Petru GAŞIN

Petru GAUGAŞ
Alexandru FOCŞA

1
J ..
··.···············:I··.··.··
F.
··········CF···A
.........i ;.lm

DIS·POZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE

F.E.P. «Tipografia Centrală»

Chişinău - 1998
CZU 53+621.315.5 (075.8) PREFAŢĂ
123

Dezvoltarea tehnicii moderne este condiţionata în mare măsură de prog-

resul rapid al electronicii, mai ales dUpă descoperirea principalelor dispo-
zitive semiconductoare şi obţinerea circuitelor integrate, care au permis reali-
zarea unor aparate şi instalaţii electronice de mare complexitate.
Posibilitatea dirijării cu tipul de conducţie al semiconductorului cu
ajutorul dopării cu diferite impurităţi şi ideea injecţiei purtătorilor de sar-
cină minoritari au stat la baza dezvoltării electronicii semiconductoare.
Un succes strălucit au asigurat semiconductoare proprietăţile fizice
unicale ale joncţiunii p - n . Datorita joncţiunii p - n în cristale a devenit
posibilă injecţia electronilor şi a golurilor, iar o combinare simplă din două
joncţiuni p - n , emitorul polarizat direct, care injectează purtătorii de sarci-
nă minoritari şi colectorul polarizat invers, care extrage purtătorii de sarcină,
a dat posibilitatea de a realiza amplificatoare cristaline cu parametri înalţi.
Dezvoltarea electronicii semiconductoare a avut loc pe calea utili-
zării structurilor monocristaline pe baza germaniului, siliciului, iar în ulti-
mul timp - şi pe baza compuşilor semiconductori III-V cu diferită distri-
buţie a impurităţi lor dUpă tip şi concentraţie. Cea mai largă răspândire au
structurile cu o joncţiune p - n (diodele, fotoelementele), cu două (tran-
zistoarele) şi cu trei joncţiuni (tiristoarele).
În prezentă lucrare sunt analizate principiile fizice, construcţia şi
funcţionarea celor mai răspândite dispozitive semiconductoare. Ea are la
bază prelegerile elaborate de autori de-a lungul mai multor ani pentru
studenţii de la Facultatea de Fizică a Universităţii de Stat din Moldova.
La alegerea materialului autorii au accentuat în cea mai mare măsură
atenţia asupra fenomenelor fizice utilizate pentru elaborarea dispozitevor
semiconductoare şi posibilităţilor funcţionale cu care ele sunt înzestrate.
În acest context o mare parte a lucrării este consacrată analizei proceselor
electronice, precum şi altor procese ce stau la baza funcţionării dispOzi-
tivelor cu diferită destinaţie. In majoritatea cazurilor se efectuează analiza
matematică a acestor procese şi sunt obţinute expresiile celor mai impor-
tante caracteristici ale dispozitivelor cercetate.
În primul capitol sunt expuse principiile fizice generale referitoare la
structura cristalină, modelul benzilor de energie şi statistica purtătorilor
mobili de sarcină în semiconductoare. Sunt studiate, de asemenea, feno-
menele de neechilibru (procesele de recombinare, cvasinivelurile Fermi,
timpul de viaţă) şi ecuaţiile de continuitate. Materialul expus în acest
ISBN 9975-923-54-2 capitol constituie baza teoretică pentru perceperea mecanismelor de func-
ţionare a dispozitivelor semiconductoare. În capitolele II-V sunt analizate
3
 pe larg fenomenele de contact în semiconductoare. Sunt descrise contac-
tele metal-semiconductor, p - n joncţiunile, heterojoncţiunile şi structu-
rile metal-oxid-semiconductor. În capitolele ce urmează, VI-VIII, este
făcută o amplă analiză a principalelor dispozitive semiconductoare: tran-
zistoare bipolare, tranzistoare unijoncţiune şi tranzistoare unipolare cu
efect de câmp, de tip TECJ şi TECMOS, şi dispozitive multijoncţiune
(tiristoare, diode Shockley, DIAC, TRIAC).
Lucrarea este adresată cititorilor, cărora le sunt cunoscute deja prin-
cipiile fizicii corpului solid, fizicii statistice şi mecanicii cuantice în volu-
mul cursurilor universitare: studenţilor, doctoranzilor şi specialiştilor care
se ocupă cu elaborarea dispozitivelor semiconductoare, care îşi desfă­
şoară activitatea în domeniul fizicii corpului solid, electronicii; ea poate fi
un instrument de lucru şi pentru studenţii altor facultăţi, în programul de
studiu al cărora sunt incluse cursurile: fizica dispozitivelor semiconduc-
toare, electronica corpului solid şi electronica semiconductoare.
Autorii
4 5
1
CUPRINS
Capitolul L FIZICA MATERIALELOR SEMICONDUCTOARE. . . . . .. 9
1.1. Structura cristalelor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.1.1. Reţeaua cristalina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 10
1. 1.2. Reţele reciproce. Indicii Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 14
1.2. Structura benzilor energetice. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 20
1.2.1. Spectrul energetic al e1ectronilor în atomul izolat.
Formarea benzilor energetice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 21
1.2.2. Modelul Kronig-Penney 28
1.2.3. Masa efectiva 32
1.3. Concentraţia şi distribuţia energetică a purtătorilor de sarcină. . . . .. 36
1.3.1. Concentraţia purtatorilor de sarcina în semiconductoare
intrinseci 36
1.3.2. Concentraţia purtatorilor de sarcina în semiconductoare
cu impuritaţi 40
1.4. Fenomene de transport în semiconductoare 47
1.4.1. Viteza de drift. Mobilitatea. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 47
1.4.2. Curenţi de drift. Conductivitatea electrica. . . . . . . . . . . . . . . .. 50
1.4.3. Curenţi de difuzic în scmiconductoarele neomogene.
Relaţia lui Einstein . . .. 51
1.5. Fenomene de neechilibru În semiconductoare. . . . . . . . . . . . . . . . .. 54
1.5.1. Purtatori de sarcina de echilibru şi de neechilibru.
Cvasinivelurile Fermi .... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 54
1.5.2. Timpul de viaţa. Rccombinarea purtatorilor de sarcina. . . . . . . . .. 56
1.6. Ecuaţiile principale pentru analiza funcţionării
dispozitivelor semiconductoare 63
Capitolul lI. CONTACTUL METAL-SEMICONDUCTOR 66
2.1. Lucrul de ieşire a electronilor din corpuri solide.
Emisia termoelectronică . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 67
2.2. Diferenţa de potenţial de contact. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 68
2.3. Contactul semiconductorului cu metalul. Straturi de epuizare
şi de acumulare. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 71
2.4. Repartizarea potenţialului În stratul de sarcină spaţială şi
lăţimea acestui strat. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 77
2.5. Înălţimea barierei de potenţial şi lărgimea stratului de sarcină
spaţială În condiţii de polarizare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 81
2.6. Caracteristica capacitate-tensiune a contactului metal-semi-
conductor 83
2.7. Caracteristica curent-tensiune " 83
2.7.1. Teoria de redresare diodica a contactului Schottky , 84
 2.7.2. Teoria difuziei de redresare a contactului Schottky . . . . . . . . . .. 87 5.1.3. Modelul de emisie-recombinare .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 195
2.8. Efectul forţei "imagine" . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 93 5.1.4. Modelul de tunelare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 196
2.9. Determinarea experimentala a Înălţimii barierei contactului 5.1.5. Modelul de tunelare-recombinare 198
metal-semiconductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 96
2.9.1. Metoda caracteristicii curent-tensiune 96 Capitolul VL TRANZISTOARE BIPOLARE 201
2.9.2. Metoda energiei de activare 97
6.1. Structura tranzistorului bipolar. Conexiuni fundamentale 202
2.9.3. Metoda caracteristicii capacitate-tensiune 98
6.2. Principiile de funcţionare a tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . .. 205
2.9.4. Metoda fotoelectrică . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 99 6.3. Caracteristicile tranzistorului bipolar. Curenţii şi concentraţia
2.10. Contacte ohmice 101 purtătorilor de sarcină În regiunea bazei TB 213
6.3.1. Modularea lărgimii bazei (efectul Early) 221
CapitolullIL JONCŢIUNEA P - n 103 6.4. Caracteristici statice ale TB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 226
3.1. Formarea joncţiunii p - n . Potenţialul de difuzie . . . . . . . .. 104 6 4.1. Caracteristici statice ale unui TB idealizat. Ecuaţiile
. Ebers-Moll . 227
3.2. Distribuţia potenţialului În joncţiunea p - n şi lărgimea
6.4.2. Caracteristici statice idealizate în conexiunea BC . . . . . . . . .. 230
regiunii de sarcină spaţială. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 107
6.4.3. Caracteristici statice reale în conexiunea BC 233
3.2.1. Joncţiunea p - n abruptă.............. . . . . . . . . . . . . . .. 107 6.4.4. Caracteristici statice ale TB în conexiunea EC . . . . . . . . . . . .. 236
3.2.2. Joncţiunea p - n gradată . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 112 6.5. Parametri, scheme echivalente ale TB 239
3.3. Capacitatea joncţiunii p - n .... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. l 13 6.5.1. Parametrii naturali ai tranzistorului bipolar 241
3.4. Polarizarea joncţiunii p - n . Ecuaţia diodei ideale. . . . . . . . . . .. l 15 6.5.2. Parametrii de cuadripol . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 244
3.5. Curenţii de recombinare şi de generare În joncţiunea p - n 6.5.3. Scheme echivalente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 249
(modelul Sah-Noyce-Shockley) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 124 6.6. Caracteristica de frecvenţă a TB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 253
3.6. Capacitatea de difuzie a joncţiunii p - n 132 6.7. Tranzistoare bipolare drift 259
3.7. Străpungerea joncţiunii p - n 134 6.8. Tranzistorul de avalanşă. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 263
3.7.1. Instabilitatea termică 135 6.9. Tranzistoare unijoncţiune 27 l
3.7.2. Străpungerea prin multiplicare în avalanşă 139
3.7.3. Străpungerea prin efect tunel interbenzi (efectul Zener) 145 Capitolul VIL TIRISTOARE 276
3.8. Joncţiunea p - n degenerată (dioda tunel) 148 7.1. Tiristorul diodic 277
3.9. Diode "inverse" .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 157 7.1.1. Structura, funcţionarea. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 277
7.1.2. Structura pnpn la blocare în direct. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 281
Capitolul IV. STRUCTURI METAL-IZOLATOR-SEMICONDUCTOR . .. 160 7.2. Tiristoare triodice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 288
4.1. Proprietăţile structurilor MIS ideale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 161 7.3. Tiristorul cu conducţie inversă 291
7.4. Tiristoare simetrice 294
4.1.1. Caracteristicile regiunii de sarcină spaţială de la suprafaţă 162
4.1.2. Sarcina de suprafaţă în regimurile de acumulare, epuizare
Capitolul VIIL TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP Ş_I
şi inversie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 167 DISPOZITIVE CUPLATE PRIN SARCINA. . . . . . . .. 299
4.1.3. Capacitatea structurii MOS ideale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 171
4.2. Structura MOS reală 176 8.1. Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiuni (TECJ) 300
4.2.1. Sarcini capturate la interfaţă 178 8.1.1. Construcţia şi funcţionarea . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 300
4.2.2. Sarcini electrice în oxid . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 181 8.1.2. Expresia curentului de drenă în TECJ 305
8.1.3. Parametri şi scheme echivalente ale tranzistoarelor TECJ . . .. 307
4.2.3. Diferenţa de lucru de ieşire 184
8.1.4. Tranzistoare cu efect de câmp cu mobilitate înaltă. . . . . . . . .. 313
Capitolul V. HETEROJONCţIUNI SEMICONDUCTOARE. . . . . . . . .. 186
8.2. Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată TECMOS . . . . . . . . .. 316
5.1. Diagrama de benzi şi caracteristica curent-tensiune. . . . . . . . . . .. 186 8.2.1. Tranzistoare TECMOS cu canal indus. Construcţie şi
5.1.1. Modelul Anderson 188 funcţionare. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 317
5.1.2. Modelul de emisie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 193 8.2.2. Tranzistoare TECMOS cu canal iniţial. . . . . . . . . . . . . . . . . .. 321
8.2.3. Expresia curentului de drenă la tranzistoarele TECMOS 322
6 7
 8.2.4. Parametri şi scheme echivalente ale tranzistoarelor TECMOS 327
8.3. Dispozitive cuplate prin sarcină. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 334
8.3.1. Structura şi funcţionarea dispozitivelor DCS " 334
8.3.2. Parametrii dispozitivelor cuplate prin sarcină. . . . . . . . . . . . .. 342
Anexe 345 Capitolul J
Bibliografie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 365
FIZIt::A MATERIALELOR
SEMIt::ONDUt::TOARE

Progresele esenţiale în domeniul dispozitivelor semiconduc-

toare sunt strâns legate de succesele fizicii şi chimiei materialelor
semiconductoare. Prin valoarea rezistenţei specifice p, care este
cuprinSă între 10- şi 10
5 1O
n cm,semiconductoarele ocupă un loc
intermediar între metale şi dielectrici. De subliniat însă că rezistivi-
tatea semiconductoarelor depinde esenţial de tipul şi concentraţia
impurităţi lor, de structura şi de condiţiile fizice exterioare: tem-
peratură, iluminare, câmpuri electrice şi magnetice. La temperaturi
joase, semiconductoarele tind să se comporte ca dielectricii, iar la
temperaturi înalte - ca metalele.
În acest capitol sunt prezentate bazele fizicii materialelor semi-
conductoare: structura cristalină, teoria benzilor de energie, con-
centraţia şi distribuţia energetică a purtătorilor mobili de sarcină şi
procesele de transport. Sunt investigate numai acele probleme ce
ţin de analiza funcţionării dispozitivelor semiconductoare.

1.1. STRUCTURA CRISTALELOR

Majoritatea absolută a dispozitivelor cu corp solid sunt con-

struite pe baza solidelor care au o structură cristalină regulată ce
poartă denumirea de monocristale, foarte pure şi, în primul rând, pe
baza monocristalelor semiconductoare dopate local cu diferite
impurităţi. De aceea pentru a înţelege principiul de funcţionare a
acestor dispozitive trebuie de avut noţiuni clare despre structura
cristalelor, metodele de descriere şi cercetare experimentală a ei şi,
de asemenea, despre f0l1ele de legătură ce determina această struc-
tura. Acest compartiment este consacrat studierii concise a acestor
întrebari.
8
9
 1.1.1. REŢEAUA CRISTALINĂ
Pentru descrierea structurii interne regulate a cristalelor se uti-
lizeaza conceptul de reţea cristalina. Reţeaua cristalina se defineşte
ca fiind mulţimea infinita de puncte din spaţiul tridimensional,
determinata de vectorul de poziţie:
- -
Rn = ma + nb + pc ,
unde m, n, p sunt numere întregi, iar a, b, c - trei vectori neco-
planari, care se numesc vectori fundamentali ai reţelei cristaline.
Mulţimea de puncte Rn , data de relaţia (1.1) pentru toate valorile
întregi m, n şi p, defineşte o reţea tridimensionala, care reprezinta
un aranjament periodic de puncte în spaţiu. Punctele, definite de
relaţia (1.1), se numesc nodurile reţelei. Marimile lai, IEI şi
numesc constantele reţelei pe direcţiile vectorilor fundamentali
a, b şi respectiv c.
Deplasarea la infinit a unui nod cu ajutorul a trei translaţii
necoplanare reprezinta o reţea cristalina spaţiala. Paralelepipedul
ale cărui laturi sunt translaţii elementare a, E, c se numeşte celula
elementara sau paralelepiped elementar; un astfel de paralelepiped
se considera primitiv dacă în interiorul sau nu sunt cuprinse noduri.
Lungimile translaţiilor elementare, adica muchiile celulei elemen-
tare, se noteaza a, b, c, iar unghiurile dintre ele sunt notate a, 13, r
(fig. 1. la); marimile a,b,c,a,f3,r constituie metrica reţelei.
O reţea spaţială este complet definita de catre grupul translaţiilor
celulei elementare a, E, c, aşa cum este aratat în fig. 1.1b.
În funcţie de numărul de particule fixate în nodurile reţelei şi
de natura forţelor de legatura dintre ele, reţelele cristaline se împart
în mai multe tipuri, dintre care patru sunt mai raspândite:
1. Reţea cristalina atomica, în nodurile careia se află atomi neutri,
care interacţioneaza prin legaturi covalente. Există puţine substanţe cu
reţele atomice, printre care diamantul, siliciul şi o serie de compuşi ai
lor; în aceste substanţe nu se pot distinge molecule individuale, iar
cristalul poate fi privit ca o molecula uriaşă. Ca urmare a faptului ca
legaturile covalente au energii mari, substanţele cu astfel de legaturi
sunt dure, insolubile, cu punct de topire ridicat şi nevolatile.
10
y
(1.1 )
x x
a b
Fig. 1.1. Reţele cristaline spaţiale: a) celula elementara
spaţiala definita prin tranziţiile fundamentale
a,b,c şi unghiurile a,P,r;
b) reţea spaţial a
obţinuta prin translaţii ale celulei elementare.
Ici se 2. Reţea cristalina moleculara, în nodurile careia se află mo-
lecule. Majoritatea substanţe lor cu legaturi covalente între compo-
nentele moleculei formeaza reţele moleculare (hidrogen solid, CO 2 ,
substanţe organice etc.); moleculele interacţioneaza între ele prin
legaturi moleculare de mica energie, astfel aceste substanţe au duri-
tate mica, punct de topire coborât şi sunt volatile.
3. Reţea cristalina ionica, în nodurile căreia se află ioni pozitivi şi
negativi dispuşi alternativ; legatura ionica este de mare energie, prin
urmare, aceste substanţe au punct de topire ridicat şi sunt nevolatile.
4. Reţea cristalina metalica, în nodurile careia sunt fixaţi ioni
pozitivi, iar electronii de valenţa se pot mişca liber în reţea formând
un gaz electronic.
În principiu, poate exista un numar nelimitat de reţele cristaline,
întrucât nu exista nici o restricţie naturala asupra lungimilor a, b, c
ale vectorilor de translaţie sau asupra unghiurilor dintre ei. Simetria
spaţiului cristalin limiteaza însa numarul de reţele posibile. Reţeaua
trebuie sa fie invariantă în raport cu toate transformări le de simetrie
posibile referitoare la un spaţiu cristalin dat.
Pentru fiecare structură cristalina reţeaua spaţiala este definita
printr-un set caracteristic de translaţii elementare sau grup de trans-
laţii.
În funcţie de raportul dintre marimi şi orientarile reciproce ale
celor trei translaţii elementare a, E, c, se obţin reţele diferite care
se deosebesc prin simetria lor.
Il
 Toate structurile cristaline pot fi descrise prin 14 grupuri de Reţeaua spaţiala, sau reţeaua Bravais, nu este altceva decât o
translaţie, care definesc 14 reţele Bravais (tabelul 1.1). Prin reţea abstracţie geometrica. Ea devine o reţea cristalina, cu o anumita
Bravais se înţelege o structura periodica infinita formata din puncte structura, numai atunci când fiecarui nod al reţelei i se ataşeaza o
discrete identice, care se obţin prin repetarea unui singur punct prin baza de atomi, care este identica în compoziţie, aranjament şi orien-
operaţii de translaţie. tare, deci: reţeaua + baza = reţea cristalina.
Tabelul 1.1 Prin celula elementara se înţelege un domeniu care, supus unei
submulţimi de translaţii ce determina o reţea Bravais, umple întreg
Sisteme cristalograjice, parametrii celulelor elementare
spaţiul fara goluri sau suprapuneri. Alegerea celulelor elementare
şi tipul de reţea Bravais
în reţelele Bravais se efectueaza dupa considerentele urmatoare:
Reţeaua cristalografica simetria lor sa corespunda simetriei întregii reţele, adica a sistemu-
Sistemul
primitivă cu bazele centrata cu feţele lui cristalografic respectiv, numarul unghiurilor drepte şi allaturilor
centrate in volum centrate egale sa fie maxim; volumul celulei sa fie minim.
Tliclinic În tabelul 1.1 sunt aratate cele şapte sisteme cristalografice,
a;tb;tc
a;tf3p{;t90°
ti ~- Jb
P
parametrii celulelor elementare şi tipul de reţea Bravais corespun-
zator. Din tabel se pot face unele consideraţii cu privire la tipurile
de celule elementare. Astfel, pentru sistemul triclinic exista un
singur tip de celula elementara, şi anume - paralelepiped oblic

~~
Monoclinic
a;tb;tc
(triclinic) care este o celula primitiva (celula elementara primitiva
lx=f3=90=p{ ao. p . C nu conţine noduri în interiorul ei). Pentru sistemul monoclinic
exista doua tipuri de celule elementare: prisma dreapta cu baze
@i) dJJ ~~
Oltorombic
a;tb;tc
,:. - :;........ I
centrate - neprimitiva. În sistemul rombic exista patru tipuri de
a=f3={=90= .., "
I
. ~- - celule elementare: paralelepiped drept - primitiv şi trei celule
P C II F neprimitive - paralelepipede centrate în volum, cu baze centrate şi

~I
cu feţe centrate. În sistemul tetragonal exista doua tipuri de celule
@p
Tetragonal
a=b;tc
a=f3=y=9rF
<~, ~ , elementare: prisma dreapta cu baze patrate, primitiva şi prisma
, 1 dreapta centrata în volum, neprimitiva. În sistemul hexagonal exista
un singur tip de celula elementara - prisma dreapta cu baza romb,

I
Hcxagonal
a=b;tc
I --<
primitiva; adesea se utilizeaza şi prisma dreapta cu baza hexagon
a=f3=90= ! C

y=120° (neprimitiva) formata din trei celule elementare primitive. În siste-

- a P mul trigonal (romboedric) exista o singura celula elementara -

~ I~
romboedrul primitiv. În sistemul cubic exista trei tipuri de celule
@
Cubic
a=b=c elementare: cub primitiv, cub centrat în volum, cub cu feţe centrate.
lx=f3=y=900 , r
p -- 1 F
Se poate alege un tip special de celula elementara primitiva
care sa satisfaca total proprietaţile de simetrie ale reţelei Bravais

@
Trigonal
(romboedric)
corespunzatoare; cel mai raspândit tip de celula de acest fel este
a=b=c celula Wigner-Seitz (WS). Prin celula Wigner-Seitz cu centrul într-
u=f3=y;t90= c a un anumit nod al reţelei se înţelege spaţiul situat cel mai aproape de
R nodul respectiv, în comparaţie cu oricare alt nod.
12 13
 Metoda de construcţie a celulei WS pentru o reţea bidimen-
sionala este aratata în fig. I.2a. Iniţial se duc linii care unesc nodul
considerat cu toate nodurile vecine, apoi se duc linii bisectoare pe
aceste drepte; aria minima delimitata în jurul nodului reprezinta o
.. " • celula WS bidimensionala. Analog
se construieşte şi celula WS într-o
reţea spaţiala, cu unica diferenţa ca
"'--, ' ...-..... în loc de linii bisectoare se duc plane
bisectoare. În cazul unei reţele Bra-
•
• vais de tip cub centrat în volum forma
a celulei WS este aratata în fig. I.2b.
Daca celula WS este supusa opera-
ţiilor de translaţie, cu vectorii de
baza ai reţelei date se poate umple
întreg spaţiul fura goluri sau supra-
puneri;celula WS este o celula pri-
mitiva de volum minim.
Fig. 1.2. Celula primitiva Wigner-Seitz:
a) metoda de construcţie în re-
ţeaua plana; b) celula primitiva în
b reţeaua de tip cub centrat în volum.
1.1.2. REŢELE RECIPROCE. INDICII MILLER
Un rol important în analiza structurilor cristaline periodice îl
joaca conceptul de reţea reciproca, sau reţea inversa. Aceasta
noţiune ne permite matematic simplu sa descriem unele proprietaţi,
unele fenomene şi procese din corpurile solide. Ca exemplu se va
arata modul de utilizare a acestui concept la notarea planelor ato-
mice dintr-un cristal. Pentru orice set de vectori de baza , b, c aia
unei reţele directe se poate defini un set de vectori a*, b*, c * , care
constituie baza vectoriala a reţelei reciproce corespunzatoare. Relaţiile
de definiţie sunt:
a
-* = 2 Jr bxc
_
-
,b*=2Jr _
c xa
,c*=2Jr
xb a (1.2)
a·bxc b·cxa c.axb
14
Conform analizei vectoriale, se observa ca: a' a* = 2Jr, a' b* = O.
Vectorul care determina poziţia oricarui nod al reţelei reciproce este
g=ha*+kb*+lc*, (1.3)
unde h, k, 1 sunt întregi.
Ţinând cont de relaţiile (1.1), (1.2), se poate scrie:
g. R = (ha * +kb * +lc*)(ma + nb + pc) =
= 2Jr(hm + kn + lp) = 2N , (N - întreg). (lA)
Rezulta ca fiecare vector din reţeaua reciproca este perpen-
dicular pe un set de plane în reţeaua directa; de asemenea, daca
a.
Vc = b x c este volumul celulei elementare în reţeaua directa, vo-
lumul celulei elementare în reţeaua reciproca este c' »c .
V = (2Jr
În general celula elementara a reţelei reciproce poate fi repre-
zentata printr-o celula Wigner-Seitz construita în reţeaua reciproca;
metoda de construcţie este identica cu cea descrisa la reţelele directe.
Un exemplu tipic este aratat în fig. 1.3. Se considera o reţea reciproca
de tip cub centrat în volum şi se construieşte celula Wigner-Seitz
pentru nodul din centrul cubului, rezultând un octaedru trunchiat cu 14
feţe: 8 hexagonale regulate şi 6 patratice.
Ca regula, în studiul starii solide se utilizeaza celula primitiva
WS din reţeaua reciproca, care poarta denumirea prima zona
Brillouin; celelalte zone Brillouin pot fi determinate ca celule
elementare de alt tip, tot în reţeaua reciproca.
Exista o strânsa legatura între vectorii reţelei reciproce şi pla-
nele atomice din reţeaua directa. Prin plan atomic al reţelei Bra-
vais directe se înţelege orice suprafaţa ce cuprinde cel puţin trei
puncte, care nu sunt dispuse pe aceeaşi dreapta; ca urmar~ a
simetriei operaţiilor de translaţie, fiecare astfel de plan va conţme
o infinitate de puncte care determina o reţea Bravais bidi-
mensionaIa. Prin familie de plane atomice se înţelege mulţimea
planelor atomice, distanţate egal între ele, care vor include toate
punctele reţelei Bravais tridimensionale. Este evide~t ca
împarţirea unei reţele Bravais spaţiale directe în plane atomIce nu
este univoca. Din aceste considerente pentru efectuarea unei cla-
sificari riguroase a planelor atomice se utilizeaza parametrii
reţelei reciproce. Clasificarea se bazeaza pe urmatoarea teorema:
15
 pentru orice familie de plane atomice
r
din reţeaua directa, separate intre ele

1)
prin distanţa d, exista vectori ai re-

~
ţelei reciproce perpendiculari pe pla-
nele atomice, lungimea celui mai mic
dintre vectorifiind 2%.
x
Corespondenţa dintre vectorii (100) (IlO) (111) (221)
reţelei reciproce şi planele atomice
din reţeaua directa ofera o metoda Fig. 1.4. Indicii Miller pentru principalele familii de plane atomice în
convenabila de specificare a orienta- cristale cubice.
Fig. 1.3. Celula primitivă Wigner-
Seitz în reţeaua reciproca de rii planelor atomice. În general orien-
tip cub centrat în volum. tarea planelor atomice este descrisa În cazul reţelelor hexagonale pentru notarea planelor se utili-
Această celulă este numită
zonă Brillouin, fiind indicate prin precizarea vectorului normal pe zeaza un sistem de patru axe: trei dintre ele al' a 2 , a 3 , formând
puncte şi linii de simetrie im- plan. Întrucât pentru orice familie de unghiuri de 1200 între ele, sunt situate în planul bazei; a patra axa c
portante: 1(0,0,0) - centrul plane atomice exista vectori ai reţe­ este perpendiculara pe planul bazei. Simbolul de notare este
zonei; L(1I2,1I2,1I2) - limita lei reciproce perpendiculari pe ea, (Iz k il); pentru planul bazei avem (0001), pentru planele paralele
zonei dUpă axele <111>, no- apare total justificata alegerea vec-
tată prin A; X(O,O,I) -limi- cu feţele laterale avem notaţii de forma (lOTO).
torilor reţelei reciproce în calitate de
ta zonei dUpă axele <100>, Direcţiile cristalografice în reţeaua directa se noteaza într-un
notată prin L1; K(3/4,3/4,0) -
normale pe plane. Pentru ca alege- mod analog, prin utilizarea unui set trei cifre: de exemplu,
limita zonei dUpă axele <110>,
rea sa fie univoca, este necesar sa se
diagonala unui cub se noteaza [111J (fig. 1.5). Pentru evitarea unor
notată prin L . ia cel mai mic dintre aceşti vectori; confuzii (cu indicii Miller pentru plane atomice) setul de litere sau
în acest mod se determina indicii
Miller ai planului atomic considerat. Indicii Miller ai unui plan ~
z #~
atomic reprezinta coordonatele celui mai mic vector al reţelei ~
Fig. 1.5. Indicii Miller pentru
reciproce, perpendicular pe plan. Deci, un plan atomic având indicii direcţii cristalografi-
Miller Iz, k, 1 este perpendicular pe vectorul reţelei reciproce ce în reţeaua directă.

g = Iză * +kb * +lc *. Indicii Miller astfel determinaţi trebuie sa fie

numere întregi, deoarece orice vector al reţelei reciproce reprezinta a x
o combinaţie liniara a celor trei vectori de baza luaţi cu coeficienţii
întregi. De asemenea, întrucât se utlizeaza vectorul cel mai mic al z
[OOlJ
reţelei reciproce, indicii Iz, k, 1 nu pot avea multipli comuni.
[100]
Planele atomice se noteaza prin indicii Miller puşi în paran-
teze rotunde (Iz, k, 1): de exemplu, în cazul reţelei Bravais for- ,
I

[aia] I " [010]

mate din celule cubice primitive, principalele familii de plane ato- -hC--
" y
mice sunt aratate în fig. IA, unde axele x, y, z sunt paralele cu [aaf]
vectorii Zi, b, c: (100), (110), (111), (221). b

16 17
feriţi (fig. 1.9). Dispunerea spaţială a atomilor se realizeaza în stra-
turi succesive, astfel încât fiecare atom al unui element este încon- 1.2.1. SPECTRUL ENERGETIC AL ELECTRONILQR
jurat de patru atomi ai celuilalt element fixaţi în vârfurile unui ÎN ATOMUL IZOLAT.
tetraedru regulat. FORMAREA BENZILOR ENERGETICE

La începutul secolului al XX-lea fizicienii s-au convins că feno-

menele atomice nu pot fi descrise nici ca mişcare a particulelor, nici
Cd---
ca procese pur ondulatorii. Ulterior însă s-a constatat că micro-
s _ particulele - electronii, protonii, atomii etc. organic îmbină în sine
proprietăţile corpusculan~ şi ondulatorii. Ele se înregistreaza
Fig. 1.9. Structura cristalină întotdeauna ca particule, iar mişcarea lor este descrisă de ecuaţia
de tip wiirtzit.
ondulatorie Schr6dinger. Pentru o particula de masă ma' care se
mişcă în câmpul forţei şi posedă energie potenţială V(x, y, z, t),
ecuaţia Schr6dinger are forma:

Structura de tip clorura de sodiu (fig. 1.10) constă dintr-un numar

.h
-l (8
d'P- =tz2- - -
\f1
2

+-- 8 2
\f1 8
+--
2
\f1J
-V(x,y,z,t) 'P (1.5)
dt 2m 8x 2 8y 2 8z 2
egal de atomi de Na şi CI dispuşi alternativ în nodurile unei reţele
cubice simple. Fiecare atom al unui element este înconjurat de câte 6 Funcţia \fI(x,y,z,t) , fiind soluţia acestei ecuaţii, se numeşte
atomi ai celuilalt element. Datorita funcţie de unda. Ea are urmatorul sens fizic: produsul 'P la funcţia
faptului ca conţine atomi diferiţi,
structura nu reprezinta o reţea
I \fi', care este conjugata sa, şi la volumul dV prezintă proba-
bilitatea de a gasi particula în momentul de timp t în volumul
Bravais. Ea poate fi însa considerata
elementar dV .
ca o reţea Bravais cu "baza" de tip
cub cu feţe centrate, baza fiind for- Energia potenţiala V în caz general este funcţie de coordonată
şi de timp. Însa în multe probleme practic importante ea este func-
mată din doi atomi: Na fixat în
ţie numai de coordonată şi nu depinde de timp. În acest caz există
punctul [000 TI şi CI fixat în centrul un set de soluţii independente ale ecuaţiei Schr6dinger, pentru care
cubului convenţional, adica în punc-
densitatea de probabilitate \fI'P' nu depinde de timp. Aceste stari
tul [(h)(h)(h)]. În acest sistem ale microparticulelor se mai numesc staţionare.
Fig. 1.10. Structura cristalină de Determinarea starilor staţionare este o problema foarte impor-
cristalizează peste 35 compuşi. tip clorură de sodiu.
tanta, deoarece oricare altă stare, inclusiv cea nestaţionară, poate
fi prezentată ca suprapunerea funcţiilor de undă staţionare. Spre
1.2. STRUCTURA BENZILOR ENERGETICE regret, ecuaţia Schr6dinger poate fi rezolvată sub forma generală
numai pentru sistem,csimple, în particular, pentru atomu!~~_hid­
La baza teoriei electronice actuale a corpurilor solide se afla rogen. Rezolvarea ecuaţiei Schr6dinger pentru electronul ce se
teoria benzilor de energie. Numai pe baza acestei teorii a devenit afla în câmpul coulombian al protonului dă o mulţime infinita de
posibila explÎ<Cm'ea deplină a proprietaţilor electrice ale metalelor, stari staţionare posibile. Energia acestor stari, calculata de la
semiconductorilor şi izolatorilor. energia electronului liber (nelegat cu nucleul), este determinată de
expreSIa:
20
21

(1.6)
unde: ea este constanta dielectrică a vidului; h - constanta lui
Planck; e şi m - sarcina şi masa electronului; n = 1,2,3 ... - numărul
cuantic principal. Unicul electron în atomul de hidrogen ocupă
starea principală (n = 1). Trecerea electronului pe nivele energetice
mai înalte poate fi efectuată prin transmiterea unei cantităţi de ener-
gie din exterior.
. În .cazul atomilor cu mai mulţi electroni fiecare, electron
~nteracţlOnează nu numai cu nucleul, dar şi cu ceilalţi electroni.
I~ .rezultat, ecu~ţia Sch:6dinger se Q.Q!!1plică, ceea ce nu "dă posi-
bIlItate de a obţme soluţIe exactă. De aceea se procedează la metode
aproxima~~e rezolvare. Funcţia de undă a sistemului de-electroni,
care depinde de coordonatele tuturor electronilor din atom se
reprezintă printr-o combinaţie de funcţii ce depind numai de c~or­
donatele unui electron. Forma fiecărei funcţii şi energia electronului
în atom corespunzătoare ei sunt determinate nu numai de numărul
cuantic principal n, ca în atomul de hidrogen, dar şi de numărul
cuantic. orbi.tal 1. Electronii cu a~~~~şi valoare a numărului n (n
determmă dIstanţa medie dintre electron şi nucleu) formează o Rtiţl1ră
,o. electronică; pentru valorile n = 1,2,3,4,5, ... avem respectiv păturile
K, L, M , N, O, .... Pe măsura creşterii numărului de electroni,
creşte influenţa numărului 1 asupra energiei electronului. În anumite
c~~ri d~pendenţa energiei electronului de 1 poate deveni mai puter-
mca decat dependenţa de n. Drept urmare, pentru definirea stărilor
ener~etice .ale electronilor se utilizează o nomenclatură bazată pe
valonle lUI 1: astfel, pentru 1 = 0,1,2,3,... avem respectiv stările
s, p, d,j.... În general energia unui electron din atom este carac-
te~iza? prin am.bele numere n şi 1; valorile lui n sunt specificate
pnn ~lfre, ale lUI 1 - prin denumirile stărilor (s, p, d, j ... ).
. Intrucât ~ şi ~ 1 pot ave~ numai valori. discrete, spectrul energe-
tI~ al electroml?r m atomul Izolat constă dmtr-un set de stări (nivele)
dIscrete permIse, separate prin intervale energetice interzise
(fi? 1.11). Tre.buie de subliniat că nivelele s sunt nedegenerate,
adIcă fiecare nIvel corespunde unei singure stări a electronului în
I •
atom; în conformitate cu principiul excluziunii al lui Pauli, pe
22
fiecare nivel se pot găsi doi electroni de spin opus. Nivelele p sunt
triplu degenerate, deoarece pentru 1 = 1 numărul cuantic magnetic
poate avea valori mi = -1, 0, 1; în mod corespunzător pentru 1 = 2
nivelele d sunt quintiplu degenerate.
În cristale distanţele interatomice a o
3 O
sunt foarte mici (câţiva .1), astfel că fiecare •
atom se află într-un câmp puternic dat de 2 1
vecinii săi. Deci, orice corp solid cristalin • •• •• • 2 1
• • 2 O
poate fi considerat ca un sistem unificat,
constituit din particule uşpare (electroni) şi
particule grele (nuclee). Intrucât electronii
de pe stări~rioare nu participă la
procesele de conducţie electrică, se vor
lua în consideraţie numai electronii de pe • • O
învelişurile exterioare şLionii. Conside- n 1
rând că ionii sunCf1xaţi în nodurile reţelei
cristaline, ecuaţia Schr6dinger ce descrie Fig. 1.11. Nivelele ener-
getice ale electroni-
stările staţionare ale sistemului electroni-
lor Într-un atom cu
lor de valenţă are forma: -- mulţi electroni (Ha).
unde Xi,yi,Zi sunt coordonatele electronului i, iar E este energia
întregului sistem electronic. Funcţia de unda '1' depinde de coordo-
natele tuturor electronilor:
(1.8)
În expresia pentru energia potenţială Veste inclusă nu numai
energia de interacţiune a fiecărui electron în câmpul tuturor ionilor
reţelei, dar şi energia interacţiunii coulombiene a electronilor. Evident,
ecuaţia Schr6dinger (1.7) nu poate fi rezolvată sub forma generală,
deoarece conţine 3N(Z + 1) variabile, unde N este numărul atomi- •
lor din cristalul considerat, iar ~o este numarul atomic: de exemplu,
în cazul Si cu Z = 14 pentru 1 cm 3 de cristal vom avea 2.1024 va-
riabile. În scopul reducerii sistemului de particule cu interacţiune
23
reciprOCă la un sistem de particule ce ~ nu interacţioneaz~ în!re ele s~
procedează la o serie de aproximări. In acest caz ecuaţIa ~~stemulm
de particule poate fi descompusă într-un set ~e ecuaţl1~ fie~a:e
dintre ele descriind mişcarea unei singure partIcule. Ch~~E.ŞI In
c~zul aşa-numitei aproximaţiiuniel~onice problem~ rămâne
destul de ,dificilă, deoarece energia potenţială a fiecăruI electron
V; (x, y, z) depil1~- de stările tuturor celorlalţi elec!roni. Multe
concluzii despre comportarea electronilor în cristal pot fi trase din
considerente fizice simple.
Vom examina electronii într-un cristal ideal, adică într-un cristal
cu o structură fără defecte, care nu conţine atomi străini şi care nu
efectuează oscilaţii termice. Într-un aşa cristal ionii creează o distri-
buţie a potenţialului ideal periodiCă. Să analizăm deplasar~a elec~
tronului de valenţă într-un aşa câmp de forţe pe exemplul cnstalulm
de .Na . Întâi se consideră doi atomi de Na suficient depărtaţi unul
de altul (r » a), încât interacţiunea dintre ei să poată ~ ne~lijată.
Astfel, stările lor energetice sunt identice cu cele ale atoml1or IZOlaţi.
Diagramele energetice ale atomilor izolaţi sunt repreze~tate î? ~g. l.l~a
şi constau din curbele (hiperbolele) de energie potenţială ŞI mvelunle
discrete ls, 2s, 2 p şi 3s de energie cinetică. Se observă că nivelurile
ls,2s şi 2P sunt total ocupate, nivelul 3s este pe jumătate ocupat,
iar nivelurile superioare sunt libere.
)
-'
Fig. 1.12. Diagramele de energie a electronilor în cazul atomilor
de Na izolaţi (a) şi fixaţi în reţeaua cristalină (b).
24
Între atomi există bariera de energie potenţială V(r) , care se
întinde pe distanţa r. Înălţimea acestei bariere este diţerită
pentru electronii situaţi pe diferite nivele şi este egală c~ Inter-
valul energetic măsurat între nivelul O şi nivelurile conSIderate
(datorită faptului că electronul are sarcină negativă, energia lui
potenţială în câmpul nucleului este n~gllţivă). Astfel, pentru
electronii ls avem bariera ~, pentru 2s - V2 etc. Prezenţa ba-
rierei de energie potenţială împiedică trecerea electronilor de la
un atom la celălalt.
Presupunem acum că atomii de Na se află fixaţi într-o reţea
o
cristalină, distanţele dintre ei fiind a o = 4,2 A . În fig. 1.12b sunt rep-
rezentaţi câţiva atomi din reţea, barierele de energie potenţială şi
nivelurile energetice ale electronilor. Micşora!ea.~istanţei dintre
atomi, însoţită de creşterea influenţei reciproce, are două ~fect~
importante: (1) micşorarea înălţimii şi Iărgimii barierei energetIce ŞI
(2) transformarea nivelurilor de el1ergie discrete în.benzide~nergie.
Procesul de desfacere a nivelurilor discrete în benZI de energIe poate
fi explicat prin mai multe mecanisme; într-o serie de luC~ări s.e pleac~
de la efectul Stark. Bariera energetică rezultantă în spaţIUl dIntre dOI
atomi se obţine prin însumarea scalară a energiilor P?tenţial.e .ale
atomilor consideraţi izolaţi (curbele punctate). Trebme subhmată
particularitatea deosebită că nivelurile _~ş . corespunzătoare electro-
nilor de valenţă ai Na sunt situate deasupra barierei potenţiale. Prin
urmare , electronii---_.,de valenţă se vor putea deplasa nestingheriţi prin
-. .. ,,---
cristal. Aceşti efectroni "colectivizaţi" sunt numiţi electroni liberi şi
totalitatea lor constituie un gaz electronic.
Diminuarea şi îngustarea barierei energetice într-un solid cris-
talin oferă posibilitatea ca şi alţi electroni, de pe nivelurile inferioar~
2p, 2s etc., să se deplaseze în cristal. Deplasarea acestor electrom
se realizează în special prin efectul de tunelare cuantică a barierei
energetice. Procesul de formare a benzilor de energie din nivelele
discrete este arătat schematic în fig. 1.13.
În cazul general, când avem un sistem format lfuLN atOIni,
fiecare din nivelurile energetice va avea gradul de degenerare N
şi, datorită interacţiunii, se va despica în benzi energetice formate
din câte N subniveluri.
25
 E E I o situaţiemai deosebită se creează în cazul elementelor din

-=~
grupa a IV-a, de exemplu la C, Si şi Ce, care nu sunt metale, aşa
cum ar rezulta din ocuparea cu electroni a nivelurilor atomice, ci izo-
B
"'4'-~. -i I
Il.)
;..., latori sau semiconductori. Acest lucru se explică prin suprapunerea
U
rn
şi despicarea benzilor s şi p (2s şi 2p pentru C, 3s şi 3p pentru
I :.aIl.)~
"_
tI'7:.";"~--j~. 2_S_ u-
.-
...... o
Il) . N
_
Si şi 4s şi 4 p pentru Ce), odată cu apropierea atomilor, în aşa fel,
e!l;...,o încât banda superioară (banda de conducţie) să conţină 4 N stări ::;o
I Il.)

I
q::::
E libere, iar banda"infenoară (banda de valenţă) să aibă 4N electroni
. . . ._-+::>
Il.)

I Il.) o
C3~ de valenţă în cazul unui cristal fonnat din N atomi (fig. 1.14).
~"" lS_ _ .~ Il.)
Z";l
I
I
I r
a
8N stări
Fig. 1.13. Formarea benzilor de energie din nivele discrete. 4N electroni
~

Prin unnare, fiecărui nivel energetic discret din atomul liber îi

va corespunde în solidul fonnat din mai mulţi atomi o bandă 6N stări )
2N electroni (p
energetică pennisă, fonnată din subniveluri energetice care sunt
ocupate cu electroni confonn principiului lui Pauli. 2N stări (s)
Din cele expuse mai sus reiese că câmpul reţelei are efect ma- 2N electroni
xim asupra electronilor situaţi pe nivelurile superioare. Astfel, banda
de energie rezultată din nivelurile de valenţă are lărgimea cea mai
mare. Electronii de pe nivelurile interioare sunt mai strâns legaţi de
nuclee şi sunt mai puţin perturbaţi de către câmpul atomilor vecini; oL-----'-a---------D-is-ta-n-ţa-i-nt-er-a-to-m-ic-.ă
astfel, benzile de energie corespunzătoare sunt mai înguste. Benzile
de energie rezultate din despicarea nivelurilor discrete se numesc Fig. 1.14. Formarea benzilor energetice în cazul semiconductorilor
benzi energetice permise. Electronii în solid pot avea energii numai din grupa a IV-a când benzile s şi p interacţioneaza.
în interiorul benzilor energetice pennise. Banda energetică, care se
fonnează prin despicarea nivelurilor energetice ale electronilor de Confonn ipotezei lui de Broglie, electronului liber, cu impulsul
valenţă, se numeşte banda de valenţa. Nivelurile energetice ale p = moi) (m o - masa electronului liber, .9 - viteza electronului),
atomului,P!I~JJlJ.ş!1ntQG!J1Late....Q!!.~lectroni în stare fundamentală, în
unnadespicării, vor fonna una sau mai multe benzi energetice i se poate asocia lungimea de undă A = ~. Astfel, impulsul elec-
libere. Cea mai coborâtă dintre benzile energetice libere se numeşte p
. l3anda de conducţie. Banda de valenţă este separată de banda de tronului se poate exprima sub fonna:
conducţie printr-un interval energetic interzis, care se numeşte banda
h 21r
" energetica interzisa, a cărei lărgime se notează E g • p= A =;:1i=1ik,

26
27
 nodurile reţelei cristaline. Modelul Kronig-Penney modeleaza sufi-
-/;. h. . 2Jr cient de exact procesele din solidele cristaline şi permite defjnirea
un d e fl = - , Iar manmea k = - se numeşte numar de unda.
2Jr A unor marimi şi noţiuni fundamentale, cum ar fi largimile diferitor
Deoarece impulsul este un vector, rezulta ca, în general, putem scrie: benzi, zonele Brillouin, masa efectiva a purtatorilor de sarcina etc.
Consideram o reţea cristalina unidimensionala în care variaţia
jJ=tzk, (1.9)
periodica reala a energiei V(x) (fig. 1.16) este înlocuita printr-o
iar k se numeşte vector de unda. Ţinând cont de relaţia (1.9), ener- succesiune de bariere energetice de înalţimea Va şi largimea b
gia electronului liber se poate scrie sub forma:
(fig. 1.17). Ecuaţia Schr6dinger poate fi scrisa sub forma:
jJ2 tz2f2
E=-=-- (1.10) d 2 \{'(x) 2m
2m a 2m a --2-+-2 [E-V(x)]\{'(x)=O (1.11)
dx tz
Dependenţa energiei electronului de vectorul de unda se
numeşte lege de dispersie. În cazul electronului liber vectorul de Soluţia ecuaţiei (1.11), care are un sens fizic clar, prezinta o
unda k poate lua orice valoare, iar legea de dispersie are o forma unda plana, cu un careva numar de unda k, modulata dupa ampli-
parabolica (fig. 1.15). Întrucât nu exista nici un fel de restricţii tuda cu ajutorul unei funcţii, perioada careia coincide cu perioada
reţelei cristaline. Aceste soluţii poarta denumirea d~it{[l[;l[iBloch. ~.
asupra valorilor lui k, sunt posibile orice valori ale energiei; astfel
Existenţa lor reiese din teorema lui Flocke, cunoscuta din teoria •
electronulliber are un spectru energetic continuu.
ecuaţiilor diferenţiale cu coeficienţi periodlcr-'-'

I~
Astfel stau lucrurile pentru
electronul care se mişca în câm-
pul periodic al cristalului, cauzat VO f-- -
de aranjarea ordonata a ionilor 2
în nodurile reţelei cristaline,
când potenţialul în interiorul x
solidului se considera constant.
Probabilitatea de a gasi electro-
nul într-un anumit punct din Va
cristal trebuie sa fie o funcţie
o o o o x 2o--J
-J
o
----'
o
-o
periodica de coordonate, deoa- a
Fig. 1.15. Dependenţa parabolica a 1- l- a
energiei electronului liber rece poziţiile care difera între "' -1
de vectorul de unda. ele printr-un multiplu de cons- Fig. 1.16. Variaţia energiei poten- Fig. 1.17. Modelul Kronig-Penney.
tanta a reţelei cristaline sunt egal ţiale V(x) Într-un cristal
probabile. Diferite vor fi numai probabilitaţile de a gasi electronul unidimensional.
în limitele aceleiaşi perioade a reţelei cristaline.
Conform teoremei lui Bloch, soluţia este de forma:
1.2.2 MODELUL KRONIG-PENNEY
\{'(x) = Uk(X)t!kx (1.12)
În modelul electronului liber potenţialul din interiorul cris- Periodicitatea funcţiei \{'(x) este determinata de periodicitatea func-
talului este constant. În modelul Kronig-Penney se ia în con- ţiei U k (x), anume:
sideraţie variaţia potenţialului datorita prezenţei ionilor fixaţi în
29
28
 Uk(X)=Uk(x+L)=Uk(x+NL), (L=a+b) analizat fiecare electron este localizat în groapa de energIe
potenţialădin jurul nucleului.
unde N este numărul de ordine al atomului în cristal.
Pentru valori mici ale lui p (p ~ O) are loc egalitatea
. Ef~ctuând o .simplifi~are i~portantă, presupunem că lărgimea
~anerei ~e en.ergie potenţIală tmde la zero, b ~ 0, iar înălţimea ei cos a a = cos ka . (1.17)
tmde la I~fimt, Va ~ 00, astfel încât produsul (Va .b) să rămână . Ji 2k 2
constant. In acest caz soluţia există în condiţia că k şi E t DeCI E =- - , ca şi pentru electronulliber. Aşadar, variind p de
2m
1egaţI. de re laţIa:
'
P.
sun
la °până la 00, pot fi analizate toate cazurile de la electronul
absolut liber până la electronul absolut legat.
cos ka = - sm a a + cos a a (1.13)
aa La marginile benzii energetice pennise coska = ±1, deci
ma k = nJr ,
unde P=-Vb (1.14) n = 1,2,3, ... (1.18)
Ji2 a a
În aşa fel, în interiorul fiecărei benzi energetice pennise ener-
-J2mE
ŞI a=--- (1.15) ~ia electronului este o funcţie periodiCă de vectorul de undă k.
Ji
In fig. 1.19 este reprezentată dependenţa energiei de vectorul de
Pentru detenninarea dependenţei E(k) vom construi depen-
undă k x pentru situaţiile când benzile energetice provin de la nive-
denţa părţii ?repte a ecuaţiei (1.13) ca funcţie de parametrul a a
lurile atomice s, p şi d . În figură se poate observa dependenţa pa-
!
(fig. .18)..Intru~ât membrul stâng al ecuaţiei (1.13) poate lua
rabolică (curba fonnată din linii întrerupte) a energiei electronilor
numai val~n cupnnse între -1 şi + 1, rezultă că sunt pennise numai
acele valon ale argumentului( a a ) pentru care partea dreaptă varia- liberi modificată de câmpul cristalin (curbele pline) în punctele, unde
ză între ± 1. Aceste valori sunt marcate în fig. 1.18 prin regiuni vectorul de undă x xl{ (nx=0, ± 1, ± 2, ..., ± Nli).
are valorile k = n
haşur.ate şi, aşa cum rezultă din (1.15), ele corespund valorilor
Această reprezentare a legii de dispersie, E (k x), se numeşte sche-
pennIse ale energiei. Prin unnare, spectrul energetic al electronului
constă dintr-o serie de benzi pennise separate prin benzi interzise. ma extinsa a dependenţei energiei de vectorul de undă. Folosind
SIIlC( a
P~+cos(J,{/
.
Dm ecuaţia (1.13) rezulta proprietatea de periodicitate a energiei electronului în funcţie de
că pentru valori mari ale lui
vectorul de undă k x ' se poate construi aşa-numita schemă redUSă a
p (p ~ 00) energiei electronilor. În acest scop fiecare punct al curbei pline din
fig. 1.19 trebuie deplasat paralel cu axa absciselor cu un număr
sinaa = 0,
deci pennise vor fi energiile laI , până când valoarea corespunzătoare a lui k x intră
întreg de 2Jr
Jr2Ji2 2 ~.
m mterva1u1 (- -,
Jr + -Jr ) . Obţinem astfel curbele din fig. 1.20, care
En = __ n (1.16)
2ma 2 a a
Fig. 1.18. Graficu~ ~ependenţei părţii drepte poartă denumirea de schema redusa a energiilor.
a ecuaţlel (1.13) de parametrul Aceste valori coincid
a a cu ilustrarea benzilor per- Domeniul de valori ale numărului de undă k x pentru care energia
cu nivelurile energetice
mise şi interzise în spectrul ener- din groapa potenţială de electronului variază continuu şi suferă discontinuităţi la limitele
getic al electronului. domeniului se numeşte zona Brillouin: zona 1 este cuprinSă între
lărgime a. Astfel, în cazul

30 31
 E
este clasic, iar pe jumătate - cuantic. Conform mecanicii cuantice,
viteza electronu1ui într-o reţea uni dimensională este egală cu viteza
B<mJil
rCmllSa de grup a pachetului de unde:
Jl.'tipd

.9 =~ aE (1.19)
g li ak
Dependenţa
.9g (k) este puter-
E
nic influenţată de existenţa benzilor M N

rh,Ll~
permise şi interzise. Pentru prima
zonă Brillouin (- Jr < k x < Jr )
a a Jt: o Jr
a a (fig. 1.21 a) dependenţa .9g (k) are k
Fig. 1.19. Dependenţa energiei electronului
forma indicată în fig. 1.21 b.
Fig. 1.20. Dependenţa ener- ClasiCă este definirea varia-
b)
de vectorul de unda în cazul
schemei energetice extinse (cur- giei elcctronului de
ţiei energiei dE ca lucru efectuat
be
e pline) şi în cazul schemei
vectorul de unda
în cazul schemei asupra particulei clasice, care sub k
-
energetice periodice (curbele punc-
tate) (a); specificarea benzilor energetice reduse. acţiunea forţei qfi a parcurs dis-
pennise şi interzise (b); marcarea In
tanţa .9gdt . Deci ,
zonelor Brillouin (c). e)

l aE
dE = qfi .9gdt = qfi h ak dt (1.20)
Jr k Jr ~
- - < x < +-; zona II mtre -2Jr
- < k < - Jr . Jr
- ŞI - < k < -2Jr etc.
a a a x a a x a Diferenţiind expresia (1.19), I

~
(fig. 1. 19c). În cazul tridimensional pentru o reţea cubică cu feţe cen- determinăm acceleraţia electronilor:
trate, dUpă cum a fost subliniat, se obţine zona Brillouin din fig. 1.3.
d.9g =~~ aE =~ alE dk (1.21)
1.2.3. MASA EFEC TIVĂ dt li dt ak li ae dt
Fig. 1.21. Dependenţele energiei (a),
Este cunoscut că e1ectronul are o masă concretă şi, accelerându- Exprimând dYett din (1.20) vitezesi de grup .9g (b)
şi a masei efective. (c) de
se sub acţiunea câmpu1ui electric, este descris de legile mecanicii lui şi înlocuind-o în (1.21), rezultă:
vectorul de unda k .
Newton. Ce se va întâmpla dacă electronul accelerat va nimeri în
interiorul solidu1ui cristalin? Cum va interacţiona el cu câmpul elec- d.9g l a 2E
---:it = t1 ae qfi (1.22)
tric? Pentru caracterizarea mişCării purtătorilor de sarcina (electroni
şi goluri) în solide cristaline se introduce conceptul de
masă efectivă, Comparând această egaliate cu expresia pentru particula cla-
care, în caz general, diferă de masa electronului liber. sică liberă:
Soluţia o vom obţine folosind modul cvasiclasic de aborda
re a
, " ,': problemei, care, dUpă cum specifiCă însăşi denumirea, pe jumăta (1.23)
te
32
33
putem determina masa efectiva a electronului: aZE a2E a 2E
-- --
m' EJ-l
= 11 Z(OZ z (1.24)
aex akxk y akxkz

[~J = :2
ok a2E a2E 2
a E
-- (1.26)
Prin urmare, raspunsul la întrebarea iniţiala este: electronul în okyk x ak y2 akyk z
2 2
reţeaua cristalina într-adevar interacţioneaza cu câmpul ele~tric, a E a E a 2E
-- --
însa masa lui difera de masa electronului liber şi este determmata akzkx akzk y aez
de expresia (1.24). Prin introducerea masei efective m', legile Determinarea masei efective permite sa fie studiat modul în
complicate care descriu mişcarea electronului în interiorul crist~­ care electronii sunt acceleraţi în cristal sub acţiunea unei forţe
lului se pot scrie sub o forma asemanatoare cu cea cunoscuta dm exterioare.
dinamica clasica. Masa efectiva a electronului în cristal nu are
În caz general valoarea m' depinde de numarul de unda k.
nimic comun cu masa obişnuita a electronului liber. Ea nu este o Conceptul de masa efectiva este destul de important, deoarece
masura a inerţiei şi nu este legata de forţele gravitaţionale. Astfel, permite de a considera golurile şi electronii de conducţie ca parti-
masa efectiva nu este altceva decât un coeficient de proporţiona­
litate în expresia care leaga forţa externa ce acţioneaza asupra
cule încarcate clasice cu masele efective şi m: m;
respectiv.
electronului din cristal şi acceleraţia imprimata acestuia. Acest fapt Structurile benzilor de energie la semiconductoare reale au for-
este ilustrat în fig. 1.21 c, de unde rezulta ca m' poate fi de semn me complicate şi depind de orientarea vectorului de unda k faţa de
axele reţelei cristaline. Totuşi legitaţile comune, descrise de mode-
pozitiv şi negativ. Daca m' > O, electronii vor fi deplasaţi de un
lul Kronig-Penney, ramân în vigoare. Oricare semiconductor are un
câmp electric în direcţia normala. Daca m' < O, ei vor fi deplasaţi set de benzi de energie, însa configuraţia benzii interzise poate fi
într-o direcţie opusa, ca şi când ar fi implicata o sarcina pozitiva. diferita. În fig. 1.22 este aratata structura benzilor de energie a
În acest caz se afirma ca în cristal se deplaseaza golurile. . Ge, Si şi GaAs, care pot fi obţinute ori prin utilizarea unor meto-
Masa efectiva a electronului, determinata de expresia (1'.24), de de calcul teoretic, ori prin masuratori directe.
corespunde unei reţele unidimensionale, însa princi~i~L de
calculare poate fi uşor generalizat şi pentru reţeaua tndImen-
sionala. Exprimând energia prin k x' k y şi k z' masa efectiva în
direcţiile x, y, z va fi egala cu:

m' = 11 z (OZEJ-l (1.25)

z okzz
Se constata ca masa efectiva este diferita pentru diferitedirec-
ţii. Din punct de vedere fizic aceasta înseamna ca unul şi acelaşi
câmp electric, aplicat în diferite direcţii, produce diferit~-il5.:~~le­
raţii. Sub forma generala în cazul tridimensional masa efectIva a
electronului reprezinta un tensor de ordinul al doilea, ale carui
componente sunt date de matricea: Fig. 1.22. Structura benzilor de energie pentru Ge, Si şi GaAs.

34 35
 I .

Se observă că curbele prezentate nu sunt simetrice faţă de axa E . E max

Acest fapt se lămureşte prin aceea că pentru a da câteva direcţii în n = f N(E)f(E)dE , (1.27)
cristal şi pentru a determina câteva minimuri în banda de conducţie Ee

este necesar de a utiliza diferite orientări ale vectorului k. Interva- unde: Ee şi E max sunt limitele benzii de conducţie, N(E) - densi-
lul energetic dintre maximul absolut al benzii de valenţă şi minimul tatea de stări cuantice, care la concentraţii mici şi temperaturi joase
absolut al benzii de conducţie reprezintă lărgimea benzii interzise, poate fi calculat aproximativ egală cu densitatea de stări la
notată prin E g • Valorile energiei E g pentru diferite semiconduc- marginea benzii de conducţie: f/
toare la T = 300K sunt date în Anexa 5. Structura de benzi a Si şi
Ge este de tipul "indirectă", deoarece maximul benzii de valenţă şi N(E) ~ ~ (E -ţz:J)f Irn;,"; - . (UR)
minimul benzii de conducţie sunt situate la valori diferite ale lui k. l' _'
În cazul GaAs maximul absolut al benzii de valenţă şi minimul Aici m:/ = M,2 . (m~ .m; .m;) este masa efectiVă a electroni-
absolut al benzii de conducţie sunt localizate în centrul zonei
Brillouin, astfel structura de benzi este de tip "directă". lor pentru densităţile de stări, iar M e - numărul elipsoizilor echi-
valenţi de energii egale. Mărimea f(E) din expresia (1.27) este
1.3. CONCENTRAŢIA SI
, .
DISTRIBUTIA funcţia de distribuţie Fermi-Dirac:

ENERGETICĂ A PURTĂTORILOR
(1.29)
DE SARCINĂ f (E) =
exp _ _
(E - E
F +1
J
kT
1.3.1. CONCENTRAŢIA PUKTĂTORILOR DE SARCINĂ şi reprezintă probabilitatea
ca o stare, caracterizată prin energia E
ÎN SEMICONDUCTOARE INTRINSECI
şi temperatura T, să fie ocupată de un electron; k este constanta
Un semiconductorpur (intrinsec) nu conţine nivele energetice lui Boltzmann, E F - energi€!.E~gni, sau nţvelulFermi. Din (1.29) '"
(adiţionale) în banda deenergii interzise, aşa cum se întâmplă în se poate observa că nivelul Fermi reprezintă nivelul energetic
cazul semiconductoarelor cu impurităţi (extrinseci). pentru care probabilitatea de ocupare cu electroni la o temperatură
Într-un semiconductor intrinsec la T > O, purtătorii de sarcină pot T 7:- O este egală cuO,5. -
fi generaţi termic (sau sub Majoritatea electronilor din banda de conducţie vor ocupa ni-

Banda de Em". E m
., J
acţiunea altor factori) prin
trecerea directă a electronilor
velele cele mai joase, în apropierea energiei Ee' aşa cum rezultă şi
din curba funcţiei de distribuţie (fig. l.23b). Întrucât funcţia de
"
conducţie \ E, ~ . ', Ee din banda de valenţă în banda
de conducţie (fig. 1.23a).
distribuţie f(E) scade rapid odată cu creşterea energiei, limita su-

Banda de' '

F-.-----.~~--·I~-!{.~:
'E.
, ' v
Numărul
conţinuţi
de electroni,
în banda de
perioară de integrare poate fi mărită oricât fără a introduce erori de
calcul, în particular poate fi luată egală cu infinit; în acest caz
(1.27) se scrie:
valenţă lE. : J E . conducţie la o temperatură
f(E) I 0.5 O
mm mm

T >O se obţine prin _'" J2 (E - EJY:. • ti 1

(1.30)
a b integrarea funcţiei totale de n- f.-2
EJi n 3 m nd (E-E
. ) dE .
Fig. 1.23. Diagrama energetica a unui distribuţie după toate ener-
, eXPlkT:- F
+1
semiconductor intrinsec (a) şi giile benzii de conducţie:
funcţia de distribuţie f(E) (b).

36 37
 În semiconductorul nedegenerat, maJontatea electronilor se
afla în banda de valenţa, iar probabilitatea ca sa se afle în banda de
conducţie, deasupra energiei E c ' este foarte mica. Ca urmareo;
pentru purtatorii de sarcina liberi f( E) << 1, ceea ce conduce
_ E-E F
Pentru semiconductorii intrinseci condiţia de neutralitate
(electrica) impune ca totdeauna n = p = ni . Din aceasta condiţie cu' /
ajutorul expresiilor (1.32) şi (1.35) pentru nivelul Fermi în semi-
conductorii intrinseci obţinem:
,

e kT »1, adica la statistica Maxwell-Boltzmann, iar integrala E = E c +Ev + kT In N v = E c +E v +lkT In m~d. (1.36)
F 2 2 Nc 2 4 m nd •
din (1.30) se simplifica considerabil:
La temperaturi foarte mici T ~ O K nivelul Fermi este situat • r
ooJ2(E-E),Vz ,3/ _E-EF
n = f-
Te 2 1i3
c m /2
nd
e kT dE
•
(1.31) la mijlocul benzii interzise.
Ee La temperaturi esenţial diferite de O K trebuie ţinut seama de
În expresia (1.31) se poate identifica o integrala de tip Poisson raportul maselor efective pentru densitaţile de stari m;d şi m:d .

Ju,Vz e- u
du = J; , astfel încât, integrând, se obţine în final: Acest raport ia valori diferite pentru diferite semiconductoare:
,
o ,2 \ "o ,\ .: m
EF=E"
GaAs şi Ge -ţ!- ~ 1; Si - 0,3; JnSb - 46.
n =Nc e m nd
kT , (1.32)
Variaţia nivelului Fermi în funcţie de temperatura este aratata

unde marimea Ne ~ 2( 2Jr :~kT)1, (1.33)

în fig. 1.24. Graficele demonstreaza ca pentru semiconductoare cu
m;d m:d,
Ţ. la temperaturi foarte înalte, nivelul Fermi se poate
apropia foarte mult de limitele benzilor permise.
'~ < este ~enumita densitate efectivâd.€l~Lari in banda de conducţie.
In mod analog, concentraţia purHuorilor de sarcina în banda de E
valenţa, pentru semiCO~o-ruI nerlegenerat intrinsec, se afla prin •
rezolvarea integralei:/ E, • ••
..,-t-_.;;;....-,;;"._·;;.....;·;....;:;;.·..;;;·..;;·..;;·;.;·;;.,;·::.-E,
Ev

p = ffp (E)N'(E)dE, (1.34) ___ m n <m p

-00

în care f p = 1-f este funcţia de distribuţie pentru goluri, iar N' -

_-------..
~-==:===:==-_- . _. _
-------_ m n > m p
m
11
==m
p

densitatea de stari pentru banda de valenţa.

În final se obţine: Ey-+-----------E y
_ EF-Ev o o o o 0000000
o 000
o
P = Nv e kT (1.35) i

unde marimea N v = 2(
2Jrm'
Ii~d
kTJ~ este denumita densitate efec-
I o
Fig. 1.24. Variaţia nivelului Fermi în funcţie de temperatura la semi-
conductoare intrinseci.
T

tiva de stari cttantice in banda de valenţa, m;d - masa efectiva a \ Utilizând expresiile (1.32), (1.35) şi (1.36) pentru concentraţia
golurilor pentru densitatea de stari. purtatorilor de sarcina liberi într-un semiconductor intrinsec, obţinem:

38 39
 T
%
!S.

donoare de energie E D şi, respectiv, nivele acceptoare de energie

(1.37)
EA· În aşa semiconductoare electronii pot trece în banda de
în care A, ~ 4,82· JO" ( m;'" .m%2) este o constanta a materia-
conducţie nu numai din banda de valenţa, dar şi de pe nivele do-
noare, iar golurile pot aparea în urma trecerii electronilor din banda
de valenţa pe nivelele acceptoare.
lului semiconductor. Conform expresiei (1.37), concentraţia purta-
torilor de sarcina într-un semiconductor intrinsec este determinata de Trebuie menţionat ca statistica starilor determinate de impu-
ritaţi difera de statistica starilor din benzile energetice permise.
largimea benzii interzise (E g = Ee - Ev) şi de temperatura semi-
Într-adevar, conform principiului lui Pauli, pe fiecare nivel ener-
conductorului, şi aceasta dependenţa este foarte brusca. Astfel: mic- getic se pot afla doi electroni (doua goluri) cu spinii orientaţi în
şorarea lui E g de la 1,12 eV (Si) pâna la 0,08 eV (staniu cenuşiu) sensuri opuse, în timp ce pe nivelul energetic al unei impuritaţi se
aduce la creşterea concentraţiei ni cu 9 ordine; marirea temperaturii poate afla numai un singur electron (sau un singur gol), deoarece
daca pe acest nivel al impuri taţii ar veni un al doilea electron, el ar
germaniului de la 100 pâna la 600 K mareşte ni cu 17 ordine.
deveni dublu ionizat şi datorita interacţiunilor electrostatice el şi-ar
Sa logaritmam expresia (1.37): modifica poziţia în banda energetica interzisa. Din aceste motive,
funcţia de distribuţie Fermi-Dirac nu poate fi utilizata pentru starile
Eg 1
lnn =ln fii:N:
N N ---o (1.37 a) create în banda interzisa a semiconductorului prin prezenţa impu-
v 2k T
ritaţilor donoare sau acceptoare. Într-adevar, funcţia de distribuţie
1 C

Deoarece In~NcNv depinde slab de temperatura, atunci de- Fermi-Dirac defineşte probabilitatea de ocupare a starilor cuantice
cu electroni liberi, în timp ce electronii care se gasesc pe centrii de
pendenţa In ni = f( ~ ) prezinta o dreapta cu coeficientul unghiular impuritaţi trebuie analizaţi ca electroni legaţi de aceste impuritaţi şi
acest fapt va determina o modificare importanta a funcţiei de dis-
tribuţie.
- E~ (fig. 1.25). Funcţia de distribuţie a electronilor pentru starile create de
impuritaţi este de forma:
lnn;

Fig. ] .25. Dependenţa concentraţiei purtătorilor de sarcină

de temperatură Într-un semiconductor intrinsec. (1.38)

Or---ţ--~
1.3.2. CONCENTRAŢIA PURTĂTORILOR DE SARCINĂ
iN SEMICONDUCTOARE CU IMPURITĂŢI
Când un semiconductor este impurificat cu atomi donori sau
acceptori, în banda interzisa a acestuia apar nivele energetice
suplimentare corespunzatoare impuritaţilor introduse, adica nivele
40
unde Ei - nivelul energetic al impuri taţii, iar g - factorul de
degenerare al acestui nivel ce depinde de natura impuritaţilor.
În cazul impuri taţilor donoare puţin adânci (monovalente) g = li",
iar în cazul impuritaţilor acceptoare puţin adânci g = 2 .
Daca în semiconductor s-au introdus impuritaţi donoare, având
energia de ionizare E D destul de mica şi concentraţia N D' atunci
la temperaturi joase numarul de electroni ce au trecut în banda de
41
 1"
I
conducţie de pe nivelele donoare (fig. 1.26a) poate depăş~ <ţe multe
ordine numărul de electroni excitaţi din banda de valenţa. I.~ aces~ La temperaturi suficient de joase numărul impurităţilor
caz, tranziţiile electronilor din banda de valenţă pot fi n~g.lIja~e, .ŞI donoare ionizate este destul de mic (N~ « ND) şi, în acest caz,
energia Fermi se determină egalând numărul de electrom lIben dm din (1.39) obţinem:
banda de conducţie n cu numărul de donori ionizaţi N;. D
N D+_N
= Texp(ED+EF)
- kT (1.41)
lnn
E Banda de conducţie E
şi expresia (1.40) capătă următoarea formă:
--t--!-t-----t- E, 1----=§---"I'->r-~TT1n-E,
"'~$~-Ed 1.....-+-1~I-$--. .~~ -Ed
2N c exp ( \;E ~ N
c
) D exp ( - : ; )exp ( - :;), (1.42)
-------------~ ~
iar poziţia nivelului Fermi este determinată de relaţia:
3 lnND
N Dn
3
-------E, E, EF=Ee-ED+kTlnND =Ee-ED+kT ln 3 (1.43)
Banda de valenţa
T, Ti T
2 2 2Ne 2 2 4(2Jr m:dkT }%
Prin urmare, la zero absolut, nivelul Fermi se află la mijlocul
a b c intervalului energetic dintre Ee şi E D (fig. 1.26b) iar, odată cu
Fig. 1.26. Diagrama energetica (a) şi dep~ndenţa d~ ter::peratura a ener-
giei Fenni (b) şi a concen~raţlel elec~oml<?rl~ banda de con-
ducţie a semiconductorulm dopat cu ImpurItaţl donoare (c).
creşterea temperaturii, atâta timp cât Ne < N /6.' se apropie de banda
de conducţie, trece printr-un maxim şi apoi se îndepărtează de Ee când
Dacă concentraţia impurităţilor donoare nu: est~ pr~~ mare,
atunci, necătând la mărirea concentraţiei electromlor hb~n~m com-
paraţie cu semiconductorul pur, int;rinsec, gazul electrom~ m banda
Ne > N /6.. La o temperatură Ts nivelul Fermi intersecteaza nivelul
impurităţi lor donoare - E o (fig. 1.26b). În apropierea acestei
de conducţie rămâne nedegenerat. .In acest caz conc~entraţIa electr?-
nilor n este determinată de expreSIa (1.32). Cunoscand concentraţIa temperaturi expresia (1.43) nu poate fi utilizată, deoarece ea a fost
totală a donorilor N D , cât şi probabilitatea de ocupare a stărilor do-
obţinută pentru condiţia N~ « N oo însă dacă nivelul Fermi coincide
noare cu goluri, pentru concentraţia donorilor ionizaţi vom avea cu nivelul donorilor, atunci N~ = N;{. În această regiune de

Pl
(energia nivelului donor este E D ):
temperaturi E F trebuie determinat din ecuaţia generală (1.40).
N~~ND[I-f.(-ED)]~ +E (1.39) Temperatura Ts se numeşte temperatura de epuizare a impu-
1 + 2 exp o F ritaţilor donoare. Ea poate fi determinată din ecuaţia:
kT
Egalând concentraţia electronilor liberi n din banda de con- F
N exp(E -EeJ = N exp(Ee -EDJ = N o (1.44)
ducţie cu N;, obţinem ecuaţia pentru determinarea energiei Fermi: e kTs e kTs 3 '

r
de unde rezultă:
E -E ) No
~ 1 + 2ex p(:; )ex p(:;
( (1.40)
N c exp F kT c (1.45)

42
43
 Din (1.45) se observa ca temperatura de epuizare a impu- concentraţia electronilor din banda de conducţie nu depinde de
ritaţiloreste cu atât mai mare cu cât impuritaţile sunt mai adânci temperatură şi este egala cu N D •
( E D este mai mare).. Dependenţa temperaturii Ts de concentraţia Dependenţa nivelului Fermi de temperatura în domeniul de
impuri taţilor N D este lamurita de faptul ca la orice temperatură are epuizare se obţine din ecuaţia:
loc schimbul de electroni între nivelele donoare şi nivelele situate
la marginea inferioară a benzii de conducţie ce se află într-un
N D =Neexp ( EFk~Ee J, (l.48)
interval energetic de ordinul a câtorva kT. Cu cât sunt mai multe de unde rezultă
centre donoare, cu atât mai mare este probabilitatea captării elec- 3
tronilor din banda de conducţie şi cu atât este mai mare temperatura
de epuizare a impuritaţilor. Temperaturile de epuizare nu sunt mari.
De exemplu, pentru impuritaţile cu E D = 0,01 e V în germaniu cu
E F = Ee +kT In N D = Ee +kT In
Ne
ND
2(2mn:kT
n
Astfel, odata cu creşterea temperaturii, nivelul Fermi coboara
r. (1.49)

concentraţia N D
3
16
= 10 cm- Ts = 30 K. în jos faţă de marginea inferioară a benzii de conducţie.
Sa gasim valoarea concentraţiei electronilor în banda de Regiunea conducţiei intrinseci (regiunea 3, fig. 1.26b,c). În do-
conducţie la temperaturi coborâte. Pentru aceasta înlocuim pe E F meniul temperaturilor înalte (T > Ts ) un aport vizibil în conducţie
dat de (1.43) în expresia lui n, adica: încep să dea electronii ce au trecut în banda de conducţie din banda
de valenţa (excitarea în domeniul intrinsec). Concentraţia electro-

n~NcexfFk~EcJ~Ncexp(Ec2~:D lU:X ~ (1.46)

nilor iaraşi începe sa creasca şi devine practic egală cu concentraţia
ni în semiconductorul intrinsec. Deci, semiconductorul extrinsec
trece în semiconductor intrinsec. Temperatura r; corespunzatoare
-_ (NeND
--- )Yz exp( Ee - E D) . trecerii semiconductorului din starea extrinseca în starea intrinseca
2 2kT este luata temperatura la care concentraţia purtatorilor de sarcina în
Logaritmând aceasta expresie, obţinem:
semiconductorul intrinsec coincide cu concentraţia electronilor în
semiconductorul donor în regiunea epuizarii impuritaţilor:
1n n = 1n JNeND Ee -ED
- ------''-----------'''-- (1.47) ni(r;)= N D •
2 2kT'
Sau, luând în consideraţie (1.37):
unde Ee - E D = M D este energia de ionizare a donorilor.
Conform expresiei (1.47), dacă se masoara dependenţa concen- )NcN, exp ( - 2~~) ~ N D (150)
traţiei electronilor de temperatura în domeniul de conduc ţie
De unde:
extrinseca, atunci din panta dreptei In n (T) =f ~) se poate deter-
mina energia de ionizare a impuritaţilor donoare (M D = -2k tg qJ) (1.51 )
(regiunea 1, fig. 1.26c).
Regiunea de epuizare a impuritdţilor (regiunea 2, fig. 1.26b,c).
La temperaturi T;::: Ts practic toţi electronii de pe centrele donoare
Observăm că r; creşte odata cu creşterea largimii benzii inter-
ZIse E g şi cu creşterea concentraţiei impurităţilor donoare N D
au trecut în banda de conducţie. În acest interval de temperaturi, •

44 45
 Pentru germaniu cu impuritaţi N D = 10 16 cm -3 1; = 480 K, iar
pentru siliciu ~ 650 K. Temperatura 1; determina temperatura ma-
xima de funcţionare a dispozitivelor semiconductoare.
Din (l.48) şi (1.50) se vede ca în domeniul conducţiei intrin-
seci (regiunea 3, fig. 1.26c), daca se masoara concentraţia purtato-
rilor de sarcina în funcţie de temperatura, se poate determina largi-
mea benzii interzise.
Semiconductor cu impuritaţi acceptoare (fig. 1.27a). Ecuaţiile ce
descriu dependenţa de temperatura a concentraţiei electronilor şi a
nivelului Fermi într-un semiconductor cu impuritaţi donoare se pot
aplica foarte uşor şi la semiconductorul cu impuritaţi acceptoare.
E E
---------E,
- - - - - - - - - - - - - - - E,
1--_--+_--+
o T, Ti
a b
Fig. 1.27. Diagrama energetică (a) şi dependenţa energiei Fermi
de temperatură (b) Într-un semiconductor cu impUrităţi
acceptoare. (Ei - mijlocul benzii interzise).
În aceste expresii trebuie de scris N v în loc de Ne' E A în loc de E D ,
şi în loc de energia Fermi E F' masurata de la marginea inferioara a
benzii de conducţie în sus dupa scara de energii, trebuie de scris E~ -
energia Fermi, masurata de la marginea superioară a benzii de valenţă
în jos. Dependenţa energiei Fermi de temperatură într-un semiconduc-
tor cu impurităţi acceptoare este arătata în fig. 1.27b. Mai subliniem
faptul că dependenţa concentraţiei golurilor de temperatura într-un
semiconductor cu acceptori este similară cu dependenţa concentraţiei
electronilor de temperatură într-un semiconductor dopat cu impuritaţi
donoare (fig. 1.26c). Sa facem produsul concentraţiilor de echilibru
termic n şi p pentru semiconductorul intrinsec nedegenerat, adiCă:
46
np ~NcN, ex{-:;} (1.52)
Din (1.52) şi (1.37) constatăm ca:
np=n;2(T). (1.53)
Aceste expresii semnalează ca pentru o temperatura T dată
produsul n· p rămâne constant. Această concluzie reprezintă legea
acţiunii maselor şi arata ca daca concentraţia purtatorilor de sarcină
într-o bandă creşte, atunci în cealalta bandă concentraţia celorlalţi
purtători scade în aceeaşi măsura, încât n p = const .
1.4. FENOMENE DE TRANSPORT ÎN
SEMICONDUCTOARE
E, Fenomenele de transport al sarcinilor sau fenomenele cinetice
prezinta o deosebită importanţa pentru funcţionarea dispozitivelor
semiconductoare. Fenomenele cinetice caracterizează mişcarea pur-
E,
tătorilor de sarcină în semiconductori, care este condiţionată, pe de o
E parte, de efectul de difuzie a purtatorilor de sarcină, iar, pe de alta -
T
v
de efectele de drift sub acţiunea câmpurilor sau altor forţe aplicate
din exterior. În categoria fenomenelor cinetice intră, de exemplu,
conductibilitatea electriCă, termoconductibilitatea, fotoconducţia şi
efectele înrudite, care apar sub acţiunea câmpurilor electrice sau
magnetice (efectul HalI, efecte termoelectrice, efecte termomagne-
tice), supraconductibilitatea etc.
1.4.1. VITEZA DE DRIFT. MOBILITATEA
Considerăm un semiconductor impurificat uniform ce se află
într-un câmp electric. După cum s-a subliniat mai sus, electronii la
marginea benzii de conduc ţie şi golurile la marginea benzii de
valenţă se comportă ca electronii şi golurile libere cu masa efectivă
m * ce difera de masa electronului în vid. În afară de aceasta,
comportarea electronului în cristal difera suficient de comportarea
lui în vid. În cristalele reale exista o serie de neregularităţi ale
periodicităţii reţelei, defecte, impurităţi, oscilaţii termice ale reţelei
47
 şialtele, care cauzează împrăştierea electronilor. La aplicarea unui sarcina, dupa o traiectorie hiperbolicâ. Cu creşterea temperaturii
câmp electric peste mişcarea termica haotică a electronilor se va energia cinetică a purtatorilor de sarcina se măreşte şi împrăştierea pe
suprapune una ordonata, pe direcţia câmpului; aceasta din urma, impurităţi le ionizate slăbeşte. Din aceste considerente acest mecanism
numită mişcare de drift, determină apariţia unui curent electric net. de împrăştiere predomina numai la temperaturijoase. Într-un semicon-
Viteza de deplasare a electronilor în câmpul electric este propor- ductor nedegenerat mobilitatea purtătorilor de sarcina, în regiunea
ţională cu intensitatea câmpului electric şi este o marime constanta. temperaturilor joase, determinată de împrăştierea pe impurităţi le ioni-
~ Aceasta viteza se numeşte viteza de drift. Între viteza de drift 3 şi zate, este proporţională cu T}i, iar într-un semiconductor degenerat
intensitatea câmpului electric li exista relaţia: nu depinde de temperatura.
3=l'li, (1.54) În semiconductoare, la o anumită temperatura, pot coexista mai
, " în care l' reprezintă mobilitatea electronilor sau a golurilor, egală multe mecanisme de împraştiere. În acest caz mobilitatea purta-
torilor poate fi descrisa de relaţia generală:
cu viteza medie suplimentara pe care o capata purtatorii de curent
într-un câmp electric egal cu unitatea. Mărimea mobilităţii depinde (1.56)
de tipul semiconductorului şi de neregularităţile structurii cristaline
a lui. Expresia (1.54) este justă pentru câmpuri electrice nu prea unde L înseamnă însumarea dUpă toate mecanismele de împrăş­
mari (pentru Si 3 kV I ,pentru GaAs mai mici de 3 kV I ). tiere. Din (1.56) se vede că hotărâtor în determinarea mobilitaţii va
lem lem fi mecanismul de împrăştiere, care determină cea mai scazuta
Fenomenele de împraştiere a purtatorilor influenţează puternic
mobilitatea acestora. În regiunea temperaturilor înalte principalul mobilitate.
În fig. 1.28a sunt prezentate dependenţele teoretice ale mobili-
0.. mecanism d~ împrăştiere este împraştierea pe oscilaţii i!l~-Iţklei
tăţii purtatorilor de sarcina de temperatură, iar în fig. 1.28b, res-
(p~_Xol1oni). In cristalele nepolare împraştierea are loc, în principal,
pe fononii acustici, concentraţia carora este mai înaltă decât a celor pectiv, curbele experimentale pentru siliciu ce conţine concentraţii
optici. Evident, la micşorarea temperaturii împraştierea pe osci- diferite ale impurităţilor N D' Se observă că datele experimentale
laţiile reţelei slăbeşte. Calculele arata că în regiunea temperaturilor confirma concluziile teoretice. Să analizăm influenţa nivelului de
înalte, la care principală este împraştirea pe oscilaţiile termice ale
reţelei, mobilitatea purtatorilor de sarcină într-un semiconductor /.1, 1O-4 m 2/(Vs)
In Gaz nedegenerat
nedegenerat este invers proporţionala cu T Yz' , iar într-un semicon-
400
• N D = 4,7 l023 m -3
300
duct?r degenerat este invers proporţională cu T . 200 2,7 l024 m -3
In cazul împrăştierii pe fononii optici, în domeniul tempera-
4,7 l02s m -3
turilor joase se obţine o dependenţa exponenţiala a mobilitaţii (în 100
funcţie de temperatură), iar pentru temperaturi ridicate se obţine:
80
60
1 1/ lO<; K- 1
40 IT'
3ol-.,---,~,-,-"""""""""",,--_ _
ţ1opt. ~ T (1.55)
2.
In J4, 1 2 4 10
În regiunea temperaturilor joase mecanism principal devine a b
împraştierea pe impuritaţi ionizate. Aceasta împraştiere poate fi Fig. 1.28. Dependentele teoretice ale mobilitătii purtătorilor
considerată cz o interacţie de tip coulombian între electron sau gol cu de sarcină de temperatură (a); curbele experimen-
un ion. Deci, are loc o lege de împrăştiere de tip Rutherford, electronul tale pentru siliciu ce contine concentratii diferite
ale impurităţi lor N D (b).
sau golul fiind deviaţi, în vecinătatea centrului de impUritate cu

