PROIECT CIA

AMPLIFICATOARE AUDIO
DE PUTERE

1. Introducere
Am ales ca tema de proiect descrierea principalelor aspecte ale proiectarii
amplificatoarelor audio de putere. Se porneste de la o tema de proiectare care stabileste
schema bloc a amplificatorului si principalii parametri ai amplificatorului. Tema de
proiectare se refera la un amplificator de audiofrecventa de mare putere realizat dintr-un etaj de
iesire in clasa B polarizat cu ajutorul etajului pilot care lucreaza in clasa A. Pentru asigurarea
unui curent mare de iesire tranzistoarele finale sunt realizate din doua tranzistoare in conexiune
darlington. Amplificarea in tensiune si adaptarea cu sursa de semnal de intrare este realizata cu
ajutorul etajului de intrare de tip diferential care lucreaza de asemenea in clasa A. Amplificarea
globala a amplificatorului este stabilita prin intermediul reactiei negative.
Principalii parametri functionali ai amplificatorului audio de putere sunt:
P Puterea nominala pe sarcina Ps (W)
Rezistenta de sarcina Rs ()
Rezistenta de intrare Ri (K)
Amplificarea in tensiune Av (-)
Sursa de alimentare va asigura urmatorii parametri:
Curentul maxim I0M (A)
Rezistenta de iesire maxima R0M ()
Tensiunea de alimentare este 220Vac 10%.

Pentru proiectarea etajelor amplificatorului audio de putere a fost utilizat setul de

parametri urmator:
Nr.
8.

PS (W)
50

Amplificator
RS() Ri(k )
6
45

AV(-)
10

Sursa de alimentare
I0M(A)
R0M()
4.1
7.2

2. Schema bloc , descrierea functionarii, explicarea blocurilor

functionale
Schema bloc a amplificatorului audio de putere este urmatoarea :

Termenul de amplificatory este foarte comun. In general, scopul unui amplificator este de
a prelua un semnal de intrare si de a-i creste amplitudinea. Exista multe tipuri diferite de
amplificatoare, fiecare cu un anumit scop, insa in acest proiect ma voi referi la amplificatoarele
audio de putere. Acestea sunt concepute pentru a prelua un semnal de la o sursa si apoi pentru a-l
actiona asupra difuzoarelor. Singurul lucru diferit intre semnalul de intrare si cel de iesire este
puterea semnalului. Toate amplificatoarele de putere au o unitate de masura numita watt. O alat
unitate de masura pentru amplificatoare este impedanta, care se masoara in ohmi ; cele mai des
intalnite impedante sunt de 8 ohmi, 4 ohmi, 2 ohmi. Amplificatoarele moderne folosesc in marea
majoritate tranzistoare in loc de tuburi. Tuburile sunt in general dispozitive tensiune mare
curent mic, iar tranzistoarele sunt tocmai invers tensiune mica curent mare. Amplificatoarele
cu tranzistoare au numeroase avantaje fata de amplificatoarele cu tuburi : sunt mai eficiente, mai
mici, nu au nevoie de transformtor audio pentru iesire, iar tranzistoarele nu necesit inlocuirea
periodica. Amplificatoarele de putere iau energia necesara pentru amplificarea semnalelor de
intrare de la priza de curent la care sunt conectate, insa nici un amplificator nu este eficient 100%,
pentru ca o parte din energie de la priza se pierde. Majoritatea energiei pierdute de un
amplificator se transforma in caldura, de aceea este foarte important sa se asigure o ventilatie
corespunzatoare in jurul echipamentului.
Amplificatoarele de putere folosite de DJ au o putere incepand de la 75 watt pe canal pana la
1000 watt pe canal.Trebuie sa fim constienti ca mai multa putere nu inseamna neaparat o
amplificare superioara sau un sunet de o calitate mai buna. Un amplificator conceput foarte bine
la 200 de watt pe canal poate fi mult mai bun decat un alt amplificatory conceput pentru 500 watt
pe canal.

Dupa cum se poate observa si in schema bloc a amplificatorului audio de putere exista cateva
blocuri functionale :
a)
b)
c)
d)
e)

etajul de intrare diferential

etajul pilot
etajul final
reactia negativa
sursa de alimentare

a) Etajul de intrare diferential

Etajul diferential este alcatuit din doua tranzistoare in conexiune EC care
lucreaza in clasa A si sunt cuplate diferential. Componentele acestui etaj sunt
urmatoarele:
Tranzistoarele T1,T2
Rezistentele R6, R8, R9, R11, R31 si D1, R7
Principalele functii ale acestui etaj sunt:
Obtinerea unei impedanle de intrare convenabile.
Regleaza echilibrarea starii de repaus (in absenta semnalului) a intregului
amplificator de putere
Permite cuplarea retelei de reactie negativa
Dimensionarea componentelor etajului diferential
1. Alegerea tranzistoarelor T1, T2
Tranzistoarele T1, T2 se aleg de tipul BC 178 si se imperecheaza (se sorteaza doua tranzistoare cu
caracteristici cat mai apropiate). Aceste tranzistoare au urmatoarele valori limita absolute:
VCE0=30V
Ptot=300mW
IC=100mA
Tj=175oC
IB=50mA

