Electronica

CAPITOLUL
Diode semiconductoare
I (A)
I (mA) 0.01
20 1E-3
1E-4 germaniu
1E-5
1E-6 siliciu
10 1E-7
1E-8
1E-9
1E-10
0 1E-11
-0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
U (V) U (V)
A. Caracteristica static` 60
B. Date de catalog 65
C. Metoda dreptei de sarcin` 66
D. Circuitul echivalent pentru varia\ii mici 68
E. Verificarea experimental` a unei dependen\e exponen\iale 70
Probleme rezolvate 74, probleme propuse 77
Lucrare experimental` 78
60 Electronic` - Manualul studentului
A. Caracteristica static`
Circuitele electrice sunt, [ntr-o anumit` I I≅ 0

m`sur`, similare celor bazate pe circula\ia fluidelor anod _ anod
+
(pneumatice sau hidraulice). O func\ie esen\ial` [n
U U
aceste circuite este permiterea curgerii fluidului _
catod + catod
numai [ntr-un anumit sens; ea este realizat` cu
dispozitive numite supape. De unde ]tiu supapele polarizare directa polarizare inversa
sensul [n care fluidul are tendin\a s` circule pentru
Fig. 3.1. Dioda semiconductoare: polarizare
a decide s`-l lase sau nu s` treac` ? Simplu, fluidul
direct` ]i invers`.
curge de la presiune mare la presiune mic` iar
supapele sesizeaz` tocmai aceast` diferen\` de presiune, deoarece ea este propor\ional` cu for\a net`
exercitat` de fluid asupra supapei. Dac` for\a are sensul corect ]i dac` m`rimea ei dep`]e]te o anumit`
valoare de prag, supapa se deschide ]i fluidul poate s` treac`.
{n circuitele electronice, aceea]i func\ie este [ndeplinit` de c`tre diode. A]a cum se vede [n Fig. 3.1,
dioda este un dispozitiv de circuit cu dou` borne (un dipol) care conduce, practic, numai [ntr-un sens: de la
anod la catod .
Simbolul utilizat pentru ea este cel din figura anterioar`; sensul s`ge\ii arat` sensul [n care dioda conduce.
I
anod
sensurile de referinta +
pentru curent si I (mA)
U 20
tensiune _
catod
I
10
0
0 U -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
0
U (volti)
a) b)
Fig. 3.2. Caracterstica static` a unei diode ideale (a) ]i a unei diode semiconductoare cu siliciu (b).
Comportarea dispozitivelor electronice la curent continuu ]i la frecven\e mici este descris` de
caracteristica lor static`. Pentru o diod` ideal`, aceasta ar trebui s` arate ca [n Fig. 3.2 a) : la polarizare
invers` (poten\ialul anodului mai cobor[t dec[t cel al catodului) curentul este nul pentru ca la atingerea
tensiunii zero dioda s` se deschid` ]i s` se comporte ca un scurtcircuit. Este clar dioda nu se comport` ca un
rezistor, fiind un element nesimetric ]i neliniar.
Primele diode au fost realizate ca tuburi electronice dar ast`zi se utilizeaz` aproape exclusiv diodele
semiconductoare, realizate din germaniu sau siliciu. Caracteristica static` curent-tensiune a unei diode
semiconductoare cu siliciu arat` ca [n Fig. 3.2. b).
Cap. 3. Diode semiconductoare 61
S` privim mai [nt[i regiunea de polarizare direct` (forward [n limba englez`), unde poten\ialul
anodului este mai ridicat dec[t cel al catodului. Dioda ideal` se comport` ca un scurtcircuit ]i nu exist` c`dere
de tensiune pe diod`, de]i curentul poate avea orice valoare. Spre deosebire de aceasta, prin dioda
semiconductoare trece un curent semnificativ numai dac` tensiune dep`]e]te o anumit` valoare, numit`
tensiune de deschidere. Astfel, pentru diodele cu germaniu tensiunea de deschidere este de 0.2-0.3 V iar
pentru cele cu siliciu tensiunea de deschidere este de 0.6-0.7 V . Dup` deschidere, curentul cre]te foarte
rapid cu tensiunea; dac` [ncerc`m s` m`rim cu mai mult de c[teva zecimi de volt tensiunea pe diod`, curentul
ajunge la valori at[t de mari [nc[t dioda este distrus`.
Exist` un punct special pe caracteristic` ce permite definirea precis` a tensiunii de deschidere ?
La polarizare direct`, caracteristica diodei semiconductoare este foarte bine descris` de rela\ia
F mVU I
I = IsG e − 1J ;
GH JK
T
(3.1)
unde m`rimea VT = k BT e este tensiunea termic`, egal` cu 25 mV la temperatura camerei, iar Is este numit
curent invers de satura\ie ]i are valori de ordinul 10-11A -10-6 A, dup` tipul materialului ]i destina\ia diodei.
Parametrul m , numit factor de idealitate sau coeficient de emisie, depinde de locul din structura diodei
unde are loc o anumit` faz` a mecanismului intern de transport al curentulu; coeficientul de emisie m are
valoarea 1 pentru diodele cu germaniu, [n timp ce pentru diodele cu siliciu are o valoare apropiat` de 2, care
poate diferi [ns` dup` m`rimea curentului prin diod`.
S` consider`m, deocamdat`, o diod` cu germaniu ]i s` urm`rim [n Fig. 3.3 evolu\ia curentului raportat
la valoarea celui de satura\ie, I Is. {n desenul a) avem reprezentat` varia\ia sa [n jurul tensiunii nule; se
observ` c` intensitatea este nul` la tensiune nul`, caracteristica static` a diodei trec[nd exact prin origine).
20 I Is 60 I Is
18 50
16
14 40
12
10 30
8
6 20
4 10 I Is = 1
2
0 0
-2 0 20 40 60 80 100
-75 -50 -25 0 25 50 75 U (mV)
U (mV)
a) b)
Fig. 3.3 a) ]i b). Evolu\ia raportului I Isla dioda cu germaniu; pe desenul b) a fost figurat` cu linie sub\ire ]i
dependen\a I Is = 1
Este acest lucru obligatoriu ? S` privim sensurile de referin\` pentru curent ]i tensiune, a]a cum au fost
ele alese : curentul intr` [n diod` pe la borna de poten\ial ridicat. Aceasta [nseamn` c` dac` valorile tensiunii
sunt fie ambele pozitive (cadranul I al graficului caracteristicii), fie ambele negative (cadranul III), dioda
func\ioneaz` ca un consumator de energie. Din contra, [n cadranele II ]i IV dispozitivul ar trebui s` fie un

generator de energie electric`.
2.0x10 5 I Is 10 5
10 4
1.5x10 5
10 3
1.0x10 5 I Is 10 2
10 1
5.0x10 4
10 0
0.0 10 -1
0 100 200 300 0 60 120 180 240 300
U (mV) U (mV)
c) d)
Fig. 3.3 c) ]i d).. Evolu\ia raportului I Is [n conduc\ie direct`, la o diod` cu germaniu.
Deoarece dioda semiconductoare este un consumator de energie, caracteristica s` trebuie s` treac` din
cadranul III [n cadranul I, evit[nd cadranele II ]i IV. Acest lucru nu se poate face dec[t prin origine
Al doilea aspect pe care [l observ`m este c` intensitatea are comport`ri diferite la polarit`\i diferite ale
tensiunii. La polarizare invers` (tensiuni negative) curentul variaz` lent ]i pe la - 75 mV ajunge practic la
valoarea de satura\ie I = − I s . Pentru polarizare direct`, exponen\iala cre]te rapid ]i curentul cre]te ]i el
puternic cu tensiunea. Desenele b) ]i c) exploreaz` caracteristica [n conduc\ie direct` pe o scar` din ce [n ce
mai mare de tensiuni. Se observ` c`, privind la scara 300 mV=0.3 V, exponen\iala face, pur ]i simplu,
explozie, raportul I Is ajung[nd peste 150 000; pe la aceste valori ale curentului este utilizat` dioda [n
conduc\ie direct`. La scara la care suntem obliga\i acum s` privim lucrurile, raportul I Is are valori
semnificative [ncep[nd de pe la 200 mV=0.2V, ca ]i cum ar exista o tensiune de prag. De fapt, nu exist` nici
un punct special pe caracteristic`, a]a cum se poate constata ]i [n desenul c) al figurii, unde am reprezentat
raportul I Is [n scar` logaritmic`.
De]i nu exist` un punct special de deschidere pe caracteristic`, tensiunea de deschidere are

semnifica\ie clar`
Un anumit tip de diod` este proiectat s`
func\ioneze garantat p[n` la o valoare maxim` IFD max a
curentului. Dioda din Fig. 3.4 a) este una destinat` s`
lucreze la curen\i de c[teva zecimi de amper, cele din
desenele b) ]i c) au un curent maxim de 1 A ]i, respectiv,
6 A, pe c[nd "monstrul" din desenul d) poate suporta
curen\i de 50 A. Spunem c` dioda este deschis` c[nd
intensitatea este semnificativ` la scara lui IFD max (este
undeva pe la IFD max 100÷ IFD max 10). De ce exist`,
atunci, o tensiune tipic` pentru germaniu ? {n primul r[nd, a) b) c) d)
pentru c` o modificare de 1000 de ori a curentului la care Fig. 3.4. Diode semiconductoare.
m`sur`m tensiunea nu [nseamn` dec[t o varia\ie de

0.18 V a tensiunii. Iar [n al doilea r[nd, diodele de curen\i mari au aria mai mare, ceea ce, a]a cum se poate
constata [n Fig. 3.5 a), conduce la m`rirea corespunz`toare a curentului de satura\ie. Pe figur` sunt desenate
caracteristicile statice pentru dioda 1N4148 de 10mA ]i dioda 1N1183 cu un curent maxim de 35 A.
Consider[nd deschiderea la IFD max 100, tensiunea pe diode este aproape aceea]i, deoarece raportul I Is
are aproape aceea]i valoare.
I (A) I (A)
I FDmax 0.01 d
35A
10 1E-3
1E-4 germaniu
0.1 I FDmax 10mA
1E-5 siliciu
1E-3 1N1183 1E-6
1E-5 1E-7
Is 40 nA
1E-7 1E-8
1N4148
1E-9 1E-9
Is 15 pA
1E-11 1E-10
1E-11
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
U (V) tensiune de U (V)
deschidere
a) b)
Fig. 3.5. Diodele destinate s` lucreze la curen\i mari au ]i curentul de satura\ie mai mare, astfel c`
tensiunea de deschidere este practic aceea]i (a); explica\ia diferen\ei de tensiune de deschidere [ntre
diodele cu germaniu ]i cele cu siliciu (b).
S` privim acum mai atent caracteristica de conduc\ie direct` reprezentat` [n scar` semilogaritmic` [n
Fig. 3.3 d). Observ`m c`, la tensiuni mai mari de 100 mV, caracteristica [n scar` logaritmic` este dreapt`,
adic` dependen\a curentului poate fi aproximat` cu una exponen\ial`; cum la germaniu coeficientul de emisie
m este unitar,
U
I ≅ Ise
VT
. (3.2)
Extrapolarea acestei dependen\e aproximative la U = 0 [n scar` semilogaritmic` permite determinarea

comod` a curentului de satura\ie.
Cum baza logaritmilor naturali e = 2.7182nu este un num`r prea confortabil pentru experimentatori,
se obi]nuie]te s` se dea varia\ia de tensiune pentru care curentul cre]te de 10 ori nu de e ori, ci de 10 ori; din
figur` rezult` c`
la o diod` cu germaniu, valoarea curentului se multiplic` cu zece la fiecare cre]tere cu 60 mV a tensiunii.
Deoarece la siliciu valoarea coeficientului de emisie este aproape egal` cu 2, [n scar` semilogaritmic`
intensitatea curentului cre]te cu tensiunea de dou` ori mai lent dec[t la germaniu; astfel
la o diod` cu siliciu, valoarea curentului se multiplic` cu zece la fiecare cre]tere cu aproximativ 120 mV a
tensiunii.
De ce diodele cu siliciu au alt` tensiune de deschidere dec[t cele cu germaniu

A]a cum spus anterior, tensiunea de deschidere este la diodele cu siliciu 0.6 V- 0.7 V, diferit` de aceea
a diodelor cu germaniu (0.2- 0.3 V). A]a cum se poate constata pe Fig. 3.5 b), dou` cauze contribuie la
aceast` deosebire. {n primul r[nd, la diodele cu siliciu valorile curen\ilor de satura\ie sunt de aproximativ
1000 de ori mai mici dec[t la germaniu ]i factorul exponen\ial trebuie s` fie de 1000 de ori mai mare pentru a
produce acela]i curent ca la o diod` cu germaniu. (1 mA pe exemplul din figur`). {n consecin\`, tensiunea
trebuie s` fie mai mare. Cum valoarea curentului se multiplic` cu 10 pe 60 mV, aceasta ar justifica o cre]tere
cu 3 × 60 mV = 0.18 V a tensiunii de deschidere (dreapta punctat` notat` cu d pe figur`). {n plus, [ns`, la
diodele cu siliciu parametrul de recombinare m are valoarea 2 ]i varia\ia curentului este de cou` ori mai
lent`, valoarea curentul multiplic[ndu-se cu zece abia pe 120 mV. Deci, pentru recuperarea handicapului
curentului de satura\ie, va fi necesar un plus nu de 0.18 V ci de 0.36 V. Aduna\i aceast` valoare la tensiunea
de deschidere a diodelor cu germaniu ]i o ve\i ob\ine pe aceea a diodelor cu siliciu. Nu uita\i c` aceste valori
nu sunt foarte bine precizate, pentru siliciu tensiunea de deschidere consider[ndu-se 0.6 - 0.7 V.
Este dat` tensiunea de deschidere [n cataloage ?
Problema utilizatorului nu este cunoa]terea precis` a tensiunii de deschidere ci o estimare maximal` a
c`derii de tensiune pe diod` (forward voltage drop [n limba englez`), la curentul nominal de utilizare. Din
acest motiv, [n cataloage se d` c`derea de tensiune maxim` garantat` la o anumit` valoare a curentului.
C`derea de tensiune poate ajunge la diodele de curen\i mari p[n` la valori de 1 - 2 V, datorit` rezisten\elor
ohmice interne.
Ce se [nt[mpl` la polarizare invers` ?

La polarizare invers` (poten\ialul anodului mai cobor[t dec[t cel al catodului), curentul prin dioda
ideal` este nul. Pe de alt` parte, pentru dioda semiconductoare rela\ia (3.1), care rezult` dintr-un model fizic
simplificat al jonc\iunii semiconductoare, arat` existen\a unui curent invers nenul. Atunci c[nd tensiunea, [n
modul, este mult mai mare dec[t VT ≅ 25 mV , dioda intr` [n conduc\ie invers` ]i rela\ia (3.1) prezice un
curent independent de tensiune, de m`rime Is, de unde ]i numele dat acestei m`rimi, de curent invers de
satura\ie. {n dioda real`, [ns`, exist` c[teva mecanisme care produc curen\i de scurgere [ntre anod ]i catod,
al\ii dec[t cel de satura\ie. Ace]ti curen\i de scurgere erau complet neglijabili fa\` de curentul [n conduc\ie
direct` (de ordinul mA-sute de mA) dar conteaz` fa\` de Is, a]a c` [n conduc\ie invers` curentul unei
diode variaz` cu tensiunea aplicat`, put[nd cre]te de c[teva ori. Astfel, curen\ii inver]i sunt, [n general, de
ordinul zecilor de µA pentru diodele cu germaniu ]i de ordinul zecilor de nA pentru cele cu siliciu. Chiar ]i
a]a, diodele semiconductoare conduc, practic, [ntr-un singur sens: curen\ii inver]i sunt mai mici de 1000 de
ori (pentru germaniu) ]i de 1 milion de ori (pentru siliciu) dec[t curen\ii [n conduc\ie direct`.
Dac` modulul tensiunii inverse dep`]este o anumit` valoare, U BR , numit` tensiune de str`pungere
(break-down), curentul cre]te brusc cu tensiunea, ca [n desenul a) al Fig. 3.6. Pentru diodele redresoare, care
nu trebuie s` conduc` dec[t [ntr-un singur sens, se urm`re]te ca aceast` valoare s` fie mare (sute ]i chiar mii
de vol\i) pentru a nu fi dep`]it` [n func\ionarea circuitului din care dioda face parte.
Exist`, [ns`, o categorie special` de diode, numite stabilizatoare, destinate s` func\ioneze chiar pe
str`pungerea invers`, pentru care sunt utilizate simbolurile din desenul b) al figurii. La ele, valoarea tensiunii
de str`pungere este adus` inten\ionat la valori mici (3-100 V); pute\i, astfel, s` cump`ra\i diode cu tensiunea
de str`pungere egal` cu, de exemplu, 3.9, 4.7, 5.1, 5,6,..., 10,..., 12,..., 24,...100 V etc. Utilizarea lor ca
stabilizatoare de tensiune se bazeaz` pe faptul c`, [n regiunea de str`pungere, curentul, care are valori
semnificative (zeci de mA) poate varia cu aproape un ordin de m`rime [n timp ce tensiunea pe diod` r`m[ne
practic constant`. Exist` dou` mecanisme fizice care contribuie la str`pungere: efectul Zener (dominant dac`
tensiunea de str`pungere are valori mai mici de 5V) ]i str`pungerea prin avalan]`, dominant` dac`
str`pungerea are loc la tensiuni mai mari de 8 V. C[nd tensiunea de str`pungere este [ntre 5 ]i 8 V,
str`pungerea are loc prin ambele mecanisme. Este important de re\inut c` sensul varia\iei cu temperatura a
tensiunii de str`pungere, dU BR dT , este opus pentru cele dou` mecanisme discutate; efectele temperaturii
tind s` se anuleze reciproc pentru diodele cu tensiunea de str`pungere de 5.1- 5.6 V. De multe ori, [n
terminologia de limb` român`, diodele stabilizatoare s[nt numite diode Zener, indiferent de mecanismul
str`pungerii.
U (volti)
-10 -8 -6 -4 -2 0
0
-1 anod anod
-2
-3 I (mA)
catod catod
-4
-5
a) b)
Fig. 3.6. Caracteristica invers` a unei diode semiconductoare (a) ]i simbolurile utilizate pentru diodele
stabilizatoare (b).
O alt` categorie de diode, apar\in[nd dispozitivelor optoelectronice, este aceea a diodelor care emit
radia\ii luminoase: necoerente [n cazul diodelor luminescente (LED light emitting diodes) ]i coerente [n cazul
diodelor laser. La ele, [n conduc\ie direct`, peste o intensitate de prag (care depinde de tipul materialelor
utilizate), trecerea curentului produce emisia luminii.
B. Date de catalog
Fabrican\ii furnizeaz` [n foile de catalog (data sheet [n limba englez`) informa\ii detaliate asupra
componentelor pe care le ofer`. Pentru familiarizare, am [nceput sec\iunea cu prezentarea unui extras din
foaia de catalog a diodelor 1N401 - 1N407, diode redresoare de uz general. Un grup important de informa\ii
[l constituie valorile maximale (maximum ratings) ale tensiunilor ]i curen\ilor, pentru anumite condi\ii
specifice. Dep`]irea acestor valori maxime conduce la deteriorarea performan\elor ]i poate chiar distruge
dispozitivul
Primele trei liniii din tabel se refer` la tensiunea invers` (reverse voltage) garantat` pentru diverse
condi\ii de func\ionare (v[rfuri de tensiune, tensiune continu`, etc). Pentru curent continuu, diodele 1N4001
au aceast` valoare de numai 50 V pe c[nd diodele 1N4007 rezist` p[n` la o tensiune invers` de 1000 V.
Urmeaz` apoi informa\ii despre curentul maxim admis. Valoarea curentului mediu redresat este aceea]i
pentru toate tipurile discutate, egal` cu 1 A.. {n condi\ii nerepetitive, diodele accept` [ns` un curent de v[rf
foarte mare, de 30 A. Ultima linie a tabelului se refer` la gama de temperaturi de stocare ]i func\ionare, care
se [ntinde [ntre -65o C ]i +175o C.
O alt` categorie de informa\ii o reprezint` caracteristicile electrice (de func\ionare) :
{n primele dou` linii g`sim informa\ii despre c`derea de tensiune [n conduc\ie direct`. Valoarea
instantanee este maxim` la v[rful de curent; pentru un curent redresat mediu de 1 A, [n cel mai defavorabil
caz c`derea de tensiune ajunge la 1.1 V, dar tipc este de 0.93 V. Media pe o perioad` a acestei c`deri de
tensiune nu dep`]e]te 0.8 V. Ultimele dou` linii se refer` la curentul invers. {n curent continuu acesta este
mai mic de 10µA la 25o C dar poate ajunge 50µA la 100o C; acestea reprezint` cazul cel mai defavorabil,
valorile tipice fiind mult mai mici. La 25o C curentul invers tipic e numai de 50 nA. {n cazul redres`rii,
valoarea medie a curentului invers nu dep`]e]te 30 µA.
C. Metoda dreptei de sarcin`
Peste pragul de deschidere, o mic` varia\ie a tensiunii produce cre]teri foarte mari ale curentului. Din
acest motiv deschiderea diodei cu o surs` ideal` de tensiune (sau cu una av[nd rezisten\` intern` mic`) ca [n
Fig. 3.7 a) este cea mai sigur` cale de distrugere a sa: pu\in sub tensiunea de deschidere dioda este blocat`,
pu\in peste pragul de deschidere nu mai ave\i diod`. {ntodeauna trebuie intercalat [n circuit un rezistor pentru
limitarea curentului (Fig. 3.7 b).
S` presupunem cunoscute tensiunea R
+ - I
E , valoarea rezisten\ei R ]i caracteristica +
siliciu
static` a diodei. Cum putem determina, de + +
0.7 V _ E _ U
aici, valorile curentului I ]i ale tensiunii U _
la bornele diodei ? Metoda at[t de utilizat` [n
liceu, bazat` pe legea lui Ohm pe [ntregul a) b)
circuit nu este aplicabil` deoarece dioda nu circuit de polarizare recomandat circuit de polarizare pentru
pentru distrugerea diodelor utilizare in practica
respect` legea lui Ohm. Legea tensiunilor
conduce imediat la rela\ia Fig. 3.7. Polarizarea diodelor semiconductoare: gre]it`
(a) ]i corect` (b).
E − I⋅ R − U = 0 (3.3)
care trebuie completat` cu dependen\a I = f(U ) care caracterizeaz` func\ionarea diodei, adic` ceea ce
numim caracteristic` static`. Dac` o scriem [n form` analitic`, ca [n ecua\ia (3.2) (presupun[nd cunoscute
constantele Is ]i m ), sistemul de ecua\ii ob\inut este unul neliniar ]i rezolvarea sa poate fi efectuat` numai
numeric, de c`tre calculator.
Dac` ne mul\umim, [ns`, cu o precizie rezonabil`, de c[teva procente, putem rezolva sistemul de
ecua\ii printr-o metod` grafic`. Reprezentarea ecua\iei I = f(U ) o avem, este caracteristica static` a diodei
(Fig. 3.8). Mai r`m[ne s` reprezent`m grafic ]i rela\ia (3.6), care descrie func\ionarea circuitului extern
diodei. Aceast` rela\ie poate fi pus` sub forma
E 1
I= − U; (3.4)
R R
graficul ei este o linie dreapt`, cu panta −1 R , care intersecteaz` axele la E R ]i E .
I (mA)
20
E R punctul static
de functionare
10 (PSF)
dreapta de sarcina
0
0.0 1.0 2.0 U (V)
caracteristica diodei E
Fig. 3.8. Determinarea PSF prin metoda dreptei de sarcin`.
Memorarea intersec\iilor cu axele nu este necesar`: cu m`rimile E ]i R nu pute\i construi alt`

m`rime cu dimensiuni de tensiune dec[t E (]i o tensiune trebui s` fie coordonata de intersec\ie ca axa
tensiunilor) ]i alt` m`rime cu dimensiuni de curent dec[t E R .
Deoarece [n multe aplica\ii scopul urm`rit este controlul tensiunii pe rezisten\a R , aceast` rezisten\`
este considerat` rezisten\` de sarcin`. Din acest motiv, graficul determinat de rela\ia (3.4) este numit
dreapt` de sarcin` (load line [n limba englez`). Solu\ia sistemului de ecua\ii, adic` punctul static de
func\ionare (PSF), se g`se]te la intersec\ia celor dou` curbe, a]a cum se vede [n figur`.
Puterea metodei nu st` [n precizie ci [n caracterul ei foarte sugestiv, mai ales atunci c[nd una din
ecua\iile sistemului se modific` datorit` varia\iei unui parametru. De exemplu, s` presupunem c` modific`m
continuu, dar suficient de lent pentru ca dioda s` se comporte cuasistatic, valoarea E a sursei de tensiune.
Cum panta dreptei de sarcin` este −1 R , aceasta va r`m[ne connstant`, adic` dreapta de sarcin` se
deplaseaz` paralel cu ea [ns`]i, ca [n Fig. 3.9 a). Putem urm`ri, astfel, cum punctul de func\ionare se
deplaseaz` pe caracteristica diodei, [n func\ie de valoarea tensiunii E . Curentul este bine controlat ]i el nu
dep`]e]te valoarea (E − 0.7 V) R . Dac` am fi [ncercat s` polariz`m dioda ca [n Fig. 3.7 a), direct de la
sursa ideal` de tensiune, dreapta de sarcin` ar fi fost vertical` ]i, la modificarea tensiunii E , punctul de
func\ionare ar fi evoluat dup` deschiderea diodei ca [n Fig. 3.9 b): o foarte mic` cre]tere a tensiunii ar fi
aruncat punctul de func\ionare la valori ale curentului care ar fi distrus dioda.
I (mA) I (mA)
20 20
punctul de functionare
este aruncat la curenti
10 10 foarte mari
0 0
U (volti) U (volti)
a) b)
Fig. 3.9. Evolu\ia punctului de func\ionare la modificarea tensiunii E , cu rezisten\` de limitare a curentului
(a) ]i cu dioda legat` direct la sursa de tensiune (b).
De fapt, [n practic`, pentru determinarea aproximativ` a punctului de func\ionare, nu avem nevoie nici
m`car de metoda dreptei de sarcin`: tensiunea pe dioda deschis` este cunoscut` cu suficient` precizie ]i
valoarea curentului rezult` imediat
E − 0.7V
I= (3.5)
R
(am considerat cazul diodei din siliciu). Mai mult, cel mai frecvent avem E >> 0.7V ]i putem scrie
E
I≅
R . (3.6)
Ce eroare am introdus, prin neglijarea tensiunii de deschidere, pentru E = 10 V? Numai 7 %. Iar dac` am fi
luat [n considera\ie tensiunea de deschidere, imprecizia de 0.2 V [n valoarea ei ar produs o eroare relativ`
asupra curentului de numai 2 %.
D. Circuitul echivalent pentru varia\ii mici
Atunci c[nd curentul sufer` varia\ii relative mici ∆ I I<< 1,
r= ∆U
putem considera c` por\iunea de caracteristic` pe care se deplaseaz`
punctul de func\ionare este practic o linie dreapt` (Fig. 3.10) ]i putem ∆I ∆I
introduce rezisten\a dinamic` r = dU d I. Prin diferen\ierea relatiei
(3.2) se ob\ine imediat expresia acestei rezisten\e dinamice
∆U
r= dU dI= mVT I (3.7)

Fig. 3.10. Definirea rezisten\ei
dinamice.
care este invers propor\ional` cu valoarea curentului de repaus. Astfel, la diodele cu germaniu
25 mV
r= (3.8)
I
iar la cele cu siliciu
50 mV
r≅ (3.9)
I
Chiar la valori mici ale curen\ilor, cum este 1 mA, rezisten\a dinamic` are valori mici; pentru m = 1, ea este
de 25 Ω. La curen\i mari, rezisten\a dinamic` scade ]i mai mult, devenind, de exemplu, numai 0.25 Ω la
curentul de 100 mA.
S` presupunem acum c` tensiunea E a sursei din Fig. 3.7 b), cu care am polarizat dioda, sufer` o mic`
varia\ie ∆E ]i dorim s` calcul`m modificarea st`rii circuitului, adic` varia\ia ∆I a curentului ]i varia\ia ∆U
a tensiunii pe diod`. Am putea s` utiliz`m, [n continuare metoda dreptei de sarcin`, desen[nd un detaliu m`rit
al caracteristicii, dar exist` o cale mult mai simpl` ]i mai elegant`: putem considera c`, pentru intervalul de
varia\ie considerat, caracteristica diodei este un segment de dreapt` (aten\ie, o dreapt` care nu trece prin
origine). Acest lucru nu ajut` mult metoda grafic`, dar ne permite s` utiliz`m rezisten\a dinamic`, calculat`
[n punctul static [n jurul c`ruia are loc varia\ia. Dac` relu`m legea tensiunilor pe circuit
E − I⋅ R − U = 0,
o diferen\iem ]i scriem c`, pentru diod`, ∆U = r⋅ ∆I, ob\inem
∆ E = R ⋅ ∆I+ r⋅ ∆I (3.10)
Este mult mai comod s` privim la circuite dec[t la ecua\ii; or R ∆I

rela\ia anterioar` caracterizeaz` un circuit serie (Fig. 3.11), alc`tuit
dintr-o surs` care produce tensiunea ∆E , [n serie cu rezistorul de + - +
+ +
limitare a curentului R ]i cu rezisten\a dinamic` a diodei r. ∆E _ r ∆U
-- _
M`rimile electrice implicate sunt varia\iile tensiunilor ]i curen\ilor;
am ob\inut un circuit echivalent pentru varia\ii mici, cu care se
lucreaz` mult mai u]or dec[t cu rela\ia (3.10). Fiind un circuit Fig. 3.11. {n circuitul echivalent
liniar, putem scrie imediat (legea lui Ohm) pentru varia\ii mici, dioda este
[nlocuit` cu rezisten\a ei dinamic`.
∆E
∆I = (3.11)
R+r
iar varia\ia tensiunii ∆U se ob\ine cu regula de trei simpl` (avem un divizor rezistiv f`r` sarcin`)
r
∆U = ∆E . (3.12)
R+r
E. Verificarea experimental` a unei dependen\e exponen\iale
Am v`zut c`, [n conduc\ie direct`, caracteristica static` I = f(V ) a unei diode semiconductoare este
descris` conform rela\iei (3.2) de
V
I = Ise mVT
. (3.13)
Vom [ncerca s` verific`m experimental acest lucru; numai c` [ntr-un grafic desenat [n coordonate liniare
(prescurtare "lin-lin" [n literatura ]tiin\ific`) aceasta este o opera\ie dificil`, datorit` varia\iei puternic
neliniare a func\iei exponen\iale. O solu\ie mai simpl` va ap`rea dac` vom logaritma rela\ia precedent`.
Aten\ie [ns`, nu pute\i aplica opera\ia de logaritmare dec[t numerelor adimensionale, altfel ve\i ajunge la
[ntrebarea fundamental`: [n ce unit`\i se m`soar` log (I) ? Avem dou` posibilt`\i, fie imp`r\im rela\ia la
Is, fie la o alt` valoare de curent, s` zicem 1 mA. Vom avea dreptul s` scriem
a f b
y = logI 1 mA = logIs 1 mA + g V 1
mV T ln(10)
= A + BV (3.14)
unde A ]i B sunt constante. Am ob\inut o rela\ie de gradul [nt[i, care va avea drept grafic o linie dreapt`, ca
1
[n Fig. 3.12. a). Panta graficului este legat` direct de iar punctul de la V = 0 (ob\inut prin extrapolarea
mV T
graficului) furnizeaz` valorea curentului de satura\ie.
-1 log ( I 1mA) 0.1 curentul (mA)
-2 0.01 10
6
-3 0.001 5
4
-4 3 octava
1E-4
2
-5 1E-5 octava
1
-6
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
tensiunea U (volti) tensiunea U (volti)
a) b)
Fig. 3.12. Caracteristica diodei, [n coordonate liniar` pentru tensiune ]i logaritmic` pentru curent.
Acesta este un procedeu absolut corect dar prezint`, [n special pentru experimentatori, un inconvenient
major: dac` alegem un punct oarecare de pe grafic, av[nd coordonata y, ]i dorim s` afl`m valoarea
curentului va trebui s` efectu`m opera\ia matematic` 10y ⋅ 1 mA ; or rolul esen\ial al unui grafic este s`
permit` citirea comod` ]i rapid` a informa\iei. Din acest motiv, gradarea axei y (liniu\e ajut`toare ]i
etichete) nu se face cu valorile logaritmului ci direct cu valorile m`rimii reprezentate, ca [n desenul b) al
figurii. Evident, ele nu vor fi echidistante, dar vor prezenta ni]te propriet`\i esen\iale pentru o
reprezentare logaritmic`. Dac` pe o ax` liniar` o deplasare ∆ y este propor\ional` cu varia\ia
Ifinal − Iinit a m`rimii reprezentate, pe o scara logaritmic` ea este propor\ional` cu raportul de
multiplicare a m`rimii reprezentate, Ifinaliniti
I . Astfel, distan\ele pe scara logaritmic` se m`soar` [n
decade (corespunz`toare multiplic`rii cu zece) sau octave (corespunz`toare multiplic`rii cu doi).
{n desenul b) ave\i desenat`, [n detaliu, o decad`. Se poate observa c` diviziunile 1, 2, 5 ]i 10 sunt
aproximativ echidistante. Aceast` observa\ie v` permite s` v` construi\i rapid ]i f`r` efort o scar` logaritmic`
aproximativ`; din acela]i motiv, dac` dori\i s` ave\i puncte experimentale echidistante pe axa y, va trebui s`
face\i m`sur`torile [n aceast` secven\` de valori.
Cum extragem, [ns`, informa\iile din acest grafic ? Revenind la rela\ia (3.14), pe o decad` de curent
a f
m`rimea y = logI 1 mA cre]te cu o unitate ]i, deci, tensiunea variaz` cu ln10⋅ mV T = 2.30⋅ mV T
∆U (10) = 2.30⋅ mV T ⇒ I → 10⋅ I . (3.15)
Pentru o dublare a curentului, varia\ia de tensiune necesar` este log2 ⋅ ln10⋅ mV T = 0.69⋅ mV T
∆U (2) = 0.69⋅ mV T ⇒ I → 2 ⋅ I . (3.16)
Dup` determinarea din graficul experimental a oric`reia dintre tensiunile ∆ V(10) sau ∆ V(2), putem
utiliza una din rela\iile (3.15) sau (3.16) pentru calcularea produsului mV T . C[t despre curentul de satura\ie
Is, el poate fi citit acum direct pe grafic, dup` extrapolare.
Enun\uri frecvent utilizate

(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)
-Dioda este un dipol care conduce, practic, [ntr-un singur sens: de la anod la catod.
anod
- Pentru diod` se utilizeaz` simbolul catod , unde s`geata arat` sensul [n care poate s` treac`
curentul.
- La polarizare direct`, curentul devine semnificativ dup` dep`]irea tensiunii de deschidere.
Aceast` tensiune este de 0.2-0.3 V la diodele cu germaniu ]i 0.6-0.7 V la diodele cu siliciu.
- {n conduc\ie direct`, curentul cre]te exponen\ial, valoarea sa multiplic[ndu-se cu 10 la fiecare
cre]tere a tensiunii de 60 mV la diodele cu germaniu ]i 120 mV la cele cu siliciu.
- Pentru varia\ii mici putem defini rezisten\a dinamic`; ea este 25 mV I la diodele cu germaniu
]i aproximativ 50 mV I la cele cu siliciu.
- Curentul invers nu este chiar nul; valorile sale sunt de ordinul zecilor de µA la diodele cu siliciu
]i de ordinul zecilor de nA la cele cu siliciu. Oricum, el este de 103-106 ori mai mic dec[t cel de
conduc\ie direct`.
- Dac` tensiunea invers` dep`]este o anumit` valoare, dioda se str`punge invers ]i curentul
devine important. Diodele stabilizatoare (Zener) sunt destinate utiliz`rii [n aceast` regiune, tensiunea
de str`pungere fiind inten\ionat adus` la valori mici (3V - 100 V).
- Pentru diodele stabilizatoare se utilizeaz` simbolurile .

- Diodele stabilizatoare cu tensiunea nominal` apropiat` de 5 V sunt cele mai pu\in sensibile la
temperatur`.
- Punctul static de func\ionare (PSF) al unui circuit cu dispozitive neliniare poate fi calculat
aproximativ prin metoda grafic` a dreptei de sarcin`. Metoda este util` mai ales [n vizualizarea
evolu\iei PSF atunci c[nd unul din parametrii circuitului este modificat.
- Pentru varia\ii mici [n jurul unui anumit punct de func\ionare, modificare st`rii circuitului
poate fi calculat` utiliz[nd circuitul echivalent pentru varia\ii. {n acest circuit, dioda este [nlocuit` cu
un rezistor av[nd rezisten\a egal` cu rezisten\a dinamic` a diodei, calculat` [n jurul acelui punct de
func\ionare.
- Verificarea experimental` a unei dependen\e exponen\iale se face comod prin reprezentarea
dependen\ei [n scar` logaritmic` pentru func\ie ]i scar` liniar` pentru variabila independent`. {n
aceast` reprezentare, graficul devine o linie dreapt`.
Termeni noi
-diod` dipol care permite trecerea curentului doar [ntr-un sens, de la anod
la catod;
-polarizare (conduc\ie) direct` polarizarea diodei astfel [nc[t poten\ialul anodului s` fie mai
ridicat dec[t al catodului;
-polarizare invers` polarizarea diodei astfel [nc[t poten\ialul anodului s` fie mai
cobor[t dec[t al catodului;
-tensiune de deschidere valoarea tensiunii [n polarizare direct`, de la care valoarea
curentului [ncepe s` fie semnificativ`;
-tensiunea termic` valoarea expresiei kB T e, unde kB este constanta Boltzman, T
temperatura [n K iar e este sarcina electronului; la temperatura
camerei tensiunea termic` este aproximativ 25 mV;
-parametru de recombinare parametru adimensional, cu valori [ntre 1 ]i 2, care caracterizeaz`
mecanismul de conduc\ie [n jonc\iunile semiconductoare; la
diodele cu germaniu are valoarea 1, la cele cu siliciu se apropie de
valoarea 2, depinz[nd de valoarea curentului;
- rezisten\` dinamic` raportul ∆U ∆I, calculat pentru varia\ii mici [n jurul unui punct
de func\ionare; la dispozitivele neliniare valoarea rezisten\ei
dinamice depinde de punctul de func\ionare;
-str`pungere invers` cre]terea rapid` a curentului atunci c[nd tensiunea invers`
dep`]este o anumit` valoare;
-diod` stabilizatoare (Zener) diod` construit` astfel [nc[t tensiunea de str`pungere invers` s` fie
adus` la o valoare mic`, convenabil`; dioda este utilizat` [n
regiunea de str`pungere invers`;
-rezisten\` de sarcin` rezisten\` (rezistor) pe care circuitul electronic controleaz`
tensiunea (]i puterea disipat`);
-dreapt` de sarcin` graficul rela\iei liniare care caracterizeaz` func\ionarea circuitului
extern dipolului neliniar; el intersecteaz` axele la E ]i E R ;
-circuit echivalent pentru varia\ii un circuit care este utilizat pentru "vizualizarea" comod` a
rela\iilor existente [ntre varia\iile (mici) ale curen\ilor ]i
tensiunilor; [n el, dispozitivele neliniare sunt "[nlocuite" cu
rezisten\ele lor dinamice;
- decad` interval de lungime constant` pe scara logaritmic`, corespunz[nd
multiplic`rii cu zece a valorii variabilei;
- octav` interval de lungime constant` pe scara logaritmic`, corespunz[nd
dubl`rii valorii variabilei.
Probleme rezolvate
Problema 1. Sursa de tensiune V g produce o evolu\ie a poten\ialului nodului A ca [n Fig. 3.13.
Determina\i evolu\ia [n timp a curentului prin diod`, aceasta fiind una redresoare cu siliciu, av[nd tensiunea
de str`pungere invers` mult mai mare dec[t 10 V. Afla\i, de asemenea, cum evolueaz` poten\ialul nodului B
(ie]irea circuitului). Propune\i o aplica\ie pentru acest circuit.
10 k Ω Vg
A B
10 V
Vg +
_ 0
siliciu t
-10 V
Fig. 3.13.
Rezolvare
Analiz`m mai [nt[i situa\ia c[nd poten\ialul punctului A este pozitiv; [n acest caz dioda va fi polarizat`
direct. At[ta timp, [ns`, c[t tensiunea pe diod` nu va dep`]i tensiunea de deschidere (0.6 V pentru c` dioda
este din siliciu), curentul va fi practic nul. {n consecin\`, c`derea de tensiune U R pe rezistor ( I⋅10 kΩ ) va fi
]i ea nul` ]i deci
U R = V g − VB = 0 ⇒ VB = V g .
Rela\ia anterioar` este valabil` c[t` vreme Vg < 0.6 V:
0 ≤ Vg (t)< 0.6 V ⇒ I = 0 siVB (t)= Vg (t)
La dep`]irea de c`tre Vg a tensiunii de deschidere, dioda [ncepe s` se deschid`; de]i curentul cre]te,
tensiunea pe diod` r`m[ne practic constant`. Putem, astfel, calcula valoarea instantanee a curentului
Vg (t)− 0.6 V
0.6 V ≤ Vg (t)⇒ I = VB (t)= constant
si = 0.6 V.
R
Valoarea maxim` a curentului este atins` c[nd Vg = 10 V ]i este de 0.94 mA. {n Fig. 3.14 a), evolu\ia
poten\ialului Vg a fost reprezentat` cu linie punctat`, pe c[nd evolu\ia poten\ialului VB (tensiunea pe diod`)
este trasat` cu linie groas`. Trebuie remarcat c` distan\a [ntre aceste curbe este chiar tensiunea pe rezisten\`,
U R = Vg − VB , propor\ional` [n orice moment cu intensitatea curentului, reprezentat` ]i ea [n desenul b).
Pentru cazul [n care poten\ialul punctului A este negativ, situa\ie este simpl`, dioda fiind invers
polarizat`. Curentul prin diod` este practic nul ]i nodurile A ]i B au acela]i poten\ial; avem
Vg (t)< 0 ⇒ I = 0 VB (t)= Vg (t).

si
10 V
Vg
VB
0.6 V
0
t
-10 V
a)
I
0.94 mA
b)
Fig. 3.14.
{n concluzie, de]i tensiunea generatorului evolueaz` [ntre + 10 V ]i -10 V, tensiunea pe diod`

evolueaz` numai [ntre -10 V ]i + 0.6 V (tensiunea de deschidere [n conduc\ie direct`). Circuitul ac\ioneaz`
ca un limitator de tensiune (clipper [n limba englez`), "retez[nd" orice v[rf care dep`]este 0.6 V. Astfel,
circuitul poate fi utilizat pentru protec\ia unor dispozitive [mpotriva unor tensiuni pozitive prea mari.
Valoarea rezisten\ei trebuie aleas` suficient de mare astfel [nc[t intensitatea curentului prin diod` s` nu
devin` periculoas` pentru diod`. Absen\a rezisten\ei (o valoare R = 0) conduce la distrugerea diodei sau la
p`r`sirea de c`tre sursa a regimului liniar (intrarea [n regimul de protec\ie prin dep`]irea curentului maxim).
Dezavantajul circuitului este c` pragul la care se face limitarea nu poate fi stabilit de proiectant, fiind egal cu
tensiunea de deschidere a diodei.
Problema 2.
a) S` relu`m problema precedent`, pentru circuitul modificat din Fig. 3.15 a).
Rezolvare
De data aceasta, pentru ca dioda s` se deschid`, poten\ialul anodului trebuie s` treac` de
VREF + 0.6 V= 2.6 V. Circuitul va limita valorile pozitive ale tensiunii la valoarea 2.6 V, curentul maxim
fiind de 0.74 mA. Putem, astfel, produce limitarea la orice valoare dorim, prin alegerea tensiunii VREF .
A 10 k Ω B
A 10 k Ω B
siliciu
Vg
+ siliciu +
_ Vg _
+ V REF V REF
_ +
_
2V 10 V
a) b)
Fig. 3.15.
b) Circuitul din Fig. 3.15 b) permite ajustarea continu` a nivelului la care se face limitarea, prin
intermediul unui poten\iometru. Acesta este echivalent cu un divizor rezistiv, la care se modific` raportul
rezisten\elor, suma lor r`m[n[nd constant`.
-[ntre ce limite poate fi modificat nivelul la care se face limitarea ?
- ce valoarea trebuie s` aib` rezisten\a poten\iometrului ([ntre bornele sale extreme), pentru ca circuitul
s` func\ioneze corect ?
Rezolvare
-{n pozi\iile extreme, catodul diodei este \inut fie la zero fie la 10 V; nivelul de limitare va putea fi
reglat, deci, [ntre 0.6 V ]i 10.6 V.
-Pentru ca circuitul s` func\ioneze corect este necesar ca poten\ialul catodului s` fie men\inut constant,
chiar cu dioda [n conduc\ie. Astfel, rezisten\a echivalent` a divizorului trebuie s` fie mult mai mic` dec[t
rezisten\a de 10 kΩ care limiteaz` curentul prin diod`. Dac` nu suntem foarte preten\io]i, un poten\iometru
cu rezisten\a de 1 kΩ este o alegere bun`; [n cel mai defavorabil caz, c[nd cursorul este la jum`tate, rezisten\a
v`zut` de catodul diodei va fi aceea a dou` rezisten\e de 500 Ω legate [n paralel, adic` 250 Ω, de 40 de ori
mai mic` dec[t rezisten\a de limitare de 10 kΩ.
Probleme propuse
P 3.1. Calcula\i valoarea curentului prin circuitul din Fig. 3.16, dac` dioda 10 k Ω
este
a) cu siliciu +
12 V _
b) cu germaniu.
0 Fig. 3.16.
-2 P 3.2. Sursa de tensiune din
problema precedent` sufer` o varia\ie
-4 ∆E = 1V . Consider[nd o diod` cu siliciu,
I (mA)
-6 desena\i circuitul echivalent pentru varia\ii
]i calcula\i cu c[t se modific` intensitatea
-8
M curentului ]i tensiunea pe diod` (va trebui
s` calcula\i, mai [nt[i, rezisten\a dinamic`
-10 a diodei, la curentul determinat anterior).
-5.0 -4.9
U (volti) P 3.3. Caracteristica unei diode, [n
zona de str`punngere invers`, este cea din
Fig. 3.17. Fig. 3.17. Calcula\i, din grafic, rezisten\a
dinamic` [n jurul punctului M.
P 3.4. {n circuitul de limitare din Fig. 3.18., au fost montate antiparalel, dou` diode cu siliciu.
Evolu\ia tensiunii generatorului se face [ntre -10 V ]i 10V, cu o form` de
A 1 kΩ B
und` identic` cu cea de la problema rezolvat`. Deduce\i, din nou, evolu\iile
poten\ialului punctului B ]i a curentului.
P 3.5. Proiecta\i un limitator care s` taie v[rfurile mai mici de 3 V ]i
v[rfurile mai mari de 7 V; utiliza\i o surs` de alimentare de +12 V, o
Vg + _
rezisten\` de limitare a curentului de 1 kΩ, dou` diode cu siliciu ]i dou`
divizoare rezistive.
P 3.6. Dioda luminescent` (LED) din Fig. 3.19 are tensiunea de
deschidere [n jur de 2 V ]i dorim s` fie operat` la un curent de aproximativ 10 Fig. 3.18.
mA (+ sau - 10%). Calcula\i valoarea rezisten\ei. Cu c[t se modific`
intensitatea curentului dac` ne-am [n]elat cu 0.5 V asupra tensiunii de deschidere ?
P 3.7. Utiliz[nd acela]i circuit, trebuie s` aliment`m o diod` laser. Ea are tensiunea de deschidere de
aproximativ 2 V iar curentul de prag (de la care apare efectul laser) este de
R
50 mA. Curentul maxim la care func\ionarea este sigur` este de 100 mA.
Alege\i o valoare adecvat` pentru rezisten\`. Calcula\i apoi :
- puterea produs` de surs` 10 V + _
- puterea pierdut` pe rezisten\` LED
- puterea absorbit` de dioda laser
La curentu de 100 mA dioda laser emite o radia\ie luminoas` cu Fig. 3.19.
puterea de 5 mW. Estima\i randamentul total (putere laser/putere
consumat`) ]i randamentul diodei laser (putere laser/putere diod`).
Lucrare experimental`
Ve\i studia caracteristicile statice la trei diode semiconductoare: una cu germaniu, una cu siliciu ]i o
diod` luminescent` (LED).
Experimentul 1. Conduc\ia direct`
Desena\i-v` schema circuitului din Fig. 3.20 miliampermetru

R
]i apoi stabili\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile I mamp 1k Ω
necesare pentru aparatele de m`sur`, complet[nd mA
schema desenat`. Realiza\i apoi circuitul, aleg[nd ID IV
dioda cu germaniu. Selecta\i scala de 10 mA pentru E +
_ V
miliampermetru ]i cea de 1 V pentru voltmetru. 0 - 15 V
Cre]te\i progresiv tensiunea sursei de alimentare
urm`rind evolu\ia curentului. Observa\i deschiderea
diodei ]i nota\i-v` valoarea aproximativ` a tensiunii voltmetru
de deschidere. Fig. 3.20. Montajul experimental.
Relua\i apoi experimentul, m`sur[nd, dup`
deschiderea diodei, 10-12 puncte experimentale curent-tensiune. Nu uita\i c` miliampermetrul nu m`soar`
curentul prin diod` ci suma sa cu cel prin voltmetru. Determina\i rezisten\a RV a voltmetrului ]i face\i
corec\ia necesar` pentru a ob\ine curentul prin diod` cu o precizie de 1-5 %
ID = Imamp − U RV
V (volti) I mamp (mA ) IV (mA ) I D (mA )

0 0 0 0
Repeta\i experimentul ]i pentru celelalte diode ]i desena\i caracteristicile statice (curent [n func\ie de
tensiune) pe acela]i grafic, [n scar` liniar`, cu ambele scale [ncep[nd de la valoarea 0.
Experimentul 2. Este dependen\a curentului exponen\ial` ?
Relua\i investigarea conduc\iei directe la diodele cu germaniu ]i siliciu, urm`rind acum evolu\ia
curentului pe o gam` mai larg` de valori. Pentru c` ve\i reprezenta curentul pe o scar` logaritmic` ]i este de
dorit ca punctele experimentale s` fie aproximativ echidistante, ve\i efectua m`sur`tori la urm`toarele valori
ale curentului ([n mA) : 10; 5; 2; 1; 0.5; 0.2; 0.1; 0.05; 0.02; 0.01; 0.005; 0.002; 0.001. De data aceasta, la
valori at[t de mici ale curen\ilor, corec\ia de voltmetru nu mai poate fi aplicat` (justifica\i de ce !). Din acest
motiv, va trebui s` utiliza\i un voltmetru electronic, care are o rezisten\` intern` de c[\iva MΩ.
Reprezenta\i apoi, pe acela]i grafic, dependen\ele I = f(U ), cu o scar` logaritmic` pentru curent ]i
una liniar` pentru tensiuni. Determina\i varia\ia de tensiune necesar`, [n cazul fiec`rei diode, pentru ca
intensitatea curentului s` creasc` de 10 ori. Cunosc[nd poten\ialul termic VT ≅ 26 mV , determina\i pentru
diodele cu germaniu ]i, respectiv, siliciu, parametrul de recombinare m . Determina\i, de asemenea, valoarea
curentului Is de satura\ie.
Experimentul 3. Curentul invers
Dac` am da crezare expresiei teoretice (3.1), la polarizare invers`, dup` ce trece prin origine, curentul
devine practic constant la tensiuni mai negative dec[t c[teva zecimi de volt. deoarece la U >> mV T
exponen\iala devine neglijabil` fa\` de unitate ]i
I REV ≅ − I S .
La diodele reale apar curen\i de scurgere care fac ca valoarea curentului invers s` depind` de valoarea
tensiunii pe diod`. Din acest motiv ve\i determina numai ordinul de m`rime al acestui curent. Pentru aceasta,
aplica\i pe r[nd, pe diodele cu germaniu ]i siliciu, o tensiune invers` de aproximativ 5 V. Nu uita\i s`
inversa\i, [n prealabil, polarit`\ile aparatelor de m`sur`. Pentru a fi siguri c` ceea ce m`sura\i este curentul
prin diod`, deconecta\i voltmetrul dup` stabilirea tensiunii.
Determina\i ordinul de m`rime al curen\ilor inver]i. Dac` microampermetrul care m`soar` curentul nu
este suficient de sensibil, trage\i concluzia c` intensitatea curentului este mai mic` dec[t valoarea minim` care
ar putea fi pus` [n eviden\` cu aparatul.
Cum s[nt valorile curen\ilor inver]i pentru cele dou` tipuri de diode ? De c[te ori sunt mai mici dec[t
valorile curen\ilor [n conduc\ie direct` ?
Experimentul 4. Str`pungerea invers`
Dioda cu siliciu pe care o ave\i pe plan]et` este una stabilizatoare. Polariza\i-o invers ]i cre]te\i acum
tensiunea peste 5 V. Aten\ie, miliampermetrul trebuie s` fie pe scala de 10 mA ! Observa\i intrarea [n
str`pungere invers` ]i nota\i-v` valoarea tensiunii de str`pungere. Determina\i, apoi, 10-12 puncte
experimentale de pe caracteristic`, dup` intrarea [n str`pungere invers`. Desena\i graficul caracteristicii
inverse, [n scara liniar`, cu tensiunea [ncep[nd de la 0 vol\i. Reprezenta\i, apoi, [n detaliu, [n alt desen,
regiunea de str`pungere invers`. Determina\i din grafic rezisten\a dinamic` ∆U ∆ I din regiunea de
str`pungere.
Pagin` distractiv`
{n cele mai multe c`r\i de electronic` pute\i [nt[lni graficul caracteristicii statice a diodei
semiconductoare av[nd forma1 din desenul a) al figurii al`turate. Pe axe nu sunt trecute nici un fel de valori
iar textul care [l [nso\e]te este o [n]iruire de formule f`r` valori numerice. De]i seam`n` cu
Fig. 3.3 a), graficul este incorect pentru c` nu sunt specificate sc`rile de valori la care este f`cut`
reprezentarea.
a) b)
Al\i autori2 sunt mai genero]i, comunic[ndu-ne c` tensiunea se m`soar` [n vol\i ]i curentul [n amperi
(desenul b al figurii). Despre valorile numerice ale axelor respective elevii sunt liberi s` cread` orice.
Rezultatul inevitabil al acestui tip de literatur` didactic` este acela c` elevii sau studen\ii r`m[n cu informa\ia
c` intensitatea curentului [n conduc\ie direct` este mai mare doar de c[teva ori dec[t aceea a curentului
invers.
O alt` solu\ie [n reprezentarea caracteristicii diodei este utilizarea de scale diferite pentru cadranele I ]i
III al graficului 3. De]i corect` ]i utilizat` frecvent [ntre profesioni]ti (care ]tiu bine ordinele de m`rime ale
tensiunii ]i curentului), aceast` solu\ie are dezavantajul c` linia graficului prezint` un punct de fr[ngere [n
origine, proprietate pe care dependen\a real` nu o are (vezi Fig. 3.3 a) ]i b)). {n plus, forma graficului este
re\inut` automat de [ncep`tori dar nu ]i faptul c` scalele sunt complet diferite.
Ne putem explica evitarea cu [nd[rjire a desen`rii corecte [n coordonate liniare ]i completarea sa cu

reprezent`ri de detaliu numai prin procesul greoi de realizare a graficelor utilizat [naintea apari\iei
calculatoarelor personale. Dar noi b`nuim c` mul\i autori nu au v`zut niciodat` o curb` real` pe
caracterograf. Care exista cu mult [naintea PC-urilor.
1Z. Schhlett, I. Hoffman, A. Câmpeanu, "Semiconductoare ]i aplica\ii", Ed. Facla, Timi]oara, 1981.
2 ***,"Fizic`", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educa\ional, Bucure]ti, 2000.
3 ***, "Dispozitive ]i circuite electronice - partea I", Universitatea din Bucure]ti, 1985
CAPITOLUL
Tranzistoare bipolare -
caracteristici statice
10 mA 9.9 mA 20 mA 19.8 mA
IE IC ≅ IE IE IC ≅ IE
_ _
IB + IB +
0.6 V _ 10 V 0.62 V _ 10 V
+ +
foarte mic foarte mic
0.1 mA 0.2 mA
4.1. Conexiunea baz` comun` 83

4.2. Conexiunea emitor comun 113
4.1. Conexiunea baz` comun`

1.A. Tranzistoare: structur`, simboluri ]i mod de func\ionare 83
1.B. Caracteristica de intrare 88
1.C. Carcteristicile de transfer 89
1.D. Caracteristica de ie]ire 90
1.E. Satura\ia tranzistorului 93
1.F. Dep`]irea dificult`\ilor conexiunii cu baz` comun` 95
1. G. Surse de curent cu tranzistoare bipolare 97
rezervor 1
rezervor 2
rezervor 1
rezervor 2
regiunea activa
robinetul controleaza
IC (mA) debitul
10 50 µ A
6 N
regiunea de saturatie IB
4 M
robinetul nu mai
controleaza debitul
2
O
0 IB = 0
0 2 4 6 8 10
VCE (V) Valim
rezervor 2 rezervor 1
regimul de blocare
robinet complet inchis
4.2. Conexiunea emitor comun

2.A. Configura\ia cu emitor comun 113
2.B. Caracteristica de intrare 117
2.C. Caracteristicile de transfer 118
2.D. Caracteristica de ie]ire 120
2.E. Satura\ia tranzistorului 123
2.F. Date de catalog 126
Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice 83
4.1. Conexiunea baz` comun`
1. A. Tranzistoare: structur`, simboluri ]i mod de func\ionre
Am v`zut c` dioda, ac\ion[nd ca ]i supapa [n circuitele [n care circul` fluide, permite curentului s`
treac` [ntr-un singur sens, ca un [ntrerup`tor care s-ar deschide ]i [nchide singur, dup` sensul curentului. Un
alt dispozitiv esen\ial [n circuitele cu fluide este robinetul, care controleaz` debitul conform unei ac\iuni
externe, mecanice.
Pentru circuitele electrice, o ac\iune asem`n`toare o are releul electromagnetic, care controleaz`
trecerea unui curent de intensitate mare, fiiind comandat electric cu un curent mult mai mic. Releul
electromagnetic are dou` propriet`\i care [l fac s` mai fie [nc` utilizat [n unele aplica\ii: curentul de scurgere
[n starea "[ntrerupt" este extrem de mic iar rezisten\a [n starea de conduc\ie este infim`. Cu toate acestea, el
are dou` dezavantaje majore. {n primul r[nd, pentru c` are piese mecanice [n mi]care, este prea lent, neput[nd
fi utilizat la frecven\e de peste c[teva sute de Hz. Pe de alt` parte, el nu permite controlul gradual al
curentului ci doar unul de tipul tot sau nimic (on-off. [n limba englez`). Un control gradual [l putem realiza
cu un rezistor reglabil ('poten\iometru") dar acesta trebuie ac\ionat mecanic.
Primul dispoztiv care putea controla gradual curentul ]i era comandat printr-o tensiune a fost un tub
electronic, trioda. Tuburile erau [ns` mari, grele ]i fragile, ]i aveau nevoie de puteri electrice mari. Din acest
motiv, inventarea tranzistorului [n 1947 de c`tre John Bardeen ]i Walter Brattain de la Bell Laboratories a
marcat un pas important [n dezvoltarea electronicii; [n Fig. 4.1 a) pute\i admira primul tranzistor realizat, cu
contacte punctiforme. Bazat pe conduc\ia electric` la suprafa\a cristalului ]i pe contacte punctiforme cu fire
metalice, acest "tranzistor de tip A" era instabil ]i nu functiona de dou` ori la fel; [n plus curentul controlat
era puternic afectat de zgomot. Primul tranzistor utilizabil, cu jonc\iuni
(Fig. 4.1 b), este pus la punct [n 1950 ]i [n 1951 laboratoarele Bell [l fac cunoscut public 1. Electronica
modern` putea [ncepe. Ulterior apare posibilitatea integr`rii mai multor tranzistoare [ntr-un circuit integrat ]i
revolu\ia tehnologic` schimb` fa\a secolului XX.
a) b)
Fig. 4.1 a) ]i b). Primul tranzistor cu contacte punctiforme ]i primul tranzistor cu jonc\iuni.
Imaginat [nc` din 1948 de c`tre William Shockley, tranzistorul bipolar cu jonc\iuni (prescurtat
BJT - Bipolar Junction Transistor [n lb. eng.) este un dispozitiv semiconductor de tip sandwich, a c`rui
structur` fizic` con\ine trei regiuni semiconductore distincte: emitorul, baza ]i colectorul, a]a cum se vede [n
Fig. 4.1 c) ]i d) Pentru tranzistoarele PNP, emitorul ]i colectorul sunt de tip p, adic` purt`torii majoritari sunt
golurile, pe c[nd baza este de tip n, aici purt`torii majoritari fiind electronii. De]i de acela]i tip, emitorul ]i
1 O istorie fascinant` a invent`rii tranzistorului bipolar pute\i g`si la www.pbs.org/transistor/index.html.

colectorul difer` prin concentra\ia de purt`tori majoritari, care este mult mai mare [n emitor. La
tranzistoarele NPN tipurile sunt inversate, emitorul ]i colectorul fiind de tip n iar baza de tip p. Elementele
cheie [n func\ionarea tranzistorului sunt grosimea mic` a bazei ]i nivelul ei sc`zut de dopare
(conductivitate redus`).
emitor baza colector emitor baza colector

p n p n p n
3.7 mm 3.7 mm
25 µm 25 µ m
E C E C
IE + - IC IE - + IC
- + + -
B IB B IB
PNP NPN
c) d)
e)
Fig. 4.1 c), d) ]i e). Tranzistoare bipolare, structur`, simboluri ]i c[teva dintre tipurile de capsule utilizate.
{n figur` sunt date ]i simbolurile pentru cele dou` tipuri de tranzistoare.
S`geata arat` care este terminalul emitorului; sensul ei este sensul [n care conduce jonc\iunea
emitor baz`, jonc\iune care controleaz` starea "robinetului"
Primele tranzistoare cu jonc\iuni erau fabricate prin extragerea unui monocristal de tip bar` dintr-o
topitur` de germaniu dopat` n; [n timpul extragerii, extrem de lente, regiunea bazei era dopat` p. Au ap`rut
apoi alte tehnologii mai perfec\ionate care au [mbun`t`\it performan\ele tranzistoarelor bipolare ob\inute.
Ast`zi se realizeaz` o gam` foarte larg` de tranzistoare, pentru diferite aplica\ii: joas` ]i medie frecven\`,
[nalt` frecven\`, aplica\ii liniare, aplica\ii de comuta\ie, etc.. {n acest manual aten\ia noastr` va fi concentrat`
asupra aplica\iilor de joas` ]i medie frecven\`. {n acest domeniu, capsulele tranzistoarelor (Fig. 4.1 e) sunt
diferite dup` m`rimea curentului maxim pe care [l pot suporta (de la 100 mA la 10 A) ]i dup` puterea termic`
pe care o pot disipa (de la 300 mW la 110 W)
Deocamdat` ne vom focaliza aten\ia numai asupra tranzistoarelor NPN; dup` ce vom [ntelege
bine cum func\ioneaz` acestea, c[nd va trebui s` utiliz`m tranzistoare PNP nu va trebui dec[t s` invers`m
sensurile tuturor tensiunilor ]i curen\ilor. De]i primul material semiconductor utilizat [n construc\ia
tranzistoarelor a fost germaniul, datorit` puternicei lor sensibilit`\i termice aceste tranzistoare au fost
[nlocuite complet de tranzistoarele cu siliciu; din acest motiv
vom aborda [n cele ce urmeaz` numai tranzistoarele cu siliciu,
chiar dac` nu vom men\iona de fiecare dat` acest lucru explicit.
E C E C E C E C
⇔ ⇔
circuit B B
circuit B circuit B circuit
extern extern extern extern
f) g)
E C E C
⇔
_ B _
+ B +
0.6 V _ + 0.6 V _
+ 10 V 10 V
h)
Fig. 4.1 f), g) ]i h). Tranzistoare bipolare: echivalen\a cu dou` diode dac` numai una din jonc\iuni este
polarizat` (e, f) ]i absen\a acestei echivalen\e c[nd ambele jonc\iuni sunt polarizate (g).
Tranzistorul are dou` jonc\iuni semiconductoare, una emitor-baz` ]i cealalt` baz`-colector. Dac`
le investig`m separat (al treilea terminal fiind l`sat [n gol), ele se comport` ca ni]te diode, a]a cum se poate
observa [n Fig. 4.1 f) ]i g). La tranzistoarele de putere mic`, jonc\iunea emitor baz` are tensiunea invers` de
str`pungere cobor[t` [n jur de 6 V; din acest motiv e bine s` privim aceast` jonc\iune ca o diod` Zener a]a
cum am figurat ]i noi [n aceste desene. Efectul de tranzistor apare atunci c[nd polariz`m ambele jonc\iuni:
cea emitor baz` [n sens direct iar cea colector baz` [n sens invers: datorit` grosimii mici a bazei, cele dou`
jonc\iuni nu func\ioneaz` independent, a]a cum ar fi f`cut-o dou` diode legate [ntre ele prin conductoare
(Fig. 4.1 h).
Aten\ie, acesta este un experiment imaginar ]i l-am construit c[t mai simplu posibil; dac` [l
[ncerca\i [n practic` ]i tensiunea sursei care polarizeaz` jonc\iunea baz`-emitor cre]te accidental cu
numai 0.180 V, curentul de emitor va cre]te de 1000 de ori ]i jonc\iunea va fi pulverizat`. {n circuitele
practice se utilizeaz` todeauna o rezisten\` legat` [n serie, pentru limitarea curentului prin jonc\iune.
S` vedem [n ce const` efectul de tranzistor. Dac` dorim ca tranzistorul s` func\ioneze ca un robinet

controlat, cele dou` jonc\iuni trebuie polarizate [ntr-un anumit mod: jonc\iunea emitor baz`, care va controla
robinetul, trebuie s` fie direct polarizat` (deschis`) iar jonc\iunea colector baz` trebuie s` fie invers
polarizat`.
Regimul de lucru al tranzistorului cu jonc\iunea emitor baz` deschis` iar jonc\iunea colector baz` invers
polarizat` este denumit regim activ normal.
IE = 0 I CB0 ≅ 0
IE IC = 0
_ +
+ 0.6 V IB _ 10 V
a) b)
10 mA 9.9 mA 20 mA 19.8 mA
_ _
IB + IB +
0.6 V _ 10 V 0.62 V _ 10 V
+ +
foarte mic foarte mic
0.1 mA 0.2 mA
c) d)
10 mA 9.9 mA 10 mA 9.9 mA
_ _
IB + 0.6 V IB
0.6 V _ 10 V +
+ foarte mic foarte mic
0.1 mA 0.1 mA
e) f)
Fig. 4.2. Efectul de tranzistor.

