CAPITOLUL

Diode semiconductoare




0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
1E-11
1E-10
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
siliciu
germaniu
U (V)
I (A)
-0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
0
10
20
I (mA)
U (V)




A. Caracteristica static 60
B. Date de catalog 65
C. Metoda dreptei de sarcin 66
D. Circuitul echivalent pentru variaii mici 68
E. Verificarea experimental a unei dependene exponeniale 70
Probleme rezolvate 74, probleme propuse 77
Lucrare experimental 78

60 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului

A. Caracteristica static

Circuitele electrice sunt, ntr-o anumit
msur, similare celor bazate pe circulaia fluidelor
(pneumatice sau hidraulice). O funcie esenial n
aceste circuite este permiterea curgerii fluidului
numai ntr-un anumit sens; ea este realizat cu
dispozitive numite supape. De unde tiu supapele
sensul n care fluidul are tendina s circule pentru
a decide s-l lase sau nu s treac ? Simplu, fluidul
curge de la presiune mare la presiune mic iar
supapele sesizeaz tocmai aceast diferen de presiune, deoarece ea este proporional cu fora net exercitat
de fluid asupra supapei. Dac fora are sensul corect i dac mrimea ei depete o anumit valoare de
prag, supapa se deschide i fluidul poate s treac.
n circuitele electronice, aceeai funcie este ndeplinit de ctre diode. Aa cum se vede n Fig. 3.1,

dioda este un dispozitiv de circuit cu dou borne (un dipol) care conduce, practic, numai ntr-un sens: de la
anod la catod .

Simbolul utilizat pentru ea este cel din figura anterioar; sensul sgeii arat sensul n care dioda conduce.
b)
-0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
0
10
20
I (mA)
U (volti)
I
+
_
U
anod
catod
sensurile de referinta
pentru curent si
tensiune
0
0
I
U
a)

Fig. 3.2. Caracterstica static a unei diode ideale (a) i a unei diode semiconductoare cu siliciu (b).
Comportarea dispozitivelor electronice la curent continuu i la frecvene mici este descris de
caracteristica lor static. Pentru o diod ideal, aceasta ar trebui s arate ca n Fig. 3.2 a) : la polarizare
invers (potenialul anodului mai cobort dect cel al catodului) curentul este nul pentru ca la atingerea
tensiunii zero dioda s se deschid i s se comporte ca un scurtcircuit. Este clar dioda nu se comport ca un
rezistor, fiind un element nesimetric i neliniar.
Primele diode au fost realizate ca tuburi electronice dar astzi se utilizeaz aproape exclusiv diodele
semiconductoare, realizate din germaniu sau siliciu. Caracteristica static curent-tensiune a unei diode
semiconductoare cu siliciu arat ca n Fig. 3.2. b).
I
+
_
U
anod
catod +
_
U
anod
catod
polarizare directa polarizare inversa
I ~ 0

Fig. 3.1. Dioda semiconductoare: polarizare
direct i invers.

Cap. 3. Diode semiconductoare 61

S privim mai nti regiunea de polarizare direct (forward n limba englez), unde potenialul anodului
este mai ridicat dect cel al catodului. Dioda ideal se comport ca un scurtcircuit i nu exist cdere de
tensiune pe diod, dei curentul poate avea orice valoare. Spre deosebire de aceasta, prin dioda
semiconductoare trece un curent semnificativ numai dac tensiune depete o anumit valoare, numit
tensiune de deschidere. Astfel, pentru diodele cu germaniu tensiunea de deschidere este de 0.2-0.3 V iar
pentru cele cu siliciu tensiunea de deschidere este de 0.6-0.7 V . Dup deschidere, curentul crete foarte rapid
cu tensiunea; dac ncercm s mrim cu mai mult de cteva zecimi de volt tensiunea pe diod, curentul ajunge
la valori att de mari nct dioda este distrus.
Exist un punct special pe caracteristic ce permite definirea precis a tensiunii de deschidere ?
La polarizare direct, caracteristica diodei semiconductoare este foarte bine descris de relaia


|
|
.
|

\
|
= 1
T
mV
U
s
e I I
; (3.1)

unde mrimea V k T e
T B
= este tensiunea termic, egal cu 25 mV la temperatura camerei, iar I
s
este numit
curent invers de saturaie i are valori de ordinul 10
-11
A -10
-6
A, dup tipul materialului i destinaia diodei.
Parametrul m , numit factor de idealitate sau coeficient de emisie, depinde de locul din structura diodei unde
are loc o anumit faz a mecanismului intern de transport al curentulu; coeficientul de emisie m are valoarea 1
pentru diodele cu germaniu, n timp ce pentru diodele cu siliciu are o valoare apropiat de 2, care poate diferi
ns dup mrimea curentului prin diod.
S considerm, deocamdat, o diod cu germaniu i s urmrim n Fig. 3.3 evoluia curentului raportat
la valoarea celui de saturaie, I I
s
. n desenul a) avem reprezentat variaia sa n jurul tensiunii nule; se
observ c intensitatea este nul la tensiune nul, caracteristica static a diodei trecnd exact prin origine).
a)
0 20 40 60 80 100
0
10
20
30
40
50
60
U (mV)
s
I I
b)
-75 -50 -25 0 25 50 75
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
U (mV)
s
I I
s
I I = 1

Fig. 3.3 a) i b). Evoluia raportului I I
s
la dioda cu germaniu; pe desenul b) a fost figurat cu linie subire i
dependena I I
s
= 1
Este acest lucru obligatoriu ? S privim sensurile de referin pentru curent i tensiune, aa cum au fost
ele alese : curentul intr n diod pe la borna de potenial ridicat. Aceasta nseamn c dac valorile tensiunii
sunt fie ambele pozitive (cadranul I al graficului caracteristicii), fie ambele negative (cadranul III), dioda

62 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului
funcioneaz ca un consumator de energie. Din contra, n cadranele II i IV dispozitivul ar trebui s fie un
generator de energie electric.

