Materiale electrotehnice

Aplicații numerice 3

Conducția electrică a semiconductoarelor

1. Conducția electrică a semiconductoarelor intrinseci

Generarea purtătorilor de sarcină care participă la conducție în Explicații:

cazul semiconductoarelor intrinseci ▪dacă energia unuia dintre electronii de valenţă
ai unui atom de Ge este suficient de mare 
acesta părăseşte învelişul electronic al atomului
 devine electron (cvasi)liber;

▪din punct de vedere energetic, electronul

efectuează o tranziţie din banda de valenţă în
banda de conducţie -tranziţia (1)  participă la
conducţia electrică;

▪generalizare: electronii de conducție din bc

proveniți din bv prin tranziții (1) participă la
fenomenul de conducţie.
Ionizarea unui atom de Ge Tranziţia echivalentă a electronului e- din
banda de valenţă în banda de conducţie (1)
şi, respectiv a unui gol g+ din banda de
conducţie în banda de valenţă (2).
1. Conducția electrică a semiconductoarelor intrinseci

Fiecare electron care părăseşte bv şi ajunge în bc generează un gol

Nn = Np = Ni

Expresia generală a conductivităţii electrice  = N qM

i = qn NnMn + qp NpMp = q0 Ni (Mp − Mn )

3
 m kT  2
*
 − wc − wF 
Nn = 2 n

2 
 exp 
 2   kT  3

Nn = Np = Ni Ni = (N p  N
1
n 2 ) 
= 2

 m(
kT  * * 34
2
 m)  exp − wi 
 
   
2 n p
3 2  2kT
 m kT  2
*
 − wF − wv 
N p = 2 p

2 
 exp 
 2   kT  
i (T ) = Ci  exp −
wi 

 2KT 
2. Conducţia electrică a semiconductoarelor extrinseci
Introducerea unor impurităţi în materialele semiconductoare are drept consecinţă modificarea structurii
benzilor de energie ale acestora  în banda interzisă Fermi apar niveluri adiționale donoare sau acceptoare
care generează purtători de sarcină la temperaturi uzuale

A) Conducţia electrică a semiconductoarelor extrinseci de tip n

Se consideră un cristal pur de Ge impurificat cu atomi de fosfor (pentavalenţi)  un semiconductor
extrinsec de tip n - patru dintre electronii de valenţă ai
atomului de P formează legături
covalente cu electronii de valenţă ai
atomilor de Ge vecini;
- cel de-al cincilea electron de valenţă al
atomului de P nu participa la stabilirea
unei legături covalente, interacţionează
cu reţeaua cristalină şi se îndepărtează de
nucleul propriu, gravitând pe o orbită mai
îndepărtată  e-5 are o energie mai mare;
- din punct de vedere energetic e-5 se
găseşte pe un nivel de energie superior
nivelurilor din bv  pe un nivel adiţional
donor (NAD) de energie wd.
2. Conducţia electrică a semiconductoarelor extrinseci
A) Conducţia electrică a semiconductoarelor extrinseci de tip n
Cazul temperaturilor joase:
În cazul temperaturilor joase, agitaţia termică fiind redusă (Np → 0) electronii prezenţi în banda de conducţie
provin aproape exclusiv de pe nivelurile adiţionale donoare (NAD):

en = Nn'  qn  Mn 
= qn  Mn  Nd  exp −
wen 

 2kT 
= Cen  exp − en ,
w
 2kT 
Cazul temperaturilor înalte
• pentru T   toate nivelurile adiţionale donoare sunt ionizate!!! în acelaşi timp, au loc şi tranziţii (1) ale
electronilor din bv în bc (efectul intrinsec);
• nivelul limită Fermi wF se găseşte aproximativ la mijlocul benzii interzise wi.

Nd << N = concentraţia atomilor proprii ai cristalului

Nn'  N p
Ndi << Np
2. Conducţia electrică a semiconductoarelor extrinseci
A) Conducţia electrică a semiconductoarelor extrinseci de tip n