Polariz`m mai [nt[i jonc\iunile, separat, pe r[nd; a]a cum am spus, [n aces caz, tranzistorul se
comport` ca un ansamblu de dou` diode montate "spate la spate". Jonc\iunea emitor-baz` se deschide ]i [ntre
emitor ]i baz` circul` un curent de ordinul de ordinul mA - zeci de mA (Fig. 4.2 a). Dependen\a curentului de
tensiune este una exponen\ial`
F mVVEB I
IE ≈ G e − 1J ;
GH JK (4.1)
T
cu m apropiat de valoarea 2, ca la o diod` cu siliciu. {n ceea ce prive]te jonc\iunea colector baz` (desenul b),
aceasta este invers polarizat` (am desenat l[ng` simbol dioda echivalent` pentru ca acest lucru s` fie evident)
]i curentul de colector (notat cu I CB0 pentru a ar`ta c` emitorul este "[n gol") este practic nul.
Aplic`m apoi simultan sursele de tensiune, ca [n desenul c) al figurii, ]i, surpriz`, curentul de
emitor, [n loc s` circule prin terminalul bazei, circul` practic integral prin terminalul colectorului, de]i
jonc\iunea colector baz` este invers polarizat`.
Aplicarea atent` a legii curen\ilor arat` c`, de]i curentul de baz` este foarte mic, la cealalt` born`
a sursei de 0.6 V curentul este egal cu I E , la fel ca la borna legat` [n emitor. Pentru a nu complica desenul,
s`ge\ile "groase", care sugereaz` m`rimea curen\ilor, au fost desenate numai la terminalele tranzistorului.
Dac` modific`m polarizarea jonc\iunii emitor baz`, deschiz[nd-o mai mult (desenul d), curen\ii de
emitor ]i colector, r`m[n[nd [n continuare practic egali [ntre ei, cresc. Spre deosebire de circuitul cu dou`
diode,
[n tranzistor, curentul de colector este controlat de tensiunea aplicat` pe jonc\iunea emitor baz`.
Acest efect este datorat grosimii mici a bazei, mult mai mic` dec[t lungimea de difuzie a electronilor, ]i
dop`rii sale slabe; astfel, la str`baterea acesteia, electronii injecta\i din emitor au foarte pu\ine ]anse s`
[nt[lneasc` goluri ]i s` se recombine cu ele.
Mai mult, la tranzistoarele de putere mic` (sute de mW), curentul de baz` este de sute de ori mai
mic dec[t ceilal\i ]i
curentul de colector este practic egal cu cel de emitor, curentul de baz` fiind mult mai mic
dec[t ace]tia.
Chiar ]i la tranzistoarele de putere mare curentul de baz` este foarte mic, de 20 -50 ori mai mic dec[t ceilal\i
doi ]i afirma\ia anterioar` r`m[ne valabil`.
Pentru IE = 0, rezult`, conform afirma\iei anterioare c` ]i curentul ar trebui s` fie nul. La
polarizarea invers` a jonc\iunii colector baz` cu cel pu\in c[teva zecimi de volt, acest lucru nu este perfect
exact pentru c` jonc\iunea colector-baz` fiind invers polarizat`, vom avea [n colector curentul invers I CB0 al
jonc\iunii. Rela\ia ce leag` curen\ii de colector ]i emitor se scrie
IC = α I E + I CB0 (4.2)
unde constanta α se nume]te amplificare [n curent ([n conexiunea baz` comn`) ]i are valori foarte apropiate
de unitate (fiind [mpr`]tiat` de la exemplar la exemplar ]i dup` tipul tranzistorului aproximativ [ntre 0.95 ]i
0.998).
Pentru tranzistoarele cu germaniu, curentul I CB0 nu putea fi neglijat, mai ales c[nd temperatura
tranzistorului cre]tea, ]i din aceast` cauz` aceste tranzistoare nu se mai utilizeaz`. {n schimb, pentru
tranzistoarele cu siliciu, curentul invers al jonc\iunii colector-baz` este de aproape 1000 de ori mai mic dec[t
la cele cu germaniu. Putem, astfel, s` uit`m complet de el. Ni-l vom aminti doar atunci c[nd vom studia
efectul modific`rii temperaturii asupra caracteristicilor tranzistoarelor. }i vom trage concluzia c` nu el este
vinovatul principal.
}i aceasta nu e tot. Revenim la polarizarea ini\ial` a jonc\iunii emitor-baz` (desenul e) ]i modific`m

acum valoarea tensiunii care polarizeaz` invers jonc\iunea colector-baz`, cobor[nd-o chiar la zero, cu un
scurtcircuit [ntre colector ]i baz` (desenul f). Curentul de colector r`m[ne insensibil la manevra noastr` !
{n regiunea activ` normal`, curentul de colector este practic independent de tensiunea colector
baz`.
Scopul circuitelor electronice este, [n majoritatea cazurilor, prelucrarea semnalelor (informa\iei).

Exist` o pereche de borne de intrare, numit` port de intrare, [ntre care se aplic` o tensiune variabil` din
exterior. La o alt` pereche ce borne, numit` port de ie]ire este legat un consumator de energie pe post de
sarcin` (eventual un alt circuit). Rolul circuitului este ca starea portului de ie]ire (tensiunea ]i curentul de
ie]ire) s` fie controlat` de starea portului de intrare, dup` o anumit` rela\ie func\ional`. Pe de alt` parte, ne-ar
conveni ca starea portului de intrare s` fie influen\at` c[t mai pu\in de cea a portului de ie]ire.
Tranzistorul are numai trei terminale; astfel, unul dintre ele va trebui s` fie comun at[t portului de
intrare c[t ]i celui de ie]ire. {n configura\ia [n care am investigat noi comportarea tranzistorului, baza era
terminalul comun celor dou` porturi; am utilizat, deci, o configura\ie cu baza comun`.
{n conexiunea cu baz` comun`, portul de intrare este [ntre emitor ]i baz` iar portul de ie]ire este
[ntre colector ]i baz`, baza fiind astfel comun` celor dou` porturi.
Aceast` conexiune permite explicarea mai comod` a func\ion`rii tranzistorului pentru c` cele dou`
surse de tensiune controleaz` separat tensiunile pe cele dou` jonc\iuni. {n plus, conexiunea ofer` anumite
avantaje [n c[teva tipuri de aplica\ii.
Func\ionarea [n regim static a unui dipol poate fi descris` prin dependen\a func\ional` curent-
tensiune, numit` caracteristic` static`. Starea unui dispozitiv care are un port de intrare ]i unul de ie]ire, cum
este tranzistorul, este determinat`, [ns`, de patru variabile, care sunt curen\ii ]i, respectiv, tensiunile la
fiecare din porturi. Vom avea nevoie, deci, de mai multe tipuri caracteristici:
- caracteristica de intrare (dependen\a curent-tensiune la portul de intrare)
- caracteristica de ie]ire (dependen\a curent-tensiune la portul de ie]ire)
- caracteristici de transfer, care leag` o m`rime de la ie]ire (curent sau tensiune) de o m`rime de la
intrare. Dac` dorim s` [n\elegem cum se comport` tranzistorul [n circuitele [n care este utilizat, va trebui s`
vedem cum arat` caracteristicile sale statice.
1. B. Caracteristica de intrare
Prin caracteristic` de intrare [n\elegem dependen\a curent-tensiune de la portul de intrare, adic` IE

[n func\ie de VEB . De]i baza tranzistorului este ]i ea legat` la portul de intrare, curentul de baz` nu este
curent de intrare deoarece, a]a cum am subliniat anterior, la ambele borne ale sursei de tensiune care
realizeaz` controlul curentul are valoarea I E . Pentru a nu complica discu\ia, vom [n\elege aici, prin tensiunea
VEB , m`rimea (f`r` semn) a tensiunii de polarizare a jonc\iunii emitor baz`; cu alte cuvinte, nu vom mai l`sa
[n seama caracteristicii de intrare s` ne aminteasc` polaritatea necesar` pentru a ne situa [n regiunea activ`
normal`. Acela]i lucru [l aplic`m ]i pentru curentul de intrare. Aceast` abordare are avantajul c` forma
caracteristicii arat` la fel ]i pentru tranzistoarele PNP.
Caracteristica de intrare trebuie trasat` la anumite condi\ii constante la portul de ie]ire. Cum IC
este practic egal cu IE , nu pe el [l putem p`stra constant; nu avem de ales, va trebui s` p`str`m constant`
tensiunea de ie]ire VCB . {n aceste condi\ii, caracteristica de intrare IE = f(VEB )V = cons. este una
CB
exponen\ial`,
VEB
VT
I E = I0 e (4.3)
tensiunea de deschidere fiind, pentru tranzistoarele bipolare cu siliciu, [n jur de 0.6 V. C[nd curentului de
colector i se ofer` o cale pe care s` circule (colectorul nu este [n gol) parametrul m este unitar deoarece baza
este foarte sub\ire ]i recombin`rile au loc exclusiv [n regiunea neutr` a colectorului. Din acest motiv
numitorul de la exponen\ial` este exact VT ]i curentul de emitor se multiplic` cu 10 la fiecare cre]tere cu 60
mV a tensiunii emitor-baz`, ca la o diod` cu germaniu.
La portul de intrare, tranzistorul nu se comport` ca un rezistor, caracteristica sa fiind neliniar` ]i
similar` cu aceea a unei diode. Pentru a caracteriza efectul unei mici varia\ii a tensiunii VEB , introducem
rezisten\a dinamic`, ce caracterizeaz` local caracteristica (depinde de punnctul unde se calculeaz`)
reb = d VEB d I E ; (4.4)
Din rela\ia (4.3) rezult` c` ea are expresia
reb = VT I E (4.5)
fiind invers propor\ional` cu valoarea curentului. Astfel, la 1 mA ea este de 25 Ω, pe c[nd la 10 mA coboar`

la 2.5 Ω.
Depinde caracteristica de intrare de tensiunea de la portul de ie]ire ?

{n mod ideal, ar trebui ca starea portului de ie]ire s` nu afecteze starea portului de intrare de unde se
face controlul dispozitivului. Pentru tranzistorul bipolar, acest lucru este aproximativ adev`rat. Cu toate
acestea, o analiz` mai atent` poate constata curent de emitor (mA)
1.00
modificarea caracteristicii de intrare, dac` se
schimb` valoarea tensiunii VCB colector-baza la
V CB = -10 V
care este ea trasat`. Acest efect, numit efect Early,
se pune [n eviden\` mai comod pe o scar`
logaritmic` pentru curent (Fig. 4.3) . Astfel, dac` 0.10 VCB = 0 V
VCB se modific` de la 0 la 10V, caracteristica de
intrare este pur ]i simplu translatat` [n sus. Aceasta
[nseamn` c` putem descrie efectul fie la VEB
constant, prin [nmul\irea curentului de emitor cu un
0.01
factor de aproximativ 1.1 (cre]tere de 10 %), fie la 0.50 0.55 0.60
IE constant, fiind necesar` acum o tensiune VEB
cu aproximativ 2 mV mai mic`. Cele mai multe tensiune emitor-baza (volti)
texte prefer` a doua variant`, afirm[nd c` la Fig. 4.3. Modificarea caracteristicii de intrare la
cre]terea tensiunii colector-baz` scade tensiunea varia\ia tensiunii colector baz`.
emitor baz`, factorul ∆ VEB ∆ VCB fiind [n
valoare absolut` de ordinul a 10-4 (de cele mai multe ori informa\ia c` aceasta se [nt[mpl` dac` p`str`m
constant curentul IE este omis`, produc[nd confuzie pentru [ncep`tori).
Observa\ie: Pentru diferite valori constante ale tensiunii de ie]ire VCB se ob\in curbe diferite
I E = f (VEB ) ; acest ansamblu de curbe este numit de multe ori "familia caracteristicilor" de intrare. Noi
vom continua s` utiliz`m [ns` o terminologie mai simpl`, vorbind despre caracteristica de intrare ]i
influen\area sa de c`tre parametrul VCB . Acest lucru va fi valabil ]i pentru celelalte tipuri de caracteristici.
1.C. Caracteristicile de transfer
M`rimea de ie]ire care este controlat` prin starea portului de intrare este curentul de colector.
Putem considera, cu egal` [ndrept`\ire, c` el este controlat fie de curentul de emitor (curentul de la portul de
intrare), fie de tensiunea emitor-baz` (tensiunea de la portul de intrare). {n ambele cazuri, parametrul care
trebuie men\inut constant este tensiunea colector baz`.
A]a cum am spus, la tranzistoarele cu siliciu curentul rezidual de colector este neglijabil ]i avem
[ndeplinit` rela\ia (4.2)
IC = α I E .
Cum α ≅ 1, caracteristica de transfer IC = f(IE ) este o linie dreapt`, practic identic` cu prima
VCB = cons.
bisectoare. La modificarea tensiunii VCB , factorul de amplificare α se modific` extrem de pu\in, cresc[nd
cam cu 10−4 vol.
Consider[nd c` tensiunea emitor baz` controleaz` curentul de colector, caracteristica de transfer
IC = f(VEB ) este descris` de rela\ia
VCB = cons.
VEB
VT
IC = I se ; (4.6)
dac` privim tranzistorul ca un robinet controlat de tensiune, func\ionarea sa este foarte neliniar`. Pentru
tensiuni p[n` la 0.6 V curentul este nesemnificativ, pentru ca apoi cre]terea s` fie exploziv`. Avem, de fapt,
aceea]i comportare de la dioda cu germaniu:
dublare a curentului la fiecare cre]tere cu 18 mV ]i multiplicare cu 10 la fiecare cre]tere de 60 mV.
Pentru a caracteriza sensibilitatea controlului se define]te un parametru dinamic, numit

transconductan\` dinamic`
d IC
gm =
d VEB ; (4.7)
se poate ar`ta imediat c`
I
gm = C (4.8)
VT
unde IC este valoarea [n jurul c`reia s-a calculat transconductan\a iar VT este poten\ialul termic (25 mV la
temperatura camerei).
1.D. Caracteristica de ie]ire
P`strind constant` intensitatea curentului de emitor, caracteristica de ie]ire IC = f(VCB ) are forma
din Fig. 4.4 a), adic` o dreapt` orizontal`. Ecua\ia care descrie caracteristica este IC = α IE ]i cum IE este
constant....C[t de constant este, [ns`, factorul α la varia\ia tensiunii colector baz` ? El variaz` cam cu 10-4
pe volt ]i cum noi am produs o varia\ie de 10 V, curentul de colector a crescut cam cu o miime din valoare
lui, cre]tere insesizabil` cu un aparat de m`sur` analogic (cu ac indicator) ]i la fel de insesizabil` pe graficul
nostru).
Tranzistorul se comport` la portul de ie]ire ca o surs` de curent aproape ideal`, a]a cum este ar`tat
[n desenul c) al figurii. La o valoare a curentului de 1 mA, rezisten\a ei echivalent` este de ordinul a
10V 10V
= = 10 MΩ . Cum la aceea]i modificare a tensiunii colector-baz` varia\ia curentului
I E ⋅10-3 1mA ⋅10-3
este propor\ional` cu valoarea sa ini\ial`, valoarea rezisten\ei este invers propor\ional` cu valoarea
curentului de emitor.
IC (mA) IC (mA)
6 6
5 IC(0)5
rcb = ∆ CB
4 4 V
∆ IC
3 IE = constant = 5 mA 3
2 2 VEB = constant
1 1
0 0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
VCB (V) VCB (V)
a) b)
IC
C
(0) +
IC
c) rcb V CB
-
B
Fig. 4.4. Caracteristica de ie]ire ]i modelarea portului de ie]ire.
Ce s-ar fi [nt[mplat dac` ne-am fi hot`r[t s` p`str`m, la portul de intrare, tensiunea emitor-baz`
constant` [n locul curentului de emitor ? De data aceasta, [n expresia IC = α IE , s-ar fi modificat ]i α ]i
valoarea IE a curentului de emitor iar caracteristica de ie]ire ar fi ar`tat ca [n Fig. 4.4 b), curentul de colector
modific[ndu-se aproximativ cu o zecime din valoarea sa atunci c[nd tensiunea colector baz` variaz` de la zero
la 10 V. C[nd am discutat modificarea caracteristicii de intrare la varia\ia tensiunii de ie]ire am remarcat pe
graficul din Fig . 4.3 o varia\ie a curentului de emitor de 10%. Cum α variaz` extrem de pu\in, aceasta este
acum cauza principal` a varia\iei curentului de colector. Acum portul de ie]ire nu mai este a]a de aproape de
o surs` ideal` de curent: rezisten\a sa dinamic`, calculat` tot la un curent de 1 mA este [n jur de
10V
= 100kΩ , performan\` ce este de 100 de ori mai modest` dec[t [n cazul [n care men\ineam IE
1mA ⋅ 10-1
constant.
Cine p`streaz` constant curentul de emitor [n circuitele practice ?
curentul de emitor (mA)

7
RE IE IC
6
- 5
_ 1
+ IB + 4 panta = -
E VCB _ RE
+ 3
2 E
1
a) 0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0
tensiunea emitor-baza (volti)

b)
N
(0)
noul PSF 0.1 I C
c)
(0)
IC
M
2 mV dreapta de
sarcina
Fig. 4.5. Modificarea PSF de la intrare la varia\ia tensiunii colectr-baz` [n cazul unui circuit
practic.
{n circuitele practice nu se p`streaz` nici tensiunea VEB constant` (nu ne convine pentru c`
performan\ele sunt modeste) ]i nici IE (ne-ar trebui o surs` ideal` de curent, or tocmai asta vrem s` realiz`m
cu tranzistorul nostru). Jonc\iunea emitor baz` este polarizat` cu un circuit care con\ine o surs` de tensiune E
]i un rezistor cu rezisten\a RE , ca [n Fig. 4.5 a). Punctul de func\ionare (curentul de emitor ]i tensiunea
emitor baz`) se g`se]te la intersec\ia caracteristicii cu dreapta de sarcin`, care are panta
∆ IE ∆ VEB = −1 RE , a]a cum se vede [n Fig. 4.5 b).
Metoda dreptei de sarcin` a fost descris` pe larg [n Cap. 3 la pag. 66.
Pentru a urm`ri cum se modific` acest punct de func\ionare (PSF) la schimbarea tensiunii colector-
baz`, cele mai comode sunt coordonatele liniare (desenul c al figurii). S` presupunem c` la VCB = 0 punctul
(0)
de func\ionare se g`se]te la ICB . La cre]terea tensiunii colector baz` la valoarea de 10 V, avem o nou`
caracteristic` de intrare: cunoa]tem dou` puncte de pe aceasta, punctul M la 2 mV la st[nga pe orizontal` ]i
(0)
punctul M cu o zecime din ICB mai sus, pe vertical` ca [n desenul c) al figurii.
Este evident din figur` c` tensiunea emitor baz`-emitor scade cu mai pu\in de 2 mV. Din acest
motiv ve\i [nt[lni [n multe texte afirma\ia c` "tensiunea emitor baz` scade cu 2 mV..."; aceasta trebuie
[n\eleas` [n sensul cazului cel mai defavorabil: "tensiunea scade cu cel mult 2 mV..." Putem deduce imediat
c` valoarea curentului de emitor cre]te cu mai pu\in de 2mV RE . Dac` pe rezisten\a RE am fi acceptat s`
(0)
pierdem o tensiune IE RE = U RE , varia\ia relativ` a curentului de emitor ∆ IE IE(0)ar fi mai mic` dec[t
2mV
. Cu o c`dere de tensiune de 2 V pe rezisten\a din emitor (ceea ce nu constituie o problem`), curentul
U RE
de emitor cre]te la varia\ia cu 10 V a tensiunii colector baz` cu numai o miime din valoarea sa; efectul este
de aceea]i m`rime cu cel produs de varia\ia factorului α .
{n concluzie, la o varia\ie de 10 V a tensiunii colector baz`, curentul de colector cre]te cu
0.2 - 0.5 %. Aceasta este performan\a pe care ne-o poate oferi sursa de curent realizat` cu circuitul simplu din
Fig. 4.5 a). Dac` o exprim`m [n termeni de rezisten\` dinamic` a portului de colector, la un curent de 1 mA,
ob\inem o valoare [n jur de 2 - 5 MΩ.
Rezisten\a dinamic` ob\inut` va fi, [ns`, invers propor\ional` cu valoarea curentului.
1.E. Satura\ia tranzistorului
Ce condi\ie trebuie s` respect`m pentru ca

IC (mA)
portul colector-baz` s` se comporte ca o surs` de
jonctiunea colector-baza jonctiunea colector-baza
curent ? Din Fig. 4.4 a) rezult` c` dac` tensiunea
polarizata direct polarizata invers
colector baz` este mai mare ca zero, totul este [n 1
regul`. Aceast` tensiune nu poate dep`]i o anumit`
valoare maxim`, peste care jonc\iunea colector-baz`
IE = 1 mA
se str`punge invers. Dar dac` polaritatea tensiunii VCB 0
se schimb` ? Jonc\iunea colector baz` devine direct -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
polarizat` ]i, dup` dep`]irea tensiunii de deschidere, VCB (V)
prin ea [ncepe s` treac` un curent din ce [n ce mai -1
mare, care are sensul invers celui determinat de
curentul de emitor. Astfel, curentul total de colector
[ncepe s` scad` (Fig. 4.6), ajunge la zero, schimb` Fig. 4.6. Caracteristica de ie]ie la inversarea
sensul ]i cre]te [n continuare puternic ([n valoare polarit`\ii tensiunii colecor baz`.
absolut`), deoarece devine dominant curentul de
conduc\ie direct` al jonc\iunii colector-baz`.
{n regiunea [n care jonc\iunea colector-baz` este deschis`, numit` regiune de satura\ie, rela\ia IC = α IE
[nceteaz` s` mai fie respectat` ]i curentul de colector nu mai este controlat de portul de intrare.
Pentru ca tranzistorul s` se comporte sigur ca o surs` de curent, tensiunea VCB trebuie s` fie cuprins` [ntre
valoarea zero ]i valoarea VCB max specificat` de fabricant. Aceasta este complian\a de tensiune a sursei de
curent realizat` cu tranzistorul nostru.
Utilizarea unei surse de curent nu se face, [ns`, prin cuplarea direct` la bornele sale a unei surse de
tensiune ci prin intercalarea unei sarcini care s` beneficieze de curentul constant al sursei de curent, ca [n
Fig. 4.7 a). {n general, parametrul care se modific` este valoarea rezisten\ei de sarcin` ]i vom analiza evolu\ia
punctului de func\ionare prin metoda dreptei de sarcin`.
R s = E C I0 IC (mA) Rs = 0
sarcina R s R s > E C I0 N M
RE I0
O
IE I0
_
+ EC
EE _
+ Rs = ∞
0
-0.8 -0.4 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
- VCB (V)
EC
a) b)
Fig. 4.7. Efectul modific`rii rezisten\ei de sarcin` cuplat` la sursa de curent.
La polarizare invers` a jonc\iunii colector baz`, portul colector-baz` se comport` ca o surs` de

curent de valoare I0 . Pe de alt` parte, intersec\ia cu axele ale dreptei de sarcin` sunt situate la EC ]i EC Rs.
Dac` sarcina este un scurtcircuit ( Rs = 0), dreapta este vertical` ]i punctul de func\ionare este [n pozi\ia M,
[n regiunea unde portul colector-baz` se comport` ca o surs` de curent. Pe m`sur` ce rezisten\a de sarcin`
cre]te, punctul de func\ionare se deplaseaz` spre st[nga pe caracteristica de ie]ire a tranzistorului. Atunci c[nd
Rs = EC I0 , toat` tensiunea sursei EC cade pe rezisten\a de sarcin` ]i tensiunea colector-baz` ajunge la
valoarea zero (punctul de func\ionare N); aici, [nc` portul de ie]ire se comport` ca o surs` de curent.
Cre]terea rezisten\ei de sarcin` peste valoarea Rs = EC I0 duce, [ns`, la schimbarea polarit`\ii
tensiunii colector-baz` de]i sursa de alimentare nu ]i-a modificat polaritatea (punctul O pe figur`).
Jonc\iunea colector baz` [ncepe s` devin` direct polarizat` ]i apoi se deschide.
Regimul de func\ionare al tranzistorului cu ambele jonc\iuni deschise se nume]te regim de

satura\ie ; [n acest regim circuitul [nceteaz` s` se mai comporte ca o surs` de curent.
Cum structura tranzistorului este simetric`, emitorul ]i colectorul av[nd acela]i tip de dopare iar ambele
jonc\iuni sunt deschise,
[n regimul de satura\ie poten\ialele colectorului ]i emitorului devin practic egale.
La cre]terea [n continuare a rezisten\ei de sarcin`, punctul de func\ionare se deplaseaz` [n jos,

ajung[nd la limita Rs = ∞ (circuit [ntreupt [n colector) la valoarea IC = 0, a]a cum era de a]teptat. Trebuie
men\ionat c` [n regiunea de saturatie curenntul de colector [nceteaz` s` mai fie controlat de curentul de
emitor.
{n concluzie,
pentru ca tranzistorul s` se comporte ca surs` de curent, rezisten\a de sarcin` din colector trebuie s` aib`
valoarea [ntre zero (scurtcircuit) ]i Rs = EC I0 .
1.F. Dep`]irea dificult`\ilor conexiunii baz` comun`
Am v`zut c` efectul fundamental al tranzistorului este controlul curentului de colector (independent

de tensiunea colector baz`) de c`tre curentul de emitor. Caracteristica de transfer IC = f(VEB )
VCB = cons.
este una exponen\ial` ]i, pentru a putea face acest lucru, jonc\iunea baz`-emitor trebuie, mai [nt[i, deschis`
prin aplicarea unei tensiuni [n jur de 0.6 V; aceasta stabile]te un curent de repaus (quiescent [n lb. englez`).
Opera\ia este numit` polarizare (bias [n lb. englez`). Peste regimul de repaus se adun`, apoi, mici varia\ii
provocate de o surs` de semnal (de exemplu, un microfon) care modific` pu\in tensiunea emitor-baz`
∆VEB = rbe ⋅ ∆ I E , a]a cum se observ` [n Fig. 4.8. Modificarea curentului de colector ∆ I C = ∆ I E provoac`,
datorit` valorii mari a rezisten\ei RC (mult mai mari dec[t a rezisten\ei dinamice reb egal` cu c[teva zeci de
Ω), varia\ii ale tensiunii de colector de sute de ori mai ample dec[t ale tensiunii de intrare.
VC
3V
15 V
R C 10 k Ω
Vs
+5 mV
IE IC ≅ IE
0 ~ Vs
-5 mV +
IB _ 30 V
_
+ 0.6 V
Fig. 4.8. Amplificarea varia\iilor tensiunii de intrare.
Tranzistorul este, f`r` [ndoial` un consumator de energie. Cu toate acestea, dac` lu`m [n
considera\ie numai varia\iile, acestea au la ie]ire o putere electric` mai mare dec[t cea de la intrare; diferen\a
este, desigur, furnizat` de sursa de alimentare din colector, tranzistorul control[nd numai modul [n care
aceast` energie este furnizat` sarcinii. Pentru c` reu]e]te s` "amplifice" puterea semnalului variabil,
tranzistorul este considerat [n electronic` un element activ de circuit. Nu trebuie s` uit`m, [ns`, c` acest
lucru este aparent ]i valabil numai pentru varia\ii.
Circuitul din Fig. 4.8 prezint`, [ns`, inconveniente majore, ce afecteaz` at[t sursa de tensiune
continu` necesar` pentru polarizare c[t ]i sursa de semnal. {n ceea ce prive]te polarizarea, cele dou` surse de
tensiune continu` au polarit`\i opuse fa\` de borna lor comun` ]i va trebui obligatoriu s` construim dou`
surse de alimentare diferite. Aceast` variant` este complet neeconomic` ]i este evitat` prin deplasarea
sursei de polarizare l[ng` terminalul bazei, ca [n Fig. 4.9 a). Pentru a p`stra 25 V [ntre colector ]i baz`,
cre]tem cu 0.6V tensiunea sursei din ochiul colectorului. Aceasta dac` suntem exagerat de scrupulo]i; putem
la fel de bine s` nu o facem deoarece ]tim c` o varia\ie de 0.6 V a tensiunii colector baz` nu afecteaz` practic
func\ionarea tranzistorului. {n acest mod, am reu]it s` facem ca ambele surse de tensiune continu` s` fie
legate cu borna negativ` la mas`; putem s` construim o singur` surs` de alimentare de 25 V, iar tensiunea de
0.6 V s` o realiz`m cu un divizor rezistiv, ca [n desenul b) al figurii. Mai mult, acum curentul care str`bate
sursa este curentul de baz`. Merit` s` exprim`m valoarea acestuia
IB = IE − IC = IE (1 − α )≅ IC (1 − α ) ; (4.9)
cum α este foarte aproape de unitate, factorul (1− α ) are valori sub 1100. {n consecin\`, sursa de polarizare
va trebui s` debiteze un curent sub o zecime de mA, u]ur[nd astfel realizarea divizorului rezistiv. Aceasta
este [ntodeauna solu\ia aleas` [n circuitele practice.
RC
1 mA
IB IB
+ 0.1 mA R1 +
foarte mic _ 25.6 V _ 25 V
+
0.6 V _
+
0.6 V R2
-
a) b)
IB semnal IB
+ +
semnal ~ Vs _ 25 V ~ Vs polarizare _ 25 V
+_ 0.6 V
+
polarizare _ 0.6 V
c) d)
Fig. 4.9.
S` ne ocup`m acum ]i de sursa de semnal, care produce varia\ia curentului de colector. Pe circuitul
cu baz` comun` (Fig. 4.8) sursa de semnal trebuie s` debiteze curen\i ∆ IE = ∆ IC egali cu cei pe care [i
controleaz`. Cu alte cuvinte, dac` dorim s` control`m curentul de [nc`lzire de 10 A al unui cuptor, va trebui
s` avem o surs` de semnal capabil s` vehiculeze ]i ea 10 A. Cam nepl`cut, nu ? Rezolvarea dificult`\ii se
face deplas[nd ]i sursa de semnal l[ng` terminalul bazei, ca [n Fig. 4.9 c). Curentul de intrare este acum
curentul de baz`, curentul cerut de la sursa de semnal fiind de o sut` de ori mai mic dec[t [nainte. Putem
acum controla curentul de 10 A ai cuptorului cu un curent de numai 0.1 A; [l putem ob\ine chiar ]i de la o
baterie de lantern`.
{n noua configura\ie, [n care emitorul este comun, curentul de colector este controlat de curentul
de baz`. Dependen\a se ob\ine simplu, din legea curen\ilor ]i IC = α IE
α
IC = IB = β IB . (4.10)
1− α
Deoarece aceast` conexiune este de departe cea mai utilizat`, factorul β , numit factor de amplificare [n
curent [n conexiunea emitor comun, este parametrul interesant [n aplica\ii.
Exist`, [ns`, aplica\ii unde conexiunea cu baz` comun` ofer` anumite avantaje. {n aceste cazuri,
de]i sursa de polarizare s-a deplasat l[ng` terminalul bazei, sursa de semnal r`m[ne [n ochiul emitorului (Fig.
4.10 d).
1.G. Surse de curent cu tranzistoare bipolare
sarcina sarcina
RE RE
IE IC IE IC
_
IB + IB +
EE EC _ _ EC
+
+ EE
_
a) b)
Fig. 4.10 a) ]i b). Sursa de curent cu tranzistor NPN.

Am v`zut c` dac` polariz`m jonc\iunea emitor-baz` trec[nd curentul de emitor printr-un rezistor pe
care pierdem c[\iva vol\i, portul de ie]ire dintre colecor ]i baz` se comport` ca o surs` de curent cu rezisten\a
echivalent` de ordinul MΩ. S` relu`m schema circuitului, ca [n Fig. 4.10 a) unde am desenat ]i o sarcin`,
care nu este neap`rat liniar` ]i care se poate modifica [n timp. Circuitul prezint` un inconvenient pe care
tocmai l-am discutat: cele dou` surse au polarit`\i diferite fa\` de borna comun` (baza). Utiliz`m trucul
prezentat acolo, deplas[nd una din surse de-a lungul ochiului de circuit, ca [n desenul b) al figurii. Realiz`m
apoi aceast` surs` cu un divizor rezistiv (Fig. 4.10 c). Nu mai r`m[ne dec[t s` redesen`m schema mai elegant,
cu linia de poten\ial ridicat [n partea de sus a figurii, s` alegem ca nod de mas` borna negativ` a sursei de
alimentare ]i, [n final, s` renun\`m la desenarea explicit` a sursei de alimentare, trec[nd doar valoarea ei.
Ceea ce am ob\inut (desenul d) este configura\ia tipic` [n care ve\i g`si [n scheme sursa de curent cu
tranzistor NPN.
Va trebui s` [nv`ta\i s` o desena\i [n aceast` form` ]i s` [n\elege\i func\ionarea sa [n aceast`
form`. Aceasta este extrem de simpl`: curentul de baz` fiind foarte mic, divizorul format din rezistoarele R 1
]i R2 este practic ne[nc`rcat ]i men\ine constant` tensiunea notat` pe schem` cu U 2. Cum ]i tensiunea
emitor baz` este practic constant`, rezult` c` tensiunea pe rezistorul din emitor este constant`, deci curentul
de emitorul este men\inut constant. {n final nu trebuie dec[t s` v` aminti\i c` valoarea curentului de colector
este practic egal` cu aceea a curentului de emitor:
U 1 = const
. UV
⇒ U RE = const
.⇒ IE = const
.⇒ IC = cons.
VEB = const
. W
sarcina + V alim
RE + V alim
sarcina
IE IC R1
sarcina
⇔
V alim IC
IB R2
+
_
+
+ 0.6 V - IE
R1
U2 R2
RE
complianta de tensiune : VE < VC ≤ V alim

c) d)
Fig. 4.10 c) ]i d). Sursa de curent cu tranzistor NPN, realizare practic`.
V alim
}i acum, merit` s` ne aducem aminte + +
c` exist` ]i tranzistoare bipolare PNP la care RE V alim
sensurile tensiunilor ]i curen\ilor sunt inverse R 1 U1 -
fat` de cele de la tranzistoarele NPN. Cu un
⇔
IE
_ UEB +
asemenea tranzistor NPN, sursa de curent arat` -
ca [n Fig. 4.11. {ntre cele dou` surse de curent
exist` o deosebire esen\ial`: sursa cu tranzistor IC
PNP debiteaz` curent [nspre nodul de mas` R 2
(fiind legat` cu o born` la alimentarea pozitiv`) sarcina sarcina
[n timp ce sursa cu tranzistor NPN absoarbe
curent [nspre nodul de mas`, fiind legat` cu o
born` la mas`. Din acest motiv, aceasta din urm`
se mai nume]te uneori [n limba englez` "current
complianta de tensiune : 0 ≤ VC < VE
sink" (absorbant de curent).
Trebuie s` ne [ntreb`m, pentru aceste
Fig. 4.11. Surs` de curent cu tranzistor PNP.
surse, c[t de mare este complian\a de tensiune. Pe
de o parte poten\ialul colectorului poate s`
ajung` p[n` la borna sursei de alimentare, cea de mas` [n circuitul cu tranzistor PNP ]i, respectiv, cea de
poten\ial pozitiv [n circuitul cu tranzistor NPN. Pe de cealalt` parte, excursia acestui poten\ial este limitat` de
intrarea [n satura\ie a tranzistorului, prin deschiderea jonc\iunii colector baz`. {n am[ndou` circuitele,
indiferent de tipul tranzistorului, la satura\ie poten\ialul colectorului devine practic egal cu cel al emitorului,
aceasta fiind a doua limit` a domeniului permis pentru poten\ialul colectorului.
Procedur` de proiectare
Cum proiect`m o surs` de curent cu tranzistor NPN ca cea din Fig. 4.10, alimentat` la 12 V ]i care
s` debiteze un curent I0 = 2 mA ? Mai [nt[i ne hot`r[m c[t de mare s` fie tensiunea pierdut` pe rezisten\a
din emitor. Dac` va fi prea mic`, sursa va fi mai departe de idealitate, deoarece a]a cum am v`zut c[nd am
discutat caracteristica de ie]ire, curentul de emitor va suferi varia\ii mai mari. Pe de alt` parte, dac` aceast`
c`dere de tensiune va fi prea mare, va diminua complian\a de tensiune a sursei de curent. Astfel, o tensiune
de 1- 2 vol\i pierdut` pe rezisten\a din emitor este o alegere rezonabil`.
Cunoa]tem, deci, poten\ialul emitorului. Din legea lui Ohm rezult` imediat valoarea rezisten\ei din
emitor
RE = VE I0 = 2 V 2 mA = 1 kΩ .
Tot din poten\ialul emitorului rezult` poten\ialul bazei, cu 0.6 V mai ridicat,
VB = VE + 0.6 V= 2.6 V.
Mai r`m[ne s` proiect`m divizorul rezistiv. Cum valoarea curentului de baz` va fi cam de
IB = I0 β ≅ I0 100, valoarea curentului prin divizor va trebui s` fie de cel pu\in 10 ori mai mare, adic`
I0 10. Rezult`, astfel, suma celor dou` rezisten\e
R1 + R2 < 10⋅ Valim I0 = 60 kΩ .
Raportul celor dou` rezisten\e se ob\ine cu regula de trei simpl`, din raportul tensiunilor care cade pe ele
R1 Valim− VB 9.4 V
= = = 3.6.
R2 VB 2.6 V
Putem opta, de exemplu, pentru valorile R2 = 12 kΩ ; R1 = 43 kΩ , care sunt standardizate.

{n Fig. 4.12, ave\i reprezentat` sugestiv procedura de proiectare pe care am utiliazt-o.
+ V alim
sarcina
R1
I0
3. VB = VE + 0.6 V
VB 1. alegem potentialul VE
4.
VE de 1-2 volti
R 1 + R 2 < 10 V alim I0
R2
R 1 R 2 = V alim VB - 1
RE
2. R E = VE I0
complianta de tensiune : VE < VC ≤ V alim
Fig. 4.12. Procedura de proiectare a unei surse de curent cu tranzistor NPN.


-Tranzistorul bipolar cu jonc\iuni (BJT) este constituit din trei regiuni semiconductoare,
emitorul, baza ]i colectorul. Tipul de dopare al emitorului ]i al colectorului este diferit de cel al bazei,
care este foarte sub\ire. Apar astfel, dou` jonc\iuni, emitor-baz` ]i colector-baz`.
-Dup` tipul regiunilor, exist` tranzistoare PNP ]i tranzistoare NPN, pentru care se utilizeaz`
C C
B B
PNP PNP
E E
simbolurile ]i . S`geata arat` [ntodeauna sensul [n care conduce
jonc\iunea emitor baz`; de aici pute\i determina u]or sensurile curen\ilor de emitor ]i de baz`.
-Func\ionarea tranzistorului [n regiunea activ` normal` este cu jonc\iunea emitor-baz` direct
polarizat` (deschis`) iar jonc\iunea colector-baz` invers polarizat`.
-{n aceast` situa\ie IC = α IE , curentul de colector fiind practic egal cu cel de emitor (cu o
precizie [n jur de 1 %); pute\i, de aici, s` gasi\i sensul curentului de colector, dac` cel de emitor intr`
[n tranzistor, cel de colector trebuie s` ias` ]i reciproc (din legea curen\ilor).
- {n conexiunea cu baza comun`, portul de intrare este [ntre emitor ]i baz` iar portul de ie]ire
este [ntre colecor ]i baz`: baza este, astfel, comun` celor dou` porturi.
- Portul de intrare se comport` ca o diod`, caracteristica sa fiind foarte pu\in afectat` de
valoarea tensiunii de ie]ire (colector baz`).
- La portul de ie]ire, tranzistorul se comport` ca o surs` de curent comandat` de starea
portului de intrare. Comportarea este foarte apropiat` de aceea a unei surse de curent constant ideale
dac` se men\ine constant curentul de emitor. {n circuitele practice, [n care polarizarea jonc\iunii
emitor baz` se face cu o surs` de tensiune ]i un rezistor, performan\ele nu sunt mult [nrùt`\ite,
rezisten\a echivalent` av[nd valori de ordinul MΩ.
- Dac` rezisten\a sarcinii are valori prea mari, tranzistorul ajunge [n regiunea de satura\ie,
unde jonc\iunea colector baz` se deschide ]i rela\ia IC = α IE nu mai este respectat`.
- Circuitele cu tranzistoare PNP ]i respectiv NPN, cu care se realizeaz` [n practic` surse de
curent au configura\iile:
V alim V alim
RE
R1 R1 sarcina
I0
tranzistor tranzistor
PNP NPN
I0
R2 R2
sarcina RE
-Cel cu tranzistor PNP trimite spre mas` un curent constant pe c[nd cel cu tranzistor NPN
absoarbe [nspre mas` un curent constant.
Termeni noi
-tranzistor bipolar cu jonc\iuni dispozitiv semiconductor constituit din trei regiuni, emitorul, baza
]i colectorul [ntre care se formeaz` dou` jonc\iuni, emitor-baz` ]i
colector-baz`; baza trebuie s` aib` grosimea foarte mic` ]i s` fie
mult mai slab dopat`;
-tranzistoare PNP tranzistoare bipolare cu jonc\iuni la care emitorul ]i colectorul sunt
de tip p iar baza de tip n;
-tranzistoare NPN tranzistoare bipolare cu jonc\iuni la care emitorul ]i colectorul sunt
de tip n iar baza de tip p;
-factorul α factorul de propor\ionalitate [ntre curentul de colector ]i cel de
emitor, [n func\ionare normal` (factor de amplificare [n curent [n
conexiunea baz` comun`); are valori [ntre 0.95 ]i 0.995;
-port pereche de borne [ntre care se aplic` sau se extrage un semnal de
tensiune;
-conexiunea baz` comun` configura\ia [n care tranzistorul bipolar este legat astfel [nc[t baza
s` fie comun` at[t portului de intrare (emitor-baz`) c[t ]i celui de
ie]ire (colector-baz`)
-caracteristic` de intrare dependen\a curent-tensiune la portul de intrare, [n condi\ii ale
portului de ie]ire bine precizate (adesea tensiune constant`);
-caracteristic` de ie]ire dependen\a curent-tensiune la portul de ie]ire, [n condi\ii ale
portului de ie]ire bine precizate (adesea tensiune constant` sau
curent constant);
-conexiunea emitor comun configura\ia [n care tranzistorul bipolar este legat astfel [nc[t
emitorul s` fie comun at[t portului de intrare (baz`-emitor) c[t ]i
celui de ie]ire (colector-emitor);
-factorul β factorul de propor\ionalitate [ntre curentul de colector ]i cel de
baz`, [n func\ionare normal` (factor de amplificare [n curent [n
conexiunea emitor comun); are expresia β = α (1 − α )av[nd
valori peste o sut`;
- satura\ie regim de func\ionare al tranzistorului [n care jonc\iunea colector-
baz` ajunge s` fie deschis`; [n acest regim curentul de
colector nu mai este controlat de curentul de emitor;
- polarizarea tranzistorului stabilirea unui regim de curent continuu, prin deschiderea
(bias) jonc\iunii baz`-emitor, regim peste care se suprapun apoi varia\iile
ce reprezint` semnalul care con\ine informa\ia;
- curent de repaus curentul regimului de curent continuu produs de polarizare; poate
(quiescent) fi m`surat [n absen\a varia\iilor produse de sursa de semnal;
Probleme rezolvate
Problema 1.
Circuitul din Fig. 4.13 este o surs` de curent. Schema este desenat` a]a cum o pute\i [nt[lni [n
textele de electronic` ]i pentru a o [n\elege trebuie s` facem c[teva preciz`ri asupra conven\iilor utilizate de
electroni]ti. {n primul r[nd, observ`m o mul\ime de elemente legate cu un cap`t la un simbol de forma ;
este simbolul pentru nodul de mas`, toate aceste puncte sunt legate [ntre ele prin firul (sau planul) de mas`
care nu se mai deseneaz` explicit pentru a nu complica schema. O alt` deosebire fa\` de schemele
desenate de noi p[n` acum apare [n privin\a surselor de alimenatre care nu se mai deseneaz` nici ele
explicit, cu simbolurile corespunz`toare lor. Cum ele sunt legate [ntodeauna cu un cap`t la mas`, se
deseneaz` pur ]i simplu un cercule\ (dac` se mai deseneaz` ]i acela) ]i se scrie valoarea tensiunii sursei,
fa\` de mas`. Ultima observa\ie este legat` de valoarea rezisten\elor: atunci c[nd se utilizeaz` un prefix (kilo
sau mega) nu se mai trece simbolul Ω. De multe ori, a]a cum se [nt[mpl` la marcarea rezistoarelor, prefixul
[nlocuie]te delimitatorul zecimal: 2k2 [nseamn` 2.2 kΩ iar M22 [nseamn` 0.22 MΩ.
V alim V alim
15 V 15 V
+ RE
RE
5.1 k
R1 5.1 k R1
4.7 k - 10.8 V
4.7 k
+ IE 0.82 mA
IB -
10.2 V
I0 I0
R2 R2 0.82 mA
10 k 10 k
sarcina sarcina
a) b)
Fig. 4.13. Surs` de curent.

a) Calcula\i valoarea curentului furnizat de aceast` surs`. ]tiind c` tranzistorul are factorul β de cel
pu\in 100.
b) Modifica\i apoi circuitul astfel [nc[t s` ob\ine\i o surs` de curent de 5 mA.
Rezolvare
a) Desen`m sensurile curen\ilor, ca [n Fig. 4.13 b). Pentru aceasta ne aducem aminte c` sensul
s`ge\ii de pe simbolul tranzistorului ne d` sensul curentului [n jonc\iunea baz` emitor. Avem, deci, sensul
curentului de baz` ]i al celui de emitor. Curentul intr` [n emitorul tranzistorului ]i, cum curentul de colector
este practic egal cu cel de emitor, curentul de colector iese din tranzistor.
Divizorul format din rezisten\ele R1 ]i R2 determin` poten\ialul bazei. Trebuie s` afl`m, mai [nt[i
dac` putem s` consider`m c` el este practic ne[nc`cat de curentul cerut de baz`. Pentru aceasta estim`m rapid
curentul de baz`. Curentul de colector (egal practic cu cel de emitor) nu poate fi mai mare de
15 V 5.1 kΩ ≅ 3 mA (ar lua aceast` valoare dac` pe sarcin` ]i [ntre colector ]i emitor nu ar c`dea de loc
tensiune). Deoarece IB = IC β ]i β > 100, rezult` c`, [n func\ionare normal`,
IB < 3 mA 100= 0.03 mA = 30 µA . Pe de alt` parte, prin divizorul ne[nc`rcat ar circula un curent de
15 V (10 kΩ + 4.7 kΩ )≅ 1 mA . Acesta este mai mare de 1 0.03 ≅ 33 ori dec[t curentul cerut de baza
tranzitorului. Cu o aproxima\ie rezonabil` (1 33 ≅ 3% ) putem considera c` divizorul nu este [nc`rcat de
curentul bazei.
Cu aceasta, poten\ialul bazei rezult` aplic[nd regula de trei simpl`
10 kΩ
VB = ⋅ 15 V= 10.2V ;
10 kΩ + 4.7 kΩ
cel al emitorului fiind cu aproximativ 0.6 V mai sus
VE = 10.8 V.
Nu mai avem dec[t s` aplic`m legea lui Ohm pe rezisten\a RE
V −V 15 V-10.8 V
IE = a lim E = = 0.82 mA
RE 5.1 kΩ
]i s` ne aducem aminte c` [n colector curentul este egal practic cu cel din emitor
IC = IE = 0.82 mA .
b) Trebuie s` modific`m circuitul astfel [nc[t sursa de curent s` debiteze 5 mA. Avem dou`
variante, fie modific`m divizorul rezistiv, fie modific`m valoarea rezistorului din emitor. Cea de-a dou` este
mai tentant`, at[t calculele c[t ]i [nlocuirea efectiv` fiind mai simpl`, deoarece este vorba de o singur`
rezisten\`. Cum valoarea sursei de curent este egal` cu intensitatea curentului din emitor, scriem din nou
legea lui Ohm pe rezisten\a RE
V −V 15 V-10.8 V
IE = 5 mA = a lim E =
RE RE
de unde rezult` RE = 0.84 kΩ = 840 Ω .

{n aceste condi\ii, curentul de baz` ajunge 0.05 mA, de 20 de ori mai mic dec[t curentul prin
divizor, care poate fi considerat [n continuare ne[nc`rcat. Valoarea 840 Ω nu este standardizat` [n seria E12
(vezi Anexa 1), cea mai apropiat` fiind cea de 820 Ω. Cu ea sursa de curent debiteaz` 5.1 mA; dac` dorim s`
avem o valoare mai precis`, \in[nd seama ]i de faptul c` noi am f`cut [n calcul o seam` de aproxima\ii
(divizorul ne[nc`rcat, tensiunea emitor baz` egal` cu 0.6 V), cel mai bine este s` realiz`m rezistorul RE
dintr-o combina\ie serie: o rezisten\a semireglabil` de 250 Ω (mai mic` este greu de g`sit) ]i una fix`,
standardizat`, de 680 Ω. {n acest fel, valoarea lui RE va putea fi ajustat` [ntre 680 Ω ]i 930 Ω "la cald", [n
timp ce m`sur`m cu un miliampermetru curentul furnizat de sursa de curent.
Problema 2.
Circuitul din Fig. 4.14 este utilizat [ntr-un amplificator de anten` pentru recep\ia de televiziune,
func\ion[nd [n banda FIF, canalul 6 (aproximativ 175-180 MHz). Alimentarea este realizat` cu o surs` de
6 V, legat` cu minusul la mas` ]i cu borna pozitiv` la cap`tul comun al rezisten\elor R 1 ]i R2.
C 1 1 nF L1 L2 C 6 3.3 pF out
in IE IC
C4 C5 R4
R1 IB
1k
5.6 pF 1k
5.6 pF
R2 R3
C2
1 nF C3
2.2k 33 pF
2.2k
+6 V
Fig. 4.14. Amplificator de anten` TV.

a) Determina\i, cu aproxima\ie de c[teva procente, punctul static de func\ionare al tranzistorului.
Calcula\i, apoi, rezisten\ele dinamice ale porturilor emitor-baz` ]i colector-baz`. Tranzistorul este cu siliciu ]i
putem miza pe un factor de amplificare [n curent β de cel pu\in 50 (tranzistoarele de [nalt` frecven\` au
factori de amplificare mai mici).
b) {ncerca\i s` explica\i rolul fiec`ruia dintre condensatoarele C 1÷ C 6 . (numai pentru curio]i,
ceilal\i pot omite acest punct la prima lectur`).
Rezolvare
a) Rezistoarele R2 ]i R3 formeaz` un divizor rezistiv; [n absen\a curentului de baz`, ele ar fi

parcurse de un curent de 6 V 4.4 kΩ = 1.4 mA . Este curentul de baz` suficient de mare pentru a modifica
semnificativ aceast` situa\ie ? {l putem estima imediat: curentul de emitor ar avea valoarea maxim` dac`
poten\ialul emitorului s-ar duce la cea mai cobor[t` valoarea posibil`, adic` la zero (la mas`). {n acest caz el
ar fi 6 V R1 = 6 mA , iar curentul de baz` ar avea valoarea 6 mA β = 0.12 mA . El ar fi, astfel, sub o
zecime din curentul de 1.4 mA care parcurge divizorul: efectul cupl`rii bazei tranzistorului [n nodul
comun al rezisten\elor R2 ]i R3 poate fi neglijat [n aproxima\ia [n care lucr`m. Cel care a proiecat
circuitul ]tia ce face, spre deosebire de mul\i autori de culegeri de probleme.
Astfel, am ajuns la un prim rezultat: poten\ialul bazei este la jum`tate din tensiunea de alimentare,
adic` la + 3V (regula de trei simpl` aplicat` pe divizorul rezistiv), VB = +3 V . Cum colectorul este legat [n
curent continuu direct la mas` prin bobina L 1, poten\ialul sù este nul, VC = 0, ]i jonc\iunea colector
baz` este invers polarizat`, a]a cum este necesar pentru a avea tranzistorul [n regiunea activ`.
De aici lucrurile devin at[t de simple c` pot p`rea plictisitoare: jonc\iunea emitor baz` este
polarizat` direct ]i tranzistorul este cu siliciu, deci poten\ialul emitorului este cu 0.6 V mai sus,
6V − 3.6V
VE = +3.6 V. Legea lui Ohm aplicat` pe R 1 conduce imediat la IE = = 2.4mA ]i, deoarece
R1
curentul de colector este egal cu acesta, IC = 2.4mA .
{ntruc[t factorul β nu este cunoscut cu precizie, ]tiind despre el c` este pe undeva peste 50, curentul
de baz` poate fi numai estimat IB < 2.4mA 50 ≅ 0.05mA . Aceasta [nseamn` mai pu\in de 4% din
curentul divizorului; cam cu at[t ne-am [n]elat c[nd am calculat poten\ialul bazei.
{n ceea ce prive]te rezisten\a dinamic` a portului emitor-baz` rdEB = dVEB d IE , calculat` [n
jurul punctului de func\ionare determinat anterior IE = 2.4mA , ea rezult` simplu din formula
rdEB = VT IE = 25mV 2.4mA ≅ 10Ω . Pentru rezisten\a dinamic` dintre colector ]i baz` nu putem s`
facem dec[t o estimare. Contribu\ia factorului α , conform celor spuse la sec\iunea C, va fi
10M Ω 2.4 ≅ 4M Ω . {n plus, varia\ia curentului de emitor datorat varia\iei lui VEB va mai produce un efect
ce poate fi modelat cu o rezisten\a dinamic` tot de aproape 4 MΩ (c`derea de tensiune pe rezisten\a din
emitor este de 2.4 V, aproximativ egal` cu cea din exemplul discutat la sec\iunea 1.C). Cele dou` rezisten\e
apar [n paralel (sunt dou` varia\ii de curent, produse de dou` mecanisme diferite, care se adun`), a]a c`
rezisten\a dinamic` [ntre colector ]i baz` va fi pe undeva pe la 2 MΩ .
Observa\ie: [n func\ionarea amplificatorului, la frecven\e mari, [n paralel cu aceste rezisten\e

dinamice (calculate pentru varia\ii cuasistatice) trebuie considerate capacit`\ile echivalente emitor-baz` ]i
colector-baz`. Cea dintre emitor ]i baz` nu conteaz` pentru c` este [n paralel cu o rezisten\` dinamic`
foarte mic` (10 Ω [n cazul nostru) dar cea dintre colector ]i baz` are un rol esen\ial [n func\ionare. Pentru
un tranzistor de [nalt` frecven\` aceasta este de ordinul a 0.5 pF. Astfel, la frecven\a de lucru de 180 MHz,
ea are o reactan\` de numai 1.8 kΩ..
b) Am v`zut c`, pentru a putea amplifica, tranzistoarele bipolare trebuie polarizate, adic` aduse
[ntr-un anumit punct static de func\ionare caracterizat prin valorile curen\ilor ]i poten\ialelor de repaus. C[nd
circuitul con\ine mai multe etaje, polarizarea se rezolv` ([n general) separat pentru fiecare etaj. Ce trebuie s`
facem pentru ca la cuplarea etajelor [ntre ele rezultatul efortului nostru de a polarizara etajele s` nu se
spulbere ? S` [mpiedic`m curentul continuu s` circule [ntre diferite etaje. Varia\iile (semnalul), care
trebuie amplificate, trebuie, totu]i s` treac`. Acest rol [l [ndeplinesc condensatoarele de separare C 1 ]i C 6.
Condensatorul C 2 este cuplat [ntre alimentarea pozitiv` ]i mas`, adic` [ntre terminalele sursei de
alimentare. El ne aminte]te de condensatorul de filtraj care avea rolul s` furnizeze consumatorului varia\iile
bru]te de curent. La frecven\a de lucru, inductan\ele firelor care merg la sursa de alimentare nu pot fi
neglijate ]i ele se comport` ca ni]te ]ocuri [mpiedic[nd varia\iile rapide ale curentului. Din acest motiv aceste
varia\ii trebuie furnizate de undeva din apropierea tranzistorului, cu un condensator capabil s` lucreze la
frecven\e mari (cu inductan\` proprie foarte mic`): acesta este rolul lui C 2, care de multe ori este unul f`r`
terminale.
Condensatoarele C 4 ]i C 5 sunt legate [n paralel pe ni]te inductan\e, form[nd ni]te circuite
rezonante. Aceasta deoarece circuitul este destinat s` amplifice numai o band` [ngust` de frecven\e.
A mai r`mas condensatorul C3. Pentru a [n\elege rolul lui trebuie s` ne [ntreb`m mai [nt[i ce fel de
configura\ie are amplificatorul, cu emitorul comun sau cu baz` comun`. Pentru a r`spunde la [ntrebare,
cùt`m bornele de intrare ]i ie]ire ale semnalului (varia\iilor). Ie]irea este legat`, prin transformatorul
L 1 L2 , [n colector, a]a cum ne a]teptam ([ntodeauna curentul de colector este m`rimea controlat` la un
tranzistor bipolar). Borna de intrare, prin C 1, este legat` [n emitor. A mai r`mas un singur terminal, baza.
Amplificatorul este, deci, cu baz` comun`. Acest terminal trebuie \inut la poten\ial constant, pentru ca acolo
varia\iile s` fie nule ]i varia\iile de la intrare (ale poten\ialului VE ) s` se reg`seasc` integral [n varia\iile
tensiunii emitor baz` ( ∆VEB = ∆VE − ∆VB = ∆VE − 0 = ∆VE ) deoarece tranzistorul este controlat de
tensiunea emitor-baz`. Pentru a \ine practic constant poten\ialul bazei, de]i curentul de baz` variaz` [n timp,
solu\ia este legarea unui condensator [ntre baz` ]i mas`. Datorit` rezervei sale de sarcin`, el va furniza
varia\iile de curent f`r` s`-]i modifice semnificativ tensiunea de [nc`rcare. Acesta este rolul condensatorului
C3. El scurtcircuiteaz`, numai [n curent alternativ, baza la mas` ]i este numit [n jarrgonul electroni]tilor
condensator de decuplare.
Probleme propuse
10 V
P 4.1.1. Un coleg a [nceput desenarea unei scheme, pe care
nu a mai continuat-o, astfel c` multe informa\ii lipsesc (Fig. 4.15).
}tiind c` simbolurile pentru tranzistoare au fost utilizate corect ]i c`
T2
tranzistorele se g`sesc [n regiunea normal` de func\ionare, completa\i
schema cu polaritatea surseei de alimentare ]i sensurile curen\ilor prin T1
terminalele tranzistoarelor. De ce tip sunt tranzistoarele ?
P 4.1.2. De fapt, colegul vostru a [nceput s` deseneze mai
multe scheme; a]a c` mai ave\i de lucru. Completa\i ]i schema din
Fig. 4.16 a), cu acelea]i informa\ii ca la problema precedent`.
Fig. 4.15.
15 V
20 V
560 Ω
R E1 Rs
R B1
T
T2
T1
4.7 k sarcina
Rs R B2 R E2
a) b)
Fig. 4.16.
P 4.1.3 }i, [n sf[r]it, ultima schem`,care trebuie completat` cu polaritatea sursei de alimentare ]i
sensurile curen\ilor: aceea din Fig. 4.16 b).
P 4.1.4. Relua\i schema din Fig. 4.16 a) pe care tocmai a\i completat-o. A\i recunoscut ce este ?
}tiind c` cele trei diode sunt din siliciu, calcula\i poten\ialul din baza tranzistorului. Determina\i apoi
poten\ialul emitorului ]i curentul din emitor. C[t este curentul din colector ? Dac` nu a\i recunoscut de la
[nceput ce este circuitul, aceasta este ultima ]ans`: a intervenit [n calcularea curentului de colector m`rimea
rezisten\ei de sarcin` ? Ce semnifica\ie are acest lucru ?
P 4.1.5. {n circuitul de la problema precedent`, [nlocui\i cele trei diode cu un rezistor, astfel [nc[t
valoarea curentului de colector s` r`m[n` nemodificat`. Pentru tranzistor pute\i conta pe un factor β de cel
pu\in 100.
P 4.1.6. Ave\i dou` circuite care [ndeplinesc aceea]i func\ie. Considera\i acum c` tensiunea de
alimentare are o varia\ie de 10 % ]i determina\i efectul asupra curentului de colector, pentru fiecare din
circuite. Formula\i o concluzie.
P 4.1.7. Utiliz[nd un tranzistor NPN cu factorul β mai mare dec[t 100 ]i o surs` de alimentare de
12 V, proiecta\i o surs` de curent care s` absoarb` spre mas` un curent de intensitate 5 mA. Stabili\i
poten\ialul bazei cu un divizor rezistiv, ca [n procedura de proiectare din Fig. 4.12.. Determina\i complian\a
de tensiune a sursei proiectate.
P 4.1.8. Relua\i aceea]i problem` de proiectare dar rezolva\i stabilirea poten\ialului bazei cu trei
diode [n serie, inspir[ndu-v` din Fig. 4.16 a)
P 4.1.9. Am v`zut c` la modificarea tensiunii colector baz`,
valoarea curentului de colector nu r`m[nea perfect constant` din dou` V alim
motive: varia\ia lui α cu VCB ]i varia\ia curentului de emitor cu VCB . +20 V
sarcina
Apropierea maxim` de sursa de curent ideal` avea loc dac` valoarea 10 k
curentului de emitor putea fi men\inut` constant`. Circuitul din
Fig. 4.17 [ncearc` s` fac` acest lucru. Mai [nt[i, neglij[nd curen\ii bazelor, T1
calcula\i poten\ialele celor dou` baze. Determina\i apoi poten\ialele
emitoarelor ]i, [n final, curen\ii de emitor ]i colector ai celor dou` 5 k
tranzistoare. T2
P 4.1.10. Cu o valoare a rezisten\ei de sarcin` de 5 kΩ,
determina\i poten\ialul de colector al tranzistorului T1. S` presupunem,
acum, c` rezisten\a de sarcin` se modific`, schimb[nd poten\ialul de 5 k 4.3 k
colector tocmai calculat. {ntre ce limite se poate modifica aceast`
rezisten\a, f`r` s` aduc` tranzistorul T1 [n satura\ie ?
P 4.1.11. Afecteaz` varia\ia rezisten\ei de sarcin` tensiunea Fig. 4.17.
colector baz` a tranzistorului T2 ? Ce pute\i spune, [n aceste condi\ii
despre varia\ia curentului sù de colector ?
P 4.1.12. Afecteaz` varia\ia rezisten\ei de sarcin` tensiunea colector baz` a tranzistorului T1 ?
Consider[nd c` poten\ialul colectorului a efectuat [ntreaga varia\ie permis` f`r` a aduce tranzistorul [n
satura\ie, [ncerca\i s` estima\i varia\ia curentului sù de colector. Nu uita\i c` [n emitorul sù curentul este
exact curentul de colector al tranzistorului T2 .
P 4.1.13. {ncerca\i o compara\ie [ntre performan\ele sursei de curent cu un singur tranzistor ]i
performan\ele sursei de curent perfec\ionate pe care tocmai a\i analizat-o.
Preg`tirea experimentelor
tranzistor
RE PNP
500 Ω E C IC
mA mA
I aparat
VA1 + B
_ IV _
6V VA2
V + 0 ... 10 V
Fig. 4.18. Circuit pentru trasarea caracteristicilor statice.

