Capitolul 1

Clasicarea cristalelor
Starea solid a constituie una dintre formele de agregare ale
materiei, care se realizeaz a n anumite conditii de temperatur a
si presiune, referitor la care termodinamica clasic a d a informatii
concrete: aparitia acestei st ari se realizeaz a printr-un minim al
energiei libere, care corespunde unei distante ntre atomi egal a
cu constanta retelei cristaline. Starea cristalin a se caracterizeaz a
prin prezenta att a ordinei pozitionale, ct si orientationale. Prin
aceasta, ea se deosebeste de starea amorf a care este lipsit a de or-
dinea pozitional a sau de lichidele anizotrope (cristalele lichide).
Mention am c a exist a si cristale plastice, cum ar fi plumbul, n
care exist a ordine pozitional a dar lipseste ordinea orientational a.
Acest lucru face ca ele s a fie usor deformabile.
n vederea examin arii propriet atilor corpurilor solide se im-
pune a face o clasificare. Aceasta este destul de diversicat a. Ast-
fel, clasificarea se poate face: 1) dup a structura cristalin a 2) dup a
natura leg aturilor chimice, 3) dup a propriet atile electrice (dielec-
trice, paraelectrice, feroelectrice), 4) dup a propriet atile magnetice
(diamagnetice, paramagnetice, feromagnetice, ferimagnetice, an-
tiferomagnetice) etc.
1
2
Figura 1.1: Celula primitiv a: a) tridimensional a, b) bidimensional a.
n acest capitol ne vom limitata doar la primele dou a tipuri
de clasificare.
1.1 Clasificarea cristalelor dup a struc-
tura cristalin a
1.1.1 Consideratii generale
Un cristal se caracterizeaz a prin asezarea ordonat a a atomilor,
ionilor sau moleculelor n nodurile unei retele geometrice tridimen-
sionale. n vederea preciz arii unor notiuni, utile mai trziu, vom
introduce celula unitate (celula elementar a sau primitiv a) denit a
prin trei vectori c,

/, c necoplanari, care se numesc vectori de baz a

si determin a un paralelipiped (Fig. 1.1a).
Reteaua cristalin a se poate obtine plasnd repetat celule, n
aceeasi ordine, pe directiile date de c,

/, c. Reteaua este totali-
3
tatea punctelor din spatiu ai c aror vectori de pozitie sunt:

1
a
= :
1
c + :
2

/ + :
3
c (1.1)
unde :
1
, :
2
, :
3
sunt numere ntregi.
Observa tie: O retea bidimensional a se deneste prin doi vec-
tori c,

/ care determin a un paralelogram (Fig. 1.1b). Relatia de
generare a retelei este n acest caz de forma:

1
a
= :
1
c + :
2

/ (1.2)
Celula unitate este riguros aleas a dac a prin repetarea ei cristalul
este reg asit n sensul c a se reproduc toate nodurile si nu apar nici
suprapuneri nici spatii libere.
Se afirm a c a solidul este un monocristal, dac a el poate fi re-
produs n ntregime prin repetarea celulei elementare. n cazul
n care periodicitatea este respectat a pe portiuni relativ putin
extinse, solidul este un amestec de microcristale, adic a un poli-
cristal. Cnd periodicitatea nu se respect a sau este la nivelul
celulei elementare se realizeaz a starea amorf a.
1.1.2 Elementele de simetrie ale cristalelor
Existenta propriet atilor de simetrie este pus a n evident a prin
variatia propriet atilor zice cu directia cristalograc a.
O operatie de simetrie este o operatie care, aplicat a ntregului
cristal, are ca efect readucerea lui ntr-o pozitie identic a cu cea
initial a.
Principalele operatii de simetrie sunt: identitatea, translatia,
rotatia, reexia.
Un cristal posed a simetrie de transla tie, dac a reteaua poate
adus a n coincident a printr-o operatie de tipul:
: = :
0
+ :
1
c + :
2

/ + :
3
c (1.3)
4
unde c,

/, c sunt cei trei vectori ai celulei unitate, :
1
, :
2
, :
3
numere ntregi, iar :
0
un vector de pozitie oarecare.
Expresia 1.3 poate considerat a ca o relatie fundamental a n
vederea denirii retelei.
Nu toate operatiile de translatie sau de rotatie sunt operatii
de simetrie: din cauza structurii discrete a retelei exist a numai
translatii nite (nu innitezimale), care sunt limitate de relatia
de mai sus.
n vederea denirii simetriei de rotatie se introduce notiunea
de axa de rota tie: un cristal posed a o ax a de rotatie de ordin j
dac a poate adus n coincidenta cu el nsusi printr-o rotatie cu
un unghi c = 360
0
,j. Si n acest caz, remarc am caracterul discret
al acestei operatii de simetrie: reproducerea retelei se realizeaz a
numai dac a, plecnd de un vector : al retelei reg asim un vector
:
0
care apartine tot retelei. Prin urmare, rec adem peste vectorul
: numai printr-un num ar nit de operatii din cauza structurii
discrete a retelei cristaline. Vom demonstra c a va implicat un
unghi de rotatie c n care j este un num ar ntreg. Fie :, :
0
,
:
00
, ... cei j vectori care au aceiasi lungime si formeaz a cu axa
de rotatie aceleasi unghiuri; suma lor vectorial a are directia axei
de rotatie. Conform propriet atii de simetrie de translatie, suma
sau diferenta a doi vectori ai retelei este tot un vector al retelei;
diferentele: : :
0
. : :
00
. ... sunt vectori ai retelei situati ntr-
un plan perpendicular pe axa de rotatie (Fig. 1.2a). Asadar,
axa de rotatie are directia unui vector al retelei si planele retelei
sunt perpendiculare pe o astfel de ax a. mpreun a cu doi vectori
din acest plan, axa de rotatie formeaz a un sistem de referint a cu
ajutorul c aruia se poate descrie reteaua cristalin a. Acest sistem
nu coincide n mod obligatoriu cu sistemul vectorilor de baz a.
Se poate ar ata c a nu orice valoare j respectiv c este permis a.
Fie un vector : perpendicular pe axa de rotatie si doi vectori :
+
,
5
Figura 1.2: Scheme privind conditiile de realizare a unei rotatii.
:

care corespund rotatiilor c; acesti vectori apartin retelei si

trec prin nodurile apropiate. Din Fig. 1.2b rezult a:
:
+
+:

= 2: cos c (1.4)
Dar :
+
+:

ind un vector al retelei, colinear cu :, trebuie
s a difere de acesta printr-un num ar ntreg:
:
+
+:

= : - ntreg (1.5)
Din 1.4 si 1.5 rezult a:
2: cos c = :
Relatia 1.5 este valabil a oricare ar : si se mai poate scrie:
2 cos c = (1.6)
Deoarece [cos c[ _ 1, ecuatia 1.6 are valori discrete pentru c.
Rezultatele sunt centralizate n tabelul de mai jos:
6
Tabelul 1.1
Solutiile ecuatiei 1.6, unghiurile si axele de rotatie
j cosc c Denumirea axei
2 1 1 360 unitar a
-2 2 -1 180 binar a
-1 3 -1/2 120 ternar a
0 4 0 90 cuaternar a
1 6 1/2 60 sextupl a
Sunt posibile axe de rotatie binare (j = 2), ternare (j = 3),
cuadruple (j = 4) si sextuple (j = 6). Se constat a c a lipseste
simetria de rotatie pentagonal a (j = 5) sau heptagonal a ( j = 7)
1
n vederea denirii simetriei de reexie se introduce notiunea
de plan de ref lexie. Acesta este un plan, care prezint a propri-
etatea c a elementele dintr-o parte a acestuia pot obtinute prin
reexia celeilalte jum at ati pe planul respectiv (Fig. 1.3c). O se
numeste centru de inversie.
n afara operatiilor de simetrie principale descrise mai sus,
exist a si operatii de simetrie combinate dintre care vom mentiona
urm atoarele:
1. Simetria de reexie - rota tie este operatia de simetrie care
const a n aducerea cristalului n coincident a cu el nsusi prin apli-
carea unei operatii de reexie si apoi de rotatie. Un caz particular
al acestei simetrii este operatia de inversie care se realizeaz a cnd
axa de rotatie este de ordinul al doilea si este perpendicular a pe
planul de reexie.
2. Simetria de rota tie - transla tie este operatia de simetrie care
implic a aplicarea succesiv a a operatiilor de rotatie si translatie.
1
Absenta acestor tipuri de simetrie se poate justif ica si prin faptul c a este
imposibil de acoperit o suprafat a plan a cu pentagoane, respectiv heptagoane
regulate, f ar a s a apar a spatii goale, respectiv suprapuneri.
7
Figura 1.3: Operatii de simetrie ntr-o structura cubic a a) rotatie n
jurul unei axe, b) plan de ref lexie, c) inversie.
Un caz particular al acestei simetrii este axa de simetrie elicoidal a,
care apare cnd translatia se face paralel cu axa de rotatie.
Cteva din aceste operatii sunt ilustrate n Fig. 1.3.
1.1.3 Tipurile fundamentale de retele cristalo-
grafice
Operatiile principale de simetrie conduc la tipuri de retele
cristalograce; n absenta unei teorii a simetriei, pe care nu o vom
prezenta, mention am doar c a un anumit tip de retea corespunde
unui anumit grup de operatii de simetrie.
Tipurile principale de retele se numesc retele Bravais.
Exist a retele Bravais simple, care contin un singur nod din
reteaua cristalin a; ele joac a rolul unor celule primitive, ind celule
elementare cu volum minim: pornind de la un singur nod se poate
reproduce ntregul cristal. Ele contin un atom pe celul a.
De multe ori, nu se poate reproduce ntreaga retea cristalin a
pornind de la un singur nod; o astfel de situatie apare n cazul unei
8
re tele cu baza, care posed a mai multi atomi pe celul a; o astfel de
retea nu poate descris a printr-o relatie de tipul 1.3. Preciz am:
baza este totalitatea atomilor (ionilor sau moleculelor) atasat a,
ntr-o aceeasi orientare, unui nod al retelei. Pozitiile atomilor
bazei sunt dente prin relatii de tipul:
:
0
= r
c
c +
c

/ + .
c
c : = 1. 2. 3....; r
c
.
c
. .
c
< 1
n Tabelul 1.2 sunt prezentatate tipurile de retele posibile n
cazul bidimensional.
Tabelul 1.2
Sisteme cristalograce la retele bidimensionale
Sistem Caracteristici Celula elementar a
oblic c ,= /. ,= 90
0
paralelogram
rectangular simplu c ,= /. = 90
0
dreptunghi
rectangular centrat c ,= /. = 90
0
dreptunghi
p atratic c = /. = 90
0
p atrat
hexagonal c = /. = 120
c
romb
Pentru retelele tridimensionale exist a mai multe tipuri de celule
(Fig. 1.4).
Exist a 14 tipuri de retele Bravais tridimensionale grupate n 7
sisteme cristalograce. Aceste sunt prezentate n Tabelul 1.3.
9
Figura 1.4: Tipuri de celule tridimensionale: (P) celula simpl a, (C)
celula cu baz a centrat a, (I) celula cu volum centrat si (F) celula cu
fete centrate.
Tabelul 1.3.
Sisteme cristalograce la retele tridimensionale
Sistem Caracteristici Celul a
Triclinic c ,= / ,= c; c ,= , ,= P
Monoclinic c ,= / ,= c; c = , = 90
0
,= P, C
Ortogonal c ,= / ,= c; c = , = = 90
0
P, C, F, I
Tetragonal c = / ,= c; c = , = = 90
0
P, I
Cubic c = / = c; c = , = = 90
0
P, I, F
Hexagonal c = / ,= c; c = , = 90
0
. = 120
0
P
Romboedric c = / = c; c = , = ,= 90
0
P
Dintre tipurile de celule elementare mai importante mention am
reteaua de tip diamant pe care o prezint a carbonul cristalizat
sub form a de diamant, precum si germaniul si siliciul. Reteaua
provine de la o retea cubic a cu fete centrate, c areia i s-au ad augat
nc a patru atomi la cotele 1/4 respectiv 3/4. n Fig. 1.5 sunt
10
Figura 1.5: Pozitiile atomilor n reteaua de tip diamant.
prezentate pozitiile atomice proiectate pe o fat a a cubului. O ast-
fel de retea spatial a este o retea cu baz a si are opt atomi pe celula
elementar a, ecare atom din celul a avnd patru vecini identici cu
care realizeaz a leg atura covalent a.
Un alt tip de retea pe care-l prezint a mai multe cristale (dintre
care mention am cobaltul) este reteaua hexagonal compact a. Ea
reprezint a o structur a n care resturile atomice, asimilate cu sfere
dure, pot apropiate la maximum si n care c,c = (8,3)
12
.
1.1.4 Orientarea planelor si directii n cristal
ntr-o retea cristalin a se pot trasa prin nodurile retelei diferite
plane, care s a prezinte orient ari arbitrare. ntruct experienta
arat a c a propriet atile solidelor variaz a cu directia cristalograc a,
determinarea orient arii unui plan n raport cu celula elementar a
este deosebit de util a.
Orientarea planului n spatiu se poate deni cu ajutorul indi-
cilor lui Miller. n acest scop, se alege un sistem de coordonate
11
Figura 1.6: Determinarea indicilor Miller.
(n general oblic) n originea c aruia se aseaz a celula elementar a
(Fig. 1.6). Fie planul a c arui orientare n spatiu este necesar a
determinat a; se procedeaz a n felul urm ator:
- Se evalueaz a intersectiile :, :, j ale planului n functie de
lungimile vectorilor celulei elementare.
- Se calculeaz a valoarea invers a a acestor numere
- Numerele obtinute se reduc la cei mai mici ntregi iar rezul-
tatul obtinut se ncadreaz a ntr-o parantez a (//|) ; //| sunt indici
lui Miller ai planului considerat. n Fig. 1.7 sunt prezentate c
teva exemple:
O directie n cristal este determinat a de dreapta care uneste cel
putin dou a noduri. Ea se poate deni cu ajutorul numerelor prime
[:
1
. :
2
. :
3
] caracteristice nodului care are ca vector de pozitie

1
n
=:
1
c + :
2

/ + :
3
c si care este vecinul cel mai apropiat al
unui nod luat ca origine. Directiile echivalente n retea se noteaz a
< :
1
. :
2
. :
3
. De exemplu, ntr-o retea cubic a simpl a, nodul cu
coordonatele 1,1,0 se g aseste pe directia <110, care corespunde
12
Figura 1.7: Indicii lui Miller pentru diferite plane.
unei fete diagonale a cubului.
1.1.5 Reteaua reciproc a
n teoria corpului solid unele relatii matematice se exprim a
sub o form a mai simpl a prin introducerea retelei reciproce.
Reteaua reciproc a bidimensional a
Fie c,

/ vectorii retelei directe; prin denitie, vectorii retelei
reciproce c

satisfac relatiile:
cc

= 1 ; c

=c

/ = 0 (1.7)
Fie ,

ariile retelei directe respectiv reciproce;

din Fig. 1.8a rezult a:
1 =

/

= //

cos
_
:
2

_
= //

sin ; /

= 1,/ sin
1 = cc

= cc

cos
_
:
2
+
_
= cc

sin ; c

= 1,c sin
si deoarece = c/ sin .

= c

sin , rezult a

= 1.
Un nod al retelei reciproce deneste o linie n reteaua direct a.
13
Reteaua reciproc a tridimensional a
Reteaua reciproc a se deneste prin vectorii c

. c

unde:
cc

=

/

= cc

= 1 (1.8)
c

=

/c

= cc

= ... = 0
De aici rezult a:
c

=

/ c
c
_

/ c
_ ;

/

=
c c
c
_

/ c
_ ; c

=
c

/
c
_

/ c
_ (1.9)
Propriet atile retelei reciproce tridimensionale
1. Fie \ =c
_

/ c
_
volumul retelei directe si \

=c

_
volumul retelei reciproce. Atunci \ \

= 1.
2. Vectorul retelei reciproce dus n nodul [//|] este perpendi-
cular pe planul retelei directe cu indicii Miller (//|).
ntr-adev ar, planul cu indicii Miller (//|) intersecteaz a axele
de coordonate n punctele c,/ ,

/,/, c,|. (Fig. 1.8b). Vom ar ata

c a vectorul retelei reciproce:
:

= /c

+ /

+ |c

(1.10)
este perpendicular pe doi vectori din acest plan cum ar : c,/

/,/ si

/,/ c,|.
ntr-adevar:
_
c
/

c
|
_
:

= 0
si
_

/
/

c
|
_
:

= 0
14
Figura 1.8: a) Orientarea vectorilor a,

/, a

,

/

ntr-o retea bidimen-

sional a b) Orientarea vectorului r

n raport cu planul (//|).

3. Lungimea unui vector al retelei reciproce [:

[ este egal a cu
inversul distantei dintre dou a plane apartinnd retelei directe.
ntr-adev ar, conform teoremei precedente, :

are directia nor-

malei la plan astfel nct putem scrie:
: =
:

[:

[
Fie d distanta dintre planul (//|) din Fig. 1.8b si un plan
paralel cu acesta care trece prin origine; atunci:
d =
c:
/
=
c
_
/c

+ /

+ |c

_
/[:

[
=
1
[:

[
(1.11)
15
1.2 Clasificarea solidelor dup a tipurile
de leg atur a
Pentru a ntelege modul n care se poate forma o anumit a
structur a solid a trebuie s a analiz am conditiile n care este posi-
bil a formarea unei structuri stabile. ntre atomii constituenti
actioneaz a forte de interactie care pot att atractive, ct si
repulsive. Echilibrul acestor forte se realizeaz a pentru o anumit a
distant a interatomic a (constanta retelei cristaline), care este ca
racteristic a sistemului.
O m arime caracteristic a leg aturii cristaline este energia de co-
eziune. Aceasta este diferenta dintre energia cristalului n starea
sa normal a la temperatura de zero absolut si energia atomilor
sau ionilor constituenti, luati n mod izolat. Energia de coeziune
este egal a cu c aldura de sublimare dac a, prin evaporare, se obtin
atomii constituienti. Ea se m asoar a n eV/mol. sau n kcal/mol.
Principalele leg aturi chimice sunt: 1) leg atura ionic a, 2) leg a-
tura covalent a, 3) leg atura metalic a, 4) leg atura molecular a (Van
der Waals). n functie de preponderenta uneia dintre acestea,
cristalele se pot clasica n 1) cristale ionice, 2) cristale covalente,
3) metale, 4) cristale moleculare, 5) cristale cu leg atur a de hidro-
gen.
1.2.1 Cristale ionice
Cristalele ionice sunt formate din elemente electro-pozitive si
elemente electro-negative. Exemplul cel mai simplu l constituie
halogenurile alcaline n care metalele alcaline (Li, Na, K, Rb, Cs)
au un electron de valent a, n timp ce halogenii (F, Cl, Br, I) au
un electron lips a pentru a completa o p atur a nchis a. Un trans-
fer de electron de la metalul alcalin X la halogenul Y conduce la
16
Figura 1.9: (a) Retea de tip NaCl, (b) Retea de tip ClCs.
aparitia unor ioni X
+
si Y

, cu p aturi nchise, asem an atoare unui

gaz nobil. De exemplu, n NaCl , Na
+
are conguratia 1:
2
. 2:
2
. 2j
6
similar a neonului, n timp ce Cl

are conguratia 1:
2
. 2:
2
. 2j
6
. 3j
6
similar a argonului. Dou a exemple tipice de retele cristaline ntl-
nite la cristale ionice sunt prezentate n Fig. 1.9
n reteaua cristalin a ecare ion are ca vecini cei mai apropiati
ioni de semn contrar, iar ca vecini de ordinul al doilea ioni de ace-
lasi semn. Din aceste motive fortele de atractie coulombiene sunt
semnicative si structura are o mare stabilitate. n afara fortelor
de atractie exist a si forte repulsive, care restabilesc echilibrul si
care explic a formarea razelor ionice. ntr-adev ar, este imposibil
ca ionii de semn contrar s a se apropie la o distant a mai mic a dect
raza ionic a din cauz a c a p aturile nchise ar urma s a se suprapun a.
n acest caz intervin forte repulsive de natur a cuantic a, cum ar
cele care deriv a din principiul lui Pauli si care exclud posibilitatea
17
ca doi electroni s a se g aseasc a n acelasi loc. De aceea, distanta
dintre ioni are o valoare critic a, acestia comportndu-se ca sfere
rigide. Leg atura ionic a este puternic a, energiile de coeziune ale
cristalelor ionice avnd valori mari.
La temperatura camerei, cristalele ionice sunt dielectrice. Cnd
temperatura creste cristalele ionice devin conductoare, avnd o
conductibilitate ionic a de ordinul de m arime al electrolitilor.
1.2.2 Cristale covalente
n cristale covalente atomii vecini si pun n comun doi elec-
troni realiznd astfel leg atura covalent a sau leg atura homopolar a.
Un astfel de tip de leg atur a a fost semnalat de W. Heitler si
F. London ca ind specic moleculei de hidrogen. Aplicnd metoda
perturbatiilor pentru a determina energia total a a moleculei s-a
ar atat c a o contributie la aceasta este energia de schimb, care
apare datorit a indiscernabilit atii microparticulelor. Se demon-
streaz a c a energia total a este minim a cnd cei doi electroni cu
spini antiparaleli sunt pusi n comun. Leg atura covalent a repre
zint a o extensie a leg aturii duble de electroni, la o p atur a nchis a
format a din opt electroni. Cristalul reprezentativ al acestui tip de
leg atur a este diamantul a c arui structur a (prezentat a n Fig. 1.5)
face posibil ca ecare atom de carbon (tetravalent) s a aib a patru
vecini apropiati identici cu care s a pun a n comun doi electroni
cu spini antiparaleli. Aceste leg aturi sunt reprezentate schematic
prin puncte sau liniute:
C
..
:C:C:C:
..
C
18
Figura 1.10: Formarea unor leg aturi mixte n cristalele de InSb si ZnS.
Cristalele covalente sunt foarte dure (diamantul are n scara
durit atilor valoarea 10) si au conductibilitate electric a si termic a
foarte mic a. Ele fac parte din clasa dielectricilor sau a semicon-
ductoarelor. Dintre acestea, siliciul si germaniul au tot o struc-
tur a de tip diamant. Mention am c a sunt posibile si leg aturi mixte.
Astfel, compusii denumiti A
111
B
\
, formati din elementele coloanei
a treia a sistemului periodic (B, In, Ga) si elementele coloanei a
cincea (P, As, Sb), precum si compusii A
11
B
\ 1
formati din ele-
mentele coloanei a doua (Zn, Cd, Pb,...) si elementele coloanei a
sasea (O, S, Se, Te,...) prezint a att leg atur a ionic a, ct si cova-
lent a (Fig. 1.10). n primul caz predomin a leg atura covalent a, iar
n cel de-al doilea leg atura ionic a.
Cristalele covalente au temperaturi de topire nalte si energii
de coeziune apreciabile.
1.2.3 Metale
Metalele se caracterizeaz a printr-o conductibilitate electric a si
termic a mare, fapt care, nc a de la nceputul secolului trecut, a
determinat pe multi zicieni s a admit a ipoteza electronilor liberi.
Acestia sunt electronii de valent a (sau de conductie), care sunt
19
destul de slab legati. Metalele alcaline, de exemplu, care au o
structur a cubic a cu volum centrat, posed a un electron de valent a
si anume: 2: (Li), 3:(Na). 4:(K). 5:(Rb). 6:(Cs).
Din aceste motive, se poate considera c a metalul este alc atuit
dintr-o retea spatial a de ioni pozitivi introdus a ntr-un gaz (sau
un
00
nor
00
) de electroni care se deplaseaz a liber. Acest model, care
justic a leg atura metalic a a fost propus de Sommerfeld.
ntr-un metal energia total a se datoreaz a energiei potentiale
de interactie a electronilor 1
1
(care poate de natur a coulom-
bian a, energie de schimb sau energie de corelatie), energiei cine
tice a electronilor de conductie 1
2
si energiei de repulsie dintre
ioni (sau
00
resturile atomice
00
) 1
3
. Reprezentnd grac 1
1
. 1
2
si
1
3
n functie de distanta dintre doi atomi (Fig. 1.11) rezult a c a
energia total a are un minim care corespunde constantei retelei.
Metalele pot pure sau aliaje. n afara metalelor alcaline, care
posed a un electron de valent a, exist a metale bivalente, care crista
lizeaz a n sistemul hexagonal (Be, Mg, Zn, Cd) n sistemul cubic
cu fete centrate (Ca, Sr) sau n sistemul cubic cu volum centrat
(Ba) precumsi metale trivalente (Al). Din punct de vedere aplica-
tiv un interes deosebit l prezint a metalele de tranzi tie. Atomii
acestora posed a p aturi interne incomplet ocupate, fapt care le
confer a propriet ati deosebite. Un exemplu l constituie grupul
metalelor feromagnetice: Fe, Ni, Co, si Gd.
1.2.4 Cristalele moleculare
Moleculele substantelor organice si gazele elementelor zero va-
lente formeaz a cristale moleculare. Fortele care actioneaz a n-
tre moleculele acestora poart a denumirea de forte de tip Van der
Waals; acestea sunt forte de atractie slabe care se datoresc dipo-
lilor permanenti din molecula respectiv a (n caz c a exist a), dipo-
20
Figura 1.11: Energiile 1
1
, 1
2
si 1
3
n functie de distanta dintre doi
atomi.
lilor indusi sau aparitiei unei forte de dispersie, care este de natur a
cuantic a. Provenienta acesteia si are urm atoarele cauze: n mole-
culele n care distributia de sarcin a are o simetrie sfe ric a nu exist a
dipoli permanenti ns a, datorit a deplas arii electronilor n jurul nu-
cleelor, poate s a apar a un dipol instantaneu astfel nct sistemul
se comport a ca un dipol uctuant. Acesti dipoli inte ractioneaz a
cu moleculele vecine si induc un moment electric dipolar.
Cristalele moleculare se pot clasica dup a forma moleculelor.
Exist a cristale moleculare cu p aturi electronice exterioare com-
plete, cum este cazul gazelor nobile. Acestea au structuri com-
pacte (cristalizeaz a n sistemul cubic cu fete centrate, cu exceptia
He care prezint a structura hexagonal compact a); acest tip de
structur a le confer a stabilitate n conditiile prezentei unei forte
21
slabe de interactiune. Caracteristic acestora este si existenta unor
temperaturi de solidicare sc azute.
Cristalele moleculare pot prezenta leg aturi saturate, cum este
cazul moleculei de CH
4
. CO
2
etc. Ele pot prezenta lanturi mole-
culare, cum este cazul paranei C
a
H
2a+2
, pot avea o form a plat a,
cum este cazul derivatilor benzenilor sau o structur a foarte com-
plex a, cum este cazul ADN-ului.
Caracteristice cristalelor moleculare sunt dimensiunile struc-
turale, precum si greut atile moleculare incomparabil mai mari
dect cele ntlnite la alte tipuri de cristale. Datorit a faptului
c a interactia Van der Waals este slab a, energiile de coeziune ale
cristalelor moleculare au valori extrem de mici.
1.2.5 Cristale cu leg atur a de hidrogen
Unii zicieni, cum ar Kittel, consider a acest tip de cristale
ca o categorie aparte. Hidrogenul atomic poate forma o leg atur a
covalent a cu un alt atom de hidrogen sau cu elemente chimice elec-
tronegative, cum ar F, O, N, formnd compusi ca HF, H
2
O, NH
2
etc. n astfel de cazuri, este posibil ca moleculele respective s a
prezinte si dipoli permanenti. Atunci ntre moleculele cristalului
se vor exercita interactii dipolare, iar n conditii de temperatur a
si presiune, convenabile form arii st arii solide, vor forma leg aturi
intermoleculare n care atomii de hidrogen vor forma leg atura co-
valent a cu atomii moleculelor nvecinate.
Caracteristic pentru acestea este faptul c a, ntr-o structur a
solid a, distantele dintre atomii moleculelor vecine sunt mai mari
dect distantele dintre atomii aceleiasi molecule. De exemplu, la
moleculele de HF. H
2
O, NH
3
distantele dintre atomul de hidrogen
si cel nvecinat sunt egale cu 0. 9. 1. 07. 1. 09, n timp ce, n
faza solid a ele sunt mai mari si anume 1. 6. 1. 8. 1. 9.
22
Leg atura de hidrogen este important a pentru a explica inte-
ractiunea dintre oxigensi hidrogen n cristalele de gheat a (Aceasta
are propriet ati semiconductoare n care purt atorii sunt protoni).
n unele cazuri leg atura de hidrogen poate induce propriet ati
dielectrice specice, cum este cazul fosfatului monopotasic si al
s arurilor sale izomorfe sau al s arii Rochelle. Modicarea pro-
priet atile feroelectrice ale acestora ca urmare a substituirii hidro-
genului prin deuteriu (aparitia unor efecte izotopice specice) este
o conrmare a importantei leg aturii de hidrogen.
n nal vom prezenta un tabel care ilustreaz a importanta leg a-
turii chimice pentru stabilitatea cristalului si implicit a energiei
de coeziune.
Tabelul 1.4.
Energia de coeziune (n eV)a diferitelor tipuri de leg aturi
Legatura ionic a Leg atura covalenta
Li Cl.....8,6 SiO
2
.........17,6
CuCl.....9,6 SiC . . . . . .12,3
NaCl....7,9 diamant. . . .7,4
KI.........6,6 Si . . . . . . . .3,7
CsI........6,3 Ge . . . . . . . 3,7
Leg atura metalic a Leg atura molecular a
Au . . . . . 3,58 Kr . . . . . . . .0,11
Fe . . . . . .4,20 CH
4
. .. .. . . .0,10
Ga . . . . . . 2,86 Ar . . . . . . . . 0,08
Mg . . . . . .1,56 H
2
. . . . . . . . .0,01
Na . . . . . . 1,13 He (lichid) . . ..0,001
.
Capitolul 2
Imperfectiuni n cristale
n capitolul precedent, s-a presupus reteaua cristalin a ca fiind
riguros periodic a nu numai n ce priveste aranjarea ideal a a ato-
milor n nodurile retelei cristaline, ci si n privinta fixit atii atom-
ilor n aceste pozitii. Cristalele naturale sau cele crescute n lab-
orator prezint a defecte structurale, repartitia atomilor sau ionilor
nefiind riguros periodic a; acestea sunt defecte punctuale (zero di-
mensionale), defecte de linie (unidimensionale), defecte de supra-
fat a (bidimensionale) si defecte de volum (tridimensionale).
Imperfectiunile produse de miscarea de oscilatie a ionilor sau
atomilor n nodurile retelei cristaline sunt cunoscute sub numele
de vibratiile retelei. Ele joac a un rol important prin aceea c a mis-
carea electronilor n cristale, interactia radiatiei electromagnetice
cu cristalul, precum si propriet atile termice sunt explicate n mod
riguros numai dac a se iau n considerare aceste vibratii care devin
semnificative la temperaturi nalte.
23
24
Figura 2.1: a) vacant a, b) atom interstitial, c) atom de impuritate.
2.1 Defecte structurale
2.1.1 Defecte punctuale
Dintre defectele punctuale vom aminti pe cele mai simple:
acestea sunt vacantele (absenta unui ion din atom din pozitia
normal a n reteaua cristalin a), atomii interstitiali (prezenta unor
atomi n interstitii, n general la jum atatea distantei dintre doi
atomi care ocup a pozitii normale n reteaua cristalin a) si atomii
de impuritate (atomi diferiti de cei care apartin retelei conside-
rate si care se pot g asi ntr-o pozitie interstitial a f ie ntr-o pozitie
normal a. Aceste cazuri sunt ilustrate n Fig. 2.1.
Prezenta acestor defecte punctuale este favorizat a din punct
de vedere energetic: formarea lor se face cu micsorarea energiei
libere a cristalului. ntr-adev ar, notnd cu 1
\
energia necesar a
form arii unei vacante si l
0
energia cristalului ideal, energia unui
cristal care contine : vacante este:
l = l
0
+ :1
\
(2.1)
Ca urmare a aparitiei vacantelor entropia cristalului creste.
Presupunnd c a cristalul posed a ` pozitii atomice, num arul to-
tal de configuratii n care pot fi repartizate vacantele este egal
25
cu
.!
a!(.a)!
. n conformitate cu relatia lui Boltzmann, entropia
asociat a acestei dezordon ari este egal a cu /
1
ln \ (\ fiind pro-
babilitatea termodinamic a); asadar:
o = o
0
+ /
1
ln
`!
:! (` :)!
(2.2)
unde o este entropia cristalului real (cu defecte), iar o
0
entropia
cristalului perfect.
Energia liber a a cristalului este atunci:
1 = l 1o = 1
0
+ :1
\
/
1
1 ln
`!
:! (` :)!
(2.3)
Se poate demonstra c a energia liber a prezint a un minim pentru
o anumit a valoare a num arului de defecte. Acest minim se obtine
din conditia
J1
J:
= 0
1
. Cnd : ` rezult a:
: = ` exp
_

1
\
/
1
1
_
(2.4)
Concentratia de defecte creste exponential cu temperatura (la
o temperatur a de - 450 K raportul este :,` - 10
4
). Acestea
se mai numesc si
00
vacante n echilibru termic
00
, apartia lor fiind o
consecint a a micsor arii energiei libere.
Referitor la atomii interstitiali se ajunge la aceeasi concluzie
calitativ a. Notnd cu `
0
num arul de pozitii interstitiale si cu `
num arul total de atomi din cristal, entropia asociat a form arii a :
i
atomi interstitiali este egal a cu:
o = o
0
+ /
1
ln
`!
(` :
i
)!:
i
!
`
0
!
(`
0
:
i
)!:
i
!
(2.5)
1
Se foloseste formula lui Stirling pentru numere mari: ln! ln
26
Efectund acelasi rationament ca si n cazul anterior se obtine:
:
i
=
_
``
0
exp
_

1
i
2/
1
1
_
(2.6)
unde 1
i
este energia necesar a form arii unui atom interstitial.
n ceea ce priveste atomii de impuritate, remarc am faptul c a
prezenta lor este de neevitat: se afirm a c a substanta este pur a
cnd existenta unor atomi str aini nu este detectabil a prin metode
cunoscute (spectroscopice, analiza prin activare radioactiv a etc.).
Conditiile reale de lucru fac ca purificarea unei substante s a nu
se poat a realiza ntr-o m asur a mai mare de 10
8
atomi/cm
3
.
n multe cazuri n substante se introduc atomi de impuritate
sub form a de adaosuri n proportii bine determinate, care le con-
fer a unele propriet ati specifice. Un exemplu tipic l constituie
doparea semiconductorilor.
2.1.2 Defecte de linie (dislocatii)
Defectele unidimensionale (sau defecte de linie) se mai numesc
si dislocatii. Prezenta lor ntr-o retea cristalin a poate fi ilustrat a
prin efectuarea unui circuit (circuitul Burgers) ABCD, caracte-
rizat prin :, respectiv : distante atomice parcurse n directiile
cristalografice specificate n Fig. 2.2. Dac a circuitul se nchide
perfect (cazul a), cristalul nu posed a un astfel de defect; dac a
circuitul nu se nchide (cazul b) se afirm a c a cristalul posed a o
dislocatie: deplasarea

0
=

/ se numeste vector Burgers si este

un parametru caracteristic acesteia. Provenienta unui astfel de
defect poate fi ilustrat a si n alt mod: dislocatia poate apare dac a
cristalul este t aiat, cele dou a p arti deplasate si spatiul r amas liber
completat cu un sir de atomi. Invers, dislocatia poate fi nl atu-
rat a, dac a se scoate un lant de atomi si se alipesc extremit atile
27
Figura 2.2: Evidentierea unei dislocatii.
cristalului initial deformat.
n Fig.2.2 dislocatiile au fost prezentate ntr-un plan. Cristalul
este tridimensional: n planele adiacente figura de dislocatii poate
s a apar a astfel nct s a se reproduc a a) perpendicular pe vectorul

/, b) paralel cu vectorul

/. n primul caz, se afirm a c a s-a creat
o dislocatie de margine (de muchie); n cel de-al doilea caz, o
dislocatie elicoidal a.
Dislocatiile apar n procesul de crestere a cristalelor ca ur-
mare a unor deform ari plastice sau dup a ce cristalul a fost su-
pus unor solicit ari mecanice; ele nu sunt configuratii stabile din
punct vedere energetic deoarece m aresc energia liber a a cristalu-
lui. ntr-adev ar, desi entropia creste prin introducerea unor de-
fecte suplimentare, energia intern a se m areste ntr-o m asur a mai
mare comparativ cu cazul defectelor punctuale: apare un aport
energetic important prin procesul de deformare plastic a.
Studiul form arii si misc arii dislocatiilor este necesar n vederea
28
explic arii propriet atilor mecanice ale solidelor (rezistent a la ru-
pere, curgerea plastic a, fluajul) precumsi a unor propriet ati fizice
(electrice, magnetice).
Dislocatiile elicoidale sunt esentiale n procesul de crestere a
cristalelor. n conditiile unor suprasatur ari mici, cresterea de la
dimensiuni microscopice la dimensiuni macroscopice se face ca
urmare a form arii pe suprafata cristalului a unei "trepte", care
ofer a o probabilitate de atasare mai stabil a a unit atii de crestere.
S-a elaborat pe baza acestui mecanism teoria cresterii n spiral a
a cristalelor.
2.1.3 Defecte de suprafat a
Dintre defectele bidimensionale vom mentiona n primul rnd
suprafata cristalului, care separ a cristalul respectiv de un alt
cristal, de o faz a lichid a sau gazoas a.
Prezenta suprafetei face ca energia potential a a unui electron
s a se modifice n vecin atatea acesteia, lipsind periodicitatea ca
racteristic a cristalului masiv. n semiconductori apar nivele de
suprafat a care pot fi ocupate de electroni, modificnd caracterul
conductibilit atii si m arimea acesteia n vecin atatea suprafetei.
Tot defecte de suprafat a sunt limitele de interfaze, limitele de
gr aunti si maclele.
F ar a a mai intra n detalii cu privire la alte defecte bidimen-
sionale vom aminti domeniile feromagnetice (suprafete de discon-
tinuitate ale vectorului magnetiz arii spontane n substante fero-
magnetice) si domeniile feroelectrice (suprafetele de discontinui-
tate ale vectorului polarizare spontan a n substante feroelectrice).
29
2.1.4 Defecte de volum
Defectele tridimensionale: pori, fisuri, incluziuni etc. apar
n general n procesele de prelucrarea incorect a a materialelor.
nl aturare lor este necesar a n vederea mbun at atirii propriet atilor
mecanice ale acestora.
2.2 Vibratiile retelei
Miscarea de oscilatie a ionilor sau atomilor din reteaua crista-
lin a influenteaz a miscarea electronilor si interactia cmpurilor ex-
terioare cu cristalul. n domeniul temperaturilor joase, aceste os-
cilatii sunt armonice; n domeniul temperaturilor nalte, apropiate
de temperatura de topire, aceste oscilatii devin anarmonice; pe
baza acestei ipoteze s-a explicat satisf ac ator dilatarea solidelor.
Propriet atile termice ale solidului au fost prima dat a abor-
date clasic. S-a presupus c a un solid alc atuit din ` atomi este
echivalent cu un sistem de 3` oscilatori armonici unidimensionali.
Conform fizicii clasice, energia unui astfel de oscilator este egal a
cu /
1
1 de unde rezult a c a energia cristalului este l = 3`/
1
1,
iar capacitatea caloric a c
c
= dl,d1 = 3`/
1
= 31 (dac a ne
referim la un mol). Acest rezultat cunoscut si sub denumirea de
"Legea Dulong-Petit" este n dezacord cu principiul al treilea al
termodinamicii conform c aruia c
c
0 cnd 1 0 K.
2.2.1 Modelul lui Einstein
Modelul lui Einstein este cunoscut si sub denumirea de "mo-
delul oscilatorilor independenti". S-a admis c a un solid, alc atuit
din ` atomi poate fi descris de un sistem de ` oscilatori tridi-
30
mensionali, a c aror energie este dat a de formula lui Planck:
1
ccc
=
~.
c
~!
kT
1
(2.7)
S-a obtinut astfel energia total a a retelei:
l = 3`1
ccc
(2.8)
si, prin derivare n raport cu temperatura, capacitatea caloric a a
solidului:
c
c
=
dl
d1
= 3`/
1
_
o
1
1
_
2
exp(o
1
,1)
[exp(o
1
,1) 1]
2
(2.9)
unde o
1
= ~.,/
1
este o expresie cunoscut a sub denumirea de
00
temperatur a Einstein
00
.
Expresia 2.9 este n acord cu principiul al treilea, deoarece
cnd temperaturile sunt sc azute (respectiv 1 0 K) rezult a c a
c
c
~ exp(o
1
,1) 0. Aceast a descrestere s-a dovedit a fi prea
brusc a. n domeniul temperaturilor nalte, conform principiului
de corespondent a, se reg aseste rezultatul clasic: c
c
= 3`/
1
.
2.2.2 Modelul lui Debye
Pentru a descrie miscarea termic a ntr-un solid, Debye a adop-
tat o alt a metod a, bazat a pe ipoteza continuului. Astfel, Debye
a f acut abstractie de structura atomic a si a presupus c a solidul
este un mediu continuu n care, datorit a temperaturii, se propag a
unde termice. Ecuatia de propagare a undelor are forma
n
i
=
1

2
i
J
2
n
i
Jt
2
(2.10)
31
unde
i
este viteza de propagare a undelor longitudinale (i = |),
respectiv transversale (i = t). Solutia general a a unei ecuatii de
forma 2.10 (unda direct a) este
n
i
(r. . .. t. ) = const exp i[.t (/
a
r + /
j
+ /
:
.)] (2.11)
unde
/
2
a
+ /
2
j
+ /
2
:
= /
2
= (2:,`)
2
(2.12)
/ fiind modulul vectorului de und a, iar ` lungimea de und a.
Pentru simplificare se poate admite c a solidul este un cub
cu latura 1. Atunci, aplicnd conditiile la limit a n
i
(0. . .. t) =
n
i
(1. . .. t),....se obtine:
/
a
1 = :
1
: . /
j
1 = :
2
: . /
:
1 = :
3
: (2.13)
unde :
1
. :
2
. :
3
sunt numere ntregi pozitive.
Evaluarea num arului de moduri de vibratie se poate face n
felul urm ator:
n spatiul

