Materiale cristaline

Structura cristalina

1) Care este legea lui Euler-Descartes?

F+C=M+2

F-număr de fețe C-număr de colțuri M-număr de muchii

2)Ce reprezinta celula elementara?

Celula elementară constituie un aranjament spațial format dintr-un număr mic de atomi
plasați în colțurile unei figuri geometrice.

3)Parametrii celulelor elementare?

a) număr de noduri pe celulă, Nc
b) volumul celulei elementare
c) concentrația nodurilor
N0=Nc/Vc N=Ni+Nf/2+Nc/8
d) volumul celulei primitive
N0=1/v0
e) factorul de compactitate
ἠ=Vs/Vc
4)Care este volumul celulei elementare?
Vc=|(a,b,c)|=a(b*c)
Vc2=a2b2c2=F12(a,b,c)F22(α,β,γ)

5)Definiția structurii cristaline?

Structura cristalină este o dispunere spațiala a particulelor care compun cristalul,
obținându-se prin repetarea periodica în spațiu a unor grupe identice de particule.

6)Tipuri de celule elementare:

a) celula simplă(cs) sau primitive - în care particulele sunt plasate în vârfurile celulei,
Nc=1;
b) celula cu fețe centrate (cfc) - este atunci când particulele sunt plasate pe toate fețele
celulei în central acestora Nc=4;
c) celula de volum centrat (coc) - este atunci când în centrul celulei se află o particulă
Nc=2

7)Ce este policristalul?

Policristalul este materialul format din mai multe “graunțe” cristaline.

8) Proprietatea macroscopica:
Este dată de proprietatea microscopică.

9) Elemente care influenteaza structura:

Modul de legare si structura atomului.

10)Care sunt elementele de simetrie?

Elementele de simetrie pot fi:- axa de simetrie;
- planul de simetrie;
- centrul de inversie;
 - axa de inversie

11)Care sunt operațiile de simetrie?

Operațiile de simetrie sunt: rotația, reflexia și translația.

12)Cum se obține un cristal?

Din stare cristalină putem obține un monocristal la o temperatură scăzută, înghețată,

dar suprafața înghețată începe să se extindă.

13)Tehnicile de obținere a unui monocristal:

- nucleatia;
- creșterea propriu-zisă

14)Ce reprezintă creșterea propiu-zisă?

Creșterea propriu-zisă reprezintă așezarea atomilor pe suprafața germenului.

15)Ce reprezintă nucleația?

Reprezintă formarea germenului, care poate fi de două feluri: omogenă, cand participa
numai atomii respectivi si heterogena.

16)Care sunt tehnicile de creștere propriu-zisă din topitură?

- gradientul de temperatură între topitură și cristal;
- gradientul de temperatură datorat racirii forțate a cristalului;
- gradientul de temperatură în lungul creșterii

17)Care sunt metodele de crestere din topitura?

- Metoda Czodralski;
- Metoda Bridgeman;
- Metoda zonei flotante

18)Ce este viteza de tragere (formula) ?

V=K2.grad T-K1(T-T0)r
r - raza bazei
T0 - temperatura de cristalizare
T- temperatura de la baza coloanei
K1,K2 - constante

19)Ce este metoda Czodralski?

Metoda presupune introducerea unui germen in topitură și extragerea sa lentă.

20)Definiți metoda Bridgeman.

Folosește un reactor vertical realizând o distribuție de temperatură pe verticală.

21)Metoda zonei flotante.

Acesta metodă are avantajul unei contaminări foarte mici cu impurități și de aceea se
utilizează pentru cristale de puritate foarte ridicată ca semiconductoarele.

22) De cine depinde viteza de tragere a barei?

- gradientul de temperatură;
- constanta de conductivitate termică;
- densitatea;
- caldura latentă
23) Care sunt tehnicile de creștere propriu-zisă din faza de vapori?
1) metoda depunerii fizice de vapori;
2) metoda depunerii chimice de vapori

24)Care sunt elementele de creștere propriu-zisă din soluție?

