Punctul static de functionare la tranzistoare bipolare

1. Structura fizica a tranzistorului bipolar

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu două joncţiuni formate printr-o succesiune de 3 zone
pnp sau npn. Zona din mijloc a tranzistorului se numeşte bază (B) şi este realizată cu următoarele proprietăţi: este foarte
îngustă (de ordinul micronilor sau chiar zecimi de micron) şi are o dopare cu impurităţi mult mai mică decât regiunile
laterale. O zonă extremă, cu cea mai mare dopare cu impurităţi se numeşte emitor (E). Cealaltă zonă extremă se numeşte
colector (C).
Cele două joncţiuni ale unui tranzistor se numesc joncţiunea emitorului, respectiv joncţiunea colectorului. La
funcţionarea în regiunea activă (în care se manifestă proprietăţile de amplificare ale tranzistorului), joncţiunea emitorului
este polarizată în sens direct, iar joncţiunea colectorului în sens invers.

2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

În schemele de amplificare, precum şi în alte circuite electronice, tranzistorul este tratat ca un cuadripol activ, având
două borne de intrare şi două borne de ieşire. Dar tranzistorul are numai trei borne (terminale). Rezultă că, pentru a fi
utilizat într-un anumit circuit, de exemplu de amplificare, este necesar ca o bornă a tranzistorului să fie comună atât
circuitului de intrare cât şi circuitului de ieşire. În funcţie de electrodul folosit ca bornă comună, tranzistorul are trei
conexiuni posibile: bază comună (BC), emitor comun (EC) şi colector comun (CC).
Caracteristicile statice ale unui tranzistor exprimă legăturile dintre curenţii prin tranzistor şi tensiunile aplicate, în
regim staţionar. Dependenţele se pot exprima analitic, însă cel mai frecvent se dau sub formă grafică.
Principalele caracteristici ale tranzistoarelor sunt:

- familia caracteristicilor de ieşire, care dă dependenţa curentului din circuitul de ieşire în funcţie de tensiunea la bornele
de ieşire şi curentul din circuitul de intrare (ca parametru): iE = f(uE, ii);
- familia caracteristicilor de intrare reprezintă dependenţa curentului din circuitul de intrare ca funcţie de tensiunea de
intrare şi tensiunea de la bornele de ieşire (ca parametru): ii = f'(ui, uE);

Pentru reprezentarea completă a caracteristicilor tranzistorului bipolar, se dau uneori, într-o diagramă cu patru
cadrane, patru familii de caracteristici. Pe lângă cele două familii prezentate (cele de ieşire şi cele de intrare) se mai dau
şi două familii pentru caracteristici de transfer:

- iC = f3 (iB , uCB );
- uEB = f4 (uCB ,iB);

Caracteristicile tranzistorului depind de schema de conectare. In circuitele electronice, cea mai utilizată schemă de
conexiune a tranzistorului bipolar este EC. In această conexiune, familiile caracteristicilor de ieşire şi de intrare
reprezintă dependenţele:

- iC = f (uCE ,iB);
- iB = g (uBE , uCE);

Pentru a stabili dependenţa curentului de ieşire iC în funcţie de curentul de intrare iB , folosim relaţiile:

iC =αN iE + ICB0
 iB =(1 - αN ) iE - ICB0

Din cea de-a doua relaţie extragem iE şi înlocuim în prima relaţie:

i  I CB 0
iE  B
1N
Rezulta:
N I I
iC   i B  CB 0   N  i B  I CE 0 ; I CE 0  CB 0
1N 1 N 1N

N
In care  N  se numeşte factor de amplificare static în curent al tranzistorului, în conexiunea EC. Cum αN
1N
este foarte apropiat ca valoare de 1 (α N = 0,98, …, 0,998), factorul βN este relativ mare, între 30 şi 1000. Creşterea
tensiunii aplicate invers în circuitul colectorului produce o uşoară creştere a factorului α N .Aceasta provoacă însă o
modificare mult mai pronunţată a lui βN .

