Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Electronica Analogica 1 PDF
Electronica Analogica 1 PDF
ELECTRONIC
ANALOGIC
Dispozitive i aplicaii
Cuprins
500091 Braov,
B-dul Iuliu Maniu 41A
Tel:0268 476050
Fax: 0268 476051
E-mail : editura@unitbv.ro
ISBN 978-973-598-802-9
Prefa
Aceast lucrare de cercetare i sintez studiaz dispozitivele semiconductoare utilizate de electronica
analogic i aplicaiile de baz ale acestora. Lucrarea este util att studenilor din primii ani de studiu ct i
inginerilor de profil electric.
La elaborarea acestei lucrri s-au presupus cunoscute noiunile de matematic i de circuite electrice
la nivel de liceu. Parcurgerea prealabil a unui curs n domeniul circuitelor electrice constituie un avantaj,
dar nu este absolut necesar, deoarece noiunile fundamentale de circuite electrice sunt prezentate n primul
capitol. Recomand parcurgerea materialului n succesiunea din lucrare, cel puin la prima lectur.
Un vechi proverb chinez spune c este de preferat s nvei pe cel flmnd s pescuiasc n
loc s i dai petele gata pescuit. Transpus n domeniul dinamic i complex al electronicii i
calculatoarelor aceasta nseamn c un adevrat specialist trebuie s cunoasc chestiunile
fundamentale din domeniu i s le adapteze la situaiile concrete care apar n practic. Formarea
unor deprinderi, sau a unor obiceiuri ntr-un domeniu att de dinamic ca electronica nu este o
strategie eficient, deoarece o dat cu modificrile, care apar foarte des n acest domeniu, trebuiesc
adaptate sau chiar modificate deprinderile anterioare.
Prin urmare consider ca fiind foarte important crearea unei baze, a unui fundament relativ
stabil i asta se poate realiza prin dezvoltarea unui complex de metode de nelegere sistematic i
profund a realitii nconjurtoare. n ultim instan modul cum se ajunge la o astfel de nelegere
este mai puin important i eu propun prin aceast lucrare studierea dispozitivelor electronice i a
aplicaiilor acestora. Din punctul de vedere al specialistului, crearea unui fundament de metode i de
cunotine este o investiie pe termen lung. Valorificarea cunotinelor fundamentale presupune
oricum cunoaterea situaiei la zi din domeniul respectiv, ceea ce conduce la dificultile inerente
cauzate de dinamismul i complexitatea electronicii. Aceast etap dificil pentru orice specialist
presupune o informare continu i un studiu susinut care se poate face pe baza fundamentelor, ntrun mod adaptiv i creativ, sau ntr-un mod superficial, care poate s duc la rezultate satisfctoare
doar pe termen scurt.
Am ncercat s fac din aceast lucrare un instrument ct mai util pentru actualii i viitorii
electroniti. Concepia i redactarea materialului se bazeaz pe referinele bibliografice date la
sfritul fiecrui capitol. Alegerea materialelor, modul de abordare a subiectelor tratate i
majoritatea problemelor sunt originale, multe din ele bazndu-se pe realizri experimentale
concrete. ntruct redactarea i corectura mi aparin, mi asum responsabilitatea eventualelor erori
care poate au rmas n lucrare. i rog pe cei ce au observaii sau corecturi de fcut s mi le trimit pe
adresa de e-mail de mai jos i le mulumesc anticipat. Mulumesc de asemenea soiei care m-a
sprijinit n perioada dificil de realizrii a acestei cri, mulumesc recenzenilor i colegilor de la
Catedra de electronic i calculatoare a Universitii Transilvania din Braov. Viitorilor
studeni i tuturor celor care vor avea rbdarea s studieze aceast lucrare le mulumesc anticipat.
Braov, noiembrie 2010
e-mail: craciun@vega.unitbv.ro
CUPRINS
CAP. 1
1.6 BIBLIOGRAFIE................................................................................................... 18
CAP. 2
DIODE SEMICONDUCTOARE......................................................................... 19
Semiconductoare intrinseci............................................................................................................ 43
Semiconductoare extrinseci........................................................................................................... 44
Curentul electric n semiconductoare............................................................................................. 44
Procese fizice la jonciunea pn ...................................................................................................... 45
Jonciunea pn polarizat................................................................................................................ 47
Caracteristica static a jonciunii pn............................................................................................... 49
Dioda varicap................................................................................................................................. 76
Dioda Schottky............................................................................................................................... 77
Dioda tunel .................................................................................................................................... 78
Fotodioda....................................................................................................................................... 79
Dioda fotoemisiv .......................................................................................................................... 80
2.9 BIBLIOGRAFIE................................................................................................... 81
CAP. 3
1.1 INTRODUCERE
1.1.1
Circuitele electrice reprezint pri componente ale unor sisteme tehnice complexe realizate
prin interconectarea unor componente electrice i electronice. La o analiz riguroas, parametrii
circuitelor nu sunt localizai numai n anumite poriuni distincte ale circuitului respectiv; totui,
pentru o mare categorie de circuit electrice nu rezult o abatere semnificativ de la realitate prin
considerarea parametrilor circuitelor ca fiind concentrai n componente de circuit, cum ar fi de
exemplu rezistoarele, condensatoarele, bobinele i dispozitivele electronice.
Activitatea principal a inginerilor de profil electric const din analiza i sinteza circuitelor
electrice. Scopul activitii inginereti este adesea sinteza (sau proiectarea) sistemelor care rezolv o
problem tehnic dat. Partea din proiect care revine inginerului electronist este proiectarea
circuitelor electronice necesare sistemului, circuite pentru care trebuiesc precizate intrrile, ieirile
i funcia pe care trebuie s o realizeze. Proiectarea circuitelor electrice este o activitate creatoare
care cere experien, pricepere, intuiie dar i o bun cunoatere a proprietilor pe care le au n
circuit componentele disponibile, precum i capacitatea de a putea prevedea comportarea circuitelor
formate prin interconectare acestor componente. De aceea, proiectantul de circuite electrice trebuie
s cunoasc att dispozitivele disponibile ct i circuitele electronice, cel puin pe cele mai simple i
mai des utilizate. Practic, proiectarea se reduce cel mai adesea la alegerea unei structuri de circuit
cunoscute i determinarea parametrilor componentelor de circuit care se interconecteaz. Rezultatul
se regsete n schema electric de principiu a circuitului respectiv. Schema de principiu este o
reprezentare simbolic a componentelor (pentru care se utilizeaz simboluri grafice convenionale)
i a modului de interconectare a acestora.
Proiectarea este urmat de regul de analiza circuitului propus, care se face cel mai adesea
pe baza schemei de principiu. Rezultatele analizei arat dac circuitul respectiv realizeaz funcia
cerut, cu ce precizie, n ce condiii concrete i deci dac rspunde cerinelor proiectului iniial.
Studiul circuitelor, att pentru proiectare ct i pentru analiz, se face cu ajutorul teoriei
circuitelor i pe baza conceptul de modelare.
1.1.2
Prin modelare se nelege orice descriere a comportrii electrice a unui dispozitiv sau circuit
considerat la bornele sale. Modelarea unei componente se poate face prin msurarea comportrii
electrice la bornele sale; rezultatele pot fi prezentate sub form grafic, tabelar sau cu relaii
funcionale stabilite empiric. nelegerea modului de funcionare a componentei modelate, din
punctul de vedere al mecanismelor fizice interne de baz, permite alegerea msurrilor eseniale
pentru caracterizarea componentei respective i crearea unui model compact, precis i cu o larg
aplicabilitate. Utilizarea acestor modele presupune adesea metode numerice sau grafice de analiz a
circuitelor, metode nesatisfctoare pentru majoritatea aplicaiilor. Pentru a putea utiliza metodele
analitice de analiz i mai ales metodele specifice circuitelor liniare se prefer modelele
simplificate. Aceste modele reprezint o idealizare prin care se elimin detaliile, astfel nct s
rmn caracteristicile principale ale obiectului studiat. Simplificarea modelului este posibil cu
condiia de a admite un anumit grad de imprecizie i se face prin aproximarea funciilor cu altele
mai simple (de preferat liniare sau mcar liniarizate pe poriuni). Modelul simplificat este de fapt un
circuit echivalent care se obine prin interconectarea unor elemente de circuit idealizate.
Simbolurile utilizate pentru elementele de circuit uzuale sunt prezentate n figura 1.1. Aceste
simboluri sunt folosite adesea i n locul componentelor de circuit asociate (a cror principal
proprietate este definit de elementul de circuit respectiv de exemplu R pentru rezistor).
Fig. 1.1. Simbolurile grafice utilizate n schemele electrice pentru: rezistene, capaciti,
inductiviti, surse de tensiune i surse de curent.
1.2.1
Rezistena electric
Rezistena electric (sau mai simplu rezistena) este un parametru electric global al unor
sisteme fizice pe care le caracterizeaz din punctul de vedere al conduciei electrice, respectiv al
transformrilor de energie care au loc. Cu o exprimare mai simpl, rezistena este proprietatea unui
mediu conductor de a se opune trecerii curentului electric. Rezistena se noteaz n general cu R
(sau cu r) i este caracterizat de legea lui Ohm care poate fi scris n dou forme:
u = R i
sau
i = G u ,
(1.1)
unde u este tensiunea la bornele rezistenei, i este curentul prin rezisten, iar G este conductana
electric (inversul rezistenei G =1/R, cu unitate de msur siemens S =1/). Unitatea de msur a
rezistenei se numete ohm =V/A. n electronic se folosesc adesea multiplii acestuia, kilo-ohmul
i mega-ohmul: 1k =103 i 1M =106 .
Relaia (1.1) reprezint caracteristica static a rezistorului. n general, caracteristica static
este relaia dintre tensiunea ntre terminale i curentul care circul prin acele terminale.
Rezistena este un element pasiv n sensul c primete energie (de la circuitul exterior) pe
care o transform n cldur, sau se spune c o disip. n unele cazuri o parte din energia electric
absorbit se transform i n alte forme de energie; de exemplu becul electric produce i energie
luminoas iar difuzorul energie sonor. Puterea electric P primit de o rezisten este:
u2
(1.2)
.
R
Pentru rezistenele normale, pozitive, puterea absorbit de rezisten este o mrime pozitiv
deoarece depinde de ptratul curentului (sau al tensiunii). Rezistene cu valori negative sunt utilizate
ocazional pentru a modela unele dispozitive speciale.
P = u i = (R i ) i = R i 2
sau
P = u (G u ) =
Rezistorul
Componentele electrice de circuit fabricate pentru a avea o anumit valoare a rezistenei se
numesc rezistoare. Acestea se comport aproape ca i o rezisten (ideal). Diferenele apar datorit
condiiilor concrete de exploatare. Rezistena rezistorului real depinde ntr-o oarecare msur de
temperatur. Curentul care parcurge rezistorul produce o nclzire a acestuia (datorit puterii
disipate), ceea ce conduce la o oarecare modificare a rezistenei, deci relaia tensiune-curent nu mai
este strict liniar. Deoarece aceste modificri sunt relativ mici se poate nlocui rezistorul cu
rezistena lui, sau altfel spus, rezistena este modelul cel mai simplu al rezistorului. Dependena de
temperatur a rezistenei rezistorului se poate modela prin introducerea unui parametru suplimentar,
coeficientul de temperatur al rezistorului (variaia normat a rezistenei cu temperatura):
K =
1 dR R 1
.
R dT T R
(1.3)
Un alt parametru specificat pentru rezistor este puterea disipat nominal, care arat puterea
disipat maxim admis de un rezistor n condiii specificate, pentru care temperatura intern a
rezistorului nu depete limita permis i pentru care rezistorul nu se defecteaz.
O observaie important din punct de vedere practic este aceea c rezistoarele se fabric cu o
anumit toleran, abaterea maxim de la valoarea nscris pe rezistor fiind de 510% pentru
rezistoarele uzuale. Rezistoarele de precizie, fabricate cu o toleran de 0,11% (uneori chiar mai
bun) au un pre mare i se folosesc numai la aplicaii pretenioase i scumpe. Valoarea precis
msurat a rezistenei unui rezistor este corect doar n condiiile de msurare concrete; depinde, de
exemplu, de temperatur i se modific n timp datorit aa-numitului fenomen de mbtrnire a
rezistorului. Din toate aceste motive, pentru aplicaii obinuite, un model a crui precizie este de
ordinul procentelor este considerat ca fiind bun.
La frecvene ridicate de lucru modelul rezistorului se complic datorit efectelor inductive i
capacitive, care devin semnificative cu creterea frecvenei i care pot fi modelate de o inductan n
serie, respectiv de o capacitate n paralele cu rezistena. Efectul inductiv este mai important pentru
rezistoarele de valoare mic (sub 100) fiind determinat n principal de inductivitatea terminalelor
(i deci de lungimea lor; se poate considera o valoare estimativ de 10nH/cm). Efectul capacitiv
este mai pregnant pentru rezistoarele de valoare mai mare (se poate considera o valoarea estimativ
a capacitii dintre terminale de 1pF). Pentru a determina importana efectului inductiv sau capacitiv
pentru un rezistor dat, se calculeaz reactana inductiv, respectiv capacitiv, la frecvena de lucru i
1
1
=
= 159k
6
2 f C 2 10 10 12
deoarece XL <<R i XC >>R (reactana serie este mult mai mic i reactana paralel este mult mai
mare dect rezistena). Pentru acelai rezistor la o frecven de 100MHz:
X L = 2 f L = 2 10 6 2 10 8 = 0,126 ,
XC =
1
1
=
= 1,59k
8
2 f C 2 10 10 12
Efectul inductiv se poate neglija i la aceast frecven (XL reprezint 0,13% din R ), dar efectul
capacitiv este important (1/XC reprezint 63% din 1/R ), fiind comparabil cu rezistena. Orientativ,
efectele parazite ale rezistoarelor se pot neglija dac:
X L = 2 f L = 2 10 8 2 10 8 = 12,6 ,
XC =
R
> 10 , respectiv
XL
XC
> 10 .
R
(1.4)
Aceste calcule sunt estimative dar adesea suficiente n practic; dac este nevoie, valoarea exact a
inductivitii i/sau a capacitii parazite se poate msura cu o punte RLC.
1.2.2
Capacitatea electric
Capacitatea electric (uzual denumit capacitate), notat cu C, este elementul ideal de circuit
care nmagazineaz o sarcin electric proporional cu tensiunea u ce i se aplic la borne:
Q = C u .
(1.5)
i=
dQ
dt
i=C
du
.
dt
(1.6)
Deoarece curentul electric circul doar la modificarea tensiunii, capacitatea este o ntrerupere de
circuit n cc. Curentul (datorat variaiilor de tensiune), care aparent circul prin capacitate, nu se
poate nchide fizic prin izolatorul dintre armturi i este de fapt un curent de circulaie care modific
sarcina electric nmagazinat de capacitate; capacitatea se ncarc sau se descarc printr-un curent
(de circulaie) pozitiv, respectiv negativ (curent n sensul, respectiv n sens contrar tensiunii).
Capacitatea este un element de circuit pasiv i reactiv, pasiv deoarece nu produce energie,
reactiv n sensul c energia pe care o primete poate fi stocat sub form de sarcin electric i
poate fi cedat circuitului exterior dup un timp oarecare (teoretic orict de lung).
Unitatea de msur a capacitii este faradul; practic se utilizeaz submultiplii acestuia, cei
mai ntlnii fiind microfaradul i picofaradul: 1F =10 -6 F i 1pF =10 -12 F.
1.2.3
Inductivitatea
Inductivitatea (sau inductana) L este un element ideal de circuit a crui caracteristic static
este complementar (sau dual) caracteristicii statice a capacitii:
u=L
di
,
dt
(1.7)
1.2.4
Sursa ideal de tensiune este elementul de circuit care are tensiunea la borne independent
de curentul care circul prin surs. Tensiunea la borne u este egal cu tensiunea la mers n gol (care
apare fr nimic conectat ntre borne) iar curentul prin surs poate avea orice valoare. Valoarea
curentului care circul prin surs este determinat de circuitul exterior (la care este conectat sursa
de tensiune). Astfel, dac se consider conectat la surs rezistena R (sau un circuit caracterizat de
rezistena echivalent R) atunci curentul prin surs este determinat de legea lui Ohm:
u
R
Cu alte cuvinte tensiunea este determinat de surs i exist ca potenialitate indiferent de circuitul
extern, iar pentru ca prin surs s apar un curent (care s valorifice aceast potenialitate) trebuie s
existe un circuit conectat la surs; cauza tensiunii este sursa iar cauza curentului este att circuitul
extern ct i sursa de tensiune. O astfel de modalitate de interpretare a relaiilor de calcul (legea lui
Ohm n acest caz) i implicit a circuitelor caracterizate de relaiile respective este foarte important
pentru nelegerea funcionrii circuitelor electronice.
i=
Sursa ideal de curent este elementul de circuit parcurs de un curent care este independent
de tensiunea dintre borne. Curentul prin surs este egal cu valoarea curentului de scurtcircuit (care
apare la conectarea unui conductor ideal ntre borne). Tensiunea dintre bornele sursei poate avea
orice valoare (este arbitrar) i este determinat de circuitul exterior (la care este conectat sursa).
Sursele independente a cror valoare nu depinde de alt mrime electric din circuit, pot
avea mrimea de ieire constant sau variabil, cu o lege de variaie precizat. Un exemplu din
prima categorie este sursa de tensiune continu (sursa idealizat care modeleaz o baterie electric)
iar un exemplu de surs variabil este sursa de tensiune sinusoidal (sursa idealizat pentru reeaua
de alimentare de ca, cu o tensiunea efectiv de 220V i o frecven de 50Hz).
10
Se consider circuitul din figura 1.2, format dintr-o surs de tensiune la care sunt conectate
dou rezistene n serie.
i 1 R1
uS
u1
i2
u2
R2
Deoarece circuitul nu prezint nici o ramificaie, conform primei teoreme a lui Kirchhoff,
T1K (referitoare la cureni), curenii prin cele dou rezistene au aceiai valoare: i1 = i2 = i.
Conform teoremei a doua a lui Kirchhoff, T2K, n forma clasic, suma (algebric) a
tensiunilor de-a lungul unei bucle de circuit este nul; T2K se poate exprima i n modul urmtor:
cderea de tensiune ntre dou noduri de circuit este aceiai indiferent de calea pe care se nsumeaz
tensiunile. n circuitele electronice se prefer a doua variant, T2K scris gravitaional (de sus n
jos) de obicei de la borna de alimentare la referina de potenial.
Referina de potenial sau masa (electric) a circuitului reprezint traseul electric de
potenial nul, fa de care sunt referite n mod normal tensiunile dintr-un circuit electric. Simbolurile
mai des utilizate pentru traseul de mas sunt prezentate n figura alturat. De regul, masa electric
este o legtur comun tuturor circuitelor care alctuiesc un sistem electric i poate fi legat sau nu
la pmnt (prin borna de mpmntare a reelei de alimentare cu
energie electric, de exemplu). n cazul n care traseul de mas
este diferit de cel de mpmntare, se folosesc simboluri diferite
Simboluri pentru masa
pentru cele dou trasee, de exemplu primul dintre simboluri
(electric) a circuitului.
pentru traseul de mas i cel de-al doilea pentru mpmntare.
n cazul circuitul analizat, tensiunea de la bornele sursei este egal cu cderea de tensiune pe
cele dou rezistene din circuit:
11
u S = u1 + u 2 = R1 i1 + R2 i2 = (R1 + R2 ) i i (= i1 = i2 ) =
uS
;
R1 + R2
(1.8)
tensiunile pe rezistene s-au nlocuit conform legii lui Ohm i a rezultat curentul (unic) din circuit.
Ecuaia (1.8) arat c valoarea curentului prin cele dou rezistene este aceeai ca i curentul care ar
circula printr-o singur rezisten cu valoarea (R1 + R2 ). De aceea se spune c rezistenele n serie se
adun sau rezistena echivalent rezistenelor nseriate este suma rezistenelor respective. Curentul
prin circuit fiind cunoscut, se poate calcula tensiunea pe fiecare rezisten cu legea lui Ohm:
u1 = R1i =
R1
uS ,
R1 + R2
u2 =
R2
uS .
R1 + R2
(1.9)
1.3.2
Se consider circuitul format dintr-o surs de curent conectat la o reea care conine dou
rezistene n paralel, conform figurii 1.3.
iS
i1
i2
R1
R2
Conform T1K aplicat ntr-unul din nodurile circuitului combinat cu legea lui Ohm aplicat
fiecreia dintre cele dou rezistene:
iS = i1 + i2 =
1
1 R1 + R2
u
u
u
=
+
= u +
u=
,
R1 R2
R1 R2
Rep
R1 R2
(1.10)
unde Rep este rezistena echivalent grupului paralel al celor dou rezistene:
1
1
1
=
+
Rep R1 R2
sau
Rep =
R1 R2
.
R1 + R2
(1.11)
Conform relaiei (1.10), curentul sursei de curent se divide ntre cele dou rezistene invers
proporional cu valoarea acestora. Cu tensiunea calculat din relaia (1.10) rezult:
i1 =
R2
u
=
iS ,
R1 R1 + R2
i2 =
R1
iS .
R1 + R2
(1.12)
Circuitul din figura 1.3 este cunoscut i sub numele de divizor de curent iar relaia dintre
curentul de ieire i2 i curentul de intrare iS reprezint regula divizorului de curent. Recunoaterea
acestei structuri i aplicarea direct a regulii divizorului de curent simplific rezolvarea circuitelor.
1.3.3
Calcularea direct a circuitelor care conin mai multe surse poate fi o problem dificil. O
metod de rezolvare a acestor circuite, aplicabil circuitelor liniare, const din nsumarea efectelor
produse de fiecare surs considerat separat. Aceast metod se bazeaz pe teorema suprapunerii de
efecte sau teorema superpoziiei care se poate enuna astfel:
12
Curentul care se stabilete ntr-o ramur a unei reele liniare n care acioneaz mai multe
surse, este egal cu suma algebric a curenilor pe care i-ar stabili n acea ramur fiecare dintre surse
n ipoteza c ar aciona singur n reea, cu celelalte surse pasivizate (anulate).
Teorema superpoziiei este o consecin a caracterului liniar al teoremelor lui Kirchhoff
aplicate circuitelor electrice liniare. Prin aplicarea teoremei superpoziiei calculele ntr-un circuit la
care acioneaz mai multe surse simultan se simplific, deoarece se consider doar efectul unei
singure surse la un moment dat.
Exemplu de calcul
i 1a
iS
i2
R2
a)
R1
i 1b R1
i2a
u0
Intrerupere
R2
iS
Scurtcircuit
i2b
R2
c)
b)
Fig. 1.4. Exemplu de aplicare a teoremei superpoziiei: a) Circuitul complet; b) Circuitul cu sursa de
curent pasivizat; c) Circuitul cu sursa de tensiune pasivizat.
u 0 i S R2
,
R1 + R2
i 2 = i2a + i 2 b =
u 0 + i S R1
.
R1 + R2
1.3.4
Prin regim tranzitoriu se nelege regimul de funcionare care apare n circuite care conin
elemente reactive, la modificarea brusc a unei mrimi electrice sau a unui parametru al elementelor
de circuit. De exemplu, la conectarea sau deconectarea sursei de alimentare a unui circuit electric
care conine cel puin o capacitate (sau o inductivitate) apare un regim tranzitoriu, a crui durat
depinde de valoarea capacitilor (i/sau a inductivitilor) din circuitul respectiv. De fapt, orice
circuit electric real prezint capaciti i inductiviti, deoarece orice conductor parcurs de un curent
13
are o inductivitate i orice element sub tensiune are un efect capacitiv asociat. Scopul analizei
urmtoare este determinarea parametrilor circuitelor simple n regim tranzitoriu.
Se va considera cel mai simplu circuit n regim tranzitoriu, o capacitate ncrcat cu o
tensiune iniial, conectat n paralel cu o rezisten, ca n figura 1.5.a.
i
+
_
a)
b)
du
dt
rezult
u + RC
du
=0
dt
du 1
=
u .
dt RC
sau
(1.14)
Ecuaia diferenial obinut exprim faptul c variaia tensiunii (funcie de timp) este proporional
cu tensiunea n fiecare moment. Aceast proprietate o are funcia exponenial:
( )
d ax
e
= a eax
dx
d
exp(ax ) = a exp(ax ) ,
dx
(1.15)
unde e 2,718 este baza logaritmului natural i a este o constant. Prin identificare relaiei (1.15) cu
(1.14) i pentru a se ndeplini condiia (1.13) soluia ecuaiei difereniale este:
t
t
u ( t ) = U exp
= U exp ,
RC
(1.16)
u/U
Figura 1.6. Descrcarea exponenial a capacitii;
=RC este constanta de timp a circuitului.
exp(-t/ )
exp(-t/ )
0,37
0,13
0,05
0,02
0,01
0,37
0,13
0
14
n cazul circuitului din figura 1.5.b dac se nchide comutatorul K la t =0, capacitatea se va
ncrca de la zero la tensiunea U tot dup o funcie de tip exponenial:
t
t
u ( t ) = U 1 exp
= U 1 exp ,
RC
(1.17)
a crei valoare este iniial nul u(0) = 0 i n final (practic dup 5 ) u() = U.
n general, pentru o variaie brusc a tensiunii de alimentare, tensiunea pe o capacitate (sau
curentul printr-o inductivitate) se modific de la valoarea iniial la valoarea final dup o curb
exponenial de tip exp(-t/ ), deoarece aceast funcie este caracteristic modificrii n timp a
energiei nmagazinate n elementul reactiv (capacitatea sau inductivitatea) din circuit.
1.4.1
Prin aplicarea legii lui Ohm la poarta unui uniport pasiv se poate obine cel mai simplu
uniport echivalent, care este rezistena echivalent a uniportului respectiv.
Se numete rezisten echivalent static RE a unui uniport rezistena determinat prin
aplicarea legii lui Ohm n cc la poarta uniportului considerat; conform figurii 1.7.a:
u
i
iar G E = ;
(1.18)
i
u
GE este conductana echivalent static a uniportului. La un uniport liniar caracteristica static este
o dreapt care trece prin origine, a crei pant este:
RE =
G E = k S tg ,
(1.19)
conform figurii 1.7.b. n relaia anterioar kS este factorul de scar; kS se msoar n 1/ i permite
trecerea de la mrimea adimensional tg la conductan. Dac lungimea segmentelor care definesc
funcia tg este exprimat n uniti electrice (de intensitate, respectiv de tensiune), atunci ks = 1.
i
u
0
a)
RE = u / i
IP
uniport
b)
GE tg
u
c)
Ge tg p
p
u
GE tg P
15
Dac uniportul este neliniar, caracteristica lui static este neliniar (curbilinie), un astfel de
exemplu este artat n figura 1.7.c. Rezistena echivalent este i ea neliniar, adic depinde de
intensitatea curentului care strbate uniportul, IP . Conductivitatea echivalent static este egal (mai
exact proporional) cu panta dreptei care unete originea axelor cu punctul P de pe caracteristica
static. Punctul P se numete punct static de funcionare ( psf ) i este definit de mrimile electrice
de cc de la bornele uniportului.
Se numete rezisten echivalent diferenial Re a unui uniport pasiv rezistena rezultat
prin aplicarea legii lui Ohm pentru diferenialele semnalelor la poarta uniportului considerat:
Re =
du u
.
di i
(1.20)
Relaia aproximativ de mai sus s-a obinut prin nlocuirea diferenialelor cu diferene finite
i este corect pentru variaii mici. Conform acestei relaii, rezistena diferenial Re poate fi
interpretat ca fiind rezisten echivalent pentru variaii mici. Pentru determinare practic a Re se
introduce o variaie cunoscut a unei mrimi (de exemplu a tensiunii la bornele uniportului) i se
msoar variaia celeilalte mrimi (variaia curentului prin uniport, pentru cazul exemplificat).
Conductana echivalent dinamic a uniportului Ge:
Ge =
di
= k S tg p .
du
(1.21)
1.4.2
I SC
a)
u
0
(1.22)
U0
b)
RO
U0
i
IS C
c)
GO
d)
Fig. 1.8. Teoremele lui Thvenin i Norton: a) uniport liniar activ oarecare, b) caracteristica
static a uniportului liniar activ; c) sursa echivalent Thvenin, d) sursa echivalent Norton.
Dac se noteaz:
RO =
U0
I SC
respectiv
GO =
I SC
,
U0
atunci ecuaia prin tieturi poate fi scris sub una din urmtoarele dou forme:
(1.23)
16
u = U 0 i R0
sau
i = I SC u GO .
(1.24)
Aceste relaii reprezint caracteristicile statice ale uniporilor din figura 1.8.c, respectiv
figura 1.8.d. Aceti unipori sunt echivaleni cu uniportul considerat, ceea ce se poate exprima sub
forma teoremelor urmtoare.
Teorema lui Thvenin: Un uniport liniar activ oarecare este echivalent cu un uniport
format dintr-o surs de tensiune avnd tensiunea la borne U 0 , nseriat cu o rezisten de valoare
RO . Schema din figura 1.8.c se va numi surs Thvenin.
Teorema lui Norton: Un uniport liniar activ oarecare este echivalent cu un uniport format
dintr-o surs de curent avnd curentul la borne I SC , legat n paralel cu o conductan de valoare
GO . Schema din figura 1.8.d se va numi surs Norton.
Poarta unui uniport activ se numete uneori ieire pentru a sublinia faptul c uniportul este
folosit de obicei pentru a furniza putere ctre exterior pe la poarta sa. Corespunztor, rezistena RO
se numete rezisten (static) de ieire (litera O este iniiala cuvntului englezesc output ieire).
Rezistena RO are i alt interpretare dect cea din relaia (1.23): este rezistena echivalent a
uniportului dat, dup ce s-au pasivizat toate sursele (independente) din interiorul lui. n circuite este
adesea mai simpl determinarea RO ca fiind rezistena vzut la bornele uniportului dup
pasivizarea (anularea) surselor interne independente.
Aceste teoreme pot fi aplicate att la circuitele de cc ct i la circuitele de ca; la analiza
circuitelor de ca, n locul semnalelor de cc se folosesc semnale instantanee sau de ca iar la schema
surselor echivalente se nlocuiete rezistena cu impedana i conductana cu admitana.
u
b)
a)
n funcie de evoluia n timp semnalele pot fi periodice (sau de regim permanent), descrise
de o funcie periodic (forma semnalului se repet dup o anumit perioad), de regim tranzitoriu
17
(periodice amortizate sau aperiodice) i singulare. Exemple de astfel de semnale sunt: n figura 1.6
un semnal de regim tranzitoriu aperiodic i n figura 1.9.a un semnal singular.
Semnalele periodice pot avea diferite forme de und; semnalele periodice mai des ntlnite
sunt cele sinusoidale, dreptunghiulare (de fapt aproximativ trapezoidale), triunghiulare, n dini de
fierstru sau cu form de impulsuri scurte de comand.
O caracterizare foarte util a unui semnal sau n general a oricrei funcii de timp se
realizeaz prin spectrul su de frecven. Descrierea semnalelor n acest mod se realizeaz pe baza
seriilor Fourier i a transformatei Fourier, care permit reprezentarea unui semnal oarecare ca o sum
de semnale sinusoidale de amplitudini i frecvene diferite. De aceea semnalul sinusoidal este unul
dintre cele mai importante semnale.
uA
Ua_vf
0
Mrimi caracteristice:
Ua_vf tensiunea de vrf,
T perioada semnalului.
2T
(1.25)
4U
1
1
(1.26)
u
T
+U
4U
3
4U
5
4U
7
U
a)
b)
K
0
3 0
5 0
7 0
(rad/s)
Fig. 1.11. Semnal dreptunghiular simetric: a) forma de und n timp, b) spectrul de frecven.
18
Componentele sinusoidale ale seriei din ecuaia (1.26) reprezint spectrul de frecvene ale
semnalului dreptunghiular. Acest spectru poate fi reprezentat grafic ca n figura 1.11.b. Semnalul
dreptunghiular are foarte multe armonice superioare. Deoarece amplitudinea armonicelor scade,
seria infinit poate fi trunchiat, rezultatul fiind o aproximaie a semnalului dreptunghiular.
ua
UA
0
Ua_vf
uA = UA + ua
componenta de curent continuu (cc) sau de polarizare, constant n timp (sau valoarea medie a
mrimii instantanee variabil n timp), se noteaz cu liter mare i indice liter mare: UA , IC ;
componenta de curent alternativ (ca) sau de semnal, variabil n timp (care are o valoare medie
nul), se noteaz cu liter mic i indice liter mic: ua , ic ;
Semnificaia acestor notaii reiese din figura 1.12, n care s-a considerat un semnal
sinusoidal ua suprapus peste o tensiune de cc UA .
1.6 BIBLIOGRAFIE
[1] Crciun A.V: - Dispozitive i circuite electronice, Ed. Univ. Transilvania Braov, 2003;
[2] Damachi E. .a. Electronica, E.D.P. Bucureti, 1979;
[3] Gray P.E., Searle C.L. Bazele electronicii moderne, Ed.Tehnic. Bucureti, 1973;
19
iA
a)
A
b)
c)
K
d)
uA
Proprietatea principal a diodei este conducia unilateral. Aceasta const din aceea c
dioda permite trecerea curentului ntr-un sens i blocheaz curentul n cellalt sens. Simbolul diodei
este n esen o sgeat orientat de la zona p la zona n a semiconductorului (figura 2.1.b), sgeat
care arat sensul n care dioda permite trecerea curentului electric, respectiv sensul de referin al
tensiunii i al curentului prin diod (figura 2.1.c).
Terminalul conectat la zona p a diodei (cel cu sgeat,) se nume te anod, iar cel conectat la
zona n, catod; aceste denumiri s-au pstrat de la dioda cu vid. n cazul diodelor de mic putere,
terminalul catodului este marcat cu o band (de culoare alb pentru capsule negre din plastic, figura
2.1.d) sau un grup de benzi colorate (mai apropiate de catod, la unele diode cu capsul de sticl).
Experimental, curentul iese din diod prin terminalul marcat cu band (catodul diodei).
2.1.1
Dioda ideala
Dioda ideal este cel mai simplu model al diodei care pune n evident conducia unilateral
a acesteia. Comportarea diodei ideale poate fi descris analitic cu ecuaiile:
(2.1)
Daca se aplic diodei o tensiune negativ (fa de direcia de referin) atunci prin diod nu
circul nici un curent, dioda se comport ca o ntrerupere de circuit i se spune c este polarizat
invers. n polarizare invers, curentul printr-o diod ideal este nul i dioda este blocat.
Dac se aplic diodei un curent pozitiv (fa de direcia de referin) cderea de tensiune pe
diod este nul. n acest caz, numit polarizare direct, dioda ideal se comport ca un
scurtcircuit i dioda este n conducie sau deschis.
20
Aceste relaii arat c dioda ideal este de fapt un comutator care se deschide sau se nchide n
funcie de sensul mrimilor electrice care apar din circuitul exterior. Circuitul exterior este acela
care determin curentul direct prin dioda n conducie i tensiunea invers pe dioda blocat.
Relaiile (2.1) reprezint o funcie liniar pe poriuni Reprezentarea grafic a acestei funcii
reprezint caracteristica static a diodei ideale i const din dou semidrepte n unghi de 90o care
se ntlnesc n origine ca n figura 2.2. Pentru dioda ideal se va folosi simbolul din figura 2.2.
iA
uA
iA
uA
0
Oricare dintre modurile de descriere a diodei (prin ecuaii, prin analiza funcionrii sau prin
caracteristica static) reprezint un model al diodei ideale.
n cazul unei diode reale curentul n blocare este nenul, dar foarte mic (cu valori uzuale de
nanoamperi pn la microamperi) iar cderea de tensiune n conducie este relativ mic (mai mic
de 1V). Valorile foarte mici ale curentului invers (pentru dioda blocat) pot fi considerate zero
pentru majoritatea aplicaiilor practice. Cderea de tensiune direct (pentru dioda n conducie)
poate fi considerat ca fiind nul (modelul diodei ideale) doar la o analiz de principiu a unui circuit
sau dac tensiunile din circuit sunt mult mai mari dect 1V. Pentru a ine cont i de cderea de
tensiune care apare pe diod n conducie se introduce modelul diodei cu tensiune de prag.
2.1.2
Cea mai simpl modalitate de a ine seama de cderea de tensiune care apare pe diod n
conducie este considerarea unei surse de tensiune constante UD n serie cu dioda ideal. Circuitul
echivalent i caracteristica static a acestui model al diodei, numit model cu tensiune de prag, sunt
prezentate n figura 2.3. Sursa de tensiune din schema echivalent nu poate furniza energie n
circuitul exterior datorit sensului de conectare a diodei ideale, care nu permite trecerea curentului
de la surs spre circuitul extern.
iA
Fig. 2.3. Simbolul i caracteristica static a diodei cu
U
D
iA
+
uA
uA
0 UD
tensiune de prag.
Cel mai utilizat model al diodei, cu tensiunea
constant n conducie i curent nul n blocare.
u A = U D pentru i A > 0
(2.2)
21
innd seama de aceste valori ale tensiunii, se consider c tensiunea pe dioda n conducie
are o valoare constant, de exemplu UD =0,7V la siliciu. S-au prezentat valorile msurate la dioda
cu siliciu deoarece este dioda cea mai utilizat n practic.
Modelul diodei cu tensiune de prag poate fi utilizat n aproape toate cazurile practice. Ca
metod de analiz a circuitelor cu diode este de preferat adesea analiza funcionrii circuitului
considernd iniial modelul diodei ideale, pentru a pune n eviden ceea ce este esenial i apoi se
analizeaz circuitul cu ajutorul modelului cu tensiune de prag. Cea de-a doua analiz este mai
exact, dar evident mai complicat i de aceea este posibil s se scape din vedere aspectele
fundamentale ale funcionrii circuitului.
Prin caracteristic liniarizat (pe poriuni) se nelege o caracteristic format din semidrepte
i eventuale segmente de dreapt. La analiza unui circuit care include cel puin un dispozitiv cu o
caracteristic liniarizat pe poriuni (cum ar fi dioda ideal sau dioda cu tensiune de prag), n cazul
n care semnalul aplicat dispozitivului trece prin unul dintre punctele de frngere ale caracteristicii,
se determin mai nti nivelul semnalului la care are loc trecerea dintr-o regiune liniar n alta i
apoi se analizeaz separat comportarea circuitului pentru fiecare poriune liniar a caracteristicii.
2.2.1
Redresorul monoalternan
Redresorul monoalternan este compus dintr-o simpl diod conectat n serie ntre sursa de
tensiune alternativ i sarcin ca n figura 2.4. Se analizeaz cazul sarcinii rezistive, R.
uA
ui
Gen.
iO
uO
Redr.
Sarc.
22
1
=
2
UO
2 U i sin t d t =
2 U i
,
IO =
UO
.
R
(2.3)
2 U i = U vf ;
tensiunea maxim care apare pe dioda blocat este egal cu tensiunea de vrf a alternanei negative.
Parametrii de catalog corespunztori ai diodei: IF (indicele provine de la cuvntul englez forward
tradus prin direct) i VR R M (reverse repetitive maximum voltage tensiune invers repetitiv
maxim) trebuie s fie acoperitori fa de valorile din circuit:
I F I O , V RRM 2 U i .
(2.4)
u
Uv
UD
uO (ideal)
uO
UD
Uinv_max
(D blocat)
ui
Rezultatele obinute cu modelul diodei ideale sunt suficient de corecte pentru tensiuni
redresate mari, de ordinul zecilor de voli. Dac tensiunea redresat are valori mici (mai mici dect
circa 10V) atunci erorile introduse de modelul diodei ideale sunt n general inacceptabile i se
analizeaz circuitul considernd i cderea de tensiune pe diod.
2 U i sin = U D
= arcsin
UD
2 U i
(2.5)
1
=
2
2 U i sin t U D d t =
2 U i
2
.
cos U D
(2.6)
Dac << , ceea ce nseamn UD <<Ui , atunci ecuaia precedent se poate simplifica:
23
2 U i U D
UO
(2.7)
Exemplu
UO, rel.(2.7)
1 (%)
UO, rel.(2.3)
2 (%)
5V
1,257 V
1,242 V
-1,24
1,592 V
+26,6
10 V
2,841 V
2,833 V
-0,28
3,183 V
+12
2 Ui
Se constat c erorile de calcul sunt mai mici dac tensiunile din circuit sunt mai mari.
Erorile 2 introduse cu modelul diodei ideale n cazul unor tensiuni mici sunt inacceptabile.
Pentru tensiuni mai mari de 10V erorile sunt mai mici de 12% i pot fi acceptate uneori.
Erorile 1 datorate relaiei simplificate de la modelul diodei cu tensiune de prag sunt mici i
de aceea, n practic, nu se justific utilizarea relaiei exacte (care presupune calcule
trigonometrice).
2.2.2
Redresorul cu transformator
Tr.
Tens. de
la retea
u 20
ui
uO
relaiei:
u 20 =
n2
u1 ,
n1
(2.8)
24
u 2 = u 20 i 2 Rtr .
(2.9)
u1
n1
r1
n2
r2
a)
u20
u2
u20
b)
Primul pas este analiza funcionrii circuitului. Dup cum s-a artat n paragraful 2.1.2, la
analiza unui circuit cu modelul liniarizat al diodei, se determin iniial nivelul semnalului la
care are loc trecerea dintr-o regiune liniar a caracteristicii n alta i apoi se analizeaz separat
comportarea circuitului pentru fiecare poriune liniar.
Se consider iniial dioda blocat i se obine schema echivalent a circuitului prezentat
n figura 2.8.b, n care dioda s-a nlocuit cu o ntrerupere de circuit. Dioda se menine blocat
ct timp tensiunea pe diod, uA , este mai mic dect tensiunea de prag, UD .
Tensiunea uA se calculeaz cu regula divizorului de tensiune aplicat rezistenelor din circuit:
25
R2
UD
Rtr + R1 + R2
u A = u R 2 = (u 20 U B )
u 20
Rtr + R1 + R2
U D + U B U D + U B .
R2
u U
2v
R1
n1
r1
n2
r2
u2
a)
u1
UB
UB +UD
R2
u2
u20
uA
R1
R tr
Conducie D
(ncrcare)
UB
2
Blocare D
(descrcare)
R2
u2
u20
UD
R1
R tr
2+
u20
d)
b)
UB
c)
Pentru simplitate se noteaz UBD =UB +UD =4,2V. Limita intrrii n conducie a diodei
este uA =UD ; n acest punct se determin valoarea tensiunii u 20 i unghiul de conducie:
u 20 = 2 U 20 sin t = U 2v sin t ;
U 2v sin = U BD , = arcsin
U BD
= 0,214 radiani.
U 2v
Circuitul echivalent cu dioda n conducie este prezentat n figura 2.8.c, n care dioda s-a
nlocuit cu sursa de tensiune echivalent UD . Dioda conduce pn cnd tensiunea u 20 devine
mai mic dect UBD , ceea ce are loc la unghiul de blocare , conform formelor de und
din figura 2.8.d. Blocarea diodei dureaz pn la noul unghi de conducie, 2+ , dup care
procesul de conducie/ blocare al diodei, respectiv de ncrcare/descrcare al bateriei se reia.
Curentul de descrcare se calculeaz n schema din figura 2.8.b din legea lui Ohm
aplicat celor trei rezistene din circuit. Pentru aceasta se determin iniial tensiunea medie pe
rezistene n timpul descrcrii, prin integrare conform relaiei:
U med
1
=
2
2 +
U 2v cos
1
1
(U 2v sin t U B ) d t = (U 2v sin U B ) d = U B 2 +
2
Curentul prin baterie se consider n sensul diodei astfel nct curentul de descrcare va fi
negativ.
U med
Id =
R1 + R2 + Rtr
U med
8,15
R1 + R2 =
Rtr =
17 = 187 .
Id
0,04
Curentul de ncrcare se calculeaz n schema din figura 2.8.c cu ajutorul tensiunii medii
pe R1 care apare la ncrcare:
+
U med
=
(U 2v sin U BD ) d =
U 2v cos
1
U BD ,
I =
+
+
U med
U med
U
+ D
R1 + Rtr R2
R1 + Rtr
26
Aproximaia din relaia precedent va fi verificat dup obinerea rezultatelor finale. Din
relaia aproximativ rezult valoarea lui R1:
R1 =
+
U med
4,35
Rtr =
17 = 19,2 20 ,
I
0,12
Valorile alese pentru rezistoare au fost rotunjite la valoarea standardizat cea mai apropiat.
n final se vor calcula curenii rezultai i se va verifica n ce msur aproximaiile fcute
au afectat rezultatele. Vor fi acceptate devieri de ordinul procentelor fa de valorile din
enun, deoarece rezistoarele reale au tolerane uzuale de 510%. Unghiul de conducie este:
= arcsin
Rtr + R1 + R2
U D + U B = 0,221
R2
1
U 2v
+
U med
U med
U
8,145
4,345
0,7
=
= 41,3 mA , I =
+ D =
+
= 121,8 mA .
Id =
Rtr + R1 + R2 17 + 20 + 160
R1
R2 17 + 20 160
Deoarece diferenele fa de valorile cerute n enun sunt mici (mai mici de 3,3%) calculele nu
mai trebuie reluate.
Calculul puterii disipate n rezistoare se face considernd valoarea efectiv a curentului
care le parcurge. Pentru exemplificare se calculeaz puterea disipat n R1, PdR1:
1
I R1 _ ef =
I1 =
I2 =
1
(R1 + Rtr )
U 2 v sin U BD
R1 + Rtr
U 2 v sin U B
1
d +
R + R2 + Rtr
2 1
d =
I1 + I 2 ,
sin 2
2
U 22v +
2U 2vU BD cos + U BD = 0,233m 168 = 0,0391
4
4 2
2
1
(R1 + R2 + Rtr )
sin 2
2
U 22v +
2U 2vU BD cos + U BD = 8,2 158 = 0,0013
4
2
2 4
2.2.3
1
=
2 U 2 sin t d t =
2 2 U 2 2 U vf
=
,
IO =
UO
R
(2.10)
27
Diodele utilizate trebuie s suporte cel puin jumtate din curentul direct, IO /2 i o tensiune
invers egal cu tensiunea de vrf din toat nfurarea secundar, 2 2 U 2 . Tensiunea invers
maxim pe dioda blocat apare la vrful sinusoidei i este practic tensiunea de pe toat nfurarea
secundar deoarece cealalt diod, n conducie, poate fi considerat ca fiind un scurtcircuit.
Dac se ine seama i de efectul tensiunii de prag atunci tensiunea medie la ieire poate fi
calculat cu relaia aproximativ (conform cu cea de la redresorul monoalternan):
UO
2 U vf
U D .
iO
Tr.
u1
u21
D1
u22
D2
uO
uO (ideal)
U vf
(2.11)
UD
uO
UD
t
D2 conduce
D1 blocat
D1 conduce
u21
Uinv_max
(D1 blocat)
u22
2.2.4
Redresorul n punte
La redresorul n punte, prezentat n figura 2.10.a, cele patru diode redresoare sunt conectate
n punte, astfel nct curentul s treac prin rezistena de sarcin (conectat n una din diagonalele
punii) totdeauna n acelai sens, indiferent de polaritatea tensiunii de intrare.
Pentru alternana pozitiv a tensiunii de intrare (ui >0) diodele D1 i D3 sunt polarizate
direct i curentul trece de la surs spre sarcin prin aceste diode. n acest timp diodele D2 i D4 sunt
blocate, fiind polarizate invers. n cazul alternanei negative a tensiunii de intrare curentul va trece
prin diodele D2 i D4, polarizate direct, iar diodele D1 i D3 vor fi polarizate invers i deci blocate.
Formele de und ale tensiunilor sunt prezentate n figura 2.10.b. Deoarece sunt cte dou diode
nseriate ntre intrare i ieire (fa de o diod n cazul circuitului anterior), tensiunea de ieire uO ,
va fi mai mic fa de cea de intrare cu cderea de tensiune pe dou diode.
