CUPRINS

I. COMPONENTE ELECTRONICE PASIVE....................................................................................3

REZISTOARE FIXE........................................................................................................................3
1. CLASIFICAREA REZISTOARELOR....................................................................................3
2. PARAMETRII REZISTOARELOR........................................................................................3
3. SIMBOLIZAREA I MARCAREA REZISTOARELOR.......................................................5
REZISTOARE VARIABILE, SEMIVARIABILE I NELINIARE...............................................9
1. REZISTOARE VARIABILE I SEMIVARIABILE..............................................................9
2. REZISTOARE NELINIARE................................................................................................10
CONDENSATOARE.....................................................................................................................13
1. NOIUNI GENERALE.........................................................................................................13
2. CLASIFICAREA I PARAMETRII CONDENSATOARELOR.........................................15
3. SIMBOLIZAREA I MARCAREA CONDENSATOARELOR..........................................18
BOBINE.........................................................................................................................................21
1. INDUCTIVITATEA. INDUCTANA UNEI BOBINE........................................................21
2. STRUCTURA I CLASIFICAREA BOBINELOR..............................................................22
3. TIPURI CONSTRUCTIVE DE BOBINE..............................................................................23
II. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE......................................................................................25
NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR..................................................................25
1. NOIUNI INTRODUCTIVE.................................................................................................25
2. STRUCTURA SEMICONDUCTOARELOR PURE (INTRINSECI)..................................28
3. STRUCTURA SEMICONDUCTOARELOR IMPURE (EXTRINSECI)............................30
DIODA SEMICONDUCTOARE..................................................................................................31
1. DIODA SEMICONDUCTOARE CU JONCIUNE.............................................................31
2. DIODA ZENER.....................................................................................................................35
3. DIODA CU CONTACT PUNCTIFORM..............................................................................36
4. DIODA DE COMUTAIE....................................................................................................37
5. DIODA VARICAP (VARACTOR).......................................................................................38
TRANZISTORUL BIPOLAR........................................................................................................39
1. NOIUNI GENERALE.........................................................................................................39
2. FUNCIONAREA UNUI TRANZISTOR BIPOLAR..........................................................40
3. ECUAIILE FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI.............................................41
4. CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI.............................................43
TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP UNIPOLARE.........................................................44
1. NOIUNI INTRODUCTIVE.................................................................................................44
2. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP CU GRIL JONCIUNE (T.E.C.-J)................46
3. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP CU GRIL IZOLAT (T.E.C.-M.O.S.)..........47
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE SPECIALE...................................................................48
1. TIRISTORUL.........................................................................................................................48
2. CARACTERISTICA STATIC ANODIC. PARAMETRII DINAMICI AI
TIRISTORULUI.........................................................................................................................53
3. TRIACUL I DIACUL..........................................................................................................54
TUBURI ELECTRONICE.............................................................................................................56
NOIUNI INTRODUCTIVE DESPRE TUBURILE ELECTRONICE....................................56
1. EMISIE TERMOELECTRONIC .......................................................................................57
2. EMISIA FOTOELECTRONIC...........................................................................................58
3. EMISIA SECUNDAR.........................................................................................................58
NOTAIA TUBURILOR ELECTRONICE..............................................................................61
DIODA CU VID.............................................................................................................................63
1.2.1. DEFINIIE, CONSTRUCIE, FUNCIONARE...........................................................63
1.2.2. CARACTERISTICILE STATICE ALE DIODEI ...........................................................65
1 din 95

1.2.3. PARAMETRII DIODEI. TIPURI. UTILIZRI..............................................................67

TRIODA (In regim static)..............................................................................................................68
1.3.1. DEFINIIE, CONSTRUCIE, FUNCIONARE...........................................................68
1.3.2.CARACTERISTICILE TRIODEI N REGIM STATIC .................................................71
1.3.3. PARAMETRII STATICI AI TRIODEI (DETERMINAREA LOR GRAFOANALITIC).............................................................................................................................73
TRIODA (n regim dinamic)..........................................................................................................76
1.4.1. FUNCIONAREA TRIODEI N REGIM DINAMIC ...................................................76
1.4.2 SCHEMA ECHIVALENT A TRIODEI N REGIM DINAMIC...................................78
1.4.3. TIPURI DE CONEXIUNI ALE TRIODEI N MONTAJELE ELECTRICE..................79
1.4.4 TIPURI . UTILIZRI . DEZAVANTAJE .......................................................................80
TETRODA.....................................................................................................................................81
1.5.1 DEFINIIE. CONSTRUCIE..........................................................................................81
1.5.2 CARACTERISTICI STATICE. FUNCIONARE...........................................................81
1.5.3. PARAMETRII STATICI AI TETRODEI .......................................................................85
1.5.4 TETRODA CU FASCICUL DIRIJAT ............................................................................85
PENTODA.....................................................................................................................................87
1.6.1 DEFINIIE. CONSTRUCIE. FUNCIONARE............................................................87
1.6.2 CARACTERISTICILE STATICE ALE PENTODEI.......................................................89
1.6.3. PARAMETRII PENTODEI.............................................................................................91
1.6.4. TIPURI I UTILIZRI....................................................................................................91
1.6.5. TUBURI MULTIGRIL I MULTIPLE........................................................................92
BIBLIOGRAFIE................................................................................................................................95

2 din 95

I. COMPONENTE ELECTRONICE PASIVE

REZISTOARE FIXE
1. CLASIFICAREA REZISTOARELOR
Definiie: rezistoarele sunt componente pasive de baz n aparatura electronic,
reprezentnd aproximativ (3040)% din numrul pieselor unui aparat electronic. Sunt de
dimensiuni i forme variate, fiind de tipuri diferite: rezistoare, poteniometre, termistoare,
varistoare.
Rezistoarele se pot clasifica dup mai multe criterii:
a). Dup intensitatea curenilor care le strbat:
- rezistoare pentru cureni tari;
- rezistoare pentru cureni slabi.
b). Dup tipul constructiv:
- rezistoare fixe, a cror rezisten stabilit n procesul de fabricaie rmne constant
pe ntreaga perioad de funcionare a rezistorului;
- rezistoare variabile, a cror rezisten poate fi modificat n anumite limite, n
timpul funcionrii, n vederea efecturii unor operaii de reglaj.
c). Dup elementul conductor (element, care realizeaz funcia de rezistor propriu-zis):
- pentru cureni slabi (folosite n electronica industrial i uz general):
- rezistoare liniare: peliculare, bobinate, de volum;
- rezistoare neliniare: termistoare, varistoare, fotorezistene;
- pentru cureni tari (rezistoare folosite n industria energetic i electrotehnic):
- rezistoare cu elementul rezistiv obinut prin:
- turnare din font (grile din font);
- tanare din tabl (tabl silicoas);
- spiralizate din benzi metalice (aliaj special, cu numr variabil de
spire).
d). Dup destinaie:
- rezistoare profesionale;
- rezistoare de uz general.

2. PARAMETRII REZISTOARELOR
Rezistoarele fixe sunt caracterizate prin parametri electrici i parametri neelectrici
(mecanici, climatici). Principalii parametrii electrici sunt:
a). Rezistena nominal Rn:
Rn este valoarea rezistenei care trebuie realizat prin procesul tehnologic i care se nscrie
pe corpul rezistorului. n practic, valorile rezistoarelor pot avea abateri de la valorile nominale,
fr a modifica parametrii circuituluiunde sunt folosite. Din aceast cauz s-au ales discontinuu
valorile nominale ale rezistenei rezistoarelor ce urmeaz a se fabrica, alctuindu-se serii de valori
n funcie de clasele de toleran (conform recomandrilor Comitetului Electronic Internaional).
[R]S.I. = 1 (ohm), multiplii si: 103 = 1K, 106 = 1M, 109 = 1G.

3 din 95

b). Tolerana t:
Exprim n procente abaterea maxim admisibil a valorii reale R a rezistenei, fa de
valoarea nominal Rn:
t = max

R Rn
100[ %]
Rn

(1)

Seriile valorilor nominale ale rezistenei rezistoarelor alctuiesc progresii geometrice n

domeniul (110), (10100) .a.m.d., iar clasele de toleran corespund seriei de valori conform
tabelului 1:
Tabelul 1
SERIILE DE VALORI NOMINALE I CLASELE DE TOLERAN ALE
REZISTOARELOR
Seria
Tolerana

E6
20%

E12
10%

E24
5%

E48
2,5%

E96
1,25%

E192
0,6%

Valorile nominale ale rezistoarelor din seriile uzuale E6, E12 i E24 sunt date n tabelul 2.
Tabelul 2
SERIILE DE VALORI NOMINALE N FUNCIE DE CLASELE DE TOLERAN

Rn10k

E6
E12
20% 10%
100
100

0k9

120

[]
150

150

E24
5%
100
110
120
130
150
160

E6
E12
20% 10%
180
220

220
270

E24
5%
180
200
220
240
270
300

E6
E12
20% 10%
330
330
390
470

470

E24
5%
330
360
390
430
470
510

E6
E12
20% 10%
560
620
680
680
820

E24
5%
560
680
750
820
910

c).Puterea de disipaie nominal Pn:

[Pn]S.I. = 1W (Watt)
Pn reprezint puterea electric maxim ce se poate aplica rezistorului n regim de
funcionare ndelungat fr a-i modifica parametri. Uzual, pentru a-i asigura rezistorului o
funcionare ct mai ndelungat, puterea disipat de rezistor n circuit este bine s fie mai mic
dect 0,5Pn. Puterile uzuale standardizate ale rezistorului sunt: 0,05; 0.10; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; 4;
6; 12; 16; 25; 40; 50; 100W.
d). Tensiunea nominal Un:
[Un]S.I. = 1V (Volt)
Tensiunea nominal Un reprezint tensiunea electric maxim ce se poate aplica
rezistorului n regim de funcionare ndelungat fr a-i modifica parametri. Pentru o tensiune
nominal Un dat i o putere disipat maxim Pn impus, exist n seriile de valori nominalizate
o singur valoare numit rezisten critic Rnc, care poate fi utilizat simultan la cei doi parametri
nominali i care este dat de relaia:
U 2n
(2)
Pn
Deci, n aceeai clas de putere i tensiune, toate valorile rezistoarelor (n afar de valoarea
egal cu Rnc) sunt limitate fie de tensiune, fie de putere. Tensiunile nominale corespunztoare
R nc =

4 din 95

puterilor nominale (pentru rezistoarele peliculare) sunt: Pn [W] = 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; respectiv,
Un [V] = 125; 250; 350; 500; 700.
e). Intervalul temperaturilor de lucru:
Reprezint intervalul de temperatur n limitele cruia se asigur funcionarea de lung
durat a rezistorului. Influena temperaturii asupra rezistenei rezistorului este pus n eviden de
coeficientul termic al rezistenei, definit astfel:
R =

1 R 1

R T K

(3)

Pentru o variaie liniar cu temperatura coeficientul devine:

1 R 2 R1 1

(4)
R 1 T2 T1 K
unde R1 reprezint rezistena rezistorului la temperatura T1 (temperatura normal) i R2
pentru temperatura T2.
R =

f). Tensiunea electromotoare de zgomot:

Reprezint valoarea eficace a t.e.m. care apare la bornele rezistorului n mod aleatoriu i
care se datoreaz micrii haotice si micrii termice a electronilor, precum i trecerii curentului
prin rezistor. Este exprimat n V.
g). Precizia rezistoarelor:
n funcie de performane rezistoarele se mpart n clase de precizie. Denumirea clasei de
precizie: 0,5; 2,5; 7; 15, este dat, de obicei, de coeficientul de variaie la mbtrnire dup 5000 de
ore de funcionare la sarcin nominal.
n funcie de precizia lor, rezistoarele se mpart n trei categorii:
- rezistoare etalon;
- rezistoare de precizie;
- rezistoare de uz curent.
Tabelul 3
CARACTERISTICILE DIFERITELOR CATEGORII DE REZISTOARE
Categoria de rezistoare

Toleran

Tensiune de zgomot

etalon
de precizie
De uz curent

1 / 2,5
2,5 / 5
5 / 10 / 20

<< 1V
< 1V
< 15V

Valori ale coeficienilor

de variaie
foarte mici
medii
mari

3. SIMBOLIZAREA I MARCAREA REZISTOARELOR

Rezistoarele sunt reprezentate convenional printr-o serie de simboluri, conform
STAS 11381/6-80. Simbolurile i semnificaia sunt prezentate n tabelul 4:

5 din 95

Tabelul 4
SIMBOLURILE I SEMNIFICAIA REZISTOARELOR
Rezistor, semn general.
Rezistor, semn tolerat.
Rezistor, semn nestandardizat.
Rezistor cu rezisten variabil.
Rezistor cu contact mobil.
Rezistor cu contact mobil, cu poziie de ntrerupere.
Poteniometru cu contact mobil.
Poteniometru cu contact mobil, semn tolerat.
Poteniometru cu ajustare predeterminat.
Rezistor cu dou prize fixe.
unt.
Element de nclzire.
Rezistor cu rezisten neliniar, dependent de temperatur.
Rezistor cu rezisten neliniar, dependent de temperatur,
semn tolerat.
Rezistor cu rezisten neliniar, dependent de tensiune
(varistor).
Varistor, semn tolerat.

6 din 95

Rezistorul este marcat n clar sau codificat (prin inele, benzi, puncte) sau prin simboluri
alfanumerice codificate internaional (indiferent de modalitatea adoptat, n mod obligatoriu se
nscrie pe orice tip de rezistor):
- rezistena nominal, Rn, cu unitatea ei de msur n clar, n cod literal sau
codul culorilor;
- tolerana valorii nominale, n clar (n %), n cod literal sau codul culorilor.
1). Codificarea literal:
a). coeficienii de multiplicare la valorile rezistenei exprimat n ohmi (tabelul 5):
Tabelul 5
Factor de multiplicare
Litera

103
K

1
R

106
M

109
G

1012
T

b). tolerana (tabelul 6):

Tabelul 6
Tolerana (%)
Litera

0,1
B

0,25
C

0,5
D

1
F

2
G

5
J

10
K

20
M

30
N

2). Marcarea rezistoarelor n codul culorilor: vom reprezenta simbolul n figura 1, iar
corespondena n tabelul 7.

Fig. 1
Tabelul 7
Culoare
Argintiu
Auriu
Negru
Maro
Rou
Portocaliu
Galben
Verde
Albastru
Violet
Gri
Alb
Nici o culoare

Prima cifr

1
2
3
4
5
6
7
8
9

A doua cifr

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9

Coeficientul de
multiplicare
10-2
10-1
1
10
102
103
104
105
106
107
108
109

Tolerana
10%
5%
1%
2%

20%

Pentru unele tipuri de rezistoare se nscriu n mod obligatoriu urmtoarele mrimi:

a). puterea disipat nominal, Pn, n clar, n cazul rezistoarelor de putere; Pentru rezistoarele
peliculare puterea nu se marcheaz, ci se recunoate dup dimensiunile rezistorului.

7 din 95

b). coeficientul de temperatur al rezistenei, R, n cod literal sau n codul culorilor (numai la
rezistoarele cu pelicul metalic sau din oxizi metalici).
c). tensiunea nominal limit, Unlim., la rezistoarele pentru nalt tensiune, n clar sau n cod literal.
A). REZISTOARE PELICULARE
Se tie c pentru un conductor de seciune S i lungime l, dintr-un anumit material
caracterizat prin rezitivitatea , rezistena lui electric este dat de relaia (5):
R =

l
S

(5)

Rezistoarele cele mai frecvent utilizate n industria electronic sunt cele peliculare (pre mai
mic). Se fabric urmtoarele tipuri de rezistoare peliculare:
a). rezistoare cu pelicul de carbon;
b). rezistoare cu pelicul de nichel;
c). rezistoare cu pelicul de oxizi metalici (cu glazur metalic).
Structura rezistorului cu pelicul de carbon este prezentat n figura 2.

Fig. 2
Rezistoarele cu pelicul de oxizi metalici sunt caracterizate prin precizie i stabilitate
ridicat, coeficient de variaie cu temperatura sczut, dimensiuni mici, dar prezint i dezavantajul
unui coeficient de zgomot ridicat. Sunt componente profesionale.
B). REZISTOARE BOBINATE
Pentru circuite n care intervin puteri disipate mari (de la 1W pn la 250W) se folosesc
rezistoarele bobinate (cimentate sau cu corp ceramic). Structura intern a unui rezistor bobinat,
cimentat, este redat n figura 3.

Fig. 3

8 din 95

Pentru puteri cuprinse n domeniul 2W 20W se folosesc rezistoare bobinate introduse n

corp ceramic. n afar de aceste tipuri de rezistoare de putere folosite n aparatura electronic, se
mai realizeaz rezistoare bobinate antiparazitare i rezistoare bobinate de mare putere (5W
250W).
C). REZISTOARE DE VOLUM
Sunt realizate dintr-un amestec de material conductor (grafit, negru de fum) i un material
izolant de umplutur (talc, bioxid de titan, caolin etc.). Structura intern este ilustrat n figura 4.

Fig. 4
Au urmtoarele caracteristici:
- sunt robuste din punct de vedere electric i mecanic;
- nu sunt de precizie;
- au proprieti inferioare celorlalte tipuri;

REZISTOARE VARIABILE, SEMIVARIABILE I NELINIARE

1. REZISTOARE VARIABILE I SEMIVARIABILE
Definiie: rezistoarele variabile sau poteniometrele sunt rezistoare a cror rezisten poate fi
variat continuu sau n trepte ntre anumite limite, prin deplasarea unui contact mobil (cursor) pe
suprafaa elementului rezistiv.
n afar de parametrii electrici proprii fiecrui rezistor, poteniometrele sunt caracterizate de
civa parametri specifici:
1). Rezisten rezidual (iniial sau final), R0 []: este egal cu valoarea
maxim admisibil a rezistenei electrice msurate ntre ieirea cursorului i unul din terminale,
cnd cursorul se afl la una din extremitile cursei de reglaj.
2). Rezistena de contact Rk: ntre cursor i elementul rezistiv.
3). Precizia reglrii: care depinde de materialul rezistiv i de rezistena de contact.
4). Legea de variaie a rezistenei: care indic variaia valorii rezistenei electrice
R ce trebuie obinut la ieirea poteniometrului n funcie de poziia unghiular sau liniar a
cursorului, (figura 1).