2. Dimensionarea rezistentei de colector a tranzistorului T1 (R11)

Se alege

RCT1=R11 <ZinT3min
Z inT 3 min = h11eT 3 min + h21eT 3 R15
I B ,T 3 max

2 I CT 3
h21Emediu ,T 3

2.8
= 160A
100

I C ,T 3 min I B ,T 3 max = 160 A g m ,T 3 min = 40 I C ,T 3 min = 6.4 h11,T 3 =

T 3 min
50
=
= 7.8k 8k
g m ,T 3 min 6.4

Z inT 3 min = h11eT 3 min + h21eT 3 R15 = 8k + 100 0.027k 11k

Pentru polarizarea bazei lui T3 trebuie ca:

(IC,T1-IB,T3) R11=VBET3+VR15 0.92V
Din motive de zgomot, pentru a avea factorul de zgomot F = 3dB trebuie ca:
ICT1 300A

Se alege ICTI = ICT2 = 250A

3. Verificarea functionarii la semnal mic

u BE ,T 1 =

4.

iC ,T 1
g m ,T 1

i C ,T 1
40 I C ,T 1

80 A
= 8mV
40 250 A / V

Determinarea tensiunii stabilizate de D1

Pentru a simula generatorul de curent din emitor trebuie ca tensiunea stabilizata Vz>>V BE,T1.
Deoarece IBT1 e foarte mic, se poate neglija tensiunea intre baza si masa UR6.
Practic Vz = VR8 +VBE.TI + VR6 VR8 +VBE.TI
Pentru ca R8 sa se comporte ca un generator de curent continuu trebuie ca VR8 = ct, dar
VBE.T1 variaza cu VBE,T1 => tensiunea stabilizata de dioda trebuie se fie mult mai mare ca tensiunea
baza emitor a tranzistorului T1, Vz >> VBE,T1.
Pentru tranzistorul T1 curentul de colector si tensiunea colector emitor au valorile :
IC,T1=250A si VCEEC=30V
5. Dimensionarea rezistentelor R6, R31
Se alege R6=R31=39k, 2% avand in vedere ca in jurul acestei valori se va situa Z intr a
intregului amplificator.

Dimensionarea rezistentelor R9, R8

Pentru BC178B din catalog se obtine h21E = 240 I B ,T 1 =

250A
1A
240

=> VR6=40mV. Considerand VBE,T10.6V

=> V1/2R9 + VR8 = Vz VBE,T1 VR6 = 7.56V
Se alege pentru R9 o valoare de 500 si atunci caderea de tensiune suplimentara pe
jumatate din rezistenta din emitorul lui T1 este
1
2

V1/2R9 I C .T 1 R9 = 62.6mV VR8 7.5V

Curentul prin rezistenta R8 este suma curentilor de colector ai tranzistorilor T,, T2
I R 8 = 2 I CT 1 = 500A R8 =

VR8
7.5V
=
= 15k 5%
I R 8 0.5mA

6. Polarizarea diodei D1
Alegem o dioda zener de tipul PL 8,2V care pentru o functionare normala trebuie
polarizata la I z =5mA.
EC VZ
=3.96k
IZ + IRS
Se alege R7 =3.3 k

R7=

7. Determinarea amplificarii etajului diferential

RSdif
Amplificarea etajului diferential poate fi aproximata astfel :
unde RSdif este
1
R9
2
R11 || Z in.T 1
1.8
= 1.8k AVdif
= 7.2 7
rezistenta de sarcina a diferentialului RSdif =
2
0.25
AVdif

b) Etajul pilot

Etajul pilot, conform cu Figura 4-1. este de tip emitor comun EC si lucreaza in clasa A.
Pentru utilizarea completa a sursei de alimentare a circuitului de putere este necesara o
tensiune de excitatie varf la varf mai mare ca tensiunea de alimentare Vex,vv > Ec, conditie greu
de realizat. In Figura 4-2. tg = R sat ai tg = Rrez definite in raport cu I CER. Se observa ca in
cazul real excursia tensiunii Vex,vv este mult mai mica decat E c si asimetrica.
K1 si K2 sunt coeficientii de utilizare ai tensiunii de alimentare pentru tranzistorul T1
respectiv pentru tranzistorul T2.
In schemele cu iesire pe condensator, datorita inegalitatii dintre K 1 si K 2 (in general
K1<K2) apar distorsiuni la nivele mari si apare o componenta continua (u) ce deplaseaza
punctul static de functionare (PSF-ul) in sensul egalizarii factorului de utilizare, Figura 4-2.
In schemele in care iesirea nu se face pe condensator, ca in cazul acestui project, apare
o curbura a caracteristicilor. Solutia poate fi folosirea unei tensiuni de alimentare a etajului pilot
Ep>Ec, fapt ce conduce la complicarea sursei de alimentare sau la solutia de bootstrapare a
rezistentei RC.

Pentru acest montaj se poate considera:

In regim static rezistenta de alimentare este

Rst=Rc=RB+RG

In regim dinamic Zs pentru etajul pilot este R din.

In regim dinamic rezistenta aparenta de alimentare este R st a = si sursa are
valoarea EC = .

Avantajele utilizarii acestei solutii sunt urmatoarele:

Excursia curentului se limiteaza la
IVV = 2*Iex<2*ICQ

Deoarece ICQ > Iex, aceasta solutie este avantajoass pentru usurarea regimului
termic al etajului pilot.
Se obtine astfel
k1k2

Conditia de functionare a schemei este ca rezistenta dinamica

Rdin>RC = RB+RG
Dimensionarea componentelor etajului pilot

1.