Tensiunea medie de ieire se calculeaz prin integrarea pe o perioad a semnalului de ieire
(o semiperioad a semnalului de intrare). Dac se consider diodele ideale:
UO
1
=
2 U i sin t d t =
2 2 U i 2 U vf
=
,
IO =
UO
.
R
(2.12)
28
1
=
(U vf sin t 2U D ) d t =
2U vf
2
cos 2 U D
,
= arcsin
2U D
.
U vf
(2.13)
(2.14)
Dac << , ceea ce nseamn 2UD <<Ui , atunci ecuaia precedent se poate simplifica:
2 U vf
2U D .
(2.15)
Analiznd acest rezultat se constat c tensiunea calculat este tensiunea din cazul ideal, conform
relaiei (2.12), din care se scade cderea de tensiune pe diodele aflate n conducie.
UO
ui
D1
D4
_
D3
D2
a)
Gen.
Redr.
U vf
iO
uO
Sarc.
2UD
D1, D3 conduc
0 D2, D4 blocate
uO
D2, D4 conduc
D1, D3 blocate 2
ui
b)
Avantajele acestui redresor (versiunea cu transformator) fa de redresorul cu transformator
cu punct median sunt: consumul redus de cupru din secundarul transformatorului (necesit jumtate
din numrul de spire) i reducerea la jumtate a tensiunii inverse maxime pe diodele blocate.
Tensiunea invers pe dioda D1, de exemplu, poate fi determinat din bucla D1 R D4 ca fiind:
u D1 (invers) = u O + u D 4 (direct) .
Valoarea maxim a tensiunii uD1 apare la vrful tensiunii uO i rezult din relaia:
U inv _ max = (U vf 2 U D ) + U D = U vf U D .
(2.16)
Diodele utilizate trebuie s suporte cel puin jumtate din curentul direct, IO /2 (fiecare diod
conduce o jumtate din timpul total de conducie) i o tensiune invers mai mare dect Uinv_max:
(2.17)
Cele 4 diode conectate n punte sunt disponibile comercial ncapsulate mpreun ca puni
redresoare. Pe capsul cele 4 borne sunt marcate cu simbolurile ~ pentru bornele de intrare i
29
+ respectiv pentru bornele de ieire. Curentul direct i tensiunea invers suportate sunt date n
catalog, iar uneori rezult din numele componentei, de exemplu: 1PM8 suport 1A i 800V.
Exemplu
UO, rel.(2.15)
1 (%)
UO, rel.(2.12)
2 (%)
5V
1,91 V
1,78 V
-6,6
3,18 V
+67
10 V
5,03 V
4,97 V
-1,2
6,37 V
+27
20 V
11,36 V
11,33 V
-0,3
12,73 V
+12
2 Ui
Se constat c erorile de calcul sunt mai mici dac tensiunile din circuit sunt mai mari.
Erorile 2 introduse cu modelul diodei ideale n cazul unor tensiuni mici sunt inacceptabile.
Pentru tensiuni mai mari de 20V erorile sunt mai mici de 12% i pot fi acceptate uneori.
Erorile 1 datorate relaiei simplificate de la modelul diodei cu tensiune de prag sunt suficient
de mici pentru ca n practic s se utilizeze relaiei aproximativ (2.15), care nu presupune
calcule trigonometrice.
2.2.5
30
uO
Uvf
Ur_vv
T/2
t1 t 2
uO
T
T+t1
t
t
durata de
conducie
ui
Fig. 2.11.b. Formele de und de la redresorul monoalternan cu filtru capacitiv (cazul ideal cu RC =5T)
uO
,
R
i A = iC + iO = C
du i
+ iO
dt
(uC
(2.18)
Dioda se blocheaz la momentul t2, imediat dup maximul tensiunii de intrare. Valoarea
exact a lui t2 poate fi calculat anulnd curentul iA prin diod, n ecuaia (2.18). ntre momentele
t2 i T+t1 dioda blocat izoleaz sursa de sarcin i condensatorul se descarc exponenial pe R:
t
t
u O = 2 U i exp
.
= U vf exp
RC
RC
(2.19)
(2.20)
31
ntruct T << RC, se poate utiliza aproximaia: exp( T RC ) 1 T RC i se obine (din relaia
anterioar) valoarea vrf la vrf a tensiunii de ondulaie (sau riplu):
T
u O min = U vf U r _ vv U vf 1
RC
U r _ vv U vf
T
.
RC
(2.21)
Tensiunea medie la ieire se poate calcula ca medie a valorilor extreme ale uO:
U r _ vv
U vf + u O min
T
= U vf
= U vf 1
.
2
2
2 RC
UO =
(2.22)
U r _ ef
UO
U r _ vv
2 3 UO
3 (2 RC T )
T
1
.
2 3 RC
(2.23)
Se observ c pentru a obine un factor de ondulaie ct mai mic trebuie maximizat produsul RC.
Deoarece durata de blocare a diodei este de fapt mai mic dect perioada, rezultatele obinute sunt
acoperitoare, deci factorul de ondulaie real este mai mic dect cel calculat.
O alt metod de calcul se bazeaz pe calcularea variaiei sarcinii primite de condensator n
timpul ncrcrii i a variaiei sarcinii cedate de condensator n timpul descrcrii:
Qnc = C u C = C U r _ vv ,
Qdesc = I O t desc I O T .
(2.24)
U r _ vv =
I O T 2 I O
=
= 2 I O X C .
C
C
(2.25)
Calculnd tensiunea medie de ieire se obine caracteristica extern a redresorului, care arat
dependena tensiunii medii de ieire de curentul mediu de ieire:
U O = U vf
U r _ vv
(2.26)
= U vf I O X C = U vf I O Ri .
2
Caracteristica extern a redresorului, conform cu ecuaia precedent, este reprezentat n figura
2.12. Rezistena intern a redresorului monoalternan ideal (alctuit din elemente ideale) este
proporional cu reactana capacitiv a condensatorului: R i = XC.
UO
Uvf
U1 =Ri .I1
U1
0
IO
I1
Observaie: Durata de conducie a diodei t se poate determinarea cu uO min calculat din (2.21),
u
T t
T
u O min = U vf cos , = arccos O min i t =
(cu in radiani). Cu: U r _ vv =
se pot
2
U vf
RC
calcula mai exact parametrii redresorului. n practic, un astfel de calcul nu se justific datorit
impreciziei componentelor (tolerana la un condensator de filtrare cu Al poate fi 10%+50%).
32
U O U vf cos
=
.
R
R
(2.28)
Uvf
Fig. 2.13. Redresorul cu C infinit
i Ri finit
UO
uO
a) Formele de und
b) Schema echivalent valabil
n timpul ncrcrii capacitii
ui > Uo
Blocare D
Descrcare C
2
Conducie D
ncrcare C
Ri
Uvf cos t
ui
a)
IO =
UO
b)
Schema echivalent n timpul ncrcrii, pentru ui >UO, este prezentat n figura 2.13.b.
Pentru a calcula semiunghiul de conducie , se va folosi principiul conservrii energiei electrice
aplicat sursei de tensiune echivalent de la ieirea redresorului. Surplusul de curent primit de sursa
echivalent pe durata unei perioade este egal cu curentul furnizat de aceeai surs ctre sarcin.
Curentul de ncrcare se determin prin integrare conform schemei din figura 2.13.b:
I nc
U
2 U vf cos t U vf cos
dt = vf (sin cos ) .
=
Ri
2 0
Ri
(2.29)
Ri tg
=
= ki .
R
(2.30)
Raportul dintre rezistena intern i rezistena de sarcin s-a notat cu ki. Unghiul se poate
determina din reprezentarea grafic a funciei ki ( ). Explicitarea funciei inverse se poate face prin
liniarizarea funciei reprezentat la scar logaritmic. Pentru ki =0,030,4 funcia aproximat este:
= 0,96 lg k i + 2,4
[radiani] .
(2.31)
Pentru a ine seama de cderea de tensiune pe diod, UD, se consider o tensiune maxim
redus la intrarea redresorului: (Uvf UD) n locul tensiunii Uvf .
33
2.2.6
Uvf
uO
Ur_vv
| ui |
t
t1 t2
t
T/2 T/2+ t1
Fig. 2.14. Formele de und la redresorul bialternan cu filtru capacitiv (cazul ideal cu RC 2,5T )
T
2 RC
i valoarea efectiv
Ur
U r _ vv
2 3
(2.32)
U r _ vv
2
= U vf 1
,
4 RC
Ur
T
UO
3 (4 RC T )
1
T
.
4 3 RC
(2.33)
Relaia aproximativ este valabil pentru ki =0,040,3 cu o eroare mai mic dect 2%.
ki =
(2.35)
Relaiile precedente care presupun un condensator de filtrare de valoare foarte mare (teoretic
infinit) se dovedesc a fi suficient de exacte i n cazul circuitelor uzuale (cu condiia ca RC >>T ).
34
Problem de analiz
ui
iO
C
220 F
uO
300
U r _ vv U vf
U r _ vv
20m
T
= 30
= 30 0,15 = 4,5V , U r =
= 1,3V ,
2 300 220
2 RC
2 3
U O = U vf 1
= 30 1
= 27,7V ,
4 RC
2
Ur
1 .3
=
= 0,047 = 4,7% .
U O 27.7
T
1
1+
4 R
3 b
20m
1
=
1 +
= 16,7 58,7 = 979F 1000 F .
4 300
3
0
,
01
4,7
= 220
= 1034F 1000 F .
b
1
Verificarea metodei:
U r _ vv (calc) U r _ vv (sim)
U r _ vv (sim)
100 =
0,9
= +25%
3,6
t C (sim )
T 2
= 4,5
8,4m
= 3,8V = U r _ vv(sim) + 5% .
10m
35
Concluzia care se impune este c rezultatele obinute conform metodei de calcul prezentate
pot avea o eroare relativ mare (25% n acest caz). Rezultatele sunt ns ntotdeauna acoperitoare,
n sensul c ondulaia calculat este mai mare dect cea realizat, deoarece la calcule se consider
durata de descrcare maxim posibil. Practic, alegerea unui condensator mai mare dect cel
necesar conduce la ondulaii mai reduse (dect cele calculate) ceea ce este mai convenabil. Un
calcul mai exact ar fi dificil i nu se justific practic datorit toleranelor mari ale condensatoarelor
de filtrare (de exemplu pentru condensatoare electrolitice cu Al tolerana poate fi: 10%+50%).
2.2.7
Pentru a tia poriuni ale unui semnal deasupra sau dedesubtul unui anumit nivel se pot
utiliza circuite cu diode numite limitatoare sau circuite de tiere. Caracteristica de transfer a unui
limitator pasiv (fr elemente active de amplificare) este dat n figura 2.15.a. Pentru simplitate se
consider cazul unui circuit cu factor de transfer unitar (pentru tensiunile aflate ntre limitele
extreme). Aceast caracteristica poate fi exprimat analitic astfel:
u O = U O + dac u I U O +
(2.36)
uO
UO +
45 o
uI
UO +
0
UO
uO
UO
ui
a) Caracteristica de transfer,
Cel mai simplu limitator de acest tip se poate realiza cu dou diode conectate ca n figura
2.16.a. Considernd tensiunea de prag a diodelor UD, funcionarea circuitului poate fi descris cu
ecuaiile:
u O = U D
u O = u I
u = U
D
O
dac
u I U D
D2
uO
iO = 0
uI
D1
D1
iO = 0
uI
uI U D
UP
uO
a) Limitator bilateral
b) Limitator cu tensiune de prag
Fig. 2.16. Limitatoare simple cu diode
(2.37)
36
Rezistena R este introdus n circuit pentru a prelua diferena de tensiune dintre intrare i
ieire atunci cnd tensiunea de intrare este n afara valorilor limit. Dac tensiunea este ntre cele
dou valori limit, cderea de tensiune pe R este nul deoarece curentul prin R este nul (curenii prin
diodele blocate au valoarea practic zero i curentul de ieire este nul ieirea este n gol):
i R = i D1 i D 2 + iO = 0 0 + 0 = 0 uO = u I u R = u I R i R = u I .
Circuite de limitare bilaterale cu diode sunt utilizate la intrarea amplificatoarelor de semnal
mic (pentru a limita impulsurile accidentale la cel mult 0,7V, protejnd astfel amplificatorul) sau la
intrarea voltmetrelor electronice pentru a reduce pericolul de distrugere al acestora n cazul aplicrii
unei tensiuni n afara domeniului de msur.
Dac tensiunile normale la intrarea circuitului protejat au valori mai mari dect tensiunea de
deschidere a diodei, atunci se poate utiliza limitatorul cu tensiune de prag, care este prezentat n
figura 2.16.b n varianta unipolar (care limiteaz tensiunile pozitive, n acest caz). i acest limitator
lucreaz n gol, adic fr sarcin conectat la ieire (eventualul circuit conectat la ieire are o
rezisten intern foarte mare i absoarbe un curent practic nul). Cele dou stri posibile ale
circuitului depind de starea diodei. Considernd modelul diodei cu tensiune de prag rezult:
u O = u I
u O = U D + U P
dac
uI < U D + U P
dac
uI U D + U P
; dioda conduce
(2.38)
a)
UP
R iR > 0 iO = 0
+ +
uI
R iR = 0 iO = 0
uA
uO uI
UD
UP
uO
UP +UD
uO
b)
45 o
c)
uI
UP +UD
Analiza circuitului este principial identic cu cea de la problema definit n figura 2.8. Se
consider iniial dioda blocat i se nlocuiete cu o ntrerupere de circuit, figura 2.17.a. Dioda se
menine blocat ct timp tensiunea pe diod uA , este mai mic dect tensiunea de prag UD .
u A = u I R i R U P < U D , D este blocat, i A = 0 , i R = i A + iO = 0 i din:
u A = u I U P < U D u I < U D + U P i uO ( = u I R i R ) = u I .
La limita intrrii n conducie a diodei, uA =UD , curentul prin diod este nc nul, cderea de
tensiune pe R este nul, uA = uI R .iR UP = uI UP i uI =UD +UP . Creterea tensiunii de intrare
peste aceast valoare conduce la apariia unui curent prin rezisten i prin diod; dioda n conducie
se nlocuiete cu sursa de tensiune UD , ca n figura 2.17.b:
u I > U D + U P i R = i A > 0 , D conduce, u A = U D ,
uO ( = u A + U P ) = U D + U P .
Circuitele de limitare pot avea diferite configuraii n funcie de nivelele semnalului care
trebuie ndeprtate. Un exemplu de circuit de limitare este analizat n problema urmtoare.
37
Problem de analiz
D2
uO
U1
a) Schema de principiu,
uI
UD R
1
uM
Fig. 2.18.
R1
uI
R2 iR2 =0 iO =0
uA
U1
uO
Rezolvare: Primul pas este analiza problemei. Circuitul este compus din redresorul
monoalternan D1-R1 i limitatorul cu tensiune de prag R2-D2-U1 . Se noteaz cu uM
tensiunea median, dintre cele dou circuite. O posibilitate de analiz ar fi studierea succesiv
a celor dou circuite i combinarea rezultatelor. Varianta propus va analiza circuitul n
totalitate n funcie de strile posibile ale celor dou diode.
u O = u I U D
u = U + U
D
1
O
dac
uI < U D
dac
dac
u I 2 U D + U1
38
innd seama de valorile tensiunilor date n enunul problemei caracteristica static este
descris analitic de ecuaiile:
dac u I < 0,6V
u O = 0
uO
0,1
0,6
= 0,1 rad , t1 =
= 0,32 ms ,
100
6
0,78
4,2
0,78 rad , t 2
= 2,5 ms .
100
6
(V)
(V)
4,2
3,6
uO
uI
45 o
0 0,6
4,2
(V)
0,6
10
6V
20
(ms)
0,32
6V
ui
Fig. 2.19.
a) Caracteristica de transfer,
2.2.8
Acest tip de circuit fixeaz vrful (negativ sau pozitiv al) semnalului la aproximativ zero
voli. Dintr-un alt punct de vedere, circuitul adaug la semnalul de ca o tensiune de cc (aproximativ
egal cu tensiunea de vrf a semnalului) sau reface nivelul de cc al unui semnal de ca.
Circuitul prezentat n figura 2.20. poate fi privit ca fiind redresorul cu filtru capacitiv (din
figura 2.11.a.) la care tensiunea de ieire se preia de pe diod i nu de pe condensator. Datorit
polaritii diodei, condensatorul se ncarc la tensiunea uC egal cu valoarea de vrf negativ a
tensiunii de intrare (mai puin cderea de tensiune pe diod UD ): uC =Uv UD . Dac rezistena de
sarcin lipsete, tensiunea pe condensator rmne constant (dup ncrcare) i dioda se blocheaz.
Practic, constanta de timp a circuitului trebuie s fie mult mai mare dect perioada
semnalului:
R C >> T , sau mai concret R C 5 T .
(2.39)
39
uI
uO
uC
Uv
uI
uO
2Uv UD
Uv UD
0 U
D
Uv
Fig. 2.20. Circuit de refacere a nivelului de cc cu semnal sinusoidal i fr sarcin (R foarte mare)
n acest caz descrcarea condensatorului n timpul unei perioade (pn la o nou ncrcare) este
nesemnificativ (mai mic dect 1% din nivelul semnalului). Deoarece tensiunea de ieire este:
u O = uC + u I = (U v U D ) + u I ,
(2.40)
forma de und de la ieire va fi identic cu cea de la intrare, dar deplasat cu o tensiune constant:
uC =Uv UD , dup cum se vede n partea dreapt a figurii 2.20. Prin inversarea sensului diodei,
semnalul va fi deplasat cu o tensiune negativ, vrful pozitiv al semnalului fiind fixat la o tensiune
aproximativ nul (mai exact +UD ).
Acest circuit este folosit la polarizarea amplificatoarelor n clas C, la refacerea nivelului de
alb n receptoarele de televiziune i la demodularea semnalelor modulare n impulsuri.
Prin canalul de comunicaie se transmite doar componenta de ca a semnalului modulat n impulsuri
(PWM pulse width modulation). La recepie se reface nivelul de cc i apoi, la ieirea unui filtru trece-jos
RC simplu, se obine semnalul modulator (proporional cu valoarea medie a semnalului transmis).
2.2.9
Multiplicatoare de tensiune
Aceste circuite sunt de fapt redresoare care multiplic tensiunea de vrf de la intrare de un
numr ntreg de ori: de dou ori dubloarele de tensiune, de trei ori triploarele .a.m.d.
Dubloare de tensiune
Circuitele de dublare a tensiunii ndeplinesc funcia de detector vrf la vrf, deci tensiunea
de ieire este aproximativ egal cu valoarea vrf-la-vrf a tensiunii de intrare: UO =Ui_vv . n figura
2.21 sunt prezentate dou versiuni de dubloare de tensiune.
uC1
ui
a)
D1
D2
C1
D1
C2
C1
ui
uO
b)
D2
uO
C2
Primul dublor de tensiune este alctuit din dou seciuni nseriate: un circuit de refacere a
componentei de cc (C1-D1) i un redresor monoalternan (D2-C2). Acest dublor de tensiune se
caracterizeaz prin existena unui punct comun intrrii i ieirii, punct care poate fi utilizat ca
referin de tensiune i care reprezint masa electric a circuitului respectiv.
La analiza de principiu a circuitului se consider diodele ideale i tensiunea de intrare
sinusoidal: u i =Uv sint. n timpul alternanei negative, dioda D1 este polarizat direct i D2 este
polarizat invers. Condensatorul C1 se ncarc la valoarea de vrf negativ a tensiunii de intrare
u C1 =Uv . n timpul alternanei pozitive, dioda D2 este polarizat direct i D1 este polarizat invers.
40
(2.41)
Dac ieirea este n gol, C2 rmne ncrcat la aproximativ 2Uv. Dac se conecteaz o
sarcin la ieire, C2 se va descrca prin sarcin pn la urmtoarea alternan pozitiv cnd se va
ncrca din nou la 2Uv. Rezistena de sarcin R trebuie s fie destul de mare pentru a nu descrca
semnificativ condensatorul. Practic, cele dou condensatoare nseriate trebuie s ndeplineasc o
condiie de tipul celei din relaia (2.39). Tensiunea invers maxim pe fiecare diod este 2Uv.
Pentru o tensiune de intrare cu valori mai mici dect cteva zeci de voli trebuie s se in
seama i de tensiunea pe diode UD. Tensiunea de ieire n gol poate fi considerat: 2Uv -2UD.
Cel de-al doilea dublor de tensiune (din figura 2.21.b) este compus din dou redresoare
monoalternan: (D1-C1) pentru alternana pozitiv i (D2 -C2) pentru alternana negativ. Dac
ieirea este n gol, fiecare condensator se ncarc la respectiva tensiune de vrf a intrrii. Tensiunea
de ieire se preia de pe cele dou condensatoare nseriate i reprezint valoarea vrf la vrf a
tensiunii de intrare. La conectarea unei sarcini R, trebuie ca cele dou condensatoare n serie s
ndeplineasc o condiie de tipul relaiei (2.39) pentru ca descrcarea acestor condensatoare s nu
fie semnificativ. Pentru tensiuni mici de intrare trebuie s se in seama i de tensiunea pe diode.
Dublorul de tensiune din figura 2.21.b nu are un punct comun intrrii i ieirii dublate, n
schimb prin conectarea la mas a nodului dintre cele dou condensatoare se poate obine o tensiune
pozitiv (UC1) i una negativ (UC2) fa de respectivul punct de mas. Privit astfel, acest circuit
reprezint o surs dubl de tensiune.
Dubloarele de tensiune pot fi utilizate la demodularea (sau detectarea) semnalelor modulate
n amplitudine cu o eficien dubl fa de redresorul monoalternan. O alt utilizare posibil este
alimentarea unor interfee cu consum redus direct de la ieirile de semnal ale unui calculator. Un
exemplu posibil este folosirea unei ieiri a portului paralel la care se genereaz (din calculator) un
semnal dreptunghiular cu frecven relativ mare, a crui amplitudine este de circa 5V, semnal care
redresat cu un dublor de tensiune permite obinerea unei tensiuni de alimentare de circa 8V sau a
unei surse duble de 4V n funcie de versiunea de dublor folosit. O alt utilizare a celui de-al
doilea montaj este obinerea unei surse duble (pentru alimentare unui amplificator operaional de
exemplu) de la o singur nfurare a unui transformator.
Triplorul de tensiune
Triplorul de tensiune se obine prin adugarea unei seciuni diod-condensator (D3 -C3)
suplimentare dublorului din figura 2.21.a, conform schemei din figura urmtoare.
uO
u C1
ui
u C3
C1
D1
C2
D2
C3
D3
u C2
41
U O = 3 U v .
(2.42)
uiA
D1
UAA
uiB
D2
uiC
D3
uO
R
a)
uiA
D1
uiB
D2
uiC
D3
uO
b)
Pentru simplitatea analizei diodele vor fi considerate iniial ca fiind ideale. Pentru circuitul
de maxim, din figura 2.23.a, dac la un moment dat tensiunile de intrare se afl n relaia:
u iA > u iB > u iC (> U D ) , atunci u O = u iA ,
deoarece dioda D1 n conducie se comport ca un comutator nchis i transmite tensiunea de la
intrarea A la ieire. Celelalte diode sunt polarizate invers, deci blocate, deoarece celelalte tensiuni
de intrare (de la anodul diodelor) sunt mai mici dect tensiunea de la ieire (de la catodul diodelor).
Datorit simetriei circuitului, analiza de mai sus este valabil pentru oricare dintre intrri i deci
intrarea care are valoarea maxim apare la ieire, prin dioda n conducie de la acea intrare.
Celelalte diode, blocate de tensiunile de intrare mai mici, izoleaz intrrile respective.
42
La circuitul de minim, catozii diodelor sunt spre intrri i se va deschide dioda la catodul
creia se aplic tensiunea cea mai mic (care trebuie s fie mai mic dect tensiunea UAA ). Prin
dioda deschis, tensiunea minim apare la ieire (la anozii diodelor) i blocheaz celelalte diode.
Dac se consider modelul diodelor cu tensiune de prag, funcionarea circuitelor este
identic, dar tensiunea de ieire difer de tensiunea de intrare cu cderea de tensiune pe dioda n
conducie. n exemplul de la circuitul de maxim, tensiunea de ieire va fi: u O =u iA UD . Circuitul
de maxim poate fi utilizat pentru tensiuni pozitive mai mari dect tensiunea pe o diod n conducie,
UD, iar circuitul de minim poate fi utilizat pentru tensiuni mai mici (cu cel puin UD 0,7V) dect
sursa de tensiune utilizat (UAA n figur).
Aceste circuite permit obinerea simpl a funciei logice SI respectiv a funciei logice SAU.
Se consider un sistem cu logic pozitiv cu UAA=5V, la care tensiunile apropiate de 0V
corespund nivelului logic 0 i tensiunile apropiate de 5V corespund nivelului logic 1. Circuitul
din figura 2.23.a are trei intrri, u iA , u iB i u iC ; variabilele logice corespunztoare se noteaz cu A,
B, C i cu Y se noteaz variabila logic de ieire. Dioda conectat la 1 logic (+5V) va conduce i
va fixa ieirea la nivel logic 1 (uO +5V). Tensiunea pozitiv de la ieire menine blocate diodele
ale cror intrri sunt la 0 logic (u i 0V). Astfel, ieirea va fi la nivel ridicat, 1 logic, dac una
sau mai multe intrri sunt n 1 logic i ca urmare circuitul implementeaz funcia logic SAU:
Y = A+ B+C
Pentru circuitul de minim din figura 2.23.b, oricare dintre intrri conectat la 0 logic aduce ieirea
n 0 logic. Pentru ca ieirea s fie n 1 logic, trebuie ca toate intrrile s fie n 1 i deci acest
circuit implementeaz funcia logic SI:
Y = A BC
(. semnific operatorul logic i).
Ca pori logice aceste circuite prezint dezavantajul degradrii nivelului logic de la ieire
datorit cderii de tensiune pe rezistena R (produs de curentul furnizat de ieire ctre circuitul
urmtor, n cazul n care toate diodele sunt blocate) sau datorit cderii de tensiune pe diode (n
cazul n care cel puin o diod este deschis). Porile logice clasice refac nivelurile logice la ieire
cu ajutorul unor circuite de amplificare. Circuitele de minim i maxim se pot utiliza ca pori logice
cu recomandarea ca s nu fie utilizate mai multe astfel de circuite succesiv, deoarece degradarea
nivelurilor logice ale semnalelor digitale se cumuleaz.
Redresorul cu transformator cu punct median poate fi privit ca un circuit de maxim cu dou
intrri (tensiunile de la cele dou seciuni ale nfurrii secundare a transformatorului). Circuitul de
maxim cu trei intrri (din figura 2.23.a) se poate utiliza i ca redresor trifazat (aa-numitul redresor
cu punct neutru), R fiind sarcina redresorului iar tensiunile aplicate la intrare fiind cele trei faze (R,
S, T). La borna superioar a sarcinii apare n fiecare moment cea mai mare dintre faze, astfel nct
la ieire apare componenta de cc cea mai mare posibil. Fiecare diod conduce o treime din
perioada semnalului de intrare iar pulsaiile de la ieire vor avea frecven tripl. Analiza n detaliu
a redresoarelor trifazice depete scopul acestei cri, fiind un subiect specific electronicii de
putere.
43
Contact metalic
Semiconductor
Anod
de tip p
de tip n
Catod
(2.43)
44
2.3.2
Semiconductoare extrinseci
(2.45)
Ca urmare concentraia golurilor, pn0 (goluri pozitive, n zona n, la echilibru termic), care sunt
generate prin ionizare termic, este foarte mic:
p n0
ni2
(<< ni )
=
ND
(2.46)
n p0 =
ni2
<< p p 0 .
NA
(2.47)
Cristalele semiconductoare extrinseci sunt neutre din punct de vedere electric deoarece
sarcina purttorilor majoritari mobili (electroni n semiconductorul de tip n i goluri n cel de tip p)
este compensat de sarcina ionilor de impuritate fixai n reeaua cristalin.
2.3.3
n cazul semiconductoarelor sunt posibile dou mecanisme prin care electronii liberi sau
golurile se pot deplasa prin cristal difuzia i driftul.
Difuzia este asociat cu micarea aleatorie datorat agitaiei termice. Dac concentraia de
purttori n semiconductor este uniform, aceast micare aleatorie nu produce o deplasare net de
sarcin electric, deci nici curent electric. Dac printr-un mecanism oarecare apare o concentraie
45
mai ridicat de purttori mobili (de exemplu goluri) ntr-o zon a semiconductorului, atunci golurile
vor difuza din regiunea cu concentraie mai mare spre regiunea cu concentraie mai mic. Acest
proces de difuzie produce o deplasare net de sarcin sau curent de difuzie. Valoarea curentului de
difuzie este proporional cu gradientul concentraiei de purttori:
J p = q D p
dp
,
dx
(2.48)
unde cu J p s-a notat densitatea de curent (curentul pe unitatea de arie), q este sarcina electronului
iar D p este constanta de difuzie a golurilor. Semnul apare deoarece difuzia are sens opus
creterii concentraiei; s-a presupus cazul n care concentraia scade pe direcia axei Ox.
n cazul electronilor liberi difuzia apare datorit gradientului de concentraie al electronilor
i densitatea de curent a electronilor se poate calcula cu o relaie similar:
J n = q Dn
dn
,
dx
(2.49)
unde D n este constanta de difuzie al electronilor liberi. Constanta de difuzie a electronilor este de
aproape trei ori mai mare dect cea a golurilor, D n 3D p (pentru cristalul de siliciu intrinsec).
Cel de-al doilea mecanism de conducie n semiconductoare este driftul ntr-un cmp
electric creterile de vitez uniforme cu caracter dirijat n sensul cmpului electric:
r
r
vdrift = E
unde este mobilitatea purttorilor de sarcin i E este cmpul electric din semiconductor.
Densitatea curentului de drift este proporional cu concentraia de purttori de sarcin:
J drift = q p p + n n E = E .
(2.50)
Aceast relaie reprezint legea lui Ohm n semiconductoare, iar este conductivitatea electric a
semiconductorului (proporional cu concentraia purttorilor mobili de sarcin: p + n ).
Factorul de difuzie i mobilitatea purttorilor de sarcin sunt legate prin relaia lui Einstein:
Dn
Dp
kT
= UT ,
q
(2.51)
unde k este constanta lui Boltzmann i U T tensiunea termic. La temperatura camerei U T 25mV.
Mobilitatea electronilor este mai mare dect cea a golurilor: n 3 p (la siliciu).
2.3.4
Figura 2.25 prezint un model fizic simplificat al jonciunii pn n condiii de echilibru termic
i electric, fr cmpuri energetice exterioare. Purttorii majoritari sunt simbolizai cu semnul +
pentru golurile din zona p respectiv pentru electronii liberi din zona n iar sarcina necompensat
a ionilor de impuritate fici din zona de trecere este reprezentat prin ncercuirea semnului sarcinii
respectiv. Pentru a uura nelegerea fenomenelor din jonciune sunt reprezentate, de asemenea,
concentraia purttorilor mobili i distribuia potenialului de-a lungul jonciunii.
Curentul de difuzie
n vecintatea jonciunii se produce difuzia purttorilor majoritari; golurile din regiunea p
difuzeaz n regiunea n i electronii liberi din regiunea p difuzeaz n regiunea n. Acesta dou
componente formeaz mpreun curentul de difuzie ID , a crui direcie este de la zona p la zona n.
46
I0
Reg.Sarc.Spa.
Goluri
+++++
+p+++
+++++
Electroni
Modelul unidimensional al
jonciunii evideniaz cele 3 regiuni:
- Regiunea de sarcin spaial, RSS,
sau regiunea golit de purttori,
- Dou regiuni neutre, una n zona p
i cealalt n zona n,
p
NA
pp 0
ln
pn 0
n
ND
np 0
lp
nn 0
u
U0
lJ
(2.52)
47
Aceast condiie de echilibru este meninut de bariera de tensiune U0 . Dac, dintr-un motiv
oarecare, de exemplu, curentul ID devine mai mare dect I 0 , atunci crete sarcina necompensat de
ambele pri ale jonciunii, RSS devine mai lat i tensiunea U0 va crete. Se restabilete astfel
echilibrul prin micorarea curentului ID (datorat creterii barierei de potenial U0 ).
(2.53)
unde NA i ND sunt concentraiile de impuriti acceptoare din zona p, respectiv donoare din zona n.
U0 depinde de concentraia de impuriti (sau gradul de dopare cu impuriti), de temperatur i de
tipul semiconductorului. Tensiunea U0 este cunoscut sub numele de diferen intern de
potenial i are valori tipice pentru siliciu cuprinse ntre 0,6 i 0,8V (la temperatura camerei).
Aceast tensiune nu poate fi pus n eviden la bornele externe ale jonciunii deoarece este
echilibrat exact de tensiunea de contact la interfeele metal-semiconductor. n caz contrar, s-ar
putea extrage energie din jonciune, ceea ce ar duce la violarea principiului conservrii energiei.
2.3.5
Jonciunea pn polarizat
Prin polarizare se nelege aplicarea unei tensiuni continue (sau curent continuu) unui
dispozitiv electronic, n acest caz unei jonciuni. Polarizarea jonciunii poate fi:
- direct, cu borna (+) a sursei externe conectat la zona p sau
- invers, cu borna (+) a sursei externe conectat la zona n.
Datorit polarizrii se modific diferena de potenial pe RSS fa de tensiunea U0 care
asigur echilibrul curenilor de difuzie i de drift. Se noteaz cu uA tensiunea de polarizare (cu
sensul de la p la n, conform figurii 2.26). Modificarea tensiunii pe jonciune uJ , fa de U 0 :
uJ U0 uA ,
conduce la modificarea limii lJ a regiunii golite (RSS ). Se poate demonstra [3] c:
lJ
U0 uA
(2.54)
iA
UJ (<U0)
p
iA (<0)
uA
lJ (<lJ 0)
I0
UJ (>U0)
p
uA (<0)
iD
lJ (>lJ 0)
I0
iD
48
W
i D exp
,
kT
iD0 = iD
u A =0
qU 0
i D 0 exp
.
kT
(2.55)
(2.56)
Curentul de difuzie are acelai factor de proporionalitate n ambele relaii precedente. Pe de alt
parte, conform relaiei (2.52), curentul de difuzie la polarizare nul este egal cu curentul de drift:
iD0 = I 0 .
Prin nlocuirea ultimelor dou relaii n (2.55), rezult:
i D = i D 0 exp
u
q uA
q uA
= I 0 exp
= I 0 exp A ,
kT
kT
UT
(2.57)
unde UT este tensiunea termic, conform (2.51). La temperatura T = 290K = 17C, U T 25mV.
La polarizare direct, curentul electric prin jonciune se datoreaz difuziei purttorilor
majoritari, care dup traversarea RSS i devin purttori minoritari n exces n regiunea neutr
respectiv. Datorit recombinrii, concentraia purttorilor minoritari din regiunile neutre scade
exponenial de la jonciune spre contactul zonelor neutre, conform figurii 2.27.
pn , np
pn (ln )
Zona neutr p
Zona neutr n
RSS
Excesul de
concentraie
pn (x)
np (lp )
np (x)
pn 0
np 0
lp 0
Concentraia de echilibru
ln
Fig. 2.27. Distribuia purttorilor minoritari la o jonciune pn polarizat direct n cazul unei
jonciuni asimetrice ( NA 3 ND ).
u
i A = I 0 exp A 1 .
UT
(2.58)
Ecuaia rezultat este ecuaia jonciunii idealizate; n jonciunea real se produc i alte fenomene
care vor fi analizate ulterior i care au fost neglijate n aceast analiz simplificat.
49
Curentul de drift I 0 reprezint curentul invers (prin jonciunea polarizat invers). Acest
curent se mai numete i curent invers de saturaie al jonciunii, deoarece pentru tensiuni inverse
(u A <0) mult mai mari n modul dect tensiunea termic (u A << UT ), curentul invers conform
relaiei (2.58) se satureaz, adic ajunge la o valoare constant, i A = I 0 . Valoarea acestui curent
este de ordinul microamperilor (10-6A) pentru diodele cu germaniu i de ordinul picoamperilor (10 12A) pentru diodele cu siliciu. Curentul I depinde exponenial de temperatura absolut conform
0
relaiei (2.56). Se poate considera c la temperaturi uzuale I 0 se dubleaz la creterea temperaturii
cu circa 10C.
Jonciunea pn asimetric
Dac gradul de dopare al celor dou zone ale jonciunii pn este diferit se spune c jonciunea
este asimetric. Distribuia purttorilor minoritari la o astfel de jonciune este prezentat n figura
2.27 (pentru NA 3 ND ). Jonciunilor asimetrice au urmtoarele particulariti:
Regiunea golit se extinde mai mult n zona mai slab dopat a jonciunii, limea regiunii golite
este invers proporional cu gradul de dopare al zonei respective. Astfel, dac se noteaz cu l p i
cu l n limea regiunii golite din zona p respectiv din zona n i cu A aria transversal a jonciunii,
atunci condiia de egalitate a sarcinii n cele dou pri ale jonciunii se poate scrie:
q l p A N A = q ln A N D
lp
ln
ND
.
NA
(2.59)
La polarizare direct, curentul va fi format n majoritate din purttorii majoritari ai regiunii mai
puternic dopate. Pe baza statisticii Boltzmann, se pot calcula curenii de difuzie de goluri i de
electroni (i p i i n ), care sunt proporionali cu concentraia purttorilor majoritari respectivi:
ip
in
2.3.6
p p0
nn0
NA
.
ND
(2.60)
UStr
p n
Scal
comprimat
uA
Scal
uA
0,5V
0,7V
expandat
iA
Fig. 2.28. Caracteristica static a jonciunii pn, cu scala negativ a tensiunii uA comprimat i
scala negativ a curentului iA expandat, pentru a pune n eviden detaliile.
50
u S = rs i A ,
rs rsn + rsn .
(2.61)
Tensiunea uB este cea care modific bariera de potenial din RSS i determin valoarea curentului
prin jonciune (condiia uB <U0 este ndeplinit n toate situaiile, chiar dac uA >U0 ).
ntruct n relaia (2.58) att I 0 ct i UT sunt funcii de temperatur, caracteristica direct a
jonciunii depinde de temperatur dup o funcie de tip exponenial. Deoarece i variaia curentului
cu tensiunea este exponenial, se poate arta c, la un curent constant prin jonciune, tensiunea
direct scade cu aproximativ 2mV pentru fiecare grad Celsius cretere a temperaturii. Liniaritatea
tensiunii direct cu temperatura este utilizat la unele termometre electronice.
iA
T2 > T1
2mV/C
uA
51
Regiunea de strpungere
La tensiuni inverse mari, se constat o cretere foarte mare a curentului prin jonciune. La o
anumit tensiune, numit tensiune de strpungere UStr , curentul crete abrupt ctre infinit i el
trebuie s fie limitat din circuitul exterior pentru a nu depi valoarea la care jonciunea s-ar
distruge. Mecanismele care pot cauza strpungerea sunt efectul Zener i multiplicarea n avalan a
purttorilor de sarcin.
Efectul Zener const din ruperea unor legturi covalente dintre atomii reelei cristaline
datorit unui cmp electric foarte intens (concentrat n RSS a jonciunii). Se genereaz astfel perechi
electron-gol, fenomen ce conduce la strpungerea jonciunii. Acest tip de strpungere are loc la
jonciuni foarte nguste, realizate din semiconductoare puternic dopate (NA , ND >1018 atomi /cm3 ).
La aceste jonciuni nguste cmpul electric de valori foarte mari apare pentru tensiuni reduse, de
ordinul volilor; pentru US tr <5V este preponderent strpungerea prin efect Zener. Tensiunea de
strpungere scade cu temperatura deoarece o dat cu creterea temperaturii crete agitaia termic i
este necesar un surplus de energie mai mic pentru a rupe legturile covalente. Coeficientul de
temperatur este negativ i este mai mare (n modul) pentru tensiuni de strpungere mai mici.
diodele redresoare, care se bazeaz pe conducia unilateral (datorat diferenei foarte mari
dintre curentul direct i curentul invers prin jonciune) i
diodele stabilizatoare de tensiune, numite i diode zener, care exploateaz relativa independen
a tensiunii inverse fa de curent, specific regiunii de strpungere a jonciunii.
Cel mai simplu circuit de polarizare a diodei este prezentat n figura 2.30 i este realizat cu o
surs de tensiune, un rezistor i o diod. Acest circuit poate fi rezultatul nlocuirii unei eventuale
reele liniare care alimenteaz dioda cu circuitul echivalent Thvenin al reelei. Sursa de tensiune sa notat conform conveniei de dublare a indicelui atribuit terminalului alimentat de acea surs
(anodul diodei n acest caz). Rezolvarea circuitului const din aflarea curenilor i tensiunilor din
52
circuit. Perechea de puncte {UA , IA }, determinate n cc, reprezint punctul static de funcionare al
diodei i va fi notat simplu cu psf.
iA
uA
UAA
2.4.1
Se presupun cunoscute toate elementele circuitului din figura 2.30, respectiv n cazul diodei
se presupune cunoscut caracteristica static a acesteia. Caracteristica static a diodei se poate trasa
experimental sau se poate utiliza caracteristica din foaia de catalog a diodei.
Partea liniar a circuitului impune o legtur ntre curentul i tensiunea diodei:
u A = U AA R i A .
(2.62)
Aceast relaie se poate reprezenta grafic i poart numele de dreapt de sarcin. Aceast dreapta
se traseaz cel mai uor prin cele dou puncte de intersecie cu axele (figura 2.31):
u A = 0 , i A = U AA R ;
i A = 0 , u A = U AA .
psf
IA
Dreapta de sarcin
uA
0
UA
UAA
Fig. 2.31. Metoda grafic de aflare a psf, pentru circuitul din figura 2.30.
Analiza grafic este de folos pentru vizualizarea modului de funcionare al circuitului; ns,
efortul presupus de aceast metod nu se justific n practic, mai ales n cazul circuitelor
complexe. Simplificarea metodei de analiz presupune nlocuirea diodelor cu modele de circuit mai
simple, care se comport aproximativ la fel. n funcie de aplicaia concret i de precizia dorit,
aceste modele (sau circuite echivalente) pot avea diferite grade de complexitate. Cele mai simple
modele ale diodelor au fost deja prezentate n prima parte a acestui capitol. Modelele de diode
prezentate n continuare sunt mai precise, dar implicit i mai complexe.
2.4.2
u
i A = I 0 exp A 1 .
n UT
(2.63)
Se constat c fa de ecuaia jonciunii idealizate (2.58) difer prin indicele suplimentar n =12
care ine seama de abaterile de la idealitate ale caracteristicii directe a diodei. La diodele integrate
se poate considera n =1, iar la diodele discrete indicele n are o valoare apropiat de 2.
O denumire mai potrivit pentru curentul invers de saturaie al diodei I 0 este aceea de
curent de scalare, deoarece acest curent este proporional cu aria transversal a diodei. Astfel
53
dublarea ariei unei diode conduce la o valoare dubl a lui I 0 i conform ecuaiei diodei idealizate,
curentul prin diod iA se va dubla pentru aceeai tensiune pe diod uA . Tensiunea termic UT la
temperatura ambiant t = 1727C este U T 2526mV.
Dac curentul direct prin diod este semnificativ, mai precis pentru i A >>I0 , ecuaia (2.63)
se poate aproxima cu relaia exponenial:
u
i A I 0 exp A .
(2.64)
nU T
i
u A = nU T ln A .
Relaia poate fi exprimat i n forma logaritmic:
(2.65)
I0
Pentru dou puncte de pe caracteristica diodei {U1 , I1 } i {U2 , I2 } se pot scrie ecuaiile:
I1 = I 0 exp
U1
,
nU T
I 2 = I 0 exp
U2
,
nU T
I1
U U2
= exp 1
.
I2
nU T
Ultima ecuaie poate fi rescris cu logaritmul natural, respectiv zecimal, dup cum urmeaz:
U 1 U 2 = nU T ln
I1
,
I2
U 1 U 2 = 2,3 nU T lg
I1
.
I2
(2.66)
Ecuaia anterioar se poate exprima astfel: pentru o decad (factor 10) de variaie a curentului
tensiunea pe diod se schimb cu 2,3nUT , care este 60mV pentru n =1 i 120mV pentru n =2. Dac
la trasarea caracteristicii se gradeaz logaritmic axa curentului, atunci caracteristica static a diodei
va fi liniar, cu o pant de 2,3nUT pentru o decad de variaie a curentului (I1/I2 =10). Dac
valoarea lui n nu se cunoate (ea poate fi obinut experimental conform celor artate anterior)
atunci se poate considera o valoare convenabil UA 0 =0,1V/decad pentru panta caracteristicii
statice a diodei. Pentru a defini caracteristica mai este necesar un punct; pentru o diod discret se
poate considera c la un curent IA0 =1mA tensiunea pe diod este UA0 =0,6V. Considernd aceste
valori se poate determina tensiunea pe diod la un anumit curent conform ecuaiei:
u A = U A0 + U A0 lg
iA
.
I A0
(2.67)
Valoarea de referin a tensiunii, UA0 , se poate obine cu un multimetru digital care indic (pe
poziia marcat cu simbolul diodei) tensiunea pe dioda polarizat direct cu un curent de circa 1mA.
Exemplu
0,1
10
100
1000
Rel (2.67)
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1N4001
0,47
0,58
0,69
0,8
0,93
1N4148
0,5
0,61
0,73
0,91
54
Se constat c diferenele sunt destul de mici, mai ales n zona curenilor medii. La
cureni mari tensiunea msurat este mai mare dect cea teoretic datorit cderii de tensiune
pe rezistena serie a jonciunii, conform relaiei (2.61). (Noiunea de curent mare are semnificaie
diferit n funcie de tipul diodei i este o valoare mai mic pentru diode cu curent nominal mai mic.)
Modelul exponenial al diodei, definit conform relaiei (2.58) sau (2.67), se poate utiliza
pentru calculul psf prin metode aproximative.
2.4.3
Pentru circuitul din figura 2.30 se consider modelul exponenial pentru dioda D. La o
tensiune UAA suficient (mai mare dect cteva zecimi de volt), curentul prin diod este mare, mai
precis i A >>I0 i se poate utiliza relaia aproximativ (2.64). Sursa i rezistena din circuit impun o
relaie liniar (2.62) ntre curent i tensiune. Psf este soluia sistemului de ecuaii transcedental :
uA
i A = I 0 exp
nU T .
u = U R i
AA
A
A
(2.68)
Un sistem dintre o relaie liniar i una exponenial nu admite n general soluie exact, dar
se poate rezolva prin metoda aproximaiilor succesive ilustrat grafic n figura 2.32.
iA
UAA /R
(1)
(0)
(1)
(4)
(3)
(2)
uA
0
UAA
Fig. 2.32. Calculul psf prin metoda aproximaiilor succesive.
i A(0) = U AA R .
Conform figurii, se calculeaz tensiunea n punctul (1) din ecuaia diodei i apoi curentul n
punctul (2) din ecuaia dreptei:
u (A1) = nU T ln
i A(0)
I0
i A( 2) =
U AA u (A1)
R
i A( k 1)
I0
i A( k +1) =
U AA u (Ak )
R
(2.69)
Indicele din paranteza superioar reprezint punctul i ordinea n care se face calculul, respectiv
pasul algoritmului. Algoritmul este rapid convergent; dou trei iteraii sunt suficiente n
majoritatea cazurilor. Calculul se oprete atunci cnd diferena ntre dou aproximaii succesive ale
aceleai mrimi este suficient de mic.
55
Modelul exponenial al diodei este un model precis dar neliniar i aceast neliniaritate
complic mult calcularea circuitelor cu diode. Acest model este utilizat mai ales de ctre
programele de simulare a circuitelor, implementate cu ajutorul calculatorului; n acest caz
complexitatea calculelor nu mai este un impediment. Simplificarea calculelor, pentru o proiectare
sau analiz manual, se realizeaz cu ajutorul modelelor liniarizate ale diodelor.
