Punctul static de functionare la tranzistoare bipolare

1. Structura fizica a tranzistorului bipolar

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni formate printr-o succesiune de 3 zone
pnp sau npn. Zona din mijloc a tranzistorului se numete baz (B) i este realizat cu urmtoarele proprieti: este foarte
ngust (de ordinul micronilor sau chiar zecimi de micron) i are o dopare cu impuriti mult mai mic dect regiunile
laterale. O zon extrem, cu cea mai mare dopare cu impuriti se numete emitor (E). Cealalt zon extrem se numete
colector (C).
Cele dou jonciuni ale unui tranzistor se numesc jonciunea emitorului, respectiv jonciunea colectorului. La
funcionarea n regiunea activ (n care se manifest proprietile de amplificare ale tranzistorului), jonciunea emitorului
este polarizat n sens direct, iar jonciunea colectorului n sens invers.

2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

n schemele de amplificare, precum i n alte circuite electronice, tranzistorul este tratat ca un cuadripol activ, avnd
dou borne de intrare i dou borne de ieire. Dar tranzistorul are numai trei borne (terminale). Rezult c, pentru a fi
utilizat ntr-un anumit circuit, de exemplu de amplificare, este necesar ca o born a tranzistorului s fie comun att
circuitului de intrare ct i circuitului de ieire. n funcie de electrodul folosit ca born comun, tranzistorul are trei
conexiuni posibile: baz comun (BC), emitor comun (EC) i colector comun (CC).
Caracteristicile statice ale unui tranzistor exprim legturile dintre curenii prin tranzistor i tensiunile aplicate, n
regim staionar. Dependenele se pot exprima analitic, ns cel mai frecvent se dau sub form grafic.
Principalele caracteristici ale tranzistoarelor sunt:

- familia caracteristicilor de ieire, care d dependena curentului din circuitul de ieire n funcie de tensiunea la bornele
de ieire i curentul din circuitul de intrare (ca parametru): iE = f(uE, ii);
- familia caracteristicilor de intrare reprezint dependena curentului din circuitul de intrare ca funcie de tensiunea de
intrare i tensiunea de la bornele de ieire (ca parametru): ii = f'(ui, uE);

Pentru reprezentarea complet a caracteristicilor tranzistorului bipolar, se dau uneori, ntr-o diagram cu patru
cadrane, patru familii de caracteristici. Pe lng cele dou familii prezentate (cele de ieire i cele de intrare) se mai dau
i dou familii pentru caracteristici de transfer:

- iC = f3 (iB , uCB );
- uEB = f4 (uCB ,iB);

Caracteristicile tranzistorului depind de schema de conectare. In circuitele electronice, cea mai utilizat schem de
conexiune a tranzistorului bipolar este EC. In aceast conexiune, familiile caracteristicilor de ieire i de intrare
reprezint dependenele:

- iC = f (uCE ,iB);
- iB = g (uBE , uCE);

Pentru a stabili dependena curentului de ieire iC n funcie de curentul de intrare iB , folosim relaiile:

iC =N iE + ICB0
 iB =(1 - N ) iE - ICB0

Din cea de-a doua relaie extragem iE i nlocuim n prima relaie:

i I CB 0
iE B
1N
Rezulta:
N I I
iC i B CB 0 N i B I CE 0 ; I CE 0 CB 0
1N 1 N 1N

N
In care N se numete factor de amplificare static n curent al tranzistorului, n conexiunea EC. Cum N
1N
este foarte apropiat ca valoare de 1 ( N = 0,98, , 0,998), factorul N este relativ mare, ntre 30 i 1000. Creterea
tensiunii aplicate invers n circuitul colectorului produce o uoar cretere a factorului N .Aceasta provoac ns o
modificare mult mai pronunat a lui N .