9 din 95

Fig. 1
Clasificare:
I). n funcie de modul de realizare al elementului rezistiv:
a). poteniometre peliculare:
- cu pelicul metalic;
- cu pelicul de carbon;
- cu pelicul metalo-ceramic (cermet);
b). poteniometre bobinate;
c). fotopoteniometre.
II). Din punct de vedere constructiv:
a). poteniometre simple, echipate cu un singur element rezistiv:
- circulare (cu o singur rotaie);
- reglabile continuu (de translaie);
- multitur (rectilinii, circulare, elicoidale);
- cu rotaie continu;
- cu ntreruptor;
- cu comutator;
- cu comutator i ntreruptor;
- miniatur (pentru cablaje electronice);
b). poteniometre multiple:
- tandem (cu dou sau mai multe seciuni comandate de un singur ax, pe care
sunt fixate cursoarele);
- multiax, combinate cu ntreruptor, miniatur.
III). Dup modul de execuie:
a). n variant nchis;
b). n variant decshis;
c). poteniometre ajustabile (rezistene semivariabile cu aciune direct asupra
cursorului, folosite n operaii de reglaj a circuitelor electronice).
Poteniometrele peliculare au:
- suport dielectric: din pertinax sau alumin;
- element rezistiv: dintr-o pelicul de grafit, din oxizi metalici, din pelicul cermet;
- cursorul: din bronz fosforos sau din aliaj Ni, Cu i Zn, rezistent la uzur.
Codul folosit pentru poteniometre este P-, iar tolerana este: 20% pentru Rn
250k, 30% pentru Rn >250k.
2. REZISTOARE NELINIARE
Pentru rezistoarele fixe sau variabile studiate pn acum, ntre tensiunea U, care li se
aplic i curentul I, care le strbate exist o relaie liniar (Legea lui Ohm):
U = RI sau I = U/R

(1)

Rezistoarele neliniare (termistoare, varistoare, fotorezistoare) folosesc proprietile

materialelor semiconductoare pentru a realiza o dependen neliniar ntre curent i tensiune.
1). Termistoarele: sunt rezistoare a cror rezisten depinde puternic de temperatur. n
funcie de modul de variaie al rezistivitii se obin:
a). termistoare cu coeficient de temperatur negativ NTC (T crete, Rn scade);
b). termistoare cu coeficient de temperatur pozitiv PTC (T crete, Rn crete).
10 din 95

Caracteristica u-i pentru termistoare este prezentat n figura 2:

Fig. 2
Pentru obinerea termistoarelor:
a). cu NTC, se folosesc: oxizi i elemente din grupa fierului (Fe, Cr, Mn, Ni). Prin
impurificare cu ioni strini, aceste materiale se transform n semiconductoare, n acest fel mrinduse conductibilitatea i variaia cu temperatura a rezistivitii;
b). cu PTC, se folosesc: titanat de bariu (BaTiO 3) sau soluie solid de titanat de
bariu, sau titanat de stroniu.
Impurificate cu ioni tri-, tetra- sau pentavaleni se obin materiale semiconductoare de tip
n. Termistoarele se pot obine sub form de plachete, cilindri, discuri, filamente (protejate n
tuburi de sticl).
Legile de variaie ale rezistenei cu temperatura sunt exponeniale:
Pentru termistoarele tip NTC:
B

(2)

RT = AeT

Pentru termistoarele tip PTC:

B
T

RT = A + Ce ,

(3)

unde: A, B, C sunt constante de material, iar T este temperatura ([K]).

Marcarea valorii rezistenei se face n clar sau n codul culorilor specificat n catalog (prin
benzi colorate sau prin colorarea stratului de protecie seria TG = de uz general).
Utilizri:
a). Termistoarele cu coeficient de temperatur negativ (NTC) sunt utilizate ca
elemente neliniare pentru stabilizarea tensiunii sau curentului (figura 3) sau pentru compensarea
variaiei cu temperatura a altor elemente de circuit i ca traductor de temperatur.
Exemplu:

11 din 95

Fig. 3
b). Termistoarele PTC se folosesc ca:
- traductoare de temperatur;
- stabilizatoare i limitatoare de curent;
- n aplicaii ce realizeaz protecia la scurtcircuit sau supratensiuni.
2). Varistoarele: sunt rezistoare a cror rezisten este determinat de tensiunea aplicat la
bornele lor. Materialele cele mai utilizate pentru obinerea varistoarelor sunt: carbura de siliciu
(SiC) sau oxidul de zinc (ZnO).
Caracteristica curent-tensiune pentru varistoare este ilustrat n figura 4:

Fig. 4
Marcarea varistoarelor se face n clar. Relaia curent-tensiune a unui varistor este de forma:
I = K1U + K2Un,

(4)

unde: K1 i K2 sunt constante, n > 1. Relaia (4) se poate aproxima cu relaiile:

I = KU sau U = KI,

(5)

unde: K-constant ce fixeaz tensiunea de lucru a varistorului; , -coeficieni de

neliniaritate.
Aceast constant K depinde de forma, dimensiunile i de tehnologia de realizare.
Coeficientul are urmtoarele valori: = 5 i = 25 pentru SiC i, respectiv ZnO.
Dac tensiunii aplicate i se inverseaz polaritatea, curentul i schimb sensul. Se definete
A asimetria curenilor, ca fiind mrimea ce caracterizeaz diferena dintre curenii care strbat
varistorul la schimbarea polaritii tensiunii aplicate.
Utilizri: (seria VG-uz general, VT-nalt tensiune, VP-joas tensiune, protecia
contactelor):
pentru stabilizarea tensiunii i curentului;
n circuite analogice i de impulsuri;
n circuite care lucreaz n modulaie de amplitudune i de frecven;
mpotriva supratensiunilor pentru protecia diferitelor componente sau circuite
electronice;
pentru protecia contactelor de rupere.
3). Fotorezistoarele: sunt rezistene dependente de fluxul luminos i au la baz efectul
fotoelectric intern n semiconductoare.
Principalele caracteristici ale fotorezistoarelor sunt:
a). Rezistena la ntuneric, R: care reprezint valoarea rezistenei la iluminare
nul;
b). Sensibilitatea: la fluxul luminos.
Fotorezistoarele au fost realizate iniial, pe baz de seleniu cristalin. Acum, o larg
rspndire o au fotorezistoarele din PbS i CdS.
12 din 95

CONDENSATOARE
1. NOIUNI GENERALE
Condensatorul este o component pasiv care, alturi de rezistor, este utilizat frecvent n
circuitele electronice. Dac unui condensator i se aplic o tensiune continu U, acesta se va
ncrca cu o sarcin Q. n figura 1 este prezentat simbolul:

Fig. 1
Se definete capacitatea condensatorului ca fiind raportul:
C=

Q
,
U

[C]S.I. = 1 F (Farad)

(1)

Este o mrime constant i caracteristic pentru condensatorul considerat. Dac pe

condensator aplicm o tensiune variabil n timp uC(t), atunci ntre uC i curentul i care
strbate condensatorul exist relaia:
uC =

1
i( t ) dt
C

(2)

Condensatorul de capacitate C introduce n circuit o reactan capacitiv:

XC =

1
,
C

(3)

iar [XC]S.I. = 1 (Ohm) i defazajul ntre tensiune i curent este de 90 , tensiunea fiind defazat n
urma curentului, (figura 2).

Fig. 2
I=

U
1
, XC =
XC
2 f C

f =

1
, (f frecvena)
T

(4)

(5)

Constructiv, condesatorul este alctuit din dou suprafee metalice numite armturi, ntre
care se afl un mediu dielectric de permitivitate (constanta dielectric de material). Construcia
principial a unui condensator este prezentat n figurile urmtoare, (fig. 3, 4):
13 din 95

a). plan:

Fig. 3
Capacitatea C este dat de relaia:
C =

S
S
= 0 r ,
d
d

= 0 r ,

(6)

0 = permitivitatea dielectric absolut a vidului;

r = permitivitatea relativ a dielectricului;
= permitivitatea absolut a dielectricului condensatorului;
S = suprafaa armturilor plane;
d = distana dintre armturi.
b). cilindric:

Fig. 4
Capacitatea C se determin cu relaia:
C=

2 l 20 r l
=
b
b ,
ln
ln
a
a

(7)

l = lungimea cilindrului;
a = raza cilindrului interior;
b = raza cilindrului exterior.
Relaiile (6) i (7) se mai pot scrie:
C = r C 0 ,

(8)

C0 = capacitatea unui condensator (plan sau cilindric) cu armturile plasate n vid.

n cmpuri electrice puternice, materialul dielectric i pierde proprietile izolante (datorit
unor fenomene interne specifice, crete curentul de conducie n dielectric); fenomenul se numete
strpungere a dielectricului.
Valoarea intensitii cmpului electric la care se produce acest fenomen se numete
rigiditate dielectric i se msoar n kV/mm.
Proprietile unor dielectrici uzuali sunt date n tabelul 1.
14 din 95

Tabelul 1
PROPRIETILE UNOR DIELECTRICI UZUALI
Materialul dielectric
Vid
Aer
Ap
Hrtie
Mic roie
Porelan
Sticl de cuar
Bachelit
Polietilen
Poliester
Teflon

Permitivitatea relativ (r)

1,00000
1,00054
78
3,5
5,4
6
3,8
4,8
2,3
2,6
2,1

Rigiditatea dielectric [kV/mm]

0,8
14
160
4
8
12
50
25
60

2. CLASIFICAREA I PARAMETRII CONDENSATOARELOR

Clasificare:
n funcie de criteriul de clasificare exist:
1). Din punct de vedere constructiv:
a). condensatoare fixe, care-i menin constant valoarea capacitii nominale
n tot timpul funcionrii;
b). condensatoare reglabile (denumite i semivariabile, ajustabile sau
trimere), se caracterizeaz prin faptul c valoarea capacitii lor poate fi reglat, n
limite redeuse;
c). condensatoare variabile, sunt condensatoare a cror capacitate poate i
trebuie s fie modoficat frecvent, ntre anumite limite relativ largi, impuse de
funcionarea circuitelor electronice.
2). Dup natura dielectricului:
a). cu dielectruc gazos (aer, vid, gaze electronegative);
b). cu dielectric lichid (ulei mineral, de transformator);
c). cu dielectric solid:
- anorganic: sticl, ceramic, mic;
- organic: hrtie, lacuri, pelicul;
- pelicule sintetice nepolare: polistirenul, teflonul,
polipropilena;
- pelicule sintetice polare: polietilentereftalat, policarbonat,
rin poliamidic;
d). cu dielectric pelicul de oxizi metalici (electrolitice).
Condensatoarele electrolitice au dielectricul format dintr-o pelicul de oxid (Al 2O3, Ta2O5,
TiO2). Cele mai utilizate condensatoare sunt cele cu oxizi de aluminiu i tantal.
Parametrii condensatoarelor:
a). Capacitatea nominal, Cn, [F]:
Reprezint valoarea capacitii condensatorului care trebuie realizat prin procesul
tehnologic i care este nscris pe corpul acestuia. Condiiile de temperatur i frecven la care se
msoar Cn sunt precizate de obicei n catalogul productorului.
b). Tolerana, t, [%]:
15 din 95

Reprezint abaterea maxim a valorii reale a capacitii fa de valoarea ei nominal.

1). Cnd Cn < 1F, capacitatea nominal respect valorile normalizate din seriile E6, E-12, E-24, E-48, cu toleranele corespunztoare acestor serii.
2). Cnd Cn > 1F, valorile nominale i toleranele depind de firma productoare.
Pentru condesatoarele electrolitice se dau, de obicei, tolerane nesimetrice: (0%, +50%), (0%,
+80%), (-10%, +30%), (-10%, +50%), (-10%, +100%), (-20%, +80%).
c). Tensiunea nominal, Un, [V]:
Este tensiunea continu maxim sau tensiunea altenativ maxim care poate fi aplicat
continuu la terminalele condensatorului, n gama temperaturilor de lucru.
Valorile tensiunilor nominale nu sunt normalizate. Uzual, sunt urmtoarele valori: 6, 12, 16,
25, 63, 70, 100, 125, 250, 350, 450, 500, 650, 1000 V.
d). Rezistena de izolaie, Riz, []:
Reprezint raportul dintre tensiunea continu aplicat unui condensator i curentul care-l
strbate la un minut dup aplicarea tensiunii. n funcie de natura dielectricului, R iz poate varia
ntre 100 M i 100 G.
e). Tangenta unghiului de pierderi, tg:
Este o mrime adimensional, fiind definit ca fiind raportul dintre puterea activ, P a, care
se disip pe condensator i puterea reactiv, Pr, a acestuia (Pa i Pr msurate la frecvena la
care se msoar i Cn).
Un condensator este cu att mai bun cu ct puterea activ disipat n el este mai mic, (P a
se disip pe dielectric, pe rezistena nenul a armturilor, pe terminale).
Considerm schema echivalent serie, figura 5:

Fig. 5
Pierderile n condensator sunt reprezentate prin rezistena r. este unghiul dintre
vectorii curent i tensiune, ( < 90). = 90 pentru condensatorul ideal, fr pierderi. = 90 -
(complementul defazajului = unghiul de pierderi).
tg =

Ur
UC

(9)

Considerm schema echivalent paralel, figura 6:

Fig. 6
R reprezint pierderile.
tg =

IR
IC

(10)

16 din 95

Mrimea tangentei tg depinde de natura dielectricului i de procesul tehnologic al

condensatorului. Este de dorit ca tangenta unghiului de pierderi s fie ct mai mic. n tabelul 2 sunt
date valorile tipice ale tangentei unghiului de pierderi pentru cteva tipuri de condensatoare.
Tabelul 2
VALOAREA TENGENTEI UNGHIULUI DE PIERDERI PENTRU ANUMITE TIPURI DE
CONDENSATOARE
Tipul condensatorului
Ceramic i multistrat tip I
Ceramic i multistrat tip II
Cu polistiren (stiroflex)
Cu polietilentereftalat (mylar)
Cu hrtie
Electrolitic miniatur
Electrolitic cu tantal

Tg
10 10-4
35 10-4
5 10-4
10 10-3
10-2
0,25
0,08

Condiii de msur
Cn = 1 nF, f = 1 MHz
Cn = 1 nF, f = 1 MHz
Cn = 1 nF, f = 1 kHz
Cn = 1 nF, f = 1 kHz
Cn = 1 nF, f = 1 kHz
Cn = 1 nF, f = 100 Hz
Cn = 1 nF, f = 50 Hz

f). Rigiditatea dielectric:

Reprezint tensiunea maxim continu pe care trebuie s o suporte condensatorul un timp
minim (un minut), fr apariia fenomenului de strpungere.
g). Intervalul temperaturilor de lucru, Tmin-Tmax:
Reprezint limitele de temperatur ntre care condensatorul funcioneaz timp ndelungat.
Natura dielectricului determin acest interval, care poate fi:
- (-10C +70C) = condensator cu polistiren i cu hrtie cerat;
- (-10C +85C) = condensator cu mylar, ceramice, cu hrtie uleiat;
- (-25C +70C) = condensator electrolitic;
- (-40C +125C) = condensator electrolitic i cel cu tantal.
h). Coeficientul de variaie a capacitii cu temperatura, C, [1/C]:
Este definit de relaia:
C =

1 dC

C dT

(11)

n cazul unei variaii liniare, devine:

C =

1 C C0

,
C 0 T T0

(12)

unde C0 este valoare capacitii la temperatura T0, iar C corespunde lui T.

Exprimat n pri pe milion [ppm], relaia devine:
C =

1 C C0

10 6
C 0 T T0

(13)

17 din 95

3. SIMBOLIZAREA I MARCAREA CONDENSATOARELOR

Reprezentarea convenional a condensatoarelor se face conform STAS 11381/7-80, astfel:
Condensator (n general)
Condensator (n general), simbol tolerat
Condensator de trecere
Condensator de trecere, simbol tolerat
Condensator de trecere, simbol nestandardizat
Condensator electrolitic
Condensator electrolitic, simbol tolerat
Condensator electrolitic, simbol nestandardizat
Condensator variabil
Condensator variabil, simbol tolerat
Condensator semireglabil, semiajustabil, trimer
Condensator semireglabil, semiajustabil, trimer, simbol tolerat
Conensatoarele sunt marcate n clar sau codificat, prin culori (inele, benzi sau puncte), prin
simboluri alfanumerice, sau cod literal, normalizate internaional, sau, uneori, specifice unui anumit
productor.
Indiferent de sistemul de marcare adoptat, caracteristicile ce se nscriu pe corpul
condensatorului sunt:
a). n mod obligatoriu, pe orice tip de condensator: Cn i unitatea de msur i t
(tolerana, [%]), n clar sau codificat;
b). n mod obligatoriu, pe unele tipuri de condensatoare: polaritatea bornelor (la cele
electrolitice), n clar; terminalul conectat la armtura exterioar, n clar (electrolitice,
cu hrtie); coeficientul de temperatur al capacitii (ceramice), n clar sau codificat;
c). n mod facultativ, n funcie de productor, se poate marca: firma, data fabricaiei
(an, lun), codul condensatorului, frecvena de lucru etc.
Marcarea n codul culorilor este aplicat mai ales condensatoarelor ceramice:
a). pentru condensatoarele ceramice, figura 7:

Fig. 7
18 din 95

La figurile 7 (a) i (b), citirea indicaiilor colorate se face ncepnd de la terminale, iar la
figura 7 (c), citirea se face de la inelul cel mai gros.
n tabelul 3 este prezentat codul culorilor pentru marcarea condensatoarelor:
Tabelul 3

Tolerane

cu hrtieCond.

[pF]
Cond. ceramice

Cifra semnificativ

Factor de
multiplicare

Negru
Maro
Rou
Portocaliu
Galben
Verde
Albastru
Violet

0
1
2
3
4
5
6
7

1
10
102
103
104
105
-

1
10
102
103
104
-

2
0,1
0,25
0,5
-

Gri

10-2

Alb
Auriu
Argintiu

9
-

10-1
-

10-1
-

1
-

Culoarea

Coeficient de temperatur [ppm/C]

CODUL CULORILOR PENTRU MARCAREA CONDENSATOARELOR

[%]

Cond. tantal

Cond. stiroflex

0
-33
-75
-150
-220
-330
-470
-750

10
1,6
4
40
6,3
16
-

630
160
63
250
25
-

-2200

25

+120
+100
-

2,5
-

C<10pF C>10pF

20
1
2
2,5
100
5
-20;
+30
10
-

Tensiunea nominal

Semnificaia liniilor de pe condensatoare este urmtoarea:

- 1. coeficient de variaie cu temperatura;
- 2. prima cifr semnificativ;
- 3. a doua cifr semnificativ;
- 4. Factor de multiplicare;
- 5. Tolerana.
b). pentru condensatoarele electrolitice cu tantal, figura 8:
1 = prima cifr semnificativ;
2 = a doua cifr semnificativ;
3 = factor de multiplicare;
4 = tensiunea nominal.

19 din 95

Fig. 8

20 din 95

BOBINE
1. INDUCTIVITATEA. INDUCTANA UNEI BOBINE
Bobina/inductorul este o component pasiv de circuit pentru care, n mod ideal, ntre
tensiunea la bornele sale u(t) i curentul ce o parcurge, i(t), exist relaia:
u =L

di
,
dt

[L]S.I. = 1H (Henry),

(1)

unde L este inductivitatea/inductana bobinei i reprezint principalul parametru caracteristic al

acesteia.
Exist dou interpretri posibileale noiunii de inductan:
a). ca proprietate a unui circuit electric de-a se opune oricrei variaii a curentului
electric ce-l parcurge.
Se tie c, ntr-un circuit electric, variaiile curentului i(t) i ale fluxului magnetic (t)
sunt interdependente ntruct, pe de-o parte, orice variaie a curentului electric implic o variaie
corespunztoare a fluxului, iar pe de alt parte, modificarea fluxului implic apariia unei tensiuni
electromotoare de autoinducie avnd tendina de a se opune oricrei variaii ale curentului/fluxului
n circuit:
(t) [Wb] = L [H] i(t) [A]

(2)

b). ca proprietate a bobinei de-a acumula energie n cmp magnetic.

Se tie c, aplicnd o tensiune continu la bornele unei bobine, aceasta produce o tensiune
electromotoare de autoinducie, avnd tendina de a se opune creterii curentului.
Inductana unei bobine depinde de temperatur, astfel:
L = L0 [1 + L(T T0)],

(3)

unde: L0 = inductana bobinei la temperatura T0;

L = coeficient termic al inductanei.
n general, inductana unei bobine depinde de structura, geometria i dimensiunile acesteia.
Calculul inductanei se efectueaz anterior realizrii bobinei cu ajutorul relaiilor:
Exemplu: pentru o bobin fr miez:
L[H ] =

4 N 2 S
,
l

L[H] = a N 2 D 10 3 ,

dac l >> D

(4)

dac l ~ D

(5)

unde l lungimea [cm], D diametrul [cm], S seciunea [cm 2], a coeficient (tabelat n
lucrri de specialitate).
n cazul unei bobine cu miez magnetic (de permeabilitate magnetic ) se utilizeaz
relaia general:
L=

N 2 S
l

(6)

21 din 95

2. STRUCTURA I CLASIFICAREA BOBINELOR

Datorit diversitii foarte mari a bobinelor utilizate n radiotehnic, nu exist o producie de
serie mare (standardizat) a acestora, astfel nct bobinele se construiesc numai de ctre utilizatori,
(n serii mici sau chiar unicat). Elementele componente ale unei bobine sunt (n cazul general):
carcasa, nfurarea, miezul i ecranul.
Observaie: cu excepia nfurrii, celelalte elemente nu intr n mod obligatoriu n
structura unei bobine.
a). Carcasa: constituie suportul pe care se nfoar conductorul bobinei. Ea are, n general,
o form tubular i este realizat din materiale uor de prelucrat, dar cu proprieti izolatoare
deosebite i rezisten mecanic satisfctoare.
Cele mai utilizate materiale pentru carcase sunt: cartonul electroizolant; pertinaxul;
textolitul; materiale termorigide (bechelita); materiale termoplastice (polistiren, policlorvinil
polietilen, teflon); materiale ceramice.
Din punct de vedere constructiv, carcasele tubulare pot avea sciunea: circular (cel mai
frecvent), ptrat, dreptunghiular.
Ele pot fi prevzute cu flane la extremiti, pentru fixarea nfurrilor. Flanele pot fi
prevzute cu orificii prin care se scot terminalele nfurrilor i cu piese (capse, tifturi) pentru
fixare n placa de circuit imprimat.
b). nfurarea (bobinajul): constituie elementul principal i indispensabil al oricrei
bobine. Se caracterizeaz prin: numrul de spire, pas, numrul de straturi, numrul de seciuni. Cel
mai frecvent se utilizeaz conductoare din cupru, avnd seciune circular i diametre normalizate.
n cazul unor cureni foarte mari, se utilizeaz conductoare cu seciune dreptunghiular sau ptrat
(inclusiv din aluminiu).
n cazul bobinelor de joas frecven (JF), conductoarele sunt izolate cu email i fibre
textile sau cu fibre anorganice (sticl).
n cazul bobinelor de nalt frecven (F), se utilizeaz conductoarele liate (lia de
RF), constituite din 715 conductoare de diametru foarte redus i izolate individual
(ansamblul lor fiind izolat cu bumbac sau mtase).
n domeniul frecvenelor foarte nalte (FFI, UI), se utilizeaz conductoare din cupru
argintat, izolate cu email-mtase sau chiar neizolate n cazul spirelor puine i rare.
Bobinajele se realizeaz s fie:
- monostrat (cilindrice cu sau fr carcas, toroidale);
- multistrat (tip spir dup spir, piramidal, fagure).
Procesul tehnologic de bobinare se ncheie cu impregnarea bobinei n scopul protejrii ei
mpotriva umiditii, dar i pentru a-i conferi o robustee mecanic suficient (prin rigidizarea
nfurrilor). Impreganrea se face cu lac electroizolant. Bobinarea se poate face cu maini speciale
de bobinat, iar operaia de impregnare se realizeaz manual.
c). Miezul: intr n componena majoritii bobinelor, ntruct permite obinerea unor
inductiviti de valori mai mari i reglabile (n limite relativ, restrnse). Se utilizeaz miezuri
magnetice din materiale magnetodielectrice sau din ferite sau miezuri nemagnetice din alam
sau cupru.
d). Ecranul: este facultativ i se utilizeaz pentru a nltura potenialele cuplaje parazite
electrice sau magnetice.
Bobinele se clasific n funcie de urmtoarele criterii:
1. Din punct de vedere constructiv (forma, tipul carcasei, tipul bobinajului,
numrul de spire, straturi, prezena sau absena miezului sau ecranului etc.);
2. Dup inductivitate, factor de calitate Q i gama frecvenelor de lucru;
22 din 95

3. Din punctul de vedere al aplicaiilor (radio, T.V., electronic de putere etc.).

3. TIPURI CONSTRUCTIVE DE BOBINE

Bobin cilindric monostrat: (figura 1).

Fig. 1
Cu acest tip de bobine se obin valorile L < 300 H. Prezint inductiviti i capaciti
parazite reduse.
Bobin cilindric multistrat (pe carcas cu flane), fr miez magnetic: (figura 2).

Fig. 2
Pentru a nu apare pericolul de strpungere a izolaiei (la tensiuni mari), se introduce ntre
straturi folii izolatoare (din material plastic, hrtie de condensator).
Bobin cilindric monostrat, cu miez din ferit: (figura 3).

23 din 95

Fig. 3
Se obin inductiviti mari; bara de ferit concentreaz, aproape integral, liniile cmpului
magnetic. Acest tip de bobin este utilizat n domeniul f.f.i.
Inductana (L) se poate regla prin introducerea sau scoaterea miezului de ferit.
L = k r L0,

(7)

L0 inductivitatea bobinei monostrat, fr miez;

r permeabilitatea magnetic, relativ a miezului;
k constant (depinde de dimensiunile bobinei i ale miezului, precum i de poziia
relativ a acestora.
Miezurile se realizeaz din materiale feromagnetice moi (ca tole sau benzi din aliaje Fe-Si,
Fe-Ni, sau ferite).

Bobinaj cilindric pe carcas fr flane: (figura 4).

Fig. 4

24 din 95

II. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE

NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR
1. NOIUNI INTRODUCTIVE
n 1883, Edison realizeaz dioda cu vid. Mai trziu, Lee de Forest inventeaz trioda cu vid,
astfel nscndu-se, ca disciplin, electronica.
n urmtorii 40 de ani au aprut celelalte aproximativ 10 tipuri de tuburi obinuite cu vid i
gaze. n 1948 s-a inventat tranzistorul. Dup anul 1948 apar noi tipuri de dispozitive
semiconductoare, care totalizeaz, astzi, peste 150 tipuri diferite.
De-a lungul anilor a crescut densitatea de asamblare () a componentelor electronice active
pe unitatea de volum (cm3). Literatura de specialitate apreciaz c se poate ajunge la o densitate de
109/cm3 (vezi fig. 1).

Fig. 1

Avantajele semiconductoarelor:
- au dimensiuni mici, putnd fi miniaturizate;
- au o mare rezisten mecanic (suport acceleraii de a=(910)g);
- au un randament (sporit) mai bun ca la tuburi (nu mai avem Uf);
- inerie mic la punerea n funciune;
- tensiunea de alimentare a dispozitivelor semiconductoare sunt mici (315) V.
Dezavantajele semiconductoarelor:
- din cauza temperaturii se impune stabilizarea tensiunii (la tuburi nu era necesar);
- sunt sensibile la radiaii radioactive;
- n gama f.f.i. (>3000 MHz) tuburile speciale nu pot fi nlocuite de ctre
semiconductoare;
- n unele instalaii radiotehnice de mare putere, tuburile funcioneaz alturi de
semiconductoare.
Noiuni elementare despre fizica corpului solid (fizica atomului)
n natur avem corpuri simple (alctuite din molecule cu atomi identici) i compuse
(alctuite din molecule cu atomi diferii). Atomul, alctuit dintr-un nucleu central (compus din

25 din 95

protoni - sarcini electrice pozitive - i neutroni) i din nveliul de electroni (care graviteaz pe
diverse orbite - sarcini electrice negative).
Numrul protonilor este egal cu numrul electronilor i un atom este neutru (din punct de
vedere electric). n nucleu i n jurul lui acioneaz fore nucleare mai puternice dect cele
electrostatice. n afara nucleului acioneaz att forele nucleare, n imediata vecintate a nucleului,
ct i forele electrostatice.
Electronii graviteaz n jurul nucleului pe diferite straturi, n diferite stri de micare,
fiecrei stri corespunzndu-i un nivel de energie bine determinat (vezi fig. 2).

Nivel normal ocupat;

Nivel normal liber.

Fig. 2

Nivele de energie apropiate sunt grupate pe straturi, numrul de electroni pe fiecare strat
fiind limitat. Numrul de electroni de pe strat se determin cu relaia:
N=2n2,
n-numrul stratului;
K, L, M, N, O, P, Q
K=1 N=212=2 eL=2 N=222=8 eM=3 N=232=18 eN=4 N=242=32 eO=5
-------------------------Nivelele de energie neocupate se numesc nivele de energie libere i pot fi ocupate
temporar de electroni care n stare normal se afl pe nivele de energie inferioare. Trecerea unui
electron de pe un nivel inferior de energie pe unul superior este rezultatul aciunii unei surse
exterioare de energie: termic, radiant, luminoas, cmp electric.

26 din 95

Revenirea la poziia iniial se face cnd aciunea sursei exterioare nceteaz i cnd
electronii cedeaz energie suplimentar. Cu ct un strat este mai deprtat de nucleu, cu att este mai
mic energia necesar pentru a smulge un electron de pe acest strat i a-l pune n libertate.
Electronii de pe ultimul strat au energiile cele mai mari, ei fiind cel mai slab legai de nucleele
respective. Deci, posibilitatea cea mai mare de a pierde electronii o are ultimul strat. Electronii de
pe ultimul strat se numesc electroni de valen. Dac atomii sunt suficient de aproape unul de
cellalt, electronii de valen pot fi pui n comun, realiznd ntre ei o legtur covalent (vezi fig.
3).

Fig. 3
Cristalele din care se realizeaz dispozitive electronice sunt corpuri solide cu o structur
ordonat, cu distane regulate ntre atomi, la care nivelele de energie se constitue n benzi ce se
prezint ca zone aproape continue de nivele energetice (vezi fig. 4).
ntre benzile de energie ocupate se afl benzi de energie interzise electronilor.

Fig. 4
Cnd banda interzis nu exist, electronii de valen se pot rupe uor din legtura
interatomic, fr a fi necesar o energie exterioar suplimentar. Sub influena unui cmp electric
aceti electroni pot trece de la un atom la altul, formnd curentul electric, n acest caz corpul se
numete conductor.
Banda de energii libere care permite trecerea electronilor de la un atom la altul se numete
band de conducie.
Dielectricul banda interzis nu permite trecerea electronilor din B.V. n B.C., astfel c nu
avem electroni liberi i deci, nu avem curent electric.
Semiconductorul are o situaie intermediar ntre conductor i izolator. Banda interzis
este mai ngust.
Conductivitatea () la cele trei tipuri de materiale:
6
= [10 , 108] -1m-1
metale;
= [10-12, 10-20] -1m-1
dielectrici;
4
-8
-1
-1
= [10 , 10 ] m
semiconductoare.
( variaz cu temperatura).
n metale, electronii de valen sunt foarte slabi legai de atom i datorit celei mai mici
agitaii termice devin electroni liberi. La izolatoare, electronii sunt strns legai de nucleu. La
semiconductoare, intermediar.
Dac un electron posed suficient energie, poate s treac din B.V. n B.C., lsnd n urma
sa un nivel energetic neocupat. Absena unui electron n B.V. poart numele de gol. Golul trebuie
privit ca o particul activ (purttor de sarcin) n B.V. aa cum electronul este o particul activ n
B.C. Apare astfel, perechea electron-gol (vezi fig. 5).
27 din 95

1 eV = 1,6 10-19 J

Fig. 5

2. STRUCTURA SEMICONDUCTOARELOR PURE (INTRINSECI)

Cele mai cunoscute i utilizate semiconductoare sunt Si i Ge (siliciul i germaniul).
Fiecare atom se leag cu patru atomi nvecinai, situai pe vrfurile unui tetraedru regulat, formnd
o reea cubic cu fee centrate, iar legturile dintre atomi cuprind cte doi electroni comuni (vezi fig.
6).

Fig. 6
n plan, legturile covalene ntr-un cristal pur se realizeaz astfel (fig. 7):

Fig. 7
O energie termic mic este capabil s determine trecerea electronilor din B.V. n B.C.
Ptrunznd n B.C., electronul se rupe, eliberndu-se din reea i las n B.V. o legtur
nesatisfcut i corespunztor, un nivel energetic neocupat numit gol.
28 din 95

Acest nivel poate fi reocupat fie de un electron din B.C., ca urmare a pierderii unei pri din
energie, fie de un electron din aceeai B.V. i, n acest caz, golul i continu existena pe o alt
legtur covalent.
Fenomenul de generare are loc atunci cnd un electron trece din B.V. n B.C., astfel se
genereaz o pereche electron-gol pe unul din nivelele B.V.
Prin recombinare se nelege fenomenul invers, de trecere a unui electron din B.C. n B.V.
(pe unul din nivelele unde exist un gol).
Procesele de generare a perechii electron-gol i cel de recombinare sunt echilibrate din
punct de vedere statistic, astfel c densitatea de perechi electron-gol este constant. Densitatea
perechilor electron gol depinde de natura semiconductorului i crete mult, odat cu creterea
temperaturii. La temperatur obinuit (mediu ambiant) numrul perechilor electron-gol este
extrem de mic n comparaie cu numrul de atomi din reeaua cristalin. Existnd electroni liberi n
B.C. se poate vorbi totui, despre o conductivitate electric a semiconductorului intrinsec
conductivitate intrinsec.
Dac unui semiconductor intrinsec i se aplic un cmp electric exterior, prin conectarea la o
surs de tensiune, electronii liberi sunt supui unei micri ordonate spre electrodul pozitiv.
Aceast micare a electronilor d natere unui curent electric de sens opus, care iniial crete
proporional cu mrimea cmpului electric, pn la o valoare limit, pe care creterea n continuare
a cmpului electric nu o mai poate influena (vezi fig. 8).

Fig. 8
Dac un electron al atomului de pe coloana A trece n B.C., devenind electron liber, locul
rmas liber n B.V. poate fi ocupat de un electron al unui atom vecin din coloana B, realizndu-se
astfel recombinarea.
Dac electronul atomului din coloana B s-a recombinat cu golul atomului din coloana
A, se genereaz un nou gol, de data aceasta n stratul de valen al atomului din coloana B, care
la rndul lui, se poate recombina cu un electron din coloana C .a.m.d. (vezi fig. 8).
n ansamblu, succesiunea de deplasri de sarcini, prezint conductivitatea semiconductorului
intrinsec, ca o micare a electronilor spre electrodul pozitiv al sursei, n timp ce golurile, se
completeaz succesiv cu electroni n exces, furnizai de electrodul negativ al acesteia.
Se poate aprecia c n semiconductorul intrinsec, n afara curentului obinut, datorit
micrii ordonate a electronilor n B.C., mai exist i o deplasare a golurilor, din atom n atom, n
sens contrar sensului de deplasare a electronilor, asemeni unui curent datorat, de data aceasta, unor
sarcini electrice pozitive echivalente, egale n valoare absolut cu sarcinile electronilor.
Acest curent datorat deplasrii golurilor se numete curent de goluri.
Curentul total printr-un cristal semiconductor este rezultatul nsumrii curentului de
electroni i a curentului de goluri, deoarece dei au sensuri opuse de deplasare, purttorii de sarcin
au i ei semn opus.

29 din 95

3. STRUCTURA SEMICONDUCTOARELOR IMPURE (EXTRINSECI)

Reeaua cristalin a unui semiconductor poate prezenta modificri naturale i artificiale

(prin adugarea unor elemente care pe B.V. au un numr de electroni diferit de 4). Impurificarea
semiconductoarelor se poate face controlat. Si i Ge sunt elemente tetravalente, ocupnd
locurile 14 i respectiv, 32 din coloana a patra a tabelului periodic al elementelor (Mendeleev).
Impurificarea (doparea) are ca rezultat modificarea proprietilor semiconductoarelor.
Materialele dopante sunt din coloanele vecine (a 3-a i a 5-a) a tabelului periodic al elementelor.
Semiconductoarele dopate se numesc i extrinseci i prezint cel mai mare interes pentru
realizarea dispozitivelor semiconductoare (diod, tranzistor, circuite integrate). Din punctul de
vedere al naturii materialului dopant, exist semiconductoare extrinseci de tipul: n i p.
Semiconductoarele de tip p se obin prin doparea Si-ului sau Ge-ului cu elemente
trivalente cum sunt: Borul (B, cu numrul atomic Z=+13), Galiul (Ga, cu numrul atomic Z=+31),
Indiul (In, cu numrul atomic Z=+49), (fig. 9).

Fig. 9
Materialul dopant (Indiul), care accept n orice moment un electron n B.V., n locul rmas
liber, se numete acceptor. (p pozitiv sarcina electric a golurilor).
Semiconductoarele de tip n se obin prin doparea Si-ului sau Ge-ului cu elemente
pentavalente cum sunt: Fosforul (P, cu numrul atomic Z=-15), Arseniul (As, cu numrul atomic
Z=-33), Stibiul (Sb, cu numrul atomic Z=-51), (fig. 10).
n noua structur cristalin apare un electron suplimentar n B.V. care nu particip la
realizarea celor patru legturi covalene ale atomului i care trece n B.C. devenind electron liber.
IMPORTANT: n acest caz, generarea unui electron liber nu este nsoit de apariia unui
gol (se va aprofunda la T.E.C.).
Elementul dopant care creeaz condiiile apariiei de electroni liberi se numete donor,
(doneaz electroni reelei cristaline a semiconductorului). (n negativ sarcina electric a
electronilor).

Fig. 10
30 din 95

Dozarea corect a materialului dopant reprezint un proces tehnologic complex i dificil. n

practic nu exist semiconductoare care s aib, n exclusivitate, o conductivitate numai prin
electroni sau numai prin goluri (datorit imposibilitii de purificare perfect a semiconductorului
naintea doprii), ci dimpotriv, se ntlnesc ambele conductiviti, dar una dintre acestea este
predominant, aceasta dnd tipul semiconductorului. Dac Nd>Na=>n, iar dac Nd<Na=>p,
unde Nd reprezint numrul atomilor donori i Na reprezint numrul atomilor acceptori.
Observaie: Semiconductoarele extrinseci nu mai pstreaz echilibrul ntre electroni i
goluri.
Purttorii de sarcin n exces, cei care dau natura semiconductorului, se numesc
majoritari; iar cei nedorii, care se afl ntmpltor n structura semiconductorului, se numesc
minoritari.
n condiii obinuite, purttorii majoritari i minoritari dintr-un material semiconductor
extrinsec sunt distribuii uniform, neexistnd puncte ntre care s se poat constata o diferen de
potenial. Dac ntr-un punct al semiconductorului se injecteaz purttori de sarcin, echilibrul
dispare, se creeaz o diferen de potenial, apare un curent, care dureaz att ct este necesar pentru
ca purttorii s difuzeze n masa semiconductorului i s se restabileasc echilibrul iniial.
Dac injecia de electroni (purttori) este continu, curentul se menine att timp ct
echilibrul nu a fost restabilit. Practic, un material semiconductor se introduce ntr-un cmp electric,
prin conectarea acestuia la o surs de tensiune, cu ajutorul unor electrozi terminali, care fiind
metalici, au ntotdeauna o conductivitate cu electroni, ca purttori de sarcin (vezi fig. 11).

Fig. 11
Observaie: S-au ignorat purttorii minoritari. n cazul semiconductorului de tip n, n
interior ct i n exterior, purttori majoritari sunt electronii. n cazul semiconductorului de tip p,
n interior purttori majoritari sunt golurile, iar n exterior purttori majoritari sunt electronii,
rezultnd curentul electric.