Desena\i-v` pe caiet circuitul din Fig. 4.18, pe care [l ve\i utiliza pentru trasarea caracteristicilor
statice. Determina\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile necesare pentru aparatele de m`sur` ]i completa\i
schema cu aceste informa\ii. Realiza\i apoi circuitul.
Sursa V A2 , legat` direct [ntre colector ]i baz`, va men\ine constant` tensiunea VCB iar
miliampermetrul va m`sura valoarea curentului de colector. Sursa V A1 ]i rezisten\a RE vor asigura
deschiderea jonc\iunii emitor-baz`. Pentru controlul mai fin al punctului de func\ionare a mai fost montat un
poten\iometru pe plan]et`. Voltmetrul m`soar` tensiunea tensiunea VEB [ntre baz` ]i emitor. Cunosc[nd
tensiunea de deschidere (tranzistorul este cu siliciu), stabili\i scala pe care va trebui utilizat voltmetrul ]i
nota\i aceasta pe schema desenat`.
Pentru determinarea curentului de emitor a fost intercalat un miliampermetru. El nu m`soar` [ns`
curentul de emitor ci suma dintre acesta ]i curentul prin voltmetru
V
Iaparat= IE + EB ;
RV
dac` al doilea termen este semnificativ, va trebui s` face\i corec\ia necesar`.
Determina\i rezisten\a voltmetrului, decupl[nd emitorul tranzistorului (leg[nd miliampermetrul

numai la voltmetru) ]i ajust[nd sursa V A1 astfel [nc[t tensiunea pe voltmetru s` fie pe scala de 1V, acolo
unde voltmetrul va fi utilizat. Compara\i valoarea aflat` cu cea [nscris` pe aparat.
Experimentul 1. Caracteristica de intrare
Caracteristica de intrare este dependen\a curentului de emitor [n fnc\ie de tensiunea baz`-

emitor. Ea trebuie trasat` men\in[nd constant` tensiunea colector-baz`, care este parametrul la care se
traseaz` caracteristica.
Ve\i modifica valoarea curentului de emitor [ntre 0 ]i 10 mA. Stabili\i la 10 V tensiunea VCB ]i
apoi varia\i polarizarea jonc\iunii emitor-baz`, observ[nd deschiderea jonc\iunii emitor-baz` ]i faptul c` ea
controleaz` curentul de colector. {nainte s` trasa\i caracteristica, determina\i aproximativ tensiunea de
deschidere. Pentru a trasa caracteristica de intrare [n scar` liniar`, determina\i 10-12 puncte experimentale,
pe c[t posibil cu valori IE echidistante. M`sura\i, [n acela]i timp, ]i valorile curentului de colector, trec[nd
datele [ntr-un tabel de forma
VEB (V) Iapara (mA) IV = VEB RV (mA) IE = Iaparat− IV (mA) IC (mA) α = IC IE

0 0 0 0 0
Completa\i apoi tabelul, f`c[nd m`sur`tori la valori mult mai mici ale curen\ilor. Utiliza\i, pentru
valorile curentului de emitor, secven\a 1 mA, 0.5 mA, 0.2 mA, 0.1 mA, 0.05 mA, 0.02 mA, 0.01 mA, 0.005
mA, 0.002 mA, 0.001 mA deoarece aceste valori vor ap`rea practic echidistante pe scar` logoritmic`.
Modifica\i acum tensiunea colector-emitor la valoarea 0 V sco\[nd firele de alimentare de la bornele
sursei V A2 ]i leg[ndu-le [ntre ele. Reface\i m`sur`torile tensiunii VEB la valorile 10 mA, 1 mA,
0.1 mA ale curentului de emitor.
Reprezenta\i, apoi, grafic, [n coordonate liniare, [ncep[nd de la VEB = 0, caracteristica
IE = f(VEB ) ridicat` la VEB = 10V . Se comport` portul de intrare ca un rezistor ? Pentru mici varia\ii [n
jurul unui punct de func\ionare, putem introduce rezisten\a dinamic` reb = ∆ VEB ∆ IE . Calcula\i, din
grafic, valorile ei la curent de colector de 0.1 mA ]i 1 mA.
Desena\i pe acela]i grafic ]i punctele experimentale ridicate la VCB = 0V . Cum depinde
comportarea portului de intrare de tensiunea de la portul de ie]ire ? Dac` a\i avut un voltmetru digital,
[ncerca\i s` pune\i [n eviden\` deosebirile dintre cele dou` grafice reprezent[nd [n detaliu o regiune a
carcteristicii de la curen\i mari, pe care tensiunea emitor baz` nu variaz` cu mai mult 50 mV.
Dac` nu a\i avut un voltmetru digital, [mprumuta\i unul ]i, la curentul de emitor constant de
10 mA, m`sura\i tensiunea emitor baz` cu VCB = 10 V ]i apoi cu VCB = 0 V. Determina\i cu c[t s-a
modificat tensiunea emitor baz` [n aceste condi\ii.
Verifica\i acum c` expresia caracteristicii de intrare este una exponen\ial`. Pentru aceasta desena\i
caracteristica IE = f(VEB ) cu o scar` logaritmic` pentru curent. Ce form` are graficul ob\inut ? Ce
concluzie trage\i de aici ? Determina\i pe ce interval de varia\ie a tensiunii curentul cre]te cu o decad` (se
multiplic` cu un factor de 10). Din aceast` valoare calcula\i poten\ialul termic VT , utiliz[nd rela\ia (4.3).
curentul de emitor (mA)
10 1
10 0
10 -1
10 -2
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80
tensiunea emitor-baza (volti)
Experimentul 2. Caracteristica de transfer IC = f ( I E )
Ave\i, [n tabelul completat la primul experiment, date asupra curentului de emitor ]i a celui de
colector. Estima\i mai [nt[i eroarea absolut` cu care a\i determinat aceste valori. Apoi compara\i [ntre ele
valorile IE ]i IC ]i formula\i o concluzie asupra valorii factorului α .
Experimentul 3. Caracteristica de ie]ire
Muta\i voltmetrul din ochiul emitorului [n acela al colectorului, astfel [nc[t s` m`soare tensiunea
colector-baz`; aten\ie la polaritate ! Fixa\i apoi IE la o anumit` valoare (s` zicem 2 mA) ]i mic]ora\i
gradual tensiunea VCE de la 10 V p[n` la 0 V, urm`rind evolu\ia curentului de colector. Cum sursa V A2 nu
coboar` tensiunea exact p[n` la zero, pentru ob\inerea acestei valori desface\i firele de la surs` ]i lega\i-le
[ntre ele. Reconecta\i sursa ]i reface\i experimentul pentru alte c[teva valori ale curentului de emitor (4 mA, 6
mA, 8 mA) . Desena\i aceste dependen\e IC = f (VCB ) I E = const. pe acela]i grafic, ob\in[nd o parte din
familia de caracteristici de ie]ire. Cunosc[nd eroarea absolut` cu care a\i m`surat curentul de colector,
estima\i valoarea rezisten\e dinamice dintre colector ]i baz`. Este ea concordant` cu predic\ia f`cut` pe baza
cunoa]terii c`derii de tensiune pe rezisten\a RE (pag. 93) ?
Experimentul 4. Ohmmetrul electronic
Multimetrele electronice digitale ofer`, [n afara func\iilor de voltmetru ]i ampermetru, ]i pe aceea

de ohmmetru. Principiul de func\ionare pentru aceasta din urm` este foarte simplu: prin rezisten\a de
valoarea necunoscut` se trece un curent constant, de valoare cunoscut`, furnizat de la o surs` de curent ]i se
m`soar` tensiunea. Ve\i realiza ]i dumneavoastr` un ohmetru electronic de acest tip. Mai [nt[i, desena\i-v`
schema sursei de curent din Fig. 4.19 a) ]i calcula\i poten\ialul bazei, poten\ialul emitorului ]i valoarea
curentului de colector.
Calculul pe care l-a\i f`cut este numai unul aproximativ deoarece nu cunoa]tem cu suficient`
precizie valoarea rezisten\ei din emitor ]i caracteristcile statice neliniare ale diodelor ]i tranzistorului. Din
acest motiv, sursa de curent trebuie "etalonat`" (calibrat`) la cald, adic` [n stare de func\iune. Pentru aceasta,
alimenta\i circuitul de pe plan]et`, conecta\i un miliampermetru analogic ]i ajusta\i rezisten\a reglabil` din
emitor pentru a ob\ine un curent de 100 µA. Monta\i apoi [n serie cu miliampermetrul diferite valori de
rezisten\e ]i verifica\i c[t de "ideal`" este sursa de curent.
Ohmmetrul nostru este gata, nu mai r`m[ne dec[t s` conect`m un voltmetru electronic ]i rezisten\a
de valoare necunoscut` (Fig. 4.19 b). M`sura\i, astfel, valorile rezisten\elor necunoscute existente pe
plan]et`.
15 V 15 V
Si } 12 k } 12 k
T T
4.7 k mA 4.7 k V rezistenta

necunoscuta
ohmetru
a) b)
Fig. 4.19. Ohmmetru electronic.
Ce se [nt[mpl` dac` [ncerc`m s` m`sur`m "rezisten\a" [n polarizare direct` a unor diode ? Ave\i pe
plan]et` dou` diode cu care pute\i experimenta acest lucru. Formula\i o concluzie.
Pagin` distractiv`
Ani buni de munc` le-au fost necesari cercet`torilor de la Bell Laboratories ca s` realizeze primele
tranzistoare cu jonc\iuni. Cum sandwich-ul are trei straturi, [ntre acestea exist` dou` jonc\iuni
semiconductoare. Mult mai eficien\i, speciali]tii no]tri autori de manuale2 inventeaz` dintr-un condei
tranzistorul bipolar cu trei jonc\iuni, cea suplimentar` fiind [ntre colector ]i emitor :
Este de mirare cum a]a referen\i serio]i ]i o a]a competent` comisie de avizare a Ministerului nu au
valorificat aceast` prioritate româneasc`. Punem acest lucru pe seama caracterului lor modest, modest ...
Noutate plutea [ns` [n aer [nc` de la pagina anterioar`, unde simbolul tranzistorului este p`rinte]te
tras de urechi pentru a nu ar`ta sensul curentului prin jonc\iunea baz`-emitor dec[t [n conexiunea emitor
comun :
"{n simbolul tranzistorului, s`geata indic` sensul conduc\iei [n prima jonc\iune (E-B), [n montaj cu emitorul
comun ...."
Ce trebuie s` fac` simbolul [n celelalte conexiuni este treaba lui, ori s`geata dispare, ori, mai bine, arat`
todeauna [nspre ace]ti autori inventivi.
C` treaba este serioas` ]i tranzistorul acestor domni autori este ceva cu totul nou, ne putem convinge
imediat. Cum crede\i c` se comport` "jonc\iunea colector-emitor ? A]a e c` nu ghici\i ? Ca un rezistor :
"Dac` un tranzistor se deschide ..., atunci rezisten\a dintre colector ]i emitor ( RCE ) scade foarte mult...." }i
asta nu e [nc` nimic, pentru c` "U CE devine neglijabil` (zecimi de volt) c[nd curentul IC atinge valorile
maxime admise (notate [n cataloagele de dispozitive semiconductoare)". Trebuie s` recunoa]tem c` acest
tranzistor, care se uit` [n cataloage ca s` ]tie s` intre [n satura\ie c[nd curentul IC atinge "valorile maxime
admise" este [ntr-adev`r ceva revolu\ionar.
}i comportarea sa [n circuite este la
fel de revolu\ionar`. De exemplul, [n cel din
figura al`turat`: "C[nd fotorezisten\a FR este
luminat`, rezisten\a ei scade, tranzistorul
intr` puternic [n conduc\ie ]i ....". Oricare alt
tranzistor NPN s-ar fi blocat la sc`derea
rezisten\ei R2 , cel al autorilor cita\i "intr`
puternic [n conduc\ie". Numai s` fie
fotorezisten\a "luminat`", vorba
(inconfundabil`) a acestor autori.
Ca orice realizare important` ]i
inventarea acestui tranzistor a necesitat o
preg`tire anterioar`. G[ndi\i-v` numai prin
c[te c`r\i or fi cùtat p[n` au g`sit simbolurile
stranii pe care le folosesc pentru rezistoare, becuri ]i diode. Sau poate ne [n]el`m noi, le-au g`sit [n prima (]i
singura) ....
2 ***, "Fizic`", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educa\ional, Bucure]ti, 2000.
4.2. Conexiunea emitor comun

2.A. Configura\ia cu emitor comun
Structura ]i modul de func\ionare ale tranzistorului bipolar cu jonc\iuni au fost descrise [n sec\iunea
4.1. {n regimul de func\ionare activ normal, jonc\iunea emitor-baz` este direct polarizat` (deschis`), [n timp
ce jonc\iunea colector-baz` este invers polarizat`. {n aceste condi\ii, curentul de colector este dat de rela\ia
IC = αIE + ICB 0; (4.11)
deorece I CB0 (curentul invers rezidual colector-baz` cu emitorul [n gol) este complet neglijabil la
tranzisoarele moderne cu siliciu, iar factorul α este extrem de aproape de unitate, curentul de colector este
practic egal cu cel de emitor, a]a cum se poate constata ]i [n Fig. 4.20.
IE I C = α I E + I CB0 I E =0 I CB0
_
IB + 10 V +
0.6 V _ _ 10 V
+ foarte mic
a) b)
Fig. 4.20. Curen\ii [n regiunea activ` normal` (a) ]i semnifica\ia curentului rezidual ICB 0 .
Configura\ia cu baz` comun` din figura precedent` prezint` dou` dezavantaje:

- cele dou` surse au polarit`\i opuse [n raport cu masa ]i, de aceea, nu se utilizeaz` aproape niciodat`
pentru regimul de curent continuu (polarizare);
- curentul de emitor are valori egale cu acelea ale curentului pe care [l comand`; din acest motiv,
pentru regimul de varia\ii (prelucrarea semnalelor) configura\ia cu baz` comun` este utilizat` numai [n pu\ine
aplica\ii.
I C = β I E + I CE0
IE I C = α I E + I CB0
IB foarte mic
+
IB _
foarte mic +
_ + 10.6 V
0.6 V + _ 0.6 V
_ 10.6 V
a) b)
Fig. 4.21. Conexiunea cu emitor comun.

Prin deplasarea sursei de tensiune de 0.6 V de-a lungul buclei de circuit, se ajunge la configura\ia cu
emitorul comun din Fig. 4.21 a) care este cea mai utilazt` configura\ie pentru tranzistoarele bipolare. Pentru
a avea portul de intrare [n st[nga, schema trebuie redesenat` ca [n Fig. 4.21 b), a]a cum o ve\i [nt[lni
[ntodeana [n aplica\ii.
{n conexiunea cu emitorul comun, portul de intrare este [ntre baz` ]i emitor iar cel de ie]ire este [ntre colector
]i emitor, terminalul de emitor fiind comun.
De]i perechea de borne de intrare este aceea]i ca la conexiunea baz` comun`, curent de intrare este
acum curentul bazei, care este de cel pu\in o sut` de ori mai mic dec[t cel de emitor. Prin aplicarea legii
curen\ilor ]i utilizarea rela\iei (4.11), curentul de colector poate fi exprimat [n func\ie de curentul de baz` prin
α 1
IC = IB + ICB 0. (4.12)
1− α 1− α
Factorul
α
β= (4.13)
1− α
este esen\ial pentru descrierea func\ion`rii acestei configura\ii ]i se nume]te factor de amplificare a curentului
[n conexiunea emitor comun. Cum α este foarte apropiat de unitate, factorul β are valori mari, de ordinul
sutelor. Numai [n cazul tranzistoarelor de mare putere factorul β are valori mai mici, de ordinul
20 - 50.
Deoarece la numitorul rela\iei (4.13) este o diferen\` [ntre dou` numere foarte apropiate, valoarea ei
este extrem de sensibil` la varia\iile lui α . Diferen\iind rela\ia, putem ar`ta c`
dβ 1 dα dα dα
= ⋅ = (β + 1) ⋅ ≅ β⋅ ; (4.14)
β 1− α α α α
astfel
varia\iile relative ale factorului α provoac` varia\ii relative ale factorului β de sute de ori mai mari.
Din acest motiv, de]i factorul α este controlat tehnologic rezonabil de bine,
factorul β are o [mpr`]tiere tehnologic` foarte mare.
Astfel, [n practic`, la montarea unui tranzistor [ntr-un circuit, asupra lui exist` o incertitudine destul de mare,
extremit`\ile acestui interval fiind cel pu\in [n raportul 1:2. De exemplu, la BC 171A factorul β este [ntre
125 ]i 260 (litera A [nseamn` ca produc`torul a f`cut deja o sortare prealabil`, dac` a\i cump`rat
BC 171 pute\i s` v` a]tepta\i la valori [ntre 40 ]i 1000). Din aceast` cauz`,
orice circuit cu tranzistoare ale c`rui performan\e (punct static de func\ionare, amplific`ri, etc) depind
puternic de factorul β este contraindicat [n aplica\iile practice.
Observa\ie: A\i sc`pat, astfel, de rezolvarea unui mare num`r de probleme din culegerile scrise de o
serie de autori rom`ni, speciali]ti [n "electronic` teoretic`".
Exprim[nd cu ajutorul factorului β rela\ia (4.12), avem
IC = βI B + (β + 1) I CB0 ;
dac` definim curentul rezidual colector-emitor (cu baza [n gol) prin ICE0 = (β + 1) I CB0 , rela\ia anterioar`
cap`t` forma
IC = βI B + I CE0 . (4.15)
La siliciu curen\ii reziduali sunt extrem de mici; de exemplu, chiar la un tranzistor de curent mare
(15 A) cum e 2N3055, curentul ICE 0 este sub 20 nA la temperatura camerei ]i abia ajunge spre 100 µA
dac` [l [nc`lzim la 130 oC. Putem, deci, scrie cu foarte bun` aproxima\ie
IC = βIB (4.16)
iar cu o aproxima\ie mai bun` de un procent
IC ≅ IE . (4.17)
Curentul de colector este practic egal cu cel de emitor ]i de β ori mai mare dec[t curentul de baz`.
S` privim acum un tranzistor NPN [ntr-o schem`

V alim
practic` cu emitorul comun (Fig. 4.22). Func\ionarea sa
poate fi [n\eleas` cu un model extrem de simplu. {ntre
RC
baz` ]i emitor exist` o jonc\iune semiconductoare care se
comport` ca o diod`: curentul poate s` treac` numai [ntr- IC = β IB +
un singur sens, dac` tensiunea baz` emitor dep`]e]te R B 0.6 V VC _ V alim
tensiunea de prag, egal` cu 0.6-0.7 V. Peste aceast`

+ IB
valoare, curentul cre]te foarte abrupt (valoarea sa _ EB IE ≅ IC
multiplic[ndu-se cu 10 la fiecare varia\ie de aproximativ
60 mV). Putem astfel considera, [n prim` aproxima\ie, c`
dup` deschidere, tensiunea baz`-emitor r`m[ne
constant`, valoarea curentului de baz` fiind determinat` Fig. 4.22. Tranzistorul NPN [ntr-un circuit
de circuitul exterior; practic cu emitorul comun.
[n absen\a unei rezisten\e de limitare a curentului, polarizarea jonc\iunii baz`-emitor direct cu o surs` de
tensiune cu rezisten\` mic` este o cale sigur` pentru distrugerea tranzistorului.
Dac` [ntre colector ]i emitor s-ar face scurtcircuit (manevr` absolut inofensiv` pentru tranzistor), am
ob\ine o valoare maxim` a curentului
V
I Cmax = alim ; (4.18)
RC
[ndep`rt[nd scurtcircuitul, curentul de colector nu poate fi dec[t mai mic sau egal cu aceast` valoare
0 ≤ I C ≤ ICmax . Tranzistorul se comport` ca un robinet controlat: el nu produce curent ci numai las` s`
treac` unul de valoare I C = β I B , indiferent de circuitul extern (tensiunea de alimentare Valim ]i rezisten\a
RC ), at[ta timp c[t circuitul extern poate furniza aceast` valoare de curent, a]a cum se poate vedea [n
Fig. 4.23. Putem [nlocui rezisten\a RC cu o diod` conectat` [n polarizare direct` (desenul b): valoarea
curentului de colector va r`m[ne practic neschimbat`, se va modifica numai poten\ialul colectorului, de la
Valim − I C RC la Valim − 0. 6 V . La fel de bine putem s` o [nlocuim cu un scurtcircuit, poten\ialul
colectorului se va duce la Valimdar curentul de colector va r`m[ne nemodificat (desenul c).
V alim V alim V alim

+10 V +10 V +10 V
+ +
5V 500 Ω 0.6 V
- 10 mA - 10.5 mA 10.5 mA
0.6 V 0.6 V 0.6 V
5V 9.4V 10V
5µ A 5µ A 5µ A
Fig. 4.23. {n regiunea activ` normal` curentul de colector este practic constant (egal cu β IB )
indiferent de dispozitivul conectat [n colector.
Func\ia tranzistorului este controlul curentului de colector, control efectuat prin starea portului de
intrare. S` ne [ntoarcem la situa\ia din desenul a) al figurii precedente, [n care avem o rezisten\` legat` [n
colector, ]i s` cre]tem curentul bazei, ca [n Fig. 4.24 a). Tranzistorul ac\ioneaz` ca un robinet controlat
permi\[nd ca un curent mai mare s` fie absorbit din rezisten\a de colector. {n acela]i timp [ns`, conforme
rela\iei VC = Valim− RC IC , poten\ialul colectorului coboar`, a]a cum se [nt[mpl` cu nivelul lichidului din
rezervorul 2 din echivalentul hidraulic reprezentat [n desenul b). {n circuitul hidraulic, nivelul rezervorului 1
este presupus constant, a]a cum este men\inut poten\ialul de +10 V, iar debitul prin conducta ce leag`
rezervoarele este aproximativ propor\ional cu diferen\a de nivel [n cele dou` rezervoare (echivalentul legii lui
Ohm pe rezisten\a din colector).
V alim V alim
+10 V +10 V
+ +
5V 500 Ω 7.5 V 500 Ω
a) - 10 mA - 15 mA
0.6 V 0.6 V
5V 2.5V
5µ A 7.5 µ A
b)
Fig. 4.24. Cre]terea curentului de baz` deschide mai mult tranzistorul, provoc[nd cre]terea curentului de
colector ]i cobor[rea poten\ialului colectorului.
2.B. Caracteristica de intrare
A]a cum spuneam, portul de intrare este echivalent cu o diod`, caracteristica sa static` IB = f(VBE )
fiind aproximativ exponen\ial` ]i foarte pu\in influen\at` de tensiunea colector-emitor, atunci c[nd valoarea
acesteia este modificat` [ntre 1 V ]i c[teva zeci de vol\i (p[n` la valoarea maxim` garantat` de fabricant). Nu
discut`m aici situa\ia [n care colectorul este l`sat [n gol ( IC = 0) pentru c` aceasta nu se [nt[lne]te [n
aplica\ii. C[nd VBE este mai mic dec[t tensiunea de deschidere ([n jur de 0.6 V), curentul de baz` este practic
nul; dup` dep`]irea tensiunii de deschidere el cre]te foarte rapid, astfel [nc[t la valorile permise pentru IB
tensiunea VBE este aproximativ constant`.
Dac` efectu`m m`sur`tori mai precise, constat`m c` m`rirea tensiunii colector-emitor deplaseaz`
extrem de pu\in caracteristica de intrare. Pentru aceea]i valoare a curentului de baz`, tensiunea necesar` [ntre
baz` ]i emitor este un pic mai mare. Pentru o varia\ie VCE [ntre 1 ]i 11 vol\i, aceasta, care are valori pe la
600 mV, cre]te cu mai pu\in de 1mV ! Dac` men\inem constant` tensiunea emitor-baz`, la aceea]i varia\ie a
lui VCE , curentul de baz` scade cu mai pu\in de 3%.
2.C. Caracteristicile de transfer
Vom p`stra constant` tensiunea colector-emitor,

la o valoarea care asigura func\ionarea in regiunea 200 β DC
activ`. M`rimea de ie]ire este curentul de colector dar,
ca m`rime de intrare avem de ales [ntre curentul de baz` 150
]i tensiunea baz` emitor. Dac` alegem curentul de baz`,
conform rela\iei IC = β IB , ne a]tept`m la o linie 100
dreapt` care trece prin origine. Dac` pe graficul 50
I C = f ( I B ) e pu\in probabil s` observ`m (cu ochiul
liber) o abatere de la linia dreapt`, calcularea raportului 0
IC I B = β DC , numit factor static de amplificare ([n 1E-3 0.01 0.1 1 10 100
curent continuu), arat` c` acesta nu r`m[ne constant. Pe
I C (mA)
o scar` lin-lin acest fenomen nu este evident deoarece
este localizat foarte aproape de originea axelor. Din Fig. 4.25. Varia\ia factorului β DC cu
acest motiv, e mai bine s` reprezent`m chiar dependen\a intensitatea curentului de colector la tranzistorul
lui β DC [n func\ie de curentul de colector. La un
2N2222.
tranzistor de mic` putere, ea are forma din Fig. 4.25. Se
observ` c` dac` tranzistorul este operat la curen\i de colector foarte mici, [n domeniul microamperilor,
factorul de amplificare β DC scade aproape la o zecime din valoarea sa maxim`.
Observa\ie: {n cataloage, factorul de amplificare static β DC este notat adesea cu hFE ("h" pentru c`
este considerat unul din parametrii hibrizi, "F" de la forward ]i "E" de la emitor comun). Indicele "FE" este
scris cu litere mari pentru a ar`ta c` factorul este definit la curent continuu.
Cum dependen\a I C = f ( I B ) nu este strict liniar`, este clar c` nici panta ei nu este constant`. Se
d IC
define]te, din acest motiv, factorul dinamic de amplificare [n curent β AC = , pentru a caracteriza
dI B
func\ionarea tranzistorului la varia\ii mici [n jurul unui anumit punct de func\ionare. Evolu\ia acestui factor
dinamic [n func\ie de curentul de colector este similar` cu varia\ia celui static: are valori mici la valori foarte
cobor[te ale lui IC ]i trece printr-un maxim pu\in [nainte ca IC s` ajung` la valoarea maxm` admis`.
Observa\ie: Factorul dinamic de amplificare β AC este notat [n cataloage cu h fe .
Strict vorbind, [n modelele pentru varia\ii ar trebui s` apar` β AC iar la calculul polariz`rii (curent
continuu) ar trebui s` utiliz`m factorul static β DC . Dar chiar pentru tranzistoare sortate de fabricant, ace]ti
factori au valori cu o [mpr`]tiere tehnologic` at[t de mare [nc[t distinc\ia dintre ei este un academism complet
inutil. Pentru c` nu-i ]tim dec[t foarte aproximativ, [i vom considera [ntodeauna egali ]i [i vom nota de
aici [nainte, simplu, cu β .
Am ales anterior, ca m`rime de intrare, curentul I B . Dac` alegem ca m`rime de intrare tensiunea baz`-
emitor, [n regiunea activ` caracteristica de transfer respect` o lege exponen\ial`
IC = I s eVBE VT (4.19)
pe aproape ]apte decade de varia\ie a curentului; ca ]i p[n` acum, VT este poten\ialul termic, egal cu
aproximativ 25 mV la temperatura camerei. Astfel,
curentul de colector se dubleaz` la fiecare cre]tere cu 18 mV a tensiunii baz`-emitor ]i se multiplic` cu zece

la fiecare cre]tere de 60 mV.
curent de colector (mA) curent de colector (mA)

100 10
80
V CE = 20 V
60
1
V CE = 10 V
40
20
0 0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 0.55 0.60 0.65
tensiune baza-emitor (V) tensiune baza-emitor (V)
a) b)
Fig. 4.26. Caracteristica de transfer IC = f (VBE ) .
Reprezentat` [n coordonate liniare, caracteristica de transfer are forma din Fig. 4.26 a) ]i arat` c`
modul [n care este controlat robinetul este foarte neliniar. Sensibilitatea controlului poate fi descris` cu un
parametru diferen\ial, numit transconductan\` dinamic` (adesea numit simplu transconductan\`), definit
prin viteza de cre]tere a curentului [n raport cu tensiunea de control
d IC
gm = ; (4.20)
dVBE
din rela\ia (4.19) se ob\ine imediat c` transconductan\a nu depinde dec[t de curentul de colector la care
opereaz` tranzistorul,
I
gm = C . (4.21)
VT
Cu alte cuvinte,
dac` am stabilit valoarea curentului de colector, orice tranzistor are aceea]i transconductan\`, indiferent de
parametrii sì Is ]i β .
Diferen\ele [n parametrii Is ]i β afecteaz` numai modul [n care trebuie polariz`m tranzitorul pentru a ob\ine
curentul de colector IC dorit: modificarea lui Is va cere o tensiune VBE u]or diferit`, iar varia\ia lui β va
conduce la o alt` valoare a curentului absorbit de baza tranzistorului.
Mai mult, a]a cum se vede [n desenul b) al figurii, modificarea tensiunii colector-baz` nu face dec[t s`
translateze caracteristica [n coordonate logaritmice, adic` s` afecteze numai factorul multiplicativ Is din
rela\ia (4.19). Astfel, modificarea transconductan\ei la varia\ia tensiunii de ie]ire coletor-baz` are loc numai
prin varia\ia curentului IC la care este operat tranzistorul, conform rela\iei (4.21).
2.D. Caracteristica de ie]ire
P`str[nd constant` tensiunea baz`-emitor, caracteristica de ie]ire IC = f(VCE ) are forma din
Fig. 4.27 a). Constat`m c` valoarea curentului de colector este aproximativ independent` de VCE numai
pentru valori ale lui VCE mai mari de c[teva zecimi de volt. Aceasta este numit` regiune activ` normal`.
8 I C (mA) 8 I C (mA)
V BE = 0.65 V
V BE = 0.65 V
6 6
4 V BE = 0.63 V 4 V BE = 0.63 V
2 2
regiunea de saturatie
0 0
0 5 10 0.0 0.1 0.2

VCE (V) VCE (V)
a) Caracteristici de iesire la V BE constant
8 I C (mA) 8 I C (mA)
I B = 34 µ A
6 I B = 34 µ A
6
4 I B = 17 µ A 4
2
2
regiunea de saturatie I B = 17 µ A
0 0
0 5 10 0.0 0.1 0.2
VCE (V) VCE (V)
b) Caracteristici de iesire la I B constant
Fig. 4.27. Caracteristici de ie]ire [n conexiunea emitor comun.
Ce se [nt[mpl` la valori mai mici ? {n plus fa\` de jonc\iunea baz`-emitor, tranzistorul mai are o
jonc\iune [ntre baz` ]i colector, jonc\iune care [n mod normal este invers polarizat` (Fig. 4.28 a). C[nd
tensiunea colector emitor coboar` sub 0.6 V, poten\ialul colectorului coboar` sub poten\ialul bazei (Fig. 4.28
b) ]i jonc\iunea baz`-colector [ncepe s` fie direct polarizat`, iar la poten\iale de colector sub 0.1 V [ncepe
chiar s` se deschid`, curentul produs prin acest mecanism ie]ind prin terminalul de colector ]i diminu[nd
progresiv curentul total de colector, a]a cum se poate observa [n desenul b) al figurii.. {n final, la VCE = 0 ,
curentul de emitor este practic nul [ntregul curent de baz` ie]ind prin colector ( IC este negativ), ca [n desenul
c) al figurii. Trebuie notat c` nici [n acest regim tranzistorul nu se comport` ca ]i cum ar fi alc`tuit din dou`
diode montate "spate la spate", jonc\iunea baz`-colector acapar[nd tot curentul de baz`, de]i cealalt`
jonc\iune este polarizat` cu exact aceea]i tensiune. Deschiderea nedorit` a jonc\iunii colector baz`, cunoscut`
sub numele de satura\ie, este un dezavantaj congenital al tranzistoarelor bipolare.
IC
IC IC
B C C B C
IB IB B IB
E
E IE ≅ IC E
IE = 0
IE = IC
VC > VB VC < VB VC = VE = 0
V B ~~ 0.6 V
regiunea activa normala regiunea de saturatie
a) b) c)
Fig. 4.28. Intrarea [n satura\ie la cobor[rea poten\ialului de colector; poten\ialul bazei este men\inut la
0.6 V.
{n circuitele practice nu tensiunea baz`-emitor este men\inut` constant`, ci curentul de baz`
(aproximativ constant). {n aceste condi\ii, caracteristicile de ie]ire au forma din Fig. 4.27 b). Ele difer` de
cele trasate la VBE = cons.doar [n regiunea de satura\ie, deoarece acum poten\ialul bazei nu mai este fixat.
Astfel, curentul de colector scade la zero pentru VCE = 0 , f`r` s` mai ajung` la valori negative.
{n oricare din situa\ii [ns`, [n regiunea de satura\ie sensibilitatea control`rii curentului de colector scade
dramatic, astfel c` putem afirma c`, practic, acest curent [nceteaz` s` mai fie controlat de starea portului de
intrare.
{n conexiunea emitor comun, satura\ia tranzistorului se manifest` prin imposibilitatea de a controla

curentul de colector prin valoarea curentului de baz`.
S` ne ocup`m acum ]i de cealalt` regiune a caracteristicii de ie]ire, numit` activ` normal`. Spuneam
c` aici practic curentul de colector nu depinde de tensiunea colector-emitor: la portul de ie]ire tranzistorul
nu se comport` ca un rezistor. La o privire mai atent`, constat`m [ns` o u]oar` cre]tere a curentului de
colector atunci c[nd cre]tem tensiunea colector-emitor. Ea apare la fel, indiferent dac` men\inem
VBE = cons.sau IB = cons., deci nu putem da vina pe modificarea caracteristicii de intrare produs` de
varia\ia tensiunii de ie]ire VCE . Cu IB = cons. curentul ar trebui s` fie I C = β I B , indiferent de valoare
tensiunii VBE ; rezult` c` aceast` [nclinare a caracteristicii de ie]ire este provocat` de varia\ia lui β cu VCE .
La conexiunea baz` comun`, p`str[nd curentul de intrare IE constant, curentul de colector se modific`
extrem de pu\in la varia\ia tensiunii de ie]ire. De ce oare [n conexiunea emitor comun efectul este mult mai
mare ? {n cazul conexiunii baz` comun`, varia\ia curentului I C = α I E este produs` datorit` varia\iei
factorului α care se modific` extrem de pu\in, cam cu 0.01 % (10-4) pe volt. {n cazul conexiunii emitor
comun, IC = β IB ]i, dac` men\inem constant curentul de baz`, curentul de colector se modific` numai
datorit` varia\iei factorului β . Am v`zut [ns` anterior c` o varia\ie a lui α provoac` o varia\ie relativ` a lui
β de β ori mai mare, deci de c[teva sute de ori mai mare. Vom avea, deci, pe fiecare volt de varia\ie a
tensiunii VCE , o varia\ie a curentului de colector de cel pu\in 1%; aceasta [nseamn`, pe un interval de zece
vol\i, o varia\ie apreciabil` : 10 %. Sursa de curent echivalent` este de o sut` de ori mai modest` dec[t aceea
de la baz` comun`.
Presupun[nd o varia\ie liniar` (de gradul [nt[i) a lui β [n func\ie de VCE
b
β = β 0 1 + VCE VEA g (4.22)
cu valoarea VEA constant`, ajungem la o expresie a curentului de colector
IC = β 0 I B + β 0 I B VCE VEA = I C( 0) + I C( 0) VCE VEA (4.23)
( 0)
unde am notat cu IC = β 0 I B curentul de colector "extrapolat" la VCE = 0 (Fig. 4.29 a).
IC C
8 I C (mA) I B = 34 µ A
(0)
extrapolare IC
6 (0) rce
IC
∆ VCE
4 rce =
∆ IC VCE
2
E
0
0 5 10
V CE (V)
a) b)
Fig. 4.29. Efectul Early [n conexiunea emitor comun.
Rezisten\a dinamic` [n regiunea activ` se ob\ine simplu
∆VCE VEA
rce = = ( 0) (4.24)
∆ IC IC
fiind invers propor\ional` cu valoarea curentului de colector. {n regiunea activ` normal`, portul de ie]ire
poate fi echivalat cu o surs` ideal` de curent de valoare IC(0) = β IB [n paralel cu un rezistor cu rezisten\a
rce = VEA I C( 0) , ca [n Fig. 4.26 b).
Rela\ia (4.23) are ]i o consecin\` geometric`. S` calcul`m intersec\ia cu axa orizontal` a carateristicii
extrapolate; punem IC = 0 ]i ob\inem intersec\ia la
VCE = − VEA (4.25)
indiferent de valoarea lui IB . {n consecin\`, a]a cum se poate vedea [n Fig. 4.30,
toate prelungirile caracteristicilor se [nt[lnesc [ntr-un singur punct, la tensiunea −VEA , numit` tensiune
Early; aceasta are valori de ordinul a o sut` de vol\i.
IC
extrapolari
ale regiunii
active
- V EA 0 10
VCE (V)
Fig. 4.30. Toate dreptele ob\inute prin extrapolarea caracteristicii din regiunea activ` se [nt[lnesc [ntr-un
singur punct.
Mai r`m[ne s` discut`m al treilea regim de func\ionare, acela [n care curentul de colector este nul.
C[nd curentul de colector este nul, tranzistorul se afl` [n regiunea de blocare (tìere).
Practic, cel mai adesea, blocarea rezervor 2 rezervor 1

este realizat` prin aducerea la zero a V alim
tensiunii baz`-emitor sau polarizarea +10 V
invers` a acestei jonc\iuni. {n principiu, [ns`, deoarece
+ la tranzistoarele cu siliciu curentul rezidual de colector este neglijab
A]a cum se poate constata [n 0V 500 Ω
Fig. 4.31, unde am reprezentat circuitul cu - curent nul
emitor comun ]i echivalentul sù 0 V
10V
hidraulic, c`derea de tensiune pe
rezistorul din colector devine nul` (legea
lui Ohm) ]i poten\ialul colectorului devine robinet inchis
egal cu cel al aliment`rii pozitive, ca ]i
cum tranzistorul nu ar exista.
a) b)
Fig. 4.31. Regimul de blocare.

Prin blocarea tranzistorului, poten\ialul
sù de colector urc` la nivelul poten\ialului aliment`rii.
2.E. Satura\ia tranzistorului
Pentru trasarea caracteristicilor am legat [ntre colector ]i emitor o surs` ideal` de tensiune care s`
men\in` [ntre aceste puncte tensiunea la valoarea dorit` de noi. Astfel, intrarea [n satura\ie s-a f`cut prin
cobor[rea tensiunii acestei surse care, continuat`,, cobor` la zero curentul de colector.
{n circuitele practice [n care tranzistorul este utilizat V alim

(]i nu studiat, cum am f`cut noi p[n` acum), lucrurile stau
RC
cu totul altfel, a]a cum se vede [n Fig. 4.32. Diferen\a
esen\ial` este c` sursa Valim nu mai men\ine constant` IC = β IB +
tensiunea [ntre colector ]i emitor ci poten\ialul "[n amonte" R B 0.6 V VC _ V alim
de rezisten\a RC . Astfel, tensiunea colector emitor este
IB
dictat` de legea lui Ohm +
_ EB IE ≅ IC
VCE = VC = Valim− IC RC . (4.26)
Fig. 4.32. Circuit cu emitor comun.
rezervor 1
rezervor 2
rezervor 1
rezervor 2
regiunea activa
robinetul controleaza
IC (mA) debitul
10 I B = 50 µ A
8 40 µ A
6 N 30 µ A
regiunea de saturatie
M
robinetul nu mai 4 20 µ A
controleaza debitul
2 I B = 10 µ A
O
0 IB = 0
0 2 4 6 8 10
VCE (V)
VCE act I C act R C rezervor 2 rezervor 1
Valim
regimul de blocare
robinet complet inchis
Fig. 4. 33. Regimurile de func\ionare a tranzistorului.
Putem urm`ri starea tranzistorului pe familia de caracteristici de ie]ire, prin metoda dreptei de sarcin`.
Aceast` dreapt` intersecteaz` axele la Valim ]i Valim RC , a]a cum se vede [n Fig. 4.33. S` presupunem c`
am stabilit curentul de baz` la 20 µA ]i punctul de func\ionare se g`se]te [n pozi\ia M de pe desen. Se vede
c` tensiunea colector-emitor nu este [ntreaga tensiune de alimentare, cantitatea RC ⋅ I C act c`z[nd pe
rezisten\a din colector, conform rela\iei precedente. M`rirea sau mic]orarea curentului de baz` deschide mai
mult sau mai pu\in robinetul de curent, modific[nd simultan valoarea curentului de colector ]i tensiunea
colector emitor (echivalentul nivelului din rezervorul 2). Aceasta este regiunea activ`. Aici curentul de
colector ]i poten\ialul colectorului sunt controlate de curentul de baz`
IC = β IB
(4.27)
VC = Valim− β RC IB
tranzistorul put[nd fi utilizat ca un amplificator. I C (mA)

Dac` valoarea curentului de baz` este 10
Valim RC
adus` la zero, ]i curentul de colector devine
zero, robinetul fiind complet [nchis (punctul O
de pe desen); [n consecin\`, poten\ialul a) 5
colectorului urc` la nivelul tensiunii de
alimentare. Am ajuns, astfel, [n regimul de
blocare.
Ce se [nt[mpl` [ns` dac` m`rim prea 0
mult curentul de baz` ? Deplas[ndu-se spre 0 IB
Valim ( β R C )
st[nga de-a lungul dreptei de sarcin`, punctul
de func\ionare ajunge, [n pozi\ia N, [n regiunea
de satura\ie a tranzistorului, figurat` cu un VC
Valim
dreptunghi ha]urat. Aici curentul de colector
[nceteaz` s` mai depind` practic de curentul de
baz`; degeaba cre]tem noi curentul de baz` de
b)
la 40 µA la 60 µA, punctul de func\ionare
r`m[ne practic tot [n pozi\ia N, la un curent de
colector foarte pu\in sub valoarea Valim RC la
care dreapta de sarcina intersecteaz` axa
vertical`. 0
0 IB
Dac` desen`m dependen\a curentului de
colector [n func\ie de curentul de baz`, ob\inem Fig. 4.34. Satura\ia curentului de colector [n raport cu cel
graficul din Fig. 34 a). {ncep[nd de la o valoare de baz`.
a curentului de baz` egal` cu
V
IB sat≅ alim (4.28)
β RC
curentul de colector [nceteaz` s` mai creasc`, plafon[ndu-se la o valoare de
V
IC sat≅ alim ; (4.29)
RC
astfel,
valorile curen\ilor (de baz` ]i de colector) la care tranzistorul ajunge [n satura\ie depind numai de circuitul
extern.
Dac` [n locul rezisten\ei RC am fi legat colectorul direct la tensiunea de alimentare, dreapta de sarcin`
din Fig. 4.33 ar fi devenit vertical`, deoarece poten\ialul colectorului nu s-ar fi clintit de la Valim . {n
consecin\`, oric[t am fi m`rit curentul de baz`, tranzistorul ar fi r`mas [n regiunea activ`, urm[nd ca la un
moment dat s` se distrug` prin supra[c`lzire, f`r` s` fi ajuns s` afle ce [nseamn` satura\ia.
{n circuitele practice, tranzistorul poate ajunge [n satura\ie datorit` dipolului legat [n colector: la
cre]terea curentului, pe acest dipol cade o tensiune din ce [n ce mai mare, tensiunea [ntre colector ]i emitor
put[nd astfel sc`dea p[n` spre valoarea nul`.
{n general, atunci c[nd o m`rime y , care depinde de o alta, x, [nceteaz` practic s` mai creasc` la
m`rirea lui x, spunem c` avem satura\ia lui y [n raport cu x.
{n cazul tranzistoarelor bipolare, prin satura\ie [n\eleem satura\ia curentului de colector [n raport cu
cel de baz`.
Vom vedea c`, parc` pentru a [ncurca lucrurile, [n cazul tranzistoarelor cu efect de c[mp, prin
satura\ie se [ntelege cu totul altceva.
Poten\ialul de la cap`tul inferior al rezisten\ei RC ar fi ajuns la zero ]i dac` am fi controlat curentul cu

un rezistor reglabil sau un tranzistor cu efect de c[mp. Ce aduce [n plus tranzistorul este impedimentul legat
de jonc\iunea sa baz`-colector: la valori ale poten\ialului de colector de c[teva zecimi de volt aceasta se
deschide ]i [mpiedic` poten\ialul de colector s` ajung` la zero vol\i, a]a cum se observ` [n Fig. 4.4 b).
Aceast` tensiune rezidual` poate fi mic]orat` pu\in prin m`rirea exagerat` a curentului de baz` (se spune c`
tranzistorul intr` ad[nc [n satura\ie) dar ea r`m[ne ]i reprezint` o dificultate pentru unele tipuri de circuite cu
tranzistoare bipolare. De exemplu, la curen\i de zeci de amperi, valoarea ei ajunge spre 1 V, ceea ce produce
o disipa\ie de putere de c[teva zeci de wa\i pe tranzistorul deschis.
2.F. Date de catalog
Utilizatorul g`se]te informa\iile relevante despre tranzistoarele pe care dore]te s` le foloseasc` [n foile
da catalog oferite de produc`tor. De]i pentru unii dintre parametri sunt date defini\iile, majoritatea au
semnifica\ia acceptat` [n manuale sau alte publica\ii care standardizeaz` terminologia. Prezent`m, [n
continuare, extrase din foia de catalog tranzistoarelor BC107 - BC108, limit[nd comentariile la m`rimile care
au fost prezentate [n acest capitol sau a c`ror semnifica\ie este evident`. Al\i parametri importan\i vor fi
discuta\i [n capitolele ulterioare, c[nd ne vom ocupa de circuitele [n care sunt utilizate tranzistoarele.
Foaia de catalog [ncepe cu prezentarea succint` a tranzistoarelor: amplificatoare (aplica\ii liniare) de
uz general (general purpose) la frecven\e joase (audio), av[nd [n plus specifica\ia particular` de zgomot
redus (low noise). Urmeaz` apoi c[teva r[nduri din care afl`m c` tranzistoarele sunt de tip NPN, cu siliciu, ]i
tipul capsulei. Ni se dau, de asemenea, c[teva sugestii de aplica\ii, complementarele lor PNP ]i simbolu
tranzistorului. De aici afl`m un lucru important, care trebuie re\inut: ]i foile de catalog pot con\ine erori. {n
aceast` foaie, de la SGS Thomson Microelectronics, simbolul desenat este al unui tranzistor PNP !.
Primele date numerice prezentate sunt acelea ale valorilor maxime admise; pentru exemplificare, ne
vom referi numai la BC107. Tensiunea invers` maxim` [ntre colector ]i baz` este de 50 V (este invers`
pentru c` este definit` ca VCB0 ]i este pozitiv`, deci poten\ialul colectorului este mai ridicat). {ntre colector ]i
emitor tensiunea nu trebuie s` dep`]easc` 45 V iar jonc\iunea baz`-emitor str`punge invers dac` cre]tem
tensiunea peste 6 V. Curentul maxim de colector este de 100 mA.
Valorile maxime pentru VCE ]i IC nu pot fi ob\inute simultan deoarece puterea disipat` (egal` cu
produsul lor) nu poate dep`]i 300 mW ]i aceasta numai dac` aerul ambiant nu are o temperatur` mai mare de
25oC. Tranzistorul poate disipa o putere mai mare (750 mW) dac` reu]im s` men\inem capsula sub 25oC.
Ultimele linii din tabel se refer` la temperaturile de depozitare ]i func\ionare. Afl`m astfel c` performan\ele
sunt garantate p[n` la o temperatur` a jonc\iunii de +175oC.
Urmeaz` grupa parametrilor lega\i de func\ionare, "caracteristicile electrice". Dintre ele men\ion`m
curentul rezidual colector baz`, care este de 15 nA dar cre]te la 15 µA dac` jonc\iunea ajunge la 150oC.
Pentru jonc\iunea baz`-emitor este dat` c`derea de tensiune [n conduc\ie direct` VBE ( on ) . Recunoa]tem apoi
factorii de amplificare a curentului [n conexiunea emitor comun, at[t cel static hFE = β DC c[t ]i cel dinamic
h fe = β AC . Observ`m c` pentru cel dinamic sunt date numai valorile tipice, nu ]i intervalul de [mpr`]tiere
tehnologic`.
Acela]i lucru se [nt[mpl` ]i pentru alt parametru important, impedan\a de intrare [n conexiune emitor
comun hie (la VCE constant). Situa\ia poate conduce la confuzii, mai ales pentru [ncep`tori, deoarece, [n
realitate, ace]ti parametri h fe ]i hie au aceea]i dispersie tehnologic` ca ]i factorul de amplificare static.

- {n conexiunea cu emitorul comun, portul de intrare este [ntre baz` ]i emitor iar portul de ie]ire
este [ntre colector ]i emitor; colectorul este, astfel, comun celor dou` porturi.
- Cel mai frecvent, tranzistoarele bipolare sunt utilizate [n conexiunea emitor comun.
- Portul de intrare se comport` ca o diod`, caracteristica sa fiind foarte pu\in afectat` de
valoarea tensiunii de ie]ire (colector-baz`).
- Curentul de colector este controlat exponen\ial de tensiunea baz`-emitor; fiecare cre]tere de 60
mV produce o multiplicare cu 10 a curentului.
- Sensibilitatea acestui control poate fi caracterizat` de un parametru dinamic numit
transconductan\`, gm = d IC dVBE ; transconductan\a nu depinde dec[t de valoarea curentului de
colector [n jurul c`reia s-a efectuat mica varia\ie, conform rela\iei gm = IC VT , unde VT este
tensiunea termic` (25 mV la temperatura camerei).
- Pe de alt` parte, valoarea curentului de colector este propor\ional` cu valoarea curentului de
baz`. Factorul de amplificare β are valori peste o sut` ]i are o [mpr`]tiere tehnologic` mare.
- La portul de ie]ire, tranzistorul se comport` aproximativ ca o surs` de curent. Comportarea
este mai dep`rtat` de idealitate [n compara\ie cu situa\ia de la conexiunea baz` comun`, deoarece
factorul β sufer` varia\ii relative de β > 100 ori mai mari dec[t factorul α .
- Rezisten\a dinamic` a portului de ie]ire este invers propor\ional` cu valoarea curentului de
colector, conform rela\iei rce = VEA I C , unde parametrul VEA este tensiunea Early; aceast` tensiune
are valori de ordinul a 100 V.
- Regimul [n care curentul de colector este controlat de starea portului de intrare se nume]te
regim activ normal.
- Prin aducerea la zero a tensiunii baz`-emitor, curentul de colector se anuleaz` ]i tranzistorul
ajunge [n regimul de blocare; curentul de colector poate fi adus foarte aproape de zero ]i prin anularea
curentului de baz`.
- Dac` [n colector este montat` o rezisten\` ]i dac` valoarea curentului de baz` cre]te [n a]a fel
[nc[t practic [ntreaga tensiune de alimentare s` cad` pe rezisten\`, tranzistorul ajunge [n regiunea de
satura\ie, poten\ialul colectorului devenind practic egal cu cel al emitorului. {n acest regim, curentul de
colector nu mai este controlat de starea portului de intrare, fiind stabilit de circuitul extern la
IC sat≅ Valim RC .
Termeni noi
- factorul β factorul de amplificare a curentului [n conexiunea emitor comun;

este egal cu α (1− α ) ]i are valori peste 100, prezent[nd o
[mpr`]tiere tehnologic` mare;
- transconductan\` parametru dinamic ce caracterizeaz` sensibilitatea cu care
tensiunea baz`-emitor controleaz` curentul de colector, definit ca
gm = d IC dVBE ;
- tensiune Early parametru care caracterizeaz` dependen\a liniar` a factorului β de
tensiunea colector baz`; este utilizat` la exprimarea rezisten\ei
dinamice [ntre colector ]i emitor prin rela\ia rce = VEA I C ]i
are valori de ordinul a 100 V;
- satura\ie regim de func\ionare a tranzistorului [n care jonc\iunea colector-
baz` ajunge s` fie [n conduc\ie direct`; [n acest regim, curentul de
colector nu mai este controlat de starea portului de intrare;
- curent de colector de satura\ie valoare a curentului de colector la care tranzistorul ajunge [n
satura\ie; este stabilit` de circuitul extern IC sat≅ Valim RC ;
- tensiune de satura\ie colector valorea tensiunii colector-emitor [n regimul de satura\ie; depinde
emitor de curentul de colector la care a ap`rut satura\ia
- regim de blocare regim de func\ionare a tranzistorului [n care curentul de colector
este nul;
Probleme rezolvate
Problema 1. Circuitul din Fig. 4.35 reprezint` o variant` de
polarizare, cunoscut` [n multe texte de limb` român` ca "polarizare fix`". + 12 V
a) Tranzistorul are factorul β egal cu 200. Determina\i punctul
static de func\ionare.
3.3 k
b) Relua\i calculul de la punctul precedent [n situa\iile [n care 1 M
factorul β are valorile 100 ]i, respectiv, 400. Formula\i o concluzie asupra
sensibilit`\ii poten\ialului de colector la modificarea factorului β .
c) Revenind la valoarea de 200 a factorului β , calcula\i care este
efectul asupra poten\ialului de colector produs de modificarea cu 0.2 V a
tensiunii baz`-emitor (datorit`, de exemplu, [mpr`]tierii tehnologice a
curentului Is).
Fig. 4.35.
Rezolvare
a) Emitorul este legat la mas`, tranzistorul este din siliciu, deci poten\ialul bazei va fi pe undeva pe la
tensiunea de deschidere de 0.6 V. Legea lui Ohm aplicat` pe rezistorul din baz` conduce la valoarea
curentului la acest terminal
12 V-0.6 V
IB = . µA ;
= 114
1 MΩ
de aici calcul`m imediat curentul de colector
IC = β IB = 200⋅ 114
. µA = 2.3 mA .
Pe rezisten\a din colector va c`dea tensiunea U R = 2.3 mA ⋅ 3.3 kΩ = 7.6 V, a]a c` poten\ialul
C
din colector este
VC = 12 V-7.6 V= 4.4 V.
b) Cu valoarea 100 pentru factorul β ob\inem IC = 11 . mA , U RC = 3.6 V ]i VC = 8.4 V.

Potentialul de colector nu mai este pe la jum`tatea tensiunii de alimentare ci s-a apropiat de aceasta; cu toate
acestea, mai avem o rezerv` de 3.6 V p[na la regimul de blocare.
Relu`m acum calculele pentru β = 400. Curentul de colector rezult` IC = 4.6 mA , de unde rezult`
U R = 15.2 V ]i ob\inem VC = 12 V-15.2 V= -3.2 V. A]a s` fie, un poten\ial negativ al colectorului
C
c[nd singura tensiune de alimentare pe care am o avem este pozitiv` ? Este clar c` am gre]it pe undeva.
Refacem calculele ]i aritmetica ne conduce la acela]i rezultat VC = -3.2 V. Verific`m acum ce rela\ii am
aplicat la fiecare pas de calcul. Tensiunea baz` emitor este sigur de ordinul a 0.6 V; ]i dac` ar fi mai mic`
poten\ialul de colector ar rezulta ]i mai negativ. Legea lui Ohm este cu siguran\` valabil` pe rezistorul de
1 MΩ. Putem, deci, s` cont`m pe valoarea ob\inut` pentru curentul de baz`, el este de 114 . µA .
Mai departe am scris c` IC = β IB ; este aceast` rela\ie valabil` [ntodeauna ? Recitim textul capitolului
]i descoperim c` aceasta nu se mai [nt[mpl` dac` tranzistorul intr` [n satura\ie. Putem chiar verifica faptul
c` tranzistorul este [n satura\ie, exist` o valoare a curentului de colector fixat` de circuitul extern pe care
tranzistorul nu o poate dep`]i; aceasta se calculeaz` simplu
12 V
IC sat= = 3.64 mA .
3.3 kΩ
Or, cu rela\ia IC = β IB , curentul de colector a rezultat egal cu 4.6 mA. Concluzia este una singur`, cu
β = 400 tranzistorul este [n satura\ie. Din acest motiv, valoarea corect` pentru poten\ialul de colector
nu este VC = -3.2 Vcum a ie]it din calcul, ci
VC ≅ VE = 0 V;
de fapt, vom avea o tensiune de satura\ie de c[teva zecimi de volt.

