ELECTRONICA APLICATA

Componente pasive si active

 COMPONENTE ELECTRONICE
•Componente mecanice si electrice (carcase, radiatoare,
elemente de asamblare, socluri, conectori, sigurante fuzibile,
sigurante termice, swiciuri, caburi de legatura etc)
•Componentele pasive pot conduce curentul electric, pot disipa
sau înmagazina energie electrică sau magnetică. Ele pot face şi
prelucrări simple a semnalelor electrice (mediere, filtrare,
integrare, derivare etc.)
• Componentele pasive care sunt reprezentate în general printr-un dipol
(uniport cu 2 terminale).
• Tipuri: rezistoare, condensatoare, bobine si (diode).
•Componentele active pot realiza o prelucrare superioară a
semnalelor electrice cum sunt amplificarea sau redresarea.
• Sunt reprezentate în circuit printr-un cvadripol având în majoritatea
cazurilor 3 (în unele cazuri 4) terminale.
• Tipuri: diode, tranzistoare, tiristoare, triace, IGBT etc.
Compnentele pasive reduc energia semnalelor electrice din
circuit spre deosebire de componentele active care cresc energia
semnalelor (pe seama energiei preluate de la sursele de
alimentare).
•Circuite integrate (analogice, digitale, interfatare, conversie etc.)
 Valorile standardizate pentru E3 – E48.

E3 – 50%
1,0 2,2 4,7
E6 – 20%
1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8
E12 – 10%
1,0 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7 3,3 3,9 4,7 5,6 6,8 8,2
E24 – 5%
1,0 1,1 1,2 1,3 1,5 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,7 3,0
3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,6 8,2 9,1
E48 – 2%
100 105 110 115 121 127 133 140 147 154 162 169
178 187 196 205 215 226 237 249 261 274 287 301
316 332 348 365 383 402 422 442 464 487 511 536
562 590 619 649 681 715 750 787 825 866 909 953
 REZISTOARE
• Rezistorul este prin definiţie componenta de circuit
care limitează trecerea curentului electric.
• Principala sa caracteristică este rezistenţa electrică
ce se masara în ohmi (Ω) cu multipli şi submultipli săi.
• Cele mai utilizate simboluri sunt: KΩ, MΩ, GΩ şi mΩ.
u R  R  iR iR  G  u R
• Inversurl rezistentei se numeste conductanta (G=1 / R)
şi se măsoară în Siemens (S)

Simboluri grafice pentru rezistoare

 Clasificare rezistare
• Criteriul constructiv:
– fixe
– variabile (liniare, logaritmice etc.);
• Puterea disipată:
– de mică putere (Pn≤1W)
– de putere (zeci sau sute de W);
• Comportarea în circuit:
– liniare
– neliniare (termistoare, varistoare etc.);
• Criteriul tehnologic:
– peliculare (peliculă metalică sau peliculă de carbon),
– de volum
– bobinate (cementate, glazurate etc.);
• Conectarea în circuit:
– TH (Through Holes – rezistoare cu terminale axiale)
– SM (Surface Mounted – rezistoare cu montaj pe suprafaţă).
 Parametri rezistoarelor
• Rezistenţa nominală Rn – valoarea rezistenţei
electrice marcată pe corpul rezistorului (în clar sau
codul culorilor).
• Marcarea se face prin două sau trei cifre şi un
multiplicator.
– Valoarea se obţine în ohmi prin înmulţirea numărului cu
multiplicatorul, de exemplu roşu, roşu şi portocaliu reprezintă
o valoare 22 kΩ (22·103=22000 Ω). Pentru marcarea în text R
sau E reprezintă valori în ohmi, k reprezintă valori în kΩ iar M
reprezintă valori în MΩ (1R=1Ω, 0E1=0,1Ω, 2k7=2,7kΩ,
22M=22MΩ).
– În cazul marcării cu cifre, primele 2 sau trei cifre reprezintă
valoarea iar a treia sau a patra reprezintă puterea la care este
ridicat multiplicatorul (100=10Ω, 102=1kΩ, 105=1MΩ,
4754=4,754MΩ).
– La marcarea în clar de cele mai multe ori în locul virgulei
(punctului) se trece multiplicatorul (prin 2k2 se marchează o
rezistenţă de 2,2 kΩ iar prin 1R5 se marchează o rezistenţă
de 1,5 Ω).
• Toleranţa – abaterea maximă admisibilă a
valorii rezistenţei faţă de rezistenţa nominală.
– În procesul de fabricaţie sunt fabricate rezistoare cu
anumite valori standardizate.
– În funcţie de toleranţă acestea se împart în următoarele
serii de valorii: E6 (20%), E12 (10%), E24 (5%), E48 (2%),
E96 (1%) şi E192 (0,5%), conform standardului IEC-63.
– Toleranţa se marchează în codul culorilor sau în clar prin
litere (după multiplicator) astfel: M – ±20%, K – ±10%, J –
±5%, H – ±2,5%, G – ±2%, F – ±1%, D – ±0,4%, C –
±0,25% şi B – ±0,01%.

• Tensiunea nominală – tensiunea maximă

continuă sau valoarea maximă efectivă a tensiunii
alternative ce poate fi aplicată la bornele unui
rezistor.
• Puterea disipată nominală – puterea electrică
maximă ce poate fi dezvoltată de rezistor în regim de
funcţionare continuă, la o temperatură ambiantă dată (de
obicei 70°C) fără ca acesta să-şi modifice caracteristicile.
Puterile uzuale standardizate sunt: 50, 100, 125, 250, 500
mW şi 1, 2, 5, 10 W etc. Pentru rezistoarele de putere este
marcată şi puterea nominală disipată, de cele mai multe
ori în clar (3W).
• Coeficientul de temperatură – reprezintă
variaţia relativă a rezistenţei, raportat la diferenţa de
temperatură care a determinat această variaţie. În funcţie
de tipul constructiv, acesta poate avea valori de 5÷15·10-4
/°C pentru rezistoarele cu peliculă de carbon şi 50÷200·10-
6 /°C pentru cele cu peliculă metalică. Coeficientul de
temperatură este marcat pentru rezistoarele de precizie (a
şasea bandă colorată).
• Alti parametri:
– factorul de zgomot,
– stabilitatea în timp
– fiabilitatea
(valori tipice: 0,5÷3μV/V, 50÷100 ppm/an şi respectiv
1÷2·10-6 /h)
• Zgomotul rezistoarelor are două componente:
– o componentă ce depinde de tipul materialului, de
impurităţi şi neregularităţile din material ,
– o componentă independentă de tipul de rezistor
(proporţională cu valoarea rezistenţei şi a benzii de
frecvenţă).
Codul culorilor pentru marcarea rezistoarelor
Culori Valoare Multiplicator Toleranţa Coeficient de
(primele două (a treia sau a patra (a patra sau temperatură
sau trei bandă) a cincea bandă) (a şase bandă)
benzi) ±ppm/ºC