- subrăcirea cristalului;
- regimul hidrodinamic natural (convecția);
- regimul hidridinamic fortat (agitația termică)

25)Care sunt tehnicile de creștere propriu-zisă din soluție?

- răcirea lentă, care duce la saturația soluției;
- evaporarea solventului se realizează într-un creuzet introdus în cuptor și încălzit;
- metoda soluției coloidale.

26)Cum se obtine sticla?

Prin încălzire la o temperatură mai mare decât cea de topire și apoi urmată de o racire
lentă, fără o prezența unui germene de racire.

27)Relatia de calcul a vitezei de crestere a unui cristal(vapori).

Vc=(D/ϱ)*(ϱv/ϱc)*(Nv-Nc)/[Nc(ϱv/ϱc)(1+D/dCi)-NS]
D - concentrația de difuzie
D - grosimea stratului de gaz la suprafața de depunere
ϱv,ϱc – densități (vapori,cristal)
Nv,Nc - concentrația volumică a moleculelor
NS - concentrația vapori de saturație la suprafată
Ci -coeficienți

28)Care sunt metodele fizice de investigare a cristalelor?

1) Metoda Lane;
2) Metoda cristalului rotator;
3) Metoda pulberilor;
4) Metoda difracției de electroni;
5) Metoda difracției de neutron

29)Care sunt fenomenele tehnicilor de crestere propriu-zisa din faza de vapori?

- sublimare-condensare;
- reacție chimică în faza gazoasă;
- transportul chimic

30)Care sunt cei mai utilizați compuși de tip policristal anorganic în industria
electronică?
Policristalele anorganice au la bază SiO2, iar cei mai folosiți compuși sunt:
- sticlele;
- ceramicele

31)Comportarea policristalelor:
- izotropă;
- anizotropă (textura axială și textura planară)

32) Elementele de bază pentru obținerea calității:

- structura amestecului și omogenizarea lui;
- tratamentul chimic (sintetirizarea)

33)Procedeul de obtinere a policristalelor:

- omogenizare, brichetare, presinterizarea, răcirea și sintetirizarea;
- sintetirizarea, tratament chimic la temperaturi înalte în atmosfera de azot
34)Tipuri de policristale organice:
- de tip micromolecular, sub 1000 de atomi;
- de tip macromolecular, peste 1000 de atomi

35)Care sunt principalele tehnici de obtinere a acestor grupuri?

- policondensarea, în care se elimină un produs (apa, amoniac etc.);

- poliaditia, în care nu se elimină produse secundare;
- polimerizarea, în care polimerul păstreaza compoziția monomerului

36)Ce sunt materialele amorfe?

Sunt caracterizate de o lipsă ordinii în apropiere și la distanță, ceea ce înseamnă o
depunere dezordonată a particulelor.

37)Caracteristicile materialelor amorfe:

- energia de legatură este mai mică decât energia de agitație termică;
- lipsa ordinii în apropiere și la distanță;
- grupurile de molecule se schimbă permanent

38)Proprietatile materialelor amorfe:

- ocupă un volum mai mare decât un cristal;
- temperatura nu este definită exact;
- simetria structural este de ordin diferit (izotrop)

39)Tehnici de obtinere a materialului amorf:

a) din soluție (printr-o răcire foarte rapida);
b) din vapori (evaporare termică, pulverizarea catodică, pulverizarea plasmă și
depunerea electronică);
c) din structure cristaline (distrugerea locala a ordinii particulelor)

40)Ce este policondensarea?

Este un proces chimic de legare în urmă caruia se elimină un produs (apa, ammoniac,
etc.).

41)Ce este poliaditia?

Reprezintă procesul în care nu se elimină produse secundare, dar produsul final este
același cu monomerul.

42)Ce reprezinta polimerizarea?