n = en + i = Cen  exp −
wen   wi 
 + Ci  exp − 
 2kT   2kT 

cei doi termeni având ponderi diferite în funcţie de valoarea

temperaturii la care se află semiconductorul
2. Conducţia electrică a semiconductoarelor extrinseci
B) Conducţia electrică a semiconductoarelor extrinseci de tip p
Se consideră un semiconductor extrinsec obţinut prin impurificarea unui cristal de Ge cu atomi de aluminiu (Al)
Ionizarea unui atom de impuritate Tranziţia echivalentă a unui electron de
trivalent (Al) valenţă din bv pe un nivel adiţional
acceptor (NAA) (3) şi formarea unui gol
în banda de valenţă
Generarea purtătorilor de sarcină majoritari în cazul
semiconductorilor de tip p
• un electron de valenţă al unui atom de Ge
vecin cu atomul de Al nu poate stabili o
legătură covalentă (Al este trivalent);
•  prezenţa atomului de Al conduce la
existenţa unei legături covalente
nesatisfăcute;
• legătura covalentă nesatisfăcută poate fi
realizată (completată) de un electron de
valenţă al unui atom de Ge vecin (participant
în formarea unei alte legături Ge=Ge), care
părăseşte învelişul electronic al atomului de
Ge şi trece în învelişul electronic al atomului
de Al (acesta devenind ion negativ);
• energia necesară electronului pentru
formarea noii legături este foarte redusă şi
poate fi furnizată de mişcarea de agitaţie
termică la temperaturi uzuale.
2. Conducţia electrică a semiconductoarelor extrinseci
B) Conducţia electrică a semiconductoarelor extrinseci de tip p
Cazul temperaturilor joase
În cazul temperaturilor scăzute efectul intrinsec este neglijabil (Nn << Nai )
 w  Relaţia este valabilǎ atât
Concentrația  wep  ep = N 'p  q p  Mp = q p  Mp  Na  exp − ep 
golurilor din bv N p  Na  exp −
'   2kT 
timp cât nivelurile
adiţionale acceptoare nu
 2kT   w 
= Cep  exp − ep , sunt în totalitate ionizate
Cazul temperaturilor înalte  2kT  (pot furniza goluri).

În cazul temperaturilor înalte, toate nivelurile adiţionale acceptoare sunt ionizate dar, în acelaşi timp, au loc
şi tranziţii (1) ale electronilor din banda de valenţă în cea de conducţie (efect intrinsec).

Na << N
Nai se poate neglija N 'p  Nn
Expresia conductivităţii totale a unui semiconductor extrinsec de tip p

 wep   wi  Cei doi termeni având ponderi diferite în funcţie de

p = ep + i = Cep  exp −  + Ci  exp − 
 2kT   2kT  valoarea temperaturii la care se află semiconductorul.
𝑘
 Si (ca şi Ge) dispune de patru electroni de valență, iar în structura cristalină fiecare atom împarte unul dintre electronii de
valență cu fiecare dintre cei patru vecini.
legături covalente
electroni

w
𝑁𝑛 - concentrația de electroni liberi
wc
electroni
wi - densitatea efectivă de stări
wv de energie din banda de
goluri
conducţie
𝑁𝑝 - concentrația de goluri
- densitatea efectivă de stări
x
de energie din banda de
valenţă
unde: - masele efective ale electronului şi golului

𝑁𝑛 = 𝑁𝑛 = 𝑁𝑖 și se numește concentrație intrinsecă.

respectiv,

înlocuim valorile și obținem:

Problema 2.1.17 Într-un semiconductor extrinsec mobilitatea electronilor Mn este de trei ori mai mare
decât mobilitatea golurilor Mp, | Mn | = 3∙Mp. Ştiind că rezistivitatea cristalului este  = 1,17 m, iar
concentraţiile volumice ale electronilor liberi şi golurilor sunt Nn = 1019 m-3 şi respective Np = 1020 m-3, să
se calculeze mobilitatea electronilor liberi Mn şi cea a golurilor Mp. Se cunoaşte sarcina electrică
elementară: q0 = 1,610-19 C.

Soluţie:
Conductivitatea electrică a unui semiconductor este dată de relaţia:
σn = NnqnMn + NpqpMp = q0(-NnMn + NpMp)
Cum σ=1 ρ şi - Mn = 3∙M, p rezultă:
1
= q0(3NnMp + NpMp) ,
ρ
Se obţine:

1 −3
Mp = Mn =
 q0  ( N p + 3Nn )
,
 q0 ( N p + 3Nn )
respectiv,
1
Mp = = 2
1,17 1,6 10  (10 + 310 )
−19 20 19
0,0411m /Vs ,

Mn = (−3)  0,0411 = −0,1233m2 /Vs .