0 100 200 300
0.0
5.0x10
1.0x10
1.5x10
2.0x10
4
5
5
5
U (mV)
s
I I
c)
0 60 120 180 240 300
10
10
10
10
10
10
10
-1
0
1
2
3
4
5
U (mV)
s
I I
d)


Fig. 3.3 c) i d).. Evoluia raportului I I
s
n conducie direct, la o diod cu germaniu.
Deoarece dioda semiconductoare este un consumator de energie, caracteristica s trebuie s treac din
cadranul III n cadranul I, evitnd cadranele II i IV. Acest lucru nu se poate face dect prin origine
Al doilea aspect pe care l observm este c intensitatea are comportri diferite la polariti diferite ale
tensiunii. La polarizare invers (tensiuni negative) curentul variaz lent i pe la - 75 mV ajunge practic la
valoarea de saturaie I I
s
= . Pentru polarizare direct, exponeniala crete rapid i curentul crete i el
puternic cu tensiunea. Desenele b) i c) exploreaz caracteristica n conducie direct pe o scar din ce n ce
mai mare de tensiuni. Se observ c, privind la scara 300 mV=0.3 V, exponeniala face, pur i simplu,
explozie, raportul I I
s
ajungnd peste 150 000; pe la aceste valori ale curentului este utilizat dioda n
conducie direct. La scara la care suntem obligai acum s privim lucrurile, raportul I I
s
are valori
semnificative ncepnd de pe la 200 mV=0.2V, ca i cum ar exista o tensiune de prag. De fapt, nu exist nici
un punct special pe caracteristic, aa cum se poate constata i n desenul c) al figurii, unde am reprezentat
raportul I I
s
n scar logaritmic.
Dei nu exist un punct special de deschidere pe caracteristic, tensiunea de deschidere are
semnificaie clar
Un anumit tip de diod este proiectat s funcioneze
garantat pn la o valoare maxim I
FDmax
a curentului.
Dioda din Fig. 3.4 a) este una destinat s lucreze la
cureni de cteva zecimi de amper, cele din desenele b) i
c) au un curent maxim de 1 A i, respectiv, 6 A, pe cnd
"monstrul" din desenul d) poate suporta cureni de 50 A.
Spunem c dioda este deschis cnd intensitatea este
semnificativ la scara lui I
FDmax
(este undeva pe la
I I
FD FD max max
100 10 ). De ce exist, atunci, o
tensiune tipic pentru germaniu ? n primul rnd, pentru c
o modificare de 1000 de ori a curentului la care msurm
a) c) b) d)

Fig. 3.4. Diode semiconductoare.

Cap. 3. Diode semiconductoare 63

tensiunea nu nseamn dect o variaie de 0.18 V a tensiunii. Iar n al doilea rnd, diodele de cureni mari au
aria mai mare, ceea ce, aa cum se poate constata n Fig. 3.5 a), conduce la mrirea corespunztoare a
curentului de saturaie. Pe figur sunt desenate caracteristicile statice pentru dioda 1N4148 de 10mA i dioda
1N1183 cu un curent maxim de 35 A. Considernd deschiderea la I
FDmax
100, tensiunea pe diode este
aproape aceeai, deoarece raportul I I
s
are aproape aceeai valoare.
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
1E-11
1E-9
1E-7
1E-5
1E-3
0.1
10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
1E-11
1E-10
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
U (V)
I
s
I
s
15 pA
40 nA
I
FDmax
I
FDmax
35A
10mA
tensiune de
deschidere
1N4148
1N1183
I (A)
siliciu
germaniu
U (V)
I (A)
a) b)
d

Fig. 3.5. Diodele destinate s lucreze la cureni mari au i curentul de saturaie mai mare, astfel c
tensiunea de deschidere este practic aceeai (a); explicaia diferenei de tensiune de deschidere ntre
diodele cu germaniu i cele cu siliciu (b).

S privim acum mai atent caracteristica de conducie direct reprezentat n scar semilogaritmic n
Fig. 3.3 d). Observm c, la tensiuni mai mari de 100 mV, caracteristica n scar logaritmic este dreapt,
adic dependena curentului poate fi aproximat cu una exponenial; cum la germaniu coeficientul de emisie
m este unitar,


I I e
s
U
V
T
~
. (3.2)

Extrapolarea acestei dependene aproximative la U = 0 n scar semilogaritmic permite determinarea
comod a curentului de saturaie.
Cum baza logaritmilor naturali e = 2 7182 . nu este un numr prea confortabil pentru experimentatori,
se obinuiete s se dea variaia de tensiune pentru care curentul crete de 10 ori nu de e ori, ci de 10 ori; din
figur rezult c

la o diod cu germaniu, valoarea curentului se multiplic cu zece la fiecare cretere cu 60 mV a tensiunii.
Deoarece la siliciu valoarea coeficientului de emisie este aproape egal cu 2, n scar semilogaritmic
intensitatea curentului crete cu tensiunea de dou ori mai lent dect la germaniu; astfel
la o diod cu siliciu, valoarea curentului se multiplic cu zece la fiecare cretere cu aproximativ 120 mV a
tensiunii.