Negru 0 100 1 20% 200

Maro 1 101 10 ±1% 100
Roşu 2 102 100 ±2% 50
Portocaliu 3 103 1000 ±3% 15
Galben 4 104 10000 0...+100% 25
Verde 5 105 100000 ±0,5% -
Albastru 6 106 1000000 ±0,25% 10
Violet 7 107 10000000 ±0,1% 5
Gri 8 10-2 0,01 - 1
Alb 9 10-1 0,1 - -
Auriu - 10-1 0,1 ±5% -
Argintiu - 10-2 0,001 ±10% -
Fără culoare - - - ±20% -
Verde gălbui - - - Clasă pro- -
fesională
 Rezistoarele variabile
• Sunt cunoscute şi sub denumirea de potenţiometre.
• Au in majoritatea cazurilor 3 terminale
• Aceste au în general toleranţe de 10% sau 20%.
• Potenţiometrele pot fi de panou, semni-reglabile şi
multi-tur (pentru ajustări de precizie).
• Pot avea o variatie liniara sau logaritmica a
rezistentei
 Rezistoarele neliniare
V t t-

VDR

Rezistoarele neliniare sunt de 2 tipuri: termistoare si varistoare

Rezistenţa varistoarelor se modifică odată cu variaţia căderii de
tensiunii de la bornele lor iar rezistenţa termistoarelor se modifică
(semnificativ) cu temperatura.
Există termistoare la care rezistenţa scade cu temperatura (NTC) şi
termistoare la care rezistenţa creşte cu creşterea temperaturii (PTC).
Rezistenta termistoarelor este specificata pentru temperatura de 25ºC
Pentru termistoarele NTC rezistenţa se modifică cu temperatura
exponenţial putându-se stabili următoarea relaţie:

B / T 1 B / T 0 )
RT 1  RT 0  e
 Conectarea rezistoarelor

• Rezistoarele se conecteaza in serie, paralel si

mixta.
R1  R2
RSERIE  R1  R2 R PARALEL 
R1  R2

• In electronica este folosit foarte des montajul

divizor de tensiune
UIN

R1
R2
UIES U IES  U IN 
R1  R2
R2
 Condensatoare
• Condensatorul este componenta de circuit folosită de
obicei la prelucrarea semnalelor electrice.
Condensatoarele pot inmagazina energie.
• Caracteristica sa electrică principală este capacitatea
electrică.
• Capacitatea electrica se măsoară în farazi (F).
• În majoritatea cazurilor se utilizează submultipli
acestuia şi anume: pF, nF, μF şi mF.
• Simbolizare condensatoarelor este urmatoarea
+
 Parametrii condensatoarelor
• Capacitatea nominală Cn – valoarea capacităţii
condensatorului marcată pe corpul condensatorului.
Măsurarea capacităţii nominale se face la frecvenţa de
1KHz sau 1MHz, la temperatura de 25ºC, având aplicată
la borne o anumită tensiune. Condiţiile de măsură sunt de
regulă specificate de producători în foile de catalog.
• Toleranţa – abaterea maximă admisibilă a valorii
capacităţii faţă de capacitatea nominală. În funcţie de
toleranţă sunt fabricate condensatoare ale căror
capacitate face parte din una din următoarele serii
valorice: E6 (20%), E12 (10%), E24 (5%), E48 (2%) şi E96
(1%).
• Tensiunea nominală – reprezintă tensiunea continuă sau
alternativă maximă ce poate fi aplicată timp îndelungat
fără a modifica caracteristicile condensatorului. În general
această tensiune este standardizată şi face parte din următorul şir de
valori: 3,3V, 5V, 6,3V, 10V, 16V, 25V, 35V, 40V, 63V, 100V, 160V,
200V, 250V, 350V, 400V, 630V, 1000V, 1500V etc.
• Rezistenţa de izolaţie – reprezintă raportul dintre
tensiunea continuă aplicată condensatorului şi curentul
ce-l străbate la 1 minut după aplicarea tensiunii. Valorile
rezistenţei de izolaţie sunt în domeniu MΩ, GΩ. Pentru
condensatoarele electrolitice se utilizează aşa numitul
curent de fugă care este curentul ce trece prin
condensator la aplicarea unei tensiuni egală cu
tensiunea nominală după ce acesta s-a încărcat.
• Tangenta unghiului de pierderi – reprezintă raportul
între puterea activă ce se disipă pe condensator şi
puterea reactivă măsurate la frecvenţa la care se
determină şi capacitatea nominală.
• Coeficientul de variaţie a capacităţii cu temperatura -
parametru important pentru condensatoarele utilizate în
oscilatoare, circuite de temporizare etc.
• Gama temperaturilor de funcţionare – domeniu de
temperatură în care condensatorul îşi păstrează
caracteristicile.
 Codul culorilor pentru marcarea condensatoarelor
Culori Coeficient Prima cifră A doua cifră Multipli-cartor Toleranţa
temperatură semnific semnifica- (a treia bandă) (a patra bandă)
(bandă iniţială) a-tivă tivă
[10-6 / ºC] (prima (a doua bandă)
bandă)
Negru 0 0 0 1 ±20%