Se calculeaza curentul de excitatie maxim

ICT 5 max

Iexmax=IBT5max= t 5 min = 4.6mA

Se pot neglija curentii reziduali si se alege
ICT3=ICQ=8mA> Iexmax=4.6 mA
2.

Rezistenta statica de alimentare

RC=RB+RG=R13+R12=

EC
=3.75 k
ICT 3

Alegem R12=360 si R13=3 k

3.

Sarcina dinamica a pilotului

Rdin

R13h11T 6
R13
R13 + h11T 6 + (1+h21Ef R13 + h11T 6 )(RS+R30)

T 6
unde h11T6 = gmT 6 =125
h21Ef = h21T6 h21T8 =1000

h11T6 = h11T6+(1+h21Ef)R29 =715.6

=> Rdin= 5.05 k

Se verifica Rdin=5.05 k > RB+RG = 3.36k

4.

Tensiunea minima pe tranzistorul pilot

Vpmin = VBEmin,T8 + VCE min,T6 =0.6+0.2=0.8V

5.

Alegerea tranzistorului pilot

Pentru o functionare cat mai buna a bootstrapului se alege un tranzistor cu VCEsat si ICER mici.
Se alege BD 139 cu parametri :
VCE0=80V
VCER=100V
VEBO=5V
H21E=50 200

IC=1A
ICM=1,5A
IB=0,2A
Tj=150C

Ptot=12,5W
fT=50MHz
Rthj-C 10C

La I C = 2 I CQ = 16mA VCEsat = 0.6 si I CER =0.2mA

Tensiunea ce trebuie preluata de R15 este
V R15 = V p min VCEsatT 3 = 0.8 0.6 = 0.2V R15

lui R15 = 27 cu toleranta de 5%

6.

V R15
0.2V
=
= 25 Calculele impun alegerea
I CQ
8mA

Curentul de baza al tranzistorului T3

8mA
= 80A
Considerand h21Emediu ,T 3 =100 I BT 3 =
100

7.

Verificarea functionarii la semnal mic

BE =

IC
I ex
kT
=
= 0.024V = 24mV < 26mV =
g m 40 I CQ
q

8.

Amplificarea in tensiune a etajului pilot

Etajul pilot este de tip emitor comun cu sarcina distribuita avand amplificarea in tensiune:
Rdin
R15 = -187

9.

Avp Calculul f recventei de taiere

T = 0

fT3 0.351.25MHz

10.

Calculul circuitului de polarizare al tranzistorilor finali

Circuitul de polarizare este alcatuit din tranzistorul T 4 (superdioda) si potentiometrul R14. Se

considera necesar pentru deschiderea tranzistorilor finali o tensiune de 2 x 0,7V. Pentru
tranzistorul T4 alegem tipul BC 107A avand urmatoarele valori limita absolute:
VCE0=50V
Ptot=300mW
IC=100mA
Tj=175oC
IB=5
In PSF tranzistorul T4 are urmatorii parametri:
IC,T4=8mA

VCE,T41.4V => IB,T4 =

I C ,T 4
h21E ,T 4

Se alege prin divizorul de baza curentul :

Id 0.5mA >> IB,T4 => R14=R1 + R2 = 2.8 k
Se alege R14 = 2.5k

36 A

c) Etajul final
Este realizat cu doua tranzistoare bipolare complementare in conexiune colector comun.
Deoarece tehnologia bipolara este axata pe tranzistore de putere de tip npn si pentru cresterea
amplificarii in curent a etajului final se utilizeaza pentru cele doua tranzistoare finale de putere
configuratii darlington de tip npn si pnp.

Fig. 3.1. Configuratie darlington de tip npn

Consideram T5 si T7 in regim activ normal RAN
VBE=VBE5 + VBE7>0

RAN

VCE = VCE7 =VCE5 +VBE7>0

Pentru ICB0=0
IC = IC5 + IC7 = F5IB5 + F7IB7 = F5IB5 + F7IE5 =
F 7 +1
F 7 +1
= F5IB5 + F7 F 7 IC5 = F5IB5 + F7 F 7 F5IB5 =
F 7 +1
F 7 +1
= F5IB5(1 + F7 F 7 ) = F5IB(1 + F7 F 7 )

Ic
IB

F 7 +1

= F5(1 + F7 F 7 ) F5(1+F7)

F5F7

Principalii parametri ai configuratiei Darlington de tip npn sunt:

F F7F5 = mare
h11 =

VBE
VBE 5 +VBE 7
=
= h11T5+(1+F5)h11T7 = mare
IB
IB 5

avantaj
avantaj

VCESaturatie = VCE7Saturatie = nu se modifica

avantaj

VBE = 2VBE5 = 2VBE7 = mare

dezavantaj

Fig. 3.2. Configuratie darlington de tip pnp

Consideram T1 si T2 in RAN.
VEB = VBE6 > 0

RAN

VEC = VCE8 = VEC6 + VBE8 > 0

Pentru ICB0 = 0
IC = IE8 = (F8+1)IB8 = (F8+1)IC6 =
= (F8+1)F6IB6 = (F8+1)F6IB
F=

IC
=(F8+1)F6
IB

F8 F6

Principalii parametri ai configuratiei Darlington de tip pnp sunt:

F

F8 F6 = mare

avantaj

h11 = h116 = nu se modifica

avantaj

VEB = VBE6 = nu se modifica

avantaj

VEC = VCE8 = VEC6 + VBE8 = mare

dezavantaj

Cand T6 se satureaza se pierde controlul lui IC6 prin I B6 iar IC6 se inchide prin
jonctiunea BE a lui T 8 care ramane in RAN. =>
V EC,Saturatie = V EC6, Saturatie + V B E 8 = 0,2 + 0,6 = 0,8V

12

Tehnologia bipolara standard este orientata pe fabricarea tranzistoarelor de tip npn

care au conductie verticala si au factorul de amplificare in curent F = mare (100200).
Tranzistoarele pnp sunt de tip lateral cu conductie orizontala sau tranzistor de substrat cu
conductie verticala avand F mic.
In practica se folosesc configuratiile darlington cu rezistenta in paralel cu
jonctiunea baza-emitor a tranzistorului bipolar de putere de tip npn (R 2 6 si R27). Rolul
acestor rezistente este urmatorul:
La functionarea in clasa B" in repaus curentul prin T 7 este mic iar curentul de baza
va fi si el mic. La curenti mici de colector pentru T5 amplificarea in curent
a tranzistoarelor are o cadere pronuntata => amplificarea este redusa => reactia
negativa va fi ineficienta asupra neliniaritatii curbei de transfer.
La imbinarea caracteristicilor tranzistoarelor complementare apar distorsiuni
de trecere (cross-over) si pentru micsorarea acestora se face o polarizare
initiala in regim static al tranzistoarelor. Rezistenta R 26 mareste curentul de
colector al tranzistornlui T 5 in regim de repaus deoarece la I C7 mic, h 11,T7 e
foarte mare si cea mai mare parte a curentului dat de T5 trece prin R 26 si astfel
T 5 lucreaza la curenti acceptabili cu F5 suficient de mare. La curent de
colector mare pentru T7, h11.T7 scade exponential si R 26 se poate neglija.
Rezistenta R 26 permite evacuarea sarcinii stocate prin circulatia unui curent
invers de baza in perioada corespunzatoare blocarii => R 26 imbunatateste
functionarea la frecvente inalte, dar nu elimina efectele daca frecventa de
lucre e mai mare ca f.
Puterea disipata de tranzistorii finali T 7, T8
Puterea maxima ce se poate obtine la iesire este:
P0=EC*ICM
EC este tensiunea de alimentare pentru un tranzistor final
I CM este curentul de colector maxim al tranzistorilor finali

Fig. 3.3. Diagramele de functionare a etajului final in contratimp

13

Puterea absorbita de la sursa de alimentare este:

Pa=2EC Imed
Imed este curentul mediu absorbit de la sursa
Imed

1
=k
T

T /2

sin

CM

2
ICM
tdt = k
T

k este factorul de utilizare a tensiunii de alimentare

Pa=2ECImed = 2ECk

ICM

2k

P0 = 0.636kP0

Puterea nominala pe sarcina are expresia:

PS=

1
1
RS(kICM)2= RSk2I2CM=0.5k2P0
2
2

RS este rezistenta de sarcina

Puterea disipata de tranzistorii finali este:
Pd(T7+T8)=Pa-Pu=(0.636k-0.5k2)P0
2

0.5k P0
PS
Randamentul =
=
=0.785k
Pa 0.636kP0

Derivand expresia puterii disipate de tranzistorii finali in raport cu k => puterea disipata
maxima pe tranzistorii finali Pd max(T7+T8) la k=0.636.
Pentru k = 0.636
Pdmax(T7+T8)=[0.6362-0.5(0.636)2]P0=0.2P0
Pentru un singur transistor final
PdmaxT7,T8 =

1
(0.636k-0.5k2)P0 pentru k = 0.636
2

PdmaxT7,T8 =0.1P0
Dimensionarea componentelor etajului final
Pentru dimensionarea componentelor etajului final se impun conditiile:
Puterea nominala pe sarcina Ps la o frecventa convenabila, respectiv 1kHz (din
setul de date utilizate pentru exemplificare P s=60)
Impedanta de sarcina nominala la lkHz are caracter predominant rezistiv Rs (din
setul de date utilizate pentru exemplificare R S =4)
14

1.

2.

Determinarea valorilor de varf ale curentului si tensiunii pe sarcina

2 PS
I V
IS 2RS
2 50
P S=
= S S IS =
=
=4.08 A
RS
6
2
2
VS=RsIS=6*4.08A=24.48V
Se admite o pierdere de putere de maxim 10% pe rezistentele de emitor R28 si

R29
R28=R29=0.59<0.1 X 6
toleranta 5%
Caderea maxima de tensiune pe R28, R29 este
VR28=VR29=R28IS=2.4 V
I V
PdR28,R29= S R 28 =2.44W (valoare medie, T7,T8 lucreaza in clasa B). Se aleg R28 si
4
R29 de 3W.
3.

4.

