Sunteți pe pagina 1din 62

ELECTRONICA APLICATA

Componente pasive si active

COMPONENTE ELECTRONICE
Componente mecanice si electrice (carcase, radiatoare,
elemente de asamblare, socluri, conectori, sigurante fuzibile,
sigurante termice, swiciuri, caburi de legatura etc)
Componentele pasive pot conduce curentul electric, pot disipa
sau nmagazina energie electric sau magnetic. Ele pot face i
prelucrri simple a semnalelor electrice (mediere, filtrare,
integrare, derivare etc.)
Tipuri: rezistoare, condensatoare, bobine si (diode).

Componentele active pot realiza o prelucrare superioar a


semnalelor electrice cum sunt amplificarea sau redresarea. Sunt
reprezentate n circuit printr-un cvadripol avnd n majoritatea
cazurilor 3 (n unele cazuri 4) terminale, spre deosebire de
componentele pasive care sunt reprezentate n general printr-un
dipol (uniport cu 2 terminale).
Tipuri: diode, tranzistoare, tiristoare, triace, IGBT etc.

Compnentele pasive reduc energia semnalelor electrice din


circuit spre deosebire de componentele active care cresc energia
semnalelor (pe seama energiei preluate de la sursele de
alimentare).
Circuite integrate (analogice, digitale, interfatare, conversie etc.)

REZISTOARE
Rezistorul este prin definiie componenta de circuit
care limiteaz trecerea curentului electric.
Principala sa caracteristic este rezistena electric
ce se masara n ohmi () cu multipli i submultipli si.
Cele mai utilizate simboluri sunt: K, M, G i m.

u R R iR

iR G u R

Inversurl rezistentei se numeste conductanta (G=1 / R)


i se msoar n Siemens (S)

Simboluri grafice pentru rezistoare

Clasificare rezistare
Criteriul constructiv: fixe i variabile (liniare,
logaritmice etc.);
Puterea disipat: de mic putere (Pn1W) i de
putere (zeci sau sute de W);
Comportarea n circuit: liniare i neliniare
(termistoare, varistoare etc.);
Criteriul tehnologic: peliculare (pelicul metalic
sau pelicul de carbon), de volum i bobinate
(cementate, glazurate etc.);
Conectarea n circuit: TH (Through Holes
rezistoare cu terminale axiale) i SM (Surface
Mounted rezistoare cu montaj pe suprafa).

Parametri rezistoarelor
Rezistena nominal Rn valoarea
rezistenei electrice marcat pe corpul
rezistorului (n clar sau codul culorilor).
Marcarea se face prin dou sau trei cifre i un
multiplicator.
Valoarea se obine n ohmi prin nmulirea numrului cu
multiplicatorul, de exemplu rou, rou i portocaliu reprezint
o valoare 22 k (22103=22000 ). Pentru marcarea n text R
sau E reprezint valori n ohmi, k reprezint valori n k iar M
reprezint valori n M (1R=1, 0E1=0,1, 2k7=2,7k,
22M=22M).
n cazul marcrii cu cifre, primele 2 sau trei cifre reprezint
valoarea iar a treia sau a patra reprezint puterea la care este
ridicat multiplicatorul (100=10, 102=1k, 105=1M,
4754=4,754M).
La marcarea n clar de cele mai multe ori n locul virgulei
(punctului) se trece multiplicatorul (prin 2k2 se marcheaz o
rezisten de 2,2 k iar prin 1R5 se marcheaz o rezisten
de 1,5 ).

Tolerana abaterea maxim admisibil a


valorii rezistenei fa de rezistena
nominal.

n procesul de fabricaie sunt fabricate rezistoare cu


anumite valori standardizate.
n funcie de toleran acestea se mpart n urmtoarele
serii de valorii: E6 (20%), E12 (10%), E24 (5%), E48 (2%),
E96 (1%) i E192 (0,5%), conform standardului IEC-63.
Tolerana se marcheaz n codul culorilor sau n clar prin
litere (dup multiplicator) astfel: M 20%, K 10%, J
5%, H 2,5%, G 2%, F 1%, D 0,4%, C
0,25% i B 0,01%.

Tensiunea nominal tensiunea


maxim continu sau valoarea maxim
efectiv a tensiunii alternative ce poate fi
aplicat la bornele unui rezistor.

Puterea disipat nominal puterea electric

maxim ce poate fi dezvoltat de rezistor n regim de


funcionare continu, la o temperatur ambiant dat (de
obicei 70C) fr ca acesta s-i modifice caracteristicile.
Puterile uzuale standardizate sunt: 50, 100, 125, 250, 500
mW i 1, 2, 5, 10 W etc. Pentru rezistoarele de putere este
marcat i puterea nominal disipat, de cele mai multe
ori n clar (3W).

Coeficientul de temperatur reprezint

variaia relativ a rezistenei, raportat la diferena de


temperatur care a determinat aceast variaie. n funcie
de tipul constructiv, acesta poate avea valori de 51510-4
/C pentru rezistoarele cu pelicul de carbon i 50200106 /C pentru cele cu pelicul metalic. Coeficientul de
temperatur este marcat pentru rezistoarele de precizie (a
asea band colorat).

Alti parametri: factorul de zgomot, stabilitatea


n timp i fiabilitatea (valori tipice: 0,53V/V,
50100 ppm/an i respectiv 1210-6 /h)
Zgomotul rezistoarelor are dou componente:
o component ce depinde de tipul
materialului, de impuriti i neregularitile
din material ,
o component independent de tipul de
rezistor (proporional cu valoarea
rezistenei i a benzii de frecven).

Valorile standardizate pentru E3 E48.