Maro -33 1 1 101 ±1%

Roşu -75 2 2 102 ±2%

Portocali -150 3 3 103 -

u

Galben -220 4 4 104 -

Verde -330 5 5 105 ±5%

albastru -470 6 6 0 -

Violet -750 7 7 - -

Gri - 8 8 10-1 -

Alb - 9 9 10-2 ±10%

Auriu +100 - - - -
Domeniul frecvenţelor de lucru pentru diverse tipuri de
condensatoare (electrolitice, ceramice, pliester, etc)
Tip Electro- Hârtie Poliester Ceramică Polistiren Policarbonat
condensator litic
Frecvenţe de c.c – 100Hz – 1KHz – 1KHz – c.c. – c.c. –
lucru 1KHz 100KHz 1MHz 1GHz 2GHz 100KHz
Condensatorul în curent continuu se comportă ca un circuit
deschis iar la frecvenţe mari ca un scurtcircuit.
În curent alternativ, în regim armonic, condensatorul este
caracterizată de reactanţa capacitivă notată XC exprimată
în ohmi .
Reactanta capacitiva, energia inmagazinata, precum si
calculul capacitatii echivalente la cuplarea in paralel sau
serie se calculeaza cu formulele de mai jos:
1 1 C1  C 2
XC   C  u C2 C PARALEL  C1  C 2 C SERIE 
  C 2f  C WC  C1  C 2
2
 BOBINE
• Bobina este componenta de circuit caracterizată prin
inductanţa sa, notată cu L.
• Unitatea de măsură pentru inductanţe este henry (H).
• Bobinele se obţin prin bobinarea unui fir conductor (în
majoritatea cazurilor cu izolaţie) pe un suport, de obicei
izolator.
• Pentru circuitele de înaltă frecvenţă bobinele se obţin
direct pe circuitul imprimat.
• Inductanţa L se defineşte ca raportul dintre fluxul
magnetic propriu şi curentul electric ce străbate bobina.
• Pentru creşterea inductivităţii bobinei de obicei se
foloseşte un miez magnetic (tole la frecvenţe joase şi
ferite la frecvenţe înalte).
L
 Parametrii bobinelor
• Inductivitate sau inductanţa L – definită ca raportul
dintre fluxul magnetic şi curentul care parcurge bobina.
• Rezistenţa totală de pierderi – determinată atât de
pierderile în conductor cât şi de cele din materialul
magnetic.
• Factorul de calitate Q (adimensional) – definit la o
anumită frecvenţă de lucru, ca raport dintre puterea
reactivă şi puterea activă consumată de bobină.
– Datorită diversităţii, seriilor mici şi dimensiunilor mari nu s-a
ajuns la o standardizare a bobinelor ca şi în cazul rezistoarelor
şi condensatoarelor. La bobine sunt standardizate miezurile
magnetice (tole şi ferite) ce se utilizează la fabricarea
acestora. În multe cazuri bobinele sunt simulate cu alte
componente de circuit. Se fabrică în serie mare bobine de
filtrare (1nH - 1mH) ce sunt intercalate în serie pe traseele de
alimentare.
• Bobina ideală
– în curent continuu se comportă ca un scurtcircuit iar la
frecvenţe mari ca un circuit deschis.
– În curent alternativ, în regim armonic, bobina este
caracterizată de reactanţa inductivă notată XL exprimată în
ohmi.
• În cazul bobinelor cu miez magnetic se va ţine seama de
valoarea curentului la care se saturează miezul magnetic,
valoare la care inductanţa se modifică semnificativ.
Depasirea curentul maxim suportat de bobină poate sa
produca transformări ireversibile în bobină (defectare).
• Două sau mai multe bobine parcurse de acelaşi flux
magnetic formează un ansamblu de bobine cuplate.
• Două bobine cuplate magnetic, pe lângă inductivităţile
proprii (L1 şi L2), sunt caracterizate de inductivitatea
mutuală M numită şi inductanţă de cuplaj LC
L  iL
2

X L    L  2f  L WL  L C  M  k  L1  L2
2
 DIODA semiconductoare
• Dioda este un dispozitiv electronic format, în majoritatea
cazurilor, dintr-o joncţiune pn, având proprietatea de conducţie
unilaterală a curentului electric.
– În zona p purtătorii majoritari de sarcină sunt golurile iar în zona n
electronii.
– În apropierea zonei de contact dintre cele două structuri
semiconductoare, purtătorii majoritari de sarcină difuzează dintr-o
zonă în alta, se formează o regiune de sarcină spaţială numită
regiune de barieră care se opune difuziei în continuare a
purtătorilor majoritari între cele două structuri.
– Această structură dă diodei proprietatea de conducţie unilaterală.
• Dioda este un dispozitiv cu 2 electrozi. Cei doi electrozi ai
diodei se numesc anod (A) şi respectiv catod (K).
• Sensul de conducţie al curentului este de la anod spre catod.

A K A K
p n

Structura unei diode semiconductoare şi simboluri grafice.

