Capitolul 1

SENZORI I TRADUCTOARE - CARACTERISTICI

1.1 DEFINI IA SI CLASIFICAREA
SENZORILORITRADUCTOARELOR
Msurarea unei mrimi presupune nprimul rnd detectarea sa.
Elementele sensibile care detecteaz mrimea de msurat sunt denumite
senzori. Senzorul este elementul sensibil cu rolul de asesiza mrimea de msurat
aplicat la intrarea sa, x(t) i de ao converti ntr-o alt mrime fizic, de aceeai
natur saudenatur diferit, Yint (t), care poate fi uor msurat, cel mai frecvent pe
cale electric. Conversia mrimii de intrare n mrime de ieire la senzori se
bazeaz pe efecte fizice sauchimice.
Senzorii care servesc numai ladetectarea prezenei unei mrimi constituie o
categorie aparte i se numesc detectori (detectori de proximitate, detectori de
radiaii ionizante etc.).
Ansamblul format din elementul sensibil (senzorul) i elementele deadaptare
i prelucrare (condiionarea semnalelor) se numete traductor (Figura 1). In unele
lucrri de specialitate nu seface odistincie clar ntre senzor si traductor.
Figura 1. Schema funcional aunui traductor.
Traductorul poate avea n structura sa mai muli senzori, capabili s
efectueze conversia mrimii de msurat ntr-o mrime electric, indirect, prin mai
multe etape intermediare, pn laobinerea mrimii deieire finale y(t).
Ansamblul format dintr-un senzor integrat in acelai circuit (chip) cu
elementul de adaptare poart numele de traductor "integrat". Recent a aprut
conceptul de senzor sautraductor "inteligent" care prezin asocierea unui traductor
cu un microprocesor (microcontroller). Astfel se pot obine semnale de ieire cu
mare imunitate laperturbaii, liniarizarea caracteristicii de conversie amrimii de
intrare x(t) inmrime deieire y(t), autocalibrarea, corecii fa dediveri factori de
influen, generarea unor mrimi de control. Traductoarele inteligente s-au
7
dezvoltat rapid ca elemente componente principale ale sistemelor automate, de
msur, monitorizare i control, precum i n domeniul roboticii industriale.
Varietatea senzorilor estre foarte mare deoarece, pe deoparte, aacumseva
vedea mai jos, exist un numr considerabil de mrimi de msurat, iar, pe de alt
parte, pentru fiecare mrime de msurat pot exista diferite metode de msur, n
funcie de fenomenul care st la baza conversiei. Din multitudinea de senzori se
remarc amploarea considerabil a utilizrii senzorilor electrici. Lund n
considerare principiul de lucru i respectiv tipul de energie care se transform n
energie electric, avemurmtoarele tipuri de senzori:
1. Senzori de radiaie: transform energia radiant n energie electric,
respectiv semnalul radiant n semnal electric. Ca semnale radiante avem:
intensitatea luminoas, lungimea de und, polarizarea, faza, reflectana,
transmitana, activitatea radioactiv.
2. Senzori mecanici: transform energia mecamca In energie electric,
respectiv semnalul mecanic n semnal electric. Ca semnale mecanice putem avea:
for, presiune, torsiune, nivel de vid, viteza de curgere, debit, volum, grosime,
nvel, poziie, deplasare, vitez, acceleraie, rotaie, lungime de und acustic,
amplitudine devibraie.
3. Senzori termici: transform energia termic n energie electric, respectiv
semnalul termic n cel electric. Ca semnale termice putem avea: temperatura,
cldura, entropia, cldura specific, entropia, fluxul decldur.
4. Senzori magnetici: transform energia magnetic n energie electric
respectiv semnalul magnetic n semnal electric. Casemnale magnetice putem avea:
intensitatea cmpului magnetic, inducia cmpului magnetic, permeabilitatea
magnetic, magnetizarea.
5. Senzori chimiei: transforma semnalul (energia) chimic n semnal
(energie) electric. Ca exemple de semnal chimic putem avea: compoziia,
concentraia, viteza dereacie, toxicitatea, potenialul deoxidare-reducere, pH-ul.
Conversia de energie i respectiv semnal prezentat mai sus sepoate rezuma
n schema demai jos:
8
Din figura de mai sus se remarc faptul c un semnal neelectric poate fi
convertit direct n semnal electric sau poate suferi mai multe conversii de tip
neelectric nainte deafi transformat n semnal electric. Caun exemplu deconversii
multiple seprezint mai sus cu linie punctat transformarea semnalului mecanic n
semnal termic care apoi este transformat n semnal electric. Pe acest principiu
funcioneaz anemometrul cu fir de platin folosit lamsurarea debitului de fluide
(gaz, lichide), care este un semnal de tip mecanic (crrr' Imin. , kg/min). n curgerea
safluidul ntlnete un fir nclzit (rezistena electric deplatin). Datorit fluidului
firul sercete i atunci i scade rezistena electric. Aceast variaie derezisten
este apoi sesizat ca o variaie de tensiune (la alimentarean curent constant) sau
curent (la alimentarea rezistenei n tensiune constant). Deci semnalul mecanic
(debit) aprodus mai nti o modificare de temperatur (semnal termic) i aceasta
din nou a produs o modificare de tensiune sau curent (n funcie de modul de
alimentare al anemometrului), deci afost convertit n semnal electric.
Trebuie s menionm c oanumit mrime neelectric poate fi detectat cu
ajutorul mai multor tipuri de senzori. De exemplu deplasarea poate fi convertit n
variaie derezisten, deinductan, decapacitate electric etc.
Toi senzorii de mai sus se numesc senzori electrici, datorit conversiei
semnalului neelectric n semnal electric. Noi ne vom ocupa cu studiul senzorilor
electrici datorit avantajelor semnalelor electrice:
1. Semnalele electrice sunt foarte sensibile lavariaia semnalului ne-electric
corespunztor (cel care le-agenerat prin efectul de senzor).
2. Msurarea semnalelor electrice provenite de la surs necesit puteri
electrie mici datorit curenilor mici de utilizare (impedane de intrare foarte mari)
n amplificatoarele operaionale ale instrumentelor folosite.
3. Semnalele electrice (aferente unor fenomene fizice care variaza foarte
rapid n timp) care se modific foarte repede n timp pot fi uor msurate cu
circuitele electronice care pot efectua mii demsurtori pe secund.
4. Semnalele electrice primite de lasenzori pot fi transmise cumare vitez
lamare deprtare (telemetrie) unde pot fi procesate ori stocate decalculatoare.
5. Semnalele electrice primite de la senzori sunt procesate n circuite
integrate de o complexitate din ce n ce mai mare (sisteme integrate) realizate
monolitic care ausiguran n funcionare inegalabil dectre circuitele tradiionale
cuconexiuni prin fire.
6. Semnalele electrice ofer o mare varietate de metode de msur. De
exemplu otensiune electric poate fi msurat prin intermediul unei frecvene.
Din punct de vedere al energiei, indispensabil desfurrii procesului de
msurare, senzorii sepot clasifica n:
o senzori activi (generatori);
o senzori pasivi (parametrici).
Senzorii activi efectueaz transformarea direct a energiei mrimii de
msurat, ntr-o energie asociat mrimii de ieire, de regul o mrime electric.
9
Pentru anu se perturba mrimea de msurat i anu afecta exactitatea msurrii,
este necesar caenergia necesar formrii semnalului deieire yo(t) preluat chiar de
lafenomenul studiat, sfie suficient demic.
Senzorii activi furnizeaz un semnal electric, de obicei o tensiune electric.
n consecin, acesti senzori sunt ntlniti n literatura de specialitate i sub
denumirea de senzori generatori sau senzori energetici.
Exemple de senzori generatori sau energetici sunt: senzorii termoelectrici,
senzorii de inducie, la care mrimea de intrare este transformat direct ntr-o
tensiune electric.
Marele avantaj pe care l prezint aceti senzori, const n posibilitatea de
msurare direct amrimii deieire cuun mijloc electric demsurare
Senzorii pasivi (parametrici) sunt destinai msurrii unor mrimi, care nu
permit eliberarea energiei de msurare. Senzorii pasivi prezint, ca mrime de
ieire, o irnpedan electric sau componente ale acesteia: rezisten, capacitate,
inductan.
Senzorii pasivi se mai numesc si senzori parametrici sau modulatori. Pentru
formarea semnalului de ieire, n cazul senzorilor parametri ci, este necesar
folosirea unei surse auxiliare de energie. Ansamblul senzor pasiv - surs de
alimentare creaz semnalul electric, ai crui parametri (amplitudine, frecven) sunt
dependeni de caracteristicile mrimii de msurat. Exemple de senzori parametrici
sunt: terrnorczistcnclc, fotorczistcncle, traductorii capacitivi i inductivi de
deplasare etc.
Alte criterii dec1asificareale senzorilor i traductoarelor sefac n funcie de:
o natura mrimii de intrare (a se vedea tabelul cu mrimilc detectate de
senzori);
o natura mrimii deieire (in tensiune, curent, frecven etc.);
o modul devariaie al mrimii deieire (senzori analogiei, digitali).
1.2 ERORILE DE MSURARE
Pentru ctoate traductoarele mplinesc n fapt funcia de amsura omrime
fizic, i ele trebuie s se supun acelorlai reguli la care se supun aparatele de
msur i anume sindeplineasc oserie decondiii metrologice.
Atunci cnd se raporteaz rezultatul msurrii unei mrimi fizice, este
obligatoriu s sedea oindicaie cantitativ asupra calitii rezultatului astfel cacei
ce l utilizeaz s poat evalua credibilitatea acestuia. Fr o asemenea indicaie,
rezultatele msurrilor nu pot fi comparate nici ntre ele i nici cu valorile de
referin date ntr-o specificaie sauntr-un standard.
10
n general, o msurare este afectat de imperfeciuni care dau natere unei
erori nrezultatul msurrii. Singurele mrimi fizice cunoscute "cu exactitate" sunt
mrimile msurate cu etaloane, a cror valoare a fost aleas convenional (X, -
valoare convenional adevrat). Toate celelalte mrimi fizice msurate (X - o
valoare msurat) sunt cunoscute cu aproximaie, dictat de precizia (exactitatea)
sistemului demsurare.
Eroarea absolut de msurare este definit cafiind diferena dintre valoarea
msurat i valoarea adevrat (respectiv valoarea convenional adevrat; n
majoritatea cazurilor nu secunoate valoarea adevrat):
8=X-Xo=~X (1)
Eroarea relativ demsurare (n procente) este definit cafiind raportul
dintre eroarea demsurare i valoarea convenional adevrat:
X- X
E= 0100 (%) (2)
X
o
Distingem o serie de erori legate de procesul de msurare. Tradiional se
consider c o eroare are dou componente i anume o component sistematic i
una aleatorie. Este de remarcat faptul c noiunea de eroare reprezint un concept
idealizat i, prin urmare, erorile nupot fi cunoscute orict deexact.
2.1 ERORILE SISTEMATICE
Pentru o valoare dat a unei mrimi msurate, eroarea sistematic este
constant; ea introduce un decalaj constant ntre valoarea adevrat (real) i cea
msurat amrimii urmrite.
Existena unei erori sistematice poate fi depistat prin diferena care apare
ntre valorile cele mai probabile extrase din dou seturi de msurri efectuate
asupra aceleiai mrimi msurate (msurand) folosind traductoare i metode
diferite. Dup explicarea efectului sistematic identificat, n funcie deposibiliti se
trece fie la eliminarea cauzelor erorii respective, fie la aplicarea unei corecii c
asupra rezultatului msurrii:
x, =X+c
c =-~sist
Dintre tipurile cele mai frecvente deerori sistematice amintim:
./ valoare eronat amrimii dereferin;
./ eroare dezero aaparatului;
./ eroare dehisterezis;
./ valoare inexact atensiunii dealimentare;
./ eroare asupra sensibilitii saucurbei deetalonare atraductorului;
./ eroare datorat modului defectuos de folosire;
./ eroare laprelucrarea datelor cuunele aproximri saupresupuneri;
./ cunoatere neadccvat saumsurare imperfect acondiiilor demediu.
11
2.2 ERORILE ALEATORII
Eroarea aleatorie ii are originea n variaia imprevizibil (stochastic)
temporal i spaial a mrimilor de influen. Efectele unor asemenea
variaii.numite deaici nainte efecte aleatorii, produc variaii n observaiile repetate
ale msurandului. Eroarea aleatorie a unui rezultat de msurare nu poate fi
compensat prin vreo corecie, dar n general poate fi redus crescnd numrul de
msurri (observaii).
Cele mai cunoscute tipuri de erori aleatorii se datoreaz proprietilor
intrinseci aletraductoarelor sau semnalelor externe parazite:
./ erori de mobilitate: sub o anumit valoare amrimii msurate, traductorul nu
mai funcioneaz dup caracteristica uzual limit specificat defabricant;
./ erori de citire: care tin de precizia aparaturii folosite; combinarea erorii de
mobilitate cuceadecitire determin eroarea derezoluie;
./ inducii parazite sau radiaii electromagnetice, n special cele de frecven
industrial;
./ zgomote generate depurttorii desarcin nrezistene saun componente active.
Erorile aleatorii ce apar n procesul de msurare se supun legilor statisticii
matematice, i influena lor asupra rezultatului msurrii se estimeaz prin
aplicarea teoriei probabilitilor.
1.3 NO IUNI DE TEORIA PROBABILIT ILOR
Deoarece orice proces de msurare este afectat de erori aleatorii, atunci i
rezultatele msurrilor sunt aleatorii. Repctnd deun numr mare deori, n condiii
identice, msurarea unei mrimi, seconstat crezultatele aleatorii x, ale msurrii
sunt caracterizate deolege de distribuie bine determinat.
