzat-aliate (drift), mesa, planare, mesa epitaxiale, planar
epitaxiale etc.
6.2. TEORIA TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎN REGIM STAŢIONAR.

MODELUL STATIC EBERS-MOLL
Această teorie se bazează pe nişte ipoteze simplificatoare (de ex.: joncţiunile TB sunt
considerate abrupte ideale), în final rezultând ecuaţiile lui Shockley, care depind de mai mulţi
parametri tehnologici ai TB. Ebers şi Moll au găsit o cale de determinare a ecuaţiilor TB cu ajutorul
a 4 parametri măsurabili experimental.
Vom considera două regimuri de lucru ale TB: normal şi inversat. În regim normal de
funcţionare, pentru un TB tip pnp, UEB>0, UCB <0, rezultă: IC =-· IE + ICBo. ICBo este curentul
invers al joncţiunii CB, când emitorul este în gol (circuit deschis IE =0).
Să considerăm acum că schimbăm, între ele, rolurile regimurilor de E şi C, cu alte cuvinte să
aplicăm o tensiune directă pe JC şi o tensiune inversă pe JE. Întrucât C nu se deosebeşte principial
de E, TB va funcţiona şi în acest regim inversat. Dacă păstrăm aceeaşi convenţie de semn pentru
curenţi la regim normal, funcţionarea inversată este descrisă de relaţia: IE =-· IC +IEbo, în care I
este coeficientul de amplificare în curent pentru regimul inversat, iar IEBo este I invers al JE când C
este în circuit deschis (în gol, IC =0).În aceste ecuaţii pentru IC şi IE se pot determina curenţii prin
TB, în cele 2 regimuri de funcţionare, cunoscând 4 parametri ce se pot măsura experimental
(ICBo, IEBo). Evident IB =- IE + IC, se mai poate demonstra că · IEBo =· ICBo, deci cei patru
parametri nu sunt independenţi.
Ecuaţiile pentru orice regim de funcţionare conţin exponenţiale pentru diodele BE şi BC şi
sunt cunoscute sub numele de ecuaţii Ebers-
Moll. Aceste ecuaţii pot fi modelate, în
sensul TB tip pnp, în circuitul din figura
6.5.a (iar pentru npn figura 6.5.b).
IC =- IE - ICBo e (qUCB)/KT-1
IE -I IC -IEBoe (qUEB)/KT-1 (pnp)
IB =- IE - IC
În acest circuit generatoarele de I pun
în evidenţă efectul de tranzistor, iar cele două
diode au caracteristici exponenţiale, curenţii
Fig. 6.5.a Fig. 6.5.b lor de saturaţie fiind -ICBo şi -IEBo. Semnul (-)
este determinat de faptul că la TB pnp ICBo şi IEBo sunt negativi. La TB npn, ICBo şi IEBo sunt
pozitivi şi observăm că UEB şi UCB sunt înlocuite cu -UEB şi -UCB în ecuaţiile Ebers-Moll. Datorită
diodelor cu caracteristică exponenţială, circuitele echivalente din figura 6.5 păstrează caracterul
neliniar al caracteristicii joncţiunii p-n. Diodele pot fi modelate liniar, obţinându-se circuite mai
uşor de utilizat, dar mai puţin precise.
Pentru  se mai foloseşte notaţia F iar pentru  notaţia R.
=R=0.5...0.9 I= 1...9 α = F = 0.95...0.99
Această diferenţă între  şi  este datorată ariei mult mai mari a JC faţă de JE (fig. 6.6),
ceea ce permite colectarea majorităţii golurilor injectate de E către C. Atunci când polarizarea este
inversată, E nu poate colecta majoritatea golurilor injectate de C. Ca exemplu de utilizare a
ecuaţiilor Ebers-Moll, vom determina curenţii prin TB în două cazuri:
a) bază în gol şi JC polarizată invers:
IC =- IE  IC =Iceo= ICBo /(1-)=(+1) ICBo
b) bază în gol şi JE polarizată invers:
IE =- IC  IE = Ieco = IEBo /(1-I)=(I+1) IEbo
Pentru determinarea practică a parametrilor modelului Ebers-Moll, este
Fig. 6.6 recomandabil să se determine coeficienţii de amplificare în curent BC (şi I), iar
şi I să se calculeze cu ajutorul acestora. De asemenea, este preferabil să se măsoare cu baza în
gol IECo şi ICEo (care sunt mult mai mari decât IEBo şi ICBo) şi apoi să se calculeze IEBo şi ICBo. La
toate tranzistoarele >I şi ICBo >Ieco. În practică se mai foloseşte relaţia valabilă numai în regiunea
activă: IC =Is·e q·UBE/(kT), unde Is este curentul de saturaţie al joncţiunii BE.
6.3. CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR
Caracteristicile statice (CS) exprimă grafic legătura dintre I prin TB şi U aplicate între
terminale, în regim static. Pentru calculul circuitelor cu TB se folosesc fie CS trasate experimental,
fie unele modele simplificate pentru TB. În aceste montaje cu TB se disting două circuite: un circuit
de intrare, în care se aplică semnalul de prelucrat şi un circuit de ieşire, în care se obţine semnalul
prelucrat. TB având numai 3 borne, una din bornele sale trebuie să facă parte din ambele circuite.
De obicei terminalul comun se ia ca referinţă de potenţial. După terminalul comun, există
următoarele conexiuni posibile pentru TB:
a) baza comună (BC), în care U de polarizare se aplică nemijlocit pe cele două joncţiuni;
b) emitor comun (EC) în care JE este polarizată direct de la sursa respectivă, iar polarizarea
JC se obţine ca diferenţă între potenţialele C şi B: UCB = UCE -UBE;
c) colector comun (CC), în care JC este polarizată direct de la sursă, iar polarizarea JE se
obţine ca diferenţă între E şi B: UEB =UEC-UBC; (fig. 6.7)
Pentru definirea punctului de funcţionare al TB (PSF) sunt necesare 4 mărimi: I la
terminalele de intrare şi ieşire şi U între aceste terminale şi terminalul comun. U între terminalul de
intrare şi cel de ieşire precum şi I la terminalul de referinţă rezultă din aplicarea formulelor lui
Kirchoff: IE + IC + IB =0 şi UEB +UBC+ UCE =0
Fig. 6.7
Între cele 4 mărimi de tensiune variabilă, TB impune două relaţii de legătură: ecuaţiile
Ebers-Moll, deci numai două variabile sunt independente. Dintre caracteristicile statice ce pot fi
imaginate, cele mai importante din punct de vedere practic sunt următoarele:
1) caracteristicile de ieşire care exprimă dependenţa Iieşire(Uieşire), având ca parametru Iintrare (sau
Uintrare);
2) caracteristicile de intrare, care exprimă dependenţa Iintrare(Uintrare), având ca parametru Uieşire;
3) caracteristicile de transfer, care exprimă dependenţa Iieşire(I sau Uintrare), având ca parametru
Uieşire;
4) caracteristicile de reacţie, care exprimă dependenţa Uintrare(Uieşire), având ca parametru Iintrare.
CS diferă de la o conexiune la alta, dar cunoscând familia de CS pentru o conexiune, pot fi
uşor determinate CS pentru celelalte conexiuni. Deoarece în marea majoritate a aplicaţiilor TB se
utilizează conexiunea EC, cataloagele de TB dau numai CS pentru această conexiune. CS sunt la fel
pentru TB pnp şi TB npn, cu excepţia semnelor pentru I şi U.
Se prezintă caracteristicile statice de ieşire pentru conexiunea bază comună (BC) (fig. 6.8.a) şi
pentru conexiunea emitor comun (EC) (fig. 6.8.b).
Fig. 6.8.a Fig. 6.8.b

Domeniul de interes practic al caracteristicilor se aduce în primul cadran. Pentru aceasta la TB
pnp pe axa U se va reprezenta -UCB, iar pe axa curenţilor -IC (fig. 6.8.a,b).
Ştim că pentru UCB  UEB  IC =0. UCE = UCB - UEB =0, deci toate caracteristicile IC (UCE)
trec prin origine. Pentru -UCE <-UBE JC este polarizată direct (UCB >0)  TB saturat. Apare o
înclinare a caracteristicilor, datorită creşterii lui  prin efect Early, adică micşorarea grosimii
efective a bazei la creşterea UCE .
Putem împărţi planul caracteristicilor de ieşire în 4 regiuni, la care corespund 4 regimuri de
funcţionare: I. regiunea activă normală, unde JE e polarizată direct şi JC e polarizată invers;
II. regiunea de saturaţie, unde ambele joncţiuni sunt polarizate direct;
III. regiunea de tăiere, unde ambele joncţiuni sunt polarizate invers;
IV. regiunea activă inversă, JC polarizată direct, JE polarizată invers.
În mod frecvent în
cataloage se reprezintă
toate cele 4 caracteristici
pe acelaşi grafic (fig. 6.9).
Fig. 6.9. TB pnp în

conexiune EC
6.4. MODELE STATICE LINIARIZATE PENTRU TRANZISTOARE BIPOLARE.

EXEMPLU DE UTILIZARE A MODELELOR
Pentru calcule se aproximează CS prin segmente de dreaptă.
Conexiunea BC
CS de intrare: 2 segmente de dreaptă:
IE =0, pentru UEB  UD ca la diodă şi IE =( UEB - UD)/Re,
pentru UEB > UD; UD - tensiune de deschidere a JE
Re= UD IE; Re=(KT/q)(1/ IE)
Circuitul de intrare are elementele: Re, DI, UD (fig. 6.10)
Fig. 6.10 Pentru circuitul de ieşire IC =- IE + ICBo  TB este echivalent
cu un generator de curent  model pentru regiunea activă pentru
tranzistorul bipolar pnp (valabil şi pentru tăiere datorită DI)
Conexiunea EC
CS de intrare: 2 segmente de
dreaptă: Rb = (+1)Re sau Rb =
(KT/q)(1/ IB)
CS de ieşire: IC = IB +(+1) ICBo,
ICEo=(+1) ICbo (fig. 6.11)
Înclinarea caracteristicilor de
ieşire datorită efectului Early poate
fi modelată cu o conductanţă GCE
Fig. 6.11. TB pnp- model TB pnp- model simplificat între C şi E (R de ieşire).
ptr. regiunea activă şi tăiere pentru regiunea activă Ue=UEarly (90V la Si)
RCE = (|UE|+| UCE |)/ IC
În cazul TB npn se schimbă polaritatea UD şi sensul de conducţie al diodelor ideale. Pentru
saturaţie şi tăiere se pot folosi 2 modele foarte simplificate (fig. 6.12):
Fig. 6.12
Exemplu de utilizare a modelelor statice liniarizate

Figura 6.13.a reprezintă circuitul de amplificator în EC cu TB npn. Modelul static liniarizat al
acestuia este în figura 6.13.b, pentru care există o schemă echivalentă mult simplificată (fig. 6.13.c):
IB Fig. 6.13.a IC Fig. 6.13.b

B C
Folosind modelul din figura 6.13.b (cu cele
două ochiuri: circuitul de intrare şi cel de ieşire)
UD β · IB
<<
putem găsi dependenţa Uieşire (în acest caz UCE) în

E funcţie de Uintrare. Acest model este valabil numai
UBE UCE atât timp cât TB se află în regiunea activă.
IB + IC Modelul nu este valabil când Uin< UD. În acest caz
IB =0 rezultă IC = IB =0; UCE=EC. Pe de altă parte
IE când Uin creşte, IB creşte, IC creşte, UCE scade la 0,
Fig. 6.13.c TB intră în saturaţie şi din nou modelul nu mai
este valabil. UCB nu poate să scadă sub 0, sau IC nu poate depăşi valoarea IC max=EC/RC.
Uin =RBIB+RbIb+ UD
În regiunea activă: IB
=(Uin- UD)/(RB+Rb) cu condiţia
ca Uin > UD, rezultă IB creşte
liniar cu Uin. Ecuaţia U pentru
circuitul de ieşire EC = RC IC +
UCE  UCE=EC-ICRC. Dar IC=0
UCE=EC . PSF se deplasează pe
o dreaptă, numită dreaptă de
Fig. 6.14 Fig. 6.15 sarcină (fig. 6.14), reprezentată
prin tăieturi: UCE =0; IC = EC / RC; IC =0; UCE = EC; IC = IB  UCE = EC -RC(Uin-
UD)/(RB+Rb). Când Uin creşte UCE (Uieşire) scade până la 0 (se atinge I C saturaţie) - figura 6.15.
6.5. INFLUENŢA TEMPERATURII ASUPRA REGIMULUI STAŢIONAR AL

TRANZISTORULUI BIPOLAR
Cele mai importante efecte asupra regimului staţionar sunt:

a) Variaţia curentului rezidual de colector ICB;
b) Variaţia coeficientului de amplificare în I B-C ;
c) Variaţia tensiunii de deschidere UD;
a) ICB fiind Iinvers al unei joncţiuni, creşte cu temperatura ca în
figura 6.16. Valorile sunt date pentru tranzistoarele din Ge şi Si de
Fig. 6.16 mică putere. La ambele categorii de TB, ICBo se dublează pentru o
creştere a temperaturii cu 10C. Pentru temperaturi uzuale ICBo =0 la
Si.
b) Variaţia coeficientului de amplificare în curent B-C () cu
temperatura este dată în figura 6.17. Creşterea  cu temperatura se
datorează creşterii duratei de viaţă a purtătorilor în bază (B).
B creşte, deoarece la creşterea temperaturii se intensifică
mişcarea de agitaţie termică a centrelor de recombinare şi descreşte
Fig. 6.17 probabilitatea capturării purtătorilor.
La creşterea temperaturii  o translatare în sus a
caracteristicilor de ieşire IC (UCE). La TB cu Si translatarea este
cauzată practic numai de creşterea  în timp, pe când la cele cu Ge
predominant este efectul creşterii ICBo.
c) U pe JE la IB =constant, descreşte în valoare absolută cu
creşterea T ca şi în cazul joncţiunii p-n cu aproximativ 2mV/C.
6.6. STRĂPUNGEREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

Fig. 6.18
În esenţă, străpungerea TB este asemănătoare cu străpungerea
joncţiunii p-n, deşi la TB fenomenele sunt mai complexe şi depind în
foarte mare măsură de circuitul în care acesta este conectat.
Străpungerea TB la I de E constant – conexiune BC

În domeniul UCB mari, apare multiplicarea în avalanşă a
purtătorilor de sarcină în regiunea de tranziţie a joncţiunii BC, deci un
curent foarte mare CB în sens invers IB normal(fig. 6.18). UCbo la TB
Fig. 6.19 normale=50…200V, iar la cele speciale<2000V. IC=M(-IE+ ICBo).
Străpungerea nu este distructivă atâta timp cât T<Tmax admis.
Străpungerea TB la I de B constant – conexiune EC.

Străpungerea are loc la o tensiune UCEo< UCBo, UCEo=(0.1…0.3)UCBo =20…50V pentru TB
normale. La străpungerea TB sub IB constant participă ambele joncţiuni intervenind efectul de TB
 nu avem de-a face numai cu o străpungere în avalanşă deoarece ea are rolul de a modifica
distribuţia UCE între cele două joncţiuni (fig. 6.19). UCEO se mai numeşte şi tensiune de susţinere.
Alte cazuri de străpungere
TB lucrează cu rezistenţă în bază, în

emitor şi/sau colector. Străpungerea are loc prin
creşterea EC. În acest caz variază atât IE cât şi
IB, comportarea TB depinzând de RB şi RE.
Creşterea RB apropie regimul de lucru al TB de
situaţia IB =ct, deci Ustrăpungere scade, în timp ce
creşterea RE constituie o apropiere de regimul IE
=ct, când Ustrăpungere creşte. Pentru EB<0, se
poate ajunge ca Ustrăpungere= UCbo .
Când TB lucrează în conexiunea emitor comun
cu IB=const, avem vCE=vCB+vBEvCB 
multiplicarea M→∞ (aproximând│vCE│vCB).
Modificarea caracteristicilor are loc şi fără
străpungere (M→∞). Menţinând IB=const. nu
mai permitem evacuarea purtătorilor majoritari
în B (proveniţi din fenomenul de multiplicare)
şi astfel creşterea lui IC are loc pe seama
creşterii lui IE, ce duce la creşterea suplimentară
a lui IC. Se poate obţine o creştere nelimitată a
lui IC fără să se producă străpungerea propriu-
Fig. 6.20 zisă la joncţiunea colectorului.
Străpungerea a doua (secundară)
La ridicarea caracteristicilor în regimul de

străpungere în avalanşă se constată că UCE scade
brusc la câţiva volţi (fig.6.21). O explicaţie ar fi
modificarea bruscă a distribuţiei IC, de la o
distribuţie aproape uniformă la o distribuţie în care
întregul IC este concentrat într-un canal foarte
îngust. Modificarea bruscă a repartiţiei curentului
este determinată de degajarea neuniformă a căldurii,
datorită neomogenităţilor din cristal. IC concentrat
disipă putere mare într-un volum foarte mic în care
Fig. 6.21
temperatura creşte peste temperatura de topire.
Concentraţia intrinsecă a purtătorilor în canalul topit este foarte mare, încât va lega colectorul la
bază printr-o rezistenţă de valoare foarte mică. După anularea tensiunii, canalul topit recristalizează;
proprietăţile lui sunt complet schimbate, deci străpungerea a doua nu este reversibilă, spre deosebire
de străpungerea obişnuită. În urma ei apar modificări ale parametrilor electrici ai TB (, ICBo), sau
chiar TB se poate distruge, dacă timpul de funcţionare în regiunea străpungerii a doua este mai
îndelungat.
6.7. REGIMUL TERMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR
În timpul funcţionării dispozitivelor semiconductoare o parte din puterea electrică se disipă

sub formă de căldură. Disiparea puterii are loc într-o regiune limitată a structurii semiconductoare.
La diode şi TB, degajarea căldurii are loc în regiunea de tranziţie a joncţiunilor.
La TB tensiunea aplicată la JC este mult mai mare în regim
normal de lucru decât cea aplicată la JE, deci cea mai intensă
degajare de căldură are loc la JC. Din regiunea de disipaţie, cu
temperatura joncţiunii Tj, căldura se propagă prin conducţie până la
suportul cu temperatura Ts şi la capsula cu temperatura Tc (fig.
6.22). Căldura este evacuată prin convecţie spre mediul ambiant Ta.
TB poate fi umplut cu un fluid electroizolant având
conductivitate termică bună (pastă siliconică = ulei siliconic cu
Fig. 6.22 pulbere de alumină). Tj nu poate depăşi Tjmax (70-90C la Ge şi
120-200C la Si). Tj depinde de puterea disipată şi de posibilităţile
de evacuare a căldurii spre exterior. Se poate face o analogie între propagarea căldurii şi conducţia
electrică. Echivalenţa dintre mărimile electrice şi termice este următoarea:
I. putere electrică ↔ flux termic;
II. diferenţa de potenţial ↔ diferenţa de temperatură;
III. conductivitate electrică ↔ conductivitate termică;
IV. rezistenţa electrică ↔ rezistenţa termică.
Pentru un TB de mică putere modelul electric pentru regimul termic este următorul (fig. 6.23):
Fig. 6.23 Fig. 6.24 Fig. 6.25
Tj-Ta= Pd Rthj –a ; Pdmax=(Tjmax-Ta)/Rt j-a

Ex.: La TB cu Ge: Rt,j-a=200C/W, Tjmax=85C, Ta=45C  Pdmax = (85-45)/200 = 0.2 W.
Pentru scăderea Rth c-a se folosesc radiatoare pentru mărirea suprafeţei care schimbă căldură
cu mediul ambiant. Uneori în cataloage se dau dependenţa Pd(Ta) din care se poate calcula Rtj-a.
Tranzistoarele de putere au colectorul sudat de suport o placă de cupru nichelat de 2 mm
grosime. Faţă de radiator poate exista sau nu o folie izolatoare (fig. 6.25).
Rt j-c=2C/W ; Rtc-a=40C/W ; Fără radiator: Pda(Ge)=1-2W ; Pda(Si)=2-5W
Pentru calculul radiatorului pornind de la Rthr există multe formule empirice.
6.8. CIRCUITE DE POLARIZARE PENTRU TRANZISTOARE BIPOLARE
Pentru a realiza amplificarea de semnal folosind tranzistorul bipolar este necesar ca un

circuit exterior să polarizeze tranzistorul bipolar în regiunea activă. PSF poate fi ales numai într-o
anumită regiune permisă a caracteristicilor de ieşire. Această regiune este determinată de limitările
de U, I şi Pda ale TB precum şi de neliniarităţile pronunţate ale caracteristicilor sale. Pentru fiecare
caz concret se alege un punct optim de funcţionare în regiunea permisă. Circuitul de polarizare
trebuie să asigure funcţionarea în PSF, cât mai independent de temperatură, dispersia tehnologică a
TB, variaţiile tensiunii de alimentare etc. Este preferabilă utilizarea unei singure surse de alimentare
pentru polarizarea corectă a ambelor joncţiuni.
6.8.1. Circuit de polarizare simplu pentru conexiunea EC
Când TB este utilizat ca amplificator în conexiune EC, B şi C trebuie polarizate în acelaşi

sens faţă de E (luat ca referinţă): negative în cazul TB pnp şi pozitive în cazul TB npn. Aceasta
permite utilizarea unei singure surse de polarizare, ca în figura 6.26.
Fig. 6.26
La acest amplificator semnalul se aplică pe bază printr-un condensator şi se culege de pe
colector tot printr-un condensator. Aceste condensatoare reprezintă întreruperi pentru curentul
continuu, încât generatorul de semnal Ug şi sarcina Rs nu intervin în regimul staţionar al etajului.
Folosind modelul static liniarizat (de semnal mare; curent continuu) avem:
EC = RB  IB + UBE  UBE = UD; Rb<<RB; Rb 0 IB =( EC - UBE)/ Rb
Dacă EC >> UBE  IB  EC / RB; IC  IB  EC / RB.
EC = RC  IC + UCE
RB =( EC - UD)/( IC -(+1) ICBo)( EC - UD)/ IC  EC / IC
Se poate stabili PSF grafic sau cu ajutorul modelelor liniarizate. Dacă nu se neglijează ICBo
rezultă IC =( EC - UD)/ RB +(+1) ICBo; pentru proiectare se ştiu de obicei EC, , UD, PSF(IC, UCE),
ICBo.
Exemple:
1) Să se dimensioneze Rb şi RC pentru un TB npn din Si, având la 25C =100, UD =0.6V,
ca să funcţioneze în PSF: IC =2mA şi UCE =5V. Se dau EC =10V şi ICBo =0.1nA (se poate neglija).
RC =( EC - UCE)/ IC =2.5k
RB =( EC - UD)/ IB =( EC - UD)/ IC =470k
Să urmărim ce se întâmplă cu PSF dacă temperatura creşte la 125C.
CI=0.1(C)-1 ; To=25C ; ICBo (T)= ICBo (To)2CI (T-To) ; C=0.01(C)-1 ; (T)=(To)[1+C(T-To)]
ICBo =0.1210=0.110240.1A0 ; Iceo=(+1) ICBo 20A0 ; 200
ICBo se dublează la creşterea temperaturii cu 10C.
 se dublează la Si la creşterea temperaturii cu 100C.
UD scade cu 2mV/C; UD (125C)=0.6·2·10-3·100=0.4V. UD (T)= UD (To)+Cv(T-To);
Cv=-2mV/C.
Deci IB rămâne aproximativ constant.
IC (125C)=· IB =·(UC- UD)/ RB =200·(10-0.4)/470=4mA
UCE (125C)= EC - RC · IC =10-10=0V
Dacă temperatura creşte peste 125C,  creşte peste 200. Dacă schimbăm tranzistorul cu
altul cu >200, IC calculat va fi mai mare de 4mA, iar UCE <0, ceea ce e imposibil, deci modelul nu
e valabil, tranzistorul nu mai este în regiunea activă normală, IC este mai mare dacă se ţine cont şi
de ICBo .
Tranzistoarele de acelaşi tip prezintă o anumită dispersie a lui  în jurul valorii medii.
Ex.: BD135: =40…250 ; BC107: =125…500
Pentru un circuit dimensionat, TB cu =max va intra în saturaţie iar cel cu =min va lucra
aproape de regiunea de tăiere. Condiţia de saturaţie este IB > IC /.
2) Vom relua problema precedentă (dimensionarea Rb şi RC) pentru un TB pnp cu Ge care
la 25C are =100, UD = -0.25V, ICBo =-1A. Se dau EC =-10V şi PSF la 25C: IC =-2mA, UCE =-
5V.
Cu ICBo  RC =2.5k; Rb =510k. Presupunem că temperatura creşte la 75C,   se
dublează (=200), UD scade cu 2mV/C,  UD (75C)=-0.15V; ICBo (75C)=-10-625=-32A;
IC(75C)=10.5mA; Iceo (75C)=(+1) ICBo =-32200=-6.4mA; UCE (75C)=16.2V şi-a schimbat
semnul  PSF a intrat în regiunea de saturaţie  UCE (75C)0V modelul nu mai e valabil  IC
(75C) EC / RC; IC =-4mA.
Din aceste două exemple putem trage concluziile următoare:
a) PSF e mai puternic afectat de variaţia temperaturii la tranzistorul cu Ge decât la cel cu Si;
b) Pentru IB =ct, la tranzistorul cu Si, efectul care predomină la creşterea temperaturii îl
constituie creşterea lui , iar la cele cu Ge predomină creşterea lui ICBo, implicit şi a lui Iceo;
c) Menţinerea lui IB =ct pe care o realizează acest circuit simplu de polarizare nu asigură
stabilitatea PSF  circuitul nu poate fi utilizat decât la temperaturi aproape constante şi la puteri
disipate mici.
3) TB npn din Si cu EC =12V, RC =6.8k, Rb =1.3M, To=25C, UD =0.5V, =100,
ICBo =0.1nA
To=25C: IC =0.877mA, UCE =6.037V
T1=75C: UD =0.5V, =150, ICBo =3.2nA, ICEo=0.4832A, IC =1.327mA, UCE =2.97V
T2=125C: UD =0.4V, ICBo =0.1A, =200, ICEo =0.02mA, IC calc=1.805mA,
UCE calc= -0.275V  PSF a intrat în regiunea de saturaţie. UCE real=0V, IC real=1.765mA
4) TB npn din Ge cu EC =12V, RC =6.8k, Rb =1.3M, To=25C, UD =0.25V,
ICBo =0.001mA, T1=75C.
To=25C: IC =1.005mA, UCE =5.167V
T1=75C: UD =0.15V, =200, ICBo =32A, Iceo calc=6.43mA, IC calc=8.25A, UCE calc=-44V
 PSF a intrat în regiunea de saturaţie. UCE real=0V, IC real=1.765mA
6.8.2. Procedee de stabilizare a PSF
1) Procedee liniare - utilizează în circuitul de polarizare elemente liniare (rezistoare).

