Teste Amplificatoare PDF

Capitolul 9
Amplificatoare electronice
1. Figura 9.1 prezintă o schemă bloc utilizată pentru definirea conceptului de
1p amplificator. Cu xI s-a notat:
xi xo
a
Figura 9.1
a) valoarea instantanee a semnalului de intrare sau excitaţie,
b) valoarea instantanee a semnalului de ieşire sau răspuns,
c) factor de transfer al amplificatorului (ideal o constantă).
d) rezistenţa de intrare

1p amplificator. Cu xO s-a notat:

1p amplificator. Cu xO s-a notat:

2p amplificator. Pentru ca diportul prezentat să aibă comportament de
amplificator este necesar ca:
a) puterea semnalului de ieşire trebuie să fie mai mare decât puterea
semnalului; de intrare.
b) semnalul de ieşire trebuie să reproducă semnalul de ieşire ca
formă de variaţie în timp;
Elemente de electronică analogică - teste
c) semnalul de ieşire trebuie să reproducă semnalul de ieşire ca

formă de variaţie în timp, sau puterea semnalului de ieşire trebuie
să fie mai mare decât puterea semnalului de intrare;
d) semnalul de ieşire trebuie să reproducă semnalul de ieşire ca
formă de variaţie în timp, şi puterea semnalului de ieşire trebuie să
fie mai mare decât puterea semnalului de intrare.
5. În cazul unui amplificator de tensiune:

1p
a) atât semnalul de excitaţie cât şi semnalului de răspuns reprezintă
tensiuni;
b) atât semnalul de excitaţie cât şi semnalului de răspuns reprezintă
curenţi;
c) semnalul de excitaţie reprezintă tensiune şi semnalului de răspuns
reprezintă curent;
d) semnalul de excitaţie reprezintă curent şi semnalului de răspuns
reprezintă tensiune;
6. În cazul unui amplificator de curent:

1p
tensiuni;
curenţi;
reprezintă curent;
7. În cazul unui amplificator transrezistenţă (transimpedanţă):

1p
tensiuni;
curenţi;
reprezintă curent;
8. În cazul unui amplificator transconductanţă (transadmitanţă):
214
1p
tensiuni;
curenţi;
reprezintă curent;
9. În mod uzual amplificatorul electronic este definit cu ajutorul schemei

2p bloc din figura 9.1 unde: ”xI” reprezintă valoarea instantanee a semnalului
de intrare sau excitaţie, ”x0” reprezintă valoarea instantanee a semnalului
de ieşire sau răspuns, iar ”a” factor de transfer al amplificatorului (ideal o
constantă). Între aceste trei mărimi există relatia:
xo(t)=a xi(t-τ)
unde τ reprezintă timpul de întârziere (timpul de tranzit al semnalului
prin amplificator). În cazul unui amplificator de tensiune care lucrează în
condiţii de semnal mic ”a” este definit de relaţia:
a) b)
Vo Io
Av = Ai =
Vi Ii
c) d)
V Io
Az = o Ay =
Ii Vi

xo(t)=a xi(t-τ)
prin amplificator). În cazul unui amplificator de curent care lucrează în
condiţii de semnal mic ”a” este definit de relaţia:
a) b)
Vo Io
Av = Ai =
Vi Ii
215
c) d)
Vo Io
Az = Ay =
Ii Vi

xo(t)=a xi(t-τ)
prin amplificator). În cazul unui amplificator de transconductaţă care
lucrează în condiţii de semnal mic, ”a” este definit de relaţia:
a) b)
Vo Io
Av = Ai =
Vi Ii
c) d)
V Io
Az = o Ay =
Ii Vi

xo(t)=a xi(t-τ)
prin amplificator). În cazul unui amplificator transrezistenţă care lucrează
în condiţii de semnal mic ”a” este definit de relaţia:
a) b)
Vo Io
Av = Ai =
Vi Ii
c) d)
V Io
Az = o Ay =
Ii Vi
13. În practică pentru amplificarea în tensiune a unui amplificator de tensiune

3 se foloseşte o mărime o mărime derivată şi anume câştigul în tensiune,
216
notat Gv, mărime pentru care se introduce belul ca unitate de măsură.

Uzual pentru unitatea de măsură a lui Gv se utilizează un submultiplu al
acestuia – decibelul – definit cu ajutorul relaţiei:
a) Gv [dB] = 20 lg Av ;
b) Gv [dB ] = 10 lg Av ;
c) Gv [dB] = 20 ln Av ;
d) Gv [dB ] = 10 ln Av .
14. Un amplificator de tensiune se modelează în mod comod ca în figura:

1p
a) b)
Ii Io
Vi Av Vi Vo AiIi
c) d)
Ii Io
AzIi Vo Vi AyVi
15. Un amplificator de curent se modelează în mod comod ca în figura:

1p
a) b)
Ii Io
Vi AvVi Vo AiIi
c) d)
Ii Io
AzIi Vo Vi AyVi
16. Un amplificator transrezistenţă se modelează în mod comod ca în figura:

1p
217
a) b)
Ii Io
Vi AvVi Vo AiIi
c) d)
Ii Io
AzIi Vo Vi AyVi
17. Un amplificator transconductanţă se modelează în mod comod ca în

1p figura:
a) b)
Ii Io
Vi AvVi Vo AiIi
c) d)
Ii Io
AzIi Vo Vi AyVi
18. În cazul unui amplificator de tensiune:

3p
a) Rin = 0 şi Ro → ∞ ;
b) Rin = 0 şi Ro = 0 ;
c) Rin → ∞ şi Ro → ∞ ;
d) Rin → ∞ şi Ro = 0 ;
unde Rin este rezistenţa de intrare şi Ro este rezistenţa de ieşire.
Răspuns corect d.)
19. În cazul unui amplificator de curent:

3p
a) Rin = 0 şi Ro → ∞ ;
b) Rin = 0 şi Ro = 0 ;
218
c) Rin → ∞ şi Ro → ∞ ;
d) Rin → ∞ şi Ro = 0 ;
20. În cazul unui amplificator transrezistenţă:

3p
a) Rin = 0 şi Ro → ∞ ;
b) Rin = 0 şi Ro = 0 ;
c) Rin → ∞ şi Ro → ∞ ;
d) Rin → ∞ şi Ro = 0 ;
21. În cazul unui amplificator transconductanţă:

3p
a) Rin = 0 şi Ro → ∞ ;
b) Rin = 0 şi Ro = 0 ;
c) Rin → ∞ şi Ro → ∞ ;
d) Rin → ∞ şi Ro = 0 ;
22. În cazul unui amplificator transrezistenţă între semnalele de intrare şi