/, al vectorului de und a, valorile permise pentru
acesta se g asesc n primul octant; ele ocup a nodurile unei retele
cubice cu latura :,1 si volumul (:,1)
3
. Deoarece num arul de
atomi din solid este foarte mare, valorile permise pentru compo-
nentele vectorului de und a sunt foarte apropiate, repartitia lor
fiind practic continu a. Num arul total de valori permise pentru

/
(sau num arul de moduri de vibratie) se poate obtine mp artind
a opta parte din volumul sferei de raz a / la volumul celulei. Se
obtine:
4:
3
/
3
(:,1)
3
1
8
=
4:\ /
3
3(2:)
3
(2.14)
Num arul de moduri de vibratie cu vectorul de und a cuprins n
intervalul /. / + d/ se va obtine prin diferentierea expresiei 2.14
n raport cu /; substituind / = 2:,` = 2:i, si tinnd seama c a
32
exist a dou a moduri de vibratie transversale si un mod de vibratie
longitudinal, obtinem pentru num arul de moduri de vibratie cu
frecventa n intervalul i. i+di, n unitatea de volum a cristalului:
`(i)di = 4:
_
2

3
t
+
1

3
|
_
i
2
di (2.15)
Debye a presupus c a num arul de frecvente este limitat de o
frecventa maxim a i
max
care rezult a din relatia:
3` =
imax
_
0
`(i)di (2.16)
Energia termic a a retelei este atunci:
l =
imax
_
0
1
ccc
`(i)di =
9`
i
3
max
imax
_
0
/i
3
exp(/i,/
1
1) 1
di (2.17)
Prin derivare n raport cu 1 se obtine c aldura specific a:
c
c
= 9`/
1
(1,o
1
)
3
0
D
T
_
0
c
a
r
4
(c
a
1)
2
dr (2.18)
n 2.18 s-a introdus o nou a variabil a r = /i,/
1
1.
o
1
= /i
max
,/
1
se numeste temperatur a Debye.
Din 2.18 se poate constata c a, n domeniul temperaturilor
joase c
c
~ 1
3
. iar n domeniul temperaturilor nalte se reg aseste
rezultatul clasic.
Variatia cu temperatura a c aldurilor specifice este dat a n Fig.
2.3. Modelul Debye descrie mult mai corect datele experimentale
n vecin atatea temperaturilor de cteva grade Kelvin; acest lucru
se datoreste faptului c a a fost introdus a ipoteza c a nu toti oscila-
torii au aceeasi frecvent a existnd posibilitatea ca si frecventele
mici s a contribuie la energia retelei.
33
Figura 2.3: Dependentele c
c
= )(T ) dup a modelul Einsten, respectiv
Debye.
2.2.3 Modelul oscilatorilor cuplati
Att din punct de vedere principial, ct si din confruntarea
datelor experimentale cu modelele propuse de Einstein si De-
bye rezultatele nu sunt satisf ac atoare. Pentru a dep asi aceste
deficiente, Born, Karmann si Blackmann (M. Born, T. Karmann,
Phys. Zs. 13, 279, 1912; M. Blackmann, Rep. Progr. Phys. 8,
11, 1941) au propus un model mai realistic, care s a tin a seam a
de structura discret a a cristalului. Acest model este cunoscut sub
denumirea de
00
modelul oscilatorilor cuplati
00
.
Deoarece multe din propriet atile fundamentale ale unei retele
tridimensionale sunt caracteristice si unei retele unidimensionale,
vom considera, pentru a simplifica lucrurile, acest caz mai simplu.
Reteaua unidimensional a este un lant alc atuit din ` atomi
identici de mas a :, la distanta c, care este egal a cu constanta
retelei (Fig. 2.4a). Se poate admite c a fiecare atom interactioneaz a
numai cu vecinii cei mai apropiati. Not am cu 1 valoarea fortei
34
Figura 2.4: Vibratiile retelei cristaline.
de atractie. Cnd un atom din lant este deplasat din pozitia
de echilibru, atomii nvecinati vor suferi deplas ari similare. Fie
...n
a1
. n
a
. n
a+1
. ...deplas arile din pozitiile de echilibru ale ato-
milor ....: 1. :. : + 1. ... Acestea pot da nastere unor unde
termice longitudinale sau transversale (Fig. 2.4b). Forta care
actioneaz a asupra unui atom din lant depinde de deplas arile re-
lative ale atomilor nvecinati, astfel nct:
1
a
= ,(n
a+1
n
a
) ,(n
a
n
a1
) (2.19)
unde , este o constant a de fort a. Not am c a forta care actioneaz a
asupra atomului : si provine din partea atomului (: 1) este de
semn opus celei care provine din partea atomului (:+1). Ecuatia
de miscare a atomului : este:
:
d
2
n
a
dt
2
= ,(n
a+1
+ n
a1
2n
a
) (2.20)
Ecuatii similare pot fi scrise pentru toti atomii din lant. Soluti-
ile Ec. 2.20 se pot pune sub forma:
n
a
(:c. t) = exp[i(.t + /:c)] (2.21)
35
unde este amplitudinea, . pulsatia vibratiilor retelei iar :c
coordonata atomului : n pozitie de echilibru. Deplas arile n
a1
.
n
a+1
vor fi date de expresii similare, care se obtin substituind
(: + 1) (: + 2). : (: + 1). (: 1) :. Substituind n
a
.
n
a+1
si n
a+2
n Ec. 2.20 si admitnd c a amplitudinea atomilor
nvecinati are aceiasi valoare se obtine ecuatia:
.
2
: = ,[exp(i/c) + exp(i/c) 2]
de unde rezult a:
. =
_
4,
:
_
12
sin
/c
2
(2.22)
Relatia 2.20 poart a denumirea de rela tie de dispersie si ilus-
treaz a faptul c a frecventa depinde de vectorul de und a. Aceast a
dependenta este reprezentat a n Fig. 2.5a. Se constat a c a:
1). Dac a /c are valori mici (lungimile de und a sunt mari
deoarece ` = 2:,/) se obtine . = (,,:)
12
/c si o vitez a de
faz a constant a = (,,:)
12
c, egal a cu viteza de propagare a
undelor elastice ntr-o coard a vibrant a. Aceast a aproximatie ar
corespunde ipotezei continuului.
2). Dac a /c - :, . atinge o valoare maxim a egal a cu (4,,:)
12
.
n acest caz viteza de faz a depinde de vectorul de und a astfel nct
= .
max
,/ si se obtine di:jc::ic. Deoarece valorile mari pen-
tru /c implic a valori mici pentru lungimile de und a, acest caz
evidentiaz a particularit atile atomice ale retelei.
Generaliznd, se poate ar ata c a la un cristal tridimensional
format din aceeasi specie de atomi se obtin trei ramuri de vibratie
(Fig.2.5b).
36
Figura 2.5: Relatia de dispersie pentru o retea unidimensional a (a),
respectiv tridimensional a (b).
2.2.4 Cuantificarea vibratiilor retelei; fononii
Din cele discutate n paragraful precedent rezult a c a n cristal,
datorit a temperaturii, se propag a unde termice. Energia de vi-
bratie a ntregului cristal se poate obtine sub forma unei sume n
care apar contributiile tuturor modurilor de vibratie. Se poate
demonstra c a energia de vibratie corespunz atoare unui anumit
mod de vibratie este egal a cu energia unui oscilator armonic care
are aceeasi frecvent a. Aceast a energie este dat a de relatia lui
Planck si este cuantificat a.
Teoretic, se dovedeste a fi util s a se interpreteze agitatia ter-
mic a a unui solid ca agitatia termic a a unui gaz. Pe baza rezul-
tatelor referitoare la caracterul dual al radiatiei electromagnetice,
care se comport a ca o und a (avnd pulsatia . si vectorul de und a

/ ) sau ca un corpuscul (foton cu energia 1 = ~. si impulsul

j = ~/), s-a atribuit acest caracter dual si undelor termice.
Caracterul ondulatoriu al radiatiei termice este definit prin
frecventa unei vibratii normale .
)
( ), cu vectorul de und a ,
37
corespunz ator ramurii , din relatia de dispersie. Cuanta cmpu-
lui de vibratie a retelei cristaline a fost denumit a fonon. Energia
sa este egal a cu ~.
)
( ), iar impulsul ~. Deoarece nu poate fi
definit n mod unic
2
si nu reprezint a un impuls n sens obisnuit,
el poart a denumirea de cvasiimpuls.
Pe baza unor considerente de mecanic a cuantic a, unde ener-
gia oscilatorului liniar armonic este diferit a de expresia dat a de
Planck, prin aceea c a este continut a si energia de zero, se poate
concluziona c a energia retelei, care apare datorit a agitatiei ter-
mice a
00
gazului de fononi
00
este:
1
v
=

)
~.
)
( )
_
:
)
( ) +
1
2
_
(2.23)
unde :
)
( ) este num arul de oscilatii care provin din ramura , si
au vectorul de und a .
Vom ar ata c a statistica fononilor este de tip Bose-Einstein.
ntr-adev ar, n conditii de echilibru termodinamic, la temperatura
1, unda termic a se caracterizeaz a printr-o anumit a valoare a in-
tensit atii, care este determinat a de energia medie a unui oscilator
armonic cu aceeasi frecvent a si egal a cu:
< 1 = ~.
)
( )
_
1
exp(~.
)
,/
1
1) 1
+
1
2
_
(2.24)
Atunci, num arul mediu de fononi < :
)
( ) , ntr-o stare cuan-
tic a cu energia ~.
)
si impulsul ~ rezult a din relatiile 2.23 si 2.24:
< :
)
( ) =
1
exp(~.
)
,/
1
1) 1
(2.25)
Se constat a c a statistica este de tip Bose-Einstein.
2
poate f i def init pn a la un vector al retelei reciproce (3.1).
38
Desi fononii reprezint a o abstractie teoretic a, introducerea lor
se dovedeste a fi deosebit de util a.
ntr-adev ar, n procesele de interactiune a radiatiei electro-
magnetice sau a electronilor cu vibratiile retelei este mai simplu
ca, teoretic, acestea s a se trateze ca procese de ciocnire ntre par-
ticule apartinnd la dou a tipuri de gaze.
Ciocnirile electron-fonon sau foton-fonon comport a satisfacerea
unor legi de conservare. Acestea sunt:
1). Conservarea energiei:
1(

/) = 1
_

/ ~.
_
(2.26)
2). Conservarea impulsului:

/
0
=

/ + (2.27)
unde

/, respectiv

/
0
sunt vectorii de und a ai electronului (sau
fotonului) nainte, respectiv dup a ciocnire iar vectorul de und a
al fononului.
Semnul din relatia 2.26 si are urm atoarea semnificatie: ca
urmare a interactiei cu fononul, electronul sau fotonul poate s a
cstige energie (semnul + indicnd o absorbtie de fonon) sau s a
piard a energie (semnul corespunznd unei emisii sau generare
de fonon).
Capitolul 3
Benzi de energie n solide
3.1 Consideratii generale
Determinarea spectrului energetic al unui solid este o problem a
esential a pentru a putea explica nenum arate propriet ati fizice,
cum ar fi conductia electric a, absorbtia radiatiei electromagne-
tice sau alte fenomene privind comportarea solidului n cmpuri
electrice, magnetice sau termice.
Cea mai simpl a modalitate de a ntelege aspectele fundamen-
tale const a n rezolvarea ecuatiei lui Schrdinger pentru un elec-
tron care se misc a ntr-un potential riguros periodic:
+
2:
~
2
[1 \ (: )] = 0 (3.1)
n care 1 este valoare proprie a energiei electronului iar functia
proprie. n 3.1 se va presupune c a energia potential a a electronului
este o functie riguros periodic a, adic a satisface relatia:
\ (: ) = \ (: + :
1
c
1
+ :
2
c
2
+ :
3
c
3
) = \ (: +

1
a
)
39
40
unde c
1
. c
2
. c
3
sunt vectorii de baz a ai celulei elementare, iar

1
a
un vector care apartine retelei directe. Energia potential a este
riguros periodic a dac a se neglijeaz a vibratiile retelei si prezenta
altor defecte de retea (vacante, interstitii, dislocatii etc.).
Vom presupune c a cristalul este un paralelipiped cu laturile
1
1
= `
1
c
1
. 1
2
= `
2
c
2
. 1
3
= `
3
c
3
ce contine ` = `
1
`
2
`
3
atomi.
Ca orice functie periodic a, \ (: ) se poate dezvolta ntr-o serie
Fourier. Din punct de vedere matematic s-a dovedit c a cel mai
avantajos mod de rezolvare a ecuatiei 3.1 este acela n care dez-
voltarea lui \ (: ) se face dup a vectorii retelei reciproce

/
)
. care
se pot defini prin relatia:
c
i

/
)
= o
i)
(3.2)
care este similara relatiei 1.8. Atunci:
\ (: ) =

1m
c
2i

1mv
(3.3)
unde

1
n
=

/
1
:
1
+

/
2
:
2
+

/
3
:
3
este un vector al retelei reciproce, iar :
1
. :
2
. :
3
sunt numere
ntregi. Coeficientii Fourier \

1m
se obtin integrnd expresia 3.3
pe ntregul cristal de volum . Se obtine:
\

1m
=
1

_
\ (:)c
2i

1mv
d (3.4)
Pentru a justifica aceast a dezvoltare n serie, vom ar ata c a
\ (: ) are periodicitatea retelei. ntr-adev ar, substituind : : +

1
a
n 3.3 rezult a:
\ (: +

1
a
) =

1m
c
2i

1m(v+

1n)
=

1m
c
2i

1mv
41
deoarece

1
n

1
a
= :
1
:
1
+ :
2
:
2
+ :
3
:
3
= num ar ntreg
Asa cum se stie, pentru integrarea unei ecuatii diferentiale,
este necesar s a se cunoasc a conditiile la limit a. Acestea privesc
valorile pe care le poate lua la marginea cristalului. Problema se
rezolv a prin aplicarea unei conditii artificiale, denumit a condi tie
ciclica. Aceasta este:
(: ) = (: + `
1
c
1
) = (: + `
2
c
2
) = (: + `
3
c
3
) (3.5)
si implic a periodicitatea functiei de und a cu o perioad a egal a cu
cea a domeniului fundamental.
Provenienta acestei denumiri se datoreste interpret arii cazului
retelei unidimensionale n care, pentru o retea de lungime 1 avnd
constanta retelei egal a cu c, conditia ciclic a se scrie
(:) = (: + 1c)
O relatie de acest tip este satisf acut a oricnd dac a ne-am ima-
gina c a reteaua unidimensional a a fost ndoit a si extremit atile au
fost unite astfel nct s a formeze un inel.
Prin introducerea conditiei ciclice spectrul energetic rezult a
a fi continuu si nu discret. Practic, acest lucru elimin a unele
dificult ati care apar cnd se rezolv a ecuatia lui Schrdinger pentru
un spectru discret. Fizic, nu se introduce nici o eroare datorit a
faptului c a nivelele energetice n solid sunt foarte apropiate astfel
nct variatia energiei este practic continu a.
n secolul trecut a fost demonstrat de c atre matematicianul
Floquet c a solutia unei ecuatii diferentiale de tipul 3.1, care sa-
tisface conditiile la limit a de forma 3.5 contine ca produs o functie
42
periodic a. n cazul electronului care se misc a n cristal solutia
ecuatiei Schrdinger este:
(: ) = c
i

Iv
n

I
(: ) (3.6)
unde
n

I
(: ) = n

I
(: +

1
a
) (3.7)
este o functie care are periodicitatea retelei, iar

/ un vector al
retelei reciproce. Aceasta solutie poart a denumirea de func tie
Bloch si are urm atoarele propriet ati:
1) Functia Bloch nu are periodicitatea retelei. ntr-adev ar,
dac a se aplic a operatia de translatie : : +

1
a
se obtine:

I
(: +

1
a
) = c
i

1n

I
(: )
Aceast a proprietate este cunoscut a si sub denumirea de teo-
rema Bloch-Floquet: n urma aplic arii unei operatii de translatie,
functia Bloch se nmulteste cu un factor la exponentul c aruia
apare vectorul de translatie.
2) Forma functiei Bloch nu se modific a dac a se face substitutia

/ + 2:

1
n
. ntr-adev ar:

I
(: ) = c
i(

I+2

1m)v
[c
i2

1mv
n

I
(: )] = c
i

Iv
n

I
0
(: )
deoarece expresia din parantez a este o functie periodic a.
Din aceast a particularitate a functiei Bloch rezult a si nede-
terminarea vectorului de und a. Aceasta poate fi nl aturat a dac a
limit am domeniul de variatie al lui

/ la o celul a din spatiul retelei
reciproce: un astfel de vector de und a poart a denumirea de vector
de unda redus.
Domeniul de variatie al vectorului de und a redus este:
43
: <

/c
1
_ :. : <

/c
2
_ :. : <

/c
3
_ : (3.8)
Aplicnd functiei Bloch conditia ciclic a obtinem relatiile:
c
i.
1

Io
1
= c
i.
2

Io
2
= c
i.
3

Io
3
= 1
care sunt satisf acute dac a:

/c
1
=
2:i
1
`
1
.

/c
2
=
2:i
2
`
2
.

/c
3
=
2:i
3
`
3
unde i
1
. i
2
. i
3
sunt numere ntregi.
Dac a limit am domeniul de variatie al lui

/ la o celul a din
spatiul retelei reciproce (prima zon a Brillouin), valorile permise
sunt
(i
1
. i
2
. i
3
) = 0. 1. 2. ...
_
`
1
2
.
`
2
2
.
`
3
2
_
(3.9)
De aici rezult a ca, n prima zona Brillouin, vectorul de und a ia
`
1
`
2
`
3
valori permise adic a egale numeric cu num arul de atomi
din cristal.
3.1.1 Viteza si acceleratia unui electron ntr-
un potential periodic
n mod evident, ntr-un potential periodic viteza si acceleratia
electronilor difer a n comparatie cu valorile pe care acestea le au
n cazul cnd electronul este liber.
44
Viteza electronului
Pentru a deduce viteza electronului vom adopta o demon-
stratie simplificat a. Dup a cum se cunoaste, pe baza relatiei de
Broglie, impulsul electronului liber este j = ~

/ de unde rezult a
viteza:
=
~

/
:
(3.10)
Dar, din ecuatia Schrdinger se obtine:
2:
~
2
1 = /
2
sau 1 =
~
2
/
2
2:
Derivnd aceast a relatie n raport cu / se obtine:
d1
d/
=
~
2
/
:
de unde, tinnd seama de 3.10, rezult a:
=
1
~
d1
d/
Aceast a relatie se poate generaliza pentru un electron care se
misc a ntr-un potential periodic
1
; rezult a:
=
1
~
\

I
1 (3.11)
1
O demonstratie riguroas a se realizeaz a dac a se calculeaza viteza de grup
a electronului care n cristal este descris de o functie de tip Bloch.
45
Acceleratia electronului
Electronul este accelerat dac a asupra acestuia actioneaz a o
fort a exterioar a 1
cat
, care poate fi datorat a unui cmp electric,
magnetic, unui gradient de temperatur a etc.
Vom nota cu

/ variatia vectorului de und a n intervalul de

timp t si cu : = t variatia vectorului de pozitie al elec-
tronului sub actiunea fortei exterioare.
Conform teoremei energiei, variatia energiei electronului:
1 =
_
\

I
1
_
_

/
_
(3.12)
este egal a cu lucrul mecanic al fortelor exterioare; rezult a:
_
\

I
1
_
_

/
_
= 1
cat
t
Introducnd expresia vitezei 3.11 n 3.12 se obtine:
_
\

I
1
_
_

/
_
=
1
~
_
\

I
1
_

1
cat
t
Aceast a relatie este satisf acut a dac a:

/ =
1
~

1
cat
t
Trecnd la limit a (t 0) se obtine:
d

/
dt
=
1
~

1
cat
(3.13)
Pentru a determina acceleratia electronului vomtine seama de
faptul c a c = d,dt. unde = (

/). Vom deduce componentele

acceleratiei electronului dup a directiile unui triedru de coordonate
cartezian; se obtine:
46
c
a
=
d
a
dt
=
J
a
J/
a
d/
a
dt
+
J
a
J/
j
d/
j
dt
+
J
a
J/
:
d/
:
dt
sau, considernd relatiile 3.11 si 3.13:
c
a
=
1
~
_
J
2
1
J/
2
a
d/
a
dt
+
J
2
1
J/
a
J/
j
d/
j
dt
+
J
2
1
J/
a
J/
:
d/
:
dt
_
=
=
1
~
2
J
2
1
J/
2
a
1
cat
a
+
J
2
1
J/
a
J/
j
1
cat
j
+
J
2
1
J/
a
J/
:
1
cat
:
Expresii similare se obtin si pentru celelalte componente.
Se constat a c a, n cazul unui electron care se misc a ntr-un
potential periodic, acceleratia nu are directia fortei exterioare,
fapt care se datoreste cmpului din interiorul cristalului. Pentru
a p astra forma celei de-a doua legi a dinamicii (c =

1,:) se
introduce un tensor, denumit tensorul masei efective (sau eficace)
ale c arui componente sunt date de matricea:
_
1
:
_
=
1
~
2
_
_
_
0
2
1
0I
2
x
0
2
1
0Ix0Iy
0
2
1
0Ix0Iz
0
2
1
0Iy0Ix
0
2
1
0I
2
y
0
2
1
0Iy0Iz
0
2
1
0Iz0Ix
0
2
1
0Iz0Iy
0
2
1
0I
2
z
_
_
_
(3.14)
Legea a doua a dinamicii se va scrie astfel
c =
_
1
:
_

1
cat
=
1
:

1
cat
(3.15)
Asadar, masa efectiv a :

a electronului depinde de directia

cristalografic a si poate s a difere si ca semn. Pentru a ntelege
47
importanta acestui fapt s a consider am cazul unidimensional. Sub
actiunea unui cmp electric electronul se poate deplasa n sens
invers sau n sensul cmpului aplicat, dup a cum masa efectiv a
este pozitiv a sau negativ a. Se afirm a c a n cazul n care masa
efectiv a este negativ a purt atorii sunt goluri.
Practic, tensorul masei efective 3.14 are o form a mai simpl a,
unele componente nediagonale putnd s a fie nule, asa cum se
ntmpl a n cazul semiconductorilor. Uneori masa efectiv a poate
fi chiar o m arime scalar a. Atunci toate componentele nediagonale
sunt nule, iar cele diagonale identice; iar
1
:

=
1
~
2
J
2
1
J/
2
_
_
1 0 0
0 1 0
0 0 1
_
_
3.2 Modelul Kronig -Penney
Indicatii cu privire la aspectele principale referitoare la mis-
carea unui electron ntr-un potential periodic pot fi obtinute cu
ajutorul modelului Kronig-Penney. Acest model a fost elaborat
pentru un cristal unidimensional.
n vederea justific arii aproximatiilor folosite n acest model, n
Fig. 3.1 sunt reprezentate: a) energia potential a a unui electron
ntr-un atom izolat, n functie de distant a, b) variatia energiei
potentiale a unui electron n cmpul periodic al unei retele unidi-
mensionale cu constanta retelei c, c) alura potentialului periodic
cu constanta retelei c+/, alc atuit a din gropi si bariere de potential
(modelul Kronig-Penney), d) alura unui caz limit a pe care-l pre-
zint a potentialul periodic ilustrat mai sus, n cazul n care / 0
si \
0
.
Din punctul de vedere al mecanicii cuantice, problema se re-
48
Figura 3.1: Variatia energiei potentiale (a) ntr-un atom liber, (b)
ntr-o retea unidimensional a cu constanta retelei a, (c) alura variatiei
energiei potentiale n modelul Kronig-Penney, (d) caz particular al
acestui model.
duce la integrarea ecuatiei lui Schrdinger unidimensionale. Con-
form Fig. 3.2c, \ (r) este o functie periodic a avnd periodicitatea
c + /. Solutia ecuatiei Schrdinger este functia Bloch:

I
(r) = n
I
(r)c
iIa
(3.16)
care, substituit a n ecuatia Schrdinger unidimensional a:
d
2

dr
2
+
2:
~
2
[1 \ (r)] = 0 (3.17)
49
conduce la o ecuatie pentru n
I
(r):
d
2
n
I
dr
2
+ 2i/
dn
I
dr
+
2:
~
2
_
1 \
c

~
2
/
2
2:
_
n
I
= 0 (3.18)
n domeniile (1), respectiv (2) (Fig. 3.1c) ecuatia 3.18 cap at a
formele:
d
2
n
I
1
dr
2
+ 2i/
dn
I
1
dr
(/
2
c
2
)n
I
1
= 0 (3.19)
d
2
n
I
2
dr
2
+ 2i/
dn
I
2
dr
(/
2
,
2
)n
I
2
= 0 (3.20)
unde:
c =
_
2:1
~
2
. , =
_
2:
~
2
(1 \
c
) (3.21)
Solutiile ecuatiilor 3.19 si 3.20 sunt:
n
I
1
(r) = exp[i(c /)r] + 1exp[i(c + /)r] (3.22)
n
I
2
(r) = C exp[i(, /)r] + 1exp[i(, + /)r] (3.23)
Din aplicarea conditiilor de continuitate pentru functia de
und a si derivata de ordinul nti:
n
I
1
(0) = n
I
2
(0). n
I
1
(c) = n
I
2
(/)
n
0
I
1
(0) = n
0
I
2
(0). n
0
I
1
(c) = n
0
I
2
(/)
50
rezult a urm atoarele relatii ntre coeficienti:
+ 1 = C + 1 (3.24)
i(c /) i(c + /)1 = i(, /)C i(, + /)1 (3.25)
c
i(cI)o
+ 1c
i(c+I)o
= Cc
i(o+I)b
+ 1c
i(o+I)b
(3.26)
si
1
1
= 1
2
(3.27)
unde
1
1
= i(c /)c
i(cI)o
i(c + /)1c
i(c+I)o
1
2
= i(, /)Cc
i(oI)b
i(, + /)1c
i(o+I)b
Conditia ca acest sistem omogen n . 1. C. 1 s a aib a solutii
nebanale este ca determinantul coeficientilor sistemului s a se anu-
leze; se obtine ecuatia:

c
2
+ ,
2
2c,
(sin cc) (sin ,/) + (cos cc) (cos ,/) = cos /(c + /)
(3.28)
Deoarece n domeniul 0 < 1 < \
c
, , este imaginar, se va
introduce o nou a variabil a , = i si atunci 3.28 devine:

2
c
2
2c
(sh/) (sin cc) + (ch/) (cos cc) = cos /(c + /)
Cu aceast a relatie se pot determina valorile proprii ale energiei
electronului. n vederea studierii unui caz ct mai apropiat de cel
51
corespunz ator variatiei energiei potentiale ntr-un cristal real se
consider a c a \
c
si / 0 astfel nct \
c
c/ =const. Intro-
ducnd
1 = lim
b!0,!1
_

2
c/
2
_
(3.29)
rezult a:
1
sin cc
cc
+ cos cc = cos /c (3.30)
Solutia ecuatiei 3.30 corespunz atoare unei valori date a ar-
gumentului cosinusului se poate obtine grafic. S a consider am
functia:
1(cc) = 1
sin cc
cc
+ cos cc (3.31)
Alura acestei functii este dat a n Fig. 3.2. 1(cc) are valoarea
maxim a egal a cu 1 + 1 cnd cc = 0 , apoi descreste atingnd
valoarea -1 cnd cc = :. Cnd [ cc [ :. functia continu a s a
descreasc a atingnd o valoare minim a mai mic a de ct -1, dup a
care creste din nou.
Solutiile ecuatiei 3.30 care au semnificatie fizic a corespund
unor valori reale ale lui /; se va considera faptul c a cos /c variaz a
ntre 1. n consecint a, toate valorile cc pentru care [ 1(cc) [> 1
sunt interzise iar toate valorile cc pentru care [ 1(cc) [_ 1 sunt
permise. Ca urmare a acestui fapt, spectrul energetic nu mai
este continuu ci este alc atuit din benzi permise si interzise. Din
Fig. 3.3 se constat a c a atunci cnd cc creste, domeniile cores-
punz atoare unor valori permise ale energiei se extind, iar cele
corespunz atoare unor valori interzise se ngusteaz a.
L argimea domeniilor permise pentru energie depinde de va-
loarea lui 1. Dou a cazuri limit a sunt semnificative:
52
Figura 3.2: Reprezentarea grafic a a functiei 1(ca).
Figura 3.3: Spectrul energetic al unui cristal unidimensional.
53
a) Cnd 1 0 ecuatia 3.31 devine:
cos cc = cos /c
iar energia electronului este dat a de relatia
1 =
~
2
/
2
2:
=
~
2
c
2
2:
Aceasta este aproximatia electronilor liberi: toate valorile e-
nergiei sunt permise, iar reprezentarea 1(/) este o parabol a (linia
punctat a din Fig. 3.3).
b) Cnd 1 spectrul energetic se reduce la un spectru
de linii. Acest caz corespunde aproximatiei electronilor puternic
legati, n care electronul este atasat unui atom din retea, ca si
cnd n lungul lantului de atomi ar exista gropi de potential cu
pereti infiniti, iar barierele de potential ar fi izolate.
Constat am c a apare un interval energetic interzis ori de cte
ori
cc = ::
unde : = 1. 2. ...sau
/c = :: (3.32)
Aceast a relatie are o semnificatie fizic a important a: ea repre-
zint a conditia de reflexie Bragg n cazul unei retele unidimensio-
nale
2
.
2)
ntr-adev ar, ntr-o retea unidimensional a cu constanta retelei a, dife
renta de drum ntre unda incident a si cea ref lectat a este egal a cu 2a. Interfe
renta este constructiv a dac a 2a = :`, unde : = 0, 1, 2, ...Dar ` = 2,/,
de unde /a = :.
54
Deoarece cos /c = cos(/c), curba 1(/) este simetric a n
raport cu axa /. Intervalul de variatie a energiei pentru valori

o
< / _

o
se numeste prima zon a Brillouin; intervalul cuprins
ntre
2
o
_ / _

o
si

o
_ / _
2
o
, a doua zon a Brillouin, etc.
n Fig. 3.4 este reprezentat a dependenta energiei de num arul
de und a folosind mai multe scheme:
a) oc/c:c jc:iodic c, care se obtine prin repetarea periodic a
a primei zone Brillouin n spatiul /,
b) oc/c:c crti:: c, care contine numai valorile permise ale
energiei n fiecare zon a,
c) oc/c:c :cdn: c, n care se indic a valorile vectorului de und a
redus (n acest caz a num arului de und a redus) n prima zon a
Brillouin.
S a examin am alura functiei 1(/) n aproximatia electronilor
legati. Introducnd
cc = :: + o. o ::
si folosind relatiile aproximative cos cc - (1)
a
. sin cc - (1)
a
o,
3.30 devine:
1
(1)
a
o
cc
+ (1)
a
cos /c
de unde:
o
cc
1
[1 (1)
a
cos /c]
Se poate exprima energia electronului n functie de cc astfel:
1 =
~
2
(cc)
2
2:c
2
=
}
2
(:: + o)
2
2:c
2
sau de vectorul de und a:
55
Figura 3.4: Schema periodic a, schema extins a si schema redus a n
cazul unei retele unidimensionale.
1 =
a
1
a
cos /c (3.33)
unde:

a
=
~
2
2:c
2
_
:
2
:
2
2::
cc
1
_
; 1
a
=
(1)
a
~
2
::c
1:c
Expresia 3.33 d a dependenta energiei electronului de vectorul
de und a n aproximatia electronilor legati. Mention am urm a-
toarele:
56
1) Viteza electronului se anuleaz a la marginea zonei.
=
1
~
d1
d/

Io=a
= 0 (3.34)
Aceast fapt are urm atoare interpretare fizic a: la marginea
zonelor are loc reflexia Bragg iar electronul, nainte de a se reflecta
si anuleaz a viteza.
2) Masa efectiv a a electronului este dat a de expresia
:

=
~
2
0
2
1
0I
2
(3.35)
si depinde de semnul derivatei
0
2
1
0I
2
. La marginea inferioar a a zonelor
aceast a derivat a este pozitiv a si :

0. La marginea superioar a
a zonelor, aceast a derivat a este negativ a si :

< 0. n acest caz

electronii sunt accelerati n sens contrar fortei exterioare si se com-
port a ca goluri. Acest efect apare tot datorit a reflexiei Bragg.
n aproximatia electronilor liberi, energia depinde p atratic de
/. O form a aproximativ a a acestei dependente se poate obtine
cu ajutorul relatiei 3.33 dac a se face o dezvoltare n serie dup a
puterile lui /c.
Vom determina dependenta energiei de vectorul de und a n
vecin atatea marginilor zonelor.
Cnd /c este mic relatia 3.33 se poate dezvolta n serie astfel
1 =
a
1
a
_
1
/
2
c
2
2
+ ...
_
= (
a
1
a
) +
1
a
c
2
2
/
2
(3.36)
iar cnd /c - : se poate face o dezvoltare n serie dup a vectorul
de und a /
0
= / :,2. Se obtine:
57
1 =
a
+ 1
a
_
1
/
0
2
c
2
2
+ ...
_
=
a
+ 1
a

1
a
c
2
2
/
0
2
(3.37)
Din aceste relatii apare evident faptul c a la marginea supe-
rioar a a zonelor :

< 0, iar la marginea inferioar a a zonelor

:

0, fiind prezente golurile, respectiv electronii.

Putem da si o explicatie intuitiv a a acestui fapt: lipsa unei
sarcini negative dintr-o band a complet ocupat a este echivalent a
cu prezenta unei sarcini pozitive. De aceea n solidele care au
benzi aproape complet ocupate, la fenomenul de conductie elec-
tric a particip a golurile. Cnd benzile energetice sunt putin po-
pulate, conductibilitatea electric a se datoreste electronilor.
3.3 Zone Brillouin n cristale bi si tridi-
mensionale
n paragraful precedent, s-a ar atat c a spectrul energetic al unui
cristal nu este continuu; apare o zon a interzis a ori de cte ori are
loc reflexia Bragg.
La o retea unidimensional a reflexia Bragg are loc n diferite
puncte; la cea bidimensional a pe linii, iar la cea tridimensional a
pe suprafete. Alura acestora depinde de structura cristalin a, ele
fiind date de zonele Brillouin.
Unul din procedeele prin care se pot determina zonele Bril-
louin este constructia lui Ewald, care este ilustrat a in Fig. 3.5.
Se procedeaz a astfel:
1. Se deseneaz a nodurile retelei reciproce.
2. n directia undei incidente se determin a vectorul de modul

=/,2: = 1,` al c arui vrf atinge un nod al retelei.

58
Figura 3.5: Constructia Ewald.
3. Se construieste o sfer a cu raza C = /,2:.
4. Punctele n care sfera intersecteaz a reteaua reciproc a, cum
ar fi punctul 1 din figur a, dau indicatii cu privire la directiile
posibile ale undei reflectate.
ntr-adev ar,

C1

, ambele distante fiind egale cu raza

sferei.

1 este un vector al retelei reciproce si, conform celor
discutate n 1.1.5, este perpendicular pe un plan al retelei directe
(linia punctat a din Fig. 3.6) care, asa cum va rezulta, este un plan
de reflexie.

1 intersecteaz a planul n punctul D. Din figur a
rezult a:
1 = 21 = 2Csin o
Deoarece modulul unui vector al retelei reciproce, cum este n
acest caz

1, este egal cu inversul distantei dintre dou a plane
59
d(/. /. |) rezult a:
3
2d(/. /. |) sin o = ` (3.38)
Aceasta este relatia Bragg. Ea poate fi exprimat a si vectorial;
din Fig. 3.5 se obtine:

C +

1 =

C1
ntruct

1 este un vector al retelei reciproce, vom nota

1 =

1
n

C1=

/
0
,2: are directia undei reflectate si atunci

/ + 2:

1
n
=

/
0
(3.39)
Aceasta este forma vectorial a de scriere a relatiei Bragg. Deoa-
rece lungimea de und a nu se modific a prin reflexie [

/ [=[

/
0
[.
Dup a cteva operatii elementare se obtine

1
n
+ :

1
2
n
= 0 (3.40)
adic a o alt a form a de exprimare a relatiei Bragg.
Vom ar ata cum se determin a zonele Brillouin pentru o retea
p atratic a cu constanta retelei c. n acest caz:

1
n
=
1
c
(:
1

1
a
+ :
2

1
j
)

/ = /
a

1
a
+ /
j

1
j
Relatia 3.40 devine
3
d(/, /, |) nu este n general distanta dintre dou a plane ale retelei di-
recte deoarece intersectiile /, /, |,pot avea un multiplu comun (vezi 1.14);
admitnd c a acesta este egal cu :, distanta real a dintre dou a plane ale retelei
directe este d = :d(/, /, |), relatia lui Bragg cunoscut a f iind 2d sin0 = :`.
60
Figura 3.6: Zonele Brillouin ale unei retele patratice cu latura a.
:
1
/
a
+ :
2
/
j
=
:
c
(:
2
1
+ :
2
2
)
Prima Zon a Brillouin se obtine pentru :
1
= 1. :
2
= 0 si
:
1
= 0. :
2
= 1. cea de-a doua pentru :
1
= 1. :
2
= 1. etc.
Ele sunt prezentate n Fig. 3.6.
n cazul unei retele tridimensionale, cum ar fi reteaua cubic a
simpl a

1
n
=
1
c
(:
1

1
a
+ :
2

1
j
+ :
3

1
:
)

/ = /
a

1
a
+ /
j

1
j
+ /
:

1
:
iar relatia 3.40 se va scrie
:
1
/
a
+ :
2
/
j
+ :
3
/
:
=
:
c
(:
2
1
+ :
2
2
+ :
2
3
)
61
Prima zon a Brillouin se obtine cnd :
1=
1. :
2
= :
3
= 0. etc.
si este un cub cu latura 2:,c. Cea de-a dou a zon a se obtine cnd
:
1
= 1. :
2
= 1. :
3
= 1 etc.
3.4 Consideratii generale asupra ben-
zilor de energie
Informatii mai precise cu privire la structura benzilor de e-
nergie se pot obtine aplicnd teoria perturbatiilor. Astfel, apro-
ximatia electronilor aproape liberi se poate aplica n cazul n care
energia potential a a electronului din reteaua cristalin a \ (: ) nu
difer a prea mult fat a de energia unui electron liber \
0
. n acest
caz se rezolv a ecuatia 3.1 considernd c a
\(: ) = \ (: ) \
c
(3.41)
este o perturbatie. Aceast a aproximatie este aplicat a pentru a
descrie comportarea electronilor din metale.
Aproximatia electronilor legati se utilizeaz a n cazul n care
\ (: ) nu difer a prea mult de energia unui electron dintr-un atom
izolat l(: ). Ecuatia 3.1 se rezolv a considernd
\(: ) = \ (: ) l(: ) (3.42)
ca perturbatie. Aceast a aproximatie se aplic a pentru a explica
comportarea electronilor situati pe nivelele inferioare, cum ar fi
cazul semiconductorilor.
De fapt, chiar si aceste aproximatii sunt destul de elementare,
n momentul de fat a existnd metode de calcul rafinate n care,
ca urmare a aplic arii teoriei grupurilor, dependenta energiei se
determin a si n functie de directia cristalografic a. Dezvoltarea
62
acestor teorii este de strict a specialitate asa nct ne vom limita
doar la unele observatii cu caracter general.
Popularea benzilor energetice se face n conformitate cu prin-
cipiul de excluziune al lui Pauli: fiecare stare este ocupat a de cel
mult doi electroni cu spini antiparaleli.
Popularea benzilor energetice poate fi discutat a n functie de
valorile permise ale vectorului de und a

/ sau ale num arului cuantic

principal :.
ntr-un solid care posed a un singur electron n atom, n prima
zon a Brillouin se vor g asi ` nivele (egale cu num arul de atomi din
cristal). Conform principiului de excluziune al lui Pauli, aceste
nivele vor fi numai jum atate ocupate. Dac a solidul are doi elec-
troni pe atom, nivelele vor fi complet ocupate. Cum n general
solidele au mai multi electroni ntr-un atom, st arile energetice se
vor extinde n mai multe zone.
Referitor la dependenta energiei de num arul cuantic : se poate
afirma c a, plecnd de la un ansamblu de ` atomi izolati, carac-
terizati fiecare printr-un spectru energetic discret, cnd atomii se
apropie la o distant a comparabil a cu constanta retelei, nivelele e-
nergetice izolate se despic a ntr-o band a, num arul de st ari admise
fiind egal cu num arul de atomi din cristal cu aceleasi numere cuan-
tice. Si n acest mod ajungem tot la un spectru energetic alc atuit
din benzi permise si interzise. Aparitia acestor benzi de energie
se poate explica prin ridicarea degener arii nivelelor. ntr-adev ar,
cmpul cristalin se manifest a ca o perturbatie n conditiile n care
atomii sunt suficient de apropiati.
Cnd num arul cuantic principal : are valori mari, benzile de
energie se pot suprapune. Din acest motiv domeniile de valori
permise ale energiei se vor denumi /c:.i jc::i:c, iar cele n care
nu exist a valori permise ale energiei /c:.i i:tc:.i:c.
Solidele care posed a benzi complet ocupate si benzi complet
63
libere sunt dic|cct:ici. Din aceast a categorie fac parte si semi-
conductorii intrinseci care, la zero absolut, prezint a benzi com-
plet ocupate si complet libere. Solidele care posed a benzi partial
ocupate (afirmatia se refer a la ultima band a de energie) sunt
co:dnctoc:c.
Aceast a clasificare se bazeaz a pe urm atoarele argumente: un
solid este conductor dac a, n prezenta unui cmp electric, are
loc un transport excedentar de purt atori, cu un anumit tip de
sarcin a, ntr-o directie. Conform celor discutate anterior, depen-
denta 1(

/) este o functie p atratic a de

/ , astfel nct fiec arui
electron n starea

/ i corespunde un electron n starea

/. Asa
cum rezult a din relatia 3.11, pentru o band a energetic a complet
ocupat a, num arul de electroni cu 0 este egal cu num arul de
electroni cu < 0. n consecint a, cmpul electric extern nu poate
crea o asimetrie n distributia de sarcini si cristalul este izolator.
Dac a banda este partial ocupat a, asimetria n distributia elec-
tronilor este posibil a deoarece electronii pot ocupa alte st ari ener-
getice, principiul de excluziune al lui Pauli ne mai fiind restrictiv
sub raportul ocup arii de c atre electron a unor nivele energetice
libere.
Suprapunerea benzilor de energie este un fapt care are mul-
tiple implicatii. Una dintre acestea se refer a la conductibilitatea
metalelor bivalente. ntr-adev ar, revenind la cele discutate ante-
rior, metalele monovalente (cu un singur electron liber per atom)
au ultima band a energetic a pe jum atate populat a. Ar rezulta c a
metalele bivalente ar avea aceast a band a complet ocupat a si nu
ar mai fi conductoare. Datorit a suprapunerii benzilor de energie
n cazul acestor metale, ultima band a energetic a este partial ocu-
pat a, fapt care le confer a posibilitatea de a fi conductoare.
n final, vom remarca faptul c a modelele teoretice elaborate
pn a acum ofer a posibilitatea lu arii n discutie a diferitelor tipuri
64
de leg aturi: metalice, covalente, ionice etc.
3.4.1 Siliciul
Atomul de siliciu are 14 electroni. P aturile interioare sunt
complet ocupate (prima de 2 electroni si cea de-a doua de 8 elec-
troni). Cea de-a treia p atur a este partial ocupat a. n cea de-
a treia p atur a, spinii electronilor p sunt paraleli si acest lucru
face ca starea fundamental a s a fie de triplet. Pentru a calcula
aproximatia de ordin zero prin metoda electronilor legati, soluti-
ile ecuatiei fiind de tip Bloch, trebuiesc folosite functii de und a
asociate st arii p si s a se aplice teoria perturbatiilor tinnd cont c a
sistemul este triplu degenerat. Datorit a interactiunii particulelor
n cristal, degenerescenta este ridicat a si se pun n evident a trei
dependente distincte 1(/). Aceste benzi se suprapun partial si
din aceste motive att banda de valent a, ct si cea de conductie
provin din suprapunerea acestor trei benzi.
Marginea de jos a benzii de conductie este determinat a de po-
zitia minimului absolut. El se g aseste n directia 100 si din acest
motiv num arul total de minime echivalente energetic este 6. Mi-
nimele energetice pentru electroni si goluri sunt uneori denumite
00
v ai
00
(valleys). Astfel se poate spune c a banda de conductie a sili-
ciului are sase
00
v ai
00
. Asa cum rezulta din Fig. 3.7, dependentele
1(/) sunt diferite, n functie de directia cristalografic a.
Suprafetele de energie constant a sunt elipsoizi de rotatie, cu
axele de rotatie corespunz atoare directiei 100. Ele sunt indicate
n Fig. 3.8. Dependenta energiei de vectorul de und a este descris a
de relatia:
1 = 1 (/
0
) +
~
2
2:
1
_
(/
1
/
10
)
2
+ (/
2
/
20
)
2

+
~
2
2:
3
(/
3
/
30
)
2
65
Figura 3.7: Dependenta energiei de vectorul de und a n siliciu.
unde :
1
= :
2
= :
t
poart a denumirea de mas a efectiv a transver-
sal a iar :
3
= :
c
de mas a efectiva longitudinal a.
Experimental, s-a g asit relatia (:
3
,:
1
)
12
= 2. 27.
Energia minim a a benzii de valent a este plasat a n centrul
zonei Brillouin unde /
0
= 0 pentru toate cele trei benzi energetice,
care se unesc ntr-un punct, astfel nct n centrul zonei Brillouin,
energia este degenerat a.
Pentru dou a din aceste benzi:
1
1,2
(/) = 1(0)
~
2
2:
/
2

_
C
2
_
/
2
a
/
2
j
+ /
2
j
/
2
:
+ /
2
:
/
2
a
_
12

unde , 1 si C sunt constante f ar a dimensiuni.