Se alege rezistenta pentru circuitul de protectie la suprasarcina

R30=0.1
V30=R30IS=0.408V
I V
PdR30= S R 30 =0.83W
Se alege R30de 2W.
2
Se aleg tranzistorii finali

S-a optat pentru tranzistori finali bipolari de putere de tip BDY 26 (183T2) avand urmatorii
parameti:
Ptot=87.5W
VCE0,VCER=180V
IC=6A
h21E=20180 (la IC=2A) VBE<1V
VCES=0.6V
fTmin<10 MHz
Ptot este puterea totala disipata
VCE0 este tensiunea colector emitor cu baza in gol
VCER este tensiunea colector emitor cu rezistenta specificata intre baza si emitor
Ic este curentul de colector h 21E este factorul de amplificare in curent static in conexiunea emitor
comun
VBE este tensiunea baza emitor
VCES este tensiunea colector emitor in saturatie
fTmin este frecventa de taiere minima
5.

Verificarea la strapungere a tranzistorilor finali

15

EC 0.9 VCER,
6.

EC=27V 162 = 0.9 VCER

Determinarea tensiunii reziduale pe darlingtonul npn

Vrez=VCEST5+VBET7max

In cazul cel mai defavorabil:

ICT 7 , T 8

IS

T7,T8=20 IBT7,T8= T 7 , T 8 = T 7 , T 8 =0.204mA

In functie de IBT7,T8 se aleg T5 si T6 (BD 139, BD 140) Pentru BD 139, VCEST5 = 0,5V =>
Vrez = 0,5 + 1 = 1,5V
7.

Determinarea tensiunii de alimentare

EC VS+VR30+VR28+Vrez=28.788 V=Ec
Se alege EC=30V>EC

8.

Calculul energetic al tranzistorilor finali

P0 = ECICM = ECIS =122.4W
k=

E 'C
28.788
=
=0.95
EC
30

Pa = 0.636kP0 = 73.95W
PS =

1 2
k P0 = 55.23W
2

Pd = Pa-PS = 18.72W
(Puterea disipata pe T7 si T8 )
Puterea disipata pe un tranzistor final este maxima pentru k=0,636 este
Pd max T7 = Pd max T8 = 0.1*P0 = 12.24 W
In cazul nostru pentru k=0,95 puterea disipata pe un tranzistor final este
PdT7,T8 = 0.5 (0.636k 0.5k2) P0 = 9.36 W
= 0.785 k = 0.75
9.

Dimensionarea rezistenfelor R 2 6 ,R 2 7

Se aleg R 26 , R27 = 39, toleranta 5%

16

V BEMT 7
=204mA+1V/39 230mA
R26
I C M T 5 este curentul de colector maxim al tranzistorului T5
IBMT7 este curentul de baza maxim al tranzistorului T7
V B E M T 7 este tensiunea baza emitor maxima a tranzistorului T7

ICMT5 = IBMT7 + IR26 = IBMT7+

10.

Estimarea sarcinii dinamice pentru T5, T6

RST5=[h11T7+T7(RS+R30+R28)] || R26
h11T7=

V BEMT 7
I BT 7

4.9

RST5=(4.9+20*6.69) || 39=30.4
11.

Calculul energetic al tranzistorilor complementari

P0=ICMT5EC=0.23*30=6.9W
Pdmax=0.1P0=0.69W

Tranzistoarele BD139 si BD140 corespund, avand urmatorii parametri:

VCE0=80V
VCER=100V
VEB0=5V
h21E=50 200
IC=1A
ICM=1.5A
IB=0.2A
Tj=150oC
Ptot=12.5W
fT=50MHz
Rthj-C 10oC

12.

Calculul frecventei de taiere

T = 0 pentru T7 si T8
pentru T5 si T6

f 100 500kHz
f 0.35 0.25MHz

17

d) Reactie negativa
Se apreciaza un factor de transfer pe bucla de reactie optim la frecvente medii:

R10
R10 + R 31

1
10

Datorita divizarilor introduse de protectia termica, tensiunea reala de intrare

pe diferential este:
R2 || ( R5 + R6 )
R6
Vin.dif = D1 D2 V gen unde D1 =
= 0.95 si D2 =
= 0.89
R6 + R5
R1 + [ R2 || ( R5 + R6 )]
Se alege pentru V gen =1.5Vef U in ,dif = 0.95 0.89 1.5 =1.3Vef
Tensiunea nominala de iesire este:
Vn=
Amplificarea
AVr =

IS ( RS + R 30)
2

=17.4 V
cu

reactie

Vn
R + R31
R
R
15.95
=
= 13.3 = 10
= 1 + 31 31 = 12.3
Vin.dif
1 .3
R10
R10
R10

este

Deoarece amplificarea in tensiune in bucla deschisa a amplificatorului de putere

este data de etajul pilot si etajul diferential Av = Avp Avdif = (-7)(-187)=1309
R
1
39
Avr
R10 31 =
= 3.17 k
r
12.3 12.3
R10 = 3.3k 5%

e) Sursa de alimentare
Sursa de alimentare pentru etajul final este constituita dintru-un transformator
coborator de tensiune care are infasurarea secundara cu priza mediana.Acest fapt permite
ca dupa redresare si filtrare sa se obtina fata de masa doua tensiunu egale si de semne
opuse.
Aceasta cofiguratie are avantajul utilizarii unei singure punti redresoare pentru cele doua
tensiuni.