Probabilitatea unui eveniment este o msur aanselor de realizare aacelui
eveniment. Dac un experiment se desfoar astfel nct producerea oricrui
eveniment legat de acesta are un numr finit de anse egal posibile, probabilitatea
evenimentului este raportul dintre numrul rezultatelor favorabile producerii
evenimentului i numrul tuturor rezultatelor posibile. Probabilitatea evenimentului
x senoteaz cuP(x) i este un numr cuprins ntre Oi 1, valoarea Ocorespunznd
unui eveniment imposibil, iar 1unui eveniment sigur.
Funcia care permite ca pentru orice interval x
j
,x
2
s se determine
probabilitatea P(x
j
<x<x
2
) se numete funcie de distribuie avariabilei x. n toate
problemele considerate din practica prelucrrii datelor experimentale funcia de
distribuie seexprim cuajutorul unei integrale
X2
P(x
1
<x <x
2
) =f f(x)dx (3)
Xl
12
unde f(x) este ofuncie pozitiv care satisface condiia denormare:
(4)
Aceast funcie f(x) determin complet distribuia corespunztoare i poart
numele defuncie densitate de probabilitate.
Prelucrarea matematic a datelor experimentale este strns legat de
determinarea modelului statistic, adic de cunoaterea sau alegerea legii care
exprim densitatea de probabilitate a datelor, pe baza creia se aplic efectiv
ntregul aparat teoretic aferent modelului considerat. Ulterior, orice modificare a
parametrilor ce caracterizeaz distribuia teoretic constituie un semnal de alarm
asupra instabilitii procesului demsurare sauasupra siguranei estimaici.
Dup natura variabilei aleatorii exist legi dedistribuii continue i distribuii
discrete. Pentru o variabil aleatorie de tip discret distribuia este dat sub forma
unui tabel n care sunt cuprinse valorile posibile i probabilitile de apariie a
acestor valori. Pentru variabile aleatorii continue distribuia se d de regul prin
densitatea sadeprobabilitate.
3.1 MEDIA TEORETIC SI MEDIA EXPERIMENTAL
Pentru ovariabila aleatorie discreta X care iavalorile x, cuprobabilitile Pi,
media teoretic este dat deexpresia:
/-1 =E(X) =LPiXi (5)
Media teoretic avariabilei aleatorii continue X care are funcia densitatea
deprobabilitate f(x), este definita prin:
/-1 ==E(X) =f xf(xXi z (6)
Integrarea seface pe tot domeniul dedefiniie al variabilei aleatorii X.
Se numete estimare operaia de atribuire de valori numerice, pe baza
observaiilor peun eantion, pentru parametrii unei distribuii considerate camodel
statistic al populaiei din care este preluat eantionul.
Media teoretic este un termen generic pentru media (sau valoarea medie)
ideal aunei variabile aleatorii caracteristice unei populaii (sau colectiviti).
Aceasta este estimat statistic prin media aritmetic sau experimental x, an
observaii independente Xi alevariabilei aleatorii X:
- 1 il
x=-Lx
i
(7)
n i=l
Termenul "medie teoretic" este folosit, n general, atunci cnd se face
referire la un parametru al populaiei, iar termenul "medie experimentala" este
folosit atunci cnd se face referire la rezultatul unui calcul asupra datelor
experimentale ale unui eantion. Variabila aleatorie x acrei medie este egal cu
zero (/-1=0) este denumit variabil aleatorie centrat. Cnd variabila oaleatorie X
aremedia /-1, atunci variabila aleatorie centrat coespunztoare este (X - /-1).
13
Variana unei variabile aleatorii X este media teoretic a ptratelor
abaterilor valorilor sale fa demedia teoretic asa:
a
2
=V(X) =E{X - E(X)]2} (11)
n acest fel, variana unei variabile aleatorii X, care are funcia densitate de
probabilitate f(x), este exprimat prin:
a
2
(x) =f (x - !-!x)2f(x)dx (12)
unde f..lx este media teoretic alui x (reI. 6).
n practic, variana (J ~ poate fi estimat cu variana experimental care
este egal cu ctul dintre suma ptratelor abaterilor valorilor Xi faa de media
experimentala x aacestora (reI. 7) i numarul n de observaii independente minus
unu (fiindc media experimental impune o legtur ntre observaiile
independente)
PROPRIET I importante ale mediei teoretice:
E(X+Y) =E(X)+E(Y) (8)
E(aX) =aE(X) (9)
E(XY) =E(X}E(Y) (10)
3.2 VARIANTA SI ABATEREA STANDARD
2 1 f' -2
S (x) =-,.. /x
i
-x) (13)
n -1i=l
Daca media teoretic ~x a lui X este cunoscut, atunci variana este
estimat prin:
2 1f 2
s, =-Lt(x
i
-!-!x) (14)
n i=l
Abaterea standard a (a unei variabile aleatorii sau a unei distribuii de
probabilitate) este rdcina ptrat pozitiv avarianei:
a=~V(X) (15)
Pentru un ir den date, abaterea standard experimental (de selecie) s este
exprimat prin formula:
(16)
Dac se consider irul de n valori ca un eantion al unei distribuii de
probabilitate, atunci ~esteun estimator fr deplasare al mediei teoretice !-!x,iar S2
este un estimator fr deplasare al varianei (52 a acelei distribuii (paragraful 4.4).
Variana mediei aritmetice x avalorilor unui ir de date, este este exprimata
pnn:
14
PROPRIET I importante alevarianei:
V(X) =E(X
2
) _ E(X)2
Vra-b-X) =b
2
V(X)
2 b2
V(aX +b-Y) =a .V(X) + .V(Y)
3.3 DISTRIBUTIA NORMAL A ERORILOR ALEATORII DE
MSURARE
(17)
-
i este estimat prin variana experimental a mediei aritmetice X:
2 S2(xJ 1 ~ - 2
Sx =--=--L-(x
i
-x) (18)
n n(n -1) i=l
Expresia sij ; ; este un estimator al abaterii standard adistribuiei lui X i
este denumit abatere standard experimental a mediei.
Distribuia care st labaza metodelor de prelucrare arezultatelor msurrilor
este distribuia normal, utilizat de Gauss n studiul i fundamentarea teoriei
erorilor. Aceast distribuie este definit prin funcia densitate deprobabilitate:
f(x) =crJznex
p
[- ~(x: ~Jl (22)
unde x este o variabil real (- 00<x <+00), !.Leste media teoretic, iar (J este
abaterea standard a distribuiei normale. Dup cum se observ, o distribuie
normal este complet specificat dac i se cunosc parametrii !.Li (J, de aceea se
noteaz N(!.L,(J 2).
n Figura 2 sunt prezentate curbele densitii deprobabilitate ale distribuiei
normale pentru diferite valori aleparametrului o. Funcia densitate deprobabilitate
(19)
(20)
(21)
Figura 3: Funcia dedistribuie Figura 2: Funcia densitate deprobabilitate
15
(25)
f(x) este simetric n raport cu axax =u, valoare care este n acelai timp medie i
are un maxim de coordonate (~; 1/a.J2n). Punctele de inflexiune ale curbei se
gsesc laodistan egal cu o de oparte i de alta aaxei de simetrie ce trece prin
u. De asemenea, variaii ale parametrului o implic schimbarea formei curbei.
Astfel, pentru o mic seobine ocurb "ascuit", iar pentru valori mari ale lui o o
curb "turtit". Dac meninem constant pe o dar variem pe u, aceasta nu implic
schimbarea formei curbei ci doar odeplasare pe axaOX.
Funcia dedistribuie este deforma:
1 Xp I1( J
2
l
F(x)=P(x<x
p
)= a.J 21 tl eXPl-"2 x:
1i
dx (23)
i areproprietile: F(x) <1 ; F(~)=O.5
n figura 3 sunt prezentate curbele funciilor dedistribuie F(x)
corespunztoare unor valori diferite ale abaterii standard o.
3.4 DISTRIBUTIA NORMAL NORMAT
Dac seface omicare detranslaie aoriginii coordonatelor npunctul x =u,
se obine distribuia normal normat. Variabila aleatorie normal x devine
variabila normal normat z care poate luaorice valori ntre -00 i +00:
z =x -~ (24)
a
Funcia densitate de probabilitate a variabilei aleatorii normale normate z
este:
iar funcia dedistribuie:
2
1 Zp Z
F(zp)=P(z<zp)= ~f e 2dz (26)
-V 2n -00
Alte caracteristici ale distribuiei normale normate: E(z)=O; V(z)= o2 (z)=l.
ntruct variabila aleatorie x are o distribuie normal N(~, o2), atunci i
variabila aleatorie z are o distribuie normal N(O,1). n reprezentarea grafic din
figura 4 este ilustrat funcia densitate deprobabilitate f(z) care aremaximul:
1
f
max
(z) = ~ =0.3989 ==0.4 (27)
v21t
Ordonata unui punct oarecare de pe curba f(x) este egal cu ordonata
punctului corespunztor de pe curba f(z). Abscisa punctului respectiv se obine cu
relaia:
(28)
16
Figura4 Distribuianormalnormat- funciadensitatedeprobabilitate
3.5 FUNCTIA LAPLACE
n activitatea practic se d adesea probabilitatea P(x<xp) i se cere s se
determine valoarea cuantilei xpcorespunztoare, adic sed:
P( x S xp) =0.95 sau
P (x ~xp) =1- P(x S xp) =1- 0.95 =0.05
n cazul distribuiei normale normate, cuantilele Zpsedetermin din relaia:
F(zp) =P(z<zp) (29)
unde Zp poate lua valori ntre O i 1. ntruct curba funciei densitate de
probabilitate f(z) este simetric fa de axaordonatelor i F(z =00) =P (z <00) =1,
funcia de distribuie F(zp) poate fi scris sub forma:
2
o Zp 1 1 Zp_~
F(zp) = f f(z)dz +f f(z)dz =- + ~ f e 2dz (30)
-CX) o 2 v2n o
Integrala definit:
2
1 Zp_~
<p(zp)= ~ fe 2dz (31)
v
2
n o
reprezint aria mrginit de curba f(z) n intervalul de la Ola Zpi se numete
funcia Laplace. Valorile acestei funcii pentru Zplund valori de la Ola 3 sunt
ilustrate n graficul din figura 5.
Cteva valori semnificative:
<p(+
00
) = 1/2 (32)
<p(-00) =- <p(+
00
) =- 1/2 (33)
<p(-z) = - <p(z) (34)
17
Cu ajutorul funciei Laplace, cunoscnd probabilitatea P putem calcula
abaterea unei valori fa de medie ntr-o distribuie normal i invers, cunoscnd
abaterea unei valori, putem calcula probabilitatea ca aceast valoare s fac parte
dintr-o distribuie cu omedie i oabatere standard specificate. Aceste dou genuri
deprobleme auomare importan n statistica prelucrrii datelor experimentale.
Funcia dedistribuie sepoate scrie:
F(zp) =0,5 +<1> (zs) (35)
adic:
<I>(zp) =F(zp) - 0,5 =P(z <zp)- 0,5 (36)
Figura5 Graficul funciei Laplace<t>(z).
Figura6 Determinareacuantilei Zp.
Probabilitatea cavariabila x sfie cuprins n intervalul (X
I
,X
2
) secalculeaz
cufuncia Laplace fcnd diferena:
P(x
l
<x <x
2
)=<I>(Z2) - <I>(ZI) (37)
unde Z2 i ZI sunt variabile aleatorii normale normate calculate cu relaia de
transformare (24).
Cnd Xl i X
2
sunt simetrice fa demedia teoretic u, atunci:
X
2
- ~=- ( Xl - u), adic Z2=-ZI =Zpiar probabilitatea P devine:
P(x
l
<X <x
2
) =<I>(Z2) - <I>(ZI) =<I>(zp) - <I>(-zp) =2<1>(zp) (38)
TABELUL1: Valori legatedefunciaLaplace<t>(z).Funcia Zp =z(P) esteinversa
funciei P =2<t>(z).
P (%) 40 50 60 68.26 70 80 90
Z(P) 0.524 0.675 0.842 1.000 1.036
1.282 1.645
P(%)
95
95.46
98 99 99.73 99.8 99.9
Z(P) 1.960 2.000 2.326 2.576 3.000 3.090 3.291
npractic seurmrete stabilirea intervalului bilateral simetric (X
I
,X
2
) n care
se poate afla, cu o probabilitate P dat, orice valoare X msurat. Dac variabila
aleatorie X urmeaz odistribuie normal X ~ N (u,(J 2), atunci valorile limit x,
18
i X
2
se determin cu inversa funciei Laplace z(P), fcnd trecerea ntre variabila
normal i variabila normal normat z (a se vedea Figura 6). Valorile Zp =z(P)
sunt tabelate pentru diferite probabiliti P. n tabelul 1sunt ilustrate cteva valori
reprezentative ale cuantilei Zp.
Estimnd media teoretic ~ (necunoscut) cu media aritmetic x, se
determin cu reI. (28) limitele intervalului de ncredere x, i X
2
pentru care, cu
probabilitatea dat P, ovaloare msurat X E (X
I
,X
2
) :
Xl =z(P) .a+X (39)
X
2
=-z(P) a+X (40)
Ix- xl ~z(P) a (41)
De exemplu: intervalul x =x a corespunde probabilitii P=68,26%;
intervalul x =x 2a corespunde probabilitii P=95,46%;
intervalul x =x 3a corespunde probabilitii P=99,73%.
