10.

LASERE CU SEMICONDUCTORARE
10.1. Funcionarea diodelor laser
10.1.1. Dioda laser homojonciune
Radiaia laser poate fi produs i n urma recombinrii electronilor i
golurilor ntr-o jonciune semiconductoare p-n (diod laser) dac ctigul
depete pierderile [10.1]. Diodele laser constituie unicul sistem laser n care
emisia stimulat a radiaiei electromagnetice poate fi modulat n amplitudine
direct, prin modularea energiei de pompaj. Astfel, prin modularea temporal a
densitii de curent electric de injecie, se realizeaz modularea temporal
simultan a intensitii radiante a undei laser, ceea ce permite transmiterea
informaiei pe cale optic, cu ajutorul unui fascicul laser modulat pe baza unui
procedeu care nu este foarte complicat.
ntr-un cristal semiconductor, nivelurile energetice posibile ale electronilor
n cristal sunt distribuite n banda de valen i n banda de conducie, benzi
energetice separate printr-o band interzis de pn la 3 eV. Pentru creterea
artificial a conductivitii electrice la temperatura camerei, semiconductorul poate
fi dopat cu impuriti donoare de electroni, iar cristalul semiconductor are
electronii ca purttori de sarcin majoritari, sau cu impuriti acceptoare de
electroni, iar semiconductorul are golurile (absenele electronilor) ca purttori
majoritari. Considerm cazul unui dopaj peste o anumit limit a concentraiei de
impuriti, att donoare ct i acceptoare, astfel nct, att n banda de valen ct i
n banda de conducie, electronii nu pot avea energii dect pn la anumite valori,
denumite cvasiniveluri Fermi, WFC n banda de conducie i respectiv, WFV n
banda de valen. Acesta este cazul unui aa-numit semiconductor extrinsec
degenerat [10.1]-[10.7].
Cele mai importante caracteristici ale diodelor laser sunt determinate de
dimensiunile foarte mici (civa m ) ale acestor dispozitive precum i de
posibilitatea modulrii radiaiei prin varierea curentului. Pentru a descrie
funcionarea unei diode laser homojonciune se consider jonciunea p-n avnd
grosimea zonei active d prezentat n fig. 10. 1.
n zona activ de lime d , numit i distana de confinare (de
aproximativ 1 m) se produce un numr suficient de mare de electroni i respectiv
goluri pentru ca dispozitivul s aib un ctig pozitiv. Dimensiunea zonei active
este mai mic dect cea corespunztoare modului cmpului ( D > d ) .
n cazul unei diode laser ctigul la prag se poate exprima n funcie de
curentul prin diod. Valoarea de prag a curentului electric pentru inversia de
populaie ntr-o diod laser rezult dintr-un sistem de dou ecuaii asociate, i
respectiv: condiia de prag la un parcurs complet al radiaiei n cavitate i, relaia
dintre amplificarea optic i densitatea curentului electric de pompaj.
Conform condiiei de prag, intensitatea I 0 a radiaiei electromagnetice
rezultate prin emisia stimulat trebuie s rmn neschimbat dup un parcurs
complet al cavitii laser:

Lasere cu semiconductoare

211

I 0 R1R2 exp 2g p L exp{ 2 L[ a + (1 ) r ]} = I 0

(10.1)

unde R1 i R2 sunt reflectanele feelor polizate ale celor dou capete ale ghidului
de und semiconductor, este factorul de restrngere spaial a undei
electromagnetice n zona activ, g p reprezint amplificarea optic n unitatea de
volum a zonei active (ctigul), la pragul de oscilaie laser, L este lungimea
cavitii rezonante laser, a este coeficientul intern de pierderi optice n zona
activ, iar r este coeficientul de pierderi optice n zonele de restrngere spaial
a radiaiei.

Fig. 10. 1. Dioda laser homojonciune.

Ecuaia (10.1) poate fi rescris sub forma:

g p = a + (1 ) r +

1
1
.
ln
2 L R1R2

(10.2)

Factorul de restrngere spaial optic are un rol determinant n

proiectarea structurii oricrui laser cu mediu activ semiconductor. Acest parametru
caracterizeaz suprapunerea spaial dintre unda de emisie stimulat ghidat optic
i regiunea cu inversie de populaie, conform formulei:

+d / 2
2
d / 2 E ( z ) dz
+
2
E ( z ) dz

(10.3)

n care: d este lrgimea gropii cuantice (dimensiunea gropii pe direcia z de

cretere a straturilor semiconductoare), iar E ( z ) este modulul intensitii cmpului
electric al undei.
Considernd c densitatea de goluri n regiunea activ este mare, deci
densitatea de electroni pe nivelul fundamental este suficient de mic pentru ca
absorbia unui foton s poat fi neglijat, ctigul poate fi scris sub forma:

OPTIC INTEGRAT

212

g ( )

2 A
N 2 S ( )
8n2

(10.4)

2 AN 2
.
82 n20

(10.5)

unde N 2 reprezint densitatea de electroni injectai n regiunea activ din banda

de conducie a semiconductorului de tip n , iar A este rata emisiei spontane
corespunztoare recombinrii radiative. n centrul liniei laser, ctigul se poate
exprima sub forma:

g ( 0 )

n scrierea relaiei (10.4) s-a presupus c tranziia laser are un profil de tip
Lorentz i lrgimea 0 .
Ctigul la prag este dat de relaia:

gt =

1
ln R1 R2
2l

(10.6)

n care: l este lungimea mediului activ, R1 , R2 sunt reflectivitile oglinzilor, iar

reprezint pierderile pe unitatea de lungime datorit altor efecte dect reflexiile
pe oglinzile cavitii. Din condiia la prag g ( 0 ) = gt se obine valoarea la prag
pentru densitatea de populaie de pe nivelul excitat sub forma:
2 2

(N 2 )t = 8 n2 0
A

ln R1R2 .
2l

(10.7)

n general, la construcia diodelor laser nu se folosesc oglinzi pentru a

obine efectul de reacie (feedback) ntruct indicele de refracie al materialului n
este suficient de mare pentru a determina fenomenul de reflexie total la interfaa
semiconductor-aer. innd seama de formulele lui Fresnel n cazul incidenei
normale, se poate calcula coeficientul de reflexie sub forma:

(n 1)2
.
R
(n + 1)2

(10.8)

Aproximnd indicele de refracie al aerului cu unitatea i innd seama c

n cazul GaAs n 3,6 din relaia (10.12) se obine pentru coeficientul de reflexie al

oglinzilor valoarea R (2,6 / 4,6 ) 0,32 .

Poliznd dou fee opuse ale diodei i lsndu-le pe celelalte dou rugoase
(astfel nct reflectivitile acestora s fie mici) oscilaia laser este favorizat de-a
lungul axei care unete feele polizate (fig. 10. 2).
Densitatea de populaie a nivelului excitat se poate exprima cu ajutorul
densitii de curent prin diod J . innd seama c pe unitatea de volum rata cu
care electronii sunt injectai n regiunea activ este J / ed i c acetia sunt
absorbii datorit proceselor radiative i neradiative cu rata total Re , n stare
2

staionar se poate scrie J / ed = Re / N 2 sau J = edRe / N 2 .

Condiia de prag (10.10) poate fi scris cu ajutorul densitii de curent la
prag sub forma:

Lasere cu semiconductoare

Jt =

213

82 n20
(ed ) Re 1 ln R1R2 .
2
A
2l

(10.9)

Fig. 10. 2. Reprezentare schematic a structurii mediului activ al diodei laser cu dubl
heterostructur de tip GaAlInP/GaInP/GaAlInP; cavitatea rezonant
laser este format din feele cristalului semiconductor
perpendiculare pe planul jonciunii.

Relaia (10.13) nu ine seama de faptul c volumul modului este mai mare
dect volumul regiunii active de lime d . Cu ct densitatea purttorilor de sarcin
n regiunea activ este mai mare cu att indicele de refracie este mai mare
obinndu-se o mai bun confinare a radiaiei n regiunea activ. Acest efect de
ghidare a radiaiei este destul de slab i deci radiaia are un volum corespunztor
unui mod a crui lime este D > d . Astfel, coeficientul de ctig efectiv este mai
mic dect cel dat de relaia (10.6) cu un factor d / D , iar densitatea de curent
corespunztoare pragului este mai mare dect cea dat de relaia (10.9), devenind:

Jt =

82 n20
(eD ) Re 1 ln R1R2 .
2
A
2l

(10.10)
o

n cazul diodei laser cu GaAs pentru radiaia avnd 8400 A indicele de

refracie este n 3.6, iar 0 1013 Hz. Raportul A / Re se mai numete i
eficien cuantic i reprezint fraciunea din numrul de electroni injectai care
sufer fenomenul de recombinare radiativ i este apropiat de unitate.
Considernd c n cazul diodei laser cu GaAs D =2 m, l =500 m i

=10 cm -1 , se obine:

J t 500 A/cm2 .

(10.11)

n cazul unei jonciuni avnd aria lw = 500 250 m 2 curentul de prag

este J t lw 1 A .

OPTIC INTEGRAT

214

Considernd eficiena cuantic intern i a diodei laser ca fiind

probabilitatea ca un purttor de sarcin electric injectat n zona activ s se
recombine radiativ, puterea radiant Pe a undei electromagnetice rezultate din
emisia stimulat se exprim prin:

Pe = i

I Ip
e

(10.12)

unde I este intensitatea curentului de injecie, I p este intensitatea curentului de

prag pentru oscilaia laser, e este sarcina electric elementar, iar este frecvena
unghiular a radiaiei emise.
O parte din Pe se disipeaz n cristalul semiconductor, iar restul constituie
puterea radiant laser, P efectiv emis de dioda laser n exterior, prin feele
cristaline de reflectane R1 i, respectiv, R2 , ce constituie rezonatorul laser.
Dac se noteaz cu coeficientul de absorbie total n cristalul
semiconductor al diodei laser (ce include a i r ), puterea radiant a
fasciculului laser se scrie sub forma:

P = i

I Ip

(1/L) ln(1/R )
+ (1/L ) ln (1/R )

e
unde s-a considerat R1 = R2 = R .

(10.13)

10.1.2. Dioda laser cu dubl heterostructur

O mbuntire a performanelor diodelor laser s-a realizat prin fabricarea
de medii active din material semiconductor cu dubl heterostructur.
Heterostructura reprezint o jonciune ntre dou cristale semiconductoare cu
compoziie chimic diferit i cu dopaje de tip diferit. Dubla heterostructur este o
structur format din trei straturi de material semiconductor, cele de la extremiti
avnd formul chimic i conductivitate electric (dopaj) diferite fa de cel din
mijloc, care conine regiunea cu jonciunea activ, de exemplu GaAlInP/GaInP/
GaAlInP (fig. 10. 2).
De asemenea, indicele de refracie al materialului central este mai mare
dect al straturilor laterale, ceea ce mijlocete ghidarea radiaiei rezultate din
emisia stimulat, prin zona activ a diodei.
Cele dou caracteristici eseniale ale unei duble heterostructuri
semiconductoare, ca mediu activ laser, sunt:
- a) posibilitatea ghidrii undelor electromagnetice prin zona activ cu
indice de refracie mai mare,
- b) posibilitatea realizrii inversiei de populaie cu un curent electric de
pompaj cu intensitate redus. Aceste proprieti fac ca o configuraie cu dubl
heterostructur (fig. 10. 3) s prezinte o mai mare eficien a generrii emisiei
stimulate, fa de dioda laser cu material omogen n zona activ. Materialele
semiconductoare cel mai des utilizate pentru fabricarea diodelor laser cu dubl
heterostructur sunt combinaii de tipurile A IIIBV sau A IV BVI .

Lasere cu semiconductoare

215

O configuraie practic pentru obinerea inversiei de populaie ntr-un

mediu activ semiconductor este aceea a unei diode cu jonciune p-n n care
regiunile p i n sunt obinute prin doparea pn la degenerare a aceluiai cristal
semiconductor. Cvasinivelul Fermi al materialului de tip p se afl n banda de
valen, iar acela al materialului de tip n n banda de conducie. n absena unei
diferene de potenial electric la bornele diodei, cele dou cvasinivelurile Fermi
coincid (condiia de echilibru termodinamic).

Fig. 10. 3. Structura de benzi a unei duble heterostructuri; a) la echilibru, b) la prag.

La aplicarea unei diferene de potenial V , acestea se separ printr-un

interval energetic eV (unde e este sarcina electric elementar). n zona de
sarcin spaial a jonciunii se produce o inversie de populaie ntre electroni i
goluri. Acest fenomen face posibil amplificarea radiaiei prin emisie stimulat, la
recombinarea radiativ dintre un electron i un gol.
Indicele de refracie al majoritii materialelor semiconductoare, pentru
lungimile de und ale emisiei acestora, este suficient de mare astfel nct, la
interfaa semiconductor/aer, coeficientul de reflexie pentru radiaia emis s aib
valori ridicate pentru a determina formarea unei caviti Fabry-Prot pe feele
cristalului perpendiculare pe direcia emisiei. n multe tipuri de diode laser de mic
putere, nu este necesar nici lefuirea nici depunerea de straturi reflectoare pe
capetele mediului activ, ntruct clivajul cristalului dup planuri atomice determin
fee cu suprafee foarte netede. Acestui tip de configuraie de cavitate rezonant
laser i se aplic teoria general a rezonatoarelor.
10.1.3. Diode laser cu gropi cuantice
n figura 10. 2 regiunea activ de GaInP mrginit de fiecare parte de
GaAlInP n cazul unei duble heterojonciuni acioneaz ca o capcan de electroni i
goluri. Dac grosimea regiunii active este micorat pn la o valoare
o

d < 200 A , electronii i golurile confinate manifest efecte cuantice, energiile

cuantificate i funciile de und ale acestora fiind determinate n mod special de
distana de confinare, d , laserele astfel obinute numindu-se lasere cu gropi

OPTIC INTEGRAT

216

cuantice (Quantum Well-QW). Aceleai efecte se manifest i n cazul structurii de

tip Al x Ga 1 x As/GaAs/ Al x Ga 1 x As cu x ~ 0,3 (fig. 10. 4).

Fig. 10. 4. Reprezentarea schematic a laserului de tip

Al x Ga 1 x As/GaAs/Al x Ga 1 x As.

Groapa cuantic ntr-o astfel de structur corespunde unui strat foarte

subire de semiconductor ~ 100 A cu o band interzis Wg1 situat ntre dou

regiuni semiconductoare avnd banda interzis Wg 2 > Wg1 . Regiunea cu band

interzis Wg1 se comport ca o groap cuantic de potenial att pentru electroni
ct i pentru goluri, dac diferena ntre benzile de conducie i de valen este
convenabil mprit ntre cele dou materiale, iar densitatea de stri permise
devine o funcie treapt n locul celei de tip parabolic ca n cazul materialului
masiv, acesta fiind un efect cuantic de dimensiune. Dependena de distan a
indicelui de refracie i a cmpului optic pentru structura amintit anterior este
prezentat n figura 10. 5.
Micarea electronilor cu masa m* = me n banda de conducie, BC

(fig. 10. 4) caracterizat de funcia de energie potenial V (r ) poate fi descris cu

v
ajutorul unei funcii de tip anvelop (r ) , (normat pe volumul cristalului) care
verific ecuaia Schrdinger [10.7]:

h2 2 r
r r
r
(r ) + V (r )(r ) = W(r ) .
2me

(10.14)

Considernd c electronii se mic dup axa z , (dup axele x i y

r
acetia rmnnd liberi) i c V (r ) = V ( z ) soluia ecuaiei (10.14) este de forma:
r
nkr (r ) = exp i k x x + k y y Z n ( z ) ,
(10.15)

[(

)]

n care: n reprezint numrul cuantic, iar k = k x , k y . Pentru a calcula funcia

Z n ( z ) se nlocuiete soluia (10.15) n ecuaia (10.14)

Lasere cu semiconductoare

217

h 2 d 2 Zn (z )
h 2k 2

Zn (z )
(
)
(
)
+
=

V
z
Z
z
W
n

m
2me dz 2
2
e

(10.16)

n care: k = k x2 + k y2 .

Fig. 10. 5. Profilul indicelui de refracie i al cmpului optic n cazul structurii

de tip Al x Ga 1 x As/GaAs/Al x Ga 1 x As.

Funcia Z n ( z ) este normat pe lungimea cristalului, Lz n direcia z .

Considernd un potenial de forma:

z (0, L )
0, pentru
V (z ) =
, pentru z = 0, z = L,

(10.17)

(dei n cazurile reale lrgimea benzii interzise este de ordinul eV, aceast
aproximaie fiind grosolan) din ecuaia (10.26) se obin funciile proprii

Zn (z ) =

2 Lz
nz
sin
L
L

(10.18)

i valorile proprii

Wne

(k )

= Wne

h 2k 2
h 2 n h 2 k 2
+
=
+
2me 2me L
2me

(10.19)

unde n este un numr ntreg pozitiv. Confinarea n interiorul gropii cuantice

determin apariia unei benzi energetice cu structura dat de relaia (10.19), unde

Wne ia valori discrete, acestea fiind determinate de V ( z ) . Pentru fiecare valoare a

numrului n exist o dependen parabolic a valorii proprii Wne (k ) de k ,

(curbele de dispersie), cu un minim n Wne (fig. 10. 6). Valoarea proprie a energiei

Wne (k )

i funcia proprie asociat determin o sub-band energetic

electronic n . n figura 10. 7 sunt prezentate i Z1 ( z ) i W1e .

Densitatea de stri permise n cazul unui semiconductor cu gropi cuantice
devine o funcie de tip treapt n loc s fie de tip parabolic ca n materialul masiv
(fig. 10. 6).

OPTIC INTEGRAT

218

Modelul teoretic prezentat anterior n cazul electronilor poate fi aplicat i

golurilor din banda de valen, BV (fig. 10. 4) cu masa m g , energia golurilor

Wng (k ) (msurat de la marginea benzii de conducie n jos) fiind de forma

e

(10.19) unde Wn se nlocuiete cu

2

Wng

h 2 n
= Wg +
,
2 mg L

(10.20)

Wg reprezentnd energia interzis a gropii cuantice. n figura 10. 4 Wg

corespunde valorii Wg1 . Funciile de tip anvelop pentru goluri sunt identice cu
cele corespunztoare electronilor i determin mpreun cu valorile proprii ale
energiei o sub-band energetic a golurilor n .

Fig. 10. 6. Curbele de dispersie corespunztoare primelor trei sub-benzi electronice

n cazul gropii cuantice din figura 10. 4.

n cazul cnd limea gropii cuantice, L este foarte mare valorile

n
L

formeaz un spectru cvasicontinuu, iar relaiile (10.18) i (10.19) corespund

micrii unor electroni liberi.

Fig. 10. 7. Reprezentarea densitii de stri a sub-benzii electronice n funcie de energie n

cazul gropii cuantice din figura 10. 4, curba a) i n cazul materialului masiv, curba b).

Lasere cu semiconductoare

219

n cazul unui laser cu gropi cuantice condiia de prag pentru emisia laser
este dat de relaia:

g = +

1
ln R1R2 ,
2l

(10.21)

n care:

4 2 L2 nr nr
2

(10.22)

este factorul de restrngere spaial optic, ( nr fiind indicele mediu de refracie

corespunztor zonei active, nr diferena indicilor de refracie corespunztori
regiunilor ghidului), l este lungimea mediului activ, R1 , R2 sunt reflectivitile
oglinzilor cavitii, iar 10 cm -1 100 cm -1 reprezint pierderile pe unitatea de
lungime datorit altor efecte dect reflexiile pe oglinzile cavitii. n figura 10. 8
este prezentat structura unei diode laser cu gropi cuantice de tip
InGaAs/GaAs/AlGaAs, (regiunea activ fiind In 0, 2 Ga 0,8 As), care emite radiaia
fundamental cu lungimea de und = 0,96 m i armonica a doua cu
= 0,48 m [10.7].

Fig. 10. 8. Reprezentarea schematic a laserului cu gropi cuantice de tip

InGaAs/GaAs/AlGaAs.

n general, lungimile de und de emisie sunt: = 1,2 m 1,6 m pentru

structura de tip InGaAsP i = 0,65 m 0,9 m pentru cea de tip AlGaAs.
Pe baza efectului cuantic de dimensiune n cazul heterostructurilor cu
confinare separat (Separate Confinement Heterostructure-SCH) este posibil
selectarea lungimii de und de emisie prin ajustarea grosimii zonei active.
n ultimii ani au fost fabricate structuri de tip pictur cuantic (Quantum
Dot-QD) n materiale dielectrice izolatoare care conin materiale semiconductoare
sau metalice cu dimensiunile 2,5 25 nm .

OPTIC INTEGRAT

220

n cazul acestor structuri (de exemplu CdS, CdSe etc.) structura benzii
energetice a materialului din pictur este relevant n structura sa electronic, iar
electronii sunt confinai dup toate cele trei direcii. Spectrul de absorbie este
format dintr-o serie de linii largi.
Considernd o pictur de forma unui cub cu latura L mrginit de bariere
de potenial de nlime infinit, iar pictura i materialul izolator care o nconjoar
au volumul V p , strile unui electron pot fi descrise cu ajutorul unei funcii de tip
anvelop monoelectronice de forma:
3

nx
ly
mz
2
sin
sin
nlm (r ) = V p sin
L
L
L
L

(10.23)

crora le corespund valorile proprii ale energiei

2

2
2
2
h n + l + m
e
Wnlm
=
,
2me
L
unde n, l , m sunt ntregi pozitivi.

(10.24)

n cazul golurilor funciile de tip anvelop sunt cele date n relaia (10.23),
iar energiile corespunztoare sunt:
2

g
Wnlm

2
2
2
h n + l + m
= Wg +
.
2m g
L

(10.25)

n picturile cuantice metalice exist numai stri electronice.

10.1.4. Diode laser cu gropi cuantice multiple
n cazul unei structuri cu un numr mare de gropi cuantice (Multiple
Quantum Well-MQW) fiecare groap contribuie la creterea ctigului
obinndu-se astfel unul maxim dorit. Dimensiunile gropilor cuantice sunt de
o

civa zeci de A (fig. 10. 9).

Fig. 10. 9. Reprezentarea schematic a laserului cu gropi cuantice multiple

de tip (Al x Ga 1 x ) 0,5 In 0,5 P avnd = 0,626 m .

Raportul dintre ctigurile unui laser cu N gropi cuantice, g N i

respectiv unul cu o singur groap cuantic, g estre dat de relaia:

Lasere cu semiconductoare

221

n
n
N f c , f v ,
gN
N
N
=
(10.26)
g
f c (, n ) f v (, n )
I
n care: n =
reprezint densitatea purttorilor n laserul cu o singur groap
eL
cuantic, I este intensitatea curentului, e este sarcina electronului, L limea
gropii i este timpul de via al electronilor.
Puterea la ieire a diodelor laser cu gropi cuantice multiple este limitat de
degradarea catastrofic a oglinzilor ca urmare a absorbiei luminii pe feele
structurii. Un interes deosebit l prezint structurile care emit n domeniul
lungimilor de und = 0,9 m 1,6 m ntruct acestea sunt utilizate n
comunicaiile prin fibr optic, fibrele avnd pierderi mici i dispersii bune n
domeniul amintit.
10.1.5. Lasere cu semiconductoare cu emisie vertical
Performanele heterostructurilor pompate electric sunt limitate de pierderile
optice i de nclzirea dispozitivului, aceasta rezultnd n urma trecerii curentului
prin dispozitiv. O alternativ la obinerea efectului laser prin injecia de curent o
reprezint pompajul optic. Prin utilizarea pompajului optic al purttorilor direct n
regiunea activ se reduce nclzirea dispozitivului i crete temperatura de operare.
Pe baza celor prezentate anterior s-au fabricat lasere cu semiconductoare
cu emisie vertical (Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers-VCSEL). Pompajul
optic al unui laser cu semiconductoare cu emisie vertical poate fi realizat i cu
ajutorul unei diode cu arie de emisie mare care opereaz la lungimea de und
980 nm, lungimea de und a emisiei laser fiind de 1,55 m (fig. 10. 10).

Fig. 10. 10. Structura unui laser cu semiconductoare cu emisie vertical.

Regiunea activ a laserului cu semiconductoare cu emisie vertical este

format din 6 diode laser cu gropi cuantice multiple de tip InGaAsP/InGaAsP.
Radiaia de pompaj provenit de la dioda laser este focalizat pe regiunea activ cu
ajutorul unei lentile. ntre lentil i zona activ exist un substrat de GaAs i 31 de

OPTIC INTEGRAT

222

substraturi GaAs cu reflectoare Bragg distribuite. La ieirea din zona activ sunt
dispuse 22 de substraturi GaAs cu reflectoare Bragg distribuite. Zona activ i
zonele adiacente sunt fuzionate.
Laserul cu semiconductori cu emisie vertical prezentat poate fi cuplat
direct cu o fibr optic. n cazul regimului de lucru monomodal la temperatura
camerei puterea maxim a laserului la ieire este de 195 mW, la ieirea din fibra
optic de 1,95 mW, iar la temperatura de 125 o C puterea maxim a laserului la
ieire este de 75 mW, aceste valori fiind de patru ori mai mari dect n cazul cnd
laserul este pompat electric.
Cavitatea semiconductoare cu emisie vertical poate funciona i ca
amplificator utiliznd o cavitate format din dou reflectoare Bragg distribuite
nedopate de tip GaAs/Al 0,99 Ga 0,01 As fuzionate cu o zon activ format din trei
straturi de GaAs.

10.2. Mecanisme de realizare a inversiei de populaie n

laserele cu semiconductoare
ntr-un cristal semiconductor, niveluri energetice posibile ale electronilor
n cristal sunt distribuite n banda de valen (BV) i n banda de conducie (BC),
benzi energetice separate printr-o band interzis de pn la ~3 eV (fig. 10. 11).

Fig. 10. 11. Benzile energetice pentru jonciunea p-n polarizat direct.

10.2.1. Excitarea prin injecie

Probabilitile de ocupare a nivelurilor energetice W ale electronilor n
banda de conducie i banda de valen sunt caracterizte prin funciile de distribuie
Fermi-Dirac, particularizate pentru fiecare band energetic n parte:

fc =

1
,
W WFc
exp
+1
kT

n banda de conducie i

(10.27)

Lasere cu semiconductoare

223

1
,
(10.28)
W WFv
exp
+1
kT
n banda de valen, unde T este temperatura termodinamic a cristalului
semiconductor, iar k este constanta Boltzmann.
Utilizarea jonciunilor p n pentru crearea inversiei de populaie n urma
fv =

excitrii prin injecie constituie metoda cea mai rspndit pentru fabricarea
diodelor laser.
Dac jonciunea este polarizat direct, electronii sunt injectai n zona de
tip p a dispozitivului, iar golurile n zona de tip n, crendu-se un exces de
purttori peste valoarea de echilibru, care determin inversia de populaie necesar
emisiei stimulate. Absorbia de radiaie electromagnetic (fig. 10. 12) ntr-un astfel
de semiconductor are loc la tranziia unui electron de la un nivel energetic W1 din
banda de valen la un nivel W2 din banda de conducie, sub influena radiaiei;
probabilitatea unei astfel de tranziii este, n virtutea principiului de excluziune
Pauli, proporional cu produsul f v (W1 )[1 f v (W2 )] dintre probabiltatea de a avea
un electron pe nivelul iniial W1 i probabilitatea de a avea o lips de electron pe
nivelul final W2 .
n mod analog, emisia stimulat de radiaie electromagnetic (fig. 10. 12)
poate avea loc, pentru respectarea legii conservrii energiei, la o tranziie invers a
electronului ntre aceleai dou niveluri, sau, altfel spus, la recombinarea
electronului cu golul, cu probabilitatea f c (W1 )[1 f v (W2 )] .

Fig. 10. 12. Procesele de absorbie i emisie stimulat n cazul unui semiconductor
cu band interzis direct.

n cazul modelului prezentat anterior mprtierile purttorilor n interiorul

benzilor implicate au loc mai rapid n comparaie cu procesele de recombinare
band-band, strile din interiorul benzilor putnd fi considerate la echilibru.

OPTIC INTEGRAT

224

Condiia de obinere a regimului de emisie stimulat ntr-un semiconductor

degenerat, la interaciunea cu radiaia electromagnetic, este ca probabilitatea de
producere a unei emisii la tranziia ntre nivelurile energetice din banda de
conducie i, respectiv banda de valen, s fie mai mare dect probabilitatea de
absorbie ntre aceleai dou niveluri:
f c [1 f v ] f v [1 f c ],
(10.29)
adic:
(10.30)
fc f v
ceea ce nseamn realizarea unei inversii de populaie ntre electronii din banda de
conducie i golurile din banda de valen.
Conform realaiilor (10.27), (10.28) i (10.30), inversia de populaie ntre
nivelurile considerate ale materialului semiconductor se realizeaz n cazul cnd:

W WFc
W WFv
exp 2
(10.31)
exp 1
.
kT
kT
ntruct h = W2 W1 este expresia cuantei de energie electromagnetic
emis prin aceast tranziie (unde este frecvena radiaiei), atunci condiia (10.30)
se poate scrie sub forma:
W = WFc WFv h .
(10.32)

10.3. Diode emitoare de lumin

n telecomunicaiile optice ca surse mai sunt folosite i diodele emitoare
de lumin (Light Emitting Diodes-LED).
Radiaia provenit de la o astfel de diod este incoerent i este emis
ntr-un domeniu larg att al lungimilor de und (800 nm 1550 nm) ct i al
unghiurilor.
n cazul unei diode p n homojonciune cea mai mare parte a radiaiei
rezultate n urma procesului de recombinare este generat n interiorul unui volum
din semiconductor avnd dimensiunea liniar proporional cu lungimea de difuzie
n timp ce n cazul unei heterostructuri duble radiaia este generat n interiorul
stratului activ. Radiaia este emis n ambele cazuri n toate direciile. Eficiena
cuantic este determinat de raportul dintre numrul de fotoni emii de materialul
semiconductor i numrul de purttori care trec prin jonciune.
Cu aproximaie destul de bun se poate considera c puterea emis de LED
este proporional cu curentul prin diod dei exist o tendin de saturaie la puteri
mari odat cu creterea temperaturii. Rata de modulaie este limitat la aproximativ
100 MHz.
O diod emitoare de lumin este astfel fabricat nct la o anumit
valoare de prag a curentului mecanismul de generare a luminii se modific. La
valori mici ale curenilor radiaia luminoas este produs n urma emisiilor
spontane. n apropierea pragului radiaia luminoas emis este dominat de emisia
stimulat. Ca urmare a acestui fapt radiaia emis devine mai direcional, mai
coerent i spectrul su se prezint sub forma unei sau unor linii foarte nguste.
Att valoarea de prag a curentului ct i spectrul sunt foarte sensibile la
variaiile de temperatur i se pot modifica n funcie de condiiile mediului

Lasere cu semiconductoare

225

nconjurtor sau n timpul operrii n impulsuri sau la valori mari ale puterii emise.
Printre avantajele pe care le prezint aceste dispozitive se numr aria emisiv mai
mic dect a diodelor laser precum i o frecven de modulaie utilizabil
mai mare.
Pentru fabricarea diodelor LED se utilizeaz semiconductoare de tip
GaAsP sau GaP dopate cu N sau ZnO (fig. 10. 13).

Fig. 10. 13. Schema unei diode LED.

Dei puterea unei diode LED de tipul celor prezentate crete cu 50% la
creterea temperaturii de la 90 o C la 100 o C temperatura jonciunii se menine la
60 o C 70 o C. Cu ajutorul diodelor LED se poate cupla o radiaie luminoas cu
puterea de civa W ntr-o fibr optic avnd diametrul de 50 m i o apertur
numeric de 0,17.
Pentru a transforma diodele emitoare de lumin n lasere trebuie ca
inversia de populaie s ating valoarea de prag, iar pe fee s fie adugate oglinzi.

10.4. Fabricarea dispozitivelor cu heterojonciuni

Exist mai multe tehnici de fabricare a dispozitivelor cu heterojonciuni:
epitaxia n faz lichid, epitaxia n faz gazoas, epitaxia prin jet molecular,
depunerea chimic a vaporilor organo-metalici etc.
Epitaxia n faz lichid (Liquid Phase Epitaxy-LPE)) este tehnica cea mai
de utilizat i pe baza acesteia au fost realizate primele lasere cu dubl
heterostructur. n cazul acestei metode materialul care urmeaz a fi depus este
introdus ntr-o cuv (de grafit) cu solvent (de exemplu Ga pentru GaAs/GaAlAs) i
apoi ntr-un cuptor la o temperatur corespunztoare echilibrului lichid-solid al

soluiei ~ 850o C . Scznd lent i controlat temperatura ~ 0,2o C / min prin

deplasarea cuvei pe substrat se depune (cristalizeaz) un strat din materialul
solventului a crui grosime variaz ntre civa m i civa zeci, funcie de
variaia temperaturii i timpul n care se desfoar operaia. Introducnd succesiv
substratul n mai multe soluii se poate realiza o structur de tip sandvici a pturilor
corespunztoare heterojonciunii (fig. 10. 14).
Dei aceast metod este relativ simpl este destul de dificil controlul
asupra reproductibilitii n cazul cnd se depun mai multe straturi pe plci
epitaxiale cu dimensiuni mai mari de civa cm 2 . De asemenea, automatizarea
acestor procese este destul de greu de realizat.

226

OPTIC INTEGRAT

n cazul epitaxiei n faz gazoas (Vapor Phase Epitaxy-VPE) straturile

epitaxiale sunt depuse pe substrat n urma reaciei cu vapori de halogenuri sau
hidruri. Aceast metod este utilizat n cazul unor structuri avnd suprafeele de
civa zeci de cm 2 . Dei este des utilizat pentru producerea structurilor de tip
GaAsP, GaAs, a tranzistoarelor cu efect de cmp, aceast metod nu poate fi
extins la fabricarea GaAlAs, a heterostructurilor de tip GaAlAs/GaAs i a celor
abrupte pentru c n regiunea activ compoziia gazelor nu poate fi schimbat
brusc.

Fig. 10. 14. Reprezentarea schematic a epitaxiei n faz lichid.

Epitaxia prin jet molecular (Molecular Beam Epitaxy-MBE) se aplic mai

ales compuilor de tipul A III BV (de exemplu, n cazul fabricrii laserului cu
GaAl/As/GaAs) i const n evaporarea separat a elementelor n ultravid n
vederea obinerii compoziiei cerute pentru strat. Prin utilizarea acestei metode se
o

pot obine straturi foarte subiri avnd grosimi pn la civa zeci de A .

n cazul depunerii chimice a vaporilor organo-metalici (Metal-Organic
Chemical Vapor Deposition-MOCVD) se utilizeaz vapori organometalici de tipul:
trietil de galiu, Ga (C 2 H 5 )3 , dietil de zinc Zn(C 2 H 5 )2 pentru depunerea
elementelor din grupa III i a dopanilor acestora precum i vapori organometalici
de tipul hidrurilor, AsH3 , PH 3 , H 2S pentru depunerea elementelor din grupa
a V-a i a dopanilor acestora. Cu ajutorul acestei metode pot fi obinute straturi
subiri pentru majoritatea compuilor de tipul A III BV . n camera de reacie la
presiunea atmosferic sau mai mic cu 10% substratul plasat pe un suport de grafit
acoperit cu carbur de calciu este meninut la temperatura de 500 o C prin nclzire
cu ajutorul unei bobine de inducie de radiofrecven (fig. 10. 15).
Pentru depunerea compuilor amintii se utilizeaz un curent de hidrogen,
rata de depunere fiind de 2 m/h 5 m/h . Cu ajutorul acestei metode se pot
depune straturi de material foarte pur avnd grosimea de 20 nm sau mai mic.

Lasere cu semiconductoare

10.5. Modularea
semiconductoare

227

direct

prin

curent

laserelor

cu

Una dintre cele mai importante aplicaii ale laserelor cu semiconductori

este ca surs optic n telecomunicaiile optice. Modularea semnalului laser cu
vitez mare n vederea obinerii unor rate de informaii ridicate este de mare
importan tehnologic i se poate realiza prin variaia curentului de alimentare
care produce variaia puterii emise aproape instantaneu. Astfel, fasciculul de ieire
poate fi modulat n amplitudine pn la frecvene de ordinul sutelor de MHz.

Fig. 10. 15. Reprezentarea schematic a metodei de depunere chimic a

vaporilor organometalici.

10.5.1. Lasere cu semiconductoare cu gropi cuantice multimodale i

monomodale
Laserele cu semiconductoare oscileaz n cele mai multe cazuri
multimodal (fig. 10. 16 a) pentru c odat cu creterea curentului de injecie
(pompajului) electronii, (care n mod natural fiind descrii de statistica Fermi-Dirac
nu pot ocupa mai mult dect o stare proprie) ncep s ocupe i strile adiionale
determinnd lrgirea spectrului radiaiei de recombinare (fig. 10. 16 b) i
posibilitatea oscilaiei multimodale. Mecanismele care determin variaia ctigului
unui mod n prezena altora sunt depopularea selectiv a nivelurilor energetice i
oscilaia populaiilor [10.2], [10.4].

a)

b)

Fig. 10. 16. Reprezentarea oscilaiei : a) multimodale i b) a spectrului radiaiei de

recombinare pentru diferite valori ale curentului de injecie, I .

OPTIC INTEGRAT

228

n figura 10. 17 este prezentat spectrul multimodal al emisiei laser

corespunztor heterostructurii cu gropi cuantice de tip InGaAs/GaAs/AlGaAs
pentru opt valori ale curentului de injecie, cel corespunztor pragului fiind
~16 mA. n cazul unei caviti de lungime L care conine un mediu activ cu
indicele de refracie n distana dintre dou moduri adiacente, poate fi
calculat difereniind relaia L = m

, din care rezult:

2n

dm
2 L 2 L dn
,
= 2 +
d
d

astfel c n cazul cnd m este foarte mare

2
.
=
dn
2nL 1
n d

(10.33)

(10.34)

Fig. 10. 17. Spectrul de emisie al heterostructurii de tip InGaAs/InGaAsP pentru opt valori
ale curentului de injecie, curentul corespunztor pragului ~16 mA.

n stare staionar se poate calcula intensitatea modului sub forma:

gm
Im =

2Qm

(N m - 1) ,
2Qm m

(10.35)

Lasere cu semiconductoare

229

n care:

Nm =

2 g mQm

(10.36)

reprezint excitaia relativ.

n telecomunicaiile optice este necesar ca numrul de moduri s fie
limitat, adesea la un mod. Operarea monomodal stabil se poate face utiliznd:
caviti cuplate, reacia selectiv a frecvenei, injecia blocat i geometria
controlat a cavitii.
Cuplajul cavitilor se poate realiza n mai multe feluri: cavitate cuplat
tiat, cavitate cu oglind extern, cavitate cuplat cu an i prin interferen n
etalon integrat. Selecia lungimii de und ntr-un laser cu cavitate cuplat se poate
face pe lng controlul asupra curentului i temperaturii prin: reea extern,
reflector Bragg distribuit i reacie distribuit.