1p ieşire se stabileşte relaţia: vo(t)=azii(t-τ). În condiţii de semnal mic
Vo
”az”devine: Az = . Unitatea de măsură a lui Az este:
Ii
a) decibel;
b) neper;
c) ohm;
d) siemens.
23. În cazul unui amplificator transconductanţă între semnalele de intrare şi

1p ieşire se stabileşte relaţia: io (t)=ayvi(t-τ). În condiţii de semnal mic
Io
”ay”devine: Ay = . Unitatea de măsură a lui Az este:
Vi
a) decibel;
b) neper;
c) ohm;
219
d) siemens.
24. Într-un amplificator se produc:

2p
a) distorsiuni neliniare şi distorsiuni liniare;
b) numai distorsiuni neliniare
c) numai distorsiuni neliniare
d) distorsiuni neliniare sau distorsiuni liniare
25. Distorsiunile neliniare care se produc într-un amplificator:

2p
a) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor active;
b) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor pasive;
c) datorate neuniformităţii caracteristicilor amplitudine-frecvenţă,
respectiv fază-frecvenţă;
d) sunt datorate neliniarităţii caracteristicilor statice ale elementelor
active.
26. Distorsiunile liniare care se produc într-un amplificator:

2p
a) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor active;
b) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor pasive;
c) datorate neuniformităţii caracteristicilor amplitudine-frecvenţă,
respectiv fază-frecvenţă;
d) sunt datorate neliniarităţii caracteristicilor statice ale elementelor
active.
27. Distorsiunile liniare care se produc într-un amplificator:

2p
a) sunt numai distorsiuni de amplitudine;
b) sunt numai distorsiuni de fază;
c) sunt distorsiuni de amplitudine sau distorsiuni de fază;
d) sunt distorsiuni de amplitudine şi distorsiuni de fază.
28. Distorsiuni de amplitudine care se produc într-un amplificator:

2p
a) sunt datorate modificării relaţiei de fază între componentele
spectrale ale semnalului aplicat la intrare.
b) sunt datorate amplificării inegale a spectrului semnalului aplicat la
intrare;
c) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor active;
220
d) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor pasive;
29. Distorsiuni de fază care se produc într-un amplificator:

2p
a) sunt datorate modificării relaţiei de fază între componentele
spectrale ale semnalului aplicat la intrare.
b) sunt datorate amplificării inegale a spectrului semnalului aplicat la
intrare;
c) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor active;
d) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor pasive;
30 Dacă la intrarea unui amplificator se aplică un semnal de forma

2p vin = Vin sin ωt , la ieşire rezultă un semnal a cărui dezvoltare în serie
Fourier este vo = Vo sin ωt + V 'o sin 2ωt + V ''o sin 3ωt + ... În aceste
condiţii factorul de distorsiuni se defineşte:
2 2
V 'o + V ''o + ...
a) δ = 100[%]
Vo2
V 'o
b) δ = 100[%]
Vo
V 'o + V ''o + ...
c) δ = 100[%]
Vo
2 2
V 'o + V ''o + ...
d) δ = 100[%]
Vo
31. Schema unui etaj diferenţial este prezentată în figura notată:

2p
a) b)
+EC
EC
RC RC
RB1 RC
vO1 vO2 Iin C1
iC1 iC2 C2
Vin Vo
T1 T2
RB2 RE CE
vI1 vI2
IE RE
-EE
221
c) d.)
EC +EC
RB2 RC
RB1 Iin
Iin
C1
C1 C2
C2
Vin Vo
Vin RE CB RB1
RB2 RE Vo
32. Figura 9.2 prezintă schema unui etaj diferenţial. Oricare dintre rezistorii
1p RC are rolul:
+EC
RC RC
vO1 vO2
iC1 iC2
T1 T2
vI1 vI2
IE RE
-EE
Figura 9.2
a) unei rezistenţe de sarcină;
b) unei rezistenţe de limitare;
c) unei rezistenţe echivalente a circuitului de polarizare;
d) unei rezistenţe de balast.
33. Figura 9.2 prezintă schema unui etaj diferenţial. Rezistorul RE are rolul:
1p
a) unei rezistenţe de sarcină;
b) unei rezistenţe de limitare;
c) unei rezistenţe echivalente a circuitului de polarizare;
d) unei rezistenţe de balast.
34. Schema echivalentă de semnal mare a circuitului din figura 9.3 este
3p prezentată în figura notată:
222
a) b)
+EC +EC
RC RC RC RC
vO1 vO2 vO1 vO2
B C C B B C C B
vBE1 iC1 iC2 vBE2 vBE1 iC1 iC2 vBE2
vI1 vI2 vI1 vI2

E E E E
IE RE IE RE
-EE -EE
c) d)
+EC +EC
RC RC RC RC
vO1 vO2 vO1 vO2
B C C B B C C B
vBE1 iC1 iC2 vBE2 vBE1 iC1 iC2 vBE2
vI1 vI2 vI1 vI2

E E E E
IE RE IE RE
-EE -EE
35. Figura 9.2 prezintă schema unui etaj diferenţial. Considerând neglijabili
3p curenţii din bazele tranzistoarelor precum şi pe cel care circulă prin
rezistorul RE, acest etaj se modelează ca în figura 9.3. În aceste condiţii
valoarea curentului iC1 este:
223
+EC
RC RC
vO1 vO2
B C C B
vBE1 iC1 i C2 vBE2
vI1 E E vI2
IE
-EE
Figura 9.3
IE
a) iC1 = ;
 vID 
1 + exp − 
 eT 
IE
b) iC1 = ;
 vID 
1 + exp 
 e T 
IE
c) iC1 = ;
 vID 
exp − 
 eT 
IE
d) iC1 = .
 vID 
exp 
 eT 
unde: vID = vI 1 − vI 2
valoarea curentului iC2 este:
IE
a) iC 2 = ;
 vID 
1 + exp − 
 eT 
224
IE
b) iC 2 = ;
 vID 
1 + exp 
 eT 
IE
c) iC 2 = ;
 vID 
exp − 
 eT 
IE
d) iC 2 = .
 vID 
exp 
 eT 
IE
valoarea curentului iC1 este iC1 = , unde: vID = vI 1 − vI 2
 vID 
1 + exp − 
 eT 
reprezentarea grafică a acestei relaţii este prezentată în figura notată:
a) b)
iC1 iC1
IE IE
0.5IE 0.5IE
-3eT 3eT vID -eT eT vID
c) d)
iC1 iC1
IE IE
0.5IE 0.5IE
-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID -3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID
225