Regiunea de saturaie a caracteristicii de ieire este situat n cadranul I. In aceast regiune, caracteristicile de ieire
ale tranzistorului sunt foarte apropiate. Pentru scri obinuite, regiunea de saturaie se reduce practic la o dreapt, cu
nclinaie apropiat de 90, numit dreapt de saturaie.
Regiunea de blocare (tiere), corespunde situaiilor de polarizare invers a jonciunii emitor - baz. Riguros, regimul de
tiere se obine pentru iB = - ICB0.
Dac se consider situaia n care emitorul i colectorul i inverseaz rolurile, caracteristicile se extind n cadranul
III (tranzistor inversat). Apare regiunea activ invers.
Pentru conexiunea EC se poate da o reprezentare n patru cadrane prin introducerea a dou familii de caracteristici
de transfer:

- iC = f' (iB , uCE)

- uEB = f'' (uCE , iB)
 3. Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice ale tranzistorului

Concentraiile purttorilor minoritari din cele trei regiuni ale tranzistorului bipolar depind exponenial ( T 3/2) de
temperatura cristalului. Aceast particularitate determin o influen important a temperaturilor jonciunilor asupra
caracteristicilor statice ale tranzistorului. Dintre efectele cele mai importante menionm:

- creterea curentului de colector i C cu temperatura, avnd ca efect deplasarea spre n sus a curbelor din familia
caracteristicilor de ieire. O influen deosebit o are creterea substanial cu temperatura a curentului de purttori
minoritari ICB0 . La tranzistoarele cu Si, curentul rezidual este extrem de mic, de ordinul nA, astfel c ponderea sa,
chiar la temperaturi ridicate, este mai mic dect la tranzistoarele cu Ge.

- micorarea tensiunii emitor - baz (pentru iE = ct sau iB = ct), avnd ca efect modificarea caracteristicilor de intrare, att
n schema BC, ct i n EC.

- creterea coeficientului static de amplificare N i implicit a coeficientului N la majoritatea tranzistoarelor.

4. Stabilirea punctului static de funcionare al tranzistorului

 Pentru funcionarea corect a tranzistorului bipolar ntr-un etaj de amplificare, tranzistorul trebuie s fie alimentat n
serie cu rezistena de sarcin, astfel nct s fie asigurat funcionarea n regiunea activ a caracteristicilor de ieire.
Asigurarea unui punct static de funcionare n regiunea activ normal a caracteristicilor, caracterizat de curentul de
baz iB0 , curentul de colector iC0 i tensiunea colector - emitor uCE0 , necesit polarizarea n sens de conducie a jonciunii
emitoare i a jonciunii colectorului n sens de blocare. Aceasta se poate realiza cu ajutorul a dou surse EC i EB .
Rezistena RB din circuitul bazei se alege astfel ca pentru o rezisten de sarcin RS RC i o tensiune de colector EC date,
s se impun un punct de funcionare convenabil, n regiunea activ admisibil a caracteristicii statice.
Schema din Fig. 1 are dezavantajul c necesit dou surse de alimentare care s asigure funcionarea montajului, de
aceea se folosete rar.
Pentru realizarea etajului de amplificare, se poate utiliza i o singur surs de alimentare, prin care se stabilete att
polarizarea jonciunii colectorului, ct i polarizarea jonciunii emitorului. Cea mai simpl situaie const n alimentarea
bazei de la sursa de colector EC , printr-o rezisten RB care asigur valoarea iB0 a curentului de baz (Fig. 2).

Presupunem c sunt date caracteristicile de ieire ale tranzistorului (ca n Fig. 3) iC = f (uCE ,iB) precum i mrimile
EC, RB i rezistena de sarcin (de colector). Se pune problema determinrii punctului static de funcionare, definit prin
mrimile iB0 , iC0 i uCE0. n acest scop, se scrie legea a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de colector i pe circuitul de
alimentare a bazei.
EC = RC iC + uCE
EC = RB iB + uBE
Deoarece |uBE |<< EC , putem scrie: EC RB iB

Pentru deducerea punctului static de funcionare n schema din Fig. 2, se rezolv grafic sistemul:

iC = f (uCE ,iB)
EC = RC iC + uCE
EC RB iB
Din ultima ecuaie a sistemului rezult imediat:

iB0 EC / RB
In planul caracteristicilor de ieire se face reprezentarea grafic a dreptei statice de sarcin (ecuaia EC = RC iC + uCE).
Intersecia dreptei statice de sarcin cu caracteristica corespunztoare curentului iB0, determin punctul static de
funcionare M, de coordonate uCE0 , iC0 .
 De asemenea, dac se d tensiunea EC i punctul static de funcionare, se pot calcula rezistenele RC i RB care s
asigure punctul static de funcionare dat.
S-a artat c variaia temperaturii produce modificarea caracteristicilor statice ale tranzistoarelor. Considernd
modificarea temperaturii la o valoare mai ridicat, punctul static de funcionare se modific din M n M' (Fig. 3).
Curentul de colector crete, iar |uCE |scade. O cerin important impus circuitului de polarizare a tranzistorului, care nu
este ndeplinit de schema din Fig. 2, este asigurarea stabilitii punctului static de funcionare la variaia temperaturii.
innd seama de influena temperaturii asupra curentului rezidual ICB0, tensiunii uEB (corespunztoare unui curent iE
= const.) i asupra factorului N , precum i de efectul acestor mrimi asupra curentului de colector exprimat de relaia:

iC = iC (ICB0 , UEB , N),

se obine variaia total a curentului de colector, prin diferenierea relaiei i trecerea la diferene finite:

iC iC i
i C I CB 0 | U EB | C N
I CB 0 | U EB | N
sau:
iC S I I CB 0 SU | U EB | S N , unde

iC iC iC
SI ; SU ; S
I CB 0 | U EB | N

sunt factorii de sensibilitate ai curentului de colector, n raport cu ICB0 , |UEB| i N. Micorarea variaiei iC , la modificarea
temperaturii, se realizeaz cu ajutorul unor scheme de polarizare a tranzistorului, care asigur stabilizarea termic a
punctului static de funcionare.

5. Desfasurarea lucrarii
 A) Circuitul de test

R 2

2
4
JP1 5k6

C 2

1
3

2
1u
J9

J10
R 4 R 3
1
J11 18k 2 .2 m e g 2

1
J1
Q 1
C 1
1 1 2
2
1u
Q 2N 2222

R 5 R 1 C 3
PO T 1k5 22u
2

2
J6 J7 J8
0
1

1
0 0 0 0
Fig. 4

B) Circuite de polarizare

B.1 Studiul circuitului de polarizare cu rezistenta serie in baza

a) Se realizeaza montajul din Fig. 5 pentru tranzistorul Q1;

R 1 R 2 V1
15V
18K 5 .6 K

Q 1

Q 2N 2222

R 3
1 .5 K

0 0
Fig. 5

b) Se alimenteaza de la sursa VCC=15V ;Se masoara VCE si se deduce valoarea lui iC ;

c) Se repeta punctul b dupa ce in prealabil tranzistorul a fost incalzit, prinzandu-l intre degete si asteptand 2 3
minute ;
d) In circuitul de polarizare calculat si realizat pentru tranzistorul Q1 se inlocuieste Q1 cu unul de acelasi tip dar cu
B0 diferit (Q2 sau Q3). Se repeta masuratorile si se determina i C precum si diferentele iC, VCE fata de valorile masurate
cu tranzistorul initial.
 Rezultatele masuratorilor se vor sistematiza in tabelul de mai jos. Se va indica de fiecare data sensul in care trebuie
modificate rezistentele de polarizare pentru a readuce p.s.f al tranzistorului respectiv la i c= 2.7 mA, VCE = 4 V; ?

Tranzistorul B0 Temperatura VEM VCM VCE iC

capsulei
Q1 100 20C
Q1 100 37C
Q2 100 20C
Q3 20C
Q1 100 20C
Q1 100 37C
Q2 20C
Q3 20C
Tabelul 1

B.2 Studiul circuitului de polarizare cu rezistenta in emitor

a) Se realizeaza montajul din Fig. 6 pentru tranzistorul Q1;

Fig. 6

b) Se alimenteaza de la sursa V CC=15V. Se masoara tensiunea pe rezistenta din emitor (V EM) si tensiunea intre
colector si masa (VCM). Se deduce VCE si iC ;
c) Se repeta punctele B.1 c si d pentru noua configuratie de circuit. Rezultatele se sistematizeaza in Tabelul 1. Se
compara rezultatele obtinute cu cele din paragraful B.1 ;

B.3 Studiul circuitului de polarizare cu divizor de tensiune in baza

 a) Se realizeaza montajul din Fig. 7 pentru tranzistorul Q1;

Fig. 7
b) Se repeta masuratorile pentru noua configuratie ;

6. Simularea circuitelor de polarizare a tranzistorului bipolar

 Circuitul de polarizare al tranzistorului trebuie sa indeplineasca urmatoarele conditii :

- Sa asigure punctul static de functionare cerut (Ic ,Vce) specificat la o temperatura ambianta data ;
- Sa asigure stabilitatea p.s.f. la variatia parametrilor tranzistorului cu temperatura si datorita dispersiei de
fabricatie a parametrilor ;

6.1 Circuitul de polarizare cu rezistenta serie in baza

a) Rezistenta de intare

Pentru a calcula rezistenta de intrare se seteaza analiza Small-signal transfer function din meniul urmator:

La intrarea circuitului se introduce o sursa de excitatie in c.c care sa nu modifice PSF al circuitului.Astfel
se va calcula rezistenta de intrare la I_I1.
Rezultatele simularii sunt :

***SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
V(OUT)/I_I1 = -9.378E+05
INPUT RESISTANCE AT I_I1 = 3.997E+03
OUTPUT RESISTANCE AT V(OUT) = 5.182E+03

b) Analiza parametrica in functie de rezistenta din baza

Vom observa cum variaza punctul static de functionare al tranzistorului cu rezistenta din baza (Rb).
Circuitul pentru simularea analizei :

Vcc
R b R c 15
{R } 5 .6 k

out 0
Q 1
C 1

1u
Q 2N 2222
V2
VO FF = 0
VAM PL = 1
FR EQ = 1k R e
1 .5 k

0 0

Meniul pentru setarea analizei:

 Rezultatele analizei parametrice in functie de rezistenta din baza

15V

10V

5V

0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(Q1:c)
Time

3.0mA

2.0mA

1.0mA

0A
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time
 b) Analiza parametrica in functie de amplitudinea sursei de la intrare

Aceasta analiza ne permite sa vedem influenta circuitului asupra semnalului de iesire la variatii ale
amplitudinii semnalului aplicat la intrare
Circuitul pentru analiza :

Vcc
R b R c 15
2m eg 5 .6 k

out
Q 1
C 1
0
1u
Q 2N 2222
V2
VO FF = 0
V A M P L = {A }
FR EQ = 1k

0 0

Meniul pentru setarea analizei:

 a) Rezultatele analizei parametrice in functie de amplitudinea sursei de la intrare

15V

10V

5V

0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(OUT)
Time

3.0mA

2.0mA

1.0mA

0A
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time

b) Analiza de temperatura
 Circuitul pentru simularea analizei

v cc

R b1 R c1
2m eg 5 .6 k

o u t1
Q 2
C 2

1u
Q 2N 2222
VO FF = 0 V3

VAM PL = 100m

FR EQ = 1k

0 0
Analiza s-a efectuat pentru -40 -20, 0, 20, 37, 50, 100 grade Celsius.

Rezultatele analizei de temperatura :

15.00

14.98

14.96

14.94
-40 -20 0 20 40 60 80 100
max(v(out1))
Temperature
2.6744m

2.6743m

2.6742m

2.6741m
-40 -20 0 20 40 60 80 100
max(- I(Rc1))
Temperature

6.2 Circuitul de polarizare cu rezistenta in emitor

a) Rezistenta de intrare
 Circuitul pentru simularea analizei :

V1
R b R c 15
18k 5 .6 k

out
Q 1 0

I1 Q 2N 2222

0Adc

R e
1 .5 k

0 0

Rezultatele analizei :
**** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
V(OUT)/I_I1 = 1.095E+03
INPUT RESISTANCE AT I_I1 = 1.148E+03
OUTPUT RESISTANCE AT V(OUT) = 1.114E+03

b) Analiza parametrica in functie de rezistenta din baza:

Circuitul pentru simularea analizei:

Vcc
R b R c 15
{R } 5 .6 k

out 0
Q 1
C 1

1u
Q 2N 2222
V2
VO F F = 0
VAM PL = 1
FR EQ = 1k R e
1 .5 k

0 0
 a) Rezultatele analizei parametrice in functie de rezistenta din baza:

16V

12V

8V

4V

0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(OUT)
Time

3.0mA

2.0mA

1.0mA

0A

-1.0mA
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time
 b) Analiza parametrica in functie de amplitudinea sursei de la intrare