Dac` am fi calculat valoarea lui I C sat de la [nceput, [n momentul [n care am fi ajuns la
IC = 4.6 mA clopo\elul ar fi sunat imediat, anun\[ndu-ne c` tranzistorul a ajuns [n satura\ie. Este bine, deci,
s` [ncepem rezolvarea unei astfel de probleme prin calcularea curentului de colector la care
tranzistorul ar ajunge [n satura\ie.
S` tragem acum concluziile. Am modificat factorul β de la 200 la 100 ]i, apoi, la 400. La prima
opera\ie, poten\ialul colectorului s-a deplasat [n sus cu 4 V, dar tranzistorul a r`mas [n regiunea activ`. Prin
cre]terea la 400 [ns`, tranzistorul a intrat [n satura\ie ]i colectorul a ajuns la poten\ialul mase, tranzistorul
[ncet[nd s` mai func\ioneze ca un robinet controlat. Morala este c` polarizarea tranzistorului cu o
rezisten\` direct de la alimentare este total contraindicat`, deoarece punctul static de func\ionare
depinde puternic de parametrul β .
c) Valoarea curentului de baz`, calculat [n ipoteza VBE = 0.6 V, a fost de 11.4 µA. Dac` tensiunea
baz`-emitor cre]te cu 0.2 V, noua valoare va fi
12 V-0.8 V
IB = . µA
= 112
1 MΩ
cu numai 1.8 % mai mic`. {n consecin\`, rezisten\a din baz` stabile]te

practic valoarea curentului de baz`, indiferent de parametrii tranzistorului. +12 V
O denumire mai corect` a acestei variante de polarizare ar fi "la curent de
+
baz` fixat". 3.3 k
1M
-
Problema 2. Circuitul din problema precedent` a fost modificat ]i
acum arat` ca [n Fig. 4.36.
a) Pentru valoarea factorului β de 200, calcula\i punctul static de +
0.6 V -
func\ionare. {ncerca\i s` g`si\i o cale de a reduce o parte a rezolv`rii la +
cazul precdent. 1k
-
b) Afla\i ce se [nt[mpl` dac` factorul β se modific`, ajung[nd la 400.
Rezolvare
a) De data aceasta nu mai cunoa]tem poten\ialul emitorului. Va Fig. 4.36.
trebui s` aplic`m legea tensiunilor, efectu[nd o excursie de la nodul de
mas` prin rezisten\a din emitor, jonc\iunea emitor baz` ]i rezisten\a din baz`. Ecua\ia care rezult` este
0 + IE ⋅ 1 kΩ + 0.6 V + IB ⋅ 1 MΩ = 12 V;
dac` \inem seama c` IE ≅ IC = β IB , rela\ia devine

a
0.6 V + IB 1 MΩ + β ⋅ 1 kΩ = 12 V f
care conduce la
12 V - 0.6 V 11.4 V
IB = = = 9.5 µA .
1 MΩ + β ⋅1 kΩ 1.2 MΩ
De aici urm`m calea cunoscut`, IC = β I B = 1.9 mA , U R = 6.3 V ]i

C +12 V
VC = 5. 7 V . Pe de alt` parte, VE = I E ⋅1 kΩ = 1.9 V iar
VB = VE + 0.6 V = 2.5 V . Circuitul, cu toate valorile calculate, este 3.3 k
prezentat [n Fig. 4.37. 1M
1.9 mA
Dac` analiz`m rela\ia din care am ob\inut valoarea curentului de 9.5 µ A
5.7 V
baz`, constat`m c` rezisten\a din emitor apare multiplicat` cu β ]i
adunat` cu rezisten\a din baz`. Astfel, pentru calcularea curentului din 2.5 V
baz` am putea considera c` ea dispare din emitor ]i apare, de β mai 1.9 V
mare, [n serie cu rezisten\a din baz`. Acest truc func\ioneaz` numai 1k
pentru calcularea curentului din baz`. Pentru etapele ulterioare ale
calculului ea trebuie s` revin` la locul ei [n circuitul emitorului.
Fig. 4.37.
b) Cu β = 400 curentul de baz` se ob\ine
12 V - 0.6 V 11.4 V
IB = = = 8.14 µA .
1 MΩ + β ⋅1 kΩ 1.4 MΩ
Cre]terea lui β a mic]orat un pic curentul de baz` dar efectul cre]terii r`m[ne puternic asupra curentului de
colector, care rezult` acum IC = β I B = 3.3 mA . {n acest caz, pe rezistorul din colector ar c`dea tensiunea
U R = 10. 7 V de unde ar rezulta c` poten\ialul colectorului ar fi la 1.3 V. Pe de alt` parte, pe rezistorul din
C
emitor ar c`dea 3.3 V ]i emitorul ar urca la VE = 3.3 V . Am ajuns la o solu\ie [n care poten\ialul colectorului
(1.3 V) este mai cobor[t dec[t al emitorului. Acest lucru este imposibil, deci tranzistorul a ajuns [n
satura\ie.
Problema 3. {n circuitul din Fig. 4.38 s-a utilizat un alt mod de polarizare al bazei. Consider[nd [n
continuare c` β = 200,
a) decide\i dac` divizorul rezistiv din baz` poate fi considerat +12 V
ne[nc`rcat ]i calcula\i punctul de static func\ionare.
b) Relua\i punctul precedent, pentru β = 400. Formula\i o concluzie. 3.3 k
50 k
Rezolvare
a) Rezisten\a echivalent` a divizorului rezistiv este pu\in mai mic`
+
dec[t valoarea rezisten\ei de 10 kΩ. Dac` dori\i o valoare mai precis`, 0.6 V-
calcula\i combina\ia lor paralel ]i ob\ine\i 8.3 kΩ. Din rezolvarea problemei +
10 k 1k
precedente am [nv`\at c`, pentru calcularea curentului de baz`, putem s` -
deplas`m rezisten\a din emitor [n circuitul bazei, dac` o multiplic`m cu β .
Avem, astfel, o valoare pentru rezisten\a care constituie sarcina divizorului,
ea este β ⋅1 kΩ = 200 kΩ , de 2008.3 ≅ 24 de ori mai mare dec[t Fig. 4.38.
rezisten\a echivalent` a divizorului. {n concluzie, cu o aproxima\ie de 4 %
putem considera c` divizorul este operat [n gol. Prezen\a c`derii de tensiune pe jonc\iunea baz`-emitor
contribuie suplimentar la mic]orarea curentului extras din divizor, astfel c` eroarea este chiar mai mic` de
4 %.
{n continuare, readucem rezisten\a din emitor la locul ei. Apoi calcul`m tensiunea de ie]ire [n gol a
divizorului, prin regula de trei simpl`. Ea este identic` cu poten\ialul bazei tranzistorului
10 kΩ
VB = ⋅ 12 V= 2 V;
60 kΩ
de aici calcul`m poten\ialul emitorului VE = VB − 0.6 V= 1.4 V ]i, cu legea lui Ohm, curentul de emitor,
care este practic egal cu cel de colector, IC = 1.4 mA . Urmeaz` la r[nd tensiunea pe rezisten\a din colector
VR = 4.6 V ]i, [n final, poten\ialul colectorului VC = 12 V-4.6 V= 7.4 V. Colectorul este mai sus cu
C
6 V dec[t emitorul, tranzistorul este departe de regimul de satura\ie.
b) Acum divizorul rezistiv "vede" [n locul rezisten\ei de sarcin` de 200 kΩ una de valoare dubl`,
egal` cu 400 kΩ . Dac` [n cazul anterior cuplarea rezisten\ei de sarcin` cobora cu 4 % tensiunea de ie]ire
(fa\a de cea de mers [n gol), acum cobor[rea este numai de 2 %. {n concluzie, modificarea lui β de la 200 la
400 produce numai o cre]tere a poten\ialului bazei de 2 % din tensiunea [n gol a divizorului, adic` de numai
0.04 V. Aceea]i cre]tere se va reg`si ]i [n emitor, provoc[nd o cre]tere a curentului de colector de numai 0.04
mA, adic` sub 3 %. {n consecin\`, poten\ialul de colector va cobor[ cu 0.13 V de la valoarea anterioar` de 7.4
V.
S` ne aducem aminte c`, [n cazul circuitulor de la problemele 1 ]i 2, aceea]i cre]tere a factorului β
aducea tranzistorul [n satura\ie, pe c[nd acum modificarea poten\ialului de colector este practic
neglijabil`. Circuitul de polarizare din Fig. 4.38, care fixeaz` poten\ialul bazei ]i nu curentul de baz`, este
circuitul care asigur` predictibilitatea punctului static de func\ionare [n condi\iile [mpr`]tierii mari a
factorului β .
Probleme propuse
P 4.2.1. {ncerc[nd s` realiza\i circuitul din Fig. 4.39, lua\i un +10 V
tranzistor din cutie ]i [l monta\i. S` presupunem c` tranzistorul are
β = 200. Calcula\i curentul de baz`, curentul de colector ]i 220 k Ω 560 Ω
poten\ialul colectorului. Este el [n regiunea activ` sau [n satura\ie ?
P 4.2.2. Lu[nd un alt exemplar din aceea]i cutie trimis` de
fabricant, tranzistorul are, s` zicem, β = 450. Relua\i problema
precedent` ]i stabili\i [n ce regiune de func\ionare se g`se]te
tranzistorul.
P 4.2.3. Stabili\i acum [n ce interval trebuie s` fie factorul β
pentru ca poten\ialul colectorului s` nu se apropie la mai pu\in de Fig. 4.39 .
doi vol\i de poten\ialul aliment`rii ]i, de asemenea, de poten\ialul
masei. {n cutia cu tranzistoare, valorile lui β s[nt distribuite cu egal` probabilitate [ntre limitele 200 ]i 450.
Dac` dorim s` realiz`m un amplificator dup` schema precedent`, c[t la sut` dintre amplificatoarele realizate
trebuie aruncate pentru c` nu [ndeplinesc condi\ia asupra poten\ialului de colector enun\at` mai sus ?
P 4.2.4. Utiliz[nd circuitul din Fig. 4.40, prin +5 V
comutatorul K dorim s` control`m aprinderea becului, care
are valorile nominale de func\ionare 0.2 A ]i 4.5 V. {n ceea R bec incandescenta
B valori nominale
ce prive]te tranzistorul, cont`m pe un factor β de cel pu\in 0.2 A; 4.5 V
50. C[t ar trebui s` fie valoarea rezisten\ei din baz` pentru ca
becul s` func\ioneze normal ? Dar dac` ne lu`m o rezerv`,
pentru orice eventualitate (de exemplu, cu filamentul rece
becul absoarbe mai mult curent dec[t cel nominal) ? K
P 4.2.5. {n circuitul din Fig. 4.41, tensiunea sursei
ideale E B a fost ajustat` fin astfel [nc[t VC = Valim2 . O
[nc`lzire cu 8o C a tranzistorului este echivalent` cu o Fig. 4.40.
cre]tere de aproximativ 18 mV a tensiunii baz` emitor (prin
modificarea parametrului I s din ecua\ia (4.19)). Utiliza\i ecua\ia
V alim citat` ]i calcula\i de c[te ori cre]te curentul de colector. Mai r`m[ne
tranzistorul [n regiunea activ` ? Este o idee bun` s` polariz`m
RC tranzistorul [n acest mod ?
P 4.2.6. Circuitul de la problema precedent` mai are un
0.6 V dezavantaj. Imagina\i-v` c` E B sufer` o varia\ie necontrolat`, de
VC
scurt` durat`, de la aproximativ 0.6 V la 1 V. Calcula\i de c[te ori ar
+ cre]te curentul de colector dac` rezisten\a RC ar fi nul` (sau [n locul
EB _ ei s-ar afla o diod`). Care ar fi consecin\ele ?
P 4.2.7. {n Fig. 4.42 ave\i schema unui amplificator cu emitor
comun, cu dou` etaje. Ne vom ocupa numai de polarizare (regimul de
curent continuu) a]a c` nu trebuie s` lua\i [n seam` condensatoarele,
Fig. 4.41 . ele nu afecteaz` regimul de curent continuu. Nu le ]terge\i de pe
schem`, obi]nui\i-v` s` lucra\i cu ele acolo ]i s` le ignora\i c[nd
vorbi\i despre polarizare. Mai [nt[i stabili\i sensurile curen\ilor ]i estima\i c[t de mari ar putea fi ([n cea mai
defavorabil` situa\ie) curen\ii de colector.
P 4.2.8. }tiind c` ambele tranzistoare au factorul de amplificare β mai mare de 100, decide\i dac`
divizorul din baza lui T1 poate fi considerat ne[nc`rcat. Calcula\i apoi, pentru primul tranzistor, poten\ialul
bazei, poten\ialul emitorului ]i curentul de colector. +20 V

Scrie\i aceste valori pe schem`, obi]nui\i-v` s`
2.2 k
lucra\i [n principal pe schem` ]i s` scrie\i c[t mai 5k
pu\ine ecua\ii sub form` literal`. 90 k
P 4.2.9. Pentru determinarea poten\ialului de T2
colector al lui T1 ar trebui s` cunoa]tem curentul out
in
de baz` al lui T2, pe care nu [l ]tim. Pute\i afirma, T1
[ns`, c` el nu este mai mare dec[t o anumit`
valoare, pentru c` ave\i deja o estimare maximal` a
10 k 1.5 k 2.5 k
curentului de colector. Sunte\i, astfel, [n m`sur` s`
afla\i ]i poten\ialul de colector al primului
tranzistor.
P 4.2.10. {n sf[r]it, determina\i, pentru al
doilea tranzistor, poten\ialul de emitor, curentul de Fig. 4.42.
colector ]i poten\ialul colectorului.
P 4.2.11. Am v`zut c` putem considera curentul de colector ca
+10 V
fiind controlat de tensiunea baz`-emitor, parametrul care depinde de
tranzistorul particular pe care [l folosim fiind factorul multiplicativ Is.
Acest fapt are o aplica\ie important` [n circuite ca cel din Fig. 4.43,, 4.7 k sarcina
numit oglind` de curent.
a) Determina\i curentul de colector al tranzistorului T1 (curen\ii
de baz` se pot neglija).
b) Consider[nd c` cele dou` tranzistoare sunt "[mperecheate",
av[nd aceea]i valoare pentru parametrul Is, calcula\i curentul de
colector al tranzistorului T2. T1 T2
c) Rezisten\a sarcinii se modific`; cu ce este echivalent
tranzistorul T2 ?
d) Care este complian\a de tensiune a sursei de curent ? Fig. 4.43.
e) Este aceasta o surs` cu rezisten\` dinamic` mare ? Revede\i
caracteristica de ie]ire cu VBE = cons.
+10 V P 4.2.12. Circuitul din Fig. 4.44 este o oglind` de curent
perfec\ionat`.
a) Calcula\i curentul de colector al tranzistorului T1.
4.2 k sarcina b) Determina\i curentul de colector al tranzistorului T2,
consider[nd tranzistoarele identice.
c) Estima\i cu c[t se modific` valoarea curentului de colector al
tranzistorului T2 dac` parametrul sù Is devine de 10 ori mai mare.
Formula\i o concluzie [n privin\a predictibilit`\ii curentului dac`
tranzistoarele nu sunt [mperecheate.
T1 T2
d) Calcula\i c[t este acum complian\a de tensiune a sursei de
500 Ω 500 Ω curent.
e) Ce se [nt[mpl` cu valoarea rezisten\ei dinamice a sursei de
curent ? Indica\ie: poten\ialul bazei lui T2 este men\inut constant dar
Fig. 4.44. tensiunea baz` - emitor nu mai este constant`; a\i [nt[lnit o situa\ie
similar` atunci c[nd am discutat conexiunea cu baz` comun`.
Preg`tirea experimentelor
Desena\i-v` pe caiet circuitul din Fig. 4.45. pe care [l ve\i utiliza pentru trasarea caracteristicilor
statice. Determina\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile necesare pentru aparatele de m`sur`. Realiza\i apoi
circuitul.
IC
mA
I ap
C
RB IB
+ µA + V A2
V A1 _
_ Pot. IV B E
0 - 10 V
V VBE
Fig. 4.45 Circuit pentru trasarea caracteristicilor statice.

Sursa V A2 , legat` direct [ntre colector ]i emitor, va men\ine constant` tensiunea VCE iar
miliampermetrul va m`sura valoarea curentului de colector. Sursa V A1 ]i rezisten\a RB vor asigura
deschiderea jonc\iunii baz`-emitor. Curentul de baz` poate fi reglat din valoarea acestei surse ]i, mai fin, cu
poten\iometrul Pot. montat pe plan]et`. Voltmetrul m`soar` tensiunea tensiunea VBE [ntre baz` ]i emitor.
Cunosc[nd tensiunea de deschidere (tranzistorul este cu siliciu), stabili\i scala pe care va trebui utilizat
voltmetrul ]i nota\i aceasta pe schema desenat`.
Pentru determinarea curentului de baz` a fost intercalat un microampermetru. El nu m`soar` [ns`
curentul de baz` ci suma dintre acesta ]i curentul prin voltmetru
V
Iap = IB + BE ; (3)
RV
al doilea termen fiind semnificativ, va trebui s` face\i corec\ia necesar`. Determina\i rezisten\a
voltmetrului, decupl[nd baza tranzistorului (leg[nd microampermetrul numai la voltmetru) ]i ajust[nd sursa
V A1 astfel [nc[t tensiunea pe voltmetru s` fie pe scala de 1V, acolo unde voltmetru va fi utilizat. Compara\i
valoarea aflat` cu cea [nscris` pe aparat.
Experimentul 1. Caracteristica de intrare
Caracteristica de intrare este dependen\a curentului de baz` [n fnc\ie de tensiunea baz`-emitor.

Ea trebuie trasat` men\in[nd constante anumite condi\ii de la portul de ie]ire. Cum valoarea curentului de
colector este controlat` de la intrare, se men\ine constant` tensiunea colector-emitor, care este parametrul la
care se traseaz` caracteristica. Modific[nd valoarea parametrului, ob\inem familia de caracteristici de intrare.
Vom modifica valoarea curentului de baz` [ntre 0 ]i 100 µA. Presupun[nd c` tranzistorul are un factor
de amplificare de 100, estima\i valorile curentului de colector ]i alege\i o scal` adecvat` pentru
miliampermetrul din colector. Stabili\i la 5 V tensiunea VCE ]i varia\i curentul de baz` cu ajutorul
poten\iometrului, observ[nd deschiderea jonc\iunii baz` emitor ]i faptul c` ea controleaz` curentul de
colector. {nainte s` trasa\i caracteristica, determina\i aproximativ tensiunea de deschidere ]i factorul β .

Pentru a trasa caracteristica de intrare [n scar` liniar`, determina\i 10-12 puncte experimentale, pe c[t posibil
cu valori IC echidistante. M`sura\i, [n acela]i timp, ]i valorile curentului de colector, trec[nd datele [ntr-un
tabel de forma
VBE (V) Iap (µA) IV = VBE RV (µA) IB = Iap − IV (µA) IC (mA) β = IC I B

0 0 0 0 0
Completa\i apoi tabelul, f`c[nd m`sur`tori la valori mult mai mici ale curen\ilor. Utiliza\i, pentru
valorile curentului de colector, secven\a 5 mA, 1 mA, 0.5 mA, 0.2 mA, 0.1 mA, 0.05 mA, 0.02 mA, 0.01
mA, 0.005 mA, 0.002 mA, 0.001 mA deoarece aceste valori vor ap`rea practic echidistante pe scara
logoritmic`.
Modifica\i acum tensiunea colector-emitor la valoarea 10 V ]i trasa\i din nou caracteristica de intrare
(numai m`sur`torile pentru scar` liniar`).
Reprezenta\i, apoi, grafic, [n coordonate liniare, [ncep[nd de la VBE = 0 , caracteristica I B = f (VBE )
m`surat` la VCE = 5 V. Se comport` portul de intrare ca un rezistor ? Pentru mici varia\ii [n jurul unui
punct de func\ionare, putem introduce rezisten\a dinamic` rbe = ∆VBE ∆ I B . Calcula\i valorile ei la curent
de colector de 1 mA ]i 10 mA.
Desena\i pe acela]i grafic ]i caracteristica ridicat` la VCE = 10V . Cum depinde comportarea portului
de intrare de tensiunea de la portul de ie]ire ? Caracteriza\i cantitativ aceast` dependen\`, aleg[ndu-v` o
anumit` valoare a curentului de baz` (de exemplu I B = 50 µA ) ]i m`sur[nd cu c[t s-a modificat tensiunea
baz`-emitor la modificarea tensiunii colector emitor; estima\i factorul ∆VBE ∆VCE .
Experimentul 2. Caracteristicile de transfer
{ncepe\i cu caracteristica IC = f(IB ). Ave\i deja valori m`surate pentru trasarea acestei caracteristici.
desena\i-o ]i verifica\i c` ea este apropiat` de o linie dreapt`. Este util [n practic` s` cunoa]tem cum se abate
un tranzistor de la caracteristica ideal`. Pentru aceasta, va trebui s` calcula\i valorile factorului β ]i s` le
reprezenta\i [n func\ie de curentul de colector β = f(IC ), deoarece acest curent este cunoscut [n aplica\ii.
Utiliza\i o scar` logaritmic` pentru curentul de colector. Formula\i o concluzie asupra dependen\ei factorului
de amplificare [n curent β .
}i pentru dependen\a IC = f (VBE ) ave\i deja datele. Mai [nt[i reprezenta\i-o [n coordonate liniare, cu
tensiunea [ncep[nd de la zero. R`spunde\i la [ntrebarea: este tranzistorul bipolar un element de circuit liniar ?
Determina\i transconductan\a sa
g m = ∆ I C ∆VBE .
la IC = 1 mA ]i IC = 10 mA ]i verifica\i c` ea respect` rela\ia gm = IC VT .

Ne a]tept`m ca dependen\a s` fie descris` de rela\ia IC = I S eVBE VT . Pentru a verifica aceasta,
desena\i din nou caracteristica, cu o scar` logaritmic` pentru curent. (aten\ie, pe axa logaritmic` "etichetele"
trebuie s` arate valoarea curentului ]i nu a logaritmului !); alege\i o scar` liniar` convenabil` pentru tensiune,
chiar dac` nu [ncepe de la zero. Ce form` are graficul ]i ce concluzie pute\i trage asupra dependen\ei
IC = f (VBE ) ? Determina\i pe ce interval de varia\ie a tensiunii baz`-emitor curentul variaz` cu o decad`
(multiplicare cu 10). Din aceast` valoare, determina\i valoarea lui VT ]i apoi, utiliz[nd un punct de pe grafic,
calcula\i valoarea parametrului I s .
curentul de colector (mA)
10 1
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80
tensiunea baza-emitor (volti)
Desena\i pe acela]i grafic ]i dependen\a curentului de baz` (caracteristica de intrare). Are curentul de
baz` aceea]i comportare ca cel de colector ?
Experimentul 3. Caracteristica de ie]ire
Deconecta\i voltmetrul din baza tranzistorului ]i lega\i-l [ntre colector ]i emitor. Fixa\i I B la o anumit`
valoare (s` zicem 10 µA) ]i mic]ora\i gradual tensiunea VCE de la 10 V p[n` la 0 V, urm`rind evolu\ia
curentului de colector. Dac` valoarea curentului de baz` are tendin\a s` se modifice fa\` de cea stabilit` la
[nceput, reajusta\i-i valoarea cu ajutorul poten\iometrului de pe plan]et`.
Reface\i experimentul pentru alte c[teva valori ale curentului de baz` (20 µA, 30 µA, 40 µA) ]i
desena\i aceste dependen\e IC = f (VCE ) I B = const. pe acela]i grafic, ob\in[nd o parte din familia de
caracteristici de ie]ire. Estima\i din grafic, pentru fiecare din caracteristicile de ie]ire, valoarea rezisten\e
dinamice [n regiunea activ`. Cum depinde ea de valoarea curentului de colector ? (desena\i un grafic)
Determina\i, [n final, valoarea tensiunii Early, fie din valoarea rezisten\ei dinamice, fie prin extrapolarea
caracteristicilor.
Experimentul 4. Satura\ia tranzistorului [n circuitele practice
C[nd am trasat caracteristica de ie]ire am legat o surs` ideal` de tensiune [ntre colector ]i emitor, surs`
care men\inea tensiunea [ntre aceste puncte la valoarea dorit` de noi. Astfel, intrarea [n satura\ie s-a f`cut prin
cobor[rea tensiunii acestei surse, care continuat`, cobor` la zero curentul de colector. {n circuitele practice
[n care tranzistorul este utilizat (]i nu studiat), lucrurile stau cu totul altfel. Diferen\a esen\ial` este c` [ntre
sursa V A2 ]i colector se intercaleaz` intercaleaz` o rezisten\` RC .
Stabili\i la 10 V tensiunea de alimentare V A2 ]i modifica\i circuitul, cupl[nd o rezisten\` de colector de
10 kΩ . Calcula\i c[t trebuie s` fie valoarea curentului de colector la satura\ie. M`ri\i, apoi, valoarea
curentului de baz` ]i observa\i ce se [nt[mpl` cu valoarea curentului de colector ]i cu tensiunea colector

emitor. Dup` ce VCE coboar` sub 1 V, m`sura\i dependen\a acesteia [n func\ie de curentul de baz`
VCE sat= f(IB ); cre]te\i curentul de baz` p[n` la 100 µA.
IC
RC
mA
IB C
RB
+ µA + V a2
V a1 B V VCE _ 10 V
_ Pot.
E
Fig. 4.46.
Schimba\i apoi rezisten\a de colector cu una de 1 kΩ. Calcula\i curentul de colector la care se va satura
acum tranzistorul ]i reface\i m`sur`torile VCE sat= f(IB ). De data aceasta m`ri\i curentul de baz` p[n` la 1
mA. Desena\i apoi, pe acela]i grafic, ambele dependen\e. Pentru curentul de baz` alege\i o scar` logaritmic`
iar pentru tensiunea colector emitor utiliza\i o scara liniar`, [ntre zero ]i 1 V. Pe fiecare din curbe nota\i
valoarea curentului de colector la care a fost trasat`.
V CE sat (V)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10µ A 100µ A 1m A
IB
Pagini distractive
Am v`zut, la sf[r]itul sec\iunii 4.1, c`, la instigarea unor autori "alternativi" 3, Ministerul Educa\iei
Na\ionale [i ordon` bietului tranzistor bipolar (Ordinul nr. 4055 din 26.06.200 prin care avizeaz` manualul)
s` aib` o jonc\iune [ntre colector ]i emitor, s` se satureze la valoarea maxim` admis` [n catalog pentru
IC ]i, cel mai dureros, s` intre [n conduc\ie la un scurtcircuit [ntre baz` ]i emitor. Supliciul la care e
supus acest dispozitiv onest nu se opre]te, [ns`, aici. Cum speciali]ti de calibrul autorilor se pare c` se g`sesc
din bel]ug pe la noi, suntem delecta\i cu o bijuterie de problem`, propus` la Olimpiada na\ional` de fizic`,
1998. Pentru c` al treilea punct al problemei nu cere dec[t reproducerea unor cuvinte de prin manuale, ne
vom referi numai la primele dou`.
"{ntr-un etaj de amplificare cu un tranzistor [n
RC
montaj cu emitorul comun (vezi figura al`turat`) este
R1 1k
folosit un tranzistor n-p-n. Pentru polarizarea bazei 2
tranzistorului se folose]te un divizor compus din + 12 V
rezistoarele R 1 ]i R2 . {n lipsa semnalului electric de la 1
+
bornele de intrare 1 - 1', pentru punctul static de 0.6 V
R2 - 5 mA
func\ionare, situat pe por\iunea liniar` a caracteristicii de
6k
curent IC = f (U CE ) , se consider` cunoscu\i parametrii RE 2'
electrici: I E = 5 mA , I B = 10 µA , U BE = 0.6 V , 1' K 1Ω
R2 = 6 kΩ , RC = 1 kΩ , E = 12 V , r = 0 , RE = 1 Ω ".
Pentru a u]ura discu\ia, ne-am permis s` trecem pe
schema original` valorile unora dintre "parametrii electrici" (rezisten\ele ]i curentul de emitor). S` citim
acum cerin\ele problemei ]i s` le rezov`m cu ceea ce ]tim noi despre tranzistoare.
"a) Ce valoare are tensiunea U CE ([ntre colectorul ]i emitorul tranzistorului) dac` [ntrerup`torul K
este [nchis ]i ce valoare va avea curentul din baz` c[nd K este deschis, dac` U BE ]i I E se men\in practic la
acelea]i valori."
Sunt, de fapt, dou` chestiuni. Tensiunea U CE rezult` imediat dup` ce calcul`m c`derile de tensiune pe
rezistorul din emitor ( 5 mA ⋅ 1 Ω = 5 mV ) ]i pe cel din colector
U R = (5 mA -10 µA) ⋅1 kΩ = 4.99 V ≅ 5 V . Cum tensiunea de alimentare este de 12 V, [ntre colector ]i
C
emitor mai r`m[ne s` cad` 12 V - 5 V - 5 mV = 6.995 V ≅ 7 V .
A doua chestiune se refer` la situa\ia [n care contactul K se [ntrerupe (K deschis): ni se cere valoarea
curentului din baz`, d[ndu-ni-se informa\ia suplimentar` c` "U BE ]i I E se men\in practic la acelea]i valori".
}tim c` tensiunea pe jonc\iunea baz`-emitor nu se va modifica semnificativ dar autorul problemei [i cere
tranzistorului s`-]i men\in` practic neschimbat curentul de emitor c[nd contactul K se [ntrerupe ! C`
doar de aia este el autor na\ional de probleme.
Ce ar face totu]i un tranzistor umil, dac` ar fi l`sat [n pace de autorul respectiv ? Observ`m, mai [nt[i
c` nu ]tim valoarea rezisten\ei R 1; o putem calcula, deoarece cunoa]tem curentul de baz` ]i poten\ialul
bazei. Prin R2 curge la mas` un curent de 0.605 V 6 kΩ = 0.101 mA , iar rezisten\a R 1 trebuie s`
furnizeze suplimentar ]i curentul bazei, deci [n total 0.101 mA + 0.01 mA = 0.111 mA . Cum pe ea cade
12 V - 0.605 V = 11.4 V , ea are valoarea 11.4 V 0.111 mA = 103 kΩ . Tot din datele problemei putem
afla factorul β al tranzistorului, este 5 mA 10 µA + 1 = 501 ≅ 500 . Acum avem tot ce ne trebuie.
Tensiunea de alimentare cade pe R1, pe jonc\iunea baz`-emitor ]i pe rezistorul din emitor. Astfel, curentul
de baz` se ob\ine prin (12 V - 0.6 V) (103 kΩ + 500 ⋅1 Ω ) = 0.11 mA Cu un asemenea curent de baz`,
dac` tranzistorul ar mai r`m[ne [n regiunea activ`, curentul de colector ar trebui s` fie de 55 mA. Dar
rezisten\a din colector, de 1 kΩ, nu permite curentului de colector s` ajung` dec[t pe la 12 mA, unde
3***, "Fizic`", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educa\ional, Bucure]ti, 2000.
tranzistorul intr` [n satura\ie. Cum rezisten\a din emitor este extrem de mic` (numai Dumnezeu poate ]ti
de ce a ales-o a]a autorul, vom reveni [n alt capitol asupra acestui lucru), [n regim de satura\ie emitorul st` pe
la 12 mV, poten\ialul bazei este pe la 0.612 mV ]i curentul de baz` este doar cu o miime mai mic dec[t cel
calculat anterior.
{n concluzie, c[nd contactul K este [ntrerupt, tranzistorul este saturat la IC ≅ 12 mA iar curentul de
baz` este de 0.11 mA. Curentul de emitor este, deci, de 12.1 mA. Autorul problemei []i [ncordeaz`, [ns`,
mu]chii ]i oblig` tranzistorul s` men\in` curentul de emitor "practic" la aceea]i valoare, adic` la 5 mA.
S` ne ocup`m acum ]i de chestiunea de la punctul urm`tor.
"b) Se aplic` un semnal electric de tensiune u i = U sin( ω t ) , U << E , la bornele de intrare 1 -1' ale
etajului de amplificare (peste valoarea de regim static, se suprapune componenta de tensiune variabil` [n
timp). Se cere s` se exprime dependen\a tensiunii de la bornele de ie]ire 2 -2' [n func\ie de valorile
instantanee ale curentului de colector iC , c[nd K este [nchis. Condensatoarele las` semnalul variabil s`
treac`."
Ne minun`m un pic de faptul c`, pentru a pune condi\ia de semnal mic, autorul problemei compar`
amplitudinea semnalului cu tensiunea de alimentare. Noi ]tiam c` numai 18 mV varia\ie a tensiunii baz`-
emitor dubleaz` curentul de colector ]i duce tranzistorul aproape de satura\ie. 18 mV nu [nseamn` semnal
mic pentru acest amplificator, de]i este de peste 600 de ori mai pu\in dec[t tensiunea de alimenatare. Nu
merit` s` ne minun`m, totu]i, prea tare; fa\` de men\inerea constant` a lui I E de la punctul precedent aceast`
este o ]otie nevinovat`. Ne mai [ntreb`m numai de ce e nevoie s` ]tim forma semnalului de intrare dac`
dependen\a cerut` trebuie exprimat` [n func\ie "de valorile instantanee ale curentului de colector". S`
r`spundem, totu]i la [ntrebarea problemei. Consider[nd varia\iile de la regimul de repaus, [ntoteauna
∆VC = − RC ∆ I C ; dac` varia\iile sunt de frecven\` suficient de mare, la ie]irea 2 -2' tensiunea instantanee
va fi egal` [n orice moment cu abaterea instantanee a poten\ialului colectorului de la regimul de repaus
u2− 2' = − RC ∆ I C . Aici ∆ IC = ic este abaterea instantanee a curentului de colector de la valoarea de
repaus. Dac` dorm s` apar` valoarea instantanee a curentului de colector iC , va trebui s` o punem sub forma
u2− 2' = − RC iC ( t ) − ICQ unde ICQ este curentul de colector [n repaus.
}i acum s` [ncet`m comentariile ]i s` admir`m rezolvarea dat` de autorii manualului:
Tranzistorul este "u]or [n conduc\ie" ]i nu se satureaz` la [ntreruperea lui K pentru c`, dup` ]tiin\a
autorilor manualului, aceasta are loc la valoarea maxim` admis` a lui IC . Pentru calculul tensiunii de ie]ire
sunt scrise o mul\ime de rela\ii complet inutile. Un lucru extraordinar ne lumineaz` spre sf[r]it: autorii au
aflat c` intensita\ile curen\ilor de emitor ]i de colector sunt "de acela]i ordin de m`rirme".
CAPITOLUL
Redresarea ]i stabilizarea
0 0 0 0
Re\ea
Sarcina
220 Vef
~ Redresor Filtru Stabilizator
50 Hz
Transformator bleeder
A. Structura unui alimentator electronic 144

B. Redresorul monoalternan\` 144
C. Filtrul capacitiv 145
D. Redresorul dubl` alternan\` 148
E. Stabilizatorul de tensiune cu diod` Zener 150
A. Structura unui alimentator electronic
Producerea ]i distribu\ia energiei electrice se face cu o tensiune care evolueaz` sinusoidal în timp,
avînd media zero; frecven\a este de 50 de Hz în Europa ]i de 60 Hz în America de Nord. Alegerea acestei
forme este legat` de comoditatea producerii dar, mai ales, de posibilitatea utiliz`rii transformatoarelor pentru
modificarea valorilor tensiunii ]i a curentului. Totu]i, aparatura electronic` are nevoie de energie electric`
furnizat` sub forma unei tensiuni continue, care nu-]i schimb` polaritatea ]i care r`mîne practic constant` în
timp. Aceasta este produs` de un alimentator, a c`rui structur` general` este prezentat` în
Fig. 5.1.
0 0 0 0
Re\ea
220 V ef Filtru
50 Hz ~ Redresor
de netezire
Stabilizator
Sarcina
Transformator Bleeder
Fig. 5.1. Schema bloc a unui alimentator.
Transformatorul modific` amplitudinea tensiunii sinusoidale (de la valoarea de 311 V corespunzînd

tensiunii efective de 220 V [n Europa) la valoarea convenabil` aparatului care trebuie alimentat. Urmeaz`
apoi redresorul, care determin` ca tensiunea (]i curentul) de la ie]irea sa s` fie monopolare (s` nu-]i schimbe
sensul în timp). Forma de und` redresat` are o medie nenul` dar prezint` o ondula\ie inacceptabil de mare
(riplu, în jargonul electroni]tilor, de la englezescul ripple). Urmeaz` apoi un filtru de netezire care
mic]oreaz` aceast` ondula\ie. Dac` precizia cu care tensiunea de alimentare trebuie s` r`mîn` constant` în
timp este mare, dup` filtru se intercaleaz` un stabilizator de tensiune care mic]oreaz` substan\ial efectele
asupra tensiunii de ie]ire produse atît de varia\iile tensiunii nestabilizate de la intrarea sa cît ]i de
modific`rile curentului absorbit de sarcin`.
{n situa\ia c[nd [ntreruperea aliment`rii s-ar face cu alimentatorul [n gol (absen\a sarcinii)
condensatoarele de filtrare ar r`m[ne [nc`rcate pentru mult timp ]i ar reprezenta un inconvenient, mai ales
dac` alimentatorul este reglabil ]i este repornit la o tensiune mai mic`. Din acest motiv, este bine s` mont`m
permanent la bornele sale o rezisten\` de valoare mare, cunoscut` [n jargon ca "bleeder", care la deconectare
s` coboare la zero tensiunea de ie]ire [ntr-un timp rezonabil, de ordinul secundelor.
B. Redresorul monoalternan\`
Prin redresare (rectification [n limba englez`), o tensiune alternativ`, care trece at[t prin valori
pozitive c[t ]i prin valori negative, este convertit` [ntr-una care are valori de o singur` polaritate.
{n consecin\`, dac` tensiunea redresat` este aplicat` unui consumator (sarcin`), curentul va circula [ntr-un
singur sens.
Principiul redres`rii const` în comutarea cìi de curgere a curentului astfel încît, de]i la intrare el
circul` în ambele sensuri, trecerea sa prin sarcin` s` se fac` într-un singur sens. Din acest motiv, comutarea
Cap. 5. Redresarea ]i stabilizarea 145
trebuie s` se fac` sincron cu schimbarea sensului curentului alternativ de la intrare. Acest lucru se
realizeaz` la generatoarele magnetoelectrice de curent continuu printr-un comutator mecanic care se învîrte
odat` cu axul generatorului.
Existen\a diodelor semiconductoare a f`cut posibil` construirea unor redresoare statice (f`r` piese
mecanice în mi]care) care s` poat` fi conectate oriunde în circuitul de curent alternativ. Conducînd numai
într-un singur sens, dioda sesizeaz` automat momentul schimb`rii sensului tensiunii alternative ]i, în acela]i
timp, comut` calea de curent, blocîndu-se sau intrînd în conduc\ie. Cel mai simplu redresor este cel
monoalternan\`, prezentat în Fig. 5.2.
dioda conduce dioda este blocata
+ +
Us
~ U1 R s Us t
0
_ _
U1
Fig. 5.2. Redresorul monoalterna\`.
Tensiunea alternativ` U 1 este desenat` cu linie sub\ire iar tensiunea redresat` cu linie groas`. Atîta
timp cît tensiunea la bornele secundarului este negativ`, dioda este invers polarizat` ]i este blocat`; curentul
prin ea este nul ]i, conform legii lui Ohm, nul` este ]i tensiunea pe rezisten\a de sarcin`. Pentru
semialternan\a pozitiv`, dioda este polarizat` direct ]i intr` în conduc\ie. Dac` neglij`m, în prim`
aproxima\ie, c`derea de tensiune pe diod` (cu valoarea sub 1 V), întreaga tensiune de la bornele secundarului
(cu valori uzuale de zeci de volti) se reg`se]te la bornele rezisten\ei de sarcin`, ca ]i cum aceasta ar fi legat`
direct la bornele secundarului.
{n concluzie, rezisten\a de sarcina este conectat` la tensiunea alternativ` numai pe parcursul
semialternan\elor pozitive; [n timpul semialternan\elor negative ea este l`sat`, pur ]i simplu, [n gol.
C. Filtrul capacitiv
De]i are o singur` polaritate, tensiunea produs` de redresor nu poate fi utilizat` direct la alimentarea
unui aparat electronic deoarece ea sufer` varia\ii importante în timp; mai mult, curentul prin sarcin` este zero
jum`tate din timp. Trebuie s` g`sim o solu\ie ca furnizarea curentului prin rezisten\a de sarcin` s` se fac`
mult mai uniform; aceasta revine la înmagazinarea sarcinilor electrice pe intervalul de timp cît dioda conduce
]i utilizarea acestei rezerve pe durata cît dioda este blocat`. Dispozitivul care poate înmagazina sarcin`
electric` este condensatorul ]i cu el se construie]te filtrul de netezire, ca în Fig. 5.3.
∆ t aprox.
∆ t exact Us
U s max
∆U
+
~ U1 Cf R s Us
_ 0
evolutia aprox.
t
U1
Fig. 5.3. Redresor monoalternan\` cu filtru capacitiv.
S` consider`m c`, la trecerea prin zero a sinusoidei, condensatorul este ini\ial desc`rcat. Pe
semialternan\a pozitiv` dioda intr` în conduc\ie ]i furnizeaz`, pe lîng` curentul prin sarcin` (determinat de
legea lui Ohm), un curent de înc`rcare a condensatorului, a]a cum se vede [n Fig. 5.4 a). Rezisten\a intern` a
secundarului este suficient de mic` astfel încît înc`rcarea este practic instantanee ]i tensiunea pe condensator
urm`re]te tensiunea de la bornele secundarului, atingînd o valoare maxim` egal` cu amplitudinea tensiunii
sinusoidale a secundarului minus valoarea tensiunii U FD care cade pe dioda [n conduc\ie (mai mare, [n
general, dec[t 0.6 V, datorit` curen\ilor mari)
U s max = U1 ef ⋅ 2 − U FD . (5.1)
a) b) c)
+ +
+ + +
U1 Cf Rs U1 Cf Rs U1 Cf
- - -
- -
condensatorul
dioda dioda este se descarca
conduce blocata prin secundar
evolutia tensiunii
pe condensator
aceasta s-ar fi intimplat daca

in locul diodei am fi avut un
conductor
Fig. 5.4. {nc`rcarea ]i desc`rcarea condensatorului de filtrare.
Din acest moment, tensiunea la bornele secundarului [ncepe s` scad`. Dac` în locul diodei am fi avut
un simplu fir conductor, ca [n Fig. 5.4 c), condensatorul ar fi început s` se descarce prin secundar, tensiunea
sa urmînd în continuare sinusoida, care acum este descendent`. Dioda îns` nu permite trecerea curentului în
acest sens ]i ea se blocheaz` imediat ce sinusoida a atins valoarea maxim`, izolînd secundarul de restul
circuitului a]a cum se vede [n desenul b) al figurii. Condensatorul r`mîne s` se descarce numai prin
rezisten\a de sarcin`; a]a cum ]ti\i, evolu\ia tensiunii este exponen\ial`, cu o constant` de timp egal` cu
produsul Rs C f . Pentru valori mari ale acestei constante de timp ( RsC f >> perioada re ), tensiunea,
sc`z[nd [ncet, este aproximativ constant` ]i, confom legii lui Ohm, curentul de desc`rcare este ]i el
aproximativ constant Is ≅ const .= I0. {n cazul [n care dup` redresor este montat un stabilizator, a]a cum
vom vedea, tensiunea pe sarcin` este men\inut` practic constant` (varia\ii sub 0.01 %) ]i curentul de
desc`rcare este [ntr-adev`r constant.
Cum pe condensator viteza de varia\ie a tensiunii dU dt= I0 C este practic constant`, evolu\ia
tensiunii se face aproximativ dup` o linie dreapt`. Condensatorul nu se descarc` complet pîn` la începerea
noii semialternan\e pozitive, a]a c` dioda nu se mai deschide începînd chiar din acest moment, ci abia cînd
tensiunea secundarului, crescînd sinusoidal, devine mai mare decît tensiunea pe condensator, care sc`dea.
Dup` deschidere, dioda conduce din nou pîn` în momentul cînd sinusoida ajunge la valoarea maxim`,
asigurînd condensatorului o nou` rezerv` de sarcin` electric`. Din acest moment dioda se blocheaz` ]i
procesul se repet` periodic. Pentru ca ondula\ia s` fie vizibil`, cazul reprezentat [n Fig. 5.3 este acela al unei
filtr`ri extrem de modeste. {n aplica\iile practice
majoritatea timpului rezisten\a de sarcin` prime]te curent de la condensator ]i nu de la diod`.
Astfel, putem considera, pentru o filtrare bun`, c` durata ∆ t a desc`rc`rii condensatorului este aproximativ
egal` cu perioada re\elei de alimentare ∆ t≅ T = 20 ms. Din acest motiv, adîncimea ondula\iei rezult`
simplu
IT
∆U ≅ 0 , (5.2)
Cf
rela\ie utilizat` [n proiectarea redresoarelor.

De multe ori este nevoie s` caracteriz`m efectul filtr`rii printr-un factor adimensional, astfel încît s` nu
mai conteze m`rimea tensiunii ob\inute. Se introduce, astfel, factorul de ondula\ie, ca fiind raportul dintre
amplitudinea ∆U 2 a ondula\iei ]i m`rimea medie a tensiunii
∆U 1
γ=
2 U med . (5.3)
{n cazul nostru, [nlocuind valoarea medie a tensiunii de pe sarcin` cu I0Rs, ob\inem expresia
factorului de ondula\ie ca
T
γ mono ≅
2RsC f . (5.4)
Trebuie subliniat c` aceast` aproxima\ie este valabil` pentru filtr`ri bune, adic` la valori γ << 1.
Dac`, dintr-un motiv sau altul, ondula\ia cre]te, aceasta provoac` o sc`dere a tensiunii medii.
Analiz[nd desenul din Fig. 5.3, se constat` c`
U med = U s max − ∆U 2 . (5.5)
Am considerat, pentru simplitate, c` sarcina redresorului este un rezistor. {n realitate nu se [nt[mpl`

aproape niciodat` a]a, pentru c` rezistoarele pot fi [nc`lzite ]i [n curent alternativ ]i, deci, nu au nevoie
neap`rat de tensine continu`. Sarcina este, [n general, un circuit complex, care nu respect` legea lui Ohm ]i
care are nevoie de o tensiune constant` dar necesit` un curent care nu este constant [n timp. Ce se [nt[mpl`
dac` intensitatea curentului prin sarcin` sufer` o varia\ie foarte rapid` ? Panta cu care coboar` tensiunea pe
condensator se schimb` brusc dar r`m[ne [n continuare suficient de mic` pentru ca tensiunea la bornele
sarcinii s` nu varieze semnificativ. Curentul suplimentar este furnizat instantaneu de imensa rezerv` de
sarcin` de pe condensator.
{n realitate, [ns`, condensatoarele de valori foarte mari (mii ]i zeci de mii de µF) utilizate la filtrare
sunt condensatoare electrolitice cu aluminiu ]i sunt realizate prin [nf`]urarea unui sandwich metal-izolator-
metal. Din acest motiv, ele prezint` o inductan\` semnificativ`, care se comport` ca un "]oc" pentru varia\iile
bru]te de curent. Din acest motiv, condensatorul nu poate furniza rapid v[rfurile de curent cerute de sarcin`
]i, [n consecin\`, [n aceste momente tensiunea pe sarcin` coboar` brusc.
Rezolvarea const` [n montarea, [n paralel cu condensatorul de valoare
foarte mare, a unui condensator de valoare mic`, dar cu inductan\` neglijabil`
(Fig. 5.5). Acesta poate fi unul electrolitic cu tantal (disponibil de valori de 4700 µ F 0.1 µ F
c[\iva µF) sau unul ceramic (valori de 0.1 µF). Acum v[rfurile scurte de curent ceramic
sunt suplinite de condensatorul de valoare mic` (dar care r`spunde rapid) iar
varia\iile lente sunt suplinite de condensatorul de valoare mare care are o rezerv` Fig. 5.5.
de sarcin` mult mai mare. C[nd firele [ntre alimentator ]i circuitul care trebuie
alimentat sunt lungi, pentru a elimina efectul inductan\ei lor, un alt condensator rapid trebuie montat chiar pe
circuitul alimentat.
D. Redresorul dubl` alternan\`
În circuitul descris anterior, înc`rcarea condensatorului se f`cea o singur` dat` într-o perioad`, în
timpul semialterna\ei pozitive. Datorit` pre\ului sc`zut al diodelor,
azi se folose]te aproape exclusiv redresarea dubl` alternan\` care ofer`, [n acelea]i condi\ii, un riplu redus la
jum`tate.
O astfel de schem`, care utilizeaz` o punte de diode, este prezentat` [n Fig. 5.6. În timpul
semialternan\ei pozitive conduc diodele D2 ]i D4 , pe c[nd [n timpul semialternan\ei negative intr` [n
conduc\ie diodele D 1 ]i D3 . Rezultatul este acela c` prin rezisten\a de sarcin` sensul curentului r`m[ne
neschimbat.
Us
D1 D2
U1 ~ + 0
t
U1
D4 D3 R s Us
_
D2 D1
+ _
U1 U1
_ + +
+
D4 D3 Rs D3 Rs
_ _
Fig. 5.6. Redresorul dubl` alternan\`.
Dac` aplic`m ]i filtrarea, forma de und` a tensiunii de pe sarcin`

arat` ca [n Fig. 5.7, unde am desenat cu linie [ntrerupt` evolu\ia
Us
tensiunii redresate [n absen\a filtr`rii. Tensiunea maxim` este egal` cu T
amplitudinea tensiunii sinusoidale, din care trebuie sc`zute c`derile de
tensiune pe cele dou` diode [n conduc\ie
U s max = U1 ef ⋅ 2 − 2 ⋅ U FD . (5.6) 0 t
Fig. 5.7. Tensiunea de ie]ire a unui

De data aceasta, condensatorul se descarc` un timp egal practic
redresor dubl` alternan\`, dup`
cu jum`tate din durata perioadei sinusoidei de la intrare, de dou` ori
filtrare.
mai scurt dec[t la redresarea monoalternan\`. Din acest motiv, pentru
acela]i produs Rs C f , ad[ncimea ondula\iei ]i, corespunz`tor, factorul
de ondula\ie au valori de dou` ori mai mici dec[t [n cazul filtr`rii monoalternan\`
T
γ dublaalt
.≅
4RsC f . (5.7)
cu T = 20 ms, perioada re\elei de alimentare. Pentru un curent de ie]ire I0 ad[ncimea riplului este
IT
∆U ≅ 0 . (5.8)
2C f
S` vedem de ce condensatoare avem nevoie pentru un curent de 1 A ]i un riplu rezonabil, de 1 V. Cum

perioada re\elei [n Europa este de 20 mS, ob\inem o valoare
I0T 1A ⋅ 20mS
Cf ≅ = = 10 mF = 10 000µF , adic` o valoare destul de mare. Dac` dorim curen\i mai
2∆U 2V
mari, valoarea necesar` cre]te propor\ional cu valoarea curentului. Condensatoarele electrolitice cu aluminiu
ajung p[n` pe la 68 000 µF, dar cele care suport` tensiuni ]i curen\i mari sunt voluminoase ]i scumpe.
Sc`derea riplului de un num`r de ori se poate realiza cu pre\ul cre]terii capacit`tii de filtraj de acela]i num`r
de ori. E bine, deci, s` nu ne [nc`p`\[n`m s` ob\inem un riplu prea mic, mai ales c` acesta poate fi redus
ulterior de mii de ori, mult mai comod ]i ieftin, prin stabilizare. Un riplu de 1-2 V este, din aceste motive, o
alegere bun`.
Merit` subliniat c` la redresarea dubl` alternan\`, ondula\ia are frecven\a de 100 Hz ]i nu de 50 Hz ca
la redresarea monoalternan\`. Prezen\a unui riplu de 50 Hz la un redresor dubl` alternan\` este semnul sigur
c` una sau dou` diode din punte sunt [ntrerupte ]i el func\ioneaz` ca unul monoalternan\`.
E. Stabilizatorul de tensiune cu diod` Zenner
A]a cum am v`zut, tensiunea medie dup` redresare ]i filtrare depinde de amplitudinea tensiunii
sinusoidale de la bornele secundarului transformatorului care, la r[ndul ei, este propor\ional` cu amplitudinea
tensiunii de la re\ea. Or, aceasta nu este riguros constant`, datorit` m`rimii variabile a curentului absorbit de
consumatori. {n plus, chiar dup` filtrare, tensiunea produs` mai are o component` variabil`, numit`
ondula\ie, cu frecven\a de 50 Hz sau 100 Hz (dup` tipul redres`rii).
Stabilizatorul (voltage regulator [n limba englez`) are rolul de a mic]ora aceste varia\ii, forma
tensiunii la ie]irea sa apropiindu-se foarte mult de o func\ie constant`. Acest efect este m`surat prin factorul
de stabilizare SU , definit ca raportul varia\iilor tensiunii la intrarea ]i respectiv, ie]irea sa
∆U nestab
SU =
∆U stab . (5.9)
Cu c[t acest factor are valori mai mari, cu at[t stabilizatorul este mai eficient.
O alt` cauz` a varia\iei tensiunii produse de alimentator este modificarea [n timp a curentului prin
sarcin`. Aceast` varia\ie a tensiunii poate fi exprimat` ca ∆U s = − R0 ∆ I s unde R 0 este rezisten\a sa
echivalent` Thevenin. Dup` cum am ar`tat, tensiunea medie dup` filtrare este U med ≅ U smax − ∆U 2 , deci
scade la cre]terea ondula\iei.
Sc`derea tensiunii produse atunci c[nd sarcina absoarbe mai mult curent se datoreaz` ]i rezisten\ei
ecundarului transformatorului dar, [n principal, m`ririi ondula\iei, care este propor\ional` cu valoarea
curentului.
Astfel, [n absen\a stabilizatorului, alimentatorul ar avea o rezisten\` intern` inacceptabil de mare.

A]a cum se vede [n Fig. 5.8, diodele Zener prezint` la polarizare invers` o regiune pe caracteristica
static` unde tensiunea pe diod` r`m[ne practic constant` la varia\ii importante ale curentului. Aici, rezisten\a
dinamic` rZ = dU dIare valori de ordinul 5-10 Ω. Utiliz[nd aceast` proprietate, se pot realiza stabilizatoare
de tensiune, av[nd schema din Fig. 5.9 a).
I
Pentru ca dioda Zener s` stabilizeze tensiunea, curentul prin ea nu trebuie
s` scad` nici un moment sub valoarea de 10 mA. 0
0U
Pentru varia\iile tensiunii de intrare, a]a cum se vede [n desenul b) al -10 mA

figurii, circuitul se comport` ca un divizor format din rezisorul R ]i rezisten\a
dinamic` rZ a diodei Zener (rezisten\a de sarcina are valori mult mai mari dec[t Fig. 5.8.
rZ ). Pentru a ob\ine un factor bun de stabilizare rezisten\a de "balast" R trebuie Caracteristica invers`
s` fie mult mai mare dec[t rezisten\a dinamic` a diodei Zener: R >> rZ . a unei diode Zener.
Uin nestabilizata
Uin nestabilizata ∆ Uin

24 Ω
R stabilizata R
I out ∆ I out T
50 mA
I out
Uout ∆ Uout
Uout
DZ Rs rZ Rs
DZ Rs
a) b) c)
Fig. 5.9. Stabilizator cu diod` Zener (a), schema sa echivalent` pentru varia\ii (b) ]i varianta
perfec\ionat`, cu surs` de curent (c).
{n aceast` aproxima\ie, ob\inem factorul de stabilizare [n tensiune ca
R + rZ R
SU ≅ ≅ (5.10)
rZ rZ
Pe de alt` parte, pentru a beneficia de rezisten\a dinamic` mic` a diodei, trebuie s` trimitem prin ea un curent
de cel pu\in 10 mA, astfel c` rezisten\a R va fi parcurs` de IS + 10 mA ]i va trebui s` pierdem o tensiune
cel pu\in egal` cu 10 mA ⋅ R . {n consecin\`, nu putem ob\ine un factor de stabilizare prea mare. Dac`
tensiunea pierdut` este de 5 V, R = 500 Ω ]i SU este pe undeva [ntre 50 ]i 100.
M`rirea acestui factor, f`r` sacrificarea unei tensiuni mai mari, se poate face dac` [nlocuim
rezistorul R cu o surs` de curent, ca [n Fig. 5.9 c). De]i tensiunea pierdut` va fi aceea]i, rezisten\a dinamic`
(la varia\ii) prezentat` de acest dispozitiv va fi mult mai mare; cu un simplu tranzistor bipolar putem ob\ine
rezisten\e echivalente de ordinul MΩ, cresc[nd astfel de 1000 de ori factorul de stabilizare.
Privit` dinspre rezisten\a de sarcin` (Fig. 5.9 b), rezisten\a de ie]ire R 0 a stabilizatorului este
rezisten\a echivalent` a divizorului
R rZ
R 0≅ ≅ rZ (5.11)
R + rZ
]i este, deci, de ordinul a 5-10 Ω.
O mic]orare semnificativ` a acestei rezisten\e se poate Uin βIB ( β +1) I B

ob\ine dac` circuitului i se adaug` un tranzistor, ca [n Fig. 5.10. Uout
Sarcina este acum legat` [n emitorul tranzistorului, unde -
0.6 V Is
poten\ialul este cu 0.6 V mai cobor[t dec[t poten\ialul bazei. R +
Astfel, IB Rs
VZ
varia\iile tensiunii pe sarcin` sunt egale cu cele ale tensiunii de DZ
pe dioda stabilizatoare, factorul de stabilizare r`m[n[nd acela]i.
A]a cum se vede [n figur`, numai 1 (β + 1)< 1 100 din

curentul prin sarcin` este absorbit din anodul diodei Zener (β Fig. 5.10. Stabilizator cu diod` Zener
fiind factorul de amplificare al tranzistorului). Putem scrie, deci, ]i tranzistor.
rezisten\a de ie]ire a stabilizatorului perfec\ionat ca
− ∆U s 1 − ∆ VB
R0 = = ⋅ ; (5.12)
∆ Is β ∆ IB
dar frac\ia din dreapta este chiar rezisten\a de ie]ire a stabiliaztorului f`r` tranzistor, care era practic
rezisten\a dinamic` a diodei Zener. {n concluzie,
r
R0 = Z . (5.13)
β
Astfel,
tranzistorul reduce de β ori rezisten\a de ie]ire a stabilizatorului
care ajunge, [n acest mod, la valori sub 0.1 Ω.

Performan\e mult mai bune s[nt oferite de stabilizatoarele integrate,
disponibile odat` cu apari\ia tehnologiei circuitelor integrate; [n Fig. 5.11 sunt
reprezentate dou` astfel de stabilizatoare, de +12 V ]i
-12V, cu un curent maxim de 1 A. Cre]terea factorului de stabilizare este
realizat` prin [nlocuirea rezistorului de balast cu o surs` de curent. De
asemenea, utilizarea reac\iei negative face posibil` atingerea unor valori infime
pentru rezisten\a de ie]ire. Chiar m`surat` cu un voltmetru digital, tensiunea de
ie]ire apare a fi constant`, stabilizatorul apropiindu-se foarte mult de sursa Fig. 5.11. Stabilizatoare de
ideal` de tensiune. tensiune integrate.
O categorie special` de stabilizatoare o constituie referin\ele de tensiune. Ele nu s[nt destinate
aliment`rii unor circuite ci producerii unei tensiuni electrice extrem de constante, necesare [n opera\ii de
compara\ie cu alte tensiuni. Principala calitate a unei referin\e de tensiune este deriva ei cu temperatura. Cele
mai bune performan\e sunt de ordinul a c[\iva ppm/oC (1 ppm [nseamn` o parte la un milion, adic`
10-6).

