Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
ELEMENTE DE CIRCUIT
u12
v1
i1 v2
i2
n-pol
in ik
vn vk
Fig. 1.1
9
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
u1
i1 ik
i1 i1 i2
uk
n-port u1 Diport u2
in ik i1 i2
in
un
Fig. 1.2 Fig. 1.3
Condiţiile a), b) şi c) care fac parte din definiţia generală a n-polului rămân
valabile şi în cazul n-portului.
Evoluţia unui n-port se poate descrie utilizând vectorul (matricea coloană)
tensiunilor şi vectorul curenţilor porţilor:
pentru orice interval de timp (t1 ,t2 ) , unde cu W s-a notat energia electromagnetică
internă a elementului. Creşterea energiei electromagnetice interne a unui astfel de
10
1. Elemente de circuit
uk = e,
(1.4)
u j = 0, j = 1, n , j ≠ k ,
u /j = e,
(1.5)
uk/ = 0, k = 1, n , k ≠ j,
i j = ik/ (1.6)
i i
Generator Receptor
u u
Fig. 1.4
11
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
e is
i i
u u
e is
i i
u u
u = e, (1.7)
care arată că tensiunea la bornele sursei este egală cu tensiunea electromotoare a
acesteia. Puterea electrică dată în exterior (la borne) este:
p = ui = e i . (1.8)
12
1. Elemente de circuit
u = f (i ) sau i = g( u) , (1.11)
i R i R i R
u u u
Fig. 1.7
p = ui = R i 2 = G u 2 . (1.13)
i i=0
u=0 u
(a) (b)
Fig. 1.8
13
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
i R i R
u u
Fig. 1.9
u u
0 i 0 i
(a) (b)
u u
0 i 0 i
(c) (d)
Fig. 1.10
14
1. Elemente de circuit
u I
P Δu
U U
Δi
β
=>
U0
I Rd U0
α
0 I i U
U
Rs = , (1.14)
I P
Δu du
Rd = lim = , (1.15)
Δi → 0 Δi di P
P
15
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
U = U 0 + Rd I . (1.16)
i i i
-U2 -U2
0 u 0 U1 u 0 U1 u
Fig. 1.13
Dioda ideală, cu simbolul prezentat în fig. 1.14.a, este dioda pentru care se
admite caracteristica aproximantă din fig. 1.14.b. Ea se poate afla în una din cele
două stări posibile:
- starea de conducţie, dacă u = 0 şi i 〉 0 ;
- starea de blocare, dacă i = 0 şi u 〈 0 .
Dioda ideală este un element nedisipativ, puterea instantanee primită pe la
borne fiind nulă în oricare din cele două stări.
Dioda semiconductoare (reală), având simbolul din fig. 1.14.c, admite o
schemă echivalentă conţinând o diodă ideală şi o sursă ideală de tensiune (fig.
1.14.d), pentru starea de conducţie. Schema echivalentă poate fi completată cu o
rezistenţă înseriată, valoarea acesteia fiind determinată de panta caracteristicii
aproximante din fig. 1.13.b. Ca element fizic de circuit, dioda semiconductoare
este disipativă, puterea instantanee absorbită fiind inferioară puterii maxime Pm pe
care aceasta o poate disipa:
p = ui ≤ Pm . (1.17)
16
1. Elemente de circuit
i
+ –
0 u
u
(a) (b)
U1
i i
+ – + –
u u
(c) (d)
Fig. 1.14
Rezultă că, pentru montajul din fig. 1.15.a, punctul de funcţionare M al diodei nu
poate depăşi intersecţia cu curba b, de ecuaţie ui = Pm (fig. 1.15.b).
i
b a
i R
E u
M
0 u
(a) (b)
Fig. 1.15
i
R Id
E
R
E
Ud
M
Id
E 1
i= − u
R R 0 Ud E u
(a) (b)
Fig. 1.16
17
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
dϕ
u= , (1.18)
dt
în care ϕ este fluxul magnetic al bobinei şi u este tensiunea la borne.
Bobina liniară prezintă o dependenţă ϕ − i liniară (fig. 1.17.a), de forma
ϕ=Li (1.19)
φ φ φ
0 i 0 i 0 i
Fig. 1.17
di
u= L , (1.20)
dt
de unde, pentru intervalul dintre momentul iniţial t0 şi un moment oarecare t,
rezultă:
18
1. Elemente de circuit
1 t
i( t ) = i( t 0 ) + ∫ u dt . (1.21)
Lt
0
i i(t)
i L u L
u i(t0)
u i i’
Fig. 1.18
di d ⎛ L i 2 ⎞
p = ui = i L = ⎜ ⎟, (1.22)
dt dt ⎝ 2 ⎠
1 2
Wm ( t ) − Wm ( t 0 ) = L i (t ) . (1.24)
2
19
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
Wm = ∫ i dϕ . (1.27)
(C)
I
φ
u
P Δφ
=>
Φ
Δi
β I0
I Ld
β α
–I0 0 I i
u
(a) (b)
Fig. 1.19
Φ ϕ
LS = = , (1.28)
I i P
20
1. Elemente de circuit
Δϕ dϕ
Ld = lim = , (1.29)
Δi → 0 Δ i P di P
proporţională cu tgβ .
