UNIVERSITATEA "POLITEHNICA" DIN BUCURESTI DEPARTAMENTUL DE FIZIC

LABORATORUL DE FIZICA ATOMICA SI FIZICA CORPULUI SOLID

BN - 031 B

FOTOREZISTENTA

2004 2005

FOTOREZISTENA
1. Scopul lucrrii Studiul fotoconduciei n materiale semiconductoare. 2. Teoria lucrrii Conducia are loc datorit micrii purttorilor de sarcina (electroni si goluri). Prin fenomenul de fotoconducie se nelege creterea conduciei unui material (metal, semiconductor) datorita generrii de purttori de sarcin suplimentari sub influena radiaiei luminoase. Printr-un semiconductor supus unei diferene de potenial U va trece un curent electric slab (de ntuneric), care crete, atunci cnd semiconductorul este iluminat, datorit fotoconduciei. Intensitatea fotocurentului, diferit de cea a curentului de ntuneric, depinde de temperatur, tensiunea electric aplicat i de durata iluminrii. Conductibilitatea electric total t este datorat electronilor (de concentraie n) i golurilor (de concentratie p), si avand mobilitile n , respectiv p .
t = e n n + e p p

La intuneric conductibilitatea se datoreaz purttorilor de sarcina de echilibru (electroni de concentratie n = n0 si goluri de concentratie p = p0), conductibilitatea total fiind numit si conductibilitatea de ntuneric 0 . t | ntuneric = 0 = e n n0 + e p p0 Prin iluminare, concentraia de electroni crete de la n0 la n, iar cea de goluri de la p0 la p. t |iluminare = e n n + e p p = e n (n0 + n n0 ) + e p ( p0 + p p0 ) = 0 + f (1) Unde f este conductibilitatea datorit iluminrii, sau fotoconductibilitatea, datorata crearii excesului de purttori n, respective p. Din (1) fotoconductibilitatea este f = t 0 = e n n + p p (2)

Intensitatea curentului electric de fotoconductie (fotorspuns) este direct proporional cu numrul total de fotoni absorbii (G) n volumul probei semiconductoare luminate i cu sarcina electronului. Factorul de proportionalitate A se numete coeficient de amplificare de conducie, deci I L = A Ge (4) unde: G = S d L (5) Fotorezistenele utilizate n practic sunt fabricate din materiale semiconductoare fotosensibile a cror conductibilitate de ntuneric este mult mai mic dect fotoconductibilitatea, 0 << f . In acest caz fotocurentul este direct proporional cu tensiunea aplicat U i cu fluxul luminos L , adic: I L = CU L , (6) C fiind constanta dispozitivului experimental. Aceast comportare a condus la utilizarea fotorezistenelor n circuite optoelectronice i de automatizare. Studiul fotoconduciei semiconductorilor se face mai ales pe strate subiri cu grosimi de ordinul mm deoarece n comparaie cu probele masive, prezint urmtoarele avantaje: Rezisten electric este mare, variatia ei la iluminare fiind mai uor de msurat; Se nltur posibilitatea variaiei suplimentare a rezistenei prin nclzire;

Stratul subire poate fi activat prin iluminare n toat grosimea sa, funcie de parcursul fotonilor incideni n materialul respectiv; Procesul de impurificare se poate realiza mai uor, fapt important deoarece impurificarea produce o deplasare a maximului fotorspunsului spre lungimi de und din domeniul vizibil (pentru care distana de ptrundere a fotonilor n prob este mai mare). Acest lucru este exemplificat in Fig. 1 , unde este prezentat rspunsul pentru un strat fotorezistor de CdS i un fotorezistor de CdS impurificat cu Cu.

Fig. 1. Rspunsul unui fotorezistopr de CdS pur si impurificat cu Cu

3. Metoda experimental folosit Fotorezistenta studiat este un strat subire (2-3 mm) de CdS impurificat cu atomi de Cu. Cei doi electrozi metalici (vezi Fig. 2) sunt obtinui pe placua de sticla folosind evaporarea termic in vid. Prin acelai fenomen de evaporare, peste ei se depun atomii de Cu. Fotorezisten i sursa de lumin nu prea intens (12W) ndeplinesc condiiile ca relaia (6) s fie satisfcut. n aceast lucrarese va urmri modul cum variaia fotocurentului n funcie de tensiunea aplicat i de iluminarea E. Tensiunea prin circuitul electric este direct proporional cu rezistena din circuit: U = R*I. Ca urmare, graficul intensitii funcie de tensiunea din circuit va fi o dreapt: I=U*1/R.

Fig. 2. Schema fotorezistenei

4. Montajul experimental Pentru studiul caractesticilor fotorezistenei se utilizeaz un montaj poteniometric, prezentat n Fig 3.
RP - reostat (340 ) V -voltmetru (0-150 V cc) A - microampermetru cu spot luminos R - rezisten chimic de protejare a fotorezistenei Fr - fotorezistena K - ntreruptor L - lampa de proiecie (6-12 V) prevzut cu diafragma reglabil D Fd - fotodiod RP1 - cutie cu rezistene cu ploturi (1-10K)

Fig. 3: Schia dispozitivului experimental

Alimentarea general cu curent electric se face de la blocul de prize, la tensiunea de 220Vca. Tensiunea electric continu, necesar alimentrii circuitului fotorezistenei se obine cu ajutorul redresorului aflat lng masa de lucru. Reostatul (RP), montat

poteniometric, permite variaia tensiunii aplicate, valoarea ei fiind indicat de voltmetrul V. L reprezint sursa de lumin alb, iar A este un microampermetru cu spot luminos. 5. Modul de lucru a. Dup recunoaterea aparatelor, efectuarea i verificarea schemei de montaj (Fig. 5), se conecteaz montajul la blocul de prize. Se potrivete comutatorul Fotorezisten/Fotodiod pe poziia Fotorezisten. Pentru asigurarea proteciei aparatelor, nainte de conectarea la blocul de prize, trebuie s se verifice ca: - microampermetrul (A) s fie pus pe poziia de msurare a intensitii maxime prin comutatorul de scal, iar spotul s fie pe poziia blocat; - cursorul reostatului (RP) s fie adus la poziia de rezisten electric maxim (cderea de tensiune minim pe fotorezisrten) - diafragma D care obtureaz fascicolul de lumin s fie deschis pe poziia 1 (iluminare slab) b. Se manevreaz cursorul reostatului (RP) pentru a stabili o tensiune de 20V i se ndreapt sursa de lumin pe o direcie normal pe suprafaa fotorezistenei, avnd indicatorul diafragmei pe pozitia 1 (iluminarea E1). Se blocheaz spotul microampermetrului i pentru iluminarea E1, proporional cu fluxul incident, se citete intensitatea fotocurentului n diviziuni care se convertesc n microamperi, conform scrii utilizate. c. Meninnd E1 constatnt, se modific valorile tensiunii U = 20, 40, ... ,100V i se citete, ca la punctul (2), fotocurentul de fiecare dat. (Dac se efectueaz i lucrarea Fotodioda, se vor considera doar cinci valori ale tensiunii: 20, 40, , 100, i cinci valori ale rezistenei iluminrii E: 2, 4, , 10.) d. Se repet operaiile de la punctele (2) i (3) variind iluminarea prin deschiderea treptat a diafragmei (trecnd prin poziiile 2, 3, ... ,10); toate datele i rezultatele msurtorilor se nscriu ntr-un tabel de forma: Nr. crt. 1 2 . 6 Ei (u. r. ) Uj(V) 20 40 .. 100
E1 E2

........

E10

Obs. u. r. = uniti relative

Iij Iij (Ei) la Ei =ct; Ri Iij (Ei) la Uj = ct.

e. Dup efectuarea tuturor msurrilor se face deconectarea tuturor aparatelor de la sursele de alimentare, n ordinea invers operaiilor de la punctul 2; se readuc astfel toate aparatele la poziia iniial i apoi se deconecteaz de la blocul de prize. 6. Prelucrarea rezultatelor experimentale Se traseaz, pe hrtie milimetric, dou familii de grafice: 1) Caracteristicile curent - tensiune Iij = Iij(Uj), i=1 - 10, j = 1 - 6 la iluminare (Ei) constant, pentru fiecare iluminare n sens cresctor a acesteia. Pe poriunile liniare ale acestor caracteristici se poate calcula rezistena electric a probei, conform legii Ohm

U (7) I Cu rezistena calculat pentrudiversele iluminri se traseaz graficul Ri = Ri ( Ei ) . Din relaia (6) se poate determina constanta C a dispozitivului, pentru un anumit domeniu de tensiuni. 2) Caracteristicile curent - iluminare I = I ( E ) la U = ct. , pentru fiecare tensiune aplicat; Ri =

ntrebri 1. Ce este o fotorezisten ? 2. n ce const fenomenul de fotoconducie ? 3. Ce materiale se folosesc, uzual, ca fotorezistene ?