Regiunea de saturaţie a caracteristicii de ieşire este situată în cadranul I. In această regiune, caracteristicile de ieşire
ale tranzistorului sunt foarte apropiate. Pentru scări obişnuite, regiunea de saturaţie se reduce practic la o dreaptă, cu
înclinaţie apropiată de 90º, numită dreaptă de saturaţie.
Regiunea de blocare (tăiere), corespunde situaţiilor de polarizare inversă a joncţiunii emitor - bază. Riguros, regimul de
tăiere se obţine pentru iB = - ICB0.
Dacă se consideră situaţia în care emitorul şi colectorul îşi inversează rolurile, caracteristicile se extind în cadranul
III (tranzistor inversat). Apare regiunea activă inversă.
Pentru conexiunea EC se poate da o reprezentare în patru cadrane prin introducerea a două familii de caracteristici
de transfer:

- iC = f' (iB , uCE)

- uEB = f'' (uCE , iB)
 3. Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor statice ale tranzistorului

Concentraţiile purtătorilor minoritari din cele trei regiuni ale tranzistorului bipolar depind exponenţial (T 3/2) de
temperatura cristalului. Această particularitate determină o influenţă importantă a temperaturilor joncţiunilor asupra
caracteristicilor statice ale tranzistorului. Dintre efectele cele mai importante menţionăm:

- creşterea curentului de colector iC cu temperatura, având ca efect deplasarea spre în sus a curbelor din familia
caracteristicilor de ieşire. O influenţă deosebită o are creşterea substanţială cu temperatura a curentului de purtători
minoritari ICB0 . La tranzistoarele cu Si, curentul rezidual este extrem de mic, de ordinul nA, astfel că ponderea sa,
chiar la temperaturi ridicate, este mai mică decât la tranzistoarele cu Ge.

- micşorarea tensiunii emitor - bază (pentru iE = ct sau iB = ct), având ca efect modificarea caracteristicilor de intrare, atât
în schema BC, cât şi în EC.

- creşterea coeficientului static de amplificare αN şi implicit a coeficientului βN la majoritatea tranzistoarelor.

4. Stabilirea punctului static de funcţionare al tranzistorului

 Pentru funcţionarea corectă a tranzistorului bipolar într-un etaj de amplificare, tranzistorul trebuie să fie alimentat în
serie cu rezistenţa de sarcină, astfel încât să fie asigurată funcţionarea în regiunea activă a caracteristicilor de ieşire.
Asigurarea unui punct static de funcţionare în regiunea activă normală a caracteristicilor, caracterizat de curentul de
bază iB0 , curentul de colector iC0 şi tensiunea colector - emitor uCE0 , necesită polarizarea în sens de conducţie a joncţiunii
emitoare şi a joncţiunii colectorului în sens de blocare. Aceasta se poate realiza cu ajutorul a două surse EC şi EB .
Rezistenţa RB din circuitul bazei se alege astfel ca pentru o rezistenţă de sarcină RS ≡ RC şi o tensiune de colector EC date,
să se impună un punct de funcţionare convenabil, în regiunea activă admisibilă a caracteristicii statice.
Schema din Fig. 1 are dezavantajul că necesită două surse de alimentare care să asigure funcţionarea montajului, de
aceea se foloseşte rar.
Pentru realizarea etajului de amplificare, se poate utiliza şi o singură sursă de alimentare, prin care se stabileşte atât
polarizarea joncţiunii colectorului, cât şi polarizarea joncţiunii emitorului. Cea mai simplă situaţie constă în alimentarea
bazei de la sursa de colector EC , printr-o rezistenţă RB care asigură valoarea iB0 a curentului de bază (Fig. 2).

Presupunem că sunt date caracteristicile de ieşire ale tranzistorului (ca în Fig. 3) iC = f (uCE ,iB) precum şi mărimile
EC, RB şi rezistenţa de sarcină (de colector). Se pune problema determinării punctului static de funcţionare, definit prin
mărimile iB0 , iC0 şi uCE0. În acest scop, se scrie legea a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de colector şi pe circuitul de
alimentare a bazei.
EC = RC iC + uCE
EC = RB iB + uBE
Deoarece |uBE |<< EC , putem scrie: EC ≅ RB iB

Pentru deducerea punctului static de funcţionare în schema din Fig. 2, se rezolvă grafic sistemul:

iC = f (uCE ,iB)
EC = RC iC + uCE
EC ≅ RB iB
Din ultima ecuaţie a sistemului rezultă imediat:

iB0 ≅ EC / RB
In planul caracteristicilor de ieşire se face reprezentarea grafică a dreptei statice de sarcină (ecuaţia EC = RC iC + uCE).
Intersecţia dreptei statice de sarcină cu caracteristica corespunzătoare curentului iB0, determină punctul static de
funcţionare M, de coordonate uCE0 , iC0 .
 De asemenea, dacă se dă tensiunea EC şi punctul static de funcţionare, se pot calcula rezistenţele RC şi RB care să
asigure punctul static de funcţionare dat.
S-a arătat că variaţia temperaturii produce modificarea caracteristicilor statice ale tranzistoarelor. Considerând
modificarea temperaturii la o valoare mai ridicată, punctul static de funcţionare se modifică din M în M' (Fig. 3).
Curentul de colector creşte, iar |uCE |scade. O cerinţă importantă impusă circuitului de polarizare a tranzistorului, care nu
este îndeplinită de schema din Fig. 2, este asigurarea stabilităţii punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii.
Ţinând seama de influenţa temperaturii asupra curentului rezidual ICB0, tensiunii uEB (corespunzătoare unui curent iE
= const.) şi asupra factorului βN , precum şi de efectul acestor mărimi asupra curentului de colector exprimat de relaţia:

iC = iC (ICB0 , UEB , βN),

se obţine variaţia totală a curentului de colector, prin diferenţierea relaţiei şi trecerea la diferenţe finite:

iC iC i
iC  I CB 0    | U EB |  C  N
I CB 0  | U EB |  N
sau:
iC  S I  I CB 0  SU   | U EB |  S    N , unde

iC iC iC

SI  ; SU  ; S 
I CB 0  | U EB |  N

sunt factorii de sensibilitate ai curentului de colector, în raport cu ICB0 , |UEB| şi βN. Micşorarea variaţiei ΔiC , la
modificarea temperaturii, se realizează cu ajutorul unor scheme de polarizare a tranzistorului, care asigură stabilizarea
termică a punctului static de funcţionare.

5. Desfasurarea lucrarii
 A) Circuitul de test

R 2

2
4
JP1 5k6

C 2

1
3

2
1u
J9

J10
R 4 R 3
1
J11 18k 2 .2 m e g 2

1
J1
Q 1
C 1
1 1 2
2
1u
Q 2N 2222

R 5 R 1 C 3
PO T 1k5 22u
2

2
J6 J7 J8
0
1

1
0 0 0 0
Fig. 4

B) Circuite de polarizare

B.1 Studiul circuitului de polarizare cu rezistenta serie in baza

a) Se realizeaza montajul din Fig. 5 pentru tranzistorul Q1;

R 1 R 2 V1
15V
18K 5 .6 K

Q 1

Q 2N 2222

R 3
1 .5 K

0 0
Fig. 5

b) Se alimenteaza de la sursa VCC=15V ;Se masoara VCE si se deduce valoarea lui iC ;

c) Se repeta punctul b dupa ce in prealabil tranzistorul a fost incalzit, prinzandu-l intre degete si asteptand 2 – 3
minute ;
d) In circuitul de polarizare calculat si realizat pentru tranzistorul Q1 se inlocuieste Q1 cu unul de acelasi tip dar cu
B0 diferit (Q2 sau Q3). Se repeta masuratorile si se determina i C precum si diferentele ΔiC, ΔVCE fata de valorile masurate
cu tranzistorul initial.
 Rezultatele masuratorilor se vor sistematiza in tabelul de mai jos. Se va indica de fiecare data sensul in care trebuie
modificate rezistentele de polarizare pentru a readuce p.s.f al tranzistorului respectiv la i c= 2.7 mA, VCE = 4 V; ?

Tranzistorul B0 Temperatura VEM VCM VCE iC

capsulei
Q1 100 20°C
Q1 100 37°C
Q2 100 20°C
Q3 20°C
Q1 100 20°C
Q1 100 37°C
Q2 20°C
Q3 20°C
Tabelul 1

B.2 Studiul circuitului de polarizare cu rezistenta in emitor

a) Se realizeaza montajul din Fig. 6 pentru tranzistorul Q1;

Fig. 6

b) Se alimenteaza de la sursa V CC=15V. Se masoara tensiunea pe rezistenta din emitor (V EM) si tensiunea intre
colector si masa (VCM). Se deduce VCE si iC ;
c) Se repeta punctele B.1 c si d pentru noua configuratie de circuit. Rezultatele se sistematizeaza in Tabelul 1. Se
compara rezultatele obtinute cu cele din paragraful B.1 ;

B.3 Studiul circuitului de polarizare cu divizor de tensiune in baza

 a) Se realizeaza montajul din Fig. 7 pentru tranzistorul Q1;

Fig. 7
b) Se repeta masuratorile pentru noua configuratie ;

6. Simularea circuitelor de polarizare a tranzistorului bipolar

 Circuitul de polarizare al tranzistorului trebuie sa indeplineasca urmatoarele conditii :

- Sa asigure punctul static de functionare cerut (Ic ,Vce) specificat la o temperatura ambianta data ;
- Sa asigure stabilitatea p.s.f. la variatia parametrilor tranzistorului cu temperatura si datorita dispersiei de
fabricatie a parametrilor ;

6.1 Circuitul de polarizare cu rezistenta serie in baza

a) Rezistenta de intare

Pentru a calcula rezistenta de intrare se seteaza analiza Small-signal transfer function din meniul urmator:

La intrarea circuitului se introduce o sursa de excitatie in c.c care sa nu modifice PSF al circuitului.Astfel
se va calcula rezistenta de intrare la I_I1.
Rezultatele simularii sunt :

***SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
V(OUT)/I_I1 = -9.378E+05
INPUT RESISTANCE AT I_I1 = 3.997E+03
OUTPUT RESISTANCE AT V(OUT) = 5.182E+03

b) Analiza parametrica in functie de rezistenta din baza

Vom observa cum variaza punctul static de functionare al tranzistorului cu rezistenta din baza (Rb).
Circuitul pentru simularea analizei :

Vcc
R b R c 15
{R } 5 .6 k

out 0
Q 1
C 1

1u
Q 2N 2222
V2
VO FF = 0
VAM PL = 1
FR EQ = 1k R e
1 .5 k

0 0

Meniul pentru setarea analizei:

 Rezultatele analizei parametrice in functie de rezistenta din baza

15V

10V

5V

0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(Q1:c)
Time

3.0mA

2.0mA

1.0mA

0A
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time
 b) Analiza parametrica in functie de amplitudinea sursei de la intrare

Aceasta analiza ne permite sa vedem influenta circuitului asupra semnalului de iesire la variatii ale
amplitudinii semnalului aplicat la intrare
Circuitul pentru analiza :

Vcc
R b R c 15
2m eg 5 .6 k

out
Q 1
C 1
0
1u
Q 2N 2222
V2
VO FF = 0
V A M P L = {A }
FR EQ = 1k

0 0

Meniul pentru setarea analizei:

 a) Rezultatele analizei parametrice in functie de amplitudinea sursei de la intrare

15V

10V

5V

0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(OUT)
Time

3.0mA

2.0mA

1.0mA

0A
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time

b) Analiza de temperatura 
 Circuitul pentru simularea analizei 

v cc

R b1 R c1
2m eg 5 .6 k

o u t1
Q 2
C 2

1u
Q 2N 2222
VO FF = 0 V3

VAM PL = 100m

F R EQ = 1k

0 0
Analiza s-a efectuat pentru -40 -20, 0, 20, 37, 50, 100 grade Celsius.

Rezultatele analizei de temperatura :

15.00

14.98

14.96

14.94
-40° -20° 0° 20° 40° 60° 80° 100°
max(v(out1))
Temperature
2.6744m

2.6743m

2.6742m

2.6741m
-40° -20° 0° 20° 40° 60° 80° 100°
max(- I(Rc1))
Temperature

6.2 Circuitul de polarizare cu rezistenta in emitor

a) Rezistenta de intrare
 Circuitul pentru simularea analizei :

V1
R b R c 15
18k 5 .6 k

out
Q 1 0

I1 Q 2N 2222

0Adc

R e
1 .5 k

0 0

Rezultatele analizei :
**** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
V(OUT)/I_I1 = 1.095E+03
INPUT RESISTANCE AT I_I1 = 1.148E+03
OUTPUT RESISTANCE AT V(OUT) = 1.114E+03

b) Analiza parametrica in functie de rezistenta din baza:

Circuitul pentru simularea analizei:

Vcc
R b R c 15
{R } 5 .6 k

out 0
Q 1
C 1

1u
Q 2N 2222
V2
VO FF = 0
VAM PL = 1
F R EQ = 1k R e
1 .5 k

0 0
 a) Rezultatele analizei parametrice in functie de rezistenta din baza:

16V

12V

8V

4V

0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(OUT)
Time

3.0mA

2.0mA

1.0mA

0A

-1.0mA
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time
 b) Analiza parametrica in functie de amplitudinea sursei de la intrare

