Sunteți pe pagina 1din 63

Capitolul 1.

Materiale dielectrice
1. 1. Definiii i clasificri
Materialel e dielectrice se caracteri zeaz prin stri de polarizaie electri c,
care sunt stri de electrizare suplimentar i apar n prezena cmpului electric
intern sau extern. Pentru caracterizarea local a strii de polarizare a corpurilor,
se utilizeaz densitatea de volum a momentelor electrice, numit polarizaie
electri c P , care este o mrime microscopic local sau punctual. Notnd cu
i
p p
suma geometric a momentelor electrice dintr-un domeniu restrns de
volum v , polarizaia electric se definete prin relaia:
v
p
v
p
P
V

0
lim
[C/m
2
] (1. 1)
Momentul electric
p
, care este o mrime macroscopic sau global, se
definete prin relaia:
dv P p
V

[Cm] (1. 2)
Cmpul electri c E i polarizai a electric P , sunt cele dou mrimi care
caracterizeaz din punct de vedere electric starea unui materi al dielectric.
Materialul dielectric poate fi polarizat intrinsec, independent de plasarea sa n
cmp electric exterior, sau dimpotriv, se poate polariza sub efectul cmpului
electric exterior. Primul tip de polariza ie p
P
, se numete polarizaie
permanent sau spontan i este asociat prezenei cmpului electric intern, iar
al doilea tip de polariza ie se numete polarizaie temporar i depinde de
intensitatea cmpului electri c aplicat : ( ) E P P t t .
Teoria macroscopic a cmpului electromagnet ic stabilete te relai a dintre
inducia electric D i mrimi le de stare E i P , sub forma legii de material,
(scris sub form vectorial):

( ) p t P E P E P E D + + +
0 0

[C/m
2
], (1. 3)
unde:
0
=1/(4 9 10
-9
)[F/m], este permitivitatea vidului.
Legile de material descriu comportarea specific a materi alelor. Ele se
deosebesc de legile generale prin gradul diferit de generalit ate i exactitate.
Dup forma relai ei : ( ) E P P t t , dielectri cii se pot clasifica n dielectrici
liniari i neliniari, izotropi sau anizotropi.
Pentru dielectrici i liniari i izotropi, relaia este liniara:
E P
e
t
0

(1. 4)
unde:
e
reprezint susceptivitatea electri c, care este n general o mrime
complex adimensional. Astfel, relaii le (1. 3) i (1. 4) au formele:
( ) p
r
p
e
P E P E D + + +
0 0
1 (1. 5)
( ) E P
r
t 1
0
(1. 6)
unde:
e r
+ 1
, este permitivi tatea relativ a materialului dielectri c, iar
r

0

este permitivi tatea materialului dielectri c.
Permitivit atea relativ complex
r

, este definit prin relaia:


( ) E D
r 0

(1. 7)
unde prin D i E s-au notat inducia i intensitat ea cmpului electric, considerate
mrimi complexe.
Relaiil e (1. 4) i (1. 6) ntre mrimi vectoriale se pot scrie sub forma unor
relai i ntre mrimi complexe dac forma de variaie n timp a mrimilor, este de
1
tip armonic:
E P
e
t

0

, (1. 8)
( )
p r p e
P E P E D + + +
0 0
1
, (1. 9)
( ) E P
r t
1
0

. (1. 10)
Pentru dielectricii liniari i anizotropi, relaiil e (1. 4) i (1. 9) au forma:
E P
e
t
0
, (1. 11)
p P E D + , (1. 12)
unde: susceptivi tatea
e
i permitivi tatea sunt tensori. Astfel, fiecare
component a polariza iei temporare, respectiv a induciei electri ce, depinde de
toate componentele cmpului electric.
Experimental, se pun n eviden dou tipuri de materi ale dielectri ce
liniare:
- material e diaelectrice,
- material e paraelectrice.
Materialele diaelectrice, cum sunt gazele monoatomice inerte: He, Ne i
Ar, se caracteri zeaz prin susceptiviti de valori sczute, sunt independente de
temperatur i nu prezint postefect.
Materialele paraelectrice, cum sunt substanele poliatomice cu molecule
nesimetri ce: NaCl, KCl, HCl, H
2
O, au susceptivit i de valori ridicate, care
variaz n raport invers cu temperatura, i prezint postefect i deci implicit,
dependen a susceptivi ti i electrice de frecvena cmpului electric alternativ
aplicat.
Postefectul reprezint procesul de urmrire ntrziat a polarizaiei
temporare la variai i rapide ale cmpului electric exterior. Astfel, dac
consideram o variai e brusc a cmpului electri c, valoarea polarizaiei temporare
corespunztoare cmpului electric aplicat va fi atinsa dup un interval de timp t
(fig. 1a).
La o variaie sinusoidal a cmpului electri c, polarizai a temporar se
modific de asemenea sinusoidal, cu un defazaj "n urm", datorit postefectului:
( ) ( ) t E t E sin
0

(1. 13)
( ) ( ) ( ) [ ] t E t P
e
sin
0 0
(1. 14)
ntruct e

este o mrime complex, la frecvene nalte, n conformitate cu


relai ile (1. 3) i (1. 9), vectorii D i E nu mai sunt coliniari, iar dependena
polarizaiei temporare de intensitatea cmpului electric nu mai este liniar, avnd
forma unei elipse cu vrfuri ascuite (fig. 1. 1b).
La o cretere rapid a cmpului electric:
0 E E
1

, corespunde o cretere
mai redus a polarizaiei pna n punctul A' , iar la o scdere brusc a cmpului
electric:
2 max
E E E
, corespunde o scdere mai redus a polarizai ei, pn n
punctul B' .
Relaia ) E ( P P t t pentru dielectri cii neliniari, cum sunt materi alel e
feroelectrice, este de tipul unui ciclu de histeresis. Valoarea polarizai ei
temporare la un moment dat nu este univoc determinat de valoarea cmpului
electric aplicat i depinde de evoluia anterioar a materialului.
2
fi g. 1. 1Di agrame asoci at e post efect ul ui l a di el ect ri ci i l i ni ari l a vari a i i brut e (a)
si nusoi dal e (b) al e cmpul ui el ct ri c apl i cat .
1. 2. Tipuri de polarizri
Materialel e dielectrice prezint trei tipuri de polarizri : temporar,
permanent i cvasipermanent .
Polarizarea temporar de deplasare electronic sau ionic reprezint
deplasarea limitat elastic i reversibil a nveliurilor electronice ale atomilor
dielectricului (fig. 1. 2a) respectiv a ionilor dielectri cului (fig. 1. 2b) sub influena
cmpului electric i este proprie material elor diaelectri ce.
fi g. 1. 2 Pol ari zarea t emporar a di el ect ri ci l or:
(a) pol ari zar e de depl asare el ect roni c;
(b) pol ari zar e de depl asare i oni c;
(c) pol ari zare de ori ent are di pol ar.
Polarizarea temporar de orientare dipolar, tipic materi alelor
paraelectrice, ale cror molecul e polare prezint momente electrice proprii,
reprezint orientarea momentelor electrice pe direci a cmpului electric aplicat,
ntruct n absena cmpului, datorit agitaiei termice, orientarea lor este
aleatorie(fig. 1. 2c).
Polarizarea permanent este produs de factori neelectrici i este de dou
tipuri:
-Polarizarea spontan sau piroelectric este asociata prezenei cmpului
electrostatic intern i apare din condiia de minimizare a energiei interne a
materi alului dielectric, care depinde pronunat de temperatur. Astfel i starea de
polarizare va avea o puternic dependen de temperatur (fig. 1. 3a);
3
fi g. 1. 3 Pol ari zarea permanent a di el ect ri ci l or: (a) pol ari zar e spont an;
(b) pol ari zar e pi ezoel ect ri c; (c) pol ari zar e de t i p el ect ret .
-Polarizarea piezoelectric (fig. 1. 3b) apare sub aciunea tensiunilor
mecanice aplicat e structurii cristaline. Sub influena unui cmp electric exterior
apare efectul piezoel ectric invers, de deformare a structurii cristaline.
Polarizarea cvasipermanent de tip electret (fig. 1. 3c) apare ca o
consecin a orientrii dipolilor i a deplasrii sarcinilor electrice, i se obine fie
prin tratament termic, fie prin iluminare n cmp electri c intens, fie prin iradiere
cu un fascicul de electroni.
1. 3. Funciile dielectrici lor i utilizrile lor
1. 3. 1. Funcia de dielectri c pentru condensatoare
Pentru un dielectric liniar i izotrop, admitem c permitivi tat ea relativ
complex, definit prin relaia (1. 7), este de forma:
, , .
r r r
j (1. 15)
i vom arta deductiv c expresia este teoretic confirmat .
Neglijnd efectele de margine, prin definiie, admitana unui condensator
cu dielectric are expresia:
0
,
0
, ,
0
, , .
0
) ( C j C C j j C j Y
r r r r r C
ech
+
(1. 16)
unde:
0
C
reprezint capaci tatea condensatorului n absena dielectri cului.
Schema echivalent a condensatorului este reprezentat n fig. 1. 4a.
Prin urmare, condensatorul cu dielectric este echivalent cu un condensator
fr pierderi avnd capacitatea de
,
r
ori mai mare:
0
,
C C
r ech

i o rezisten de
pierderi conectat n paralel, de valoare:
) /( 1
0
, ,
C R
r ech

Din schema echivalent i relaia (1. 16), se observ c
'
r
caracterizeaz
dielectricul din punctul de vedere al capacitii sale de a se polariza, iar
"
r


caracterizeaz dielectricul sub aspectul pierderilor de energie, care se transform
n cldur.
Din diagrama vectorial asociat schemei echivalente (fig. 1. 4b) se obin n
dou etape succesive diagrama permitivit i i relative complexe confirmnd astfel
relai a (1. 15) i diagrama puterilor. Prin definiie, tangenta unghiului de pierderi
este raportul dintre puterea activ disipat i cea reactiv i are expresia:
4
'
"
1
r
r
e c h e c h C
R
r
a
R C I U
I U
P
P
t g


, (1. 17)
fi g. 1. 4 Schema echi val ent i di agrama vect ori al pent ru un condensat or cu
mat eri al di el ect ri c l i ni ar i i zot rop cu pi erderi , nt re armt uri .
iar permitivi tatea relativ complex obine forma:
) 1 (
'

jtg
r r
+
, (1. 18)
Factorul de calitate al condensatorului are expresia:
ech ech
R C tg Q

/ 1
, (1. 19)

1. 3. 2. Funcia de izolaie electric
Materialel e dielectrice utilizat e la izolarea conductorilor electrici de
conexiuni, presupun rezisten de izola ie ridicat, pentru a micoara pierderile
datorate curenilor de conducie prin dielectric, permitivit ate relativ sczut
pentru micorarea cuplajului capacitiv ntre conductori, care intervine cu pondere
crescut la frecvene nalte i rigiditate dielectri c ridicat , pentru evitarea
strpungerii dielectricului.
Rigiditatea dielectri c
d
R
este egal cu cmpul electric la care are loc
strpungerea dielectricului i are expresia:
str
str
d
E
d
U
R , (1. 20)
unde:
str
U
este tensiunea la care se strpunge dielectricul de grosime "d".
Tensiunile dintre conductorii utiliza i n circuitele electronice nu sunt de valori
ridicat e, ns grosimile "d" sunt reduse. Dielectricii utilizai pentru realizarea
condensatoarelor, au grosimi de ordinul micronilor i din acest motiv se impune
ca rigiditatea lor dielectric s fie ridicat.
5
1. 3. 3. Funcii neliniare i parametrice
Materialel e dielectrice, cum sunt cristalel e feroelectrice, pentru care
permitivitatea relativ complex este o funcie de intensitatea cmpului electric
continuu
0
E
, sau alternativ cf
E
, pot fi utili zate pentru realizarea unor funcii de
circuit neliniare i parametrice. Astfel, utilizarea unui condensator cu cristal
feroelectric ntre armturi, ntr-un circuit oscilant, va permite modificarea
frecvenei oscilai ilor, prin aplicarea unei tensiuni continue la bornele
condensatorului. Aceste materiale sunt utili zate n construcia unor
amplifi catoare, stabilizatoare, modulatoare n amplitudine sau faz. Diagramele
din fig. 1. 5 s-au trasat pentru temperaturi constante inferioare temperaturi i
C
T

peste care proprietile feroelectri ce i polarizaia spontan dispar.
fi g. 1. 5 Dependen a permi t i vi t i i rel at i ve real e a cri st al el or feroel ect ri ce
de val oarea efect i v a cmpul ui el ect ri c al t ernat i v (a) i
de i nt ensi t at ea cmpul ui el ect ri c cont i nuu (b). [Ct ]
1. 3. 4. Funcia de traductor piezoelectric
Prin interaciuni de natur elastic-electri c, se transform energia
mecanic sau tensiunea mecanic n energie electric sau tensiune electric.
Efectul piezoelectri c direct i invers, este utilizat pentru realizarea de
traductoare, microfoane, doze piezoel ectri ce, traductoare ultrasonice, difuzoare
pentru frecvene nalte. Efectul piezoelectri c mai este utilizat i pentru realizarea
de dispozitive cu und elastic de volum (rezonatoare, filtre cerami ce) i cu und
elastic de suprafa (filtre treceband, optimale, linii de ntrziere).
1. 3. 5. Funcia de traductor electro- optic
Materialel e dielectrice cu polarizare spontan, cum sunt unele cristale
feroelectrice i cristalele lichide, care n straturi subiri sunt optic active, permit
modularea comandat electric a unui fascicul luminos transmis sau reflectat de
dielectric. Aceste materiale sunt utilizate pentru realizarea dispozitivelor de
afiaj alfanumeri ce i a deflectoarelor de flux luminos.
1. 3. 6. Funcia de traductor de temperatur
Susceptivi tatea electric a cristalelor feroelectrice are o dependen
pronunat de temperatur i determin astfel variai a pronuntat a polariza iei
spontane cu temperatura, proces specific utilizat n conversia energiei fluxului
radiant din spectrul infrarou apropiat i ndeprtat, n energie electri c.
1. 3. 7. Funcia de electret
Funcia de electret se bazeaz pe polarizaia remanent de lung durat a
electreilor, generat de cmpul electrostat ic intern i este utilizat pentru
realizarea dozimetrelor, a filtrelor pentru gaze sau a microfoanelor.
6
1. 4. Polarizarea de deplasare a dielectrici lor
Polarizaia electric temporar
t P poate fi exprimat ca sum a
momentelor electri ce temporare mediate med t
p
ale celor N molecule din unitatea
de volum:
med A med
t p N
M
p N P


, (1. 21)
unde

este densitatea de mas a materi alului, M este masa molecular, iar N


A
reprezint numrul lui Avogadro.
Pentru un mediu liniar, omogen i izotrop, se admite ca momentul electric
temporar mediat al unei molecule este proporional cu intensitatea cmpului
efectiv E
e f
, care acioneaz asupra ei:
ef
med
E p
0

, (1. 22)
unde

reprezint polarizabi litatea moleculei i este o mrime complex


microscopic, caracterist ic materialului, iar cmpul efectiv E
e f
se determin
considernd c fiecare molecul ocup o cavitat e vid practicat n mediul
dielectric i are expresia:
t ef P E E
0
3
1

+
, (1. 23)
Din relaiil e (1. 5), (1. 6) i (1. 21), (1. 23), rezult relaia Clausius -
Mosotti :
3 2
1

N
r
r

, (1. 24)
care reprezint relaia de legtur ntre polarizabi lit ate - mrime microscopic i
permitivitate - mrime macroscopic. Aproximrile prin care s-a stabilit relaia i
reduc domeniul de valabil itate la dielectri cii gazoi.
1. 4. 1. Modelul teoretic al dielectri cului cu polarizare de deplasare fr
pierderi prin conducie
Modelul teoretic a fost conceput astfel nct s permit stabilirea relaiei
dintre permitivit atea relativ complex i frecvena cmpului electri c aplicat din
exterior. Dependena permit ivitii relative complexe:
( ) ( ) E E
e
r
+ 1
, de
intensitatea cmpului electri c aplicat este o lege de materi al, fiind diferit pentru
dielectrici diferii.
Polarizarea de deplasare presupune existena unor fore elastice de
interaciune. Astfel, sarcinile electrice sunt presupuse ca fiind legate elastic n
poziii le de echilibru: electroni i legai elastic de nucleu i ionii din nodurile
reelei cristaline, legai elastic de ionii vecini. Cmpul electri c exterior determin
deplasarea sarcinilor din poziiil e lor de echilibru, genernd astfel polarizarea de
deplasare, iar la anularea cmpului electric, sarcinile revin la poziiil e iniial e.
Presupunem c deplasrile sarcinilor electrice sunt orientate pe direcia
axei "z" paralel cu direci a cmpului electric exterior. Ecuaia micrii n regim
tranzitoriu de revenire a sarcinii electrice la anularea cmpului electri c aplicat
este de forma: [Ct].
0 2
2
0
2
2
+ + z
dt
dz
dt
z d
, (1. 25)
unde: 2

reprezint factorul de amortizare al micrii, iar


0

este pulsaia
proprie de rezonan a particulei ncrcate electric.
n situaiile reale, micarea de revenire este slab amortizat, iar factorul de
7
amortizare

este redus. Astfel, pentru valori 0


<<
, soluia ecuaiei (1. 25)
este:
( ) ( )
0
cos
'

+

t e z t z
o
t
o
, (1. 26)
unde: z(t) reprezint poziia particulei n raport cu poziia de echilibru z(t=0)
corespunztoare momentului iniial cnd se anuleaz cmpul electric exterior; 0
z

este amplitudinea oscilaiei,
0

este faza iniial , iar


1
'

este constanta de
timp de relaxare i reprezint timpul dup care amplitudinea scade la 1/ e din
valoarea maxim
0
z
. Amplitudinea i faza iniial sunt constante de integrare.
ntruct momentul electric element ar este n raport direct cu deplasarea
particul ei ncrcate electric fa de poziia de echilibru, expresia polarizabili t ii
este analoag relaiei (1. 26):
( ) ( ) ( )
0
cos 0
'

+

t e t
o
t
, (1. 27)
unde:

(0) este polarizabil itatea la momentul iniial.


Considerm un sistem liniar i ca orice sistem fizic, satisface principiul
cauzali t ii. Dac sunt precizate condiiil e iniiale i la limit i dac sunt
cunoscute legile de materi al, starea materialului stabilit prin mrimil e E i P,
este univoc determinat. Aplicnd principiul suprapunerii efectelor i cunoscnd
dependena n timp a polarizabi lit i i, expresia permitivi t ii relative complexe n
funcie de frecvena cmpului electric aplicat, este de forma:
( )

+
o
t j
r r
dt e t

, (1. 28)
unde:
inst r r

, este permitivitatea relativ instantanee corespunztoare unor


frecvene: f .
Din relaiil e (1. 27) i (1. 28), rezult:
( ) [ ]
( ) ( )
0 '
0
0
'
0
0
'
cos
1
1
1
1
2 0



1
]
1

+ +

+

+
+

j
tg j
j
tg j
r r
. (1. 29)
Prin identificarea relai ei (1. 29) cu relaia (1. 15) rezult:
a) pentru 0
<<
,
( )
( )
' 2
0
0 0
'
0 ' ' ' '
1
cos 1
0

tg
r st r
r
, (1. 30)
0
, ,

r
,
unde:
st r
,
reprezint permit ivitatea relativ n regim staionar: f=0.
b) pentru
0

i avnd n vedere c n cazurile reale este ndeplinit
condiia
1
,
0
>>


,
2 ,
,
0 ,
) ( 1 2

+

+

r
r r
, (1. 31)
2 ,
,
0
max
, , , ,
) ( 1 2


r
r r
, (1. 32)
unde:
2 ,
0
0 0
,
,
) ( 1
cos ) 1 (
) 0 (



tg
r st r r
; (1. 33)
c) pentru
0
>>
,
, ,

r r
, (1. 34)
8
/ cos ) 0 (
0
, ,

r
. (1. 35)
Dependenele de frecvene ale componentelor permitivit i i relative
complexe, n conformitat e cu relai ile: (1. 30) (1. 35) sunt reprezentate n
fig. 1. 6a.
fi g. 1. 6 Dependen el e de frecven al e component el or permi t i vi t i i rel at i ve
compl exe (a) i schema echi val ent pent ru
0
< a condensat orul ui cu
di el ect ri c cu pol ari zar e de depl asar e fr pi erderi pri n conduc i e (b) [Ct ].
Pentru frecvene relativ joase permit ivitatea este constanta:
st r r
, ,
,
pierderil e prin polarizare fiind ca i cele prin conducie, nesemnificative. Schema
echivalent a unui condensator cu dielectric fr pierderi prin conducie este
reprezentat n fig. 1. 6. b.
Pulsaiile de rezonan
0

ale electronilor se afl n spectrul vizibil (


15
0
10 2
rad/s) iar ale ionilor n spectrul infrarou (
13
0
10 2
rad/s).
Pentru frecvene superioare frecvenei de rezonan, componenta reala a
permitivitii redevine constanta:

r r

,
, iar pierderile prin polarizare, ca i
componenta
, ,
r
, tind rapid spre zero.
Schema echivalent din fig. 1. 6a se va completa cu o rezisten echivalent
de pierderi, conectat n paralel, daca n dielectric apar i pierderi prin conducie
electric.
1. 4. 2. Pierderi prin conducie n dielectri ci
Dielectricii liniari posed sarcini electri ce "libere" n concentrai e redus
care se pot deplasa n cmp electri c exterior, constituindu- se n curent electri c de
conducie. Conducia electric n volumul materi alului este caracterizat prin
conductivi tate volumetric

sau rezistivi tate volumetri c:


/ 1
, iar procesul
de conducie superficial, care poate interveni la dielectrici i solizi, este
caracterizat prin aceleai mrimi, dar superficiale: s s
,
.
a) Dielectrici gazoi
Curentul electric de conducie n dielectri cii gazoi este format din ioni i
electroni liberi, generai printr-un proces de ionizare n prezena unor factori
externi cum ar fi radiaii n spectrul infrarou i ultraviol et, sau n prezena
cmpului electric care determin ionizarea prin ciocnirea molecul elor gazului cu
particul e ncrcate electric i accelerate n cmp.
n fig. 1. 7 se disting trei domenii specifice conduciei prin dielectri ci
gazoi.
n primul domeniu, pentru intensiti relativ reduse ale cmpului electric
dependena curent tensiune este liniar, rezistivi tatea i rezistena electrica fiind
mrimi constante. Pentru intensiti medii : E >10
5
V/m, toi purttorii de sarcin
9
electric creai de factori externi ajung la electrozi, curentul I de conducie are
v a l o a r e a c o n s t a n t a i c r e t e b r u s c p e n t r u t e n s i u n i s u p e r i o a r e v a l o r i i d e
fi g. 1. 7 Dependen a curent t ensi une n cazul di el ect ri ci l or gazoi [Ct ].
strpungere
str
U
cnd sunt create condiii pentru ionizare prin ciocniri ale
atomilor dielectricului gazos, datorit vitezelor mari ale purttorilor de sarcin
electric accelera i de cmpul electric.
b) Dielectrici lichizi
Conducia electric a dielectricilor lichizi este o funcie de structur
molecul ar i depinde de tipul i cantit atea de impuriti, mai ales la lichidele cu
polarizare prin deplasare. Cu creterea temperaturii conductibil itatea se marete
datorit creterii gradului de disociere, dar mai ales prin creterea mobilit ii
purttorilor de sarcin.
O relai e empiric are forma:
T a
Ae
/
(1. 36)
unde: A i a sunt constante caracteristice ale materialului dielectri c lichid.
c) Dielectrici solizi
Conducia electric n dielectricii solizi este asigurata prin electroni i de
asemenea prin defecte ale structurii cristaline denumite vacane ionice, a cror
mobilit ate depinde pronunat de temperatur.
Expresia empiric a conductivitii este de forma:
T b
Te B
/
/

(1. 37)
unde: B i b sunt constante caracteristice materialului dielectri c solid.
ntruct creterea exponenial a, asociat celui de-al doilea factor, este
superioar scderii de tip hiperbolic asociat primului factor, creterea
temperaturii determin mrirea conductivitii.
O relai e similar, are forma:
T b
e
/
0


(1. 38)
unde:
0

este o constant de material.


Densitatea curentului de conducie are expresia:
E J (1. 39)
crescnd att cu temperatura ct i cu intensitatea cmpului electric aplicat.
n fig. 1. 8 se disting, de asemenea, 3 zone specifice conduciei prin
dielectrici i solizi.
Pentru intensit i relativ reduse ale cmpului electric: m V E / 10
6
< ,
conducia electric este neglijabil datorit lrgimi i mari a benzii interzise, astfel
nct saltul unui electron de pe nivel energetic corespunztor benzii de valena pe
un nivel energetic din banda de conducie se poate efectua numai cu un aport
substanial de energie din exterior. Rezistivi tatea i rezistena electric sunt
10
mrimi constante. Pentru intensiti medii ale cmpului electric aplicat, se produc
i oni zr i pr i n ci ocni r i al e at omi l or cu par t i cul e ncr cat e el ect r i c, i ar conduc i a
fi g. 1. 8 Dependen a curent cmp el ect ri c n cazul di el ect ri ci l or sol i zi [Ct ].
devine neliniar. Pentru intensiti ridicat e: m V E / 10
8
> , procesul de ionizare n
avalana, conduce la strpungerea distructiv a dielectricului.
Rezistivitatea superficial este ridicat la dielectrici i solizi insolubili n
ap, i sczut la cei solubili sau cu structura poroas.
1. 4. 3. Modelul teoretic al dielectri cilor cu polarizare de deplasare i
pierderi prin conducie
Considerm un material dielectri c plasat ntre dou suprafee metalice,
ncrcat e electri c, n regim staionar (fig. 1. 9 a i b).
Din legea fluxului electric aplicat unei suprafee care cuprinde
suprafaa de separaie dintre metal i dielectric i din relaia (1. 39), rezult
relai a:


st
st
r
r
V
A d E
A d E
A d I
A d D
I q
0
0
/

. (1. 40)
Relaia (1. 40) se poate scrie i sub forma:
p r p r
p
r
p
V
p st
st
C r C
r U
U C
r U
CU
I q

0
0
/ /
/
, (1. 41)
unde: C este capacit atea ansamblului format din dielectri c i cele dou armturi
metal ice,
0
C
este capacitatea ansamblului fr dielectric, p
r
este rezistena de
pierderi prin conducie, iar p

este constanta de timp a grupului p


r C

(fig. 1. 9c).
Din relaiil e (1. 40) i (1. 41) rezult expresiile rezistenei de pierderi:
0
0
C
r
p

, (1. 42)
0
C
r
st
r
p
p

, (1. 43)
fig. 1. 9 Forma liniilor de cmp i de curent intr-un dielectric cu pierderi prin conducie electric:
11
(a) forma l i ni i l or de cmp; (b) forma l i ni i l or de curent ; (c) schema echi val ent a
condensatorului cu dielectric cu polarizare de deplasare i pierderi prin conducie [Ct].
1. 4. 4. Dependena de frecven i de temperatur a permitivitaii
relative complexe pentru dielectricii cu polarizare de deplasare i
pierderi prin conducie
Din schema echivalent (fig. 1. 9c) a condensatorului cu pierderi prin
conducie, presupus valabil i pentru regimul nestaionar, rezulta expresia
admitanei condensatorului:
0
" '
0 0
) ( / 1 C j j C j C j r Y
r r r r p
s t
+
. (1. 44)
Cu relaia (1. 42), expresiile componentelor permitivit i i relative complexe
sunt:
st
r r

'
, (1. 45)
p
r
p
r
st
C r

1 1 1
0 0
"

, (1. 46)
iar tangenta unghiului de pierderi este:
st
r r
r
tg

0
'
"

, (1. 47)
i scade, ca i
"
r

cu creterea frecvenei.
Dac temperatura este constant, conductivitatea

conform relai ilor


(1. 37), (1. 38) este o mrime constanta, iar dac temperatura se modific, tangenta
unghiului de pierderi se va modifica la fel ca i conductivit atea dup o lege
exponenial, conform relaii lor (1. 37), (1. 47). Dependenele de frecven la
temperatura constant ale permitivitii relative reale i ale tangentei unghiului
de pierderi sunt mrimi caracteristice materialului dielectri c, fiind reprezentate
pe baza relai ilor (1. 45), (1. 47) n fig. 1. 10.
Componenta reala a permitivitii relative caracterizeaz materialul
dielectric din punct de vedere al proprieti i sale de a se polariza. n cazul unui
condensator cu dielectric, cu ct aceasta proprietate este mai pronunat sau
r
'
este mai ridicat, cu att se mrete i capacitat ea condensatorului, sau
proprietat ea lui de a acumula sarcini electrice pe armturi. Dielectri cii cu
polarizare de deplasare au permit ivitatea real constant pn la frecvenele de
rezonan proprie ale ionilor i electronilor i pierderi prin conducie reduse, care
scad cu creterea frecvenei.
12
fi g. 1. 10 Dependen a de frecven l a t emperat ura const ant a permi t i vi t i i real e i a
t angent ei unghi ul ui de pi erderi pent ru di el ect ri ci cu pol ari zare de depl asare
i pi erderi pri n conduc i e [Ct ].
1. 5. Polarizarea de orientare a dielectrici lor
1. 5. 1. Modelul teoretic al dielectri cilor cu polarizare de orientare i
pierderi prin conducie
n absena cmpului electric exterior momentele electrice element are sunt
distribuite aleatoriu, iar din punct de vedere macroscopic polarizaia este nul.
n prezena unui cmp electric exterior momentele electrice tind s se
orienteze n direci a cmpului, iar polariza ia temporar este diferit de zero.
Modelul teoreti c simplificat presupune dou stri stabile ale dipolilor: A i
B, n care momentele electrice au aceai direci e cu a cmpului electri c aplicat,
dar sensuri opuse. Aceasta ipoteza nu exclude posibilit atea existenei unor stri
diferite de strile A i B, doar c aceste stri sunt presupuse mai puin probabile.
n fig. 1. 11 sunt reprezentate diagramele electrice corespunztoare
diferitelor stri, n absena sau n prezena cmpului electric exterior. n absena
acestuia, cele 2 stri sunt egal probabile, ele fiind separate printr-o barier de
potenial W
o
. Numrul de momente electrice din starea A este egal cu cel
corespunztor strii B, n momentul iniial, cnd se aplic cmpul exterior, sau:
N
A
(0)=N
B
(0)=N/2, (1. 48)
unde N reprezint numrul total de stri A i B.
n prezena cmpului electri c exterior, cu orientare identic cu cea a
momentelor din starea B, bariera de potenial se micoreaza cu W
e
, favoriznd
tranzi iil e momentelor electrice din starea A n starea B. Energia W
e
reprezint
lucru mecanic efectuat de cmp pentru a modifica orientarea momentului electri c
din starea A n starea B. Astfel, numrul momentelor din starea B va fi superior
celui corespunztor strii A, sau:
( ) ( ) t N t N
A B
> (1. 49)
inegali tatea fiind cu att mai pronunat, cu ct intensitatea cmpului electric este
mai ridicat.
Aplicnd sistemului de momente electrice elementare statistica Boltzmann,
rezult c diferena ( ) ( ) t N t N
A B
variaz exponenial cu timpul [Ct].
Polarizabili tat ea sistemului de momente electrice variaz n timp
proporional cu aceast diferen, conform unei relaii de forma:
( ) ( )
' '
0


t
e t
, (1. 50)
unde:
( ) t
este polarizabilitatea la momentul iniial, iar
' '

este constanta de
relaxare.
13
fi g. 1. 11 Rel i eful de pot en i al pent ru un di el ect ri c cu 2 st ri st abi l e:
(a) - fr cmp el ect ri c ext eri or; (b) - n prezen a cmpul ui
el ect ri c ext eri or cu ori ent are di pol ar. [Ct ]
Introducnd relaia (1. 50) n relaia (1. 28), care se aplic i dielectricilor
cu polarizare de orientare, se obine:
( )
( )
' '
' '
0
1
0
0
' '






j
e
r
t j
t
r r
+
+ +


, (1. 51)
Prin identifi care cu relaia (1. 15), pentru un dielectric fr pierderi prin
conducie rezult:
( )
2
' '
'
1

+

r
r r , (1. 52)
( )
2
' '
' '
' '
1




+

r r , (1. 53)
( )
( )
2
' '
' '

r
st r
r
tg
, (1. 54)
unde:

r
st r
r

.
Pentru un dielectric cu pierderi prin conducie, relaia (1. 53) se
complet eaz cu valoarea corespunztoare pierderilor prin conducie dat de
relai a (1. 46). Astfel, expresiile componentelor permit ivitii relative complexe i
tangentei unghiului de pierderi, sunt de forma:
( )
2
' '
'
1

+

r
r
r
, (1. 55)




st r
r r
+
+

2 , ,
, ,
, ,
) ( 1
, (1. 56)
] ) ( [
] ) ( 1 [
2 , ,
2 , , 2 , ,

+
+ +

r st r
r st r
tg , (1. 57)
Pe baza relaiilor (1. 52) i (1. 57), verificate experimental, rezult schemele
echivalente ale condensatoarelor cu i fr pierderi prin conducie, reprezentate
n fig. 1. 12.
14
fi g. 1. 12 Schema echi val ent a condensat orul ui cu di el ect ri c cu pol ari zare de ori ent are:
(a) fr pi erderi pri n conduc i e i (b) cu pi erderi pri n conduc i e. [Ct ]
1. 5. 2. Dependena de frecven i temperatur a permitivitii relative
complexe pentru dielectrici i cu polarizare de orientare i pierderi prin
conducie
Din diagramele reprezentate n fig. 1. 13, stabilite pe baza relai ilor (1. 55),
(1. 57), se observ c la temperatur constant, permitivit atea real descrete
monoton cu frecvena, datorit ineriei orientri i momentelor element are atunci
cnd frecvena crete. La frecvene ridicate, dielectricul are permitivit ate real
r
, datorat exclusiv polarizri i de deplasare electronic.
Tangenta unghiului de pierderi este puternic dependent de frecven.
Primul maxim corespunde regimului staionar (=0) i este datorat pierderilor
prin conducie, iar al doilea maxim este datorat pierderilor prin polarizare.
Permitivit atea real n regim staionar scade pronunat cu temperatura dup
legea Curie:
c
c
st r
T T
T

. (1. 58)
fi g. 1. 13 Dependen a de frecven l a t emperat ur const ant a permi t i vi t i i
real e i a t angent ei unghi ul ui de pi erderi pent ru di el ect ri ci i cu
pol ari zare de ori ent are i pi erderi pri n conduc i e. [Ct ]
n figurile (1. 14) i (1. 15) sunt reprezentat e diagramele de variaie ale
permitivitii reale i tangentei unghiului de pierderi cu frecvena i temperatura.
15
fi g. 1. 14 Dependen a de frecvent l a dou t emperat uri di feri t e a permi t i vi t i i
real e i a t angent ei unghi ul ui de pi erderi , pent ru di el ect ri ci i cu
pol ari zare de ori ent are i pi erderi pri n conduc i e. [Ct ]
La frecvene mici i medii, permitivitatea real, prezint o puternic
dependen de temperatur, iar la frecvene ridicat e, devine preponderenta
contribui a polarizrii de deplasare electronic, care se modific nesemnificat iv
cu temperatura. Interseciile caracteristicilor pentru diferite temperaturi presupun
o dependen neunivoc. Astfel, mrimil e la un moment dat, depind de evoluia
anterioar, comportarea dielectricului fiind diferit la creterea, respectiv
scderea temperaturii.
fi g. 1. 15 Dependen a de t emperat ur l a frecven const ant a permi t i vi t i i
real e i a t angent ei unghi ul ui de pi erderi pent ru di el ect ri ci i cu
pol ari zare de ori ent are i pi erderi pri n conduc i e. [Ct ]
Tangenta unghiului de pierderi prezint un maxim datorat pierderilor prin
polarizare i crete exponenial la temperaturi ridicate, datorit pierderilor prin
conducie.
1. 6. Rigiditatea dielectric
Rigiditatea dielectri c
d
R
, sau intensitatea cmpului electric la care are
loc strpungerea
str
E
, este prin definiie, tensiunea la care se strpunge
dielectricul raportat la grosimea dielectri cului sau distana dintre electrozi i
aplicai pe suprafaa dielectri cului. Rigiditatea dielectric are o dependen
puternic de form geometric a electrozilor, care stabilete configurai a i
gradul de neuniformitate a cmpului electric.
1. 6. 1. Rigiditatea dielectrici lor gazoi
Strpungerea dielectricilor gazoi are loc atunci cnd energia cinetic a
purttorilor de sarcin: electroni i ioni, accelera i n cmpul electric, este
suficient pentru a produce ionizarea prin ciocnire a moleculelor gazului.
Presupunem, aa cum se ilustreaz n fig. 1. 16a, c o particul ncrcat cu
sarcin electric q, se deplaseaz pe direci a cmpului E , considerat constant,
parcurgnd distana
1
S
, n timpul
1
t
i
2
S
n timpul
2
t
. Fora care acioneaz
16
asupra particul ei are expresia:
ma Eq F
, (1. 59)
unde: m este masa particul ei, iar a este accelerai a ei.
fi g. 1. 16 Parcursul l i ber mi j l oci u al unei part i cul e ncrcat e el ect ri c (a) i
dependen a ri gi di t i i aerul ui de di st an a di nt re el ect rozi pl ani , l a
presi une i t emperat ur normal e (b).
Viteza particul ei depinde de timpul n care acioneaz cmpul electric
asupra ei i are expresia:
m Eqt t a v / ) (
(1. 60)
Presupunnd c la momentul t=0 are loc o ciocnire a unei particule
ncrcat e electri c cu o molecul a gazului, care are ca efect eliberarea unui
electron. Energia cinetic a electronului, proporional cu viteza lui, pn n
momentul unei noi ciocniri are valoarea cu att mai ridicat cu ct parcursul liber
mijlociu este mai mare.
Dependena rigiditii aerului de distana dintre electrozi, de form plan
este reprezentat n fig. 1. 16b.
Creterea presiunii gazului determin micorarea parcursului liber mijlociu,
scderea energiei dobndite ntre dou ciocniri succesive, scderea posibilit ii
de ionizare a gazului i creterea rigiditi i. n cmp electric uniform i electrozi
plani, rigiditatea aerului la presiunea de 1atm. este: R
d
=30kV/cm, iar la 10atm. ,
R
d
=300kV/cm.
Din curbele Pachen (fig. 1. 17a) se observ c exist o tensiune minim
aplicat electrozilor sub care strpungerea nu mai este posibil, indiferent de
presiune sau distana dintre electrozi. Valoarea acestei tensiuni este cuprins
ntre 280 V i 420 V, pentru aer fiind 350 V.
Rigiditatea dielectric a gazelor n cmp omogen depinde de frecven.
Aceast dependen este reprezentat pentru aer, n fig. 1. 17b. La frecvene
ridicat e rigiditat ea crete pentru c durata procesului de ionizare prin ciocnire
devine comparabil cu semiperioada cmpului electric. Astfel, la un moment dat
1
t t <
(fig. 1. 16a), sensul cmpului electric este inversat i particula ncrcat cu
sarcina electri c, nu va mai parcurge spaiul S
1
corespunztor ciocniri i cu o
molecul a gazului.
n condiii le n care rigiditat ea aerului este mult mai redus dect
rigiditatea unui dielectric solid, apare strpungerea aerului la suprafaa
dielectricului solid, fenomen numit conturnare i care depinde de configuraia i
frecvena cmpului electri c, starea suprafeei dielectricului i presiunea aerului.
17
fi g. 1. 17 Curbel e Pachen pent ru aer (a) i dependent a de frecvent a a ri gi di t i i
aerul ui (b). [Ct ]
1. 6. 2. Rigiditatea dielectrici lor lichizi
Strpungerea are loc printr-un mecanism de ionizare prin ciocnire.
Parcursul liber mijlociu fiind mult mai redus dect n dielectrici i gazoi,
rigiditatea dielectri cilor lichizi este crescut, avnd valori de pn la 100 MV/m.
Prezena impuritilor, cu valori diferite ale permitivi t ilor n raport cu
cea a lichidului, determin micorarea rigiditii. Impuriti le se distribuie de-a
lungul liniilor de cmp sub forma unor "lanuri", favoriznd strpungerea.
Pentru cmpuri electrice cu frecven ridicat, pierderile n dielectric, care
sunt importante mai ales la lichide cu polarizare de orientare, produc nclziri
locale, favoriznd strpungerea prin creterea numrului de purttori de sarcin.
1. 6. 3. Rigiditatea dielectrici lor solizi. Tipuri de strpungeri
Dei parcursul liber mijlociu este redus, n cmpuri electrice intense, pot
avea loc ionizri prin ciocniri care conduc la strpungerea prin ionizare a
dielectricului. Mecanismul strpungerii se bazeaz pe multipl icarea n avalan a
purttorilor de sarcin electric i este distructiv.
Din fig. 1. 18 se observ c rigiditatea dielectrici lor polari este crescut
deoarece prezena dipolilor nu favorizeaz eliberarea electroni lor care particip
la strpungere. Dielectrici i nepolari au rigiditate sczut, independent de
temperatur pn la temperatura de topire.
Incluziunile sau neomogenit ile de material, produc concentrri sau
dispersri ale liniilor de cmp electric, favoriznd strpungerea. Strpungerea
prin ionizarea incluziunilor gazoase, n interiorul crora intensitat ea cmpului
electric are valori superioare intensitii cmpului electric din dielectri c, are loc
n materiale cu porozitate.
18
fi g. 1. 18 Dependen a ri gi di t i i de t emperat ura n cazul st rpungeri i el ect ri ce:
1-di el ect ri c pol ar (pol i met acri l at de met i l ); 2 - di el ect ri c nepol ar
(pol i et i l ena).
fi g. 1. 19 St rpunger ea t ermi c a di el ect ri ci l or: dependen a de t emperat ur a
cant i t i i de cl dura dezvol t at a dat ori t a pi erderi l or n di el ect ri c (l i ni e
pl i n) i a cant i t i i de cl dur cedat medi ul ui (l i ni e nt rerupt a) [Ct ].
1. 7. Dielectrici solizi cu polarizare temporar [Ct]
Polarizarea de deplasare exclusiv electronic este destul de rar ntlni t,
apare la polimeri termoplastici cu molecul a neutr, pentru temperaturi inferioare
temperaturii de plasticit ate peste care devin uor deformabili. Permitivit atea real
i tangenta unghiului de pierderi au valori reduse:
'
r
=22, 5; tg

= n 10
-4
, i
prezint stabilitat e cu temperatura i frecvena.
Astfel de materi ale sunt polistirenul, politetrafluoreti lena, polieti lena,
polipropilena.
Dielectricii cu molecula neutr, cu legturi ionice sau parial ionice, poseda
polarizare de deplasare electronic i ionica, au valori relativ ridicate ale
permitivitii reale i valori reduse ale tangentei unghiului de pierderi: tg

= n x
10
-4
, fiind stabile la variaiil e frecvenei sau temperaturi i.
Astfel de materi ale sunt oxizii: SiO
2
(
r
'
=4), Al
2
O
3
(
r
'
=10), Ta
2
O
5
(
r
'
=27), TiO
2
(
r
'
=107), sau combinai i care conin aceti oxizi.
Mica muscovit conine oxizi de siliciu i aluminiu; fiind foarte stabil din
punct de vedere termic, este utilizat pentru fabricarea condensatoarelor.
Mica flogopit are propriet i dielectrice inferioare fa de mica muscovit,
dar stabilitate termica superioar.
Sticla silicat este compus din bioxid de siliciu n amestec cu oxizi ai
metal elor alcaline Na
2
O, K
2
O sau ali oxizi, care determin apariia polarizrii
structurale, implicnd mrirea permit ivitii reale dar i a tangentei unghiului de
pierderi.
Dielectricii ceramici conin oxizi de aluminiu i siliciu n amestec cu oxizi
de bariu BaO sau magneziu MgO. Din prima categorie fac parte ceramica
muliti c, celsiana, corund, iar din a doua categorie, ceramica stealit i spinel.
Aceste materiale sunt utilizate pentru realizarea prilor electroizolant e ale
dispozitivelor electronice. Dielectrici i ceramici care conin oxizi de titan i
zirconiu posed permitivit ate crescut (
,
r
> 20), stabilitate termic i n timp,
fiind utilizai n fabricarea condensatoarelor.
19
Dielectricii cu molecule care au momente electrice proprii, distribuite
aleatoriu n absena cmpului electric exterior, prezint polarizare de orientare.
Performanel e dielectrice caracterizate prin
,
r
i
tg
, sunt reduse, depinznd de
temperatur i frecven, iar pierderile sunt mari.
Astfel de materi ale sunt polimeri cu molecul a liniara care le confer
flexibil itate i elasticitate (policlorura de vinil, polietil entereftal at, poliamide i
polimet anice), precum i polimeri cu molecula spaial, care le confer rigiditat e
mecanic i termic (rini formaldehidice i epoxidice, celuloz).
1. 8. Dielectri ci solizi cu polarizare spontan [Ct]
Polarizarea de deplasare electronic a ionilor reelei cristaline, este
asociat prezenei unui cmp electric cristalin intern. Astfel, dac un ion este
plasat ntr-un centru de simetrie al reelei, asupra sa vor aciona din motive de
simetrie, componente egale i de sens opus ale cmpului intern, iar ionul
respectiv nu posed moment electric propriu. Un ion plasat pe o ax sau ntr-un
plan de simetrie, poate avea moment electric propriu orientat n lungul axei sau n
planul de simetrie.
Polarizarea de deplasare ionic apare datorit necoincidenei centrelor
sarcinilor electrice pozitive i negative ale celulei elementare. Considerm o
celula elementar cu simetrie tetragonal, reprezentata n fig. 1. 20.
Cationul este deplasat cu distanta d
2
de-a lungul axei de simetrie 0z,
rezultnd astfel polarizarea de deplasare ionic. Datorit simetriei reelei, att
cationi i ct i anionii sunt plasai pe axe de simetrie. Sub aciunea cmpului
electric intern, att cationi i ct i anionii au polarizarea de deplasare electronic
pe direcia axei. Astfel, polarizarea de deplasare ionic i electronic au aceeai
direci e i sens, iar cristalul va prezenta polarizare spontan pe direcia 0z, care
este axa de uoara polarizare. Axele de polarizare grea sunt coninute n plane
perpendiculare pe axa de uoar polarizare, sau de polarizare spontan i au
aceeai indici Miller (vezi anexa 1. 1).
Pentru apariia polarizai ei spontane, este necesar ca n interiorul
cristalului forele de interac iune de natur electric s depeasc forele de
natur elastic.
Prin aplicarea unui cmp exterior intens i orientat antiparal el cu
polarizaia spontan, exist posibilitat ea comutri i cationului n poziie simetric
fa de centrul de simetrie al celulei, ceea ce determin modificarea sensului
tuturor momentelor elementare ale ionilor, iar polarizaia spontan a cristalului
va avea sensul cmpului electric aplicat.
Dielectricii cu polarizare spontan prezint o puternic dependen a
polarizaiei de temperatur, scznd cu creterea temperaturii, iar la temperatura
Curie, polarizai a spontan se anuleaz, cristalul avnd doar polarizaie
temporar.
Materialel e feroelectrice, pentru care entropia se modific brusc la
temperatura Curie, se numesc cu tranzii i de ordinul 1, iar cele pentru care
entropia variaz continuu, se numesc cu tranzi ii de ordinul 2. Aceste dependene
sunt reprezentate n fig. 1. 21. La temperaturi superioare temperaturii Curie T
C
,
aceste materi ale nu mai au proprieti feroelectrice.
20
fi g. 1. 20 Cel ul el ement ar cu si met ri e t et ragonal .
fi g. 1. 21 Dependen a modul ul ui pol ari za i ei spont ane de t emperat ur, pent ru
feroel ect ri ci cu t ranzi i i de ordi nul 1 (a) i de ordi nul 2 (b).
1. 8. 1. Materiale feroelectrice [Ct]
a) Structuri de domenii
n funcie de numrul direcii lor prefereniale ale vectorului polarizai e,
materi alel e feroelectrice se clasific n uniaxiale cu o axa de uoara polariza ie i
axe perpendiculare de polariza ie grea, i multiaxiale, n care vectorul polarizai e
are mai multe direcii de uoara polarizare.
Din motive energetice, care vor fi discutate detali at la materialel e
feromagnet ice, polariza ia nu are o distribuie uniform sau aleatoare n volumul
unui cristal feroelectri c, ci se formeaz domenii n care polariza ia spontan
egal cu polarizaia de saturaie, este uniform, domenii separate prin perei de
domenii reprezentai n fig. 1. 22.
Pentru titanatul de bariu BaTiO
3,
cu simetrie tetragonal , a crui structur
de domenii este reprezentat n fig. 1. 22c, grosimea pereilor de 180 este de 2nm,
iar cea a pereilor de 90, care apar n regiunea cubic central, este de10nm.
fi g. 1. 22 Pere i de 180 (a) i de 90 (b) n cri st al e feroel ect ri ce.
Structura de domenii se modific sub influena cmpului electric,
temperaturii i tensiunilor mecanice, ct i n timp.
b) Dependena permitivitii relative complexe de cmpul electric aplicat,
temperatur i frecven.
Partea real a permitivi t ii feroelectricilor are valori foarte mari, de
ordinul zecilor sau sutelor de mii, i prezint o puternic dependen de
temperatur, mai ales n apropierea temperaturii Curie. n fig. 1. 23, sunt
21
reprezentate dependenele componentei reale a permit ivitii, de temperatur i
de cmpul electric aplicat din exterior.
fi g. 1. 23 Dependen a pr i i real e a permi t i vi t i i compl exe de t emperat ur:
feroel ect ri ci cu t ranzi i i de faz de ordi n 2 (a) ; feroel ect ri ci cu t ranzi i i
de faz de ordi n 1 (b); dependen a pr i i real e a permi t i vi t i i
de cmp, n faza neferoel ect ri c (c) .
n faza neferoelectri c, corespunztoare unor temperaturi superioare
temperaturii Curie, permitivitatea real se modific cu temperatura conform unei
relai i asemntoare cu relaia (1. 58):
0
'
T T
A
r


, (1. 64)
unde: A este o constant de materi al.
fi g. 1. 24 Ci cl ul hi st eresi s (a), (b) i dependen a permi t i vi t i i di feren i al e de cmpul
el ect ri c apl i cat , n faza feroel ect ri ca (c) .
n procesul de polarizare corespunztor fazei feroelectrice, polarizaia P,
respectiv inducia electric D, se modific n funcie de intensitatea cmpului
electric aplicat, dup un ciclu de histeresis, reprezentat n fig. 1. 24.
Ciclul histeresis inducie-cmp, este mai nclinat i mai alungit dect ciclul
polarizaie- cmp, care prezint dou segmente orizontal e corespunztoare
saturaiei, cnd toate momentele electrice element are sunt orientat e n direci a
cmpului electric exterior, suficient de intens. Curba de prima polarizai e
presupune polariza ie i inducie iniial nule pentru cmp nul. Starea materi alului
feromagnet ic la un moment dat este caracterizat prin polarizaie, mrime local
sau moment electric, mrime global i cmp electric. n fig. 1. 24, s-au
reprezentat cicluri le de histeresis limit: astfel, numai punctele din interiorul
ciclului de histeresis pot caracteriza starea materi alului la un moment dat, care
depinde de evoluia anterioar a procesului de polarizare. n fig. 1. 24a, sunt
reprezentate cicluri de histeresis minore, care presupun existena unei
componente alternat ive suprapus sau nu, peste componenta continu a cmpului
22
electric exterior.
Pentru ciclul de histeresis, se definesc mrimil e:
Cmpul coercitiv
C
E
, este cmpul electric exterior minim necesar pentru
a produce anularea polarizaiei;
Polarizaia remanent
r
P t
, este polarizaia materialului corespunztoare
absenei cmpului electric exterior;
Polarizaia de saturaie
sat
P t
este polarizaia maxim a materi alului,
orientat n sensul cmpului electric aplicat;
Permitivitatea relativ diferenial, este panta ciclului de histeresis n
punctul considerat:
. 0
'
1
const T
r
E
D
dif

,
_

; (1. 65)
Permitivitatea relativ reversibil este panta ciclului minor care se
sprijin pe un punct plasat pe ciclul de histeresis:
0 0
; 0
0
'
1
lim
D D E E
E
r
E
D
rev



,
_

(1. 66)
i are valoare inferioar permitivi ti i relative difereniale, pentru c axa
ciclului minor este mai puin nclinat dect tangenta n punctul respectiv al
ciclului de histeresis;
Permitivitatea relativ iniial, se definete n originea axelor de
coordonate:
0 ; 0 0
0
'
1
lim
.



,
_

D E
E
r
E
D
in

(1. 67)
Dependena permitivitii relative reversibile de intensitatea cmpului
electric continuu sau alternativ, este reprezentat n fig. 1. 5, iar dependena de
frecvena cmpului electri c este reprezentat n fig. 1. 25a. Permitivitatea
reversibil este constant pn la frecvena de relaxare, care are valoarea de
2GHz, pentru titanatul de bariu. Pentru frecvene inferioare celei de relaxare,
partea imaginar a permitivitii crete aproape liniar cu frecvena (fig. 1. 25b).
Pierderile de energie n materiale feroelectri ce au valori ridicate, fiind
proporionale cu suprafaa ciclului de histeresis i dependente de temperatur.
Astfel, n apropierea temperaturi i Curie, tangenta unghiului de pierderi, este
crescut:
1 , 0 tg

.
fi g. 1. 25 Dependen a de frecven a permi t i vi t i i reversi bi l e real e (a) i a pr i i
i magi nare a permi t i vi t i i feroel ect ri l or (b) .
Pierderile ridicat e impun utilizarea unei scheme echival ente serie pentru un
condensator feroelectric, care este reprezentat mpreun cu diagrama vectorial
asociat, n figura (1. 26).
23
fi g. 1. 26 Schema echi val ent seri e i di agrama vect ori al pent ru un condensat or cu
feroel ect ri c (cu pi erderi semni fi cat i ve).
Tangenta unghiului de pierderi are expresia:
S s
'
r
' '
r
C r tg

(1. 68)
Experimental se constat c valorile
S
C
i
s
r
sunt aproape independente de
temperatur i cmpul electric aplicat. Rezult c dependenele prii imaginare a
permitivitii relative fa de temperatur i cmp, au aceeasi form ca i
dependenel e prii reale, reprezentate n fig. 1. 23.
c) Cristale feroelectrice
Cristalele feroelectrice au structuri de tip perovskit, piroclor sau cu
legatur de hidrogen.
Structura perovskit ABO
3
este reprezentat n figura (1. 27).
Prin A s-a notat un element mono-, bi-, sau trivalent, iar B reprezint un
element tri-, tetra-, sau pentavalent. Aceste structuri au simetrie cubic i conin
cationi metalici n interstiii octaedrice formate din anioni de oxigen. Structurile
tip perovskit pot avea proprieti feroelectrice, numai atunci cnd la temperaturi
inferioare temperaturi i Curie, apar mici deformai i fa de reeaua cubic.
n structurile de tip piroclor 7 2 2
O B A
, reeaua cristalin este format din
octaedri i
[ ]
6
BO
, cu vrfurile comune i uor deformabile. Aceti octaedri
deformai determin apariia polarizaiei spontane.
n structurile cu legatur de hidrogen, polarizai a spontan apare ca o suma
a momentelor electrice dipolare ale legturilor covalent e de hidrogen: A-H,
dipolul astfel format interac ionnd electrost atic cu un alt ion de tip B.
fi g. 1. 27 Cel ul a el ement ar a st ruct uri i perovski t pent ru T>Tc.
1. 8. 2. Cristale lichide [Ct]
Cristalele lichide sunt substane organice cu molecule lungi, cu seciuni
circulare, care se pot roti n jurul axei proprii i care posed moment electric
permanent puternic. Ele formeaz o familie foarte numeroas. Starea de cristal
lichid, caracterizat prin ordonarea moleculelor i anizotropie, se manifest ntre
dou temperaturi de tranzi ie: pentru temperaturi inferioare temperaturi i de
topire, cristalul devine solid, iar pentru temperaturi superioare temperaturi i de
24
limpezire, cristalul devine izotrop. n figura (1. 28) sunt reprezentate cele dou
tipuri de cristale lichide.
n cristale lichide smectice, molecul ele formeaz straturi cu grosime de
aproximat iv 20, n care moleculel e sunt paralele ntre ele. Fa de planul
stratului, moleculele sunt perpendiculare sau nclinate, se pot deplasa n plan, dar
nu se pot deplasa dintr-un plan n altul. n cristalel e lichide colesterice, direcia
de orientare a moleculelor, se modific de la un strat la altul, ntr-o manier
elicoidal. Moleculele se pot deplasa n planul stratului i dintr-un strat n altul.
fi g. 1. 28 Model ul ordonri i mol ecul are: l i chi d i zot rop (a) ; cri st al l i chi d smect i c (b) ;
cri st al l i chi d nemat i c (c) ; cri st al l i chi d col est eri c (d)
Cristalele lichide nematice au de asemenea molecule paralele ntre ele, care
se pot deplasa n toate direci ile. Cristalele lichide nemati ce au doar polarizare
temporar, care se manifest anizotrop, avnd o axa de simetrie care, reprezint
axa de uoar polarizare. Notm cu
r
'

,
r
'

permitivitil e relative complexe n
lungul axei de simetrie, respectiv dup o direci e perpendicular pe axa de
simetrie. Pentru un cmp electric aplicat nclinat fa de planul dipolilor,
expresiile componentelor induciei electrice de-a lungul axei i de-a lungul unei
direci i perpendiculare pe ax, sunt [Ct]:
cos
0
,
// //
E D
r

(1. 69)
s i n
0
,
E D
r

(1. 70)
unde: este unghiul format ntre axa de simetrie i direcia cmpului
electric aplicat.
Cristalele lichide au anizotropi e dielectric pozitiv, dac:
0
, ,
/ /
>
r r

i
negativ n caz contrar.
Pentru minimizarea energiei interne, molecul ele se orienteaz paralel cu
cmpul electric n cristalele lichide cu anizotropie pozitiv i perpendicular pe
liniil e de cmp, pentru cele cu anizotropie negativ.
n straturi subiri, cristalele lichide sunt optic active i posed
birefringen pronunat. Unele structuri de cristal lichid nematic rotesc planul de
polarizare al fluxului luminos liniar polarizat, n funcie de intensitatea cmpului
electric aplicat.
1. 8. 3. Cristale piezoelectrice [Ct]
Efectul piezoelectri c direct este proprietatea unor cristale de a-i modifica
starea de polarizare sub aciunea tensiunilor mecanice, iar efectul piezoelectric
invers este deformarea reelei cristaline sub aciunea cmpului electric.
Interac iunea care transform prin intermediul cristalului, energia electri c n
25
energie elastic i invers, este folosit pentru realizarea unor dispozitive cu und
elastic de volum sau de suprafa.
Din categoria materi alelor utilizat e pentru realizarea dispozitivelor cu unda
elastic de volum, fac parte cuarul ( )
4
SiO i unele cristale feroelectrice cum sunt
titanatul de bariu
( )
3
BaTiO
, sau niobatul de sodiu i potasiu. Cuarul este utilizat
sub form de bare sau plachete paralelipipedice pentru fabricarea rezonatoarelor,
iar cristalele feroelctrice sunt utilizate pentru realizarea filtrelor, traductoarelor
de vibraii acustice, ct i a rezonatoarelor. Frecvena de rezonan depinde de
dimensiunil e cristalului.
Dispozitivele cu und elastic de suprafa utilizeaz undele Rayleigh
polarizate elipti c i atenuate n adncime (vezi anexa 1. 2). Aceste dispozitive
sunt formate dintr-un traductor emitor, care transform semnalul electric n
und elastic, care se propag pe suprafaa unui cristal piezoelectric. Un
traductor receptor transform unda elastic n semnal electric. Cuarul, niobatul
de litiu, germaniatul de bismut, nitratul de aluminiu, sunt doar cteva dintre
aceste materi ale utilizat e la realizarea filtrelor trece band, (pna la frecvene de
ordinul: GHz n ), linii de ntrziere, codoare i decodoare.
1. 8. 4. Electrei [Ct]
Electre ii sunt materiale dielectri ce care prezint polarizaie remanent de
lung durat.
a) Termoelectreii se obin prin nclzirea n cmp electri c a dielectricului
pn la o temperatur apropiat de temperatura de topire. Mobilitat ea sarcinilor
electrice se mrete, producndu-se acumulri de sarcini pe suprafeele
dielectricului. Dipolii se vor orienta dup direcia liniilor de cmp electri c i vor
"nghea" n poziiile lor, prin scderea temperaturii.
Eterosarcina se formeaz prin orientarea dipolilor, sau deplasarea sarcinilor
(fig. 1. 29a)
Omosarcina este sarcina distribuit superficial transferat de la electrozi
prin strpungeri locale ale interstiiului electrod electret, apare n cmpuri
electrice intense i, avnd pondere mai mare dect eterosarcina, stabilete semnul
sarcinii elecetrice superficiale (fig. 1. 29b).
fi g. 1. 29 Formarea sarci ni l or t ermoel ect re i l or: et erosarci ni (a) ; omosarci ni (b).
Electre ii formai n cmp electric sczut (E<0, 5 MV/m), nu prezint
omosarcin (fig. 1. 30a), care scade n timp printr-un proces de relaxare a
dipolilor. Cei formai n cmp electri c intens (E>100MV/m), posed omosarcin
(fig. 1. 30b), care scade printr-un proces de conducie. Electrei i formai n
cmpuri electrice medii, posed att eterosarcin ct i omosarcin, care se
compenseaz la un moment dat.
26
fi g. 1. 30 Vari a i a n t i mp a densi t i i de sarci n a el ect re i l or: t ermoel ect re i forma i n
cmpuri sl abe (a) ; t ermoel ect re i forma i n cmpuri put erni ce (b); t ermoel ect re i forma i n
cmpuri medi i (c) .
b) Fotoelectreii sunt realiza ti din material e fotoconductoare (cum este
sulfura de zinc), plasate n cmp electric i puternic iluminat e.
Dac energia cuantelor de lumin este suficient pentru a transfera
electroni din banda de valen n banda de conducie, aceti electroni sunt captai
pe nivele locale, create prin defecte n reeaua cristalin (fig. 1. 31).
Dup anularea fluxului luminos i a cmpului electric, electronii captai pe
nivele locale produc polarizaie remanent , dar revin n poziii le iniial e prin
nclzirea materialului. Iluminarea distruge instantaneu polariza ia remanent ,
determinnd trecerea tuturor electronilor de pe nivelele locale n banda de
conducie.
fi g. 1. 31 Di agrama ni vel el or energet i ce nt r- un fot el ect ret .
c) Pseudoelectreii se obin prin captarea electronilor radiai ei (format
din electroni) i pe nivelele locale generate prin defecte ale reelei cristaline ale
suprafeei iradiat e (fig. 1. 32).
fi g. 1. 32 St ruct ura pseudoel ect r e i l or.
Cmpul electri c al sarcinii astfel fixate va aciona asupra sarcinii din
electrodul metalic, atrgnd sarcina electric pozitiv pe suprafaa inferioar a
27
materi alului dielectric.
1. 9. ntrebri
1. Definii starea de polarizare a materialelor dielectrice i mrimi le
polarizaie i moment electric i precizai unitil e lor de msur;
2. S se indice criteriul dup care se clasific materi alel e dielectrice i s
se enumere tipurile de materiale dielectrice, precum i semnificai ile mrimilor n
funcie de care se efectueaz clasificarea materialelor dielectrice.
3. Clasificai material ele dielectrice din punct de vedere al relai ei cauzale
ntre cmpul electric i polarizaia temporar i comentai relaia sub aspectul
susceptivitii electrice i al postefectului;
4. Explicai apariia postefectului n materi alel e dielectri ce pe baza
relai ilor i diagramelor asociate;
5. S se explice necoliniaritatea vectorilor inducie electri c i cmp
electric pentru frecvene nalte i apariia postefectului;
6. Analizai curbele de histeresis ale dependenelor: polariza ie- cmp,
respectiv inducie- cmp electric, pentru materi alel e feroelectrice i explicai prin
ce difer cele dou diagrame;
Se are n vedere nclinarea diferit a celor dou tipuri de curbe, datorit
expresiei induciei electrice, care este o funcie de cmpul electric aplicat.
7. Scriei legea de materi al pentru materiale dielectrice, utiliznd mrimi
vectoriale sau complexe i artai motivul pentru care relaia ntre mrimile
complexe este mai susceptibi l interpretrii teoretice;
8. Explicai motivul pentru care vectorii asociai induciei electrice i
cmpului electric nu mai sunt coliniari atunci cnd frecvena cmpului electri c
aplicat materialului dielectri c se mrete;
9. Explicai apariia postefectului n material e dielectrice pe baza relaiilor
i diagramelor i analizai comportarea materialelor dielectri ce atunci cnd
frecvena cmpului electri c aplicat din exterior se mrete;
10. S se argumenteze corectitudinea expresiei permitivitii electrice
complexe din diagramel e fazoriale ale unui condensator cu dielectri c, utiliznd
schema echivalent paralel ;
11. Pentru determinarea componentei reale a permit ivitii relative i a
tangentei unghiului de pierderi a unui material dielectric, se utilizeaz un circuit
cu rezonan de tensiune i un Q-metru. S se stabileasc configuraii le
circuit elor de msurare i algoritmul msurrilor; (vezi anexa 1. 3)
12. Enumerai i comentai tipurile i subtipurile de polarizai i ale
materi alelor dielectrice;
13. S se explice motivul intersect rii caracterist icilor din famili a de
caracteristici ale componentei reale a permitivit i i n funcie de cmpul electric
continuu aplicat, pentru materialele feroelectrice;
14. Definii rigiditat ea dielectric i specifica i condiiil e impuse unui
materi al dielectric cu funcie de izola ie electric;
15. S se deduc relai ile Debye pentru dielectrici i cu polarizare de
deplasare i s se traseze diagramel e stabilite pe baza relaii lor.
R: Cunoscnd expresia polarizabilit ii unui material dielectric cu
polarizare de deplasare i fr pierderi prin conducie:
28
( ) ( ) ( ), cos exp 0
0 0

,
_


t
t
t
unde:

este constanta de timp de


relaxare,
0

este pulsaia de rezonan a particulei ncrcate electric, iar


0


este faza iniial, se vor determina expresiile componentelor permitivit ii
relative complexe. Expresia permitivitii complexe este:
( ) ( )

+
0
" '
exp dt t j t j
r r r r

unde
r

este permitivitatea relativ instantanee, corespunztoare frecven ei


care tinde spre infinit . n expresia permitivitii se introduce expresia
polarizabilit ii, se descompune funcia armonic ntr-o diferen de funcii
armonice i se integreaz expresiile astfel obinute, avnd in final expresia:
( )
. cos
1
1
1
1
2
0
0
0
0
0
0

1
]
1

+
+

j
jtg
j
jtg
r r
Pentru 0
<<
, expresia are forma:
( )
. cos
1
1
1
1
2
0
0
0
0
0
0

1
]
1

+
+

j
jtg
j
jtg
r r
,
sau:
( ) . 0 . c o s
) ( 1
1
0
"
0
2
0
0

+
+
+

r r r s t r
j t d g

Pentru
0

i
, 1
0
>>


expresia permitivitii complexe este:
( )
. cos
2
1
2
1
2
0
0
0
0
0 0
0

1
]
1

,
_

tg j
tg
r r
, sau
( ) ( )
2
0
"
2
0
'
1
2
1
2

+

r
r
r
r r
unde:
0

i:
( )
( )
0
2
0
0
cos
1
1
1
0



tg
r rst r
29
La frecvena de rezonan pierderile de energie care se transform n
cldur i de asemenea
"
r

, care caracterizeaz pierderile de energie, sunt


maxime.
Pentru: 0
>>
, expresia permitivitii complexe este:
( )
( ) ( )
., cos
1 1
1
1
0
0
2
0
2
0

1
1
]
1

+
+
+

+

j
r r
sau:
( )
0
" '
c o s
0


r r r
s i

16. Definii polarizabi lit atea electric i preciza i semnifica ia mrimii i
crui aspect al comportri i materi alului dielectric i corespunde;
17. S se arate care este semnifica ia fizic a polarizabi lit i i i care este
legtura dintre polarizabil itat ea i permit ivitatea real.
Se are n vedere c amplitudinea mrit a coordonatei liniare (a particulei
ncrcate electric), sau unghiulare (a dipolului) n procesul de relaxare la
anularea cauzei perturbatoare (cmp electric), implic polarizabilitate mrit,
ntruct momentul elementar este n raport direct cu deplasarea liniar sau
unghiular fa de poziia de echilibru.
18. Utiliznd schema echivalent paralel a unui condensator cu dielectri c s
se argumenteze asocierea dintre componenta real a permitivi t ii i capacitat ea
dielectricului de a se polariza, precum i asocierea dintre componenta imaginar a
permitivitii i pierderile de putere activ din dielectric;
19. S se stabileasc diagrama puterilor pentru un condensator cu dielectric
utiliznd schema echivalent paralel.
20. S se argumenteze gradul de generali tat e al expresiei permitivitii
relative complexe n funcie de permitivit atea relativ instantanee i
polarizabili tate, expresie care este valabil att pentru dielectricii cu polarizare
de deplasare ct i pentru cei cu polarizare de orientare.
Se are n vedere procesul de relaxare l a anularea cauzei perturbatoare.
21. S se stabileasc ipotezele modelului teoretic al dielectricului ideal cu
polarizare de deplasare i fr pierderi prin conducie;
22. S se compare dou materiale dielectrice diferite din punct de vedere al
polarizabili ti i, avnd n vedere ecuaia de micare, de revenire a sarcinilor
electrice la anularea cmpului electric exterior .
Se va ine cont c un material dielectric are polarizabilitate crescut
atunci cnd pentru acelai cmp electri c aplicat, deplasarea liniar sau
unghiular (pentru dipoli) fa de o poziie de echilibru (n absena cmpului
electric exterior), este mai mare.
23. S se descrie modul n care s-a obinut expresia permitivi t ii relative
complexe n funcie de polarizabili tat e, i s se precizeze motivul pentru care
30
expresia obinut este valabil att pentru dielectrici i cu polarizare de deplasare
ct i pentru cei cu polarizare de orientare;
n cele dou cazuri, expresiile polarizabilit ii sunt diferite, avnd
constante de timp de relaxare diferite, dar procesele sunt asemntoare cu
deosebirea c deplasarea liniar a sarcinilor electrice, sub influena cmpului
electric aplicat se transform n deplasare unghiular pentru dipoli;
24. S se determine expresia conductivitii materi alelor dielectrice solide
n funcie de temperatur.
R: Comportarea materialului dielectri c este similar comportrii unui
material semiconductor. Presupunem cunoscute: limea benzii interzise g
E
,
concentrai ile de electroni din banda de conducie
c
N
i valen
v
N
,
mobiliti le electronilor
n

i golurilor p

, dependenel e de temperatur ale


concentrai ilor de electroni:
5 . 1
T
Cy

i ale mobilit ilor:
5 . 2
,

T
p n

.
La conducia electric particip ambele tipuri de purttori de sarcin, cu
concentrai ile n, p, a cror expresii sunt:
1
]
1

1
]
1


kT
E E
V
kT
E E
C
V F F C
e N p e N n ;
,
unde: k este constanta lui Boltzmann, iar E
F
este nivelul Fermi. Presupunem
nivelul Fermi plasat la mijlocul benzii interzise. n acest caz, expresia
conductivit ii este:
( ) ) 1 ( ,
2

,
_

+ +
kT
E E
p V n C p n
V F
e N N e
unde: e- este sarcina electronului.
Pentru ca:
5 . 2 5 . 1
T si T N . Conductivi tatea se poate scrie sub forma:
T
b
e
T
B

, unde: b i B sunt mrimi independente de temperatur. Aceast
expresie este valabil i pentru dielectrici i solizi. Cu creterea temperaturii,
creterea de tip exponenial a conductivit ii este mai pronunat dect scderea
de tip hiperbolic, n consecin, conductivitatea va crete cu creterea
temperaturii;
25. Un senzor de temperatur este realizat dintr-o plac din siliciu de
grosime 1 i seciune S. Se cunosc: limea benzii interzise g
E
, concentra iil e
de electroni din banda de conducie
c
N
i valen
v
N
, mobilitatea electroni lor
n

i golurilor p

, dependenel e de temperatur ale concentra iilor de electroni :


5 . 1
,
T
C

i ale mobilit i lor:


5 . 2
,

T
p n

. S se determine sensibilitat ea
senzorului dR/dT, dac se cunosc conductivit i ile:
2 1
,
la temperaturi le
.
2 1
T si T
R: La conducia electric particip ambele tipuri de purttori de sarcin,
cu concentraiile n, p; a cror expresii sunt:
( ) [ ], / exp kT E E N n
F C c


( ) [ ], / exp kT E E N p
V F V

unde: k este constanta lui Boltzmann, iar
F
E
este nivelul Fermi.
Presupunem nivelul Fermi plasat la mijlocul benzii interzise. n acest caz,
expresia conductivitii este:
( ) ( ) ) 1 ( , 2 / exp kT E N N e
g p V n C p n
+ +
unde e- este sarcina electronului.
Pentru c
5 . 1
T N i
5 . 2
T
, conductivitatea se poate scrie sub forma:
31

,
_


T
b
T
B
exp
,
unde: B i b sunt mrimi independente de temperatur. Aceast expresie este
valabil i pentru dielectricii solizi. Cu creterea temperaturii, creterea de tip
exponenial a conductivi ti i este mai pronunat dect scderea de tip
hiperbolic, n consecin, conductivitatea va crete cu creterea temperaturii.
ntruct se cunosc valorile
2 1
,
la
2 1
,T T
, rezult:
( ) ( ). / exp / exp ,
ln
2 2 2 1 1 1
1 2
1 1
2 2
2 1
T b T T b T B
T T
T
T
T T
b

,
_

Expresia rezistenei senzorului de temperatur este de forma:


), / exp( T b
S
l
B
T
S
l
R
iar panta de conversie, sau sensibilitat ea senzorului, este:
). / 1 ( exp
1
T b
T
b
BS dT
dR

Valorile conductivi ti ilor pentru cele doua temperaturi se pot calcula din
relaia (1), dac se cunosc concentraiile
c
N
i
v
N
i mobilitil e
n

i p

la
dou temperaturi diferite.
26. S se traseze i s se comenteze diagramele componentelor
permitivitii relative complexe n funcie de frecvena cmpului electric aplicat,
obinute pe baza relaiilor Debye;
27. S se analizeze pierderile prin conducie a materialelor dielectrice
gazoase, lichide i solide, cu diagramele i explicaii le aferente.
28. Utiliznd legile fluxului electric i a conduciei electrice, s se descrie
relai ile rezistenei de pierderi a materi alelor dielectrice cu polarizare de
deplasare i pierderi prin conducie n regim staionar;
29. S se deduc pe baza schemei echivalente a materialelor dielectri ce cu
polarizare de orientare i pierderi prin conducie, expresiile componentelor
permitivitii electrice i a tangentei unghiului de pierderi i s se descrie
dependena acestora n funcie de frecven i temperatur;
30. S se descrie ipotezele care stau la baza modelului teoreti c al
dielectrici lor cu polarizare de orientare i s se pun n eviden deficientele
acestor ipoteze simplifi catoare;
31. Pe baza modelului teoretic al dielectricilor cu polarizare de orientare,
s se stabileasc i s se comenteze comparativ cu expresia analoag pentru
dielectrici cu polarizare de deplasare, expresia permitivi t ii relative complexe;
32. S se determine expresia conductivitii materi alelor dielectrice solide
n funcie de temperatur.
R: Comportarea materialului dielectri c este similar comportrii unui
material semiconductor. Presupunem cunoscute: limea benzii interzise
E
g ,
concentrai ile de electroni din banda de conducie
N
c
i valen
N
V
,
mobiliti le electronilor

n
i golurilor

p , dependenele de temperatur ale


concentrai ilor de electroni:
N T
C V ,
.

1 5
i ale mobilitilor:

n p
T
,
.

2 5
.
La conducia electric particip ambele tipuri de purttori de sarcin, cu
concentrai ile n, p, a cror expresii sunt:
32
1
]
1

1
]
1


kT
E E
V
kT
E E
C
V F F C
e N p e N n ;
,
unde: k este constanta lui Botzmann, iar
E
F
este nivelul Fermi.
Presupunem nivelul Fermi plasat la mijlocul benzii interzise. n acest caz,
expresia conductivitii este:
( )

,
_

+ +
kT
E
p V n C p n
g
e N N e
2

, (1)
unde: e este sarcina electronului.
Pentru c:
N T
1 5 .
i

T
2 5 .
, conductivitatea se poate scrie sub forma:

B
T
e
b
T
, unde: B i b sunt mrimi independente de temperatur. Aceast
expresie este valabil i pentru dielectrici i solizi. Cu creterea temperaturii,
creterea de tip exponenial a conductivit ii este mai pronunat dect scderea
de tip hiperbolic, n consecin, conductivitat ea va crete cu creterea
temperaturii.
33. S se traseze i s comenteze dependenele de frecven i temperatur
al componentei reale a permitivi t ii i ale tangentei unghiului de pierderi pentru
dielectrici cu polarizare de orientare i pierderi prin conducie;
34. S se deduc relai ile Debye pentru dielectrici cu polarizare de
orientare i pierderi prin conducie i s se traseze diagramele permit ivitii reale
i a tangentei unghiului de pierderi, stabilite pe baza relaiilor, n funcie de
frecven, pentru diferite temperaturi ;
R: Cunoscnd expresia polarizabilit ii unui material dielectric cu
polarizare de orientare i fr pierderi prin conducie

,
_


t
t exp ) 0 ( ) (
;unde

este constanta de timp de relaxare, se vor determina expresiile componentelor


permitivitii relative complexe.
Expresia permitivitii relative complexe este:
( ) ( )

+
0
" '
exp dt t j t j
r r r r

unde
r

este permitivitatea relativ instantanee, corespunztoare frecven ei


care tinde spre infinit.
Permitivitat ea relativ n regim staionar sau pentru frecven nul se
noteaz cu rst

iar
0 >
r rst r

, pentru c pe msur ce frecvena se mrete
apar pierderi prin polarizare. n expresia permitivi ti i se introduce expresia
polarizabilit ii i prin identificare rezult:
()
()
()
2
2
"
2
'
1
1

+

+

+
r rst
r
r r
r r
tg
33
Dac se consider un dielectric cu pierderi prin conducie i polarizare de
orientare, n expresia componentei
"
r

mai apare un termen corespunztor


pierderilor de putere prin conducie:
( )
p
rst
r r

+
+

2
"
1
,
unde:

rst p 0 , iar tangenta unghiului de pierderi are forma:
( ) [ ]
[ ]
2
2
2
'
"
) (
1

+
+ +

r rst
r rst
r
r
tg
Prin anularea derivatei tangentei unghiului de pierderi se obine maximul
datorat pierderilor prin polarizare, pentru:

r
rst

1
35. S se stabileasc relai ile Debye pentru materiale dielectri ce cu
neomogenit i ;
R: Se vor determina componentele permitivi ti i relative complexe ale unui
material dielectric poros introdus ntre armturile unui condensator, care are in
vid capacitat ea C
0
. Condensatorul cu dielectric poros se consider ca fiind
format din dou condensatoare cu dielectrici omogeni nseriate, a cror
capacit i i rezistene de pierderi sunt cunoscute.

Admitana schemei echivalente are expresia:
34
( ) ( )
( )
0
" '
2 1
2 1
1
1 1 1
C j j
j
j j
R R
Y
r r

+
+ +

unde:
: ,
2 2 2 1 1 1
forma are iar C R C R


( )
2 1
2 1
2 1
C C
R R
R R
+
+

Prin identif icare se obin expresiile componentelor permitivit ii relative


complexe:
( )
( )


rst
r r
r
r r
+
+

+

2
"
2
'
1
1
unde:
( )
( )
( )
( )
2 1 0
2 1
2 1 0
2 1
2 1 0
1
,
1
R R C
R R C
R R C
rst
r
rst
+

+ +
+

Alt variant de rezolvare se obine considernd schema echivalent serie.


Relai ile de legtur ntre componentele R p , C p ale schemei echivalent e i
componentele R
S
, C
S
ale schemei echivalent e serie sunt:
( ), 1
sin
2
2

tg C C
R R
p S
p S
+

unde:
( ) .
1 2
S S p p
R C R C tg


Admitana schemei echivalente serie, este de forma:
( ) ,
1
0
" '
C j j
C R j
C j
Y
r r

+

unde:
( ) ( )
( ) ( )
.
.
1
1
1
1
2
2 2
2
2
1 1
1
2
2 2
2
2
1 1
1
R C
R
R C
R
R
R C
C
R C
C C


+
1
]
1

+ +
1
]
1

+
35
Prin identif icare se obin expresiile componentelor
'
r
i
.
"
r

36. S se explice motivul pentru care caracterist icil e din familia de


caracteristici
( ) ( ) f tg f
r
;
,
- cu parametru temperatur, se pot intersecta,
rezultnd din punct de vedere matemat ic: nedeterminarea procesului fizic;
37. S se traseze i s se explice pentru dielectricii gazoi alura
caracteristicilor rigidit i i dielectrice n funcie de distana dintre electrozi,
forma electrozi lor, presiunea i frecvena semnalului de tensiune aplicat
electrozilor;
38. S se analizeze strpungerea dielectricilor solizi prin ionizare proprie i
a incluziunilor gazoase;
39. S se analizeze pe baza relaii lor i diagramelor, strpungerea termic a
dielectrici lor solizi;
40. S se argumenteze pe baza relaiilor i diagramelor asociate
strpungerii termice a dielectricilor solizi, modalitile de evitare a acestui tip de
strpungere electri c;
41. Enumera i tipurile i subtipurile de material e dielectrice cu polarizare
de deplasare temporar i spontan i precizai propriet ile caracterist ice acestor
materi ale dielectrice;
42. Explicai natura polarizai ei spontane de deplasare ionic utiliznd
pentru exemplificare o structur elementar cu simetric tetragonal, apariia
cmpului electric intern i efectele acestuia asupra polarizri i de deplasare
electronic;
43. S se exemplifice i s se motiveze apariia polarizrii de deplasare
ionic n dielectri ci solizi cu polarizare spontan, precum i procesul de comutare
a sensului polarizai ei sub influena cmpului electri c exterior;
44. Explicai comportarea materialelor feroelectrice n funcie de
temperatur i cmpul electric aplicat, pe baza diagramelor polariza iei, respectiv
ale componentei reale a permitivitii electrice;
45. Prin ce se aseamn materialele feroelectrice n faza neferoelectri c cu
materi alel e dielectrice cu polarizare de orientare;
46. Analizai i comparai curbele de histeresis
( ) ( ) E f D si E f P

pentru materi ale feroelectrice i stabilii pe baza diagramelor, componentele reale
ale permitivit ii electrice;
47. Cunoscnd ciclul de histeresis limit pentru un material feroelectric, s
se traseze cicluri le de histeresis minore atunci cnd peste componenta continu-
pozitiv sau negativ a cmpului electric aplicat, se suprapune i o component
alternativ;
Se cere s se traseze diagrama P(E) sau D(E), tiind c toate punctele de
stare ale materialului care se afl n interiorul ciclului de histeresis limit i se
consider cazurile n care peste componenta continu a cmpului (care stabilete
un punct situat pe curba de prim polarizare, pe ciclul limit sau pe un ciclu
minor cuprins n interiorul ciclului limit), se aplic i o component variabil
n timp (dup o lege armonic), care determin deplasarea punctului de st are pe
un ciclu minor.
36
48. S se motiveze relai a de inegali tat e dintre permitivi tat ea real
difereni al i cea reversibil, pentru un materi al feroelectric;
49. S se argumenteze forma diferit a dependenelor induciei electrice,
respectiv polarizai ei electri ce n funcie de cmpul electric aplicat unui materi al
feroelectric;
Se are vedere nclinarea diferit a celor dou tipuri de curbe, datorit
expresiei electrice, care este o funcie de cmpul electric aplicat.
50. Descriei comportarea materialelor feroelectrice pe baza dependenelor
componentei reale a permitivitii electrice de cmpul electric exterior: alternat iv
i continuu, precum i pe baza dependenei de frecvena cmpului electric aplicat;
51. Analizai pierderile de energie din materialele feroelectri ce: de care
mrimi depind aceste pierderi i explicai pe baza schemei echivalent e a
materi alului feroelectric i pe baza constatri lor experiment ale similitudinea
alurii dependenelor componentelor imaginare i reale ale permitivit i i, de
temperatur i cmpul electric aplicat;
52. S se specifice mrimea de care depind preponderent pierderil e de
energie n material ele feroelectrice mult mai ridicate dect la materi ale
dielectrice;
53. Enumerai tipurile de cristale lichide i precizai caracteristicile acestor
materi ale i efectele electrooptice pe care le prezint;
54. Descriei procesele care au loc ntr-un cristal piezoelectri c utilizat n
dispozitive cu und elastic de volum i se suprafa;
55. Descriei structura i modul de funcionare a unui filtru trece-band cu
und de suprafa, preciznd care sunt caracteristi cil e distinctive ale acestui
dispozitiv;
56. Explicai cum se genereaz eterosarcina i omosarcina electrei lor i
modul n care se modific densitatea de sarcin superficial i polarizai a
remanent n timp.
57. Explicai procesul de distrugere instantanee prin iluminare a
polarizaiei remanente a fotoelectreilor.
1. 10 Probl eme
1. Un condensator plan, avnd ca material dielectric ntre armaturi,
ceramic muliti ca cu coninut de bariu, cu
'
r
=7, 3, distanta dintre armaturi fiind:
d=1cm, functioneaza la o tensiune aplicata de 12KV. Datorita unui soc mecani c,
la una dintre armaturi s-a creat un interstitiu de aer, cu grosime =0, 5mm. Sa se
calculeze valoarea cmpului electric n interiorul condensatorului n cele doua
situatii si sa se determine ordinea de strapungere n cazul n care strapungerea are
loc. Se cunosc rigiditatile aerului si ceramicii: E
st r . aer
=3MV/m, E
st r . cer ami ca
=19MV/m.
Rezolvare:
Tensiunea aplicata armaturilor are expresia:
37
U
12
=

2
1
E
dl =Ed
de unde rezulta:
E =
ceramica . str
2
3
12
E m MV 2 , 1
10
10 12
d
U
<


si condensatorul nu se strapunge.
Pentru condesatorul cu intersti tiu de aer, tensiunea aplicat a armaturi lor,
este:
U
12
=

2
1
E
dl =E
0
+ dE
Din legea fluxului elctri c rezulta teorema continui tati i inductiei electri ce
pe suprafete normale pe directia cmpului electric:
D
0
=
0
E
0
=
0

'
r
E =D
Rezolvnd sistemul de ecuatii, rezulta:
E =
ceramica str
r
E m MV
d
U
.
'
12
879 , 0 <
+
,
E
0
=
'
r
E = 6, 4
aer str
E m MV
.
>
Interstitiul de aer se va strapunge si sub actiunea arcului electric se va
deteriora n timp dielectricul ceramic si n final se va distruge condensatorul.
Este de subliniat pericolul existentei interstit iilor de aer, chiar si uniforme si cu
att mai mult neuniforme, in interiorul spatiului dintre armaturi.
Presupunem ca se aplica condensatorului tensiunea U = 12KV, si ulterior se
ntrerup conexiunile bornelor sursei de tensiune cu armaturi le condensatorului. Se
va analiza si n acest caz efectul intersti tiului asupra strapungerii ansamblului.
Daca suprafata armaturilor este S si sarcina electrica acumulat a pe armaturi
este q, capacitatea condensatorului fara intersti tiu de aer, este:
C =
U
q
=
0
'
r

d
S
iar capaci tatea condensatorului cu interstitiu de aer, are expresia:
C = '
r
d
1
C

+
Intruct sarcina electrica acumulata pe armaturi nu se modifica, trensiunea
la armaturile condensatorului cu interstitiu de aer are expresia:
U =
' C
q
= U(1 +
d

'
r
) .
S-a constatat ca pentru tensiunea U = 12KV aplicat a condensatorului cu
interstit iu de aer, aerul se va strapunge. Cresterea de tensiune datorita aparitiei
interstit iului implica o crestere supliment ara a cmpului n interstitiul de aer:
E
'
0
=
'
r
d
U
+
(1 +
d

'
r
) .
Prin urmare strapungerea aerului va avea loc si n acest caz.
2. Dielectricul dintre armaturile unui condensator plan cu suprafata
armaturi lor S= 100cm
2
si distanta dintre ele: d=10m, este o folie din
38
polistiren, fara interstiti i de aer, cu:
'
r
= 2, 5, =10
10

m, E
s t r
=30MV/m. Sa se
calculeze puterea activa dezvoltata prin conductie electrica pentru o tensiune
continua aplicata condensatorului : U =200V.
Rezolvare:
Initial se verifica daca nu se strapunge condesatorul la tensiunea aplicata.
E =

d
U
20
str
E m MV <
Densitatea de curent se determina cu expresia:
J =
2 3
m A 10 2 E E


Puterea dezvoltata prin conductie electrica se determina in doua moduri:
a) Puterea activa specifica dezvoltata in unitatea de volum, are expresia:
p = J E = 4
3 4
m W 10
,
iar puterea activa este:
P=pSd=4 W 10
3

b) Curentul de conductie prin rezistenta echival enta paralela a


condensatorului este:
I=JS=2 10
- 5
A , iar rezistenta echivalenta are expresia:
R =

7
10
S
d
.
Rezulta pierderile de putere activa, care se transforma in caldura:
P
a
=RI W 10 4
R
U
3
2
2
.
In conditii stationare, pierderil e de putere activa se datoreaza exclusiv
curentilor de conductie si prin urmare sunt minime.
3. Sa se considere aceeasi problema n conditii le n care tensiunea aplicata
condensatorului nu este continua ci alternativa, iar tangenta unghiului de pierderi
este: tg

= 4 10
- 4
. Sa se calculeze puterea activa dezvoltata n condensator
pentru o tensiune: U
e f
=200V la frecventa de 5KHz si modulul permitivi tat ii
relative complexe.
Rezolvare:
Valoarea efectiva a unei marimi sinusoidale se determina prin echivalarea
marimi i sinusoidale cu aceeasi marime - dar continua, care produce aceeasi
disipatie de putere ntr-un rezistor a carui rezistenta este data. In curent
alternativ, pe lnga pierderile prin conductie apar si pierderi prin polarizare
electrica. Consideram schema echivalenta paralel si diagramele fazoriale
asociate.
Se determina componentele schemei echivalente paralel:
39
F
d
S
C
r
p
9
,
0
10 22




6
10 62 , 3
1

tg C
R
p
p
Puterea activa dezvoltat a n rezistent a este:

W
R
U
P
p
a
3
2
10 11


Se observa ca puterea disipata n curent alternativ este superioara celei
dezvoltate n curent continuu.
Modulul permitivitat ii complexe se detrmina din relatia:

5 , 2 1
, 2 , 2 , , 2 ,
+ +
r r r r r
tg

Diagrama puterilor este un triunghi asemenea triunghiului curentilor, din
care s-a obtinut, cu deosebirea ca laturile triunghiului sunt segmente de dreapta a
caror lungime corespunde puterii respective.
4. O baterie de condensatoare de putere, destinata compensarii factorului de
putere: cos , functioneaza la o tensiune alternat iva: U=220 V si frecventa: f=50
Hz, fiind parcursa de un curent: I=10 A. Uleiul folosit ca dielectric se
caracterizeaza prin:
4
10 300

tg
, 2 , 2
'

r
si
m MV E
str
/ 20
. Sa se calculeze
valoarea capacitat ii si cresterea de temperatura, atunci cnd se aplica
condensatorului o tensiune corespunzatoare cmpului electri c:
10 /
str
E E
.
Puterea disipata se degaja prin convectie cu coeficientul :
C m W
k

2
/ 10
.
Condensatorul este de forma paralel epipedica si constructie interdigital a avnd
suprafata armaturilor:
2
1m S si distanta dintre armaturi:
mm d 675 , 0
.
Rezolvare:
Consideram schema echival enta paralel a condensatorului.
Tangenta unghiului de pierderi are expresia:

p p r
a
C R UI
UI
P
P
ctg tg


1
sin
cos

.
Stiind ca:
2 2 2
r a
P P S +
,
rezulta:
W P
a
97 , 65
VAr P
r
2199
Rezistenta echival enta de pierderi a schemei este:
734
2
a
p
P
U
R
,
40
iar valoarea capacitat ii rezulta din expresia tangentei unghiului de pierderi:
F
d
S
tg R
C
tot r
p
p
6
'
0
10 145
1





.
Suprafata totala a armaturi lor este:
2 3
'
0
10 55 , 4 m
d C
S
r
p
tot


,
iar grosimea condensatorului este egala cu numarul de armaturi nmulti te
cu distanta dintre ele:
L =
1 , 3 d
S
S
tot

m
Suprafata exterioara a condensatorului prin care se degaja puterea activa
disipata, considernd suprafetele S, de forma patrata, este:
S
ext
=2S+4L S
4 , 14
m
2
Cresterea de temperatura, sau diferenta ntre temperatura
e
, de echilibru
termic si temperatura mediului ambiant
o
, este:
(
e
-
o)
=
k ext
d
S
P

= 0, 48
o
C
Pentru dimensiunile relativ mari ale condensatorului, cresterea de
temperatura este nesemnificat iva.
5. Un materi al dielectric cu polarizare de orientare si piederi prin
conductie, are rezistivi tatea =10
11
cm si tangenta unghiului de pierderi
tg

=300 10
- 4
la frecventa f=1MHz. Cunoscnd valoarea permit ivitatii relative
statice:
r s t
=4, 5 si instantanee:
r
i
=3, 8, sa se determine constanta de relaxare

si pierderil e de putere activa ale unui condensator plan paralel cu suprafata


armaturi lor: S=100cm
2
si distanta dintre armaturi, sau grosimea dielectricului:
d=10m, alimentat la o tensiune: U=100V, cu frecventa: f=1MHz.
Rezolvare:
Relatiil e utilizate sunt:
2
r
r
'
r
) ( 1
i

+

+
,




st
r
r r
+
+

2
' '
) ( 1
,
'
' '
r
r
tg


,
unde:
i st
r r r

, iar

st
r 0 corespunde pierderilor prin conductie.
Notnd:
x

, din expresia tangentei unghiului de pierderi, a carei


valoare este cunoscuta, rezulta doua valori pentru constanta de relaxare

:
s 10 945 , 0
6
1

; s 10 032 , 0
6
2

.
Avnd n vedere modul n care s-a definit constanta de relaxare n cadrul
modelului teoreti c al dielectri cului, valoarea mai mare a constantei de relaxare
este conforma cu realitat ea fizica.
Pierderile specifice de putere activa n dielectricul dintre armaturil e
41
condensatorului se determina considernd schema echivalent a paralel a
condensatorului, pentru care:
4
10 300
1


p p
R C
tg

.
Pentru frecventa relativ ridicata: f=1MHz ,
i
r
'
r r

, iar capaci tatea
schemei echival ente paralel, este:
F 10 5 , 33
d
S
C
9
r 0
p
i


.
Rezistenta de pierderi rezulta:

2
p
p
10 58 , 1
tg C f 2
1
R
,
iar pierderil e de putere activa sunt:
W 5 , 63
R
U
P
p
2
a

.
In curent continuu, rezistenta echivalenta de pierderi este:

8 '
p
10
S
d
R
;
iar pierderil e de putere activa sunt:
mW 1 , 0
R
U
P
'
p
2
'
a

.
Din analiza dependentelor componentelor permitivi tat ii relative complexe
de produsul dintre frecventa si constanta

sau

au rezultat formele
simplificate ale expresiilor acestor componente pentru frecventa f=1MHz. Se
observa ca tangenta unghiului de pierderi ca si pierderil e de putere activa au
valori ridicate pentru aceasta frecventa.
6. Consideram un condensator cu armaturi plan paralele, avnd suprafetele
de forma patrata: S=100cm
2
si distanta dintre armaturi : d=1mm. Dielectricul
dintre armaturi se caracterizeaza prin:
1
=10
8
m la T
1
=300K si
2
= m 10 1 , 1
8
, la
T
2
=400K, E
s t r
=10MV/m,
t opi r e
=130 C. Condensatorului i se aplica o tensiune U,
lent crescatoare. Sa se precizeze care tip de strapungere apare mai nti: cea
electrica sau cea termica. Se considera ca puterea disipata se degaja exclusiv prin
convectie termica, cu
k
= 10W/m
2
C.
Rezolvare :
Presupunem ca se aplica condensatorului o tensiune U.
Puterea dezvoltata prin conductie si puterea degajat a prin convecti e, au
expresiile:
P
e e
T
A
T
A
cond
e S
d
U
e d S E d S E d S E J

) ( ) (
2
0
2
0
2

,
) T T ( S P
1 e k conv

,
unde: T
e
este temperatura de echilibru stabil.
Constantel e A si
0

, din expresia conductivitatii se determina din valorile


rezistivi tat ii pentru cele doua temperaturi:
300
0
8
1
10
A
e


,
42
400
0
8
2
10 1 , 1
A
e


.
Prin dezvoltarea functiei exponentiale n serie Taylor, se obtine: A=114 si
0

=1, 46 10
- 8
. Cresterea relativa a conductivi tat ii cu temperatura determina
valoare A, n timp ce
0

depinde de valoarea conductivitatii la o temperatura


precizat a.
Presupunem ca tensiunea aplicata condensatorului are valoarea maxima:
KV d E U
str
10
si calculam valorile temperaturi i de echilibru, care corespund
egalit ati i dintre puteri. Expresiile temperaturilor de echilibru sunt:
1
1
]
1

+ t

+
2 2
k
4
max
2
0
1
k
2
max 0 2
1
k
2
max 0
1 e
d
U
) A 2 T (
d
U
2 T
d
U
T
2
1
T
2 , 1
.
Se retine valoarea
K T
e
405
1

, iar valoarea
K T
e
40
2

se considera
necorespunzatoare.
Rezulta ca nainte de a fi atinsa tensiunea corespunzatoare strapungerii
electrice, dielectricul - cu rezistivi tat e redusa, se ncalzest e excesiv si se topeste.
Daca vom
considera un dielectric cu rezistivitate mai mare cu un ordin de marime,
tensiunea maxima admisa nu va determina topirea dielectri cului.
Pentru o rezolvare mai exacta, se pot retine mai multi termeni din seria
Taylor asociata functiei exponential e, sau conductivit atea poate fi exprimata sub
forma:

T
b
e
T
B

,
unde: constantel e B si b se determina n mod similar.
7. Prin masurari la diferite frecvente asupra unui ulei sintetic de
transformator, introdus ntre armaturile unui condensator, a carui capacitate n
aer este: C
0
=1000pF, s-a obtinut o schema echival enta, valorile componentelor
fiind: C
1
=2700pF, C
2
=2300 pF si R
2
=47 . Sa se determine: permitivi tatea
relativa statica si instantanee, constanta de timp de relaxare, pulsatia si frecventa
pentru care tangenta unghiului de pierderi este maxima - datorita pierderilor prin
polarizare si valoarea acestui maxim. Pierderile prin conductie sunt neglijabi le.
Rezolvare:
1 Permitivit atea relativa statica este:
5
0
2 1

C
C C
st r

.
2 Permitivit atea relativa instantanee este:
7 , 2
0
1

C
C
r

.
3 Constanta de timp de relaxare este:
s R C
7
2 2
10 081 , 1

4 Pulsatia si frecventa corespunzatoare valorii maxime a tangentei


unghiului de pierderi, sunt:
s rad
r
rst
m
/ 10 26 , 1
1
7

; Hz f
m
m
6
10 2
2

.
43
5 Valoarea maxima a tangentei unghiului de pierderi este:
313 , 0
2
) (
max

r rst
r rst
tg

.
8. Consideram condensatorul din figura, format din doua straturi dielectrice
"1" si "2", care sunt caracterizate prin permitivi tat ile relative:
1
r

,
2
r

, tensiunile
de strapungere:
1
str
E
,
2
str
E
si tangentele unghiurilor de pierderi:
1
tg
,
2
tg
.
Suprafata armaturilor este S, distanta dintre ele este d, iar k este un numar
cuprins ntre zero si unu. Sa se determine tensiunea maxima care poate fi aplicata
condensatorului si tangenta unghiului de pierderi.
Rezolvare:
Inductia electrica - normala pe suprafata de separatie, se conserva, iar
tensiunea aplicata este suma tensiunilor corespunzatoare celor doua straturi
dielectrice, sau:
d k E kd E l d E U ) 1 (
2 1
2
1
+

2 1
0 2 0 1 r r
E E

unde E
1
, E
2
sunt intensitati le cmpurilor electri ce din interiorul straturilor
dielectrice.
In expresia tensiunii aplicate condensatorului n functie de intensitat ile
cmpurilor electrice E
1
, E
2
din interiorul dielectrici lor, elementul de linie dl , s-a
considerat cu aceeasi directie si sens ca si intensitati le cmpurilor electrice
2 1
, E E .
Consideram:
1
1 str
E E
, rezulta:
2 1 1
/
2 r r str
E E
, iar:
] ) 1 ( [
2
1
1 1
max
r
r
str
k k d E U

+
.
Consideram:
2
2 str
E E
, rezulta:
1 2 1
/
1 r r str
E E
, iar:
)] 1 ( [
1
2
2 2
max
k k d E U
r
r
str
+

Tensiunea maxima care se poate aplica condensatorului are valoarea cea


mai mica dintre cele doua valori obtinute.
Condensatorul poate fi considerat ca fiind format din doua condensatoare
nseriate. Tangenta unghiului de pierderi este de forma:
44
2 1
1 2
2 1
2 1 2 1
2 1
2 1
) / 1 / 1 (
) (
C C
tg C tg C
C C I
R R I
U U
U U
tg
C C
C C
R R
C
s
+
+

+
+

+
+

.
Intruct se cunosc dimensiunile condensatoarelor si permit ivitatil e
dielectrici lor dintre armaturi, rezulta:
2 1
2 1 1 2
) 1 (
) 1 (
r r
C r C r
C
k k
tg k tg k
tg
S

+
+

.
In situatia n care suprafata de separatie dintre dielectrici ar fi paralel a cu
directi a liniilor de cmp, condensatorul se poate considera ca fiind format din
doua condensatoare conectate n paralel.
9. Un condensator este format dintr-un strat de aer si un strat de ulei.
Permitivi tat ile relative si intensitat ile cmpurilor electrice de strapungere pentru
aer sau ulei sunt:
1
0

r

,
7 , 6
1

r

,
m MV E
str
/ 2 , 3
0

,
m MV E
str
/ 30
1

. Cunoscnd
grosimile straturilor:
m d 5 , 7
0

,
m d 5 , 17
1

, sa se determine tensiunea maxima
care poate fi aplicat a condensatorului. Pentru o tensiune crescatoare sa se
precizeze ordinea de strapungere a dielectrici lor. Sa se rezolve problema si n
cazul n care stratul de aer se nlocuieste cu un strat dielectric cu
3
2

r

si
m MV E
str
/ 40
2

.
Rezolvare:
Tensiunea aplicata armaturilor condensatorului are expresia:
1 1 0 0
d E d E U +
,
iar din teorema continuitatii inductiei electrice pe suprafete normale pe
directi a cmpului electric:
1 1 0 0 0 0
1 0
D E E D
r r

,
rezulta ca valoarea intensitat ii cmpului electri c n aer este mai mare dect
n dielectric:
1 0
1
E E
r

, deci n prima instanta se strapunge stratul de aer.
Tensiunea maxima care se poate aplica condensatorului este:
V
d
d E U
r
str
3 , 32 ) (
1
0
1
0 max
+

.
Daca se nlocuieste stratul de aer cu un strat dielectri c, intensitatea
cmpului n dielectric este de asemenea mai mare dect n ulei pentru ca
permitivitatea uleiului are valoare superioara permitivit ati i dielectricului:
1 2
2
1
E E
r
r

.
Prin aplicarea unei tensiuni crescatoare, dielectri cul se strapunge la o
valoare a tensiunii:
45
V d d E U
r
r
str
5 , 612 ) (
1 2 max
1
2
2
+

.
10. Cunoscnd expresia polarizabi lit ati i unui material dielectric cu
polarizare de deplasare si fara pierderi prin conductie:
) cos( ) 0 ( ) (
0 0
/
+

t e t
t

, unde:

este constanta de timp de relaxare,


0


este pulsatia de rezonanta a particulei ncarcata electric, iar
0

este faza initiala,


sa se determine expresiile componentelor permitivi tat ii relative complexe.
Rezolvare:
Expresia permitivit ati i relative complexe este:
dt e t j
t j
r r r r



+
0
" '
) (
unde
r

este permitivitatea relativa instantanee, corespunzatoare


frecventei care tinde spre infinit.
In expresia permitivit ati i se introduce expresia polarizabil itatii, se
descompune functia armonica ntr-o diferenta de produse de functii armonice si
se integreaza expresiile astfel obtinute, obtinndu-se n final expresia:
0
0
0
0
0
cos
) ( 1
1
) ( 1
1
2
) 0 (

1
1
]
1

+ +

+

+
+




j
jtg
j
jtg
r r
.
Pentru:
0
<<
, expresia are forma:
0
0
0
0
0
cos
1
1
1
1
2
) 0 (

1
]
1

+

+

+
+




j
jtg
j
jtg
r r
,
sau:
2 2
0
0 0 0 '
1
cos ) 1 (
) 0 (




+

+

tg
r r r
st
0
"

Pentru: 0

si
1
0
>>


, expresia permitivi tat ii complexe este :
0
0
0
0
0
cos )]
2
1
(
2
1 [
2
) 0 (
+



tg j
tg
r r ,
sau:
2
0 '
) ( 1 2

+

+

r
r r
,
2
0 "
) ( 1 2

r
r
unde: 0

si:
0
2
0
0
'
cos
) ( 1
1
) 0 (
+





tg
r rst r
46
La frecventa de rezonanta piederil e de energie care se transforma n caldura
si deasemenea
"
r

, care caracteri zeaza pierderile de energie, sunt maxime.


Pentru: 0
>>
, expresia permitivit ati i complexe este:
0 2 2
cos
) ( 1 ) ( 1
1
) 0 (
1
]
1

+
+





j
r r
sau:

r r

'
0
0 "
cos

r
11. Cunoscnd expresia polarizabi lit ati i unui material dielectric cu
polarizarea de orientare si fara pierderi prin conductie


/
) 0 ( ) (
t
e t

, unde


este constanta de timp de relaxare, sa se determine expresiile componentelor
permitivitatii relative complexe.
Rezolvare:
Expresia permitivit ati i relative complexe este:

+
0
, , ,
) ( dt e t j
t j
r r r r


unde:
r
este permitivitatea relativa instantanee pentru o frecventa care
tinde spre infinit.
Permitivit atea relativa n regim stationar, sau pentru frecventa nula se
noteaza cu:
st r
, iar 0 >
r st r r
, pentru ca pe masura ce frecventa se mareste
apar pierderi prin polarizare.
In expresia permitivit ati i se introduce expresia polarizabil itatii si prin
identifi care, rezulta:
2
,
) ( 1

+

r
r r ,
2
, ,
) ( 1




+

r r
,
2
) (

r st r
r
tg
.
Daca se considera un dielectri c cu pierderi prin conductie si polarizare de
orientare, n expresia componentei
, ,
r
mai apare un termen corespunzator
pierderilor de putere prin conductie:




st r
r r
+
+

2
, ,
) ( 1
,
unde:

st r 0

, iar tangenta unghiului de pierderi are forma:


47
] ) ( [
] ) ( 1 [
2
2 2
,
, ,

+
+ +

r st r
r st r
r
r
tg .
Prin anularea derivatei tangentei unghiului de pierderi se obtine maximul
datorat piederilor prin polarizare, pentru:

r
st r

1
12. Sa se determine componentele permit ivitatii relative complexe ale unui
materi al dielectric poros introdus nte armaturile unui condensator, care are n
vid capacitat ea C
0
. Condensatorul cu dielectri c poros se considera ca fiind format
din doua condensatoare cu dielectrici omogeni nseriate, a caror capacitat i si
rezistente de pierderi sunt cunoscute.
Rezolvare:
Admitanta schemei echival ente are expresia:
0
, , , 2 1
2 1
) (
1
) 1 )( 1 ( 1
C j j
j
j j
R R
Y
r r


+
+ +
+

unde:
2 2 2 1 1 1
, C R C R
iar

are forma:
) (
2 1
2 1
2 1
C C
R R
R R
+
+

prin identificare se obtin expresiile componentelor permitivitatii relative


complexe:
2
,
) ( 1

+

r
r r ,




st r
r r
+
+

2
, ,
) ( 1
,
unde:
) (
) (
1
3 2 1
2 1 0
+ +
+

R R C
st r ,

2 1
2 1 0
) (
1
R R C
r
+

,
) (
2 1 0
R R C
st r
+

.
Alta varianta de rezolvare se obtine considernd schema echivalenta serie.
Relati ile de legatura ntre componentele R
p
, C
p
ale schemei echivalente paralel si
componentele R
s
, C
s
ale schemei echivalente serie sunt:

2
sin
p s
R R

) 1 (
2
tg C C
p s
+
,
48
unde:
s s p p
C R R C tg


1
.
Admitanta schemei echival ente serie, este de forma:
0
, , ,
) (
1
1
C j j
RC j
C j
Z
Y
r r

,
unde:
1
]
1

+ +
1
]
1

+
2
2 2
2 2
1 1
1
) (
1
1
) (
1
1
R C
C
R C
C C

.
2
2 2
2
2
1 1
1
) ( 1 ) ( 1 R C
R
R C
R
R
+
+
+

.
Prin identificare se obtin expresiile componentelor
, , ,
,
r r
.
13. Pentru o frecventa de rezonanta f*, s-au determinat cu un Q-metru,
valorile capacit ati i variabile si ale factorului de calitate pentru acelasi
condensator cu si fara dielectri c ntre armaturi: C
V0
, Q
0
, respectiv: C
v
, Q. Sa se
determine valoarea permitivitatii electrice a dielectricului utilizat si tangenta
unghiului de pierderi pentru frecventa f*. Factorul de calitat e al bobinei utilizat e
este mult superior factorului de calitat e al condensatorului cu dielectric, iar
valoarea capacit ati i variabile conectata n serie doar cu inductivitatea L, la
frecventa de rezonanta f*, este C
v
*
.
Rezolvare:
Presupunem ca:
( )
LC L
r r
S L
1
4
2
2
<<
+
astfel nct pulsatia de rezonanta

, se
poate considera ca fiind egala cu pulsatia oscilat iilor proprii ale circuitului serie:
2
2
1 1

,
_

+

L
r r
LC LC
S L
.
Aceasta conditie fiind ndeplinita, factorul de calitate al bobinei este:
L L
L
Cr r
L
Q

1

,
iar factorul de calitat e al circuitului rezonant serie este de forma:
( )
L C
L C
L S
circuit
Q Q
Q Q
r r C
Q
+

1
,
sau:
L C circuit
Q
1
Q
1
Q
1
+
.
49
Prin urmare, factorul de calitate al circuitului este egal cu factorul de
calit ate al unei componente, daca factorul de calit ate al celei lalt e componente are
valoare mult superioara.
Pentru cele trei conexiuni, frecventa de rezonanta este aceeasi:
C C 2
1
C C 2
1
LC 2
1
f
V 0 V
*
V
*
0
+

.
Componenta reala a permitivitatii relative se determina din relatia:
0
*
*
0
'
V V
V V
C C
C C
C
C
r


.
Factorii de calit ate ai condensatorului cu si fara dielectric sunt:
( )( ) C C r r
Q
V L S
+ +

1
;
( )
0
0
0
1
C C r
Q
V L
+

.
Presupunnd ca: L S
r r >>
, se poate scrie relatia:
( )
S V L S V
r C r r C
Q Q
* *
0
1 1

,
iar tangenta unghiului de pierdri a condensatorului cu dielectri c, rezulta:
*
*
0
1 1
V
V V
S
C
C C
Q Q
C r tg

1. 11. Anexe
Anexa 1.1. - Reprezentarea mrimilor electrice cu variaie sinusoidal n timp
O mrime care variaz n timp dup o lege armonic
t U u cos
max

, se
poate reprezenta sub forma unui vector care se rotete cu vitez unghiular ,
constant n jurul unui punct de referin. Pentru a obine valoarea instantanee (la
un moment dat) a mrimi i este suficient s proiectm vectorul pe o ax oarecare,
care trece prin punctul de referin i este preferabil ca axa s fie astfel aleas
nct n momentul iniial, proieci a s fie maxim.
ntre mrimi le care variaz dup legi armonice pot aprea defazaje iniiale.
t U t u cos ) (
max


jb a j e M
j
+ + ) sin (cos

50
) cos( ) (
) ( cos ) (
max
max



t I t i
t t I t i
Astfel, curentul poate fi defazat n urma tensiunii pentru c valoarea
maxim a curentului se obine dup un interval t, de timp. Defazajele iniial e se
reprezint n diagramele vectoriale i se pstreaz n timpul rotaiei vectorilor.
Mrimile care variaz dup o lege armonic cu pulsaie sau frecven
f constante, se pot asocia unei mrimi vectoriale sau care se rotete n plan n
jurul unui punct de referin. Dac mrimea vectorial se poate asocia unei
mrimi complexe, o mrime complex nu se poate asocia unei mrimi vectoriale
dect dac se precizeaz centrul de rotaie, care se poate alege pentru
simplificarea reprezentrii, n originea axelor de coordonate.
Avantajul utili zrii reprezent rii cu mrimi complexe, care are centrul de
rotaie precizat, este cel al transformrii ecuaiilor integro-difereni ale n ecuaii
algebrice, ntruct operaii le de derivare i integrare se transform n nmul iri
sau mpriri cu j. Pe de alt parte, mrimile complexe se pot nmuli sau
mpri i se preteaz analizei n domeniul frecven, n timp ce reprezentril e
sub form de funcii armonice se preteaz analizei n domeniul timp.
Dac o mrime care variaz n timp dup o lege armonic se asociaz unei
mrimi complexe
M
, cu modul
M
i defazaj iniial
t
. Valoarea
instantanee se obine prin proiecia mrimi i complexe pe axa real. nmulirea cu
j a numrului complex, are ca efect defazarea naine cu /2 a segmentului OP,
care va ocupa poziia OP, iar nmulirea cu j determin defazarea n urm cu
/2 astfel nct poziia segmentului OP va fi OP. nmulirea cu un numr real
(supraunitar sau subunitar) nu modific unghiul ci doar modulul mrimii
complexe. Mrimile complexe reprezentate n planul complex sunt segmente care
formeaz ntre ele diferite unghiuri. Prin nmulirea sau mprirea cu un numr
complex, a mrimilor complexe care formeaz o diagram n planul complex,
unghiurilor segmentelor fa de axa de referin cresc sau scad cu acelai unghi:
) (
n m n m
j
n m
j
n
j
m
e e e N M


+

Din diagrama tensiunilor sau curenilor, se pot obine diagramel e puterilor,
impedan elor sau admitanelor. Pentru a transforma de exemplu, triunghiul
impedan elor n triunghi al admitanelor este necesar s se transforme n prima
etap, schema echivalenta serie n schema echivalent paralel, iar n etapa a doua,
s se traseze diagrama curenilor i s se mpart mrimil e complexe cu mrimea
complex corespunztoare tensiunii de alimentare. Prin nmulirea sau mprirea
cu j, diagramele se rotesc cu /2 n sens orar, respectiv invers orar.
Anexa 1.2. - Reele Bravais
51
Celula Bravais este definit prin vectorii
3 2 1
, , a a a
, astfel nct: a
1
=a; a
2
=b;
a
3
=c.
Indicii Miller ai unui plan atomic (h, k, l) sunt cele mai mici numere ntregi,
care sunt n acelai raport ca i:
. ; ;
0
3
0
2
0
1
l
z
a
k
y
a
h
x
a

Direcia perpendicularei pe un plan (h, k, l) se noteaz:[h, k, l].
Toate planurile paralel e i toate direci ile paralele au aceeai indici Miller-
pozitivi, nuli sau negativi.
Pentru celula cu axe ortogonale i simetric tetragonale, (fig. a. 1b),
intersec iile planului (0, 0, 1) cu axele Ox, Oy sunt aruncate la infinit.
Anexa 1.3. - Filtru trece band cu unda de suprafa
Dispozitivul electri c utilizeaz unda elastic de suprafa de tip Rayleigh,
care este o und polarizata eliptic i puternic atenuat n adncime. In fig.
A. 2. 1. a este reprezentat reeaua cristalin distorsionat de unda Rayleigh.
Punctele materiale ale stratului superficial sufer deplasri longitudinal e
paralele cu suprafaa monocristalului i transversale (fig. A. 2. a). Propagarea este
direcional, nedispersiv, iar viteza de propagare este mai redus dect a undelor
de volum.
Un semnal electric sinusoidal aplicat traductorului interdigital emitor,
realizat prin depuneri metali ce pe un substrat de niobat de litiu(fig. A. 2. b),
determin apariia n substrat a unui cmp electric n planul xOy, care produce
deplasarea punctelor material e (fig. A. 2. c). Traductorul receptor efectueaz
conversia n sens invers (fig. A. 2. d). Traductoarele sunt conectate la sursa de
semnal, respectiv la consumator, prin reele de adaptare. Undele de suprafa
produse de seciunil e vecine ale traductorului interdigit al se vor impune n faz
numai dac perioada structurii interdigi tal e este egal cu lungimea de unda
0
.
Astfel conversia mrimi i electrice n marimea elastic i invers este o conversie
selectiv iar filtrul trece band are caracterist ica atenuare frecven cu fronturi
abrupte. Domeniul de utilizare este cuprins ntre sute de MHz i GHz. n acelai
mod se pot realiza filtre adaptate pentru recunoasterea unui semnal modulat n
frecven.
52
Fi g A. 2 Reprezent ar e pent ru unda Rayl ei gh pe suprafa a unui monocri st al (a); t raduct or
i nt erdi gi t al (b), (c) i fi l t ru cu unda de suprafa .
Anexa 1.4. - Consideraii teoretice asupra Q-metrului si msurri cu Q-metrul
Msurrile efectuate cu Q-metrul se bazeaza pe rezonanta de tensiune a
circuitului serie, format dintr-un inductor si un condensator (fig. 1).
Pulsatia de rezonanta:
0
1


LC
difera de pulsatia oscilat iilor proprii:
P
LC
r
L

_
,

1
2
2
si sunt egale pentru:
( )
2
2
1
r
L
LC

_
,

< <
Daca rezistenta bobinei este neglijabila, factorul de calitate:
L
L
Q
r
L


are valoare ridicata, iar pentru rezistenta serie r
S
neglijabila, factorul de calitate
al condensatorului:
C
S
Q
r
C

1
0

53
<o >o
U
r
I
I I Uc UL
r
L
U
L
U
L r=rL+rS caracter U caracter
Q
L
U
L
capacitiv inductiv
( c ) U
L
U
C

L ( d ) Ur I
U L U
o
r
S
Q
C
U
C
r=r
S
+r
L
U
L
=j o
L

U
C
C C C
( e ) ( f )
( a ) ( b ) ( x ) U=Ur=rI P ac=rSI
2
I
=o Z U/r
UL=j oLI P rL=oLI
2
U=Ur=rI I ( y ) P aL=rLI
2
( z ) r
0 car.

car. 0 car.

car.
capacitiv inductiv capacitiv inductiv
car. rezistiv car. rezistiv
Fig. 1 Circuit rezonant serie [i diagramele asociate
C U
j
I
C

rC P
I
C

2
0

C U
j
I
C

rC P
I
C

2
0

PrL=oLI
2
XI
*
XI
x
Regimul rezonant al circuitului serie se poate obtine prin modificarea
inductivi tat ii, capacitatii sau a frecventei tensiunii sinusoidale aplicate
circuitului. Masurarile curente cu Q-metrul presupun o valoare constanta a
inducti vitatii bobinei fara miez magneti c. Proprietat ile miezului magnetic se
modifica cu frecventa, determinnd modificarea valorii inductivi tat ii bobinei.
Factorul de calit ate al bobinei se modifica n acelasi mod ca si raportul: w/r
L
,
pentru ca inductivi tat ea L, se considera invariant a n raport cu frecventa. Astfel,
factorul de calitat e Q
L
, poate sa creasca cu frecventa, atunci cnd frecventa creste
n masura mai mare dect rezistenta r
L
, sau poate sa scada cu frecventa, atunci
cnd cresterea rezistentei de pierderi r
L
este superioara cresterii frecventei. De
asemenea, factorul de calit ate poate sa fie constant ntr-un interval limitat de
frecvente. Utiliznd miezuri magnetice cu pierderi reduse, se pot obtine
inductoare cu factori de calit ate superiori fata de inductoarele fara miez magnetic
pentru aceiai valoare a inductivitatii. Valorile ridicate ale factorului de calitate
al bobinelor cu miez magnetic sunt obtinute ntr-un interval limitat de frecvente.
Pentru frecventele superioare, pierderil e datorate miezului magneti c se maresc
substantial si de asemenea cresc pierderil e prin efect pelicular. Factorul de
calit ate al unui condensator scade cu cresterea frecventei, iar prezenta
dielectricului dintre armaturi micsoreaza factorul de calitat e, datorita rezistentei
de pierderi r
S
crescute. Pentru frecvente ridicate, schema circuitului se
complet eaza cu componente parazite, cum sunt: capacitatea dintre spirele bobinei,
sau inductivitatea terminalelor si armaturilor condensatorului, iar diagramele
fazoriale si relatii le stabilit e sunt valabile.
54
La rezonanta factorul de calitate al circuitului (fig. 1. a), n ipoteza ca:
0
1


LC
, are expresiile:
( )
) 2 (
1 1
1
) 1 (
1 1
1 1
C L
L S
circ.
L C
L S
circ.
Q
Q
Q Q
r r
Q Q
r r
L
C
+

sau:
) 3 (
1 1 1
C L circ.
Q Q Q
+
Q-metrul masoara factorul de calit ate al circuitului n regim rezonant.
Pentru a masura factorul de calit ate al unei componente, este necesar ca factorul
de calitate al celeilalte componente sa fie mult mai ridicat. De exemplu, pentru a
masura factorul de calitat e al unui condensator, este necesar ca bobina sa fie
astfel dimensionata si realizat a, nct factorul ei de calit ate sa fie ridicat, pentru
ca factorul de calitate masurat sa fie egal cu: Q
c i r c .
=Q
C
, iar valoarea inductivitatii
sa permita obtinerea rezonantei n intervalul de frecvente pentru care este
proiectat Q-metrul respectiv. La rezonanta, tensiunile pe bobina si condensator
sunt egale cu tensiunea de aliment are a circuitului, multiplicata cu valoarea
factorului de calitate al condensatorului, mult inferioara valorii factorului de
calit ate al bobinei: U
L
=U
C
=Q
C
U, sau: Q
C
=U
C
/U. Astfel, tensiunea pe condensator
este o masura a factorului de calitate al condensatorului atunci cnd tensiunea
de alimentare a circuitului U are o valoare (standard) constanta. Voltmetrul care
masoara tensiunea pe condensator se etaloneaza n unitati Q, indicat ia fiind
reala numai atunci cnd circuitului i se aplica o tensiune egala cu tensiunea
standard. Pentru circuitul din fig. 1. b, n ipoteza ca rezistenta r
L
este neglijabil a,
expresia factorului de calitat e al condensatorului, este (fig. 1. f):
C
rc
ac s
C
( 4 ) Q
P
P r
U
C
U

1
0

,
iar pentru circuitul din fig. 1. x, n ipoteza ca rezistenta r
s
este neglijabil a,
expresia factorului de calitat e al bobinei (fig. 1. z), este:
L
rL
aL
L C
( 5 ) Q
P
P
I
I
U U
L
r
L
r U U

0
2
2
0

Prin urmare, tensiunea pe condensator este o masura a factorului de
calitate al bobinei, atunci cnd valoarea factorului de calitate al condensatorului
este mult superioara: Q
C
Q
L
, sau valoarea rezistentei r
S
este neglijabil a.
Pentru valori apropiate ale factorului de calitate: Q
C
Q
L
, masurarile cu Q-
metrul sunt afectate de erori. Pentru exemplificare, consideram ca frecventel e
regimului rezonant al circuitului de masurare sunt cuprinse ntre frecventel e
limit a: f
1
si f
2
.
55
Presupunem ca factorul de calit ate al bobinei este superior factorului de
calit ate al condensatorului, valorile fiind nsa apropiate. Pentru frecvente
cuprinse n intervalul : sf
1
, f
M
t, factorul de calitate al circuitului, care conform
relati ei (3), are expresia:
( )
circ
L C
L C
Q
Q Q
Q Q
6
+
,
creste pentru ca factorul de calitate Q
L
, creste cu frecventa, conform relatiei (5),
efectul pelicular are pondere redusa n pierderile totale, iar pierderile de putere
activa n dielectricul condensatorului nu se maresc sensibil.
Pentru frecvente cuprinse n intervalul: sf
M
, f
2
t, factorul de calitate Q
C
, a
carui valoare este comparabil a cu Q
L
, scade conform relati ei (4), n masura mai
mare dect creste Q
L
, iar factorul de calit ate al circuitului scade cu cresterea
frecventei, datorita cresterii pronuntate a pierderilor de putere activa n
dielectric, ct si datorita efectului pelicular. Prin urmare, se obtine un maxim al
factorului de calitate al circuitului pentru frecventa f
M
, maxim care este rezultatul
unor erori de masurare.
Q
L
1/Q
L



Q
circ
Q
circ


0 f
1
f
M
f
2
f


0 f
1
f
M
f
2
f 0 f
1
f
M
f
2
f

Q
C
1/Q
C
Q
circ







0 f
1
f
M
f
2
f 0 f
1
f
M
f
2
f 0 f
1
f
M
f
2
f

Fig. 2 Ilustrarea posibilit`]ilor apari]iei erorilor de m`surare a factorului de calitate al
unui condensator cu dielectric, atunci cnd valoarea factorului de calitate
caracteristic`
eronat`
caracteristic`
real`
Acest exemplu se bazeaza pe serii de masurari efectuate cu Q-metrul,
pentru determinarea dependentei de frecventa a permitivit ati i relative a unui
dielectric plasat ntre armaturile condensatorului, masurari care au condus la
apariti a unui maxim al permitivitatii, la aceeasi frecventa la care s-a obtinut si
maximul factorului de calitate al circuitului.
n situatia n care factorul de calit ate al bobinei este cu mult superior
factorului de calitate al condensatorului cu dielectric, factorul de calitat e masurat
al circuitului: Q
c i r c
=Q
C
, scade cu cresterea frecventei, conform relatii lor (3) si
(4), iar masurarile nu mai sunt afectat e de erorile mentionate.
Schema constructiva a Q-metrului
Schema Q-metrului este reprezentat a n fig. 3. Q-metrul este format dintr-
un oscilator cu frecventa reglabila ntr-un interval, iar amplitudinea tensiunii
sinusoidale generate este de asemenea reglabila, fiind masurata cu un voltmetru
electronic pe a carui scala este marcata tensiunea standard. Ajustarea indicatiei
voltmetrului pe zero se efectueaza anulnd tensiunea oscilatorului.
56
Circuitul de cuplaj realizeaza o impedanta extrem de redusa de iesire si
este format dintr-un cablu coaxial a carui lungime l este inferioara sfertului de
lungime de unda minim, care corespunde frecventei maxime a oscilatorului. La
una din extremitatil e cablului se aplica tensiunea U, furnizata de oscilator, iar la
cealal ta extremitat e, conductorul central se conecteaza la tresa cablului coaxial.
n cablul coaxial se formeaza o unda stationara, distributia amplitudinilor
fiind reprezentat a n fig. 3
Masurarile cu Q-metrul se por efectua numai atunci cnd se ataseaza bobina
L
X
. Exista posibili tatea conectarii n paralel cu condensatorul variabil ncorporat
C
V
a unui condensator C
X
.
Voltmetrul electronic care masoara tensiunea pe condensator U
C
este
etalonat n unitati Q. Indicatia voltmetrului este conforma cu realitat ea, numai
atunci cnd tensiunea furnizata de oscilator are valoarea U-standard, pentru care
s-a efectuat etalonarea voltmetrului VE2. Reglajul pe zero al indicat iei
voltmetrului VE2 se efectueaza prin anularea tensiunii furnizata de oscilator, n
aceeasi etapa n care se efectueaza reglajul pe zero al indicatiei voltmetrului
VE1.
Masurarile cu Q-metrul se bazeaza pe relatia:
) 7 (
2
1
0
C L
f
V X

sau:
( )
0
1
2
f
L C C
X V X

+
( 8 )
n situatia n care se conecteaza C
X
n paralel cu condensatorului variabil C
V
.
Regimul rezonant corespunde valorii maxime a tensiunii U
C
si se obtine -
conform relatiei (7), prin modificarea frecventei oscilatorului, sau prin
modificarea capacit ati i variabile C
V
, ntruct - dupa cum s-a mentionat anterior,
valoarea inductivitatii L
X
, a bobinei fara miez magnetic, se poate considera
constanta n raport cu frecventa. O masurare cu Q-metrul presupune citirea
frecventei de rezonanta, a capacitatii variabile si a factorului de calit ate:
(f
0
;C
V
;Q).
57
C
S
C
S
1
o
2
1 r
L
L
X
2 1 r
L
L
X
2
C
10
C
20
C
L
(a) (b) -C
P
0 ( C ) C
V
Fig. 4 Determinarea capacit`]ii parazite a bobinei
Schema echivalenta a bobinei este reprezentata n fig. 4. Capacit ati le C
10
,
C
20
reprezinta, n forma concentrata, capacit atea distribuita a bobinei fata de
masa electrica sau carcasa Q-metrului, iar C
S
este capacit atea spirelor bobinei.
Daca se considera: C
L
=C
10
+C
20
, iar - cu aproximatie relativ mare, C
L
(ca si C
S
), n
paralel cu C
V
(fig. 3), rezulta o metoda simpla pentru determinarea capacitatii
parazite a bobinei: C
P
=C
L
+C
S
. Din relatia (8), rezulta dependenta liniara:
1/
o
2
=L
X
(C
V
+C
P
). ntruct L
X
nu se modifica cu frecventa, din doua masurari cu
Q-metrul rezulta punctele A si B, iar dreapta care trece prin cele doua
puncte, prelungita n cadranul II, stabileste - la intersecti a cu axa absciselor,
valoarea aproximativa a capacitatii parazite a bobinei C
P
.
Din relatia (7), se observa ca reglajul fin pentru obtinerea rezonantei, se
efectueaza cu capacitat ea variabil a C
V
, iar reglajul brut - prin modificarea
frecventei oscilatorului. Astfel, daca valoarea capacit ati i variabile creste cu 10%:
C
V
=1, 1C
V
, pentru obtinerea regimului rezonant, este necesar ca frecventa
oscilatorului sa fie:
'
/ , , f f f 11 0 95
Pentru o modificare pronuntata a capacitatii variabile, variati a
corespunztoare a frecventei - pentru obtinerea rezonantei, este redusa.
Etapel e unei masurari cu Q-metrul sunt urmatoarele:
1. Se comuta ntrerupatorul aparatului pe pozitia pornit.
2. Se regleaza pe zero indicatii le celor doua voltmetre electronice pentru
tensiune nula a oscilatorului, cursorul de reglaj al amplitudinii tensiunii furnizate
de oscilator fiind rotit n sens invers orar, pna la limita. Aceasta etapa se repeta
pentru fiecare masurare, pna cnd se stabilizeaza regimul termic al Q-metrului
(aproximat iv 30 min. ).
3. Pentru o tensiune oarecare (a carei valoare este inferioara valorii -
standard), furnizata de oscilator, se modifica - dupa caz, fie capacitat ea variabil a
astfel nct sa se obtina maximul indicatiei voltmetrului VE2, fie frecventa
oscilatorului. Prin modificarea frecventei se modifica si amplitudinea tensiunii
oscilatorului, nsa maximul indicati ei voltmetrului VE2 se obtine numai pentru o
frecventa precis stabilita. Din relatia (7) rezulta ca sensul variatii lor capacitat ii
variabil e, respectiv a frecventei, este opus. Sa presupunem ca frecventa este
impusa, iar regimul rezonant se obtine prin modificarea capacitatii variabile.
Pentru stabilirea valorii capacitat ii variabile corespunzatoare rezonantei,
capacit atea variabila se modifica ntr-un sens, astfel nct indicat ia maxima a
voltmetrului VE2 sa scada cu o valoare Q, minim sesizabil a, retinndu-se
pozitia cursorului. Se modifica apoi capaci tatea variabila n sens opus, astfel
nct sa se obtina aceeasi scadere minim sesizabila Q a indicat iei si se retine
noua pozitie unghiulara a cursorului. Pozitia unghiulara mediana a cursorului
corespunde regimului rezonant si pentru aceasta pozitie se citeste valoarea
capacit ati i variabile. Din fig. 5. rezulta ca aprecierea corecta a valorii C
V0
,
corespunde rezonantei, este mai dificila pentru factori de calitate redusi, pentru
58
ca modificarea capacitatii variabile corespunzatoare deviatiei Q, minim
sesizabile, este mai pronuntata, iar stabilirea pozitiei mediane a cursorului este
mai imprecisa.
Reglajele pe zero ale celor doua voltmetre electroni ce se vor efectua
atunci cnd regimul termic stabil de functionare a Q-metrului NU a fost atins,
sau cnd se modifica domeniul de masurare al voltmetrelor electroni ce.
Q Q
Qmax
Q
Q max Q
0 C V CV0 CV CV 0 C V C V0 C V CV
(a) (b)
Fig.5 Dependen]a indica]iei Q-metrului de capacitatea variabil` ncorporat`, pentru factori
de calitate ridica]i (a) [i sc`zu]i (b)
Tensiunea oscilatorului se mareste pna la valoarea U - standard,
inscriptionata pe scala voltmetrului VE1. Capacitatea variabila se mai poate
ajusta conform instructiunilor etapei precedente, pentru ca intervalul de variati e a
capacit ati i variabile, delimit at de valorile: C
V
, C
V
, corespunzator aceleiasi
modificari Q, minim sesizabile a indicatiei, se micsoreaza cu cresterea
tensiunii oscilatorului.
Se citesc cele trei marimi corespunzatoare unei masurari: f, C
V
, Q.
Masurarile cu Q-metrul se caracterizeaza prin precizie ridicata, datorata
regimului rezonant. Cu ajutorul Q-metrului se pot aprecia comportari ale
materi alelor dielectrice, sau magneti ce si ale componentelor electroni ce pasive la
variati i ale frecventei. Rezonanta circuitului de masurare se va obtine prin
modificarea frecventei oscilatorului de la frecvente joase spre frecvente nalte.
Procednd invers, se poate obtine un maxim (fals) al indicatiei Q-metrului la o
frecventa ridicata, pentru ca n circuitul de masurare intervine capacitat ea
parazita a bobinei, iar schema circuitului precum si relati ile utilizate, nu mai sunt
valabil e.
Determinarea permitivitati i relative si tangentei unghiului de pierderi a
dielectricilor n functie de frecventa
Pentru determinarea si trasarea grafica a dependentelor functional e ale
permitivitatii relative si tangentei unghiului de pierderi n functie de frecventa,
este necesar sa se efectueze masurari cu Q-metrul pentru trei tipuri de circuite,
frecventa de rezonanta fiind aceeasi. n fig. 6 sunt reprezentat e intervalele de
frecventa corespunzatoare celor trei tipuri de circuite si ordinea efectuari i
masurarilor. De asemenea este indicat sensul de modificare al capacit ati i
variabil e.
Capacitatea variabila a Q-metrului se poate modifica ntre limit ele: C
vmi n
si
C
vma x
. Pentru o rotatie completa a cursorului n sens orar, capaci tatea variabila se
mareste cu un pF si se micsoreaza cu aceeasi valoare, pentru o rotatie completa a
cursorului n sens invers orar. Din relati a (7), rezulta ca frecventa limita
inferioara - pentru un anumit circuit de masurare, se obtine pentru C
vma x
, iar
frecventa limita superioara - pentru C
vmi n
. Pentru o frecventa cuprinsa n
intervalul comun, se efectueaza masurari cu Q-metrul n trei etape,
59
corespunzatoare celor trei tipuri de configurati i ale circuitului de masurare. n
prima etapa, circuitul este alcatui t din bobina fara miez magneti c si
condensatorul variabil al Q - metrului. n etapa urmatoare se conecteaza in
paralel cu condensatorul variabil un condensator C
0
fara dielectric ntre armaturi,
iar n ultima etapa ntre armaturile condensatorului se introduce dielectricul a
carui comportare cu frecventa este studiat a; distanta dintre armaturi fiind
constant a, capacitatea C a condensatorului astfel obtinut este superioara valorii
C
0
. Dielectricul NU se poate extrage si reintroduce ntre armaturi fara a se
modifica configuratia geometrica a ansamblului.
Conform relatiei (7), frecventa minima care corespunde capacitatii
variabil e minime se micsoreaza din aceleasi motive. Prin urmare, intervalul
comun de frecvente pentru o valoare prestabilit a a inductivit ati i L n care se pot
efectua masurari cu Q - metrul este delimitat de frecventa minima determinata n
etapa I si frecventa maxima determinata n etapa III. Se impun valorile capacitat ii
variabil e si rezulta frecventele limi ta. Se consider a n frecvente n intervalul
comun pentru care se citesc (la rezonanta) valorile: f, C
V
, Q. n prima etapa,
factorul de calitat e al circuitului are valoarea ridicata, iar domeniul de masurare
al Q - metrului se pozitioneaza pe domeniul maxim. n ultima etapa apar pierderi
de putere activa n dielectric, iar factorul de calit ate al circuitului egal
aproximat iv cu factorul de calitat e al condensatorului, este redus, si domeniul de
masurare al Q - metrului se pozitioneaza pe un domeniu inferior. Daca pentru
primele doua masurari se impun valorile capacitatii variabile rezultnd
frecventel e limit a, pentru celelal te 3n-1 masurari se impune o frecventa din
intervalul comun si rezulta valoarea capaci tat ii variabil e si factorul de calitate.
Frecventa ramne constanta pentru masurarile n, n+1 si 2n, 2n+1,
iar capacitatea variabila se mareste cu valoarea C-C
0
, respectiv cu C
0
. Sensurile
de variatie ale frecventei si capacitatii sunt opuse dupa cum s-a aratat anterior.
La masurarea a doua, corespunzatoare etapei III, dielectricul se introduce ntre
armaturi astfel nct interstiti ile de aer sa fie minime. Se efectueaza toate
masurarile etapei III, apoi se scoate dielectricul dintre armaturi fara a modifica
pozitia reciproca a armaturilor sau a condensatorului fata de Q - metru. Astfel,
interstit iil e inevitabil e de aer dintre dielectri c si armaturi nu se modifica si nu
apar surse suplimentare de erori este esential sa nu se modifice pozitia
condensatorului n raport cu Q - metrul pentru a nu se modifica configuratia
cmpului electromagnetic de dispersie al condensatorului, precum si capacitat ile
parazite fata de carcasa Q - metrului care sunt surse de erori sistemati ce, ce nu
modifica alura caracteristi cilor trasate grafic. Din motive similare, armatura
conectata la borna b a Q - metrului (fig. 6), care este conectata la masa
electrica si carcasa aparatului, nu se va deconecta pe parcursul masuratorilor, ci
doar armatura conectata la borna a se va deconecta pentru efectuarea
masuratorilor primei etape. Conectarea armaturilor condensatorului la bornele a
sau b se va efectua astfel nct sa se asigure contacte electrice pe suprafata -
pentru a elimina rezistentel e de contact.
60
Etapa I
domeniu: Q
max
(fmin)max
: C
vmax
CV2n+1=CV2n+C0
L 0 2n+3 2n+2 2n+1
a f
max
C
V
CV3
b
Etapa II
domeniu: Q
max
<Q
max
L C
v
a f
min2
: C
Vn+1
=C
Vn
+(C-C
0
)
C
V2
C
0
n+1 2n f
max2
b C
v
Etapa III
domeniu: Q
max
<Q
max
C
v
L
a f min3
(f
max
)
min
: C
vmin
C
V1
C n n-1 3 2 1
b interval C v
f
n
f
n-1
comun f
3
f
2
f
1c
Fig. 6 Intervalele de frecven]` [i ordinea efectu`rii m`sur`rilor n intervalul comun de frecven]e
Se impune
frecven]a,
rezult`: C
V
Pentru o frecventa precizata de rezonanta, valorile capaci t ii variabile
corespunztoare celor trei circuite de msurare sunt: C
V3
- pentru etapa I, C
V2
-
pentru etapa II si C
V1
- pentru etapa III, iar Q
0
este factorul de calitat e al
condensatorului fr dielectric si Q corespunde condensatorului cu dielectric. Cu
aceste notaii, expresiile permitivi ti i relative si tangentei unghiului de pierderi,
pentru frecventa respectiva, sunt:

r
V V
V V
C C
C C
,

3 1
3 2
(9)
tg
Q Q
C C
C
V V
V

_
,

1 1
0
3 1
3
(10)
Determinrile se efectueaz pentru fiecare frecventa din cele n frecvente
cuprinse n intervalul comun, iar rezultatel e se traseaz grafic. Tangenta
unghiului de pierderi se mrete cu creterea frecventei, datorita creterii
pierderilor prin polarizarea dielectricului. Pentru interval e comune de frecvente
relativ reduse, componenta reala a permitiviti relative a dielectri cului se
modifica n limit e relativ reduse.
Anexa 1. 5.
1. 5. 1. Legea fluxului electric
Fluxul electric printr-o suprafa nchis este egal cu sarcina total

r
q

din volumul

v
, mrginit de aceast suprafa:

v
q dA D
, (A. 1)
61
unde: D este inducia electric, iar elementul de suprafa dA este orientat
spre exteriorul suprafeei considerate. S-a considerat ca sens pozitiv al fluxului
electric sensul normalei pe suprafaa, orientat spre exterior.
1. 5. 2. Teorema refraciei liniilor de cmp electri c
La trecerea dintr-un mediu cu permitivi tate diferit componenta tangeni al
la suprafaa de separaie, nencrcat cu sarcin electric, a intensit ii cmpului
electric se conserv, componenta normal a induciei electrice se conserv, iar
raportul tangentelor unghiurilor ntre normala la suprafaa de separaie i liniile
cmpului electric este egal cu raportul permitivitilor.
2
1
0
0
2
1
2
1
r
r
tg
tg


1. 5. 3. Legea conservrii sarcinii electri ce
Viteza de scdere n timp a sarcinii electrice din interiorul unei suprafee
nchise este egal cu intensitatea curentului de conducie total

i
, care
prsete suprafaa .
dt
dq
i
v

1. 5. 4. Notaii utilizate i uniti de msur


Q sarcina electri c [C]
e = 1, 6021*10
- 19
[C] sarcina electronului
E intensitat ea cmpului electric [V/m]
D inducia electric [C/m
2
]

0
1 / (4 *9*10
9
) [F/m] permitivit atea absolut
h = 6, 6256 * 10
- 34
[Js] constanta lui Planck
c = 2, 998*10
8
[m/s] viteza luminii
U tensiunea continu [V]
u tensiunea variabil (cu sau fr componenta continu)
I cutrent continuu [A]
62
i curent variabil (cu sau fr componenta continu)
J densitate de curent [A/m
2
]
p
a
putere activ specific (pe unitate de volum) [W/m
3
]
P
a
puterea activ [W]
P
r
putere reactiv [VAr]
S putere aparent [VA]
R rezisten [ohm] [ ]
- rezistivitate [ m]
- conductivitate [S/m]
T temperatura absolut [K]
- temperatura [C]
k = 1, 3804*10
- 16
[J/K] constanta lui Boltzmann
H intensitatea cmpului magneti c [A/m]
B inducia magneti c [T]

0
= 4 *10
- 7
[H/m] permeabili tatea absolut
L inductivi tatea [H]
C capacitatea [F]
Q factorul de calitat e
U
H
tensiunea magneti c [A]
- flux magnetic [Wb]
W energie [J]
X reactan [ ]
G conductan [S]
Y admitan [S]
63

S-ar putea să vă placă și