E3 50%
1,0

2,2

4,7

E6 20%
1,0

1,5

2,2

3,3

4,7

6,8

E12 10%
1,0

1,2

1,5

1,8

2,2

2,7

3,3

3,9

4,7

5,6

6,8

8,2

E24 5%
1,0

1,1

1,2

1,3

1,5

1,6

1,8

2,0

2,2

2,4

2,7

3,0

3,3

3,6

3,9

4,3

4,7

5,1

5,6

6,2

6,8

7,6

8,2

9,1

E48 2%
100

105

110

115

121

127

133

140

147

154

162

169

178

187

196

205

215

226

237

249

261

274

287

301

316

332

348

365

383

402

422

442

464

487

511

536

562

590

619

649

681

715

750

787

825

866

909

953

Codul culorilor pentru marcarea rezistoarelor


Culori

Valoare
(primele dou
sau trei
benzi)

Multiplicator
(a treia sau a patra
band)

Tolerana
(a patra sau
a cincea band)

Coeficient de
temperatur
(a ase band)
ppm/C

Negru

100

20%

200

Maro

101

10

1%

100

Rou

102

100

2%

50

Portocaliu

103

1000

3%

15

Galben

104

10000

0...+100%

25

Verde

105

100000

0,5%

Albastru

106

1000000

0,25%

10

Violet

107

10000000

0,1%

Gri

10-2

0,01

Alb

10-1

0,1

Auriu

10-1

0,1

5%

Argintiu

10-2

0,001

10%

Fr culoare

20%

Verde glbui

Clas profesional

Rezistoarele variabile

Sunt cunoscute i sub denumirea de poteniometre.


Au in majoritatea cazurilor 3 terminale
Aceste au n general tolerane de 10% sau 20%.
Poteniometrele pot fi de panou, semni-reglabile i
multi-tur (pentru ajustri de precizie).
Pot avea o variatie liniara sau logaritmica a
rezistentei

Rezistoarele neliniare
t

t-

VDR

Rezistoarele neliniare sunt de 2 tipuri: termistoare si varistoare


Rezistena varistoarelor se modific odat cu variaia cderii de
tensiunii de la bornele lor iar rezistena termistoarelor se modific
(semnificativ) cu temperatura.
Exist termistoare la care rezistena scade cu temperatura (NTC) i
termistoare la care rezistena crete cu creterea temperaturii (PTC).

Rezistenta termistoarelor este specificata pentru temperatura de 25C


Pentru termistoarele NTC rezistena se modific cu temperatura
exponenial putndu-se stabili urmtoarea relaie:

RT 1 RT 0 e

B / T 1 B / T 0 )

Conectarea rezistoarelor
Rezistoarele se conecteaza in serie, paralel si
mixta.
RSERIE R1 R2

R PARALEL

R1 R2
R1 R2

In electronica este folosit foarte des montajul


divizor de tensiune
UIN
R1
UIES
R2

U IES U IN

R2
R1 R2

Condensatoare
Condensatorul este componenta de circuit folosit de
obicei la prelucrarea semnalelor electrice.
Condensatoarele pot inmagazina energie.
Caracteristica sa electric principal este capacitatea
electric.
Capacitatea electrica se msoar n farazi (F).
n majoritatea cazurilor se utilizeaz submultipli
acestuia i anume: pF, nF, F i mF.
Simbolizare condensatoarelor este urmatoarea
+

Parametrii condensatoarelor
Capacitatea nominal Cn valoarea capacitii
condensatorului marcat pe corpul condensatorului.
Msurarea capacitii nominale se face la frecvena de
1KHz sau 1MHz, la temperatura de 25C, avnd aplicat
la borne o anumit tensiune. Condiiile de msur sunt de
regul specificate de productori n foile de catalog.
Tolerana abaterea maxim admisibil a valorii
capacitii fa de capacitatea nominal. n funcie de
toleran sunt fabricate condensatoare ale cror
capacitate face parte din una din urmtoarele serii
valorice: E6 (20%), E12 (10%), E24 (5%), E48 (2%) i E96
(1%).
Tensiunea nominal reprezint tensiunea continu sau
alternativ maxim ce poate fi aplicat timp ndelungat
fr a modifica caracteristicile condensatorului. n general
aceast tensiune este standardizat i face parte din urmtorul ir de
valori: 3,3V, 5V, 6,3V, 10V, 16V, 25V, 35V, 40V, 63V, 100V, 160V,
200V, 250V, 350V, 400V, 630V, 1000V, 1500V etc.

Rezistena de izolaie reprezint raportul dintre


tensiunea continu aplicat condensatorului i curentul
ce-l strbate la 1 minut dup aplicarea tensiunii. Valorile
rezistenei de izolaie sunt n domeniu M, G. Pentru
condensatoarele electrolitice se utilizeaz aa numitul
curent de fug care este curentul ce trece prin
condensator la aplicarea unei tensiuni egal cu
tensiunea nominal dup ce acesta s-a ncrcat.
Tangenta unghiului de pierderi reprezint raportul
ntre puterea activ ce se disip pe condensator i
puterea reactiv msurate la frecvena la care se
determin i capacitatea nominal.
Coeficientul de variaie a capacitii cu temperatura parametru important pentru condensatoarele utilizate n
oscilatoare, circuite de temporizare etc.
Gama temperaturilor de funcionare domeniu de
temperatur n care condensatorul i pstreaz
caracteristicile.

Codul culorilor pentru marcarea condensatoarelor


Culori

Coeficient
temperatur
(band iniial)
[10-6 / C]

Prima cifr
semnific
a-tiv
(prima
band)

A doua cifr
semnificativ
(a doua band)

Multipli-cartor
(a treia band)

Tolerana
(a patra band)

Negru

20%

Maro

-33

101

1%

Rou

-75

102

2%

Portocali
u

-150

103

Galben

-220

104

Verde

-330

105

5%

albastru

-470

Violet

-750

Gri

10-1

Alb

10-2

10%

Auriu

+100

Domeniul frecvenelor de lucru pentru diverse tipuri de


condensatoare (electrolitice, ceramice, pliester, etc)
Tip
condensator
Frecvene de
lucru