Datorită configuraţiei circuitului, PSF depinde în mică măsură de TB.
2) Procedee neliniare (de compensare) - compensează variaţia parametrilor tranzistorului cu
temperatura, folosind elemente cu caracteristici dependente de temperatură (termistoare, diode).
Obs: Procedeele liniare realizează stabilizarea atât la variaţia temperaturii cât şi la dispersia
de fabricaţie a caracteristicilor TB. Procedeele neliniare nu realizează stabilizarea în raport cu
dispersia de fabricaţie a caracteristicilor tranzistorului; în plus cer o reglare minuţioasă.
6.8.2.1. Procedee liniare
1) Stabilizare cu rezistor serie în emitor
Efectul stabilizator al acestui rezistor poate fi explicat astfel:

La creşterea temperaturii, IC (IE) tind să crească atât datorită creşterii lui  cât şi a lui ICBo,
precum şi a scăderii lui UBE (fig. 6.27a).
Ue=Ure= RE  IC (căderea de tensiune pe RE)
IB scade, nu mai rămâne constant: IB =( EC  UBE U)/ RB =[ EC  UD RE( IC + IB)]/ RB
Datorită scăderii lui IB, IC scade, compensând o parte din creşterea cauzată de variaţiile lui ,
ICBo şi UD. Avem de-a face cu o reacţie negativă serie-serie.
Fig. 6.27
Obs: Acest montaj, fără Ce, cu ieşire din emitor se numeşte amplificator cu sarcină distribuită
sau amplificator defazor. Etajul va scoate două semnale defazate între ele cu 180.
Re intervine şi în regimul de semnal. Componenta de semnal a curentului de emitor -iE=iB+iC
dă o cădere de tensiune pe Re care se opune tensiunii de intrare  UBE =Uin  Re(iB+iC), ceea ce
determină o scădere a amplificării de tensiune. Pentru a remedia acest neajuns, se montează Ce în
paralel cu Re, Ce se ia de valoare mare astfel încât la frecvenţa semnalului să reprezinte un
scurtcircuit: Xc=1/CE << Re. În practică Ce  (10...100)/(2fRe).
În semnal, emitorul va fi la masă, ca şi cum n-ar mai fi Re. Prin Re trece componenta
continuă a IE, iar prin Ce componenta variabilă (-iE=iC+iB).
2) Stabilizare cu divizor rezistiv în bază
Acesta este cel mai utilizat circuit de polarizare a TB. Îmbunătăţirea rezultă mai clar
înlocuind divizorul din bază conform teoremei generatorului echivalent de tensiune (Helmholz-
Thèvenin) cu un generator echivalent de tensiune: Eb = EC RB2/(RB1+RB2), în serie cu o rezistenţă
echivalentă RB =RB1RB2/(RB1+RB2),
IB =[ Eb - UBE -RE(IC + IB)]/ Rb (fig. 6.27.c şi d).
Având în vedere că Eb < EC  aceeaşi variaţie a curentului de emitor - IE = IB + IC
determină în montajul cu divizor în bază o variaţie relativă mai mare a lui IB, deci va putea fi
compensată o mai mare parte din creşterea lui IC cauzată de creşterea temperaturii. Alt avantaj al
divizorului se observă la proiectare, unde libertatea este mai mare datorită introducerii unor
elemente suplimentare (Rb2).
Exemple
1) TB npn din SI; considerăm montajul din figura b) în care: RC =6.8k; Rb1=24k;
Rb2=8.2k; RE=2.7k; EC =12V; To=25C; =100; UD =0.7V; ICBo =0.1nA. Se cere PSF (IC, UCE)
şi comportarea la T=125C.
Eb - UD = Rb · IB + RE ( IC + IB); dar IC =· IB +(+1)· ICBo  IB =[ IC (+1)· ICBo]/;
Înlocuind IB se obţine:
IC =( Eb  UD)/[ Rb +(+1) RE]+( Rb + RE)(+1) ICBo /[ Rb +(+1)· RE]
Dacă (+1)· RE >> Rb  IC ( Eb  UD)/ RE; UCE = EC ( RC + RE)· IC.
Dacă Eb >> UD  IC  Eb / RE deci independent de , UD, ICBo.
IC max= EC /( RC + RE)=1.26mA
Pentru PSF: Eb =3.06V, Rb =6.1k; IC =0.846mA; UCE = EC ( RC + RE)· IC =3.95V.

Dacă temperatura creşte la 125C  =200; UD =0.5V; ICBo îl neglijăm;
IC (125C)=0.935mA (creşte cu 10); UCE (125C)=3.15V.
Circuitul se comportă foarte bine la variaţia lui , dar mai puţin bine la variaţia lui UD.
Se poate relua exemplul pentru un TB npn din Ge (To=25C, IC =1.01mA, UCE =2.38V;
T=75C  IC =1.162mA, UCE =0.943V, UD =0V, =200) observându-se influenţa puternică a lui
ICBo la creşterea temperaturii (ICBo =0.032mA).
Pentru proiectare se alege o valoare IC  RE =(0.10.3) EC =24V, deci va rezulta Eb > UD.
Ure trebuie să nu fie o pierdere prea mare din EC. Apoi se adoptă Rb 10 RE, suficient de mică
pentru o stabilizare la variaţia lui  şi în acelaşi timp destul de mare faţă de rezistenţa de intrare a
TB, ca să evite şuntarea intrării la masă pentru Uintrare (pentru un divizor corect dimensionat ar
trebui ca Idiv10 IB). Apoi se calculează Eb, Rb1, Rb2, RC.
Ex.: Pentru un TB de Si npn cu EC =12V, RC =5.8k, Rb1=33k, Rb2=10k, RE =2.7k,
UD =0.6V, =100, ICBo =0.1nA, se obţin Eb =2.79V, Rb =7.67k, IC =0.781mA, UCE =4.556V la
To=25C, iar la T=125C IC =0.869A, UD =0.4V, =200, ICBo =0.1A, Iceo =0.02mA, UCE =3.73V.
Pentru Ge npn cu UD =0.25V, ICBo =0.001mA se obţin IC =0.91mA, UCE =3.33V la T=25C
şi UD=0.15V, =200, ICBo =32A, Iceo =6.43mA, IC =1.08mA, UCE =1.717V la T=75C; datorită
divizorului Rb1, Rb2, mare parte din ICBo trece prin Rb2 la masă şi deci ICBo real< ICBo calculat.
2) Să proiectăm reţeaua de polarizare a unui TB cu Si cu =60, UD =0.6V, în PSF IC =4mA,
UCE=4V, EC =12V. Alegem IC RE =4V RE =1k. Adoptăm Rb =10 RE =10k Eb =5.33V,
Rb1=22.5k, Rb2=18k, RC =1k.
Pentru =100, UD =0.6V, IC =2mA, UCE =5V, EC =12V se adoptă IC RE =2U RE =1k,
Rb=(10...100) RE 30k.
3) Stabilizare cu rezistenţa între bază şi colector
Pierderea de tensiune continuă pe RE constituie un dezavantaj important când TB lucrează la

nivele mari de putere. În astfel de cazuri stabilizarea PSF poate fi realizată polarizând baza cu un
rezistor conectat între colector şi bază ca în figura 6.28.
IB =( UCE - UBE)/RBC
IC creşte odată cu creşterea temperaturii.
UCE = EC - RC ·( IC + IB)
UCE scade, IB scade şi se compensează parţial
creşterea lui IC cu temperatura. Această reacţie se
numeşte paralel-paralel. Fără Cb ea intervine şi în
regimul de semnal micşorând amplificarea.
Pentru creşterea amplificării rezistenţa Rbc se
divide în două şi se montează Cb care se conectează la
Fig. 6.28 masă. Se impune condiţia ca 1/(Cb)<<Rbc'; el înlătură
reacţia negativă în regimul de semnal.
Pentru proiectare, cunoscând PSF Rbc· UCE / IC.
Uneori se folosesc circuite de polarizare care utilizează, în
vederea stabilizării PSF, un rezistor serie în emitor, baza
fiind polarizată printr-un divizor de tensiune conectat între
colector şi masă ca în figura 6.29.
În această schemă, reacţia serie şi reacţia paralel se
completează reciproc. Se poate realiza o stabilizare bună
pentru valori mici ale lui RE, ceea ce constituie un avantaj
Fig. 6.29 în cazul când TB lucrează la nivele mari de putere.
6.8.2.2. Procedee neliniare (de compensare)
1) Compensarea variaţiei UBE (tensiunii de deschidere) cu temperatura
Fig. 6.30.a Fig. 6.30.b Fig. 6.30.c

Pentru montajul a, Rb se alege astfel încât Idiv=10 IB ct; tensiunea pe diodă scade cu
temperatura exact ca tensiunea de deschidere a tranzistorului (dacă tranzistorul şi dioda au aceeaşi
temperatură).
Datorită impedanţei foarte mici a diodei, nu se poate introduce tensiunea de intrare pe diodă şi
de aceea este introdusă printr-un transformator de cuplaj sau printr-un condensator de cuplaj (Cin),
Rb fiind de ordinul câtorva k. Altă variantă pentru compensarea UBE cu temperatura este
prezentată în figura 6.30.c.
2) Compensarea creşterii ICBo cu temperatura
Se poate face cu o diodă polarizată invers. Fără diodă,
ICBo se închide prin Rb2 şi joncţiunea bază-emitor a
tranzistorului, fiind amplificat, IC = Iceo =(+1)· ICBo (cu baza în
gol) - figura 6.31.
Dacă se alege o diodă având curentul invers egal cu ICBo,
Iinv= ICBo, ICBo se închide prin diodă şi nu mai este amplificat de
tranzistor.
Fig. 6.31 3) O compensare termică mai generală se poate realiza

introducând un termistor care polarizează baza.
În cazul acesta se foloseşte un termistor cu coeficient negativ de temperatură, adică
rezistenţa lui scade cu creşterea temperaturii (fig. 6.32.b).
Termistoarele sunt componente pasive realizate din oxizi semiconductori. Termistoarele cu
coeficient negativ se notează NTC; cele cu coeficient pozitiv se notează PTC (rezistenţa lor creşte
cu creşterea temperaturii). Un termistor PTC se poate monta în loc de Rb1.
Pentru NTC, la creşterea temperaturii Rth, UBE şi IB scad  scade şi IC compensând creşterea
lui IC datorită creşterii To.
RE are o valoare foarte mică faţă de circuitele anterioare, dar se întâmplă în practică să nu
avem întotdeauna termistorul cu caracteristicile care ne trebuie. De aceea se montează rezistenţe în
Fig. 6.32
serie sau paralel pentru a obţine o anumită lege de variaţie a rezistenţei cu temperatura (fig. 6.32.b).
Termistorul trebuie să fie în contact termic bun cu tranzistorul.
6.8.3. Polarizarea tranzistorului bipolar în conexiunile BC şi CC
Pentru conexiunea BC se utilizează acelaşi circuit de polarizare ca şi pentru conexiunea EC,

dar cu baza scurtcircuitată la masă (printr-un condensator Cb), pentru frecvenţele de lucru. În acest
caz, nu se mai pune Ce în paralel cu RE.
Fig. 6.33
Pentru conexiunea CC se utilizează al doilea circuit; se mai numeşte şi repetor pe emitor.
Sarcina o constituie RE în paralel cu Rs. Fără RC, colectorul se află la masă pentru semnal.
Datorită lui RE, acest montaj are o stabilitate satisfăcător de bună pentru orice Rb, astfel că
se poate renunţa la divizorul din bază, respectiv la Rb2.
6.9. TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM DINAMIC DE SEMNAL MIC
Pentru regimul staţionar au fost folosite circuite echivalente Ebers-Moll sau modele
liniarizate de semnal mare valabile în cazul regimului cvasistaţionar. Circuitele de regim staţionar
nu ţin seama de variaţia sarcinii stocate în tranzistorul bipolar şi de aceea ele devin inexacte la
frecvenţe înalte. Frecvenţa de lucru a acestor modele o numim frecvenţă joasă şi depinde de tipul
TB (cca.10Khz la Ge şi cca. 1Mhz la Si).
Pentru a deduce modele valabile la frecvenţe înalte (regim dinamic), trebuie să ţinem seama
şi de purtătorii minoritari aflaţi în exces în regiunea neutră a bazei.
Modelele de regim dinamic pot fi împărţite în două categorii:
1. Modele de semnal mare
2. Modele de semnal mic
1.a) Un prim model de semnal mare poate fi dedus pornind de la ecuaţiile Ebers-Moll în
regim sinusoidal.
1.b) Un alt model de semnal mare este cel al controlului prin sarcină. La acest model se
ajunge exprimând toţi curenţii prin TB funcţie de sarcina de purtători minoritari din bază.
2.a) O primă cale de obţinere a modelelor de semnal mic constă în liniarizarea în jurul unui
punct a relaţiilor de funcţionare dintre variabilele la borne deduse prin primul model de semnal
mare (1.a).
2.b) O cale mai simplă pentru obţinerea modelelor de semnal mic porneşte de la legile fizice
care guvernează procesele din TB.
Modelele obţinute pe aceste două căi se numesc ''circuite echivalente naturale'', întrucât
elementele ce intervin sunt corelate direct cu procesele fizice din TB (circuitul echivalent natural -
hibrid).
2.c) O a treia cale de obţinere a unor modele de semnal mic constă în a privi TB ca pe un
cuadripol; circuitele respective se numesc "circuite echivalente de cuadripol". Elementele ce
intervin în aceste circuite nu sunt corelate direct cu procesele fizice din TB, dar prezintă avantajul
de a putea fi măsurate cu uşurinţă experimental (circuitul echivalent h).
6.9.1. Circuitul echivalent natural -hibrid
În circuitele care funcţionează la semnale

mari, TB lucrează de obicei în regiunea activă
normală: JE polarizată direct şi JC invers. Acest
circuit echivalent (numit şi circuit echivalent
Giacoletto) a fost dedus numai pentru acest
regim de lucru (fig. 6.34). El este valabil pentru
toate cele 3 conexiuni ale TB, atât pentru pnp cât
şi npn.
Mărimea gm are dimensiunea de
conductanţă şi poartă denumirile: conductanţă
Fig. 6.34 mutuală, transconductanţă sau pantă.
Ic g Ic
gm    Ic   40  Ic (amplificarea)
Ut KT 0.025
T=300K, IC =1mA  gm=4010-3-1=40(k)-1=40mS
300
T300K  g m (T)  40   Ic(T)
273  To(  C)
Mărimea gb'e (notată şi g) este numită conductanţă de intrare, de semnal mic. gb'e=gm/
Pentru IC =1mA, gb'e este cuprinsă între 10-4 şi 510-3-1.
rb'e=2...10k=r=rezistenţa de intrare de semnal mic=/gm
Mărimea rbb' (notată şi rx) este rezistenţa dintre contactul ohmic al bazei (b) şi centrul
regiunii active a bazei (b') numită bază intrinsecă. Această rezistenţă numită rezistenţă de bază, are
valori cuprinse între câţiva ohmi şi 100 ohmi. Din tensiunea aflată între b şi e numai partea care se
repartizează între b' şi e (Ub'e) are efect de comandă asupra IC. De aceea generatorul de curent a fost
exprimat funcţie de Ub'e. Cb'e (notată şi C) este capacitatea de intrare, ce este formată dintr-o
capacitate de barieră şi una de difuzie.
Cb'e=Cd+C bar,b'e; Cd=capacitate de difuzie sau capacitate de încărcare a bazei. Pentru  IC 
=1mA, Cd(5...200pF), C bar,b'e şi Cb'c (sau C) modelează capacităţile de barieră ale joncţiunilor şi
sunt de ordinul 1...10pF.
Conductanţele gb'c şi gce iau în considerare reacţia internă a TB cauzată de variaţia grosimii
efective a bazei (efectul Early) funcţie de UCB; Rieşire=(Ue+ UCE )/ IC =10...100k,
Ue=90V la Si, gce=10-5...10-4-1, gb'c=10-7...10-6-1, Rreacţie=rb'c=1...10M.
În cele mai multe aplicaţii efectul acestor conductanţe poate fi neglijat. Dacă mai neglijăm şi
alte elemente, obţinem circuitul echivalent de semnal mic, simplificat, pentru frecvenţe joase
(fig.6.35). El necesită numai cunoaşterea IC şi .
gm=40 IC , g=gm/ (sau rbe=r=1/g=/gm)
La frecvenţe înalte cea mai mare importanţă o are C.
Parametrii -hibrizi variază cu PSF şi cu temperatura. În
cataloage se dau curbe tipice de variaţie a lor.
6.9.2. Exemple de utilizare a circuitului -hibrid
Exemplul 1
Fig. 6.35 Vom examina funcţionarea în joasă frecvenţă a
montajului tipic de amplificator cu TB în conexiune EC.
Fig. 6.36
Rb =Rb1||Rb2=7.67k, Rg=1k, R's= Rs || RC =3.4k, Re=2.7k
Se cunosc: =100, rbb'=50?, IC =0.781mA.
Se foloseşte modelul de semnal mic şi joasă frecvenţă simplificat. Condensatorul Ce
constituie un scurtcircuit pentru semnal, astfel că emitorul TB este pus la masă. În semnal reactanţa
Xce=1/(Ce)<<Re. Relaţia practică pentru proiectarea unui condensator este Ce(10..100)/(2fRe).
RC apare legată între C şi E, deoarece EC constituie un scurtcircuit pentru semnal. Sarcina
utilă este Rs (spre exemplu, constând din rezistenţa de intrare a unui etaj similar). La frecvenţa de
lucru, Cs reprezintă un scurtcircuit, încât Rs apare în paralel cu RC. S-a notat cu R's rezistenţa de
sarcină efectivă: R's= RC || Rs. Între B şi E intervine Rb =Rb1||Rb2 în paralel cu generatorul de
semnal. Capacitatea de cuplaj Cb este un scurtcircuit pentru semnal.
Calculăm: gm=400.78110-3=31.210-3-1, rbe=rb'e=/gm=3.2k (T=300K)
Amplificarea în curent a tranzistorului este: Ai= IC / IB ==100.
Se defineşte uneori o amplificare în curent a etajului faţă de generator: Aic= IC /Ig= IC / IB 
IB /Ig=
= Rb /( Rb +rbc)=70.56 (s-a folosit formula generatorului de curent: IB =Ig Rb /( Rb +rbc)).
Amplificarea reală pe Rs este Aig=Iies/Ig=Iies/ IC  IC / IB  IB / Ig =Aic RC /( RC + Rs)=35.28 (s-
a folosit Iies= IC  RC /( RC + Rs)).
Amplificarea în tensiune este de asemenea caracterizată prin 2 coeficienţi:
- amplificarea în tensiune a tranzistorului Au=Uies/Uin
- amplificarea în tensiune a etajului Aug=Uies/Ug
Calculăm mărimile ajutătoare Uies=- IC R's=-gmR's UBE =- IB R's şi Uin =rbe IB şi rezultă
Au=Uies/Uin=-R's/rbe=-gmR's=-106.26 (semnul (-) arată că tensiunile de intrare şi ieşire sunt
în antifază, amplificator inversor).
Pentru Aug calculăm RinT=Uin/ IB =rbe=3.2k, Rin=RinT || Rb =2.258k şi cu formula
divizorului de tensiune Uin= Ug Rin/(Rg+Rin).
Aug = Uies / Uin  Uin /Ug= Au Rin/(Rg+Rin)=-73.65
Rezistenţa de ieşire a TB este infinită, căci la ieşire avem un generator de curent constant.
Pentru Rs, amplificatorul este echivalent cu o
sursă de tensiune Aug  Ug (sau Au  Uin) în serie
cu RC; deci R de ieşire a etajului este RC.
Neglijând rbb' într-o schemă fără Rs
rezultă: Au= Uies / Uin =- RC /rbe=-gm RC =-40
IC  RC =-40URc căderea de tensiune pe RC fiind
foarte uşor de măsurat.
Exemplul 2
Vom urmări influenţa pe care o are asupra
amplificării o rezistenţă de emitor nedecuplată cu
Fig. 6.37 condensator (fig. 6.37).
Uin = IB rbe+( IB + IC)Re, IC = IB  Uin = IB [rbe+(1+)Re]