-Schema bloc a unui alimentator electronic, care preia energia de la re\eaua de curent alternativ
]i o furnizeaz` apoi la o tensiune continu`, con\ine transformatorul, redresorul, filtrul de netezire,
stabilizatorul ]i rezisten\a de desc`rcare (bleeder).
- Transformatorul furnizeaz` [n secundar o tensiune alternativ` de valoare convenabil`; aceast`
valoare este determinat` de tensiunea din primar ]i valoarea raportului de transformare.
- Redresorul converte]te tensiunea alternativ` (care []i schimb` periodic polaritatea) [ntr-o
tensiune continu`, cu o singur` polaritate. Valoarea acesteia nu este [ns` constant` [n timp, evolu[nd
periodic [ntre zero ]i valoarea de v[rf.
- La redresarea monoalternan\`, energia este primit` numai [n decursul unui anumit tip de
semialternan\e (fie numai pozitive, fie numai pozitive); [n timpul celorlalte semialternan\e, secundarul
este izolat fa\a de consumator (sarcin`).
- Introducerea unui filtru capacitiv face ca tensiunea pe sarcin` s` nu mai coboare la zero, av[nd
varia\ii mult mai mici; acest lucru se ob\ine prin [nc`rcarea periodic` a condensatorului de la
transformator prin pulsuri de curent scurte ]i intense ]i desc`rcarea sa, [n restul timpului, prin
sarcin`. Practic, majoritatea timpului sarcina prime]te curent de la condensator.
- Ondula\ia (riplul) este propor\ional` cu perioada re\elei, cu intensitatea curentului prin sarcin`
]i invers propor\ional` cu capacitatea condensatorului.
- Pentru a m`sura gradul de netezire indiferent de m`rimea tensiunii, se define]te factorul de
ondula\ie prin raportul [ntre amplitudinea ondula\iei (jum`tate din valoarea v[rf la v[rf) ]i valoarea
medie a tensiunii.
- La redresarea dubl` alternan\` (folosit` aproape exclusiv azi) condensatorul se [ncarc` pe
fiecare semialternan\`, timpul de desc`rcare fiind jum`tate din cel de la redresarea monoalternan\`
iar riplul de dou` ori mai mic.
- Cu redresarea dubl` alternan\`, pentru a ob\ine un riplu de 1 Vvv la un curent de 1 A avem
nevoie de un condensator de 10 000 µF ; capacitatea necesar` variaz` propr\ional cu intensitatea
curentului ]i invers propor\ional cu m`rimea riplului.
- Stabilizatorul mic]oreaz` varia\iile tensiunii de ie]ire, at[t cele produse de varia\ia tensiunii de
intrare, c[t ]i cele produse de varia\ia curentului prin sarcin`. Performan\ele sale sunt caracterizate de
factorul de stabilizare, care trebuie s` fie mare, ]i de rezisten\a de ie]ire, care trebuie s` fie c[t mai
mic`.
- La un stabiliator cu diod` Zener, factorul de stabilizare este egal cu raportul dintre rezisten\a
de balast ]i rZ (rezisten\a dinamic` a diodei Zener) iar rezisten\a de ie]ire este egal` cu rZ .
- Pentru ca stabilizatorul s` func\ioneze trebuie ca valoarea curentului prin dioda Zener s` nu
coboare nici un moment sub 10 mA (altfel rezisten\a rZ cre]te mult).
- Rezisten\a de ie]ire poate fi mic]orat` prin cuplarea unui tranzistor la ie]ire; [n plus, dac`
r`m[nem la aceea]i valoare a curentului prin sarcin`, putem m`ri rezisten\a de balast ]i, [n consecin\`,
factorul de stabilizare.
- O cale suplimentar` de m`rire a factorului de stabilizare este [nlocuirea rezisten\ei de balast cu
o surs` de curent.
-Toate aceste performan\e pot fi atinse mult mai comod ]i ieftin prin cump`rarea unui
stabilizator integrat.
Termeni noi
-schem` bloc desen [n care se reprezint` structura unui sistem complex prin
simboluri (de obicei dreptunghiuri) ce desemneaz` blocuri cu
func\ii diferite ]i linii care urm`resc transmiterea informa\iei sau
energiei de la un bloc la altul;
-transformator dispozitiv electromagnetic, utilizat [n cele mai multe cazuri pentru
convertirea unei tensiuni alternative (sinusoidale) [ntr-a alt`
tensiune de acela]i tip, dar cu amplitudine diferit`;
-primar [nf`]urarea transformatorului la care se aplic` sursa se tensiune
extern`;
-secundar [nf`]urarea transformatorului unde se ob\ine tensiunea
"transformat`";
-redresare convertirea unei tensiuni alternative (care []i schimb` periodic
polaritatea) [ntr-o tensiune cu o singur` polaritate care evolueaz`
periodic;
- filtrare prelucrarea unui semnal [n urma c`reia componentele de anumite
frecven\e sunt favorizate iar altele atenuate.
- filtru de netezire filtru care transmite componenta continu` (de frecven\` nul`) ]i
atenueaz` varia\iile;
-ondula\ie (riplu) varia\ia periodic` a unei tensiuni, r`mas` dup` ac\iunea filtrului de
netezire;
-factor de ondula\ie m`rime adimensional` care caracterizeaz` eficien\a filtr`rii
tensiunii redresate; se define]te prin raportul dintre amplitudinea
ondula\iei ]i valoarea medie a tensiunii;
- stabilizator de tensiune circuit care mic]oreaz` varia\iile tensiunii, at[t cele provocate de
modific`rile tensiunii de intrare c[t ]i pe cele cauzate de varia\ia
curentului prin sarcin`;
Probleme rezolvate
Problema 1. S` se proiecteze un alimentator nestabilizat care s` produc` la ie]ire o tensiune Voutde
minimum 12 V cu un riplu de cel mult 2 V v[rf la v[rf ]i s` debiteze un curent Iout de p[n` la 1 A. Vor trebui
alese capacitatea de filtraj, tensiunea efectiv` [n secundarul transformatorului, rezisten\a bleeder-ului,
siguran\ele conectate [n primarul ]i secundarul transformatorului precum ]i raportul de transformare.
siguranta
+ sarcina
220 Vef
~ bleeder _
siguranta
Fig. 5.12.
Mai [nt[i desen`m schema, f`r` valorile componentelor (Fig. 5.12). Alegem, bine[nteles, redresarea
dubl` alternan\`. {n circuitul primarului, imediat ce firul de alimentare intr` [n carcas`, [naintea
[ntrerup`torului, trebuie conectat` siguran\a pentru a proteja at[t [mpotriva defect`rii tranformatorului c[t ]i a
unui scurtcircuit pe circuitul [ntrerup`torului.
a) Tensiunea transformatorului
Cum tensiunea minim` trebuie s` fie 12 V iar riplul va avea o ad[ncime de 2 V, valoarea de v[rf a
tensiunii redresate va fi 14 V. Tensiunea [n secundar va trebui [ns` s` fie mai mare, datorit` pierderii pe cele
dou` diode prin care circul` curentul [n ochiul secundarului. La curen\i mari tensiunea de deschidere a unei
diode cu siliciu se apropie de 1 V, a]a c` tensiunea [n secundar va avea amplitudinea (valoarea de v[rf) egal`
cu 16 V. Cum pentru circuitele de curent alternativ se obi]nuie]te s` se dea valorile efective, va trebui s`
[nmul\im cu 1 2 = 0.707: tensiunea efectiv` [n primar va trebui s` fie 11.2 V. Alegem valoarea
standardizat` de 12 V.
b) Condensatorul de filtraj
Pentru ca [n timp de o semiperioad` ( ∆ t= 10 ms) condensatorul s` se descarce cu ∆ V = 2 V sub un
curent de 1 A, capacitatea trebuie s` aib` valoarea C = I out ⋅ ∆ t ∆ V = 5000µF . Este o valoare mare, dar
rezonabil`. Condensatorul va trebui s` aib` tensiunea de func\ionare de cel pu\in 25 V (valoarea
standardizat` imediat inferioar`, 16 V, este chiar la limit`).
S` observ`m ce s-ar fi [nt[mplat dac` am fi impus un riplu mult mai mic, de exemplu de numai 0.1 V.
Am fi avut atunci nevoie de o condensator cu o capacitate de 100 000 µF, o valoare total nepractic`.
c) Rezistorul "bleeder"
Rostul lui este ca la deconectarea alimentatorului, [n absen\a rezisten\ei de sarcin`, s` descarce [ntr-un
timp convenabil condensatorul de filtraj. Dac` ne mul\umim cu o constant` de timp τ = RC de c[teva
secunde, rezult` valoarea bleeder-ului de 1 kΩ.
d) Siguran\ele
Curentul mediu absorbit de sarcin` este de maximum 1 A dar dac` am pune o astfel de siguran\` [n
secundar, ea ar fi spulberat` imediat. 1 A este curentul mediu ([n modul) dar pentru a calcula efectele
[nc`lzirii trebuie s` \inem seama de valoarea sa efectiv`. Or, a]a cum am v`zut, condensatorul este [nc`rcat
cu pulsuri scurte de curent. Din aceast` cauz`, forma curentului prin secundar este cea din Fig. 5.13 a), unde
se observ`, suplimentar, pulsul foarte mare de la momentul ini\ial c[nd condensatorul era desc`rcat.
I s (A)
25 T 2
T (2 m )
20 Is
15
10
5 m I s med
0
-5
-10
0 5 10 15 20 25 30
t
t (ms)
a) b)
Fig. 5.13. Evolu\ia curentului prin secundar.
Pentru intensitatea efectiv` vom face un calcul aproximativ. Dac` presupunem (pentru simplitate)
T
pulsurile ca fiind rectangulare (desenul b al figurii) ]i de durat` , adic` a m -a parte din semiperioad`,
2m
ele vor avea intensitatea mI s med = mI out iar valoarea efectiv` va fi Ief =
T
2m
b
m ⋅ I out g
2 2
T
= m ⋅ I out .
Cu c[t filtrarea va fi mai bun`, cu at[t valoarea efectiv` a curentului va fi mai mare ]i siguran\a se va [nc`lzi
mai mult.
Din acest motiv vom multiplica cu 4 valoarea curentului mediu, ob\in[nd 4 A. Este bine, [ns`, s` avem
]i o rezerv`, pentru cazul [n care sarcina absoarbe timp [ndelungat curentul maxim. {nmul\im cu un factor de
2 ]i ob\inem valoarea final` de 8 A. Nu trebuie s` uit`m s` alegem o siguran\` temporizat` (lent`), altfel la
punerea sub tensiune, condensatorul [nc`rc[ndu-se de la zero va absorbi un curent important ]i o va arde.
Raportul de transformare estei 220/12 ≅ 18, astfel c` [n primar va trebui s` punem o siguran\` de
8 A 18 ≅ 0.5 A. Evident, ]i ea trebuie s` fie o siguran\` temporizat`.
e) Dimensionarea transformatorului
Curen\ii [n primar ]i secundar nu sunt sinusoidali ci sub forma unor pulsuri scurte ]i intense, cu at[t
mai scurte ]i intense cu c[t filtrarea este mai bun`. Am v`zut c` valoarea efectiv` a curen\ilor cre]te la
[mbun`t`\irea filtr`rii ]i, bine[n\eles, ]i [nc`lzirea transformatorului. Din acest motiv, la alegerea puterii
transformatorului trebuie s` multiplic`m cu un factor (pentru filtr`ri rezonabile 4 este o valoare bun`)
valorile medii ale curen\ilor.
Este bine, deci, s` admitem un riplu de ordinul a 1 V, cu at[t mai mult cu c[t el va fi redus foarte mult
de c`tre stabilizator.
Problema 2. Reproiecta\i alimentatorul, pentru a ob\ine o tensiune stabilizat` de 12 V, la un curent de

1 A.
7812
+
IN OUT
siguranta GND
+
220 Vef sarcina
~ bleeder
_
siguranta
Fig. 5.14.
a) Alegerea stabilizatorului
Cum tensiunea de ie]ire este fix`, alegem un stabilizator integrat de tensiune fix` pozitiv` din seria
78XX cu tensiunea nominal` de 12 V, adic` un stabilizator 7812. Exist` mai multe variante, codificate cu
litere dup` tipul capsulei, tip care stabile]te ]i curentul maxim ]i puterea maxim` disipat`. Va trebui s`
utiliz`m unul cu valoarea curentului maxim de 1 A; [n ceea ce prive]te puterea disipat`, a]a cum vom vedea,
ea va trebui s` fie de 5-7 W. La ie]irea sa este bine s` conect`m un condensator de filtrare de valoare
modest` (electrolitic, 10 µF), dublat de unul care func\ioneaz` la frecven\e mari (ceramic, 100 nF).
b) Tensiunea transformatorului
Pentru a putea stabiliza tensiunea de la ie]ire, la intrarea stabilizatorului tensiunea nu trebuie s`
coboare nici un moment sub 12 V+ 3 V= 15 V. Cu alte cuvinte, pe stabilizator trebuie s` pierdem [n orice
moment cel pu\in 3 V (Fig. 5.15). P`str[nd riplul de 2 V de la proiectarea precedent`, avem acum nevoie de o
amplitudine dup` redresare de cel pu\in 17 V. Adùg[nd ]i pierderea de tensiune pe diode, ajungem la
amplitudinea tensiunii din secundar, 19 V. Este exact cu trei vol\i U nestabilizat
mai mare dec[t [n cazul proiect`rii precedente, tocmai datorit` 17V
pierderii suplimentare pe stabilizator. Rezult` de aici tensiunea 15V
minimum 3V
efectiv` din secundar 13.4 Vef. Aceasta este o tensiune minim`, 12V
este clar c` nu vom gasi un transformator cu aceast` valoare. U stabilizat
Putem g`si, [ns`, unul cu tensiunea [n jur de 16 Vef, ceea ce va
produce o amplitudine [n secundar 23 V, cresc[nd la 0
t
7 V tensiunea pierdut` pe stabilizator. {n aceste condi\i,
stabilizatorul nostru va trebui s` disipe, la curent maxim, aproape Fig. 5.15.
7 W. Din acest motiv nu este indicat` utilizarea unui
transformator cu tensiunea de ie]ire mai mare.
c) Condensatorul de filtraj ]i siguran\a din primar vor avea acelea]i valori ca la problema
precedent`, deoarece ele au fost determinate de m`rimea curentului. De asemenea, ]i rezistorul bleeder
r`m[ne acela]i, numai c` este bine s` fie mutat la ie]irea stabilizatorului.
d) Dimensionarea transformatorului
{n urma cre]terii tensiunii efective de la 12Vef la 16Vef, puterea a crescut cu o treime. Este bine, deci,
s` \inem seama de aceast` cre]tere [n alegerea transformatorului.
Probleme propuse
P 5.1. Evolu\ia [n timp a tensiuni pe 13.5

condensatorul de filtrare, cu valoarea de
10 000 µF, vizualizat` cu osciloscopul, arat`
ca [n Fig. 5.16. Valorile de tensiune sunt [n
13.0
vol\i.
a) Identifica\i tipul redresorului (mono
sau dubl` alternan\`).
b) Calcula\i ]i reprezenta\i grafic 12.5
evolu\ia [n timp a curentului prin
condensator.
c) Determina\i valoarea rezisten\ei de 12.0
0.0 10.0ms 20.0ms
sarcin`.
P 5.2. Circuitul din Fig. 5.17 este o Fig. 5.16.
variant` de redresor dubl` alternan\`, care
folose]te dou` diode [n loc de patru.
a) Explica\i func\ionarea lui, desen[nd sensurile curen\ilor pe fiecare semialternan\`;
b) Care este pre\ul pl`tit pentru cele dou` diode economisite ? Ce solu\ie crede\i c` este mai ieftin` azi
?
D1
+ +Valim
+ 220 Vef
220 Vef Cf sarcina masa
~ ~ alimentarii
+
_V
alim
D2
Fig. 5.17. Fig. 5.18.
P 5.3. {n Fig. 5.18 ave\i un redresor care furnizeaz` simultan dou` tensiuni de alimentare, egale dar de
polarit`\i opuse (pentru a]a-numita alimentare diferen\ial`).
a) Explica\i func\ionarea sa, desen[nd sensurile curen\ilor. 15 V

b) Identifica\i tipul redres`rii, monoalternan\` sau dubl` alternan\`. +/- 1V
P 5.4. Dioda Zener din stabilizatorul prezentat [n Fig. 5.19 are tensiunea
nominal` de 10 V iar [n jurul valorii curentului de 10 mA prezint` o rezisten\` R 62 Ω
dinamic` de 10Ω. Tensiunea redresat` ]i nestabilizat` are o valoare medie de I out
15 V cu un riplu de 2 Vvv. 10 V Uout
a) Calcula\i curentul prin rezisten\a de balast R .
b) Ce curent maxim poate aborbi sarcina, cu condi\ia ca valoarea curentului DZ Rs
prin diod` s` nu scad` sub 10 mA ?
d) Estima\i factorul de stabilizare [n tensiune ]i, de aici, m`rimea ondula\iei
tensiunii stabilizate. Fig. 5.19.
e) Tensiunea la re\eaua de 220 Vef se modific` cu 10 %. Estima\i varia\ia
tensiunii nestabilizate ]i pe aceea a tensiunii stabilizate.
f) Determina\i rezisten\a de ie]ire a stabilizatorului; calcula\i cu c[t se modific` tensiunea pe sarcin`
dac` valoarea curentului absorbit de aceasta variaz` [ntre zero ]i cea maxim`, calculat` la punctul b).
P 5.5. Intercala\i la ie]irea stabilizatorului din problema precedent` un tranzistor, ca [n Fig. 5.10, care
are un factor de amplificare β = 50.
a) Ce curent maxim poate aborbi acum sarcina, cu condi\ia ca valoarea curentului prin diod` s` nu
scad` sub 10 mA ?
b) Ce rezisten\a de ie]ire are acum stabilizatorul perfec\ionat ?
P 5.6. Dac` sarcina nu are nevoie de un curent a]a de mare, utilizarea tranzistorului v` permite s`
ameliora\i factorul de stabilizare. Presupun[nd c` sarcina nu cere mai mult de 50 mA,
a) calcula\i curentul maxim pe care baza tranzisttorului [l absoarbe din anodul diodei;
b) alege\i o rezisten\` de balast mai mare, asigur[ndu-v` [ns` c` valoarea curentului prin dioda Zener
nu scade nici un moment sub 10 mA;
c) determina\i ce factor de stabilizare a\i ob\inut acum;
d) [n final, calcula\i m`rimea riplului tensiunii stabilizate.
P 5.7. Ave\i la dispozi\ie o tensiune redresat`, cu valoarea medie de 15 V ]i cu o ondula\ie de 2 Vvv ]i
trebuie s` ob\ine\i o tensiune stabilizat` de 9 V, sarcina av[nd nevoie de un curent [ntre zero ]i 100 mA.
a) Proiecta\i un stabilizator cu diod` Zener (curentul prin diod` nu trebuie s` scad` sub 10 mA).
b) Presupun[nd ca dioda Zener are o rezisten\` dinamic` de 10 Ω, calcula\i factorul de stabilizare ]i
rezisten\a de ie]ire.
c) Estima\i puterea disipat` pe dioda Zener, c[nd curentul de sarcin` este 50 mA ]i c[nd acesta este nul.
P 5.8. Perfec\iona\i stabilizatorul precedent, prin adùgarea unui "tranzistor compus" la ie]ire, care are
factorul β = 1000(tranzistorul compus este realizat prin interconexiunea a dou` tranzistoare). Estima\i c[t va
fi curentul absorbit din anodul diodei Zener ]i modifica\i corespunz`tor rezisten\a de balast. Ce valoare a
factorului de stabilizare a\i ob\inut ?
Experimentul 1. Redresarea monoalternan\`
Ave\i pe plan]et` (Fig. 5.20) un redresor monoalternan\` cu o diod` redresoare, care este deja legat la
secundarul transformatorului. {n partea din dreapta, jos, se g`sesc trei rezisten\e de sarcin`, legate cu unul din
capete la un fir comun. Conecta\i borna negativ` a redresorului la acest fir comun iar borna pozitiv` la una
din rezisten\ele de sarcin`. Vizualiza\i tensiunea redresat` ]i desena\i-o pe caiet.. Poate fi ea utilizat` la
alimentarea unui aparat electronic ? De ce ?
+
~
_
220 Vef
~ +
~
_
IN OUT
T 7812
+ + COM
DZ
C1 C2 R s1 R s2 R s3
Fig. 5.20.
Lega\i acum [n paralel pe rezisten\a de sarcin` unul din condensatoarele de filtrare din st[nga plan]etei.
Cum se modific` forma de und` a tensiunii de pe sarcin` ? Desena\i pe caiet forma de und` ]i identifica\i
duratele de timp [n care dioda conduce. Schimba\i acum condensatorul de filtrare ]i explica\i ce observa\i.
Care din condensatoare are valoare mai mare ?
Ve\i m`sura [n continuare factorul de ondula\ie, utiliz[nd numai condensatorul cu capacitate mai mare
]i leg[nd, pe r[nd, cele trei rezisten\e de sarcin`. Pentru aceasta va trebui s` determina\i, cu osciloscopul,
ad[ncimea ondula\iei ]i tensiunea medie.
Calcula\i teoretic factorul de ondula\ie, utiliz[nd formula aproximativ` (5.6). Compara\i valorile
m`surate cu cele calculate. Pentru care situa\ii sunt ele mai apropiate ]i de ce ?
Experimentul 2. Redresarea dubl` alternan\`
Desface\i leg`turile de la ie]irea redresorului monoalternan\`. Pe aceea]i plan]et`, pu\in mai jos, ave\i
un redresor dubl` alternan\`, realizat cu o punte redresoare ce con\ine patru diode. Lega\i borna sa de ie]ire
negativ` la firul comun al rezisten\elor de sarcin` iar borna pozitiv` la cap`tul unei rezisten\e de sarcin`;
reface\i, punct cu punct, toate determin`rile de la experimentul 1. De data aceasta, pentru calculul teoretic al
factorului de ondula\ie va trebui s` folosi\i rela\ia (5.7). Compara\i valorile factorului de ondula\ie pentru
cele dou` redresoare. Ce concluzie practic` trage\i ? Cum s-ar fi putut, pe alt` cale, mic]ora la jum`tate
ondula\ia, p`str[nd redresorul monoalternan\` ?
Experimentul 3. Stabilizatorul de tensiune cu diod` Zener
Lega\i acum ie]irile redresorului dubl` alternan\` direct la condensatorul de filtrare de valoare mare;
aten\ie, borna negativ` trebuie obligatoriu legat` la firul comun. Apoi, de la cap`tul condensatorului, merge\i
la intrarea stabilizatorului, ca [n Fig. 5.21. Deocamdat` nu conecta\i nici o rezisten\` de sarcin`, oper[nd
stabilizatorul "[n gol".
+ M`sura\i ondula\ia la intrarea [n stabilizator ]i apoi pe
dioda stabilizatoare. Din raportul lor, calcula\i factorul de
+ R stabilizare [n tensiune la func\ionare [n gol. Cunosc[nd valoarea
rezistorului de balast R , determina\i rezisten\a dinamic` a diodei
~ stabilizatoare cu rela\ia (5.9). Trage\i o concluzie [n privin\a
_ efectului stabilizatorului asupra ondula\iei. Mai este acum nevoie
de capacit`\i foarte mari pentru filtrare ?
Fig. 5.21. Cupla\i acum la ie]irea stabilizatorului, pe r[nd, cele trei
rezisten\e de sarcin` ]i m`sura\i cu un voltmetru digital tensiunea
de ie]ire. Calcula\i, cunosc[nd valorile rezisten\elor, intensit`\ile curen\ilor ]i desena\i dependen\a tensiunii
de ie]ire [n func\ie de curent. Determina\i, de aici, rezisten\a de ie]ire a stabilizatorului.
Dac` stabilizatorul reduce at[t de mult ondula\ia, nu am putea renun\a total la filtrare ? {ndep`rta\i
condensatorul de filtrare de la intrare leg[nd borna pozitiv` a redresorului direct la stabilizator. Vizualiza\i
forma tensiunii pe rezisten\a de sarcin` ]i explica\i ce se [nt[mpl`. Formula\i o concluzie asupra m`rimii
ondula\iei permis` la intrarea unui stabilizator.
Experimentul 4. Perfec\ionarea stabilizatorului pentru mic]orarea rezisten\ei de

ie]ire
Conecta\i acum, [ntre stabilizatorul +

anterior ]i rezisten\a de sarcin`, un tranzistor,
ca [n Fig. 5.22. Lega\i, pe r[nd, cele trei +
rezisten\e de sarcin` [n emitorul tranzistorului sarcina
]i m`sura\i tensiunea. Proced[nd ca la ~
experimentul precedent, determina\i rezisten\a _
de ie]ire ]i calcula\i de c[te ori este acum mai
mic`. Fig. 5.22.
Determina\i ]i factorul de stabilizare. A
fost el afectat de perfec\ionarea efectuat` ?
Experimentul 5. Perfec\ionarea stabilizatorului pentru m`rirea factorului de

stabilizare
Curentul absorbit din anodul diodei +

Zener a fot mic]orat de β ori prin introducerea
tranzistorului. Am putea acum s` m`rim de β + 15 mA
ori rezisten\a de balast, m`rind de acela]i sarcina
num`r de ori factorul de stabilizare. Vom fi, ~
[ns`, mult mai ambi\io]i ]i, dac` tot [nlocuim _
rezisten\a de balast, o vom [nlocui cu o surs`
de curent (Fig. 5.23). Determina\i factorul de Fig. 5.23.
stabilizare ]i compara\i-l cu valoarea sa
anterioar`. A meritat efortul ?
Experimentul 6. Stabilizatorul de tensiune integrat
Vom investiga acum comportarea unui +

IN OUT
stabilizator integrat, de tipul 7812 (12 V, tensiuni 7812
GND
pozitive) care trebuie conectat ca [n Fig. 5.24. +
Determina\i, ca ]i la experimentul anterior, factorul de Rs
stabilizare ]i rezisten\a de ie]ire. Compara\i aceste ~
valori cu cele ob\inute pentru stabilizatorul cu diod` _
Zener ]i pentru variantele sale perfec\ionate de la
experimentele 4 ]i 5.. Fig. 5.24.
Anexe
Anexa 1 Rezistoare, valori nominale ]i marcare 288

Anexa 2 Prezentarea grafic` a rezultatelor 292
Anexa 3 Programul Circuit Maker 296
Anexa 4 Stabilizatoare de tensiune 304
A. Stabilizatoarele integrate cu tensiune fix` LM78XX 304
B. Stabilizatoarele integrate reglabile LM117 / LM217 / LM317 308
Anexa 1
Rezistoare, valori nominale ]i marcare

Clasele de toleran\` ]i seriile de valori nominale
Chiar atunci c[nd sunt fabricate [n condi\ii foarte bine controlate, rezistoarele au valoarea [mpr`]tiat`
[ntr-un anumit interval [n jurul valorii nominale. De exemplu, la [ncercarea de a realiza rezistoare cu valoarea
de 100 Ω, rezisten\a m`surat` a exemplarelor ob\inute este [mpr`]tiat` [ntre 80 Ω ]i 120 Ω; spunem c` aceste
rezistoare au valoarea de 100 Ω cu toleran\a de +/- 20 %. Dac` aceasta este precizia cu care putem controla
procesul tehnologic, nu are rost s` [ncerc`m producerea unei valori nominale de, s` zicem, 110 Ω, deoarece
aceast` valoare se g`se]te [n intervalul de toleran\` al valorii nominale de 100 Ω. Cu toleran\a de +/- 20 %,
urm`toarea valoare nominal` trebuie s` fie la 150 Ω ]i ea va avea intervalul de toleran\` [ntre
120 Ω ]i 180 Ω. Vom avea nevoie apoi de o valoare nominal` la 220 Ω, intervalul de
+/- 20 % corespunz`tor ei fiind [ntre 176 Ω ]i 264 Ω. Dac` reprezent`m aceste valori nominale pe o ax`,
(Fig. A1.1 a) observ`m c` ele nu sunt echidistante, deoarece intervalul de toleran\` cre]te ]i el, fiind
propor\ional cu valoarea nominal`.
Aceast` secven\` de valori este [ns` 0 500 1000
echidistant` dac` este reprezentat` [ntr-o
scar` logaritmic`, ca [n Fig. A1.1 b),
a)
deoarece [ntr-o asemenea scar` intervalul
de toleran\` are mereu aceea]i lungime.
Standardizarea valorilor nominale
a fost f`cut` de Electronic Industries 100 200 300 400 500 1000
Association (EIA), care a stabilit, pentru
o anumit` clas` de toleran\`, un num`r b)
de valori nominale pe decad`,
Fig. A1.1.
aproximativ echidistante pe scar`
logaritmic`. Aceste valori fac parte dintr-o serie, simbolizat` cu litera E urmat` de num`rul de valori pe
decad`. Astfel, seria cu toleran\a +/- 20 % con\ine ]ase valori pe decad` ]i este denumit` seria E6. Valorile
ei, pentru decada 1 - 10, sunt date [n tabelul urm`tor:
SERIA E6, +/- 20 %
1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8
Pentru ob\inerea valorilor nominale din celelalte decade, valorile de mai sus se [nmul\esc cu puteri ale
lui 10; de exemplu, pentru decada 100 Ω - 1kΩ avem valorile 100 Ω, 150 Ω, 220 Ω, 330 Ω, 470 Ω ]i 680 Ω.
Faptul c` pe rezistor este trecut` valoarea 470 Ω cu trei cifre semnificative nu trebuie s` v` fac` s` crede\i
c` precizia este de 1 470 , 470 Ω nu este valoarea m`surat` ci valoarea central` a intervalului de toleran\`
(valoarea nominal`).
Seria E6 este foarte rar utilizat` pentru c` rezistoarele moderne sunt fabricate cu precizie mai mare.
Cea mai utilizat` este seria E12 cu toleran\a de +/- 10 %. Ea p`streaz` valorile nominale ale seriei precedente
dar adaug` [nc` ]ase valori :
SERIA E12, +/- 10 %
1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2
Anexe 289
Observa\ie: De cele mai multe ori, c[nd se refer` la toleran\`, electroni]tii spun simplu c` este 10 % ]i
nu +/- 10 %. Pentru [ncep`tori, aceasta poate conduce la confuzii.
Dac` dorim rezistoare cu valori mai pu\in [mpr`]tiate, putem utiliza urm`toarea serie, E24, care are
toleran\a de +/- 5 %. A\i [n\eles cum se formeaz` noua serie, [ntre fiecare dou` valori ale seriei E12 se mai
adaug` una.
SERIA E24, +/- 5 %
1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6
1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0
3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1
5.6 6.2 6.8 7.6 8.2 9.1
{n situa\ii speciale ve\i avea nevoie chiar de valori mai precise. Cu toleran\a de +/- 2 % ave\i la
dispozi\ie seria E48 iar cu toleran\a de +/- 1 % seria E96
SERIA E96, +/- 1 %
1.00 1.02 1.05 1.07 1.10 1.13 1.15 1.18 1.21 1.24 1.27 1.30
1.33 1.37 1.40 1.43 1.47 1.50 1.54 1.58 1.62 1.65 1.69 1.74
1.78 1.82 1.87 1.91 1.96 2.00 2.05 2.10 2.15 2.21 2.26 2.32
2.47 2.43 2.49 2.55 2.61 2.67 2.74 2.80 2.87 2.94 3.01 3.09
3.16 3.24 3.32 3.40 3.48 3.57 3.65 3.74 3.83 3.92 4.02 4.12
4.22 4.32 4.42 4.53 4.64 4.75 4.87 4.99 5.11 5.23 5.36 5.49
5.62 5.76 5.90 6.04 6.19 6.34 6.49 6.65 6.81 6.98 7.15 7.32
7.50 7.68 7.87 8.06 8.25 8.45 8.66 8.87 9.09 9.31 9.53 9.76
{n tabelul precedent, au fost tip`rite cu caractere groase (bold) valorile nominale ale seriei E48.
Marcarea valorii ]i a toleran\ei
Pentru rezistoarele din seria E48 ]i urm`toarele avem nevoie de trei cifre semnificative pentru a
reprezenta valoarea nominal`, [n timp ce pentru seriile cu num`r mai mic de valori sunt suficiente numai
dou` cifre semnificative. Dac` suprafa\a rezistorului este destul de mare ]i, [n special, la cele care au
terminalele paralele, marcarea se face [n clar, scriindu-se valoarea ]i toleran\a. Cum delimitatorul zecimal are
suprafa\a mic`, poate fi u]or ]ters ]i eroarea provocat` la citire este mare. Din acest motiv, de multe ori, [n
locul delimitatorului zecimal se scrie prefixul. Astfel, [n loc de 4.7 kΩ se scrie 4k7, [n loc de 0.22 MΩ se
scrie M22, etc.
Atunci c[nd suprafa\a este mic` ([n special la rezistoarele axiale de mic` putere) [n locul cifrelor se
prefer` marcarea cu benzi colorate (patru sau cinci benzi). Numerotarea benzilor [ncepe cu cea care este cea
mai apropiat` de extremitatea rezistorului.
Pentru marcarea cu cinci benzi (Fig. A1.2), semnifica\ia lor este urm`toarea:
-primele trei benzi reprezint` cifrele semnificative ale valorii
-a patra band` reprezint` num`rul de zerouri care trebuie adùgate pentru a ob\ine valoarea [n Ω
-ultima banda reprezint` clasa de toleran\`.
prima a doua a treia num`rul toleran\a

cifr` cifr` cifr` de zerouri
Fig. A1.2.
Primele patru benzi folosesc acela]i cod al culorilor:

cifr` (num`r de zerouri) factor multiplicativ
negru 0 1
maron 1 10
ro]u 2 100
portocaliu 3 1k
galben 4 10 k
verde 5 100 k
albastru 6 1M
violet 7
gri 8
alb 9
De exemplu,
configura\ia galben, violet, verde, maron se cite]te astfel:
4 7 5 la care se adaug` un zerou (maron pe ultima band`), deci 4750 Ω
iar configura\ia maron, negru, verde, portocaliu se cite]te:
105 la care se adug` 3 zerouri, rezult[nd 105 000 Ω , adic` 105 kΩ.
Pentru ultima band`, care se refer` la toleran\`, semnifica\ia este urm`toarea
argintiu +/- 10 %
auriu +/- 5 %
ro]u +/- 2 %
maron +/- 1 %
prima a doua num`rul toleran\a

cifr` cifr` de zerouri
Fig. A1.3.
Anexe 291
{n cazul seriilor cu toleran\` mai mare sau egal` cu 5 % nu avem nevoie dec[t de dou` cifre
semnificative pentru a reprezenta valoarea nominal`. Pentru aceste serii se utilizeaz` codificarea cu numai
patru benzi (Fig A1). Semnifica\ia lor este similar` cu aceea de la codificarea cu cinci benzi, cu deosebirea c`
valoarea este reprezentat` numai de primele dou` benzi:
-primele dou` benzi reprezint` cifrele semnificative ale valorii
-a treia band` reprezint` num`rul de zerouri care trebuie adùgate pentru a ob\ine valoarea [n Ω
-ultima banda reprezint` clasa de toleran\` : auriu +/- 5 %, argintiu +/- 10 %,
f`r` ultima band` +/- 20 %.
Astfel, un rezistor marcat cu galben, violet, portocaliu, auriu are valoarea 47 000 Ω= 47 kΩ cu
toleran\a de +/- 5 %.
Puterea nominal`
C[nd la bornele rezistorului exist` o tensiune electric` U , pe el se disip` prin efect Joule o putere egal`
cu U 2 R ; rezultatul este [nc`lzirea rezistorului p[n` la o temperatur` de echilibru la care spre mediul
ambiant se transimite o putere egal` cu cea
disipat`. Cu c[t puterea disipat` e mai mare, cu
at[t temperatura de echilibru este mai ridicat`.
{nc`lzirea mediului ambiant provoac`, de
asemenea, cre]terea temperaturii de echilibru.
Astfel, pentru ca rezistorul s` nu ajung` la o
temperatur` la care s` se distrug`, puterea
disipat` pe el trebuie men\inut` sub o anumit`
valoare. Puterea nominal` reprezint` puterea
disipat` ce nu trebuie dep`]it` c[nd temperatura
mediului ambiant este cea specificat` [n foaia de
catalog (uzual [n jur de 70oC). Puterea nominal`
este [n leg`tur` cu dimensiunile rezistorului (Fig.
A1.4). Pentru rezistoarele de putere mai mare ea
Fig. A1.4.
este marcat` [n clar, dar pentru rezistoarele de
p[n` la 1 W inclusiv puterea nominal` se identific` dup` tipul capsulei sau codul produsului (stabilit de
fabricant).
Tipuri constructive
Pentru aplica\ii de uz general se pot utiliza rezistoarele din pelicul` de carbon care sunt disponibile la
puteri nominale de 0.125 W, 0.250 W, 0.5 W ]i chiar p[n` la 1-2 W. {n general, gamele de toleran\`
disponibile sunt +/- 5 % ]i +/- 10 %. Coeficientul de temperatur` este modest, [n jur de 10-3 pe grad
(1000 ppm pe grad).
C[nd ave\i nevoie de rezistoare precise ]i stabile, trebuie s` alege\i rezistoare cu pelicul` metalic`.
Acestea sunt disponibile ]i [n clase de toleran\` foarte str[ns` (de exemplu, +/- 0.25 %) dar, probabil, ni]te
rezistoare [n +/- 1 % v` vor fi suficiente. Stabilitatea termic` a acestor rezistoare este mult mai bun` dec[t a
celor cu pelicul` de carbon, coeficientul lor termic ajung[nd la c[teva zeci de ppm pe grad.
Dac` rezistorul trebuie s` disipe o putere peste 1 W este bine s` alege\i unul bobinat, acoperit cu un
ciment de protec\ie.
CAPITOLUL
Amplificatorul cu emitor comun
Valim
+15 V
7.5 k
out
82 k
0 7.5 V 0
1.6 V
in 0
10 µ F
10 k
1k 470 µ F
A. Amplificatorul cu sarcin` distribuit` (emitor comun degenerat) 154

B. Amplificatorul cu emitorul la mas` (emitor comun nedegenerat) 156
C. C[t de mare poate s` fie excursia de tensiune ? 161
D. Proiectarea unui amplificator cu emitor comun 164
Problem` rezolvat` 169, probleme propuse 171
Am v`zut c` repetoarele de tensiune (pe emitor sau pe surs`, dup` tipul cum tranzistorul este bipolar
sau cu efect de c[mp) efectueaz` adaptarea [ntre impedan\a mare a generatorului de semnal ]i impedan\a mic`
a sarcinii. Din p`cate, ele nu pot dec[t s` repete semnalul de la intrare, [n timp ce [n majoritatea aplica\iilor
avem nevoie s` amplific`m varia\iile de tensiune. De exemplu, semnalul bioelectric generat de inim`, pe care
dorim s`-l vizualiz`m, are amplitudini sub 1 mV iar pentru ca spotul osciloscopului s` devieze cu 1 cm este
necesar` o varia\ie de tensiune pe pl`cile de deflexie de ordinul a 100 V. Ne-ar trebui, [n acest caz, o
amplificare global` de cel pu\in 100 000 !
Pentru c` ofer` a amplificare mare de tensiune,
cel mai frecvent utilizat etaj cu un singur tranzistor bipolar este amplificatorul cu emitor comun.
A. Amplificatorul cu sarcin` distribuit` (emitor comun degenerat)
O variant` de amplificator cu emitor

Valim
comun este prezentat` [n Fig. 12.1. Generatorul
+15 V
de semnal, cuplat capacitiv, produce varia\ii ale RC
poten\ialului bazei iar ca semnal de ie]ire este R B1 7.5 k Vout
considerat poten\ialul colectorului. Emitorul 82 k
7.5 V 0
(de]i nu este legat la mas`) este comun 0
ochiurilor de intrare ]i de ie]ire, ceea ce justific` 0 1.6 V
numele de amplificator cu emitor comun. C 0
Pentru a-l distinge de o alt` variant`, se adaug` ~ 10Bµ F R B2 RE
10 k
adesea "degenerat [n emitor" sau "cu rezisten\` [n 1k
emitor". {n literatura de limb` român` el mai este
cunoscut ]i ca amplificator cu sarcin`
distribuit`, deoarece curentul comandat trece at[t Fig. 12.1. Amplificator cu emitor comun degenerat (cu
prin RC c[t ]i prin RE , ca ]i cum sarcina ar fi sarcin` distribuit`).
distribuit`.
Atunci c[nd am studiat stabilitatea termic` a punctului de func\ionare ]i independen\a sa [n raport cu
factorul de amplificare β al tranzistorului, am ar`tat c` pe rezisten\a RE din emitor trebuie s` cad` [n repaus
cel pu\in 1-2 V. Acela]i curent str`bate ]i rezisten\a de colector ]i, cum pe ea c`derea de tensiune este de
ordinul Valim 2 iar tensiunea de alimentare nu dep`]e]te, de regul`, 40-50 V,
[n practic`, la etajul cu sarcin` distribuit` raportul RC RE este cuprins aproximatv [ntre 1 ]i 25.
Vom vedea imediat c` aceasta are consecin\e asupra amplific`rii maxime pe care o poate furniza acest
amplificator.
Func\ionarea sa poate fi [n\eleas` u]or dac` recunoa]tem o configura\ie de surs` de curent comandat`,
care are ca sarcin` rezisten\a RC (vezi Capitolul 4, sec\iunea 4.1.G). Dup` cum ]tim, tensiunea baz`-emitor
este practic constant`, poten\ialul emitorului urm`rind poten\ialul bazei, cu aproximativ 0.6 V mai jos. Astfel,
varia\iile de tensiune ale bazei, produse de generatorul de semnal cuplat capacitiv, determin` varia\iile
curentului de emitor
∆VB
∆ IE = . (12.1)
RE
Cap. 12. Amplificatorul cu emitor comun 155
Acestea sunt practic egale cu varia\iile curentului de colector. Din expresia poten\ialului colectorului,
VC = Valim − I C RC , deducem imediat c` la ie]irea amplificatorului avem
R
∆ VC = − C ∆ VB . (12.2)
RE
Amplificarea circuitului este, deci,
R
A=− C (12.3)
RE
semnul - ar`t[nd c` varia\iile de la ie]ire sunt opuse ca sens celor de la intrare; circuitul este un amplificator
inversor.
Pentru amplificatorul cu sacin` distribuit`, amplificarea este negativ` ]i egal` [n modul cu raportul dintre
rezisten\a de colector ]i cea din emitor; din considerentele prezentate mai sus, modulul amplific`rii nu poate
fi prea mare (p[n` pe la 25).
Faptul c` amplificarea depinde numai de valorile rezisten\elor este deosebit de important, deoarece
rezisten\ele sunt disponibile [n game de toleran\` foarte str[ns` ]i pot fi ajustate, propriet`\i de neimaginat
pentru factorul β al tranzistorului.
Dac` utiliz`m pentru tranzistor modelul mai exact, cu re , prezentat la Capitolul 10, sec\iunea 10.1.B,
rezisten\a dinamic` re , apare [n serie cu RE , a]a cum se poate vedea [n Fig. 12.2. Noua expresie a
amplific`rii se ob\ine ca
RC R 1
A=− =− C ⋅ ; (12.4)
RE + re RE 1 + re RE
cum re RE = 25 mV VE este mult mai mic dec[t unitatea, al doilea ∆ Valim = 0

factor din expresia (12.4) are valoarea aproximativ`
b g
1 − 25 mV VE . Deoarece din necesit`\i de stabilitate termic`
∆ VC
tensiunea pierdut` pe rezisten\a din emitor trebuie s` fie de cel pu\in ∆ IC out
1- 2 V, modulul amplific`rii "corectate", dat` de rela\ia (12.4) este cu
1-2 % mai mic dec[t cel prezis de formula simpl` A = − RC RE . in ∆ VB
Dac` nu cunoa]tem valorile rezisten\elor cu o precizie mai bun` de "emitor intern"
∆ IB ∆ VB
+/- 5 % (]i, [n cele mai multe cazuri, nu le cunoa]tem dec[t cu
+/- 10 %), nu merit` s` mai \inem seama de rezisten\a dinamic` re , re
consider[nd-o nul`.
Impedan\a de intrare [n baza tranzistorului se calculeaz` prin ∆ I E ≅ ∆ IC
aceea]i metod` utilizat` la repetorul pe emitor; deoarece curentul de RE
baz` este de β ori mai mic dec[t cel de emitor, combina\ia serie
RE + re ≅ RE este v`zut` ca fiind de β ori mai mare
Fig. 12.2. Calculul amplific`rii
Zin B = ∆VB ∆ I B ≅ β RE . (12.5) utiliz[nd modelul cu re al
tranzistorului.
Prezen\a divizorului rezistiv mic]oreaz` [ns` impedan\a de intrare [n amplificator. Am v`zut c`, din
necesit`\i de stabilitate termic` ]i desensibilizare a punctului de func\ionare [n raport cu [mpr`]tierea lui β ,
rezisten\a echivalent` a divizorului se alege cam o zecime din βRE . Astfel, divizorul rezistiv face ca
impedan\a de intrare [n amplificator, Zin , s` fie de aproximativ 10 ori mai mic` dec[t valoarea ZinB . Putem
considera c` impedan\a de intrare a amplificatorului cu sarcin` distribuit` este practic egal` cu rezisten\a
echivalent` a divizorului de polarizare.
Impedan\a de intrare a amplificatorului cu sarcin` distribuit` nu este afectat` de prezen\a rezisten\ei de

colector; valoarea impedan\ei de intrare este dictat` practic de rezisten\a echivalent` a divizorului de
polarizare.
Dup` cum ]tim, [n regiunea activ` colectorul tranzistorului se comport` ca o surs` de curent aproape
ideal`. Din acest motiv, privind [nspre nodul colectorului vedem rezisten\a RC [n paralel cu impedan\a sursei
de curent, care are valori mult mai mari dec[t RC . Astfel, impedan\a de ie]ire a etajului este dictat` de
rezisten\a din colector
Zout = RC . (12.6)
Impedan\a de ie]ire pentru amplificatorul cu sarcin` distribuit` este egal` practic cu valoarea
rezisten\ei de colector, de ordinul 1-10 kΩ.
Dac` la ie]ire se cupleaz` capacitiv rezisten\a de sarcin` Rs ,

Zout = R C
putem calcula noua amplificare prin dou` metode. {n prima, trebuie
∆ Vout
s` [nlocuim [n formula amplific`rii pe RC cu rezisten\a echivalent`
a grup`rii paralel ( RC , Rs ). A doua alternativ` este s` \inem seama - R C ∆ V
in ~ Rs
de impedan\a de ie]ire ]i s` corect`m amplificarea cu un factor RE
datorat divizorului de tensiune format de Rs ]i Zout (Fig. 12.3).
Prin oricare din metode ob\inem
Fig. 12.3. Calculul amplific`rii [n cazul
R Rs unei sarcini cuplate capacitiv [n
A=− C colector.
ER R +R .
s C
(12.7)
A]a cum spuneam, cu acest tip de etaj nu se pot ob\ine amplific`ri mai mari dec[t dac` m`rim exagerat
tensiunea de alimentare sau sacrific`m stabilitatea termic`. {n aceast` situa\ie, se prefer` utilizarea unei alte
variante de amplificator cu emitor comun, care este descris` [n continuare..
B. Amplificatorul cu emitorul la mas` (emitor comun nedegenerat)
{n multe aplica\ii avem nevoie de amplific`ri mari, pe care amplificatorul cu sarcin` distribuit` nu
poate s` le ofere. Dac` am lega, pur ]i simplu, emitorul la mas`, ca [n Fig. 12.4 a), RE ar deveni zero ]i am
ob\ine, conform rela\iei A = RC ( RE + re ) o amplificare maxim`. De]i prezent [n mai toate textele de
electronic`, acest circuit trebuie evitat. Am ar`tat [n Cap. 8, c[nd am studiat diferitele circuite de polarizare,
c` [n acest caz curentul de colector este foarte sensibil la modific`rile factorului β ]i ale temperaturii. Pentru
eliminarea acestor inconveniente, prezen\a unui rezistor [n emitor, pe care s` cad` [n repaus o tensiune de 1-2
V, este obligatorie.
Valim Valim
+15 V
RC
R B1 7.5 k
82 k Vout
CB 0 7.5 V 0
10 µ F
1.6 V
0
~ R B2 CE
10 k RE
1k 470 µ F
acest tip de circuit trebuie evitat !

a) b)
Fig. 12.4. Amplificatoare cu emitorul la mas`, [n curent continuu (a) ]i [n curent alternativ (b) .
Solu\ia este s` p`str`m rezisten\a RE vizibil` [n curent continuu (varia\iile de temperatur` sunt extrem
de lente [n compara\ie cu semnalele care trebuie amplificate) dar s` o scurtcircuit`m la frecven\ele la care
lucreaz` amplificatorul (Fig. 12.4 b). {n jargon se spune c` rezisten\a RE a fost "decuplat` [n alternativ" cu
ajutorul condensatorului. Aceasta [nseamn` c` [n curent alternativ ea dispare, fiind [nlocuit` cu un
scurtcircuit.
Circuitul ob\inut este un amplificator cu emitorul la mas` ([n curent alternativ). {n calculul
amplific`rii ]i impedan\elor trebuie s` apar` impedan\ele pe care le "v`d" varia\iile a]a c`, [n rela\ia
A = − RC ( RE + re ) , [n locul lui RE trebuie s` punem zero, deoarece aceast` rezisten\` este scurtcircuitat`
pentru varia\ii. Ob\inem atunci amplificarea
R RC I Q RC I Q
A = − C = − g m RC = − =− (12.8)
re VT 25 mV
unde IQ este curentul de repaus al tranzistorului, [n jurul c`ruia se efectueaz` aceste varia\ii. Aceast` rela\ie
este adev`rat` la frecven\ele la care reactan\a condensatorului CE este mult mai mic` dec[t rezisten\a
dinamic` re
1
f >> (12.9)
2π reCE
Privind cu aten\ie rela\ia (12.8) recunoa]tem la num`r`tor tensiunea de repaus pe rezisten\a din colector,
V RC repaus ; avem astfel rela\ia foarte util`
V RC repaus
A=− . (12.10)
25 mV
{n absen\a altei rezisten\e de sarcin`, amplificarea pentru amplificatorul cu emitorul la mas` este egal`
[n valoare absolut` cu raportul [ntre tensiunea de repaus pe rezisten\a din colector ]i tensiunea termic` de 25
mV.
Dac`, [n plus, polarizarea s-a f`cut astfel [nc[t poten\ialul colectorului s` fie la jum`tatea tensiunii de
alimentare, ajungem la concluzia c` amplificarea este dictat` numai de tensiunea de alimentare
Valim
A=− = −20 ⋅ Valim (in volti) . (12.11)
2 ⋅ 25 mV
Dac` poten\ialul de repaus al colectorului este la jum`tatea tensiunii de alimentare ]i nu exist` alt`
sarcin` cuplat capacitiv, amplificarea pentru amplificatorul cu emitorul la mas` este egal` [n valoare absolut`
cu 20 [nmul\it cu tensiunea de alimentare exprimat` [n vol\i.
Cu o tensiunea de alimentare de 10 V ob\inem o amplificare de 200, pe c[nd cu o tensiune de alimentare de

40 V putem amplifica de 800 de ori varia\iile de la intrare.
{n deducerea formulelor pentru amplificare am considerat c` tranzistorul se comport` [n colector ca o
surs` ideal` de curent. {n realitate, datorit` efectului Early, sursa de curent echivalent` are o rezisten\`
dinamic` egal` cu rce = VEA I Q , unde VEA este tensiunea Early, cu valori [n jur de 100 V. Aceast`
rezisten\` apare [n paralel cu rezisten\a RC din colector, ca [n Fig. 12.5 a), ]i, [n formula amplific`rii
A = − g m RC , trebuie s` [nlocuim pe RC cu valoarea corectat`
RC rce
RC + rce
= RC
1
1 + RC rce
≅ RC 1 − RC rce . b g (12.12)
Valim Valim
(constant) (constant)
RC
impedan\a v`zuta de
sursa ideal` de curent
VEA VEA
IC rce = IC rce =
IQ IQ
tranzistorul tranzistorul
a) b)
Fig. 12.5. Impedan\a pe care debiteaz` sursa ideal` de curent comandat` a colectorului (a) ]i utilizarea
unei sarcini active (b).
Dar raportul celor dou` rezisten\e, mult mai mic dec[t unu, poate fi exprimat simplu prin valorile regimului
de repaus
RC V RC repaus I Q V RC repaus
= = (12.13)
rce IQ VEA VEA
]i este de ordinul a 5-10 %. {n consecin\`, dac` dorim o expresie mai exact` a amplific`rii, nu avem dec[t s`
sc`dem 5-10 % din valoarea rezisten\ei RC , [nainte de a folosi formulele pentru amplificare.. Oricum,
aceast` corec\ie este de ordinul de m`rime al toleran\ei cu care cunoa]tem, de cele mai multe ori, valorile
rezisten\elor.
O valoare mai exact` a amplific`rii se ob\ine \in[nd seama de efectul Early, prin utilizarea [n calcule a
unei valori pentru rezisten\a RC mic]orat` cu 5-10 % fa\a de valoarea real` (raportul V R repaus VEA ).
C
Privind [nc` o dat` la Fig. 12.5 a) ]i g[ndindu-ne c` numai rezistentele dinamice intervin [n calculul
amplific`rii, s-ar putea s` g`sim o cale prin care putem cre]te ]i mai mult amplificarea etajului cu emitorul la
mas`: [nlocuirea rezisten\ei din colector RC cu o surs` de curent constant (desenul b al figurii), care s`
furnizeze exact valoarea necesar` pentru curentul de colector, dar care are o rezisten\a dinamic` foarte mare
(peste 1 MΩ putem ajunge u]or cu o surs` realizat` cu un tranzistor bipolar). Combina\ia ei paralel cu rce
este echivalent` practic cu rce (care este de cel pu\in 10 ori mai mic`) ]i, astfel, amplificarea ajunge la valori
de ordinul VEA VT ≅ 4000 . {n jargon se spune c` etajul are acum o sarcin` activ` (sursa de curent ce a
[nlocuit rezisten\a RC ). Nimic nu se ob\ine [ns` f`r` sacrificii: impedan\a de ie]ire a etajului a crescut de la
c[tiva kΩ c[t avea RC , la rce = VEA I Q , care ajunge pe la 100 kΩ; nu mai putem conecta la ie]ire dec[t o
sarcin` cu rezisten\a de cel pu\in 1 MΩ.
{n plus, mai exist` o dificultate: am legat [n serie dou` surse de curent ]i [ntre ele apare un conflict
dac` nu sunt reglate exact la aceea]i valoare. {n timp, valorile ajustate cu grij` se modific` ]i una din surse
ajunge [n regim de satura\ie [ncet[nd s` func\ioneze. Pentru a evita acest lucru, circuitul trebuie complicat cu
alte etaje care s` realizeze permanent echilibrarea surselor, aduc[nd la ordine sursa de curent rebel`. Din acest
motiv, cre]terea amplific`rii prin utilizarea unei sarcini active este utilizat` aproape exclusiv [n circuitele
integrate, unde se poate face risip` de tranzistoare ]i rezistoare f`r` ca pre\ul s` fie afectat sensibil.
S` ne [ntoarcem pu\in la expresia (12.8) a amplific`rii A = − RC I Q VT ; [ncep[nd de acolo, pentru a
ob\ine rela\ii u]or de aplicat [n practic`, am [nlocuit tensiunea termic` VT = k BT e cu valoarea ei la
temperatura camerei, care este de aproximativ 25 mV. Din aceast` cauz` nu am sesizat primul pre\ pe care
trebuie s`-l pl`tim pentru amplificarea mare ob\inut`:
amplificarea etajului cu emitorul la mas` depinde de temperatur`; la o [nc`lzire cu 30 de grade, amplificarea

scade cu aproximativ 10 %.
Scurtcircuitarea [n curent alternativ a rezisten\ei RE are un efect puternic ]i asupra impedan\ei de

intrare. Pun[nd RE = 0 [n expresia (12.5), ob\inem impedan\a de intrare [n baza tranzistorului
Zin B = β re = β ⋅ 25 mV I Q ; (12.14)
cu un β de 100, avem 2.5 kΩ la 1 mA dar numai 250 Ω la 10 mA. Impedan\a de intrare a etajului este [nc`
]i mai mic`, datorit` rezisten\ei echivalente a divizorului de polarizare; aceast` rezisten\` a divizorului este
[ns` mai mare dec[t Zin B astfel c` ea nu reu]e]te s` reduc` la jum`tate impedan\a de intrare. {n consecin\` ,
impedan\a de intrare a etajului este pe undeva [ntre β re 2 ]i β re . Cum calculul este numai estimativ
deoarece nu cunoa]tem pe β dec[t foarte aproximativ, putem afirma c`
impedan\a de intrare a amplificatorului cu emitorul la mas` este modest` (sute de Ω - kΩ ), fiind aproximativ
egal` cu β ⋅ 25 mV I Q .
Impedan\a de intrare este, deci, mic` ]i, ceea ce este poate ]i mai grav, prost predictibil`, deoarece este
aproximativ propor\ional` cu β ; cum acest factor are o [mpr`]tiere tehnologic` mare, putem numai s`
estim`m grosier aceast` impedan\` de intrare. Acesta este al doilea pre\ pe care trebuie s`-l pl`tim pentru
valoarea mare a amplificarii; vom vedea c` mai exist` [nc` unul, legat de m`rimea excursiei semnalului de
ie]ire.
Impedan\a de ie]ire a amplificatorului continu` s` fie egal` cu valoarea rezisten\ei din colector. Dac`
suntem foarte preten\io]i, putem sc`dea din aceasta 5-10 %, datorate efectului Early. C[nd o alt` sarcin` Rs
este cuplat` capacitiv [n colector, noua valoare a amplific`rii se poate ob\ine, ca ]i la etajul precedent, prin
considerarea divizorului format de Rs ]i Zout .
Valim
+15 V
RC
R B1 5k
82 k Vout
CB 10 V
R1 10 µ F C E 100 µ F
CE 1.6 V
~ Zin R B2 100 µF
R2 R1 R2 10 k R E1 R E2
CE 1k 1k
a) b) c) d)
Fig. 12.6. Decuplarea par\ial` a rezisten\ei din emitor (a ]i b) ]i circuite care permit ajustarea amplific`rii
f`r` modificarea punctului static de func\ionare (c ]i d).
C[nd nu dorim s` ob\inem valoarea A = −20 ⋅ Valim (in volti) pentru amplificare, ci una mai mic`,,
putem utiliza [n emitor unul din circuitele din Fig. 12.5 a) ]i b). {n curent continuu (regimul de polarizare)
emitorul vede o rezisten\` RE DC egal` cu R 1+ R2 pentru circuitul a) ]i cu R1 [n cazul circuitului b). La
curent alternativ [ns`, [ntre emitor ]i mas` apare o impedan\` RE AC , care determin` amplificarea etajului.
Valoarea acestei impedan\e este R 1 pentru circuitul a) ]i
R1 R2
RE AC = (12.15)
R 1+ R2
pentru circuitul b).