Problema 2.1.18.
Un cristal din germaniu conţine Ndn = 1023 m-3 atomi de stibiu (Sb).
Ştiind că temperatura la care se găseşte cristalul este T = 300 K să se determine:
a) concentraţiile volumice de electroni liberi Nn şi de goluri Np
b) conductivitatea electrică a cristalului σn
Se cunosc:
• lăţimea benzii interzise Fermi wi = 0,68 eV,
• energia de activare a stibiului în germanium wen = 0,0096 eV,
• mobilitatea electronilor liberi Mn = - 0,38 m2/V.s, mobilitatea golurilor Mp = 0,182 m2/V.s,
• masa efectivă a electronului mn*= 1,3 ∙ m0 , masa efectivă a golului mp*= 0,34 ∙ m0
• masa electronului m0 = 9,1 ∙ 10 -31 kg, sarcina electrică elementară qo = 1,6 ∙ 10 -19 C
• constanta lui Boltzmann k = 1,38 ∙ 10 -23 J/K si constanta lui Planck h = 6,626∙10 -34 Js .
 Soluţie:
Considerând temperatura electronilor identică cu temperatura reţelei se poate determina valoarea
temperaturii la care toţi atomii de stibiu sunt ionizaţi datorită agitaţiei termice.
Astfel, dacă:
wen = k.Ts
rezultă:

= 111K

valoare cu mult inferioară temperaturii camerei (T = 300 K). Prin urmare, la T = 300 K, toţi atomii de
stibiu sunt ionizaţi, concentraţia electronilor liberi corespunzători impurităţilor fiind Nen = Ndn = 1023 m-3
Concentraţia electronilor liberi rezultaţi prin ionizarea atomilor de germaniu, la T = 300 K, fiind redusă
(faţă de Nen) rezultă că, practic, concentraţia de electroni liberi Nn este egală cu concentraţia de electroni
rezultaţi în urma impurificării (corespunzătoare impurităţilor donoare):

Nn = Ndn = 1023 m-3

Din relaţia
Ni2 =Nn.Np
rezultă:
4  2kT  * *
( )  w 
3
Np =   2  mn mp 2  exp − i 
Nn  h   kT 

3
4  2 1,38 10−23  300   0,68 1,6 10−19 
( )
3
N p = 23   1,3  9,110  0,34  9,110
−31 −31 2
  exp − 
 (
10  6,626 10 −34 2
) 
  1,38 10  300 
−23

N p = 7,111015m−3
Conductivitatea electrică a cristalului este:

σn = NnqnMn + NpqpMp = q0(-NnMn + NpMp)

respectiv,
σn = 1,610−19  (0,381023 + 0,182 1,181015)
S
σn = 6080
m

Observaţie:
Conductivitatea electrică a germaniului pur fiind σi =2,13 S/m , rezultă că, prin impurificarea cristalului
cu 1023 m-3 atomi de stibiu, conductivitatea sa creşte de cca. 3000 ori.
 ,
Problema 2.1.11. Să se determine variaţia nivelului limită Fermi ΔwF în raport cu wF(0), pentru un
cristal pur din antimoniură de indiu (InSb) aflat la temperatura camerei (T = 300 K).

Se cunosc: lăţimea benzii interzise Fermi wi = 0,18 eV, masa efectivă a electronului
mn* = 0,013 m0 , masa efectivă a golului m*p = 0,6 m0 , constanta lui Boltzmann
k = 1,38 · 10-23 J/K, sarcina electronului qn = - 1,6 · 10-19 C şi masa electronului
mn = m0 = 9,1 · 10-31 kg.

Soluţie: Cum cristalul este intrinsec (nu conţine impurităţi), concentraţiile de electroni
liberi din banda de conducţie Nn şi de goluri din banda de valenţă Np sunt egale:

Nn = Np ,
respectiv,

 2 m*p k T 
3/ 2
 2 m k T 
3/ 2
*
 wc − wF   wF − wv 
2   n
 exp −  = 2   
 exp− ,
 kT 
2 2
 h   kT   h 
ȋn care:
wc reprezintă energia corespunzătoare primului nivel al benzii de conducţie;
wv - energia corespunzătoare ultimului nivel al benzii de valenţă,
wi = wc - wv - lăţimea benzii interzise Fermi.

Din relaţia de egalitate a celor două concentraţii se obţine:

wv + wc 3  mp* 
wF = + kT  ln * ,
2 4  mn 
respectiv,  

3  m *

wF = wF (0) + kT  ln * 
p

4  mn 
 
Se constată că nivelul limită Fermi la T = 300 K s-a înălţat faţă de poziţia corespunzătoare
temperaturii 0 K cu:

3  mp* 
wF = wF (T ) − wF (0) = kT ln * ,
4  mn 
 
respectiv,

3  0,6 
wF = 1,38 10−23  300  ln  = 1,18910−20J
4  0,013

1,189 10−20
wF = = 0,074eV
1,6 10−19

Observaţie: În semiconductorii intrinseci (puri) nivelul limită Fermi se află la

mn*
jumătatea benzii interzise Fermi numai dacă: * = 1(respectiv, pentru T = 0 K).
mp