Rezistenţa de intrare a etajului este Rin T= Uin / IB =rbe+(1+)Re=275k, deci mare faţă de
exemplul 1. Rin = Rin T|| Rb =7.46k, deci divizorul a micşorat mult Rin.
Uieş =-R's IB, Uin = Rin T IB, Au =Uieş/ Uin =-R's/ Rin T=R's/[rbe+(1+)Re]=-1.23
Deoarece 100 iar Re este de ordinul lui rbe  Au -R's/[(1+)Re]-R's/Re = -1.259  -1.23.
Aproximaţia nu este valabilă dacă Re este mai mică de 100.
  Rc Rb
Aug = Uieş / Uin = Au Rin/(Rg+ Rin)=-1.087, Aig=Iieş/Ig=  =1.353, mică din
Rc  Rs Rb  Rin T
cauza valorii prea mici a lui Rb.
Exemplul 3
Studiem funcţionarea etajului CC (colector comun, repetor pe emitor).
Etajul are sarcina în emitor Rs =10k (fig. 6.38).
Fig. 6.38
Uin = IB rbe+( IB + IC)R's= IB [rbe+(1+)R's], Uies =(1+) IB R's
Rin T= Uin / IB =rbe+(1+)R's=217.9k, Rin = RinT || Rb =7.41k
Au = Uies / Uin =(1+)R's/ Rin TR's/R's=10.985, Aug = Au  Rin /( Rin +Rg)=0.868
Rb Re
Ai= IC / IB =-(+1)=-101, Aig=Iies/ Ig =-(+1)  =-0.73 (foarte mică deoarece
Rb  Rin T Re  Rs
Rb mică)
Repetorul pe emitor amplifică doar curentul şi nu tensiunea de intrare. El are impedanţa
mare dacă divizorul de intrare are valoare mare. Pentru rezistenţa de sarcină Rs întregul etaj poate fi
înlocuit cu echivalentul Thèvenin: un generator de tensiune (Uieş = Au  Uin = Aug  Ug) în serie cu
Rieş.
Fig. 6.39
Formula Ries o putem găsi determinând curentul de test (It) care ar fi absorbit la bornele de
ieşire când sarcina Rs ar fi înlocuită cu o sursă de tensiune Ut în ipoteza pasivizării intrării (Ug =0).
Intrarea se pasivizează astfel: dacă este un generator de tensiune se scurtcircuitează, iar dacă este un
generator de curent se îndepărtează.
UBE =- Ut rbe/(rbe+Rg), It=Ut/Re+ Ut /(rbe+R'g)- gm  UBE = Ut /Re+ Ut /(rbe+Rg)+rbe Ut  gm

/(rbe+R'g)
1 1 1  rbe  g m
  , unde rbe gm = 
Ries Re rbe  R' g
1 1 1  rbe  R' g rbe  R' g
   Ries  Re
 || 
Ries Re rbe  R' g kW 1  1 
  
100W
Ries=10..100
Dacă sursa de semnal are rezistenţa Rg foarte mică atunci Riesrbe/(1+)1/ gm.
Repetorul pe emitor se foloseşte pentru Zin mare, Zies mică sau ca amplificator de curent.
Exemplul 4
Pentru etajul BC (bază comună) reprezentările clasice sunt cele din figurile 6.40.c, d.
Fig. 6.40
Uin =-rbe IB, Uieş =-R's IB
Iin= Iieş =-(1+) IB
Au = Uies / Uin =R's/rb'e= gm R's=106
Rin T= Uin /Iin=rbe/(1+)rbc/=1/gm=31.67 (mică), Rin = Rin ||Re=31.55 Rin T
Aug = Uies / Ug = Uies / Uin  Uin / Ug = Au  Rin /( Rin +Rg)=3.25, foarte mică deoarece Rin mică
faţă de Rg. Trebuie micşorat Rg la câţiva ohmi.
Ai= Iieş /Iint= IC / IE =-/(+1)=--1 (=0.99)
Rc Re
Aig= Iieş /Ig= Iieş / IC  IC / IE  IE / Ig =-  - RC /( RC + Rs)=-0.489
Rc  Rs Re  Rin T
În conexiune BC, TB amplifică doar tensiunea (dacă Rg este mică), are impedanţa de intrare
foarte mică (comparabil cu impedanţa de ieşire a repetorului pe emitor, la care poate fi ataşat la
intrare) şi se foloseşte de obicei la înaltă frecvenţă.
Utilizarea etajelor cu tranzistoare bipolare:
Dacă se compară cele 3 conexiuni se pot trage nişte concluzii pe care le prezentăm sub formă
de tabel:
Conex Rin Rieş Ai Au Ap Frecvenţa de lucru

EC mică mare mare mare f. mare mică
CC mare mică mare mică =1 mare f. mare
BC f. mică mare mică =1 f. mare mare mare
Cel mai utilizat etaj este EC, datorită amplificării mari în U şi I şi deci în putere. Acest etaj se
comportă bine şi în cazul cuplării mai multor etaje, datorită posibilităţii adaptării impendanţelor.
Etajul BC se foloseşte la frecvenţe înalte ca amplificator de tensiune. Etajul CC se foloseşte ca
amplificator de curent şi ca etaj de adaptare între 2 etaje cu impedanţe mult diferite.
6.10. TRANZISTORUL BIPOLAR LA FRECVENŢE ÎNALTE
Performanţele TB la frecvenţe înalte se pot aprecia cu ajutorul câtorva frecvenţe

caracteristice. Valorile numerice ale acestor frecvenţe se pot determina prin măsurări experimentale,
iar unele sunt indicate în foile de catalog ale tranzistoarelor.
Frecvenţa de tăiere f
Pentru etajul de amplificare în EC se defineşte coeficientul de amplificare în curent  cu
ieşirea în scurtcircuit.
= IC / IB, UCE =0 (în complex)
Variaţia lui  cu frecvenţa se poate determina cu circuitul echivalent Giacoletto, rezultând
 (0)
 , unde (0) este  pentru curent continuu,  este  complex şi  este pulsaţia de
j
1

 ( 0)   ( 0)
tăiere la f.   ; f  ;   0.707  
  
2 2 2
1  
 
  
Frecvenţa de tăiere este frecvenţa la
care amplificarea scade la 0.7 din amplificarea
din curent continuu (amplificarea
tranzistorului). Această frecvenţă de tăiere
serveşte ca măsură a benzii de frecvenţă în
care  cu ieşirea în scurtcircuit rămâne
rezonabil de apropiată de valoarea ei de la
frecvenţa joasă. Această frecvenţă este numită
frecvenţă de tăiere a coeficientului . f
determină lărgimea benzii de trecere a etajului.
Fig. 6.41
Frecvenţa de tranziţie
Frecvenţa de tranziţie este frecvenţa la care  cu ieşirea în scurtcircuit este egală cu unitatea.
 (0)
   1 ; deoarece  este mare  (/)2>>1  1=/(T/)  T= 
2
 
1  T 
 
 
fT=f
fT=amplificare în curent ()lăţimea de bandă (f)  fT se mai numeşte produs câştig-bandă,
care este mereu constant: 1MHz la cele de mică putere cu Ge, 500MHz la cele cu Si (BC107: 250-
300MHz), 1GHz la tranzistoarele mai bune (BF200: 650MHz, BF180: 800MHz).
Frecvenţa de tăiere f
f este frecvenţa la care  scade cu 2 şi se defineşte pentru etajul de amplificare în BC.
= IC /( IC + IB)=/(+1)
 
1  j     1 
    unde (1+)= de unde
 j j 1  j  
1 1   1
1  j    (1   )   
rezultă relaţia f=(1+)f, f este mult mai mare decât f. Produsul câştig-bandă este însă acelaşi la
ambele etaje: fT=f=f.
Circuitul Giacoletto a fost presupus cu C şi C independente de frecvenţă, însă acest lucru e
valabil până la fT/4; la frecvenţe mai mari f=1.2fT.
În figura 6.41. scara este logaritmică (nu are zero); astfel f=0 şi =0 sunt la - pe axe.
Frecvenţa maximă de oscilaţie fmax
Pentru oscilatoare, frecvenţa maximă de oscilaţie (fmax) este frecvenţa la care amplificarea în
putere (în cele mai bune condiţii) a etajului emitor comun (EC) scade la unitate (fig. 6.41).
Uzual fmax>fT şi este frecvenţa limită de oscilaţie a TB. La frecvenţe foarte înalte se fac TB
speciale, cu drift (cu câmp intern în bază şi fT>1GHz) cum sunt BFY90 (1.2GHz) şi BSX89
(1.1GHz).
6.11. CIRCUITE ECHIVALENTE DE CUADRIPOL
6.11.1. Ecuaţiile matriceale ale tranzistorului bipolar
La TB se disting întotdeauna un circuit de intrare şi un circuit de ieşire. De aceea el poate fi

tratat ca un cuadripol (fig. 6.42). În general cuadripolul este caracterizat prin două ecuaţii care în
domeniul semnalelor mici pot fi liniarizate. Datorită acestor ecuaţii doar două din cele patru mărimi
electrice (U1,U2,I1,I2) sunt variabile independente, celelalte două sunt determinate de ecuaţiile
cuadripolului.
Cu două variabile independente ( C42 =6) sunt şase moduri de
alegere a celor două variabile independente la care corespund
şase sisteme de ecuaţii, fiecare sistem fiind caracterizat de
patru parametri de cuadripol. Dintre aceste sisteme, cel mai
utilizat la TB este sistemul cu parametri hibrizi (h):
Fig. 6.42
U 1  h 11  I1  h 12  U 2  U   h h   I1 
 , sau matriceal  1    11 12     cu h21h12.
I 2  h 21  I1  h 22  U 2 I 2  h 21 h 22   U 2 
Acest cuadripol este activ şi nereciproc (h21h12). De aceea TB este caracterizat de patru
parametri de cuadripol. Aceşti parametri (h) depind de temperatură, PSF şi frecvenţă, sunt mărimi
complexe.
Dezavantajul este că spre deosebire de parametrii naturali, cei de cuadripol depind de
conexiunea în care e conectat TB şi de aceea se mai alocă un indice în funcţie de conexiune
(h11b;h12b;h21b;h22b- pentru BC, h11e;h12e;h21e;h22e- pentru EC, h11c;h12c;h21c;h22c- pentru CC).
Există deci un mare număr de parametri de cuadripol. Însă odată cunoscute valorile unui
grup de patru parametri se pot determina prin calcul valorile oricărui alt grup. Din cei patru
parametri doi sunt de dipol, referindu-se la circuitul de intrare (h11) sau la cel de ieşire (h22), iar
ceilalţi doi sunt parametri de transfer direct (h21) şi respectiv invers (h12). Uneori se înlocuiesc
cifrele cu litere astfel: i în loc de 11 (input- intrare), o în loc de 22 (output- ieşire), f în loc de 21
(forward transfer- transfer direct) şi r în loc de 12 (reverse transfer-transfer invers).
În domeniul frecvenţelor înalte se utilizează ecuaţiile cu parametri y:
I1  y11  U 1  y12  U 2 I1   y11 y12   U 1 

 , sau matriceal I    y y    U  .
I 2  y 21  U 1  y 22  U 2  2   21 22   2 
S-au mai utilizat şi sisteme cu parametri z:

U 1  z 11  I1  z 12  I 2  U  z z  I 
 , sau matriceal  1    11 12    1  .
U 2  z 21  I1  z 22  I 2  U 2  z 21 z 22  I 2 
Pentru valori reale s-au utilizat parametrii R.
6.11.2. Circuite echivalente h
Modelăm ecuaţiile echivalente cu circuitul echivalent(fig. 6.43).
Fig. 6.43
U1
h11  - impedanţa de intrare cu ieşire în scurtcircuit
I1
U2  0
U1
h12  - factorul de transfer invers de tensiune cu intrare în gol
U2
I1 0
I2
h 21  - factor de transfer direct în curent cu ieşire în scurtcircuit
I1
U2 0
I2
h 22  - admitanţa de ieşire cu intrare în gol
U2
I1 0
În domeniul frecvenţelor joase parametrii h sunt reali: h22=1/rce, h11e=hie=rbe=/ gm. La
BC şi EC parametrul h21b= IC / IE =- şi h21e= IC /IB=. Parametrii folosiţi anterior,  şi , sunt
parametri statici sau de semnal mare şi de aceea se notează prin h21B şi h21E (literele mari la
indice arată că este vorba despre parametri statici). Având în vedere însă caracterul aproape liniar al
dependenţei IC (IE), respectiv IC(IB), de multe ori se utilizează parametrii statici în locul celor
dinamici şi invers. Dintre parametrii h doi sunt mărimi adimensionale (h12,h21), unul este impedanţă
(h11) şi unul admitanţă (h22). Din acest motiv ei sunt numiţi parametri hibrizi. Modul de măsurare a
parametrilor h decurge simplu, chiar din relaţiile de definiţie a lor. Putem folosi şi caracteristicile
statice luând creşteri finite în jurul PSF.
La frecvenţe înalte parametrii devin complecşi şi variază cu frecvenţa. În cataloage se dau
valorile parametrilor h la joasă frecvenţă (1kHz), pentru un anumit PSF (IC =1mA, UCE =5V) şi o
anumită temperatură (250C).
Exemple de valori tipice: h11e=1..5k, h12e=1..510-4, h21e=50..200, h22e=10..5010-6-1
Pentru alte PSF şi alte temperaturi folosim curbele tipice care se dau în cataloagele de TB.
Pentru înaltă frecvenţă se dau în cataloage parametrii y sau -hibrizi. Se pot deduce relaţiile dintre
parametrii h şi parametrii circuitului natural -hibrid.
Temă: La un tranzistor se măsoară în punctul static c=2mA şi UCE=5V: h11e= 2,6103;
h12=210-4; h21e= 200; h22e= 2010-6; cbc=8pF; fT=200MHz. Să se determine elementele
circuitului echivalent -hibrid în punctul static de funcţionare c=20mA şi UCE=10V.
6.11.3. Studiul regimului dinamic al TB la semnal mic şi frecvenţe joase
Se poate analiza funcţionarea TB ca amplificator de semnal mic, de frecvenţă joasă, folosind

circuitul echivalent h. Se foloseşte o schemă de principiu, care conţine numai elementele ce intervin
în regimul de semnal (fig. 6.44). Trebuie folosite trei scheme pentru cele trei conexiuni ale TB, dar
deoarece circuitul h al TB este acelaşi pentru toate trei conexiunile (diferind parametrii), putem trata
unitar cele trei etaje de amplificare. Se obţin următoarele rezultate:
Fig. 6.44
h 21
- amplificarea în curent Ai   h 21;
1  h 22  R'S
h 21  R'S
- amplificarea în tensiune Au   , unde h=h11h22-h21h12;
h11  R'S Dh
U h  R' h
- rezistenţa de intrare Rin = 1  h11  h12  R S  Ai  11 S ;
I1 1  h 22  R'S
h11  R'G
- rezistenţa de ieşire Ries  ;
h  h 22  R'G
U2  I2
- amplificarea în putere Ap   Au  Ai .
U1  I 1
h11  R'G
Maximul amplificării se obţine pentru R'S  .
h 22  ( h  h 22  R'G )
6.12. TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM DE SATURAŢIE
În condiţiile unei amplificări normale, în regim liniar, curentul de colector este tot timpul
direct proporţional cu cel de bază. În circuitele de comutaţie, ca în cel din figura 6.45, curentul de
colector este în primul rând determinat de tensiunea de alimentare VCC şi de către rezistenţa de
sarcină Rs. Deja am întâlnit saturaţia ca un lucru nedorit în cazul amplificatoarelor liniare de
semnal, dar această stare este de mare importanţă pentru alte aplicaţii.
Să vedem ce se va întâmpla cu curentul de colector în
Vcc
R B 50k Bec +10V figura 6.45, dacă curentul de bază creşte treptat de la valoarea
zero. În cazul în care comutatorul S este deschis, nu avem curent
RL
de bază, iar curentul de colector este neglijabil. Închiderea lui S1
IC dă naştere la un curent finit de bază IB=VCC/RB, neglijând
S1
căderea de tensiune pe joncţiunea bază-emitor. Curentul de
colector prin rezistenţă de sarcină Rs=50 va fi astfel dat de
T1 0 IC=hFEVCC/RB. Cu componentele prezentate, dacă tranzistorul
2N3053 are hFE=100 şi RB este reglat la valoarea maximă (50k)
Fig. 6.45. Ilustrarea saturaţiei
(tranzistor acţionând rezultă IC = (100*10)/50000 = 20mA.
ca un comutator) Căderea de tensiune pe Rs este dată de RsIC şi în acest
caz este de 1V. Tranzistorul este în modul liniar de operare;
descreşterea ulterioară a lui RB conduce la creşterea curentului de bază, creşte şi curentul de

colector şi în consecinţă va creşte şi căderea de tensiune pe rezistenţa de sarcină Rs (bec). Circuitul
poate fi folosit ca amplificator de tensiune în aceste condiţii.
Să considerăm acum cazul când: RB = hFE Rs;
atunci curentul de bază va fi: IB = VCC / RB = VCC / (hFE Rs),
iar curentul de colector: IC = (hFE VCC)/(hFE Rs)= VCC/Rs
Tranzistorul acţionează aici doar ca o pereche de contacte ale unui comutator, comutând
tensiunea spre sarcină. Este foarte clar din legea lui Ohm că în orice situaţie curentul prin sarcină nu
poate depăşi valoarea VCC/Rs. Creşterea în continuare a curentului de bază nu mai poate conduce
la o creştere a curentului de colector, care acum este determinat doar de tensiunea de alimentare şi
rezistenţa de sarcină. În această situaţie tranzistorul este saturat.
În practică există întotdeauna o mică cădere de tensiune între colectorul şi emitorul
tranzistorului saturat, notată uzual VCE(sat). Aceasta este în mod normal mai mică de 1V şi poate fi
mai mică de 0,1V la tranzistoarele special destinate pentru circuite de comutaţie. În general
VCE(sat) descreşte dacă joncţiunea bază-emitor a tranzistorului este mai puternic alimentată în
conducţie, de exemplu dacă raportul dintre curentul de colector şi curentul de bază devine mai mic
decât câştigul în curent hFE.
Pentru o saturare puternică a tranzistorului (tensiune mică VCE(sat)), se recomandă condiţia
IC / IB < hFE / 5.
În tipul de circuit prezentat în figura 6.45 unde curentul de bază este furnizat de la sursa de
alimentare printr-un simplu rezistor, vom adopta: RB / Rs < hFE / 5
Întrucât, în figura 6.45 considerăm câştigul hFE tipic pentru tranzistorul 2N3053 de 150 vom
avea: RB/Rs=30 deci cu Rs=50 rezultă că RB<30*50=1,5k.
În acest circuit, pentru ca becul cu rezistenţa de 50, care este sarcina, să fie eficient
alimentat (conectat la sursă) va trebui să reglăm RB mai mic de 1,5k. Există situaţii când acest
lucru nu este posibil, de exemplu, dacă rezistenţa este o fotorezistenţă (comandată de lumină) cu o
valoare minimă a rezistenţei de 10k; atunci vom folosi o pereche de tranzistoare în conexiune
Darlington (capitolul 11), pentru a creşte câştigul de curent.
Dacă tranzistorul operează aproape de curentul său maxim de colector, pentru a menţine
VCE(sat) coborât la fracţiuni de volt, curentul de bază trebuie să fie mai mare ca IC/5 pentru a
permite un hFE redus.
Este surprinzător să constatăm că VCE(sat) poate fi mai mică decât căderea de tensiune pe
joncţiunea bază-emitor VBE, care este de aproximativ 0,6V pentru un tranzistor de mică putere cu
siliciu. Aceasta, din cauza că, în condiţiile de saturaţie, joncţiunea colector-bază intră în regim de
conducţie directă. Avem astfel două joncţiuni în regim de conducţie directă în opoziţie şi astfel
căderea de tensiune pe ele tinde să se anuleze. Această abilitate a tranzistorului bipolar de a intra în
saturaţie cu o cădere de tensiune foarte mică între colector şi emitor îl recomandă ca un foarte bun
dispozitiv de comutaţie. Multe din cele mai importante aplicaţii ale electronicii folosesc circuite de
comutaţie, inclusiv electronica digitală.
În regimul de comutaţie, un tranzistor lucrează sau cu un curent de colector aproape nul (în
stare închisă) sau cu tensiune de colector-emitor aproape nulă (in stare deschisă, saturat). În ambele
condiţii, disiparea de putere este foarte mică. Singurul moment când avem o disipare de putere
semnificativă este atunci când tranzistorul comută, moment în care atât curentul de colector cât şi
tensiunea sunt finite şi diferite de zero.
Un tranzistor de mică putere cum este 2N3053, cu o disipaţie maximă de putere permisă de
sub un watt, poate conecta (comuta) puteri de ordinul câtorva waţi. Se are în vedere ca timpul de
comutare să fie cât mai mic şi astfel puterea comutată este mai mare.
DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CÂMP) 63
Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CÂMP)
Funcţionarea tranzistoarelor unipolare (cu efect de câmp) TEC (sau FET = Field Effect
Transistor) se bazează pe variaţia conductibilităţii unui canal dintr-un material semiconductor, ale
cărui dimensiuni transversale pot fi controlate cu ajutorul câmpului electric creat de tensiunea de
semnal (comandă), aplicată pe un electrod de control numit grilă sau poartă (G- gate). În toate
TEC-urile actuale câmpul electric este perpendicular pe calea de trecere a curentului (numită canal).
Spre deosebire de TB, a căror funcţionare este bazată pe existenţa ambelor categorii de
purtători mobili (majoritari şi minoritari), funcţionarea TEC se bazează pe un singur tip de
purtători: purtătorii majoritari; din acest motiv ele se mai numesc şi tranzistoare unipolare.
După modul de realizare a grilei TEC se împart în două categorii:
- cu grilă joncţiune (TEC-J sau J-FET);
- cu grilă izolată (IG-FET) sau metal-izolant-semiconductor (TEC-MIS), sau dacă izolantul
este bioxid de siliciu SiO2 se numeşte TEC-MOS (MOS-FET sau MOS).
TEC-urile combină multe din avantajele tuburilor electronice (rezistenţă de intrare foarte
mare, stabilitate termică bună) cu cele ale TB (dimensiuni reduse, consum redus de putere,
robusteţe mecanică). TEC-urile au şi unele dezavantaje faţă de TB cum ar fi: pantă mică, cădere de
tensiune mai mare în stare de conducţie, împrăştierea mare a caracteristicilor, putere mică.
7.1. TEC CU GRILA JONCTIUNE

7.1.1. Structură şi funcţionare
Canalul conductor la acest TEC este delimitat în volumul unui semiconductor cu ajutorul a
două joncţiuni pn polarizate invers. În figura 7.1 se arată structura fizică obişnuită a unui TEC-J
canal n, cel mai răspândit TEC-J. Sursa este electrodul de la care pleacă purtătorii mobili (e-) spre
canal, iar drena este electrodul spre care se îndreaptă purtătorii mobili (e-) din canal. Lungimea
canalului (L) este de 10…100 ori mai mare decât grosimea sa (a).
Sursă Grilă Drenă G

n+ p+ n+ 4 µm
a n 25
S D
.
L=(10…100) a 100µm
Si p+
Bază (grila a doua) 100

legătură internă
Fig. 7.1.b
Fig. 7.1.a
Schemă de măsură cu ohmmetrul
Pentru TEC-J canal p toate regiunile sunt de tip invers celor din figura 7.1. Formal, structura
TEC-J seamănă cu cea a TB, dar funcţionarea este cu totul diferită. În timp ce la TB, joncţiunile au
rolul de a injecta şi respectiv colecta purtătorii de sarcină, joncţiunile TEC-J au rolul de a delimita
şi modula secţiunea transversală a canalului prin care trece curentul. La TB curentul circulă
perpendicular pe suprafeţele joncţiunilor, iar la TEC-J paralel cu joncţiunile. Ca electrod de
referinţă la TEC-J cel mai des întâlnit este sursa. Pentru a urmări mai uşor principiul de funcţionare
al TEC-J, vom considera iniţial că grila este legată la sursă (UGS=0). Pentru ca electronii majoritari
din canal să se deplaseze de la S spre D, la TEC-J canal n, D trebuie să fie pozitivă faţă de S
(UDS>0). Având în vedere polaritatea tensiunii de D, rezultă că orice punct din regiunea n a
canalului se află la un potenţial pozitiv faţă de sursă şi deci faţă de grilă. Cele două joncţiuni pn
sunt polarizate invers, iar curentul transversal pe joncţiuni este neglijabil (10-9 A) şi nu intervine în
funcţionarea dispozitivului. Întrucât regiunile de tranziţie ale dispozitivului sunt golite de purtători
64 DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CÂMP)
mobili, curentul între D şi S este determinat de rezistenţa canalului cuprins între cele două regiuni
de tranziţie. Regiunile de tranziţie ale joncţiunilor se extind practic numai în regiunea canalului,
deoarece acesta este mult mai slab dopat comparativ cu regiunile de grilă. Vom mai presupune că
înălţimea barierelor (Uo) este aceeaşi la ambele joncţiuni şi că doparea canalului este uniformă.
Dacă UDS<<Uo, grosimea regiunilor de tranziţie este constantă în lungul canalului, canalul va avea
secţiune constantă şi se va comporta ca o rezistenţă ohmică (fig.7.2.a). Caracteristica de ieşire
ID(UDS) începe deci cu o porţiune liniară (porţiunea OA din fig.7.3).
Fig. 7.2.a Fig. 7.2.b
Fig. 7.2.c Fig. 7.2.d
ID
C
B UGS=0
IDSS
A
0 UDSS UDS străpungere UDS