Pentru cea dea treia band a:
66
Figura 3.8: Suprafete de energie constant a n siliciu
1
3
(/) = 1
0
1
c0

~
2
/
2
2:

unde 1
c0
= 0. 035 eV.
Suprafetele de energie constant a sunt sfere deformate (vezi
Fig. 3.8).
Dac a se mediaz a dup a unghiuri expresia 1
1,2
(/) se obtine:
1
1,2
(/) = 1 (0)
~
2
/
2
2:
_

_
1
2
+
C
2
5
_
n aceste conditii se admite c a masa efectiv a este un scalar:
:

j
=
:

_
1
2
+
C
2
5
Aceasta nseamn a c a sunt dou a tipuri de goluri:
67
Figura 3.9: Dependenta energiei de vectorul de und a n germaniu
Goluri grele, definite printr-o mas a efectiv a
:

j
=
:

_
1
2
+
C
2
5
si goluri usoare, cu masa efectiv a
:

&
=
:
+
_
1
2
+
C
2
5
Experimental se arat a c a :

j
,:

&
= 3. 3.
3.4.2 Germaniul
Banda de conductie a germaniului const a din trei benzi ener-
getice care se suprapun. Minimul abosolut al energiei este plasat
n puncte ale zonei Brillouin care corespund directiei 111. Aces-
tea sunt opt minime identice. Suprafetele de energie constant a
68
Figura 3.10: Suprafete de energie constant a n germaniu.
(vezi Fig. 3.9) constau din elipsoizi de rotatie a c aror ax a de
rotatie este paralel a cu directia cristalografic a 111.
Dependenta 1(/) este similar a celei obtinute pentru siliciu
1 (/) = 1 (/
0
) +
~
2
2:
1
_
(/
1
/
10
)
2
+ (/
2
/
20
)

+
~
2
2:
3
(/
3
/
30
)
2
unde :
1
= :
2
= :
t
este masa efectiv a transversal a, iar :
3
= :
|
este masa efectiv a longitudinal a.
Pe baza datelor experimentale a rezultat c a (:
|
,:
t
)
12
= 4. 4
Banda de valent a are o alur a similar a celei obtinute n cazul
siliciului (Fig.3.10).
Capitolul 4
Statistica purt atorilor n
semiconductori
4.1 Consideratii generale
Semiconductorii sunt materiale cu o conductibilitate interme-
diar a ntre a metalelor si a dielectricilor: de la 10
3

1
cm
1
la
10
6

1
cm
1
. Vom remarca faptul ca denumirea de semicon-
ductor nu este cel mai fericit aleas a, deoarece exist a unii semi-
conductori care sunt aproape tot att de buni conductori ca si
metalele (mai exact, ca aliajele). De asemenea, o conductibilitate
intermediar a ntre cea a materialelor si a dielectricilor o prezint a
si solutiile electrolitilor sau cristalele ionice la temperaturi nalte.
Sensibilitatea propriet atilor semiconductorilor fat a de gradul
de impuritate al materialului este o proprietate specific a semi-
conductorilor. Astfel, la semiconductorii oxidici, un surplus de
un procent de oxigen de la compozitia stoichiometric a produce o
modificare a rezistentei electrice cu un factor de 10
4
.
O caracteristic a a semiconductorilor o constituie si dependenta
69
70
de temperatur a a rezistentei electrice. Rezistenta electric a a semi-
conductorilor scade n general cu temperatura, iar coeficientul de
temperatur a al rezistentei este mare n comparatie cu cel al me-
talului. Pentru un domeniu larg de variatie, coeficientul de tem-
peratur a al rezistentei electrice poate fi n unele domenii pozitiv si
n altele negativ; aspectul general al dependentei cu temperatura
indic a ns a o sc adere a rezistentei cu temperatura.
Prin aceasta, variatia cu temperatura a rezistentei semicon-
ductorilor difer a net de cea a metalelor. Metalele au n general
coeficienti de temperatur a mici pozitivi, deoarece densitatea de
electroni nu se modific a prea mult cu temperatura.
Semiconductorii sunt de dou a tipuri: a) semiconductori intrin-
seci, care nu posed a nivele aditionale si b) semiconductori extrin-
seci, care posed a astfel de nivele. Acestea sunt situate ntre banda
de valent a si banda de conductie si se datoresc unor impurit ati cu
sarcin a introduse n cristalul respectiv.
Nivelele aditionale sunt de dou a feluri:
a) donoare, situate n vecin atatea benzi de conductie
b) acceptoare, situate deasupra benzii de valent a.
Primele poart a denumirea de donoare deoarece pot da elec-
troni n banda de conductie, producnd conductibilitate prin elec-
troni (semiconductori de tip n), iar celelalte se numesc acceptoare
deoarece pot primi electroni din banda de valent a producnd con-
ductibilitate prin goluri (semiconductori de tip p). Electronii de
pe nivelele aditionale sunt caracterizati prin functii de und a lo-
calizate. (Functii de und a pentru care probalitatea de a g asi elec-
tronul n afara regiunii n care se g aseste centrul de impuritate
este aproape nul a). Electronii din banda de conductie pot fi des-
crisi prin functii de und a extinse n tot cristalul, cu o amplitudine
variabil a.
Provenien ta nivelelor adi tionale. S a consider am doi dintre
71
semiconductorii cei mai importanti: siliciul si germaniul. Ei crista-
lizeaz a n sistemul cubic avnd structura diamantului. Aceast a
structur a se caracterizeaz a printr-o leg atur a tetraedic a: fiecare
atom formeaz a patru leg aturi covalente cu cei patru vecini apropi-
ati, valenta chimic a a elementului fiind egal a cu patru. Dac a
unul din atomii cristalului este nlocuit cu un atom de impuri-
tate a c arui valent a difer a de patru, apar modific ari ale sarcinii
electronice. Astfel, dac a un atom pentavalent cum ar fi P, As,
Sb se substituie unui atom normal din retea, atomul de impuri-
tate cedeaz a un electron cnd realizeaz a leg atura covalent a si se
ncarc a pozitiv (Fig. 4.1a).
Studii cu ajutorul razelor X au ar atat c a atomul pentavalent se
aseaz a n locul unui atom din retea si nu ntr-o pozitie interstitial a.
Atomii de impuritate care pot fi ionizati si dau nastere la electroni
liberi n retea se numesc donori.
Dac a un atom trivalent ca B, Al, In, Ga se substituie unui
atom din retea, el se ncarc a negativ prin captarea unui electron
dintr-o leg atur a de valent a. Pentru fiecare atom trivalent apare
un gol care corespunde electronului ndep artat pentru a completa
leg atura tetraedic a a atomului trivalent.
Atomii trivalenti produc conductibilitate prin goluri si se nu-
mesc acceptori (Fig. 4.1b).
4.2 Statistica purt atorilor n semicon-
ductori intrinseci
S a consider am un semiconductor intrinsec (Fig. 4.2a). Vom
nota cu 1
C
energia corespunz atoare marginii de jos a zonei de
conductie si cu 1
\
energia corespunz atoare marginii de sus a zonei
de valent a. Functia de distributie:
72
Figura 4.1: Explicarea provenientei nivelelor aditionale n a) siliciu de
tip n, b) siliciu de tip p.
,(1) =
1
exp
_
11
F
I
B
T
_
+ 1
(4.1)
determin a probabilitatea ca starea de energie 1, la temperatura
1 s a fie ocupat a de un electron. Atunci:
1 ,(1) =
1
exp
_
11
F
I
B
T
_
+ 1
+ 1 =
1
exp
_
1
F
1
I
B
T
_
+ 1
(4.2)
determin a probabilitatea ca starea s a nu fie ocupat a de electron
sau probabilitatea ca starea s a fie ocupat a de un gol.
Num arul de electroni din banda de conductie (sau num arul de
goluri din banda de valent a) care se g asesc n unitatea de volum
adic a concentratia electronilor (sau concentratia golurilor) se de-
termin a nmultind densitatea de st ari (1) cu d1 si cu probabi-
litatea ca starea s a fie ocupat a sau liber a si integrnd rezultatul
obtinut pentru toate valorile posibile ale energiei din banda res-
73
Figura 4.2: Schema energetic a a unui semiconductor intrinsec (a) si
extrinsec (b).
pectiv a. n metale concentratia de electroni din banda de con-
ductie este:
: =
_
1
0
,(1)(1)d1 (4.3)
unde (1) este densitatea de st ari corespunz atoare electronilor
din banda de conductie. n expresia 4.3 s-a presupus c a marginea
de jos a benzii de conductie are energia 1 = 0; ntruct energiile
electronilor sunt foarte mari s-a considerat c a nu se face o eroare
esential a dac a limita de sus a integralei este infinit. Mention am
c a n cazul metalelor densitatea de st ari este dat a de expresia:
(1)d1 =
8:
/
3
j
2
dj (4.4)
Deoarece densitatea de st ari depinde de impuls, n cazul semi-
conductorilor aceasta se poate determina pentru banda de con-
ductie sau de valent a utiliznd relatiile:
74
1 1
C
=
j
2
2:

a
(4.5)
1
\
1 =
j
2
2:

j
(4.6)
n care :

a
. :

j
sunt masele efective ale electronilor respectiv golu-
rilor. Rezult a:

a
(1)d1 =
4:
/
3
(2:

a
)
3
2
_
1 1
C
d1 (4.7)

j
(1)d1 =
4:
/
3
_
2:

j
_3
2
_
1
\
1 d1 (4.8)
Concentratiile electronilor din banda de conductie si a golurilor
din banda de valent a sunt date de:
: =
_
1
1
C
, (1)
a
(1) d1 = 4:
_
2:

a
/
3
_3
2
_
1
1
C
_
1 1
C
c
EE
F
k
B
T
+ 1
d1 (4.9)
j =
_
1
V
1
[1 , (1)]
j
(1) d1 = 4:
_
2:

j
/
3
_3
2
_
1
V
1
_
1
\
1
c
E
F
E
k
B
T
+ 1
d1
(4.10)
4.2.1 Semiconductori degenerati
Dac a nivelul Fermi se g aseste n interiorul benzii de conductie
sau de valent a, statistica electronilor sau a golurilor este cuantic a
si gazul electronic sau gazul golurilor este degenerat.
75
Notnd cu:
c =
1
1
1
C
/
1
1
si
r =
1 1
C
/
1
1
din 4.9 se obtine:
: = 4:
_
2:

a
/
1
1
/
2
_3
2
_
1
0
r
1
2
c
ac
+ 1
dr (4.11)
Introducnd =
1
V
1
I
B
T
si , =
1
V
1
F
I
B
T
, din 4.10 se obtine:
j = 4:
_
2:

j
/
1
1
/
2
_3
2
_
1
0

1
2
c
jo
+ 1
d (4.12)
Este convenabil s a se introduc a functiile:
T
12
(c) =
2
_
:
_
1
0
1
c
ac
+ 1
r
1
2
dr (4.13)
T
12
(,) =
2
_
:
_
1
0

1
2
c
jo
+ 1
d (4.14)
Cu aceasta 4.11 si 4.12 se pot scrie:
: = 2
_
2::

a
/
1
1
/
2
_3
2
T
12
(c) = `
C
T
12
(c) (4.15)
j = 2
_
2::

j
/
1
1
/
2
_3
2
T
12
(,) = `
\
T
12
(,) (4.16)
Exist a semiconductori intrinseci-degenerati. Acestia se carac-
terizeaz a printr-o distant a energetic a foarte mic a ntre marginea
76
de sus a zonei de valent a si marginea de jos a zonei de conductie
(de ordinul a 0,1 eV).
Astfel, InSb este un semiconductor intrinsec care devine de-
generat la temperaturi mai nalte (1
c
= 440 K).
De asemenea, cositorul cenusiu cu o l argime a zonei interzise
numai de 0,08 eV se comport a ca un semiconductor degenerat
chiar la temperatura camerei.
4.2.2 Semiconductori nedegenerati
n cazurile cele mai frecvente, nivelul Fermi se g aseste n zona
interzis a. Dac a distanta energetic a a nivelului Fermi de la mar-
ginea zonelor de conductie sau de valent a este cel putin egal a cu 2
eV, electronii sau golurile nu mai satisfac statistica Fermi-Dirac,
ci statistica clasic a.
Pentru a calcula num arul de electroni din banda de conductie,
vom presupune ca 1
C
1
1
/
1
1 sau 1
1
1
C
si cu aceasta
din 4.14 rezult a:
: =
2 (2::

a
/
1
1)
3
2
/
3
exp
_
1
1
1
C
/
1
1
_
(4.17)
Pentru a calcula num arul de goluri din banda de conductie,
vom presupune c a (1
\
1
1
) /
1
1; din 4.10 rezult a:
j =
2
_
2::

j
/
1
1
_3
2
/
3
exp
_
1
\
1
1
/
1
1
_
(4.18)
Dac a se formeaz a produsul dintre concentratia electronilor
dat a de expresia 4.17 si concentratia golurilor dat a de expresia
4.18 se obtine o m arime constant a care depinde de temperatur a si
de caracteristicile semiconductorului respectiv
_
:

a
. :

j
. 1
C
. 1
\
_
si nu depinde de pozitia nivelului Fermi. Aceasta este egal a cu:
77
:j = 4
_
2:/
1
1
/
2
_
_
:

a
:

j
_3
2
exp
_
1
\
1
C
/
1
1
_
(4.19)
Prin analogie cu o formul a de acelasi tip ntlnit a n cinetica
chimic a, aceast a lege poart a denumirea de legea ac tiunii maselor.
Ea arat a c a dac a se m areste concentratia electronilor n banda de
conductie printr-un proces oarecare, concentratia golurilor scade
n asa m asur a, nct relatia 4.19 s a r amn a satisf acut a. Relatia
4.19 este satisf acut a nu numai n cazul unui semiconductor in-
trinsec, ci si n cazul unui semiconductor care contine impurit ati
donoare sau acceptoare.
Deoarece un semiconductor intrinsec este neutru, concentratia
electronilor din banda de conductie este egal a cu concentatia golu-
rilor din banda de valent a. Atunci, considernd : = j = :
i
din
4.19 rezult a:
:
i
= 2
_
2:/
1
1
/
2
_3
2
_
:

a
:

j
_3
4
exp
_

1
2/
1
1
_
(4.20)
n care am notat cu 1 = 1
C
1
\
adic a l argimea zonei interzise.
Dac a se formeaz a raportul dintre concentratia electronilor si
a golurilor:
:
j
=
_
:

a
:

j
_3
2
exp
_
21
1
/
1
1
_
exp
_

1
C
+ 1
\
/
1
1
_
(4.21)
tinnd seama de conditia de neutralitate pentru un semiconductor
intrinsec (: = j), se poate determina pozitia nivelului Fermi. Din
4.21 rezult a:
78
1
1
=
1
C
+ 1
\
2
+
/
1
1
2
ln
_
:

a
:

j
_3
2
(4.22)
Nivelul Fermi nu se g aseste la jum atatea intervalului dintre
zona de valent a si zona de conductie dect cnd 1 = 0 K. El
se deplaseaz a cnd temperatura creste, apropiindu-se de zona de
conductie cnd :

j
:

a
sau apropiindu-se de zona de valent a
cnd :

j
< :

a
.
L argimea zonei interzise 1 poart a denumirea si de energie
de activare.
Cnd cristalul este nc alzit, amplitudinile de vibratie ale ato-
milor cresc si se modific a constanta retelei. Din aceast a cauz a,
marginile zonelor se deplaseaz a si energia de activare depinde de
temperatur a. Pentru mai multi semiconductori, cum ar fi Ge, Si,
Te, In Sb se verific a urm atoarea relatie:
1 = 1
0
c1
unde 1
0
este l argimea zonei interzise la 1 = 0 K si c un
coeficient de temperatur a.
L argimea zonei interzise poate fi determinat a n felul urm ator:
Daca :

j
= :

a
= :

din 4.22 rezult a:

: = j = 2
_
2::

/
1
1
/
2
_3
2
exp
_

1
2/
1
1
_
O reprezentare grafic a de forma ln : = ,
_

1
2I
B
T
_
permite s a
se determine m arimea 1. Aceast a reprezentare grafic a difer a
putin de o linie dreapt a din cauza factorului 1
3
2
.
De aceea, de multe ori se prefer a s a se utilizeze o reprezentare
grafic a de forma ln
a
T
3
2 .
= ,
_
1
T
_
. Din panta dreptei obtinute se
79
Figura 4.3: Variatia concentratiei cu temperatura electronilor n cazul
germaniului intrinsec.
determin a
1
2/
1
(Fig. 4.3).
Cnd :

j
,= :

a
determinarea energiei de activare este mai
complicat a. Notnd cu 1
1
0
valoarea lui 1
1
la 1 = 0 K din 4.17
si 4.22 rezult a:
1
C
1
1
= 1
C
1
1
0
+
3/
1
1
4
ln
_
:

a
:

j
_
si:
ln : = ln
2 (2::

a
/
1
1)
3
2
/
3

1
C
1
1
0
/
1
1

3
4
ln
:

a
:

j
Se poate determina deci, cu ajutorul unei reprezent ari grafice si
expresia
(1
C
1
1
0
)
/
1
.
80
4.3 Energia nivelelor de impuritate
Energia nivelelor de impuritate poate fi calculat a prin apli-
carea teoriei semiclasice a lui Bohr.
Electronul din vecin atatea ionului pozitiv pentavalent de im-
puritate se comport a ca si un electron ntr-un atom de hidrogen.
n prim a aproximatie, se poate presupune c a acest electron, ca-
racterizat printr-o mas a efectiva :

a
se deplaseaz a n jurul ionului
pe o traiectorie circular a, momentul s au cinetic fiind cuantificat
(ca si momentul cinetic al electronului n atomul de hidrogen).
Notnd cu : raza traiectoriei si cu . frecventa unghiular a de
rotatie, conditia de cuantificare a momentului cinetic este:
:

a
:
2
. = :~ (4.23)
Energia total a a electronului este de natur a cinetic a si potential a.
Dac a semiconductorul are constanta dielectric a :
1
tct
= 1
cia
+ 1
jct
=
1
2
:

a
:
2
.
2

c
2
0
4::
(4.24)
Conditia de stabilitate a orbitei se va scrie si n acest caz
egalnd forta centrifug a cu forta de atractie electrostatic a, adic a:
:

a
:
2
. =
c
2
0
4::
2
(4.25)
Din 4.23 si 4.25 rezult a raza orbitei (distanta ion-electron):
:
a
=
4::
2
/
2
c
2
:

a
(4.26)
iar din 4.23 si 4.24 energia nivelului de impuritate:
1
a
=
c
4
0
:

a
2 (4:)
2
/
2
:
2
(4.27)
81
Expresiile 4.26 si 4.27 difer a de expresia razei, respectiv e-
nergiei electronului n atomul de hidrogen prin aceea c a s-a n-
locuit masa electronului :
c
cu masa efectiv a :

a
si s-a introdus
constanta dielectric a.
Putem s a ne facem o imagine asupra valorii distantei dintre
electronsi centrul de impuritate dac a calcul am (4.26) pentru semi-
conductori ca germaniu si siliciu pentru care
v
= 16, si respectiv

v
= 12. Presupunnd c a :
c
= :

a
si introducnd raza primei
orbite n atomul de hidrogen
_
:
1
= 0. 53
_
, rezult a:
:
Gc
= 16:
1
= 8. 5
:
S1
= 12
1
= 6. 4
Se vede c a electronii suplimentari se g asesc destul de departe de
ionii pentavalenti si prin urmare leg aturile ion-electron n semi-
conductor sunt slabe.
Cu ajutorul formulei 4.27 putem calcula si energia nivelelor de
impuritate. Cunoscnd energia st arii fundamentale a atomului de
hidrogen (13,6 eV), rezult a pentru energiile nivelelor:
1
Gc
=
13. 6
(16)
2
= 0. 05 eV
1
Si
=
13. 6
(12)
2
= 0. 09 eV
Aceste valori reprezint a de fapt diferentele dintre energiile
electronilor suplimentari (proveniti din impuritatile donoare) si
cele corespunz atoare electronilor liberi, situati la distant a foarte
mare de impurit atile pentavalente
1
.
1
Rezultatele sunt aproximative. Dac a se consider a valorile reale pentru
masele efective, n germaniu :

= 0, 19:
e
, rezult a r
Ge
= 50 si 1
Ge
=
0, 009 eV
82
Cum energia electronului liber este cel putin egal a cu 1
C
rezult a pentru energia electronului suplimentar 1
C
- 0. 01 eV.
Prin urmare, o impuritate donoare introduce un nivel energetic
situat n zona interzis a a unui semiconductor intrinsec.
Nivelele energetice corespunz atoare st arilor excitate ale elec-
tronului suplimentar pot fi obtinute tot din (4.27); pentru : =
2. 3. ..... ele sunt pozitionate n zona interzis a si se ngr am adesc
nspre banda de conductie.
Un rationament asem an ator arat a c a acceptorii introduc nivele
suplimentare situate deasupra benzii de valent a.
4.4 Statistica purt atorilor n semicon-
ductori extrinseci
Vom considera un semiconductor extrinsec a c arui schem a en-
ergetic a este dat a n Fig. 4.2b.
Vom presupune c a semiconductorul are un num ar total de `
o
atomi donori si `
o
acceptori. Vom nota cu `
oa
respectiv cu
`
oa
num arul de donori sau acceptori neutri. Atunci numerele
de donori ionizati sau acceptori ionizati sunt egale cu:
`
o
i
= `
o
`
oa
`
o
i
= `
o
`
oa
Functia de distributie Fermi-Dirac ne arat a care este probabi -
litatea ca o stare energetic a s a fie ocupat a de un electron. n
particular, pentru nivelul 1
1
avem:
83
, =
`
oa
`
o
=
1
exp
_
1
D
1
F
I
B
T
_
+ 1
Dupa cteva operatii elementare, rezult a c a:
`
oi
`
oa
= exp
_
1
1
1
1
/
1
1
_
(4.28)
Ocuparea unui nivel energetic de c atre un electron reprezint a o
problem a care necesit a o examinare mai am anuntit a ntruct un
atom de impuritate introdus n semiconductor ofer a mai multe
st ari pentru ambele configuratii neutre sau ionizate.
n ipoteza c a impuritatea donoare este monovalent a, un elec-
tron poate fi captat pe nivelul donor n dou a moduri: cu spinul
dirijat ntr-un sens sau n sens contrar. Totusi, un atom donor nu
poate capta dect un singur electron deoarece odat a ce un elec-
tron a fost deja captat, fortele de repulsie electrostatic a mpiedic a
procesul de captare al unui al doilea electron.
Prin urmare, starea de impuritate neutr a are o pondere sta-
tistic a egal a cu 2 n comparatie cu starea ionizat a; asadar n loc
de 4.28 avem:
`
oi
`
oa
=
1
2
exp
_
1
1
1
1
/
1
1
_
(4.29)
Densitatea de donori neutri va fi atunci:
`
oa
= `
o
`
oi
= `
o

`
oa
2 exp
_
1
F
1
D
I
B
T
_
de aici rezult a:
84
`
oa
=
`
o
1 +
1
2
exp
_
1
D
1
F
I
B
T
_
Prin urmare, probabilitatea ca un nivel cu energia 1
1
s a aib a un
electron este dat a de:
1 (1
1
) =
1
1 +
1
2
exp
_
1
D
1
F
I
B
T
_
n cazul cel mai general, putem scrie c a probabilitatea ca un
nivel energetic 1
v
s a fie ocupat de un electron este egal a cu:
1 (1
v
) =
1
1 + ,
v
exp
_
1
D
1
F
I
B
T
_ (4.30)
n care ,
v
=
1
jr
cu q
v
ponderea statistic a a nivelului respectiv.
1 (1
v
) reprezint a o probabilitate ca un nivel s a fie ocupat de un
electron cu o energie dat a atunci cnd impuritatea nu mai este
neap arat neutr a din punct de vedere electric.
Cnd impuritatea este un centru acceptor, , = 2 deoarece
absenta unui electron de pe nivel poate fi descris a n dou a moduri.
Exist a cazuri cnd , sau ,
1
difer a de doi. De exemplu, cnd
functia de und a a st arii fundamentale a impurit atii nu are sime-
trie sferic a, degenerarea orbital a influenteaz a ponderea statistic a
n conditiile neutre sau ionizate. , descrie acest fenomen de de-
generare de spin n toate cazurile posibile.
Vom considera cazul cel mai general; putem presupune c a:
`
oa
=
`
o
1 + , exp
_
1
D
1
F
I
B
T
_; `
oi
=
`
o
1 + ,
1
exp
_
1
F
1
D
I
B
T
_ (4.31)
85
n mod similar, vom obtine pentru acceptori:
`
oa
=
`
o
1 + ,
1
exp
_
1
F
1
A
I
B
T
_ ; `
oi
=
`
o
1 + , exp
_
1
A
1
F
I
B
T
_
(4.32)
Num arul de electroni care ajung n banda de conductie sau
num arul de goluri din banda de valent a se datoresc pe de alt a
parte si excit arii n domeniul intrinsec. n cazul cel mai general
acestia sunt dati de relatiile 4.15 si 4.16.
n orice semiconductor, indiferent de faptul c a el este intrinsec
sau extrinsec, conditia de neutralitate trebuie respectat a. Aceast a
conditie exprim a faptul c a num arul de sarcini negative din semi-
conductor este egal cu num arul de sarcini pozitive. Atunci:
: + `
oi
= j + `
oi
(4.33)
n cazul cel mai general, tinnd seama de 4.15, 4.16, 4.31 si
4.32 acest a conditie se mai poate scrie:
`
C
T
12
(c) +
`
o
1 + ,
1
c

E
A
E
F
k
B
T
= `
\
T
12
(,) +
`
o
1 + ,c

E
F
E
D
k
B
T

(4.34)
Relatia 4.34 permite discutarea cazului cel mai general: semi-
conductor degenerat sau nedegenerat care posed a si impurit ati.
Vom considera cazul cel mai frecvent, al unui semiconductor nede-
generat. Atunci:
T
12
(c) - c; T
12
(,) - ,
si n loc de 4.34 se obtine:
86
`
C
c
E
F
E
C
k
B
T
+
`
o
1 + ,
1
c

E
A
E
F
k
B
T
= `
\
c
E
V
E
V
k
B
T
+
`
o
1 + ,c

E
F
E
D
k
B
T

(4.35)
Vom discuta deocamdat a cazul unui semiconductor nedege-
nerat care este exclusiv de tip n adic a `
o
= 0. Din legea actiu-
nii maselor (:j = const) rezult a c a trebuie s a avem concentratie
foarte mic a de goluri n banda de valent a ntruct concentratia de
electroni din banda conductie este extrem de mare. Vom admite
j = 0. Atunci 4.35 devine:
`
C
exp
_
1
1
1
C
/
1
1
_
=
`
o
1 + ,
1
exp
_
1
F
1
D
I
B
T
_
Dupa cteva transform ari ajungem la:
c

2E
F
k
B
T

+ c

E
D
k
B
T

2E
F
k
B
T

,
`
o
`
C
c

E
C
+E
D
k
B
T

= 0 (4.36)
Relatia 4.36 este o ecuatie de gradul al doilea n exp
_
1
F
I
B
T
_
.
Rezolvnd-o dup a procedee elementare, se obtine:
c

E
F
k
B
T

=
,
2
c

E
D
k
B
T

_
1
_
1 +
4`
o
,`
C
exp
_
1
C
1
1
/
1
1
_
_
(4.37)
Dou a cazuri particulare ale ecuatiei 4.37 sunt interesante din
punct de vedere practic.
Dac a presupunem concentratia de atomi donori c a este cu mult
mai mare n comparatie cu concentratia de purt atori excitati n
banda de conductie si c a temperaturile de lucru sunt mici atunci:
87
4`
o
,`
C
exp
_
1
C
1
1
/
1
1
_
1
n aceste conditii, se poate neglija unitatea de sub radicalul
care intervine n expresia 4.36. Rezult a:
exp
_
1
1
/
1
1
_
=
,
2
exp
_
1
1
/
1
1
_
_
1 2
_
`
o
,`
C
exp
_
1
C
1
1
2/
1
1
_
_
exp
_
1
1
/
1
1
_
-
_
,`
o
`
C
exp
_
1
C
+ 1
1
2/
1
1
_
Asadar pozitia nivelului Fermi este dat a de expresia:
1
1
=
1
C
+ 1
1
2
+
/
1
1
2
ln
,`
o
`
C
(4.38)
La temperaturi foarte joase (n particular la 1 = 0 K) nivelul
Fermi se g aseste la jum atatea distantei dintre banda de conductie
si nivelul donor. Cnd 1 ,= 0 K, nivelul Fermi se deplaseaz a la
nceput nspre banda de conductie cnd `
o
`
C
. iar apoi nspre
mijlocul benzii interzise (Fig. 4.4).
n afara de pozitia nivelului Fermi, intereseaz a si num arul de
electroni din banda de conductie. Se vede imediat c a:
: = `
C
exp
_
1
1
1
C
/
1
1
_
=
_
,`
C
`
o
exp
_
1
1
1
C
2/
1
1
_
Dac a se introduce energia de ionizare a donorului 1
o
= 1
C
1
1
se obtine:
: =
_
,`
C
`
o
exp
_

1
o
2/
1
1
_
(4.39)
88
Figura 4.4: Variatia cu temperatura a pozitiei nivelului Fermi la Ge
de tip n n cazul n care acesta este nedegenerat (1) sau degenerat (2).
Asadar concentratia electronilor din banda de conductie creste
exponential cu temperatura. O reprezentare grafic a de forma
ln : = ,
_
1
T
_
ne permite s a studiem anumiti parametri ai semi-
conductorului, cum ar fi de exemplu 1
1
.
Se constat a c a exponentiala nu influenteaz a dependenta de
temperatur a pe tot domeniul de variatie a acesteia.
ntruct apar modific ari n special la temperaturi sc azute,
cnd se manifest a prezenta factorului 1
3
2
care intervine n `
C
,
este preferabil s a se traseze grafic dependenta ln
a
T
3
2
= ,
_
1
T
_
. n
acest caz se obtine o linie dreapt a a c arei pant a este egal a cu
1
1
,2/
1
.
S a examin am cazul n care temperaturile de lucru sunt mari.
Donorii tind n acest caz s a se ionizeze n ntregime, iar nivelul
Fermi se deplaseaz a din pozitia pe care o ocup a n intervalul 1
C

1
1
la o pozitie mai joas a nspre mijlocul zonei interzise.
n 4.37 putem presupune c a:
4
`
o
,`
C
exp
_
1
C
1
1
2/
1
1
_
1
89
Figura 4.5: Variatia cu temperatura a pozitiei nivelului Fermi la Ge
de tip p n cazul n care acesta este nedegenerat (1) sau degenerat (2).
Atunci radicalul din expresia 4.37 poate fi dezvoltat n serie si
retinnd numai primii doi termeni obtinem:
exp
_
1
1
/
1
1
_
=
`
o
`
C
exp
_
1
C
/
1
1
_
de unde rezult a pozitia nivelului Fermi:
1
1
= 1
C
+ /
1
1 ln
`
o
`
C
(4.40)
Num arul de electroni, din banda de conductie este dat de:
: = `
C
exp
_
1
1
1
C
/
1
1
_
= `
o
(4.41)
Relatia 4.41 are urm atoarea semnificatie: la temperaturi de
lucru foarte ridicate, toti donorii sunt ionizati si num arul de elec-
troni din banda de conductie este egal cu num arul de donori.
Semiconductorul se comport a ca un semiconductor intrinsec, iar
pozitia nivelului Fermi este n zona interzis a, conform Fig. 4.4.
90
n cazul unui semiconductor de tip p, pozitia nivelului Fermi
variaz a cu temperatura conform Fig. 4.5, de unde rezult a con-
cluzii cu privire la variatia cu temperatura a concentratiei purt a-
torilor analoage celor corespunz atoare semiconductorului de tip n.
Capitolul 5
Conductibilitatea electric a
5.1 Consideratii generale
Fenomenele de transport apar sub actiunea unor cmpuri elec-
trice, magnetice sau unor gradienti de temperatur a. Ele sunt:
conductibilitatea electric a, conductibilitatea termic a, efectele ter-
moelectrice, galvanomagnetice si termomagnetice.
Sub actiunea unui cmp electric

c, ntr-un conductor ia nastere
un curent electric astfel nct:

, = o

c (5.1)
unde

, este densitatea de curent electric si o conductivitatea elec-

tric a. Aceasta este legea lui Ohm.
Dac a n conductor exist a un gradient de temperatur a, apare
un curent caloric:

Q = \1 (5.2)
unde este conductivitatea termic a. Att o, ct si sunt n
general tensori de ordinul al doilea.
91
92
n cele ce urmeaz a ne vom referi numai la conductibilitatea
electric a.
Cea mai simpl a, si totodat a prima teorie care se refer a la acest
lucru, a fost teoria lui Drude (1901) aplicabil a metalelor. Aceast a
teorie se bazeaz a pe ipoteza electronilor liberi, care efectueaz a
ciocniri elastice cu ionii sau cu alti electroni. n aceste ciocniri ei se
comport a ca sfere rigide, adic a sunt respectate legile de conservare
ale energiei si impulsului.
Presupunnd c a asupra unui electron cu masa efectiv a :

a
actioneaz a un cmp electric

c. legea a doua a mecanicii se va
scrie:
:

a
d(t)
dt
= c

c (5.3)
Integrnd n raport cu timpul, se obtine:
(t) = (0)
c
:

ct (5.4)
Electronul este accelerat pn a cnd efectueaz a o ciocnire, n
urma c areia directia si sensul vitezei se modific a. Din aceste mo-
tive vom considera valoarea medie a expresiei 5.4. Mention am:
< (t) =
1
se numeste vitez a de transport sau vitez a de
drift,
< (0) = 0 deoarece, n absenta cmpului electric, electronii
se deplaseaz a n directii haotice, far a a ap area un transport net
de electroni ntr-o directie definit a,
< t = t este timpul de relaxare si reprezint a valoarea medie
a timpului dintre dou a ciocniri. Cu aceste observatii 5.4 devine:

1
=
ct
:

c (5.5)
Prin definitie, densitatea de curent electric este:

, = c:
1
(5.6)
93
unde : reprezint a concentratia electronilor. Introducnd n aceast a
relatie
1
obtinem legea lui Ohm:

, =
c
2
:t
:

c (5.7)
unde:
o =
c
2
:t
:

a
(5.8)
este conductivitatea electric a
1
.
Expresia 5.8 s-a dovedit a fi destul de precis a, o forma identic a
fiind obtinut a si n teoria cuantic a dac a suprafetele izoenergetice
se presupun a fi sferice. n cazul cel mai general, conductivitatea
electric a este un tensor de ordinul al doilea.
Totusi, n cadrul teoriei clasice a r amas neexplicabil a depen-
denta de temperatur a a conductibilitatii electrice a metalelor.
Ulterior, admitnd tot ipoteza electronilor liberi, Lorentz si
Sommerfeld au elaborat o teorie care se bazeaz a pe ecuatia de
transport a lui Boltzmann. S-a admis c a ciocnirile sunt tot elas-
tice si c a statistica purt atorilor este clasic a (Lorentz) sau cuantic a
(Sommerfeld). Aceast a teorie a putut explica calitativ fenomenele
de transport n metale, dar nu a putut fi aplicat a semiconducto-
rilor si nici dependentele de temperatur a ale diferitilor coeficienti
nu au fost corecte.
Aceste insuficiente se datoresc faptului c a s-a admis c a cioc-
nirile electronilor (cu reteaua sau cu alte particule) sunt elastice.
Esenta existentei unei conductibilit ati finite o constituie ciocni-
rile inelastice. Acest fapt poate fi nteles intuitiv pe baza urm a-
toarelor considerente.
1
n vechea teorie a lui Drude nu intervenea masa efectiv a si, datorit a unei
alte def initii a timpului de relaxare, n rezultatul f inal pentru o ap area un
factor de 1/2.
94
n cristal, functia de und a a electronului este o und a plan a ca-
racterizat a printr-o anumit a valoare a impulsului j sau a vectoru-
lui de und a

/. Deoarece j sau

/ nu se modific a n urma unor cioc-

niri elastice, electronul s-ar deplasa nelimitat sub actiunea fortei
exterioare, iar conductibilitatea ar fi infinit a, rezistenta electric a
fiind nul a. Esenta unei conductibilit ati finite const a n prezenta
ciocnirilor inelastice, care conduc la pierderi de energie prin efect
Joule. Acestea au loc a) cu vibratiile retelei si b) cu defectele sau
impurit atile din reteaua cristalin a.
5.2 Ecuatia de transport a lui Boltz-
mann
Boltzmann a dedus o ecuatie de transport care s a descrie com-
portarea moleculelor ntr-un gaz. Considerentele clasice care se
refer a la aceste procese, pot fi aplicate, cu mici modific ari, pentru
a descrie miscarea electronilor n cristal sub actiunea unor forte
exterioare.
Se admite c a functia de distributie a electronului este descris a
de expresia ,(t. r. . .. /
a,
/
j
. /
:
) si reprezint a densitatea
00
roiului
Fermi
00
ntr-un anumit domeniu din spatiul drdd. si n dome-
niul d/
a
d/
j
d/
:
al vectorului de und a. , variaz a n timp datorit a
misc arii de translatie a electronului, sub actiunea unei forte ex-
terioare si datorit a unor gradienti termici (d,,dt)
tv
precum si da-
torit a ciocnirilor (d,,dt)
cicc
. Observ am c a:
_
d,
dt
_
tv
=
J,
Jt
+
J,
Jr

a
+ ... +
J,
J/
a
d/
a
dt
+ ... (5.9)
Cum variatia spatial a a functiei de distributie se poate datora
95
unui gradient de temperatur a putem scrie c a:
J,
Jr

a
=
J,
J1
J1
Jr

a
si, pentru toate cele trei componente:
\
v
, =
J,
J1
\1
Tinnd seama de dependenta de timp a vectorului de und a
4.13 rezult a:
J,
J/
a
d/
a
dt
=
J,
J1
J1
J/
a
1
~
1
cat
a
. ...
astfel nct 5.9 devine:
_
d,
dt
_
tv
=
J,
dt
+
J,
J1
\1 +
1
~
J,
J1
_
\

I
1
_

1
cat
(5.10)
Evaluarea variatiei functiei de distributie datorit a proceselor
de ciocnire se va face considernd c a acestea sunt inelastice; n
consecint a vectorul de und a si energia electronului se modific a.
Fie \(

/.

/
0
) probabilitatea ca, n urma unui proces de ciocnire,
s a aib a loc o tranzitie din starea

/ n starea

/
0
. Num arul de
electroni care particip a la o astfel de tranzitie este proportional
cu probabilitatea ca starea

/ s a fie ocupat a, adic a ,(

/) si cu
probabilitatea ca starea

/
0
s a fie liber a, adic a [1,(

/
0
)], deci este
dat de expresia:
\(

/.

/
0
),(

/ )[1 ,(

/
0
)]
Num arul de tranzitii inverse din starea

/
0
n starea

/ este:
\(

/
0
.