Tot cu valorile funciei Laplace se raporteaz intervalul de incredere al
mediei teoretice u, aspect important n cunoaterea msurii n care media aritmetic
x (experimental) estimeaz valoarea adevarat ~ (teoretic). n acest caz se
aplic relaiile demai sus (39, 40), cudeosebirea cseinlocuiete abaterea standard
a cu abaterea standard a mediei ax (reI. 17). ntervalul corespunztor
probabilitii P (numit nivel dencredere) este:
Ix-~I~z(P)7~ (42)
OT: Relaiile (41) i (42) sunt valabile pentru o distribuie normal a
erorilor aleatorii de msurare, cnd se cunoate valoarea abaterii standard
(teoretic) a. n majoritatea cazurilor ntlnite n practic, a este necunoscut i se
estimeaz cu abaterea standard experimental s, iar z(P) senlocu-iete cu factorul
tp,v (v =n-l), reI. 43, provenind dintr-o distribuie derivat din distribuia normal,
numit distribuia t (Student). Aa cumsepoate observa din figura 7, intervalele de
incredere calculate sunt mai mari. Pentru P=95%, deexemplu, ovaloare x nu seva
afla n domeniul ~1.96a, can cazul distribuiei normale, ci ntr-un interval cu
att mai larg cu ct numrul n de msurri
este mai mic. Pentru un numr mare de
observaii ns (n > 30), distribuia t se
comport aproape la fel ca distribuia
normal normat iar valorile tabelate tp,v ==
t (P,v) devin aproximativ egale cuvalorile
z(P).
(43)
Figura 7 Valori aledistribuiei 1.
19
Figura 8 Parametrii unei distribuii experimentale.
1.4 RAPORTAREA REZULTATELOR MSURRILOR
4.1 CLASA DE EXACTITATE
De exemplu, pentru nivelul de
ncredere P=99%, valoarea z (0.99)
2.576, pentru 10 rezultate
experimentale t (0.99,9) =3.250, iar
pentru n=61 dedate experimentale t
(0.99,60) =2.660.
n Figura 8 este ilustrat
distribuia valorilor unei temperaturi
t(OC) determinat cu un termistor
precum i parametrii experimentali
asociai (media, abaterea standard,
abaterea standard experimental).
Clasa de exactitate "C" a unui aparat de msur d o indicaie cantitativ
asupra erorii admisibile care intervine la msurarea unei mrimi n condiii de
referin curespectivul aparat. Clasa deexactitate este inscripionat deproductor,
fiind ocaracteristic aaparatului demsur.
C= le
max
1.
100
(44)
X
lim
unde X
1im
reprezint limita maxim a intervalului de msurare (domeniul) iar e
max
este eroarea absolut maxim cu care msoar aparatul respectiv. Dac rezultatul
msurrii cu un aparat de msur avnd clasa de exactitate C este X
M
, atunci se
poate afirma cvaloarea real /.! amrimii demsurat este cuprins n intervalul:
Cx Cx
x - hm <II <x + hm (45)
M 100 r -'" M 100
4.2 INCERTITUDINEA DE MSURARE
Noiunea de incertitudine de msurare caun atribut exprimabil numeric este
relativ nou -incepnd cuanul 1979- n istoria msurrilor, dei eroarea i analiza
erorilor fac parte de mult timp din practica tiinei msurrilor. n prezent este larg
cunoscut faptul c, dup ce toate componentele cunoscute sau presupuse ale erorii
au fost evaluate i au fost aplicate coreciilc corespunztoare, rmne totui o
incertitudine asupra corectitudinii rezultatului declarat, adic o ndoial privitoare
lact debine reprezint acest rezultat valoarea mrimii msurate.
20
n mod obinuit, incertitudinea de msurare este definit printr-un interval
centrat pe estimaia X
o
a avalorii msurandului - care reprezint n acelai timp
rezultatul raportat al msurrii- i are expresia:
x =X
o
u (46)
unde X
o
, valoarea convenional adevrat, este o
valoare
corectat cutermenul c - corecia.
X
o
=x+c (47)
Incertitudinea demsurare are dou componente:
./ incertitudinea standard detipA este evaluat prin metode
statistice, senoteaz u
A
i este egal cu abaterea standard experimental amediei
aritmetice (re118).
./ incertitudinea standard de tip B, u
B
, este evaluat prin alte metode dect cele
statistice, folosind informaii disponibile mpreun cu o bun cunoatere a
mrimilor deinfluen.
Metodele de evaluare aincertitudinii de msurare sunt cu att mai dificil de
elaborat cuct secere oexactitate mai mare demsurare (n cazul etaloanelor, spre
exemplu), fiind de domeniul cercetrii metrologice (e.g. LN.M.B. - Institutul
Naional deMetrologie Bucureti).
Cu toate c incertitudinea u exprim cantitativ exactitatea unei msurri, n
anumite aplicaii comerciale, industriale, precum i n domeniul sntii i
securitii este deseori nevoie s se
dispun de un indicator al incertitudinii care s ofere un interval (n jurul
rezultatului msurrii) corespunztor unei probabiliti ct mai mari adistribuiei
valorilor msurandului. Aceast msur adiional a incertitudinii, care satisface
cerina de a oferi un "interval de ncredere" relativ mare, este denumit
incertitudine extins i senoteaz cuU (k =1... 3reprezint/actorul de extindere).
U =k u (48)
Atunci cnd este cazul, se poate admite c lund k =2 intervalul va avea
nivelul dencredere de aproximativ 95%, iar lund k =3 intervalul vaaveanivelul
dencredere deaproximativ 99procente.
1.5 CARACTERISTICILE TRADUCTOARELOR
N REGIM STATIC
n regimul static de msurare, se presupune c mrimea de msurat nu
variaz n timp. Pentru definirea caracteisticilor metrologice n regim static, este
necesat s se ia n consideraie parametrii caracteristici funcionali ai senzorilor,
fr aseine seama de structura lor intern.
Caracteristicile metrologice serefer lacomportarea senzorului n raport cu:
21
o mrimea deintrare;
o mediul ambiant;
o convertorul din lanul demsurare.
Intervalul demsurare
Intervalul de msurare reprezint intervalul devariaie al mrimii deintrare,
pentru care un senzor sau un traductor poate furniza informaii de msurare, cu o
incertitudine de msurare prestabilit. Intervalul de msurare este cuprins ntre o
limit inferioar X
min
i o limit superioar ~ax. De obicei acest interval de
msurare este specificat chiar n denumirea senzorului.
Solicitrile mecanice, termice, sau electrice la care este supus un senzor,
odat depite antreneaz modificarea caracteristicilor traductorului definite de
fabricant prin caracteristicile deetalonare.
Astfel sedefinesc urmtoarele domenii de utilizare:
./ Intervalul demsurare. Acesta corespunde condiiilor normale deutilizare a
traductorului; limitele sale reprezint valorile extreme care pot fi msurate fr
modificarea caracteristicilor constructive .
./ Domeniul de deteriorare. Odat depite valorile nominale ale domeniului
de msur, dar rmnnd n anumite limite prescrise care nu duc la distrugerea
traductorului, caracteristicile acestuia risc s se modifice. Revenirea la domeniul
nominal reduce traductorul nparametrii nominali prescrii defabricant.
./ Domeniul de distrugere. Odat depite valorile domeniului de deteriorare
dar rmnnd n anumite limite cenuduc ladistrugere, caracteristicile traductorului
semodific ireversibil. Folosirea traductorului n domeniul nominal de funcionare
necesit onou etalonare.
Fidelitatea este calitatea unui traductor de aavea erori aleatorii mici: ea se
traduce prin valori de msur grupate n jurul valorii medii pentru observaiile
repetate n condiii identice.
Exactitatea (precizia) este calitatea aparatului demsur (traductorului) de a
davalori ale mrimii msurate ct mai aproape devaloarea real (sau adevrat) ~
a mrimii de msurat. Pentru majoritatea sistemelor de msur exactitatea se
definete prin clasa deexactitate (paragraful 3.1).
f(x) ~- valoarea
adevrat
f(x)
~
I
I
I
I
I
I
fix) ~
I
a.
b.
x
c.
"ii
d
Figura 9 Diverse tipuri de distribuii experimentale.
22
Semnificaia figurii 9.a79.d este urmtoarea:
Figura 9.a: eroare sistematic i aleatorie important; traductor care nu este corect
folosit i nici de sensibilitatea cerut nproces.
Figura 9.b: eroare sistematic important, erori aleatorii reduse; traductor de
precizie bun dar incorect folosit.
Figura 9.c: eroare sistematic mic, erori aleatorii importante; traductor corect
folosit dar nu deprecizia cerut deproces.
Figura 9.d: erori sistematice i aleatorii mici; traductor corect ales i cusensibilitate
ridicat.
Pragul de sensibilitate reprezint ceamai mic variaie detectabil amrimii
demsurat.
Fineea este calitatea aparatului deaperturba ct mai puin regimul delucru
al circuitului n care seface msurarea.
Caracteristica static detransfer
Etalonarea
Senzorul reprezint primul convertor de msurare aflat n contact direct cu
fenomenul studiat. Se impune specificarea faptului c n fenomenul de studiat pot
interveni i alte mrimi dect mrimea demsurat. De aceea, este foarte important
alegerea corect a tipului de senzor care s fie sensibil numai la mrimea de
msurat.
Senzorul trebuie privit n corelaie cu fenomenul supus msurrii care
genereaz mrimea de msurat (msurandul) dar i cu mediul ambiant care
genereaz mrimi de influen (temperatura, umiditatea etc.). Aceste mrimi pot
interveni n procesul de msurare, uneori chiar falsificnd rezultatul msurrii. n
consecin, caracterizarea performanelor unui senzor seface pentru anumite valori
alemrimilor de influen care constituie condiiile dereferin.
Pentru determinarea caracteristicilor metrologice ale unui senzor sau
traductor se realizeaz n prealabil operaia de etalonare. Etalonarea (calibrarea)
reprezint testul prin care se aplic laintrarea senzorului sau traductorului o serie
de valori valor cunoscute ale msurandului (prin comparare cuun aparat similar a
crui exactitate este verificat, numit etalon) i se nregistreaz valorile
corespunztoare ale mrimilor de ieire. Astfel se va obine caracteristica static
de transfer atraductorului respectiv.
Caracteristica static de transfer sau caracteristica de conversie reprezint
dependena mrimii de ieire y de mrimea de intrare x , laregimul de echilibru
staionat al traductorului i poate fi exprimat, n cazul cel mai general, derelaia:
y=f(x) (49)
Deosebit de importante pentru calitatea msurrii sunt traductoarele care
reprezint caracteristici detransfer saudeconversie liniare, de forma:
y=Sx sau:
y=S x +Y o-
(50)
(51)
23
Sensibilitatea
Sensibilitatea S reprezint raportul dintre
variaia mrimii de ieire i variaia
corespunztoare amrimii de intrare:
S=dy
dx
n care S este sensibilitatea, y mrimea deieire i x mrimea deintrare.
Pentru o caracteristic de transfer obinut din datele experimentale,
sensibilitatea, adic derivata din reI. (52) poate fi aproximat prin raportul dintre
valorile consecutive pe abscis:
S= ~y
~x
n cazul ideal senzorul sautraductorul are ocaracteristic static detransfer
liniar; atunci sensibilitatea este constant pe ntreg intervalul demsurare i
reprezint panta dreptei:
dy
S=-=tg a
dx
Sensibilitatea astfel exprimat mai poate fi definit i ca raportul dintre
intervalul mrimii deieire i intervalul mrimii deintrare.
Valoarea sensibilitii unui traductor este indicat de fabricant i permite
utilizatorului s estimeze ordinul de mrime al semnalului de rspuns, cunoscnd
ordinul de mrime al msurandului, i s aleag traductorul de aa manier nct
lanul deautomatizare n care intr ssatisfac condiiile de lucru impuse.
Unitatea de msur cu care se exprim sensibilitatea depinde de regul de
fenomenul fizic ce st la baza construciei sale (exemple: n;oc pentru un
termorezistor; ~v;oCpentru un termocuplu).
n practic se prefer SenZOrII SI
traductoarele liniare (figura 10) care permit
aplicarea unor metode precise de sintez i
construcie aunor sisteme complexe demsurare.
n general, practica a dovedit c senzorii si
traductoarele au caracteristici statice de transfer
neliniare.
y
/ ...
.:
/ ..
....- .
.../.
...../ .....
x
Figura 10 Caracteristica ideal
de conversie unui traductor
(52)
(53)
(54)
Liniaritatea
Liniaritatea: un traductor este liniar dac pentru o plaj bine determinat a
mrimii deintrare urmrite, sensibilitatea saeste independent devaloarea mrimii
urmrite.
Liniaritatea traductorului se determin pe baza caracteristicii statice de
transfer, sau a caracteristicii de conversie nominale. Pentru un traductor se
definete eroarea relativ de liniaritate:
24
Ct=Yi-Yoi.100 [%]
Yoi
(55)
unde:
(Yi - YoJ reprezint valoarea experimental, iar
YOi reprezint valoarea ideal corespunztoare caracteristicii liniare.
Abaterea medie de la liniaritate a unui traductor poate fi determinat prin
metoda celor mai mici ptrate (asevedea subcapitolul 6).
Histerezisul
Histerezisul unui traductor presupune existena a dou valori a mrimii de
ieire pentru ounic valoare amrimii de intrare, in funcie de sensul devariaie a
mrimii de intrare (cresctor sau descresctor). Trabuie menionat faptul c
histerezisul este o caracteristic metrologic static
caracteristic pentru calitatea unui unui traductor, Y
specific unui anumit punct de pe caracteristica de
conversie.
Eroarea de histerezis se definete ca fiind
diferena dintre valorile mrimii de ieire la
descreterea i respectiv creterea mrimii deintrare,
pentru un anumit reper, raportat la intervalul de
variaie al mrimii de ieire (figura 11) Eroarea de
histerezis se determin dup un interval de timp,
dup care mrimea de ieire s-a stabilizat din punct
devedere dinamic.
x
Figura Il Histerezisul
traductoarelor
Caracteristicile dinamice
Rapiditatea (timpul de rspuns) este acea caracteristic dinamic a unui
traductor care ne permite s apreciem maniera n care mrimea de ieire urmrete
n timp mrimea de intrare. Rapiditatea este aadar legat de timpul necesar pentru
a se reduce contribuia regimului tranzitoriu n valoarea mrimii de ieire la o
valoare neglijabil, n condiii bine definite pentru un traductor.