Fig. 7.3
Pentru UDSUo, canalul nu mai are secţiunea uniformă; potenţialul în lungul canalului
crescând de la valoarea “0” în dreptul S la valoarea UDS în dreptul D, U de polarizare inversă
aplicată celor 2 joncţiuni creşte în valoare pe măsura apropierii de drenă. Concomitent creşte
grosimea regiunilor de tranziţie, deci scade secţiunea transversală a canalului (fig.7.2.b). Din
această cauză conductanţa canalului scade cu creşterea lui UDS, caracteristica devine neliniară
(porţiunea AB, fig.7.3). Crescând în continuare tensiunea UDS se ating regiunile de tranziţie ale
celor 2 joncţiuni şi canalul se închide (la tensiunea UDSS) (fig.7.2.c). Pentru UDS>UDSS , S şi D sunt
complet separate printr-o zonă golită de purtători mobili (fig.7.2.d), curentul prin canal nu se
anulează însă. Continuitatea curentului prin zona golită de purtători este asigurată de injecţia pe
care canalul o face în punctul T, în care cele două regiuni de tranziţie se unesc. Între D şi S există
un cîmp electric E în lungul canalului. Electronii care ajung dinspre canal în punctul T sunt trecuţi
de acest cîmp în regiunea drenei. Situaţia este asemănătoare cu ceea ce se petrece la joncţiunea C-B
a TB. Când UDS creşte, punctul T se deplasează spre S, dar potenţialul său rămâne UDSS. Restul
tensiunii UDS cade pe regiunea golită TT’. Distanţa TT’ este de ordinul grosimilor regiunii de
tranziţie, deci mult mai mică decît lungimea canalului. Dacă lungimea canalului este aproape
constantă cu creşterea lui UDS IDSS constant (porţiunea BC din fig.7.3).
Pentru UDS f. mari joncţiunile se străpung în dreptul drenei şi ID creşte foarte mult.
Să considerăm acum şi efectul polarizării grilei. În cazul TEC-J canal n, pentru ca joncţiunile
G-canal să fie polarizate invers, UGS<0. Datorită tensiunii de grilă, regiunile de tranziţie ale
joncţiunilor se extind în canal, iar secţiunea canalului scade, scăzând şi conductanţa (fig.7.4
corespunde cazului a din fig.7.2).
Fig. 7.4
Crescând UDS fenomenele vor fi similare cazului UGS=0, dar canalul se închide la UDS mai
mică: UDsat=UDSS+UGS , unde UGS<0 ; IDsat<IDSS . Străpungerea joncţiunilor în dreptul drenei are
loc la o tensiune mai mică decît în cazul UGS=0: U’DSstr=UDSstr+UGS , unde UGS<0. La o anumită
valoare UGS=Up (tensiune de penetraţie, prag) regiunile de tranziţie ale celor 2 joncţiuni se ating pe
întreaga lungime a canalului, canalul conductor dispare, ID=0. Se observă că Up= –UDSS .
Experimental Up se defineşte ca UGS pt. care ID are o anumită valoare (de exemplu 1µA), şi este
parametru de catalog al TEC-J. Pentru TEC-J canal p, Up>0, uzual |Up|=1…10V, cel mai adesea
|Up|=2…3V.
7.1.2. Caracteristici statice. Simboluri. Expresia curentului de drenă
În regiunea nesaturată canalul este continuu între S si D. În regiunea de saturaţie canalul este
obturat la capătul dinspre D. În toate punctele dependenţa UDS= -Up- |UGS|. În majoritatea
aplicaţiilor practice TEC-J lucrează în regiunea de saturaţie. Al doilea regim de funcţionare, ca
importanţă, este cel liniar, în care TEC-J lucrează ca rezistenţă comandată de tensiunea aplicată
grilei (UGS). Pentru simbolizare (fig. 7.6) canalul e reprezentat printr-o bară, iar contactele prin
segmente perpendiculare pe canal. Pe contactul grilei se pune o săgeată care indică joncţiunile grilă-
canal (sensul săgeţii este de la p la n ca şi la TB).
Expresia curentului de drenă în regiunea de saturaţie:
IDS=IDSS(1– UGS /Up)n ; UDS>UGS – Up
IDSS este curentul de saturaţie pentru UGS=0, iar coeficientul n1,5 … 2,5. Frecvent n=2. În catalog
se precizează IDSS max.
În regiunea de saturaţie este importantă caracteristica de transfer grilă-drenă (fig. 7.7).
ID
mA UGS=0 TEC-J canal p:
IDSS regim de saturaţie UGS>0, Up>0, UDS<0, ID<0
-0,5 V
-1V străpungere
-1,5 V Fig. 7.6. Simboluri:
Up= -2,5 canal n canal p
-2 V
-2,5 V
0 10 20 30 UDS
Fig. 7.5. Caracteristicile de ieşire Id (Uds) cu UGS=ct
În regiunea nesaturată: UDS < UGS - Up

ID=IDSS/Up2 [ 2(UGS - UP)UDS - UDS2 ]
Exemple de TEC-J produse în ţară: Fig. 7.7. ID(mA)

canal p: ROS 104
canal n: BFW 10…13, 2N 4091…4093
245, 247, 256 IDSS 15
duble: 2N5912, 3955, 5545
- din import: BF 244 10
UDS>UDsat
Up 5
-3 -2 -1 UGS (V)
7.2. TEC CU GRILĂ IZOLATĂ (TEC-MOS)

7.2.1. Structură şi funcţionare. Simboluri
Structura tipică a unui TEC cu grilă izolată (cu canal n indus) este arătată în figură:
Fig. 7.8
Avem un substrat şi-p în care s-au format două regiuni n+. Contactul ohmic la substrat
constituie baza, care se conectează la sursă, uzual referinţă de potenţial. Stratul de SiO2 are o
grosime de circa 0,1 m. Când grila este lăsată în gol sau e negativă faţă de sursă (UGS< 0), între
sursă şi drenă există două joncţiuni p-n legate în opoziţie. Curentul IDS= 0 indiferent de polaritatea
UDS. Dacă grila se pozitivează faţă de substrat, ea va respinge golurile de la suprafaţa
semiconductorului spre interior şi va atrage la suprafaţă electroni. Peste o anumită valoare a
tensiunii de grilă, concentraţia electronilor la suprafaţă depăşeşte pe cea a golurilor, formându-se un
canal de tip n între sursă şi drenă. Conductanţa acestui canal indus de câmpul electric depinde de
diferenţa de potenţial între grilă şi sursă => curentul care circulă între drenă şi sursă poate fi
controlat de potenţialul aplicat grilei. Datorită izolării bune realizate de SiO2, în circuitul grilei va
-14
circula un curent mic (10 A), astfel că puterea necesară grilei este neglijabilă (IG0). Conducţia
curentului are loc într-un strat foarte subţire la suprafaţa semiconductorului => TEC - MOS se mai
cheamă de suprafaţă, pe când TEC - J este TEC de volum. După cum se formează canalul, TEC -
MOS poate fi cu canal indus si cu canal iniţial. La cel cu canal p este invers decât în figura 7.8.
Uneori TEC - MOS cu canal indus se mai numesc TEC în regim de îmbogăţire, deoarece un strat
subţire de la suprafaţa semiconductorului se îmbogăţeşte cu purtători minoritari. În cazul TEC -
MOS cu canal iniţial, canalul conductor există chiar si când grila se află la potenţialul 0 faţă de
substrat (UGS=0); tensiunea aplicată grilei, în funcţie de semnul ei, poate mări sau micşora
conductanţa canalului. Şi în acest caz canalul poate fi de tip p sau n. Simboluri utilizate pentru
TEC-MOS (uzual baza se conectează la sursă – figura 7.9):
- canal indus: canalul este reprezentat întrerupt; săgeata este de la p la n;
- canal iniţial: canalul este reprezentat continuu.
Fig. 7.9
13
Un avantaj important al TEC-MOS îl constituie rezistenţa de intrare foarte mare (10 -
18
10 ). Legat de aceasta se impun anumite precauţii în manipularea TEC - MOS. Eventualele
sarcini care se pot acumula pe grilă, prin simpla frecare a terminalelor, nu au cale de scurgere şi
determină creşterea potenţialului faţă de substrat, CGS este foarte mică (1pF) şi cantităţi mici de
electricitate determină creşterea UGS până la tensiunea de străpungere a stratului de SiO2.
Tensiunea de străpungere este de 50…100 V.
Evitarea străpungerii stratului de SiO2se face în două moduri:

1. TEC - MOS se livrează şi se manipulează cu o sârmă (un conductor) care se scoate numai după
montarea tranzistorului în circuit. Lipirea se face cu ciocane cu transformator de reţea şi
împământare. Se folosesc mese cu tăblii metalice cu împământare.
2. Pe acelaşi substrat cu MOS-ul se realizează un sistem de protecţie.
În prima variantă, pe acelaşi substrat şi odată cu tranzistorul se realizează o diodă Zener cu o
tensiune de străpungere de 30..50 V<UGS de străpungere a oxidului. În a doua variantă se
realizează pe substratul tranzistorului T1 de protejat, un al doilea TEC - MOS T2, însă cu tensiune
de prag foarte mare (30 V), pentru că are oxidul gros (1µm). Dacă UGS e mare (peste 30 V), se
deschide T2 şi protejează pe T1. Aceste protecţii duc la scăderea rezistenţei de intrare la

 …
.
Fig. 7.10.a Fig. 7.10.b
7.2.2. Caracteristici statice ale TEC-MOS. Expresia curentului de drenă

Caracteristici statice de ieşire pentru TEC–MOS cu canal indus
Considerăm un TEC - MOS cu canal n indus, cu baza legată la sursa S care se ia ca origine de
potenţial. Ca să se asigure formarea canalului, adică a stratului de inversiune, trebuie ca UDS>0 şi
UGS>0. Tensiunea de prag UP este tensiunea la care apare stratul de inversiune.
Pentru UGS<UP între drenă şi sursă nu circulă curent, IDS=0, deoarece între ele există două
joncţiuni p-n în opoziţie.
Pentru UGS>UP apare la suprafaţă stratul de inversiune. Prin acest strat poate circula curentul
IDS între grilă şi sursă.
Pentru UDS<<UGS se poate aproxima că diferenţa de potenţial între G şi suprafaţa
substratului este constantă în lungul canalului, astfel încât canalul se comportă ca o conductă. Deci
caracteristicile statice ID(UDS) cu UGS= constant, pornesc liniar din origine (fig. 7.11). Această
regiune este numită liniară.
Fig. 7.11
La tensiuni negative TEC-ul se comportă liniar. Pe măsură ce UDS creşte, diferenţa de
potenţial dintre grilă şi suprafaţa substratului scade, deci scade conductanţa canalului (porţiunea AB
din figura 7.11). La sursa tensiunea pe izolant este UGS, indiferent de valoarea lui UDS; în dreptul
drenei tensiunea pe izolant este UGS-UDS. Crescând UDS se ajunge la situaţia în care căderea de
tensiune pe izolant în dreptul drenei scade sub limita necesară menţinerii stratului de inversiune.
Tensiunea UDS la care se închide canalul se numeşte tensiune de saturaţie. UDSsat=UGS-UP. În
regiunea de saturaţie: UDS>UDSsat, în vecinătatea drenei nu mai există canal ci o regiune golită de
purtători. Curentul prin această regiune este asigurat similar ca la TEC-J. La UDS mai mari apare
fenomenul de străpungere; caracteristicile sunt similare cu cele de la TEC-J cu excepţia polarităţii
UGS.
Caracteristici statice de ieşire pentru TEC-MOS cu canal iniţial
În TEC-ul cu canal iniţial există un canal la suprafaţa substratului, între S si D, având

conductibilitate de tip opus substratului, chiar când UGS=0. În figura 7.12. se prezintă
caracteristicile statice pentru un TEC - MOS cu canal n iniţial.
Fig. 7.12
Pentru UGS=0 avem o anumită conductanţă . Dacă UGS>0, grila atrage electroni, regimul
este de îmbogăţire. Pentru UGS<0, grila respinge electroni, regimul este de sărăcire. Peste o
anumită valoare UP<0, canalul este golit de electroni, iar IDS=0. Pentru acest TEC se preferă să se
lucreze cu UGS<0.
Caracteristici de transfer: ID(UGS) cu UDS>UDSsat
Fig. 7.13
Expresia curentului de drenă în regiunea de saturaţie (pentru UDS>UDSsat):

2 2
IDS=K*(UGS-UP) (indus) ; IDS=IDSS*(1-UGS/UP) (iniţial);
2 2
Ex.: K=0,3 mA/V IDSS=K*UP ;
Exemple de TEC-MOS produse în ţară:
- canal p: ROS 01, 04, 05 (dublu)
- canal n: ROS 02, BFR 84, BFS 28, BSV 81
(cod american): 3N 139, 3N 159
ICCE: V-MOS (MOS-uri de putere): RVM 35A1, 60A1.
7.3. CIRCUITE DE POLARIZARE PENTRU TEC
Polarizarea TEC pune probleme mai simple decât la bipolar, deoarece caracteristicile lor
statice depind mai puţin de temperatură iar grila nu absoarbe curent.(IG=10-9A la TEC-J si 10-14A
la TEC-MOS). Dispersia de fabricaţie a parametrilor este mare. Vom avea două scheme de
polarizare.
7.3.1. Polarizarea TEC-J si TEC-MOS cu canal iniţial în regim de sărăcire
Fig. 7.14
Ca să se evite folosirea a 2 surse de alimentare, se foloseşte un circuit de polarizare cu
negativare automată a grilei la triodă. Negativarea grilei se realizează prin punerea grilei la
potenţialul masei pentru regimul de curent continuu si polarizând sursa pozitiv faţă de masă prin
căderea de tensiune pe RS. Grila se pune la masă prin RG. Trebuie ca URG=IG*RG<<ID*RS.
Trebuie ca RG să fie o sarcină cât mai mare pentru sursa de semnal.
IG=10-9A => RG va fi câţiva MΩ.
RG prea mare duce la modificarea PSF cu creşterea temperaturii. CS constituie un scurtcircuit

pentru semnal ca să nu micşoreze amplificarea datorită lui RS. Modelul uzual este:
Fig. 7.15
Exemplul 1: Să se determine RS, RD pentru ca TEC-J să lucreze în PSF cu ID=2,5mA; UDS=7V;

ED=25V, folosind un TEC-J care are UP=-4V; IDSS=10mA.
Rezolvare:
ID=IDSS(1-UGS/UP)2 <=> 2,5=10(1+UGS/4)2 =>UGS=-6V <UP (soluţia nu este bună; blocat)
-2V>UP (soluţia este bună)
A II-a metodă (soluţia cu semnul (-) este bună; cu semnul (+) TEC-J-ul este blocat):
ID ID
U GS  U (1  )  U P (1  ).
P I DSS I DSS
ID UGS=-RS*ID(URG=0);
RS=-UGS/ID=2/2,5 =>UG=-2V>UP.
ED=UDS+ID(RD+RS)=>
Ugs=- IDSS=10mA RD=(ED-UDS-RS*ID )/ID=6,4KΩ,0.8KΩ.
RSID
Verificăm condiţia de saturaţie:
ID=2,5mA UDS>UDSsat=UGS-UP=-2+4=2V.
UGS Calculăm valoarea maximă a rezistenţei
-6V UP=-4V UGS=-2V RD ca TEC-J să rămână în saturaţie.
Fig. 7.16
RD<RDmax=(Eb-UDSsat-RD*ID)/ID=
=(Eb-UDS+UP-UGS)/ID=(Eb+Up)/ID=(25-4)/2,5=8,4 KΩ.
Un circuit cu o comportare mai bună la
dispersia de fabricaţie a parametrilor
este cel cu divizor la intrare (în grilă).
Pentru creşterea rezistenţei de
intrare a etajului se foloseşte RG3,
adiţională de valoare mare (zeci de MΩ)
cu o toleranţă necritică, iar RG1, RG2
în jur de 1MΩ, respectiv 100KΩ, cu
precizie mare. Rin=RG3+RG1 | | RG2. Fig. 7.17
7.3.2. Circuite de polarizare pentru TEC-MOS cu canal indus (şi pentru canal iniţial în
regim de îmbogăţire)
sau
Fig. 7.18
IG=10-14A0, URG3= IG*RG3=0
Pentru stabilizarea PSF se folosesc metodele de la TB.

UGS=(ED*RG2)/(Rg1+RG2); ED=RD*ID+UDS; ID=K(UGS-UP)2;
Exemplul 2: Un TEC-MOS cu canal n indus are următoarele caracteristici:
UP=3V; K=0,25mA/V2;
UGS=UP  I D , dar soluţia cu semnul (-) nu este bună (TEC-MOS blocat)

K
Să se dimensioneze circuitul de polarizare (cu RG3=0), care să asigure Rin=RG=RG1 || RG2=1MΩ
ID=0,25(UGS-3)2. Circuitul este cel anterior, fără RG3 (=0).
Rin=RG=RG1 || RG2=1MΩ; PSF: ID=4mA, UDS=8V; ED=24V. Se cer: RG1; RG2; RD;
Rezolvare:
4=0,25(UGS-3)2=> UGS -> -1V<Up soluţia nu este bună (TEC-MOS blocat)
-> 7V>Up soluţia este bună (tensiune la care există canal indus)
Rg2 * Eb Ed
ID UGS=  Rg *
Rg1  Rg2 Rg1
ID=4mA RG1=RG*ED/UGS=3,42MΩ;
PSF
RG2=RG*RG1/(RG1-RG)=1,41MΩ.
RD=(ED-UDS)ID=(24-8)/4=4KΩ;
UDS>UDSsat=UGS-UP=7V-3=4V
UGS RD<RDmax=(ED-UGS+UP)/ID=
=(24-7+3)/4=5K
-1V UP=3V -UGS=7V
Schema de mai jos are avantajul că
Fig. 7.19 menţine automat în saturaţie TEC-MOS-ul
cu canal indus.
IG=0; UGS=UDS; UDS>UDSsat (Up>0)
Fig. 7.20
7.4. REGIMUL DINAMIC DE SEMNAL AL TEC

7.4.1. Circuitul echivalent de joasă frecvenţă
Rezistenţa de intrare este considerată infinită. Tensiunea de grilă comandă curentul din circuit
prin intermediul unui generator de curent; gm se numeşte conductanţă mutuală, transconductanţă sau
pantă.
Presupunem variaţii mici în jurul PSF:
ID=dID/dUGS+(dID/dUDS)*UDS => id=gm*ugs + gd*uds ; UDS= constant.
dID 2Idss Ugs 2Idss Id 2
gm  =- (1  )  Id * Idss
dUGS Uds  const Up Up Up Idss Up
2 Idss
g m0   ; gm0= transconductanţa pentru UGS=0.
Up
Uzual gm0=1...10 mA/V. În practică gm reală este ceva mai mică decât cea calculată.
La canal indus:
ID=K(UGS-UP)2; gm=2K(UGS-UP)=2 KId; gd se neglijează de obicei.
Fig. 7.21. Circuitul echivalent de joasă frecvenţă
7.4.2. Funcţionarea TEC ca amplificator de joasă frecvenţă
Se desenează circuitul echivalent în semnal mic pentru exemplul 1 cu TEC-J canal n:
Fig. 7.22
gd0; Ro 
 
2
gm  4,5 * 10  2,5mA/V
4
Uies
Fie RL=RD||1/gd(||RD)RD; Uies=-gm*Ugs*RL; Au= Uies/Ugs=-gm*RL -gm*RD =
Ug
= - 2,5*6,4= -16
Dacă la schema cu TEC-J cu negativare automată lipseşte CS, sursa nu va mai fi la masă; deci avem
o rezistenţă RS.
Au=Uies/Um=-gm*RL(1+gm*RS) ( -RD/RS nu este o aproximaţie aşa de bună ca la TB, căci
transconductanţa gm este mică)
2 ,5 * 6,4
Au=  -5.33.
1  2 ,5 * 0,8
Fig. 7.23
gd0
Se desenează circuitul echivalent de semnal mic pentru exemplul 2 cu TEC-J canal n:
Fig. 7.24
gm=2 0,25 * 4 =2.5mA/V

Au=Uies/Ug=-gm*RD=-2*4= -8.
7.5. ALTE DISPOZITIVE CU EFECT DE CÂMP

7.5.1. TEC cu straturi subţiri
Se realizează depunând pe un substrat izolant din sticlă, safir sau cuarţ, un strat subţire de Si
monocristalin şi apoi se depun pelicule metalice pentru G, S si D.
Cea mai răspândită variantă este SOS (Siliciu on safir), cu care se pot realiza simultan pe safir
mai multe dispozitive, deci circuite integrate.
7.5.2. Structura hibridă TEC-MOS – tranzistor bipolar
TEC-MOS-urile au gm mică (mai ales cele cu canal p). Prin combinaţie cu T.B.=> un
tranzistor compus (conexiune similară cu Darlington, figura 7.25), gm=100...1000mA/V. Se
folosesc şi în circuite integrate (ex.: în MMC 4511 pe ieşire).
Fig. 7.25
Pentru puteri mari se folosesc tranzistoare V-MOS (POWER MOSFET) având până la
1000V/100A cu frecvenţa de comutaţie fW < 20 KHz. Au o structură verticală cu stratul de drift
slab dopat (fig. 7.26). Combinate în aceeaşi structură verticală cu un tranzistor bipolar de putere
rezultă tranzistorul bipolar cu baza izolată IGBT (ISOLATED GATE BIPOLAR
TRANSISTOR) – figura 7.27, figura 7.28.
S
G
G E
Si O2 Si O2
n+ 1019 n+ 1019
n+ n+ n+ 10
19
n+ J3 p+ 1016 drift
p n+ 1014
p
1016
n+ 1019/cm3 J1 tampon
14 3
n- 10 /cm
p+ 1019/cm3 strat de
19
n+ 10 /cm 3 injecţie
C
Fig. 7.27
Fig. 7.26
D
C
Fig. 7.28
IGBT este un tranzistor hibrid care îmbină avantajele MOS cu cele ale TB, MOSFET având
comutaţie rapidă şi comanda în tensiune, iar TB având curenţi mari, tensiune de blocare mare,
pierderi mici în conducţie. Descrierea IGBT: joncţiune GE întreţesută, are un strat p+ puternic dopat
ce realizează colectorul, p+ si n+ generează o joncţiune pn, injecţia purtătorilor minoritari (p+) în
stratul de drift micşorează rezistenţa RON si IC, stratul tampon n+ este puternic dopat şi are rolul de a
micşora timpii de comutaţie, de a reduce tOFF. Avantaje: volum redus, fiabilitate mare. Dezavantaj:
cost mare.
Caracteristica statică de ieşire a IGBT (fig. 7.29) este similară cu cea a TB, dar cu deosebirea
că nu există străpungerea a doua. Caracteristica de transfer (comanda) este prezentată în figura 7.30.
IC
IC
UGS2 > UGS1
UGS1 > UP
UCE
UGS = UP UGS
UPrag Fig. 7.30