48 49
 ~L, m'/(y·s)
dopare a semiconductorului asupra
T
I
Aplicând principiul superpoziţiei, obţinem expresia curentului
0,4 _ _ ~
mobilităţii purtătorilor de sarcină la total de drift în semiconductor:
o temperatură fixată, de exemplu a
0,3 camerei. Pentru un nivel jos de do- j = jn + jp = q(nf.ln + Pf.lp)&, (1.60)
0,2~_-:- pare mobilitatea trebuie să fie deter- De observat că jn şi jp , determinaţi de deplasarea prin drift a elec-
minată de împrăştierea pe oscilaţiile
0,1 tronilor, respectiva golurilor, se adună efectiv, rezultând o den-
reţelei cristaline, şi, prin urmare, nu sitate mai mare, j.
o L----'-_-'------'-_-'---_
i 23 trebuie să depindă de nivelul de do-
10 10'ce, 10" 10'" 10 n, m->
Dacă în expresia (1.60), f.l n şi f.l p nu depind de câmp, ceea ce
'

pare. La concentraţii mari ale impu-

Fig. 1.29. Dependenţele experi- rităţilor dominantă devine împrăş­ este valabil, dUpă cum s-a subliniat mai sus, când intensitatea lui nu
mentale ale mobilită­
ţii purtătorilor de sar- tierea pe impurităţile ionizate, şi, este prea mare, atunci densitatea curentului j ~ [; şi reprezintă
cină de concentraţia prin urmare, mobilitatea se va mic- legea lui Ohm pentru materialul semiconductor:
impurităţi lor dopante
şora cu mărirea concentraţiei impu-
în (;p j =(T [ ; , (1.61)
rităţilor. În fig. 1.29 sunt prezentate unde mărimea
dependenţele experimentale ale mobilităţii purtătorilor de sarcină în
Ge de concentraţia impurităţilor dopante. (T=q(nf.l n + Pf.lp) (1.62)
r
((1'-f j ] (?f) este conductivitatea electrică a semiconductorului. Pentru un semi-
1.4.2. CURENŢI DE DRIFT. CONDUCTIVITATEA conductor intrinsec avem:
ELECTRICĂ (Ti =qn i (un + f.l p ). (1.63)

Densitatea de curent într-un conductor cu n electroni în unitate

1.4.3. CURENŢI DE DIFUZIE ÎN SEMICONDUCTOARELE
de volum este egală cu
NEOMOGENE. RELAŢIA LUI EINSTEIN
j= -qn9, (1.57)
unde 9 este viteza medie imprimată electronilor de câmpul electric Pe lângă curentul electric, care apare în urma deplasării sar-
aplicat. cinilor într-un câmp electric, în semiconductoare poate exista şi un
Această relaţie este aplicabilă şi semiconductorului, cu obser- curent de difuzie condiţionat de existenţa unui gradient al concen-
vaţia numai că ea trebuie folosită o dată pentru electronii de con- traţiei purtătorilor de sarcini. Cauzele neuniformităţii concentraţiei
duc ţie şi a doua oară pentru goluri, pentru că cele două specii de de purtători pot fi: impurificarea neuniformă; introducerea de pur- .
purtători, cât timp există ca atare, evoluează independent. Introdu- tători de sarcin,ii suplimentari din altă regiune '-=---p~o~es-denumit • ~
când viteza de drift a electronilor -.9n = - f.l n & şi viteza de drift a injecţie de purtatori; înCălzirea sau iluminarea neuniformă a semi-
conductorului etc. Pentru cazul unidimensional densitatea curen-
golurilor 9p = f.lp [; în relaţia (1.57), obţinem densitatea curentului tului de difuzie a electronilor, de exemplu, va fi proporţională cu
de drift de electroni: variaţia concentraţiei purtătorilor în funcţie de distanţă, adică:
j n= -en9n = qnf.ln [;, (1.58)
. D dn
respectiv, densitatea curentului de drift de goluri: in = q n dx ' (1.64)
j p = ep9p = qp f.l p[;' (1.59)
unde coeficientul de proporţionalitate D n reprezintă coeficientul de
unde n şi p sunt concentraţiile purtătorilor de sarcină respectivi. difuzie a electronilor. Fluxul de electroni va fi dirijat din domeniul
50
51
 cu concentraţie ridicată spre regiunea în care concentra ţi a purtăto­ şi coeficientul de difuzie este dată de relaţia lui Einstein, care poate ~
rilor este mai mică. Pe lângă difuzia electronilor spre concentraţii fi stabilită uşor pornind de la egalitatea dintre curenţii de difuzie şi
mici, va avea loc şi un proces de difuzie a golurilor, astfel incât cei de câmp într-un semiconductor izolat. Într-adevăr, considerând
apare un curent de difuzie pentru goluri: că în semiconductor există numai impurităţi donoare, curentul de
, I
. dn
) p = - qD p dp
dx '
(
1.65
) difuzie qDn dx va fi egalat de c~~t:ll1..d.~.(;.~~P qflnn&, care are )(
sensul invers celui de difuzie, astfel încât curentul total va fi zero, •.
unde D p este coeficientul de difuzie a golurilor. Semnul minus arată
!n corespundere cu condiţia de neutralitate pentru semi~ol1ductor.
că difuzia are loc în sensul scăderii concentraţiei, dar golurile au In acest caz, din (1.67) se obţine:
sarcină pozitivă, astfel încât semnul expresiei este dat de valoarea
dn
negativă a variaţiei dp .
fl n n& = -D n -dx . (1.70)
dx
În regiunea din care au plecat electronii rămân ionii încărcaţi Presupunând că semiconductorul este nedegenerat, concentraţia elec-
pozitiv ai impurităţi lor donoare; la sarcina spaţială pozitivă creată tronilorva fi dată de expresia (vezi 1.32):
de aceşti ioni se va adăuga sarcina golurilor care difuzează spre EF-Ec
această regiune. Electronii difuzaţi, precum şi ionii negativi apăruţi no = Ne e kT • (1.71)
în urma plecării golurilor, vor crea de asemenea o sarcină spaţială
Datorită câmpului electric &, electronii vor căpăta energie supli-
negativă în regiunea cu o concentraţie mică a donorilor. Ia naştere,
astfel, un câmp electric intern &, care va determina apariţia unor mentară - q V, astfel încât în relaţia (1.71), pe lângă E e se va

curenţi de câmp (drift). adăuga şi termenul - q V :

j ndrifi =qnfln &, j pdrifi = qPfl p &. (1.66) 5F-(Ec +qV) _ qV

n =Ne e kT
-- no e kT (1. 72)
Pentru cazul unidimensional, luând în consideraţie ambele com-
ponente ale curentului de electroni şi respectiv de goluri, se poate
scne:
Efectuând derivarea ~: şi ţinând seama de faptul că între câmp şi
j n = q(flnn& -+- Dn ~:) (1.67) potenţialul V există relaţia & = - d%x ' ~bţinerri:
dn = n.!L...&. (1.73)
j p = q(flpP& - Dp : ) . ( 1.68) dx kT
Înlocuind (1. 73) în (1.70), rezultă relaţia lui Einstein pentru electroni:
Ca urmare, densitatea curentului total în semiconductor va fi
D _ kT
P n --fl n • (1.74)
j = jn +j p = q(Pn n -+- fl p p)& +q(Dn dn -D p d ). (1.69) q
dx dx
În mod analog se obţine relaţia lui Einstein pentru goluri:
Coeficientul de difuzie a purtătorilor de sarcină depinde de drumul
liber mediu al acestora, deci, la fel ca şi mobilitatea purtătorilor, va _ kT
D p --fl p ' (1.75) ,
fi influenţat de procesele de împrăştiere. Legătura dintre mobilitate q

52 53
 electronii de conducţie şi golurile dispar în perechi. La echilibru
În relaţiile (1.74) şi (1.75) mărimea
kT are dimensiunea unei ten- termic, concentraţiile Po şi n o sunt staţionare, având valorile
q
siuni electrice şi se numeşte tensiune termica. Această tensiune corespunzătoare temperaturii respective, T. În acest caz, pentru
apare în relaţiile importante, cum sunt expresiile curenţilor prin fiecare specie de purtători, viteza absolută de generare este egală cu
dispozitivele semiconductoare în funcţie de tensiunile aplicate pe viteza absolută de recombinare.
Formarea unui surplus de purtători de sarcină la fel necesită
terminale. Pentru T = 300 K, kT = 26 m V . cheltuieli de energie (de exemplu, energiei cuantelor de lumină
q absorbite la fotoefectul intern). Această energie, în contrariu gene-
rării termice, este rezervată, în principal, de electronii solidului, pe
când energia medie a reţelei cristaline rămâne practic constantă.
1.5. FENOMENE DE NEECHILIBRU iN Prin urmare, în aceste condiţii are loc perturbarea echilibrului
SEMICONDUCTOARE termic dintre reţeaua cristalină şi electroni. Purtăto~iig~n~rati ca în

omare parte din dispozitivele semiconductoare funcţionează

mecanismele amintite mai sus (lumină, iradiere, câmp electric,'
injecţie) se numesc purtatori de neechilibru. Concentraţiile de
.
~

în condiţii de neechilibru, adică într-un regim în care concentraţiile
de purtători de sarcină se abat de la valorile de echilibru n o şi Po.
Există o serie de factori externi sau interni, care produc aceste
abateri; dintre aceştia pot fi enumeraţi: excitarea cu un fascicul de
radiaţii sau de particule încărcate, injecţia unui curent de purtători
de sarcină, aplicarea unor câmpuri electrice intense etc.
Ca orice sistem termodinamic, structurile semiconductoare au
tendinţa naturală de a reveni la echilibru. Pentru a caracteriza pro-
cesele de revenire se introduc parametri specifici, ca: viteza de
recombinare, timpul de viaţă şi lungimea de difuzie a purtătorilor
de sarcină în exces.
1.5.1. PURTĂTORI DE SARCINĂ DE ECHILIBRU ŞI DE
NEECHILIBRU. CVASINIVELURILE FERMI
electroni şi goluri n şi p, care diferă de concentraţiile de echilibru
n o şi Po' se numesc concentraţii de neechilibru. Mărimile
.t1n =n - no ŞI t1p = P - Po (1.76)
se numesc concentraţii în exces ale purtătorilor de sarcină.
Aşa cum s-a văzut mai sus, concentraţiile de echilibru n o şi
Po ale electronilor şi, respectiv, golurilor sunt bine definite dacă se
cunoaşte energia Fermi E F în semiconductor. Pentru a caracteriza
concentraţiile de neechilibru ale purtătorilor de sarcină se folosesc
expresii similare cu (1.32) şi (1.35), luând în consideraţie că în
semiconductorul excitat s-a schimbat energia Fermi, atât pentru
electroni, cât şi pentru goluri:

La temperaturi T > OK în semiconductor are loc procesul de

n = N exp _ E c -EFn.)
C ( kT' ( E~T-E)
P = N v exp - F v • ( 1.77)
generare termică a purtătorilor de sarcină. Purtătorii de sarcină gene-
• l raţi termic se numesc purtatori de echilibru, deoarece ei se găsesc în Nivelele de energie E Fn şi E F p se numesc cvasinivele Fermi pentru
echilibru termodinamic cu reţeaua cristalină. Concentraţiile de echi-
electroni şi, respectiv, pentru goluri. În condiţii de echilibru
libru ale electronilor, respectiv ale golurilor, se notează prin n o şi Po.
E Fn = E F p = E F şi np = nopo = n i • Când concentraţiile de neechi-
2
Referindu-ne la generarea termică de purtători, subliniem faptul Că,
deşi acest proces are loc continuu, concentraţiile de purtători nu
cresc nemărginit, datorită procesului natural, invers celui de recom- libru ale purtaturilor de sarcină cresc, n p ~ n;' exp( E k~E
F"
F
P ) > n; .
binare, care se produce tot în mod continuu. Prin recombinare,

54 55
 In fig. 1.30 sunt arătate diagramele energetice ale unui sefni- Dacă electronii şi golurile apar în semiconductor în perechi,
conductor în starea de echilibru (a) şi în starea de neechilibru (b). atunci ei şi recombină în perechi, şi în starea staţionara vitezele lor
Abaterea sistemului de la starea de echilibru termodinamic se carac- de recombinare sunt egale. Atunci:
terizează prin distanţa dintre cvasinivelele Fermi, care este egală cu:

np np
(1.80)
E Fn -EFp =kTln--=kTln-z. (1.78)
nopo n; De obicei, n -.:ţ:. p şi, prin urmare, 'n -.:ţ:. 'p. Din (1.80) se vede
Această abatere este cu atât mai mare cu cât produsul np este mai că timpul de viaţă depinde de concentraţiile purtătorilor de sarcină
mare. de neechilibru !1n şi !1p. Fie cazul, când !1n = !1p. Atunci, din
• •• • • • •• E (1.76) şi (1.80) rezultă că:
EF -------- E,o-------- '
• o • • o • n o +!1n Po + !1n
= (1.81)
Fig. 1.30. Diagramele energetice
EFp - - - - - - - -
ale unui semiconduc-
~Ev tor in starea de echi- La n o -.:ţ:. Po , această egalitate poate fi satisrucută pentru diferite
libru (a) şi in starea de
neechilibru (b). !1n numai dacă , Il şi, p variază cu !1n. Pentru a evita compli-
a b
caţiile ce apar în acest caz, purtătorii de sarcină
de echilibru n o şi
1.5.2. TIMPUL DE VIAŢĂ. RECOMBINAREA Po se dispart într-o grupă aparte, cu timpii de viaţă 'Il şi 'P' care
PURTĂTORILORDE SARCINĂ
asigură egalitatea ratelor de recombinare de echilibru:

Procesul de generare a purtătorilor de sarcină este caracterizat

., de rata de generare, care reprezintă numărul de purtători de sarcină
Ro =X =j(. (1.82)
(ori numarul de perechi electron-gol) generaţi în unitate de timp pe Se consideră că timpii de viaţă 'Il şi 'p' prin urmare, şi ratele de
unitate de volum.
Procesul de recombinare este caracterizat de rata de recombinare, recombinare ale purtătorilor de echilibru nu depind de !1n. Purtăto­
, care reprezintă numarul de purtători de sarcină (ori numărul de perechi rilor de sarcină de neechilibru li se atribuie timpul lor de viaţă "
electron-gol) recombinaţi în unitate de timp pe unitate de volum. care determină rata lor de recombinare:
Fiecare purtător liber, aparut în banda energetică respectivă în urma R _ d(!1n) _ !1n
procesului de generare, se află aici până la recombinare un interval de --dt--;· (1.83)
•.~ timp mediu, care poartă denumirea de timpul de viaţa al purtătorilor
Semnul minus este determinat de SCăderea concentraţiei în procesul
de sarcină deneechilibru, ,. Rata de recombinare, concentraţia purtă­ recombinării.
torilor de sarcină şi timpul de viaţă sunt legate prin relaţiile:
Presupunem că într-un semiconductor sub acţiunea luminii au
Rn=n~; Rp=P~, (1.79) fost excitaţi purtătorii de sarcină de neechilibru !1n o = !1po . După
/'Il /'p întreruperea luminii aceşti purtători recombină şi concentraţia lor
unde R n , R p şi 'Il' 'p sunt ratele de recombinare şi timpii de treptat scade. Integrând expresia (1.83), obţinem:
viaţă ai electronilor şi, respectiv, golurilor. !1n = !1n o exp(- y;. ). (1.84)

56 57
 r
Din ecuaţia (1.84) rezulta ca pentru t:= T, b.n := b.n%. Deci, sumară de recombinare Ro + R va deveni egala cu rata sumara de
timpul mediu de viaţa al purtatorilor de sarcina de neechilibru este generare Go + G :
intervalul de timp T, în decursul caruia, în urma recombinarii, Ro + R:= r(n o + b.n)(po + b.p):= Go + G. (1.86)
concentraţia lor scade de e ori.
Dupa mecanismul de tranziţie a electronilor din banda de con- Introducând r din (1.85), obţinem: r

ducţie în banda de valenţa se disting în principal doua tipuri de recom-

binari: recombinari directe (interbenzi) (tranziţia 1, fig. 1.31); recom-
binari prin intermediul starilor localizate (tranziţiile 2,3, fig. 1.31).
Go + G:= (X 2 )n op o + nob.p + pob.n + b.nb.p). (1.87)

În continuare vom analiza aceste
tipuri de recombinari.
Recombinarea banda-banda.
În cazul recombinarii directe, un
Pentru nivelele mici de excitare a semiconductoarelor, când
b.n, b.p « (n o + Po), ultimul termen din expresia (1.87) poate fi
neglijat. Luând în consdideraţie ca b.n := b.p, nopo:= n; ,
rezulta:

-I--~""-Et
2
electron din banda de conducţie efec-
tueaza o tranziţie directa pe o stare
neocupata (gol) în banda de valenţa
R := G := ( X2 }n o + Po )b.n . (1.88)

(fig. 1.31). Energia eliberata în urma
tranziţiei este aproximativ egala cu
3
largimea benzii interzise şi poate lua
urmatoarele forme: 1) cU(ll!ţ~_J.lep"_
energie electromagnetica (fotoni) ~ f'
recomhinare radiativa; 2) e.Rqgill de !Y
vibraJie termiGăa J~l~l.eic;ristaline· ~
Fig. 1.31. Schema proceselor de
recombinare '. bandă­ (fononi) - recombinare neradiativa;
bandă şi de re<:;ombi- 3) energie transmisa unei alte parti-
nare prin stări Jocali-
zate. . cule mobile, care devine fierbinte -
proces Auger; 4) energia de formare
I a unui exciton.
În condiţii de ecbilibru termodinamic rata de recombinare Ro
Deci, la nivele mici de excitare a purtatorilor în exces, recombina-
. rea urmează o lege liniara (R este proporţional cu b.n). Aşa re-
~'ombinare se numeşte recombinare liniara. Timpul de viaţa al
purtatorilor de neechilibru la recombinarea liniara
2
T -b.nl - b.nl - n i J[ (1.89)
- IR- IG- IlGo(no+po)]
nu depinde de intensitatea excitarii şi este determinat de nivelul de
dopare a semiconductorului (n o sau p o), micşorându-se invers
proporţional cu concentraţia impurităţiloL
Timpul de viaţa T are valoare maximala în semiconductorul
intrinsec, pentru care n o := Po := ni' Pentru acest caz (1.89) devine:

este proporţionala cu ~oncentraţiile purtatorilor de sarcina n o şi Po

Ti
nil
:= /2G . (1.90)
şi trebuie sa fie egala cu rata de ge~~f(lr~: o
-t-------·---~·-
La nivele mari de excitare a purtatorilor în exces avem
Ro =rnopo :=r n ; :=Go ' (1.85)
b.n:= b.p» (n o + Po). Astfel, din (1.87) rezulta:
... " unde r este coeficientul de recombinare (r reprezinta produsul
dintre"secţiunea eficace pe captura şi viteza medie a purtatorilor). R := G:= G2o (b.n) 2 • (1.91)
În cazul abaterii de la starea de echilibru termodinamic (generarea n 1

purtatorilor de sarcina în exces), concentraţiile staţionare ale

În acest caz rata de recombinare variaza patratic în funcţie de
electronilor n şi ale golurilor p se vor stabili atunci când rata concentraţiilepurtatorilor în exces. Aşa recombinare se numeşte
58 59
recombinare patratica. Timpul de viaţa al purtatorilor în exces la
1" centraţia centrelor de recombinare. Produsul de la numitor prezinta
recombinarea patratica I
I
probabilifatea de captare a golurilor de catre capcane în condiţii
2
când toate capcanele sunt ocupate de electroni.
I1n I1n n 1 Îndata ce capcana devine li-
[ = - = - = i- . - (1.92)
bera, ea imediat este ocupata de un • • •
••••••••
R G
este invers proporţional cu concentraţia lor.
G o I1n
electron din banda de conducţie,
concentraţia carora într-un semi-
······f·····
I
I
E'
Calculele şi experimentul arata ca recombinarile directe sun! -------+-------I
E
conductor de tipul n cu un nivel F

preponderente în semiconductoarele cu benzi interzise de valon

mici ( Eg ::; 0,3 e V) la temperaturi relativ înalte (T ~ 300 K).
înalt de dopare este mare (sageata ..... ..... • E t

punctata în fig. 1.32), şi actul de

Recombindri prin stari localizate. Mecanismul de recombinare recombinare se va termina.
prin stari localizate consta în aceea ca electronul din banda de În aşa mod, expresia (1.93) -----J-----
o o Ev

conducţie mai întâi efectueaza tranziţia pe nivelul localizat în banda determina timpul de viaţa al purta-
interzisa şi apoi pe nivelul liber din banda de valenţa (fig. 1.31). torilor de sarcina minoritari (golu-
O aşa recombinare în doua trepte deseori este lllaiprobabila decât Fig. 1.32. Moduri de interacţiune
rilor) în condiţiile echilibrului ter- a electronilor şi golu-
recombinarea directa a electronului cu golul, analizata mai sus. mic. La nivele mici de excitare a rilor cu starile locali-
Starile localizate în banda interzisa a semiconductorului pot de- semiconductorului, când la elec- zate Într-un semicon-
veni centre efective de recombinare daca sunt situate departe de ductor de tip n.
tronii şi golurile de echilibru se
marginile benzilor de conducţie şi de valenţa. În caz contrar ele joaca adauga cei de neechilibru, capcanele, ca şi mai înainte, sunt ocu-
rolul de centre de alipire, deoarece purtatorul captat de aşa centre are pate de electroni şi condiţiile de captare de catre ele a golurilor nu
o mare probabilitate sa efectueze tranziţia înapoi în banda sa. se schimba. Prin urmare, expresia (1.93) la fel determina şi timpul
În unele cazuri particulare ale recombinarii prin intermediul de viaţa al golurilor de neechilibru.
centrelor locale este uşor de obţinut expresia pentru timpul de viaţa În mod analogic poate fi obţinuta expresia timpului de viaţă al
al purtatorilor de sarcina. Consideram un semiconductor de tip n, purtatorilor minoritari şi de neechilibru într-un semiconductor cu
care conţine numai un singur nivel de capcane, situat în apropierea un nivel înalt de dopare de tip p:
mijlocului benzii interzise. Daca nivelul de dopare a semiconduc-
torului este destul de înalt, atunci la echilibru termodinamic nivelul
(1.94)
Fermi E F este situat cu mult mai aproape de marginea benzii de
conducţie decât nivelul capcanelor E t şi, în rezultat, toate capca- În caz general, când nivelul de dopare a semiconductorului nu
nele sunt umplute cu electroni (fig. 1.32). Aşa capcane nu pot ~~pt~ este prea înalt, analiza proceselor de generare-recombinare poate fi
electronii din banda de conducţie, însa ele pot ceda electronll SaI destul de dificila. Shockley, Read şi Hall (modelul SRH) au efec-
benzii de valenţa, adica pot capta golurile. Pentru captarea de catre tuat analiza respectiva pentru un semiconductor ce conţine un
oricare capcana a unui gol este necesar intervalul
,r.{-f
de timp •.. ,"
singur nivel de capcane şi au obţinut urmatoarea expresie pentru
rata de recombinare şi de generare a purtatorilor de neechilibru în
fi .9.3)
i

l..
!I r po =
-
l{S N'St
/(, p t P
)-, '1' S condiţii staţionare:

unde S p este secţiune~ef~ctiva de captare a golurilor de catre cen- R = . (n o +l1n)(po +l1p)-n opo (1.95)
trele de recombinare, .9p - viteza medie termica a golului, N t - con- (11 0 + I1n + nt)r po + (Po + I1p + pJrno '

60 61
 unde: n O ' Po sunt concentraţiile de echilibru a electronilor în banda este determinat numai de timpul mediu de captare a purtatorilor
minoritari. Pentru aşa semiconductoare timpul de viaţa nu depinde de
de conducţie şirespectiva golurilor în banda de valenţa; n t , P t -
nivelul de dopare, dar depinde numai de concentraţia capcanelor N t
concentraţiile de echilibru când nivelul Fermi coincide cu nivelul
şi tipul lor (marimile S n' S p)' În fig. 1.33 sunt prezentate depen-
starilor localizate; TpO' TnO - timpii de captare ai purtatorilor de
denţele timpului de
sarcina liberi de catre centrele de recombinare determinaţi de
expresiile (1.93) şi (1.94); aceşti timpi depind de concentraţia şi viaţa de nivelul de In 't
dopare a semiconduc-
nivelul energetic E t al centrelor de recombinare.
torului pentru doua
La recombinare prin intermediul starilor localizate I1n poate sa concentraţii ale capca- lilŢ pO
JilŢ nO '-.......:-N tl
nu coincida cu I1p, deoarece o parte din electronii de neechilibru nelor (ca exemplu s-a _ _ _ N >N
sau din goluri se pot afla pe capcane, schimbând gradul lor de um- t2 tl
considerat TnO < TpO ).
plere. Însa, daca concentraţia centrelor de recombinare N t nu este Timpul de viaţa va
prea mare, iar nivelul de excitare a semiconductorului nu-i prea
mic, aşa ca se îndeplineşte condiţia N t << I1n, I1p, atunci I1n >::; I1p
avea valoare maxima-
la în semiconductorul
-tip p ~ lnn o
ni
şi expresia (1.95) devine:
intrinsec.
Pentru un nivel Fig. 1.33. Variaţia timpilor de viaţa ai purtatorilor
R = (n o + po)l1n+(l1n)2 foarte înalt de excita- de sarcina de neechilibru în functie de
( 1.96) concentraţia purtatorilor de sârcina
(n o + n t + I1n)T pO + (Po + Pt + I1n )Tno re din (1.96) şi (1.83) majoritari.
obţinem:
În srnrşit, daca în acelaşi timp se îndeplineşte condiţia l1n «(no + nt ) ,
T>::;TpO+T nO ' (1.99)
(Po + Pt)' (n o + Po) (se considera concentraţii mici ale purtatorilor În prezenţa a câtorva cai posibile de recombinare, care nu
în exces) expresia (1.96) devine: depind una de alta, probabilitatea de recombinare trebuie sa fie
R = (n o + po)l1n egala cu suma probabilitaţilor de recombinare prin fiecare canal, iar
(1.97) timpul de viaţa efectiv T se determina de expresia:
(n o +nt)T po +{Po + Pt)T no '
Folosind expresia (1.83), poate fi determinat timpul de viaţa al (1.100)
purtatorilor de sarcina de neechilibru:
I1n n +n Po + P unde Tk este timpul de viata detenninat de recombinarea prin canalul k .
T = - = TpO o t + TnO --'::_--'-t (1.98)
R no + Po n o + Po
Pentru un nivel înalt de dopare, de exemplu, a unui semicon- 1.6. ECUAŢIILE PRINCIPALE PENTRU ANALIZA
ductor de tip n, au loc inegalitaţile no » nI' P t ' Po şi din (1.98) FUNCŢIONĂRII DISPOZITIVELOR
rezulta T ~ T pO . SEMICONDUCTOARE
În cazul semiconductorului de tip P se îndeplinesc inegalitaţile
Aşadar, noi am analizat fenomenele statice, procesele de gene-
Po »n o' nt' Pt' Astfel, din (1.98) T ~ TnO ' Aşadar, pentru cazurile rare-recombinare şi fenomenele de transport în semiconductoare omo-
analizate, timpul de viaţa al unei perechi de purtatori de neechilibru gene. Ele, toate, caracterizeaza proprietaţile macroscopice ale semi-

62 63
 conductoarelor. Pentru a deduce ecuaţiile caracteristicilor dispoziti-
r
velor semiconductoare este necesar de a obţine expresii numerice ap 1 --:
-=G -R --\7jp, (1.107)
pentru aceste caracteristici. Mai jos se aduc ecuaţiile principale at p p q
necesare pentru analiza caracteristicilor dispozitivelor semiconduc_
toare. Aceste ecuaţii pot fi divizate în trei grupe: ecuaţiile pentru und e,'G n' G p sunt ratele de generare pentru .electroni, respectiv A ' •

. ta- numărul de purtători generaţI m

go 1un" ŞI reprezm . umtate de tImp
densitatea curenţilor, ecuaţiile de continuitate şi ecuaţia Poisson. 1
a) Ecuaţiile ce descriu densitatea curentului. După cum a fost pe unitate de volum; R n' R p - ratele de recombmar~ p~ntr:u ~ ec~
arătat în acest capitol, curentul total de conduc ţie conţine atât compo- troni, respectiv goluri şi reprezintă m;lmărul de purtaton dlsp.a ţl
nenta de drift, cât şi de difuzie. Considerând cazul tridimensional, avem (recombinaţi) în unitate de timp pe umtate de volum. Pentru mve e 1
- - - -
j n = j nli + j nD = qnţin C + qDn\7 n (1.101) . liecţl'e R n --
mI'CI' de l~
n -n
p unde'
pO " n o este concentraţIa
. d
e
p
- - -
j p = j pli + j nD = qPţipC - qD p\7 P
Tn
(1.102) echilibru a purtătorilor de sarcină minoritari; n p - concentraţia de
-
j
--
=j +j
cond n p , neec h'l'b'
1 1 ru, T n - t'mpul
1 de viaţă al purtătorilor de sarcină minoritari
(1.103)
unde \7 are semnificaţia unui gradient. (electronilor), În cazul se~icon~uct?rului de ~ip _ n rata ~e recom-
Legătura dintre coeficienţii de difuzie D n' D p şi mobilităţile binare a golurilor se determmă pnn tImpul de vIaţa al golunlor T p.:
ţi n şi ţi p într-un semiconductor nedegenerat este dată de relaţiile În cazul unidimensional la nivele mici de injecţie ecuaţllie
(1.106) şi (1.107) iau forma:
Einstein D n = ( k~) ţi n' Dp =( k~) ţi p . În cazul unidimen-
an p _ G _ n p - n po + n ţi a& + ţi &2+ D --p (1.108)
2
n a a
sional ecuaţiile (1.10 1) şi (1.102) iau forma: -at- - n T p n aX
n
n aX n ax 2

~ q/l"nli + qD" : ~ q/l "(nli + ~ :;] ap n -G _Pn-PnO _P ţi a& 8 aPn

-ţi p a ~n .(1.109)
2
j" (1.104) +D
-at- - p T
npaX a X
pax

jp ~ q/l ppli - qD p =~ q/l p(Pli - ~ =], (1.105)

c) Ecuaţia Poi;;on leagă sarcina spaţială
E care ia naştere:
p şi câmpul electric

care sunt juste pentru câmpuri electrice nu prea mari. La câmpuri

înalte în aceste ecuaţii trebuie înlocuite produsele ţi C si ţi C cu
.
dlV& --;:
- li li '
r o
(1.110)

vitezele de saturaţie.
n p >
unde: li r este permitivitatea dielectrică relativa, iar li o - constanta
b) Ecuaţiile de continuitate exprimă principiul conservării electrică,
sarcinii în condiţiile când sunt prezente toate cele trei procese fun- În cazul unidimensional
damentale: generarea, recombinarea şi deplasarea spaţială a purtă­
d& = p/ . (1.111)
torilor de sarcină, Forma generală a ecuaţiei de continuitate pentru dx / li r li o .
semiconductor este:
Luând în consideraţie condiţiile iniţiale şi de limită ~espectI:e,
an 1 _ pe baza ecuaţiilor principale pot fi calculate valorile mănmllor j n ,
-=G -R +-\7j' (1.106)
at n n q n
l ,p ' n , P şi E în orice punct al mediului şi în orice moment de
64
timp,
65
 2.1. LUCRUL DE IEŞIRE A ELECTRONILOR
DIN CORPURI SOLIDE.
Capitolul 11 EMISIA TERMOELECTRONICĂ

Ca rezultat al interacţiunii electronilor şi a nucleelor atomilor si-

CONTACTUL METAL-SEMICONDUCTOR tuaţiîn nodurile reţelei cristaline, energia potenţială a electronului
în cristal (metal sau semiconductor) este mai mică decât energia
Primele cercetări ale contactului metal-semiconductor aparţin lui electronului liber în vid. Pentru a scoate electronul din solid trebuie
F.Braun, care a descoperit în 1874 caracterul redresor al acestuia comunicată o energie suplimentară. Energtan~gesară pentru a scoa-
(dependenţa rezistenţei totale de polaritatea tensiunii exterioare te în vid un electron situat la nivelul energetic Fermi într-un solid
aplicate). Detectorul cu contact punctiform, bazat pe fenomenul de poartă denumirea de lucru de ieşire. Pentru metale vom nota lucrul
redresare, a început să fie folosit din 1904, fiind astfel cel mai vechi de ieşire prin <D M' iar pentru semiconductori prin <D s (fig. 2.1).
dispozitiv electronic semiconductor. Energia. Ilegesară pentru a scoate în vid un electron situat la mini-
Dezvoltarea fizicii cuantice a pennis elaborarea teoriei benzilor mul benzii de conducţie se numeşte ajinitate pentru electroni şi se
pentru corpurile solide monocristaline. Pe baza acestei teorii, în 1931 notează Xs' Mărimea afinităţii pentru electroni este determinată .
A.Wilson a elaborat teoria transportului sarcinilor în semiconductori,
numai de proprietăţile reţelei cristaline, pentru diferite solide fiind
folosită ulterior şi pentru contactul metal-semiconductor.
de la 1 până la 6 eV.
În 1938 W.Schottky a presupus că bariera de potenţial la inter-
faţa metal-semiconductor, care determină proprietăţile de redresare,
METAL
este formată de sarcini spaţiale fixe din semiconductor, şi nu de
apariţia între metal şi semiconductor a unui strat chimic
intermediar. De aici şi termenul "bariera Schottky".
În ultimii dOUăzeci de ani deosebit de intensiv au fost efectuate
cercetări vizând construcţia de aparate pe baza contactului cu
barieră Schottky. Ca rezultat, au fost elaborate un şir de aparate cu
diverse posibilităţi funcţionale. Contactele cu barieră Schottky sunt
folosite pe larg pentru redresarea curentului alternativ, în calitate de
stabilizatori de tensiune (diode cu impuls şi diode parametrice). Pe
baza lor sunt elaborate celule solare şi fotodetectori. Aşa contacte
sunt folosite ca poartă în tranzistorii cu efect de câmp. Orice
dispozitiv semiconductor sau circuit integrat are în componenţă
unul sau mai multe contacte ohmice, acestea reprezentând contactul a b
metal-semiconductor. Fig. 2.1. Diagrama benzilor energetice: a) ~ metal;
b) ~ semiconductor.

La temperaturi înalte o parte din electroni au o energie cinetică

destul de mare, încât pot ieşi din solid în vid. Fenomenul ieşirii
electroni lor din corpul solid în vid pe baza energiei termice a reţelei
66 67

cristaline poartă denumirea de emisie termoelectronicci. Numărul
de electroni ce iese de pe o unitate de suprafaţă într-o unitate de
timp este determinat de formula Richardson-Dushman:
J = m n* (kT)2 exp (<D
- -)
ioni pozitivi - donori (de la care au plecat electronii). Între plăCi
apare o diferenţă de potenţial de contact (Ve), din care cauză
energia potenţială a electronului la suprafaţa metalului e mai mare
decât la suprafaţa semiconductorului, <D o = -q Ve'
(2.1)

unde: m: este masa

2Jr 2tz 3
efectivă
kT '
a electronului, k - constanta Boltz-
Ev1d
, , r;-
COD
x's OJs
mann, T - temperatura, în grade Kelvin, tz =17,__ constanta Planck, ltJM Ee €Ps E
2Jr
<D - lucrul de ieşire termodinamic al electronului din corpul solid, Ef/
I EF =t=E;
notat cu <D s pentru semiconductori şi cu <D M pentru metale.

şi
Deoarece <D are mărimea de câţiva electron-volţi, indicele
exponentei în (2.1) este destul de mare. De exemplu, la T = 300 K
<D = 1 e V, ~ ~ 40. Deci, la mărirea temperaturii vom observa o
kT
creştere bruscă a fluxului de electroni. Dacă corpul solid este izolat,
• de
Ev

Fig. 2.2. Diagrama energetică a structurii metal-vid-semiconductor:

'01b
Ev

emiterea electronilor nu poate să se prelungească mult timp, fiindcă a) înaintea stabilirii echilibrului;
b) după stabilirea lui.
are loc încărcarea pozitivă a solidului, fapt ce duce la apariţia unui
câmp electric, care împiedică ieşirea în continuare a electronilor şi, Acum, pentru a trece din semiconductor în metal, electronul
ca urmare, sistemul de electroni se va găsi într-un echilibru trebuie să învingă o barieră de potenţial <D s + <D. Când energia
termodinamic.
potenţială va atinge o mărime <Do, fluxurile de electroni din metal
şi semiconductor vor deveni egale. Folosind expresia (2.1), pentru
2.2. DIFERENŢA DE POTENŢIALDE CONTACT
acest caz obţinem:
Dacă vom aduce în contact două corpuri solide ce au diferite m:2Jr (kT)2
s
tz 2 3 P kT
s o)_m:
ex (_ <D +<D (kT)2
- 2Jr tz
s
2 3
(<D M
exp - kT
)
. (2.2)
mărimi ale lucrului de ieşire, între aceste corpuri va apărea o
diferenţă de potenţial de contact. Expresia pentru această diferenţă Luând în consideraţie faptul că masa efectivă a electronilor în
de potenţial o vom găsi cercetând schimbul de electroni între o semiconductor (m: s ) nu diferă considerabil de masa efectivă a elec-
placă metalică şi una de semiconductor, care se află în vid la o dis-
tanţă de una de alta. În vid, ca şi la contactul intim a două solide, tronilor în metal (m:m)' avem:
are loc schimbul liber de electroni între ele. <DO=<DM-<D S' (2.3)
Presupunem că lucrul de ieşire a semiconductorului de tip n e
diferenţa de potenţial de contact fiind:
mai mic decât al metalului (fig. 2.2a). În acest caz fluxul de elec-
troni din semiconductor va fi mai mare ca cel din metal. Ca Vc -- <Do _ - <D M -<D...-------
s.
- ----, - (2.4)
rezultat, pe metal va apărea o sarcină negativă formată de surplusul
-----~.-.---

q q
de electroni, iar pe semiconductor - o sarcină pozitivă, formată de
69
68
 Egalitatea (2.3) indica ca la echilibru termodinamic nivelurile
Fermi în metal şi semiconductor coincid (fig. 2.2b). În caz de echi-
libru aceasta afimlaţie este valabila pentru orice solide cc efec-
tueaza schimb de fluxuri de termoelectroni.
Se poate demonstra ca la distanţe mari de surplusul de sarcini,
ce formeaza difer~nţa de potcnţial de contact, este situat pe
suprafaţa placilor. Intr-adevar, adâncimea patrunderii surplusului
de sarcini în corpul solid estc determinata de expresia d
unde: N s - densitatea surplusului dc electroni pe suprafaţa metalu-
lui, 110 - concentraţia electronilor în volum. Densitatea de suprafaţa
a electroni lor poate fi exprimata prin densitatea de suprafaţa a
sarcinii ((j s): Ns = (js
. Pcntru doua placi paralcle încarcate
q Trebuie sa notam ca în acest capitol, precum şi în acelea ce
( j s = E: [;, unde: E: - pennitivitatea electrica a spaţiului dintre
placi, [; - câmpul electric dintre placi. Presupunând ca câmpul
electric dintre placi este omogen,
/&1 = Ve =~f) M - cI) S
de qde
ŞI
d= JY§ = E: (et)M - et> s )
110 q2 110 de
Pentru a efcctua o apreciere numerica a adâncimii patrunderii
sarcinilor în solid d, presupunem ca d c = 1cm ' Aet> I - rh = l e f7
'*"s r.
Atunci pentru metal, când 110~1022cm-3, obţinem d=5 x lO- J7 cm,
iar pentru semiconductor, când 110 ~ 10 14 cm- 3, d = 5 X 10-9 C111.
Observam ca adâncimea patrunderii sarcinilor în metal şi în
semiconductor e mai mica decât grosimea unui strat atomic din
2.3. CONTACTUL SEMICONDUCTORULUI CU
METALUL. STRATURI DE EPUIZARE ŞI
DE ACUMULARE
Sa cercetam contactul intim dintre un semiconductor de tip 11
şi un metal, când distanţa dintre ci este ~ 10-7 C111. O asemenea
distanţa se obţine, de exemplu, la depunerea mctalului pe suprafaţa
= ~s, semiconductorului prin evaporare în vid. Daca se îndeplineşte ca şi
110
mai înainte condiţia et> M > et> s' atunci când de ~ 10-7 C111 şi
3
~ 10 din (2.5) rezulta ca d ~ 5x 10-2 C111. Deci, laţimea
14
JI o C111- ,
stratului de la suprafaţa semiconductorului din care au ieşit elec-
tronii este destul de mare. În metal surplusul de electroni se va gasi
la suprafaţa, fiindca 110 pentru el e mare.
unneaza, vom examina cazul ionizarii complete, adica cazul când
toatc centrele donoare sau acceptoare sunt ionizate: 110 = N Dori
Po = N A • Aceasta condiţie corespunde cu realitatea, fiindca în ma-
terialele cele mai utilizate în practica, Si şi Ge, energia de activare
este de ordinul 10-2 eV.
Prin unnare, ca rezultat al transferului de electroni din semi-
conductor în metal la suprafaţa metalului apare o sarcina negativa,
iar pe o porţiune din semiconductor de lânga suprafaţa sa ramâne o
(2.5) sarcina pozitiva (fixa) data dc impuritaţile donoare ionizate pozitiv.
Aceasta regiune de sarcina spaţiala din semiconductor estc saracita
în electroni şi de aceea se numeşte strat de saracire (epuizare) sau
strat de baraj.
În stratul de baraj se afla câmpul electric de contact care se
sumeaza cu câmpul electric al atomilor reţelei cristaline, intensi-
tatea'caruia este de ~ 10 8 V/c111. Dupa cum am calculat mai sus, la
concentraţia centrelor donoare 10 14 cm- 3 , d ~ 5 X 10-2 C111, şi la
C!)\1 - et> s = 1e V pentru intensitatea câmpul ui de contact vom obţine

cristal (~I 0- C111), adica toata sarcina este situata la suprafaţa.

8
2 x 10 2 V/C1n. Chiar daca câmpul va patrunde la adâncimea de
Evidcnt, cu aproprierea placilor, adica cu micşorarea lui el el va 10- C111, totuşi intensitatea lui de 10 6 VIc111 va fi de doua ordine mai
6
c'
creşte. mica decât câmpul atomic. Deci câmpul de contact nu poate
schimba structura diagramei de benzi energetice alc semiconducto-
70
71
 rului, de exemplu, laţimea benzii interzise Esau
g
afinitatea
f
1 electronilor în semiconductor este determinata de
Fermi, şi anume:
poziţia nivelului
semiconductorului Xs ' ci numai înclina benzile. I
Pornind de la aceasta, diagrama energetica a contactului metal- n = N exp ( E F -Ee )
I kT'
(2.6)

r'
semiconductor pentru cazul examinat ( <D M > <D s ) poate fi interpre- o e

tata ca în fig. 2.3a. Înclinarea benzilor este cu atât mai puternica cu 3/

cât diferenţa dintre lucrurile de ieşire din cele doua materiale este unde Ne = 2 (2=: :~ ~"densitatea efectivă de stări în banda
mai mare. Potenţialul de contact <Do' determinat de expresia (2.3),
se repartizeaza între stratul de vid dintre metal şi semiconductor - de conducţie, marirea distanţei dintre marginea inferioara a benzii de
ll<D, şi semiconductor - <D (fig.2.3a). conducţie şi nivelul Fermi, ca rezultat al înclinarii benzilor de
energie în regiunea stratului de baraj, semnifica ca concentraţia

-rlfi='~
X s
electronilor se micşoreaza odata cu apropierea de interfaţa. La
interfaţa (fig. 2.3) concentraţia electronilor va fi egala cu:

cPM c.p 470 n. = N exp ( E F -Ee -<D o ) (2.7)

~---fc :-:-1f----- Ee
lOt e kT'
'fT?-rr::++--+---- f F 77-'77'7"'7?f------- Eţ iar în regiunea stratului de baraj:

n (x)= Ne exp (E F
-EZT-<D (x)) = no exp (- <Dk~)} (2.8)

Astfel, odata cu apropierea de interfaţa <D (x) creşte, iar

D d x a o d x b concentraţia electronilor scade brusc. Dupa cum am subliniat mai
Fig. 2.3. Diagrama energetică pentm contactul metal-semiconductor sus, are loc saracirea acestui strat de electroni şi el se încarca
la echilibm tennic: pozitiv, fiindca aici ramân ionii pozitivi ai centrelor donoare, care
a) în prezenţa stratului de vid la interfaţă;
b) strat sărăcit de electroni. nu mai sunt compensate de electroni. Ca rezultat, energia potenţială
a electronului în regiunea stratului de baraj depinde de coordonata:
Când distanţa dintre metal şi semiconductor e comparabila cu ea are valoare maxima (<Do + Ee) la graniţa de separare cu metalul,
distanţa dintre atomi în cristal (~ 10-7 cm), acest spaţiu devine tran-
suprafaţa caruia este încarcata negativ, micşorându-se pâna la Ee
sparent pentru electroni (fig. 2.3a) şi diferenţa de potenţial ll<D va fi
foarte mica, astfel poate fi neglijata. Ca rezultat, diagrama en~rgetica la graniţa stratului de baraj cu volumul semiconductorului, în
a contactului metal-semiconductor are forma din fig. 2.3b. In acest punctul x = d (fig. 2.3).
caz înalţimea barierei de potenţial <D Bn pentru electronii ce trec din Pentru concentraţia golurilor, care sunt purtatori de sarcină mi-
noritari, putem scrie:
metal în semiconductor este egala cu <D Bn = <D M - Xs' iar pentru
electronii ce trec din semiconductor în metal cu <D o - E F' Dupa cum Po = N v exp ( - + Eg
EF kT J
, (2.9)
observam (fig. 2.3), în regiunea stratului de baraj distanţa dintre
marginea inferioara a benzii de conducţie şi nivelul Fermi este o unde N v - densitatea efectiva de stari în banda de valenţa. Iar în
funcţie de coordonata egala cu E F - <D (x). Deoarece concentraţia regiunea sarcinii spaţiale
72 73
 r
p (x ) = N v exp -Er
'
(
+Eg -$ (x): = Pa exp ($-~-
(x)) , (2.10)
kT , kT
Observam astfel ca cu creşterea lui $ (x) concentraţia goluri-
lor se mareşte.
Procesele ce au loc în contactul metal-semiconductor vor fi
diferite, în dependenţa de tipul de conducţie al semiconductorului (11
sau p) şi raportul dintre lucrul de ieşire a metalului şi a semi-
conductorului. Fie ca lucrul de ieşire a metalului e mai mic decât al
semiconductorului, cD M < cD s' şi ca semiconductorul este de tip 11.
În acest caz, deoarece <1) M < cD S , în procesul de stabilire a echilibrului
vor trece mai mulţi electroni din metal în semiconductor decât în sens
invers. Metalul se va încarca pozitiv, iar semiconductorul - negativ.
Concentraţia clectronilor în semiconductor la interfaţa la fel este
detcnninata de ecuaţia (2.8). Însă, având în vedere ca $ (x) este
negativ (fig. 2.4b), concentraţia electroni lor la interfaţa J1 (x) poate fi
Sa cercetăm cazul în care cD M > $ s , iar semiconductorul are
conductibilitatea p. Electronii vor trece mai uşor din semicon-
ductor în metal şi vor provoca înclinarea benzilor energetice ale
semiconductorului în regiunea contactului "în sus", ca şi în cazul
semiconductorului de tip n. Deci, la interfaţa se va mari concen-
traţia goluri lor, care sunt purtători de sarcina majoritari (fig. 2.5).
Aceste goluri fonneaza o sarcină pozitiva, iar redistribuirea purta-
torilor de sarcina minoritari (electronilor) nu joaca în acest caz un
rol principal. În urma creşterii concentraţiei golurilor rezistcnţa
acestui strat la suprafaţă se micşorează şi deci se formeaza un strat
de acumulare (fig. 2.5).
[VId
T
cPM
~-...J--EF
..,...,..~~--+--- EF
h-.-....,r-T'"~ Ev

•
cu mult mai mare decât în volumul semiconductorului 11 0 , şi la ~---Ev
/ //
echilibrul tennic în semiconductor va aparea un strat de acumulare de
electroni, benzile de energie din semiconductor fiind înclinate în jos o I
(fig. 2.4b). Faptul ca 11 (x) > J1 (O) face ca laţimea stratului de a b
acumulare sa fie mult mai mica decât a stratului de epuizare.
Fig. 2.5. Diagrama energetică a contactului metal-semiconductor de
METAL SEMICONDUCTOR tip p în cazul eP\4 > eP s: a) materialele sunt separate:
b) strat de acumulare de goluri.
Nivelul vid

Când cD M < cD s' ($ (x) < O) şi semiconductorul e de tip p,

.,;;;;.,--- Ee electronii din metal trec liber în semiconductor. Mctalul sc încarca
pozitiv, iar semiconductorul - negativ. Benzile de energie ale semi-
·~--fF
conductorului se vor înclina "în jos" (fig. 2.6). Concentraţia golu-
rilor (purtatorilor de sarcina majoritari) la interfaţă se micşorează.
...-1,--- [v Conform expresiei (2.10), când $ (x) < O,

($k~~'))
a.
p (x) = Po exp (2.1 1)
Fig. 2.4. Diagrama energetică a contactului metal-semiconductor de tip 11
in cazul <1> s > eP \/: a) materialele sunt separate; b) strat de rezistenţa acestui strat se mareşte şi deci avem un strat de epuizare
acumulare de electroni. (fig. 2.6).
74 75
-

1-
Ev/d
n
T
I
pentru echilibrul sistemului şi în cazul semiconductorului de tip n
în metal trebuie sa treaca un anumit numar de electroni din banda
de valenţa; ca rezultat, în banda de valenţa se formeaza goluri, care
i Xs lPs Ee şi constituie stratul de inversiune.
lP.
Ee
EF ' EF
n
~/ EF
et&
Ev
fv
/~ /
---El
O X
Q. b
a b
Fig. 2.6. Diagrama energetica a contactului metal-semiconductor de
tip p în cazul <D M < <D s: a) materialele sunt separate; Fig. 2.7. Diagrama energetica a contactului metal-semiconductor la
formarea unui strat de inversiune: a) semiconductorul de tip n;
b) strat saracit de goluri.
b) semiconductorul de tip p.
Când lucrul de ieşire a metalului cD M este egal cu lucrul de Modelul descris mai sus de formare a straturilor de epuizare şi
ieşire a semiconductorului cD s' la interfaţa nu se acumuleaza nici de acumulare la contactarea metalului şi a semiconductorului este
un fel de sarcini şi deci benzile de energie nu se înclina. Astfel de corect numai în cazul în care suprafaţa semiconductorului este
contact se numeşte neutru. libera de sarcini de suprafaţa.
Interesanta este situaţia, când diferenţa dintre lucrul de ieşire a Daca semiconductorul are o concentraţie mare de stari de sup-
metalului şi al semiconductorului e destul de mare, şi anume: rafaţa, atunci înalţimea barierei de potenţial va fi determinata de
proprietaţile suprafeţei semiconductorului, şi nu de marimea lucru-
cD M »CD s pentru semiconductorul de tip n, sau <D M «CD s
lui de ieşire a metalului.
pentru semiconductorul de tip p . În cazul semiconductorului de tip
n pe o porţiune din vecinatatea contactului se obţine E F - Ei < O, 2.4. REPARTIZAREA POTENŢIALULUI ÎN
unde Ei este mijlocul benzii interzise a semiconductorului. STRATUL DE SARCINĂ SPAŢIALĂ ŞI
, ~. (Ei - E F)~ d' LĂŢIMEA ACESTUI STRAT
1n aceasta regIUne 1) = n. exp ---~-~ evme maI. mare decatA