IE
valoarea curentului iC2 este iC 2 = , unde: vID = vI 1 − vI 2
 vID 
1 + exp 
 eT 
reprezentarea grafică a acestei relaţii este prezentată în figura notată:
a) b)
iC2 iC2
IE IE
0.5IE 0.5IE
-3eT 3eT vID -eT eT vID
c) d)
iC2 iC2
IE IE
0.5IE 0.5IE
-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID -3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID
39. Figura 9.4 prezinta modul în care variază curenţii iC1 şi iC2, funcţie de
2p diferenţa tensiunilor de intrare. Această figură pune în evidenţă faptul că
atât limitarea la valoarea superioară (IE) cât şi limitarea la valoarea
inferioară (aproximativ zero) a curenţilor de colector se face în condiţiile
în care:
i C1 iC2
IE
iC1
0.5IE
iC2
-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID

Figura 9.4
a) tranzistoarele comută între regiunea activă normală şi regiunea de
blocare;
b) tranzistoarele comută între regiunea activă normală şi regiunea de
saturaţie;
c) tranzistoarele rămân în regiunea activă normală;
d) tranzistoarele comută între regiunea de saturaţie şi regiunea de
226
blocare.
2p diferenţa tensiunilor de intrare. Această figură pune în evidenţă faptul că:
a) curenţii de polarizarea ai celor două tranzistoare sunt egali între ei
şi au valoare IE/2.
b) curenţii de polarizarea ai celor două tranzistoare sunt egali între ei
şi au valoare IE.
c) curenţii de polarizarea ai celor două tranzistoare sunt egali între ei
şi au valoare -IE/2.
d) curenţii de polarizarea ai celor două tranzistoare sunt egali între ei
şi au valoare -IE.
2p diferenţa tensiunilor de intrare. Această figură pune în evidenţă faptul că:
a) circuitul se comportă liniar pentru diferenţe între tensiunile de
intrare mai mici de 10 mV;
b) circuitul se comportă liniar pentru diferenţe între tensiunile de
c) circuitul se comportă liniar pentru diferenţe între tensiunile de
d) circuitul se comportă liniar pentru diferenţe între tensiunile de
intrare mai mici de 150 mV.
valoarea tensiunii vO1 este:
a.) c.)
IE IE
vO1=EC+ RC vO1=EC- RC
 vID   vID 
1 + exp  1 + exp 
 eT   eT 
b.) d.)
IE IE
1 + exp −  1 + exp − 
 eT   eT 
227

valoarea tensiunii vO2 este:
a.) c.)
IE IE
1 + exp  1 + exp 
 eT   eT 
b.) d.)
IE IE
1 + exp −  1 + exp − 
 eT   eT 
44. Etajele diferenţiale se pot cupla direct întrucât:

2p
a) atunci când diferenţa tensiunilor de intrare (vID) devine zero, şi
diferenţa tensiunilor de ieşire (vOD) devine zero;
b) deriva termică este mică;
c) polarizarea etajului se face cu ajutorul unui generator de curent
pozitionat în emitor;
d) dispersia parametrilor este redusă.
45. Reprezentarea grafică a relaţiei vOD=vOD(vID) - unde vID reprezintă

4p diferenţa tensiunilor de intrare iar vOD reprezintă diferenţa tensiunilor de
ieşire în cazul unui amplificator diferenţial – este prezentată în figura
notată:
a) b)
vOD vOD
IERC IERC
-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT

-IERC
vID -3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID
228
c) d)
vOD vOD
IERC

-IERC -IERC
46 Figura 9.5 prezintă semicircuitul pe mod diferenţial al unui etaj

3p diferenţial. Amplificarea pe mod diferenţial este:
Iid B C
Vid Vbe1 gmV be1 RC

Vod
rπ1
2 2
E
Figura 9.5
a) Add = 1 ;
b) Add = −1 ;
c) Add = g m RC ;
d) Add = − g m RC .
47. Într-un amplificator de semnal mare elementele active lucrează:

1p
a) liniar;
b) neliniar;
c) numai în comutaţie;
d) uneori în comutaţie uneori liniar;
48. Din punctul de vedere al structurii topologice etajele de ieşire se împart

2p în:
a) etaje clasă A, etaje clasă AB, etaje clasă B, etaje clasă C, etaje
clasă D, etc.
b) etaje asimetrice şi etaje simetrice;
c) emitor comun, emitor comun în contratimp colector comun,
colector comun în contratimp, etc.;
d) clase calitative
49. Din punctul de vedere clasei de funcţionare etajele de ieşire se împart în:
1p
229
a) etaje clasă A, etaje clasă AB, etaje clasă B, etaje clasă C, etaje
clasă D, etc.
b) etaje asimetrice şi etaje simetrice;
c) emitor comun, emitor comun în contratimp colector comun,
colector comun în contratimp, etc.;
d) clase calitative
50. În cazul unui etaj de putere care lucrează în clasă A unghiul de conducţie
2p al elementului activ este:
a) θ = 3600 ;
b) 1800 < θ < 3600
c) θ = 1800
d) θ < 1800
51. În cazul unui etaj de putere care lucrează în clasă AB unghiul de

2p conducţie al elementelor active este:
a) θ = 3600 ;
b) 1800 < θ < 3600
c) θ = 1800
d) θ < 1800
52. În cazul unui etaj de putere care lucrează în clasă B unghiul de conducţie
2p al elementelor active este:
a) θ = 3600 ;
b) 1800 < θ < 3600
c) θ = 1800
d) θ < 1800
53. În cazul unui etaj de putere care lucrează în clasă C unghiul de conducţie
2p al elementului activ este:
a) θ = 3600 ;
b) 1800 < θ < 3600
c) θ = 1800
d) θ < 1800
54 Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor

2p comun a tranzistorului final este prezentată în figura notată:
230
a) b)
+EC
+EC
RL RL
vO
ID
T3 T4
T1
D1 EB
T1 T2
D2 RE RE
T 2 RL vO vIN
vIN m
IE
-EE
-EE
c) d)
+EC EC
Tr
T1 RB1 RL
iIN C1 vO
vIN
T2 RL vO vIN
RB2 RE CE
-EE
55. Schema unui etaj de putere în clasă AB este prezentată în figura notată:
2p
a) b)
+EC
+EC
RL vO RL
ID
T3 T4
T1
D1 EB
T1 T2
RE RE
D2 vIN
T2 RL vO
vIN
IE
-EE
-EE
c) d)
+EC EC
Tr
T1 RB1 RL
iIN C1 vO
vIN
T 2 RL vO
vIN
RB2 RE CE
-EE
231
56. Schema unui etaj de putere în clasă B este prezentată în figura notată:
2p
a) b)
+EC
+EC
RL RL
ID vO
T1 T3 T4
D1
EB
T1 T2
D2 RE RE
T2 RL vO vIN
vIN
IE
-EE
-EE
c) d)
+EC EC
Tr
T1 RB1 RL
iIN C1 vO
vIN
T 2 RL vO
vIN
RB2 RE CE
-EE
57. Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Rezistorul RB1:
EC
Tr
RB1 RL
iIN C1 vO
vIN
RB2 RE CE
Figura 9.6
a) asigură în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea activă
normală;
b) stabilizare termică;
c) are rolul de a asigura transferul maxim de putere în sarcină;
d) sarcină;
232
1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Rezistorul RB2:

normală;
d) sarcină;

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Rezistorul RE:
normală;
d) sarcină;

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Rezistorul RL:
normală;
d) sarcină;

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Condensatorul
C1 :
a) stabilizare termică;
b) are rolul de a asigura transferul maxim de putere în sarcină;
c) separă în curent continuu etajul blocând componenta continuă, dar
lăsând să treacă componenta alternativă;
d) în curent alternativ pune emitorul la masă; în curent continuu nu
are niciun efect;

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Condensatorul
CE :
233
are niciun efect;

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Transformatorul
Tr:
are niciun efect;
64. Figura 9.7 prezintă aria sigură de funcţionare a unui tranzistor care
2p funcţionează într-un etaj final (nu s-a luat în calcul extinderea regiunii de
saturaţie precum şi a regiunii de blocare). În cazul în care acest etaj
funcţionează în clasă A punctul static de funcţionare se alege:
iC
A
IC max
B C
VCE max vCE

Figura 9.7
a) în punctul notat A;
b) în punctul notat B;
c) în punctul notat C;
d) în punctul notat D.
funcţionează în clasă AB punctul static de funcţionare se alege:
funcţionează în clasă B punctul static de funcţionare se alege:
234
67. Punctul static de funcţionare al unui etaj de amplificare care funcţionează

2p în clasă A trebuie:
a) să fie situat pe hiperbola de disipaţie maximă (pentru a asigura
maximizarea puterii) sau să fie situat pe dreapta de sarcină astfel
încât să se asigure excursia maximă în curent şi tensiune;
b) doar să fie situat pe hiperbola de disipaţie maximă (pentru a
asigura maximizarea puterii);
c) doar să fie situat pe dreapta de sarcină astfel încât să se asigure
excursia maximă în curent şi tensiune;
d) să fie situat pe hiperbola de disipaţie maximă (pentru a asigura
maximizarea puterii) şi să fie situat pe dreapta de sarcină astfel
încât să se asigure excursia maximă în curent şi tensiune;
68. Definiţia uzuală a randamentului unui amplificator de putere este:

1p
pA
a) η = ;
pL
pL
b) η = ;
pA
1 − pL
c) η = ;
1 + pA
1 + pL
d) η = .
1 − pA
unde: p L reprezintă puterea medie debitată în sarcină iar p A reprezintă
puterea medie absorbită de la sursă
69. Figura 9.6 prezintă un etaj de ieşire care lucrează în clasă A. Figura 9.7
3p prezintă modul în care se alege punctul static de funcţionare. Admiţând că
expresia caderii de tensiune dintre colectorul şi emitorul tranzistorului
este vCE=EC+ECsin(ωt), curentul prin tranzistor devine:
235
PDmax
iC
Punct static de
IC max A funcţionare
Ic Dreapta dinamicã de
IC sarcinã
M
B
EC VCE max vCE
Vce
Figura 9.7
a) iC=ICsin(ωt)
b) iC=-ICsin(ωt)
c) iC=IC-ICsin(ωt)
d) iC=IC+ICsin(ωt)

3p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. În condiţiile în
care iC=IC-ICsin(ωt) iar vCE=EC+ECsin(ωt), valoarea medie a puterii
absorbită de la sursă ( p A ) este:
1
a) pA = EC IC ;
2
b) p A = EC I C ;
1
c) p A = EC I C ;
π
4
d) pA = EC I C .
π

3p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. În condiţiile în
care curentul din sarcina are expresia il=ICsin(ωt) şi caderea de tensiune
de pe sarcină are `exprsia vl =ECsin(ωt), valoarea medie a puterii debitată
în sarcină ( pL ) este:
1
a) pL = EC I C ;
2
b) pL = EC I C ;
1
c) p L = EC I C ;
π
236
4
d) pL = EC I C .
π

2p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Valoarea
maximă a randamentului acestui etaj este:
1
a) η = ;
2
π
b) η = ;
4
3
c) η = ;
4
1
d) η = .
4
73. Caracteristica de transfer a unui etaj de ieşire ce funcţionează în clasă B

4p are caracteristica de transfer prezentată în figura notată:
a) b)
vO vO
T1 saturat T1 saturat
EC EC
T2 conduce
T1 blocat
-EE -EE -Vγ

EC vIN Vγ EC vIN
T2 conduce T1 conduce
T1 conduce
T1 blocat T2 blocat
T2 blocat
-EE -EE
c) d)
vO Regiune de blocare vO
EC vBEsat. III.
Regiune activă EC-v CEsat.
II.
Vγ
Regiune de saturaţie I.
v CEsat Region
vIN
0.5V 1V
Vγ EC v IN
74. Caracteristica de transfer a unui etaj de ieşire ce funcţionează în clasă AB

4p are caracteristica de transfer prezentată în figura notată:
237
Elemente de electronic ă analogică - teste
a) b)
vO vO
EC EC
T2 conduce
T1 blocat
-EE -EE -Vγ

