Elemente de electronică analogică

Jonctiunea pn la echilibru termodinamic

 Se determină:
- lungimea regiunii de trecere, l  l p  ln
- înălţimea barierei de potenţial, U 0

 Aproximaţii:
2 ni2
p p  n p p pnp  n i p p  Na np 
Na
ni2
nn  pn nn pn  ni2 nn  N d pn 
Nd
 Model unidimensional

Deducerea lungimii regiuni de trecere

Densitatea de sarcină electrică din regiunea de trecere:

 lp  x  0   q N a  p( x)  n( x )   qN a

0  x  ln   qN d  p( x)  n( x )  qN d

(în zona de trecere p (x) si n(x ) sunt neglijabile, regiune golită de purtători
mobili de sarcină)
Deci:
- pentru semiconductorul P:  2   qN a   qp p
Elemente de electronică analogică

- pentru semiconductorul N: 1  qN d  qnn

 Se determină variaţia lui u (x ) în regiunea de trecere: u2 ( x) şi u1 ( x )

 Se rezolvă ecuaţia lui Poisson u   (unde    r  0 este

permitivitatea electrică a materialului semiconductor) în cele două regiuni
şi se pun condiţiile de continuitate în origine.

Zona 2

d 2u2 ( x ) qp p
 cu condiţiile la limită:
dx 2 
du 2 ( x )
u 2 ( x) x  l  0 0
p dx x l p
Se integrează:
du2 ( x) qp p
 x  C1
dx 
rezultă:
qp p l p
C1 

adică:
du2 ( x) qp p
 x  l p 
dx 
Se integrează:
1 qp p
u 2 ( x) 
2 
x  l p   C2
2

rezultă:
1 qp p
C2  0 şi: u1 ( x )  x  l p 2
2 
Zona 1

d 2u1 ( x ) qn
2
 n
dx 
cu condiţiile la limită:
du1 ( x)
u1 ( x ) x l  U 0 0
n dx x ln
Elemente de electronică analogică

Se integrează:
du1 ( x ) qn
  n x  C3
dx 
rezultă:
qnn ln
C3 

adică:
du1 ( x) qn
  n  x  ln 
dx 
Se integrează:
1 qnn
u1 ( x )    x  ln 2  C4
2 
rezultă:
C4  U 0
şi:
1 qnn
u 2 ( x)  U 0   x  ln 2
2 
Racordarea soluţiilor:

 pentru: x  0  u1 (0)  u 2 (0) rezultă:

1 qp p 2 1 qnn 2 1 q
U0 
2 
lp 
2 
ln 
2
nn ln2  p p l p2  
du1 ( x) du ( x)
 pentru: x  0   2 rezultă:
dx x 0 dx x 0

qp p qnn
lp  l
  n
de unde:
lp nn
nn ln  p p l p sau: 
ln pp

 Deoarece: l  ln  l p , rezultă imediat:

pp nn
ln  l şi: lp  l
p p  nn p p  nn
Elemente de electronică analogică

Se înlocuiesc:

1q l 2 p 2p l 2 nn2 
U0   nn  pp
2   nn  p p 2 nn  p p 2 
 De aici se deduce lungimea zonei de trecere:

2U 0 p p  nn
l
q p p nn
Observaţii:
- lungimea de trecere este mică dacă zonele sunt dopate puternic;
- regiunea de trecere se extinde mai mult în zona mai puţin dopată cu
impurităţi.

Deducerea înălţimii barierei de potenţial

Varianta 1:

La echilibru termic:
dp
j p  qp p E  qD p 0
dx
dn
jn  qn n E  qDn 0
dx
Se deduc:
D p 1 dp kT 1 dp kT 1 dn
E  E
 p p dx q p dx q n dx
Dar:
du kT dp kT dn
E şi, prin artificiu elementar: du   
dx q p q n

Se integrează:
kT p ( x) kT n( x )
u ( x)   ln  ln
q pc q nc
pc , nc constante de integrare
Elemente de electronică analogică

Se explicitează concentraţiile de purtători:

qu ( x ) qu ( x )

kT kT
p( x )  pc e n( x)  nc e

Condiţii la limită:
x   u  0  p  pp; n  np  pc  p p ; nc  n p
x   u  U0  p  pn ; n  nn 
qU 0 qU 0

pn  p p e kT nn  n p e kT

Din ambele relaţii rezultă:

kT nn kT p p kT p p nn kT N a N d
U0  ln  ln  ln 2  ln
q np q pn q ni q ni2

Pentru valori tipice ale concentraţiilor de impurităţi, rezultă valori de

ordinul zecimi de V:

N a  1015 / cm3 ; N d  1018 / cm3 ; ni2  1020 / cm 6  U 0  0,777 V

Varianta 2:

Se foloseşte structura de benzi energetice ale semiconductorului:

 2  1
Se constată:  2  1  qU 0 ; U 0 
q
Elemente de electronică analogică

Dar:
W   1 W   2
 
kT kT
p (l n )  p n   p e ; p( l p )  p p   p e

W   1 W   2   2   1   qU 0
   2 1 
kT kT kT kT
pn   n e   ne  p pe  p pe

2 1   2  1 1   1  2  1
    2 
n( l p )  n p   n e kT   ne kT   ne kT e kT  nn e kT

Se obţin imediat relaţii identice cu acelea obţinute prin metoda

anterioară.