Caracteristica statică a unei diode
• Aplicând o tensiune în sens direct (vD=vF ≥ 0) dioda intră în
conducţie, practic pentru valori mai mari decât o tensiune de
prag (0,2÷0,3 pentru diode de Ge şi 0,5÷0,7 V pentru diode de Si),
rămânând aproximativ la aceleaşi valori (0,3÷0,5 pentru germaniu şi
0,7÷1 pentru siliciu) pentru variaţia curentului prin diodă în limite
foarte largi.
• Dependenţa iD(vD) este exponenţială conform relaţiei:
i D  I R (e vD / VT  1)
unde IR este curentul rezidual, VT=kT/e este tensiunea termică (VT=26mV la
300K), T temperatura absolută, k constanta lui Boltzman iar e sarcina
electronului.
• Aplicând o tensiune în sens invers (vD=vR ≤ 0) lăţimea zonei de
barieră creşte, prin diodă circulă un curent rezidual iR de
aproximativ 100.000 ori mai mic decât curentul iF. Acest curent,
numit şi curent de saturaţie, se modifică puţin cu creşterea tensiunii inverse
vR, dar depinde mult de temperatură. În această stare dioda este
blocată.
• Dacă tensiunea inversă aplicată diodei creşte peste limita de
străpungere, curentul prin diodă are o creştere accentuată
(multiplicarea purtătorilor de sarcină prin avalanşă). Pe acest
fenomen de străpungere nedistructivă sunt construite diodele Zener.
 Tipuri de diode
• Diodele redresoare sunt construite în general din siliciu,
având curentul de conducţie directă cuprins între 1 şi
350 A iar tensiunea inversă cuprinsă între 50V şi 1300V.
– Principalii parametrii pentru o diodă redresoare sunt:
curentul de conducţie directă (iF), tensiunea maximă
de blocare la polarizare inversă (URRM), curentul
direct maxim repetitiv, curentul maxim de vârf (IFSM),
tensiunea în conducţie directă (VF), curentul la
polarizare inversă (IR) şi timpii de comutaţie.
– Pentru redresarea bialternanţă a tensiunilor
alternative (redresarea în punte) se folosesc punţi
redresoare cum sunt: B380C800 (0,8A, 380V), 1PM1
(1A, 200V), B380C1500A (1,5A, 380V), 3PM4 (3 A,
400V), FBI4V440 (4A, 400V), SB104 (10A, 400V),
SB154 (15A, 200V), SB258 (25 800V),
B500C25000DR (25A, 500V) etc.
• Diodele de comutaţie sunt realizate cu
joncţiuni, tehnologie planar-epitaxială, cu contact
metal-semiconductor (diode Schottky) sau cu
contact punctiform.
– Prin particularităţile de realizare tehnologică, pentru
diodele de comutaţie sunt reduşi timpii de trecere din
starea de conducţie în blocare şi invers.
– Datorită timpilor mici de comutaţie (nanosecunde)
diodele de comutaţie se folosesc în circuitele de
detecţie, la modularea şi demodularea semnalelor
electrice, la redresarea în sursele în comutaţie etc.
• Diodele Schottky sunt diode ce se
formează la joncţiunea metal-
semiconductor.
– Au avantajul unei tensiuni directe mici
(0,50,6V la curenţi de ordinul amperilor) şi
dezavantajul unei tensiuni inverse de maxim
100V.
– Exemple de diode Schottky: BZS10-45 de
1,5A, 30BQ100 de 3A, SQ806 de 8A,
SR1640PT două diode de 16A, MBR3045WT
două diode de 30A, MBR6045WT două diode
de 60A etc.
• Diodele stabilizatoare (Zener) sunt diode de
siliciu, care utilizează ramura caracteristicii
curent-tensiune, corespunzătoare polarizării
inverse în zona de străpungere (nedistructivă).
– Principalii parametrii ai diodelor Zener sunt: tensiunea
nominală de stabilizare UZ, puterea nominală,
curentul minim şi maxim (Izmin, Izmax) pentru care
tensiunea pe diodă are valori în jurul tensiunii
nominale, rezistenţa dinamică în zona de stabilizare
(RZ) şi coeficientul de variaţie cu temperatura a
tensiunii stabilizate.
– Coeficientul de variaţie cu temperatura a tensiunii
stabilizate pentru tensiuni de stabilizare mici (2,7 –
6,3V) este negativ iar pentru tensiuni mai mari de
6,3V este pozitiv. Această proprietate este exploatată
la realizarea referinţelor de tensiune de precizie.
– Tensiunile nominale pentru care sunt realizate
diodele Zener sunt cuprinse între 2,5 V şi 180 V.
• Diodele varicap sunt diode utilizate în
oscilatoare şi circuite de acord datorită variaţiei
capacităţii cu tensiunea inversă aplicată. BB121,
BB122, BB221, BB222 sunt câteva exemple de
diode varicap.
• Diodele tunel se bazează pe fenomenul de
trecere a purtătorilor de sarcină prin regiunea de
barieră formată la contactul celor două regiuni
semiconductoare p şi n puternic dopate.
Caracteristica directă are o porţiune de
rezistenţă negativă şi datorită acestui fapt acesta
poate fi utilizată în circuitele de comutaţie şi
oscilatoare.
• Diodele electroluminescente (LED-uri) au
proprietatea de a emite radiaţii electromagnetice în
spectrul vizibil. Astfel avem LED-uri de culoare roşie,
portocalie, galben, verde, albastru şi indigo, în funcţie de
lungimea de undă a radiaţiei emise. Există diode în
infraroşu şi ultraviolet
– Aceste diode sunt conectate în circuit cu anodul la
plus şi cu catodul la minus.
– Căderea de tensiune pe diodele electroluminescente
este mai mare decât în cazul diodelor obişnuite şi
este dependentă de culoare radiaţiei emise. Astfel,
căderea de tensiune pentru un LED de culoare roşie
este de aproximativ 1,8V, pentru culoarea galbenă
este 2V, pentru culoarea verde este 2,2V iar pentru
albastru este 3,5V. Aceste tensiuni depind de curentul
ce trece prin LED, valorile menţionate fiind obţinute
pentru un curent de 5 mA.
– Aplicatii: afisoare cu 7 segmente, optocuploare etc.
 Caracteristicile unor diode redresoare normale
Tip IF IF SM VF URRM IR Capsulă

1N4001 1A 75 A 1,1 V 100 V 5 μA DO41

1N4003 1A 75 A 1,1 V 200 V 5 μA DO41
1N4004 1A 75 A 1,1 V 400 V 5 μA DO41
1N4007 1A 75 A 1,1 V 1000V 5 μA DO41
BZM10-600 1A 1,1 V 600 V 10μA DO213AB
FS3D 3A 100A 1,15V 200 V 10μA DO213AB
BZ252 3A 1V 400V 5 μA DO201AD
1N5404G 3A 200A 1V 400V 5 μA DO201AD
BY255 3A 100A 1V 1300V 5 μA DO
P600G 6A 400A 1,1 V 400 V 5 μA P6
6 Si 5 6A 20A 1,2 V 500 V 3 mA TO220
6A100 6A 250A 1,0V 1000V 10 μA

SR806 8A 175A 0,55V 60V 1mA DO

D10N4 10A 210A 1,4 V 800 V 12 mA DO-4
16FR80 16A 295A 1,23V 800V
D25N6 25 A 400A 1,4 V 600 V 5 mA DO5
25FR60 25A 300A 1,3V 600V 12mA DO/4
D50N8 50 A 550A 1,55 V 800 V 10 mA DO5
 Caracteristicile unor diode de comutaţie rapide
Tip IF VF URRM Timp de Capsulă
comutaţie
1N4148 0,2 A 1,1 V 75 V 4ns DO35
1N4448 0,2 A 1,1 V 100 V 4ns DO35
BA158 1A 600V 250 ns DO41