Pentru punctul de funcţionare P, bobina neliniară admite schema echivalentă
liniarizată din fig. 1.19.b, bazată pe relaţia evidentă
1
I= Φ − I0. (1.30)
Ld
dq
i= , (1.31)
dt
în care q este sarcina electrică a unei armături.
Condensatorul liniar prezintă o dependenţă q - u liniară (fig. 1.20.a), adică
q = Cu , (1.32)
0 u 0 u 0 u
Fig. 1.20
21
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
du
i=C , (1.33)
dt
în care u este tensiunea electrică la bornele condensatorului.
Pentru un interval de timp oarecare [t0 , t ] , se obţine:
t
1
C t∫
u(t ) = u(t0 ) + i dt . (1.34)
0
i
i
C
i u C uC’
u
i
u u(t0)
u
(a) (b) (c)
Fig. 1.21
du d ⎛ Cu 2 ⎞
p = ui = uC = ⎜ ⎟. (1.35)
dt dt ⎝ 2 ⎠
Această putere este egală cu viteza de creştere în timp a energiei câmpului electric
al condensatorului:
22
1. Elemente de circuit
[ ]
t
du 1
We (t ) = ∫ Cu dx = C u 2 (t ) − u 2 (t 0 ) . (1.36)
t0 dx 2
We = ∫ udq . (1.40)
(C )
Q q
Cs = = , (1.41)
U uP
Δq dq
Cd = lim = , (1.42)
Δu→ 0 Δu du P
23
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
q i
P Δq U
Q
Δu
=>
β
Cd U0
i
β α
–U0 0 U u
U
(a) (b)
Fig. 1.22
Simbolul nulatorului este indicat în fig. 1.23.a. Puterea la bornele nulatorului este
nulă.
i
(a) (b)
Fig. 1.23
24
1. Elemente de circuit
Circuitele concrete sunt constituite din elemente reale de circuit (sursa reală
de tensiune, bobina reală, condensatorul cu pierderi etc.), care pot fi modelate prin
scheme echivalente ce conţin elemente ideale interconectate.
Astfel, în regim staţionar, o sursă reală poate admite reprezentarea Thévenin
(fig. 1.24.a) sau reprezentarea Norton (fig. 1.24.b), corespunzând ecuaţiei
funcţionale scrisă în forma
U = E − rI , (1.45)
sau în forma
E U
I= − . (1.46)
r r
E
Is =
r
r E
I I 1
g=
r
U
U
(a) (b)
Fig. 1.24
di
U = Ri + L . (1.47)
dt
25
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
R L C
i i
u u
(a) (b)
Fig. 1.25
În schema echivalentă a condensatoarelor cu dielectric imperfect izolant se
ia în consideraţie conductanţa acestuia (fig. 1.25.b).
i=f(u 0 ) i=f(u 0 1 + u 0 2 )
u0 u01 u02
(a) (a)
f f
(b) (b)
26
1. Elemente de circuit
bornele sale şi o bornă de referinţă precizată (fig. 1.27.a). Atunci când borna de
referinţă este cunoscută, se poate utiliza simbolul simplificat din fig. 1.27.b. În
majoritatea cazurilor, funcţia generalizată f este liniară.
u1 p1 p2 u2 u1 p1 p2 u2
1’ 2’ 1’ 2’
(a) (b)
Fig. 1.28
⎡1 ⎤ u
⎡u1 ⎤ = ⎢ 0⎥ ⎡ 2 ⎤
(1.48)
⎢⎣ i1 ⎥⎦ ⎢α ⎥ ⎢⎣ i2 ⎥⎦
⎣ 0 0⎦
27
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
b) Pentru STC:
⎡ u1 ⎤ = ⎡0 0⎤ ⎡ i1 ⎤ (1.49)
⎢⎣u 2 ⎥⎦ ⎢⎣ r 0⎥⎦ ⎢⎣i2 ⎥⎦
c) Pentru SCT:
⎡ i1 ⎤ = ⎡ 0 0⎤ ⎡ u1 ⎤ (1.50)
⎣⎢i2 ⎥⎦ ⎢⎣ g 0⎥⎦ ⎢⎣u 2 ⎥⎦
d) Pentru SCC:
⎡0 0 ⎤
⎡u1 ⎤ = ⎢ 1 ⎥ ⎡u2 ⎤ (1.51)
⎢⎣ i1 ⎥⎦ ⎢0 ⎢⎣ i2 ⎥⎦
⎣ β ⎥⎦
Tabelul 1.1
STT
i1=0 i2
p1 = u1 i1 = 0 α - amplificare
u1 u2 p2 =u 2 i 2 = α u1i2 în tensiune
e2 = α u1
STC
i1 i2
p1 = u1 i1 = 0 r- rezistenţă
u1=0 u2 p2 = u 2 i 2 = r i1i 2 de comandă
e2 = r i1
SCT
i 1= 0 i2
p1 = u1 i1 = 0 g- conductanţă
u1 u2 p2 = u 2 i 2 = g u1u2 de comandă
is 2 = g u1
SCC
i1 i2
p1 = u1 i1 = 0 β - amplificare
u1=0 u2 p 2 = u 2 i 2 = β i1u2 în curent
is 2 = β i1
28
1. Elemente de circuit
STT SCC
SCC STT
Fig.1.29
⎡u1 ⎤ = ⎡ 0 1⎤ ⎡ i1 ⎤ . (1.52)
⎢⎣ i2 ⎥⎦ ⎢⎣k 2 0⎥⎦ ⎢⎣u 2 ⎥⎦
1 i1 k 2 :1 i2 2 1 i1 k 2 :1 i2 2
• • • •
u1 u2 u1 u2
1’ 2’ 1’ 2’
(a) (b)
Fig. 1.30
u1 = u2 = − R i 2 = − k 2 R i1 , (1.53)
29
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
⎡u1 ⎤ = ⎡ 0 − k 2 ⎤ ⎡ i1 ⎤ . (1.55)
⎢⎣ i2 ⎥⎦ ⎢⎣ − 1 0 ⎥⎦ ⎢⎣u 2 ⎥⎦
u1 = − k 2 u 2 = − k 2 ( − R i 2 ) = − k 2 R i1 , (1.56)
1.3.3. Giratorul
1 i1 r i2 2 1 i1 r i2 2
→ →
u1 u2 u1 u2 D
1’ 2’ 1’ 2’
(a) (b)
Fig. 1.31
⎡ u1 ⎤ = ⎡0 − r ⎤ ⎡ i1 ⎤ sau ⎡ i1 ⎤ = ⎡ 0 g ⎤ ⎡ u1 ⎤ , (1.57)
⎢⎣u 2 ⎥⎦ ⎢⎣ r 0 ⎥⎦ ⎢⎣i2 ⎥⎦ ⎢⎣i2 ⎥⎦ ⎢⎣ − g 0 ⎥⎦ ⎢⎣u 2 ⎥⎦
1
în care r se numeşte rezistenţă de giraţie, iar g =
este conductanţa de giraţie.
r
Giratorul este un element nedisipativ, energia primită de acesta într-un
interval de timp oarecare fiind nulă:
30
1. Elemente de circuit
t t t
W (t ) = ∫ p dt = ∫ (u1 i1 + u2 i2 ) dt = ∫ ( − r i2 i1 + r i1 i2 ) dt = 0 . (1.58)
t0 t0 t0
⎛ u2 ⎞ ⎛ r ⎞ r2
u1 = − r i 2 = − r ⎜ − ⎟ = ⎜ ⎟ r i1 = i1 , (1.59)
⎝ R2 ⎠ ⎝ R2 ⎠ R2
u1 r 2
Re 1 = = (1.60)
i1 R2
este proporţională cu conductanţa de sarcină.
Dacă elementul D este un condensator de capacitate electrică C2, rezultă:
⎛ du ⎞ di di di
u1 = − r i2 = − r ⎜ − C2 2 ⎟ = ( r C2 ) r 1 = r 2 C2 1 = L1 1 , (1.61)
⎝ dt ⎠ dt dt dt
unde s-a notat
L1 = r 2 C2 . (1.62)
⎛ di ⎞ du du du
i1 = g u2 = g ⎜ − L2 2 ⎟ = ( g L2 ) g 1 = g 2 L2 1 = C1 1 , (1.63)
⎝ dt ⎠ dt dt dt
unde s-a folosit notaţia
C1 = g 2 L2 . (1.64)
u1 u2 u1 u2
ri2 r i1 gu2 gu1
1’ 2’ 1’ 2’
(a) (b)
Fig. 1.32
31
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
1
u1 = n u 2 şi i1 = i2 (1.65)
n
se numeşte transformator ideal. Parametrul real pozitiv n se numeşte raport de
transformare.
1 i1 n i2 2 1 i1 i2 2
* *
u1 u2 u1 u2
nu2 ni1
1’ 2’ 1’ 2’
(a) (b)
Fig. 1.33
Relaţiile (1.65) corespund sensurilor de referinţă din fig. 1.33.a, în care
bornele de acelaşi nume au fost notate cu câte un asterisc.
Transformatorul ideal transferă fără pierderi puterea de la poarta 11’ la
poarta 22’:
i2
p1 = u1 i1 = n u 2 = u2 i2 = p2 . (1.66)
n
Presupunând că la poarta secundară se conectează un rezistor de rezistenţă R,
rezultă că rezistenţa echivalentă în raport cu bornele de intrare 11’ este:
u1 n u 2
Re1 = = = n2R. (1.67)
i1 1
i2
n
Transformatorul ideal admite schema echivalentă cu surse comandate din
fig. 1.33.b.
32
1. Elemente de circuit
di1 di
u1 = L1 +M 2 ,
dt dt
(1.68)
di di
u2 = M 1 + L2 2 ,
dt dt
corespunzând asocierii sensurilor de referinţă din fig. 1.34.a.
1 i1 M i2 2 1 i1 r1 M r2 i2 2
* * * *
u1 u2 u1 u2
L1 L2 L1 L2
1’ 2’ 1’ 2’
(a) (b)
Fig. 1.34
1.3.6. Nulorul
33
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
u1 = 0 , i1 = 0 . (1.72)
1 i1=0 i2 2
u1=0 u2
1’ 2’
Fig. 1.35
u0 u0
i−
– us us
i+
+
u− u0 –um
u+
0 um ud 0 ud
–us –us
(a)
(b) (c)
Fig. 1.36
Pe lângă cele trei terminale prezentate în simbol, amplificatorul operaţional
are încă două terminale de alimentare care, de obicei, nu sunt indicate.
Tensiunea de ieşire u0 este
u0 = A(u+ − u− ) = A ud , (1.73)
34
1. Elemente de circuit
i1 i1
– –
R1 + +
R1
u0 R u0 R
u1 u1
(a) (b)
Fig. 1.37
Pentru schema din fig. 1.37.a, cunoscută ca amplificator inversor, deoarece
i− = 0 , i1 = i2 şi ud = 0 , în condiţiile unei amplificări A infinite, se obţine:
⎛R ⎞
u0 = − R2 i2 = − R1 i1 = − ⎜ 2 ⎟ u1 = Ar u1 , (1.74)
⎝ R1 ⎠
⎛ R ⎞
u0 = u1 + R2 i2 = ⎜ 1 + 2 ⎟ u1 = Ar u1 , (1.75)
⎝ R1 ⎠
R3 R
u0 = − R3 i3 = − R3 (i1 + i2 ) = − u1 − 3 u2 , (1.76)
R1 R2
35
METODE DE ANALIZĂ ÎN CIRCUITE ELECTRICE COMPLEXE
i3 R3
–
Re
– Ri
i1 i2 ud
+ Aud
R1 R2 u0 R
+ u0
u1 u2
1.5. Tranzistorul
(a) (b)
Fig. 1.40
Tranzistorul este un element neliniar comandat de circuit, cele două familii
de caracteristici neliniare fiind:
- caracteristicile de intrare (fig. 1.41.a), ce exprimă dependenţa ib - ube ,
pentru diverse valori ale tensiunii electrice dintre colector şi emitor;
36
1. Elemente de circuit
( 0) (1) ( 2) ( 3)
ib uce =0 uce uce uce = 0,6 V ic
[mA] [A]
80 2,4
ib( 2 )
40 1,2 ib(1) = 40 mA
ib(1) < ib( 2 ) < ib( 3) < ib( 4 )
0 0,2 0,4 0,6 0,8 ube 0 1 2 3 4 uce
[V] [V]
(a) (b)
Fig. 1.41
Caracteristicile din fig. 1.41 au fost trasate pentru un tranzistor tip 2N3055.
Pentru funcţionarea în modul bază-comună, la semnale mici şi joasă
frecvenţă tranzistorul admite schema echivalentă din fig. 1.42.a. La frecvenţe
înalte, schema se completează cu capacităţile indicate punctat.
α ib
αie 1−α
ie re rc rb ib
e c b c
(1 − α ) rc
Ce rb Cc re
b b e e
(a) (b)
Fig. 1.42
37