Dac` urm`rim o proiectare mai comod`, alegem circuitul a), deoarece RE AC este pur ]i simplu egal`
cu R 1 . Circuitul din desenul b) permite, [n schimb, ajustarea amplific`rii f`r` modificarea punctului static.
Desenul c) prezint` reprezint` complet` a unui astfel de amplificator; o alt` variant` ce ofer` acelea]i
avantaje este prezentat` [n desenul d).
C. C[t de mare poate s` fie excursia de tensiune ?
Emitorul legat la mas` ([n curent alternativ)

S` presupunem c` dorim amplificare c[t mai mare ]i [n circuitul din Fig. 12.6 c) am scurtcircuitat
emitorul la mas` [n curent alternativ. La varia\ii foarte mici [n jurul curentului de repaus de 1 mA,
amplificarea circuitului este de RC re = 5 kΩ 25 Ω = 200 . Ce se [nt[mpl` dac` semnalul de intrare are
amplitudini mult mai mari ? Poten\ialul emitorului este \inut constant de c`tre condensator a]a c` varia\iile
tensiunii de intrare se reg`sesc [n totalitate ca varia\ii ale tensiunii baz`-emitor.
2.0 N 5
1.5 VC (V)
I C (mA)
Q timpul
1.0 10
repaus
M
0.5
VC
0.0 15
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20
∆ V BE (mV)
timpul
Fig. 12.7. Amplificatorul cu emitorul la mas` distorsioneaz` semnalele cu amplitudini mari.
Dar noi cunoa]tem forma caracteristicii de transfer IC = f (VBE ) , este o exponen\ial`

IC = I s eVBE VT . O reprezent`m grafic, trec[nd pe axa absciselor valorile varia\iilor ∆VBE m`surate de la
regimul de repaus (Fig. 12.7). S` aplic`m la intrare o tensiune triunghiular`, cu amplitudinea de aproximativ
18 mV. Dup` cum ]tim, o varia\ie de aceast` m`rime a tensiunii baz`-emitor provoac` o modificare cu un
factor de 2 a curentului de colector. Astfel, punctul de func\ionare, care era [n repaus [n Q, se deplaseaz` [ntre
punctele extreme M ]i N, unde curentul de colector devine 0.5 mA ]i, respectiv 2 mA. Evolu\ia
corespunz`toare a poten\ialului VC al colectorului eviden\iaz` o distorsionare major` a formei de und`,
semialternan\a superioar` av[nd o amplitudine 5 V, de dou` ori mai mare dec[t cea inferioar`, care are numai
2.5 V.
Distorsiunile care apar sunt distorsiuni de neliniaritate ]i se datoreaz` formei caracteristicii de
transfer a tranzistorului. Ele au ap`rut [naintea celor de limitare, provocate de intrarea tranzistorului [n
blocare sau satura\ie.
Neliniaritatea caracteristicii de transfer poate fi exprimat` ]i prin modificarea pantei, care este
transconductan\a tranzistorului, ea fiind pentru circuitul nostru propor\ional` cu amplificarea la semnal mic.
A]a cum se vede [n Fig. 12.8, dac` facem trei experimente diferite, provoc[nd varia\ii mici [n jurul fiec`ruia
dintre punctele M, Q ]i N, amplific`rile ob\inute vor fi diferite. {n timp ce [n jurul punctulului de repaus Q
amplificarea este egal` [n modul cu 200, ea ajunge la 400 pentru varia\iile [n jurul punctului N dar coboar` la
100 [n cazul varia\iilor [n jurul punctului M.
2.0 N 5
VC (V)
1.5
I C (mA)
Q
1.0 10
M
0.5
0.0 15
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20
∆ V BE (mV)
Fig. 12.8. Amplificarea la semnal mic depinde puternic de punctul de func\ionare.
Putem consdera c` un nivel acceptabil de distorsiuni se ob\ine dac` amplificarea de semnal mic
variaz` numai cu +/- 10 % de-a lungul [ntregii excursii a punctului de func\ionare; aceasta se poate [nt[mpla
numai dac` re variaz` [n total cu numai 20 % [ntre valorile extreme ale curentului de colector. Rezult`, de
aici, c` varia\iile curentului de colector trebuie s` [ndeplineasc` condi\ia
∆ I C I Q ≤ 10% ; (12.16)
Astfel, excursia tensiunii de ie]ire trebuie s` aib` amplitudinea sub o zecime din c`derea de tensiune [n
repaus pe RC . Cum aceasta din urm` are valori uzuale de 5-10 V
distorsiunile produse de amplificatorul cu emitorul la mas` sunt acceptabile numai dac` excursia de tensiune
de la ie]ire nu dep`]e]te 1 -2 Vvv.
Ce [nseamn` aceasta pentru tensiunea de intrare ? Din expresia caracteristicii de transfer deducem c`,
indiferent de amplificare, ∆VBE ≤ 5 mVvv . Cum poten\ialul emitorului este constant, aceasta este excursia
maxim` acceptabil` a tensiunii de intrare.
{n cazul amplificatorului cu emitorul la mas`, pentru ca amplificarea s` nu se modifice cu mai mult de

+/- 10 %, tensiunea de intrare trebuie s` aib` amplitudinea mai mic` dec[t 5 mVvv, indiferent de valoarea
amplific`rii.
{n concluzie,
amplificatorul cu emitorul la mas` poate fi utilizat numai pentru amplificarea semnalelor mici, [n caz contrar
el produc[nd distorsiuni inacceptbil de mari.
Acesta este al treilea pre\, pe l[ng` dependen\a de temperatur` a amplific`rii ]i impedan\a mic` de intrare, pe
care trebuie s`-l pl`tim pentru amplificarea mare pe care am ob\inut-o.
La semnal mare, nu numai amplificarea se modific`. Revenind la exemplul nostru ]i presupun[nd un
factor β = 100 pentru tranzistor, impedan\a v`zut` privind [nspre baz`, Zin B , are 5.0 kΩ [n punctul M, 2.5 k
Ω [n repaus (punctul Q) ]i numai 1.25 kΩ [n punctul N. Aceste varia\ii se resimt puternic [n impedan\a de
intrare a amplificatorului; cu o rezisten\` echivalent` a divizorului de polarizare de 20 kΩ, impedan\a de
intrare Zin evolueaz` de la 4 kΩ la 1.2 kΩ.
La semnal mare, amplificatorul cu emitorul la mas` apare, pentru generatorul de semnal care [l excit`,
ca o sarcin` neliniar` (care nu respect` legea lui Ohm).
{n exemplul nostru, dac` generatorul de semnal nu are impedan\a intern` mult mai mic` dec[t 1 kΩ,
varia\iile impedan\ei de intrare vor produce varia\ii ale amplitudinii la intrare ]i, [n consecin\`, distorsiuni
suplimentare. Din fericire, aceste modific`ri ale amplitudinii au un sens opus celor determinate de
schimbarea amplific`rii. Astfel, pe ansamblu, ele reduc distorsiunile produse de amplificator.
Rezisten\a din emitor decuplat` par\ial

S` presupunem acum c` nu mai suntem at[t de lacomi ]i ne mul\umim cu o amplificare de 50 [n locul
celei de 200. Utiliz[nd formula amplific`rii A = RC ( RE AC + re ) , deducem c` rezisten\a v`zut` [n
alternativ de c`tre emitor trebuie s` aib` valoarea 75 Ω ([mpreun` cu re = 25 Ω face 100 Ω). La o excursie a
poten\ialului de colector de 5 Vvv, curentul de colector se modific` de la 0.75 mA la 1.25 mA, ]i re variaz`
de la 20 Ω la 33 Ω dar, datorit` prezen\ei termenului RE AC la numitor, amplificarea de semnal mic nu se
modific` [n acela]i raport, cresc[nd doar de la 46 la 53, adic` sufer` o varia\ie total` de 14 %
Avem, deci, o varia\ie total` a amplific`rii de 14 % [n cazul unei excursie de tensiune la ie]ire de
5 Vvv , provocat` de un semnal de intrare de 100 mVvv ; cu emitorul legat la mas`, ar fi trebuit s` mic]or`m
excursia de la ie]ire la 0.75 Vvv (3.75 mVvv la intrare) pentru ca amplificarea s` aib` o varia\ie total` de
aceeas]i m`rime ]i s` ob\inem acela]i nivel de distorsiuni. {n concluzie, mic]orarea amplific`rii de la 200 la
50 ne permite s` prelucr`m f`r` distorsiuni semnificative semnale de intrare mult mai mari ]i s` ob\inem
excursii mari ale semnalului de ie]ire.
Liniaritatea amplificatorului a fost [mbun`t`\it`. Exager[nd [n aceast` direc\ie, putem ajunge la un
amplificator cu amplificare unitar` dar cu liniaritate excelent`; am reg`sit repetorul de tensiune. Vom vedea
mai t[rziu c` aceste modific`ri ale performan\elor se datoreaz` reac\iei negative pe care o introduce
impedan\a vizibil` [n emitor.
A A repaus
{n Fig. 12.9 am reprezentat grafic 1.5

dependen\a lui A [n func\ie de curentul de
colector, pentru mai multe valori ale lui
RE AC re repaus . Se observ` c`, pe m`sur` 2
R E AC re repaus = 50
5
ce sc`dem amplificarea etajului prin m`rirea 1.0 10
valorii lui RE AC , amplificarea devine mai 50
10
pu\in sensibil` la varia\ia curentului de 5 2
colector ]i distorsiunile vor fi mai mici. R E AC re repaus = 0
Graficul poate fi utilizat la proiectarea
amplificatoarelor cu emitor comun, pentru 0.5
alegerea lui RE AC atunci c[nd ni se impune 0.5 1.0 1.5
excursia de tensiune de la ie]ire ]i nivelul IC IQ

distorsiunilor.
Fig. 12.9. M`rirea lui RE AC mic]oreaz` sensibilitatea
amplific`rii la varia\ia curentului de colector.
Pentru a putea ob\ine excursii de tensiune mari la ie]ire cu distorsiuni acceptabile, amplificarea trebuie
mic]orat`; acest lucru se realizeaz` prin impedan\a care este v`zut` [n curent alternativ de c`tre emitorul
tranzistorului.
D. Proiectarea unui amplificator cu emitor comun
Av[nd fixat` tensiunea de alimentare Valim , primul pas [l constituie alegerea curentului de repaus IQ .
O valoare exagerat de mic` duce la sc`derea factorului β al tranzistorului, pe c[nd una prea mare va m`ri
nejustificat disipa\ia de putere pe tranzistor. Mai trebuie \inut seama ]i de faptul c` IQ va impune valoarea
Valim (2 I Q ) a rezisten\ei din colector, care va fi impedan\a de ie]ire a amplificatorului. {n cazul
amplificatoarelor de mic` putere, o alegere de 1-10 mA este rezonabil`.
Poten\ialul colectorului trebuie s` fie pe la jum`tatea tensiunii de alimentare, chiar dac` excursia de
tensiune de la ie]ire nu va dep`]i 1 Vvv, deoarece punctul de func\ionare mai este afectat de [mpr`]tierea lui
β ]i de varia\iile de temperatur` ]i este bine s` avem "distan\e" de rezerv` fat` de regimurile de blocare ]i
satura\ie. Astfel,
V 1
RC = alim . (12.17)
2 IQ
{n regim de repaus, pentru o stabilitate termic` satisf`c`toare, poten\ialul emitorului trebuie s` fie de 1-
2V
VE = 1 ÷ 2 V ; (12.18)
rezult` imediat valoarea rezisten\ei RE DC pe care trebuie s` o vad` emitorul [n curent continuu
RE DC = VE I Q . (12.19)
Poten\ialul de repaus al bazei se va g`si cu 0.6 V mai sus
VB = VE + 0.6 V . (12.20)
Putem proiecta acum divizorul rezistiv de polarizare a bazei. Raportul celor dou` rezisten\e va trebui s` fie
RB1 Va lim − VB
= (12.21)
RB2 VB
iar rezisten\a lor echivalent`
RB1 RB2 β RE DC
≅ . (12.22)
RB1 + RB2 10
Cum RB2 fiind mai mic`, va dicta practic rezisten\a echivalent` ]i cum putem miza pe un factor β de cel
pu\in 100, putem lua, practic
RB2 ≅ 10 ⋅ RE DC . (12.23)
Cu aceasta, proiectarea circuitului de polarizare este [ncheiat`. Mai r`m[ne s` stabilim amplificarea.
Dac` dorim s` ob\inem amplificarea maxim` posibil`, egal` aproximativ cu 20 [nmul\it cu tensiunea de
alimentare exprimat` [n vol\i, emitorul trebuie scurtcircuitat la mas` cu un condensator. Dac` nu dorim s`
ob\inem amplificarea maxim` ci una mai mic`, din rela\ia
RC
A= (12.24)
RE AC + re
ob\inem impedan\a RE AC pe care trebuie s` o vad` emitorul [n Valim

curent alternativ RC
R B1
R Vout
RE AC = C − re . (12.25) Cin
A
Circuitul din emitor va ar`ta ca cel din Fig. 12.10. {n cazul [n care
R B2 R E AC
m`rimea amplific`rii trebuie reglat` "la cald", vom utiliza [n
emitor un circuit ca cel din desenele c) sau d) ale Fig. 12.6. La
R E DC {
frecven\a minim` de lucru reactan\a condensatorului CE trebuie CE
s` fie mult mai mic` dec[t re + RE AC
Fig.12.10.
1
CE >> . (12.26)
2π f min ( re + RE AC )
Valoarea condensatorului de intrare se stabile]te pun[nd condi\ia ca la frecven\a minim` de lucru

reactan\a sa s` fie mult mai mic` dec[t impedan\a de intrare a amplificatorului (care este rezistiv`). Aceast`
impedan\` se calculeaz` \in[nd seama c` la intrare apare reziste\a echivalent` a divizorului [n paralel cu
β ( RE AC + re ) .
{ntreaga procedur` de proiectare, simplificat`, poate fi urm`rit` pe desenul din Fig. 12.11.
1. Alegem curentul
de repaus IQ
Valim
RC Valim
7. 2. Luam R C =
R B1 2 IQ
Z in = R B1 R B2β ( re + R E AC ) Vout
1 Cin
lu`m C in >>
2π f min Z in
5.
Alegem R E AC
R B2 RE AC pentru a stabili amplificarea
4.
R B2 ≅ 10 R E DC {
R E DC RE AC =
RC
A
- re
R B1 R B2 = V alim VB - 1 CE
cu V B = VE +0.6 V 6. Alegem C E
1
C E >>
2π f min ( re + R E AC )
VE
3. Cu V E de 1-2 V, R E DC =
IQ
Fig. 12.11. Procedura simplificat` de proiectare pentru amplificatorul cu emitor comun.


- La amplificatorul cu emitor comun, intrarea este [n baza tranzistorului iar ie]irea se face din
colectorul acestuia; oferind amplificare de tensiune mare cu o impedan\a de intrare rezonabil`, el este
cel mai utilizat etaj de amplificare cu un singur tranzistor.
-Pentru amplificatorul cu sarcin` distribuit` (emitor comun degenerat), amplificarea este
negativ` ]i egal` [n modul cu raportul rezisten\elor de colector ]i, respectiv, emitor; amplificatorul este
unul inversor;
-Cu tensiuni de alimentare de 10-50 V, aceast` amplificare are valori p[n` spre 25.
-Impedan\a de intrare a amplificatorului cu sarcin` distribuit` are aceea]i expresie ca a
repetorului pe emitor, fiind stabilit` practic de divizorul rezistiv de polarizare.
- Impedan\a de ie]ire a amplificatorului cu sarcin` distribuit` este practic egal` cu valoarea
rezisten\ei din colector.
-Scurtcircuitarea [n alternativ a rezisten\ei din emitor transform` etajul [ntr-un amplificator cu
emitorul la mas`, p`str[ndu-i stabilitatea termic`.
- {n absen\a altei sarcini, modulul amplific`rii pentru amplificatorul cu emitorul la mas` este
egal cu RC re , fiind propor\ional cu valoarea curentului de repaus.
- Amplificarea etajului cu emitorul la mas` este invers propor\ional` cu temperatura ([n K); la o
[nc`lzire cu 30 oC, modulul amplific`rii scade cu aproximativ 10 %.
- Acela]i modul al amplific`rii mai poate fi exprimat ca raportul [ntre c`derea de tensiune [n
repaus pe rezisten\a din colector ]i tensiunea termic`, cu valoarea de 25 mV la temperatura camerei,
A = V R repaus 25 mV .
C
- Dac` poten\ialul de repaus al colectorului a fost stabilit la jum`tatea tensiunii de alimentare,
modulul amplific`rii este egal cu 20 [nmul\it cu tensiunea de alimentare, exprimat` [n vol\i.
-{n cazul [n care dorim o valoare mai exact` a amplific`rii, putem \ine seama de efectul Early,
utiliznd [n calcule o valoare a rezisten\ei din colector cu 5-10 % mai mic` dec[t cea real`.
-Pentru amplificatorul cu emitorul la mas`, impedan\a de intrare privind [n baza tranzistorului
este modest`, fiind dat` de Zin = β re ; impedan\a de intrare a etajului este [nc` ]i mai mic`, datorit`
divizorului rezistiv, ajung[nd la valori de sute de Ω - kΩ.
-Amplificatorul cu emitorul la mas` este un amplificator de semnal mic (sub 5 mVvv la intrare,
sub 1 -2 Vvv la ie]ire); dac` semnalul este mai mare, el va fi distorsionat semnificativ de c`tre
amplificator.
- Dac` rezisten\a din emitor este scurtcircuitat` doar par\ial cu condensator, modulul
amplific`rii devine A = RC ( re + RE AC ) , unde RE AC este impedan\a v`zut` [n curent alternativ de
c`tre emitor.
- C[nd amplificarea este sc`zut` prin aceasta metod`, se reduce ]i nivelul distorsiunilor ]i cre]te
impedan\a de intrare [n baza tranzistorului. La A ≤ 50 amplificatorul poate fi utilizat cu distorsiuni
acceptabile ]i la un semnal de intrare de 100 mVvv .
Termeni noi
-amplificator cu sarcin` distribuit` amplificator cu emitor comun care are montat` o rezisten\` [n
circuitul de emitor; curentul de colector (care este m`rimea
controlat`) str`bate am[ndou` rezisten\ele ca ]i cum am avea o
sarcin` distribuit`;
-degenerare [n emitor prezen\a unei rezisten\e [n circuitul emitorului care, astfel, nu mai
este legat la mas` (amplificator cu emitor comun cu rezisten\` [n
emitor);
-decuplarea [n alternativ a unei scurtcircuitarea rezisten\ei cu un condensator care are reactan\a
rezisten\e neglijabil` la frecven\ele de lucru;
-distorsiuni de limitare deformarea semnalului de la ie]irea amplificatorului datorit`
intr`rii tranzistorului [n satura\ie sau blocare;
-distorsiuni de neliniaritate deformarea semnalului de la ie]irea amplificatorului datorit`
comport`rii neliniare a trazistorului (varia\iei transconductan\ei cu
valoarea curentului de colector);
Problem` rezolvat`
S` se proiecteze un amplificator cu emitor comun, av[nd Valim

impedan\a de ie]ire de 1 kΩ, care s` fie alimentat de la +12 V ]i s`
ofere o amplificare egal` [n modul cu 50. Amplificatorul trebuie s` RC
R B1
func\ioneze la frecven\e mai mari de 100 Hz iar tranzistorul utilizat Vout
are factorul β peste 100. Cin
Rezolvare
Desen`m, mai [nt[i o schem` de la care s` pornim. (Fig. R B2 RE AC
12.12 a). Impedan\a de ie]ire va fi egal` cu rezisten\a din colector.
Alegem a]adar,
CE
RC = 1 kΩ ;
pe ea trebuie s` cad` [n repaus aproximativ Valim 2 = 6 V . Cum R E DC - R E AC
va mai trebui s` pierdem tensiune ]i pe rezisten\a de emitor, alegem

un curent de repaus de Fig.12.12 a)
I Q = 5 mA
stabilind la 7 V poten\ialul emitorului. Deoarece poten\ialul de repaus al emitorului trebuie s` fie 1-2 V,
alegem
VE = 2 V ⇒ RE DC = 400 Ω .
Urmeaz` alegerea divizorului rezistiv. Lu`m
RB2 ≅ 10 RE DC ⇒ RB2 = 3.9 kΩ ,
o valoare din seria E12 cu toleran\a +/- 10% (vezi Anexa 1 din primul volum).
Cum VB = VE + 0.6 V = 2.6 V
12 − 2. 6
RB1 = RB2 ≅ 14 kΩ
2. 6
]i alegem valoarea standardizat` RB1 = 15 kΩ .

La 5 mA, rezisten\a intrinsec` a emitorului este re = 25 mV 5 mA = 5 Ω . Deoarece amplificarea
trebuie s` fie 50, emitorul va trebui s` vad` [n curent alternativ
R 1000 Ω
RE AC = C − re = − 5 = 15 Ω .
A 50
Vom realiza circuitul de emitor cu dou` rezisten\e, cea care va fi scurtcircuitat` cu condensator av[nd [n jur
de 400 Ω -15 Ω; alegem valoarea standardizat` de 390 Ω.
Pentru condensatorul CE stabilim la f min = 100 Hz o reactan\` mult mai mic` dec[t 20 Ω, s` zicem 2
Ω. Rezult`
1 Valim
CE ≅ ≅ 800 µF
2 π ⋅100 Hz ⋅ 2 Ω 5 mA
+12 V
RC
]i alegem valoarea standardizat` CE = 1000 µF . R B1 1k
Cin 15 k Vout
Impedan\a de intrare se calculeaz` prin legarea [n paralel a +7V
lui RB1 cu RB2 ]i cu β( RE AC + re ) adic`, 3.9 kΩ cu 15 kΩ ]i cu 1.0 µ F
20 kΩ, respectiv. Ultimele dou` dau ceva aproape de 8 kΩ care,, +2V

[mpreun` cu RB1, ajung pe la 3 kΩ. {n consecin\`, R B2 RE AC
3.9 k 15 Ω
1
Cin ≅ ≅ 0.53 µF 390 Ω CE
2π ⋅ 100 Hz ⋅ 3 kΩ
1000 µ F
]i alegem, pentru siguran\`, Cin = 1 µF .

Cu toate valorile trecute, schema circuitului arat` acum ca [n Fig. 12.12 b).
Fig. 12.12 b).
Probleme propuse
Valim
P 12. 1. Pentru circuitul din Fig. 12.13, +20 V
a) calcula\i punctul de func\ionare; 6.2 k
150 k
b) determina\i valoarea amplific`rii; Vout
c) estima\i impedan\a de intrare (β ≅ 200 ) 3.3 µ F
1.0 µ F
d) c[t este impedan\a de ie]ire ?
P 12.2. Amplificatorul cu sarcin` distribuit` din problema
precedent` este utilizat pentru amplificarea unui semnal de 22 k
amplitudine mare. 2.2 k
a) Calcula\i valorile extreme pe care le poate lua
poten\ialul colectorului (tranzistorul [n regim de blocare ]i,
respectiv, satura\ie). Aten\ie, poten\ialul emitorului nu este
Fig. 12.13.
constant.
b) |in[nd seama de valoarea de repaus a poten\ialului colectorului, calcula\i amplitudinea maxim` a
semnalului la ie]ire, cu condi\ia ca tranzistorul s` nu ajung` [n satura\ie sau blocare.
c) Care este amplitudiea semnalului de intrare, [n condi\iile de la punctul precedent ?
P 12.3. Cu acela]i tranzistor ]i cu aceea]i surs` de alimentare ca [n problema P 12.1, proiecta\i un
circuit similar, care s` aib` un curent de repaus de 2 mA ]i o amplificare egal` cu 5 ([n valoare absolut`).
P 12.4. Circuitul din Fig. 12.14 are RC = RE ]i
Valim furnizeaz` simultan dou` semnale de ie]ire. Compara\i
+20 V a) amplitudinile celor dou` semnale de ie]ire;
6.2 k b) fazele celor dou` semnale de ie]ire;
150 k Cele dou` ie]iri difer` mult prin valoarea impedan\ei. Calcula\i
Vout 1
aceste impedan\e de ie]ire, consider[nd nul` impedan\a
1.0 µ F generatorului de semnal, ]i formula\i o concluzie asupra
sarcinilor ce pot fi conectate la aceste ie]iri.
Vout 2
P 12.5. Explica\i func\ionarea circuitului din Fig. 12.15 ]i
47 k
6.2 k justifica\i prezen\a celui de-al doilea tranzistor (\ine\i seama de
problema precedent`)
P 12.6. {n circuitul din Fig. 12.16 condensatoarele au
reactan\e neglijabile.
Fig.12.14. a) Calcula\i amplificarea, atunci c[nd [n colector nu este
cuplat` nici o sarcin` suplimentar`. Valim
b) {mbun`t`\i\i precizia rezultatului +20 V
precdent, \in[nd seama de Efectul Early. 6.2 k
P 12.7. 150 k
T2
a) Estima\i amplificarea circuitului din
Fig. 12.17, atunci c[nd [n colector nu este cuplat` 1.0 µ F T1 Vout 1
nici o sarcin` suplimentar` (condensatoarele pot
fi considerate cu reactan\` nul`) 12 k
47 k Vout 2
b) {mbun`t`\i\i estimarea precdent`, \in[nd 6.2 k
seama de Efectul Early.
c) La c[t coboar` amplificarea dac` [n
colector se cupleaz` capacitiv o sarcin`
RS = 2. 2 kΩ ? Fig.12.15.
Valim Valim
1 mA
+25 V
4.7 k
out
10 V out
in in
Fig. 12.16. Fig. 12.17.

P 12.8. La amplificatorul cu emitorul la mas` (nedegenerat), efectul Early produce o mic]orare a
amplific`rii [n gol (f`r` alt` sarcin` dec[t RC ) cu 5-10 %. Crede\i c` acela]i lucru se [nt[mpl` ]i la
amplificatorul cu sarcin` distribuit` (emitor comun degenerat) ?
Indica\ie: Rezisten\a dinamic` v`zut` privind [nspre colector depinde dup` cum, la varia\ia lui VC ,
tensiunea-baz` emitor este men\inut` constant` sau curentul de emitor r`m[ne constant (revede\i Cap. 4).
P 12.9. Ave\i un semnal de tensiune alternativ cu amplitudinea 1 mVvv ]i trebuie s`-l amplifica\i p[n`
la valoarea de 10 Vvv. Pentru aceasta, ave\i la dispozi\ie un amplificator cu emitorul la mas` cu amplificarea
de 250 ]i un alt etaj cu emitorul comun av[nd amplificarea de 40. Cupla\i [n cascad` cele dou` amplificatoare
]i neglija\i, [n prim` aproxima\ie, pierderile datorit` impedan\ei de intrare finite a celui de-al doilea etaj.
a) C[t va fi amplificarea global` ? Este ea suficient` pentru tema primit` ?
b) Aceea]i amplificare o pute\i ob\ine indiferent de ordinea [n care cupla\i etajele. M`rimea
distorsiunilor nu va fi, [ns`, aceea]i. Care este ordinea de cuplare care produce distorsiuni mai mici ?
c) Cele dou` etaje, av[nd ie]irile [n colector, au aproximativ
aceea]i impedan\` de ie]ire. Care este ordinea de cuplare astfel Valim
[nc[t impedan\a de intrare a celui de-al doilea s` "[ncarce" c[t mai +15 V
pu\in ie]irea primului ? 5 k
out
P 12.10. Proiecta\i amplificatorul cu emitorul la mas` din
problema precdent`, care s` v` furnizeze o amplificare egal` cu 10 V
in
250. Frecven\a minim` de lucru va fi 100 Hz. 100 µ F
P 12.11. Proiecta\i acum ]i cel`lalt amplificator, cu
amplificarea de 40, alimentat de la aceea]i surs` ca cel de la
problema precedent`. 1k
P 12.12. {n amplificatorul cu emitor comun din Fig. 12.18,
destinat s` lucreze la semnal mic, circuitul din emitor a fost
modificat prin [nlocuirea uneia dintre rezisten\e cu un tranzistor 1M
JFET. 1 M
V contr
a) Stabili\i [n ce regim func\ioneaz` tranzistorul cu efect de
( ≤ 0)
c[mp (\ine\i seama de m`rimea tensiunii dren`-surs`).
b) Tranzistorul JFET are tensiunea de blocare VP = −2 V
]i parametrul I DSS = 5 mA . {ntre ce valori se modific`
Fig. 12. 18.
amplificarea, la varia\ia tensiunii de comand` a por\ii Vcontr ?
(dac` nu ]ti\i [ntre ce valori poate fi modificat` aceast` tensiune, revede\i Capitolul 7)
c) Propune\i o aplica\ie a acestui circuit [n lan\ul de amplificare al unui reportofon.
Valim
+12 V
10 k 68 k
5k
150 k
Vout
1.0 µ F
1.0 µ F
sarcina
in 2.2k
47 k 50 Ω 22 k 75 Ω
4k 2k
1000 µ F 1000 µ F
Fig. 12.19.
P 12.13. {n Fig. 12.19 ave\i dou` amplificatoare cu emitor comun legate [n cascad`, primul fiind
excitat cu un generator cu impedan\a intern` neglijabil` iar la ie]irea celui de-al doilea fiind legat` capacitiv o
rezisten\` de sarcin`.
a) Calcula\i amplificarea de tensiune a celui de-al doilea etaj (cu sarcina cuplat`).
b) Estima\i impedan\a de intrare a celui de-al doilea etaj ( β = 200 ).
c) Calcula\i amplificarea primului etaj, [n gol, f`r` ca etajul al doilea s` fie conectat.
d) Utiliz[nd rezultatele de la punctele b) ]i c) calcula\i amplificarea primului etaj cu etajul al doilea
conectat ca sarcin`.
e) Calcula\i amplificarea global` [n condi\iile de la punctul precedent.
P 12.14. Relua\i problema precedent`, consider[nd c` tranzistoarele au factorul β = 100 . Compara\i
amplific`rile cu cele deduse anterior ]i formula\i o concluzie asupra predictibilit`\ii amplific`rii globale.
Merit`, [n aceste condi\ii, s` calcul`m [n aproxima\ii mai exacte amplificarea unor astfel de etaje ?
Ave\i pe plan]et` circuitul din Fig. 12.20. Desena\i-v` pe caiet schema acestuia ]i apoi alimenta\i
plan]eta cu o tensiune continu` de aproximativ 15 V.
Valim
+15 V
RC
R B1 7.5 k C2 22 µ F
C1 120 k out
10 µ F
C 4 22 µ F
R B2
in RE C3 Rs
20 k
1.5 k 470 µ F 3.3 k
Fig. 12.20.
Experimentul 1. Determinarea punctului static de func\ionare
{ncerca\i, mai [nt[i, s` calcula\i punctul de func\ionare din valorile componentelor. Neglij[nd curentul
bazei, calcula\i poten\ialul acesteia. De aici rezult` imediat poten\ialul emitorului; legea lui Ohm furnizeaz`
curentul de emitor, practic egal cu cel de colector. {n sf[r]it, determina\i tensiunea pierdut` pe rezisten\a RC
]i poten\ialul colectorului. Decide\i dac` amplificatorul a fost proiectat corect ]i nota\i-v` concluzia
Determina\i acum experimental punctul de func\ionare; m`sura\i, cu un voltmetru de curent continuu,
tensiunea de alimentare ]i poten\ialele fa\` de mas` ale colectorului ]i emitorului. C[t de aproape sunt aceste
valori de cele calculate ? Calcula\i apoi valoarea de repaus a curentului de colector ]i, cu aceasta, calcula\i
rezisten\a dinamic` re .
Experimentul 2. Amplificatorul cu sarcin` distribuit` [n condi\ii de semnal mic
a) Amplificarea
Cunoa]te\i valorile rezisten\elor din colector ]i emitor, precum ]i rezisten\a dinamic` re . Calcula\i
amplificarea de tensiunea care se ob\ine la ie]irea din colector
RC
A= .
RE + re
Relua\i apoi acest calcul, neglij[nd rezisten\a dinamic` re . Determina\i c[t de mare este eroarea relativ`
produs` de aceast` aproxima\ie. Compara\i-o cu precizia de +/- 10 % cu care cunoa]tem de obicei valorile
rezisten\elor ]i trage\i o concluzie.
Conecta\i apoi la intrarea amplificatorului un generator de semnal sinusoidal. Regla\i frecven\a pe la
1 kHz iar amplitudinea la 100 mV (m`surat` cu osciloscopul). M`sura\i amplitudinea semnalului din emitor
]i formula\i o concluzie.
Determina\i acum amplitudinea semnalului din colector ]i calcula\i amplificarea etajului. Compara\i
aceast` valoare ob\inut` experimental cu cea calculat` din valorile rezisten\elor. C[t de mare ([n procente)
este diferen\a [ntre aceste valori ?
b) Impedan\a de intrare
}ti\i valorile pentru RE ]i rezisten\a dinamic` re ]i pute\i conta pe un factor β de cel pu\in 200.
Calcula\i impedan\a de intrare v`zut` privind [nspre baza tranzistorului ]i apoi rezisten\a echivalent` a
divizorului care polarizeaz` baza tranzistorului. Aceste impedan\e apar in paralel la intrarea amplificatorului.
Care din ele determin` practic impedan\a de intrare Zin ]i c[t
estima\i c` va fi aceasta ?
Ve\i determina acum experimental impedan\a de R'
intrare. Pentru aceasta, va trebui s` utiliza\i un truc, intercal[nd 10 k
[ntre generatorul de semnal ]i intrarea amplificatorului o
in
rezisten\` R ′ de valoare cunoscut`, ca [n Fig. 12.21. Cum vg ~ Z in
aceast` rezisten\` este parcurs` de acela]i curent ca ]i Zin ,
vin amplificator
c`derile de tensiune pe rezisten\e sunt propor\ionale cu valorile
acestor rezisten\e. De aici, deduce\i expresia lui Zin [n func\ie
de R ′ , v g ]i vin . M`sura\i cu osciloscopul amplitudinile
semnalelor v g ]i vin ]i calcula\i impedan\a de intrare.
Fig. 12.21.
Compara\i valoarea ob\inut` cu cea estimat` anterior din
valorile componentelor circuitului. C[t de mare este diferen\a ? De unde crede\i c` provine ea ?
c) Impedan\a de ie]ire
Ie]irea amplificatorului este la nodul colectorului. C[t ar trebui s` fie impedan\a de ie]ire ?
Vom determina experimental aceasta impedan\` de ie]ire m`sur[nd amplitudinea semnalului [n dou`
situa\ii diferite: f`r` alt` sarcin` dec[t rezisten\a de colector (ie]irea [n gol) ]i cu o rezisten\` de sarcin`
cunoscut`, cuplat` capacitiv pentru a nu modifica punctul de func\ionare (Fig. 12.22). La cuplarea sarcinii,
tensiunea echivalent` Thevenin (cea de mers [n gol) vout gol se distribuie at[t pe impedan\a de ie]ire Zout c[t
]i pe rezisten\a de sarcin` Rs ; [n consecin\`, tensiunea la ie]ire vout s va fi mai mic`
Rs
vout s = vout gol .
Rs + Zin
Valim Valim
+15 V +15 V
RC RC
7.5 k C2 22 µ F 7.5 k C2 22 µ F
out out
vout gol v out s

RE RE Rs
1.5 k 1.5 k 3.3 k
a) b)
Fig. 12.22.
Deduce\i, din rela\ia precdent`, expresia impedan\ei de ie]ire. Determina\i apoi experimental cele dou`
tensiuni vout gol ]i vout s ]i calcula\i impedan\a de ie]ire a amplificatorului. Compara\i aceast` valoare
ob\inut` experimental cu cea determinat` din structura circuitului.
Uneori, la amplificatorul cu sarcin` distribuit` se utilizeaz` ]i ie]irea din emitor. Relua\i procedura
anterioar` ]i determina\i experimental impedan\a de ie]ire din emitorului tranzistorului. Cum este aceasta [n
compara\ie cu impedan\a de ie]ire din colector ?
Experimentul 3. Amplificatorul cu sarcin` distribuit` [n condi\ii de semnal mare
A\i determinat la Experimentul 1 punctul static de func\ionare. Calcula\i acum valorile extreme pe care
le poate atinge poten\ialul colectorului (tranzistorul blocat ]i, respectiv, saturat). Atentie, poten\ialul
emitorului nu este constant. Cel mai u]or este s` reprezenta\i pe acela]i grafic dependen\ele liniare ale
poten\ialelor VC ]i VE [n func\ie de valoarea curentului de colector.
Desena\i o diagram` pe care s` apar` cele dou` valori extreme determinate la paragraful precedent,
[mpreun` cu nivelul de repaus al poten\ialului colectorului. Cu aceast` diagram`, determina\i amplitudinea
maxim` pe care o poate avea semnalul de ie]ire, f`r` s` aduc` tranzistorul [n limitare (blocare sau satura\ie).
Verifica\i acum experimental rezultatul ob\inut, m`rind amplitudinea de la generatorul de semnal ]i
urm`rind permanent pe osciloscop evolu\ia poten\ialului de colector (aten\ie, intrarea osciloscopului trebuie
cuplat` [n curent continuu). Desena\i pe caiet formele de und` distorsionate datorit` atingerii regimului de
limitare.
Deoarece caracteristica de transfer IC = f (VBE ) a tranzistorului este neliniar`, amplificatorul
distorsioneaz` semnalul ]i [nainte de atingerea regimului de limitare Cum pe o form` de und` sinusoidal`
asemenea distorsiuni se observ` mai greu (ochiul nu este exersat s` recunoasc` dependen\a sinusoidal`), ve\i
excita amplificatorul cu un generator de semnal triunghiular, care este gata realizat pe plan]eta pe care
lucra\i (Fig.12.23). M`ri\i c[t mai mult amplitudinea semnalului, f`r` s` aduce\i [ns` amplificatorul [n
limitare. Urm`ri\i por\iunile rectilinii ale formei de und` ]i [ncerca\i s` vede\i dac` amplificatorul le
distorsioneaz`, curb[ndu-le. Formula\i o concluzie. Estima\i ]i cu ce precizie relativ` pute\i spune c`
semnalul nu este dstorsionat.
Valim
reglaj amplitudine +15 V
RC
R B1 7.5 k C2 22 µ F
C1 120 k out
10 µ F
C 4 22 µ F
generator de
R B2
semnal triunghiular in RE Rs
20 k C3
1.5 k 470 µ F 3.3 k
Fig. 12.23.
Experimentul 4. Amplificatorul cu emitorul la mas` [n curent alternativ ([n

condi\ii de semnal mic)
Pentru amplificatorul cu sarcin` distribuit`, amplificarea, fiind egal` cu raportul RC RE (]i, deci, cu
raportul tensiunilor pe aceste rezisten\e) nu poate fi prea mare. Dac` dorim o amplificare de valoare mare,
emitorul trebuie legat la mas` [n curent alternativ, prin intermediul unui condensator de valoare suficient de
mare. Realiza\i ]i dumneavoastr` acest lucru pe plan]et`, conect[nd condensatorul C3 [n paralel cu rezisten\a
din emitor ([n jargon s-ar spune c` a\i decuplat rezisten\a [n curent alternativ).
Excita\i amplificatorul de la un generator de semnal sinusoidal cu frecven\a pe la 1 kHz. Stabili\i
amplitudinea [n a]a fel [nc[t semnalul [n colectorul tranzistorului, vizualizat cu osciloscopul, s` aib` o
amplitudine [n jur de 1 Vvv. Convinge\i-v` c`, de]i poten\ialele bazei ]i colectorului variaz` [n timp datorit`
semnalului aplicat, poten\ialul emitorului este men\inut constant de c`tre condensatorul C3 .
a) Amplificarea
Ave\i la dispozi\ie mai multe moduri de a calcula amplficarea acestui etaj. Cunoa]te\i valoarea
rezisten\ei dinamice re ]i a rezisten\ei RC ; calcula\i modulul amplific`rii A = RC re . }ti\i, de asemenea,
c`derea de tensiune [n repaus pe rezisten\a RC ; ]i din aceast` informa\ie pute\i calcula amplificarea
A = V R repaus 25 mV . Explicati de ce aceste dou` valori nu concord` exact. Care din ele are ]anse s` fie
C
mai apropiat` de realitate ?
Determina\i acum experimental valoarea amplific`rii. Pentru a determina mai precis amplificarea,
m`sura\i tensiunile de intrare ]i de ie]ire cu un voltmetru electronic (dac` acesta are mai multe func\ii,
verifica\i s` fie trecut pe tensiuni de curent alternativ).
Compara\i valoarea m`surat` a amplific`rii cu cea estimat` din punctul staic de func\ionare
A = V R repaus 25 mV . C[t de mare este eroarea relativ` ? Poate fi ea justificat` numai prin imprecizia cu
C
care cunoa]tem V R repaus ]i tensiunea termic` ?
C
Face\i acum o estimare mai exact` a amplific`rii, lu[nd [n considera\ie efectul Early; porni\i de la
valoarea A = V R repaus 25 mV ]i sc`de\i 10 %. Compara\i noua estimare cu valoarea m`surat`. C[t este
C
acum eroarea relativ` ? Compara\i-o cu imprecizia cu care a\i m`surat V R repaus ]i cu imprecizia lui
C
VT ≅ 25 mV , care este de 0.3 % pe grad.
b) Impedan\a de intrare
{ncerca\i mai [nt[i s` estima\i valoarea acestei impedan\e din valorile componentelor. Rezisten\a
echivalent` a divizorului rezistiv a r`mas aceea]i, dar s-a modificat Zin B , deoarece [n emitor apare acum [n
alternativ numai rezisten\a dinamc` re .
Pentru determinarea experimental` a impedan\ei de intrare, ve\i utiliza din nou trucul din Fig. 12.21:
intercalarea unei rezisten\e [ntre generatorul de semnal ]i intrarea amplificatorului. {nainte de a m`sura
tensiunile v g ]i vin , reface\i reglarea amplitudinii generatorului pentru a ob\ine la ie]ire un semnal de
aproximativ 1 Vvv.
Comparati estimarea cu valoarea m`surat`. De unde crede\i c` provine, [n principal, diferen\a ?
A\i determinat impedan\a de intrare at[t pentru etajul cu sarcn` distribuit` c[t ]i pentru cel cu emitorul
la mas`. Compara\i valorile ob\inute ]i formula\i o concluzie.
Experimentul 5. Amplificatorul cu emitorul la mas` [n condi\ii de semnal mare
Calcula\i valorile extreme pe care le poate atinge poten\ialul colectorului (tranzistorul blocat ]i,
respectiv, saturat). Spre deosebire de cazul etajului cu sarcin` distribuit`, lucrurile sunt mai simple deoarece
poten\ialul emitorului nu variaz` [n timp.
Desena\i o diagram` pe care s` apar` cele dou` valori extreme determinate la paragraful precedent,
[mpreun` cu nivelul de repaus al poten\ialului colectorului. Cu aceast` diagram`, determina\i amplitudinea
maxim` pe care o poate avea semnalul de ie]ire, f`r` s` aduc` tranzistorul [n limitare (blocare sau satura\ie).
Verifica\i experimental rezultatul ob\inut, m`rind amplitudinea de la generatorul de semnal ]i urm`rind
permanent pe osciloscop evolu\ia poten\ialului de colector (aten\ie, intrarea osciloscopului trebuie cuplat` [n
curent continuu). Desena\i pe caiet formele de und` distorsionate datorit` atingerii regimului de limitare.
Amplificatorul distorsioneaz` semnalul ]i [nainte de atingerea regimului de limitare Pentru a observa
mai comod aceste distorsiuni de neliniaritate, ve\i excita amplificatorul generatorul de semnal triunghiular
de pe plan]et`. M`ri\i c[t mai mult amplitudinea semnalului, f`r` s` aduce\i [ns` amplificatorul [n
limitare. Desena\i pe caiet formele de und` de la intrare ]i ie]ire. M`sura\i la ie]ire amplitudinile
semialternan\ei pozitive ]i ale celei negative (stabili\i, mai [nt[i, nivelul de repaus). Ce observa\i ?
Trage\i o concluzie [n leg`tura cu liniaritatea amplificatorului cu emitorul la mas`. Compara\i-l din
acest punct de vedere cu etajul cu sarcin` distribuit`.
Mic]ora\i lent amplitudinea de la generatorul de semnal, urm`rind tot timpul forma de und` de la
ie]ire. Dac` este nevoie, modifica\i sensibilitatea osciloscopului. C[nd vi se pare c` semnalul de la ie]ire nu
mai este distorsionat, opri\i-v` ]i m`sura\i amplitudinea. Acesta este regimul de semnal mic.
Pagini distractive
A. Oric[t de bune ar fi inten\iile autorului, nu putem [nv`\a dintr-o carte mai mult dec[t a [n\eles autorul
[nsu]i din domeniul despre care vorbe]te. Astfel, [ntr-o carte ambi\ioas` 1, g`sim ceea ce aproape to\i
scriitorii no]tri de c`r\i de electronic` ocolesc cu elegan\`: procedura de proiectare a unui circuit de
polarizare cu divizor, ca cel din figura al`turat`. Ne facem c` nu
vedem justificarea, eronat` ]i imprecis`, inventat` de autori pentru
RC
decizia de a pierde o tensiune de 1 V pe rezistorul din emitor ]i
R B1
constat`m cu pl`cere c`, pornind de la tema de proiectare VCE = 5 V
]i IC = 1 mA , valorile rezistoarelor din emitor ]i colector sunt + 12 V
calculate corect. De asemenea, este calculat corect poten\ialul bazei ]i
se pune condi\ia rezonabil` ca divizorul de tensiune s` nu fie
R B2
influen\at semnificativ de curentul bazei, prin alegerea unui curent
prin divizor de zece ori mai mare dec[t curentul de baz` ([n cazul sù RE
cel mai defavorabil). Calculul aritmetic le spune autorilor c`
rezistoarele divizorului trebuie s` aib` valorile RB1 = 103. 65 kΩ ]i
RB2 = 16.5 kΩ .
Dac` totul s-ar fi oprit aici, [nc` ar fi fost bine, am fi crezut c` au omis ultima etap` a procedurii de
proiectare. Dar nu, domniile lor \in s` ne [nve\e tot ce cred c` ]tiu:
" Observa\ie: Valorile rezistoarelor produse de c`tre industrie apar\in unui ]ir discret de valori
precizate [n standarde. Acolo unde valorile rezistoarelor nu sunt critice, ca de pild` [n exemplele de mai sus,
se aleg pentru rezistoare valori apar\in[nd ]irului amintit cel mai apropiat (sic !) de valorile calculate. Pentru
exemplul de mai sus ... se pot alege RC = 6.04 kΩ , RB2 = 104 kΩ , valori standardizate (ca ]i 1 kΩ ,
respectiv 16.5 kΩ )"
Erorile de exprimare ]i de tipar nu ne apar\in, 104 kΩ trebuie s` aib`, de fapt, RB1. Ce vor s` ne
spun` autorii ? C` industria produce doar un ]ir discret de valori. Acest lucru este complet fals. Valorile
rezisten\elor nu sunt cuantificate. Industria ofer` [ns` rezistoare cu diferite grade de imprecizie [n valoarea
lor (+/- 10 %, +/- 5 %, +/- 1 %, etc.). Valorile centrale ale acestor intervale formeaz` ]irul discret despre care
au aflat autorii. Ignor[nd complet gama de toleran\`, autorii caut` la [nt[mplare printre "valorile
standardizate" ]i g`sesc, de exemplu, 104 ca fiind cea mai apropiat` de 103.65, c[t a ie]it din calcul. Numai
c` aceast` valoare "standardizat`" se g`se]te doar [n seria E 192 2 care este o serie cu toleran\a de
+/- 0.5 % ! Nici valorile 6.04 ]i 16.5 nu sunt valori uzuale, ele se g`sesc doar cu toleran\e mai bune sau egale
cu +/- 1 %. {n opinia autorilor, aceste valori "nu sunt critice".
Credem c` v-a\i dat seama de ce ne sf`tuiesc autorii acest lucru : habar n-au ce precizie are calculul pe
care l-au f`cut. }tiu doar c` valorile "nu sunt critice" . {n realitate, nu avem cum s` ne a]tept`m ca tensiunea
de alimentare s` fie 12 V cu o precizie mult mai bun` de 5 % iar valorile rezisten\elor RB1 ]i RB2 au fost
ob\inute din valoarea tensiunii de alimentare, fiind propor\ionale cu aceasta. Mai mult, nici raportul lor nu
este cunoscut cu precizie deoarece divizorul a fost considerat "[n gol" dar curentul de baz` va cobor[ cam cu
o zecime valorea tensiunii m`surat` [n gol. Cu alte cuvinte, datorit` aproxima\iei f`cute, valorile calculate
pentru rezisten\elor divizorului au o imprecizie de cel pu\in 10 %. Autorii no]tri scriu rezultatul cu cinci cifre
semnificative ]i ne sf`tuiesc s` alegem rezistoare de toleran\` +/- 0.5 %. Ce noroc am avut c` "valorile nu
sunt critice" ]i nu au utilizat un calculator de buzunar cu opt cifre semnificative !
1 ***, "Electronic` ...", Editura Academiei Române, Bucure]ti, 1994, ISBN 973-27-0377-6.
2 Radu Oviudiu, "Componente electronice pasive - Catalog", Ed. Tehnic`, Bucure]ti, 1981.
B. Am mai discutat, [n Volumul 1, o problem`

R C
propus` la Olimpiada na\ional` de fizic`, 1998 3. Aceasta 1k
se refer` la "un etaj de amplificare cu un tranzistor [n R 1
2
montaj cu emitorul comun" a c`rui schem` este + 12 V
1
prezentat` [n figura al`turat`.
+
Ne ocup`m acum de n`stru]nicul rezistor 0.6 V
R2 - 5 mA
intercalat [n circuitul emitorului, care are valoarea de
6k RE 2'
1 Ω. La curentul de 5 mA pe el cade [n repaus o tensiune
de 5 mV, infim` [n compara\ie cu tensiunea baz`-emitor 1' K 1Ω
cu valoarea de 600 mV. Din acest motiv, efectul acestui
rezistor asupra stabilit`\ii termice este practic inexistent.
Pe de alt` parte, acest rezistor mic]oreaz` amplificarea de tensiune a etajului, aceasta av[nd expresia
RC
A= .
re + RE
La curentul de colector precizat, rezisten\a dinamic` re are valoarea de 5 Ω; astfel, introducerea rezistorului
din emitor coboar` amplificarea de la 200 doar la 167, reac\ia negativ` introdus` fiind extrem de slab`.
{n concluzie, prezen\a rezistorului de 1 Ω din emitor nu are nici un rost. Dac` nu ne g[ndim la acela al
deconspir`rii gradului de competen\` al autorului problemei.
3 ***, "Fizic`", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educa\ional, Bucure]ti, 2000.
CAPITOLUL
Amplificatorul diferen\ial
+VA +VA
RC RC RC RC
VCQ VCQ
0 0
0 0
0 T1 T2 0
0 T1 T2 0
+ ∆ V in dif + - ∆ V in dif
- 2 - ∆ VE =0 + 2
0 0
-V A -V A
excita\ie pe mod comun excita\ie pe mod diferen\ial
A. Introducere 182
B. Etajul diferen\ial ideal 182
C. Performan\ele etajelor diferen\iale reale 188
D. Utilizarea amplificatoarelor diferen\iale 197
E. Proiectarea unui etaj diferen\ial 207
A. Introducere
Dintre etajele cu un singur tranzistor, numai amplificatorul cu emitor comun ofer` o amplificare de
tensiune mare cu o impedan\` de intrare rezonabil`. Cu toate acestea, el nu poate rezolva o problem` extrem
de frecvent [nt[lnit` [n aplica\ii: amplificarea unui semnal de amplitudine foarte mic` (de la microvol\i spre
1 mV) ce evolueaz` [n jurul valorii 0 foarte lent sau chiar r`m[ne constant. Aceasta este situa\ia
semnalului oferit de un termocuplu care m`soar` temperaturi, a semnalelor bioelectrice ]i a multor altor
senzori utiliz\i [n ]tiin\` sau tehnologie.
Prima dificultate vine din faptul c` semnalul evolueaz` [n jurul +10 V
valorii zero, pe c[nd baza tranzistorului trebuie s` se afle pe la 600 mV. {n
audiofrecven\` (20 Hz - 20 kHz) problema se rezolva prin cuplarea 5k
generatorului de semnal prin intermediul unui condensator ce blocheaz` termocuplu
componenta continu`, dar la 0.001 Hz solu\ia este nepractic` iar la 0 Hz
devine de-a dreptul imposibil`. Am putea, [n principiu, rezolva problema 5V
intercal[nd [n serie cu generatorul de semnal o surs` de tensiune continu`
+ ≅ 0.6 V
cu valoarea ajustat` fin, pentru a stabili regimul de repaus dorit pentru -
tranzistor (Fig. 13.1). Deocamdat` aceast` solu\ie pare numai dificil`,
[ntruc[t sursa de tensiune continu`, cu o valoare [n jur de 0.6 V, trebuie s`
nu-]i modifice [n timp tensiunea cu mai mult de 1 µV - 10µV (dup` c[t Fig. 13.1. Cuplarea
este m`rimea semnalului ce trebuie amplificat), ceea ce [nseamn` o senzorului [n curent
stabilitate de 2-20 p`r\i [ntr-un milion ! continuu la un amplificator
Dar chiar dac` am rezolvat prima dificultate, ne a]teapt` alta: cu emitor comun.
evolu\ia cu temperatura a curentului prin tranzistor. {n plus, polarizarea cu
o surs` ideal` de tensiune a agravat aceast` problem`, acum fiecare modificare cu un grad este echivalent` cu
+Valim o varia\ie de aproximativ 2mV a semnalului de la senzor. Bine,
ve\i spune, dar aceste lucruri se [nt[mplau ]i la audiofrecven\`,
RC acolo de ce nu ne deranjau ? Pentru c` temperatura se modific`
Cout
lent, mult mai lent dec[t cele 20 de cicluri pe secund` ale celui
mai "grav" semnal audio ]i putem s` separ`m aceste efecte dup`
Cin gama lor de frecven\e. Condensatorul din emitor CE (Fig. 13.2)
in
sarcina scurtcircuiteaz` rezisten\a RE numai la frecven\e peste 20 Hz ]i
numai acolo amplificarea este de ordinul sutelor; pentru
CE
RE frecven\e foarte mici, inclusiv frecven\a zero, amplificarea este
RC RE , abia ajung[nd pe la valoarea 10. {n plus, condensatorul
de ie]ire Cout ac\ioneaz` [mpreun` cu rezisten\a de sarcin` ]i
Fig. 13.2. Amplificator audio cu emitor impedan\a de ie]ire ca un filtru trece sus, amplificarea sc`z[nd,
comun. peste frecven\a de tìere, ca 1 f .
B. Etajul diferen\ial ideal
{n situa\ia experimental` pe care o analiz`m, semnalul util are componentele [n aceea]i band` de
frecven\e ca ]i efectele datorate varia\iei temperaturii ]i nu poate fi separat de acestea prin filtrare. Trebuie
s`-l separ`m folosind alt criteriu. Solu\ia o reprezint` utilizarea unei structuri simetrice, realizat` cu dou`
tranzistoare pe care le vom presupune, deocamdat`, perfect identice, montate ca [n Fig. 13.3. Varia\ia
temperaturii va afecta identic cele dou` tranzistoare dar semnalul pe care vrem s`-l amplific`m va fi aplicat [n
Cap. 13. Amplificatorul diferen\ial 183
a]a fel [nc[t s` ac\ioneze asupra tranzistoarelor [n sensuri +VA

contrare, produc[nd o diferen\` [ntre poten\ialele bazelor.
RC RC
Acesta este noul criteriu care va permite separarea efectelor
semnalului de cele ale modific`rii temperaturii. ICQ iesiri ICQ
Deoarece este sensibil` numai la diferen\a poten\ialelor
bazelor, structura din Fig. 13.3 se nume]te etaj diferen\ial sau
amplificator diferen\ial. Avantajele oferite de ea sunt mai T1 T2
numeroase ]i, din aceast` cauz`, este cea mai utilizat`
configura\ie [n instrumenta\ia electronic`, at[t [n forma sa cu RB RB
tranzistoare discrete, c[t mai ales [n componen\a
amplificatoarelor opera\ionale (integrate).
Trucul ce st` la baza func\ion`rii etajului diferen\ial I EE = 2I CQ
const` [n legarea celor dou` emitoare [mpreun`, tranzistoarele
fiind puse astfel s` concureze [n orice moment pentru [mp`r\irea -V A
curentului constant I EE furnizat de sursa ideal` de curent
Fig. 13.3. Structura etajului diferen\ial.
IC1 ( t ) + I C 2 ( t ) = I EE = constant . (13.1)
Regimul de repaus
{n starea de repaus, datorit` perfectei simetrii a etajului, [mp`r\irea se face fr`\e]te ]i avem curen\ii de
colector de repaus
ICQ1 = I CQ 2 = I CQ = I EE 2 (13.2)
ambele colectoare g`sind-se la poten\ialul de repaus
VCQ = V A − I CQ RC . (13.3)
Curen\ii prin baze, I BQ = ICQ β , sunt mici iar rezisten\ele RB au o valoare suficient de cobor[t`
[nc[t pe ele s` cad` doar c[teva zecimi de volt. Astfel, bazele sunt [n repaus la poten\ial nul
VBQ1 = VBQ 2 ≅ 0 (13.4)
iar poten\ialul emitoarelor este cu 0.6 V mai jos
VEQ ≅ −0.6 V . (13.5)
Pentru ca tranzistoarele s` fie [n regiunea activ`, poten\ialul de colector trebuie s` fie la valori pozitive;
cel mai adesea, el se stabile]te la jum`tate [ntre mas` ]i alimentarea pozitiv`, adic` la V A 2 .
Efectul temperaturii
Ce se [nt[mpl` cu acest punct static de func\ionare la modificarea temperaturii ? Elementele cheie sunt
acelea c` tranzistoarele ]i rezistoarele celor dou` sec\iuni sunt perfect identice ]i ambele tranzistoare au
aceea]i temperatur`. Pentru un astfel de etaj diferen\ial ideal, tranzistoarele sufer` modific`ri identice ale
parametrilor lor ]i, [n consecin\`, simetria etajului se p`streaz`. Dar simetria cere ca IC1 = I C 2 = I EE 2
]i, deci
punctul de func\ionare al etajului diferen\ial ideal este complet insensibil la varia\iile temperaturii.
C[t de aproape de aceast` func\ionare ideal` ajung etajele diferen\iale reale vom discuta pu\in mai
t[rziu.
Excitarea pe mod comun +VA
Etajul diferen\ial are dou` intr`ri, care RC RC

sunt bazele celor dou` tranzistoare, ]i dou` ie]iri,
care sunt colectoarele tranzistoarelor. Av[nd la 0 0
dispozi\ie dou` intr`ri, [l putem excita [n mai

multe moduri. Cel mai simplu este s` leg`m bazele
[mpreun` ]i s` le conect`m la un generator de 0 T1 T2 0
semnal capabil s` furnizeze curentul continuu de ∆V +

in com
polarizare a bazelor, ca [n Fig. 13.4. O asemenea -
excita\ie [n care poten\ialele bazelor sufer` varia\ii 0
identice se nume]te pe mod comun. Tensiunea de
intrare este evident ∆Vin com = ∆VB1 = ∆VB2 . O
I EE
tensiune de intrare pe mod comun se poate defini,
[ns`, pe cazul general c[nd ∆VB1 ≠ ∆VB2 prin -V A
media celor dou` varia\ii
Fig. 13.4. Excitarea pe mod comun.
∆VB1 + ∆VB2
vin com = ∆Vin com = ; (13.6)
2
cum valorile de repaus fa\` de care se m`soar` aceste varia\ii sunt nule, tensiunea de intrare pe mod comun
este de fapt chiar media poten\ialelor bazelor vin com = (VB1 + VB2 ) 2
De]i poten\ialele bazelor sufer` varia\ii fa\` de valoarea de repaus care este 0 V, deoarece acestea sunt
egale, simetria etajului se p`streaz` ]i curen\ii de colector nu se modific`. {n consecin\`, varia\iile
poten\ialelor de colector [n raport cu valoarea de repaus VCQ sunt nule, ∆VC1 = ∆VC 2 = 0 . Putem defini, pe
cazul general, ]i o tensiune de ie]ire pe mod comun, tot cu medie,
∆VC1 + ∆VC 2
vout com = ∆Vout com = ; (13.7)
2
de data aceasta valorile de repaus nu mai sunt nule (colectoarele nu stau [n repaus la poten\ialul masei) ]i
trebuie s` avem grij` s` lu`m [ntodeauna varia\iile fa\` de regimul de repaus.
Pe cazul general (nu neap`rat excita\ie pe mod comun), tensiunile de intrare ]i ie]ire pe mod comun se
definesc ca medii ale varia\iilor poten\ialelor bazelor ]i, respectiv, colectoarelor celor dou` tranzistoare.
Introducem, astfel, amplificarea pe mod comun
∆VC
Acom =
∆VB ; (13.8)
ea este nul` pentru etajul diferen\ial ideal.
Pentru etajul diferen\ial ideal, excita\ia pe mod comun nu are nici un efect; amplificarea pe mod
comun este nul`.
S` vedem acum ce impedan\` vede generatorul de semnal care excit` pe mod comun etajul. Curen\ii
de colector nu se modific`, deci nu se vor modifica nici curen\ii din baze ]i ∆ I B1 = ∆ I B2 = 0 . {n consecin\`,
impedan\a de intrare pe mod comun a etajului diferen\ial ideal este infinit`.
Acest lucru nu [nseamn` c` etajul diferen\ial are curen\i nuli [n baze, ei exist` ]i sunt egali cu ICQ β ,
dar sunt perfect constan\i [n timp. Generatorul de semnal (sau rezisten\ele de polarizare legate [ntre baze ]i
mas`) trebuie s` furnizeze ace]ti curen\i, [n caz contrar etajul nu func\ioneaz`.
C[t de mare poate fi excita\ia pe mod comun

Pentru ca ra\ionamentul nostru anterior s` fie corect, trebuie ca tranzistoarele s` fie [n regiunea activ`
iar sursa ideal` de curent s` func\ioneze. Din acest motiv, excita\ia pe mod comun nu poate fi oric[t de mare.
Dac` poten\ialul comun al bazelor urc` peste poten\ialul de repaus al colectoarelor VCQ , se deschid
jonc\iunile baz`-colector ]i tranzistoarele intr` [n satura\ie. Pe de alt` parte, dac` poten\ialul bazelor coboar`
prea aproape de −V A , poten\ialul emitoarelor, care este cu -0.6 V mai jos, ajunge ]i el [n apropierea lui −V A
]i sursa de curent [nceteaz` s` mai func\ioneze (spunem c` sursa are o complian\` de tensiune limitat`). {n
concluzie,
Excursia permis` a semnalului de mod comun este mare, de ordinul vol\ilor, fiind limitat` superior de
poten\ialul de repaus al colectoarelor, VCQ , iar inferior de complian\a de tensiune a sursei de curent.
Excitarea diferen\ial` cu semnale mici

S` excit`m acum etajul [ntr-un mod complet diferit, asigur[nd ca [n orice moment varia\iile
poten\ialelor bazelor s` fie egale dar opuse ca semn, ca [n Fig. 13.5; astfel, tensiunea de intrare pe mod
comun (media) este nul` [n orice moment.
Definim [n general (nu neap`rat cu excita\ie pur diferen\ial`) tensiunea de intrare diferen\ial` prin
diferen\a varia\iilor poten\ialelor bazelor
vin dif = ∆Vin dif = ∆VB1 − ∆VB2 = (VB1 − VBQ1 ) − (VB2 − VBQ 2 ) ; (13.9)
cum [n repaus bazele au poten\iale egale, +VA

tensiunea de intrare diferen\ial` este, de fapt,
diferen\a [ntre poten\ialele bazelor RC RC
VCQ VCQ
vin dif = VB1 − VB2 (13.10)

0 0
{ncazul excita\iei pur diferen\iale, 0 T1 T2 0
VB1 = −VB2 ]i bazele sufer` varia\iile + ∆V in dif + + _ ∆V

in dif
+Vin dif 2 ]i, respectv, −Vin dif 2 . Ce se 2 - ∆ VE =0 - 2
[nt[mpl` acum cu poten\ialele colectoarelor ? 0
Pentru a r`spunde la aceast` [ntrebare, s` vedem
ce face poten\ialul emitoarelor VE [n cazul unor I EE
varia\ii mici. Cu modelul tranzistorului pe care
-V A
l-am folosit [n capitolele anterioare, schema
echivalent` pentru varia\ii mici este cea din Fig. Fig. 13.5. Excitarea pe mod pur diferen\ial.
13.6 a). Varia\iile poten\ialelor bazelor se
reg`sesc identic la emitoarele "interne".
Pentru varia\ia de poten\ial ∆VE a
_ ∆V emitoarelor externe (adev`rate) aplic`m
+ ∆V in dif in dif
T1 T2 teorema Milman, \in[nd seama c` cele dou`
2 2
_ ∆V rezisten\e dinamice din emitoare sunt identice
2 re 2 datorit` egalit`\ii curen\ilor de repaus,
re
∆VE =0
Emitor 1 Emitor 2
∆ I EE = 0 ∆VB1 re + ∆VB2 re
∆VE = =0 .
2 re
(13.11)
a)
Pentru semnale mici, poten\ialul
+V A
emitoarelor este aproximativ constant;
pentru varia\ii este ca ]i cum acest punct ar
RC RC fi legat la mas`.
∆V in dif
- + Fiecare dintre tranzistoare ac\ioneaz`

separat ca ni]te amplificatoare banale cu
T2 T1 emitorul la mas`, unul amplific[nd semnalul
+Vin dif 2 iar cel`lalt semnalul −Vin dif 2 .
pentru varia\ii mici, poten\ialul emitoarelor este Astfel, excitat diferen\ial cu semnale mici,
constant ]i acestea par legatela mas` etajul diferen\ial este echivalent cu structura
ar`tat` [n Fig. 13.6 b).
b) Cum amplificarea de semnal mic a unui
etaj cu emitorul la mas` este A = − RC re ,
Fig. 13.6. Analiza excit`rii pe mod diferen\ial (a) ]i schema putem calcula imediat varia\iile poten\ialelor
echivalent` (b). de colector
R
∆VC1 = − C ∆Vin dif ;
2re
. (13.12)
R
∆VC 2 = + C ∆Vin dif
2re
Colectoarele sufer` varia\ii de poten\ial egale ]i de sensuri contrare; astfel, tensiunea de ie]ire pe mod comun
∆Vout com = ( ∆VC1 + ∆VC 2 ) 2 este nul`.
A]a cum am definit o tensiune de intrare diferen\ial`, definim tensiunea de ie]ire diferen\ial`, prin
diferen\a [ntre varia\iile de poten\ial ale colectoarelor
vout dif = ∆Vout dif = ∆VC1 − ∆VC 2 = (VC1 − VCQ ) − (VC 2 − VCQ ) =
. (13.13)
= VC1 − VC 2
Putem acum caracteriza comportarea amplificatorului prin amplificarea pe mod diferen\ial, definit` ca
∆Vout dif V −V
Adif = = C1 C 2 ; (13.14)
∆Vin dif VB1 − VB2
din (13.12) rezult` imediat valoarea acesteia
R ICQ RC U RC repaus
Adif = − C = − =− (13.15)
re VT 25 mV
Excitat pe mod diferen\ial cu semnale mici, etajul diferen\ial are o amplificare egal` cu aceea a unui
amplificator cu emitor comun operat [n acela]i punct static de func\ionare ]i cu aceea]i rezisten\` de colector.
Polarizat astfel [nc[t VCQ = V A 2 , valoarea amplific`rii pe mod diferen\ial este pur ]i simplu 20
[nmul\it cu tensiunea de alimentare V A exprimat` [n vol\i.
Din schema echivalent` din Fig. 13.6 b) rezult` imediat ]i impedan\a de intrare v`zut` de generatorul
de semnal: dublul impedan\ei de intrare [ntr-una din baze (deoarece sunt v`zute [n serie), adic`
25 mV
Zin dif = 2β re = 2β (13.16).
ICQ
Putem trage acum o concluzie [n privin\a comport`rii etajului diferen\ial ideal.
Dac` poten\ialele bazelor sunt [n orice moment egale [ntre ele, atunci acestea pot evolua [n limite largi
f`r` ca acest lucru s` se resimt` la ie]ire. Un dezechilibru [ntre poten\ialele bazelor produce, [ns`, un
dezechilibru de sute de ori mai mare [ntre poten\ialele celor dou` colectoare; etajul este sensibil, astfel, numai
la diferen\a [ntre poten\ialele intr`rilor.
C. Performan\ele etajelor diferen\iale reale
Etajele diferen\iale disponibile nu sunt ideale