BA159 1A 1000V 500 ns DO41

UF4007 1A 1,7 V 1000V 75 ns DO41

EPG10G 1A 1,25V 400V 50 ns DO41
BYD37M 1,5A 1,3V 1000V 50 ns SOD80
EPG10G 2A 1,25 V 400V 50 ns DO15
EPG50G 5A 1,25 V 400V 50 ns DO201AD
8ETH06/IR 8A 1,2V 600V 25 ns TO220
BZW29-200 8A 1,05 V 200V 35 ns TO220AC
10ETF08/IR 10A 1,2V 800V 160 ns TO220
20ETF12/IR 20A 1,31V 1200V 400 ns TO220
30CPF02/IR 30A 1,41V 200V 160 ns TO247
4CPF06/IR 40A 1,25V 600V 180 ns TO247
60CPF10/IR 60A 1,4V 1000V 480 ns TO247
 Caracteristicile unor diode Zener

Tip VZ RZ Putere disipată Capsulă

DZ5V1 4,8...5,1 V 60 0,4 W DO35

DZ7V5 7,1...7,9 V 7 0,4 W DO35
BZX83V010 9,4...10,6 V 5,2 0,5W DO35
PL5V6 5,2...6 V 2 1W DO41
PL12 11,4..12,7 V 7 1W DO41
 TRANZISTOARE BIPOLARE
• Tranzistoarele bipolare sunt elemente de circuit cu rol de
amplificare a semnalelor şi de comutaţie.
• Sunt realizate prin alăturarea a trei regiuni alternative de
material semiconductor n şi p.
• Cele trei regiuni de material se numesc emitor, bază şi
colector şi formează două joncţiuni semiconductoare de
tip np sau pn (joncţiunea bază-emitor şi joncţiunea bază-
colector).
• Sunt posibile două astfel de structuri şi anume structura
npn şi cea pnp.
 Tip tranzistor VBE IB VCE IC
Npn VBE>0 IB>0 VCE>0 IC>0
Pnp VBE<0 IB<0 VCE<0 IC<0

• Prin tranzistorul de tip npn cirulaţia curentului este de la bază la emitor şi

din colector spre emitor pe când la tranzistoarele pnp circulaţia curentului
este de la emitor spre bază şi colector.
• Zona de bază este foarte subţire şi mult mai slab dopată decât zona
emitorului. La funcţionare normală, când joncţiunea bază-emitor (numită şi
joncţiune de comandă) este polarizată direct, emitorul “emite” în bază
purtători de sarcină, iar aceştia, în majoritatea lor sunt “colectaţi” de
colector.
• Cu un curent de bază mic este comandat curentul de colector, a cărui
valoare este de zeci sau sute de ori mai mare decât valoarea curentului de
bază.
• Aceste tipuri de tranzistoare se numesc bipolare deoarece la conducţie
participă ambele tipuri de purtători de sarcină (atât electronii cât şi golurile).
• Funcţionarea celor două structuri (npn şi pnp) este identică, diferind doar
sensul tensiunilor de polarizare şi al curenţilor.
• Sunt posibile trei combinaţii de polarizare ale celor două
joncţiuni (VBE<0 şi VBC<0, VBE>0 şi VBC<0, VBE>0 şi
VBC>0) rezultând astfel trei regimuri de funcţionare ale
unui tranzistor şi anume: blocat, activ şi saturat.
• Deoarece din punct de vedere constructiv atât emitorul
cât şi colectorul sunt realizaţi din acelaşi tip de material
semiconductor (n sau p) rolul lor poate fi schimbat
(funcţionare în regim activ inversat).
• Datorită faptului că nivelul de impurităţi este diferit pentru
zona de emitor şi cea de colector parametri de
funcţionare ai tranzistorului în regiunea activă inversă
vor fi diferiţi faţă de regiunea activă normală unde
aceştia au valori optime.
• Regimul blocat. Tranzistorul se află în regim blocat
dacă ambele joncţiuni sunt polarizate invers. În situaţiile
practice tranzistorul este în regim blocat şi în cazul în
care tensiunea aplicată pe joncţiunea de comandă (de
obicei bază-emitor) este zero.
• Regimul activ. În situaţia în care o joncţiune este
polarizată direct iar cealaltă invers tranzistorul este în
regimul de funcţionare activ. Dacă joncţiune polarizată
direct este bază-emitor atunci aven regim activ normal
iar dacă joncţiunea polarizată direct este bază-colector
avem regim activ inversat.
– Cea mai simplă descriere a funcţionării unui tranzistor în regim
activ este următoarea: prin joncţiunea bază-emitor, polarizată
direct, se injectează un curent de comandă iB, curent ce
determina circulaţia prin joncţiunea bază-colector, polarizată
invers, a unui curent de β ori mai mare decât curentul de
comandă. Prin emitor vor circula atât curentul din bază cât şi cel
din colector. Factorul β se numeşte factor de amplificare în
curent şi are valori uzuale de la câteva zeci până la sute. La
funcţionarea în regim inversat factorul de amplificare are valori
mult mai mici.
– Ce mai simplă modelare a unui tranzistor bipolar este aceea a
unei surse comandate de curent. Curentul de colector este de β
ori mai mare decât curentul de colector (tranzistorul este
polarizat în regiunea activă), conform relaţiei de mai jos

iC    i B
• Relaţia Ic=βּIb este valabilă dacă circuitul exterior poate
asigura un curent de colector care să satisfacă această
relaţie . Dacă curentul furnizat de circuitul exterior este
mai mic atunci tranzistorul iese din regimul activ şi intră
în saturaţie, tensiunea colector-emitor scade aproape de
zero şi practic joncţiunea bază-colector este polarizată şi
ea direct.
• Funcţionarea unui tranzistor, în realitate, este mult mai
complicată decât cea descrisă anterior. O descriere
completă se poate realiza utilizând modelul Ebers-Moll,
model descris în literatura de specialitate.
• În multe cazuri trebuie avut în vedere faptul că, prin
joncţiune colector-bază polarizată invers circulă un
curent rezidual, dependent semnificativ de temperatura
joncţiunii. Acest curent în cazul tranzistoarelor cu
germaniu (Ge) are valori semnificative şi poate produce
aşa numita ambalare termică.
• Regimul saturat. În situaţia în care ambele
joncţiuni sunt polarizate direct tranzistorul se află
în regim saturat. În regim saturat, de obicei,
joncţiunea de comandă este joncţiunea bază-
emitor. Există situaţii în care joncţiunea de
comandă este joncţiunea bază-colector, situaţii
în care spunem că tranzistorul se află în regim
saturat inversat.
• Un tranzistor se află în regim saturat atunci când
curentul generat de circuitul exterior prin
colectorul tranzistorului (UCE≈0) este mai mic
sau egal cu produsul dintre curentul de bază şi β
(IC≤ß·IB).
• În aplicaţiile practice în care tranzistoarele se folosesc ca
elemente de comandă este utilizat montajul cu emitor
comun. Această tensiune de comandă trebuie să asigure
în baza tranzistorului un curent de β ori mai mic de decât
curentul care trebuie să fie comandat în colector.
• Rezistenţa din bază poate fi calculată cu relaţia:
U OH  U BE
RB  
IC

unde UOH este tensiunea de comandă (de obicei ieşirea unui circuit
integrat digital), UBE este tensiunea bază-emitor (0,6-0,7V), IC este
curentul din colector iar β este factorul de amplificare în curent
pentru tranzistorul ales.
• Circuitul din colectorul tranzistorului pot fi alimentate cu
tensiune diferită faţă de cea a circuitelor de comandă.
• Curentul de colector se calculează ca raport dintre
tensiunea de alimentare a circuitului de colectorul şi
rezistenţa din colector (luam în calcul o tensiune de
saturaţie de 0,2 – 0,5V).
• Regimul blocat. Tranzistorul se află în regim blocat
dacă ambele joncţiuni sunt polarizate invers. În situaţiile
practice tranzistorul este în regim blocat şi în cazul în
care tensiunea aplicată pe joncţiunea de comandă (de
obicei bază-emitor) este zero. Acest fapt este deosebit
de important în realizarea schemelor în care tranzistorul
este folosit pentru comanda unor elemente de execuţie
(relee, servomotoare, valve etc.) a căror tensiune de
alimentare este diferită de tensiunea de alimentare a
circuitului care generează semnalul de comandă.

• Mentionam ca tensiunea inversa ce poate fi aplicata

jonctiunii baza-emitor este de maxim 5V (a se vedea foia
de catalog pentru fiecare tranzistor)
• Clasificare tranzistoare:

– Tranzistoare de mica putere: BC107, BC109, BC177, BC253

– Tranzistoare de medie putere: BD139, BD140
– Tranzistoare de putere: 2N3055, 2N3442

– Tranzistoare de joasa frecventa: BC171, BC173, BC251, BC253

– Tranzistoare de inalta frecventa: BF200, BF199
– Tranzistoare de ultrainalta frecventa: BFR90, BFR193

– Tranzistoare de comutatie: 2N2369A, 2N2222, 2N2905

– Tranzistoare de comutatie de putere: BUR608, BUR608D,
BU205
• În procesul de fabricaţie tranzistoarelor bipolare sunt
sortate in funcţie de factorul de amplificare în curent β.
Astfel ele se împart pe mai multe clase cum sunt spre
exemplu cele pentru tranzistoare BC si BD:

– BC547A – cu factor de amplificare între 110 – 220 ,

– BC547B – cu factor de amplificare între 200 - 450
– BC547C – cu factor de amplificare între 420-800

– BD139-6 – cu factor de amplificare între 40 -100

– BD139-10 – cu factor de amplificare între 63-160
– BD39-16 – cu factor de amplificare între 100-250.
• Tranzistoare Darlington. Pentru a creşte curentul de
colector în condiţiile unui curent de bază foarte mic pot fi
legate două tranzistoare în cascadă obţinându-se o
structură de două tranzistoare numite Darlington. Se pot
realiza teoretic patru structuri Darlington. Sunt fabricate
în mod obişnuit doar două structuri şi anume: structura
cu tranzistoare npn şi cea cu tranzistoare pnp.
• Factorul de amplificare în curent este egal cu produsul
dintre factorii de amplificare în curent ai celor două
tranzistoare din structură.
• Exemple: BC517, BD681, BDX33C, TIP122, BC516,
BD682, TIP 127, BDX34C
 Precizari privind tranzistoarele bipolare:
• Factorul de amplificare în curent β nu este un parametru constant.
Acesta este influenţat de mai mulţi factori, în principal având o
variaţie importantă cu temperatura, curentul de colector şi frecvenţa.
Dacă trebuie asigurată trecerea în saturaţie a tranzistorului se va lua
în calcul valoarea minimă pe care o va lua factorul de amplificare în
curent.
• Alegerea unui tranzistor pentru utilizare intr-o schemă electronică se
face după consultarea foilor de catalog, pentru a ne asigura că sunt
îndepliniţi toţi parametrii de proiectare. Printre parametri importanţi
ce trebuie luaţi în calcul, în aplicaţii, sunt: tensiunea de alimentare,
curentul de colector, factorul de amplificare şi timpi de comutaţie.
• În multe cazuri la depanarea montajelor electronice se pune
problema diagnosticării stării în care se află componentele de circuit.
• Verificarea (sumara) tranzistoarelor bipolare se poate face cu un
multimetru cu funcţie de măsurare a diodelor. Având în vedere că
tranzistorul are două joncţiuni semiconductoare o verificare sumară
a tranzistoarelor constă în verificarea celor două joncţiuni (care
practic formează fiecare câte o diodă. Valorile obţinute pentru
joncţiunile din componenţa tranzistoarelor sunt mai mari decât în
cazul diodelor.
• Poate fi măsurat şi factorul de amplificare dacă multimetru are
funcţia de măsurare a factorului de amplificare (h21).
 TRANZISTOARE CU EFECT DE CAMP
• Tranzistoarele cu efect de câmp TEC sau FET (Field
Effect Transistor) sunt dispozitive semiconductoare cu
un singur tip de purtători de sarcină, fiind denumite şi
tranzistoare unipolare.
• Sunt construite dintr-un canal semiconductor, a cărui
rezistenţă este controlată prin câmpul electric produs de
tensiunea aplicată terminalului de comandă denumit
poartă sau grilă G (Gate).
• Celelalte două terminale se numesc drenă D şi sursă S.
• Aceste tranzistoare sunt utilizate în majoritatea
circuitelor digitale moderne de consum redus.
• Sunt afectate mai puţin de temperatură iar schemele
electronice cu aceste tipuri de tranzistoare sunt mai
simplu de proiectat.
• Există două categorii de tranzistoare cu efect de câmp:
– tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune JFET
– tranzistoare cu efect de câmp de tip MOSFET (Metal-
Oxid-Semiconductor).
a) JFET (canal n şi p), b) NMOS şi PMOS cu canal iniţial si
c) NMOS şi PMOS cu canal indus.
Date de catalog importante pentru tranzistoarele JFET sunt:
- curentul de saturaţie IDSS(mA),
- amplificarea g [mS] numită transconductanţă,
- tensiunea drenă sursă VDS,
- tensiune de prag VP,
- capacitatea de intrare şi de transfer,
- frecvenţa maximă de lucru etc.
 Polarizarea tranzistoarele cu efect de câmp.

Tip tranzistor UGS UDS ID ID(UGS=0)

JFET canal n UGS<0 VCE>0 IC>0 ID=IDSS>0
JFET canal p UGS>0 VCE<0 IC<0 ID=IDSS<0
NMOS canal iniţial Bipolară VCE>0 IC>0 ID=IDSS>0
PMOS canal iniţial Bipolară VCE<0 IC<0 ID=IDSS<0
NMOS canal indus UGS>0 VCE>0 IC>0 ID=0-Blocat
PMOS canal indus UGS<0 VCE<0 IC<0 ID=0-Blocat
• Tranzistoare JFET. Tranzistoarele cu grilă joncţiune
JFET pot avea canalul din material semiconductor de tip
n sau p care formează o joncţiune pn cu electrodul de
comandă (grila).
• Tranzistoarele JFET funcţionează cu joncţiunea grilă-
sursă polarizată invers.
• Dacă tensiunea grilă sursă este zero prin tranzistor
(drenă-sursă) trece un curent IDSS numit curent de
saturaţie.
• Prin creşterea tensiunii de polarizare inversă secţiunea
canalului se îngustează, conducţia scade, iar la
atingerea tensiunii VP numită şi tensiune de prag canalul
se obturează, prin tranzistor circulând doar un curent
rezidual foarte mic.
• Se disting două regimuri de funcţionare şi anume:
– regimul în care tensiunea drenă sursă este mică caz în care
tranzistorul se comportă ca o rezistenţă comandată
– regimul de saturaţie în care curentul prin tranzistor este stabilit în
principal de tensiunea aplicată pe grilă fiind practic independent
de tensiunea drenă sursă.
• Deoarece la tranzistoarele JFET comanda curentului de
drenă se face prin tensiunea grilă-sursă este foarte
important de cunoscut caracteristica de transfer.
• Caracteristică se ridică pentru tensiuni de drenă mai
mari decât tensiunea de saturaţie iar curentul de drenă
poate fi aproximat prin relaţia:
2
 u GS 
i D  I DSS 1  
 VP 
• Tranzistoarele JFET se folosesc în circuitele de
amplificare, oscilatoare, modulatoare etc, atat în etajele
de amplificare cât şi în circuitele de reglare a amplificării
sau pentru stabilizarea amplitudinii oscilaţiilor.
• Se folosesc foarte puţin ca dispozitive de comandă
(on/off) deoarece necesită tensiuni cu polaritate opusă în
circuitul de comandă faţă de cel comandat, iar în lipsa
tensiunii de comandă (uGS=0) tranzistorul este deschis.
• Tranzistoare cu poartă izolată (MOSFET).
– Tranzistoarele MOSFET au grilă de comandă izolată faţă de
canalul semiconductor printr-un strat izolator de dioxid de siliciu
(de aici venindu-i şi numele Metal-Oxid-Semiconductor).
– În funcţie de doparea canalului semiconductor putem avea două
tipuri de tranzistoare MOSFET şi anume cu canal iniţial şi cu
canal indus.
• Tranzistoarele MOSFET cu canal iniţial au o
comportare asemănătoare tranzistoarelor JFET.
– Deosebirea esenţială între cele două tipuri este aceea că la
tranzistoarele MOSFET tensiunea de comandă poate avea atât valori
pozitive cât şi valori negative.
– Tranzistorul poate fi adus în regim de blocare prin aplicarea unei
tensiuni de comandă mai mari (mici) decât tensiunea de prag.
– De asemenea prin tranzistor poate fi comandat un curentul de drenă
mai mare decât curentul obţinut pentru tensiunea grilă-sursă egală cu
zero. În acest caz tensiunea grilă-sursă are polaritate opusă celei cu
care tranzistorul se blochează.
– Tranzistoare MOSFET cu canal iniţial au în mare aceleaşi domenii de
utilizare ca tranzistoarele JFET.
– Se utilizează rar ca dispozitiv de comandă de tip on-off datorită
curentului de drenă important la tensiune de comandă zero, ceea ce
necesită componente suplimentare în schemele electronice.
• Tranzistoarele MOSFET cu canal indus au stratul de
conducţie slab dopat şi practic în absenţa unei tensiuni
de comandă pe grilă acestea sunt în stare de blocare.
Prin drenă începe să circule curent după ce pe grilă se
aplică o tensiune mai mare decât o tensiune de prag (în
jur de 2 - 4V).
• Prin creşterea în continuare a tensiunii pe grilă creşte şi
curentul de drenă, dependenţa dintre aceste două
mărimi fiind dată de relaţiile urmatoare.
i D   VGS  VT 
m
VDS>VDSsat
unde m este un coeficient cuprins între 1 şi 2.
• Acest tip de tranzistoare se utilizează în circuitele
integrate CMOS. Prin scăderea tensiunii de prag, în jur
de 1,5V, s-a ajuns la o funcţionare a circuitelor integrate
CMOS cu tensiuni de alimentare cuprinsă între 2,7V şi
3,3V.
• Modul de comandă a tranzistoarelor MOSFET cu canal indus le face
ideale ca elemente de comandă în schemele electronice.
• Au o comportare apropiată de un comutator de tip on-off ideal (mai
ales în starea de conducţie în care rezistenţa drenă sursă poate fi
de doar câţiva miliohmi).
• Sunt utilizate în special în sursele în comutaţie şi în industria auto.
• În absenţa tensiunii de comandă (vGS=0) aceste tranzistoare sunt în
starea de blocare, iar trecerea lor în starea de saturaţie se face prin
aplicarea unei tensiuni mai mari decât tensiunea de prag.
• O tensiune de 5V este în majoritatea cazurilor suficientă pentru a
comanda curenţi de drenă de ordinul amperilor sau zecilor de
amperi. Tensiunea de comandă poate fi obţinută direct din ieşirea
unui circuit integrat digital.
• Grila poate fi cuplată direct la ieşirea unui microcontrolerului şi nu
sunt necesare calcule pentru proiectarea rezistenţele de comandă
ca şi în cazul tranzistoarelor bipolare.
• Din raţiuni de protecţie, în serie cu grila tranzistoarelor, este
conectată o rezistenţă care asigură protejarea circuitului de
comandă în cazul unor defecte ale tranzistorului. Grosimea stratul
de oxid este foarte mică şi se străpunge la tensiuni de poartă relativ
mici (VGS≈60V). Pentru protecţia tranzistorului (dacă acesta nu are
prevăzută din fabricaţie) se conectează în paralel cu terminalele
grilă-sursă o diodă Zener.
 Alte dispozitive semiconductoare
• Tranzistorul unijoncţiune sau dioda cu două baze (TUJ) este realizată
dintr-o bară de siliciu uniform dopate tip n, iar la mijlocul ei fiind realizată
o joncţiune pn. Contactele de la extremităţii poartă numele de baze iar
electrodul sudat la regiunea p de la mijloc formează emitorul.
• Tiristorul este un comutator electronic comandat, realizat dintr-o
succesiune de patru straturi semiconductoare, ce permite trecerea
curentului într-un singur sens. Are trei terminale: anod A, catod K şi
poartă sau grilă G. Trecerea în starea de conducţie se face cu un semnal
electric aplicat între grilă şi catod. Ieşirea tiristorului din conducţie se face
în momentul în care curentul prin tiristor scade sub valoarea o valoare
numită de menţinere. În curent alternativ stingerea tiristorului se face
automat în momentul trecerii acestuia prin zero iar în curent continuu
pentru stingere sunt necesare circuite auxiliare care să reducă curentul
prin tiristor la o valoare mai mică decât valoarea de menţinere.
• Triacul este un dispozitiv semiconductor cu 5 straturi ce permite trecerea
curentului în ambele sensuri. Întrarea în conducţie a triacului se face prin
aplicare unui semnal electric pe intrarea de poartă. Polaritatea tensiunii
aplicată pe poartă poate fi pozitivă sau negativă. Comanda optimă a
triacului se realizează cu impuls pozitiv pentru alternanţa pozitivă şi
impuls negativ pentru alternanţa negativă. Ieşirea din conducţie se face
în momentul în care curentul prin triac scade la zero (sub valoarea de
menţinere).
• Fototranzistorul este un dispozitiv comandat printr-un fascicol de lumina.
 Probleme
• Să se calculeze rezistenţa echivalentă a circuitului din
figura. Ştiind că rezistenţele R1, R2 sunt de 0,5W iar
R3, R4, R5, R6 sunt de 0,25W se poate aplica la
bornele A-B o tensiune de 1KV?
• În cât timp un condensatorul C de valoare 10 nF în
serie cu o rezistenţă R de 22 kΩ se va încărca la 63%
din valoarea tensiunii de alimentare.