Fig. 7.29
7.5.3. TEC-MOS cu 2 grile (tetroda MOS)

Constă din 2 MOS-uri în
serie, drena primului fiind
contopită cu sursa celui de-al
doilea. Curentul între sursa
primului şi drena celui de-al
doilea este controlat de ambele
tensiuni din grilă. Sunt folosite
în radiofrecvenţă, în selectoare
Fig. 7.31 TV. Ex.: BF960..966, 980, 981.
7.5.4. Diode limitatoare de curent
Există două categorii de diode limitatoare (sau regulatoare) de curent: dioda cu efect de câmp
(DEC) si dioda cu limitare de viteză (DLV). DEC este un TEC-J la care grila este conectată la sursă
în interiorul dispozitivului. Caracteristica ID este identică cu cea de la TEC-J pentru UGS=0. O
caracteristică asemănătoare are şi DLV, la care limitarea curentului se obţine ca efect al saturării
vitezei de drift a purtătorilor în câmpuri mari. Limitatoarele de curent se utilizează ca sarcină pentru
tranzistoare (au rezistenţa dinamică de peste 10 ori mai mare decât rezistenţa statică, rezultând
amplificări mari la tensiuni mici de alimentare), sau ca dispozitive de protecţie sau limitare.
DCE - Cap.8. REGIMUL DE COMUTAŢIE AL DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE 75
Cap.8. REGIMUL DE COMUTAŢIE AL DISPOZITIVELOR

SEMICONDUCTOARE
8.1. INTRODUCERE
Prin regim de comutaţie (comutare) al unui dispozitiv semiconductor se înţelege regimul de

funcţionare în care semnalul de comandă (curent sau tensiune) este un impuls sau o succesiune de
impulsuri. Un asemenea regim de funcţionare este întâlnit în aplicaţiile legate de formarea,
generarea şi prelucrarea semnalelor sub formă de impuls.
Ca urmare a aplicării semnalului de comandă dispozitivul trece dintr-un punct static de
funcţionare în alt punct static de funcţionare; se spune că dispozitivul comută. Dacă în urma
procesului de comutare rezistenţa de curent continuu prezentată de dispozitiv între bornele la care
este conectată sarcina, a scăzut, comutarea poartă numele de comutare directă. În caz contrar,
comutarea este denumită comutare inversă.
În particular, în acest capitol se va înţelege prin comutare directă, comutarea din regiunea
de tăiere (blocare sau conducţie inversă) în regiunea de conducţie, iar prin comutare inversă,
comutarea din regiunea de conducţie în regiunea de tăiere.
Parametrul principal care determină performanţele dispozitivului în regim de comutare este
timpul de comutare al dispozitivului. Aşa cum se va vedea, acest timp este determinat de
dispozitivul însuşi prin intermediul unor parametri fundamentali legaţi de funcţionarea intimă a
dispozitivului, dar şi de regimul electric (curenţi, tensiuni), deci de circuitul electric în care se
realizează comutarea.
În regim de comutaţie condiţia de semnal mic nu este în general îndeplinită; dispozitivul
lucrează la semnale mari deci într-un regim puternic neliniar. În plus, semnalul de comandă variază
foarte rapid în timp. Din acest motiv calculul exact al timpilor de comutare este foarte dificil,
preferându-se de aceea un compromis între dificultate şi precizia de calcul. Acest compromis se
obţine prin utilizarea unor modele simplificate pentru dispozitiv.
Timpii de comutare se definesc pornind de la răspunsul în timp
al dispozitivelor la semnalul de comutare. Pentru răspunsul din
figura 8.1 se definesc:
ti=t2t1 - timpul de întârziere la comutarea directă;
tc=t3t2 - timpul de creştere;
tcd=t3t1 - timpul de comutare directă;
tS=t5t4 - timpul de întârziere la comutarea inversă;
td=t6t5 - timpul de descreştere;
tci=t6t4 - timpul de comutare inversă (trr).
Fig. 8.1. Definirea timpilor de comutare pentru un exemplu de răspuns al

dispozitivelor la un semnal sub formă de impuls.
8.2. REGIMUL DE COMUTAŢIE AL DIODELOR SEMICONDUCTOARE
La toate diodele comutaţia directă este mult mai rapidă decât comutaţia inversă şi de aceea
caracterizarea diodelor în regim de comutaţie se face numai prin intermediul timpului de comutaţie
inversă.
Timpul de comutare poate fi redus prin:
 reducerea timpului de viaţă a purtătorilor minoritari;
 reducerea capacităţii de barieră;
76 DCE - Cap.8. REGIMUL DE COMUTAŢIE AL DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE
 reducerea timpului de evacuare a sarcinii prin concentrarea purtătorilor minoritari de

sarcină în vecinătatea regiunii de trecere.
Pentru reducerea timpului de viaţă se introduc în regiunile neutre ale joncţiunii atomi de
impuritate care joacă rol de centre de recombinare. Pentru joncţiunile din siliciu este folosit în acest
scop aurul. Capacitatea de barieră se reduce prin reducerea ariei joncţiunii (exemplu: dioda cu
contact punctiform).
O comportare importantă pentru aplicaţii practice o
are aşa numita diodă cu sarcină stocată la care în
procesul de comutare inversă, după intervalul de
timp tS în care curentul este constant urmează o
scădere foarte abruptă a curentului (fig.8.2.a). Acest
lucru se obţine prin crearea, în procesul tehnologic,
a unui câmp electric intern care constrânge
Fig. 8.2. Variaţia în timp a curentului la purtătorii minoritari să rămână în apropierea
comutare inversă: a) prin dioda cu joncţiunii metalurgice, astfel ca la comutarea inversă să
sarcină stocată; b) prin dioda normală. poată fi uşor evacuaţi.
Pentru obţinerea unor performanţe net superioare în
ceea ce priveşte timpul de comutare trebuie realizate diode în care să nu existe efect de stocare de
purtători minoritari. Acestea sunt diodele cu purtători majoritari, adică diodele în care curentul
electric este datorat numai purtătorilor majoritari. Din această categorie face parte contactul
redresor metal-semiconductor (dioda Schottky) şi dioda tunel (la dioda tunel curentul este datorat
purtătorilor majoritari numai în domeniul tensiunilor mai mici decât tensiunea Uv). La aceste diode
timpul de comutare este datorat în principal capacităţii de barieră.
8.3. REGIMUL DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE
Procesele fizice care au loc la comutarea tranzistoarelor bipolare sunt similare celor de la
comutarea diodelor semiconductoare şi anume în urma aplicării unui semnal pentru comutarea
directă are loc un proces de acumulare de purtători minoritari în regiunile neutre ale tranzistorului,
iar la aplicarea semnalului pentru comutarea inversă are loc procesul de evacuare a acestor
purtători. Timpii de comutare sunt determinaţi în principal de acest proces.
În regim activ normal de lucru, are loc injecţia de purtători minoritari doar la joncţiunea
emitor-bază. Deoarece regiunea bazei este mai slab dopată cu impurităţi decât regiunea emitorului
rezultă că sarcina de purtători minoritari injectată în emitor este mult mai mică decât sarcina de
purtători minoritari injectată în bază, astfel încât procesele de comutare vor fi determinate în
principal de sarcina de purtători minoritari din baza tranzistorului.
În regim de saturaţie, întrucât ambele joncţiuni sunt polarizate direct are loc injecţia la
ambele joncţiuni. La tranzistoarele la care regiunea colectorului este slab dopată cu impurităţi,
sarcina de purtători minoritari injectată din bază în colector poate fi comparabilă cu sarcina
injectată din colector în bază, astfel că va trebui sa fie luată în consideraţie. La tranzistoarele cu
colector puternic dopat cu impurităţi, sarcina injectată din bază în colector este redusă astfel încât
procesele de comutare sunt determinate numai de sarcina din bază. Din această ultimă categorie fac
parte tranzistoarele aliate şi tranzistoarele planar-epitaxiale, iar din prima categorie fac parte
tranzistoarele difuzate, neepitaxiale (mesa, planare). Întrucât în tranzistoarele moderne pentru
comutaţie (planar-epitaxiale) sarcina de purtători minoritari acumulată în regiunea colectorului în
regim de saturaţie este neglijabilă faţă de sarcina din bază, în analiza regimului de comutaţie al
tranzistorului se va ţine seama numai de sarcina din bază.
Pentru reducerea timpului de comutare directă este avantajoasă comutarea în regiunea de
saturaţie. Prin aceasta se măreşte însă timpul de comutare inversă cu timpul de stocare. De
asemenea, pentru reducerea timpului de comutare inversă este necesar un curent de bază invers de
valoare cât mai mare. Rezultă atunci că pentru reducerea timpilor de comutaţie, deci pentru
DCE - Cap.8. REGIMUL DE COMUTAŢIE AL DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE 77
accelerarea comutării tranzistorului ar fi necesară pentru curentul din bază, o variaţie de tipul celei
din figura 8.3.
Amplitudinea saltului de valoare I'B1 trebuie să fie suficient de mare
pentru a se obţine timpul de comutaţie directă dorit iar durata lui cel
puţin egală cu timpul de comutaţie. Curentul IB1 trebuie să asigure
menţinerea punctului de funcţionare a tranzistorului în apropierea
regiunii de saturaţie incipientă pentru a se profita de avantajele
Fig. 8.3. Variaţia în timp prezentate de intrarea tranzistorului în saturaţie (tensiune reziduală
ideală, a curentului de mică, deci amplitudine mare a semnalului de ieşire, putere disipată
bază pentru reducerea mică), dar şi pentru a reduce timpul de stocare. Curentul de bază IB2
timpilor de comutare ai trebuie să asigure comutarea inversă a tranzistorului într-un timp
tranzistorului. impus.
Practic, o formă de undă apropiată de cea ideală pentru curentul de
comandă se obţine cu circuitul din figura 8.4.a când
la intrare se aplică un impuls dreptunghiular (fig.
8.4.b) de la un generator de semnal cu rezistenţa
internă Rg.
Fig. 8.4. Circuit practic pentru accelerarea comutării

tranzistorului: a) schema de principiu;
b) semnalul la intrarea circuitului;
c) variaţia în timp a curentului de bază.
Un alt circuit este prezentat în figura 8.5.

Întrucât dioda este un dispozitiv neliniar şi
atunci când este deschisă, prin ea se aduce de
la ieşire spre intrare un semnal (reacţie
negativă), circuitul poartă denumirea de
circuit de comutare nesaturat cu reacţie
negativă neliniară.
Dacă UBC<EF dioda D este blocată şi nu Fig. 8.5. Circuit cu Fig. 8.6. Circuit
există reacţie negativă. Când iB creşte, UBC reacţie negativă practic cu reacţie
devine =EF , dioda D se deschide şi iC este neliniară pentru negativă neliniară
limitat la valoarea corespunzătoare saturaţiei evitarea pătrunderii pentru evitarea
incipiente (alegând EF astfel încât UBC = EF - punctului de pătrunderii punctului
UD = UCEsat.incipientă). În practică circuitul funcţionare în de funcţionare în
din figura 8.5 este înlocuit prin cel din figura regiunea de saturaţie. regiunea de saturaţie.
8.6, cu funcţionare similară, dar fără să mai necesite bateria suplimentară EF. Pentru ca timpul de
întârziere să fie determinat doar de către tranzistor, este necesar ca dioda să prezinte o inerţie mică
la comutarea inversă. Din acest motiv în aceste circuite trebuiesc utilizate diode de comutaţie, cu
timp de comutare foarte redus. Pentru a se obţine timpi de comutare reduşi într-un circuit dat,
trebuiesc folosite tranzistoare cu capacitate de barieră cât mai mică, cu timp de viaţă pentru
purtătorii minoritari cât mai mic şi baza de grosime cât mai mică. Capacitatea de barieră a joncţiunii
colectorului (care contează în principal) se poate reduce prin realizarea unor tranzistoare cu colector
de arie mică sau prin realizarea unor tranzistoare în care regiunea colectorului (în întregime, cum
este cazul tranzistoarelor planare sau doar parţial, cum este cazul tranzistoarelor planar-epitaxiale)
are rezistivitate mare. Timpul de viaţă se reduce prin doparea regiunii bazei şi regiunii colectorului
cu aur ca şi în cazul diodelor semiconductoare. Performanţele cele mai bune în regim de comutaţie
se obţin cu tranzistoare planar-epitaxiale dopate cu aur; le urmează tranzistoarele planare, mesa şi
78 DCE - Cap.8. REGIMUL DE COMUTAŢIE AL DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE
apoi tranzistoarele aliate. În cataloagele de tranzistoare, performanţele în regim de comutaţie se

exprimă prin timpii de comutaţie într-un anumit circuit.
Tranzistoarele bipolare de putere lucrează de obicei în comutaţie. Nu se lucrează în zona
activă, deoarece sunt pierderi mari. La frecvenţe mari de comutaţie se evită saturarea adâncă pentru
micşorarea timpului de blocare tOFF. Blocarea tranzistorului se face prin negativarea curentului de
bază. Circuitele de comandă pe bază trebuie să asigure un curent IB<0 pentru blocare şi un curent
IB>0 pentru deschidere.
8.4. REGIMUL DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CÂMP
TEC-urile au un timp de comutaţie redus (zeci de nanosecunde) în comparaţie cu durata

procesului tranzitoriu al tensiunii de drenă determinate de capacităţile parazite din schemă, astfel
încât la calculul duratei proceselor tranzitorii a circuitelor TEC se poate neglija uneori timpul de
comutare propriu al tranzistorului.
Regimul de comutaţie al JFET-ului este determinat de capacităţile (neliniare) de barieră ale
celor două joncţiuni ce delimitează canalul şi de rezistenţele sursei de semnal.
Procesele tranzitorii la comutaţia MOSFET sunt complicate de faptul că intervin capacităţi
variabile şi generatoare de curent ce variază neliniar cu tensiunile pe tranzistor. Timpii de comutaţie
sunt foarte mici, valorile lor fiind determinate de capacităţile parazite ce apar între electrozii
tranzistorului ca urmare a structurii acestuia. În conducţie, datorită funcţionării tranzistorului în
zona ohmică, VDSON este mai mare comparativ cu tranzistorul bipolar. De aici şi pierderile de putere
în conducţie sunt mai mari. Pentru a micşora timpul de intrare în conducţie trebuie să se asigure o
creştere mai rapidă a tensiunii VGS, adică dVGS/dt cât mai mare. Pentru blocare se utilizează şi -VGG
în scopul forţării descărcării condensatoarelor parazite. Având tensiune negativă pe poartă, I
înregistrează un vârf negativ şi curentul de grilă se stabileşte la 0. La tranzistorul MOSFET cu canal
p timpii de comutaţie sunt mai mari ca la cel cu canal n, datorită valorilor mai reduse pentru
mobilitate şi pentru viteza maximă a golurilor în comparaţie cu cea a electronilor.
Tranzistoarele MOSFET de putere lucrează de obicei în comutaţie. Comanda se realizează
pe poartă, deci în tensiune. Grila este un condensator care se încarcă aplicând o tensiune, iar peste
un potenţial de prag tranzistorul se deschide. Caracteristicile dinamice sunt prezentate în figura 8.7.
CGD
D
CGD CGD2
ideal
G RDS(ON)
CGD real
CGD1
S VDS
Fig. 8.7. MOSFET VGS=VDS

CGD2
 10 , CGS este constant şi nu depinde de VGS
CGD1
Tranzistorul bipolar cu baza izolată (IGBT) fiind un tranzistor hibrid, îmbină avantajele
MOS cu cele ale tranzistorului bipolar (BJT), MOSFET având comutaţie rapidă şi comandă în
tensiune, iar BJT având curenţi mari, tensiune de blocare mare, pierderi mici în conducţie.
Comparativ tOFF IGBT > tOFF MOS , tOFF IGBT < tOFF BJT , PON BJT < PON IGBT < PON MOS; tON IGBT = tON MOS .
DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE 79
Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE
9.1. TIRISTOARE
9.1.1. Structură, schema echivalentă, caracteristicile statice
Denumirea de tiristoare a fost dată unui grup de dispozitive semiconductoare a căror

structură conţine trei sau mai multe joncţiuni şi care au caracteristici asemănătoare tubului cu gaz
numit tiratron. Termenul a rezultat prin contractarea cuvintelor tiratron-tranzistor. Structura de
tiristor a fost propusă de Shockley în 1950, dar primul tiristor a fost realizat în 1956 de Moll şi
colaboratorii săi. În principiu, structura constă din 4 regiuni de conductibilitate alternată, într-un
monocristal de siliciu (fig. 9.1.a).
Fig. 9.1
Tiristorul are trei terminale numite anod, catod şi poartă (grilă). În figura 9.1.c se prezintă
schema echivalentă a tiristorului, la care se ajunge cu ajutorul figurii 9.1.b. Se observă că J1 , J3 sunt
joncţiuni emitoare şi J2 joncţiune de colector pentru T1 ,T2. T2 este amplificator în conexiune EC,
având ca sarcină în colector rezistenţa JBET2. Semnalul de la ieşirea unui etaj de amplificare se
aplică la intrarea celuilalt; avem de-a face cu un circuit de amplificare cu reacţie pozitivă. Simbolul
este prezentat în figura 9.1.d, iar caracteristicile statice în figura 9.2.
Fig. 9.2
Aplicând tiristorului o tensiune directă, cu (+) pe anod şi (-) pe catod, fără IP , IA este mic (10-8A),
iar RAC ≈ 0-8; aceasta este starea blocată. Mărind tensiunea, punctul de funcţionare se deplasează
pe ramura OA. Când se atinge tensiunea de străpungere directă (UA=Ustrd), tensiunea UA se reduce
brusc (UA=1...2V), iar I creşte mult fiind limitat numai de rezistenţa din circuitul anodic (se
parcurge ramura de rezistenţă negativă AB, apoi ramura BC). Această străpungere nu este
distructivă pentru tiristor. Dacă nu se depăşeşte Imax admis. Ea se numeşte comutaţie prin
străpungere directă. Prin comutaţie sau comutare directă se înţelege trecerea tiristorului polarizat
80 DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE
direct din starea de blocare în stare de conducţie. Nu se foloseşte în practică comutarea directă prin
depăşirea Ustrd, deoarece nu se poate controla starea tiristorului. În prezenţa unui curent de poartă,
tensiunea anodică la care apare comutaţia directă a tiristorului scade. Uzual comutarea directă se
face prin aplicarea unui curent de poartă. Fiind comutat direct, tiristorul se menţine la conducţie
chiar după anularea curentului de poartă. Dacă IA depăşeşte o anumită valoare IH (hold, hipostatic,
de menţinere). Tiristorul polarizat invers prezintă o rezistenţă foarte mare. Atunci când -UA=-Ustri,
IA începe să crească datorită multiplicării în avalanşă a purtătorilor de sarcină. Apare străpungerea
inversă care duce la străpungerea tiristorului datorită puterii mari disipate de acesta Ustri este cam
cu 100V mai mare decât Ustrd. Trecerea tiristorului din stare de conducţie în starea de blocare
(comutaţie inversă) se poate face prin reducerea UA astfel încât IA să scadă sub limita de menţinere
(comutaţie naturală) fie aplicând tiristorului o tensiune inversă, cu (+) pe catod şi (-) pe anod,
tensiune ce trebuie menţinută un timp suficient (comutaţie forţată).
Fig. 9.3
Funcţionarea tiristorului în regim static se poate explica cu ajutorul schemei echivalente.
Pentru IP=0 se pot scrie relaţiile:
IC1  α1 IE1  ICB01
IC2  α 2 IE2  ICB02
Notam I0  ICB01  ICB02 (curentul invers al jonctiunii)
IJ2  IC1  IC2  α1 IE1  α 2 IE2  I0
Dar IE1  IE2  IJ2  IA  IA  (α1  α 2 )  IA  I0  IA  I0

1  (α 1  α 2 )
Se reprezintă dependenţa (1   2 ) funcţie de IA; pentru IA  IH , suma (α1  α 2 )  1 datorită
fenomenelor de recombinare în regiunea de tranziţie a joncţiunilor emitor.
Pentru un tiristor blocat (1   2 )  1  IA  I0 . La tensiuni

directe mari, notând prin M factorul de multiplicare în avalanşă a
purtătorilor la joncţiunea J2, rezultă că:
M  I0
IA 
1  M  (1   2 )
Atunci când Ua=Ustrd, deşi IA este mic, se îndeplineşte condiţia
de comutaţie M(α 1  α 2 )  1 , deoarece M<<1. IA creşte, tiristorul
Fig. 9.4 comutând prin străpungere directă.
După comutare:
UA  1...2V, M = 1, dar IA ramane mare, caci (α 1  α 2 )  1.
Pentru IP  0  IE2  IA  IP
IC1  M(α 1  IE1  ICB01)  M(α 1  IA  ICB01)
M(I0  α 2 IP)
IC2  M(α 2  IE2  ICB02)  M[α 2 (IA  IP)  ICB02]  IA 
1  M(α 1  α 2 )
În acest caz comutaţia directă a tiristorului apare la o UA directă mult mai mică, deoarece acţiunea
Ip constă în creşterea lui  2 şi îndeplinirea condiţiei de comutaţie M (1   2 )  1 la o U mai mică.
Dacă IP este suficient de mare, amorsarea tiristorului se poate produce şi la o tensiune UA egală cu
căderea de tensiune pe tiristor în condiţia directă (1...2V), deci M=1. Caracteristica circuitului de
poartă a tiristorului IP(UP) este asemănătoare unei diode, având o cădere de tensiune mai mare
(2…3V – figura 9.5), datorită rezistenţei serie a regiunilor neutre.
IP şi UP, necesare pentru a realiza comutaţia

directă, scad cu temperatura şi prezintă o anumită
dispersie tehnologică. În cataloage se indică U continuă
maximă ce poate fi aplicată porţii fără să provoace
comutaţia la nici un exemplar, precum şi tensiunea
minimă care asigură comutaţia tuturor exemplarelor.
Fig. 9.5
9.1.2. Procese tranzitorii la comutaţia tiristoarelor
Comutaţia directă normală
Dacă un tiristor este conectat ca în figura 9.6 şi se aplică circuitului de poartă o treaptă de
curent, IA se va stabili la valoarea de regim staţionar cu o anumită întârziere (fig. 9.7).
Fig. 9.6 Fig. 9.7

