Celule de memorie cu tranzistoare MOS (RAM static)

A. Neselectat: WL = 0 , T5 si T6 sunt blocate.

B. Citire: WL =1, T5 si T6 sunt deschise. Starea bistabilului poate fi citita pe liniile de bit DL si cu
ajutorul rezistentelor de citire exterioare celulei, Rs.
C. Scriere: WL =1 , Se forteaza cu circuite adecvate liniile DL si la valoarea binara dorita.

Un dezavantaj important este faptul ca aceasta celula necesita doua tensiuni de alimentare
deoarece pentru conductia tranzistoarelor T1 si T2 de tipul MOS , grilele trebuie sa se afle la
potential pozitiv fata de sursele tranzistoare.

Structura celulei de memorie poate fi simplificata considerabil daca pentru stocarea informatiei
se foloseste sarcina acumulata intr-un condensator, facand, de exemplu, conventia: 0-
condensator descarcat, 1- condensator incarcat.

Este posibila eliminarea tranzistoarelor de sarcina din bistabil, starea logica ramanand memorata
datorita sarcinii acumulate in cele doua tranzistoare. C1 si C2 sunt de fapt capacitatile grila-sursa
ale tranzistoarelor T1 si T2.

Memorii dinamica cu tranzistoare MOS (RAM dinamic)

C apacitatea Cs este realizata independent de
tranzistor. Selectia se face prin deschiderea
tranzistorului (+ pe WL).

Datele sunt citite sau inscrise pe linia de bit DL.

A. Starea neselectata are loc pentr R/WL la potential

scazut.
 B. Citire: daca linia R/WL este conectata la un potential ridicat ,T3 conduce si se poate sesiza
starea lui T1.
C. Inscrierea: cu un impuls pozitiv pe linia W/WL, T2se deschide iar potentialul liniei de bit este
transmis capacitatii C.
D. Reimprospatarea sarcinii: in acest caz nu se mai face automat la citire deoarece lipseste
bistabilul.

Celula de memorie ROM

Tensiunea de prag a tranzistoarelor difera in functie de
informatia inscrisa. Daca la un impuls pozitiv pe grila
tranzistorului conduce, atunci informatia este 0, daca ramane
blocat, informatia este 1. Deschiderea sau nu a tranzistorului se
face prin realizarea unor tranzistoare cu tensiuni de prag
diferite.

Celule de memorie PROM

Celulele de memorie PROM (Programable Read Only
Memory) au la baza un fuzibil din polisiliciu care se arde la
inscriere.

Pentru inscriere se deschide T cu ajutorul WL , iar DL se

mentine la potential coborat, curentul de emitor arde
fuzibilul.

Programarea se face succesiv pe fiecare celula sau pe toata

linia.

Acest tip de memorie se utilizeaza pe scara larga in productia

de serie a sistemelor deoarece sunt cele mai ieftine memorii ROM.

Celule de memorie EPROM

Eraseable Read Only Memory folosesc un tranzistor cu efect de
camp cu dubla poarta, una comandata si una izolata. Tranzistorul
MOS cu canal initial este realizat intre cele doua regiuni n. Poarta
izolata se gaseste in apropierea substratului si a regiunilor n+.

A doua poarta situata deasupra primeia, constituie in acelasi timp

si selectia liniei iar drena este conectata pe linia de date.

Tensiunea VDS mare duce la strapungerea tranzistorului si

electronii accelerati de campul electric intern intens, trec prin
stratul de oxid foarte subtire si se acumuleaza in grila izolata.

Pentru stergerea informatiei din celula si revenirea in stare neprogramata se expune tranzistorul la
actiunea radiatiei ultraviolete.
Clelule de memorie EEPROM
Electricaly Eraseable Read Only Memory au la
baza un principiu asemanator cu celulele de
memorie EEPROM, cu deosebirea ca pentru trecerea
electronilor prin stratul izolator se utilizeaza efectul
tunel.

Pentru stergere se aplica tensiune pozitiva(+20v)

pe linia de selectie cuvant, punand in conductie
tranzistorul T2.

Pentru inscriere se aplica +20v pe linia de selectie

cuvant(WL) si +18V in drena lui T2, in timp ce linia de programare este la 0.

Memorii FLASH

FLASH utilizeaza tranzistoare cu poarta flotanta ca si EEPROM.

Celulele flash NOR sunt conectate in paralel si pot fi operate individual