EC vIN Vγ EC vIN
T2 conduce T1 conduce
T1 conduce
T1 blocat T2 blocat
T2 blocat
-EE -EE
c) d)
vO Regiune de blocare vO
EC vBEsat. III.
Regiune activă EC-v CEsat.
II.
Vγ
Regiune de saturaţie I.
v CEsat Region
vIN
0.5V 1V
Vγ EC v IN
75. Figura 9.8 prezintă schema de principiu a unui etaj de ieşire care operează
3p în clasă B, iar figura 9.9 caracteristica de transfer a unui asemenea etaj.
Regiunea notată cu 1. este caracterizată de faptul că:
vO
4.
+EC
EC
2. 5.
T1
-EE -Vγ
Vγ EC vIN
vIN
T2 RL vO
3.
-EE
-EE 1.
Figura 9.8 Figura 9.9
a) tranzistorul T1 este saturat;
b) tranzistorul T2 este saturat;
c) tranzistorul T1 conduce iar tranzistorul T2 este blocat;
d) tranzistorul T1 este blocat iar tranzistorul T2. conduce.
a) tranzistorul T1 este saturat;
238
b) tranzistorul T2 este saturat;

a) ambele tranzistoare conduc;
b) ambele tranzistoare sunt blocate;
81. Distorsiunile de racordare care apar în cazul unui etaj final ce operează în
2p clasă B provoacă o deformare a formei de undă ca cea prezentată în
figura:
239
a) b) c) d.)
vO vO vO vO
t t t
82. Figura 9.10 prezintă forma de undă a tensiunii de ieşire de la ieşirea unui
2p etaj final ce operează în clasă B. Analiza formei de undă pune în evidenţă
prezenţa aşa numitelor distorsiuni de racordare. Eliminarea acestor
distorsiuni se face cel mai comod prin:
vO
Figura 9.10
a) liniarizarea etajului;
b) utilizarea tranzitoarelor superbeta;
c) prepolarizarea tranzitoarelor T1,T2;
d) utilizarea tranzitoarelor cu efect da câmp.
83. Figura 9.11 prezintă schema de principiu a unui etaj de ieşire în clasă AB.
1p Generatorul de curent ID şi diodele D1,D2. au rolul:
+EC
ID
T1
D1
D2
T2 RL vO
vIN
-EE
Figura 9.11
a) de a prepolariza tranzistoarele T1 şi T2;
b) de a liniariza funcţionarea etajului;
c) de a mări randamentul etajului;
d) de a asigura transferul maxim de putere în sarcină.
240
84. Figura 9.8 prezintă un etaj de ieşire care lucrează în clasă B. Figura 9.12
3p prezintă modul în care se alege punctul static de funcţionare. Admiţând că
expresia caderii de tensiune dintre colectorul şi emitorul tranzistorului
este vc(t)=Vcsin(ωt), curentul prin tranzistor devine:
PDmax
iC
Dreapta dinamicã de
IC max A sarcinã
Ic Punct static de
funcţionare
M
B
VCE max vCE
Vce
Figura 9.12
a) iC=ICsin(ωt)
b) iC=-ICsin(ωt)
c) iC=IC-ICsin(ωt)
d) iC=IC+ICsin(ωt)
85. Schema unui etaj de putere în clasă B în figura 9.8. În condiţiile în care
3p expresia instantanee a curentului debitat de sursă este iS(t)=Icsin(ωt),
valoarea medie a puterii absorbită de la sursă ( p A ) este:
1
a) pA = EC I C ;
2
b) p A = EC I C ;
2
c) p A = EC I C ;
π
4
d) p A = EC I C .
π
86. Schema unui etaj de putere în clasă B în figura 9.8. În condiţiile în care
3p curentul din sarcina are expresia iC(t)=Icsin(ωt) şi căderea de tensiune de
pe sarcină are `exprsia vc(t)=Vcsin(ωt) valoarea medie a puterii debitată în
sarcină ( pL ) este:
1
a) pL = EC I C ;
2
b) pL = EC I C ;
241
1
c) pL = EC I C ;
π
4
d) pL = EC I C .
π
87. Schema unui etaj de putere în clasă B în figura 9.8. Valoarea maximă a
2p randamentului acestui etaj este:
1
a) η = ;
2
π
b) η = ;
4
3
c) η = ;
4
1
d) η = .
4
88. Reacţia este definită ca fiind fenomenul prin care:

1p
a) este preluată o parte a semnalului de intrare şi aducerea acesteia la
ieşire;
b) este preluată o parte a semnalului de ieşire şi aducerea acesteia la
intrare;
c) este comparat nivelul tensiunii de iesire cu o tensiune de referinţă;
d) este comparat nivelul tensiunii de intrare cu o tensiune de
referinţă.
89. Amplificatoarele cu reacţie sunt:

1p
a) bilaterale, adică transmit semnalul în ambele sensuri de la intrare
la ieşire dar şi de la ieşire spre intrare;
b) unilaterate, adică transmit semnalul numai de la intrare la ieşire;
c) uneori bilaterale, alteori unilaterale funcţie de mărimea semnalului
de intrare;
d) uneori bilaterale, alteori unilaterale funcţie de mărimea semnalului
de ieşire.
90. Introducerea reacţiei negative într-un amplificator are ca efect;

2p
a) sensibilizarea câştigului amplificatorului în raport cu fenomenul
242
de îmbătrânire;
b) creşterea câştigului amplificatorului în raport cu fenomenul de
îmbătrânire;
c) stabilizarea câştigului amplificatorului în raport cu fenomenul de
îmbătrânire;
d) descreşterea câştigului amplificatorului în raport cu fenomenul de
îmbătrânire.

2p
a) sensibilizarea câştigului amplificatorului în raport cu dispersia
parametrilor dispozitivelor active;
b) creşterea câştigului amplificatorului în raport cu dispersia
c) stabilizarea câştigului amplificatorului în raport cu dispersia
d) descreşterea câştigului amplificatorului în raport cu dispersia
parametrilor dispozitivelor active.

2p
a) sensibilizarea câştigului amplificatorului în raport cu variaţia
temperaturii;
b) creşterea câştigului amplificatorului în raport cu variaţia
temperaturii;
c) stabilizarea câştigului amplificatorului în raport cu variaţia
temperaturii;
d) descreşterea câştigului amplificatorului în raport cu variaţia
temperaturii.

2p
a) creşterea impedanţelor de intrare şi ieşire;
b) modificarea impedanţelor de intrare şi ieşire în mod comod;
c) stabilizarea impedanţelor de intrare şi ieşire;
d) descreşterea impedanţelor de intrare şi ieşire.

2p
a) creşterea distorsiunilor neliniare;
b) sensibilizarea distorsiunilor neliniare;
243
c) stabilizarea distorsiunilor neliniare;

d) reducerea distorsiunilor neliniare.

2p
a) creşterea benzii de trecere;
b) sensibilizarea benzii de trecere;
c) stabilizarea benzii de trecere;
d) reducerea benzii de trecere.

2p
a) creşterea raportului semnal/zgomot;
b) sensibilizarea raportului semnal/zgomot;
c) stabilizarea raportului semnal/zgomot;
d) reducerea raportului semnal/zgomot.

2p
a) creşterea amplificării;
b) sensibilizarea amplificării;
c) stabilizarea amplificării;
d) reducerea amplificării.