DIODA SEMICONDUCTOARE
1. DIODA SEMICONDUCTOARE CU JONCIUNE
A). Jonciunea p-n simetric:
n aceast lecie vom urmri fenomenele fizice care au loc n dispozitivele semiconductoare
compuse (ansamble de semiconductoare p i n). n semiconductoarele de tip p majoritari sunt
golurile i minoritari sunt electronii, iar n semiconductoarele de tip n majoritari sunt electronii i
minoritari sunt golurile.
Definiie: Zona de contact a dou regiuni semiconductoare extrinseci una de tip p i alta
de tip n ntr-un monocristal se numete jonciune p-n (vezi fig. 1).
31 din 95

Fig. 1
Definiie: Jonciunea p-n realizat astfel nct concentraiile atomilor acceptori n regiunea
p i ale atomilor donori n regiunea n s fie egale, se numete jonciune p-n simetric.
Dac o jonciune p-n simetric nu este supus aciunii unui cmp electric exterior, n
monocristal apare fenomenul de difuzie al purttorilor majoritari. Electronii liberi din regiunea n
tind s treac n regiunea p, iar golurile mobile din regiunea p tind s treac n regiunea n.
Observaie: Primii purttori majoritari, care trec dintr-o regiune n alta sunt cei concentrai
n imediata apropiere a domeniului de contact, ceea ce are ca efect creerea n dreptul jonciunii a
unei regiuni lipsite de purttori de sarcin majoritari.
Aceast difuzie are ns, i un alt efect important, care const n apariia unei diferene de
potenial n dreptul jonciunii U0 (vezi fig. 1).
Ionii pozitivi i negativi devin sarcini electrice fixe. Aceste sarcini reprezint o barier n
calea difuziei, n continuare, a purttorilor majoritari i, n acelai timp, un mijloc de accelerare a
trecerii prin jonciune a purttorilor minoritari.
Concluzie: Aceast barier numit, barier de potenial (U0), se opune tendinei
purttorilor majoritari de a strbate jonciunea prin difuzie, blocnd circulaia lor. Pentru ca, n
continuare, jonciunea p-n simetric s fie strbtut de purttori de sarcin majoritari va trebui
s fie supus unui cmp electric exterior, de o polaritate care s favorizeze traversarea jonciunii.
Valoarea cmpului electric extern va trebui s fie mai mare dect cea a barierei de potenial
U0 (Eext > U0). La Si, U0(0,40,5)V, iar la Ge, U0(0,10,2)V.
Din punct de vedere fizic acest lucru este uor de explicat dac ne amintim c electronii din
B.V. ai siliciului sunt mai aproape de nucleu (vor trebui energii mai mari pentru a-i aduce n B.C.
dect n cazul germaniului).
B). Jonciunea p-n simetric, polarizat:
n continuare vom analiza comportarea unei jonciuni p-n simetrice la aplicarea unei
tensiuni exterioare de o anumit polaritate:
a). POLARIZAREA DIRECT (P.D.):

Fig. 2

32 din 95

Tensiunea E se scade din tensiunea U 0, micornd-o ca valoare i diminundu-i efectele.

Purttorii majoritari sunt apropiai de jonciune, iar grosimea stratului de baraj scade. La nivelul
jonciunii p-n are loc recombinarea perechilor electron-gol. Chiar la valori mici ale tensiunii E
(P.D.), efectul barierei de potenial este sczut. Jonciunea, prezentnd o rezisten electric sczut,
este traversat de un curent electric Id [mA] (vezi fig. 2).
b). POLARIZAREA INVERS (P.I.):

Fig. 3
Tensiunea aplicat invers (E) se nsumeaz cu bariera de potenial U 0, ceea ce are ca rezultat
accentuarea efectelor din zona jonciunii (se mrete zona).
ndeprtarea purttorilor majoritari de jonciune determin mrirea numrului de ioni
existeni n zona jonciunii. n schimb, ca efect secundar, purttorii minoritari traverseaz
jonciunea. Astfel, se genereaz un curent invers Iinv. [A] (vezi fig. 3).
Dac temperatura crete, vom nregistra o cretere a curentului Iinv., deoarece numrul
purttorilor minoritari este dependent de temperatur.
Concluzie: n cazul polarizrii inverse jonciunea p-n se comport ca un condensator
ncrcat. Dac tensiunea aplicat Uinv. (E) se mrete, atunci jonciunea se va strpunge la fel ca un
condensator. Fenomenul fiind nedorit, n cataloage se precizeaz Uinv.max., valoare care nu trebuie
depit n practic. n cazul siliciului Iinv. este foarte mic (civa A, la 250C), pe cnd la germaniu
are valori mai mari.
n dispozitivele semiconductoare moderne siliciul a nlocuit germaniul.
C). Jonciunea p-n nesimetric:
Jonciunile p-n simetrice se utilizeaz rar, pentru c n dispozitivele semiconductoare
uzuale sunt folosite combinaii de jonciuni nesimetrice. Obinerea acestor jonciuni este o
problem tehnologic.
Observaie: Un semiconductor extrinsec are o conductivitate cu att mai ridicat cu ct este
mai mare concentraia purttorilor majoritari.
n cazul n care considerm jonciunea p+n (golurile din regiunea p au o concentraie
mult mai mare dect electronii din regiunea n), la polarizarea direct (P.D.) golurile din regiunea
p sunt antrenate spre jonciune i intr n regiunea n. Acest fenomen se numete injecie de
goluri n regiunea n.
Intrnd n regiunea n, golurile difuzeaz i recombinndu-se cu electroni, care aici sunt
purttori minoritari, i reduc concentraia pe msura deprtrii de jonciune, pn la dispariia
total. Electronii din regiunea n particip n cea mai mare parte la aceast recombinare (cu
golurile) i un numr mic (redus), traverseaz jonciunea devenind purttori minoritari,
recombinndu-se la rndul lor (vezi fig. 4).
33 din 95

Fig. 4
Deosebirea fa de jonciunea simetric este evident: jonciunea este traversat de mai multe goluri
dect de electroni (dac se reduce dimensiunea regiunii n, atunci putem avea un curent de goluri).
Itotal=Igol+Ielectron
D). Dioda semiconductoare cu jonciune:
Definiie: O jonciune p-n creia i se aplic dou contacte ohmice, numite terminale
pentru legtura cu exteriorul i care se introduce ntr-o capsul protectoare (i izolatoare) se
numete diod semiconductoare cu jonciune. Cele dou regiuni ale diodei se numesc electrozi
(vezi fig. 5).
Din punct de vedere electric dioda semiconductoare (D.S.) este un dispozitiv pasiv neliniar.

Fig. 5
Schema pentru ridicarea caracteristicii volt-amper i a caracteristicii statice pentru P.D. i
P.I. este prezentat n figura 6.

Fig. 6
Segmentul OA: reprezint regimul de conducie direct, unde se noteaz cu Rd
rezistena de conducie (direct) i are valori de ordinul unitilor de ohmi (se poate neglija). n mod
normal, caracteristica volt-amper, n regimul de conducie direct nu ncepe din origine, fiind
diferit la Si i Ge, pentru I0. Aceast manier de reprezentare este mai frecvent utilizat n
practic (vezi fig. 7).
34 din 95

Fig. 7
Segmentul OB: corespunde regimului de blocare (fig. 6). Dioda se polarizeaz
invers, iar rezistena de blocare (invers) R b (Ri) ia valori de ordinul M-lor. n majoritatea
cazurilor Ri se consider de valoare infinit.
Segmentul BC: (fig. 6) reprezint regimul de strpungere, unde Uinv. crete foarte
mult atingnd valoarea de strpungere Ust., curentul invers Iinv. crete brusc rezultnd astfel,
strpungerea jonciunii. Tensiunea la care au loc aceste fenomene se numete tensiune de
strpungere: Ust.Ge, Ust.Si (zecisute) voli.
Iinv. este neglijabil fa de Id; la P.D. dac temperatura crete, atunci Id crete, iar la P.I. dac
temperatura crete, atunci Iinv. crete mult, aprnd fenomenul de strpungere i la o valoare mai
mic dect cea de strpungere Ust.. Creterea temperaturii, lipsa de ventilaie este cauza principal a
apariiei fenomenului de strpungere a diodelor.
Caracteristica static ideal a diodei redresoare este prezentat n figura urmtoare (fig. 8):

Fig. 8
2. DIODA ZENER
Definiie: Este un dispozitiv semiconductor stabilizator de tensiune.
La P.D. se comport ca o diod obinuit. La P.I. caracteristica are forma mult mai abrupt
dect n cazul diodelor redresoare, astfel c la variaii mari ale curentului tensiunea rmne
constant, util pentru aplicaiile de stabilizare a tensiunii. Cnd U inv. devine egal cu Ust. curentul
prin jonciune crete foarte mult, tinznd la (infinit), astfel c este necesar a limita curentul cu
ajutorul unei rezistene de limitare (Rlim.).
Simbolul i caracteristica curent-tensiune sunt prezentate n figura 9.

Fig. 9

35 din 95

La dioda Zener efectul de variaie a curentului n zona strpungerii este mult mai accentuat
dect la diodele de uz general. Fenomenul strpungerii este evitat la diodele semiconductoare
redresoare, dar devine util n acele aplicaii n care se cere pstrarea unei tensiuni constante, la
variaii n limite largi ale curentului.
Efectul Zener se datoreaz creterii intensitii cmpului electric n regiunea de trecere,
odat cu creterea tensiunii inverse aplicate jonciunii. Efectul Zener const n ruperea unor legturi
covalene dintre atomii reelei cristaline, datorit unui cmp electric foarte intens n interiorul
semiconductorului, generndu-se astfel, perechi electron-gol, fenomen ce duce la strpungerea
jonciunii.
n marea majoritate a cazurilor, strpungerea jonciunii se datoreaz ns, altui mecanism:
multiplicarea n avalan a purttorilor, datorit ionizrilor prin ciocniri.
Sub aciunea cmpului electric, purttorii mobili sunt accelerai pn cnd sufer ciocniri.
Dac n momentul ciocnirii ei posed energii cinetice suficient de mari pentru a rupe legturi
covalene, n urma ciocnirilor se pot genera noi purttori mobili.
3. DIODA CU CONTACT PUNCTIFORM
Definiie: Sunt dispozitive semiconductoare obinute prin asocierea unei plcue de
semiconductor cu un vrf metalic ascuit (Wolfram sau Molibden) ce apas pe acesta.
Structura dispozitivului este prezentat n figura 10, urmtoare:

Fig. 10
Plcua de semiconductor poate fi de Ge sau Si, de tip n, cu o suprafa de 12 mm 2,
bine lefuit pentru a se micora suprafaa de contact dintre vrful de Wolfram i aceasta. Contactul
trebuie s reziste la ocuri i vibraii.
Dioda este supus unor impulsuri de curent ce pot avea intensitatea pn la 1 A i durata
ti=(10-210-3) secunde. Impulsul de formare nclzete puternic locul contactului i face ca o zon
restrns de semiconductor impurificat n din zona de contact s fie srcit de purttori de
sarcin, ceea ce echivaleaz cu schimbarea tipului de conductivitate. Se formeaz astfel, o zon
(microjonciune) cu o suprafa foarte redus (10-4 mm2) i o grosime mic (10-6 mm), de o form
aproximativ semisferic, i deci o capacitate de jonciune < 1 pF. Suprafaa mic a microjonciunii
face ca aceste diode s suporte cureni mici (cteva zeci de mA), n condiii normale de exploatare
(vezi fig. 11).

Fig. 11

36 din 95

Aceste diode sunt utilizate n domeniul frecvenelor foarte nalte, ca detectoare, ca

schimbtoare de frecven sau multiplicatoare de frecven, fiind denumite uneori i diode de
semnal.
4. DIODA DE COMUTAIE
n circuitele de impulsuri jonciunea p-n se utilizeaz n regim de comutaie
(ntreruptoare comandate). Schema de principiu este prezentat n figura 12.
K 1 P.D.
K 2 P.I.
R are valoare mare, pentru
potecia jonciunii.
Fig. 12
a). Regimul de comutaie direct (K trece din poziia 2 1):
Observaie: la P.I., regiunea de trecere are grosime mare (sarcina spaial are valoare mare);
la P.D., regiunea de trecere are grosime mic (sarcina spaial are valoare mic).
Trecerea de la P.I. la P.D. implic extragerea unei pri din sarcina spaial a regiunii de
trecere. Extragerea acestei sarcini necesit un timp i poate fi comparat cu descrcarea
capacitii barierei. n acest regim apare o acumulare de purttori minoritari de sarcin n regiunile
p i n. Aceast acumulare necesit un anumit timp (fig. 13).

Fig. 13
b). Regimul de comutaie invers (K trece din poziia 1 2):
n regimul de comutaie direct, n regiunile p i n s-au stocat un numr de purttori de
sarcini electrice. Traversnd jonciunea, acetia devin purttori minoritari i adugndu-se celor
deja existeni, creeaz un surplus de purttori minoritari, care nu pot fi asimilai prin procesul de
recombinare.
Se constat c (fig. 14), trecnd brusc la momentul t0 de la polarizarea direct (curent
direct mare +Id) la polarizarea invers, curentul prin diod nu scade brusc, n momentul
comutaiei la valoarea de regim (-ir), ci are la nceput o valoare mare neativ (-imax), care dup un
timp oarecare t1 scade, ajungnd la valoarea (mic) de regim (-ir). Dioda se comport ca i cum
dup comutaie are la nceput o rezisten invers mic i abia dup timpul t 1 rezistena invesr
crescnd, atinge valoarea mare de regim. Explicaia fenomenului este urmtoarea: cnd dioda este
polarizat direct are loc injecia de purttori minoritari n exces prin jonciune; de aceea n regiunile
din cristal situate n exteriorul regiunii de trecere dar n apropierea acesteia, crete mult concentraia
purttorilor minoritari (exces de minoritari).
Trecnd brusc de la polarizarea direct la polarizarea invers, prin diod trebuie s circule
curent invers; mrimea curentului invers, depinde, dup cum se tie, de concentraia purttorilor
minoritari din cele dou cristale (extracie de minoritari); i cum n momentul comutaiei aceast
concentraie este mare (datorit injeciei de purttori minoritari din timpul polarizrii directe),
rezult imediat dup comutaie un curent invers mare imax i o rezisten invers mic.
n decursul timpului (t > t0), n cele dou cristale concentraia minoritarilor n exces scade
treptat datorit recombinrilor acestora, ct i datorit faptului c minoritarii trec prin jonciune
formnd curentul invers al acesteia, de aceea la un moment t 1 > t0, concentraia de minoritari din
cele dou cristale scznd, ajunge la valoarea normal, corespunztoare procentului de dotare cu
impuriti (existent nainte de polarizarea direct), iar curentul i rezistena inverse se stabilesc la
valorile de regim (curent mic i rezisten mare).
37 din 95

Timpul de comutaie invers (tC.I.) este mai mare (510-5 s) dect timpul de comutaie
direct (tC.D.10-710-5 s).

Fig. 14
Diodele de impulsuri trebuie s treac mai repede din starea de blocare n starea de saturaie
i invers. tC.I. limiteaz funcionarea diodelor de comutaie, depinznd de timpul de via al
minoritarilor.
5. DIODA VARICAP (VARACTOR)
Definiie: Prin diod varactor se nelege acea diod semiconductoare a crei jonciune se
comport ca un condensator, a crui capacitate poate fi controlat cu ajutorul tensiunii de polarizare
invers.
Cu ajutorul tensiunii de polarizare invers zona lipsit de purttori de sarcin poate fi mrit
sau micorat, fenomen ce poate fi echivalent cu apropierea sau deprtarea plcilor unui
condensator plan.
Caracteristica static este asemntoare cu cea de la dioda semiconductoare obinuit.
Diodele varicap se construiesc din siliciu. n figura 15 sunt reprezentate simbolul i cea mai
important caracteristic a diodei varicap, curba de variaie a capacitii funcie de tensiunea de
polarizare.

Fig. 15
n figura urmtoare (fig. 16) este prezentat schema echivalent a diodei varicap, unde cu
Rs este notat rezistena serie, introdus de terminale; Cj capacitatea serie a jonciunii; L0
i C0 inductana i capacitatea parazit a monturii.

Fig. 16
Utilizri:
a). la multiplicatorul de frecven;
38 din 95

b). la schimbtoarele de frecven;

c). amplificatoare parametrice;
d). la variaia comandat a frecvenei de rezonan a circuitelor oscilante, nlocuind
condensatorul variabil printr-o diod varicap.

TRANZISTORUL BIPOLAR
1. NOIUNI GENERALE
n 1949 se inventeaz tranzistorul bipolar de ctre Schockley (S.U.A.), Brattain, Braden.
Tranzistoarele reprezint cea mai important clas de dispozitive electronice, deoarece au
proprietatea de a amplifica semnalele electrice i constituie la ora actual cele mai importante
componente ale circuitelor electronice i integrate. Denumirea de TRANZISTOR provine din
concatenarea prilor cuvintelor din limba englez: TRANsfer-reZISTOR, care indic proprietatea
principal a dispozitivului.
Se numesc astfel (tranzistoare bipolare cu jonciuni), deoarece la funcionare intervin
purttori de sarcin de ambele polariti (electroni i goluri), spre deosebire de alte tipuri de
tranzistoare unde, n funcionare, intervin purttori de sarcin numai de o polaritate (sau electroni,
sau goluri). Tranzistoarele bipolare (TB) utilizeaz proprietile jonciunii pn i pot fi realizate cu
o singur jonciune (TUJ) i cu mai multe jonciuni.
Tranzistorul cu jonciuni (bipolar) este realizat dintr-un monocristal semiconductor, care
prezint (din punctul de vedere al doprii cu impuriti) trei regiuni distincte: p, n, p sau n, p, n.
Cele trei regiuni ale monocristalului se numesc: emitor (E), baz (B), colector (C) (vezi
simbolurile n figura 1).

Fig. 1
Observaie: Baza este ntotdeauna mai puin dopat cu impuriti dect emitorul. Ea are o
grosime mult mai mic dect lungimea de difuzie a purttorilor minoritari ( 0,01 mm). Celelalte
dou regiuni E i C au grosimi care sunt mult mai mari dect lungimea de difuzie a purttorilor
minoritari.
Emitorul are rolul de a injecta purttori n baz (analog catodului din tuburile electronice).
Colectorul capteaz electronii injectai (rolul anodului din tuburile electronice). Baza controleaz,
comand curenii emitorului i colectorului.
Clasificarea tranzistoarelor:
1). Dup natura semiconductorului: cu Ge sau cu Si;
2). Dup tipul conductivitii: pnp sau npn;
3). Dup puterea disipat (Pd) pe colector: de mic putere (P d 0,25W) sau de
mare putere (Pd > 0,25W);
4). Dup gama de frecven de lucru: de JF joas frecven (f < 5 MHz) sau de
F nalt frecven (f > 5 MHz).
Structura unui tranzistor planar epitaxial este prezentat n figura 2, urmtoare:
39 din 95

Fig. 2
2. FUNCIONAREA UNUI TRANZISTOR BIPOLAR
Vom analiza funcionarea unui tranzistor n montaj B.C. (baza este electrodul comun pentru
legarea celor dou surse de polarizare), (vezi fig. 3).

Fig. 3
Reamintim c regiunile p sunt mai puternic impurificate (dopate) dect regiunea n.
Jonciunea E-B (jonciunea emitorului): este polarizat direct (cu tensiuni de zecimi de
volt). Datorit polarizrii directe cmpul interior E int . ( B E ) este mai mic dect cmpul
exterior dat de surs i fiind de sens contrar, rezultanta cmpului favorizeaz deplasarea golurilor
spre regiunea central (baz). Purttorii minoritari, golurile B, formnd un curent nsemnat I pE.
Intrnd n baz, golurile devin purttori minoritari, iar electronii din baz sunt purttori majoritari
pentru n. ns, numrul golurilor care intr n baz este mai mare dect numrul electronilor (baza
este subire i mai puin impurificat) i deci, puine goluri se recombin. Aadar, numai un numr
mic de goluri injectate din emitor se vor recombina cu electroni majoritari din baz. Majoritatea
golurilor vor difuza transversal bazei pn n apropierea jonciunii colectorului.
Jonciunea C-B (jonciunea colectorului): este polarizat invers (voli sau peste 10V), iar n
regiunea barierei de potenial vom avea dou cmpuri electrice (exterior i interior), n acelai sens,
de la B C, care favorizeaz deplasarea golurilor, n continuare, din baz, sub forma unui curent
de conducie IpC i vor ajunge la C (devenind aici, majoritari).
n concluzie: golurile injectate din emitor difuzeaz prin baz i sunt colectate de colector.
Dac baza ar fi groas, ele s-ar recombina cu electronii din baz, reducnd numrul golurilor,
fenomenul rezumndu-se la funcionarea unei jonciuni independente. Dar, baza fiind subire doar o
mic parte din golurile injectate n baz dispar prin recombinare. n acest proces dispare i un
numr egal de electroni majoritari din baz.
nlocuirea electronilor disprui prin recombinarea din baz se face printr-un transport de
electroni de la sursa de polarizare, prin firul de conexiune al bazei, formndu-se curentul de
recombinare Ir.
Jonciunea emitorului este strbtut i de electroni dinspre B E, lund natere un curent
InE, ns numrul electronilor fiind mic astfel c: InE < IpE, (baza este mai puin dopat). Acest
curent InE nu realizeaz nici un cuplaj ntre cele dou jonciuni, deoarece el circul numai prin
jonciunea emitorului.