f l kT
Vom presupune ca suprafaţa contactului metal-semiconductor
n = ni exp (EF"ki EJ şi semiconductorul devine de tip p. În e infinit de mare şi în legatura cu aceasta sa examinam soluţia unei
probleme unidimensionale.
vecinatatea contactului apare astfel un strat de inversiune a tipului Dependenţa energiei potenţiale a electronului (cI» de coordo-
de conducţie. În aceasta situaţie stratul de baraj este format dintr-un nata în regiunea stratului de sarcina spaţiala şi laţimea acestui strat
strat de inversiune şi un strat de epuizare (fig. 2.7). pot fi determinate rezolvând ecuaţia Poisson:
Formarea stratului de inversiune are loc în urma faptului ca
concentraţia electronilor în semiconductorul n sau a golurilorîn
~~~ _CJf!(x) (2.12)
2
semiconductorul p în vecinatatea contactului nu este suficienta dx
76
77
 unde: pennitivitatea relativa a semiconductorului, Prima condiţie indica ca înclinarea benzilor trebuie sa fie
E - E
o - con-
destul de mare, astfel ca concentraţia electroni lor liberi în regiunea
stanta electrica a vidului, p(x) - densitatea sarcinii spaţiale.
Daca în semiconductor se afla numai un singur nivel de impu- stratului de baraj no exp [ - <J)k~~)] să fie cu mult mai mica decât
ritaţi donoare cu densitatea N D şi un singur nivel de impuritaţi
concentraţia donorilorN D = n o . A doua condiţie determină înclina-
acceptoare cu densitatea N 4 care sunt repartizate unifonn în volum,
rea maximala a benzilor pentru care concentraţia golurilor în stratul
atunci p(x) este data de suma algebrica a sarcinilor fixe şi mobile
spaţială p [Pkţ 2]
y
(2.13)
de sarcina o exp e mai mică decât N D' Dacă se
îndeplinesc ambele condiţii, atunci densitatea de sarcina spaţială
unde: N;, N~ - densitatea donorilor şi respectiv a acceptorilor este detenninată numai de sarcina donorilor ionizaţi (fig. 2.8).
ionizaţi, iar n(x) şi p (x) - densitatea electronilor şi a golurilor în
stratul de sarcina spaţiala. Daca impuritaţile sunt complet ionizate,
Fig. 2.8. Repartizarea densitaţii de sarcina
atunci din ecuaţia de electroneutralitate rezulta ca spaţiala ( p ), energiei potenţiale a
N; - N,~ = N D - N A = 11 0 - Po' În condiţiile echilibrului tennodi- c1ectronului (<1J) şi a câmpului
electric (E) în stratul de baraj
namic, când prin contactul metal-semiconductor nu trece curent, Schottky.
pentm un semiconductor nedegenerat, dupa cum a fost menţionat
mal sus, avem:

n(x)=n o exp(-;~l) Astfel de strat de sarcină spaţiala

se numeşte strat Schottky. Într-un semi-
şi atunci
E
conductor intrinsec E - E ~-~ ŞI,
(x) =qno {l- exp [- i~~)]} + qpo {exp [<Dk~)] -)}
C F 2
p (2.14)
după cum rezultă din condiţia a doua,
stratul Schottky nu poate fi realizat.
O asemenea expresie a lui p(x) nu ne pennite sa rezolvam
Deci, pentru stratul Schottky într-
ecuaţia (2.12). De aceea deseori se foloseşte soluţia acestei ecuaţii,
un semiconductor de tip n ecuaţia
justa pentru un caz particular, când in toata regiunea stratului de
Poisson va avea unnatoarea fonna:
sarcina spaţială exp [- 5?J.~J] şi no » Po exp
no » 11 0
kT kT
[cv{y)]. d 2 '!'
rh

---
q 2 no
(2.15)
E clar ca prima condiţie va fi respectata, daca înclinarea energetica dx 2 EE
o
CV (x) în regiunea stratului de baraj nu va fi mai mica decât 2,3 kT. Această ecuaţie se va rezolva cu urrnatoarele condiţii la limită (fig. 2.3):
A doua inegalitate va avea loc, daca
la x = 0, CV (x) = CV o (2.16)

x=d, cv(x)=O, d~ =0. (2.17)

dx
78 79
 · _ Int~grând ?e doua ori ecuaţia (2.15), în regiunea stratului de Luând în consideraţie ca înclinarea benzilor energetice în
sarcma spaţIala obţmem:
2
regiunea stratului de sarcină spaţială este determinată de diferenţa
cD (x)=i~-;Q (d -X)2+ A (d -x)+B, (2.18)
de potenţial de contact, neglijând căderea de tensiune pe stratul de
la interfaţa metal-semiconductor şi ţinând cont de ecuaţia (2.3),
o
unde A şi B sunt constante de integrare. putem scne:
Din condiţiile la limită (2.17) obţinem:
cD(x=d)=B=O d ~[~c"o ~~~o~<!Js)r (2.23)
dcD
=-A=O Din (2.23) rezultă că stratul Schottky e cu atât mai larg cu cât e mai
dx x=d mare diferenţa dintre lucrul de ieşire a metalului şi lucrul de ieşire a semi-
şi determinăm cD (x) : conductorului. Mărirea concentraţiei no determină micşorarea lui d .
2

cD(x)=1~;-~(d-x)2. (2.19)
Aducem un exemplu pentru stratul Schottky în germaniu. Fie
o că cD o = 0,3 eV. Atunci pentru & = 16 şi n o = 10 14 em- 3 obţinem
Co?form expresie~ (2.19), en~rgia potenţială a electronului ( cD ) d = 2,3 X 10-4 em.
în regIUnea _stratu~Ul de sarcInă spaţială e în dependenţă
?e c~ordonata dupa o parabolă. Intensitatea câmpului electric Daca concentraţia n o va fi mărită până la 10 18 enf3 ,
In regIUnea stratulUl de sarcină spaţială va fi determinată de expresia: d = 2,3 X 10-6 em.

E (x) = .~ qJ~2 = _Clnjl (d - x) (2.20)

q dx &&0 2.5. ÎNĂLTIMEA
., BARIEREI DE POTENTIAL
,. ..,SI .

LĂRGIMEA STRATULUI DE SARCINĂ

Adică intensitatea câmpului electric se micşorează liniar cu
coordonata x (fig. 2.8). SPAŢIALĂ ÎN CONDIŢIIDE POLARIZARE
Observăm ca tangenta unghiului de înclinare a acestei depen-
În cazul contactului unui metal cu un semiconductor de tip n,
d ţ _ dE qn . . . .
en e este tg a - --- =----o . FoloSInd condIţIa la lImită (2 16) d' când lucrul de ieşire a electronilor din metal e mai mare decât din
dx &&o . , In
semiconductor, apare un strat de sarcină spaţială. La stabilirea
expresia (2.19) obţinem: echilibrului termic fluxul de electroni din semiconductor în metal,
2 determinat de procesele de difuzie, şi fluxul de electroni din metal
cD o = q--,!Q.. d 2 (2.21) în semiconductor, determinat de câmpul electric de contact, sunt
2&&0
egale. În condiţii de polarizare aceste fluxuri difera unul de altul.
De aici, cunoscând înălţimea barierei de potenţial rh Să conectăm o sursă exterioara la contactul metal-semiconductor cu
'-!.I
o , putem strat sărac it Schottky, aşa ca potenţialul negativ să fie la semicon-
determina lărgimea stratului Schottky:

d ~ (:1i~J'n~O
80
r (2.22)
ductor (fig. 2.9a).
Considerând că rezistenţa specifiCă a semiconductorului e
destul de mica, toata tensiunea exterioară va cadea pe rezistenţa
stratului de sarcină spaţială. Diferenţa energiilor potenţiale ale

81
electronului în metal şi în volumul semiconductorului se va mic-
şora cu q V . În diagrama energetica a contactului metal-semicon-
ductor toate nivelele energetice la x> O cu aceeaşi marime q V se
vor ridica în sus faţa de nivelul energetic la echilibrul termodinamic
(fig. 2.9a). Având în vedere ca afinitatea pentru electroni Xs nu
depinde de tensiunea exterioara, înclinarea benzilor în semicon-
ductor devine egala cu <:D o- q V . Deci, înalţimea barierei de poten-
d ~[2"Eo}~~±qV)r (224)
Observam ca în cazul unui potenţial negativ înalt la semicon-
ductor, când q V = <:D o' d = O, adica stratul de baraj dispare şi ten-
siunea exterioara se repartizeaza uniform pe toata lungimea semi-
conductorului. La marirea diferenţei de potenţial de polaritate

ţial se micşoreaza cu q V . Aceasta micşorare conduce la creşterea
fluxului de electroni din semiconductor în metal. Astfel de polari-
zare se numeşte polarizare directa.
Daca sursa exterioara va fi co-
Q nectata astfel ca la semiconductor
sa fie potenţialul pozitiv, atunci
direcţia câmpului exterior va coin-
cide cu câmpul interior (câmpul
format de potenţialul de contact) şi
deci toate nivelurile diagramei
energetice situate la x > O vor
coborî în jos cu q V, înclinarea
b
benzilor în semiconductor va fi
inversa d creşte, şi atunci când q V >> <:D o d ~ vIi.
2.6. CARACTERISTICA CAPACITATE-TENSIUNE
A CONTACTULUI METAL-SEMICONDUCTOR
Dioda Schottky se comporta în condiţii de polarizare inversa şi
polarizare directa la tensiuni mici ca o capacitate.
Sa consideram o dioda ideala cu diagrama de benzi din fig. 2.3b.
Modificarea largimii stratului de baraj de catre tensiunea exterioara aduce
la schimbarea sarcinii donorilor în acest strat:
Qd(v)=SqNDd(v), (2.25)
unde S - aria de contact.
Conform definiţiei capacitaţii electrice, capacitatea contactului

r
Schottky poate fi exprimata prin formula:
egala cu <:Do +qV (fig. 2.9b), înal-

o
ţimea barierei de potenţial se va
mari, iar fluxul de electroni ce trec C" ~ :~~ ~ S· [ {(:p~~j (2.26)
din semiconductor în metal va
Fig. 2.9. Diagrama sau, având în vedere ca <:Do =qVc '
scădea. Astfel de polarizare se nu-
energetică a stra- meşte polarizare inversa. l/

tului sărac it
Schottky la pola-
Observam ca tensiunea exte-
rioara modifica numai fluxul de Ch ~s.[i~:~~jr (2.27)

rizare: a) poten- electroni ce trec din semiconductor

în metal, iar pentru electronii ce
trec din metal în semiconductor înalţimea barierei de potenţial nu
se schimba şi este egala cu <:D Bn , ca şi în cazul echilibrului.
Difercnţa dc potenţial exterioara influenţeaza nu numai asupra
gradului de înclinare a benzilor semiconductorului în regiunea
stratul ui de sarcina spaţiala, dar şi asupra largimii stratului
Schottky. Acum în loc de _expresia (2.22) scriem:
82
2.7. CARACTERISTICA CURENT-TENSIUNE
Transportul sarcinilor prin contactul metal-semiconductor este
efectuat, în temei, de purtătorii de sarcină majoritari, spre deosebire
de joncţiunea p - Il în care curentul electric este condiţionat de
purtătorii de sarcină minoritari. În fig. 2.10 sunt ilustrate schematic
83
principalele mecanisme de transport la polarizarea directa a con- aplicata. Aceasta teorie rezulta din faptul ca parcursul liber pentru
tactului Schottky (la polarizarea inversa, respectiv, au loc procese electroni (1) în semiconductor e cu mult mai mare decât lărgimea
inverse): stratului de sarcina spaţiala ( d), prin urmare, împrăştierea
1) emisia electronilor purtătorilor de sarcina, la trecerea lor prin aceasta regiune, poate fi

r'
activaţi termic din semi- neglijata. Deoarece 1 este proporţional mobilităţii electronilor ţin' iar
conductor în metal peste
bariera care predomina în
diodele Schottky formate
largimea stralului de baraj d - ( ~: alunci pentru <1>" ~ consl

pe baza semiconductorilor criteriul de folosire a teoriei diodice (1)> d) se va îndeplini în

cu o dopare moderata primul rând în semiconductori cu mobilitate şi concentraţie înalta a
(N D < 10 17 cm- 3 pentru Si ) purtătorilor de sarcină majoritari. Pentru a simplifica calculul vom
şi la temperaturi ~ 300 K; presupune că căderea de tensiune pe rezistenţa volumului semi-
2) emisia tunel a electro- conductorului poate fi neglijată.
nilor prin bariera (importan- În cazul echilibrului termodinamic fluxurile termoelectronice
Fig. 2.10. Ilustrarea mecanismelor de trans-
ta la un nivel de dopare mai din metal în semiconductor şi în direcţie inversa sunt egale. Însă
port al curentului la dioda
Schottky direct polarizată. înalt, de exemplu la majo- aceste fluxuri sunt formate din electroni energia cărora este mai
ritatea contactelor ohmice); mare decât înălţimea barierei de potenţial de contact. Observam ca
3) recombinarea în regiunea de sarcina spaţiala; această bariera de potenţial <Il Bn este egala cu <Il o - E F (fig. 2.3).
4) recombinarea în regiunea neutra (injecţia golurilor din metal Din (2.1) rezultă că densitatea fluxului format de aceşti electroni este:
în semiconductor).
În mod obişnuit, la diodele Schottky conducţia curentului este J =
m * (kT)2
n
(cD
exp i- ~
'j' = m * (kT)2
n'-
(<Il o - E
exp _
')
1. (2.28)
F
3 3
asigurata prin emisie termoelectronica (procesul 1). Acestor diSpozitive le 27[2 ti \ kT 27[2 ti kT)
este asociata denumirea de diode ideale. Procesele 1, 3 şi 4 determina
La polarizarea directă (potenţialul negativ la semiconductor)
abateri de la comportarea ideala.
înalţimea barierei de potenţial pentru electronii ce trec din semi-
conductor în metal se micşoreaZă cu q V, iar densitatea fluxului
2.7.1. TEORIA DE REDRESARE DIODICĂ A
(J s - m ) se măreşte. Dupa cum observăm, înalţimea barierei de
CONTACTULUI SCH07TKY
potenţial pentru electronii ce trec din metal în semiconductor nu se
Rezistenţa stratului Schottky depinde esenţial de polarizarea schimbă sub acţiunea tensiunii exterioare (fig. 2.9) şi deci acest
tensiunii exterioare. Conform expresiei (2.23), la polarizare inversa flux (J m-s ) rămâne constant.
largimea stratului de sarcina spaţiala (d) se mareşte şi deci creşte Pornind de la cele spuse mai sus, densitatea curentului ce trece
şi rezistenţa lui. La polarizare directa largimea stratului de sarcina prin dioda Schottky poate fi exprimata prin urmatoarea formula:
spaţial a poate fi micşorata aproape pâna la zero. Aceasta conduce
la o micşorare esenţiala a rezistenţei contactului metal-semicon-
ductor. Deci, contactul Schottky are proprietaţi de redresare a
j=q(J,_m-J m-J q;~~k~? exp(- : ; }(exP~~-lJ. (2.29)
curentului alternativ. Folosind condiţiile teoriei diodice de redre- * 2
sare, vom determina dependenţa curentului, care trece prin dioda ~ d pnn
N otan _ q mn k
. A* --------- (2.30)
Schottky formata de un semiconductor de tip n, de tensiunea 27[ 2 tI 3 '

84 85
 fluxul de electroni din semiconductor în metal este destul de mic şi
obţinem: j "= A* T 2
exp (<D
-kTBn) .(exp qkTV -1 ) , (2.31) poate fi neglijat, iar densitatea curentului ce trece prin contact va fi
i = iSI' Acest curent poartă denumirea dc curent invers.
unde A* este constanta Richardson corespunzătoare masei efective Un rezultat analogic poate fi obţinut din expresia (2.32),
a purtatorilor majoritari (electronilor) din semiconductor. Pentru
schimbând semnul lui V în opus. Într-adevăr, în acest caz
electronii liberi m: = mo' A* = A = 120A ·cm-2K 2 . Constanta A* de-
pinde de orientarca suprafeţei semiconductorului. Valorile ei pentru
câteva cazuri sunt prezentate în tabelul următor:
j,"" ~ j" ex{Qk1-1). (2.34)

Valorile raportului A/>Â Când IV z 2,3 -kT ,

1
j" inv. = -j" st . Semnul minus arata că curen-
q
Semiconductor Ge Si GaAs tul invers are semn opus. Forma generala a caracteristicii curent-
tip n, <111> 1,11 2,2 0,068 tensiune a contactului metal-semiconductor este reprezentata în
tip n, <100> 1,19 2,1 1,2 fig. 2.11.
tip P 0,34 0,66 0,62
2
În expresia (2.31) factorul A* T 2 exp ( - ir) nu depinde de

tcnsiunea exterioara şi poarta denumirea dc densitate a curentului

de saturaţie. Notând acest curent prin iSI' vom obţine:

i = iSI exp ( li -1). (2.32) Fig. 2.11. Caracteristica curent-tensi-

une a contactului Schottky v
conform teoriei diodice de
"
La polanzarea ~ d V >> 23
d'Irectă, can kT exp
,---,
q
- >> l ŞI
V)
kT
' (q redresare (I) şi teoriei de
difuzie (2).

i = iSI exp ( 1i). (2.33)

Deci, la tensiuni înalte densitatea curentului prin dioda Schot-
tky creşte cu marirea lui V dupa o exponenta. La polarizarea
inversa înalţimea barierei de potenţial pentru electronii ce trec din
semiconductor în metal se mareşte cu qV (fig. 2.9b), iar fluxul
acestor electroni se micşoreaza în comparaţie cu fluxul de electroni
când V = O. Acum va predomina fluxul de electroni din metal în
semiconductor, marimea caruia nu depinde de V, el fiind
determinat de expresia (2.28). Daca V cste destul de mare, atunci
86
2.7.2. TEORIA DIFUZIEI DE REDRESARE
A CONTACTULUI SCHOTTKY
Teoria difuziei a contactului Schottky rezultă din condiţia ca
lărgimea stratului de baraj e mai mare ca parcurs~1 liber (;t » 1).
Această condiţie semnifica ca pm1ătorui de sarCină, trecan~ pnn
stratul de baraj, suferă ciocniri numeroase cu oscilaţiile t~nmce al~
atomilor semiconductorului. Deoarece în regiunea stratulm de bm:a]
exista şi un gradient de concentraţie a electronilor, şi un câmp electric,
87
densitatea curentului în acest caz va fi determinată atât de componenta care se rezolvă în următoarele condiţii la limită:
de difuzie, cât şi de componenta de drift a curentului, adică:
. C'
} = qfin n & + qDn -
dn n (O) = no exp l'- et> o), et> (O) = et> o - qV 1 (2.37)
,
dx
(2.35)
n (d) = no,
kT
et> (d) = ° J'
unde D n -coeficientul de difuzie a electronilor.
În cazul staţionar densitatea curentului j nu depinde de coor-
Ecuaţia (2.35) este justă numai pentru câmpuri electrice mici,
donată şi ecuaţia (2.36) poate fi integrată. Mai întâi vom înmulţi
adică pentru aşa câmpuri care nu schimbă caracterul de mişcare a
electronilor. Energia medie termică a electronilor este egală cu ~ două părţI. a 1e ecuaţlei
arnan . . cu exp (et>(x)\ U ):
~
-3 kT"
,Iar VIteza me d'le V = (8kT
-- J 2 1a temperatura camereI. este
2 ffm
j exp(~(x))
kT
= qD lr_~- det> exp(~. (.rl)+rJ.l} exp(<J)J.r))].
kT dx kT dx kT
(2.38)
de ordinul ~ 10 7 cm/s. Atâta timp cât câmpul electric e mic, viteza n

orientată în el e cu mult mai mică decât viteza termică. Deci, se

Deoarece ne interesează regiunea stratului de sarcină spaţială,
păstrează caracterul haotic de mişcare a electronilor, iar energia
Căpătată de electron pe parcursul liber !, egală cu q[; ! , e cu mult
adiCă x se schimbă de la
acest interval:
°
până la d (fig. 2.9), vom integra în

mai mică decât energia termică ~ kT .

2
Când energia q [;! devine mai mare decât kT, caracterul miş­
cării electronilor se schimbă. O teorie mai strictă arată că în câm-
. kT c
pun [; > - -, unde c - viteza sunetului în cristal, câmpul elec-
q! v
tric "încălzeşte" gazul electronic şi energia medie a electronilor
într-un câmp omogen, egală cu q&! ~, devine mai mare decât kT.
c
Ca rezultat, începând cu câmpuri electrice
[; ?: 0,0 l kT ,
q!
mobilitatea depinde considerabil de intensitatea câmpului electric şi
legea lui Ohm încetează să se îndeplinească. şi, având în vedere că j şi D nu depind de x, vom obţine:

Deci, expresia (2.35) este valabilă pentru [;« kT . Substi-

q!
tuind în (2.35) & = ~ det> şi fin = ..CL. D n , se obţine ecuaţia:
q dx kT

j=qD n (& ~d;+~;) (2.36)

(2.40)

89
88
pa

t
Folosind condiţiile la limita (2.37), obţinem:
_ d<D c()o-qV

[exp(:~))dx~qD" ["O -"" exp(-r#}exp(q\~qV)] = - kT ( dx ) x~o· I-exp ( ···-ki-··· ) ] . (2.44)

-1 [

j
Având în vedere ca intensitatea câmpului electric la interfaţa

=
p
qD""o [I-ex Hnl (2.41)
1 d<I)
(x = O) este &0 = - -
q dx x~o
şi ca stratul de baraj la polarizare

Din (2.41) pentru j obţinem: directa se menţine pâna când exista bariera de potenţial, adica până
când q V < <Do sau, mai precis, până când cD o- q V >> kT , putem
_ qD" ""
J-
[1-expHn]
-- -- - -- -------- (2.42)
neglija unitatea în comparaţie cu exp (<I.>Qk~q~J. Vom obţine:
Jexp ( <D (x )) dx
o kT 1exp (cD
o
(x )) dx
kT
~ kT exp (<Do - qV).
q&o kT
(2.45)

Integrala Jexp (<D L~)) dx poate fi calculata numai utilizând Substituind (2.45) în (2.42), obţinem:
o kT
metoda integrarii numerice. Ea poate fi uşor apreciata. Pentru
aceasta vom scrie integrala în felul urmator: ._ q'D"5ono [I-CX+*)]
t exp (~~~2) dx = .Lv cxp ( :~))( fT dw (2.43) J- kT exp(w" k~q V)
Funcţia exp ( ~~)) creşte foarte rapid cu creşterea <D (x), şi = q' D;:o"" ex+ :1~) [exp(i;)-Il (2.46)

contribuţia principala în integrala aduce integrarea pe domeniul în

care cD (x) este maxima, adica în jurul lui x = O. De aceea de sub Luând în consideraţie că no · exp ( - : ; ) = n (O) reprezintă
semnul integralei poate fi scoasa marimea (~~) -1 în acest punct concentraţia electronilor la interfaţă, pentru densitatea curentului ce
trece prin contactul Schottky avem:
(x = O). Atunci obţinem:
(2.47)
fexp (cD(X))
d -..... dx ~ (d<D)-1
. -- f
. o exp (cD(X)) d<D =
o kT dx x~o C1>o-qV kT Conform expresiilor (2.20) şi (2.24),

_ Ir
-I~·· T (dcD)-l (cD(X)) o
·exp·· &0 =.! dcD =qno[2&&0 (;0 ±qV)j)~ =[2no(cDo±qV)],v2 (2.48)
dx x~o kT C1>o-qV q dx o [;[;0 q no [;[;0

90 91
 ,--
saturaţie FORŢEI "'IMAGINE n
Notând curentul de
I 2.8. EFECTUL

În teoriile de redresare clasice cercetate mai sus nu s-a ţinut seama de

. _ q2 Dn n(O) [2n o (<Do ±qv)lli
Jstd - kT c Co J' (2.49) influenţa câmpului electric înalt, care poate fi realizat în regiunea stratului
?e baraj, şi a forţei "imagine" asupra înălţimii barierei de potenţial Ia
mterfaţa metal-semiconductor. Emisia electronilor din metal este
caracteristica curent-tensiune a contactului Schottky conform teo-
împiedicată de bariera de potenţial ce depinde de forţa "imagine".
riei difuziei capătă forma: Micşorarea a~estei ba:iere de potenţial cu creşterea câmpului electric
poartă denumIrea de efectul Schottky.
J
..
= Jstd
(qV 1) .
exp kT - (2.50) Să cercetăm la început sistemul metal-vid. Pentru a ieşi din
metal în vid, electronul trebuie să învingă o barieră de potenţial de
Observăm că în teoria difuziei curentul electric are în principiu mărimea <D M (fig.2.12a).
aceeaşi dependenţă de tensiunea aplicată ca şi în cazul teoriei dio-
dice, cu deosebirea că pentru ultimul caz curentul invers de satu-
raţie ist este independent de tensiunea aplicată, iar în cazul teoriei
difuziei istd variază cu tensiunea inversă, conform (2.49), dUpă
1
legitatea V 2 (fig. 2.11).
Este util sa determinăm domeniul de aplicabilitate a teonei
difuziei. Dupa cum a fost menţionat mai sus, expresia (2.35) este Fig. 2.12. Sistemul metal-vid:
valabilă pentru câmpuri electrice slabe, când se îndeplineşte a) diagrama energe-
tica; b) electronul în
kT vid şi imaginea lui MET~~_~VID
condiţia 5« - . In stratul de baraj cercetat, notăm mtensItatea
A • . '

Ef-I- I b
ql în metal.
---
maximală a câmpului pnn 5 0 = 2<D o , de unde pentru aplicabili- Electronul ce se găseşte în vid la o distanţă x de la suprafaţa
qd metalului "induce" o sarcină pozitivă, egală ca mărime, de semn
tatea teoriei difuziei rezultă condiţia: opus, localizată simetric faţă de suprafaţa metalică (fig. 2.12b)
(de aici şi termenul de imagine). Asupra electronului acţionează o
2<D o forţă de atracţie, dUpă mărime egală cu forţa de atracţie dintre două
d» --1. (2.51 )
kT sarcini punctiforme ce poartă denumirea de farţti "imagine" (F;).
Deoarece d ~ noi;, rezultă că teoria difuziei este aplicabilă Conform legii Coulomb, această fOrţă se exprimă prin:
pentru semiconductorii cu concentraţia mică a purtătorilor de sar- _ q2 q2
F. - - -------------- (2.52)
cină şi parcurs liber al electronilor mic, adică mobilitate mică. 1 4Jr(2x)2 cO 16Jrco x 2 '
De exemplu, teoria difuziei se aplică la redresorii cu oxid de cupru.
unde Co - permitivitatea vidului.
Lucrul efectuat la deplasarea electronului de la infinit în pun-
ctul x este:

92 93
 x 2 dificultaţi legate de faptul ca intensitatea câmpului electric in
Ap = f F (x)dx = 16 q = -eD (2.53) stratul Schottky depinde de coordonata [expresia (2.20)]. Pentru a
oc
1
JlE o X l'

simplifica calculul, vom considera ca pe porţiunea mica de la O

unde <1) i - energia potenţiala a electronului asociata forţei "imagine". pâna la x m (fig. 2.13) intensitatea câmpului electric E in stratul de
Aceasta variaţie hiperbolica este reprezentata cu linie intrerupta în sarcina spaţiala este constanta şi egala cu intensitatea in punctul
figura 2. J 2a. . . x = O. Atunci
Bariera de potenţial se modifica, de asemenea, pnn aphcarea
unui câmp electric in vecinatatea interfeţei metal-vid, cu qE:x
(fig. 2.12), astfel ca energia potenţiala totala a electronului este:
2
eD (x) = -
t - q[; x. q (2.54)
16lZ"Eo x
Micşorarea barierei Schottky !l<D şi distanţa x m la care poten-
tialul devine maximal (fig. 2.12) se determina din condiţia
--c::::==E c
Fig. 2.13. Diagrama energetiCă EF
'~[<J)t{rn = O de unde rezulta: a contactului metal-
semiconductor cu evi-
q,V
el"\: ' denţa efcctului Schot-
d X
li tky la polarizare di-
x
• m = ( ]6JlEq o E: J (2.55)
rectă .

II

Din (2.20) observam ca C

G
o
__ [211 0 (<Do ± qV)]/2
(2.56) EEo

o
Pentru L1<P obţinem: !leD = fJs (eD o ± q V)\ , (2.58)
Pentru [; = 10 V/cm5
x m ~ 60 A şi !l<D = O,] 2 e V. Daca [; se
o
unde (2.59)
va mari pâna la 10 7 V/cm, atunci x m ~ 10 A, iar !leD = 1,2 eV
E clar ca efectul Schottky conduce la intensificarea emisiei termice a
electronilor din metal in vid. Într-un câmp electric destul de mare în Caracteristica curent-tensiune a contactului metal-semiconduc-
tor, conform teoriei diodice (cu evidenţa efectului Sehottky), va fi:
loc de expresia (2.1) pentru fluxul de electroni J m-v trebuie de scris:
}. = A * T 2 exp [eD -!l<!>]
- .....8"kT- -- . [ exp kT -1 . (q V) ] (2.60)
J
m-v
=m,,(kTYex
2Jl 2 ti 3 PI
1_ <D M _(q3[;/4JlEor1.
kT
(2.57)

L ~ La polarizare directa V ~ 2,3 Q

kŢ
Expresia obţinuta pentru !l<D (2.56) poate fi folosita şi pentru
interfaţa metal-semiconductor, având in vedere ca in ~emiconductor
constanta dielectrica nu-i egala cu 1, dar cu E. Insa aici apar
j = A*Ţ2 exp (- ~r)·exp ( qYk+i~~)' (2.61)

94 95
 T

Ţinând cont ca il<!> depinde de V (2.59), atunci din (2.61)

2.63). Caracteristicile contactelor din wolfram W-Si ş.i ~-GaAs sunt
observam ca ) trebuie sa creasca cu marirea lui V puţin mai încet
reprezentate în fig. 2.14. Extrapolând aceasta caractenstica la V = 0,
decât exp ( r;). Acest fapt poate fi luat în considerare introdu- confonn expresiei (2.33), vom detennina curentul de saturaţie )SI'
Înalţimea barierei de potenţial <!> Bn o vom detennina din relaţia:
când la numitorul indicelui exponentei parametrul n > 1. Atunci
= ~T In (A.*]'2J.
). = A*T
2
-k~'-
exp (<!> B J. (~kT
q J.
exp V (2.62)
<!> Bn
q
•
}SI
(2.64)

De unde obţinem:
10 o r------r----,...---_-,
In) = In (A*T 2
) - <!> Bn + qV . (2.63)
kT nkT
fO" .---.--+----~i1_
Din (2.63) rezulta ca pentru V"? 2,3~(L dependenţa
kT
iO'Z ~-----+-~--t_---_j
In) =f (V) reprezinta o dreapta cu tangenta unghiului de înclinare
~ . .. d (In}) q . .
catre axa tenslUnll~~-~ =--- . Pentru contactele metal _ SI ŞI
dV nkT
metal ~ Ga~s parametrul n, care poarta denumirea de parametru
de nezdealztate a caracteristicii curent-tensiune, Ia 300K e de
ordinul 1,02 -1,04. Efectul Schottky exercita aceeaşi influenţa şi
asupra caracteristicii curent-tensiune, descrisa de teoria difuziei.
10'5
2.9. DETERMINAREA EXPERIMENTALĂ A
iNĂLŢIMIIBARIEREI CONTACTULUI
METAL-SEMICONDUCTOR
ttJ-r L-.:....--L---;t----;;~
Pentru determinarea barierei de potenţial la contactul metal-
O (tf Q!S az
~emiconductor sunt folosite, În temei, patru metode descrise mai V , (V)
JOS.
Fig. 2.14. Caracteristici experimentale 1 - Vale contactelor W-Si şi
W-GaAs la polarizari directe.
2.9.1. METODA CARACTERISTICII
CURENT-TENSIUNE 2.9.2. METODA ENERGIEI DE ACTIVARE

Pentru semiconductori cu mobilitate Înalta caracteristica curent- Superioritatea principala a acestei metode c?nsta în faptul c~
kT nu cere date suplimentare despre suprafaţa actIva a contactulm.
tensiune Ia polarizari directe V~2,3 . . - este data de expresiile (2.62, De aceea aceasta metoda este deseori folosita atunci, când nu e
q cunoscuta precis suprafaţa contactului.
96
97
 Înmulţind ecuaţia (2.33) cu Ac (suprafaţa regiunii electric activă), flf
'"""

--r~=-
---.,...~-- ~

-<
.~.

obţinem: iZ
12 -1- ~~ ~
«:l

1n ~)
( = 1 (A A* ) (cD Bn - q V) ~
T2 n c
_
kT'
(2.65) ~ 10 ;:;:
b
Q
Il)
2
....,
c
unde: J = jAc - curentul total, (cD Bn - q V) - energia de activare. ---
o
P< 8
c...
'-'
o

Într-un interval de temperaturi limitat (de exemplu, .- :-01

6 .- C
-.
. ::-"'
273K < T < 373K ) se poate considera că mărimile A* şi cD Bn nu
~

P-.
o..
;.--.
.- - '
~
depind de temperatură. Dacă vom menţine co~sta~tă t~nsi~nea la El .,e.
polarizarea directă, atunci după tangenta unghIUlUI de mchnare a ......
u ".~

-- ------ .'-~--'- u
--...'
dependenţei In (;2)= f (~) vom determina înălţimea barierei
~u

--
.- '/
1 o 1 2 3 4
U
~-

V~ (V)
cD Bn' iar din extrapolarea liniară până la 1 = O vom ob'ţme
T Fig. 2.15. Caracteristica capacitate-tensiune pentru dioda Schottky
(W-Si; W-GaAs).
produsul dintre suprafaţa activă ŞI constanta efectivă

Richardson.
2.9.4. METODA FOTOELECTRICĂ

2.9.3. METODA CARACTERISTICII

CAPACITATE-TENSIUNE
Caracteristica capacitate-tensiune C - Veste deseori fo~osită
pentru evaluarea înălţimii barierei de potenţial. D~ac~ semicon-
ductorul este uniform dopat şi nu conţine trape adancI, se poate
scrie (vezi relaţia 2.27).
C- 2 = ~(Ţ!'c ±~~L
b S2 q N[)&&o
Conform expresiei (2.66), dependenţa C;2 = f(V) reprezintă o
dreaptă ca în fig. 2.15. Din panta dreptei se obţine doparea N[) a
semiconductorului, daCă aria de contact este cunoscută. Intersecţia
dreptei C;2 - .f (V) cu axa tensiunilor corespunde tensiunii de
contact.
Această metodă este o metodă directă şi cea mai precisă de
determinare a barierei de potenţial. Contactul metal-semiconductor
poate fi iluminat din partea metalului (iluminare~ din faţă) sau din
partea semiconductorului (iluminarea din spate). In cazul iluminării
din faţă sunt excitaţi electroni din metal pe niveluri energetice
superioare şi, dacă hv ~ cD Bn ' aceştia trec în semiconductor
(procesul 1 în fig. 2.16). De asemenea, dacă metalul este suficient
(2.66) de subţire şi hv > E g' vor fi excitate perechi electron-gol în
semiconductor (procesul 2 în fig. 2.16). Curentul de scurtcircuit sau
fotocurentul trebuie să posede o dependenţă de energia fotonilor
hv analoagă cu aceea a fotocurentului din cazul emisiei din metal
în vid. În cazul fotoemisiei electronilor din metal, curentul pe
foton absorbit este dat de relaţia lui Fowler:
hv ~ cD Bn
hv < cD Bn

98 99

Ev
SEMICONDUCTOR
Fig. 2.16. Generarea fotoclectronilor la contactul metal-semiconductor.
Relaţia parabolica dintre R şi (hv - <D Bn) se utilizeaza pentru
determinarea potenţialului de contact metal-semiconductor.
Radacina patrata din R este reprezentata în funcţie de hv şi
porţiunea ei liniara este extrapolata la R = O; intersecţia dreptei cu
axa hv o determina pe <D Bn •
În fig. 2.17 este reprezentat rezultatul pentru fotoemisia elec-
tronilor din contactele W-Si şi W-GaAs. Observam ca barierele în
aceste contacte sunt egale cu 0,65 şi 0,80 e V.
Fig. 2.17. Caracteristica spectrala a curentului fotoelectric în structuri
cu wolfram W-Si şi VV--GaAs.
100
2.10. CONTACTE OHMICE
Orice dispozitiv semiconductor sau circuit integrat are în com-
ponenţă unul sau mai multe contacte ohmice. Contactele ohmice
asigura accesul electric din exterior la dispozitiv.
Un contact ohmic este contactul dintre un metal şi un semi-
conductor, care nu modifica concentraţia purtatorilor de echilibru din
semiconductor, adica reprezinta o caracteristica curent-tensiune liniara
şi simetrica. În realitate se considera contact ohmic contactul pe care
caderea de tensiune pentru ambele sensuri de polarizare este neglijabil
de mica în raport cu caderea de tensiune de pe dispozitiv. Astfel ele nu
afecteaza caracteristicile dispozitivului. Parametrul electric esenţial al
contactului ohmic este rezistenţa specifica de contact (Rc )' care
reprezinta inversul pantei caracteristicii curent-tensiune la polarizarea
zero
(2.68)
În contactele metal-semiconductor cu un nivel de dopare nu prea
înalt predomina componenta tenTIoelectronica a curentului, care este
detenninata de (2.31). În acest caz
(2.69)
Din (2.69) se vede ca pentru a obţine mici R c trebuie de
folosit contacte cu înălţimea mica a barierei de potenţial.
În contactele metal-semiconductor cu un nivel de dopare mai
înalt predomina componenta de tune Iare a curentului. În acest caz
(2.70)
!OI
 41'
Deci, în regiunea de tunelare rezistenţa contactului depinde
exponenţial de <Il B;~ . Analiza expresiilor (2.69) şi (2.70) arată că
N D/ 2
pentru a căpăta mici Re se cere dopare puternică a semicon-
ductorului în vecinătatea metalului, astfel curentul va trece prin
efect tunel, sau alegerea unui aşa metal ca bariera de potenţial să fie
cât mai mică (fig. 2.18).
a În realitate, diagrama de benzi
de energie a contactului dintre unii
. Ee
777"7tn7":l- - - - - - - - EF semiconductori şi metale nu de-
pinde de natura metalului, ci este
determinată de stări le de suprafaţă
~----Ev ale semiconductorului, care for-
mează, în general, bariere de po-
tenţial. Din acest motiv, pentru cei
mai mulţi semiconductori este di-
b ficil de realizat un contact ohmic
prin alegerea unui metal cu lucru
de ieşire potrivit. Calea cea mai
sigură, care se foloseşte în mod
uzual pentru realizarea contactului
~---Ev
ohmic" este doparea fOaIte puter-
nica a semiconductorului în regiu-
Fig. 2.18. Contacte ohmice cu
nea din apropierea contactului, ob-
Înalţimea mica a ba- ţinându-se astfel structuri 11+ - 11
rierei de potenţial (a)
sau p + - P (fig. 2.18b). De exem-
şi cu un nivel Înalt de
doparc (b). plu, pentru realizarea contactelor
ohmice pe Si sau pe Ge de tip 11,
pe suprafaţa semiconductorului se depune un aliaj Au-Sb (cu 0,1 % Sb)
prin evaporare în vid şi apoi se înCălzeşte în atmosfera de gaz inert
(argon) la temperatura eutectică corespunzătoare.
102
Capitolul III
JONCTIUNEA p - n
Joncţiunile semiconductoare stau la baza construcţiei şi fun-
cţionării majorităţii categoriilor de dispozitive semiconductoare şi
optoelectronice (diode, tranzistori, tiristoare, circuite integrate, fo-
todiode, celule solare, laseri etc.). O teorie de redresare a jonc-
ţiunii p - 11, care are lărgimea stratului de sarcina spaţială cu
mult mai miCă decât lungimea de difuzie a electronilor şi a go-
lurilor, a fost elaborată în 1949 de V.Schockley. În lucrarea auto-
rilor S,T.Sah, R.N.Noice şi V.Schockley [11], publicată în 1957, a
fost examinată influenţa recombinării şi generării purtătorilor de
sarcină în regiunea stratului de sarcină spaţială asupra formei
caracteristicii curent-tensiune a joncţiunii p - 11. Dezvoltarea
ulterioară şi precizarea acestor teorii, ţinând seamă de factorii ce
influenţează asupra lucrului joncţiunii p - 11 (nivelul înalt de
injecţie al purtătorilor de sarcină, influenţa reîncărcării centrelor
de impurităţi asupra timpului de viaţă al purtătorilor de sarcină,
tunelarea electronilor prin joncţiunea p - 11 etc.), au fost efectuate
de savanţi din diferite ţări.
În momentul de faţă putem considera că teoria joncţiunii p - 11
este logic terminată. Teoriile existente au o precizie destul de
înaltă, descriu caracteristicile curent-tensiune ale joncţiunilor
semiconductoare reale. Însă lucrările consacrate creării şi cercetării
proprietăţilor joncţiunilor p - 11 continuă. Aceste lucrări sunt
legate de crearea joncţiunilor p - 11 pe baza unor semiconductori
noi ce posedă, din punct de vedere practic, proprietăţi interesante
(de exemplu, un diapazon larg de temperaturi de lucru). În ultimii
ani un şir de lucrări sunt consacrate joncţiunilor p - 11 pe baza
siliciului amorf, costul căruia e mai mic decât al monocristalului
respectiv.
103
 3.1. FORMAREA JONCŢIUNII p-n. se întinde sarcina spaţiala se numeşte regiune de trecere, a carei
POTENŢIALUL DE DIFUZIE lărgime totala la echilibrul termodinamic este d = d n + d p (fig. 3. la).
Joncţiunea p - n (graniţa dintre un semiconductor de tip p şi

i
Prezenţa sarcinii E
unul de tip n) poate fi realizata prin metodadif1,lziei impuritaţilor spaţiale da naştere unui _ c
acceptoare într-un semiconductor de tip n, astfel încât în aceasta
regiune concentraţia acceptorilor NASa tie mai mare decât concen- " câmp electric & (fig.
3.la) cu sensul de la
a p i':1 ~
,- + 1
j n t-<>
traţia donorilor N D' Ca şi în cazul contactului metal-semicon- regiunea 11 spre regiu- - _+---'1'-- _

ductor, vom considera ca în regiunile neutre are loc ionizarea nea p, care se opune
o. -: -.
-d P
O d
n X
completa: no = N D; Po = N A • deplasam In contmuare
prin difuzie a purtăto­
În continuare se va cerceta ce se întâmpla când un semicon- rilor majoritari dintr-o
ductor de tip 11 şi unul de tip p sunt aduşi într-un contact intim. regiune în alta. Deci, b
Deşi plasarea a doua bucaţi de semiconductor într-un contact intim dupa ce un număr oare-
nu reprezinta o metoda practica de realizare a unei joncţiuni p - n, care de electroni şi go- I I I
aceasta schema se va utiliza pentru a ilustra procesele ce au loc la luri a trecut dintr-o re- --P--4~II!II :~ n
formarea ei.
Un semiconductor de tip n este caracterizat în primul rând de
giune în alta, apare un
câmp electric intern îm-
piedicând în continuare
i N----~v
-dp O dn r
faptul ca el conţine o concentraţie mare de electroni. Iar un semi-
o trecere neta a purtato-
conductor de tip p este caracterizat în primul rând de faptul ca Fig. 3.1. Joncţiunea p - n la echilibru:
rilor. Existenţa <;âmpu-
conţine o concentraţie mare de goluri. Daca aceste doua bucaţi de a) semiconductoare de tip p şi n aflate
lui electric' provoaca
semiconductori sunt plasate într-un contact intim (dupa cum se arata apariţia unui potenţial În contact intim:
b) diagrama benzilor energetice ale jon-
în fig. 3.la), un flux de electroni şi unul de goluri vor curge într-o Vb , numit potenţial de cţiunii p - n la echilibru.
astfel de direcţie, încât sa uniformizeze gradientul înalt de con- difzlzie sau de barieră.
centraţie care exista între aceste doua regiuni. Câmpul electric intern formeaza un flux de electroni din regiunea p
Daca electronii şi golurile ar fi neutri, aceste fluxuri ax . con-
în n şi un flux de goluri din regiunea n în p. Peste un timp oare-
tinua sa.c!1rga pâna la momentul în care o concentraţie uniforma a
care intensitatea câmpului electric intern atinge aşa marime, ca flu-
ambelor specii de purtatori s-ar stabili în întreaga structura, obţi­
xul datorat difuziei fiecarui tip de purtatori va fi exact egal şi opus
nuta prin combinarea celor doi semiconductori de tip opus. fluxului aceloraşi purtatori datorită câmpului electric. Sistemul trece
Deoarece electronii şi golurile poseda sarcina şi deoarece semi-
în echilibru şi creşterea potenţialului de difuzie V încetează. În
conductorul conţine şi atomi de impuritate ionizaţi, situaţia este cu
totul diferita. Datorita proceselor de difuzie, pe o anumita porţiune regilmea de sarcina spaţială ( - d p :::::: x : : : d" ) exista un câmp electric;
din imediata vecinatate a suprafeţei de separaţie, de o parte şi de alta puternic şi practic lipsesc purtători liberi.
a ei, condiţia de neutralitate electrica nu mai este satisfacuta: în Diagr~lpa benzilor energetice ale joncţiunii p - n la echilibru
, regiunea p apare o sarcina spaţiala n~gativa forn1ata în principal din se poate con;rtrui, pornll1dC1ela'faptul că nivelul Fermi trebuie să
ioni acceptori imobili, iar în regiunea n apare o sarcina spaţiala fie constant în toata structura (fig. 3.1 b). Din diagrama se observă
pozitivă formata în principal din ionii donori imobili. Spaţiul pe care ca pentru trecerea electronului în banda de conducţie din semi-
conductorul de tip n în semiconductorul de tip p el trebuie sa

104 105
 (!

învinga o bariera de potenţial a carei înalţime <D e este egala cu Deoarece temperatura de trecere a semiconductorului la con-
tl'

_ q V • O astfel d~~-b~riera trebuie sa învinga şi golurile la trecerea ductibilitatea intrinseca ~ ~ E g la concentraţia constanta a impu-
b
din semiconductorul dc tip p în semiconductorul de tip n. ritaţilor,
temperatura de lucru maximala a joncţiunilor p - 11 din
De exemplu, înalţimea barierei de potenţial pentru joncţiunea CaAs e mai mare decât a celor din Ce sau Si.
p _ n din Ce este ~ 0,7 eV, din Si ~ 1,0 eV, d~n CaAc~ ~ 1,~eV.
Cunoscând concentraţiile purtatorilor de sarcma maJontan în
regiunile n şi p (n" = N D' P p = N 4 ), înalţimea barierc:i de
3.2. .
DISTRIBUTIA POTENTIALULUI iN .
potenţial poate fi determinata folosind expresia:
JONCŢIUNEA P -1Z ŞI LĂRGIMEA
REGIUNII DE SARCINĂ SPAŢIALĂ
<De = (Ee -EF)p -(Ee -EFt, (3.1)

II;
unde (Ee - E F)P,1l - distar~Ja~~~rgetica dintre marginea benzii de Dependenţa energiei potenţiale a electronului eD de coordonata
conducţie şi nivelul Fenni în semiconductorul de tip p şi n (fig. x, prin unnare, şi a potenţialului, se determina rezolvând ecuaţia
3.1 b). Presupunem ca ambelc regiuni ale joncţiunii p - n conţin lui Poisson (2.12). Densitatea de sarcina spaţiala p(x) este deter-
numai impuritaţi puţin adânci, fiind as.tfel toate io~i~ate. Pentru ~ minata de distribuţia impuritaţilor ionizate în regiunea de sarcina
trece în (3.1) la concentraţia purtatonlor de sarcma, vom folosI spaţiala. Sa cercetam doua cazuri extreme.
urmatoarele expresii:
n =N
"C
exp [- (1~c -f,TE~),,] 0"6 (3.2)
\ ?''O
3.2.1.JONCŢIUNEA p-n ABRUPTĂ
( A)

kt')+ Nvexp[~C -E:j,-lO']

/
Într-o joncţiune p abrupta concentraţia acceptorilor este
~ N, exp[J~"
-11

P, (3.3) egala cu N A pentru x < ° şi cu zero pentru x> °

(fig. 3.2a).
Concentraţia impuri taţilor donoare este Nj) pentru x > °
ŞI zero

ŞI 11
l
2
= N e N v exp [-~g
kT J' . -... (3.4) pentru x<O .
Pentru a calcula caracteristicile regiunii de sarcina spaţiala
formate în apropierea joncţiunii, se presupune ca ea consta în to-
n este concentraţia intrinseca.
unde _.J talitate din sarcina de acceptori şi donori ionizaţi. Aceasta pre-
Din (3.1) - (3.4) obţinem: supunere este echivalenta cu consideraţia ca cea mai mare parte a
regiunii de sarcina spaţiala este complet golita de purtatori sau, cu
<Pc =kTln[Fil"J. 11;
(3.5) alte cuvinte, concentraţia de purtatori liberi este neglijabil de mica
în comparaţie cu concentraţia de impuritaţi în aproape toata re-
La încalzirea joncţiunii p -11 pâna la temperatura conduc- giunea de sarcina spaţiala.
tibilitaţii intrinsece a semiconductorului p p = 11 1l = 11; şi <De = 0, Aceasta presupunere este cunoscuta sub noţiunea de aproxi-
maţie de golire.
ceea ce înseamnă ca joncţiunea p - 11 dispare. Deci, temperatura
conductibilitatii intrinsece este cea mai mare temperatura pâna la În acest caz densitatea de sarcina p(x) în regiunea peste
care joncţiunea p - 11 funcţioneaza. p(x) = -qN A' iarin regiunea 11 p(x)= qND (fig. 3.2b).

106 107
 Din condiţiile la limită (3.7) obţinem că constantele de integ-
Na)Nd.
M rare A = O şi B = O.

Deci, (3.9)

Pentru regiunea p avem:

(3.10)

şi condiţia la limită x = -d p va fi:

Fig. 3.2. Distribuţia impuripităţilor
(a), a sarcinii (b) şi a inten- _ d<Dp
sităţii câmpului electric (c)
<D p (
-d)
p -<De' -- = O. (3.11)
pentm o joncţiune abruptă la dx x~-
dp

Soluţia ecuaţiei (3.10) este de forma:

<D
p
(x)=-q~]\/A(d
2[;[: p
+xJ+C(d +x)+D.
P
(3.12)
o
Din condiţiile la limită (3.11) obţinem C = O, iar D = <D c . Şi deci:

<D (x) = <D c - g2J\TA (d + xJ. (3.13)

P 2[;[: p
Vom rezolva ecuaţia Poisson separat pe regIUnI. Pentru o
regmnea n avem: Expresiile (3.9) şi (3.13) arată că la trecerea de la punctul
d 2 rh
'V q 2 jV D
x = -d p la punctul x = d n energia potenţială a electronului se
= o < x:S: d n • (3.6) micşorează după legea parabolică.
dx 2
Intensitatea câmpului electric în regiunea de trecere este deter-
Aceasta ecuaţie se va rezolva cu urmatoarea condiţie la limita, minată de expresiile:
x =d n
[; (x) = ~
,
d <D n la O< x:S: d n (3.14)
n . q dx
<D(dJ= O, d<DI = o. (3.7)
dx x~d
" C'
&
(.x) = ~ d <D p la d :S: x < O. (3.15)
Soluţa ecuaţiei (3.6) este de forma: p q dx P

Folosind ecuaţiile (3.9) şi (3.13), obţinem:

(3.8)
[;,,(x) = - qND (d n - x) (3.16)
a:o

108 109
 La conectarea unei surse de curent exterioare la joncţiunea
&p(x)=_qN A (dp+x). (3.17)
&&a p - n în aşa fel ca în regiunea n sa fie un potenţial Eegativ, iar în ,-
regiunea p - pozitiv, înalţimeabarierei de potenţial va deveni
Ţinând cont ca & în regiunea P ŞI ITI regiunea n este una şi
aceeaşi, atunci vectorul intensitaţii câmpului electric trebuie sa fie <P c - q V (fig. 3.3a). Pentru o polarizare inversa înălţimea barierei
continuu la trecerea dintr-o regiune în alta (fig. 3.2c). Din condiţia de potenţial se va mări şi va deveni <Pc +qV (fig.3.3b).
de continuitate a energiei <P (x) la trecerea din regiunea p în re- CA: - V
giunea n rezulta ca <P p (O) = <P n (O) şi, folosind ecuaţiile (3.9) şi ni' I Ee
-'-'-'-'"ll'!:-+ - ~ E
EFo -:// I ': .... ~J~ sY_._._ E~1l
(3.13), deducem: ,
2 EFp -. r {- - - 1"
<P
c
=9
2&E;
-
a
N d2 +N d2
d nAp'
(3.18)
~ n
- Ev
Iar din condiţia de continuitate a eâmpului E rezulta:
P '1 I
I I I

d ND
N d dn = N A d p sau- p = (3.19)
dn NA '

adica largimea stratului de sarcina spaţiala este invers proporţionala b

cu concentraţia şi e mai mare în acea regiune a joncţiunii p - n ,
unde concentraţia impuritaţilor e mai mica.
Având în vedere ca largimea totala a stratului de sarcina
spaţiala d = d n + d p, din (3.19) obţinem:

d" ~ d -[ N~:N.:) (320) p

-cip O dn X

d~d-[N:,N:NJ
p (321)
Fig. 3.3. Diagrama de benzi energetice ale joncţiunii p - n :
a) polarizarea directa, b) polarizarea inversa,

Înlocuind în (3.18) pe d n şi d p cu expresiile sale din (3.20) şi Prin urmare, la conectarea unei surse de curent exterioare lărgi-
(3.21), obţinem:
mea stratului de sarcină spaţială devine "'-
1./

(3.22) d(V) = [2&&O(~D+ J\'A)(1/h ±y)] 2 (3.24)

qNDN A
Deci, într-o joncţiune p - n abrupta
ŞI (3.23)
(3.25)

110 III
 Din expresiile (3.16), (3.24) rezultă că la conectarea joncţiunii Integrând ecuaţia (2.12), având în vedere (3.27) şi
p - n la o diferenţă de potenţial exterior dist!il2l.1ţia intensităţii câmpu- condiţia a doua din (3.28), obţinem:
lui electric în regiunea de sarcină spaţială nu se schimbă, î!1~~ se mă­
reşte sau se micşorează d n , d p şi intensitatea maximală a câmpului
~: ~ ;~~ [x' -~. J. (330)

[;max = _(qN AJd P = _(qNDJd 11 •

Intensitatea câmpului electric
&&0 &&0

&=~ d<D =_ qa [~-X2J. c

(3.31)
3.2.2. JONCŢIUNEA P- n GRADATĂ
q dx 2&&0 4
Se observă Că, în cazul joncţiunii gradate, intensitatea câm-
Dacă concentraţiiJe impurităţilor în apropierea pului variază pătratic cu distanţa (fig. 3.4c). Integrând relaţia (3.30)
şi ţinând seama de prima egalitate din (3.29), obţinem:
suprafeţei de separaţie reprezintă o variaţie lineară (fig.
3.4a), joncţiunea se numeşte gradată. În acest caz legea de
variaţie a concentraţiei impurităţilor este: <1>(xH'c - ;~~ [i~+ tff<J (3.32)

NA-ND=acx, (3.26) Folosind prima egalitate din (3.28), rezultă:

dN . . 2
un de ac = ~ reprezmtă gradIentul <De = q~C' ·el 3 . (3.33)
Q dx 12&&0
concentraţiei impurităţi lor. Consi-

r
--------.---_ _ ._..s_ _
derând modelul de regiune sărăcită, Din ultima relaţie se obţine expresia Iărgimii regiunii de trecere:
.~

O J:
densitatea sarcinii spaţiale în re- 11

b
giunea de trecere (fig. 3.4b) este:
p(x)=qacx. (3.27)
d ~ (12;C,~:.f: (3.34)
-U/2 Dat fiind că ac este constant,
_._~--- o d/3~-r deci d este proporţional rădăcinii cubice din <De' Aplicând o ten-
sarcina spaţială se întinde în mod siune exterioară V , lărgimea regiunii de trecere devine:
, am bee
ega1 m l regIUnI,
" d n =dp =d . 1

c E
Condiţiile
2
la limită pentru ecuaţia
d(V)~[12CCOq~±VJJ ' (3.35)
Poisson vor fi:

=0 (3.28)
dx X~d 3.3. CAPACITATEA JONCŢIUNII p-n
2
ŞI
Fig. 3.4. Joncţiunea p - I I gradata:
Variaţia Iărgimii regiunii de trecere în funcţie de tensiunea
cD(- ~J=<Dc, (:i:lx~_~ =0.(3.29)
a) concentraţia impurita-
ţilor; b) sarcina spaţiala; externă produce variaţia sarcinii totale a impurităţilor ionizate în
c) variaţia intensi ta ţi i regiunile n şi paie joncţiunii. Capacitatea electriCă de barieră a
câmpului. 2

112 113
regiunii de trecere se defineşte ca raportul dintr~ v~riaţi~ sarcinii Prin urmare, dependenţa C;2 = f (V) reprezinta o dreapta, tan-
ionilor acceptori QA sau donori Qo şi variaţia tenslUnll aplIcate V : genta unghiului de înclinare al careia este:

C = dQA_(V) = 4{2o(Yl. (3.36) ~{~~~) =_~(!'!A~NJJ) (3.43)

h dV dV dV S2 qsso NAN o
Sarcina spaţiala din regiunea de trecere este: Daca avem o joncţiune puternic asimetrica N 4 » N o' atunci
QA (V) = SqN Ad p (V) = Qo (V), (3.37) dupa tangenta unghiului de înclinare se poate determina concen-
traţia impuritaţilor donoare N D'
unde S este aria totala a joncţiunii.
Ţinând cont de expresia lui d pentru o joncţiune abrupta, Pentru joncţiunea gradata:
ultima relaţie se poate scrie sub fonna: -3 l2(V ± V)
]/ Ch =--3----(h ------)2 (3.44)
S qac
~ 2q&&~~;~;' !!2]',
sSo
Q, (V) S-[ (3.38)
şi deci dependenţa C;3 = f (V) reprezinta o dreapta cu tangenta
unghiului de înclinare
Prin urmare, capacitatea de bariera are expresia:
~{C?;3J
C, ~ 2(N~~~~îf~±
S -[ vr
În cazul joncţiunii p - 17 linear gradate, ţinând cont de
(3.39)
dV
12
S3 qac (ssoY .
(3.45)

Din expresia (3.45) se poate determina gradientul concentraţiei ac'

expresia (3.27), pentru sarcina spaţiala obţinem:
d2 Sqa c d 2 (V)
QA (V)= Qo (V)= Sqa c Jxdx =---8-----
°
iar capacitatea de bariera în acest caz:
În ambele cazuri la polarizari directe (potenţialul negativ în
regiunea 17) segmentul dreptei ce reprezinta dependenţa C;2 sau
C;3 de V întretaie axa tensiunii în punctul V = Vh ' Folosind acest
(3.40)
fapt, din dependenţa Ch = f (V) poate fi determinat potenţialul de
difuzie al joncţiunii p - 17. Din expresiile (3.42) şi (3.44) rezulta

~s{f~(v~;o~;r
posibilitatea de a determina tipuljoncţiunii (abrupta sau gradata).
c, (3.41)

E uşor de dovedit ca pentru ambele joncţiuni

3.4. POLARIZAREA jONCŢIUNII P- n.
Sa; ECUAŢIA DIODEI IDEALE
Ch (V) = d(T/o)
Joncţiunea p - constituie elementul de baza al diodei semi-
Din expresiile (3.39) şi (3.41) se observa. ca ..cap~citate~ de ba-
17

riera depinde de marimea şi polaritatea ~enslUml aplIcate. In cazul conductoare - dispozitiv electronic cu doua terminale. Proprietatea
joncţiunii abrupte din expresia (3.39) obţmem:
fundamentala a diodei este aceea ca valoarea conductivitaţii elec-
trice depinde de sensul tensiunii aplicate: în cazul polarizarii direc-
C-2 = ?(l~A ~~2)(f;lb:tV2. (3.42) te, conductivitatea are valori ridicate; în cazul invers conductivi-
h S2 qsso NAN o tatea este foarte mica.

114 115
 Daca se aplica pe regiunea n o tensiune V negativa faţa de
iar la limitele regiunii de trecere aceste relaţii devin:
regiunea p, vari(iţia totala de potenţial pe joncţiune scade cu va-
loarea q V . Deci:
i
P. (d. h , , ex{q[1i ~l) ~ P." exp (li) (352)
<D Ţ = <De -qV . (3.46)
Ca urmare, bariera ell~ig~tica pentm purtatorii majoritari se
, micşoreaza (fig. 3.3a). Astfel, electronii din regiunea n vor trece
n, (-d,)~n." exp(-q[1/1)~n,,, ex{;iJ (3.53)

în ~egiunea p, iar golurile vor trece în sens invers. Prin joncţiune Deci, concentraţia de purtatori minoritari la marginile respec-
trece un curent direct format din purtatori majoritari. Procesul de tive ale regiunii de sarcina spaţiala este marita cu un factor expo-
trecere a purtatorilor majoritari prin joncţiunea p - n sub acţiunea
tensiunii exterioare poarta numirea de injecţie.
nenţial exp (ii) .
Concentraţiile purtatorilor de sarcina injectaţi variaza în fun- Pâna la apariţia purtatorilor de sarcină minoritan mJectaţi
cţie de tensiunea aplicata. Din (3.5) potenţialul de difuzie este (de exemplu, golurilor în regiunea n) regiunile respective erau
detenninat de expresia: neutre, suma sarcinilor pozitive şi negative în fiecare volum
= kT In(~l/l~pJ.
elementar fiind egala cu zero. Golurile injectate din regiunea p în
Vh (3.47)
q ni n reprezinta o sarcina de volum pozitivă. Această sarcina dă naş­
tere la un câmp electric, care atrage catre goluri electronii, sarcina
Ţ inând cont de relaţia n
2
1
= n n p n = p p n p , din expresia (3.47) se negativa a carora compensează sarcina pozitiva a golurilor. O aşa
pot deduce concentraţiile purtatorilor minoritari de.o parte şi d~ alta deplasare a electronilor fonneaza o lipsa a lor în regiunile din care
ale joncţiunii, în imediata vecinatate a suprafeţeI de separaţIe la au plecat. Pentm a restabili neutralitatea electrica a semiconduc-
echilibru: torului, din contactul ohmic al regiunii n trebuie sa intre un surplus
de electroni.
= P pO exp ( - qV
h )
p nO ki- (3.48) Luând în considerare ca sarcina electronului şi a golului sunt
egale, atunci numarul de electroni ce au intrat din contactul ohmic

n po = nllo exp ( - 9f;). (3.49)

. .
Indicele "O" a fost introdus pentru a arata ca relaţiile respective se
refera la echilibrul tennodinamic.
Având în vedere ca la polarizarea directa bariera de potenţial
devine q (Vh - V), relaţiile (3.48) şi (3.49) se generalizeaza
este egal cu numarul de goluri injectate, care, la rândul sau, este
determinat de expresia (3.52). Astfel, odata cu injectarea unui
surplus de goluri - p~rtatori minoritari în regiunea n - apare
acelaşi numar de electroni - purtatori majoritari în aceasta regiune.
Şi unii, şi alţii sunt purtatori de sarcina de neechilibru, fiindca
formeaza un surplus de sarcini faţa de starea echilibmlui
tennodinamic. Electroneutralitatea regiunii n se va restabili într-un I

~ ex+ q[V'ii~(x)l)
interval de timp 8, numit timpul de relaxare Maxwell, care are
P. (x) P ,0 (3.50) marime de ordinul e~1O-12p,dacă 8 [s], iar p[Ocm].
Ecuaţia diodei ideale (ecuaţia Shockley) exprima dependenţa

", (x) ~ "." exp ( - '1 [v" if(x)ll (3.51) dintre curentul care circulă prin dioda şi tensiunea aplicată în cazul
în care se fac unnatoarele ipoteze simplificatoare: 1) joncţiunea
este abrupta şi ideala; 2) tensiunea aplicata se regascştc în principal
116
117
 la bornele regiunii de trecere, prin urmare, în afara acestei regiuni
intensitatea câmpului este foarte mică; 3) lărgimea regiunii de tre-
Jnn(dJ= Jn p (-d p ) (3.56)
cere este foarte mică în raport cu lungimile de difuzie ale purtă­
torilor, astfel în această regiune pot fi neglijate procesele de
J pp (-d p)= J pn (dJ (3.57)
generare - recombinare; 4) se consideră niveluri mici de injecţie,
adică într-o regiune dată concentraţia purtătorilor minoritari în
exces este mult mai mică decât concentraţia purtătorilor majoritari;
5) Iărgimile regiunilor p şi n sunt mult mai mari decât lungimile
Q
--+-
Ee
~:r41

U +: -<>
de difuzie L n , L p' astfel încât purtătorii minoritari în exces se p ;- n
1- + I
recombină total înainte de a ajunge la contactele ohmice. 1- + I
În regim continuu (staţionar), în orice secţiune a diodei, curentul
este constant şi reprezintă suma curenţilor daţi de purtătorii ma-
joritari şi cei minoritari. Deoarece densitatea de curent în semi-
conductor este egală cu suma curentului de difuzie şi de drift, atunci,
referindu-ne la regiunea n, pentru cazul unidimensional avem:
_._~_.'"-_ •.•• "";O-._.' .•

}n;;~(x) = q (,llnnn&x + Dn ~; J (3.54)

}p;(x)=q(,llpPn&x-Dp ; , } (3.55)

· dcă nn este 4"loarte mare, Iar

D at fiun •
grad'lentuI -dnn este mic,
dx
predominantă va fi componenta de drift a curentului de purtători

majoritari Jn ,
n
cu toate Că {; este mic; având în vedere că
P" «nn şi că la directe, în apropierea limitei x = d n,
polarizări

·
grad lentu1 dp."- are va1on. re latlv
' man,. pred '
ommantă va fi1 com-
d.;'(

ponenta de difuzie a curentului de purtatori minoritari în exces JPn'

Pentru _regiu~t;:~_L_predominante vor fi componenta de drift a
lui J pp şi cea de difuzie a lui Jn p .
Deoarece s-a presupus Că regiunea de trecere este foarte subţire,
neglijându-se procesele de recombinare, curentul datorat unui tip de Fig. 3.5. Polarizarea directa a diodei: a) volumul elementar în regiunea 11
a joncţiunii p - 11 ; b) modelul benzilor energetice; c) variaţia cu-
purtători rămâne constant în limitele acestei regiuni (fig. 3.5d) şi se
renţilor purtătorilor minoritari cu distanţa; d) variatia curenti lor
pot scrie egalităţile: purtătorilor minoritari şi majoritari cu distanţa. ' ,

118 119
 Rezulta ca pentru calculul curentului total este suficient sa se
determine componentele de difuzie ale curenţilor de purtatori mino-
ritari în exces:
1
I
În regim staţionar, la tensiune constanta aplicata la joncţiune,
concentraţia goluri lor în volumul elementar nu variaza cu timpul:

apn(·).') = O
}. =.J'Pn (d) +'tip (- dp)'
Il }
(3.58) (3.62)
at
Curenţii j Pn
şi j np
pot fi aflaţi, daca se va cunoaşte dependen- şi (3.61) devine:
ţa de coordonata a concentraţiei purtatorilor de sarcina injectaţi.
Sa cercetam un volum elementar din regiunea n situat în apro- (3.63)
pierea regiunii de trecere (vezi fig. 3.5a).
Principalii factori ce conduc la modificarea concentraţiei purta-
torilor minoritari - goluri lor - în volumul cercetat sunt: Fiindca lungimea de difuzi~ L = (D
p p
TJ 12, rezulta: '" ,
1) generarea şi recombinarea perechilor gol-electron;
2) difuzia în urma gradientului de concentraţii; c!)!_n (;\:) _l?n_(:rl~Pno_ = O (3.64)
dx 2 L2 •
3) driftul în câmpul electric; P
4) mişcarea purtatorilor de sarcina în câmpul magnetic; Soluţia acestei ecuaţii este de forma:
5) mişcarea termica a purtatorilor de sarcina din cauza gradi en -
tului de temperatura. Pn (x)- Pno = A· exp (k,x)+ B 'exp (-k 2 x), (3.65)
Presupunem ca nu exista nici gradient de temperatura, nici câmp I
magnetic. Luând în consideraţie ca cercetam cazul când nivelul de unde k u = ±i2 - - radacina ecuaţiei caracteristice
injecţie este mic, atunci câmpul electric în regiunea n este destul de P

mic. Ca rezultat, modificarea concentraţiei golurilor are loc numai în

urma proceselor de generare-recombinare şi de difuzie. k2 - 1 = O.
0

Dp
Vite~_~.Q~_schimbare a concentraţiei goluri lor în volumul ele-
mentar în urma proceselor de generare şi de recombinare este egala Constantele de integrare se determina din condiţiile la limita
cu raportul schimbarii concentraţiei golurilor catre timpul de viaţa:
Iim P n (x)= PnO

?P~ (x) (generare-recombinare) = pnlJ_~pll (x),

x-----too

(3.59)
ot Tp
pJdJ= PnO exp(ii} (3.66)
unde la polarizari directe P(x) este mai mare decât PIIO'
Din prima condiţie (3.66) rezulta B = O. Din a doua:
Expresia vitezei schimbarii concentraţiei golurilor în urma di-
fuziei se determina de legea a doua a lui Fick: Il ._ 1
2 (3.67)
aPn(x) (difuzia) = D a PII(X)
2 (3.60)
at P ax Rezulta:
Unind expresiile (3.59) şi (3.60), obţinem:
2
~pn (x) = p"o~Pn(x) +D a PIl(X)
P n (X.) - Pno -- PIlO [ eXP ( q V)]
kT
\-il - xJ
-1 'exp (d (3.68)
(3.61) p
at TP Pa\:2'
. la d Il - X ::; O.

120
121
 Pentru elect!:onii în exces din regiunea P se obţine o expresie Dacă se ia în consideraţie întreaga arie a joncţiunii. avem:

similara lip (x) -Il "o ~ [ex

Il pO p( {n -1] exp (dpi:X) (3.69)
unde
la d +x ~O.
(3.77)
l' "
Conlom1 expresJl"1o r(3. 68) şi (3 . , . concentraţia
69) - -purtătorilor
ti
minoritari injectaţi se micşorează expo~enţIal ~e _ mas~ra ce aceş
purtători difundează de la marginea stratulm ?e sarcma spaţI~la. . . reprezinta curentul de saturaţie format de purtatorii minoritari.
Componenta de difuzie a curentulUI datorat golunlor mmOn- La polarizari inverse are loc marirea barierei energetice pentru
tare în exces din regiunea n este: purtatorii majoritari (fig. 3.3 b), valoarea barierei devenind
}pD(x)=-qDpdr' (3.70) cI> T = cI> c + q V . Purtatorii majoritari nu mai pot trece în regiunile
opuse; în schimb, purtatorii minoritari din apropierea limitelor regi-
Luând în consideraţie expresia (3.68), unii de trecere vor traversa aceasta regiune sub influenţa câmpului

~')-lJ.exp(4n_~.'(J.
electric dând naştere unui curent invers.
. (_)_ qDpPno [ p(q.. (3.71)
j pD .\ - ---Z····· ex kT LI' ·· .. kT
L a po1anzarea mversa pentru tenSIUnI V ~ 2,3·· în expresIa
,
l'
q
Curentul de difuzie al electronilor minoritari în exces din regiunea
p are o expresie similara: (3.75) se poate neglija exp (~i) şi urmeaza:
(x)~ qD{p o [e xp (1i)-IJexp(~pt)·
j.D (3.72)
~ -(\lDt;'~ + '1 f'O J~ -j, .
D
j "" (3 78)
Variaţia curenţil~r
de difuzie cu distanţa pentru o joncţiune
P _ n idealizata este reprezentata în fi~. 3.5d. _ .. '. Curentul invers 1l1lV. = S . j' s are valori mici şi, în aproximaţiile
La limitele regiunii de trecere, ultImele doua relaţa devm. facute, nu depinde de tensiunea aplicată, excepţie facând

jpD(dJ~ QD{;.o [exp (1i)-IJ

kT
V < 2,3--
(3.73) q
Dependenţa curentului direct de temperatura poate fi determi-
}IlD (- d 1')= qD~np_~ [ex p(1i) -,] (3.74) nata ţinând cont ca P nO şi Il 1'0 pot fi exprimate în funcţie de n} şi
Il

Prin urmare, se obţine densitatea curentului total:

.
nil' respectIv
2
n , n 1'0 =_.'
P1': P nO =-' n
2

n i = Ne?' exp ( - k~
2 E J.
nn Pp

j ~ q ([);";'O + D~PO}[exP(1j)-'J ~ j, [exp(~i)-Il(375) Deci, din (3.75) avem:

). =BoT exp (- kT
Eg-J.[exp(qV)-l]
3
kT'
(3.79)
relaţie definita ecuaţia diodei ideale (ecuaţia Shockley). du.

122 123
 T
ce aduce la abaterea caracteristicilor de la ideal este generarea -
unde Bo este o constanta ce nu depinde de temperatura. Din (3.78) recombinarea purtătorilor de sarcina în regiunea de sarcină spaţială.
kT Într-o regiune golită, invers polarizata, pentru tensiuni inverse
densitatea curentului la polarizari directe V < 2,3 va fi:
q V» ~T , concentraţia de purtatori este mult redusa sub valoarea
q
'. = BT3 exp
.; dlr. o
[_t: kTq VJ
g
-- (3.80) de echilibru, deoarece câmpul electric (care este crescut peste
valoarea sa de echilibru prin tensiunea inversa aplicată) împinge
purtătorii afară din zona golita, golurile - spre regiunea p, iar
Şi
electronii - spre regiunea n .
ln(} . . T- 3 )=lnB - ~g 9.V (3.81) Din cauza scăderii concentraţiei de purtători, din toate proce-
dlr. o kT sele de recombinare-generare care au loc prin centre cu niveluri
energetice intermediare ramân importante numai procesele de
Din (3.80) urmeaza ca dependenţa In Udir . . T-
3
)= f(~) la emisie. Procesele de captare nu sunt importante, deoarece viteza lor
este proporţională cu concentraţia de purtători liberi care este foarte
tensiuni V fixate este descrisa de ecuaţia unei drepte cu tangenta mică Într-o regiune golită polarizată invers.
Generarea purtatorilor liberi în regiunea de sarcina spaţiala, la
unghiului de înclinare (Eg := q V) din care poate fi deternlinata polarizari inverse, aduce la un surplus de curent, care depaşeşte cUrentul
k de saturatie prezis de ecuaţia diodei ideale.
largimea benzii interzise. La polarizari directe înalţimea barierei de potenţial se micşo­
kT reaza, numarul de electroni şi goluri ce trec prin regiunea de sarcina
Pentru curentul invers la V ~ 2,3 avem: spaţiala se mareşte şi în fenomenele de recombinare-generare pre-
q domina procesele de captare. Aceste procese formeaza un curent de
recombinare, care se adauga la curentul de difuzie dat de ecuaţia
}inv = BoT 3 exp l/ -- kT)'
E g
î (3.82) Shockley (3.75).
Pentru determinarea vitezei de generare-recombinare în regiunea
de unde constatam ca influenţa cea mai puternica a temperaturii stratului de sarcina spaţiala vom folosi teoria Shockley-Hall-Read.
Conform acestei teorii, viteza de recombinare-generare
asupra cureutului invers are loc prin cxp [ - %~ J. U = - dn dp care are 1
= - ---, "
oc pnn acţmnea
. 1un. ener-
unor lllve
g-r dt dt
getice intermediare - centre de recombinare-generare, este data de
3.5. CURENŢII DERECOMBINARE ŞI DE expresia:
GENERARE iN]ONCŢIUNEA p-JZ
U = --------
(J,/}p8th~- (pn-nn
(modelul Sah -NoYCC -Shockl ey ) g-r
(Jp
( J (
p+ni exp Ei - Et +0;1 n+ni exp Et - Ei J' (3.83)
Ecuatia Shockley descrie satisfacator caracteristica curent-ten- kT ki
siune a jO~lcţiunilor p - n din gelmaniu la densităţi de curenţi mici. unde: (Jn' (J p ~ secţiunile de captare a electronilor şi a golurilor de
Însa pentru joncţiunile p -- n din Si şi GaAs aceasta ecuaţie are către centrele de captare; 9 th - viteza termica a purtătorilor aproxi-
numai un acord calitativ cu caracteristicile reale. O cauza principala
125
124
mati v egala cu 10 7 cm/<; la temperatura camerei; N t - concentraţia nivelul de energie a centrului este foarte apropiat de marginea benzii
de conducţie, va fi mult mai probabil ca electronul capturat să fie
de ccntre din regiunca stratului de sarcina spaţiala; Et - nivelul reemis în banda de conducţie, împiedicându-se astfel completarea
energetic al centrelor. procesului de recombinare. Observaţii similare se pot face şi pentru
Având în vedere ca timpul de viaţa al electronilor centrele plasate lânga marginea benzii de valenţă. Rezulta ca un
Tilo = (CY,/)thNJ-l , iar al golurilor Tpo = (CYpBthNIYl , din (3.83) centru de recombinare are eficacitate maxima, daca cele două pro-
babilităţi de emisie sunt aproximativ egale, fapt ce se realizează când
obţinem:
nivelul de recombinare este apropiat de mijlocul benzii interzise.
2
0Jn-n i ) Deci, în expresia (3.85) numitorul va capata o valoare minima când

U,-, ~ T"" (p + n, cxp E';jE;f"o( n +-n, exp-E,:~E,) .

(3.84) E t = Ei' U în acest caz având o valoare maximala pentru centrele
de recombinare situate aproape de mijlocul benzii interzise.
La polarizari directe, luând în consideraţie expresiile (3.52) şi (3.53),
Ecuaţia (3.84) arata că U g-r este pozitivă şi, deci, are loc produsul concentraţiei de electroni şi goluri în toata regiunea de sarcina
spaţiala este dat de expresia:
recombinarea, daca produsul pn > n}. Semnul se schimbă şi are
loc generarea, dacă pn < n; . Mărimea pn - n i2 reprezinta o "f011ă" pn = n} exp (r~). (3.86)
de restabilire pentru populaţia purtătorilor liberi în condiţii de
neechilibru. Pentru E = El' ch [(Ei_-=f}t)]
kT
=1
Pentru a pune în evidenţă principalele caracteristici ale acestei t

relaţii cxtrem de importante, se va considera un caz special în care şi viteza de recombinare este:
secţiunile de captare pentru electroni şi goluri sunt egale,
CY n = CYp = CYo' În acest caz se poate determina Ta = (CYOBthNJ-l şi n} (exp
U =------ .-
ii-1) (3.87)
relaţia 3.84 se reduce la: r Ta . [p + n + 2nJ .
Observăm ca pentru o polarizare directa dată, V, U are
(3.85)
valoarea sa maximă în acel loc din regiunea de sarcina spaţial a,
unde suma concentraţiilor de electroni şi goluri (p + n) atinge o
valoare minima. Deoarece produsul acestor doua concentraţii este
Aportul nivelului de energie a centrului de recombinare în constant, condiţia d (p + n) = O conduce la
mărimea lui U g-r se conţine în al treilea tennen de la numitor. Acest

termen creşte pe măsură ce E t se depărteaza de mijlocul Ei al dp = -dn = E'I dp (3.88)

p2
benzii interzise şi se apropie fie de marginea benzii de conducţie, fie
de marginea benzii de valenţă. Într-un astfel de caz unul din sau p =n . (3.89)
procesele de emisie are o probabilitate din ce în ce mai mare, ceea ce Aceasta condiţie se realizeaza în acel loc din regiunea de sarcina
reduce eficacitatea centrelor de recombinare. Aceasta se întâmplă, spaţiala, unde nivelul Fermi intrinsec este la jumatatea distanţei dintre
deoarece, pentru a se realiza procesul de recombinare după ce un cvasinivelurile Fermi pentru electroni E F şi pentru goluri E F p •
Il

electron a fost captat de un centru, trebuie capturat un gol. Dacă totuşi

126 127
 În acest caz concentraţia de purtatori este data de expresia Curentul total la polarizari directe este egal cu suma curentului
de difuzie (expresia 3.76) şi a curentului de recombinare (expresia
Il = P = ni . exp (Ili) (3.90) . .
3 .9 4) ŞI pentru PnO »n po ' ŞI pentru V »--:
kT
q
şi, deci, 1

l w, ~ qS (~:r 0~ exp'fi + q~~~S exp ;&. (3.95)

(3.91)
Este interesant sa se compare valorile componentelor de difu-
zie şi recombinare ale curentului. Folosind componente de difuzie
de electroni ai curentului, raportul celor doua componente la
Dupa modificare obţinem: kT
V >> - - este dat de
q
U = ni qV
. ( exp ..... -1 ) . (3.92)
2< 2kT
= 2'!i~1l
r.max
o !_dijll 'exp qV (3.96)
Ir NAd 2kT
Curentul de recombinare I r , care ia naştere în urma proceselor
de recombinare în regiunea stratului de sarcina spaţiala, este Acest raport depinde de tensiunea aplicata, de temperatura şi
determinat de integrala de la viteza de recombinare pe stratul de de largimea benzii interzise a materialului prin ni' Pentru siliciu,
sarcina spaţiala: la temperatura camerei la tensiuni directe mici, este în general
d ll
dominanta componenta de recombinare, iar la tensiuni directe, mai
Ir = qS JUdx, (3.93) mari cu aproximativ 0,4 - 0,5 V, este dominanta în general
-d p componenta de difuzie.
Ambele componente ale curentului pot fi observate şi în alte
unde S - aria transversal a a joncţiunii p - Il. Înlocuind expresia materiale, tranziţia de la o caracteristica la alta depinzând de
care exprima viteza de recombinare U r şi luând U = U max în toata temperatura şi de banda interzisa a materialului. Acest fapt este
regiunea de sarcina spaţiala, se obţine curentul de recombinare: elucidat în fig. 3.6, unde se arata ca curentul direct al unor diode
din germaniu, siliciu şi arseniura de galiu este determinat de
q V - 1) dx
f -.!l (exp 2kT -1). tensiunea directa la temperatura camerei. Componenta de curent de
II' = qS = qn i Sd (exp q V (3.94) recombinare se poate deosebi de componenta de curent de difuzie
-d p 2<0 2<0 2kT
prin dependenţa diferita de tensiune, care corespunde unor pante de
Deoarece U scade exponenţial cu distanţa faţa de punctul q
_3_ şi respectiv -, într-o astfel de reprezentare semilogaritmica.
unde are valoare maxima, o aproximaţie mai buna s-ar obţine fo- 2kT kT
losind nu toata largimea stratului de sarcina d , dar numai o parte, Aceste pante sunt reprezentate prin linii întrerupte.

d[ 'i (~; - l V) ce reprezinta largimea stratului în care are loc

O reprezentare empiriCă simplă a caracteristicii directe curent-
tensiune este dată de expresia:

recombinarea efectiva a electronilor şi golurilor. 1101 ~ exp ;;~ri' (3.97)

128
129
unde factorul empmc 111 = 1 pentru curent numai de difuzie şi n.
U = __ (3.98)
111 = 2 pentru curent numai de recombinare arata ca teoria sim~l~
1 •

g 2'0
data mai sus este aplicabila. Când ambii curenţi sunt comparablh,
valoarea lui 111 va varia între 1 şi 2 . Densitatea curentului determinat de generarea purtatorilor li-
beri în regiunea de sarcina spaţiala este:
foa mA
19 = qS flUldx = qll i d. (3.99)
-d p 2'0
f(J mA Daca centrele sunt situate chiar în apropierea nivelului Fermi

~mA
intrinsec, 'o va fi practic independent de temperatură. Atunci se
poate presupune ca dependenţa de temperatura a componentei de
curent de generare este dată de dependenţa de temperatura a lui ll i .
fOoJ1A Componenta de curent de generare este dependenta de tensiunea
inversa - cu cât tensiunea inversă este mai mare cu atât largimea
1f1j1A stratului de sarcina spaţiala d este mai mare. În regiunea golita
apar mai multe centre, iar curentul de generare este astfel propor-
1.pA - ţional cu d . Deci, într-o joncţiune p - 11 abrupta
1/
1g ~ (~h + V ) 2
, (3.100)
fUD 11A
iar într-o joncţiune p - 11 gradata
10 flA 1g ~ (~h + V))j , (3.101)

InA o op 0,8 10 1,2 Curentul invers total (pentru V» ~I)

reprezinta suma cu-
q
VF ,(v) rentului de difuzie în regiunile neutre şi a curentului de generare în
Fig. 3.6. Caracteristicile directe ~u!.ent-tensiune.pe~tru diode din Ge, regiunea de sarcina spaţiala. Raportul valorilor celor două com-
Si şi GaAs la 25°C. Lmnle punctate mdIca panteIe depen- ponente, pentru 'n = r p = ro' este dat de expresia:
denţelor ,m exp-
(qV). ŞI (qV J
exp ----- .
kT 2kT ~~ifn_ = 2nJ~n (3.102)
19 NAd
La polarizari inverse concentraţia purtatorilor liberi în regiunea
Acest raport este evident proporţional cu concentraţia intrinse-
stratului de sarcina spaţiala se micşoreaza brusc şi p, n« ni'
ca a purtătorilor ni' Curentul de difuzie începe să devină dominant
În acest caz numaratorul expresiei (3.85) tinde spre - n i2 şi, deci, odata cu creşterea temperaturii. Raportul dintre valoarea curentului
aici U < O, ce indica ca predomina generarea purtatorilor de sarcina de difuzie şi cea a curentului de generare este mai mare pentru
liberi. Ca şi la polarizari directe, U are valoare maximala când materialele cu bandă interzisa mai mica, decât pentru cele cu banda
n = p şi din (3.85) se obţine: mal mare.

130 ]3]
 3.6. CAPACITATE'A DE DIFUZIE Coeficienţii de proporţionalitate C Op , C Dn se numesc
A JONCŢIUNll P- n capacităţi de dţjilzie, deoarece apariţia lor este legata de procesele
de difuzie a purtatorilor minoritari injectaţi.
La polarizari inverse capacitatea de bariera (§ 3.3) aduce Capacitatea de difuzie totala a joncţiunii p - n este deter-
aportul principal la formarea capacitaţii a joncţiunii p - n . În cazul minata de suma C D = C D" + C Dp . Din expresia (3.103) obţinem:
polarizarilor directe datorita injecţiei (electronilor în regiunea p şi
a golurilor în regiunea n), are loc acumularea de purtatori mino- C = dQp =(dQpJx(d.l p Î. (3.105)
ritari în imediata vecinatate a regiunii saracite. Purtatorii injectaţi se Dp dV d! p dV )
distribuie exponenţial in regiunile neutre n şi p (expresiile 3.68 şi
3.69). dQp
Luând în consideraţie ca -- = T din caracteristica
Aceşti purtatori formeaza sarcina Q pl a golurilor în regiunea n di p'
p

şi Q"l a electronilor in regiunea p (fig. 3.7). La majorarea voltamperica ajoncţiunii p - n la polarizari directe (expresia 3.76)
obţinem:
tensiunii aplicate de la ~ pâna la V2 se mareşte concentraţia
purtatorilor injectaţi şi, deci, creşte şi sarcina acestor purtatori: de la