/ ),(

/
0
)[1 ,(

/ )]
96
iar variatia total a a functiei de distributie se va scrie:
d,
dt

c
=
_
\(

/.

/
0
),(

/ )[1 ,(

/
0
)] \(

/
0
.

/ ),(

/
0
)[1 ,(

/ )]d

/
(5.11)
Not am c a:
\(

/.

/
0
) = \(

/
0
.

/ ) (5.12)
Aceast a relatie este cunoscut a ca principiul reversibilita tii mi-
croscopice. El afirm a c a, la scar a microscopic a, n vecin atatea
unei st ari de echilibru, legile dinamicii sunt reversibile. Cu aceasta,
5.11 cap at a o form a mai simpl a:
_
d,
dt
_
cicc
=
_
\(

/.

/
0
)[,(

/ ) ,(

/
0
)]d

/ (5.13)
Fie ,
0
functia de distributie a electronilor n absenta fortelor
exterioare si a gradientilor de temperatur a. Ecuatia 5.13 se poate
pune si sub forma:
_
d,
dt
_
cicc
=
, ,
0
t
(5.14)
t fiind timpul de relaxare. Integrnd 5.14 rezult a relatia:
, ,
0
= const exp(t,t) (5.15)
care are urm atoarea semnificatie: dac a perturbatia extern a nce-
teaz a, , ,
0
dup a o lege exponential a cu o constant a de timp
egal a cu timpul de relaxare t.
n conditii de echilibru, variatia total a a functiei de distributie
este nul a. Deoarece n conditii de echilibru functiile de distributie
nu depind explicit de timp, J,,Jt = 0. Utiliznd 5.10 si 5.14,
relatia lui Boltzmann se va scrie:
J,
0
J1
\1 +
1
~
J,
0
J1
_
\

I
1
_

1
cat
=
, ,
0
t
(5.16)
97
n deducerea relatiei 5.16 s-a presupus c a perturbatia extern a
este suficient de mic a nct s a se poat a considera c a J,,J1 -
J,
0
,J1 si J,,J1 - J,
0
,J1.
Relatia 5.16 cap at a o form a mai simpl a dac a admitem c a gra-
dientul de temperatur a este dirijat n lungul axei r si c a asupra
electronului actioneaz a o fort a electric a 1
a
= c

c
a
.unde c 7 0 dup a
cum purt atorii sunt electroni sau goluri. Se obtine:
J,
0
Jr

a
+ cc
a
J,
0
J1

a
=
, ,
0
t
sau
, = ,
0
t
_
J,
0
Jr
+ cc
a
J,
0
J1
_

a
(5.17)
Cu ajutorul acestei expresii se va putea calcula densitatea de
curent de conductie:
,
a
=
_ _ _
c
a
,dj
a
dj
j
dj
:
(5.18)
care apare datorit a transportului de sarcin a, precum si densitatea
de curent caloric:
Q
a
=
_ _ _
1
a
,dj
a
dj
j
dj
:
(5.19)
care reprezint a un transport de energie.
5.3 Conductibilitatea semiconductorilor
n semiconductori, particip a la curentul electric att electronii
din banda de conductie, ct si golurile din banda de valent a. Den-
sitatea total a de curent electric este:

, =

,
a
+

,
j
(5.20)
98
unde:

,
a
= c:
a
.

,
j
= cj
j
(5.21)
Majoritatea rezultatelor experimentale se pot interpreta dac a
se presupune c a viteza purt atorului este proportional a cu cmpul
electric aplicat. n acest scop se introduc mobilit atile:
j
a

c =
a
. +j
j

c =
j
(5.22)
Atunci 5.21 se mai poate scrie:

, = c(:j
a
+ jj
j
)

c (5.23)
si se reg aseste legea lui Ohm, conductivitatea electric a a semicon-
ductorului fiind:
o = c(:j
a
+ jj
j
) (5.24)
Se constat a c a o depinde de concentratiile si mobilit atile purt a-
torilor.
Densit atile de curent

,
a
. respectiv

,
j
se vor calcula cu ajutorul
relatiei 5.18. Densitatea de st ari (2,~
3
)dj
a
dj
j
dj
:
va fi dat a de

a
(1)d1 pentru electronii din banda de conductie (relatia 4.7) si
de
j
(1)d1 pentru golurile din banda de valent a (relatia 4.8).
Vom considera un caz simplificat si anume absenta unui gra-
dient termic. Atunci 5.18 devine:
,
a=

2c
2
~
3
c
a
_ _ _
t
2
a
J,
0
J1
dj
a
dj
j
dj
:
(5.25)
n ipoteza c a suprafetele izoenergetice sunt sferice, n inte-
gralele de tipul 5.18 sau 5.19 vom trece de la variabilele de impuls
99
la energie
2
. Se obtine:
,
aa
=
2
3:

a
c
2
c
a
+1
_
1
C
t
a
1
J,
0
J1

a
(1)d1 (5.26)
,
ja
=
2
3:

j
c
2
c
a
1
V
_
1
t
j
1
J,
0
J1

j
(1)d1 (5.27)
n majoritatea cazurilor, semiconductorii sunt nedegenerati;
din aceste motive ,
0
se poate aproxima printr-o distributie maxwe-
llian a si are forma:
,
0
= exp
_

1
/
1
1
_
(5.28)
Not am c a:
1
_
1
C
J,
0
J1

a
(1)d1 =
1
/
1
1
1
_
1
C
,
0

a
(1)d1 =
:
/
1
1
(5.29)
Definind asa numita
00
valoare medie
00
pe banda de conductie:
< r =
1
_
1
C
r
J,
0
J1

a
(1)d1
1
_
1
C
J,
0
J1

a
(1)d1
(5.30)
2
n 5.25 se nlocuiesc coordonatele carteziene cu coordonate sferice si se
face integrarea asupra coordonatelor polare. Rezultatul se obtine direct dac a
se nlocuieste
2
x
cu
2
,3 iar
2
cu 21,:

.
100
obtinem pentru densitatea de curent a electronilor din banda de
conductie expresia:
,
a
=
2:c
2
3/
1
1:

a
< t
a
1 c
a
(5.31)
de unde rezult a mobilitatea si conductibilitatea electric a a unui
semiconductor de tip n:
j
a
=
2c
3/
1
1:

a
< t
a
1 (5.32)
o
a
=
2:c
2
3/
1
1:

a
< t
a
1 (5.33)
Relatii similare se obtin si pentru un semiconductor de tip p.
Pentru a evalua valorile medii < t
a
1 sau < t
j
1 tre-
buie s a se ia n considerare mecanismele de mpr astiere. Acestea
se datoresc 1) vibratiilor retelei, 2) impurit atilor cu sarcin a, 3)
impurit atilor neutre, 4) dislocatiilor si altor defecte structurale.
Vom prezenta rezultatele estim arilor teoretice, care se refer a
la variatia cu temperatura a mobilit atii.
Vibratiile retelei sunt semnificative la temperaturi nalte, vari-
atia mobilit atii cu temperatura fiind de forma:
j
ibv
~ (1)
32
(5.34)
La temperaturi joase sunt importante ciocnirile inelastice ale
electronilor cu impurit atile cu sarcin a iar:
j
inj
~ (1)
32
(5.35)
ntruct conductantele se adun a, se poate aprecia c a pe un
domeniu foarte larg de temperatur a:
1
j
=
1
j
ibv
+
1
j
inj
(5.36)
101
Un parametru caracteristic electronilor este si drumul liber
mijlociu | (distanta medie dintre dou a ciocniri). El poate fi definit
astfel:
| =
1
t sau | = t (5.37)
unde este viteza medie a electronului. n teoria cuantic a se
arat a c a
| = |
0

2v
(5.38)
unde : = 2. 0 cnd mpr astierea se face pe vibratiile retelei, res-
pectiv pe impurit ati localizate.
Relatiile 5.34, 5.35, 5.36, precum si cele care se refer a la vari-
atia concentratiei electronilor cu temperatura pot fi utilizate pen-
tru a obtine informatii referitoare la variatia cu temperatura a
conductibilit atii, respectiv a rezistentei electrice a semiconduc-
torului.
Astfel, la temperaturi nalte predomin a variatia concentratiei
electronilor datorit a excit arii n domeniul intrinsec. Conform gra-
ficului din Fig. 5.1, o scade cnd 1 scade.
n domeniul unor temperaturi medii, se produce ionizarea to-
tal a a donorilor (sau acceptorilor) si concentratia purt atorilor este
constant a (: = `
o
respectiv j = `
o
). Variatia cu temperatura a
conductibilit atii se datoreste dependentei mobilit atii descris a de
5.34, iar o scade cnd temperatura creste.
n domeniul temperaturilor joase intervine excitarea purt ato-
rilor de pe nivelele aditionale si o dependent a de temperatur a
a mobilit atii de tipul 5.35. Conductivitatea creste cnd tempe
ratura creste.
n acest mod poate fi explicat a existenta unor coeficienti de
temperatur a negativi pentru anumite intervale de temperatur a n
cazul semiconductorilor extrinseci.
102
Figura 5.1: Variatia conductivit atii cu temperatura.
5.4 Fenomene de difuzie; relatia lui Ein-
stein
ntr-un semiconductor, cmpul electric nu este singura surs a
de curent electric. Dac a ntr-o anumit a regiune exist a un gradi-
ent de concentratie al purt atorilor ia nastere un curent de difuzie
proportional cu gradientul de concentratie. Curentii de difuzie
pentru electroni, respectiv pentru goluri sunt orientati n directia
gradientului descresc ator si sunt dati de relatiile:

,
ao
= c1
a
\: (5.39)

,
jo
= c1
j
\j (5.40)
n care 1
a
. 1
j
sunt coeficientii de difuzie pentru electroni, respec-
tiv pentru goluri.
n prezenta unui cmp electric si a unor gradienti de concen-
103
tratie densit atile de curent pentru electroni, respectiv goluri sunt:

,
a
= c:j
a

c + c1
a
\: (5.41)

,
j
= cjj
j

c c1
j
\j (5.42)
n conditii de echilibru nu apare un curent net de electroni,
respectiv de goluri

,
a
=

,
j
= 0.
S a consider am un semiconductor de tip n. Presupunnd c a
c
a
= J\,Jr , conform legii de distributie Boltzmann, concen-
tratia electronilor este proportional a cu:
exp[c\ (r),/
1
1] (5.43)
Dar, curentul de difuzie datorat unei variatii de concentratie n
directia r este c1
a
(d:,dr); cnd ,
a
= 0. relatia 5.41 devine:
j
a
c:
d\
dr
+ c1
a
d:
dr
= 0
de unde, nlocuind pe : printr-o expresie de forma 5.43 se obtine:
1
a
=
/
1
1
c
j
a
(5.44)
Folosind rationamente similare se poate obtine pentru goluri:
1
j
=
/
1
1
c
j
j
(5.45)
Relatiile 5.44 si 5.45 poart a denumirea de relatiile lui Einstein.
5.5 Distributia spatial a si miscarea pur-
t atorilor de neechilibru
n semiconductori pot s a existe purt atori n neechilibru termic;
acestia pot s a apar a ca urmare a gener arii de perechi electron-gol
104
datorit a iradierii cu particule cu sarcin a electric a sau cu radiatie
electromagnetic a precum si prin injectare prin contacte metalice.
Caracteristic este faptul c a concentratiile pot s a varieze n timp
adic a J:,Jt ,= 0. Jj,Jt ,= 0. Considernd ecuatia de continuitate
a sarcinii electrice:
Jj
Jt
+\

, = 0 (5.46)
si c a sarcina spatial a j poate fi creat a de electroni sau de goluri,
introducnd j
a
= c: si j
j
= cj, ecuatiile de continuitate pentru
electroni, respectiv goluri sunt:
J:
Jt
=
1
c
\

,
a
.
Jj
Jt
=
1
c
\

,
j
(5.47)
Exist a mai multe cauze care determin a modific ari ale concen-
tratiei purt atorilor. Ei pot s a fie generati ca urmare a actiunii unei
radiatii electromagnetice sau s a comporte diferite mecanisme de
recombinare sau anihilare. n cazul general, ecuatiile care descriu
variatia n timp a concentratiei purt atorilor au forma:
J:
Jt
=
1
c
\

,
a
+ q
a
:
a
(5.48)
Jj
Jt
=
1
c
\

,
j
+ q
j
:
j
(5.49)
unde q
a
. q
j
sunt ratele de generare, iar :
a
. :
j
ratele de recombinare
ale electronilor, respectiv golurilor.
Se admite c a :
a
= :,t
a
= (: :
0
),t
a
iar :
j
= j,t
j
=
(j j
0
),t
j
unde :
0
. j
0
sunt concentratiile de echilibru, iar t
a
. t
j
timpii de viat a ai electronului respectiv golului.
Dac a introducem pentru ,
a
. ,
j
expresiile generale, care con-
sider a si contributia curentilor de difuzie se obtine:
J:
Jt
= \(:j
a

c)+1
a
\
2
: + q
a

: :
0
t
a
(5.50)
105
Jj
Jt
= \(jj
j

c) c1
j
\
2
j + q
j

j j
0
t
j
(5.51)
n cazul unidimensional relatiile 5.50 si 5.51 cap at a o form a
mai simpl a:
J:
Jt
=
J
Jr
(j
a
:c
a
) + 1
a
J
2
:
Jr
2
+ q
a

:
t
a
(5.52)
Jj
Jt
=
J
Jr
(jj
j
c
a
) 1
j
J
2
j
Jr
2
+ q
j

j
t
j
(5.53)
Vom discuta solutiile acestor ecuatii n cazul unui regim statio-
nar: J:,Jt = 0. Jj,Jt = 0 si cnd nu exist a procese de generare,
adic a q
a
= q
j
= 0. Practic, dou a cazuri particulare se dovedesc a
fi extrem de utile.
1. Cmp electric foarte slab. n acest caz n 5.52 si 5.53 curentii
datorati cmpului sunt neglijabili n raport cu curentii de difuzie
si se obtine:
1
a
d
2
:
dr
2

:
t
a
= 0 (5.54)
1
j
d
2
j
dr
2

j
t
j
= 0 (5.55)
Solutiile acestor ecuatii se pot pune sub forma:
: = :(0) exp(r,1
a
) (5.56)
j = j(0) exp(r,1
j
) (5.57)
Expresiile 1
a
= (1
a
t
a
)
12
. 1
j
= (1
j
t
j
)
12
, poart a denumirea
de lungimi de difuzie si reprezint a distantele la care concentratia
purt atorilor scade de c ori.
106
2. Cmp electric intens. n acest caz curentii de difuzie sunt
neglijabili n raport cu cei datorati cmpului. Ecuatiile 5.52 si
5.53 devin:
j
a
c
a
d:
dr

:
t
a
= 0 (5.58)
j
j
c
a
dj
dr

j
t
j
= 0 (5.59)
si au ca solutii:
: = :(0) exp(r,1
1a
) (5.60)
j = j(0) exp(r,1
1j
) (5.61)
unde 1
1a
= j
a
c
a
t
a
. 1
1j
= j
j
c
a
t
j
poart a denumirea de lungimi
de drift si reprezint a drumul parcurs de purt atorii cu timpii de
viat a t
a
. t
j
sub actiunea unui cmp extern.
5.6 Abateri de la legea lui Ohm
Atta timp ct intensitatea cmpului electric este suficient
de mic a, conductivitatea electric a a unui semiconductor este con-
stant a. Dac a intensitatea cmpului electric este mai mare dect
o valoare critic a c
cv
apar abateri de la legea lui Ohm. Aspec-
tul general privind comportarea densit atii de curent n functie de
cmpul electric aplicat este ilustrat n Fig. 5.2. Conductivitatea
electric a creste cnd cmpul electric 1 1
cv
. Aceste aspecte
sunt cunoscute sub denumirea de efecte n cmpuri intense.
Deoarece:
107
Figura 5.2: Variatia cu cmpul electric a densit atii de curent.
o = c(:j
a
+ jj
j
)
efectele pot fi explicate considernd att modific arile care apar
n concentratiile purt atorilor, ct si n mobilit ati.
Electronii din banda de conductie si golurile din banda de
valent a pot fi considerati ca un sistem n echilibru termodinamic.
Distributia electronilor n st arile vacante poate fi descris a de legi
statistice, electronilor putnd s a li se atribuie o temperatura bine
definit a 1
c
, denumit a temperatur a electronic a. Pentru ca prin
reteaua cristalin a s a treac a un curent este necesar ca temperatura
electronilor 1
c
s a fie mai mare dect temperatura retelei 1
1
. Cnd
intensitatea cmpului electric este mic a, diferenta 1
c
1
1
este
nesemnificativ a si legea lui Ohm este satisf acut a. Deoarece 1
c
creste cnd se m areste intensitatea cmpului electric, pentru va
lori suficient de mari ale acestuia legea lui Ohm nu mai este va-
labil a.
108
Cnd cmpurile electrice sunt mai mici de 10
4
V/cm, concen-
tratia electronilor nu se modific a cu cmpul astfel nct distributia
electronilor poate fi considerat a ca fiind maxwellian a.
n cazul n care 1
c
1
1
, electronii cap at a o energie apreciabil a
datorit a cmpului, fapt care face s a li se atribuie denumirea de
00
electroni fierbinti
00
.
Deoarece energia lor cinetic a este foarte mare, electronii fierbin-
ti pot excita fononi optici. Aceasta este explicatia faptului c a
spectrele semiconductorilor se modific a sub actiunea cmpurilor
electrice intense.
Cnd cmpurile electrice sunt de ordinul a 10
5
V/cm, functia
de distributie a purtatorilor de sarcin a nu mai este maxwellian a.
Ea poate fi exprimat a sub forma unor polinoame Legendre.
n Fig. 5.3 este dat a dependenta densit atii de curent n germa-
niu de tip n, n functie de cmpul electric, pentru trei temperaturi
diferite. Din alura acestor curbe se desprind trei regiuni distincte:
n prima regiune (corespunz atoare unor cmpuri de pn a la
10
2
V/cm), dependentele , = ,(c) sunt liniare si panta este egal a
cu unitatea. Aceasta nseamn a c a n aceast a regiune o nu depinde
de cmp (legea lui Ohm este respectat a).
n cea de-a doua regiune panta este egal a cu 1/2, ceea ce
nseamn a c a o ~ c
12
.
n regiunea a treia panta este zero, iar o ~ c
1
.
Pentru a explica mecanismele responsabile pentru astfel de
modific ari, au fost f acute urm atoarele ipoteze:
Energia implicat a ntr-o ciocnire \ reprezint a o fractiune
mic a din energia total a \ a electronului. Atunci:
\ =
_
:

`
_
\
unde (:

,`) este o functie care depinde de masele particulelor

109
Figura 5.3: Variatia densit atii de curent cu cmpul electric n Ge de
tip n.
care se ciocnesc: :

(masa efectiv a a electronului ) si ` (masa

ionului din retea).
Vom tine seama de faptul c a electronul primeste energie de la
cmpul electric. Cantitatea de energie primit a n unitatea de timp
de electron d\,dt trebuie s a fie egal a cu lucrul mecanic efectuat
de fortele exterioare, adic a:
d\
dt
= fort a vitez a = cc
1
= cj
o
c
2
=
c
2
t
:

c
2
(5.62)
n relatia 5.62 prin
1
s-a notat viteza de transport (viteza de
drift) a electronului.
Deoarece electronul care a suferit o ciocnire pierde energia \
ntr-un timp egal cu timpul de relaxare t, pierderea de energie n
unitatea de timp este:
110
_
d\
dt
_
ciccaivc
=
\
t
=
_
:

`
_
\
t
=

t
:

2
2
(5.63)
Egalnd relatiile 5.62 si 5.63 se obtine:
c
2
2c
2
t
:

=

t
:

2
(5.64)
Substituind t = |, n relatia 5.64 rezult a:
c
2
|
2
c
2
= :
2

4
(5.65)
Introducnd expresia general a pentru drumul liber mijlociu
| = |
c

2v
rezult a:
c
2
c
2
|
2
0
:
2

=
44v
(5.66)
iar
~ c
1[2(1v)]
(5.67)
n domeniul temperaturilor nalte predomin a mecanismele de
mpr astiere pe vibratiile retelei. n acest caz : = 0 si
~ c
12
(5.68)
Deoarece drumul liber mijlociu nu depinde de cmpul electric
j ~ c
12
si rezult a o = o
0
,c
12
, de unde:
, = oc = o
0
_
c (5.69)
Acest rezultat este n acord cu datele experimentale (cea de-a
doua regiune a graficului indicat n Fig. 5.3). Mention am nc a
111
faptul c a, cu ct este mai mare valoarea lui j, cu att mai mic a
va fi valoare cmpului critic.
n domeniul temperaturilor joase, unde mecanismul predo-
minant este mpr astierea pe impurit atile localizate, : = 2 si ~
c
12
. Deoarece n acest domeniu de temperatur a | ~
4
, t ~ c
32
si mobilitatea creste cu cmpul aplicat.
n Fig. 5.4 se arat a dependentele de cmpul electric a mobi-
lit atilor germaniului de tip n la temperaturile de 20 K si 77 K.
Cele mai mari valori ale mobilit atii se obtin n domeniul tempe-
raturilor joase, asa cum era de asteptat. Pentru unele valori ale
cmpului mobilitatea, creste cu cmpul.
n domeniile n care intensitatea cmpului electric este foarte
mare electronii au suficient a energie ca s a excite fononii optici. n
Ge sau Si frecventa acestor fononi este de 7 10
12
s
1
. respectiv
1210
12
s
1
. si corespunde unei temperaturi echivalente a 335 K,
respectiv 570 K.
Dac a timpul de relaxare este suficient de mic astfel nct pro-
cesele de mpr astiere acustic a s a fie neglijabile, putem scrie c a
variatia n timp a energiei electronului este dat a de:
_
d\
dt
_
c^ onj
=
c
2
c
2
t
cjtic
:

(5.70)
Aceast a variatie de energie se poate obtine si raportnd ener-
gia fononului optic la timpul de tranzitie, adic a:
_
d\
dt
_
cjtic
=
/i
cjtic
t
cjtic
(5.71)
Egalnd expresiile 5.70, 5.71 se obtine viteza de drift:

1
=
cc
:

=
_
/
cjtic
:

_1
2
(5.72)
112
Figura 5.4: Variatia mobilit atii n Ge de tip n cu cmpul electric.
si constat am ca aceasta tinde c atre o valoare constant a, indepen-
dent a de c. Astfel se explic a comportarea densit atii de curent n
cea de-a treia regiune din Fig. 5.3.
Dac a cmpul creste dincolo de valoarea de saturatie a curentu-
lui, apare o nou a valoare critic a c
0
cv
. Ea corespunde unei cresteri
semnificative a densit atii de curent. Acest aspect este indicat si
n Fig. 5.2.
Acest fenomen poate fi descris de o lege empiric a, prezentat a
de Poole:
o = o
c
exp[(c c
0
cv
)] (5.73)
Dependenta exponential a are loc datorit a cresterii concen-
tratiei purt atorilor.
Pentru a explica comportarea conductivit atii n cmpuri elec-
trice foarte intense au fost propuse mai multe mecanisme.
113
Figura 5.5: Modificarea barierei de potential n cmpuri electrice in-
terne.
Frenkel a presupus c a sub actiunea unui cmp electric, bari-
era de potential a electronului din semiconductor este micsorat a.
n Fig. 5.5 se arat a bariera de potential a electronului ntr-un
atom n absenta (linia punctat a) si n prezenta (linia continu a)
unui cmp electric. Cmpul extern micsoreaz a n altimea bari-
erei de potential n directia opus a cmpului. Maximul barierei
de potential corespunde unui punct :
0
n care forta de atractie
a atomului cel mai apropiat este compensat a de forta exterioar a
adic a:
c
2
4::
2
0
= cc (5.74)
De aici se obtine:
:
0
=
1
2
_
c
:c
(5.75)
Descresterea n altimii barierei de potential care separ a dou a
pozitii din reteaua cristalin a este dat a de expresia:
114
Figura 5.6: nclinarea benzilor energetice n cmp electric (efect
Zener).
\ = 2cc:
0
= c
_
cc
:
(5.76)
Ca urmare a micsor arii n altimii barierei de potential, proba-
bilitatea de excitare termic a a electronilor creste dup a legea:
exp(\,/
1
1) = exp ,
)
_
c (5.77)
unde ,
)
este o functie care nu depinde de cmp.
Acest efect se observ a cnd 1 - 10
5
10
6
V/cm.
Un alt mecanism care explic a posibilitatea cresterii conductivi
t atii este c,cctn| 2c:c:.
Pe baza unor considerente de mecanic a cuantic a rezult a c a
energia electronului se modific a n fiecare punct din semiconduc-
tor cnd asupra acestuia actioneaz a un cmp electric. Deoarece
energia electronului variaz a dup a legea:

J(cl)
Jr
= cc
115
are loc o nclinare a benzilor energetice, asa cum este indicat n
Fig. 5.6.
Presupunnd un astfel de mecanism, un electron din banda
de valent a poate ajunge n banda de conductie prin c,cct tn:c|.
Probabilitatea de tunelare depinde de l argimea zonei interzise 1
si de l argimea barierei c. Pe de alt a parte, aceasta depinde de
intensitatea cmpului electric deoarece ccc = 1. Rezult a:
c = 1,cc
Se stie din mecanica cuantic a c a probabilitatea de tranzitie pentru
o astfel de barier a este:
1 = 1
0
exp
_
2
_
:

(1)
3
2
2c/
_
(5.78)
Probabilit atile de tunelare din banda de valent a n banda de
conductie si vice-versa sunt identice. Totusi, deoarece concen-
tratia electronilor este mai mare n banda de conductie, electronii
care sunt implicati n efectul Zener provin din banda de valent a.
Efectul este observabil n cmpuri de ordinul a 10
5
V/cm si este
asem an ator efectului autoelectronic.
Un alt mecanism propus pentru a explica comportarea semi-
conductorilor n cmpuri electrice intense este io:i.c:cc j:i:
i:jcct.
Un electron (sau un gol), care are o energie foarte mare, poate
ioniza un atom de impuritate sau un atom din reteaua cristalin a.
Ca urmare a ciocnirii cu o astfel de particul a
00
fierbinte
00
poate fi
generat un purt ator de sarcin a aditional, care la rndul s au este
accelerat de cmp, pn a cnd, printr-o alt a ciocnire, genereaz a un
nou purt ator. n consecint a, num arul de purt atori creste. Dac a
se tine seam a de faptul c a cresterea num arului purt atorilor de
sarcin a are loc odat a cu cresterea proceselor de recombinare, este
116
Figura 5.7: Structura de benzi de conductie n arsenura de galiu.
firesc s a admitem c a, la un anumit moment, se realizeaz a o stare
stationar a n care conductivitatea este constant a avnd ns a o va-
loare foarte mare. n cazul n care procesele de recombinare nu
mai pot compensa generarea de purt atori, concentratia purt ato-
rilor va creste n avalans a si, n semiconductor, se va produce un
proces ireversibil: :t: cjn:qc:cc.
5.7 Efectul Gunn
Un efect deosebit de interesant care are loc n semiconductori
a fost descoperit de Gunn (J. B. Gunn Proc. Phys. Soc. London
B, 66 (1966), 781). El const a n oscilatiile unui curent de nalt a
frecvent a care se produc n arsenura de galiu, supus a unei tensiuni
constante. Efectul a fost observat si n fosfatul de galiu precum
si n alte materiale semiconductoare.
Efectul se datoreste unei rezistente electrice negative care apare
cnd pe semiconductor se aplic a un cmp electric foarte mare si
depinde de structura de band a a semiconductorului.
117
Figura 5.8: Dependenta curent-tensiune n efectul Gunn.
n GaAs banda de conductie are dou a minime sau dou a
00
v ai
00
(Fig.5.7). Electronii care ocup a nivelele din minimul principal
au masa efectiv a :

1
si mobilitatea j
1
. Pentru electronii care
ocup a nivelele din minimul secundar (satelit), aceste valori vor fi
notate cu :

2
, respectiv j
2
. Este esential faptul c a efectul apare
dac a sunt satisf acute cerintele :

1
:

2
si j
1
j
2
. n GaAs,
:

1
= 0. 067:
c
. :

2
= 0. 35:
c
iar j
1
= 8000 cm
2
/Vs, j
2
= 1500
cm
2
/Vs, fapt care face posibil a aparitia efectului.
Sub actiunea unui cmp electric de mare intensitate, tempe-
ratura gazului electronic creste si electronii care ocup a nivelele
din minimul principal (valea inferioar a) sunt excitati n minimul
satelit (valea superioar a). Deoarece densitatea de st ari din valea
superioar a este mai mare dect cea din valea inferioar a, efectul
este favorabil din punct de vedere energetic. Dar mobilitatea
electronilor care se g asesc n minimul satelit este semnificativ
mai mic a dect mobilitatea electronilor din minimul principal.
Aceasta face ca viteza de drift a electronilor s a scad a si, n con-
118
Figura 5.9: Generarea unei fluctuatii de sarcin a
secint a, curentul se micsoreaz a. Rezistenta electric a devine nega-
tiv a.
St arile care corespund benzii satelit sunt instabile. Electronii
interactioneaz a cu fononii si au loc tranzitii n banda principal a;
datorit a faptului c a n aceast a band a mobilitatea este mai mare,
curentul creste.
Pentru precizare, n Fig. 5.8 este dat a caracteristica , = ,(c).
La nceput curentul creste liniar cu cmpul iar , = o
1
c; n inter-
valul c
1
, c
c
, dependenta nu mai este liniar a acesta fiind datorat a
efectului de cmp. Cnd electronii
00
usori
00
din minimul principal
ncep s a treac a n minimul satelit, , atinge o valoare maxim a
valoarea corespunz atoare cmpului fiind c
1
. n intervalul c
1
. c
2
curentul scade deoarece electronii din minimul satelit au o mas a
119
Figura 5.10: Propagarea perturbatiilor de la catod la anod
efectiv a mai mare si o mobilitate mai mic a. Pentru c c
2
. de-
pendenta curent tensiune este tot liniar a iar , = o
2
c, o
2
fiind
conductivitatea electronilor
00
grei
00
din minimul satelit.
Caracteristic efectului Gunn sunt oscilatiile periodice ale curen-
tului. Explicatia lor este urm atoarea:
Datorit a fluctuatiilor statistice, n semiconductor poate s a
apar a un domeniu D cu o rezistivitate mai mare (Fig. 5.9a).
Acest domeniu va avea un cmp critic mai mare dect n regiu-
nile nvecinate (c
c1
c
c
) (Fig. 5.9b). Dac a pe prob a se aplic a un
cmp c < c
c
, pentru electronii din domeniul D acest cmp poate
fi mai mare dec at c
c1
si atunci ei vor suferi tranzitii n minimul
satelit, vor deveni electroni
00
grei
00
si se vor deplasa cu o vitez a

1
. n restul probei, electronii care sunt
00
usori
00
se vor deplasa
120
cu viteza
ca

1
. Datorit a acestui fapt, electronii din spatele
domeniului vor intra n domeniul D crend un strat de acumulare
si vor deveni electroni
00
grei
00
, iar cei din fata domeniul D, avnd
o vitez a mai mare dect v
1
. vor determina aparitia unui strat
de s ar acire (Fig. 5.9c). n final se stabileste un regim stationar
n care
ca
=
1
, iar j
1
c
cat
= j
2
c
1
. Domeniul se deplaseaz a
cu viteza
1
pn a cnd atinge contactul metalic; atunci are loc
o crestere brusc a a curentului datorit a disparitiei domeniului cu
rezistenta electric a mare. Apare apoi un alt domeniu (n vecin a-
tatea catodului) si fenomenele decurg n mod similar.
Experimental, s-a ar atat c a perturbatia generat a de cmp,
care este proportional a cu variatia energiei potentiale (dl,dt) se
propag a de la catod la anod sub form a de und a (Fig. 5.10). Dac a
1 este lungimea cristalului, frecventa oscilatiilor este i =
1
,1.
Astfel, dac a 1 = 10
3
cm si
1
= 10
7
cm/s , i = 10
10
Hz.
n dispozitivele realizate pn a acum, domeniul de frecvent a
este de 1-100 GHz, iar puterile de ordinul a 1W (n regim con-
tinuu) sau de sute de mii de watti (n impuls).
Dispozitivele Gunn sunt utilizate n aparatur a de comunicatii
radar. La ora actual a ele reprezint a surse de microunde care le
nlocuiesc pe cele conventionale (klistroane sau magnetroane) n
multe aplicatii. Au fost realizate astfel si seturi portabile de radar.
Capitolul 6
Efecte termoelectrice si
galvanomagnetice
6.1 Efecte termoelectrice. Consideratii
generale
Efectele termoelectrice ilustreaz a interdependenta ntre curen-
tul electric si curentul caloric care pot str abate circuite conduc-
toare. Acestea sunt:
Efectul Peltier: Sudura a doua conductoare (A si B) se nc alzes-
te sau se r aceste n functie de sensul curentului electric si de natura
materialelor. C aldura degajat a (sau absorbit a) n unitatea de
timp d\
1
,dt (c aldura Peltier) este proportional a cu intensitatea
curentului, astfel nct se poate scrie:
d\
1
dt
= :
1
i (6.1)
unde :
1
este coeficientul Peltier.
121
122
Efectul Thomson: ntr-un conductor omogen n care exist a
un gradient de temperatur a, se degaj a sau se absoarbe c aldur a
n functie de sensul curentului si natura materialului. C aldura
Thomson este proportional a cu intensitatea curentului i, cu gra-
dientul de temperatur a si egal a cu:
d\
TI
dt
= j
TI
i\1 (6.2)
unde j
TI
este coeficientul Thomson, care este pozitiv dac a se de-
gaj a caldur a cnd curentul str abate circuitul n sensul unui gra-
dient de temperatur a descresc ator sau negativ n cazul cnd se
absorbe c aldur a n conditii similare celor precedente.
Valorile pozitive ale coeficientului Thomson corespund depla-
s arii electronilor, iar cele negative deplas arii golurilor.
Efectul Seebeck: ntr-un circuit format din conductoare de
natur a diferit a, care se g asesc la temperaturi diferite se produce
o tensiune electric a (denumit a si fort a termoelectric a); aceasta
depinde de natura conductoarelor si temperatura sudurilor. O
prim a si veche aplicatie a acestui efect s-a f acut n vederea m a-
sur arii temperaturii. ntr-adevar, un termocuplu este alc atuit din
metale diferite ale c aror suduri (sudura cald a si sudura rece) sunt
mentinute la temperaturi diferite (Fig. 6.1).
Tensiunea termoelectric a (tensiunea Seebeck) \
S
este functie
de diferenta de temperatur a si de natura conductoarelor:
\
S
= o
12
(1
2
1
1
) (6.3)
n 6.3 o
12
este coeficientul Seebeck. \
c
si o
12
au valori po-
zitive cnd potentialul contactului
00
cald
00
este mai mare dect
potentialul contactului
00
rece
00
.
Dac a \
S
0, curentul parcurge circuitul n sensul acelor de
ceasornic, ceea ce nseamn a c a are loc un transport de sarcin a poz-
123
Figura 6.1: Circuit Seebeck.
124
itiv a. Dac a \
S
< 0, curentul circul a n sens invers si corespunde
deplas arii unei sarcini negative.
ntre coeficientii o
12
. :
12
si j
TI
exist a relatii de interdepen-
dent a.
6.2 Teoria cuantic a a efectelor termo-
electrice
Originea efectelor termoelectrice const a n interdependenta
dintre curentul electric si curentul caloric datorat purt atorilor de
sarcin a.
Vom considera un conductor n care exist a un gradient de
temperatur a n directia r si un cmp electric c
a
. Densit atile de
curent electric, respectiv caloric se pot obtine din relatiile generale
5.19 si 5.25, care, dup a efectuarea integr arii asupra coordonatelor
polare, devin:
,
a
=
8:(2:

)
32
3:

/
3
1
_
0
t
_
J,
0
Jr
+ cc
a
J,
0
J1
_
1
32
d1 (6.4)
Q
a
=
8:(2:

)
32
3:

/
3
1
_
c
t
_
J,
0
Jr
+ cc
a
J,
0
J1
_
1
52
d1 (6.5)
Se consider a cazul cel mai general n care ,
0
este functia de
distributie Fermi-Dirac:
,
0
=
1
c
.
+ 1
; =
1 1
1
/
1
1
(6.6)
125
Not am c a:
J,
0
Jr
=
J,
0
J1
J1
Jr
=
J,
0
J
J
J1
J1
Jr
=
J,
0
J1
_

1 1
1
1

J1
1
J1
_
J1
Jr
(6.7)
astfel nct relatiile 6.4, 6.5 se mai pot scrie:
,
a
=
8:(2:

)
32
3:

/
3
1
_
c
t
__
1 1
1
1
+
J1
1
J1
_
J1
Jr
cc
a
_
J,
0
J1
1
32
d1
(6.8)
Q
a
=
8:(2:)
32
3:/
3
1
_
c
t
__
1
1
1
1

J1
1
J1
_
J1
Jr
+ cc
a
_
J,
0
J1
1
52
d1
(6.9)
Aceste expresii pot fi puse sub o form a mai simpl a dac a se
introduc integralele:
1
)
=
8:(2:)
32
3:/
3
1
_
c
t1
)+12
J,
0
J1
d1 (6.10)
Se obtine:
,
a
= c
2
1
1
c
a
+
1
1
J1
Jr
1
2

_
1
1
1

J1
1
J1
_
J1
Jr
1
1
(6.11)
Q
a
= c1
2
c
a
+
1
1
J1
Jr
1
3

_
1
1
1

J1
1
J1
_
J1
Jr
1
2
(6.12)
Aceste relatii sunt de forma:
,
a
=
J1
Jr
+ 1c
a
126
Q
a
= C
J1
Jr
+ 1c
a
din care rezult a interdependenta dintre m arimile ,
a
. Q
a
. c
a
si
J1,Jr.
6.2.1 Efectul Seebeck
Efectul Seebeck apare cnd exist a un gradient de temperatur a
ntr-un circuit alc atuit din cel putin dou a conductoare, curentul
electric fiind nul. Introducnd ,
a
= 0 n relatia 6.11 se obtine
cmpul Seebeck:
c
S
=
1
c
__
1
1
1

J1
1
J1
_

1
1
1
2
1
1
_
J1
Jr
(6.13)
Tensiunea Seebeck, care apare la extremit atile r
1,
r
2
ale unui
unui conductor care are o distributie de temperatur a, se obtine
integrnd expresia 6.13. Rezult a:
\
S
=
1
c
a
2
_
a
1
__
1
1
1

J1
1
J1
_

1
1
1
2
1
1
_
J1
Jr
dr =
1
c
a
2
_
a
1
od1 (6.14)
iar conform relatiei 6.3:
o =
1
c
__
1
1
1

J1
1
J1
_

1
1
1
2
1
1
_
(6.15)
este coeficientul Seebeck.
Valoarea absolut a a lui o sau a lui \
S
nu poate fi determinat a
deoarece, pentru un circuit nchis:
\
S
=
_
o
J1
Jr
dr = 0 (6.16)
127
Cnd se realizeaz a contactul a dou a conductoare cu coeficientii
Seebeck o
1
. o
2
tensiunea termoelectric a este:
\
12
=
_
o
1
\1d

| +
_
o
2
\1d

| =
_
(o
1
o
2
)d1 =
_
o
12
d1
(6.17)
unde o
12
= o
1
o
2
este forta termoelectric a diferential a relativ a.
Coeficientul Seebeck depinde de temperatur a si de timpul de
relaxare. n cazul metalelor sau al semiconductorilor degenerati
efectul este de ordinul al doilea
1
; se obtine:
o =
:
2
3
/
2
1
1
c1
1
(6.18)
iar valorile lui S sunt destul de mici - 10 jV/
0
C .
n cazul semiconductorilor nedegenerati coeficientii Seebeck
sunt mult mai mari, efectul Seebeck fiind de ordinul nti. n acest
tip de semiconductoare nu sunt degenerati, iar ,
0
este functia
de distributie Maxwell-Boltzmann. Dac a limita inferioar a a inte-
gralelor 1
)
se consider a zero la semiconductorii de tip n sau dac a
se presupune c a limita superioar a este 1
\
= 0 n cazul semicon-
ductorilor de tip p se obtine 1
2
,1
1
= (5,2)/
1
1. Mention am c a
n 6.15 se vor face substitutiile 1
1
1
1
1
C
pentru un semi-
conductor de tip n si 1
1
1
\
1
1
pentru un semiconductor
de tip p. n plus, dac a se presupune n ambele cazuri c a:
1
1
1

J1
1
J1
se obtine:
o
a
=
(1
C
1
1
),/
1
1 + 5,2
c
/
1
=
/
1
c
_
5
2
+ ln
`
C
:
_
(6.19)
1
Raportul 1
2
,1
1
este nul n aproximatia de ordin zero.
128
o
j
=
(1
1
1
\
),/
1
1 + 5,2
c
/
1
=
/
1
c
_
5
2
+ ln
j
`
\
_
(6.20)
Deoarece : < `
C
, la semiconductorul de tip n o
a
< 0. Pentru
un semiconductor de tip p, o
j
0.
6.2.2 Efectele Peltier si Thomson
Fie un conductor n care exist a un gradient de temperatur a
(J1,Jr ,= 0) si un cmp electric c
a
. Energia disipat a n unitatea
de volum este proportional a cu densitatea de curent ,
a
si cu cm-
pul c
a
. precum si cu fluxul termic JQ
a
,Jr. Atunci:
d\
dt
= ,
a
c
a

JQ
a
Jr
(6.21)
Substituind ,
a
si Q
a
n 6.21 se obtine:
d\
dt
=
1
o
,
2
a
+ ,
a
1
c
_
1
1
1
2
1
1

J
J1
_
1
2
1
1
_

_
1
1
1

J1
1
J1
__
J1
Jr
+
J
Jr
_

J1
Jr
_
(6.22)
unde:
=
1
3
1
1
1
2
2
1
1
1
(6.23)
este conductivitatea termic a.
n relatia 6.22 primul termen proportional cu ,
2
a
reprezint a
c aldura Joule, care se degaj a indiferent de sensul curentului si
constituie un proces ireversibil. Cel de-al doilea termen descrie
procesele reversibile Peltier, respectiv Thomson, n care c aldura
degajat a depinde de gradientul de temperatur a si si schimb a sem-
nul n functie de sensul curentului. Cel de-al treilea termen, care
129
nu depinde de intensitatea curentului, corespunde c aldurii disi-
pate datorit a conductivit atii termice pure.
Din termenul al doilea al relatiei 6.22, dup a cteva operatii
elementare, obtinem c aldura Thomson:
_
d\
dt
_
TI
= ,
a
/
1
1
c
_
d
d1
_
1
1
/
1
1