Circuitul pentru simularea analizei :

Vcc
R b R c 15
2 .2 m e g 5 .6 k

out
Q 1 0
C 1 V

1u
Q 2N 2222
V2
VO FF = 0
V A M P L = {A }
FR EQ = 1k R 3
1 .5 k

0 0

a) Rezultatele analizei parametrice in functie de amplitudinea sursei de la intrare

14V

12V

10V

8V

6V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(OUT)
Time
15

10

0
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time

c) Analiza de temperatura

Circuitul pentru simularea analizei

 v cc

R b1 R c1
2 .2 m e g 5 .6 k

o u t1
Q 2
C 2

1u
Q 2N 2222
VO FF = 0 V3

VAM PL = 100m
R 4
FR EQ = 1k
1 .5 k

0 0

Analiza s-a efectuat pentru -40 -20, 0, 20, 37, 50, 100 grade Celsius.

Rezultatele analizei de temperatura :

12

11

10

8
-40 -20 0 20 40 60 80 100
max(v(out1))
Temperature
1.4m

1.2m

1.0m

0.8m

0.6m
-40 -20 0 20 40 60 80 100
max(-I(Rc1))
Temperature

6.3 .Circuit de polarizare cu divizor in baza si rezistenta in emitor

a) Rezistenta de intrare
 Circuitul pentru simularea analizei :
V1
R b1 R c 15
18k 5 .6 k

out 0
Q 1

Q 2N 2222

I1

0A dc
R b2 R e
4 .7 k 1 .5 k

0 0 0

Rezultatele simularii :
**** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
V(OUT)/I_I1 = -1.344E+04
INPUT RESISTANCE AT I_I1 = 3.668E
OUTPUT RESISTANCE AT V(OUT) = 5.581E+03

b) Analiza parametrica in functie de rezistenta din baza(Rb1)

Circuitul pentru simularea analizei:

Vcc
R b1 R c 15
{R } 5 .6 k

out
C 1
Q 1 0
V

1u
Q 2N 2222
V2
VO FF = 0
VAM PL = 1
F R EQ = 1k
R b2 R e
4 .7 k 1 .5 k

0 0 0

Rezultatele analizei parametrice in functie de rezistenta din baza(Rb1)

16V

12V

8V

4V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(OUT)
Time

2.0mA

1.0mA

0A

-1.0mA
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time

c) Analiza parametrica in functie de amplitudinea sursei de la intrare :

 Circuitul pentru simularea analizei :
Vcc
R b1 R c 15
20k 5 .6 k

out 0
Q 1
C 1

1u
Q 2N 2222
V2
VO FF = 0
V A M P L = {A }
FR EQ = 1k R b2 R e
4 .7 k 1 .5 k

0 0 0

Rezultatele analizei parametrice in functie de amplitudinea sursei de la intrare

7.4V

7.2V

7.0V

6.8V

6.6V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(OUT)
Time
1.50mA

1.45mA

1.40mA

1.35mA
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time

d) Analiza de temperatura
 Circuitul pentru simularea analizei

v cc

R b3 R c1
20k 5 .6 k

o u t1

Q 2
C 2

1u
Q 2N 2222
VO F F = 0 V3

VAM PL = 100m
R b4 R e1
F R EQ = 1k
4 .7 k 1 .5 k

0 0 0

Analiza s-a efectuat pentru -40 -20, 0, 20, 37, 50, 100 grade Celsius.

Rezultatele analizei de temperatura.

8.0

7.6

7.2

6.8
-40 -20 0 20 40 60 80 100
max(v(out1))
Temperature

1.60m

1.55m

1.50m

1.45m

1.40m
-40 -20 0 20 40 60 80 100
max(-I(Rc1))
Temperature
 BIBLIOGRAFFIE:

1) Ovidiu Aurel Pop -Proiectare asistata de calculator,Editura Mediamira 2007

2) C. Miron, F. Koos - Dispozitive si circuite electronice, Institutul Politehnic

Cluj Napoca, 1980

3) Serban Lungu, Niculae Corvin Palaghita - Dispozitive si circuite electronice : indrumator de laborator,
Institutul Politehnic Cluj Napoca, 1983

4) http://www.utgjiu.ro/ing/down/dce1-lucrarea06.pdf