Electrolitic

Hrtie

Poliester

Ceramic

Polistiren

Policarbonat

c.c
1KHz

100Hz
100KHz

1KHz
1MHz

1KHz
1GHz

c.c.
2GHz

c.c.
100KHz

Condensatorul n curent continuu se comport ca un circuit


deschis iar la frecvene mari ca un scurtcircuit.
n curent alternativ, n regim armonic, condensatorul este
caracterizat de reactana capacitiv notat XC exprimat
n ohmi .
Reactanta capacitiva, energia inmagazinata, precum si
calculul capacitatii echivalente la cuplarea in paralel sau
serie se calculeaza cu formulele de mai jos:
XC

1
1

C 2f C

WC

C u C2
2

C PARALEL C1 C 2 C SERIE

C1 C 2
C1 C 2

BOBINE
Bobina este componenta de circuit caracterizat prin
inductana sa, notat cu L.
Unitatea de msur pentru inductane este henry (H).
Bobinele se obin prin bobinarea unui fir conductor (n
majoritatea cazurilor cu izolaie) pe un suport, de obicei
izolator.
Pentru circuitele de nalt frecven bobinele se obin
direct pe circuitul imprimat.
Inductana L se definete ca raportul dintre fluxul
magnetic propriu i curentul electric ce strbate bobina.
Pentru creterea inductivitii bobinei de obicei se
folosete un miez magnetic (tole la frecvene joase i
ferite la frecvene nalte).
L

Parametrii bobinelor

Inductivitate sau inductana L definit ca raportul


dintre fluxul magnetic i curentul care parcurge bobina.
Rezistena total de pierderi determinat att de
pierderile n conductor ct i de cele din materialul
magnetic.
Factorul de calitate Q (adimensional) definit la o
anumit frecven de lucru, ca raport dintre puterea
reactiv i puterea activ consumat de bobin.

Datorit diversitii, seriilor mici i dimensiunilor mari nu s-a


ajuns la o standardizare a bobinelor ca i n cazul rezistoarelor
i condensatoarelor. La bobine sunt standardizate miezurile
magnetice (tole i ferite) ce se utilizeaz la fabricarea
acestora. n multe cazuri bobinele sunt simulate cu alte
componente de circuit. Se fabric n serie mare bobine de
filtrare (1nH - 1mH) ce sunt intercalate n serie pe traseele de
alimentare.

Bobina ideal n curent continuu se comport ca un


scurtcircuit iar la frecvene mari ca un circuit deschis. n
curent alternativ, n regim armonic, bobina este
caracterizat de reactana inductiv notat XL exprimat
n ohmi.
n cazul bobinelor cu miez magnetic se va ine seama de
valoarea curentului la care se satureaz miezul magnetic,
valoare la care inductana se modific semnificativ.
Depasirea curentul maxim suportat de bobin poate sa
produca transformri ireversibile n bobin (defectare).
Dou sau mai multe bobine parcurse de acelai flux
magnetic formeaz un ansamblu de bobine cuplate. Dou
bobine cuplate, pe lng inductivitile proprii (L1 i L2),
sunt caracterizate de inductivitatea mutual M numit i
inductan de cuplaj LC

X L L 2f L

WL

L i L2
2

L C M k L1 L2

DIODA semiconductoare
Dioda este un dispozitiv electronic format, n majoritatea
cazurilor, dintr-o jonciune pn, avnd proprietatea de conducie
unilateral a curentului electric.
n zona p purttorii majoritari de sarcin sunt golurile iar n zona
n electronii.
n apropierea zonei de contact dintre cele dou structuri
semiconductoare, purttorii majoritari de sarcin difuzeaz
dintr-o zon n alta, se formeaz o regiune de sarcin spaial
numit regiune de barier care se opune difuziei n continuare
a purttorilor majoritari ntre cele dou structuri. Aceast
structur d diodei proprietatea de conducie unilateral.
Dioda este un dispozitiv cu 2 electrozi. Cei doi electrozi ai
diodei se numesc anod (A) i respectiv catod (K).
Sensul de conducie al curentului este de la anod spre catod.
A
p

Structura unei diode semiconductoare i simboluri grafice.

Caracteristica static a unei diode

Aplicnd o tensiune n sens direct (vD=vF 0) dioda intr n


conducie, practic pentru valori mai mari dect o tensiune de
prag (0,20,3 pentru diode de Ge i 0,50,7 V pentru diode de Si),
rmnnd aproximativ la aceleai valori (0,30,5 pentru germaniu i
0,71 pentru siliciu) pentru variaia curentului prin diod n limite
foarte largi.
Dependena iD(vD) este exponenial conform relaiei:

i D I R (e vD / VT 1)
unde IR este curentul rezidual, VT=kT/e este tensiunea termic (VT=26mV la
300K), T temperatura absolut, k constanta lui Boltzman iar e sarcina
electronului.

Aplicnd o tensiune n sens invers (vD=vR 0) limea zonei de


barier crete, prin diod circul un curent rezidual iR de
aproximativ 100.000 ori mai mic dect curentul iF. Acest curent,
numit i curent de saturaie, se modific puin cu creterea tensiunii inverse
vR, dar depinde mult de temperatur. n aceast stare dioda este

blocat.
Dac tensiunea invers aplicat diodei crete peste limita de
strpungere, curentul prin diod are o cretere accentuat
(multiplicarea purttorilor de sarcin prin avalan). Pe acest
fenomen de strpungere nedistructiv sunt construite diodele Zener.

Tipuri de diode
Diodele redresoare sunt construite n general din siliciu,
avnd curentul de conducie direct cuprins ntre 1 i
350 A iar tensiunea invers cuprins ntre 50V i 1300V.
Principalii parametrii pentru o diod redresoare sunt:
curentul de conducie direct (iF), tensiunea maxim
de blocare la polarizare invers (URRM), curentul
direct maxim repetitiv, curentul maxim de vrf (IFSM),
tensiunea n conducie direct (VF), curentul la
polarizare invers (IR) i timpii de comutaie.
Pentru redresarea bialternan a tensiunilor
alternative (redresarea n punte) se folosesc puni
redresoare cum sunt: B380C800 (0,8A, 380V), 1PM1
(1A, 200V), B380C1500A (1,5A, 380V), 3PM4 (3 A,
400V), FBI4V440 (4A, 400V), SB104 (10A, 400V),
SB154 (15A, 200V), SB258 (25 800V),
B500C25000DR (25A, 500V) etc.