1
/
1
1
1
2
1
1
__
J1
Jr
(6.24)
Considernd relatia 6.2 se deduce valoarea coeficientului Thom-
son:
j
TI
=
/
1
1
c
d
d1
_
1
/
1
1
1
3
1
2

1
1
/
1
1
_
(6.25)
iar din 6.15 si 6.25 precumsi din interdependenta dintre coeficientul
Seebeck si coeficientul Thomson:
j
TI
=
1
c
do
d1
(6.26)
Pentru a deduce coeficientul Peltier vom folosi tot relatia 6.22
si vom integra cel de-al doilea termen pe jonctiunea dintre dou a
conductoare A si B; rezult a:
:
1
=
/
1
1
c
1
_

J
Jr
_
1
/
1
1
1
2
1
1

1
1
/
1
1
_
dr (6.27)
Considernd 6.15, obtinem dependenta dintre coeficientul
Peltier si coeficientii Seebeck:
:
1
=
1
c
(o
1
o

) (6.28)
iar din relatia 6.20 dependenta dintre coeficientul Peltier si coefici-
entii Thomson:
:
1
= 1(j
1
j

) (6.29)
130
Asa cum s-a mentionat anterior, coeficientii termoelectrici ai
semiconductorilor nedegenerati au valori destul de mari, compa-
rativ cu ai metalelor. Acest fapt a sugerat o serie de aplicatii
interesante, cum ar fi realizarea unor generatori sau refrigerenti
termoelectrici.
n Fig. 6.2 este schitat a o celul a termoelectric a. Aceasta este
alc atuit a din dou a bare dintre care una este un semiconductor de
tip n si cealalt a un semiconductor de tip p. Ele realizeaz a contacte
ohmice cu pl aci metalice, jonctiunile fiind mentinute la o tempe-
ratur a nalt a, respectiv joas a. O astfel de celul a termoelectric a
poate fi utilizat a ca: 1) refrigerent termoelectric sau 2) generator
termoelectric. n primul caz, ca urmare a aplic arii unei tensiuni
electrice, una dintre suduri se nc alzeste, iar celelalte se r acesc,
datorit a efectului Peltier. n cel de-al doilea caz, dac a cele dou a
suduri au temperaturi diferite, apare o fort a termoelectric a. Ten-
siunea n circuit deschis a generatorului \ este egal a cu diferenta
de tensiune ntre cele dou a extremit ati ale semiconductoarelor de
tip p, respectiv de tip n. Notnd cu o
1
. o
2
coeficientii Seebeck
si cu 1 diferenta de temperatur a
\ = (o
1
+ o
2
)1 (6.30)
Dac a semiconductorii au lungimea |, suprafata de contact
si conductivit atile o
1
. o
2
. rezistenta electric a a celulei este:
2
1 =
|

_
1
o
1
+
1
o
2
_
(6.31)
Se stie c a puterea maxim a debitat a de un generator de tensi-
une \ si rezistent a intern a 1 este:
1
max
=
\
2
41
(6.32)
2
Se neglijeaz a rezistenta conexiunilor metalice din circuit.
131
Figura 6.2: Celul a termoelectric a.
care, considernd relatiile 6.31 si 6.32 devine:
1
max
=
(1)
2
(o
1
+ o
2
)
2
4(|,)(1,o
1
+ 1,o
2
)
Generatorul are pierderi datorit a conductiei termice; ele sunt
date de:
1
tI
=
1 (
1
+
2
)
|
(6.33)
unde
1
.
2
sunt conductivit atile termice ale semiconductorilor.
O m asur a a eficientei termice a generatorului este raportul
dintre puterea furnizat a si puterea disipat a:
1
max
1
tI
=
1
4
(o
1
+ o
2
)
2
(
1
+
2
)
2
(1,o
1
+ 1,o
2
)
(6.34)
n vederea unor discutii asupra eficacit atii dispozitivului vom
considera o form a mai simpl a a expresiei 6.34 presupunnd c a
132
Figura 6.3: Parametri 7, o, o,
c
si
jI
n functie de concentratia
purt atorilor.
o
1
= o
2
.
1
=
2
. o
1
= o
2
. Se obtine:
1
max
1
tI
=
1
4
o
2
o

=
1
4
2 (6.35)
n aceast a relatie factorul 2 joac a un rol important: el se
numeste ,iqn: c dc :c:it.
n Fig. 6.3 sunt reprezentati grafic 2 si alti parametri car-
acteristici semiconductorilor. Din 6.35 se constat a c a materialele
care posed a o valoare mare a lui 2 trebuie s a aib a valori mari
ale coeficientului Seebeck, adic a o band a interzis a larg a. Aceast a
conditie ar avea implicatii si asupra valorii conductivit atii care,
pentru aceste tipuri de semiconductoare, ar avea valori mici. Pe
de alt a parte, dac a se tine seama de faptul c a conductivitatea
termic a este o suma dintre conductivitatea datorit a electronilor
133
(
c
~ o) si cea datorit a vibratiilor retelei (
)
), minimalizarea
acesteia are loc n materiale n care contributia la conductivitatea
termic a datorit a fononilor este foarte mic a. Aceste conditii sunt
satisf acute nu pentru semiconductorii obisnuiti, cum sunt Si sau
Ge, ci pentru unele materiale, denumite uneori
00
exotice
00
, cum
sunt telurura de zinc sau de cadmiu si care fac parte din compusii
de tip A
11
B
\ 1
.
6.3 Efecte galvanomagnetice
Efectele galvanomagnetice constau n aparitia unei diferente
de potential sau a unei diferente de temperatur a n conductoare
electrice str ab atute de un curent electric n prezenta unui cmp
magnetic.
n general, directia cmpului magnetic este perpendicular a
pe directia curentului electric. Efectele observate pot s a apar a
perpendicular sau paralel cu directia perturbatiei electrice, fiind
denumite efecte transversale, respectiv longitudinale. Ele se ca-
racterizeaz a prin anumiti coeficienti ai c aror semne depind de
natura purt atorului. Efectele se numesc :o::c|c (coeficientii
sunt negativi) cnd se datoresc deplas arii electronilor si c:o:c|c
(coeficientii sunt pozitivi) cnd apar datorit a deplas arii golurilor.
O sintez a a acestor efecte este prezentat a n Tabelul 6.1.
S a consider am miscarea unui electron ntr-un cmp magnetic

1; asupra acestuia actioneaz a forta Lorentz:

1
1
= c
_


1
_
(6.36)
iar dup a un timp t viteza sa este dat a de expresia:
(t) = (0)
c
:

_
t
0
_


1
_
dt (6.37)
134
Tabelul 6.1
Efecte galvanomagnetice
a) Efecte transversale :

1 perpendicular pe

i
Denumirea efectului Efectul produs
Efect Hall Diferent a de potential transversal a
Efect Ettingshausen Diferent a de temperatur a transversal a
b)Efecte longitudinale :

1 perpendicular sau paralel cu

i
Denumirea efectului Efectul produs
Magnetorezistent a Diferent a de potential longitudinal a
Efect Nernst Diferent a de temperatur a longitudinal a
S a presupunem c a este perpendicular pe

1. Forta Lorentz
are valoarea maxim a, iar electronul care este supus actiunii unei
forte constante descrie o traiectorie circular a cu raz a:
: =
:

c1
(6.38)
Egalnd forta Lorentz cu forta centrifug a:
c1 = c.:1 = :

.
2
:
rezult a c a aceast a traiectorie circular a este parcurs a cu frecventa:
. =
c1
:

(6.39)
denumit a frecvent a ciclotronic a
3
. Deplasarea electronului se face
ntr-un timp limitat egal n medie cu timpul de relaxare; n acest
interval electronul parcurge un arc de cerc. Unghiul:
o
1
= .t =
c1
:

t (6.40)
3
Aceasta este egal a cu dublul frecventei Larmor.
135
Figura 6.4: Miscarea electronului ntr-un cmp magnetic.
se numeste unghi Hall.
Relatia 6.40 se mai poate scrie si astfel:
o
1
= j
a1
1 (6.41)
unde j
a1
se numeste mobilitate Hall.
Asadar, un electron si schimb a n medie directia vitezei dup a
un timp t. Viteza sa formeaz a cu directia initiala (0) unghiul
o
1
(Fig. 6.4a).
Cnd viteza initial a a electronului are si o component a paralel a
cu

1. traiectoria electronului este o elice, care se nf asoar a n
lungul directiei lui

1 (Fig. 6.4b). Se poate afirma c a n cristal
electronii parcurg traiectorii de forma unor portiuni de elice
4
.
4
Dac a se tine seama c a datorit a ciocnirilor cu vibratiile retelei si cu
alte defecte viteza particulei descreste n timp dup a o lege de forma =

0
exp(t,t) , ntr-un plan perpendicular pe

1, traiectoria electronului este
o spiral a logaritmic a.
136
Figura 6.5: (a) Efectul Hall, (b) Efectul Ettingshausen.
6.3.1 Efectul Hall
S a consider am c a n conductor exist a un singur tip de purt a-
tori: electronii. Fie Ox directia curentului electric si Oz a cmpu-
lui magnetic (Fig. 6.5a). Forta Lorentz are directia Oy iar elec-
tronii sunt deviati n aceast a directie. Scurgerea de curent dureaz a
un timp foarte scurt (practic este instantanee): prin aceasta se
creaz a un dezechilibru de sarcini datorit a acumul arii de sarcini
negative respectiv pozitive la capetele conductorului. Apare ca
urmare a acestui fapt cmpul Hall c
j
, care mpiedic a aparitia
unui curent net de electroni n directia Oy; acesta compenseaz a
n medie forta Lorentz:
1
1
= c <
a
1
:
= cc
j
Deoarece <
a
=
1
= ctc
a
,:

a
se obtine:
c
j
=
ctc
a
:

a
1
:
= o
1
c
a
(6.42)
Not am faptul c a relatia:
o
1
=
c
j
c
a
(6.43)
137
poate fi considerat a ca o alt a definitie a unghiului Hall. Deci o
caracteristic a a misc arii electronului ntr-un cmp magnetic este
aparitia cmpului electric (cmpului Hall) c
j
a c arui directie este
perpendicular a pe cmpul aplicat, astfel nct directia vectorului

c nu mai este paralel a cu

,.
Introducnd ,
a
= oc
a
n relatia 6.42 se obtine:
c
j
=
ct
:

a
,
a
o
1
:
=
1
:c
,
a
1
:
(6.44)
S a consider am un conductor de sectiune unitate; prin definitie:
1
a
=
1
:c
(6.45)
este coeficientul Hall. Acest coeficient este negativ cnd con-
ductibilitatea se datoreste electronilor.
n cazul metalelor concentratia de electroni liberi este foarte
mare si coeficientul Hall are valori foarte mici.
Odat a cu efectul Hall apare si o diferenta de temperatur a
transversal a (efectul Ettingshausen), ca n Fig. 6.5b.
Efectul Hall n semiconductori
n semiconductori la fenomenele de transport particip a att
electronii, ct si golurile. Ca si n cazul efectelor termoelectrice ex-
plicarea fenomenelor de transport nu se poate face complet printr-
o teorie clasic a.
Teoria cuantic a exact a arat a c a n cazul n care numai elec-
tronii particip a la conductie se obtine efectul Hall normal, cu un
coeficient Hall 1
a
< 0, iar n cazul n care particip a la conductie
numai golurile se obtine efect Hall anomal, cu un coeficient Hall
1
j
0.
138
F ar a a prezenta teoria cuantic a vom mentiona c a atunci cnd
statistica purt atorilor n semiconductori este o statistic a cuantic a
1
a
=
1
:c
< t
2
a

< t
a

2
; 1
j
=
1
jc
< t
2
j

< t
j

2
(6.46)
iar
< t
2
a

< t
a

2
-
< t
2
j

< t
j

2
- 1
n timp ce n cazul n care statistica purt atorilor este clasic a:
< t
2
a

< t
a

2
-
< t
2
j

< t
j

2
-
3:
8
(6.47)
Timpii t
a
, respectiv t
j
sunt timpii de relaxare pentru electroni
si goluri.
Un caz interesant l prezint a semiconductorul care posed a am-
bele tipuri de purt atori. Densitatea total a de curent

, este un
vector avnd directia cmpului electric c
a
cnd

E = 0 si repre-
zint a o sum a vectorial a dintre vectorii densitate de curent care se
datoresc electronilor
_

,
a
_
respectiv golurilor
_

,
j
_
. Fie o
n
, respec-
tiv o
p
unghiurile formate cu vectorul cmp electric

c cnd asupra
semiconductorului actionez a cmpul magnetic

1 (Fig. 6.6). Prin
definitie, o
1
este unghiul Hall. S a proiect am vectorul sum a:

, =

,
a
+

,
j
pe directia lui

, si pe o directie perpendicular a pe

,. Se obtine:
, = ,
a
cos (o
1
o
a
) + ,
j
cos (o
j
o
1
) (6.48)
0 = ,
a
sin (o
1
o
a
) ,
j
sin (o
j
o
1
)
139
Figura 6.6: Efectul Hall n semiconductori cu ambele tipuri de purt a-
tori.
Not am c a deoarece c
j
c
a
unghiurile o
a
. o
j
. o
1
sunt relativ
mici. Atunci relatiile 6.48 se mai pot scrie:
, (o
1
o
a
) = ,
j
(o
j
o
1
)
, = ,
a
+ ,
j
Rezult a:
o
1
=
,
a
o
a
+ ,
j
o
j
,
a
+ ,
j
Introducnd:
o
a
= j
a1
1 . o
j
= j
j1
1.
,
a
= c:j
a
c
a
. ,
j
= cjj
j
c
a
se obtine:
o
1
=
c:j
a
j
a1
cjj
j
j
j1
:j
a
+ jj
j
1 (6.49)
n teoria cuantic a exact a a efectelor galvanomagnetice se arat a
c a:
j
a1
=
< t
2
a

< t
a

2
j
a
; j
j1
=
< t
2
j

< t
j

2
j
j
; (6.50)
140
Considernd
<t
2
n

<tn
2
-
<t
2
p

<tp
2
-
<t
2

<t
2
6.49 se mai poate scrie:
o
1
=
< t
2

< t
2
:j
2
a
jj
2
j
c
_
:j
a
+ jj
j
_1 (6.51)
n acest semiconductor cu ambele tipuri de purt atori cmpul
Hall este egal cu:
c
j
= o
1
c
a
= o
1
,
a
o
(6.52)
Din 6.51 si 6.52 rezult a:
c
j
=
< t
2

< t
2
:j
2
a
jj
2
j
c
_
:j
a
+ jj
j
_
2
,
a
1 (6.53)
Atunci, n cazul n care la procesul de conductie particip a
ambele tipuri de purt atori, coeficientul Hall este dat de expresia:
1 =
:j
2
a
jj
2
j
c
_
:j
a
+ jj
j
_
2
< t
2

< t
2
(6.54)
Se remarc a faptul c a aceasta se reduce la una din expresiile
6.46 cnd semiconductorul este de tip n sau de tip p. Exist a cazuri
n care 1 = 0; atunci:
:j
2
a
jj
2
j
= 0
si n semiconductor apare o rezistent a transversal a j datorit a
diferentei de concentratie a purt atorilor.
n cazul unui semiconductor intrinsec nedegenerat : = j si
tinnd cont de relatia 6.47 coeficientul Hall devine:
1 =
3:
8
1
:c
j
a
j
j
j
a
j
j
(6.55)
141
Aceast a relatie are aplicatii importante. M asurnd la un astfel
de semiconductor att coeficientul Hall, ct si conductibilitatea
o = c:(j
a
+j
j
) se pot determina, cunoscnd concentratia purt a-
torilor, mobilit atile j
a
respectiv j
j
.
Una dintre cele mai importante aplicatii ale efectului Hall con-
st a n determinarea tipului de purt atori, precum si a concentrati-
ilor acestora. Dintr-o reprezentare grafic a de forma ln 1 = ,(1,1)
se poate determina energia de activare a unui semiconductor in-
trinsec sau energiile de ionizare ale donorilor, respectiv accepto-
rilor n semiconductori de tip n sau p
5
.
Exist a numeroase aplicatii tehnice ale efectului Hall. Astfel:
S-au construit wattmetre n care tensiunea si curentul sunt
amplificate si mediate de un voltmetru de curent continuu, care
m asoar a tensiunea Hall.
S-au construit magnetometre, care se bazeaz a pe faptul c a
tensiunea Hall este proportional a cu

1. Aceste dispozitive pot fi
miniaturizate si permit m asurarea unor cmpuri magnetice foarte
slabe (- 1 G), dac a se folosesc amplificatori de tensiune.
S-au construit diferite tipuri de generatoare Hall sau multi-
plicatori analogici a dou a semnale, dintre care unul corespunde
curentului care trece prin semiconductor si altul comand a un
cmp magnetic care str abate semiconductorul.
6.3.2 Magnetorezistenta
Experienta arat a c a n prezenta unui cmp magnetic con-
ductibilitatea descreste; variatia acesteia este proportional a cu
1
2
n cmpuri magnetice intense. Aparitia magnetorezistentei si
are urm atoarea justificare fizic a: n prezenta unui cmp magnetic
5
Se vor utiliza n acest scop relatiile 4.20 sau 4.38.
142
apare forta Lorentz care este compensat a numai ^:: :cdic de cm-
pul Hall. Electronii care au o vitez a mai mare sau mai mic a dect
viteza medie sunt deplasati; ei vor descrie traiectorii nerectilinii
(arce de cerc) si ca urmare a acestui fapt, pe unitatea de lungime
efectueaz a mai multe ciocniri. Vom deduce si o relatie cantitativ a.
Fie
1
viteza initial a a electronului; n timpul t acesta va descrie
un arc de cerc cu viteza unghiular a .; proiectia vitezei pe directia
curentului este:
=
1
cos .t =
1
cos (c1,:

a
) t
Electronul nu se deplaseaz a n medie dect ntr-un interval de
timp limitat egal cu timpul de relaxare t, dup a care are loc un
proces de ciocnire; atunci:
(t) =
1
cos
_
c1
:

a
t
_
=
1
_
1
1
2
c
2
t
2
:
2
a
1
2
+ .....
_
folosind relatia , = c: se obtine conductibilitatea n prezenta
cmpului magnetic egal a cu:
o
1
(1
:
) = o
0
(0)
_
1
1
2
c
2
t
2
:
2
a
1
2
+ ...
_
de aici rezult a variatiile relative de conductibilitate respectiv de
rezistent a:
o
1
o
0
o
0
=
1
2
c
2
t
2
:
2
a
1
2
j
1
j
0
j
1
=
1
2
c
2
t
2
:
2
a
1
2
(6.56)
Variatia relativ a de rezistent a creste cu p atratul inductiei cm-
pului magnetic.
143
M asur atorile de acest tip sunt esentiale deoarece prin acestea
se poate determina masa efectiv a a purt atorilor. Deoarece mag-
netorezistenta este un efect de ordinul al doilea, conditiile de ob-
servatie impun experiente la temperaturi foarte sc azute (cteva
grade Kelvin) pentru a face ineficiente ciocnirile electronilor cu
vibratiile retelei.
144
Capitolul 7
Fenomene de contact
Majoritatea dispozitivelor electronice se bazeaz a pe propri-
et atile specifice pe care le au suprafetele semiconductorilor si pe
fenomenele care au loc cnd un semiconductor este adus n con-
tact cu un material de natur a diferit a.
n acest capitol se vor prezenta unele aspecte legate de st arile
de suprafat a n semiconductori, iar apoi se vor discuta fenomenele
de redresare pe care le prezint a contactul semiconductor-metal,
respectiv jonctiunea p-n.
7.1 St ari de suprafat a
Suprafata joac a un rol important n comportarea semiconduc-
torilor deoarece este o imperfectiune care face ca potentialul peri-
odic din interiorul cristalului s a aib a o valoare caracteristic a me-
diului exterior.
Tamm (I. Tamm, Physik, Zs. Sowjetunion, 1, 733, 1947) si
Shockley (J. Bardeen, Phys. Rev. 108, 717, 1947) au ar atat c a n
urma acestui fapt apar nivele energetice noi (nivele de suprafat a),
145
146
care nu sunt caracteristice cristalului masiv si care sunt plasate
n zona interzis a. Ele pot capta purt atori si, prin aceasta, s a
modifice caracterul conductibilit atii la suprafata semiconducto-
rilor.
Exist a si alte cauze care genereaz a st ari de suprafat a. Astfel,
datorit a metodelor mecanice de prelucrare a suprafetelor (t aiere
sau slefuire) precum si corod arii chimice, pe suprafete apar stra-
turi de oxid, imperfectiuni structurale datorate modific arii struc-
turii cristaline, precum si molecule ale unor impurit ati absorbite
pe suprafat a. Se constat a c a originea st arilor superficiale este
complex a, ele fiind de provenient a diferit a. n pofida acestui fapt,
st arile de suprafat a se pot mp arti n dou a mari categori:
1) St ari de suprafat a rapide (cum sunt nivelele de tip Tamm),
care pot s a ating a o stare de echilibru cu interiorul cristalului ntr-
un timp foarte scurt (de ordinul nanosecundelor sau mai putin),
2) St ari de suprafat a lente (datorate imperfectiunilor din stra-
tul de oxid sau chemisorbtiei). n acest caz transferul de purt atori
din interiorul cristalului la suprafat a se face ntr-un timp mult mai
lung (de ordinul secundelor), purt atorii trebuind s a str abat a, prin
tunelare, stratul de oxid.
St arile de suprafat a rapide se comport a ca acceptori, n timp
ce st arile lente pot s a prezinte att un caracter acceptor, ct si
donor. Aceste cazuri sunt ilustrate n Fig. 7.1.
La un semiconductor cu st ari superficiale nivelul Fermi este
constant n interiorul cristalului dar potentialul electrostatic din
vecin atatea suprafetei si schimb a alura datorit a modific arii con-
centratiei purt atorilor. n consecint a, benzile energetice se n-
covoaie. n cazul ilustrat n Fig. 7.1a, ntr-un semiconductor de
tip n, regiunea A, din vecin atatea suprafetei se ncarc a pozitiv,
pentru a neutraliza sarcina negativ a a st arilor superficiale. Este
ilustrat si cazul n care regiunea A se ncarc a negativ pentru a
147
Figura 7.1: St ari superficiale lente.
neutraliza sarcina pozitiv a a st arilor superficiale (Fig. 7.1b).
n primul caz, semiconductorul fiind de tip n, n interiorul
s au :
0
j
0
, n timp ce n regiunea de tranzitie concentratia
purt atorilor este j
c
:
c
. n semiconductorul de tip n se creeaz a
astfel un :t:ct dc i:c::ic, adic a cu o conductibilitate de tip p.
n cel de-al doilea caz, :
c
j
c
si :
c
:
0
, iar regiunea de
tranzitie are acelasi tip de conductibilitate ca a semiconductorului
masiv. Ea se numeste :t:ct dc ccn:n|c:c.
Din exemplele prezentate se poate concluziona c a st arile de
suprafat a lente determin a tipul de conductivitate al suprafetei
semiconductorului.
7.2 Contactul metal-semiconductor
Vom examina fenomenele care apar cnd se realizeaz a contac-
tul dintre un metal si un semiconductor de tip n. Cnd acestea
sunt izolate, metalul poate fi considerat ca o groap a de potential
de n altime W, avnd lucrul de iesire
n
= \ 1
1
(Fig. 7.2a).
148
Figura 7.2: Diagrama energetic a a metalului si semiconductorului cnd
acestia sunt izolati (a), respectiv adusi n contact (b).
La semiconductor, lucrul de iesire este
cc
= \ 1
1
. O m arime
caracteristic a acestuia este si afinitatea chimic a sau lucrul de iesire
extern
0
= \ 1
C
.
0
este un parametru caracteristic materi-
alului, care intervine n procese de neechilibru, cum ar fi efectul
fotoelectric extern.
S a presupunem c a metalul si semiconductorul sunt aduse n
contact (se g asesc la o distant a de ordinul constantei retelei crista-
line) si c a
n

cc
. Neglijnd deocamdat a st arile de suprafat a,
diagrama energetic a arat a ca n Fig. 7.2b.
Ca si n cazul contactului a dou a metale, starea de echilibru
final a, precedat a de procese tranzitorii, se realizeaz a cnd energi-
ile Fermi sunt la acelasi nivel. ntr-adev ar, notnd cu G
1
. G
2
potentialele termodinamice ale metalului, respectiv semiconduc-
torului, variatia potentialului termodinamic al sistemului dG =
dG
1
+ dG
2
, n conditii de presiune si temperatur a constant a este
determinat a numai de variatiile num arului de particule:
dG = j
1
d`
1
+ j
2
d`
2
(7.1)
149
unde j
1
. j
2
sunt potentialele chimice.
Deoarece num arul de particule este constant d`
1
= d`
2
,
ecuatia 7.1 devine:
dG = (j
1
j
2
)d`
1
(7.2)
La echilibru dG = 0, de unde rezult a c a potentialele chimice
sunt egale (j
1
= j
2
), deci nivelele Fermi sunt aceleasi. Echili-
brul se realizeaz a dac a dG < 0, fapt care implic a fie 1) j
1
j
2
si atunci d`
1
< 0. d`
2
0 fie 2) j
1
< j
2
si atunci d`
1
0.
d`
2
< 0. n concluzie, echilibrul se realizeaz a prin trecerea purt a-
torilor (electronilor n acest caz) de la corpul cu potentialul chimic
mai mic la corpul cu potentialul chimic mai mare. Acest proces
tranzitoriu dureaz a un timp foarte scurt deoarece ia nastere un
potential de contact ,
0
care se opune unui transport net de purt a-
tori.
n cazul ilustrat n Fig. 7.2b,
n

cc
si vor trece mai
multi electroni din semiconductor n metal dect n sens invers.
Suprafata metalului se ncarc a negativ, iar a semiconductorului
pozitiv.
Potentialul de contact poate fi determinat astfel. La echilibru,
curentii care trec din metal n semiconductor si viceversa, 1
ncc
.
1
ccn
sunt egali. Admitnd c a escaladarea barierei se face dup a
o lege de tip Richardson-Dushmann, se obtine:
1
2
exp(
n
,/
1
1) = 1
2
exp[(
cc
+ ,
0
),/
1
1]
si rezult a:
,
0
= (
n

cc
) (7.3)
Datorit a st arilor de suprafat a are loc ncovoierea benzilor ener-
getice din semiconductor, asa cum este indicat si n Fig. 7.3a. Se
150
poate estima c a modificarea concentratiei electronilor din metal
este nesemnificativ a
1
: n semiconductor ns a apare un strat de
sarcin a spatial a pozitiv a (s ar acit de electroni), care poart a denu-
mirea de :t:ct dc /c:c,.
Variatia potentialului datorit a sarcinii spatiale se poate obtine
dac a se integreaz a ecuatia lui Poisson:
d
2
,
dr
2
=
`c

(7.4)
n care r este distanta de la suprafata metalului n semiconductor,
`c densitatea de sarcin a spatial a, iar este permitivitatea. De-
pendenta dintre cmpul electric c
a
si , este c
a
=
1
c
d,
dr
. Integrnd
7.4 cu conditia la limit a:
d,
dr

a=A
0
= 0
se obtine:
d,
dr
=
`c

(r `
0
) (7.5)
Alegnd ca origine a energiei potentiale limita metal - semicon-
ductor, adic a presupunnd c a ,(0) = 0 se obtine variatia energiei
potentiale cu distanta:
,(r) =
`c

`
0
r +
1
2
`c

r
2
(7.6)
Valoarea absolut a maxim a a energiei potentiale rezult a din 7.6
si este dat a de:
1
n metal concentratia electronilor este de ordinul a 10
23
cm
3
, asa nct
un aport de electroni din semiconductor de ordinul a 10
13
10
14
cm
3
nu
produce modific ari semnificative.
151
,(`
0
) =
`c
2
`
2
c
= c\
1
(7.7)
\
1
se numeste poten tial dc di,n.ic si are o valoare compa-
rabil a cu a lucrului de extractie. Conform 7.7 \
1
depinde de
concentratia de electroni. n germaniu, care are
v
=16, la o con-
centratie de electroni de 10
14
/cm
3
. rezult a \
1
= 0. 72 Volti si
`
0
= 10
4
cm.
Cmpul electric din barier a are valoarea maxim a la marginea
metalului si este:
c
a
(0) =
`c`
0

=
_
2`c\
1

_
12
(7.8)
Forma barierei se modific a dac a se aplic a o tensiune. Ast-
fel, dac a este implicat a o tensiune direct a (sensul acesteia este
indicat n Fig. 7.3b), golurile din vecin atarea contactului sunt
transportate n interiorul semiconductorului. n altimea barierei se
micsoreaz a si num arul de electroni care traverseaz a bariera creste.
Dac a se aplic a o tensiunea invers a (Fig. 7.3c), grosimea stratului
de inversie creste ntruct tensiunea favorizeaz a deplasarea mai
multor electroni n interiorul semiconductorului de la marginea
metalului. Benzile energetice se nclin a foarte mult si probabili-
tatea ca electronii s a str abat a bariera scade.
Modificarea potentialului de difuzie si a lungimii de difuzie se
obtin dac a se integreaz a ecuatia 7.4 cu conditiile:
,(`) = 0.
d,
dr

a=A
= 0. ,(0) = ,
0
(c\
Se obtine:
\
1
(\ =
c
2
``
2
(7.9)
152
Figura 7.3: Diagrama energetic a a contactului semiconductor-metal
(a) n absenta unei tensiuni electrice si cnd se aplic a tensiunea direct a
(b), respectiv invers a (c).
si de aici, grosimea stratului de baraj:
` =
_
2:
c
\
1
(\
`
_
12
(7.10)
7.2.1 Teoria diodei
Cnd l argimea barierei este mic a n comparatie cu drumul
liber mijlociu al electronilor care str abat bariera, propriet atile
de redresare ale contactului semiconductor-metal pot fi explicate
prin tco:ic diodci. Aceast a denumire provine din asem anarea
fenomenului cu cel ntlnit n emisia termoelectronic a dintr-o diod a
cu vid. Teoria este valabil a cnd contactele se fac cu semiconduc-
tori ca Ge, Si, GaAs sau InSb, n care electronii au o mobilitate
mare.
Curentul total care str abate bariera este suma algebric a a
curentilor 1
ncc
si 1
ccn
. Pentru a calcula curentul 1
ncc
vom
153
tine seama c a n altimea barierei \
1
joac a rolul unui travaliu de
extractie: electronii vor iesi din metal dac a au o energie cine-
tic a (1,2):
2
a
> c\
1
. Curentul va fi dat de legea Richardson-
Dushmann:
1
ncc
= 1
2
exp (c\
1
,/
1
1) (7.11)
Electronii care trec din semiconductor n metal trebuie s a str a-
bat a o barier a de n altime variabil a, care depinde de sensul tensi-
unii aplicate. Conditia ca electronii s a p ar aseasc a semiconduc-
torul este (1,2):
2
a
> c\
1
c\ si deci:
1
ccn
= 1
2
exp
_

c(\
1
\ )
/
1
1
_
(7.12)
Curentul total este:
1 = 1
ncc
+ 1
ccn
= 1
2
exp
_

c\
1
/
1
1
__
exp
_
(
c\
/
1
1
_
1
_
(7.13)
Aceast a relatie permite explicarea fenomenului de redresare a
contactului semiconductor-metal. Caracterul asimetric al carac-
teristicii 1 = 1 (\ ), este ilustrat n Fig. 7.4. Cnd se aplic a
tensiunea invers a curentul este mic si atinge o valoare constant a
n timp. n cazul aplic arii tensiunii directe, curentul este mare si
creste exponential cu tensiunea.
7.2.2 Teoria difuziei
Dac a drumul liber mijlociu al electronilor este mai mic dect
l argimea barierei ei vor suferi un num ar de ciocniri nainte de
a ajunge la barier a. n acest caz propriet atile de redresare ale
contactului se explic a prin tco:ic di,n.ici.
154
Figura 7.4: Caracteristica 1 = 1(\ ) a contactului semiconductor-
metal.
Curentul de electroni se datoreste att cmpului electric c(r),
ct si curentului de difuzie. Considernd relatia general a 5.41 si
introducnd 5.44 se obtine:
1 = cj
a
c(r):(r) + /
1
1j
a
d:
dr
(7.14)
Pentru a obtine dependenta curentului de tensiune, vom cal-
cula mai nti relatia dintre potential si conductibilitate. Dac a j,
respectiv o sunt rezistivitatea, respectiv conductibilitatea stratu-
lui de baraj, potentialul este dat de:
\ (r) = 1
A
_
0
jdr = 1
A
_
0
dr
o
= 1
A
_
0
dr
c:j
a
(7.15)
Integrala se va evalua dup a schimbarea variabilei r cu :. Se
va presupune c a la marginea metalului :(0) = :
0
si la o distanta
155
egal a cu lungimea de difuzie :(`) = :
i.
Atunci, considernd 7.14
se obtine:
\ (r) =
a
i
_
a
0
/
1
1
c
2
j
a
c(r)
d:
:
_
:
1
cj
n
E(a)
_ (7.16)
O evaluare exact a a acestei integrale necesit a cunoasterea de-
pendentei c(r) n domeniul barierei. O expresie mai putin ri-
guroas a ns a satisf ac atoare se poate obtine dac a se admite o va
loare constant a pentru cmpul electric c
0
dat a de relatia 7.8.
Deoarece conductibilitatea electric a este proportional a cu con-
centratia de electroni, relatia lui Boltzmann, care d a raportul con-
centratiilor electronilor n cele dou a regiuni, poate fi scris a astfel
:
0
:
i
=
o
0
o
i
= exp
_

c\
1
/
1
1
_
(7.17)
Considernd 7.17 si integrnd 7.18 rezult a
\ =
/
1
1
c
ln
1
1
o
i
Eo
1
1
ooEo
(7.18)
de unde
1 = o
c
c
c
1 exp
_

c\
I
B
T
_
1 exp
_

c(\
D
\ )
I
B
T
_ (7.19)
Dac a se aplic a tensiunea invers a, numitorul expresiei 7.19 este
practic egal cu unitatea, iar curentul:
1 = o
c
c
c
_
1 exp
_

c\
/
1
1
__
(7.20)
156
atinge o valoare de saturatie.
Dac a se aplic a tensiunea direct a, 7.19 se poate scrie:
1 = o
c
c
c
exp(
c\
I
B
T
) 1
1 exp
_

c(\
D
\ )
I
B
T
_ (7.21)
de unde rezult a c a curentul creste exponential cu tensiunea apli-
cat a. Aceast a crestere este limitat a de rezistenta metalului sau
a semiconductorului. Dac a este dep asit a o valoare critic a apare
fenomenul de :t: cjn:qc:c.
n concluzie, caracteristica curent-tensiune are aceeasi alur a
cu cea obtinut a cnd se aplic a teoria diodei.
7.3 Jonctiuni p-n
Se numeste jonctiune p - n contactul dintre un semiconduc-
tor de tip p si un altul de tip n. Acest contact nu se realizeaz a
prin simpla juxtapunere a celor dou a tipuri de semiconductoare
ci este un contact intim n sensul c a asigur a continuitatea retelei
cristaline. Exist a mai multe tehnici elaborate n vederea realiz arii
acestuia.
Metoda difuziei const a n a acoperi un semiconductor de tip
n (sau de tip p ) cu un material care s a posede impurit ati de tip
opus celui de baz a. De multe ori se depune, prin evaporare n vid,
un strat cu conductibilitate diferit a de cea a suportului. Se aplic a
apoi un tratament termic n urma c aruia atomii donori sau accep-
tori difuzeaz a pn a la o distant a care depinde de temperatur a si
de durata tratamentului. Aceast a distant a determin a jonctiunea.
Metoda alierii const a n a aplica pe o plachet a de Ge sau Si
de tip : o pastil a sau o bil a de In sau Al. Ca urmare a nc alzirii
ntr-un cuptor (ntr-o atmosfer a de gaz inert) la temperatura de
157
450500
0
C, pastila se topeste. Urmeaz a apoi o r acire lent a astfel
nct, n regiunea recristalizat a, atomii de In confer a Ge sau Si
un caracter acceptor; aceast a regiune va f i n contact intim cu
regiunea nedizolvat a de tip :.
Metoda implantarii ionice const a n iradierea unei plachete
semiconductoare de tip j sau : cu un fascicul de ioni care pre-
zint a propriet ati donoare sau acceptoare pentru semiconductorul
iradiat. Ionii penetreaz a semiconductorul pn a la o adncime care
determin a jonctiunea.
Metoda cre sterii epitaxiale. Cresterea epitaxial a este o crestere
orientat a care se poate realiza f ie din faz a lichid a, f ie din faz a
gazoas a. n primul caz, placheta semiconductoare se introduce
ntr-o topitur a care contine impurit ati de semn contrar impu-
rit atilor din plachet a. Urmnd o tehnic a de r acire adecvat a, so-
lidificarea pe suport se realizeaz a orientat. n cel de-al doilea caz,
se face o depunere n vid pe placheta semiconductoare a unui strat
monoatomic din acelasi material, care contine impurit ati de semn
opus.
7.3.1 Pozitia nivelului Fermi n conditii de echi-
libru termic
S a consider am cazul n care doi semiconductori din acelasi
material dar cu conductibilit ati diferite ca semn sunt al aturati
(Fig. 7.5a). Se constat a c a exist a mai multi electroni n regiunea
n si mai multe goluri n regiunea p si deci J:,Jr ,= 0 Jj,Jr ,= 0.
Se pune problema de a vedea dac a exist a curent n cazul n care
nu exist a tensiune exterioar a.
Ca si n cazul contactului metal-semiconductor, n conditii de
echilibru termic, nivelul Fermi este acelasi n sistemul total, asa
cum se indic a n Fig. 7.5b.
158
Figura 7.5: Structura de band a a doi semiconductori de tip n si tip p:
a) izolati, b) n echilibru termic.
ntr-adev ar, energia liber a a sistemului este:
dG = \ dj od1 +

i
j
i
d:
i
(7.22)
iar dac a presiunea si temperatura sunt constante, variatia acesteia
n urma transferului de electroni din semiconductorul cu j
1
= 1
1j
n semiconductorul cu j
2
= 1
1a
este:
dG = (1
1j
1
1a
)dj
si n conditii de echilibru termic:
1
1a
= 1
1j
(7.23)
Aceast a relatie este posibil a numai dac a apare o diferent a de
energie potential a:

C
= c\
1
= 1
Cj
1
Ca
(7.24)
159
care creaz a o regiune de tranzitie n care exist a un cmp intern c
a
.
n aceast a regiune curentul total, care tine seama si de curentul
de difuzie:
,
a
= c1
a
J:
Jr
+ cj
a
:c
a
(7.25)
este diferit de zero deoarece 1
C
1
1
si : variaz a cu r.
n conditii de echilibru termic ,
a
= 0; din 7.25 si tinnd cont
c a 1
a
= /
1
1j
a
,c se obtine:
cc
a
dr,/
1
1 = d:,: (7.26)
S a presupunem c a regiunea de tranzitie este limitat a de punctele
A si B: deci c
a
= 0 cnd r < r
1
si r r

. Integrnd 7.26 se
obtine:
:
j0
:
a0
= exp
_
_
1
_

d:
:
_
_
= exp
_

c\
1
/
1
1
_
(7.27)
unde :
j0
si :
a0
sunt concentratiile de echilibru ale electronilor n
regiunile p si n din semiconductor.
Substituind relatii de forma:
: = `
C
exp
_

1
C
1
1
/
1
1
_
(7.28)
n 7.27 rezult a:
(1
Cj
1
1j
) (1
Ca
1
1a
) = c\
1
si deoarece 1
1a
= 1
1j
se obtine:
c\
1
= 1
Cj
1
Ca
\
1
se numeste poten tial dc di,n.ic.
160
7.3.2 Pozitia nivelului Fermi n conditii de nee-
chilibru
Purt atorii de neechilibru pot s a apar a datorit a unei radiatii
electromagnetice (cnd se produce un efect fotoelectric) sau da-
torit a unui cmp electric extern prin injectie sau extractie. Aceste
tipuri de purt atori nu pot fi descrisi printr-o statistic a de tip
Fermi-Dirac sau Boltzmann, deoarece acestea depind numai de
temperatur a. O modalitate de a descrie purt atorii de neechilibru,
ale c aror concentratii sunt de forma:
: = :
c
+ : . j = j
c
+ j
este prin introducerea unor functii de distributie ,
a
(1). respectiv
,
j
(1) astfel nct:
: =
_

a
(1),
a
(1)d1 (7.29)
j =
_

j
(1),
j
(1)d1 (7.30)
unde, dac a statistica purt atorilor este de tip Fermi-Dirac:
,
a
(1) =
1
exp[(1 T
a
),/
1
1] + 1
(7.31)
,
j
(1) =
1
exp[(T
j
1),/
1
1] + 1
(7.32)
T
a
. respectiv T
j
se numesc cuasinivele Fermi.
Dac a statistica este de tip Boltzmann:
161
,
a
(1) - exp
_

1
C
T
a
/
1
1
_
. ,
j
(1) - exp
_

T
j
1
\
/
1
1
_
(7.33)
Concentratiile de neechilibru se determin a utiliznd relatii si-
milare celor ntlnite n cazul echilibrului, adic a:
: = `
C
exp
_

1
C
T
a
/
1
1
_
. j = `
\
exp
_

T
j
1
\
/
1
1
_
(7.34)
Mention am c a n cazul echilibrului concentratiile purt atorilor
sunt:
:
0
= `
C
exp
_