Qpl' Qnl pâna la Qp2 şi Qn2' Variaţia sarcinii purtatorilor injectaţi
dI
dV
1 (qV
- -p-- -q-sp1 e k7 -
kT \
lj\ - 1
q p
---o
kT
este direct proporţionala cu variaţia tensiunii aplicate: qI I
Atunci C
Dp
= -kT
-p r .
p
La fel C
Dn
= qkT TI1
n
dQp =Qp2 -QPI =CopdV (3.103)
şi capacitatea de difuzie totala
dQ" = Q"2 -Q"l = C D" dV (3.104)
~ k~ (1"," + 1"p)~ k~> (J",," + J,,Tp)x [e.li' -1). (3.106)
1: l-~
CD

~
I I
n
1>
(t) ~! Confom1 expresiei (3.106), capacitatea de difuzie a joncţiunii p - n

,
I 1
I I
depinde, ca şi curentul direct, de tensiunea aplicata exponenţial.
Capacitatea de difuzie are urmatorul sens fizic. La polarizarea
I Q I I
I I I directa a joncţiunii p - n are loc acumularea sarcinilor purtatorilor
I I I injectaţi Q" şi Qp' Stabilirea sarcinii staţionare se efectueaza în
I
I decursul intervalului de timp egal cu timpul de viata
,
T
n
şi r p' iar
I
I
capacitatea C D reflecta ineliitatea acestui proces. Adica gradientul
Pn
1 concentraţiei golurilor în regiunea n şi a electronilor în regiunea p nu
n
p I X se va stabili pâna când capacitatea de difuzie Cf) nu se va încarca pâna
O dn
-d p la tensiunea aplicata. Deosebirea capacitaţii de difuzie Co de
Fig.3.7. Distribuţia sarcinii la polarizarea directa a joncţiunii p - Il .
capacitatea de bariera CB consta in aceea ca Cl) caracterizeaza variaţia

132 133
 sarcinii, care este complet compensata de purtatorii majoritari în fiecare
punct al semiconductomlui. În condensatoml plan şi în regiunea
saracita, sarcinile de sens opus sunt, de asemenea, egale dupa marime,
dar ele sunt deplasate în spaţiu una de alta.
3.7. STRĂPUNGEREAJONCŢIUNII p-n
La tensiuni inverse suficient de mari intensitatea câmpului
electric atinge valoarea critica, la care curentul invers creşte destul
de rapid (fig. 3.8.). Acest proces şi prezinta strapungerea joncţiunii
p - 11 (sau a diodei). În dependenţa de procesele fizice ce conduc la
strapungere sunt cunoscute trei mecanisme de strapungere:
(1) instabilitatea termica; (2) efectul tunel interbenzi (efectul
Zener); (3) multiplicarea în avalanşa a purtatorilor minoritari.
v, v, v, o ( Tj ) şi temperatura ambianta (Ta) şi invers proporţionala cu rezis-
3 2
1 I
I
/ avantajos ca R th sa fie cât mai mica, şi poate fi cunoscuta din foaia
Fig. 3.8. Mecanisme de strapungere a joneţiunii p -/1: 1 -
instabilitate termica; 2 efectul Zener;
3 -- multiplicarea în avalanşa a purtătorilor minoritari
3.7.1.INSTABILITATEA TERMICĂ
Strapungerea termica este determinata de creşterea tempera-
turii joncţiunii p - 11 la marirea energiei disipate prin trecerea unui
curent invers de intensitate 1R . • Odata cu creşterea temperaturii se
134
mareşte numaml de perechi gol-electron generate şi, ca rezultat, se
mareşte curentul invers etc., procesul având un caracter cumulativ.
Temperatura poate ajunge rapid la valori care distrug stmctura
tehnologica a joncţiunii; din aceasta cauza strapungerea termica se
numeşte strapullgere distructiva.
La polarizarea inversa a diodei aproape toata tensiunea VR .
cade pe joncţiunea p -11, prin care trece curentul 1R.' Puterea
disipata în joncţiune prin efect Joule
(3.107)
conduce la încalzirea joncţiunii p - 11 şi a regiunilor neutre ale diodei.
Puterea evacuata de joncţiunea p - 11 în rezultatul termo-
conducţiei (~) şi împraştierea ei mai departe în mediul ambiant
este direct proporţional a cu diferenţa dintre temperatura joncţiunii
tenţa termica joncţiune- mediu ambiant R th :
P =.T-T
. L_ a (3.108)
e R
th
Rezistenţa tennica Rth este un parametm intrinsec al diodei,
exprimând capacitatea dispozitivului de a evacua puterea termica
de la regiunea golita a joncţiunii p - 11 la corpul diodei (capsula),
prin conducţie, şi de aici spre mediul ambiant, prin convecţie. Este
de catalog a dispozitivului.
Peste un careva interval de timp de la aplicarea tensiunii
inverse la dioda între caldura disipata şi cea evacuata se stabileşte
echilibrul termic. Şi, deci, PJ = Pe' sau:
T-T
V1 = _L __ a (3.109)
R R R
lh
Daca temperatura T} ar fi exprimata prin intensitatea curen-
tului invers, atunci, luând în consideraţie încalzirea de caldura
Joule, (3.109) ar descrie caracteristica 1 - V a diodei.
135
 fi
Neglijând în (3.82) dependenţa după o funcţie de putere de De unde, temperatura joncţiunii p - 11 , ce detennină tensiunea
temperatură faţăde dependenţa exponenţială, pentru curentul invers
extremală a diodei:
putem scrie:
E
T= .g± (3.112)
(3.110) 2k

Observăm că caractenstIca I - V inversă va conţine două

unde Ko ' într-un interval nu prea larg de temperaturi, este o tensiuni extremale în cazul când rădăcinile ecuaţiei (3.112) sunt
constantă. reale şi diferite dacă
Introducem (3.110) în (3.109) şi obţinem:

VR = Tj - Ta exp ( E g
RthK O kTj
J. (3.111)
sau (3.113)
Expresia obţinută arată legătura dintre tensiunea inversă la Această inegalitate se îndeplineşte pentru toate semiconduc-
diodă şitemperatura joncţiunii p - 11. Expresiile (3.110) şi (3.111) toarele, utilizate pentru prepararea diode lor semiconductoare.
prezintă un sistem din două ecuaţii al caracteristicii I - V inverse Pentru a aprecia influenţa Încălzirii asupra curentului invers al
a diodei, exprimate în formă parametrică, prin parametrul Ti' diodei, introducem noţiunea de factor termic al curentului invers (a),
analogic altor factori de acest fel:
Forma generală a acestei dependenţe este arătată în fig. 3.8.
(curba 1). Dependenţa poate conţine două extremuri: maximum şi 1 dI R
a=---. (3.114)
minimum al tensiunii. Între aceste extremităţi se distinge o I R dT
porţiune de rezistenţă diferenţială negativă. Posibilitatea existenţei
Folosind expresia (3.110), obţinem:
regiunii de rezistenţă diferenţială negativă se lămureşte prin

~ {~J]
aceea, că odată cu mărirea puterii disipate creşte temperatura, şi,
prin urmare, se măreşte curentul şi puterea disipată. In aşa fel în a I K" [ exp (- E,
diodă apare legătura interioară inversă pozitivă, care şi poate Eg
(3.115)
conduce la apariţia străpungerii termice şi a rezistenţei di feren- 2 kT 2
ţiale negative.
E
K o exp ( - k;j J kTj j
•

Să analizăm extremurile dependenţei I - V . Diferenţiem ecuaţia

(3.111) după temperatură şi expresia obţinută o egalăm cu zero. În ecuaţia (3.114) despărţim variabilele şi integrăm:
IR dI Ti

f -1
la R
R
=a
.
f dT,
7;,

unde Ia - curentul invers al diodei la temperatura ambiantă.

2
E E La integrare am neglijat dependenţa de temperatura a lui a şi
sau T- gy+ gT=O.
j k I k a l-am scos de sub semnul integral ei. În acest caz rezultatul final va fi

136
137
 1

valabil numai pentru o diferenţă mică de temperaturi Tj - Ta . tului invers şi rezistenţa termica. O atenţie deosebita trebuie atrasa
la dependenţa puternica a tensiunii de strapungere de temperatura
Atunci, integrând, obţinem:
ambianta. Odată cu creşterea temperaturii ambiante tensiunea de
a (T ~ TJ= In ~R
j sau exp [a (T j -7J]= ~R ,
strapungere, în conformitate cu (3.119) şi (3.110), se micşoreaza.
Aceasta micşorare are loc, în primul rând, în rezultatul creşterii
a a
puterii disipate la aceleaşi tensiuni inverse şi, în al doilea rând, în
de unde fR = Ia exp la (Tj - TJJ. (3.116) urma înrăutaţirii evacuarii căldurii de la joncţiunea p - 11 •
Dacă înlocuim expresia curentului invers, exprimat prin facto- Deoarece tensiunea de strapungere la străpungerea termica depinde
rul de temperatLră a acestui curent (3.116) în ecuaţia echilibrului de curentul invers al diodei la temperatura ambianta, aceasta
termic (3.109), atunci: străpungere joaCă un rol important în cazul joncţiunilor fabricate
din semiconductoare cu E g mic (Ge, InSb).
T-T
VR = R 1h Ia ex~ la (T TJ]'
j
- (3.117)
3.7.2. STRĂPUNGEREAPRIN MULTIPLICARE
ÎN AVALANŞĂ
La străpungerea termIcă
. ----;;t
dV = O. ŞI,. d eCI,. d't'
R .. d
1 erenţlln expre-

sia (3.117) şi efectuând reduceri, obţinem 1- a (Ti - Ta )= O; pentru Pentru o tensiune inversa VR aplicată joncţiunii p - n (vezi
Cap. 3.2), câmpul maxim este:
temperatura joncţiunii p - n la străpungerea termică
li 1'
T
J
=T a
+1
a
(3.118) e max = [ 2q NNAN~ (Vb+VR )] 2 ~[2q NAN D VR ]Y2, (3.120)
C +A D C N A + ND
Pentru joncţiunile practice din Si şi Ge a;:::: 0,1 K- 1 ; prin
urmare, la străpungerea tennică temperatura joncţiunii p - n este
deoarece Vb «VR pentru polarizari mari. Observăm ca e max creşte
atât cu VR , cât şi cu NAşi N D • Mărind tensiunea inversa aplicată VR ,
mai mare ca temperatura ambiantă cu aproximativ 10 K . Din cauza
supraîncălzirii neconsiderabile a joncţiunii p - n la începutul creşte e max şi purtatorii minoritari care traverseaza regiunea golita

străpungerii, factorul a poate fi considerat constant şi poate fi scos
de sub semnul integralei. Bineînţeles, la dezvoltarea străpungerii
tennice, cu mărirea de mai departe a curentului invers, temperatura
joncţiunii p - n poate creşte până la topirea materialului semi-
conductor.
Utilizând expresia pentru temperatura de străpungere a jonc-
ţiunii p - n pentru tensiunea de străpungere, obţinem:
V= 1 (3.119)
t 2,72 a Rrh Ia
Prin urmare, tensiunea de strapungere la instabilitatea termică
se deternlinăde curentul invers, factorul de temperatura a curen-
138
capăta între dOUă ciocniri succesive cu reţeaua energii tot mai mari.
Pentru o valoare a câmpului, specifică semiconductorului şi gradului
de dopare, numita câmp de strdpungere e 8' purtătorii minoritari pe
durata parcursului liber mediu acumuleaza energii suficiente (cel puţin
egale cu E g ) pentru a genera noi perechi electron-gol prin ionizare de
impact (ciocniri cu atomii din reţeaua cristalină); purtatorii astfel
obţinuţi pot produce noi ionizări, rezultând o multiplicare în avalanşa
a purtătOlilor minoritari şi o creştere rapida a curentului invers (fig.
3.8,curba3).PentruSi e8 ;::::30VI,llmla N A , N D E/(l015, 1016 cm ·3)
şi creşte uşor odata cu concentraţia impmi tăţilor până la 100 VI,ll111 la
-1018 cm.
N A' N D = ·3
139
 Tensiunea aplicată joncţiunii corespunzătoare câmpului [;B repre-
Dacă la cercetarea instaurării procesului ionizării de impact
zintă tensiunea de străpungere notată VB (breakdown voltage) (fig. 3.8).
O op oJ ~.
Procesele de multiplicare în avalanşă pot fi descrise cu ajutorul
ratelor de ionizare an' a şi factorilor de multiplicare M n şi MI" Rata
(-on
ot = ; ot- =
d ) "IJat recom b'marea
e neg In JoncţIUnea
. p - n la

an reprezintă numărul d~ perechi electron-gol generate în unitate de tensiuni inverse ridicate (R n = O, R p = O), atunci ecuaţiile de
timp, pe unitate de lungime în regiunea sărăcită; în mod similar se continuitate pentru cazul unidimensional iau fonna:
defineşte şi rata a . Ratele de ionizare sunt puternic dependente de
câmp. Factorii de l' multiplicare M" pentru curentul de electroni şi l dJ l'
--=G (3.124)
MI' - pentru curentul de goluri arată de câte ori se măreşte curentul q dx 1"
electronic, respectiv de goluri în urma ionizării de impact. Factorul de
multiplicare M este dat de următoarea relaţie stabilită experimental: Gn şi Gp fiind determinate de procesele de generare sub acţiunea
câmpului electric.

~ l-(~:r
(3,121) Pentru a exprima Gn , Gl' prin ratele de ionizare an' al" să
M analizăm procesele de multiplicare într-o joncţiune p - n polari-
zată invers (fig. 3.9.).
unde VR este tensiunea inversă aplicată joncţiunii, iar exponentul
Regiunea
m are o valoare cuprinSă între 3 şi 6.
Pentru determinarea legăturii dintre parametrul ce saracita
Ec--r---k::"""------- -
caracterizează procesul fizic, - rata de ionizare - şi parametrul ce E
caracterizează joncţiunea p - n la ionizarea de impact, - factorul de
multiplicare în avalanşă - vom utiliza ecuaţiile de continuitate.
Ecuaţiile de continuitate exprimă principiul conservării sarcinii în
condiţiile când sunt prezente toate cele trei procese fundamentale:
generarea, recombinarea şi deplasarea spa ţială a purtătorilo~. După
~---;-
E cF
cum a fost menţionat anterior forma general ă a ecuaţulor de - n
continuitate pentru semiconductor este:
X --------I-----f-----~:llj_---Ev--
on
-= G - R I d'--:
+- x
ot n n q
lV 7
J n
(3.122) d +

Fig. 3.9. Mecanismul de multiplicare în avalanşa la joncţiunea p - n

op
-= G- R I d'--:
+- polarizata invers.
ot l'
lV}
l' q l'
(3.123)
Notăm prin l"s şi 1 ps curenţii la limitele regiunii spaţiale
unde: Gn , Gp sunt ratele de generare pentru electroni, respectiv pentru sărăcite. După parcurgerea regiunii sărăci te, datorită multipliCării în
goluri şi reprezintă numărul de purtători generaţi în unitate de timp
avalanşă, curenţii devin II' (d) = M 1'1 ps' In (O) = M "Ins' DaCă prin
pe unitate de volum; Rn, Rp - ratele de recombinare pentru electroni,
respectiv pentru goluri şi reprezint ă numărul de purtători dispăruţi 1
secţiunea cu aria de I cm într-o secundă trec -L goluri, atunci pe
2
(recombinaţi) în unitate de timp pe unitate de volum, q
140
141
distanţa dx fiecare gol genereaza a pdx perechi electron-gol ŞI Din fig. 3.9. observam ca:
numarul lor total va fi: la x = O 1 p (O) = I ps ; 1JO) ~ 10 = MJns
1
---.!!..-a
q p
dx. lax=d In (d)=I"s; Ip(d)~Io=M/ps' (3.128)

În mod analog, numarul total de perechi generate de electroni în Luând în consideraţie condiţiile la limita (3.128), ecuaţiile
(3.126) şi (3.127) iau fOffila:
aceleaşi condiţii este:
dl p
~andx. dx = aMpIps sau dl p = aM/pl.dx (3,129)
q
Numarul total de perechi electron-gol, generate în unitate de dIn
timp pe distanţa dx: ŞI --=aMi
n ns'
dX
(]; a ~ a.)
p + dx de unde -dIn =aMJnsdx. (3.130)
Integrând ecuaţia diferenţială (3.129), obţinem:
Aceasta expresie prezinta variaţia curentului de goluri, deci:
Mi ps d d

d (]; ) ~ (]; a+ ~ a.) dx ,

p
f dl p
i~
= M p1 ps f adx
o
sau M p1 ps - I ps = Mpl ps f adx,
o

1 d
dI de unde 1 - - = fadx. (3.131)
sau dx p p + 1na n = G p = Gn'
-p = 1 a (3.125) Mp o

La integrarea ecuaţiei (3.130) se obţine:

Ecuaţia diferenţiala (3.125) este numita ecuaţia ionizdrii de
Mnl ns d
impact. d

Ţinând cont ca 1p + In = 10 , adica prezinta curentul total, f dins = M J ns f a dx ŞI -Mnlns+1ns = M n1ns fadx,
ins O O
relaţia (3.125) se poate exprima sub forma:
1 d

dI p _ (a p - a
dx
J1p = anIo . (3.126) sau 1---- = fadx.
Mn O
(3.132)

În cazul ionizarii de impact iniţiate de electroni Strapungerea în avalanşa, însoţita de creşterea rapida a curen-
tului, are loc când M p = M" ~ 00; punând aceasta condiţie în
- ( -a )1 =-aI
dI"- a (3.127) (3.131) şi (3.132), rezulta:
p "" p O'
dX
d
Pentru a rezolva ecuaţiile (3.126) şi (3.127), determinam con- fadx=1. (3.133)
diţiile la limita şi presupunem ca a p = an = a (ce are loc pentru o

GaAs. GaP). Integrala din ultima expresie se numeşte integrala de ionizare.

142 143

Cunoscând dependenţa a (E) pentru un material dat din
(3.133) se poate deduce lărgimea regiunii sărăcite d max '. c~re. sa~is­
face condiţia de multiplicare în avalanşă. Pe baza a~este~ larglml~ se
poate calcula tensiunea de străpungere VE pentru o J.oncţlUne data.
Pentru o joncţiune abruptă se poate scne:
În cazul joncţiunii gradate
lEs d max
Vs = 3
Deoarece procesul multiplicării în avalanşă este determina~ de
ionizarea bandă-bandă, tensiunea de străpunger~ cr~ş~e cu manrea
largimii benzii interzise E g a semiconductorulUl. Ţmand sea~a de
aceasta, cu ajutorul dependenţelor (3.~34) şi (3.135) pot fi.obţmute
următoarele expresii empirice, valabJle pentru toate semlconduc-
toarele cercetate:
pentru joncţiunea abruptă
3 3
3.7.3. STRĂPUNGEREA PRIN EFECT TUNEL
INTERBENZI (EFECTUL ZENER)
Strapungerea joncţiunii p - n prin efectul tunel se manifestă ca
strapungere electrica a joncţiunii provocată de tunelarea cuantică a
purtătorilor de sarcina prin banda interzisa a semiconductorului, fără
a-şi modifica energia. Tunelarea electroni lor devine posibilă numai
în cazul când lărgimea barierei de potenţial, pe care trebuie să o
(3.134)
treacă electronul, este destul de mică. La una şi aceeaşi lărgime a
benzii interzise (pentru acelaşi material), lărgimea barierei de
potenţial se determină de intensitatea câmpului electric, adică de
înclinarea benzilor energetice. Prin Ufl11are, condiţiile de tunelare
(3.135) apar numai la un anumit câmp electric. Câmpul critic pentru
joncţiunile din Si are valoarea 8 x 10 5 V/ em , iar pentru cele din Ge -
5
3 x 10 V/ em. Deoarece probabilitatea proceselor de tunelare
exponenţial depinde de intensitatea câmpului electric (vezi p.3.8.),
atunci efectul tunel se manifestă ca strapungere a diodei În fig. 3.10
este prezentata diagrama de benzi ale unei joncţiuni p - n ,
polarizate invers. Daca valoarea tensiunii inverse este destul de
mare, astfel ca se îndeplineşte inegaU:: :..:a <D c + q V > E g' atunci
marginile benzilor energetice încep a se suprapune (E cn < E vp ) şi la

VB " 60[{;l' c~;r; (3.J36) o intensitate a câmpului electric critica un număr mare de electroni
sunt scoşi din banda de valenţă a regiunii p şi forţaţi să traverseze
banda interziSă, trecând în banda de conducţie a regiunii n (fig. 3.10).
pentru joncţiunea gradată
E" P n

[3-":rr
6'· 7/

Fig. 3.10. Diagrama benzilor energetice

VB " 60[fr)' (3.137) ale unei joncţiuni p -/1 pola-
rizatc invers. Mecanismul de
strapungere tunel. E ...
unde: E - [eV]; N o - [em- 3 ], concentraţia impurităţilor în baza
g

diodei; a - [em-4]. .' I

Odata cu creşterea temperaturii .lungimea parcu~sulU1 hbe~ a
purtatorilor de sarcina se micşoreaza; pn~ urmare, ener.gJa acumula~a de
urtatoru1 de sarcina în câmpul electnc la !.el descreşte. D~Cl, la
~trapungerea prin avalanşa creşterea temperaturn conduce la majorarea
tensiunii de strapungere.
E..
Aceasta trecere a electronilor şi poartă denumirea de eleet
tunel interbenzi. La un aşa mecanism electronul nu escaladează
bariera de potenţial, dar penetreaza prin bariera modificând numai

144 145
cvasiimpulsul. Vom specifica ca efectul tunel din str~ct~rile .la care &2
VR ee ~ (3.140)
suprapunerea benzilor are loc numai în prezenţa tenslUmlor mverse ::::::
o 2qN* .
se numeşte efect Zener. .
Probabilitatea trecerilor tunel într-o mare masura depmde de Egalând &max = &B' obţinem expresia pentlU tensiunea de
largimea benzii interzise E g şi de largimea regiunii saracite, care nu strapungere tunel:
trebuie sa fie mai mare decât câteva sute de angstromi (d ~ 10- cm).
6

VB = eeo &; = eeo&~ (_l_+_l_J. (3.14])

Din aceste considerente strapungerea tunel se observa în joncţiuni 2qN 2q NA ND
p _ n ablUpte, fabricate pe baza semiconductoarelor puternic dopate.
Deci, conform expresiei (3.] 4]), la creşterea concentraţIeI
Probabilitatea de tunelare, în cazul barierei de potenţial triunghiulare,
impuri taţilor NAşi N D tensiunea de strapungere tunel trebuie sa se
este data de expresia
micşoreze. Aceasta se explica prin faptul ca cu creşterea
T=aq&B ex p [-
n
4~
3qn&B
(Egr], (3.138) concentraţiei impuritaţilor se mareşte (&max ) la o valoare a tensiunii
inverse VR fixate.
unde: a - constanta reţelei cristaline a semiconductolUlui, &B - Strapungerea tunel în joncţiunea din Si are loc la concentraţia
câmpul electric de bariera. Conform expresiei (3.138), odata cu impuritaţilor în baza diodei ~ 10 18 cm-3 . Tensiunea de strapungere
creşterea înalţimii barierei de potenţial (E g) probabilitatea de tunel în acest caz este ~ 5 V şi mai mica. Daca nivelul de dopare
tunelare a electronului ( T) se micşoreaza, iar cu creşterea inten- este mai jos, atunci în dioda are loc strapungerea prin multiplicare
sitaţii câmpului (& B) aceasta probabilitate blUsc creşte. Densitatea în avalanşa.
Experimental s-a stabilit ca în joncţiunile din Ge şi Si cu tensiu-
curentului de tunelare la polarizarea inversa a joncţiunii p - 11 este
4E
determinata de expresia: nea de strapungere VB < __.EL are loc strapungerea tunel. În
~ 2m *
q
4 . E Yz ]
ir=io· ex P-3 q~&Bg; (3.139) . "1
jOncţlUnI e cu VB >
6E
~ strapungerea este determinata de multipli-
[
q
io slab depinde de intensitatea câmpului electric. Expresia (3.139) . ava 1anşa a purtatOrI'1or de sarcma.
carea prIn . C~and -_.?
4E < V < 6E .?
descrie caracteristica 1 - V a joncţiunii p - n polarizate invers la q
B
q
strapungerea tunel. PentlU a determina dependenţa tensiunii de strapungerea este mixta; în joncţiunea p - 11 se observa şi tunelarea,
strapungere tunel (VB ) de concentraţia impuritaţilor în regiunile n şi multiplicarea prin avalanşa a purtatorilor de sarcina.
şi paIe joncţiunii p - n ablUpte, vom egala intensitatea maximala Odata cu creşterea temperaturii largimea benzii interzise E g
a câmpului electric în joncţiunea p - 11 cu intensitatea critica & B la la majoritatea semiconductoarelor se micşoreaza. Prin urmare, în
care apare strapungerea tunel. acest caz se micşoreaza şi largimea barierei de potenţial la aceeaşi
Conform expresiilor din punctul 3.2.1, tensiunea inversa VR a intensitate a câmpului electric, fapt ce conduce la majorarea
probabilitaţii de tunelare a electronilor prin bariera de potenţial,
joncţiunii p - 11 ablUpte depinde de intensitatea maximala &max a concomitent la micşorarea tensiunii de strapungere tunel odata cu
câmpului electric la patrat: ridicarea temperaturii.

146 147
 3.8. JONC1'lUNEA P- n DEGENERATĂ conducţie a regiunii 11 pot tuneIa bariera energetica, ajungând în
(DIODA TUNEL) banda de valenţa a regiunii p.

Când concentraţia atomi lor impuritari în regiunile p şi n ale n p n

18 20
structurii semiconductoare este de ordinul 10 - 10 cm -3, gazul
electronic în semiconductor degenereaza şi largimea barierei de
potenţial a joncţiunii p'- n devinc comparabila cu lungimea de

unda de-Brogle, atingând valoarea ~ 10-6 cm . În acest caz, la orice

polaritate a tcnsiunii exterioare, bariera de potenţial devine
"stravezie" pentru electroni şi ei penetreaza prin bariera la o
energic constanta, modificându-şi numai cvasiimpulsul (fig. 3.11 a). qVo
-El,.,
Aşa mecanism de conducţie în mecanica cuantica se lamureşte
~E",
utilizând conceptul de efect tunel interbenzi. '----+-Ec
În caz general esenţa efectului tunel consta în aceea ca o
particula, ce are energie cinetica mai mica decât înalţimea carorva
bariere de potenţial, la anumite condiţii poate penetra prin bariera
fara a cheltui energie, daca din ambele parţi ale barierei se afla
niveluri energetice identice. Probabilitatea de tunelare creşte odata a b
cu micşorarea largimii şi înalţimii barierei de potenţial. Pentru
apariţia efectului tunel în joncţiunea p ~ n este necesara n p n
îndeplinirea a doua condiţii principale. În primul rând, largimea
regiunii de sarcina spaţiala a joncţiunii p - n trebuie sa fie foarte
mica ( 0,01- 0,02 ţl m). În al doilea rând, regiunile p şi n trebuie
sa fie degenerate, deci nivelul Fermi trebuie sa fie situat mai sus de
E_"1----.-- ~
marginea benzii de conducţie în regiunea 17 şi mai jos de marginea
~El,.,=qV
benzii de valenţa a regiunii p cel puţin cu 5 kT . ----+--Ec
Pentru explicarea calitativa a procesului de tunel are interbenzi
sa analizam diagrama de benzi a joncţiunii p - 11 din semiconduc-
toare degenerate, la diferite tensiuni exterioare. O astfel de
joncţiune este reprezentata în figura 3.11. La echilibru tennodina-
'--L--Ev
mic (fig. 3.11a) are loc suprapunerea benzilor permise E vp > E cn ,
astfel fiind posibila tunelarea de catre electroni a barierei energetice c d
de forma triunghiulara, localizata în regiunea saracita a joncţiunii:
electronii din banda de valenţa a regiunii p pot trece prin efect Fig.3.1l. Di~grama energetica a diodei tunel: a) dioda tunel la echilibru;
tunel, pe stari permise de aceeaşi energie ncocupate, în banda de b) dIOda tunel la polarizare inversa; c) dioda tunel la polarizare
directa ( [, = max ); d) polarizare directa, pentru [, = O.
conducţie a regiunii 17, şi viceversa: electronii din banda de

148
149
 Curentul tunel, ce se scurge prin joncţiunea p - n , este propor- tensiunii Vv ' La aceasta tensiune benzile nu se mai suprapun,
ţional cu produsul dintre densitatea de niveluri energetice umplute energia marginii benzii de conducţie a regiunii 11 coincide cu
din partea barierei, de unde electronii încep mişcarea lor, şi den- energia marginii benzii de valenţa a regiunii p (fig. 3.11d).
sitatea de stari energetice libere din partea opusa. Electronii pot Procesele de tunelare nu mai sunt posibile. Trebuie observat ca
penetra bariera în ambele direcţii. Prin urmare, fluxul rezultant este curentul tunel propriu-zis (curba întrerupta) devine zero la
diferenţa a doua fluxuri îndreptate opus unul altuia. La echilibru
tensiunea Va; faptul ca Iveste diferit de zero constituie o abatere
termodinamic curenţii tunel sunt egali şi de semn opus; prin urmare,
curentul rezultant este zero, situaţie corespunzatoare punctului O de la caracteristica ideala. Factorii care pot cauza aceste abateri
de pe caracteristica voltamperica statica (fig 3.12a). La polarizari sunt: variaţia probabilitaţii de tunelare cu tensiunea aplicată şi cu
diferiţi agenţi de împrăştiere în cazul tunelarilor indirecte; prezenţa
inverse cvasinivelurile Fermi din regiunea n se deplaseaza în jos
faţa de cele din regiunea p (fig. 3.11 b) condiţionând o suprapunere
unor curenţi în "exces" determinaţi de schimbul de electroni prin
centrele impuritare din benzile
pronunţata a benzilor şi creşterea fluxului de electroni ce tuneleaza
interzise. La tensiuni directe mai
prin joncţiune din regiunea p în n. Fluxul de electroni ce mari, bariera energetică este
tuneleaza din regiunea p este aproximativ egal cu zero, fiindca substanţial micşorata, astfel prin
pentru electronii benzii de conducţie a regiunii n nu sunt locuri joncţiune circula un curent
libere în banda de valenţa a regiunii p. Datorita tunelarii direct de difuzie (punctul 4 pe
electronilor din regiunea p în n curentul creşte, şi cu cât este mai caracteristica), similar cu cel din
mare tensiunea inversa, cu atât mai pronunţata este suprapunerea joncţiunile p - n convenţionale,
benzilor şi cu atât mai mare este curentul tunel (punctul 1 pe care creşte exponenţial cu
caracteristica). La polarizari directe nivelul Fermi în regiunea n se tensiunea aplicata. v
ridica mai sus de cel din regiunea p , iar regiunea de suprapunere a DUpă cum se observa din o
fig. 3.12 , caracteristica curent-
benzilor se micşoreaza cu q V (V - tensiunea aplicata) şi curentul
tensiune a diodei tunel în inter-
îşi schimba direcţia, deoarece preponderente devin tunelarile
valul de tensiuni de la Vp pâna a
electronilor din banda de conducţie a regiunii n în banda de
valenţa a regiunii p. Creşterea curentului direct va avea loc pâna la Vv conţine o regiune de re-
când marginea benzii de conducţie a regiunii n nu va coincide cu zistenţa diferenţială negatiVă,
nivelul Fermi E Fp din regiunea p (fig. 3.11c). Tensiunea, la care dând posibilitate de a utiliza
joncţiunea p - n degenerata în
curentul tunel atinge valoarea maxima I m (punctul 2 pe
calitate de element activ, care
2E poate funcţiona în regim de
caracteristica), este egala aproximativ cu - --.f..!!..- şi în diodele tunel
3 q amplificare, generare şi comu- O''----fO'2:-----;;O':-,4--O':!-:,6;-----:o,'='"a---'
tare a semnalelor electrice. -Vd(V)
uzuale este de 0,06 - 0,15 V. Crescând în continuare, tensiunea
Efectul tunel în regiunile
directa micşoreaza regiunea de suprapunere a benzilor şi tot mai semiconductoare degenerate, ce
b
puţini electroni din regiunea n au posibilitate de a tunela în Fig. 3.12. a) Caracteristica tensiune-
formeaza joncţiunea p - 11, stă
regiunea p. Are loc scaderea curentului tunel (punctul 3 pe curent a diodei tunel la
la baza funcţionării diodelor polarizare directa: b) carac-
caracteristica), pâna când ajunge la valoarea Iv' corespunzatoare tunel. Aceste dispozitive pot teristicile statice normate.

150 151
 i

suporta puteri relativ mici, de ordinul zecilor sau sutelor de m W , şi unde Ik (x)1 este modulul numarului de unda al particulei în re-
funcţioneaza la frecvenţe foarte înalte (microunde), fapt ce poate fi
giunea barierei de potenţial. În interiorul barierei triunghiulare
lamurit reiesind din analiza caracterului fizic al efectului tunel
modulul numărului de undă este:
interbenzi. Efectul tunel este determinat de transportul put1atorilor

qx8s -E F )~Y:: ,(3.143)

majoritari de sarcina şi procesele de recombinare nu joaca un rol 2m *
important. Din aceasta cauza timpul de transport în treceri le tunel k(x)= [ n2n (Eo(.Y)-E F ) ]1/ = [2m*
/2
n/(E g -
12

nu sunt determinate de timpul de viaţa al purtatorilor de sarcina de

neechilibru, dar de timpul de relaxare Maxwell T M • Acest timp este unde: 8 s- câmpul electric de barieră; E o(x) - energia potenţiala.
cu mult mai mic decât timpul de recombinare, de exemplu, daca 1ntroducând (3.143) în (3.142) şi efectuând integrarea, se obţine
conducţia specifica este de ordinul 1 n- l cm- 1 , Ţ M = 10- 12 s. probabilitatea de tunelare:
Dioda tunel a fost realizata pentru prima data de L.Esaki în
1958, când el cerceta comportarea joncţiunilor p - n cu regiunile
T ~ exp - 4~2m; E%.] g. (3.144)
afirmate foarte puternic dopate. În caracteristica voltamperica sta- [ 3qn8s
tica el a observat o porţiune "anomala", de rezistenţa diferenţiala
negativa. Pentru explicarea acestor anomalii Esaki a utilizat con- Curentul tunel din banda de conducţie a regiunii n în banda de
ceptul de efect tunel interbenzi. valenţă a regiunii p pentru un interval de energie infinit de mic de
Sa analizam corelaţiile cantitative ce caracterizeaza procesele de la E până la E + M, în limitele regiunii de suprapunere a
tunelare în joncţiunea p - n. Este uşor de observat ca bariera benzilor, este determinat de numărul de electroni din banda de
energetica prin care tuneleaza electronii este de forma triunghiulara conducţie dn înmulţit la numărul de stari libere din banda de
(fig. 3.13); înalţimea este egala cu largimea benzii interzise E g' iar valenţă dp şi la probabilitatea de tunelare a electroni lor r; . Pe baza
grosimea x 2 - Xl este aproximativ egala cu lărgimea regiunii sărăcite. statisticii Fermi-Dirac se determină:

E,(x)
dn = N~") (E)J~n (E)dE (3.145)

dp = [1- fJp) (E)] N1p) (E)dE, (3.146)

unde: .fcn (E) şi fjp) (E) - funcţiile de distribuţie pentru electroni şi

goluri; N~n) (E) şi NY) (E) sunt densităţile de stari cuantice ale elec-
tronilor şi golurilor respectiv în banda de conducţie şi banda de valenţă.
Fig. 3.13. Fonna barierei energetice la Curentul tunel din semiconductorul n în p este egal:
efectul tunel interbenzi. E(P)

Probabilitatea de tunelare în aproximaţia semiclasică WKB

le9 = Al J~.9 .!ofn ) (E)N: n ) (E) [1- Jyl (E)]N1Pi (E)dE, (3.147)
(Wentzel-Kramers-Brillouin) este determinată de expresia
unde AI este aria suprafeţei joncţiunii p - n. În expresia (3.147)
X2. l
TWKS ~ exp [ - 2 L1k (x)1 dYJ' (3.142) limitele de integrare coincid cu graniţele intervalului energetic de
suprapunere a benzilor în regiunile n şi p .

152 J53
Identic poate fi calculat curentul 19c din semiconductorul p în 11 : Principalul factor ce determina curentul în "exces" este tunelarea
Elp) purtatorilor de sarcina prin starile energetice situate în banda
18e = AI f T9c f~p) (E)Nyl (E) [1- f}") (E)]N,t n
) (E)dE. (3.148) interzisa a semiconductorului.
Pentru dcterminarea curentului în "exces" vom folosi fig. 3.14,
El")
e
în care sunt aratate câteva posibilitaţi de tunelare. La tensiuni
Curentul rezultant este It = le8 - 19c; la echilibru termodina- V 2:: Vv este posibila tunelarea electronului din banda de conducţie
mic le8 = 19c' prin urmare It
O. = pe centru impuritar (trecerea 1), iar de aici electronul, în urma
În prezenţa tensiunilor externe curentul tunel are expresia interacţiunii cu oscilaţiile reţelei cristaline, îşi pierde energia şi

(presupunând T,.'8 = T9c = ~ ): trece în banda de va-

lenţa a regiunii p. Este
posibila şi o alta cale de
(3.149) trecere: mai întâi elec-
tronul din banda de
c
La polarizari inverse în faţa starilor ocupate de electroni din conducţie a regiunii 11 t •
2 1 t
banda de conducţie a regiunii n se plaseaza starile ocupate din coboara pe nivelul r
t
impuritar (trecerea 2),
banda de valenţa a regiunii p şi l e8 scade rapid cu tensiunea
şi de aici tuneleaza în
fu
1
aplicata. Astfel, prin dioda tunel trece un curent invers It = 1,ge banda de valenţa a
(
I
determinat numai de tunelarea electronilor din regiunea p în 11 . La regiunii p. În prezenţa
polarizari directe este necesara o evaluare aproximativa a integralei a mai multor feluri de
din (3.149). Se fac câteva ipoteze simplificatoare: (1) probabilitatea niveluri impuritare tre- Fig.3.14. Diagrama energetica ce ilustreaza
de tunelare ramâne aproximativ constanta la variaţii mici alc cerea dintr-o bandă în diferite mecanisme de tunel are
tensiunii aplicate; (2) penetraţia nivelurilor Felmi în benzilc alta se efectueaza pe prin starile din banda interzisa.
pennise sunt relativ mici. În aceste condiţii relaţia (3.149) se poate o "scara" (trecerea 3),
scrie sub forma: care constă dintr-un şir de treceri tunel între diferite centre
impuritare însoţite de salturi verticale - pierderea de energie la
(3.150) trecerea electronului de pe un nivel pe altul. Principala poate fi
considerata trecerea 2; celclalte treceri sunt de fapt nişte modificari
mai compuse ale acesteia. Sa cercetam electronul ce tuneleaza din
unde I p şi Vp sunt respectiv curentul şi tensiunea determinate conform punctul B în D la tensiunea aplicata joncţiunii egala cu V.
figurii 3.12a. Înalţimea barierei, sub care el trebuie sa tuneleze, este:
Referindu-ne la caracteristica statica experimentala (fig. x~ E q V + q (vn + Vp ) ~ q (Vb
E g - - V), (3.151)
3.12a), trebuie subliniat ca pentru tensiuni directe puţin mai mari
decât Va curentul nu devine zero, deşi la astfel de tcnsiuni curentul unde Vb este potenţialul de difuzic (aici se presupune ca clectronul
de difuzie este foarte mic. Deci, curentul ce se scurge prin dioda trece în apropierea marginii benzii de valenţa). Probabilitatea de
tunel în acest caz este cu mult mai mare decât curentul de injecţie, tunelare ~, pcntru electronul ce se mişca la nivelul punctului D,
în legatura cu aceasta el a şi primit denumirea de curent fn "exces ". este determinata de expresia:
154 155
 1
1; "exp [- 4,f~~l:E:;]~ exp [ - a, J. t (3152)
exponenţiale In Ix = f (V) pentru diodele tunel din siliciu şi arse-
nura de galiu în corespundere cu expresia (3.156) sunt liniare.
Curentul de difuzie depinde exponenţial de tensiunea aplicată şi
este determinat de expresia:
Aceasta expresie este analogica fOlmulei (3.144), în care
largimea benzii interzise E g este înlocuita cu marimea E x . I th = 10 exp (~; -1), (3.157)
Intensitatea maxima a câmpului electric într-o joncţiune abrupta este:
unde 10 -curentul de saturaţie (p.3.4)
&=2(vs-V) (3.153) Caracteristica voltamperica statica totala a diodei tunel este
d ' detem1inata de suma acestor trei componente ale curentului:
unde d este largimea regiunii de sarcina spaţiala a joncţiunii I = It + Ix + I th =
p - n, determinata de expresia (3.24).

~ 1, [~ JeXP[I- ~ J+ 1, exp[A, (V -V;)]+ /0 exp ( ~;)

Daca densitatea niveluri lor umplute cu elcctroni, situate mai
sus de marginea benzii de valenţa cu marimea E x ' este egala cu (3158)
D atunci densitatea curentului în "exces" se determina de
x' Aportul curentului tunel în curentul total este predominant la
expresIa: V < Vv ' curentul în "exces" este considerabil la V ;::; Vv ' iar curentul
le ~ AID,~, (3.154)
de difuzie predomină la V > ~, .
unde AI este o constanta, iar dependenţa curentului în "exccs" de În figura 3.12b sunt reprezentate pentru comparare
diferiţi parametri este dcterminata, în principal, de infl uenţa lor caracteristicile statice normate pentru diodele tunel din Ge, GaAs şi
asupra probabilitaţii de tunel are ~, şi nu asupra densitaţii de stari 1
D,. Atunci, introducând (3.151)-(3.153) în (3.154), pentru GaSb la temperatura 300K. Valoarea raportului P este 8 pentru
Iv
curentul în "exces" rezulta ecuaţia: Ge şi12 pentru GaAs şi GaSb.
lx;::; AID x exp {-a: lEg -qV +O,6q (v" +VJJ}, (3.155) Dependenţa de temperatură a curentului 1 peste detenninată de

unde arx este constanta. Astfel, se poate considera ca curentul în dependenţa dc temperatura a marimilor D şi E g .

"exces" se mareşte odata cu creşterea densitaţii de stari localizate în

banda interzisa (datorita factorului D,) şi exponenţial depinde de 3.9. DIODE "'INVERSE"
tensiunea aplicata V (în condiţii ca E g »qV). Expresia (3.155)
Daca concentraţiile dc impurităţi sunt astfel ca: regiunile p şi
poate fi scrisa în forma:

j, ~ j, exp [~(m~~, t (V - VJ] ~ j, exp [A, (V - V;)], (3.156)

11 ale joncţiunii p - n se afla sub limitelc de degenerare, şi de
aceea nu mai pot fi considerate nedegenerate; nivelul Fermi în
regiunea p aproximativ coincide cu marginea benzii de valenţa, iar
în rcgiunea n cu marginea benzii de conducţie (fig. 3.15a), atunci
la tensiuni mici curentul invers este mai mare decât cel direct.
unde: Jv - densitatea curentului în minimum la tensiunea Vv (fig.
De aici şi denumirea de diodâ "inversa" a unei aşa diode tunel.
3.12a); A2 este înmulţitorul de la exponenta. Dependenţele

156 157
 1 foarte înalte, deoarece este un dispozitiv de purtatori majoritari în
p n
care lipseşte acumularea purtatorilor de sarcina minoritari. De
~
obicei, diodele "inverse" se utilizeaza pentru detectarea şi mixarea
semnalelor slabe în domeniul microundeloL În fig. 3.16 sunt
reprezentate caracteristicile statice pentru diodele "inverse" din Ge
v şi GaSb.

a b
Fig.3.15. Dioda "inversa": a) modelul benzilor de energie:
b) caracteristica curent-tensiune.

La polarizari inverse nivelul Fermi în regiunea Jl coboara în

jos faţa de nivelul Fermi din regiunea p; în rezultat, devine
posibila tunelarea electronilor din banda de valenţa a regiunii p în
banda de conducţie a regiunii Jl, care şi detenl1ina curentul invers.
Cu creşterea tensiunii inverse mai pronunţata devine suprapunerea
benzilor, mai mulţi electroni pot tune1a şi mai mare este curentul ce
trece prin dioda tunel "inversa" (fig. 3.15b). La polarizari directe
poate exista şi un curent tunel neînsemnat (curba punctata din
figura 3.15 b), însa dominant ramâne curentul de difuzie, deoarece
în acest caz nivelul Fermi din
I,mA
z.--...-----..... regiunea Jl se ridica în sus faţa
de cel din regiunea p şi curen-
tul poate fi determinat numai
de procesele de injecţie a
v, V purtatorilor de sarcina în jonc-
ţiunea p - 11 (ca şi În dioda
Ce convenţionala). Deci, dioda
caSh "inversa" poseda proprietatea
de redresare, conexiunea nor-
mala fiind însa "inversa" faţa
Fig.3.16. Caracteristicile statice pentru de dioda convenţionala. Ca şi
diodele "inverse" din Ce si dioda tunel, dioda "inversa"
CaSh. '
este un dispozitiv de frecvenţe
158
 T

4.1. PROPRIETĂŢILE STRUCTURILOR

MIS IDEALE

În cele mai multe cazuri practice structurile metal-izolator-

semiconductor sunt struoturi metal-oxid-semiconductor (MOS),
Capitolul IV adica structuri în care stratul izolator este oxidul semiconductorului
respectiv (de exemplu, Si0 2 pentru siliciu) sau al metal ului (de
exemplu, daca ca metal se foloseşte aluminiul, stratul izolator poate
STRU(;TURI
fi Al2 0 3 ).
METAL-IZOLATOR-SEMI(;ONDU(;TOR O structură MOS în secţiune este reprezentata în fig. 4.1.
Ea consta dintr-un substrat, de exemplu, din siliciu (de tip n sau p)
Atenţia sporita faţa de structurile metal-izolator-semiconductor
acoperit cu un strat izolator de bioxid de siliciu (de o grosime de la
(MIS) este datorata folosirii lor pe larg în electronica integrala şi 15 - 20 A pâna Ia 2000 - 5000 A) pe care se depune un strat meta-
perspectivelor privind soluţionarea reuşita a multor probleme apli-
lic (cu grosimea de ~ 0,5 -1 ).lm), numit electrod poarta.
cate. În legătura cu micşorarea dimensiunilor elementelor de con-
strucţie şi marirea numărului de interfeţe între aceste elemente,
La început sa cercetam o
structură MOS ideala, care se
importanţa fenomenelor de suprafaţa şi interfaţa în funcţionarea
determină în felul urmator: xOJ<
aparatelor semiconductoare şi dispozitivelor creşte considerabil.
1) este îndeplinita aşa-numi­
Realizarile microelectronicii sunt nemijlocit circumstanţiate de
ta condiţie de banda plata, adica
studiul specificuhIi fenomenelor ce au loc la suprafaţa semicon-
în absenţa unei tensiuni aplicate
ductorului, la interfeţele semiconductor-dielectric, semiconductor- din exterior nu exista diferenţa Semic and uc tOr
( S'i/iciLi )
metal, metal-izolator. de potenţial de contact între me-
Procesele de la interfaţă şi din preajma suprafeţei semiconduc-
tal şi semiconductor: ~\1 -<Ds =0;
torului joaca un rol principal în lucrul unui şir de aparate semicon-
ductoare şi circuite, cum sunt tranzistorii cu efect de câmp de 2) nu exista stari de supra- Fig. 4.1. Structura meta1-oxid-
faţa, sarcini fixe sau ioni mobili semiconductor.
suprafaţa, MIS-tranzistorul, capacitorul MIS, dispozitivele cuplate
în izolator: sarcini pot fi numai
prin sarcina, MIS circuite integrate etc. Ele determin<i caracteris-
în semiconductor şi (egale cu ele, dar de semn opus) pe electrodul
ticile principale şi parametrii acestor aparate, circuitelor şi dispozi-
metalic, care este desparţit de semiconductor de catre izolator;
tivelor construite pe baza lor. 3) în condiţiile de polarizare la tensiune continua nu trece curent
Structurile MIS stau la baza construcţiei multor dispozitive electric prin stratul izolator, adica acesta are rezistenţă infinit de
microelectronice şi în acelaşi timp sunt obiectele cercetarilor pentru mare.
detem1inarea proceselor electronice ce au loc în straturile din Teoria structurii MOS ideale, expusa în acest subcapitol, serveşte ca
apropierea suprafeţei şi la interfaţa. De aceea, fizica structurilor baza pentru interpretarea şi cercetarea proprietaţilor structurilor MOS
MIS, metodele de preparare, controlare şi diagnosticare ocupa un reale şi a suprafeţei semiconductorului.
loc important în fizica semiconductorilor de azi. În fig. 4.2 este reprezentata diagrama de benzi de energie în
cazul echilibrului tennic al structurii MOS ideale, când se utili-
zeaza un semiconductor de tip p: (1) M este lucrul de ieşire din
160 161
metal; <P s - lucrul de ieşire din semiconductor; X s - afinitatea nivelul
b"~
Fermi " va ramâne constant ' iar benzile de e nergle
. se vor
cur a . In su~ (fig. 4.3~): La interfaţa izolator-semiconductor şi
faţa de electroni a semiconductorului; X ox - afinitatea faţa de elec-
meta.I-IzolatOi apar sarCllll de suprafaţa egale dUpă modul cu o
troni a oxidului; E mO - bariera de energie metal-oxid (energia denSItate de s~prafaţă + f2.s ~a prin:a interfaţa şi - Qm la a doua
necesara deplasarii unui electron de la nivelul Fermi al metal ului în (fig. ~.3a). Campul .electrIc lll. regIUnea dintre semiconductor şi
banda de conducţie a oxidului); E F - potenţialul Fermi. poarta este omogen ŞI se detenmnă de expresia:
L \lid &=!?J= IQml (4.1)

~1--1
Tr L

x, cD,
El2
z
Ea)
unde E ax = E o Ei -
E o Ei E ax

permitivitatea absolută a oxidului.

._, - cDFI- ~ - - _. E,
Fig. 4.2. Diagrama energetica a
..._-- ~--- --Ep stmcturii MOS ideale la
Ir7T!Ţ /
i .- , /.'
! i
IiI'
i /77 ai
"
VG = O pentru un se-
}'1etal Oxid Semiconductor miconductor de tip p.

4.1.1. CARACTERISTICILE REGIUNII DE SARCINĂ

SPAŢIALĂ DE LA SUPRAFAŢĂ

În dependenţa de polaritatea tensiunii aplicate, la poarta struc-

turii MOS se pot întâmpla trei situaţii, care se deosebesc prin
caracterul proceselor ce se petrec la suprafaţa semiconductorului:
a) de acumulare; b) de saracire şi c) de inversiune. Sa cercetam
structura MOS, când se utilizeaza semiconductori de tip p.

Regimul de acumulare (VG < O)

Când se aplica pe metal o tensiune negativa, VG < O (semicon-
ductorul se considera unit la masa), apare un câmp electric în-
dreptat de la semiconductor spre metal. Acest câmp deplaseaza
golurile din semiconductor spre interfaţa semiconductor - izolator.
Ca rezultat, în regiunea semiconductorului din apropierea izolato-
M o
rului apare un strat de acumulare de goluri (fig. 4.3a). Deoarece (d
concentraţia golurilor creşte datorita tensiunii aplicate şi întrucât
Fig. 4.31, D!.agrama de benzi şi distribuţia de sarcina Într-o stmctura MOS cu
structura MOS se afla la echilibru termic (nu trece curent electric), su sa at de tIp p pentm cazurile: (a) acumulare; (b) go lire; (c) inversie.

162 163
 Notând prin ~)x caderea de tensiune pe stratul de oxid, care în Luând în consideraţie ca largimea stratului de epuizare d,
regimul de acumulare este egala cu tensiunea la poarta VG , folosind este destul de mare, atunci tensiunea aplicata VG este egala cu suma
expresia (4.1), putem scrie: <l> s (potenţialul de suprafaţa a interfeţei izolator-semiconductor) şi
V. = IEld.
'1
= _~_m- '
1) d (42)
.. a tensiunii Vax (tensiune pe stratul de oxid):
()t l
c'ox
(4.8)
Qm În aceasta ecuaţie este determinată de expresia (4.2), Iar
= ox
G
(4.3) Vox
VG c( <l> s se determină din ecuaţia (4.7), conform căreia
Aceasta expresie deteImina capacitatea structurii MOS pe o
unitate de suprafaţa:
Emaxd s _ qNa
rh __
'V S - (4.9)
d;
2 2E,
(4.4)
Rezolvând ecuaţia Poisson, adăugând condiţiile la limită
E (d s) = O şi U (d,) = O, vom determina distribuţia spaţială a
sau (4.5) câmpului şi a potenţialului:
qN d, qN (d - x)
E = _ a f dx = a 5 (4.10)
Regimul de epuizare (VG > O) 8,. O E,
d,
Daca la poarta se aplica o tensiune pozitiva, apare un câmp electric,
vectoml intensitaţii caruia este îndreptat de la poarta ~pre subst.ratul de <l> (x) = f E dx (4.11 )
O
semiconductor. Acest câmp împinge golurile de la mterfaţa Izolator-
semiconductor în volumul semiconductOl~lui.
Ca rezultat, la suprafaţa semiconductomlui apare un strat de epUIzare
__ qN
<l>(x)- a d\ qNad~ ( 1- X... J2 =<J),I-
;.-f(d,-x)dx=----- (x J2 .(4.12)
(detlexie) de goluri şi benzile se curbeaza "în jos" (fig. 4.3b). . s O 2E5 d, d,
Dacă vom considera ca avem o epuizare completa, atuncI den- Din (4.12) observam ca am obţinut o distribuţie de potenţial
sitatea de sarcina de suprafaţa va fi: parabolica.
Qs = QB = -qN a d" (4.6) Regimul de inversie (VG >> O)
unde: iVa - concentraţia acceptorilor, d s ~ lărgimea stratului de Cu creşterea tensiunii pozitive aplicate la poartă, lărgimea stra-
sarcină spaţiala, Qs - sarcina ce se conţine în stratul de epuizare tului de epuizare d, se măreşte şi, conform expresiei (4.10), creşte
atribuit la o unitate de suprafaţa. şi potenţialul de suprafaţă cD s . Acest fenomen este rezultatul încli-
Intensitatea câmpului electric poate fi determinata cu ajutorul nării mari a benzilor energetice ale semiconductorului. Înclinarea
expresiei (4.6). Intensitatea maximala a câmpului: s-a produs în aşa fel că într-o regiune îngusta la interfaţa izolator-
_ c _ qN" d,. (4.7) semiconductor nivelul Fermi în semiconductor se găseşte mai sus
E rnax - 0 s - -"----"--~
E, de mijlocul benzii interzise Ei (fig. 4.3c). Tensiunea aplicata la
unde E, - permitivitatea absoluta a semiconductorului. pOaIia a creat, deci, un strat de inversie, numit astfel deoarece la
suprafaţa exista mai mulţi electroni decât goluri. deşi semicon-

164 165
 ductorul este dopat cu impurităţi acceptoare. Cu alte cuvinte, la
suprafaţă s-a format o joncţiune indusă de câmp. Acest regim este
denumit regim de inversie. Dacă la suprafaţă Ei se află cu puţin
mai jos decât nivelul Fenni E F , densitatea de electroni în stratul de
inversie este mică (de ordinul lui ni) şi structura se găseşte în
regimul de inversie slaba. Dacă însă Ee - E F la suprafaţă ajunge
egal cu EI' - E v în volum, concentraţia de electroni în stratul de
inversie egalează concentraţia de goluri din volum şi structura intră
în regimul de inversie puternica. Starea fizică convenţional aleasă
pentru marcarea inversiei puternice este, deci, aceea în care
concentraţia de purtători minoritari din stratul de inversie devine
egală cu concentraţia atomilor de impurităţi acceptori, adiCă:
4.1.2. SARCINA DE SUPRAFAŢĂ. ÎN REGIMURILE DE
ACUMULARE, EPUIZARE ŞI INVB'RSIE
Sa găsim expresia ce stabileşte legatura dintre densitatea de sar-
cină de suprafaţa Qs şi potenţialul de suprafaţa cI> s' în figura 4.4
este reprezentată în scara mare diagrama de benzi de energie a re-
giunii de suprafaţa a semiconductorului de tip p a unei structuri
MOS ideale în regim de inversie. Potenţialul este astfel definit,
încât are valoarea zero în volumul semiconductorului şi se măsoara
faţă de nivelul Fermi intrinsec, Ei' La suprafaţă, cI> = cI> s' Astfel,
concentraţiile electronilor şi golurilor au valorile:

(4.13)
Din aceasta conditie rezulta ca nivelul Fermi la suprafaţa va fi
deasupra nivelului Fen~i intrinsec cu tot atât, cu cât va fi sub nivelul
Fenni intrinsec în volumul semiconductorului (fig. 4.4). Corespunzator,
curbura totala a benzilor la instalarea inversiei puternice va fi: Fig. 4.4. Diagrama de benzi într-o /. / // /
structură MOS idcală //1
cI>s (inv)=2cI>tc' (4.14) cu substrat de tip p în Oxid SiiiCilJ P
unde cI> F este diferenţa dintre nivelul Fermi intrinsec ŞI nivelul
regim de invcrsie. x=o
Fermi în volumul semiconductorului.
Datorita atracţiei exercitate de câmpul electric, purtatorii minoritari
din stratul de inversie se gasesc foarte aproape de interfaţa. Sarcina iOllilor de n =n exp (q<I>(X))
p pO kT
impuritate este distribuita unifonn în cadrul regiunii golite, care se extin.de de
la suprafaţa pâna la o anumita adâncime în volumul semiconductorulUl (fig. (4.16)
4.3c). Cu fonnarea stratului de inversie puternica, laţimea regiunii gol.ite ?e P = P exp (_ qcI>(X))
p pO kT
la suprafaţa atinge o valoare maxima. Acest lucru are unnatoarea ex~hcaţl~:
pe masura ce benzile se curbeaza în jos, astfel ca sa produca mversJa în volum, şi
putemica, chiar o creştere foarte mica a curburii benzilor ~ determinând o
marire foarte mica a laţimii regiunii golite - conduce la o creştere foarte mare n = n pO exp (q<I> s)
a sarcinii continute în stratul de inversie. Deci, în condiţii de inversie pUter- S kT
nica sarcina p~ unitatea de arie indus a în semiconductor va fi data de:
Qs = Qi = -qN a d,max' (4.15) ps = P pO exp ( - q<I>
kT
s) (4.17)

unde d,.max este lăţimea maxima a regiunii golite de la suprafaţa.

la suprafaţa
semiconductorului.
n pO şi p po sunt concentraţiile de echilibru în volumul semi-
conductorului de tip p. Pot exista următoarele situaţii:

166 167
 cD s < O, acumulare de goluri (benzile deviate în sus); d<1J

dcD. d ( clcD) _
~
cD 5 = O, condiţia de banda plata; dx
[ dt dx -
cD F > cD 5 > O, epuizare (benzile sunt înclinate înjos);
cD F = cD 5 ' mijlocul benzii interzise, 11 5 = Ps = 11, (concentraţia
intrinseca); ~ -:, l{p pO [exp ( - ~; ) -]] - [exp ( ~; ) - I]} d1) . (4.23)
",0

cD 5 > cD F ' inversia tipului de conducţie.

Ca rezultat, obţinem expresia ce leaga câmpul electric
Pentru a gasi valoarea potenţialului cD în funcţie de distanţa, se
rezolva ecuaţia Poisson: ([; = - dcD ) şi potenţialul eI>:
dx
2
d cD = _ e(tJ (4.18)
dx 2 [;2 = P pO kT {[exp (_ qeI» + LeI> -
C5 kT kT
lJ +
unde: p (x) este densitatea de sarcina spaţiala
p(x) = q (N; + Pp - N.~ -11J,

N; şi N~ sunt densitaţile donorilor şi, respectiv, acceptorilor ioni-

(4.19)
+ ;:~ [exp (~;) - k~' q, -1]} (4.24)

zaţi. În volumul semiconductorului (pentru x --* 00) se îndeplineşte Sa notam:

k~' : : : } {[exp (-!i} k; 'H] +

condiţia de neutralitate, adica:

F ( q"
x --* 00, eI> = O, eieI> = O, P ()
x = O,
dx .
l.

+~: [exp(r*)- kf'H]}'

Iar
(4.25)
N;-N~=11pO-PpO' (4.20)
şi sa introducem lungimea Debye pentru goluri L[):

r'
Având în vedere relaţiile (4.19), (4.20), se poate scrie:

~:;) ~ - ~ {p,O [cx+~;) -1]-n,o [ex p (~i) -1]} (4.21)

LD ~(~;~~; (4.26)

Pentru a rezolva aceasta ecuaţie, se înmulţesc ambele parţi cu L[) este distanţa în care concentraţia golurilor se micşoreaza de e ori.
dcD Atunci câmpul electric
şi se utilizeaza relaţia
dx
dcD d 2 <D d (dcD \2 [; = ± -fi kT F( cD,
l
L, 11 po j. (4.27)
2 dx~ dx = dt" dx
2 l j (4.22) qL[) kT PnO /

În relaţia 4.27 semnul plus este pentru ep > O şi semnul minus

Se înmulţeşte partea stânga şi partea dreapta cu dx şi se inte- pentru <D < O. La suprafaţa cD = <!> s' şi pentru câmpul electric la
greaza:
suprafaţa obţinem:

16/\
169
 suprafaţa semiconductorului. În funcţia F (expresia 4.25) domina
c _
0S-±
F(m L n po )
fi kT
'V S ' "
(4.28)
qL D kT P"o . l'termen Şi. rezu lta Qs
pnmu ~ . iii . Pentru cD s
exp (q.cDsJ = O, avem
iar din legea lui Gauss se obţine sarcina spaţiala la suprafaţa pe
unitate de arie: situaţia de benzi plane şi Qs = O, aşa cum indica şi ecuaţia (4.29).
_
Qs--Es s-+
[; _- fi ELskT
s' kT' P ).
F (cD L n pa I (4.29) Pentru cD 5 > O, ne gasim în regim de golire şi Qs este negativa.
q D "o / Pentru cD F > cD s > O, în funcţia F domina al doilea tennen şi
În figura 4.5 este reprezentata dependenţa sarcinii spaţiale la
Qs = cD s (strat de epuizare). Pentru cD s » cD F' în funcţia F do-
suprafaţa Qs de potenţialul cD 5 pentru substratul de siliciu cu con-
mină al patrulea termen şi Qs ~ exp (q~!i_) (strat de inversiune).
10~ --- -- --_._._-----.., 2kT
Siliciu P (300 K)
~exp ~cD 4.1.3. CAPACITATE'A STRUCTURII MOS IDEALE
N,=4 ·10" cm' 2 s
10'
~e:\.ptlq)
.2 s}
II Ca şi în cazul altor structuri semiconductoare, cum este de
Invcrsie exemplu joncţiunea p - n, capacitatea structurii MOS conţine un
Acumulare putenuca
~
10' valoros instrument de investigare a proprietaţilor electrice ale dis-
E
u Benzi plane pozitivului. Analiza capacitaţii a fost un element fundamental al
---U
-- 10
cercetarilor, care au condus la stadiul actual avansat de înţelegere a
sistemului Si - Si0 2 şi a tehnologiei asociate.
O În absenţa unei diferenţe dintre lucrurile de ieşire din metal şi din
semiconductor, tensiunea aplicata. pe poarta structurii MOS ideale este
s
divizata între stratul de oxid şi substrat, astfel încât:
10
lnversic
VG = Vax + cD S' (4.30)
E
unde Vax este caderea de tensiune pe oxid, data de
10
-OA -0.2 O 0,2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vax -- d ax -- _Qs d ax'
C
0 ax (4.31 )
<D, (V) E ax

Capacitatea specifica totala C a structurii este formata din

Fig. 4.5. Dependenţa sarcinii totale din semiconductor de combinarea în serie a capacitaţii specifice a oxidului şi a capacitaţii
potenţialul de suprafaţa, pentru o structura MOS specifice a regiunii de sarcina spaţiala din semiconductor:
15 3
cu substrat de tip p, având IV, = 4 .10 cm- la
temperatura camerei.
c = dE
ax
ax
(4.32)
ax
centraţia N a = 4 .10 15 cm-3 la 300K. Pentru <D s < O, Qs are va- dQs----
C = --- (4.33)
loare pozitiva şi corespunde unui strat de acumulare a golurilor la D dcD s

170 171
 Având în vedere ecuaţia (4.29), obţinem: iar pentru capacitatea totala în acest punct, din expresiile (4.32),
(4.35) şi (4.36), obţinem:

"., {l' ex+ q:f} ;~: [ex qZi' )-l]} (4.34) p

( C FB :::: (4.37)

C~ L Fl<P ş , k~,:::J
D [;
D d +(}X
2 ox
[;5

Pentru capacitatea totala a structurii MOS avem: Pentru tensiuni negative sistemul se gaseşte în regimul de
acumulare, capacitatea diferenţiala a semiconductorului este mare
C:::: Cox~D (4.35)
şi, în consecinţa, capacitatea structurii este apropiata de capa-
C ax + Cl)
citatea oxidului. Cu trecerea la tensiuni pozitive apare şi se
Capacitatea oxidului este independenta de tensiune şi repre- dezvolta stratul de epuizare de goluri la suprafaţa semicon-
zinta valoarea maxima a capacitaţii structurii (când Cl) ----* Cf.) ). ductorului care acţioneaza ca un dielectric în serie cu oxidul;
Capacitatea C[) depinde de tensiune şi poate fi calculata din relaţia capacitatea totala a structurii scade pâna atinge o valoare minima,
(4.34). Variaţia cu tensiunea de poarta a capacitaţii structurii MOS Cm ;". La o tensiune pozitiva, când caderea de potenţial pe semi-
ideale este reprezentata în fig. 4.6. conductor <D 5 devine mai mare ca <D f ' între stratul de epuizare şi
c oxid apare un strat de inversiune ce aduce la creşterea capacitaţii
(a)
totale (fig. 4.6a). Creşterea capacitaţii este determinata de posi-
Cax bilitatea concentraţiei de purtatori minoritari de a "urmari" sem-
nalul alternativ aplicat pentru masurarea capacitaţii, ceea ce se
poate întâmpla numai daca frecvenţa semnalului este joasa (tipic
sub 100 Hz). În aceste condiţii, procesele de generare-re combinare
b) asociate purtatorilor minoritari pot "ţine pasul" cu semnalul
(' (C 2 ) alternativ de masura. Daca frecvenţa semnalului de masura este
-'------ inalta, caracteristica C - V în zona de inversie nu mai reprezinta
(c.)
creşterea catre capacitatea oxidului, ci se limiteaza la o valoare
o minima, aşa cum indica curba (b) din figura 4.6.
Cu creşterea tensiunii pozitive aplicate pe structura se mareşte
Fig. 4.6. C.aracteristici capacitate-tensiL!ne ~le ~tructm>l. ~O.S:
a) la trecvenţaJoasa; b) la frecvenţa malta, c) m golire ddanca. eD 5 şi grosimea stmtului de epuizare W. La apariţia regimului de

Importanta este capacitatea structurii în situaţia de benzi ne- inversiune puternica (<D 5 (inv) ~ 2eD F) (fig. 4.5) grosimea stratului
tede, C FB , corespunzatoare cazului <D 5 :::: O. În acest caz, dezvol- de epuizare atinge valoarea maxima d UTIaX ' care, conform expresiei
tând in serie termenii exponenţiali din relaţia (4.34), se obţine ca (4.10), este:
capacitatea regiunii de golire are valoarea:
I _) _ r:~ ,
Cl) \<D 5 - O - (4.36) el s.max :::: (4.38)
LD

172 173
 nou în fig. 4.7. Cu linie întrerupta sunt indicate segmentele teoretice
Având în vedere ca <1> F = kTq In [Naî, obţinem: corespunzatoare regiunilor de acumulare, golire şi inversie puterniCă.
ni) Curbele experimentale arata ca în condiţii normale curba de joasa
frecvenţa poate fi pusa în evidenţa numai în jurul a 10 flz. Daca însă

d s . max = (4.39) 1.0.--_

10
'""'""_.4C. C 09
COS
o~'1 Si-Sia
Cu creşterea în continuare a tensiunii aplicate pe structura 0·1 0.6
NA"f..~?IO..C
t ." 2000Â j()~H'I .OSHI
surplusul de tensiune cade pe stratul de oxid (datorita creşterii foarte -20 -10 o 10
rapide a sarcinii din stratul de inversie), sarcina din stratul de epuizare V(II)
ramânând neschimbata. Tensiunea aplicata pe structura, la care apare v
) G G

inversia puternica, se noteaza cu Vp şi se numeşte tensiune de prag

O./j =i= 'Olf-
•
li
sau de deschidere. Folosind expresiile (4.30) (4.31), obţinem: t
V
p
= (2s
C
+ 2<1>
F'
(4.40) " .Cet NA
o '--

unde Qs = qNa d,max = [qN a e s (2<1> F )F2 .

o
La aceasta valoare a tensiunii capacitatea atinge o valoare limita: Vii (V)

C mm. =
I eox (4.41) Fig. 4.7. Caracteristica de frecvenţa înalta a structurii MOS.
~-- o_o

e
d ax +ox d s.max
es
care se observa la frecvenţe înalte (fig. 4.6). La frecvenţa înalta sar-
cina din stratul de inversie nu poate urmari semnalul variabil, astfel
stratul de inversie practic nu contribuie la capacitatea totala a
sistemului, a carei valoare este data de expresia (4.41). Purtatorii
minoritari pot apare şi dispare din stratul de inversie printr-unul din
urmatoarele mecanisme sau combinaţii: a) generarea - recombinarea
purtatorilor de sarcina în interiorul stratului de epuizare din imediata
vecinatate a stratului de inversie; b) generarea - recombinarea prin
intennediul starilor de suprafaţa localizate la interfaţa izolator-
semiconductor; c) difuzia purtatorilor minoritari din volum prin
stratul de epuizare în stratul de inversie. Caracteristica de frecvenţa
înalta este ilustrata de curba (b) din fig. 4.6 şi este reprezentata din
174
se stimuleaza procesele de generare-recombinare, de exemplu prin
ilu~inarea structurii, comportarea de tip frecvenţa joasa poate fi
obţmuta la frecvenţe mai ridicate.
În discuţia de pâna acum am presupus tacit ca la masurarea
cu.rbei C - V viteza de variaţie a tensiunii de poarta este foarte
mIca. Daca însa vG variaza mai rapid decât viteza de raspuns a pro-
ceselo: de generare-recombinare din regiunea de sarcină spaţială,
se obţme o caracteristica de tipul curbei (c) din fig. 4.6. Datorită
faptului că stratul de inversie nu are timp sa se form~ze, adâncimea
regiunii ~e. s~rcina spaţiala depăşeşte d lmax ' iar capacitatea (4.35)
n.u se mal hmItea~ă. ~cest regim este numit regim de golire adâncă
ŞI are o deosebIta Importanţa pentru funcţionarea unei familii
particulare de dispozitive MOS, dispozitive cu transfer de sarcina.
La valori mari ale tensiunii de poarta poate sa apara strapungerea
175
 semiconductorului, caz în care curba C - V se limiteaza ( CI ), sau,
datorita creşterii ratei de generare pe masura ce regiunea de sarcina
spaţiala creşte în adâncime, curba poate sa revina la valoarea de
frecvenţa înalta ( e 2 ).

4.2. STRUCTURA A10S REALĂ

Fig. 4.8. Sarcini şi trape
asociate sistemului
Diferenţele principale inevitabile dintre o structura MOS reali- Si - Si0 2 obţinut
zata practic (reala) şi structura ideala discutata în subcapitolul prin oxidarea ter- Si
precedent constau în: mică a siliciului. ......L
( 1) existenţa unui complex de sarcini electrice şi trape asociate
sistemului Si - Si0 2 şi (1) Sarcinile capturate la interfaţa, localizate la interfaţa
(2) valoarea diferita de zero a diferenţei de lucru de ieşire Si - Si0 2 , care introduc stări energetice în banda interzisă a sili-
dintre metal şi semiconductor. ciului. Sarcina specifica asociată este notata Qil; densitatea de sar-
În aceste condiţii, benzile energetice pentru VG = O nu mai
sunt plane. Cu alte cuvinte, pentru a obţine benzi netede (plane) cina D il = l_dd~t (sarcinz/cm 2 ·eV). Sarcina Qil este datorată,
este necesar ca pe poarta structurii MOS sa se aplice o anumita
tensiune VEP ' numita tensiune de benzi netede, care sa compenseze probabil, siliciului în exces, oxigenului în exces şi impuri taţilor.
Caracteristic este faptul ca aceste sarcini pot schimba sarcini cu
efectele sarcinilor şi ale diferenţei de lucru de ieşire. Drept rezultat,
semiconductorul intr-un timp scurt (sunt rapide").
tensiunea efectiva de pomia în sensul structurii ideale discutate
anterior este VG - VEP ' Altfel spus, întreaga teorie expusa pentru (2) Sarcinile fixe din oxid, Qf' aflate tot la (sau lângă)
cazul structurii MOS ideale este valabila şi pentru structura reala, interfaţa, care sunt imobile în câmp electric.

daca VG se înlocuieşte cu Ve -+ Vsp '
Asupra sistemului Si - Si02 au fost efectuate cele mai ama-
nunţite studii. Totuşi, structura exacta a interfeţei Si - Si0 2 pâna ce
nu este complet înţeleasa, astfel multe din procesele tehnologice
care determina proprietaţile interfeţei sunt controlate înca pe baze
empirice. Modelul de interfaţa, Cel mai larg acceptat astazi,
presupune ca, în urma oxidarii termice, intre stratul monocristalin
de siliciu şi stratul stoechiomctric de Si0 2 amorf exista un strat
monoatomic de si] iciu incomplet oxidat care conţine în diverse
proporţiI Si0 2 , Si 2 0 2 şi Si 2 0, precum şi un strat de circa
10 - 40 A de SiO o tensionat în care tind sa se acumuleze defecteie
şi impuritaţiJe.:. In prezent pentru sistemul Si - Si0 2 sunt acceptate
patru categorii de trape şi sarcini ilustrate în fig. 4.8.
(3) Sarcinile capturate în oxid, QOI' uzual localizate fie
lânga interfaţa
Si - Si0 2 , fie lânga interfaţa oxid-metal, cu excep-
ţia celor introduse prin implantare de ioni, caz in care Qot este
distribuita in oxid. Sarcinile capturate in oxid sunt create în ge-
neral prin injecţia de purtatori fierbinţi din siliciu sau prin ex-
punerea la radiaţii ionizante.
(4) Sarcinile ionice mobile, Qm' datorate prezenţei atomilor
ionizaţi de metale alcaline, cum sunt sodiul şi potasiu!. Aceste
sarcini sunt localizate fie la interfaţa metal- Si0 2 prin care au pat-
runs in oxid, fie la interfaţa Si - Si0 2 , unde au ajuns prin mişcare
în câmp electric. O astfel de deplasare poate avea loc, deoarece
ionii respectivi au o mobilitate buna în Si02 la temperaturi relativ
coborâte.

176 177
 Pe baza criteriului dependenţei de tensiunea de poarta, ultimele aso~iate trapelor. Comportarea în frecvenţa a trapelor este
.
deter .
mI-
trei categorii de sarcini pot fi grupate împreuna (toate sunt inde- nata de constanta de timp r _ C '
it'
_ .
Rit· CapacItaţtle oXIdului şi ale
pendente cantitativ de tensiunea aplicata) într-o unica clasa numita
, '_. It -

~atu~Ul de sarCIna spaţIala din semiconductor sunt notate respectiv

simplu sarcina din oxid, Qax' deosebita de sarcina capturata la ax ŞI Cd •

interfaţa care depinde de tensiunea aplicata. În continuare

vom
discuta în detaliu aceste categorii de sarcini .

4.2.1. SARC INI CAPTU RATE LA INTER FAŢĂ

Aceste sarcini au fost numite alternativ "stari de interfaţa",

"stari de suprafaţa" sau "stari rapide". Întreruperea reţelei cris-
taline la suprafaţa semiconductorului conduce la apariţia starilor
Tamm-Shockley, care sunt de ordinul densitaţii de suprafaţa a ato-
milor (~10 cm- ). Stratul de oxid format prin oxidarea termica
15 2

satisface majoritatea legaturilor chimice, astfel încât densitatea

trapelor la o interfaţa Si - Si0 2 "curat a" este cu câteva ordine de
marime mai mica. În fine, sarcina 0,/ poate fi neutralizata în mare (a) (b)
parte printr-un tratament la temperatura joasa ( ~ 450 DC) în hidro-
gen sau hidrogen şi azot. Astfel, se poate ajunge ca valoarea den- ent al unei structuri MOS ' .
Fig. 4.9. Circuitul echival -' . cu un smgur nIvel
d tI' 1
10
cm-1 . e rape a Interfaţa: (a) CIrcuitul echival ent cuprinz ând
sitaţii de sarcina la suprafaţa Nit sa coboa re pâna la 10 ,
elemente le C1/ şi Ril ,'(b) CIrCUItu
, .
combin area
l rezultat dm
Centrele de captare (trapele) de la interfaţa îşi schimba starea paralela a elemen telor C şi R tI·

electrica, depinzând de faptul daca sunt ele ocupate sau libere.

Il

Trapele care sunt negative atunci când sunt ocupate şi neutre în rest ~omportarea
t ~a comparam unei structuri MOS ideale (fara
se numesc acceptoare, iar cele care sunt pozitive atunci când sunt
libere şi neutre în rest se numesc donoare. Trapele de la interfaţa c~a:~ s~u:;~i;c~~:~:itructur~ MOS ~u ~trape la suprafaţa, atunci
. . unea e poarta . In cazul în care exista o
sunt descrise de funcţii de distribuţie Fermi-Dirac similare cu cele 1 ţ' '1 (4 3
cantItate de sarCIna capturata la interfaţa Q.II (<D)
s , re a 11 e . O),
ale nivelurilor de impuritaţi din volumul semiconductorului. 4
( .31) .
se modIfica sub forma:
Când structura MOS este polarizata, nivelurile trapelor se
deplaseaza faţa de nivelul Fermi "în sus" sau "în jos", odata cu
(4.42)
benzile de valenţa şi de conducţie. Daca un nivel de trape trece de
partea opusa a nivelului Fermi, sarcina capturata Q't variaza, ceea Pent~ o modificare infinitezimala lenta a polarizarii porţii
ce are ca efect modificarea capacitaţii structurii şi, deci, a carac- dVG , relaţIa (4.4~) determina o vaIiaţie a potenţialului de suprafaţa:
teristicii C - V . Circuitul echivalent al structurii MOS cu un nivel d (<D S ), care venfic a ecuaţia:
de trape este reprezentat in fig. 4.9. Elementele CIt şi R I l ' care
depind de potenţialul de suprafaţa, sunt capacitatea şi rezistenţa (4.43)
178 179
 dQil 4.2.2. SARCINI J<.'LECTRICE ÎN OXID
unde Iar Cit (<P s ) =:: - Irh .
( 'V
s
Sarcina din oxid Qox este compusă din sarcina fixa Qf' sarcina
Ecuaţia (4.43) arata ca o variaţie dVG a tensiunii de poar~a
produce o variaţie mai mica a P?te~ţiall~lu~ de supra~aţa, r~spe~tlv capturat.! în oxid Qot şi sarcina ionică mobila Qm (vezi fig. 4.9).
o curbare mai slaba a benzilor m sItuaţia m care eXista trape taţa Deşi distribuţia sarcinilor în oxid variaZă în câmp electric, mărimea
de cazul ideal (C =:: O). În consecinţa, pentru a transfera capa- lui Qox nu depinde dc tensiunea aplicata.
citorul MOS din r~gimul de acumulare în inversie este nevoie de Sarcina Qf cste fiXă, pozitivă şi situata într-o zona de pâna la
o mai larga variaţie a tensiunii de poarta în prezenţa t~'apelor de la 30 A de interfaţa. Densitatea ei este relativ independentă de gro-
interfaţa decât în lipsa lor. Rezultat.ul est~ o a.'uJ1!?u:e a_ carac-
simea oxidului, de tipul şi concentraţia impuritaţilor din substrat.
teristicii C - V a structurii pe direcţia axei tenslUnll. In fIg. 4.10
Sarcina fixa din oxid este datorata siliciului în exces sau oxigenului
sunt reprezentate comparativ doua curbe C - V de frec~enţa. înalta,
în exces din apropierea interfeţei Si - Si0 2 • Sarcina fixa Qf
corespunzatoare unei structuri MOS ideale (D it =:: O) ŞI unei struc-
depinde de condiţiile de oxidare, de orientarea substratului.
tmi cu Dti =:: 10 12 an- 2 eVi, Efectul principal al sarcinii din oxid consta în translarea carac-
1.0 ---------.--..- . - - - - - - - - - - ] care pun în evidenţa efec-
15 .j
teristicii C - V a structurii MOS. În fig 4.11 sunt reprezentate
0.9 N
D
,10 Cni tul de alungire a caracte- caracteristici C - V de frecvenţa înalta translate pe axa tensiunii în
risticii. În cazul curbelor dependenţa de polaritatea sarcinii Qf' Indiferent de tipul substra-
0.8 x =1000"
". de frecvenţa înalta trapele
de la interfaţa nu pot ur- tului, sarcina pozitiva Qr > O transleaza caracteristica C - V spre
0.7
mari semnalul de masura. tensiuni negative, iar Qf < O - spre tensiuni pozitive.
0.6 Ca urmare, singurul efcct
sesizabil este alungirea c
0.5 curbei C - V . Daca frec-
c Cox

venta este însa joasa, 0 (~)

,
/
:>

sar~ina capturata contri- \

..

\ I
0.3 buie şi la creşterea capa- ~ I
\ Qoi O Ooi o (.le." .-o
citaţii structurii, cu mari- ,-- /
I
...
0.2 rea Cit care apare în para- -
- - - - _.... --'

0.1 lel cu Cd (vezi fig. 4.9). -~---_.

o
În concluzie, capacitatea
o_l----~-~-t-T'--;-'" (, de joasa frecvenţa este (o )
(b)
marita prin prezenţa tra-
pclor de la interfaţa, cfec~ Fig. 4.11. Efcctul sarcinii pozitive din oxid asupra caractcristicii C _ V
Fig. 4.10. Curba C - V teoretica. defonnata de frecvenţa: (a) substrat de tip p; (b) substrat de tip n.
suplimentar fenomenulUI
datorita trapelor de la Interfaţa.
comparata cu caracteristica ideala de alungire discutat mai
Pentru neutralitatea completa a structurii trebuie ca fiecare sar-
a aceleiaşi structuri MOS. sus.
cina negativa pe poarta sa fie compensata de o sarcina egala ca
180
181
marime şi de semn opus din izolator sau din semiconductor. Într-o legii lui Gauss, deplasarea tensiunii de benzi plane, determinata de
structura MOS ideala Qj = O, şi compensarea are loc numai cu aju- sarcina ionilor mobili Qm' este:
torul donoarelor ionizate din stratul de epuizare din semiconductor.
Într-o structura MOS reala cu o sarcina pozitiva Qf o parte din Vm
Q
=Cm
= 1 [ 1
ax C ax d ax
f xP
d

O
ox

m
j
(x )dx , (4.45)
sarcini de pe metal vor fi compensate de sarcina oxidului Qf ce
unde pJx) este densitatea de volum a sarcinii ionice.
aduce la micşorarea adâncimii stratului de epuizare din semicon-
ductor faţa de structura MOS ideala la aceeaşi tensiune la poarta. Sarcina capturata în oxid Qat la fel aduce la translatarea carac-
Micşorarea largimii stratului de epuizare aduce la marirea capa- teristicii C - V a structurii MOS. Trapele din oxid pot fi localizate
citaţii structurii MOS, şi toata caracteristica C - V va fi translatata atât la interfaţa, cât şi în volumul oxidului. Ele sunt asociate în general
spre tensiuni mai negative (fig. 4.11). Daca Qj < O, curba C - V defectelor din oxid, cum sunt impuritaţile şi legăturile întrerupte.
Elementele care pot capta sarcini în oxid sunt aluminiul, arseniul şi
este translatata spre tensiuni de poarta pozitive. Valoarea absoluta a
acestei translatari: fosforu!. Pentru a fi captaţi în trape, purtatorii de sarcina trebuie injec-
taţi în oxid. Mecanismele fizice cele mai răspândite pentru introdu-
Qf cerea purtatorilor liberi în oxid sunt injecţia prin avalanşă şi injecţia
(4.44)
C ax de purtdtorifierbinţi (fig. 4.12). Deplasarea tensiunii de benzi netede,
detenninata de sarcina Qat captata în oxid, este:
Sarcina ionica mobilă Qll are o importanţa deosebita în ceea ce
priveşte stabilitatea şi fiabilitatea structurii MOS. Elementul, al
(4.46)
carui ion mobil este cel mai important pentru Si0 2 , este sodiu!.
Pe locul doi se gaseşte potasiu!. Distribuţia şi comportarea sodiului
unde Pot este densitatea de volum a sarcinii captate în oxid.
în stratul de Si0 2 a constituit subiectul multor determinari expe-
rimentale. S-a detemlinat ca după aplicarea unei solicitari (stress)