Dimensionarea redresorului
1.Dimensionarea condensatorilor de filtraj
Pentru dimensionarea capacitatilor de filtraj se estimeaza curentul mediu consumat de
amplificator la 2A si corespunzator acestuia rezistenta echivalenta a sursei pe una din
tensiuni este RSE =13.
Se impune ca frecventra corespunzatoare constantei de timp t=CR SE sa fie mult mai mica
decat frecventa de taiere in banda respectiv 10Hz.
Se alege f=2Hz =>C1,2 =6121F si alegem C1,2=6800F

2.Dimensionarea puntii redresoare

Pentru dimensionarea puntii redresoare calculam tensiunea inversa si curentul maxim
prin aceasta:
Vinv=1,2 Vrmax=1,5230=90V
Imax=3,5 Irmax =9,9A
Se alege o punte 20PM1 cu tensiunea inversa de 100V si curentul maxim de 30A.

Dimensionarea transformatorului
1.Datele de calcul ale transformatorului
Principalele date de calcul ale transformatorului sunt:
Puterea aparenta secundara

Consumul estimat pe un canal este 88W iar pe patru canale 352W.Se ia 360W
rotunjind puterea consumata de preamplificator si celelalte etaje intermediare.
Tensiunile in secundar
Pentru etajul final trebuie o tensiune continua de 2x30V adica 2x30x0,707=2x21Vef
valoare eficace.Pentru preamplificatoare trebuie 22,5Vef.
Tensiunea in primar
Tensiunea in primar este V1=220Vef
Frecventa retelei de alimentare
Frecventa retelei de alimentare este f=50Hz
Factorul de putere al sarcinii
Factorul de putere al sarcinii se considera cos2=1
2.Alegerea miezului
Se alege un miez din tole stantate E+I ,din tabla de otel electrotehnic,de grosime 0,5mm
avand pierderi specifice in fier PFs=2W/Kg
3.Intensitatile curentilor transformatorului
Se considera cos1=0,9 si randamentul =0,9.Coeficientul k este egal cu 1 pentru
transformatoare monofazate si 3 pnetru transformatoare trifazate.
I1=S2 cos2 /k V1 cos1=2A
I2f=S2/k V2=9,5A
4.Sectiunea miezului
Sectiunea miezului transformatorului se determina cu ajutorul relatiei:
SM=ks [(S1kG)/(fBMJ)] unde:
Kseste un coeficient care tine cont de tipul transformatorului de tipul bobinajului si de
numarul de faze al transformatorului.Conform tabelului urmator ks=6,65.
Numar de faze
Tip transformator
Tip bobinaj
ks
1
Cu coloane
Bobine circulare
4,75
Bob.dreptunghiulare

5,7
6,65

Bobine circulare

3,5

Bob.dreptunghiulare

In manta(E+I)
3

Cu coloane

Sl este puterea aprenta in primar =S2/=400W

kG este raportul intre greutatile materialelor active fier si cupru.

Depinde de gradul de solicitare al acestora si anume inductia magnetica in miez

respectiv densitatea de curent in cupru.Uzual kG=4-7 pentru transformatoare calculate
pnetru pret minim si kG=2-3 pentru transformatoare calculate pentru greutate totala
minima.Alegem kG=4.
Inductia in miez BM si densitatea de curent J se aleg in functie de puterea aparenta de
calcul S.
S(w)
BM(T)
J(a/mm)

<100
0.8-0.9
2.5-4

100-600
0.9-0.95
2-3

600-1000
0.95-1
1.8-2.5

1000-2500
1-1.2
1.6-2.1

2500-6000
1.2-1.3
1.5-1.9

Se alege BM=1T si J =3A/mm

Sectiunea miezului SM22cm
Se aleg tolele de tip E cu a=50mm.
5.Numarul de spire al infasurarilor
Numarul de spire al infasurarilor este determinat de tensiunea infasurarii si numarul de
spire pe volt.
ns/v=1/1,41fBMSM=2spire/volt
Numarul de spire al primarului:
nl=V1/ 1,41fBMSM= V1 ns/v=440spire
Numarul de spire al infasurarii secundare pentru etaj final:
n2f=2xV2f x ns/v=76spire
Numarul de spire al infasurarii secundare pentru preamplificator si etajele intermediare:
n2p=V2p x ns/v=45spire
6.Sectiunile si diametrele conductoarelor
Sectiunea conductorului din infasurarea primara este
SCI =I1/J=0,66mm
Diametrul conductorului din infasurarea primara este
DCI =0,91mm se alege DCI =0,9mm
Sectiunea conductorului din infasurarea secundara pentru etajul final este

SC2f =I2f /J=3,16mm

Diametrul conductorului din infasurarea secundara pentru etajul final este
DC2f =1,99mm se alege DC2f =2mm
Sectiunea conductorului din infasurarea secundara pentru preamplificator si etajele
intermediare este
Sc2p =I2p /J=0,01mm
Diametrul conductorului din infasurarea secundara pentru etajul final este
DC2p =0,11mm se alege DC2p =0,12mm