PERFORMANTELETRADUCTOARELOR
n concluzie, performanele cerute senzorilor i traductoarelor traductoarelor
deriv din funciunile cele sunt rezervate n cadrul sistemului automat demsurare
i, pe scurt pot fi sintetizate astfel:
./ exactitate de msurare ridicat, fiind elementul care condiioneaz precizia cu
care serealizeaz obiectivele automatizrii;
./ caracteristic de transfer liniar, uneori cu neliniariti create intenionat n
scopul compcnsrii anumitor fenomene;
timp de rspuns mic, dinamic rapid, astfel nct s fie neglijabil n raport cu
celelalte componente ale sistemului;
25
1.6 METODA CELOR MAI MICI PTRATE
Aceast metod permite aproximarea unei serii de date fizice (x, y) cu o
ecuaie liniar:
Y =a- x +b (56)
Sconsiderm ntr-o serie un numr den puncte dedate experimentale:
x., YI;x-; Y2;x
3
,Y3;... x., Yn
Abaterea unui punct i oarecare pn ladreapt, pe axaOy este
Yi-(axi+b) (57)
Metoda celor mai mici ptrate presupune aflarea coeficicnilor asi b. Suma
ptratelor abaterilor celor n valori msurate fa decaracteristica liniar este:
Suma (A) este minim pentru dreapta (y =ax +b) care aproximeaz cel mai
bine caracteristica real (adevrat). Condiia de minim se obine prin anularea
derivatei de ordinul 1. Prin egalarea cuzero aderivatelor expresiei O n raport cua
i b, seobine sistemul deecuaii:
nb+aLxi =LYi
bLx
i
+aLx; =LXiYi
Solua acestui sistem deecuaii este:
a=nLxiYi -(LxiXL,yJ
nLx; _(LXJ2 I
b=(LYiXLx; )-(LXiYiXL,XJ
nL
x
; -(Lxir
il
~=L[Yi -(ax
i
+b)f
i=l
Considernd c perechile (x,y) reprezint
caracteristica static de transfer a unui traductor
(figura 12), atunci expresia (56) reprezint dreapta
de aproximaie a caracteristicii de conversie
nominal, n care coeficientul a reprezint
sensibilitatea caracteristicii de transfer iar b
corecia deoffset
a=S, b=y* (63)
Astfel expresia (56) devine:
*
Y =S . x+Y (64)
26
(58)
(59)
(60)
(61)
(62)
y
.--"
./.
./.
./
.,.
..r.r
. . . . . . .
:>
.....
. /"
..,....
* .?tg(X.
Y
x
Figura 12 Aproximarea cu
metoda celor mai mici ntrate
Suma ~ (relaia 58) este un indicator al abaterii (mprtierii) medii a
*
valorilor experimentale fa de caracteristica (y =S x+y), fiind n direct
legtur cuvariana V(Y), aacumsepoate observa din relaia (11), subcapitolul3.
V(Y) =~
n
(65)
y
y
." "
" "
. ...,..,.. ..
"./
. Y
" y "
" ;6 "
y
./"
./ :
./ " "
./ "
/" .:
/ - .- .
. ..~ .
/"
" 0/
. ../ .
./"
. - /- .
,....ro
x
Figura 13 Caracteristic
liniar cuerori aleatorii mari.
x
Figura 14 Caracteristic neliniar,
exactitate demsurare ridicat.
Este deremarcat faptul cmetoda celor mai mici ptrate este eficient numai
pentru nlturarea erorilor aleatorii de msur la caracteristicile de transfer liniare
(figura 13) i nu se preteaz la aproximarea caracteristicilor neliniare (figura 14),
pentru care sefolosesc altemetode cumar fi interpolri prin polinoame Newton sau
fitri defuncii.
27
Capitolul II
SENZORI I TRADUCTOARE PENTRU MRIMI OPTICE
11.1 RADIA IA LUMINOAS. CELULA FOTOVOLTAIC
1. RADIATIA LUMINOAS. NOTIUNI GENERALE.
Prin radiaia electromagnetic se intelege oemisie deunde sau particule (X,
alfa, gamma, ~, etc) care se propag radial. Exist o mare varietate de radiatii,
dintre acestea, radiatiile luminoase si nucleare gasindu-si aplicatiile cele mai
frecvente in constructia detraductoare. Principiile funcionale ale traductoarelor de
radiaii se bazeaz pe anumite fenomene determinate de interaciunea radiaiei cu
substana i susceptibile de afi utilizate n scopuri demsurare.
Energia luminoas este oforma radianta de energie electromagnetica. Aceste
radiaii sunt emise de regul de corpuri incandescente, laseri, diode
electroluminiscente etc. sau de fenomene de Iurninesccn, n cele ceurmeaz prin
radiatie luminoasa se va intelege radiatia electromagnetic ain gama 0.4 um- 0.76
um (spectrul vizibil), prin radiatie infrarosie IR cea cuprinsa in gama 0.76 um -
1000 um, iar prin radiaie ultraviolet UV cea cuprins in banda 0.01 um - 0.4
um. Radiaia este emis sau absorbit prin cuante corespunztoare unor particule
numite fotoni. Fotonii auenergia proporional cufrecvena si nupot exista n stare
derepaus.
Mrimi optice specifice
Fotometria se ocup cu msurrile radiaiei electromagnetice din domeniul
vizibil. Propagarea radiaiilor electromagnetice implic un transport de energie;
unele radiaii electromagnetice dau senzaia de lumin. Din acest motiv au fost
definite astfel dou sisteme de mrimi i uniti: mrirnile energetice (din punctul
devedere al energiei transportate) i mrimile fotometrice (din punctul devedere al
perceperii luminii dectre ochi).
a) Mrirnile energetice
Senumete flux energetic <Pe[W] energia luminoas radiant n unitatea de
timp.
Intensitatea energetic aunei surse punctuale ntr-o direcie dat esteraportul
dintre fluxul energetic d<P
e
emis de sursa punctual intr-un unghi solid infinit mic
dQ, care conine acea direcie si valoarea unghiului solid dQ.
28
1 - depe
e - dQ [W/sr] (1)
Iluminarea energetic aunei suprafee elementare este raportul dintre fluxul
de radiaie care cade pe aceasta i aria suprafeei elementare.
E - depe 2
e - dA [W/m] (2)
Pentru surse punctuale iluminarea se exprim prin relaia (3) dedus din (1)
i (2):
le' cos O
Ee = 2 (3)
r
unde r este distana de la surs la elementul de arie dA, le este intensitatea
luminoas a sursei. iar eeste unghiul dintre direcia razei de propagare si normala
la elementul de suprafa. Se observ c iluminarea variaz proporional cu
cosinusul unghiului de nclinare (valoarea maxim, Ee,max=leIr
2
, obinndu-se
dac elementul de arie este aezat normal pe raza de propagare) si invers
proporional cu ptratul distanei.
Mrimilc energetice D.M. Mrimi fotometrice D.M.
Energia
Qe
J
Energia
Q) lm-s
radiant luminoas
Fluxul
<Pe W
Fluxul
<p)
lm
energetic luminos
Intensitatea
Ee
W/sr
Intensitatel
E) cd
energetic uminoas
Iluminarea
le
W/m
2
Iluminarea 1 ) Ix
energetic
Luminana L )
cd/nr'
>
ro 1,0
:>
15
~
ro 0.8
ro
..b
u
<Ll
g- 0.6
ro
<Ll
~
:..c 0.4
'u.;
c
<Ll
cn 0.2
Viole t
Indigo Albastr u Ve r de Galbe n-Gal-Por to-
Ve r zui be n c aliu
Rosu
apr ins
Rosu
intune c at
800
\(nm)
Figura 1Sensibilitatea spectral relativ aochiului.
29
b) Mrirnile fotometrice.
Mrirnile i unitile fotometrice reprezint acel sistem de mrimi i uniti n
definirea crora se ia n considerare senzaia luminoas pe care o produc radiaiile
electromagnetice asupra ochiului uman. Senzaia de lumin depinde de fluxul de
energie radiant ce cade pe retin dar i de spectrul lungimi lor de und. S-a
constatat c ochiul uman are sensibilitatea maxim pentru culoarea verde cu
lungimea de und de 555 nm iar radiaiile cu lungimi de und A < 380 nm
(ultraviolet) i A > 770 (infrarou) nm nu mai produc, practic, nici o senzaie de
lumin asupra ochiului, orict am mri puterea radiaiei incidente.
Dac notm <1> e O fluxul constant de energie al radiaiei cu A
o
= 550 nm,
lungime de und la care apare cea mai puternic senzaie vizual, i cu <1> e fluxul
energetic al radiaiei cu lungimea de und A ce produce aceeai senzatie vizual ca
i <1> eO' atunci raportul:
VeA) =<1> e O
<1>'
e
(4)
se numete sensibilitate spectral relativ a ochiului (mrime adimensional) iar
dependena ei de lungimea de und este reprezentat n figura 1.
nnd seama de sensibilitatea spectral aochiului i de fluxul energetic <1> e' se
definete o mrime biofizic numit flux luminos <1prin relaia:
<1>[=675 V . <1> e [lm] (5)
Energia luminoas radiant este definit cu expresia:
Q) =<1. t [lm-s] (6)
Mrirnile fotometrice i cele energetice (fluxul, intensitatea i iluminarea) se
definesc la fel (v. relaiile 1-3 i tabelul) cu deosebirea c pentru mrirnile
fotometrice se va folosi indicele 1.
Unghiul solid al unei sfere este 41t sr (steradiani). Pentru o surs de lumin
care emite izotrop (constant n toate direciile) expresiile fluxului luminos (reI. 1) si
ale iluminrii perpendiculare pe direcia sursei (reI. 3) devin:
1) <1
<1=41 t 1) :::::}E =- =-- (7,8)
r
2
41 t. r
2
Luminanta (strlucirea) este egal cu raportul dintre intensitatea luminoas pe
un element de suprafat intr-o direcie dat si proiecia ariei sale pe planul normal
direciei de observare:
Culoarea i temperatura de culoare sunt o caracteristici ale luminii asociate cu
lungimea de und.
Lumina monocromatic este o lumin avnd spectrul de lungimi de und
foarte ngust.
Factorul de transmisie al unui mediu este raportul dintre fluxul luminos
obinut dup trecerea luminii prin mediul respectiv i fluxul incident (de la intrarea
n mediu).
30
c) Unitile demsur alemrimi lor fotometrice.
Unitatea demsur pentru intensitatea luminoas este candela (cd), una dintre
cele apte uniti fundamentale ale Sistemului Internaional de Uniti, stabilind
legtura dintre mrimilc energetice i cele fotometrice. Candela reprezint
intensitatea luminoas, intr-o direcie dat, a unei surse care emite o radiaie
monocromatic de frecven 540 THz (0,55 um) i acrei intensitate energetic, n
aceast direcie este de 1/683wai pe steradian.
Unitatea de msur derivat pentru fluxul luminos este lumenul (Im). Un
lumen este fluxul luminos emis in interiorul unui unghi solid de un steradian de
ctre osurs punctual avnd ointensitate luminoas deocandela.
Unitatea de msur pentru iluminare este luxul (Ix). Un lux este oiluminare
produs deun flux deun lumen pe osuprafa deun metru ptrat.
Unitatea demsur pentru Iuminan este candela pe metru ptrat. (cd/m").
Surse deradiaii luminoase.
Lmpile cuincandescen sunt larg folosite datorit simplitii, energiei mari
i preului scazut. n principiu, lampa cu incandescen este alctuit dintr-un
filament inclus ntr-un balon de sticl cu vid sau gaze inerte. Datorit
temperaturilor ridicate (peste 2000 aC), filamentul este realizat dintr-un metal greu
fuzibil (wolfram -tungsten). Ele au urmtorii parametrii principali: electrici
(tensiunea de alimentare, puterea, curentul), fotometrici (fluxul luminos emis la
tensiunea normal, eficacitatea luminoas) i geometriei. Durata defuncionare este
mai mare de 1000 ore. De obicei, n msurri se impun condiii de alimentare
stabile (curent constant) pentru anu produce schimbri n intensitatea radiaiei (o
modificare acurentului de alimentare cu 0,1% produce o schimbare n intensitatea
radiaiei de0,7%)
Un bec de 100W areun flux numinos izotrop de 1000 lm.
a serie de surse de radiaii optice, foarte mult utilizate, sunt diodele
electroluminiscente sau LED-urile (Light Emitting Diode) i diodele cu emisie n
infrarou sauIRED-urile (Infrared Emitting Diode). Emisia deradiaii care, cai la
sursele incandescen, este spontan, incoerent, se produce n urma recombinrii
cu efect radiativ a purttorilor minoritari ce trec prin jonciunea p-n polarizat
direct. Spre deosebire de sursele cu incandescen, radiaia este emis ntr-un
interval spectral ngust. Lungimea de und aradiaiei emise depinde de materialul
semiconductor ales i de doparea sa (de exemplu cele cu GaAsP in funcie de
compoziie emit pe culoarea roie, portocalie, galben, verzui; cele cuGaP dopate cu
azot emit pe verde i galben iar cele cu GaAs emit n infrarou).Avantajele acestor
surse deradiaii: durat de funcionare lung (peste 20000 ore), rezisten laocuri
i vibraii, compatibilitate TTL, miniaturizare, timp de rspuns foarte bun.
