ANTENE MICROSTRIP

Curs Antene si Propagare – 12

INTRODUCERE
 Sunt utilizate pe avioane de performanta (de mare viteza), pe sateliti si pe rachete,
deci in general in aplicatii spatiale
 In general in toate aplicatiile unde dimensiunea, greutatea, performantele, profilul
aerodinamic, usurinta instalarii si costul sunt elemente cheie
 Antenele microstrip pot fi planare sau nu si se fabrica folosind o tehnologie
fotolitografica
 Are o forma robusta pentru ca este realizata pe substrat dielectric care confera
rigiditate mecanica
 Sunt compatibile cu circuitele integrate monolitice de microunde
 Sunt versatile din punct de vedere al frecventei de rezonanta, al polarizatiei, al
impedantei de intrare si al rezistentei de radiatie
INTRODUCERE
 Dezavantajele majore sunt eficienta scazuta, puritatea scazuta a polarizatiei,
radiatiile nedorite la nivelul elementului de alimentare si banda ingusta de
frecventa
 Totusi, prin metode specifice, cum este cresterea grosimii substratului, se pot
creste de exemplu banda si eficienta. Apar insa undele de suprafata (nedorite)
care preiau din puterea pentru radiatie a undelor spatiale
 Undele de suprafata se propaga prin substrat si sunt imprastiate la curbe si la
discontinuitatile suprafei (marginea dielectricului si a planului de masa),
degradand caracteristica antenei si afectand polarizatia
 Aceste unde de suprafata pot fi eliminate, mentinand banda largita, prin folosirea
cavitatilor
CARACTERISTICI DE BAZA
 Imagini
CARACTERISTICI DE BAZA
 Avem deci o banda metaliza subtire (grosimea sa t este mult mai mica decat
lungimea de unda in spatiul liber ) numita patch, pozitionata la o anumita
inaltime h deasupra planului de masa (de obicei )
 Patchul este proiectat astfel incat maximul caracteristicii sa fie normal pe planul
sau. Acest lucru se realizeaza prin alegerea corecta a modului ( deci a
configuratiei campului) excitatiei de sub patch. Se pot obtine insa si maxime in
planul antenei prin alegerea modului
 Pentru un patch dreptunghiular, uzual lungime L a benzii este limitata la
 Intre patch si planul de masa exista o foaie de dielectric numita substrat
 Exista multe tipuri de substrat, cu
CARACTERISTICI DE BAZA
 Sunt de preferat dielectricele subtiri cu permitivitatea electrica relativa in zona de
jos a gamei de valori. Acestea asigura o eficienta mai buna si o banda mai larga,
campuri la granita fara pierderi pentru radiatia in spatiu, insa necesita ca
dimensiunea antenei sa fie mare

 Substraturile subtiri cu constanta dielectrica mare, pe de alta parte, sunt dorite

pentru circuitele de microunde, deoarece acestea necesita campuri la granita
stranse penru a reduce radiatiile si cuplajele nedorite, si pentru a obtine
dimensiuni ale elementelor mai mici. Totusi, datorita pierderilor ridicate, acestea
sunt ineficiente si au banda ingusta
METODE DE ALIMENTARE
 Cele mai des intalnite metode de alimentare sunt: cu linie microstrip, cu cablu
coaxial, prin linii cuplate si prin cuplaj printr-o fanta
METODE DE ALIMENTARE
 Linia microstrip de alimentare este si o banda conductoare, cu latimea mult mai
mica decat cea a patchului. Se poate fabrica usor, adaptarea realizandu-se daca
mutam linia de intersectie in interiorul patchului
 Totusi, daca grosimea substratului creste, undele de suprafata si radiatiile nedorite
ale alimentarii cresc, conducand la o bada mica (2-5%)

 Alimenentarea cu cablu coaxial se face legand conductorul intern al coaxialului la

patch, iar pe cel extern la planul de masa. Este preferata atunci cand grosimea
substratului este mare

 Ambele modele de mai sus prezinta asimetrii, care genereaza moduri de ordin
superior ce conduc la radiatie cross-polarizata. Acesta este motivul pentru
introducerea urmatoarelor 2 metode de alimentare
METODE DE ANALIZA
 Cele mai populare metode de analiza folosite in teoria antenelor patch sunt
metoda liniei de transmisiune si metoda cavitatii

 Metoda liniei de transmisiune este cea mai simpla, insa are acuratete scazuta, iar
modelarea cuplajului este dificila

 Metoda cavitatii este mai precisa, insa si mai complexa. Nici ea nu permite o
modelare simpla a cuplajului, insa exista cateva exemple in literatura de
specialitate in care a fost utilizata cu success

 Vom aplica cele 2 metode in analiza patchului dreptunghiular

PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Modelul liniei de transmisiune reprezinta antena microstrip prin 2 benzi, separate
de o linie de transmisiune de lungime L cu impedanta caracteristica mica Zc.
 Deoarece patchul are dimensiuni finite pe lungime si latime, campurile la
marginea patchului produc linii de camp si in exteriorul structurii (fig: linii de
camp electric). Aceeasi observatie se aplica si de-a lungul latimii
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Acest efect (de margine) este dependent de raportul L/h si de permitivitatea
electrica a substratului, si chiar daca pentru antena microstrip acest raport este
mult mai mare decat 1, totusi efectul acesta (redus) trebuie considerat pentru ca
influenteaza frecventa de rezonanta a antenei
 Cum se poate observa din figura, majoritatea liniilor de camp electric sunt in
dielectric (daca ), insa exista si linii in aer. Se poate spune ca linia
microstrip are dimensiuni electrice mai mari decat dimensiunile fizice
 Energia se propaga atat prin dielectric, cat si prin aer, deci vitezele de grup si faza
pe o astfel de structura depind de permitivitatea relativa a celor 2 medii. Se poate
defini astfel pentru o linie microstrip o permitivitate efectiva
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Acesta permitivitate efectiva este definita ca permitivitatea electrica a unui
material dielectric uniform care ar face linia echivalenta sa produca caracteristici
electrice identice si aceeasi constanta de propagare cu linia initiala

 Pentru linii cu aer deasupra,

 Daca
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Permitivitatea efectiva este si o functie de frecventa. Pe masura ce frecventa de
lucru creste, majoritatea liniilor electrice se concentreaza in substrat. Linia
microstrip devine in acest caz o linie omogena cu un singur dielectric (substratul),
permitivitatea efectiva apropiindu-se de permitivitatea relativa a dielectricului
substratului
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Cum se poate observa din figura, permitivitatea efectiva pleaca la frecvente joase
de la o valoare statica, constanta, si urca la frecvente inalte catre valoarea
permitivitatii electrice a substratului. Valoarea statica este data de

 Asa cum spunea, datorita efectului de margine, lungime electrica a antenei

microstrip este mai mare decat lungimea sa fizica. Extinderea se face la fiecare
margine cu o lungime dependenta de permitivitatea efectiva si de raportul W/h
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Se poate calcula

 unde L este λ/2 pentru modul dominant, fara efectul de margine

PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Fara efectul de margine, frecveta de rezonanta a antenei microstrip este

 insa luand in considerare si efectul de margine, ea devine

 In concluzie: daca h creste, atunci efectul de margine creste, deci lungimea

electrica se modifica si frecventa de rezonanta scade
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Pentru proiectarea unei antene microstrip dreptunghiulare
 Se specifica
 substratul, adica permitivitatea relativa si grosimea h

 Frecventa de rezonanta

 Se determina
 Lungimea L

 Latimea W

 Pana acum, modelul liniei nu a introdus nicio constrangere asupra latimii W. Insa
valoarea lui W, raportala la lungime L, afecteaza eficienta radiatiei. Pentru o
eficienta a radiatiei buna, se poate considera
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Exemplu: proiectati o antena patch dreptunghiulara, folosind un dielectric cu
, care sa rezoneze la 10 GHz
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Un ultim aspect legat de antena patch dreptunghiulara este modalitatea de
alimentare, legata direct de adaptarea la intrarea antenei
 Fiecarei benzi radiante i se asociaza o admitanta echivalenta paralela Y (cu
conductanta G si susceptanta B)
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Se poate scrie

 Admitanta totala a benzii 1 (admitanta de intrare) se obtine prin transferarea

admitantei benzii 2 a terminalelor de iesire la terminalele de intrare. Ideal, cele 2
benzi s-ar gasi la λ/2, unde λ este lungimea de unda in dielectric. Din cazua
efectului de margine insa, lungimea electrica este mai mare decat lungimea fizica,
cele 2 benzi aflandu-se la mai putin de λ/2
 Tipic, pentru , admitanta transformata a benzii 2 devine
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Rezulta deci o admitanta totala de intrare reala, impedanta totala de intrare fiind
de asemenea reala

 Relatia de mai sus nu tine cont de efectul cuplajului mutual intre benzi. Se poate
introduce insa un termen de corectie G12

 Cum s-a aratat pana acum, rezistenta de intrare nu este puternic dependenta de
grosimea substratului h. De fapt, pentru valori mici ale lui h (k0h<<1) rezistenta
de intrare este chiar independenta de h. Se poate observa in schimb ca rezistenta
de intrare la rezonanta poate fi scazuta prin cresterea latimii W a patchului. Se
poate aplica insa cat timp W/L <2 (apoi eficienta scade)
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
LINIEI DE TRANSMISIUNE
 Rezistenta de intrare, pana in acest moment, a fost considerata la banda 1. Se
poate arata insa ca rezistenta de intrare la rezonanta se poate modifica prin
folosirea unei alimentari ce patrunde in patch
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
CAVITATII
 In acest model, patchul este vazut ca o cavitate rezonanta umpluta cu dielectric,
limitata de conductori electrici (sus si jos) si de pereti magnetici (pe celelalte 4
suprafete de-a lugul perimetrului sau).
 Este deci un model aproximativ, care conduce in principal la o impredanta de
intrare reactiva, si care nu radiaza putere
 Totusi, considerand campurile reale ca aproximari ale acelora ale modelului,
caracteristica antenei, admitanta de intrare si frecventele de rezonanta calculate
devin apropiate de cele masurate
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
CAVITATII
 Frecventele de rezonanta sunt calculate in functie de numerele de unda critice
partiale

 unde m, n, p indica cate semi-alternante ale distributiei de curent au loc in

lungimea fiecarei dimensiuni.
 Acestea sunt numere intregi, nu se pot anula simultan si sunt alese astfel incat
L>W>h
 Valoarea minima a frecventei de rezonanta se obtine pentru combinatia (0,1,0) si
corespunde modului fundamental (dominant)

 Daca in plus , urmatorul mod este (0,0,1) cu

PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
CAVITATII
 Continuand, avem modul (0,2,0), (0,0,2), etc
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
CAVITATII
 Presupunand ca modul dominant este (0,1,0), componentele de camp se reduc la

 unde

 Cei 4 pereti laterali reprezinta 4 fante prin care are loc radiatia. Pentru a calcula campul radiat
este nevoie de distributia curentului. Folosind principiul campului echivalent (principiul
Huygens) vom putea reprezenta in cele 4 fante densitatea de curent electric si magnetic in
functie de campurile electric si magnetic pe benzi
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
CAVITATII
 Pentru h/W mic, densitatea de curent Jt de pe fata este mult mai mica decat
densitatea de curent Jb de pe spate, putand fi neglijata.
 De asemenea, campul magnetic tangential de-a lungul marginilor patchului
este mic, ideal 0. Din acest motiv, densitatea de curent electric echivalent Js va
fi foarte mica (ideal 0).
 Deci, singura densitate de curent nenula este densitatea de curent magnetic
echivalent Ms . Prezenta planului de masa, utilizand teoria imaginii, va dubla
densitatea de curent magnetic echivalent
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
CAVITATII
 Legat de caracteristica de radiatie, putem spune deci ca fiecare banda radiaza
aceleasi campuri ca un dipol magnetic cu densitatea de curent Ms. Densitatile
de curent magnetic echivalent de-a lungul celor 2 benzi (fiecare de latime W si
inaltime h) au aceeasi amplitudine si faza. Se formeaza astfel un sistem de 2
elemente alimentate identic, plasate la o distanta L unul fata de celalalt. Deci
cele 2 surse isi vor insuma efectul pe o directie normala pe patch si pe planul
de masa.
PATCH DREPTUNGHIULAR – MODELUL
CAVITATII
 Densitatile de curent magnetic pentru celelalte 2 benzi (fiecare de latime L si
inaltime h) sunt prezentate in figura. Aceste densitati, pe fiecare perete, au
aceeasi amplitudine dar directii opuse, campul rezultant anulandu-se in planul
H. De asemenea, deoarece benzile de pe pereti opusi sunt defazate cu 180o,
radiatia corespunzatoare se anuleaza si in planul E.
PATCH DREPTUNGHIULAR –
DIRECTIVITATEA
 Directivitatea

 O banda (k0h<<1)
PATCH DREPTUNGHIULAR –
DIRECTIVITATEA
 Doua benzi (k0h<<1)