A venit momentul s` ne [ntreb`m c[t de aproape de idealitate sunt etajele diferen\iale reale. Dac`
tranzistoarele ]i rezistoarele celor dou` sec\iuni ale etajului diferen\ial ar fi perfect identice, atunci, cu cele
dou` baze legate la mas`, poten\ialele celor dou` colectoare ar fi perfect egale VC1 = VC 2 . {n realitate [ns`,
ariile celor dou` tranzistoare nu sunt exact egale, valorile parametrilor I s din caracteristica de transfer
IC = I s eVBE VT difer` pu\in [ntre ele ]i, [n consecin\`, de]i tensiunile baz`-emitor sunt identice,
(VBE1 = VBE 2 ) curen\ii de colector nu sunt, IC1 ≠ I C 2 . La aceasta se mai adaug` ne[mpercherea exact` a
rezistoarelor din colector RC1 ≠ RC 2 ; astfel,
la un etaj diferen\ial real, chiar dac` leg`m la mas` ambele intr`ri, poten\ialele de colector nu sunt riguros
egale.
+VA Pentru caracterizarea cantitativ` a acestui

dezechilibru nu se utilizeaz` diferen\a VC1 − VC 2 de la
RC RC ie]ire ci diferen\a VOS = VB1 − VB2 care, aplicat` la
VC1 = VC2 intrare, ar restabili echilibrul (Fig. 13.7). Aceast` tensiune
este numit` tensiune de decalaj raportat` la intrare
sau, mai scurt, tensiune de decalaj (voltage offset [n
limba englez`. Cu alte cuvinte,
T1 T2
+ ne[mperecherea exact` a componentelor are exact acela]i
VOS efect ca tensiunea de decalaj aplicat` la intrarea unui etaj
-
ideal.
Acest mod de a caracteriza efectul neidenticit`\ii

sec\iunilor are dou` avantaje esen\iale. {n primul r[nd,
este independent de m`rimea amplific`rii Adif (lucru
-V A
care nu s-ar fi [nt[mplat dac` am fi m`surat efectul la
Fig. 13.7. Definirea tensiunii de decalaj la ie]ire). {n al doilea r[nd, tensiunea de decalaj poate fi
intrare: sursa de tensiune VOS elimin` comparat` direct cu m`rimea semnalului care trebuie
dezechilibrul produs de ne[nperecherea amplificat ]i putem decide imediat dac` efectul este sau
componentelor. nu deranjant. De exemplu, o tensiune de decalaj de 1 mV
ar putea fi acceptat` c[nd amplific`m un semnal de
100 mV dar reprezint` o problem` ce trebuie rezolvat` dac` vrem s` amplific`m un semnal de 0.1 mV.
Atunci c[nd se realizeaz` mai multe exemplare de etaje diferen\iale, cu aceea]i schem` ]i componente
de acela]i tip, gradul de [mperechere a componentelor difer` de la exemplar la exemplar ]i tensiunea de
decalaj VOS este [mpr`]tiat` statistic, av[nd at[t valori pozitive c[t ]i valori negative. Aproape niciodat` ea nu
este cunoscut` pentru un anumit exemplar, se cunoa]te o valoare tipic`, ]i o valoare maxim` a modulului
acestei tensiuni (produc`torul a aruncat exemplarele la care gradul de [mperechere era insuficient). Evident,
la proiectare trebuie s` lua\i [n considera\ie cazul cel mai defavorabil, adic` valoarea maxim`.
Cu tranzistoare discrete trebuie s` v` a]tepta\i la valori mari ale tensiunii de decalaj. O solu\ie bun`
este utilizarea unei perechi de tranzistoare dintr-o arie de tranzistoare integrat` (un circuit integrat cu
tranzistoare pe care pute\i s` le interconecta\i dup` dorin\`). Cu aceste tranzistoare pute\i ob\ine tensiuni de
decalaj de ordinul 3-5 mV. Tensiuni de decalaj cam de acee]i valoare ofer` ]i amplificatoarele opera\ionale
741, odat` la mod`, dar acum considerate
dep`]ite (Fig. 13.8 a). Amplificatorul 10mV 10mV oC
opera\ional OP 27, care este acum standard 741 emitor comun
1m V oC
industrial, are tensiunea de decalaj tipic` 1mV
de 10 µV iar cea maxim` de 25 µV. Pentru 100µV oC
aplica\ii speciale pute\i g`si un 100µ V
10µV oC 741
amplifiactor opera\ional ]i mai bun, cum
10µ V OP27
este AD707C, cu o tensiune de decalaj AD707C 1µ V oC
tipic` de numai 5 µV. OP27
1µV OP77
C[nd am vorbit despre efectul nul al LTC1050 100nV oC
temperaturii asupra etajului diferen\ial 100nV
10n V oC LTC1050
ideal, ne-am bazat pe [mperecherea absolut
exact` a componentelor. {n realitate ele nu a) b)
sunt [mperecheate perfect ]i nici Fig. 13.8. Valori tipice pentru tensiunea de decalaj (a) ]i pentru
temperaturile celor dou` tranzistoarer nu driftul ei cu temperatura (b).
sunt riguros egale; [n consecin\`,
temperatura afecteaz` punctul de func\ionare. M`rimea acestui efect se caracterizeaz` prin coeficientul de
varia\ie cu temperatura a tensiunii de decalaj (numit uneori, simplu, drift termic)
{n cazul etajelor cu componente discrete, tranzistoarele ]i rezistoarele trebuie selec\ionate cu grij` iar
tranzistoarele montate [n foarte bun contact termic unul cu cel`lalt. Oric[t de bine am face aceste lucruri,
driftul termic nu poate fi redus prea mult.
Cu totul altfel stau lucrurile dac` tranzistoarele sunt realizate pe acela]i "chip" de siliciu: ele sunt mult
mai apropiate ca parametri iar diferen\a [ntre temperaturile lor este extrem de mic`. Din acest motiv, cu
tranzistoare dintr-o arie integrat`, driftul tensiunii de decalaj este de ordinul a 1-2 µV pe grad. Etajele de
intrare ale amplificatoarelor opera\ionale de precizie sunt optimizate din acest punct de vedere ]i driftul
termic este [nc` ]i mai mic (Fig. 13.8 b). La amplificatorul opera\ional OP27, acesta este doar de 0.2-0.6 µV
pe grad iar, dac` dori\i unul ]i mai bun, [l pute\i alege pe OP77 care are numai 0.1-0.3 µV pe grad.
Printr-o tehnic` special`, ce implic` func\ionarea anumitor etaj [n regim de comuta\ie, se realizeaz`
amplificatoare opera\ionale "stabilizate prin e]antionare" (chopper stabilized), cum este LTC1050, care
ajung la tensiuni de decalaj de numai 0.7 µV, cu o valoare a driftului de 0.01-0.05 µV pe grad.
O alt` presupunere pe care am f`cut-o asupra etajului diferen\ial ideal este c` sursa de curent din
emitoare este ideal`. A]a ceva nu exist`, orice surs` de curent realizabil` are o rezisten\` dinamic` ce nu
este infinit`. Din aceast` cauz`, amplificarea pe mod comun a unui etaj diferen\ial real nu poate fi nul`.
Am[n`m discu\ia cantitativ` a acestui aspect dar vom reveni atunci c[nd vom [ncerca s` [nlocuim sursa de
curent, pentru economie,cu un banal rezistor.
Excitarea diferen\ial` cu semnale mari

Cu pu\in efort algebric, putem s` deducem comportarea etajului la excita\ie diferen\ial`, f`r` s` mai
consider`m varia\iile ca fiind mici. L`s`m calculul pe seama problemei rezolvate de la sf[r]itul capitolului;
acesta conduce [n final la caracteristica de transfer intrare-ie]ire
F vin dif I
vout dif = ∆Vout dif = VC1 − VC 2 = −2 I CQ RC tanh GH 2VT JK (13.17)
care este o dependen\` dup` func\ia tangent` hiperbolic`.
vout dif
2 R C I CQ
0 t
-0.1 0.0 0.1
v in dif (V)
_ 2R I
C CQ
Fig. 13.9. Carcteristica de transfer a etajului diferen\ial.
Forma acestei dependen\e, este reprezentat` [n Fig. 13.9. Caracteristica de transfer a etajului este deci
neliniar`, tensiunea de ie]ire diferen\ial` limit[nd-
se asimptotic la valorile ±2I CQ RC = ± I EE RC +VA
situa\ii [n care curentul furnizat de sursa de curent RC RC

trece practic numai printr-unul dintre tranzistoare. VCQ VCQ
{n zona unde argumentul func\iei hiperbolice este
<< 1, adic` vin dif << 50 mV , caracteristica este
d
aproximativ liniar`, av[nd panta − I CQ RC i VT . 0
T1 T2 0
_ ∆V
Tocmai am reg`sit regimul de varia\ii mici [n jurul + ∆V in dif
punctului static de func\ionare (situat la
2 ~ ~ 2
in dif
RE RE
vin dif = 0 ) ]i chiar formula (13.15) a
amplific`rii.
A]a cum a fost considerat p[n` acum, etajul ∆ VE =0
diferen\ial este un amplificator de semnal mic.
Dac` dorim ca excursia ∆Vout dif s` fie mare, I EE
semnalul va fi distorsionat. {n plus, trebuie s`

-V A
\inem seama ]i de un alt aspect: jonc\iunea baz`
emitor a unui tranzistor bipolar se str`punge Fig. 13.10. Etaj diferen\ial cu degenerare [n emitoare.
invers la o tensiune peste 6 V. Din aceast` cauz`,
chiar dac` nu ne deranjeaz` neliniaritatea, excursia tensiunii de intrare diferen\iale trebuie s` fie limitat` sub
+/- 6 V.
cu rezisten\e Putem extinde domeniul de

[n emitor f`r` rezisten\e
vout dif
[n emitor
liniaritate al etajului, cu pre\ul
2 R C I CQ sc`derii amplific`rii, exact a]a cum
am f`cut [n cazul etajului cu emitor
R E I CQ
comun: prin intercalarea unor
rezisten\e [n emitoare (degenerare [n
0 emitor), ca [n Fig. 13.10. Cum
-2.0 -1.0 0.0 1.0 2.0 v in dif (V) rezisten\ele RE apar [n serie cu
rezisten\ele dinamice intrinseci re ]i
-R E I CQ
_ 2R sunt mult mai mari dec[t acestea,
C I CQ
formula amplific`rii diferen\iale de
semnal mic devine
Fig. 13.11. Carcateristica de transfer a etajului diferen\ial degenerat [n
emitoare (linia groas`) [n compara\ie cu a etajului nedegenerat. Ad
eroarea relativ` a acestei aproxima\ii este de ordinul raportului [ntre tensiunea termic` de 25 mV ]i tensiunea
pierdut` [n repaus pe RE .
Ceea ce am c[stigat cu pre\ul mic]or`rii amplific`rii, se observ` pe noua caracteristic` de transfer,
reprezentat` [n Fig. 13.11, comparativ cu aceea a etajului f`r` rezisten\e [n emitor. Liniaritatea se extinde
mult, ceea ce permite ob\inerea [n colectoare a unor excursii de tensiune p[n` aproape de tensiunea de
alimentare. {n plus, acum o parte important` din tensiunea VB1 − VB2 cade pe rezisten\ele din emitor ]i
jonc\iunile baz`-emitor nu mai sunt [n pericol s` se str`pung` invers.
Un alt punct c[]tigat datorit` sacrific`rii amplific`rii este impedan\a de intrare, care se m`re]te,
devenind acum
+VA
Zin dif = 2β RE . (13.19)
RC RC
Varianta ieftin`: [nlocuirea sursei de curent cu un ICQ iesiri ICQ

rezistor
De multe ori se prefer` utilizarea, [n locul sursei de
curent, a unui banal rezistor, ca [n Fig. 13.12 Mai pu\in T1 T2
academici [n exprimare, unii autori americani numesc acest etaj
RB RB
"long-tailed pair", adic` perechea cu coad` lung`. Analiza
acestui etaj este util` ]i dintr-un alt motiv, mai pu\in evident la
I EEQ
prima privire: sursele de curent pe care le putem efectiv lega [n
emitoarele etajului diferen\ial nu sunt niciodat` ideale, av[nd o R EE
rezisten\` dinamic` ree .
S` relu`m cazul excita\iei pe mod comun. De]i simetria
-V A
etajului se p`streaz`, suma I EE a curen\ilor de emitor nu mai
(-0.6 V -V A )
r`m[ne constant`. Desen`m schema echivalent` pentru varia\ii I EEQ =
R EE
din Fig. 13.13 a) dar, [n loc s` scriem ecua\ii, prefer`m s`
facem o scamatorie: consider`m c` rezisten\a REE este
Fig. 13.12. Varianta ieftin` a etajului
alc`tuit` din dou` rezisten\e de valoare 2REE legate [n paralel
diferen\ial: sursa de curent a fost [nlocuit`
(desenul b al figurii). Circuitul este perfect simetric, nu exist` cu rezistorul R .
EE
curent [ntre ramurile verticale care pot fi, astfel, desp`r\ite ca
ni]te fra\i siamezi.
∆ IE ∆I E
∆ Vin com ∆ Vin com
∆ Vin com re re
T1 T2 ∆ Vin com
Emitor 1 Emitor 2
∆ Vin com ∆ Vin com ∆ VE
re re curent nul
∆ VE 2R EE 2R EE
Emitor 1 Emitor 2
∆ I EE
R EE ∆ I EE
∆ ( -VA ) = 0
∆ ( -VA ) = 0
a) b)
+VA
RC RC
∆ Vin com
T2 T1
~
2R EE 2R EE
-VA
c)
Fig. 13.13. Excitarea pe mod comun a unui etaj diferen\ial la care sursa de curent a fost [nlocuit` cu rezistorul
REE (a,b) ]i schema echivalent` (c).
Rezult` imediat c` ∆ I C = ∆ I E = ∆Vin com ( re + 2 REE ) ≅ ∆Vin com 2 REE , circuitul fiind
echivalent cu cel din Fig. 13.13 c). Recunoa]tem aici dou` amplificatoare cu sarcin` distribuit`, excitate cu
acela]i semnal ∆Vin com . Ele au [n emitor, [ns`, o rezisten\` de dou` ori mai mari dec[t REE (efect al
desp`r\irii fra\ilor siamezi). Avem, deci, amplificarea pe mod comun
RC
Acom = − (13.20)
2 REE
care nu mai este nul`. Cum pe rezisten\a din colector tensiunea este I CQ RC ≅ V A 2 iar pe REE cade
tensiunea 2I CQ REE ≅ V A , cele dou` rezisten\e RC ]i REE trebuie s` aib` valori apropiate ]i modulul
amplific`rii pe mod comun este pe undeva pe la 0.5.
Dac` am fi utilizat, [ns`, o surs` de curent cu un tranzistor bipolar, ea ar fi avut o rezisten\` dinamic`
ree peste 1 MΩ. {n formula amplific`rii de mod comun ar fi ap`rut aceast` rezisten\` dinamic` (aminti\i-v`,
amplific`rile se definesc pentru varia\ii ]i trebuie s` lu`m [n consideratie rezisten\ele dinamice)
RC
Acom = −
2ree
]i am fi ob\inut o valoare a amplific`rii de mod comun de ordinul 0.001-0.01.
Dac` impedan\a v`zut` de punctul comun al emitoarelor nu este infinit`, atunci etajul diferen\ial este
sensibil ]i la excita\ia pe modul comun; amplificarea pe mod comun nu mai este nul`, modulul ei fiind egal
cu raportul [ntre rezisten\a de colector RC ]i dublul acestei impedan\e.
Despre etajul cu sarcin` distribuit` mai ]tim un lucru foarte important: comportarea sa este liniar`
pentru excursii mari ale tensiunilor de intrare ]i ie]ire. Acest avantaj l-a c[]tigat tocmai renun\[nd la valoarea
mare a amplific`rii. Cum pe mod comun etajul diferen\ial este echivalent cu dou` astfel de etaje,
comportarea etajului diferen\ial la excitarea pe mod comun este liniar` pentru excursii mari ale tensiunii de
intrare.
Faptul c` [n emitoarele tranzistoarelor nu mai avem o surs` ideal` de curent (cu impedan\` infinit`) are
efect ]i asupra impedan\ei de intrare pe mod comun, care nici ea nu va mai fi infinit`. {ntr-adev`r, generatorul
din Fig. 13.13 c) vede [n paralel dou` impedan\e de valoare 2β REE , ceea ce conduce la o impedan\` de
intrare
Zin com = β REE . (13.21)
Cu un rezistor pe post de surs` de curent, aceast` impedan\` poate ajunge pe la 1 MΩ dar cu o surs` de curent
cu tranzistor, valoarea impedan\ei pe mod comun este extrem de mare, de ordinul sutelor de MΩ. Vom vedea
c` [n unele aplica\ii aceast` performan\` este
esen\ial`.
Am v`zut c` [nlocuirea sursei de _ ∆V
curent cu un rezistor face ca etajul s` fie mult T1 T2
2
2 _ ∆V
mai sensibil pe mod comun, amplificarea pe + ∆V in dif in dif
acest mod cresc[nd de pe la citeva miimi spre 2 re re 2
0.5. E normal s` ne punem [ntrebarea: dar cu ∆ VE = 0
Emitor 1 Emitor 2
amplificarea diferen\ial` ce se [nt[mpl` ?
Surprinz`tor, amplificarea diferen\ial` R EE
r`m[ne aceea]i.
Acest lucru se poate ar`ta imediat dac` ∆ ( -VA ) = 0
ne [ntoarcem la desenul din Fig. 13.5 a) ]i
leg`m rezisten\a REE [ntre nodul Fig. 13.14. De]i sursa de curent a fost [nlocuit` cu
emitoarelor ]i alimentarea negativ`, unde rezistorul REE , la semnale mici emitoarele par [n
∆( −V ) = 0 (Fig 13.14). Exprim[nd din nou continuare legate la mas` ( ∆VE = 0 ).
A
varia\ia ∆VE cu teorema Milman, a]a cum
am f`cut la expresia (13.7), ob\inem acum
∆VB1 re + ∆VB2 re
∆VE = = 0; (13.22)
2 re + REE
prezen\a lui REE de valore finit` a modificat numai numitorul expresiei, num`r`torul fiind [n continuare nul.
Ca urmare, este ca ]i cum nodul emitoarelor ar fi legat la mas` [n alternativ, ]i ajungem la aceea]i expresie a
amplific`rii diferen\iale Adif = − RC re .
{napoi [n lumea real`: excitare mixt`

Modurile speciale de excitare pe care le-am analizat p[n` acum sunt utile pentru definirea sugestiv` a
amplific`rilor Acom ]i Adif , ca ]i pentru verificarea func\ion`rii etajului ]i m`surarea performan\elor sale. {n
aplica\ii, aproape niciodat` nu este [ndeplinit` vreuna din condi\iile VB1 = VB2 sau VB2 = −VB1 ,
poten\ialele celor dou` intr`ri av[nd valori oarecare. Putem s` interpret`m, [ns`, orice excita\ie oarecare
ca o suprapunere [ntre una pe mod comun, de valoare vin com = (VB1 + VB2 ) 2 , ]i una pur diferen\ial`, de
valoare vin dif = VB1 − VB2 , a]a cum se vede [n Fig. 13.15.
Dac` cele dou` tensiuni vin com ]i vin dif nu scot amplificatorul din regimul liniar de func\ionare,
atunci putem aplica teorema superpozi\iei ]i calcula separat efectul fiec`reia.
S` presupunem, de exemplu, c` bazele unui etaj diferen\ial, av[nd Acom = −0. 01, Adif = −200 ]i
poten\ialul de repaus VCQ = +10 V , sunt legate la poten\ialele VB1 = +5.01 V ]i, respectiv,
VB1 = +5.00 V . Datorit` excita\iei de mod comun vin com = +5.005 V (media), ambele colectoare vor
cobor[ cu 0.05 V= 50 mV de la valoarea de repaus. Excita\ia
diferen\ial` vin dif = 0.01 V va dezechilibra etajul,
produc[nd un dezechilibru de 200 ⋅ 0.01 V = 2 V [ntre
poten\ialele celor dou` colectoare: VC1 va cobor[ cu un volt, +
VB1 VB2
+
pe c[nd VC2 va cre]te cu un volt. {n concluzie T1 - - T2
VC1 = 10 V - 0.05 V -1.0 V = 8.95 V ]i
VC1 = 10 V - 0.05 V + 1.0 V = 10.95 V .
Un asemenea etaj au la intrare voltmetrele electronice
care pot m`sura diferen\a de poten\ial [ntre dou` noduri v in dif = VB1 - VB2
oarecare, nefiind nevoie ca unul dintre ele s` fie masa. Ele
@ v in com =
VB1 + VB2
2
trebuie s` fie sensibile numai la diferen\a poten\ialelor ]i nu v in dif 2 v in dif 2

la media lor (valoarea de mod comun). C[t de bun este etajul
din exemplul nostru pentru o altfel de func\ie ? Nu foarte + - + -
bun pentru c` informa\ia de mod comun nu a fost rejectat` +
T1 T2
(diminuat`) suficient. -
v in com
Pentru a caracteriza cantitativ "c[t de diferen\ial este
amplificatorul", se define]te factorul de rejec\ie pe mod
comun (Common Mode Rejection Ratio - CMRR [n
englez`) prin raportul [ntre amplificarea pe mod diferen\ial Fig. 13.15. O excita\ie oarecare poate fi
]i amplificarea pe mod comun interpretat` ca o suprapunere [ntre o excita\ie
pe mod comun ]i una pur diferen\ial`.
Adif
CMRR =
Acom . (13.23)
Pentru exemplul nostru, el are valoarea 2 ⋅104 . Deoarece pentru CMRR se ob\in numere mari, se
prefer`, de obicei, exprimarea raportului [n decibeli
d
CMRR dB = 20 log10 Adif Acom ; i (13.24)
86 dB este valoarea pentru exemplul considerat anterior.

Valori mari pentru factorul de rejec\ie se pot ob\ine numai cu surs` de curent [n emitoare. Ar p`rea c`
putem s`-l cre]tem oric[t prin m`rirea impedan\ei acestei surse. Dar nu este a]a, noi am considerat tot timpul
tranzistoarele ]i rezistoarele celor dou` sec\iuni ale etajului ca fiind perfect identice. {n realitate, ele nu sunt ]i
acest fapt limiteaz` valorile care se pot ob\ine pentru CMRR. Prin [mperecherea atent` a componentelor,
amplificatoarele opera\ionale de performan\` ajung p[n` la 120 dB, adic` un raport de 1 milion [ntre
amplificarea pe mod diferen\ial ]i amplificarea pe mod comun.
Compara\ie [ntre amplificatorul cu emitor comun ]i etajul diferen\ial

{n cazul amplificatorului cu emitor comun, o amplificare mare [n condi\iile unei stabilit`\i termice
rezonabile se ob\ine cu circuitul din Fig. 13.16 a). Varia\iile st`rii circuitului pot fi interpretate ca o sum`
(sau, la limit`, o integral`) de componente sinusoidale (reprezentarea Fourier). Pentru componentele cu
frecven\e foarte mici, inclusiv frecven\a zero (abaterile sta\ionare), condensatorul CE practic nu exist`; ele
v`d circuitul din desenul b) care este un etaj cu sarcin` distribuit`, av[nd amplificarea A = RC RE de
valoare mic` (cel mult de ordinul zecilor). Acesta este ]i cazul varia\iilor de temperatur` care sunt echivalente
cu modificarea cu 2 mV pe grad a tensiunii baz`-emitor.
+Valim
+ 10 V
RC RC RC
+ 5V out
out
out
in
+ 1V in in
RE C E RE
A =5 A = 200
a) b) c)
Fig. 13.16. Amplificatorul cu emitor comun (a), schema echivalent` pentru componentele de frecven\e foarte
mici (b) ]i cea pentru componentele de frecven\` mare (c).
Pe de alt` parte, pentru componentele semnalului util, care au frecven\e de oscila\ie mari,
condensatorul CE este practic un scurtcircuit; acestea v`d circuitul cu emitorul la mas` din desenul c) ]i sunt
amplificate cu A = RC re = U RC repaus 25 mV , factor care are valori de ordinul a c[teva sute. {n
consecin\`, amplificatorul trateaz` diferit semnalul util ]i deriva termic`, separ[ndu-le dup` frecven\ele
componentelor pe care le con\in. El rejecteaz` par\ial efectele varia\iei temperaturii pentru c` acestea con\in
numai componente de frecven\e foarte mici. Din acest motiv, amplificatorul nu poate prelucra semnale de
frecven\e prea cobor[te ]i [n nici un caz frecven\a zero. {n plus, factorul de rejec\ie, egal cu raportul celor
dou` amplific`ri, ajunge doar [n jur de 50.
+VA
+10 V
RC RC RC RC RC RC
+5 V
VB1 + VB2 - v in dif 2
VB1 VB2 2 +v in dif 2
T1 T2 T2 T1 T2 T1
+ + + - +
- - 2R EE - 2R EE + -
R EE v in dif = VB1 - VB2

A com ≅ 0.5
-10 V A dif = 200
-V A
Fig. 13.17. Etajul diferen\ial (a), schema echivalent` pentru componenta de mod comun (b) ]i cea pentru
componenta diferen\ial` (c).
S` ne referim acum la etajul diferen\ial din Fig. 13.17 a). Am v`zut c` o excita\ie oarecare, cu
VB1 ≠ VB2 , poate fi interpretat` ca o suprapunere [ntre o excita\ie de mod comun ]i una pur diferen\ial`.
Pentru componenta de mod comun, bazele sunt excitate [n faz` cu media (VB1 + VB2 ) 2 iar fiecare
tranzistor func\ioneaz` separat ca un etaj cu sarcin` distribuit`, a]a cum se vede [n desenul b). Amplificarea
componentei de mod comun este mic`, [n jur de 0.3, ]i poate fi cobor[t` p[n` spre 0.001 prin [nlocuirea
rezistorului REE cu o surs` de curent constant. Deriva termic`, afect[nd identic ambele tranzistoare, este o
perturba\ie pe mod comun; acela]i lucru se [nt[mpl` cu tensiunile parazite care apar identic pe ambele borne
de intrare. Aceste perturba\ii vor afecta, deci, [n foarte mic` m`sur`, poten\ialele ie]irilor.
Pe de alt` parte, componenta pe mod diferen\ial [nseamn` excitarea bazelor [n antifaz`, amplitudinea
excita\iei fiec`rei baze fiind VB1 − VB2 2 = vin dif 2 . Fiecare tranzistor ac\ioneaz` separat ca un etaj cu
emitorul la mas`, av[nd amplificarea A = RC re = U RC repaus 25 mV mare, de ordinul a c[teva sute.
Este necesar, deci, ca semnalul util care trebuie amplificat s` apar` ca semnal pe modul diferen\ial (ca
diferen\` [ntre poten\ialele bazelor).
{n concluzie, etajul diferen\ial trateaz` diferit excita\iile separ[ndu-le nu dup` frecven\e cum f`cea
amplificatorul cu emitor comun ci dup` fazele acestora la cele dou` intr`ri. Dac` acela]i semnal se aplic`
[n faz` la ambele intr`ri, efectul sù va fi aproape nul; [n schimb, dac` pe cele dou` baze semnalele sunt egale
dar [n antifaz`, ele vor fi amplificate de sute de ori. Raportul de rejec\ie pe mod comun este p[n` spre 1000 cu
rezistorul REE ]i poate fi crescut p[n` la 1 milion cu o surs` de curent constant [n locul lui REE . Criteriul de
separa\ie nemaifiind frecven\a, etajul diferen\ial poate prelucra ]i semnale de frecven\` nul`; se spune c`
este un amplificator de curent continuu (aten\ie, aceasta nu [nseamn` c` amplificarea intensitat`\ii curentului
ne intereseaz` la el, "curent continuu" [nseamn` aici "regim de curent continuu").
S-ar putea s` v` [ntreba\i de ce nu am [ncercat s` utiliz`m o surs` de curent ]i [n cazul amplificatorului
cu emitor comun, pentru a mic]ora amplificarea de la curent continuu. R`spunsul este c` influen\a
temperaturii se manifest`, [n afar` de modificarea tensiunii de deschidere a tranzistorului, ]i prin varia\ia
curentului rezidual de colector, iar aceast` varia\ie nu poate fi echivalat` cu un semnal aplicat la intrare.
{n consecin\`, efectul ei nu este diminuat prin sc`derea amplific`rii la curent continuu ]i nu merit` s`
[ncerc`m s` cobor[m mai mult aceast` amplificare. La etajul diferen\ial, simetria face ca modificarea
curentului rezidual s` nu aib` dec[t un efect de mod comun, deplas[nd identic poten\ialele colectoarelor.
D. Utilizarea amplificatoarelor diferen\iale
Cuplarea sarcinii
A]a cum am v`zut, etajul diferen\ial amplific` practic numai dezechilibrul (diferen\a) [ntre poten\ialele
bazelor; aceasta este informa\ia pe care el o furnizeaz` la ie]ire. Partea proast` este c` aceast` informa\ie de
la ie]ire nu este sub forma unei tensiuni fa\` de mas` ci tot sub forma diferen\ei [ntre poten\ialele
colectoarelor. Pentru ca sarcina s` foloseasc` aceast` informa\ie, ea trebuie legat` [ntre cele dou`
colectoare, ca [n Fig. 13.18 a). {n unele situa\ii, acest lucru este posibil; a]a sunt cuplate pl`cile de deflexie
ale tuburilor catodice care produc imaginea la osciloscoape, dezechilibrul poten\ialelor de colector control[nd
pozi\ia spotului pe ecran.
+VA +VA
RC RC RC
sarcina
sarcina
+ T1 T2 + T1 T2
VB1
- -
VB2 VB1 ~ ~ VB2
I EE I EE
-V A -V A
a) b)
Fig. 13.18. Legarea sarcinii [ntre colectoare (a) ]i, [n curent alternativ, la unul din colectoare (b).
De multe ori [ns`, amplificatorul care urmeaz` etajului diferen\ial are una din bornele de intrare legat`
la mas`, adic` nu este unul diferen\ial. {n acest caz, trebuie utilizat un condensator de separare, care nu
permite ca poten\ialul de colector [n repaus al etajului diferen\ial s` afecteze func\ionarea etajului care [l
urmeaz` (Fig. 13.18 b). Amplificarea va fi acum numai Adif 2 , deoarece ∆VC 2 = Adif ∆Vin dif 2 ; ca s`
ne lu`m, [ntr-un fel, revan]a, putem face economie de un rezistor, leg[nd colectorul tranzistorului T1 direct la
alimentare. Aceast` solu\ie nu poate fi [ns` aplicat` la frecven\e foarte joase (ar trebui o valoare enorm`
pentru condensator) ]i de, asemenea, la curent continuu (dezechilibre constante). Pierdem, astfel, cea mai
important` calitate a etajului diferen\ial, func\ionarea la curent continuu.
+VA
RC RC VCQ alimentare
Vout +VA
+ -
Vin +
+
Vout
+ T1 T2 +
VB1 VB2 Vin -
- - sarcina - ie]ire
intr`ri
-V A
I EE alimentare
-V A
a) b)
Fig. 13.19. Deplasarea nivelului de ie]ire la un etaj diferen\ial (a) ]i simbolul utilizat pentru un
amplificator diferen\ial cu ie]irea fa\` de mas` (b).
Solu\ia o reprezint` utilizarea unui etaj care s` fac` o deplasare de nivel, echivalent` cu legarea unei
surse de tensiune de continu` de valoare VCQ [n serie cu ie]irea, a]a cum se vede [n Fig. 13. 19 a). Astfel,
tensiunea de ie]ire este zero c[nd etajul este echilibrat (VB1 = VB2 ). Spunem c` ie]irea nu mai este
diferen\ial`, ci una fa\` de mas`. Simbolul unui astfel de amplificator diferen\ial este cel din desenul b) al
figurii; de multe ori, bornele de alimentare nu se mai deseneaz`.
intrare neinversoare intrare neinversoare

Vin + Vin +
+ +
Vout Vout
Vin - Vin -
- -
intrare inversoare
a) b)
Fig. 13.20. Semnifica\ia denumirilor bornelor de intrare: neinversoare (a) ]i inversoare (b).
Pentru cei care chiar lucreaz` cu asemenea dispozitive, este mai comod s` numeasc` [ntr-un anumit
mod bornele de intrare dec[t s` opereze cu amplific`ri negative. Astfel, dac` se aplic` o varia\ie de poten\ial
pe borna de intrare notat` cu +, varia\ia ie]irii are acela]i sens cu varia\ia de la intrare (Fig. 13.20 a); din acest
motiv, borna este numit` neinversoare. Dac` varia\ia se aplic` pe cealalt` born`, ie]irea sufer` o varia\ie [n
sens opus intr`rii (desenul b); aceast` born` este numit` inversoare. Evident, acum amplificarea diferen\ial`
Vout
Adif = (13.25)
Vin + − Vin −
este un num`r pozitiv.

Observa\ie: Nu confunda\i bornele de intrare cu cele de alimentare; la cele de intrare, semnele + ]i -
se refer` la fazele varia\iilor. Exist` un singur mod prin care s` evita\i confuzia: s` re\ine\i simbolul
amplificatorului diferen\ial din Fig. 13.19 b), [mpreun` cu semnifica\ia tuturor bornelor.
Dac` amplificatorul nu este unul ideal, atunci amplificarea pe mod comun, definit` ca
Vout
Acom = (13.26)
(Vin + + Vin − ) 2
nu este nul`. Ca ]i la amplificatorul cu ie]ire diferen\ial`, raportul Adif Acom este numit factor de rejec\ie
pe mod comun (CMRR).
Cum conect`m generatorul de semnal la amplificatorul diferen\ial

S` analiz`m mai [nt[i situa\ia c[nd semnalul de intrare este produs de un cu ie]ire diferen\ial`, ca [n
Fig. 13.21. Solu\ia este extrem de simpl`: legarea bazelor direct [n colectoarele etajului anterior. Poten\ialul
de repaus al colectoarelor primului etaj apare ca semnal pe mod comun ]i va afecta foarte pu\in punctul de
func\ionare al celui de-al doilea etaj (considerat ini\ial cu bazele la mas`). Trebuie avut [ns` grij` ca
tranzistoarele etajului al doilea s` nu ajung` [n satura\ie; [n acest scop poten\ialul de repaus VCQ1 al primului
etaj trebuie ales mai jos de V A 2 iar poten\ialul de repaus VCQ3 al celui de-al doilea etaj trebuie ales cu
suficient` rezerv` deasupra lui VCQ1.
+12 V
3.9k 3.9 k
8.2 k 8.2 k
+8.1 V
+3.8 V V CQ1 V CQ3

T3 T4
T1 T2
RB RB
2 mA
2 mA
-12 V
Fig. 13.21. Dou` etaje diferen\iale se pot interconecta [n curent continuu, f`r` condensatoare de separare.
Etajele diferen\iale se pot interconecta direct, f`r` a fi nevoie de condensatoare de separare; astfel,
[ntregul amplificator func\ioneaz` p[n` la frecven\a zero inclusiv (curent continuu).
De multe ori, etajul

diferen\ial prime]te semnalul de +VA
la un senzor (de temperatur`, de
RC RC
presiune, etc.) care are un cap`t
conectat la mas`, a]a cum este
ar`tat [n Fig. 13.22. Cum
semnalul de la senzor este de Rg
curent continuu, acesta poate T1 T2
furniza ]i curentul de polarizare +
al bazei lui T1, nemaifiind Vg R B2
-
nevoie de o rezisten\` de
polarizare. Pe de alt` parte,
senzor
poten\ialul bazei lui T2 este fixat
la zero prin intermediul
rezisten\ei RB2 , care este bine
-V A
s` fie s` fie c[t mai apropiat` de
rezisten\a senzorului, pentru a
Fig. 13.22. Conectarea generatorului de semnal [ntre o intrare ]i mas`
nu dezechilibra etajul. Excita\ia
(nediferen\ial).
etajului nu este pur diferen\ial`
ci una mixt`. Tensiunea de mod
comun este vin com = (V g + 0 ) 2 = V g 2 dar efectul ei asupra ie]irii va fi neglijabil [n compara\ie cu acela
al tensiunii diferen\iale vin dif = (V g − 0 ) 2 = V g 2 datorit` valorii mare a factorului de rejec\ie pe mod
comun. Oricum, chiar dac` nu neglij`m acest efect, varia\iile poten\ialelor de colector sunt propor\ionale cu
Vg .
Observa\ie: De]i pare inutil [n aceast` aplica\ie, tranzistorul T2 este esen\ial pentru compensarea
derivei termice a tranzistorului T1.
Dac` lu`m [n consideratie perturba\iile externe la care este supus circuitul, s-ar putea s` nu mai fim at[t
de bucuro]i (Fig. 13.23). Astfel, dac` senzorul trebuie montat la distan\` de amplificator, firele de leg`tur`
vor avea o lungime de c[tiva metri. {ntre firul "cald", conectat la intrarea amplificatorului, ]i firele re\elei de
alimentare cu energie electric` (220 Vef, 50 Hz) exist` o capacitate parazit`. Deoarece firul de nul al re\elei,
[mpreun` cu masa amplificatorului sunt legate la p`m[nt, avem un circuit [nchis ]i prin acest condensator
sose]te [n fir un curent alternativ care [n cazul unei lungimi de 3 m poate ajunge p[n` la 5-6 nA. Acest curent
curge c`tre mas` prin combina\ia paralel dintre rezisten\a senzorului ]i impedan\a de intrare (pe mod
diferen\ial) a etajului. {n cazul [n care poten\ialul altor conductoare din apropiere sufer` varia\ii bru]te
(aprinderea unui tub fluorescent de c`tre starter, func\ionarea bobinei de induc\ie a unui motor), valorile
curen\ilor care sosesc sunt [ns` mult mai mari.
Observa\ie: Reactan\a capacit`\ii parazite la frecven\a de 50 Hz este at[t de mare (pentru 1 pF

reactan\a este [n jur de 3 GΩ=3 000 MΩ) [nc[t sursa perturatoare se comport` practic ca o surs` de curent
[n raport cu impedan\ele prin care acest curent se [ntoarce la mas`.. Din acest motiv, vorbim despre curentul
perturbator indus ]i despre valorile lui tipice.
firul de "faz`" 220 Vef

50 Hz
~
firul de "nul"
legat la p`m[nt
Rg
in
≅ Z in dif
masa este
legat` la p`m[nt
senzor amplificator
Fig. 13.23. Inducerea unui curent perturbator prin capacitatea parazit` [ntre firul de semnal ]i firul de "faz`"
al re\elei de alimentare.
Dac` senzorul are rezisten\a intern` mare, va trebui s` aranj`m ca ]i impedan\a de intrare s` fie mare,
[n caz contrar semnalul va fi diminuat considerabil. Astfel, dac` senzorul are 1 MΩ ]i Zin dif este cel pu\in
1 MΩ, atunci rezisten\a prin care curge spre mas` curentul perturbator nu va fi mult sub 1 MΩ. {n consecin\`,
tensiunea perturbatoare care apare la intrarea amplificatorului datorit` cuplajului parazit cu re\eaua de
alimentare va fi de c[tiva milivol\i ]i va acoperi practic semnalul util !
RB1
Rg
+ +
Vin + Vout Vin + Vout
+
Vg
- Vin - Vin -
- -
senzor
RB2
a) b)
Fig. 13.24. Legarea diferen\ial` a generatorului de semnal (a): curen\ii perturbatori indu]i determin` apari\ia
unei tensiuni perturbatoare de mod comun, care este rejectat` de amplificator (b).
C[nd senzorul poate fi montat flotant (f`r` s` aib` un cap`t la mas`), putem profita de faptul c`
amplificatorul rejecteaz` semnalele pe modul comun, utiliz[nd montajul din Fig. 13.24 a). Rezisten\ele RB1
]i RB2 sunt acum necesare deoareace senzorul nu mai este legat la mas` ]i, astfel, nu are de unde s`
furnizeze curentul de polarizare al bazelor tranzistoarelor. Cum cele dou` fire sunt apropiate unul de cel`lalt,
curen\ii perturbatori indu]i vor fi practic egali ]i, curg[nd spre mas` prin rezisten\e de valoare egal` vor
determina tensiuni perturbatoare identice [n orice moment pe cele dou` intr`ri ale amplificatoarelor.
Perturba\ia apare acum pe mod comun ]i va fi amplificat` cu Acom ≅ 10 −3 pe c[nd semnalul util de la
senzor apare pe mod diferen\ial ]i va fi amplificat` cu Adif care este de ordinul sutelor.
{n exemplul din desenul b) al figurii, semnalul util care apare [n antifaz` pe cele dou` intr`ri (pe
mod diferen\ial) este triunghiular ]i are frecvn\a de 500 Hz. El este at[t de mic [n compara\ie cu tensiunea de
mod comun (sinusoidal`, 50 Hz) [nc[t abia se poate observa pe desen. La ie]ire [ns`, se ob\ine semnalul util
triungiular (500 Hz) suprapus cu o mic` urm` a perturba\iei.
Trebuie remarcat [ns` c` o ne[mperechere [ntre rezistentele RB1 ]i RB2 (sau [ntre impedan\ele de
intrare [n cele dou` intr`ri) face ca o parte din tensiunea perturbatoare s` apar` pe mod diferen\ial ]i s` nu
mai poate fi separat` de semnalul
util.. Oricum, efectul acesteia este
mult mai mic dec[t [n cazul [n care
senzorul nu era montat diferen\ial. ipert Z1 +
O situa\ie special` apare
atunci c[nd senzorul [nsu]i prime]te kZ Z in
I
un curent perturbator mult mai mare Z2 Z in
dec[t firele de leg`tur`. A]a se
[nt[mpl`, de exemplu, [n cazul - masa este
prelev`rii semnalului bioelectric Z GND legat` la p`m[nt
produs de inim` (Fig. 13.25).
Corpul subiectului este legat la mas`
prin intermediul unui electrod
ata]at, de regul`, pe piciorul drept; Fig. 13.25. Efectul curentului perturbator indus [n senzor.
am notat cu ZGND impedan\a
v`zut` spre mas` (contactul + electrodul). Semnalul este cules [ntre dou` puncte de pe corp, [ntre care exist`
impedan\a Z I , prin intermediul a doi electrozi cu impedan\ele (contact + electrod) Z1 ]i Z2 . Curentul
perturbator i pert este indus datorit` capacit`\ii dintre corp ]i firele re\elei de alimentare situat` [n apropiere,
capacitate care are valori [n gama 3-30 pF; astfel, curentul perturbator poate ajunge p[n` la 1µA, dar este cel
mai probabil pe la 0.1 µA.
Acest curent curge spre mas` [n principal prin impedan\a ZGND , deoarece impedan\ele de intrare [n
amplificator sunt mult mai mari dec[t ZGND . Din acest motiv, corpul subiectului nu este la poten\ialul zero
ci la v pert = i pert ZGND (semnal sinusoidal, 50 Hz). Cum ZG este sub 100 kΩ, poten\ialul alternativ la care
se afl` corpul este cel mult 0.1 V.
Neglij`m, pentru moment impedan\a Z I prezentat` de corpul pacientului [ntre punctele unde se culege
semnalul, consider[nd-o nul`. Efectul poten\ialului v pert = i pert ZGND la care se g`se]te corpul este apari\ia
la intr`rile amplificatoarelor a semnalelor v pert Zin ( Zin + Z1 ) ]i v pert Zin ( Zin + Z2 ) . Dac` impedan\le
electrozilor sunt [mperecheate Z1 = Z2 , semnalele ajunse la cele dou` intr`ri sunt identice; perturba\ia apare
pe modul comun ]i va fi rejectat` de amplificatoul diferen\ial.
{n realitate [ns`, impedan\ele electrozilor nu sunt egale, diferind cu ∆Z . {n consecin\`, tensiunile
perurbatoare care apar pe intr`ri vor fi ]i ele diferite. Cum Z1 , Z2 << Zin , diferen\a care apare [ntre
poten\ialele intr`rilor amplificatorului este aproximativ v pert ∆ Z Zin . Rezultatul este c`, datorit` inegalit`\ii
impedan\elor electrozilor, o parte din tensiunea perturbatoare v pert apare pe mod diferen\ial ]i nu va mai
putea fi [n nici un fel separat` de semnalul util. Acest efect se nume]te efect de divizor. M`rimea lui depinde
de impedan\a Zin care este dublul impedan\ei de intrare pe mod comun (la excitarea pe mod comun intr`rile
se leag` [mpreun` ]i impedan\ele Zin apar [n paralel).
Pentru mic]orarea efectului de divizor, amplificatorul diferen\ial trebuie s` aib` impedan\a de intrare
pe mod comun c[t mai mare.
De exemplu, dac` nu accept`m o perturba\ie pe modul diferen\ial mai mare de 0.01 mV=10 µV (1 %
din semnalul util care are [n jur de 1 mV), ]i \inem seama c` diferen\a [ntre impedan\ele electrozilor poate
ajunge la 5 kΩ, va trebui ca amplificatorul s` aib` o impedan\` de intrare de cel pu\in 25 MΩ.
Dar aceasta nu este singura perturba\ie care apare pe modul diferen\ial. {ntre punctele de contact ale
electrozilor de semnal, corpul subiectului prezint` impedan\a Z I care nu este mare, ajung[nd doar pe la
1 kΩ. Din fericire, numai o frac\iune k din curentul perturbator str`bate aceast` cale, cea mai mare parte
curg[nd spre piciorul drept legat la mas`; este ca ]i cum [n calea curentului perturbator ar ap`rea numai
impedan\a kZ I (din acest motiv, pe desen a fost trecut` aceast` valoare). Astfel, perturba\ia k ⋅ i pert Z I , care
apare pe modul diferen\ial, este sub limita impus` de 0.01 mV ]i poate fi cobor[t` suplimentar prin
modificarea pozi\iei electrodului de mas`.
Poate v-a\i [ntrebat de ce
trebuie s` leg`m neap`rat masa
ipert Z1 amplificatorului la p`m[nt; pentru
+
c` dac` ea nu ar fi legat`, circuitul
Z in pe unde trece curentul perturbator
kZI ar fi [ntrerupt. R`spunsul este c`
Z2 - Z in nu este obligatoriu s` leg`m masa
la p`m[nt iar [n unle cazuri de
prelevare a semnalelor bioelectrice
acest lucru nici nu mai este permis
electrod de referin\` de c`tre standarde.
Amplificatoarele care se utilizeaz`
Fig. 13.26. Utilizarea unui amplificator de izola\ie. [n aceste situa\ii se numesc "de
izola\ie" ]i nu au nici o leg`tur`
galvanic` [ntre intrare ]i ie]ire, informa\ia fiind transmis`, de exemplu, optic sau magnetic
(Fig. 13.26). Astfel, masa ie]irii este legat` la p`m[nt, [n timp ce masa intr`rii este "flotant`".
Cu toate acestea, circuitul pe unde trecea curentul perturbator nu este [ntrerupt, deoarece [ntre cele
dou` mase exist` o capacitate parazit` ]i o alt` capacitate exist` [ntre corpul subiectului ]i p`m[nt.
Complicarea [n acest mod a circuitului nu produce o diminuare considerabil` a efectelor perturbatoare ]i
este justificat` numai de considerente legate de protec\ia subiectului fa\` de eventualii curen\i care s-ar
putea scurge c`tre p`m[nt prin corpul sù.
Alte aplica\ii ale etajului diferen\ial

Datorit` amplific`rii mari ]i caracteristicii de transfer stabile, etajul diferen\ial este blocul principal din
componen\a comparatoarelor de tensiune; acestea sunt circuite care ne spun care dintre cele dou` tensiuni
de intrare este mai mare. Ie]irea comparatorului este una logic`, av[nd numai dou` st`ri cu semnifica\ie,
corespunz[nd r`spunsurilor "adev`rat" sau "fals". Ideea de baz` ese ca un etaj diferen\ial s` comande un
comutator cu tranzistor, trec[ndu-l [n una din st`rile "blocat" sau "[n conduc\ie", aceasta depinz[nd de care
dintre cele dou` semnale de intrare are nivelul mai ridicat. Regiunea de func\ionarea liniar` a etajului
diferen\ial este ignorat`, unul din cele dou` tranzstoare ale etajului fiind [n permanen\` blocat (cu excep\ia,
desigur, a intervalului foarte scurt [n care etajul []i schimb` starea). Comparatorul de tensiune are extrem de
multe aplica\ii; cu o parte din ele ne vom [nt[lni [n capitolele urm`toare. Simbolul utilizat pentru el este
acela]i cu cel al amplificatorului diferen\ial, distinc\ia f`c[ndu-se prin men\ionarea func\iei sale, fie pe desen,
fie [n textul explicativ.
Neliniaritatea caracteristicii de transfer, care reprezint` [n general un dezavantaj, poate fi exploatat`
pentru convertirea unui semnal tringhiular simetric (u]or de produs) [ntr-unul aproape sinusoidal, a]a cum se
poate constata [n Fig. 13.27. Pentru o apropiere c[t mai bun` de forma sinusoidal`, amplitudinea semnalului
de intrare trebuie men\inut` la o valoare optim`.
vout dif
2 R C I CQ
0
t
-0.1 0.0 v in dif (V) 0.1
_ 2R I
C CQ
Fig.13.27. Conversia triunghi-sinus.
Amplificarea pe mod diferen\ial (la semnal mic) este propor\ional` cu intensiatea curentului de repaus
ICQ = I EE 2 . Cum sursa de curent poate fi comandat` electronic cu o tensiune, rezult` c` putem controla
amplificarea etajului prin intermediul unei tensiuni electrice. CInd aceast` tensiune de comand` variaz` [n
timp, ea produce modula\ia [n amplitudine a semnalului amplificat (Fig. 13.28 a).
IEE
0
t
V1 Vout
Vout V2
V1 V2
t Vout =
10 V
a) b)
Fig. 13.28. Modula\ia de amplitudine (a) ]i multiplicatorul analogic (b).
Dac` putem s` control`m amplificarea dup` o rela\ie propor\ional` Adif = B ⋅ Vcontr , atunci valoarea
tensiunii de ie]ire este, p[n` la un factor, egal` cu produsul a dou` tensiuni. Pe acest principiu se realizeaz`
dispozitive (Fig. 13.24 b) care efecteaz` produsul a dou` tensiuni de intrare, fiecare considerat` fa\` de mas`,
Vout ( t ) = KV1 ( t ) ⋅ V2 ( t ) . Aceste dispozitive se numesc multiplicatoare analogice. Dac` una dintre
tensiunile de intrare nu poate lua dec[t valori cu o anumit` polaritate, se spune c` avem un multiplicator [n
dou` cadrane; c[nd ambele tensiuni de intrare pot fi ]i pozitive ]i negative, multiplicatorul func\ioneaz` [n
patru cadrane.
Atunci c[nd vrem s` aducem [n conduc\ie un tranzistor montat [n configura\ia emitor comun,
generatorul de semnal trebuie s` [ncarce at[t capacitatea existent` [ntre baz` ]i emitor (mas`) Ceb c[t ]i pe
aceea dintre colector ]i baz` Ccb . Partea proast` este c` cel`lalt cap`t al condensatorului Ccb nu st` cuminte
la poten\ial constant: dac` poten\ialul bazei urc` cu ∆VB , poten\ialul colectorului coboar` cu A ∆VB , ca [n
c h
Fig. 13.29. Astfel, tensiunea [ntre bornele condensatorului cre]te nu cu ∆VB ci cu A + 1 ∆VB ≅ A ∆VB ]i
[n consecin\`, generatorul trebuie s` trimit` un curent A ∆VB ⋅ Cbc , ca ]i cum condensatorul ar fi de A ori
mai mare. Acesta este efectul Miller. Cum amplificarea este de ordinul sutelor, capacitatea [ntre baz` ]i
colector apare v`zut` dinspre generator ca fiind mult mai mare ]i reprezint` un impediment serios atunci c[nd
dorim s` comut`m rapid starea tranzistorului ]i generatorul de semnal are o rezisten\` proprie Rg nu foarte
mic`. Altfel spus, aceast` capacitate multiplicat` prin efect Miller formeaz` [mpreun` cu rezisten\a dinamic`
1
a generatorului un filtru trece jos limit[nd banda de trecere a etajului la f c = .
2 π(1 + A ) Rg Ccb
∆ VC =0
(1+ A ) Ccb
RC Ccb Ccb
∆ VC = - A ∆ VB
Ccb
∆ VB ∆ VB ⇔ ∆ VB
Ccb ∆ VB Ccb∆ VB (1+ A )

I= I=
∆t
∆t
Fig. 13.29. Efectul Miller.
Unul din modurile [n care putem evita efectul Miller este cel din Fig.13.30. Colectorul tranzistorului
T1 nu []i modific` poten\ialul ]i, deci, efectul Miller nu apare, generatorul v`z[nd capacitatea Ccb la
adev`rata ei valoare. Cu toate acestea, semnalul de ie]ire, ob\inut din colectorului tranzistorului lui T2, este
amplificat de sute de ori (de fapt, de Adif 2 ori). Tranzistorul
+VA
T1 func\ioneaz` ca un repetor pe emitor ]i el comand` [n
continuare tranzistorul T2, montat [ntr-o configura\ie cu baza RC
comun`.
out
Func\ionarea circuitele logice integrate, cu tranzistoare
bipolare, din familia "clasic`" TTL (Transistor Transistor
T1 T2
Logic) se bazeaz` pe aducerea tranzistoarelor [n blocare sau
satura\ie. Ie]irea din satura\ie este [ns` consumatoare de timp ]i R g
frecven\ele de comutare nu dep`]esc 50 MHz. St`rile extreme ale
unui etaj diferen\ial, care pot fi considerate st`ri logice, nu
implic` [ns` intrarea [n satura\ie a vreunui tranzistor ci numai R EE
distribuirea curentului I EE aproape [n totalitate prin unul dintre
tranzistoare. Se realizeaz` astfel o familie de circuite logice -V A
numit` ECL (Emitter Coupled Logic) care poate func\iona la Fig. 13.30. Evitarea efectului Miller.
frecven\e de comutare mult mai mari, ajung[nd p[n` la 500 MHz.
E. Proiectarea unui etaj diferen\ial
Presupunem c` trebuie s` proiect`m un etaj diferen\ial care s` asigure o amplifcare pe mod diferen\ial
de modul Adif = 50 ]i un factor de rejec\ie pe mod comun modest CMRR ≥ 100 .
a) Alegem tensiunea de alimentare; dac` vom stabili poten\ialul de repaus al colectoarelor la V A 2 ,
amplificarea maxim` pe care o vom putea ob\ine va fi 20 ⋅V A , cu V A [n vol\i. Cum amplificarea cerut` e de
numai 50, situa\ia este relaxat`, cu ±12 V avem rezerv` de amplificare suficient`, pe care s-o sacrific`m
pentru m`rirea domeniului de liniaritate. Stabilim, deci
+V A = +12 V; − V A = -12 V .
+VA
+12 V
RC RC
6.2 k 6.2 k
I EE
1 mA 1 mA 2 mA
+5.8 V R B3
T3
10 k
T1 T2 R EE
5.6 k
RB RB
RE RE
22 k 22 k
100 Ω R E3
100 Ω
600 Ω
-V A
-0.7 V 2 mA
R EE -12 V
5.6 k
-V A
-12 V
a) b)
Fig. 13.31.
b) Alegem apoi valoarea curentului de colector; o valoare [n jur de 1 mA este un compromis bun. Dac`
valoarea curentului este exagerat de mare scade inacceptabil de mult impedan\a de intrare diferen\ial` iar
dac` este prea mic` vom avea rezisten\e de colector prea mari ]i impedan\a de ie]ire va fi ]i ea prea mare.
ICQ = 1 mA .
c) Pentru c` poten\ialul colectoarelor trebuie s` fie pe la + 6V, rezult` o rezisten\` de colector de

6 kΩ. Alegem valoarea standardizat`
RC = 6.2 kΩ ,
cu care vom avea VCQ = 5.8 V (Fig. 13.31 a).

d) Dac` nu introducem rezisten\e [n serie cu emitoarele, acestea vor fi la mas` pentru varia\iile
diferen\iale ]i modulul amplific`rii diferen\iale va fi V RC repaus 25 mV = 6.2 V 25 mV ≅ 250 . Tema
noastr` de proiectare cere o amplificare de numai 50, a]a c` vom utiliza un etaj cu degenerare [n emitor.
Pentru acesta, modulul amplific`rii este RC ( re + RE ) , de unde ob\inem re + RE = RC 50 = 124 Ω . Cum
re = 25 mV I CQ = 25 Ω , alegem
RE = 100 Ω .
Cu aceste valori ]i miz[nd pe β ≅ 100 vom avea o impedan\a de intrare pe mod diferen\ial de
2 ⋅100 ⋅125 Ω = 25 kΩ .
e) Curentul I EE (suma curen\ilor de emitor) trebuie s` curg` la alimentarea negativ` printr-o surs` de
curent sau (varianta ieftin`) printr-un rezistor. {ncerc`m, mai [nt[i, varianta mai simpl` ]i anume rezistorul
REE . Poten\ialul de repaus al emitoarelor este −0.6 V - I CQ RE ≅ −0.7 V , a]a c` pe REE mai r`m[ne s`
cad` numai 12 V - 0.7 V = 11.3 V . Cum prin REE trebuie s` treac` 2I CQ = 2 mA , rezult` o valoare de
5.65 kΩ. Alegem valoarea standardizat`
REE = 5.6 kΩ .
f) Dac` generatoarele de semnal din baze nu pot furniza curentul de polarizare (cu β ≅ 100 acesta e de
10 µA), va trebui s` leg`m bazele la mas` cu ni]te rezistoare RB de 10 kΩ- 100 kΩ ]i s` cupl`m
generatoarele prin condensatoare. {n cazul [n care trebuie s` prelucr`m ]i informa\ia de curent continuu,
solu\ia este "m`rirea" factorului β prin utilizarea unor tranzistoare compuse (de exemplu duble\i Darlington)
]i cobor[rea curentului de repaus al bazelor la zecimi de µA, astfel [nc[t generatorul de semnal s`-l poat`
debita.
+VA
ICQ
1. Alegem curentul
de repaus ICQ
RC RC
5. Daca sunt necesare, VA
alegem R B ≅ β R C 10 2. Luam R C =
2 ICQ
T1 T2
RB
RB
RE RE 3. Alegem R E
pentru a stabili amplificarea
pe mod diferential
2 ICQ RC
RE = - re
Adif
R EE
4. Stabilim R EE
-V A
R EE ≅ R C
Fig.13.32.
f) Verific`m dac` am [ndeplinit condi\ia asupra factorului de rejec\ie pe mod comun. Amplifcarea pe
mod comun are modulul RC ( 2 REE ) = 0.55 , ceea ce conduce la CMRR = 50 0.55 ≅ 91. Suntem foarte
aproape de condi\ia impus` dar nu am [ndeplinit-o. Trebuie s` revenim la varianta mai complicat`, cu surs`
de curent (desenul b al figurii).
g) Producem tensiunea de referin\` cu trei diode cu siliciu [nseriate, pe rezisten\a va c`dea 1.2 V ]i
deoarece curentul I EE e de 2 mA, rezisten\a RE3 trebuie s` aib` 600 Ω. Mai r`m[ne s` alegem rezisten\a
pentru polarizarea sursei de curent. Un curent de 1 mA este suficient prin diode (tranzistorul T3 va lua din el
numai 1 %), a]a c` alegem RB3 de 10 kΩ.
{n Fig. 13.32 am reprzentat grafic o procedur` simplificat` de proiectare a etajului diferen\ial