64 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului
De ce diodele cu siliciu au alt tensiune de deschidere dect cele cu germaniu
Aa cum spus anterior, tensiunea de deschidere este la diodele cu siliciu 0.6 V- 0.7 V, diferit de aceea a
diodelor cu germaniu (0.2- 0.3 V). Aa cum se poate constata pe Fig. 3.5 b), dou cauze contribuie la aceast
deosebire. n primul rnd, la diodele cu siliciu valorile curenilor de saturaie sunt de aproximativ 1000 de ori
mai mici dect la germaniu i factorul exponenial trebuie s fie de 1000 de ori mai mare pentru a produce
acelai curent ca la o diod cu germaniu. (1 mA pe exemplul din figur). n consecin, tensiunea trebuie s fie
mai mare. Cum valoarea curentului se multiplic cu 10 pe 60 mV, aceasta ar justifica o cretere cu
3 60 mV = 0.18 V a tensiunii de deschidere (dreapta punctat notat cu d pe figur). n plus, ns, la
diodele cu siliciu parametrul de recombinare m are valoarea 2 i variaia curentului este de cou ori mai lent,
valoarea curentul multiplicndu-se cu zece abia pe 120 mV. Deci, pentru recuperarea handicapului curentului
de saturaie, va fi necesar un plus nu de 0.18 V ci de 0.36 V. Adunai aceast valoare la tensiunea de
deschidere a diodelor cu germaniu i o vei obine pe aceea a diodelor cu siliciu. Nu uitai c aceste valori nu
sunt foarte bine precizate, pentru siliciu tensiunea de deschidere considerndu-se 0.6 - 0.7 V.
Este dat tensiunea de deschidere n cataloage ?
Problema utilizatorului nu este cunoaterea precis a tensiunii de deschidere ci o estimare maximal a
cderii de tensiune pe diod (forward voltage drop n limba englez), la curentul nominal de utilizare. Din acest
motiv, n cataloage se d cderea de tensiune maxim garantat la o anumit valoare a curentului.
Cderea de tensiune poate ajunge la diodele de cureni mari pn la valori de 1 - 2 V, datorit rezistenelor
ohmice interne.
Ce se ntmpl la polarizare invers ?
La polarizare invers (potenialul anodului mai cobort dect cel al catodului), curentul prin dioda
ideal este nul. Pe de alt parte, pentru dioda semiconductoare relaia (3.1), care rezult dintr-un model fizic
simplificat al jonciunii semiconductoare, arat existena unui curent invers nenul. Atunci cnd tensiunea, n
modul, este mult mai mare dect V
T
~ 25 mV, dioda intr n conducie invers i relaia (3.1) prezice un
curent independent de tensiune, de mrime I
s
, de unde i numele dat acestei mrimi, de curent invers de
saturaie. n dioda real, ns, exist cteva mecanisme care produc cureni de scurgere ntre anod i catod, alii
dect cel de saturaie. Aceti cureni de scurgere erau complet neglijabili fa de curentul n conducie direct
(de ordinul mA-sute de mA) dar conteaz fa de I
s
, aa c n conducie invers curentul unei diode variaz
cu tensiunea aplicat, putnd crete de cteva ori. Astfel, curenii inveri sunt, n general, de ordinul zecilor de
A pentru diodele cu germaniu i de ordinul zecilor de nA pentru cele cu siliciu. Chiar i aa, diodele
semiconductoare conduc, practic, ntr-un singur sens: curenii inveri sunt mai mici de 1000 de ori (pentru
germaniu) i de 1 milion de ori (pentru siliciu) dect curenii n conducie direct.
Dac modulul tensiunii inverse depeste o anumit valoare, U
BR
, numit tensiune de strpungere
(break-down), curentul crete brusc cu tensiunea, ca n desenul a) al Fig. 3.6. Pentru diodele redresoare, care
nu trebuie s conduc dect ntr-un singur sens, se urmrete ca aceast valoare s fie mare (sute i chiar mii
de voli) pentru a nu fi depit n funcionarea circuitului din care dioda face parte.
Exist, ns, o categorie special de diode, numite stabilizatoare, destinate s funcioneze chiar pe
strpungerea invers, pentru care sunt utilizate simbolurile din desenul b) al figurii. La ele, valoarea tensiunii
de strpungere este adus intenionat la valori mici (3-100 V); putei, astfel, s cumprai diode cu tensiunea
de strpungere egal cu, de exemplu, 3.9, 4.7, 5.1, 5,6,..., 10,..., 12,..., 24,...100 V etc. Utilizarea lor ca
stabilizatoare de tensiune se bazeaz pe faptul c, n regiunea de strpungere, curentul, care are valori
semnificative (zeci de mA) poate varia cu aproape un ordin de mrime n timp ce tensiunea pe diod rmne
practic constant. Exist dou mecanisme fizice care contribuie la strpungere: efectul Zener (dominant dac

Cap. 3. Diode semiconductoare 65

tensiunea de strpungere are valori mai mici de 5V) i strpungerea prin avalan, dominant dac
strpungerea are loc la tensiuni mai mari de 8 V. Cnd tensiunea de strpungere este ntre 5 i 8 V,
strpungerea are loc prin ambele mecanisme. Este important de reinut c sensul variaiei cu temperatura a
tensiunii de strpungere, dU dT
BR
, este opus pentru cele dou mecanisme discutate; efectele temperaturii
tind s se anuleze reciproc pentru diodele cu tensiunea de strpungere de 5.1- 5.6 V. De multe ori, n
terminologia de limb romn, diodele stabilizatoare snt numite diode Zener, indiferent de mecanismul
strpungerii.
a)
-10 -8 -6 -4 -2 0
-5
-4
-3
-2
-1
0
U (volti)
I (mA)
anod
catod
anod
catod
b)


Fig. 3.6. Caracteristica invers a unei diode semiconductoare (a) i simbolurile utilizate pentru diodele
stabilizatoare (b).

O alt categorie de diode, aparinnd dispozitivelor optoelectronice, este aceea a diodelor care emit
radiaii luminoase: necoerente n cazul diodelor luminescente (LED light emitting diodes) i coerente n cazul
diodelor laser. La ele, n conducie direct, peste o intensitate de prag (care depinde de tipul materialelor
utilizate), trecerea curentului produce emisia luminii.

B. Date de catalog



Fabricanii furnizeaz n foile de catalog (data sheet n limba englez) informaii detaliate asupra
componentelor pe care le ofer. Pentru familiarizare, am nceput seciunea cu prezentarea unui extras din foaia
de catalog a diodelor 1N401 - 1N407, diode redresoare de uz general. Un grup important de informaii l
constituie valorile maximale (maximum ratings) ale tensiunilor i curenilor, pentru anumite condiii

66 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului
specifice. Depirea acestor valori maxime conduce la deteriorarea performanelor i poate chiar distruge
dispozitivul
Primele trei liniii din tabel se refer la tensiunea invers (reverse voltage) garantat pentru diverse
condiii de funcionare (vrfuri de tensiune, tensiune continu, etc). Pentru curent continuu, diodele 1N4001 au
aceast valoare de numai 50 V pe cnd diodele 1N4007 rezist pn la o tensiune invers de 1000 V.
Urmeaz apoi informaii despre curentul maxim admis. Valoarea curentului mediu redresat este aceeai pentru
toate tipurile discutate, egal cu 1 A.. n condiii nerepetitive, diodele accept ns un curent de vrf foarte
mare, de 30 A. Ultima linie a tabelului se refer la gama de temperaturi de stocare i funcionare, care se
ntinde ntre -65
o
C i +175
o
C.
O alt categorie de informaii o reprezint caracteristicile electrice (de funcionare) :


n primele dou linii gsim informaii despre cderea de tensiune n conducie direct. Valoarea
instantanee este maxim la vrful de curent; pentru un curent redresat mediu de 1 A, n cel mai defavorabil caz
cderea de tensiune ajunge la 1.1 V, dar tipc este de 0.93 V. Media pe o perioad a acestei cderi de tensiune
nu depete 0.8 V. Ultimele dou linii se refer la curentul invers. n curent continuu acesta este mai mic de
10A la 25
o
C dar poate ajunge 50A la 100
o
C; acestea reprezint cazul cel mai defavorabil, valorile tipice
fiind mult mai mici. La 25
o
C curentul invers tipic e numai de 50 nA. n cazul redresrii, valoarea medie a
curentului invers nu depete 30 A.