câmp-temperatura, constând din încălzirea structurii la 200 ac timp
de IOmin. concomitent cu aplicarea unei polarizări corespunzătoare
unui câmp electric de 5.10 5 V/cm, se observa creşterea concentraţiei Eleclron -::. _____ Ee

de sodiu la interfaţa Si - Si0 2 ca urmare a driftului ionilor. Prin

experienţe de fotoemisie s-a putut constata că sodiul se gaseşte într-
o zonă de circa 10- 100 A de interfaţa. În cazul aplicării unui câmp
electric de sens opus în cadrul unui stress câmp-temperatură, ionii
f
de sodiu se adună la interfaţa metal- Si0 2 ' de asemenea într-o zona F

de câteva zeci de angstromi (A) de interfaţă. Mobilitatea ionilor de

Na în volumul oxidului este estimata la circa 4.10- 12 cm 2/(V.s) la 1,,, (bl
temperatura camerei. Sa menţionăm că concentraţia ionilor de Na
Fig. 4.12. Diagrama de benzi energetice ilustrând: (a) procesul de injecţie
la interfaţa Si - Si0 2 este destul de înaltă (3·] 0 17 cm- 3 ), ceea ce prin avalanşă a electronilor şi (b) crearea lmei perechi elec-
aduce la o deplasare mare a tensiunii de benzi netede. Confoml tron-gol În Si0 2 sub acţiunea unei radiaţii ionizante.

182 183
 Deplasarea totală a tensiunii de benzi netede, L\ VsP ' însoţită de Pentru a detennina efectul diferenţei de lucru de ieşire asupra
caracteristicilor structurii MOS cel mai simplu este să se considere
toate sarcinile din oxid, este:
condiţiile în care o tensiune de valoare suficientă se aplică pe poartă
L\Vsp = L\V1 + L\Vm + L\VOI = Qo , (4.47) pentru a contrabalansa diferenţa de lucru de ieşire, menţinând în
C ax semiconductor situaţia de benzi netede, după cum se indică în
unde Qo = Qf + Qm + QOI este suma tuturor sarcinilor efective pe figura 4.13b.
Tensiunea de poartă necesară pentru a produce situaţia de benzi
unitate de suprafaţă a interfeţei Si - SiOl .
netede se numeşte tensiune de benzi netede şi se noteaza cu VBP'
Evident, tensiunea de benzi netede este egală cu diferenţa dintre
4.2.3. DIFERENŢA DE LUCRU DE IEŞIRE valorile lucrului de ieşire:

În structura MOS reală energia electronului la nivelul Fenni în Vsp = <Il M - <D S == <D MS • (4.48)
metal şi în semiconductor este diferită. O astfel de diferenţă energe- Daca <D MS este diferit de zero şi dacă în oxid există sarcini,
tiCă se exprimă uzual ca o diferenţă în lucrul de ieşire. Când me-
caracteristica C - V a structurii reale va fi translatată faţă de curba
talul unei structuri MOS este scurtcircuitat la semiconductor,
ideală cu o valoare de tensiune egală cu <D MS + L\ VBP' unde L\ VBP
electronii vor trece din metal în semiconductor sau invers, până
când între metal şi semiconductor se creează o diferenţă de poten- este data de relaţia (4.47). Această valoare reprezintă tensiunea ce
ţial care contrabalansează diferenţa de lucru de ieşire. Când se atin- trebuie aplicată pe poarta structurii pentru a obţine condiţia de
ae echilibrul nivelul Fenni în metal coincide cu nivelul Fenni din benzi netede. Tensiunea de benzi netede pentru structura MOS
~emiconduct~r. Ca urmare, va exista o variaţie a potenţialului elec- reală (<D MS Ţ. O şi în oxid există sarcini) este deci:
trostatic de la o regiune la alta, după cum se indică în figura 4.13a
Qx
pentru cazul structurii aluminiu - bioxid de siliciu - siliciu de tip p . VBP = <D MS -Co . (4.49)
ox

Teoria structurii MOS ideale este valabilă şi pentru structura

T
T T
reală, dacă VG este înlocuită cu VG - VsP '

F 1--4---E~.

I--.........- E ,
F --F
"./. j' 1/
1.' l
.. E v

a) b)

Fig. 4.13. Efectul diferenţei de lucru de ieşire metal - semiconductor

asupra distribuţiei de potenţial dintr-o structura MOS:
a) situaţia pentlU Ve = O; b) situaţia de benzi netede.

184 185

Capitolul V
HETEROJONCTIUNI SE.MICONDUCTOARE
• material la altul se efectueaza. în limitele câtorva distanţe dintre
o joncţiune, la care una dintre regiu.ni constă dintr-u? anum~t
material semiconductor, iar cealalta - dmtr-un alt materIal semI-
conductor, poarta denumirea de heterojoncliune. Spre deos~bire de
homojoncţiuni, unde cele doua regi~ni difeŢa ~~ar. dU~ă tlpul sa~
nivelul de dopare, la heterojoncţium s~nt dIferIţI ~I a~ţI parametr~.
lărgimea benzii interzise, masele efectIve ale purtatonlor de sarCI-
na constantele dielectrice etc.
, În anul 1954 Shockley a propus ca heterojoncţiunile s~ fie
folosite în calitate de emitor de mare injecţie într-un. tranZlsto:
bipolar. În acelaşi an au ~par~t ~rimele lucrari teoretIce ale. IUl
Gubanov consacrate heterojOncţlUllllor. In 1957 Kroemer a analIzat
o heterojoncţiune în calitate de emitor cu bandă interzisa l~rga.
Odata cu apariţia modelului lui ~nderson, un mar~ Impuls au
capatat cercetarile în acest domeniu. Impreuna cu realIzar~a prac-
tica a unor heterojoncţiuni de Ge-GaAs el a prezent~t ŞI .c~teva
dintre principalele probleme teoretice le~at~ de a~este dISpozItI.ve.
Ulterior au fost continuate cercetanle mtensIve ale heteroj~nc­
ţiunilor, care au Căpătat o larga întrebuinţar.e î~ calitate de lase~I cu
injecţie ce lucrează la temperatura ca!lierel, _dIOde electrolummes-
cente fotodetectori şi celule solare. In afara de aceasta, pe .baza
struc;urii periodice multipeliculare din heterojoncţiuni cu lărgImea
straturilor ~ 100 A au fost create aşa-numitele superreţele.
5.1. DIAGRAMA DE BENZI ŞI CARACTERISTICA
CURENT-TENSIUNE
Clasificarea heterojoncţiunilor o vom face ţinând cont de. tipul .de
dopare (n sau p) şi de largimea benzii interzise (banda mterzIsa
larga sau îngustă) pentru cele doua regiuni.
186
Daca semiconductorii au acelaşi tip de dopare, atunci ei for-
meaza o heterojoncţiune izotipicd, iar daca el este diferit - o
heterojoncţiune anizotipicâ. În dependenţa de largimea benzii
interzise, avem unnatoarele tipuri de heterojoncţiuni: n - N,
N - p, p - P, P - n, unde N şi P se refera la banda interzisa
larga, iar n şi p la banda interzisa îngusta. Daca trecerea de la un
atomi (~l fim ), atunci aşa heterojoncţiuni sunt clasificate ca
abrupte. In cazul în care regiunea de trecere este de ordinul câtorva
lungimi de difuzie, heterojoncţiunile sunt numite gradate.
Spre deosebire de modelul Shockley pentru homojoncţiuni, nici unul
din modelele heterojoncţiunilor, propuse de diferiţi autori, nu poate
lămuri toate procesele fizice în ele. Aceasta este cauzat de faptul că în
heterojoncţiuni proprietăţile interfeţei se schimbă brusc la trecerea de la
un material la altul şi Într-o mare măsură depind de metoda de preparare.
În majoritatea cazurilor hetcrojoncţiunile semiconductoare se
realizează cu ajutorul creşterii epitaxiale, care constă În creşterea unui
cristal pe reţeaua altui cristal, folosind mai multe metode:
- din faza de vapori;
- din faza lichida;
- prin deplasarea zonei de solvent;
- prin alierea la interfaţa.
Premisele iniţiale pentru alegerea materialelor la crearea hetero-
joncţiunilor ideale sunt identitatea structurii de reţea, egalitatea con-
stantelor reţelelor cristaline a o şi a coeficienţilor de dilatare tennica.
Diferenţa dintre constantele reţelelor cristaline f...a o aduce la apariţia
dislocaţiilor de margine, care dau legaturi nesatisfacute şi constituie
centre de captare sau de recombinare pentru purtatorii de sarcina.
Este recunoscut ca pentru a prepara heterojoncţiuni cu proprietăţi
necesare, diferenţa dintre constantele reţelelorf..._ao
nu trebuie sa în-
ao
treacă 0,005 sau 0,5%. Densitatea capcanelor sau a stărilor la interfa-
ţă este detenninata de expresia 8~o. De exemplu, dacă &lo =0,01%,
ao ao
densitatea starilor este de 2,3 x 1011 cm- , iar pentru 2% - 2,5 x 1013 cm-2•
2
187
 $.1.1 MODELUL ANDERSON
Diagrama de benzi a heterojoncţiunii abrupte idealc, t~ra cap-
cane la interfaţa, a fost propusa dc Anderson, care a foloSIt rezul-
tatele lucrarilor lui Shocklcy pentru homojoncţiuni.
În fig. 5.la este reprezentata schema energeti~a a doua semi-
conductoarc izolate. Se considera ca aceste semIconductoare au
unnatorii parametri difcriţi:
- largi mea benzii interzise ( Eg)'
- constanta dielectrica (b' ),
- afinitatea (X ),
~ lucrul de iesire ( eD ).
Diferenţa dintre energiile marginilor benzii de conducţie este
notata cu M c ' iar cea a margi-
nilor benzii de valenţa - cu M,.
şi poarta denumirea de disconti-
nuitate a benzilor.
La echilibru tennic nivelul
Fermi se egaleaza; diagrama
energetica pentru aceasta situaţie
este reprezentata în fig. 5.1 b.
Înauntrul fiecarui semicon-
ductor diferenţa de potenţial între
doua puncte oarecare poate fi
reprezentata prin deplasarea ver-
ticala a marginilor benzilor între
aceste doua puncte. Atunci di-
ferenţa dintre lucrurile de ieşire a
celor doua mateliale este chiar
diferenţa de tensiune Vo ' denu-
mita şi potenţial de difilzie. VD
este suma diferenţelor de potenţial
b)
parţiale (VDI + VIJ2)' unde V[)l şi
Fig. 5.1. a) Schema energetica a
doua semiconductoare izo- VD2 sunt potenţialele electro-
late; b) ~iagr~lma. de bCI;zi statice suportate la echilibru de
a heteroJoncţlunll p - N . semiconductorul 1, respectiv 2.
Deoarece potenţialul este continuu în absenţa unu~ s~rat de dipoli
ŞI deoarece nivelul de vid este paralel cu margmIle benZIlor,
188
diferenţa de potenţial dintre doua puncte oarecare este reprezentata
de deplasarea nivelului de vid între aceste doua puncte. Din cauza
diferenţei dintre constantele dielectrice ale celor doua materiale,
câmpul electrostatic este discontinuu la interfaţa. Deoarece nivelul
de vid este întotdeauna paralel cu marginile benzilor şi este continuu,
discontinuitaţile marginilor benzii de conducţie (M c ) şi ale benzii
de valenţa (f'..E v ) sunt invariante cu doparea, daca afinitaţile (X) şi
largimile benzilor interzise (E g ) nu depind de nivelul de dopare.
Din fig. 5.1 se observă ca discontinuitaţile marginilor benzilor
f'..E c şi M v pot fi uşor determinate, daca sunt cunoscute afinităţile
XI' X 2 şi E gl' E g2 . Într-adevar, pentru punctul x =O
(5.1 )
însa
(5.2)
şi din (5.1) obţinem:
f'..E v = E g2 - Eg ] - (Xl - X2) = f'..E g - M c (5.3)
Principala deosebire între heterojoncţiunea p - N cercetata şi
joncţiunea p - 11 consta în aceea ca înalţimile barierelor de poten-
ţial ce trebuie să escaladcze electronii şi golurile, la trecerea prin
interfaţa, sunt diferite. Din fig. 5.1 b se observă ca pentru a trece din
regiunea 11 în p electronul trebuie sa escaladeze o bariera de
potenţial cu înalţimeaeD hn = q VD2 • Trecerea golurilor din regiunea
p în 11 este legata de escaladarea unei bariere cu înalţimea
eD hp = q VD : + f'..E v + q VD2 • De aici rezulta posibilitatea de a realiza
cazul când <!> hp >> eD bn' La polarizarea directa a unei astfel de
heterojoncţiuni componenta de injecţie a curentului va fi deter-
minata în temei de electronii semiconductorului cu bandă interzisă
largă. Diagramele de benzi ale heterojoncţiunilor anizotipice posi-
bile pot fi desparţite in trei tipuri (fig. 5.2), în dependenţa de
afinităţi (XI' X2)' largimea benzilor interzise (E gI , E g2 ) şi lucrurile
de ieşire (eD l' eD 2) a ambelor semiconductoare. Majoritatea hete-
rojoncţiunilor cercetate au diagrama de benzi de tipul 1.
189
 1 Ca rezultat se obţine:
J

{lt;'YL;~;,(~D;::;')]'
- - Ee:, ECl --r~---l,---
d, (5A)
-JieRs- -.

r
Ga;1s
]
Evl --'"----
dp ~ q~~"(L~~;,(:;;~~l,1
[ (55)
1/

u
d ~ d, +d ~ [2;~~~::(~;%:~)~~~~J)r
p (5.6)
Pentru capacitatea diferenţiala de baraj pe unitatea de suprafaţa:
Il
Ec1-----l q&]&2NDlNA2 ] 2
CdS tvl--'----- c= [ i(;IN DI ;&2N~~T(VD---V-) (5.7)
SI
unde N DI şi N A2 sunt concentraţiile de impurităţi donoare în semi-
,~~......,..~"""""
EVi .....
,-,~.,

conductorul 1, respectiv acceptoare în semiconductorul 2, iar V

][ este tensiunea aplicată din exterior.
Distribuţia potenţialului între cele doua regiuni este data de
.-----Ec"
GaSb
_. _ _ _ __ _ _
<.
Îl
r
Ee 1
expreSIa:
I/JJL=T'J _ &2 N A2 (5.8)
V2
E Ec! ::T:+ -'."P' VD2 - V2 &JN DI

f,,~
unde V = ~ + V2 •
In.Rs Metoda de construire a
EVI 0: ;<\ diagramei de benzi a hetero-
joncţiunilor izotipice ideale
Fig. 5.2. Diagramele de benzi ale heterojoncţiunilor anizotipice posibile. este aceeaşi ca şi pentru cele
anizotipice examinate mai sus.
Având în vedere că principiul de construire a diagramelor de
Ca exemplu, în fig. 5.3 este
benzi pentru heterojoncţiunile p - N şi n - P este identic, atunci
prezentată diagrama de ben-
pentru heterojoncţiunile n - P la fel pot fi examinate trei modele.
zi pentru o heterojoncţiune
Lărgimea stratului de sarcina spaţiala în fiecare semiconductor
n - N, în cazul Xl > X2'
(d n şi d p) şi capacitatea de barieră a heterojoncţiunii abmpte pot fi
Se considera ca prop-
detem1inate rezolvând ecuaţia Poisson pentm cele două regiuni. Una rietaţilede redresare a hete-
din condiţiile la limită este continuitatea indueţiei electrice la interfaţa rojoncţiunii sunt determinate
Fig. 5.3. Diagrama de benzi a heterojonc-
ţiunii Il - N .
&/:J = &2&2' unde &1 şi &2 sunt intensităţile câmpului electric. numai de procese ce opun
- 190 191
rezistenţa principala mişcarii tluxurilor de purtatori de sarcina dintr-un
semiconductor în altul. Anderson a presupus ca aşa procese sunt doua: ])
procesul de limitare a curentului legat de escaladarea barierei de potenţial
a heterojoncţiunii de catre purtatorii de sarcina şi 2) procesul de limitare a
curentului legat de difuzia şi recombinarea purtatorilor de sarcina în afara
regiunii de sarcina spaţiala.
Din cauza discontinuitaţilor marginilor benzii de conducţie şi a
benzii de valenţa, dupa cum a fost aratat mai sus, barierele pentru
electroni şi goluri nu sunt identice şi curentul ce trece prin hetero-
joncţiune va fi determinat ori de electroni, ori de goluri. Pentru
heterojoncţiunea p - N cercetata (fig. 5.1 b) curentul va fi deter-
minat de electroni, fiindca bariera pentru ei este mai mica decât
pentru goluri. Dependenţa curentului de tensiunea aplicata în acest
caz este determinata de expresia:
caracterizeaza modificarea barierei de potenţial de catre tensiunea
exterioara). Modelul cercetat se foloseşte pe larg la construirea
diagramelor de benzi pentru heterojoncţiunile anizotipice, însa
expresia (5.9) descrie inexact dependenţa curentului de tensiunea
aplicata şi de temperatura în structurile reale. În plus, curenţii masuraţi
experimental sunt cu mult mai mici decât cei presupuşi de aceasta
expresie. Anderson explica cauza prin existenţa unei mari probabilitaţi
de reflexie a purtatorilor de sarcina la interfaţa.
5.1.2. MODl:!-'LUL DE EMISIE
Acest model a fost propus de Perlman şi Feucht. El uneşte mode-
lul cinetic clasic de calcul al curenţilor de emisie şi modelul de difuzie
pentru determinarea concentraţiei purtatorilor de sarcina minoritari la
marginile stratului de sarcina spaţiala. De exemplu, în cazul hetero-

1 q J r (q
VD2- . exp -V-
= A 'exp ( --~.
kT
2 )

L
VI
-exp --.-.)
kT
,
~
(q
kT
Îl
J
(5.9)
joncţiunii p - N abmpte (fig. 5.5), când transportul sarcinilor este
efectuat în principal de electroni, modelul de emisie presupune doua
mecanisme diferite ce determina caracteristica curent-tensiune: homo-
unde: ~ şi V2 - caderile de tensiune pe semiconductoarele n şi p joncţional, unde trecerea curentului este limitata de acumularea purta-
1 torilor minoritari la marginile stratului de sarcina spaţiala, şi meca-
(vezi fig. 5.4); A = q. S· X . N D2 [TJnl J 2; X - coeficientul de nismul ce are loc în contactul metal-semiconductor, unde curentul este
T n1 limitat de bariera de potenţial în partea N a heterojoncţiunii. Al
transmisie a electroni lor prin interfaţa; S - suprafaţa joncţiunii; doilea mecanism predomina când la interfaţa se afla o bariera inversa
D nl şi Tnl - respectiv coeficientul de difuzie şi timpul de viaţa al
înalta Il (fig. 5.5), iar primul este principal atunci, când VR = 0, adica
electronilor în semiconductorul de tip p . marginea benzii de conduc ţie a semiconductomlui N la interfaţa tre-
buie sa fie situata mai jos decât marginea benzii de conducţie a
Din expresia (5.9) se semiconductomlui p în afara regiunii de trecere.
observa ca primul termen
Caracteristica tensiune-curent
din paranteza detennina
(vezi fig. 5.6), în cazul neglijarii
curentul la polarizari di-
proceselor de generare şi recombi-
recte, iar al doilea - la
nare în regiunea stratului de sarcina
polarizari inverse. Daca
spaţiala, a heterojoncţiunii p - N
~.1Ev E92 ~ =V, atunci V; =(I_IJ. Il, abmpte prezentate în fig. 5.5 este
"
--------
,-- 77 77 descrisa de ecuaţia:
şi dependenţa curentului
de tensiune este exponen- _ 1s[ex (kf J- ]]
p
1 _ ......._____, (5.10)
Fig. 5.4. Diagrama de benzi a heterojoncţi­ ţiala atât la polarizari
unii p - N la polarizare direeta. ] + 1.s Fig. 5.5. Heterojoncţiunea p - n
directe, cât şi la inverse l d abmpta.
( 7J este o marime ce
]92 193
 1 Caracteristica teoretica curent-tensiune reprezentata în fig. 5.6 arata
unde: 1.s = q . S ' X , N Dl (
IJnl ]. 2 este curentul electronic de satu- cum emisia Schottky aduce la micşorarea (în comparaţie cu
f modelul de difuzie) a curentului la tensiuni mai mari decât Ve' Însa
n1

raţie capatat de Shockley pentru joncţiunea P - n ideala; de multe ori rezultatele experimentale nu pot fi explicate prin influ-
enţa emisiei.
q (VF + V)] (5.11)
1d = 21 q . S . X m • N D2' 9 xn2' exp [- kT
5.1.3. MODELUL DE EMISIE-RECOMBINARE
2

.
1d reprezmta curentul de emisie la limita; .9_.x112 = (2kT]J
-- * este Acest model, propus de Dolega, se bazeaza pe presupunerea ca
Jrfl1 n
la interfaţa exista un strat subţire, care conţine un numar mare de
componenta x a VI'tezei medii a electronilor în materialul de tip n; defecte şi are o viteza înalta de recombinare, iar electronii şi golurile
V - înalţimea barierei directe; X m - ajung la interfaţa prin emisia termica. O viteza mare de recombinare
~ F

~ coeficientul de transmisie, în stratul de la interfaţa aduce la lipsa redresarii numai daca regiunea
lnl
~I ~111~1) Din expresia (5.10) e clar c~ de trecere nu e mai larga decât acest strat. Diagrama de benzi pentru
I rti1 ~t~lev mecanismul de trecere a curentulm o heterojoncţiune abrupta p - n la echilibru, care schematic ilus-
I I este determinat de raportul curen-
II treaza acest model, este aratata în figura 5.7. Conform acestui model,
MeCANISMUL . 1s heterojoncţiunea p - n consta din doua contacte metal-semicon-
I DE EMISIE ţllor --
I ld ductor conectate consecutiv, iar
I Aici avem doua cazuri: concentraţia purtatorilor de
MeCRWISMUl
1 DE DIFlJllE 1) 1s << 1d ' deci curentul este sarcina la interfaţa depinde de
I
I controlat de difuzia purtatorilor tensiunea exterioara. E1
I minoritari; din (5.10) pentru Pentru explicarea proprie-
9
15 I
Vc V, (v) curentul total obţinem: taţilor principale ale caracte- E92
risticii tensiune-curent la pola-
Fig. 5.6. Caracteristica 1 - V a rizari directe, expresia compu-
hetcrojoncţiunii P - N abrupte, sa obţinuta de Dolega a fost
transcrisa într-o forma mal Fig. 5.7. Modelul de emisie-recombinare
ca atare, obţinem cunoscuta lege a lui Shockley; , ,
simpla de Van Opdorp: a heterojoncţiunii p - N .
2) l » l , deci curentul este controlat de escaladarea banerei
s d

şi pentru curentul total obţinem:

t ~ l, [exp (~ ) -1]
~ ~ q. S kqŢ (V + v)l[exp(~j) I}SI3)
1 (S.l4)

r
1 Xm N m ·9", .cx p [- F

adica obţinem legea de emisie pentru dioda metal-semiconductor.

l, ~B.exP(-;;:i). (S.lS)
t
unde B este un coeficient ce depinde puţin de temperatura. Valo-
Observam ca ,m aces t caz paI1ta lui In 1 = .1' (V) nu va fi kq'·T
rile lui fi în ecuaţiile date sunt aceleaşi şi depind de raportul

194 195

1
 defect elor in semico nducto arele ce formează heterojon- unde: E h (x) - înălţimea barierei de potenţial în punctul x; aV _
densităţii
ctiunea. În scara semilogaritmică inclina rea porţiunii liniare a ca- căderea de tensiune pe semiconductorul 11; 111,: - masa efectivă a
r~cteristicii curent-tensiune la polarizări directe are valorile de la electronului în semiconductorul 11.
q- până la q (adică f3 se schimbă de la 1 până la 2). Curentul Presupunând o careva dependenţă funcţională E h = E h (x), pot
fi obţinute un şir de soluţii ale ecuaţiei (5. 16). În cazul dependenţei
kT 2kT
invers, confor m acestui model, creşte exponenţial cu tensiunea.
Trebui e menţionat că acest model în princip iu se aseamăna cu liniare (adică când câmpul electric &0 este constant), Redike r cu
modelul Sah, Noyse şi Shock ley pentru joncţiunea p - 11, cu coautorii au căpătat soluţia aproximativă:
deoseb irea că în ultimul model centre le de recom binare sunt repar-
T=expl-3~mJY, ( ~';;eXPL2(2m:Y2 ( ~;;) - qaVj<517)
1 4 .] E '1/J
)/2 ./- . 1/ E /7
·1/ l

tizate omoge n în spaţiu şi au o energi e concretă de ionizare, iar în

primul caz ele au o distribuţie contin~ă dU~ă energ.ie şi sunt con-
centrate într-o regiun e îngustă în apropIerea mterfeţel.
unde Ebmax este înălţimea maximală a barierei de potenţial faţă de
5.1.4. MODE LUL DE TUNE LARE marginea benzii interzise în lipsa tensiunii exterioare. Curentul de
tunela:'e este detenn inat de produs ul probabilităţii de tunelar
e
(ecuaţIa 5.17) la fluxul de electro ta. Pornin d de la
Mecanismul tunel pentru descrierea caracteristicilor voltamperice ni de la interfa
ale heterojoncţiunilor p - 11 abrupte a fost propus de Rediker, Stopek aceasta: în ~110.delul examinat, unde tunelarea prin' bariera joacă un
şi Ward. Ei considerau că electronii trebuie să escalad
eze bariera de rol maI pnncIpa.1 decât emisi~ peste bariera, expresia generala
potenţial în semiconductorul de tip 11 cu ban~a
interzi să largă pentru caracte nstlca curent-tensIUne la polarizări directe are fonna:
(fig. 5.8) sau sa tuneleze prin barieră ca sa treacă dm materialul 11. în . ) V
ă
p , şi invers. Fluxul de electroni la po larizări directe (emisia tenmc 1 = Is\T . exp V ' (5.18)
peste barieră sau tunelarea o
X2 x
: 1 prin barieră) este determinat unde Va este o constantă, 1s (r) - o funcţie ce creşte slab cu tem-
în principal de proprietăţile
peratura. Cu toate că Rediker şi coautorii lui n-au dat o lămurire
~
'" -
'E---- iv
- - - - - - I ... [(x) materi alului de tip 11.
exactă a dependenţei de temperatură Is(T), dependenţele experi-
-
(1- d) V: b bmuy Dacă vom considera că
menta~e ale curentului direct de tensiune şi temperatură într-un sir de
p '~
:

n
tunelarea are loc de pe mar-
ginea benzii de conducţie,
atunci pentru hetero jonc-
heteroJoncţiuni anizotipice sunt descrise suficient de expresia ('5.18)
sau pentru toate tensiunile, sau începând de la o tensiune anumită.
Newm an primul a observat Că empiric a fost stabilită o depen-

k 1 ' ... - - - - - - - - -
I
:
Fig. 5.8. Modelul de tunelare a heterojonc-
ţiunea, diagra ma de benzi a
căreia este dată în fig. 5.8,
expres ia pentru probabili-
tatea de tunela re a electro-
nului (T) la polariz ari di-
denţă proporţională între 1s (T)

pendenţă, expresia (5.] 8) devine:

şi exp (TJ
Ta
. Folosind această de-

ţiunii p - N.
recte este: T V
1 = 1so . exp (5.19)
To
(5.16)
unde 150 , Ta, Va sunt constante.

197
196
 şi

(t'f
Expresia (5.19) clarifica ca tensiunea temperatura, ca variabile, ]

_·te (d·
sunt desparţI a ICa o In]
oV
. d c de temperatura) ŞI. ca d epen-
nu depm a ~ 3: (5.21)
denţa curentului de temperatura este exponenţiala (In] ~ T). Având În vedere ca valorile lui a, experimentale şi teoretice, difera
mult, Riben şi Feucht au presupus posibilitatea proceselor de tunelare-
recombinare multitrepte (fig. 5.9). În practica Însa e destul de dificil de a
5.1.5. MODELUL DE TUNELARE-RECOMBINARE face calcule cantitative, fara a cunoaşte distribuţia concreta a sarcinilor şi
a capcanelor.
Asemanarea dintre expresia curentului de tunelare în hetero- Pentru a detennina dependenţa curentului invers de tensiune şi
joncţiuni (fonnula 5.19) şi expresia pentru curent în dioda tunel de temperatura, Riben şi Feucht au propus modelul de tunel are
(Esaki) i-a adus pe Riben şi Feucht la modelul bazat pe evidenţa Zener (fig. 5.10). Folosind acest model şi presupunând ca bariera
tunelarii între benzi combinate cu procesele de recombinare. Diferite este liniara, iar tunelarea are loc îndeosebi în materialul de tip 11 ,
procese incluse în acest model schematic sunt reprezentate în fig. 5.9. pentru curentul invers se poate scrie:

l- vtli J '
r
În acest model are loc sau tunelarea electroni lor din banda de 1 = c· exp A (VD - (5.22)
conducţie a materialului de tip 11 cu banda interzisa larga pe centrele Li Y
: libere din banda interzisa a
materialului de tip p, şi cu banda unde A~ 3: (~::J '.(E;, (5.23)
îngusta urmata de recombinarea cu
golurile, sau tunelarea golurilor din
n<, 62, N D2 şi E g2 - parametrii materialului de tip 11 .

materialul de tip p pc centrele Aici, ca şi în cazul polarizarilor directe, pentru a obţine o

corespundere între teorie şi experiment, trebuie presupusa posibi-
ocupate din materialul de tip 11
litatea proceselor multi scara.
um1ata de recombinarea cu Analiza expresiilor matematice
electronii. Daca tunelarea are loc de ce descriu dependenţa intensitaţii cu-
1
I

~~.
Fig. 5.9. Modelul de tunelare -
la marginile benzilor energetice, rentului de tensiune la diferite mo-
recombinare în hetero- atunci curentul la polarizari directe dele arata ca caracteristic pentru mo-
joncţiunea p - N . este determinat dc expresia: delcle de difuzie, de emisie şi de
recombinare este dependenţa expo-
J = B ·exp [-a (VD - V)], (5.20) nenţiala dintre curent şi tensiune:

unde: B este o funcţie ce depinde relativ slab de tensiune şi tempe-

ratura; VD - diferenţa de potenţial de contact (potenţialul de difuzie);
!
Conform
~!, lex p (~~)
acestei
-Il
expreSII,
(524)

la
Fig. 5.10. Modelul de tunelare
V - tensiunea exterioara; a - un coeficient ce depinde de masa În joncţiunea p - N
polarizari directe la polarizare inversă.
efectiva a electronului, constanta dielectrica, concentraţia purta-
torilor de sarcina de echilibru şi de forma barierei de potenţial.
Cercetând o bariera liniara (câmpul nu depinde de coordonata în
In] ~ ~ la T = COI1St
regiunea de trecere) şi considerând ca tunelarca are loc, în prin-
cipal, în materialul de tip 11 , pentru coeficientul a sc obţine: { In J ~ la V = const
T
198 199
 Valoarea coeficientului A şi a curentului de saturaţie 1s de-
pinde de mecanismul de trecere a curentului prin heterojoncţiune.
În cazul mecanismului de tunelare Riben-Feucht dependenţa
curentului de tensiune la polarizare directa Ia fel este o funcţie
exponenţiala:
1 = 10 [exp (BV)-l], (5.25)
unde B este independent de temperatura.
Specific pentru expresia 5.25 este ca t~nnenul ce conţine ten-
siunea aplicata nu depinde de temperatura. In acest caz dependenţa
In 1 = I(V) la T = const va fi o funcţie liniara.
Deci, construind dependenţa curentului de tensiune la diferite
temperaturi şi comparându-le cu expresiile 5.24 şi 5.25, se pot face
presupuneri despre mecanismul de trecere a curentului prin hetCro-
joncţiune. Din analiza de mai sus rezulta complexitatea carac-
teristicii 1 - V in funcţie de condiţiile concrete prezentate de
heterojoncţiuni. Confruntarea teoriei cu experienţa este destul d~
dificila. din cauza marii varietaţi de heterojoncţiuni existente ŞI
datorit~ faptului ca nu totdeauna se cunoaşte exact situaţia la
interfaţa. in majoritatea cazurilor, un singur mecanism nu este in
stare sa explice caracteristica.
200
Capitolul VI
TRANZISTOARE BIPOLARE
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor activ -
cea mai importanta şi raspândită structura din electronica - atât ca
dispozitiv discret, cât şi ca element component in majoritatea cir-
cuitelor integrate.
În capitolul III a fost arătat ca la polarizarea directă curentul
prin joncţiunea p - n este determinat de injecţia electronilor din
regiunea n şi a golurilor din regiunea p in regiunile opuse, unde
difuzează ~a purtători minoritari in exces şi se recombină treptat;
c.urentul dJfect depinde exponenţial de tensiunea aplicată; jonc-
ţIUnea conduce foarte bine curentul electric. La polarizari inverse
curentul ce se scurge prin joncţiune este destul de mic (3.78) şi este
detenninat numai de purtătorii minoritari ce sunt generaţi în re-
giunea sarcinii spaţiale şi in apropierea ei. Însă, în prezenţa unor
surse a~ăugătoare de purtători minoritari (radiaţii ionizante, surse
de lummă ş.a.) lângă joncţiune curentul prin joncţiunea p - n
polarizată invers se măreşte.
a altă metodă de majorare a concentraţiei purtatorilor mino-
ritari in apropierea joncţiunii p - n polarizate invers este foarte
s.im~la şi consta în instalarea în imediata apropiere a ei a altei jonc-
ţIUm p - n polarizate direct. Această metoda este foarte comoda
deoarece ea asigura dirijarea electrica a concentraţiei purtătorilo;
~nino~itari, ~eci dirijarea cu ajutorul tensiunii directe aplicate la
JoncţIUnea SItuata în apropierea joncţiunii polarizate invers.
a aşa modulare a curentului într-o joncţiune p - n cu ajutorul
modificălii tensiunii altei joncţiuni, situate in apropierea ei, poartă de-
numirea de mecanism de fimcţionare a tranzistorului bipolar. Aceasta
este una dintre cele mai importante idei în întreaga istorie de dezvoltare
a dispozitivelor electronice; pentru contribuţiile ştiintifice aduse în acest
domeniu celor trei specialişti - LBardeen, W.Brattain, W.Shockley - li
s-a decernat premiul Nobel pentru anul 1956.
20J
 În acest capito l vor fi deduse expres iile princip ale ce descriu E B C
r
proces ele fizice, care determ ina compo rtarea tranzistorului bipola
jul cu
în regim static şi dinam ic, caracte risticil e statice în monta
baza comun a şi cu emitor comun etc.

6.1. STRU CTUR A TRAN ZISTO RULU I BIPO LAR.

CON EXIU NI FUND AMEN TALE .7 -p-,7 {J-n-p
E0-

~
oC
Tranzi storul bipola r (TB) este un dispoz itiv semico nducto r
activ cu doua joncţiuni p -11 în interacţiune şi trei termin ale, pro-
prietaţile de amplif icare a căruia sunt detenn inate
de proces ele de
injecţie şi colect are a purtato rilor de sarcin a minori tari. a
b
Denum irea de tranzistor, data dispozitivului, provin e din COntac-
Fig. 6.1. Structura şi simbolul TB:
tarea cuvint elor din limba engleza: TRAN sfer-re SlSTO R - denu- a) tIp II-P-I I;b)tip P-Il- p.
-
mire, care desem neaza funcţia de baza a dispozitivului, şi anume
acea de amplificare, evaluata cantitativ prin param etrul transre zis-
acţioneaza între ele prin intenn edi 1 -' .
tenţa. Transrezistenţa este raportu l dintre tensiun ea
de semna l dc la aceast a dupa cum se va d emons tra u purtat onlor mInoritari; pentru .
, . mai J' os , est e necesa r ca regI-
ieşirea tranzis torului şi curent ul de semna l de la
intrare; acest raport unea bazeI sa fie foart ~ _ ~
este foarte mare când TB funcţioneaza în regim de amplificare. difu~ie a purtato rilor min~r~~;~.sta m comparaţie cu lungim ea de
Tranzi stoare le bipola re sunt fonnat e din trei regiun i semicon- . In dependenţa de aceea, care bo - . _
ductoa re succes ive, în ordine a 11 - P -11 sau p -11 - P , realiza te
în CUltul de intrare şi cel de ie ire . _ma. este comun a pentru cir-
acelaşi cristal semico nducto r de baza ( Si, Ge,
GaAs etc.), care se a conect a TB: cu emito rul: ,exIsta tr~I modur i fundam entale de
şi na (conex iunea BC) i cu co~mun (conexIUnea EC): cu baza comu-
numes c: emitor, bazei, colector. Termi nalele TB poarta acelea f
denum iri ca şi regiun ile semico nducto are şi se noteaz a: E - emitor , trei conexi uni fundaI~entale ec~orul comun conexIUnea Ce). Cele
sun prezen tate In fig. 6.2.
sc
B - baza, C - colecto r (fig. 6.1) Regiun ile semico nducto are define
cele doua joncţiuni ale TB: joncţiunea B-E, sau de emitor
şi Be Ee ee
El ~ e e
joncţiunea B-C, sau de colecto r. ~E
Conse mnam ca baza este regiun ea mijloc ie a structurii, iar
1.

emitor ul şi colecto rul sunt cele de la extremitaţi. Denum irile re- V"Ee or.
1::
le
giunilo r extrem e sunt corela te, dupa cum vom vedea, cu funcţii
(,)
1-

al
lor: emitor ul. este sursa de purtato ri, care determ ina în princip B E
curent ul prin tranzis tor, iar regiun ea de la cealalt a extrem itate
la a t) c
colect eaza purtato rii ajunşi aici. Baza are rolul de a contro
în funcţie de
(modif ica) intens itatea curent ului prin tranzis tor, Fig. 6.2. Tranzistoml P - I l
.
' .
- P In conexllme cu baza comuna (a)
da
tensiunea: dintre B şi E. Deci, efectu l tranzis tor consta în coman cu emitorul comun (b)' 1
ŞI cu co ectorul comun (c).
. ,
ul
curent ului invers din joncţiunea colect or-baz a de catre curent
direct din joncţiunea emitor -baza. Acest efect poate avea loc numai Conexiunea BC are bornele de . ."
şi ' Int:are ~. ŞI B, Iar cele de ieşire e
daca cele doua joncţiuni sunt într-ad evar foarte apropi ate şi inter- B. Tem1in alul B fiind d
, eCI, comun mtram şi ieşirii, este natural ca
202 203
potenţialul lui sa fie ales ca potenţial de referinţa .. Ac~asta c~nexiune Regimul de lucru normal ŞI Invers se numeşte activ, deoarece
pennite, cel mai evident, de a. cerceta procesele fiZice In tra11z~stor. . pennite obţinerea unei amp).ificari: prin variaţia curenţilor, deter-
Conexiunea Ee are tenmnalul comun E. Aceasta conexlU~e e.~te minata de o mica variaţIe a tensiunii aplicate pe joncţiunea po-
cea mai folosita datorita proprietaţilor sale favorabile multor aplicaţI1. larizata direct, se poate obţine o variaţie însemnata a tensiunii pe'""
Conexiunea CC are comun pentru intrare şi ieşire tenninalul C. joncţiunea polarizata invers.
Accasta conexiune se foloseşte în calitate de repetor pe emitor. Spre deosebire de regimurile active, în regimurile de taiere sau
Deoarece TB poseda doua joncţiuni şi fiecare poate fi pola- de saturaţie, unde joncţiunile sunt polarizate la fel, TB nu poate
rizata direct sau invers, rezulta ca tranzistorul poate funCţiona în amplifica. Totuşi, aceste regimuri sunt interesante în utilizarea TB
una din urmatoarele patru situaţii, denumite regimuri (electrice) sau ca element de comutaţie.
regiuni (în planul caracteristicilor statice) d~ /1IC':u: .
1) regiunea activa dir~~t~..Jno!1nala~: JoncţIUnea de emlt?r se
6.2. PRINCIPIILE DE FUNCŢIONARE
polarizeaza direct, cu o tensiune apropIata de cea de desc~ld~re
(0,2-0,3 V pentru TB cu Ge şi 0,6-0,7 v~ pentru :rB cu SI), Iar A TRANZISTORULUI BIPOLAR
joncţiunea de colector - invers, cu o tenslUne relativ mare (de Ia
unitaţi pâna Ia zeci de V); . .' . Pentru analiza proceselor fizice şi deducerea expresiei curen-
2) regiunea de blocare (de taiere): ambele jOncţIUI:I sunt polan- ţilorne vom referi la un tranzistor de tip n - p - n în conexiune cu
zate invers. În acest regim, curentul prin TB este practic ~ul; . baza comuna (fig. 6.4)
3) regiunea 1e saturaţie: a~bele)Ol?~ţiuni. sunt polanzate .~l~ect.
Deoarece atât joncţiunea de emitor, cat ŞI jOncţlUnea de colectOl I~ec­ Fig. 6.4. Funcţionarea
f •. I 1:
teaza pUltatorii minoritari în baza, prin TB va trece ~n curent mar~; . TB de tip
4) regiunea activ,LiDyersa: joncţiunea de em~tor est~ polanzata n-p-n. E c
invers, joncţiunea de colector - direct. Aici em~to:ul ş~ colectorul
li li
~

îşi inverseaza rolurile. Acest regil~ n~ este practic folOSit, .deoa.rec~

parametrii atinşi de TB sunt infenon cel?r ~oresl?l~nzat~n regIUnll
normale fapt rezultat din însaşi construcţia dISPOZItivulUi.
, Tranzistorul real Ia
are o structura asi- Distanţa WB dintre joncţiunea emitorului şi a colectorului de-

metrica (fig. 6.3) de- tennina largimea tehnologica a bazei. Fie S aria secţiunii structurii
terminata atât de di- TB care este constaniade-a lungul axei x. La joncţiunile emitorului
c fcrite arii ale emito- şi a colectorului sunt aplicate tensiunile VEB şi VCB ' Vom considera
rului şi colectorului
în structurile obţinu­
°
x = Ia marginea regiunii de sarcina spaţiala a joncţiunii emitorului
din partea bazei, iar x B - la marginea regiunii de sarcina spaţiala a
te prin metoda alierii,
cât şi de diferite ni- joncţiunii colectorului din partea bazei. În limitele o::;; x ::;; x B este
B veluri de dopare a situata regiunea electric neutra a bazei. Pentru a înţelege principiul
a b regiunilor tranzisto- de funcţionare a TB, este important sa cunoaştem comportarea
Fig. 6.3. Structura reaIa a tranzistorului bipolar rului în cazul forma- purtatorilor de sarcina în aceasta regiune. În regiunea bazei sunt şi \, ".
n - p - n : a) obţinut prin metoda difu- rii TB prin metoda electroni şi goluri, ceea ce şi i-a dat denumirea de tranzistor bipolar. J
zici: b) prin aliere. difuziei.
204 205
 Vom presupune ca relaţia dintre curent şi tensiune la joneţiunile (golurilor), cât şi de gradientul de concentraţie. Din (6.2) rezulta că
emitor-baza şi colector-baza este data de ecuaţia ideala a lui Shockley în baza dopată omogen [N A (x) = const.], la nivel mic de injecţie,
(3.75), unde neglijam efectul de generare-recombinare, efectele re- câmpul electric lipseşte. Tranzistoarele bipoloare, la care concen-
zistenţei serie şi nivelul mare de injecţie. Sarcina spaţiala a jonc-
traţia impuritaţilor în bază este unifoffi1ă, se numesc tranzistoare de
ţiunilor p - n ale emitorului şi colectorului au graniţe abrupte cu
difuzie sau convenţionale, deoarece transportul purtătorilor mino-
regiunile cvasineutre ale emitorului, bazei şi colectorului. În imediaţa ritari prin bază se realizează în principal prin procese de difuzie;
vecinatate a suprafeţelor de separaţie a joncţiunilor pentru concentraţIa TB, la care concentraţia impuritaţilor în baza este neunifonnă, mai
pUl1atoriior minoritari sunt juste condiţiile la limita (3.52) şi (3.53). mare lângă emitor şi mai mică lânga colector, se numesc tranzis-
Caracterul de transport al purtatorilor de sarcină în regiunile toare drift, deoarece transportul purtatorilor minoritari se realizează
cvasineutre ale TB este detenninat de distribuţia impuritaţilor. în principal prin procese de drift.
Densitaţile curenţilor de electroni şi goluri în direcţia axei x, care Între joncţiunile emitorului şi colectorului uşor poate . curge
este îndreptata de-a lungul structurii (fig. 6.3), conţin componentele curentul electronic. Într-adevăr, fiecare din aceste joncţiuni poate
de difuzie şi de drift şi sunt detenninate de expresiile (3.54) şi (3.55).
Să analizam regiunea electric neutră a bazei TB pe fig. 6.4.
juca rolul de sursă de electroni ce patrund din regiunea n a acestei
joncţiuni în regiunea p a bazei, dacă joncţiunea este polarizata
În aceasta regiune, în orişice regim de polarizare, curentul de goluri
direct. Acest curent electronic este egal:
este foarte mic. Aceasta este detenninat de faptul că din ambele
părţi ale regiunii bazei cu conducţia de tip p sunt situate regiunile dn n dp dn
In = qţLnn[;x + qDn - = kTţin - - + qDn - (6.3)
de tip n, în care concentraţia golurilor (purtătorilor minoritari) este dx pdx dx
scăzuta şi ele nu intră în regiunea bazei. Se poate considera ca baza
A doua expresie în (6.3) a fost obţinută utilizând (6.2) şi rela-
cu conducţia P prezintă o groapa potenţiala pentru goluri, fiindcă ţiile Einstein:
joncţiunea emitorului şi a colectorului împiedica trecerea goluri lor
în emitor şi colector. In = qDn (n dp + p dn) = qDn d(pn) . (6.4)
Asupra distribuţiei concentraţiei acceptorilor N A în regiunea p dx dx p dx
bazei nu vom da nici o limitare, presupunând ca N A (x) este o Transfonnând ecuaţia (6.4) şi integrând în regiunea bazei în
funcţie arbitrara. Intensitatea câmpului electric în regiunea bazei limitele de la x = O până la x = x B' obţinem:
[;x vom determina-o din condiţia ca curentul. __ de
__ __.__goluri din bază
este egal cu zero (I p = O). Şi anume:
...__._'.
~~. ~ '_~

'f ~x
" qD Il
1
= d (pn ) .
o
(6.5)

dp Presupunem ca electronii trec prin regiunea bazei fără recom-

I p =O=qţipp[;x -qD p - (6.1)
dx binare. Atunci mărimea f n este constantă, nu depinde de x şi poate
Utilizând relaţiile Einstein pentru intensitatea câmpului, obţinem: fi scoasa de sub integrală. Aceasta presupunere este destul de justă
daCă largimea bazei (WB ~ X B) este cu mult mai mică decât 1un-
[; = D p -.!.- dp kT -.!.-~p (6.2)
gimea de difuzie a electronilor (L n ) în regiunea bazei. În condiţii
x ţi p p cir q p dx
nOffi1ale există pierdţrL~~ __purtători în urma recombinaţiei de o
Confonn expresiei (6.2), intensitatea câmpului electric în baza intensitate mica. Aceste pierderi detennină caracteristicile tranzis-
TB este detenninata atât de concentraţia purtatorilor majoritari torului bipolar şi vor fi analizate mai târziu.

- 206 207
 Din dependenţa (6.5) pentru curentul electronic obţinem urma-
toarea expresie: (6.9)
1 = q[p(xs )n(xs) - p(O)n(O)]
n . (6.6)
25 2 2 D
fO(B jj-dx unde 1 == q ni n
(9. 10)
S Qss
"
Din expresia (6.6) rezulta ca curentul de purtatori de sarcina XB
minoritari (electronii) în regiunea bazei depinde de diferenţa pro- Qss == Sq f pdx (6.11 )
duselor concentraţiei electronilor şi goluri lor la marginile regiunii o
bazei, împarţita la sarcina integrala a purtatorilor majoritari din Din expresiile obţinute observam ca pentru calculul TB este
aceasta regiune. Cu ajutorul expresiilor (3.52), (3.53) produsul con- necesara cunoaşterea marimii Qss' În cazul nivelului mic de injec-
centraţiilor purtatorilor de sarcina pn la aceste margini poate fi ţie concentraţia golurilor în regiunea bazei este egala cu densitatea
exprimat prin tensiunile aplicate la joncţiuni în felul urmator: impuritaţilor acceptoare (p ~ N(4)' Prin urmare, pentru calculul
tranzistorului este necesar sa cunoaştem numarul total de centre
p(O)n(O) = n;2 exp( q;:;s ) acceptoare din regiunea bazei:
Xa .ts

p(xs)n(x s ) = n; exp( q;;s ). (6.7)

fo N 13 (x)dx
A
= f pdx.
o
(6.12)

Ţinând cont de (6.7), pentru curentul electronic din regiunea

bazei se poate scrie:
XB
(6.8)
fLdx
oD"
Expresia (6.8) a fost obţinuta neglijând recombinarea electro-
nilor în regiunea bazei şi presupunând ca curentul de goluri în baza
este zero. Ambele simplificari sunt juste când curentul bazei este
zero, ce difera de situaţia reala. Însa pentru curenţii bazei destul de
mici caracteristicile reale ale TB bine coincid cu dependenţa curen-
tului colectorului de tcnsiunile VES ' Vcs calculate.
Deci, daca vom nota prin Qss - sarcina electrica sumara din
regiunea bazei, D" - coeficientul de difuzie mediu al electronilor,
5 - aria secţiunii transversale a structurii, atunci din (6.8) obţinem:
- 208
Aceasta marime este denumita Gummel şi se noteaza ..
GN, care este un parametru important al T8. Cu cât este mai mic
numarul Gummel, cu atât este mai mare curentul de satUraţie l, şi
mai performante sunt caracteristicile TB.
Conform expresiei (6.9), rezulta ca, sub acţiunea tensiunilor
aplicate la joncţiunile emitorului (VES ) şi ale colectorului (Vcs )' se
poate dirija cu marimea curentului In' Daca ambele tensiuni sunt
negative (polarizeaza joncţiunile invers) şi sunt cu mult mai mari
decât k7jq, at~nci curentul In este neglijabil de mic. Daca însa
una din aceste tensiuni este pozitiva şi este cu mult mai mare decât
k7jq, atunci In va depinde foarte puternic de aceasta tensiune.
Ecuaţia (6.9) descrie vadit mecanismul fizic de funcţionare a
TB şi cu ajutorul ei se poate analiza nu numai procesul de comu-
tare, dar şi un şir de alte fenomene. Înainte de a efectua cercetari
mai detaliate ale acestor fenomene, vom analiza însuşi mecanismul
fizic de funcţionare a TB.
209
 onare a
Ecuaţia dedusa (6.9), care descrie mecan ismul de funcţi
TB, nu conţine dependenţa de distribuţia impuri taţilor în baza, dar
t n ~ p

4.J
conţine numai sarcina totala a purtatorilor majoritari din regiunea Ee

bazei. Mai departe va fi demonstrat ca datorita acestui fapt ecuaţia

este destul de comoda. Totuşi, pentru o analiza mai detaliata a me-
Ev
1" Ee
canismului de funcţionare a TB, este necesar de a cerceta curenţii
.l

într-o structura simplificata. Acest tranzistor simplificat este struc-

tura prezentata pe fig. 6.4 cu joncţiunile abrupte şi cu COncentraţia
constanta a impuritaţilor în regiunea bazei. n p fi
În fig. 6.5 este aratat modelul benzilor de energie ale TB în
diferite regimuri de funcţionare şi distribuţia purtatorilor de sarcina
în aceste regiuni. La echilibru termic (TB nepolarizat, fig. 6.5a),
curentul net prin joncţiuni este nul, pentru ca barierele de energie
potenţiala au înalţimile care asigura compo nente egale
de difuzie şi a
drift şi care se compenseaza pentru ambele tipuri de purtatori de b
sarcma.
Daca joncţiunile de emitor şi de colector sunt polarizate invers,
/

Ee
; atunci, conform ecuaţiei (6.9), II! ~ 0, şi tranzistorul este închis.
În I __

acest regim înalţimea barierei de potenţial atât a joncţiunii de emi- &;;

tor, cât şi a celei de colector se maresc (fig. 6.5b) şi concentraţia
y.
I ;;
electronilor din regiunea bazei devine şi mai mica faţa de echilibru. --- Ci:
Concentraţia purtato rilor de sarcin a în imedia ta apropi
ere a regiuni-
lor de trecere se determina de expres ia (6.7). La polariz area directa fi P fi /. Eu
al semlcş oreaza
a ambelor joncţiuni, înalţim~~Lbarierelor de Potenţi ~I(J!"

şi joncţiunile injecte aza electroni în regiun ea bazei,

în rezulta t ~1[l//j

(eN "J)
n p
concentraţia electro nilor din regiun ea bazei creşte
brusc şi tranzis- _10'0

torul conduce bine curentul (fig. 6.5c). (em")

Presupunând ca joncţiunea de emitor este polarizata direct, iar C

cea de colector - invers, neglijând termenul cu VeB din (6.9), pen-

tru curentul colectorului obţinem: Nivel Fenni
d
/
(6.13) Fig. 6.5. Modelt~1 benzilor d~ energie ale 1B şi distribuţia purtatorilor
de sa~eIna: a) eehill~ru tennodinamie; b) regimul de taiere;
e) regimul de saturaţie; d) regimul nonnal.
Conform (6.13), o variaţie mica a lui VEB conduce la o schim-
electroni s.e injecteaza în baza de tip p. Prezenţa gradientului de
bare brusca a le' Datorita polarizarii directe a joncţiunii emitor- concentraţ~e con~uce ~a aceea ca electronii injectaţi difuzeaza
spre
baza, înalţimea barierei de potenţial scade şi un numar mare de colector, ŞI daca JoncţIUnea colect or-baz a nu este prea depart ata de

210 211
joncţiunea emitoFbaza, o parte din ei ajung la colector. cealalta
parte recombina în baza. Este de dorit ca aproape toţi electronii 6.3. CARACTERISTICILE TRANZIST(J)RULUI
injectaţi în baza sa ajunga la colector, ceea ce implica condiţia ca BIPOLAR. CURENŢllŞI CONCENTRATIA
largimea bazeiWB sa fie mai mica decât lungimea de difuzie a PURTĂTORILORDE SARCINĂiNREGI~EA
electronilor în baza L n . BAZEITB

Condiţia W B < In este condiţia

de funcţionare a tranzistolUlui.
Sa analizam distribuţia fluxurilor de purtatori de sarcina în TB
Electronii ajunşi la joncţiunea colector-baza trec peste bariera în care funcţioneaza în regim activ. Ne vom referi la un tranzistor d~
colector (fig.6.5d). Curentul de electroni de la joncţiunea emitor- difuzie, de tip 11 - P - 11 în conexiunea BC (fig. 6.6). Joncţiunea
baza (polarizata direct) trece aproape în întregime şi prin joncţiunea
colector-baza, deşi aceasta este polarizata invers. Deci, curentul de
colector este determinat în principal de catre componenta elec-
tronica a curentului de emitor. Deoarece rezistenţa emitor-baza
(joncţiune polarizata direct) este mica în comparaţie cu rezistenţa
colector-baza (joncţiune polarizata invers), curentul dintr-un circuit
cu rezistenţa mica este transferat cu aproape aceeaşi valoare într-un
circuit cu rezistenţa mare. Aceasta înseamna că semnalul de tensiu- .i Ves
ne alternativa, aplicat la joncţiunea emitor-baza este amplificat la
ieşire între colector şi baza. În acest regim tranzistolUI funcţionează r:
ca element de amplificare. Distribuţia concentraţiei purtatorilor de
sarcina minoritari pentru cazul dat este prezentata în figura 6.5d. a
Deoarece joncţiunea de emitor este polarizata direct, concentraţia
n P
electronilor în baza, la marginea dinspre emitor, este mai mare de n
I.B
exp( q Vt;{r) ori decât concentraţia la echiliblU termic. La mar- ____
/!'. e El e-.-.. l.c
8o/r .........,
e
eV EB
ginea dinspre colector electronii sunt preluaţi prin drift de câmpul r----
\

joncţiunii colectolUlui şi trecuţi în regiunea de colector, deci con-

centraţia electronilor scade aproape până la anulare pe limita ?
dinspre colector a bazei. Dacă în regiunea bazei intensitatea de
recombinare tinde la zero, atunci, cum va fi demonstrat mai depar-
te, concentraţia clectronilor în regiunea bazei este distribuita linear.
b

Fig.6.6. Funcţionarea TB de tip 11 - P - 11 în regim activ:

a) fluxuri de purtătorimobili; b) modelul benzilor de energie.

emitor-baza este polarizata direct, iar joncţiunea colector-baza -

invers. Dupa cum rezulta din analiza proceselor fizice în joncţiunea
212
213
 P - n, în circuitul emitorului trebuie sa treaca un curent direct
mare lE' iar în circuitul colectorului un curent invers mic 1CBa
(pentru lE = °).
Curentul care traverseaza joncţiunea de emitor are doua com-
ponente, 1nE şi 1 pE (fig. 6.6). Componenta de electroni este data de
electronii injectaţi din emitor în baza, iar cea de goluri este data de
golurile injectate din baza în emitor. Pentru o realizare efectiva a
mai aproape de unitate, cu atât caracteristicile TB sunt mai bune.
În structurile reale r ~ 0,9920-;-0,9995, iar curentul de injecţie a
purtatorilor de sarcina minoritari în regiunea bazei 1 nE = r .lE.
Electronii injectaţi în regiunea bazei, datorita gradientului de con-
centraţie, difuzeaza spre colector. Sa determinam distribuţia acestor
electroni de-a lungul bazei.
În regim staţionar, în regiunea bazei, ecuaţia de continuitate este:
!

injecţiei este necesar ca injecţia goluri lor (sarcinilor ce nu participa

d 2 n p n p - n po
-- =0 (6.16)
la procesul de amplificare a TB) din regiunea bazei în regiunea dx 2 L2n '

emitorului sa fie cât mai mica. De aceea la construcţia TB con-

unde: L n = -V~
L/n' n este lungimea de difuzie a electronilor în re-
centraţia impuritaţilor ( în cazul analizat N Dt ) în emitor este foarte
giunea bazei; np(x) - distribuţia concentraţiei electronilor în baza;
mare, în baza (N AB) - mai mica; în acelaşi raport se afla şi con-
n pa - concentraţia electronilor în baza la echilibru. Soluţia acestei
centraţiile de echilibru ale purtatorilor majoritari nOE» Pos .
ecuaţii este de forma:
Limita de sus de dopare a emitorului este determinata de starea de
degenerare, iar cea de jos de dopare a bazei - de starea intrinseca;
de obicei, în TB cu Si diferenţa de concentraţii a purtatorilor de
sarcina majoritari din emitor şi baza este de 3-;-5 ordine.
np(x) - n" ~ A, ex{:) ex + A, p( - tJ (6.17)

Vom determina condiţiile la limita considerând ca în circuitul

Pentru a caracteriza componenţa curentului emitorului se intro-
duce marimea numita eficienţa emitorului r, care se defineşte prin emitorului este cunoscuta componenta electronica f nE = r f E' iar la
relaţia: joncţiunea de colector este aplicata tensiunea VCB ' Luând în con-
sideraţie ca într-un TB de difuzie densitatea curentului de electroni
(6.14) în regiunea bazei, ce trec de la emitor la colector, la un nivel mic de
injecţie, este determinata de difuzia electroni lor:
unde filE şi f pE sunt curenţii de electroni şi de goluri prin jonc- . _ D dnp(x)
ţiunea emitor-baza. in - q n dx ' (6.18)
Ţinând seama de expresiile componentelor filE şi f pE (3.73), iar concentraţia electroni lor injectaţi în baza în imediata aprOpiere
de regiunea de sarcina spaţiala a joncţiunii emitor-baza este de-
(3.74) şi luând în consideraţief nE >> f pE , se obţine:
terminata de (6.7), obţinem la x= şi x = Ws respectiv:
/
° p: ţ r', ~ ,

r=l- (J"sWs , (6.15) dn p (x) I

(J" ELIl -----'-- x=O = _1nE A,
. _ c- -:-:-.-
It":;;::",·'
o-;-eo," ! ~ (6.19)"
dx' qDS
n
-"1·">
unde (J" B şi (J"E reprezinta conductivitaţile electrice ale bazei, res-
pectiv emitorului. Conform expresiei (6.15), creşterea eficienţei
emitorului necesita baze foarte înguste şi regiuni de emitor puternic
n(WB ) = n pO exp( q Vcs )î,
kT'
·c, ,~."
;, dopate faţa de baza, astfel în~ât sa avem (J" s « (J"E' CU cât r este unde S este arja joncţiunii emitor-baza.
j w +" ~ ( = It! { A'- >;:..~ ~ t '6,,-, n,h 1," (~I) i~ ~(,) \ . . 2:.
îLl~+II<:'CI;j;),{·~""'i . , C~,~} 214 ,\; .~ \~)<:T j" 215 =/
/Il. ':: ~l <J-f i I.. . ~L"
y-5f("r) V~S ::: lI..
\1.." . -.;
 Utilizând condiţiile la limită, determinăm coeficienţii AI şi A2 Diferenţa dintre curenţii 1 nE şi I nC constituie curentul de re-
ce se conţin în expresia (6.17). Dupa aceasta, pentru distribuţia combinare a electroni lor I nr în regiunea bazei:
concentraţiei electronilor, obţinem:
I nr = I nE - InC" (6.25)

n (x) = I'EL,{\~) (exP(qV -1) c{t) I

+ n po eB ) + (6.21)
După cum este cunoscut (capitolul 1), rata de recombinare este
determinată de concentraţiile în exces ale purtatorilor minoritari
p qD,S c{~) kT c{~) I1n p = np(x) - n po şi timpul de viaţa corespunzator T n , deci
I1n
R n = - - p . Prin urmare, curentul de recombinare I nr în regiunea
~ regimul activ normal (V < O,
In CB
IV I»CB
k)
- . la cond'IţIa
T ŞI . rn
q bazei are expresia:
obişnuita WB < L n' al doilea termen din expresia (6.21) nu depăşeş-
te O,2n po şi el poate fi neglijat. Atunci:
I nr = qS fn
XI]

p
- n
pO dx . (6.26)
o Tn

În cazul regimului activ de funcţionare a TB aproape în în-

=
IL s{r!ftL~-X) (6.22)
treaga regiune a bazei se îndeplineşte inegalitatea n p » n pO' iar
n (x) T n = const. De aceea
c{::)
nE n

qD,S
P
qS XB
I nr = - ndx. fo s , ,.
- "
r (6.27)
Presupunând Că recombinarea în regiunea bazei are intensitate Tn

destul de mică, adica L n ~ 00 (sau WB «L n ), obţinem: Distribuţia lineara a electroni lor injectaţi în bază (vezi 6.23) da
posibilitate de a lua uşor integrala din (6.27). Pentru curentul de
n,(x) <~~; (1- ;Joe ~,C(6.23) recombinare se obţine expresia:

I
2

= qSn x B [ exp(~)-1
qV ]
(6.28)
Deci, electronii injectaţi se distribuie linear în regiunea bazei, nr
1
2N ABrn . kT '
fapt la care a fost atrasa atenţia mai sus (fig. 6.5).
Marea majoritate a electronilor injectaţi din emitor în baza n2
unde s-a notat n o = _ i _
ajung la colector; o mică fracţiune se recombina în baza, astfel P N
AB
încât I nE > I nC . Procesul de recombinare a electronilor în bază can-
Aceasta expresie a fost dedusa pentru un caz particular, însa
titativ se determină de coeficientul de transport (eficienţa bazei) X chiar daca concentraţia electronilor în regiunea bazei nu se va schim-
al purtătorilor minoritari prin bază:
ba linear, termenul [exp ( q;;' ) - 1] rămane cunstant.
X= I nC , (6.24)
I nE Din relaţiile (6.24) şi (6.25) se obţine:
unde I nC şi I nE sunt curenţii de electroni prin colector şi reSpectiv IInEI- I nr

prin emitor.
x= I nE
i-. ' /

(6.29)

,j -
216 217
 Curentul l nE este determinat de expresia (6.13). În cazul repar- Pro?usul eficienţei emitorului r la coeficientul de transport al
tizarii concentraţiei impurităţilor N AB în baza uniforma p = N AB ' purt~tonlor m.inorita~i prin baza X poartă denumirea de.iq~tor
sarcina din regiunea bazei QB = qSNABX B . În urma transformărilor, static ~e. a~l1plificare.l11 curent în conexiunea BC şi se noteaza prin
a o ' Uhlizand expresIa (6.30), obţinem:
din expresiile (6.13) şi (6.28) pentru q VEB >> 1 rezulta:
kT
(6.33)
(6.30)

Deoarece r < l şi X < 1, atunci şi factorul de amplificare în

Expresia (6.30) este una din cele fundamentale în teoria tran-
zistorilor. Cu creşterea largimii bazei, conform (6.30), coeficientul
de transport se micşorează rapid şi pentru WB »L n (practic pentru
W B > 3L n ) este aproape de zero. Din aceste considerente, dUpă cum
a fost menţionat mai sus, baza TB se face cât se poate de îngusta,
aşa ca sa se îndeplineasca condiţia W B < L n • În TB
reale, în
curent a o tot este mai mic ca unitatea. La majoritatea TB comerciali-
zate. a o = 0,98 - 0,998. Coeficientul a o este unul din cei mai impor-
tanţI parametri ~i T~ şi ~aracterizeaza proprietăţile lui de amplificare.
Curentul dm cIrcUitul bazei
l B =l E -l e (6.34)

care x B ~ 0,5 flm, iar L n ~ 30 flm, coeficientul de transport este co.ndiţionat de modificarea sarcinii sau a potenţialului bazei
determI~at ~e concentraţia purtatorilor majoritari în baza. '
X = 0,9998 6, adica este foarte aproape de unitate.
AplicaţIa ~u~damentală a tranzistorului este amplificarea sem-
Majoritatea electronilor ajung la joncţiunea colector-bază pola- n~lelor cu va:IaţIe continuă în timp (tensiuni variabile). Acest re-
rizata invers; câmpul electric intens ce acţioneaza în regiunea sa-
gI~ de fun~ţlOn~re poarta ~enumirea de regim dinamic. În acest ~
racita accelereaza electronii spre regiunea colectorului. Aici sunt ul
ca flux electro- r~gIm p~opnetaţIle. ~e amplIficare sunt caracterizate prin factor
preluaţi prin drift şi trecuţi în regiun ea de colector relaţia : .
diferenţzal de amplif icare a, definit prin
nic l ne . Din (6.14) şi (6.24) se obţine:
)
I ~(, '';.' ..{''

l ne = rxl E • (6.31) a ~(dlc < y ",' "~,ci'"~ (6.35)

°
Când nu sunt injectaţi electronii din emitor lE = (emitor în dl E Vea ~const
gol), în circuitul joncţiunii colector-baza polarizate invers trece Utilizând expresia (6.32), obţinem:
curentul ce se noteaza 1eBa şi care este datorat purtatorilor mino- - 1 o oa
a - a o + E -~-. (6.36) '
ritari: curentul de electroni din baza în colector şi curentul de goluri olE
în direcţia opusa (fig. 6.6). Curentul invers al colectorului 1eBa este
Din (6.36) se observa Că factorul diferenţial de amplificare a
curentul la "ruperea" circuitului emitorului, asemanator cu curentul
nu este egal cu cel static a o ' Cauza consta în aceea că eficienţa
invers al diodei. Acest curent depinde exponenţial de temperatura şi
este unul din parametrii principali ai tranzistorului. emito~lui r şi coeficientul de transport X depind de curentul emi-
Dacă are loc injecţia electronilor din emitor în baza
(I E * 0), torulUI .. La ~urent de emitor foarte mic curentul de generare-
recombmare m stratul de baraj emitor-bază, precum şi curentul de
atunci curentul colectorului se mareşte cu rxl E şi devine egal cu:
s~urg.er~ la suprafaţa pot să fie mari în comparaţie cu curentul de
dIfuzIe m bază şi eficienţa emitorului r este cu mult mai mica
1e = rx1E + 1eBa = aa I E + 1eBa' (6.32)

:i18 219
 . . .' li În regim dinamic coeficientul diferenţial de amplificare în cu-
decât unitatea şi creşte cu curentul emitorulUl aprOXImatIv r ~ lE' rent este:
În regiunea curenţilor de lucru al TB a = r . X = CO~lS~ . ~a o creşte­
re mai mare a curentului de emitor (nivel înalt de mJecţle~ factoru!
de amplificare în curent începe sa scada, deoarece s~ ITIlCşOreaza
~ ~~
fi ( :) I'",om'" (6.39)

eficienţa emitorului şi coeficientul de transport: r - dm cauza ~at- sau, utilizând expresia (6.38),
runderii golurilor în emitor, iar, X - în urma micşo~arii. t~mpulUl. de 0/30
/3 = /30 + 1s -...,- . (6.40)
viaţa la nivel înalt de injecţie. In rezultat, la curenţI mICI dc emItor ols

a> a o, deoarece aa o > O, mal departe: a ~ a o = const 6.3.1. MODULAl&'A 1ĂRGIMIIBAZEI (EFECTUL EARLY)
alE
aa . . aa_o
(_ < O). In mterva1u1 de
A.
La analiza funcţionarii TB în regimul activ s-a considerat că ten-
( __
o ~ O) şi la curenţI man a < a o
alE alE siunea de polarizare inversă pe joncţiunea colector-bază nu influ-
enţează curentul de colector, dar are rolul de a garanta colectarea
.
lucru al curenţilor de emItor, unde -
aa 1"
~ O, poate fi neg IJat teI-
.
eficientă a purtatorilor de sarcina minoritari din bază şi tranSportul
al lor în regiunea colectorului. Valoarea maximă a acestei tensiuni este
menul al doilea în expresia (6.36). Din aceste consid.erente. ITIaţ limitată numai de tensiunea permisă a joncţiunii colectorului, care
departe vom socoti ca factorii dc amplificare în curent diferenţIal ŞI trebl.!,ie să fie mai mică ca tensiunea de străpungere a joncţiunii.
cel static în conexiunea BC sunt egali a ~ a o . In regimul activ joncţiunea colector-baza este polarizată invers
În conexiunea EC curentul de intrare este cel de baza 1 s' iar la şi lărgimea ei depinde de tensiunea VCB conform expresiei (3.24).
ieşire - cel de colector l c; emitorul este terminalul comun pentru În TB de difuzie concentraţia impurităţi lor în regiunea colectorului
circuitul de intrare şi cel de ieşire a tranzistorului (fig. 6.2b). este cu mult mai mare ca în regiunea bazei (N DC » N AB)' Luând
Din relaţiile (6.32) şi (6.34) curentul de colector l C în conexiunea în consideraţie şi faptul că joncţiunea de colector este polarizată
EC este determinat de exprcsia: invers cu o tensiune relativ mare jVCB / > <D c' expresia (3.24) devine:
a 1 1
lc = -o- I B + - - eBa (6.37) d ~ 2t't'0/Vcs / (6.41)
l-a o 1- a o C qN AB
sau (6.38)
Cu creşterea tensiunii VCB lărgimea stratului de baraj al jonc-
ţiunii colector-bază se măreşte, ce duce la micşorarea largimii efecti- "
unde: /30 = ~- este factorul static de amplificare în curent al
l-ao ve a bazei W s (fig. 6.7). Acest fenomen poartă denumirea de efect -'
TB în conexiunea EC; I CEO = (/30 + 1)·1CBO este curentul rezidual de modulare a ldrgimii bazei sau efect Early.
( ':r
Modularea lărgimii efective a bazei poate fi uşor determinată
de colector când 1 s = O. diferenţiind dupa V expresia (6.41):
La schimbarea factorului de amplificare a o de la 0,95 până la
0,99, /30 variază în limitele 20-100. Prin urmare, conexiunea EC I ~.
IdWs = t't'o dVcB . (6.42)
amplifiCă suficient în curent.
~ 2iN: ~IVcs I
221
220

Fig. 6.7. Influenţa modularii largi-
mii bazei la gradientul
concentraţiei purtatorilor
minoritari în baza.
Aceasta modificare suficient influenţeaza asupra proceselor fizice
din regiunea bazei. Micşorarea largimii bazei duce la o creştere uş~ara
stanta. Ca urmare, creşte gradientul concentraţiei electronilor în baza
(fig. 6.7, distribuţia concentraţiei purtatorilor - b) ce conduce la ma-
rirea curentului de emitor JE' Pentru a micşora curentul JE pâna la
valoarea precedenta, se poate micşora tensiunea VEB • Se va micşora
şi concentraţia electronilor n P pâna la n~, iar gradientul de con-
centraţie a electronilor în baza va deveni egal cu cel iniţial.
Prin unnare, curentul de emitor lE depinde nu numai de ten-
siunea VEB , dar într-o oarecare masura şi de tensiunea VCB ' Pentru
compararea gradului de influenţa a acestor tensiuni asupra curen-
tului IEse introduce factorul de reacţie in tensiune, care se defi-
---._-._--._- ..._--_..
.---- --_ .. ,

a gradientului electronilor la x = O, prin urmare, cu~entul d~ emIto~ neşte ca raportul dintre variaţiile tensiunilor VEB şi V
CB
în condiţia
creşte cu creşterea tensiunii de colector pentru o tenSIUne emItor-baza când curentul lE ramâne constant:
data. Cauza dependenţei 1 C (VCB ) rezulta din fig. 6.7, unde este pre-
zentata distribuţia electronilor injectaţi în regiunea bazei pentru doua dVCB
ţLCE = - dV lc'=const (6.43) x
tensiuni VCB în cazul VEB = const sau lE = const . EB

La valoarea VCBO considerata referinţa, largimea regiunii de sar- Coeficientul ţLCE dupa sens este analogic factorului static de
cina spaţial a a joncţiunii de colector este d co ' Acesteia îi corespunde amplificare ţL a tuburilor electronice cu vid. Valoarea coeficien-
grosimea efectiva a bazei WBO şi un anumit gradient al lui np(x), tului ţLCE pentru tranzistorii industriali, care este de ~ 10 4 , demon-
care determina curentul lE' La o tensiune VCB > VCBO ' largimea re- streaza o influenţa neînsemnata a tensiunii VCB asupra curentului
giunii de sarcina spaţial a a joncţiunii colector-baza se măreşte lE' prin urmare, şi asupra lui 1c. Pentru caracterizarea efectului
d c > d co ' iar W B < W BO (vezi fig. 6.7). Daca se menţine constant Early se utilizeaza şi o marime cu dimensiune de rezistenţa: • <
curentul de emitor IEşi respectiv gradientul de concentraţie a electro-
r" - dVEB I (6.44)
nilor în baza an
-_P
. ..
= const , cu creşterea tenslUnll I 1
VCB se .
mIcşoreaza
-
B - ~ !E=const ,
C
ax despre care se va vorbi mai departe.
WB' însa unghiul de înclinare a dependenţei n p = f(x) ramâne con- Dependenţa curentului de colector de tensiunea aplicata la jonc-
stant (fig. 6.7, distribuţia concentraţiei pu:tato~il.or -. a)- Ac.easta ţiunea colectoru1ui poate fi obţinuta nemijlocit, utilizând ecuaţiile
conduce la micşorarea concentraţiei electromlor mjectaţI m regIUnea integrale pentru regimul activ de funcţionare a TB de tip n - p - n,
bazei (n~ devine n~), deci se micşoreaza tensiunea de emitor VEB · obţinute în 6.2. Din ecuaţiile (6.10), (6.11) şi (6.13) se deduce:
Daca se menţine constanta tensiunea joncţiunii emitor-baza VEB
JC -- qDnn}S exp(qV
--EB )
. (6.45)
cu creşterea IV I' adica la micşorarea grosimii bazei de la W
CB BO pâna XB kT
fpdx
la WB' concentraţia electronilor n Po in]' ectaţi în baza ramâne con- o

222 223
 Modificarea largimii bazei sub acţiunea tensiunii VCB conduce În al doilea rând, se poate demonstra că numitorul ecuaţiei
la schimbarea curentului de colector, care poate fi prezentata în (6.48) prezintă derivata sarcinii din regiunea bazei Qs după ten-
urmatoarea forma: siunea Vco :

:Jl c =_QDnnj2Sexp(QVEB)P(XB)[JPdX]-2 ~XB (6.46)

dxo dQB
qp ( X o ) . dV = dV ' (6.50)
aVCB kT o aVCB CB co
O parte din termenii expresiei (6.44) pot fi înlocuiţi cu însuşi iar derivata din partea dreaptă prezintă capacit~t~~_.~pecifică de
curentul de colector, ce ne da posibilitate să transcriem această semnal mic a joncţiunii colector-bază:
ecuaţie în unnatoarea forma:
dQo =c . (6.51)
f pdx]-1
al [XB ax lc lc dV lC
co
_C_ = -lcp(x B ) _B_ I ,. (6.47)
aVCB o aVCB VA VA Prin unnare, tensiunea Early este egală cu:
Deoarece joncţiunea colectorului este polarizată invers, derivata
IVAI = ~B (6.52)
ax B în (6.47) este negativa, de aceea efectul Early se manifestă lC

aVCB Ca tensiunea de colector să influenţeze cât mai puţin asupra

prin creşterea lui 1C odata cu mărirea VCB . Aceasta creştere se
observa bine, dupa cum va fi aratat mai departe, la analiza carac-
teristicilor de ieşire a TB în conexiunea Ee.
Marimea VA (din 6.47) are dimensiuni de tensiune şi poartă de-
• •
numirea de tenslyngfl_Ear(v. Din (6.47) rezulta ca pentru tranzis-
torul n - p - n VA este determinata de expresia:
curentului de colector, valoarea tensiunii VA trebuie să fie cât mai
mare. Din expresia (6.52) se observă că pentru aceasta trebuie mărit
raportul sarcinii specifice a purtătorilor majoritari în bază către
capacitatea specifiCă a joncţiunii de colector. Din punct de vedere
fizic aceasta înseamnă micşorarea vitezei de deplasare a marginii
regiunii de sarcină spaţială a joncţiunii colector-bază în regiunea
bazei.

= p(X B )
cx 1-l f pdx.
X
/I
(6.48)
Să analizăm consecinţele, care pot fi aşteptate în unna efec-
VA
r
_
","/
oT CB J o
tului Early.
1) Variaţia grosimii bazei influenţează asupra acelei părţi din
purtătorii de sarcină minoritari injectaţi, care ajung la colector,
Deoarece derivata este negativa, tensiunea Early pentru tran-
zistorul n - p - n de asemenea este negativa. evitând recombinarea. Cu cât este mai mică grosimea bazei, cu atât
această pantă este mai mare. Aşadar, la menţinerea curentului de \
O altă variantă utilă şi infonnativa a expresiei pentru tensiunea
emitor constant modularea grosimii bazei aduce la schimbarea cu-J
Early poate fi obţinută efectuând unele transfonnari în ecuaţia (6.48).
rentului de colector. În--Il1od corespunzător eficacit~tea emitorului
În primul rând, din ecuaţia (6.11) numărătorul ecuaţiei (6.48) poate fi
devine funcţie de tensiunea de colector, iar joncţiunea colectorului
exprimat prin densitatea specifica de sarcină a purtătorilor majoritari are rezistenţă diferenţială finită.
în bază QB: 2) Modularea grosimii bazei este însoţită de schimbarea sar-
XI! O cinii purtătorilor minoritari în bază; deci are loc dependenţa sarcinii
J pdx = -B . (6.49) de tensiunea colector-bază. Prin unnare, joncţiunea colector-bază
o Q posedă o capacitate de difuzie în plus la cea de barieră.

224 225
 3) Modularea grosimii bazei schimbă timpul de difuzie a pur-
tătorilor minoritari în bază; prin urmare, tensiunea de colector
influenţează asupra proprietăţilor de frecvenţă a TB.
4) Curentul de tăiere a joncţiunii emitorului 1EBO este invers
proporţional grosimii bazei, de aceea tensiunea VeB , modulând gro-
simea bazei, schimbă şi acest curent, iar împreună cu el şi toată
caracteristica voltamperică a joncţiunii emitorului.
6.4. CARACTERISTICI STATICE ALE TB
Caracteristicile statice exprimă legătura grafică dintre curenţii
• "prin tranzistor şi tensiunile aplicate pe terminale în regim con~inuu.
Întrucât TB este un dispozitiv cu trei terminale, în general se distin&
trei curenţi şi trei tensiuni. Ţinând cont de le~ile lui Kirchh~ff, ~~aI
două tensiuni şi doi curenţi sunt independenţI; cea de-a treIa mar~me,
te~siune sau curent, este univoc determinată de primele două. Dmtre
aceste patru mărimi, dQllă sunt considerate variabile i~~~pendente,
iar două variabile dependente, rezultând astfel patru famIlll de carac-
teristici. Notăm cele patru mărimi prin V]' V2 , 1] , 12 ' unde indicii 1
se referă la terminalele de intrare, iar indicii 2 la cele de ieşire; dintre
variantele posibile de grupare a mărimilor, s-a constatat că pentru ,TB
cele mai utile sunt patru familii de caracteristici: / 1·.
(l0) Familia caracteristicilor de intrare;
1 (6.53)
VI = iIlU]), V2 = const f
'(2°) Familia catacteristicilor de transfer;
12 =f2lU]), V2 = const (6.54)
(3°) Familia caracteristicilor de transfer invers;
VI = f12(V2 ), 1] = const (6.55)
(4°) Familia caracteristicilor de ieşire;
12 = f22(V2)' 1) = const (6.56)
În dependenţă de conexiunea tranzistorului, în calitate de curenţi
\' , şi tensiuni de intrare (I l ' V]) şi ieşire (I2' V2 ) se utilizează curentul
şi.tensiunea unui sau altui terminal.
226
1
,
6.4.1. CARACTERISTICI STATICE ALE UNUI TB
IDEALIZAT. ECUAŢIILE EBERS-MOLL
Pentru determinarea caracterului dependenţelor analitice ale fa-
miliilor de caracteristici statice (6.53)...(6.56), tranzistorul se repre-
zintă prin scheme echivalente, sau prin modelul fizic. Un astfel de
model este arătat în fig 6.8. Acest model poartă numele autorilor
modelul Ebers-Moll. El are cea mai mare răspândire la analiza
diferitor regimuri de funcţionare a TB şi caracterizează numai
partea activă a TB. Tranzistorul este prezentat printr-un model
unidimensional ce constă din două joncţiuni p - n ideale, conec-
tate una împotriva alteia. Nu se iau în consideraţie rezistenţe le de
volum ale straturilor, capacităţile joncţiunilor şi efectul modulării
grosimii bazei cu toate urmările lor.
E c
1 F.
B i' r
\~ \o
I Fig. 6.8. Circuitul echivalent al tranzistorului idealizat.
Interacţiunea joncţiunilor este reprezentată cu ajutorul gene-
ratoarelor de curent. Dacă joncţiunea emitor-bază este polarizată
direct şi prin ea trece curentul 1] , atunci în circuitul colectorului va
trece un curent puţin mai mic (din cauza recombinării purtătorilor
injectaţi în bază), care în schemă este reprezentat prin generatorul
aN 1], unde aN este factorul de amplificare în curent la conexiunea
normală a tranzistorului. La conectarea tranzistorului în regim activ
invers, prin joncţiunea colector-bază trece curentul direct 12 , iar în
circuitul emitorului curentul este reprezentat cu ajutorul gene-
ratofllJui a,I2' unde al este factorul de amplificare a curent~i~i de
colector la conectarea inversă a tranzistorului. În felul acesta, în caz
I 227
 general curenţii de emitor şi de colector prezintă suma a două com-
ponente: de injecţie (Il sau 12) şi de colectare (a/1 2 sau aN Il): Notând curentul emitorului la tensiuni inverse înalte (IVEBI» kT )
1 _~

q
lE = 1] - a / 1 2 (6.57) şi colectorul în gol (1 C = O) prin 1 EBO , analogic obţinem:
1C = a,J] - 12 , (6.58) t EBO = 1EBO (6.62)
l-aNa/
Legătura dintre curenţii de injecţie şi tensiunile aplicate la
joncţiuni este exprimată prin expresii analogice ecuaţiei ce descrie Introducând curenţii 1] şi 12 din (6.59) şi (6.60) în expresiile
caracteristica voltamperică ajoncţiunii p - n ideale (vezi 3.76): (6.57), (6.58), detenninăm dependenţele lE (VEB ; V CB ) şi 1C (VEB ; V CB ) ,
_'
1] - 1EBO
----,;r
qVEB
-1
J (6.59)
adică caracteristicile voltamperice statice ale TB:

(
e

lE = I~BO ( e--qVEB J
kT -1 - a/1~Bo (qVCB
e ----,;r -1
J (6.63 a)

12
-'
- 1CBO e
qVCB
-f(Ţ
,- 1 ,
J (6.60)
l~B+':i' - 1J- l~BO( e':;:' -1].
(