2.4.4
U A2 U A1 u A
.
=
I A2 I A1
i A
Valorile uzuale pentru rezistena diferenial sunt de ordinul ohmilor (de la fraciuni de ohmi la
diodele de curent mare pn la zeci sau chiar sute de ohmi la cureni mici). O alt metod posibil,
care va fi utilizat la analiza diodei n regim dinamic, const din evaluarea pantei tangentei la
caracteristica diodei ntr-un punct, prin calcularea derivatei funciei exponeniale n acel punct.
iA
Panta =1/rD
(2)
IA2
iA
UD
rD
uA
IA1
0
(1)
uA
UD 0 UA2
Fig. 2.33. Modelul cu tensiune de prag i rezisten serie: caracteristica static (comparat cu
caracteristica exponenial) i circuitul echivalent.
Caracteristica diodei cu tensiune de prag i rezisten serie se poate descrie i analitic prin
ecuaiile semidreptelor:
i A = 0 , pentru u A < U D 0
.
u A = U D 0 + rD i A , pentru i A > 0
(2.70)
Aceste ecuaii pot fi reprezentate i sub form de circuit echivalent conform figurii 2.33.
Schema echivalent a diodei include i o diod ideal care permite curentului s circule doar n sens
direct; ca urmare sursa de tensiune inclus n model se comport ca o surs pasiv care nu poate
furniza energie n circuitul exterior.
Un model liniarizat al diodei mai simplu este dioda cu tensiune de prag, iar cel mai simplu
model este modelul diodei ideale. Aceste modele au fost prezentat n prima parte a acestui capitol.
56
2.4.5
Modelul cel mai potrivit pentru o aplicaie dat este acela care realizeaz compromisul cel
mai bun ntre precizie i complexitate. Selectarea celui mai potrivit model este o chestiune de
experien i practic n electronic.
n ceea ce privete modelarea diodelor, se vor utiliza modele cu att mai complexe cu ct
circuitul n care este conectat dioda este mai sensibil la modificarea tensiunii. Pentru tensiuni mari,
de exemplu n cazul redresoarelor la tensiuni de sute de voli, modelul diodei ideale este suficient de
precis. Pentru aplicaiile uzuale modelul diodei cu tensiune de prag este preferat cel mai adesea.
Exemplu de calcul
S se determine punctul static de funcionare al diodei conectat n circuitul din figura 2.30
dac UAA =3V i R =100. Pentru diod se vor considera urmtoarele modele:
a) dioda ideal;
b) dioda cu tensiune de prag, UD =0,7V;
c) dioda cu tensiune de prag i rezisten serie, UD =0,6V, rD =5;
d) dioda exponenial cu tensiunea pe diod UA0 =0,6V la un curent IA0 =1mA cu o variaie a
tensiunii UA0 =0,1V/decad;
e) dioda exponenial cu I0 =50pA i n =1,5.
Rezolvare:
a) Dioda ideal polarizat direct este un scurtcircuit, UA =0 i curentul prin circuit este:
I A = U AA R = 3 100 = 0,03 = 30mA .
U AA U D 0 2,4
=
= 22,9mA ,
R + rD
105
i ( 0)
U AA
3
30
=
= 30mA , u (A1) = U A0 + U A0 lg A = 0,6 + 0,1 lg
= 0,748V ,
100
1
R
I A0
U AA u (A1)
R
U AA u (A3)
R
= 22,5 mA , u (A3) = U A0 + U A0 lg
= 22,65 mA , u (A5) = U A0 + U A0 lg
i A( 2)
I A0
i A( 4)
I A0
= 0,6 + 0,1 lg
22,5
= 0,735V ,
1
= 0,6 + 0,1 lg
22,65
= 0,7355V .
1
Se observ c ultimele dou soluii sunt foarte apropiate i se rein ca soluie ultimele valori
calculate (dac se mai face o iteraie se constat c se obin practic aceleai ultime rezultate).
57
= nU T ln
u (A4) = nU T ln
i A(1)
I0
i A(3)
I0
30m
= 1,5 25m ln
= 758 mV ,
50p
= 1,5 25m ln
22,4m
= 747 mV ,
50p
i A(3)
U AA u (A2)
R
i A(5) =
U AA u (A4)
R
3 0,758
= 22,4 mA ,
100
3 0,747
= 22,5 mA .
100
i n acest caz se rein ultimele soluii deoarece sunt foarte apropiate de soluiile anterioare.
Din acest exemplu se constat c utilizarea modelelor exponeniale presupune calcule
laborioase i de aceea n practic se va prefera utilizarea modelelor liniarizate pentru calcule
directe. Modelele exponeniale, mai precise, se vor utiliza cu programe de calculator (la care
dificultatea calculelor nu mai este o problem) n etapa de analiz a circuitelor electronice.
uA
uZ
IZm
iZ
UZ0
rZ
IZT
uZ
a) Simbolurile i
mrimile electrice
iZ
+
iZ
iA
I
U
b) Caracteristica static
uZ
c) Schema
echivalent
valabil pt.
Denumirea de diod zener este de fapt improprie pentru c efectul Zener explic numai
funcionarea diodelor cu tensiuni de stabilizare pn la aproximativ 5V. La tensiuni mai mari de
stabilizare, funcionarea diodelor se bazeaz pe efectul de multiplicare n avalan.
Simbolurile diodei stabilizatoare sunt cele din figura 2.34.a. Sensul mrimilor electrice
asociate diodei zener este invers fa de sensul convenional al jonciunii pn, astfel nct iZ i uZ s
aib valori pozitive la aplicaiile normale (unde dioda este polarizat invers).
2.5.1
Caracteristica static a diodei n zona de strpungere, cu unele detalii utile pentru definirea
parametrilor diodei, este schiat n figura 2.34.b.
Tensiunea de stabilizare este cel mai important parametru al diodei stabilizatoare. n datele
de catalog tensiunea UZ (sau UZT ) este specificat la curentul de test IZT i la temperatura ambiant
58
de referin T0 (de obicei 25C). Fa de valoarea nominal a tensiunii exist o dispersie tehnologic
de fabricaie; n catalogul de diode se dau valorile limit: minima i maxima admis.
Rezistena diferenial (sau dinamic) rZ indic variaia tensiunii de stabilizare n funcie
de variaia curentului (variaii determinate la curentul IZT ):
rZ =
d uZ
d iZ
.
IZ T
Aceast rezisten are o valoare mic, uzual de ordinul ohmilor (cu variaii de la fraciuni de ohm
pn la sute de ohmi n funcie de tipul diodei i de curentul care circul prin diod). Din punct de
vedere grafic rZ este inversul pantei tangentei la caracteristica static. ntruct caracteristica static
este neliniar, rezistena diferenial va depinde de curentul prin diod. La creterea curentului,
rezistena dinamic scade conform unor curbe date n cataloage. Din aceste curbe se poate pune n
eviden o proporionalitate (aproximativ) ntre logaritmul rezistenei dinamice i logaritmul
curentului prin diod, din care rezult:
rZ
1
IZ
I Zp
(2.71)
(2.72)
st la baza modelului acesteia, prezentat n figura 2.34.c sub forma unei scheme echivalente. Dioda
ideal din schema echivalent nu permite circulaia curentului dinspre sursa echivalent UZ0 spre
circuitul exterior diodei (i de aceea UZ0 este o surs pasiv). Schema echivalent este valabil
pentru un curent prin diod cuprins ntre curentul minim i curentul maxim de stabilizare.
Curentul minim de stabilizare IZm este curentul la care dioda zener nc mai funcioneaz
n regim de stabilizare. Acest curent depinde de aplicaia concret prin valoarea maxim admis
pentru rezistena diferenial. O prim estimare poate fi: IZm = (0,050,1)IZM .
Curentul maxim de stabilizare IZM este impus de regimul termic staionar al diodei zener,
astfel nct temperatura diodei s fie mai mic dect temperatura maxim admisibil. Valoarea lui
IZM corespunde puterii maxime care poate fi disipat de diod, PD adm (specificat la T0 =25C):
I ZM = PD adm U Z .
(2.73)
Puterea disipat admisibil PD adm are valori uzuale de 0,550W n funcie de tipul diodei.
Coeficientul de temperatur VZ reprezint variaia normat a tensiunii cu temperatura:
VZ =
d uZ 1
dT U Z
%
C .
(2.74)
Coeficientul de temperatur este negativ pentru diode cu UZ <56V, pozitiv pentru tensiuni
mai mari i minim pentru UZ = 56V. Exist i dispozitive speciale de stabilizare a tensiunii la care
sunt folosite tehnici speciale de compensare termic.
Cu ajutorul coeficientului VZ se poate calcula tensiunea de stabilizare la o temperatur T:
59
U Z (T ) = U Z (T0 ) [1 + VZ (T T0 )] .
(2.75)
Dioda zener este folosit mai ales ca element de referin n stabilizatoarele de tensiune sau
ca element activ n stabilizatoarele parametrice. Alte aplicaii uzuale ale diodelor zener sunt
limitatoarele de tensiune i circuitele de deplasare de nivel.
2.5.2
Stabilizatorul de tensiune este circuitul care menine ct mai constant tensiunea la ieire n
raport cu variaia tensiunii la intrare, a curentului de ieire i a temperaturii.
Stabilizatorul de tensiune parametric const dintr-o rezisten conectat n serie i o diod
zener conectat n paralel cu sarcina, conform figurii 2.35. Denumirea acestuia provine de la faptul
c valoarea tensiunii stabilizate depinde direct de parametrii diodei zener. Rezistena din circuit se
mai numete rezisten de balast deoarece preia surplusul de tensiune dintre intrare i ieire.
Pentru a analiza funcionarea de principiu a circuitului, se nlocuiete dioda zener cu
modelul simplificat, modelul din figura 2.34.b cu rZ = 0. Anularea rezistenei difereniale este
posibil datorit valorilor mici ale acesteia; rezult astfel modelul diodei stabilizatoare ideale, la
care tensiunea nu depinde de curent. La determinarea variaiilor tensiunii de ieire va trebui s se ia
n considerare ns i rezistena diferenial a diodei, neglijat iniial. Dioda ideal din figura 2.34.b
s-a nlocuit cu un scurtcircuit deoarece curentul prin diod este pozitiv, iZ > 0.
iR
iZ
uI
uO
uZ
a)
iO
iO
iZ
uI
UZ
RL
b)
iR
+
uO
Pe baza circuitului simplificat din figura 2.35.b se determin limitele pentru care circuitul
funcioneaz corect. Dac se presupune n prima faz a analizei curentul de ieire constant, atunci
limitele posibile ale tensiunii de intrare rezult din limitele admise ale curentului prin diod:
I Zm i Z I Z M ,
(2.76)
uI U Z
iO u I = U Z + R (i Z + iO )
(2.77).
R
Cu liter mic se noteaz mrimile electrice din circuit, cu liter mare parametrii diodei sau
mrimile constante. Pentru iO = constant = IO , limitele posibile ale tensiunii de intrare sunt:
i Z = i R iO =
U Z + R ( I Zm + I O ) u I U Z + R I Z M + I O .
uI > U Z
(2.78)
(2.79)
este absolut necesar; circuitul poate s reduc tensiunea de intrare dar nu poate s o mreasc.
Pentru a calcula limitele curentului de ieire se presupune c tensiunea de intrare este
constant uI = constant = UI i c respect cel puin relaia (2.79). Curentul maxim de ieire rezult
pentru curentul minim de stabilizare IZm prin diod:
uI U Z
U UZ
i Z iO M = I
I Zm .
(2.80)
R
R
La un curent nul prin sarcin rezult un curent maxim prin diod iar puterea disipat va fi maxim.
Se verific dac puterea disipat n diod este mai mic dect puterea maxim admis, PD adm.
iO =
60
UI UZ
, PdZM = U Z i ZM < PD adm .
(2.81)
R
Dac aceast condiie nu se ndeplinete, atunci se calculeaz valoarea minim admis a curentului
de ieire: iOm = (U I U Z ) R I ZM i se impune condiia suplimentar: iO > iOm sau se alege o alt
i ZM =
u O rD i Z = rD (i ZM i Zm ) .
(2.82)
Curenii, minim i maxim, care circul efectiv prin diod, iZm i iZM, se calculeaz considernd
limitele extreme de variaie ale tensiunii de intrare i ale curentului de ieire. Variaia simultan a
tensiunii de intrare i a curentului de ieire este analizat n exemplul urmtor.
Exemplu de proiectare
a) S se determine parametrii (UZ 0 i rZ ) unei diode stabilizatoare pentru care s-au msurat:
UZ1 = 6,3V la IZ1 = 50mA i UZ2 = 6,4V la IZ2 =100mA.
b) Utiliznd aceast diod s se proiecteze un stabilizator parametric care s funcioneze corect
pentru uI =1215V i iO = 2080mA. Se admite IZm = 5mA, PD adm = 1W i rZ 0.
c) S se determine limitele extreme ale tensiunii de ieire pentru rZ calculat la punctul a.
Rezolvare:
a) Schema echivalent a diodei zener din figura 2.34.c conduce la relaia (2.72). Pentru a
calcula parametrii diodei, UZ 0 i rZ , (considerai ca fiind constante), se scrie relaia (2.72) de
dou ori succesiv pentru cele dou puncte (de pe caracteristica diodei) din enun:
U Z 1 = U Z 0 + rZ I Z 1
.
U Z 2 = U Z 0 + rZ I Z 2
U Z 2 U Z 1 6,4 6,3
= 2 ,
=
I Z 2 I Z1
0,1 0,05
U Z 0 = U Z 1 + rZ I Z 1 = 6,2V .
uI U Z 0
iO I Zm .
R
Cele mai defavorabile condiii n ecuaia precedenta apar pentru o valoare minim n
stnga inegalitii adic pentru tensiunea de intrare minim i curentul de ieire maxim, UIm
i IOM :
U Im UZ0
R
I OM I Zm R
U Im UZ0
I OM + I Zm
12 6,2
68 .
(80 + 5) m
61
(U IM
U Z 0 )2 (15 6,2 )2
=
= 1,14 W
R
68
Se poate alege un rezistor de 68/2W. n final se verific dac puterea maxim disipat
n dioda zener este mai mic dect puterea maxim admisibil:
UIM UZ0
15 6,2
I Om = 6,2
PdZM = U Z
0,02 = 0,68W < 1W = PD adm .
R
68
R
uI
iR
iO
iZ
rZ
UZ0
uO =
uO
Calculul simplificat se poate face conform urmtoarei metode: se calculeaz curentul prin
dioda zener fr a considera rezistena diferenial a diodei (aproximaie posibil deoarece
rZ << R i iZ < iR ) i apoi se determin tensiunea de ieire considernd i rezistena rZ :
u U Z0
u O = U Z 0 + rZ i Z U Z 0 + rZ I
iO
R
15 6,8
u O 6,2 + 2
0,08 L
0,02 = 6,211K 6,419V
68
68
Se poate constata o diferen nesemnificativ ntre rezultatele celor dou metode de
calcul; calculul aproximativ este preferabil n practic deoarece este mai simplu.
2.5.3
Diodele zener pot fi utilizate n aplicaii de curent alternativ (ca) pentru a fixa niveluri limit
de tensiune care nu trebuie depite. Stabilizatorul de tensiune (fr sarcin) poate fi privit ca un
limitator de tensiune care limiteaz alternana pozitiv la tensiunea de stabilizare UZ i alternana
negativ la tensiunea unei diode polarizate direct UD . Stabilizatoarele cu diode zener pot fi privite
ca limitatoare cu tensiune de prag unipolare (prezentate n paragraful 2.2.7) pentru UP UZ .
Un limitator specific diodelor zener este obinut prin conectarea n opoziie a dou diode
zener n serie, cu anozii (sau catozii) comuni, ca n figura 2.37. Circuitul limiteaz ambele vrfuri
ale semnalului conform figurii 2.15 cu UO+ =UZ 1 + UD i UO = UZ 2 UD .
R i R iO = 0
iZ
Fig. 2.37. Limitatorul bilateral de tensiune
realizat cu dou diode zener (conectate
D1
uO
uI
n opoziie).
D2
62
Tensiunea de ieire depinde de starea diodelor care pot fi: blocate cu iA 0, n conducie
direct cu uA UD sau n strpungere cu uA UZ . Astfel:
u O = U Z 1 + U D dac u I U Z 1 + U D ; D2 conduce direct, D1 ca diod zener
.
u O = u I dac U Z 2 U D < u I < U Z 1 + U D ; ambele diode sunt blocate
u = U U dac u U U ; D conduce direct, D ca diod zener
Z2
D
I
Z2
D
1
2
O
(2.83)
Rezistorul R preia diferena de tensiune dintre intrare i ieire atunci cnd diodele conduc.
Dac tensiunea este ntre valorile limit, cderea de tensiune pe R este nul deoarece diodele sunt
blocate i circuitul lucreaz n gol: i R = i Z + iO 0 + 0 = 0 u O = u I u R = u I R i R = u I .
2.5.4
Circuitul de deplasare de nivel modific nivelul de cc al unui semnal, astfel nct tensiunea
de ieire este mai mic (sau mai mare) dect tensiunea de intrare cu o valoare constant. Astfel de
circuite pot fi utilizate pentru cuplarea etajelor de amplificare din interiorul unui circuit integrat. Un
circuit de deplasare de nivel i caracteristica de transfer realizat sunt prezentate n figura 2.38.
uZ
iZ
uI
uO
iO = 0
R
uO
a)
UD
45 o
0
Fig. 2.38. Circuit de deplasare de nivel:
a) Schema de principiu,
b) Caracteristica de transfer.
UZ
uI
b)
sau
63
uA
UA
UA
b)
a)
uA = UA + ua
Fig. 2.39. a) Circuit de principiu pentru studiul regimului dinamic al diodei; b) Semnalul
sinusoidal ua suprapus peste tensiunea de polarizare UA .
Conform circuitului, tensiunea aplicat diodei n fiecare moment (component total sau
instantanee) este o sum a tensiunii de polarizare (componenta de cc) i a tensiunii semnalului
u A = U A + ua .
(componenta de ca):
(2.84)
Tensiunea pe diod i componentele acesteia sunt puse n eviden n figura 2.39.b pentru
cazul unui semnal sinusoidal.
2.6.1
u
u
u
U + ua
U
1 u
= I 0 exp A exp a = I A exp a = I A 1 + a + a
i A = I 0 exp A
nU T
nU T
nU T
nU T
nU T 2! nU T
+ K .
(2.86)
este valabil, atunci termenii superiori din dezvoltarea n serie a exponenialei pot fi neglijai i se
obine o relaie liniarizat din care se poate exprima componenta de ca a curentului:
iA I A + I A
ua
u
= I A + ia ia = I A a .
nU T
nU T
(2.87)
64
(2.88)
ceea ce conduce, la temperatura camerei, la o eroare mai mic de 27% (funcie de valoarea lui n).
Liniaritatea relaiei dintre mrimile de ca nseamn c diodei se comport rezistiv (n ca):
rD =
du A u a
= rd ,
ia
di A
rd =
nU T
.
IA
(2.89)
2.6.2
La frecvene nalte apare un regim de funcionare nestaionar, la care efectele capacitive din
circuit nu mai pot fi neglijate. La o diod se pot constata dou efecte capacitive majore care se
modeleaz cu dou capaciti: capacitatea de barier i capacitatea de difuzie.
Capacitatea de barier
Dac se analizeaz structura unei jonciuni pn din figurile 2.25 i 2.26 se remarc o structur
de condensator plan: un izolator (regiunea golit de purttori mobili) ntre dou armturi (regiunile
neutre, conductive). Capacitatea, numit de barier, a acestui condensator plan este:
Cb =
AJ
1
1
1
,
lJ
U0 uA
U0 1 uA U0
(2.90)
unde AJ este aria jonciunii, este permitivitatea dielectric a siliciului i U0 este potenialul electric
intern al jonciunii. La relaia precedent s-a utilizat dependena (2.54). Proporionalitatea se
pstreaz indiferent de tensiunea aplicat diodei deci i la polarizare nul:
Cb0 = Cb U
A =0
AJ
1
lJ 0
U0
Cb =
Cb 0
1 uA U0
(2.91)
Cb0
(1 U A
U 0 )m
(2.92)
introduce un coeficient suplimentar care depinde de tipul jonciunii, numit factor de gradare,
m 0,5 pentru jonciuni abrupte i m 0,33 pentru jonciuni gradate (la care trecerea de la o
majoritate de impuriti acceptoare la o majoritate de impuriti donoare se face gradat; este cazul
jonciunilor obinute prin difuzie).
La polarizare direct precizia relaiei precedente este nesatisfctoare i va fi nlocuit de o
relaie empiric:
C 2C
(2.92)
b
b0.
65
Capacitatea de difuzie
Capacitatea de difuzie se datoreaz sarcinilor electrice acumulate n regiunile neutre ale
jonciunii. La polarizare direct, curentul electric prin jonciune se datoreaz difuziei purttorilor
majoritari care dup traversarea RSS devin purttori minoritari n regiunea neutr respectiv.
Concentraia purttorilor minoritari de sarcin din regiunile neutre este schiat n figura 2.27.
La modificarea tensiunii pe jonciune, se modific concentraia purttorilor majoritari i
curentul prin jonciune. Modificarea sarcinii electrice (a purttorilor minoritari din regiunile neutre,
a cror concentraie s-a modificat) cu modificarea tensiunii este specific unei capaciti. Modelarea
acestui efect capacitiv (complet diferit de efectul de stocare a sarcinii n RSS) se face cu ajutorul
capacitii de difuzie:
di
dQ
Cd =
, dQ = T d i A C d = T A = T ,
(2.93)
du A
du A rD
unde T este timpul mediu de tranzit al diodei. La dispozitivele practice, cu jonciunii asimetrice,
acest timp reprezint timpul de via al purttorilor regiunii mai puternic dopate, de exemplu pentru
cazul NA >>ND , ip >> in , Qp >>Qn , Q Qp i T p , adic timpul mediu de tranzit este aproximativ
egal cu timpul de via al golurilor n zona n (purttori minoritari, dup traversarea jonciunii).
n condiii de semnal mic, rD rd , iA IA i utiliznd (2.89), pentru n =1, rezult:
Cd =
T
IA,
UT
(2.94)
unde IA este curentul de polarizare n psf. Capacitatea Cd este direct proporional cu IA i de aceea
este foarte mic la polarizare invers (n general pentru tensiuni mai mici dect tensiunea de prag a
diodei). Pentru a obine o capacitate de difuzie ct mai mic, n cazul diodelor de nalt frecven,
timpul de tranzit se reduce prin metode tehnologice speciale (de exemplu dopare cu aur).
2.6.3
rd
Cb
Rezistena rs este rezistena serie a diodei i reprezint n esen rezistena regiunilor neutre
ale jonciunii conform relaiei (2.61), cu valori de ordinul ohmilor de la fraciuni de ohm la
diodele de curent mare i pn la zeci (sau chiar sute) de ohmi la diodele de curent mic.
Schema echivalent se simplific n funcie de regimul de funcionare al diodei:
-
Pentru cureni mici i medii prin diod, rezistena serie rs se poate neglija, deoarece rd >>rs .
La polarizare invers, Cd 0, rd este foarte mare i din schema echivalent rmne doar Cb .
La joas frecven dioda are caracter rezistiv; reactanele capacitive sunt mici i se pot neglija.
66
Aplicaie
Pentru circuitul din figura 2.41.a cu ug = 0,5sin t (V), se consider o diod cu UD = 0,6V;
UT = 26mV i n = 1. S se determine tensiunea la bornele diodei i curentul care trece prin diod.
La frecvena semnalului, condensatorul are o reactan foarte mic (poate fi considerat un
scurtcircuit din p.d.v. al semnalului) i se pot neglija efectele capacitive din diod.
C
R2
5k
10k
b) R1
iA
U = 20V
uA
R2
c)
IA
UA
ug
R1
a)
UD
R1
ug
ia
ua
rd
Rezolvare:
Se presupune iniial c este ndeplinit condiia de semnal mic, (2.86) sau (2.88) i deci
dioda are o comportare aproximativ liniar. Ca urmare se poate utiliza versiunea modificat a
teoremei superpoziiei, care const din calcularea separat a mrimilor de cc pe baza schemei
echivalente de cc i apoi a mrimilor de ca, pe baza schemei echivalente de ca. Mrimile
electrice instantanee se obin prin nsumarea celor dou componente ale fiecrei mrimi.
n schema echivalent de cc din figura 2.41.b:
-
dioda este nlocuit cu modelul cu tensiune de prag (model sugerat de forma n care se dau
datele problemei) i
condensatorul este nlocuit cu o ntrerupere de circuit (nu mai apare n schema de cc,
deoarece nu are nici un efect n cc).
Schema echivalent de ca din figura 2.41.c se obine prin:
Determinarea psf al diodei se face n schema echivalent de cc. Dioda ideal din schem
se nlocuiete cu un scurtcircuit, deoarece este n conducie, parcurs de un curent pozitiv:
IA =
U U D 20 0,6
=
= 1,3 mA .
15k
R1 + R2
rd =
nU T 26m
=
= 20 .
IA
1,3m
rd
20
ug =
0,5 sin t = 2 103 sin t (V) .
rd + R1
5020
67
u a 2 10 3 sin t
=
= 0,1sin t (mA) .
rd
20
Mrimile instantanee (tensiunea pe diod i curentul prin diod) se obin prin nsumarea
componentei de cc cu cea de ca pentru fiecare mrime n parte:
u A = U A + u a = 0,6 + 2 10 3 sin t (V),
i A = I A + i A = 1,3 + 0,1sin t (mA).
2.7.1
68
Programul SPICE include un model intern pentru diod. Acesta este un model de semnal
mare al diodei prezentat n figura 2.42. Comportarea static a diodei este modelat de ecuaia
exponenial a diodei (2.63) i comportarea dinamic este reprezentat de capacitatea neliniar CA .
Aceasta este suma dintre capacitatea de difuzie Cd i capacitatea de barier Cb a jonciunii,
capaciti calculate cu relaii aproape identice cu (2.94) i (2.92). Rezistena serie rs include efectul
rezistenei regiunilor neutre ale jonciunii (2.61) i are valori tipice de ordinul ohmilor pn la zeci
de . Pentru analiza de semnal mic, SPICE utilizeaz rezistena incremental a diodei rd i valorile
incrementale (sau difereniale) ale capacitilor Cb i Cd .
u
i A = I 0 exp A 1
n UT
Cb 0
C A = T iA +
UT
(1 u A U 0 )m
rs
iA
uA
CA
Tabelul 2.1 prezint lista celor mai importani parametrii ai modelului diodei, utilizai de
SPICE. Sunt listate, de asemenea, valorile implicite ale acestor parametrii (utilizate de SPICE n
absena unor valori specificate de utilizator) i valorile practice pentru dioda redresoare 1N4001
(literele reprezint multiplicatori: p pico,10-12; n nano,10-9; u micro,10-6).
Tab. 2.1. Parametrii modelului de diod din SPICE
Numele
Parametrul modelului
SPICE
Simbol
Unitatea
de msur
Valoarea
Exemplu
predefinit (1N4001)
IS
Curentul de saturaie
I0
1E 14
14.1n
Coeficientul de emisie
1.984
RS
rs
0.034
VJ
U0
0.3245
CJ0
Cb0
25.9p
Coeficientul de gradare
0,5
0.44
TT
Timpul de tranzit
5.7u
BV
Tensiunea de strpungere
UZ 0
75
IBV
IZ m
1E 10
10u
69
n = 0,01) i dioda D_dir este o diod redresoare utilizat pentru a modela polarizarea directe a
diodei zener (la aplicaiile n care diodei zener este polarizat doar invers dioda D_dir poate lipsi).
Fig. 2.43. Model pentru dioda zener.
Acest model poate fi utilizat n SPICE
ca subcircuit n locul diodei zener.
Dioda ideal D_id poate fi aproximat
n SPICE considernd n = 0,01.
D_dir
= UZ0
D_id
rZ
2.7.2
n exemplul urmtor se simuleaz un alimentator tipic de mic putere compus din dou
circuite: redresor n punte cu filtru capacitiv i stabilizator de tensiune cu diod zener. Aceste
circuite au fost analizate separat ca aplicaii ale diodei redresoare, respectiv ale diodei zener.
Cuplarea celor dou circuite conduce la necesitatea de a adapta metodele de analiz
specifice fiecrui circuit. n prima etap se va face o analiz simplificat a circuitului, care va
permite apoi simularea acestuia n SPICE. Dac rezultatele simulrii difer mult de rezultatele
analizei simplificate, se poate relua analiza circuitului cu metode mai precise i se reface simularea.
n anumite situaii, se pot obine prin simulare rezultate care nu pot fi obinute prin metode
convenionale de analiz; de exemplu se pot determina ondulaiile tensiunii pe condensator dac
sursa de tensiune alternativ de intrare prezint o rezisten intern semnificativ. Exemplul de
simulare prezentat n continuare a fost conceput ca s pun n eviden aceste etape de analiz.
Problem de analiz i exemplu de simulare n SPICE
Alimentatorul din figura 2.44.a este echipat cu diode redresoare de tip 1N4001 i cu o
diod zener PL5V1Z ai crei parametrii UZ = 5,1V i rZ = 4 sunt determinai la IZ = 50mA.
Sursa de la intrare are o tensiune efectiv Ui =12V la frecvena industrial f = 50Hz. Cderea de
tensiune pe o diod n conducie se estimeaz a fi UD 0,8V. n condiiile n care dioda zener
lucreaz corect, s se determine: curentul continuu maxim ce poate fi furnizat de acest circuit
ntr-o sarcin rezistiv, ondulaiile tensiunii pe condensator i la ieire, pentru:
a) o rezisten intern nul a sursei de la intrare Ri 0;
b) o rezisten a sursei de la intrare Ri =10.
3
+ 2
Ri
4
R
50
500 F
a)
iR R
iO
DZ uO
RL
uC
ui
UZ
b)
Rezolvare:
a) Prin condiia ca dioda zener s lucreze corect se nelege c dioda zener
funcioneaz n regiunea de strpungere i deci n fiecare moment prin aceast diod circul
un curent iZ >0 (de la catod la anod). Aadar, maximul curentului continuu de ieire se va
determina din condiia ca valoarea instantanee a curentului prin dioda zener s fie pozitiv:
70
i Z = i R iO > 0
ntr-o prim aproximaie tensiunea pe dioda zener uZ = uO este constant, ceea ce face ca
i curentul prin sarcin s fie constant (pentru o rezisten de sarcin fixat). De aceea,
curentul de ieire maxim din relaia precedent se refer la maximul ce poate fi atins pentru
diferite valori ale rezistenei de sarcin, iar minimul curentului prin rezistena R se refer la
valoarea instantanee minim care apare pentru o anumit rezisten de sarcin. ntr-o prim
aproximaie curentul prin rezistena R nu depinde de valoarea rezistenei de sarcin (deoarece
tensiunea de ieire este meninut aproximativ constant de dioda zener) i curentul minim
prin rezistena R poate fi determinat din legea lui Ohm:
iR =
uC uO
R
i R min =
u C min u Z u C min U Z 0
=
.
R
R
S-a considerat cazul limit n care curentul prin dioda zener este nul (iO = iR min ) caz n care
uZ = UZ0 . Din analiza formei de und a tensiunii uC (care este practic identic cu forma de
und de la redresorul bialternan cu filtru capacitiv din figura 2.14) tensiunea uC min rezult:
u C min (= U vf U r _ vv ) = u C max u C cu
u C max U i _ vf 2 U D = 2 U i 2 U D .
Din
T
,
RLC
pentru
U vf
I
RL
u C I
T
,
2C
unde I este curentul mediu prin sarcin (aproximat n relaiile de mai sus pentru cazul
redresorului fr dioda zener). n cazul redresorului cu diod zener, sarcina redresorului poate
fi considerat conform circuitului echivalent din figura 2.44.b i curentul mediu rezult:
I=
U C U Z uC max U Z
=
R
R
2U i 2U D U Z 17 1,6 5,1
=
= 0,206A .
R
50
I T 0,206
=
10m = 4,12V ,
C 2 0,5m
Curentul minim prin rezistena R i rezistena de sarcin care corespunde acestui curent
(n cazul limit iO = iR min ) sunt:
i R min =
R L min =
U Z0
4,9
=
38 .
i R min 0,128
UZ0 , tensiunea din schema echivalent a diodei zener (figura 2.34.c sau 2.43), reprezint
intersecia caracteristici liniarizate a diodei zener din figura 2.34.b cu axa tensiunilor. Aceast
tensiune se calculeaz din relaia (2.72) particularizat pentru datele din acest exemplu:
U Z 0 = U Z rZ I Z = 5,1 4 50m = 4,9V .
Dup ce s-a determinat rezistena RL min se poate simula circuitul (la descrierea cruia
sunt necesare toate componentele acestuia deci i RL min). O parte din rezultatele simulrii sunt
prezentate n figura 2.45. Fiierul care descrie circuitul simulat este listat n figura 2.46.
71
3
3
4
0
0
2
1
2
1
5
9
0
4
2
2
3
4
1
0
0
5
9
0
1
.model
.model
+
.tran
.end
sin (0 17 50)
D1N4001
D1N4001
D1N4001
D1N4001
50
38
.5m
IC=14
D_id
4
4.9
D1N4001
D_id
D(Is=.1n n=.01)
D1N4001
D(Is=14n N=1.98 Rs=34m Ikf=94.8 Xti=3 Eg=1.11
Cjo=26p M=.44 Vj=.3245 Fc=.5 Bv=75 Ibv=10u Tt=5.7u)
10u
.1
.06
50u
Fig. 2.46. Fiierul (de tip text, comentat) care descrie: circuitul simulat,
modelele diodelor i parametrii regimului tranzitoriu simulat.
S-a utilizat numerotarea nodurile circuitului din figura 2.44.a.
Tab. 2.2. Comparaie simulare calcul ; tensiuni uC i parametri pentru calcul.
(RL =38)
uC max
(V)
uC min
(V)
uC
(V)
tnc
(ms)
tdesc
(ms)
UD (V)
(la uC max )
Simulare
Calcul (estimativ)
15,26
15,4
12,57
11,3
2,69
4,1
2,1
0
7,9
10
0,85
0,8
72
Qnc = Qdesc ,
C u C = I desc t
UC U Z
t desc
R
u C =
UC U Z
t desc .
RC
u C
U UZ
t desc
= u C max C
2
2 RC
UC =
u C max 2 RC + U Z t desc
.
2 RC + t desc
UZ0
i R min
cu
i R min =
u C min U Z 0 U C u C 2 U Z 0
.
=
R
R
Timpul tdesc poate fi preluat din prima simulare, se recalculeaz RL min dup formulele de
mai sus i se simuleaz din nou circuitul. Procedura se poate repeta apoi dac este cazul.
O alt procedur de lucru const din determinarea tdesc printr-un calcul iterativ. Se
consider iniial tdesc =T/2(=10ms), se calculeaz UC , uC i uC min apoi se calculeaz
unghiul de conducie al diodelor i timpul tdesc . Din relaiile anterioare:
UC =
u C =
13,7 5,1
10m = 3,44V ,
50 0,5
u C
3,44
= 13,7
= 12V .
2
2
Din analiza formei de und de la redresorul cu filtru capacitiv (figura 2.14) se calculeaz
unghiul de conducie al diodelor :
u C min (= U vf cos ) = u C max cos ,
= arccos
u C min
12
= arccos
= 0,68 rad
u C max
15,4
T 0,68
=
10m = 7,8ms .
Cu tdesc astfel obinut (sau preluat din simularea precedent, tdesc=7,9ms) se recalculeaz
tensiunea pe condensator, rezistena de sarcin i curentul continuu maxim de ieire:
UC =
u C min = U C
u C
2,78
= 14
= 12,6V ,
2
2
R L min =
UZ0
4,9
=
32
i R min 0,154
u C =
i R min =
14 5,1
7,8m = 2,78V ,
50 0,5
IO =
UZ
5,1
=
0,16A .
R L min 32
rZ || R L
rZ || R L + R
sau u O = u C
rZ || R L
4 || 32
= 2,78
= 0,185V .
rZ || R L + R
4 || 32 + 50
73
R iR
iO
UC
uc
uC
UZ0
iZ
rZ
uO
R
RL
uc
rZ
RL
uo
a) cc+ca
b) ca
Fig. 2.47. Scheme echivalente ale stabilizatorului cu diod zener.
U r _ vv
2 3
Uc
u C
2 3
2,78
2 3
= 0,8V i U o
u O
2 3
185
2 3
= 53mV
c =
U c 0,8
=
= 5,7% ,
U C 14
o =
U o 0,053
=
1,1% ,
UO
5
c 5,7
=
= 5,4 .
o 1,1
uC max
(V)
uC min
(V)
uC
(V)
Tnc
(ms)
tdesc
(ms)
uO
(V)
Simulare
Calcul (iterativ)
15,26
15,4
12,54
12,6
2,72
2,78
2,05
2,2
7,95
7,8
0,189
0,185
74
Cu uC min din figura 2.48 se calculeaz curentul minim prin dioda zener:
i Z min = i R min iO =
u C min U Z 0
U
12,54 4,9 4,9
Z0 =
= 0,1528 0,1531 0 .
R
R L min
50
32
Acest curent este practic nul i deci rezistena de sarcin cu care s-a fcut simularea (32 )
este intr-adevr valoarea minim admis (pentru care rezult curentul continuu maxim de
ieire la care dioda zener nc mai funcioneaz corect, adic n orice moment iZ >0).
n figura 2.49 sunt prezentate formele de und ale tensiunii de ieire pentru diferite valori
ale rezistenei de sarcin. Se constat c pentru rezistene de sarcin suficient de mari
ondulaia la ieire are practic aceeai form de und, iar pentru rezistena de sarcin de 30
(mai mic dect RL min ) forma de und prezint ondulaii suplimentare (dioda zener nu mai
lucreaz ca stabilizator, iZ =0 n intervalele de timp cnd tensiunea de ieire scade mai mult).
Rezolvare
b) Dac sursa de la intrare are o rezisten intern semnificativ, atunci
tensiunea medie pe condensator i semiunghiul de conducie al diodelor (n radiani) se
calculeaz cu relaiile (2.34), respectiv cu relaia (2.35) rescrise:
0,48 lg
Ri
+ 1,2 .
RC
Cu RC =
UC
IR
s-a notat rezistena echivalent la ieirea redresorului (la bornele capacitii). Aflarea oricreia
dintre mrimile de mai sus presupune rezolvarea unui sistem de ecuaii transcedental.
Se va utiliza o metod iterativ de calcul plecnd de la o valoare iniial estimat pentru
tensiunea UC . Datorit rezistenei interne a sursei, tensiunea pe condensator va fi mai mic
dect la punctul a al problemei. Se va estima UC =12V (n loc de 14V ct a fost la punctul a):
IR =
U C U Z 12 5
= 0,14A ,
R
50
0,48 lg
10
+ 1,2 = 0,75 rad ,
86
RC =
UC
12
=
= 86 ,
IR
0,14
75
u C min = U C
u C
2,7
11,3
= 10V ,
2
2
i R min =
u C min U Z 0 10 4,9
=
= 0,102A .
R
50
UZ0
= 48 ,
i R min
I O max =
UZ
5,1
=
= 106mA .
R L min 48
Simulare
Calcul (iterativ)
uC max
(V)
uC min
(V)
UC
(V)
uC
(V)
tnc
(ms)
uO max
(V)
UO min
(V)
uO
(V)
11,8
10,4
11,1
1,4
3,75
5,03
4,93
0,1
(10)
11,3
(2,7)
4,9
(0,18)
76
i Z min = i R min iO =
Deoarece acest curent este apropiat de zero, se poate considera c rezistena de sarcin cu care
a fost simulat circuitul (48) este RL min . Folosind rezultatele simulrii se pot calcula cerinele
problemei pentru punctul b. Curentul continuu maxim ce poate fi furnizat de circuit este:
I O max = I R =
u C
2 3
1,4
2 3
= 0,4V i U o
u O
2 3
0,1
2 3
= 29mV .
u C
2,7
=
= 15 .
u O 0,185
Concluzii:
1. Utilizarea programelor de simulare presupune cunoaterea modului de funcionare
a circuitului simulat pentru a calcula unele valori de componente necesare la simularea circuitului
(rezistena de sarcin RL min n acest caz) i mai ales pentru a interpreta rezultatele simulrii i a
extrage din multitudinea de rezultate puse la dispoziie de simulator pe cele necesare la calcularea
cerinelor problemei respective.
2. Comparnd cele dou cazuri analizate n problem, a i b, se constat c dac n unele
situaii (cazul a) problema poate fi rezolvat i fr simulare, n alte situaii (cazul b) analiza
detaliat a funcionrii ar conduce la ecuaii foarte complexe, care nu pot fi simplificate i pentru
care efortul de calcul este nejustificat de mare. n primul caz simularea circuitului este util att
pentru verificarea rezultatelor obinute (i implicit a metodei de calcul) ct i pentru reducerea
efortului de calcul manual. n cel de-al doilea caz simularea circuitului devine o necesitate, n lipsa
simulrii i cu un efort rezonabil de calcul se pot obine doar nite estimri ale rezultatelor a cror
eroare este apreciabil.
2.8.1
Dioda varicap
Dioda varicap se comport ca o capacitate controlat n tensiune. Aceste diode sunt n esen
jonciuni pn polarizate invers. Dependena capacitii de barier de tensiune este dat de relaia
(2.92); n cazul aa-numitelor jonciuni hiperabrupte, utilizate adesea la diodele varicap, indicele
m 0,75. Simbolul i schema echivalent a diodei sunt prezentate n figura 2.51.
rs
Cb
77
Aplicaie tipic
n figura 2.52 se prezint un circuit acordat de nalt frecven utilizat la receptoarele radio.
Frecvena de rezonan fr a circuitului acordat este determinat n principal de inductana L i de
capacitatea echivalent C dintre bornele inductanei:
fr =
1
2 LC
C = C1 +
Cb C 2
C1 + C b ,
Cb + C 2
(2.95)
relaie valabil pentru C2 >> Cb . Condensatorul C2 (ntrerupere de circuit n cc) este introdus pentru
ca bobina L s nu scurtcircuiteze dioda n cc. Rezistena R de polarizare a diodei (de ordinul zecilor
de k), este parcurs de curentul invers foarte mic al diodei (de ordinul nA). Cderea de tensiune
pe rezisten este foarte mic i tensiunea de polarizare UR se regsete practic nemodificat pe
diod.
Co
Tr
IN
C1 C2
Cb
OUT
R
UR
posibilitatea comenzii de la distan, deoarece tensiunea continu de comand este mai puin
sensibil la eventualele semnale parazite (care pot fi filtrate cu un condensator suplimentar);
Astfel de circuite se utilizeaz n benzile de ultra nalt frecven UIF la receptoarele radio
sau de televiziune. De exemplu, dioda BB122 care are Cb = 112pF pentru UR = 325V, cu
C1 =16pF i inductana L = 0,12H, permite reglarea frecvenei de rezonan ntre limitele:
fr =
1
2 LC
88K108 MHz ,
2.8.2
Dioda Schottky
iA
uA
78
Datorit timpului de comutare foarte mic, diodele Schottky se folosesc la aplicaiile de nalt
frecven (pn la 2GHz, de exemplu) i la circuitele de comutaie. Timpii de comutare foarte mici
i tensiunile mai reduse n conducie recomand diodele Schottky la aplicaiile de electronic de
putere (ca redresoare cu eficien ridicat).
2.8.3
Dioda tunel
Dioda tunel este format dintr-o jonciune p++ n++, cu regiunile p i n puternic dopate cu
impuriti. Datorit impurificrii puternice a celor dou regiuni, limea regiunii de trecere (RSS) a
jonciunii este foarte mic, de ordinul nanometrilor. n aceste condiii se petrece fenomenul cuantic
denumit efect tunel care const din traversarea statistic a barierei de potenial de electroni cu o
energie mai mic dect nlimea barierei.
iA
B
iA
a)
uA
Rd < 0
b)
C
uA
Curent de difuzie
Curent tunel
Simbolul i caracteristica static a diodei tunel sunt prezentate n figura 2.54. La tensiuni
mici (ntre punctele A i B ale caracteristicii) apare curentul tunel, dioda conduce, iar tensiunea de
strpungere este practic nul. ncepnd din punctul B, la creterea tensiunii directe apare o barier
de potenial i curentul tunel scade cu creterea tensiunii directe. Apare astfel o regiune de rezisten
dinamic negativ:
rD =
du A
< 0;
diA
(2.96)
creterea tensiunii duce la scderea curentului, invers dect la legea lui Ohm. ncepnd din punctul
C, curentul de difuzie al jonciunii crete ca la orice dioda polarizat direct.
Diodele tunel sunt realizate din germaniu sau galiu-arsen i se utilizeaz n oscilatoare de
frecven foarte nalt, de ordinul gigahertzilor, sau n circuite de comutaie foarte rapid.
79
R1
Rp
R2
uo
Dac se aplic un puls de tensiune circuitului rezonant paralel L-C-Rp (fr diod), n
circuit apare o oscilaie pe frecvena de rezonan a circuitului. Datorit energiei disipate pe
rezistorul Rp amplitudinea oscilaiei scade n timp, adic oscilaia este amortizat. Dac se
conecteaz dioda tunel n serie cu circuitul rezonant (conform figurii 2.55) i se polarizeaz n
centrul zonei de rezisten negativ a caracteristicii statice, atunci la ieirea circuitului vor rezulta
oscilaii ntreinute (cu amplitudine constant, neamortizate). Principial, rezistena dinamic
negativ a diodei compenseaz rezistena (pozitiv) a circuitului rezonant.
Polarizarea diodei este realizat de divizorul de polarizare R1, R2 alimentat de la sursa de
tensiune continu U; tensiunea de la ieirea divizorului (de pe R2) se regsete pe diod (deoarece
inductana L este un scurtcircuit n cc). Din punct de vedere energetic, energia de cc a sursei de
tensiune U este transformat n energie de ca furnizat circuitului rezonant.
2.8.4
Fotodioda
ntr-o jonciune pn expus la radiaii luminoase are loc generarea direct a purttorilor de
sarcin, electroni i goluri, care sunt separai sub aciunea cmpului electric intern E (electronii se
deplaseaz dinspre RSS spre zona n i golurile dinspre RSS spre zona p). Fenomenul este reprezentat
schematic n figura 2.56. Fotodiodele sunt n esen jonciuni pn, a cror capsul are o fereastr
pentru accesul luminii (adesea sub form de lentil pentru focalizare) n RSS a jonciunii.
E
i
+
R
iA < 0
uA
h (lumin)
a)
b)
Diodele lucreaz ca generatoare (sau n regim fotovoltaic) dac uA > 0 i iA < 0 (ca n figura
2.56.b) i n acest caz se mai numesc celule fotovoltaice dac aria jonciunii AJ < 1cm sau celule
solare dac AJ > 1cm. Aceste dispozitive realizeaz conversia direct a energiei luminoase n
energie electric. Randamentul tipic al conversiei este =1015%, tensiunea n gol pe o celul
este U0 0,55V iar curentul de scurtcircuit ISC 35mA/cm2 la E = 1000lux (iluminarea exterioar
specific unei zile noroase). Curentul de scurtcircuit este proporional cu iluminarea (mai exact cu
incidana luminoas E) pentru un domeniu foarte larg de iluminri, ISC = k E .
Contribuia purttorilor de sarcin generai datorit iluminrii este pus n eviden din punct
de vedere electric de curentul datorat iluminrii, IL = ISC = k E . Ecuaia jonciunii idealizate devine:
u
i A = I 0 exp A 1 I L ,
UT
cu
I L = iA
u A =0
= I SC
(2.97)
i reprezint ecuaia fotodiodei. Din aceast ecuaie se poate calcula tensiunea la mers n gol:
uA
i A =0
= U 0 = U T ln (I L I 0 1) .