3. Simularea amplificatorului
Simularea amplificatorului audio de putere a fost efectuata la inceput din punct de
vedere al punctului static de functionare. Deoarece nu se utilizeaza condensator la iesirea
pe difuzor este necesara obtinerea unei tensiuni la iesirea pe difuzor cat mai apropiata de
0V prin ajustarea rezistentei semireglabile R9 care in simulare a fost inlocuita cu doua
rezistente obisnuite respectiv R9 si R91. Pentru R9 = 250 si R91 = 260 la iesirea pe
difuzor se obtine o componenta continua de 72,33nV valoare care este suficient de mica.
Comparand PSFurile tranzistoarelor simulate cu cele proiectate se observa abateri destul
de mici:
ICT1 = 241,6A, ICT2 = 255,2A fata de I CT1 = I CT2 = 250A
IBZ-081= 5,044mA fata de Iz = 5mA
ICT3 = 7,734mA fata de ICT3 = 8mA
I C T7 = ICT8 = 2,467mA, valoare acceptabila pentru eliminarea distorsiunilor de
trecere, obtinuta prin reglarea rezistentei semireglabile R14 = 2,5K, care in simulare a fost
inlocuita cu doua rezistente fixe R141 = 1,3K si R142 = 1,2K. Dupa simularea PSFului
s-a efectuat o simulare tranzitorie si au fost extrase semnalele din punctele indicate
in Figura 10-1., iar aceste semnale pot fi vizualizate in Figura 10-2. respectiv
semnalul de la generatorul de semnal cu amplitudinea de 1V, pana la iesire, respectiv
semnalul pe Rs din Figura 10-7., cu amplitudinea de 10V. Se deduce usor ca
amplificarea in tensiune are valoarea 10, valoare ce corespunde cu cea din tema de
proiectare.
3 0 .0 0 V
8 .6 4 6 m A
R 12
360
5 .6 2 8 m A
R 7
3 .9 k

B D 135 T5

R 13
8 .6 4 6 m A
3k

1 2 3 .0 p A
D 4
D 1N 4148

9 4 8 .8 m V

6 .8 7 4 m A

4 9 .5 8 u A

T7

R 18
1 9 5 .0 n A
-6 .9 2 3 m A
Q 2N 3055
9 1 5 . 0 p2 A0 . 2 9 m V
1 3 .5 9 u A
2 3 . 0 1 m V -2 4 8 .1 n A
9 4 7 .4 m V
D 6
1 3 2. 50 90 u A
T9
V1
1 2 3 .0 p A
D 1N 4148
R 26
6 .9 2 3 m A
2 9 3 .0 m V
BC 107A
R 19
39
30Vdc
8 .0 5 3 V
4 9 6 .4 u A
-1 2 2 .1 p A
1 . 0 3 7 n 1A 0 . 7 3 m V1 0 0
R 8
C 4
R 16
T11
15k
47u
- 9 3 9 . 5 f A4 7 0
-1 6 3 .9 f A R 2 4
2 1 .1 5 m A
R 1 4 1 6 3 7 .1 u A
3 9 .0 8 u A
1 .3 k
1-B 2.C01 137 7. 07n f AA
3 8 1 .0 f A
390
1 3 3 .4 p A
7 .9 6 0 m A
1 0 .7 3 m V
D 1N 4148
6 0 6 .9 m V
2 0 0 .6 u A
4 .9 3 1 m A
T4
1 . 0D3 87 n A 3 8 1 . 0 f A
6 .9 1 0 m A
R 3
2 6 0 .8 u A 2 3 5 .6 u A B Z -0 8 1
BC 107A
1 2 0 .5 m V
R 22
R 28
R 9
R 91
C 5
3 .9 k
4 .0 4 6 u V
0 .5 9
40k
250
250
R 142
200u
0V
2 9 .6 4 m V
R 31
-7 .9 9 9 m A 1 .2 k
5 9 8 .0 u A
0
8 .0 5 3 V C 2
R 5
2 6 0B .C8 u1 A7 8 B2 3 5 . 6 u A
39k
R 30
T1
T2
1 8 .9 4 m V
0V
1 8 7 .5 n A
- 5 7 2 . B6 Cn A1 7 8 B
-5 1 3 . 6 n A
1 8 .9 4 m V
1 8 .9 4 m V
3 . 18 0 49 m A 3 . 1 0 4 m A
4 .7 u
2 .2 k
0 .1
R 10
3 8 .9 7 m V
R 29
R s
1 3 3 . 4 p A 3 0 . 0 6Rm 6 V
7 6 0 .1 n A
- 2 3 5 . 1 u 0A V 3 . 3 k
5 .3 3 4 u V
R 23
0 .5 9
6
39k
5 1 3 .6 n A
C 6
3 .9 k
A
0AC 3
200u
5 8 .8 5 f A
R 4 2 0 0 .4 u A -2 6 0 .2 u A
1 1 .2 4 u A
1 . 3D6 18 Nn A4 1 4 8
R 25
-8 .6 4 3 p A
150
10u
1 8 .3 8 p A
D 9 T12
390
0
1 8 .0 2 m V
1 1 7 .0 p A
1 . 35 68 8. 8n A5 f A
R 17
R 21
-3 2 .8 1 f A
1
2
.
T
5
1
8
0
f
A
1
0
0
B
C
1
7
7
1
6
.
6
9
m
V
BC 177
-2 9 .1 0 V
470
0
V2
-2 6 .0 4 f A
9 8 .5 7 p A
1 8 .9 4 m V
1 6 .6 9 m V
1 6 .6 9 m V
30Vdc
1 8 .D4 10 Np A4 1 4 8
D 5
D 7
R 20
D 1N 4148
-1 8 .4 0 p A
1 7 .8 1 m V 1 1 .2 4 u A
3 .T 86 2 0 m A
1 2 .9 1 m A
100
T 3 8 .6 0 4 m A
T8
B D 1 3 5 /P L P
-5 9 7 .1 m V
-7 .4 1 2 u A
5 4 6 .8 p A
1 6 0 .0 u A
3 8 .0 0 u A
6 2 .2 5 u A
B D 1 3 6 /P L P
R 11
D 1N 4148 D 2
8 .6 6 6 m A
-3 .8 1 2 m A
1 6 .5 4 n A
5 .6 k
D 3 3 8 .0 0 u A
R 15
-2 9 .7 7 V
-2 9 .8 5 V
R 27
Q 2N 3055
D 1N 4148
27
3 . 8 1 2 m A -1 7 .0 8 n A
3
9
-2 9 .5 5 V
-8 .6 6 6 m A
-3 0 .0 0 V
2 6 .8 9 V