1
C
1
1
/
1
1
_
. j
0
= `
\
exp
_

1
1
1
\
/
1
1
_
(7.35)
Din 7.34 si 7.35 rezult a:
T
a
1
1
= /
1
1 ln
_
:
:
0
_
. 1
1
T
j
= /
1
1 ln
_
j
j
0
_
(7.36)
Din aceste relatii se constat a c a dac a : = :
0
si j = j
0
, adic a
n conditii de echilibru termic, se obtine un singur nivel Fermi:
1
1
= T
a
= T
j
. n conditii de neechilibru acesta se despic a n
dou a nivele.
S a form am produsul concentratiilor date de 7.34 si s a tinem
seama c a `
C
`
\
= :
2
i
exp(1,/
1
1). Se obtine:
:j = :
2
i
exp
T
a
T
j
/
1
1
(7.37)
162
Figura 7.6: Diagramele benzilor energetice ntr-o jonctiune p-n cnd
se aplic a tensiunea direct a (a), respectiv invers a (b).
Din aceast a relatie rezult a c a dac a
1) T
a
T
j
atunci :j :
2
i
; se afirm a c a are loc o injec tie de
purt atori (: 0. j 0) iar dac a
2) T
a
< T
j
. atunci :j < :
2
i
si are loc o extrac tie de purt atori
(: < 0. j < 0).
S a consider am acum cazul unei st ari de neechilibru, care se
realizeaz a cnd pe jonctiunea p-n se aplic a o tensiune (Fig. 7.6).
Deoarece exist a curent prin jonctiune, nivelul Fermi se despic a n
dou a cuasinivele, astfel:
T
a
T
j
= c\
Vom nota cu :
a
si j
j
concentratiile purt atorilor majoritari
din jonctiune si cu :
j
, j
a
concentratiile purt atorilor minoritari.
Aplicnd relatii de forma 7.34 rezult a:
163
:
a
= `
C
exp
_
1
Ca
T
a
/
1
1
_
; :
j
= `
C
exp
_
1
Cj
T
a
/
1
1
_
(7.38)
de unde:
ln
:
j
:
a
=
1
Ca
1
Cj
/
1
1
=

c
/
1
1
sau:
:
j
= :
a
exp
_

c
/
1
1
_
(7.39)
n mod similar se obtine si relatia:
j
a
= j
j
exp
_

c
/
1
1
_
(7.40)
S a consider am cazul n care pe jonctiune se aplic a o tensiune
direct a (Fig. 7.6a.); bariera de potential se micsoreaz a iar n
relatiile 7.39 si 7.40 se va nlocui
c
cu
c
c\ . Tinnd seama
de relatia 7.27, se obtine n loc de 7.39 dependenta:
:
j
= :
a
exp
_

c
c\
/
1
1
_
= :
j0
exp
_
c\
/
1
1
_
(7.41)
n relatia 7.41 s-a presupus c a :
a
= :
a0
. adic a concentratia
purt atorilor majoritari r amne neschimbat a. Apare ns a un exces
de purt atori minoritari, adic a o injectie de purt atori minoritari,
care sunt determinati prin relatia:
:
1
= :
j
:
j0
= :
j0
_
exp
_
c\
/
1
1
_
1
_
(7.42)
164
Figura 7.7: Diagrama energetic a a jonctiunii p-n n conditii de echili-
bru termic.
7.3.3 Caracterizarea regiunii de sarcin a spatial a
n jonctiunea p-n
n Fig. 7.7 este dat a diagrama energetic a a jonctiunii p-n n
conditii de echilibru termic. Pentru simplificare, se poate ad-
mite c a impurit atile donoare, respectiv acceptoare sunt complet
ionizate astfel nct densitatea de sarcin a net a este:
j(r) = c
_
j + `
+
o
: `

o
_
(7.43)
j(r) ,= 0 n regiunea de tranzitie AB, iar cnd r r
1
si r < r

adic a n afara acesteia j(r) = 0 si este respectat a conditia de

neutralitate.
ntr-un punct arbitrar r din regiunea n concentratia purt ato-
rilor majoritari (a electronilor) este:
: = :
a0
exp
_

c(r)
/
1
1
_
(7.44)
unde este potentialul electrostatic si :
a0
concentratia de echili-
bru din regiunea n ndep artat a de jonctiune. Not am c a, dac a
165
concentratia purt atorilor minoritari din regiunea n este neglija-
bil a n raport cu :
a0,
:
a0
= `
+
o
`

o
= `
2
.
2
Rezult a c a pentru r 0
j(r) = c`
2
[1 exp(c,/
1
1] - c`
2
(7.45)
dac a se consider a neglijabil a contributia exponentialei.
n regiunea 0 < r < r
1
variatia cu distanta a potentialului
electrostatic se obtine integrnd ecuatia lui Poisson:
d
2

dr
2
=
c`
2

(7.46)
cu conditiile la limit a
o
oa

a=a
B
= 0. (0) = 0. Rezult a:
d
dr
=
c`
2

(r r
1
) (7.47)
=
c`
2
2
r(r 2r
1
) (7.48)
n regiunea r

< r < 0 ecuatia lui Poisson este:

d
2

dr
2
=
c`
1

(7.49)
si aplicnd conditiile la limit a
d
dr

a=a
A
= 0. (0) = 0. rezult a:
d
dr
=
c`
1

(r + r

) (7.50)
=
c`
1
2
r(r + 2r

) (7.51)
166
Figura 7.8: Variatia sarcinii spatiale (a), a cmpului electric (b) si a
potentialului (c) n jonctiunea p-n.
Variatia sarcinii spatiale, a cmpului electric si a potentialului
sunt date n Fig. 7.8.
Deoarece cmpul c
a
are aceiasi valoare n cele dou a regiuni
cnd r = 0 , din 7.47 si 7.50 rezult a:
c`
2
r
1
= c`
1
r

(7.52)
Notnd =

cnd r = r

si =
1
cnd r = r
1
se
obtine
\
1
= (

+
1
) =
c
2
(`
1
r
2

+ `
2
r
2
1
) (7.53)
Din 7.52 si 7.53 rezult a:
r

=
_
2\
1
`
2
c`
1
1
`
1
+ `
2
_
12
. r
1
=
_
2\
1
`
1
2`
2
1
`
1
+ `
2
_
12
(7.54)
si de aici l argimea regiunii de sarcin a spatial a (a stratului de
baraj).
2
Pentru regiunea p se va introduce notatia
1
=

a

+
d
.
167
\ = r

+ r
1
=
_
2\
1
c
`
1
+ `
2
`
1
`
2
_
12
(7.55)
n conditiile n care se aplic a o tensiune pe jonctiune, potentia-
lul electrostatic devine \
1
(\. Se constat a c a l argimea stratului
de baraj se micsoreaz a dac a se aplic a tensiunea direct a (\ ) si
se m areste dac a se aplic a tensiunea invers a (+\ ).
Dac a jonctiunea are suprafata /, sarcina acumulat a pe uni-
tatea de arie este:
Q
/
= c`
2
r
1
= c`
1
r

=
_
2c`
1
`
2
`
1
+ `
2
_
12
(\
1
(\ )
12
(7.56)
iar capacitatea stratului de baraj
C =
dQ
d\
=
/
2
_
2c`
1
`
2
`
1
+ `
2
_
12
(\
1
(\ )
12
(7.57)
7.3.4 Caracteristica 1(\ )
ntr-o jonctiune p-n purt atorii minoritari de neechilibru sunt
responsabili pentru producerea curentului. Cnd se aplic a o ten-
siune direct a trec prin jonctiune : electroni din regiunea p si
j din regiunea n, iar concentratia purt atorilor minoritari devine
:
1
= :
j
+ :, respectiv j
1
= j
a
+ j. Existenta acestora stric a
neutralitatea din interiorul semiconductorului; de aceea ia nastere
instantaneu un cmp electric care face ca sarcinile :, respectiv
j s a f ie neutralizate de contactele metalice. Not am, de aseme-
nea, faptul c a n regiunile n, respectiv p, concentratiile purt ato-
rilor majoritari de neechilibru sunt mici n comparatie cu cele de
168
echilibru (: :
a
. j j
j
) dar mai mari n comparatie cu
cele de neechilibru (: :
j
. j j
a
). Din aceste motive apar
gradienti mari de concentratie ai purt atorilor minoritari, fapt care
face ca s a f ie semnif icativi curentii de difuzie.
Fenomenele care au loc ntr-o jonctiune j: au fost explicate
de Schockley admitnd c a grosimea stratului de baraj este mic a
n comparatie cu lungimile de difuzie (\ 1
a
. 1
j
). c a nivelul
de injectie este mic (j :
j
. : j
a
) si considernd infinit a
grosimea regiunilor din exteriorul jonctiunii; de asemenea s-a pre-
supus c a recombin arile de suprafat a sunt neglijabile. n aceste
ipoteze se poate determina caracteristica 1(\ ) astfel:
n regiunile n, respectiv p curentii de difuzie generati de purt a-
torii minoritari sunt:
,
j
= c1
j
dj
dr
(7.58)
,
a
= c1
a
d:
dr
(7.59)
j respectiv : se pot obtine dac a se rezolv a ecuatii de difuzie
de tipul 5.51 adic a:
d
2
j
dr
2
=
j
1
2
j
(7.60)
d
2
:
dr
2
=
:
1
2
a
(7.61)
ale c aror solutii generale au forma:
j = exp
_

r
1
j
_
+ 1exp
_
r
1
j
_
(7.62)
169
: = C exp
_

r
1
a
_
+ 1exp
_
r
1
a
_
(7.63)
Constantele . 1. C. 1 se determin a prin aplicarea conditiilor
la limit a. Astfel, deoarece j() = :() = 0 , rezult a 1 =
1 = 0.
Constantele si C se vor determina admitnd c a concentrati-
ile purt atorilor minoritari de neechilibru sunt date de relatii de
forma 7.39 si 7.40 n care
c
se nlocuieste cu
c
c\ (n cazul
aplic arii tensiunii directe). Se obtine:
j(r
1
) = j
j
exp
_

c
c\
/
1
1
_
= j
a
exp
_
c\
/
1
1
_
(7.64)
:(r

) = :
a
exp
_

c
c\
/
1
1
_
= :
j
exp
_
c\
/
1
1
_
(7.65)
Tinnd seama de 7.64 si 7.65 solutiile sunt:
j(r) = j
a
_
exp
_
c\
/
1
1
_
1
_
exp
_

r r
1
1
j
_
(7.66)
:(r) = :
j
_
exp
_
c\
/
1
1
_
1
_
exp
_

r + r

1
a
_
(7.67)
Din aceste expresii se constat a c a concentratiile purt atorilor
minoritari cresc exponential cnd se aplic a tensiunea direct a. Ele
scad cu distanta de la valori maxime pn a la valoarea zero cnd
[ r [1
a
. 1
j
.
170
Figura 7.9: Distributia concentratiilor cnd se aplic a (a) tensiunea
direct a, (b) tensiunea invers a. Linia punctat a indic a distributia con-
centratiilor n absenta tensiunii.
n conditiile n care se aplic a tensiunea invers a, iar
c

c
+
c\ se obtin n loc de 7.66 si 7.67 relatiile:
j(r) = j
a
_
1 exp
_

c\
/
1
1
__
exp
_

r r
1
1
j
_
(7.68)
:(r) = :
j
_
1 exp
_

c\
/
1
1
__
exp
_

r + r

1
a
_
(7.69)
n acest caz concentratiile descresc cu tensiunea si cu distanta
de la marginea stratului de baraj si ating valorile de echilibru cnd
[ r [1
a
. 1
j
.
Aceste dependente sunt ilustrate n Fig. 7.9
Utiliznd relatiile 7.58, 7.59 si 7.66, 7.67 putem calcula den-
sit atile de curent din regiunile n, respectiv p. Rezult a:
171
,
j
(r) =
c1
j
j
a
1
j
_
exp
_
c\
/
1
1
_
1
_
exp
_

r r
1
1
j
_
(7.70)
,
a
(r) =
c1
a
:
j
1
a
_
exp
_
c\
/
1
1
_
1
_
exp
_

r + r

1
a
_
(7.71)
Curentul total , = ,
a
+ ,
j
trebuie s a aib a aceeasi valoare
n toate sectiunile jonctiunii p-n. Acest lucru implic a ,
a
(r
1
) =
,
a
(r

) si ,
j
(r

) = ,
j
(r
1
) si constituie una din ipotezele mo-
delului Shockley. Pentru simplicitate, vom considera curentul to-
tal n punctele de granit a r = r

, respectiv r = r
1
:
,
a
(r

) =
c1
a
:
j
1
a
_
exp
_
c\
/
1
1
_
1
_
(7.72)
,
j
(r
1
) =
c1
j
j
a
1
j
_
exp
_
c\
/
1
1
_
1
_
(7.73)
Se obtine:
, =
_
c1
a
:
j
1
a
+
c1
j
j
a
1
j
__
exp
_
c\
/
1
1
_
1
_
(7.74)
unde:
, = ,
ac
+ ,
jc
=
c1
a
:
j
1
a
+
c1
j
j
a
1
j
(7.75)
este curentul invers de saturatie. Acesta este mai mare cu cteva
ordine de m arime dect cel care apare n contactul semiconductor
-metal. De aceea propriet atile de redresare ale jonctiunii j :
sunt superioare contactului semiconductor-metal.
172
Cnd se aplic a tensiunea invers a, curentul tinde c atre valoarea
de saturatie:
, = ,
c
=
_
c1
a
:
j
1
a
+
c1
j
j
a
1
j
_
(7.76)
Se constat a c a curentul invers de saturatie este determinat
de coef icientii si lungimile de difuzie, precum si de concentratiile
purt atorilor minoritari.
n functie de caracteristicile celor doi semiconductori, cnd se
aplic a tensiunea direct a, poate s a predomine injectia electronilor
sau golurilor. Un parametru important care descrie acest fenomen
este factorul de injec tie def init ca f iind fractiunea din curentul
total datorit injectiei electronilor (
a
) sau golurilor (
j
). Astfel,
n cazul electronilor:

a
=
,
a
,
a
+ ,
j
=
1
1 +
,
j
,
a
=
1
1 +
c1
a
j
a
c1
j
:
j
1
j
1
a
(7.77)
Relatia 7.77 poate fi scris a sub o form a mai simpl a dac a tinem
seama de relatiile lui Einstein din care rezult a 1
a
,1
j
= j
a
,j
j
precum si de faptul c a :
j
,j
a
= :
a
,j
j
( deoarece :
j
j
j
= :
a
j
a
=
:
2
i
). Se obtine:

a
=
1
1 +
cj
j
:
j
1
j
cj
a
:
a
1
a
=
1
1 +
o
j
1
j
o
a
1
a
(7.78)
Relatia 7.78 arat a faptul c a factorul de injectie depinde de con-
ductibilit atile semiconductorilor si de lungimile de difuzie. Dac a
o
a
o
j
atunci
a
= 1 si curentul de injectie este datorat elec-
tronilor.
173
Figura 7.10: Pozitia cuasinivelelor Fermi n modelul propus de Schock-
ley n conditiile aplic arii unei tensiunidirecte (a), respectiv inverse (b).
Pe baza unor consideratii similare se poate ar ata c a factorul
de injectie datorat golurilor este:

j
=
1
1 +
o
a
1
a
o
j
1
j
(7.79)
n f inal vom sublinia faptul c a teoria propus a de Schockley
are drept consecint a prelungirea, f ar a modif icare, a cvasinivelelor
Fermi pn a la marginea stratului; ea este aplicabil a n conditiile
n care au fost neglijate recombin arile n stratul de baraj, adic a n
ipoteza c a \ _ 1
a
. 1
j
. Fig. 7.10 ilustreaz a variatia cvasinivelelor
n cazul n care, pe jonctiune se aplic a tensiunea direct a (a),
respectiv tensiunea invers a (b). La distante r r
1
. r < r

cuasinivelele variaz a lent datorit a recombin arilor si revenirii n

starea de echilibru.
n cazul aplic arii tensiunii directe, cuasinivelul Fermi pentru
goluri T
0
j
n punctul r = r
1
este cu c\ mai aproape de banda
174
de valent a dect T
a
fapt care face ca concentratia golurilor mi-
noritare s a creasc a cu factorul exp(c\,/
1
1). n cazul aplic arii
tensiunii inverse, T
0
j
este mai departe cu c\ de banda de valent a
dect T
a
iar concentratia golurilor minoritare scade cu factorul
exp(c\,/
1
1). Consideratii similare se pot face si cu privire la
electronii minoritari.
n cazul unor semiconductori slab dopati sau cu timpi de viat a
foarte mici ai purt atorilor este necesar s a se tin a seama si de
un curent de generare - recombinare, care se adaug a la curentul
de difuzie. n acest caz cuasinivelele Fermi prezint a o variatie
monoton a, distanta dintre ele n mijlocul jonctiunii f iind egal a cu
(c\ . Un studiu mai extins al diferitelor tipuri de jonctiuni j :
poate fi urm arit n diferite tratate specif ice [5, 7, 17].
Capitolul 8
Propriet ati optice ale
semiconductorilor
8.1 Consideratii generale
n acest capitol va fi discutat a interactia radiatiei electromag-
netice cu semiconductorii n cazul n care lungimea de und a a
acesteia este n domeniul vizibil.
Pentru a ntelege fenomenele optice este necesar s a se cunoasc a
pozitia nivelelor energetice n semiconductoare si, n special, struc-
tura de band a si pozitia nivelelor de impuritate.
Interactia radiatiei electromagnetice cu solidele comport a di-
verse procese n care sunt implicati fotonii.
n primul rnd, datorit a fotonilor incidenti, electronii pot s a
p ar aseasc a solidul. n acest caz apare efectul fotoelectric extern
sau fotoemisia. Pe acest fenomen se bazeaz a functionarea multor
dispozitive.
n al doilea rnd, ca urmare a ilumin arii, se poate modifica si
conductivitatea electric a. Acest efect apare datorit a tranzitiilor
175
176
optice band a-band a sau band a-nivel de impuritate. Se genereaz a
astfel un surplus de purt atori. Acesta este efectul fotorezistiv
sau fotoconductia. Este posibil s a se obtin a si o fototensiune
n interiorul unui semiconductor omogen sau n vecin atatea unei
jonctiuni p-n. Acesta este efectul fotovoltaic. Aceste efecte sunt
utilizate n diferite dispozitive practice cum ar fi detectoarele de
infrarosu sau celulele solare.
n al treilea rnd, o substant a care absoarbe energie cedeaz a
n general o parte din energia absorbit a fotonului. Acest fenomen
poart a denumirea de luminiscent a si comport a n general dou a
etape: 1) excitarea electronilor n st ari cu energii superioare si
2) eliberarea acestei energii de c atre electronii excitati sub form a
de radiatie electromagnetic a. Dac a procesul de emisie are loc n
timpul excitatiei, el poart a denumirea de fluorescent a. Dac a pro-
cesul de emisie are loc dup a excitatie, el poart a denumirea de fos-
forescent a (n literatura englez a se utilizeaz a termenii
00
phospho-
rescence
00
ori
00
afterglow
00
).
Materialele luminiscente se numesc n general
00
fosfori
00
, f ar a
a exista vreo legatur a cu elementul chimic implicat. Majoritatea
acestora apartin compusilor A
11
B
\ 1
, cum ar fi ZnS sau CdS si
contin n cantit ati infime impurit ati denumite
00
activatori
00
pentru
a produce luminiscent a.
Pentru a produce luminiscenta au fost concepute diferite pro-
cedee cum ar fi: bombardamentul electronic ntr-un tub de raze
catodice, excitatia optic a cu un laser cu rubin sau aplicarea unui
cmp electric n compusi de tip A
111
B
\
(cum ar f i arsenura de
galiu). Acest fenomene vor fi examinate pe larg n capitolul ur-
m ator.
177
8.2 Teoria clasic a a propriet atilor op-
tice
Prima teorie elaborat a pentru a explica propagarea luminii
n solide s-a bazat pe electrodinamica clasic a. Teoria clasic a a
propriet atilor optice se bazeaz a pe ecuatiile lui Maxwell.
ntr-un mediu n care nu exist a electroni liberi (ca de pild a
cazul semiconductorilor) aceste ecuatii au forma:
\

1 =
J

1
Jt
\

H =

, +
J

1
Jt
(8.1)
\

1 = 0
\

1 = 0
Admitnd c a semiconductorul este omogen si izotrop, ecuatiile
de material cap at a forma:

1 =

1 = j

H (8.2)

, = o

1
unde este permitivitatea electric a, iar j este permeabilitatea
magnetic a.
n aceste conditii, din ecuatiile 8.1 si 8.2 rezult a, n medii
nemagnetice dup a cum se stie, ecuatia undelor:
\
2

1 j
0
o
J

1
Jt
= j
0

J
2

1
Jt
2
(8.3)
178
care difer a de ecuatia undelor din spatiul liber sau de ecuatia
undelor din medii nedisipative:
\
2

1 = j
0
J
2

1
Jt
2
(8.4)
Ecuatii asem an atoare se obtin si pentru

H. Substituind

1 =

1
c
exp(i.t) n Ec. 8.3 si 8.4 se obtine:
\
2

1
0
+
_
j
0
.
2
i.j
0
o
_

1
0
= 0 (8.5)
si
\
2

1
0
+ /
2

1
0
= 0 (8.6)
unde /
2
= .
2
j
c
= .
2
,
2
este vectorul de und a, iar =
_
1,j
c
este viteza de propagare.
Solutia ecuatiei undelor 8.5 se obtine usor dac a se introduce
vectorul de und a complex

/
2
= j
0
.
2
i.j
0
o (8.7)
care se poate scrie si n felul urm ator

/ = /
ic
2
(8.8)
unde c poart a denumirea de coeficient de absorbtie.
Din Ec. 8.7 si 8.8 se obtin relatiile dintre partea real a si ima-
ginar a a vectorului de und a si care depind de parametrii semicon-
ductorului:
/
2

c
2
4
= j
0
o (8.9)
/c = .j
c
o
179
Solutia ecuatiei unidimensionale pentru unde plane se obtine
din Ec. 8.3 si este dat a de expresia:
1(.. t) = c

z
2
c
i(.tI:)
+

az
2
c
i(.tI:)
(8.10)
Ecuatia 8.10 reprezint a o und a liniar polarizat a care se propag a
n directia .. Introducnd intensitatea undei, care este dat a de o
relatie de forma 1
~
=

1

se obtine:
1 = 1
0
c
c:
(8.11)
Aceasta este binecunoscuta lege a lui Lambert, care descrie
procesele de absorbtie n medii disipative; aceasta arat a c a coefici-
entul de absorbtie c al unui mediu este definit ca fiind valoarea
reciproc a a distantei pentru care intensitatea undei descreste cu
factorul c.
Solutia Ec. 8.3 poate fi exprimat a si prin introducerea in-
dicelui de refractie : = c/,. unde c este viteza de propagare a
undelor electromagnetice n spatiul vid. n cazul mediilor disipa-
tive se introduce indicele de refractie complex. Utiliznd relatiile
8.7 si 8.8 se obtine:

:
2
=

0

io
.
0
(8.12)
unde:
: = : i{ (8.13)
{ poart a denumirea de coeficient de extinctie. Constantele optice
: si { satisfac relatiile:
:
2
{
2
=
v
(8.14)
180
2:{ =
o
.
0
(8.15)
n 8.14
v
este constanta dielectric a.
S a consider am o und a plan a care cade normal pe suprafata
de separare a dou a medii dintre care cel de-al doilea are indicele
de refractie :. La limita de separare o parte din unda incident a
este reflectat a si o parte refractat a. n primul, mediu cmpurile
electrice incident, respectiv reflectat sunt date de expresiile:
1
i
= 1
1
exp[i.(t :.,c)] (8.16)
1
v
= 1
2
exp[i.(t + :.,c)] (8.17)
n cel de-al doilea mediu, cmpul electric transmis este:
1
t
= 1
0
exp
_
i.(t
:.
c
_
(8.18)
Utiliznd ecuatiile de continuitate pentru componentele: transver-
sale ale cmpurilor electric si magnetic se obtine:
1
0
= 1
1
+ 1
2
(8.19)
:1
0
= 1
1
1
2
(8.20)
Atunci coeficientii de reflexie si de transmisie : si t , definiti ca
fiind rapoartele dintre cmpul electric reflectat, respectiv trans-
mis si cel incident sunt:
: = 1
2
,1
1
= (1 :),(1 + :) = (1 :+i{),(1 +:i{) (8.21)
181
t = 1
0
,1
1
= 2,(1 + :) = 2,(1 + : i{) (8.22)
Din 8.21 si 8.22 se pot obtine reflectanta, respectiv transmi-
tanta.
1 =
(: 1)
2
{
2
(: + 1)
2
+ {
2
(8.23)
1 =
4
(1 + :)
2
+ {
2
(8.24)
Din 8.18 rezult a c a amplitudinea lui

1 si, se poate afirma c a
si amplitudinea lui

H. descresc cu factorul exp(i.{.,c). Din
relatia 8.10 se obtine:
c
2
=
.{
c
Mention am ca c depinde de lungimea de und a deoarece:
c =
2.{
c
= 4:
{
`
Att 1 ct si 1 depind de lungimea de und a a radiatiei inci-
dente.
Functiile 1(`) si 1(`) poart a denumirea de spectre de reflexie,
respectiv de transmisie.
Deoarece n teoria clasic a, care se bazeaz a pe ecuatiile lui
Maxwell, :, si o sunt considerate constante, functiile 1(`) si
T(`) nu se pot obtine n cadrul acestei teorii. Aceste relatii de
dispersie au fost obtinute pentru prima dat a de Lorentz, care a
aplicat o teorie microscopic a. Expresii mai exacte se pot obtine
prin aplicarea mecanicii cuantice.
182
Figura 8.1: Variatia cu lungimea de und a a coeficientului de absorbtie
c pentru un semiconductor oarecare.
n Fig. 8.1 sunt date caracteristicile principale ale functiei
c(`) pentru un semiconductor oarecare. Se constat a c a apar trei
tipuri distincte de fenomene de absorbtie care pot fi atribuite
urm atoarelor procese fizice:
1). n domeniul ultraviolet, absorbtia se datoreste polarizatiei
electronice, care d a nastere unei componente a densit atii de curent
care este n faz a cu cmpul

1.
2). n domeniul vizibil si infrarosu apropiat, absorbtia cores-
punde excitatiei optice a electronilor din banda de valent a n
banda de conductie. Deoarece intervalul energetic interzis difer a
de la material la material, exist a o lungime de und a critic a pentru
care acest tip de absorbtie are loc si care este denumit a
00
creast a
de absorbtie
00
(absorption edge).
3). n domeniul frecventelor joase, absorbtia se datoreste
purt atorilor liberi din semiconductor. Ca si n cazul metalelor
(unde aceste procese sunt mult mai importante), electronii
00
liberi
00
183
absorb radiatia electromagnetic a datorit a propriet atilor lor de
conductie.
Procesele (1) si (3) pot fi tratate clasic n timp ce procesul (2)
poate fi descris numai abordnd metodele mecanicii cuantice.
8.3 Teoria microscopic a a proceselor
de absorbtie
Conformteoriei microscopice a polarizabilit atii electronice, elec-
tronul este legat elastic de nucleu si poate fi deplasat de un cmp
electric. Ecuatia de miscare are forma general a:
: r = r , _ r cc exp (i.t) (8.25)
unde : este masa electronului, este un coeficient de elasticitate,
, _ r este o fort a de amortizare, . este pulsatia cmpului alterna-
tiv iar .
0
=
_
,: este pulsatia proprie de oscilatie. Dac a cm-
pul electric variaz a sinusoidal n timp polarizabilitatea electronic a
este un num ar complex iar p artile real a respectiv imaginar a ale
acesteia sunt date de expresiile:
c
p
c
=
c
2
(.
2
0
.
2
) ,:
0
(.
2
0
.
2
)
2
+
_
.o
n
_
2
(8.26)
c
q
=
c
2
.,,:
2

0
(.
2
0
.
2
)
2
+
_
.o
n
_
2
ntre constanta dielectric a
v
si polarizabilitatea c
c
exist a ur-
m atoarea dependent a:

v
= 1 + `c
c
(8.27)
184
Figura 8.2: Dependenta de frecvent a a functiilor :
2
{
2
si 2:{.
unde ` este num arul de electroni din unitatea de volum care
contribuie la polarizatie. Deoarece
v
=

:
2
. dup a cteva operatii
rezult a:
:
2
{
2
= 1 +
`c
2
:
0
(.
2
c
.
2
)
(.
2
c
.
2
)
2
+ (.,,:)
2
(8.28)
2:{ =
`c
2
:
c
.,,:
(.
2
c
.
2
)
2
+ (.,,:)
2
Variatia cu frecventa a expresiilor :
2
{
2
si 2:{ este reprezen-
tat a n Fig. 8.2. Se constat a c a apar patru regiuni distincte, n
functie de solutiile pentru :, respectiv { din Ec. 8.28. Pen-
tru simplificare, vom presupune c a pentru frecventele . < .
1
si
185
. .
2
, valoarea lui 2:{ este mult mai mic a dect :
2
{
2
astfel
nct 2:{ este practic zero. Aceast a aproximatie corespunde unui
mediu neabsorbant. ntr-un astfel de caz, fie : = 0. fie { = 0 n
functie de semnul expresiei :
2
{
2
. care poate fi mai mare sau
mai mic a dect zero.
n domeniul frecventelor joase : ,= 0 si { = 0, iar mediul
este transparent. Cnd . descreste, valoarea lui :
2
(obtinut a din
Ec. 8.28), tinde c atre valoarea constant a 1 +`c
2
,:
c
.
2
0
. Pentru
siliciu se obtine :
2
= 12. rezultat care este n bun a concordant a
cu valoarea constantei dielectrice la frecvente joase.
n regiunea n care .
2
< . < .
3
se obtine :
2
{
2
< 0. Un
astfel de mediu are o constant a dielectric a negativ a. El este un
mediu total reflect ator, fapt care rezult a si din aceea c a Ec. 8.7
nu are solutii sub form a de und a cnd
v
< 0.
n regiunea a patra unde . .
3
constat am c a : ,= 0 si { = 0.
Un astfel de mediu este transparent pentru frecventele implicate.
Fie un solid n care exist a `
)
atomi pe unitatea de volum,
fiecare avnd ,
)
sarcini de tip c
)
. Frecventele oscilatorilor vor fi,
n acest caz, diferite; le vom nota cu .
0)
. Efectund un calcul
similar celui aplicat pentru a deduce Ec. 8.28, se obtine:
:
2
{
2
= 1 +

,
)
`
)
c
2
)
:
)

c
.
2
c)
.
2
_
.
2
c)
.
2
_
2
+ (.,,:
)
)
2
(8.29)
2:{ =

,
)
`
)
c
2
)
:
)

c
.,,:
)
_
.
2
c)
.
2
_
2
+ (.,,:
)
)
2
(8.30)
Ecuatiile 8.29 indic a faptul c a : si :{ sunt dependente de
frecvent a. Un astfel de solid va prezenta mai multe benzi de
absorbtie, fiecare din ele corespunznd valorii caracteristice .
c)
.
186
Dac a se aplic a teoria cuantic a se obtin relatii asem an atoare
pentru : si {:. Singurul lucru care se modific a este semnificatia
termenilor ,
).
n teoria clasic a acestia reprezint a num arul de elec-
troni care se g asesc ntr-o stare dat a. n mecanica cuantic a sem-
nificatia lui ,
)
este dat a de expresia:
,
)a
=
2: [ c
)
r
)a
[
2
.
)a
~
2
=
2:.
)a
[ d
)a
[
2
~
(8.31)
care poart a denumirea de
00
fort a a oscilatorului
00
pentru tranzitia
1
)
1
a
. d
a)
este elementul de matrice al momentului elec-
tric dipolar indus de cmp iar .
)a
= (1
)
1
a
),~ este frecventa
corespunz atoare tranzitiei.
8.4 Absorbtia purt atorilor liberi
Absorbtia purt atorilor liberi este important a n metale deoarece
concentratia acestora este foarte mare. Totusi, acest fenomen
apare si n cazul semiconductorilor deoarece, la o temperatur a
normal a de lucru, exist a suficient de multi electroni sau goluri.
Aplicnd teoria clasic a vom scrie ecuatia de miscare a unui
electron ntr-un cmp electric 1 = 1
c
exp(i.t) sub forma:
:
d
2
r
dt
2
= c1
c
exp(i.t) (8.32)
Solutia Ec. 8.32 precum si valoarea momentului electric dipo-
lar j sunt date de expresiile:
r = c1,:.
2
(8.33)
j = cr = c
2
1,:.
2
= c
c
1
0
(8.34)
187
unde c
c
este polarizabilitatea electronic a.
Pentru un gaz electronic, constanta dielectric a este dat a de
relatia

v
= 1 + `c
c
= 1 `c
2
,:.
2

0
(8.35)
unde ` este concentratia electronilor liberi. Ecuatia 8.35 se poate
exprima si n alt mod dac a se introduce frecven ta plasmei
1
, ,
j
=
.
j
,2: unde:
.
2
j
= `c
2
,:
c
(8.36)
Se obtine:

v
= 1
.
2
j
.
2
(8.37)
Frecventa plasmei depinde de concentratia electronilor. Acest
lucru este ilustrat in Tabelul 8.1.
Relatia 8.32 este o aproximatie grosolan a. ntr-adev ar, ntr-un
metal sau ntr-un semiconductor electronul sufer a ciocniri inelas-
tice cu vibratiile retelei sau cu impurit atile. Din aceste motive
viteza sa de transport se va modifica nu numai datorit a cmpului
ci si ciocnirilor. Dac a t este timpul liber mijlociu n care viteza de
transport a electronului se anuleaz a (timpul de relaxare), ecuatia
de miscare a electronului poate fi scris a astfel:
d
dt
=
c1
:


t
(8.38)
1
Plasma este un mediu n care particule cu sarcini diferite coexist a n
concentratii egale. n plasm a cel putin una din sarcinile purt atorilor este
mobil a. Acesta este cazul electronilor de conductie din metale care au o
sarcin a negativ a egal a cu cea pozitiv a a resturilor atomice.
188
Tabelul 8.1
Frecventa plasmei si lungimile de und a corespunz atoare n
functie de concentratia electronilor
n (cm
3
) 10
22
10
18
10
14
10
10
.
j
(rad/s) 5,7x10
15
5,7x10
13
5,7x10
11
5,7x10
9
`
j
(cm) 3,3x10
5
3,3x10
3
3,3x10
1
33
Acest caz poate fi rezolvat dac a se utilizeaz a metodele mecani-
cii cuantice. Totusi putem evita acest lucru obtinnd un rezultat
satisf ac ator dac a facem urm atoarele consideratii.
Ecuatia de miscare pentru electronii liberi este similar a cu cea
pentru electronii legati exceptie fiind urm atoarele:
Pentru electronii liberi nu intervine forta elastic a, ceea ce
nseamn a c a va trebuie s a consider am .
c
= 0 n ecuatia de mis-
care respectiv n Ec. 8.25. Pe de alt a parte, va trebui s a tinem
seama de ciocnirile inelastice pe care le face electronul cuasiliber.
Acest lucru nseamn a c a coeficientul ,,:. care ia n considerare
forta de frecare, trebuie nlocuit cu 1/t. Se obtine:
:
2
{
2
= 1
`c
2
:
c
t
2
1 + .
2
t
2
(8.39)
2:{ =
`c
2
:
c
t
(1 + .
2
t
2
).
Introducnd .
j
din Ec. 8.36, relatiile 8.39 devin:
:
2
{
2
= 1
.
2
j
t
2
1 + .
2
t
2
(8.40)
2:{ =
.
2
j
t
.(1 + .
2
t
2
)
189
Relatiile 8.40 dau dependenta de frecvent a a p artii reale, res-
pectiv imaginare a lui

:
2
si se constat a urm atoarele:
1) n domeniul frecventelor joase, . 1,t si partea imaginar a
a lui

:
2
este cu mult mai mare dect partea real a. Deci
v
< 0
si mediul este puternic reflect ator. Coeficientul de absorbtie este
proportional cu conductivitatea electric a deoarece:
2:{ - .
2
j
t,. =
`c
2
t
:
c
.
=
o

c
.
(8.41)
Not am c a c ~ o si nu depinde de `.
2) n domeniul de relaxare unde 1/t . .
j
putem con-
sidera c a .t 1 si relatiiile 8.40 pot fi aproximate astfel:
:
2
{
2
= 1
.
2
j
.
2
(8.42)
2:{ =
.
2
j
.
3
t
(8.43)
Deoarece .
j
.. rezult a :
2
{
2
< 0, fapt care arat a c a mediul
este puternic reflect ator. Coeficientul de absorbtie descreste
brusc cu .
3
si este proportional cu t
1
.
3) n domeniul frecventelor nalte . .
j
si :
2
{
2
este
ntotdeauna pozitiv. Coeficientul de absorbtie este proportional
cu `
2
si poate fi neglijat (c - .
2
j
,.
2
tc - `
2
). Un astfel de mediu
este transparent. Atunci unda electromagnetic a este reflectat a
cnd . < .
j
si este transmis a cnd . .
j
. O astfel de substant a
poate fi folosit a ca un filtru de radiatie
00
trece-band a
00
(High-pass)
pentru frecventele corespunz atoare.
190
8.5 Teoria cuantic a a fenomenelor de
absorbtie
8.5.1 Absorbtia intrinsec a
Tranzitiile optice, care au loc ntre banda de valent a si banda
de conductie sunt de o deosebit a important a n studiul propri-
et atilor fundamentale ale semiconductorilor. ntr-adev ar, alura
curbei de absorbtie este determinat a de structura de band a a unui
semiconductor implicat n acest fenomen.
Asa cums-a ar atat experimental si teoretic, structura de band a
a germaniului, respectiv siliciului este destul de complicat a. n
Ge, marginea de sus a benzii de valent a corespunde valorilor

/[000] din spatiul impulsului n timp ce banda de valent a pre-

zint a mai multe minime unul pentru

/[000], patru la extremitatea

/[111] si pentru axele echivalente si sase n lungul directiei

/[100]
si a axelor echivalente.
Electronii care sunt excitati din banda de valent a n banda de
conductie pot s a fac a tranzitii directe sau indirecte (Fig. 8.3).
Conform celor cunoscute din mecanica cuantic a ntr-o tran-
zitie optic a este necesar s a fie respectate att legea de conservare
a energiei ct si a impulsului (sau, ceea ce este echivalent, a vec-
torului de und a). Aceste legi de conservare sunt urm atoarele:
~. = 1
)
1
i
(8.44)

/
i
=

/
)
+
)
unde ~. este energia cuantei emise, 1
i
.

/
i
. 1
)
.