C. Metoda dreptei de sarcin

Peste pragul de deschidere, o mic variaie a tensiunii produce creteri foarte mari ale curentului. Din
acest motiv deschiderea diodei cu o surs ideal de tensiune (sau cu una avnd rezisten intern mic) ca n
Fig. 3.7 a) este cea mai sigur cale de distrugere a sa: puin sub tensiunea de deschidere dioda este blocat,
puin peste pragul de deschidere nu mai avei diod. ntodeauna trebuie intercalat n circuit un rezistor pentru
limitarea curentului (Fig. 3.7 b).
S presupunem cunoscute tensiunea
E, valoarea rezistenei R i caracteristica
static a diodei. Cum putem determina, de
aici, valorile curentului I i ale tensiunii U
la bornele diodei ? Metoda att de utilizat n
liceu, bazat pe legea lui Ohm pe ntregul
circuit nu este aplicabil deoarece dioda nu
respect legea lui Ohm. Legea tensiunilor
conduce imediat la relaia

_
+
siliciu
0.7 V
a)
circuit de polarizare recomandat
pentru distrugerea diodelor
_
+
R
E
b)
circuit de polarizare pentru
utilizare in practica
+
_
U
I
+
-

Fig. 3.7. Polarizarea diodelor semiconductoare: greit
(a) i corect (b).

Cap. 3. Diode semiconductoare 67


E I R U = 0 (3.3)

care trebuie completat cu dependena I f U = ( ) care caracterizeaz funcionarea diodei, adic ceea ce numim
caracteristic static. Dac o scriem n form analitic, ca n ecuaia (3.2) (presupunnd cunoscute
constantele I
s
i m), sistemul de ecuaii obinut este unul neliniar i rezolvarea sa poate fi efectuat numai
numeric, de ctre calculator.
Dac ne mulumim, ns, cu o precizie rezonabil, de cteva procente, putem rezolva sistemul de ecuaii
printr-o metod grafic. Reprezentarea ecuaiei I f U = ( ) o avem, este caracteristica static a diodei (Fig.
3.8). Mai rmne s reprezentm grafic i relaia (3.6), care descrie funcionarea circuitului extern diodei.
Aceast relaie poate fi pus sub forma

I
E
R R
U =
1
; (3.4)

graficul ei este o linie dreapt, cu panta 1 R, care intersecteaz axele la E R i E.

0.0 1.0
0
10
20
I (mA)
U (V)
2.0
E
R E
punctul static
de functionare
(PSF)
dreapta de sarcina
caracteristica diodei

Fig. 3.8. Determinarea PSF prin metoda dreptei de sarcin.
Memorarea interseciilor cu axele nu este necesar: cu mrimile E i R nu putei construi alt
mrime cu dimensiuni de tensiune dect E (i o tensiune trebui s fie coordonata de intersecie ca axa
tensiunilor) i alt mrime cu dimensiuni de curent dect E R.
Deoarece n multe aplicaii scopul urmrit este controlul tensiunii pe rezistena R, aceast rezisten
este considerat rezisten de sarcin. Din acest motiv, graficul determinat de relaia (3.4) este numit dreapt
de sarcin (load line n limba englez). Soluia sistemului de ecuaii, adic punctul static de funcionare
(PSF), se gsete la intersecia celor dou curbe, aa cum se vede n figur.
Puterea metodei nu st n precizie ci n caracterul ei foarte sugestiv, mai ales atunci cnd una din
ecuaiile sistemului se modific datorit variaiei unui parametru. De exemplu, s presupunem c modificm
continuu, dar suficient de lent pentru ca dioda s se comporte cuasistatic, valoarea E a sursei de tensiune.
Cum panta dreptei de sarcin este 1 R, aceasta va rmne connstant, adic dreapta de sarcin se
deplaseaz paralel cu ea nsi, ca n Fig. 3.9 a). Putem urmri, astfel, cum punctul de funcionare se
deplaseaz pe caracteristica diodei, n funcie de valoarea tensiunii E. Curentul este bine controlat i el nu
depete valoarea (E R 0. 7 V) . Dac am fi ncercat s polarizm dioda ca n Fig. 3.7 a), direct de la
sursa ideal de tensiune, dreapta de sarcin ar fi fost vertical i, la modificarea tensiunii E, punctul de

68 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului
funcionare ar fi evoluat dup deschiderea diodei ca n Fig. 3.9 b): o foarte mic cretere a tensiunii ar fi
aruncat punctul de funcionare la valori ale curentului care ar fi distrus dioda.

0
10
20
I (mA)
U (volti)
0
10
20
I (mA)
U (volti)
punctul de functionare
este aruncat la curenti
foarte mari
a) b)

Fig. 3.9. Evoluia punctului de funcionare la modificarea tensiunii E, cu rezisten de limitare a curentului
(a) i cu dioda legat direct la sursa de tensiune (b).
De fapt, n practic, pentru determinarea aproximativ a punctului de funcionare, nu avem nevoie nici
mcar de metoda dreptei de sarcin: tensiunea pe dioda deschis este cunoscut cu suficient precizie i
valoarea curentului rezult imediat


I
E
R
=
0 V .7
(3.5)

(am considerat cazul diodei din siliciu). Mai mult, cel mai frecvent avem E >> 0 V . 7 i putem scrie


I
E
R
~
. (3.6)

Ce eroare am introdus, prin neglijarea tensiunii de deschidere, pentru E = 10 V? Numai 7 %. Iar dac am fi
luat n consideraie tensiunea de deschidere, imprecizia de 0.2 V n valoarea ei ar produs o eroare relativ
asupra curentului de numai 2 %.


Cap. 3. Diode semiconductoare 69

D. Circuitul echivalent pentru variaii mici

Atunci cnd curentul sufer variaii relative mici A I I << 1,
putem considera c poriunea de caracteristic pe care se deplaseaz
punctul de funcionare este practic o linie dreapt (Fig. 3.10) i putem
introduce rezistena dinamic r dU d I = . Prin diferenierea relatiei
(3.2) se obine imediat expresia acestei rezistene dinamice


r dU d I mV I
T
= =
(3.7)

care este invers proporional cu valoarea curentului de repaus.
Astfel, la diodele cu germaniu


r
I
=
25 mV
(3.8)

iar la cele cu siliciu


r
I
~
50 mV
(3.9)

Chiar la valori mici ale curenilor, cum este 1 mA, rezistena dinamic are valori mici; pentru m = 1, ea este
de 25 O. La cureni mari, rezistena dinamic scade i mai mult, devenind, de exemplu, numai 0.25 O la
curentul de 100 mA.
S presupunem acum c tensiunea E a sursei din Fig. 3.7 b), cu care am polarizat dioda, sufer o mic
variaie AE i dorim s calculm modificarea strii circuitului, adic variaia AI a curentului i variaia AU
a tensiunii pe diod. Am putea s utilizm, n continuare metoda dreptei de sarcin, desennd un detaliu mrit
al caracteristicii, dar exist o cale mult mai simpl i mai elegant: putem considera c, pentru intervalul de
variaie considerat, caracteristica diodei este un segment de dreapt (atenie, o dreapt care nu trece prin
origine). Acest lucru nu ajut mult metoda grafic, dar ne permite s utilizm rezistena dinamic, calculat
n punctul static n jurul cruia are loc variaia. Dac relum legea tensiunilor pe circuit

E I R U = 0,

o difereniem i scriem c, pentru diod, A A U r I = , obinem

A A A E R I r I = + (3.10)
A I
A U
r
=
A U
A I

Fig. 3.10. Definirea rezistenei
dinamice.