2p
a) apariţia tendinţei de oscilaţie;
b) sensibilizarea tendinţei de oscilaţie;
c) stabilizarea tendinţei de oscilaţie;
d) reducerea tendinţei de oscilaţie.
99. Figura 9.13 prezintă structura generală a unui amplificator cu reacţie. Cu

1p Xi este notat:
Xi Xε Xo
A
+
Σ a
Xf -
Figura 9.13
a) semnalul de intrare
244
b) semnalul de ieşire
c) semnalul de eroare
d) semnalul de reacţie
100 Figura 9.13 prezintă structura generală a unui amplificator cu reacţie. Cu

1p Xo este notat:

1p Xε este notat:

1p Xf este notat:

1p A este notată:
a) funcţia de transfer a amplificatorului cu reacţie;
b) funcţia de transfer a amplificatorului de bază;
c) funcţia de transfer a reţelei de reacţie;
d) funcţia realizată de circuitul sumator.

1p a este notată:
105 Figura 9.13 prezintă structura generală a unui amplificator cu reacţie. Cu f

1p este notată:
245


1p ∑este notată:

2p a este notată funcţia de transfer a amplificatorului de bază. Funcţie de
semnalele existente în figură, expresia acestei funcţii de transfer este:
Xo
a) a =
Xε
Xf
b) a =
Xi
c) a=Xi+Xf
Xo
d) a =
Xi

2p A este notată funcţia de transfer a amplificatorului cu reacţie. Funcţie de
semnalele existente în figură, expresia acestei funcţii de transfer este:
Xo
a) A=
Xε
Xf
b) A =
Xi
c) A=Xi+Xf
Xo
d) A =
Xi
109 Figura 9.13 prezintă structura generală a unui amplificator cu reacţie. Cu f

2p este notată funcţia de transfer a reţelei de reacţie. Funcţie de semnalele
existente în figură, expresia acestei funcţii de transfer este:
246
Xo
a) f =
Xε
Xf
b) f =
Xi
c) f=Xi+Xf
Xo
d) f =
Xi

2p ∑ este notat circuitul de sumare. Funcţie de semnalele existente în figură,
acest circuit realizează funcţia:
Xo
a) Xi =
Xε
Xf
b) X ε =
Xi
c) Xε = Xi+Xf
Xo
d) X ε =
Xi
111 Figura 9.13 prezintă structura generală a unui amplificator cu reacţie.

4p Considerând că:
funcţiile de transfer ale blocurilor componente sunt independente
de frecvenţă;
atât amplificatorul de bază cât şi reţeaua de reacţie lucrează liniar;
reţeaua de reacţia nu încarcă amplificatorul şi nici amplificatorul
nu încarcă reţeaua de reacţie;
bucla de reacţie poate fi parcursă numai de sensul indicat de
săgeţile din figură;
ecuaţia fundamentală a reacţiei ideale este:
a
a) A= ;
1 − af
f
b) A = ;
1 − af
1− a
c) A = ;
1 − af
247
1− f
d) A = .
1 − af

2p Reacţia pozitivă este definită de situaţia:
a) A ≅ a ;
b) A=a;
c) A<a;
d) A>a.

2p Reacţia negativă este definită de situaţia:
a) A ≅ a
b) A=a
c) A<a
d) A>a

2p “Transmisia pe buclă“ este definită conform formulei notată:
a) T = Af ;
b) T = af ;
a
c) T = ;
f
A
d) T = .
f

2p “Transmisia pe buclă“ este definită conform formulei T = af . Dacă este
realizată condiţia T>>1, caz suficient de des întâlnit în practică, atunci
amplificarea amplificatorului cu reacţie devine:
1
a) A≅
a
248
1
b) A ≅
f
c) A ≅ a
d) A ≅ f
116 Din punct de vedere topologic, în condiţiile în care reţeaua de reacţie a

3p unui amplificator cu reacţie culege informaţie în tensiune, ea trebuie
conectată:
a) în serie cu sarcina amplificatorului;
b) în paralel cu sarcina amplificatorului;
c) în serie cu sursa de semnal;
d) în paralel cu sursa de semnal.
117 Din punct de vedere topologic, în condiţiile în care reţeaua de reacţie a

3p unui amplificator cu reacţie culege informaţie în curent, ea trebuie
conectată:
c) în serie cu sursa de semnal;
d) în paralel cu sursa de semnal.
118 Din punct de vedere topologic, în condiţiile în care răspunsul reţelei de

3p reacţie a unui amplificator cu reacţie este sub formă de tensiune, ea
trebuie conectată:
c) în serie cu intrarea amplificatorului;
d) în paralel cu intrarea amplificatorului.
119 Din punct de vedere topologic, în condiţiile în care răspunsul reţelei de

3p reacţie a unui amplificator cu reacţie este sub formă de curent, ea trebuie
conectată:
c) în serie cu intrarea amplificatorului;
d) în paralel cu intrarea amplificatorului.
120 Reacţia paralel paralel este prezentată în figura notată:

2p
249
a) c)
Vi Vf Vε V Ii If Iε Io
+ +
av aI
R RL
- -
fI
fv
b) d)
Ii If Iε Vo Vi Vf Vε Io
+ +
az ay
RL RL
- -
fy fz
121 Reacţia paralel serie este prezentată în figura notată:

2p
a) c)
+ +
av aI
R RL
- -
fI
fv
b) d)
+ +
az ay
RL RL
- -
fy fz
122 Reacţia serie serie este prezentată în figura notată:

2p
250
a) c)
+ +
av aI
R RL
- -
fI
fv
b) d)
+ +
az ay
RL RL
- -
fy fz
123 Figura 9.14 prezintă structura de bază a unui amplificator cu reacţie de tip
1p paralel-paralel. Semnalul de intrare este:
amplificator
rs de bazã Vo RL
reţea de
reacţie
Figura 9.14
a) întotdeauna curent;
b) întotdeauna tensiune;
c) uneori curent alteori tensiune functie de modul de conectare al
reţelei de reacţie la intrarea aplificatorului de bază;
d) uneori curent alteori tensiune functie de modul de conectare al
reţelei de reacţie la ieşirea aplificatorului de bază.
1p paralel-paralel. Semnalul de la ieşirea reţelei de reacţie este:
251
1p paralel-paralel. Semnalul de la intrarea reţelei de reacţie este:
2p paralel-paralel. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul de
bază reprezintă:
a) raportul a două tensiuni;
b) raportul a doi curenţi;
c) rezistenţă (impedanţă);
d) conductanţă (admitanţă).
2p paralel-paralel. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul
reprezintă:
2p paralel-paralel. Funcţia de transfer care caracterizează reţeaua de reacţie
reprezintă:
129 Circuitul tipic pentru un amplificator cu reacţie de tip paralel paralel este
3p prezentat în figura notată:
252
a) b.)
RF
T3
RS
T2
T1
T3 RC1 RC2 RL
T2
T1 +
IS RS RC1 RC2 RL ES
- RF
RE1 RE2
c.) d)
RS
T2 RF
T1
RC
+ T2
T1
ES
- RF IS
RL RS RC RE RL
RE
130 Circuitul tipic pentru un amplificator cu reacţie de tip paralel serie este
a) b.)
RF
T3
RS
T2
T1
T3 RC1 RC2 RL
T2
T1 +
IS RS RC1 RC2 RL ES
- RF
RE1 RE2
c.) d)
RS
T2 RF
T1
RC
+ T2
T1
ES
- RF IS
RL RS RC RE RL
RE
131 Circuitul tipic pentru un amplificator cu reacţie de tip serie paralel este
253
a) b.)
RF
T3
RS
T2
T1
T3 RC1 RC2 RL
T2
T1 +
IS RS RC1 RC2 RL ES
- RF
RE1 RE2
c.) d)
RS
T2 RF
T1
RC
+ T2
T1
ES
- RF IS
RL RS RC RE RL
RE
132 Circuitul tipic pentru un amplificator cu reacţie de tip serie serie este
a) b.)
RF
T3
RS
T2
T1
T3 RC1 RC2 RL
T2
T1 +
IS RS RC1 RC2 RL ES
- RF
RE1 RE2
c.) d)
RS
T2 RF
T1
RC
+ T2
T1
ES
- RF IS
RL RS RC RE RL
RE
133 Figura 9.15 prezintă circuitul tipic pentru un amplificator cu reacţie de tip
2p paralel paralel. Reţeaua de reacţie este formată din:
RF
T3
T2
T1
IS RS RC1 RC2 RL
Figura 9.15
254
a) rezistorii RS, RF şi RL;

b) rezistorii RS şi RF;
c) rezistorul RF;
d) rezistorii RF şi RL
3p paralel paralel. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorul RF. În
aceste condiţii “circuitul f” este prezentat în figura notată:
a.) b.)
RF RF
+
Vt It Ir
Ir
-
c.) d.)
+
It RF Vr
Vt RF V r
-
3p paralel paralel. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorul RF. În
aceste condiţii factorul de transfer al reţelei de reacţie este:
1
a) fy =
RF
1
b) fy = −
RF
c) f z = RF
d) f z = − RF
3p paralel paralel. În aceste condiţii factorul de transfer al amplificatorului
este:
1
a) Ay =
RF
1
b) Ay = −
RF
255
c) Az = RF
d) Az = − RF
1p serie -serie. Semnalul de intrare este:
rs
Io
+
amplificator RL
Vi de bazã
-
reţea de
reacţie
Figura 9.16
1p serie -serie. Semnalul de eroare este:
1p serie -serie. Semnalul de la ieşirea reţelei de reacţie este:
1p serie -serie. Semnalul de la intrarea reţelei de reacţie este:
256

2p serie -serie. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul de bază
reprezintă:
2p serie -serie. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul
reprezintă:
2p serie -serie. Funcţia de transfer care caracterizează reţeaua de reacţie
reprezintă:
2p serie-serie. Reţeaua de reacţie este formată din:
T3
RS
T2
T1
RC1 RC2 RL
+
ES
- RF
RE1 RE2
Figura 9.17
a) rezistorii RE1, RF şi RE2;
b) rezistorii RE1, RF;
c) rezistorul RF;
257
d) rezistorii RF şi RE2.
3p serie-serie. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE1, RF şi
RE2. În aceste condiţii “circuitul f” este prezentat în figura notată:
a.) b.)
+ +
RF RF
Vt RE1 RE2 Vr Vt RE2 RE1 Vr
- -
c.) d.)
RF RF
It RE2 RE1 Vr It RE1 RE2 Vr
3p serie-serie. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE1, RF şi
RE2. În aceste condiţii factorul de transfer al reţelei de reacţie este:
a) [
f z = RE 2 RF + RE1 ( )] R R+ R
E1
E1
F
;
b) fz = [R E1 (R F + RE 2 )] R R+ R E2
;
E2 F
c) fz = [R E2 (R F + RE 2 )] R R+ R E2
;
E2 F
d) fz = [R E1 (R F + RE 2 )] R R+ R E1
.
E2 F
3p serie-serie. În aceste condiţii factorul de transfer al amplificatorului este:
1
Az =
[R (R )]R R+ R
a) ;
E1 F + RE1 E1
E1 F
1
b) Az =
[R (R )]
;
RE 2
E2 + RE1
RE1 + RF
F
258
1
Az =
[R (R )] R R+ R
c) ;
E2 F + RE 2 E1
E1 F
1
d) Az =
[R (R )]
.
RE1
E2 + RE1
RE1 + RF
F
1p serie-paralel. Semnalul de intrare este:
rs
+
amplificator
Vo RL
Vi de bazã
-
retea de
reactie
Figura 9.18
1p serie-paralel. Semnalul de eroare este:
1p serie-paralel. Semnalul de la ieşirea reţelei de reacţie este:
259
1p serie-paralel. Semnalul de la intrarea reţelei de reacţie este:
2p serie - paralel. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul de
bază reprezintă:
2p serie - paralel. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul
reprezintă:
2p serie - paralel. Funcţia de transfer care caracterizează reţeaua de reacţie
reprezintă:
2p serie-paralel. Reţeaua de reacţie este formată din:
260
RS T2
T1
RC
+
ES
- RF
RE RL
Figura 9.19
a) rezistorii RE, RF şi RL;
b) rezistorii RE, RF;
c) rezistorul RF;
d) rezistorii RF şi RL.
3p serie-paralel. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE şi RF. În
a.) b.)
RF RF
+ +
It RE Ir It RE Vr
- -
c.) d.)
RF RF
+ +
Et RE Ir Et RE Vr
- -
3p serie-paralel. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE şi RF. În
RF
a) fv = ;
RE + RF
R + RF
b) f v = E ;
RF
R + RF
c) f v = E ;
RE
261
RE
d) fv = .
RE + RF
3p serie-paralel. În aceste condiţii factorul de transfer al amplificatorului
este:
RF
a) Av = ;
RE + RF
R + RF
b) Av = E ;
RF
R + RF
c) Av = E ;
RE
RE
d) Av = .
RE + RF
1p paralel-serie. Semnalul de intrare este:
Rs
Io
amplificator RL
Ii de bazã
reţea de
reacţie
Figura 9.20
1p paralel-serie. Semnalul de eroare este:
262
1p paralel-serie. Semnalul de la ieşirea reţelei de reacţie este:
1p paralel-serie. Semnalul de la intrarea reţelei de reacţie este:
2p paralel-serie. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul de
bază reprezintă:
2p paralel-serie. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul
reprezintă:
2p paralel-serie. Funcţia de transfer care caracterizează reţeaua de reacţie
reprezintă:
263
2p paralel serie. Reţeaua de reacţie este formată din:
RF
T2
T1
IS
RS RC RE RL
Figura 9.19
a) rezistorii RE, RF şi RL;
b) rezistorii RE, RF;
c) rezistorul RF;
d) rezistorii RF şi RL.
3p paralel-serie. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE şi RF. În
a.) b.)
RF RF
+ +
It RE Ir It RE Vr
- -
c.) d.)
RF RF
+ +
Et RE Ir Et RE Vr
- -
3p paralel-serie. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE şi RF. În
RF
a) fv = ;
RE + RF
R + RF
b) f v = E ;
RF
264
RE + RF
c) fv = − ;
RE
RE
d) fv = − .
RE + RF
3p paralel serie. În aceste condiţii factorul de transfer al amplificatorului
este:
RF
a) Av = ;
RE + RF
R + RF
b) Av = E ;
RF
R + RF
c) Av = − E ;
RE
RE
d) Av = − .
RE + RF
170 În cazul în care transmisia pe buclă a unui amplificator cu reacţie respectă