.J '. le = aN (6.63 b)
unde 1 ~BO şi 1~BO sunt curenţii de tăiere a joncţiunilor emitor-bază
şi colector-bază, măsuraţi respectiv la V CB = O şi V EB = O. Curenţii Pentru curentul bazei, care este diferenţa dintre IEŞI 1C '
termici 1~BO şi 1 ~'BO îi vom exprima prin aşa mărimi, care sunt date putem scrie:
în foaia de catalog a tranzistorului, şi anume - prin curenţii de
tăiere I EBO şi. 1CBO , mă~uraţi respectiv la 1c. =L8 şi. 1 E ~ O. . .
1 B= (1- aN) 1;"0 ( e':i" -1J+ {l- a, )l~BO(e':~" -1]. (6.63 e)

," Dacă emItorul est_e~~_ggl UK=O)(~eglm de ClrcUlt deschIS) ŞI Relaţiile (6.63) se numesc ecuaţiile Ebers-Moll. Ele prezintă,.
la joncţiunea colector-bază se apliCă o tensiune inversă destul de modelul matematic al tranzistorului şi sunt universale, bune pentru
orice combinări ale tensiunilor la joncţiunea colectorului şi emito-
mare IV
CB
I» kT , atunci curentul ce trece prin colector, după cum rului, permit să se prevadă comportarea TB în oricare regiune de
q
lucru. Aceste ecuaţii, în pofida faptului că au la bază presupuneri
a fost arătat mai sus, este 1CBO (curentul de tăiere). Să exprimăm
simplificatoare, sunt utilizate pe larg la interpretarea caracteristi-
curentul I~Bo prin 1eBO' Din expresia (6.57) la lE = O obţinem: cilor statice. La scurtcircuitaLţ;:U~QL~~toruluila bază curentul

1] =a/1 2 ; din expresia (6.60) pentru IVcl »kT-

q
obţinem: 1C -- aN q VEB -
l'EBO [ exp-U 1]1 VCB=O' (6.64)

1 2 = -1~Bo' Introducând aceste mărimi în (6.58) şi considerând Joncţiunea colector-bază, datorită potenţialului de contact <D C ,
1C = I CBO ' obţinem: colectează purtătorii de sarcină minoritari, injectaţi de joncţiunea
emitor-bază. Concentraţia purtătorilor minoritari în regiunea bazei
(6.61)
în imediata apropiere de emitor n o ~ exp q VEB .
P kT
228 229
 Analogic la scurtcircuitarea emitorului la bază şi polarizarea Vom determina expresiile analitice ale acestor dependenţe uti-
directă a colectorului lizând ecuaţiile Ebers-Moll. Din ecuaţa (6.63 a) exprimăm termenul

I E -- ,[
- a l I CBO qVCB -1 ]1 v o
exp--
kT EB=
(6.65) (:~:' - IJşi -1 introducem în (6.63 b). Oblinem: Iv jd"l': ~
,( '.'

joncţiunea emitor-bază, datorită potenţialului de

tează purtătorii minoritari, injectaţi de joncţiunea colector-bază.
contact <1> c, colec- le ~aIE-IeBo(e'~;' -Il ij7 (6.68)

Concentraţia purtătorilor minoritari lângă joncţiunea colectorului Această expresie prezintă familia caracteristicilor de ieşire
n W
~ exp qVCB . I C (VCB ) cu I E parametru
~._._---_. '. ...
şi este prezentată în fig. 6.9b; se disting
. •. ,., ....
P kT trei regiuni diferite: regiunea activă, unde joncţiunea emitor-bază
Dacă VEB = VCB ' atunci şi concentraţiile purtătorilor
minoritari este polarizată direct, iar joncţiunea colector-bază polarizată invers;
lângă joncţiunile ce injectează vor fi tot egale. De asemenea vor fi regiunea de saturaţie, unde ambele joncţiuni sunt polarizate direct;
egale şi concentraţiile purtătorilor de sarcină minoritari lângă jonc- regiunea de blocare, unde ambele joncţiuni sunt polarizate invers.
Regiunea activă este principala în tehnica de amplificare, iar
ţiunile ce colectează. Prin urmare, gradientele dn P în ambele ca- regiunile de saturaţie şi de blocare sunt caracteristice pentru scheme-
dx le de comutare. X
zuri (la scurtcircuitarea joncţiunii emitorului şi a colectorului) vor
fi egale, şi de aceea curenţii prin joncţiunile colectoare, scurt-
circuitate tot sunt egale (I C = I E ):
1"
E

sau aNI~BO = aJ~Bo (6.66) Regiune activă l'

E

I
I CBO aN
şi deci (6.67)
I~BO al

Relaţia (6.67) simplifică suficient expresiile obţinute cu ajuto-

rul ecuaţii lor Ebers-Moll. a b
Fig. 6.9. Familii de caracteristici statice ale TB în conexiunea BC:
6.4.2 CARACTERISTICI STATICE IDEALIZATE a) de ieşire; b) -deinrraTe.
;.h.,,',. it)' "

ÎN CONEXIUNEA BC
Familia caracteristicilor de intrare VEB (I E) cu VCB parametru
În conexiunea BC caracteristicile de intrare sunt: se obţine din ecuaţia (6.63 a) rezolvând-o faţă de VEB . Utilizând
VCB = const • , expresia (6.67), obţinem:
iar cele de ieşire kT [I
VEB =-ln
q
-,E-+l+ a (qVCB
e kT -1 .J] (6.69)
I E = const. I EBO

230 231
 Aceste caracteristici sunt reprezentate în fig. 6.9a. Pentru o va- 6.4.3. CARACTERISTICI STATICE REALE
loare VCB dată, caracteristica este asemănătoare cu cea a unei diode ÎN CONEXIUNEA RC
polarizate direct.
Pentru regimul activ sunt caracteristice condiţiile VCB care polari- În ecuaţiile Ebers-Moll nu s-au luat în vedere un şir de factori:
efectul Early, străpungerea joncţiunii, dependenţa a(1 E) ş.a. Din
kT
zează joncţiunea colector-bază invers, deci, V CB
< O şi IV I »
CB
- ; această cauză caracteristicile din fig. 6.9 într-o mare măsură sunt
q idealizate. Caracteristicile reale ale TB pentru conexiunea BC sunt
în aceste condiţii expresiile (6.68) şi (6.69) se modifică: reprezentate în fig. 6.10.
(6.70) INE? lIn1<"'",
VIlB le
VCB>O
rNB

VEB =kTl n ~ , (6.71) Vcs=O rmB

q I EBO VCB<O rJIB
La deducerea expresiei (6.71) s-a presupus că 1- aN::::; O,
lE
deoarece, după cum s-a demonstrat mai sus, aN are valoare foarte
a
apropiată de unitate.
Caracteristicile din fig. 6.9b sunt echidistante, deoarece s-a tV B
considerat aN = const şi sunt paralele axei tensiunilor colectorului. INg>IIng>...
In
Caracteristicile reale (fig. 6.lOb) nu sunt echidistante, deoarece
r B

factorul de amplificare în curent a depinde de curentul de emitor, r JI

B
şi au o înclinare finită, deoarece în ecuaţiile Ebers-Moll nu s-a luat
lE rlB -V CB
în consideraţie rezistenţa joncţiunii colectorului (consecinţele mo-
dulării lărgimii bazei). ! d
Faţă de familiile caracteristicilor de intrare (fig. 6.9a) se pot Fig. 6.10.);.am!lii.de.c.. ~rac~eristici statice ale TB în conex.iul!ea BC:
face următoarele observaţii. Curba cu VCB = O parametru este o ca- l1J
de leşlre;.~ de Intrare; c) de transfer; d) de reacţIe Inversa.

racteristică diodică ce începe din originea de coordonate. Pentru Caracteristicile de ieşire, 1C = f(VCB ) ' sunt reprezentate în fig.
valori VCB < O curbele se deplasează în dreapta şi în jos din cauza
6.10b, din care se observă că, pe măsura creşterii tensiunii VCB ' are
creşterii componentei curentului de emitor colectat. Pentru valori
loc o creştere uşoară a 1c. Această creştere este determinată de
VCB > O curbele puţin se deplasează în stânga şi în sus. Dacă
influenţa efectului modulării lărgimii bazei. Cu creşterea tensiun,ii
IV I »
CB kT , atunci influenţa tensiunii de colector practic lipseşte. VCB se micşorează lărgimea efectivă a bazei (efectul Early), creşte
q gradientul concentraţiei electronilor în bază şi trebuie să crească
La caracteristicile reale, dUpă
cum va fi arătat mai jos, VCB tot nu curentul lE' Pentru menţinerea curentului lE constant este necesar
influenţează suficient, dar totuşi are loc pentru orice valori V din
CB
de a ·
mIcşora .
tenSIUnea ~ destul~and con d"IţIa dn /dx
VEB' In n /
= const .
cauza legăturii inverse după tensiune (consecinţele modulării lăr­
gimii bazei). La lE = const, dar pentru regiunea mai îngustă a bazei, se mic-
- 232
233
 1
şorează probabilitatea de recombinare a electronilor în bază, creşte
factorul a şi, prin urmare, curentul I C •
Acest efect poate fi luat în consideraţie introducând în (6.70)
un termen suplimentar:
IC = alE + I CBa + IV~BI , (6.72)
re
unde r este rezistenţa diferenţială medie a joncţiunii colector-bază.
c
O altă deosebire dintre caracteristicile reale şi cele ideale con-
stă în aceea că curentul de colector I C creşte cvasiproporţional cu
curentul lE' şi anume: cu cât este mai mare lE cu atât mai mică
este creşterea I C • Aceasta se lămureşte prin micşorarea factorului
a cu creşterea curentului lE'
La tensiuni V mai mari survin efecte de multiplicare în
avalanşă, iar pentruc~alori aproape de tensiunea de străpungere are
loc o creştere rapidă a curentului I C (fig. 6.1 Ob). Pe familiile ca-
racteristicilor de ieşire este trasată hiperbola de disipaţie maximă,
care limitează curentul I C şi tensiunea VCB cu regiunea carac-
teristicilor situate mai jos de această curbă. În regiunea de saturaţie,
tensiunea VCB îşi schimbă polaritatea, devenind directă, astfel are
loc injecţia electronilor din colect~r în bază, fapt ce ~~ce la mic-
şorarea gradientului de concentraţle; pentru o anumIta ~raloare .a
tensiunii VCB directe gradientul de concentraţie a electromlor devI-
ne zero; prin urmare, vom avea I C = O. În această regiune carac-
teristicile reale nu se deosebesc suficient de c,~17. ideale.
7 Caracteristicile de intrare, Il' =f(VEB ) cu V CB parametru,
• sunt reprezentate în fig. 6.10a. Pentru VCB =0 caracteristica practic
\,~\' 't
coincide cu caracteristica dioQ~i
. _....
---~--,~--~ ~
realepolarizate
-" ..".-.... .._,
~-_.~--"
direct. La VEB > O
(polarizarea inversă) curentul lE = I~Ba' Dependenţa acestui
curent de tensiunea VEB este determinată de parametrii fizici ai
materialului, aria suprafeţei joncţiunii ş.a. La VEB < O (polarizare
directă) caracteristica se deosebeşte de cea a tranzistorului ideal
234
datorită influenţei proceselor de recombinare în joncţiunea emitor-
bază şi din cauza căderii de tensiune pe rezistenţa bazei.
În regiunea activă (VCB > O, polarizare inversă) caracteristica
reală se deplasează mai accentuat decât caracteristica tranzistorului
ideal spre curenţi J E mai mari, cauza fiind efectul modulării
Iărgimii bazei. Cu creşterea tensiunii VCB regiunea de sarcină spa-
ţială a joncţiunii colector-bază se măreşte, lărgimea efectivă a bazei
se micşorează, şi la VEB = const curentul J E creşte în urma măririi
gradientului de concentraţie a purtătorilor de sarcină minoritari în
bază (vezi fig. 6.7).
În regiunea de saturaţie (VCB < O, polarizare directă) mărimea
deplasării caracteristicii reale spre curenţi lE mai mici la fel este
influenţată de efectul modulării Iărgimii bazei.
Caracteristicile de transfer, J C =.I(I E) cu VCB parametru, sunt
reprezentate în fig. 6. lOc. În general, între I C şi lE există o_.~~n­
de~ţă}ineară (~); prin urmare, caracteristicile sunt drepte, având '" ,. ~
panta determinată de a (a::::; 0,95-;.-0,99; rp == În caracteristicile
J[ ).
4
experimentale se observă o uşoară creştere a curentului J C odată cu
creşterea tensiunii de colector. Se explică această variaţie prin mic_
şorarea Iărgimii efective a bazei ce cauzează creşterea factorului de
amplificare în curent a . La JE = O curentul I C = J CBa şi carac-
teristicile se încep nu din origine. La valori mari ale curentului J E
panta caracteristicilor se micşorează, deoarece la niveluri mari de
injecţie are loc scăderea factorului a (vezi p. 6.3). Drept expresie
analitică a acestei familii de caracteristici poate servi relaţia (6.68), ?' ((-
în care VCB este parametru. 1 " \ r. tii~
!.
1 (, b· 6 ,~)
l '""" /' "
Caracteristicile de transfer invers, VCB = f{VE; ) cu I E p~ra-
metru, sunt reprezentate în fig. 6.1 Od. Aceste caracteristici demon-
strează influenţa relativă a tensiunilor de colector şi de emitor
asupra curentului lE' Din fig. 6.l0d se vede bine o influenţă
considerabilă a tensiunii VEB , modificând înălţimea barierei de po-
tenţial a joncţiunii emitor-bază, asupra curentului lE' şi o influenţă
235
 1

slabă asupra acestui curent (din cauza micşorării lărgimii efective a
bazei) din partea tensiunii VCB • Aceasta se demonstrează printr-o
înclinare neînsemnată a caracteristicilor către axa absciselor, deoare-
ce cu mărirea tensiunii IVCB 1, pentru a menţine lE = const, ten-
siunea VEB trebuie micşorată. Întrucât între IEşi VEB există o
dependenţă nelineară (exponenţială), pentru o rată constantă de
creştere a parametrului lE caracteristicile nu sunt echidistante. Drept
expresie analitică poate servi (6.69), în ea considerând lE parametru.
6.4.4. CARACTERISTICI STATICE ALE TB
ÎN CONEXIUNEA EC
Caracteristicile de ieşire, 1C = f22(VCE ) cu 1B parametru, sunt
reprezentate în fig. 6.11 b. Expresia analitică a acestor caracteristici
poate fi uşor determinată cu ajutorul ecuaţii lor Ebers-Moll şi are
forma:
(6.73)
~a şiîn cazul conexiunii BC, şi aici se disting trei regiuni de
funcţIOnare. Observăm că panta caracteristicilor în regiunea activă este
mult mai mare decât în conexiunea BC, fapt ce atestă o influenţă
puternică a tensiunii VCE asupra curentului prin tranzistor; această
influenţă se realizează în principal tot prin intermediul efectului Eady,
însă se manifestă prin coeficientul /30 = a o(1 - a o); considerând
a o = 0,99, o creştere de 0,2% a lui a o produce lui /30 cu
creşterea
aproxiI?ativ 25%. Spre deosebire de conexiunea BC, regiunea de
saturaţIe este situată în primul cadran; în conexiunea EC saturaţia
survine când IVBE I > IVCE 1· Astfel, pentru un tranzistor n - p - n ,
dacă VBE > VCE , pe joncţiunea bază-colector este prezentă tensiunea
de polarizare directă VCB = VBE - VCE ' Dacă ambele joncţiuni sunt
polarizate direct, are loc creşterea curentului de bază, însă
caracteristicile sunt trasate pentru 1B = const , deci pentru menţinerea
constantă a acestui curent trebuie micşorată tensiunea VRE' fapt ce
duce la scăderea rapidă a curenţilor IEşi 1c. Regiunea de blocare
începe când 1B = O ŞI, conform relaţiei (6.38), rezultă
1C= (/30 + 1)1CBO = 1CEO •

Efectuând mărirea scăriiîn apropierea originii (VCE foarte mici)

V CJl<O se constată că, exceptând cazul 1 B = O, caracteristicile nu trec exact
prin origine, ci sunt uşor deplasate spre dreapta (fig. 6.12). Această
particularitate poate fi dedusă atât din ecuaţiile (6.68) şi (6.69), cât şi
din considerente fizice. Dacă pe joncţiunea emitor-bază este aplicată o
n
tensiune de polarizare directă şi le I B
VCE = O, colectorul este conectat în
scurtcircuit cu emitorul; astfel curentul
de bază va reprezenta suma curenţilor
!'-------IB=O
care trec joncţiunile emitor-bază şi
colector-bază. Prin urmare, 1C rep- o V' CJl -Vea
rezintă o fracţiune din curentul de bază
Fig. 6.12. Regiunea iniţiala a
şi are sensul opus faţă de funcţionarea caracteristicilor de
Fig.6.11. Familii de caracteristici statice ale TB În conexiunea EC: ieşire a TB în co-
a) de ieşire; b) de intrare; c) de transfer; d) de reacţie inversa. normală. Pentru a realiza 1C = O, este nexiunea Ee.

236 237
 necesar să fie aplicate tensiuni V~E (vezi fig. 6.12) cuprinse între 0,05-
0,5 V, care pot fi ,~etefI?-Înate din expresia: V~E ~ kT lna o '
I ,"\ I " l' '(,j ~ q
Caracteristicile de~are, 1 B =fl! (VBE )
cu VCE parametru,
sunt reprezentate în fig. 6.lla; forma lor este similară cu
caracteristicile diodei ideale; exceptând cazul VCE = O,
cara.cteris!ici~e nu trec prin origine. Pentru explicarea acestei
partIculantăţl, observăm că din (6.32) şi (6.34) se poate scrie:
lB =IE - l c = (1-a o)IE -lcBo'
dacă VBE = O, rezultă lE = O şi lB = -lcBo;
numai în cazul
VCE = O avem l CBO = O. Influenţa tensiunii VCE este mai puternică
în domeniul valorilor mici când joncţiunea colector-bază trece de la
polarizarea directă la cea inversă. Sensul de variaţie a curentului l
B
sub influenţa tensiunii VCE poate fi explicat pe baza relaţiei (6.74):
pentru o tensiune VBE dată curentul lE rămâne constant; creşterea
tensiunii VCE produce creşterea curentului l C ( a o şi /30 cresc în
funcţie de VCE ), astfel l B scade.
Caracteristicile de transfer, l C =fZ 1(1 B)
cu VCE parametru,
sunt reprezentate în fig. 6.11 c. Aceste caracteristici sunt drepte,
panta lor este determinată de factorul /30 şi este cu mult mai mare
decât în conexiunea BC, deoarece curentul l B alcătuieşte o parte
foarte mică (0,01-0,05) din curentul de emitor şi, prin urmare, este
de multe ori mai mic decât l c. Abaterea caracteristicilor de la
legea dreptlineară, adică dependenţa /30 (1 B)' se lămureşte pnn
aceleaşi cauze, ca şi dependenţa a o (lE) .
Însă, deoarece /30 creşte foarte repede în comparaţie cu
caracteristici se observă micşorarea factorului /30 nu numai la valori
relativ mari ale lui l B , cauzată de micşorarea lui a o în urma creşterii
intensităţii de recombinare, dar şi o diminuare a factorului /3 la
0 regim, atunci numarul parametrilor şi valoarea IOf,-- ce caraqe-
curenţi mici ai bazei.
238
Deplasarea caracteristicilor de transfer în sus la marirea
tensiunii VCE este cauzata de creşterea curentului lE' deci şi l C ' la
lB = const.
Pentru VCE ~ O caracteristicile de transfer nu trec prin origine,
dar prin punctele pe axa o~donaţe~QJ ce corespund curenţilor l CEO .
(_lf U t !r, ,-(
Caracteristicile de-----trnn8fer----tnvers, VBE =flz(VcE ) cu l B
parametru, sunt reprezentate în fig. 6.11 d. Pentru domeniul de
valori IVCE I:s; IVBE I reacţia inversa este foarte puternica; menţinerea
(6.74) constanta a curentului l B' atunci când VCE se apropie de zero,
necesita micşorarea brusca a tensiunii VBE ' La tensiuni VCE
suficient de mari reacţia inversa se micşoreaza, dar ramâne mai
mare decât la conexiunea BC, întrucât VCE acţioneaza parţial şi
asupra joncţiunii emitor-baza.
Caracteristicile statice ale TB în conexiunea EC prezinta mare
interes, deoarece pe ele este aratat curentul de baza. In conexiunea
BC curentul l B nu se masoara, iar determinarea lui precisa dupa
curenţii de emitor şi de colector nu e posibila, deoarece aceşti
curenţi puţin difera unul de altul.
6.5. PARAMETRI? SCHEME ECHIVALENTE
ALETB
Pentru calculul schemelor cu TB este necesar de a cunoaşte
parametrii acestor tranzistori şi dependenţa lor de regimul de
funcţionare şi temperatura. În general, prin parametri se înţeleg
marimi ce caracterizeaza funcţionarea şi performanţele unui
dispozitiv electronic, în anumite game de valori pentru Jr.ecvenţe şi
amplitudiDile semnalelor aplicate. Vom cerceta parametrii TB în /
a ' pe
o gama fiecvenţelor joase (f:s; 20 kHz) şi în regim de semnal mic
(un regim linear pentru componentele variabile). Luând în
consideraţie ca TB poate funcţiona în diferite regimuri şi în diferite
conexiuni, iar valoarea para.1TIetrilor depinde de temperatura şi
rizeaza TB în diferite condiţii, este foarte mare. În practica se
239
 utilizează vreo 300 de parametri, şi alegerea celor necesari din
6.5.1. PARA METR II NATU RALI AI TRAN ZISTO RULU
acest număr este o problema dificila. I
BIPOL AR
Exista doua sisteme diferite de parametri: sistema de parametri
fizici (parametrii naturali) şi sistema de parametri de CUqqripol ai
Parametrii naturali au semnificaţii legate direct cu fenomenele
tranzistorului. În primul caz tranzistorul se prezinta printr-un aşa­ fizice fundamentale şi tehnologiile de fabricare a TB. Detenninam
numit circuit de tip T (fig. 6.13a), şi procesele din tranzistor sunt aceşti parametri pentru un tranzistor n - p - n în conexi
caracterizate de un numar nu prea mare de marimi, care reprezintă unea BC.
parametrii fizici ai TE. Meritul acestei sisteme consta în concre- 1) Rezistenţa diferenţiaIa a emitorului re se defineşte prin
relaţia:
teţea ei fiziCă şi legătura exacta cu însuşi tranzis
torul (parametrii
sunt rB' rc, a, CE' Cc şi a.), neajunsul - masurarea nemijlocita a
r =dV
e
-EB
-dI
IVCB~const. (6.75)
parametrilor nu-i posibila (punctul b' este înauntrul cristalului). E
În al doilea caz tranzistorul este considerat drept un cuadripol (fig. şi poate fi detenninată din caracteristicile de intrare lE =f(V ) cu
6.13b). Se descrie comportarea tranzistorului la tenninale, fara a EB
VCB parametru.
examina procesele fizice din dispozitiv. În dependenţa de aceea
cum sunt scrise ecuaţiile cuadripolului, exista câteva sisteme de Daca vom diferenţia ecuaţia acestei caracteristici (6.69), consi-
IV I» kT , obţinem:
parametri (Z, Y, H - sisteme). Meritul acestor sisteme consta în derând regimul activ CB
simplitatea masurării parametrilor. q

CE cdE
II r--- --, i re = d;:B = ~ IVC8~const. (6.76)
o' re 1
. ti
---- 2

2 2) Capacitatea joncţiunii emitor-bază CE' ca ŞI In cazul

E
-iE
rb
C
1
VI:
I joncţiunii p - n, are doua componente capacitatea de
difuzie CeD
L _ _ _ _ -.J 2
şi capacitatea de bariera C . Utilizând expresia (3.39)
Ce eb pentru capa-
citatea de bariera, se obţine:
B
a b
Fig. 6.13. Schema echivalenta a TB pentru frecvenţe joase
C ::::&&oSe <I>b
(6.77)
mic: a) schema de tip T; b) modelul de cuadripol.
şi semnal eb de <I> b + IVEB I'
La calculul şi proiectarea sistemelor electronice, ca regula, se unde: deeste largimea regiunii de sarcina spaţială ajoncţiunii emi-
utilizeaza scheme echivalente, în care tranzistorul este reprezentat tor-baza la VEa = O; Se - aria joncţiunii emitor-baza. Capacitatea
în fonna de un ansamblu de elemente separate. Pe baza analizei de difuzie este detenninata de expresia:
proceselor fizice ce se petrec în tranzistor se detennina valorile ce
corespund elementelor circuitului echivalent. Regimul de func-
ţionare a tranzistorului în circuit este dat de punctu
l de lucru pe
C eD ~ k~IE'n :::: k~:;; lE' (6.78)
n
caracteristicile lui statice (de exemplu, cu ajutorul curentului IEşi deci, este direct proporţionala cu curentul de emitor. Deoarece în
a tensiunii VCB )' regim activ joncţiunea emitorului este polarizata direct, capacitatea
de difuzie este mai mare de câteva ordine ca cea de bariera.
240
241
 3) Rezistenţa bazei rb este egala cu suma a doua rezistenţe: Se observă că re' de asemenea ca şi rE' este invers proporţio­
(6.79) nală curentului de emitor. Însa, spre deosebire de rE' rezistenţa re
depinde şi de tensiunea VCB '
unde r~ este rezistenţa de volum a bazei în direcţia perpendiculară
5) Capacitatea joncţiunii colector-baza CC ,ca şi a joncţiunii emi-
pe mişcarea purtătorilor de sarcină minoritari; ea micşorează ampl~­
ficarea tranzistorului şi tensiunea de străpungere a colectorulm. tor-baza, se compune din capacitatea de barieră şi cea de difuzie.
Capacitatea de barieră poate fi determinată utilizând expresia (3.39)
Această rezistenţă depinde de forma geometrică a bazei şi poate fi
determinată dupa expresia: C ::: &&oSc <I>b
(6.84)
, Pb (6.80)
eb - dc <I>b +/VcBI '
rb ::::! ,
4Jr Wb unde d C este lărgimea regiunii de sarcina spaţiala a joncţiunii c01ector-
unde Pb este rezistenţa specifică a semiconductorului din care este baza la VCB = O. În calitate de marime S C de obicei se ia nu toata aria
joncţiunii colectorului, dar numai o parte, marginita de regiunea activă a
construită baza, r~' - rezistenţa diferenţială a bazei. Cu ajutorul
bazei: Sc ::::! SE' Capacitatea C eb în majoritatea tranzistorilor este rela-
rezistenţei r~' se ţine cont de dependenţa lărgimii bazei de tensiunea tiv mica (unitaţi sau zeci de pF), însa reactanţa ei şunteaza rezistenţa
V (efectul Early). De exemplu, pentru conexiunea BC rezistenţa înalta a joncţiunii colectorului, de aceea influenţa capacitaţii Ceb poate
CB
diferenţială a bazei este: fi foarte esenţiala. La frecvenţe înalte capacitatea Ceb micşoreaza am-

r" = dVEB (6.81) plificarea tranzistorului. Produsul r~ . Ceb are dimensiune de timp şi se
b di numeşte constanta de timp a circuitului colectorului, fiind de asemenea
C iE=eonst
un parametru al tranzistorului. Constanta de timp T C = r'b . C eb trebuie
4) Rezistenţa diferenţială a colectorului re se defineşte prin relaţia:
sa fie cât mai mică pentru a îmbunataţi calitatea tranzistorului.
r
e
= dVCB
di I VEB=eonst.
(6.82) Capacitatea de difuzie a joncţiunii colectorului CeD' determi-
C nata de raportul variaţiei sarcinii electronice în baza catre variaţia
Rezistenţa re este datorata efectului modulării lărgimii bazei. tensiunii VCB ' este importanta la funcţionarea tranzistorului în re-
Utilizând dependenţa (6.74) şi introducând în ea (6.33), obţinem: gim invers sau în regim de saturaţie. În regimul activ capacitatea
C eD este cu mult mai mica decât capacitatea joncţiunii emitorului,
le -ICBO = alE = r[t- ~: llE deoarece tensiunea VCB nu influenţeaZă asupra sarcinii purtatorilor
injectaţi, aşa cum are loc în joncţiunea emitor-bază. Mărimea
Diferenţiind 1 C după Wb şi introducând dWb din (6.42) pentru sarcinii din regiunea bazei, în vecinătatea interfeţei cu colectorul,
variază numai datorită modulării lărgimii bazei.
rezistenţajoncţiunii colectorului, obţinem următoarea expresie:
Toţi parametrii naturali enumeraţi servesc drept bază la

r
e
= dVc,
dl c
= FqN
&0&
A ~ JV
Wb yI E
CB
. • (6.83)
alcătuirea schemelor echivalente ce permit de a aprecia cantitativ
procesele fizice în tranzistor şi, prin urmare, mai deplin proprietă­
ţile lui în diferite condiţii de exploatare.

242 243
 6.5.2 PARAMETRII DE CUADRIPOL Funcţiile (6.85) pot fi scrise în forme de diferenţiale complete:

În regim dinamic peste componentele continue VEB , 1E' 110 + = +(°11J.9! +( oV011 J.9
il 110
o~ 2
2
VCB ' 1C se suprapun componente variabile în timp: .9E b' i E' (6.88)
.9CB' i C' Dacă componentele variabile au permanent valori sufIci- 120 +l2. -1
- 20 + - - (01
oV;
Jn + (01
2
- -Jn
171
oV
2
172 '
ent de reduse, astfel încât porţiunile de caracteristici statice să poată 2

fi asimilate cu segmente de dreaptă, atunci tranzistorul poate fi unde 110 ,120 sunt componente constante,
considerat ca un cuadripol linear (fig. 6.13b). Cu,adrip9lul este un
circuit electric căruia îi sunt accesibile două perechi de bome, o l.·1 = Yll.91 + YI2.92} .
sau (6.89)
pereche de intrare (Il' ) - variabilele electrice asociate fiind tensiu- l2 = Y21.91 + Y22.92
nea de intrare .91 şi curentul de intrare il - şi o pereche de ieşire
Din ecuaţiile (6.88) se observă că pentru cazul cercetat
(22') la care variabilele sunt.92 şi i 2 • Deoarece curenţii depind de parametrii de cuadripol au dimensiuneag~conductanţă, de aceea şi
ambele tensiuni, se pot scrie două relaţii independente între p~t~ sistemul dat poartă denumirea sistemul conductanţeior totale, sau
variabile, luând în calitate de argumente oricare două din 4 mănmI: sistemul de parametri admitanţă (Yij)' Şi anume:
il ' i 2' .9l ' .92' În aşa mod pot fi obţmute şase perechi de depen-
denţe funcţionale. Pentru a caracteriza tranzistorul-cuadripol se Yll =~ 1.9:2=0 - conductanţa de intrare cu ieşirea în scurtcircuit;
utilizează numai trei din ele: I

Il =fl(~;.V2);.} (6.85) Yl2 = ~ I~=o - conductanţa de transfer mvers cu intrarea în v,

12 =.h(~,V2)' 2

scurtcircuit;
-/ ~ = CPI(lI;.12 );.} (6.86) Y21 =~ 1.9:2=0 - conductanţa de transfer direct cu ieşirea în scurt-
V2 =CP2(lI'IJ, I

~ = <D J11;.V2 );.} (6.87)
12 = <D 2(lI'V2),
• t' Relaţiile
(6.85 ...6.87) poartă denumirea de ecuaţii de cuadripol.
Cei 4 coeficienţi care intervin în ecuaţii se numesc pr:ram~tri d~
cuadripol. Semnificaţia electrică a parametrilor de cuadnpol ŞI, decI;
dimensiunile lor depind de alegerea variabilelor dependente .~I
independente din ecuaţiile de cuadripol. Astfel, există parametm:
~. impedanţă (zij' cu i,j= 1,2), admitanţă (Yij)lau hibrizi (hij)' De men-
tionat că parametrii de cuadripol sunt, în general, mărimi complexe şi
~e notează (Z, Y, H ), însă la funcţionarea tranzistorului în regiunea
frecvenţelor joase ei devin mărimi reale şi se notează (z,y,h).
circuit;
Y22 = ; I~=o - conductanţa de ieşire cu intrarea în scurtcircuit.
2
Deci, determinarea parametrilor Y necesită efectuarea măsură­
torilor în scurtcircuit dUpă componenta variabilă. Obţinerea regi- \
mului de scurtcircuit constă în aceea că circuitul cercetats~.~Il.!!.- \
tează cu o rezistenţă, cu mult mai mică de.cât f.t~zist~nţa cir~llitului-/
respectiv. Având în vedere necesitatea asigurării alimentării termi-
nalelor tranzistorului cu tensiune constantă, şuntarea poate fi exe-
cutată cu ajutorul unei capacităţi.
Regimul de scurtcircuit· poate fi uşor realizat în circuitul
colectorului, unde, datorită polarizării inverse, rezistenţa interioară

244 245
 a tranzistorului este mare. Executarea regimului de scurtcircuit în rezistenţa internă a circuitului este mare (poate fi câţiva MrJ. ). Prin
circuitul emitorului, care-i polarizat direct, este dificilă, mai ales în urmare, determinarea experimentală a parametrilor z este dificilă.
regiunea frecvenţelor joase. Aceasta limitează utilizarea paramet- Din sistemul de ecuaţii (6.87) determinăm:
rilor y pentru descrierea proprietăţilor tranzistorului.
Pentru sistemul de ecuaţii (6.86)
(6.91)

.9, =(a~J'i
al ' +(a~J'i
,
al 2
2
În acest caz avem para.metrii hibrizi (h;). Pentru determinarea
.92 = ( av
aI,
2
1, aI J .
J.. + (aV
2
. 12
parametrilor h sunt necesare regimul de scurtcircuit în circuitul de
ieşire şi cel în gol în circuitul de intrare, care uşor pot fi realizate.
2
Sensul fizic al parametrilor h este destul de simplu:
sau (6.90)
= ~'
(".pl.
hl ,
, 1.9:1'0'0 - rezistenţa de intrare cu ieşirea în scurtcircuit;
unde parametrii de cuadripol au dimensiunea de. rezistenţă, de
aceea şi sistemul poartă denumirea sistemul rezisterlJ~~or totale: h'2 = ;' 1;1 =0 - factorul de reacţie de tensiune cu intrarea în gol;
2

= ~l rezistenţa de intrare cu ieşirea în gol;

8,=0 - factorul de amplificare de curent cu ieşirea în
Zll /;0=0 -
1, - h21 = i21
•
1) -

Z'2 = ~, /;1=0 - rezistenţa de transfer invers cu intrarea în gol; scurtcircuit;

12
Z2' = ~2/h=0 - rezistenţa de transfer direct cu ieşirea în gol;
1, -
Z22 = ~21 ;]=0 - rezistenţa de ieşire cu intrarea în gol.
12
Pentru a obţine regimul în gol (dUpă componenta variabilă), în
circuit se conectează o rezistenţă cu mylţmai mare ca rezistenţa
respectivă a cuadripolului (de intrare sau de ieşire). De obicei, acest
regim se realizează conectând în circuit o inductanţă.
Realizarea regimului în gol în circ~ituiemitorului sau al bazei
(pentru conexiunea EC) nu prezintă greutate, deoarece rezistenţa
interioară a joncţiunii polarizate direct este mică; realizarea
regimului în gol în circuitul colectorului însă este dificilă, deoarece
h22 -_21
.9 ;1=0 - conductanţa de ieşire cu intrarea în gol.
2
Avantajele parametrilor h: se măsoară uşor, trei dintre ei au
corespondenţi printre parametrii naturali şi, ca urmare, interpretarea
lor fizică este evidentă. Însă pentru calculul schemelor electrice
deseori este mai comod de a folosi alţi parametri (de exemplu, y).
Pentru a obţine relaţiile de conversiune a parametrilor de la un
sistem la oricare altul, este necesar ca ecuaţiile sistemului de la care
se efectuează trecerea să fie rezolvate faţă de mărimile, care sunt
funcţii în sistemul la care se trece. Coeficienţii obţinuţi pe lângă
tensiuni sau curenţi vor da relaţiile de conversiune. De exemplu,
dacă este necesar de a trece de la sistemul de parametri y la
sistemul de parametri z, atunci ecuaţiile (6.89) trebuie soluţionate
faţă de .9, şi .92 (funcţii în sistemul z). Expresiile obţinute sunt:

246 247
 x~
n ~ Y22 '1' Y12'
pentru conexiunea BC etc. Însa daca aceşti parametri sunt
• 12
rJ'1'
, A
1 - -
A cunoscuţi pentru o careva conexiune, relativ uşor se face
'Lly
-. Lly (6.92) recalcularea pentru alta. Pentru aceasta trebuie înlocuiţi curenţii şi
.9 ~ - Y21 . i + Yll . i tensiunile (având în vedere regula semnelor), luând în consideraţie
2 ~Y I ~Y 2
că în tranzistor

unde ~Y = YllY22 - Yl2Y21 - determinantul sistemului y. (6.93)

Comparând sistemul (6.92) cu (6.90), obţinem relaţiile de
conversiune de la un sistem la altul. Relaţiile obţinute analogic sunt .9RE + .9CR + .9EC = O. (6.94)
prezentate în tabelul 6.1. De exemplu, daca sunt cunoscuţi parametrii Y ai tranzistorului
Tabelul 6.1. în conexiunea BC şi trebuie determinaţi pentru conexiunea EC în
Relaţiile de conversiune a parametrilor de la un sistem la altul ecuaţiile

ih! 1.·E _= Yllb.geb + Y12b.9cb } , (6.95)

iY'
lc - Y21b.geb + Y22b.9cb
_2'12 ~h h12 înlocuim curenţii şi tensiunile cu ajutorul expresiilor (6.93) ŞI
Xll - -

Zll Z12
~ ~Y h22 h22 (6.94). Dupa transformari obţinem:
Z
Z21 Z22
- Y21 Yll _'!21 1
--- ib = (Yllb +. Y12_b
_
+ Y2lb + Y22b).9be -(YI2b + Y22b).9ce } ,
(6.96)
~Y ~Y h22 h22 le - (Y2lb + Y22b).9be + Y22b.9ce
unde .9be = -.geb •
Z22 _~12 1
--- -~~
& & Yll Y12 hll hll Prin urmare,
'Y _2'2~ Zii h21 ~h
& &
Y21 Y22 - Yll e = Yllb + Yl2b + Y21b + Y22b
~1 hll
Y12e = -(YI2b + Y22b)
(6.97)
& ZI2 1 _ Y12.
Y21e = -(Y2Ib + Y22b)
_._--,,- ----- -

Z22 Z22
hll h12 Y22e = Y22b
Yll Yll
h 1 ~h h22
_2'21. -- .Y.11 -
h21
Z22 Z22
6.5.3. SCHEME ECHIVALENTE
Yll Yll

Valoarea parametrilor tranzistorului-cuadripol depinde de
modul de conectare a lui. Pentru a desemna conexiunea
tranzistorului la parametrii de cuadripol, se adaugă al treilea indice
(e,b,c); astfel avem: Zile' Z12e' Z21e,Z22e - parametrii impedanţă
pentru conexiunea EC; hl1b , hl2b , h 2lb , h22b - parametrii hibrizi
248
Sub denumirea de schema echivalenta se înţelege schema elec-
triCă alcatuită din elemente lineare ale circuitelor electrice (rezis-
tenţe, capacităţi, inductanţe, generatoare de curent sau tensiune),
care dupa proprietăţile sale în gamele de amplitudini şi frecvenţe
specificate nu diferă de dispozitivul real (tranzistorul). Trebuie
precizat că generatoarele din circuit sunt "dependente" în sensul ca
249
valorile curenţilor sau ale tensiunilor sunt determinate de catre ma-
rimi externe, curenţi sau tensiuni aplicate pe terminalele dispoziti-
vului. La calculul circuitelor de amplificare, generare, modulare
etc., utilizând schemele echivalente, mai întâi se determina însuşi
curenţii şi tensiunile în schema şi apoi se trece la alţi parametri, de
exemplu la parametrii de cuadripol. Având în vedere relaţiile com-
plicate dintre tensiunile aplicate şi curenţii care trec prin tranzistor,
precum şi variaţiile diferiţilor parametri cu amplitudinea şi freeven-
ţa semnalelor, desenarea unei scheme echivalente complete consti-
tuie o problema destul de dificila. În mod necesar se introduc apro-
ximari urmarindu-se obţinerea unei scheme echivalente cât mai
simple, manevrabila în practica, care în acelaşi timp sa descrie sa-
tisfacator funcţionarea tranzistorului în condiţiile specificate.
Dupa modul de construire se disting scheme echivalente for-
male şi naturale (sau fizice). Schemele echivalente formale se con-
z" struiesc pebaza des-
crierii tranzistorului cu
ajutorul ecuaţii lor de
le"irc cuadripol (fig. 6.14).
Intrare
dbservăm ca fiecare
schema conţine câte 4
a elemente: doua rezis-
tenţe (în general, mari-
mi complexe) şi doua
generatoare de curent
1 .91 = i 2 z 3 } (6.99)
Intrare YIl sau de tensiune. Aşa
scheme echivalente nu
au nici o superioritate ,
b
în raport cu descrierea
tranzistorului ca un cua-
1 I . dripol tinear prin pa-
Intrare -h e"ue rametrii lui daţi (sau a
" ecuaţiilor respective).
c
Schemele echiva-
lente formale pot fi pre-
Fig. 6.14. Schemele echivalente fonnale ale TB:
a) pentru sistemul de parametri z; zentate în diferite for-
b) pentru sistemul de parametri y ; me, de exemplu, de con-
c) pentru sistemul de parametri h . struit aşa, ca în schema
250
sa fie numai un singur element
activ. De obicei, după modul
de desenare, aceste scheme se
divizeaza în scheme echiva- Intrare
- i,
Vm=i,(Z21-Z13)
V,
,,~ lente în L- şi scheme echi- Ie"ire
valente 11L1!. Pentru stabilirea 0 - - -.......-.-----0
legaturii dintre elementele
a
schemelor echivalente forma-
le cu un generator cu para-
metrii cuadripolului, pot fi
scrise expresiile pentru curenţi
şi tensiuni în ele, iar apoi com-
parate cu expresiile pentru cu- b
renţi şi tensiuni din cuadripol.
De exemplu, pentru schema
echivalenta în T cu generator Intrare
de tensiune (fig. 6.15a) cu
ieşirea în gol:
c
.91 =_iJZ] + Z3)}, (6.98) Fig. 6.15. Scheme echivalente tonnale
cu un singur generator:
.92 - Vm + 11z 3 a) schema echivalenta în T
cu generator de tensiune;
cu intrarea în gol: b) schema echivalenta în T
cu generator de curent;
c) schema echivalenta în Jr
cu generator de curent.
.92 =i2(Z2 +Z3) .
De unde:
(6.100)
Dupa transfo~ari obţinem valorile indicate în figură.
~chen:~le e~hIvalente naturale se alcatuiesc reieşind din
consIde!aţl1le fiZIce pentru c~nstrucţia data a tranzistorului, pentru
o gama de frecvenţe specIficate, orientându-se la o anumită
con~xiune a tranzistorului (BC, EC, CC). Fiecare boma a schemei
echIvalente naturale corespunde cu terminalul tranzistorului.
251
 Observăm că în schemele echivalente formale se deosebesc numai
bornele de intrare şi de ieşire, independent de faptul ce terminale
iJ
ale tranzistorului ele sunt.
Schema echiY<llenţă}laturaIă se construieşte, separând intuitiv
careva părţiTIl1:ranzistor şi cercetând aparte procesele în aceste părţi.
În practică se întâlnesc scheme echivalente în T, în Jr şi al.
Schemele aduse în acest compartiment sunt cele mai simple. In să
ele iau în consideraţie toate proprietăţile principale ale
tranzistorului în regimul de amplificare a semnalelor mici, sunt
comode pentru calcul ingineresc, de aceea sunt pe larg răspândite.
Schema echivalentă de semnal mic în T a tranzistorului în
conexiunea BC este prezentată în fig. 6.16. Bornele emitorului,
bazei şi ale colectorului sunt însemnate pe figură cu literele
corespunzătoare. Punctul b' este punctul ipotetic în interiorul
tranzistorului, locul conectării tuturor elementelor schemei
echivalente. În circuitul emitorului schemei este conectata
rezistenţ~(ţ!f~r.~llţiala re a joncţiunii de emitor polarizate direct.
Din expresia (6.76) constatăm dependenţa rezistenţei re de regimul
tranzistorului şi de temperatură. În circuitul colectorului este
conectată rezistenţa ,~>.'~care este echivalentă joncţiunii de colector
pola~izate invers. Din expresia (6.83) se vede dependenţa lui re de
regimul tranzistorului, determinată de curentul IEşi tensiunea VCB '
În circuitul bazei este conectată rezistenţa rh (6.79). Generatorul de
~> curent a i E ia în consideraţie_.!!.,:u:~~ferul curentului de emitor la
colector. Direcţia curentului generatorului este determinata făra
echivoc de direcţia curentului de emitor. Influenţa tensiunii de
colector asupra joncţiunii de emitor (datorită modulării Iărgimii
bazei) poate fi luată în consideraţie cu ajutorul generatorului de
A tensiune ţlVCB (fig. 6.l6a), sau cu rezistenţa diferenţială r~',
conectată în serie cu rezistenţa de volum a bazei r~ (fig. 6.16b).
Polaritatea generatorului de tensiune este determinată de com-
ponenta variabilă a tensiunii joncţiunii colector-baza. Schemele
echivalente examinate presupun funcţionarea tranzistorului la
frecvenţe joase şi medii, când frecvenţa este mai miCă ca
1/(2Jr re) sau j(:Jrr
1/(2 C ).
IC ee e e
252
E
~J..LVc(5'
rE L-..J
C E --
lE
rE
(5'
re
C
Ve
rOI
b
rb
r'
b
B B
a b
Fig. 6.16. Scheme echivalente naturale ale TB în conexiunea BC:
a) legatura inversa cu generator de tensiune'
b) legatura inversa cu rezistenţa di ferenţiala.
A La frecvenţe mai mari sunt esenţiale procesele fizice legate de
mcărcarea capacităţi lor de barieră a joncţiunilor p - n şi acumularea
purtătorilor de sarcină minoritari în regiunile tranzistorului, ţinând
sea~a de ~nc~rcarea capacităţilor de difuzie. Aceste procese se iau în
conSIderaţIe m schemele echivalente, introducându-se capacităţile
respective con~ctate în paralel la rezistenţele re şi re' cum este arătat
în ~g. 6.l3.a. In afară de aceasta, factorul de amplificare în curent
devme mănme complexă.
6.6. CARACTERISTICA DE FRECVENŢĂ A TB
A La frecvenţe foa:te înalte parametrii naturali ai TB, în primul
rand factorul de amplIficare în curent, devin dependenţi de frecven-
ţă. Aceasta este legat de faptul că timpul de zbor al purtătorilor de
sarcină prin regiunea bazei t h este o mărime finită şi, în al doilea
rând, ?e ~.xiste~ţa c.apacitaţii de barieră a joncţiunii colectorului şi a
capacltăţll de dlfuzle a joncţiunii emitorului.
.Cu creşterea. fre~venţei perioada semnalului se micşoreaZă şi
devme cc:mparabllă, Iar apoi şi cu mult mai mica decât timpul de
zbor t h • In rezultat, curentul colectorului rămâne în urmă faţă de
curentul emitorului cu timpul egal cu timpul de transport al purtăto­
rilor injectaţi de la emitor la colector T EC; în urma recombinării în
bază amplitud~ cu~entulu~ cole~torului ~evine mai miCă decât ampli-
tuda curentulm emltorulm. DeCI, cu mănrea frecvenţei se micşoreaZă
253
 amplituda curentului alternativ ce se scurge prin colector şi creşte
defazajul dintre Ieşi lE' fiindcă perioada semnalului se micşorează,
iar timpul T' Ee rămâne constant. Cu cât este mai mare frecvenţa cu atât
ţ este mai mic raportul curentului colectorului către curentul emitorului,
adică este mai mic factorul de amplificarein l::w:~nt a .
În afară de aceasta, după cum a fost menţionat mai sus,
proprietăţile de frecvenţă ale TB sunt determinate şi de efectul de
Deoarece sunt cercetate procesele din bază şi luând în con-
sideraţie că raportul densităţii curentului colectorului către densi-
tatea curentului emitorului, determinate de purtătorii de sarcină
minoritari (sau de concentraţia electronilor în regiunea bazei lângă
joncţiunea colectorului şi a emitorului), este coeficientul de trans-
port al purtătorilor de sarcină minoritari prin bază x, soluţia
ecuaţiei de continuitate a~e, forma:
Jr( /.>1' "

l~ sc{ ~ ~I +j{jJT, ].
şuntare a capacităţii de difuzie a emitorului CeD şi a capacităţii de
(6.102)
barieră a colectorului CeiJ • Cu creşterea frecvenţei se micşorează
rezistenţa capacitati vă, efectul de şuntare devine mai pronunţat, şi o
Pentru curenţi continui şi curenţi de frecvenţă joasă OJT'b «1 şi
parte din curent se scurge prin aceste capacităţi tară a participa la
procesul de amplificare. Influenţa acestor capacităţi se iau în
consideraţie în circuitul echivalent (fig. 6.17), care este utilizat la xO=SCh
W:::::1-!..(WJ2
analiza funcţionării TB la frecvenţe înalte. Lb 2 Lb
Proprietăţile tranzistorului la frecvenţe înalte sunt determinate, S-a obţinut o expresie identică cu (6.30).

r
în majoritatea cazurilor, de timpul de zbor al purtătorilor injectaţi La frecvenţă înaltă j OJT'b >> 1 şi
prin regiunea bazei tiJ' Dacă neglijăm influenţa capacităţilor C eD şi
Ceb , atunci proprietăţile de frecvenţă ale TB vor fi determinate de
dependenţa de frecvenţă a parametrului principal al tranzistorului -
factorul de amplificare în curent a.
l= SCh[ ~ (im,,)Yo]~ scfm~r ~ SCh~m ~: t (6.103)

Notând timpul mediu de zbor al purtătorilor de sarcină prin

Considerăm un tranzistor
bază obţinem:
2
n - p - 11 în conexiunea BC; ten- W prin t b ,
le siunile aplicate pe terminale şi cu- 2Db
Ef}-"'--'-;C=}--'-~4---C::::::rt-----<;i1 C ren ţii prin tranzistor au atât compo-
nente continue, cât şi componente (6.104)
alternative de frecvenţă OJ = 27if, Limitându-ne cu primii trei termeni ai dezvoltării în serie,
care trebuie amplificate. Pentru a obţinem:
determina dtpendenţa a = Cf!SJ), este
necesar de a rezolva ecuaţia de x::::: l-±(OJtby (6.105)
Fig. 6.17 Schema echivalentă a continuitate (1.106), în care purtătorii
TB ( P - Il - P ) la minoritari în exces vor avea două 1
ŞI a =rx:::::1--(OJtb)2. (6.106)
frecvenţe înalte. componente - una continuă şi alta 3
alternativă:
Conform expresiei (6.106), cu mănrea frecvenţei OJ = 2Jlf
II p (X,t) = N/x) + II p (x)expjOJt , (6.101) factorul de amplificare în curent a se micşorează.
Pentru a caracteriza prin parametri numerici calitatea TB în ce
unde j= H este unitate imaginară. priveşte comportarea lui cu frecvenţa, se introduc aşa-numitele

254 255
 frecvenţ~ lim.it~. Ele treb~ie Să. îndeplinească condiţia de a fi uşor Frecvenţa limită fa are expresia:
măsurabIle ŞI mterpretabI1e fiZIC. Cele mai uzuale sunt: frecvenţa
limită fa , frecvenţa de tăiere fT, frecvenţa limită /p şi frecvenţa - coa _ 1 _ D
f a-2;rr-2;rrT -;rrWb 2 ' (6.111)
maximalăf p . b

Frecvenţa limita, fa , reprezintă frecvenţa pentru care modulul Rezultă că valori ridicate ale frecvenţei fa se obţin la tranzis-

factorului de amplificare în curent g scade la Y.fi = 0,707 (sau

toarele cu baze înguste, confecţionate din materiale cu coeficientul
de difuzie al purtătorilor de sarcină minoritari cât mai mare.
Frecvenţa limita în conexiunea Ee, ffJ' reprezintă frecvenţa
cu 3 dB) din valoarea sa a o de la frecvenţă joaSă. Cu ajutorul
expresiei (6.102), considerând că eficacitatea emitorului r slab pentru care modulul factorului de amplificare în curent în regim
depinde de frecvenţă, obţinem: alternativ Ipl scade la Y.fi = 0,707 din valoarea sa Po la

g(ro) = r xC co) = 1 = 1 (6.107)

frecvenţă joasă. Confonn definiţiei, avem:

Ch(~ Jl + jCOTbJ W~
2
1+ W + jCOTb p( r.,) __ g( co) __ Po
U/ (6.112)
Lb 2L~ 2L~ - l-g(co) 1+j{JJTfJ '
Ţinând cont de faptul că W «Lb , se poate scrie (W 2 « 2L~): unde T fJ este constanta de timp a coeficientului de transport al
ao a curentului bazei, numeric egală cu timpul de viaţă al purtătorilor de
a = o
----=-- sarcină minoritari în regiunea bazei T n • Modulul coeficientului de
2
. --
1+Jco (W J-
1+jroTb
(6.108)
transfer al curentului bazei
2Db
Expr.esia (6.1 08) detenn~nă în fonnă complexă dependenţa (6.113)
factorulUI a de frecvenţă. Inmulţim numărătorul şi numitorul
expresiei (6.1 08) cu (1- j COTb):

g(CO) = a o -jcoTbao . (6.108 a) 1 co

1 + (COTb)2 unde cofJ =-=co (1-a)= a (6.114)
TfJ a O (Po+l)
Modulul g (ro) se detennină dUpă expresia:
Acestei frecvenţe îi corespunde frecvenţa cidică . fJ= co fJ
2;rr .
r
(6.109)
Diferenţa dintre valorile frecvenţelor fa şi ffJ este foarte mare.
De exemplu, pentru un tranzistor p - n - p tipic din gennaniu,
obţinut prin ali erea din topitură, cu parametrii
2
1 2D Tp = TfJ = 10 ţiS, D p = 50 cm / s, W = 40 ţi m, avem Po = 63
unde b
ro = - = - 2- (6.110)
a T W şi ffJ= 16 kHz, în timp ce f a = 1 MHz.
b

256 257
 •

Frecvenţa de taiere, f T' este definită ca frecvenţa pentru care 6~7. TRANZISTOARE BIPOLARE DRIFT
modulul factorului de amplificare în curent în conexiunea EC devine
egal cu unitatea. Această condiţie poate fi satisfăcută pentru frecvenţe TB, la care concentraţia impurităţilor în bază este neuniformă,
f» ffJ . Astfel, din (6.113), trecând la frecvenţe ciclice, se obţine: mai mare lângă emitor şi mai mică lângă colector, se numesc
tranzistoare drifl. Tranzistoarele drift au fost propuse de
p = Po IfJ' (6.115) H.Kroemer în 1953 cu scopul majorării frecvenţei limită fa (prin
f urmare, şi ffJ' fT)' Regiunea bazei în aceste tranzistoare este fabri-
Punând f= fT pentru 13 = 1, se obţine
fT= 130 ffJ' În fig. 6.18 cată prin metoda de difuzie. Prin urmare, concentraţia impurităţilor
sunt prezentate graficele a(f) şi f3(f) şi sunt marcate frecvenţele este maximală la suprafaţa plăcii semiconductoare şi scade în
interiorul ei. Distribuţia neuniformă a impurităţi lor duce la variaţia
fa,ffJ,fT' cu distanţa a poziţiei nivelului Fermi, ceea ce dă naştere unui câmp
Frecvenţa maximala, electric în bază, care acţionează asupra purtătorilor de sarcină mi-
f p' este frecvenţa pentru noritari injectaţi în ea. Acest câmp antrenează purtătorii de sarcină
care modulul factorului minoritari în direcţia difuziei acestora, ceea ce micşorează timpul
de amplificare în putere de zbor al purtătorilor de sarcină minoritari în bază şi îmbunătăţesc
a tranzistorului devine proprietăţile de frecvenţă şi de amplificare ale tranzistorului.

egal cu unitatea. Această Pentru expunerea principiului de funcţionare şi a teoriei ele-

frecvenţă este cea mai mentare se consideră o structură n + - P - n având profil de dopare
1 !- +- mare
~
frecvenţă a autoos- arătat în fig. 6.19a. Modelul benzilor de energie la echilibru
a o ----- -11----------1 I log, cilaţiilor, posibilă în termodinamic este reprezentat în fig. 6.19b. Considerăm echilibrul
-,./l generatoare ce utilizează termodinamic. Dacă în bază NA(x»> ni se poate aproxima
tranzistorul dat. La frec-
logj~ logfT logfa P B (x) :::=: N A (x) , prin urmare, concentraţia neuniformă a impurităţi­
venţe mai mari decât f p lor acceptoare cauzează o concentraţie neuniformă a purtătorilor de
Fig. 6.18. Dependenţa factorilor de am- generarea oscilaţiilor este sarcină majoritari (golurilor). Datorită concentraţiei neuniforme,
plificare în curent a şi j3 de
imposibilă. golurile au tendinţa să se deplaseze prin difuzie spre colector, dând
frecvenţa semnalului.
astfel naştere unui curent de difuzie. Deoarece la echilibru nu curge
curent electric, înseamnă că curentul de difuzie trebuie să fie echi-
Frecvenţa maximală de generare:
librat de un curent de câmp, egal şi de semn contrar cu el. Curentul
aok de drift este determinat de un câmp electric intern Ei care ia naşte­
1; =fmax= 8 'c (6.116) re în bază, având sensul de la colector spre emitor.
ffrb e
Expresia câmpului Ci poate fi dedusă din condiţia ca la
unde r~Cc = Te este constanta de timp a circuitului colectorului.
echilibrul termodinamic densitatea curentului de goluri în bază să
Deci, proprietăţile de frecvenţă ale TB sunt determinate de fie zero:
frecvenţele limită fa' ffJ şi frecvenţele fT' f p ' Principalul para-

metru este frecvenţa fT' care poate fi simplu măsurată şi are sens (6.117)
fizic clar.
258 259
de unde rezultă (având in vedere PBCr:) ~ NA(x»: Daca concentraţia impuri taţilor acceptoare in bază vanază
exponenţial cu distanţa
li, (x) = _ kT oN A (x) (6.118)
q N 4 (x) a.: N,(X)~NA"CX{-2J751) , (6.119)

unde D este coeficientul de difuzie, t - timpul de difuzie, atunci

pentru câmpul intern obţinem:
li = kT dlnNA(x) =_ kT_l_
(6.120)
, q dx q 2Ji5i'
x Deci, in tranzistorul cu distribuţia exponenţial a a impuri taţilor
lii este o mărime constanta pe intreaga largime a bazei şi este
indreptat impotriva axei x , adica accelereaza electronii de la
emitor spre colector (fig. 6.19b).
Să apreciem raportul dintre timpul de tranzit prin baza a purtatori-
lor injectaţi datorită driftului in câmp electric tEşi difuziei t D :
a
tE = WB = WB =L WIL . 2Ji5i = WB L'I' (6.121)
.9 JLnlii kT I'n D/1 .
______ Ec.
unde D/1 este coeficientul de difuzie a electronilor in regIUnea
----====:!...--. - - ._-.---~E F
bazei, iar L N = 2Ji5i este adâncimea difuziei.
------E v WB
2
• tE 2L'I
D eoarece t D =--, atunCI - = _"_o
(6.122)
b 2D/1 tD Ws
Luând in consideraţie ca largimea bazei WB este determinată
de diferenţa dintre adâncimea difuziei la formarea bazei şi a emito-
rului, atunci WB «L N şi, deci, tE « t D •
Sa analizam influenţa câmpului electric din regiunea bazei
asupra parametrilor tranzistorului. Eficienţa emitorului poate fi
considerata independentă de câmpul electric şi determinata de
(6.15). Însa deoarece concentraţia purtatorilor de sarcina în
regiunea bazei şi a emitorului depind de coordonata, in (6.15)
trebuie luate valorile medii ale conductivităţiloL
Coeficientul de transport X al purtatorilor injectaţi prin baza

Distribuţia concentraţiilor
W2
Fig. 6.19. (a), diagramelor Pentru li," = O (6.30), utilizând relaţiile L 2
= D r n' r D = _B_
2D'
energetice la echilibru (b) şi la polarizare n /1
/1
nonnala (c).
poate fi scris in fonna:
260 261
 VCB regiunea de sarcina spaţia1a se mareşte, în principal, în colector.
(6.123) Deci, modulaţia 1argimii efective a bazei de catre tensiunea de colector
este foarte slaba, prin urmare, vom avea un efect Early neînsemnat.
unde timpul de tranzit al purtătorilor injectaţi prin baza t b = t D' Datorita concentraţiei mari a impuri taţilor în apropierea emito-
În prezenţa câmpului electric în regiunea bazei vitezele de difu- ru1ui, se manifesta câteva neajunsuri. În primul rând, are loc creşte­
zie şi de drift ale purtătorilor injectaţi se aduna: .9( = .9E + .9D , sau rea capacităţii emitorului şi micşorarea eficienţei r. În al doilea
rând, lărgimea regiunii sarăcite emitor-baza este mica şi se străpun­
~=~+_1 = 2Dn l(l+ q/i;WB ) (6.124)
ge uşor la tensiuni inverse de câţiva volţi, fapt care impune precau-
tB tE TD w; 2kT ţii la utilizarea tranzistoarelor drift în circuitele de impulsuri.

şi pentru timpul de tranzit prin baza

6.8. TRANZISTORUL DE AVALANŞĂ
t - TD TD
(6.125)
B- 1 + g§l~B 1 + 17 ' Tranzistorii de avalanşă, în comparaţie cu TB simpli, n-au
2kT careva deosebiri constructive sau în structura lor. Denumirea de
q/iWB tranzistor de avalanşă se referă la regimul specific de funcţionare,
unde 17 = 1 • Respectiv, pentru X obţinem: când se utilizeaza multiplicarea î!ULY<il'lllşă în jonCţiunea colector-
2kT
bază şi, ca rezultat, se obţin caracteristici curent-tensiune cu o

(6.126) porţiune de rezisten@diferegl@.lă 1!ţ~ţ5vă.

Ceilalţi parametri
ai tranzistorului de drift, în care intra T D' tot
pot fi aproximativ apreciaţi, înlOCUInd t D cu t B' De exemplu, capa-
citatea de difuzie a emitorului C eD în tranzistorul de drift este de
(1 + 17) ori mai mica, iar frecvenţa limită fa şi coeficientul de tran-
sport X - de (1 + 17) ori mai mare decât în tranzistorul de difuzie.
Conform expresiilor (6.33, 6.111), odată cu creşterea
intensitaţii câmpului electric în regiunea bazei se maresc a şi fa'
Să subliniem câteva pmiicularitaţi ale tranzistorului drift. Utilizând
tehnologiile perfecţionate de difuzie şi dubla difuzie, se pot realiza
baze foarte subţiri; astfel, micşorarea largimii efective a bazei WB
şi prezenţa câmpului intern /ii permit obţinerea unor frecvenţe fa
foarte mari (de doua, trei ordine mai mari ca în tranzistorii de
difuzie). Întrucât baza este slab dopată în apropierea colectorului şi
concentraţia purtatorilor de sarcina în regiunea colectorului este
mai miCă decât în regiunea bazei, la creşterea tensiunii colectorului
262
Multiplicarea curentului de colector al tranzistorului, provocata ~
de ionizarea de impact, duce la majorarea factorului de amplificare
în curent
(6.127)
unde: a o - factorul de amplificare pentru conexiunea BC în lipsa
proceselor de multiplicare în avalanşă, M - coeficientul de multi-
plicare, în cazul dat determinat de relaţia:
1
(6.128)
unde VSB este tensiunea de strapungere a joncţiunii colector-bază în
conexiunea BC (m =3 la Ge şi aproximativ 6 la Si).
Sa analizăm influenţa multiplicarii în avalanşă a purtătorilor de
sarcină minoritari în regiunea săracită colector-baza asupra ca-
racteristicilor curent-tensiune la diferite conectări ale TB (fig. 6.20).
263

v V
Rb tiE
a /b c
Fig. 6.20. Scheme de conexiune ale !ranzistorul~i de avalanşă:
a) joncţiunea emitor bază ITI gol; b) Joncţiuneacolector-
bază în gol; c) în circuitul bazei este conectat reZlstoru! Rb •
În schema din fig. 6.20a este conectată numai joncţiune~ c?lec-
tor-bază. La tensiuni relativ mari survin fenomenele de multIplIcare
în avalanşă ce conduc la o creştere rapidă.a curen:ul~i de col~tor.
FOffila caracteristicii de ieşire în domemul tenslUmlor marI este
Din expresiile (6.129, 6.130) se observă că în cazul coneXlUnll
bazei în gol străpungerea are loc la tensiuni V = V'E < VSH (fig. 6.21a),
deteffilinată din condiţia aoM = 1:
VSE = VSB ~1 - an ; (6.131)
VSE ' tipic, este de 2-3 ori mai mic decât VSB ' Aceasta este datorat
faptului că în aşa conexiune procesele de la joncţiunea colector-
bază sunt puternic influenţate de către procesele din joncţiunea
emitor-bază prin intermediul coeficientului Pa'
La conectarea rezistorului R b în circuitul bazei (fig. 6.20c) forma
caracteristicii voltamperice se schimbă calitativ, în regiunea de ava-
lanşă apare o porţiune de rezistenţă diferenţială negativă (fig.6.21 b).
le
p,
I
I I

arătată în figura 6.21 a şi, după cum se observă, este la fel ca şi în I

I
®
cazul străpungeriijoncţiunii p -11 ( fig. 3.8) cu tensiunea de stră- R,=ce IR.=ce
I i:J)
pungere VSB a joncţiunii colector-bază. AÎn schema di~ fig. 6?Ob I
I
tranzistorul este conectat cu baza în gol. In acest caz prIn tranzIstor 1"'01{ ,
(f'
~) I
®
se scurge curentul Iese V
I
V

* MI eBa (6.129)
a VSE- V SE: a
I
V SB
I
\lSB ---
le = . b
l-a aM
Fig. 6.21. Caracteristicile voltamperice ale TB în domeniul tensiuni-
Curentul I~: tinde la infinit când aaM ~ 1. Aceasta este de- lor înalte: a) joncţiunea colector-bază în gol ( Rb = ro ) sau
terminată de legătura inversă pozitiVă, caracteristică TB, care duce joncţiunea emitor-baza în gol (RE = ro); b) în circuitul

la creşterea curentului colectorului de 1/(1 - aaM) ori. bazei este conectată rezistenţa R b .

Introducând în (6.129) expresia lui M din (6.128), obţinem Prezenţa acestei porţiuni este determinată
de diferenţa dintre
ecuaţia caracteristicii voltamperice a tranzistorului în conexiunea tensiunile de străpungere VSB şi VSE în schemele analizate mai sus,
cu baza în gol: către care, în dependenţă de mărimea curentului de colector, se
poate apropia schema din fig. 6.20c. La curenţi mici ai colectorului,
(6.130) majoritatea curentului se va scurge prin rezistorul R b , deoarece
rezistenţa joncţiunii emitor-bază este destul de mare şi este
detenninată de expresia (6.132). Deci, proprietăţile schemei
analizate se apropie de proprietăţile schemei cu jonCţiune emitor-
bază în gol (RE = (0) şi străpungerea se va începe la tensiuni

264 265
 apropiate de V~B' Cu mărirea curentului creşte căderea de tensiune
im.p.li~it. Să transformăm expresia (6.134) în dependenţa V (1*)
pe rezistenţa Rb şi curentul de emitor se măreşte. Aceasta duce la "
utlhzand relaţia (6.128):
C C ,

micşorarea rezistenţei emitorului 'E; ca urmare, o tot mai mare

parte din curentul colectorului se ramifică în circuitul emitorului. Ve -V
- m-
1 aoJ E + 1cBO
(6.135)
La curenţi 1:,
mari joncţiunea colector-bază poate fi considerată în
SB 1*
e
gol, deoarece Jb « lE .::::< le' În acest caz schema analizată are ~uncţia (6.135) poate fi construită pe puncte, atribuind diferite
proprietăţi ca şi schema cu joncţiunea colector-bază în gol cu valon curentului le şi determinând curentul lE şi a (lE) .
o
tensiunea de străpungere VSE ' Deci, cu mărirea curentului de DaCă în circuitul bazei, consecutiv cu rezistorul Rb se conec-
colector tensiunea la început creşte până aproape de VSB ' iar apoi tează o ~ursă. de ~ensiune VB (fig. 6.22a), care polarizează joncţiu­
începe a se micşora apropiindu-se de VSE ' Aceasta şi lămureşte nea baza-emItor mvers atunci
.. " r
calitativ apariţia regiunii cu rezistenţă diferenţială negativă. Pentru vanmd tensiunea VB , se obţine ...s-
formarea regiunii de rezistenţă diferenţială negativă este necesar ca o familie de caracteristici cu re-
factorul de amplificare a o să se mărească cu creşterea curentului giuni de rezistenţă diferenţială
negativă (fig. 6.22b). Într-ade-
de emitor. După deschiderea joncţiunii emitorului a o creşte odată văr, în acest circuit creşterea
a
cu mărirea curentului, iar aM' conform condiţiei de străpungere, ~urentului de bază negativ,
m urma proceselor ionizării de I - bază in gol
rămâne egal cu unitatea. Aceasta înseamnă că coeficientul de :2 - bază in scurtcircuit
multiplicare în avalanşă M trebuie să se micşoreze. Respectiv, impact, duce la micşorarea ten- 3, 4 - baza polarizata invers
trebuie să se micşoreze tensiunea colectorului. Deci, creş!~rea siunii inverse la joncţiunea emi- 5 - emitorul in gol

l curentului este însoţită de micşqrarea t§n~iunii, adică I~zistenţa torului. La un curent suficient
diferenţială este negativă: de mare această tensiune de-
~ine egală cu zero şi jonc-
rE (lE) = kT . ln( lE + lJ . (6.132) ţIUnea emitorului se deschide
q1 E I EO (fig. 6.22b - în punctul a). Mai
Caracteristica voltamperica a tranzistorului de avalanşa este departe tensiunea VBE se schim-
determinata de expresia: bă foarte puţin, deoarece joncţiu­
1~ =M(ao1 E +lcRo )' (6.133) nea emitor-bază de acum este
deschisă şi are o rezistenţă mică. b
Înlocuind curentul de emitor pnn curentul de bază
Respectiv, curentul bazei rămâ­
lE = le + 1b , obţinem: Fig. 6.22. Tranzistorul de avalanşă in
ne aproximativ constant şi este conexiunea Ee cu bază po-
J* - Ma o1b + MIcRO
c -
1- Jvla o
(6.134) egal cu Vii., b
lanzată mvers (a) şi carac-
teristicile lui de ieşire (b).

Coeficientul j\1 este funcţie de tensiune, iar factorul a o - La curenţi mici (regiunea 1) joncţiunea emitorului este închisă
funcţie de curent. Din aceste considerente expresia (6.134) prezintă şi, prin urmare, a o = O. În acest caz, conform (6.135 ) tensiunea V
caracteristica voltamperică a tranzistorului de avalanşă în mod c
se măreşte cu creşterea curentului Je • În punctul 0, unde joncţiunea

266
267
emitorului se deschide, curentul de colector este egal în modul cu Cu creşterea curentului derivata (d a o/ d1 E)' Şi lmpreună cu ea
curentul de bază: şi rezistenţa re' se micşorează, tinzând la zero. Dacă funcţia a o(1 E )
1 = VB (6.136) ar fi fost monotonă, atunci dependenţa Ve (l~) asimptotic s-ar fi
o RB
apropiat de verticala VSE ' Într-adevăr, procesul asimptotic nu are
Atunci din (6.135) obţinem tensiunea:
loc (fig. 6.21 b), deoarece la curenţi mari factorul a o se micşorează
TI - V 1- 1cBo RB (6.137) şi derivata da o/ d1 E devine negativă. Respectiv, rezistenţa re tre-
ro - SB'" V
B buie Să-şi schimbe semnul într-un punct careva, în rezultat
Comparând (6.137) şi (6.131), ajungem la concluzia că inegali- pe caracteristică se obţine a doua regiune pozitivă (regiunea 4,
tatea Vo > VSE uşor se îndeplineşte, dacă fig. 6.21 b). În aşa fel, variind tensiunea VB , v-om obţine diferite
V JCBO puncte a situate între VSE şi VSB '
-B> - - . (6.138)
RB ao Regiuni, corespunzătoare rezistenţei negative, apar şi la
caracteristicile voltamperice ale altor scheme de conectare a
În regiunea de trecere 2 (fig. 6.21 b) creşterea tensiunii înceti- tranzistorului de avalanşă, dacă tensiunea colectorului are valoarea
nează şi rezistenţa diferenţială devine tot mai mică. Aceasta urmează
între VSE şi VSB ' De exemplu, în schema din fig. 6.23 aşa regiune
din (6.135), în care mărirea curentului 1~, este însoţită de creşterea
este determinată de faptul că în cazul aoM > 1 curentul de colector
componentei aaf E la numărătorul fracţiei. În punctul critic a re- depăşeşte curentul de emitor. Pentru curentul de emitor pozitiv,
zistenţa diferenţială se transformă în zero, iar apoi devine negativă.
Analiza arată că coordonatele punctului a sunt aproape de
coordonatele punctului O şi pot fi determinate după expresiile (6.136)
şi (6.137). .
Rezistenţa negativă în regiunea 3J fig. 6.21 b) uşor poate fi .obţi­
nută diferenţiind (6.135) dUpă curent. Insă, în caz general, se obţme o
expresie complicată. Să analizăm un caz particular, când curentul 1~ v
este cu mult mai mare decât curentul în punctul a şi cu atât mai mare
decât curentul în punctul O, 10 ~la' Atunci în (6.135) se poate
V'E
neglija curentul 1 eBO şi 1~.~ lE' În aşa fel, caracteristica
a
voltamperică se simplifică şi are fonna:
Fig. 6.23. Schema de conectare a tranzistorului
Ve ~ VSB ~ 1- a o (6.139) de avalanşă din partea emitorului (a)
şi caracteristica voltamperică (b).
Diferenţiind Vc după curent, obţinem expresia simplificată
pentru rezistenţă: tensiunea emitorului este negativă, deoarece căderea de tensiune de
la diferenţa curentului colectorului şi al emitorului pe rezistenţa RB
este negativă. Cu creşterea curenţilor de emitor şi de colector căderea
(6.140)
de tensiune pe rezistenţa R B se măreşte, iar tensiunea dintre bază şi

268 269
 colector scade, până când atinge valoarea VSE ' Creşterea de mai
departe a curentului de emitor duce la aceea că aoJ"tf devine mai
mic decât 1 şi creşterea curentului de colector este mai mică decât
creşterea curentului de emitor. Aceasta corespunde rezistenţei
diferenţiale pozitive în regiunea curenţilor mari.
Pentru schema din fig. 6.24a este specifică caracteristica de
intrare de forma N (fig. 6.24b). Aşa formă a caracteristicii voltam-
perice la fel este determinată de faptul că la aoM > 1 curentul de
colector este mai mare decât cel de emitor. De aceea la mărirea
potenţialului de deschidere a bazei curentul de bază, egal cu dife-
renţa curentului de colector şi cel de emitor, are polaritate inversă.
Cu creşterea curentului bazei creşte curentul de colector şi, datorită
căderii de tensiune pe rezistorul Re' se micşorează tensiunea de pe
joncţiunea colectorului. În momentul când această tensiune devine
aproape de VSE ' aoM < 1 şi curentul bazei schimbă polaritatea. În
aşa fel, pe caracteristica de intrare se formează o regiune cu
conductibilitate diferenţială negativă.
Din analiza calitativă a caracteristicilor voltamperice se poate
face concluzia Că în afară de caracteristici voltamperice obişnuite
schemele cu tranzistori bipolari în regimul de avalanşă au atât ca-
racteristici de tip S , cât şi de tip N . Aceasta atribuie tranzistorilor
de avalanşă universalitate, ce nu-i caracteristică pentru alte dispo-
zitive semiconductoare.
a b
Fig. 6.24. Schema de conectare a tranzistorilor dc avalanşă din partea
bazei (a) şi caracteristica ei voltamperică (b).
270
6.9. TRANZISTOARE UNI]ONCŢIUNE
Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) este un dispozitiv semicon-
ductor ce are în structura sa o joncţiune p - n şi trei terminale,
proprietăţile de comutare şi amplificare ale căruia sunt determinate
de modularea rezistenţei bazei în rezultatul injecţiei în ea a
purtătorilor de sarcină minoritari.
Tranzistorul unijoncţiune, deseori numit şi diodă cu două baze, în
cele mai multe cazuri consta dintr-o bară de n Si (1,2xO,2xO,2 mm 3 )
cu două contacte ohmice, care constituie bazele B I şi B 2 , şi o
joncţiune p + - n localizată la distanţa II de baza B I , care poartă
denumirea de joncţiune de emitor (fig. 6.25a). Regiunea emitorului
(regiunea cu conductibilitatea p) are un nivel de dopare mai înalt
decât regiunea bazei (regiunea cu conductibilitatea n) din con-
siderente că la polarizarea directă a joncţiunii emitorului curentul
să fie determinat, în principal, d~componentadJ.~"~Qluri. În acest
caz din cauza-liijecţiei purtătorilor de sarcină minoritari (golurilor),
în regiunea bazei tranzistorului şi datorită acumulării purtătorilor de
sarcină principali, care intră în bază din contactul B I pentru a com-
pensa sarcina injectată a purtătorilor de sarcină minoritari, va avea
loc micşorarea rezistenţei bazei (modularea) şi creşterea curentului
ce se scurge între contactele B I şi B 2 •
Dacă între cele două baze este aplicată tensiunea VSIB2 ' atunci,
datorita trecerii curentului 1S2' va avea loc distribuţia acestei tensiuni
de-a lungul bazei. Bara de n Si se comportă ca un rezistor linear, şi
distribuţia tensiunii Vx de-a lungul barei este lineară (fig. 6.25b). La
distanţa Il (la nivelul joncţiunii de emitor) potenţialul locului este
TJ VBIB2 , unde TJ este factorul, <:iedivizare interior, care depinde de
raportul dimensiunilor Il şi 12 :
R SI
TJ = , (6.141)
R SI +Rs2
unde R BI şi R B2 sunt rezistenţe le barei de n Si pe porţiunea II'
respectiv 12 ,
271
 Observăm că acest potenţial VII = 'lVBIB2 polarizează joncţiu­
nea de emitor invers. Dacă între contactul emitorului E şi al bazei
B, se aplică tensiunea V pozitivă, atunci tensiunea ce
EBI
polarizeaza invers joncţiunea de emitor VII - VABI se micşorează.
Atât timp cât VEBJ < 'lVBIB2 , joncţiunea de emitor este polarizată
invers şi prin ea trece un curent 1 EBD care are valoare mică. Când
tensiunea VEBI devine egală cu ~]' tensiunea pe joncţiunea de
emitor devine egală cu zero. Respectiv, va fi egal cu zero şi
curentul ce trece prin joncţiune. Dacă V ] > 'lV , joncţiunea de
EB B1B2
emitor se polarizează direct. Deschidereajoncţiunii p -11 se începe
de la marginea ei de jos, situată mai aproape de baza E], unde
potenţialul negati v este mai mic. Golurile, injectate
din regiunea p
dUpă deschi derea joncţiunii p - Il , nimere sc în partea
de jos a barei
de Il Si. În acelaşi timp creşte şi concentraţia electronilor sosiţi din
contactul EI' pentru asigurarea condiţiei de neutralitate. În
Mecanismul analizat de apariţie a legăturii inverse pozitive în
dispozitiv duce la aceea că la o tensiune critică pe emitor V , egala
EBI
cu tensiunea Vp ' se începe procesul de conectare prin modul de
avalanşă a TUJ. Creşterea curentului de emitor este însoţită de
scăderea tensiunii de emitor şi apare regiunea de rezistenţă
diferenţială negativă, aşa cum se reprezintă în fig.
6.26a. Din cele
expuse rezultă că regiunea de rezistenţă diferenţială negativă se
datoreaza modulaţiei conductivităţii barei semiconductoare pe
porţiunea dintre joncţiune şi baza El' Regiunea
de rezistenţă
negativă este delimitată de punctul a (V ' 1 p) , numit
p punct de vârf
şi punctu l b (Vv' Iv) , numit punct de vale.
I Bl

consecinţă, rezistenţa R BI se micşorează. Deoar ece

rezistenţa părţii
~+
L. i ;Rb1

~
B'
de sus a barei de Il Si (R B2) practic nu s-a schimbat, atunci
tensiunea la nivelul II va obţine o nouă valoare ~~ (fig. 6.25b, +: c_~
V EB ,
~ R.,
ov"'"
B,
curba punctată), mai mică ca VII' Această micşorare a tensiunii - - E

conduce la polarizarea directă mai puternică a joncţiunii de emitor, regiune de blocare

a
b c
care injectează mai multe goluri în bară ş.a.m.d.
Fig. 6.26. Tranzistorul TUJ; a) caracteristica statică de intrare;
b) schema echivalentă: c) simbolul de reprezentare.

Peste valoarea Iva curentului apare regiunea de saturaţie b - c ,

v"
a b
Fig. 6.2S. Tranzistorul unijoncţiune (TUJ); a) modelul fizic;
b) distribuţia tensiunii VBJ82 de-a lungul bazei.
unde curentul de intrare creşte rapid cu tensiunea. La caracteris-
ticile de intrare lE = f(V EBI ) se observă influenţa puterniCă a ten-
siunii dintre baze VBJB2 • Atunci când V = O, caracteristica de
BIB2
intrare a TU] este la fel ca şi caracteristica voltamperică a diodei
semiconductoare. Mărirea tensiunii V
BIB2 duce la deplas area punc-
tului Vp Ia dreapta pe axa absciselor şi Ia lărgirea regiunii de rezis-
tenţă diferenţială negativă (fig. 6.27a).

272 273
 Caracteristicile de· ieşire ale tranzistoarelor TUl prezintă Presupunem, căcurentul de emitor a crescut cu M E' atunci în
dependenţa curentului 1 82 de tensiunea dintre baze V8182 pentru bază concentraţia golurilor va creşte cu fJ.p nb şi simultan pentru
diferite mărimi ale curentului de emitor 1E (fig. 6.27b). Pentru menţinerea neutralităţii electrice în bază din contactele ohmice va intra
1 E = O caracteristica de ieşire este o dreaptă. Pentru curenţi de. aceeaşi cantitate de purtători de sarcină principali (!1n nb =!1n
rnb ).
emitor diferiţi de zero caracteristicile de ieşire sunt nelineare ŞI Deoarece
nelinearităţile cresc odată cu curentul de emitor.
(6.143)

ŞI M 82 = qS(!1Pnbţip + !1n nb ţin)&' (6.144)

atunci factorul de amplificare

ki = M 82 = 1+ ţin . (6.145)
ME ţip

În legătură cu timpul mic de drift al purtătorilor de sarcină prin

a b
Fig. 6.27. Familii de caracteristici statice ale tranzistorului TU}:
a) caracteristici de intrare cu VBIB2 parametru;
b) caracteristici de ieşire cu JE parametru.
Tranzistorul TUl, ca orice dispozitiv cu rezistenţă difere~ţială
negativă, poate fi utilizat în calitate de comutator, generator ŞI a~­
plificator. În schemele de amplifi.care ~u TU! s~~nalele electnce
sunt amplificate atât după putere ŞI tensIUne, cat ŞI In curent.
Să determinăm factorul de amplificare în curent al TUl ca
bază în comparaţie cu timpul de viaţă, s-a presupus că eficienţa
emitorului şi coeficientul de transport al sarcinilor prin bază sunt
aproape de unitate.
Deoarece mobilitatea electronilor în majoritatea materialelor
semiconductoare depăşeşte mobilitatea golurilor, este convenabil
de a construi TUJ pe baza materialului cu conductivitatea n.
Avantajele tranzistoarelor unijoncţiune sunt legate de valoarea
scăzută a curentului în circuitul de ieşire în stare de blocare şi
stabilitatea termică înaltă a tensiunii de deblocare. TUJ sunt dis-
pozitive de frecvenţe joase (viteza de funcţionare maximală atinsă
astăzi 50 - 100 ns). Însă pentru majoritatea aplicaţiilor practice
această rapiditate este satisfăcătoare.

k = M 82 • La intensităţi mari ale câmpului electric & din bază pot

1 M
E
fi neglijate procesele de difuzie a purtătorilor de sarcină şi luaţi în
consideraţie numai curenţii de drift:

182 = In + I p = qS(nnbţin + Pnbţip)&' (6.142)

unde S este aria secţiunii transversale a bazei.

274 275
 1956 de către J.Moll şi colaboratorii săi. Deoarece funcţionarea
tiristoarelor este caracterizată prin doua stari stabile, ele sunt apte
pentru utilizare în circuite de comutare. Actualmente sunt fabricate
Capitolul VII tiristoare ce funcţionează la curenţi de la câţiva miliamperi până la
5000 A şi la tensiuni mai mari de 10000 V .
TIRISTOARE
7.1. TIRISTORUL DIODIC
Dispozitivelor semiconductoare constituite din cel pUJi Il patru
regiuni de conductibilităţi altemate, care formează trei joncţiuni 7.1.1. STRUCTURA, FUNCŢIONAREA
P - 11 şi pe caracteristica voltamperica a carora se distinge o regiu-
