Universitatea “Politehnica” din Bucureşti

Facultatea de Electronică, Telecomunicaţii şi Tehnologia Informaţiei

Modelarea numericĂ a câȘtigului optic

din regiunea activĂ a unei diode laser

Proiect de diplomă

Conducător ştiinţific: Absolvent:

Ş.l. Dr. Ing. Valentin FEIEȘ Bogdan-Cristian MÎNDRICEL

1 2017
 Cuprins

1. Introducere. Aplicaţii
2. Principiul de funcționare al diodelor laser
3. Implementarea programului. Rezultate simulare
4. Concluzii
5. Bibliografie

2
 1. Introducere

3
 Aplicaţii ale diodelor laser

Telecomunicații Radar

Armată Medicină

Senzori Optici Medii de stocare

4
 2. Principiul de funcționare al unei diode laser
Laser
Amplification by
Stimulated
Emission of 2.1 Structura diodei laser
Radiation

5
 2. Principiul de funcționare al unei diode laser
2.2 Tranziții electronice în structura regiunii active

6
 2. Principiul de funcționare al unei diode laser
2.3 Ecuațiile ratelor

  


7
 2. Principiul de funcționare al unei diode laser
2.4 Soluțiile ecuațiilor ratelor în regim staționar

  Regim staționar sub prag:

 Regim staționar peste prag:

8
 2. Principiul de funcționare al unei diode laser
9
2.5 Câștigul optic

Câștig = Emisie stimulată - Absorbție de fotoni

 2. Principiul de funcționare al unei diode laser
2.6 Obținerea puterii optice

Emisie
Emisie
Stimulată,
Spontană
Câștig, g

S
10 Putere
Pierderi
optică
 2. Principiul de funcționare al unei diode laser
11 2.7 Puterea optică
 Start 3. Implementarea programului
Afișare
Schemă simplificată caracteristică N
Definire -I
constante de
material
Determină
Densitatea de
Inițializare fotoni, S
variabile:
I,x,N
Afișare
Inițializare caracteristicăS -
variabilă de I
start: x0
Determină
Puterea
for
optică, P
i=1:length(I)

Caută soluții Afișare

caracteristicăP -
I
Actualizare
parametru x Determină
Câștigul
optic, g
Actualizare
parametru N
Afișare
 caracteristicăg
12 –N–
 3. Rezultate Simulare
10 17 Caracteristica N(I)
3

Dens. de purtatori (cm -3) 2.5

1.5

0.5

0
13 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Curent (mA)
 3. Rezultate Simulare
10 15 Caracteristica S(I)
2

1.8

1.6
Dens. de fotoni (cm -3)
1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
14 Curent (mA)
 3. Rezultate Simulare

Caracteristica Popt(I)
0.12

0.1

Puterea optica (mW)

0.08

0.06

0.04

0.02

0
15 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Curent (mA)
 3. Rezultate Simulare

10 4 Castigul optic pentru InGaAsP vs. Lungimea de unda ( m)

14
N = 2.00*10^24
N = 2.25*10^24
12 N = 2.50*10^24
N = 2.75*10^24
N = 3.00*10^24

10
Castigul materialului, (m^-1)

0
16 1.44 1.46 1.48 1.5 1.52 1.54 1.56 1.58 1.6 1.62 1.64
Lungime de unda ( m)
 3. Rezultate Simulare
Castigul optic pentru InGaAsP vs.Densitatea de purtatori vs. Lungimea de unda ( m)

10 4
15

Castigul materialului, c m (m -1)

10

0
3
2.8 1.7
2.6 1.65
10 24 1.6
2.4 1.55
2.2 1.5
1.45
2 1.4
17
Lungimea de unda ( m)
Densitatea de purtatori (N)
 4. Concluzii

 Rezultate: conforme cu realitatea

 Dificultăți: necesitatea utilizării funcției fzero

 Îmbunătățire: extinderea gamei de materiale

18
 5. Bibliografie

 http://
scholar.rose-hulman.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=1001&context=optics_grad_theses
 Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (Second ed.), Larry A. Coldren, Scott Corzine,
Milan L. Masanovic, John Wiley and Sons, 2012
 Tunable Laser Diodes, Amann, M.-C., Buus, J., Artech House, 1982
 http://rf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/LASER.pdf.[Accesat
 http://odicforce.com/Background-and-Projects/Laser-Diodes

19