Procesul în care polimerul păstrează compoziția monomerului, el fiind obținut în urma
unei reacții în lanț.

43)Energia cinetica a lungimii de unda.

W(k)=mV2/2=(m02*V2)/2m0=h2/2m0*|k|2

44)Care este formula pentru lungimea de unda?

Λ=h/(m0v)
h - constanta lui Planck
n=6,62*10-34J.s
m0 - masa
v - viteza

45)Ce reprezinta dopaera sau impurificarea controlata?

Procedeul de introducere a impurităților.
46)Care sunt modelele pentru studiul electronilor?
1) Modelul electronilor liberi;
2) Modelul electronilor legati

47)Semiconductorul intrinsec.

Când un semiconductor nu conține impurități (cazul ideal) sau concentraia acestuia este
foarte mică pentru a nu influența proprietățile materialului spunem că se numește
intrinsec.

48)Definiți semiconductorul extrinsec.

Daca semiconductorul conține impurități cu valența diferită de cea a semiconductorului
de bază spunem că se numeste extrinsec.

49)Obținerea semiconductorului de tip p.

Prin impurificarea cu atomi trivalenți.

50) Obținerea semiconductorului de tip n.

Prin impurificare cu atomi pentavalenți se obține semiconductorul de tip n.

51)Nivele energetic adânci.

Reprezinta nivelele mai aproape de central benzii interzise (Bi).

52)Ce reprezintă energia de activare a impurităților?

Energia de activare atât a impurităților donatoare, cât și a celei acceptoare.

53)Cați electroni se creează?

Nr. de electroni=nr. de goluri.

54)Nivele energetice mai puțin adânci.

Reprezintă nivelele mai aproape de BV(goluri), nu de BC.

55)Folosirea defectelor structurale.

Sunt utile pentru a crea semiconductoare.

56)De unde avem electroni în banda de conducție?

Dacă se încălzește banda, electronii vor căpăta o energie, dar nu avem nici e, nici
goluri.

57)Defecte structural.
- Impuritatea de substituție;
- Defectul Schooky;
- Impuritatea interstițială;
- Interstițialul;
- Defectul Frenkel.

58)Ce este impuritatea interstițială?

Este un defect care apare când printre nodurile rețelei se introduce o particulă de altă
natură decât cele ale rețelei.

59)Ce este defectul Frenkel?

Este constituit dintr-o pereche vacantă-interstitială relativ alăturate.

60)Ce este defectul Schottky?

Reprezinta defectul prin care o particula a rețelei este scoasă din rețea în afară
cristalului rămânând un nod vacant.

61)Ce este interstițialul?

Reprezinta particula de aceeași natură cu particulele rețelei aflată printre nodurile
rețelei.

62)Complexele de defecte stabile:

- dubla vacant (V-V) sau (G7);
- centrul E (V-P) sau(G8);
- centrul A(V-O) sau (B1)

63)Concentrația intrinsecă.
Reprezinta echilibrul termic dintre concentratia de goluri sic ea de electroni.

64)Ce reprezintă impuritatea de substituție?

Defectul prin care o particulă a retelei este înlocuită cu o particulă de altă natură.

65)Când crește concentrația de electroni?

În momentul în care crește temperatura.

66)Denumirea benzii de conductive.

BC= domeniul de energie.

67)Functia Fermi-Dirac.
Probabilitatea ca un nivel electronic de energie W sa fie ocupata de un electron.
FD(n)=1/[1+exp(W-WF)/(K-T)]
WF - energia Fermi
K - Con. Lui Boltzmann
T - temperatura(K)

68)De cine depinde functia Fermi-Dirac?

Depinde în special de energie, valoarea temperaturii, modul de dopare al
semiconductorului.

69)Formula pentru concentrația de goluri:

P0=Nv*exp[-(WF-Wv)/KT)]

70)Formula vitezei de drift.

Vdrift=μE.

71)Unde se gasește energie mai mare între cele 2 benzi?

Energia mai mare este pe BV.

72)În ce se masoară mobilitatea?

Unitatea de masură este m2/Vs.

73Ce este mobilitatea?

Proprietatea electronilor de a capăta o anumită viteza pentru un camp determinat.
μ=2tc/2m

74)Care sunt componentele mobilitatii?

- impurificarea;
- rețeaua.
75)Acțiunea unui câmp electric.
Duce la crearea unei viteze medii.

76)De cine depinde mobilitatea purtătorilor de sarcină?

Depinde direct proporțional de timpul mediu dintre cele două ciocniri.

77)Ce se întamplă cu mobilitatea?

Pe graphic scade pentru. ca odata cu creșterea impurităților crește și probabilitatea de
ciocnire.

78)Variația mobilității cu temperatura.

Vom avea o scadere a mobilitatii datorata ciocnirii.

79) Ce reprezintă conductibilitatea la nivel macrostructural?

Este o marime ce caracterizeaza materialul.

80) Condiția de neutralitate.

P0+ND-n0-NA=0

81) Purtători minoritari(goluri)

Pn≈ni2/(ND-NA)

82)Concentrația intrinsecă.
n0*p0=ni2
83) Dacă considerăm concentrația impuritătilor donoare mult mai mare decât a
celor acceptoare avem:
nn≈ND
Pn≈ni2/ND(concentrația de purtători în semiconductoare)

84)Purtători minoritari(electroni)
np≈ni2/(NA-Nd)

85)Purtatori majoritari (goluri)

Pp≈NA-ND

86)Concentrația impurităților acceptoare mai mare decât a celor donoare avem:

Pp=NA
NP=ni2/NA

87) De ce sunt determinate proprietatile electrice?

Ele sunt determinate de însăși structura materialului.

88)Ce reprezinta densitatea atomica?

Este nr. de atomi dintr-un volum de 1cm3 de material.

89)Care sunt proprietățile electrice?

1) Lățimea benzii interzise;
2) Concentrația intrinsecă;
3) Concentrația dislocațiilor;
4) Energia de activare a impurităților;
5) Mobilitatea purtătorilor de sarcină;
6) Durata de viață a purtatorilor minoritari;
7) Conductibilitatea electrică;
8) Coeficienții de difuzie;
9) Câmpul de străpungere și constanta electrică;
10) Masa efectivă;
11) Parametrii de recombinare;
12) Constanta Hall.

90)Ce este concentrația intrinsecă?

Reprezintă concentrația de electroni sau de goluri la un semiconductor intrinsec.

91)Ce reprezintă energia de activare a impurităților?

Energia de activare atât a impurităților donoare, cât și a celor acceptoare.

92)Ce reprezintă latimea benzii interzise?

Reprezintă distanța energetică între nivelul superior al benzii de valență și nivelul
inferior al benzii de conductie.

93)Care sunt proprietățile mecanice, elastice și de vibrații?

a) Densitatea materialului;
b) Duritatea;
c) Planul de clivaj;
d) Alungirea sau rezistența la întindere și compresiune;
e) Constantele elastice;
f) Viteza undei acustice;
g) Frecvența fononica și energia fononului optic

94)Ce reprezinta o faza?

Reprezinta o parte omogenă dintr-un material care are aceeași compozitie, structură și
proprietăti în toate punctele.

95)Ce sunt constituentii microstructurali?

Reprezintă parți componente ale microstructurii cu aspect microscopic specific.

96)Ce sunt “grauntii”?

Reprezinta poliedrii cristalini care formează structura.

97)Ce este concentratia dislocatiilor?

Reprezintă concentrația de impurităti donoare la semiconductorul de tip n, sau
concentrația de impurităti acceptoare la semiconductorul de tip p.

98)Ce este energia de activare a impuritatilor?

Reprezintă nivelele energetice introduse de impurități donoare în semiconductorul tip n,
și nivelele energetice introduse de impuritățile acceptoare în semiconductorul tip p.

99)Ce este mobilitatea purtătorilor de sarcina?

Reprezintă mobilitatea electronilor si mobilitatea golurilor.

100)Ce este durata de viata a purtatorilor minoritari?

Reprezintă intervalul de timp în care concentrația purtătorilor excentari (obținuti printr-un
proces de injectie) scade datorită proceselor de recombinare.

101)Ce reprezinta “metoda relaxarii fotoconductibilitatii”?

Realizează injecția de purtători în exces cu ajutorul unui impuls luminos.

102) Ce este conductibilitatea electrica?

Reprezintă proprietatea caracterizată de parametrul Λ, numit conductibilitate electrica.
103) Nivelul de injectie de echilibru?

Este atunci când de fapt nu există injecție.

104)Nivelul mic de injecție?

Este atunci când printr-un procedeu oarecare se introduce purtători în exces de ambele
tipuri.

105)Nivelul mare de injecție?

Este atunci cand se schimba concentratiile de electroni si de goluri compatibile.

106) Ce reprezintă recombinarea banda-banda?

Acest procees consta în posibilitatea trecerii unui electron din BC si recombinarea lui
cu un gol din BV.

107) Cand are loc recombinarea banda-banda?

Acest tip de recombinare are loc atunci când procesul de recombinare a electronilor din
BC cu golurile din BV domină procesul de generare termică a perechilor electron-gol.

108) Din ce cauze este posibilă recombinarea?

- impuritățile;
- expunerea la radiații;
- efectul stratului la suprafața.

109) Elementele variatiei concentrațiilor de goluri si electroni?

a) Fenomene de generare termică și recombinare permanentă;
b) Fenomene de generare de purtatori datorate unor agenți externi;
c) Fenomenul de variație spatial a curenților de goluri si electroni

110) Care sunt categoriile de material semiconductoare compuse?

a)compusi semi - conpuși binari;
- compuși binari din grupele III-IV;
-compuși binari din grupele II-IV
b) compusi ternari;
c)compusi semiconductori oxidici

111) Proprietățile atomice?

1) Numărul atomic;
2) Masa atomic;
3) Densitatea atomic;
4)Constantele de retea a,b,c

112) Ce reprezintă nr. atomic “Z”?

Este nr. alocat in tabelul lui Mendelev și reprezintă nr. de elctroni.

113) Ce este constă Hall?

Reprezintă o constă de proporționalitate în scrierea relației tensiunii care apare pe o
directive at. Cond. Pe și directive circulă prin material un current, iar pe a se afla un
câmp magnetic.

114) Care este formula indicelui de refractie?

n=sin/sinβ=cvid/cmediu

115) Care sunt proprietațile termice?

a) Capacitatea caloric specifică, “c”;
b) Capacitatea caloric molară;
c) Conductivitatea termică , K;
d) Temperatura de topire;
e) Coeficientul de dilatate liniară, Α

116) Ce reprezinta capacitatea caloric specifica?

Reprezintă cantitatea de caldură necesară pentru ca 1 kg dintr-un material să se
încalzeasca cu 1o C.

117) Care este formulă capacității calorice molare?

Cv=Cv*M

118) Ce reprezintă conductivitatea termică?

Reprezintă o proprietate de transport a energiei termice de la locul cald la locul rece.

119) Care este formula rezistivității?

R=ρ*(l/S)

120) Ce este un corp izotrop?

Este un corp care are aceleași proprietăți are o comportare identica pe toate direcțiile.

121) Legatura covalenta.

Este specifica moleculelor cu atomi identici(cristale moleculare) si are character dirijat in
spatiu.

122) Ce se impune in cazul conductivitatii electrice?

a)Determinarea tipului de conductivitate electric[;
b) Masurarea rezistivității