Circuitul pentru simularea analizei :

Vcc
R b R c 15
2 .2 m e g 5 .6 k

out
C 1
Q 1 0
V

1u
Q 2N 2222
V2
VO FF = 0
V A M P L = {A }
FR EQ = 1k R 3
1 .5 k

0 0

a) Rezultatele analizei parametrice in functie de amplitudinea sursei de la intrare

14V

12V

10V

8V

6V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(OUT)
Time
15

10

0
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time

c) Analiza de temperatura 

Circuitul pentru simularea analizei 

 v cc

R b1 R c1
2 .2 m e g 5 .6 k

o u t1
Q 2
C 2

1u
Q 2N 2222
VO FF = 0 V3

VAM PL = 100m
R 4
F R EQ = 1k
1 .5 k

0 0

Analiza s-a efectuat pentru -40 -20, 0, 20, 37, 50, 100 grade Celsius.

Rezultatele analizei  de temperatura :

12

11

10

8
-40° -20° 0° 20° 40° 60° 80° 100°
max(v(out1))
Temperature
1.4m

1.2m

1.0m

0.8m

0.6m
-40° -20° 0° 20° 40° 60° 80° 100°
max(-I(Rc1))
Temperature

6.3 .Circuit de polarizare cu divizor in baza si rezistenta in emitor

a) Rezistenta de intrare 
 Circuitul pentru simularea analizei :
V1
R b1 R c 15
18k 5 .6 k

out 0
Q 1

Q 2N 2222

I1

0Adc
R b2 R e
4 .7 k 1 .5 k

0 0 0

Rezultatele simularii :
**** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
V(OUT)/I_I1 = -1.344E+04
INPUT RESISTANCE AT I_I1 = 3.668E
OUTPUT RESISTANCE AT V(OUT) = 5.581E+03

b) Analiza parametrica in functie de rezistenta din baza(Rb1)

Circuitul pentru simularea analizei:

Vcc
R b1 R c 15
{R } 5 .6 k

out
C 1
Q 1 0
V

1u
Q 2N 2222
V2
VO F F = 0
VAM PL = 1
FR EQ = 1k
R b2 R e
4 .7 k 1 .5 k

0 0 0

Rezultatele analizei parametrice in functie de rezistenta din baza(Rb1)

16V

12V

8V

4V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(OUT)
Time

2.0mA

1.0mA

0A

-1.0mA
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time

c) Analiza parametrica in functie de amplitudinea sursei de la intrare :

 Circuitul pentru simularea analizei :
Vcc
R b1 R c 15
20k 5 .6 k

out 0
Q 1
C 1

1u
Q 2N 2222
V2
VO FF = 0
V A M P L = {A }
F R EQ = 1k R b2 R e
4 .7 k 1 .5 k

0 0 0

Rezultatele analizei parametrice in functie de amplitudinea sursei de la intrare 

7.4V

7.2V

7.0V

6.8V

6.6V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(OUT)
Time
1.50mA

1.45mA

1.40mA

1.35mA
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
IC(Q1)
Time

d) Analiza de temperatura 
 Circuitul pentru simularea analizei

v cc

R b3 R c1
20k 5 .6 k

o u t1

Q 2
C 2

1u
Q 2N 2222
VO FF = 0 V3

VAM PL = 100m
R b4 R e1
FR EQ = 1k
4 .7 k 1 .5 k

0 0 0
 
Analiza s-a efectuat pentru -40 -20, 0, 20, 37, 50, 100 grade Celsius.

Rezultatele analizei de temperatura.

8.0

7.6

7.2

6.8
-40° -20° 0° 20° 40° 60° 80° 100°
max(v(out1))
Temperature

1.60m

1.55m

1.50m

1.45m

1.40m
-40° -20° 0° 20° 40° 60° 80° 100°
max(-I(Rc1))
Temperature
 BIBLIOGRAFFIE:

1) Ovidiu Aurel Pop -“Proiectare asistata de calculator”,Editura Mediamira 2007

2) C. Miron, F. Koos - “Dispozitive si circuite electronice”, Institutul Politehnic

Cluj – Napoca, 1980

3) Serban Lungu, Niculae – Corvin Palaghita - ”Dispozitive si circuite electronice : indrumator de laborator”,
Institutul Politehnic Cluj – Napoca, 1983

4) http://www.utgjiu.ro/ing/down/dce1-lucrarea06.pdf