Timpul de comutaţie directă tcd, reprezintă intervalul de timp măsurat din momentul aplicării
treptei de curent iP şi până când ia atinge 90% din valoarea de regim staţionar. tcd = tI + tr; ti = timp
de întârziere (0...0,1IA); tr = timp de ridicare (0,1...0,9IA) în general tcd = 1...10 sec. Timpul ti este
determinat de durata compensării sarcinii spaţiale a joncţiunii J2, în vederea polarizării directe a
acesteia, precum şi de durata necesară deplasării purtătorilor de sarcină ai tranzistoarelor T1, T2
pentru realizarea reacţiei pozitive.
Timpul de ridicare tr, este determinat de necesitatea acumulării unor sarcini de purtători
minoritari în exces în bazele T1, T2, pentru a se asigura trecerea curentului prin dispozitiv. Iniţial
amorsarea tiristorului se petrece într-o zonă din imediata vecinătate a electrodului de comandă,
numită zonă de conducţie primară, având forma unui canal îngust. Apoi această zonă se va propaga
în restul dispozitivului cu o viteză de cca. 100 m / sec. Dacă pe durata tr, circuitul în care este
conectat tiristorul permite o creştere rapidă a IA, densitatea de curent în zona de conducţie poate
deveni foarte mare, în acelaşi timp, descreşterea tensiunii la bornele tiristorului nu se petrece
instantaneu. Ca urmare, puterea instantanee disipată pe tiristor este mare. Deoarece puterea
instantanee se disipă numai în zona redusă de conducţie, această zonă se poate topi ducând la
distrugerea tiristorului prin efect di / dt. O secţiune printr-un tiristor distrus prin efect di / dt pune în
evidenţă un crater, în apropierea porţii, pe toată grosimea pastilei de Si.
Protejarea tiristorului împotriva distrugerii prin efect di / dt se realizează introducând o
inductanţă în serie cu acesta care să limiteze viteza de creştere a curentului. Totodată I de poartă
trebuie sa aibă un front foarte bun pentru a mări zona de conducţie primară a tiristorului. În
cataloage se indică di / dt max. al tiristorului (uzual 50...100 A/s) .
Comutaţia inversă
Presupunem tiristorul din figura 9.6 în conducţie. Vom realiza trecerea sa în stare de blocare
prin inversarea polarităţii sursei EA. În figura 9.8
sunt date variaţiile în timp ale IA şi UA. Imediat
după momentul t0, în care s-a inversat polaritatea
sursei EA, joncţiunile tiristorului rămân polarizate
direct deoarece la marginile regiunilor de tranziţie
ale joncţiunilor concentraţiile purtătorilor
minoritari sunt mai mari ca la echilibru. Prin
tiristor va circula un curent de sens invers
EA
IR  RS , eliminându-se purtătorii minoritari. În
momentul t1 dispare excesul de purtători
minoritari în joncţiunea J3. Tensiunea pe tiristor
îşi schimbă semnul, iar rezistenţa acestuia creşte.
Va scade curentul invers prin tiristor. În
momentul t2 se polarizează invers şi J1, iar în t3
IA=0. Dacă imediat după t3 s-ar aplica tiristorului
o tensiune directă acesta ar comuta, deoarece
concentraţia purtătorilor de sarcină în J2 este mai
Fig. 9.8 mare ca la echilibru. Abia după t4, tiristorul se
consideră blocat. Se numeşte timp de comutaţie
inversă tq (timp de revenire) durata dintre momentul aplicării unei tensiuni inverse pe tiristor şi
momentul în care acesta poate bloca o tensiune directă. Cunoaşterea tq este importantă pentru
proiectarea circuitelor de comutaţie forţată. În funcţie de valoarea sa tiristoarele se împart în 4
categorii:
- ultrarapide - tq =5...10s;
- rapide - tq =10...30s;
- normale - tq =30...100s;
- lente - de regulă în catalog nu se indică tq (sunt folosite în circuite cu comutaţie
naturală; ex.: redresoarele comandate).
Comutaţia directă anormală prin efect du / dt
Se aplică unui tiristor o tensiune directă, cu o anumită viteză de creştere în timp şi care se
menţine sub Ustrd. Mărind progresiv viteza de creştere se constată că la un moment dat, tiristorul
amorsează (curba 2 din fig. 9.9). UA scade la 1...2V. Se spune că s-a atins viteza de creştere critică,
notată (du / dt)critic sau că tiristorul a amorsat prin efect du / dt. Explicaţia fenomenului se poate da
considerând capacitatea prezentată de joncţiunea J2 a tiristorului, care depinde de tensiunea de la
extremităţile joncţiunii. CJ2 apare conectată ca în figura 9.10 în schema echivalentă, ICJ2 poate să
atingă o valoare importantă dacă viteza de creştere a tensiunii duA / dt este suficient de mare.
Fig. 9.9 Fig. 9.10
d du dC J2
I CJ2  (C J2 u A )  C J2 A  u A
dt dt dt
Acest curent se închide prin bazele T1 T2 şi are acelaşi efect ca şi curentul de poartă,
determinând comutarea directă a tiristorului. Intrarea în conducţie a tiristorului prin efect du / dt se
face într-o zonă puţin definită a dispozitivului. Apar puncte în care densitatea de curent este
inadmisibil de mare numite "puncte fierbinţi", în care materialul îşi pierde proprietăţile. Aşadar,
comutarea prin du / dt pe lângă faptul că este necontrolată, putând conecta un circuit într-un
moment nepotrivit, duce la distrugerea tiristorului, dacă se repetă de câteva ori. Constructorul
indică în cataloage (du / dt)max. care poate fi 20...1000 V / s. Pentru tiristoarele care au du / dt
20...90 V / s, o rezistenţă între P şi C face ca tiristorul să suporte o viteză du / dt mai mare. Viteza
critică du / dt la care amorsează un tiristor depinde de următorii factori:
- scade cu creşterea tensiunii de palier upr
- scade la creşterea temperaturii
- creşte prin injecţia IP<0 (fără a depăşi Uinv max. PC)
- creşte cu creşterea tensiunii existente pe tiristor în momentul aplicării unei rampe de U
Pentru evitarea comutaţiei directe prin efect du / dt se folosesc circuite de protecţie RC (fig.
9.11 a, b, c).
Fig. 9.11
t
La închiderea contactului K, D intră în conducţie şi u A  u C  E A (1  e R SC ) .
t
du A E
 A  e R SC are maximul la t = t0 = 0
dt R SC
 du A  E E
   A  Dacă EA este apropiată de Ustrd  C  Adu , du / dt fiind valoarea de
 dt  max R S C R S dt
0.6E A
catalog a tiristorului. Dacă EA < 0.5 Ustrd se poate folosi relaţia C  .
R S du
dt
R limitează curentul de descărcare a C prin tiristor. Uzual R=10..50 D lipseşte, iar dacă
R<<RS performanţele celor două scheme sunt asemănătoare (fig. 9.11 c).
Grupul RC paralel mai prezintă 2 avantaje:
- protejează tiristorul la supratensiuni
- ajută comutarea directă a tiristorului, dacă sarcina acestuia este inductivă, deoarece
condensatorul se descarcă prin tiristor, depăşindu-se astfel IH. Pentru sarcini inductive se folosesc
impulsuri late pentru comandă. Datorită transformatoarelor de impuls care nu pot transmite
impulsuri late, se transmit trenuri de impulsuri.
Protecţia tiristoarelor la supracurenţi
Monocristalele de Si, având dimensiuni foarte reduse, rezistă foarte puţin la curenţi mai
mari decât cei nominali. Dispozitivele de protecţie la supracurenţi pot fi întrerupătoare de putere,
siguranţe fuzibile ultrarapide (din Ag) etc., corelându-se timpul de acţionare al dispozitivului de
protecţie cu caracteristica de suprasarcină a tiristorului (conform catalog).
Exemple de tiristoare produse de IPRS Băneasa:
1A T1N05...T1N8
T1R05...T1R8, echivalent KY112A (Rusia)
3A T3N05...T3N8
T3F05...T3F8
T3N05P...T3N6P (F)
6A T6N05P...T6N5P
T6F05P...T6F5P
10A T10N05...T10N8 Fig. 9.12
T10R05...T10R8
Urmează tiristoare de 16A, 22A, 32A, 50A, 63A, 80A, 100A, 150A, 200A, 250A, 320A, 350A,
400A, 450A, 500A, 700A maxim pentru tiristoare normale şi 600A maxim pentru tiristoare rapide
(codificate F/R).
9.1.3. Tipuri speciale de tiristoare
1. Dioda pnpn (Shockley)
Este un tiristor fără poartă. Se mai numeşte şi

tiristor - diodă sau dinistor. Este folosită ca element
detector de nivel pentru semnale lent variabile, sau ca
generator de relaxare.
Uprag = 18..50 V, IH = 1..5 mA
Fig. 9.13
2. Dioda BOD (Break-Over Diode)
Este un tiristor fără poartă, de putere mare si tensiune ridicată (Uprag = 500…4000V). Intră în
conducţie prin autoaprindere (comutare directă prin depăşirea Ustrd) şi se blochează dacă curentul
prin ea scade sub valoarea curentului de menţinere IH.
3. Tiristor cu comanda comutaţiei inverse pe poartă (Gate Turn Off – GTO)
Dispozitivul comută direct ca un tiristor obişnuit, dar poate fi

comutat invers printr-un curent de poartă negativ, care duce la
eliminarea purtătorilor minoritari în exces. GTO se realizau iniţial
numai la curenţi mici (< 2A), iar IP pentru comutaţia inversă putea
atinge valoarea -IP=0.5IA (în prezent se ajunge până la 1000A şi
6KV). Se mai foloseşte simbolul obişnuit de tiristor cu iniţialele
Fig. 9.14 GTO, precum şi denumirea de tiristor cu revenire cu o poartă, sau
tiristor cu blocare pe poartă. Au apărut şi GTO cu poartă MOS având
IP = 0.
4. Tiristoare cu revenire cu două porţi
O poartă este anodică şi alta catodică. Ele comută direct, injectând IP>0 în GC
sau IP < 0 în GA. Pentru comutaţie inversă, se schimbă sensul curenţilor. Sunt scumpe.
Fig. 9.15
5. Darlistorul
Este un tiristor cu performanţe superioare în ceea ce priveşte di / dt şi du / dt.

Pe aceeaşi pastilă de Si se integrează două tiristoare: T1 de comandă şi T2 cel
principal. După comutarea directă a lui T2, T1 comută invers.
Fig. 9.16
6. Triacul (tiristor-triodă bidirecţional)
Este un dispozitiv bidirecţional care poate înlocui două

tiristoare montate antiparalel, dar are mai multe posibilităţi
(moduri) de comandă:
I. uT2 > uT1, uG > uT1 (U anodică polarizată direct, iar IP > 0);
tiristor obişnuit;
II. uT2 > uT1, uG > uT1 – există un tiristor principal şi unul
secundar, tiristor având poarta realizată sub forma unei
joncţiuni suplimentare;
III. uT2 < uT1, uG < uT1 – tiristor cu poartă depărtată;
IV. uT2 < uT1, uG > uT1 – tiristor cu poartă depărtată (tiristor
Fig. 9.17
secundar şi tiristor principal).
În cazurile I şi III triacul are cea mai bună sensibilitate de comandă, iar în IV cea mai
redusă. Parametrii du / dt şi di / dt depind de modul de comandă. Dacă pentru I şi II (di / dt)cr = 200
A / sec, atunci pentru III şi IV avem 100 A / sec.
Ex.: TB6N2...6, TB10N2...6.
7. Diacul
Fig. 9.18.a
Sub această denumire se întâlnesc două structuri:

1. O structură cu cinci zone (două diode Shockley antiparalele);
2. O structură cu trei zone uniform dopate la care joncţiunea polarizată invers străpunge
nedistructiv.
Se foloseşte în circuitele de comandă ale triacurilor.
Up = 10...50 V, I = 0.2...0.3 A.
Ex.: DC32 (Up = 32V), DC 38, DC 44, DC 50.
Fig. 9.18.b
8. Quadracul
Denumire comercială, dispărută actualmente, pentru un triac cu diac încorporat.
9. Contactor static unilateral cu siliciu (Silicon Unilateral Switch – SUS)
Este un tiristor cu poartă

anodică şi o diodă Zener. Deschiderea
diodei asigură IP pentru tiristor.
Fig. 9.19
10. Contactor bilateral cu siliciu (SBS)
Este folosit în circuitele de comandă ale triacurilor.

Fig. 9.20
9.2. TRANZISTORUL UNIJONCŢIUNE (TUJ)
Prima structură de TUJ conţinea o bară de siliciu uniform dopată de tip n, având la mijloc o
mică regiune p, numită emitor. Capetele barei se numesc baze. Bara este slab dopată.
RBB = 1..10 K
Emitorul formează cu fiecare dintre Fig. baze9.21

diode obişnuite. Funcţionarea se bazează pe
controlul conductivităţii regiunii EB1 cu ajutorul tensiunii UEB1. Uzual B1 este electrod de referinţă
şi UBB 10 V.
R B1 R
Se numeşte factor de divizare intrinsec    B1  0.4...0.8 . Dacă UEB1 < UBB,
R B1  R B 2 R BB
atunci EB1 este polarizată invers, iar IE0. Când UEB1 = UBB + UD UBB, atunci TUJ-ul
amorsează. Dioda EB1 devine polarizată direct, emitorul injectează goluri în zona EB1, rezistenţa
zonei EB1 scade şi apare o zonă PV cu rezistenţă negativă în caracteristica TUJ-ului. Dacă UEB1
creşte, atunci caracteristica devine cea a unei diode obişnuite.
Parametrii de catalog:  UP (pisc), UV (vale), RB1B2, IE max.
Este folosit ca oscilator de relaxare pentru comanda tiristoarelor; în circuitele de relaxare, de
memorie, la releele electromagnetice.
În figura următoare se prezintă un oscilator de relaxare cu TUJ, precum şi formele de undă.
Fig. 9.22
Condensatorul C se încarcă prin R către EA. Atunci când uC(t) = EA, TUJ-ul comută şi C se
descarcă pe R1. Variaţia tensiunii la bornele condensatorului este descrisă de relaţia:
t
u C (t)  u F  (u I  u F )e RC
- uI = uV – tensiunea iniţială (la t = 0)
- uF = uFinala = lim uC(t) = EA – tensiunea spre care se încarcă condensatorul (t ).
t
Rezultă u C (t)  E A  (u V  E A )e RC .
Durata de încărcare a condensatorului (t1) se determină din condiţia uC(t1) = EA
uV
 t1
u  uI 1  EA
 ηE A  E A  (u V  E A )e RC  t 1  RC ln F  RC ln
u F  ηE A 1 η
Durata de descărcare a condensatorului (t2) este proporţională cu R1 care va avea 50..200 
1
t2 << t1; uV << EA  T  t 1  RC ln 
1 η
R2 este introdus pentru a realiza o compensare termică şi se dimensionează cu relaţia
1  u
R 2  R1  R B1B 2 D .
 E A
Montajul funcţionează ca oscilator de relaxare doar dacă dreapta de sarcină corespunzătoare
rezistorului R intersectează caracteristica TUJ-ului în zona de rezistenţă negativă. Rezultă condiţia:
EA  uV 1 
 R  EA .
IV IP
Perioada oscilatorului poate fi modificată variind R sau C. Variaţia perioadei se mai poate
obţine prin modificarea tensiunii iniţiale pe C, sau folosind un TB introdus în serie sau în paralel cu
condensatorul.
Ex. (în ţară): ROS11, 12, 2N1671, 2160, 2646, 3479...3484.
Fig. 9.23
Rusia: KT117A.
TUJ programabil (TUP)

R1
Este similar cu tiristorul cu poarta anodică.  
R1  R 2
Se urmăreşte ca I pe rezistenţa R să fie mai mic decât curentul de menţinere pentru blocarea
tiristorului după ce se descarcă condensatorul.
Temă: să se proiecteze un oscilator cu un

tiristor normal în loc de TUJ, folosind o
diodă Zener, trei rezistenţe şi un
condensator.
Fig. 9.24 Fig. 9.25

DCE - Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE 89
Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
10.1. GENERALITĂŢI
În această categorie intră dispozitivele ce transformă energia electrică în radiaţii şi invers.

Pot fi împărţite în trei categorii:
1. - fotodetectoare – detectează semnalele optice prin procese electrice. Ex.: fotorezistoarele,
fotodiodele, fototranzistoarele şi fototiristoarele.
2. - celule fotovoltaice (celule solare, fotoelemente) – transformă radiaţiile optice în energie
electrică.
3. - electroluminescente – transformă energia electrică în radiaţie optică. Ex.: diodele fotoemisive
(LED-uri), laserul cu semiconductor.
Se folosesc la instalaţii de automatizare, telecomandă, afişaj numeric, fibre optice.
Dispozitivele fotodetectoare şi celulele fotovoltaice funcţionează pe baza procesului de
generare a purtătorilor mobili sub acţiunea radiaţiilor numit efect fotoelectric intern. Curentul invers
rezidual într-o joncţiune p-n este datorat purtătorilor minoritari. Energia care eliberează aceste
perechi electron-gol este în mod normal pur termică. Însă dacă se permite luminii să cadă pe o
joncţiune, se obţine o creştere mare a numărului de purtători minoritari. Electronii şi golurile sunt
eliberaţi de energia fotonilor incidenţi, producând o creştere mare a curentului invers rezidual.
Dispozitivele electroluminescente funcţionează pe baza procesului de recombinare radiativă
a purtătorilor în exces dintr-un semiconductor, iar concentraţia excedentară poate fi realizată prin
injecţie, cu ajutorul unei joncţiuni p-n.
10.2. FOTOREZISTORUL
Constă dintr-o peliculă semiconductoare

policristalină. În absenţa fluxului luminos rezistenţa are o
valoare mare (1M). Când fotorezistorul este iluminat R
scade până la valori de ordinul a 100  (la iluminări
puternice sensibilitatea lui variază cu lungimea de undă a
radiaţiilor). Există o întârziere între variaţia iluminării şi
variaţia rezistenţei datorită timpului de viaţă al purtătorilor
Fig. 10.1
în exces.
10.3. FOTODIODA
O fotodiodă constă dintr-o joncţiune p-n

polarizată invers montată într-o capsulă prevăzută cu o
fereastră transparentă. În absenţa fluxului luminos,
joncţiunea polarizată invers este străbătută de curentul de
saturaţie (de întuneric) care este  la Ge şi 1 nA la Si.
Când joncţiunea este iluminată, apare un curent
proporţional cu iluminarea; de exemplu curentul creşte la
circa 1A la Si pentru o iluminare cu intensitatea de 1
mW / cm2 . Aceasta este intensitatea tipică dată de un Fig. 10.2
bec de 60 W la o distanţă de circa 30 cm (200 lux).
EA
Curentul maxim din montaj I A max  . Ex.: ROL021, 121...127.
RS
10.4. FOTOTRANZISTORUL
Un dezavantaj al fotodiodelor îl constituie sensibilitatea lor relativ scăzută. Un fototranzistor

este un tranzistor normal, prevăzut în capsulă cu o fereastră transparentă. Unele fototranzistoare
90 DCE - Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
sunt montate într-un plastic transparent; partea superioară este convexă, pentru a acţiona ca o
lentilă, focalizând lumina pe tranzistor şi astfel ducând la creşterea sensibilităţii dispozitivului,
totodată făcându-l direcţional. Când cade lumina pe tranzistor, purtătorii minoritari sunt eliberaţi la
ambele joncţiuni, dar cei ai joncţiunii colector - bază, polarizate invers, dau naştere fotocurentului.
Fototranzistorul poate fi privit ca o fotodiodă cu amplificator înglobat în structura semiconductoare;
joncţiunea C-B este fotodioda de bază (pe care cade
lumina) iar joncţiunea E-B are rolul de a amplifica
fotocurentul prin efectul de tranzistor. Curentul de
întuneric este I CE 0  (  1)I CB0 , deci mai mare faţă de cel
de la diodă, iar sensibilitatea este de (+1) ori mai mare
decât la fotodiodă. Terminalul de bază este în mod normal
nefolosit, multe fototranzistoare prezentând doar două
terminale externe: colectorul şi emitorul.
Fig. 10.3 Ex.: ROL 031...036.
10.5. FOTOTIRISTORUL
Fluxul luminos se aplică pe regiunea bazelor tranzistoarelor echivalente

tiristorului şi are acelaşi efect ca o tensiune de comandă pe poarta unui tiristor
obişnuit.
Fig. 10.4 Ex.: ROL37 (A,B).
10.6. CELULE FOTOVOLTAICE (SOLARE, FOTOELEMENTE)
Constă dintr-o joncţiune p-n de arie mare din Si, GaAs etc. Randamentul
de transformare a energiei luminoase în energie electrică este de 10 O celulă
având suprafaţa de 1 cm2 poate furniza 20 mW la U = 0,5 V când este expusă la
Fig. 10.5 soare. Ex.: ROL 11...17, ROL 41...50.
10.7. DIODE FOTOEMISIVE (ELECTROLUMINESCENTE, LED-uri)
Sunt diode semiconductoare ce emit radiaţii luminoase când sunt

polarizate direct. Se folosesc ca dispozitive de afişaj sau elemente de cuplaj
optoelectronic. Idirect = 1...100 mA; U = 1...2 V; randamentul de transformare a
energiei electrice în radiaţii luminoase este 1...5 . Materialele utilizate sunt
Fig. 10.6
GaAs pentru infraroşu sau Ga(AsP) pentru roşu, portocaliu, galben, verde,
albastru. LED-urile de culoare albastră sunt scumpe şi rare.
Ex.: ROL 02, 03 (roşu), 05 (portocaliu), 07 (galben), 09 (verde), 91 (infraroşu);
MDE 1101R, G, V, P
Element de afişare cu 7 segmente (7 diode LED)
Ex.: - cu catod comun: MDE 2111R, V, G, P
- cu anod comun: MDE 2101R, V, G, P
Fig. 10.7
Optocuplor LED - fototranzistor (sau optoizolator).
Fototranzistorul captează variaţiile de intensitate luminoasă emise de

dioda LED, permiţând cuplajul prin "lumină" între două circuite izolate
complet din punct de vedere electric. Se foloseşte pentru separare galvanică. Se
Fig. 10.8 garantează uzual izolaţii de 2,5 kV între LED şi fototranzistor.
Poate fi cu 4 sau 5 (6) terminale (baza poate fi scoasă în exterior sau nu). Se pot transmite prin ele
semnale digitale şi chiar liniare. Ex.: ROL 61, MB104D.
DCE - Cap. 11. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC 91
Cap. 11. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC
11.1. GENERALITĂŢI
11.1.1. Parametrii şi caracteristicile amplificatoarelor
Amplificatorul electronic este un cuadripol activ,
care are două borne de intrare şi două borne de ieşire. Un
amplificator are rolul de a dezvolta în circuitul de ieşire o
putere mai mare decât cea aplicată la intrare, fără a
modifica forma semnalului amplificat. Câştigul de putere
rezultă pe seama consumului de energie de la o sursă de
Fig. 11.1 alimentare care de obicei nu se figurează în schemele
bloc. În simbolizarea amplificatorului (fig. 11.1) se
indică sensul de creştere a puterii (>), de la intrare spre ieşire.
Principalii parametri ai unui amplificator sunt: amplificarea în tensiune, amplificarea în
curent, impedanţa de intrare, impedanţa de ieşire, puterea nominală şi raportul semnal/zgomot.
Amplificările şi impedanţele deja au fost definite.
Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină, în condiţiile în care factorul de
distorsiuni de neliniaritate “d “ (care va fi definit ulterior) nu depăşeşte o valoare limită impusă (de
exemplu 5 %).
Raportul semnal/ zgomot propriu (S/Z, S/N, noise) constituie un parametru ce caracterizează
efectul tensiunii fluctuante de la ieşirea amplificatorului, existentă şi atunci când la intrare nu se
aplică semnal. Această tensiune se numeşte zgomot propriu al amplificatorului şi se datorează
agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare (electronilor) din rezistoare şi din tranzistoare,
tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor electromagnetice din mediul
înconjurător, componentei alternative din tensiunea de alimentare (datorită comportării neideale a
filtrului din componenţa redresorului), etc. Zgomotul propriu se apreciază prin factorul de zgomot,
definit prin expresia F = (Pz2) / (Pz1*Ap), unde Pz1 este puterea de zgomot a generatorului
conectat la intrarea amplificatorului, Pz2 este puterea de zgomot la ieşirea amplificatorului, iar Ap
este amplificarea în putere a amplificatorului. Este necesar ca zgomotul propriu să fie cât mai redus
(deci F cât mai mic), iar raportul semnal / zgomot să fie cât mai mare. În acest scop se adoptă soluţii
corespunzătoare, atât în faza de proiectare, prin alegerea unor componente electronice cu zgomot
propriu cât mai redus, cât şi în faza de realizare tehnologică a amplificatorului.
Principalele caracteristici ale amplificatorului sunt: caracteristica intrare - ieşire şi
caracteristicile de frecvenţă (diagrame Bode).
Caracteristica intrare - ieşire reprezintă dependenţa U2 = f(U1), de exemplu figura 11.2. Ea
U2
conţine o zonă de variaţie liniară, cuprinsă între -U1m
şi U1m, şi două zone de variaţie neliniară, numite şi
U 2M zone de saturaţie. Dacă se lucrează şi în regiunea de
saturaţie, semnalul de ieşire apare distorsionat
-U 1M U 1M U1
(deformat). Aceste distorsiuni se numesc distorsiuni de
-U 2M neliniaritate. În cazul unui etaj de amplificare cu
tranzistor bipolar, aceste distorsiuni apar când în
funcţionare se intră în regiunile de saturaţie sau de
Fig.Fig.
11.2
2 blocare (fig. 11.3).
Chiar şi în regiunea activă, caracteristicile
tranzistorului nu sunt perfect liniare. Aprecierea valorică a distorsiunilor de neliniaritate se face cu
ajutorul factorului de distorsiuni de neliniaritate, definit de expresia
A 22  A 32  A 24  ...
d * 100 % , unde A2, A3, …, sunt armonicele de amplitudine ale
A1
semnalului de ieşire distorsionat, în condiţiile când la intrare s-a aplicat un semnal perfect
sinusoidal (fundamentala A1). Fără distorsiuni: d = 0; U2 = A1; A2 = A3 =… = 0. Uzual d < 10 %.
92 DCE - Cap. 11. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC
Caracteristicile de frecvenţă ale amplificatorului (diagrame Bode) reprezintă dependenţele

amplificare-frecvenţă şi defazaj-frecvenţă. Dependenţa amplificare-frecvenţă poartă denumirea
uzuală de caracteristică de frecvenţă (fig. 11.4). În practică interesează domeniul de frecvenţă în
care amplificarea este aproximativ constantă. Acest domeniu se numeşte bandă de trecere a
amplificatorului şi se defineşte ca fiind intervalul pe axa frecvenţelor, în care amplificarea nu scade
cu mai mult de 3 dB, faţă de amplificarea de la frecvenţa medie a benzii.
A
[dB] [dB]
A0 0 3 dB
A0
 0,7  A 0
2 -3
f
Fig. 11.3 fj fi
Fig. 11.4
Semnal distorsionat în
regiunea de tăiere
Scăderea cu 3 dB (AdB = 20*lg(U2 / U1) = 20*lgA) este echivalentă cu scăderea A la
1
valoarea A0 / 2 = 0.707 A0. Aceasta corespunde micşorării la a puterii la ieşirea
2
amplificatorului. Frecvenţele fj, fi se numesc frecvenţe de tăiere (fj - f. joasă de tăiere, fi - f. înaltă de
tăiere). De exemplu pe cadranul de la multimetrul MAVO este scris că nivelul de 0 dB corespunde
la 1 mW pe 600 , ceea ce înseamnă o valoare efectivă a tensiunii, Uef = 0,775 V. 1 dB corespunde
atenuării semnalului pentru o milă de cablu de telecomunicaţii standard în SUA. Unitatea tolerată
este neperul:
U U P P P
A  2 ; AN P  ln 2 [Neperi]; AP  2 ; APdB  10 * lg 2 ; APNe  0,5 * ln 2
U1 U1 P1 P1 P1
Dacă spectrul semnalului amplificat nu este cuprins în banda de trecere a amplificatorului,
apar distorsiuni de frecvenţă sau de liniaritate (amplificatorul funcţionează în regiunea liniară). În
acelaşi timp banda de trecere a amplificatorului nu trebuie să fie mult mai largă decât spectrul
semnalului amplificat, deoarece amplificarea scade raportul semnal / zgomot prin amplificarea
inutilă a zgomotului, care are un spectru foarte larg.
Dependenţa defazaj – frecvenţă se 
numeşte caracteristică de fază. Ea este
importantă la amplificatoarele pentru
osciloscoape, televiziune, transmisii de date
etc. Elementele reactive din amplificator
introduc defazaje variabile cu frecvenţa, ceea  j
ce determină distorsiuni de fază. În porţiunea fj fi f
liniară din figura 11.5.a, distorsiunile de fază
nu afectează practic forma semnalului, apărând α = arctg 2 π t0 i
doar o întârziere cu timpul t0. Se definesc fj, fi Fig. 11.5.a
la care apar abaterile j, i.
11.1.2. Clasificarea amplificatoarelor

Se poate face după mai multe criterii:
1. După felul semnalului de amplificat deosebim: amplificatoare de c.c., curba 2 din figura 11.5.b,
cu fj = 0, precum şi amplificatoare de c.a. având fj  0 (curbele 1 şi 3).
2. După nivelul semnalului de amplificat: amplificatoare de semnal mic (uzual de tensiune), la care
variaţiile semnalului sunt mici faţă de A
valorile corespunzătoare PSF şi 2 3
1
amplificatoare de semnal mare (de putere). L
3. După valoarea frecvenţei medii din spectrul
semnalului amplificat:
f
- de joasă frecvenţă (audiofrecvenţă)
- de înaltă frecvenţă (MHz) Fig.F 11.5.b
ig . 5
- de foarte înaltă frecvenţă (GHz), microunde
4. După lăţimea benzii amplificatorului (fig. 11.5.b):
- de bandă îngustă (selective): fI / fj  1,2 (curba 3, fig. 11.5.b)
- de bandă largă: fI / fj = 105… 106 (ex. videofrecvenţa)
5. După poziţia PSF a dispozitivelor electronice (fig. 11.6):
- clasa A (PSF în regiunea liniară, tranzistorul conduce tot timpul,  = unghiul de conducţie =
360°)
- clasa B (PSF în regiunea de blocare, la limită cu
regiunea de conducţie, tranzistoarele conduc o
semiperioadă,  = 180° - figura 11.7).
- clasa AB ( > 180°, PSF se află în regiunea
activă, însă în vecinătatea zonei de blocare )
- clasele C, S şi D (având  < 180°) sunt
caracteristice amplificatoarelor selective de putere. PSF
Randamentul în clasa C poate atinge 80 %. În clasa
S, sarcina utilă este inclusă într-un circuit rezonant
serie (RLC), la bornele căruia sursa de alimentare de Fig. 11.6. Clase de funcţionare
c.c. se aplică în durate egale cu polaritatea inversată (
se apropie de 100%). Regimul clasa D se referă la
amplificatoarele care lucrează cu impulsuri. Semnalul
de intrare este transformat de impulsuri, care sunt   180 t
amplificate cu  ridicate. La ieşire, cu ajutorul unor
filtre, se reproduce cu o anumită eroare, forma de undă Fig. 11.7. Clasa B de funcţionare
de la intrare.
Există şi alte criterii de clasificare: după tipul cuplajului între etaje (de c.c., RC, LC, cu
transformator, optic, etc.), după simetria etajului (asimetrice - etaj cu un tranzistor, simetrice - în
contratimp, etaj diferenţial), etc.
Introducem noţiunea de amplificator ideal: este acel amplificator ale cărui proprietăţi rămân
invariante la modificarea sarcinii şi a generatorului. Impedanţa de intrare se defineşte ca Zin = U1 / I1
amplificatorul fiind neîncărcat la ieşire (dacă ieşirea este generator de tensiune se desface RS, dacă
este generator de curent se produce un scurtcircuit peste RS).
Impedanţa de ieşire se defineşte Zies =U2 / I2 cu condiţia neatacat la intrare, adică cu sursa de
semnal pasivizată (sursele de curent se îndepărtează, cele de tensiune se înlocuiesc cu scurtcircuite).
Nu există amplificator ideal. Totuşi pentru un amplificator cu ieşirea în tensiune, dacă Zies << RS,
amplificatorul lucrează în gol şi-l putem considera un generator ideal de tensiune. Dacă ieşirea este
în curent şi Zies >> RS, amplificatorul lucrează în scurtcircuit şi-l putem considera un generator ideal
de curent. Similar vom considera amplificatorul ca fiind ideal dacă:
a) este “atacat” în curent şi Zin<< Rg; b) este “atacat” în tensiune şi Zin>>Rg.
11.1.3. Etaje de amplificare. Cuplarea etajelor

Împărţirea circuitelor în blocuri (etaje) este avantajoasă d.p.d.v. al proiectării şi al execuţiei
practice. Se vor studia etaje de amplificare cu două tranzistoare. Un amplificator de audiofrecvenţă
se poate obţine de exemplu din mai multe etaje amplificatoare de tensiune (de semnal mic,
preamplificatoare) şi un etaj de amplificare de semnal mare, de putere. Cuplajul cu sursa de semnal,
cu sarcina, şi cuplajul în cascadă a etajelor între ele se poate face direct, prin condensator, prin
transformator sau prin alte mijloace (optic, acustic, electromecanic).
Cuplajul direct se foloseşte pentru amplificatoare de c.c. PSF al unui tranzistor depinde de PSF al
tranzistorului din etajul anterior. Exemplu: figura 11.8 - circuitul
integrat TAA 263. În circuitele integrate se evită
condensatoarele, folosindu-se cuplajul direct. Cea mai răspândită
schemă este cea de amplificator diferenţial (subcap. 11.4.4).
Cuplaje prin condensator (RC) au avantajul separării etajelor
în c.c. La frecvenţe joase, amplificarea va scade, acest cuplaj
neputând fi folosit în c.c.
Cuplajul prin transformator asigură o izolare galvanică (în c.c)
şi / sau o eventuală transformare a tensiunii sau o adaptare la
rezistenţa de sarcină. Fig. 11.8.
11.2. CARACTERISTICI DE FRECVENŢĂ

11.2.1. Efectul condensatoarelor asupra răspunsului la frecvenţe joase
11.2.1.1. Influenţa grupului de polarizare din sursa unui TEC-J asupra răspunsului la frecvenţe
joase (TEC-J canal n, conexiune sursă comună)
+ED
RD CG ID CD
g b
CD
gm Ugs I2
CG R gn Ugs
RD RL uies
RG
s u2
RL
Rgm RG uies
ug ~ Rs Cs
Rs
Ug
~ Cs u1
Zs
Fig. 11.9 Fig. 11.10

Circuitul de polarizare pentru negativare automată din sursa
1
Rs-Cs, nu mai satisface condiţia de scurtcircuit dacă frecvenţa RS
de lucru a etajului scade sub o anumită limită. Observând Z  jC S RS
S 
circuitul de intrare se constată că o parte din tensiunea utilă U1 1 1  jC S R S
RS 
se distribuie pe Rs-Cs, reducându-se Ugs, care comandă jC S
generatorul de curent de la ieşire. U1 = Ugs + gm·Ugs·Zs
Zs este impedanţa din sursă.
Uzual RG=MΩ, Rgen= sute de ΩUgu1. La frecvenţe joase 1/CD creşte foarte mult. De
asemenea RL poate fi foarte mare, dacă este impedanţă de intrare într-un circuit similar cu cel din
figura 11.9. (RL=RG=M). Se poate considera că practic U2 = Uieş ( RL >> 1/CD), etajul fiind
încărcat la ieşire doar cu RD (RL>>RD). Elementele neglijate sunt tăiate pe figura 11.10 cu linie
întreruptă. U ies  U 2   g m U gs R D
u ies g m u gs R D g m R D (1  jC S R S ) g R 1  jC S R S

A ug     m D  
Ug  RS  1  jC S R S  g m R S 1 gmRS CS R S
U gs 1  g m  1  j
 1  jC S R S  1 gmRS
j zerou
1
g R 1
 m D 
1 gmRS j
1
2 pol
ω1<ω2, pulsaţii de frângere

1 |Aug| [dB]
1 
CS R S +20 dB/decadă
1 |Aum| 3dB
2  Caracteristica reala
1
C S RS |Auo|
1  g m RS
1 2 nu e ,,0”
f1  ,f2  =fj frecvenţă joasă de 1 2 
2 2 tăiere. fig.11.11
Fig. 11.11
g m R DCSR S
Aum  lim A ug     g m R D (amplificarea cu CS scurtcircuit la înaltă frecvenţă).
  CSR S
gmR D
Auo   (amplificarea fără CS).
1 gmRS
În figura 11.11 axele sunt logaritmice (decadice, adică intervale egale pe axe pentru o creştere a
frecvenţei sau amplificării de 10 ori; 0 la – pe axă). La pulsaţia de frângere 1, caracteristica
se frânge şi în continuare va evolua cu panta de +20 dB / decadă (+ pentru un zerou, căci factorul
este la numărător). La 2, factorul fiind la numitor, avem de-a face cu un pol, deci panta
caracteristicii va fi -20 dB / decadă faţă de panta anterioară (+20dB / decadă) => în final 0 dB /
decadă.
Observaţie. Am presupus polul suficient de depărtat de zerou pentru ca să nu se influenţeze între ei.
La TEC-J, gm fiind mic, caracteristica reală va avea panta mai mică de 20 dB / decadă. Să
demonstrăm că pentru un zerou tip monom panta este + 20 dB / decadă (fără influenţa altui pol sau
zerou). Fie AK = kj/1. Pentru o decadă (adică pentru o creştere a frecvenţei de 10 ori) 
Au(101 ) Au(101 ) 101
 20 lg  20 lg  20 dB pentru o decadă
Au(1 ) dB Au(1 ) 1
Altă exprimare: 6 dB / octavă, adică pentru dublarea frecvenţei. 20 * lg 2 = 200,3 = 6dB.
Pentru un binom AU = k(1+j / 1) o pantă mai mică
Au(101 ) 1  100 10
 20 lg  20 lg  20 lg 7  20  0,85  17 dB pentru o decadă.
Au(1 ) dB 11 2
Cu aproximaţie de 3 dB se consideră tot o pantă de 20 dB / decadă.
11.2.1.2. Influenţa condensatoarelor de cuplaj cu sursă de semnal (CB) cu sarcina (CS) şi de

decuplare din emitor (CE), asupra răspunsului la frecvenţe joase (pentru un etaj cu TB în EC)
Fig. 11.13
Fig. 11.12
a) Pentru simplitate presupunem CB şi CS scurtcircuite la frecvenţa de lucru şi urmărim doar

influenţa lui CE (fig. 11.13).
1
RE 
j C E RE R B || Z in
Ze  = ; u1  u g ; RS’=RS||RC
1 1  jC E R E R g  R B || Z in
RE 
j C E
u ies  i b  R S`    R S` R S` (1  jC E R E )
Au    
u1 i b  Zin rbe  Ze (  1) rbe (1  jC E R E )  R E (  1)
u ies u ies u 1  R S` R B || Z in
A ug       calcule prea complicate .
ug u1 u g rbe  Z e (  1) R g  R B || Z in
Pentru RB mare (zeci sau sute de KΩ) şi Rg mică (zeci de Ω), facem aproximaţia
j zerou
1
 R (1  jC E R E )
`
1
A ug  A u   S
  A uo
 C E R E  rbe  j
[ rbe  (  1) R E ]1  j  1
 rbe  (  1) R E  2
pol
ω1<ω2, similar ca la TEC-J (fig. 11.11), întâi un zerou şi apoi un pol.
1 1 R S`
1  ; 2  A uo 
CE R E rbe rbe  (  1)R E
CE R E
rbe  (  1)R E
R S`
La frecvenţe mai înalte (la mijloc de bandă) avem: A um  
 g m R S` .
rbe
Am presupus ZS=RS. Dacă se ia în considerare şi condensatorul de sarcină calculele se complică.
1 rbe  C E R E r C R r C
  be E E  be C E  E  C E  Z iesire pentru repetor pe emitor.
 2 rbe  (  1)R E (  1)R E  gm
b) Presupunem CE, CS scurtcircuite la frecvenţa de lucru şi urmărim doar influenţa lui CB
(fig.11.14). Uzual RB>>rbe , rbe||RBrbe. u1  u be , Zin  rbe
rbe || R B
u be  u g
|Aug| [dB] RB 1
Rg   rbe || R B
+20dB/decada j C B
|Aum| u ies  g m u be R S` rbe
3 dB A ug    
ug u be 1
R g  rbe 
 j C B
2
j g m rbe  j  C B  R S` R S`  jC B
Fig.Fig. 11.14
11.15   
1  jC B (R g  rbe ) 1  jC B (R g  rbe )
|Aug| [dB]
j zerou tip monom
(in origine la -)
+20dB/decadă 1
   Panta este de
|Aum| j 20dB/decadă.
3 dB 1
 are scară 2
pol
 logaritmică;
2
j f = 0 (originea) este la -;
Fig. 15
Fig. 11.15
1 1 g m rbe  R S`
1  ;  2  ; A um   ; gmrbe = ;
C B  R S` C B (R g  rbe ) R g  rbe
În figura 11.15 2 corespunde frecvenţei joase de tăiere (extremitatea inferioară a benzii).
La frecvenţe  0 se anulează amplificarea, deoarece există CB în serie. Am analizat numai
caracteristica amplificare-frecvenţă, nu şi caracteristica defazaj-frecvenţă.
c) Presupunem CB, CE scurtcircuite la frecvenţa de lucru şi urmărim influenţa lui CS (fig. 11.16).
RS rbe || R B
u ies  u 2 ; u be  u g ;
Cs 1 R g  rbe || R B
b c R S 
j C S
Rg Rc Rs
rbe V
V u u u u
A ug  ies  ies  2  be
gm ube ug u 2 u be u g
ug   1 
ube u2 uies g m R C ||  R S  
uin R S (rbe || R B )   jC S 
e A ug   
1 R g  rbe || R B
Fig. 11.16 R S 
jC S
Uzual RB>>rbe , rbe||RBrbe.
La frecvenţe  0 se anulează amplificarea, deoarece există Cs în serie.
1  jC S R S
RC 
g m rbe R S jC S jC S g m rbe R C jC S R C  (1  jC S R S )
A ug    
(R g  rbe )(1  jC S R S ) 1  jC S R S (R g  rbe )(1  jC S R S )(1  jC S R S  jC S R C )
RC 
jC S
j
g m rbe R C  jC S R S 1 1 
  k , similar ca în figura 11.15,  2  , fj  2
(R g  rbe )[1  jC S (R S  R C )] j C S (R S  R C ) 2
1
2
Dacă se ia simultan în considerare efectul celor 3 condensatoare, în funcţie de valoarea lor, unul
poate avea o influenţă mai mare (j mai mare) determinând un pol dominant. Pentru f = 0 graficul
porneşte de la - cu panta de + 40 dB / decadă (2 poli corespunzând lui CB si CS). Condiţia de
scurtcircuit pentru CB este uşor de asigurat, aşa că uzual CB nu dă pol dominant.
|Aug| [dB] +20dB/dec
|Aug| [dB] +40dB/dec 3 dB
+20dB/dec pol dominant
+20dB/dec sau alte combinaţii in
3 dB 60dB/dec
funcţie de valorile R,C
pol dominant
(are pulsaţia
cea mai mare) 
f1 (CB) f2 (CS) z f3  z f1 f2
sau(f2) (f1) (CE) (CE) sau (f3) (CS)
+40dB/decada +40dB/decadă
Fig. 11.17 Fig. 11.18
1 1 1 g 1
f 1  ; f 2  ; Z   f 3   m
C B (R g  rbe ) C S (R S  R C ) CE R E rbe CE
CER E
rbe  (  1)R E
Pentru a evita supradimensionarea C, polii trebuie să fie apropiaţi. Practic trebuiesc calculate f1,
f2, f3 pentru a determina polul dominant, care dă fj, deci banda (dacă polii sunt apropiaţi).
11.2.2. Comportarea la frecvenţe înalte

Se foloseşte circuitul echivalent rbc (r)
Giacoletto (-hibrid) pentru frecvenţe înalte al cbc
TB. La frecvenţe înalte CB, CS şi CE pot fi b c
considerate ca şi scurtcircuite. Reactanţele c
RS`
capacităţilor parazite ale TB Cbe (c) şi mai ales R RB rbe cbe
g
Cbc (c), scad şi nu mai pot fi neglijate. (r) (c) gmube
Amplificatorul este inversor, rbc determinând o u e uies
g ~
reacţie negativă paralel - paralel şi are ca efect ube
micşorarea amplificării. Fiind de valoare mare
(>1 M) o neglijăm. C (cbc) introducând un Fig. 11.19
defazaj, în anumite condiţii, poate determina o
reacţie pozitivă, rezultând oscilaţii. Pentru I Z
verificarea stabilităţii trebuie determinată şi Ze, in Ze, ies
caracteristica defazaj-frecvenţă. Neluând în
considerare defazajul, să urmărim efectul Cbc u
u1 Au  2 u2
asupra intrării prin efect Miller. Pentru aceasta u1
considerăm un amplificator ideal de tensiune cu o
impedanţă Z conectată între intrare şi ieşire Fig. 11.20
(fig.11.20). Se pune problema transformării sale
într-un amplificator unilateral. Rezultă relaţiile teoremei lui Miller:
u  u2 u u Z Z Z
I 1 ; Z e , in  1  1  
Z I u1  u 2 u 1 Au
u1 Ze, in Ze, ies 1 2
u1
u u2Z Au
Z e , ies  2   Z
Fig. 11.21  I u 2  u1 A u  1
Transformarea după
Cin relaţiile teoremei
b c Miller are un
caracter aproximativ
Rg RB rbe RS ’ în amplificatoarele
cbe Ce, in g u
m be Ce, ies reale datorită
(c) impedanţei de ieşire
ug ~ echivalentă a
ube e uies amplificatorului.
Amplificarea în
Fig. 11.22 tensiune depinde de
această impedanţă de ieşire, de sarcina conectată la ieşire şi de Z. Schema echivalentă unilaterală
pentru etajul din figura 11.19, este prezentată în figura 11.22 (obţinută cu teorema lui Miller sau cu
Kirchhoff). Amplificarea în tensiune fără Cbc este:
1
u jC bc 1
A u  ies  g m  R S` ; Cu teorema lui Miller Z e , in  =
u bc 1 gm  RS `
j[c bc (1  g m R S` )]
Ce, in=cbc(1+gmRS` )
 g m R S` 1 1  1 
Z e , ies    ; C e, ies  c bc 1  .
 g m R S  1 jc bc
`
  1   g m R S` 
jc bc 1  
` 
  g m R S 
Pentru |Au| >10Ce, in>> Ce, ies. Notez Cin = Cbe

3 dB
+ Ce,in, care va da un pol dominant în mod normal
|AU| [dB] faţă de polul dat de Ce,ies. Este vorba de scăderea
-20dB/dec
|Au|, deoarece la f aceste condensatoare vor
-40dB/dec scurtcircuita intrarea, respectiv ieşirea, uies0 (fig.
11.23).
 1 
in  determină: f S  in , frecvenţă
in ies rbe C in 2
Fig. 11.23 superioară de tăiere (extremitatea superioară a
 benzii).
(0) (0) 1
(0)  ies  `  in (uzual).
2 R S  C e , ies
La aceleaşi rezultate se ajunge dacă se calculează
1 frecvenţa de tăiere f=fT/. Uzual frecvenţa de tranziţie fT
f este caracteristica de catalog.
f fT f
Au~ deci f S  T , produsul amplificare-bandă
Fig. 11.24 | A uo |
fiind o constantă.
OBS: Modelul unilateral este suficient de bun pentru frecvenţe mai mici fT/40. În etajele
selective de frecvenţă înaltă nu poate fi folosit. Cbc(c), poate da naştere la oscilaţii, de exemplu în
etajele repetoare. Regimul stabil al unui repetor pe emitor se poate asigura prin înserierea unei
rezistenţe de valoare mică în baza tranzistorului .
Concluzii :
1. La frecvenţe joase amplificarea scade datorită capacităţilor de cuplaj între etaje şi de
decuplare a emitorului (sau a sursei la TEC).
2. La frecvenţe înalte amplificarea scade datorită tranzistoarelor .
3. Amplificarea unui etaj cu TB conectat în cascadă cu alt etaj de acelaşi tip este mai mică
decât amplificarea aceluiaşi etaj atunci când lucrează izolat. Diferenţa de amplificare este
neglijabilă la TEC, datorită impedanţei mari de intrare.
4. Produsul amplificare-bandă este o constantă pentru un amplificator.
5. Banda de frecvenţa a amplificatorului format prin conectarea în cascadă a mai multor
etaje, este mai mică decât banda de frecvenţă a oricărui etaj din componenţa sa.
11.3. ETAJE CU IMPEDANŢĂ MARE DE INTRARE

11.3.1. Schema bootstrap cu tranzistor bipolar (fig. 11.25.a)
Fig. 11.25.a Fig. 11.25.b

Repetorul pe emitor asigură o impedanţă mare de intrare. Această impedanţă este micşorată
de Rb1, Rb2 (rezistenţele divizorului din bază). Acest dezavantaj poate fi eliminat prin modificarea
polarizării bazei ca în figura 11.25.a cu Rb şi C2. C2 fiind un scurtcircuit în domeniul frecvenţelor
de lucru, din punct de vedere al semnalului, ambele terminale ale lui Rb sunt practic la acelaşi
potenţial, deoarece amplificarea de tensiune U2/U1 este aproape de 1 (repetor de emitor). Astfel,
dacă se admite o creştere a tensiunii U1, această creştere apare practic neatenuată în emitorul
tranzistorului şi variaţia de potenţial se transmite prin C2 la borna de jos a lui Rb de unde denumirea
de schemă cu urmărire de potenţial. Rezultă că prin Rb circulă un curent extrem de mic şi Ug
debitează în întregime în baza tranzistorului, de unde rezultă că efectul de polarizare a bazei este
eliminat. Se pot asigura impedanţe de intrare de sute de kohmi până la Mohmi.
11.3.2. Schema BOOTSTRAP cu tranzistor cu efect de câmp (fig. 11.25.b)

Fie un amplificator cu TEC-J canal n în conexiune drenă comună (repetor pe sursă).
Rezistenţa de intrare este mai mare, dar nu poate depăşi zeci de M, deoarece la Rg mari, PSF
depinde de temperatură: Zies TEC-J > Zies TB; se poate folosi încă un repetor pe emitor cu TB.
11.4. ETAJE COMPUSE CU TRANZISTOARE BIPOLARE
Se întâlnesc frecvent grupuri de câte două etaje cu câte un TB în schemele de amplificatoare

(inclusiv în cele integrate). Este convenabil să le privim ca pe un unic etaj “compus” cu atât mai
mult cu cât polarizarea celor două tranzistoare este inseparabilă.
11.4.1. Etaje compuse CC-EC şi CC-CC. Tranzistoare compuse

CC-EC: figura 11.26. Ţinând seama de proprietăţile etajelor CC şi EC  RIN > (sute de
Kohmi), RIEŞ moderată (Kohmi), AU = AUT2 (numai T2 amplifică în tensiune). Ambele tranzistoare
amplifică în curent. (generatorul de curent I0 este necesar pentru polarizarea lui T2; el poate fi o
simplă rezistenţă ; I0 = UbeT2 / R).
CC-CC: RIN-f. mare, RIEŞ – f. mică. Au < 1. Ai foarte mare (ambele T amplifică în curent).
+E C +E Există cazuri particulare ale
CC – EC C
CC – CC
acestor circuite care se numesc
INTRARE Rs IN T R A R E T1 tranzistoare compuse în
T1
IESIRE T2
conexiune Darlington, sau
T2 dubleţi (există şi tripleţi):
RIN 0 I IE S IR E a) Darlington fără inversare de
I
0
polaritate (fig. 11.26, fig.
11.27.a,c);
UbeT = UbeT1 + UbeT2.
E IIC
Dezavantaje faţă de CC - EC:
IC
E RIN mai scăzută (dar mai mare
decât la un tranzistor simplu),
Ie1 Ic1 CIN mai mare. Te este de acelaşi
B Ib1 I C2 B Ib1 I C2
T1 T1 tip cu T1. Pentru IC foarte mici
IB Ib2 IB
Ie1 Ib2 se introduce R deoarece: 1) la
I C1 R T2
R
R T2
Ie 2 Ie 2 curenţi mici, se măreşte IET,
E IE E IE pentru creşterea lui 1; 2)
Fig. 11.26 liniarizează RIN T2, care este
sarcina lui T1. UbeT=UbeT1. Nu
prezintă RIN>RIN de la un simplu TB. Să calculăm factorul de amplificare al tranzistorului compus
din figura 11.27.a: Ic = ic1+ic2 = 1ib1+2ib2 = 1ib+2ic1 = 1ib+2(1+1)ib =
=(1+2+12) ib. Deci e = 1+2+12  12.
b) Darlington cu inversare de polaritate (utilizate în special la amplificatoarele de putere) – figura
11.27.b,d. Pentru figura 11.27.b: Ic = (2 + 1) ib2 = (2 + 1)ic1 = (2 +1)1 ib1  12ib; deci
e=12. amplificare
în curent foarte mare.
Ex.: 1 = 2 = 100; e =
100100 = 10000
11.4.2. Etaj compus EC - BC

Fig. 11.27 (cascod) - figura 11.28
Este folosit pentru a
îmbunătăţi răspunsul la
frecvenţă înaltă. Iniţial a fost
folosit cu triode.
Poate fi privit ca un
amplificator de curent
similar cu amplificatorul de
curent cu etaj EC, dar cu rezistenţă de ieşire mare,
specifică etajului BC. Capacitatea de intrare are valori mai
mici decât EC datorită capacităţilor de reacţie bază-
colector mai mici. În gol amplificarea în tensiune este mai
mare, dar cu sarcină are aceeaşi amplificare ca un TB în
EC, deci nu se justifică folosirea lui la frecvenţe medii şi
tensiuni de alimentare mici. Tensiunea la ieşire este mai
Fig. 11.28
mare decât tensiunea în EC.
Fig. 11.29.a. Cascod cu divizor comun Fig. 11.29.b. Cascod cu divizoare separate
11.4.3. Etaj compus CC-BC cu cuplaj prin emitor (PARAFAZĂ)
Fig. 11.30
Fig. 11.31
Proprietăţile în frecvenţă ale etajului sunt apropiate de cele ale etajului CASCOD.
Figura 11.31: schema completă de polarizare cu alimentare simetrică faţă de masă. PSF => din
teorema lui Kirchhoff EC2 = IB1R+UBE1+URE 0 < EC2 = IB2RB+UBE2+URE. De obicei VT1 şi
VT2 sunt identice şi se polarizează la curenţi egali. RB se introduce pentru a compensa căderea de
tensiune pe Rg şi poate să lipsească (la masă baza lui VT2), dacă Rg foarte mică. Uintr şi Uies sunt în
fază, iar cele două tranzistoare pot fi înlocuite cu un tranzistor echivalent în conexiune EC cu rbeechiv
= 2rbe. RE >> r2 = rbe2 / (2+1) = RinT2 mică (zeci de ohmi), T2 în conexiune BC;
IC1=IC2=IC; 1=2=; rbe1=rbe2=rbe; gm1=gm2=gm ; demonstrez că =>gm echiv = -gm / 2; Iu1 = ib1 rbe1+u2;
u2(2 +1)ib2  r2 = -(1+1)ib1 r2; (1 +1)ib1 = - (2 +1)ib2; u1 = ib1 rbe1+(1 +1)ib1 [rbe2/ (2+ +1)] =
2rbe1ib1; uies = 2RCib2 =
2ib1RCRinT = u1 / ib1 =
2rbe1 rbeechiv = 2rbe1;
Au = uies / u1 =
=(RC2ib1) / (2ib1rbe1)
= (RCgm) / 2 = -
RCgmechiv (amplificarea
în conexiune BC); uies =
(gm / 2)RCu1; ib1 = u1 /
2rbe1gm echiv = -gm / 2
Fig. 11.32
Schema cu alimentare asimetrică – figura 11.33
În loc de R3 se foloseşte un
generator de curent
constant (VT3, R2, VT1,
RE). ICT3 = IET3 = (UDZ1-
UBE3) / r2 = constant.
Generatorul de curent cu
VT3 are ICT3 constant, dacă
sarcina din colector are R
mai mică decât o valoare
maximă, pentru ca
tranzistorul VT3 să nu intre
în saturaţie. În c. a.
rezistenţa lui VT3 tinde la
infinit (practic  100 k)
iar RE asigură polarizarea
Fig. 11.33 VZ1.
11.4.4.
Amplificatorul diferenţial
Poate fi considerat ca un etaj
cu cuplaj prin emitor
(parafază) în variantă
simetrică; poate fi cu una sau
cu 2 surse de alimentare.
Amplificatorul de c. c.
este cu două surse de
alimentare şi fără
condensatoare de cuplaj.
Fig. 11.34.a
Amplificatorul de c. a. din figura 11.34.a are o singură sursă de alimentare şi divizor comun în
baze; are condensatoare pe intrări, deci nu
merge în c. c.; prezintă în circuitul bazelor
intrare simetrică, dar ieşirea este asimetrică
(ieşirea iese dintr-un colector şi nu dintre
colectoare). Amplificatorul diferenţial de c. c.
(etaj diferenţial) din figura 11.34.b are două
surse de alimentare şi ieşire simetrică. VT3,
VZ1, R2, R1 formează un generator de curent (în
loc de RE).
ICT3  |IET3| = (VZ1-UBET3) / R2. Generatorul de
curent are I constant indiferent de sarcină dacă
tranzistorul nu a intrat în saturaţie; RC = 0
funcţionează bine RC >> RCIC > Ualim (o
depăşeşte). UC va deveni 0 tranzistorul intră
în saturaţie. Pot fi luate măsuri de compensare a
lui ICT3. În c. a. T3 ideal are o rezistenţă infinită
Fig. 11.34.b (în practică 100 k). R1 asigură polarizarea
diodei Zener.
Fig. 11.35
Fig. 11.36
Pentru mărirea rezistenţei de intrare se introduc rezistenţele suplimentare RE1, RE2, care
liniarizează caracteristicile de intrare ale TB şi uniformizează diferenţele dintre ele.
Dacă tranzistoarele au diferenţe mari între ele se montează un potenţiometru RV1 care
compensează în c.c. diferenţele dintre T1 şi T2 pentru a obţine 0 V între colectoare UC1=UC2 (cu
intrările la masă). RV1- reglaj de offset la ieşire (decalaj).
T1, T2 se montează pe acelaşi radiator sau se fabrică în aceeaşi capsulă. Pentru analiza unui
amplificator diferenţial se preferă înlocuirea lui cu un tranzistor echivalent. Pentru reglarea
amplificării în limite restrânse, se introduce în schemă un potenţiometru între emitoare, RV1, iar
pentru offset se introduce RV2. Există două tipuri de semnale la intrare: a) semnale de intrare
diferenţiale pentru care amplificatorul are câştig de mod diferenţial (mod de lucru); b) semnal de
intrare comun pentru care amplificatorul are un câştig de mod comun (de dorit să fie cât mai mic
pentru eliminarea semnalelor comune la cele două intrări - rejecţia modului comun).
Definiţii : Udif de la intrare Uid=U1-U2 ;
Ude mod comun la intrare Uic=(U1+U2)/2 ;
Ad= câştig de mod diferenţial Ad=(Ue1-Ue2)/Uid Pentru amplificatorul diferenţial rezultă:
Ad= –gmRC , presupunem gm1=gm2=gm; Ac= câştig de mod comun; Ac = [(Ue1 + Ue2 / 2] / Uic =
(Ue1 + Ue2) (U1 + U2)
Pentru amplificatorul diferenţial rezultă:
Ac=-gmRC/[1+2gmRE(1+1/)]; Presupun 1=2=. Pentru o rezistenţă mică RE amplificatorul
diferenţial nu se comportă bine, trebuie RE mai mare (ideal un generator de curent).
CMRR = raportul de rejecţie al modului comun CMRR = |Ad / Ac| = 1+2gmRE(1+1/)  mare 
gm mare  IC mare. Rid = rezistenţa de intrare de mod diferenţial (valabil pentru amplificatorul cu
rezistenţa RE în emitor), Rid = 2rbe. Rezistenţa de intrare de mod comun Ric = rbe+2RE(1+);
presupunem rbe1 = rbe2 = rbe. Pentru Z mare la
intrare se pot folosi perechi TEC-J cu cuplaj în
sursă – figura 11.37. Ad / Ac = CMRR este mai mic
ca la TB. Pentru TEC-J, Up= –2V, IDSS = 2mA, Ad
= –8,9; Ac = –0,24 CMRR =37 dB.
Etajul diferenţial se foloseşte ca
etaj de intrare pentru AO
(amplificator operaţional); una
din intrări este în faza cu
ieşirea, intrarea neinversoare
(+), cealaltă este în antifază cu Fig. 11.38
prima (-) (inversoare);
U între intrările unui AO (simbolizat ca în figura
Fig. 11.37 11.38) se poate considera zero, ca şi I de intrare;
Ideal amplificarea a; Ex.: a=200000,
u 10
alimentare +15V, Uies=10V. u g1  u g 2  ies   50V .
a 200000
11.5. AMPLIFICATOARE SELECTIVE

A
- realizează o bandă B de trecere foarte îngustă; 3 dB
- diferenţa fi/fj1,2 (frecvenţă înaltă/frecvenţă joasă);
- pot fi LC (>100 KHz) sau RC (<100 KHz).
11.5.1. Amplificatoare selective LC

Principiul constă în utilizarea ca sarcină a tranzistorului f
fj fc fi
unui circuit rezonant LC derivaţie, a cărui impedanţă B
prezintă un maxim la frecvenţa de rezonanţă. Deoarece Fig. 11.39
amplificarea etajului creşte cu Z din colector, un maxim se obţine la frecvenţa de rezonanţă a

circuitului LC, deci o bandă de trecere îngustă. B=fi-fj.
Figura 11.40.a - Alimentare asimetrică.
Funcţionare: - pierderile sunt
înglobate în R paralel presupusă
independentă de frecvenţă (este pusă în
paralel, cu observaţia că rezistenţa
serie a L poate fi în paralel, dar
depinde de frecvenţă).
Tranzistorul se comportă ca un
generator de curent, atacând circuitul
rezonant cu impedanţa Z şi admitanţa
1 1
Y  Y  G  j C  ;
Z j L
=0=1/(LC)1/2;
Y=G.
Fig. 11.40.a Sarcina din colector se comportă
rezistiv la rezonanţă (Amax). Se defineşte ca lărgime de bandă, intervalul de frecvenţe pentru care
tensiunea de ieşire nu scade sub 3dB din valoarea maximă. Factor de calitate: Q=fcentrala/;
Q=0C/G=R/(0L). La frecvenţe înalte capacităţile parazite ale tranzistorului nu mai pot fi
neglijate. Probleme apar la amplificatoarele care conţin mai multe circuite rezonante.
Figura 11.40b – Alimentare

simetrică. Funcţionare: prin L1 şi
L2 se alimentează (RE obligatoriu).
R1, R2 sunt puse pentru a controla
factorul de calitate Q.
După acordarea pe frecvenţa
dorită a circuitului din baza L1,C1
se acordează circuitul din colector
L2, C2. De obicei se constată că s-a
stricat acordul circuitului din bază.
Reglajul se repetă iterativ iar
numărul de iteraţii creşte cu cât Q
este mai bun; cauza este
reflectarea impedanţei Z a
Fig. 11.40.b. Amplificator cu un tranzistor circuitului acordat la celălalt
bipolar cu circuite rezonante în colector şi bază terminal al tranzistorului prin
intermediul capacităţii c=cbc.
În figura 11.41 se prezintă tipurile de cuplaje utilizate în amplificatoarele selective LC.
a) inductiv b) capacitiv c) mixt

Fig. 11.41. Tipuri de cuplaje
11.5.2. Amplificatoare selective RC
La frecvenţe joase şi medii, intervin în structură cuadripoli pasivi (nu au tranzistoare) având
caracteristici de frecvenţă ce prezintă un maxim sau un minim. Exemple de cuadripoli: reţeaua
Wien, reţeaua dublu T, reţeaua T podit etc.
Fig. 11.42
Reţeaua T podit Reţea dublu T Fig. 11.43
Reţea Wien
Caracteristicile de frecvenţă pentru reţeaua Wien sunt

A în număr de două: atenuare-frecvenţă şi fază-frecvenţă (A,-
0,33
figura 11.44);
Frecvenţa de rezonanţă: f0 = 1 / [2(R1C1R2C2)1/2].
Pentru R1 = R2 = R; C1 = C2 = C 
f0 = 1 / (2RC),
0 u 1
f0 f Atenuarea minimă: 2  .
u 1 max 3

La frecvenţa de rezonanţă nu defazează.
90 Pentru amplificatoare selective se pot adopta două soluţii:
45 1) utilizarea circuitului selectiv RC în lanţul etajelor de
0 f0 amplificare (fig. 11.45).
f
-45 Zieşire este mică la repetorul pe emitor, deci are la intrare
-90 Z iesire foarte mică.U2 citit în tensiune, pentru Z mare (VT2
de tip TEC - J sau TEC - MOS; pentru a nu consuma se pun
Fig. 11.44. A,- reţea Wien tranzistoare unipolare şi nu bipolare). Reţeaua pentru atac în
tensiune necesită un gen de intrare cu Z mic; pentru aceasta
s-a folosit un repetor pe emitor (Zieşire zeci de , R1 de ordinul k). Pentru citirea în tensiune, Zintr
mare (al doilea etaj cu TEC-J; Zintr=M) pentru a nu afecta R2 (k).
+EC
RB1
RD
VT1
VT2
R1
Uin RB2 RE C1 C2 R2 RS Uies
Fig. 11.45
2) utilizarea unui circuit selectiv RC pe calea de reacţie a unui amplificator cu reacţie negativă.
DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - partea I 107
BIBLIOGRAFIE
1. Dascălu D. ş.a. - Dispozitive şi circuite electronice. E.D.P. Bucureşti, 1982.
2. Maxim Gh. - Dispozitive electronice. Litografia I.P. Iaşi, 1979.
3. Dănilă Th. ş.a. - Dispozitive şi circuite electronice. E.D.P. Bucureşti, 1982.
4. Gray P.E., Searle C.L. - Bazele electronicii moderne. Ed. Tehnică, Bucureşti, 1973.
5. Dascălu D. ş.a. - Circuite electronice. E.D.P. Bucureşti, 1981.
6. Dascălu D. ş.a. - Dispozitive şi circuite electronice. Probleme. E.D.P. Bucureşti, 1982.
7. Croitoru V. ş.a. - Electronică. Culegere de probleme. E.D.P. Bucureşti, 1982.
8. Ceangă E. ş.a. - Electronică industrială. E.D.P. Bucureşti, 1981.
9. Gray P.R., Meyer R.G. - Circuite integrate analogice. Ed. Tehnică Bucureşti, 1983.
10. Cerbulescu D. - Dispozitive şi circuite electronice. Culegere de probleme. E.D.P. Buc., 1995.
11. Ionescu F. - Diode semiconductoare şi redresoare de putere. Ed. Tehnică, Bucureşti, 1995.
12. Brezeanu Gh. - Circuite electronice. Ed. Albastră, Cluj-Napoca, 1999.

DCE Analogic

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

DCE Analogic

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

DCE - Cap.1.

În curs se prezintă dispozitivele şi circuitele electronice fundamentale ce intervin în

Considerăm bateria de 12V singură şi înlocuim bateria de 6V lăsând doar impedanţa sa

Cap.2. NOŢIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

2.1. PURTĂTORI DE SARCINĂ MOBILI ÎN SEMICONDUCTOARE

Dispozitivele electronice actuale sunt realizate, în marea majoritate, din materiale

Fig. 2.1 Fig. 2.2.a Fig. 2.3.a

2.1.2. Semiconductoare cu impurităţi

În construcţia dispozitivelor electronice, de obicei se utilizează semiconductoare cu

Fig. 2.4.a Fig. 2.5.a

Fig. 2.4.b Fig. 2.5.b

Fig. 2.6.a Fig. 2.6.b Fig. 2.6.c

2.2. TRANSPORTUL PURTĂTORILOR DE SARCINĂ ÎN SEMICONDUCTOARE

2.2.1. Mişcarea purtătorilor de sarcină în câmp electric

În figura 2.7. s-a reprezentat (cu linie continuă)

2.2.2. Difuzia purtătorilor de sarcină

În majoritatea dispozitivelor semiconductoare concentraţia purtătorilor este neuniformă, fie

2.3. GENERAREA ŞI RECOMBINAREA PURTĂTORILOR DE SARCINĂ

Spre deosebire de metale, unde electronii au o existenţă nedefinită, la semiconductoare

2.4. INJECŢIA PURTĂTORILOR DE SARCINĂ

Când concentraţiile purtătorilor sunt mai mari decât la echilibru se spune că

Fig. 2.10.a. Fig. 2.10.b.

Cap.3. JONCŢIUNEA p-n

Majoritatea dispozitivelor conţin atât regiuni p cât şi regiuni n în acelaşi cristal.

3.1. JONCŢIUNEA p-n LA ECHILIBRU TERMIC

O joncţiune nu poate fi realizată prin punerea în

Deci energia golurilor din p este mai mică decât în n. Pentru ca

Fig. 3.3 Fig. 3.4

Pentru joncţiunea gradată liniar variaţia concentraţiei impurităţilor se aproximează liniar în

. Fig. 3.5.a Fig. 3.5.b Fig. 3.6

3.2. JONCŢIUNEA p-n ÎN REGIM STAŢIONAR

Aplicând prin intermediul unor contacte pe extremităţile regiunilor neutre o tensiune

Fig. 3.7 Fig. 3.8

3.2.2. Caracteristica statică idealizată a joncţiunii p-n

3.2.3. Abateri de la caracteristica statică idealizată a joncţiunii p-n

Efecte la nivele mari de injecţie

3.2.4. Dependenţa de temperatură a caracteristicii statice

Curentul prin joncţiune este influenţat de temperatură pe două căi:

3.2.5. Străpungerea joncţiunii p-n

Străpungerea prin efect tunel

3.2.6. Modele liniarizate pentru joncţiunea p-n în regim staţionar

Pentru calculul în regim staţionar, caracteristica statică a joncţiunii se aproximează prin

3.3. JONCŢIUNEA p-n ÎN REGIM DINAMIC

3.3.1. Regimul cvasistaţionar al joncţiunii

Considerăm o joncţiune abruptă ideală, cu o tensiune aplicată Ua, la

3.3.3. Capacitatea de difuzie

Trecerea de la starea Ua la Ua+dUa necesită o

3.3.4. Circuite echivalente pentru joncţiune la semnale mici şi frecvenţe înalte

- la polarizare directă (fig. 3.19)

Fig. 3.18 Fig. 3.19

3.4. TIPURI DE DIODE SEMICONDUCTOARE

3.4.1. Procedee de realizare a joncţiunii p-n. Tipuri de diode

Tipul de conductibilitate (p sau n) al unui semiconductor fiind determinat doar de

3.4.2. Diode redresoare

Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic care prezintă conducţie unilaterală, pe

- curentul invers pentru o anumită tensiune: IR;

3.4.2.2. Dioda cu avalanşă controlată

3.4.2.3. Dioda redresoare pin

Grosimea regiunii intrinsece este mai mică decât lungimea de

3.4.2.4. Conectarea în serie şi în paralel a diodelor

Deşi există diode cu tensiuni inverse mari, capabile să

3.4.3. Diode stabilizatoare de tensiune (Zener)

Fig. 3.27 Fig. 3.28