2p condiţia T>>1 se constantă că:
a) amplificarea amplificatorului cu reacţie este în mod exclusiv

dictată de amplificarea amplificatorului de bază;
b) funcţie de mărimea semnalului, amplificarea amplificatorului cu
reacţie este uneori dictată de amplificarea amplificatorului de bază
alteori dictată de amplificarea amplificatorului de bază;
c) funcţie de frecvenţa semnalului, amplificarea amplificatorului cu
reacţie este uneori dictată de amplificarea amplificatorului de bază
alteori dictată de amplificarea amplificatorului de bază;
d) amplificarea amplificatorului cu reacţie este în mod exclusiv
dictată de reţeaua cu reacţie;
171 Reacţia serie paralel este prezentată în figura notată:

2p
265
a) c)
+ +
av aI
R RL
- -
fI
fv
b) d)
+ +
az ay
RL RL
- -
fy fz
1p paralel-paralel. Semnalul de eroare este:
266
Răspunsuri
1. Răspuns corect a)
2. Răspuns corect b)
3. Răspuns corect c)
4. Răspuns corect d)
7. Răspuns corect d.)
8. Răspuns corect c.)
20. Răspuns corect b.)
26 Răspuns corect c.)
29. Răspuns corect a.)
267

268

100 Răspuns corect b)
101 Răspuns corect c)
102 Răspuns corect d)
103 Răspuns corect a.)
104 Răspuns corect b.)
108 Răspuns corect d.)
111 Răspuns corect a)
269

270

271
214

Teste Amplificatoare PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Teste Amplificatoare PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul 9

2. Figura 9.1 prezintă o schemă bloc utilizată pentru definirea conceptului de

3. Figura 9.1 prezintă o schemă bloc utilizată pentru definirea conceptului de

4. Figura 9.1 prezintă o schemă bloc utilizată pentru definirea conceptului de

c) semnalul de ieşire trebuie să reproducă semnalul de ieşire ca

5. În cazul unui amplificator de tensiune:

6. În cazul unui amplificator de curent:

7. În cazul unui amplificator transrezistenţă (transimpedanţă):

8. În cazul unui amplificator transconductanţă (transadmitanţă):

9. În mod uzual amplificatorul electronic este definit cu ajutorul schemei

10. În mod uzual amplificatorul electronic este definit cu ajutorul schemei

11. În mod uzual amplificatorul electronic este definit cu ajutorul schemei

12. În mod uzual amplificatorul electronic este definit cu ajutorul schemei

13. În practică pentru amplificarea în tensiune a unui amplificator de tensiune

notat Gv, mărime pentru care se introduce belul ca unitate de măsură.

14. Un amplificator de tensiune se modelează în mod comod ca în figura:

15. Un amplificator de curent se modelează în mod comod ca în figura:

16. Un amplificator transrezistenţă se modelează în mod comod ca în figura:

17. Un amplificator transconductanţă se modelează în mod comod ca în

18. În cazul unui amplificator de tensiune:

19. În cazul unui amplificator de curent:

20. În cazul unui amplificator transrezistenţă:

21. În cazul unui amplificator transconductanţă:

22. În cazul unui amplificator transrezistenţă între semnalele de intrare şi

23. În cazul unui amplificator transconductanţă între semnalele de intrare şi

24. Într-un amplificator se produc:

25. Distorsiunile neliniare care se produc într-un amplificator:

26. Distorsiunile liniare care se produc într-un amplificator:

27. Distorsiunile liniare care se produc într-un amplificator:

28. Distorsiuni de amplitudine care se produc într-un amplificator:

d) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor pasive;

29. Distorsiuni de fază care se produc într-un amplificator:

30 Dacă la intrarea unui amplificator se aplică un semnal de forma

31. Schema unui etaj diferenţial este prezentată în figura notată:

vO1 vO2 vO1 vO2

vBE1 iC1 iC2 vBE2 vBE1 iC1 iC2 vBE2

vI1 vI2 vI1 vI2

vO1 vO2 vO1 vO2

vBE1 iC1 iC2 vBE2 vBE1 iC1 iC2 vBE2

vI1 vI2 vI1 vI2

vBE1 iC1 i C2 vBE2

-3eT 3eT vID -eT eT vID

rezistorul RE, acest etaj se modelează ca în figura 9.3. În aceste condiţii

-3eT 3eT vID -eT eT vID

-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID

3p curenţii din bazele tranzistoarelor precum şi pe cel care circulă prin

44. Etajele diferenţiale se pot cupla direct întrucât:

45. Reprezentarea grafică a relaţiei vOD=vOD(vID) - unde vID reprezintă

-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT

-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID

46 Figura 9.5 prezintă semicircuitul pe mod diferenţial al unui etaj

Vid Vbe1 gmV be1 RC

47. Într-un amplificator de semnal mare elementele active lucrează:

48. Din punctul de vedere al structurii topologice etajele de ieşire se împart

51. În cazul unui etaj de putere care lucrează în clasă AB unghiul de

54 Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor

57. Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor

58. Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Rezistorul RB2:

59. Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor

60. Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor

61. Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor

62. Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor