Curs 05

Tranzistoare bipolare si
tranzistoare MOS
Tranzistorul bipolar

Simbolul electronic al tranzistoarelor bipolare.

 Marimile electrice la terminalele tranzistoarelor

3 curenţi – curenţii prin cele 3 terminale:

iE – curentul de emitor
iB – curentul de bază
iC – curentul de colector
3 tensiuni – tensiunile între terminalele
tranzistoarelor:
vBE – tensiunea bază-emitor
vBC – tensiunea bază-colector
vCE – tensiunea colector-emitor

Ecuatiile de functionare

iE  iB  iC vBE  vBC  vCE NPN v 

iC  I S  exp BE 
vEB  vCB  vEC PNP  VT 
 Regiuni de functionare

• REGIUNEA ACTIVĂ NORMALĂ (RAN):

– condiţia de funcţionare: vBE > 0V şi vBC < 0V
– în această regiune tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru prelucrarea analogică
semnalelor (informaţiilor), fiind singura regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar
poate AMPLIFICA LINIAR semnale (se va reveni asupra acestui amănunt, care stă la baza
construirii amplificatoarelor cu tranzistoare bipolare);
• REGIUNEA DE SATURAŢIE:
– condiţia de funcţionare: vBE > 0V şi vBC > 0V
– în această regiune de funcţionare vCE < 0,1V
– este o regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru prelucrarea
digitală a semnalelor sau pentru generarea semnale digitale (biţi);
• REGIUNEA DE BLOCARE:
– condiţia de funcţionare: vBE < 0V şi vBC < 0V
– în această regiune de funcţionare toţi curenţii sunt zero
– este o regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru prelucrarea
digitală a semnalelor sau pentru generarea semnale digitale (biţi);
• REGIUNEA ACTIVĂ INVERSĂ:
– condiţia de funcţionare: vBE < 0V şi vBC > 0V
– în această regiune de funcţionare, tranzistorul poate fi utilizat pentru prelucrarea analogică a
semnalelor (informaţiilor), dar, datorită amplificării foarte slabe a semnalelor, se evită
utilizarea tranzistorului în această regiune;
 Modelarea functionarii tranzistorului bipolar in RAN si in regim variabil
de semnal mare

Ecuatiile modelului:

vBE  VD  0,6V

Circuitul echivalent care modelează comportamentul

tranzistorului bipolar în RAN si in regim variabil de
semnal mare; VD0,6V

 = factorul (coeficientul) de amplificare în curent:

variaza puternic cu variatia temperaturii;
prezinta dispersie tehnologica
 Modelarea functionarii tranzistorului bipolar in regim variabil de semnal
mic: Vbe<13mV

Circuitul echivalent a modelului în regim

Circuitul echivalent a modelului în regim variabil de
variabil de semnal mic, pentru frecvenţe
semnal mic, pentru frecvenţe joase si medii.
înalte.

panta tranzistorului rezistenta de semnal mic dintre baza si emitor


I
gm  C  g m   Siemens  Amper r   r   
VT Volt gm

Vbe reprezinta amplitudinea tensiunii intre baza si emitor; nu trebuie confundata cu valoarea VBE
care reprezinta tensiunea continua dintre baza si emitor si are valoarea de aproximativ 0,6V
 Tranzistorul MOS

• În funcţie de structură, există două categorii de tranzistoare MOS:

– ca canal indus
– cu canal iniţial

• în funcţie de tipul canalului, aceste tranzistoare MOS sunt de 2 tipuri

şi anume:
– cu canal de tip N
– cu canal de tip P
Simbolul electronic al tranzistoarelor MOS.
 Mărimile electrice ale tranzistorului MOS

• 1 curent – curentul care este generat între DRENĂ şi SURSĂ:

– iD – curentul de drenă

• 3 tensiuni – tensiunile între terminalele tranzistoarelor:

– vGS – tensiunea grilă-sursă
– vGD – tensiunea grilă-drenă
– vDS – tensiunea drenă-sursă
 Funcţionarea tranzistorului MOS.

REGIUNEA DE BLOCARE: condiţia de funcţionare: vGS < VTH (canal N)

iD  0

REGIUNEA LINIARĂ: condiţia de funcţionare: vGS > VTH şi vDS < vGS - VTH
 v 
i D  2  k   v GS  VTH  DS   v DS
 2 

REGIUNEA DE SATURAŢIE: condiţia de funcţionare:

vGS > VTH şi vDS > vGS - VTH

i D  k   v GS  VTH  2

VTH = tensiune de prag; k = parametru constructiv al tranzistorului

 Modelarea funcţionării tranzistorului MOS.

Circuitul echivalent a modelului în regim Circuitul echivalent a modelului în regim

variabil de semnal mic, pentru frecvenţe variabil de semnal mic, pentru frecvenţe
joase şi medii. înalte.

g m  2 k  ID  g m   Siemens  Amper panta tranzistorului

Volt
 Curs 06

Circuite de polarizare pentru

tranzistoare
 Rolul circuitelor de polarizare pentru
tranzistoare
• stabilesc regimul de funcţionare al tranzistorului

• impun PUNCTUL STATIC DE FUNCTIONARE al tranzistoarelor =

valorile marimilor electrice CONTINUE prin terminalele acestora;
PSF-ul tranzistorului ofera informatii despre regiunea in care
functioneaza tranzistorul:
– Tranzistor bipolar: PSF=(IC, VCE)
– Tranzistor MOS: PSF=(ID, VDS)
– Tranzistoarele trebuie polarizate astfel incit sa functioneze in:
• Tranzistor bipolar: Regiunea Activă Normală
• Tranzistor MOS: Regiunea de Saturaţie

• Asigura independenta PSF-ului de variatia conditiilor de lucru:

variatii de temperatura, dispersia tehnologica a parametrilor
componentelor, variatia tensiunii de alimentare.
 Circuit elementar de polarizare cu rezistor în bază

Sursa de alimentare: sursa

de tensiune continua

Rezistoare de polarizare

Valorile punctului static de functionare Tranzistorul functioneaza in RAN daca:

V  VBE VCE  VCC  IC  RC 0,5V  VCE  VCC  1V
IC    CC
RB

 = variaza puternic cu variatia temperaturii si prezinta dispersie tehnologica => IC

depinde direct proportional cu  => PSF-ul variaza
 Metoda de calcul a PSF-ului pentru tranzistorul bipolar
1. Se calculeaza IC: se identifica tensiunea VBE
si se aplica TK2 pe bucla de circuit care contine
IC aceasta tensiune si nu contine tensiunile VBC
si VCE:
RB RC RB I BVBE  VCC  0
Se presupune ca TB functioneaza in RAN:
IB I V  V BE
+
VCE VCC IB  C I C  β  CC
- β RB

VBE 2. Se calculeaza VCE: se identifica tensiunea

VCE si se aplica TK2 pe bucla de circuit care
contine aceasta tensiune si nu contine
tensiunea VBC:
RC I C VCE  VCC  0 VCE  VCC  RC I C
3. Se verifica daca tranzistorul functioneaza in
RAN: 0 ,5V  V  V  1V
CE CC
Exemplul 1: a. Să se determine PSF-ul tranzistorului pentru cazul în care VCC=10V, RB=1M,
RC=2.2k, iar =100. să se verifice dacă tranzistorul funcţionează în RAN. b. Să se
recalculeze PSF-ul tranzistorului pentru cazul în care, în urma variaţiei temperaturii la care
lucrează circuitul, valoarea lui  s-a modificat la valoarea =480. Să se verifice dacă
tranzistorul funcţionează în RAN.

V  VBE 10[V ]  0,6[V ] 940[V ]

I C    CC  100    0,94[mA]
RB 1000[k] 1000[k]
VCE  VCC  RC I C 10[V ]  2,2[k]  0,94[mA] 
 10[V ]  2,11[V ]  7,93[V ]
0,5[V ]  VCE  VCC  1[V ]  0,5V  7,93[V ]  9[V ]  ADEVARAT TB functioneaza
in RAN

V  VBE 10[V ]  0,6[V ] 4512[V ]

I C    CC  500    4,512[mA]
RB 1000[k] 1000[k]
VCE  VCC  RC I C 10[V ]  2,2[k]  4,512[mA]  0,0736[V ]
TB NU
0,5[V ]  VCE  VCC  1[V ]  0,5V  0,0736[V ]  9[V ]  FALS
functioneaza in
RAN
Circuit elementar de polarizare cu rezistor în emitor

Valorile punctului static de functionare

IC 
  VCC  VBE  VCE  VCC  IC   RC  RE 
  RE  RB
Tranzistorul functioneaza in RAN daca:

Daca β  RE  10  RB 0 ,5V  VCE  VCC  1V

V  VBE Pentru acest circuit, aceste conditii nu pot fi

I C  CC
RE indeplinite simultan => PSF-ul variaza
 Circuit elementar de polarizare cu divizor rezistiv în
bază

Valorile punctului static de functionare

  VBB  VBE  VCE  VCC  IC   RC  RE 
IC 
  R E  RB
Tranzistorul functioneaza in RAN daca:

Daca β  RE  10  RB 0,5V  VCE  VCC  1V

V  VBE Pentru acest circuit, aceste conditii pot fi

R B1 I C  BB
VBB   VCC RE
R B1  R B 2 indeplinite simultan => PSF-ul nu variaza
R B1  R B 2
RB 
R B1  R B 2
 Circuite de polarizare pentru tranzistoarele MOS
Circuit cu autopolarizare a grilei –
Circuit de polarizare cu valabil numai pentru tranzistoarele
divizor rezistiv in grila MOS cu canal iniţial.

Tranzistorul functioneaza in regiunea

de saturatie daca:

VGS  VTH VDS  VGS  VTH

 Metoda de calcul a PSF-ului pentru tranzistorul MOS - 1

0. Se calculeaza curentul prin divizorul rezistiv

din grila tranzistorului MOS:
RG RD
2
I
IG=0 + RG 2  I  RG1  I  VDD  0
- VDD VDD
I  I 
RG1  RG 2
RG
1 RS
 Metoda de calcul a PSF-ului pentru tranzistorul MOS - 2

1. Se calculeaza ID: se identifica tensiunea VGS

si se aplica TK2 pe bucla de circuit care contine
aceasta tensiune si nu contine tensiunile VGD
si VDS:
RG RD
2 RS I D RG1  I  VGS  0
+ Se presupune ca MOS functioneaza in
- VDD regiunea de saturatie:
I
ID I D k  VGS  VTH  2
VGS
RG Se rezolva sistemul in necunoscuta VGS,
1 RS pentru care se alege solutia care este mai
mare decit VTH (daca nu exista o astfel de
solutie => tranzistorul functioneaza in
regiunea de blocare => ID=0); apoi se
determina ID
 Metoda de calcul a PSF-ului pentru tranzistorul MOS - 3

ID 2. Se calculeaza VDS: se identifica tensiunea

VDS si se aplica TK2 pe bucla de circuit care
RG RD contine aceasta tensiune si nu contine
2 tensiunea VGD:

RD I DVDS  RS I DVDD  0
VDS
VDD VDS  VDD   RD  RS  I D
+
-
ID
RG 3. Se verifica daca tranzistorul functioneaza in
regiunea de saturatie:
1 RS
VDS  VGS  VTH
Exemplul 2: Să se determine PSF-ul tranzistorului pentru cazul în care VDD=10V, RG1=RG2
=100K, RD=3.3k, RS= 1k iar VTH=1V si k=0,1mA/V2. Să se verifice dacă tranzistorul
funcţionează în regiunea de saturatie.

VDD 10[ V ] 10[ V ]

I  I   0,05[ mA ]
RG1  RG 2 100[ k ]  100[ k ] 200[ k ]

RS I D RG1  I  VGS  0 1[ k ] I D5[ V ]  VGS  0

I D k  VGS  Vth  2  mA 
I D 0,1 2   VGS  1[V ] 2
V 

2 VGS4V
0,1  VGS  0,8  VGS  4,9  0
VGS-12V < VTH

 mA  VDS  10[ V ]  4,3[ k ]  0 ,9[ mA ]

I D 0 ,1
2
  4 [ V ]  1[ V ]  2
 0,9[ mA ] VDS  10[ V ]  3,87[ V ]  6,13[ V ]
V 
VDS  VGS  VTH 6,13[ V ]  4[ V ]  1[ V ]  3[ V ]  ade var at