70 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului

Este mult mai comod s privim la circuite dect la ecuaii; or
relaia anterioar caracterizeaz un circuit serie (Fig. 3.11), alctuit
dintr-o surs care produce tensiunea AE, n serie cu rezistorul de
limitare a curentului R i cu rezistena dinamic a diodei r .
Mrimile electrice implicate sunt variaiile tensiunilor i curenilor;
am obinut un circuit echivalent pentru variaii mici, cu care se
lucreaz mult mai uor dect cu relaia (3.10). Fiind un circuit
liniar, putem scrie imediat (legea lui Ohm)


A
A
I
E
R r
=
+
(3.11)

iar variaia tensiunii AU se obine cu regula de trei simpl (avem un divizor rezistiv fr sarcin)

A A U E
r
R r
=
+
. (3.12)


E. Verificarea experimental a unei dependene exponeniale

Am vzut c, n conducie direct, caracteristica static I f V = ( ) a unei diode semiconductoare este
descris conform relaiei (3.2) de

I I e
s
V
mV
T
= . (3.13)

Vom ncerca s verificm experimental acest lucru; numai c ntr-un grafic desenat n coordonate liniare
(prescurtare "lin-lin" n literatura tiinific) aceasta este o operaie dificil, datorit variaiei puternic neliniare
a funciei exponeniale. O soluie mai simpl va aprea dac vom logaritma relaia precedent. Atenie ns, nu
putei aplica operaia de logaritmare dect numerelor adimensionale, altfel vei ajunge la ntrebarea
fundamental: n ce uniti se msoar log( ) I ? Avem dou posibilti, fie imprim relaia la I
s
, fie la o
alt valoare de curent, s zicem 1 mA. Vom avea dreptul s scriem

( ) ( ) BV A
mV
V
I I y
T
s
+ = + = =
) 10 ln(
1
mA 1 log mA 1 log (3.14)

unde A i B sunt constante. Am obinut o relaie de gradul nti, care va avea drept grafic o linie dreapt, ca
n Fig. 3.12. a). Panta graficului este legat direct de
1
mV
T
iar punctul de la V = 0 (obinut prin extrapolarea
graficului) furnizeaz valorea curentului de saturaie.


_
+
R
E A
I A
+
_
U A r
+ -
+
-
-

Fig. 3.11. n circuitul echivalent
pentru variaii mici, dioda este
nlocuit cu rezistena ei dinamic.

Cap. 3. Diode semiconductoare 71

-5
-1
-4
0.1 0.2 0.3 0.4 0.0
-2
-3
-6
log ( 1mA) I
tensiunea (volti) U
curentul (mA)
1E-5
0.001
0.01
0.1
1E-4
0.1 0.2 0.3 0.4 0.0
1
2
3
4
5
6
10
octava
octava
a)
b)
tensiunea (volti) U

Fig. 3.12. Caracteristica diodei, n coordonate liniar pentru tensiune i logaritmic pentru curent.

Acesta este un procedeu absolut corect dar prezint, n special pentru experimentatori, un inconvenient
major: dac alegem un punct oarecare de pe grafic, avnd coordonata y , i dorim s aflm valoarea curentului
va trebui s efectum operaia matematic 10 1
y
mA; or rolul esenial al unui grafic este s permit
citirea comod i rapid a informaiei. Din acest motiv, gradarea axei y (liniue ajuttoare i etichete) nu se
face cu valorile logaritmului ci direct cu valorile mrimii reprezentate, ca n desenul b) al figurii. Evident,
ele nu vor fi echidistante, dar vor prezenta nite proprieti eseniale pentru o reprezentare logaritmic.
Dac pe o ax liniar o deplasare A y este proporional cu variaia I I
final initial
a mrimii reprezentate,
pe o scara logaritmic ea este proporional cu raportul de multiplicare a mrimii reprezentate, I I
final initial
.
Astfel, distanele pe scara logaritmic se msoar n decade (corespunztoare multiplicrii cu zece) sau octave
(corespunztoare multiplicrii cu doi).
n desenul b) avei desenat, n detaliu, o decad. Se poate observa c diviziunile 1, 2, 5 i 10 sunt
aproximativ echidistante. Aceast observaie v permite s v construii rapid i fr efort o scar logaritmic
aproximativ; din acelai motiv, dac dorii s avei puncte experimentale echidistante pe axa y, va trebui s
facei msurtorile n aceast secven de valori.
Cum extragem, ns, informaiile din acest grafic ? Revenind la relaia (3.14), pe o decad de curent
( ) mA 1 log I y = crete cu o unitate i, deci, tensiunea variaz cu ln . 10 2 30 = mV mV
T T



AU mV I I
T ( )
.
10
2 30 10 =
. (3.15)

Pentru o dublare a curentului, variaia de tensiune necesar este log ln . 2 10 0 69 = mV mV
T T



AU mV I I
T ( )
.
2
0 69 2 =
. (3.16)

Dup determinarea din graficul experimental a oricreia dintre tensiunile AV
( ) 10
sau AV
( ) 2
, putem
utiliza una din relaiile (3.15) sau (3.16) pentru calcularea produsului mV
T
. Ct despre curentul de saturaie
I
s
, el poate fi citit acum direct pe grafic, dup extrapolare.

72 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului

Enunuri frecvent utilizate
(att de frecvent nct merit s le memorai)




-Dioda este un dipol care conduce, practic, ntr-un singur sens: de la anod la catod.
- Pentru diod se utilizeaz simbolul
anod
catod
, unde sgeata arat sensul n care poate s treac
curentul.
- La polarizare direct, curentul devine semnificativ dup depirea tensiunii de deschidere.
Aceast tensiune este de 0.2-0.3 V la diodele cu germaniu i 0.6-0.7 V la diodele cu siliciu.
- n conducie direct, curentul crete exponenial, valoarea sa multiplicndu-se cu 10 la fiecare
cretere a tensiunii de 60 mV la diodele cu germaniu i 120 mV la cele cu siliciu.
- Pentru variaii mici putem defini rezistena dinamic; ea este 25 mV I la diodele cu germaniu i
aproximativ 50 mV I la cele cu siliciu.
- Curentul invers nu este chiar nul; valorile sale sunt de ordinul zecilor de A la diodele cu siliciu i
de ordinul zecilor de nA la cele cu siliciu. Oricum, el este de 10
3
-10
6
ori mai mic dect cel de conducie
direct.
- Dac tensiunea invers depeste o anumit valoare, dioda se strpunge invers i curentul devine
important. Diodele stabilizatoare (Zener) sunt destinate utilizrii n aceast regiune, tensiunea de
strpungere fiind intenionat adus la valori mici (3V - 100 V).
- Pentru diodele stabilizatoare se utilizeaz simbolurile .
- Diodele stabilizatoare cu tensiunea nominal apropiat de 5 V sunt cele mai puin sensibile la
temperatur.
- Punctul static de funcionare (PSF) al unui circuit cu dispozitive neliniare poate fi calculat
aproximativ prin metoda grafic a dreptei de sarcin. Metoda este util mai ales n vizualizarea evoluiei
PSF atunci cnd unul din parametrii circuitului este modificat.
- Pentru variaii mici n jurul unui anumit punct de funcionare, modificare strii circuitului poate
fi calculat utiliznd circuitul echivalent pentru variaii. n acest circuit, dioda este nlocuit cu un
rezistor avnd rezistena egal cu rezistena dinamic a diodei, calculat n jurul acelui punct de
funcionare.
- Verificarea experimental a unei dependene exponeniale se face comod prin reprezentarea
dependenei n scar logaritmic pentru funcie i scar liniar pentru variabila independent. n aceast
reprezentare, graficul devine o linie dreapt.


Cap. 3. Diode semiconductoare 73



Termeni noi



-diod dipol care permite trecerea curentului doar ntr-un sens, de la anod
la catod;
-polarizare (conducie) direct polarizarea diodei astfel nct potenialul anodului s fie mai
ridicat dect al catodului;
-polarizare invers polarizarea diodei astfel nct potenialul anodului s fie mai
cobort dect al catodului;
-tensiune de deschidere valoarea tensiunii n polarizare direct, de la care valoarea
curentului ncepe s fie semnificativ;
-tensiunea termic valoarea expresiei k T e
B
, unde k
B
este constanta Boltzman, T
temperatura n K iar e este sarcina electronului; la temperatura
camerei tensiunea termic este aproximativ 25 mV;
-parametru de recombinare parametru adimensional, cu valori ntre 1 i 2, care caracterizeaz
mecanismul de conducie n jonciunile semiconductoare; la
diodele cu germaniu are valoarea 1, la cele cu siliciu se apropie de
valoarea 2, depinznd de valoarea curentului;
- rezisten dinamic raportul A A U I , calculat pentru variaii mici n jurul unui punct
de funcionare; la dispozitivele neliniare valoarea rezistenei
dinamice depinde de punctul de funcionare;
-strpungere invers creterea rapid a curentului atunci cnd tensiunea invers
depeste o anumit valoare;
-diod stabilizatoare (Zener) diod construit astfel nct tensiunea de strpungere invers s fie
adus la o valoare mic, convenabil; dioda este utilizat n
regiunea de strpungere invers;
-rezisten de sarcin rezisten (rezistor) pe care circuitul electronic controleaz
tensiunea (i puterea disipat);
-dreapt de sarcin graficul relaiei liniare care caracterizeaz funcionarea circuitului
extern dipolului neliniar; el intersecteaz axele la E i E R;
-circuit echivalent pentru variaii un circuit care este utilizat pentru "vizualizarea" comod a
relaiilor existente ntre variaiile (mici) ale curenilor i
tensiunilor; n el, dispozitivele neliniare sunt "nlocuite" cu
rezistenele lor dinamice;
- decad interval de lungime constant pe scara logaritmic, corespunznd
multiplicrii cu zece a valorii variabilei;
- octav interval de lungime constant pe scara logaritmic, corespunznd
dublrii valorii variabilei.



74 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului
Probleme rezolvate

Problema 1. Sursa de tensiune V
g
produce o evoluie a potenialului nodului A ca n Fig. 3.13.
Determinai evoluia n timp a curentului prin diod, aceasta fiind una redresoare cu siliciu, avnd tensiunea de
strpungere invers mult mai mare dect 10 V. Aflai, de asemenea, cum evolueaz potenialul nodului B
(ieirea circuitului). Propunei o aplicaie pentru acest circuit.

_
+
10 kO
V
g
A B
-10 V
0
10 V
t
V
g
siliciu

Fig. 3.13.
Rezolvare
Analizm mai nti situaia cnd potenialul punctului A este pozitiv; n acest caz dioda va fi polarizat
direct. Atta timp, ns, ct tensiunea pe diod nu va depi tensiunea de deschidere (0.6 V pentru c dioda este
din siliciu), curentul va fi practic nul. n consecin, cderea de tensiune U
R
pe rezistor ( I 10 kO) va fi i ea
nul i deci

U V V V V
R g B B g
= = = 0 .

Relaia anterioar este valabil ct vreme V
g
< 0. 6 V:

0 0 s < = V t I V t V t
g B g
( ) ( ) ( ) 0. 6 V = si

La depirea de ctre V
g
a tensiunii de deschidere, dioda ncepe s se deschid; dei curentul crete,
tensiunea pe diod rmne practic constant. Putem, astfel, calcula valoarea instantanee a curentului

0. 6 V =
0. 6 V
si constant 0. 6 V s

= = V t I
V t
R
V t
g
g
B
( )
( )
( ) .

Valoarea maxim a curentului este atins cnd V
g
= 10 V i este de 0.94 mA. n Fig. 3.14 a), evoluia
potenialului V
g
a fost reprezentat cu linie punctat, pe cnd evoluia potenialului V
B
(tensiunea pe diod)
este trasat cu linie groas. Trebuie remarcat c distana ntre aceste curbe este chiar tensiunea pe rezisten,
U V V
R g B
= , proporional n orice moment cu intensitatea curentului, reprezentat i ea n desenul b).
Pentru cazul n care potenialul punctului A este negativ, situaie este simpl, dioda fiind invers
polarizat. Curentul prin diod este practic nul i nodurile A i B au acelai potenial; avem

V t I V t V t
g B g
( ) ( ) ( ) < = 0 0 = si .



Cap. 3. Diode semiconductoare 75




-10 V
0
10 V
t
V
g
0.6 V
V
B
a)
I
t
0.94 mA
b)


Fig. 3.14.

n concluzie, dei tensiunea generatorului evolueaz ntre + 10 V i -10 V, tensiunea pe diod evolueaz
numai ntre -10 V i + 0.6 V (tensiunea de deschidere n conducie direct). Circuitul acioneaz ca un
limitator de tensiune (clipper n limba englez), "reteznd" orice vrf care depeste 0.6 V. Astfel, circuitul
poate fi utilizat pentru protecia unor dispozitive mpotriva unor tensiuni pozitive prea mari. Valoarea
rezistenei trebuie aleas suficient de mare astfel nct intensitatea curentului prin diod s nu devin
periculoas pentru diod. Absena rezistenei (o valoare R = 0) conduce la distrugerea diodei sau la prsirea
de ctre sursa a regimului liniar (intrarea n regimul de protecie prin depirea curentului maxim).
Dezavantajul circuitului este c pragul la care se face limitarea nu poate fi stabilit de proiectant, fiind egal cu
tensiunea de deschidere a diodei.


Problema 2.
a) S relum problema precedent, pentru circuitul modificat din Fig. 3.15 a).

Rezolvare
De data aceasta, pentru ca dioda s se deschid, potenialul anodului trebuie s treac de
V
REF
+ 0. 6 V = 2. 6 V. Circuitul va limita valorile pozitive ale tensiunii la valoarea 2.6 V, curentul maxim
fiind de 0.74 mA. Putem, astfel, produce limitarea la orice valoare dorim, prin alegerea tensiunii V
REF
.

76 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului
_
+
10 kO
V
g
A B
siliciu
_
+
V
REF
2 V
a)
10 kO
V
g
A B
siliciu
V
REF
10 V
_
+
_
_
+
_
b)


Fig. 3.15.

b) Circuitul din Fig. 3.15 b) permite ajustarea continu a nivelului la care se face limitarea, prin
intermediul unui poteniometru. Acesta este echivalent cu un divizor rezistiv, la care se modific raportul
rezistenelor, suma lor rmnnd constant.
-ntre ce limite poate fi modificat nivelul la care se face limitarea ?
- ce valoarea trebuie s aib rezistena poteniometrului (ntre bornele sale extreme), pentru ca circuitul
s funcioneze corect ?

Rezolvare
-n poziiile extreme, catodul diodei este inut fie la zero fie la 10 V; nivelul de limitare va putea fi
reglat, deci, ntre 0.6 V i 10.6 V.
-Pentru ca circuitul s funcioneze corect este necesar ca potenialul catodului s fie meninut constant,
chiar cu dioda n conducie. Astfel, rezistena echivalent a divizorului trebuie s fie mult mai mic dect
rezistena de 10 kO care limiteaz curentul prin diod. Dac nu suntem foarte pretenioi, un poteniometru cu
rezistena de 1 kO este o alegere bun; n cel mai defavorabil caz, cnd cursorul este la jumtate, rezistena
vzut de catodul diodei va fi aceea a dou rezistene de 500 O legate n paralel, adic 250 O, de 40 de ori mai
mic dect rezistena de limitare de 10 kO.



Cap. 3. Diode semiconductoare 77


Probleme propuse

P 3.1. Calculai valoarea curentului prin circuitul din Fig. 3.16, dac dioda
este
a) cu siliciu
b) cu germaniu.
P 3.2. Sursa de tensiune din
problema precedent sufer o variaie
AE = 1V. Considernd o diod cu siliciu,
desenai circuitul echivalent pentru variaii
i calculai cu ct se modific intensitatea
curentului i tensiunea pe diod (va trebui
s calculai, mai nti, rezistena dinamic a
diodei, la curentul determinat anterior).
P 3.3. Caracteristica unei diode, n
zona de strpunngere invers, este cea din
Fig. 3.17. Calculai, din grafic, rezistena
dinamic n jurul punctului M.
P 3.4. n circuitul de limitare din Fig. 3.18., au fost montate antiparalel, dou diode cu siliciu. Evoluia
tensiunii generatorului se face ntre -10 V i 10V, cu o form de und identic
cu cea de la problema rezolvat. Deducei, din nou, evoluiile potenialului
punctului B i a curentului.
P 3.5. Proiectai un limitator care s taie vrfurile mai mici de 3 V i
vrfurile mai mari de 7 V; utilizai o surs de alimentare de +12 V, o rezisten
de limitare a curentului de 1 kO, dou diode cu siliciu i dou divizoare
rezistive.
P 3.6. Dioda luminescent (LED) din Fig. 3.19 are tensiunea de
deschidere n jur de 2 V i dorim s fie operat la un curent de aproximativ 10
mA (+ sau - 10%). Calculai valoarea rezistenei. Cu ct se modific
intensitatea curentului dac ne-am nelat cu 0.5 V asupra tensiunii de deschidere ?
P 3.7. Utiliznd acelai circuit, trebuie s alimentm o diod laser. Ea are tensiunea de deschidere de
aproximativ 2 V iar curentul de prag (de la care apare efectul laser) este de
50 mA. Curentul maxim la care funcionarea este sigur este de 100 mA.
Alegei o valoare adecvat pentru rezisten. Calculai apoi :
- puterea produs de surs
- puterea pierdut pe rezisten
- puterea absorbit de dioda laser
La curentu de 100 mA dioda laser emite o radiaie luminoas cu
puterea de 5 mW. Estimai randamentul total (putere laser/putere
consumat) i randamentul diodei laser (putere laser/putere diod).


_
+
12 V
10 k O

Fig. 3.16.
U (volti)
I (mA)
-5.0 -4.9
-10
-8
-6
-4
-2
0
M

Fig. 3.17.
_
+
1 k O
V
g
A B

Fig. 3.18.
_
+
10 V
R
LED

Fig. 3.19.

78 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului
Lucrare experimental

Vei studia caracteristicile statice la trei diode semiconductoare: una cu germaniu, una cu siliciu i o
diod luminescent (LED).

Experimentul 1. Conducia direct

Desenai-v schema circuitului din Fig. 3.20
i apoi stabilii sensurile curenilor i polaritile
necesare pentru aparatele de msur, completnd
schema desenat. Realizai apoi circuitul, alegnd
dioda cu germaniu. Selectai scala de 10 mA pentru
miliampermetru i cea de 1 V pentru voltmetru.
Cretei progresiv tensiunea sursei de alimentare
urmrind evoluia curentului. Observai deschiderea
diodei i notai-v valoarea aproximativ a tensiunii
de deschidere.
Reluai apoi experimentul, msurnd, dup
deschiderea diodei, 10-12 puncte experimentale curent-tensiune. Nu uitai c miliampermetrul nu msoar
curentul prin diod ci suma sa cu cel prin voltmetru. Determinai rezistena R
V
a voltmetrului i facei
corecia necesar pentru a obine curentul prin diod cu o precizie de 1-5 %

I I U R
D mamp V
=

V (volti)
I
mamp
(mA) I
V
(mA) I
D
(mA)
0 0 0 0


Repetai experimentul i pentru celelalte diode i desenai caracteristicile statice (curent n funcie de
tensiune) pe acelai grafic, n scar liniar, cu ambele scale ncepnd de la valoarea 0.

Experimentul 2. Este dependena curentului exponenial ?

Reluai investigarea conduciei directe la diodele cu germaniu i siliciu, urmrind acum evoluia
curentului pe o gam mai larg de valori. Pentru c vei reprezenta curentul pe o scar logaritmic i este de
dorit ca punctele experimentale s fie aproximativ echidistante, vei efectua msurtori la urmtoarele valori
ale curentului (n mA) : 10; 5; 2; 1; 0.5; 0.2; 0.1; 0.05; 0.02; 0.01; 0.005; 0.002; 0.001. De data aceasta, la
valori att de mici ale curenilor, corecia de voltmetru nu mai poate fi aplicat (justificai de ce !). Din acest
motiv, va trebui s utilizai un voltmetru electronic, care are o rezisten intern de civa MO.
Reprezentai apoi, pe acelai grafic, dependenele I f U = ( ), cu o scar logaritmic pentru curent i una
liniar pentru tensiuni. Determinai variaia de tensiune necesar, n cazul fiecrei diode, pentru ca intensitatea
curentului s creasc de 10 ori. Cunoscnd potenialul termic V
T
~ 26 mV, determinai pentru diodele cu
germaniu i, respectiv, siliciu, parametrul de recombinare m. Determinai, de asemenea, valoarea curentului
I
s
de saturaie.

_
+
R
E
mA
V
0 - 15 V
1 k O
I
mamp
I
V
voltmetru
miliampermetru
I
D

Fig. 3.20. Montajul experimental.

Cap. 3. Diode semiconductoare 79

Experimentul 3. Curentul invers

Dac am da crezare expresiei teoretice (3.1), la polarizare invers, dup ce trece prin origine, curentul
devine practic constant la tensiuni mai negative dect cteva zecimi de volt. deoarece la U mV
T
>>
exponeniala devine neglijabil fa de unitate i

I I
REV S
~ .

La diodele reale apar cureni de scurgere care fac ca valoarea curentului invers s depind de valoarea
tensiunii pe diod. Din acest motiv vei determina numai ordinul de mrime al acestui curent. Pentru aceasta,
aplicai pe rnd, pe diodele cu germaniu i siliciu, o tensiune invers de aproximativ 5 V. Nu uitai s inversai,
n prealabil, polaritile aparatelor de msur. Pentru a fi siguri c ceea ce msurai este curentul prin diod,
deconectai voltmetrul dup stabilirea tensiunii.
Determinai ordinul de mrime al curenilor inveri. Dac microampermetrul care msoar curentul nu
este suficient de sensibil, tragei concluzia c intensitatea curentului este mai mic dect valoarea minim care
ar putea fi pus n eviden cu aparatul.
Cum snt valorile curenilor inveri pentru cele dou tipuri de diode ? De cte ori sunt mai mici dect
valorile curenilor n conducie direct ?

Experimentul 4. Strpungerea invers

Dioda cu siliciu pe care o avei pe planet este una stabilizatoare. Polarizai-o invers i cretei acum
tensiunea peste 5 V. Atenie, miliampermetrul trebuie s fie pe scala de 10 mA ! Observai intrarea n
strpungere invers i notai-v valoarea tensiunii de strpungere. Determinai, apoi, 10-12 puncte
experimentale de pe caracteristic, dup intrarea n strpungere invers. Desenai graficul caracteristicii
inverse, n scara liniar, cu tensiunea ncepnd de la 0 voli. Reprezentai, apoi, n detaliu, n alt desen, regiunea
de strpungere invers. Determinai din grafic rezistena dinamic A A U I din regiunea de strpungere.



80 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului
Pagin distractiv

n cele mai multe cri de electronic putei ntlni graficul caracteristicii statice a diodei
semiconductoare avnd forma
1
din desenul a) al figurii alturate. Pe axe nu sunt trecute nici un fel de valori iar
textul care l nsoete este o niruire de formule fr valori numerice. Dei seamn cu
Fig. 3.3 a), graficul este incorect pentru c nu sunt specificate scrile de valori la care este fcut
reprezentarea.

a) b)


Ali autori
2
sunt mai generoi, comunicndu-ne c tensiunea se msoar n voli i curentul n amperi
(desenul b al figurii). Despre valorile numerice ale axelor respective elevii sunt liberi s cread orice.
Rezultatul inevitabil al acestui tip de literatur didactic este acela c elevii sau studenii rmn cu informaia
c intensitatea curentului n conducie direct este mai mare doar de cteva ori dect aceea a curentului invers.
O alt soluie n reprezentarea caracteristicii diodei este utilizarea de scale diferite pentru cadranele I i
III al graficului
3
. Dei corect i utilizat frecvent ntre profesioniti (care tiu bine ordinele de mrime ale
tensiunii i curentului), aceast soluie are dezavantajul c linia graficului prezint un punct de frngere n
origine, proprietate pe care dependena real nu o are (vezi Fig. 3.3 a) i b)). n plus, forma graficului este
reinut automat de nceptori dar nu i faptul c scalele sunt complet diferite.

Ne putem explica evitarea cu ndrjire a desenrii corecte n coordonate liniare i completarea sa cu
reprezentri de detaliu numai prin procesul greoi de realizare a graficelor utilizat naintea apariiei
calculatoarelor personale. Dar noi bnuim c muli autori nu au vzut niciodat o curb real pe
caracterograf. Care exista cu mult naintea PC-urilor.

1
Z. Schhlett, I. Hoffman, A. Cmpeanu, "Semiconductoare i aplicaii", Ed. Facla, Timioara, 1981.
2
***,"Fizic", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educaional, Bucureti, 2000.
3
***, "Dispozitive i circuite electronice - partea I", Universitatea din Bucureti, 1985.