R 2
120k
R 1
3 .9

C 1

VO F F = 0
VAM PL = 1V
F R EQ = 1KH z

0V
0A

4 .7 u

0A

T13
BC 107
-1 2 4 .8 p A

5 3 .1 5 n A

Fig. PSF-ul amplificatorului audio de putere

In continuare voi prezenta cateva semnale si simulari de semnale efectuate cu

ajutorul programului PSpice.

Fig. Semnalul generatorului

Fig. Semnalul simulat in baza tranzistorului T1

Fig. Semnalul simulat in baza tranzistorului T2

Fig. Semnalul simulat in colectorul tranzistorului T3

Fig. Semnalul simulat in emitorul tranzistorului T7

Fig. Semnalul simulat pe rezistenta de sarcina RS

4. Schema electrica si lista componentelor folosite

R 12
360

BD 135 T5

R 13

R 7

T7

3k

3 .9 k

D 4
D 1N 4148

R 18
Q 2N 3055

D 6

T9

D 1N 4148

BC 107A
R 8
15k

200

C 4
47u

R 16
470

T11

R 141
1 .3 k
R 2
120k

R 3
40k

C 1

R 1
3 .9

47u
VO F F = 0
VAM PL = 1V
F R EQ = 1KH z

T13
BC 107A

C 2

R 5

47u

2 .2 k

R 9
250

R 91
250
BC 178B
T1
T2
BC 178B

R 6
39k

C 5
200u

R 142
1 .2 k

R 31
39k

C 6
200u

C 3

R 23
3 .9 k
D 1N 4148
D 9 T12

10u
BC 177

390
R 28
0 .5 9

R 10
3 .3 k

R 4
150

30Vdc

R 24

BC 177
D 1N 4148
D 8
R 22
3 .9 k

T4
BC 107A

B Z -0 8 1

V1

R 26
39

R 19
100

T10

R 17
470

R 30
R 29
0 .5 9

0 .1

R s
6

R 25
390

R 21
100 BC 177

V2
30Vdc

D 1N 4148
D 5

D 7
D 1N 4148

R 20
100

T3

R 11
5 .6 k

D 1N 4148 D 2
D 3
D 1N 4148

T6
T8

B D 1 3 5 /P L P
B D 1 3 6 /P L P
R 15
27

R 27
39

Q 2N 3055

Lista componentelor amplificatorului

Rezistente
R1=3,9 ,5%
R2=120 K,5%
R3=Th,40K,5%
R4=150 ,5%
R5=2,2 K,5%
R6=39 K,2%
R7=3,3 K,5%
R8=15 K,5%
R9=500 ,5%
R10=3,6 K,5%
R11=5,6 K,5%
R12=360 ,5%
R13=3 K,5%
R14=2,5 K,5%
R15=27 ,5%
R16=470 , 5%

R17=470 , 5%
R18=200 , 5%
R19=100 , 5%
R20=100 , 5%
R21=100 , 5%
R22=3,9 K,5%
R23= 3,9 K,5%
R24=390 ,5%
R25= 390 ,5%
R26=39 ,5%
R27= 39 , 5%
R28=0,59 ,5% /3W
R29= 0,59 ,5% /3W
R30= 0,1 , 5%
R31=39 K, 2%

Tranzistori

Condensatori

T1=BC178B

C1=4,7 F/35V

T2=BC178B
T3=BD139
T4=BC107A
T5=BD139
T6=BD140
T7=BDY26(183T2)
T8=BDY26(183T2)
T9=BC107A
T10=BC177A
T11=EFT 353

C2=4,7 F/35V
C3=10 F/35V
C4=47 F/35V
C5=200 F/35V
C6=200 F/35V

Diode
D1=PL 8V2
D2-D9=1N4148
EC=30V

Lista componentelor sursei de alimentare

Condensatori
C1=6800F/63V
C2=6800F/63V
Transformator monofazat
V2=2x19Vef
I2=2A

Punte redresoare
20PM1

5. Scheme pentru amplificatorul audio de putere TDA2004

Circuitul TDA2004 scoate o putere de 2x10W pe o sarcina de 2ohmi. Acest circuit poate
fi folosit si ca amplificator auto, montajul este usor de realizat si puterea lui ajunge pentru
o camera de dimensiuni mici.
Schema montajului si un exemplu de realizare practica sunt prezentate mai jos: