Elemente de electronic analogic

Jonctiunea pn la echilibru termodinamic

Se determin:
- lungimea regiunii de trecere, l l p ln
- nlimea barierei de potenial, U 0

Aproximaii:
2 ni2
p p n p p pnp n i p p Na np
Na
ni2
nn pn nn pn ni2 nn N d pn
Nd
Model unidimensional

Deducerea lungimii regiuni de trecere

Densitatea de sarcin electric din regiunea de trecere:

lp x 0 q N a p( x) n( x ) qN a

0 x ln qN d p( x) n( x ) qN d

(n zona de trecere p (x) si n(x ) sunt neglijabile, regiune golit de purttori

mobili de sarcin)
Deci:
- pentru semiconductorul P: 2 qN a qp p
Elemente de electronic analogic

- pentru semiconductorul N: 1 qN d qnn

Se determin variaia lui u (x ) n regiunea de trecere: u2 ( x) i u1 ( x )

Se rezolv ecuaia lui Poisson u (unde r 0 este

permitivitatea electric a materialului semiconductor) n cele dou regiuni
i se pun condiiile de continuitate n origine.

Zona 2

d 2u2 ( x ) qp p
cu condiiile la limit:
dx 2
du 2 ( x )
u 2 ( x) x l 0 0
p dx x l p
Se integreaz:
du2 ( x) qp p
x C1
dx
rezult:
qp p l p
C1

adic:
du2 ( x) qp p
x l p
dx
Se integreaz:
1 qp p
u 2 ( x)
2
x l p C2
2

rezult:
1 qp p
C2 0 i: u1 ( x ) x l p 2
2
Zona 1

d 2u1 ( x ) qn
2
n
dx
cu condiiile la limit:
du1 ( x)
u1 ( x ) x l U 0 0
n dx x ln
Elemente de electronic analogic

Se integreaz:
du1 ( x ) qn
n x C3
dx
rezult:
qnn ln
C3

adic:
du1 ( x) qn
n x ln
dx
Se integreaz:
1 qnn
u1 ( x ) x ln 2 C4
2
rezult:
C4 U 0
i:
1 qnn
u 2 ( x) U 0 x ln 2
2
Racordarea soluiilor:

pentru: x 0 u1 (0) u 2 (0) rezult:

1 qp p 2 1 qnn 2 1 q
U0
2
lp
2
ln
2
nn ln2 p p l p2
du1 ( x) du ( x)
pentru: x 0 2 rezult:
dx x 0 dx x 0

qp p qnn
lp l
n
de unde:
lp nn
nn ln p p l p sau:
ln pp

Deoarece: l ln l p , rezult imediat:

pp nn
ln l i: lp l
p p nn p p nn
Elemente de electronic analogic

Se nlocuiesc:

1q l 2 p 2p l 2 nn2
U0 nn pp
2 nn p p 2 nn p p 2
De aici se deduce lungimea zonei de trecere:

2U 0 p p nn
l
q p p nn
Observaii:
- lungimea de trecere este mic dac zonele sunt dopate puternic;
- regiunea de trecere se extinde mai mult n zona mai puin dopat cu
impuriti.

Deducerea nlimii barierei de potenial

Varianta 1:

La echilibru termic:
dp
j p qp p E qD p 0
dx
dn
jn qn n E qDn 0
dx
Se deduc:
D p 1 dp kT 1 dp kT 1 dn
E E
p p dx q p dx q n dx
Dar:
du kT dp kT dn
E i, prin artificiu elementar: du
dx q p q n

Se integreaz:
kT p ( x) kT n( x )
u ( x) ln ln
q pc q nc
pc , nc constante de integrare
Elemente de electronic analogic

Se expliciteaz concentraiile de purttori:

qu ( x ) qu ( x )

kT kT
p( x ) pc e n( x) nc e

Condiii la limit:
x u 0 p pp; n np pc p p ; nc n p
x u U0 p pn ; n nn
qU 0 qU 0

pn p p e kT nn n p e kT

Din ambele relaii rezult:

kT nn kT p p kT p p nn kT N a N d
U0 ln ln ln 2 ln
q np q pn q ni q ni2

Pentru valori tipice ale concentraiilor de impuriti, rezult valori de

ordinul zecimi de V:

N a 1015 / cm3 ; N d 1018 / cm3 ; ni2 1020 / cm 6 U 0 0,777 V

Varianta 2:

Se folosete structura de benzi energetice ale semiconductorului:

2 1
Se constat: 2 1 qU 0 ; U 0
q
Elemente de electronic analogic

Dar:
W 1 W 2

kT kT
p (l n ) p n p e ; p( l p ) p p p e

W 1 W 2 2 1 qU 0
2 1
kT kT kT kT
pn n e ne p pe p pe

2 1 2 1 1 1 2 1
2
n( l p ) n p n e kT ne kT ne kT e kT nn e kT

Se obin imediat relaii identice cu acelea obinute prin metoda

anterioar.