Diodele de comutaie sunt realizate cu


jonciuni, tehnologie planar-epitaxial, cu contact
metal-semiconductor (diode Schottky) sau cu
contact punctiform.
Prin particularitile de realizare tehnologic, pentru
diodele de comutaie sunt redui timpii de trecere din
starea de conducie n blocare i invers.
Datorit timpilor mici de comutaie (nanosecunde)
diodele de comutaie se folosesc n circuitele de
detecie, la modularea i demodularea semnalelor
electrice, la redresarea n sursele n comutaie etc.

Diodele Schottky sunt diode ce se


formeaz la jonciunea metalsemiconductor.
Au avantajul unei tensiuni directe mici
(0,50,6V la cureni de ordinul amperilor) i
dezavantajul unei tensiuni inverse de maxim
100V.
Exemple de diode Schottky: BZS10-45 de
1,5A, 30BQ100 de 3A, SQ806 de 8A,
SR1640PT dou diode de 16A, MBR3045WT
dou diode de 30A, MBR6045WT dou diode
de 60A etc.

Diodele stabilizatoare (Zener) sunt diode de


siliciu, care utilizeaz ramura caracteristicii
curent-tensiune, corespunztoare polarizrii
inverse n zona de strpungere (nedistructiv).
Principalii parametrii ai diodelor Zener sunt: tensiunea
nominal de stabilizare UZ, puterea nominal,
curentul minim i maxim (Izmin, Izmax) pentru care
tensiunea pe diod are valori n jurul tensiunii
nominale, rezistena dinamic n zona de stabilizare
(RZ) i coeficientul de variaie cu temperatura a
tensiunii stabilizate.
Coeficientul de variaie cu temperatura a tensiunii
stabilizate pentru tensiuni de stabilizare mici (2,7
6,3V) este negativ iar pentru tensiuni mai mari de
6,3V este pozitiv. Aceast proprietate este exploatat
la realizarea referinelor de tensiune de precizie.
Tensiunile nominale pentru care sunt realizate
diodele Zener sunt cuprinse ntre 2,5 V i 180 V.

Diodele varicap sunt diode utilizate n


oscilatoare i circuite de acord datorit variaiei
capacitii cu tensiunea invers aplicat. BB121,
BB122, BB221, BB222 sunt cteva exemple de
diode varicap.
Diodele tunel se bazeaz pe fenomenul de
trecere a purttorilor de sarcin prin regiunea de
barier format la contactul celor dou regiuni
semiconductoare p i n puternic dopate.
Caracteristica direct are o poriune de
rezisten negativ i datorit acestui fapt acesta
poate fi utilizat n circuitele de comutaie i
oscilatoare.

Diodele electroluminescente (LED-uri) au proprietatea


de a emite radiaii electromagnetice n spectrul vizibil.
Astfel avem LED-uri de culoare roie, portocalie, galben,
verde, albastru i indigo, n funcie de lungimea de und
a radiaiei emise. Exist diode n infrarou i ultraviolet
Aceste diode sunt conectate n circuit cu anodul la
plus i cu catodul la minus.
Cderea de tensiune pe diodele electroluminescente
este mai mare dect n cazul diodelor obinuite i
este dependent de culoare radiaiei emise. Astfel,
cderea de tensiune pentru un LED de culoare roie
este de aproximativ 1,8V, pentru culoarea galben
este 2V, pentru culoarea verde este 2,2V iar pentru
albastru este 3,5V. Aceste tensiuni depind de curentul
ce trece prin LED, valorile menionate fiind obinute
pentru un curent de 5 mA.
Aplicatii: afisoare cu 7 segmente, optocuploare etc.