/
)
sunt valorile
initiale, respectiv finale ale energiei si vectorului de und a al elec-
tronului implicat n tranzitia optic a, iar
)
vectorul de und a al
radiatiei electromagnetice.
191
Figura 8.3: Tranzitii directe si indirecte n germaniu.
M arimea lui

/ este de ordinul lui :,c, c fiind dimensiunile
celulei elementare (sau / = 2:,`
c
unde `
c
= 10
7
cm), n timp ce

)
= 2:,`
)
unde `
)
este de ordinul a 10
1
10
5
cm. Deci
)
este
cu mult mai mic dect

/ si putem s a presupunem c a:

/ =

/
)

/
i
= 0 (8.45)
Relatia 8.45 este cunoscut a sub denumirea de regul a de selectie
pentru tranzitiile electronice din cristale. Ea arat a c a orice tran-
zitie se realizeaz a pentru acelasi vector de und a. ntr-o reprezentare
1(

/) tranzitia este ilustrat a printr-o linie vertical a (de exemplu,

printr-o s ageat a, cum ar fi c din Fig. 8.3).
Banda interzis a 1
0
= 1
C
1
\
reprezint a energia minim a
care poate s a fie implicat a ntr-un proces de absorbtie: ea d a
limita (marginea) de absorbtie fundamental a a unui spectru. Limita
benzii de absorbtie este determinat a de relatia:
192
. = 1
0
,~
sau:
` = /c,1
0
Deoarece / si c sunt constante:
` = 1. 24,1
0
(8.46)
n relatia de mai sus, ` este exprimat n jm iar 1
0
n elec-
tron volti (eV).
n germaniu, banda interzis a direct a este de 0,88 eV la 77 K.
Un alt proces de absorbtie indicat prin s ageata (b) n Fig. 8.3
se refer a la tranzitia indirect a. Aceasta corespunde unei tranzitii
optice provenind de la o stare din partea de sus a benzii de valent a
ntr-o stare corespunz atoare unui minim din banda de conductie,
care e pozitionat a la marginea celor patru axe echivalente [111].
[111] si [111] din spatiul

/.
Deoarece r amne valabil a legea de conservare a impulsului,
electronul trebuie s a interactioneze cu imperfectiunile retelei, cum
ar f i fononii sau impuritatile, fapt care face ca acesta s a
00
intre
00
n
spatiul

/ ntr-o pozitie care s a corespund a unei tranzitii verticale.
ntr-un astfel de caz, legea conserv arii energiei impune respectarea
relatiei:
~. = 1
0
1
jI
(8.47)
semnul indicnd faptul c a, ntr-o astfel de tranzitie, un fonon
poate fi eliberat sau absorbit. n 8.47, 1
jI
este energia fotonu-
lui. Deoarece tranzitia indirect a este un proces n dou a etape,
probabilitatea de realizare a unui astfel de proces este cu mult
193
Figura 8.4: Variatia coeficientului de absortie cu energia fotonului la
diferite temperaturi.
mai mic a dect cea a unei tranzitii directe. Astfel se explic a de
ce coeficientii de absorbtie care corespund unei tranzitii indirecte
sunt cu mult mai mici dect cei care corespund regiunii tranzitiilor
directe (Fig. 8.4).
Siliciul este un semiconductor cu band a interzis a indirect a. El
are sase minime ale benzii de conductie n lungul celor sase axe
echivalente [100].
n siliciu, banda interzis a direct a a fost estimat a a fi egal a cu
2,25 eV. Din aceste motive, nu sunt posibile tranzitii directe care
s a corespund a unei frecvente n domeniul vizibil.
Este important de semnalat c a exist a tranzitii ntre diferitele
minime ale benzilor de valent a, cum ar fi ntre banda cea mai joas a
194
(\
3
) si benzile de valent a superioare (\
1
. \
2
), precum si tranzitii
ntre cele dou a benzi superioare. Aceste tranzitii au loc pentru
lungimi de und a foarte mici (n domeniul a 3 pn a la 10 jm).
8.5.2 Absorbtia extrinsec a
Aceste procese se refer a la excitarea st arilor de impuritate n
semiconductori continnd impurit ati. ntr-o stare localizat a, un
electron sau un gol poate absorbi un foton, n urma c arui fapt
are loc o tranzitie ntr-o alt a stare localizat a sau liber a. Benzile
de absorbtie corespunz atoare absorbtiei extrinseci sunt plasate la
frecvente mai joase dect cele corespunz atoare benzii de absorbtie
intrinseci. Limita benzii de absorbtie este dat a de relatia:
`
cat
=
1. 24
1
|cc
1
cat
(8.48)
unde 1
|cc
este energia nivelului de impuritate (localizat) si 1
cat
este energia st arii finale.
Functia de und a a st arii localizate este data de expresia:

|
= C exp ({j) exp (i1
|cc
t,~) (8.49)
unde 1,2{ este distanta la care probabilitatea de a g asi localizat
un electron descreste de c ori iar j =

:

1
|cc

. Vectrorul

1
|cc
reprezint a pozitia pe care o are n cristal impuritatea.
Ca urmare a absorbtiei luminii un electron (sau un gol) sufer a
o tranzitie n starea 1
cat
= 1
|cc
+~. . Aceast a relatie corespunde
legii conservarii energiei. Legea conserv arii impulsului se poate
obtine din teoria general a si, pentru a simplifica lucrurile, din
aplicarea principiului de incertitudine:
jr > ~
195
Introducnd r = 1,2{ rezult a:
/ - { (8.50)
Aceast a relatie arat a c a n cazul unei absorbtii intrinseci, spec-
trul de absorbtie este finit.
Pentru a observa aceste fenomene, trebuie s a r acim cristalul
la temperaturi foarte sc azute, deoarece, la temperaturi normale,
nivelele de impuritate sunt total ionizate sau complet libere. Nu-
mai la temperaturi joase este posibil a excitarea electronilor din
st arile donoare ocupate, n banda de conductie sau din banda de
valent a pe nivelele acceptoare libere.
Absorbtia extrinsec a se face cu generarea unui singur tip de
purt atori de sarcin a. Dac a absorbtia se datoreste tranzitiilor ntre
nivelele de energie discrete, se obtin benzi de absorbtie nguste.
n cazul cnd au loc fotoioniz ari se constat a aparitia unor benzi
de absorbtie extinse.
Acest lucru se deosebeste de fenomenele care au loc n cazul
cnd intervine absorbtia intrinsec a, deoarece, n acest caz, ca
urmare a absorbtiei sunt generate ambele tipuri de purt atori:
perechi electron-gol.
n mecanica cuantic a se arat a c a coeficientul de absorbtie c,
m asurat n vecin atatea crestei (limitei) de absorbtie intrinseci este
proportional cu puterea : a diferentei ~. 1
c
, adic a:
c ~ (~. 1)
v
unde := 1/2, 3/2 n cazul unor tranzitii directe permise, respectiv
interzise.
De asemenea, se arat a c a:
c ~ (~. 1 ~.
)caca
)
v
196
n cazul unor tranzitii indirecte permise, respectiv interzise
2
.
8.5.3 Absorbtia excitonic a
Dac a energia fotonului incident este mai mare dect diferenta
de energie dintre banda de conductie si cea de valent a, poate fi
generat a o pereche electron-gol. Deoarece ntre electron si gol se
manifest a o atractie coulombian a, acestia formeaz a o stare legat a
stabil a denumit a stare excitonica. n conditiile n care intervine
o atractie, potentialul de interactie este:
l (:) =
c
2
4::
unde : este distanta dintre cele dou a particule si permitivitea
dielectric a. Dac a se aplic a modelul atomului de hidrogen, se pot
obtine energiile st arilor excitonice; ele sunt date de expresia:
1
ca
=
:

v
c
4
2~
2
(4:)
2
1
:
2
(8.51)
unde :

v
= :

a
:

j
,(:

a
+ :

j
) este masa redus a corespunz atoare
maselor efective ale electronului, respectiv golului iar : num arul
cuantic principal.
Nivelele excitonice, precum si tranzitiile optice asociate sunt
ar atate n Fig. 8.5. Energia st arii fundamentale se obtine dac a
se substituie : = 1 n relatia 8.51. Deoarece concentratia exci-
tonilor este foarte mic a, se observ a numai tranzitiile optice care
au loc ntre marginea de sus a benzii de valent a si diferite nivele
excitonice.
n Fig. 8.6 este reprezentat coeficientul de absorbtie al GaAs
n functie de energia fotonului. Din forma curbei de absorbtie se
2
Pentru detalii vezi [11].
197
Figura 8.5: Nivele excitonice; 1
b
este energia de leg atur a a excitonului.
pot obtine intervalul energetic interzis 1
0
si energia de leg atur a
a excitonului 1
b
= 1
C
1
1
. Acestea au valorile 1
0
=1,521 eV
si 1
b
=0,0034 eV. Ultimul rezultat poate fi folosit pentru a obtine
informatii cu privire la masele efective.
Pentru ca s a poat a fi observate st arile excitonice legate, tre-
buiesc satisf acute dou a conditii.
n primul rnd, ecranarea datorit a altor electroni si goluri tre-
buie s a fie neglijabil a; aceasta nseamn a c a lungimea de ecranare
Debye trebuie s a fie cu mult mai mare dect raza Bohr.
n al doilea rnd, deoarece 1
ca
este foarte mic, temperatura
la care se realizeaz a experienta trebuie s a fie foarte joas a ca s a
poat a fi posibil a aparitia unei perechi electron-gol ntr-una din
st arile legate. n caz contrar, este mai probabil a aparitia unei
st ari ionizate (electron si gol liberi).
ntr-un cristal o stare excitonic a poate fi descris a printr-o und a
progresiv a. Aceasta poart a denumirea de und a excitonic a si de-
scrie perechea neutr a electron-gol care se propag a prin cristal.
198
Figura 8.6: Variatia coeficientului de absortie n GaAs n functie de
energia fotonului.
8.5.4 Calculul probabilit atilor de tranzitie op-
tice si a coeficientului de absorbtie
Pentru a studia influenta radiatiei electromagnetice asupra
distributiei electronilor pe diferite nivele energetice se rezolv a
ecuatia lui Schrdinger temporal a:
^
H = i~
J
Jt
(8.52)
unde
^
H este operatorul Hamiltonienei care pentru electronii din
solid include nu numai energia cinetic a si potential a a electronului
ci, si diferite energii de interactie.
199
n prezenta unui cmp electromagnetic, cu potentialul vector

, hamiltonianul clasic este dat de:

H =
1
2:

aj:
_
j
a
+
c
a
c
_
2
+ l (8.53)
unde c este viteza luminii. n general se alege potentialul vector
astfel nct _

= 0. Atunci expresia cuantic a a hamiltonianului

este:
^
H =
^
H
0
+
c~
i:c

_+
c
2
2:c
2
_

2
a
+
2
j
+
2
:
_
(8.54)
Primul termen este hamiltonianul neperturbat al sistemului.
Deoarece cel de-al treilea termen este cu mult mai mic dect cel
de-al doilea, se poate face aproximatia urm atoare:
^
H =
^
H
0
+
^
\ (8.55)
unde:
^
\ =
c~
i:c

_ (8.56)
este perturbatia.
Asa cum se stie, solutia ecuatiei Schrdinger neperturbate are
forma general a

I
(. t) =
I
() exp
_

i1
I
t
~
_
(8.57)
n relatia de mai sus, a fost introdus n locul coordonatelor
spatiale r, , ., iar 1
I
este energia st arii
I
.
200
Conform teoriei perturbatiilor, solutia Ec. 8.52 este dat a de o
suprapunere de functii de und a neperturbate:
(. t) =

I
c
I
(t)
I
(. t) (8.58)
Substituind aceast a solutie n Ec. 8.52 si considernd numai
dou a st ari cu energiile 1
i
. 1
)
obtinem:
dc (t)
dt
=
1
i~
c
i.
0
t
__

i
()
^
\
)
() d (8.59)
unde:
.
0
=
(1
)
1
i
)
~
(8.60)
este frecventa corespunz atoare tranzitiei respective.
Fie o und a plan a care se propag a n directia . si este polarizat a
n directia r. Potentialul vector are forma:

1
a

0
exp [i (j. .t)] (8.61)
unde

1
a
este versorul directiei r, iar j modulul vectorului de
propagare. Introducnd perturbatia dat a de 8.56 n Ec. 8.59
si integrnd n raport cu t obtinem
c (t) =
1
i~
1 c
i(.
0
.)t
.
0
.
c~
0
:c
_

i
J
)
Jr
c
ij:
.d (8.62)
ntr-un semiconductor, functiile de und a unielectronice sunt
date de functiile Bloch:

I
(: ) = n
I
(: )c
i
!
I
!
v
201
Vom nota cu
i
starea din banda de valent a cu energia 1
i
(

/
i
)
si partea spatial a a functiei de und a
i
(: ) = n
i
(: ) exp(i

/
i
: ) si
prin
)
o stare din banda de conductie care are energia 1
)
(

/
)
)
si
)
(: ) = n
)
(: ) exp(i

/
)
: ). Aceste functii se vor introduce n Ec.
8.62. Se obtine:
c (t) =
1
i~
1 c
i(.
0
.)t
.
0
.
c~
0
:c
_

i
J
Jr

)
c
ij:
d (8.63)
n relatia 8.63 s-a presupus c a termenul exp(ij.) este constant
deoarece lungimea de und a a luminii este mult mai mare dect
distantele atomice pe care se efectueaz a integralele. Integrala din
relatia 8.63 se poate calcula astfel:
n primul rnd se face o integrarea pe celula unitate a cristalu-
lui admitnd c a functiile proprii sunt n
I
(: ). n al doilea rnd,
integrarea asupra exponentialei exp(i

/: ) se va nlocui printr-o
nsumare asupra tuturor celulelor din cristal. Se obtine:
c (t) =
1
i~
1 c
i(.
0
.)t
.
0
.
c~
0
:
2
c
_
n

i
Jn
)
Jr
d

cvicto|
c
i(
!
I
j

!
I
i
+
!
j )
!
v
(8.64)
Suma care se face asupra diferitelor celule este egal a cu uni-
tatea dac a

/
i
=

/
)
+j si egal a cu zero cnd aceast a conditie nu
este satisf acut a.
Not am c a aceast a conditie reprezint a si expresia matematic a
a legii conserv arii impulsului.
Cu ajutorul relatiei 8.64 se pot calcula probabilit atile de tran-
zitie; se obtine:
[c (t)[
2
=
sin
2
(.
c
.)t,2
(.
0
.)
2
(t,2)
2
t
2
c
2

2
0
:c
2

_
cc|
n

i
Jn
)
Jr
d

2
(8.65)
202
Vom tine seama c a [ c(t) [
2
este maxim cnd . = .
c
si atunci
obtinem:
1
)
(

/
)
) = 1
i
(

/
i
) + ~.
Aceast a relatie reprezint a legea de conservare a energiei.
Relatia 8.65 prezint a urm atoarea inconsistent a: deoarece [c(t)[
2
depinde de t
2
, probabilitatea pe unitatea de timp ar fi o functie
de timp, fapt care este absurd. Totul se datoreste faptului c a n
realitate nu exist a unde strict monocromatice. De aceea se va tine
seama de faptul c a liniile spectrale au o l argime finit a. Atunci,
probabilitatea de tranzitie va fi dat a de o integral a care se extinde
pe l argimea liniei spectrale frecventa variind n intervalul i +di,
i di. Considernd o expresie de forma:
_
io+i
ioi
[ c(t) [
2
di
sau, dac a se ia n considerare faptul c a expresia [c(t)[
2
are un
maxim foarte pronuntat n jurul valorii .
c
si descreste foarte rapid
cnd i ,= i
c
, probabilitatea de tranzitie poate fi estimat a si cu
ajutorul integralei
_
+1
1
[c(t)[
2
di
n efectuarea calculelor se va tine seama si de relatia:
_
1
1
sin
2

2
d = :
Rezult a:
_
+1
1
[c (t)[
2
di =
c
2

2
0
t
:
2
c
2

_
cc|
n

i
Jn
)
Jr
d

2
(8.66)
203
n expresia 8.66 vom introduce densitatea de energie electro-
magnetic a, egal a cu intensitatea medie:
3
1 (i) =

v
.
2

2
0
2:c
2
Probabilitatea de tranzitie n unitatea de timp este dat a atunci
de expresia:
\ =
[c (t)[
2
t
=
c
2
2:i
2
:
2

v
1 (i)

_
cc|
n

i
Jn
)
Jr
d

2
(8.67)
Din 8.67 se pot obtine coeficientii lui Einstein. Astfel, coefici-
entul de emisie stimulat a este:
1 =
c
2
2:i
2
:
2

v
1
3

a,j,:

_
cc|
n

i
Jn
)
Jr
d

2
(8.68)
n ceea ce priveste coeficientul de emisie spontan a, notat n
general cu , acesta depinde de coeficientul de emisie stimulat a
1 conform relatiei:
=
.
3
~
:
2
c
3
1 (8.69)
Valoarea reciproc a a coeficientului de emisie spontan a este
timpul de viat a t corespunz ator tranzitiei din starea 1
i
n starea
1
)
.
Deoarece fenomenele discutate au loc n cristale, procesele de
emisie sau de absorbtie depind de masa efectiv a a electronului.
Cu ct masa efectiv a este mai mare, cu att este mai mic a pro-
babilitatea de tranzitie, respectiv mai mare timpul de viat a.
3
Expresia 1 (i) este prezentat a n sistemul nerationalizat (Gauss) n care
a fost scris a si ecuatia Schrdinger. -
r
este constanta dielectric a.
204
Dac a se cunoaste probabilitatea de tranzitie, coeficientul de
absorbtie al unui semiconductor se poate calcula n felul urm ator:
Se presupune c a `(i) reprezint a densitatea de st ari pentru
care, ntr-o tranzitie direct a, diferenta dintre cele dou a nivele e-
nergetice este egal a cu /i. n vecin atatea lui

/[000] energia elec-
tronului din banda de conductie 1
1
si energia golului din banda
de valent a 1
2
sunt date de relatiile:
1
1
= 1
C
+
~
2
/
2
2:

c
(8.70)
1
2
= 1
\

~
2
/
2
2:

Se tine seama c a ntr-o tranzitie direct a este respectat a legea

de conservare a vectorului de und a adic a:
/
c
= /
j
= /
unde /
c
. /
j
sunt vectorii de und a ai electronului respectiv golului.
Tinnd seama c a /i = 1
1
1
2
si introducnd masa redus a:
:

v
=
:

a
:

j
:

a
+ :

j
din 8.70 rezult a:
/i 1
0
=
~
2
/
2
2:

v
(8.71)
Se poate ar ata usor c a num arul de st ari din intervalul i. i +di
poate fi scris si sub forma:
`(i)di =
8:
(2:)
3
/
2
d/
205
Considernd relatia 8.71, num arul de st ari din intervalul de frecven-
te i. i + di devine:
`(i)di =
(2:

v
)
32
2:
2
~
3
(/i 1
0
)
12
/di (8.72)
Fie un fascicul de lumin a avnd intensitatea 1(i) . Descresterea
intensit atii acestuia pe distanta dr este dat a de num arul de tran-
zitii din unitatea de timp nmultit cu energia absorbit a per tranzi-
tie si raportat la viteza de propagare a luminii n acel mediu,
adic a:
d1(i) = \/i`(i):
dr
c
(8.73)
Coeficientul de absorbtie este prin definitie:
c =
1
1
d1
dr
(8.74)
Substituind n 8.74 relatiile 8.67 si 8.66 se obtine:
c =
2c
2
(2:

v
)
32

v
c:
3
/i
(/i 1
0
)
12

_
cc|
n

i
Jn
)
Jr
d

2
(8.75)
Aceast a relatie este utilizat a pentru a calcula coeficientii de
absorbtie ai semiconductorilor pentru care sunt cunoscute date
specifice privitoare la masele efective sau l argimea intervalului
energetic interzis.
La germaniu, relatia 8.75 conduce la rezultatul c = 4. 4 10
3
cm
1
care este n bun a concordant a cu datele experimentale.
O relatie mai putin specific a dar foarte frecvent folosit a, pen-
tru a marca dependenta coeficientului de absorbtie de l argimea
benzii interzise, este cea care rezult a din 8.75:
206
c = const(/i 1
0
)
12
(8.76)
si a c arei form a a fost deja mentionat a n 8.52.
Capitolul 9
Efecte induse de radiatia
electromagnetic a n
semiconductori
9.1 Fotoconductibilitatea
9.1.1 Consideratii generale
Fotoconductibilitatea sau efectul fotoelectric intern const a n
modificarea rezistentei semiconductorului ca urmare a ilumin arii.
Acest lucru se datoreste modific arii concentratiei purt atorilor de
sarcin a.
Fotoconductivitatea o
)
se poate exprima astfel:
o
)
= cj
a
o: + cj
j
oj (9.1)
unde o: si oj sunt concentratiile n exces ale electronilor, respectiv
golurilor, care apar ca urmare a ilumin arii. Dac a o
)
0 efectul
fotoconductiv (fotorezistiv) este pozitiv; dac a o
)
< 0, efectul este
negativ.
207
208
Conductivitatea o
0
= o
o
care este m asurat a n absenta ilu-
min arii se numeste conductivitate de ntuneric; ea corespunde
echilibrului termic si este dat a de expresia:
o
o
= c:
c
j
a
+ cj
c
j
j
(9.2)
Conductivitatea total a a semiconductorului este suma dintre
conductivitatea de ntuneric si cea care apare n prezenta ilu-
min arii:
o = o
o
+ o
)
(9.3)
9.1.2 Generarea si recombinarea purt atorilor
Cresterea concentratiei electronilor, respectiv golurilor are loc
datorit a urm atoarelor procese:
1. Absorb tia intrinseca. Cnd semiconductorul este iradiat cu
o cuant a de energie /i > 1 iau nastere un electron n banda de
conductie si un gol n banda de valent a. n acest caz electronii si
golurile sunt generati n num ar egal si o: = oj.
2. Absorb tia datorita excitonilor. Excitonii care apar ca ur-
mare a absorbtiei luminii constau dintr-o pereche legat a electron-
gol si, n consecint a se comport a ca o particul a neutr a. Totusi,
n cazul n care excitonul a absorbit un surplus de energie, el se
poate disocia dnd astfel nastere unei perechi electron-gol.
3. Fotoionizarea starilor localizate. Cnd semiconductorii
posed a impurit ati cu sarcin a, n prezenta ilumin arii, prin fotoioni-
zare, se poate genera un singur tip de purt atori de sarcin a. Se
poate ntmpla uneori ca acesti purt atori generati prin iluminare
s a fie n num ar mai mare dect purt atorii majoritari si ca urmare
semiconductorul s a-si schimbe caracterul conductivit atii. De ex-
emplu, un semiconductor de tip n, poate deveni de tip p cnd este
209
iluminat. Acest fapt poate fi pus n evident a experimental; sem-
nul coeficientului Hall si evident al tensiunii Hall se inverseaz a.
Electronii sau golurile n exces tind s a se recombine, variatia
n timp a concentratiei lor fiind proportional a cu abaterea de la
valoarea de echilibru. Neglijnd contributia curentului de difuzie
si ratele de generare, variatia n timp a concentratiilor electronilor,
respectiv golurilor sunt date de expresiile:
d:
dt
= 1
a
=
: :
c
t
a
(9.4)
dj
dt
= 1
j
=
j j
c
t
j
(9.5)
unde 1
a
. t
a
, respectiv 1
j
. t
j
sunt ratele de recombinare si timpii
de viat a ai electronilor, respectiv golurilor; practic, se constat a c a
t
a
,= t
j
.
Recombinarea electronilor sau a golurilor are loc att n volu-
mul, ct si la suprafata probei. Dac a se noteaz a cu t
c
. t

timpii
de viat a corespunz atori recombin arii la suprafat a, respectiv n
volum, timpul de viat a determinat experimental este:
1
t
=
1
t
c
+
1
t

(9.6)
Verificarea relatiei se poate face m asurnd timpii de recom-
binare pe probe de dimensiuni diferite. Intervalul de timp t

este
sensibil la imperfectiile retelei si impurit atile din cristal, n timp
ce t
c
depinde de dimensiunile probei si de modul de prelucrare a
suprafetei
1
.
1
La germaniu, rata de recombinare la suprafat a variaz a ntre 10
6
cm
2
s
1
si 15 cm
2
s
1
, dup a cum suprafetele sunt slefuite sau polisate, respectiv
atacate cu reactivi chimici corespunz atori.
210
Exist a dou a procese fundamentale prin care are loc recom-
binarea electronilor si golurilor; acestea sunt ilustrate n Fig. 9.1.
n cazul recombin arii directe, apare un foton avnd energia cores-
punz atoare benzii interzise (Fig. 9.1a). n cel de-al doilea proces,
electronii si golurile se recombin a indirect, fiind implicate st ari
intermediare cunoscute sub denumirea de centre de recombinare.
Recombinarea direct a depinde de propriet atile specifice semicon-
ductorului n timp ce recombinarea indirect a depinde de imper-
fectiunile retelei datorate n special impurit atilor. Timpii de viat a
corespunz atori celor dou a procese sunt diferiti. Se demonstreaz a
c a n conditiile n care ambele sarcini sunt mobile, probabilitatea
de recombinare este mai mic a dect n cazul cnd o sarcin a este
captat a pe un nivel de impuritate. Recombinarea indirect a are loc
n dou a etape: mai nti electronul din banda de conductie este
captat pe nivelul capcan a (Fig. 9.1b) si apoi are loc recombinarea
acestuia cu un gol, urmat a de emisia unui foton (Fig. 9.1c) sau
golul din banda de valent a este captat pe nivelul de captur a si apoi
are loc recombinarea cu un electron. n procesele de recombinare
direct a (intrinsec a) timpii de viat a sunt de ordinul secundelor n
timp ce n cazul recombin arii indirecte (extrinseci) timpii de viata
pot fi cu cteva ordine de m arime mai mici.
Procesele de recombinare pot fi radiante sau neradiante, dup a
cum ele sunt nsotite sau nu de emisia unei cuante de energie. n
cadrul acestora vom mai mentiona si urm atoarele:
-Recombinarea radiant a excitonic a const a n dezexcitarea sau
anihilarea excitonilor prin tranzitii n spectrul discret sau con-
tinuu.
-Recombinarea radiant a donor-acceptor, se datoreste interacti-
ilor impurit atilor cu sarcini diferite. Energia de ionizare a dono-
rilor este micsorat a datorit a atractiei pe care o exercit a acceptorul
vecin. Un astfel de tip de recombinare este specific materialelor
211
Figura 9.1: Reprezentarea schematic a a celor dou a procese de recom-
binare fundamentale (a) recombinarea intrinsec a, (b) si (c) recombina-
rea extrinsec a.
luminiscente.
9.1.3 Consideratii teoretice
Pentru a descrie fotoconductivitatea este necesar s a cunoastem
variatia n timp a concentratiei purt atorilor de sarcin a. Din ecuati-
ile de continuitate se obtin pentru electroni, respectiv goluri, re-
latiile:
J:
Jt
=
1
c
\

,
a
+ G
a

: :
0
t
a
(9.7)
Jj
Jt
=
1
c
\

,
j
+ G
j

j j
0
t
j
unde G
a
si G
j
sunt ratele de generare ale purt atorilor de sarcin a de
tip n, respectiv de tip p, iar t
a
. t
j
timpii de viat a ai purt atorilor
respectivi.
Presupunnd c a prin semiconductor nu trece curent, adic a
212
,
a
= ,
j
= 0, ecuatiile 9.7 se simplific a si se obtine:
J:
Jt
= G
a

: :
0
t
a
(9.8)
Jj
Jt
= G
j

j j
0
t
j
n cazul stationar J:,Jt = Jj,Jt = 0 si din 9.8 rezult a:
: :
0
= o: = G
a
t
a
(9.9)
j j
0
= oj = G
j
t
j
Ecuatiile 9.9 sunt cunoscute sub denumirea de primele ecuatii
caracteristice ale efectului fotoconductiv. Dup a cum se va vedea
ulterior, ele determin a dependenta fotoconductiei de intensitatea
luminii si de lungimea de und a.
Rata de generare G depinde de intensitatea luminii J si de
coeficientul de absorbtie c deoarece:
dJ = cJdr
si, pe unitatea de volum:

dJ
dr
= cJ (9.10)
Introducnd f luxul de fotoni prin relatia = J,~., unde ~.
este energia fotonului, rezult a din 9.10 c a num arul de fotoni ab-
sorbiti n unitatea de volum si n unitatea de timp este:

1
=
1
~.
dJ
dr
=
cJ
~.
= c
213
S a presupunem c a fiecare foton absorbit genereaz a un purt ator
liber cu probabilitatea j; aceasta nseamn a c a j
1
reprezint a rata
de generare a purt atorului. Atunci:
G
a
= j
a

1
= j
a
c (9.11)
G
j
= j
j

1
= j
j
c
unde j
a
. j
j
se numesc randamentele cuantice de fotoionizare sau
eficacit atile cuantice de ionizare.
Valorile j
a
. j
j
pot fi determinate experimental prin m asurarea
concentratiilor o:. oj. Uneori acestea sunt mai mari dect uni-
tatea: aceasta nseamn a c a efectele secundare sunt importante
prin contributia pe care o au n generarea unor noi purt atori de
sarcin a.
Deci fotocurentul se poate exprima sub forma:
,
)
= o
)
c = cj
j
_
j
j
t
j
+ /j
a
t
a
_
cc (9.12)
unde / = j
a
,j
j
.
Intensitatea cmpului electric poate fi exprimat a n functie
de timpul n care purt atorii traverseaz a proba. ntr-adev ar, dac a
presupunem c a semiconductorul are lungimea | si i se aplic a o
tensiune \ , atunci c = \,|. Introducnd vitezele de transport:

j
= j
j
c = j
j
\,|.

a
= j
a
c = j
a
\,|
si timpul de deplasare pentru electroni si goluri:
t
a
= |,
a
. t
j
= |,
j
se obtine:
c =

j
j
j
=
|
j
j
t
j
=
|
j
a
t
a
214
si n loc de 9.12:
,
)
= c
_
j
j
t
j
t
j
+ j
a
t
a
t
a
_
|c (9.13)
Considernd un semiconductor cu sectiunea o, fotocurentul
este:
1
)
= ,
)
o|
iar num arul total de fotoni absorbiti n ntregul volum este

=
c|o. Atunci curentul total se mai poate scrie:
1
)
= c

0
(9.14)
unde:

0
= j
a
t
a
t
a
+ j
j
t
j
t
j
Ecuatia 9.14 se poate exprima si n alt mod. Dac a se admite
c a j
a
= j
j
= j atunci rata total a de generare este:
G =

j (9.15)
iar fotocurentul este:
1
)
= cG
00
(9.16)
unde:

00
=
t
a
t
a
+
t
j
t
j
(9.17)
poart a denumirea de factor de amplificare.
Ecuatia 9.17 poart a denumirea de cea de-a doua relatie carac-
teristic a a efectului fotoelectric.
Cu ajutorul relatiei 9.17 se poate determina eficacitatea cuan-
tic a j care depinde de energia fotonului. n Fig. 9.2 este dat a de-
pendenta spectral a a eficacit atii cuantice n germaniu. Se poate
215
Figura 9.2: Dependenta spectral a a eficacit atii cuantice pentru ger-
maniu.
constata c a j este practic egal cu unitatea pn a la 2,7 eV pen-
tru ca apoi s a cresc a brusc cnd energia fotonului este mai mare.
Acest fenomen are urm atoarea explicatie:
Cnd cuantele au energii mici, sunt generate perechi electron-
gol dac a ~. _ 1
0
. (unde 1
0
este l argimea benzii interzise n
germaniu). Se poate ar ata c a j = 1, atta timp ct ~. _ 1
0
,
(admitnd cazul n care :

a
= :

j
). Cnd ~. 31
c
elec-
tronii si golurile cap at a suficient a energie nct s a devin a
00
parti-
cule fierbinti
00
si s a fie capabile s a realizeze ioniz ari prin impact.
Aceste efecte secundare sunt responsabile pentru aparitia unor
eficacit ati cuantice mai mari dect unitatea.
Dependenta fotocurentului de intensitatea luminoas a este o
functie de mecanismul de recombinare. Pentru a ar ata acest lucru,
vom face urm atoarele ipoteze simplificatoare.
n primul rnd, asa cum rezult a din 9.11, rata de generare G
depinde de intensitatea luminii si putem scrie G = 1J.
n al doilea rnd, termenul (: :
0
),t
a
corespunde ratei de
recombinare 1, care depinde de concentratia purt atorilor. Dac a
se consider a c a are loc un proces de recombinare intrinsec a (band a
216
- band a) se poate presupune c a 1 = :j, unde este o constant a
(denumit a si coeficient de recombinare).
Neglijnd curentul de difuzie n 9.4, ecuatia care d a variatia
n timp a concentratiei purt atorilor are forma:
do:
dt
= G
0
+ G1 (9.18)
unde prin G
0
s-a notat rata de generare termic a de echilibru. La
echilibru, o: = 0, deoarece : = :
0
. Notnd cu : = 1 G
0
, rata
net a de recombinare si observnd c a G
0
= 1
0
= :
0
j
0
, rezult a:
do:
dt
= G: (9.19)
unde:
: = (:j :
0
j
0
) (9.20)
Substituind : = :
0
+ o:. j = j
0
+ oj n 9.20 si presupunnd
c a oj = o: rezult a : = (:
0
+ j
0
+ o:)o: =o:,t, de unde:
t =
1
(:
c
+ j
c
+ o:)
(9.21)
Dou a cazuri extreme prezint a un interes deosebit:
1. Cazul n care o: (:
0
+ j
0
).
Aceast a situatie corespunde unui nivel de injectie mic, ca-
racterizat prin abateri nesemnificative ale concentratiilor purt a-
torilor de la valorile de echilibru. n aceast a categorie intr a semi-
conductorii cu 1 mic, af lati la temperaturi medii cnd :
0
. j
0
au valori mari, iar t - 1,(:
0
+ j
0
) este practic constant. n
conditiile precizate, ecuatia 9.19 devine:
do:
dt
=
o:
t
+ G (9.22)
217
si are solutia:
o: = Gt[1 exp(t,t)] (9.23)
Cnd t are valori mari se atinge regimul stationar si:
o: = o:
ct
= Gt (9.24)
Reg asim astfel ecuatia 9.9, denumit a prima ecuatie caracte-
ristic a a fotoconductibilit atii.
Dac a dup a atingerea echilibrului stationar se ntrerupe ilu-
minarea (G = 0), ecuatia 9.19 are solutia:
o: = o:
ct
exp(t,t)
Se constat a c a relaxarea fotoconductiei se face dup a o lege
exponential a cu constanta de timp t, care este timpul de relaxare
al purt atorului.
Aceste aspecte sunt ilustrate n Fig. 9.3, care arat a variatia
fotocurentului (,
)
~ o
)
~ o:) cnd semiconductorul este supus
unor pulsuri dreptunghiulare de lumin a. Fenomene similare au
loc si cnd pe semiconductor se aplic a pulsuri dreptunghiulare
de tensiune. Pe aceste considerente se bazeaz a unele metode de
m asur a a timpului de viat a al purt atorilor.
n ceea ce priveste dependenta fotoconductiei de intensitatea
luminoas a, vom observa c a 1
)
~ o
)
~ o: astfel c a din 1.20 se
obtine:
1
)
~ Gt = 1Jt (9.25)
Aceast a relatie arat a c a intensitatea curentului este proportio-
nal a cu intensitatea luminoas a. Relatia nu este satisf acut a pe
deplin n cazurile reale, fapt care se explic a si prin aceea c a mo-
delul teoretic este simplificat deoarece nu au fost luate n consi-
derare si alte mecanisme de recombinare.
218
Figura 9.3: Variatia curentului fotoelectric cnd semiconductorul este
supus unor pulsuri dreptunghiulare de lumin a.
2. n cazul cnd o: (:
0
+ j
0
) nivelul de injectie este mare.
El este ntlnit la materiale cu 1 mare, la temperaturi sc azute
cnd concentratiile :
0
. j
0
sunt mici. n acest caz, : - (o:)
2
si
ecuatia 9.19 devine:
d(o:)
dt
= G(o:)
2
(9.26)
si are solutia:
o: =
_
G,th(t
_
G) (9.27)
Constat am c a pentru un timp foarte mare (t ), o: =
o:
ct
=
_
G,.
Cnd iluminarea este ntrerupt a (G = 0). solutia ecuatiei 9.26
este:
o: =
o:
0
1 + to:
0
=
o:
ct
1 + t
_
G
(9.28)
219
deoarece:
o:
0
= o:
ct
=
_
G, (9.29)
Expresia t = 1,(o:) are dimensiunile unui timp dar nu
reprezint a un timp de viat a n sens adev arat dect n cazul unui
regim stationar cnd pentru t se obtine t
ct
= 1,
_
G.
n acest caz, se constat a c a curentul fotoelectric depinde de
puterea 1/2 a intensit atii luminoase. ntr-adev ar, din 9.24 si 9.29
rezult a:
1
)
~ o:
ct
~
_
G, ~
_
1,J
12
(9.30)
9.1.4 Aplicatii ale fotoconductibilit atii
Din multiplele aplicatii ale fotoconductibilit atii vom mentiona
numai cteva. Una dintre cele mai simple este fotorezisten ta.
Aceasta este un strat semiconductor plasat ntre doi electrozi din-
tre care unul este transparent (Fig. 9.4). Ca urmare a ilumin arii
are loc o crestere a conductibilit atii conform relatiei 9.3. Cali-
tatea unei fotorezistente este dat a de raportul ` = o,o
)
. care
arat a m asura n care conductibilitatea total a creste ca urmare a
ilumin arii. Cnd fotorezistenta este legat a n serie cu o surs a de
tensiune l. prin circuit trece un curent:
1
)
= l,1
t
(9.31)
unde 1
t
este rezistenta total a a dispozitivului supus ilumin arii.
Rezistenta 1
t
se poate pune sub forma:
1
t
= 1,/o
)
(9.32)
unde / este un factor de proportionalitate. Atunci 9.31 devine:
1
)
= /o
)
l (9.33)
220
Figura 9.4: Fotorezistent a.
Figura 9.5: Fotorezistent a de tip
00
pieptene
00
.
de unde rezult a c a fotocurentul este proportional cu tensiunea
aplicat a.
Fotorezistentele se realizeaz a din materiale de tip A
111
B
\
. cum
ar fi: InSb, PbS, PbSe, din germaniu pentru infrarosu sau din
CdS, CdSe pentru ultravioletul apropiat. De multe ori, pentru
a m ari eficacitatea dispozitivului, se depune prin evaporare un
electrod metalic sub form a de pieptene (Fig. 9.5).
Monocristale, materiale policristaline sau straturi subtiri ori
materiale amorfe sunt utilizate n diferite dispozitive fotoconduc-
toare. Sulfura de cadmiu este folosit a n contoare de radiatii X
sau datorit a variatiei sensibile la iradiere a conductibilit atii.
Vom descrie si o aplicatie a fotoconductibilit atii n tehnica
xerografiei.
221
Figura 9.6: Etape ale procedeului de xerografiere.
Un strat subtire de seleniu amorf, avnd o rezistivitate de
ntuneric de ordinul a ~ 10
18
cm este depus pe o suprafat a me-
talic a. Filmul de seleniu este nc arcat electric la suprafat a prin
aplicarea unei desc arc ari corona de nalt a tensiune, asa cum se
arat a n Fig. 9.6a. Deoarece seleniul este un semiconductor cu
rezistent a electric a mare, sarcina r amne la suprafat a. Cnd are
loc o iluminare, regiunile suprafetei iluminate se descarc a. Regiu-
nile neiluminate r amn nc arcate (Fig. 9.6b). Pe suprafat a se
mpr astie o pulbere de r asin a (pigmenti). Acestia se ataseaz a pe
regiunile cu sarcin a (Fig. 9.6c). Urm atoarea operatie const a n
atasarea pe o coal a de hrtie a pigmentilor si supunerea aces-
teia unui proces de nc alzire. Astfel apare imaginea luminoas a pe
hrtie (Fig. 9.6d).
222
9.2 Luminescenta
9.2.1 Consideratii generale
n conditii adecvate, multi izolanti sau semiconductori pot s a
emit a radiatii care s a aib a o frecvent a diferit a de cea cu care
sunt iluminate. Fenomenul se numeste luminescent a iar corpurile
luminescente
00
fosfori
00
.
Exist a diferite moduri n care poate fi indus a luminiscenta.
Fosforescen ta
Fosforescenta apare cnd solidul este iluminat de fotoni. Fo-
tonii emisi au o energie mai mic a dect a fotonilor absorbiti.
Electroluminescen ta
Electroluminescenta apare ca urmare a excit arii electronilor
din izolator prin aplicarea unor cmpuri electrice intense. Fenome-
nul a fost descoperit de Destriau (G. Destriau, Journal de Chimie
Physique, 33, 620, 1936), substantele care prezint a acest efect
fiind denumite si electroluminofori.
Catodoluminescen ta
Catodoluminescenta apare ca urmare a bombardamentului cu
electroni de nalt a energie. Ea apare n oscilografe catodice sau
n tuburi de televiziune.
Termoluminescen ta
Termoluminescenta are loc ca urmare a nc alzirii solidelor, care
se g asesc n st ari metastabile. n acest caz, electronii care se
g asesc n st ari metastabile pot s a efectueze tranzitii radiative. n
functie de m arimea saltului energetic, frecventele radiatiei emise
vor avea diferite valori. Un exemplu tipic n care acest fenomen
apare este cel al materialelor iradiate n reactoare nucleare sau
cu alte tipuri de surse. Termoluminescenta este urm arit a pentru
a obtine informatii cu privire la natura defectelor introduse prin
223
iradiere.
Triboluminescen ta
Triboluminescenta este fenomenul de luminescent a care apare
prin frecare. El este frecvent constatat la majoritatea materialelor
plastice.
Chemiluminescen ta
Chemiluminescenta este observat a n cazul unor reactii chim-
ice exoterme ca urmare a eliber arii energiei sub form a de fotoni
si nu pe cale termic a.
Cea mai important a clas a de semiconductori care prezint a fo-
toconductie sau luminescent a sunt compusii de tip A
11
B
\ 1
. n
cadrul acestui grup, compusii ZnS si CdS au fost cei mai studiati.
Pentru ca un izolant s a devin a
00
fosfor
00
el trebuie s a fie
00
activat
00
,
adic a s a contin a un num ar adecvat de impurit ati, cunoscute sub
denumirea de
00
activatori
00
. De obicei, se introduc si alte tipuri de
impurit ati, denumite
00
coactivatori
00
, pentru a compensa sarcina
activatorului.
Fie un compus, cum ar fi ZnS, activat cu cupru (ZnS:Cu).
Ionul monovalent Cu
+
intr a n reteaua cristalin a a sulfurii de zinc
substituind ionul de zinc, Zn
++
. Pentru a compensa sarcina se
adaug a un coactivator, cum ar fi un ion de Ga
3+
care va nlocui
un ion de Zn
2+
. n acest mod un ion de Cu
+
si un ion de Ga
3+
vor fi echivalenti cu doi ioni de Zn
2+
.
n Fig. 9.7 sunt prezentate nivelele energetice ale monocristalu-
lui de ZnS activat cu Cu. Se poate dovedi experimental c a spectrul
de emisie al acestui cristal iluminat, const a din dou a benzi: una
plasat a n vecin atatea lungimii de und a de 5230 (banda verde)
si alta corespunznd lungimii de und a de 4450 (banda albas-
tr a). Din figur a rezult a c a cuprul, ca impuritate, actioneaz a ca
un centru de recombinare n procesele de emisie. Conform mo-
delului elaborat de Prener si Williams, emisia verde este datorat a
224
Figura 9.7: Nivelele energetice ale monocristalului de ZnS activat cu
Cu.
capturii unui electron pe un nivel donor, urmat a de recombinarea
acestuia cu un gol (care provine din banda de valent a) pe cel de-
al doilea nivel acceptor. Modelul poart a denumirea de modelul
centrelor donor-acceptor asociati.
Dup a cum am mentionat anterior, n terminologia general a de
luminescent a trebuie s a facem o distinctie ntre f luorescent a si
fosforescent a.
Timpul de viat a al unei tranzitii atomice (spontane) este de
ordinul a 10
8
s deci electronul, dup a ce a fost excitat din starea
fundamental a ntr-o alt a stare, efectueaz a o tranzitie spontan a n
starea fundamental a. Aceasta este caracteristica fenomenului de
f luorescent a: existenta unei tranzitii unice, astfel nct fenomenul
apare instantaneu.
n cazul cnd emisia are loc dup a iluminare, adic a este im-
plicat a fosforescenta, electronul, dup a ce a fost excitat din starea
fundamental a ntr-o stare cu energie nalt a este captat de o stare
metastabil a, denumit a capcan a de electron. n aceast a stare meta-
stabil a electronul poate r amne un interval de timp t(denumit
225
timp de viat a) dat de expresia:
1
t
= : exp
_

1
/
1
1
_
(9.34)
unde : este un factor de proportionalitate constant, iar 1 inter-
valul energetic dintre starea metastabil a si urm atoarea stare cu
energie superioar a.
S a consider am un fosfor n care exist a mai multe nivele metasta-
bile 1
1,
1
2
. ...1
a
, fiecare dintre acestea avnd initial o concen-
tratie de electroni captati :
t1
. :
t2
. ...:
ta
. Dac a se presupune c a
electronii eliberati din aceste capcane particip a la fenomenul de
luminescent a, intensitatea luminescentei la momentul t este dat a
de relatia:
1 (t) =

C
_
:
ti
t
i
_
exp
_
t
t
i
_
(9.35)
Este posibil s a se determine experimental energiile st arilor
metastabile 1
i
, precum si timpii de viat a corespunz atori t
i
dac a
se aplic a procedeul denumit termoluminescent a.
Substanta luminiscent a (fosforul) se nc alzeste si se nregistrea-
z a intensitatea luminii emise n functie de temperatur a. Tempe-
raturile la care apar maxime n dependenta 1(1) ofer a posibili-
tatea de a determina valorile energiilor nivelelor de captur a (cap-
canelor). Un exemplu de acest tip este ilustrat n Fig. 9.8.
9.2.2 Aplicatii
Cele mai frecvente aplicatii ale luminescentei sunt la ecranele
tuburilor catodice sau de televiziune.
Fenomenul de luminiscent a are aplicatii si n realizarea unor
contori de scintilatie. O particul a nuclear a genereaz a un puls
226
Figura 9.8: Aplicarea fenomenului de termoluminescent a pentru a de-
termina energia nivelelor de captur a.
de lumin a ntr-un cristal f luorescent. Cristale de KI se folosesc
pentru nregistrarea particulelor gama.
Au fost realizate att celule (condensatoare) electrolumines-
cente, ct si diode luminiscente cu injectie.
Celulele electroluminescente au o inertie mic a, un monocro-
matism nalt dar prezint a o intensitate luminoas a mai mic a, com-
parativ cu sursele incandescente. Structura cea mai simpl a a unei
astfel de celule este similar a cu cea a fotorezistentei: strat electro-
luminiscent plasat ntre doi electrozi dintre care unul este trans-
parent. Ele pot fi obtinute astfel nct s a aib a dimensiuni mari
(sub form a de panouri). Pentru realizarea lor se folosesc compusi
de tip A
11
B
\ 1
, ca de exemplu ZnS activati cu Mn, Al, Cu, Ag,
fapt care le confer a, n functie de activator, o emisie cuprins a ntre
4000-6000 .
Diodele luminiscente sau LED-urile (Light Emitting Diodes)
sunt realizate din jonctiuni p - n sau din contacte metal - semicon-
ductor si au proprietatea de a emite radiatii electromagnetice n
227
domeniul vizibil sau infrarosu cnd li se aplic a o tensiune electric a.
Principiul de functionare al acestora se bazeaz a pe electroluminis-
cent a: are loc o injectie a purt atorilor de neechilibru, urmat a
de o recombinare radiant a. Intensitatea emisiei (determinat a de
num arul de fotoni emisi si implicit de num arul de purt atori care
str abat jonctiunea) variaz a dup a o lege de forma:
1 ~ exp(c\,/
1
1)
unde \ este tensiunea aplicat a (1-3 V).
Domeniul spectral de emisie depinde de caracteristicile semi-
conductorilor (cum ar fi 1) precum si de natura impurit atilor.
S-au realizat LED-uri n rosu din GaP:O si GaAs
1a
P
a
, n
verde din GaP dopat cu N, n albastru din GaN, n infrarosu
apropiat (0,6-10 jm) din compusi de tip A
111
B
\
, cum ar fi InP.
InSb. GaAs si n infrarosu ndep artat (10-40 jm) din compusi
ternari ca PbSnTe. PbSnSe. etc.
LED-urile sunt folosite ca elemente de semnalizare n automa-
tizare, protectie, ca elemente de afisare numeric a sau alfanumer-
ic a.
9.3 Efectul Dember
Efectul Dember const a n generarea unui cmp electric n in-
teriorul unui semiconductor omogen, care este supus actiunii unei
radiatii electromagnetice. El se mai numeste si efect fotoelectric
intern.
Fie un semiconductor omogen; dac a suprafata semiconduc-
torului este iluminat a, se formeaz a n num ar egal perechi electron-
gol. Concentratia acestora este foarte mare n vecin atatea suprafe-
tei si descreste n interiorul semiconductorului. Datorit a exis-
228
tentei unui gradient de concentratie, purt atorii de sarcin a mi-
greaz a n interiorul semiconductorului. n majoritatea cazurilor,
electronii au o mobilitate mai mare dect golurile si, ca urmare a
acestui fapt, suprafata semiconductorului care nu este iluminat a,
se ncarc a negativ, n timp ce suprafata iluminat a se ncarc a po-
zitiv. Apare n consecint a un cmp electric, care d a nastere unei
forte electromotoare \
1
ce poart a denumirea de tensiune Dember.
Fenomenul poate fi explicat dac a se iau n consideratie relatiile
generale care dau densit atile de curent ale electronilor, respectiv
golurilor. Pentru a simplifica demonstratia, f ar a a-i restrnge
prin aceasta generalitatea, vom admite c a Ox este directia de
deplasare. Atunci, densit atile de curent pentru electroni si goluri
sunt date de:
,
a
= c:j
a
c
a
+ c1
a
J:
Jr
(9.36)
,
j
= cjj
j
c
a
c1
j
Jj
Jr
(9.37)
n aceste expresii c
a
este cmpul intern generat de distributia
neomogen a de sarcin a.
Introducnd n 9.36 si 9.37 relatiile lui Einstein:
1
a
= cj
a
,/
1
1 (9.38)
1
j
= cj
j
,/
1
1
densitatea total a de curent este dat a de relatia:
, = ,
a
+ ,
j
= c
_
:j
a
+ jj
j
_
c
a
+
c
2
/
1
1
_
j
a
J:
Jr
j
j
Jj
Jr
_
(9.39)
n cazul unui semiconductor izolat , = 0, iar din 9.39 se obtine
cmpul Dember:
229
c
a
=
/
1
1
c
_
j
j
(Jj,Jr) j
a
(J:,Jr)

:j
a
+ jj
j
(9.40)
Pentru a obtine tensiunea Dember vom presupune c a:
d:
dr
=
d(:)
dr
(9.41)
O relatie similar a este valabil a si pentru goluri. Se poate pre-
supune, de asemenea, c a concentratiile n exces sunt egale, adic a
j = :. Deci, tensiunea Dember este dat a de expresia:
\
1
=
/
1
1
c
_
a
2
a
1
_
j
j
j
a
_
:j
a
+ jj
j
d (:)
dr
dr (9.42)
unde r
1
si r
2
sunt coordonatele marginilor semiconductorului.
\
1
se mai poate exprima si altfel. Dup a cum se stie, conduc-
tivitatea unui semiconductor este dat a de:
o = c(:j
a
+ jj
j
)
iar variatia ei datorit a difuziei sarcinilor este:
o = c(j
a
+ j
j
): (9.43)
Dac a se admite c a:
d(:)
dr
=
1
c(j
a
+ j
j
)
d(o)
dr
(9.44)
se obtine n loc de 9.40:
c
a
=
_
/
1
1
c
__
j
j
j
a
j
j
+ j
a
__
1
o
_
do
dr
(9.45)
230
Integrnd aceast a ecuatie rezult a:
\
1
=
_
/
1
1
c
__
j
j
j
a
j
j
+ j
a
__
o
2
o
1
do
o
(9.46)
unde o
1
, respectiv o
2
sunt conductivit atile celor dou a margini ale
semiconductorului.
Tensiunea Dember este:
\
1
=
_
/
1
1
c
__
j
j
j
a
j
j
+ j
a
_
ln
o
2
o
1
(9.47)
Relatia obtinut a indic a faptul c a efectul Dember depinde de
diferenta dintre mobilit atile electronului si golului. Cum aceste
diferente sunt n general destul de mici, tensiunea Dember nu are
valori suficient de mari nct s a fie interesant a din punct de vedere
aplicativ.
9.4 Efectul fotovoltaic
Cnd o jonctiune j : este iluminat a, perechile electron-gol
generate prin absorbtia luminii sunt separate de natura unidi-
rectional a a sarcinii spatiale si obligate s a circule n circuitul ex-
tern. Acest lucru conduce la aparitia unei tensiuni electromo-
toare, efectul produs purtnd denumirea de efect fotovoltaic. Pe
acest efect se bazeaz a functionarea unor dispozitive fotoelectrice,
care transform a energia luminoas a n energie electric a. n aceast a
categorie intr a fotocelulele (fotoelementele sau dispozitivele foto-
voltaice) si fotodiodele. Deosebirea dintre acestea const a n faptul
c a pentru primele nu se foloseste tensiune extern a n timp ce pen-
tru celelalte tensiunea extern a este necesar a
231
Figura 9.9: Efectul fotovoltaic.
9.4.1 Consideratii teoretice. Fotocelule
Fie o jonctiune semiconductoare p - n. Pentru a observa un
efect fotovoltaic, jonctiunea trebuie iluminat a fie perpendicular,
fie paralel cu jonctiunea.
S a presupunem c a jonctiunea este iluminat a prin regiunea p,
asa cum este indicat n Fig. 9.9a. Este bine cunoscut faptul
c a, datorit a cmpului de contact, apare o ncovoiere a benzilor
energetice n regiunile : si j: acest lucru este indicat n Fig. 9.9b.
Ca urmare a ilumin arii se creeaz a perechi electron-gol n vecin a-
tatea suprafetei si concentratia lor descreste cu distanta. Dac a
distanta d de la punctul n care are loc generarea de perechi si
jonctiune este mai mic a dect lungimile de difuzie 1
a
si 1
j
pentru
electroni, respectiv pentru goluri, purt atorii ajung la jonctiune si
232
sunt separati de cmpul de contact. Electronii ajung n regiunea :
iar golurile se acumuleaz a n regiunea j. Datorit a sarcinii spatiale,
potentialul barierei de contact se micsoreaz a (Fig. 9.9c) si apare
un curent generat de lumin a 1
1
= J
1
(unde este aria celulei),
care se deplaseaz a n sens opus curentului generat de tensiunea
direct a a diodei.
Dac a d 1
a
si d 1
j
purt atorii nu ajung la jonctiune si nu
apare efect fotovoltaic. Rezult a c a, pentru ca acest efect s a apar a,
este necesar s a se utilizeze semiconductori n care 1
a
respectiv
1
j
s a fie destul de mari. De asemenea, jonctiunea trebuie s a
fie pozitionat a n vecin atatea suprafetei iluminate si s a aib a o
suprafat a destul de mare pentru a putea colecta un f lux apreciabil
de fotoni.
n absenta ilumin arii, reprezentarea 1 = 1(\ ) este asimetric a
si tipic a pentru o jonctiune redresoare. Densitatea de curent co-
respunz atoare tensiunii directe este dat a de expresia:
J = J
0
_
exp
_
c\
/
1
1
_
1
_
(9.48)
unde J
0
este densitatea curentului de saturatie, adic a J
0
= J
0a
+
J
0j
, iar J
0a
. J
0j
sunt densit atile de curent de saturatie corespun-
z atoare electronilor, respectiv golurilor.
Deoarece n prezenta ilumin arii dependenta curent-tensiune
1 = 1(\ ) este deplasat a asa cum este indicat n Fig. 9.10, curentul
este dat de diferenta:
1 = 1
0
_
exp
_
c\
1
/
1
1
_
1
_
1
1
(9.49)
Cnd se lucreaz a n circuit deschis (1 = 0. 1 = ) cei doi
233
Figura 9.10: Caracteristica 1(\ ) a unei jonctiuni neiluminate(a), re-
spectiv iluminate(b).
curenti de sens contrar sunt egali; atunci:
1
0
_
exp
_
c\
1
/
1
1
_
1
_
= 1
1
(9.50)
si tensiunea n circuit deschis \
1
este:
\
1
=
/
1
1
c
ln
_
1
1
1
0
+ 1
_
(9.51)
Cnd celula fotovoltaic a este scurtcircuitat a (1 = 0. \ = 0):
1 = 1
1
= 1
cc
unde 1
cc
este curentul care trece prin semiconductor.
Cnd rezistenta de sarcin a este diferit a de zero, 1 ,= 0 si ten-
siunea fotovoltaic a este mai mic a dect valoarea maxim a \
1
si
234
dat a de expresia:
\ =
/
1
1
c
ln
_
1
1
1
1
0
+ 1
_
(9.52)
Curentul 1
1
este similar curentului de saturatie 1
c
dintr-o jon-
ctiune obisnuit a si se poate evalua astfel:
1
1
= 1
cc
= c(1
a
+ 1
j
)G (9.53)
unde prin G s-a notat rata de generare adic a num arul de purt atori
generati n unitatea de volum si n unitatea de timp.
Puterea maxim a dat a de celula fotovoltaic a este:
1
n
= 1
n
\
n
(9.54)
Se constat a c a aceasta este proportional a cu aria dreptunghiu-
lar a indicat a n Fig. 9.10. Pentru a evalua aceast a m arime vom
mentiona c a:
1 = J\ = J
0
[exp(c\,/
1
1) 1] J
1
\ (9.55)
unde prin s-a notat suprafata jonctiunii.
Puterea maxim a se obtine cnd:
J1
J\

\m
= 0
si rezult a:
exp(c\
n
,/
1
1)(1 + c\
n
,/
1
1) = 1 + 1
1
,1
0
(9.56)
Atunci curentul corespunz ator se obtine considernd relatiile
9.49 si 9.56 si este dat de expresia:
1
n
=
c\
n
,/
1
1
1 + c\
n
,/
1
1
1
c
_
1 +
1
1
1
0
_
(9.57)
235
Punctul de functionare a fotocelulei cnd puterea debitat a are
valoarea maxim a este determinat de intersectia dreptei \ = 11
cu caracteristica 1 = 1(\ ) si are coordonatele 1
n
. \
n
.
Se defineste eficienta conversiei fotovoltaice j ca f iind raportul
dintre puterea maxim a 1
n
si puterea incident a 1
i
:
j =
1
n
1
i
=
1
n
\
n
1
i
(9.58)
Exist a mai multe modalit ati de a discuta aceast a relatie. Ast-
fel, 9.58 se mai poate scrie si sub forma:
j =< 11
\
1
1
cc
1
i
(9.59)
unde < 11 este factorul de umplere (Fill Factor), care repre-
zint a raportul dintre ariile dreptunghiurilor corespunz atoare pu-
terii reale si puterii ideale. La fotocelulele uzuale, cum ar fi cele
realizate din Si sau CdS, < 11 are valori de 0,65, repectiv de
0,85.
Un alt mod de exprimare a factorului j este urm atorul:
j -
\
1
`
)
(1)
:
)

(9.60)
n acest caz s-a considerat c a \
n
= \
1
si c a curentul 1
cc
este
proportional cu num arul de fotoni `
)
care au energia mai mare
dect 1. Puterea de intrare s-a estimat a fi egal a cu num arul
de fotoni :
)
care au energia medie .
Dac a se reprezint a grafic eficienta j n functie de l argimea
benzii interzise 1 se constat a c a aceasta prezint a un maxim
pentru 1 - 1. 4 eV. Aceast a valoare este apropiat a de cea cores-
punz atoare unor semiconductori uzuali.
236
Exist a mai multi factori care mpiedic a obtinerea unei eficiente
maxime teoretice. Dintre acestia mention am
- absorbtia incomplet a;
- pierderi prin ref lexie pe suprafat a;
- utilizarea numai a unei p arti din energia fotonilor pentru a
crea perechile electron-gol;
- colectarea imperfect a a perechilor electron-gol;
- conditii atmosferice nefavorabile.
Celulele fotovoltaice au o configuratie asem an atoare cu a fo-
torezistentelor. Mention am c a contactul metalic de pe fata ilu-
minat a se realizeaz a sub form a de
00
pieptene
00
(Fig. 9.9) pentru
a asigura o ct mai bun a colectare a purt atorilor generati prin
iluminare.
Au fost realizate fotocelule din monocristale de siliciu n care
densitatea de curent ,
cc
- 40 mA/cm
2
are o valoare apropiat a
de valoarea maxim posibil a din cazul ideal. Aceste fotocelule pre-
zint a interes datorit a faptului c a siliciul este un material r aspndit
n natur a, iar tehnologia cresterii monocristalelor este bine pus a
la punct.
S-au realizat, de asemenea, fotocelule din heterojonctiuni, cum
ar fi CdSCu
2
S , care sunt relativ usor de obtinut dar prezint a o
eficient a mai slab a, precumsi heterojonctiuni din GaAsAlGaAs,
care se obtin printr-o tehnologie mai complicat a dar au o eficient a
foarte mare.
Conversia fotovoltaic a a energiei solare s-a dovedit a fi avan-
tajoas a n regiunile care sunt nsorite cel putin 1500 de ore pe
an.
Efectul fotovoltaic are aplicatii si n conversia energiei nucleare
n energie electric a. S-au realizat elemente fotovoltaice din Si im-
purificat cu Sr
60
radioactiv, care emite radiatii , de 1,6 MeV cu o
perioad a de dezintegrare de 20 de ani sau jonctiuni acoperite cu un
237
Figura 9.11: Fotodioda.
element ,activ. Aceste elemente furnizeaz a tensiune o perioad a
de timp relativ lung a, care depinde de timpul de njum at atire
a izotopului folosit. Utilizarea lor este limitat a de deteriorarea
structurii retelei datorit a defectelor induse prin iradiere. Aceste
fotoelemente pot fi folosite ca stimulatori cardiaci sau n alte scop-
uri medicale.
O alt a aplicatie a fotocelulelor este n detectia radiatiilor nu-
cleare, cum ar fi radiatiile c. ,. sau a neutronilor termici.
9.4.2 Fotodiode
Fotodiodele fac parte din categoria fotoreceptoarelor; ele trans-
form a semnalele optice n semnale electrice.
Pentru a functiona ca fotodiod a o jonctiune j: este alimen-
tat a invers cu o tensiune de polarizare \
o
. n absenta ilumin arii
tensiunea cade pe jonctiune si prin aceasta trece un curent mic
(curentul de saturatie 1
cc
), denumit si curent de ntuneric. Cnd
jonctiunea este iluminat a, curentul prin jonctiune creste aprecia-
bil. El este dat de expresia:
1 = 1
)
1
0
_
exp
_
c\
o
/
1
1
_
1
_
(9.61)
238
Figura 9.12: Caracteristicile 1(\ ) ale unei fotodiode n prezenta ilu-
min arii cu diferite f luxuri
i
.
unde 1
)
este curentul care apare datorit a ilumin arii. n conditiile
ilumin arii aproape ntreaga tensiune cade pe rezistenta de sarcin a
1
c
(Fig. 9.11).
n Fig. 9.12 sunt prezentate caracteristicile inverse 1 = 1(\ )
obtinute pentru diferite f luxuri luminoase
i
. Cnd curentul in-
vers creste, punctul de functionare al diodei se deplaseaz a din
0
n lungul dreptei de sarcin a \
o
+ \ + 11
c
= 0. Ca urmare a ilu-
min arii, tensiunea variaz a sensibil, semnalul electric depinznd si
de polarizarea \
o
.
Pe aceast a proprietate se bazeaz a utilizarea fotodiodelor pen-
tru nregistrarea semnalelor luminoase; ele pot fi folosite ca fo-
toamplificatoare, fotorelee, sisteme de semnalizare etc.
Spre deosebire de celulele solare, fotodiodele au o arie mic a de
colectare (de ordinul ctorva mm
2
). Din aceste motive fotojoncti-
unile se introduc n capsule prev azute cu lentile pentru a focaliza
lumina incident a.
Capitolul 10
Laseri cu semiconductori
Primul laser cu semiconductor a fost realizat n 1962; el const a
dintr-o jonctiune p-n a arsenurei de galiu. Dup a aceea s-au des-
f asurat studii ample cu privire la principiile de functionare si s-au
corelat datele teoretice cu cele experimentale. Datorit a inovati-
ilor tehnologice a fost posibil a realizarea multor dispozitive care
au fost folosite ca laseri att n domeniul vizibil ct si n infrarosu.
10.1 Principii generale de functionare
a laserilor
Dispozitivele care se bazeaz a pe emisia stimulat a comport a
anumite elemente caracteristice.
Mai nti, pentru a obtine amplif icarea radiatiei electromag-
netice (cstigul optic
1
) trebuie s a existe cel putin o pereche de
nivele energetice (1
1
1
2
) cu populatiile `
1
. `
2
, distantate n
asa fel nct energia fotonului ~. = 1
2
1
1
s a corespund a unei
1
n literatura engelz a se foloseste termenul de optical gain.
239
240
tranzitii puternic radiative ( adic a s a f ie disponibil a eliberarea de
energie prin emisia unui foton). Cnd populatia nivelului 1
2
este
mai mare dect populatia nivelului 1
1
. adic a `
2
`
1
, se creaz a
o stare de neechilibru denumit a inversie de popula tie.
Practic se impune s a existe alte procedee de a excita electronii
n st ari cu energii superioare, care s a difere de cele care au loc
ntr-o absorbtie stimulat a. Acesta este motivul pentru care toate
dispozitivele care se bazeaz a pe emisie stimulat a folosesc nivele en-
ergetice aditionale, cum ar f i cele cu trei sau patru nivele frecvent
utilizate n dispozitivele de tip maser sau laser.
n al doilea rnd, dispozitivul trebuie s a lucreze ca un oscilator.
ntr-adev ar, un amplif icator real de energie trebuie s a f ie capabil
s a oscileze deoarece, dac a puterea de intrare o dep aseste pe cea de
iesire, o parte din aceasta poate f i utilizat a ca putere de intrare
prin alimentare invers a (feed back). Un astfel de oscilator are
nevoie de o cavitate rezonant a cu pierderi mici pentru tranzitia
.
21
= (1
2
1
1
),~.
Radiatia necesar a pentru a initia oscilatiile exist a ntotdeauna
sub form a de energie termic a. Oscilatiile sunt ntretinute numai
n cazul n care `
2
`
1
este suf icient de mare nct s a poat a f
i dep asite pierderile de energie din cavitate. Cnd cavitatea este
corect acordat a oscilatiile se formeaz a rapid, dar pot s a descreasc a
tot rapid n amplitudine deoarece `
2
`
1
descreste cnd sistemul
nu mai satisface conditia de oscilatie.
Factorul de calitate Q al unei astfel de cavit ati se def ineste ca
f iind raportul dintre energia nmagazinat a n cavitate si energia
pierdut a 1
oic
ca urmare a oscitatiei (pe radian)
Q = 1.
c
,1
oic
(10.1)
Conditia de aparitie a oscilatiei implic a valori mari ale lui Q,
ceea ce nseamn a pierderi electrice mici.
241
10.2 Principii generale ale laserilor cu
semiconductori
Este o caracteristic a a laserilor cu semiconductori faptul c a
nivelele energetice care sunt implicate n tranzitiile stimultate se
g asesc f ie n banda de conductie, f ie n banda de valent a a semi-
conductorului. Aceasta nseamn a c a, n acest caz, nu avem de-a
face cu nivele izolate ca n cazul celorlalte dispozitive de emisie
stimulat a.
10.2.1 Semiconductori cu banda interzis a di-
rect a sau indirect a
Emisia stimulat a a fost observat a numai n semiconductori cu
band a interzis a direct a. n acesti semiconductori att emisia ct
si absorbtia fotonilor are loc f ar a ca s a f ie necesar a existenta
unei cuasiparticule (fononul) pentru a stisface legea de consevare
a impulsului.
Dup a cum se stie, n arsenura de galiu cel mai mic interval
energetic interzis corespunde pentru

/ = [000] si acest fapt ex-
plic a de ce acest cristal s-a dovedit cel mai indicat n realizarea
dispozitivelor de tip laser.
n majoritatea semiconductorilor, minimul benzii de conductie
si maximul benzii de valent a nu corespund aceleiasi valori a lui

/ . n astfel de cazuri cele mai mici probabilit ati de tranzitie

band a-band a sunt cu mult mai mici dect la semiconductorii cu o
l argime a benzii interzise directe. Acesta este motivul pentru care
aparitia emisiei stimulate n semiconductori cu interval energetic
interzis indirect este mai putin probabil a .
Experimental s-a ar atat c a prin mixarea diferitilor compusi
semiconductori, se poate realiza o structur a de band a care s a prez-
242
inte o variatie continu a. De exemplu, n GaAs
1a
P
a
modif icarea
de la un semiconductor cu band a interzisa direct a la un semicon-
ductor cu band a interzis a indirect a, are loc cnd r = 0. 45 , iar
1 = 1. 96 eV ; n compusul Al
a
Ga
1a
As aceast a modif icare se
produce cnd r = 0. 34 iar 1 = 1. 92 eV.
Banda interzis a direct a se poate obtine cu ajutorul unei relatii
empirice
1
o
(r) =
1
o
(GaAs) + 1r + 0. 3r
2

1
2
[1
o
(GaAs) + 1
o
(AlAs)]
12
unde 1
o
(GaAs) = 1. 395 eV si 1
o
(AlAs) = 2. 86 eV.
Astfel, exist a posibilitatea de a obtine experimental semicon-
ductori avnd largimea dorit a a benzii interzise.
10.2.2 Inversia de populatie
Pentru a determina probabilit atile de emisie sau de absorbtie
este necesar s a se cunoasc a densitatea de st ari n banda de con-
ductie si n banda de valent a precum si probabilitatea ca o stare
s a f ie ocupat a de un electron sau de un gol.
ntr-un semiconductor, probabilitatea ca o stare cu energia 1
s a f ie ocupat a de un electron este dat a de functia de distributie
Fermi-Dirac. Cnd n semiconductor sunt injectati purt atori mi-
noritari (de exemplu, electroni, ntr-un semiconductor de tip p),
conditia de echilibru termodinamic nu mai este respectat a. To-
tusi, se poate presupune c a se realizeaz a n mod independent, o
distributie stationar a de purt atori n benzile de conductie si de va-
lent a n asa fel nct probabilit atile ca electronul s a ocupe un nivel
energetic 1 n banda de valent a, respectiv n banda de conductie
sunt date de
243
,
c
=
1
1 + exp (1 1
1a
) ,/
1
1
(10.2)
,

=
1
1 + exp (1 1
1
) ,/
1
1
(10.3)
unde 1
1a
si 1
1
sunt cuasinivelele Fermi pentru electroni, respec-
tiv goluri.
Densit atile de st ari pentru electronii din banda de conductie,
respectiv pentru golurile din banda de valent a sunt:

a
(1) d1 =
4:
/
3
(2:
a
)
3
2
(1 1
c
)
1
2
d1 (10.4)

j
(1) d1 =
4:
/
3
(2:
j
)
3
2
(1
\
1)
1
2
d1 (10.5)
Amplif icare optic a e posibil a numai cnd s-a realizat inversia
de populatie. Aceasta nseamn a c a probabilitatea de absorbtie a
unui foton cu energia /i trebuie s a f ie mai mic a dect probabil-
itatea de emisie a unui foton cu aceiasi energie.
Bernard si Duraourg au ar atat c a pentru a obtine o amplif
icare net a cnd este implicat un un foton cu energia /i este nece-
sar ca
1
1a
1
1
/i (10.6)
Aceast a relatie arat a c a semiconductorul trebuie s a f ie degen-
erat. Criteriul se aplic a att probelor omogene ct si jonctiunilor
p-n.
Pentru a obtine laseri cu materiale degenerate de tip p este
necesar s a se injecteze o suf icient a densitate de electroni ast-
fel nct s a se ocupe st arile din banda de conductie pn a cnd
cuasinivelul Fermi 1
1a
s a se ridice iar cuasinivelul 1
1
s a coboare
244
Figura 10.1: Bezile de energie ale materialelor pentru laseri.
suf icient nct conditia 10.6 s a f ie satisf acut a. n asemenea
conditii benzile energetice se prezint a asa cum indic a Fig. 10.1.
n banda de conductie st arile sunt ocupate pn a la nivelul 1
1a
iar
n banda de valent a st arile cu energia mai mare dect 1
1
sunt
libere.
Se poate constata usor c a un foton cu energia ~. < 1
1a
1
1
nu poate f i absorbit, deoarece nu exist a stari libere n banda de
conductie (toate starile sunt ocupate pn a la nivelul 1
1a
). Un
astfel de foton poate s a participe la emisia stimulat a, asa cum
rezult a din relatia 10.6.
Fie o jonctiune p-n format a din doi semiconductori degenerati
pe care a fost aplicat a o tensiune direct a suf icient de mare. Alura
benzilor energetice este ilustrat a n Fig.10.2. Se constat a c a o
densitate mare de electroni a fost injectat a n regiunea p, injectia
de goluri din regiunea n f iind neglijabil a. Cuasinivelele Fermi sunt
date n Fig.10.2 de 1
1a
si 1
1
. La temperatura de zero absolut,
st arile din banda de conductie sunt ocupate pn a la nivelul 1
1a
n timp ce st arile din banda de valent a sunt goale pn a la nivelul
1
1
. Evident, exist a o stare de inversie total a de populatie n
245
Figura 10.2: Benzi de energie pentru o jonctiune p-n format a din doi
semiconductori degenerati pe care a fost aplicat a o tensiune foarte
mare.
regiunea m arginit a de 1 si 2 (care se extinde pe o distant a d de
ordinul a ctorva micrometri), Att populatiile electronilor ct
si golurilor sunt puternic degenerate n regiunea activ a d cnd
conditia 10.6 este satisf acut a.
Rata total a de recombinare radiativ a depinde att de existenta
(availability) electronilor din banda de conductie ct si a golurilor
din banda de valent a. Cum rezult a n mod evident din Fig.10.2
recombinarea radiativ a va f i mult mai intens a n regiunea din
vecin atatea jonctiunii.
10.2.3 Evaluarea ratei de tranzitie
Un factor care inf luenteaz a ratele de tranzitie este gradul
de ocupare al nivelelor electronice implicate (vezi 10.2 si 10.3).
Tranzitiile nu pot f i initiate de pe nivele libere si nu se pot f
inaliza pe nivele ocupate. Probabilitatea ca un anumit tip de
tranzitie s a aib a loc este deci proportional a cu fractiunea de nivele
246
initiale care sunt ocupate si cea de nivele f inale, care trebuie s a
f ie libere.
Cel de-al doilea factor important este densitatea fotonilor in-
cidenti. Putem clasif ica fotonii n dou a moduri. ntr-un caz,
putem admite c a exist a fotoni spectral puri, care ar corespunde
unui singur mod al rezonatorului. n cel de-al doilea caz, putem
considera fotoni care se deplaseaz a n mai multe directii cu energii
distribuite ntr- o band a spectral a.
n primul caz, rata de emisie pe tranzitie a fotonului este pro-
portional a cu densitatea fotonilor corespunz atori unui singur mod
si va f i notat a cu . n cel de-al doilea caz, rata de emisie este pro-
portional a cu densitatea de fotoni incidenti, pe unitatea l argimii
de band a, si va f i notat a cu 1(/i).
Cel de-al treilea factor important este densitatea de tranzitii
optice posibile, pe unitatea de interval energetic a l argimii benzii
optice. Aceasta va f i notat a cu j
vco
(/i). Densitatea redus a
de st ari j
vco
este determinat a de regulile de selectie pentru

/ si
de aceea este necesar s a determin am care nivele din banda de
conductie interactioneaz a cu cele din banda de valent a. j
vco
va f
i exprimat sub forma
j
vco
=
o`
2
(o1
c
+ o1

) (10.7)
unde o`,2 este diferentiala num arului de st ari energetice avnd
unul sau ambele orient ari ale spinului si o1
c
, respectiv o1

vari-
atiile corespunz atoare ale energiei n banda de valent a, respectiv
n cea de conductie. Atunci:
j
vco
(/) =
1
2
_
1

a
+
1

j
_
1
(10.8)
unde
a
si
j
sunt densit atile de st ari din banda de conductie,
247
respectiv de valent a, date de relatiile 10.4 si 10.5.
Cel de-al patrulea factor care determin a ratele de tranzitie
este determinat de coef icientii de probabilitate (coef icientii lui
Einstein), 1
12
pentru tranzitia de absorbtie, 1
21
pentru tranz-
itia stimulat a (emisia stimulat a) si
21
pentru tranzitia spontan a
(emisia spontan a).
S a consider am cazul n care fotonii incidenti au o distributie
spectral a continu a.
Rata tranzitiilor de absorbtie :
12
, pe unitatea de volum si pe
unitatea l argimii de band a este dat a de
:
12
= 1
12
,

(1 ,
c
) 1 (/i) j
vco
(/i) (10.9)
Rata tranzitiilor stimulate :
21
, pe unitatea de volum si pe
unitatea l argimii de band a este
:
21
= 1
21
,
c
(1 ,

) j
vco
(/i) 1 (/i) (10.10)
iar rata emisiei spontane :
21
(:jo:) pe unitatea de volum si pe
unitatea l argimii de band a
:
21
(:jo:) =
21
,
c
(1 ,

) j
vco
(/i) (10.11)
La echilibru, ratele tranzitiilor care se efectueaza n sus si n
jos trebuie s a f ie egale. Substituind ,
c
si ,

din 10.2 si 10.3 si ad-

mitnd c a valorile energiilor Fermi sunt egale se obtine urm atorul
rezultat pentru spectrul de radiatie
1 (/i) =

21
1
12
exp (1
c
1

) ,/
1
1 1
21
(10.12)
248
10.2.4 Rata total a de emisie stimulat a
Pn a acum au fost considerate tranzitiile care au loc ntre
anumite st ari care exist a n banda de conductie si anumite st ari
din banda de valent a care sunt distantate n mod convenabil nct
s a poat a da nastere unui foton cu o anumit a energie /i .
Putem preciza o tranzitie particular a dac a evalu am energia
st arii din banda de conductie 1
c
si energia fotonului /i care core-
spunde tranzitiei. Deci, putem scrie coef icientii care intervin n
:
21
si :
12
sub forma
:
21
= 1
21
(1
c
. /i)
a
(1
c
) (10.13)
:
12
= 1
12
(1

. /i)
j
(1

) (10.14)
unde
1

= 1
c
/i
Admitnd c a emisia spontan a poate f i neglijat a, rata net a
a emisiei stimulate poate f i obtinut a prin integrare pe banda
de conductie a diferentei dintre rata tranzitiilor stimulate si a
tranzitiilor corespunz atoare absorbtiei (evaluate n unitatea de
timp si pe unitatea l argimii de band a); se obtine
1 =
_
[1(/i)1
21
(1
c
. /i)
a
(1
c
)
j
(1
c
/i)(,
c
,

)
_
1 +

j

a
_
1
d1
(10.15)
Rezult a c a 1(/i) 0. adic a exist a o emisie stimulat a net a
cnd
,
c
,

249
Considernd Ec.10.2 si 10.3 si introducnd 1

= 1
c
/i
obtinem c a conditia ca ,
c
s a f ie mai mare dect ,

este
exp
_
1
c
/i 1
1
/
1
1
_
exp
_
1
c
1
1a
/
1
1
_
sau mai simplu
1
1a
1
1
/i
Aceast a conditie a fost mentionat a de Bernard si Duraour; ea
stabileste c a o emisie stimulat a net a apare pentru toate tranzitiile
pentru care energia fotonului /i este mai mic a dect distanta
energetic a ntre cuasinivelele Fermi. Dac a materialul are o band a
interzis a precizat a 1
0
atunci 1
1a
1
1
trebuie s a f ie mai mare
dect 1
0
nainte de a avea loc emisia stimulat a.
10.2.5 Conditiile de oscilatie
Cea de-a doua conditie a laserilor se refer a la conditiile de
oscilatie. Pentru a obtine oscilatii ntretinute, adic a conditiile de
lucru ale laserilor, este necesar s a f ie satisf acute urm atoarele dou a
cerinte:
n primul rnd trebuie s a existe o structur a rezonant a astfel
nct radiatia electromagnetic a eliberat a prin recombin ari s a par-
curg a mai multe trasee, pentru a putea f ii ulterior amplif icat a
n mediul activ nainte de a-l p ar asi. Cea mai simpl a structur a
rezonant a const a din dou a suprafete ref lect atoare, perpendicu-
lare pe planul jonctiunii (Fig. 10.3). O astfel de configuratie este
cunoscut a sub denumirea de interferometru Fabri-Perot. Inter-
fata semiconductor-aer joac a rolul unei suprafete ref lect atoare
dac a indicele de refractie al semiconductorului este suf icient de
mare, cum este cazul cristalului de GaAs. Deoarece regiunea care
250
Figura 10.3: Stuctur a rezonant a format a din dou a suprafete reect a-
toare pependiculare pe planul jonctiunii.
corespunde unui randament optic important este n vecin atatea
jonctiunii, radiatia laser se propag a n planul jonctiunii.
Notnd cu 1 lungimea cavit atii rezonante, modurile de os-
cilatie sunt determinate de relatia
:` = 2:
n
1 (10.16)
unde : este un num ar ntreg iar :
n
este indicele de refractie
corespunz ator lungimii de und a `
n
.
Cea de-a doua conditie impune o valoare pozitiv a pentru con-
stanta amplif ic arii totale pe ntregul traseu prin mediul activ.
n interiorul mediului activ intensitatea radiatiei electroma-
gentice creste cu factorul exp(q c)., unde q este factorul de
amplif icare sau cstigul optic c coef icientul de absorbtie (care
indic a pierderile optice) si care ia n considerare absorbtia purt a-
torilor si absorbtia n regiunile nvecinate n care nu exist a inversie
de populatie iar . este pozitia n lungul axei laserului. Atunci:
251
1 (.) = 1 (0) exp [(q c) .] (10.17)
Fie 1
1
si 1
2
coef icientii de ref lexie ale celor dou a limite de in-
terferent a si 1 distanta dintre marginile ref lect atoare ale cavit atii
rezonante. Dup a dou a ref lexii intensitatea radiatiei se reduce cu
factorul 1
1
1
2
si, dac a lu am n considerare relatia 10.11 se obtine
1(21) = 1 (0) 1
1
1
2
exp [(q c) 21] (10.18)
Conditia de amorsare a oscilatiilor este
1 (21) = 1 (0) (10.19)
Din relatiile 10.12 si 10.13 se obtine o relatie care d a pragul
nominal (cstigul optic nominal)
q
tI
= c +
1
21
ln
_
1
1
1
1
2
_
(10.20)
Aceast a relatie arat a c a cstigul pe unitatea de lungime tre-
buie s a f ie suf icient de mare nct s a compenseze pierderile optice
datorite absorbtiei.
Pragul apare foarte brusc si depinde de curent. n vecin atatea
acestui prag, o parte din l argimea spectral a a emisiei spontane se
despic a n maxime care corespund modurilor din cavitatea Fabri-
Perot si care sunt amplif icate (Fig.10.4). Cnd curentul creste,
maximele centrale si m aresc amplitudinea.
n semiconductorii putin dopati, factorul q este o functie liniar a
de intensitatea curentului si este satisf acut a relatia
q = ,1 (10.21)
252
Figura 10.4: Despicarea l argimii spectrale a liniei n maxime care core-
spund modurilor din cavitatea Fabri-Perot.
unde constanta , este dat a de expresia
1
,
=
8:c:
2
2
i
j
iat
`
2
0
(10.22)
n 10.22 :
2
este indicele de refractie al regiunii implicate n
efectul laser si care are grosimea d , ` lungimea de und a, i
l argimea liniei de recombinare, un factor care depinde de tem-
peratur a si care tine cont de distributia purt atorilor n band a iar
j
iat
ef icacitatea cuantic a intern a.
O alt a caracteristic a a radiatiei care se propag a n cavitatea re-
zonant a o constituie proprietatea de ghid de und a optic. Deoarece
indicele de refractie al cavit atii :
2
difer a de indicii :
1
si :
3
ale celor
dou a regiuni nvecinate n si p, astfel nct :
2
:
1
. :
3
, un fascicul
de lumin a care se propag a n cavitate este complet ref lectat dac a
253
Figura 10.5: Fascicol de lumin a ntre dou a suprafete refelect atoare care
formez a un canal optic.
unghiul o pe care-l formeaz a fasciculul cu interfata este mai mic
dect valoarea critic a
o
c
= cos
1
:
2
:
1
(10.23)
Asa cum este ilustrat n Fig. 10.5, un fascicul care se propag a
sub un unghi o < o
cv
va avea un traseu n zig-zag ntre cele dou a
suprafete ref lect atoare si va f i complet ghidat (directionat). Din
aceste motive se poate considera c a zona activ a este un canal optic
deoarece lumina este limitat a (conf inat a) complet n interiorul
acestei zone. Ca urmare a acestui fapt se obtine un ghid de und a
deosebit de ef icace.
10.3 Configuratii practice de laseri
Principalele configuratii de laseri sunt ilustrate n Fig.10.6.
Acestea sunt : a) laseri cu homojonctiune, b) laseri cu o singur a
heterojonctiune (close-conf inement sau laseri cu structur a CC
), c) laseri cu dubl a heterojonctiune, d) laseri cu structuri mul-
254
tiple (laseri cu homojonctiuni sau heterojonctiuni), e) structuri
cu cavit ati optice mari (large optical cavity structures -LOC).
n Fig.10.6 este dat a si variatia l argimii zonei interzise, precum
si variatia indicelui de refractie n regiunea implicat a n efectul
laser.
a). Laseri cu homojonctiune
Acesti laseri posed a o structur a sandvici p
+
pn n care regiunea
p este destul de bine compensat a: jonctiunea se realizeaz a prin
difuzie. Concentratia golurilor din regiunea 1 este de aproximativ
210
18
cm
3
iar a electronilor din regiunea 3 de 2410
18
cm
3
.
Regiunea compensat a activ a 2 are l argimea benzii interzise foarte
mic a.
b). Laseri cu o singur a heterojonctiune
Caracteristic acestui dispozitiv este faptul c a zona interzis a din
regiunea 1 este cu mult mai mare dect n regiunile 2 si 3. Da-
torit a acestui fapt are loc o mbun at atire a absorbtiei n regiunea
p
+
precum si o mbun at atire a conf in arii electronilor injectati n
regiunea activ a 2, datorit a cresterii barierei de potential la het-
erojonctiunea pp
+
. O descriere mai ampl a a function arii acestui
tip de laser este dat a de initiatorii s ai H. Kressel si H. Nelson
(RCA Rev. 30, 106, 1969).
c) Laseri cu heterojonctiune dubl a
Acest tip de laser a fost realizat de Alferov si colab. (Soviet
Phys. Semiconductor 2, 1289 (1969) si se bazeaz a pe sistemul
(AlGa)As n care att regiunile p
+
ct si n au o zon a interzis a cu
mult mai mare dect regiunea nvecinat a p. Structura s-a realizat
255
prin crestere epitaxial a fapt care a permis realizarea unei hetero-
jonctiuni duble avnd o barier a de potential nalt a. Dispozitivul
ofer a o conf inare cu mult mai bun a dect cea oferit a de o singur a
heterojonctiune.
d) Laseri cu heterojonctiune care posed a emisie stimulat a
instantanee a dou a lungimi de und a
Un astfel de dispozitiv a fost realizat de Kressel si Hawrylo
(Proc.IEEE (Corr)56, 1998(1968); el permite obtinerea efectului
laser att n regiunile p ct si p
+
. Lungimile de und a caracteristice
sunt de 8450 ,respectiv de 7280 . Efectul se observ a numai
la temperaturi sc azute deoarece, la temperaturi mari, pierderile
optice sunt semnif icative.
e)Lasere cu heterojonctiuni si cavit ati optice mari (LCC)
Dispozitivul a fost realizat pentru prima dat a de H.F.Lockwood
si colab. (Appl. Phys. Lett. 17, 499, 1970). O caracteristic a
a acestuia este faptul c a regiunea n care are loc recombinarea
perechii electron-gol este cu mult mai ngust a dect regiunea n
care are loc ghidarea undei .Deoarece f luxul de lumin a este dis-
tribuit ntr-o regiune extins a, dispozitivul prezint a o rezistent a
mai mare la degradare catastrof ic a.
256
Figura 10.6: Conguratii de laseri.