ne de rezistenţă diferenţială negativă, li s-a atribuit denumirea co- Structura tiristorului diodic (vezi fig. 7.1) are patru straturi
mună tiristoare. altemate (p]' 11 l' P2' 11 2 ) care formează trei joncţiuni p - n (J 1 ,
Clasrficarea tiristoarelor se efectuează dupa urmatorii indici: J 2 şi J 3 ). Terminalul conectat la stratul PI poartă denumirea de
dupa numărul terminalelor, dupa forma caracteristicii voltamperice,
dupa modul de comutare şi de dirijare ş.a. a110d (A), iar electrodul de contact al stratului n 2 este terminalul
Dupa numarul tenninalelor se deosebesc: de catod (K).
~ tiristor-diodic (dinistor), care conţine numai doua tem1inale;
- tiristor-triodic, care conţine trei terminale (doua principale şi
unul de dirijare );
~(Jod
Catod
-- tiristor-tetrodă, care conţine patru terminale.
Dupa forma caracteristicii voltamperice se deosebesc: - P" ni Pl n;c

- tiristoare cu blocare în sens invers;

- tiristoare cu conducţie în sens invers;
- tiristoare simetrice cu conducţie bidirecţionala. Fig. 7.1. Tiristoml diodic: stmctura fizica.
Dupa modul de comutare tiristoarelc se împart în conven-
ţionale (deblocarea se efectuează numai dUpă circuitul de ieşire
anodic) şi bioperaţionali (comutarea directa şi inversa se efectueaza Structura pnp11 cu două terminale se numeşte qJQcld. Shoc:!sky. ;p '!J' .•.•

aplicând impulsuri de tensiune pozitive sau negative pe poartă).
Dupa modul de dirijare sc deosebesc tiristoare, fototiristoare şi
optotiristoare. Primele pot fi comutate cu ajutorul semnalelor elec-
trice exterioare aplicate la poartă. Fototiristoarele sunt comutate de
semnale optice exterioare, optotiristoarele - de semnale optice
interioare (emitorul de radiaţie şi fototiristorul în optotiristor alca-
tuiesc o construcţie comuna).
Ideea realizarii structurilor cu patru regiuni altemate a fost
conceputa de W.Shockley în anul 1950. Pentru a explica func-
ţionarea tiristoruiui J .Ebers a propus un model echivalent cu două
tranzistoare bipolare; primul dispozitiv funcţional a fost realizat în
276
Să analizăm procesele ce au loc în tiristor 'când s~ apliCă
tensiuni de polarizare directă ( "+" la anod, "-" la catod). In acest
caz joncţiunile J I , J 3 sunt polarizate direct, de aceea ele se
numesc de emitor; iar joncţiunea de la mijloc J 2 este polarizată
invers şi se numeşte de. colector. Respectiv în aşa dispozitiv exista ,o
doua regiuni de emitor (p] şi 11 2 emitoare) şi două regiuni de bază
(P2 şi Il] baze). Tensiunea aplicata se distribuie pe cele trei
joncţiuni VAK = ~ + V2 + V3şi, deoarece joncţiunea colectorului J?
este polarizată invers, majoritatea tensiunii se aplica la această
joncţiune.
277
 regiunile bazelor valoarea absolută a tensiunii sumare aplicate la
joncţiunea de colector începe a se micşora. Valoarea curentului prin "
tiristor va fi limitată numai de rezistenţa de sarcină şi fe.m. a sursei
de alimentare. Înălţimea barierei de potenţial a joncţiunii de colec-
tor se micşorează până la valoarea corespunzătoare polarizării
acestei joncţiuni directe (fig. 7.3c).
3

A-{1 nI ,..f':------
oJ,
F-El-K
J2 JJ
a

4 o

+
Fig. 7.2. Caracteristica voltamperica A pl ni K
statica a tiristorului diodic.

c
-------

Fig. 7.3. Modelul benzilor de energie ale tiristorului: a) echilibru

termodinamic; b) polarizare directa, regiune de blocare;
c) polarizare directa, regiune de deblocare.

278 279
 În aşa fel, la aplicarea tensiunii directe tiristorul se poate afla în
doua stari stabile: de blocare şi de deblocare. Starea de blocare
directa corespunde regiunii ramurii directe a caracteristicii voltam-
perice statice între punctul zero şi punctul de comutare (1). Punctul 1,
unde începe comutarea directa, are coordonatele (Vd , I d ) care se
7.1.2. STRUCTURA pnpn LA BLOCARE ÎN DIRECT
La blocare în direct tensiunea la anod este pozitiva faţa dc catod şi
este polarizata invers numai joncţiunea J 1 . Joncţiunile J 1 şi J 3 sunt
polarizate direct. Majoritatea din tensiunea aplicata cade pe joncţiunea

obţin din condiţia (di

d A Vmax
J
= O. În
4K
condiţia
de blocare directa
J 1 . Pentru a lamuri caractelisticile dispozitivelor la blocare în direct
ne referim la modelul propus de J.Ebers, care considera că structura
pnpn este echivalentă cu două tranzistoare bipolare conectate între
(regiunea 0-1, fig. 7.2) la tiristor poate fi aplicata o tensiune mare,
ele, cum este arătat în fig. 7.4a. Primul tranzistor de tipul pnp are fac-
iar curentul direct este relativ mic. În_}nQm~nl!!1 in care tensiunea
directa aplicata între anod şi catod (VAK ) atinge valoarea ~/ se torul de amplificare în curent a O] , iar al doilea, de tipul npn, are fac-
declanşeaza procesul regenerativ, descris mai sus, de tranziţie a torul de amplificare a 01 ' Prin urmare, joncţiunea J 1 constituie o jonc-
structurii pnpn din starea de blocare în direct în starea de con- ţiune colector-baza concomitent pentru ambele tranzistoare.
ducţie; dispozitivul trece rapid prin zona 1-2 de rezist~nţa~egativa

(dV < O) şi ajunge în regiunea 2-3 a conducţiei în direct. Punctul 2,

dI ni p;>
Cofod
n;> ~

unde se termina comutarea directa, ale carui coordonate (Vm , I m·)

I I
se obţin din condiţia (dVAK J. = O este numit de menţinere, Anod
..... n,
dIA j/mim.
- Pr P;>

întrucât un tiristor aflat în stare de deblocare directa pastreaza

aceasta stare atât timp cât V'.4K ;::: Vm •
a
Starea de deblocare directa corespunde regiunii 2-3 a carac-
teristicii voltamperice, unde toate joncţiunile sunt polarizate direct.
În regiunea 2-3 a caracteristicii I - V, dispozitivul pnpn are un
# comportament similar cu cel al unei diode redresoare în conducţie.
Aplicând tensiuni de polarizare inversa ("-" la anod, "+" la J<
catod), joncţiunile J] şi J 3 se polarizeaza invers, iar J 1 - direct
(fig.7.2). În aceasta stare prin structura pnpn trece un curent invers b
foarte mic, obţinându-se porţiunea 0-4 de caracteristica, numita
Fig. 7.4. Modelul Ebers al tiristorului diodic: a) ilustrarea construc-
regiunea de blocare inversâ. La tensiuni inverse mari, care depa- tiva; b) modelul conţinând două tranzistoare bipolare.
şesc o valoare critica V4Kcrit .' survine strapungerea electrica a jonc-
La polarizari directe ("+" la anod, "-" la catod) maiJ!1~i decât
ţiunilor J1 şi J 3 ; curentul invers creşte rapid (porţiunea 4-5 pe
tensiunea de deblocare tranzistoarele, ce alcatuiesc structura p;;pn ,
caracteristica statica). se află în regiunea activa de funcţionare.
280 281
 În regiunea joncţiunii centrale de colector J 2 curentul I este micşorarii influenţei recombinarii în joncţiunea de emitor şi apa-
compus din: riţiei câmpului electric în baza datorita maririi gradientului de con-
- curentul invers I cu al joncţiunii J 2 : centraţie a purtatorilor de sarcina. Eficienţa emitorului la fel se
mareşte cu creşterea tensiunii aplicate la joncţiunea de colector în
I co = I con +1cap' urma micşorarii largimii bazei şi creşterii coeficientului de mul-
curentul I cu fiind cu atât mai mare cu cât mai mare este tensiunea tiplicare în avalanşa în joncţiunea de colector. Aceşti patru factori
fizici provoaca creşterea factorului de amplificare a structurii tiris-
inversa la joncţiune;
tor la marirea tensiunii aplicate şi a curentului în starea de blocare
- curentul de goluri I p , injectate de joncţiunea J I care parţial
în direct a tiristorului diodic. În starea de blocare directa tensiunea
trec prin joncţiunea J 2 : directa VAK ia valori foarte mari şi se regaseşte în principal pe jon-
I p
= aoJ)I , (7.1) cţiunea J 2 polarizata invers. În acest caz intervine şi procesul de mul-
unde 1)1 este curentul prin joncţiunea J I ; tiplicare în avalanşa la joncţiunea J 2 ,astfel relaţia (7.5) ia forma:
- curentul de electroni In' injectaţi de joncţiunea J 3 care par- MI cu
ţial trec prin joncţiunea J 2 :
IA = (). (7.6)
l-M aOl +a02
In = a 02 1)3' (7.2) Coeficientul de multiplicare M este determinat de expresia:
unde 1) 3 este curentul prin j oncţi unea J 3 • 1
(7.7)
În regimul activ factorii de amplificare a OI şi a 02 sunt funcţii M = 1_ ( VAK Jn '
de curentul I şi tensiunea aplicata la joncţiunea de colector J 2 VA02
(vezi Cap. VI ). Prin urmare, curentul ce trece prin joncţiunea de
unde VA02 este tensiunea de strapungere prin multiplicare în ava-
colector J 2 este determinat de suma:
lanşa a joncţiunii J 2 •
1)2 = aO/)1 + a 02 1 )3 + I cu. (7.3.)
Condiţia de comutare directa este acum:
Pentru structura tiristorului diodic, care are doua terminale, din
1
cauza necesitaţii pastrarii egalitaţii marimii curenţilor, curenţii su- a OI +a02 =-< 1, (7.8)
mari prin toate joncţiunile trebuie sa fie egali între ei: M
1)1 =1)2 =1)3 = I A . (7.4.)
deci se poate realiza comutarea chiar când factorul sumar de
amplificare este subunitar. Ţinând cont de expresia coeficientului
Atunci curentul anodic al tiristorului diodic M din relaţiile (7.6) şi (7.8), rezulta ca în prezenţa multiplicarii în
I avalanşa tensiunea anodica de comutare directa este:
IA = cu, (7.5)
1- (aOI + aoJ VAKO = VA02 [1 - (aol + a 02 )}Y,; < VA02 . (7.9)
unde a 01 + a 02 = a O este factorul sumar de amplificare a structurii
Diferenţa dintre VAKO şi VA02 este însa mica datorita condiţiei
tiristor. Ecuaţia (7.5) prezinta ecuaţia caXllcter!şticii voltamperice a
•. tiristorului diodic la blocarea directa. Menţionam ca eficienţa (7.8). Atât timp cât a OI şi a 02 au valori mici,şi curentul IA are
emitorului TB creşte cu marirea curentului de emitor în rezultatul valori mici; astfel, tiristorul se afla în stare de blocare directa. Daca
282 283
 unde 1 4 = IEl' !K = ]10'2' ]K = IA'
a OI şi a 02 cresc astfel încât se realizeaza condiţia aOI + a 02 ~ 1,
Derivând (7.11) şi (7.12), pentru factorii diferenţiali se obţine:
atunci IA capata valori foarte mari - acelaşi efect ca şi la comuta-
rea tiristorului în starea de conducţie directa. in acest caz, ambele d! C! d] CI caOI
al - - - - - - - a +1 (7.13)
tranzistoare echivalente se gasesc în regiunea de saturaţie; prin - dI. - dI - OI A~
El A A
unnare, şi joncţiunea J 2 este polarizata direct. Este clar ca în mo-
a = ciIC2 = ciI C2 = a + I oa02 (7.14)
mentul comutarii tiristorului curentul trebuie sa fie limitat de rezis-
di 10'2
2 dI 02 A::)I .
tenţa de sarcina, altfel tiristorul poate fi distrus. A C A

Stabilitatea starii de blocare este asigurată de faptul că la Din (7.6) rezultă că pentru ca Rf) < O este necesar sa se îndep-
cun~nţi mici avem aOI + a 02 < 1; stabilitatea stării de conducţie este lineasca urmatoarea inegalitate:
asigurată de intrarea în saturaţie a tranzistoarelor echivalente. 1-aj -a2 <0 sau a=a l +a2 >1, (7.15)
Pentru funcţionarea normală a tiristoarelor este necesar ca aOI unde a este factorul diferenţial sumar de amplificare în curent.
şi a 02 să fie mărimi variabile, ale căror valori să poată fi controlate Deci, deblocarea tiristorului va a vea loc când factorul diferen-
în mod diferit: cu ajutorul tensiunilor aplicate pe terminale, curen- ţial va fi egal cu unitatea. De obicei, această condiţie se îndep-
lineşte mai înainte de condiţia egali taţii cu 1 a sumei factorilor de
ţilor prin dispozitiv etc.
Să analizăm cazul când rezistenţa diferenţială a structurii amplificare statiei ai tranzistoarelor echivalente, deoarece factorii
diferenţiali totdeauna au valori mai mari decât cei statici.
pnpn poate deveni negativă. În general, tensiunea aplicată se
O depăşire neînsemnata a factorului diferenţial sumar al uni-
distribuie pe cele trei joncţiuni V4K = V; + V2 + V3 • În regimul de taţii înseamna că creşterea curentului de colector este mai mare
blocare directă se poate considera că toata tensiunea este aplicata la decât creşterea curentului de emitor. Tocmai în aceasta condiţie
joncţiunea de colector J 2 , polarizată invers, VAK ~ V2 • Derivând baza p se încarca pozitiv, iar baza n negativ. Surplusul de sarcini
(7.3) după tensiune, având în vedere (7.4), şi considerând în regiunile bazelor micşoreaza tensiunea joncţiunii de colector,
prin unnare, şi a întregii structuri pnpn, ce corespunde regiunii de
--'da(J, V) da dI
-----'-----'-- = - -- + -da comutare caracterizate prin rezistenţa diferenţia la negativa.
dV dI dV dV' în regiunea de comutare a tiristorului diodic, în urma creşterii
obţinem: curentului prin structura, factorul diferenţial sumar a de ampli-
caOI ca 02 ficare în curent se măreşte. Micşorarea tensiunii aplicate joncţiunii
(
1- a
OI
: ) J (a
+! ----- -
A '"'!
o A 02
+] --.--
::1
A '"']
o A
J de colector provoaca, concomitent, micşorarea acestui factor sumar.
R = dVAK (7.10) De aceea expresia a = al + a 2 = 1 poate fi considerata nu numai
f) dI
A j!~ +] l( oaOl + _oa 02 I condiţie de comutare directa a tiristorului, dar şi drept ecuaţie a
OVAK A OVAK OVAK ) caracteristicii voltamperice în regiunea de comutare. în realitate
Parantezele de la numarătorul expresiei (7.10) prezintă factorii factorul diferenţial sumar al tranzistorilor echivalenţi în timpul
com~tării puţin depaşeşte unitatea.
diferenţiali de amplificare în curent ai tranzistoarelor echivalente.
In regiunea de deblocare (conducţie) directa valoarea factoru-
Analizând curenţii în fig. 7.4b, obţinem relaţiile:
lui sumar de amplificare în curent al tiristorului depaşeşte unitatea,
ICI =aOIIA +I coi (7.11) deci o fracţiune importantă din purtătorii de sarcina injectaţi de
] C2 = a 02 ] K +] C02 , (7.12) emitor ajung la joncţiunea de colector. În starea de conducţie la

285
284
 stabilirea valorii curentului prin tiristorul diodic trebuie să se PInlPZ şi nIPZn Z ' respectiv. Tranzistoarele echivalente se află în
menţină bilanţul curenţilor. Pentru aceasta este necesar de a admite regim invers, şi transferul curentului de emitor este descris cu
injecţia golurilor prin joncţiunea colectorului din baza p în baza n
ajutorul factorilor de amplificare inverşi ali şi aZi'
şi injecţia electronilor în direcţie opusă. Această presupunere, ce
corespunde polarizării directe a joncţiunii colectotului, ne permite
să înţelegem existenţa egalităţii fluxurilor totale de purtători de
sarcină de semne diferite în orice secţiune a structurii tiristor în P1
J1 .. J2 Js

9 e n1- Pz e ~ nz
regim stabilit în starea de deblocare directă. ~

Trecerea dispozitivelor pnpn în starea de conducţie directă este -..... e e e ~r-- +

""
însoţită de polarizarea în direct a tuturor joncţiunilor. Căderea de ten- , ~

siune pe tiristorul diodic în conducţie directă este determinată de suma

tensiunilor pe toate joncţiunile p - n (ţinând cont de schimbarea - e ..
c.... h
Ei e ~

polarităţii tensiunii pe joncţiunea colectorului), pe rezistenţa de volum

a diferitor regiuni (în principal a bazelor cu nivel de dopare sCăzut) şi
pe contactele ohmice. Densitatea tipiCă a curentului anodic la care sunt
operate tiristoarele în conducţie directă este ~ 100 A / cm z, căreia îi
corespunde o cădere de tensiune 1.. .2 V .
La polarizarea în invers a structurii pnpn joncţiunile J 1 şi J 3
se polarizează în invers, iar joncţiunea centrală
(de colector) J z -
în direct (fig. 7.5a). Prin dispozitiv trece un curent invers 1inv.•
În regiunea, de sarcină spaţială a joncţiunii p - n a anodului
VI) are loc generarea golurilor şi a electronilor: sub acţiunea
câmpului joncţiunii golurile trec în regiunea Pl' iar electronii - în
regiunea nI (fig. 7.5a). O parte din electroni recombină în regiunea Fig. 7.5. Ilustrarea schematica a fluxurilor de purtatori de sarcina prin
tiristorul diodic la polarizare inversa (a), modelul conţinând
nI' iar altă parte este injectată în regiunea PZ' La fel se comportă doua tranzistoare bipolare (b).
golurile şi electronii generaţi în regiunea joncţiunii p - n a cato-
dului J 3 : electronii trec în regiunea n z ' iar golurile - în regiunea Pentru tranzistoarele echivalente din fig. 7.5b, curenţii ce trec
prin joncţiuni sunt descrişi de expresia:
PZ' O parte din goluri ce au nimerit în regiunea bazei pz recom-
In = 1c03 + aJJ1 , (7.16)
bină, cealaltă parte este injectată în regiunea PI .
Să înlocuim structura pnpn cu modelul echivalent din două unde 1C03 este curentul invers al joncţiunii J 3 • Având în vedere
tranzistoare bipolare (fig. 7.5b). La polarizări inverse joncţiunea J z condiţia de continuitate a curentului ) obţinem'•
(I JI = 1J3 = 1.mv.'
joacă rolul de emitor pentru ambele tranzistoare, iar joncţiunile J I
1.
mv.
= 1I c03 (7.17)
şi J 3 sunt joncţiuni de colector ale tranzistoarelor echivalente -ali

286 287
 Deci, curentul invers ce trece prin tiristorul diodic este mai ,
.JO ..
mare decât curentul invers al unei singure joncţiuni p - n . Cu ma-
rirea tensiunii inverse creşte curentul JC03 şi, prin urmare, curentul ~liod Cofod
p/ nI p; n;
invers al tiristorului. (K)

Aşadar, în cazul polarizarii inverse nu sunt condiţii pentru

comutarea tiristorului, iar tensiunea inversa poate fi limitata ori de
intervenirea procesului de multiplicare în avalanşa la joncţiunilc de
~

J To
a Pocrl<72 POGrfo !
emitor J I , J 3 , ori datorita fenomenului de penetraţie totala a bazei. (G2) {Gl}
.J~2_ _-;,?
În cazul bazelor foarte înguste şi concentraţiilor mici ale impuri-
)!

[~"---_P1----'--_lil_J, ~
taţilor este posibil ca, la tensiuni suficient de mari, regiunea saracita
a uneia din joncţiunile de emitor sa se întinda pe întreaga largime a
bazei. Astfel, regiunile saracite ale joncţiunilor de emitor şi de co- p,
lector se unesc; colectorul este scurtcircuitat cu emitorul şi prin
tranzistor poate trece un curent foarte mare.
Menţionam ca fenomenele fizice analizate limiteaza nu numai b
6
Poarta iGl
tensiunea inversa, dar şi tensiunea de comutare directa a tiris- Fig. 7.6. Structura unui tiristor cu terminalele de contact ataşate:
torului. Numai la polarizari directe procesul de multiplicare în a) bazelor nI şi P2; b) bazei P2'
avalanşa are loc la joncţiunea colectorului, care este polarizat in-
vers când tiristorul se afla în starea de blocare directa, iar feno- comanda la una din regiunile bazelor, cu un contact ohmic între
menul de penetrare totala poate avea loc datorita largirii regiunii electrod şi baza (fig. 7.6a), nivelul d~ i l1jecţie prin joncţiunea de
saracite a joncţiunii de colector. emitor, ce se afla în apropiata vecinatate de baza datâ, poate fi marit ~
dând la poartă o tensiune pozitiva faţă de catod. Din aceasta cauza
tiristorul triodic poate fi comutat din starea de blocare directa în ~
7.2. TIR1STOARE TRIODICE
starea de conducţie şi la tensiuni anodice VAK nu prea mari (fig. 7.7).
Tiristoarele triodice sunt dispozitive cu patru regiuni alternate, IA
care formeaza trei joncţiuni cuplate între ele prin intermediul
purtatorilor de sarcina minoritari; spre deosebire de tiristorul diodic
(dinistor), are trei tenninale, anod, catod şi un electrod suplimentar
(de comanda) conectat la una din baze (fig. 7.6). Acest tenninal de
• r comanda poarta denumirea de poarta.
Pentru comutarea tiristorului triodic din starea de blocare
directa în starea de conducţie la fel este necesar de a acumula o
purtatorii de sarcina de neechilibru în regiunile bazelor. În tiristorul ~KO
diodic la marirea tensiunii aplicate pâna la tensiunea de comutare
directa aceasta acumulare a purtatorilor de sarcina de neechilibru
are loc sau datorita creşterii nivelului de injecţie prin joncţiunile de
emitor sau în urma proceselor de multiplicare în avalanşâ în Fig. 7.7. Caracteristica statica curent-tensiune a tiristorului pentru
joncţiunea de colector. În tiristorul triodic, care are electrodul de diferiţi curenţi ai porţii.

288 289
 Comutarea tiristorului triodic, dând la poartă tensiuni pozitive
sau curent prin acest electrod, poate fi prezentată din alt punct de
vedere - ca trecere a tranzistorului echivalent n - p - n în regim de
saturaţie la curenţi mari ai bazei. În acest caz joncţiunea de colector
a tranzistorului echivalent (ea fiind şi joncţiunea de colector a
tiristorului) se polarizează direct, fiind astfel facilitată comutarea
tiristorului.
Influenţa curentului l G' injectat în una din baze, asupra co-
mutării directe a tiristorului este ilustrată în fig. 7.7. În cazul când
JG are valori mici, tensiunea de comutare directă ia valori foarte
mari, apropiindu-se de valoarea de autodeblocare Vd •
Bilanţul curenţilor în tiristorul triodic poate fi scris analogic cu
(7.3), luând în consideraţie că prin joncţiunea de emitor din dreapta
(fig. 7.6a) trece curentul alcătuit din suma curentului principal JA
şi a celui de comandă l G :
(7.18)
sau
IA [l-(aol +aoJ]= lea +aoJG' (7.19)
De unde pentru caracteristica voltamperică a tiristorului triodic
în stare de blocare directă se obţine:
l
- lea + aoJ G (7.20)
A - 1- (aol + a oz ) 1- (a ol + a 02 ) .
Condiţia de comutare a tiristorului triodic din starea de blocare
directă în starea de conducţie poate fi obţinută la fel ca şi în cazul
tiristorului diodic (vezi 7.1). Dupa derivari şi transformari obţinem:
al + a z + l G aa ol = 1. (7.21)
alA
În condiţia de comutare a tiristorului triodic (7.21) factorul
diferenţial de amplificare în curent al primului tranzistor echivalent
al depinde de tensiunea aplicată la joncţiunea de colector, de
curentul anodic şi cel al porţii. Factorul diferenţial la al doilea tran-
zistor echivalent a z depinde numai de tensiunea la colector şi de
curentul anodic. Din ecuaţia (7.21) se observă ca tensiunea de deblo-
290
care a tiristorului triodic depinde de curentul ce trece prin poartă. În
afară de aceasta, din (7.21) reiese concluzia că este raţional de a
efectua contactul porţii de la regiunea bazei mai înguste, deoarece
este cu mult mai uşor de a dirija cu eficienţa emitorului structurii
tranzistoare cu bază îngustă decât în cazul bazei largi.
7.3. TIRISTORUL CU CONDUCŢIEINVERSĂ
Tiristorul cu conducţie în invers este un dispozitiv cu structura
pnpn cu două sau trei terminale, care are un comportament similar
cu cel al unui tiristor convenţional la polarizarea sa în direct, însă
nu posedă capacitatea de .a bloca tensiunea inversă aplicată....
Această particularitate a tiristoarelor cu conducţie în invers este
dictată de prezenţa şunturilor în stratul de catod (n z) şi în cel de
anod (Pl)' Structura simplificată a unui tiristor diodic cu conducţie
în invers este prezentată în fig. 7.8a, iar a unui tiristor triodic în
fig. 7.8b. Şunturile de anod sunt realizate prin introducerea unei
zone de tip n, Pllţ~rnic dopate (n +), între contactul de anod şi stra- i.'''' .,
tul p aferent, pe de o parte, şi baza ni' pe de altă parte.
g 1
A~K
K A K A
-v v
-1
a b
c
Fig. 7.8. Structura unui tiristor cu conducţie în invers;
a) tiristor diodic; b) tiristor triodic; c) caracteristica voltam-
perică statică şi simbolul dispozitivului.
Rezultatul şuntării active a tuturor joncţiunilor de emitor este
acela că ambii factori de amplificare în curent ai tranzistorilor echi-
valenţi a OI şi a oz sunt destul de mici. De aceea la polarizări directe
ale tiristorului, principalele procese fizice, ce aduc la acumularea în
291
regiunile bazelor a purtatorilor de sarcina de neechilibru şi la tre~e­
rea tiristorului din starea de blocare directa în starea de conducţIe,
va fi multiplicarea în avalanşa la joncţiunea de colector. La calculul
şi analiza caracteristicilor şi parametrilor la aşa tiristor e~te nec~sar
de a fi luata în consideraţie, în special, schimbarea coefiCIentulUI de
multiplicare în avalanşa M cu tensiunea aplicata la colector.
La polarizarea în direct a tiristorului cu conducţie inversa
dispozitivul se comporta ca un tiristor convenţional, fapt reflectat
de caracteristica 1 - V (vezi fig. 7.8c). Tiristorul blocheaza
tensiunea aplicata în direct şi trece în starea de condu~ţie atât
datorita multiplicarii în avalanşa, cât şi prin aplicarea unUI semnal
pozitiv pe poarta. La polarizarea în invers joncţiunea J], care în
tiristoarele convenţionale blocheaza tensiunea aplicata (vezi 7.2),
este scurtcircuitata la terminalul anod, iar joncţiunea J 3 este scurt-
circuitata la terminalul catod. Joncţiunea de colector J 2 este polari-
zata direct şi, în consecinţa, prin dispozitiv circula un curent invers
de valori mari. Astfel, la polarizarea în invers, tiristorul se compor-
ta ca o dioda redresoare polarizata în direct, fapt reflectat atât de
caracteristica 1 - V (vezi fig. 7.8c), cât şi de simbolul tiristorului
cu conducţie inversa. Întrucât dispozitivul trebuie sa blocheze
numai tensiunea anodica aplicata în direct, întreaga structura se
contureaza sub un singur unghi (pozitiv pentru joncţiunea J 2 care
strapungere în avalanşa are un coeficient pOZItIV de vanaţIe cu
temperatura, tensiunea Vd a unui tiristor cu conducţie în invers
creşte cu temperatura joncţiunii (vezi fig. 7.8). Se observa ca
tensiunea Vd a tiristorului cu conducţie în invers continua sa
creasca la temperaturi de peste 150' C, în timp ce în cazul unui
tiristor convenţional Vd scade rapid pentru temperaturi > 12Y C . În
al treilea rând, un tiristor cu conducţie în invers are un timp redus
de revenire/blocare din starea de conducţie în starea de blocare
directa, întrucât capacitatea de blocare În direct este independentă
de acţiunea regenerativa a celor doua tranzistoare componente ale
structurii. În rezultat, un tiristor cu conducţie in invers poate fi
dopat mai puternic cu aur sau platina in vederea micşorarii timpului
de viaţă al purtatorilor de sarcina minoritari in comparaţie cu un
tiristor convenţional, fara a se deteriora capacitatea de blocare in
direct a acestui dispozitiv. Tiristoarele cu conducţie în invers sunt
utilizate în aplicaţii de înalta frecvenţa in care, prin însuşi regimul
de lucru impus, tiristoarele nu trebuie sa blocheze tensiuni aplicate
în invers.
t 24]'
Rei
i 2DOO~ \

blocheaza tensiunea), ceea ce este convenabil din punct de vedere <îi ~--------
:::Jo,: 1600
tehnologic şi permite pastrarea unei arii utile mari. a catodului.. ,
Tiristorul cu conducţie în invers are ~o sene de avantaje In 120~ Tiris for //
comparaţie cu tiristoarele convenţionale. In. p:i:nul rân.d, a~est.~ conven/iona!
tiristoare pot funcţiona la o temperatura mai ndicata a JoncţlUnu 80
( ~ 150' C) în comparaţie cu tiristoarele convenţionale (~ 1~y C).
În consecinţa, tiristorul cu conducţie în invers poate funcţIOna ~a
densitaţi mai mari ale curentului an~dic în ~tarea de conducţIe DL....-.--''------'__......l----J.._--'-_-'--'''---'
25 50 75 100 125 750 175 200
directa decât un tiristor convenţional. In al dOIlea rând, dupa cum
T [Oc] __
s-a menţionat mai sus, comportamentul acestor tiristoare în starea
de blocare în direct este independent de influenţa factorilor de Fig. 7.9. Dependenţa tipica de temperatura a tensiunii maxime de
amplificare în curent a OI şi aQ2' iar valoarea tensiunii de comutare blocare în direct pentru un tiristor cu conducţie inversa şi
un tiristor convenţional.
directa Vd este practic egala cu tensiunea de strapungere în
avalanşa a joncţiunii de colector J 2 • Întrucât tensiunea de

292 293
 7.4. TIRISTOARE SIMETRICE şuntare a regiunii Pl . Joncţiunea J 3 este polarizata în direct şi prin
ea are loc injecţia de electroni din stratul 11 2 în stratul P2' ce
Tiristoarele simetrice sunt dispozitive semiconductoare multi-
joncţiune cu conducţie bidirecţională. Tiristoarele simetrice, care determina intrarea în conducţie a structurii PII1IP2112' Sensul de
au doua terminale, poarta denumirea de diae, iar cele cu trei termi- curgere a curentului prin structura este de la terminalul MIla M 2 .
nale - triae. În momentul în care tensiunea pozitiva aplicata pe MI atinge
Structura fizica a diacului este aratata în fig. 7.1 Oa şi conţine
cinci regiuni care delimiteaza patru joncţiuni p - 11. Metalizarile valoarea tensiunii de comutare în direct (Vd ) , structura P 111 i P 2 11 2 a
emitorilor 11 2 şi 11 4 se extind peste straturile P2 şi respectiv Pl' diacului intra în conducţie directa. Polaritaţii pozitive a tensiunii pe
astfel încât pot servi ca terminale de contact atât pentru emitorul de terminalul Mi ii corespunde caracteristica statică J - V din
catod, cât şi pentru ce1de anod. cadranul 1 (vezi fig. 7.11 ).
La aplicarea unei ten-
siuni negative pe terminalul
MI (în raport cu M 2) joncţi­
~ --- P1
n,
.J,
unea J 3 va fi polarizata in-
vers şi, având o rezistenţa
~ înalta va fi şuntata de rezis-
Pl nz ~ tenţa, mica a stratului P2'
Prin urmare, la aşa polaritate
a Mo a tensiunii exterioare, opera-
ţionala devine structura
11 3P I l1 I P2 a diacului. Atunci

când tensiunea negativa pe

Fig. 7.10. Diacul: a) structura fizica:
b) echivalenţa a doua
diode Shockley.
b Shockley, conectate în antiparalel (fig. 7.10b). Pentru secţiunea
terminalul MI atinge valoa- Fig. 7.11. Caracteristica voltamperica
statica a diacului.
rea Vd , structura 11 3 P j l1 I P2 a
diacului intra în conducţie
directa. Funcţionarea dispozitivului în acest caz este descrisa de
caracteristica statica 1 - V din cadranul III. Astfel, se poate
considera ca diacul integreaza în aceeaşi structura doua diode
P l 11 1P2 11 2' MI este anod, iar M 2 catod; pentru secţiunea 11 3 P j l1 j P2'

Atunci când tenninalul MI este pOZItIvat în raport cu ter- MI este catod, iar M 2 anod. În fiecare structura componenta,
minalul M 2' joncţiunea J 4 este polarizata în invers şi curentul ce procesele fizice decurg ca şi in dioda Shockley. La aplicarea unei
trece prin ea este foarte mic. Tot curentul ce se scurge prin tiristor, tensiuni pozitive pe terminalul MI devine operaţionala structura
la aşa polaritate a tensiunii exterioare, va trece prin rezistenţa de Pll1jP2112 a diacului, în timp ce structura adiacenta 11 P l1 P2
3 I I
este

294 295
blocata în invers. La aplicarea unei tensiuni negative pe terminalul
MI' structura Pll1lPZl1Z este blocata în invers, operaţionala devine
structura 11 3 P l l1 j PZ .
Din cele prezentate rezulta ca diacul blocheaza tensiunile
aplicate de ambele polaritaţi şi conduce în direct în ambele sensuri.
Comutarea diacului din starea de blocare în starea de conducţie se
efectueaza prin aplicarea unei tensiuni egale cu VAd'
Triacul este un tiristor bidirecţional cu trei terminale, având o
structura interna formata din şase straturi semiconductoare, care
delimiteaza cinci joncţiuni P - 11 (vezi fig. 7.12). Acesta este unul
din cele mai raspândite tipuri de triac care are terminalul de
comanda cu injecţie şi poate fi comandat pe poarta G cu semnale
de ambele polaritaţi.
n2
J
...:..;
P2
,
'.'2
n1
! situaţia este identica cu cea din cazul precedent, cu deosebirea că
p}
r n,
I goluri din stratul Pl în l1 1 , ceea ce măreşte factorul de amplificare
Tiristar A Tiristor B
Fig. 7.12. Structura triacului cu terminal de comanda cu
Triacul este format de fapt din integrarea pe aceeaşi structură a
două tiristoare convenţionale conectate în antiparalel: tiristorul A
(p j l1 I P Zl1 Z ) şi tiristorul B (P Z l1[p[11 4 ). Funcţionarea ambelor
tiristoare este controlată de un singur terminal de comandă (poarta
G). Joncţiunea de poarta J 4 este formata din straturile
semiconductoare pz şi l1 3 • Prezenţa joncţiunii de poarta permite
296
controlul conducţiei curentului prin dispozitiv în ambele sensuri,
prin aplicarea semnalelor bipolare între tenninalul G şi unul dintre
celelalte doua terminale (M j şi M z ). Caracteristicile voltamperice
statice ale triacului sunt simetrice în raport cu originea (fig. 7.13).
Întrucât structura conduce în ambele sensuri şi poate fi comandata
pe poarta G cu semnale de ambele polaritaţi, consideram patru
situaţii succesive:
- Atunci când terminalul MI este polarizat pozitiv în raport cu
terminalul M Z' iar pe poarta ( G) se aplica un semnal pozitiv faţa
de M Z' joncţiunile J I şi J 3 sunt polarizate în direct, iar joncţiunile
J z' J4 şi J 5 sunt polarizate în invers. Curentul de comanda injec-
tat prin metalizarea de poarta în stratul pz determina intrarea în
conducţie a structu~ii P I l1 I P Zl1 2 (tiristorul A). Acestui mod de func-
ţionare (semnalul + IG) îi corespunde caracteristica 1 - V din cadra-
~ G
~
nul 1. În timpul acestui proces, tiristorul B ramâne inactiv, întrucât
joncţiunile sale de emitor (Jz şi J 5 ) sunt polarizate în invers.
- În cazul când terminalul MI ramâne polarizat pozitiv faţa de
M z ' însa pe poarta G se aplica un semnal negativ faţa de A1 z '
joncţiunea J 4 este polarizata în direct. Ca urmare, stratul 11 3 va in-
jecta electroni în stratul PZ' Aceşti electroni sunt transportaţi prin
j~.
baza 11 1 la joncţiunea J p determinând o injecţie suplimentară de
în curent al tranzistorului echivalent PIl1IPZ' fiind astfel grabita co-
mutarea directa a tiristorului A. Acestui mod de funcţionare (cazul
injecţie.
- 1G ) îi corespunde de asemenea caracteristica 1 - V din cadranul 1.
În timpul procesului descris mai sus, tiristorul B rămâne inactiv.
- Atunci când terminalul M[ este polarizat negativ în raport cu
M z ' joncţiunile J I şi J 3 sunt polarizate în invers, în timp ce jonc-
ţiunile J 2 şi J 5 sunt polarizate în direct. Operaţional în acest caz
devine tiristorul B, în timp ce tiristorul A este inactiv, întrucât am-
bele joncţiuni de emitor (J[ şi J 3 ) ale lui sunt polarizate în invers.
297
 _ În cazul când semnalul aplicat pe poarta este pozitiv faţa de
terminalul M 2 ' joncţiunea de poarta ( J 4 ) este polarizata in invers,
fiind în consecinţa inactiva. Semnalul pozitiv aplicat pe poarta
injecteaza goluri suplimentare in regiunea P2 prin metalizarea G,
determinând intrarea în conducţie a structurii P2nlPln4 (tiristorul B).
Sensul curentului prin structura este de la terminalul M 2 la MI'
Daca semnalul aplicat pe
poarta ( G ) este negativ in raport
cu terminalul M 2' joncţiunea de
poarta J 4 este polarizata in di-
rect. Ca urmare, comutarea tiris-
torului B este iniţiata de injecţia
de electroni din stratul n 3 in
o stratul P2' Conducţia curentului
în direct se stabileşte prin
structura P2njP1n4 cu sensul de
la terminalul A1 2 la NI j • Acestor
doua moduri de funcţionare a
Fig. 7.13 Caracteristici voltampe- triacului le corespund caracte-
rice statice ale triacului. risticile 1 - V din cadranul III
(fig. 7.13).
Triacul se utilizeaza in circuitele de comanda şi reglare a
puterii de curent alternativ. Tensiunea alternativa aplicata între
terminalele MI şi M 2 trebuie sa fie mult mai mica decât tensiunea
de autocomutare VAKO ' astfel încât dispozitivul sa nu comuteze
direct in absenţa semnalelor de comanda.
298
Capitalul VIII
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP SI
•
DIS·POZITIVE CUPLATE PRIN SARCINA
În a.nul 195? V.Shockley a descris un dispozitiv nou, numit de
el tranZIstor umpolar cu efect de câmp. Controlul curentului în
dispozitiv se efectueaza prin variaţia conducţiei unui strat de ma-
ter!al s~miconductor, numit canal, sub acţiunea tensiunii aplicate pe
o JoncţlUne P - n polarizata invers, constituita din canal~1 con-
d~~tiv şi o ~eg.iune put~rnic dopata, ?umita poarta. Aceste dis po -
~ltIV~ au pnmIt denumIrea de tranZIstoare cu efect de câmp cu
JoncţIUne (TECJ).
Î? anul ~1960 M. Attalla şi D. Kahng au propus un nou tip de
tranzI~toar~ m care conductanţa canalului la suprafaţa semiconduc-
~OrulU1 vanaza sub acţiunea tensiunii, aplicate la electrodul metalic,
Izolat de su~rafaţa semiconductomlui de un strat subţire de oxid.
Aceste tranZIstoare au primit denumirea de tranzistoare cu efect de
câmp (TEC) cu poarta izolata sau ~EC metal-oxid (izolator) -
semIcond~ctor, prescurta~ TECMOS. In 1966 C.A.Mead a propus
~EC .de tIpul metal-senuconductor (MS-tranzistor). Principiul de
funcţIOnare a MS-tranzistomlui este identic cu TECJ. Deosebirea
constă în aceea că în MS-tranzistor în calitate de poartă se utilizea-
za contactul metal-semiconductor. Spre deosebire de tranzistorul
bipolar, .curentul. prin TEC este datorat deplasarii unui singur tip de
purtăton de sarcma, electroni sau goluri (depinde dacă canalul este
de tip n sau respectiv p). Din aceasta cauză TEC se mai numeşte
şi tranzistor unipolar.
. Interesul către tranzistoarele cu efect de câmp este detenninat de
obţ~nerea perf~llllanţelor competitive faţă de tranzistoarele biPOlare:
~ezlstenţ~ de mtrare mare ?upă curentul continuu şi la frecvenţe
malte, mvelul de zgomot mIC, dependenţa patratica a curentului de
ieşire de tensiune, separarea aproape totala a semnalului de ieşire de
semnalul de intrare.
299
 Totalitatea proprietăţilor indicate a tranzistoarelor cu efect de
câmp pennite de a simplifica schemele, a micşora dimensiunile şi
greutatea dispozitivului. Astfel, de exemplu, datorită utilizării tran-
zistoarelor cu efect de câmp în aparatajul de radiocomunicaţie şi
radiodifuziune se poate totalmente de înlăturat din scheme tuburile
electronice, de ridicat linearitatea caracteristicilor, de lărgit diapa-
zonul dinamic ş.a.
Direcţiile principale de elaborare a TEC:caciispozitive discrete -
amplificatoare şi generatoare de frecvenţă ultraînaltă pe baza sili-
ciului şi a arsenurii de galiu; dispozitive de putere cu pantă mare a
caracteristicii şi un diapazon dinamic larg; dispozitive de frecvenţă
infrajoasă cu zgomot SCăzut; dispozitive pentru scheme de co-
mutare.
8.1. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
CU JONCŢIUNI(TECJ)
8.1.1. CONSTRUCŢIAŞI FUNCŢIONAREA
Structura fizică a tranzistorului TECJ cu o construcţie tipică plan-
paralelă este prezentată în fig. 8.Ia. Pe o plachetă de siliciu de tip n,
la capetele căreia sunt fixate contactele ohmice, prin difuzie este rea-
lizată o regiune p + , pe care se fixează contactul ohmic corespunzător.
Această regiune fonneaza cu substratul o joncţiune p - n numită
poarta (G). Contactele fixate la capetele plachetei se numesc sursa
(S) (contactul de la care se mişca purtatorii de sarcină majoritari) şi
Poom ( - :
Poarta
b
Fig. 8.1. Structura fizica a tranzistorului TECJ cu canal Il: a) schiţa
constructiva; b) schema electrica; c) secţiune transversala cu poarta din
doua joncţiuni p - Il .
300
respectiv drena (D) (contactul spre care se mişcă purtătorii de "~
sarcină). Regiunea plachetei situată sub joncţiunea p - n este
numită ~ClJJal. În regim de polarizare nonnală pe drenă se aplică
tensiune pozitivă + VDS ' iar pe poartă tensiune negativă - VGS
(sursa este tenninalul de referinţă) (fig. 8.lb). În felul acesta, distin-
gem două circuite: a) circuitul de drenă - între tenninalele D şi S,
unde putem aplica tensiunea de drenă VDS şi prin care poate circula
curentul de drenă 1D ; b) circuitul de poartă -- între G şi S , unde se
poate aplica tensiunea de poartă VGs '
Principiul de funcţionare a TECJ este foarte simplu şi constă în
aceea că odată cu mărirea potenţialului neg;at~~_~lporţii VGS creşte
lărgimea regiunii de sarcină spaţială a joncţiunii p - n a porţii, prin
unnare, lărgimea canalului se micşorează. Prin îngustarea canalului
creşte rezistenţa dintre sursă şi drenă şi se micşorează curentul de
drenă 1D' Deoarece joncţiunea p - n este polarizată invers, rezis-
tenţa ei pentru semnalul de intrare este mare şi puterea la intrare
este mică. Puterea utilă, determinată de tensiunea aplicată VDS şi
raportul rezistenţelor canalului şi a rezistenţei de sarcină, poate
depăşi cu mult puterea la intrare. În aşa fel, TECJ este un dispozitiv
cu amplificare, de tip "rezistenţă activă dirijată".
Pentru marirea adâncimii modulaţiei conductanţei canalului
joncţiunea p - n se efectuează din două părţi opuse (fig. 8.1 c).
În acest caz variaţia Iărgimii canalului cu tensiunea porţii se dublează.
În scopul obţinerii unor expresii aproximative, manevrabile în
practică, se introduc o serie de ipoteze simplificatoare:
- joncţiunea poartă-canal este de tip p + - n abruptă; în regim
nonnal de funcţionare, joncţiunea este polarizată invers şi se negli-
jează curentul invers;
- mobilitatea purtătorilor de sarcină în canal este constantă,
independentă de intensitatea câmpului electric;
- limita regiunii sărăcite este abruptă, în sensul că curentul trece
prin porţiunea deschisă a canalului, iar în regiunea sărăcită este zero;
- neglijând regiunile neutre ale plachetei situate în apropierea
sursei şi a drenei, structura TECJ poate fi prezentată într-o fonnă
mai simplificată (fig. 8.2). Canalul conductiv este caracterizat prin
301
 02.cL",-~~')..<> (J".el'k'<.j~' !). L '-i (-" ci
""''---1 (LC<.·· 1.::. (.(& >: ve,.
1.;"" Co,,-ill."-~<~"1 f1U.'~ =,' (', !~.JJ ,;,,'-" (1k~ (..
'el ' )(
~l-= «(*
u:"+~i.< L_ JS...... ,
''0
E=~
. -"
2ti::{fL"e?
. eJ..
~,
~jC
. .'.
" - - Ir '- , (fF& 7
-(1- V'"
--::-(1
~.
ja\k~t:.
[c"-,,-t,,,'lioJ
fI/.(' =?C"

lungimea L, largimea tehnologica a. şi, adâncimea ZI' Fie VDS = O, În regimul de lucru, pentru VDS *- O canalul nu mai este un strat
iar VGS ia valori negative crescătoare. Atunci regiunea canalului va echipotenţial. Prin canal trece un curent de drena 1D şi în lungul

fi un strat echipotenţial şi tensiunea la joncţiunea p - n va fi VGS în canalului are loc o cădere de tensiune. În diferite puncte x ale
fiecare punct de-a lungul întregului canal. Respectiv în fiecare canalului potenţialul este diferit: el variaza de la Vx = O lângă sursa
punctlargimea)oncţiuniiţ p+ - n va fi d, lar largimea canaluluii pâna la Vx = VDS lânga drenă. Drept urmare, tensiunea de polarizare
inversa a joncţiunii poartă-canal variază în lungul canalului, fiind
W =a-d. (8.1)
egala cu VGS + Vx şi creşte în direcţia de la sursa spre drenă. Se ma-
Poarta Utilizând expresia (3.24) reşte, respectiv, şi largimea regiunii saracite a joncţiunii porţii în
şi considerând ca joncţiunea aceasta direcţie, ceea ce micşoreaza largimea canalului (fig. 8.3),
poarta-canal este de tip fapt ce duce la micşorarea conducţiei canalului.
p + - n , iar concentraţia de do- În locul cel mai îngust (în
apropierea drenei) tensiunea jonc-
pare a donorilor este uniforma,
ţiunii poarta-canal este egală cu
ŞI
~ d qND =qn=-,
. presupunan 1 suma VGS + VDS • La tensiuni de
Fig. 8.2. Modelul fizic simplificat al S D
TECJ.
PIi. drena mici, între curent şi tensi- o-_--------.--~o(J
O +vDS
obţinem: une exista o dependenţă liniara.
La tensiuni de drena mai mari
W = a - J2eoepJ1nVGs . (8.2)
secţiunea deschisa a canalului se
micşoreaza în special în apropi-
Conform expresiei (8.2), dând lui VGS valori negative, lărgi­ Fig. 8.3. Creşterea largimii joncţiunii
erea drenei, fapt ce duce la mic- poarta-canal dinspre drena
mea regiunii saracite creşte treptat. În rezultat, are loc micşorarea şorarea conductanţei canalului; şi marirea regiunii de gâtuire
secţiunii deschise a canalului. Pentru o anumita valoare VGS = VGO a canalului cu creşterea ten-
prin aceasta se cauzează micşo­ siunii la drena, când tensiu-
regiunea saracita ocupa tot canalul. Tensiunea VGO este numita rarea ratei de creştere a curen- nea porţii este constanta:
l - tensiunea de drena este
tensiune de prag sau tensiune de penetraţie totală. Din (8.2) pentru tului 1 D' CU creşterea VDS ten- egala cu tensiunea de
W = O__este uşor de determinat tensiunea de prag: siunea sumara aplicata joncţiunii saturaţie,

.devine egala cu VGO - tensiunea 2 - V DS ' > VDSsat.,

a2 de prag, şi are loc aproape uni-
VGO =---- (8.3)
2eoepJ1n rea regiunilor săracite în apro-
pierea drenei (fig. 8.3). Spre-deosebire de cazul VGS = VGO , aceasta
De exemplu, la a = 2 J1 m şi P = 2 n cm pentru siliciu se
nu aduce la tăierea curentului, deoarece însaşi "unirea" este rezulta-
obţine VGO = 6,4 V. Utilizând expresia (8.3), înscriem largimea
tul creşterii curentului. În aşa fel, creşterea curentului 1D formeaza
canalului într-o forma mai compacta: condiţii ce aduc la micşorarea lui, deci survine autolimitarea cu-
rentului. Taierea curentului pâna la zero nu are loc, deoarece mic-
(8.4) şorarea canalului este determinata de însaşi creşterea curentului şi,
daca 1D s-ar micşora pâna la zero, atunci şi tensiunea joncţiunii

302 303
0uf..t
1.;:",(

!-C"<f
~L::

poartă-canal ar deveni zero şi canalul se va deschide. De aceea cu ori rădăcinii cubice (în cazul joncţiunii gradate) (vezi 3.3). Din
creşterea tensiunii VDS nu are loc taierea curentului, ci tăierea ratei aceste considerente pe regiunea de saturaţie a caracteristicii
de creştere a lui, adică se instaleaza progresiv saturaţia (punctul Pl 1D =f(VDS ) se observă o uşoară creştere a curentului cu tensiunea.
pe curba 1, fig. 8.4). Curentul de drenă corespunzător punctului Pl Daca tensiunea aplicată pe poartă ia valori negative de modul
se numeşte curent de saturaţie (1 Dsat.)' iar tensiunea de drenă mai mic decât VGO ' se obţin curbele 2,3,4 din fig. 8.4. Funcţionarea
tranzistorului este similară cu cea descrisă mai sus; diferenţa constă
corespunzătoare se numeşte tensiune de saturaţie (Vo sat.); în cazul
în faptul că gâtuirea canalului are loc la tensiuni VDS mai mici.
particular VGS = O, aceste mărimi au valori maxime şi se notează cu Unind punctele de trecere la saturaţie, se obţine o parabolă semicu-
J DSO şi
Voso ' Această mănme se obţine din condiţia bică; regiunea situată la dreapta acestei curbe se numeşte de satu-
raţie şi constituie domeniul de utilizare curentă a TECJ.
VGS + Vos = VGO şi este egală:
(8.5) 8.1.2. EXPRESIA CURENTULUI DE DRENĂ ÎN TECJ

Tensiunea de saturaţie VD sat. se micşorează cu creşterea ten-

La calculul caracteristicilor statice de ieşire şi intrare a TECJ
siunii VGs ' este necesar de a lua în consideraţie că rezistenţa canalului variază
de-a lungul axei x, deoarece se schimbă lărgimea lui W. Funcţia
Deci, se poate conside-
W(x) se obţine înlocuind VGS cu VGS + V(x) în expresia (8.4).
10 ra că la tensiuni VDS ~ VOs at.
-1V canalul nu este total închis,
ci rămâne o porţiune Joarte (8.6)
P3 -2V îngustă având . re~istenţa
electrica foarte mare; cade-
Deoarece curentul 1D în diferite regiuni ale canalului este ace-:
2 rea de tensiune şi câmpul
electric sunt suficient de laş~ , pentru căderea de tensiune pe o regiune elementară dx putem
o 2 q. 6 8 10 12 1Jf V DS' V mari pentru a menţine scne:
valoarea curentului condi- (8.7)
Fig. 8.4. Caracteristici voltamperice sta-
tice de ieşire a TECJ. ţionată de către porţiunea
unde dR c (x) este rezistenţa regiunii date a canalului, determinată
deschiSă.
de expresia:
La tensiuni VSD > VD sat. gâtuirea canalului se realizeaza pe un
spaţiu mai larg (fig. 8.3, curbele 2,3). Dacă lungimea regiunii de
gâtuire a canalului ar creşte proporţional cu tensiunea drenei, atunci
dRc(x) = P dx dx (
= p - 1-
VGS + V(x) J- 1

(8.8)
z·W(x) za VGO
curentul drenei ar rămâne constant la tensiuni de drenă mai mari ca
tensiunea de saturaţie. Însă lungimea regiunii de gâtuire a canalului lntroducând (8.8) în (8.7), obţinem:
se mareşte din cauza creşterii lărgimii joncţiunii porţii cu mărirea 1
tensiunii drenei (fig. 8.3), iar lărgimea joncţiunii p-n este propor- dV(x) = 1DP dx (1 _ V GS + V(x) J- (8.9)
ţională rădăcinii pătrate din tensiune (în cazul joncţiunii abrupte) za VGO

304 305
 Despărţind variabilele şi integrând cu condiţiile la limită În fig. 8.4 curba dusa prin punctele Pl - P 4 arată dependenţa
x = O, V(x) = O şi x = r, V(x) = VDS ' obţinem: JDsat = f(VDsa1 )' Această dependenţă prezintă locul geometric al

T(l-
o
VGs+V(X)JdV=JD~fdX'
VGO z ao
punctelor ce corespund curenţilor şi tensiunilor la care survine
regimul de saturaţie a TECJ.
Est~ import~nt să cunoaştem dependenţa curentului de saturaţie
Dupa calculul integralei a drcnel de tenSIUnea la poartă, care prezintă caracteristica de trans-
fer. Această dependenţă poate fi obţinuta dacă în expresia (8.10) se
_ ~ (VGS + VDS ) ~ ~]'
V DS
3 [ V
GO
2 -
1/
12
VGS 2 =1 R
$l)
~.
ea'
introduce tensiunea de saturaţie a drenei VDsat. = VGO - VGS'.

JDsal. =f[lvGO -VGs(l-~3 ~V;;;;

~J]. (8.12)
unde Rea = p~ este rezistenţa canalului când VGS = O (rezis- ea
z·a
tenţa canalului tehnologic). Daca L = 20 ţlm, a = 2 ţlm, z = 1 mm Dependenţa JDsaL = f (VGs ) cu VDS

şi p = 2 n . cm , atunci Rea ~ 200 n . parametru, pentru regiune'!; saturata,

este prezentata în fig. 8.5. Intrucât în
Pentru curentul drenei obţinem:
aceasta regiune curentul JD este slab
~] .
V DS ;,.. =const
__1_ ~ VGS li - (VGS + VDS ) influenţat de către tensiunea de drenă,
JD - VDS + (8.10)
11 caracteristicile de transfer sunt foarte
R ea [ 3 VGO 12
apropiate între ele. Pe caracteristici se
Această expresie este valabilă numai în. regiun~~__fl~saturata, observa două regiuni distincte: pentru ,s~OC:::"-
-V_c.. -J O

unde VGS + VDS < .VGO'. şi poate servi pentru calculul caracteristi- tensiuni VGS relativ mici caracteristici- VGO
cilor statice ale tranzistorului TECJ. Rata de creştere a curentului le sunt aproximativ liniare; pentru ten- Fig. 8.5. Caracteristica statică
JD în funcţie de VDS se micşoreaza treptat până în punctul unde siuni VGS apropiate de VGO caracteris- de transfer a TECJ.

V +V =V Descreşterea ratei este cauzată de faptul că, pentru ticile sunt puternic neliniare.
GS DS GO'
tensiuni de drena apropiate de VDsat .' porţiunea deschisă a canalului 8.1.3. PARAMETRI ŞI SCHEME ECHIVALENTE ALE
se micşoreaza foarte mult în apropierea drenei; pe porţiunea TRANZISTOARELOR TECJ
îngustă, rezistenţa canalului ia valori mari, astfel o fracţiune
importantă a tensiunii de drenă cade pe această rezistenţă. ~n aplicaţii practice, pentru calculul şi evaluarea performanţe­
Crescând în continuare tensiunea de drenă, se ajunge la satu- lor difentelor scheme, este necesară cunoaşterea principalilor para-
raţie. Dacă în expresia (8.10) se introduce valoarea tensiunii de metri ce caracterizează tranzistoarele TECJ.
poarta VGS din (8.5) (VGS = VGO - VDsatJ, se obţine dependenţa dintre Se definesc trei parametri principali de semnal mic:
1) Panta (transconductanţa sau conductanţa mutuală) se defi-
curentul de saturaţie JDsat. şi tensiunea drenei de saturaţie: neşte prin relaţia:

dJ D
1 [ ) VGO - VDsat
JDsat = Rea VDsat +"32 (
IfGO - VDsat V
GO
-"32 VGO ] (8.11) S=--
dVGS VDS ~const.
(8.13)

306 307
şi arată influenţa tensiunii de poartă asupra curentului de drenă; astfel ca la marirea tensiunii porţii joncţiunea p - n sa se largeasca,
unitatea de masura este mA IV. în principal, în regiunea canalului. Deci, pentru a obţine valori mari
2) Rezistenţa diferenţiala de drena (canal) est.e d.~term.inata de ale pantei caracteristicii tranzistorului TECJ trebuie utilizat mate-
schimbarea lungimii canalului cu creşterea tensmnn aplIcate pe rial semiconductor cu mobilitate mai mare a purtatorilor de sarcina.
drena şi este definita prin relaţia: Din acest punct de vedere m~ateriale de perspectiva sunt GaAs şi
InP de conductibilitate n. In conformitate cu expresia (8.17),
r - dVDS (8.14) valoarea pantei caracteristicii tranzistorului TECJ este determinata,
d - dI
D VGs=const. într-o mare masura, de raportul Iăţimii canalului Z catre lungimea
Pentru TECJ de putere mica rd ~ 10 il .
5
lui L. Majorarea raportului % măreşte panta caracteristicii S şi
Coeficientul de amplificare în tensiune fU se defineşte prin relaţia: curentul de saturaţie 1 Dsat .•
I
Mărirea Iărgimii
ţi = _ dVDs I (8.15)
tehnologice a canalului a la fel aduce la
creşterea pantei S. Însă cu creşterea lărgimii canalului foarte mult
dVGS l D =eanst.
se măreşte tensiunea de prag VGO şi tensiunea de saturaţie VDsat .'
Pentru un tranzistor dat, parametrii ţi, S ŞI J:1 nu sunt indepen-
care determina intrarea tranzistorului TECJ în regimul de saturaţie.
denţi, între ei există relaţia generală: Deoarece regimul de saturaţie este principalul regim de funcţionare
ţi = S rd • (8.16) a tranzistorului TECJ, tensiunea de prag trebuie sa fie mică. Din
În aşa fel, amplificarea tranzistoarelor TECJ este c~ract~rizata aceste considerente lărgimea canalului se face nu prea mare, neca-
de doi parametri; de obicei, se întrebuinţează panta ŞI reZIstenţa tând la o careva micşorare a pantei.
diferenţiala de drena. . . .. ," Reieşind din principiul de funcţionare şi structura tranzistorului
Deoarece regiunea de saturaţIe a caracten~t1cI1or ae IeşIre este TECJ, se poate desena schema echivalenta de semnal mic (fig. 8.6).
principala regiune de funcţionare, vom determma panta pe aceasta
Rezistenţele J~ şi r D prezinta re-
regiune. Diferenţiind (8.12) dupa VGS ' obţinem:

1 ((V;;;\j
":=aZ ( VGS 1
S=R I-ÎI~ =eNDţinT l-,V)l.
ca ~ \ GO
I GO
(8 17)
. I
zistenţele regiunilor situate între sursă
şi poarta şi între poarta şi drenă.
La frecvenţe joase influenţa rezisten-
G

ţei r D poate fi neglijată în comparaţie

Conform acestei expresii, S este maximală la tensiuni VGS
mici. Însa aşa regim de funcţionare nu este convenabil din punct de
vedere energetic, deoarece prin tranzistorul TECJ trece un curent
I D mare şi puterea disipata este mare. Din aceste considerente, de
obicei se alege VGS ~ 0,75· VGo '
Din expresia (8.17) rezulta că pentru obţinerea valorii înalte
a pantei este necesar ca rezistenţa canalului la VGS = O sa fie cât
mai mica. sau rezistenţa specifica a materialului iniţial să fie. mai
mica. În· acelaşi timp, concentraţia impur~tăţilor. şi, respectIv, ~a
purtatorilor de sarcina în regiunea canalulm trebme să fie scazuta,
v GS
cu rezistenţa înaltă de sarcină din cir-
cuitul drenei şi rezistenţa diferenţiala s s
a canalului re mare. Rezistenţa rs ' co-
mună pentru circuitul de intrare şi cel Fig. 8.6. Schema echivalenta
a TECJ.
de ieşire în conexiunea sursă comună
(SC), este rezistenţa de legătură inver-
sa interioa;a în TECJ. Întrucât curentul total I D trece prin circuitul
rs + re + rD , pe rezistenţele r, şi rD cade o parte din tensiunea VDS '
Dupa cum s-a menţionat mai sus, cea mai considerabila influenţa o

308 309
are căderea de tensiune pe rezistenţa sursei ~ = 1D rs (vezi fig. 8.1). - admitanţa de transfer invers cu intrarea în scurtcircuit
Fie, de exemplu, VGS creşte. Atunci 1D scade, fapt ce conduce la
micşorarea tensiunii ~. Deoarece Vp _ n = Vus + VI + V(x) , aceasta
(8.20)
înseamnă că tensiunea la joncţiunea porţii creşte cu o mărime mai
- admitanţa de transfer direct cu ieşirea în scurtcircuit
mică decât tensiunea de intrare VGs ' În aşa fel, rezistenţa r, efec-
tuează legătura inversă negativă între circuitul de intrare şi cel de
(8.21)
ieşire, care micşorează valoarea eficace a semnalului de intrare, şi,
prin urmare, micşorează amplificarea tranzistorului. Din aceste
considerente, la construirea tranzistorului TECJ se stăruie să mic- - admitanţa de ieşire cu intrarea în scurtcircuit
şoreze rezistenţe le rs şi rD .

Capacitatea şi rezistenţa dintre poartă şi surSă, rGS ' şi

CGS şi (8.22)
cele dintre poartă şi drenă, C GD şi rGD , înlocuiesc în schema echi-
valentă joncţiunea p - n a porţii cu capacitatea sa de barieră, şi Pe baza sistemului (8.18) se elaborează cuadripo1ul echivalent
rezistenţa diferenţială activă mare se datorează polarizării inverse.
de semnal mic cu parametrii Y pentru TECJ (fig. 8.7).
Generatorul de curent, conectat în paralel cu rezistenţa dife-
renţială a canalului, reflectă proprietăţile de amplificare a TECJ.
Curentul acestui generator este proporţional cu tensiunea de intrare
YllS V DS
VGS ; coeficientul de proporţionalitate este panta caracteristicii S .
Un alt mod de a caracteriza tranzistorul TECJ în regim dinamic )ins

de semnal mic, ca şi în cazul tranzistorului bipolar, constă în a

considera tranzistorul drept un c:uadripol. Pot fi utilizaţi parametrii
Fig. 8.7. Cuadripolul echivalent de semnal mic cu parametrii y
de cuadripol: impedanţa (zij)' admitanţa (Yij) sau hibrizii (hij)' însă pentru TECJ.
parametrii preferaţi sunt admitanţele Y , deoarece datorită rezisten-
--- . i'L
Aplicăm definiţiile (8.19-8.22) circuitului echivalent din
ţelor de intrare şi ieşire înalte condiţia de măsurare cu o poartă
fig. 8.6. Obţinem expresiile admitanţelor în funcţie de parametrii
scurtcircuitată este mai uşor de realizat decât cea cu o poartă în gol.
naturali de semnal mic şi de frecvenţă:
Pentru conexiunea SC, ecuaţiile de cuadripol sunt

'1'-. dIG = YllsVGS + Y12s VDS } (8.18) Ylls =jw(CGS +CGD ); Y~2S1=-~WCGD:}.
(8.23)
dI D = Y2Js VGS + Y 22s VDS Y 2ls = S - j w C GS ; Y 22s - +} W C GD ,
re
cu următorii parametri:
- admitanţa de intrare cu ieşirea în scurtcircuit Toţi aceşti parametri sunt dependenţi de tensiunile constante
dIG aplicate la terminalele TECJ.
YIIs = d V ' (8.19) Frecvenţa de tăiere IŢ se defineşte ca frecvenţa la care modu-
GS dVDS=O
lul factorului de transfer direct în curent scade la unitate. Pentru
310 . 311
 tranzistorul TECJ această frecvenţă poate fi determinată din ega-
ZOOr--------:::--:-_---,
litatea curentului de intrare cu cel de ieşire (neglijând 1', şi r ): JOOK
D
100 N1J :'0"
/, em-3
S 80
IT = - - - (8.24) N 50
2lreGS
~ <t'O
O
Luând valoarea maximă a pantei S ~ _1_
Rea
unde AG = zL prezintă aria porţii, se poate scrie: 10

qNDJl n a2
I T =
lrcs
L2
Pentru realizarea unor frecvenţe de funcţionare cât mai mari se
vor utiliza materiale cu mobilităţi înalte ale purtătorilor de sarcină
(GaAs, InP), iar constructiv se va lua raportul cât mai mare
posibil.
Să analizăm influenţa elementelor schemei echivalente asupra
parametrilor tranzistorului TECJ. Rezistenţa rGS este rezistenţa de
intrare, iar e
GS - capacitatea de intrare. La frecvenţe înalte
micşorează rezistenţa de intrare, iar GS GD
e şi e
conectate în serie,
,
şuntează generatorul de curent; ca urmare, panta şi amplificarea
tranzistorului se micşorează.
Necătând la aceea că eGD > CGS ' capacitatea eGD suficient
micşorează parametrii TECJ la frecvenţe înalte, deoarece formează
legătura inverSă între intrare şi ieşire. Micşorarea capacităţii e
GD
poate fi obţinută folosind în calitate de poartă a TECJ contactul
metal-semiconductor. Bariera Schottky dă posibilitate de a micşora
nu numai capacitatea eGD , dar şi dimensiunile tranzistorului TECJ.
Respectiv se micşorează lungimea canalului L şi eGS ' ce asigură o
creştere suficientă a frecvenţei IT' În fig. 8.8 sunt arătate depen-
denţele teoretice ale frecvenţei IT de lungimea canalului L pentru
tranzistorii din Si, GaAs şi InP. Pentru "tranzistorii cu lungimea
~I-
Fig. 8.8. Dependenţele teoretice ale
frecvenţei limită j~ de
(8.25) lungimea porţii pentru 0,2 o,J0,4O,S 0,8 1,0 2 J 1- 5 8/0
TECJ din Si, GaAs şi In? Lungimea pOlţii. llm
Pentru ca poarta tranzistorului să controleze efectiv transportul
If electronilor în canal, lungimea ei trebuie să depăşească adâncimea
canalului (% > 1). De aceea, micşorând lungimea canalului L, tre-
buie concomitent de micşorat şi adâncimea canalului a, asigurând în-
e
deplinirea condiţiei ( %> 1). Din aceste considerente în TECJ din Si
GS şi GaAs de obicei folosesc un nivel mai înalt de dopare a canalului,
însă nu mai mare de ~ 5.10 17 em-3 (pentru a evita străpungerea). Pentru
nivelul dat de dopare lungimea minimală a canalului L este mărginită
de valoarea ~ 0,1 Jl m , ce corespunde frecvenţei limită IT ~ 1OOGHz.
8.104.' TRANZISTOARE CU EFECT DE cÂMP CU
MOBILITATE ÎNALTĂ
Mărirea vitezei de funcţionare a tranzistorului TECJ conform
(8.25) poate fi obţinută atât micşorând lungimea canalului, cât. şi
mărind viteza de trecere a purtătorilor de sarcină prin canal datontă
creşterii mobilităţii. Mobilitatea poate fi mărită numai printr-o re-
primare parţială sau completă a căruiva mecanism de împrăştiere .a
purtătorilor de sarcină. DUpă cum este cunoscut, dependenţa mobI-
lităţii de temperatură în aşa materiale ca Si, GaAs are maximum. La

porţii ~0,5 Jl m frecvenţa limită IT corespunde regiunii milimet-
rice a spectrului radiaţiei electromagnetice ( ~ 30 GHz).
312
temperaturi, mai mari ca temperatura maximului, m?bilitatea. sc~?e
cu creşterea temperaturii datorită măririi împrăştieni pe oscIlaţnle
acustice ale reţelei cristaline, iar la temperaturi mai mici decât cea a
313
maximului, mobilitatea scade cu micşorarea temperaturii datorita
creşterii împraştierii pe impur~taţile Jonizate. A _.
Slabirea suficienta a ultImulUI efect de Impraşt~ere p.oate fi
obţinuta folosind heterojoncţiunea aratata în fig. 8.9~. I~ calIt~te ~e
semiconductor n 2 este luat un material apropiat de mtnnsec, Iar m
calitate de n - semiconductor cu banda interzisa larga, dopat cu
impuritaţi do~oare. Daca lucrul de ieşire pentru electroni .~in semi~
conductorul n, este mai mic decât din n 2 , atunci electronll, formaţI
1
în urma ionizarii donorilor, trec din semiconductorul n[ în n 2 şi se
acumuleaza într-o groapa potenţiala îngusta ( ~ 10 nm) la interfaţa
care joaca rolul de canal (fig. 8.9c). Deoarece impuritaţile donoare
ce au generat electronii liberi au ramas în semiconductorul nI'
împraştierea pe impuritaţile ionizate în ~irecţi~ _d~-a lungul inte~fe­
ţei heterojoncţiunii lipseşte (în afara de .lmpuntaţ I1e necontr~.lablle)
şi mobilitatea electronilor în canal cu ~Ic~orare~ temperatufll poate
sa creasca cu câteva ordine. Electronll dm regIUnea canalulUI for-
meaza aşa-numitul gaz electronic bi?imensional. T~anzi~to~~ele cu
efect de câmp cu canalul format la mterfaţa h~ter<.?J<.?ncţIU1!l1, con-
ducţia caruia este determinata de gazul electromc bldImenslO~al, se
numesc tranzistoare cu mobilitate înalta a purtatorilor de sarcma.
GaAs nedarat
T
Substrat
G_aA_S_(l_Ol_l)_ _ T
b
a :.
Fig. 8.9. Diagrama energetica a hetcrojo~cţiunii (a), structura tranzis-
torului cu efect de câmp (b) ŞI dIagrama lUI energetIca (e).
Primele tranzistoare de acest fel au fost construite pe baza
heterojoncţiunii GaAs-GaAIAs. Exemplu t~~ic al unui aşa ?isp,?zitiv
este structura prezentata în fig. 8.9b. MobIlItatea electromlor m aşa
structura la 77 K atinge (2-;.-3)-10 5 cm 2 /(V . s), pe când în TECJ
obişnuit la aceeaşi temperatura ea, de obicei, nu depaşeşte
314
(475).10 cnl /(V· s), aceasta fiind rezultatul micşorarii împraştierii
3
pe impuritaţile ionizate. Structura consta din straturi epitaxiale, de-
puse pe suport semiizolator din GaAs prin metoda epitaxiei mole-
culare. Heterojoncţiunea este formata de straturi subţiri de GaAs pur,
depus pe suportul semiizolator şi compusul AltGa1_xAs de tip 11,
dopat cu Si cu concentraţia impuritaţilor 2.10 18cm-3 • Între aceste
d?ua straturi este crescut un strat subţire de AIGaAs nedopat
(l-AIGaAs). Poarta este realizata prin depunerea aliajului din titan,
platina şi aur pe suprafaţa AlxGa1_xAs de tip n.
Exista doua regimuri fundamentale de funcţionare a unui aşa dis-
pozitiv: prin saracire şi prin îmbogaţire (fig. 8.10). În primul regim
canalul electronic exista în absenţa tensiunilor VG şi VD (fig. 8.1 Oa),
iar în al doilea - canalul este închis (fig. 8.lOb). În primul caz
stratul subţire (50 ." 60 nm) AIGaAs de sub poarta este saracit
datorita existenţei barierei Schottky şi trecerii electronilor în stratul
i -AIGaAs. Conducţia între sursa şi drena se efectueaza prin canalul
cu gaz electronic de mobilitate înalta. La aplicarea unui potenţial
negativ la poarta regiunea saracita din stratul subţire n AIGaAs se
largeşte înspre regiunea canalului micşorând conductibilitatea lui.
~nnn~---- -------
Metal
b
,
I
, I ,
In-AIGaAs' I
I
"1'
1 , i-AIGaAs
I --.1I .......
--
I
a
c
Fig. 8.1 O. Diagrama energetica a tranzistorului cu mobilitate inalta a
purtatorilor de sarcina: a) in regim de saracire; b) in regim de
imbogaţire; c) la polarizari directe (in regim de îmbogatire)
315
 ,
I
I
Tranzistorul funcţioneaza în acest caz în regim cu canalul normal
deschis. La grosimi mai mici ale stratului n AIGaAs (30 ... 40 nm)
regiunea de sarcina spaţiala a contactului metal {Ti, Pt, Au) - semi-
conductor (n AlGaAs) patrunde în canal şi îl închide (fig. 8.1Ob).
În aşa varianta tranzistorul cu efect de câmp este închis, şi pentru
deschiderea canalului pe poarta trebuie aplicat un potenţial pozitiv.
Tensiunea pozitiva pe poarta conduce la atracţia electronilor la
suprafaţa stratului GaAs nedopat, ceea ce provoaca curbarea mar-
ginii benzii de conducţie în jos (fig. 8. lOc). Acumularea electro-
nilo- în stratul de la interfaţa aduce la formarea canalului elec-
tronic. Tensiunea minimala la care se formeaza canalul conductiv
al dispozitivului se numeşte tensiune de prag.
Tranzistoarele cu mobilitate înaltă a purtatorilor de sarcină sunt
utilizate pentru amplificarea semnalelor, în circuite logice, în
circuite integrate.
8.2. TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP
CU POARTĂ IZOLATĂ (TECMOS)
Structura fizica a tranzistoarelor cu efect de câmp cu poarta
izolata este aratata în fig. 8.11. Ea este formata dintr-un substrat
semiconductor de Si de tip p, în care au fost difuzate doua regiuni
de tip n puternic dopate; contactele ohmice fixate pe aceste regiuni
constituie sursa (S), respectiv drena (D), situate la o distanţa de
ordinul 10 Jl m . Porţiunea de semiconductor dintre sursa şi drena
constituie canalul tranzistorului. Suprafaţa semiconductorului, cup-
SiO,
'1
Substrat Substrat p-canal
a b
Fig. 8.11. Structura tranzistoarelor TECMOS cu canal de tip p:
a) cu canal indus; b) cu canal iniţial.
J (
- 316
rinsa între S şi D, denumitaillterfaţa,se acopera cu un strat foarte .,'
subţire (de ordinul 0,1 Jl m ) de izolator, ca regula - dioxid de sili-
ciu crescut termic. Peste oxid se depune o pelicula metalica (de obicei
Al) ce constituie poarta ( G ). Se observa ca poarta, stratul izolator şi
substratul semiconductor formeaza o structura MIS (metal-izolator-
semiconductor). Pentru dispozitivele fabricate din Si, izolantul este
constituit dintr-un strat de oxizi (vezi 4.3), obţinându-se astfel o
structura MOS (metal-oxid-semiconductor).
După modul de realizare a canalului conductiv între sursa şi
drena se disting doua categorii de tranzistoare TECMOS: cu canal
indus şi cu canal iniţial. În tranzistoarele TECMOS cu canal indus
(fig. 8.lla) canalul conductiv pe porţiunea dintre sursă şi drenă,
prin urmare, şi un curent esenţial al drenei apar numai la o anumita
polaritate şi valoare a tensiunii pe poarta, denumită tensiune de
prag Vp '
La tranzistoarele cu canal iniţial (fig. 8.11 b) canalul conductor
exista în absenţa oricarei tensiuni pe poarta, fiind realizat în timpul
procesului tehnologic de fabricare (difuzia, implantarea ionică).
Tranzistoarele TECMOS reprezentate în fig. 8.11 sunt fabri-
cate pe baza substraturilor de tip n. Din această cauza regiunile
puternic dopate de sub sursă şi drena, la fel şi canalul indus, şi cel
fabricat special au conducţia de tip p. Daca se ia substratul de
conducţie p , atunci canalul va avea conducţia de tip n .
8.2.1. TRANZISTOARE TECMOS CU CANAL INDUS.
CONSTRUCŢIEŞI FUNCŢIONARE
0-,
Daca nu aplicăm tensiune de poarta VGS sau daca ea este
pozitiva (plusul pe G şi minusul pe S ), între sursa şi drena nu
circula curent, adiCă 1 D = O, indiferent de polaritatea şi valoarea
tensiunii de drena VDS ' Cauza o constituie faptul ca, dupa cum se
observa din fig:_ 8.12a, circuitul de drenă prin structura TECMOS
include doua joncţiuni p + - n conectate în opoziţie; deci curentul
nu poate trece în nici un sens.
317
 Aplicând însa o tensiune conductanţa .canalului va fi comandata de Ves pnn intermediul
Ves negati~a (minusll! pe G şi câmpului electric dintre poarta şi substrat.
plusul pe S), câmpul~~lectric Aplicând pe drena o tensiune negativa VDS ' prin canal circula

a
j
"". orientat în sensul semicond.u.cto.r
(substrat)-metal (G) respinge
curent de drena care da naştere unei caderi de tensiune Vc(x) în
lungul canalului. Tensiunea efectiva ce acţioneaza acum între
J electronii de la interfaţa, marind
poarta şi canal este variabila cu distanţa şi are expresia:
tota-daia concentraţia golurilor
minoritare. La o anumita va- (8.26)
loare Vp a tensiunii Ves ' con- lânga sursa avem Vec (O) = Ves ' iar lânga3~!1:~ Vec(L) = VGS + VDS •
centraţia golurilor în substratul La tensiuni de drena mici se poate admite ca lungimea canalului
b
semiconductor la interfaţa cu şi concentraţia golurilor nu variaza în lungul canalului, prin urmare,
Regiunea
izolatorul devrnema( -mare conductanţa este constanta pe tot canalul. Între curentul de drena 1D
saracita decâT-concentraţia electronilor,
' -Y GS- \' eiO
\ 'DS- şi tensiunea de drena VDS exista o dependenţa liniara, aşa cum este
\l'~s<\l~o
o li
adica s-a inversat tipul de
conductibilitate. Stratul super- porţiunea iniţial a a caracteristicilor din fig. 8.13; curba 1 corespunde
ficial de la interfaţa în care, sub tensiunii de poarta VGS = Vp ' iar curbele 2, 3 şi 4 corespund unor
acţiunea câmpului electric tensiuni VGS2 < VGS3 < Ves4 ' Menţinând VGS constant, la o valoare
generat de tensiunea de poarta, a
c fost inversat tipul de conduc- superioara lui Vp şi marind VDS ' largimea canalului şi concentraţia
tibilitate a semiconductorului golurilor se micşoreaza lânga drena, fapt ce cauzeaza micşorarea
se numeşte strat de. inversiune • , ratei de creştere a curentului 1D • Când tensiunea de drena ajunge la
YDS<YGS-YGO
YGS<Y GD sau canal ind~~s-~-St;atul de
valoarea VD sat' numita tensiune de drena de saturaţie, curentul
inversiune constituie un canal
conductiv între sursa şi drena
(fig. 8.12b).
_._.-
..
~--_._----
Aplicând o tensiune
VDS ' prin circuitul de drena va
d
trece un curent 1D' cu sensul
corespunzator polaritaţii tensi- Fig. 8.13. Caracteristici statice
Fig. 8.12. Funcţionarea tranzistorului unii VDS ' de ieşire, idealizate, ale
TECMOS cu canal indus tranzistorului TECMOS
de tip p: a) regimul de Daca, dupa formarea cana- cu canal indus de tip p.
echilibru; b) regimul de lului,---marim tensiunea Ves ' K'
;<
formare a stratului de in-
conductanţa canalului va creşte,
versiune în substratul se-
miconductor la interfaţa cu deoarece se intensifica câmpul
izolatorul; c) tranzistorul electric la interfaţa şi un numar
polarizat la limita regiunii
de saturaţie; d) efectul de mai mare de goluri se acumu-
scurtare a canalului. leaza în canal. Prin urmare,
- 318 319
 atinge o valoare limita 1 D sat - curent de drena de saturaţie - şi apoi
practic nu mai creşte cu VDS (fig. 8.13). O astfel de polarizare a tran-
zistorului corespunde instalării saturaţiei.
I~stalarea . saturaţiei se. pr~duce În momentul când câmpul
electrIc cel mal slab, respectIv dIferenţa de potenţial cea mai redusă
care-l determină (Ves - VDS ) şi care apare la capătul dinspre drenă
al canalului, ia valoarea minimă necesară inversiei. Rezulta:
Ves - VDsat = Vp • (8.27)
Când tensiunea de drenă ajunge la valoarea V =V _ V
. Dsat. es p'
lărgImea canalului indus devine zero lângă drenă (fig. 8.12c).
Pentru tensiuni de drenă VDS > VDsat , are loc efectul de scurtare
a canalului (fig. 8.l2d), iar curentul de drenă rămâne aproximativ
Datorită grosimiireduse a oxidului (tipic sub 0,1 J1 m ), stratul
respectiv se strapunge la tensiuni de poartă relativ mici, de ordinul
câtorva zeci de volţi. Strapungerea poate avea loc chiar prin simpla
atingere a electrodului poarta, deoarece dielectricul conservă sarci-
nile si le acumulează, determinând creşterea rapidă a tensiunii pâna
la v~loarea de strapungere. Pentru evitarea străpungerii unele tran-
zistoare sunt prevăzute, prin construcţie, cu o diodă Zener de pro-
tecţie Încorporată În dispozitiv şi conectată Între G şi S. Ca urma-
re, tensiunea Ves este limitată la valoarea tensiunii Zener Vz .
Dependenţa curentului de drena 1D de tensiunea Ves aplicată
la poartă cu VDS parametru poartă denumirea de caracteristica de
transfer. În regiunea de
saturaţie, care de altfel este cea I D

constant şi egal cu 1Dsat.' Lungimea porţiunii deschise a canalului mai importantă În aplicaţii,
curentul de drenă este slab
devine L ef =L - o , iar Căderea de tensiune pe aceasta porţiune este influenţat de către tensiunea de
egală cu VDsat .; restul tensiunii L1 V = VDS - VDsat este aplicată pe drenă. Dependenţa 1D (Ves )
porţi.une~ g~lită a canalului unde se creează un câmp electric pentru trei tensiuni constante
longltudmal mtens, care accelerează golurile din porţiunea deschisă VDS este prezentată În fig. 8.14.
s~re drenă. P0r.tiunea Închisă a canalului reprezintă o regiune sară­ Ea pune În evidenţă faptul că
CItă de purtătorI mobili. Purtătorii majoritari (golurile) din canal vor o
1D este neglijabil pentru
fi injectaţi În regiunea sărăcită unde sunt colectaţi de către drenă În Fig. 8.14. Caracteristica statica de
acelaşi fel În care sunt colectaţi de către colectorul tranzistorului tensiuni de poartă sub Vp ŞI transfer a tranzistorului
bipolar purtătorii injectaţi de la emitor. , apoi creşte parabolic cu VeS . TECMOS.
La ~arirea te~siuni.i de poartă are loc creşterea concentraţiei