Caracteristicile unor diode redresoare normale


Tip

IF

IF SM

VF

URRM

IR

Capsul

1N4001

1A

75 A

1,1 V

100 V

5 A

DO41

1N4003

1A

75 A

1,1 V

200 V

5 A

DO41

1N4004

1A

75 A

1,1 V

400 V

5 A

DO41

1N4007

1A

75 A

1,1 V

1000V

5 A

DO41

BZM10-600

1A

1,1 V

600 V

10A

DO213AB

FS3D

3A

1,15V

200 V

10A

DO213AB

BZ252

3A

1V

400V

5 A

DO201AD

1N5404G

3A

200A

1V

400V

5 A

DO201AD

BY255

3A

100A

1V

1300V

5 A

DO

P600G

6A

400A

1,1 V

400 V

5 A

P6

6 Si 5

6A

20A

1,2 V

500 V

3 mA

TO220

6A100

6A

250A

1,0V

1000V

10 A

SR806

8A

175A

0,55V

60V

1mA

DO

D10N4

10A

210A

1,4 V

800 V

12 mA

DO-4

16FR80

16A

295A

1,23V

800V

D25N6

25 A

400A

1,4 V

600 V

5 mA

DO5

25FR60

25A

300A

1,3V

600V

12mA

DO/4

D50N8

50 A

550A

1,55 V

800 V

10 mA

DO5

100A

Caracteristicile unor diode de comutaie rapide


Tip

IF

VF

URRM

Timp de
comutaie

Capsul

1N4148

0,2 A

1,1 V

75 V

4ns

DO35

1N4448

0,2 A

1,1 V

100 V

4ns

DO35

BA158

1A

600V

250 ns

DO41

BA159

1A

1000V

500 ns

DO41

UF4007

1A

1,7 V

1000V

75 ns

DO41

EPG10G

1A

1,25V

400V

50 ns

DO41

BYD37M

1,5A

1,3V

1000V

50 ns

SOD80

EPG10G

2A

1,25 V

400V

50 ns

DO15

EPG50G

5A

1,25 V

400V

50 ns

DO201AD

8ETH06/IR

8A

1,2V

600V

25 ns

TO220

BZW29-200

8A

1,05 V

200V

35 ns

TO220AC

10ETF08/IR

10A

1,2V

800V

160 ns

TO220

20ETF12/IR

20A

1,31V

1200V

400 ns

TO220

30CPF02/IR

30A

1,41V

200V

160 ns

TO247

4CPF06/IR

40A

1,25V

600V

180 ns

TO247

60CPF10/IR

60A

1,4V

1000V

480 ns

TO247

Caracteristicile unor diode Zener


Tip

VZ

RZ

Putere disipat

Capsul

DZ5V1

4,8...5,1 V

60

0,4 W

DO35

DZ7V5

7,1...7,9 V

0,4 W

DO35

BZX83V010

9,4...10,6 V

5,2

0,5W

DO35

PL5V6

5,2...6 V

1W

DO41

PL12

11,4..12,7 V

1W

DO41

TRANZISTOARE BIPOLARE
Tranzistoarele bipolare sunt elemente de circuit cu rol de
amplificare a semnalelor i de comutaie.
Sunt realizate prin alturarea a trei regiuni alternative de
material semiconductor n i p.
Cele trei regiuni de material se numesc emitor, baz i
colector i formeaz dou jonciuni semiconductoare de
tip np sau pn (jonciunea baz-emitor i jonciunea bazcolector).
Sunt posibile dou astfel de structuri i anume structura
npn i cea pnp.

Tip tranzistor

VBE

IB

VCE

IC

Npn

VBE>0

IB>0

VCE>0

IC>0

Pnp

VBE<0

IB<0

VCE<0

IC<0

Prin tranzistorul de tip npn cirulaia curentului este de la baz la emitor i


din colector spre emitor pe cnd la tranzistoarele pnp circulaia curentului
este de la emitor spre baz i colector.
Zona de baz este foarte subire i mult mai slab dopat dect zona
emitorului. La funcionare normal, cnd jonciunea baz-emitor (numit i
jonciune de comand) este polarizat direct, emitorul emite n baz
purttori de sarcin, iar acetia, n majoritatea lor sunt colectai de
colector.
Cu un curent de baz mic este comandat curentul de colector, a crui
valoare este de zeci sau sute de ori mai mare dect valoarea curentului de
baz.
Aceste tipuri de tranzistoare se numesc bipolare deoarece la conducie
particip ambele tipuri de purttori de sarcin (att electronii ct i golurile).
Funcionarea celor dou structuri (npn i pnp) este identic, diferind doar
sensul tensiunilor de polarizare i al curenilor.

Sunt posibile trei combinaii de polarizare ale celor dou


jonciuni (VBE<0 i VBC<0, VBE>0 i VBC<0, VBE>0 i
VBC>0) rezultnd astfel trei regimuri de funcionare ale
unui tranzistor i anume: blocat, activ i saturat.
Deoarece din punct de vedere constructiv att emitorul
ct i colectorul sunt realizai din acelai tip de material
semiconductor (n sau p) rolul lor poate fi schimbat
(funcionare n regim activ inversat).
Datorit faptului c nivelul de impuriti este diferit pentru
zona de emitor i cea de colector parametri de
funcionare ai tranzistorului n regiunea activ invers
vor fi diferii fa de regiunea activ normal unde
acetia au valori optime.
Regimul blocat. Tranzistorul se afl n regim blocat
dac ambele jonciuni sunt polarizate invers. n situaiile
practice tranzistorul este n regim blocat i n cazul n
care tensiunea aplicat pe jonciunea de comand (de
obicei baz-emitor) este zero.

Regimul activ. n situaia n care o jonciune este


polarizat direct iar cealalt invers tranzistorul este n
regimul de funcionare activ. Dac jonciune polarizat
direct este baz-emitor atunci aven regim activ normal
iar dac jonciunea polarizat direct este baz-colector
avem regim activ inversat.
Cea mai simpl descriere a funcionrii unui tranzistor n regim
activ este urmtoarea: prin jonciunea baz-emitor, polarizat
direct, se injecteaz un curent de comand iB, curent ce
determina circulaia prin jonciunea baz-colector, polarizat
invers, a unui curent de ori mai mare dect curentul de
comand. Prin emitor vor circula att curentul din baz ct i cel
din colector. Factorul se numete factor de amplificare n
curent i are valori uzuale de la cteva zeci pn la sute. La
funcionarea n regim inversat factorul de amplificare are valori
mult mai mici.
Ce mai simpl modelare a unui tranzistor bipolar este aceea a
unei surse comandate de curent. Curentul de colector este de
ori mai mare dect curentul de colector (tranzistorul este
polarizat n regiunea activ), conform relaiei de mai jos

iC i B

Relaia din slid-ul precedent este valabil dac circuitul


exterior poate asigura un curent de colector care s
satisfac aceast relaie . Dac curentul furnizat de
circuitul exterior este mai mic atunci tranzistorul iese din
regimul activ i intr n saturaie, tensiunea colectoremitor scade aproape de zero i practic jonciunea bazcolector este polarizat i ea direct.
Funcionarea unui tranzistor, n realitate, este mult mai
complicat dect cea descris anterior. O descriere
complet se poate realiza utiliznd modelul Ebers-Moll,
model descris n literatura de specialitate. n multe cazuri
trebuie avut n vedere faptul c, prin jonciune colectorbaz polarizat invers circul un curent rezidual,
dependent semnificativ de temperatura jonciunii. Acest
curent n cazul tranzistoarelor cu germaniu (Ge) are
valori semnificative i poate produce aa numita
ambalare termic.

Regimul saturat. n situaia n care ambele


jonciuni sunt polarizate direct tranzistorul se afl
n regim saturat. n regim saturat, de obicei,
jonciunea de comand este jonciunea bazemitor. Exist situaii n care jonciunea de
comand este jonciunea baz-colector, situaii
n care spunem c tranzistorul se afl n regim
saturat inversat.
Un tranzistor se afl n regim saturat atunci cnd
curentul generat de circuitul exterior prin
colectorul tranzistorului (UCE0) este mai mic
sau egal cu produsul dintre curentul de baz i
(ICIB).

n aplicaiile practice n care tranzistoarele se folosesc ca


elemente de comand este utilizat montajul cu emitor
comun. Aceast tensiune de comand trebuie s asigure
n baza tranzistorului un curent de ori mai mic de dect
curentul care trebuie s fie comandat n colector. n
aceste condiii rezistena din baz poate fi calculat cu
relaia de urmatoare:
RB

U OH U BE

IC

unde UOH este tensiunea de comand (de obicei ieirea


unui circuit integrat digital), UBE este tensiunea bazemitor (0,6-0,7V), IC este curentul din colector iar este
factorul de amplificare n curent pentru tranzistorul ales.
Circuitul din colectorul tranzistorului pot fi alimentate cu
tensiune diferit fa de cea a circuitelor de comand.
Curentul de colector se calculeaz ca raport dintre
tensiunea de alimentare a circuitului de colectorul i
rezistena din colector (luam n calcul o tensiune de
saturaie de 0,2 05V).

Regimul blocat. Tranzistorul se afl n regim blocat


dac ambele jonciuni sunt polarizate invers. n situaiile
practice tranzistorul este n regim blocat i n cazul n
care tensiunea aplicat pe jonciunea de comand (de
obicei baz-emitor) este zero. Acest fapt este deosebit
de important n realizarea schemelor n care tranzistorul
este folosit pentru comanda unor elemente de execuie
(relee, servomotoare, valve etc.) a cror tensiune de
alimentare este diferit de tensiunea de alimentare a
circuitului care genereaz semnalul de comand.
Mentionam ca tensiunea inversa ce poate fi aplicata
jonctiunii baza-emitor este de maxim 5V (a se vedea foia
de catalog pentru fiecare tranzistor)

Clasificare tranzistoare:
Tranzistoare de mica putere: BC107, BC109, BC177, BC253

Tranzistoare de medie putere: BD139, BD140


Tranzistoare de putere: 2N3055, 2N3442

Tranzistoare de joasa frecventa: BC171, BC173, BC251, BC253


Tranzistoare de inalta frecventa: BF200, BF199
Tranzistoare de ultrainalta frecventa: BFR90, BFR193
Tranzistoare de comutatie: 2N2369A, 2N2222, 2N2905
Tranzistoare de comutatie de putere: BUR608, BUR608D,
BU205

n procesul de fabricaie tranzistoarelor bipolare sunt


sortate in funcie de factorul de amplificare n curent .
Astfel ele se mpart pe mai multe clase cum sunt spre
exemplu cele pentru tranzistoare BC si BD:

BC547A cu factor de amplificare ntre 110 220 ,


BC547B cu factor de amplificare ntre 200 - 450
BC547C cu factor de amplificare ntre 420-800
BD139-6 cu factor de amplificare ntre 40 -100
BD139-10 cu factor de amplificare ntre 63-160
BD39-16 cu factor de amplificare ntre 100-250.

Tranzistoare Darlington. Pentru a crete curentul de


colector n condiiile unui curent de baz foarte mic pot fi
legate dou tranzistoare n cascad obinndu-se o
structur de dou tranzistoare numite Darlington. Se pot
realiza teoretic patru structuri Darlington. Sunt fabricate
n mod obinuit doar dou structuri i anume: structura
cu tranzistoare npn i cea cu tranzistoare pnp.
Factorul de amplificare n curent este egal cu produsul
dintre factorii de amplificare n curent ai celor dou
tranzistoare din structur.
Exemple: BC517, BD681, BDX33C, TIP122, BC516,
BD682, TIP 127, BDX34C

Precizari privind tranzistoarele bipolare:


Factorul de amplificare n curent nu este un parametru
constant. Acesta este influenat de mai muli factori, n principal
avnd o variaie important cu temperatura, curentul de colector
i frecvena. Dac trebuie asigurat trecerea n saturaie a
tranzistorului se va lua n calcul valoarea minim pe care o va
lua factorul de amplificare n curent.
Alegerea unui tranzistor pentru utilizare intr-o schem
electronic se face dup consultarea foilor de catalog, pentru a
ne asigura c sunt ndeplinii toi parametrii de proiectare. Printre
parametri importani ce trebuie luai n calcul, n aplicaii, sunt:
tensiunea de alimentare, curentul de colector, factorul de
amplificare i timpi de comutaie.
n multe cazuri la depanarea montajelor electronice se pune
problema diagnosticrii strii n care se afl componentele de
circuit. Verificarea (sumara) tranzistoarelor bipolare se poate
face cu un multimetru cu funcie de msurare a diodelor. Avnd
n vedere c tranzistorul are dou jonciuni semiconductoare o
verificare sumar a tranzistoarelor const n verificarea celor
dou jonciuni (care practic formeaz fiecare cte o diod.
Valorile obinute pentru jonciunile din componena
tranzistoarelor sunt mai mari dect n cazul diodelor. Poate fi
msurat i factorul de amplificare dac multimetru are funcia de
msurare a factorului de amplificare (h21).

TRANZISTOARE CU EFECT DE CAMP


Tranzistoarele cu efect de cmp TEC sau FET (Field
Effect Transistor) sunt dispozitive semiconductoare cu
un singur tip de purttori de sarcin, fiind denumite i
tranzistoare unipolare.
Sunt construite dintr-un canal semiconductor, a crui
rezisten este controlat prin cmpul electric produs de
tensiunea aplicat terminalului de comand denumit
poart sau gril G (Gate).
Celelalte dou terminale se numesc dren D i surs S.
Aceste tranzistoare sunt utilizate n majoritatea
circuitelor digitale moderne de consum redus.
Sunt afectate mai puin de temperatur iar schemele
electronice cu aceste tipuri de tranzistoare sunt mai
simplu de proiectat.
Exist dou categorii de tranzistoare cu efect de cmp:
tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune JFET
tranzistoare cu efect de cmp de tip MOSFET (MetalOxid-Semiconductor).

a) JFET (canal n i p), b) NMOS i PMOS cu canal iniial si


c) NMOS i PMOS cu canal indus.
Date de catalog importante pentru tranzistoarele JFET sunt:
- curentul de saturaie IDSS(mA),
- amplificarea g [mS] numit transconductan,
- tensiunea dren surs VDS,
- tensiune de prag VP,
- capacitatea de intrare i de transfer,
- frecvena maxim de lucru etc.

Polarizarea tranzistoarele cu efect de cmp.


Tip tranzistor

UGS

UDS

ID

ID(UGS=0)

JFET canal n

UGS<0

VCE>0

IC>0

ID=IDSS>0

JFET canal p

UGS>0

VCE<0

IC<0

ID=IDSS<0

NMOS canal iniial

Bipolar

VCE>0

IC>0

ID=IDSS>0

PMOS canal iniial

Bipolar

VCE<0

IC<0

ID=IDSS<0

NMOS canal indus

UGS>0

VCE>0

IC>0

ID=0-Blocat

PMOS canal indus

UGS<0

VCE<0

IC<0

ID=0-Blocat

Tranzistoare JFET. Tranzistoarele cu gril jonciune


JFET pot avea canalul din material semiconductor de tip
n sau p care formeaz o jonciune pn cu electrodul de
comand (grila).
Tranzistoarele JFET funcioneaz cu jonciunea grilsurs polarizat invers.
Dac tensiunea gril surs este zero prin tranzistor
(dren-surs) trece un curent IDSS numit curent de
saturaie.
Prin creterea tensiunii de polarizare invers seciunea
canalului se ngusteaz, conducia scade, iar la
atingerea tensiunii VP numit i tensiune de prag canalul
se obtureaz, prin tranzistor circulnd doar un curent
rezidual foarte mic.
Se disting dou regimuri de funcionare i anume:
regimul n care tensiunea dren surs este mic caz n care
tranzistorul se comport ca o rezisten comandat
regimul de saturaie n care curentul prin tranzistor este stabilit n
principal de tensiunea aplicat pe gril fiind practic independent
de tensiunea dren surs.

Deoarece la tranzistoarele JFET comanda curentului de


dren se face prin tensiunea gril-surs este foarte
important de cunoscut caracteristica de transfer.
Caracteristic se ridic pentru tensiuni de dren mai
mari dect tensiunea de saturaie iar curentul de dren
poate fi aproximat prin relaia:
u GS
i D I DSS 1
VP

Tranzistoarele JFET se folosesc n circuitele de


amplificare, oscilatoare, modulatoare etc, atat n etajele
de amplificare ct i n circuitele de reglare a amplificrii
sau pentru stabilizarea amplitudinii oscilaiilor.
Se folosesc foarte puin ca dispozitive de comand
(on/off) deoarece necesit tensiuni cu polaritate opus n
circuitul de comand fa de cel comandat, iar n lipsa
tensiunii de comand (uGS=0) tranzistorul este deschis.

Tranzistoare cu poart izolat (MOSFET).


Tranzistoarele MOSFET au gril de comand izolat fa
de canalul semiconductor printr-un strat izolator de
dioxid de siliciu (de aici venindu-i i numele Metal-OxidSemiconductor). n funcie de doparea canalului
semiconductor putem avea dou tipuri de tranzistoare
MOSFET i anume cu canal iniial i cu canal indus.
Tranzistoarele MOSFET cu canal iniial au o
comportare asemntoare tranzistoarelor JFET.
Deosebirea esenial ntre cele dou tipuri este aceea c la
tranzistoarele MOSFET tensiunea de comand poate avea att valori
pozitive ct i valori negative.
Tranzistorul poate fi adus n regim de blocare prin aplicarea unei
tensiuni de comand mai mari (mici) dect tensiunea de prag.
De asemenea prin tranzistor poate fi comandat un curentul de dren
mai mare dect curentul obinut pentru tensiunea gril-surs egal cu
zero. n acest caz tensiunea gril-surs are polaritate opus celei cu
care tranzistorul se blocheaz.
Tranzistoare MOSFET cu canal iniial au n mare aceleai domenii de
utilizare ca tranzistoarele JFET.
Se utilizeaz rar ca dispozitiv de comand de tip on-off datorit
curentului de dren important la tensiune de comand zero, ceea ce
necesit componente suplimentare n schemele electronice.

Tranzistoarele MOSFET cu canal indus au stratul de


conducie slab dopat i practic n absena unei tensiuni
de comand pe gril acestea sunt n stare de blocare.
Prin dren ncepe s circule curent dup ce pe gril se
aplic o tensiune mai mare dect o tensiune de prag (n
jur de 2 - 4V).
Prin creterea n continuare a tensiunii pe gril crete i
curentul de dren, dependena dintre aceste dou
mrimi fiind dat de relaiile urmatoare.

i D VGS VT
VDS>VDSsat
unde m este un coeficient cuprins ntre 1 i 2.
Acest tip de tranzistoare se utilizeaz n circuitele
integrate CMOS. Prin scderea tensiunii de prag, n jur
de 1,5V, s-a ajuns la o funcionare a circuitelor integrate
CMOS cu tensiuni de alimentare cuprins ntre 2,7V i
3,3V.
m

Modul de comand a tranzistoarelor MOSFET cu canal indus le face


ideale ca elemente de comand n schemele electronice.
Au o comportare apropiat de un comutator de tip on-off ideal (mai
ales n starea de conducie n care rezistena dren surs poate fi
de doar civa miliohmi).
Sunt utilizate n special n sursele n comutaie i n industria auto.
n absena tensiunii de comand (vGS=0) aceste tranzistoare sunt n
starea de blocare, iar trecerea lor n starea de saturaie se face prin
aplicarea unei tensiuni mai mari dect tensiunea de prag.
O tensiune de 5V este n majoritatea cazurilor suficient pentru a
comanda cureni de dren de ordinul amperilor sau zecilor de
amperi. Tensiunea de comand poate fi obinut direct din ieirea
unui circuit integrat digital.
Grila poate fi cuplat direct la ieirea unui microcontrolerului i nu
sunt necesare calcule pentru proiectarea rezistenele de comand
ca i n cazul tranzistoarelor bipolare.
Din raiuni de protecie, n serie cu grila tranzistoarelor, este
conectat o rezisten care asigur protejarea circuitului de
comand n cazul unor defecte ale tranzistorului. Grosimea stratul
de oxid este foarte mic i se strpunge la tensiuni de poart relativ
mici (VGS60V). Pentru protecia tranzistorului (dac acesta nu are
prevzut din fabricaie) se conecteaz n paralel cu terminalele
gril-surs o diod Zener.

Alte dispozitive semiconductoare


Tranzistorul unijonciune sau dioda cu dou baze (TUJ) este realizat
dintr-o bar de siliciu uniform dopate tip n, iar la mijlocul ei fiind realizat
o jonciune pn. Contactele de la extremitii poart numele de baze iar
electrodul sudat la regiunea p de la mijloc formeaz emitorul.
Tiristorul este un comutator electronic comandat, realizat dintr-o
succesiune de patru straturi semiconductoare, ce permite trecerea
curentului ntr-un singur sens. Are trei terminale: anod A, catod K i
poart sau gril G. Trecerea n starea de conducie se face cu un semnal
electric aplicat ntre gril i catod. Ieirea tiristorului din conducie se face
n momentul n care curentul prin tiristor scade sub valoarea o valoare
numit de meninere. n curent alternativ stingerea tiristorului se face
automat n momentul trecerii acestuia prin zero iar n curent continuu
pentru stingere sunt necesare circuite auxiliare care s reduc curentul
prin tiristor la o valoare mai mic dect valoarea de meninere.
Triacul este un dispozitiv semiconductor cu 5 straturi ce permite trecerea
curentului n ambele sensuri. ntrarea n conducie a triacului se face prin
aplicare unui semnal electric pe intrarea de poart. Polaritatea tensiunii
aplicat pe poart poate fi pozitiv sau negativ. Comanda optim a
triacului se realizeaz cu impuls pozitiv pentru alternana pozitiv i
impuls negativ pentru alternana negativ. Ieirea din conducie se face
n momentul n care curentul prin triac scade la zero (sub valoarea de
meninere).

Fototranzistorul este un dispozitiv comandat printr-un fascicol de lumina.

Probleme

S se calculeze rezistena echivalent a circuitului din


figura. tiind c rezistenele R1, R2 sunt de 0,5W iar
R3, R4, R5, R6 sunt de 0,25W se poate aplica la
bornele A-B o tensiune de 1KV?

n ct timp un condensatorul C de valoare 10 nF n


serie cu o rezisten R de 22 k se va ncrca la 63%
din valoarea tensiunii de alimentare.

S se dimensioneze un divizor rezistiv pentru


msurarea tensiunii reelei de curent alternativ.
Domeniul de intrare al convetorului analog-digital
(CAN) de 10 bii este de 2,5V. Precizia de masur s
fie mai bun de 1% iar domeniul de msur s fie cu
cel puin 25% mai mare dect tensiunea nominal.
Curentul de intrare n convertor este de 100pA.

Ce rezisten trebuie montat n serie cu un voltmetru


analogic pentru ai crete domeniul de msur de la 10
la 100V. Rezistena intern a voltmetrului este de 200k
Ce rezisten trebuie s aib o rezisten montat n
paralel cu un ampermetru pentru msurarea unui
curent de 20A. Domeniul de msur al ampermetrului
este 1A iar rezistena acestuia este de 0,1.
Ce curent maxim va trece printr-o bobin de 100 H
dac se conecteaz, la bornele ei pentru o durat de
100 s, o tensiune constant de 5V?

Atenie! La decuplarea tensiunii de la bornele bobinei


trebuie luate msuri pentru supresarea curentului din
bobin (realizarea unei ci pentru nchiderea curentului
de exemplu prin conectarea unei diode), n caz contrar
tensiunea autoindus n bobin putnd crete la valori
periculoase (sute de voli). Dioda montat n schema de
teste trebuie s fie o diod rapid cu un curent direct mai
mare de 5A iar sursa de alimentare trbuie s genereze
un curent n ieire peste valoarea calculat.
Un curent de 0,5 mA este neperceput de organismul
uman, un curent de 15 mA produce crampe musculare,
30 mA produce modificarea ritmului cardiac i creterea
presiunii sanguine iar expunerea la un curent de 80 mA
mai mult de 0,5-1 secund produce decesul imediat!

Ce curent va trece prin dioda D1 din circuitul din figura.

S se calculeze rezistena serie a stabilizatorului


parametric din figura, realizat cu diod Zener.
Tensiunea de intrare variaz ntre 9V i 12V, curentul
maxim de sarcin este de 15mA, curentul minim de
stabilizare pentru dioda Zener este de 5mA i curentul
maxim prin diod este de 80mA.

S se determine factorul de amplificare n curent


pentru tranzistoarele bipolare de tip npn i pnp din
figura, tiind c indicaia voltmetrului este 2V.

S se determine punctul static de


funcionare (PSF) pentru
tranzistorul din figura, tiind c
factorul de amplificare n curent
este 100.
S se determine ce valoare trebuie
s aib rezistena R1 din baza
tranzistorului T1 din figura pentru
ca acesta s comande releul din
colectorul acestuia. Tensiunea de
comand este 5V, rezistena
releului din colector este de 120
iar factorul de amplificare n curent
este mai mare de 100.

S se proiecteze un circuit de
comand care realizeaz comanda
unui releului care are unul dintre
terminalele bobinei conectat la
mas. Tensiunea de comand este
5V i este generat fa de mas.
Se va lua n calcul un factor de
amplificare al tranzistoarelor de
minim 50.
S se calculeze puterea disipat
pe tranzistorul de putere cu efect
de cmp T1, din figura, folosit
pentru comanda unei rezistene de
nclzirea de 4,7, alimentat la
24V.