-Un etaj diferen\ial are o structur` simetric`, cele dou` sec\iuni av[nd componente de valori
egale; cuplarea celor dou` sec\iuni se face prin legarea [mpreun` a emitoarele celor dou` tranzistoare,
curentul lor fiind asigurat de o surs` de curent constant.
-Etajul diferen\ial este considerat ideal dac` cele dou` sec\iuni sunt complet identice
(componentele perfect [mperecheate), se g`sesc la temperaturi identice iar sursa de curent legat` [n
emitoare este ideal`.
-Regimul de repaus al acestui etaj este perfect echilibrat, poten\ialele celor dou` sec\iuni fiind
perfect egale, VB1 = VB2 ]i VC1 = VC 2 .
-Punctul de func\ionare al etajului diferen\ial ideal este complet insensibil la varia\iile
temperaturii.
-Dac` cele dou` baze au [n orice moment acela]i poten\ial, spunem c` avem o excitare pe mod
comun; [n cazul general, tensiunile de mod comun se definesc ca medii [ntre tensiunile celor dou`
sec\iuni.
-Amplificarea pe mod comun este raportul [ntre media varia\iilor poten\ialelor din colectoare ]i
∆VC1 + ∆VC 2 2
media varia\iilor poten\ialelor din baze Acom = ; varia\iile se m`soar` de
2 ∆VB1 + ∆VB2
la regimul de repaus.
-Pentru etajul diferen\ial ideal, excita\ia pe mod comun ( ∆VB1 = ∆VB2 ) nu are nici un efect;
amplificarea pe mod comun este nul`; impedan\a de intrare pe mod comun a etajului diferen\ial ideal
este infinit`.
-Excursia permis` a semnalului de mod comun este mare, de ordinul vol\ilor, fiind limitat`
superior de poten\ialul colectoarelor iar inferior de complian\a de tensiune a sursei de curent.
-Dac` varia\iile poten\ialelor bazelor sunt [n orice moment egale ]i opuse ( ∆VB1 = − ∆VB2 )
spunem c` avem o excita\ie pur diferen\ial`; [n cazul general, tensiunile diferen\iale se definesc ca
diferen\e [ntre poten\ialele celor dou` sec\iuni.
-Amplificarea pe mod diferen\ial este raportul [ntre diferen\a varia\iilor poten\ialelor din
b gb
colectoare ]i diferen\a varia\iilor poten\ialelor din baze Adif = ∆VC1 − ∆VC 2 ∆VB1 − ∆VB2 ; cum g
b gb
[n repaus etajul este echilibrat, avem Adif = VC1 − VC 2 VB1 − VB2 . g
- Pentru excitare diferen\ial` cu semnale mici, poten\ialul emitoarelor este aproximativ constant;
pentru varia\ii este ca ]i cum acest punct ar fi legat la mas`.
-Din acest motiv, excitat pe mod diferen\ial cu semnale mici, etajul diferen\ial are o amplificare
egal` cu aceea a unui amplificator cu emitor comun operat [n acela]i punct static de func\ionare ]i cu
aceea]i rezisten\` de colector Adif = − RC re = − I CQ RC VT = − U RC repaus 25 mV . Impedan\a de
intrare pe mod diferen\ial este Zin dif = 2β re .
-{n concluzie, dac` poten\ialele bazelor sunt [n orice moment egale [ntre ele, atunci acestea pot
evolua [n limite largi f`r` ca acest lucru s` se resimt` la ie]ire. Un dezechilibru [ntre poten\ialele
bazelor produce, [ns`, un dezechilibru de sute de ori mai mare [ntre poten\ialele celor dou` colectoare;
etajul este sensibil, astfel, numai la diferen\a [ntre poten\ialele intr`rilor.
-La un etaj diferen\ial real, chiar dac` leg`m ambele baze la mas`, poten\ialele colectoarelor nu
sunt riguros egale; ne[mperecherea exact` a componentelor are exact acela]i efect ca o tensiune
diferen\ial` aplicat` la intrare; aceast` tensiune este numit` tensiune de decalaj (offset) raportat` la
intrare.
-Pentru etajele diferen\iale oferite de produc`torii de componente electronice, tensiunea de
decalaj este [mpr`]tiat` tehnologic; [n foile de catalog se g`sesc valorile tipice ]i valorile maxime
garantate.
-Tensiuea de decalaj sufer` o deriv` (drift) datorit` varia\iei temperaturii; ca ]i tensiunea de
decalaj, m`rimea driftului termic trebuie luat` [n consideratie la alegerea unui anumit amplificator
diferen\ial, [ntruc[t acestea limiteaz` performan\ele care vor fi ob\inute.
- Dac` sursa de curent din emitoare nu este ideal`, impedan\a ree v`zut` de punctul comun al
emitoarelor nu este infinit` ]i etajul diferen\ial este sensibil ]i la excita\ia pe modul comun;
amplificarea pe mod comun nu mai este nul`, modulul ei fiind egal cu raportul [ntre rezisten\a de
colector RC ]i dublul acestei impedan\e Acom = − RC ree .
-{n aceast` situa\ie, impedan\a de intrare pe mod comun este Zin com = βree .
-{n cazul variantei ieftine [n care sursa de curent este [nlocuit` cu un rezistor REE , din necesit`\i
de polarizare valoarea REE nu poate fi prea mare ]i modulul amplific`rii pe mod comun este apropiat
de 0.5.
-Utilizarea unei surse de curent realizat` cu un tranzistor produce cobor[rea modulului
amplific`rii pe mod comun p[n` spre 0.001.
-{n oricare din situa\iile anterioare, la excita\ie diferen\ial` cu semnal mic poten\ialul
emitoarelor r`m[ne practic constant ]i amplificarea pe mod diferen\ial este aceea a etajului ideal,
Adif = − ICQ RC VT .
-Dac` excita\ia diferen\ial` nu [ndepline]te condi\ia de semnal mic vin dif << 50 mV , semnalul
de ie]ire este distorsionat datorit` neliniarit`\ii etajului. Extinderea liniarit`\ii se poate realiza, cu
pre\ul mic]or`rii amplific`rii diferen\iale, prin introducerea [n fiecare emitor a unui rezistor RE
(degenerare); [n acest caz amplificarea devine Adif = − RC ( re + RE ) iar impedan\a de intrare
Zin dif = 2β ( re + RE ) .
-O excita\ie oarecare poate fi interpretat` ca o supraupunere [ntre o excita\ie pe mod comun cu
media excita\iilor bazelor ( ∆VB1 + ∆VB2 ) 2 ]i o excita\ie diferen\ial` cu diferen\a ∆VB1 − ∆VB2 [ntre
aceste excita\ii. Dac` etajul se comport` liniar, semnalele de ie]ire se pot determina prin superpozi\ie.
-Factorul de rejec\ie pe mod comun (Common Mode Rejection Ratio), definit ca
CMRR = Adif Acom caracterizeaz` c[t de "diferen\ial" se comport` un anumit amplificator. {n
tehnologie integrat` el poate ajunge la valori de un milion (120 dB).
-La un etaj cu ie]ire diferen\ial`, sarcina se poate cupla [ntre cele dou` ie]iri sau [ntre o ie]ire ]i
mas`; a doua variant` necesit` un condensator de separare ]i pierde avantajul func\ion`rii la
frecven\e foarte joase (inclusiv curent continuu).
-Prin adùgarea unui etaj de decalare de nivel se ob\ine un amplificator diferen\ial cu ie]ire fa\`
de mas` (single ended) care func\ioneaz` p[n` la freven\a zero inclusiv; poten\ialul de repaus al acestei
ie]irii este nul. Cele dou` intr`ri se numesc, dup` efectul lor asupra ie]irii, intrare neinversoare ]i,
respectiv, inversoare.
-Amplificatoarele diferen\iale sunt utilizate [n special pentru prelucrarea semnalelor mici, cu
frecven\a merg[nd [n jos p[n` la zero inclusiv (curent continuu); datorit` rejec\iei pe mod comun,
anumite semnale parazite (de exemplu semnale perturbatoare induse pe firele de leg`tur`) pot fi
eliminate.
-Prin conectarea diferen\ial` ([ntre cele dou` intr`ri) a senzorului, semnalele parazite apar pe
modul comun ]i sunt rejectate (amplificate mult mai pu\in dec[t semnalul util aplicat pe modul
diferen\ial). Datorit` ne[mperecherii perfecte a impedan\elor pe cele dou` intr`ri, o anumit` parte a
semnalului parazit apare ca semnal diferen\ial (efectul de divizor); pentru mic]orarea acestui efect este
necesar ca impedan\a de intrare pe mod comun s` fie c[t mai mare.
-Etajul diferen\ial mai este utilizat pe post de comparator de tensiune, pentru conversia
semnalelor triunghiulare [n semnale sinusoidale, la modula\ia de amplitudine ]i construc\ia
multiplicatoarelor analogice, pentru eliminarea efectului Miller; familia de circuite digitale de foarte
mare vitez` (500 MHz) ECL (Emitter Coupled Logic) are la baz` o configura\ie de etaj diferen\ial.
Termeni noi
-amplificator diferen\ial amplificator cu dou` intr`ri la care starea ie]irii este sensibil`
practic numai la diferen\a [ntre poten\ialele intr`rilor ]i nu la
media acestora;
-tensiune de mod comun media [ntre varia\iile poten\ialelor celor dou` intr`ri (sau ie]iri);
-tensiune diferen\ial` diferen\a [ntre varia\iile poten\ialelor celor dou` intr`ri (sau ie]iri);
-excitare pe mod comun excitare [n care la cele dou` intr`ri se aplic` acela]i semnal
(tensiune de intrare diferen\ial` nul`);
-excitare pe mod diferen\ial excitare [n care la cele dou` intr`ri se aplic` semnale egale [n
valoare absolut` dar opuse ca semn (tensiune de intrare pe mod
comun nul`);
-amplificare pe mod comun raportul vout com vin com , care trebuie s` aib` valori c[t mai mici;
-amplificare pe mod diferen\ial raportul vout dif vin dif , care ajunge la valori de ordinul sutelor
pentru un etaj diferen\ial cu dou` tranzistoare bipolare;
-raport de rejec\ie pe mod comun raportul [ntre amplific`rile pe mod diferen\ial ]i comun
(Common Mode Rejection Ratio) CMRR = Adif Acom ; [n tehnologie integrat` ajunge p[n` la un
milion;
-efect de divizor conversia unei p`r\i din excita\ia pe mod comun [n excita\ie pe
mod diferen\ial datorit` ne[mperecherii impedan\elor pe cele dou`
intr`ri; poate fi diminuat prin cre]terea impedan\ei Zin com ;
-multiplicator analogic circuit a c`rui tensiune de ie]ire este propor\ional` cu produsul
dintre tensiunile aplicate la cele dou` intr`ri; func\ioneaz` p[n` la
frecven\a zero inclusiv;
-circuite ECL familie de circuite digitale (logice) de foarte mare vitez`, care au
la baz` o structur` de etaj diferen\ial;
Probleme rezolvate
Problema 1. Impedan\ele de intrare Zin dif ]i Zin com au fost definite [n cazul unor tipuri speciale
de excita\ie, pur diferen\ial` ]i, respectiv, pe mod comun. Presupun[nd o func\ionare liniar` a etajului, s` se
construiasc` un circuit echivalent de intrare care s` fie valabil ]i [n cazul unei excita\ii oarecare (mixte).
Rezolvare
Aplic`m la cele dou` intr`ri varia\iile de poten\ial ∆VB1 ]i ∆VB2 . Etajul diferen\ial fiind liniar, va fi
echivalent cu o re\ea de impedan\e legate [ntre cele dou` intr`ri ]i punctul de mas` (Fig. 13.33 a). Dar, oric[t
de complicat` ar fi aceast` re\ea, ea poate fi adus` [ntodeauna la o configura\ie echivalent` [n Y (desenul b)
sau [n triunghi (desenul c). Nu ne r`m[ne dec[t s` exprim`m impedan\ele acestor configura\ii prin valorile
Zin com ]i Zin dif .
∆ VB1
baza 1 Z''' =
Z' =
2Z in com
+ re\ea de Z in dif 2 Z'' ≅ Z in com
Z iv ≅ Z in dif
- ∆ VB2 impedan\e
baza 2 Z' =
Z in dif 2 Z''' =
+ etaj diferen\ial 2Z in com
-
re\ea [n Y re\ea [n triunghi
a) b) c)
Fig. 13.33.
{ncepem cu re\eaua [n Y. Pe mod diferen\ial prin Z'' nu circul` curent (teorema Milman cere ca
varia\ia potentialului punctului M s` fie nul`) ]i, deci, aceast` impedan\` poate fi ignorat`. Rezult` imediat c`
Z ' = Zin dif 2 . Pe modul comun bazele sunt legate [mpreun` ]i cele dou` impedan\e Z' apar [n paralel. Din
Zin com = Z '' + Z ' 2 deducem c` Z '' = Zin com − Zin dif 4 . Dac` Zin com >> Zin dif , a]a cum se [nt[mpl`
la toate etajele cu surs` de curent (]i chiar ]i la cele cu rezistor c[nd Adif nu a cobor[t chiar la ordinul
unit`\ilor), putem spune c` Z '' ≅ Zin com .
Pentru re\eaua [n triunghi din desenul c), la excita\ia pe mod comun prin Z iv nu trece curent (capetele
sunt la acela]i poten\ial) iar impedan\ele Z''' apar legate [n paralel; [n consecin\` Z ''' = 2 Zin com . La
excita\ia pur diferen\ial` curen\ii prin impedan\ele Z''' sunt egali ]i, deci spre mas` curentul e nul. Este ca ]i
cum impedan\ele Z''' ar fi legate [n serie (f`r` leg`tura la mas`), de unde ob\inem c` Zin dif este combina\ia
paralel [ntre Z iv ]i 2 Z ''' = 4 Zin com . De aici rezult` c`
1
Z iv = Zin dif ≅ Zin dif 1 + Zin dif ( 4 Zin com ) ≅ Zin dif
1 − Zin dif ( 4 Zin com )
Problema 2. S` se deduc` expresia +VA

caracteristcii de transfer ∆Vout dif = f ( ∆Vin dif )
RC RC
pentru etajul din Fig. 13.34, f`r` s` se fac`
aproxima\ia de semnal mic. VC1 VC2
VB1 VB2
T1 T2
Rezolvare
+ + _ ∆V
Pornim de la expresiile caracteristicilor de + ∆V in dif in dif
2 - VE - 2
transfer ale tranzistoarelor (presupuse identice)
IC1 = I s eVBE 1 VT ; IC 2 = I s eVBE 2 VT I EE

(13.27)
-V A
]i [ncerc`m s` exprim`m tensiunea de intrare
Fig. 13.34.
diferen\ial` prin tensiunile baz`-emitor
∆Vin dif = VB1 − VB2 = (VB1 − VE ) − (VB2 − VE ) =

(13.28)
= VBE1 − VBE 2
Pentru a exprima diferen\a VBE1 − VBE 2 prin curen\ii de colector, [mp`r\im membru cu membru expresiile
lor ]i; ob\inem
∆Vin dif
I C1
= e VT . (13.29)
IC2
Mai avem [n plus informa\ia c` [ntodeuana suma curen\ilor de colector este I EE
I C1 + I C 2 = I EE . (13.30)
Ceea ce dorim noi s` calcul`m este
∆Vout dif = VC1 − VC 2 = (V A − RC I C1 ) − (V A − RC I C 2 ) =

(13.31)
= − RC ( I C1 − I C 2 )
va trebui s` exprim`m din (13.29) ]i (13.30) diferen\a curen\ilor
∆Vin dif VT ∆Vin dif ( 2VT ) − ∆Vin dif ( 2VT )

e −1 e −e
I C1 − I C 2 = I EE ∆V V
= I EE ∆V ( 2VT ) − ∆Vin dif ( 2VT )
=
e in dif T + 1 e in dif +e . (13.32)
F
∆Vin dif I
= I EE tanh GH
2VT JK
{n final, nu mai avem dec[t s` [nlocuim expresia g`sit` [n rela\ia (13.31)
F ∆Vin dif I .
∆Vout dif = − I EE RC tanh GH 2VT JK (13.33)
Problema 3. Trebuie s` urm`ri\i varia\iile de temperatur` ale unui corp pe un domeniu de numai
+/- 0.01 oC astfel [nc[t s` pute\i observa modific`ri 0.001 oC [n condi\iile [n care temperatura ambiant`
evolueaz` necontrolat cu 1 oC. Drept senzor ave\i la dispozi\ie un termistor cu coeficient de temperatur`
negativ, care are la temperatura de lucru o rezisten\` de 10 kΩ, iar ca aparat de m`sur` ve\i utiliza un
voltmetru electronic digital flotant cu rezisten\a de 1 MΩ, domeniul lui de m`sur` fiind [ntre -100 mV ]i
100 mV. Proiecta\i un amplificator care s` rezolve aceast` problem`. Ce stabilitate va trebui s` aib` tensiunea
de referin\` utilizat` ?
Rezolvare Un termistor NTC [si modific` rezisten\a cu aproximativ 4 % pe grad; astfel, pe domeniul
de +/- 0.01 oC pe care vom urm`ri temperatura vom avea o varia\ie relativ` a rezisten\ei de numai +/- 0.4 la
mie. O asemenea varia\ie mic` poate fi pus` [n eviden\` printr-o metod` de punte (Fig. 13.35). Presupun[nd
c` am echilibrat puntea la temperatura de lucru ]i apoi rezisten\a termistorului a crescut cu ∆ R . Diferen\a de
poten\ial [ntre punctele M ]i N este
FG R0 + ∆ R − 1 IJ ≅ VREF ∆ R ;
V M − VN = V REF
H 2 R0 + ∆ R 2 K 4 R0
cu o tensiune de referin\` de 10 V, puntea se va dezechilbra +/- 1 mV pe [ntreg domeniul de +/- 0.01 oC
care trebuie monitorizat.
Semnalul care trebuie prelucrat +15 V
este diferen\a de poten\ial [ntre dou` +VREF 10 k 10 k
puncte dintre care nici unul nu este legat + 10 V
voltmetru + 7.5 V
la mas`. Este evident c` trebuie s` R0 R0 electronic
utiliz`m un amplificator diferen\ial. + 5 V
N T1 T2
Cum aparatul de m`sur` are capetele de M
scal` la +/- 100 mV iar semnalul
R +∆ R
diferen\ial este de +/- 1 mV, 0 R0
68 Ω
amplificarea diferen\ial` va trebui s` fie 68 Ω
100.
Pentru a nu "scurtcircuita"
generatorul de semnal reprezentat de R0 = 10 k Ω 13 k
punte, impedan\a diferen\ial` trebuie s`
-15 V
fie de cel pu\in 10 ⋅ R0 = 100 kΩ . {n
Fig. 13.35.
plus, puntea trebuie s` furnizeze ]i
curentul de baz` al tranzistoarelor; cum intensitatea curentului printr-o ramur` a pun\ii este de
10 V 20 kΩ = 500µA , nu putem alege dec[t un curent de baz` mai mic de 50 µA. Pe de alt` parte, sarcina
este un aparat care are rezisten\a de 1 MΩ ]i va putea fi conectat` f`r` probleme [ntre colectoarele
tranzistoarelor dac` nu cre]tem rezisten\ele de colector peste 50 kΩ (ele apar [n serie [n impedan\a de ie]ire la
excita\ie diferen\ial`).
Alegem RC = 50 kΩ ]i cu o tensiune de alimentare de +/- 15 V ]i poten\ialul de repaus la jum`tate,

rezult` un curent de repaus ICQ = 7.5 V 50 kΩ = 0.15 mA . Miz[nd pe un factor de amplificare β de cel
pu\in 100, vom avea un curent de baz` sub 1.5 µA, ceea ce nu "[ncarc`" semnificativ puntea.
Pentru stabilirea amplific`rii diferen\iale de 100, trebuie s` introducem [n emitoare rezistoare RE
pentru degenerare, astfel [nc[t RE + re = RC 100 = 500 Ω . Cum re este 25 mV 0.15 mA = 167 Ω . Va
trebui s` punem, deci RE = 330 Ω (valoare standardizat`). Pe aceste rezistoare, c`derea de tensiune [n
repaus va fi de numai 0.15 mA ⋅330 Ω = 50 mV .
Poten\ialul bazelor tranzistoarelor va fi la V REF 2 = 5 V , de unde g`sim imediat poten\ialul
emitoarelor egal cu 5 V - 0.6 V - 0.05 mV = 4.4 V . De aici rezult` valoarea rezisten\ei REE , de
( 4. 4 V + 15 V) 1.5 mA ≅ 13 kΩ .
Impedan\a de intrare diferen\ial` va fi 2β( RE + re ) = 100 kΩ ]i nu vom pierde prea mult` tensiune de
semnal pe impedan\a de ie]ire a pun\ii, care este de 10 kΩ. Dac` suntem foarte riguro]i, vom afla c` pierdem
10 % din acest motiv ]i [nc` 10 % datorit` rezisten\ei finite a voltmetrului, a]a c` trebuie s` ne astept`m la o
amplificare global` de aproximativ 80 [n loc de 100. {n cazul [n care nu putem accepta acest lucru, nu avem
dec[t s` mic]or`m cu 20 % rezisten\a RE + re prin cobor[rea lui RE pe la 310 Ω.
S` vedem cum st`m cu stabilitatea termic`. Trebuie s` asigur`m ca o varia\ie de 0.001 oC s` poat` fi
pus` [n eviden\`; aceasta [nseamn` o varia\ie a tensiunii de intrare de numai 10 µV. Cum [n acest timp
temperatura amplificatorului se modific` cu 1 o C, va trebui ca acesta s` aib` un drift al tensiunii de decalaj
mai mic de 10 µV/grad. A]a cum s-a discutat anterior, aceast` performan\` nu poate fi asigurat` cu
tranzistoare discrete. Va trebui s` realiz`m etajul cu tranzistoare dintr-un circuit integrat. Pentru aria βA 726
produs` de IPRS B`neasa, driftul este de numai 1-2 µV pe grad, ceea ce satisface cerin\a problemei.
Fluctua\iile tensiunii de referin\` V REF cu care am alimentat puntea pot s` ne induc` [n eroare, fiind
interpretate de amplificator ca semnal provenit din varia\ia temperaturii termistorului. Cu puntea perfect
echilibrat`, varia\iile tensiunii V REF vor determina apari\ia unui semnal pe modul comun, de m`rime
∆V REF 2 . Cum raportul de rejec\ie pe mod comun este CMRR = Adif Acom ≅ 100 0. 4 ≅ 260 iar
semnalul util minim care trebuie pus [n eviden\` este de 10 µV, rezult` c` perturba\ia pe mod comun
∆V REF 2 trebuie s` fie mai mic` dec[t 10 µV ⋅ 260 = 2.6 mV . {n concluzie, tensiunea de referin\` va
trebui s` aib` o stabilitate mai bun` de 5.2 mV 10 V ≅ 0.5 % .
{n condi\iile [n care puntea este dezechilibrat`, am v`zut c` tensiunea de intrare diferen\ial` este
V ∆R
V M − VN ≅ REF . Dac` ]i tensiunea de referin\` se modific`, mai apare un termen suplimentar egal cu
4 R0
∆R
∆V REF . Cea mai dezavantajoas` situa\ie apare la capetele intervalului care trebuie monitorizat, c[nd
4 R0
∆ R ( 4 R0 ) ajunge la valoarea maxim` 0.4 la mie. Astfel, pentru a putea pune ]i aici [n eviden\` varia\ia
4
semnalului util de 10 µV, trebuie ca ∆V REF ≤ 10 µV , de unde ∆V REF ≤ 2.5 mV . Rezult`, de aici, o
1000
stabilitate de 0.25 % pentru tensiunea de referin\`, condi\ie mai dur` dec[t cea ob\inut` la paragraful
precedent. Totu]i, pentru referin\ele de tensiune integrate, care au deriva termic` sub 10 ppm pe grad (adic`
0.001 % pe grad) aceast` condi\ie este extrem de relaxat`.
Problema 4.. {ntr-un aparat optic, pozi\ia unei oglinzi trebuie modificat` prin intermediul unui
actuator piezoelectric; pentru a realiza deplasarea dorit`, tensiunea pe actuator va evolua [ntre - 100 V ]i
+ 100V. Forma de und` ce va controla deplasarea este ob\inut` de la un generator de semnal a c`rui ie]ire are
o excursie [ntre - 1V ]i + 1 V. S` se proiecteze un amplificator diferen\ial care s` fie excitat de generatorul de
semnal ]i care s` comande actuatorul.
Rezolvare
Varia\ia tensiunii pe actuator [ntre - 100 V ]i + 100 V poate fi realizat` leg[nd actuatorul [ntre
colecoarele unui etaj diferen\ial ]i provoc[nd varia\ii, [n antifaz`, de +/- 50 V ale poten\ialelor de colector
(mod diferen\ial). Alegem valoarea aliment`rii pozitive la + 150 V ]i stabilim regimul de repaus al
colectoarelor la + 75 V. Astfel, poten\ialul colectoarelor va evolua [ntre +25 V ]i + 125 V, cu rezerve de
25 V at[t spre poten\ialul aliment`rii c[t ]i spre mas`.
Amplificarea global` a amplificatorului pe care [l proiect`m va trebui s` fie 100 V 1 V = 100 . Dac`
am [ncerca s` ob\inem aceast` amplificare de la etajul [n care am lega actuatorul, comportarea sa ar fi
puternic neliniar` deoarece excursia de +/- 1 V de la intrare este foarte mare. Nu putem s` ob\inem de la un
singur etaj ]i amplificare mare ]i semnale mari. Solu\ia este realizrea amplific`rii de 100 cu dou` etaje;
alegem ca fiecare din etaje s` amplifice de 10 ori.
Pentru etajul final, pe care am [nceput s`-l proiect`m, avem nevoie de tranzistoare care s` reziste la
VCE pestte 150 V ]i care s` poat` disipa c[tiva wa\i (produsul ICQVCEQ va fi mare). Alegem, de exemplu,
BF471 care are o tensiune maxim` de 300 V ]i disip` peste 2 W.
Alegem un curent de repaus de 10 mA la care puterea disipat` [n repaus pe fiecare tranzistor este de
numai 75 V ⋅10 mA = 0.75 W . De aici rezult` imediat valorile rezisten\elor de colector
150V - 75 V
RC2 = = 7.5 kΩ
10 mA
Puterea disipat` pe fiecare din ele ([n repaus) este de 0.75 W, va trebui s` alegem rezisten\e cu puterea
nominal` de cel pu\in 1W.
+150 V
7.5 k 7.5 k
+15 V PZT
7.5 k 7.5 k
+75 V
+7.5 V
T3 T4
T1 T2
750 Ω
~ RB 750 Ω 10 k 750 Ω
750 Ω
2 mA 20 mA
6.8 k 750 Ω
-15 V
Fig. 13.36.
Amplificarea mic` se realizeaz` prin degenerarea [n emitoare a etajului, introduc[nd rezisten\ele RE2 .
Cum modulul amplific`rii diferen\iale este RC RE iar amplificarea trebuie s` fie 10, ob\inem c`
RE2 = 750 Ω . }i puterea disipat` este de 10 ori mai mic`, putem monta rezistoare de 0.25 W sau 0.5 W. {n
repaus, pe fiecare din aceste rezisten\e cade 7.5 V, astfel c` poten\ialul de repaus al emitoarelor va fi cu
aproximativ 8 V sub poten\ialul bazelor. Nu [l putem afla [n acest moment deoarece nu ]tim unde vom lega
bazele.
Av[nd dou` etaje diferen\iale legate unul dup` altul, factorii individuali de rejec\ie pe mod comun se
[nmul\esc ]i, din acest motiv, nu are rost s` fim prea preten\io]i: renun\`m s` punem surs` de curent la etajul
final. {n locul acesteia, vom monta rezistorul REE2 . Cum o surs` de tensiune mare este scump`, vom utiliza
tot tensiunea negativ` a primului etaj. Valoarea lui REE2 o vom determina dup` proiectarea primului etaj.
Acest prim etaj va trebui s` aib` o amplificare de 10, ceea ce [nseamn` c` poten\ialele colectoarelor
vor avea excursii de +/- 5 V. Alegem + 15 V tensiunea de alimentare pozitiv` ]i stabilim la 7.5 V poten\ialul
de repaus al colectoarelor. Cu un curent de repaus de 1 mA, rezisten\ele necesare [n colectoare vor fi
15V - 7.5 V
RC1 = = 7.5 kΩ ;
1 mA
la fel ca ]i la etajul al doilea, vom introduce o degenerare [n emitoare, prin intermediul rezistoarelor
RE1 = RC1 10 = 750 Ω . Pe fiecare din aceste rezistoare pierdem [n repaus 0.75 V, astfel [nc[t poten\ialul de
repaus al emitoarelor va fi de aproximativ - 1.5 V.
Nici la primul etaj nu are rost s` utiliz`m o surs` de curent; alegem alimentarea negativ` la -15 V ]i
mont`m un rezistor REE1. Prin el trec 2 mA, deci va trebui s` aib` o valoare
-1.5 V - (-15 V)
REE1 = ≅ 6.8 kΩ .
2 mA
Ne putem acum [ntoarce la proiectarea etajului final. Bazele lui vor fi legate [n colectoarele primului,
deci vor sta [n repaus la +7.5 V. Rezult` c` emitoarele sunt pe la - 0.5 V. Putema acum calcula valoarea
rezistorului REE2 : pe el cade aproximativ 15 V iar curentul este de 20 mA. Rezult` o valoare de 750 Ω. {n
7.5 kΩ 7.5 kΩ
final, s` calcul`m amplificarea global` pe mod comun Acom = ⋅ = 0.82 ]i vom avea.
2 ⋅ 6.8 kΩ 2 ⋅ 750 Ω
deci, un factor de rejec\ie global de 120.
Probleme propuse
P 13.1. Calcula\i punctul static de func\ionare al etajului diferen\ial din Fig. 13.37 a).
+20 V +10 V
3.3 k 3.3 k
5.3 V
T1 T2 T1 T2 ≅0 V
47 k 47 k
5.1 k
-20 V -10 V
a) b)
Fig. 13.37.
P 13.2. Determina\i amplific`rile diferen\ial` ]i pe mod comun, precum ]i factorul de rejec\ie pe mod
comun, pentru circuitul din Fig. 13.37 b). Cele dou` sec\iuni au rezistoare de valori identice.
P 13.3. Estima\i impedan\ele de intrare, pe mod diferen\ial ]i pe mod comun, pentru etajul din
problema P 13.1, f`r` s` lua\i [n considera\ie efectul rezisten\elor din baze (considerati factorul de
amplificare β ≥ 100 ). Utiliza\i apoi rezultatul problemei rezolvate 1 ]i echivala\i intrarea etajului cu o re\ea
de trei rezistoare. Adùga\i ]i rezistoarele din baze ]i recalcula\i acum impedan\ele de intrare pe mod
diferen\ial ]i pe mod comun. Formula\i o concluzie asupra efectului rezistoarelor de polarizare a bazelor.
P 13.4. Modifica\i circuitul din problema P 13.1 astfel [nc[t s` aib` Adif = 75 ; {ncerca\i ca pe seama
renun\`rii la valoarea mare a amplific`rii s` [mbun`t`\i\i liniaritatea etajului.
P 13.5. Proiecta\i un etaj diferen\ial alimentat de la +/- 15 V, aleg[nd curentul de repaus pentru fiecare
din tranzistoare egal cu 0.5 mA. Amplificarea diferen\ial` trebuie s` fie Adif = 50 iar rejec\ia pe mod
comun c[t mai mare. Estima\i impedan\ele de intrare, miz[nd pe un factor de amplificare pentru tranzistoare
β ≥ 200 .
C
P 13.6. Pentru o anumit` aplica\ie, impedan\a de intrare pe mod diferen\ial
ob\inut` la problema precedent` este prea mic`. Reproiecta\i etajul, utiliz[nd de data
aceasta tranzistoare compuse Darlington (Fig. 13.38). {n estimarea factorului de
amplificare β echivalent al dubletului, nu uita\i c` primul tranzistor lucreaz` la curent
mult mai mic ]i [n aceste condi\ii factorul β pentru el poate fi chiar cu un ordin de B
m`rime mai mic dec[t cel de 200 specificat de problema anterioar`.
P 13.7 (mai dificil` !) {n rezolvarea problemei precedente, a\i considerat,
probabil, la calculul amplific`rii, c` tranzistorul compus are rezisten\a dinamic` E
intrinsec` de emitor re practic egal` cu a unui tranzistor care lucreaz` la curentul
Fig. 13.38.
ICQ = 0.5 mA specificat [n tema de proiectare. {n realitate nu se [nt[mpl` a]a ]i
acum va trebui s` calcula\i c[t este aceast` rezisten\` dinamic`. Desena\i configura\ia Darlington utiliz[nd
modelul pentru varia\ii (cu re ) pentru fiecare tranzistor [n parte ]i [ncerca\i s` o echivala\i cu un singur
tranzistor. Aminti\i-v` c` prezen\a rezisten\ei dinamice re [n emitorul modelului a fost impus` de ecua\ia
∆VBE = re ⋅ ∆ I E ]i exprima\i ∆VBE pentru tranzistorul compus. Nu uita\i c` cele dou` tranzistoare din
componen\a sa lucreaz` la valori diferite ale curentului de colector ]i, deci, nu au rezisten\ele dinamice egale.
Dac` a\i lucrat corect ve\i ob\ine un rezultat care nu depinde de factorii de amplificare β ai
tranzistoarelor. Acesta este un lucru excelent, [ntruc[t [n afar` de [mpr`]tierea de la exemplar la exemplar,
acest factor mai are ]i o c`dere la curen\ii mici la care lucreaz` primul tranzistor. Dubletul poate fi
caracterizat, deci, de o m`rime independent` de aceste lucruri ]i acesta este rezultatul direct al unei alegeri
bune [n construirea circuitului echivalent al tranzistorului pentru varia\ii. Dac` v` mai aminti\i, atunci c[nd
am construit acest circuit am avut de ales [ntre a introduce o rezisten\` dinamic` [n baz` ]i a o introduce [n
emitor. Am ales s` o punem [n emitor ]i aceast` alegere a condus la o serie de simplific`ri [n descrierea ]i
calculul performan\elor circuitelor cu tranzistoare.
P 13.8. Proiecta\i un etaj diferen\ial, alimentat la +/- 10V, care s` aib` amplificarea pe mod diferen\ial
egal` [n modul cu 50 ]i o rejec\ie c[t mai bun` pe mod comun. Estima\i impedan\a de intrare diferen\ial`,
dac` factorul β al tranzistoarelor este peste 200.
P 13.9. Proiecta\i un etaj diferen\ial alimentat la +/- 15 V, cu amplificarea diferen\ial` egal` [n modul
cu 20; alege\i varianta ieftin`, cu rezistor [n locul sursei de curent. Miz[nd pe un factor β de cel pu\in 100,
calcula\i impedan\ele de intrare. C[t este raportul de rejec\ie pe mod comun.
P 13.10. Ave\i la dispozi\ie o alimentare de +/- 20 V ]i tranzistoare cu β ≥ 200 .Proiecta\i un
amplificator diferen\ial (eventual cu mai multe etaje) care s` [ndeplineasc` urm`toarele cerin\e:
-amplificarea diferen\ial` Adif = 1000 ;
-impedan\` de intrare diferen\ial` Zin dif ≥ 1 MΩ ;
-raport de rejec\ie pe mod comun CMRR dB ≥ 60 dB ;
-excursia semnalului la ie]ire +/- 5 V.
Experimentul 1. Amplific`rile pe modul diferen\ial ]i pe modul comun
+VA
+12 V
RC RC
6.2 k 6.2 k
C1 C2
+V A
P
B1 B2
12 V +
- T1 T2
~
+
12 V -
-V A M Q
N O Tr. generator
de semnal
alimentare T3 3.3 k
plan]et`
R EE
5.6 k Pot.
680 Ω 1k
-V A
-12 V
Fig. 13.39.
Ave\i pe plan]et` realizat un amplificator diferen\ial cu tranzistoare discrete (Fig. 13.39). Dup` ce
v-a\i copiat schema sa pe caiet, lega\i un fir [ntre bornele M ]i N, conect[nd rezistorul REE [ntre punctul
comun al emitoarelor ]i alimentarea negativ`. Alimenta\i apoi plan]eta cu tensiune diferen\ial` (dou` surse
de alimentare, ca [n figur`).
a) Punctul de func\ionare
Lega\i bazele B1 ]i B2 la mas` ]i m`sura\i fa\` de mas` tensiunile de alimentare precum ]i
poten\ialele colectoarelor ]i ale emitoarelor. Utiliz[nd aceste date, [mpreun` cu valorile rezisten\elor RC ]i
REE , calcula\i valorile curen\ilor de repaus. Tot cu aceste date, estima\i c[t ar trebui s` fie amplificarea pe
mod comun ]i amplificarea pe mod diferen\ial.
b) Excitarea pe mod comun baza B1
Lega\i ie]irea unui generator de semnal [n primarul
P
transformatorului Tr. (vom vedea mai t[rziu de ce avem
nevoie de acest transformator). Excitarea este numit` pe
mod comun dac` poten\ialele celor dou` intr`ri sunt baza B2
~
identice [n orice moment; pentru a realiza aceasta,
desface\i de la mas` firele care merg [n baze ]i lega\i-le
[ntre ele. Conecta\i apoi punctul lor comun [ntr-una din Q
bornele P sau Q ale secundarului transformatorului, ca [n Tr. generator
Fig. 13. 40. Deoarece priza median` a transformatorului de semnal
Fig. 13.40. Excitarea pe mod comun.
este legat` constructiv la mas`, bazele vor continua s` fie legate [n curent continuu la mas`.
Lega\i sonda unui osciloscop [ntr-unul din colectoare (masa sondei fiind legat` la masa circuitului).
Stabili\i frecven\a generatorului de semnal sinusoidal pe la 1 kHz ]i m`ri\i amplitudinea semnalului p[n`
aproape de punctul [n care sinusoida din colector [ncepe s` fie distorsionat`. Nota\i-v` valoarea amplitudinii
semnalului din colector. Pentru calculul amplific`rii, ve\i m`sura valorile efective ale semnalelor cu un
voltmetru electronic. Determina\i, astfel, tensiunea de intrare pe mod comun (din baze) ]i tensiunea de ie]ire
pe mod comun (din colectoare). Dac` tensiunile din cele dou` colectoare nu sunt egale, efectua\i media [ntre
acestea. Calcula\i apoi amplificarea pe mod comun.
Mic]ora\i acum nivelul semnalului produs de generator, astfel [nc[t tensiunea de ie]ire (din colectoare)
s` coboare pe la 10 mV ]i relua\i m`surarea amplific`rii. Compara\i cele dou` valori ob\inute, la semnal mare
]i la semnal mic. Depinde amplificarea de nivelul semnalului ? Ce pute\i spune despre liniaritatea
amplificatorului diferen\ial la func\ionarea pe mod comun ? C[t de mare poate s` fie excursia de tensiune la
ie]ire f`r` ca s` apar` distorsiuni de limitare ? Compar\i apoi aceast` valoare m`surat` cu cea estimat` din
valorile componentelor. C[t de precis` a fost estimarea ? Care crede\i c` sunt cauzele erorilor ?
c) Excitarea pe mod diferen\ial
La excitarea pe mod diferen\ial, cele dou` poten\iale de intrare trebuie s` [ndeplineasc` condi\ia
VB1 ( t ) = −VB 2 ( t ) ; pentru o form` de und` sinusoidal`, aceasta [nseamn` c` cele dou` semnale trebuie s` fie
[n antifaz`. Cum generatorul de semnal sinusoidal ofer` un singur semnal sinusoidal, fa\` de mas`, nu [l
putem utiliza direct pentru o excitare diferen\ial` a etajului. Din acest motiv, ve\i folosi un transformator
defazor, care are [n secundar o priz` median` (exact la jum`tatea [nf`]ur`rii) ce este legat` la mas`, Astfel,
cele dou` tensiuni de la capetele P ]i Q ale scundarului,
m`surate fa\` de mas`, sunt egale [n amplitudine dar [n
opozi\ie de faz`. Ele sunt exact semnalele care ne trebuie baza B1 P
pentru excitarea pe mod diferen\ial.
Pe mod comun, bazele erau egate [mpreun`. Desface\i
firele lor de leg`tur` ]i conecta\i-le separat la bornele P ]i Q ~
ale secundarului transformatorului, ca [n Fig. 13.41. A\i baza B2 Q
realizat, astfel, o excitare diferen\ial`. Urm`ri\i cu
osciloscopul forma de und` dintr-unul din colectoare ]i
Tr. generator
mic]ora\i nivelul semnalului produs de generator p[n` c[nd de semnal
aceast` form` devine sinusoidal` (amplitudinea din colector Fig.13.41. Excitarea pe mod diferen\ial.
[n jur de 1Vvv).
Determina\i acum experimental amplificarea pe mod diferen\ial. Conform defini\iei, va trebui s`
[mp`r\i\i [ntre ele diferen\ele de poten\ial [ntre colectoare ]i, respectiv, [ntre baze. Dar aceste poten\iale sunt
[n antifaz` ]i, deci, diferen\ele vor fi de dou` ori mai mari dec[t valorile pe care le ve\i m`sura cu voltmetrul
fa\` de mas`. Acest lucru se [nt[mpl` at[t cu poten\ialele colectoarelor (tensiunea de ie]ire) c[t ]i cu
poten\ialele bazelor (tensiunea de intrare) ]i factorul 2 se simplific` atunci c[nd calcula\i amplifcarea. Este
suficient, deci, s` [mp`r\i\i, tensiunea de la un colector la tensiunea de la o baz` (m`surate fat` de mas`).
M`sura\i, a]a cum s-a ar`tat [n paragraful anterior, amplificarea pe mod diferen\ial la semnal mic ]i
compara\i-o cu valoarea estimat` la [nceput din punctul static de func\ionare. C[t de mare a fost eroarea de
estimare ? Care crede\i c` sunt principalele cauze care au produs diferen\a [ntre aceste dou` valori ?
M`ri\i acum nivelul semnalului de la generator astfel [nc[t semnalul din colector s` aib` o amplitudine
de 6Vvv ]i relua\i determinarea experimental` a amplific`rii diferen\iale. Compara\i-o cu valoarea m`surat`
[n condi\ii de semnal mic ]i formula\i o concluzie. |ine\i seama ]i de forma pe care o are acum semnalul din
colector.
d) Raportul de rejec\ie pe mod comun

A\i determinat experimental amplificarea pe mod comun ]i, de asemenea, amplificarea pe mod
diferen\ial la semnale mici (la semnal mare amplificatorul distorsioneaz` semnalul ]i nu mai pute vorbi de o
amplificare). Pute\i calcula acum raportul de rejec\ie pe mod comun CMRR = Adif Acom . Exprima\i-l ]i [n
d
decibeli, folosind rela\ia CMRR dB = 20 ⋅ log10 Adif i
Acom .
Experimentul 2. M`rirea rejec\iei pe mod comun prin utilizarea unei surse de

curent
Un amplificator diferen\ial ideal ar trebui s` aib` amplificarea pe mod comun nul`. O func\ionare mai
apropiat` de acest caz ideal o putem ob\ine dac` [nlocuim rezistorul REE cu o surs` de curent. Pentru aceasta
nu ave\i dec[t s` desface\i firul dintre bornele M ]i N ]i s`-l lega\i [ntre bornele M ]i O. Sursa de curent este
realizat` cu un tranzistor bipolar ]i, evident, nu este ideal`, av[nd o impedan\` ree foarte mare dar nu infinit`.
Pentru ca etajul diferen\ial s` aib` acela]i punct de func\ionare ca [n experimentul precdent, va trebui s`
ajusta\i valoarea curentului furnizat de surs`. Decupla\i generatorul de semnal ]i conecta\i un voltmetru de
curent continuu [ntre mas` ]i unul dintre colectoare. Roti\i apoi poten\iometrul Pot. care controleaz` sursa de
curent p[n` c[nd poten\ialul coletorului atinge exact valoarea pe care a\i m`surat-o la punctul a) al
experimentului precedent. A\i adus, astfel, etajul [n acela]i punct de func\ionare.
a) Amplificarea pe mod diferen\ial la semnal mic
Relua\i m`sur`toarea acestei m`rimi ]i compara\i valoarea cu cea ob\inut` [n cazul utiliz`rii
rezistorului REE [n locul sursei de curent. Formula\i o concluzie.
b) Amplificarea pe mod comun

M`sura\i acum ]i amplificarea pe mod comun. Semnalul de ie]ire este de data aceasta at[t de mic [nc[t
[l pute\i confunda cu perturba\ia de 50 Hz (]i voltmetrul nu poate face aceast` deosebire). Din acest motiv,
efectua\i m`sur`torile cu osciloscopul. Cum semnalul util are frecven\a de 1000 Hz iar perturba\ia are
frecven\a de 50 Hz, pute\i identifica u]or pe ecran semnalul util.
Efectua\i o compara\ie [ntre valoarea m`surat` acum cu surs` de curent ]i valoarea m`surat` anterior
cu rezistorul REE [n locul sursei de curent. De c[te ori a fost redus` amplificarea pe mod comun ? Estima\i
valoarea impedan\ei ree a sursei de curent.
c) Raportul de rejec\ie pe mod comun

Calcula\i raportul de rejec\ie pe mod comun ]i exprima\i-l [n decibeli. De c[te ori a crescut acest raport
prin folosirea unei surse de curent ? Exprima\i aceast` cre]tere ]i [n decibeli.
Experimentul 3. Neidealit`\i ale etajului diferen\ial
a) Tensiunea de decalaj (offset)

Ave\i realizat pe plan]et` un etaj diferen\ial construit cu dou` tranzistoare dintr-o arie integrat` (Fig.
13.42 ) ]i cu rezistoare [mperecheate cu precizia de 1 %. Lega\i bazele la mas` ]i alimenta\i plan]eta.
M`sura\i punctul static de func\ionare ]i, folosind [n plus valorile rezisten\elor, calcula\i amplificarea
diferen\ial`.
Dac` etajul ar fi perfect simetric, poten\ialele de repaus ale celor dou` colectoare ar fi identice.
Conecta\i [ntre colectoare un voltmetru electronic (comutat pe func\ia "voltage DC") ]i interpreta\i
rezultatul acestei m`sur`tori. Pute\i considera tensiunea de ie]ire m`surat` ca un semnal mic ? (calcula\i
∆ I C I CQ ). Dac` aceast` tensiune de ie]ire o pute\i considera "semnal mic", atunci amplificatorul este [n
regiunea liniar` ]i pute\i calcula, folosind m`rimea amplific`rii diferen\iale, tensiunea diferen\ial` care ar
produce acest dezechilibru. Ceea ce a\i ob\inut este tensiunea de decalaj (offset) la intrare.
+VA +VA
+15 V
1.5 k RC RC
10 k 10 k
+0.6 V C1 C2
Pot. 1 +V A
10 k B1 B2
100 k +
-0.6 V T1 T2 15 V
-
100 k 100 k
1.5 k 51 Ω
51 Ω + 15 V
-V A -
-V A
Pot. 2 100 Ω
alimentare
plan]et`
-V A
-15 V
Fig.13.42.
Nu exist` o asemenea tensiune aplicat` la intrare, dezechilibrul este un rezultat al ne[mperecherii

exacte a componentelor. Pute\i, [ns`, aplica o tensiune de intrare astfel [nc[t s` reechilibra\i etajul. Evident, ea
va avea modulul egal cu cel calculat la paragraful precedent. Pentru aceasta, desface\i baza B1 de la mas` ]i
lega\i-o la un poten\ial ajustabil, ca [n Fig. 13.42. Prin rotirea poten\iometrului Pot. 1, poten\ialul bazei poate
fi reglat gradual, de la valori negative la valori pozitive. Roti\i poten\iometrul p[n` c[nd tensiunea [ntre
colectoare devine zero (etajul a fost echilibrat). F`r` s` mai modifica\i pozi\ia acestuia, desface\i voltmetrul
dintre colectoare ]i m`sura\i poten\ialul bazei fa\` de mas`.
b) Ajustarea etajului pentru [mbun`t`\irea rejec\iei pe mod comun

Expresia amplific`rii pe mod comun Acom = RC ( 2ree + 2 RE ) a fost dedus` [n ipoteza unei simetrii
perfecte a etajului diferen\ial. {n realitate, datorit` ne[mperecherii exacte a componentelor, aceast`
amplificare este mai mare. Putem s` ne apropiem mai mult de cazul ideal dac` ajust`m pozi\ia
poten\iometrului Pot. 2 conectat [n emitoarele tranzistoarelor. Lega\i [mpreun` bazele tranzistoarelor ]i
excita\i etajul pe mod comun cu un generator de semnal sinusoidal cu o frecven\` [n jur de 1kHz ]i o
amplitudine c[t mai mare (dar sub 10 Vvv ). Lega\i sonda osciloscopului [ntr-unul din colectoare ]i m`sura\i
amplificarea pe mod comun. Regla\i acum pozi\ia poten\iometrului Pot. 2 astfel [nc[t amplitudinea
semnalului din colector s` devin` minim`. Calcula\i din nou amplificarea pe mod comun.
L`sa\i poten\iometrul Pot. 2 [n acesat` pozi\ie; la experimentul urm`tor vom avea nevoie de o rejec\ie
pe mod comun c[t mai bun`.
Experimentul 4. Excita\ia mixt`; rejec\ia perturba\iilor de pe modul comun
Pe aceea]i plan]et` ave\i o fotodiod` care monitorizeaz` lumina emis` de o diod` luminescent` (LED);
[mpreun`, LED-ul ]i fotodioda formeaz` un optocuplor. Curentul generat de fotodiod` se [nchide printr-o
rezisten\` de 10 kΩ, furniz[nd astfel tensiunea de ie]ire a "senzorului". Dioda luminescent` este astfel aprins`
de circuitul ei de comand` [nc[t semnalul ob\inut s` aib` frecven\a de aproximativ 1 kHz ]i o form`
triunghiular`.
+VA
+15 V
F3 10 k 10 k
generator
C1 C2 semnal
perturbator C1 C2
100 pF
F1 100 pF B1 B2
la baza B1 T1 T2
la baza B2
F2
optocuplor vg 100 k 10 µF
51 Ω
51 Ω CB
10 k
100 k
Pot. 2 100 Ω
circuit de
comanda
LED
-V A
-15 V
Fig. 13.43.
a) Aplicarea fa\` de mas` a semnalului senzorului

Ie]irea senzorului este conectat` la firele F1 ]i F2. Asigura\i-v` c` punctul comun al condensatoarelor
C1 ]i C2 nu este legat la generatorul de semnal
perturbator. Lega\i capetele acestor fire [n bazele
100 k B1
tranzistoarelor etajului diferen\ial. Scurtcircuita\i apoi baza C1
B2 la mas` [n alternativ, prin intermediul condensatorului +
CB . Astfel, semnalul de intrare v g apare pe baza v g - B2
tranzistorului 1, fa\` de mas` (Fig. 13.44) Pe mod comun, C2
tensiunea de intrare este ( v g + 0) 2 = v g 2 ]i ea va fi senzor
amplificat` cu Acom , care are valoare extrem de mic`. Fig. 13.44.
Tensiunea care apare pe mod diferen\ial este v g − 0 = v g
]i aceasta va fi amplificat` cu Adif al c`rei modul este de ordinul sutelor (ambele amplific`ri au fost estimate
[n experimentul precdent). Verifica\i cu osciloscopul c` nivelul semnalului [n baza B2 este nul, m`sura\i apoi
v g ]i tensiunea de ie]ire din colectoare; determina\i experimental amplificarea pe mod diferen\ial.
{n situa\iile reale, [ntre firele cu care este conectat senzorul ]i alte conductoare din apropiere exist`
capacit`\i parazite prin care sunt indu]i curen\i perturbatori. Pentru a face un experiment controlabil, vom
produce noi o perturba\ie cu un generator de "perturba\ii" cu frecven\a de aproximativ 10 kHz ]i nivel
reglabil cu poten\iometrul Pot. 3. Firul F3 care va fi conductorul perturbator este legat prin condensatoarele
C1 ]i C2 la conductoarele de semnal F1 ]i F2 . Conecta\i acest generator la firul F3 ]i cre]te\i nivelul
perturba\iei, observ[nd pe osciloscop efectul acesteia asupra semnalului din colector. {ncerca\i s` regla\i
nivelul perturba\iei astfel [nc[t la ie]ire aceasta s` fie la fel de mare ca semnalul util (raport semnal zgomot
unitar). Observa\i apoi semnalul din baza B1. Formula\i o concluzie.
L`sa\i nivelul perturba\iei la acesat` valoare; ne va fi util [n cele ce urmeaz`.
b) Aplicarea diferen\ial` a semnalului senzorului
Desface\i acum baza B2 de la condensatorul care o
scurtcircuita la mas` [n alternativ. Acum senzorul este
100 k B1
cuplat diferen\ial (Fig. 13.45). Vizualiza\i semnalul de C1
ie]ire ]i [ncerca\i s` descoperi\i de ce a disp`rut +
vg
perturba\ia. M`ri\i treptat nivelul perturba\iei, cu - B2
poten\iometrul Pot. 3 p[n` c[nd perturba\ia devine din nou C2
vizibil` la ie]ire. Cunoa]te\i nivelul semnalului util v g din senzor
sec\iunea precedent`. {ncerca\i s` vizualiza\i semnalul din
Fig. 13.45.
baze. Cine domin` aici, semnalul util sau perturba\ia ?
Estima\i de c[te ori este mai mare aici perturba\ia dec[t semnalul util. Vizualiza\i din nou semnalul de ie]ire ]i
formula\i o concluzie.
Care este explica\ia rejec\iei puternice a semnalului perturbator ? Aminti\i-v` semnalele din baze [n
cele dou` moduri de cuplare a senzorului.
Experimentul 5. Efectul Miller
Desface\i bazele tranzistoarelor de la firele F1 ]i F2 ]i decupla\i ]i generatorul de semnal perturbator,

duc[nd la valoarea minim`, pentru siguran\`, nivelul generat de el.
Ve\i excita etajul cu un semnal dreptunghiular, aplicat fa\` de.mas`. Conecta\i, deci, baza B2 la mas`
[n curent alternativ, prin condensatorul CB . Semnalul, ob\inut de la un generator extern, [l ve\i aplica la baza
B1 prin intermediul unui circuit RC, ca [n Fig. 13.46. Condensatorul C g are valoare mare ]i nu va afecta
func\ionarea [n curent alternativ, av[nd doar rolul s` separe [n curent continuu generatorul, pentru a nu
perturba punctul static de func\ionare al etajului diferen\ial. Spre deosebire de acesta, rezistorul Rg m`re]te
impedan\a generatorului de semnal (generatoarele profesionale au impedan\a de ie]ire mic`, sub 1 kΩ).
Capacitatea bazei fa\` de mas` este efectul a dou` capacit`\i legate [n paralel: capacitatea baz`-emitor
]i capacitatea baz`-colector. Pentru a face lucrurile mai comod m`surabile, capacit`\ile baz`-colector ale
tranzistoarelor au fost m`rite artificial, cu ajutorul unor condensatoare; astfel, pute\i neglija capacitatea baz`-
emitor. {n consecin\`, capacitatea bazei B1 fa\` de mas` este practic numai efectul capacit`\ii Cbc pe care noi
am f`cut-o s` fie 33 pF. Calcula\i constanta de timp τ a filtrului trece-jos format de rezisten\a Rg ]i
capacitatea Cb1 a bazei fa\` de mas`, dac` aceasta ar fi chiar Cbc . Estima\i, apoi, frecven\a de tìere
f c = 1 ( 2πτ ) .
Stabili\i nivelul generatorului de semnal pe la 5 mV iar frecven\a [n jur de 1 kHz. Verifca\i cu
osciloscopul c` [n punctul M forma semnalului este dreptunghiular` (fronturile sunt practic verticale).
Vizualiza\i apoi forma semnalului [n colectorul C2. Cum arat` aici fronturile ? Pentru a determina mai comod
forma lor, m`ri\i, dac` este necesar, frecven\a semnalului.
+VA
+15 V
10 k 10 k
RC1 RC2
33 pF C1 C2 33 pF
10 µF 10 k B1 B2
generator T1 T2
de Cg M Rg
semnal 100 k 10 µF
51 Ω
(extern) 51 Ω CB
Rg 10 k 100 k
in out Pot. 2 100 Ω
M B1
C b1
circuitul echivalent -V A
de la intrare -15 V
Fig.13.46.
Aceast` deformare a fronturilor este tipic` unui filtru trece jos; pute\i m`sura aproximativ constanta de
timp τ a filtrului din forma relax`rii exponen\iale. Pentru aceasta, trebuie s` v` aminti\i c` o exponen\ial`
coboar` la 1/10 din valoarea ini\ial` [n aproximativ 2.5 ⋅ τ . Din constanta de timp pute\i calcula frecven\a de
tìere f c = 1 ( 2 πτ ) . Aceast` constant` de timp este determinat` de produsul dintre impedan\a (rezistiv`) Rg
a generatorului de semnal ]i capacitatea echivalent` fa\` de mas` a bazei B1, Cb1 . Estima\i aceast`
capacitate.
Compara\i aceast` valoare m`surat` cu cea estimat` anterior [n ipoteza c` generatorul de semnal vede
chiar capacitatea Cbc . Formula\i o concluzie. C[t de mare apare aceast` capacitate "v`zut`" de c`tre
generator (fa\` de mas`) ? Pute\i lega raoprtul lor de m`rimea amplific`rii ? Acesta este efectul Miller.
Scurtcircuita\i acum cu un fir rezisten\a de colector RC1 , oblig[nd colectorul tranzistorului T1 s` aib`
poten\ialul constant +V A . Ce s-a [nt[mplat cu semnalul din colectorul C2 [n urma scurtcircuit`rii lui RC1 ?
S-a modificat amplitudinea sa ? Dar aspectul fronturilor ? Determina\i noua constant` de timp τ ]i, din
acesata, noua capacitate a bazei B1 fa\` de mas`. C[t de mare apare acum v`zut` de c`tre generator
capacitatea Cbc ? De ce a disp`rut efectul Miller ?

Electronica

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Electronica

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CAPITOLUL

Circuitele electrice sunt, [ntr-o anumit` I I≅ 0

func\ioneaz` ca un consumator de energie. Din contra, [n cadranele II ]i IV dispozitivul ar trebui s` fie un

Fig. 3.3 c) ]i d).. Evolu\ia raportului I Is [n conduc\ie direct`, la o diod` cu germaniu.

De]i nu exist` un punct special de deschidere pe caracteristic`, tensiunea de deschidere are

m`sur`m tensiunea nu [nseamn` dec[t o varia\ie de

Extrapolarea acestei dependen\e aproximative la U = 0 [n scar` semilogaritmic` permite determinarea

la o diod` cu germaniu, valoarea curentului se multiplic` cu zece la fiecare cre]tere cu 60 mV a tensiunii.

De ce diodele cu siliciu au alt` tensiune de deschidere dec[t cele cu germaniu

Ce se [nt[mpl` la polarizare invers` ?

C. Metoda dreptei de sarcin`

graficul ei este o linie dreapt`, cu panta −1 R , care intersecteaz` axele la E R ]i E .

Fig. 3.8. Determinarea PSF prin metoda dreptei de sarcin`.

Memorarea intersec\iilor cu axele nu este necesar`: cu m`rimile E ]i R nu pute\i construi alt`

D. Circuitul echivalent pentru varia\ii mici

Atunci c[nd curentul sufer` varia\ii relative mici ∆ I I<< 1,

r= dU dI= mVT I (3.7)

iar la cele cu siliciu

o diferen\iem ]i scriem c`, pentru diod`, ∆U = r⋅ ∆I, ob\inem

Este mult mai comod s` privim la circuite dec[t la ecua\ii; or R ∆I

E. Verificarea experimental` a unei dependen\e exponen\iale

-1 log ( I 1mA) 0.1 curentul (mA)

∆U (10) = 2.30⋅ mV T ⇒ I → 10⋅ I . (3.15)

∆U (2) = 0.69⋅ mV T ⇒ I → 2 ⋅ I . (3.16)

Enun\uri frecvent utilizate

- Pentru diodele stabilizatoare se utilizeaz` simbolurile .

Rela\ia anterioar` este valabil` c[t` vreme Vg < 0.6 V:

0 ≤ Vg (t)< 0.6 V ⇒ I = 0 siVB (t)= Vg (t)

Vg (t)< 0 ⇒ I = 0 VB (t)= Vg (t).

{n concluzie, de]i tensiunea generatorului evolueaz` [ntre + 10 V ]i -10 V, tensiunea pe diod`

Experimentul 1. Conduc\ia direct`

Desena\i-v` schema circuitului din Fig. 3.20 miliampermetru

V (volti) I mamp (mA ) IV (mA ) I D (mA )

Experimentul 2. Este dependen\a curentului exponen\ial` ?

Experimentul 3. Curentul invers

Experimentul 4. Str`pungerea invers`

Ne putem explica evitarea cu [nd[rjire a desen`rii corecte [n coordonate liniare ]i completarea sa cu

4.1. Conexiunea baz` comun` 83

4.1. Conexiunea baz` comun`

4.2. Conexiunea emitor comun

4.1. Conexiunea baz` comun`

1. A. Tranzistoare: structur`, simboluri ]i mod de func\ionre

1 O istorie fascinant` a invent`rii tranzistorului bipolar pute\i g`si la www.pbs.org/transistor/index.html.

emitor baza colector emitor baza colector

vom aborda [n cele ce urmeaz` numai tranzistoarele cu siliciu,

chiar dac` nu vom men\iona de fiecare dat` acest lucru explicit.

S` vedem [n ce const` efectul de tranzistor. Dac` dorim ca tranzistorul s` func\ioneze ca un robinet

Fig. 4.2. Efectul de tranzistor.

}i aceasta nu e tot. Revenim la polarizarea ini\ial` a jonc\iunii emitor-baz` (desenul e) ]i modific`m

Scopul circuitelor electronice este, [n majoritatea cazurilor, prelucrarea semnalelor (informa\iei).

Prin caracteristic` de intrare [n\elegem dependen\a curent-tensiune de la portul de intrare, adic` IE

reb = d VEB d I E ; (4.4)

Din rela\ia (4.3) rezult` c` ea are expresia

fiind invers propor\ional` cu valoarea curentului. Astfel, la 1 mA ea este de 25 Ω, pe c[nd la 10 mA coboar`

Depinde caracteristica de intrare de tensiunea de la portul de ie]ire ?

1.C. Caracteristicile de transfer

dublare a curentului la fiecare cre]tere cu 18 mV ]i multiplicare cu 10 la fiecare cre]tere de 60 mV.

Pentru a caracteriza sensibilitatea controlului se define]te un parametru dinamic, numit

se poate ar`ta imediat c`

1.D. Caracteristica de ie]ire

curentul de emitor (mA)

tensiunea emitor-baza (volti)

Rezisten\a dinamic` ob\inut` va fi, [ns`, invers propor\ional` cu valoarea curentului.

1.E. Satura\ia tranzistorului