40 din 95

Jonciunea colectorului, ca orice jonciune polarizat invers, este parcurs i de un curent de

saturaie, format din purttori minoritari generai pe cale termic.
Electronii minoritari din C (p) se duc n B (n) i golurile din B (n) se duc n C (p).
Acest curent este ICB0, curent invers de colector (el depinde foarte mult de temperatur).
Not: golurile din B care iau parte la formarea lui I CB0, nu sunt goluri injectate din emitor,
ele sunt generate pe cale termic din materialul (structura) bazei i sunt diferite de golurile injectate.
ICB0 = curent rezidual de colector sau curent B-C, cnd E este n gol, adic atunci cnd nu se
injecteaz goluri din emitor n baz.
3. ECUAIILE FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI
Din exterior nu se msura componentele de curent definite mai sus, ci numai curenii totali
prin firele de conexiune ale E, B, C, adic: IE, IB, IC.
Din figura 3 anterioar, avem:
IE = IpE + InE
IB = Ir + InE ICB0 (InC)
IC = IpC + ICB0 (InC)

(1)
(2)
(3)

Bilanul golurilor injectate din emitor n baz conduce la relaia:

IpE = IpC + Ir

(4)

Adunm (2) i (3) i inem cont de realiile (1) i (4), rezult:

IB + IC = Ir + InE ICB0 + IpC + ICB0 = IpE + InE = IE =>
IE = IB + IC, (vezi fig. 4)

(5)

Fig. 4
Relaia (5) reprezint ecuaia fundamental a tranzistorului i exprim condiia de
conservare a sarcinii electrice n tranzistor. Are forma Legii I a lui Kirkhoff, dac tranzistorul este
privit ca un nod de reea.
IpC < IE;IpC = IE

(6)

IpC componenta curentului de colector, datorat curentului de emitor;

factor de amplificare n curent, ntre E i C ( = 0,950,998, funcie de tip i
tehnologie) sau coeficient static de amplificare n curent (de transfer n motaj BCbaz comun).
nlocuind (6) n (3) obinem:
IC = IE + ICB0

(7)

41 din 95

Aceast relaie (7) reprezint a doua ecuaie fundamental a tranzistorului.

Concluzie: din explicaia fenomenelor fizice care au loc ntr-un tranzistor n montaj BC,
rezult c:
1). Intensitatea IE comand intensitatea IC. De aceea se consider ca born de
intrare (comand) E i ca born de ieire (comandat) C;
2). ntre aceste borne n montajul BC, nu are loc o amplificare a curentului ( 1).
Se poate arta c tranzistorul realizeaz o amplificare n putere ntre E i C. Deoarece,
jonciunea emitorului este polarizat direct, ea are o rezisten intern mic, deci R EB este mic
(zeci ). Puterea consumat de intrare va fi:
PInt. = REB I2E

(8)

Deoarece, jonciunea colectorului este polarizat invers, ea are o rezisten intern mare,
RCB M. De aceea, n circuitul de ieire al tranzistorului se poate introduce o rezisten R S
de ordinul zecilor de k, fr a perturba funcionarea tranzistorului. Puterea disipat n RS va fi:
PS = RS I2C

(9)

n prim aproximaie se poate considera IC IE. Amplificarea n putere are relaia:

PS
R S I C2
R
AP =
=
S >> 1, REB foarte mic
(10)
2
P Int. R EB I E R EB
Deci, tranzistorul n montaj BC realizeaz o amplificare n putere.
Denumirea de tranzistor vine de la transfer rezistor, fiind legat de faptul c n regim
activ normal are o rezisten de intrare mic i o rezisten de ieire mare.
Alte modaliti de conectare a tranzistorului n scheme sunt prezentate n figura 5: BC,
EC, CC.

Fig. 5
n continuare (fig. 6), vom prezenta realiile ce definesc funcionarea tranzistorului conectat
n montaj EC.

Fig. 6
Din relaiile (5) i (7) se elimin IE i rezult:
42 din 95

IB +
I CB0 , unde notm: =
,
1
1
1
1
IC = IB +
I CB0 = I B + ( + 1) I CB 0
1
IC =

rezultnd:

(11)

factorul de amplificare n curent ntre B i C, este o mrime static de

c.c. ca i ; >> 1 (20 600, funcie de tranzistor);
ICB0 curentul rezidual de colector, cu emitorul n gol.
Aceast relaie (11) reprezint ecuaia fundamental a tranzistorului, n cazul EC.
Cnd IE = 0, din relaia (7) rezult c: I C = ICB0; ICB0 = [A] (pentru Ge) i [nA] (pentru
Si). n aceeai situaie avem ICE0, care este definit n relaia (11) ca: ICE0 = [1/(1-)] ICB0, numit
i curent rezidual de colector cu baza n gol. Astfel, IC = ICE0, cnd IB = 0. Deoarece, 1, rezult
c
[1/(1- )] [/(1- )] = i astfel, curentul rezidual de colector I CE0 va avea valoarea: ICE0
ICB0.
Dac se aproximeaz = 1, atunci:
IC IE

(12),

I C I B

Relaiile (12) sunt utile pentru calculul preliminar, rapid al tranzistorului. i depind
de punctul de funcionare al tranzistorului (n special, ).

4. CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI

Nr. Crt.

Exist patru posibiliti de polarizare a unui tranzistor, care corespund celor patru regimuri
diferite de funcionare:
DENUMIRE
REGIM

1 ACTIV NORMAL
2 ACTIV INVERS
DE TIERE
3
4 DE COMUTAIE

POLARIZAREA
JONCIUNII E

POLARIZAREA
JONCIUNII C

DIRECT
INVERS
INVERS
DIRECT

INVERS
DIRECT
INVERS
DIRECT

Caracteristicile statice ale tranzistorului sunt de mai multe categorii:

a). de ieire;
b). de transfer;
c). de intrare;
d). de reacie.
n continuare vom prezenta, n figura 7, caracteristicile statice de ieire pentru tranzistorul n
montaj EC i schema electric pentru ridicarea acesteia:

43 din 95

Fig. 7
Pentru polarizarea tranzistorului bipolar vom prezenta (n figura 8), schema de polarizare a
bazei prin divizor de tensiune i grup de stabilizare termic n emitor:

Fig. 8
RB1 = (1050) k; RB2 = (210) k; RC = (13) k; RE = (5003000) ;
RE, CE = grup de stabilizare termic (introduce reacia negativ serie de curent);
IC = 1,4 mA, UCE = 1,5 V la T.B. cu Ge;
IC = 0,9 mA, UCE = 3,1 V la T.B. cu Si.

TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP UNIPOLARE

1. NOIUNI INTRODUCTIVE

Spre deosebire de tranzistoarele studiate pn acum, unde conducia electric se fcea

simultan, att prin electroni ct i prin goluri, deci prin dou tipuri de purttori de sarcin de
polariti diferite (de unde i denumirea de tranzistoare bipolare), la tranzistoarele cu efect de cmp
(T.E.C.) conducia se realizeaz printr-un singur tip de purttori de sarcin (ori electroni, ori goluri)
de unde i denumirea de tranzistoare unipolare.
La tranzistorul bipolar, controlul valorii curentului care l strbate, se realizeaz prin
fenomene de injecie i transport al purttorilor minoritari.
La T.E.C., controlul intensitii curentului se face cu ajutorul unui cmp electric care
moduleaz (modific) conducia cii de trecere a curentului, cale denumit canal.
Modificarea conductibilitii cii de trecere (canalului) semiconductorului depinde, direct
proporional de intensitatea cmpului electric care acioneaz asupra sa, deci de semnalul electric
care produce cmpul electric.
Structura general a T.E.C. este prezentat n urmtoarea figur (fig. 1):

44 din 95

Fig. 1
Canalul poate fi din semiconductor impurificat n (canal n) sau p (canal p), astfel
obinem T.E.C. cu canal n sau T.E.C. cu canal p.
Curentul trece prin canal ca urmare a diferenei de potenial determinat de sursa de
alimentare ED, plasat ntre dren (D) i surs (S). n partea de sus a canalului, izolat de acesta, sa plasat electrodul, al crui potenial genereaz cmpul electric E , care face ca seciunea
canalului (parcurs de purttori) s fie mai mare sau mai mic. Acest electrod se numete gril (G)
sau poart (P).
Dup modul n care se poate obine un canal, al crui conductan s depind de cmpul
electric, deosebim urmtoarele dou categorii de tranzistoare cu efect de cmp:
1). T.E.C. cu gril jonciune (T.E.C.-J sau J-F.E.T.);
2). T.E.C. cu gril izolat (T.E.C.-MOS sau T.E.C.-MIS, sau MOS-F.E.T.):
- MIS: Metal-Izolant-Semiconductor;
- MOS: Metal-Oxid-Semiconductor.
Acestea sunt realizate n tehnologie planar: adic S, G, D sunt pe aceeai fa a
substratului semiconductorului.
Avantajele T.E.C. fa de T.B. sunt urmtoarele:
- au o rezisten de intrare mare, comparabil cu cea a tuburilor electronice
(sutemii de M);
- au o tehnologie de fabricaie mai simpl i ocup o arie de siliciu mai mic n
structurile integrate;
- dependena redus fa de temperatur a caracteristicilor (aici nu mai intervin
purttorii minoritari);
- zgomot propriu redus la frecvene nalte;
- pot fi folosite ca rezisten variabil controlat prin potenialul grilei, fcndu-le
utilizabile n tehnologia integrat.
Dezavantajele acestor tipuri de tranzistoare sunt:
- nu amplific n curent;
- amplificarea n tensiune este mai mic dect la T.B.

45 din 95

2. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP CU GRIL JONCIUNE (T.E.C.-J)

Realizarea unei structuri TEC-J este prezentat n figura 2:

J1, J2 jonciuni;

Fig. 2
Tensiunea de comand se aplic ntre G i S i se polarizeaz invers jonciunea J 1.
Sub aciunea cmpului electric E regiunea lipsit de purttori se micoreaz sau se extinde, ceea
ce implic modularea curentului ID (curentul de dren).
Substratul p (cristalul de baz, pe care se realizeaz T.E.C.-J) se conecteaz la un electrod,
cu denumirea de baz (B sau grila a 2-a), lund natere a doua jonciune J 2. Baza este
conectat, de regul, la gril.
Simbolurile sunt prezentate n figura 3:

Fig. 3
La T.E.C.-J, dou familii de caracteristici statice au importan deosebit i sunt
reprezentate n cataloage:
1). Caracteristicile statice de ieire:
I D =f ( U DS ) U

GS =cons tan t

2). Caracteristicile statice de transfer:

I D =f ( U GS ) U

DS =cons tan

Observaie: electrodul de referin n montajele T.E.C.-J este considerat sursa (S).

n figura urmtoare (fig. 4) este prezentat un circuit de polarizare pentru T.E.C.-J cu canal
n:
46 din 95

Fig. 4

3. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP CU GRIL IZOLAT (T.E.C.-M.O.S.)

Dup modul n care se formeaz canalul conductor sub izolator (ntre surs i dren),
T.E.C.-M.O.S. pot fi:
1). TEC-MOS cu canal indus;
2). TEC-MOS cu canal iniial.
Structura unui TEC-MOS cu canal indus este prezentat n figura 5:

Fig. 5
Regiunea n+ se formeaz prin procedeul difuziei (n+ regiune puternic dopat). SiO2 (bioxid
de siliciu) constituie stratul izolator ntre zonele puternic dopate (n +) ale sursei (S) i drenei (D), pe
care se formeaz canalul conductor.
Pentru o bun nelegere a funcionrii vom studia urmtoarele cazuri:
a). Dac UG = 0, ntre surs i dren, pe sub izolator se formeaz dou jonciuni J 1 i J2, iar ID =
0.
b). Dac UG > 0 (n raport cu sursa) i suficient de mare, golurile din substratul p aflate sub
izolator vor fi mpinse n substratul p (n jos), iar electronii minoritari ai substratului vor fi atrai
la suprafa spre izolator, formnd un canal de legtur ntre surs i dren, de aceeai natur, cu
regiunile puternic dopate (n+). Astfel se formeaz canalul indus.
c). Dac UD > 0, apare curentul de dren ID, iar dac UG crete, sarcina indus i mrete
concentraia (canalul se lrgete) i conductibilitatea canalului crete, astfel c la acelai potenial
UD avem o cretere a curentului de dren ID.
Reguli de polarizare:
- substrat n: UG < 0 (canal p), UD 0, ID 0, UB 0;
- substrat p: UG > 0 (canal n), UD 0, ID 0, UB 0.

47 din 95

Simbolizarea acestor tranzistoare poate fi cu marcarea curentului pe baz sau pe surs (fig.
6):

Fig. 6
Structura unui TEC-MOS cu canal iniial este prezentat n figura 7:

Fig. 7
a). Cnd UG = 0, exist canal (iniial) cu purttori ntre surs i dren, astfel c prin tranzistor va
trece un curent apreciabil.
b). Dac UG > 0, n canal vor apare i mai muli electroni i deci, ID va crete mult.
c). Pentru UG < 0, vor rmne puini electroni n canal, scznd intensitatea curentului ID pn la
zero. Tensiunea de gril pentru care curentul I D atinge valoare de zero se numete tensiune de
prag i se noteaz cu UP.
Aceste tranzistoare cu canal iniial sunt de putere ntruct prezint cureni mari chiar i
pentru UG = 0, comparativ cu TEC-MOS cu canal indus.
n continuare, sunt reprezentate simbolurile tranzistoarelor TEC-MOS cu canal iniial (fig.
8):

Fig. 8

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE SPECIALE

1. TIRISTORUL
Definiie: este un dispozitiv semiconductor cu trei jonciuni, pentru comanda sau reglarea
tensiunilor sau curenilor electrici, funcionnd ca o diod controlat.

48 din 95

Tiristorul este format din patru regiuni semiconductoare de siliciu (Si), de conductibiliti
alternante p-n-p-n, care formeaz astfel, trei jonciuni ntr-o suprafa de cristal de siliciu,
ncapsulat ermetic ntr-o mas plastic i protejat cu o carcas metalic.
Structura i simbolul sunt prezentate n figura 1:

Fig. 1
Schema echivalent de principiu a tiristorului este prezentat n figura urmtoare (fig. 2) i
reprezint dou tranzistoare de structuri diferite (pnp-npn) conectate corespunztor:

Fig. 2
Observaie: Toate tiristoarele la care terminalul de poart (P) este conectat la regiunea
p se numesc tiristoare p i reciproc. Spre deosebire de dioda cu siliciu obinuit, tiristorul se
caracterizeaz prin aceea c prezint rezisten mare chiar pe sens direct (A-K), pn cnd nu este
deschis adus n stare de conducie.
Excitarea (deschiderea) se face n dou moduri:
a). Fr aplicarea unui semnal pe poart (caz n care tensiunea A-K trebuie mult
mrit), situaie nerecomandat, deoarece se poate ajunge la distrugerea tiristorului prin
strpungere, fenomen aprut i la creterea puternic a temperaturii;
b). Aplicnd un semnal (tensiune pozitiv cu amplitudine de civa voli) pe poart,
anodul fiind pozitivat n raport cu catodul.
Observaii:
n stare excitat (deschis) tiristorul are proprietile unei diode cu siliciu de putere,
adic:
- rezisten n c.c. (A-K) extrem de mic (unitizeci );
- curent anodic (direct) maxim, de valori mari (unitisute A).
n cazul polarizrii inverse, tiristorul se comport ca o diod obinuit n conducie
invers (rezisten invers foarte mare - M - i curent invers extrem de mic - A).
Diferena dintre valoarea rezistenelor i curenilor n cele dou stri au dus la
utilizarea tiristoarelor n comutaia static.
Cele patru straturi semiconductoare din structura tiristorului sunt dopate diferit. Straturile
n i p din mijloc sunt mai slab dopate dect cele marginale.
Observaie: Pentru ca s existe curent anodic trebuie ca toate jonciunile s fie deschise.
n figura urmtoare (fig. 3) este prezentat schema polarizrii tiristorului:
49 din 95

Fig. 3
n cazul 1 (K1 nchis i A-K polarizat invers), tiristorul este blocat indiferent de
tensiunea aplicat porii, deoarece cele dou jonciuni laterale (J1 i J3) sunt polarizate invers, iar
jonciunea central (J2) este polarizat direct, vezi figura 4:

Fig. 4

n cazul 2 (K1 nchis, K2 deschis i tensiunea anodic pozitiv n raport cu catodul

polarizare direct), tensiunea EA cade practic, exclusiv pe J2. Deoarece, J2 este polarizat
invers, pe circuitul A-K tiristorul este de asemenea blocat, vezi figura 5:

Fig. 5
Tiristorul va conduce dac:
A). Aplicm EA suficient de mare pentru a determina efectul de multiplicare n
avalan la jonciunea J2, polarizat invers. Aceast valoare a tensiunii anodice o numim tensiune
de autoaprindere (cnd IG = 0).
Nu se recomand aprinderea tiristorului prin acest procedeu,
deoarece apare strpungerea i distrugerea structurii semiconductoare.
B). nchidem K2 i polarizm direct jonciunea J3, astfel nct IG > 0.
C). Prin creterea temperaturii i variaia ntr-un interval de timp ti, mic a lui EA.
Observaie: trecerea n starea de conducie a tiristorului se numete aprinderea
tiristorului

50 din 95

I). Aprinderea tiristorului cnd IG = 0 (fr comand pe gril):

Pentru nelegerea aprinderii tiristorului este foarte util descompunerea lui n schema
echivalent cu dou tranzistoare T1 (npn) i T2 (pnp), vezi figura 6:

Fig. 6
Catodul este constituit din emitorul lui T 1, anodul din emitorul lui T2, iar grila (poarta)
pe baza lui T1, legat de colectorul lui T2. n figur s-a evideniat formarea sarcinii spaiale la
jonciunea central J2, atunci cnd se aplic o tensiune pozitiv pe A, aa cum s-a artat mai
nainte. Se observ c cele dou tranzistoare sunt polarizate normal pe colector, adic: U CE > 0
pentru T1 (npn) i UCE < 0 pentru T2 (pnp).
Bilanul curenilor de electroni i goluri ntr-o structur de tiristor este prezentat n figura 7:

Fig. 7
n tiristor, jonciunea J2 este traversat n acest caz de curentul:
I A = 1 I A + 2 I A + I CB0

(1)

n care:
- 1IA curentul datorat electronilor injectai de E1 i care difuzeaz prin baza B1, ajungnd n C1;
- 2IA curentul datorat golurilor injectate de E2 i care difuzeaz prin baza B2, ajungnd n C2;
- ICB0 curentul rezidual propriu al jonciunii centrale J 2, care ar trece prin jonciunea J2 n
absena celorlalte dou jonciuni.
Rezult:

51 din 95

IA =

dac:

I CB 0

1 ( 1 + 2 )

(2)

1+ 2 1 (cnd tensiunile de pe colector sunt foarte mari) (3)

Aprinderea tiristorului se produce cnd n aceast relaie (2) IA tinde s creasc nelimitat,
adic pentru (3). Relaia (3) poate fi ndeplinit n mai multe moduri, dup parametrul care este
modificat n acest scop.
Pentru tiristorul necomandat exist n primul rnd:
1. posibilitatea de a mri UA aplicat astfel nct s se produc multiplicarea prin
avalan a purttorilor la jonciunea colector-baz (polarizat invers), a celor dou
tranzistoare, adic la jonciunea median J2 a tiristorului, acesta fiind unul din procedeele
aprinderii.
2. a doua posibilitate pentru ca tiristorul necomandat s se aprind, apare atunci cnd
temperatura tiristorului crete.
3. a treia posibilitate de aprindere a tiristorului necomandat este atunci cnd
tensiunea anodic UA crete foarte repede ajungnd la valoarea final, sub tensiunea
UDRM (vezi caracteristica IA = f(UA), figura 9).
Toate cele trei moduri de aprindere a tiristorului necomandat constituie aprinderi parazite
ale tiristorului i n toate circuitele construite cu tiristor trebuie luate msuri de precauie ca aceste
aprinderi s nu fie posibile.
II). Aprinderea tiristorului n cazul IG 0 (cu gril comandat):
Pentru comanda aprinderii tiristorului, pe grila acestuia se vor aplica tensiuni pozitive n
raport cu catodul sau impulsuri pozitive de o anumit durat i amplitudine. Comanda aplicat pe
gril are menirea de a polariza direct jonciunea J3 (EB a tranzistorului T1), sporind valoarea
curentului total din catodul tiristorului la valoarea IA + IG.
Curentul de colector al tranzistorului T1 va fi (IA + IG) + aICB0. Ceilali cureni rmn
neschimbai fa de cazul precedent. Pentru tiristorul comandat, jonciunea central a acestuia J 2
este traversat de curentul:
I A = 1 ( I A + I G ) + 2 I A + I CB0

(4)

Din relaia (4) se obine:

IA =

1 I G
I CB0
+

1 ( 1 + 2 ) 1 ( 1 + 2 )

(5)

Condiia pentru ca tiristorul s se aprind (I A s creasc nelimitat) este ca numitorul

termenilor din dreapta s se anuleze. Aceast condiie este asemntoare celei din cazul precedent
(al aprinderii fr comand), adic:
1+ 2 1

(6)

La tiristorul comandat, fenomenul fizic de aprindere poate fi explicat astfel: la aplicarea

impulsului de comand pozitiv pe gril, purttorii pozitivi golurile sunt trimii din electrodul de
comand G (regiunea p3), micorndu-se lrgimea regiunii la jonciunea J 3, ceea ce
favorizeaz injecia de electroni din E1 n B1 (la T1 npn).
Ca n cazul oricrui tranzistor polarizarea direct a jonciunii EB produce mrirea
curentului IE. Creterea curentului de electroni injectai produce mrirea curentului I C1, care
intr n C1, identic cu IB2, (vezi figura 8).
52 din 95

Fig. 8
Creterea IB2 determin pentru T2 repetarea procesului declanat n T1 de ctre
impulsul de comand, adic IC2 crete n mod corespunztor. Prin urmare, IB1 = IG + IC2 crete i
mai mult, conducnd, n continuare la mrirea lui IC1.
Prin legturile C1 B2 i C2 B1 din tiristor, exist realizat un circuit de reacie pozitiv prin
care curentul crete n avalan i tiristorul va bascula, adic va trece din blocat n conducie (se va
aprinde).
Odat aprins, IA devine foarte mare (1 i 2 corspunztoare asigur ndeplinirea condiiei
1 + 2 = 1). De aceea, tiristorul (unioperaional) nu mai poate fi scos din starea de conducie, prin
aplicarea unui curent de comand pe gril, de sens contrar, cci el ar reduce doar I E1 la valoarea:
IE1 = IA - |IG|, la care 1 este ceva mai mic, dar condiia 1 + 2 = 1, rmne n continuare, ndeplinit.
Grila G i pierde rolul de electrod de comand, pe care i-l reia numai dup ce I A 0,
prin blocarea tiristorului n urma micorrii spre zero sau inversrii polaritii tensiunii anodice.
2. CARACTERISTICA STATIC ANODIC. PARAMETRII DINAMICI AI TIRISTORULUI
A). Caracteristica static anodic (figura 9):

53 din 95

Fig. 9
1 = conducie n sens direct (dup aprinderea tiristorului);
2 = blocare n sens direct (pn la aprinderea tiristorului);
3 = blocare n sensul polarizrii inverse;
4 = conducie n sens invers;
5 = comutare de la nchis la deschis;
IH = curent de meninere, curentul minim pentru ca tiristorul s rmn deschis.
Pe sensul conduciei directe, tiristorul are o cdere de tensiune A-K de 1V2V, valoare
influenat de temperatur (pierdere pe conducia tiristorului). Zonele de blocare se caracterizeaz
prin cureni de conducie extrem de mici: I D i IR, practic, tiristorul se consider blocat.
Tensiunile maxime de blocare: UDRM i URRM distrug tiristorul. Pentru a nu depi aceste valori,
n practic se monteaz un grup RC serie pe tiristor.
UBD = tensiune de basculare, valoarea minim a tensiunii pe anod A, la care se aprinde
tiristorul, pentru un curent IG dat. Pentru valori ale IG mari UBD sunt mici. Cnd nu este
comandat (IG = 0), UBD = UDRM.
B). Parametrii dinamici:
Parametrii dinamici ai tiristorului definesc performanele de comutaie ale tiristorului i
stabilesc limitele de funcionare n regim dinamic al sarcinii.
1). Panta de cretere a tensiunii dU/dt: are importan numai pentru sensul pozitiv al
tensiunii UA i este limitat de curentul capacitiv din zona (2) de pe caracteristica static, care
apare la blocarea tiristorului pe tensiunea pozitiv (IC = C dU/dt): dU/dt = [20 3000] V/s. Panta
de cretere a tensiunii dU/dt scade cu temperatura i crete cu ct tensiunea iniial este mai mic.
2). Timpul de intrare n conducie ton: sau durata de aprindere i reprezint timpul necesar
din momentul aplicrii semnalului de comand pn la intrarea propriu-zis n conducie [1s
30s]. Este influenat de caracterul sarcinii tiristorului.
3). Panta de cretere a curentului di/dt: factor determinat de viteza limit de intrare n
conducie a ntregii suprafee a jonciunilor tiristorului, care se impune datorit timpului necesar
propagrii cldurii dezvoltate. Valorile uzuale ale pantei de cretere a curentului sunt de
5A/s 100A/s i sunt influenate de panta impulsului de comand i de curentul de comand.
4). Timpul de revenire trev: caracteristic procesului de blocare al tiristorului. Practic,
tiristorul se poate bloca (stinge) prin suprimarea curentului de conducie sau prin negativarea
tiristorului pe anod. Timpul de refacere a proprietilor de blocare ale tiristorului se numete timp
de revenire. Exist tiristoare lente (trev = 100s 300s) i rapide (trev = 10s 50s).
3. TRIACUL I DIACUL
TRIACUL: Este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu dou tiristoare aezate
antiparalel n acelai monocristal de siliciu. Este un tiristor simetric avnd conductivitate bilateral,
lsnd s treac curentul n dou sensuri. Are doi anozi A1 i A2 i un electrod de comand G.
Este ntlnit i sub denumirea de tiristor bidirecional.
Structura i simbolul sunt prezentate n figura 10:

Fig. 10
54 din 95

Caracteristica curent-tensiune este prezentat n figura 11:

Fig. 11
Triacul poate fi comandat pe gril cu impulsuri de ambele polariti. Se disting patru moduri
de funcionare:
Modul I (UT > 0, UG > 0): structura se comport ca un tiristor convenional (p1n2p3n4). p3
are rol de poart catodic.
Modul II (UT > 0, UG < 0): structura p1n2p3n4 este comandat prin jonciunea nGp3
(electrod de comand tip jonciune). Comanda pe poart acioneaz astfel: la aplicarea U G < 0 pe
poart, IG circul ntre p3 i nG. Jonciunea nGp3, polarizat direct, amorseaz tiristorul
auxiliar p1n2p3nG, iar jonciunea p3n4 polarizat direct amorseaz tiristorul principal p1n2p3n4.
Comanda se face indirect pe poarta catodic p3.
Modul III (UT < 0, UG < 0): structura principal este cea antiparalel p3n2p1n5. Comanda
realizndu-se prin emitorul auxiliar nG, astfel: la aplicarea UG < 0 pe poart, jonciunea p3nG
fiind polarizat direct, se amorseaz tiristorul auxiliar p1n2p3nG. Crescnd curentul prin jonciunea
p3n2, se amorseaz i tiristorul principal p3n2p1n5. Comanda se realizeaz indirect pe poarta
anodic n2.
Modul IV (UT < 0, UG > 0): structura principal p3n2p1n5 se comand astfel: potenialul
pozitiv pe poart (UG > 0) polarizeaz direct jonciunea p3n4. Se injecteaz electroni din n4 n
p3, care difuznd sunt colectai de jonciunea p3n2. Creterea curentului prin aceast jonciune
conduce la amorsarea structurii principale. Comanda se face de la distan, indirect, pe poarta
anodic n2.
Utilizri: triacul se folosete n circuitele de reglare i comand a puterii de curent
alternativ. Comanda porii se face prin tensiune continu, tensiune alternativ redresat (nefiltrat),
alternativ sau n impulsuri.
DIACUL: este un dispozitiv multijonciune care are proprietile diodei pnpn n ambele
sensuri. Este de fapt, un triac fr electrod de comand.
Aprinderea se face n cadranul (I) i (III), la tensiunea U DRM, (vezi figurile 9 i 11).
Simbolul este reprezentat n figura 12:

Fig. 12

55 din 95

La aplicarea unei tensiuni pozitive UT > 0, structura echivalent pnpn este polarizat
direct, se amorseaz la o tensiune UBD, cadranul (I), (vezi figurile 9 i 11). Cnd polaritatea
tensiunii se inverseaz, intr n conducie la tensiunea U BR, cadranul (III), (vezi figurile 9 i 11).
Este de dorit ca UBD UBR, deci caracteristica static s fie simetric.
Utilizri: datorit caracteristicii sale bidirecionale, se folosete n circuitele de curent
alternativ. Este un dispozitiv de putere mic (spre deosebire de triac), utilizat n circuitele de
comand ale tiristoarelor i dispozitivelor triac.

TUBURI ELECTRONICE
NOIUNI INTRODUCTIVE DESPRE TUBURILE ELECTRONICE
1.1.1 Generaliti despre tuburile electronice
DEFINIIE :
Tuburile electronice sunt dispozitive electronice a cror funcionare se bazeaz pe
ntrebuinarea fluxului de sarcini electrice n vid sau n mediu cu gaz rarefiat ( sau n plasm ).
OBS. Vom analiza acele tuburi care se utilizeaz pe scar larg n radiotehnic i
radiolocaie: 1) tuburi electronice obinuite
2) tuburi electronice cu descrcare n gaze
3) tuburi electronice catodice

a.
1.
2.
3.
4.

Clasificarea tuburilor electronice

Criterii:
a. Dup destinaie
b. Dup numrul electrozilor
c. Dup tipul catodului
d. Dup construcia balonului
e. Dup metoda de dirijare a fasciculului de electroni
Dup destinaie
redresoare ( curent alternativ n curent continuu)
amplificatoare ( n receptoare )
oscilatoare i modulatoare
de frecven foarte nalt ( speciale )

b.
1.
2.
3.
4.
5.
6.

Dup numrul electrozilor

cu doi electrozi ( diodele )
cu trei electrozi ( trioda )
cu patru electrozi ( tetroda )
cu cinci electrozi ( pentoda )
cu mai muli electrozi ( hexoda, heptoda, octoda )
multiple - care conin ntr-un balon dou sau trei tuburi ( dubl diod, dubl triod, dubl
diod-triod )
OBS. Fiecare parte a tubului ndeplinete funcii independente
c. Dup tipul catodului
- cu nclzire care poate fi direct sau indirect
d. Dup construcia balonului
- pot fi cu balon de sticl sau metalic

56 din 95

1.1.2. Emisia electronic

Fenomenul emisiei electronice const n expulzarea de electroni de pe suprafaa unui corp
solid ( metal ), atunci cnd sunt ndeplinite anumite condiii favorabile.
n metale electronii se separ uor de atomi, care n acest caz rmn ncrcai cu sarcini
pozitive

Fig. 1
Electronii legai stabil de nucleul atomului se numesc semiliberi ( electroni de valen ).
Separndu-se de atomi, ei se deplaseaz haotic, cu viteze diferite ( i n sensuri diferite ).
Dac ntre dou puncte din interiorul metalului se va creea o diferen de potenial, atunci
deplasarea electronilor va fi dirijat iar circuitul este nchis. n metal va aprea un curent de
conducie.
n condiii normale electronii semiliberi care se deplasez n interiorul metalului nu pot
depi limitele lui, ntruct sunt atrai de atomii din metal ncrcai cu sarcin pozitiv. Energia
electronilor mobili este insuficient pentru a nvinge aceast for de atracie. Electronii vor putea
prsi limitele metalului numai n cazul n care vor obine din exterior o cantitate suplimentar de
energie ( prin urmare, emisia de electroni de la suprafaa metalului este posibil doar prin
consumul de energie de la o surs exterioar ).
Aceast energie poate fi comunicat electronilor prin diferite procedee.
Dup natura energiei transmise din afar, se deosebesc mai multe tipuri de emisie
electronic:
1. Emisie termoelectronic
2. Emisie fotoelectronic
3. Emisie secundar
4. Emisie prin cmp electric puternic
1. EMISIE TERMOELECTRONIC
Se obine prin nclzirea metalului ( catodului ) cu ajutorul unui circuit electric de nclzire ( circuit
de filament ).
Pentru a nelege fenomenul emisiei termoelectronice ne vom referi la micarea electronilor n
metale.
Se admit urmtoarele ipoteze :
1) n metale exist un numr mare de electroni liberi care au o micare haotic ( brownian )
2) Viteza de micare a electronilor crete cu temperatura i ca urmare crete energia cinetic a
acestora ( Ec = m*v2 / 2)
3) La ieirea din suprafaa metalului electronii fectueaz un lucru mecanic de ieire pe seama
energiei lor cinetice. Lie nvinge forele de atracie exercitate de nucleul atomului la o
anumit temperatur.
Creterea temperaturii mrete emisia de electroni de la suprafaa metalului. Emisia de electroni
fiind continu ( la suprafaa metalului nclzit ) n apropierea suprafeei metalului se formeaz o
aglomerare de electroni ( nor electronic ).
57 din 95

O parte din electronii emii se ntorc din nou pe suprafaa metalului datorit forelor de atracie a
nucleelor atomilor. Datorit creterii treptate a densitii norului electronic, se ngreuneaz
desprinderea de noi electroni de pe suprafaa metalului. Densitatea norului de electroni crete pn
cnd se ajunge la un echilibru dinamic.
Pe timpul echilibrului dinamic cantitatea de electroni care ptrunde n norul electronic ntr-o
unitate de timp este egal cu cantitatea de electroni care revin pe suprafaa metalului. Norul
electronic format constituie o sarcin negativ de volum.
OBS. Lie i temperatura T nu sunt aceleai la diferite metale.
Pentru a crete capacitatea de emisie se pot utiliza amestecuri de metale sau se poate depune pe
suprafaa metalului un strat di alt substan ( wolfram + toriu)
2. EMISIA FOTOELECTRONIC
Se produce sub aciunea unui flux de lumin sau alt form de energie radiant, asupra
metalului ( catodului ). Emisia se produce dac energia depete un anumit prag.
3. EMISIA SECUNDAR
Se produce cnd o suprafa ( de metal ) este lovit de particule primare, avnd energii cinetice
suficiente pentru a produce eliberarea de electroni secundari.

Fig. 2

Electronii primari:
- au vitez mare
- au Ec mare care se transform n cldur
- o parte din cldur se transmite electronilor din metal
- electronii din metal ( de la suprafa ) primind aceast cldur se desprind rezultnd
electroni secundari
Un electron primar poate desprinde civa electroni secundari ( nes > nep )
4.EMISIA PRIN CMP ELECTRIC PUTERNIC const n extragerea de electroni de pe
suprafaa metalului ( catodului ) de ctre un cmp electric foarte puternic, creat din exterior
(capabil s nving forele de atracie ale nucleelor nvecinate ).
CONCLUZII:
n toate cele patru cazuri, eficacitatea cea mai mare se obine n vid.
Dac emisia electronic s-ar produce n aer, ar apare urmtoarele deficiene:
1. electronii nu ar putea s prcurg distane apreciabile iar tuburile nu ar funciona
2. la temperaturi ridicate (necesare pentru obinerea emisiei electronice suficient de intense )
majoritatea metalelor se transform n contact cu aerul n oxizi.
58 din 95

1.1.3. Catozii tuburilor electronice

n tuburile electronice se utilizeaz emisia termoelectronic. Electrodul care serveten drept
surs de electroni liberi se numete CATOD. Metalele din care se construiesc catozii trebuie s
ndeplineasc condiiile :
s fie rezistente la nclzire
suprafaa de emisie s se corodeze uniform
s se combine greu cu aerul remanent din cavitatea tubului
Lie s fie mic
Ttopire s fie ridicat
Parametrii catodului
OBS: Catodul se nclzete cu ajutorul curentului electric pn la o anumit temperatur (Tlucru).
1. Unom de nclzire genereaz temperatura de lucru
2. Inom de nclzire(consumat de catod) genereaz temperatura de lucru
3. Ie este curentul de emisie al catodului i este creat de electronii emii de catod
4. Eficacitatea catodului (H) : H=Ie / Pf (mA/W)
Pf este putera consumat pentru nclzire
5. emisia specific a catodului Je : Je = Ie / Sc (mA/cm2)
Sc este suprafaa total a catodului (catodul trebuie s fie de dimensiuni mici)
6. Viaa catodului este intervalul de timp n care Ie se micoreaz pn la 90 % din valoarea sa
nominal.
Ca realizare catodul difer de la un tip de tub la altul, dar la aproximativ toate se va ntlni un
element rezistiv (filamentul) care, parcurs de curent produce nclzirea i emisia
termoelectronic.
Clasificarea catozilor
1. catozi cu nclzire direct
2. catozi cu nclzire indirect
3. catozi reci
Catozii cu nclzire direct
Acetia pot fi :
din metale pure (pentru tuburile cu Ua mari - 3 5 kV)
activai suport metalic acoperi cu o pelicul subire din metale alcaline (thoriu, bariu, cesiu)
cu strat de oxizi - prezint urmtoarele dezavantaje :
- fragili
- puin rezisteni la ocuri
- nu se utilizeaz n curent alternativ
Catozii cu nclzire direct necesit folosirea curentului continuu de unde rezult neuniformitatea
nclzirii suprafeei emisive. Utilizarea curentului alternativ pentru nclzire, nu este posibil fiindc
ar modula emisia electronilor rezultnd pulsaia curentului prin tub.
Catozii activai cu nclzire direct prezint urmtoarele dezavantaje :
viaa tubului depinde de epuizarea stratului activ de la suprafa
necesit un vid naintat(aerul remanent deteliorez catodul)
poate s se piard stratul activ n procesul tehnologic

59 din 95

Catozii cu nclzire indirect

Catodul care emite electroni se izoleaz electric de filament, ceea ce duce la utilizarea curentului
alternariv pentru nclzire i la uniformizarea nclzirii suprafeei emisive rezultn un timp mai
mare de funcionare
Dezavantaje: eficiena mic a nclzirii , durat de nclzire mai mare.
Construcia catozilor
Forma catozilor depinde de :
felul nclzirii
putera tubului
forma celorlali electrozi din tub
Forme de catozi:
a) cu nclzire direct

Fig. 3

b) Cu nclzire indirect

Fig. 4

60 din 95

Condiii de exploatare a catozilor

Iniial, la orce tub, se aplic UF iar dup un interval de timp celelalte tensiuni
Este bine ca Uf s se apice n trepte
Se recomand ca If = ct. ; Uf =ct. deoarece orice neprenclzire micoreaz viaa tubului.
NOTAIA TUBURILOR ELECTRONICE
A. CODUL SOVIETIC PENTRU TUBURI DE RECEPIE
Ex:

6K4

1
2
3
4
1. Tensiune de nclzire a filamentului
Uf = (V) ; Uf = ~ 6,3V (~)
2.Funcia tubului
3.Numrul de serie
4.Tipul constructiv al tubului
Explicaii:
1.Uf [ V ]
2.funcia tubului
diod
dubl diod
C triod
triod combinat cu una sau dou diode ( diod triod , dubl diod triod )
H dubl triod
tetrod
pentod cu pant variabil
pentod cu pant fix
heptod sau octod
tetrod ( pentod ) final
diod-pentod sau dubl diod-pentod
indicator optic de acord ,, ochi magic
diod redresoare ,, kenotron
triod-hexod sau triod-heptod
3.arat seria fabricaiei ( 1 99 )
4.tipul constructiv al tubului
tub cu balon de sticl i soclu octal
tub cu blocare n soclu
tub miniatur cu soclu heptal sau noval
tub subminiatur cu diametrul egal 10 mm
tub subminiatur cu diametrul egal 6 mm
tub subminiatur cu diametrul egal 4 mm
tub tip ,, ghind
La tuburile cu balon metalic lipsete ultima liter.

Exemple de tuburi
53C diod redresoare
54C diod redresoare
61 din 95

306C diod redresoare

61 triod amplificatoare de tensiune
62 triod amplificatoare de tensiune
61 pentod amplificatoare de tensiune
64 pentod amplificatoare de tensiune
69 pentod amplificatoare de putere
B.CODUL EUROPEAN PENTRU TUBURI DE RECEPIE
Exemplu:

E CH 81
1

1.nclzirea filamentului
A = 4 V ( c.a.)
B = 180 mA (c.a. / c.c.)
C = 200 mA (c.a. / c.c.)
D = ( 1,2 1,5 ) V (c.c.)
E = 6,3 V (c.a. / c.c.)
F = 13 V ( c.c. )
G = 5 V (c.a. / c.c.)
H = 150 mA (c.a. / c.c.)
K = 2 V ( c.c. )
P = 300 mA (c.a. / c.c.)
U = 100mA (c.a. / c.c.)
V = 50 mA (c.a. / c.c.)
X =600 mA (c.a. / c.c.)
2.funcia tubului
A = diod ( exclusiv redresoare )
B = dubl diod cu catod comun ( exlusiv redresoare)
C = triod ( exclusiv final )
D = triod final
E = tetrod ( exclusiv final)
F = pentod ( exclusiv final)
H = hexod sau heptod
K = octod sau heptod
L = tetrod ( pentod ) final
M = indicator optic de acord - ,, ochi magic
Q = nonod
X = dubl diod redresoare cu gaz
Y = diod redresoare
Z = dubl diod redresoare
3.tipul soclului
1-9 = contacte laterale
10-19 = seria de ,,oel
20-29 = seria ,, eheia loktal
30-39 = seria ,, octal
40-49 = seria ,, Rimlock
50-59 = seria ,, magnoval ( i altele )
60-69 = tuburi subminiatur fr soclu
70-79 = seria 21
62 din 95

80-89 = tuburi miniatur cu nou contacte ( noval )

90-99 = tuburi miniatur cu apte contacte ( heptal )
> 100 = tuburi noi cu socluri diferite

DIODA CU VID
1.2.1. DEFINIIE, CONSTRUCIE, FUNCIONARE
DEF: Dioda cu vid este un dispozitiv ( element ) neliniar cu doi electrozi: anodul i catodul,
introdui ntr-un balon vidat.
SIMBOL:
Fig. 1

Aceti doi electrozi pot fi dispui ntr-o construcie plan sau cilindric de diferite seciuni.

Fig. 2

FUNCIONARE: Pentru a studia funcionarea diodei cu vid este necesar s tim cum se comport
electronii ntr-un cmp electric.
63 din 95

ntre cele dou plci va aprea un cmp electric E a crui intensitate depinde de diferena de
potenial aplicat plcilor. Dac se schimb polaritatea plcilor atunci E este un cmp frnat i
electronii vor sta tot la placa K, ca urmare nu vom avea deplasare de electroni.
A. Funcionarea diodei la polarizare direct
Fig. 3

Ef = tensiunea de nclzire a filamentului

Ea = tensiunea anodic
La cuplarea tensiunii Uf curentul care trece prin filament nclzete catodul, ca urmare
catodul emite electroni care se grupeaz n jurul lui, formnd un nor de electroni. ntre A i K se
aplic tensiunea Ea cu polaritatea din figur. ntre A i K se formeaz cmpul E al anodului cu
sensul din figur ( E = constant ).
Forele cmpului electric al A acioneaz asupra electronilor din norul electronic. O parte
din aceti electroni se vor deplasa spre A formnd un flux electronic, care nchide circuitul sursei
anodice Ea . Ca urmare n circuit apare un curent electric numit CURENT ANODIC.
Sensul lui Ia se consider, convenional, de la A la K, cu toate c electronii se deplaseaz de
la K la A.
Circuitul prin care circul curentul Ia se numete circuit anodic.
Sarcina spaial i efectele ei
Caz 1: -se aplic Ea
-emisia termolectronic este nul
Cmpul electric este constant, deci dioda se comport ca un condesator.
Caz 2: - Ea = 0, deci cmpul electric este nul
- exist emisie termoelectronic
n acest caz electronii sunt emii din suprafaa catodului cu energii diferite. Avnd viteze i
energii diferite, electronii vor parcurge poriuni diferite din spaiul anod-catod sau chiar ntreg
spaiul realiznd un curent mic ( curent REZIDUAL )
Caz 3: -se aplic Ea diferit de 0, existnd i emisie termoelectronic
Se vor suprapune cele dou cazuri anterioare. Ea determin modificarea densitii sarcinii
spaiale. ( Ea crete i ca urmare crete i Ia ).

64 din 95

Fig. 4
Cmpul electric al sarcinii spaiale ( E s ) este un cmp frnant i frneaz electronii. Cmpul
electric al anodului este mai mare dect cel al sarcinii spaiale i accelereaz electronii. Dac E a
crete va crete n consecin i cmul electric al anodului i va scdea cmpul electric al sarcinii
spaiale ( va crete i Ia ).
Atunci cnd norul electronic ( sarcina spaial ) dispare n totalitate datorit creterii E a,
avem de-a face cu REGIM DE SATURAIE. I a este constant deoarece nu mai avem electroni n
sarcina spaial.
B. Funcionarea diodei cu vid la polarizare invers.
Dac dioda se polarizeaz ca n figur ( A - , K+ ) atunci cmpul electric se va ndrepta de la
K la A.

Fig. 5
n acest caz, fora care acioneaz asupra electronilor din norul de electroni se va ndrepta
spre K. n aceste condiii fluxul de electroni nu se formeaz n tub, iar I a = 0 ( circuitul anodic este
ntrerupt ). Se spune c dioda este BLOCAT.
CONCLUZIE: Dioda este un dispozitiv neliniar i conduce ntr-un singur sens ( de la anod
la catod ).
1.2.2. CARACTERISTICILE STATICE ALE DIODEI
Caracteristicile statice sunt curbe care exprim dependena dintre dou mrimi cnd cea de-a
treia se consider constant.
Ia = f ( Ua ), Uf este constant
Caracteristica static se obine experimental cu ajutorul schemei:

65 din 95

Fig. 6
Caracteristicile vor avea urmtoarea form grafic:

Fig. 7

OBS: Se mai numesc i caracteristici statice anodice.

Pe poriunea AB Ia variaz exponenial datorit timpului de nclzire al catodului.
Pe BC creterea este parabolic.
Pe CD Ua > Uas i Ia rmne aproape constant.

Fig.8 car. static real

66 din 95

1.2.3. PARAMETRII DIODEI. TIPURI. UTILIZRI

Parametrii diodei
Parametrii diodei sunt acele mrimi care caracterizeaz comportarea diodelor n circuitele
electronice. n general parametrii sunt legai de forma caracteristicii statice i se determin pentru
fiecare punct static de funcionare.
DEFINIIE: Se numete punct static de funcionare ( P. S. F.), un punct de pe caracteristica
static a tubului, caracterizat de anumite mrimi. Ex: M0 ( Ia0, Ua0, Uf0 )
Parametri :
1. rezistena intern : Ri ( sau diferenial )
2. rezistena de curent continuu R0
3. panta tubului S
4. puterea disipat pe anod
Rezistena intern ( Ri ) reprezint rezistena pe care o prezint dioda la variaii mici ale
tensiunii anodice n jurul P. S. F. M0
Ri = Ua /I

Fig. 9
Ri depinde de poziia P.S.F. de pe caracteristica static. Triunghiul M 1AM2 trebuie ales asfel
nct ipotenuza M1 M2 s fie aproximat cu o dreapt.
tg = Ia / Ua = 1 / R Ri = 1 / tg
Ri = (1 / tg ) x K
K = raportul dintre scrile grafice ale tensiunii n V/mm i curentului n A/mm.
Rezistena n curent continuu este dat de relaia:
R0 = Ua0 / Ia0 - i se definete n P.S.F. care este M0
Panta tubului S reprezint panta caracteristicii statice ( C.S. ) n punctul considerat.
S = Ia/ Ua sau S = tg [ mA/V ]
Rezult c S = 1 / Ri sau S x Ri = 1
Puterea disipat pe anod Pda
n timpul conduciei electronii bombardeaz anodul determinnd nclzirea lui.
Puterea primit de anod se poate calcula presupunnd c toi electronii care formeaz
curentul Ia cedeaz anodului ntreaga lor energie cinetic sub form de cldur.
Ec = x (m x v2) = e x Ua
Pda = n x Ec = Ia x Ua
( n = nr. de electroni )
Pda = Ia x Ua [ W ]
O parte din puterea disipat este radiat n exterior, iar cealalt parte contribuie la nclzirea
anodului.
67 din 95

Pentru a nu se distruge anodul, P da trebuie meninut n permanen sub valoarea maxim

admisibil ( indicat n cataloage ).
La polarizarea direct:
Ri [ uniti k - zeci k]
La polarizarea invers:
Ri ( mare foarte mare )
Dac Ua crete foarte mult dioda se strpunge ( aceast tensiune se mai numete
Uiuv max ) care se poate aplica fr a se strpunge dioda.
Tipuri de diode
5C3C - Diod redresoare dubl
5C4C - Diod redresoare dubl
AZ1 - Diod redresoare dubl
AZ4 - Diod redresoare dubl
EZ80 - Diod redresoare dubl
EZ81 - Diod redresoare dubl
6C4P - Diod detectoare simpl
6D3D - Diod detectoare simpl
6D6D - Diod detectoare simpl
2X2 Diod redresoare pentru nalt tensiune
2C2C - Diod redresoare pentru nalt tensiune
6CA0P - Diod detectoare simpl.
Utilizri :
Redresoare, detectoare( n circuite discriminatoare ), limitatoare etc.

TRIODA (In regim static)

1.3.1. DEFINIIE, CONSTRUCIE, FUNCIONARE
Def : este un element nelinear (D.N.L) cu trei electrozi :catod, gril, anod (n cazul incalzirii
directe) plus filamentul n cazul nclzirii indirecte .
Construcie
Aceti electrozi pot fi dispui ntr-o construcie plan sau cilindric de diferite seciuni.
Indiferent de construcie, ntodeauna grila se afla intre catod i anod i mai aproape de catod.

Fig. 1
Funcionarea triodei n regim static
Rolul i importana grilei

68 din 95

Introducerea grilei s-a fcut n scoul comandrii de emisie, respectiv al curentului anodic.
Potenialul grilei Ug poate fi fa de potenialul catodului Uk astfel:
a)Ug >Uk
b)Ug =Uk (=0)
c)Ug <Uk
Obs : situaia cea mai des ntlnit este Ug <Uk
Grila fiind mult mai aproape de catod dect de anod, potenialul ei poate comanda mult mai
bine curenii prin tub.
La potenialele mici ale grilei putem nregistra variatii mari ale cureniilor prin tub.
Ug(unitizeci)V
Ua (zecisute)V
Considerm urmtoarele situaii :
1.

Uf =Unom=ct.(0)
Ug =0
Ua =100V=ct.(0)

69 din 95

Fig.2
n aceast situaie foarte multe linii de cmp () reuesc s treaca printre spirele grilei, s
ajung pe sarcina spaial s extrag electroni i s dea natere unui current anodic Ia
Uf = Unom = constant ( 0)
Ug > 0
Ua = 100 V = constant ( 0)

Fig. 3

= capacitatea anodului
gk = capacitatea dintre gril i catod
Ig 0 apare curentul de gril
n aceast situaie marea majoritate a liniilor de cmp ocolesc spirele grilei, ajung pe sarcina
spaial, extrag electroni, iar Ia va fi mai mare dect n cazul anterior.
Uf = Unom = ct. ( 0)
3.
Ug < 0
Fig. 4
Ua = 100 V = ct ( 0).
Marea majoritate a liniilor de cmp se opresc pe spirele negative ale grilei i un numr redus de linii
de cmp reuesc s ajung la sarcina spaial s extrag electroni. Deci Ia va fi mic.
Presupunem : Ua =100 V, Ug = -5V Ia 0.
Dac mrim Ug n valoare absolut atunci Ia 0. Se spune c avem fenomenul de tiere a curentului
anodic.
Valoarea lui Ug pentru care Ia = 0 se numete tensiune de gril de tiere Ug t .
Ex: Ug t = -7V Ia = 0 (i Ua =100 V)
Dac Ua =200 V i Ug t = -7V Ia 0 atunci pentru Ugt = - 9 V Ia = 0 .a.m.d.
OBS: Situaia cea mai frecvent este Ug < 0. Aceast situaie confer triodei proprieti de
amplificare n putere.

70 din 95

CONCLUZIE: Funcionarea triodei se bazeaz pe proprietatea acesteia c Ia poate varia n funcie

de potenialul grilei. Deci ntr-o triod, de regul potenialul anodului se pstreaz ridicat fa de
potenialul catodului i se modific n limite mici potenialul grilei pentru a obine o variaie n
limite largi ale curentului anodic Ia .
(Ia = 0, tubul nu conduce ; Ia > 0, tubul conduce ).
CIRCUITELE TRIODEI
Punctul comun ntre cele dou circuite este catodul care reprezint potenialul de referin
( masa- stabilit convenional).
REGUL: n tuburile electronice sensul convenional (tehnic) al curenilor este invers circulaiei
electronilor (n tub este orientat spre catod ).
Fig 5

1.3.2.CARACTERISTICILE TRIODEI N REGIM STATIC

DEF: Sunt curbele care reprezint puncte de funcionare statice (p.s.f.) ,aflate n momentul cnd
tubul nu ndeplinete nici o funciune.

Fig 6
Avem urmtoarele caracteristici :
71 din 95

1.Caracteristica static de ieire

Ia=f(Ua) Ug =ct.
2.Caracteristica static de transfer
Ia=f(Ug) Ua=ct.
3. Caracteristica static de intrare
Ig=f(Ug) Ua=ct.
4.Caracteristica static de reacie
Ig=f(Ua) Ug= ct.
1.Caracteristica static de ieire

Fig 7
Ia=f(Ua) Ug =ct.
Mai multe curbe formeaz o familie de curbe (C.S.)

2.Caracteristica static de transfer (de gril)

Fig 8
Ia=f(Ua) Ug =ct.
Concluzie : Pentru a tia curentul anodic (Ia=0) atunci cnd ntre anod i catod se aplic tensiuni Ua
din ce n ce mai mari, sunt necesare tensiuni de gril Ug din ce n ce mai mari (n valoare absolut) .
OBS : Pentru Ug = 0 , Ia0 este cu att mai mare cu ct este mai mare Ua .
72 din 95

3.Caracteristica static de intrare

Fig 9
Ig=f(Ug) Ua=ct.
4. Caracteristica static de reacie

Fig 10
Ig=f(Ua) Ug=ct.

1.3.3. PARAMETRII STATICI AI TRIODEI (DETERMINAREA LOR GRAFO-ANALITIC)

OBS: Caracteristica static se liniarizeaz
1.Factorul de amplificare()
= Ua / Ug Ia= ct. (1)
Determinare grafic :

( adimensional ) .

73 din 95

Fig 11
Ex: Ug= Ug2 - Ug1 = 2V
Ua = Ua2 Ua1 = 150 -100 =50
=50/2 = 25

Fig 12
= (Ua2 Ua1 ) / (Ug2 - Ug1) = (250-200)/(-4-(-2)) = -25
Semnul ( - ) arat c cele dou variaii sunt de sens invers
Valori : 20 triod de amplificare mic
= (3060) triod de amplificare medie .
60 100 triod cu amplificare mare .
2. Panta (S) reprezint :
S = Ia / Ug Ua= ct. (2)
Unitatea de msur este : mA / V

Determinare grafic :

74 din 95

Fig 13

S = Ia / Ug =(8-4) /(-2-(-4)) = 4/2 = 2 mA /V.

OBS :1) din punct de vedere fizic se arat ct de sensibile sunt variaiile lui I a fa de variaiile
foarte mici ale tensiunii Ug
2) cu ct panta S este mai mare , I a va fi mai mare pentru aceeai variaie dat tensiunii de
gril .
3. Rezistena intern (Ri )
Ri = Ua / Ia Ug = ct. (3)
Unitatea de msur este : V/mA K

( - S.I.)

Fig 14
RiMo= Ua / Ia Ug = -3V = (Ua2 Ua1) / (Ia2 Ia1) = (200 - 100)V / (8-4 )mA = 25K

75 din 95

Exemple : trioda amplificatoare de tensiune Ri = ( 25) K .

trioda amplificatoare de tensiuni medii - Ri = (550 )K.
trioda amplificatoare de putere - Ri 2K .
Din relaiile (1),(2),(3) vom obine relaia (4) .
= S x Ri ecuaia intern a triodei
Ua / Ug = ( Ia / Ug ) x ( Ua / Ia)
Schema pentru ridicarea caracteristicilor statice

Fig 15

TRIODA (n regim dinamic)

1.4.1. FUNCIONAREA TRIODEI N REGIM DINAMIC
Spre deosebire de regimul static, cel dinamic presupune micare i aceasta n orice fenomen
(din domeniul natural, social sau al gndirii ).
n cazul triodei, regim dinamic nseamn micarea (deplasarea ) P.S.F. n planul
caracteristicilor statice, ca efect al unei aciuni exterioare i anume : aplicare unui semnal
(sinusoidal ) n circuitul de intrare ( de gril ) al triodei eg (t).
Schema electric de principiu :

Fig 1
Eg = surs de negativare a grilei
Ra= rezisten de sarcin
Datorit aplicrii unui semnal pe gril eg (t) = ug(t) = Ug x sin (t + t), se modific tensiunea Ua i
curentul Ia .

76 din 95

Fig 2
URa = Ra x Ia
Ea = Ua + (Ra x Ia) ecuaia unei drepte .
Ua < Ea Ua= Ea - Ra x Ia - teorema a doua a lui Kirchoff
Ra se conecteaz n circuitul anodic pentru a extrage variaiile mrimilor Ua, Ia,
OBS : ia, ua, ug = valori instantanee
Ia, Ua, Ug = valori ale amplitudinii componentei alternative
n montaje practice se alege Ra =(34 ) Ri - Ri = (uniti zeci)K.
Ea = Ua + Ra x Ia - se mai numete ecuaia dreptei de sarcin.
Ia = 0 Ea = Ua
Ua= 0 Ia = Ea / Ra
Fig.3
n plan grafic avem:

M1(Ea,0) si
M2(0, Ea/Ra )

n regim static
M0=(Ua0, Ia0, Ug0) = (240 V, 2 mA, -6 V)
M0 P.S.F.
Uma= 60 V ; Umg = 4 V
Trioda are rol de amplificare :
77 din 95

A= Uma/ Umg= 60/4= 15

Pd0= Ua0 x Ia0 = 240 V x 2 mA =480 x 10-3 W= 0,48 W
Pd0 puterea disipata pe anod ( n P.S.F.)
tg = Ea/( Ea/Ra) = Ra tg = Ra
=90o tg 90o = sin 90o/cos 90o = tg 90o = = Ra ia = Ea/ 0 , deci ia = 0 tubul nu
mai funcioneaz
Dreapta de sarcin trebuie s fie sub hiperbola de dispariie (dac nu se modific Ra).
OBS. Cnd Ra este pur activ caracteristica dinamic este o dreapt (M1, M2 )
Definiie: Caracteristica dinamic este locul geometric al punctelor instantanee ale
curentului anodic ia , n regim dinamic, de pe dreapta de sarcin trasat n planul caracteristicilor
statice ale tubului pe timpul unei perioade a semnalului ( sinus) aplicat pe grila de comand.
OBS. Dac Ra este complex (impedana) caracteristica dinamic devine elips sau cerc.
Grila de comand se poate negativa:
1. Cu surs proprie Eg ( cazul anterior )
2. Automat (Rk, Ck dispuse n catod ) cazul urmtor
Vom prezenta cazul negativrii automate a grilei
Fig. 4

Ugk = Ug1 Uk1 ; dac Ug1 0 Ugk = - Uk1 = - ia * Rk

Ea = Ra * ia + Ua + Rk * ia
Rg are rolul de a evita untarea sursei de semnal eg(t)
Rg are valori mari de ordinul unitilor de M (pentru a nu altera impedana de intrare a
tubului).
n practic se folosesc ambele tipuri de negativare.
Avantajul negativrii automate : stabilitatea mai bun a P.S.F. la variaii ale surselor de
alimentare.
n multe situaii trebuie lucrat cu grila pozitiv sau Ug = 0V i atunci nu trebuie (nu poate fi)
folosit negativarea automat.

1.4.2 SCHEMA ECHIVALENT A TRIODEI N REGIM DINAMIC

Schema echivalent uureaz analiza circuitului electric n care se afl trioda.
Schema echivalent a triodei pe a crei gril acioneaz o tensiune alternativ cu
amplitudinea Umg este urmtoarea ( n curent alternativ ) :

78 din 95

Fig. 5

Ri = rezistena intern a tubului

=Ua / Ug
Trioda se comport ca un generator de tensiune.

1.4.3. TIPURI DE CONEXIUNI ALE TRIODEI N MONTAJELE ELECTRICE

Sunt posibile trei moduri de conectare a triodei n circuitele electronice.
1. catod comun ( KC )
2. gril comun ( GC )
3. anod comun ( AC )
1. catod comun ( KC )
Fig. 6

2. gril comun ( GC )
Fig. 7

79 din 95

3. anod comun ( AC )
Fig.8

Capacitile parazite dintre electrozii triodei

La utilizarea tuburilor n scheme, n multe cazuri
trebuie inut seama de capacitile dintre electrozi ( din
interiorul tubului ).
Fig. 9
Valorile acestor capaciti depind de dimensiunile, formele i distana dintre electrozi
( construcia general a tubului ) precum i de frecvena de lucru [ a lui e g(t)]. Capaciti parazite se
formeaz i ntre picioruele tubului i ...?
Cp = ( uniti zeci ) pF
Capacitile parazite apar numai din punct de vedere funcional la frecvene de lucru ale
tubului din ce n ce mai mari.
1.4.4 TIPURI . UTILIZRI . DEZAVANTAJE
TIPURI ( triode )
6J4, 6J5
6C2, 6C3 , 6C2C,6C3
Fig. 10

UTILIZRI: amplificatoare, oscilatoare, detectoare, generatoare de impulsuri, relee

electronice, etc.
DEZAVANTAJE:
1.
este mic ( 100 ), deoarece grila nu ecraneaz suficient catodul de influena
anodului.
2.
Trioda prezint Cga ( parazit ) mare. Apare cuplaj ntre ieire i intrare i mai ales
la frecvene nalte.

80 din 95

TETRODA
1.5.1 DEFINIIE. CONSTRUCIE.
DEFINIIE. Tetroda este un dispozitiv neliniar ( tub electronic cu vid ) ce are patru
electrozi: K, G1, G2, A
SIMBOL
Fig.1

Necesitatea introducerii grilei 2 ( grila ecran ) : Cag uniti zeci de pF ( 5- 10 pF )

Datorit reactanei XCag ( Cag ) o parte din semnalul de ieire se transfer la intrare i rezult
fenomenul de reacie negativ ( se micoreaz semnalul la ieire )
Uie n antifaz cu Uintr
Dezavantajele triodei se remediaz introducnd n tub un al patrulea electrod
( G2 )
suplimentar.
Fig. 2

1 / Cechiv g1a = 1 / Cag2 + 1 / Cg2g1 g2 micoreaz Cechiv ntre a i g1

Cechiv g1a = ( 0,1 0,01 ) pF
Crete factorul de amplificare: 50 1500 ( la triod 150)
1.5.2 CARACTERISTICI STATICE. FUNCIONARE.
n principiu se folosesc, pentru explicarea funcionrii tetrodei, caracteristicile statice de
transfer i de ieire.
A) Caracteristici statice de ieire
i a = f ( Ua )
Ug1 = constant
ie =
Ug2 = Ue = constant

81 din 95

Fig. 3

O familie de caracteristici:
Fig. 4

Funcionare
Cazul a : g2 (e) se leag la catod (K)
Fig. 5
n acest caz cmpul electric constant al anodului se termin pe spirele grilei ecran ( g2 ) fr
a ajunge la catod i ca urmare nu apare fluxul de electroni, iar tubul rmne blocat ( Ia = 0 )

82 din 95

Cazul b : Pentru a creea un flux electronic ( n tetrod ), pe g2 se aplic o tensiune pozitiv.

Fig. 6

Ug2 = ( 0,4 0,8 )

Cmpul electric al grilei g2 ( Eg2 ) este accelerator pentru electroni i creeaz n tub un flux
de electroni. De la catod ( K ) pn la grila G 2, electronii se deplaseaz sub aciunea acestui cmp,
iar pe poriunea grila G2- anod ( A ), sub aciunea cmpului electric al anodului ( E )
Nu exist un cmp electric variabil ntre anod i grila G1.
Efectul dinatron
Analizm caracteristica de ieire ( static ) pe poriunea 0A. Cnd Ua = 0, ia=0 ic = ie
Nu avem linii de cmp anodice care s extrag electroni din sarcina spaial format ntre
ecran i anod.

Fig. 7
Pe msur ce Ua crete rezult c i ia crete, deoarece liniile de cmp anodice extrag din ce
n ce mai muli electroni din sarcina spaial. Aceast sarcin spaial rmne mai aproape de ecran
dect de anod.
OBS. Fa de caracteristica diodei, pe poriunea iniial apare o deosebire: Ia = 0 ( inial ) la
tetrod, deoarece ecranul reine electronii rapizi.
Ic = Ia + Ig2 = constant ( Ic valoarea curentului prin tetrod)
Dac Ia crete, Ig2 scade
Cnd tensiunea pe anod atinge valori de 10-15 V, acesta va avea emisie secundar. Ecranul
alimentat la un potenial de +80 V, mult mai mare dect Ua, va atrage electronii provenii din emisia
secundar a anodului, rezultnd c ie va crete iar ia va scdea.
n momentul cnd Ua = +60 V, anodul va colecta mult mai muli electroni din propria sa
emisie secundar dect ecranul ( anodul va colecta electroni i din emisia secundar a g2). Cauza

83 din 95

acestui lucru este faptul c suprafaa anodului este mult mai mare dect cea a ecranului. Deci ia
crete i tinde asimptotic ctre ic, iar ie scade tinznd ctre zero.
Zona AB se numete de efect DINATRON ( Ua crete ia scade i ie crete)
OBS. Pe poriunea AB tetroda prezint o rezisten intern negativ deoarece odat cu
creterea Ua scderea ia ( Ri = Ua / Ia < 0)
Pe aceast poriune se folosete ca oscilator ( la baza funcionrii oscilatorului st Ri <
0 a tubului ).
Pe poriunea CD se poate folosi ca amplificator.
CONCLUZIE:
Datorit efectului dinatron, nu se poate utiliza ntreaga caracteristic de ieire a tetrodei.
B) Caracteristica static de transfer.
Fig. 8

ia = f ( Ug1) ; Ua = constant , Ue = constant

Ue2 > Ue1; Ua3 > Ua2 > Ua1
Schema de ridicare a caracteristicilor statice ale tetrodei :
Fig. 9

84 din 95

1.5.3. PARAMETRII STATICI AI TETRODEI

La tetrod se pot defini dou tipuri de parametri:
Fig. 10

a) parametrii difereniali cnd circuitul de ieire este anodic

Ria = Ua / Ia ; Ug = constant, Ue = constant
Sa = Ia / Ug1 ;Ua = constant, Ue = constant
a = Ua / Ug1 ; Ia = constant, Ue = constant
a = Ria * Sa
b) parametrii difereniali cnd circuitul de ieire este circuitul de ecran
Rie = Ue / ie ; Ua = constant, Ug1 = constant
Se = ie / Ug1 ; Ua = constant, Ue = constant
e = Ue / Ug1 ; ie = constant, Ua = constant
c) parametrii de curent continuu ( n P.S.F.)
Ria = Ua0 / Ia0
Rie = Ue0 / Ie0
Ri = ( zeci sute ) k, este mai mare dect la triod deoarece ntre anod i catod avem dou
grile.
OBS. Toi aceti parametri pot fi definii i determinai pe caracteristicile statice ale tetrodei
n planul ( ia, Ua ) i ( ia, Ug ) ca la triod.
1.5.4 TETRODA CU FASCICUL DIRIJAT
DEFINIIE:
Dispozitivele electrice ( tetrodele ) care realizeaz funcionarea fr efect dinatron au o
construcie special i se numesc tetrode cu fascicul dirijat.
Fizic s-a dovedit c trecerea electronilor secundar de la anod la grila 2 ( ecran ) nceteaz, iar
fectul dinatron dispare dac:
85 din 95

a)
b)
Fig. 11

distana anod-grila 2 este de 8-10 ori mai mare dect distana dintre grila 2-catod
mrim densitatea de sarcin n spaiul ecran-anod

Concentrarea fluxului de electroni la tetrod

Aa cum se vede i din figur, electronii din emisia secundar de la anod, ntlnind n spaiul
anod-grila 2 ( ecran ), electronii din jetul provenit de la catod, sunt respini i sunt slab atrai de
ecran.
Ca urmare a aciunii, ntre electroni se formeaz o sarcin spaial n zona anod-grila 2. Deci
se formeaz un cmp de frnare n calea electronilor de emisie secundar, ceea ce face ca acetia s
nu mai ajung la grila 2 pentru a provoca creterea ie i scderea ia.
OBS. Sarcina spaial format ntre grila 2 i anod, joac rolul supresorului de la pentod.
Simbol:
Fig. 12

Performane:
1) Se micoreaz foarte mult raportul ie / ia ( 1/15 1/20)
2) Ue = Ua
3) Ue > Ua ( uneori )
4) Cotul caracteristicii statice la tetroda cu fascicul dirijat este mult mpins spre stnga i
mai sus dect la pentoda de putere.
5) Admite cureni anodici foarte mari ( 200 mA ) la etajele de formare a impulsurilor
scurte, de mare curent
6) Au pante foarte bune aproximativ egale cu 10 mA / V ( utilizat n amplificatoarele de
putere)

86 din 95

Fig. 13

7) Admite Cag mic ( 0,07 pF ) ceea ce permite folosirea la frecvene foarte nalte
8) Se utilizeaz mai mult ca amplificatoare de putere n joas frecven datorit ecranrii
slabe.
Tipuri de tetrode cu fascicul electronic dirijat
61, 66C, 63, 66, 68, EL84

PENTODA
1.6.1 DEFINIIE. CONSTRUCIE. FUNCIONARE
DEFINIIE:
Este un tub electronic cu vid ( DNL ) cu cinci electrozi plus filamentul ( nclzire indirect )
SIMBOL:

Fig. 1
Rolul i necesitatea introducerii supresorului
Necesitatea nlturrii zonei de efect dinatron din caracteristica static a tetrodei a dus la
introducerea unui nou electrod numit supresor ( g3 ) i deci la apariia pentodei.
Supresorul se alimenteaz ( polarizeaz ) la tensiuni foarte mici. El poate avea potenialul
catodului ( sau al masei ).
Supresorul ( grila de frnare ) este situat ntre ecran i anod avnd rolul de a frna electronii
din emisia secundar a anodului, prin urmtorul mecanism:

87 din 95

88 din 95

Fig.2 : regim de funcionare a pentodei i distribuia cmpurilor

Supresorul fiind polarizat negativ n raport cu catodul ( sau la acelai potenial ) nu va
permite electronilor din emisia secundar anodic s ajung la ecran i s determine creterea
curentului de ecran ie.
Electronii din emisia secundar se ntorc napoi la anod. Acest lucru este posibil datorit
faptului c aceti electroni au viteze foarte mici.
Cuplajul ntre ieire ( anod ) i intrare ( grila 1 ) se micoreaz foarte mult deoarece vom
avea trei capaciti legate n serie.
Deci pentoda este foarte bun la frecvene foarte nalte, dar n schimb crete zgomotul de
ali...( dezavantaj )
La pentode 6000
1.6.2 CARACTERISTICILE STATICE ALE PENTODEI
1) Caracteristici de transfer
ia = f(Ug1)
ie = f(Ug1)
Ue = constant, Us = constant, Ua = constant
Caracteristicile statice de transfer ale tetrodei i pentodei sunt identice.
2) Caracteristici de ieire
ia = f(Ua)
ie = f(Ua)
Ue =constant, Us = constant, Ug1 = constant

Fig. 3
89 din 95

OBS. Caracteristica de ieire nu mai prezint zona de efect dinatron.

Familie de caracteristici

Fig. 4
OBS. Poriunea AB se caracterizeaz printr-un foarte mare i Ri foarte mare n comparaie
cu poriunea OA.
Poriunea AB este de sarcin spaial . Deci tubul lucreaz n regim de sarcin spaial.

Fig. 5

Nu avem saturaie, fiind vorba despre o pseudosaturaie. P.S.F. se alege pe poriunea AB.
Pentoda se alimenteaz n ordinea:
1) se aplic Uf
2) se aplic Ug1
3) se aplic Ua
4) se aplic Ue
Schema pentru ridicarea caracteristicilor statice la pentod

Fig. 6
90 din 95

1.6.3. PARAMETRII PENTODEI

Spre deosebire de triod i tetrod, pentoda poate funciona n anumite scheme cu dubl comand.
Poate primi semnal alternativ att pe grila g1 (comand) ct i pe grila supresoare (g3).

OBS. Dubla comand se folosete la procesul de modulaie, la amestectoare.

La pentod vom ntlni dou tipuri de parametri:
Tipul a. Cnd circuitul de intrare pentru semnal este g1
a1) circuitul de ieire este circuitul anodic:
Ria = Ua /ia ; Ug1 = constant, Ue = constant, Us = constant
Sa = ia / Ug1, Ua = constant, Ue = constant, Us= constant
a = Ua / Ug1, Ue= constant, Us= constant, ia= constant
a = Ria * Sa
a2) circuitul de ieire este circuitul de ecran ( ecranul nu trebuie s fie decuplat )
Rie = Ue / ie; Ug1 = constant, Us = constant, Ua = constant
Se = ie / Ug1; Ua= constant, Us = constant, Ue= constant
e = Ue / Ug1; Ua= constant, ie = constant, Us = constant
e = Rie * Se
Tipul b. Cnd circuitul de intrare pentru semnal este supresorul.

Fig. 7
b1) circuitul de ieire este cel anodic
= Ris * Ss
OBS. Toi aceti parametri pot fi calculai analog cu calculul de la triod ( innd cont de
relaia de definiie)
Ordine de mrime:
OA Ri = (uniti zeci ) k
AB Ri = ( sute ) k
OA = uniti zeci
AB = sute 6000
Se maxim 25 mA / V

1.6.4. TIPURI I UTILIZRI

1) Pentode amplificatoare de putere.
Destinaie: amplificare de semnale mari.
Dup puterea de disipaie se mpart n:
a) Pentode de mare putere pentru emisie cu puteri mai mari de zeci de wai
(ia / ie = 6)
91 din 95

b) Pentode de putere medie ( Pd = 10 15 W)

Particulariti:
= 150 600
S = 1 7 mA / V pant mic
S= 7 10 mA / V pant medie
2) Pentode amplificatoare de tensiune de nalt frecven cu pant fix.
- ecran cu spirele dese
- Cag1 = 0,002 0,4 pF
- = 2500 6000
- Ri = 0,8 2,5 M
- panta : a) mic, Sa < 4 mA / V
b) medie, Sa = 4 10 mA / V
c) foarte mare, Sa > 10 mA / V
Valoarea maxim Sa este 25 mA / V
3) Pentode amplificatoare de tensiune cu pant variabil ( glisant )
Constructiv pentru a se realiza o pant variabil, grila de comand a pentodei cu pant
variabil are urmtoarea form:
Fig. 8

Fig. 9

1.Pentru Ug negative mari, electronii din sarcina spaial catodic ajung ctre anod numai
printre spirele rare ale grilei de comand.
2. Pentru valori negative mici ale Ug, electronii din sarcina spaial catodic pot trece i prin
spirele dese.
Cumulnd cele dou efecte prezentate mai sus, va rezulta pentoda cu pant variabil.
1.6.5. TUBURI MULTIGRIL I MULTIPLE
A) Tuburi multigril
1) Pentoda: A, K, G1, G2, G3 ( pe G1 i G3 se
aplic semnale)
2) Hexoda amestectoare
Simbol:
Fig. 10
Prezint A, K, G1, G2, G3, G4 ( G1 i G3 sunt grile de
comand, iar G2 G4 reprezint grila ecran)
92 din 95

G4 prezint efect dinatron

3) Heptoda ( pentagril )
Heptodele sunt de dou tipuri: amestectoare i convertoare.
Prin prezena celei de-a cincea grile ( G5 ) se nltur efectul dinatron.
Simbolul heptodei amestectoare:

Fig. 11

B) Tuburi multiple
Pentru micorarea dimensiunilor, pentru simplificarea montajului i pentru economia la
alimentarea aparatelor moderne n recepie i amplificare, se fabric tuburi combinate la care, n
acelai balon, sunt dou i uneori trei tuburi avnd electrozi separai ( bornele filamentelor sunt
comune ). Catozii, la tuburile cu nclzire indirect, se fac fie separai, fie comuni.
Exemple:
1) dubl diod

Fig. 12
2) dubl triod

Fig. 13

93 din 95

3) dubl diod triod : combinaie a unei duble-diode folosit pentru detecie i a unei triode care
amplific ( de obicei oscilaiile de joas frecven )
Tipuri :67, 61, 62

Fig. 14
4) pentoda cu una sau dou diode
- diodele se folosesc de obicei pentru detecie;
- pentoda se folosete pentru amplificarea n joas frecven i mai rar pentru amplificarea n
frecven nalt
Tipuri: 68C, 11

Fig. 15

5) trioda-hexoda
- este folosit pentru schimbare de frecven
- trioda funcioneaz ca oscilator local

Fig. 16

94 din 95

BIBLIOGRAFIE

1. Nicolae Drgulnescu, C-tin Miroiu, Doina Moraru A.B.CElectronica n

imagini. Componente pasive, Editura Tehnic, Bucureti,1990;
3. Th. Dnil Dispozitive i circuite electronice, Editura didactic i pedagogic,
Bucureti, 1982;
4. Andrei Vldescu Dispozitive semiconductoare, Editura Academia Tehnic
Militar, 1979.
5. Sever Paca Electronic analogic i digital, Editura Teora, Bucureti, 2004
6. Thomas Floyd Disppozitive electronice, Editura Teora, Bucureti, 2003

95 din 95