p~~atonlor d.e ~arcmă d~n stratul de inversiune şi respectiva largi-
ffill canalulUI mdus; pnn urmare, se măreşte curentul de drenă 8.2.2. TRANZISTOARE TECMOS CU CANAL INIŢIAL

(curbele 2,3,4 din fig. 8.13).

.La tensiuni de drenă mari poate avea loc străpungerea tranzisto-
rulUI TECMOS, detenninată de doua fenomene: strapungerea jonc-
ţiunii p + - n drenă-substrat şi străpungerea izolatorului de sub poartă.
Deoarece majoritatea tranzistoarelor TECMOS sunt fabricate
din Si, străpungerea joncţiunii drenă-substrat este determinată de
fenomenul de multiplicare În avalanşă a purtatorilor de sarcină
determinând creşterea brusCă a lui 1 cu V
D DS'
Tranzistoarele TECMOS cu canal iniţial pot funcţiona în două
regimuri: regim sărăcit şi regim îmbogăţit. Referindu-ne la tranzistorul
TECMOS cu canal iniţial de tip p reprezentat În fig. 8.11 b, modul de ~
funcţionare prin săracire se obţine pentru tensiuni de poartă V
es pozi-
tive; câmpul electric care ia naştere În structura MOS înd~părteaz:a
golurile din regiunea canalului În substrat, astfel are loc mIgşQrarea ,
conductanţei canalului. Dacă pe poartă se apliCă tensiuni Ves pega- I
' tive, câmpul electric care ia naştere În structura MOS produce o

320 321
creştere a concentraţiei golupl or în canal, astfel se obţine
modul de
aşa fel modulare<.l rezistenţei c;al1alului
funcţionare prin îmbogaţire. In
conductiv al tranzistorului TECM OS cu canal iniţial se efectue aza
variind tensiunea porţii VGS ' care poate fi atât pozitiva, cât şi negativa. x
Aceasta particularitate a tranzistoarelor TECMOS cu canal iniţial se
ret1ecta şi în deplasarea caracteristicilor statice de ieşire la schimbarea
tensiunii porţii şi a polaritaţii ei (fig. 8.15a). Caracteristicile statice de a
transfer (fig. 8.15b) pornesc dintr-un punct pe axa absciselor, ce
corespunde tensiunii de prag VGO ' tensiunii între poarta şi sursa a
·· .. V GS4
TECMOS cu canal iniţial, care funcţioneaza în regim saracit, la care
/ v
GS4

/'
Vc;s1: o •
t I
I
v GS3

.....-~imde
VGs=O I '~~~ăcire
Regim de // v GS1
1J'~ .....-:::imboJ}lţire

OL.. ----.. :...-- :-;--- _ o;-------~-;----­

a b v DS -
v DS -

curentul din circuitul de ieşire 1D atinge o valoare foarte mica. b c

Fig. 8.15. Caracteristicile statice de ieşire (a) şi caracteristicile statice Fig. 8.16. Tranzistor TECMOS cu canal indus de tip p:
de transfer (b) ale tranzistorului TECMOS cu canal iniţial.
a) st~ctura tranzistorului MOS luata pentru
ca1c~I, b) dep~ndenţa curentului drenei de
8.2.3. EXPR ESIA CURE NTUL UI DE DREN A LA tensl~nea drenel cu tensiunea porţii parametru
TRAN ZISTO AREL E TECM OS descnsa d~ ecuaţia (8.35); c) caracteristicil~
curent-tensIUne 1D (VDS) totale.
Sa analizam un tranzistor TECM OS cu canal indus de tip P
intensitaţii câmpului electri c este mult mai mica decât compo nenta
(substratul semico nducto r este n Si) (fig. 8.16a). Pe poarta este . canalului gradat).
transv er sa la~ ( aproxI. maţIa
aplicata o tensiune negativa VGs ?: Vp , care asigura existenţa stra-
Sa a~al!zam, pentru început, conductal1~_specifica a canalului g c , ".

tului de inversiune (canalul). Prin canal circula curentul 1D care da care prezmta ~onductanţa pe unitate de arie (x = l = 1) fi 8 16
C d ţ 'fi - ' . , y , 19. . a.
naştere caderii de tensiu ne Vc(x) în lungul canalului.
t
on uc an a speci lca este manmea mversa a rezistenţei specifice:
Pentru deducerea expresiei curentului de drena se fac câteva l w - , - (

ipoteze simplificatoare: a) structura MOS este reala, luându-se în gc =-p =qJPf-Lpdz=qPsf-Lps , (8.28)
;; .
I I
consideraţie sarcini le fixe din izolator; b) se consid
era constanta c o
; c) se iau în consid eraţie numai w
mobilitatea purtatorilor de sarcina
curenţii de drift din canal (se neglije aza curenţi i de difuzie şi unde: P s =J d t
o P z es e numa!1:lLde goluri într-un patrat din canal de
procesele de generare-recombinare); d) compo nenta longitu dinala a
arie unitara, care poate fi numita şi densitate de suprafaţă a goluri-
323 / -'-_.
322 v
 lor în canal, deoarece Ps are dimensiunea cm -2; Jl ps este mobili- Atunci când x variaza între O şi L, tensiunea ~,( x) vanaza
tatea efectiva a goJurilor în canal, care datorita împraştierii pe între O şi VDS ; ţinând cont de (8.29) şi (8.32), se obţine:
starile de suprafaţa de obicei este de câteva ori mai mica decât L VDS
mobilitatea goJurilor în volum; W - largimea canalului. 1Df dx = JlpsCGCb f (VGS - Vp - Vc)dV . (8.34)
Conductanţa specifica a canalului poate fi prezentata şi în alta o o
forma: Efectuând integrarea, rezulta:
gs =qPsJlps = QpsJlps' (8.29)
1 = Jl ps CGC b'I(V _ V )V
2
_ VDS
l
~ runde Qps este ci~1!sitate.;::Lsarcinii mobile (golurilor) în canal.
În afara de goluri în canal exista sarcini fixe - impuritaţile
D L L GS P DS 2 J' (8.35)

ionizate din canal, sarcillile fixe din stratul de dioxid de siliciu Aceasta expresie descrie porţiunea de neliniaritate pronunţata a
situate la interfaţa siliciu-dioxid de siliciu. Deci, densitatea sarcinii caracteristicii statice, pâna în vecinatatea punctului de trecere la
totale, care se schimba în lungul canalului din cauza variaţiei po-
tenţialului canalului în urma trecerii curentului 1D , poate fi deter-
saturaţie. În cazul tensiunilor VDS foarte mici termenul V~;{
minata în modul urmator: poate fi neglijat şi atunci curentul de drena are expresia:
QIOI. = Qf + Qps = CGc[VGS - Ve (x)], (8.30)
1 = JlpsCcsb (V - V )V (8.36)
unde Q( este densitatea sarcinii fixe, Ve (x) - potenţialul ce se D L GS P DS
schimba în lungul canalului sau diferenţa de potenţial dintre un şi variaza liniar cu tensiunea de drena (regiunea începatoare a
oarecare punct din canal cu coordonata x şi sursa; CGC prezinta caracteristicii).
capacitatea specifica între poarta şi canal. Ecuaţia (8.35), dupa cum e evident, prezinta o aproximaţie ce
La tensiuni ale porţii mai mici ca tensiunea prag (VGS < Vp ) este legata de caracterizarea adoptata a sarcinii în canal (8.32), însa
canalul sub poarta înca nu s-a format, deci sub poarta se afla un ea este destul de comoda şi deseori utilizata în practica.
strat saracit de purtatori de sarcina liberi, care conţine numai sarcini Pentru a analiza caracteristicile tranzistorului TECMOS,
fixe. De aceea . descrise de ecuaţia (8.35), în fig. 8.l6b este construita o familie de
Q/= CGCVp' (8.31) dependenţe 1 D(VDS) pentru diferite valori VGS > Vp ' Caracteristi-

Din expresiile (8.30) şi (8.31) determinam densitatea de cile au panta maximala la tensiuni mici de drena, unde conductanţa
sarcina mobila: tranzistorului este maximala şi caracteristica lui poate fi descrisa de
Qps = CGc[VGS - Vp - V (x)). (8.32) ecuaţia (8.36). Cu creşterea tensiunii de drena VDS sarcina din canal
, I _ C

Curentul ce treceO'pfin canal de la sursa la drena, care-i unul şi
acelaşi în orice secţiune de-a lungul canalului, sau curentul. drenei
poate fi determinat dupa formula:
1D -- gc bEx -- gc bldVcl , (8.33)
dx
unde b este laţimea canalului; E x - componenta longitudinala a
intensitaţii câmpului electric, care variaza în lungul canalului.
şi, respectiv, conductanţa lui scad, aşa ca dependenţele prezinta o
familie de parabole cu maximurile în punctele VDS = VGS - Vp'
Pentru VDS > VGS - Vp' în fig. 8.l6b dependenţele sunt prezentate
de curbele punctate, deoarece în aceasta regiune a tensiunilor de
drena ele sunt inaplicabile. Intuitiv este clar ca aceste regiuni ale
dependenţelor nu au sens fizic, deoarece în aceste regiuni carac-
teristicile dispozitivului poseda rezistenţa diferenţiala negativa.

324 325
 Cauza încălcării justeţei ecuaţiei deduse poate fi înţeleasă analizând primite ecuaţiile (8.35) şi (8.38) pentm VDS = VDsat sunt juste, gra-
(8.35) pentru cazul când tensiunea canalului atinge şi apoi depă­
ficul dependenţei 1 Dsal. =f (VDsal ) în coordonatele 1D şi VDS pre-
şeşte tensiunea VGS -- VI' . În acest regim, din expresia (8.35) pentru
zintă o parabolă ce se ridică în sus (este arătată în fig. 8.16c cu linie
regiunea canalului de lângă drenă rezultă că sarcina din canal Qps punctata). Prin urmare, în fig. 8.l6e sunt reprezentate caracteris-
devine egală cu zero şi apoi îşi schimbă semnul. Aceasta nu-i ticile voltamperice totale 1 D (VDS ) (fără regiunea de străpungere),
posibil din punct de vedere fizic, deoarece Qps prezintă densitatea care pentru VDS < VDsal se calculează cu ajutorul ecuaţiei (8.35), iar
specifică de sarcină din stratul de inversiune, care pentru tranzis- pentru v/Js > vD.>a1 - cu ajutorul (8.38). Măsurătorile experimentale
torul cu canal de tip p trebuie să fie întotdeauna pozitivă, iar pe TECMOS au confIrmat valabilitatea relaţiilor (8.37) şi (8.38).
pentru cel cu canal IZ - negativă.
Prin urmare, maximurile curbelor în fig. 8.16b se afla la ten-
8.2.4. PARAMETRI ŞI SCHEME ECHIVALENTE ALE
siuni de drenă care se numesc tensiuni de saturaţie Vusa!.
~ şi cores- TRANZISTOARELOR TECMOS
pund condiţiei Qps -) O la capătul canalului dinspre drena.
Parametrul principal al tranzistoarelor TECMOS, care descrie
Pentru a determina relaţia curent-tensiune în regiunea de satu-
proprietăţile de amplificare, este panta canlcteristicii 5. Panta ca-
raţie, trebuie de luat in consideraţie că odată cu creşterea tensiumi
racteristicii de transfer la frecvenţe joase, în regiunea de nelinia-
de drenă se atinge o valoare a lui vDS = sat. la care adâncimea W
ritate pronunţată a caracteristicii statice de ieşire, poate fi deter-
a canalului la x = L se reduce la zero şi canalul se închide. Pentru minata derivând relaţia (8.35) dUpă tensiunea porţii, menţinând
tensiuni de drenă Vm > VDsLI ! curentul de drena ramâne constant. constanta tensiunea drenei:
Cu creşterea lui VDS peste valoaru de saturaţie lungimea canalului
1

dI)1_1
5= __ 1

(8.39)
se micşorează, iar în regiunea inchisa fi canalului sarcini mobile - dVGsl VDS=const.
goluri aproape ca nu sunt. Sub aCţiunea unui câmp electric longI-
tudinal intens golurile trec prin pOf\iunea închisa a canalului spre În regiunea de saturaţie a caracteristicilor, expresia pantei se
drenă cu o viteză aproape de valoarea de saturaţie. De aceea se obţine prin derivarea relaţiei (8.38):
poate constata că în regiunea canalului lâng;i drena Qps ;.:::o O. Atunci, If CGc.b
5= rps (V, -V). (8.40)
folosind expresia (8.32), obţinem: L v5 p'

Q- ps = C GC ~IV. GS - V, p -- V .
/ D sat)·::::: Gj
de unde rezultă ca pentru a mări panta caracteristicii, trebuie folo-
site semiconductoarele cu mobilitate înaltă a purtătorilor de sarcină.
ŞI VDsat = VGS - V (8.37)
Tranzistoarele cu canal de tip 11 au panta caracteristicii mai mare
Introducând (8.37) în (8.35), se obţine: decât a tranzistoarelor cu canal de tip p, deoarece mobilitatea elec-
uC ' tronilor întotdeauna este mai mare dedt mobilitatea golurilor.
11) ",/1 =~_I'.T .... V' ... . (8.38) Panta caracteristicij va fi mai mare în TECMOS cu lungimea
.. c. L \
"r r; ..;
~c ,.

canalului mai mica. Limita de jos a lungimii canalului este mărgi­

Deci, pentru VDS > VDsat curentul drcnei, pmna aproximaţie, 11ita de tehnologia de fabricare. De obicei, pentru fabricarea tran-
nu depinde de tensiunea drenei. Deoarece in limitele simplificariior zistoarelor TECMOS se foloseşte tehnologia planară şi metoda

326 327
 fotolitografiei, rezoluţia careia nu permite de a obţine lungimea
canalului mai mică de 3 - 4 ţlm. Micşorarea suficienta a lungimii
canalului a devenit posibila în construcţia care a primit denumirea
de tranzistor TECMOS cu şanţ în forma de V (fig. 8.l7a). Şanţul
în unghi este obţinut prin corodare anizotropica a siliciului de
tre poartă-drenă şi poarta-sursă, care afecteaza funcţionarea tran-
zistoarelor TECMOS la frecvenţe înalte. Micşorarea grosimii stra-
tului izolator de sub poartă poate aduce la micşorarea inadmisibila
a tensiunii de străpungere a acestui strat.
Creşterea curentului de drena în regiunea de saturaţie se ia în

orientare <100>. Lungimea canalului este data de secţiunea oblica consideraţie cu ajutorul rezistenţei diferenţiale de drena r :
d
prin stratul p, contactul de drena fiind la substrat. Dacă pe poartă
se aplica un potenţial pozitiv, atunci în regiunea p , la fel ca şi într- dV
r = -DS
- (8.41)
un tranzistor TECMOS convenţional cu canal de inversiune, se d dJ
D VGS~const
formeaza o regiune inversata cu conducţia de tip n ce uneşte
celelalte doua regiuni de tip n - sursa şi drena. Pentru înlăturarea Rezistenţa rd este detenninată de variaţia lungimii canalului cu
influenţei parazitare a structurii n - p - n, ca un tranzistor bipolar, creşterea tensiunii de drena: joncţiunea p- 11 a drenei fiind invers
regiunile 11 şi p sunt unite de terminalul sursei. Lungimea regiunii polarizată se largeşte cu creşterea tensiunii VDS ' se măreşte panta
p este determinată de diferenţa
Poartă
coeficienţilor de difuzie a impurită­
specifiCă ( ţlpsbCG~{ ) şi curentul drenei creşte. Parametrul rd
ţilor acceptoare (tipul p, canalul) poate fi exprimat prin intermediul parametrilor electrofizici al

şi donoare (tipul 11, sursa) şi poate structurii MOS: ~t. L{2 i

n
fi controlată cu precizia pâna la
0,1 ţlm. Aceasta a dat posibilitate
~ r
d
~ L. ~2qN .JV D,
,
./1
(8.42)
11'<100> de a micşora lungimea canalului cu &0&5
, '
JD
a un ordin. Pentru a aNea toate termi- unde: N este concentraţia impurităţilor în substrat; E,'s - penUltlvl-
Drenă
nalele tranzistorului, pe faţa struc-
tatea relativa a semiconductorului - substrat. Introducând parametrii
turii se elimina una din difuzii, lun-
Poartă
gimea canalului fiind determinata tipici pentru TECMOS din siliciu de putere mica (N = 10 16 cm- 3 ,
de patrunderea vârfului şanţului în VDS = 16 V, J D = 1 mA, L = 10 ţlm ), obţinem rd = 200 kD..
substrat, ca în fig. 8.l7b. Coeficientul de amplificare în tensiune (intern) se defineşte
Panta caracteristicii poate fi prin relaţia:
majorata marind capacitatea speci-
P <100> L fică dintre poartă şi canal. Această dVDS
--.-r-----J ţl='JV (8.43)
capacitate este determinata de per-
b GS !D~const
mitivitatea relativa şi grosimea izo-
latorului de sub poartă. Folosirea Pentru un tranzistor dat acest coeficient (numit deseori
Fig. 8.17. StructUli de tranzistoare
TECMOS: al cu ~anţ în formă izolatorilor cu permitivitate mai coeficient de amplificare static) depinde de mărimile 'd şi S, şi
de V ~i difuzie dublă; b) cu înaltă aduce la mărirea pantei ca- anume:
şanţ în formă de V şi toate racteristicii, înSă, în acelaşi timp,
terminalele pe taţa structUlii. cresc şi capacităţile parazitare din- (8.44)

328 329
 , ,

)i . ~ ! /" 4.

Schema echivalenta fizică a TECMOS (fig. 8.18) într-o mare al purtatorilor de sarcina între sursa şi drena. În al doilea rând,
masura se aseamăna cu schema echivalenta a TEC] (fig. 8.6). Vom viteza de funcţionare a TECMOS este limitata de reîncarcarea
remarca numai principalele deosebiri. capacitaţilor, caracteristice structurii însaşi a dispozitivului.
În schema echivalenta Daca tranzistorul TECMOS se at1a în regim de saturaţie, atunci
C GD D a tranzistorului TECMOS pentru timpul de tranzit prin canal se obţine expresia:
G
Substrat lipsesc rezistenţele r, şi lj , L 1 4 I 2, I p~+
deoarece toata regiunea 1;r = f -d'{
V
= -(V
--o
""",' G, - V ).
p
(8.45)
o x .) Jf/ţ, .
semiconductorului dintre
sursă şi drena se afla sub Pentru tranzistorul MOS cu canal de tip n, cu lungimea ca-
poarta. Rezistenţa de intra-
nalului L = 3 ţim, ţins = 660 cml(, . s şi VGS -Vp = 5 V , din (8.45)
re R GS este rezistenţa de
S scurgere a izolatorului. se obţine timpul de tranzit 3,6 .10- 11 s-:A~est til~~~~t~ cel puţin de
Fig. 8.18. Schema echivalenta dc semnal mic Capacitatea de intrare un ordin mai mic decât cel mai bun timp de comutare care poate fi
a tranzistoarelor TECMOS. obţinut în schemele cu tranzistoare TECMOS. Prin urmare, se poate
C es şi capacitatea de
face concluzia ca viteza de funcţionare proprie a tranzistorului
legătură inversa C GD la fel prezinta parţi componente ale capa- TECMOS este detenninata nu de timpul de tranzit al purtatorilor
citaţii totale poarta-canal C Gc ' De obicei, pentru calcule se la prin canal, ci de timpul necesar pentru reîncarcarea capacitaţilor

le f
GS = C GC Rezistenţa dintre poarta şi drena este mica şi poate fi
~egGjata. Datorită distanţei mici dintre sursa şi drena, trebuie luata
in consideraţie capacitatea dintre ele, C SD " în care se include şi
capacitatea drena-substrat-sursă.Toate elementele scheme~ echiva-
lente joaCă acelaşi rol ca şi în tranzistorul TECT. Pentru mlcşorarea
legăturii inverse intre drena şi sursă, evident, trebuie micşorată
capacitatea C GC' adica de indepărtat terminalul porţii de cel al
drenei. Capacitatea C GC minimala se obţine in construcţia tetro-
dului-~/10S, unde intre poarta GI, la care se da semnalul de intrare,
proprii ale dispozitivului şi ale elementelor cu care el este conectat în
schemă. Constanta de timp a procesului de reîncărcare a capacitaţii
distribuite poarta-canal, la rezistenţe mici în circuitul portii, limiteaza
frecvenţa maxima de funcţionare El tranzistorului TECMOS.
Pentru obţinerea unor frecvenţe de funcţionare a tranzistoarelor
TECMOS cât mai ridicate, este necesar de a micşora capacităţile
datorate suprapunerii paniale a pOI1ii peste regiunea de sursa şi pe
cea de drena, care determină capacitatea distribuita poarta-canaL O
micşorare suficienta (aproximativ de un ordin) a acestor capacitaţi
se obţine utilizând tehnicile de autoaliniere. Ideea comuna a acestei
tehnologii consta in aceea că reglUnile sursei şi a drenei se rea-
lizează nu inainte, dar dUpă realizarea porţii. Iar poarta este folosită

şi drena este instalata inca o poarta G2 (fig. 8.19). Poarta G2, la ca mască în procesul realizarii regiunilor sursei şi a drenei. În
care se aplica tensiune constanta pozitiva, rezultat, marginile porţii şi ale acestor regiuni vor coincide şi supra-
joaca rolul de ecran electrostatic intre punerea nu va avea loc.
O varianta. a tranzistorului TECt\10S cu poarta autoaliniata
intrare şi ieşire.
este anitara in fig. 8.20. Se pleaca de la un substrat de tip p, în care
Viteza de funcţionare a tranzistorului
p
TECMOS este limitată de doua mecanis- .prin
"
difuzic se realizeaza doua regiUnI
"-'
n+ (sursa
"
si drena)- distanta
y,".Jo

me interne. În primul rând, ca şi in toate dmlre aceste regiuni se face cu mult mai 1Tl:1re decât lungimea
Fig. 8.19. Structura tran-
amplifieatoarel~ in curent, principala limi- zistorului TECMOS
necesară a canalului. Apoi, in umm proceselor de oxidare, între re-
tare este determinata de timpul de tranzit cu doua porţi gmnile li ~ şi panial deasupra lor se formeaza un strat subţire de Si0:"

330 33
 1

Pe suprafaţa oxidului subţire s~ aşează un strat subţire de aluminiu,
care prezintă electrodul porţii. In continuare, prin masca formată de
stratul de Al şi de Si0 2 se efectuează implantarea ionică: ionii de
fosfor pătrund prin stratul subţire de oxid, ajungând în Si continuă
regiunile n+ până la marginea fâşiei de Al (fig. 8.20), aşa că mar-
ginile porţii practic coincid cu marginile sursei şi drenei. Regiunile
implantate au un nivel de dopare mai mic decât regiunile difuzate,
de aceea sunt notate prin n .
ronii de fosfor
Fig. 8.20. Tranzistorul TECMOS cu poarta autoaliniata obţinut
implantare ionica.
o altă variantă a tranzistorului TECMOS cu poartă autoaliniată
este prezentată în fig. 8.21. În această construcţie mai întâi printr-un
Poli-Si
proces fotolitografic se deschide o fereastră în oxid,cu dimensiunile
corespunzătoare structurii întregi a tranzistorului. In regiunea mij-
locie a ferestrei se efectuează oxidarea subţire a siliciului în formă
de o fâşie îngustă cu lăţimea egală cu lungimea L a viitorului
canal. Peste stratul subţire de oxid se depune un strat de siliciu
policristalin de aceeaşi lăţime, dar cu lungimea mai mare, aşa ca să
iasa în afara ferestrei din oxid (fig. 8.21 a). Rezistenţa specifică a
stratului de siliciu policristalin se ia destul de mică, aşa că el joaCă
rolul porţii tranzistorului. La etapa următoare se efectuează difuzia
impurităţilor donoare prin masca formată de fâşia îngustă din
siliciu policristalin şi stratul de oxid care înconjoară fereastra.
În rezultat se obţin regiunile n + ale sursei şi drenei, marginile
cărora aproape coincid cu marginile porţii din siliciu policristalin.
Mai departe toată suprafaţa cristalu1ui se oxidează şi în acest oxid
se formează ferestre pentru contactele ohmice, între care inclusiv
prin pentru poarta din siliciu policristalin. În sfârşit se efectuează meta-
lizarea. Din fig. 8.21 b se vede că poarta din siliciu policristalin este
"afundată" în stratul de SiO b iar contactul ohmic al ei este situat în
afara regiunii de funcţionare a tranzistorului.
Dacă tensiunea porţii primeşte o creştere ~ VGS ' atunci curentul
drenei se va mări cu
(8.46)
Însă se poate găsi un interval de timp de aşa durată ta' în de-
cursul căruia curentul rămâne constant, iar sarcina din canal se va
mări cu ~Qn . Prin urmare,

Sia,
M D ta = Lb ~Qn = LbCGC ~VGs.
'--------4<::::·::·~D=-------' Pentru aprecierea frecvenţelor de funcţionare a tranzistoarelor
Difuzia fosforului Sia, G
TECMOS se utilizează noţiunea de frecvenţa limita, care este

~
determinată de expresia:

1'=_1_= 1 / S
(8.47)
a b . m 2;rrt a 2;rrLbC (~VGsl ) 2;rrCGC bL
Fig. 8.21. Tranzistorul· TECMOS cu poarta autoaliniata din siliciu po-
GC /M D
Iicristalin: a) etapa difuziei impuritaţilor donoare prin masca
Ţinând cont de expresia pantei în regiunea liniară (8.39), pentru
ce conţine strat de siliciu policristalin: b) structura fir.ala
(dupa formarea strarului de oxid şi a metalizarii). frecvenţa maximă de funcţionare obţinem:
332 333
 r.
p~
Fig. 8.23. Structura de capacitor MOS şi
= JlpYDS (8.48) diagrama de potenţial de sup-

~
• m 2Jr [2 '
rafaţă În regim de golire adâncă,

care are ordinul 10 10 GHz. Pentru obţinerea unor frecvenţe cât mai <D s (O) , şi În regim de inversiune
puterniCă, <D.JQmax); b) benzile SI substrat p.
ridicate, trebuie utilizate materiale cu mobilităţi mari, preferându-se
canale de tip. n de lungimi foarte mici.
energetice În regim de golire <Ds~
. ....--- - -_-=
- ir-
- <D(.Qmax)
adâncă (Q; = O); c) benzile ener- S mcma _ -_ s
mobila - - - - <Ds(O)
getice în regim de inversiune pu- a
8.3. DISPOZITIVE CUPLATE PRIN SARCINĂ ternică (Q; = Qmax ).

Dispozitivele cuplate prin sarcină (DCS) prezintă dispozitive
semiconductoare ce conţin un număr mare de porţi (structuri
MOS), aflate foarte aproape
una de alta (2 -;- 5 Jlm), izolate
de substrat (fig. 8.22), sub care
Un dispozitiv cuplat prin sar-
cină (DCS) constă dintr-un lanţ de
astfel de structuri MOS, plasate
atât de aproape una de cealaltă
încât regiunile de sarcină spaţială b

se poate efectua stocarea şi respective să interacţioneze (se

transferul unor pachete de sar-
cină mobilă în lungul supra-
feţei sau în volumul semicon-
ductorului.
Fig. 8.22. Structura dispozitivului DeS.
8.3.1. STRUCTURA ŞI FUNCŢIONAREA
DISPOZITIVELOR DCS
Funcţionarea dispozitivelor DCS se bazează pe regimul de
golire adâncă al structurii MOS, ilustrat în fig. 8.23a (pentru
substrat de tip p). Imediat dUpă aplicarea unui salt pozitiv de
tensiune pe poartă, benzile energetice se modifică (aşa cum se arată
în fig. 8.23b). Cu trecerea timpului, structura se relaxează termic
tinzând spre starea de echilibru (fig. 8.23c), stare în care stratul de
inversie este format la suprafaţa semiconductorului. În regim de
golire adâncă, pe durate mult mai scurte decât timpul de relaxare
termică, adâncimea gropii de potenţial este determinată de ten-
siunea de poartă. Atunci când sunt introduşi în groapa de potenţial
purtătorii minoritari reprezentând semnalul (fie pe cale electrică, fie
optiCă), aceştia reduc adâncimea efectivă a gropii, în mod asemă­
nător umplerii unui recipient cu un fluid. Modelul este ilustrat în
fig.8.23a.
334
ating). În felul acesta barierele de _----E.
potenţial ale porţilor se cuplează E
- - -E'
într-o groapă de potenţial unică, - - -~
"fundul" căreia are un relief stabi-
lit ce corespunde distribuţiei ten-
siunii pe porţi (fig. 8.24). Aşa, dacă c
pe toate porţile se apliCă aceeaşi
tensiune - TIr , atunci sarcina srş.ţială de-a lungul structurii are aceeaşi
mărime (fig. 8.24a). Însă, dacă tensiunea negativă pe poarta dată este ~
mai mare decât pe porţile vecine, atunci sub această poartă se
formează o groapă de potenţial mai adâncă (fig. 8.24 b,c). Fie pe
porţile GI şi G3 (fig. 8.24b) sunt aplicate tensiunile VI' iar pe poarta
din mijloc G2 - o tensiune mai negativă, V2 • Atunci la marginile: /
porţii G2 se formează câmpuri electrice, care împiedică deplasarea
sarcinii pozitive - golurilor - de sub această poartă. Dacă sub poarta
G2 , printr-o metodă careva, este introdus un pachet de sarcină de
goluri, atunci el se va păstra în această regiune timp îndelungat. Într-
adeVăr, golurile nu pot părăsi această regiune datorită câmpurilor de
frânare de la marginile ei, iar, datorită concentraţiei scăzute a elec-
tronilor în regiunea de sub poartă, golurile nu pot recombina. Acest
caz pentru dispozitivele DCS poartă denumirea de regim de pastrare,
iar tensiunea V2 - tensiune de pastrare.
335
 Sarcina pozitivă su-
mară de sub poartă este
determinată de tensiunea
pe poartă (în cazul dat de
V1 ). De aceea apariţia pa-
chetului de goluri este în-
a
soţită de micşorarea sar-
cinii ionilor donori în stra-
tul de sarcină spaţială, deci
de micşorarea adâncimii
acestui strat (în fig. 8.24b
relieful stratului de sarcină
spaţială în lipsa golurilor
b este arătat cu linie puncta-
tă). Evident, sarcina maxi-
mală a pachetului de goluri
este limitată de mărimea,
la care relieful stratului de
sarcină spaţială se nivelea-
ză. Atunci câmpurile de
c frânare în regiunile dintre
porţi dispar şi pachetul de
Fig. 8.24. Structura regiunii de sarcina spa-
ţiala şi a câmpului electric în dis- goluri se distribuie de-a
pozitivele Des: a) toate porţile au lungul întregii suprafeţe.
acelaşi potenţial; b) regimul de
pastrare; c>. regimu I de înregis- Sarcina maximală permisă
trare. a pachetului de goluri este
determinată de expresia:
(8.49)
unde: Ca este capacitatea specifică a izolatorului (4.5); Z,L - res-
pectiv, lăţimea şi lungimea canalului (fig. 8.22).
Formarea stratului de inversiune la interfaţa semiconductor-
izolator în DCS nu este dorită. într-adevar, în procesul de păstrare a
pachetului de goluri sub poarta dată, datorită generării termice,
apare un surplus de goluri. În rezultat, sarcina pachetului se măreşte
şi devine comparabilă cu sarcina de goluri de sub porţile vecine,
unde tot are loc generarea termică. În sfârşit, sarcinile de sub toate
336
porţile se egaleaza, şi noţiunea de pachet de sarcină, care stă la baza
funcţionării DCS, îşi pierde sensul. Prin urmare, timpul de păstrare
este limitat de sus. Această limitare depinde de aceea, ce schimbare
a sarcinii pachetului de goluri în timpul de păstrare este permiSă.
Dacă schimbarea permisă alcătuieşte 1%, atunci timpul de păstrare,
de obicei, nu depăşeşte 10-20 m s .
în aşa fel, funcţionarea dispozitivelor DCS se bazeaza pe regi-
mul ne staţionar al structurilor MOS, iar ele înseşi sunt dispozitive
de tip dinamic.
Să analizăm acum procesul de transfer al pachetelor de sarcină
de la o poartă la alta. Fie pe poarta G3 se aplică o tensiune nega-
tivă V3 , mai mare, decât tensiunea V1 pe poarta G2 (~g. 8.~4c).
Atunci la interfaţa porţilor G2 - G3 se formează un câmpeIectric
care accelerează golurile înspre poarta G3. Pachetul de goluri res-
pectiv, care se pastra sub poarta G2, va trece sub poarta G3 şi va
rămâne aici, deoarece la interfaţă cu poarta următoare G4 acţionea­
ză un câmp de frânare.
Introducerea pachetului de sarcină ~ub o poarta sau alta este
denumit regim de înregistrare a infon. ".'!, Iar tensiunea V , care
3
asigură aceasta înregistrare - tensiune de înregistrare.
În procesul înregistrării nu tot pachetul de sarcină este transfe-
rat sub poarta următoare: au loc pierderi de sarcină. Aşa pierderi
sunt determinate de două cauze. În primul rând, procesul de trans-
fer al sarcinii de la o poartă la alta este asimptotic, aşa că în
decursul timpului de înregistrare nu toată sarcina dovedeşte sa
treacă sub poarta următoare. În rândul al doilea, o parte din
purtătorii de sarcină, ce se păstrau sub poarta precedenta, este
captată de trapele de la interfaţă şi nu dovedesc să se elibereze în
decursul timpului de înregistrare. Ca pierderile de sarcină în timpul
transferului să fie minimale, este necesar de mărit timpul de înre-
gistrare. De obicei, acest timp alcătuieşte 50 ns şi mai mult. Pentru
a evita efectele nedorite ale interacţiunii sarcinii mobile cu trapele
de la interfaţă, pachetele de sarcină trebuie transferate la o anumită
distanţă de suprafaţă în volumul semiconductorului. Aşa dispOzitive
sunt cunoscute sub denumirea de DCS cu canal de volum. în fig.
8.25 este ilustrat principiul de funcţionare a acestor dispozitive.
337
 T
Structura conţine un strat semi- În primul caz, electrozii de
o SiO,

~_t_·--..:....·_:-_·_-_tE_5--,
I~
conductor îngropat, având tip
opus de conductivitate faţă de
L p-substrat . substrat, ca în fig. 8.25a. Atunci
când acest strat este complet
a
golit de purtători majoritari prin
n p
aplicarea unei polarizări
_---Ee adecvate regiunilor de intrare
_EF (sursă) şi de ieşire (drenă) faţă
~;""";;;;;""";;;;E,
de substrat, în stratul golit se
1---
formează o groapă de potenţial
parabolică ca în fig. 8.25c. Sar-
poartă pot fi coplanari, cu con-
diţia să fie utilizate cel puţin
trei faze (linii) de tact distincte.
În cel de-al doilea caz, numărul
de faze de tact poate fi redus la
două. Pentru exemplificare,
dintre numeroasele variante
tehnologice propuse, în fig. <D,
8.26a este prezentată o struc- a
tură cu electrozi coplanari, iar
<D
în fig. 8.26b - o structură bifa-

p
___- - - Ee
cina poate fi stocată şi trans-
ferată în lungul dispozitivului
zică cu două niveluri de siliciu
policristalin şi oxid în trepte. <~
în canalul din jurul minimului Funcţionarea acestor dispoziti-
-=-=-~-~
E, de potenţial aflat în volumul ve este ilustrată prin diagra-

C
semiconductorului. Pe lângă
faptul că sarcina nu mai inter-
mele de potenţial de suprafaţă
cuprinse în figurile respective. I
acţionează cu trapele de la Să analizăm principiul de

Fig. 8.25. Secţiune l?ngitudin~lâ sc~~­

matlcă pnntr-un diSpOZItiv
DeS cu canal de volum (a);
diagramele energetice sub un
electrod oarecare, la echi-
libru (b) şi atunci când stra-
tul îngropat este complet
golit (c).
interfaţă, transferul de sarcină
în dispozitivul cu canal de vo-
lum se realizează cu o viteză
superioară, datorită mobilităţii
sporite a purtătorilor (în volum)
şi a valorilor mai mari ale
câmpului de margine.
funcţionare a dispozitivului cu
cuplaj prin sarcină pe exemplul
unui registru de deplasare cu b
L
trei faze de tact (fig. 8.27a).
Des conţine trei secţiuni: o Fig. 8.26. Structuri DeS: a) cu electrozi
secţiune de intrare, o secţiune coplanari şi trei faze de tact;
b) cu electrozi înCălecaţi şi
de transfer şi o secţiune de
două faze de tact.
ieşire. Secţiunea de intrare este

Aşadar, atunci când o groapă de potenţial este mai ad~.ncă
decât groapa vecină, ea colectează sarcina de semnal. Electrozll d~
poartă sunt conectaţi periodic la linii de t~~t. Pr?pagare~ con~ola~a
a pachetelor de sarcină în lungul dispozItIvulm se reahzeaza pnn
manipularea tensiunilor (impulsurilor) de tact. Durata de stocare. a
unui pachet de sarcină într-o groapă de potenţial poate fi aleasă prm
modificarea perioadei impulsurilor de tact. . de comandă aplicate pe cei trei electrozi au forma de impulsuri de
Direcţionarea transferului de sarcină într-un DeS poate fi aSI-
gurată fie printr-o succesiune convenabilă de i~pulsuri ?e tact, fi_e
prin introducerea unei asimetrii în construcţIa celuleI de baza.
alcătuită dintr-o regiune difuzată p +, care datorită injecţiei în
joncţiunea p+ - n este sursă de purtători de sarcină minoritari, al
cărei potenţial poate fi controlat, şi o poartă de intrare care dirijează
transferul sarcinii în prima groapă de potenţial. Secţia de transfer
conţine o serie de electrozi care controlează potenţialul la interfaţa
Si-SiO]' Aceşti electrozi sunt conectaţi între ei peste doi. Tensiunile
diferită amplitudă, care se schimbă unul pe altul printr-o transfor-
mare ciclică (fig. 8.28). Manevrând într-un mod adecvat tensiunea
pe aceşti electrozi, groapa de potenţial, şi cu ea sarcina stocată, se

338 339
 sub prima poartă a secţiunii
de transfer există o groapă
de potenţial adâncă pentru
SiO, goluri, atunci golurile, in-
jectate de sursă, vor trece
prin canalul conductiv de
a
i
sub poarta de intrare şi se
Ali I I I I vor acumula în groapa
V Inregistrare"
_ 1" III VI I>I
I V] I >Iv,
I !I potenţială de sub prima
x poartă a secţiei de transfer
bV
p
-----,-- ~:+~I---l---tt::' ---'i --~l- (fig.8.27b).
1 I I I ' La începutul următo­
!
I

VF~ ~I
I 1 'IV21>lvll>lv,III~--- rului tact de schimbare a
V
p ----~--. - ---- o __
I
J.----~-- "x tensiunilor pe porţile secţiei
c
,
I1 II I
++
I 1
1 lMJ I
I I ,
de transfer, tensiunea pe
poarta de intrare se scoate.
V __ ; I I I Ilv,I>lv,I>lvll'---- De aceea canalul conductiv
Vp ----t---t---- -!.---·t::--1---~---+- x
sub poarta de intrare b
d '. I ! 1 ,++++1 1 IH~tire "1" dispare. Aşa se efectuează
înregistrarea informaţiei (de Fig. 8.28. Fonna pulsurilor de comanda a
V Inregistrare "O" I I 1,1 V 1>1 V ~ i V' +++ exemplu, unităţi logice), Des
,ţ J

: 1 I I 1
1 I 1
I
cu trei faze: a) diagrama
de timp a impulsuri lor trapezoi-

'
1 i J I •
căreiu îi corespunde o
1---lt---·r---l~:;J-+--r--
dale; b) diagrama de timp a pul-
e V, sarcina de goluri Q(lJ acu- surilor de doua nivelul';
1-_ _
1 muIate, în UlUla injecţiei din sursă, în groapa de potenţial prima
poartă. Subliniem, că pentru înregistrarea informaţiei, corespunzătoare
Fig. 8.27. Dis~ozitivul cuplat prin sarcina: a) vedere în lui zero logic, la poarta de intrare nu trebuie aplicata tensiunea
secţ~lme; b, c, d, c.-, J;rofilul potenţialului,
aratand transferul SarClllll mtr-o perioada. negativă. În acest caz nu va avea loc injecţia golurilor din regiunea
p+ a sursei în groapa de potenţial sub prima poartă (fig. 8.27e) şi în
deplasează spre ieşirea structurii. A treia secţiune a registrului de această groapă de potenţial se va afla o sarcină mică de goluri Q(O)
deplasare
. este
_ cea. de. ieşire. care este o J' oncţiune p + - n po 1"
anzata legată ori de generarea termică, ori de eliberarea necompleta a gropii
mvers, a ~ar~l tenSIUne vanază când soseşte în ea sarcina ce a fost de potenţial în procesul tactelor precedente de funcţionare a
t~ansferata ~m groapa de potenţial adiacentă (fig. 8.27d). Apoi cu
dispozitivului.
~J~~o~l uma co~utator de revenire dioda se restabileşte în condiţia DUpă schimbarea tensiunilor pe porţile secţiei de transfer cea
mlţlala pentru a 1 se putea transfera o altă sarcină.
mai mare tensiune negativă va fi la poarta G2, de aceea pachetul
.Fie la tactul iniţial de funcţionare pe poarta de intrare se apliCă o de goluri se va deplasa în groapa potenţială de sub poarta a doua
tenSIUne V;nt' destulă pentru formarea canalului conductiv sub poarta (fig. 8.27c). La tactele următoare de schimbare a tensiunii pe
·
de mtrare \1(I V;nt II > II V 1')' . Dacă în acest moment la prima poartă a porţile secţiei de transfer va avea loc deplasarea de mai departe a
p
pachetului de goluri înspre secţia de ieşire (fig. 8.27d, e).
secţiei de transfer este aplicată o tensiune negativă înaltă, deci daCă
341
340
 Dacă în groapa de potenţial, ce se apropie de joncţiunea p - n pierderi la frecvenţe înalte este legat de transferul incomplet al
a s~rsei, nu sunt purtători de sarcină - goluri, atunci nu se va sarcinii dintr-o groapă potenţială în alta din cauza schimbării rapide
schImba ~urentul în circuitul drenei. Şi numai în cazul, când groapa a pulsurilor de tact pe porţi. Valoarea coeficientului & în regiunea
de potenţIal, ce conţine goluri, se apropie de joncţiunea p - n a frecvenţelor medii este determinată de interacţiunea sarcinii mobile
drenei, va avea loc extragerea acestor goluri şi în circuitul drenei va cu trapele de la interfaţă.
trece un impuls de curent (fig. 8.27e). Prin terminalele de
comandă ale porţilor /
10 3
8.3.2. PARAMETRII DISPOZITIVELOR CUPLATE
structurilor DCS nu trece
J
7
curentul de conducţie, 10-4 \.
PRIN SARCINĂ
deoarece porţile sunt
izolate de semiconductor IO-5
\ 1/
S~c~le DCS sunt dispozitive tipice dinamice şi, deci, au limi-
(substrat) de un strat de la 6
ŞI de
tele de JOS sus ale frecvenţelor de tact ale pulsurilor de tensiune.
dielectric - dioxid de 103 104 105 106 107 108 f, Hz
Performanţele dispozitivelor cu transfer de sarcină sunt speci-
siliciu. Însă în circuitul
ficate de mai mulţi parametri, cum ar fi: completitudinea trans-
electrozilor secţiei de Fig. 8.29 Dependenţa coeficientului
ferului .de s~rcină, zgomotul, capacitatea de stocare şi transport, de pierderi de frecvenţa.
transfer totuşi se cheltuie
gama dmamIcă, puterea disipată şi alţii. Limitarea fundamentală în
o cantitate de energie la
toate categoriile de aplicaţii este dată de imperfecţiunea transferului transferul pachetului de sarcină de informaţie. Această putere este
de sarcină. Datorită unor factori analizaţi mai sus, la fiecare celulă
proporţională frecvenţei de tact.
a dispozitivului o parte din sarcină de semnal rămâne netransferată Din punct de vedere constructiv şi tehnologic structurile DCS
în celula următoare. Pentru aprecierea pierderilor de sarcină în DCS se deosebesc de alte dispozitive prin aceea că au puţine regiuni
se foloseşte parametrul eficacitaţii de transfer al sarcinii difuzate şi contacte metal-semiconductor, deci au puţine elemente
1] = (Q«I» - Q«o») ;+1 nefiabile. Aceasta aduce la procentul înalt de ieşire a dispozitivelor
(8.50) efective la fabricarea DCS, la un sinecost scăzut şi o fiabilitate
(Q«l» - Q«o»);
înaltă.
care arată ce parte din sarcină se transferă dintr-o groapă potenţială La momentul actual s-au constatat trei direcţii principale de
i în alta i + 1. Valoarea eficacităţii de transfer 1] de obicei este folosire a structurilor DCS: 1) dispozitive de memorie pentru
foarte aproape de unitate, de aceea este mai la îndemână de a folosi maşini electronice de calcul (MEC); 2) dispozitive de transformare
coeficientul de pierderi (ineficienţa transferului) & = 1-1]. Acest a imaginilor în semnal electric; 3) dispozitive de prelucrare a
parametru este cel mai important factor ce determină calitatea unui informaţiei analogice.
Dispozitive de memorie MEC. După principiul de funcţionare
DCS, deo~re~e el determină numărul maxim de transferuri ce pot fi
efectuate mamte ca semnalul să fie afectat în mod semnificativ. DCS prezintă dispozitive de memorie de tipul liniei de reţinere.
. Dispozitivele reale performante sunt caracterizate de o inefi- Dispozitivele de memorie pe baza DCS sunt aduse până la
c~enţă ~e transfer mai miCă de 10 - 4. Dependenţa coeficientului de
producţie industrială, deoarece ele cel mai mult coincid cu natura
pierden de frecvenţă este prezentată în fig. 8.29. Micşorarea coefi- DCS - registrul de deplasare cu introducerea şi scoaterea infor-
cientului & în regiunea frecvenţelor joase se determină de slăbirea maţiei în consecutivitate.
influenţei curenţilor inverşi dintre groapa de potenţial şi restul
Informaţia în dispozitive de memorie cu DCS circulă neîntre-
volumului semiconductorului (substrat). Ridicarea coeficientului de rupt cu regenerarea. La adresarea către dispozitivul de memorie se

342 343
 efectueaza alegerea informaţiei înscrise cu sau tara regenerare, deci
cu citire nedistructiva sau cu distrugerea informaţiei înregistrate.
Deseori, în regimul de pastrare, informaţia circulă prin dispozitiv
ANE XE
relativ lent la frecvenţa de tact de ordinul zecilor kiloherţi, numai
pentru a asigura regenerarea şi a nu pierde putere mare la transferul Anexa 1
sarcinilor informative. La adresarea catre dispozitivul de memorie
Constante fizice
frecvenţa de tact se mareşte pâna la limită, aproximativ câţiva
megaherţi, pentru a asigura selectarea informaţiei înregistrate. Denumirea Simbolul Valorile numerice
Dispozitive de transformare a imaginii în semnale electrice.
Principiul de funcţionare a acestor dispozitive: la iluminarea DCS 1 2 3
lânga suprafaţa semiconductorului se fonnează perechi de purtători Viteza luminii în vid c 2,99792458 .10 8 111 / s
de sarcină electron-gol, care sunt separate de câmpul electric al
gropii de potenţial sub poarta secţiei de transfer. Purtătorii de Masa izotopului de carbon 12 C 1,6605655 .10- 27 kg ;
sarcina formaţi în rezultatul absorbţiei cuantelor de lumina umplu luat ca unitate atomica de masa
11
931,50] MeV/c 2
gropile de potenţial proporţional iluminării acestei regiuni a DCS.
Numarul Avogadro N4
Dacă după aceasta se va efectua deplasarea infonnaţiei lumino 6,02204 5· 10 23 1110r l
ase
înregistrate prin cale obişnuită, atunci semnalul la ieşirea DCS va Sarcina electrica elementara q,e 1,6021892· 10- 19 C
repeta distribuţia iluminarii, adică se va separa o linie de imagine.
Astfel poate fi separată următoarea linie ş.a.m.d. În timpul de faţă 9,10953 4.10- 31 kg;
sunt create camere de transmisiune pe baza DCS, atingând după Masa de repaus a electronului l11 e 5,4858 026.10 -4 11 :
puterea de rezoluţie standardul pentru televiziunea obişnuită, în
0,5110034 ll4eV!c 2
acelaşi rând şi pentru televiziunea în color.
Dispozitive de prelucrare a informaţiei analogice. Cu ajutorul e
Sarcina specifica a electronului -- -1,7588 047.10 11 C! kg
DCS pot fi memorizate şi semnalele analogice, dar în acest caz 111/1

devine imposibilă regenerarea informaţiei înregistrate. Totodata şi 1,67264 85.10-27 kg ; I

simpla memorizare deschide mari posibilităţi de utilizare a DCS, Masa de repaus a protonului I11 p 1,007276470 11 ;
deoarece aceste aparate permit reglarea reţinerii transferului de
informaţie. O variantă simplă de utilizare a DCS pentru prelucrarea 938,2796 MeV ! c 2
informaţiei analogice s-au constatat a fi liniile de reţinere fixate Raportul maselor m ! m
P /1 1,837.1 0 3
pentru receptoarele de televiziune cu imagine color. Energia corespunzatoare unui
electron-volt leV 1,60218 92.10- 19 J
Potenţialul termic la temperatura
300K UŢ 25,8 mV
Produsul kT la temperatura
300K 0,0258 eV
Constanta universala a gazelor
ideale R=NA k 8,31441 J !(K· mot)
Constanta gravitaţionala r 6,6720 .10- 11 N·m 2 !kg 2

_ 344 345
 T
1 2 3 4 5 6 7
1 [ 2 1
3
10 Neon Ne 20,183 Gaz 9,0.10-4 -248,7
,
-245,9
885418782.10
, 12
1 11 Sodiu Na ?2,9898 CVC 0,971 97,5 880
Constanta electrica (permitivitatea
vidului)
60
e 2
/ N . m 2 ; [F / m ] 12 Magneziu Mg 24,312 HC 1,74 651 1107
2 13 Aluminiu AI 26,9815 CFC 2,70 660 2060
I 4Jr.10 7 N/A ;
14 Siliciu Si 28,086 CFC 2,42 1415 2355
Constanta magnetica Jio = --2 6
6 0C 1,25664.10- H ! 171 15 Fosfor P 30,9738 Compusa 1,83 44,1 280
(permeabilitatea vidului)
16 Sulf S 32,064 Compusa 2,07 112,8 444,6
h 6626176.10
, 34J·S; CI 35,453 Gaz 3,21.10-3 -101,6 -34,6
17 Clor
Constanta Planck ti = %Jr 1,0545886.10- 34 J . S 18 Argon Ar 39,948 Gaz 1,78.10 3 -1892 -185,7
19 Potasiu K 39,102 CVC 0,87 62,3 760
1,380662 ·10 23 J /K ;
20 Calciu Ca 40,08 CFC 1,545 845 1240
Constanta Boltzmann k=l)INA 8,617 . 10 -5 eV / K 21 Scandiu Sc 44,956 CFC 3,02 1200 2400
2
22 Titan Ti 47,90 HC 4,5 1800 3300
4Jr &oti 23 Vanadiu V 50,942 CVC 5,96 1710 3000
Raza Bohr pentru atomul de ao = mee 2
052917706
, ·10 10 171
24 Cram Cr 51,996 CVC 7,14 1890 2480
hidrogen
25 Mangan Mn 54,938 CVC 7,2 1260 1900
e2 28179380.10
15
26 Fier Fe 55,847 CVC 7,87 1535 3000
ro = 2
, 171
Raza clasica a electronului 4Jr&om ec 27 Cobalt Co 58,933 CFC 8,9 1495 2900
28 Nichel Ni 58,71 CFC 8,9 1453 2900
I
Temperatura absoluta a punctului 273,15K
To 29 Cupru Cu 63,54 CFC 8,93 1083 2340
de îngheţare a apei la presiunea de
30 Zinc Zn 65,37 HC 7,14 419,5 907
I atm 31 Galiu Ga 69,72 Compusa 5,91 29,8 1983
- 73.
E.R.Cohen and B.N.Taylor II Joumal ofPhysics and Chemlstry, Ref. Data 2, p.663 734, 19 32 Germaniu Ge 72,59 CFC 5,36 958 2700
33 Arsen As 74,922 HS 5,73 615** -
Anexa 2 34 Seleniu Se 78,96 HS 4,8 217 688
35 Brom Br 79,909 Lichid 3,12 -7,2 58,8
Unele proprietaţi ale elementelor chimice 36 Kripton Kr 83,80 Gaz 3,74.10-3 -156,6 -152,9
Tempc- Tcmpc- 37 Rubidiu Rb 85,47 CVC 1,53 38,5 700
Nu- ratura ratura 38 Stronţiu Sr 87,62 CFC 2,60 757 1150
Densitatea,
ma- Denumirea Masa Structura de de 39 Ytriu 88,905 HC 5,51 1490 2500
rul elementului Simbolul atomica cristalina*
ato-
cm %3 topire, fierbere,
°c
40 Zirconiu
Y
Zr 91,22 HC 6,44 1857 2900
°C 41 Niobiu Nb 92,906 CVC 8,57 2500 3700
mic 42 Molibden Mo 95,94 CVC 10,2 2620 4800
6 7 8
2 3 4 5 43 Tecneţiu Tc (99) HC - (2700) -
I 5 -259, I -252,7
H 1,00797 Gaz 8,988.10- 44 Ruteniu Ru 101,07 HC 12,1 2450 4900
1 Hidrogen -272 -268,9
He 4,0026 Gaz 1,785·10-4 45 Rodiu Rh 102,905 CFC 12,5 1966 4500
2 Heliu 186 1336
Li 6,939 CVC 0,534 46 Paladiu Pd 106,4 CFC 12,16 1550 2200
3 Litiu 1,845 1280 2970 47 Argint Ag 107,87 CFC 10,50 960,5 1950
Be 9,0122 HC
4 Beriliu 2,34 2300 2550** 48 Cadmiu Cd 112,40 HC 8,65 320,9 767
B 10,811 HS
5 Bor 3,51 3500 4200 49 Indiu In 114,82 T 7,28 156,4 2000
C 12,0111 CFe
6 Carbon 3 -209,9 -195,8 50 Staniu Sn 118,69 T 7,30 231,9 2270
N 14,0067 Gaz 1,25.10-
7 Azot -218,4 -182,9 51 Stibiu Sb 121,75 R 6,69 630,5 1380
O 15,9994 Gaz 1,43.10-3
8 Oxigen -223 -188 52 Telur Te 127,60 HS 6,24 452 1390
F 18.9984 Gaz 1,69.10- 3
9 Fluor
347
346
 1

I 2 3 4 ) 6 7 8 Anexa 3
53 Iod J 126,90 Compusă 4,93 113,5 184,4 Unele date asupra caracteristicilor atomului liber
54 Xenon Xe 131,3 Gaz 5,9,10-3 -112 -107, I şi ale lucrului de ieşire din solid
55 Cesiu Cs 132,905 CVC 1,873 28,5 670
56 Bariu Ba 137,34 CVC 3,5 850 1140 Elementul Subgrupa 1, eV EA,eV X M,eV q<1> calc. q<1> exp.
57 Lantan La 138,91 HC 6,16 866 4340
58 Ceriu Ce 140,12 CFC 6,8 804 2400 I 2 3 4 5 6 7
59 Praseodim Pr 140,97 CFC 6,5 940 3020 Ag IB 7,576 1,3 4,5 4,3 4,26
60 Neodim Nd 144,24 HC 7,0 1024 3300 AI IIIA 5,986 0,46 3,2 4,2 4,28
61 Prometiu Pm (147) Necunosc. As VA 9,81 0,8 5,3 5,2 -
62 Samariu Sm 150,35 R 7,5 1052 (1900
Au IB 9,225 2,308 5,8 5,6 5,1
63 Europiu Eu 151,96 CVC 5,2 1150 ( 1700)
Ba HA 5,212 O 2,6 2,6 2,7
64 Gadoliniu Gd 157,25 HC 7,9 (1350) 3000
Be HA 9,322 O 4,7 4,7 4,98
65 Terbiu Tb 158,92 HC 8,3 325 2800
Bi VA 7,289 1,1 I 4,2 4,1 4,22
66 Disprosiu Dy 162,5 HC 8,6 ( 1500 2600)
Ca HA 6,113 O 3,1 3,1 2,87
67 Holmiu Ho 164,93 HC 8,8 (1500 (2700)
Cd IlB 8,993 -0,333 4,3 4,1 4,22
68 Erbiu Er 167,26 HC 9, I (1530 (2600)
Co VIII 7,86 0,7 4,3 4,7 5
69 Tuliu Tm 168,93 HC 9,3 (1530) (2400)
Cr VIB 6,766 0,66 3,7 4,3 4,5
70 Yterbiu Yb 173,04 CFC 7,0 824 1800
Cs IA 3,894 0,47 2,2 2,1 2,14
71 Lutetiu Lu 174,97 HC 9,9 (1700) (3500)
Cu IB 7,726 1,226 4,5 4,3
72 Hafniu Hf 178,49 HC 1 1,3 2130 i 3200 I
! Fe VIII 787 0,25 4,1 4,5
4,65
73 Tantal Ta 180,948 CVC j 6,6 2996 4100 4,5
74 Wolfram W 183,85 CVC 19,3 3400 i 5900
Ii. Ga III A 5,999 0,3 3,2 4,2 4,2
75 Reniu Re 186,2 HC 20.5 3180 i 5050 Ge IVA 7,899 1,2 4,6 4,8 5
76 Osmiu Os 190,2 HC' 22,5 2700 i 5400 I Hf IVB 7 O 3,5 4,1 3,9
77 Iridiu Ir 192.2 eFe 22.4 2450 I 5300 Ii H!2: IIB 10,437 -0,63 4,9 4,7 4,49
78 Platină Pt 195,09 CFC 21,37 1770: 4300 In IIIA 5,786 0,3 3 4 4,12
79 Aur Au 196,967 CFC 19,32 1063 I 2600
I' Ir VIII 9,1 1,6 5,4 5,8 5,27
1~80,---+,M~er,..:.c.:.:.:ur'---l---=..:H::;;;[g'--Ji-=2:..:0..::..0.z::.,5..::...9+-=-Ll:..:.·
c:::;hi:..::d-+--=1:.::.3.2.:,5:.::.5__ i - 38::..:,. ::.. 9--1--=3:..:5:.::.6.::.:,9--1 I K IA 4,341 0,5 2,4 2,3 2,3
81 Taliu TI 204,37 HC 11,85 ~03,5 1457 I I La I1IB 5,571 0,5 3, I 3,3 3,5
82 Plumb Pb 207,19 CFC 11 ,35 327,4 I 1620 I Li IA 5,392 0,62 3 2,9 2,9
83 Bismut Bi 209,98 R 9,78 27 1,3 1440 I Mg IlA 7,646 -0,15 3,8 3,8 3,66
84 Poloniu Po (210) M - 260 Mn VIIB 7,435 O 3,7 4,4 4,1
85 Astatin At (211) Necunosc. Mo VIB 7,099 1 4,1 4,7 4,6
86 Radon Rn 222 Gaz 9,8'10 3 -71 -61,8 Na IA 5,139 0,546 2,9 2,g 2,75
t
87 Franciu Fr (223) Necunosc. Nb VB 6,88 1 4 4,3 4,3
88 Radiu Ra 226,05 Necunosc. 5,0 700 1140 Ni VIII 7,635 1,15 4,4 4,8 5,15
89 Actiniu Ac 227 ,05 Necunosc. (1600) Os VIII 8,7 1,1 4,9 5,3 4,83
90 Toriu Th 232,038 CFC 11,5 1845 4500 Pb IVA 7,416 1,1 4,3 4,5 4,25
91 Protactiniu Pa 231, I T (15,4) (3000) I
I Pd VIII 8,34 0,6 4,5 4,9 5,12
92 Uraniu U 238,03 Compusă 19,05 1150 3800 Pt VIII 9 2,128 5,6 6 5,65
* Insemnari: CVC - reţea cubica cu volum centrat; CFC - reţea cubica cu faţa centrata; Rb IA 4,177 0,486 2,4 2,3 2,16
HC - reţea hexagonala compacta; HS -. reţea hexagonala simpla; Ţ- reţea tetragonala; Re VIlB 7,88 0,15 4 4,7 4,96
R - reţea romboednca; M - reţea monochmca. . Rh VIII
** La temperatura data se produce sublimarea substanţei. 7,46 1,2 4,4 4,8 4,98

- 348 349
 I 2 i 3 4 5 6 7
I
I 1 2 I 3 4
I I I
Ru VIII 7,37 1,1 4,3 4,7 I 4,71 3
Concentraţia ni' cm- la T = 300 K 2,5.10 13 1,5.10 10 2.10 6
Sb VA 8,641 I 1,05 4,9 4,8 4,55
IIIB 6,54 3,5 Tipul benzii interzise Indirecta Indirecta Directa
Sc
Se
Si
VIA
IVA
9,752
8,151
°
2,02
1,385
3,3
5,9
4,8
5,6
5
3,5
5,9
4,85
Rezistenţa specifica, n· cm la
T=300 K
45 2,3.10 5 4·]08

Sn !
IVA 7,344 1,25 4,3 4,5 4,42 Temperatura de topire, o C 937 1420 1238
HA - 5,695
Sr
Ta
Tc
VB I 7,89
VHB I 7,28
°
0,6
0,7
2,9
4,3
4
2,9
4,6
4,7
2,59
4,25
-
Mobilitatea electronilor
f-l n , cm 2 .V- I 'S-1 la T =300 K
3800 1300 8500

Te VIA 9,009 1,97 5,5 5,2 4,95 Mobilitatea golurilor f-l p ' cm 2 ·V- 1 '8- 1
Ti IVB 6,82 0,2 3,5 4,1 4,33 1800 500 450
la T =300 K
TI IIIA 6,108 0,3 3,2 4,2 3,84
V VB 6,74 0,5 3,6 3,9 4,3 Coeficientul de difuzie al electronilor
2 99 34
W VIB 7,98 0,6 4,3 4,9 4,55 D n , cm / s
Y IIIB 6,38 3,2 4,4
,
Zn
Zr
IIB
IVB
9,394
6,84
°
-0,49
0,5
4,5
3,7
4,3
4,3
3, I
4,33
4,05
Coeficientul de difuzie al golurilor
Dp ' cm
2
/ s
47 13

1 - energia de ionizare; Densitatea efectiva de stari, cm-3

în banda de conducţie 1,04'10 19 2,8'10 19 4,7.10 17
EA - afinitatea pentru electroni;
în banda de valenţa 6,1·]018 1,02.10 19 7,0.10 18
XM - electronegativitatea;
Masa efectiva:
qlD calc. - valorile calculate ale lucrului de ieşire; a electronilor 0,22m 0,33 m 0,072 m
qlD exp. - valorile experimentale ale lucrului de ieşire. a golurilor 0,31 m 0,56m 0,50m
(Voicu Dolocan. Fizica joncţiunilor cu semiconductoare. - Bucureşti: Editura Academiei Coeficientul de termoconductibilitate
W /(cm· 0c) 0,6 1,5 0,81
Române, 1982. - 319 p.)
Anexa 4 Constanta reţelei cristaline, nm 0,566 0,543 0,565
Parametri pentru germaniu, siliciu şi arsenurd de galiu Limita admisibila a intensitaţii
~8 ~30 ~35
câmpului electric, V / f-lm
Parametrul
I
Ge
2
Si
3
G::j * u.a.m. - unitatea atomică de masă.
(Luis Rosado. Electronica Fizica y Microelectronica. - Madrid: Paraninfo, 1987).

Masa atomica (moleculara), u.a.m.* 72,6 28,1 144,6

Numarul atomic 32 14
Densitatea, g / cm 3 5,32 2,33 5,32
Permitivitatea dielectrica relativa 16 12 13
Densitatea atomica (moleculara), cm-3 4,4.10 22 5,0·]022 2,21.10 22
Largimea benzii interzise E g , eV la
0,785 1,21 1,42
temperatura zero absolut
Largimea benzii interzise E g' e V la
0,72 1,1
T = 300 K

- 350 351
 Anexa 5
Parametrii fizici ai semiconductorilor -~~
-
Largimea benzii Tipul Masa efcctiva Mobilitatea
ro
minimului b~ a-.,
interzise E g , e V ~ ":- 1l
ro '" Parametrii r-- ,--,
absolut al -.~ '1) .~ ;~ 'ro rcţelei <Jl <Jl
Semi- R'lJ ~~ .;:: .g
m: I m o m;,lm o 0"-
conductorul benzii de :'::i~' ~s: u ~
.'§ ~ cristaline > '--' '--'
>
lq 'lJ conducţie: ~a l-long. g-greu ~c.I:1
:'::ia :::: '1) .... a,h,c, nm ~E
'1) '1)
D - direct ~-~ ~
t-transv. u-uşor
.- .... - ii u. u
OK 300K P-.
1- indirect :l ::t
1 2 4 [- s=tti ~=r' 9 -=rJ:O_- [ - -ll==112l~J
I I L.3=r m,0,92 m;)gO,56
Si 1,166 1,12 I 100 -2,3 -I,S 3,44 11,7 O,S43 1350 480
w m,O,19 m;u°,16
Vl
N
IV -< m,I,59 m ;,g 0,33
Ce 0,74 0,67 I III -3,7 S,O 4,00 16,3 O,S66 3900 1900
m,O,082 m;mO,56
a-Sn -0,2 D 000 5,0 0,02 0,6489 2000 1000
~ . _ ....••.. _-~._---_._- -_._._--~-_._.

----~ ------_.-
--_.~~----
1----- ---------- . --- -------._-_ .. -----

3,0(6H) 2,8-3,2 [ -3,3 aO,30817

2,6911c
cl,51123 400
[
'1b;{; 2,68
f-------- --
2,2
----------- --- - -------- ---_. 1--- - __ 0 ' . ' _ _ _ .. _ - - - -
e--
2,651.c
------------~ .
10,2
-----
0,4359
..
- _ . , - - - - - - - - , ' - - - , . -,-'., _--_ .. -----
5,5611 c
1,95 1,74 D 0001 -14 -20 0,12 8,5 I
3,721c
0,2611 3,0711c 5,0 II c
0,334 0,32 D 0001 -0,3 -19 0,038l.
1:: O,lOl 2,681.c 2,21.c 1100

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
BP 2 [ 2,6 6,9 0,4538
AIP 2,5 2,43 [ 100 -3,5 0,13 3,0 9,8 0,5462 80
m,I,06
AIAs 2,24 2,16 0,5 12 0,566 1000 ~100
m,O,49
AISb 1,6 1,6 -4 -1,6 0, II 0,39 3,4 Il 0,6135 50 400

-3,9 0,2 2,4 aO,318 150

GaN 3,6 3,5 D 0000 3,7
cO,516
GaP 2,4 2,25 [ 000 -5,4 -1,7 0,13 0,8 3,37 10 0,5450 120 120
III-V
m;gO,45
GaAs 1,520 1,43 D 000 -5,0 II 0,07 3,4 12 0,5653 8600 400
W
m;u 0,12
\Jl
W 0,81 0,69 D 000 -4,1 12 0,045 0,39 3,9 15 0,6095 4000 650
GaSb
[nP 1,42 1,28 D 000 -4,6 4,6 0,07 0,40 3,37 12,1 0,58687 4000 650
[nAs 0,43 0,36 D 000 -3,3 5 0,028 0,33 3,42 12,5 0,6058 30000 240
m;gO,6 5000
[nSb 0,235 0,18 D 000 -2,9 15 0,0133 3,75 18 0,64787 76000
(78K)
m;uO,012
--

3,3 D 0000 -9,5 0,6 0,32 0,27 2,2 8,5 aO,32496 180
ZnO 3,43
cO,52065
II-VI-< a 3,91 3,78 D 0000 -3,8 9 0,25 0,75 2,4 8,3 aO,5409 200
ZnS
aO,3826
fJ 3,84 3,71 D 000 -5,3 5,7 0,39 2,4 8,3
cO,6261

-.
 00 <n OQ'I o o o Anexa 6
""
~
N ~ 0 0
~N'
'-'
O
\O ""
O',
<n
t-
I

CÂTEVA GRAFICE UTILE

În această anexă sunt prezentate grafice ce completează mate-
O O O O
N O O O O O O O N N
<n O O O V) I
~

""<n "" <n \O <n

<n N
N
V) O
~
\O
~
rialul diferitor capitole ale cărţii. Graficele pot fi folosite atât în
t- .... \O ""
O'- O
O', .... t- <n N \O '1" O 00 timpul citirii textului, cât şi independent de el.
""~ t- 00
....
N \O N
~
\O
\O
O .... t- NO '1" O '1" ""
O', '1"
""
~
<n
O O ~tl
\O '1"~ \O~ '1". t-.
00
oj U
\O
O
\O
O·
\O
O I V)
O
\O
O
\O
O
\O
O Li Sb P As S cu ,019 AII

.... t- \O \O O', O O N
O
~
00
0',. O',
00
-
O ....
O <n
N
O
N
-
t- <n
N
~

'1"
I

O', \O <n
OO~
O', 00
N
on. t-
N~
t-. t-. I

"" "" "" ""

Li Sb P AS Jli

00
\O
O~
'->
-1 -
t-
'-> =-1
on. '1".
<n
"" ""I
O~
V)

-
O
ci
<n
t-
O.
O
00
\O
O ""
O ci ci ci
'1"
O
-"" N
N
O I
Ni S Mit ,019 Pt Hg

ci<n N O O
=:: =::~ =::- =::~ =:: =::~ ~ o.J7 4.13 G\J$
A - -
on 00 t- O',
'1" '1" Si ---------=---!}Ţ~--Yl-~.:----,.-.--
t-
....
<n O
.... <n O', O O
""O N an au 'li!? ~3. ~
"" O. N. O , 1,19 fJ,Ji
~
'1" N
t- ~

O O
N
O
~

o~
O
O
O
O
O
2 O
=::~
ci ci O ci
I
-~ - 7r p -
f f =::~ =:: =::~
M~-
0.26 fU"
~
i>os@rtl.!q-
W
\O \O \O "". on. t-
I O? O',
I
I
f!, AI &ll In TI Ca Zn Cu Au Fe Il
""
~

<n
N
<n <n
\O .... \O. '1" '1" '1"
Te Si GB S" o se
~ .,f <n
+ + + I
I
I I
I "'f + I1,(j()J ~~
~ O,/JOS

'1"
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
....
....
.... -
....
.... ........
.... ........
....
Nivele de
suprafaţii

Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q GaA

.... .... ....

""
t-
\O
N N
00
N ""
on.
N
'1"
t-~
....
O
on.
~
V)
N
....
<n
o~
I
on
O I
'1"
o~
t-
N
O ""O -O
00

~9 C Cd Li Zn"," Co IIi Si Ge Fe Cr Li Cu
.... O', 00 <n O '1" 00 O', on
.... ....
O',

""N on. Fig. A-l. Nivelurile energetice a câtorva impurităţi donoare şi acceptoare în banda
\O
N 00.
N N
oo~
.... \O~
....
N
cf S'
C"'i N
O O ""
O
O
interzisă a semiconductoarelor Ge, Si şi GaAs . Nivelurile aflate mai sus de
centrul benzii energetice interzise sunt donoare, cu excepţia celor însemnate
c'5
~ ~
~ ~
u
~
0
~ ca ca
~
'll

(3 ::t ::t .....

~ V:l
-l:l
o..
c'5
~
~
~
~
l::
cu simbolul A (acceptor); poziţia lor ( e V ) se detennină faţă de marginea
inferioara a benzii de conducţie. Mai jos de centrul benzii interzise se află
.... V:l;
nivelurile acceptoare, poziţia cărora se detennină faţă de marginea supe-
~
> rioara a benzii de valenţă; excepţie constituie nivelurile donoare, însemnate
-I
~ cu simbolul D (E.M.Conwell II Proc. IRE, 46, 6 (1958); S.M.Sze. Physics
ofSemiconductor Devices . 200 ed., Wiley, 1981).

354 355
 Temperanrra T, K
1,6 JOO
1000 500 200
10 9,
'
>- Il)

~-
46
>-
O)
10'7 UJ'"
ut "'8u lH
'§
'l)
.,;:0 ....
.....;:; 0,2
<Il

'S '00
u
la" Q.)

B O) Si.
.S <Il
.S :2 a
.'::
'N
.5 10'3
<l)
s:i
O) 1,1 .~ -0,2
..o 00 t:
.~
ro 00
Il)

.§ 1,0 1§ 10"
OJ
~ -O,"
bJJ
.... u '"
'ro
..-l 0.9 u
s:i
o fr'" -0,6
O 200 "00 600 10' o
Temperanrra T.K o 100 200 300 400 ';00
10 7 Temperatura T, K
Fig. A-2. Dependenţa largimii benzii o 2 3 ~ S-
1000/T, X-'
interzise de temperatura abso-
luta pentru semiconductoarele Fig. A-3. Dependenţa concentraţieI
Si şi CaAs (e. D. Thurmond purtatorilor de sarcina intrinseci
II 1. Electrochem. 1. Soc., 122, de inversul temperaturii pentru
1133 (1975)). semiconductoarele Ce, Si şi CaAs
(R. A. Smith. Semiconductors. U;l- O,il
2nd. ed., Cambridge University
~
Press, 1978).
'Ef 0,2
GaAs
~
.. Ol-----------------~
Fig. A-4. Dependenţele concentraţiei ~ Na ;:10'1{. C,.,- 3
electronilor de temperatura pentru ~ -0.2
siliciu (Si) dopat cu arseniu > 10'6 10 '5
2.10 16
'2 10'7
( As ) (impuritate donoare) cu con- o:l -~~

centraţia 1,15· 1016 cm -3 şi pentru

~
germaniu Ce dopat cu arseniu
(As) cu concentraţia 7,5·1 d 5 cm-3 •
fr ~ -O'6b==;;~~~~Ej ~
Ci -0,8
a 100 200 JOO ~OO 500
Regiunile exponenţiale ale curbe- Temperatma T, K
lor din stânga corespund dome-
o TOO 2QO j(}Q 'HJ(J 500 60Q niului de ionizare; regiunile ori-
zontale - domeniului electrocon-
Temperanrra T, K
ductivitaţii impuritare; regiunile Fig. A-S. Dependenţele poziţiei nivelului Fermi de concentraţia impuritaţilor şi
exponenţialeale curbelor din dreapta - domeniului electroconductivitaţii intrin- temperatura pentru semiconductoarele Si şi CaAs (A.S.Grove. Ph:vsics
sece. Curbele întrerupte descriu dependenţele concentraţiilor intrinseci ale Ce şi and Technology o/Semiconductor Devices. Wiley, 1967).
Si de temperatura (P. P. Debye, E. M. Conwell II Phys. Rev., 93, 693 (1954)).

356
357
 <r.
10 7 ;s.
~ 10 ,--..-----,,---:::::;;:....-......,
C/>

:~ ..""", âu . §';iIIIF=F=R'
~CJ""
C
.; ~\ ~ - 6 r--,--+-""""""~I----.--:........j
"'"
)'Q;r
......... -o:::::: ..... .~ ~J'~I-H-.f.#"
~
........
1"'-
........ ~Q'"
z
1-- 1- lij; '-
10 '8
-
F=::
:;::
~
~
la' ~
~

o
10"
1016
"'-,
- -r-
1Q1t.

~
,
2
10
.... "
~
N
~
;; lUS
lOz 103 10'1
Intensitatea câmpului E, V/cm
~
2
Q
~ Z1+:;fIC---+---+---!----I

:> o 1 2 3 "
Intensitatea câmpului E, 10' V/cm
SO 100 1S0 200 -.5/} o 50 100 150 200 a) b)
Temperatura, °C Temperatura, °C Fig. A-8. Viteza de drift a purtătorilor de sarcină ca funcţie de intensitate a
a) b) câmpului electric la temperatura camerei: a) curbele în scară logarit-
mică pentru Si şi GaAs; urmează să se atragă atenţia asupra sem-
Fig. A-6. Dependenţa mobilităţii purtătorilor de sarcină majoritari de tempera- nului negativ al mobilităţii diferenţiale în GaAs de tip n ; b) curbele
tură pentru diferite concentraţii ale impurităţi lor: a) mobilitatea elec- în scară liniara pentru Si; liniile drepte întrerupte - valorile de limita ale
tronilor în siliciu de tip n; b) mobilitatea golurilor în siliciu de tip p vitezei ce permit exercitarea interpolării liniare pentru intensităţi mici ale
(A.B.Phillips. Transistor Engineering and !ntroduction ta Semi con- câmpului (D.M.Caughey II RE.Thomas, Proc. IEEE, 55, 2192 (1967».
ductor Circuits. Mc Graw, 1962).

Fig. A-9. Curba dependenţei conductivităţii

specifice de temperatura a semiconducto-
rului: 1- domeniul electroconductivitaţii
Fig. A-7. Dependenţa mo- intrinsece, caracterizate de generarea
bilităţii şi coeficienţi­ termiCă a purtătorilor de sarcină;
lor de difuzie de con- 2 - domeniul electroconductivitaţii impu-
centraţia impurităţilor ritare datorita împraştierii fononilor pe
pentru semiconduc- nodurile reţelei cnstaline; 3 - domemul
electroconductivitaţii extrinseci datorita
toarele Si şi GaAs la împraştierii atomilor impuritaţii de dopare.
1
temperatura camerei Temperatura llT, K
(W.F. Beadle et al.
Quick Rejerence Ma-
nualfor Semiconduc-
tor Engineers. Wiley, Fig. A-IO. Nomograma pentru Il1'
1985). determinarea concentraţiei 10"
purtătorilor de sarcină în 10 16 Pn
siliciu de tip n, dopat cu nn -----
10'·
impurităţi cu concentraţia
10 '2
10 15 cm- 3 : a) la echilibru 1tl
10
termodinamic; b) pentru un
nivel de injecţie mic; la'
c) pentru un nivel de injec- 10 6
ţie înalt. Pn'
10"
Z
10
10 0

a b c
359
358
 > 1000ro;;:-~oo;;;:----------,
E
10
z~ Fig. A-lI. Rezistenţa specifică
a siliciului de tip p şi n
u
d 10 în funcţie de concentraţia Fig. A-14. Dependenţa tensiunii
ci.
.'u"
<;::
~ impurităţi lor acceptoare
şi donoare, respectiv, l~
străpungerii prin avalanşă
de concentraţia impu-
~~
,
Tipp
'g -, Tipn temperatura .camerel rităţilor N a sau N d pen-
ft 10 (S.M.Sze, J.C.lrvm II So- 1 tru o joncţiune abruptă la
S-
e ~~ lid-State Electronics, 11,
599 (1968)).
10 ' + 10'~ 10 16 10'" 10'6 temperatura camerei, exe-
~ 10 Coneentraţia impuritaţilor N, sau N" em' cutată din semiconduc-
·N
<J . . toarele Ge, Si şi GaAs.
~ 10"1 ~u~t .Indlcate _con~en.tr~ţi}le. regiunii neutre a joncţiuilii rriai puţin dopate. Cu
ltme mtrerupta se mdlca ltmlta după care se observă efectul tunel.
10'" 10'~ 10'6 10 11 10~ 10'11 fOZI)
Concentraţia impuritaţilor N, sau N" cm-'

,U

r\.
'- ..........
~

'-....
S
- 10 15 20 25
Tensiunea inversa V, V
Tensiunea de strapungere V,,,,,. V
Fig. A-15. Caracte:isticile voIt- faradice pentru două diode de siliciu (varactor
Fig. A-I2. Curba dependenţei densităţii curentului ce corespunde încălcării sau vancap). Se poate observa că cu creşterea tensiunii inverse V
echilibrului termic de tensiunea de străpungere mversă. Această
caracteristică indică asupra existenţei domeniului cu rezistenţă capacitatea Cbar se micşorează datorită faptului că pentru valori
diferenţială negatiVă pentru tensiuni inverse mari. Dreptel~ ori- mari ale tensiunii negativ~ V.. g~osimea regiunii de tranziţie W se
zontale sunt densităţile curentului de saturaţie invers pentru dlfente mar~şte. La ~r.eşterea tenSIUnII dIrecte se observă un tablou invers _
temperaturi. Liniile încJinate - cantitatea de căldură eliminată. tensIUnea pOZItiVă mare V determină micşorarea valorii W şi mărilii
corespunzătoare ale capacităţii C •
bar
10 7
E
u
:>
f .J'OOO
~,r
Fig. A-.16. Dependenţa coeficientu- .~
lUI de transfer al curentului în "'S 800
schemă cu emitor comun ca
funcţie de curentul colectoru-
'" 600
!:::J
'li
10S
10 '1 10 '9 lui pentru un tranzistor bipolar ~ 'JOO
' tipic la frecvenţa f = I kHz . e
.~ 200

Fig. A-13. Dependenţa intensităţii câmpului electric critic de con~entraţia impurităţii ~ O . 1 - - _ L . - _ - - l_ _-l._ _...L
dopante ce conduce la străpungerea tunel (efectul Zener) ŞI strapungerea pnn U 0,001 0,01 0.' 1,0 10
avalanşă În siliciu (A.G.Chynoweth et al. II Phys. Rev., 118,425 (1960»). Curentul eoleetomlui r,.• mA

360 361
 p+ n
n p. n p
~~ Fig. A-18. Dependenţa coeficientului de difuzie de
<=
u temperatură pentru diferite impurităţi
ci 10-'''1--''01---\~-+--+-+----' în siliciu (Researeh Triangle Institute,
'"
"N voI. 4, ASD-TDR-63-316 (1964)).
<2
;;
.g 10'''hl---\--~--\---I--+--f------l
x' o ~
'u'"
a) 'iio 1O-tl~-.lil-:lH'--+--\l--_I---I
Ci

n~Lj~
K' O O
b)
W %- %"

Fig. A-19. Graficele distribuţiei Gauss şi

p+ n p distribuţiei tipice a funcţiei de erori
n suplimentare. Pe axa ordonatei
este depusă o mărime, normată în
raport cu concentraţia de suprafaţă
a impurităţi lor N o (D. 1. Hamil- Funcţia
10"3 suplimentara de erori
ton, W.G. Howard. Basic Integ-
rated Circuits Engineering. Mc N
Ti; =ertc zliff
x
Graw, 1975).
wx O K"
c)
Fig. A-17. Regimurile de funcţionare a tranzistorului p+ - n - p şi, respectiv, 5
10- L.....l---........-'-.J.-.............. -l...-'-.J.-~+.'x
Z
distribuţii le purtătorilor de sarcină minoritari în regiunea emitorului ( p + ), O UN
bazei (n ) şi colectorului ( p); curbele sunt construite în corespundere cu
ecuaţiilece descriu modelul Ebers-Moll (6.63a) şi (6.63b):
a) regimul activ (VBE > O; VCB < O);
b) regimul de tăiere (VBE < O; VCB < O);
c) regimul de saturaţie (VBE > O; VCB > O).

Fig. A-20. Dep~ndenţa timpului ~e v.iaţ~

al purtătonlor de sarcmă mmontan
în siliciu de tip n de concentraţia
,Q
10· L-l...-JL-LJU-U-..J....L.J...J...-l...-l....LJ.J atomilor impuritari de aur
10'" 10'5 10 16 10'7 (A.E.Bakanowski, 1.H. Forster II
Coneentraţia impuritâţii (aur) N,o em' BeII Syst. Tech. 1., 39, 87 (1960)).

362 363
 T

BIBLIOGRAFIE

[1] Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices, 1981. [3H e. <PH3HKa rroJIyrrpo-
Fig. A-21. Dependenţele constantelor BOL\HIIKOBbIX Ilp1I6opOB. (TIep. c aHrJI.) B 2-x KHlIrax. - M. MlIp, 1984.]
de oxidare A şi B , deter-
minate experimental în [2] faMaH RH. <P1I3IIKa rrOJIyllpOBOL\HIIKOBbIX rrplI6opoB. ~ TOMCK: H3L\-BO
funcţie de temperatură TOMcKoro yHIIBepClITeTa, 1989. - 337 c.
(A.S. Grave. Physics and [3] Dolocan Voicu. Fizica joncţiunilor cu semiconductoare. - Bucureşti: Editura
Technology of Semic;on- Academiei RSR, 1982. - 320p.
ductor Devices. Wlley, [4] Sandu Dumitru. Electronica fiziCă şi aplicată. VoI. 1. Principii fizice. Dispo-
1967).
zitive. Tehnologii. - Iaşi: Editura Universităţii"Al.I.Cuza", 1994. -615p.
[5] Munteanu 1. Fizica stării condensate. Partea 1. - Bucureşti: Hyperion XXI,
1995. -397p.
[6] Nicolaescu LI. Introducere în fizica corpului solid. - Piteşti: Cultura, 1997. - 516p.
10'. 10- 2 [7] TIIIKyC f.E. OCHOBbI Teopiili 1l0JIyllpOBOL\HHKOBbIX IlpH6opOB. - M.: HayKa,
47 46 49 ~O (1 C2 1965. - 448c.
1000/7; K" [8] Crowell e.R., Sarace le., Sze S.H. Tungsten-Semiconductor Schottky-Barrier
Diodes, Trans.Met.Soc. AIME, 233, 478, 1965.
[9] Fow1er R.H. The Ana1ysis of Photoelectric Sensitivity Curves for Clean
Metals at Various Temperatures II Phys. Rev. 38,45, (1931).
[10] Shockley W. Theory of p - n Junctions in semiconductors and p - n Junc-
Fig. A-22. Dependenţa adâncimii
de penetraţie maximale de tions Transistors II BeII Syst.Tech.J. 28, 435, 1949.
echilibru a ionilor din vid de [Il] Sah c.T., Noyce RN., Shockley W. Carrier Generation and Recombination in
concentraţia impurităţilor ac- p - n junction and p - n Junction Characteristics II Proc. IRE. 45, 1228, (1957).
ceptoare sau donoare pentru
[12] Kingston RH., Neustadter S.F. Ca1culation of the Space Charge, Electric
semiconductoarele Ce, Si şi
Fie1d, and Free Carrier Concentration at the surface of a semiconductor
CaAs. Datele sunt obţinute
experimental la temperatura IIIAppl.Phys. 26, 718,1955.
qOI camerei. [13] Garrett C.G.R, Brattain W.H. Physical Theory of Semiconductor Surfaces
1.;:'IJ::f".-:'0':"!,d~:-----:'0-="16U--,,-'O.L.:'~7 --"...J'O f~ II Phys. Rev. 99, 376, 1955.
Concentraţia impuritaţilor N, sau Ni' cm' [14] Grove AS., Deal RE., Snow E.H., Sah e.T. Investigation of Thermally
Oxidized Silicon Surfaces Using Metal-Oxide-Semiconductor Structures
Solid State E1ectron. 8, 145, 1965.
[15] Grove AS. Fizica şi tehnologia dispozitivelor semiconductoare. - Bucureşti:
Editura Tehnică, 1973.
u 1500.----,---,--,---,----r-----,---, [16] Deal RE. Standardized Terminology for Oxide Charges Associated with
Terminology Oxidized Silicon II IEEE Trans. E1ectron Devices, ED-27,
Fig. A-23. Dependenţele solu-
bilităţii impuritaţilor As,
~.
cB
IJOO
1/f00
1200
§ 1100
~\\ 6
~ 606,1980.
[17] Nicolian E.H., Goetzberger A. MOS Conductance Technique for Measuring
P, B, Sb, Al şi Au surface State Parameters II Appl. Phys. Lett., 7, 216, 1965.
în siliciu de temperatura ~ '~~g As p Au [18] Nicolian E.H., Brews I.R MOS Physics and Techno1ogy J. Wi1ey. - New
absolută (F.A Trumbore ~ 800
II BeII Syst. Tech. 1, 39, York,1982.
700 Sb Al
205-233 (1960)). 600 [19] Bârsan Radu M. Fizica şi tehnologia circuitelor MOS integrate pe scară mare. -
500 Bucureşti: EdituraAcademiei RSR, 1989. - 542p.
~.... ,o20=tJ:--,0..J.'=9-fO"":':7~ -'0-'='::;"7-1<-'0"::,6=--,0-;15'·
,o2::;;2:--"10":'21:--1<....
Concentraţia impmitaţilor N, cm
3

365

364
[20] Sandu D.D. Dispozitive şi circuite electronice. - Bucureşti: Editura didactică [43] ,1:(bHKOHOB B.TI. JIaBHHHble TpaH3HcTopbl H HX rrpHMeHeHHe B HMrryJlbcHbIX
şi pedagogică, 1975. - 482p. yCTpOHCTBax. - M.: COBeTcKoe pa,[lHO, 1973 - 298c.
[21] Milns AG., Feucht D.L. Heterojunctions and Metal-semiconductors junc - [44] EpolPeeBa 11.A HMrryJlbCHble yCTpOHema Ha O,[lHorrepeXO,[lHbIX TpaH3HCTOpax. -
tions. Academic N.Y. 1972. [MllJIHC A, <1>OHXT ,1:(. feTeporrepeXO,[lbI H rre- M.: CBH3b, 1974. - 72c.
peXO,[lbI MeTaJIJI-rroJlyrrpOBO,[lHHK. (TIep. c aHrJI.) - M.: MHp, 1975. - 430 c.] [45] Nan S., Munteanu 1., Baluţa Gh. Dispozitive fotonice cu semiconductori. -
[22] lliapMa b.JI., TIYPOXHT TI.K. TIoJlyrrpOBO,[lHHKOBble reTeporrepexo,[lbI. (TIep. Bucureşti: Editura Tehnică. 1986. - 286p.
c aHrJI.) - M.: Pa,[lHO, 1979. - 232c. [46] BHKyJlHH 11.M., CTalPeeB B.H. <1>H3HKa rrOJlyrrpoBoilHHKOBbIX rrpH6opoB. -
[23] KrrHMOB E.H., UYKepMaH H.11. feTeporrepeXO,[lbI BrroJIYITpoBO,[lHHKax (yqe6Ho- M.: Pa,[lHO HCBH3b, 1990. -264c.
MeTO,[lH'leCKOe rroc06He). - CapaToB: H3,[l-BO CapaToBcKoro yHHBepcHTeTa, [47] ErrHlPaHoB f.11., MOMa IOA. TBep,[lOTeJIbHM 3J1eKl1XlHHKa. - M.: BbICIIIM
1976. - 178c. IIJKOJla, 1986. - 304c.
[24] CHMaIIlKeBH'1 A B. f eTeporrepeXO,[lbI Ha OCHOBe rroJlyrrpOBO,[lHHKOBbIX coe- [48] CTerraHeHKo H.TI. OCHOBbI MHKp03J1eKTpoHHKH. - M.: COBeTCKOe Pa,[lHO,
,[lHHeHHH A 2 B6 . - KHIIIHHeB: ll1THHHua, 1980. - 154 c. 1980. - 424c.
[25] Probleme actuale ale fizicii semiconductorilor. - Bucureşti: Editura Acade- [49] MaJlJlep P., KeHMHHa T. 3J1eMeHThI HmerpaJIbHbIX cxeM. - M.: MHp, 1989.-
miei RSR, 1970. - 463p. 630c.
[26] Anderson R.L. Experiments on Ge-GaAs heterojunction II Solid State Elec- [50] Zet Gheorghe, Ursu Dodu. Fizica stării solide. Aplicaţii în inginerie. -
tronics. 5, N 9-10, p.341-351, 1962. Bucureşti: Editura Tehnica, 1989.
[27] Perlman S.S., Feucht D.L. p - n heterojunctions II Solid State Electronics. [51] Rosado Luis. Electronica Fizica y Microc1ectronica. - Madrid: Paraninfo,
n, p.911-923, 1964. 1987. [POCMO JI. <1>H3HQeCKaH 3J1eKTpoHHKa H MHKp03J1eKTpoHHKa. - M.:
[28] Dolega V. Theorie p - n kontaktes zwischen Halbleitem mit verschiedenen BbICIIIaH II1KOJla, 1991. -350 c.]
[52] Badea M., Silard A, Popa E., Dan PA, Udrea-penea M., IosifN., Bre.zean~ Gh.
kristallgittem II Z.Naturforsch, 18a, N5, p.653-666, (1963). Diode şi Tiristoare de putere. VoI. 1. Performanţe - Bucureşti: Editura
[29] Rediker R.H., Stopek S., Ward 1.H. Interface-alloy epitaxial hetcrojunc tions
tehniCă 1988. 320 p.
II Solid State Electron. T7, N8, p.621, 1964. [51] Mimura T., Joshin K, Kuroda S. Device modeling ofHEMT's - Fujitsu Sci.
[30] Anderson R.L. Proc.Int.Conf. on the Phys. Chem. of semicond. hcterojunction
and Techn. 1., 1983, V. 19, N. 3, p. 243-276.
(Editor-in-chief G.Szigeti). voI 4. p.55. Acadcmiai Kiado, I Budapest, 1971.
[31] Riben AR., Feucht D.L. Electrical transport in nGe-pGaAs heterojunctions
II IntI. Electron. V.20, p.583-589, (1966).
[32] Dolocan Voicu. Fizica electronică a stării solide. - Bucureşti: Editura Aca-
demiei RSR, 1984. - 272p.
[33] C.J.M.Van. Opdorp Thesis, Technische Higeschool, Eindhoven, Netherlands,
1969.
[34] Newman P.e. Electronic Letters. 1,265 (1965).
[35] Dascălu D., Brezeanu Gh., Dan P. Contactul metal-semiconductor în micro -
electronica. - Bucureşti: Editura Academiei RSR, 1988. - 272p.
[36] Milns AG. Solid State Electron. 29, N 2, p.99 (1986).
[37] C.J.M.Van Opdorp Thesis, Technische Higeschool, Eindhoven, Netherlands,
1969.
[38] Newman P.e. Electronic Letters, 1,265 (1965).
[39] Riben AR., Feucht D.L. Solid State Electron. 9, 1055 (1966).
[40] Spânulescu Ion, Pârvan Radu. Principiile fizice ale microelectronicii. -
Bucureşti: Editura ştiinţifică şi enciclopedică, 1981. - 450 p.
[41] Dolocan Voicu. Fizica dispozitivelor cu corp solid. - Bucureşti: Editura AR,
1978. - 358 p.
[42] TIacblHKoB B.B., l.JHpKHH JI.K. TIOJlyrrpoBO,[lHHKOBble rrpH6opbI. - M.: BbIC-
II1<U1 II1KOJla, 1978. - 450c.

366
[

Comanda TIr. 634

F.E.P. "Tipografia Centrală"
MD-2068, Chişinău, str. Florilor l
Departamentul Edituri Poligrafie
şi Comerţul cu Cărţi