Intensitatea radiaiei depinde liniar de curentul prin diod n domeniul de operare
normal. Puterea radiant emis deLED scade cudurata deutilizare.
a surs de radiaii des utilizat n msurri de precizie este laserul. Acesta
este un dispozitiv n care seproduce amplificare luminii prin stimularea emisiei de
31
radiaii. Stimularea se produce prin aplicarea unei energii de excitaie asupra
ionilor, atomilor sau moleculelor unui mediu activ care, n anumite condiii,
produce emisie de radiaii luminoase. Radiaiile laser au proprieti specifice cum
ar fi: monocromaticitate, coeren spaial i temporal, direcionalitatc (unghi de
divergen foarte mic), intensitate foarte mare (caoconsecin acoerenei spaiale,
adirecionalitii i amonocromaticitii). Din punctul devedere al mediului activ,
laserii pot fi mprii n: laseri cu mediu activ solid, laseri cu mediu activ gazos,
laseri cu excimeri, laseri cu semiconductori, laseri cu mediu activ lichid. n
tehnicile demsurare mai utilizai sunt cei curubin i Re-Ne.
Alte surse de lumin sunt lampile cu descrcare n vapori i lmpile cu arc
electric.
Pentru concentrarea fasciculelor de radiaii, schimbarea direciei sau
realizarea fasciculelor paralele se folosesc diverse piese i instrumente: oglinzi,
lentile, diafragme, colimatoare. Pentru
descompunerea spectral aluminii sefolosesc prisme i reele dedifracie.
Fenomene fotoelectrice lainteractia radiatiei luminoase cusubstanta.
Transformarea radiaiei electromagnetice n semnal electric se bazeaz pe
unul din urmtoarele fenomene: fenomenul de fotoconducic, efectul fotovoltaic i
efectul fotoelectric extern.
Fenomenul de f otocond ucie const n modificarea conductivitii electrice a
unui semiconductor sub aciunea radiaiei electromagnetice (aluminii). Caurmare
a absorbiei radiaiei electromagnetice are loc generare de perechi electron - gol,
generare de electroni ori numai de goluri ntre nivelele electronice care duc la
modificarea conductivitii electrice. Exist mai multe tipuri de fotoconducie:
a) fotoconducia intrinsec;
b) fotoconducia deimpuriti;
c) fotoconducia purttorilor liberi.
La fotoconducia intrinsec are loc trecerea electronilor din banda de
conductie in banda de valen datorit interactiunii radiatiei cu semiconductorul.
Fotonii incidenti cu energie mai mare decat banda interzisa a semiconductorului,
Eg determina trecerea lor din banda devalen nbanda deconducic, crescnd att
concentraia electronilor liberi ct si ceaagolurilor..
Fotoconducia de impuriti are loc intr-un seconductor exrinsec atunci cnd
sub aciunea radiaiei luminoase se produce ionizarea centrelor de impuriti. n
acest mod, prin tranziiile ntre nivelele impuritilor din banda interzis si benzile
permise apar purttori liberi numai de un singur tip. Deoarece nivelul energiei
cerute pentru aceste tranziii este mai mic dect cel cerut pentru tranziia band de
valen - band de conducic, fenomenul de fotoconducie de impuriti are loc
pentru fotoni cu energie mai mic, deci pentru radiaie cu lungime de und mai
mare dect n cazul fotoconduciei intrinseci. Pentru punerea in eviden aacestei
componente este nevoie ca semiconductorul s fie inut la temperaturi foarte
coborte.
32
Fotoconducia purttorilor liberi se manifest prin mrirea conductivitii
electrice datorit creterii mobilitii purttorilor de sarcin cauzate de absorbia
radiaiei luminoase pe aceti purttori.
Efectul f otovoltaic este un fenomen fotoelectric intern n care energia
luminoas este convertit direct n energie electric avnd carezultat obinerea unei
tensiuni electromotoare dependente de radiaia luminoas. Aceast tensiune ia
natere n semiconductorul expus radiaiei luminoase datorit prezenei unor
cmpuri electrice interne cauzate fie de doparea diferit n anumite zone ale
semiconductorului (jonciunea p-n), fie de structura variat, fie i de doparea
diferit i de structura variat. Atunci cnd radiaia luminoas ptrunde n regiunea
cmpului electric intern, fotonii incideni genereaz purttori de sarcin de
neechilibru (electroni i goluri) care, antrenai i separai de crnpul electric
existent, formeaz un curent electric.
Efectul fotoelectric extern (fotoemisiv) se manifest ntr-un tub electronic
special (celul fotoelectric) prin emiterea de ctre un catod (alctuit de obicei
dintr-o pelicul de Cs) aelectroni lor, atunci cnd acesta este iluminat. Caurmare a
diferenei de potenial dintre anod i catod, electronii sunt antrenai spre anod i
dac seconecteaz n serie cusursa detensiune orezisten de sarcin, variaiile de
tensiune de pe rezisten vor depinde att de fluxul luminos incident ct si de
spectrul sursei luminoase.
Elemente sensibile tipice pentru radiatiile luminoase.
Elementele sensibile care convertesc radiaia luminoas n semnal electric se
numesc fotodetectoare, elemente sensibile sau fotosenzori. Dup felul cum se
obine semnalul electric, fotodetectoarele se mpart n fotodetectoare de tip
generator i fotodetectoare detipparametric.
Fotodetectoarele detip generator secaracterizeaz prin aceea cfurnizeaz la
ieire un semnal electric de forma unei tensiuni, fr a fi necesar o surs de
energie suplimentar. Ele se bazeaz pe efectul fotovoltaic i se numesc
fotoelemente sau celule fotovoltaice. Lafotodetectoarele detipparametric, radiaia
luminoas incident pe suprafaa activ moduleaz un parametru decircuit electric.
Cele mai rspndite fotodetectoare de acest tip sunt fotorczistcncle, fotodiodele i
fototranzistoarele.
n poriunea sensibil a fotodetectorului se produc fotoelectroni (sau alte
sarcini electrice). Numrul de fotoelectroni produs de fiecare foton incident se
numete randament deconversie.
2. CELULELE FOTOVOLTAICE
Celulele fotovoltaice (celulele solare) sunt dispozitive semiconductoare care
sebazaz pe efectul fotovoltaic. Casemiconductoare seutilizeaz siliciul, seleniul,
germaniul. Celula fotovoltaic din Si este cel mai de utilizat i are structura de
baz prezentat n figura 2.
33
Adncirnea de formare aj onciunii p-
n este superficial, nedepind 3 um, astfel
nct stratul "n" s fie cvasitransparent
pentru fotoni, n timp ce grosimea
plachetei de siliciu este de aproximativ 1 R
s
mm. Stratul de dioxid de siliciu este
transparent i are rol antireflectorizant (de
unde provine culoarea albastra a celulei).
Jonciunea p-n acioneaz ca un cmp
electric permanent.
Pentru ocelula solara in gol (nelegata Figura2 Structuracelulei fotovoltaice
la o rezistenta de sarcina), purtatorii
fotogenerati in regiunea jonctiunii p-n
(regiunea golita si vecintilc acesteia) si separati de cimpul electric intern al
jonciunii determin o tensiune fotoelectromotoare care reduce bariera interna de
potential inraport cusituatia delaintuneric (Actioneaza deci caopolarizare directa
ajonctiunii p-n).
Tensiunea V
oc
labornele circuitului deschis variaz logaritmic cu iluminarea.
Valoarea ei este independent de aria suprafeei fotosensibile. Tensiunea maxim a
tensiunii n circuitul deschis aunui fotoelement cusiliciu este deaproximativ O,5V.
Prin nserierea celulei fotovoltaice cu o rezistenta de sarcina, purtatorii
fotogenerati si separati decampul electric determina curentul deiluminare care este
desemn opus curentului direct datorat tensiunii fotoelectromotoare descrise mai sus
si care apare si in acest caz.
Cind celula solara este in scurtcircuit tensiunea fotoelectromotoare este egala
cu zero, iar prin circuit circula numai curentul de iluminare. Curentul de iluminare
este prin urmare egal cucurentul de scurtcircuit I
sc
i proporional cuiluminarea si
semsoar deci cnd celula este pus n scurtcircuit
Laconectarea celulei fotovoltaice pe orezistenta de sarcin oarecare, valoarea
curentului I i tensiunii V pe celula solara depinde de valoarea rezistentei de
sarcina. Curentul electric I datorat iluminrii este funcie de aria suprafeei
fotosensibile A, rezistena de sarcin R, i iluminarea le.
Pentru a crete t.e.m., fotoelementele se leag n serie iar pentru a crete
curentul ele se leag n paralel. Celulele fotovoltaice astfel concepute pentru a
realiza conversia energiei solare n energie electric semai numesc i celule solare.
Caracteristica curent - tensiune acelulei fotovoltaice (figura 3) are expresia:
I=I{e~~T-lJ-I
L
unde I este curentul prin fotoelement. I
s
este curentul de saturaie, IL este
fotocurentul determinat de aciunea luminii, q este sarcina electronului, Veste
tensiunea pejonciune, ~este un parametru adimensional care iavalori mai mari ca
1, deregul egal cu2, K este constanta lui Boltzmann, iar T este temperatura.
Rad iatie luminoas
r 11 S tr at de S i02 Me tal
S ilic iu
tip n
S ilic iu
tip P
Contac t
Me tal
(nic he l)
(9)
34
o
R
s I
----- -1
t-~----
qV
I
s
(e
PKT
-1)1
Il
(-)
--+
a.
b.
I
se Rs =0
Figura 3 Caracteristica I-V aunui
fotoelement
Figura 4 Schema ideal
echivalent i simbolul celulei
Dispozitivul este legat n serie cu o rezisten de sarcin R
s
, genereaz n
circuit un fotocurent 1 de sens opus curentului direct care ar trece prin R, dac
jonciunea neilurninat ar fi polarizat de la o surs extern, la aceeai tensiune
(direct). Adic fotocurentul are acelai sens ca i curentul invers de generare I
s
al
jonciunii neiluminate (curentul de saturaie I
s
).
In funcie de rezistena de sarcin R
s
, mulimea punctelor I-V determin o
curb n cadranul patru al planului (1,V) numit caracteristica fotoelementului
(figura 3). Aceast caracteristic corespunde poriunii din cadranul IV a
caracteristicii curent tensiune (a se vedea Lucrarea 3 Fotodioda. Fototranzistorul
unde este dezvoltat pe larg efectul fotovoltaic) aunei fotodiode, cnd jonciunea p-
n se comport ca o surs de curent, iar circuitul exterior, ca o sarcin. Celula
fotovoltaic este echivalent cu o surs de curent I
u
n paralel rezistena de sarcin
R, (figura 4.a).
Remarcm pentru acest mod de funcionare c produsul
P =IV <O, (10)
n concordan cu convenia termodinamic pentru dispozitive generatoare de
putere. Intersectnd caracteristica din figura 3 cu dreapta de ecuaie V = -RsI
obinem punctul de funcionare al dispozitivului, puterea debitat fiind egal cu aria
dreptunghiului haurat. Se observ cu uurin c exist o singur o singur valoare
arezistenei de sarcin R
SM
pentru care puterea debitat este maxim. Fotocurentul
i tensiunea corespunztoare puterii maxime se determin din condiia:
dP =0 (11)
dV
iar utilizarea acestei ecuaii necesit cunoaterea ecuaici caracteristicii 1=1(V) din
relaia (6).
n relaia (9), punnd 1=O, se obine tensiunea de ieire n gol UoC:
KT (IL J
U
ac
=~-ln -+1 (12)
q I
s
35
Efectul temperaturii asupra curentului de scurtcircuit este redus pe cnd
tensiunea de ieire n circuit deschis descrete liniar cu creterea temperaturii cu o
pant deaproximativ 2,5 mV/oC.
Constanta de timp depinde de rezistena de sarcin i este de ordinul
zecimilor de microsecund. Lungimea de und pentru sensibilitatea spectral
maxim depinde de materialul fotoelementului, pentru Si fiind de aproximativ 800
nm.
Celulele fotovoltaice din Si sunt produse intr-o varietate de configuraii.
Fotoelementele din Si sunt des utilizate drept convertoare de energie solar n
energie electric, avnd un randament de conversie (raportul ntre puterea electric
generat maxim i puterea radiant) cecirca 11- 20 %.
Simbolul unei celule fotovoltaice este prezentat n figura 4.b.
3. DESFURAREA LUCRRII
Montajul experimental este constituit dintr-o surs de lumin alimentat in
curent continuu si o celul solar nseriat cu un miliampermetru digital i o
rezisten de sarcin variabil n decade, conform cu figura 5. Se vor determina
urmtoarele caracteristici:
a)
Figura5 Schemamontajului experimental:
a) ridicareacaracteristicii 1=f(V);
b) determinareacurentului descurtcircuitI
s
6
c) determinareatensiunii ngol V
oc
.
o Se va determina tensiunea n circuit deschis V
oc
precum i curentul n
scurtcircuit I
sc
(conform cuFigura 5) laun anumit flux luminos. Sevaridica punct
cu punct caracteristica static de ieire I = f (V) la aceeai valoare a fluxului
luminos prin varierea rezistenei de sarcin ntre R, =O(scurtcircuit) i R, =00
(circuit deschis). Sevor realiza cte trei msurri pentru fiecare decad arezistenei
de sarcin R
s
(0,1; 1; 10; 100; 1000):
36
1(mA) R
s
(il) V (V) P =IV (mW)
O(n scurt)
0,2
0,5
1
......
1000
00(n gol)
o Tot din tabel se va identifica valoarea puterii maxime P
M
debitat n
exterior de celula solar. Sevor determina valorile: intensitatea I
M
, rezistena R
SM
'
tensiunea V
M
corespunztoare pentru puterea maxim P
M

o Sevareprezenta grafic dependena 1=f (V)

o Se va determina Factorul de form (sau de umplere) FF care reprezint
raportul ntre puterea generat maxim P
M
i puterea "ideal" P
m
=I
sc
V
oc
:
FF= IMV
M
<1
I
sc
V
oc
o Folosind un aparat special (fotometru) care permite msurarea iluminrii
energetice le a radiaiei solare (de exp. le ~700 W/m
2
perpendicular pe direcia
soarelui, cu un cer fr nori) i calculnd suprafaa util A a celulei solare se
determin randamentul deconversie 11(%):
11=_P_
M
_ =FF ._Is_c_V_o_c
P
rad
leA
(13)
(14)
nd
2
unde d este diametrul celulei iar suprafaa calculat acelulei este A = 4
4. NTREBRI SI EXERClIU
4.1 Ce se intampl cu valoarea curentului de scurtcircuit al celulei solare dac se
inlocuiete siliciul monocristalin cuun semiconductor cubanda interzis de3 eV ?
4.2 Ce se ntampl cu valoarea tensiunii de gol dac impedana voltmetrului nu
este infinit?
4.3 Ce condiie trebuie s impunem miliampermetrului din Figura 5 pentru ca
msurarea performanelor ceulei solare sfiecorect?
4.4 Cite celule solare trebuie folosite i n ceconfiguratie trebuie conectate pentru a
obine otensiune de 100 V si un curent de 25 A? Se stie caariaunei celule solare
este de4 crrr', densitatea curentului de scurtcircuit Js =25 mA/cm
2
, si Voc =0.5V.
4.5 Imaginai-v o schem bazat pe amplificator operaional pentru msurarea
curentului de scurtcicuit al unei celule solare.
4.6 Imaginai-v o schem bazat pe amplificator operaional pentru msurarea
tensiunii de gol acelulei solare.
37
11.2 EFECTUL FOTOVOLTAIC.
FOTODIODA, FOTOTRANZISTORUL.
1. INTRODUCERE
n lucrare se studiaz efectul fotovoltaic la jonctiuni p-n, precum i
aplicatiile acestui fenomen n fotodetectori (fotodiode, fototranzistoare). Senzorii
bazai pe efectul fotovoltaic au o larg rspndire n aplicaiile unde se msoar
direct mrirnile optice (fotometrie, colorimetrie, pirometrie). mpreun cu diverse
surse de lumin, senzorii fotovoltaici sunt folositi pentru detectarea sau msurarea
altor mrimi n aplicaii cum ar fi detectorii de proximitate, optocuploarele,
optocomutatoarele, detectoarele de fum, cititoarele de cartele, turometrele digitale,
exponometrele foto etc.
2. EFECTUL FOTOVOLTAIC
Efectul fotovoltaic este procesul fizic prin care energia radiaiei luminoase
(fotonilor) este transformat direct n energie electric. Evidenierea acestui efect n
semiconductori impune existena unei bariere de potenial, deci a unui electric
capabil s separe cele dou tipuri de purttori de neechilibru, electroni i goluri,
fotogenerai prin aciunea fotonilor. Deci acest efect poate fi observat numai la
jonciuni, i in special lacele pn.
Pentru observarea efectului fotovoltaic se impune ca energia fotonilor
incideni hv s fie mai mare sau egal cu cu cu lrgimea benzii interzise E, a
semiconductorului. n acest caz, prin aciunea fotonilor cu hv 2E, asupra uneia
sau alteia din regiunile care formeaz jonciunea pn, sau chiar aambelor regiuni
simultan, sunt fotogenerai purttori deneechilibru.
Purttorii minoritari de neechilibru fotogenerai n vecintatea jonciunii pn
vor fi preluai de crnpul din regiunea de sarcin spaial ajonciunii i transferai
n regiunile n care ei sunt majoritari
Purttorii de sarcin fotogenerai n regiunile neutre la o distan mai mic
sauegal culungimile dedifuzie L, i L
p
vor difuza sprejonciunea pn.
Purttorii fotogencrai n regiunile neutre laodistan dejonciune mai mare
dect lungimile de difuzie ale purttorilor minoritari nu vor avea o contribuie
favorabil laefectul fotovoltaic, ei fiind implicai n fenomenele derecombinare n
volum saulasuprafa.
Prezena purttorilor de sarcin fotogenerai duce la micorarea barierei
interne de potenial (figura 1), ceea ce faciliteaz transferul purttorilor minoritari
38
dintr-o parte n alta ajonciunii pn, astfel nct regiunea p se ncarc pozitiv iar
regiunea n sencarc negativ.
Curentul generat prin jonciunea pn este dat ntr-o prim aproximaie de
relaia:
IL =qgAf(L
n
+L
p
) (1)
unde A
f
este aria activ ajonciunii pn, L, i L, sunt lungimile de difuzie ale
purttorilor minoritari, electroni respectiv goluri, iar g este rata de fotogenerare a
purttorilor minoritari.
Acest curent I
s
vafi de sens opus curentului direct (de injecie) prinjonciunea pn,
deci deacelai sens cucurentul invers.
n condiiile conectrii labornele jonciunii aunei rezistene dedesarcin
finite, tensiunea datorat fotogenerrii purttorilor ajunge laovaloare V (v. figura
2) iar fotocurentul prin aceast rezisten de sarcin vafi mai mic decat curentul de
iluminare (reI. 1). Curentul prin jonciunea pn iluminat pentru orice valoare V a
fototensiunii este dat de:
qV
kT
I=-I
L
+I
s
(e -1) (2)
n condiii de circuit deschis (I =O, adic rezistena de sarcin extern
infinit), relaia (2) devine:
kT ( IL J V=V
oc
=-ln 1+-
q I
s
Observm din relaia (2) cvaloarea maxim afotocurentului seobine n
condiii de scurtcircuit (rezistena de sarcin extern nul, V =O) i anume:
1=I
sc
=-IL
iar tensiunea maxim este V
ac
.
(3)
(4)
Anod Catod
q+
Sarcini
electricI. O
Sarcln.
,.pll\ial6
I
I
--~
I
I
1
,
r-
,
I
1
I
I
I
eAcceptor
oDonor
o Gol
E1eclron
Jl
Cimpul
elecbic
Jl
Figura 1. Efectul fotoelectric
injonctiunea pn
Pote n~alul
inte r n
t r)lJl
V;i")EU
at
La Tntune r lc
i1umlnat
39
Schema echivalent adispozitivului carejustific ecuaia (2) const dintr-
un generator de curent constant IL care reprezint efectul iluminrii, conectat n
paralel cu ojonciune pn obinuit. Luarea n considerare n schema echivalent a
contribuiei rezistenei serie precum i afenomenelor de generare-recombinare se
face prin introducerea n schema echivalent aunei rezistene serie R, i aunei
rezistene paralel R
p
, ca in Figura 2. Capacitatea jonciunii C este in direct
legtur cu comportarea dinamic afotodiodei. Pentru aceast schem echivalent
care seapropie mai mult demodelul real, caracteristica curent-tensiune este:
V - R I q(V-RsI)
I=-I
L
+ s +Is(e KT -1) (5)
R
p
D C Rp
Figura 2. Circuitul simplificat al unei fotodiode: IL este curentul
dentuneric, R, este rezistena paralel, R
s
este rezistena serie, C
reprezint capacitatea jonciunii iar R este rezistena de sarcin.
Forma caracteristicii I-V n cadranul IV adic acolo unde dispozitivul
funcioneaz ca fotoelement (sau celul solar), este puternic influenat de
rezistena serie si mai puin de rezistena paralel; aceast influen se traduce prin
micorarea ariei de sub curba din cadranul IV Teoria i experiena au artat c
influena rezistenei serie poate fi neglijat pentru valori ale acesteia mai mici de 1
Q iar cea arezistenei paralel pentru valori de peste 100 Q. n astfel de cazuri se
poate renuna laexpresia (5) i lucra cuexpresia simplificat (2).
La polarizarea invers a dispozitivului, curentul printr-o rezisten de
sarcin R, este puternic influenat de aciunea radiaiei luminoase. Astfel,
presupunnd c sursa depolarizare dezvolt otensiune -V R, punctul defuncionare
A
o
al dispozitivului, in absena radiaiei
incidente, se gsete in cadranul III la
intersecia caracteristicii (E
eo
=O) cu dreapta
de sarcin (~) deecuaie:
VR +V +RI =O. (6)
Dup cum rezult cu uurin din analiza
graficului din Figura 3, punctele de
funcionare a dispozitivului pentru
iluminrile E
el
, E
e2
i E
e3
sunt date de
interscciilc aceleiai drepte de sarcin (~)
cu caracteristicile (E
el
), (E
e2
) i (E
e3
) Deci, Figura 3. Caracteristica I-V aunei
dac iniial punctul de funcionare al fotodiode laintuneric i diferite iluminri.
(E
eo
)
(E
e1
)
(E
e2
)
(E~)
A .............. v
40
dispozitivului se gsete n Ea, acesta, la iluminare se mut n Ah A
2
, A
3
determinnd o scdere puternic a tensiunii pe dispozitiv i o cretere
corespunztoare a celei de pe rezistena de sarcin, conform ecuaici dreptei de
sarcin (6). Acesta este domeniul n care dispozitivul funcioneaz in montajul
fotodiod polarizat (fig. 5).
3. FOTODIODA
Considernd caracteristica curent-tensiune a unei jonciuni p-n a unui
semiconductor (figura 3), fotodioda corespunde funcionrii n cadranul III (deci cu
polarizare invers). n aceast regiune fotocurentul variaz liniar cuiluminarea.
Din aceast cauz fotodiodele sunt indicate pentru msurri cantitative de
iluminare.
n absena radiaiei luminoase (E
e
=O) exist un foarte mic curent invers
numit curent de ntuneric (ID). Dac suprafaa fotosensibil a jonciunii este
iluminat, n jonciune se genereaz perechi de purttori de sarcin (electron-gol)
care duc lacreterea curentului invers.
n funcie de semiconductorul din care se realizeaz jonciunea, fotodiodele
pot fi din Ge, Si, In-Sb, In-As. Cele mai rspndite fotodiode sunt cele din Si. n
figura 4 este prezentat structura debaz aunei fotodiode planare din Si.
Stratul de siliciu p+este suficient de subire pentru a permite radiaiei
luminoase s ajung lajonciune. Structura este introdus ntr-o carcas metalic
prevzut cuofereastr de sticl plan sau cuolentil care sfocalizeze lumina pe
poriunea sensibil ajonciunii.
Alt soluie constructiv este de ancapsula structura debaz n material
plastic transparent n zona fotosensibil. Jonciunea poate fi iluminat normal sau
paralel.
Radiaie luminoasA
Re giune a p"
str at de bar aj
Ariafotose nsibilll
Re giune a n
/~I(g)'d
Catod
Re giune B n"
Contac t me talic
Carcasli metalicli
Figura 4. Structura debaz aunei fotodiode planare cusiliciu
Structura planar prezint un avantaj Important, i anume curent de
ntuneric mic, ceea ce conduce la un raport semnal-zgomot mare, fotodiodele
putnd fi utilizate i laintensiti luminoase joase.
41
Fotodiodele curegiunile "p" i "n" puternic dopate i cu stratul de baraj
(w) mare, de tip intrinsec, senumesc diode PIN. Avantajele fotodiodelor PIN sunt
urmtoarele: rapiditate, rspuns spectral larg, dinamic mare, zgomot foarte redus.
Un parametru important al fotodiodelor este capacitatea jonciunii.
Deoarece capacitatea este invers proporional cu grosimea wastratului de baraj,
fotodiodele PIN vor avea o capacitate ajonciunii mult mai mic dect celelalte
diode, fiind deci mai rapide. Din considerente de timp de zbor necesar
fotopurtorilor pentru a strbate regiunea golit ar fi necesar o laimc mic a
acestei regiuni. Este totusi nevoie de un compromis ntre valoarea capacitii si
limea regiunii golite. Optimizarea acestor dou cerine conflictuale se face
avndu-se n vedere c timpul de zbor necesar purttorilor fotogencrai pentru a
traversa regiunea golit sfiemai mic dect fraciunea 1/2din perioada semnalului
semnalului modulator.
De asemenea, capacitatea este invers proporional curadicalul tensiunii
inverse. De aceea se recomand folosirea fotodiodelor la tensiuni inverse mari.
(Figurile 3 i 5).
Caracteristica de sensibilitate spectral a fotodiodei prezint, ca i la
celelalte fotodetectoare, un maxim. Fotodioda cu Si prezint un maxim n
infrarou, ntre lungimile deund 800 - 900 nm.
Caracteristica de directivitate normat, la fel ca orice fotodetector,
reprezint dependena dintre valoarea relativ a fotocurentului 1L /1Lmax i
valoarea deplasrii unghiulare fa de axa optic a fotodetectorului. (pentru care
fotocurentul are valoarea maxim I
Lmax
). Fotodetectoarele cu lentil au o
directivitate mai pronunat dect cele cufereastr plan.
Numrul depurttori generai depinde nunumai deiluminarea energetic
ci i delungimea deund Lalungimi deund mai mari dect lungimea deund de
prag (A =1.24/ Eg, cu Eg in eV i A in micrometri), fotonii afereni au energii
hv <Eg, deci numai pot determina tranziii aleelectronilor din banda devalen in
banda de conducie i deci nu semai genereaz perechi electron-gol. Laenergii ale
fotonilor hv Eg, absorbia luminii este foarte puternic, dar purttorii se
fotogenereaz lasuprafaa semiconductorului i apoi serecombin nainte caei s
ajung lajonciune spre fi separai de cmp i adanatere curentului de iluminare.
Din cele de mai sus rezult c structura transversal a (verticala) a fotodiodei
determin n mare msur rspunsul spectral al fotodiodei n timp ce arhitectura
planar (orizontal) determin echilibrul dintre sensibilitatea diodei (ieirea n
curent vs. iluminare) i timpul derspuns (capacitatea jonciunii).
n domeniul infrarou se utilizeaz fotodiodele din Ge, InAs. Astfel,
fotodiodele din Ge au sensibilitatea maxim pentru A =1,6 um , iar cele din lnAs
pentru A =3,5 um , acestea din urm putnd fi folosite la detecia unor fluxuri
foarte slabe.
Schema echivalent i simbolul fotodiodei mpreun cu modul de conectare
sunt prezentate n figura 5. Fotodiodele pot fi utilizate n doua moduri: nepolarizat
sau polarizat. n modul nepolarizat, fr a fi alimentat la o surs extrcrioar
42
fotodioda se comporta ca o celul fotovoltaic. Acest mod prezint avantajul unui
curent deintuneric minim. In modul polarizat, fotodioda este alimentat n invers la
otensiune depana la30V. Viteza deraspuns este mult imbunatait din moment ce
tensiunea invers aplicat pe jonciune srcete n purttori regiunea de sarcin
spaial, reducnd capacitatea C ajonctiunii.
Fotodioda ne polar izat
Eol
v
R
VO UT
---
R
mar e
I
'R
mic
Fotodioda polarizat
-v"
'V
\
\
Eo3 ~
Eo.-"\\
.. \
~ Dr e apta do sar c ini
Figura 5. Modurile de conectare i caracteristicile I-V
curent - tensiune ale fotodiodelor.
Principalele proprieti ale fotodiodelor:
./ Caracteristica practic liniara pentru un interval extins de iluminare (peste
ase ordine demrime)
./ Dinamic foarte rapid, timp derspuns de ordinul nanosecundelor, pana
lapicosecunde pentru fotodiodele PIN,
./ Structur simpl, fotodioda este cel mai simplu senzor pe siliciu, realizat
printr-o singur difuzie pe un substrat dopat detipn.
./ Impedan mare de ieire, n mod tipic curentul pe fotodioda nu poate
depi cateva sute demicroamperi, ceea cepoate constitui un oarecare impediment.
4. FOTOTRANZISTORUL
Fototranzistorul este asemntor cutranzistorul obinuit, fiind alctuit dintr-o
plcu semiconductoare din Ge sau Si n care exist alternativ regiuni cuconducie
de tip "n" i de tip "p" (pnp saunpn) i lacarejonciunea baz-colector reprezint
fotojonciunea. Fototranzistoarele sunt utilizate cafotodetectoare ndispozitivele de
43
comand automat. Ca mod de operare ele sunt asemntoare fotodiodelor, cu
deosebirea causensibilitatea de 100- 500 deori mai mare, datorit amplificrii n
curent.
Datorit efectului de fototranzistor, fotocurentul este amplificat cu factorul
de amplificare al tranzistorului. Considernd baza liber, n absena luminii prin
fototranzistor, ntre emitor i colector vacircula curentul dentuneric
I D =~.I
ebO
(7)
unde I
ebO
este fotocurentul generat dejonciunea baz-colector lailuminarea zero,
iar ~este factorul de amplificare al tranzistorului. La iluminarea fotojonciunii ia
natere un fotocurent I~ care, prin amplificare cu ~, genereaz fotocurentul din
tranzistor IL:
IL =~. (IebO +I~) (8)
Deoarece fotocurentul IL este funcie i de factorul de amplificare ~, iar
acesta depinde neliniar de curent, dependena dintre IL i iluminare este neliniar
(spre deosebire de fotodiod la care dependena este liniar). n scopul creterii
sensibilitii seurmrete att creterea factorului de amplificare (aceasta fiind ns
limitat), ct i creterea sensibilitii fotodiodei baz-colector.
Raportul semnal-zgomot este acelai cu raportul semnal-zgomot al
fotodiodei, deoarece curentul I
ebO
este amplificat lafel cai fotocurentul I~.
Fototranzistorul
VaUT
le
~
\1"\\
~
~",-
1 0. .
\ ~
C' 1 0. 3
E e z
\
E e .
\
V
CE
V"
b) a)
Figura 6. Modul deconectare i caracteristica lc-V CE
curent - tensiune alefototranzistorului.
Simbolul i modul de conectare pentru un fototranzistor de tip npn sunt
prezentate n Figura 5.a iar caracteristicile curent de colector - tensiune colector-
emitor I
c
- VCE n Figura 6.b.
44
5. DESFURAREA LUCRRII
Montajul experimental este alctuit din urmtoarele:
o Surs dubl stabilizat n tensiune;
o LED-uri n vizibil (culoare roie) i infrarosu (IR 830 nm);
o Fotodiode planare i PIN;
o Fototranzistoare;
o Generator deimpulsuri cufrecven variabil;
o Osciloscop cudou canale i XY;
o Multimetre digitale.
Etapele lucrrii:
1. Se identifica Anodul i Catodul pentru fiecare i fotodiod conform cu
regula din Figura 4. n acelai mod se identific Colectorul i Emitorul
fototranzistorului.
2. Serealizeaz montajul experimental conform cufigura 7.
+
Figura 7. Montajul experimental
LED - Fotodioda pentru determinarea
caracteristicii statice 1-V
3. Variind rezistena de sarcin R se traseaz caracteristica I -V de intuneric
pentru ambele fotodiode att n sens direct ct i in invers. Pentru aevita influena
parazit aluminilor din laborator, montajul trebuie acoperit cuocarcas opac.
4. Se alimenteaza LED-ul din Figura 7 latrei valori ale intensitii I
LED
Se
va trasa caracteristica statica I =f (V) la cele trei valori ale fluxului luminos. Pe
graficul caracteristicilor I -V vor trasa dreptele de sarcin corespunztoare ctorva
valori din tabel.
le
Figura 8. Montajul experimental
LED - Fototranzistor pentru determinarea
caracteristicilor statice 1-V.
45
Caracteristica
iluminarea Ee! iluminarea E
e2
iluminarea E
e3
dentuneric
ILED=_,_mA I
LED
=_,_
mA
ILED=_,_mA
I
LED
=O mA
(Ee! *- O) (E
e2
>Eea (E
e3
>E
e2
)
(E
pll
= O)
V (V) I(/-lA) V (V) I(/-lA) V (V) I(/-lA) V (V) I(/-lA)
FotoDioda -10
polarizata
n invers
------------ ------------- ------------- ------------- ------------ ------------- ------------ -------------
(V<O, I<O;
------------ ------------- ------------- ------------- ------------ ------------- ------------
Cadranul
III)
0,0
FotoDioda
nepolarizat
(V>O, I<O;
------------ ------------- ------------- ------------- ------------ ------------- ------------ -------------
Cadranul
IV)
0,0
FotoDioda
polarizat
direct
------------ ------------- ------------- ------------- ------------ ------------- ------------ -------------
(V>O, I>O;
Cadranul 1)
30,0
5. Se traseaza caracteristica leVCEpentru fototranzistor pentru ntuneric i
pentru trei valori ale fluxului luminos realiznd montajul din figura 8.
Caract. dentuneric
iluminarea Ee! iluminarea E
e2
iluminarea E
e3
I
LED
=O mA
I
LED
=_,_
mA
ILED=_,_mA I
LED
=_,_
mA
(E
eO
=O)
(Ee! *- O)
(E
e2
>E
e1
) (Ee~>E
e2
)
V
CE
(V) I
c
(/.lA) V
CE
(V) I
c
(/.lA) V
CE
(V) I
c
(/.lA) V
CE
(V) I
c
(/.lA)
--------------- --------------- -------------- --------------- --------------- -------------- --------------- ---------------
6. Sealimenteaz LED-ulla generatorul de impulsuri cu frecvent variabil
iar tensiunile de pe rezistentele de sarcin sevizualizeaz pe osciloscopul cu doua
canale. Pentru LED-uri (n IR i vizibil), fotodiode (planar i PIN) i fototranzistor
se calculeaz timpii deraspuns tONi t
OFF
corespunztori unei variaii asemnalului
ntre 10%si 90% din valoarea maxim semnalului (Figura 10).
46
GI
IL
Canal1
Figura9. Montajul experimental
LED- Fotodioda(Fototranzistor) pentru
vizualizareacaracteristicilor dinamicesi
determinareatimpilor deraspunst
R
.
CanalII
Fotodioda sealimenteaza n tensiune V
R
pn aproape destrpungere, Cuct
tensiunea inversa (VR) este mai mare cu att timpul deraspuns este mai mic. Acest
lucru sedatoreaza scaderii capacitii diodei cutensiunea inversa aplicata.
Datorita avantajelor majore pe care le au fotodiodele PIN acestea sunt cele
mai utilizate n domenii de mare interes cum ar fi: comunicaii prin fibrele optice,
spectroscopie n vizibil i infrarou, citire de compact discuri optocuploare, citire
pentru discurile optice etc.
Raspunsul unei fotodiode PIN este aratat n figura urmatoare:
J~ Semnal generator
I
I
I
I
I
I
I
I
F.D. :
I
I
- - - - - - - - ~- - - - - - - - - -
I
- - - - - - - - +- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
I I
I I
I I
I I
I I
I I
I I
I I
I I
I I
I I
- - - - - - - - - - - - - - - r - - - - - - - - - - - - - - i - - - - - - - - I
..
.. t
Figura10 Diagram
reprezentndimpulsul
luminosi rspunsul
dinamical fotodiodei
< > < >
t
Timpii derspuns toni t
off
depind de: ariafotodiodei, capacitatea diodei, tensiunea
inversa aplicata.
47
7. Sevor formula oserie deconcluzii referitoare laputerea emisiva i timpii
de raspuns ale LED-urilor; posibilitile de conectare a fotodetectoarelor,
liniaritatea caracteristicilor, sensibilitatea i viteza derspuns ale fotodetectoarelor;
influena capacitii C, rezistenei serie R, afotodiodelor precum si arezistentei de
sarcin R asupra timpilor derspuns.
6. NTREBRI
1. Calculai curentul lacare dreapta de sarcin intersecteaz axavertical.
2. Precizati cum trebuie polarizat fotodioda pentru adetecta fluxuri foarte
slabe decurent.
3. Imaginai-v un circuit cu amplificatoare operaionale pentru detecia
fluxurilor slabe deradiaie cuajutorul unei fotodiode.
4. Explicati rezultatele dedetecie ale fotodiodei lapolarizare direct.
5. De ce sefoloseste jonciunea colector- baz caofotodiod?
6. Calculai frecvena de tiere a fotodiodei PIN din Figura 5 dac se
cunoate limea regiunii golite de 100 um, suprafaa ariei active de 1,2 mrrr' ,
V=20 V si rezistenta de sarcin de 100Q.
48
11.3 FENOMENUL DE FOTOCONDUC IE.
FOTOREZISTEN A.
1. INTRODUCERE
Fotoconducia se definete ca fiind fenomenul de modificare a conduciei
electrice amaterialelor semiconductoare sub aciunea radiaiei electromagnetice i
este utilizat att pentru determinarea unor parametrii fizici ai materialelor ct
pentru numeroase aplicaii practice cumar fi detectorii deradiaie optic.
2. FENOMENUL DE FOTOCONDUCTIE. NOIUNI TEORETICE
Conducia electric o a unui material depinde de numrul purttorilor de
sarcin din banda de conducie. ntr-un semiconductor, purttorii de sarcin liberi
apar nurma excitrii electroni lor din banda devalen saudepenivelele locale din
banda interzis. n condiii normale, energia necesara excitrii purttorilor de
sarcin este asigurat de energia termic a reelei i, deoarece electronii
interacioneaz puternic cu atomii (sau ionii) reelei cristaline rezult c,
temperatura electronilor este aceei cu cea a reelei cristaline. Acetia sunt
purttorii de sarcin de echilibru, a cror concentraic depinde de un singur
parametru variabil - temperatura.
Energia necesar pentru atrece electroni din banda de valen n banda de
conducie i formarea de perechi electron-gol ce particip la conducia electric
poate fi furnizat nunumai prin creterea temperaturii ci i de alte surse de energie
cum ar fi iluminarea cu un flux de radiaie optic sau aplicarea unei tensiuni
electrice. n cazul iluminrii materialului cu radiaie optic, energia unui foton E
este legat de frecvena v prin relaia E =h-v unde h =6,62.10-
34
Ws
2
reprezint
constanta lui Planck. Dac fotonii radiaiei incidente au suficient energie pentru a
excita electronii din banda de valen n banda de conducie, fr adepi lucrul
mecanic de extracie din material (Eg <E <Lex, a se vedea Efectul fotoelectric
extern) atunci are loc apariia unui efect fotoelectric intern (fenomenul de
fotoconducie). Cu ct iluminarea probei este mai mare, cu att conducia electric
crete mai mult. Dac energia E este mai mare dect lucrul mecanic de extracie
Lex, atunci apare efectul fotoelectric extern.
Este de remarcat faptul c fenomenul de fotoconducic nu apare la
materialele izolatoare sau conductoare. n conductoarele metalice, conducia
49
electric de ntuneric este att de mare inct modificarea acesteia nu este
perceptibil. Dac un semiconductor este iluminat atunci apar purttori de sarcin
suplimentari a cror energie n momentul apariiei lor poate fi mai mare dect a
purttorilor de echilibru iar concentraia lor depinde i de ali parametri dect
temperatura ( de exemplu, intensitatea luminii). Din aceste motive ei sunt numii
purttori de sarcin de neechilibru. Odat cu scurgerea timpului, prin interaciunea
purttorilor de sarcin de neechilibru cu oscilaiei reelei, sau prin alte mecanisme
de mpratiere, energia lor suplimentar scade, devenind egal cuceaapurttorilor
de sarcin deechilibru. Calculele arat cegalarea energiilor areloc ntr-un interval
de timp foarte scurt, de ordinul timpului de relaxare (l0-10- 10-
14
s)care este mult
mai mic dect timpul devia al purttorilor desarcin n semiconductori. De aceea
se poate considera cu bun aproximaie c aceti purttori de neechilibru n
semiconductori, n timpul existenei lor (din momentul generrii pn n momentul
recombinrii), au aceeasi energie ca i purttorii de sarcin de echilibru i aceeai
mobilitate astfel c ei sunt purttori de neechilibru numai prin numrul lor, diferit
decel al purttorilor deechilibru.
CONDUCIA ELECTRIC DE NEECHILIBRU
Dac pe un semiconductor cade lumin cuolungime deund A
corespunztoare (Fig. 1)
A A _ 1,24
~ P - Eg [eV] [/-lm], (l)
atunci concentraiile purttorilor de sarcin liberi sepot scrie sub forma:
n =n
o
+An; p=Po+Llp (2)
unde n, i Posunt concentraiile electronilor i golurilor lantuneric iar Llni Llp
reprezint purttorii de sarcin generai de radiaia electromagnetic. Apariia
purttorilorilor desarcin deneechilibru vaduce lamodificarea conduciei electrice
asemiconductorului care sepoate exprima dup iluminare, prin relaia:
o=q(/-lnn+/-lpp)=o, +Llcr (3)
unde:
oo=q(/-lnno+/-lpPo) (4)
reprezint conductivitatea electric asemiconductorului lantuneric iar,
Llcr=q(/-lnn
o
+/-lpPo) (5)
Lla reprezint conductivitatea electric deneechilibru, cauzat degenerarea
purttorilor de sarcin sub aciunea luminii.
Fluxul energetic n semiconductor laadncimea x este energia pe unitatea de
suprafa i unitatea de timp i depinde de fluxul de energie <1>0al radiaiei
incidente, coeficientul R dereflexie lasuprafa si un coeficient a de absorbie n
material:
<I>(x)=(1- R)<I>oe-ax (6)
Numrul defotoni cetrec prin unitatea de suprafa laadncimea x
50
x~
Figura1Absorbiaradiaiei
nsemiconductori.
<P
N(x) =(1- R) h~e-ax =(1- R)N oe-ax [cm" S-l] (7)
Numrul defotoni absorbii n stratul degrosime dx; dx ---7 Ola
adncimea x.
Nv (x) =dN(x) =a(1- R)N oe-ax
dx
Viteza de generare apurttorilor mobili de sarcin la adncimea x este, pe
unitatea devolum i n unitatea detimp
g(x) =11Nv (x) =dN(x) =11
a
(1- R)N oe-ax [cm-
3
S-l] (9)
dx
[
-3 -1]
cm s (8)
unde 11 este un coeficient de proporionalitate care poart numele de randament
cuantic si este oconstant dematerial.
-ax ax ~ .
Pentru un coeficient mic ax 1, atunci factorul e =1- - =1 deci
1! '
viteza degenerare este uniform, independent dex:
ax
g(x) =g=11a(1- R)N 0(1- -) == 11a(1- R)N o (10)
1!
<P
o
g=a11(1- R)- (11)
hv
Aceast expresie reprezint numrul purttorilor fotogcnerai pe unitatea de
volum i nunitatea detimp, pentru un coeficient mic deabsorbie a sauogrosime
x mic amaterialului semiconductor fotosensibil.
Dac ampresupune cn momentul iniial t =O ncepe procesul deiluminare
asemiconductorului i cn afar degenerarea purttorilor desarcin numai auloc
i alteprocese, atunci conform curelaiile anterioare putem scrie:
<P
~n=~p=g.t=a11(1-R)-o t (12)
hv
Unde geste un coeficientul deproporionalitate carepoart numele derat de
generare optic. n figura 2, prin linie punctat este prezentat concentraia
purttorilor de sarcin n funcie de timp, conform relaiei (12). Din formula (12)
51
rezult c numrul purttorilor de sarcin crete nelimitat cu durata iluminrii, dar
experimental se constat c dup un anumit interval de timp de la nceperea
iluminrii concentraiilc purttorilor de sarcin de neechilibru ramn constante
(figura 2, curbaplin). Prin urmare, estenatural spresupunem care loc un proces
contrar procesului de generare i anume, c are loc recombinarea purttorilor de
sarcin. Ca urmare a acestor dou procese contrarii, dup un anumit interval de
timp, se vor stabili concentraii staionare (~nSTi ~PST)ale purttorilor de sarcin
de neechilibru. Evident, concentraia staionar a electronilor de neechilibru din
zona de conducie va fi egal cu produsul dintre concentraia electronilor generai
n unitatea detimp i timpul mediu de existen n zona deconducie ("C
n
), adic
~nST =g"C
n
(13)
Pentru goluri seobine orelaie similar,
L1PST =P
p
(14)
Unde geste rata degenerare optic (numrul depurttori generai nunitatea
detimp i unitatea devolum). Introducnd relaiile (13) i (14) n relaia (4) pentru
conductivitatea electric staionar asemiconductorului obinem:
~(J ST =qgju., "C
n
+~p "C
p
) (15)
An
I
I
O)
II I
~I
~
I
o
t
Figura2 Variaiantimpapurttorilor de
sarcinlailuminare.
Dac unul din termenii relaiei (15) este mult mai mare dect cellalt, atunci
are loc fenomenul defotoconducie monopolar i este descris deorelaie deforma
~(JST =qgur (16)
Prin urmare, fotoconducia staionar sepoate caracteriza cu ajutorul acinci
parametri: a, 11, R, ~i "C. Trei parametri (a, 11i R) descriu interacia dintre lumin
i semiconductor iar ceilali doi (u i "C) caracterizeaz interacia purttorilor de
sarcin n interiorul semiconductorului i dau informaii att asupra micrii ct i
asupra proceselor derecombinare.
52
TIMPUL DE RELAXARE AL FOTOCONDUC'IlliI
Fiecare purttor de sarcin deneechilibru, de exemplu electronul particip la
micarea termic i prin urmare, deplasndu-se n banda de conducie, are o
probabilitate finit deaserecombina.
Dac n momentul t =O ncepe iluminarea semiconductorului, atunci aa
cumamvzut mai sus, conductivitatea electric staionar seatinge dup un anumit
timp, iar dup ncetarea iluminrii, eanu dispare instantaneu. Curbele de cretere
sau descretere aconduciei deneechilibru poart denumirea de curbe derelaxare a
fotoconduciei. n continuare, s vedem cum variaz n timp conductivitatea de
neechilibru. Deoarece, n fiecare moment, componentele de goluri i electroni ale
conduciei electrice staionare sunt proporionale cu concentraiilc de neechilibru
~n i Ap, noi ne vom interesa numai de procesele de relaxare ale mrimilor ~n i
Ap.
Variaia n timp aconcentraiei purttorilor sepoate scrie,
d(~n)
--=g-r (17)
dt
unde r este ratanet derecombinare,
~n
r =- (18)
't'
Vom examina relaxarea fotoconduciei prin rezolvarea ecuaici (17). Exist
dou cazuri: nivele mici de injecie (sau recombinare liniar) i nivele mari de
injecie (sau recombinare ptratic).
An _ ( t)
- - 1 - exp - -
Anst "["
An _ (t )
- - exp - -
Anst "["
1
0,63
0,37
o
t
Lumin ntuneric
Figura 3 Relaxarea concentraiei purttorilor de sarcin n cazul
iluminri semiconductorului cuimpulsuri dreptunghiul are de lumin.
53
Nivele mici deinjecie.
Pentru ~n n, +Po- caz care se realizeaz la mai uor la iluminri slabe,
semiconductori cuband interzis ngust i temperaturi mai nalte (n., Pomari), "C
nu depinde de ~n astfel c ecuaia (17) este liniar. Cu condiia lamomentul t =O,
~n(O) =O, soluia este:
t t
~ =g. "C (1-e 't) =~nst . (1- e 't).
Pentru t ~ 00, obinem concentraia staionar ~nst,
Lln=g"C=Lln
st
Dac iluminarea probei nceteaz lamomentul
(17) trebuie sscriem:
d(~n) ~n
dt "C
condiia iniial
(19)
(20)
t =O, atunci n locul ecuaici
Folosind
obinem
(21)
Lln(O) =Lln
st
=gr I integrnd ecuaia (21),
t t
~ =g. "C. e 't =~st . e 't (22)
Curbele de relaxare, pentru creterea i descreterea fotoconduciei, sunt
prezentate schematic n figura 3.
Nivele mari deinjecie.
Aceast situaie (An> n, +Po)sepoate realiza laintensiti luminoase mari
i cnd conccntraiile de echilibru alepurttorilor de sarcin sunt mici. n acest caz
nu sepoate introduce noiunea de timp devia al purttorilor de sarcin, deoarece
"Cdepinde de intensitatea intensitatea radiaiei incidente prin intermediul lui An.
Rezult o caracteristic important a materialelor semiconductoare folosite
cafotodetectori (fotorezistene): fotosemnalul depinde liniar deintensitatea luminii
laintensiti slabe i ca1
112
laintensiti mari.
CALCULAREA FOTOCONDUCTIEI DIN DATELE
EXPERIMENTALE
S presupunem c n serie cu fotorczistena, care la ntuneric (a se vedea
Figura 8) are rezistena Ro, se afl o baterie cu tensiunea U i o rezisten de
sarcin R
s
. Dup iluminare (v. Figura 9), rezistena probei scade cu ~R, devenind
astfel
n., =Ro -LlR. (23)
Dac curentul din circuit lantuneric este 1
0
i dup iluminare este L, atunci
semnalul suplimentar de tensiune (supracresterea de tensiune fata de starea de
intuneric) care se obine pe rezistena de sarcin, atunci cnd fotorezistcna este
iluminat, vafi dat de:
54
(
u U J U~Rs
U
f
=RS(If -Io)=R
s
--------- =---------
Ro - ~ +Rs Ro +Rs (R s +Ro - ~R )(R s +Ro)
(24)
Pentru variaia rezistenei probei, din (24) obinem:
~R = (R
s
+RO)2
U
f
URs +Uf(R
s
+R
o
)
Dac 1 este lungimea probei iar S este seciunea ei, atunci variaia
conductivitii probei lailuminare secalculeaz cuajutorul relaiei:
1 1 1 1
Ro =_._, Rj =-.-
ao S af S
~af =af - ao=..!..(_1_ - _1_ J =ao ~
S R
f
Ro Ro-~
Introducnd (25) n (27) , obinem:
s U - U
f
1+R~
Prin urmare, n cazul general, relaia ntre semnalul U, i fotoconducia ~()f'
este neliniar. n cteva cazuri simple aceast dependen sepoate simplifica.
Dac rezistena de sarcin este mult mai mic dect rezistena probei
(R, Ro), atunci avnd n vedere U
f
U, din relaia (28) obinem:
1 t., Ro t.,
~a=---=a .-.-
f SR U o R U
s s
Regimul de msurare afotoconducici n care rezistena de sarcin este mult
mai mic dect rezistena probei poart denumirea deregim de cmp constant.
Uneori, pentru msurarea fotoconduciei se folosete regimul de curent
constant. Pentru a realiza acest regim, se alege o rezisten de sarcin mult mai
mare dect cea a probei, adic R, Ro. n acest caz, curentul din circuit la
iluminare, practic nu semodific i aa cumrezult din relaia (22), fotoconducia
vafi dat derelaia:
(25)
(26)
(27)
(28)
(29)
(30)
METODE PENTRU MSURAREA FOTOCONDUCm
n cazul cnd An> n.; msurarea fotoconduciei sepoate realiza cuajutorul
unui montaj simplu, prezentat n Figura 8. n acest montaj, surplusul curentului de
iluminare semsoar pe fondul curentului dentuneric.
55
Dac ~n <s. n, (~af a
o
), se folosesc alte montaje n care, printr-un
procedeu sau altul, sunt eliminai curenii de ntuneric. De obicei, acest lucru se
realizeaz folosind metoda cornpensrii sau iluminarea probei cu pulsuri
dreptunghiul are de lumin (Figurile 3, 10).
3. FOTOREZISTENIA
Fotorczistenclc (LDR - light dependent resistors) sunt componente
electronice pasive ce i modific conducia electric n funcie de intensitatea
radiaiei luminoase incidente pe suprafaa fotosensibil. Fotorczistenclc se pot
utiliza att n curent continuu ct i n curent alternativ. Rezistena ohmic a
fotorezistenei scade cu creterea iluminrii. Valoarea fotorczistenclor depinde de
modificarea temperaturii, ceea ce le afecteaz sensibilitatea la radiaia incident.
Prin generarea termic de perechi electron-gol, temperatura cauzeaz zgomot
termic, mai ales pentru nivele sczute ale iluminrii.
Caracteristicile de sensibilitate spectral (Figura 5) ale fotorczistenclor sunt
nguste i depind de material. Alegerea corect a unei fotorezistcnc depinde de
lungimea de und aradiaiei urmri te. Cele mai cunoscute fotorczistenc sunt cele
realizate din sulfur de cadmiu i cele realizate din selenur de cadmiu.
und de 600 nm, iar fotorezistenele din CdSe - pentru lu
nm. n domeniul radiaiilor infraroii se utilizeaz fotorczistenc din PbS, PbSe,
lnAs, Te, InSb care trebuie ns rcitc cu elemente Peltier sau n criostate pentru
reducerea zgomotului termic. Aceste tipuri defotorezistcnc nu sunt ns produse la
scar industrial.
JI
s Ultr aviole t Vizibil
\ 400 ! Infr ar osu
2 \. . 1--- 100 I
,
\. > PbSr
Ol f== :;:: 90 K
r - ~80
- . ZnS
- 'iij
;J _ .=
" - 8. 60
" ... , ~
2 3 x
~
, . . . = . -
I I1III11 I I 1111111"" I '1..1 111O I I iL
, I I' I I GoU \' ,\
2 O le I 1" ,
300 ~ 1000 2000 ~00lI
10'
10' 2 S lOZ 2 S 10S 2 S ,o~ Lungime a de unda[nml_
Iluminar e a [Iuxl_
56