• Să se dimensioneze un divizor rezistiv pentru

măsurarea tensiunii reţelei de curent alternativ.
Domeniul de intrare al convetorului analog-digital
(CAN) de 10 biţi este de ±2,5V. Precizia de masură să
fie mai bună de 1% iar domeniul de măsură să fie cu
cel puţin 25% mai mare decât tensiunea nominală.
Curentul de intrare în convertor este de 100pA.
• Ce rezistenţă trebuie montată în serie cu un voltmetru
analogic pentru ai creşte domeniul de măsură de la 10
la 100V. Rezistenţa internă a voltmetrului este de 200k
• Ce rezistenţă trebuie să aibă o rezistenţă montată în
paralel cu un ampermetru pentru măsurarea unui
curent de 20A. Domeniul de măsură al ampermetrului
este 1A iar rezistenţa acestuia este de 0,1Ω.
• Ce curent maxim va trece printr-o bobină de 100 μH
dacă se conectează, la bornele ei pentru o durată de
100 μs, o tensiune constantă de 5V?
• Atenţie! La decuplarea tensiunii de la bornele bobinei
trebuie luate măsuri pentru supresarea curentului din
bobină (realizarea unei căi pentru închiderea curentului
de exemplu prin conectarea unei diode), în caz contrar
tensiunea autoindusă în bobină putând creşte la valori
periculoase (sute de volţi). Dioda montată în schema de
teste trebuie să fie o diodă rapidă cu un curent direct mai
mare de 5A iar sursa de alimentare trbuie să genereze
un curent în ieşire peste valoarea calculată.
• Un curent de 0,5 mA este neperceput de organismul
uman, un curent de 15 mA produce crampe musculare,
30 mA produce modificarea ritmului cardiac şi creşterea
presiunii sanguine iar expunerea la un curent de 80 mA
mai mult de 0,5-1 secundă produce decesul imediat!
• Ce curent va trece prin dioda D1 din circuitul din figura.

• Să se calculeze rezistenţa serie a stabilizatorului

parametric din figura, realizat cu diodă Zener.
Tensiunea de intrare variază între 9V şi 12V, curentul
maxim de sarcină este de 15mA, curentul minim de
stabilizare pentru dioda Zener este de 5mA şi curentul
maxim prin diodă este de 80mA.
• Să se determine factorul de amplificare în curent β
pentru tranzistoarele bipolare de tip npn şi pnp din
figura, ştiind că indicaţia voltmetrului este 2V.
• Să se determine punctul static de
funcţionare (PSF) pentru
tranzistorul din figura, ştiind că
factorul de amplificare în curent
este 100.
• Să se determine ce valoare trebuie
să aibă rezistenţa R1 din baza
tranzistorului T1 din figura pentru
ca acesta să comande releul din
colectorul acestuia. Tensiunea de
comandă este 5V, rezistenţa
releului din colector este de 120Ω
iar factorul de amplificare în curent
este mai mare de 100.
• Să se proiecteze un circuit de
comandă care realizează comanda
unui releului care are unul dintre
terminalele bobinei conectat la
masă. Tensiunea de comandă este
5V şi este generată faţă de masă.
Se va lua în calcul un factor de
amplificare al tranzistoarelor de
minim 50.
• Să se calculeze puterea disipată
pe tranzistorul de putere cu efect
de câmp T1, din figura, folosit
pentru comanda unei rezistenţe de
încălzirea de 4,7Ω, alimentată la
24V.