(2.98)
80
Frecvena maxim la care poate fi utilizat fotodioda (de ordinul sutelor de kilohertzi pentru
diode uzuale) depinde de timpul de rspuns al fotodiodei. Fotodiodele cu multiplicare, utilizate
pentru transmisiile pe fibre optice, pot lucra la o frecven maxim de peste 30MHz.
iA
iA < 0
U0
D
uA
U
0
a)
b)
1V
U
I0
R
1
u A < 0 uR
2 (>1)
Fig. 2.57. Fotodioda ca fotodetector:
a) Schema de principiu la polarizare invers,
b) Caracteristicile statice i dreapta de sarcin.
(>2)
U/R
IL
caracteristica spectral care arat sensibilitatea diodei n funcie de frecvena radiaiei incidente
(fotodiodele pot avea maximul de sensibilitate la lumina vizibil sau n infrarou);
2.8.5
Dioda fotoemisiv
Dioda fotoemisiv se numete prescurtat LED (Light Emitting Diode diod cu emisie de
lumin). Funcionarea acestor diode are la baz electroluminiscena, care comport dou etape: un
proces de excitare, care const din injectarea de purttori minoritari ntr-o jonciune polarizat direct
i un proces de recombinare cu emisie de lumin.
Materialele uzuale folosite la fabricarea diodelor fotoemisive sunt: galiu-arsen (GaAs) cu
emisie n infrarou (IR), galiu-arsen-fosfor produce lumin roie sau galben i galiu-fosfor (GaP)
care produce lumin roie sau verde. Siliciul i germaniul nu se utilizeaz pentru LED-uri deoarece,
n cazul lor, recombinarea produce mai ales cldur iar emisia de lumin este practic inexistent.
LED-ul emite lumin dac i se aplic un curent direct suficient de mare; cantitatea de lumin
produs este direct proporional cu valoarea curentului direct ca n figura 2.58.a.
I =/ (mW/sr)
iA (mA)
30
20
a) 0
IA (mA)
10
20
30
40
rd mic
10
b) 0
uA (V)
1
IA
D
c)
UD
Fig. 2.58. Dioda fotoemisiv LED. a) Intensitatea luminoas (= flux luminos / unghi solid) funcie de
curentul direct; b) Caracteristica static; c) Schema de alimentare i simbolul LED-ului.
2.9 BIBLIOGRAFIE
81
Conform caracteristicii statice din figura 2.58.b tensiunea pe diod se modific foarte puin
la modificarea curentului i este aproximativ constant: UD = 1,82,4V (valoarea ei depinde de
tipul diodei). Ca urmare rezistena dinamic a diodei rd = duA /diA are o valoare redus i de aceea
este contraindicat alimentarea LED-ului direct de la o surs de tensiune o mic modificare a
tensiunii (sau a caracteristicii diodei) conduce la o modificare apreciabil a curentului (iA depinde
exponenial de uA ) i chiar la distrugerea diodei (dac se dep e te puterea maxim admis).
Soluia de circuit cea mai simpl este limitarea curentului prin LED cu un rezistor ca n figura
2.58.c:
U uA U UD
.
(2.99)
R
R
Curentul prin LED se alege de obicei n domeniul: IA = 5mA40mA, n funcie de tipul
diodei i de nivelul intensitii luminoase dorit.
IA =
2.9 BIBLIOGRAFIE
[1] Crciun A.V: - Dispozitive i circuite electronice, Ed. Univ. Transilvania Bra ov, 2003;
[2] Sedra Adel, Smith Kenneth Microelectronic Circuits, Oxford University Press, New York, 1998;
[3] Floyd Thomas Electronic Devices, Merrill Publishing Co. Columbus, Ohio, 1988;
[4] Piringer R. .a. Dispozitive electronice, Editura Didactic i Pedagogic Bucure ti,1976;
[5] Damachi E. .a. Electronic, Editura Didactic i Pedagogic (EDP) Bucure ti, 1979;
[6] Petru Alex. Dan .a. Diode cu siliciu, catalog, Editura Tehnic, Bucure ti, 1986;
[7] Sporea Dan, Brc tefan Optoelectronic, dispozitive i aplicaii, Editura Militar, Bucure ti,1983.
82
CAP. 3
TRANZISTOARE BIPOLARE
n prima parte a acestui capitol se introduc modelele cele mai simple ale tranzistoarelor
bipolare i cu ajutorul acestora se analizeaz cteva aplicaii uzuale i circuitele de polarizare ale
tranzistoarelor. Studiul regimului dinamic permite introducerea modelelor simple de regim dinamic,
cu care se analizeaz etajele de amplificare realizate cu un tranzistor.
Pe baza analizei structurii interne se explic funcionarea tranzistorului, se analizeaz
caracteristicile statice i se introduc modelele mai precise ale tranzistorului, modele utilizate la
simularea circuitelor cu tranzistoare.
Regimul de
funcionare
Activ normal
Saturaie
Blocare
Activ inversat
Funcionarea n regim activ normal (prescurtat RAN) este ntlnit n cazul aplicaiilor
liniare. n saturaie tranzistorul se poate aproxima cu un comutator nchis (uCE 0), iar n blocare cu
un comutator deschis (iC 0). Tranzistorul se utilizeaz n aceste dou regimuri la aplicaiile din
electronica digital i la circuitele de comutaie. Regimul activ inversat este ntlnit foarte rar.
Tranzistorul va fi analizat n regim activ normal. n RAN, jonciunea emitorului, dintre
emitor i baz, este polarizat n sensul conduciei. Jonciunea fiind asimetric (condiia 2), curentul
prin aceast jonciune se va datora ndeosebi purttorilor minoritari injectai n baz din emitor.
Aceti purttori vor difuza prin baz i cea mai mare parte a lor vor traversa baza fr a se
recombina (datorit condiiei 1) ajungnd la ce-a dea doua jonciune pn (numit jonciunea
colectorului), pe care o vor traversa, deoarece n RAN este polarizat invers (fiind favorizat astfel
conducia purttorilor minoritari). Astfel, prin jonciunea colectorului, dei polarizat invers, va
trece un curent mare, aproape ntreg curentul care trece prin jonciunea emitorului (care este
polarizat direct). Trecerea unui curent mare printr-o jonciune polarizat invers, datorit prezenei
unei jonciuni polarizat direct n vecintatea ei, constituie efectul de tranzistor. Aceste
tranzistoare se numesc tranzistoare bipolare deoarece funcionarea lor se bazeaz pe ambele
categorii de purttori (majoritari n regiunile extreme i minoritari n regiunea de mijloc).
Simbolurile tranzistoarelor de tip pnp, respectiv npn sunt prezentate n figura 3.1.
83
E
iE
uEB
iB
B
a) pnp
3.1.1
iC
C
C
iC
B iB
iE
E
uBE
b) npn
n regim activ normal jonciunea emitorului este polarizat direct i jonciunea colectorului
este polarizat invers. Pentru fixarea ideilor se va considera tranzistorul npn, caz n care:
u BE > 0 ;
u BC < 0 .
(3.1)
u CE > U CEsat ,
(3.2)
unde UD0 este tensiunea de deschidere a diodei baz-emitor (UD 0 0,5V la siliciu) i UCEsat este
tensiunea de saturaie a tranzistorului (cu o valoare uzual de cteva zecimi de volt).
n aceste condiii, datorit efectului de tranzistor, curentul de colector este aproape egal cu
cel de emitor:
cu = 0,98...0,998 ,
i = i
(3.3)
C
unde este factorul de amplificare n curent dintre colector i emitor. Efectul de tranzistor poate fi
modelat printr-un generator de curent comandat n curent.
IS /
iC
iE
E iE
+
iE
E iE
UBE
iC
iB
iC
Curentul de emitor circul prin jonciunea de emitor polarizat direct i depinde exponenial
de tensiunea de polarizare a jonciunii conform unei ecuaii de tipul ecuaiei exponeniale a diodei,
relaia (2.64). Tranzistorul poate fi privit ca o diod ntre baz i emitor i ca un generator de curent
(comandat n curent) n colector. Circuitul din figura 3.2.a este echivalent unui tranzistor npn.
iB
UBE
B
B
E
a)
b)
c)
Fig. 3.2. Modele de semnal mare n RAN pentru tranzistoare npn; a) circuit cu diod,
b), c) circuite echivalente simplificate dioda este nlocuit cu o surs de tensiune.
Din particularizarea relaiei (2.64) pentru jonciunea emitorului i din relaia (3.3), care arat
c iC iE , se obine ecuaia exponenial a tranzistorului. Pentru tranzistorul npn aceasta este:
u
iC = I S exp BE ,
(3.4)
UT
unde IS este o constant numit curent de saturaie al tranzistorului i UT (25mV la 290K) este
tensiunea termic. Curentul IS are valori tipice n domeniul 10 1510 12A (funcie de dimensiunea
tranzistorului) i depinde de temperatur (se dubleaz la circa 5C cretere a temperaturii).
O simplificare a schemei echivalente din figura 3.2.a, se obine nlocuind dioda dintre baz
i emitor cu o surs de tensiune constant. Aceast nlocuire este posibil deoarece tensiunea bazemitor se schimb relativ puin la modificarea curentului de colector. Astfel, pentru un curent prin
tranzistor IC = zecimi de mA sute de mA, rezult UB E =0,60,8V(n cazul tranzistorului cu
siliciu). Se consider cel mai adesea o tensiune constant: UB E 0,7V i se obine astfel modelul
simplificat al TB din figura 3.2.b, care asigur o precizie suficient pentru circuitele uzuale.
84
(3.5)
iC (1 ) = i B ;
iC =
i B sau
1
iC = i B ;
(3.6)
,
1
(3.7)
reprezint factorul de amplificare n curent dintre colector i baz. innd seama de valorile pentru
, relaia (3.3), rezult = 50500 cu valori uzuale =100300. Se observ dispersia mare a
amplificrii colector-baz i se reine faptul c aceast amplificare este mult supraunitar.
La tranzistoarele pnp se inverseaz sensul tensiunilor i al curenilor, conform cu sensurile
din figura 3.1.a. Astfel, se inverseaz indicii tensiunilor din relaiile (3.1) (3.2) i (3.4); de exemplu,
pentru ca tranzistorul pnp s fie practic n RAN relaia (3.2) devine:
u EB > U D 0 ;
u EC > U ECsat ,
(3.8)
u EB
.
UT
(3.9)
a)
E iE UEB
iC C
b)
iB
UEB
IS /
iC C
iE
iE
iB
c)
iC
Fig. 3.3. Modele de semnal mare n RAN pentru tranzistoare pnp; a) circuit cu diod,
b), c) circuite echivalente simplificate dioda este nlocuit cu o surs de tensiune.
Indiferent de tip, tranzistorul bipolar n RAN este un dispozitiv care controleaz curentul de
colector. Controlul liniar al curentului de colector se poate realiza n dou moduri:
- prin curentul de emitor i
- prin curentul de baz.
La analiza unui circuit cu tranzistoare, se identific modalitatea de control (din emitor sau
din baz), se utilizeaz unul dintre modelele din figura 3.2 sau 3.3 i se verific, cu relaiile (3.2)
sau (3.8), n ce msur tranzistorul i pstreaz regimul activ normal de funcionare la eventuala
modificare a semnalelor.
85
3.1.2
n regim de blocare ambele jonciuni ale TB sunt polarizate invers (conform tabelului 3.1).
n cazul tranzistorului npn aceasta nseamn:
u BE < 0 i u BC < 0 .
(3.10)
n practic se admite c tranzistorul este blocat chiar dac jonciunile tranzistorului sunt
polarizate direct dar cu o tensiune mai mic dect tensiunea de deschidere a diodelor respective,
ceea ce se reduce n cazul tranzistorului npn, la relaiile:
u BE < U D 0 ;
u CE > 0 ,
(3.11)
unde UD0 este tensiunea de deschidere a diodei baz-emitor (UD0 0,5V la siliciu). n acest caz
curenii prin tranzistor sunt foarte mici, cel mult de ordinul microamperilor, neglijabili pentru
majoritatea aplicaiilor practice. Se pot utiliza relaiile aproximative:
iB 0 ,
iC 0 ,
iE 0 ,
(3.12)
u EC > 0 ,
(3.13)
n concluzie, un tranzistor blocat nu are nici un efect n circuitul n care apare i poate fi
ters din acel circuit.
3.1.3
Trecerea din regimul de blocare n regim activ normal are loc gradat prin modificarea
tensiunii pe jonciunea emitorului de la UD 0 0,5V la UD 0,7V i poate fi analizat cu ajutorul
ecuaiei exponeniale a tranzistorului, relaia (3.4) sau (3.9). Caracterul neliniar al acestei ecuaii
face nepractic utilizarea ei n la analiza circuitelor obinuite.
iE i C
C
E iE
UD
a)
UD
B
uCE >UCEsat
iB
iC C
Modelele simplificate din figura 3.4 i 3.5 pot fi utilizate att n regim de blocare ct i n
regim activ normal. Trecerea de la un regim la altul are loc prin modificarea strii diodei ideale din
circuitul echivalent (ca i la modelul diodei cu tensiune de prag). Aceast simplificare conduce la
micorarea preciziei mai ales n domeniul curenilor mici, la limita dintre blocare i RAN.
iB
b)
iC
uBE
c)
0 UD
Fig. 3.4. Circuite echivalente simplificate pentru tranzistoare npn valabile n RAN i n blocare,
comandate: a) n emitor, b) n baz ; c) caracteristica de transfer idealizat.
Circuitele echivalente prezentate nu sunt valabile n saturaie i n regim activ inversat, ceea
ce impune o condiie suplimentar:
u CE > U CEsat pentru npn,
respectiv
(3.14)
86
unde UCEsat sau UECsat este tensiunea de saturaie a tranzistorului npn, respectiv pnp (cu o valoare
uzual de cteva zecimi de volt).
iC
E
u >U
UD
E iE
iE
ECsat
iC C
UD
EC
iB
iC
iB
uEB
0 UD
c)
B
a)
B
b)
C
Fig. 3.5. Circuite echivalente simplificate pentru tranzistoare pnp valabile n RAN i n blocare,
comandate: a) n emitor, b) n baz ; c) caracteristica de transfer idealizat.
3.1.4
n regim de saturaie ambele jonciuni ale TB sunt polarizate direct (conform tabelului 3.1).
n cazul tranzistorului npn aceasta nseamn:
u BE > 0 ;
u BC > 0 .
(3.15)
Tranzistorul bipolar intr n regim de saturaie dac n baza tranzistorului se foreaz din
exterior un curent mai mare dect curentul de baz necesar pentru meninerea curentului de colector
al tranzistorului:
i
iB > C ,
(3.16)
UBEsat
UCEsat
UBE
UEBsat
B
+
UECsat
B
E
b)
c)
Fig. 3.6. Scheme echivalente pentru tranzistorul bipolar saturat:
a) tranzistor npn, b) schem simplificat pentru npn, c) tranzistor pnp.
a)
Tensiunea de saturaie a tranzistorului UCEsat are o valoare uzual de cteva zecimi de volt;
n cazul tranzistoarelor de mic putere se poate considera UCEsat 0,2V. La o analiz simplificat a
circuitelor care conin tranzistoare saturate se poate considera tensiunea de saturaie a tranzistorului
ca fiind nul, mai ales dac tensiunile din circuitul colectorului au valori mai mari dect civa voli.
n acest caz circuitul echivalent al tranzistorului se simplific i devine cel din figura 3.6.b.
Tensiunea baz-emitor a tranzistoarelor n saturaie are de obicei valori mai mari dect n RAN
UBEsat = 0,7...0,9V. Pentru simplitate se consider tensiunea baz-emitor cu aceeai valoare din
RAN: UBEsat UBE 0,7V.
Pentru a realiza o saturaie ferm a tranzistorului, raportul dintre curentul de colector i cel
de baz, numit factor de amplificare forat (de circuitul exterior tranzistorului):
fortat =
se alege de obicei
iC
<,
iB
fortat = 10 K 20 << .
(3.17)
(3.18)
87
3.2.1
Inversorul de tensiune n forma lui cea mai simpl este prezentat n figura 3.7. Sursa de
tensiune de la intrare se conecteaz ntre baz i emitor (prin intermediul rezistenei RB ) iar ieirea
se preia ntre colector i emitor. Emitorul este conectat la mas i este comun intrrii i ieirii; se
spune despre tranzistor c este n conexiunea emitor comun.
uI
uBE
UBE
uI
RC
iC
+
UCC
uO
RB iB
iB
iB
uO
RB
i C RC
UCC
a)
b)
Fig. 3.7. Inversorul cu tranzistor bipolar: a) schema de principiu,
b) schema echivalent cu tranzistorul n RAN.
(3.20)
unde cu UCC s-a notat tensiunea sursei de alimentare a circuitului. Se consider cazul uzual n care
este ndeplinit condiia,
U CC >>UD 0 ,
(3.21)
unde UD 0 0,5V este tensiunea de deschidere a unei diode cu siliciu (jonciunea baz-emitor).
Pentru tensiuni de intrare mici (u I <UD0 ) tranzistorul este blocat, curenii prin tranzistor
sunt neglijabili i tensiunea de ieire are o valoare ridicat:
u O = U CC RC iC U CC ,
(iC
0) .
(3.22)
Pentru tensiuni de intrare suficient de mari, tranzistorul intr n saturaie. n acest caz
tensiunea de ieire este mic:
u O = U CEsat ( 0,2V) ,
(3.23)
88
U CC U CEsat U CC
(= I C max ) .
RC
RC
(3.24)
Intrarea n saturaie a tranzistorului are loc dac se injecteaz n baza acestuia un curent mai
mare dect cel necesar pentru a susine curentul din colector. Condiia (3.16), de intrare n saturaie,
devine:
R
u U BE iC U CC
>
u I > U BE + B U CC .
iB = I
(3.25)
RC
RC
RB
Tensiunea baz-emitor a tranzistorului s-a considerat constant, UB E (=UD 0,7V).
Cele dou situaii extreme: tranzistorul blocat i respectiv tranzistorul saturat sunt utilizate la
circuitele care lucreaz n comutaie sau n cazul circuitelor logice. n acest ultim caz, dac se aloc
valoarea logic 0 pentru tensiuni mici (apropiate de zero voli) i valoarea logic 1 pentru
tensiuni ridicate (apropiate de UCC ) se observ c valoarea logic de ieire este inversul valorii
logice de intrare; circuitul cu tranzistor realizeaz funcia de inversare sau negare logic.
Dac tensiunea de intrare are valori medii, atunci tranzistorul va funciona n regiunea activ
normal (RAN). Tranzistorul se comport ca o surs de curent controlat din circuitul bazei i de
aceea se prefer utilizarea schemei echivalente din figura 3.3.c. Schema echivalent a inversorului
este prezentat n figura 3.7.b. Funcionarea circuitului poate fi descris cu relaiile (3.6), (3.19) i
(3.20), relaii din care se obine caracteristica de transfer a circuitului:
u O = U CC RC i B = U CC RC
u I U BE
.
RB
(3.26)
Exemplu
dioda baz-emitor este blocat: uB E <UD adic uI <UD . Dac tranzistorul este blocat, iC 0 i
conform (3.22) rezult:
u O = U CC RC iC U CC = 5V , pentru u I < 0,7 V .
Pentru uI >0,7V dioda baz-emitor este n conducie i tranzistorul poate fi n RAN sau n
saturaie. Dac uO >0,2V, tranzistorul este n RAN i caracteristica de transfer este dat de
(3.26):
u O = 5 1k 100
u I 0,7
= 12 10 u I [V] , pentru 12 10 u I > 0,2 u I < 1,18V .
10k
89
Blocare
RAN
0,2
0
Saturaie
uO [V]
uI [V]
0,7 1 1,18
Problem de proiectare
R1
1k
uI
+UCC
+5V
iC
iB
uO
R2 uBE
Rezolvare:
R2
sau
R1 + R2
uI
R
= 1+ 1 .
u BE
R2
La limita ieirii din blocare, conform relaiei (3.11): uBE =UD 0 =0,5V i trebuie ca
uI =1V (conform enunului). Din relaia precedent rezult:
R1
u
1
= I 1 =
1 = 1
0,5
R2 u BE
R1 = R2 .
La limita intrrii n saturaie (uI = 2V), conform relaiei (3.25), curentul iB necesar este:
iB
U CC
5
=
= 0,05 mA .
RC 100 1k
90
i R1 = i R 2 + i B =
U BE
+ iB ,
R2
u I U BE
.
R1
R2 i B = u I 2U BE , R2 =
RTh = R1 || R2 =
R2
.
2
O alt modalitate de rezolvare este nlocuirea circuitului conectat la intrare (ntre baz
i emitor) cu sursa Thvenin echivalent conform figurii alturate. Parametrii sursei Thvenin
sunt:
R1
RTh iB
iB
R2
uI
=
,
uTh = u BE i =0 = u I
B
R1 + R2
2
uI
uTh
uBE
R2 uBE
Fig. 3.10. Echivalarea Thvenin la intrare
RTh RC Th
= 100 1k
= 6k , R2 = R1 = 2 RTh = 12k
RTh
RC
U CC
5
b) Pentru =300, la limita intrrii n saturaie (uI = 2V), curentul iB necesar este:
iB
U CC
5
=
= 0,0167 mA ,
RC 300 1k
iar tensiunea de intrare la care apare acest curent (pentru R 1 =R2 =12k) se poate calcula din:
u I U BE U BE
=
+ iB
R1
R2
Folosind sursa Thvenin echivalent se obine acelai rezultat (cu mai puine calcule):
uTh = RTh i B + U BE = 6k 0,167m + 0,7 = 0,8V ,
u I = 2 uTh = 1,6V
3.2.2
91
ambiante sub un anumit prag. Contactele de for ale releului pot fi utilizate de exemplu pentru
cuplarea automat a sistemului de iluminare de siguran. Ca senzor de lumin este utilizat
fotorezistena FR component semiconductoare a crei rezisten scade la creterea iluminrii
(datorit purttorilor de sarcin generai optic). Prin modificarea rezistenei R 1 se poate ajusta
pragul de declanare. Dioda D are rolul de a crea o cale de curent pentru tensiunea de autoinducie
care apare la decuplarea releului (n momentul blocrii tranzistorului). n lipsa diodei aceast
tensiunea ar putea duce la strpungerea tranzistorului.
+UCC
Rel.
Exemplu de proiectare
R1
iC
iB
FR uBE
Rezolvare:
Declanarea releului se produce la apariia tensiunii de prag pe releu. Curentul prin releu
este curentul de colector al tranzistorului i poate fi calculat cu legea lui Ohm (la cuplarea
releului dioda D este blocat). Curenii prin tranzistor sunt:
iC =
UP
6
=
= 6mA ,
R Rel 1k
iB =
iC
6m
= 0,06mA .
100
Acest curent de baz trebuie s apar pentru RFR = 5k. Curentul prin fotorezisten i
rezistena R 1 necesar se pot determina prin aplicarea succesiv a legii lui Ohm:
i FR =
U U BE
U BE 0,7
11,3
=
= 0,14mA , i R1 = i B + i FR = 0,2mA , R1 = CC
=
56k .
i R1
0,2m
R FR
5k
Dac factorul de amplificare crete, curentul necesar n baza tranzistorului scade, curentul
prin R 1 nu se modific i deci cuplarea releului se va produce pentru o alt valoare a
fotorezistenei:
= 0,2m
6m
= 0,17 mA ,
200
R FR1 =
U BE
0,7
=
= 4,12k .
i FR1 0,17 m
iR1
R1
iFR
RFR
iB
UBE
Observaii: 1. Pentru aplicaia propus modificarea
fotorezistenei de la 5k la circa 4k este acceptabil;
declanarea releului optic se va produce la un nivel de iluminare
ceva mai ridicat dac factorul de amplificare al tranzistorului este mai mare.
iC
RRel
+
iC
i FR1 = i R1
UCC
iB
92
3.2.3
Sursa de curent constant menine curentul ntr-o ramur de circuit la o valoare fixat.
Teoretic, valoare acestui curent nu depinde de tensiunea dintre bornele sursei de curent. Sursele de
curent se pot realiza prin conectarea sarcinii n circuitul de colector al unui tranzistor bipolar care
funcioneaz n RAN i la care curentul de emitor este meninut constant. Funcionarea unui astfel
de circuit se bazeaz pe egalitatea dintre curentul de colector i curentul de emitor la TB n RAN.
Sursa de curent constant poate s absoarb curent (pe care l conduce de obicei la mas) sau
poate s furnizeze curent de la o surs de tensiune spre circuitul de sarcin (sarcin care de obicei
este conectat la mas). Schemele bloc ale unor astfel de configuraii sunt prezentate n figura
3.12.a i b (circuitele de sarcin sunt reprezentate simbolic de rezistena RL ).
RL
IC
Circuitele cu tranzistoare absorb un curent constant IC din sursa de tensiune UCC prin
sarcina RL spre mas (cazul a), respectiv furnizeaz un curent constant din sursa de tensiune prin
sarcina conectat la mas (cazul b). Din punct de vedere energetic circuitele realizeaz conversia
tensiune-curent, preiau energia de la o surs de tensiune i o transform n curent prin sarcin.
+UCC
UCC
RL
IC
R1
R1
IC
D
RL
b)
RE
c)
R2
+UCC
RE
R1
IC
T
D
R2
a)
+UCC
RL
IC
D2
RE
d)
RL
e)
Fig. 3.12. Surse de curent constant cu TB: a), b) scheme bloc; scheme de principiu:
c), d) cu tranzistoare npn absorb curent i e) cu tranzistor pnp injecteaz curent.
Schemele de principiu ale surselor standard de curent constant care absorb, respectiv
injecteaz curent sunt prezentate n figura 3.12.c, d respectiv e. La dimensionarea acestor surse
trebuie respectate urmtoarele condiii:
-
Tranzistorul trebuie s fie nesaturat (se asigur astfel egalitatea curenilor prin tranzistor: IC IE ,
deoarece tranzistorul nesaturat are un factor de amplificare mare, sau 1); condiia de
nesaturare este relaia (3.14) corespunztoare tipului tranzistorului utilizat.
Curentul prin circuitul de polarizare al bazei trebuie s fie mult mai mare dect curentul de baz;
o condiie rezonabil este:
I R1 > 0,1 I C .
(3.27)
U RE
RE
, U RE + U BE = U R 2 + U D ; U D U BE U RE U R 2 i I E
U R 2 = R2 I R 2 ;
U R2
.
RE
pentru
U CC U D
R (U U D )
,
U R 2 = 2 CC
R1 + R2
R1 + R2
U U D
R2
.
CC
R1 + R2
RE
93
I R1 >> I B I R 2 = I R1 I B I R1
i n final se obine:
IC I E
(3.28)
(3.29)
fie cderea de tensiune maxim pe circuitul de sarcin (sau valoarea maxim a rezistenei de
sarcin) dac tensiunea UCC este impus:
U U CEsat
RE .
U RL < U CC U CEsat R E I C sau R L < CC
(3.30)
IC
n cazul generatorului cu tranzistor pnp din figura 3.12.e relaiile precedente nu se modific
exceptnd nlocuirea tensiunii UCEsat cu tensiunea de saturaie specific tranzistorului pnp, UECsat .
Relaia de calcul a curentului de ieire din surs (3.28) este aceeai indiferent de tipul
tranzistorului. Din aceast relaie se remarc proporionalitatea dintre curentul de ieire i tensiunea
de alimentare; aceasta indic dependena curentului IC de tensiunea UCC . Pentru a obine o relativ
independen a curentului de ieire de tensiunea de alimentare, se poate utiliza schema din figura
3.12.d (n locul celei din figura 3.12.c). Se poate demonstra uor c:
IC
UD
,
RE
(3.31)
94
Rezolvare:
+1
I C = I nc .
= I C
RE se dimensioneaz cu legea lui Ohm:
I E = IC + I B = IC +
RE =
U RE
IE
U RE
I nc
IC
R2
UCC
UD
IR1
RE
IE
IB
R1
IB
UEB
Iinc
+
IR2
Acu
2...3
= 20...30 . Se alege valoarea standardizat: RE =22.
0,1
2
= 22 0,12 = 0,22 W .
Puterea disipat de rezistena de emitor este: PdRE = R E I nc
IC
min
I nc
min
0,1
= 0,001A = 1mA
100
I R1 >> I B
R E I nc = R2 I R 2
R2 =
RE I nc 22 100m
=
= 220...110 .
10...20m
I R2
RE I nc 22 100m
=
15mA .
R2
150
Rezistena R1 se determin din T2K scris pentru divizorul din baza tranzistorului:
U CC = R2 I R 2 + U D + R1 I R1
R1
U CC U D
12 0,7
R2 =
150 = 603 .
I R1
15m
Puterea disipat maxim s-a calculat considernd cazul cel mai defavorabil, un scurtcircuit n
locul acumulatorului, caz n care tensiunea UEC este maxim.
Tensiunea maxim care poate s apar pe sarcin n regim normal de funcionare se
calculeaz din T2K atunci cnd tranzistorul este la limita practic a RAN (uEC = UECsat ):
U C max = U CC RE I nc U ECsat = 12 22 0,1 0,3 = 9,5V .
n concluzie, tranzistorul trebuie ales astfel nct s poat disipa 1W i acest circuit poate
furniza un curent constant de 0,1A dac tensiunea pe sarcin este mai mic dect 9,5V.
95
3.2.4
Stabilizatorul de tensiune este un circuit la ieirea cruia se obine n mod ideal o tensiune
constant. Practic, tensiunea de ieire trebuie s depind ct mai puin de curentul furnizat sarcinii,
de tensiunea de intrare i de temperatur, cu condiia ca acestea s se ncadreze ntre anumite limite.
Tranzistorul este elementul regulator n sensul c preia variaiile tensiunii de intrare i ale
curentului de ieire. El poate fi conectat ntre sursa de intrare i sarcina de la ieire (n serie cu
sarcina), caz n care circuitul este denumit stabilizator serie, sau poate fi conectat n paralel cu
sarcina, caz n care circuitul se numete stabilizator paralel (sau derivaie). Schemele de principiu
pentru aceste configuraii sunt prezentate n figura 3.13.a i respectiv b. Tensiunea de referin URef
este o tensiune constant care determin tensiunea de ieire n cele dou cazuri conform relaiilor:
a ) u O = U Ref U BE ,
URef
uI
iO
b) u O = U Ref + U BE .
uO RL
URef
uI
a)
iO
u
T O
(3.32)
Fig. 3.13. Scheme de
principiu pentru:
a) configuraia serie
b) configuraia paralel.
RL
b)
ntruct tensiunea UBE este aproximativ constant, rezult o tensiune de ieire uO care este
aproximativ constant. Avantajul adus de aceste configuraii de circuit este curentul mic solicitat
din sursa de tensiune constant URef . Aceast surs este realizat practic ca stabilizator de tensiune
cu diod Zener sau cu ajutorul unui circuit integrat specializat de mic putere.
uO
RL
uI
iR iB
iZ
UBE
UZ
UZ
uI
uO
RL
a)
b)
Fig. 3.14. Stabilizatorul de tensiune serie cu tranzistor i diod Zener:
a) Schema de principiu, b) Schema echivalent simplificat (valabil pentru iZ >IZm ).
Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor din figura 3.14.a se bazeaz pe circuitul din figura
3.13.a, la care sursa de tensiune de referin URef este nlocuit cu stabilizatorul parametric compus
din R i D. Curentul de ieire pentru stabilizatorul parametric este curentul de baz al tranzistorului
iB , iar curentul de ieire din stabilizator iO este curentul de emitor al tranzistorului. Relaia dintre
curentul de emitor i curentul de baz al tranzistorului se obine din (3.5) i (3.6):
iO = i E = iC + i B = i B + i B = ( + 1) i B
i deci
iB =
iO
.
+1
(3.33)
(3.34)
(3.35)
96
unde IZm este curentul minim de stabilizare i IZM este curentul maxim de stabilizare. Pe baza
schemei echivalente din figura 3.14.b se pot calcula limitele tensiunii de intrare i ale curentului de
ieire pentru care circuitul ndeplinete funcia de stabilizator de tensiune. Astfel, pentru un anumit
curent de ieire IO , considerat constant, tensiunea de intrare trebuie s fie:
I
u I U Z + R I Zm + O ,
+1
iar pentru o anumit tensiune de intrare UI , constant, curentul de ieire trebuie s fie:
U UZ
iO I
I Zm .
R
(3.36)
(3.37)
u I U Z iO
;
i Z min =
u Imin U Z iO max
I Zm .
min
R
Din relaia anterioar rezult rezistena maxim (pentru care stabilizatorul funcioneaz
corect i ncrcarea diodei zener este minim):
R
u I min U Z
12 6,8
=
= 0,52k = 520 .
I Zm + iO max min 5m + 500m 100
(u I
U Z )2
,
R
PdR max =
(u I max
U Z )2 (15 6,8)2
=
0,13W .
R
520
Se verific dac dioda zener suport curentul maxim care poate s apar:
i Z max =
=
0 16mA < I ZM (= 70mA ) .
R
520
97
U Z iO min
u
PdZ max = U Z i Z max = U Z I max
15 6,8
= 6,8
0 0.12 W .
470
c) n cazul unui scurtcircuit la ieire tensiunea pe tranzistor este egal cu tensiunea de intrare
i curentul prin tranzistor crete foarte mult:
u CEsc = u I u O = u I 0 = u I ,
iCsc = i Bsc =
u I U BE
R
S-a utilizat valoarea mai mic a factorului de amplificare deoarece curentul prin tranzistor
are o valoare mare (1,5A), valoare la care factorul scade (conform enunului).
Observaii: 1. Circuitul se dimensioneaz astfel nct curentul prin dioda zener s fie
mai mare dect curentul minim admisibil, ct timp tensiunea de intrare i curentul de ieire se
menin n limitele prestabilite.
2. Pentru stabilizatorul serie, tranzistorul este componenta de circuit care preia diferena
de putere dintre intrare i ieire. n cazul unui scurtcircuit la ieire, puterea disipat de
tranzistor crete foarte mult (de circa 5 ori la circuitul analizat) i pentru a prentmpina
distrugerea tranzistorului, n circuitele reale trebuie prevzut un mecanism de limitare a
curentului de scurtcircuit.
3.2.5
Prin amplificare se nelege operaia de mrire a puterii unui semnal n condiiile pstrrii
formei acestuia. Mrirea puterii unui semnal electric se face pe seama energiei furnizat de sursa de
alimentare. Circuitul electronic care realizeaz operaia de amplificare se numete amplificator.
Unul dintre cele mai simple amplificatoare poate fi realizat cu ajutorul inversorului cu un
tranzistor. Dup cum s-a artat n paragraful 3.2.1, dac tranzistorul din circuitul inversor
funcioneaz n regim activ normal, atunci caracteristica de transfer a circuitului este liniar, relaia
(3.26), ceea ce indic o proporionalitate ntre semnalul de ieire i cel de intrare al inversorului.
Pentru a transforma inversorul cu tranzistor n amplificator trebuie s se aplice semnalul variabil la
intrarea inversorului i s se preia variaiile semnalului de la ieire. Un astfel de inversor, modificat
pentru a funciona ca amplificator, este prezentat n figura 3.15.a.
ui
UI
uI
u BE
uO uo
UCC
RC
RB iB
ui
UI
iC
uI
UBE
iB
iC
RB
RC
iB
UCC
uO
a)
b)
Fig. 3.15. Amplificator de tensiune obinut prin modificarea inversorului cu tranzistor:
a) Schema de principiu, b) Schema echivalent simplificat (valabil pentru uI >UBE ).
Prin nserierea surselor la intrare se obine o tensiune uI care are o component UI de cc (sau
de polarizare) i o component ui de ca (sau de semnal, cu o valoare medie nul):
98
u I = U I + ui .
(3.38)
U I + u i U BE
.
RB
(3.40)
U I U BE
.
RB
(3.41)
Din relaiile (3.39), (3.40) i (3.41) se pot determina tensiunea de semnal la ieire i
amplificarea n tensiune realizat de circuit:
u o = u O U O = RC
ui
,
RB
au =
uo
R
= C .
ui
RB
(3.42)
Semnul din expresia amplificrii indic un defazaj de 180 ntre semnalul de ieire i
semnalul de intrare n amplificator (de exemplu, atunci cnd semnalul de intrare atinge valoarea
maxim amplitudinea pozitiv, semnalul de ieire va atinge amplitudinea negativ).
Valoarea amplificrii n tensiune depinde de rezistenele din circuit (RC i RB ) i de factorul
de amplificare n curent al tranzistorului . Pentru a obine o amplificare ct mai mare trebuie ca
rezistena RB s fie ct mai mic (conform relaiei precedente, amplificarea devine infinit pentru
RB =0). Dac RB =0, atunci semnalul de intrare se aplic direct n baza tranzistorului i tensiunea
uBE se modific (datorit tensiunii variabile ui ). Conform modelului simplificat al tranzistorului,
utilizat anterior, tensiunea uBE =UBE =ct. nu se modific. Aceast aparent imposibilitate (ca uBE s
fie variabil i constant n acelai timp) indic de fapt c modelul simplificat al tranzistorului nu
poate fi utilizat (pentru RB mici) i trebuie utilizat un model mai precis, de exemplu modelul
exponenial, dat de ecuaia (3.9) a tranzistorului. Pe baza modelului exponenial se va face analiza
funcionrii tranzistorului n regim dinamic (ntr-un paragraf urmtor).
Limitele ntre care amplificatorul funcioneaz liniar sunt date de intrarea tranzistorului n
blocare (uO UCC ), respectiv n saturaie (uO 0). Pentru a obine un domeniu maxim de variaie a
tensiunii de ieire, n cazul unui semnal simetric (de exemplu sinusoidal), trebuie ca tensiunea de
ieire fr semnal UO (tensiunea de polarizare la ieire) s aib valoarea medie a celor dou limite:
U CC
.
(3.43)
2
Dup cum se poate constata din relaia (3.40) tensiunea continu UO (de polarizare la ieire)
depinde de tensiunea de polarizare a intrrii UI i de factorul de amplificare al tranzistorului .
UO
99
Exemplu de analiz
RC
1k
= 200
= 20
RB
10k
U I U BE
1,2 0,7
= 20 200 1k
= 10V ,
RB
10k
uO max = 20 200 1k
1k
= 10 ,
10k
U O = 20 100 1k
1,2 0,7
= 15V ,
10k
1k
= 30 ,
10k
U O = 20 300 1k
1,2 0,7
= 5V .
10k
Concluzii:
1. Circuitul analizat este un amplificator inversor; amplific semnalul de intrare (de cteva
zeci de ori n exemplul analizat) i inverseaz faza semnalului de ieire fa de semnalul de intrare.
3. Acest amplificator utilizeaz dou surse de alimentare (UCC i UI ) pentru polarizarea
tranzistorului; n practic sunt preferate amplificatoarele cu o singur surs de alimentare.
2. La acest amplificator realizat pe baza inversorului cu tranzistor, ambele mrimi de interes,
att amplificarea ct i tensiunea de polarizare a ieirii, depind pronunat de factorul de amplificare
n curent al tranzistorului .
Circuitele electronice robuste i precise sunt acelea a cror funcionare depinde ct mai puin
de variaiile posibile ale componentelor de circuit n general i de valoarea factorului n special.
Studierea amplificatorului realizat pe baza inversorului cu tranzistor (ai crui parametrii depind
foarte mult de ) va fi aprofundat n dou direcii: prin studiul circuitelor de polarizare a
tranzistoarelor i prin analiza funcionrii n regim dinamic a tranzistoarelor.
100
3.3.1
UBB
UBE
UBB
a)
RC
iC
iB
UCC
UBB
RB iB
b)
UCC
iB
RB
R B iB B
RC
iC
UCC
iC
RC
c)
Mrimile electrice specifice tranzistoarelor (curenii n acest caz) sunt notate n figur cu
liter mic (cu indice liter mare) pentru a simboliza caracterul variabil al acestora, n sensul c,
aceste mrimi (de cc sau cc+ca) sunt determinate de componentele circuitului. Curenii i tensiunile
de polarizare, fiind mrimi de cc, se vor nota n formule cu liter mare (cu indice liter mare).
Punctul static de funcionare se poate determina din schema echivalent (simplificat) a
circuitului, reprezentat n figura 3.16.b. Se presupun cunoscui parametrii statici ai TB, i UBE.
Dac nu se cunosc, se pot considera valori n intervalele: UBE = 0,6...0,8V i = 100...500 pentru
tranzistoarele uzuale (siliciu, de mic putere). Se observ dispersia mare a valorii factorului de
amplificare . n lipsa unor informaii mai precise despre parametrii TB, se poate considera o
estimare iniial pentru acetia la o valoare medie a intervalelor precizate.
Curentul de baz se determin aplicnd T2K pe bucla de intrare:
IB =
U BB U BE
.
RB
(3.44)
(3.45)
101
U CE = U CC R C I C .
La tranzistoarele de tip pnp, calculele se fac cu relaiile de mai sus, n care tensiunile pe
tranzistor se consider cu sensul schimbat astfel nct s rezulte n mod normal pozitive: UEB > 0 n
loc de UBE i UEC > 0 n locul tensiunii UCE. Sensurile curenilor sunt inversate (curentul intr n E
i iese prin C) conform figurii.
3.3.2
3.3.3
+
+
Polarizarea tranzistorului conectat cu baza la mas se poate realiza cu schemele din figura
3.17. Pentru determinarea psf n cazul tranzistoarului npn
se pot utiliza relaiile:
RC
RE
UCC
UEE
i
i
U EE U BE
C
E
IE =
,
RE
(3.47)
IC = I E I E ,
iE
iC
U
U
RE
RC
EE
CC
U CB = U CC R C I C .
a) npn
b) pnp
Fig. 3.17. Circuite de polarizare n
conexiunea BC
iC
RB
UCC
iB
RC
+
RB
iB
iC
RB
a)
UCC
iB
+UCC
RC
iC
+UCC
iB
RC
iC
RB
b)
c)
Fig. 3.18. Circuite de polarizare cu surs de alimentare unic.
RC
d)
Circuitele de polarizare din figura 3.18 a) i c) sunt pentru tranzistoare npn, iar cele de la b)
i d) pentru tranzistoare pnp. n schemele c) i d) n locul sursei de alimentare s-a notat potenialul
bornei de alimentare a circuitului (fa de mas). Acest mod de a nota sursele de alimentare se va
utiliza n continuare pentru a simplifica schemele.
Pentru calcularea psf se nlocuiete UBB cu UCC n relaia (3.44):
IB =
3.3.4
U CC U BE
,
RB
IC = I B ,
U CE = U CC RC I C .
(3.48)
102
dublu (sau chiar mai mare) a valorii factorului datorit dispersiei de fabricaie a componentelor
(de exemplu n catalogul IPRS-Bneasa la tranzistoarele de tip BC107B =240500). Pentru un
tranzistor dat, factorul depinde de temperatur i de curentul prin tranzistor (mai ales n domeniul
curenilor foarte mici sau foarte mari). La tranzistoarele integrate tipice, se poate considera c
crete cu 7% la o cretere a temperaturii cu 10C i deci coeficientul de variaie a amplificrii cu
temperatura este k 0,7%/C. Prin urmare, factorul este constant doar pentru un anumit
tranzistor, la o anumit temperatur i pentru cureni medii prin tranzistor.
Tensiunea baz-emitor este de fapt tensiunea pe o jonciune. Ca i la diode, aceast tensiune
depinde logaritmic de curentul prin tranzistor (datorit ecuaiei exponeniale a tranzistorului) i
liniar de temperatur. Valoarea tipic a coeficientului de temperatur este de 2mV/oC.
Modificarea acestor parametrii ai TB duce la modificarea psf. n circuitele de polarizare
prezentate, tensiunea UBE are o importan relativ redus (deoarece de obicei UBE << UBB) i deci
variaia acesteia cu temperatura nu va influena semnificativ curentul IB. Pentru IB constant variaia
factorului de amplificare cu temperatura va duce la modificarea n aceeai msur a valorii
curentului de colector deoarece I C = I B .
Astfel, la o variaie T = 30C, variaia curentului va fi IC = 0,7% .30 .IC = 0,21. IC, variaie
inacceptabil n majoritatea aplicaiilor practice. Pentru a elimina acest dezavantaj s-au conceput
circuite de polarizarea care asigur o relativ insensibilitate a psf cu temperatura. Procedeele de
stabilizare termic pot fi mprite n dou categorii:
- procedee liniare, care utilizeaz n circuitul de polarizare componente liniare (rezistoare);
- procede neliniare sau de compensare, care utilizeaz componente ale cror caracteristici sunt
dependente de temperatur (termistoare, diode).
Procedeele liniare nu asigur o compensare perfect, dar pot reduce foarte mult variaia psf
cu modificarea parametrilor TB (cu temperatura sau datorate dispersiei tehnologice de fabricaie).
Procedeele neliniare pot asigura o compensare complet a variaiilor cu temperatura, dar necesit o
reglare minuioas i nu pot compensa dispersia tehnologic a caracteristicilor tranzistoarelor.
n continuare se va prezenta soluia cea mai utilizat la circuitele discrete cu tranzistoare.
3.3.5
RC
iC
RC
R1
+UCC
RC
IDiv
+UCC
R1
iB B
RB iB B
UBB
a)
UCC
RB
+
RB
+
iB
IDiv
+UCC
R2
RE
RE
b)
A
c)
RE
R2
uB
UBB
uB
A
d)
Fig. 3.19. Circuite de polarizare cu RE; Schema principial: a) cu dou surse, b) cu surs unic;
c) Schema utilizat practic i d) echivalarea divizorului de polarizare a bazei (pentru cazul c).
Prin nlocuirea divizorului de polarizare a bazei cu sursa Thvenin echivalent (fig. 3.19.d)
circuitul de polarizare echivalent devine cel din figura 3.19.a. Parametrii sursei Thvenin sunt:
103
U BB = U R2
iB = 0
R2
U CC ,
R1 + R2
R B = R1 || R2 .
(3.49)
La creterea lui (datorat de exemplu creterii temperaturii sau nlocuirii tranzistorului cu altul
cu mai mare) curentul de colector crete:
IC = I B ,
(3.50)
U E = R E I E = R B ( + 1)I B ,
(3.51)
IB =
U BB U BE U E
RB
(3.52)
compensnd o parte din creterea curentului de colector n relaia (3.50) crete, IB scade.
Curentul de colector rezult prin nlocuirea relaiei (3.51) n (3.52) i apoi a relaiei (3.52)
n (3.50):
(U BB U BE )
(3.53)
IC =
.
R B + R E ( + 1)
Pentru RB << RE (condiie care se poate realiza deoarece este de ordinul sutelor),
curentul de colector practic nu mai depinde de :
IC
(U BB U BE ) U BB U BE
.
R E ( + 1)
RE
(3.54)
Efectul variaiei tensiunii UBE (de exemplu variaia cu temperatura este de circa 2mV/C)
este nesemnificativ dac numrtorul expresiei (3.54) este mult mai mare dect respectiva variaie.
n final se verific dac tranzistorul este n regim activ normal; tensiunea n colector trebuie
s fie mai mare dect n baz, sau cel puin UCE >UCEsat . UCE se calculeaz din T2K cu relaia:
U CE U CC (RC + RE ) I C .
(3.55)
Exemplu de analiz
S se determine limitele de variaie ale psf {IC, UCE} pentru circuitul din figura 3.19.c
dac se consider UBE = 0,60,7V i =100300. Valorile rezistenelor din circuit sunt:
R1 =30k, R2 =10k, RC = 2k, RE =1k i tensiunea de alimentare este UCC =12V.
Rezolvare:
U BB = U CC
R B = R1 || R2 =
30k 10k
= 7,5k .
30k + 10k
100 (3 0,7 )
300 (3 0,6)
L
= 2,12 K 2,33mA
7,5k + 101 1k 7,5k + 301 1k
104
U BB U BE 3 0,65
=
= 2,35mA ,
RE
1k
U CE = 12 3k 2,35m = 4,95V ,
curentul obinut este ceva mai mare (ca pentru = ). innd seama de precizia cu care sunt
cunoscute valorile componentelor n practic, acest calcul este de obicei satisfctor.
I Div >> I B ,
(3.57)
I Div > I E 10 .
(3.58)
o condiie echivalent, mai uor de utilizat practic (valabil deoarece IE /IB >>10).
Cele trei relaii anterioare sunt aproximativ echivalente (pentru >100). La dimensionarea
circuitului de polarizare se utilizeaz oricare dintre ele n funcie de datele de proiectare disponibile.
Din ecuaia de continuitate a tranzistorului, pentru un factor suficient de mare se obine:
1
(3.59)
= I C + , >> 1 I E I C .
Acestui curent (aproximativ identic n colector i n emitor) i se spune curentul prin tranzistor.
Aproximaia din relaia precedent se folosete adesea la calculul circuitelor cu tranzistoare.
I E = IC + I B = IC +
IC
(3.60)
Exemplu de proiectare
105
Rezolvare:
RE =
UE UE
3
=
= 1k ,
IE
IC
3m
RC =
U CC U CE U E 9 3 3
=
= 1k
IC
3m
U U BE U E
U BE + U E 0,6 + 3
=
= 12k , R1 = CC
= 18k
I Div
I Div
0,3m
3.3.6
R C1
R C2
10k
2k
+UCC
+9V
T2
T1
RB
RE1
1k
51k
RE2
680
106
T1K se poate scrie n trei noduri (curentul care intr n masa montajului nu trebuie
calculat i deci T1K nu se aplic n nodul de mas). Scrierea T1K n nodul de alimentare
(+UCC ) nu prezint interes la aceast problem, iar neglijarea curenilor de baz fa de cei de
colector face inutil T1K n colectorii tranzistoarelor sau mai exact T1K se reduc la:
I RC1 = I C1 + I B 2 I C1 pentru I B 2 << I C1 ;
I RE 2 = I E 2 + I B1 I C 2 pentru I B1 << I C 2 .
Dac se ocolesc tensiunile UCE i UCB (care nu se cunosc iniial) mai rmn trei bucle pe
care se poate scrie T2K:
-
Primele dou bucle exprim relaiile cauzale din circuit; curentul de polarizare a bazei
tranzistorului T2 este furnizat de sursa de alimentare (prin RC1), iar rezistena din emitorul lui
T2 (de valoare mic) acioneaz ca o surs de polarizare a bazei lui T1 (prin RB). Cea de-a
treia bucl este de fapt o combinaie a primelor dou. Pentru a determina curenii prin cele
dou tranzistoare este necesar un sistem de dou ecuaii cu dou necunoscute; pentru a
rezolva circuitul se pot utiliza ecuaiile scrise pe oricare dou bucle dintre cele trei artate mai
sus.
Conform T2K pe primele dou bucle rezult:
U CC = RC1 I C1 + U BE 2 + R E 2 I C 2
R E 2 I C 2 = R B (I C1 ) + U BE1 + R E1 I C1
( a)
( b)
n (b) s-a inut seama c IC1 = IB1. Dac se substituie (b) n (a) se obine:
U CC = RC1 I C1 + U BE 2 + R B (I C1 ) + U BE1 + R E1 I C1
Se observ c aceast relaie reprezint de fapt T2K scris pe bucla a 3-a i are o singur
necunoscut, curentul prin T1:
I C1 =
U CC U BE 2 U BE1
9 0,65 0,6
7,85
=
=
= 0,7 mA .
RC1 + R E1 + R B
10k + 1k + 51k 300 11,17 k
Curentul se poate calcula din oricare ecuaie a sistemului. Din (a) rezult:
IC2 =
IC2
2m
= 6,7A << I C1 = 700A ,
300
I B1 =
I C1
0,7m
= 2,3A << I C1 = 2mA .
300
Tensiunile pe tranzistoare UCE se calculeaz din T2K aplicat pe buclele de ieire ale
tranzistoarelor, care includ tensiunile respective:
U CE 2 U CC I C 2 (RC 2 + RE 2 ) = 9 2m 2,68k = 3,64V ,
U CE1 U CC I C1 (RC1 + R E1 ) = 9 0,7 m 11k = 1,3V .
107
Ambele tranzistoare se afl n RAN deoarece UCE >UBE . Circuitul analizat este cunoscut
sub numele de schem cu polarizare automat, deoarece tranzistoarele vor fi polarizate n
RAN (de exemplu UCE1 2UBE ) pentru limite largi ale tensiunii de alimentare UCC.
uC
IC
iB
ic
UCC
ui
UBE
uBE
a)
0
Fig. 3.21. Funcionarea tranzistorului n regim dinamic
a) Schema principial,
b) Analiza funcionrii pe caracteristica de transfer.
Un semnal mic de intrare ui suprapus peste o
tensiune de polarizare UBE produce o variaie a
curentului de colector cu aceea i form de und.
b)
UBE
ui
tensiunea variabil de intrare ui (numit semnal de intrare) trebuie suprapus peste o tensiune
continu UBE (numit tensiune de polarizare a intrrii) i
nivelul semnalului de intrare trebuie s fie suficient de mic pentru a putea aproxima curba
exponenial cu o dreapt.
108
Tensiunea de colector scade atunci cnd curentul de colector crete (cretere cauzat de creterea
tensiunii semnalului de intrare) i deci semnalul de ieire (variaia tensiunii de colector) este n
antifaz cu semnalul de intrare.
Tensiunea de polarizare a intrrii UBE trebuie aleas astfel nct semnalul de ieire s nu fie
limitat. Situaia cea mai convenabil apare atunci cnd tensiunea de alimentare UCC este mprit
n mod egal ntre tranzistor i rezistena de colector: UCE =UCC /2. n acest caz amplitudinea
semnalului la ieire poate atinge valoarea maxim (teoretic UCC /2). Pe de alt parte, cu ct
semnalul de intrare este mai mare cu att semnalul de ieire va avea abateri de form mai
semnificative (fa de forma semnalului de intrare) i se spune c este distorsionat.
Metoda de analiz grafo-analitic prezentat se utilizeaz uneori la analiza de semnal mare a
amplificatoarelor cu tranzistoare. Dac nivelul semnalului de intrare este suficient de mic, se
folosesc metode de analiz analitice i liniare. Liniarizarea apare prin aproximarea exponenialei cu
o dreapt (tangenta n psf ) i tranzistoarele pot fi nlocuite cu modele (sau scheme echivalente de
regim dinamic) liniare, atunci cnd se analizeaz circuitele din punctul de vedere al semnalului.
3.4.1
u be
UBE
iB
UCE
uBE
Tranzistorul este polarizat n RAN, UCE >UBE. Se va analiza dependena curenilor prin
tranzistor de tensiunea variabil ube, cu scopul de a identifica un circuit echivalent de regim dinamic
pentru tranzistorul bipolar.
Curenii n psf se determin fr semnal la intrare, ube =0 . Conform (3.4) i (3.6):
I C = I S exp
U BE
,
UT
IB =
IC
(3.61)
Transconductana
Pentru o tensiune de semnal nenul, conform ecuaiei exponeniale a tranzistorului (3.4):
iC = I S exp
U BE + u be
u
u
U
= I S exp BE exp be = I C exp be .
UT
UT
UT
UT
(3.62)
1 u
+ be
3! U T
u
+ K I C 1 + be .
UT
(3.63)
(3.64)
Inecuaia de mai sus este denumit condiie de semnal mic. Dac se consider condiia mai
concret ube <10mV (i pentru UT 25mV la temperatura camerei), atunci eroarea introdus de
aproximaia din relaiei (3.63) este mai mic de 10%.
109
IC
u be ,
UT
(3.65)
(3.66)
(3.67)
gm =
d iC
.
du BE
(3.68)
iC
IC
1 IC
u be , i B = I B + ib
UT
ib =
ib =
gm
1 IC
u be .
UT
ube .
(3.69)
(3.70)
Rezistena de semnal mic dintre baz i emitor, privind dinspre baz, este prin definiie:
r =
du BE
di B
r =
sau
u be
;
ib
(3.71)
gm
(3.72)
r =
UT
.
IB
(3.73)
iC
IC
1 IC
u be , i E = I E + ie
UT
ie =
IC
g
u be = m u be .
U T
(3.74)
Rezistena de semnal mic dintre baz i emitor, privind dinspre emitor, este prin definiie:
re =
du BE
di E
sau
re =
u be
;
ie
(3.75)
110
Din relaia (3.74) rezult cele dou modaliti (echivalente) de calcul a rezistenei de emitor:
re =
gm
1
gm
sau
re =
UT
;
IE
(3.76)
3.4.2
r = ( + 1) re .
(3.77)
Conform analizei din paragrafele anterioare, se constat c fiecare tensiune i curent prin
amplificatorul cu tranzistor are o component de cc i o component de ca. Componentele de cc se
determin cu ajutorul circuitului echivalent de cc. Circuitul echivalent de cc se obine prin
nlocuirea sursei de ca cu un scurtcircuit (deoarece are valoarea medie nul) iar eventualele
condensatoare din circuit se nlocuiesc cu ntreruperi de circuit. Analiza de cc a circuitelor s-a fcut
la studiul circuitelor de polarizare a tranzistoarelor.
Analiza funcionrii circuitului din punctul de vedere al semnalului, sau analiza de regim
dinamic (analiza variaiilor mrimilor electrice) se poate face pe baza schemei echivalente de ca.
Schema echivalent de ca se obine prin eliminarea surselor de cc, care se nlocuiesc cu
scurtcircuite. Se observ c tensiunea unei surse de tensiune continu ideal nu se schimb, variaia
de tensiune va fi nul i de aceea tensiunea semnalului ntre terminalele sursei va fi nul. Din acest
motiv sursele de tensiune continu: UCC, UBE i UCE se nlocuiesc cu scurtcircuite. Dac circuitul
ar conine surse ideale de curent, acestea s-ar nlocui cu ntreruperi de circuit. Circuitul din figura
3.23 este util doar pentru determinarea tensiunilor i a curenilor de semnal, nu este circuitul real al
amplificatorului deoarece nu conine circuitele de polarizare.
iC
iB
u be
Dac este ndeplinit condiia de semnal mic, adic tensiunea de semnal ube este conform
cu relaia (3.64), atunci relaiile ntre curenii i tensiunile din circuit sunt liniare. Relaiile liniare
dintre mrimile electrice specifice tranzistorului pot fi reprezentate prin circuite echivalente ale
tranzistorului. Echivalena se pstreaz ct timp semnalul aplicat este mic i aceste circuite se
numesc circuite echivalente de semnal mic sau modele de semnal mic ale tranzistorului bipolar.
Modelul n
Un astfel de circuit echivalent este prezentat n figura 3.24.a; tranzistorul este reprezentat ca
o surs de curent controlat n tensiune (SIcU) care include rezistena de intrare n baz r .
b
ic
ib
r
ube
g m ube
gm
I
= C
UT
r =
ic
ib
r
ib
m
e
e
a)
b)
Fig. 3.24. Circuite echivalente de semnal mic pentru tranzistorul bipolar; tranzistorul ca:
a) surs de curent controlat n tensiune, b) surs de curent controlat n curent.
111
ib =
u be
.
r
Un model uor diferit se poate obine prin exprimarea curentului de ieire ca o funcie de
curentul de baz conform relaiilor:
g m u be = g m (ib r ) = ( g m r ) ib = ib ;
tranzistorul este reprezentat ca o surs de curent controlat n curent (SIcI ) ca n figura 3.24.b.
Modelul n T
Modelul n poate fi folosit pentru analiza de semnal mic a oricrui circuit; totui, n unele
situaii este mai convenabil utilizarea unui alt circuit echivalent, denumit modelul n T (denumirea
se refer la desenarea circuitului echivalent cu emitorul n stnga i baza n jos). Cele dou variante
ale acestui model sunt prezentate n figura 3.25. n ambele circuite echivalente apare rezistena
dintre baz i emitor vzut dinspre emitor re.
ic
b ib
g m ube
gm =
u be
re
re =
ic
IC
UT
b ib
UT
=
IE
gm
ie
re
ie
e
b)
a)
Fig. 3.25. Circuite echivalente de semnal mic n T pentru tranzistorul bipolar; Circuitul este:
a) o surs de curent controlat n tensiune, b) o surs de curent controlat n curent.
Curenii prin circuitul din figura 3.25.a sunt n conformitate cu relaiile (3.66) i (3.75):
ic = g m u be ,
ie =
u be
.
re
Tranzistorul din figura 3.25.b, reprezentat ca o surs de curent controlat n curent (SIcI ), se
obine prin exprimarea curentului de ieire ca o funcie de curentul de emitor conform relaiilor:
g m u be = g m (ie re ) = ( g m re ) ie = ie ;
Modelul simplificat de semnal mic din figura 3.25.b poate fi privit ca fiind versiunea
incremental a modelului de semnal mare din figura 3.2; n locul diodei apare rezistena dinamic a
acesteia, iar sursa de curent este comandat de variaia curentului (ie n loc de iE).
Observaii: 1. Parametrii modelelor de semnal mic: gm , r i re , depind de curentul static
de colector IC, conform relaiilor din figurile precedente.
2. Toate modelele de semnal mic se pot utiliza i pentru tranzistoarele de tip pnp, fr a fi
necesar schimbarea polaritii surselor i a tensiunilor din schema echivalent (aceste schimbri
sunt posibile, dar nu sunt necesare; rezultatul obinut va fi acelai, deoarece se schimb n acelai
timp att polaritatea sursei comandate, ct i a mrimii de comand).
112
3.5.1
Modelul unui amplificator se utilizeaz pentru analiza de semnal i poate fi reprezentat sub
forma a doi unipori, numii simplu intrare i respectiv ieire. Din punctul de vedere al semnalului,
amplificatorul este pasiv la intrare i activ la ieire; uniportul activ de la ieire se echivaleaz cu o
surs Thvenin (sau Norton), iar cel pasiv de la intrare cu o rezisten dinamic. La amplificatorul
de tensiune, att semnalul de la intrare ct i cel de la ieirea amplificatorului sunt tensiuni.
Ca urmare, modelul fundamental al amplificatorului de tensiune, prezentat n figura 3.26,
const dintr-o surs de tensiune controlat n tensiune, cu un factor de amplificare Au0, o rezisten
de intrare R i i o rezisten de ieire R o, aceste trei elemente fiind de fapt parametrii cei mai
importani ai amplificatorului.
Rg
ug
ui
generator
Ro
Ri
A u0 u i
uo
amplificator
RL
sarcina
RL
,
R L + Ro
Au =
uo
ui
Au = Au 0
RL
.
R L + Ro
(3.78)
trebuie ca
R o << R L .
(3.79)
Ri
= u g k ui ,
Ri + R g
(3.80)
unde k ui este factorul de cuplaj n tensiune la intrare. Pentru ca atenuarea la intrare s fie minim:
ui ug,
trebuie ca
R i >> R g .
(3.81)
3.5.2
Schema clasic a unui etaj de amplificare realizat cu tranzistor discret n conexiune EC este
prezentat n figura 3.27.
113
RC
R1
uo
CB
Rg
ui
ug
+UCC
CC
CE
RE
R2
RL
Rg
Ri
ui
R1
R ib
R2
RC
ug
ui
RB
g m ube
r
ube
Ro i
o
ic
ib
RC u o
RL
(R B = R 1||R 2) b)
a)
Fig. 3.28. Scheme echivalente de ca ale amplificatorului cu un tranzistor n conexiunea EC:
a) C i U CC nlocuite cu scurtcircuite, b) tranzistorul liniarizat, n condiii de semnal mic.
Dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64), tranzistorul se poate nlocui cu una
dintre schemele echivalente liniarizate; n figura 3.28.b s-a utilizat schema simplificat n . Acest
circuit permite determinarea prin calcul a parametrilor amplificatorului.
Amplificarea de tensiune n gol (fr R L ) este direct proporional cu transconductana i
cu rezistena de colector:
i R
g m u be RC
u
Au 0 = o = c C =
= g m RC .
(3.82)
ui
ui
u be
Semnul rezult datorit sensului diferit al tensiunii i al curentului prin R C i semnific faptul
c amplificatorul este inversor, adic semnalul de ieire este n antifaz cu semnalul de intrare
(defazat cu 180 ).
Rezistena de intrare este rezistena vzut de generatorul de semnal:
114
Ri = R B || Rib ,
R B = R1 || R2 ,
Rib =
ui
= r .
ib
(3.83)
Rezistena de ieire este rezistena sursei Thvenin echivalente, rezistena vzut de sarcin
dup pasivizarea surselor independente (u g =0 n acest caz):
Ro =
uo
io
= RC
(ug = 0
u be = 0
g m u be = 0 .
(3.84)
u g =0
Pasivizarea sursei de semnal conduce la anularea sursei comandate de curent (conform relaiilor din
parantez), iar sursa de curent anulat este echivalent cu o ntrerupere de circuit.
Parametrii tranzistorului i implicit parametrii amplificatorului depind de psf. Astfel, la
creterea curentului static de colector IC , transconductana gm crete, rezistena de intrare n baz r
scade i ca urmare amplificarea n tensiune Au 0 crete iar rezistena de intrare Ri scade.
Amplificarea n tensiune n prezena sarcinii se poate determina cu ajutorul relaiei (3.78),
iar efectul rezistenei generatorului asupra amplificrii poate fi calculat cu relaia (3.80). innd
seama de aceste relaii se poate determina amplificarea global n tensiune:
Aug =
u o u o ui
=
u g ui u g
Aug = Au 0
Ri
RL
.
RL + Ro Ri + R g
(3.85)
Pentru a obine o amplificare global ct mai mare A ug A u0 , trebuiesc ndeplinite inecuaiile (3.79)
i (3.81). Dup cum se va vedea din exemplul urmtor, amplificarea n tensiune n gol are valori
destul de mari, dar amplificarea global este redus semnificativ datorit rezistenei de intrare
moderate i a rezistenei de ieire destul de mari a acestui tip de amplificator.
Exemplu
IC
I
mA
= C = 40 I C = 40 1m = 40
,
U T 25m
V
r =
gm
100
= 2,5k
40m
Aug = Au 0
Ri = RB || r = 10k || 2,5k = 2k
Ri
2k
= 200
= 200 0,25 = 50
Ri + R g
2k + 6k
115
2. Deoarece sarcina este cuplat capacitiv la ieire, nu influeneaz psf tranzistorului, deci
parametrii tranzistorului i ai amplificatorului nu se modific la conectarea sarcinii.
Amplificrile n tensiune n prezena sarcinii se calculeaz conform relaiilor (3.78) i (3.85):
Au = Au 0
RL
500
1
= 200
= 200 = 18,2
R L + Ro
500 + 5k
11
Aug = Au 0
Ri
RL
1 1
= 200
4,5
Ri + Rg RL + Ro
4 11
Aceste relaii au fost determinate folosind modelul amplificatorului de tensiune din figura
3.26 i innd seama de cele dou divizoare de tensiune care apar n schema respectiv.
3. Se verific iniial dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64). Astfel, valoarea
maxim a tensiunii baz-emitor este amplitudinea semnalului de intrare n amplificator,
calculat innd seama de divizorul de tensiune de la intrare, conform relaiei (3.80):
U be _ vf = U i _ vf = U g _ vf
Ri
1
2k
= 20m
= 20m = 5mV < 10mV .
Ri + R g
4
2k + 6k
cu indicele 0 s-a notat tensiunea n gol (fr RL ). Amplificrile s-au considerat n modul,
deoarece defazajul dintre semnalul de ieire i semnalul de intrare nu are importan la
calculul amplitudinii i o valoare negativ a amplitudinii nu are sens.
Concluzii:
3.5.3
Repetorul pe emitor
RB
Rg
Rg
ui
R ib
b
CB
CE
ug
Ri
RE
uo
ug
RL
ui
RB
ic c
ib
ib
e
R oe
ioe
Ro i
o
RE u o
b)
a)
Fig. 3.29. Repetorul pe emitor: a) schema de principiu; b) schema echivalent de ca cu
tranzistorul liniarizat (ca SIcI), n condiii de semnal mic.
RL
116
Colectorul tranzistorului este conectat la sursa de alimentare, care este i mas de semnal.
De aceea, circuitul se mai numete amplificator cu colectorul la mas sau cu colector comun
(intrrii i ieirii). Intrarea circuitului se conecteaz n baza tranzistorului i ieirea se preia din
emitor. Generatorul de semnal i rezistena de sarcin sunt conectate prin condensatoare suficient de
mari ca s poat fi considerate scurtcircuite din punctul de vedere al semnalului.
Curentul de colector IC din psf se determin cu relaia (3.53), cu UBB = UCC , iar parametrii
de semnal mic ai tranzistorului se determin cu relaiile (3.67) i (3.72) (relaiile din figura 3.24).
n condiii de semnal mic, (3.64), se poate utiliza oricare dintre schemele echivalente de
semnal mic ale tranzistorului. n figura 3.29.b s-a utilizat modelul n simplificat cu tranzistorul
privit ca o surs de curent controlat n curent (conform cu figura 3.24.b).
Parametrii amplificatorului se determin pe baza schemei de ca din figura 3.29.b. Pentru a
calcula amplificarea n tensiune n gol se consider circuitul fr sarcin, R L = . Se exprim
tensiunea de ieire i de intrare funcie de curentul de baz (mrimea de legtur ntre ieire i
intrare, care apare att n circuitul de ieire ct i n cel de intrare):
u o = R E ie = R E (ib + ic ) = R E ( + 1 ) ib ,
u i = u be + u o = r ib + R E ( + 1 ) ib .
(3.86)
Amplificarea n tensiune n gol rezult subunitar deoarece tensiunea de intrare este mai
mare dect cea de ieire (pe care o include):
Au 0 =
uo
uo
( + 1 ) R E =
=
=
u i u be + u o r + ( + 1 ) R E
1
r
1+
( + 1 ) RE
( Au 0 < 1 ) .
(3.87)
Au 0 1 .
(3.88)
Deoarece tensiunea n emitor repet tensiunea din baz (A u0 1, u e u b n ca), acest amplificator
se numete repetor pe emitor. Faptul c tensiunea din baz se repet n emitor este o proprietate
general a unui tranzistor care lucreaz n RAN i care are o rezisten conectat n emitor (chiar
dac colectorul nu este conectat la masa de ca).
La conectarea sarcinii, cele dou rezistene din emitor apar n paralel (n ca). Rezistena de
emitor n ca i amplificarea n tensiune devin:
Re = R E || R L ,
Au =
( + 1 ) Re
uo
=
=
u i r + ( + 1 ) Re
1
.
r
1+
( + 1) Re
(3.89)
(cu
Re = RE || R L ) ,
(3.91)
117
regul care se poate exprima astfel: Rezistena vzut n baza unui tranzistor este rezistena
total din bucla emitorului multiplicat cu +1.
Rezistena de ieire este rezistena sursei Thvenin echivalente adic rezistena vzut de
sarcin dup pasivizarea surselor independente (u g =0 n acest caz):
Ro =
uo
io
= R E || Roe .
(3.92)
u g =0
Rezistena vzut n emitorul tranzistorului Roe (de ieire din emitor) este rezistena sursei
Thvenin echivalente tranzistorului privit dinspre emitor rezisten vzut de RE . Pentru calculul
acestei rezistene se presupune aplicat la ieire o tensiune uo (de ca) i se pasivizeaz sursa ug .
Cderea de tensiune pe bucla bazei este tensiunea uo , iar curentul spre emitorul tranzistorului este
inversul sumei curenilor de baz i de colector:
Roe =
uo
ioe
=
u g =0
r ib R B || R g ib
ib i b
r + R B || R g
+1
(3.93)
Rezistena de ieire din repetorul pe emitor este relativ mic i depinde de rezistena intern
a generatorului conectat la intrare. Rezultatul obinut se poate exprima ca fiind regula de reflectare a
rezistenelor din baza n emitorul unui tranzistor, regul care se enun astfel: Rezistena vzut
spre emitorul unui tranzistor este rezistena total din bucla bazei divizat cu factorul +1.
Deoarece rezistena de intrare a amplificatorului depinde de sarcin i rezistena de ieire
depinde de rezistena intern a generatorului, modelul general al amplificatorului de tensiune
trebuie folosit cu precauie, deoarece repetorul pe emitor nu este o entitate independent, parametrii
lui depinznd i de configuraia circuitului exterior. Modalitatea practic de lucru este urmtoarea:
dac se analizeaz circuitul la ieire, atunci trebuie considerat generatorul conectat la intrare,
dac se analizeaz circuitul la intrare, atunci trebuie considerat sarcina conectat la ieire.
Se poate concluziona c repetorul pe emitor se comport ca un transformator de impedane
(rezistene n ca) cu o amplificare n tensiune aproximativ unitar, o rezisten de intrare mare
i o rezisten de ieire mic. Acest montaj poate fi utilizat pentru a conecta o sarcin de valoare
mic la o surs de semnal cu rezisten intern relativ mare. Amplificarea n tensiune global, n
prezena sarcinii se poate determina utiliznd relaia (3.80):
Aug =
u o u o ui
=
u g ui u g
Aug = Au
Ri
.
Ri + R g
(3.94)
1. Pentru repetorul pe emitor din figura 3.29.a, s se calculeze curentul static de colector IC
dac UCC =10V, RE =5k, RB = 430k, =100 i UBE =0,7V.
2. Pentru Rg =6k, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug0.
118
IC =
IC
1m
mA
=
= 40
,
U T 25m
V
r =
gm
100
= 2,5k .
40m
1
1
1
=
=
= 0,995 .
2,5k
r
1,00495
1+
1+
101 5k
( + 1 ) R E
r + R B || R g
+1
Ro = RE || Roe = 83 || 5k = 82 .
Ri
233k
= 0,995
= 0,995 0,975 = 0,97 .
Ri + R g
233k + 6k
1
1
1
=
=
= 0,948 .
2,5k
r
1,0545
1
+
1+
101 0,455k
( + 1)Re
Ri
43,5k
= 0,948
= 0,948 0,89 = 0,84 .
Ri + R g
43,5k + 6k
119
Factorul de transfer direct dintre generator i sarcin (fr amplificator) rezult din regula
divizorului de tensiune aplicat circuitului din figura 3.30.a:
K ug =
uo
RL
500
1
=
=
=
= 0,077 = 7,7 % .
u g RL + R g 500 + 6k 13
Rg
ug
RL
a)
uo
ug
re
R oe
ui u be
Rg
Re
uo
ug
ui
Ri
RB
R ib r
( +1) Re
uo
b)
c)
Fig. 3.30. a) Cuplajul direct al generatorului cu sarcina. Scheme echivalente
de ca ale repetorului pe emitor obinute prin reflectare: b) n emitor, c) n baz.
U be _ vf = U g _ vf
re
Re + re +
R g || R B
= 100
25
4,6mV< 10mV
455 + 25 + 59
+1
Rezistena de intrare este mare i depinde de rezistenele din emitor, iar rezistena de ieire este
mic i depinde de rezistenele din baz. De aceea, cuplarea n tensiune printr-un repetor pe
emitor este mult mai bun dect cuplarea direct a generatorului cu sarcina.
Calcularea circuitului se face fie dinspre ieire spre intrare (caz n care se include sarcina n
rezistena de emitor), fie dinspre intrare spre ieire (caz n care se ine seama de rezistena
intern a generatorului conectat la intrare). Metoda cea mai convenabil de calcul utilizeaz
schema echivalent obinut prin reflectarea rezistenelor din circuitul bazei n emitor (sau din
circuitul emitorului n baz).
120
R1
Rg
RC
ib
uo
ug
R ib
Ri
Rg
CB
ui R2
Ro
ic c
+UCC
CC
RL
RE
RB
ui
ug
ie
ie
RC u
o
RL
re
e
Re = RE
a)
b)
n condiii de semnal mic, se poate utiliza oricare dintre modelele tranzistorului; utiliznd
modelul n T se obine schema echivalent de ca din figura 3.31.b.
Rezistena de intrare se poate determina cu regula de reflectare a rezistenelor din emitor n
baz, (3.91):
Rib = ( + 1 )(re + Re ) ,
R B = R1 || R2 ,
Ri = RB || Rib ,
(3.95)
Aceast regul poate fi demonstrat i cu ajutorul circuitului n T din figura 3.31.b astfel:
u i = ie (re + Re ) ,
ib = ie (1 ) =
ie
,
1+
Rib =
ui
= ( + 1)(re + Re ) .
ib
(3.96)
Ro = RC ,
( pentru u g = 0
ib = 0 ie = 0 .
(3.97)
u o = ie RC ,
Au 0 =
u o RC
RC
,
=
u i re + Re
re + Re
(3.98)
innd seama c 1. Amplificarea n prezena sarcinii depinde de Rc (=RC ||RL ), conform relaiilor:
u o = ie Rc ,
Au =
uo
Rc
ui
re + Re
( cu
Rc = RC || R L ) .
(3.99)
Rezultatele din relaiile precedente pot fi exprimat ntr-o form uor de reinut:
Amplificarea n tensiune ntre baz i colector este egal cu raportul dintre rezistena
total n colector i rezistena total din emitor.
sau
Re >>
U
1
1
,
= T
gm
IC
40 I C
(3.100)
atunci amplificarea se poate calcula direct prin analiza circuitului conform relaiilor:
Au 0 =
RC
R
C ,
re + Re
Re
Au =
Rc
R || R L
C
.
re + Re
Re
(3.101)
121
n cazul unui etaj de amplificare cu Re , se poate calcula direct valoarea amplificrii utiliznd doar
rezistenele din circuit, conform relaiei anterioare. Pentru a verifica n ce msur calculul direct
este corect, trebuie estimat IC i apoi se poate aprecia inegalitatea din relaia (3.100).
Dac se compar relaia (3.98) cu (3.82) se constat c prezena rezistenei Re conduce la
reducerea amplificrii cu un factor (1+ gm Re ):
Au 0 (cu Re )
RC
1
1
,
=
Au 0 (fara Re ) re + Re g m RC 1 + g m Re
(3.102)
Nivelul tensiunii ube , dintre baza i emitorul tranzistorului, este cel care determin gradul de
liniaritate al amplificrii, conform figura 3.21 i relaiei (3.64). Ca i repetorul pe emitor, etajul cu
Re poate manevra tensiuni de intrare mai mari dect etajul cu tranzistor n conexiune EC (cu Re =0),
deoarece doar o fraciune din semnalul de intrare apare ntre baza i emitorul tranzistorului:
ube
re
1
,
=
(3.103)
ui
re + Re 1 + g m Re
Se observ c factorul de reducere al amplificrii (1+ gm Re ) relaia (3.102), este acelai cu
factorul de cretere al rezistenei de intrare n baza tranzistorului relaia (3.96) i cu factorul de
reducere al nivelului semnalului de intrare relaia (3.103). Proiectantul circuitului poate optimiza
parametrii amplificatorului prin alegerea rezistenei de emitor Re celei mai convenabile. Circuitul
cu Re are o comportare intermediar ntre etajul cu un tranzistor n conexiunea EC i repetorul pe
emitor, gradul de apropiere de unul sau altul dintre circuite depinznd de valoarea rezistenei Re .
Problem de analiz
RB
820k
Rg
+UCC
RC
+10V
5k
CB
CC
K CE
RE
ui
RE1
uo
110
1k
IC
1m
mA
=
= 40
,
V
U T 25m
re =
gm
1
1
=
= 25 ,
g m 40m
+1
= 0,99 .
122
Au 0 =
RC
uo
=
:
ui
re + Re
a ) Au 0( a ) =
0,99 5k
= 4,83 ,
25 + 1k
b) Au 0(b ) =
0,99 5k
= 39,6 .
25 + 100
RC
:
Re
a ) Au 0( a )~ =
5k
= 5 ,
1k
b) Au 0(b )~ =
5k
= 50 ,
100
conduce la o eroare:
=
Au 0~ Au 0
100 [%] :
Au 0
a =
5 4,83
= 3,5 % ,
4,83
b =
50 39,6
= 26 % ,
39,6
acceptabil (de ordinul procentelor, mai mic de 5%) n primul caz; n cazul al doilea eroarea
este apreciabil, deoarece inegalitatea (3.100) nu este de fapt ndeplinit:
Re ( a )
Re ( a ) = 1000 >> 25 = re ,
= 40 ;
re
Re (b )
Re (b) = 100 ,
= 4 < 10 .
re
uo uo ui
Ri
=
= Au 0
se determin amplificarea global:
u g ui u g
Ri + R g
103,5k
4,6 ,
103,5k + 6k
13,6k
= -39,6 0,694 27,5 .
13,5k + 2,5k
Se observ c amplificarea mai mic obinut n cazul a) se modific mai puin la conectarea
generatorului (deoarece rezistena de intrare a amplificatorului este mai mare).
3. Se determin iniial dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64). Pentru aceasta
se determin tensiunea ube cu ajutorul relaiilor (3.103) i (3.80):
u be =
re
re
Ri
ui =
ug .
re + Re
re + Re Ri + R g
25
91,9k
50m = 0,024 0,94 50m = 1,15mV < 10mV ,
25 + 1k 91,9k + 6k
U be _ vf (b) =
25
13,4k
50m = 0,2 0,69 50m = 6,9mV < 10mV .
25 + 100 13,4k + 6k
123
Metalizri
Strat epitaxial
p+
Difuzia de emitor
p+
Difuzia de baz
Tranzistorul intern
Substrat
C
Fig. 3.32. Seciune printr-un tranzistor pnp realizat prin dubl difuzie.
Tranzistorul este realizat pornind de la o pastil de siliciu de tip p cu conductivitate ridicat
(foarte puternic dopat cu impuriti, notat cu p+) a crei grosime este de cteva zecimi de mm.
Conductivitatea este ridicat pentru a reduce rezistena serie a colectorului. Pe acest substrat se
cre te un strat epitaxial, cu grosime de civa microni, a crui concentraie de impuriti este mult
mai redus dect a substratului. n acest strat epitaxial se realizeaz dou difuzii succesive: prima
este difuzia de baz prin care se obine un semiconductor de tip n slab dopat, iar cea de-a doua este
difuzia de emitor prin care se obine o regiune de tip p puternic dopat (p+). Se depune apoi un
strat de oxid de siliciu izolator care se corodeaz n zonele ferestrelor de contact. n aceste zone se
depun metalizrile prin care se conecteaz tranzistorul la circuitul extern.
3.6.1
O seciune transversal prin tranzistorul intern (evideniat n figura 3.32) este reprezentat n
figura 3.33. Seciunea este rotit cu emitorul n stnga. n structura tranzistorului se formeaz dou
jonciuni pn: jonciunea emitorului (Je, ntre E i B) i jonciunea colectorului (Jc, ntre C i B).
WB
Je
Ei
p+
iE
Jc
p
Ei
n
Ee
Ee
i pE
i pC
i nBE
+ UEB (zecimi V)
i pR
W B0
iB
iC
I CB0
124
Considernd emitorul n gol, deci cu sursa de alimentare UEB deconectat, prin jonciunea
colectorului polarizat invers va circula curentul invers al jonciunii respective, notat cu ICB0
(curentul dintre colector i baz cu emitorul n gol). Acesta este un curent de drift al purttorilor
minoritari datorat cmpului electric extern (Ee), ca la orice jonciune polarizat invers.
Prin jonciunea emitorului polarizat direct (datorit sursei UEB) circul curentul de difuzie
al purttorilor majoritari (goluri din emitor i electroni din baz). Acest curent depinde exponenial
de tensiunea UEB, ca n prima relaie din sistemul (3.107) Deoarece jonciunea emitorului este
asimetric, cu emitorul mult mai puternic dopat dect baza, curentul va fi datorat n principal
golurilor care difuzeaz din emitor n baz ipE i ntr-o msur mult mai mic electronilor care trec
din baz n emitor inBE, conform relaiei (2.60) de la studiul jonciunilor asimetrice.
Golurile sunt purttori minoritari n baz. Concentraia golurilor n vecintatea emitorului
este mare (golurile fiind injectate dinspre emitor) i aceste goluri difuzeaz spre regiunile de
concentraie mai redus, adic spre colector. Toate golurile care ajung n regiunea de sarcin
spaial a colectorului sunt antrenate de cmpul electric din Jc prin curent de drift i de aceea
concentraia golurilor la captul dinspre colector al bazei este nul. Datorit grosimii mici a bazei
(fa de lungimea de difuzie a purttorilor minoritari), recombinarea n baz este redus i curentul
de recombinare ipR este mic, astfel nct aproape toate golurile (emise de emitor) trec prin baz i
sunt captate (colectate) de colector.
innd seama de explicaiile precedente i de figura 3.33, curenii prin tranzistor sunt:
i E = i pE + inBE
iC = i pC + I CB 0 .
i pE = i pC + i pR
(3.104)
i pC i pE
= tB E = N ,
i pE i E
(3.105)
Se noteaz:
i pC
iE
unde: tB = ipC /ipE este factorul de transport n baz, E = ipE /iE este eficiena emitorului, iar
N = ipC /iE este factorul normal de amplificare n curent n conexiunea BC; N este acelai factor
de amplificare care n prima parte a capitolului a fost notat cu (fr indice). Deoarece aproape tot
curentul din emitor ajunge n colector valoarea factorului de amplificare N este practic unitar:
(3.106)
Pentru dioda emitor-baz polarizat direct i innd seama de relaiile (3.104) i (3.105) se
pot scrie relaiile care definesc funcionarea tranzistorului n RAN:
u EB
1
i E = I SE exp
UT
i = i + I
N E
CB 0
C
(3.107)
unde ISE este curentul invers de saturaie al Je (valoare teoretic de ordinul a 10 -1510 -12 A).
Schema echivalent a tranzistorului din figura 3.34.a este conform cu sistemul de ecuaii
(3.107); n locul curentului ICB0 s-a reprezentat dioda baz-colector prin care circul acest curent.
125
N iE
I (-iC )
iE
E
a)
iC C
ISE
E iE
ICB0
b)
iC C
IEB0
ISC
Fig. 3.34. Scheme echivalent de semnal mare pentru tranzistorul pnp: a) n RAN, b) n RAI.
Alturi de diode s-a notat curentul invers de saturaie al jonciunilor.
3.6.2
Tranzistorul funcioneaz n regim activ inversat (RAI) prin inversarea rolului emitorului cu
cel al colectorului. n principiu aceast inversiune este posibil datorit relativei simetrii a structurii
tranzistorului bipolar. Din cauza gradului de dopare relativ redus al colectorului (fa de baz),
eficiena de injecie a colectorului (care lucreaz ca emitor) este redus, astfel nct factorul de
amplificare inversat al tranzistorului este sensibil mai mic dect unitatea, cu valori uzuale
I = 0,20,9. Cu excepia acestei observaii, tranzistorul funcioneaz la fel ca i n cazul
regimului activ normal. Ecuaiile care descriu funcionarea TB n acest caz sunt:
u CB
1
iC = I SC exp
UT
i = ( i ) + I
I
C
EB 0
E
(3.108)
unde ISC este curentul invers de saturaie al jonciunii colectorului i IEB0 este curentul dintre emitor
i baz cu colectorul n gol. Sensul curenilor s-a considerat conform conveniei din figura 3.1.a iar
schema echivalent conform cu relaiile (3.108) este cea din figura 3.34.b.
Observaie: Pentru tranzistoarele de tip npn schemele echivalente sunt aceleai cu cele din
figura 3.34, dar se inverseaz sensul diodelor, al generatoarelor de curent i al curenilor.
3.6.3
Modelul Ebers-Moll
C
iC
B
DC
iB
iDC
iC
ISC
N iDE
iB i
DE
iE
a)
DE
ISE
b)
I iDC
iE
126
Modelul conine dou diode, dioda de emitor DE i dioda de colector DC (care nlocuiesc
cele dou jonciuni pn) i dou surse de curent controlate n curent care modeleaz efectul de
tranzistor n sens normal i n sens inversat. Curenii prin diode depind exponenial de tensiuni:
u
i DE = I SE exp BE 1 ,
UT
u
i DC = I SC exp BC 1 ,
UT
(3.109)
unde ISE i ISC sunt curenii de saturaie sau de scalare ai celor dou diode. Deoarece jonciunea de
colector are o arie mai mare dect jonciunea de emitor, curentul ISC este de obicei mai mare dect
ISE (cu un factor de 2 pn la 50). Dup cum s-a artat la analiza funcionrii tranzistorului n RAN,
aproape tot curentul din jonciunea de emitor se regsete n colector. Acest curent este modelat prin
sursa N iDE , unde factorul normal de curent N este foarte apropiat de unitate. n mod analog o
parte din curentul care parcurge jonciunea de colector traverseaz baza i se regsete n emitor.
Aceast component a curentului de emitor este modelat de sursa I iDC , unde factorul invers de
curent I are valori sensibil subunitare. Cei patru parametrii ai tranzistorului sunt legai prin relaia:
N I ES = I I CS = I S ,
(3.110)
(3.111)
iC = iDC + N iDE ,
(3.112)
iB = (1 N ) iDE + (1 I ) iDC .
(3.113)
Dac se nlocuiesc iDE i iDC din relaiile (3.109) i utiliznd relaia (3.110) rezult:
IS
u
u
exp BE 1 I S exp BC 1 ,
N
UT
UT
(3.114)
u
u
iC = I S exp BE 1 S exp BC 1 ,
UT
UT
(3.115)
IS
u
u
exp BE 1 + S exp BC 1 ,
N
UT
UT
I
(3.116)
iE =
iB =
unde N i I sunt factorii (de amplificare n curent dintre colector i baz) normal i respectiv
inversat:
N =
N
,
1 N
I =
I
.
1I
(3.117)
Factorul (fr indice) este o notaie simplificat pentru factorul N i are valori tipice de ordinul
sutelor, iar factorul I are valori mici (0,0210, uzual cteva uniti).
Pentru tranzistorul npn n RAN, cu uBE >>UT i uBC <0, din (3.115) i (3.116) rezult
relaiile (3.4) i (3.6), care au stat la baza modelelor simplificate ale tranzistorului:
I
u
u
iC = I S exp BE 1 S (0 K 1) I S exp BE ,
UT
UT
I
iB =
I
IS
I
i
u
u
exp BE 1 + S (0 K 1) S exp BE = C
UT
UT
N
N
N
I
sau
iC = i B .
127
3.6.4
Modelul de transport
O variant ceva mai simpl a modelului EM este prezentat n figura 3.36.a. Curenii de
saturaie ai diodele DBE (dioda baz-emitor) i DBC (dioda baz-colector) sunt (IS / N ) i respectiv
(IS / I ). Curentul de baz este acelai cu cel din relaia (3.116):
i B = i BE + i BC =
IS
u
u
exp BE 1 + S exp BC 1 ,
N
UT
UT
I
u
u
iT = I S exp BE 1 I S exp BC 1 ,
UT
UT
(3.118)
iT = N i BE + I i BC ,
(3.119)
sau
iB
iBC
DBC
DBE
N iBE
IS / N
DBE
iC C
iBE
iT
iBE
a)
B iB
IS / I
iBC
iC
b)
iE
I iBC
iE
3.6.5
n regim de saturaie jonciunile TB sunt polarizate direct, ceea ce n cazul tranzistorului npn
nseamn: uBE > 0 i uBC > 0. Se va considera circuitul din figura 3.37 care permite aducerea
tranzistorului n saturaie. n partea a doua a figurii este reprezentat circuitul echivalent obinut prin
nlocuirea TB cu modelul de transport (din figura 3.36.b).
UBB
a)
UCC
RB iB
UBB
iB
iBE
DBE
iBC
DBC
N iBE
iC
RC
I iBC
RB
i C RC
UCC
b)
Dup cum s-a artat la studiul inversorului cu TB, circuitul analizat permite tranzistorului s
funcioneze n regim de blocare, n RAN sau n saturaie n funcie de valorile componentelor. Se
consider circuitul de polarizare al colectorului fixat (UCC i RC nu se modific). Regimul de
funcionare al TB se poate modifica din circuitul de polarizare al bazei (UBB i/sau RB).
128
Conform tabelului 3.1, tranzistorul este blocat pentru UBB = 0 i se afl n RAN pentru
uBC < 0 (sau uCE > uBE ). La trecerea din RAN n saturaie uBC = 0 i uCE = uBE .
La limita intrrii n saturaie a TB curenii prin tranzistor sunt:
I C sat0 =
U CC u BE
,
RC
I B sat0 =
I Csat0
(3.120)
Curentul de baz s-a determinat din schema echivalent innd cont c dioda baz-colector DBC este
polarizat la o tensiune nul (uBC = 0, limita intrrii n saturaie), curentul prin aceast diod este
nul iBC = 0, deci iBE = iB i iC = N iBE .
Pe de alt parte curentul de baz este determinat n principal de circuitul de polarizare al
bazei conform T2K aplicat pe bucla de intrare a TB (cu uBE aproximativ constant uBE UBE ):
IB =
U BB U BE
.
RB
(3.121)
Creterea curentului de baz peste valoarea IBsat0, prin creterea UBB sau scderea RB, conduce
la intrarea tranzistorului n saturaie. Surplusul de curent care apare IB = IB IB sat 0 deschide dioda
DBC. n aceste condiii, diodele DBE i DBC sunt deschise amndou i ntre colectorul i emitorul
tranzistorului apare o cale de joas impedan (diodele deschise pot fi echivalate cu surse de
tensiune cu rezisten intern mic). Ca urmare, tensiunea colector-emitor UCE este mic:
U BC > 0
U CE = U BE U BC < U BE .
(3.122)
Modelele tranzistoarelor saturate sunt cele prezentate la nceputul capitolului, n figura 3.6.
Curentul de colector n saturaie este aproximativ constant. Pentru circuitul din figura
3.37, limitele curentului IC sat se determin pentru cazurile limit, uBC = 0 i respectiv uCE = 0:
I C sat0 I C sat < I C max
sau
U CC U BE
U
I C sat < CC ;
RC
RC
(3.123)
pentru UBE <<UCC (cazul uzual), curentul de saturaie ICsat este aproximativ constant.
Un criteriu de apreciere al saturaiei, utilizabil n cazul circuitelor practice este:
I C sat
I B > I B sat
N
IB >
sau
U CC
,
RC N
(3.124)
cu IB calculat conform relaiei (3.121). La ndeplinirea criteriului de mai sus tranzistorul este
saturat, n caz contrar este n RAN.
Gradul de saturaie se poate aprecia prin factorul de supracomand n baz:
SB =
IB
I B sat0
IB
RC
N
U CC
(n saturaie S B > 1 ).
(3.125)
Un alt parametru utilizat pentru a determina gradul de saturaie este raportul dintre curenii
de colector i de baz, numit factor de amplificare forat (de circuitul extern tranzistorului):
fortat = I C I B .
(3.126)
TB este n saturaie dac forat < N . Pentru a realiza o saturaie ferm a tranzistorului, se
alege adesea forat =1020. Tensiunea colector-emitor n saturaie UCEsat scade odat cu scderea
factorului de amplificare forat.
129
Tensiunea UCEsat se poate calcula pe baza modelului Ebers-Moll. Deoarece tensiunile UBE
i UBC sunt ambele pozitive i mult mai mari dect UT , n ecuaiile (3.115) i (3.116) termenii
exponeniali sunt mult mai mari dect unitatea. Cu aceste aproximaii i dac se nlocuiete iB = IB
i iC = forat IB rezult un sistem de dou ecuaii care se poate rezolva pentru a obine UBE i UBC ,
iar tensiunea UCEsat este diferena acestor dou tensiuni:
U CE sat = U T ln
1 + ( fortat + 1) I
.
1 fortat N
(3.127)
Aceast relaie poate fi utilizat pentru a calcula dependena tensiunii UCEsat de forat .
Exemplu
[V]
0,2
50mV
0,1
UCEofs
N = 200, I =10
N = 200, I = 2
10
forat
30
forat
200
195
180
150
100
50
30
10
UCEsat [mV]
207
170
143
116
89
74
48
23
17
10
forat (invers)
1,95
1,8
1,5
UECsat [mV]
93
58
35
18
200
195
180
150
100
50
30
10
168
131
104
78
52
39
1,95
1,8
1,5
UECsat [mV]
5,8
5,3
4,4
2,9
forat
UCEsat [mV]
5,9
130
Deoarece iC = forat IB , pentru IB constant, forat este proporional cu iC i curba din figur
este practic caracteristica uCE iC pentru un curent de baz IB constant (pentru domeniul curenilor
iC mici). Valoarea infinit a tensiunii UCEsat obinut n tabel (i n grafic) pentru forat = N
semnific faptul c tranzistorul este n RAN. Figura arat n plus i independena tensiunii uCE de
iC n regim activ de funcionare. Pe msur ce forat se reduce, tranzistorul intr n saturaie mai
profund, UBC crete i UCEsat scade. Pentru forat =0, ceea ce corespunde colectorului n gol
(iC =0), se obine o valoare mic a tensiunii UCEsat . Aceast valoare reprezint tensiunea remanent
(de ofset) UCEofs pe tranzistorul care funcioneaz ca un comutator (conform zonei detaliate a
figurii). n figur s-au trasat cu linie punctat i posibile caracteristici liniarizate, cu care se poate
aproxima curba analizat. Se poate constat c aceste caracteristici liniarizate estimeaz o valoare
mai mare a tensiunii de ofset.
Trebuie precizat c tensiunea UCEsat calculat cu (3.127) este mai mic dect tensiunea de
saturaie msurat, deoarece nu ine seama de cderea de tensiune pe rezistena serie a materialului
semiconductor al regiunii de colector rC, cdere de tensiune proporional cu curentul IC .
Tranzistorul funcioneaz inversat atunci cnd are colectorul legat spre mas i emitorul
legat printr-o rezisten (RC n cazul circuitului din figura 3.37.a) spre plusul sursei de alimentare.
n acest caz forat = IE /IB . Pentru a determina tensiunea de saturaie UECsat a acestui circuit, se
poate utiliza relaia (3.127) n care se schimb ntre ele valorile factorilor de amplificare: N I .
Rezultatele obinute sunt prezentate n liniile 3 i 4 ale tabelului anterior. Se remarc valorile
sensibil mai mici ale tensiunilor de saturaie obinute n acest caz, fa de cazul saturaiei pentru
tranzistorul conectat normal. Pentru a obine aceste tensiuni mici trebuie s fie utilizat un curent de
comand mult mai mare dect curentul comandat IB >>(IE ), de exemplu forat = 0,1 nseamn
IB =10(IE ), caz n care rezult o tensiune UECsat ceva mai mare de 1mV. Datorit tensiunii de
saturaie foarte mici, tranzistorul conectat inversat poate fi utilizat pentru comutarea semnalelor
analogice n circuite de conversie a datelor. Dezavantajul unei astfel de regim de funcionare al
tranzistorului este timpul relativ lung de comutare din saturaie n blocare.
Pentru un tranzistor al crui factor I este mai mare, tensiunile de saturaie rezultate sunt
mai mici, dup cum se poate constata dac se compar cea de-a doua parte a tabelului cu prima
parte a acestuia (linia 6 cu linia 2 i linia 8 cu linia 4). Prin urmare, tranzistoarele de comutaie, a
cror tensiune de saturaie trebuie s fie mic, au un factor I relativ mare i o rezistena serie (a
materialului semiconductor din regiunea de colector) rC ct mai mic. Parametrii tranzistorului
considerat la punctul b) al problemei corespund unui astfel de tranzistor (2N2222).
3.6.6
Comutarea tranzistorului
Se consider inversorul cu tranzistor bipolar (TB) din 3.38.a cruia i se aplic la intrare o
tensiune uI variabil n trepte ca n figura 3.38.b. Prin comutare direct se nelege trecerea
tranzistorului din blocare n saturaie i prin comutare invers trecerea din saturaie n blocare.
Analiza comutrii tranzistorului se poate face destul de exact pe baza ecuaiilor metodei sarcinii,
obinute prin integrarea ecuaiilor de continuitate pentru purttorii minoritari scrise n regiunile
neutre ale bazei i colectorului [1]. n locul acestei metode laborioase, care presupune cunotine de
fizica corpului solid care depesc cadrul acestei lucrri, se prefer analiza simplificat a
fenomenelor, urmat de simularea circuitelor (pentru validarea rezultatelor).
n figura 3.38 s-au reprezentat formele de und ale curenilor prin tranzistor sincrone n timp
cu forma de und a tensiunii de intrare. Atunci cnd tensiunea de intrare uI crete de la zero la U1 ,
se constat c apare un curent de colector semnificativ doar dup un timp td (timp de ntrziere
131
delay time n englez). Aceast ntrziere este timpul necesar pentru ncrcarea capacitii de intrare a
tranzistorului de la zero pn la tensiunea de polarizare direct uBE 0,7V. Urmeaz apoi o cretere
exponenial a curentului de colector spre valoarea final N IB 1 , unde IB1 este curentul injectat n
baz de circuitul exterior:
U U BE
.
I B1 = 1
(3.128)
RB
Datorit saturaiei, curentul de colector nu va ajunge la N IB1 , ci se va limita la IC sat UCC /RC .
Viteza de comutare direct poate fi apreciat cu ajutorul timpului de cretere tr (rise time n englez)
sau prin intermediul timpului de deschidere al tranzistorului ton , a cror valoare se determin
conform figurii. (S-au preluat indicii de la denumirile din limba englez deoarece n limba romn termenii
cretere i cdere au aceiai iniial).
uI
U1
CB
0
U2
b)
iC
ton
RB
toff
RC
iB
iC + UCC
uI
a)
0,9IC sat
IC sat
0,5 IC sat
0,1 IC sat
t
td
tr
c)
iB
ts
tf
IB1
0
IB 2
d)
Durata mare de blocare se poate explica dac se analizeaz distribuia purttorilor minoritari
din baza tranzistorului, schiat n figura 3.39. Purttorii minoritari difuzeaz prin baz (dinspre
emitor spre colector) i, conform relaiei (2.49), curentul de difuzie este proporional cu gradientul
concentraiei de impuriti, deci cu panta dreptei care arat profilul de impuriti n baza
tranzistorului. Deoarece jonciunea colectorului este i ea polarizat direct, concentraia purttorilor
minoritari n vecintatea colectorului va fi nenul. Sarcina suplimentar din baz, haurat n figur,
nu particip la formarea curentului de colector, ci se datoreaz surplusului de curent injectat din
circuitul exterior n baza tranzistorului (pentru a-l aduce n saturaie). Cu ct este mai mare factorul
de supracomand n baz, cu att este mai mare excesul de purttori n baz. De fapt, aceast
132
sarcin, numit sarcin n exces n baz (sau de saturaie) Qs, este proporional cu surplusul de
curent n baz, IB = IB1 IBsat (cu IBsat = IC sat /N ):
Qs = s IB = s (IB1 IB sat ),
(3.129)
RSS
a Je
Baza
RSS
a Jc
(1)
(2)
(3)
(4)
a)
b)
Fig. 3.39. a) Profilul concentraiei purttorilor minoritari n baza unui tranzistor saturat. Aria
haurat reprezint sarcina n exces (de saturaie). b) La blocarea tranzistorului sarcina n exces
trebuie s dispar prima. n acest timp profilul se schimb de la dreapta (1) la dreapta (2). Apoi
profilul scade spre zero dreapta (4), iar curentul de colector scade exponenial spre zero.
Timpul de stocare
Comutarea invers a tranzistorului ncepe din momentul n care tensiunea de comand uI
comut la valoarea negativ U2 . Curentul de colector nu se modific pe durata extragerii din baz a
sarcinii n exces. n acest timp, numit timp de stocare ts , profilul purttorilor minoritari din baz se
modific conform figurii 3.39.b, de la dreapta (1) la dreapta (2). Dup cum se constat din figura
3.38.d, curentul de baz devine negativ, deoarece uBE rmne aproximativ 0,7V n timp ce
tensiunea uI devine negativ, uI = U2. Curentul invers I2 ajut la ndeprtarea mai rapid a sarcinii
suplimentare Qs din baz (n absena acestui curent, sarcina Qs dispare doar datorit recombinrii).
Se poate arta [1] c timpul de stocare poate fi calculat cu relaia:
t s = s ln
I B1 I B 2
,
I Bsat I B 2
unde
I Bsat =
I Csat
U CC
.
N RC
(3.130)
IB 2 este negativ conform figurii 3.38.d: IB 2 = (U2 UBE )/RB (cu U2 0).
Pentru exemplul din figura 3.38, IB 2 = (2 0,85)/1k= 2,85mA, IB sat = 230m/1501,53mA
i s se poate exprima din (3.130): s = 53n/ln[(4,2m + 2,85m)/(1,53m + 2,85m)]=111ns.
Dup ce sarcina suplimentar a fost extras, curentul de colector scade exponenial cu o
constant de timp care depinde de capacitile jonciunilor. n acest timp panta profilului de
impuriti scade spre zero, conform figurii 3.39.b. n final, iB scade la zero, atunci cnd capacitatea
jonciunii de emitor Je se ncarc la tensiunea negativ U2 (la blocare Je va fi polarizat invers).
O metod de reducere a timpilor de comutaie, const din introducerea unui condensator CB
n paralel cu rezistena RB (figura 3.38.a). Valoarea acestuia se calculeaz astfel nct variaia
sarcinii n condensator (la comutaia invers) s fie cel puin egal cu sarcina stocat n baz:
QC Qs sau CB (U1 U2 ) s (IB1 IB sat ), de unde rezult:
133
CB
U 1 U BE
U
CC
U1 U 2
RB
N RC
(3.131)
n concluzie, pentru tranzistorul bipolar n saturaie, cel mai important element de limitare a
vitezei de comutare a tranzistorului este timpul de stocare ts , a crui valoare este proporional cu
gradul de saturaie al tranzistorului. Pentru a obine circuite care comut rapid, saturaia trebuie
evitat, sau gradul de saturaia trebuie s fie ct mai redus, sau se utilizeaz un condensator de
accelerare n circuitul bazei.
134
Caracteristicile statice
Caracteristicile statice ale tranzistorului exprim legtura dintre tensiunile aplicate i curenii
care circul prin tranzistor n regim static (n curent continuu cc).
Trasarea caracteristicilor statice se face experimental, prin conectarea tranzistorului ntr-un
circuit care permite msurarea tensiunilor i curenilor prin tranzistor. Tranzistorul, considerat ca
fiind o "cutie neagr", adic un obiect la care prezint interes comportarea la borne, poate fi ncadrat
n categoria cuadripolilor. Cuadripolii sunt circuite cu 4 borne de acces. n cazul de fa prezint
interes cuadripolii cu dou pori denumite intrare i ieire. Mrimile electrice de la bornele de
intrare, respectiv ieire sunt marcate n figura 3.41.a cu indicii I , respectiv O .
Fig. 3.41. TB privit ca un cuadripol.
a) schema bloc a unui cuadripol,
b) TB tip npn n conexiunea EC.
iI
uI
iO
IN
OUT
uO
iC
iB
u CE
uBE
a)
b)
Caracteristicile statice ale cuadripolilor reprezint relaia (grafic) dintre trei mrimi: una n
abscis, una n ordonat i cealalt considerat ca parametru. Caracteristicile cuadripolilor pot fi:
-
Pentru a putea considera TB ca un cuadripol este necesar ca un terminal s fie comun intrrii
i ieirii cuadripolului. Acest terminal reprezint masa electric a montajului i va fi considerat
referin de potenial. Terminalul conectat la mas determin conexiunea tranzistorului. n cazul
conexiunii emitor comun (EC), emitorul este la mas, intrarea este ntre baz i emitor iar ieirea
ntre colector i emitor, conform figurii 3.41.b. Pentru trasarea caracteristicilor statice, schema
simplificat din figura 3.41.b este completat cu surse de alimentare reglabile i aparate de msur.
La tranzistorul de tip npn, caracteristicile statice (obinute prin simularea circuitului realizat cu un
tranzistor de tip 2N2222) sunt prezentate n figurile 3.42 i 3.43. n planul caracteristicilor de ieire
din figura 3.43.a s-a trasat cu linie punctat i curba UCE =UBE, care delimiteaz regiunea activ
normal (RAN, cu UCE >UBE) de saturaie.
40
I B [A]
UCE =0,1V
20
UCE =10V
UBE [V]
0
0,4
0,8
135
I C [mA]
10
10
I B = 50A
I C [mA]
UCE = 6V
I B = 40A
UCE = UBE
UCE = 1V
I B = 30A
5
I B = 20A
UCE = 0,1V
I B =10A
UCE [V]
I B [A]
0
2
4
6
50
Fig. 3.43. Caracteristicile statice ale TB (npn, n conexiunea EC): a) de ieire, b) de transfer.
- Caracteristicile de ieire n RAN (UCE >UBE) depind puternic de IB i foarte puin de UCE.
- Caracteristica de transfer n RAN depinde puin de UCE, n saturaie dependena este mai accentuat.
- La ambele familii de caracteristici se observ proporionalitatea curentului de colector fa de IB.
0
(3.132)
i B [A]
40
iC [mA]
10
30
UCC
RC
UBB
RB
IB
I B = 20A
IC
10
0
uBE [V]
0
UBE 1
a)
UBB 5
uCE [V]
0
b)
UCE
15
UCC
Fig. 3.44. Determinarea psf din caracteristicile statice ale TB: a) la intrare, b) la ieire.
Dreptele corespunztoare circuitelor de polarizare s-au trasat prin "tieturi"; punctele de
coordonate {0, UBB /RB} i {UBB, 0} la intrare, respectiv {0, UCC /RC} i {UCC, 0} la ieire.
136
T2K aplicat n circuitul de ieire, numit dreapt de sarcin static (n cc), este:
U CC = R C i C + u CE .
(3.133)
3.7.2
n cataloagele de componente electronice sunt precizate cel puin valorile limit admisibile,
tipul capsulei i unele dintre caracteristici electrice i termice ale tranzistoarelor. Foile de catalog
detaliate conin i curbe de variaie ale unor caracteristici tipice ale tranzistorului. nelegerea
acestor caracteristici permite alegerea tranzistoarelor celor mai potrivite pentru o anumit aplicaie.
Un tranzistor se conecteaz n circuit innd seama de configuraia terminalelor i de tipul
capsulei. Pe desenul capsulei din catalog sunt trecute i dimensiunile mecanice ale acesteia.
Valorile limit absolute reprezint valorile maxime ale tensiunilor ce pot fi aplicate, a
curenilor pe care i suport sau a puterii disipate admisibile pentru un anumit tranzistor (identificat
cu un anumit cod). Aceste valori limit sunt suportate de orice component cu codul respectiv.
Unele dintre componentele marcate cu acel cod vor suporta i valori mai mari (dect cele date n
catalog), ns productorul nu garanteaz acest lucru i de aceea trebuie ca circuitele s fie
proiectate astfel nct mrimile din circuit s nu depeasc valorile precizate n catalog. Tensiunile
admisibile dintre dou terminale sunt precizate cu indicarea strii celui de-al treilea terminal:
- VCB0 tensiunea colector-baz cu emitorul n gol (Collector-Base Voltage, IE =0);
Aceste tensiuni sunt mai mici dect tensiunea de strpungere a jonciunii respective i au
valori pozitive pentru tranzistoarele npn i negative pentru tranzistoarele pnp. S-a notat i traducerea
n limba englez deoarece este utilizat n majoritatea cataloagelor i justific indicii folosii.
Sensul curenilor este considerat a fi sensul de intrare n terminalele respective; curenii din
catalog, pozitivi pentru tranzistoarele npn i negative pentru pnp, sunt:
- I C curentul maxim de colector, valoare de curent continuu (Collector Current, dc);
-
I CP (I CM) curentul maxim de colector, valoare de vrf (Collector Current, peak or pulse);
Ptot (PC) puterea maxim admisibil la o temperatur a capsulei TC 25C sau o temperatur
ambiant Tamb 25C, (Total Dissipation, or Collector Dissipation, at TC or Tamb 25C);
137
n cazul n care temperatura capsulei (sau temperatura ambiant) este mai mare dect 25C,
puterea admisibil se reduce corespunztor. n practic, puterea ce poate fi disipat de tranzistor, cu
un radiator rezonabil i fr ventilator, este de circa trei ori mai mic dect puterea de catalog (dat
ca n primul caz de mai sus, pentru TC 25C). n foile de catalog ale tranzistoarelor este trasat
curba (de fapt o dreapt, Derating Curve n englez) care indic reducerea puterii admisibile n
funcie de temperatura capsulei (sau n funcie de temperatura ambiant), figura 3.45.a.
Caracteristicile termice sunt precizate adesea i ca valori (de obicei maxime) ale rezistenei
termice jonciune-capsul Rthj-c (utilizat la dimensionarea radiatorului) i/sau ale rezistenei
termice jonciune-ambiant Rthj-a (zecisute de C/W pentru tranzistoarele fr radiator, valori mai
mari pentru capsule mai mici). Funcia liniar care face legtura ntre temperaturi i puterea disipat
Ptot (figura 3.45.a) este:
TJ TC = Ptot Rthj-c
a)
sau
(3.134)
b)
Fig. 3.45. Exemple de caracteristici de catalog ale TB (npn, medie putere, tip BD135,137,139):
a) Reducerea puterii disipate maxime cu temperatura (Ptot =12,5W la TC 25C), b) Ariile de
siguran n cc i n regim de impulsuri (I C =1,5A, I CP =3A, VCE0 =60V la BD137).
Aria de siguran (Safe Operating Area) reprezint limitele valorilor tensiunilor VCE i
curenilor I C pentru care tranzistorul prezint un regim termic stabil i este reprezentat n foile de
catalog ca un domeniu al planului I C VCE cu axele gradate logaritmic (3.45.b). Domeniul cel mai
restrictiv este pentru cazul funcionrii tranzistorului n cc. Sunt trasate i domenii admise pentru
funcionare n regim de impulsuri. Aceste domenii sunt limitate de curentul I C maxim, tensiunea
VCE maxim, puterea admisibil Ptot i curba strpungerii secundare. Strpungerea secundar se
manifest prin scderea brusc a tensiunii VCE , apare n general la tensiuni mari i se datoreaz
creterii densitii de curent n anumite puncte datorit neregularitilor de structur, compoziie sau
form ale tranzistorului. Existnd o densitate local mare de curent cristalul se nclzete mai mult
n acel punct, ceea ce i crete conductivitatea, deci curentul prin aceast zon crete i mai mult,
nclzirea local i ea, apare astfel un proces regenerativ. Factorii care favorizeaz apariie
strpungerii secundare n regim de impulsuri sunt energia impulsului i temperatura jonciunii.
138
I CB0 curentul de colector n blocare cu emitorul n gol, msurat la tensiunea VCB maxim
(Collector Cut-off Current, IE =0);
I CE0 curentul de colector n blocare cu baza n gol, msurat la tensiunea VCE maxim admis
(Collector Cut-off Current, IB =0);
Factorul static de amplificare n curent N (DC Current Gain), simbolizat hFE , este dat la
o anumit valoare a (sau pentru mai multe valori ale) curentului de colector. De obicei se indic
valoarea minim, uneori limitele extreme i valoarea tipic. Limitele extreme se dau ntotdeauna
atunci cnd se face o clasificare a tranzistoarelor n categorii comerciale (marcate pe capsul cu o
litere sau cu un grup de cifre suplimentar), n funcie de factorul de amplificare. Simbolul hFE
provine de la numele de factor hibrid de amplificare direct n conexiunea EC (Forward hybrid
Factor for Common Emitter) i reprezint un parametru de cuadripol al tranzistorului.
Frecvena de tiere fT (sau produs amplificare-band, Transition Frequency, Current Gain
Bandwidth Product) reprezint frecvena la care factorul static de amplificare n curent N devine
unitar (n modul). De obicei se precizeaz valoarea minim a acestei frecvene (cu valori uzuale de
la 1MHz la 1GHz) la un anumit curent de colector (de obicei curentul la care fT este maxim).
Parametrii de mai sus sunt dai n aproape toate cataloagele. Uneori, mai ales pentru
tranzistoare folosite la aplicaii speciale (comutaie, nalt frecven), se dau i ali parametrii
electrici, ca de exemplu: capacitile interne, timpii de comutaie, factorul de zgomot.
n foile de catalog ale tranzistoarelor, caracteristicile electrice sunt completate adesea cu
dependene grafic ale valorilor tipice ale parametrilor: VCE(sat)-I C, VBE-I C, fT-I C, hFE-I C i altele.
3.7.3
Amplificarea n curent dintre colector i baz poate fi exprimat static N (ca raport al
curenilor) sau dinamic 0 (ca raport al variaiilor de curent):
N =
IC
IB
respectiv
0 =
diC
.
di B
(3.135)
Curenii, respectiv variaiile curenilor, sunt considerate ntr-un psf din RAN. n condiii obinuite,
factorii de amplificare nu depind semnificativ de psf i de aceea sunt considerai constani. Dac
tranzistorul funcioneaz ns la variaii mari ale mrimilor electrice aplicate sau pentru variaii mari
ale factorilor de mediu (de exemplu a temperaturii T ), atunci variaia ctigului n curent poate s
fie important. Analiza detaliat a funcionrii tranzistorului [1] arat c N =f (I C, UCE, T ).
Dependena de temperatur i de IC a amplificrii n curent este ilustrat n figura 3.45, n
care se prezint curbele tipice pentru un tranzistor npn (tip 2N2222) la trei temperaturi diferite.
Factorul N crete cu creterea temperaturii (coeficientul termic poate fi de exemplu kT =0,7%/C).
139
Zona I
300
Zona I I
Zona I I I
T = 125 C
200
T = 25 C
100
T = -55 C
0
10A
IC
0,1mA
1mA
10mA
0,1A
1A
Variaia lui N cu curentul de colector, evideniat n figura 3.45, poate fi mprit n trei
zone. Zona I este zona curenilor mici, n care N scade odat cu scderea curentului (la cureni de
colector foarte mici N este proporional cu I C ). n zona II, care corespunde valorilor medii ale
curentului, N este aproximativ constant. Zona III este zona de curent mare n care N scade odat
cu creterea curentului (la cureni foarte mari factorul de curent este proporional cu 1/IC).
O consecin direct a variaiei lui N este faptul c 0 are o valoare diferit de N. Relaia
dintre factorii de amplificare poate fi obinut prin diferenierea funciei iC = N iB n raport cu iB .
Folosind relaiile (3.135) se obine:
0 =
N
.
d N iC
1
d iC N
(3.136)
Aceast relaie arat c dac N depinde de iC , atunci 0 N (derivata din relaia de mai sus este
nenul). Astfel, n zona curenilor mici (zona I, unde derivata este pozitiv), 0 >N iar n zona
curenilor mari (zona III, unde derivata este negativ), 0 < N . n zona curenilor medii, N fiind
aproximativ constant, derivata din relaia precedent este practic nul i 0 N . n calculele uzuale
se consider o valoare unic pentru factorii de amplificare, notat simplu cu .
Un exemplu numeric poate fi edificator pentru nelegerea implicaiilor practice ale variaiei
factorului N cu curentul de colector. Se consider tranzistorul cu caracteristicile din figura 3.45 la
temperatura normal T=25C. La cureni medii (5mA 50mA), 0 N 180. Amplificrile scad
semnificativ la cureni mari; la IC1=0,13A, N1150 i la IC2 =0,5A, N2 100. Aproximnd
diferenialele din relaia (3.136) cu diferene finite rezult:
02
N2
100
= 60 ,
=
150 130 0,5
N I C 2
1
1
0,5 0,13 100
iC N 2
deci factorul dinamic de amplificare la iC2 =0,5A este doar o treime din cel de la cureni medii.
140
Dependena lui N de tensiunea UCE este datorat aa numitului efect Early: creterea tensiunii UCB (=UCE UBE ) duce la creterea limii regiunii golite a Jc i la micorarea grosimii
efective a bazei (WB n figura 3.33). Ca urmare se reduce recombinarea n baz, scade curentul de
baz pentru acelai curent de colector i crete N (ca raport al curenilor IC /IB ). N depinde cu att
mai mult de UCE cu ct tranzistoarele au baza mai ngust i implicit un factor N mai mare
(amplificarea n curent este mare deoarece recombinarea n baza ngustat este mic). Deci pentru
ca efectul Early s fie mai puin important, trebuiesc utilizate tranzistoare cu factorul N mai mic.
3.7.4
Zgomotul este semnalul nedorit care apare ntr-un circuit electronic i care este independent
de semnalul util. Ceea ce conteaz n practic este raportul semnal-zgomot. Tranzistorul prezint
zgomot n tot spectrul de frecven. Zgomotul este de mai multe tipuri:
-
zgomot de alice, cauzat de distribuia statistic a fluxului de purttori n jonciunea colectorbaz, deoarece trecerea fiecrui purttor prin jonciune este un eveniment pur aleator (este un
zgomot alb deoarece densitatea spectral a acestui zgomot este independent de frecven),
zgomot termic, datorat agitaiei termice a purttorilor (este un zgomot alb, prezent n orice
rezistor, indiferent de prezena curentului electric i este proporional cu temperatura absolut),
n consecin, zgomotul propriu al tranzistorului este mare la frecvene foarte joase, scade
pn la circa 1kHz, rmne constant pn la frecvene apropiate de frecvena de la care amplificarea
tranzistorului scade, de unde zgomotul ncepe s creasc (relativ la semnalul util).
Aprecierea zgomotului propriu al tranzistorului se face cu ajutorul factorului de zgomot F,
exprimat de obicei n decibeli i care se definete ca fiind raportul dintre raportul semnal-zgomot la
intrare Si /Ni i raportul semnal-zgomot la ieire So /No :
F=
(3.137)
141
3.8.1
Variaia sarcinii purttorilor minoritari n baz dQb , datorat variaiei tensiunii aplicate
jonciunii de emitor duBE , este modelat prin capacitatea de difuzie a jonciunii de emitor:
C de =
dQb
,
du BE
(3.138)
La definirea Cde intervin doar purttorii minoritari din baz, deoarece curentul prin jonciune este de
fapt curentul de drift al purttorilor care trec din emitor n baz (curentul purttorilor care difuzeaz din baz
n emitor este neglijabil, deoarece gradul de dopare al bazei este mult mai mic dect cel al emitorului).
Sarcina electric poate fi exprimat ca produs curent-timp. Sarcina din baza tranzistorului i
variaia acesteia pot fi exprimate ca fiind:
Qb = F I C ,
dQb = F diC
respectiv
(3.139)
unde F reprezint timpul mediu de tranzit al purttorilor minoritari prin baz (pentru funcionare n
RAN). nlocuind (3.139) n (3.138) i innd seama de (3.68) i de (3.67) rezult:
C de =
F d iC
du BE
= F gm
C de = F
IC
.
UT
(3.140)
Deci capacitatea de difuzie a jonciunii de emitor este proporional cu curentul de colector din psf.
3.8.2
Rezistena de ieire
Rezistena de ieire a tranzistorului (n conexiunea EC) este:
ro =
du CE
,
diC
(3.141)
Conform ecuaiei tranzistorului n RAN, (3.4) sau (3.107), curentul de colector nu depinde
de tensiunea uCE . O analiz mai detaliat a fenomenelor din tranzistor pune n eviden ns o astfel
de dependen. La creterea tensiunii de colector uCE , pentru o tensiune de baz constant UBE ,
crete tensiunea de polarizare a jonciunii de colector uCB = uCE UBE . Ca urmare, crete limea
RSS a Jc, scade limea efectiv a bazei (WB din figura 3.33), scade recombinarea n baz i crete
curentul de colector. Din acelai curent de emitor (determinat de tensiunea UBE constant), datorit
micorrii recombinrii, o fraciune mai mare ajunge n colector; n sistemul de ecuaii (3.107) iE
este constant, N i iC cresc datorit creterii factorului de transport n baz tB din relaia (3.105).
Acest fenomen este cunoscut sub numele de efect Early i poate fi pus n eviden n caracteristicile
statice de ieire ale TB, trasate cu UBE parametru. Dac se extrapoleaz aceste caracteristici, ele se
vor ntlni n punctul de coordonate {0, UA }, ca n figura 3.46.
iC
UBE 4
UBE 3
IC
UBE 2
UBE 1
UA
UCE
Fig. 3.46. Tensiunea Early UA pus n eviden din caracteristicile de ieire ale TB.
uCE
142
ro
UA
IC
(3.142)
S-a considerat cazul uzual UCE <<UA , care simplific relaia de calcul.
Rezistena de ieire a tranzistorului este invers proporional cu curentul de colector din psf
i se poate exprima n funcie de gm , la fel ca i ali parametrii de semnal mic:
ro =
1
,
gm
(3.143)
unde = UT /UA este factorul Early (de exemplu = 2,5 x10-4 pentru T = 290K i UA =100V).
3.8.3
Reunirea elementelor de circuit incluse n modelul simplificat din figura 3.24 (gm i r ), cu
elementele descrise anterior, conduce la modelul de semnal mic al tranzistorului din figura 3.47.
Acest model, valabil n RAN att pentru tranzistorul npn ct i pnp, este denumit modelul -hibrid.
Evaluarea elementelor acestui model presupune determinarea prealabil a curentul static de colector
IC i cunoaterea unui numr relativ mic de parametrii ai tranzistorului: 0 , F i UA .
c
b
r
ube
Cde
gm ube
ro
gm =
IC
,
UT
r =
0
gm
C de = F g m ,
ro =
UA
IC
n continuare, acestui model i se vor aduga elemente suplimentare care modeleaz efectele
parazite i cele de ordinul doi (mai puin importante).
Rezistena colector-baz
Un efect de ordinul doi este dat de variaiile tensiunii UCE asupra sarcinii de purttori
minoritari din baz. Creterea tensiunii UCE determin creterea limi regiunii golite a jonciunii de
colector, i deci, reducerea grosimii bazei (prin efect Early). Ca urmare sarcina total de purttori
minoritari n baz se micoreaz, ceea ce corespunde unei scderi a curentului de baz IB (scade
recombinarea n baz). Deoarece o cretere duCE a tensiunii UCE determin o scdere diB a
curentului IB , acest efect se poate modela prin introducerea unei rezistene r ntre colector i baz.
innd cont de relaiile (3.135) i (3.141), valoarea acestei rezistene este:
r =
du CE duCE diC
=
= ro 0 .
di B
d iC d i B
(3.144)
Aceast relaie este corect dac se consider curentul de baz ca fiind identic cu curentul de
recombinare n baz. La tranzistoarele moderne, valoarea curentului de recombinare poate s
reprezinte doar 10% din curentul de baz (componenta de difuzie a purttorilor majoritari din baz
spre emitor fiind determinant pentru IB ). Ca urmare valoarea pentru r poate fi 10 0 ro , iar
valoarea indicat de relaia (3.144) reprezint limita inferioar pentru r . Datorit valorii foarte mari
a acestei rezistene (Msute de M) ea este de obicei neglijat.
3.8.4
143
Deoarece rezistivitatea regiunii bazei este mare (baza avnd un grad de dopare redus),
rezistena serie a bazei, notat cu rb (sau rx, sau rbb) are o valoare semnificativ (zeci de ohmi).
Valoarea rezistenei rb variaz semnificativ n funcie de curentul de colector IC din cauza
efectului numit aglomerarea emitorului. Acest fenomen este o consecin a cderii de tensiune ce
apare pe materialul semiconductor al bazei datorit curgerii curentului de baz n regiunea de sub
emitor (transversal fa de sensul curentului prin tranzistor, care curge de la emitor la colector).
Aceast cdere de tensiune lateral face ca polarizarea jonciunii baz-emitor s fie neuniform,
fiind maxim de-a lungul perimetrului emitorului. La cureni de colector mari, cderea de tensiune
lateral nu mai este neglijabil; ca urmare curentul de emitor se aglomereaz pe periferia
emitorului, nemaifiind uniform distribuit pe ntreaga suprafa a emitorului. Deci efectul de
tranzistor tinde s aib loc pe perimetrul emitorului i nu sub emitor. Ca urmare distana de la
contactul bazei la regiunea activ a bazei se reduce, iar rezistena seria a bazei se micoreaz la
cureni de colector mari (la cureni foarte mari scade cu pn la un ordin de mrime din valoarea de
la cureni mici).
Ordinul de mrime al rezistenelor parazite a fost dat pentru tranzistoarele de medie putere;
la tranzistoarele de mic putere aceste rezistene pot fi cu un ordin de mrime mai mari, iar la
tranzistoarele de putere mare cu un ordin de mrime mai mici.
144
3.8.5
Dac se adaug la circuitul fundamental de semnal mic din figura 3.47 rezistenele i
capacitile parazite se obine circuitul echivalent complet de semnal mic din figura 3.48. Nodul
intern al bazei este notat cu b, diferit de contactul extern al bazei b.
r
b
rb
ub'e
b'
r
rc
gm ub'e
ro
c
Fig. 3.48. Circuitul echivalent
de semnal mic, complet, al unui
tranzistor bipolar.
Ccs
rex
e
3.8.6
Capacitatea C este compus din capacitatea de difuzie Cde i cea de barier Cbe a jonciunii
de emitor:
C = C de + Cbe .
(3.145)
La jonciunea de emitor (Je) polarizat direct, capacitatea de difuzie Cde se calculeaz cu
relaia (3.140) i capacitatea de barier Cbe se poate estima cu relaia (2.92): Cbe 2Cbe0, unde
Cbe0 este capacitatea de barier a Je la polarizare nul. La un curent mediu sau mare prin tranzistor,
capacitatea de barier Cbe este neglijabil fa de cea de difuzie Cde.
n cazul jonciunilor polarizate invers capacitatea de difuzie este practic nul i capacitatea
de barier se poate calcula particulariznd relaia (2.92). Astfel, la tranzistorul npn:
C =
C 0
(1 U BC
U 0 )m
(3.146)
unde C0 este capacitatea de barier la polarizare nul, U0 este diferena intern de potenial, UBC
este tensiunea de polarizare n sens direct i m este un exponent a crui valoare este cuprins ntre
1/3 (la jonciuni gradate) i 1/2 (la jonciuni abrupte); toate aceste valori se refer la jonciunea
colector-baz. Capacitatea Ccs a tranzistoarelor integrate se determin cu o relaie de acelai tip.
Exemplu
145
C 0
U 3
10
= 8p 2,6 = 21pF ,
= C ob0 1 + CB = 8p 3 1 +
0,6
U0
3 1+
5
0,6
21p
= 10pF .
2,1
I C 10m
A
mA
=
= 0,4 = 400
.
V
V
U T 25m
gm =
21p
C =
r =
ro =
0
gm
200
= 500 .
0,4
70
= 7k ,
10m
r = 2 0 ro = 2 200 7k = 2,8M .
Circuitul echivalent cu valorile elementelor de semnal mic ale tranzistorului este dat n
figura urmtoare.
2,8M
20
ub'e
b'
500
10 pF
300 pF
0,4 ub'e
7k
3.8.7
146
rb
ic
ib
ib
ub'e
gm ub'e
a)
ro
Ccs
ic
b)
Fig. 3.50. Determinarea frecvenei de tiere a tranzistorului fT :
a) schema de curent alternativ, b) circuitul echivalent de semnal mic.
0 = r g m =
gm
g
(3.147)
Mrimile electrice din circuit fiind sinusoidale se poate face calculul circuitului n complex.
Factorul de amplificare n curent al tranzistorului se definete ca fiind raportul curenilor cu ieirea
n scurtcircuit:
Ic
Ib
0 =
(3.148)
uce =0
I c = g m j C U b'e g m U b 'e
(3.149)
I b = [ g + j (C + C )] U b 'e
0 =
g m j C
g + j (C + C )
gm
;
g + j (C + C )
(3.150)
0 =
0
1 + j
C + C
1 + j r (C + C )
(3.151)
0 ( j )
j r (C + C )
r g m
gm
.
=
j r (C + C ) j (C + C )
(3.152)
Din (3.152) rezult pulsaia i frecvena de tiere a tranzistorului pentru | 0 (j)| =1:
T =
gm
C + C
sau
fT =
gm
1
.
2 C + C
(3.153)
0 ( j )
gm
= T .
(C + C )
(3.154)
Acest rezultat semnific faptul c produsul amplificare-band (de frecvene) este constant i
egal cu frecvena de tiere:
0 ( j ) = T ,
0 ( f ) f = fT .
(3.155)
147
Relaia anterioar este adevrat pentru frecvene suficient de mari, mai concret dac partea
imaginar a numitorului din relaia (3.151) este mult mai mare dect unitatea:
r (C + C ) >> 1 ,
adic
>>
gm
1
=
= T = ,
r (C + C ) 0 (C + C ) 0
(3.156)
unde reprezint pulsaia de frngere, pulsaia la care partea real este egal cu partea imaginar
a lui 0 (j). Prin urmare se definete ca fiind pulsaia la care modulul amplificrii n curent
scade la 0 / 2 (scade cu 3dB fa de amplificarea de la frecvene joase).
Dependena amplificrii n curent de frecven poate fi ilustrat ca n figura 3.51.
| 0 ( ) | [dB]
caracteristica asimptotic
0
3dB
20 dB
20dB/dec
(scar logaritmic)
0 dB
0,1 T
T =
C + C
gm
C
C de Cbe C
C
,
+
+
= F + be +
gm
gm gm
gm gm
(3.157)
expresie care arat c T este dependent de curentul de colector IC din psf (prin intermediul lui
gm ) atingnd o valoare constant la valori mari ale curentului de colector. La valori mici ale
curentului IC termenii care conin capacitile Cbe i C sunt dominani, determinnd o cretere a lui
T i respectiv o scdere a frecvenei fT, odat cu scderea curentului IC . Aceast comportare este
ilustrat n figura 3.52 care reprezint o curb tipic a dependenei frecvenei fT de curentul static
de colector IC . Aceast teorie simpl nu prevede scderea frecvenei fT la cureni mari de colector;
scdere datorat creterii constantei T ca urmare a efectelor de nivel mare de injecie (la cureni
mari, concentraia purttorilor minoritari din baz devine comparabil cu concentraia purttorilor
majoritari). Practic, din caracteristica de catalog fT -IC se determin valoarea maxim a frecvenei
de tiere fTmax (sau se poate considera valoarea de catalog fT ca fiind fTmax ). Folosind aceast
mrime, se poate calcula constanta F (necesar la determinarea capacitii de difuzie Cde din baza
tranzistorului):
1
F =
.
(3.158)
2 f T max
148
400
fT
[MHz]
300
VCE =20V
TJ = 25C
200
100
0
1
10
IC [mA]
100
Exemplu
T1 =
1
= 1,76ns ,
2 f T 1
T 2 =
1
= 0,8ns .
2 f T 2
nlocuind aceste date n (3.157) i cu gm calculat din (3.67), rezult sistemul de ecuaii:
1,76n = F + 25 (C + Cbe )
0,8n = F + 6,25 (C + Cbe )
n final trebuie precizat c modelul complet al tranzistorului bipolar (care a fost utilizat n
aceast analiz) este potrivit numai pentru frecvene mai mici dect circa 0,2 T , pentru frecvene
mai mari, rb i C trebuiesc considerai ca elemente cu parametrii distribuii. O alt observaie
referitoare la modelul de nalt frecven al tranzistorului din figura 3.48, este c la frecvene mai
mari dect circa 10 , se poate ignora rezistena r (capacitatea C fiind dominant, XC<<r).
Rezistena rb rmne singurul element rezistiv la intrare i are un rol major n ceea ce privete
comportarea tranzistorului la frecvene mari. De aceea, determinarea precis a rezistenei rb se poate
face printr-o msurtoare la nalt frecven.
149
3.8.8
Modelele de cuadripol
ui = hi ii + hr uo
;
b)
i
h
i
h
u
=
+
o
f
i
o
o
sau
(3.159)
ii = yi ui + yr uo
.
b)
io = y f ui + yo uo
sau
(3.160)
ii ri
io
in
out
uo
ui
hr uo
a)
io
hf i i
ho
uo
b)
150
u
hr = i
factorul de transfer invers n tensiune, cu intrarea n gol (factor de reacie);
uo i = 0
i
i
hf = o
factor de transfer direct n curent, cu ieirea n scurtcircuit (amplificare n curent);
ii u = 0
o
i
ho = o
admitana de ieire cu intrarea n gol.
uo i = 0
i
Parametrii hibrizi sunt diferii din punct de vedere dimensional i se obin prin msurtori efectuate
n condiii de gol sau de scurtcircuit pentru componenta de ca (de semnal).
n unele cataloage se dau valorile parametrilor h la joas frecven (1 kHz), pentru un
anumit psf (de exemplu IC =1mA i UCE =5V) i o anumit temperatur (25C). De asemenea, n
foile de catalog se dau uneori curbe tipice de variaie, care prezint modificarea relativ a
parametrilor fa de valoarea de referin.
u b = hie ib + hre u c
;
ic = h fe ib + hoe u c
(3.161)
Pentru msurarea parametrilor hie i hfe , se poate utiliza circuitul din figura 3.54.a. La acest
circuit condensatoarele au valori suficient de mari pentru a putea fi considerate scurtcircuite la
frecvena de lucru (teoretic au valoare infinit). Rezistena de polarizare a bazei RB are o valoare
mare, iar rezistena RC este dimensionat pentru a fixa tensiunea de colector dorit. Rezistena de
sarcin RL este mic, astfel nct colectorul s fie practic scurtcircuitat la mas:
u
ic io = c .
RL
RC
RB
Rg
CB
ii
ic
ib
+UCC
CC
ub
a)
RC
RB
io
RL
ug
(3.162)
ic
CB
uc
+UCC
CC
uc
ub
b)
Fig. 3.54. Circuite pentru msurarea parametrilor hibrizi: a) hie , hfe i b) hre .
151
Semnalul de intrare ii este determinat din legea lui Ohm aplicat rezistenei Rg de valoare
cunoscut. Dac RB este mare, atunci:
u g ub
ib ii =
.
(3.163)
Rg
Tensiunea de semnal de la intrare ub poate fi msurat n baza tranzistorului. Folosind
curenii determinai anterior, se pot calcula parametrii hie i hfe :
u
hie = b
ib
i
h fe = c .
ib
(3.164)
Msurarea hre se poate face cu circuitul din figura 3.54.b. i la acest circuit RB trebuie s
fie mare (mult mai mare dect r ) iar tensiunea de intrare ub se msoar cu un voltmetru a crui
rezisten intern este mare, asigurndu-se astfel condiia de mers n gol la intrare. Parametrul hre se
calculeaz conform definiiei:
u
hre = b .
uc
(3.165)
Rezistena de ieire hoe este prin definiie panta caracteristicilor de ieire ale tranzistorului
i de aceea poate fi determinat din caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiunea EC.
(Determinarea hoe din circuitul din figura 3.54.b este principial posibil, ns erorile de msur pot fi mari,
deoarece hoe poate fi mult mai mare dect rezistena RC cu care apare n paralel, n regim dinamic.)
Pentru a obine legtura dintre parametrii hie i hfe i parametrii modelului -hibrid, se
folosesc relaiile obinute din schema echivalent din figura 3.55.a:
hie = rb + (r || r ) rb + r
(3.166)
h fe = g m r .
(3.167)
Se poate observa c, prin definiie, hfe este identic cu 0 i c relaia (3.167) este identic cu
formulele utilizate anterior pentru 0 , de exemplu (3.147).
b
rb
ub
ub'e
e
b'
r
gm ub'e
r
a)
b ib=0 rb
ro
uc =0 ic
e
ub
ub'e
e
b'
r
gm ub'e
r
b)
c ic
ro
uc
e
Fig. 3.55. Circuite echivalente de ca utilizate pentru a obine relaiile dintre parametrii hibrizi
i parametrii naturali: a) pentru hie i hfe ; b) pentru hre (i hoe ).
Expresiile pentru hie i hfe se pot calcula din circuitul echivalent din figura 3.55.b:
r
r
hre =
(3.168)
r + r r
i
hoe
1 0
+
.
ro r
(3.169)
Expresiile de mai sus pot fi utilizate pentru a calcula parametrii modelului -hibrid cu
ajutorul parametrilor hibrizi msurai:
I
gm = C ,
(3.170)
UT
152
r =
h fe
gm
(3.171)
rb = hie r ,
r
r = ,
hre
(3.172)
(3.173)
h fe
= VA .
(3.174)
ro = hoe
r
I
C
U c 20m
=
= 0,2mA
R L 100
Ib Ii =
U g Ub
Rg
15m 5m
= 1A .
10k
U b 5m
=
= 5k
1
Ib
I
h fe = c = 200 .
Ib
Ib = Ii
Uc Uc Uc
20m
=
= 0,2m
= 198A
10k
RC R L RC
U b U g U b U b 15m 5m 5m
=
= 0,95A
10k
100k
RB
Rg
RB
Parametrii hie i hfe , calculai conform (3.164) considernd valorile exacte ale curenilor:
153
hie =
5m
= 5,26k
0,95
h fe =
198
= 208,4
0,95
sunt cu 5,2%, respectiv cu 4,2% mai mari dect valorile calculate aproximativ. Diferena
destul de mic dintre valorile exacte i cele aproximate permite utilizarea relaiilor
aproximative (pentru RB >> hie i RC >> RL ).
b) Din (3.166) se determin r :
h fe
r
mA
208
= 40
5,2k
V
re
1
= 25 .
gm
U b 1m
=
= 2 10 - 4 .
5
Uc
hre =
r
5,2k
= 26M .
r = =
hre 0,2m
f =
=
= 612Hz .
2 f C
2 C r 2 10p 26M
Astfel, pentru ca eroarea datorat capacitii C (care apare n schema echivalent a
tranzistorului n paralel cu r ) s fie nesemnificativ, msurtoarea de la punctul c trebuie
efectuat la o frecven mult mai mic dect frecvena de mai sus (de exemplu la o frecven
de 100 de ori mai mic, 6Hz n acest caz, deci o frecven foarte mic).
3.9.1
Modelul SPICE al TB
Modelul SPICE de semnal mare al TB are la baz schema echivalent din figura 3.56.
Sursele de curent iB i iC sunt controlate de uBE i de uBC conform relaiilor date la modelul de
transport al tranzistorului (3.116) pentru iB i (3.118) pentru iC .
B
u BC
rx
CBC
uBE
iB
CBE
iC
rE
E
rC
CCS
S
C
Fig. 3.56. Modelul de semnal
mare al TB folosit n SPICE.
154
Modelul diodei exponeniale, relaia (2.63), conine un indice suplimentar n, care ine seama de
abaterile fa de caracteristica ideal a jonciunii. La ecuaiile modelului de transport acest indice,
numit coeficient de emisie, a fost considerat unitar. Modelul SPICE al TB permite definirea unor
coeficieni de emisie neunitari, cte unul pentru fiecare jonciune.
Dup cum se poate vedea din figur, modelul SPICE include rezistenele ohmice ale celor
trei regiuni ale tranzistorului: rC pentru colector, rx pentru baz i rE pentru emitor. Funcionarea
dinamic a tranzistorului este modelat de cele dou capaciti neliniare CBE i CBC , care sunt
compuse fiecare dintr-o capacitate de difuzie i una de barier. La tranzistoarele din circuitele
integrate se utilizeaz i capacitatea de barier a jonciunii colector-substrat CCS .
Pentru analiza de semnal mic n RAN, modelul SPICE se reduce la circuitul echivalent
complet din figura 3.48.
Modelul SPICE al TB include peste 40 de parametrii. Cei mai importani dintre acetia sunt
dai n tabelul 3.2. Sunt listate, de asemenea, valorile implicite ale acestor parametrii (utilizate de
SPICE n absena unor valori specificate de utilizator) i valorile pentru tranzistorul 2N2222
(literele reprezint multiplicatori: f fempto,10-15; p pico,10-12; n nano,10-9; u micro,10-6).
Tab. 3.2. Parametrii mai importani ai modelului de tranzistor bipolar din SPICE
Numele
Parametrul modelului
SPICE
Simbol
Unitatea
de msur
Valoarea
Exemplu
predefinit (2N2222)
IS
Curentul de saturaie
IS
1E 16
14.37f
BF
N ,
100
150
BR
NF
NR
VAF
UA
74
VAR
RC
rC
RB
rx
10
RE
rE
TF
411p
TR
46.9n
CJE
Cbe0
22p
VJE
0,75
MJE
Coeficientul de gradare al Je
0,33
0.377
CJC
C0
7.3p
VJC
U0
0,75
MJC
Coeficientul de gradare al Jc
0,33
0.34
CJS
Ccs0
VJS
0,75
MJS
3.9.2
155
Pe parcursul acestui capitol au fost folosite rezultatele simulrilor unor circuite cu tranzistor
bipolar la: caracteristicile statice ale TB, curbele de dependen N IC i la analiza comutaiei.
Aceste simulri pot fi reluate ca exerciii de simulare a unor circuite simple cu tranzistoare. Se
recomand simularea regimului tranzitoriu al circuitului din figura 3.38.a (folosind modelul
tranzistorului 2N2222 cu parametrii din paragraful anterior) i compararea rezultatelor (obinute
pentru diferite valori ale componentelor de circuit) cu rezultatele din figura 3.40.
n continuare se vor compara rezultatele calculului simplificat cu rezultatele simulrii pentru
un circuit de amplificare de semnal mic cu TB.
Exemplu de simulare
a) Pentru amplificatorul din figura alturat s se calculeze psf pentru un tranzistor 2N2222
cu =150, UBE = 0,7V i s se compare cu psf obinut prin simulare.
1
+UCC
Dac generatorul de la intrare are amplitudinea
R1
RC
+10V
Ug_vf = 20mV i rezistena intern Rg = 5k, s se
5k
82k
7
2
determine amplificarea n tensiune a circuitului cu
CC
Rg 5 CB 3
6
RL = 2k (Aug ) i cu RL = (Au0 ), pentru:
CE
4
8
uo R L
R2
b) Re1 = 0 (etaj n conexiune EC),
R
E
ui 17k
ug
Re1
1k
c) Re1 = 110 (amplificator cu Re 100),
att prin calcul simplificat ct i prin simulare. S se explice diferenele dintre cele dou metode.
Tensiunea termic este UT =26mV i condensatoarele se consider scurtcircuite n ca.
Rezolvare:
Se vor utiliza metode de calcul manual ct mai exacte (fr aproximri),
astfel nct eventualele diferene s fie determinate n principal de modelele tranzistorului.
(U BB U BE ) 150 1,02
=
= 0,93mA ,
( + 1)RE + RB 151k + 14k
n urma simulrii circuitului descris cu fiierul text din figura 3.57, se obine:
UBE = 0,644V, N =154, IC =0,977mA, UCE =0,413V.
U CE = 10 6k 0,98m = 4,12V ,
rezultatele obinute sunt practic identice cu rezultatele simulrii. Diferenele dintre calculele
manuale i simulare se datoreaz valorilor diferite ale datele iniiale, UBE i N ; metoda de
calcul nu introduce erori semnificative.
Parametrii de semnal mic ai tranzistorului se calculeaz din (3.67), (3.72) i (3.77):
156
I
0,98m
mA
,
gm = C =
= 37,7
UT
26m
V
r =
gm
150
= 4k ,
37,7 m
re =
r
4k
=
= 26,5 .
+ 1 151
Ri = RB || r = 14k || 4k = 3,1k .
Ri
RL
= 188,5 0,286 0,383 = 20,65
R L + Ro Ri + R g
(cu Ro RC = 5k ).
Ub
= 3,43k ,
Ii
Au 0 =
U o0
= 176,7
Ub
Aug =
Uo
= 21,4 .
Ug
Diferenele dintre calculul manual i simulare sunt relativ mici i se datoreaz valorii
diferite a amplificrii 0 i neglijrii rezistenei de ieire ro . Dac se consider parametrii
tranzistorului din simulare, atunci se obin prin calcul manual rezultate practic identice cu cele
obinute prin simulare:
Au 0 = g m (RC || ro ) = 37,6m 4,7 k = 176,7 ,
Aug = 176,7 0,299 0,406 = 21,45
(cu Ro = RC || ro = 4,7k ).
RC
5k
=
= -39,5
26,5 + 100
re + Re
Ri
RL
= 39,5 0,286 0,618 = 7
R L + Ro Ri + R g
(cu Ro RC = 5k ).
Din analiza schemei echivalente de ca din figura 3.31, se poate observa c introducerea
rezistenei de ieire a tranzistorului ro ar conduce la complicarea metodei de calcul manual a
amplificatorului. Deoarece diferenele dintre rezultatele obinute prin simulare i prin calcul
manual sunt foarte mici, aceast complicare a metodei de calcul nu se justific.
Rezultatele calculului manual i ale simulrii sunt centralizate n tabelul 3.3. Se constat
pe de o parte diferena mic dintre rezultatele manuale i simulare iar pe de alt parte, dac se
compar rezultatele celor dou configuraii (cu EC i cu Re ), se constat c la amplificatorul
cu Re amplificarea n tensiune este mai mic dar rezistena de intrare este mai mare.
157
Re 100
Re1 = 0
r
(k)
IC
(mA)
| Au0 |
Calcul iniial
150
150
0,93
188,5
3,1
20,65
39,5
8,1
Simulare
154
170
4,52
0,997
176,7
3,43
21,4
39,06
8,4
7,08
Calcul refcut
154
170
4,52
0,98
176,7
3,42
21,45
Ri (k) | Aug |
| Au0 |
Ri (k) | Aug |
Amplif. cu TB in cnx.EC (cu Re=0 sau Re=100, cu RL=2k sau fara RL)
Vcc
Vg
Rg
Cb
R1
R2
Q
Rc
RE
Ce
Re1
*Re1
Cc
RL
*RL
1
6
6
5
1
3
2
1
4
4
8
0
0
5
3
3
0
3
4
2
0
8
0
2
7
7
0
7
10
ac 20m
5k
1
82k
17k
Q2N2222
5k
1k
1
1m
110
1
2k
1G
.model Q2N2222
NPN(Is=14.34f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74 Bf=256 Ne=1.307
+
Ise=14.34f Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1
+
Cjc=7.306p Mjc=.3416 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=22p Mje=.377 Vje=.75
+
Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10)
.op
.ac
lin
1
1k
1k
; analiza de ca la 1kHz.
.print
.end
ac
V(7)
V(3)
V(6)
I(Rg)
Ib(Q)
Q
Q2N2222
6.36E-06
9.77E-04
6.44E-01
-3.49E+00
4.13E+00
1.54E+02
3.76E-02
4.52E+03
1.00E+01
7.93E+04
5.18E-11
4.04E-12
1.70E+02
1.07E+08
AC ANALYSIS
FREQ
1.000E+03
V(7)
4.287E-01
TEMPERATURE =
V(3)
8.134E-03
V(6)
2.000E-02
I(Rg)
2.373E-06
27.000 DEG C
IB(Q)
1.796E-06
Fig. 2.46. Selecii din fiierul de ieire (comentat). Este descris circuitul simulat,
se dau modelul i parametrii tranzistorului precum i rezultatele simulrii n ca.
S-a utilizat numerotarea nodurile circuitului din schema de principiu.
Trecerea la celelalte configuraii de circuit se face prin mutarea asteriscului (care indic
o linie-comentariu) ntre cele dou linii de fiier care ncep cu Re1, respectiv cu RL.
158
3.10 BIBLIOGRAFIE
[1] A.V. Crciun - Dispozitive i circuite electronice, Ed. Universitii Transilvania Braov, 2002.
[2] Sedra S.Adel, Kenneth C.Smith Microelectronic circuits, Oxford University Press, New York, 2-nd
Edition 1987, 4-th Edition 1998;
[3] Thomas L.Floyd - Electronic Devices, Merrill Publishing Company, Columbus, Ohio, 1988;
[4] E. Damachi, A. Tunsoiu, L. Dobo, N. Tomescu - Electronic, Ed. Did. i Pedag. Bucureti, 1979;
[5] R. Piringer, Gh. Samachi, S. Cserveny - Dispozitive electronice, Ed. Did. i Pedag. Bucureti, 1976;
[6] P. Gray, C. Searle - Bazele electronicii moderne, Editura Tehnic, Bucureti, 1973;
[7] T.M. Agahanean - Electronica cu tranzistori, Editura tiinific i Enciclopedic, Bucureti, 1980;
[8] Adrian V.Crciun - Large signal model for bipolar transistors, Proceedings of the 4-th International
Conference on Optimization of Electric and Electronic Equipments, vol.2, p.187-190, Braov 1994;
[9] A. Vtescu, .a. Dispozitive semiconductoare, Manual de utilizare, Ed. Tehnic, Bucureti, 1975;
[10] Paul R.Gray, Robert G.Meyer - Circuite integrate analogice, Analiz i proiectare, Ed.Th. Buc. 1997;
[11] Keneth R.Laker, Willy M.C.Sansen Design of analog integrated circuits and systems, McGrawHill Book Co. Singapore, 1994;
[12] D. Dasclu, s.a. - Dispozitive i circuite electronice - Probleme, Ed. Did. i Pedeg. Bucureti, 1982;
[13] V. Croitoru, .a. - Electronic - Culegere de probleme, Ed. Didactic i Pedagogic Bucureti, 1982;
159
CAP. 4
n subcapitolul urmtor se introduc modelele cele mai simple ale tranzistoarelor cu efect de
cmp i cu ajutorul acestora se analizeaz cteva aplicaii simple. n partea a doua a capitolului se
analizeaz diferitele tipuri de tranzistoare cu efect de cmp din punct de vedere constructiv i
funcional i se introduc modele mai precise, precum i modelele de ca.
Simbolurile tranzistoarelor cu efect de cmp prezentate n figura 4.1 sunt utilizate n cazul
TEC cu trei terminale.
D
iD
NMOS
iD
uGS
S
a)
uGS
TECJ n
iD
uSG
b)
uGS
S
c)
iD
S
uSG
d)
uSG
PMOS
e)
iD
D
TECJ p
f)
Fig. 4.1. Simbolurile TEC i sensurile de referin ale curenilor i tensiunilor pentru:
a), b) TEC-MOS cu canal indus, respectiv iniial de tip n, c) TEC-J cu canal n;
d), e) TEC-MOS cu canal indus, respectiv iniial de tip p, f) TEC-J cu canal p.
iD
D
160
n paragrafele urmtoare sunt date ecuaiile de funcionare ale TEC n diferite regimuri de
funcionare. Se consider iniial TEC-MOS cu canal indus de tip n deoarece este unul dintre cele
mai utilizate tipuri de tranzistoare.
4.1.1
Dup cum i spune i numele, la acest tip de tranzistor canalul conductor este indus de ctre
tensiunea de control uGS . Canalul apare la aplicarea unei tensiuni de gril mai mare dect tensiunea
de prag UP. La tranzistorul cu canal indus de tip n, tensiunea de prag este pozitiv:
UP > 0.
(4.2)
Dac tensiunea de control este mai mic dect UP, atunci tranzistorul este blocat i curentul
de dren este nul:
iD 0 ,
pentru
uGS < U P .
(4.3)
iD
iD
UGS 3 (= 4UP)
Regiunea
rezistiv
Regiunea de
saturaie
UGS 2 (= 3UP)
UGS 1 (= 2UP)
UGS 0 ( UP)
UDS sat2 (=UGS 2 UP)
(IDSS )
uDS
uGS
(UP)
UP
Fig. 4.2. Caracteristicile statice ale unui tranzistor TEC-MOS cu canal indus de tip n:
a) Caracteristicile de dren, b) Caracteristica de transfer n saturaie, (caracteristica de transfer
trasat cu linie ntrerupt este a unui TEC cu canal iniial de tip n).
Dac tensiunea de control este mai mare dect UP, prin tranzistor circul curentul de dren
iD pozitiv (pentru o tensiune uDS pozitiv) i tranzistorul se afl n conducie. Caracteristicile de
dren ale tranzistorului, trasate experimental n figura 4.2.a, pun n eviden regimurile de
funcionare ale TEC-MOS. Pentru fiecare caracteristic (trasat la uGS = UGS =constant), la tensiuni
uDS suficient de mari (n dreapta liniei punctate dat de relaia 4.4), se poate considera curentul de
dren ca fiind constant. Acest regim de funcionare se numete saturaie deoarece curentul nu mai
crete (se satureaz) dac uDS crete peste valoarea de saturaie:
UDSsat = UGS UP ,
(4.4)
n saturaie curentul de dren depinde numai de tensiunea gril-surs conform funciei parabolice:
k
i D = n (u GS U P )2 ,
2
u DS > uGS U P ,
pentru
161
(4.5)
unde kn este factorul de conducie pentru tranzistorul cu canal n (se mai numete parametru de
transconductan). Saturaia la TEC-MOS (la TEC n general) are un neles diferit de saturaia de la
tranzistoarele bipolare; aceast situaie neplcut nu mai poate fi schimbat deoarece ntreaga
literatur electronic utilizeaz aceast terminologie.
Funcia (4.5) reprezint caracteristica de transfer n saturaie i este trasat n figura 4.2.b.
Relaiile (4.1) i (4.5) definesc circuitul reprezentat n figura 4.3. Acesta este de fapt circuitul
echivalent de semnal mare al TEC n saturaie, un generator de curent controlat n tensiune.
G
iG=0
iD
kn
(u GS U P )2
2
uGS
uDS
uGS >UP i
uDS > uGS UP.
Pentru tensiuni uDS mici, n stnga liniei punctate din figura 4.2.a, curentul de dren iD
depinde i de tensiunea uDS , tranzistorul se comport ca o rezisten (neliniar) controlat de
tensiunea uGS ; acest regim de funcionare se numete rezistiv sau nesaturat. Curentul de dren se
poate calcula cu relaia:
u2
iD = kn (uGS U P ) u DS DS ,
2
pentru
u DS < uGS U P .
(4.6)
Se observ c pentru uDS = uDSsat (= uGS UP), din relaia (4.6) se obine relaia (4.5), deci
valoarea curentului n punctul de tranziie de la o regiune la alta poate fi calculat cu oricare dintre
relaiile specifice celor dou regiuni, funcia care descrie TEC fiind continu.
Dac tensiunea uDS este foarte mic, termenul ptratic devine nesemnificativ i relaia (4.6)
se poate simplifica:
i D = k n (uGS U P ) u DS ,
pentru
u DS << uGS U P .
(4.7)
n acest regim liniar de funcionare, conductana echivalent a TEC depinde liniar de tensiunea de
control uGS i are o valoare fix pentru o tensiune UGS constant:
g DS =
iD
= k n (U GS U P ) ,
u DS
pentru
u DS << U GS U P .
(4.8)
Comportarea liniar a tranzistorului se menine i pentru tensiuni uDS negative (apropiate de zero).
Prin urmare, pentru tensiuni uDS mici, TEC se comport ca o rezisten controlat n tensiune.
4.1.2
Acest tip de tranzistor se deosebete de TEC-MOS cu canal indus prin existena unui canal
conductor la o tensiune de control uGS nul. Canalul conductor dispare (se nchide) la o tensiune de
prag (sau tensiune de ptrundere a canalului) negativ n cazul TEC cu canal n:
UP < 0.
(4.9)
162
acestuia este descris cu aceleai relaii: (4.3) n blocare, (4.5) n saturaie, (4.6) n regim rezistiv,
(4.7) i (4.8) n regim liniar.
Caracteristica de transfer n saturaie pentru TEC-MOS cu canal iniial de tip n este trasat
cu linie ntrerupt n figura 4.2.b. Curentul de dren n saturaie la polarizare nul a grilei este IDSS
(curentul dren-surs cu grila scurtcircuitat la surs) i este un parametru al tranzistoarelor cu canal
iniial. Din relaia (4.5), pentru uGS =0, se obin legturile dintre IDSS i kn :
k
I DSS = n U P2
2
respectiv
kn =
2 I DSS
U P2
(4.10)
pentru
u DS > uGS U P ,
(4.11)
Tranzistoarele cu efect de cmp cu canal iniial pot fi de tip MOS (cu grila izolat), sau
TEC-J (cu gril jonciune). Relaia (4.11) este utilizat de obicei pentru tranzistoarele TEC-J.
Deoarece izolarea grilei de canal se realizeaz prin jonciunea gril-surs polarizat invers,
tensiunea de control a unui TEC-J cu canal n trebuie s fie negativ:
u GS 0 .
(4.12)
Se pot admite tensiuni uGS pozitive pentru TEC-J cu canal n doar dac au valori mai mici dect
tensiunea de deschidere a unei diode (circa 0,5V la siliciu).
4.1.3
De exemplu, pentru TEC-MOS cu canal indus de tip p, curentul de dren n saturaie poate fi
calculat cu relaia (4.5) modificat conform indicaiilor de mai sus:
iD =
kp
(u SG + U P )2 ,
pentru
u SD > u SG + U P ,
(4.13)
4.1.4
163
Comparaie TEC - TB
Ambele tipuri de tranzistoare au trei terminale, dou ntre care circul curentul prin
tranzistor, numite adesea terminale de ieire (dren-surs la TEC i colector-emitor la TB) i un
terminal de control, sau de intrare (grila la TEC i baza la TB). Curentul prin TEC este controlat de
tensiunea dintre gril i surs (curentul de gril poate fi considerat nul) iar curentul prin TB este
controlat de curentul de baz (tensiunea baz-emitor poate fi considerat aproximativ constant).
Din punctul de vedere al strii iniiale, att TB ct i TEC cu canal indus sunt blocate n
lipsa mrimii de control; curentul prin ele crete cu creterea mrimii de control (cu condiia ca
tensiunea de intrare s depeasc un anumit prag). n principiu, la aplicaiile din capitolul anterior,
TB pot fi nlocuite cu TEC cu canal indus (cu redimensionarea circuitelor de intrare).
TEC cu canal iniial sunt o categorie aparte, la care, n lipsa mrimii de control, tranzistorul
se afl n conducie. Prin modificarea mrimii de control, curentul prin tranzistor scade (la TEC-J i
la TEC-MOS cu canal iniial) sau crete (la TEC-MOS cu canal iniial). Datorit particularitilor
acestora, exist unele aplicaii specifice tranzistoarelor cu canal iniial care vor fi prezentate n
continuare; aplicaiile de la TB pot fi realizate n principiu i cu tranzistoare cu canal indus i de
aceea nu vor mai fi analizate n detaliu.
Sursele de curent constant sunt cele mai simple aplicaii ale tranzistoarelor cu canal iniial.
Conform (4.11) pentru o tensiune nul de control uGS =0 (scurtcircuit ntre gril i surs), curentul
prin tranzistor este constant:
iD = IDSS .
(4.14)
Astfel de surse simple de curent se obin prin scurtcircuitarea grilei cu sursa i conectarea
circuitului de sarcin n dren ca n figura 4.4; circuitul de sarcin este simbolizat de rezistena RL .
n locul TEC-J se pot utiliza TEC-MOS cu canal iniial, fr nici o modificare a circuitelor.
IDSS
IDSS
RL
RL
a)
b)
Relaiile (4.11) arat c tranzistorul trebuie s fie n regiunea de saturaie; pentru uGS =0
trebuie ca:
(4.15)
u >U la TEC cu canal n i u > U la TEC cu canal p.
DS
SD
4.2.2
Conform (4.8), pentru tensiuni uDS foarte mici (n modul), conductana echivalent a TEC
(ntre dren i surs) depinde liniar de tensiunea de comand ( uGS la TEC cu canal n respectiv uSG
la TEC cu canal p). Aceast dependen permite utilizarea TEC ca rezisten controlat n tensiune.
n continuare se va analiza cazul unui tranzistor TEC-J cu canal n cu ajutorul unui exemplu.
164
Exemplu
2 I DSS
U P2
2 4m
( 2)2
=2
mA
V2
Conductana echivalent a TEC se calculeaz cu (4.8) (pentru tensiuni uDS foarte mici)
iar rezistena echivalent se calculeaz ca fiind inversul conductanei.
a) Pentru uGS =0, din (4.8) rezult conductana echivalent maxim (de semnal mic,
pentru uDS 0 i care va fi notat cu indici litere mici):
g ds max = k n ( U P ) = 2m ( ( 2)) = 4mS
rds min =
1
g ds max
1
= 250 .
4m
Pentru o tensiune dren-surs UDS = UP /4, TEC este n regiunea nesaturat deoarece
este ndeplinit condiia (4.6):
UDS < UP
(UDS = UP /4= 0,5V, UP =2V).
Se va folosi indicele 1 pentru tensiunea UDS pozitiv i indicele 2 pentru cea negativ.
Curenii prin TEC se calculeaz cu (4.6):
u2
0,5 2
i D1 = k n ( U P ) u DS DS = 2m 2 0,5
= 1,75mA ,
2
2
i D 2 = 2,25mA
respectiv
u
0,5
= 222 .
rDS 2 = DS 2 =
i DS 2 2.25m
Diferenele dintre aceste rezistene i cea calculat anterior, exprimate n procente, sunt
destul de mari:
1 =
respectiv 2 =
28
100 = 11% .
250
rds
rds min
1 g ds
=
1 g ds max
1
.
uGS
1
UP
165
uGS /UP
1/4
1/2
3/4
7/8
11/12
3/4
1/2
1/4
1/8
1/12
4/3
12
gds
1
rds
gds max
rds min
12
3/4
1/2
1/4
uGS /UP
0
1/4
1/2
3/4
uGS /UP
1
1/4
1/2
3/4
Fig. 4.5. Conductana i rezistena dren-surs funcie de tensiunea gril-surs, pentru uDS 0.
Datorit normrii, caracteristicile pot fi utilizate pentru orice TEC cu canal iniial.
u GS
rDS
iD
uDS
166
Rezistenele din divizor se aleg de valori foarte mari (M, alegere posibil datorit
curentului de gril foarte mic, iG 0) i de aceea curentul prin aceste rezistene poate fi neglijat fa
de curentul iD prin tranzistor.
Scopul analizei urmtoare este obinerea funciei rDS (uCda).
Curentul de gril al TEC este foarte mic ( iG 0) i prin cele dou rezistene circul acelai
curent (iR >> iG ). Din legea lui Ohm aplicat succesiv celor dou rezistene egale rezult:
u u GS u GS uCda
=
i R = DS
R
R
u + u Cda
u GS = DS
.
2
(4.16)
i D = k n Cda U P u DS
g DS = D = k n Cda U P ,
i
(4.17)
u DS
2
o relaie liniar ntre gDS i uCda. Liniaritatea se pstreaz pe ntreg domeniul de valabilitate al
relaiei (4.6), adic pentru uDS < uGS UP. nlocuind uGS din (4.16) rezult:
uCda > u DS + 2 U P .
(4.18)
La TEC-J, grila trebuie s fie polarizat invers. La TEC-J cu canal n , uGS <0. innd seama
de (4.16) rezult:
uCda < u DS .
(4.19)
n general pentru ca orice TEC cu canal n (indiferent de tip) s fie n conducie trebuie s fie
respectat condiia mai puin restrictiv:
uGS > U P
i din (4.16):
u Cda > 2 U P u DS .
(4.20)
Din condiiile anterioare se obin limitele tensiunii de comand uCda n funcie de valorile
posibile ale tensiunilor din circuit (de exemplu, la TEC cu canal iniial de tip n tensiunea UP este
negativ iar tensiunea uDS poate fi pozitiv sau negativ).
Exemplu
Parametrii TEC-J din figura 4.7 sunt IDSS =4mA i UP = 2V. Dac se folosesc dou
rezistene egale R =1M, s se determine:
a) limitele ntre care conductana echivalent a TEC gDS se modific liniar cu tensiunea de
comand uCda, dac uDS variaz ntre uDS min = 1V i uDS max =1V.
b) Ct devin aceste limite dac domeniul de variaie al tensiunii aplicate tranzistorului se
reduce de 10 ori (la uDS = 0,10,1V).
Rezolvare: Se determin domeniul de valabilitate al relaiei liniare gDS (uCda) prin
analiza condiiilor (4.18), (4.19) i apoi se calculeaz limitele ntre care se modific gDS i
rDS . Factorul de conducie al tranzistorului se determin din (4.10):
kn =
2 I DSS
U P2
2 4m
( 2)2
=2
mA
V2
167
adic
uCda = 31V.
3... 1
g DS = k n Cda U P = 2m
+ 2 = 1K3 mS
2
rDS =
1
g DS
= 0,33K1 k .
adic
3,9K 0,1
g DS = 2m
+ 2 = 0,1K3,9 mS
2
rDS =
1
g DS
= 0,26 K10 k .
Rezistenele din divizor au fost neglijate deoarece sunt mult mai mari dect cea mai mare
rezisten echivalent a TEC (1M >>10k).
La circuitele practice se poate atinge o plaj de variaie a rezistenei echivalente (n
condiii de liniaritate) ceva mai mare dect cea calculat, deoarece TEC-J poate lucra i cu o
uoar polarizare direct a grilei. n figura 4.8 sunt prezentate rezultatele simulrii circuitului
pentru uCda = 2 UP uDS min 0 = 50V. Din simulare rezult un domeniu de variaie de
1:4,5 ( gDS = 0,813,7mS pentru o eroare de 1% valorile date de poziia celor dou cursoare
din figur); respectiv un domeniu de variaie de 1:3,6 ( gDS = 13,6mS pentru o eroare
nedetectabil. Eroarea a fost considerat ca fiind diferena normat a valorii obinute pentru
uDS max =1V fa de cea obinut n condiii de semnal mic, pentru uDS =10mV). La simularea
pentru uDS max = 0,1V, rezult un domeniu de variaie de 1:47 ( gDS = 0,0854mS) pentru o
eroare de 1% i un domeniu de variaie de 1:40, foarte apropiat de cel obinut prin calcul
( gDS = 0,14mS), pentru o eroare nedetectabil.
Fig. 4.8. Dependena conductanei gDS
de uCda pentru diferite tensiuni uDS
n cazul circuitului cu TEC-J (cu
IDSS =4mA i UP = 2V) i cu
divizor de tensiune.
Se remarc domeniul de liniaritate al
dependenei gDS (uCda ) (conform
rezultatelor din chenar), n cazul
unor variaii relativ mari ale uDS .
Rezistene controlate n tensiune cu TEC pot fi folosit la: circuite de modulare, controlul
automat al amplificrii, reglarea automat a amplitudinii, oscilatoare comandate n tensiune .a.
4.2.3
La limit, rezistena controlat n tensiune devine comutator. Astfel tranzistorul blocat (cu o
rezisten echivalent foarte mare) este echivalent cu un comutator deschis, iar tranzistorul n
conducie (cu o rezisten echivalent mic) poate fi considerat un comutator nchis. Sunt posibile
diferite configuraii n funcie de tipul i modul cum este conectat tranzistorul (la mas sau flotant).
168
n continuare se analizeaz una dintre cele mai simple configuraii, realizat cu un TEC-J cu canal n
conectat la mas, ca n figura 4.9.a. Tranzistorul deconecteaz sau conecteaz la mas rezistena de
sarcin RL care este conectat la rndul ei la sursa de semnal u .
Semnalul de control este aplicat n grila tranzistorului. Cnd acest semnal este nul, TEC este
n conducie i comutatorul este nchis. Rezistena RL i sursa de semnal u asigur funcionarea
TEC n regim rezistiv (RL >> rDS i/sau u are valori mici). Figura 4.9.b prezint caracteristica de
ieire a TEC pentru uGS = 0 i cteva drepte de sarcin trasate pentru diferite valori (pozitive i
negative) ale tensiunii sursei de semnal u . Circuitul poate fi dimensionat astfel nct TEC s
funcioneze n regim liniar, cu uDS << UP . n acest caz tranzistorul poate fi considerat ca fiind o
rezisten rDS =1/ gDS (figura 4.9.c). Conductana gDS este panta caracteristicii TEC n origine i se
poate calcula cu (4.8) pentru uGS = 0 . Rezistena n conducie a tranzistorului are valori uzuale de
ordinul zecilor de ohmi.
uDS
u GS
UP
iD
RL
iD
uGS = 0
Drepte de sarcin
de pant 1/ RL pt.
diferite tensiuni u.
panta = gDS
a)
RL
RL
uDS
0
u2
b)
rDS
c)
u1
d)
uO
a)
RL
uO
b)
RL
169
RL
,
RL + rDS
(4.21)
2 I DSS
U P2
2 4m
( 2)
=2
mA
V2
g DS = k u U GS U P DS .
2
iD
,
u DS
(4.22)
Din (4.21) se obine relaia dintre uDS i u i apoi relaia gDS (u) pentru UGS = 0:
u DS =
u
,
1 + g ds R L
u
.
g DS = k u U P
2 (1 + g DS R L )
Prin rezolvarea ecuaiei (de gradul 2 n gDS ) precedente pentru valorile maxime i
minime ale tensiunii sursei de semnal (notate cu indicele 1, respectiv 2 ) rezult:
gDS 1 =3,74mS,
gDS 2 =4,23mS,
rDS 1 = 267,4 ,
rDS 2 = 236,4 .
170
innd seama de limitele tensiunii u, din (4.21) se obin limitele tensiunii pe sarcin:
uO = u
RL
u
=
,
RL + rDS 1 + 1 ( g ds RL )
uO1 = 9,74V,
uO2 = 9,77V.
| u Ovf | U vf
100 % ,
U vf
1 = 2,6%,
2 = 2,3%.
n =
| uO 2 | uO1
(uO1 + | uO 2 | ) 2
0,03
= 0,31% .
9,755
u u DS
,
iD
R L max =
U vf + U P
,
I DSS
(4.23)
gDS 2 =4,67mS,
1 = 4,76%,
2 = 2,1%,
n = 2,75%.
Se observ erorile mari ale tensiunii pe sarcin i mai ales eroarea de neliniaritate
apreciabil care apare n acest caz.
c) Din calculele anterioare se observ c erorile mai mari apar pentru alternana pozitiv
iar eroarea este determinat de cderea de tensiune pe TEC, uDS 1 . Pentru 1 = 1%= 0,01
rezult o tensiune: uDS 1 = 1 Uvf = 0,1V i din (4.22) rezult conductana TEC:
u
R L1 =
101
101
=
27k .
g DS1 3,8m
Concluzia este c regimul limit de funcionare (b) al TEC trebuie evitat; TEC trebuie s
funcioneze cu tensiuni ct mai mici (c) pentru a introduce erori minime, sau trebuie ca RL s
fie mult mai mare dect rezistena echivalent a TEC, RL >> rDS 0 ( = 1/ kn UP = 0,25k ).
4.2.4
171
Amplificator de tensiune
Cel mai simplu amplificator de tensiune se poate realiza cu un TEC-MOS cu canal iniial
deoarece acesta nu necesit circuit de polarizare a grilei, figura 4.11. Un circuit practic conine i
rezistena RG care asigur condiia de scurtcircuit a intrrii n lipsa sursei de semnal de la intrare
(sau dac aceast surs nu asigur o cale de nchidere a curentului continuu). Rezistena RG poate
avea valori mari deoarece curentul de gril este foarte mic (uzual de ordinul picoamperilor) de
exemplu pentru RG =1M la un curent de gril de 1nA (=1000pA), cderea de tensiune pe RG este
practic nul:
(4.24)
UGS = RG IG =1M . 1n =1mV ( 0).
Deoarece curentul de gril al TEC este foarte mic ( iG 0), rezistena de intrare n gril Rig
i rezistena de intrare a amplificatorului Ri au valori foarte mari:
u
Rig = i
ig
RD
ui
iD
iG=0
Ri = RG || Rig RG .
UDD
(4.25)
uO uo
RG
U DS = U DD R D I DSS = UO .
(4.26)
(4.27)
Conform condiiei (4.11) i pentru uGS =0, TEC este n saturaie dac:
uDS > UP ,
uO = UP .
(4.28)
Centrarea punctului static de funcionare ( psf ) presupune alegerea mediei tensiunilor limit:
U O = U DS =
U DD U P
.
2
(4.29)
Egalnd (4.29) cu (4.26) rezult rezistena de dren necesar pentru a centra psf:
RD =
U DD + U P
.
2 I DSS
(4.30)
172
Amplificarea n tensiune
n prezena semnalului de intrare, tensiunea de ieire se poate calcula folosind (4.11):
u
uO = U DD R D I DSS 1 i
UP
= U DD R D I DSS + u o = U O + u o ,
(4.31)
(4.32)
(4.33)
atunci termenul ptratic din relaia precedent poate fi neglijat, caz n care tensiune de ieire i
amplificarea n tensiune a circuitului pot fi calculate cu relaiile:
u o R D I DSS
2u i
UP
u
2I
Au = o = DSS R D .
ui
UP
(4.34)
Din analiza relaiei precedente se constat c amplificarea depinde direct de parametrii TEC i de
rezistena de dren. Amplificarea are o valoare negativ, deoarece tranzistorul MOS cu canal n are o
tensiune de prag negativ, conform (4.9). Semnificaia valorii negative a amplificrii este c
amplificatorul este inversor, adic semnalele de ieire i de intrare sunt n antifaz.
Dac psf este centrat (conform celor artate anterior) atunci RD ndeplinete condiia (4.30)
i amplificarea n tensiune devine:
Au =
2 I DSS U DD + U P U DD
=
+ 1.
2 I DSS
UP
UP
(4.35)
Amplificarea maxim
Amplificarea n tensiune maxim n condiii de semnal mic se obine cu (4.34), pentru o
rezisten de dren maxim. Din (4.26) se constat c o rezisten RD maxim conduce la o
tensiune UDS (= UO ) minim. Tensiunea UO minim apare la ieirea din saturaie a TEC, conform
(4.28). Din (4.28) i (4.26) rezult rezistena de dren maxim:
RD =
U DD + U P
.
I DSS
(4.36)
n condiii de semnal foarte mic la ieire, din (4.34) i (4.36) rezult amplificarea maxim:
U
Au = 2 DD + 1 .
UP
(4.37)
Prin compararea (4.37) cu (4.35), se constat c amplificarea n tensiune poate fi cel mult
dubl fa de amplificarea calculat n condiii de centrare a psf la ieire. n practic, amplificarea
maxim nu poate fi realizat, deoarece, pentru o variaie negativ a semnalului la ieire, TEC intr
n regim nesaturat. n regim nesaturat, neliniaritile amplificatorului cresc, deoarece curentul de
dren depinde neliniar i de tensiunea de ieire (nu numai de tensiunea de intrare ca n saturaie).
173
Exemplu de analiz
Pentru amplificatorul din figura 4.11 cu UDD =12V i RG =1M, tranzistorul MOS cu
canal iniial de tip n cu parametrii: IDSS =10mA i UP = 3V, funcioneaz n saturaie.
a) S se determine rezistena de dren pentru care psf este centrat la ieire (n dren).
b) Dac semnalul la intrare are o amplitudine Ui_vf = | UP /3| = 1V s se determine limitele
tensiunii de ieire i amplitudinea celor dou alternane la ieire, cu RD de la punctul a.
c) S se calculeze amplificarea n tensiune a circuitului n condiii de semnal mic, cu RD
de la punctul a i cu rezistena de dren maxim. Ct este amplitudinea semnalului la ieire n
cele dou cazuri, dac amplitudinea semnalului de la intrare este Ui_vf = 0,1V?
Rezolvare: a) Pentru a centra psf n dren trebuie ca tensiunea de dren s fie media
tensiunilor de blocare i de ieire din saturaie a TEC, conform (4.30):
RD =
U DD + U P
12 3
=
= 0,45k = 450 .
2 I DSS
2 10m
U P
i D = I DSS 1
3 U P
u DS = U DD
16
= I DSS = i D max = 17,8 mA i
9
U
16
8
8
I DSS R D = U DD (U DD + U P ) = DD U P = uO min = 4V .
9
9
9
9
Deoarece uO min > UP , condiia de saturaie este ndeplinit i deci calculul este corect.
- Pentru alternana negativ la intrare, uGS = Ui_vf = UP /3, rezult:
UP
i D = I DSS 1
3 U P
u DS = U DD
4
= I DSS = i D min = 4,44mA i
9
4
2
7
2
I DSS R D = U DD (U DD + U P ) = U DD U P = uO max = 10V .
9
9
9
9
U o( _) vf = U O u o min = 3,5V .
Semnalul de ieire este distorsionat deoarece amplitudinile acestuia sunt inegale. Eroarea
este cauzat de nivelul prea mare al semnalului i poate fi apreciat cu diferena dintre
amplitudini i media acestora, raportat la medie:
174
U o( +_) vf + U o( _) vf
U o _ med =
= 3V ,
2
U o( _) vf U o _ med
U o _ med
0,5
= 0,167 = 16,7% .
3
2 I DSS
2 10m
RD =
0,45k = 3 .
UP
3
Valoarea negativ a amplificrii arat faptul c semnalul de ieire este n antifaz cu cel
de la intrare. Se remarc valoarea mic a modulului amplificrii (comparativ cu cea a unui
amplificator identic echipat cu tranzistor bipolar). Astfel, la un amplificator cu TB n condiii
echivalente: IC =10mA i RC = 0,45k, rezult din (3.82): Au = 40IC RC =180, o
amplificare de 60 de ori mai mare (n modul). Pe de alt parte, amplificatorul cu TEC are o
rezisten de intrare Ri = RG =1M mult mai mare fa de amplificatorul cu TB, a crui
rezisten de intrare este mai mic de 1k, (de cel puin 1000 de ori mai mare).
Rezistena de dren maxim se obine la limita ieirii din saturaie a TEC, conform
(4.36), iar amplificarea corespunztoare rezult din (4.34):
RD =
U DD + U P 12 3
=
= 0,9k ,
10m
I DSS
Au =
2 I DSS
2 10m
RD =
0,9k = 6 .
UP
3
Amplificarea maxim obinut, n condiiile unei tensiuni statice de ieire la limita saturaiei:
U DS = U DD R D I DSS = 12 0,9k 10m = 3V ( = UP ). este dubl fa de amplificarea
calculat anterior
Condiia de semnal mic (4.33) fiind ndeplinit:
175
4.3.1
Parametrii TEC-J se modific datorit temperaturii. O variaie mult mai important este ns
aa-numita variaia tehnologic a parametrilor; astfel, tranzistoare diferite care aparin aceluiai tip
pot avea parametrii foarte diferii. Spre exemplu, foaia de catalog a tranzistorului de tip 2N3221
(TEC-J cu canal n) indic o variaie posibil a curentului IDSS de la 2 la 6mA, iar limitele de
variaie ale tensiunii de prag UP se pot estima ca fiind de la 1 la 3V, deci ambii parametrii au un
domeniu de variaie de 1:3 (sunt cazuri cnd domeniul de variaie al parametrilor este de 1:10 i
chiar mai mult). Dac se nlocuiete un anumit tranzistor cu un altul de acelai tip, circuitul de
polarizare trebuie astfel conceput nct curentului static ID s nu se modifice semnificativ.
Problema polarizrii tranzistoarelor reale admite totui o simplificare, n sensul c TEC-J
care au un curent IDSS mare tind s aib i tensiunea de prag | UP | mare, respectiv cele cu un curent
IDSS mic au i tensiunea de prag | UP | mic. Astfel, pentru exemplul precedent, se poate estima c
circuitul de polarizare trebuie s asigure funcionarea pentru dou tranzistoare limit: unul (va fi
notat cu min) caracterizat de valorile limit minime: IDSS 1=2mA, UP 1= 1V i cellalt (notat cu
max) caracterizat de valorile limit maxime: IDSS 2 =6mA, UP 2 = 3V. Caracteristicile de transfer
a celor dou tranzistoare extreme sunt trasate n figura 4.12.
iD (mA)
6
(a)
(c)
panta = 1/ RS
T2
(b)
T1
3
ID 2
panta = 1/ RS
UGG
ID1
uGS (V)
Fig. 4.12. Caracteristicile de transfer limit pentru TEC-J (cu canal n, de tip 2N3221).
Sunt desenate i dreptele de sarcin pentru polarizare: (a) cu tensiune constant,
(b) cu negativare automat i (c) cu negativare automat i divizor de tensiune.
176
(4.38)
Dac se ine seama de dispersia tehnologic, n formula de mai sus trebuie considerat
tensiunea de prag cea mai mic n valoare absolut, UP 1 pentru cazul prezentat anterior. Dac
tensiunea UGS este cuprins ntre UP 2 i UP 1 tranzistorul min va fi blocat, (deci unele
tranzistoare de tipul respectiv vor fi blocate). n cazul reprezentat n figur, cu UGS = 0,5V, rezult
o dispersie foarte mare a curenilor: de la 0,5 la 4,17mA, un raport mai mare dect 1:8. Deoarece
este necesar o surs suplimentar (cu polaritate invers fa de sursa de polarizare a drenei) i
datorit dispersiei foarte mari a curentului ID , aceast metod nu se folosete n practic.
+UDD
+UDD
RD
RD
UDD
iG=0
RD
RD
ID
iG=0
UDS
UGG
RG
a)
UDS
+UDD
RS
R2
RS
c)
b)
UDS
UGS
R1
ID
+
ID
+UDD
RS
d)
Fig. 4.13. Circuite de polarizare (pentru TEC-J cu canal n): a) cu tensiune constant,
b) cu negativare automat, c) cu negativare automat i divizor de tensiune i
d) schema echivalent pentru c (divizorul de tensiune este echivalat cu sursa UGG ).
(4.39)
grila fiind legat la mas prin rezistena RG , UG 0 i UGS = UG US = US . Chiar dac rezistena
RG are valori mari (de ordinul megaohmilor) cderea de tensiune pe ea este foarte mic deoarece
curentul care o parcurge este practic nul, iG 0 (cu valori uzuale mai mici de un nanoamper).
Negativarea automat se refer la apariia unei tensiuni negative de polarizare a grilei UGS
prin punerea grilei la mas i ridicarea potenialului sursei (datorit curentului care trece prin
dispozitiv i prin rezistena RS ). Un astfel de circuit este posibil doar la dispozitive care sunt normal
deschise, de tipul TEC cu canal iniial (la tranzistoarele normal blocate, cum ar fi TB sau TEC cu
canal indus, aceast auto-polarizare nu este posibil).
Ecuaia (4.39) combinat cu caracteristica de transfer n saturaie (4.11) conduce la:
I R
I D = I DSS 1 + D S
UP
(4.40)
Soluia acestei ecuaii poate fi obinut pe cale grafic. Pe graficul din figura 4.12, relaia
liniar (4.39) este dreapta (b) care trece prin origine. Valoarea curentului prin TEC se modific de
la ID 1 pentru tranzistorul min la ID 2 pentru tranzistorul max, o modificare mult mai redus
177
dect n cazul polarizrii cu tensiune constant. Pentru a reduce variaia curentului ID trebuie aleas
o rezisten RS ct mai mare (o valoare mare pentru RS conduce la o pant mic a dreptei). Cu o
valoare mare pentru RS rezult ns un curent ID nepractic de mic (mai ales n cazul TEC min).
De exemplu, pentru o rezisten RS de 1k i considernd caracteristicile din figura 4.13,
rezult ID = 0,5mA, UGS = 0,5V pentru TEC min i ID = 1,5mA, UGS = 1,5V pentru TEC
max, o variaie de 1:3, mai mic dect la circuitul cu tensiune constant, dar totui inacceptabil.
(4.40)
Ecuaia de mai sus poate fi implementat cu circuitul din figura 4.13.d care se realizeaz
practic cu ajutorul unui divizor de tensiune, rezultnd astfel circuitul din figura 4.13.c, la care:
R2
U GG =
U DD .
(4.41)
R1 + R2
Curentul ID se poate determina prin nlocuirea tensiunii uGS din (4.40) n (4.11).
La toate circuitele de polarizare analizate, rezistena RD trebuie aleas astfel ca tranzistorul
s rmn n saturaie (indiferent de exemplarul de tranzistor sau de nivelul semnalului de intrare),
conform condiiei (4.11). Condiia de saturaie poate fi scris ntr-o form mai simpl:
u DS > uGS U P ,
u DG > U P ,
(4.42)
ceea ce semnific faptul c potenialul n dren trebuie s fie mai mare dect n surs cu |UP |.
Tensiunea UDS sau rezistena RD se determin din ecuaia dreptei de sarcin la ieire:
uDS = UDD ( RD + RS ) iD .
(4.43)
Exemplu de proiectare
178
RS =
U GG
4
=
= 2 k .
I DSS1 2m
R
= 1 GG + S i D
I DSS 2 U P 2 U P 2
iD
ID =2,53mA,
Variaia curentului ID =22,53mA este mult mai mic dect n cazul polarizrii cu
negativare automat (unde s-a obinut ID =0,51,5mA; variaia, normat la valoarea medie,
este de circa patru ori mai mic: 12% fa de 50%).
RS
ID
RD
a)
+USS
RS
R2
ID
R1
RD
a) cu negativare automat,
b) cu negativare automat i divizor
de polarizare n gril.
b)
Condiia de saturaie la TEC cu canal p, (4.13), poate fi rescris ntr-o form mai simpl:
u SD > u SG + U P ,
u SD u SG = uGD ,
uGD > U P ,
(4.44)
Semnificaia fizic a relaiei (4.44) este c potenialul n gril trebuie s fie mai mare dect n dren
cu o tensiune egal cu UP (care este pozitiv n cazul TEC-J cu canal p).
Relaiile de calcul de la TEC-J cu canal n pot fi adaptate la TEC-J cu canal p conform
regulilor indicate la prezentarea tranzistorului cu canal p (paragraful 4.1.3). Astfel, pentru circuitul
de polarizare cu negativare automat, relaiile (4.39) i (4.40) devin:
USG = RS ID ,
respectiv
I R
I D = I DSS 1 D S
UP
(4.45)
uSD = USS ( RD + RS ) iD .
(4.47)
Curentul ID se poate determina prin nlocuirea tensiunii uSG din (4.46) n (4.11) rescris
pentru TEC-J cu canal p:
2
u
(4.48)
i D = I DSS 1 + SG .
U
P
179
4.3.2
+UDD
iG=0
ID
UDD
iG=0
ID
R2
ID
ID
UDS
UGG
R2
RD
RD
R1
RD
R1
+UDD
RS
RS
b)
a)
c)
Fig. 4.15. Circuite de polarizare pentru TEC-MOS cu canal indus (de tip n) cu tensiune
constant n gril: a) cu UGS constant; Cu tensiune constant i rezisten n surs: b) circuitul
practic (cu divizor de tensiune) i c) schema echivalent (divizorul este echivalat cu UGG ).
iD
TEC1
(a)
TEC2
ID1a
UP 2 2UP 1
UGG 4UP 2
(b)
ID1
ID2
panta = 1/ RS
uGS
0
UP1 UP2
UGG a
UGG
Fig. 4.16. Caracteristicile de transfer limit pentru TEC-MOS cu canal indus de tip n i dreptele
de sarcin pentru polarizare: (a) cu tensiune UGS constant, (b) cu UGG i RS .
180
(4.50)
S-a considerat cazul uzual n care TEC funcioneaz n saturaie, adic tensiunea uDS
calculat din (4.43) ndeplinete inegalitatea (4.5). Condiia de saturaie poate fi scris i conform
(4.42), ceea ce semnific faptul c: uD > uG UP (potenialul n dren trebuie s fie mai mare dect
diferena dintre potenialul grilei i tensiunea de prag).
Din figura 4.16 se constat o variaie mult mai mic a curentului de polarizare n dren, (de
la ID2 la ID1) n cazul b fa de cazul a ( ID2 ID1a) i se poate concluziona c circuitul de
polarizare cu rezisten n surs este mult mai puin sensibil la modificarea parametrilor TEC.
(4.51)
(4.52)
Aciunea de stabilizare a psf realizat de acest circuit se poate explica printr-un exemplu
ipotetic. La apariia unei tendine de cretere a curentului de dren (de exemplu datorit creterii
UDD ), tensiunea de dren se reduce conform (4.51), ceea ce conduce la o tendin de reducere a
curentului iD conform (4.52), astfel nct creterea global a curentului de dren este mult mai
mic dect tendina iniial. Acesta este un mecanism specific reaciei negative prin care efectul
(curentul iD ) influeneaz cauza (tensiunea uGS ) n sensul micorrii efectului.
+UDD
RD
RG
ID
iG=0
UGS
UDS
181
Exemplu de proiectare
Datele de catalog ale unui TEC-MOS cu canal iniial, de tip 1N7002, indic un domeniu de
variaie a tensiunii de prag UP =12,5V, cu o valoare tipic UP =2,1V i un curent maxim de
gril IGS max =10nA (pentru UGS <15V). Pentru uDS >3V (TEC saturat), din caracteristicile
statice (tipice) rezult un curent ID =0,36A la o tensiune UGS =3V. Se consider UDD =12V.
a) S se dimensioneze circuitul de polarizare cu divizor n gril i rezisten n surs,
pentru a obine un curent de dren de 10mA i s se determine variaia ID pentru variaia
posibil a UP . Se va considera o amplitudine maxim a tensiunii la ieire de 3V.
b) S se dimensioneze circuitul de polarizare cu rezisten dren-surs pentru a obine un
curent de dren de 10mA i s se determine variaia ID pentru variaia posibil a UP . S se
determine variaia maxim posibil a tensiunii n dren n funcie de valoarea tensiunii de prag.
Rezolvare:
Deoarece n catalog sunt date caracteristicile tipice s-a considerat valoarea tipic a
tensiunii de prag. Pentru cazurile limit se va aduga indicele suplimentar 1 pentru TEC cu
UP minim i indicele 2 pentru TEC cu UP maxim.
a) Tensiunea UGS necesar pentru un curent ID =10mA se determin din (4.5):
U GS U P =
ID
=
kn 2
0,01
= 0,316 V ,
0,1
US
3
=
= 300
I D 10m
sau
R2 =1,22 R1 .
Relaia precedent impune raportul rezistenelor, valoarea lor trebuie aleas astfel nct
curentul prin divizor s fie mult mai mare dect curentul de gril. Pe de alt parte, pentru ca
amplificatorul s aib o rezisten de intrare mare, rezistenele trebuie s fie ct mai mari. De
exemplu pentru R1 =1M rezult R2 =1,2M iar curentul prin divizor este:
IR =
U DD
12
=
= 5,5 A = 5500nA = 550 I G max ,
R1 + R2 2,2 M
mult mai mare dect curentul de gril. Rezistenele din divizor ar putea fi alese chiar de 10 ori
mai mari (caz n care IR = 55 IG max , deci inegalitatea IR >> IG nc ar fi ndeplinit).
182
Rezistena de dren RD trebuie s fie aleas astfel nct TEC s rmn n saturaie
indiferent de nivelul semnalului n dren; amplitudine acestuia este Ud_vf =3V. Rezult o
tensiune minim n dren UDS min = UDS Ud_vf i din condiia de saturaie a TEC cu canal
n, uDS > uGS UP , se obine legtura dintre tensiunea minim n dren i tensiunea n surs:
U DS > U GS U P + U d _ vf
UD > US +
sau
ID
+ U d _ vf .
kn 2
i deci
Rezistena RD se determin din T2K aplicat n circuitul de dren i limitele RD vor fi:
RD =
U DD U D 12 (6,32 K 9)
=
= 568K 300 .
10m
ID
ID2 = 9,6mA.
ID1 =13,5mA,
Ecuaiile de gradul doi n ID dau dou soluii. Se consider soluia pentru care UGS > UP .
Variaia curentului de dren fa de cazul tipic (cu UP = 2,1V) este de 4%+35%, iar fa
de valoarea medie a curenilor limit este de 17%.
Dac s-ar utiliza polarizarea fr rezisten n surs, variaiile curentului ar fi extrem de
mari. Astfel, pentru o tensiune constant n gril UGG = UGS = 2,4V (la care ID =10mA
pentru tensiunea UP tipic), variaiile curentului ID , calculate cu (4.5) ar fi de la:
k
I D1 = n (U GS U P1 )2 = 0,1 (2,4 1)2 = 196 mA
2
un astfel de circuit de polarizare fiind inutilizabil.
la
U DD U DS U DD U GS 12 2,4
=
=
= 0,96 k .
10m
ID
ID
Se alege o rezisten RD =1k, caz n care se obine ID = 9,59mA (pentru tranzistorul tipic)
prin rezolvarea ecuaiei ptratice rezultat dup nlocuirea (4.51) n (4.52):
k
I D = n (U DD R D I D U P )2 .
2
Limitele curentului ID calculate cu aceiai ecuaie sunt: ID1 =10,7mA i ID2 = 9,2mA,
adic o variaie de 4%+11,5%, iar fa de valoarea medie variaia este de 7,5%.
Fa de cazul a, variaia curentului de dren este mai mic, dar domeniul de variaie
posibil al tensiunii de dren este i el mai mic Ud_vf = UP.
183
4.4.1
n figura 4.18 se prezint n seciune o structur tipic a unui tranzistor cu efect de cmp cu
gril jonciune (TEC-J). Pe un substrat puternic dopat p+ se crete prin epitaxie o regiune de tip n
(slab dopat) care va constitui canalul; exemplul ales se refer la un tranzistor cu canal n. O difuzie
p+ realizeaz jonciunea gril-canal (de tip p+n).
Difuziile n+ de la contactele de surs (S) i dren (D) sunt prevzute pentru a obine contacte
ohmice, adic pentru a anula efectul redresor al jonciunilor metal-semiconductor (diodele Schottky
care apar ntre un metal i un semiconductor n). Cele dou regiuni p+, grila G i substratul (suportul,
baza) B, sunt legate de obicei mpreun. Canalul dintre surs i dren este delimitat de regiunile
golite de purttori (RSS) ale jonciunilor pe care le formeaz cu grila i cu substratul.
Sursa (S)
Grila (G)
Drena (D)
Jonciuni difuzate
n+
n
n+
p+
L
g0
Strat epitaxial
Substrat p+
Contacte metalice
Baza (B)
La polarizarea invers a acestor jonciuni, regiunile golite se extind n zona mai slab dopat,
deci n canal, i reduc grosimea acestuia. Datorit reducerii grosimii g a canalului (fa de distana
g0 dintre jonciuni), seciunea canalului conductor se reduce i scade implicit i conductivitatea
acestuia. Controlul efectuat de cmpul electric asupra conductanei canalului (prin intermediul
limii RSS, determinat de tensiunea invers aplicat jonciunilor) constituie efectul de cmp.
La aplicarea unei tensiuni dren-surs uDS mici (cteva zecimi de volt cel mult) tensiunea
gril-canal are aceiai valoare la ambele capete ale canalului i canalul are o grosime uniform,
figura 4.19. Curentul de dren iD , care circul prin canal, depinde direct de conductana acestuia.
UG 0
S
iS = iD
US =0
a)
Regiuni golite de
p+
n
iG =0 purttori mobili
iD
p+
iD D
UG =UP (<0 )
p+
iD =0
D
UD >0
UD >0
p+
UG
b)
UG
Fig. 4.19. Funcionarea TEC-J cu canal n pentru tensiuni uDS mici (US =0, UD >0, UD 0)
n cazul unei tensiuni UGS negative: a) mai mari sau b) egale cu tensiunea de prag UP .
184
UGS =0
UGS2 <0
UGS =UP
Regiunea
rezistiv
Regiunea de saturaie
uDS
UDS sat2
UP
b)
( = UGS 2 UP)
Dac tensiunea dintre dren i surs crete semnificativ, UDS >>0, dependena curentului de
dren de tensiunea de dren devine neliniar, deoarece canalul nu mai este uniform (se ngusteaz la
captul dinspre dren, conform figurii 4.21.a) i rezistena acestuia crete cu creterea tensiunii uDS .
Aceast neuniformitate este cauzat de tensiunea dintre gril i canal, care scade de la surs spre
dren; valoarea minim apare la captul dinspre dren al canalului: UGD (= UGS UDS )< UGS .
La o anumit tensiune de dren UDS sat (la care UGD = UP , tensiune gril-canal de penetrare
a canalului), regiunile golite ale celor dou jonciuni penetreaz complet canalul la captul dinspre
dren (unde potenialul este maxim), n seciunea A din figura 4.21.b; UGD (= UGS UDS sat )= UP
conduce la:
UDS sat = UGS UP .
(4.53)
G
S
UG 0
p+
iD D
UG
UG 0
p+
UD >>0
p+
a)
UD
( UG UP )
p+
b)
iD D
UG
Fig. 4.21. Funcionarea TEC-J cu canal n pentru tensiuni uDS mari (US =0, UD >>0)
n regim: a) nesaturat (rezistiv), UDS <UDS sat ( = UGS UP ) i b) saturat, UDS UDS sat .
Dac tensiune de dren crete n continuare, apare o poriune n care canalul semiconductor
este ntrerupt (la captul dinspre dren). Curentul trece prin aceast poriune de canal datorit
cmpului electric longitudinal produs de diferena dintre uDS i UDS sat . Lungimea acestei poriuni
de canal ntrerupte va crete cu uDS UDS sat (la fel ca orice RSS care preia o tensiune invers mai
mare), ceea ce va conduce la micorarea lungimii canalului conductor. n general, aceast micorare
este mic fa de lungimea canalului. Dac se neglijeaz reducerea lungimii canalului cu creterea
tensiuni de dren, forma canalului (i conductana acestuia) nu se schimb cu uDS , iar cderea de
tensiune pe acest canal, UDS sat , este constant i de aceea nu se modific nici curentul iD prin
185
canal. Regiunea caracteristicilor pentru uDS >UDS sat , n care iD rmne constant, se numete
regiune de saturaie (figura 4.20.b). n realitate, din cauza micorrii lungimii canalului conductor,
iD va crete cu tensiunea uDS i pentru uDS >UDS sat . Aceast cretere este n general slab, fiind
mai pronunat la dispozitivele cu canal mai scurt, deoarece efectul relativ al aceleiai micorri
absolute de lungime de canal este mai important.
Curentul de dren n saturaie, pentru uDS >UDS sat , se poate calcula cu relaia (4.11)
completat cu un termen care include coeficientul de modulaie a lungimii canalului :
u
i D = I DSS 1 GS
UP
(1 u DS ) .
(4.54)
iD
iD
IDSS
UDS >UP
UDS >UP
I D1
ID1
I D2
ID 2 uGS
UP UGS 2 UGS 1 0
a)
I DSS
UP UGS 2 UGS 1 0
b) liniarizarea caracteristicii
de transfer pentru a determina
tensiunea de prag UP .
uGS
b)
u DS u DS
U P U P
(4.55)
186
Din relaia anterioar, la limita intrrii n saturaie, uDS = uGS UP , se obine relaia (4.11).
Pentru tensiuni uDS mici, (4.55) poate fi aproximat prin neglijarea termenului ptratic:
iD =
2 I DSS
U P
u GS
1
UP
u DS .
(4.56)
Aceast relaie liniar reprezint caracteristicile statice n jurul originii, din care rezult conductana
liniar gDS , care depinde de tensiunea uGS :
g DS =
iD
1
=
,
u DS u mic rDS
DS
g DS =
2 I DSS
U P
u GS
1
UP
(4.57)
Valoarea maxim a conductanei apare la o tensiune uGS nul, deci TEC-J este un dispozitiv
normal deschis prin el circul curent n absena unei tensiuni la intrare. La aplicarea unei tensiuni
uGS negative de intrare, curentul prin tranzistor scade pn la anulare (pentru cazul n care tensiunea
de intrare este mai mic dect tensiunea de prag UP ). Deoarece jonciunea gril-canal este
polarizat invers, curentul de gril este foarte mic (de ordinul nanoamperilor) i puternic dependent
de temperatur (la temperatura camerei se dubleaz la circa 10 grade cretere a temperaturi).
Aplicarea unei tensiuni uGS pozitive conduce la creterea apreciabil a curentului de gril.
Acest regim de funcionare poate fi admis doar pentru tensiuni mai mici dect tensiunea de
deschidere a jonciunii gril-surs (UD0 ,circa 0,5V la siliciu), uGS <UD0 .
Tranzistorul cu canal p funcioneaz principial la fel ca cel cu canal n; purttorii de sarcin
prin canalul p vor fi golurile iar tensiunea aplicat grilei uGS , care reduce curentul prin tranzistor,
este pozitiv. Tensiunea de prag UP (care nchide complet canalul) este de asemenea pozitiv. Se
utilizeaz conveniile de sens i de reprezentare prezentate n paragraful 4.1.3.
4.4.2
Cel mai utilizat tip de tranzistor este TEC-MOS cu canal indus. Din analiza structurii interne
a unui TEC-MOS cu canal n se vor deduce relaiile care definesc funcionarea acestui tranzistor.
n figura 4.23 este schiat o seciune printr-un TEC-MOS cu canal idus de tip n, sau
NMOS. Tranzistorul este fabricat pe un substrat de tip p care asigur suportul fizic al tranzistorului
(sau al ntregului circuit n cazul circuitelor integrate). n substrat sunt realizate dou regiuni de tip
n puternic dopate, care constituie sursa i drena tranzistorului. Regiunea dintre surs i dren de la
suprafaa semiconductorului este acoperit cu un strat subire (0,020,1 m) de dioxid de siliciu
SiO2, care este un excelent izolator. Metalul depus peste acest strat de izolator formeaz grila (sau
poarta) tranzistorului. Contacte metalice sunt depuse de asemenea i pe regiunile de surs, dren i
substrat. TEC-MOS are patru terminale: grila (G), sursa (S), drena (D) i substratul sau baza (B).
Numele acestui tranzistor: metal-oxid-semiconductor, MOS, deriv de la structura fizic a
acestuia. Acelai nume se utilizeaz i pentru dispozitivele moderne de acest tip, chiar daca acestea
utilizeaz pentru terminalul grilei polisiliciul (siliciu foarte puternic dopat) n locul metalului.
Datorit izolaei realizat de stratul de oxid, curentul de gril al TEC-MOS este extrem de
mic (de ordinul a 1015 A). Substratul formeaz cu regiunile de dren i de surs dou jonciuni pn.
Dac se aplic o tensiune drenei (fa de surs) i dac nu se aplic tensiune grilei i substratului
atunci cel puin una dintre aceste jonciuni este blocat i prin tranzistor (ntre dren i surs) nu
apare curent. La aplicarea unei tensiuni suficient de mari grilei, sub gril apare un canal conductor
care permite trecerea unui curent prin tranzistor. Acest canal, cu o lungime L i o lime W (de la
width din englez) are dimensiuni de ordinul micronilor. Exist i TEC cu dimensiuni submicronice
care se utilizeaz cu precdere la aplicaiile digitale de nalt vitez.
187
Oxid (SiO2 )
Grila (G)
Drena (D)
gox
n+
n+
L
Jonciuni
difuzate
Substrat p
Contacte metalice
a)
a) Seciune,
Baza (B)
b) Vedere de sus.
Ferestre contact
(metal)
Grila
(metal sau
polisiliciu)
Sursa
Drena
b)
n prima etap se va analiza funcionarea TEC-MOS pentru cazul n care substratul este
conectat la surs, caz n care TEC-MOS poate fi considerat un dispozitiv cu trei terminale.
Substratul (implicit i sursa tranzistorului) se consider referina de potenial.
La aplicarea pe gril a unei tensiuni pozitive, n izolatorul grilei apare un cmp electric E, cu
sensul conform figurii 4.24.a. Pentru valori moderate ale acestei tensiuni, la suprafaa dinspre gril
a semiconductorului apare o regiune golit de purttori de sarcin (datorit cmpului electric,
golurile majoritare sunt mpinse n substrat iar electronii liberi minoritari sunt atrai din substrat i
se recombin cu golurile). Dac tensiunea aplicat grilei are o valoare mai mare dect tensiunea de
prag UP , atunci la suprafaa semiconductorului apare un strat de inversiune (datorit cmpului
electric intens, concentraia electronilor liberi atrai din substrat depete concentraia golurilor i
tipul semiconductorului de sub gril se inverseaz). Apare astfel un canal de tip n ntre dren i
surs, canal indus de tensiunea aplicat grilei, ca n figura 4.24.b. Grosimea stratului de inversiune
depinde de valoarea cmpul electric din izolator i implicit de valoarea tensiunii aplicate grilei.
S
US =0
0< UG < UP
G
n+
E
UD >0
iD =0
n+
Regiune golit de
purttori mobili
Substrat p
a)
UB =0
S
UP < UG G
iG =0
iS = i D
D UD >0
n+
iD >0
n+
L
Canal n indus
Substrat p
b)
Fig. 4.24. Funcionarea TEC-MOS cu canal n pentru tensiuni UDS mici (US =0, UD >0, UD 0)
n cazul unei tensiuni UGS pozitive: a) mai mic i b) mai mare dect tensiunea de prag UP .
188
La aplicarea unei tensiuni pozitive ntre dren i surs uDS apare un curent iD care circul
prin canal. Curentul se datoreaz deplasrii electronilor liberi de la surs spre dren i se consider
prin convenie c circul n sens contrar deplasrii purttorilor negativi de sarcin (electroni), adic
de la dren spre surs. Se remarc egalitatea dintre curentul care intr n dren i cel care iese din
surs (iD = iS ) datorat curentului de gril nul (iG = 0).
Pentru o tensiune uDS mic, curentul depinde de densitatea electronilor din canal, care la
rndul ei depinde de valoarea tensiunii uGS . Pentru o tensiune uGS = UP , canalul tocmai apare i
curentul iD este neglijabil de mic. Curentul prin canal va depinde de conductana acestuia (intuitiv
depinde de grosimea canalului) care depinde de surplusul de tensiune (uGS UP ), numit i tensiune
efectiv de gril. De aceea, curentul de dren iD este proporional cu tensiunea uGS UP (care
influeneaz conductivitatea canalului) i cu tensiunea uDS (datorit creia apare acest curent).
Canalul conductor este indus de tensiunea aplicat grilei, de unde i numele de TEC cu canal indus,
iar creterea tensiunii de gril peste tensiunea de prag conduce la nbogairea canalului cu purttori,
de unde i numele de tranzistor cu mbogaire (enhancement-type MOS-FET n englez).
La o tensiune de dren uDS mare tensiunea n canal crete de la surs spre dren (de la 0
la uDS ) iar tensiunea ntre diferite puncte ale grilei i surs este diferit (scade dinspre surs spre
dren, de exemplu uGD = uGS uDS < uGS ). Deoarece grosimea canalului depinde de tensiunea dintre
gril i canal n fiecare punct, rezult c grosimea canalului va fi neuniform, va scdea dinspre
surs spre dren cu att mai mult cu ct tensiunea uDS este mai mare, conform figurii 4.25. Datorit
acestui fenomen rezistena canalului va crete cu creterea tensiunii uDS .
uDS = UGS UP
Sursa
Canal
uDS
Drena
UDS =0
Caracteristicile statice de ieire iD (uDS ) trasate la uGS =constant(= UGS ), i vor reduce
nclinaia cu creterea tensiunii uDS , ca n figura 4.26.a. Dac tensiunea la captul dinspre dren
scade la valoarea UP , atunci grosimea canalului la captul dinspre dren se reduce la zero i canalul
se nchide ntr-un punct (la captul dinspre dren).
iD
iD
UGS 3 (= 4UP)
Regiunea
rezistiv
Regiunea
de saturaie
UGS 2 (= 3UP)
UGS 1 (= 2UP)
UGS 0 ( UP)
UDS sat2 (= UGS 2 UP)
uDS
uGS
0
UP
Fig. 4.26. Caracteristicile statice ale unui tranzistor TEC-MOS cu canal indus de tip n:
a) Caracteristicile de dren, b) Caracteristica de transfer n saturaie (UDS > uGS UP ).
189
A WL
=
= C oxWL ,
g ox
g ox
C ox =
,
g ox
(4.58)
unde: este permitivitatea electric a SiO2, A este aria grilei i Cox este capacitatea specific (pe
unitatea de arie).
Sarcina electric a purttorilor mobili din canal depinde de tensiunea efectiv de gril:
Q = C g (U GS U P ) = C ox W L (U GS U P ) .
(4.59)
L
L
L
L2
=
=
=
,
u DS n u DS
v n El
n
L
(4.60)
unde: n este mobilitatea purttorilor de sarcin (electroni n cazul NMOS) i El este cmpul
electric longitudinal (de-a lungul canalului, determinat de tensiunea uDS ). O observaie util se
poate face n legtur cu mobilitatea electronilor liberi i a golurilor: n 2,5 p .
Curentul de dren se obine ca raport ntre sarcina din canal i timpul de tranzit:
iD =
sau
Q Cox W L (U GS U P )
W
=
n u DS = nCox (U GS U P ) u DS ,
2
L
L
i D = k n'
W
(U GS U P ) u DS = k n (U GS U P ) u DS ,
L
(4.61)
(4.62)
unde: k'n = nCox este factorul de conducie intrinsec, kn = k'n ( W / L ) este factorul de conducie i
W / L este factorul dimensional (geometric) al TEC-MOS. n cazul proiectrii circuitelor integrate cu
TEC-MOS factorul de conducie intrinsec este un parametru al tehnologiei (fixat de procesul
tehnologic utilizat) iar factorul geometric este un parametru care poate fi ales de proiectant.
Canalul leag sursa de dren prin intermediul sarcinilor mobile din canal i acioneaz ca o
rezisten (ntre dren i surs). Valoarea rezistenei canalului n zona liniar a caracteristicilor
statice este:
u
1
1
.
rDS = DS =
=
W
iD
k n (U GS U P )
'
k n (U GS U P )
L
(4.63)
190
i D = k n U GS U P DS u DS ,
2
(4.64)
Ecuaia care descrie funcionarea TEC-MOS n regiunea de saturaie se obine din ecuaia
anterioar considernd limita de trecere din regiunea neliniar n saturaie, uDS = UDS sat = UGS UP :
k
i D = n (U GS U P )2 .
2
(4.65)
Aceast ecuaie indic valoarea curentului constant din saturaie (pentru UGS =constant). Dac se
consider tensiunea UGS ca o variabil, uGS , ecuaia (4.65) reprezint caracteristica de transfer a
TEC. Conform ecuaiei iD (uGS ), TEC este n esen o surs de curent controlat n tensiune.
4.4.3
Constructiv tranzistorul MOS cu canal iniial difer de TEC-MOS cu canal indus prin
canalul conductor implantat n partea superioar a substratului, sub gril. Pentru un NMOS, acest
canal fizic dintre drena i sursa tranzistorului este un semiconductor de tip n care realizeaz legtura
electric ntre drena i sursa de tip n+. Datorit acestui canal, la aplicarea unei tensiuni uDS ntre
dren i surs, va circula un curent iD chiar dac uGS =0.
Grosimea canalului i conductivitatea acestuia sunt controlate de tensiunea uGS la fel ca i la
TEC cu canal indus. Dac se aplic o tensiune uGS pozitiv atunci canalul se mbogete datorit
electronilor suplimentari atrai din substrat. n cazul acestui tip de TEC se poate aplica i o tensiune
uGS negativ care ndeprteaz electronii din canal astfel nct grosimea i conductivitatea canalului
scad. O tensiune uGS negativ produce srcirea canalului (n sarcini electrice) de unde i numele de
tranzistoare cu srcire (depletion-type MOS) dat acestora. La o anumit tensiune negativ, numit
tensiune de prag UP , canalul se nchide datorit ndeprtrii tuturor purttorilor de sarcin electric
din canal. Un tranzistor MOS cu canal iniial poate funciona att pentru tensiuni uGS pozitive (n
regim de mbogire) ct i pentru tensiuni uGS negative (n regim de srcire). Caracteristicile de
ieire iD (uDS ) i de transfer iD (uGS ) ale acestui tranzistor (figura 4.27) sunt identice cu cele ale TEC
cu canal indus doar c tensiunea de prag este negativ (pentru NMOS).
iD
iD
UGS = 1V
Regiunea
rezistiv
Regiunea
de saturaie
UGS = 0
UGS = 1V
UGS 2V(= UP)
UDS sat = 2V(= UP)
IDSS
uDS
uGS
UP
Fig. 4.27. Caracteristicile statice ale unui tranzistor TEC-MOS cu canal iniial de tip n.
191
Ecuaiile de funcionare ale TEC-MOS cu canal iniial sunt aceleai cu cele pentru TEC cu
canal indus. n cazul tranzistoarelor cu canal iniial ecuaiile se pot scrie i funcie de IDSS (curentul
dren-surs cu grila scurtcircuitat la surs) ca i la TEC-J. Curentul IDSS se poate calcula conform
relaiei (4.10).
4.4.4
Dintre factorii mai importani care afecteaz funcionarea TEC-MOS se vor analiza efectul
tensiunii uDS n saturaie, efectul de substrat, efectele temperaturii, strpungerea, efectul de canal
scurt i conducia sub prag.
(4.66)
unde este coeficientul de modulaie a lungimii canalului, =1/UA (inversul tensiunii Early de la
tranzistoarele bipolare). Coeficientul depinde de L iar tensiunea UA este direct proporional cu L;
pentru a avea o dependen ct mai redus a curentului iD fa de uDS , trebuie ca lungimea canalului
s fie ct mai mare (rezult astfel o pondere mic a modificrii lungimii canalului fa de lungimea
L, i implicit un mic). Efectul modulrii lungimii canalului de ctre uDS se neglijeaz n calculele
manuale, dar se consider la simularea i la modelarea tranzistorului n regim dinamic.
Efectul de substrat
n multe aplicaii substratul este conectat la surs, caz n care jonciunea pn care apare ntre
substrat i canal nu este polarizat i de aceea substratul nu are nici un efect, existena acestuia
putnd fi ignorat (ca n analizele de pn acum); acesta este de regul cazul TEC discrete. n cazul
circuitelor integrate, substratul este comun mai multor tranzistoare i pentru a menine condiia de
blocare pentru jonciunile substrat-canal ale tuturor tranzistoarelor, substratul este conectat de
regul la cel mai negativ potenial din circuit. Polarizarea invers care apare la tranzistoarele a cror
surs este conectat la un potenial mai ridicat (USB la NMOS) va avea un efect semnificativ asupra
funcionrii respectivelor tranzistoare. Acest efect poate fi pus uor n eviden prin modificarea
tensiunii de prag a tranzistorului (fa de valoarea UP 0 a TEC cu US B =0) conform relaiei:
U P = U P0 +
2 f + U SB 2 f ,
(4.67)
unde UP 0 este valoarea de prag pentru US B =0; 2f este un parametru fizic cu o valoare tipic de
0,6 V; i este un parametru al procesului de fabricaie calculat conform relaiei:
=
2q N A s
C ox
(4.68)
unde NA este concentraia golurilor din substratul de tip p i s este permitivitatea siliciului (circa
1012 F/cm). Parametrul are o valoare tipic de 0,5 V1/2.
Ecuaia (4.67) indic faptul c o cretere a tensiunii US B conduce la o cretere a tensiunii de
prag UP , care la rndul ei conduce la creterea curentului iD . Se poate spune c substratul
acioneaz ca o a doua gril a tranzistorului MOS; fenomenul este cunoscut ca efect de substrat iar
parametrul este cunoscut ca factor de substrat al TEC-MOS.
192
Efectele temperaturii
Cei doi factori principali ai TEC-MOS sunt dependeni de temperatur astfel: UP scade cu
circa 2 mV pentru o cretere a temperaturii cu 1C (ceea ce conduce la creterea curentului iD ) iar k'
are un efect dominant i scade cu creterea temperaturii. Rezultatul net este o scdere a curentului
iD cu creterea temperaturii. Ca o consecin direct, la TEC-MOS nu apare ambalarea termic
(spre deosebire de tranzistoarele bipolare) ceea ce permite utilizarea tranzistoarelor MOS la
circuitele de putere fr a fi necesare circuite speciale de eliminare a ambalrii termice.
Strpungerea electric
La TEC-MOS pot apare diferite tipuri de strpungeri electrice i anume:
-
La dispozitivele moderne cu canal scurt apare strpungerea la o tensiune de dren relativ redus
(circa 20 V) la care regiunea golit a drenei se extinde prin canal pn n regiunea sursei, ceea
ce conduce la o cretere apreciabil a curentului de dren. n mod normal aceast strpungere nu
conduce la distrugerea tranzistorului.
Un alt tip de strpungere apare atunci cnd tensiunea gril-surs depete aproximativ 50 V.
Strpungerea oxidului care apare duce la distrugerea definitiv a TEC-MOS. Cu toate c
tensiunea de 50 V pare mare, s nu uitm c rezistena de intrare a TEC-MOS este foarte mare,
ceea ce face ca o sarcin static relativ mic acumulat pe capacitatea mic a grilei s duc la
depirea acestei valori a tensiunii de strpungere.
193
aproximate bine de modelul ptratic. La valori mari ale intensitii cmpului electric viteza se
satureaz atingnd o valoare constant:
vlim = n Ecrit ,
(4.69)
unde: Ecrit =1,5x106 V/m iar n =0,07 m2/Vs este valoarea mobilitii electronilor n cmpuri slabe.
n cazul TEC cu canal scurt cmpul critic apare de la tensiuni mici (de exemplu pentru L =1 m, la
o tensiune uDS =1,5 V, valoarea medie a intensitii cmpului electric este egal cu Ecrit ).
Influena saturaiei vitezei purttorilor asupra caracteristicilor de semnal mare ale TEC se
poate modela prin introducerea unei rezistene RSX n serie cu sursa unui tranzistor ideal. Ca
rezultat, n zona curenilor mari, caracteristica de transfer n saturaie iD (uGS ) devine liniar.
u
W
I D 0 exp GS
L
nU T
(4.70)
unde ID0 este un curent constant (cu valori uzuale de zeci de nA) iar coeficientul n1,5.
iD (uGS ) din figura 4.28.a este aproximativ o dreapt ceea ce arat c TEC
Caracteristica
iD
Regiune exponenial
de conducie sub prag
uGS
0
UP
a)
Regiune cu
caracteristic
ptratic
UP
uGS
b)
Fig. 4.27. Caracteristica de transfer a unui tranzistor TEC-MOS cu canal iniial de tip n
trasat pentru a pune n eviden: a) caracteristica ptratic, b) conducia sub prag.
Funcionarea sub prag se folosete la aplicaiile care cer o putere foarte mic i accept o
frecven de lucru sczut (frecvena de tiere fT are valori foarte mici la cureni iD foarte mici).
194
4.4.5
Structura TEC-MOS cu canal p este identic cu a celor cu canal n, dar la construcia lor se
utilizeaz semiconductori diferii. Substratul (sau baza) este de tip n, zonele de dren i de surs
constau din semiconductori de tip n puternic dopai. Funcionarea tranzistoarelor PMOS este
identic cu a celor NMOS cu excepia faptului c la conducie particip golurile (n locul
electronilor liberi), canalul conductor de sub gril este de tip p i sensul tensiunilor i al curenilor
se schimb. Relaiile care descriu funcionarea tranzistoarelor PMOS se modific conform
observaiilor de la paragraful 4.1.3.
4.4.6
Simbolurile TEC-MOS cu canal indus sunt prezentate n figura 4.28.a i c. Linia vertical
continu semnific grila, linia vertical ntrerupt semnific canalul; aceast linie este ntrerupt
pentru a evidenia lipsa canalului n absena polarizrii grilei. Simbolurile TEC-MOS cu canal
iniial sunt prezentate n figura 4.28.b i d, iar n acest caz canalul este reprezentat cu o linie
continu deoarece el exist i n cazul unei tensiuni nule aplicate grilei.
La toate cele patru simboluri spaiul dintre cele dou linii reprezint izolaia dintre gril i
canal iar polaritatea jonciunii substrat-canal este pus n eviden de direcia sgeii de la linia care
indic substratul (sau baza). n cazul a i b, sgeata este orientat de la substrat la canal (de la zona
p la zona n) prin urmare substratul este de tip p i canalul de tip n, deci tranzistorul este de tip
NMOS. Chiar dac tranzistorul MOS este simetric, n circuite este util s se indice care terminal
este sursa i care drena. Aceasta se realizeaz prin desenarea liniei terminalului grilei mai aproape
de linia terminalului sursei. Cercurile simbolurilor reprezint capsulele tranzistoarelor discrete;
tranzistoarele din circuitele integrate se reprezint fr aceste cercuri.
D
NMOS
B
a)
B
b)
B
c)
PMOS
B
d)
Fig. 4.28. Simbolurile complete ale TEC-MOS cu canal indus (a, c) i cu canal iniial (b, d);
de tip n (NMOS: a, b) i de tip p (PMOS: c i d).
Simbolurile din figura 4.28 sunt descriptive dar destul de complexe i de aceea, adesea, se
utilizeaz simboluri simplificate cum ar fi cele din figura 4.1.a, b, d i e, utilizabile n cazul n care
substratul este conectat la sursa tranzistorului.
195
4.5.1
GS P
duGS +
iD
du DS ,
u DS P
(4.71)
unde iD |P = ID ; pentru semnale mici d uGS = ugs , iar d uDS = uds . (valorile instantanee ale semnalelor,
sau variaiile acestora n psf sunt suficient de mici pentru a putea fi aproximate cu diferenialele).
Din relaia precedent se poate separa componenta de ca a curentului de dren:
id =
i D
i
u gs + D
u ds = g m u gs + g d u ds ,
uGS P
u DS P
(4.72)
Derivatele pariale calculate n psf sunt parametrii ai circuitului de semnal mic care se
calculeaz cu formule care rezult din relaia anterioar. Cei doi parametrii au dimensiunea unor
conductane i se numesc:
- transconductan (sau pant):
gm =
i D
,
uGS P, u = 0
ds
(4.73)
gd =
iD
,
u DS P, u = 0
gs
(4.74)
Relaia (4.72) definete circuitul echivalent de dren al TEC, compus dintr-un generator de
curent controlat n tensiune gm ugs i conductana gd . Rezistena de intrare este considerat infinit
ntruct grila este izolat cu o jonciune polarizat invers n cazul TEC-J i cu un izolator propriuzis n cazul TEC-MOS. Rezult astfel circuitul echivalent de semnal mic din figura 4.29.
g ig =0
id
u gs gm ugs
s
4.5.2
Parametrii de semnal mic depind de psf i pot fi calculai conform relaiilor anterioare innd
seama de expresiile curentului n saturaie la TEC-J i respectiv la TEC-MOS.
Conductana de ieire se calculeaz din (4.74) i (4.54) pentru TEC-J, respectiv (4.66)
pentru TEC-MOS. Rezult aceiai relaie pentru ambele tipuri de TEC:
g d = I D , respectiv rd =
U
1
1
=
= A.
gd I D
ID
(4.75)
Pentru calculul rezistenei de ieire se poate utiliza relaia identic cu cea de la tranzistoarele
bipolare (cu tensiunea Early U A ), ns la TEC se utilizeaz de obicei parametrul .
196
Deoarece coeficientul de modulare a lungimii canalului este mai mic pentru canale mai
lungi (este invers proporional cu lungimea canalului), pentru a obine o rezisten de dren ct mai
mare (conductan de dren ct mai mic) trebuie ca lungimea canalului L s fie ct mai mare.
Transconductana
Din (4.73) i (4.54) rezult transconductana pentru TEC-J:
gm =
2 I DSS
UP
U GS
1
UP
(4.76)
(4.77)
Aceast relaie arat c transconductana (sau panta tranzistorului) depinde liniar de tensiunea
efectiv de gril (valoarea cu care tensiunea de polarizare a grilei depete tensiunea de prag) i de
factorul de conducie kn , care se mai numete i parametru de transconductan. La tranzistoarele
MOS integrate se poate nlocui factorul de conducie conform (4.62) i se obine:
g m = k n'
W
(U GS U P ) ,
L
(4.78)
relaie din care se observ c transconductana acestora depinde liniar de factorul de conducie
intrinsec (parametru al procesului de fabricaie) i de factorul dimensional W / L care poate fi
controlat de proiectant. Pentru a obine o transconductan mai mare trebuie ca limea W s fie
mare i lungimea L s fie redus. Pe de alt parte ns, conform celor artate n paragraful anterior,
o lungime redus conduce la o rezisten de ieire mare. La proiectarea tranzistoarelor MOS
integrate va trebui aleas lungimea optim n funcie de rolul tranzistorului respectiv.
Transconductana este cel mai important parametru al tranzistorului MOS deoarece reflect
eficiena tranzistorului de la intrare la ieire. Un criteriu mai bun, care arat ct de eficient este
folosit curentul pentru a genera transconductan, este raportul gm /ID .
Acest raport rezult din expresia pentru gm care se obine prin nlocuirea tensiunii efective
de gril conform relaiei (4.65):
gm =
2 kn I D =
2 k n'
W
L
(4.79)
ID .
I D i
W L.
Dac se compar aceste rezultate cu cele de la tranzistorul bipolar (TB) se observ dou
diferene majore: la TB valoarea transconductanei este proporional cu valoarea curentului de
polarizare i nu depinde de dimensiunile i forma tranzistorului.
Diferena dintre cele dou tipuri de tranzistoare se poate pune n eviden printr-un calcul al
transconductanei la acelai curent de polarizare. Conform ecuaiei (4.79), la un curent I D =1mA,
un TEC-MOS integrat cu k'n =20 A/V2 i W / L =1 are gm = 0,2 mA/V iar pentru W / L =100 rezult
gm = 2 mA/V. n contrast, un TB polarizat la acelai curent de colector de 1 mA are o pant mult
mai mare, gm = 40 mA/V.
197
2 ID
ID
=
.
U GS U P (U GS U P ) 2
(4.80)
Aceast relaie arat c transconductana este raportul dintre curentul de dren i o jumtate din
tensiunea efectiv de gril UG-ef = UGS UP , expresie similar cu cea de la TB, unde gm = I C / UT .
Dac UT = 25 mV, (UGS UP )/2 trebuie ales mai mare dect 0,1 V, ceea ce arat din nou c panta la
TB este sensibil mai mare dect la TEC. Pe de alt parte, chiar dac panta TEC este relativ mic,
tranzistorul TEC-MOS are alte avantaje, cum ar fi: impedana de intrare foarte mare, dimensiunile
mici, puterea disipat mic i procesul de fabricaie mai simplu.
ID
.
nUT
(4.81)
Transconductana n cazul acestui regim de funcionare este proporional cu curentul de dren (ca
i n cazul TB, cu diferena c apare coeficientul n1,5 iar curenii prin tranzistor sunt foarte mici).
Raportul gm /ID este constant i atinge valoarea maxim n acest regim, conform figurii 4.30.
Pentru a obine amplificri mari cu TEC, regimul de inversie slab este preferabil. Pe de alt parte,
datorit valorilor foarte mici ale curentului prin tranzistor, frecvena limit a TEC atinge o valoare
mic, ceea ce limiteaz domeniul de utilizare a acestui regim doar la aplicaii de joas frecven.
gm sat
gm
panta = 0
panta = 1/2
panta = 1
Inversie
accentuat
a)
gm
ID
Saturarea
vitezei
purttorilor
ID
Inversie slab
n UT
panta = 1/2
panta = 1
b)
ID
198
4.5.3
Efectul de substrat apare intr-un TEC MOS atunci cnd substratul nu este legat la surs, ci
este conectat la sursa negativ de alimentare. Substratul va fi conectat astfel la masa de semnal, n
timp ce sursa nu mai este conectat la mas; n sursa tranzistorului apare o tensiune de semnal usb
nenul, indicele b provine de la body corp (alt nume pentru substrat din limba englez).
Substratul acioneaz ca o a doua gril pentru TEC-MOS; datorit acesteia apare o component
suplimentar a curenului de dren: gmb usb unde gmb este transcondutana de substrat definit
conform relaiei:
g mb =
iD
.
u SB u , u = 0
gs ds
(4.82)
unde:
U P
=
U SB 2
(4.83)
2 f + U SB
(4.84)
u gs
rd
g m u gs
g mb ubs
ubs
n figura 4.31 este prezentat modelul tranzistorului MOS care include efectul de substrat;
acest model se va utiliza atunci cnd sursa nu este legat la substrat.
4.5.4
u gs
Cgs
rd
g m u gs
1
WLC ox (n regiunea neliniar).
2
(4.85)
199
Aceast aproximaie se poate aplica cu rezultate bune pentru operarea n regiunea de tip triod, chiar dac
tensiunea uDS nu este mic.
2. Dac TEC-MOS este n saturaie, atunci grosimea canalului la captul dinspre dren se reduce
la zero (conform figurii 4.25), Cgd este nul i ntreaga capacitate a grilei se regasete n Cgs :
C gs =
2
WLC ox , C gd = 0 (n saturaie).
3
(4.86)
3. Dac TEC-MOS este blocat, canalul dispare i ca urmare ambele capaciti sunt nule:
C gs = C gd = 0 (n blocare).
(4.85)
4. n toate formulele precedente mai trebuie adugat o componenta capacitiv mic datorat
extinderii difuziei de dren i de surs sub oxidul grilei. Dac lungimea acestei suprapuneri este
notat cu Lov (de la overlap) atunci aceste capaciti suplimentare (de suprapunere) sunt:
C ov = WLov C ox .
(4.85)
Valoarea tipic: Lov = 0,1 0,2 m; aceata poate fi o fracie semnificativ a lungimii canalului n
cazul tehnologiilor CMOS moderne, sub-micronice.
4.5.5
ig
u gs
Cgs
g m u gs
rd
id
I d = g m j C gd U gs g m U gs
I g = j (C gs + C gd ) U gs
(4.86)
Id
gm
;
I g j (C gs + C gd )
(4.87)
Din (4.87) rezult pulsaia i frecvena de tiere a tranzistorului pentru care ctigul n
curent devine unitar:
T =
gm
C gs + C gd
sau
fT =
gm
1
.
2 C gs + C gd
(4.88)
200
mai eficient la nalt frecven (realizat cu tranzistorul respectiv). Valorile tipice ale frecvenei de
tranziie sunt de la circa 100 MHz (la tehnologiile mai vechi) pn la valori de zeci de GHz la
tehnologiile moderne (submicronice).
4.6.1
Structura D-MOS
Tranzistorul MOS cu canal indus prezentat anterior (n paragraful 4.4.2) nu este potrivit
pentru aplicaiile de mare putere. Curentul de dren al unui tranzistor MOS cu canal indus de tip n
n saturaie este:
k W
iD = n
2 L
2
(uGS U P ) .
(4.81)
Pentru a mri curentul tranzistorului MOS trebuie ca acesta s aib o lime W ct mai mare i o
lungime L ct mai mic. Reducerea lungimii la structura MOS standard duce la o micorare
accentuat a tensiunii de strpungere. Ca urmare un astfel de dispozitiv nu va putea controla
tensiuni ridicate, specifice aplicaiilor de putere. De aceea, sunt utilizate structuri speciale pentru a
obine tranzistoare MOS cu canal scurt (1..2 micrometri) cu o tensiune de strpungere mare.
Cea mai utilizat structur pentru tranzistorul MOS de putere este tranzistorul cu dubl
difuzie sau DMOS prezentat n figura 4.31. Dispozitivul este fabricat pe un substrat de tip n slab
dopat, cu regiunea inferioar puternic dopat pentru contactul de dren. Se realizeaz dou regiuni
difuzate, una pentru regiunea bazei de tip p si cealalt pentru regiunea sursei de tip n.
Sursa
Grila
SiO2
Surs n+ p+
n+
p+
Baz
L
_
Substrat n
Curgerea
curentului
n+
Drena
Tranzistorul DMOS functioneaz astfel: La aplicarea unei tensiuni pozitive pe gril uGS ,
mai mare dect tensiunea de prag UP, apare un canal lateral de tip n n regiunea bazei de tip p
imediat sub stratul de oxid al grilei. Canalul care rezult astfel este scurt, cu lungimea notat cu L n
figur. Curentul este produs de electronii de la surs care se deplaseaz prin canalul scurt spre
substrat i apoi vertical prin substrat spre dren. Conducia vertical a curentului este diferit de
conducia lateral care apare la un tranzistor MOS standard, de semnal mic.
201
Cu toate c tranzistorul are un canal scurt, tensiunea de strpungere poate fi foarte mare
(pn la 600 V) deoarece regiunea golit de purttori dintre substrat i baz se extinde n principal
n zona slab dopat a substratului i nu n canal. Tranzistorul MOS rezultat poate controla un curent
mare (50 A sau chiar mai mult) avnd n acelai timp i o tensiune de strpungere mare. Un avantaj
suplimentar al structurii verticale este utilizarea eficient a ariei de siliciu.
4.6.2
Chiar dac structura tranzistoarelor MOS de putere este diferit, caracteristicile statice sunt
similare cu cele ale TEC MOS de semnal mic. n continuare vor fi prezentate diferenele care apar.
Tranzistoarele MOS de putere au tensiunea de prag de 2 la 4 V, ceea ce permite comanda
acestora cu tensiuni digitale de tip TTL. n saturaie, apare o relaie ptratic ntre curentul de dren
i tensiunea de gril uGS . Dup cum se poate observa n figura 4.33 caracteristica de transfer iD-uGS
devine liniar pentru valori mari ale tensiunii uGS . Poriunea liniar a caracteristicii de transfer
apare datorit valorii mari a cmpului electric care apare n canalul scurt i care conduce la
atingerea limitei superioare sau saturaia vitezei purttorilor de sarcin. n aceste condiii curentul
de dren este:
iD =
1
Cox W Vsat (uGS U P ) ,
2
(4.81)
Vsat este valoarea de saturaie a vitezei (5 . 106 cm/s la electroni n siliciu). n zona liniar a
caracteristicii de transfer, transconductana gm este constant i proporional cu W; deoarece
limea W are o valoare mare la tranzistoarele de putere, tranzistoarele MOS de putere vor avea o
valoare mare a transconductanei.
iD
Linear
Fig. 4.33. Caracteristica de transfer tipic
a unui tranzistor MOS de putere
Dependen
ptratic
UT
uGS
Exponenial
(sub prag)
4.6.3
202
iD (A)5
4
3
UDS = +15 V
Punct cu coeficient
de temperatura nul
2
Fig. 4.34. Caracteristica de transfer a unui
tranzistor MOS de putere (IRF 630) la
diferite temperaturi ale capsulei
+125C
55C
+25C
uGS (V)
1
2
3
4
5
Ambalarea termic este totui posibil n zona curenilor mici (pentru coeficieni de
temperatur pozitivi). Coeficientul de temperatur al iD este pozitiv n domeniul curenilor mici
deoarece este determinat de coeficientul de temperatur negativ al tensiunii de prag UP (cu valori
de -3 la -6 mV/grdC).
4.6.4
uGS
CGD
iDS
CGS
rS
S
203
4.8 BIBLIOGRAFIE
Dup cum se poate vedea din figur, modelul SPICE include rezistenele ohmice ale drenei
i sursei: rD i rS . Funcionarea dinamic a tranzistorului este modelat de cele dou capaciti CGS
i CGD . Valorile acestor capaciti se calculeaz n funcie de dimensiunile geometrice ale TECMOS, W i L, indicate la declararea tranzistorului MOS. La tranzistoarele din circuitele integrate se
utilizeaz i capacitile neliniare dintre substrat (baz) i cele trei terminale: CBD , CBS , CBG , care
nu sunt incluse n figura precedent.
Cei mai importani parametrii ai TEC-MOS sunt dai n tabelul 4.1.
Tab. 4.1. Parametrii mai importani ai modelului de tranzistor MOS din SPICE
Numele
SPICE
Parametrul modelului
Simbol
Unitatea
de msur
VTO
Tensiunea de prag
UP
KP
Parametrul de transconductan
kn
AV2
GAMMA
Factorul de substrat
V1/2
PHI
Potenialul la suprafa
kn
LAMBDA
Parametrul de modulaie a
lungimii canalului
RD
RS
Valoarea
Exemplu
predefinit
0
2.0 x 105
1.0E3
0.5
0.6
0.7
V1
1.0E4
RD
10
rS
10
4.8 BIBLIOGRAFIE
[14] Sedra S.Adel, Kenneth C.Smith Microelectronic circuits, Oxford University Press, New York,, 4-th
Edition 1998;
[15] Paul R.Gray, Robert G.Meyer - Circuite integrate analogice, Analiz i proiectare, Editura Tehnic,
Bucureti, 1997;
[16] Keneth R.Laker, Willy M.C.Sansen Design of analog integrated circuits and systems, McGraw-Hill
Book Co. Singapore, 1994;
[17]