, n f l T K 4 .

I N F O B M A T I C i , E L E C T R O N I C A
y k s AH E l M A N A G E M E N T
ral
1
$ h 9 m
i
Uf
M
i
j/f g: ,*&* fauditr^" -! produciei. Sfsfeiae d execui,
* (.1 I tO*fft de f%eeu/ e
4.. l'Mftat t J Mifirw'fearr
U Mm* TiAtMM i prgrtk* Mtaloare cu comutai1forat
. Mftm. Tirt*i*re ki ptmM Mutstearr cu cojuta}ie de fa reea
| l : Atth*r.i;*area cujscarelo.r inthisriaie
ftpntibt AanmaiiS Aplicai I ediia i f a Il-a
j), au-m-'*i, AtHRrafinn* prmrikir I rk wbi i n n industria lemnului
f. H, tr ntU Vtu%*t$B Maten tiinifici ie ramurile industriei
Mtfmmd. Tetaiu-r* l*eiri&9t n cu lari
j , J StmmrHt, J 'igtt-ai -4 . w lnMiuntiti)i> dr ctmi ci tn fizica oncltail
r - - iwfiA'.. (upat'flaf ifi powif in construcii i r .maini
Sx tU i i, />. k'/ i ( trnfai hl-femivc atijomat". Srsirmr de comutaie
f . i'Wte i j . T n u WNtt n efect de cpp
1/ A. ftottthun radinftrceptoarelar
f, Attmijiu, M / / ... C?i;l peani controlai statistic al calitii produciei
V &MSm j . t . Triuuca liaaginii ia cinematografie A televiziune
f . Wurnm, f i r i t a'tn jjUtawrn temperaturii in tehnici
t . } ?** *4, P. Mihmim, Wtai u n debitului ia tehnici
P. r M t, H m k i nivelslu ia tehnica
J Mm, P / w frcwitcttilirij Stadiul muncii, val. I VI I I
'ff toriim, f CakuJ atorul FELIX C-256, Structur i programare
i . Mifrn i ni ftti n Oi (M i r integrate TTl
I . CMt9fnl de r jliuir prraru rrai^trii
A. U. bvbtwm f *. Ciltjtrt d pfoiiase de programare
P, wtWjitwiK ii Sislfifie mfoimatke, modele ale conducerii i sis temelor conduse
f . S, ujJ*. CaiidueeJ t'a moderna a produciei, d. 1 i I I
A, V&fwai f i IHspoxttlvemfcoadocto&re. Manual de utilizare
A. AM i IteWiiM voHtmule.i i calitii lichidelor ta industrie
Ct. Jmm, Dnugo Mttode i piteai
, W | .t, Eisfcira?rj iDioduf rea iitiemelor informatice
C Wtm, Asaiiia d jiiturttarea circuitelor iafurmatoaale in uait&ile economice
A. 'WfHfW f u (mute integrate liniare Manuale de utilitare, voi, 1, 2, 3 i 4
M- SiMtim ;n k ti n t de Iclrtiioair n..<f?iirUif<>ane, pirupuri, voi. 1 i 2, rd a 11-a
). W Pantt, Brfte 4t irterconecUTe a calculatoarelor
f . frt& u * p.j. f d i t t , fcite S incl de date
iWjiHwaii .i. Locanda u i i ^i k i a uiayisilor uftelte
M, SpriiKaHul f g. AetemaUtiii iiscre*,- in induttiie. Culegere de probleme
#'treM*, CikrtiL-, .BiOBijiici: lisfermaieS in industria chimici
f. Cdita jf.t. ^rttaiaici bl autAmatiir indtatriale
:$t Um m, linel e merice cu circuite integrate
'ifitiUH t M- XaBMhtt ael lWB lu fktliflRiSt
M htitclalita uataii n eircoUelns etectrunice
B Vimu. friwk nlMitaiotii..! In tetetomuaticuii
fi acru a t o nstil il jl ot de teiecomuniCMU
Ml titt v*- 4 itt'; | t| )iit.'.iwito*40v
Itcpauaif. uncieoaie
^H M H B S a n ^fe^' ^ A i r *>, w .n r c ti *
tti fo tf*I W6*lS Oiluatr.f
. p & p 0t v f r * tV In vul*ri
e tti ilivje.
| B H tww*.
teiri'*
M. RODEA (coordonator)
A. SILARD
E. POPA
P.A. DAN
M. UD REA-SPEJ VEA
IV. IOSIF
<ih. BREZEANU
DIODE l TIRISTOARE
DE PUTERE
Manual de utilizare
voi. I: PERFORMANE
wBSBSt
EDITURA TEHNICA
R u n i f u t i 10OT
Contribuia afonlor la elaborarea volumului I :
M
S w. M crxtfiiuatur
f -mg. IK i (M\ fi ti r. in*. V. IOSIF introduire, cap. 1,31
t, ta g. A . $ M B m p . ou excepi a 2 J .7
I r, S fif. ni ll Z f W I ~ f 2-1.7
teg. K. W . l i ing. !. I W H E A - S P E . V H 4 ______________
( 'pr i n s | Vol u mu l I : Per for mane
JHtfmlA
imtrcducerc
f t
U
Wmpttolul 1 - FAMILIILE DE DIODE I TIR1STOU1E CARE SE FABRIC* LA IPHS
RNEA SA
1.1. Clasificarea diodelor l tlrtstoarelor de putere produse Ia }PRS~BSEASA \ 1%
1.2 Caracteristicile principale ale diodelor i tir b oare lor de putere produse tfc
1PRSB XE ASA................... ... . . . . . . . * 2*
Bibliografie 28
mmpitolul 2 - PR1XC1P1I ALE FIJ iCIOIfRII DIODELOR I URTOARELOR DE PT TERH
3.1.
3 2.
3 1.
11
1.1.
3,6.
>?.
a.*.
A. DIODE
kleaai
2.1.3.
2.1.4.
2.1.5.
2. 1. 6.
2.1.7.
Principii generale de funcionare , . .
2.1.1. Consideraii generale . . . . . >
12.1-2. Caracteristica curent (/ ) tensiune
MEkct roiatica jonciunii pn . . , . . V - ^
J onciunea pn la polarizare invers . . . -
J onciunea pn la polarizare direct. . . . . . .
Strpungerea jonciunii p n ..................................
| junciuri liniar-gradate l difuzate . . . . . . .
2.1.8. Comportarea tranzitorie u diodei. Timpi de comutare
2.1.0. Puterea disipat fn starea de conduc? >e rtim-M . . .
2.1.10 Caracteristica (i )(V) la nivele mart de injecie . \
2.1.11 Schema echivalenta a diodei . . . . . . . . ' i
Structuri de baz . . . . . . . . . . .
2.2.1. Consideraii generale '
2.2.2. Inele de etmp (gard) . . . . . , . *
2.2.3. Conturarea mecanic a suprafeelor . HBM
2.2.4. Conturarea suprafeelor prin corwdare
Tipuri d<i diode . . ....................j
2.31. Diode redresoare . . . .
2.3.2. Stahiiizatmre de tensiune.
Dioda pin , . . . * .
Varaet oare , . . .
Var ist oare *'-**#%'
Diode rapide de comutaie
Diode Sehottky de putere
B. TIRIVrOABK
Dtb<e Zener
2.3. a.
2.3.4.
2.3.5.
2.3.tf.
2.3.7.
3

m
sa
H
3*
41
I
4
11
4*
48
4
4*
49
S
Si
51

f i
jft
| i
fi
H
Principii general#de funcionare , ,
Structura pnptt ia polarizai tu ia vers
Structura pnpn la b loco rea In direct
Structura pupsi fu conducie direci
J Hodttiiti de .irnorsara . , , , . .
3.8.1. Amucsarea p* poart. . . .
3.8.2. A ruort*rea eu semnal optic
2.8.3. Amwwna prin hraakuvtr .
2.9. Amorsri parazite . . .............................................................................
2.9.J . Amorsarea prin efectul do/ dt.............................................................. ....... * '*H
2.9.2. Amorsarea prin efectul creterii temperaturii . . . . * * | - * **-
2.10. Efectul di/ dl ..................................................................
2.10.1. Esena fenomenului.......................................................................... ...... * *
2.10.2. Modaliti de mbuntire a capabili tatii In d i / d i .......i* * *-H
2 l . Modaliti de comutare n starea de bl ocar e............................................. * *1
2.11.1. Blocarea prin scderea curentului anodic sub valoarea /// . . - *f*
2.11.2. Blocarea prin aplicarea tensiunii inverse anod-catod . . . *
2.11.3. Blocarea pe poart .......................................................................*
2.32. Comportamentul dinamic al tiristoarelor..................................... r
2.12.1. Comportamentul dinamic al tiristoarelor la amorsare.............. ^
2.12.2. Comportamentul dinamic al tiristoarelor la blocare ............................. j
2-13. Limitri In frecven i putere.............................................................................. ^
2.13.1. Limita teoretic a frecvenei de lucru..................................................... i
: 2.13.2. Limitri n putere n regim staionar. Rezistena termic . . . - - o 1?*
2.13.3. Limitri n regimul electrotermic tranzitoriu. Impedana termic . . .
, 2.13.4. Regimul de suprasarcin ......................................................................... _
2.13.5. Regimuri recurente i nerecurente. Sumar pentru u ti l i zator ....................
2.13.6. Relaia dintre capabilitatea n putere i timpul de blocare % .............. *22
2.14. Modaliti de micorare a timpilor de revenire/ blocare . ................................. aHI
2.14.1. Modaliti tehnologice................................................................................ *24/
2.14.2. Modaliti de circuit pentru micorarea timpului de blocare. Tiristoare cu
blocare asistat de p oar t .......................................................................
2.15. Tipuri de tiristoare...............................................................................................
2.16. Tiristoare de comutaie pentru frecvene ridicate . ...........................................
2.16.1. Tiristorul asimetric .................................................................................
2.16.2. Tiristorul cu conducie invers .................................................................
%A7. Optotiristorul................................................................... ... ...............................
2.18. Tiristoare cu blocare pe poart (GTO) ..................................................
2:19. D a c u l ................... .... ........................................................................................ ***
2;20 T r i ac u l .................................................................................................................
2.21. Tiristorul cu inducie static (tiristorul controlat de cimp) . . . . *54
2.^2. Tipuri avansate de ti r i stoar e............................................... ......................... ***
C. DISPOZITIVE AUXI LI ARE
2,33. Diode electroluminescente (L E D )........................................... . .........................
2.24. Optocuploare........................................................................................................
2.25. Tranzistoare unijonciune ( T U J ) ........................................................ ... 167
2.26. Tranzistoare unijonciune programabile.............. ..................................................
2.27. Dispozitive auxiliare de comutaie cu structura p n p n .................................... ... '
Bibliografie....................................................................................................................... 174
QapUolul 3 - TEHNOLOGIA DE FABRICAIE
3.1. Procesarea monocristalului de si l i ci u ............................. ... ....................................
3.2. Realizarea structurilor..........................................................................................
3.2.1. Formarea straturilor de tip p i n ..........................................................
3.2.2. Realizarea structurilor rapide i de comu tai e.....................................................
jjtft. 3.2.3. Realizarea contactelor ohmice pe suprafeele electrozilor principali sau de |
| comand..................................................................................................... 101
/ . 3.2.4. Separarea i pasivarea structurilor semiconductoare ................... 1S2
2L3. ncapsularea ................................... . ..............................................................
3.4. Proteciile chimice.........................................................................................
3.5. Sortarea i marcarea......................... .......................... 201
Bibliografie....................................................... .......................................................
Otpiiolul 4 VALORI LIMIT ABSOLUT I VALORI CARACTERI STICE
Semnificaii............................................................................. ...................... i03
Documeaie normativa si informative . , . .................. ... . , 20$'--
4.1.3. Sisteme de valori limit absolut ............................................................ 2#&;
A 4.1.3. Valori caracteristice . , . ......................................................................... 20?
4 2 Sistemul valorilor limit absolut pentru dispozitive semiconductoare de putere 2Q&
4 2.1. Valori limit absolut mecan i ce.. . . Y , . . . '3^1$
4..2. Valori limit absint* climatice . . . . . . . . . . . . * ^
I
4, J , Vtl efi I n H i abdlBl tenplff ............................... 212
4-2.4. Vaieri Urnit abhitl electrice............................ ................ 214
4,31- | jfc(rrs{ici eJ Betrfee i efsiiee........................................................ . . . . . jH
4.3*1 Caracteristici electrice tn regim de Mm w ............................................ *>>*
4-3.2. Carnetersiei eiectrire ta reeim de conduct ................................. . -g
4,3.3. Caracteristici efectrice In regim da comutare din blocare tn coodnctfe -3\
4.3.4 Caracteristici electrice kt regim d* comutat ie din conduct tn blocare . 234
4-3-4. Caracteristici electrice tn regim da a va lan $4 (stabi l i zar e)..................... 23#
4.3.8. Caracteristici efectrice da poarta . 242
4.5.7. Caracteristici t er m i ce.................. ... ................................................ 244
1.4. Caracteristici de fiabilitate......................... ... ................. 24*
4.4.1. Carweteristi! generale de fiabilitate ..................................... 248
4.4.2. Proiectarea l asigurare fi abi l i ti i ............................ ... 251
4.4.3. Programe de selecie , . ................. ..................... ... ......................... 25$
4.5, Mecanisme de defectare......................................................................................... 253
4.5.1. Defectarea la suprasarcini de curent n conducie tn d i r ect ... 2641
4.5.2. Defectarea la suprasarcini de tensiune fl suprasarcini de putere tn str
pungere 255
4.5.3. Defectarea la temperaturi excesive. Ambalarea termic ......................... 25?
4.5.4. Oboseala termici. Degradarea contactel or............................................. 260
4.5.5. Degradarea pasi vi r i i .................................................................................. 261
4.5.6. Ptrunderea a p e i ...................................................................................... 263
4.5.7. Coroziunea capsu l el or ............................................................................. 2641
4.5-6. Degradarea elementelor constitutive........................................................ 264
4.5.9. Defectarea la solicitri mecan i ce............................................................. 265
4.5.10 Degradarea la r adi ai i .............................................................................. 267
4.5.11- Defectarea ia di/ d/ ................................................................................... 268
4.5.12. Defectarea prin dr/ d/ la tiristoare ........................................................ 258
4.5.13 Instabilitatea tensiunii de stabi l i zar e....................................................... 268
4.6. Cum se alege un dispozitiv semiconductor de putere ................................... 269
4.6.1. Criterii de alegere ................................................................................... 269
4.6.2. Calculul ncrcrii n p u t er e..................................................................... 270
4.6.3. Alegerea capabilitii de b l oca r e.............................................................. 271
4.6.4. Calculul ncrcrii In cu r en t ..................................................................... 271
Bibliografie........................................................................................................................ 290
Cmpiiolut 5 MSURARE A l VERIFI CAREA CARACTERISTICILOR
.i . Verificarea caracteristicilor mecanice..................................................................... 292
Verificarea caracteristicilor cl i mati ce..................................................................... 293
i-3. Msurarea l verificarea caracteristicilor el ectr i ce............................................... 2931
5.3.1. Msurarea i verificarea caracteristicilor n regim de conducie . . . . 294
5.3.2. Msurarea i verificarea caracteristicilor In regim de blocare i...... polari
zare i n ver s 298
5.3.3. Msurarea i verificarea caracteristicilor regimului de comutaie din blo
care in condu ci e......................................................................................... 299
5.3.4. Msurarea i verificarea caracteristicilor regimului de comutaie din con
ducie n b l oc a r e....................................................... ................................ 301
5.3*5. Msurarea i verificarea caracteristicilor n regim de avalan (stabilizare) 305
5.3.6. Msurarea i verificarea caracteristicilor electrice de poar t.......................... 308
5.3.7. Msararea caracteristicilor electrice cu trasorul de caracteristici . . . . 308
i-4. Msurarea caracteristicilor ter mi ce......................................................................... 314
Verificarea caracteristicilor funcionale i ie and uran .................................... . 317
5-5.1. ncercarea In regim de redresare ........................................................... 318
M- 2. ncercarea de oboseala termic .................................................................. 319
11 8-5-3. ncercarea de blocare la cal d.................................................................. ... 3+9
*5.4. ncercarea de stocare la cal d ......................................................... ... . 319
$.5.5. ncercarea de funcionare In regim de stabilizare . . ............................ 319
5.5.6. ncercri de funcionare n circuite speciale de t e s t .......................... 320
&& Verificarea fiabilitii - . . ...................... ............................................................... 320
Cuprins Volumul II Aplicaii
*pttolul 6 ~ ( 0\ F GI H \ j'I I TIPICE DE APUCAI I
i f . Generalilii
6.2. Convertoare eu comutaie nu tura U
6.2.1. Red^soare cu dtod?.
6.2.2. Con veioare cu resfiaj de fazi
$.2.3 Convertoare cu fuackmare tu 4 cadran.
4.2 4 CjHoen*vertpare <*u modulaie de fazi.
4.3S ikJ oeiiiivertoare eu deplasare de fazi.
6.3. Variat o* re d * ptilern eu comutaie naturali.
6.3.1. Varia loara monnfaiice cu reglarea nu mirul ni d perioada da condacla.
6.9.2. Varia lo ife ntiHiofaztce cu reglaj de fazi.
..1.3 Vana lai re de putere trifazice.
1.14. Contacta! statice de c.a.
6 4. Contacloare statice i variatoare de putere ca comutaia forai .
4.4rl. Con tac luare static* de curent continuu.
<14.2. Varia toa re de putere eu comutat* forai.
6.8. Inimioare cu comutaie forai.
6.5. t. ln verton re cu alimentare n curent.
6.5.2. InvarUure cu alimentare in tensiune.
6.5.2. tnvertiwre cu comutaie prin sarcini.
B t U b f r g f e
GmpiMu! 7 ~ PR ittf.l-tfE CRITICE lK (TTI UZABB
f i. Influena curentului de comand asupra caracteristicilor tlristoarelor.
7.1.1. (arartemtifile de poarta Mq.-~^ro> Forma impulsului de comand cota-
lati eu aplicaia.
7.1.2. Vu<*ea de amorsare. fntlrzieroa la amorsare.
7.1J I, Kuififtknuirea la (iidlt mare. Pierderi de putere la amorsare.
7.1.4. Funcionarea pe sarcini inductiv
7.1-5. Cursa ful de p narii pe durata blocrii In Invers.
7.16 Curent nesfativ dp comanda Efectul OAT (Qule~Attltei Tura-off).
74.7, hleciul curentului anodic asupra circuitului de poart.
7,2. Stingerea | rati a limtoarelnr.
7 21 Sarcina stocai. Curentul de revenire In Invers. Pierderi Ia dezamorsar.
1.2 2 ltifiuvn'j circuitului extern asupra timpului da stingere. Tiriatoar* cu dlodl
Its antiparalel.
'v..T&&. Metode de stingere forai.
7J L Prehienie tpeviFtoe funcionrii GTO.
1.2.1. Aiot>M** GTO. Meninerea impulsului de coma a di .
Sap7J >2. Si^tt^rea GTO
%%% Ciecmtf 4e Atingere pr paar ti .
H4<fAHwetpm ia gratiei a Urt(Mrlor,
7.4.1, Cra'lJ fiK-'i dina mu-* de aruonars. Tensiunea da prag la amorsare (mH b-
psy' 'p* '#&**")
7,4.2 fiUoamici l ttici a curentului.
7.4.#. ftod & echilibrare * curenilor
7,6, C*>.?<'t*nui lo safli#, # liriit^ret*!*.
7 51, *:focU? Imprtolmtii curcnilor <*blocare asupra distribuiei statica d ten-
' miftv
7.6.2. Efectul Initrzwrii la iBonart i al sarcinii stocate asupra rfWf3Wti dina
mice de tensiune.
7.5-3. Metode de egalizare static | i dinamic a tensiunilor.
7.6. Protecia la supratensiuni.
7.6.1. Generarea supratensiunilor In eimtitele eu t mi oare.
7.6-2. Circuite de protecie la supratensiuni. Protecia individual p gk>biA.
7-6.3. Limitarea pantei de cretere a tensiunii de blocare.
7.6.4, Dispozitive de protecie la supratensiuni. Limite de ntiUzare.
7.7. Protecia la supraeurent.
7.7.1. Protecia la supraeurent de durat, previzibil.
7.7.2. Protecia la scurtcircuit.
7.8. Rcirea dispozitivelor semiconductoare de putere.
7.8.1. Metode i sisteme de rcire. Rcirea unilateral i bilaterali,
7.8.2. Rcirea cu aer. Tuburi termice.
7.8.3. Rcirea cu lichid.
7.8.4. Alegerea sistemului optim de rcire pentru o aplicaie dat.
7.8.5. Calculul rcirii n diverse regimuri de funcionare,
f . 8. Montarea pe radiator a dispozitivelor semiconductoare de putere.
7.9.1, Montarea componentelor de medie putere.
Montarea componentelor ncapsulate in capsul cu urub,
Montarea componentelor feaeapsula te tn capsul cu baza plat.
Montarea componentelor ncapsulate n capsul disc.
7.9.2.
7.9.3.
7.9.4.
Mtbtografie
mmpttolul 8 - CIRCUITE DE COMAND PE POART
8. 1.
8.2.
8.1.
8.4.
Funciunile circuitelor da comand.
Circuite discrete pentru comanda tbfetoarelor i triacelor.
Circuite de comand pentru tiristoarele cu blocare pe poart (G TO).
8.3.1. Introducere-
8.3.2. Exemple de circuite de comand.
Circuite integrate pentru comanda Urtoarelor i triacelor.
mm
8.4.1.
8.4.2.
8.4.3.
8.4.4.
8.4.5.
8.4.6.
Introducere.
i I
fit/ 217 Circuit pentru comanda prin zero a triatelor.
(3L 120 Circuit pentru comanda In faz a triacelor/ tiristcarelor
pL 121 Circuit pentru comanda prin zero a triacelor/ tb'istoarelor.
\ TDA 1085 Procesor bipolar pentru controlul turaiei matoareiar de fc,a,
_J pAA 145 Circuit pentru comanda In J az a tirt oarelor.
8.1. Sistem de comand i reglare tip SCS F ~0i
Bibliografie
6 a pi toiul 9 - MODULE
9.1. Definirea i componena una) modul.
9.2. Clasificarea modulelor.
9.3. Module de medie putem.
9.3.1. Sistem de evacuare a c!durii pentru moduW da medie pute.
9.3.2, Sisteme de protecia la suprasarcini.,
9-3.3. Sisteme de comand, ^
9.3.4. 0tod i tirlstoare montate pe radiator pbc.
9.3.5. .Modul de medie patere cu radiator de-isp &
9.3.6. Module de nadie petei*. radiatoare 480
9 3,7. Module de medie patera eu radii.oare de Mp
9 .it Modtole da media patera m paoet scdfetn.
9.3#; Puni redres^ent .ieelrtBli di^fnedlepSefiifr;
V : . i i. Puni retire-Kar trtt&a#ie* pcatm alternata*-
9.3.11, muttrMuri diod d*. ucisal* pettif#*tltrB*ttiarr*wo
Modale 9.4
9 I
de putere
ttadute da mar
A **m :i : < *<-
Aa ** $ | ' ,i
A **a :#v;
Indest de fitttfl -
PR E F A
Folosirea la performane tot mai riduatf i n condiii de fiabilitate
crescut a diodelor i tiristoarelor de putere n echipamentele moderne
impune cunoaterea aprofundat a caracteristicilor i problemelor speHfice
de utili zare ale acestora.
J / anualul de fa se constituie ntr-un ndrumar necesar i util pentru
.mi implicai i n proiectarea, producerea i exploatarea echipamenldvr i
instalaiilor dotatei cu diode $v tiristoare de putere.
Manualul de utilizare de diode i tiristoare de putere este structurai
m dou volume i (I ) Performane i (11) Aplicaii.
Capitolul 1 i i propune sa ofere utilizatorului un ghid sintetic amtpra,
tipurilor de di ode i tiristoare de putere fabricate la I PRS-B NE A HA,
absolut necesar n stabilirea unor opiuni fie pentru introducerea unor com
ponente ntr-un nou proiect, fie pentru echivalarea unor componente etr.
Materialul prezentat n acest capitol d i o im agine att asupra nivelu
lui ridicai al performanelor ct si asupra competitivitii diodelor i tiris-
ioarelor de putere fabricate de I P RS- B N EA SA.
n capitolul 2 ne trec n revist principiile funcionrii diodelor i
iiristoarelor de putere. Tratarea urmrete ntr-un mod accesibil, eliberai
de consirngeri teoretice excesive punerea n eviden a fenomenelor fizice
majore care stau la baza funcionrii i a legturii lor cu parametrii din
foaia de catalog, legtur cu un puternic caracter biunivoc.
i t i Capitolul 3 permite cititorului s arunce o privire asupra tehnologiei
de fabricaie. Domeniu de mare specializare, tehnologia de fabricaie a
componentelor semiconductoare este totodat i un loc al concentrrii unor
remarcabile eforturi tiinifice i tehnice din variate domenii, avnd un
puternic caracter interdisciplinar. Acest capitol d o imagine desigur sim
plificat, dar redus la esen, a eforturilor extraordinare pe care le acoper
cu umbra ei o banal specificaie de catalog.
Valorile limit absolut i valorile caracteristice fac obiectul capitolului 4.
Un accent deosebit s-a pus n acest capitol pe mecanismele de defectarer
deoarece nelegerea acestor mecanisme constituie pentru orice utilizator >?
etap esenial n folosirea unui dispozitiv semiconductor i o premis a
stabilirii dialogului cu fabricantul, i n ncheierea capitolului se prezint
ceva din problemele de care trebuie s in seama fiecare utilizator atunci
cnd pentru o aplicaie dat i alege un dispozitiv semiconductor de putere#
Volumul I se ncheie cu capitolul 5, consacrat descrierii metodelor i
principiilor de msurare i verificare a caracteristicilor. Din nou trebuie
remarcat faptul c numai prin cunoaterea acestor principii i metode datele
11 mtedc capto semnificaie real. Dat fiind relativa simplitate a metode-
lor, demrise n acest capitol cititorul un trebuie s rmn a#- idem c ele
| | heaz problema testrii dispozitivelor semiconductoare de putere, testare
realizeaz tn linia de fabricaie pe instalai specifice, automate, f f
>bust* productivitate.
l
Materialul nremniat f capitolele 4 i 5 oonstituie minimul necesar
Volumul I I se deschide cu o prezentare ou un caracter tutorial a
figuraiilor tipice de aplicaii (capitolul 6) fw oare i gsesc utiliz
Modele i tiristoarele de putere.
GapUdul 7 Probleme critice n utilizare este un rezultat
neobinuit, dar *tt neateptat) care integreaz experiena de asisten tehM
practicat curent la I P RS- B NE ASA.
n capitolul 8 se abordeaz problema circuitelor de comand pe poarta M
Im afara descrierii unor circuite discrete tipioey o pondere nsemnat en
acordat familiei de circuite integrate specializate pentru comanda tiristow+M
lor i triaodor produs de I PRS-B N E ASA.
Capitolul 9 prezint performanele i caracteristicile modulelor de puteri j
fabricate de I PRS-B NE ASA, module care oonstituie fr nici o ndoiali
o soluie performant tehnic i eficient economic.
Acest manual de utilizare este rezultatul efortului unui colectiv de autori, 3
specialiti de la I PRS-B NE ASA i cadre didactice de la Institutul Poli- {
tehnic Bucureti, care au interacionat puternic n vederea sistematizrii i
nchegrii unui mare volum de informaii actuale, de ncredere, minuios i
verificate.
Apariia acestui manual de utilizare marcheaz atingerea unui nivel 1
de dezvoltare a produciei de dispozitive semiconductoare de putere car aderi- 1
*at prin competivitate, performan i desohidere spre nou.
Autorii sper ca aceast lucrare s se nscrie ca o nou etap n dialo- |
ful devenit tradiional ntre productorii i utilizatorii de componente electro- 1
Mae i in s mulumeasc Editurii Tehnice pentru permanenta preocupare i i
a ncuraja i de a dezvolta acest dialog.
I I mari* 1989 AUTOfiH
INTRODUCERE
Dac producerea in cantiti suficiente a energiei este cheia de bolti
a dezvoltrii economice moderne, prelucrarea i transformarea energiei
electrice n cadrul nenumratelor aplicaii diferite reprezint o problem
de importan nu mai puin recunoscut. Confruntai cu dubla criz a
energiei i a materiilor prime, oamenii s-au strduit s construiasc ins
talaii cit mai compacte i s piard ct mai puin energie n procesul de
prelucrare. Supleea i simplitatea sistemelor automate conduse prin mij
loace de calcul electronic au determinat dezvoltarea unor generaii de
convertoare cu densitatea de putere* a energiei electrice prelucrate n
continu cretere. A urmat, firesc, eliminarea treptat a sistemelor greoaie
de acionare, construite cu relee i contactoare electromecanice, reostate
i auto transformatoare, tiratroane i redresoare cu arc n vapori de mercur
.a. n locul lor s-au dezvoltat convertoare statice cu diode, tiristoare i
tranzistoare de putere, ale cror performane fac posibil o uria gam
de aplicaii, de la transmiterea n curent continuu a energiei electrice la
mari distane pn la acionarea roboilor.
Lucrarea de fa i propune s fac cunoscute performanele l
limitrile n utilizare ale diodelor i tiristoarelor de putere, insistnd asupra
celor de fabricaie romneasc. n mai multe capitole snt prezentate aoeU
aplicaii pe care autorii le-au realizat i le consider semnificative pentr*
folosirea corect a dispozitivelor semiconductoare de putere n cele mai
diferite situaii*
Tiristorul, elementul cheie al acionrilor modeme, a fost inventai
In'anul 1955 de ctre J ohn Moli n laboratoarele Bell Telephone din S.H.A
E l a ptruns n industrie abia 10 ani mai trziu, cnd dezvoltarea extra
ordinar a tehnologiilor pe siliciu a permis obinerea de valori oonvenabila
pentru raportul performan/ cost. In continuare, n timp ce numrul
productorilor a crescut continuu pentru a satisface nevoia de tiristoare
i diode de putere, n laboratoare s-au mpins tot mai departe perfor
manele statice i dinamice, n figura I este reprezentat, spre exemplifi
care, evoluia n timp a puterii de comutaie (P,), a tensiunii de blocare
(Vdr ss) i a diametrului structurii (Of,() pentru tiristoarele de mare putere,
Rafinarea tehnicilor de cretere a monocristalelor de siliciu spre diametr*
i grade de perfeciune care preau incredibile n urm cu 1520 ani,
descoperiri att de remarcabile cum este im purificare a controlat pri*
transmutaie nuclear, au ridicat foarte sus i foarte repede nivelul per
formanelor. Dispozitivele semiconductoare de putere acoper un evaa-
tai larg'de caracteristici i implicit destinaii funcionale, Pentrt
exemplificare se prezint domeniile specifice de utilizare pentru dispozl*
Puterea mmdaaS a convertorului raportat a greuluteagacestuia (kW/ kg),
I I
Wf
f$c f*S
SsMMiil
$$ J #.
im
u p,).
me 1995
L * mt f S P
a tensum 4 biocure
iftoirc le mare putere.
f B L i i i M k l P I I Ul>liiptra diodele rapide realizate n
ci ilfia (ligura HU
- l e *r* tiosetri, pm*apri in domeniul semiconductoarelor
''Htfmtm m &pret m Ubonark) ICPE. ntre anii 1965 i 1970 s-au
4dMofi mtpm ia I P Rti-BN EA SA primele diode de
** nfiinat secia de diode a
& imediat tii palm fwailiddiode de putere, avnd curen-
f * frTv cuprind tnm \ A ri 30 A, iar tensiunile de blocare
i* a&ail9T5 3% in^pnt fabricaia primelor tiristoare,
pin& la 2h>A i tenshun de blocare pn l a
i ns n
-!Cr-
E8*KMKr 60
nuMfe
bfBIftWftffiM fgif
IHSiS
H
1
i i
***Ule peciilede utlU*
1 cuifjdfoetlUi (/ ,) si tcrisiuni
hlftMff y,, v v
DBM' I MM>
VHk
pt o y&pkii coma*
1 ^ ; . ^ ta ^aawj tU. blocarc
depind 3000 V. I n paralei cu eforturile de modernizare a tehnologii io
dispozitivelor Reiniconduetoare, s-a format i un puternic grup de aplicHf
caracterizare i fiabilitate. Astfel, cunoaterea cnmport&rii in funcionare
\ se face pe drumul cel mai scurt, iar mobilitatea n faa utilizatorilor eti
I maocim. ______
Dezvoltarea in continuare a fabricaiei de diode i t iris toare are ia
vedere urmtoarele direcii prmcipale: a) ameliorarea performanelor i
fiabilitii dispozitivelor existente; b) extinderea gamei caracteristicilor
tehnico-funcionale; 0) promovarea ansamblurilor modulare ou diode i
tiristoare.
Dinamic* produciei I PRS-B NE ASA in domuitil diodelor fi tiri&-
toarelor de putere este ilustrat n figurile TVY , Evoluia petfomaan*
1000\
19 20 50 tOO 200 500 tOOO 2000
i/ rvi
vmM LVJ
Ftg. 111. DomeniiJ e specifice de utilizare privind tinptil de
| comutare (trr) i tensiunea invers de blocare ( VRRii) pentru
diode rapide difuzate, diode ultrarapide epitaxiale i diode
Schottky de putere.
r*-~\ P>3dercdrtzdar* Fwmot* '
m _ gssi D rotit rapide
MHOxtp cu avdksm controlata
g
m
g- . . . k,/ M)
WA L
p p p
L
t$O
,******
\ r*s bAs *s-
EZaMm*k#<
aemxri..
RKM>###<
**EI
V! f*htgmin produciei de ansam-
<ediarenedemontabile(compacte) ta
pr s -b a s e a s a .
m.
I f t
*?* M J fff fMC
* iAte iov/ii'hf4.'l, la Vil i VII I. Ests evident ten-
lit tetpul MHifactrii ntregului tpeciru d funcii
^ *d'dfate 4e h^.fjdd.n. m ruptetarea standardizrii f i
prmrtimti pu plamfemaim^L La ineiieirrea actualului program
'toftinN* i #m i h n $ ra :p t ^ tjferi utilizatorilor de dispozi-
4 &tofa 9) ugmn |*vdiotle, pe#t00 tipuri de tiriatoare, 55 tipuri
m&tfktt mwtM&lt $i 3 tipuri de di positive de pro-
/ # titf ptu tr U'haoktgia wtttal l PUS- B J i KA S A Ii propun#
mi mm fu titkf ttQl timtnr de 1500 A fi 3800 V, tll realizarea
m atfUceiva leu va pui? problema deosebite. Teb-
& 4}uutj b* performana de a nu avea
| S| i^##1MII # iiieiu & U mm diameiru. n acelai timp
m m p| | p bpuiiUv va eint&ri 1,5 kg, mani-
mB t f. inovaii fastaologiomajora.
mm m tfc&si s#>lv** pft&kuule b$m de evacuarea puterii
wsewk diapoilti, I a legi tu r& eu aoeat
40im-
g ]
t'
J j oe
O&r
DjQoe \
f965-79. 90
'OOOk
960-1965
1970~ff5 J 3 l 990
1000 2000 J OOC 4000 5000
[V] ....
Fig. VI I . Evoluia p*rfflrm*nt!or maxim ai* diodelor
In PRS-BSEASA. ' ..
i
^ 2000)
l
S
*
T1RISTARB
1000
1965-1990
1960-1965
n m i & k A . , 1
1QOO 2000 3000 4000
Vna*
Fig. VIII. Evolaw performanelor maximea)tiristoarclor mizate
la i PHS- BKSEASA.
tir i* tor mai trebuie fAcut o observaie : puterea pe care ei o va pui*
controla este de ordinul a 2 K W! Cu alte cuvinte, pentru a aoutrolsa
ntreaga patere consumat in ara ar fi necesare doar citeva mii de
de tiristoare, r- "niiBjjl
Aplicaiile dispozitivelor semioonductoare la care e relar aeMtft
lacrare cuprind nn domeniu foarte vast: de la eleetroniea 4a larg eocuNUS
(diode i puni redreaoare pentru receptoare radio i TV, prev i i a ^
turiame), pii la electronica i eleetrotehoiea profesiottaifc da mar* putere
(diode tirintoare gigant, utilizate la traciune, foraj, centrale H
cuptoare electrice, instalaii de sudar, galvanizare H H prin
cipalele aplieaii pecifiee ale diodelor f i iulstoarelor de putere
Lt ) arse de alimentare eu tenaiune $oatifiu&, a puni
putere, comandate sau necomandate, pentru aci onar ea motoarelor j
curent continuu (foraj, traciune) sau pentru surse de cu reni tari (ga^l
vanizare. nclzire rezistiv); c) acionri compl exe, de cu rent coninu* 1
si alternativ (maini-unelte automate, roboi i n du str i al i ); d) vari atoari I
de tensiune continuchoppere (tr aci u ne); e) i n ver toar e (cuptoareI
de nclzire prin inducie, la medie fr ecven ); f ) conver toar e de freo-f
ven pentru sursele de alimentare nentrerupt (cal cu l atoar e, tehnici f
m ed i c i ); g) compensatoare de energie reacti v i sisteme de excitaiei
i protecie pentru generatoarele sincrone din centr al el e el ectr i ce (opti- j
mizarea consumului de energie).
Lucrarea se adreseaz tuturor celor care fol osesc di ode si tiristoami
precum i studenilor facultilor de electronic, au tomati ca i electro- I
tehnic.
1 I Familii de diode i tiristoare
de putere care se fabric
la IPRS-B NE A SA
Toate tipurile de diode i tiristoare de putere din producia actual
a I P R S -B N E A S A snt descrise n detaliu n lucrrile din seria : Tiris
toare i modale de putere Catalog (Editura Tehnic, 1984), Diode
cii siliciu Catalog (Editura Tehnic, 1986), precum i n cataloagele
condensate, prospectele i pliantele aprute ulterior.
In cele ce urmeaz se face o prezentare general a familiilor mari
de diode i tiristoare de putere, cu punerea n eviden a unor elemente
caracteristice, a cror cunoatere permite utilizatorului o mai bun orien
tare In nomenclatorul att de bogat al produselor I PMS- B NE A SA,
Snt menionate, de asemenea, produsele noi aflate n fazele de cercetare-
dezvoltare, mpreun cu unele date preliminare. Acestea snt utile pentru
dialogul indispensabil att beneficiarilor ct i productorilor, in vederea
punerii de acord a punctelor de vedere despre viitor, n raport cu nece
sitile unora i posibilitile practice ale celorlali.
1.1. Clasificarea diodelor i tiristoarelor de putere produse de
I PRS- B NE ASA
O clasificare, primar i foarte aproximativ ca delimitare, se
poate face in raport cu puterea disipat de diode i tiristoare n funcionare
(vezi figura 1.1):
(0) dispozitive de mic pu
tere (piu la 5 .. ,10 W );
(b) dispozitive de medie pu-1
tere (pn la 50 .. .100 W );
{e) dispozitive de mare pu
tere (peste 100 W).
Acest criterii| , aparent strict
convenional, art totui meri
tul de a grupa n fiecare cate
gorie o serie de elemente comune
eseniale: tehnologia de fabri
caie, construcia propriu-zis,
vabW parametrilor electrici
pi lena ici, aspectile specifice
ia utilizare. Diversitatea pro
duselor I I bazeaz pe alegerea
maicii aiului iniial (monocri sta
lul de giiiefu), dimensionarea
r
VDF?M,RRM M
DeiixU mai vii a domeniului
de curen i de eontne ie ier. &i un 1d* blocare pe-
tru Uniieli irlstrmrele de mic&, mdli mare
pliere, dh fabricaia IPttS-BNOASA.
m
fracturii eetnieonductoarc, opiunea pentru o capiul adecvati Mq| I
tarea M*hiul*>.r de realizare tehnologic.
* Un alt cntafi de cii.siicM% de refer la tipul de cpsul uMli^J f
OeB :-i =>nutfv parte ft diodelor i tnistoarelor de putere se r ^l i z^^H
v^o;, . - . t' (no ningur dispozitiv tntr-o capsul). Capsulele ati ^3
sint de tip naeial-eeraiitic, metal-sticl sau metal-plastic, in funci*
IMfei&ricni care izoleaz electrozii metalici ai capsulei, asigurnd i
ieti&tea acesteia, tu comparaie cu capsulele bazate pe material plajjH
capsulele m ceramve mn sticl au. In general, o comportare ftuperigX
In condiii de exploatare mai grele, fiind recomandate mai ales in fepliggB
profesionale cu solicitri deosebite In funcionare.
O tendin modern de reducere a gabaritelor i costurilor nsM
Eaoniaje tipice standard corist in realizarea intr-o capsul unic a uu^'I
anMrahhm modulare eu mai multe diode i/ sau tiristoare (module
pacte eu diode i tiristoare, puni red re soare s.a.). Acestea sint in gf|
mai multe cazuri nedemoni abile, constituind in definitiv nigjj
crcuite hibride mai simple.
I n fine, n scopul prelurii economice a unor atribuii ale uulizad|
rului. productorul de componente ofer i ansambluri dernontabile e]
caracter mai complex (cum ar fi punile industriale de mare put^jH
Uneori, montarea la productor a unor astfel de ansambluri
bile este obligatorie pentru conservarea performanelor de dispozitiv.y
rantate (de exemplu n cazul ansamblurilor de rcire pentru cpiate
disc, a cror stringere controlat pe radiator impune precauii deoseb| H
Clasificarea funcional a diodelor si tiristoarelor de putere | (j
oont de destinaia operaional specific a acestora. Astfel, diodele
tiristoarele normale sint utilizate la frecvene de lucru joase. Pestra
frecvene mai ridicate se recomand- diodele i tiristoarele rapide. I
comutaie sint folosite diodele ultrarapide i diodele Sekotikv.
Zener snt destinate pentru stabilizarea tensiunii. Protecia impotnl
unor supratensiuni accidentale n blocare se poate asigura cu ajutoffl
.diodelor cu avalan controlata, diodelor supresoare, dispozitivelor m
protecie cu patru straturi (BOD), respectiv varlstoarelor. Pentru
mite aplicaii se dezvolt clase distincte de tiristoare speciale: triai
ttristoare cu stingere pe poart (GTO), tiristoare asimetrice {ASCR) m
ou eoadueie tn palarizire invers (RGT). I n fine, se fabric i alte dtfp
sitive cu straturi multiple, asemntoare din punct de vedere tehnolog^
diaee, diode de referin in direct.
Diodele de medie putere, ca i tiristoarele de mic i medie 1)U
aecesit montarea pe radiator (pria nurubare, presare sau stri^T
In oopftl utilizrii Lor la capacitate maxim.
1.2. Caracteristicile principale ale diodelor i tiristoarelor de puteil
produse de IPRS-B.iXEASA
i) cu maini aut**
prelulnd rolul
- w ...
fa disipaia termic.
Puterile mari disipate in funcionare ca i folosii ea in echipamente
upase unor solicitri deosebite (foraj, traciune feroviar, metalurgie
etc.) ridic pentru diapozitivele de mare putere probleme constructive
speciale. Evacuarea cldurii pentru meninerea structurii semiconductoare
In limitele de temperatur prescrise reprezint dificultatea esenial.
I n consecin se acord atenie maxim contactelor ferme In lanul:
structurcapsulradiator, precum i proiectrii atente a echipamen
tului, pentru evitarea supranclzirilor. Se remarc prezena a dou
soluii constructive : a) capsule cu rcire pe o si ngur fa ; b) capsule cu
rcire pe ambele fefe (disc). Capsulele disc permit o mai bun exploatare
a element ului semiconductor prin evacuarea cldurii pe o suprafa dubl
in raport cu rcirea pe o singur fa. O problem specific suplimentar,
legat de costul ridicat al dispozitivelor de mare putere i al echipamen
telor n care funcioneaz acestea, const n abordarea unor msuri adec
vate de protecie mpotriva semnalelor electrice parazite inevitabile, care
pot conduce ia distrugerea dispozitivului.
Punile redresoare monofazate snt ncapsulate n plastic i se utili
zeaz fr radiator (pn la 4 A) sau cu radiator (peste 4 A). Diodele
din punte snt izolate electric de exteriorul capsulei. Punile redresoare
trifazate destinate aplicaiilor auto prezint soluii constructive adap
tate geometriei impuse de forma i gabaritul alternatorului. Aceste ansam
bluri snt supuse unor condiii dificile de rcire i ciclare termic, ceea ce
a presupus adoptarea unor soluii tehnice deosebite pentru optimizarea
disipaiei termice i creterea rezistenei la oboseal termic . n ultima
vreme n locaul strimt al alternatorului se monteaz, mpreun cu pun
tea redresoare propriu-zis, un mic ansamblu pentru alimentarea inf-
urrii de excitaie (de exemplu 4PT2), i eventual chiar regulatorul
electronic al curentului de ncrcare. Punile auto pot fi utilizate i n
montaje obinuite de redresare trifazic, cu condiia respectrii limitelor
corespunztoare la ncrcarea n curent.
Necesitatea rcirii diodelor i tiristoarelor de putere prin convecie
natural sau forat a condus la elaborarea unei game variate de radia
toare, cele mai multe fiind profile de aluminiu. Neajunsul principal l
reprezint dimensiunile mari ale ansamblului dispozitiv-radiator. Spre
exemplu, montarea n antiparalel a dou tiristoare de tip TG3N pe radia
toare K NF are un volum de 880 cm3. Problema s-ar rezolva mai simplu
fixSnd ambele tiristoare pe acelai radiator, dar izolarea lor electric
mpiedic acest lucru. Construcia modulelor compacte d un rspuns
ideal celor artate mai sus prin montarea n aceeai capsul a dou struc
turi conectate anod-catod i izolate electric de radiator. Modulele snt
fixate pe un singur radiator, cu njumtirea gabaritului i consumului
de aluminiu pentru radiatoare.
Prin asamblarea diodelor t tiristoarelor de putere n montaje de
redresare sau acionare ia cererea beneficiarilor, I PRS-B NE ASA
s-a mseiis ntre marii consumatori ai propriilor sale produse. Valorificarea
superioar a acestora nu este singurul avantaj. Cunoaterea problemelor
din tabra utilizatorilor i reacia cea mai rapid posibil pe bucla
afcructur semiconductoare dispozitiv montat utilizator snt tot ati-
tea argumentin favoarea unui consum intern de astfel de produse.
O prim imagine asupra performanelor diodelor i tiristoarelor de
patere produse sau aflate n pregtire la I PUS- B NEA SA este prezen
ta** tu figurile 1.2 i 1.3. Se remarc acoperirea aproape complet a unei
21
f . m m -
t n t 4
I #<##}> w* 1
& M b
^rnmBm
mssex
mnot;
MOB
2 Oamele de curent i d* corrduct> s tensiuni de foc ar e ale di odel or si
a le to / P ns- H A .Y/ i AS A ; n funcie de capsulele u i i hvaU
;l or f ater-
KSO\
: jm
? H20\
1 12QPT2\
^WCPT2\
QP72\
S0P2
4SPT2
40PT2
4 P (m
20 PH
fflPM
4PMM
3PM
2PMM
, e . x
Module T
compact _
Puni
redresoare
trifazate
* Ansomiu de exo ta f
* T
1 -....... J Puni
f j tcdrskbre
I z: * I fmnofazGfe
^fAVMJ AVMA]
OBusatsmm
1000
[vj~
FI. I-*- fiamyie de ^n v 4f eonduel* i twriual Woeare ale afetMbta-j
fl i ni ari iu t P K S - f & N h A S ln * J
iriipiCiM!; 0'iirlaii.lt'Kv uoi^Wliv^)- tttiUtat.
ses
pme foarte largi de valori d<* cureni de eonducie (0 , 4 ,. .4400 A) *
tensiuni de blocare (20.. .4800 V), precum i utilizarea a nu mai pain
de 41 tipuri de capsule. Trebuie subliniat, de asemenea, dezvoltarea
unor noi familii de produc de strict actualitate: diode ultrarapide
diode Sehottky de putere, tiristoare speciale (GT O, A S C R f MCT % diapo
zi ti ve de protecie (B ODf supresoare, varistoare), puni redresoare mulate
n plast ic, module compacte, etc. Unele realizri menin I P R S -B J L NE A SA
n avangarda productori l or de di spozi ti ve de putere. Astfel, eapsuleie-dis**
din plastic snt realizate de foarte puine firme n lume. Mai mult, 1P R 8 -
B N E A S A a brevetat i va realiza n premier dispozitivele de putere
cu senzori integrai de temperatur, tensiune de blocare i curent. Uti
lizarea acestor senzori va permite evitarea ambalrii termice din eauxa
contactelor imperfecte (senzor de temperatur), detectarea regimului de
lucru i a supratensiunilor accidentale fr folosirea unor di vizoare de
tensiune de blocare compensate (senzor de tensiune de blocare) i deter
minarea regimului de eonducie al dispozitivului la orice frecven fr
ajutorul simurilor de curent neinductive (senzor de curent).
n Tabel el e 1.1.. .1.15 snt listate tipurile de diode, tiristoare i an
sambluri modulare aflate n fabricaia curent si n programul de dezvol
tare ale I P H i S -B NE A S A , mpreun cu performanele eseniale i
Tateiul i i .
Diode redresoare normale.
Tip W m(A)
^jRJ
*<V) CAPSULA
F . ..07 0,75 50. . .800 DO ta
N400 1 50. ..1000 F128, DOil
F . . . 2 2 100. ..1000 D013
DZN 3
100. ..1000 D021A
6Si P 6 100. . .500 D220
D1Q ; 16 N 10 ;16
50. ..1600 D04
RAG 15 ;20 100,20(, .600*) RAG
RA 20 ;25
100,200(,..700*)
DQ21
D25 ;32 ;40 ,^0.V 25 ;32 ; 40 ;50
50. ..1600 DOb
D63 ; 80 N* 63 ; 80
50. ..1600 B17- 8
K . K S ; K U 40,; 60 ; 90
i q o . ..1400 13,21
>325 ; 355A , R 325 ; 355
400. ..2000 B42
D358 ; 408N 360 ; 410
400. ..1200 T2QP
D448N* 450
200. .. 800
T20P
D400 ; 45 N, R 400 ; 450 400. ..2000
K50
D500 ; 630Ar 500 ; 630
1400. ..3000
T30
D629N* 630 3400. ..4800
T30 (TMH)
D58 ; 628 ; 068.V* 510 ; 630 ; 670 1400. ..2800
T28P
Dm8 ; 798N* 700 ; 800 800. ..1800
T28 P
MOO ; 100A'
o M o o
o
1400. ..2800
T30
01390 ; IdoQN+
1300; 1600
200. ..2000 x T50
>1308 ; 1008 Ar* 1310 ; 1610
200.
..1600
I 'M A
M8QQN* 1800
2300.
..4000
jfO
mmm 2200
2000.
..2800 T50
.01808 ; 2218 AT*
1810 ; 222 )
200,
. .800
T3A
D2&Q0N*
2500
200.
. .2000
>3200#* 3200
200, ..1600
M48&N* 4400
200. . ,800
r$o
u t 11
Wm
W*4i eg vHitMf#
K S 5 I r M t | V) ( I 'wi V)
tidteW) 1
M
s
400,,
, tdtnt
4MI,, .
f J It
Si i i
4o0, ,, |<HH! j
460. ,
>IftHI
IM 04
Mi
400,, MHHI
.o, , f 7<Kt
i p
f
4(H),,
i 4<HI ' I
450, i ,1400
0 ,
I M A
t i
41)0. !"t14*M
460. i I
ffe
i m a*
go
4tX).,
. IKMI j
4&0,, , i4uu
IftOA* io
400,,
, Mi Hi
4601 1400
*
lliNNfttt tu dt>ivo){
Wl, Dut
ptfllniiifi'
*1*
/ J OI*
MH
iMH
tHM
i M
m i * i
7*a b tiul I I
Tl|*
hvitib) VAJ tAf(V) Q(pC)
MA i BAX ; UHH
100*,1000 300 ; 400 ; F i a
W
1000
a too., , iaoo 1300 MJ 27A
BY
%
08 aoo 0027 A
0
00, , , 500 600 u oaao
>I0| 1I F
10110
60,,.1000 000 1)04
D\ U ; | dAF*|
io J 8 1000
aoo D04
w miMi
a& 1000 <300 UOb
tm i aaa 4q f
36 ; 33 !40 oo,,.1000 000 ;SOO;HOO p m
171 i 30I&*
ko &s
501 ; 6%$$*
B$W)S*
&40;496?
tarn* '. tm*s
iOtl
410
510 ; 03Q
600
400 ; 49$ !
ISO) 800*
aoo,..1400
aoo. . o)
400,,.1400
1800.. .340(1
1J OO. . ,'J flOO
o
130
130
400
360; 360
T3QP
T20P
T38P
TUXTMB)
T$0
400; 700
* lrmluH#n des voUatrtt, I>nte preliminar#
y Diodo rapidcu v&!tn$ coiitrotal
Wo4# llritritjt4t
Taktlai <
14
* Prtiaa* I b cnmftfti* Dte
fVI
n
. H H ...
IK3@Q3 * ;>| P I * J m m
I ^Z*
ni ... Hk- :
.. m %4
i M - f i| LKi
osa&
mi ar S6 to i m
: 5 A Z . H 4i V l' f|
I* ftctoi 4 f
l)l<| Htht I r (OlH'ftt
................ ........................................... .... ....... y -----. ,.Uf,L.
Ttkp %*hq\ I ^ ; V ) ^itit& I I 0b#fcrv* w
/ **
J OSAS*
aor*
!
.58B?
fiQOt I 0i$| 9tKlt ^f t . If
I s ti ttwi | p )
t? I | | p|
j * Uif"; | |
I Varis**
I W 3 *l
MNmiftir
T abeli
<c&mt
f 1 -, 19R.V
160 ; 200
400.. .1800 7*2: )p
}*25? v (io : 300
400.. . 1400 7*2 >P
v* 310 i
2000,. . 2400
728 P
T'A2HS''*
330 1
200.. . 600
7*20 P
1200 :2.r0:320AW* ;350A 200 ; 250 : 320 ; 350
400. . .1800 50
7*358 ; 408V* 360:410
400. . . 1800 7*28 P
T455; 50I N 155 :500
1600..
. 2600
. 1600
7*30
7*508 A'* 510
600.. 7*28 P
T600A* 600
2600. .4000 7*50
7*550; 630A * 550 630
400. . 1800
.1800
730
7*628:698A * 630 ; 700
400. 7*36 JB
7*700AT 700
1600. . 2600 7*50
7T18A* 720
600. . 1400 7*36 A
7*800; 860N* 800 ; 860
2600. ..3600 7*50
71000A 1000
400. ..1800 7*50
T1050AT* 1050
1600. ..2600 7*50
T1250A* 1250
400. ..1800 7*50
7*998 ; 1258A* 1000 ; 1260 200. . 800 7*48 P
Produse n dezvoltare. Date preliminare
Tirtstoare rapide
Tabelul ].| .l
Tip
^DRM,RKm(V ) tqi'tLS)
Capsula
T I k
r ?>R;F
T 3 ; 6 ; 10*F - P
310 ; 16 ; 222?
7 25 ; 3 0
7*32 ; 40F *
7*50 : 63 ; 80F
T158S*
7128 : 168F*
7*178 ; 258F*
7*195 : 290F
T308F*
7*318 ; 408F*
7 508 ; 598F*
J 0OOF
7*500 ; 630S*
1
3
3 : 6 :10*
10 ; 16 ; 22
25 :30
32 ; 40
50 ; 63 ; 80
160
130; 170
180 ; 260
195 ; 290
310
320 ; 410
510 ; 600
600
500 ; 630
50.. . 800 10 507*32
50.. 800 10:20 7 *0 8 6
50.. . 800 20 ! 7*0220
50.. .1200 20
j 7*048
50.. .1200 20
! D05- Tg
200.. .1300 18...30 ! B22
200.. .1300 18...30
27
200.. .1300 18...30
! 720P
200.. .1300 18...30
S 20P
200. .1300 18...30
! 720P
200.. .1300 18...30
1 50
200. . 600 18...30
T20P
200.
..1300 18...30
T28P
200. . . 600 20...30
j 7*28 P
200.
..1300 18...40
i 7*30
1200.
..2000 40...60
7*30
* Produse in dezvoltare. Date preliminare.
Tiia.ce.
Ti p
yt>RM,RRM(V)
jB&i mm,
I 'B l GN
TB 25N*
6; 10
16
25
200...6Q0
200...800
50.,.800
Produse n dezvoltare. Date preJ nmare
24
'mm
7*0220
7*048
D05 fM,
i n
WKsMsk
Ttp F ArM.TAvUi^ ^0*f RRM( V)
\ 1DD:U , 4u ; 8MJ V*
32 : 40 ; 50 400
; 1
*itp KI J 20
M I j DS?, : W : tflA' *
3 ; 80 : 100 400, .1800 / 3U
M B B 123 ; 10 2?*aV
123 ; 160 ; 200 400. . i 800
----- .
h
,i.
MDD2&&*
32 400,, , 1400 25 K20
MDI MbS* 45 400. . 1.200 10 20
MBD21:S*
120 400. 1400 45 30
ViJ Z 122S* 120 400. . 1000 25 \ 30
MZ>r,,TZ>25 32 ;40 ;50X* 25 ; 32 40 : 50 400. . 1600 K20
-Wi>T, M TA : #0 ; UK>V* 63; 80 ; 100 400, . 1800 KM)
mM t ,MTD'x25 : 180 3I 0.Y 125 : 100 : 210 400. . 1600 K5t
MDT, MTDXL : <5F* 32 ; 45 400. .1100 30 25 iv20
J V// J r . Af 'FD 1i M ; 1W * 100 : ISO 400. .1300 30 45 J v50
MTT2- ; :<2; 4<;.\ 25 ; 32 ; 40 400. . 1600 K2
MTT5f83 ;80 A 50 ; 63 : 80 400. .1800 K3U
MTT12:>, It; 2H).V 125 ; 160 ; 210 400. . 1600 K50
MTT4&F* 45 400. . 1100 30 K2U
M T T I W ; I Wf * 100 ; 180 400. .1300 30 / iso
* Prodt-a hi dezvoltare. Date preliminare
T" , ; ; Tabelul 1.13.
Pue i ?er*j.oaim monofazat.
Tttbei ull .U
Puni redrpsuure trifazate i ansambluri
P
vRR(y)
1PM
1,2 50...800
L-v .C15XJ
;' . . 35 80.. .1000
2PA#*
2 50...800
3PM
3 50...800
*PM
: 4 v; 30.. .800
HIM#
p to ttO. . .400
20PM

3...400
wmm&tm.
mSM
Pfcadue ia *v&liitr. Date pe*
de excitaie.
Tip / .(A)
4 P T 4
300
4 P T M2
4 200
40P72
40 200
45i>T2
45 200
60PT2
60 200
mp 12*
80 200
lOOP 72*
100 200
120P22 *
120.
20
120P r 2- *
120 20(ii
* Brodas# in d*st vallare. jjre-
lumuare
f al dul - **
Puni iMlxtritir I? Mut putere-
FunwHK
p,mtl |
| '#> 1
/ *{A)
MP W L f t
M p r c i m
1300
220:
1300
1050
1U30
MPT Qm 380-1300 3$0
130*1
MPTGiR) 380i83$ 380
m p i a m 440/1300 440
MPT C(f t ) 4#^850 440
850
MPT Ci R) 500/ 1300 00
130*0
MPTGR) 500 850 500
83*'
MPTC{B) 760 1000 750
MPTCli) 756 850 75'Q
850
MPTCin) 8254000 825
1000
MPT C'i m 825,850 825
850
MP T ( m 900 1000 900
1(100
M P T C m 900.$50 900
650
PT350A 2iIV 24
350
PT 750A;:MV
24
- 750
PT 2500A 24V 24
2500
capsulele aferente. n Tabelul 1.16 snt prezentate principalele ansambluri
de rcire recomandate / oferite de productor i parametrii termici ai
acestora, n AM EXA 3 din volumul I I snt prezentate capsulele utilizate
n producia de diode i tiristoare de putere a I P R S -B NE A S A .
Tabtlul 1.1$.
Ansambluri de rcire;
Tip
V i c/W
Capsula
Rcirii cu aer
Rcire cu ap
5 1/min
Cowvece
natural
Convecie
forat
30 0,28 0,073 730
0,27 0,049 H
750
Kxurn- 30 0,29 0,078
L '
730
150-F50 0,4 0,11
: 50
wimn~2 0,237 0,086
in .
TM
0,455 .w- '
T50
WS3iBKH? 1719 0,325 gir--. : im P p i 1i
250
lOirso5o 0,28 0,062 j
750
BAB30 Wf. .;
0.029 730
BAmu 0,024 750
Caracteristicile constructive i funcionale ale tuturor dispozitivelor
menionate lint aliniate la standardele internaionale n vigoare, ceea ce
fate' posibila echivalarea acestor dispozitive eu produsele similare reali
tate de ali productori de profil din lume.
MC
*fWl
tum- ni nm jBAWi *1
*atf$ %n : tuu^xf
| i fajr&o^uii *1*PP
>q piuipx wniip^j Ho| R3i!> nwjfjs m ^>ki t r y -j *f
t a p i i j *p | i jsnU'U}} * / <**/ *|
r i M v a o o r m i g
pp tn um mu^o'A & i f iM| a**tI 4g p ^f e i
Vt S ai | aiH^| u<i n^.s ut>uiui *ft| Uram
I i* B Zfpl j o! ** &i| Ft<l .jvfnp-mi 0| fi| ^| ^|
Ir $ vk $ Y f l *s ')f <f l V **Hfi*i $ %y
2. Principii ale funcionrii
diodelor i tiristoarelor de
putere
A. DIODE
2.1. Principii generale de funcionare
2.1.1. Consideraii generale
Diodele constituie o clasa de dispozitive semiconductoare cu dou
terminale avnd dife ite destinaii funcionale, care depind de geometria
structurilor, precum i de condiiile externe de polarizare [l-s-7].
Diodele semiconductoare de putere snt utilizate n principal n
regim de redresor [3-r7]. O astfel de diod este format dintr-o jonc
iune semiconductoare pn (vezi figura 2.1). Dispozitivul prezint o
rezisten de valoare redus ia trecerea curentului n cazul polarizrii
directe (4- pe anod, pe catod). La polarizare invers (- pe anod,
~r pe catod) curentul prin diod are o valoare redus, dispozitivul pre-
zentnd n acest caz o rezisten de valoare foarte mare.
AO
(Anod)
A
(Na) (Noi
P
Na'* No
bl
n*
y ----OC
QC
(Catod)
Diodele cu jonciuni p+n sau n+p
(vezi figura 2.1) se consider n mod ideal
ca avnd straturile semiconductoare con
stitutive dopate uniform. J onciunile se
consider a fi abrupte (tranziia de la stra
tul puternic dopat p+la n, respectiv de
la w+la stratul p se efectueaz abrupt)
i asimetrice (concentraia de impuriti
in stratul puternic dopat este mult mai
mare dect n stratul semiconductor slab
dopat). Concentraia maxim de impuri'
ti n stratul semiconductor puternic
dopat {Na n p+, respectiv N Dn n+),
consider a fi sub valoarea de IO19atom/
cm8. n acest caz semiconductorul est
nedegenerat.
NA^.N
ci
2.1.2. Caracteristica ideal curent (I )
tensiune (F)
Fig. 2.1. () Simbolul diodei redre-
&oare. (*) J aBCiune p+n. (e) J onc
iune n+p.
Caracteristica curent (I ) teusiun^
(V) a unei diode ideale este exprim**
30
analitic prin relaia [1 *7 ]
1 h(<*vliT - 1)
(21)
unde J e este curentul invers de saturaie al diodei, V tensiunea aplicat
pe dispozitiv, k constanta lui Boltzmann, q sarcina electronului i T tem
peratura ; n mod uzual se noteaz kTfq = V A ^t ==25,9 mV la T =
= 300 K ). Relaia (2.1) este reprezentat n figura 2.2.
Fig. 2.2. Caracteristica ideal curent-tensiune a unei diode la scar liniar (a)
i la scar serailogaritmic (b).
L a polarizri inverse relativ mari (| V\ > VT) e*r/ Vr 0. n acest
caz, din relaia (2.1) se obine poriunea invers a caracteristicii I V
(figura 2.2) exprimat analitic de
I H (2-2)
Din relaia (2.2) rezult c valoarea curentului care trece printr-o
jonciune ideal pnt polarizat invers cu o tensiune \V\ >kT/ q, nu
depinde de valoarea tensiunii inverse. Belaia (2.2) exprim deci satura
rea curentului invers prin dioda la valoarea I Q.
Pentru tensiuni inverse aplicate egale sau superioare valorii Vbh (vezi
figura 2.2), caracteristica I V a diodei se ndeprteaz abrupt de la
ecuaia (2.2). L a atingerea valorii critice (Fbr) a tensiunii inverse curen
tul prin dispozitiv crete brusc la valori foarte mari. Dioda se afl n
acest caz n regiunea de strpungere (breakdown).
n cazul polarizrii direete, din punct de vedere practic, caracteris
tica I 7 se aproximeaz ca n figura 2.3.a. Locaia tensiunii de prag, VF
m obine la intersecia cu axa tensiunilor (V ) a dreptei care aproximeaz
liniar c&r^tcristica curent-tensiune. Tensiunea de prag Ve a unei diode
*te practic egal cu potenialul intern VH al jonciunii respective (vezi
| avnd valon de 0,5 V .. .0,0 V pentru diodele din siliciu i
T >; V pentru diodele din germaniu.
Din punct de vedere formal, o jonciune pn in conducie direci
avnd o caracteristic J V aproximat, liniar, poate fi modelat prin
schema echivalent, simplificat din figura 2.3.6. unde D este o diod
ideal, care simbolizeaz conducia unidirecional a dispozitivului, y p
tensiunea de prag prezent prin tensiunea contra-electromotoare, care
mpiedic intrarea n conducie a dispozitivului pentru tensiuni directe
V < VPy r0mrezistena n conducie direct (on) a dispozitivului, care
determin panta caracteristicii liniare I V.
n
Fig. 2.3. (a) Aproximarea liniar pe poriuni a caracte
risticii directe curent-tensiune a unei diode semiconduc
toare. (b) Schema echivalent simplificat a unei diode
redresoare.
La polarizri inverse i tensiuni aplicate V < VBr , dioda poate fi
reprezentat printr-un rezistor roff de valoare foarte mare (roff= Fr/ Io)*
Valorile uzuale ale rezistenei roff snt de ordinul a zeci . . . sute de MO.
Neglijnd n relaia (2.1) unitatea fa de exponenial*, tensiunea
pe o diod ideal n conducie direct se exprim prin :
(3.3)
2 V I q )
Cderea de tensiune n direct VDla un curent I constant depinde
de temperatur prin termenul (kTjq) i prin curentul I 0. Experimental,
se constat c rata de cretere a curentului Z0cu temperatura este de
7...8%/ C, ceea ce este echivalent cu dublarea valorii curentului I 0 &
fiecare l (f C de cretere a temperaturii.
Coeficientul de variaie a cderii de tensiune VD cu temperatura la
un curent direct constant (I =constant) este [1]
V = - 2 mV/C (2.4)
dT
n cazul funcionrii la semnal mic (variaii mici n jurul unui punct
de funcionare dat) intereseaz i rezistenaJ dinaraic (incremental) r
* Neglijarea este justificat practic pentru orice jonciune polarizat direct. ntr-adev'*
Hin valoare minim V * 0,5 V sc obine la 300 K, exp( VJ VT) = ejcp (0 5/ 0,025^) **
2x 10> 1.
definit do [54-7].
V
r . -
TXtiiiznd relaia (2.3) n (2.5) i neglijnd I 0(J 0 < I ) se obine pentru
cazul polarizrii directe
J oT
(2. 6)
&
unde I este curentul direct din punctul static de funcionare.
La o temperatur constant (T const.), rezistena dinamic rD a
unei diode n conducie direct este invers proporional cu valoarea cu
rentului I prin dispozitiv*.
2.1.3. Electrostatica jonciunii pn
Diodele semiconductoare sint formate din jonciunea materialelor
omonime de tip n cu cele de tip p. Un material semiconductor de tip f
este dopat cu impuriti donoare** avind concentraia N D(n = N D), n
timp ce un semiconductor de tip p este dopat cu impuriti acceptoare***
de concentraie N A(pNA)- ntr-un semiconductor de tip n nivelul Fermi
Em se afl n jumtatea superioar a benzii interzise, n timp ce ntr-un
semiconductor de tip p nivelul Fermi (EFv) este poziionat n jumtatea
inferioar a benzii interzise (vezi figura 2.4).
n =rina
i
, Banda de conducfi'e*
i 1 .|--%
Banda uterzis
\Ecz m z m m m z
anda 0valen
Fig. 2.4. Straturi semiconductoare izolate de tip p i n cu dia
gramele corespunztoare ale benzilor energetice.
ntr-o jonciune pn aflat n echilibru termodinamic nivelul Fermi
este constant (unic) in ntreaga structur. O jonciune pn se afl la echili-
* La un curent l 2$ mA i T 300 K (k j'j g 20 mV), rD = 10.
** Elemente pmtavalente (fosfor, arsen).
*** Elemente trivalente (galiu, bor, aluminiu).
P-Pp,
Banda de conducie
Banda interzis
Efp------------- "------fe 1
Banda tivalen
bru termodinamic atunci cind nu este supus unor excitaii externe (tai
min, tensiune, variaii de temperatur etc.).
Zona de
intern de potenial
tranziie a jonciunii pn este caracterizat printr-o diferent* *
tenial (butlt-in potential) Vbi (vezi figura 2.5).
qVbt $ g E1 (2.7)
unde^o este limea benzii iu. |
terzise (EG= 1,12 eV in siliciu la ^
T = 300 K ), iar [1*3]
Zon de tranziie
Ef -
Evr
mm.
% =k Tin (Ny/ NA )
Et = Ev - EP = J cT In
2? 2 ==Ep Eq = TcTIn
(I;)1
(2.8) I
\ Nc
2zkT tnlNc/ No)
(2.9)
n relaiile (2.8) i (2.9) N
este concentraia de impuriti
acceptoare n stratul p, NDeste
concentraia de impuriti do-
noare n stratul n,Nveste den
sitatea de stri n banda de
valen (1,04 x IO19cm" m 8i-
Fig. 2.5. Structura benzilor energetice ntr-o jonc
iune pn la echilibru termodinamic.
liciu la T = 300 K ), Ne este]
densitatea de stri n banda de conducie (2,8 X 1019cm* n siliciul
T = 300 K).
Prin nlocuirea relaiilor (2.8) i (2.9) n (2.7) se obine [l-r3] j
qVbi E0 kT In - - k l ln-^2- = E 0 k l ]n NcN^-
Na Nd NaX d
(2.10)
ntr-un semiconductor aflat la echilibru termodinamic, produsul f
concentraiilor de goluri (p) i de electroni (n) este constant i egal cu ,
ptratul concentraiei intrinseci | n,(=1,45 x 1010cm'* pentru siliciaj
la T = 300 K ) [17].
pn = n2i NcNv exp
(-w )-
(2.11)
nlocuind expresia lui Ee din (2.11) n (2.10) potenialul intern V i M
obine sub forma [l-f-7].
(2.12) j
kT
relaia (2.12) rezult c pentru jonciuni abrupte asimet^
Dsau N d > N a), cu concentraii ale stratului puternic dopat | |
- J L------- --------J ------ ---------- I ;
Din
#1 > m
10wcm"* i la o temperatur T constant, potenialul intern Fw,
el
sil
P>
84
pragul de deschidere VP al diodelor (vezi 2.1.2), crete odat cu crete
rea doprii straturilor p {NA) i/ sau n (ND).
Zona de tranziie a unei jonciuni pn la echilibru termodinamic este
caracterizat prin absena purttorilor mobili de sarcin (electroni i
goluri). Datorit concentraiei lor mari, golurile din zona p adiacent
jonciuniijmetalurgice difuzeaz n stratul n, lsnd n urma lor sarcina
Gol
ion acceptor
J onciunea
metalurgic
Ion donor
Electron
M c o

. .
j
o,
cM
o
. ,
. .
p
o o
:
4 .
p
o o

. 6L
.
p p o

.
61
.
o o o

. . .
Strat p Zon Strat n
golit
a)
D*nsitot&de sarcina
Zona
i ^sarcina
de
spatie: 'i
qN
le
(n *
bj
c)
Fig. 2.6. Distribuiile densitii de sarcin (b) i ale intensitii
dmpalui electric E (c) intr-o jonciune pn (a) abrupt i asimetric
la echilibru termodinamic.
electric (negativ) a ionilor acceptori necompensai, iar electronii din
stratul , aflai n proximitatea jonciunii metalurgice, difuzeaz n zona
m MB astfel natere unei sarcini electrice (pozitive) a ionilor donori
neoompenaai (vezi figura 2.6.a). Sarcina electric a ionilor necompensai
39
din zonele p i n adiacente jonciunii metalurgice (vezi figura 2.6.&) creea^J
un cmp electric de intensitate E (vezi figura 2.6,6). cu sensul de la garj
fle pozitive la cele negative (figura 2.6.a). Zona de tranziie cu o lim
tipic de 0,5 jjimpoart denumirea de zon golit sau regiune (zon) $e
i i mi k i spaial. Prile zonelor p i n aflate in afara regiunii golite (<fc
sarcin spaiali) snt neutre, ntruct purttorii mobili de sarcin (golj.
iile i electronii) compenseaz sarcina electric a ionilor (acceptori
stratul p>donori In stratul ).
Frontierele l9 i ale zonei de sarcin spaial n straturile p respectiv
f snt corelate cu concentraiile de impuriti acceptoare (NA), respectiv
donoare (ND) prin relaia ;
NAl9 = Noi*. (2.13) i
limea W a zonei de sarcin spaial se exprim prin [17] ^
W
innd cont de relaiile (2.13) i (2.14) extinderea lP, respectiv
regiunii de sarcin n zonele p i n se exprim prin
l9 W-
Na
ln W
Nd___
(2.15 .a)
(2.15.6'
Din relaiile (2.15) se constat c extinderea zonei golite ntr-un stra
semiconductor este cu att mai mare cu cit doparea cu impuriti a stratulid
respectiv este mai redus. M
Capacitatea CBa regiunii golite (capacitatea de bariera este [dat de
l i g i
gp^-
Cb = -
w
(2.16)
unde A este aria jonciunii pn.
Valoarea maxim a intensitii cmpului electric E se obine H
jonciunea metalurgic i se exprim prin relaia [1 7]
Em
-H.
2q
Nl
NaNd
(2.1
Aria suprafeei cuprinse de ourba distribuiei cmpului electricjNH
figura 2.6.e) este numeric egal cu potenialul intern al jonciunii 1V j
2.1.4. J onciunea pn la polarizare invers
ti
Fenomenele principale care au loc ntr-o jonciune p+n polari^H
invers elnt ilustrate n figura 2.7. .^jf
Tensiunea invers aplicat conduce la creterea limii W. a
de sarcin spaial a jonciunii, care susine tensiunea aplicat 1 |
(vezi 2.5).
ord
e ni
torii
regii
tiere
de p
iuni
X. fi
n regiunea de sarcin spaial exist un cinip electric puternic (de
ordinul IO4.. 3O5V/ cm). n regiunile neutre-din exteriorul regiunii de sar
cin spaial nu exist emp electric important.
J onciunea
metalurgica
Frontierele regiunii
de sarcin spaial
/ a)
Jonciunea metalurgica
j Vor
Frontierele regiunii
v* 4** de sarcin spaial
b)
, . Flg. 2.7. Ilustrarea modalitii de formare a componentelor de difuz te (a)
i generare-rcccmbinare (b) ale curentului invers printr-o jonciune pn pola
rizat invers.
Curentul invers al jonciunii are dou componente.
O component denumit curent de difuzie este determinat de purt
torii mobili de sarcin (electroni, respectiv goluri) generai termic n
regiunile neutre ale zonelor respectiv n situate n vecintatea fron
tierelor regiunii de sarcin spaial (vezi figura 2.7).
Cealalt component denumit curent de generare este determinat
de purttorii de sarcin generai n regiunea de sarcin spaial a jonc
iunii.
Curentul I difuzie
n zona postea care contribuie la curentul invers are o extindere
11 | p marginea corespunztoare a regiunii de sarcin spaial. L este
37
, 4 I m * * * * (P*A*iMr<minoritari Ia atratul * ) ,
** Mfpt& m*
X. flSuT (3.1)
ate r I ii fn,-Oniw>mt ^ difuza si tropilor, iar t. timpul de via
i l NwetycaMW te aoMfiWHtU*- & P*
tn mod riiyiiar. hiafinww 4#dtfaw* * golurilor (purttori minori-
* * }* KHk #'fl qpiMI J tft
'4K H I
*
(2.19)
m i l > <ata m^mt '&tato I golurilor, iar r , timpul de via
l i O i MMil (W'itWI ti flftNAtiBi .
Jfcfi* I rrifiwri de Me X d M * cit i in repune* de
Hftlirrr y dm m , tot ewr*t* termic pewcW electron-gol. Electronii :
g^tsMr&i m wgfaMft &IMB w a i ttap de via, Suficient de lung
Mafe* a joaf*', pfta fflme, ta iMMgteaa regiunii de sarcin spaial. 1
flfcwiil dbetlte j m wtMMi Swrlnurexistent In regiunea de sarcin 1
J 9$Mi agwr| iriaiwniul rapid 1 urnim electroni (aproape instantaneu,
p mftttft hi umMjj m naft al yartJ ttarilar*) n regiunea neutr a stra- 1
A , It faetita ifeH partten Mjoriten. Datori t i concentraiei |
^8$ piajff din scatii tf electronii au anse mari de
Im prn rtcoabioar cu golurile este puin J
H H K i i p l M l i M l N i i Densitatea acestui curent |
i tt J ^wwt fifw* l t y tn ewd unitar, golurile generate in regiune J
iU &!$&;$&t <1m mn& * itftaaM hi fmntH'ri regiunii de sarcin spa- i
fia* mm mMitaiuuft, fiind flapiose Uf* cimpoi E n partea neutr .v
fl i t Hi titL, mAirtf ck contactul acestei zone. Denai- 1
lMu rumu M
A*tW p**rt turti mtnunun ean siat generai in interiorul unei Iun- 1
gmw d** dtfusw f dgftwi ngtanii i e nareiaA spaiala vor contribui j
ta tafta*** taa mmt\ t
U ~ J * A i J +J n) (2.20)
wwl i <fc di/ * H* poate srta c [1-4-7]_____________________
S&S (2.21)
t** <** j>*, dd #4 5 * / , <J ceea ce Implici
Vtrtf jMeeitme <*, </,* fi iutrucit N 0>N #i
Yaferiie ikWawMif&n cnfeatolu de difuaie la 300 K pentrt
M i l t e ta g i i o . .IO'1* A/ cm*.
CewMinrii i c
t ^ta^ia Ut^ne W a kmetiunii oono^ntr'
w#**A *mult fidus fa de valoarea
MimpptNI W^knf fttrt&ti*h i t m din regiunea golit, golurfl*
spre suna p iar eleciunii spre zona *). Ci urmare a. regiwtiA de w i f i i
spaial pur o generare de purttori care determin, formarea nani mrmut
generare care dup cum se poate arta este dat de relaia [14-7]
unde (vezi figura 2.7,b) W este limea regiunii de sarcin spaialii,, ir je este
timpul de via efectiv din regiunea golit. Se mmare faptul c densita
tea curentului de gene rare-recombinare J a este direct proporional eu
W, deci depinde de tensinnea invers aplicat.
Valorile tipice ale componentei a- curentului invers a diodelor din
tiliciu este de O~9A/ cm? la T -300 K, adic superioare celor ale com
ponentei de difuzie
Curentul total printr-o jonciune polarizat invers la o tensiune
J f\ < Vm este dat de sama curailor de dtfnae i de generare
unde J 4 i s n t exprimate de (2.21), respectiv de (2.23).
2J L5. J onciunea pn la polarizare direct
La polarizarea direct a unei jonciuni (- f pe stratul p* f pe stra
tul ), caracteristica densitate de curent (J ) tensiune (V) se exprim
analitic prin [$].
unde J ,4i J r sint exprimate de relaiile (3.2.1), respectiv de (2.22). Fa
de relaia (2.1), care exprim caracteristica unei diode ideale, formula
(2.24) nglobeaz componenta de generare-reeorabinare !n zona de sarcin
spaial (vezi figura 2.7.6). Caracteristicile curent-tenaiune a diodelor
practice din siliciu sint prezentate n figura 2.8.
Rezultatele experimentale obinute cu diodele re dresoare din iliciu
e reprezint de multe ori [6] sub urmtoarea form*
unde i} este feciorul <ft uU&lit&te** al diodei.
Valoarea 2 a factorului r, se obine atunci cind curentul de recombi
nare este dominant (poriunea () a curbei din figura 2.8), i*r valoarea
1 atunci cind dominant este curentul de difuzie (curba 0 ) din figura g| | |
n cazul n care contribuiile curenilor de difuzie i de recombinare sint
omparabile, rj are valori cuprinse intre I i 2 (1 < $ < 2).
& U )
(2.25)
^Tji|Sn
Tti.;-
dori t aparii! altor fenomen f ^o
rwfcvmi* f#*j cq $ iwri flfur* 2,&), t
2.1 <6. Strpungere
joaeiuuii p%
'Wb
mk
Tensiunea invers F* anii
cat pe o jonciune pn
figura 2.9) conduce la extinde
rea regiunii de sarcin spaial'
oa urmare a ndeprtrii
t&torUor mobili de sarcin din
vecintatea jonciunii metalur
gice, Bilanul sarcinii ionilor
Decompensai de ambele pri
ale jonciunii (figura 2.9)
(2.28)
&g 3.# PrMiiidr*N iii Miei sctiJ logctiiaiic a
I - t idaatc i nat* sie joBcjiu-
tUatf (toatelor) pa <Jln Pi. caracter alica
fltfwcl#WM-tiMatiBt a 4t4a<r Mate: (a) este*
n^iww tn w mmmUU & /tatnr* ntmabtaare
aH ftmwant; (tj sal* ^khm n mm awantal
4* iMgte: tla prafamterwst; taU regiunea
' WWOtrhlica niijlfr fie ittjeefe.
implic extinderea cu preferin
a frontierei regiunii de sar
cin spaial in stratul slab
dopat. Astfel, pentru o jonc
iune p+n (figura 2.9), l > L,
ntrucit No < NA. Regiunea de
sarcin spaial, care susine
(blocheaz) tensiunea invers
aplicat F*, are o lime cu
atit mai mare cu cit valoare*
tensiunii Vh este mai mare. ;j
X*t aplicare* unei tensiuni inverse da valoare suficient de mar*
efiliainductoare m strpunge: structura pn i pierde pro*
priH* de redresare, curentul invers crescind foarte mult (vezi figur^
2.8). Kiist unntoareie meeaniwne de strpungere a unei jonciuni
H #4>T3
a) Utrpunfere* pmj afaJ Un^ (sau ioni zare prin oc);
0) &iipunjfefe* pris ptrundere sau atingere (punch-th.rougU sau
feicbtbruugti) i
M i &pusi ftm Zm x (prin tuaelare).
avalaa are toe In principal datorit acceler*'
oMi desarda (electroni i goluri) n zona de crop electrJ O
jtgt0nk 4ia regiune* golit (de sarcin spaial). ntrucit viteza de dflj.:
I#m <?*teproporional cu intensitatea cmpului eleetnj
i% iMffea& # dnrik mrv, inverseaz zona de sarcin spaiali (y*J
ial* $ *) 8M ueti<* suficient de mare pentru ca n | |
mk 1m m mstomb %tuconductorului s smulg din locul joj
g & mm* (i formlnd astfel noi perechi electron-gol- J
r ou creai vor putea ioniza lntr-un mod * ^uCli0
tor al,i atomi de siliciu, creind alto perechi electron-gol Ca unuia
a ionizrilor prin oc curentul invers prin structura pn crete substantiaj
Multiplicarea prin avalan a purttorilor conduce in final la Rtrponcii^
jonciunii. Valoarea critic a cimpului electric j& n siliciu Ia are m
poate produce procesul de multiplicare te avalan al purttorilor este
to 3 X IO8V/ cm._______________
1 ^ - 8
I (N} K
1 1
m m m
!Noi
..............
1
%
~T
i
Fig. 2.9. DUlribunie i%jsitfiii de sarcini. (b) i al* inieu-
albiii dmpului ekclrie Etc) tntf-o jonciune
abrupt i ia polari tarea Mvek'&
mim
Tensiunea de strpungere V** a uneif jonciuni pn se determin! |
considerentul potrivit cruia fenomenul de multiplicare n avalan are
loc atunci cind clmpul maxim Emdin regiunea golit (figura 2.9) atinge
o valoare critic ir.
Pentru o J onciune p+n abrupt^., asimetric (figtjra 3 , ^ | | | m|
extinderea zonei de sarcin spaial in stratul puternic dopat este redus
(/ ,* 0), tensiunea invers aplicat V* este cgalilfcu aria triunghiului avted
nlimea i baza / (&U) l - r f '*** - i
Fu
Din egalarea valorii cimpului maxim
J S* din (li.27) se obin r,w *
:cu rfcltwitft oi mps^er itic
7W K:* r -;^
unde f/ ftitiling tBvefe Vji
^h Sfe
prin definiie tensiunea de strpung^'
l * U
Bn
(3.%
Din relaiile (2 28) fi (2.29) expresia tensiunii de strpungere se otyi^
tu l i forma f l - r f li
F
#1
Pentru o jonciune 4/ j, N * se nlocuiete cu N .
Din relaia (2.30) rezult e i tensiunea de strpungere variaz in sen$
evnirmr cm concentraia de impuriti a substratului. Concluzia care rezult
sste di r ect: obinerea unor dispozitive cu tensiuni de strpungere imH
impiie utilizarea unor substrate slab dopate (de mare rezistivitate).
ie sarcina ipa iof
Dac limea a bazei
este insuficient (dioda este
subire) zona de sarcin
spaial Ta ajunge s se extin
d in toat baza (vezi figura
3.10}$ s ating contactul
metalic inainte ca intensita
tea cmpului electric n regi
unea de sarcin spaial s
ajung la valoarea critic.
Odat cu atingerea contactu
lui metalic curentul prin di
od crete brusc, fiind limi
tat de elementele circuitului
exter i or ; se spune c dioda
s-a strpuns prin ptrundere (punch-through).
Tensiunea Vn la care se obine ptrunderea rezult din relaia (2^.2%
abser vi nd c in cazul strpungerii prin ptrundere 1%= Wn[4, 6, 7]
Fig. 2.10. Ilustrarea fenomenului de ptrundere 1
polarizarea invers a unei jonciuni pn.
q N p W l
*o*
(2.31)
Valoarea tensiunii V, T este inferioar valorii care se obine pentru o
di od groap.
Diodele i tiristoarele se proiecteaz astfel net strpungerea Prlj|
avalan s apar naintea strpungerii prin ptrundere (straturile
dopate bazele se realizeaz suficient de groase).
Strpungerea Zener (prin efect de tunelare) are loc n jonciunitojP*
eare au ambele zone semiconductoare puternic dopate, ( > 5 x l 017cni 'b
%M polarizarea invers a acestor jonciuni c impui electric intens din
nea gol i t favorizeaz ruperea legat urilor covalente dintre atomii material!
B Heniicondu tor. rez ultimi astfel purttori mobili de sarcin (electrod
H gol uri ) disponibili pentru procesul de cunducit. Fenomenul de trecei**
unui tocU'oi devenit liber din banda de valen n cea ce conduct*'.
13
poart denumirea de rtunelare*\ Strpungerea Zener bazat pe efectul
ile iunewre *e produce la un cimpe critic de ordinul 10* V/ cm (100 V/ on).
gab aee*st& vloare a cimpului critic dominant este fenomenul de strr
punirerp n avalan (vezi figura 2.11).________________
F l f. X I I . Cimpoi electric E pentru strpungerea n avalan \ Zener In funcie
deconcentraia de impuriti a substratului, a jonciunilor abrupte pn din
siliciu.
2.1.7. J onciuni liniar-gradate i difuzate
Realizarea n practic a jonciunilor pn ale dispozitivelor de putere
*e efectueaz, de regul, prin difuzie (vezi Capitolul 3). Atunci cnd jonc
iunea metalurgic a structurii pn se afl la o adneime mic (<10 xm),
dispozitivul poate fi aproximat printr-o jonciune abrupt.
n cazul unor jonciuni metalurgice mai adinei, structura pn se con
sider adesea ca fiud liniar-gradat (vezi figura 2.12), concentraia net
de impuriti variind liniar n jurul jonciunii metalurgice.
Se poate arta c pentru o jonciune liniar-gradat tensiunea de
itrpungere prin avalan este dat de relaia [47]
(2-32)
unde este cimpul critic iar
este gradientui concentraiei de impuriti la jonciune.
Tensiunea de strpungere a jonciunilor liniar-gradate este proporio
nal m Y i fa, fiind practic cu atit mai mare cu cit gradientui concentraie
43
taii timpului electric (b) i potenialul (c) I ntr-o jonciune
pn Uniar-gradat la echilibra. n (ct) este reprezentat, dia
grama de benzi a joncunii.
la jonciune (a) are o valoare mai redus. Pentru obinerea unor tensi#f*
ie strpungere ridicate, jonciunile, reresoarelor de putere (diode i
tmre) sini adinei i au un gradient (a) relativ redus al concentraia "| 8
impuriti [1, 4, $}.
J onciunile luiiar-graduti* au, de regula, o tensiune de sti &pvi u " |
mai mare decit jonciunile abrupte [1,4,6].
B
2.1 .S. Comportarea Iran/ Atom* a diodei, l i u i pi i de comu l ai t
Pentru aplicaii in circuite de comutaie, timpul de tranzi i e ^
lor din tarea de conducie direct* (<m) in starea de blocare (/ / ) reD .j
*4 fie cit mai redu*.
44
Fenomenele care nsoesc tranziia unei jonciuni pn (diode) din starea
I starea ojf simt ilustrate n figura 2.13.
Pin in momentul t ~ 0 dioda este polarizat in direct, dispozitivul
fiind parcurs de curentul de conducie n direct l r . n momentul f = 0,
comutatorul K trece instantaneu din poziia 1 in poziia 2. Ca urmare se
ntrerupe curgerea curentului
fim
V A --------, - MV
X
* L Y
i se foreaz trecerea
prin jonciune a curentului
invers / *. Valoarea acestui
curent (/ * Y Hj B R) este de
terminat de sursa de ten
siune E R i de rezistena J R*.
Curentul I R i pstreaz
constant valoarea pn in
momentul t = tv Intervalul
de timp (d tx), caracterizat
prin constana curentului I R
i prin faptul c tensiunea la
bornele diodei scade de la VF \
la 0, este determinat de ne
cesitatea de a evacua purt
torii minoritari existeni n
exces in baza diodei i poart
denumirea de timp de stocare
(storage time)*. Dup mo
mentul f2curentul invers prin
diod ncepe s scad, tensi
unea la bornele diodei devine
negativ tinznd ctre valoa
rea E r . Durata interva
lului de timp (tu t2) n cursul
cruia dioda i restabilete
capabilitatea de blocare n
invers poart numele de
timp de tranziie {transition
time).
Dependena valorii tim
pului de blocare, t9f/ [egal
cu intervalul (0, i 3)] normat j|
la valoarea timpului de via al purttorilor minoritari n funcie de
raportul l Fj I R este indicat n figura 2.14 pentru cazul unei diode
abrupte ideale.
Din figur se constat c pentru valori foarte mici ale raportului
I r j I R (o supracomand de blocare) este valabil relaia aproximativ
1 | 6] |
i*/ f ^7T* T T " ' (2.34)
J I r
_ L i
Ef - r .
i
i
j
?
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
|
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
t
+
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
/ 4
i
__________ I_______ ___j\0 :
_____ i --------
i
............ i.......
1 r
-Fol
V
Fig. 2.13. Schema de principia ajcircuitului utilizat
pentru comutarea on-off a unei diode (a), variaia
curentului prin diod, (6) i variaia tensiunii la bor
nele diodei, (c).
* Acest interval este denumit uneori i intervalul de curent constant {constant -
p&mt).
eurrmt
45
l>ependenta prezentat Su figura 2.14 pli De n eviden, cele do^ 1
posibil de urmat pentru scderea timpului de blocare al unei diode : tnL
rarea timpului e via i micorarea raportului r f l R. Prima cale repiez^
Fig. 2.14. Valoarea normat a timpului de blocare al unei diode
n funcie de raportul dintre curenii n direct (/ #>) i n in ver i (/ j*).
abordarea tehnologici utilizat de exemplu pentru diodele rapide : n struc- j
tura se introduc n cursul procesului de fabricaie centri de recombinare 1
care micoreaz timpul de via t. A doua cale constituie abordarea la |
nivelul circuitului, accesibil direct utilizatorului.
Un timp de blocare toff de valoare mare micoreaz frecvena maxin& j
la care poate fi operat dioda i mrete pierderile de comutaie, ceea ce |
conduce la nclzirea dispozitivului n timpul funcionrii.
Din punct de vedere practic, tranziia unei diode din starea de bl- |
care in starea de conducie are loc instantaneu (raportat la durata timpu- J
lui hit)- - |
Productorii de diode redresoare de putere, specific, de regn** |
valoarea timpului de revenire t (reverse recovery ti me7 vezi 2.12.2-}--9
2.1.9. Puterea disipat n starea de conducie direct
Capabilitatea n putere a unei diode este determinat n principe
pierderile pe dispozitiv P, n starea de conducie (on> i rezistena tefl1*
jonciune-capsul Bt)k/ _(vezi 2.13). Puterea de curent continuu disipa M
de o diod n conducie direct se exprim prin
unde F P e*te tensiunea de prag a diodei, 1* curentul prin diod* ?& re*
tent intern a diodei In punctul static de funcionare considerat (vet
f fu r * 1*15).
Fig. 2.15. Caracteristica I V static a unui redresor de putere.
Puterea maximi pe care o poate disipa un redresor (dioda, tir is tor)
In curent continuu este (vezi 2.14) :
A r T , - T . 125 - T .
Perna* - T - p ( . M )
K-thi-c -K thi-c -K'th J -c
2,1*10* Caracteristica I V la nivele mari de injecie
Funcionarea la nivel mare de injecie a dispozitivelor pn cu jonc
iuni (in conducie direct) se caracterizeaz prin faptul c valoarea con
centraiei purttorilor minoritari n straturile dispozitivului este compara
bil cu cea a purttorilor majoritari. Ca urmare, componentele de difuzie
i drift ale curentului in conducie direct snt comparabile. La ai vel mare
de injecie:
a) Mobilitatea i scade datorit creterii concentraiei purttorilor;
b) Pr ocesele reeonabinaionale snt domi nat de recombinarea, Auger
(band-bandi)*.
* Recombinarea Auger implic ntotdeauna doi purttori majoritari i un purttor mino
ritar. Astfel, In stiiciu de tip n recombinarea Auger implic doi electroni i un gol: unul
dintre electroni efectueaz tranziia din banda de conducie In cea de valen, recombin!*
du-se cu uh gol Energia degajat ca urmare a acestei tranziii este transmis celui de al doilea
3 eieoiron- n siliciu de tip p la recombinarea Auger particip dou goluri i uu electron.
Timpul de viaa Auger t se exprim prin [4, 8]
, o4i ' ^
nude i e$te concentraia medie a purttorilor din stratul) semicond^,
tor considerat, C este constanta A uger, avnd valori de aproximai
I I * cm* !.
Scdere* mobilitii p i a timpului de via t , conduce la micor,
rea lungimii de difuzie a purttorilor minoritari (vezi relaiile 2.18 fi
2.19). Ca urmare, crete cderea de tensiune ohmic pe straturi]#senii
conductoare. La nivele mari de injecie, curentul printr-o diod cu jonc-
iune este proporional cu exjy(qV2kT) (vezi figura 2.8).
2.1.11. Schema echivalent a diodei
Schema echivalent de semnal mic a unei diode pn cu jonciuni
(vezi figura 2.16) este format din conductana 6?, capacitatea de barier
Cp (relaia 2.16) i capacitatea de difuzie sau de stocare CDl definit prii
fep
C * - - 7 T - (2.38)
kT
unde VT = ------, t este timpul de via al purttorilor minoritari n baz,
l
1 eite curentul prin diapozitiv n eondueie direct.
: Z -----* v e$ * * ca'i
i *
. 0 .7. # #-------- I
Fig. 2.16. Schtna echivalent de semnal mic a unei diode
cu jouciuve pa.
La polarizarea invers, (J are o valoare extrem de redus (q r^T*
v i i-%
vezi rela{ia 2.42 j , iar capacitatea CDpoate fi Beglijatft n coiupanv^
CB ^
La polaiizarea direct, deci la o valoare relativ mare a curenta^
I prin diapozitiv, capacitatea Ca este, de regul, mult mai mare
C6. Conduetana 0 este in acest eaz G m (vezi relaia 2.40).
* tanta de timp <r ft diodei este
Tjf CoJ Rp
ende E , este exprimat de relaia (2.41).
(2.39)
2.2. Structuri de baz
2.2.1. Consideraii generale
n cele prezentate n 2.1.6. i 2.1.7. 8-a considerat c strpungerea
jonciunilor pn are loc n volumul siliciului. Expresiile pentru tensiunea
jgfli prezentate n 2.1.6. i 2.1.7. snt strict valabile pentru jonciuni
pn plane (ideale).
n cazurile practice, valoarea tensiunii de strpungere este determinat
de structura real a dispozitivului i n special de condiiile concrete pre
valente n zona n care jonciunea metalurgic atinge suprafaa de separa
ie a siliciului de mediul nconjurtor (suprafaa lateral a dispozitivului).
Terminaia lateral a jonciunii mrete valoarea cmpului electric E la
sau In apropierea suprafeei menionate, de regul peste valoarea cmpului
B din volum. ntruct tensiunea de strpungere VBR este determinat de
atingerea cmpului critic n structur, maximizarea tensiunii VBR implic
minimizarea cmpului electric maxim atins n structur, n particular
in regiunea n care jonciunea metalurgic atinge suprafaa de separaie
siliciu-mediu nconjurtor.
2.2.2. Inele de el mp (gard)
Una dintre metodele cele mai uzuale de fabricare a dispozitivelor cu
jonciuni pn este tehnologia planar (vezi Capitolul 3). n cadrul acestei
tehnologii, atomii de impuriti snt difuzai n substrat prin ferestre
obinute n oxid (SiOg). n aceste cazuri geometria jonciunii ling margi
nea regiunii ferestrei este aproximativ circular-cilindric. Datorit curburii
laterale a jonciunilor planare, valoarea cmpului electric n zonele menio
nate, este mai mare dect n cazul jonciunilor plane (vezi 2.1.6. i
2.1.7.). Creterea cmpului electric E n structurile difuzate conduce la
micorarea tensiunii V BB n comparaie cu cea ideal , obtenabil n
structuri plan-paralele {Vpv). Atunci cnd snt utilizate jonciuni planare
se urmrete realizarea unei raze maxime de curbur a jonciunilor
pentru ase evita colurile ^ascuite (unde are loc strpungerea propriu-zis).
In cazurile practice reale tensiunea maxim de strpungere a jonciunilor
planare atinge aproximativ 65% din valoarea tensiunii VPP. Aceast
valoare este inacceptabil de mic pentru dispozitivele semiconductoare
de putere cu jonciuni.
fiN vederea mririi tensiunii de strpungere a jonciunilor planare se
utilizeaz aa-numitele inele de tmp (field rings) [4]. O jonciune planar
eu inele de emp (de gard) este prezentat n figura 2.17. O asemenea
structur se obine prin difuzarea inelelor de tip p simultan ou formarea
jonciunii principale p+n. Denumirea de inele de emp provine din faptul
49
c acestea nconjoar jonciunea principal fp+) i reduc valoarea cmpu.
Iui electric la polarizarea n invers a structurii. Poziia inelului 1 (p j Q
alege astfel ca regiunea de sarcin spaial a jonciunii principale s tr-
mng jonciunea p,w la o valoare a tensiunii inverse aplicate inferioar
tensiunii de strpungere a jonciunii principale. Orice cretere ulterioara
a tensiunii aplicate va fi preluat de jonciunea (j>**) a inelului de cmp j.
Strpungerea dispozitivului are loc la jonciunea cilindric asociat ulti
mului inel de gard (ps).
Trebuie remarcat faptul c pentru un substrat de siliciu de rezistivi-
tate ridicat distana dintre inele trebuie s fie relativ mare pentru a se
atinge o capabili ta te nalt n blocare. n consecin, inelele de cmp
(gard) nu se utilizeaz n fabricarea dispozitivelor de tensiuni ridicate
datorit faptului c ele ar ocupa o suprafa relativ mare pe placheta de
siliciu.
2.2.3. Conturarea mecanic a suprafeelor
O reducere substanial a cmpului electric la suprafaa structurilor
pn la polarizare invers se obine prin prelucrarea mecanic a suprafeelor
coninnd jonciunea metalurgic. Prin acest procedeu se pot obine valori
ale intensitii cmpului electric la su
prafa sub cea a cmpului E din vo-
2 3
Fig. 2.17. Structur p!a*ar p+n eu trei inele de cmp (inele de gard).
lum, deci o cretere a tensiunii de str
pungere. Exist dou modaliti de baz
de conturare mecanic a suprafeelor
jonciunilor pn : sub unghi negativ, res
pectiv pozitiv (vezi figura 2.18). Pri
convenie, o jonciune pn conturata
sub un unghi negativ are o arie care
crete pe msura tranziiei de la stratul
puternic dopat la cel slab dopat. Con
turarea unei jonciuni sub unghi poz1;
ti v implic scderea ariei dispozitivului
dinspre stratul puternic dopat spre
cel slate dopat [4, 6, 7].
aI
p * ( s a u o * .
n ismu p )
Fig 2 .18. Modaliti de mnturme a
J onciuni iar pn. () uaghi de cooturare
f m negtlv; (*) ung* de conturare (8)
a obtenabil pentru unghiuri de contura*
O reducere substanial a ciup^
lui electric pe suprafeele laterale est#
pozitiv.
(8) pozitive cu valori cuprinse
45 i aproximativ 60.
Tensiunea de strpungere maxim pentru unghiuri de conturare nega
tive se obine n condiiile n care extinderea zonei de sarcin spaial
este aproape identic de ambele pri ale jonciunii metalurgice. Aceast
condiie este ndeplinit numai pentru jonciuni adnci cu un gradient
redus al impuritilor (vezi i 2.6, 2.7).
n practic obinerea unei conturri ideale se bazeaz pe calitatea
(precizia) tehnicilor mecanice (abrazive) de prelucrare a suprafeelor.
Din aceast cauz, conturarea prin metode mecanice se utilizeaz pentru
dispozitive de arii mari. Pentru dispozitive de arii mai mici (diametre sub
15 mm) soluia mai economic pentru reducerea cmpului la suprafa
const n utilizarea conturrii prin corodare.
2.2.4. Conturarea suprafeelor prin corodare
O structur n+p cu suprafaa conturat prin corodare (etch contour) i
pasivat cu un dielectric este prezentat n figura 2.19. Acest tip de prelu
crare a structurii are efecte similare cu cele produse de unghiul negativ
de conturare de valoare redus. ntruct unghiul de conturare este abrupt,
ntr-o asemenea structur cmpul la suprafa are valori mari, iar valoa
rea tensiunii de strpungere este situat, de regul, ntre 60% i 80%
din tensiunea de strpungere ideal (a unei jonciuni plan-paralele). Va
riante mai elaborate ale structurii din figura 2.19 pasivate cu sticl (glasi-
vate) permit obinerea unei tensiuni de strpungere aproximativ egal cu
95% di* valoarea ei ideal, [4, 6, 7],
O alt variant de structur conturat este prezentat n figura 2.20.
Prin corodarea unei pri a stratului p difuzat, zona de sarcin spaial
din stratul p este mpins n interiorul acestui strat puternic dopat,
ceea ce se concretizeaz prin reducerea cmpului electric la suprafa.
Tensiunea de strpungere obtenabil prin aceast metod poate atinge
95% din valoarea ei ideal. Aceast performan implic un control rigu
ros al adncimii corodm.
2.3. Tipuri de diode
2.3.1. Diode redresoare
Diodei redresoare snt proiectate i fabricate special pentru redresa
rea semnalelor alternative. Aceste dispozitive prezint o rezisten joas
Dielectric
Fig. 2.19. Principiul conturrii unei jonc
iuni pn prin corodare.
Fig. 2.20. Variant de conturare a unei
jonciuni pn prin corodare.
51
ia trecerea curentului intr-un sens (polarizare direct) i o rezistena
foarte mari* ia polarizarea inversa a jonciunii. Caracteristica curent,
tensiune a unei diode redresoare este descris analitic de relaia (2.25),
cu ajutorul creia rezistena static Rr (de curent continuu) n conducie
direct se exprim prin [6]
(2.40)
f 1q
pentru V > 3& T/ f.
n mod similar, cu ajutorul relaiei (2.25) rezistena dinamic r ,
(de semnai mic) a diodei se exprim prin [6]
dtv rJ cT I
di F ql i
(2.41)
Eezistenele static UR} respectiv dinamic r R> la polarizarea invers
se exprim cu ajutorul relaiei (2.25) prin [6]
jrh = 1. ~ J Lo- pentru \ Vp\ >3kTj q, (2.42)
Ia I
rR = dt,g = 1I) e*|rw . (2.43)
d*a ql0
Comparnd ecuaiile (2.40)-f-(2.43) se observ c raportul de redresare
n curent continuu {Rr I Rf ) variaz cu exip(qVF/ rikT), n timp ce raportul
de redresare n curent alternativ (rR[rF) variaz cu I Fj l 0exp( qV^rfiT).
Diodele redresoare au, de regul, o vitez de comutare redus, dato
rit n principal, timpului necesar tranziiei din starea de conducie direct
n cea de blocare. Acest timp de ntrziere, proporional cu timpul de via
al purttorilor minoritari n baza dispozitivelor, nu constituie un impedi
ment major n funcionarea acestora la frecvena reelei.
n aplicaiile de frecvene nalte, snt utilizate diode redresoare rapide
(vezi 2.3.6) a cror vitez mrit de comutare din starea on n starea
de off se obine prin micorarea timpului de via din baz (vezi 2.14).
Majoritatea redresoarelor au capabiliti n putere n*gama 0,1... 10W
i tensiuni de blocare n invers de la 50 V la 2500 V. Timpii uzuali
<le comutare snt de 50 ns... 200 ns pentru diode de mic putere i
0,5 fts .. .1 fjus pentru redresoare de mare putere. Pentru redresarea tensiu
nilor nalte se conecteaz cteva diode n serie. Tipuri speciale de diode
redresoare au tensiuni de blocare n invers de 5.. .8 kV.
2.3.2. Stabilizatoare de tensiune. Diode Zener
Diodele proiectate i fabricate special pentru funcionarea n regiuni
de strpungere a caracteristicii I V poart denumirea de diode Zenf*
fiind utilizate dispozitive ca generatoare de tensiune constant (de reie*
rin) [3,5]. Diodele Zener snt utilizate ea stabilizatoare de tensiune P
o sarcin E l (vezi figura 2,21). Dioda este operat n regiunea de str
pungere, prin ea asigurndu-se de la sursa V+ prin intermediul rezia-
torului R un curent mai mare deet valoarea I aH (vezi figura 2.21.a).
Pup asigurarea punctului de funcionare al diodei Zener printr-o polari-
a; b>
Fig. 2.21. (a) Caracteristica I V a unei diode Zener; (6) conectarea dispozitivului ca
stabilizator de tensiune pe sarcina i?
zare corespunztoare, dispozitivul stabilizeaz tensiunea pe sarcina RL
{la bornele creia este conectat) fa de variaiile curentului prin RL i
ale tensiunii de alimentare F +. Aceast trstur distinctiv a diodei Zener
se bazeaz pe faptul c, n regiunea de strpungere a caracteristicii I F,
variaiile mari ale curentului produc modificri neeseniale ale tensiunii
pe dispozitiv. Pentru funcionarea diodei Zener n regim de stabilizare
este necesar asigurarea unui curent I z prin dispozitiv de o valoare su
perioar curentului I Br (vezi figura 2.21.a). Valoarea maxim a curentului
prin dioda Zener este limitat de capabilitatea n putere a dispozitivului.
Pentru tensiuni de strpungere VBR de peste 8 V, mecanismul de
strpungere al diodelor Zener din siliciu este n principal dominat de
multiplicarea n avalan a purttorilor (vezi 2.1.6.). Coeficientul de
temperatur al tensiunii stabilizate Vz pentru aceste diode este pozitiv.
Pentru tensiuni de strpungere VBn sub 5 V, mecanismul de strpungere
&1 diodelor Zener din siliciu este dominat n principal de fenomenul de
lunelare (Zener), iar coeficientul de temperatur al tensiunii stabilizate
Vz aL acestor dispozitive este negativ. Pentru diode Zener cu Vz ntre
5 V i 8 V mecanismul de strpungere este o combinaie a fenomenelor
le multiplicare n avajan i de tunelare. Conectarea n serie a dou
4iode Zener, una cu coeficient de temperatur (C T) pozitiv al tensiunii
H iar cealalt cu un C T negativ, permite obinerea cu ajutorul acestor
dispozitive a unei referine de tensiune independent de temperatur,
l a mod curent snt fabricate diode Zener de 8 .. .12 V, avnd un CT de
<0,002%/ C la cureni prin dispozitiv de 8 ... 12 mA.
Diodele Zener au capaciti paradite de 10 pF pln la nP. Valoarea
acestor capaciti este direct proporional cu aria unui dispozitiv, deci
cu capabili ta tea sa in putere.
2.3.3. Diode pin
J tL .
(Mo) Dioda pin este un dispo
zitiv semiconductor cu dou
terminale i trei straturi, re
giunea intrinsec i de rezis-
tivitate mare fiind situat
ntre straturile p i n (vezi
figura 2.22.a). n structurile
reale, regiunea idealizat i
aproximeaz fie un strat de
rezistivitate mare de tip p
(denumit strat 7), fie un strat
cu proprieti analoage de tip
n (denumit strat v). J onciuni
le pnn+, realizate prin implan
tare ionic sau prin difuzie
pe un strat epitaxial, consti
tuie n fapt diode pin (pvn)
[* +n
Structura pin constituie
un mijloc eficient de mrire
a tensiunii de blocare n re-
dresoarele semiconductoare
de putere. La polarizarea n
invers a unei diode pin(j^ pe
terminalul conectat la stratul
w, aplicat pe contactul p),
zonele de sarcin spaial ale
jonciunilor pi, respectiv ni,
se* extind n principal n stra*
tul slab dopat (intrinsec)*
Datorit doprii uniforme a stratului i, cmpul electric E din aceast
zon are o valoare constant (vezi figura 2.22.#). Tensiunea de strpun
gere Vmu a diodei pin este aproximativ egal cu aria dreptunghiului din
figura 2.22.d. ntruct cmpul maxim (critic) Ecr n siliciu la dopri re
duse este de 2,5* IO6V/ cm(= 25 V/ (j.m), tensiunea de strpungere a
structurii pin polarizate invers este [4,6].
r t
/ I
di
F i g. 2.22. Distribuiile de impuriti (*), ale densitii
de sarcina (<*) i ale cimpului electric (<?) Intr-o structur
pin (o).
Vm
. E W Z
(2.44)
[V]
unde W (n ura) este grosimea stratului i (figura 2.22.).
Dioda pin i-a gsit aplicaii variate n circuitele de microunde.
I mportana dispozitivului n domeniul redresoarelor de putere rezid to:
a) capacitatea structurii pin de a bloca tensiuni inverse aplicate de valori
mar i ; b) atractivitatea modelului diodei pin n analiza strii de eonducie
n direct (cm) a tm&toorelor de putere (vezi 2.7).
La polarizarea n direct a structurii pin (-f* pe terminalul conectat la
stratul Pi pe contactul ataat stratului ), curentul In direct %r prin
dispozitiv este format de golurile injectate din stratul p+ n zona i, res
pectiv din electronii Injectai din stratul n regiunea i. ntruelfe con
centraiile de goluri (jp) i electroni () injectai de jonciunile p*i> respectiv
*+* stn cu mult superioare concentraiei din zona * , (* , ), regiunea cen
tral (i) a dispozitivului se afl ia nivel mare de injecie (p = a, vezi
| 2.1.10).
Densitatea J a curentului direct prin structur este in acest cas
(4,6]
J = - V * W. (2.45)
unde ra este timpul de via Auger (vezi relaia 2.37) iar n concentraia
medie a purttorilor de sarcin n stratul i.
La nivel mare de injecie (w ==p), densitatea J a curentului prin
tructur va fi determinat n principal de drift, ceea ce implic [4,6]
J = q\ innE _j_ q<xppE g(ix + [L,)nE (2.46)
unde E este valoarea medie a cmpului electric n zona i.
Cderea de tensiune F* pe zona i n conducie direct se exprim prin
Vt = E W. (2.47)
Valoarea cmpului E rezult din egalarea relaiilor (2.45) i (2.46),
de unde [4, 6]
I cT 2b (W \ 2
F f - ---- ---- { | (2.48)
q (1 + b)2 \ L m}
unde L a = D ar a este lungimea ambipolar de difuzie, b *= uj ap este
raportul mobilitilor, iar t este dat de (2.37).
Din (2.48) se observ c pentru W)L m>1 cderea de tensiune n
direct pe stratul i crete pronunat. Pentru TVj L a < 1, contribuia cderii
*de tensiune Vt la valoarea total a cderii de tensiune pe dispozitiv este
redus ivezi i 2.7). Rezistena ohmic a stratului i [6].
j t 3fc TW 1 (2.49)
1F 8 ql )a t* I
este invers proporional cu curentul direct prin dispozitiv (!>), cu coeficien
tul ambipolar de difuzie I )a = 2DJ (1 + b)t cu timpul de via A uger t #
i direct proporional cu grosimea (W) stratului i.
2.3.4. Varaetoare
Termenul de varactor deriv din vmrimble reactor i Ursei*ueaza an
diapozitiv a crui reactan poate fi modificat ntr- un i*od controlat
prinlr-o tensiune de polarizare. Diodele fabricate special n scopul utili
zrii dependenei capacitii lor de barier CB de tensiunea aplicat poart
denumirea de diode varicap sau varaetoare [2, 6].
Proprietate* fundament diodelor varicap este relevat de relaia
#2.10). O dat eu creterea polarizrii inverse a diodei, limea " a zonei
de arein spaial scade ?i, in consecin, Ca se micoreaz. O dependena
tipic r * **RVa) pentru o diod varicapeste prezentat In figura 2.23.
n mod similar, pentru o polarizare pozitiv a diodei, Tr scade i deci CB
erete.
- wv
5 ,V V5 20 25
Tepz ijne inversa [V]-----
Fir. 2,23. Dependent tipic a capacitii pe
barier Cg a unei diode varicap de tensiunea
invers aplicat.
/WV-
Fig. 2.24. Dioda varicap 1;
vers : (a) simbolul diodei,
circuit.
polarizare la-
b) modelul de
Modelul de circuit al diodei varicap la polarizare invers este prezen
tat in figura 2.24. Rezistorul R, modeleaz rezistena serie ohmic a dio
dei. Valorile tipice pentru Gs i R, snt de 20 pF i 8,5 H, l a o polari
zare invers de 4 V. Eezistena invers a diodei R r (care unteaz capa-
citorul Cj) are o valoare mare ( 1MH) i, de regul este neglijat.
Diodele varicap snt utilizate n amplificatoare parametrice, detec
toare, sisteme de mixare a semnalelor etc.
n circuite utilizate la frecvene nalte, se impune ca valoarea
capacitii CBa diodei varicap s fie de valoare ct mai redus. Motivul
principal este urmtorul: dioda este utilizat n polarizare direct atunci
eind se urmrete prevenirea transmisiei unui semnal. Dac ns capaci
tatea de barier Care o valoare mare, curentul invers va trece prin
C/, anulnd astfel proprietatea de redresor a diodei.
2.3.5. Varistoare
Un varistor (vaxmble raistor) este un dispozitiv cu dou terminale,
a crui caracteristic curent/ (I ) tensiune (V ) este neliniar. Un aseme
nea comportament ne-otamic il are o diod cu jonciune pn (vezi relaiile
2.40__2.43). Caracteristici similare se obin pentru diode cu jonciunea
metal-semiconductor (vezi 2.3.7) [6].
V&ristoarele snt utilizate n calitate de limitatoare de tensiune.
Conectarea a dou varistoare n antiparalel permite obinerea unui limita-
tpr n ambele sensuri [6].
Diodele eu revenire rapid (fast-reeovery diodes) tint utilizate ia
circuitele care funcioneaz la viteze mari de comutaie.
Diodele rapide se pot clasifica in dou tipuri : diode difuzate cu
jonciuni pn i diode cu contact metal-semiconductor (diode SchoUky,
vezi 2.3.7). Circuitul echivalent pentru ambele tipuri de diode este
cel al unei diode varicap (vezi figura 2.24). Comportamentul dinamic la
blocare al ambelor tipuri de diode este similar celui descris in f 2.1.8.
Timpul total de revenire .(=^4-*2, vezi 2.1.8) al unei diode rapide
cu jonciune pn poate fi substanial redus prin introducerea centrilor de
recombinare (vezi 2.14). Beducerea pe aceast cale a componentelor
principale ale timpului trr conduce ns la creterea curentului invers Im
al diodei i la scderea tensiunii de strpungere [4, 6, 7].
13J . Diode rapide de comutaie
2.3.7. Diode Sehottky de putere
Particulariti funcionale ale diodei Sehottky
Diodele Sehottky reprezint o categorie distinct n cadrul familiei
de diode redresoare prin aceea c funcia de redresare este realizat de
contactul ntre un metal i un semiconductor i nu de jonciuni pn semi
conductoare [8-r-13].
Conform modelului propus de W. Sehottky, la jonciunea dintre
metal i semiconductor se formeaz o regiune de sarcin spaial (regiune
de barier) (care explic comportarea redresoare a contactului [8, 10, 11].
Curentul prin dioda Sehottky este transportat de un singur tip de
purttori, purttorii majoritari din semiconductor (goluri sau electroni).
Deoarece mobilitatea electronilor este de 2 __3 ori mai mare dect cea a
golurilor, diodele Sehottky snt realizate aproape exclusiv pe semiconduo-
de tip n. Absena injeciei de purttori minoritari pentru dioda Sehottky
(spre deosebire de diodele cu jonciuni pn) are dou consecine majore [10]:
nu exist sarcin stocat la nivelul jonciunii fapt care determin
o comportare excelent n comutaie; timpii de comutaie depind exclu
siv de capacitatea dispozitivului;
nu apare fenomenul de modulare a rezistivitii stratului semicon
ductor determinat de creterea nivelului de curent; tensiunea n con-
ducie i tensiunea de blocare snt sensibil mai mici dect n cazul diodelor
cu jonciuni pn.
Aceste particulariti funcionale confer cteva avantaje clare diode
lor] Sehottky, fcndu-le de nenlocuit ntr-o serie de aplicaii n care se
cer, viteze mari de comutaie fi disipaii miei de putere la nivele mari de
cureni de conducfie i n care tensiunile de blocare nu snt critice.
n TaJ bdul 2,1 snt prezentate comparativ caracteristicile diodelor
redresoare normale, rapide, epitaxiale i Sehottky [8, 9].
Aplicaiile tipice pentru diodele Sehottky de putere snt:
g surse de tensiune mio (n regim de comutaie) pentru calculatoare}
invertoare, choppere
57
T u i 2.1.
Taliei eonjKUraUv en nurAdtrtiikilc ioektr n4n$oarr normale, rapide, fpitaxlale l Sfhoitkj,
Tipul diodei ] Tensiune de 1 Tensiune In 1 Timp de ;Curent mediu.
blocare i eondueUe | comutaie redresat
Dtode pii iirrnale difuzate | l.OOik ..,303OV j 1,2. . . 1.4V j 5*is 0 .4 . . . 100GA
Diode pn rapide difuzate ! 600... . 1200V | 1 ,4 . . . i . s v 1 0 ,2 .. . 1 as 11 0 ,4 .. . 600A;
Diaile pn epit axiale
-j [-
i 100. . 00V 1 1. . . i . a v J 0 ,05. . . 0 ,l(xs 1 0 .4 . . . I A
Diode Sgliottky 1 30.. . 60V 1: o,6. ..o.sv J 0 ,05. . .0,08jas | 10. . . 80A
Tehnologia de realizare a diodelor Schottky de putere [12, 13]
Dificultatea tehnologic major n obinerea diodelor [Schottky de
putere o constituie realizarea contactului metal-semiconductor.
Etapele tehnologice principale snt urmtoarele (vezi figura 2.25)
creterea epitaxial a unui strat de tip n cu o concentraie de im
puriti de IO15.. .1016cm8i cu o grosime de civa microni pe un sub
strat de tip n+ de rezistivitate mic (2.. .5 mQ cm) i grosimea 150...
200 am care constituie un suport mecanic bun pentru procesrile ulterioare ;
realizarea inelului de gard inelul de gard const dintr-o difuzie
p+ selectiv i are rolul de a reduce efectele de margine (tehnic uzual
pentru reducerea intensitii cmpului electric n regim de blocare la
marginea jonciunii, vezi 2.2.2.);
realizarea contactului Schottky prin depunerea n vid n condiii
de acuratee deosebit a straturilor metalice.
Contactul metalic const n general dintr-o succesiune de straturi
metalice avnd fiecare un rol bine precizat. Primul metal depus pe stratul
epitaxial este cromul sau molibdenul care confer caliti optime contac
tului metal-semiconductor. Al doilea strat metalic (n general nichel) are
un dublu r ol : constituie (a) un strat metalic corespunztor din punct de
vedere al interaciunii cu aliajele uzuale de lipit folosite n montajul pe
capsul i (b) un ecran ce evit contaminarea contactului metal-semicon
ductor cu compui din aliaj care ar afecta calitatea contactului metal-se
miconductor. Ultimul strat (n general argint) este folosit pentru prote
jarea stratului de nichel mpotriva oxidrii;
tratamentul termic dup depunerea straturilor metalice n vid.
urmeaz tratamentul termic (n atmosfer i la temperaturi strict contro
late) tratament n timpul cruia se realizeaz contactul metalurgie
intim ntre semiconductor i metal (prin formarea unor compui compleci
siliciu-metal). Dup tratamentul termic urmeaz separarea structurilor
din plachet;
montajul pentru evitarea fenomenelor de oboseal termic struc
tura se lipete ntre doi electrozi de molibden (coeficientul de dilatare al
acestui metal este apropiat de cel al siliciului) cu ajutorul unor aliaje
adecvate (PbAgln, PbSnAg, etc.). Ulterior, folosind aliaje de temperatur
mai sczut (LP60 sau SnAg) se monteaz elementele metalice ale capsulei
(ambaza i conexiunea);
58
ncapsularea ge utilizeaz procedeele clasice de ncapsulare
(trecere metal-sticl, capsul metal-plastic) aplicate la fabricaia diodelor
red re soare normale.
Caracterizarea diodelor Sehottky de putere
Caracteristica in eonducie a diodelor Sehottky este descris de rela
ia [8], [10] :
~ Fjp0 -f- r9i r (2.50)
n care VF0 este cderea de tensiune pe contactul Sehottky iar r, rezis
tena serie a diodei.
Mrimile VFO i r, snt determinate de proprietile materialelor
utilizate in fabricarea diodei Sehottky i de geometria structurii. Rela
iile de calcul utilizate n proiectare snt [10, 11]:
V,o = <!>.- 1) Vi In . (2.51,)
r. --------^----- + -& -. (2.51,6)
qNDlimA, A,
unde este potenialul barierei de contact Sehottky i depinde n prin
cipal de natura metalului utilizat pentru realizarea contactului (O, ==
= 0,6.. .0,7 V pentru Cr, 0,85 V pentru Pt), VT diferena de
potenial intern, tqfactorul de idealitate, Af aria jonciunii metal-semi-
conduetor, A n constanta Richardson (An 120 A/ cm* K* pentru
electroni), T temperatura de lucru, we, w, grosimile stratului epitaxial
i substratului, ND nivelul de dopare a stratului epitaxial, jjlmobilitatea
electronului, q sarcina electronului, p, rezistivitatea substratului.
n regim de polarizare invers mrimile caracteristice ale diodei
Sehottky curentul invers i R i capacitatea <7/ snt descrise de rela
iile [10, 11] :
i * H AjA.T* es p - ^- J . (2.52)
O, = A, [ --------- ----------------1 . (2.53)
L 2(<db, - . + V, J
In care s, este permitivitatea electric a semiconductorului i O, poten
ialul Fermi pentru electroni.
Timpul de comutaie al diodei Sehottky t este direct proporional
<msarcina stocat Qrr definit de relaia [10,11]:
VMM
Q - \ 0 , dF*. (2.54)
0
La I PMS-I ikNEASA se produc in mod curent diode Sehottky da
15 Aj 30 A i 00 A.
59
1 Substrat
Si-n
Strat evita*1?1 5t n
(10*. W,ScmJ t
S-n*
r.... l_D
L J
p* Si-n p*
Si-n*
Difuzie inel de garda p
_J
Metalizare n vid
Aliaj de lipit (LP60, SnAg)
------Repartitor (Mo)
Ali aj de l i pi t (Pb A g l n )
Metal i zare faa (Cr/Ni/Aq)
m2 y
-Metalizare spate (Cr/ N!/ Agi
~A1 de lipit (PbAgrnl
Repartitor (Mo)
X Z y Kdelipit<LpSO.SnAg>
1 *mbq?Q (Cu)
m
Fig. 2.25. Etapele tehnologice principal,
'* l o, ca; ; anne"o* Sclottly
na alnf ,*.^.,ie.re11**re a
(desenele
if/ VJ -------J
a)
Fig. 2.26. Caracteristica direct (a) si caracteristica invers (b) a diodei Scbotlky D30S30
1PRS-B NE ASA.
I f A ] |
4700
H 2.27. Dependena capaeitii diodei Schottky
#S0S3O ~~ PRS~B *tE ASAt polarizat invers,
de tensiunea inversa.
Fig. 2.28. Determinarea sarcinii i a timpului de
revenire invers. In figur se indic dependena
tipic a curentului i prin dioda J J 30S3U I PHS-
B NE ASA n funcie de timp l schema de prin*
cpiu a circuitului de msur.
n figurile 2.26. a, b92.27 i 2.28 siifc indicate n calitate de exem
piu performanele diodei D30S30 (diod Schottky cu I FAr =30 /
= 30 V).
B. TIRISTOARE
2.4. Principii generale de funcionare
Denumirea de tiristor este atribuit unei familii de dispozitive semi
conductoare cu similariti de structur intern, a cror trstur comun
o constituie bistabilitatea caracteristicii curent (I ) tensiune\ (F) [47],
[14- 17].
Structura de baz a familiei de tiristoare (vezi figura 2.29) are patra
straturi alternate (px, %, p21 n2) care delimiteaz trei jonciuni (J lT J t
i J s). Terminalul conectat la stratul px poart denumirea de anod (J L),
iar electrodul de contact al stratului n2este terminalul de catod (K ).
J j J 3
Anod
O-----
P2
n2
Catod
o)
1tnprr
P2 njf
Catod
----- o
Anod
O--------- Pt
h
*
bf
Fig. 2.29. (a) Structura clasic pnpn cu trei jonciuni (J v J 2, J 3) i dou
terminale de contact (dioda Shockley). (b) Echivalarea structurii pnpn
cu dou tranzistoare complementare (p1nlpi, respectiv n ^n ^.
Structura PxfhPi^z cu dou terminale se numete diod Shocklef*
Schema echivalent simplificat a structurii pnpn (vezi figura 2.2W
utilizat n mod curent este format din dou tranzistoare complementar*
(PifhPi 1P*n*)' . .
Toate dispozitivele din familia tiristoare snt derivate ale structuri*
pnpn din figura 2.29, Gel mai rspn it dispozitiv din aceast familia
62
on electrod suplimentar (de comand) conectat l a stratul pt (baza pt).
Acest terminal de comand (figura 2.30.) poart denumirea de poart
(& * gate, n limba englez).
Anod
iaT
pt * Pi
l p
a)
0
Poarta i
:g;
Jj J2 Jj
Anod
rv
l ^
P2
n2 U
1 ^
Poarta 2
(G2)
6
Poarta 1
m
Catod
~~K)
bl
Fig. 2.30. (a) Structura unui tiristor convenional cu contact de poart
ataat bazei pt. (b) Structura unui tiristor cu terminale de contact ata
ate fiecrui strat semiconductor.
Fig. 2.31. Caracteristica tatic curent (/ ) tensiune ( V) a unui dispozitiv semi
conductor cu structura pnpn la polarizarea n direct i fn invers.
n cazul general (figura 2.30.6), att stratul ct i stratul pt1 pot
avea ci te un electrod de comand (poart).
Caracteristica Btatic curent (I ) tensiune (F ) a unei structuri pnpn
(cu sau fr electrozi de poart) are forma tipic din figura 2.31.
I a pttUrimrm direct a structurii pnpn (-h pe anod, pe catod)
obin* csaraofceristicI V din cadranul I n forma litere! &. J Pe pori une
01 a caracteristicii, dispozitivul blocheaz tensiunea aplicat. n acea.
st stare denumit de blocare in direct, curentul prin structur are o va-
Soare redus. Zona 01 a caracteristicii I V este similar caracteristicii
inverse a unei diode xedresoare (vezi 2,3.1). n momentul n care tensiu
nea direct aplicat ntre anod i catod (Vax) atinge valoarea VFno (break-
ewr mltage), se declaneaz procesul regenerativ de tranziie a structurii
pnpn din starea de blocare in direct n starea de conducie : dispozitivul
trece rapid prin zona 12 de rezisten negativ (d V/ dl c 0) i ajunge
n zona 2 3 a conduciei n direct. n regiunea 23 a caracteristicii I vt f.
dispozitivul pnpn are un comportament similar cu cel al unei diode redre- 1
soare n conducie (vezi f 2.3.1). La densitile uzuale de curent pentru 1
dispozitivele semiconductoare de putere ( 100 A/ cm2), cderea de ten
siune VT pe o structur pnpn n conducie direct este de 1 .. .2 V.
Caracteristica I V a structurilor pnpn n polarizare invers (cadra* |
nul I I I , figura 2.31) reflect un comportament similar cu cel al unei
diode redresoare polarizate invers (vezi 2.3.1). n starea de blocare f*
invers (zona 04), prin structura pnpn trece curentul rezidual invers I R.
Atunci cnd tensiunea invers (- f pe catod, pe anod) aplicat pe dis- 1
pozitivul pnpn atinge valoarea Vbr(Vrsm) curentul invers prin dispozitiv
crete foarte rapid. Zona 45 a caracteristicii I V este regiunea de
strpungere n invers. Creterea rapid a curentului I r n condiiile 1
aplicrii unei tensiuni inverse de valori mari conduce la disipri mari de
putere i, n final, la distrugerea dispozitivului. Parametrii Vdrm( < VFBO) |
i F*** ( < Fa*) Bnt valorile maxime ale tensiunilor de blocare n direct, M
respectiv n invers, care se pot aplicarepetitiv pe tiristor (figura 2.31). 1
Amorsarea prin aplicarea n direct a unei tensiuni VAK = Vbo este I
caracteristic pentru dioda Shockley (vezi figura 2.29.a). Pentru tiristor J
amorsarea prin breakover este o modalitate de aprindere parazit i \
J
*4f VAKJ~ZVM1 ^ \rg0 - V
oului .(* e * ; , :ll <mU)i$'&***$*
Bp| | {p i bljitlrtfo HiWsjyBti.!11j tuD -jvjiiartrcbiH Ai {i?>maa ukuiMoif- Wk**
H^^.y^orsiirea timi^aior <^^iipnali^sizi figura 2.30.a) se efectueaz
l>rin aplicarea pe poarta a mini semnal pozitiv de comand (fa de catod).
plicarca unui curent de amplitudine I Gr cre&cnd (vezi figura 2.32)
repMS? amorsarea vakra M i ce in pr imai reduse ale en-
ginii de blocare n airect. * k7.
Pentru intrarea i meni- __________________________________________
Berea n conducie a dispozi- I
tivelor pnpn este necesara asi-
gorarea unui curent de sarcinii
prin structur egal eu valoarea
curentului (laUMtig
current). n ^eder eB ineninerii
in conduc a pozitiveor
pnpn* dreajBa de sa&lp trebuie
sa intersecie ranm de ccfn-
ducie n durat a ck^acteristijcii
I Y (^.eziwura 2.3) deasupra
punctului el coonjraatele (jL,
VH), unde L este; kle
meninere (Mling &'rent). P e |
-VVV~
F i gf 2.33. Modalitatea
dc sarcin pe caracteristica / V
pnpn pentru asigurarea- meni nei
sare a dreptei
unui di spozi ti v
ale !n starea
regul, ntr-J n ...tiritor > 1 H.
Dispozitivele cu structura
pnpn sint mftizate^n calitate
de comutatoare electronice da- . v
tont proprietii lor de a aveardoua stri stabile : dte blocare (off) i
de conducie (on). Caracteristica I V are trei regiuni distincte (figura
2.31)-: de polarizare n invers, d0 blocade? ntdireet i.da conducie.
Cderea de pnpni tiJ toate
cele trei regiuni de funcionare este aproximativ egala cu suma algebric
a chelilor de te]piun< jpe <3ele^rei ^oiiGiuii: ^ ( i* 161 & a)
; - V k = F >/ f >F ^H~'F ,r i J M - ~ (2.35)
-IV) lifqjBI HOtJ blli itiUi| QO ilHfiffXOaX
*&k - CqmporkiBsentuJ tristoidului i nteni onal se aseamn cu wl al diodei
ttd3eare^deosebirea*orrstindj m-nece^iateailapliC&mi>urani eusjentiipaziMy
de poaita x>cntru intrarea in-conduc ie a; dispo^i tivului -polarizat In dirqciL
Datorit acestor. ^ihiditudim ^denumirea* iniial&ia' tiiri^tfr illui;qoUvenior
eare s-a pstrat pn Sxipuezenty -este aceea .fle i vedreson comandAt din
s&iein ( 8 0 ta *$f&cbt$ ^Qontrdibed' iReetifi&tyu * i / ijixutp.il>aq / iiijoilqa
: aib eMioi
SPUI n
^.5. Structura pipri m polarizare n ipvers
4t} ilf O *>ili jHtta,, M*i)iit{ ffi'iiitfH| &">&~fl J *iiu *K"*
' La polariz:m a in invers a' stt^cturif^n^j^ <tensiunea anod* ca td &B
ftgfttvrb a consecin*jonciunile J x ai t/ 3 sint polarizate in invers, iar
I centrai^^de^oolector)! *este poiarizat in di*e^t (^gura ^.Sii).
\ V#|y # 'a\ abrupe ^i a^fanetjrir^, iaiv >ck>paisal
pbliru Bti^a/feuri ^kle* *truoti*ti dai fS^idvunifotni, eti valoriie tipic& indi-
cat* ia tigur* 2.34, mmaals de strpangere n aval an^ V j^eia-
wtor polaLate invers (J , fi J .) * btm din urmtoarele r ei ai [bj
r _ g 2900 V ; (tipic), (2.5.)
*? *? 2fAm
V, ,, 3 * ^- s 2,9 V (tipic), (2.56.*)
2qy a ,
Fig. 2.34. Polarizarea jonciunilor J *, J 2 i J 3 la blocarea tu iii ver s a unui dispozM
, . , tiv cu structura pnpn / dopajul cu impuriti a straturilor semi condu ctoar e se con
sider uniform).
(s-au folosit urmtoarele valori numerice e, = 11,7, J Ecr = 3 - IO5 V cm
n siliciu, g = 1,6 x 10~19C, Noi = IO14 cm3, = IO17 cm3).
Bezultatul obinut indic faptul c tensiunea invers aplicat
dispozitiv este blocat de jonciunea de anod J t (jonciunea J s strpungn*|
du-se la valori extrem de reduse ale tensiunii inverse aplicate). Se remart
faptul c tensiunea de strpungere n avalan are valori cu at t mai mari
cu ct dopajul ND1al stratului (bazei) este mai redus.
Extinderea zonei de sarcin spaial la o tensiune invers
aplicat pe dispozitiv egal cu VBii se obine n cazul aproximaiilor men
ionate din relaia:
,194 [im. S| . (2.S
Se observ c pentru a putea susine o tensiune invers, de valoare
cit mai mare, baza n2trebuie s aib o lime apreciabil. Extinderea
de sarcin spaial n baza % este ns eu atit mai mare, cu cit dopaj1
acestui strat (j?^) este mai redus. Dac baza n%nu este suficient de
strpungerea dispozitivului are loc prin efectul de ptrundere (puncUhmm
P T - sau reachthrcugh) (vezi 2.1 .6): zona de sarcin spaial ^
1 4i*!C H p i f f i feiS ni n consecin, jonciunt** J . este ciiftctrcui-
f l n l p j oaci * J t.
H p ^ t ^ efectiv E tensiunii de strpungeri estinfluenat de pro
| g| *aal impuritilor din structura pnpn. n figura 2,33 este prezen-
fer. 2.35. Ilustrarea profilului tipic de impuriti ntr-un dispozitiv pnpn cu tensiuni
Vdbm = = 2000 V.
tat profilul de impuriti tipic pentru un dispozitiv pnpn cu Vorm^Vrrm^*
= 2000 V. Structura p ^p - este realizat prin efectuarea unei difuzii de
impuriti acceptoare (Ga, Al sau Ga - f Al ) ntr-o plachet de tip n cu
X9= i o14 cm"3. Catodul n2 este obinut printr-o difuzie ulterioar de
impuriti donoare (P sau As). Contactul ohmic pe partea de anod se
realizeaz printr-o difuzie p+ de bor. Se remarc n acest caz adneimea
relativ mare ( 75 am) a jonciunii de anod De regul, profilul de
impuriti al stratului pxse aproximeaz cu cel al unei jonciuni liniar-gra-
date. Tensiunea de strpungere n avalan pentru o astfel de jonciune
ese dat de (vezi 2.1) [4, 6]:
VBR = J ^ L S i gL (2.58)
a0*4
in^le {ern"4) este gradientul concentraiei de impuriti n stratul px.
Din relaia (2.38) se remarc faptul c tensiunea de strpungere | n
J gftlaa VBx are o valoare cu att mai mare, cu ct gradientul de impuri
ti este mai redus, adic cu ct jonciunea J 1este mai adnc. ,
Obinerea unor tensiuni de strpungere VBR de valori mari n tiris-
jareie de putere este astfel condiionat de obinerea unor jonciuni de
Momre eu adneimi mari.
Ttuuuule d stodyuii&irv M* obuue w $t%iMfjL pnpM mu
sief e ngw mferkmm miorilor piwbetate de relliiie [ ^ 4^
F&copi prmeipsJ S qbtc conduc la.tmeor| m>a tensiunii i e$Ie ue sMnmij S
(f$| | e Thami piTdictiif* M :
VVripfojtft pScwtmoi jf fJ g mft4iininftr sMIafii eWt4li -?Sfej|
tnMMMtor eu bac in gol;
#) Distribuia real a eixnpolui electric Intr-o structur pn^n tu1
ffen$<uialf n special valorile mari ale acestuia n apropierea regau;^
laterale ale dispoiitivului (veii 2.2};
fi Variaiile miHtivitii (p*) stratului iniial n de-a lungul axei ^
longii^dmaJ e, precum i In planul su transversal;
k) Distribuia real de impuriti n jonciunea J v care se abafcl
atlt de ia aproximafia jonciunii liniar-gradate, ct i de la cea a jose* I
iunU abrupte.
Cuplajul jonciunii J 2 cu jonciunea adiacent J t es*e ilostrat k
figura s i utilixndu-se modelarea printr-un tranzistor pnp (eu baza n gol).
w
M .
' **' VSk%1 **$ J W
ab uairlb hi
n$ ir.- qp oh
.'0b iigomil!
H) n%jtf viiixoc| Hil) ii li ii i Iii m| ui| i f]
M*nuif Ins ihi*)!
tei[*>#iqo-J iui (IA -4 nO UBfi IJ k rfiO)|
jliaJ Lib o^ i h q 'tufirkJ o sh l ob
rfViij H| ; Li;:do fi? i u iHu> .(A , >
pmri-n f
<*q A
rftrtm nrM
eAiW! Mfiwe
TOi* C |
L ^M fW p
1) o^oitof) i
|ib o -^tnii I
[c I lw
<| /.'fffiijPfc i i i'^iTiiqljwP *)b abnxii^
Fig. 2.36. Ilustrarea modalitii do rccUiceK" i 'iVnl.HiWii de str
pungere Ynn(ji) prtyfifwlul-df fi cui zi st or cu baza In QoL
( . *- ./ --. .. _ : vi | TiTT
Tensiunile de strpungere (cu baza in gol) i B Vcbo
torul In gol) Intr-un tranzistor snt corelate prin relaia [6] *
(cu
''t i M
. a ^ j iImv^ffnwTSrimiio)
* * - v i i R i M fti f (B ei
unde a eke factortd de elsti^ln curent* al . A
baza-comun iat n o eonst^nl ^^N 0 pentru *johehwr pM^!^^3
^ntrii; jonc^uiii n* ^
atiimine^ Ife &M*-
M i
P Intr^o vmmr i simikr, tensiuntia* te at jipwng^ro, J 3u^
de anod este corelat cu tensiunea Vnnui) calcxila^ m (2454.*) m |
tntrudt expresi a (1 este mai mic deet unitatea, tensiunea
strpungere teoretic BVIt este inferioar ca valoare, tensiunii de #trfr
ungeri' n avalan a jonciunii. Considerind eficiena de injecie
I tranzistorului y1(jonci unea J 1este puternic asimetric) foarte apropiat
Bl unitate, ei^tigul n curent ctP9pva fi determinat n principal de factorul
de transport n baz ar al tranzistorului pnp.
2Xi
(2.61)
unde i r este grosimea efecti v a ba-
sei * (vezi figura 2.34) i ar Xpl=V>pT3>
lungimea de difuzie a purttori lor
minoritari (goluri) n baza nx.
Pentru valori date ale grosimii
bazei WMl i ale lungi mii de difuzie
Ln, raportul (WjLpl) se va micora
odat cu creterea tensiunii inverse
aplicate pe di spozi ti v ca urmare a
scderii grosimii efecti ve a bazei W.
n consecin, factorul de transport
r i, deci, factorul de ctig n curent
apnp vor crete odat cu creterea
tensiunii inverse pe structura pnpn,
ceea ce conduce 4- conform relaiei
(2.60) la scderea pronunat a
valorii tensiunii BVJ x.
n practic pentru a mri ten
siunea maxim de blocare a structu
rilor pnpn suprafeele laterale ale dis
pozitivelor se contureaz sub un unghi
pozitiv 0 (vezi 2.2). Aceast operaie
conduce la micorarea valori i cmpu-
lui electric la i n apropi erea supra
feelor laterale interne ale dispoziti
vului, prevenind astfel strpungerea
prematur a structurii. Pentru un
ghiuri de conturare 8 pozitive (vezi
2.2) valoarea cmpului electric E la
suprafaa lateral intern a struc
turii este redus ntr-o aproxima
ie de ordi nul nti cu un factor
sin 0. Tensi unea de strpungere va
i dictat n acest caz de valoarea
cmpului electric di n volum i va avea
be uniform n volumul structurii
semiconductoare.
9tatod
L * ---------------------- V
vAnod

9
<
3

0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
~3
^ 7
P2 - /
I i
' r U -4-
<jyCotod
J3
i. J
-7
P2
j
e-4sV j
\ i - r
\ 6=i5
Pi
w
oAnod
Fig. 2.37- (a) Structur clasic de ohinere
a tensiunilor mart de blocare in direct i
invers a dispozitivelor pnpn, prin contura
rea sub un unghi pozitiv a jonciunii l
sub un unghi negativ mic a jonciunii
(6) Structur cu unghiuri poziUve de
conturare a suprafeelor laterale cores pun
za toare celor dou jonciuni (r) Modalitate
de conturare a suprafeelor laterale s-ubdou
nnghiuri pozitive-
iu figura 2.37 snt prezentate trei variante de structuri pnpn aYi$
unghiuri de conturare 8 pozitive pentru jonciunea de anod Cu ^
menea strueturi se pot obine valori ale tensiunii de strpungere n invers
apropiate de cele ale jonciunilor plane.
Pentru protejarea suprafeelor laterale externe ale structurilor
acestea se acoper cu rin siliconic.
0 condiie esenial de obinere a tensiunilor nalte de strpungere tn
volum o constituie uniformitatea dopajului (redstivitn) bazei n, att pe
axa longitudinalii, et i in planul transversal al structurii (tensiunea de
strpungere este determinat de valoarea minim a reziti vi taii). Pentra
a asigura variaii ale rezistivitii plachetei iniiale de tip n sub zfcljg
se utilizeaz siliciu dopat prin bombardare cu neutroni (Neutron Transm
talion Doping NTD). Iu siliciul dopat convenional, variaiile rezisttri-
tii ?, ating valori de piu la 15%.
2.6. Structura pnpn la blocarea n direct
n starea de blocare n direct a structurii pnpn (figura 2.38), jonciu
nile J xi J 3snt polarizate n direct, iar jonciunea central J 2este pola
rizat n invers, blocnd tensiunea aplicat pe dispozitiv. Profilul de impa-
4J j ' * +J 2+J 3
Fig. 2,38. Polarizarea jonciunilor J lt J 2, J 8la blocarea in direct a Unui dispozitiv
cu structura pnpn.
riti al jonciunii nLpz (J 2) polarizate invers, fiind identic ou cel a
jonciunii J x(figura 2.35), comportamentul teoretic al celor dou jonciuni
este similar din punctul de vedere al tensiunii de strpungere. n consecin
consideraiile prezentate n 2.5 pentru jonciunea J x se aplic i
iunii J 2la blocarea n direct a structurii pnpn. Din aceste considerente
rezult implicit c tensiunile de blocare n direct i n invers a unei struO
turi pnpn trebuie s fie apropiate ca valoare,
n vederea micorrii cmpului electrio la suprafaa lateral intern*
structurii pnpn n vecintatea jonciunii J 8 i a obinerii unor tensiuni
de strpungere n volum apropiate de cele ale jonciunilor plane, j o nei#'
nea "J %m realizeaz sub im unghi de conturare negativ de va Ieri
(0 < 0). Aceast soluie clasic (figura 2.37.) are dezavantajul
c micoreaz aria util a eatodului, deci capabilitatea n curent disp^
70
^tivului. Soiuia modern de realizare a tirint oarelor apelm& ta itruetnri
H unghi dublu pozitiv (figurile 2.37.b i e). Aceasta soluie se bazeaz pe
similitudinea profilelor de impuriti ale jonciunilor J t i J t.
Expresia curentului 1A{ I k) prin dispozitiv la blocarea In direct se
obine utiliznd Rechema echivalent simplificat (bazat pe aproximaii
de unidimensionali tai e) a structurii pnpn (figura 2.29.a), format din dou
tranxistoare complementare. Relaiile de baz dintre curenii de e mi tor
Loipnpi
k=<pnpk+ IcBG
| IB - (1 ~opnp)fc * IcBO
B
<*)
ks
Oi
Hpnp)
b l
o*

r Q ; M
k
Fig. 2.39. (a) Relaiile dintre cureni intr-lin tranzistor php. (b) Schema echi
valent simplificat format din tranzistbare complementare (vezi figura
2,29.6) utilizat pentru deducerea expresiei 2.66 curentului printr-un dispo
zi ti v pnpn la blocarea n direct.
(Ijs)? de colector (I c), de baz ( I b ) i]factorul de etig n curent <xpnp sint
indicate n figura 2.39.a, pentru un tranzistor pnp unde I CB0 este curentul
invers de saturaie al jonciunii colector (G) baz (B). Belaiile similare
se pot obine i pentru un tranzistor npn, inndu-se seama de inversarea
sensului curenilor implicai.
In schema echivalent a structurii pnpn blocate n direct (figura 2.39.5),
curentul de colector I C2 al tranzistorului Q2(npn) asigur curentul de
baz I B1 al tranzistorului Qx (pnp) [14]:
I b\ = I ci- >. . (2,62)
In mod similar, curentul de colector J C1 al tranzistorului (pnp)
alimenteaz baza (I lt2) tranzistorului Q2 (npn):
I c i - I 8. (2.63)
Identitile (2.62) i (2,63) pun n eviden bucla de reacie pozitiv
I i i structur, care asigur desfurarea proceselor regenerative n dispo
zitivele pnpn.
M Curentul de baz J 1al tranzistorului Qi(pnp) se exprim prin (vezi
%ura R | :
I&l M I g i I c i ** I bi apnj) 1*1 I qboi ** (1 pup) I a Icoi (2.64).
71
Mlr
- mmh dft M
I f este mnmt de cruntul I ct avind espresiu :
/es ** jwiijn 4" frj3 ~ */ **jc "f- icot'
iniiul *eamu <ie faptul c iotr-o structur pnpn blocat^.jn
prin locuirea relaiilor (2.64) i (2.65) in (2.62) se obi n ^^^j J
~I*Ol IcBOt I cq
I a
1 > rj~&pnp)
unde Ico^ilcBoi+IcMoi) este suma curenilor in veri de saturaie ai
iuiili C B pentru ambele tranzistoare componente ale structurii pnmSji
Ecuaia (2.66) definete caracteristica static a dispozitivului p**!
pinii n apropierea punctului de breakover VFBO (poriunea 0i ^
figura 2.31). Valoarea curentului I A este redus datorit valorii reduse
curentului 7co.
Curentul I A se menine la o valoare redus n afara cazurilor eiag
suma (ctnpn + oipnp) de la numitorul relaiei (2.66) se apropie de unitate.
n starea de blocare n direct, curentul I A crete odat cu :
a) mrirea tensiunii aplicate pe dispozitiv, ceea ce conduce la cre
terea factorului 0Lpnp (vezi pagina 69), deci apropierea suinei (*. -f ***)
de unitate;
b) creterea temperaturii jonciunii semiconductoare, care conduce ii
creterea exponeniala a curentului I Co ;
c) creterea curentului I co care, la rndu-i, conduce la creterea fac
torilor de ctig n curent a^Bi (figura 2.40).
l'ig. 2.40. Dependena de densitatea curentului de ml tor a citigulu In
curent sUtlc %pn^ i de semnal mic FuF pentru un trauxistor pnp CU
parametrii similarcclut utilizat tn dispozitivele pnprt (vezi figu rile 2.31
2 36). Factorii de cltig in curent anp l ttp ui tranzistorului n/ an co*-
pfKmt al structurii (vezi figurile 2.34.. .2.36 i figura 2.39,&) au o depco'
denl iuiiIar de densitatea curentului I r .
T2
H^Crcteretf eearj dpi ffifedat coT cTe%iefr% euietitidui prin st rac tur
0 j ) la b&xa aitomniiji parazite ale dispozitivelor pup* (vezi $2.9).
Condiia mmplrfirtn Uamon#i i i ae opri m prin
(**>+ *w ) = 1 (2.67)
ceea ce implic (vezi relaia 2.66)
$ 1A -* oo. (2.68)
Utilizarea fwniwtlor f?e cctod (vezi 2.9.1) diminueaz efectul parazit
al curentului I co i permite mrirea tensiunii V^ttu
Trebuie remarcat faptul c m cazul polarizrii In invers la tensiuni
r * mari a structurii pnpn (figura 2.37) dispozitivul nu poate s& comute
inerent n starea de cqndueie, deoarece n acest caz doar jonciunea cen
tral. J 2 f.uncioneaz Yn calitate de emitor i, deci, procesul regenerai^
este i nhi bat
-------U ' -_;1 \
2.7. Structura pnpn in eon duet ie direct
dispozitivelor pnpn n starea dC^eonducie direct (vezi
2.8^ 2:91' este- iBBOitS de po&iizarerpn decT Tuturor jonciunilor
(figura 2.41.a). n starea de conducte direct ambele tranzistoare compo
nente ale structurii pnpn se afl n saturaie.
Conformrelaiei ^ cderea ele tepsutne-Tlmi^^r) pe dkpozitivv.1n
eondueie direct este dat de [14] :
4 Vr ** Vj i - \ VJ t\ * VJ 9 (2. 69)
Di n punct de wdere practic valoarea acestei tensiuti este aproxi
mativ egal eu cdef^kxde tensiune pe o jonciune jgfi polarizat n direct
plus cea de pe un trani i stcfrai lat n saturaiei 6ueVgradul de saturaie
al celor dou tranzUtoake componente ale structuriv'pnpn este mai mare,
cu att durata procesuluMranzitoriu de blocare a dispozitivelor este mai
mare (vezi 2.11). y\ y,-------- ---- ------ ----- u
Caracteristica static I -~ F a unui i t m i ori (figura 2.41 .&) se asea
mn cu cea a unei diode: VT0 este tensiunea de prag, iar rT este
panta.
Valoarea curentului I t prin dispozitivul aflat n eondueie este limi
tat numai de rezisfena dje sarcin externa (vezj figurai 2.41). Continui
tatea curentului pri n structur este asigurat de injecia golurilor din
stratul pxn baza 4l i de? injecia de electroni in emitocul n2in baza
|gj (vezi figura 2.42)] |
ntruct concentraiile de purttori injectai do erpitorii ?xi n3n bazele
adiacente snt mul^tnai mari deefc dopajul Meaturilor nly respectiv p2
(faeriune valabil. n special pentru baza slab dopat nj, structura pnpn
j j eondueie se^comport ean diodjitiw.t (vezi J 2.3 .3}J U) regim de injec
ie mare. '%' .. . -* :** *
| n modelul,,dk)M; J ** M m u l eaz regiu-
XNea />j a anoduiui, i ar .stratul .n* joac*: rolul, t>atodiilui %. Regiunea i
hk
b)
Irig. 2.41. (a) Polarizarea jonciunilor J lf J 2i J 3n starea de conducie directa a struc
turii pnpn. (b) Liniarizare caracteristicii I V a unui tiristor In conducie direct
CPf i *
74
r Q
-OK
ng. 2.42. ilustrarea modBi i *
. S .' 'S J - M W
m#r*i de njecte.
stratul dopat , fi baza pt a tiriitorolvi. Xott*
H **$'* <iBtrtn*ee) provine din faptul c& bonele % i >f *lnt mult mti
itb 4opte cm impuriti df*cii straturili* adiurente dt>an<m (f i ) re^peem*
i\ e catmi {**).
nlmct concentraiile de goluri (p) i electroni (*) injectate dejoao
icnite jp^t, respectiv n+i, sint superioare concentraiei de imporitiidin
traiul , *ona centrala a dispozitivului (i ) se afla. la nivel nalt de injecie
ceea ce implic *(*)*;?(*). Betultatele prezentate* n 1 2.3.3. *e aplica
i n cazul tiristoarelor.
Caract eristica static I V a unui tifistar in oofidueie dk*ect (vezi
figura 2.43) este asemntoare cu cea a unei diode redreaoare in acelai
regim de lucru (vezi 2.3.1). Densitatea tipica a curentului anodic la care
sint operate tri&toarele in conducie direct este j r * * 100 A cm*, I
creia i corespunde o cdere de tensiune pe dispozitiv Vru Vam'*t * 2V.
La o valoare constant a densitii de curent prin dispozitiv, cderea
de tensiune VrM scade eu 2 mY/ *C o dat cu creterea temperaturii jonc
iunii tf.
[v ] ~
Fig. 2.43. Caracteristica tipic curent (ij) tensiune ( Vy) pentru un tirlstor
de putere (T250J V') In conducie direct la dou temperaturi ale jonciunii Ttj
(25C i 125*C).
Odat1 cu creterea densitii de curent jru are loc creterea cderii
de tensiune pe dispozitiv (vezi figura 2.43). Substratul fizic al acestui
fenomen In condiii izoterme (temperatura constant a jonciunii) rezid
in diminuarea lungimii ambipolare de difuzie L a datorit aciunii com
binate a recombinrii Auger i scderii mobilitilor/ coeficienilor de difu
zie odat cu creterea concentraiei purttorilor mobili de sarcin, ceea ce
are drept consecin creterea raportului dlLa (vezi 2.3.3) [4 6]. Cre
terea cderii de tensiune pe un tiristor n conducie devine extrem de
pronunat la densiti de curent tipiefc regimului de suprasarcin
75
- |r Furea disipat: pv diapozitiv (produci
m|?t otis*teti cfffpTfdemitAii careutnlui, eonduend itnpu
vractarU rnnioondaetimro. Creterea temperaturii %>*
te rindu-i, la limitri la oapabiiitafeea fn putere i In frecventa
mi $.16). >
llodalitii te amorsare
<Ameria1* p* ftart
Gutnea Lk'wioarelor convenionale din starea de blocare n direct
ii mm de eonducie (&*) seefectueaz prin aplicarea pe poarta a unui
& pasitir de comand (faa de cafcod). Semnalul de amorsare pe poart
^ ~j*on**) sau discret (impulsuri). Tensiunea minim
mtmt {V0T) care trebuie aplicaii ntre poart fi catod pe ntru amorsarea
num tiriglor, precum*i curentul continuu minim necesar aprinderii (I aT)
toRiUuie parametri importani ai acestor dispozitive. Aceti parametri
(fot ftptefficai tic fabricant in condiii tipice T*}= 25TJ , tensiunea anoi
eatwi h'i stamt de blocare direct, V#-- 6 V sau 12 V i sarcin 'rezitiv.
Treimie observat ea ralurile aaai defavorabile ale mrimilor VGT i I er apar
pentru temperaturi crate deoarece alit VeT cit i I aT cresc odat cu
cderea i p .
n pnml fabrimnii dedispodim nu specific valorile VGT i I 0l
&*-!i h temperatura ik t&C! Proiectnd un circuit de comand pe baza
&lmi /uf defa 2'T0In mod aproape sigur vom avea surpriza s constatm
c la ~WC apare o instabilitate la
amorsarea liristorului. sau chiar
mai ru, imposibilitatea amorsrii.
Lucrul pe sarcin inductiv
presupune msuri suplimentare n
realizarea circuitului de comand pe
poart legate de mrirea duratei i
amplitudinii impulsului de comand.
n concluzie condiiile cele mai
ddaTorabile pentru V6T i l or snt:
temperaturi joase i sarcin induc
tiu.
Condiia amorsrii pe poart a
unui tristor rezult din modelul siiu-
plificat descris n 2.0. lielaiile din
tre curenii relevani ai structurii
pnpn la aplieajea unui Bcmual lor
pe poarta diapozitivului snt (2.64)i
(2.65), la caro ae adaug identiti
(%ura 2.44):
SjP?6|S at, tarnle-
M |
Ol Io*}
Im
(2.70)
(!.n
Una tip u' J tr, lpt ttt'frPblfW , | |
!n blocare flxrpef. c^ifM^e fi w S *
(Qi) este alimentat fi ihlt#ftuti^fet\ lf ^mV'^^M I f eJ I P W P ^
pnp (Qx), dar i de curentul l Qt. aplicat pe poart. Acesia din urm este
corelat , cil curenii de catod 1$ respectiv de anod I pfin ecuaia p^TI}^
care decurge din legea I a lui Kirchhoff.
Egalnd r<laiiJ e ,^,^63i ca m.'1 ecuaia (2.71)
expresia curentului anodic i^pn^strucSJ as^ojine in aproximaia
cvasi-statlc i unidiraettmoMr-utiiH5atr4n: aee8t model sub forma
[4, 6, 7, 14]. ^)*| ^1 | P |
I A^ t l B p l : (2.T2)
11 ;fi9^5QfiJ,tajMk ,
unde Ic-o este detaliat in relaia (2.66). 8e rerakrbj- ci pentru Iar =*
relaia;(2.72) capt, forma (2.66).
Amorsarea dispozitivului are loc n monehul cind se ndeplinete
condiia (2.67). Dup ce tiristorul trece in stama-de conduciie (vezi 2.7),
poarta pierde controlul asupra funcionrii isponUvuiui.
ntruct n cazurile de interes practic ctnpnIoF > ho, neglijind terme
nul jrelaigi (&f 2 factorul de amplificare n curent la armnarea B0m
se exprim prin :
G0j j - i * = ---------8 (2.73)
I qp 1 4r. (ai*y "I" *) | -aa' 4iSij911lli
n aproximaia static unidimensional utilizat, citigul !n curent
ir9meste cu att mai mare, cu ct valoarea factorului de amplificare- o,**
este mai mare, n condiia n care {<*$*?+ -> 1. . ]
De remarcat faptul c in limitele modelului unidimensional utilizat*
expresia (2.73) pentru {?*.este similar formulei pentru lctorul de citig
n curent la blocare v/ , obinut in aceeai aproximaie pentru tiriisfcoar
rele de blocare pe poart G3X) (vezi 3.11.3 i J 2.18). ;
Odat ou creterea temperaturii structurii T*, ponderea tennenolai
I c din relaia (2.72) poate deveni important. La tifisfcoare de cureni
(arii) mari, curentul Im la T? = 125"(J are valori de zeei de m\ , com
parabile ca ordin de mrime ou (n/ gt), unde I qt este curentul minim
de poart necesar amorsrii dispozitivului.
Aplicarea unui semnal de curent (log) pe poarta unui tirisfcor implic
o injecie de goluri (purttori majoritari) in baza Ourentul pozitiv de
n cadrul acestui proces, zona bazei adiacent pprii va H B H B
ttvarea cea mai mare. n momentul n care cderea de tensiune in aceast-
zon a bazei p$atinge valoarea de prag V? a unei dimie din siliein ( * 0,5 V
la Tt) . 25*0), stratul de emitor * ncepe * injecteze eleetror^jniiind
astfel procesul regenerai#? tranzitoriu de amorsa} al tiristorului nsb
12.3,2.1). Conducia !n direct in faza mi iala procesului tranzitoriu d*>
amorsaise a ta bile te Ia vecintatea imediat a poeii Regiunea eafco*
yifti ttp mm dr aiawrsaw al diapozitivului jsi biguri
ittfmUtfol anuale la imunrimtf (fci4an$rii aprinderii, poartft
'<[igiis^& Ur #** wwfw/ 4 fa mdmfi* fmM w w ) fi , t l j
- ; *v Pfc Q4t
" " " " " " '... * "" " .......~ T 1
* mi- nniQtif n: eruiucbt
-- - --
GA
1%: al * ftpuna pfcaaphtal asuifs.tr j}.* pmrta iristoarelor eonven-
: i15I#..
E ^PNH PP^ ^*8*^ *V* i wl aflata iiiiial In conducie (figura 2.45)
i MrtltB I 10(J iis , 259 ujdb. Araaatft. valoare este Mtrwn de redus
la eea*f*urui* m diametrul catouM' 10 mm.. .60 mm) Ia tiristoarele de
Mui marv lnitwa coudwipria tmi.or intr-o zon de dimensiuni
ttfiiHki 4* f*4tt*e. tiatA in amiptatea porii, poate conduce la distra-
#Baa ta^J oter&ki a {iMJ Otitjvtthii prin Ifriul. idt (vezi 2.10). Din
paweii 4m pritfur, imeiaianea r, a nan iniiale In eon duc ie
:ppR l .4^^^fillatmpmpf}riai^fai^zut4>na|M>ptrat, J Sq =* p/ ^W
mmmt pf <$ Ma *****tmttu?* medie a bazw j, da lii* Wpz). Aceasta
ikV<*iKlH>/<, na explic prin faptul cit,
1& vOtitUiare constanii a curentului
- Wtr ------ &, poa i t i J Gr cderea de tensiune in
/ I {b&&&p mgfr& ea tfensiunea ***
poart-eatod a limtoarelor (figura 2.) poate fi aproximat prin M'berna
echivalenta, simplificat din lgura 2.46, In car reprezint* rezij&tena
lateralii a straiului p2. R, este rezistena anurilor introduse pentru mri-
rea capabilitii in k/ dl i a parametrului Vamg (vezi $i.9.X). Dioda 2>
modek*az att comportamentul in avalan al jonciunii poart-eatod la
M \Ve*0(
Fig. 2.47. Ilustrarea calitativi a caraeteruticii curent {/ a) '? ten
siune ( VG)a jottciunU poarti-ealod a ouai tiriter (vei figura 2 45)
In comparaie ea aceea ft unei diode.
polarizarea invers ( pe -f- pe K )t cit i scurgerea bidimensionala a
curentului la polarizarea direct (vezi 7.1.1). Valorile uzuale ale tensiunii
de avalan pentru jonciunea poart-catod sint cuprinse ntre 5 i 20 V
/ (vezi 2.5).
Forma e principiu a caracteristicii curent. (J #) tensiune (V9) a )on<h
nmii poart-catod este dat in figura 2.17.
2.8.2. Amorsarea eu semnal op tie
Dispozitivele pnpn pot f i amorsate eu semnale optim situaiin bandei
de rspuns spectral a siliviului. In attest caz, in locul porii electrice e
utilizeaz un cablu optic (fibr opticii), prm intermediul eraia mtma^
mile semnalul luminos de 1 surs pe suprafaa siliciului (vezi figura
Adinei mea de ptrundere (4) a etunalului optic la siliciu corelat
eu coeficientul de absorbie (vezi figura%.4$] prin relaia - M l f i 1 | | ij]
<t <* i%.ny
fit -1. m vHM aw
. *. .:
Principiul amorsrii optico const la crearea H H purttori
(ebetPoai i goluri) in structura pup* sub irtflumtafetoniit# tmtidenfi,. arad
o energic (4w) mai mare decit- banda interzis I Miletului | t?J eVK
..... ..... -...... ......
::i->0Mi m if #1 p
|lil# iiM MiWiiiliifMi* finT^ tfft ?
' mmmmm p ^ <
gjpP^K t UilH t# lilri#ftof*t*4#' ifw I
m m ; h
{ fl*M#J ^
_ ,|i;
mfKxf m<y
3
ijKf}
IHMKS
on
i|Mhii an.rsfii optice a unei ttrocturflpapn.
Hltatni acfiyaea optic a
1 ^Sp^Mrelor pnpn din siliciu
aeutilizeaz diode electrolumi-
fi (J E1JP >i tj in. iGa:M,&w&d(
p i^trul ^iiiiei luminoase en-
,rm i&tr*
adie ii infraroul aproj^fei'^
i v, tomi diu z^i.^nfrarou a^pec-
lui , r^ciia ii, J np^oa s$,
fttit energia, cit i dmcirhea e
ptrundere suficient de mari,
rat^*iitr^rftfcfti>stcu^tiira ynpn
perechi de purttori fotogen e-
wv 1
ff i t ufffilt . m>i,n&ptti*ista|i
w i M m . v . ! .
U j f e i a o i x i i n ) ^ 9 I ) r i f f u r n i l i /
&?) i i| 13kv4iiivbirflpri**' || jpjj
_______________ J IM*. inreakover
p m mo fe j g
__ Acest mod de amorsa(v
1 i S f e f t %%i) este caracteristic $J ?
bmbwb^^
w B I H
esfi datorat efectului muKpSeri M afcftk
carfyranziteaz prbitf-o zem^ exikffl&>&&.:
r*a tensiunii Vp*a (figura 2J ty]
lan$& a purttorilor de sare%-,
citp eleetic pfcrnic zbua* fe
(ve*t tigura 2.38}; BeeiaHffreft $i tlralare irwMremm" *f SfWfMi-
zat& de micorarea substanialii a grosimii efective a bazei #*
ter^ioii^^Mj| ej^ jft dkeet de valori Coarte mari (vexi figura O
san&in W
joiuymft m
torea MstiguMiu odat cu scderea grosimii baaei
1.6) favorizeaz ndeplinirea condiiei de amorsare (,2*67),
Pentru diapozitivele pnpn eu terminal e poart amotsarm' pt
breakover este o modflitate de aprindere nedori/ (paraxit\ are fi&00&-
u0la
li zare a
Tifistot1
intrne
<truijt*rm dispozitivului, in principal datorit fenomenului
onductet' Mo arfe extrem de redus a eatoduiui (vezi p.lGf.
de nuntemc pentru msiM nalte ncorporeaz soluii eon.
I protecie coltfrff 'difirug'rn prin efectul de breakover.
^^Ainorsfi parazite
2.9b. Amorsarea prin eteetal vhit
m i
Aplicarea unei tensiuni anod-catod de blocare n direct cit 0vitest mare
de cretere poate determina amorsarea parazit, a dispozitivelor pnpn in ab$en-
a semnalului de comand pe poart. Comutarea dispozitivului din^starea
leblocare n cea de conduct ie direct are loc ia* acest eas a tensiuni cu
valori mult sub cea a parametrului Yreo (figura 2.31).
'*&ietidtot$ni& de amormre p r s i t a p H e a r f ' d pnH fanfrpi
de tensiune pozitiva ntre anod i eatod, poart denumirea de efectul de/ dl*
' Capabililor a iu, dw/ tU ^<1 , tar eoncftini.f* un
al tiri&to ferelor. reprezint rata- maxim rfe wPNt a ttfanttftii
direci nare poate fi suportat de vrt upazitiv eu $ti%cturti pnpn fr
a se amorsa paradit (pentru m paHlitam1n df/ dl riaplki sau dinami<\
vezi 2.12.2). Capabili tatea n de dl (exprimat n V/ jjj)este invers pro
porional cu valoarea final a tensiunii anod-catod aplicate (T**) i cit
temperat ura structurii pnpn, lh , j"
Esena efectului dr/ dl se bazeaz pe fenomenele legate de geeeraj$a
unui curent .parazit incipient, j. structura pnpn e^re, grft iutetmepf^
cupidului rege^e^tiv dnfe timzistoarele pnp i npnqpmjK>mn$e^m
structurii, eofoduce la satisacei&i relaiei de amorsae (2,07b La aplicarea
rampei d^/ dl (veii figura 2.50), jonciunile T* k </* m i'-.
direet^afr jone iunea iP6fei-iaVel#.li
Viteza de expansiune n straturile tt, $ &fro$| jpflof z^hei de sard&&
spaial a joncip^ui J # deci i a capadtiii de barier asociata anutuifi
Hvih este direM.pmpiu$ion$yi$ cu rampa d?*/ dl. Astfel, datorit ex|M&*
siunii n timp a *bnei de sarcina spaial a jonciunii^?*, In structura m
ia natere un curent de deplasare datorat variaiei *aroiaii
iitfi* nf# | -
itf &b 1o| h1 J f i 'aK*44if
ibittWMiq htiv|lS(|
Wm&M
< . ii Iij. **
w K UBmmr^ ':'' Pi+ +
A.. jf '
|^H*
-*-01-TT
1'#^
iT T
twt _ j r +. +
*^pe
1(Vmr
h *
r - + i j S >
r%
-"'* * ?+ 4
z z ^+
- 1|!+* ^1*
* T
* cr -Ap:.
M i &ytii&'K (p ac(mMuI 4bittwn te direct cu viteza dp cretere d VD!t
4t htkrmi pe unitatea de arie a jonciunii J t (vezi figura
-Mk dt jwiMteau de Ump, mr Y^i) e#te tensiunea anodie instantanee^
------ --------------- . . . . ,
WM,
Densitate curentului de deplasare ju
exprima in aee*t cm prin ;
4l
CjMt + YM) dC/ * -
df di
* Vj^i) VaHt)uL- (2.77)
d* dVD
Rekia KHspiik-at utilizat in maHUA are
iu -* CjJ i) i i JL
44
Curentul de deplasai* de densitate im antre I
i ^f1.^ .T | iteaaft owtwiea fsw'toniur ie atftig in curent
mm *mmi dm* i ,,, pin* ia tadep%ii?a eoadi** <le
A;"*: .*& J Tl.
fs pririijd efwiel paradite
I ffiUfi tfjfciiaiii ft ait- '- - * ' '
I 7 r J
etfcrtftttti*u 1* deptea&rw, )tl}iwfti& o
unde Cj am2CJ t{VFB) este valoarea medie a capacitii speflec de l>amr
pe intervalul de variaie a tensiunii V0 Cjt(V,s} ente valoarea acestei
capaciti la valoarea final a tensiunii anodiee VyBdeterminat eofiform
relaiei (2.76), in ere VB(t) se nlocuiete cu FV*. Expresia pfgssm
o estimare doar aproximativ a densitii medii J L a curentului de depla
sare i nu nglobeaz fenomenul de cretere a valorii lai j 0 tensiunea
anodic final Vpa.
J )e exemplu pentru y n 6xlG8em~8, dr/ ri/ ~lkV/ >g,
din relaiile (2.76) i (2.79) rezult CjJ V 1 kY) s 70 pF em*
si j 0 =141 raA/ cm*. Densitatea acestui curent este mult mai mate declt
densitatea curentului rezidual printr-un t iris tor in starea de blocare diree.
Valoarea curentului de deplasare este direct proporional cu aria dispo
zitivului . H H M M I i l i M
Mrirea capacitii n dF/ d/ a dispozitivelor pnpn se poate obine prin
metode externe (de circuit) i interne (de proiectare/ structura constructiv
a dispozitivelor).
Protejarea tiristoarelor la efectul d V/ dl prin mijloace externe m efec
tueaz prin conectarea unui grup RC (denumit snuhber) n paralel pe dis
pozitiv (figura 2.52.a). Boiul grupului RC este de a limita rata efectivi
de cretere a tensiunii de blocare in direct Y& la salturile brute ale acesteia.
La aplicarea unei tensiuni anodiee rapid cresctoare in timp condensatorul
C se ncarc cu constanta de timp RC, cu polaritatea din figura
Utilizarea grupurilor RC implic precauii deosebite, intrucli la a*ttoeriiiip
pe poart a dispozitivului, condensatorul se descarc prin
r - /
J dt
l i
a U
i
I
fr~
i
>2' (>
rampei d Vp/ dt. i ) tyt-tte&rtst&W ttndeBwitolPvtt*** ( prt fii^vp ta
tu*$e po*rM. M >frfUhl*U
H 11S MP
fcrefit de valoare mare limitat H H 9 H H i B I
xistlnd tn oeest cas pericolul diKtrwirerii fcrlsumltti
(veit 2.10). Trebnie remarcat fptui H aaet mdaeiaftt*
, .
! WM W M M mmtb fan<*t Uk& tf flfthftttfttii eireui
t et i m , mt**rv*mi msM** ****** mmmmn v i w
iiSInfti care * W
i 3.110#) petdfti protejare* la ffltotul
ia j?vpoate
T *
;i
mmrt pentru
O iMyilti u* de circuit utilizat aproape exclusiv pentru tirfoarcle de
:- f i ^1n;iffli jmtere ( dmmu<M/,A efectele pftnnte ale curentului de
^tpUiAtt *jt ir. fr eapaMUtatea tn d V/ dl o constituie conectarea unui
mtistott extern Mu intre poartA i catod (figura 2.53.a). Bolul acestui
r?M$iftr i i i de a devia o parte a (meatului de deplasare din baza pt
fi -4t a decupla astfel tranzistorul npn eouiponent al structurii pnpn
(figura 2J &A) din proeeaul {generativ de amorire parazit. Capabili-
taie* tid V dl \ diapozitivului este invers proporkmali eu valoarea rezis-
tograiai eupr*o*&, (ie regul, intre0,2 kU i o kl. Alierea unei valori
nu eate recomandabila din punct de vedere al puterii
otnamia je poarta a tiristorului, In traci t prin M0 se
uno -za o parte a curentului de coman-
efe V .
legali varea porii In raport cu cato-
dul (vezi figura 2,-li) are efecte similare
asupra capabilitrt n d Vdi ea i soluia
precedent. Aceast, soluie de circuit se
utilizeaz de preferin tn mrirea capa-
bilitu dispozitivelor la dVjdt reapluat
sau fiinawU (vezi 3,14.2) [7, 16 J.
ifeluia nuiruetiv care incorporeaz
In dispozitivul proprin-zia ideea mririi
lapabtlit&ii tn dV di prezentat In figu
ra 2.53. *ve bazeaz j** utilizarea untu
rilor de cat ud (vezi figura 9 58). Aee*U>
$ auturi constituie <M de reziateu extrem
de mlu%i dintre metalizare $ baza pt
realizate pe cale tehnologie la catodui , flflHSi %
anurile am rolul: (a) 4 a crea ei preereniaW de evacaafe a vraaiki!
parazii generai in 8tr*K!tara d^possitivalul direct <pm met:aibsari* d*-
eatod, prin untarea giratului a; (i ) de a mic fora altfel eficiena efectivii
OA
I sjsfi:
l i !
ffe
11
iii. 2.55. (a) Structura unuliristor avtnd (Mituri irmm Ocvatad *. *l scfecrw
*a fatUiwiti simph/ jcatd - - -se; v?
de injecie y a emitorului de eatod nz i de a menine in conwein valoare,
efectiv a factorului de cig * la un nivel suficient de czut pentru
a preveni evoluia procesului regenerai* din structur spre mdepbairea
condiiei de amorsare (2.67).
Tiristoarele de putere moderne utiltzcazu de regul 10 200 ^unturi,
amplasae pe ntreaga suprafaa a eatodnlui ceea ce permite mrirea de
20 pi na, la 50 ori a capabiiifcuii In dK/ di a acestor dispozitive, Astfel
de exemplu?tiristoarele de arii (cureni) mari utilumd 5o - lOo utttari
de catod au in mod uzual capabili ti in dF/ dl de peste 1 kV/ u* la T# **
= 125C n comparaie cu valori de 20 V/ *__ 50 V/ as ale acestui para
metru, tipice pentru diapozitive eu caracteristici constructiva Mlfltiflt ~
ins larii unturi. Dezavantajele utilizm uniurilor de catodI :
(a) micorarea arici utile a oal odului, ceea ce implici, la -.6Wi ^g| | *S 6
oonduciprestabilit, o valoare mai mare a cderii de teuaiung lr? dn
comparaie ou tiristoarele fr anuri'*, deci disipri mai mari B putem
in starea on; (b) scdere* viteaei de rspindire a nmdtteie ?* "iveri f 9.UK
ceea ce afecteaz negativ capabUitatea n d/ df i (e) c^ierea eim ptai de
amorsare /0(i!ffi)*
Fenomenele principale in zona de catod a nuni cu nuni ari la
apariia unui curent prsit en densitate u sfcnfoim d,Utribatt& B K B H H
jonciunii J t stat ilustrate In figura 2,54. Aoasi cureafc
in direcie radial prin baza jpj, sub lonstta anul coreul lateral. r e wBgfc
Prin unturi pe sub zonele de ecoitor (IMwrea de teii tune YH
vocat de acest curent lateral pe asistena ba*?i>, && raa^im in w*
jfe aitfiKWt aj mioduliii t, tfnxiad poiarnseze in direct
**, * PVfititi nt dispoiffira s nu e amorseze paraiat
<ffctf*fcfe fi teu r* fifiiuf? i ] Minei nil rf i l frotBrilfflf w fctef **nw incit
cr,r*ft 11 mtxnsA tib fieear* aoaj #a de efttod s rle mai
Fig 3 M. U*U-r< toni wwh <n*r un ttrtelar cu %u rituri de catod
t* ttfmrim ani ewr*Bt <*<>3-s iea <Buniivnn dwtriJ buit pe
Jnrf;t w omtnM id *U dxtiiwtrul mm uni, D este distana
dtfltvc WUfcili a (bai unturs adiacente).
Awitt ten.*Mm**u fl#praff a unei jonciuni pn din siliciu (# 0,4 V la
# #J $$ i. CiMierea tir t<*asfuae f mse exprima, prin :
f j . f i , , (2.80)
as fat tor determinant de geometria anurilor (vezi figura
ff,5) ea * tuni rituale intre I0,,. J 10~* a*.
?TlSf eap&bEri&tca la dVldT m exprim din relaia (2.80) sub
M a i
i <iv yM
- - .*--------3--- . (2,81)
IfcniJ 'i teteH <5fepentru :V* - eoBssant, iar 0J%determinat de
'Vjtkwrt*fa*& a tr.n*ifui m bioeare ia direct (?), eapabilitatea la dV / di
i r i i fria alegerea optim a dimensiunii i configuraiei de am-
(f|$f mi xmm i/mu prin mktjorarea refiatenei laterale a bazei j>w
> Hffiggi attop&j mat puternic al aoeatei{mxx fei o lime
9 n I Hra| ti,
.le *unturikj eonYenkmalnt depite
, 4fe liriaterafe ntaUmprin utilizarea fonturilor controlate de
m&mi MltM xMt -*^jaycoBiia^teci au a CKmifroraiilor cu
S tM wvr i w N ***& iaearent mobilitatea obinerii unor capa-
it timpul de viai mai redus al purttori-
lor In bazele i pa implic o recombinare mai int*r* a purttorilor de
sarcin componeni ai curentului parazit, deci diminuare pronunat a
acestuia din urm,.
2.9.2, Amorsarea pra efectul ereterii ieinpfrturi
Curentul invers de saturaie I 9al unei jonciuni pn, ea si curentai
invers de saturaie al jonciunii colectorbaz, l em al tmui tra&xisior
crete exponenial cn temperatura T dup legea
i j *(2 . 8 2 )
unde IoiTa) este valoarea curentului menionat la temperatura ambiant
(de referin,)j a o constant, de proporionalitate, iar T T* =*. AT este
creterea de temperatur n structura semiconductoare fa de tempera
tura de referin.
Curentul J CT) din relaia (2.66) crete odat eu temperatura dup o
lege de variaie similar eu (2.82) antreniud, la iudu-i, creterea factorilor
de cltig n curent i <*mpn. n mod practic, curentai I Co din expresia
(2.66) se dubleaz la fiecare 80 de cretere a temperaturii structurii setni-
conductoare. Ga urmare, curentul 1 &{1A din relaia 2.66) prin structura
blocat n direct crete pronunat cu creterea temperaturii. Din punct de
vedere formal, amorsarea parazit a structurilor pnpn are loc in momen
tul n care se ndeplinete condiia (2.67). Acest mod de amorsare para
zit a dispozitivelor pnpn este cu att mai probabil eu ci t: (a) tensiunea
de blocare n direct aplicat pe tiristor este mai mare; eu cit dispozii
e i este mai sensibil la semnalele de amorsare pe poart, adic a*e valori
mai sczute ale curenilor J ar i I/ tih)- ntru cil tensiunea maxim de
blocare n direct Ydru se definete la o anumit valoare (prestabilit) a
curentului I Dy cr earea acestuia din urm cu temperaturii conduce ine-
rent la micorarea valorii parametrului V'i<Wi la Tri - 125 t* iu compara-
ie cu cea de la T#,=25C.
Utilizarea unturilor de catod (vezi 2.9.1) are ca etect micorarea
eficienei efective de injecie a jonciunii n2p2de catod (J %h
implic ai l o valoare mai redus a factorului efectiv de ei^tig ia curent
,^n, cit i o mai slab dependen a acestuia de curentul parazit prin
structur. Ca urmare a utilizrii unturilor de catod : (<*) se inhib proce
sul regenerativ care ar conduce in final la ndeplinirea condiiei de amor-
sare (2.67) j (b) se diminueaz valoarea efectiv a curent ului | I prin
structura pnpn. ceea ce implic, la runiu-i o cretere efectiv a
metrului Vmw *al m g ggf |
Valoarea curentului invers h prin structura pnp* te polarii**I
invers are o dependen de temperatur similar m H I urcatului
Oft urmare, definirea tensiunii maxime de blocare In Mvws Y^sm 1* nn
anumit nivel al curentului I * implic a dimiuaase | vai^i acestui para*
in.3tru cu creterea temperaturii f*. ' r p
Tvf m 125J0 i tensiuni nale de
ut (J p i J M) este de ordinul inA/ cm*. .jjjj
luaiv1a jar iii f snwiiifr part teu! ai ifcfti {uie ftffldac ift Imdt&rf
ya n^raia ^esnUii tfitpQalijfft u, wym din
m t W k 'Ttpni?l \\, jpenjyru ]io( 4f$l de
V* panere, i > u.ifij-1o^tizurr^^whain.iii.dio =l .p< o Mijnaiul,!
n M j j ffrrtml * rai od uloi iine^pid u proee*uioi m amoraare (veci figiirit
jyfo- tersi iunitejut. c^J niitat^k h diidt care alte un para-
nfrtf* m>*mte import aut rt) iinsuniefur.
Bgis& fenomen ui ui d* d/ derivi dmspecificitatca procesor care au
pkp* U amwMBfeape poartl'1a unui iMittGr. '- a^K-
frtPft* timu Mpui-i dij i / 1 wma catotfnftti intr iuti iui m1
direct etf cedin imediata vecintate a pori?.!Arii* iniialii
Imeofcduew' f<mt asie rwu3a in cumpniii cu dimeusitiftile cafodului.
Ist iftird prrmfMBlui trautttiirin 4a anwnara a Ioextinderea in direc-
ibaitaHa wtitttii altete iu flmMtaf fia <t*r1. Eirtiuderea zonei n conduc
fia if-u-ieiM pre*t1i*j*Mv jrtaana *prM%n) m tactueaz ou d
* mm, ferdtii ritigtira a.ir>:. Vaiorde QMtaleakpvitecei de lflpntlire a
aailarjln rlUf Pfii iri In fara* / > &G3 . 0,3. nira -i* ai depind de fteo
**Mrw fftiftQi * fru^jnt pn-pmt prceuaa *i d* deu^lurt-it instantanee a
^nwmiMhanataliepr tirt*tr tn Mvay) fasti de amorsare. IJ ac aria ihi-
i^|rt>4MM3Mtocitr i MVTit^a drixpiudiraa eandBKjtau valoriredusei
lomide putei* dfc*ipat&la curaul farri de qretdere a
rtamrtfali aiKwir ft'Mti? ofMhice la fipramf^lEirea regiunii plachetei de
dfo afaUatca i * 1* n n * fwupcratunj i.Mantanee a zonei
ra* aariieie pesteo insl^aw if ie uf* ds^pt rc*ultat dratrOferea dispozi^;
aiflai. H ,iui;!iaii nsi u*nf Swtih ni
i i lalnmiT diMsfiarib * putrie, dwi mawtoi Ue boalo de temperatur
tia0~i.0wt>t pioporioiMk <u rata de taatar* a ourerdului anodio (di/ dfy
m mmi ptwmtiioi de umonai, acest mod de distragere cleetroterrnie
m uuim$f^jinu *u*eUil di/di. Rata manim de variaie a
4ii) >t>wr#i pqak qporta %mlinMor iw ciirsiti amor-
| | ^ / #aM Uulrv# i>*ai fa immufeaM mpihUiHUp n dijdl. Aefftt
dsaaoita ai ttawrcjiur rs?U>speifkftt de Sabmaut. )]> ,, ,x
, diirtrua* lirin ijf^id dijdi preemt zoue nale Iii #i%-
I m0 4t i m a(ei tiynpcmturiic iiiidte;,(uo6-0!.fi;:.,
d t ! . , ^ .., t [ ) (
*)s#^| iica dvoiaii4nr yo^** ii acevierat de o erie de efecte, cum
ymWtyM& t nftaTO t^tfrperatutd iRnfre idtiel^ o^ ii trf/ ^eM1
Mtyt _aiejerisM& Intimi mfcajaklocale In placheta de siliciu.
<0*. tiiijfe'etqft'M uo ui*}*n
r .i viitjfU ] niri arta tillaf ri t4trfttfo{ij pentr^a ><ateiitt>iii| i i ai
ta tea local a eferaabalii| iii raonuipta^nimHa}ai prom*niU&
$, u unuwel cuweoiwttte :#* uulwwaz1 s^r^maftdfr, ji^Si' feii
un semn* paterni# de vind Wvaloare ae l i K .p
ori mai marrftteit valoarea curentului / 8r ; ^j/ m-
oomenzii este limitat de valoarea maxim a sera naiul ui eare poate fi apli~
catpe poart. Trebuie remarcat ai faptalea., simultan cu creterea ariei
iniiale A, in conducie, un semnal ^ternie ikpbeanrpe poart epjsdnee
i la o rnicfto^fe^i; tim pului de lntlrzi^e id (rezi6212,l) n consecin^
nceputul timpului de Metere t, (vea f5QH[l j k^a f r r i Seffe^pT^pl
suprafaa intpTa n ooiattfie are o valoare Wdu&&. C^ikaa#e-4ae44cir>
cu'tff* exterior nu rliyiteaz& viteza de ereterw a curetftuliA di apoi tiv al
gb jimte distruge >A efectul dt/ dt. [------- " -------- *
n circuitele carientilizeaz timtoare convenionale, ca j eapaBilitat**
In di/ dt limitat, de regul, la 50.. ,200 X/ p. -^rttiHplS gar dtHtra^gfii
dinoozitivelor datorit ratei mari de cretere a curentului de sabin ta
care sint operate se realizeaz, ca principiu general, prin utilizarea unei
induc tane L externe (de ordinul jxH sHT'AW! HP 'l'H Iimuu'Hj uu djupuzl-
tivii (vezi figura 2.52.e). Bolul bobinei L este de a introduce o intrziere
in creterea curentului anodic (fa de tensiunea anodic) i de a diminua
astfel valoa&a puterii disipate in cursul timpului d& cretere L (vezi
&Q 1 9 1 \ T n A n n vn i a n tl & o^aai-iki E al n fi i A i n t n i n t. npmi l tAa.Pol a- m& r i Q d
Seciune printr-i tiristor o poarW
hm ampUicator de poart &togfiiv
_|4|rSSHf-1
Ipii-mvi
If
L fes*?
U&Hi <UW*
111B I I
Mrirea oapahilltftii in dijdt a tiristoarelor moderne la3(K)...ltNMJ tA/ *a
** obine prin soluii constraetmi interne. Soluia principal rmpi*
mental in tiristoarele de putere d* urii mari *e btwaz pe ncorporare* 4n
geometria Miperficial a d&pmlif$w a urni amplijicnior d* pvartii ivteyrat
(inUgraie ampli fying gate au amplifying c& n-itmai tn
primele fast ale procesului ir<**tforva de am&r*9rt (vezi fijfur 51*5?}. Aceast
SSTOgf?
ariMM pWMttr *MMa H
IMMta jpmlc'ffi # *wmm: yi twil#pe pi i r i t di* pocii vuiu j
mrnrnrn **m #* * * fmJ %wa pn ^ J
ist i i l i ' T>tffoto&i-t* $v;i twM$ pfBCpikl *
y $
r
I
r ***
_ * _ 4
j ^ t
41 I

i
. fi fi t m
Mmmk *
W&Mi
H MU M H N M INMft, fcimtar cu amplific tor
qpfMtartt a M t tM H i r ca mpS fi ei tor dc poart
fyy^M i f | arle Hitotmil principal ^n j / ^V
a**r<* e ;. ) mj ludul dr poarti ((* }a aui eweui l 9r de valoare rela-
S ?*d| l, ia te teert (J *) ttbU^wjtt iniial prin tiriatorul auxi-
*1 *** ' i i i fi Uit oi iutgm. semnalul dmamorsare al
lH| | Pehdi i t" ' ^f mW tf m de eltre furent ul anodic al tiriato-
/ mjbt i ftttc (i T ti , fuivftii t pmi V (de amorsare)
*1 im*torvSw f t e*te muH. awyMiwl gi de turbatul iniial de poarta
^H p SWlHus* t*l * i*. t mr*iit17 fj^it ti u*iia yxnxpawlA este
emitot ului auxiliar
J pffcflfrinf ea gg curent di* ?<**** r ^ni tu Tr . Altfel, curentul de
H t B u f i d i l n| HiAt| n I structurii dMpozitivului
A . | pi ^ jiri turte culmea ni ><: uuiak* ij. <oiuitu ie a cato-
deei unirii! || tinutua m-\ abiintun In di^dt a tiriatorului,
I in uj-iil auxiliar T m blo-
I $ m mm $>llk| * * fttf>ekki:arra dupoeHivuhji.
p i m & m M *. BBpUf&fsi . a V8W lit kn or eu ampicet o r de
as^awAiMfc a confijuuU^11iiourl Uaaxmtoer In co#*
ufc ; tn*u4ul moiat ui um w mml rnlu* d* comand*
lw **4gmA mm,n tAnt-tU {i u n tairttmd | *ttpal Tp. .li olul
yitejgrat fjt' m* ateta de a fei^fvtt efec t tie , .air^r aro titani"^1*
jfrfrltflaift'ka toaiveue^aW, imi^ndauU- abinerii iji a unui ciftig
a#**, # velear* war*. ^wstiiaieW c mvlifWator de p^ai tsV
ytqfefiiAe mi-t feurserendili' triiiul 3T,, *4 i*
< pMa a l r^. ea etisar (eindf P* a*cr#ea
'Pirailoa^e
'flBhir l i i tt, tre iiH aw<jfa| e e uu Htiuual rwl>
elteva amtflraKiare de
&>3t
V^3 S F
i M N y '-vs
stitijie tiristorol eu mortar* imfuitd 4e nimpnt eleefrie fiei f i f p 2J 5f)*
%
ooart. integrate (vezi |2.1 V. ee*&t. wit**W ecm^see ltt*% I * pk*tle*el
riei active * catodulal,
Q aolaie ltenialivft fa de amplificatorul de poart integrai ft
di *
n

. 2.50. Structura unu 'pf? i

ristor ca imomiM tniU
' P i
ail 4 clropul electric.
i
mm
P
6A
Ideea acestei soluii o constituie crearea traci cderi de teMiuuefntre pun^*
tele # i b a W aioduhu 9 (pe rezistena m Caza iniial a procesului
de amorsare. Aceast cdere de tensiune ereax tju cunp electric lateral
In stratul nz, rare mrete substanial viteza de rxjpiiuitre a t^dueie v
Pentru a asigura intrarea aproape simultan n rondueie a tuturor
zonelor din catozi tirutoarcior de ai ii mari se utilizeaz ^trueturi inter-
digitate, In eare poarta i catodul se ntreptrund (vezi figura 2J 0).
i n rt r
ii,-/ '/ ]
f |
mi <1
Uj
LJ LJ y i
L
?#. t e! /* ' -i "J
FJ tf. 2.60. Urnirm* i<U$ $9twdgt#S$ # esiti$r&t&k.
ntrunit In asemenea structuri tom p w * to | |
fa-de contactul adiacent de poart**- la o ht*n&4
vezi figura 2.45, la aplicarea impuUului de
m prafaa a catod ul t i n n ci >mlu<ie
valoarea curentului de comand
a H
Poartar
centrala
Tirisfor muKfiktr 2
ol
$ sectoare ale catoduiui
b)
Tfristor auxiliar 1
Contactul ampiifiatorutui
de poarta
Fig. 2.61. Variante de structuri iirlerclgitatc practice:
(a) cu dou tiristoare auxiliare integrate n configura
ie cu simetrie circulara ; (fi ) configuraia snow-flake
(fulg de zpad) cu un amplificator de poart integrat;
(c) configuraie de interdigitare poart-calod In form
de evolvcnt.
Fig, 2*62. Sciema cehival-en-
ift simplificata a unei strue-
tur inierdigitate UUziic im
amplificator do poarta (irUtor)
auxiliar 4 pentru amorsarea
simultan a tuturor zonelor de
atee! ale tlristorului prin
cipai T .
I U *
V
\ * v
<y- AAAr
*
K
O
- __I

in conjuncie eu ampli fi catoare de poart i ntegrate (vezi figura 2.61)*

Pin schema echi valenta a unei al tfel de structuri (vezi figura 2.62) rezult
c tiristorul auxi l i ar T A amorseaz si multan ntregul tiristor principal
Tp. Cu astfel de structuri se pot obine capabiliti n dt/ df de peste
lOOOJ t/ ig, n condii i le unui ctig substanial la amorsare <?. E ealizarea
structurilor i nterdi gi tate pe plachete de siliciu de diametre date conduce
I ns la di mi nuarea ariei utile a catodului.
2.11. Modaliti de comutare m starea de blocare
Cnd un tiristor se afl n starea de conducie direct (o)> toate cele
trei jonciuni ale dispozitivului snt polarizate in direet (vezi figura 2.41)
i, n consecin, cele dou baze ale dispozitivului snt puternic saturate
cu purttori minoritari (goluri n baza %, electroni n baza p2). Trecerea
din starea de conducie (on) n starea de blocare direct (of f) implic eva
cuarea sarcinii electrice a purttorilor, stocat n cele dou baze, astfel
nct jonciunea J 2 s-i recapete capabilitatea de blocare a tensiunii n
direct VD. Comutarea tiristorului din starea on n starea off se poate
realiza n mai multe moduri.
2.11.1. Blocarea prin scderea curentului anodic sub valoarea I H
Tiristorul poate fi blocat prin scderea curentului anodic i T prin
dispozitiv (curentul de sarcin) la o valoare cu puin inferioar curentului
de meninere I H (vezi figura 2.33). Reducerea treptat a curentului anodic
ir la o valoare critic (!#), -care s declaneze comutarea tiristorului n
starea de blocare n direct, nu este folosit direct n circuitele de for,
care utilizeaz aceste dispozitive. n aplicaii practice ale tiristoarelor,
bii^ae cestor dispozitive datorit scderii curentului i T sub valoarea
curentului de meninere I H (datorit, de exemplu, creterii brute a re
zistenei de sarcin RA, figura 2.33) constituie un mod de comutare para-
PlfCirea prin aplicarea tensiunii inverse anod-eatod
(%iiitlt^6' tMsto&relor convenionale din starea de conducie direct
bloe&re' se efectueaz ,,forat prin aplicarea unei tensiuni
kt'd [14] (vezi figura 2.63). ntr-o serie de aplicaii
practice, tiristorul este amorsat la aplicarea pe anod a semialternanei
pozitive teftSititoi(i e!la^entare. Blocarea dispozitivului se produce n
sftfilt'fMinfa rt^tiv^a ^ tnsiunii de alimentare (vezi figura 2.63).
^Bktfrit fltptuhu-ea baza nL este groas i slab dopat, cantitatea de
hi' acest 'strat .i timpul de via al golurilor rP joac un
H i)i1iftordil \ fr fcraei^a $ro<*esului de blocare al tiristorului. Intruct
Ti^til d^gMur ;p i i i ; trudUiTi este proporional cu sarcina n exces din
b&f Mitriltului prin dispozitiv se poate scrie for-
a 4 m w ti
f (2.83)
* i? f
r f I I 1 f -'*6
: ' a 3-S*
V f 8*5 g g:S t -
fe %fr* 1 -a.a 5j
*#,**4 * ! p
5, S C i t t c E . C .
n I P * r *
H i
ft 2 >3 i *
tr i a -
I* % S' 11
i n n
4T m* *****
'
f
t
t
t
f
i
)

m
\
*
*
s
f

~
*
t
m

t

n
m

*
n
t
i
l
L

T
y
t
|
M
#

*
#

*
*

*

j
o
w

*

\
n
m

n
k
p
m

f
n
p

w
!
o

*
f

"

Timpul de blocare *poate fi micorat eu mijloace externe (de circuit),

prin aplicarea unui semnal negativ de valoare redus {V GR = 2 . . . 6 V )
intre poart i eatod la afirmi tul procesului tranzitoriu de bloeare, Acest
mod de reducere adiional a timpului natural de blocare aL tiristorului
ga numete blocare asistata de poarta {gale agsisted turn-off). n tiristoarele
eu blocare asistat de poart (vezi 2 , 1 0 ) reducerea timpului t, provine
n principal din faptul e negat ivarea porii in raport cu catodul n faza
final a procesului de comutare deviaz in circuitul extern o parte nsem
nat a curentului parazit (vezi 2.9.1 i 2.14.2) generat n structura
dispozitivului de tensiunea VDreaplicat& Canalizarea acestui curent nspre
circuitul extern poart-catod previne polarizarea n direct a jonciunii
14p2 i declanarea procesului regenerativ de amorsare nedorit a tiris-
toruiui.
2.11.3. Blocarea pe poart
n principiu, toate tiristoarele convenionale pot fi comutate din
starea de conducie n direct n starea de blocare prin aplicarea unui sem
nal negativ ntre poart i catod (vezi figura 2.64) fr inversarea polari-
F i g. 2.64. Principiul blocrii pe poart a unui tiristor i simbolul dispo
zitivului GTO.
tii anod-catod (ca n cazul discutat n 2.11.2.). Procesul tranzitoriu de
blocare se bazeaz n acest caz pe extragerea, prin terminalul de poart,
unui curent substanial (I Gn) din structur, care are drept consecin
i i fUn $aufiep;n OmoeiMtnrillfki blWHtftur
P fapabiii&l i r d c feloetire M dir**-t W* tfU
*& toi ai . qproimsuii t/ blatswiiteiil^tirtshfi^*^rt^l#^efmHl
iritmiv (2 ki\ ylitMt pe^ourt atewiuiliftdiv^^mHtil U* tfMfttff'W uHH
teW&wlot" # n di de aatur^id fei *ce* i 4 ^eW0m
^Wi cu r tnt* l i # uf fet fPitapajl kZte biocare po p^rft a
a^Mv mi lattmM reto%; c unei t <aimdiitwtio a *ouwmtohitu i 1
<mm&.$Uai mare. Timpul dejbkeaiie'ise poirtl-^ Ifi. unk*Uib i t ' ^w n S ^
iti mte dii'eut }iro$oriem cu itat&Ul* ero'fbm* & 4^ii^Hill 'dii^cte* dmJ fl-
^^pji |it%jispoxfciv iit ithifpai >r<siiliii t cevniufrare din
offa/ HbfptiUwelerHprtiikLibe!* ^Paebtttv ^HHnl pM t i l ! fWfSSL
1 onti ci .la cil i tu i o i po&rt& .ni n*etltfrevM&fcM -sr&prde - i-n tted-
mite tirtoare cu blocare pe poart (OTO = gate turn-off thtffMf$r
vezi 2.18). n aceste tiristoare specializate, care au parametrii electrici
standard similari cu cei ai tiristoarelor convenionale din .acpeasi, .clas
(arie de catod i capsule identice), termifotW'kld^pBdMft'lw) ste tizat
att pentru amorsare (cu impulsuri I Gf pozitive), cit i pentru comutarea
din qta m^i ^ p sarta.qff (ou impulsuri do* J i^gative); Pentru meninerea
J t , Q & d e p & a i i nsi gnel or &jO-mi este necesar^limeiLtee^ ^u
pfkijfit a pQiii dispozitivului. i^jT) boiK) i? fttioq ixtai : *<i
Utilizarea tiristoarelor GTO este avantajoas intr-o serie de aplicaii
de for, n t r ei t ea ofer flexibilitate n proiectare, permind totodat
simplificarea Circuitelor electronice de comand (vezi 2.18). E xist o
deosebire p r i S i piala i funcional nx^ti ^'i ^ar el e cu blocare pe poart
i GTO) i tiristdarete cu blocare asistat de poart (G A T T ==gate assisted
turn-off thystors) . in care semnalul negativ e%te aplicat pe poart la
sfrsitul procesului tranzirin de blocare declanat de inversarea tensiunii
anod-catod, n vedereajffeduerii. timpului de blocare tq (vezi 2.1 1 .2.
f i 2.14.2).
l er eyr ed
m V / ^ - r ~ /
&
2.12. ( llroruimenlul dinamic al tiristoajArir
w
m .
2.12.1. Comportamentul dinamic roTOTOarelor la amorsare
Comutarea unui tiristor din starea off (blocare j n starea on (con-
ducie direct) implic creterea curentului anodic in cursul procesului
tranzitoriu la un nivel critic care s asigure de/ i n p'e procesului rege
nerativ de basculare, controlat de cele dou l aj pstoar eipup i npn)
componente alo structiuii dispozitivului. n riguros/ condiia de
amorsare a unui tiristor se exprim prin [6, '&w\
WUKHMMM&- (2.85)
unde i aupn snt factorii de ctig n curent nsemnai mic al tranzis-
toarelor pnpf respectiv npn, componente ale Structurii pnpn. I n comparai
eu relaia (2.67), condiia (2.85) indic o eclanare a reaciei pozi ti ve
mtrinseci l a ua juivel mai sczut?al] evirentului prin struotnr, ntrucit
factorii de ctig la semnal mic (? ) crfesc mai rapid cu curentul (vezi figura
H dect omologii lor statici a (de c.c.).
K s diiiipunci iie v-edei-c formal Comisia.* wi$u-
^ uni dispozitiv pnpn prin oricare din moriuriki; Haie
-4in ifmw&i of f m starea i4wi>(^ i f iS.r8:.t^tii i .9^n oj. iuau n
, Oomu area* unui tiristor din starea, of fin starea on prin aplicarea unui
impuls do amplitudine 1Gf m pe poarta dispozit ivului se efectueaz intr-un
timp tiuit, denumit timp de amorsare (lurn-on Urne) (/ ??). Procesul tran
zitoriu de amorsare de durat t0nWv)> declanat prin aplicarea pe poarta
tiristorului a unui impuls pozitiv de comand este caracterizat prin feno
mene fizice distincte, corelate eu urmtoarele componente principale ale
timpului de amorsare (figura 2.65) [4, 0, 14]:
1*
F ig. 2.65. Formele tipice ale curentului i tensiunii anodiee n cursul
procesului tranzitoriu de amorsare a unui tiristor pe o sarcin extern
, n - reziUv. (Forma curentului anodic prin dispozitiv la comutarea pe o
sarcin inductiv este schiat punctat).
timpul de ntrziere (delay time) td, care caracterizeaz ineria
dispozitivului n rspunsul su la semnalul de comand aplicat pe poart.
Prin convenie, timpul ta dureaz din momentul aplicrii semnalului de
amorsare pe poart pn cnd curentul anodic crete la 10% din valoarea
sa n starea de conducie direct I T- Datorit variaiei reduse n timp a
curentului i a tensiunii anodiee Vn pe dispozitiv, puterea disipat pe
tiristor n decursul timpului U este relativ redus* Timpul de ntrziere
U al unui tiristor are o scdere pronunat cu creterea amplitudinii I GFM a
impulsului de comand aplicat pe poart (figura 2.66) la o durat cons
tant (ti) a acestuia. Timpul ta scade, de regul, i cu mrirea ratei de cre
tere a curentului pe poart (%oFft);
timpul de cretere (rise time) tri definit ca intervalul de timp n
care curentul anodic i T crete de la 10% la 90% din valoarea sa final
I , Creterea abrupt a curentului anodic i T in timpul fazei tr este nso
it de variaia rapid a tensiunii Vn pe dispozitiv. Ca urmare, n timpul
tr al procesului tranzitoriu, pe dispozitiv se disip o putere apreciabil.
Supraheo!zirea local a 'dispozitivului datorit densitii mari da putere
disipat pe tir ist or n cursul fam fr poate conduce Ia distrugerea eectro-
temi* \ a structurii pnpn prin efectul dttl f (vezi 2.10) Conectarea unei
inductane L de valori reduse
(de ordinul fiH sau zeci de uH)
conduce Ia o ntrziere a crete
rii curentului i T (vezi figura
2.65) fa de intervalul de timp
n care se produce variaia pu
ternic a tensiunii anodice VD.
n consecin, puterea disipat*
pe dispozitiv este diminuat prin
defazarea artificial a interva
lelor de timp n caie au locr
scderea tensiunii V D, respec
tiv creterea curentului i f. Aceas
ta soluie, care ntrzie de fapt
intrarea efectiv n eondueie a
dispozitivului, are o serie de de
zavantaje prezentate n detaliu
n 2.9.1.
9 ti mpul de r sp ndi r e*
{sprecdl ng ti me) ts care caracte
rizeaz durata procesului de cre
tere a curentului i T de la 90%.
2 4 6 8
I&RM [A ]----
Fig. 2.66. Dependena experimental tipic a
timpului de intirziere la amorsare de ampli
tudinea semnalului de poart (I cf m) cc_
mutarea unui tirislor de 2000 V clin starea de
blocare direct n starea de eondueie la un cu-
rett J r ==200 A pe o sarcin reziti v.
la 100% din valoarea sa final.
Prin convenie, ti mpul de amorsare tat este format din suma timpilor
S| r-
Componentele td, tr i ts ale procesului de amorsare snt specificate
in cataloage pentru un curent final I TM egal cu valoare eu curentul mediu
nominal al dispozitivului (I T(Av)) i pentru anumite valori ale amplitudinii
(I GM\ duratei (tf) i ratei de cretere (d i GF/ dt) a curentului de poart.
Se specific, de asemenea i valoarea tensiunii anodice V D in starea de
blocare, precum i cea a rezistenei de sarcin.
Puterea i nstantanee pcJ i ) disipat pe tiristor n cursul procesului
tranzitai iu de amorsare (vezi figura 2.65) se exprim prin produsul dintre
valorile corespunztoare ale curentului i r (t ) si tensiunii v^t )
(2; 86)
Energi a E 0.m care conduce la nclzirea tiristorului n timpul amorsrii^
se exprim prm
:
V
i {2M Y
iWnmnke s-a meninut din pe\ oiid. i cind e coiWUera c. rspintlirea couoc*
l el de~ii iii gu! e&&Him ' 2.10) ar* lwc In principal In eviriitl timpului . Dup cum s-a
^t l a 4 u r i oi iniiale $c etmcluoie ist Uir^et ure )oe n cursul 5ntregM perioade a.
pr^ce iuiui >. cyns^ij.iV,. deuuniu>-AA& /?./d rxf iudve (u conduc ici ), car$ s*a%
ftfwraTf*'itMur,. sie lipsit suportul ei 'fi ki c i ni i at
9
i{] | | nniy Uialt** '*-j cit 4iaalu ptmv-ului tte amor*are te
i
Proc**-su* t in de a moi va re t*e iniile Iu sfir&it ul fazei t, (figur%
EBpEL :
..imri-.au suprafa a eatoduhii se aftl m condcteie diw*t^
H H tev iunea pe diapozitiv scade la valoarea VT;
V i t) Unite jonciunile diapozitivului sint polarizate in direct (vezi
H I
I Particulantile fitiicMoiiani tirlstoreli&r la amorsare & pot rezuma
astfel:
#) Pai ametrii semnai ului apli cat pe poart (i a special amplit ud in ea
J wir) influeneaz practic mi mai componenta a timpului de amorsare;
B1 h) Timpul de cretere tr.este determinat in pri ncipal de geometria
vertical a dispozitivului (grosi mea i doparea cu i mpuriti a bazelor),
f&d evasi-iii dependent de parametri i semnalului de comand aplicat pe
poart;
e) Durata timpului ts (vezi fi gura 2.05) este condi i onai numai de
l l pat ktea curentului anodi c pri n structura pnpn i n faza n prin interme-
vitezei de r&spndi re a eonduci ei (vezi 2.10);?
1 n cursul timpului tu curentul pri n structur atinge, de regul,
Tioarea curentului de agare D e l a acest nivel al curentului prin
timtor, procesul tranzitoriu de amorsare al dispozitivului este controlat
luetic exclusiv de aciunea regenerat i r a celor dou tranz ist oare compo-
ae&te ale structurii pnpn, fi i nd eva >i-i ndependent de semnalul de poart.
B coasecin, la o valoare dat a ampli tudi ni i semnalului Igfm* utilizat
1 procesul de amorsare al ti ri storului pe o sarcin rezistiv, durata im
pulsului de poart trebuie s fi e cel pui n egal cu timpul necesar stabilirii
prin dispozitiv' a curentului Ir,. ntreruperea impulsului de comand pe
jG&rt dup ce nivelul curentului anodi c depete valoarea I L nu impie
t a desfurarea n continuare a procesului tranzitoriu de amorsare;
e) Micorarea timpului hi (vezi figura 2.65) prin mrirea amplitudinii
^SBiialiiliu I GFM aplicat pe poart implic o iniiere mai rapid a fazei t,
J procesului tranzitoriu. Datorit localizrii eonduciei curentului anodic
Iftfaza t4 pe o arie extrem de redus a <a Iodului (vezi 2.8.1 . i 2.10)
tifrbirea nceputului componentei tr favorizeaz supranclzirea local
^Mitoiii'elor n faza tr datorit densitilor considerabile de putere disi-
M p* Astfel. supracomanda pe poart, menit s reduc valoarea
Hu^aeiitei tdl 'provoac o cretere a densitii instantanee a curentului
iu faza tr po o arie iniial in CQiidueie restriis, favorizind dis-
e^ctroteimic a dispozitivelor prin efectul di/ df (vezi 2 .10);
ft.U u diapozitiv cu o valoare a pai amet nilul Ic,t l i t deci
^^m ^l p g i b i l la semnalul de amorsare pe poart, este inerent sen si-
parazite iutei ne generate, de exemplu, de (J adul V(di
J m H
2.12.2. Comportamentul dinnmiv nl tiristoarelor tn blocare
Fenomenele principale care nsoesc dinamica procesului tranzitoriu
de blocare a unui tiristor pe o sarcin rezistiv prin inversarea brusc a
polaritii tensiunii anod-catod sint urmtoarele (vezi figura 2.67)
(4,6, 14].
P1
Pa
r zi
n2
+J F -
Q -
F*ig. 2.67. Filmele de und iciculc ale tensiunii (a) i ale curentului-(fc)
I i i *u cursul procesului tranzitoriu de blocare a unui tiristor pe o sarcin
rezisUv prin inversarea brusc a polaritii tensiunii aplicate Intre
auod i ca Iod.
a) n momentul i = 0 pol ari tatea sursei externe de tensiune se modi
fic abrupt la val oarea ~V R. n pr i ma faz a procesului tranzi tori u de
bloe&re (pn& n momentul t = t1)f curentul invers prin di spozi ti v 1R este
l imitat Ia o valoare evasi-constantft (I * = Vr/ Ba) de rezistorul de sar
cin* J tA. Bazele % i p2 ale dispozitivului snt saturate eu pu rttori miu-
ri tari fi toate jonciunile (J Y1 J a, / ) snt neil pol ari zate n direct.
b) tu momentul t = tv concentraia de electroni (purttori minoritari)
baxa p8 n vecintatea jonciunii J 3 devine nul. n consecin, zona
e sarcin spai al a jonciunii n2 pt ncepe s se extind ca urmare a
polarizrii n invers a acestei jonciuni. Pe msura creterii tensiunii inverse
pe jonciunea J 3, curentul invers prin tiristor scade, fiind determinat n
momentul t = t2 de relaia [4]
I R = y *r(J 8) (2.88)
Ra
unde Vzvws) este tensi unea de strpungere n avalan a jonciunii J 3,
avnd valori tipice ntre 10 i 25 V (vezi 2.5). Revenirea (blocarea)
cu prioritate a jonci uni i J 3 este dictat n principal de timpul de via
sczut al purttori lor minoritari n baza p2}relativ puternic dopat.
e) n momentul t t29cderea de tensiune constant pe jonciunea
J v egal eu tensiunea de avalanVbv(j^ este nseriat cu tensiunea aplicat
pe seciunea p2n1p1a dispozitivului. Curentul invers prin dispozitiv este
constant, av nd o valoare dat de relaia (2.88). n momentul t = tz con
centraia purttori lor minoritari (goluri) n baza nx n vecintatea jonc
iunii de anod (J j scade la zero. n consecin, zona de sarcin spaial
a jonciunii Pxnx ncepe s se extind, aceast jonciune polarizndu-se
n invers.
d) n i ntervalul t2.. .t4, dispozitivul se comport ca un tranzistor
pnp eu baza n gol, avnd drept emitor stratul p2al tiristorului. Creterea
n timp a tensiunii inverse pe jonciunea este nsoit de expansiunea
zonei de sarcin spaial, n principal n baza nv Simultan, n zonele neutre
ale bazei nxare loc recombinarea purttorilor minoritari. Datorit acestor
fenomene, curentul invers prin tiristor scade exponenial la zero;
e) n momentul t = 4, procesul tranzitoriu de comutare forat a
tristorului din starea de conducie n cea de blocare este ncheiat:
curentul invers prin dispozitiv este practic nul. n bazele dispozitivului,
in special n stratul nxexist ns o cantitate substanial de sarcin elec
tric rezidual, asociat purttorilor minoritari. Dispariia acestei sarcini
prin recombinare are loc cu o ntrziere, care determin durata intervalu
lui tAtb. Keaplicarea tensiunii de blocare n direct (+ pe anod i pe
catod) nainte de ncheierea fazei ?5 conduce la amorsarea parazit a
tiristorului (vezi 2.11.2): aplicarea tensiunii n direct cu o rat de cre
tere {dVDjt) determina trecerea prin structur a unui curent n direct,
eare conduce la ndeplinirea condiiei (2.85). Acest v r f de curent,
care scade exponenial (figura 2.83) poart denumirea de curent de reve
nire n direct (forward recovery current), fiind similar curentului de revenire
n invers. Valoarea acestui curent este direct proporional cu rata de cre
tere (dFp/ di) a tensiunii anodice reaplicate.
; * Fenomenele asociate reamorsrii tiristorului prin aciunea curentu
lui de revenire n direct snt similare cu cele specifice amorsrii dispozitivu
lui datorit curentului de deplasare indus de efectul dV/ t ( 2.9.1): flu-
K incipient de goluri, injectat de jonciunea J v strbate baza nx i
fcjtingnd prin jonciunea J 2n baza p2J polarizeaz jonciunea </3 suficient
puternic pentru a iniia o injecie substanial de electroni din stratul
%n p2. In cazul cnd curentul de revenire, n direct are o valoare suficient
mare, ndeplinirea condiiei (2.85) conduce la reamorsarea tiristorului,
dispozitivul nu reuete s ajung n starea de blocare n direct.
101
loUiia este jubviuut numai iu trasul cnd eureutu) datorat
w&i -i e&plieate im reuete s amorseze iw-cideiiW tuistoruL
I>im*** >/ hntliv* hupa! de bkxare it al un iii lirivtor (figura 2J j 7) dureaz
du: ^ , ' t - 0 pinii C* i - - l s r, -..-/.i ,i 2.11.2).
( a Cftien ui clo revenire in direct, timpul t,7 se mrete od at
<u fats* dt* *n w $ tensiunii anodiee reaplieate (dF p/ dl) l -eiV-teiiiperai
ura f ; i st met util pnpn. Din punct de vedere practic, timpul de blocare
f ai pi i fi tisJ or la - 12 VC este de aproximativ doua ori mai Ittng
w d t la 2.V(\ n principal datorita Tendinei timpului de vi a al purt*
torilor minoiitari de a crete cu temperatura, precum si contribuiei spo~
M i B x alici ii t i^eci v la cantitatea de purttori da baza. n%
Htte acu creterea temperaturii,
Timpul t? est o de asemenea sensibil la condiiile de circuit in care
opercv. tii izvorul. Tretvjie remarcat faptul ea alunei cind tiristorul
fu K tl o; a t ui clii vie ie comutator electronic (otijoff), temperatura
taiet ui i i pe axele longitudinala i radul nu este uniform. Al tfel ,
sy^ielc t a ioduiui aflate in imediata vecina a te a pori i au, de regul, o
t^eapei aii u superioara regiunilor de catod, .situate i n i i depar te.de ter
minalul de comand. Ca urmare, n momentul n care di apozitivul se rea-
morocaz parazit prin efectul d Y d t dinamic la finele fazei t1) eondtieia
iii^ii la a curentului anodie prin structur se stabilete extrem de locali
zar i neunform, de preferin in zonele cu temperatur local mai mare.
o asemenea amorsare prezint riscul distrugerii dlspozitivu-
H f t j f f e ' i i / d i dt (vezi 2.10). r
L axi s ta dou' modaliti principale de reducere a timpului de blocare
2.11) i tehnologice tei., de circuit (externe).
Metod ;1tehnologica- da,reducre a timpului tg se bazeaz pe faptul
1 durata acest aia este direct proporionala cu timpul de vi a t p al
purttorilor minoritari (goluri) n baza nx (vezi relaia 2.84). Relaia
dintre 4 .i Tp utilizat n practica este [15]
tg * 10rp (2.80)
principale de micorare a timpului de viaa al purttorilor
minoritari m h r/ j.U1% i p. sint detaliate n 2.14.1. I ntroducerea centri
lor de recombinare micoreaz atit durata iJL/4, ct i n special compo
nenta tr-fa a timpului de. blocare tq (figura 2.67). Diminuarea intervalu
lui i 4/5al timpului ta poate fi obinut prin aplicarea unui semnal nega
ti v pe poart (a de catod) la sftritul procesului tranzitoriu din starea
o# iu sfavea oft. Acest mod de comutare poart denumirea de blocare
mwtqt de poarta, (vezi $ 2.14.2.).
und din figura 2.67. srit ideale. n practic, forma reala
i^^urciiiiuui in timpul procesului tranzitoriu de comutare din starea on
in start- o/ f este influenat de ; (a) rata de cretere (fi ni t) a teiisiuuii
iayctse ' \ 'J :) aplicate pe dispozitiv n momentul t = 0 ; (b) priculari-
arii intrne. a dispozitivului (profilul de impuriti), adnci-
mea j^ieHunilcr, timpul de via in baze etc.); (o) caracterul preponde-
^ J mleetiv al sarcinii efective din circuitul extern.
| .lisura 2J 8 esie prezentat forma, tipic de vari ai e a curentului
i&vprs.-k tjui^^/ ^pro(esul:.ui tranzitoriu de blocare al. unui tiristor pe o
i| re^kiiv real (avind iuereut o inductau paraait),
' ^i i wtu l prin diapozitiv scade de la valoarea I TM la valoarea maxim
rers j w cu o rat (dt/ df). Timpul in care curentul invers crete <ie la 0
valoarea m negativ maxim (I r m) cu rata (di/ d*) poart denumirea da
F g. 2.68. Fermele de ur.d ale curent ului n <ursul procesului tran-
zi torm de blocare a unui ti r i s cr pe o sarcina rezistiv reala prin
i nversarea tensiunii aplicate ntre aiicd i ca l ed. (P e curba curentului
i nvers snt indicai parametrii principali ai procesului de revenire").
timpul de stocare n volum (volume storags Urne) r M i se exprim prin [19]
4. Irm ,
(ijdt)
<2.90)
Dup atingerea valorii sale maxime (I j l v), curentul invers prin tiris-
tor seade de la zero n timpul de cdere (fall time) t% a dlrui valoare
WnWh
i y i . 1um (2.9i )
(dildt)r,c
se determin, poli ivit conveniei, prin extiapolarea la :/ ro a dreptei care
unete i?j^ cu punctul de ccoi donaii (0.25 / ,V).
wi Tim pul de reteir# n invers (reverse recocer y tlme) trr%exprima durata
iniei valului dintre cele dou ieceii .pi in / ei o ule cui intuim lavei a prin
4i^>oxitiv. Ou 3tl tl iie (,0) (2.91)* timpul de revenir trr Hi txpuma
prim 4, 18]
+ t/ = hm ( r"- -4 '"' 7" V
\ (dt/ dO (%!t)f4 f
fnd d i n ei pi opoi i on al cu val oarea maxi m a enrentului i nvti * {I r m)
| i i nvers pi opoi i on al cu l atel e de vari ai e ale cmcul ul ui i n v u h (4*7 iMi.
H i dt/ d )r<.
t i m p u l de j eveni i e t efcie di i eet popori oi i al eu y ^i i i a stocata Q#
I B H g p *t* i pt ale tirtetorului. Sarcina el eet i i ey * | i $* ICi, 1T|
Q*
I

S gpfo. eu aria triunghiului avhid drept baz timpul |rrf iar ca nlime
curentul f^u (vezi figura 2 .68).
Puten\ i instantanee dini pat l pe tiflelor ta cursul procesului de blocaii
se exprim prin produsul dintre valorile coresp\ mzatoare ale curent ului
i ^i ) i tensiunii rR(f) inverse
p*i f - U t )
Energia Erih care conduce la nclzirea, tiria torului n timpul procent
lui de blocare, se exprim prin
Vr
i . ft = ^Port *if (2.95)
o
fiind eu aiit mai mure, eu et durata procesul oi de revenire (trr) este
mai l unga.
Centrii de recombinare (vezi 2.14.1), utilizai pentru reducerea tim
pului de blocare t9, acioneaz n principal asupra componentei t a tim
pului de revenire trr (vezi figura 2.68). Pentru caracterizarea eficacitii
reduceri i timpului de via al purttorilor minoritari n mrirea vitezei
de blocare a tii ist oarelor se utilizeaz parametrul & (snappiness) [19]
$ (2.96)
eare are valori subunitare. n funcie de valorile parametrului S reveni
rea (l a zero a curentului invers) poate f i :
lin sau moale (soft reeovery), atunci end tf are valori relative
(la t^x) mari, adic rata de revenire a curentului invers (di/ dl)rec este redus
(vezi 2.12.8).
brusc sau abrupt (fast reeovery), atunci cind f are valori relativ
reduse, ceea ce implic o rat relativ mare de revenire a curentului invers
{d*/ df)w .
n vederea obinerii unui timp de blocare ta mic, timpul de revenire
trr i parametrul 8 trebuie s aib valori et mai reduse.
T i i i stoarele cu revenire brusc (abrupt) prezint inconvenientul c
favori zeaz apariia unor .supratensiuni n circuitele de for n care snt
utilizate, datori t vait i i l or relativ mari ale produsului L(dif t)ree. n
consecin, in circuitele de for cu sarcini inductive snt de preferat tiris-
toarele cu reveni re lin. Dispozitivele cu revenire lin (valoare relati v
mare a parametrului 8) snt, n ordine: tiristoare normale (fr centri
de recombinare, uti li zai pentru mi corarea timpului de vi a), ti ri stoare
dopate eu plati n, aur, cele iradiate eu electroni/ neutroni (vezi 2.14.1),
i nl nd n ^m a de relaii le (2.90)-r(2.93), parametri i pri nci pali al
procesului ti anzi tori u de blocare se coreleaz cu parametrul 8 astfel :
] [ 2QR(dil&t)
I n* - j - r +8 C3-T)
/ di \ di'dt
V m L ~ . ' >7 , {2-m >
2.13. I imitri n frecvena i putere
I>a vite** de comutare reduse, tir istorii! e*te. d<* regulii, mat eficient
decit tiaiizmto ni bipolar. n aplicaii industriale, caracterizate prin
comutarea nor tensiuni i cureni de valori mari, tiristorul e#te ^referat
tranzistorului la frecvene de funcionare ie / 50 Hz pinii la 400 Hz*
Utilizarea fimtorului in aplicaii de circuit la frecvene / superioare cm te
limitat de timpii de comutare (f, i *v) ai dispozitivului. Puterea disipat
de tiristor in regimul de comutare al curenilor si tensiunilor de nivele mari
este direct proporional cu valoarea timpilor de amoi nare/ blocare i cu
frecvena de lucru / .
2.13.1. Limita teoretic a frecvenei de lucru
Limita teoretic a frecvenei maxime de lucru f ma unui tiristor
pe o sarcin rezistiv, dictat aproape exclusiv de timpii de comutare,
rezult din curbele de variaie n timp ale curentului anedic i tensiunii
pe dispozitiv Sntr-un ciclu de funcionare on/ off (vezi figura 2.09).
Fig. 2.69. Formele ie uncia ale curentului oadie i tensiunii nnmliec Iu cursul mu i viciu
de funcionare a tirisloruiui in re^im de cornul aa* {ttfoff v finii).
n cadrul procesului dinamic ilustrat n figura 2.09,1 iris torul trece succesiv
din starea de con duet ie (on) n starea de blocare (ofj) si apoi, din nou,
in cea de conducie n direct. Formele de und ale curenilor i teriMunii
in cursul procesului tranzitoriu din starea on n starea o/ / , respectiv din
in cm, snt comasate n figura 2*09 pe baza determinrilor din figura
2.65 i figura 2>68. Curentul n starea de conducie dim*ta este l iMf iar
valoarea final a tensiunii de blocare In direct este Vrii. Durata proceselor
tranzitorii de blocare i respectiv de amorsare este substanial afectat
de rata de variaie a curenilor prin dispozitiv (figura 2,09) ros-
pNeciv dijt, Ponderea principal in cadrul proceselor tranzitorii revine
timpului de blocare (comutare din starea on n o/ / ), care poart denumirea
\ /
* /
de timptd (U revenire in direct (forward recovery ti me) i /r. A cest timp are
trei componente' (vezi figura 2.69) [6 ] :
Considerind c, n cursul unui ciclu de funcionare n regim de coroti-
taie, timpul de amorsare (tgt)9durata fazelor in decursul crora tiristo-
rti se afl in strile on i off nsumeaz un i nter val de timp, cu o valoare
cel mult egal eu tfn perioada minim T m a unui ci cl u de comutare este
Tn z 21fr. n consecin, frecvena maxim de funcionare a tiristorulni
n regim de comutare se exprim prin [6]
Se observ e la rate prestabilite de cretere a tensi uni i reaplieate
dF^/ df) i a scderii curentului prin tiristor l a bl oc are (din/ dPn frecvena
maxim fmeste: (a) invers proporional cu tensi unea fi n al de blocare
n direct (FBP} cu nivelul curentului n conduei a di rec t I TM ; (b) invers
proporional cu timpul de via al mi nori tari l or pri n intermediul
timpului de blocare % (vezi 2.12.2.). C apabi l i t at ea n tensi une (
= fjim) a unui tiristor este deci invers propor i on al cu frecvena
maxim fm.
Exemplu. Un tiristor cu I t (a v )I t m ~ Q 0A i VFB VDRMS00 V, avind un timp de
blocare f 18 jispoate opera la o frecven maxim fm 20 IcHz, in cazul in care eapabiii-
talea san {<\ Vjo/ di) dinamic este de IOOV/ jas, iar cea n (di/ d/ )=100 A/ as, ntrueit, conform
relaiei (2*100)
Creterea n acest caz a frecvenei fm poate l i obinut prin mbuna.lirea capabtWtH
ter Vgfi dinamic, respectiv n di/ df i/ sau prin micorarea ti mpului tg (vezi 2.14.1)
213,2, Limitri u putere ia reylm staiona? . Rezi stena termic. J gj
Puterea totala, disipat de un tiristor n regi m de ooiiaut&re slut10"
aa mexprim pri n;
tfjr =
(2.300)
dt
d t
2 tfr
(2.101)
100 A 800 V
100 V/ jj.s
2' (2.102)
1 1
2 tfr 5 4 ^)
Pi P T 4* (E e1>+ $Qft) f
(2.103)
La frecvene joase (50 .. .100 H z), ponderea puterii disipate n eon-
dueie (I V ) in valoarea pierderilor totale P d este dominant. Odaia eii
creterea frecvenei de comutaie/ , pierderile asociate amorsrii i blocrii
dispozitivului devin preponderente n relaia (2.103). n regim de funcio
nare staiionar, puterea total transferat de la dispozitiv spre capsul
este limitat de rezistena tei mic jonciune-capsul HthJ _ c a tiristoru-
lui, ceea ce se exprim prin l el ai a:
P t = = Ttl ~ Tc (2.104)
E
thf-
Pentru valori specificate ale rezistenei tei mice jonciune-capsul
Rm-c i temperaturii jonciunii T vJ ecuaia (2.104) predicteaz puterea
maxim Pd^lT(AV)VT pe care o pcate disipa un dispozitiv n regim de
curent continuu fr a depi temperatura Tv}= 125C. I n cazul func
ionrii dispozitivului n comutare ntr-un regim electrotermic staionar,
relaiile (2.103) i (2.104) predicteaz cu aproximaie puterea medie
care poate fi disipat fr ca temperatura medie a jonciunii s dep
easc 125C.
De regul, n timpul funcionrii uimi tiristor, capsula dispozitivului
se nclzete i deci T c^ Ta( Tc> Ta)*. Din punct de vedere formal, modifi
carea temperaturii capsulei micoreaz diferena de la numrtorul ex
presiei (2.104), ceea ce are drept consecin diminuarea puterii maxime'
5 9'
ZQthIStJ
>Rth(Cui
Ta
bt
F f g , 2 , 7 0 . ( ) S i r i : c i u r a M t p j i i F ea i a a u i u i : r ; r l r r f ; - r
pe im r a d i a t * r i {h) s cl s ei r . a sn t c i i i v a i c i i t u t o n i %L tc (
c'rrt it.
care poate fi disipat in regim el ectr oter mi c stai onar. .Pentru a maximiza*
capabilii &ti a in putere a tiiistoarelor, aeestea slnt planate, de regul,, pe,
H i adiat or metalic (vezi figura 2.70), care meni ne tcmpcir .tura capsulei
.1 1 valoare apropiat de cea a mediului unbiant. Kvaeintrea cldurii
fmdtt I n K<netura de sil ic iu de puterea di si pat se vfeetueex, fu
P TeiK|ier8tura inaxmadmisibil u eapfuUsi 'le
* i r
w j e T
(3.10$)
| g | | Uf m4uet iritate termicii a materialului implicat (W/Kctb\
H & i % i t J* mpeeti v leciunea/aria (om*) materialului
mrimii care intervin in (2.105) i cela cam
tW B etortrie*. Utiliitrid analogia dintre mrimile electrice
io conjwxi* eu figura 2 . 7 Q J) (tcmperatur-poteuial,
ctirwM, misii'n- Icimi<$.-rezisen eeetne&), fccmpia%-
f * *e exprim;! In aeent oa* prin :
*3 Tt 4* J Plf $lkiMfi4 ^ih(Mo) Hh nik[C%) -}- iL,/i(As)] (2.106)
mktKp* %m>-* / ^m *'ul rwsistenele termice ale plachetei de
ale coutj'acpi'trodului de molibden, am bazei de cupru i
Pentru ca rezistena termic a radiatorului (la-
| i fif ui din alumtoia) t& fie de valoare cit mai redus, aria sa de
1 lHi-.cni taxiul ambiant eu te maximizat.
B X p i # i m* *ubst<*nial:L redusa, asociat unei capabiliti
in rulere, este cai a{eristic pent ru tiriatoarele cu rcire pe
^Wm/ b jri aJ f (paiet. Structura unui asemenea dispozitiv (vezi figura
H P h M M l eu tarte presate cu o for de 1500 N/ cm2. Cldura
S/ Q
t .
I .
degajata iJ * pl ^'bcta,de mUcHi (Si) in irftrpt
cbU evacuaii: simultan spre anod i eatod, MaterkMe ntl&mte
cupru* vrcHirwa) au o bun conduct mHfce termicsl.
fd0^0%y
PiMrawtHJ trrmlH prteripaji { ntatrHatetf* u tU k M e Ist *a mtM t :
dspoi^iHi'ltjjf nntfMiiKtMe J ' M
Malrial
GftefMeot
tic clHfcUsm
teniie*
(iir*rO
HoKlisHvta^
lennfcfi*
i% miWhi
Ca^d
teratiteii,.
\isiumir4
-(WtCmfi,
Si
Mo
W *v
Cu
Ai?: ii
ai-; |
(>(}m
2,6
,#.4
4,&.
fi ,3
tf, 6
23.t
tlt.f
0,8fr
,2!
!*&
. %7fk
2,75
%,%
%,tt
M r
2r*
:.'3L.$;'
<- , ? -fi
Utilizarea molibdenului (Mo) in contact ia tu cu siiieiui iiijfuril#
2.70 i 2.71) se bazeaz pe faptul ca ambele materiale au v&km apropiate
ale coeficientului de dilatare termica (vezi Tabelul ,), Ca urmare dslata-
r ea/ contracia ambelor materiale la o variaie A f a temperaturii et$
aproape identic, ceea ce previne deteriorarea mecanic (fisurare) pla*
chetei de siliciu in timpul funcionrii diapozitivului. Folmirea uneori *
wolframului n locul molibdenului este justificat prin faptul e wolfra-
mul are un coeficient de dilatare termic i mai apropiat de cel ai ailfenjiat.
Schema echivalent termic de circuit astructurii:di*pozi ii vulniea\
contacte dublu presate (vezi figura 2.71.1) indic doua cai de evacuare a
cldurii din plachete de siliciu: grupurile derezUteo-e temiee i?* &u*pi*
siliciu spre anod, respectiv eatod, aSnt legate ia paratei, mieiforiBd &*f@
substanial rezistena termic efectiv slidu-ambiant (f^% -x i raH
Schema echivalenta simplificat din figura W l i nu mgJ ofceadk .
interfeele ur cate (dry interf&Ms), existente in ere diferitele pori coiittMivl#tfe.r
ale capsulei (Intre Mo i fcu, Mo i Si). Aceste interfee uscat*, eu vafewi';:
ale rezistenei termice relativ mari greu predietibi, eo*tuifeariara
Iu calea de evacuare a cldurii disipare in iun pul faaej&aiitirw^fului.
Valoarea rezistenei termice a attor interfee psaie fi I i plppi
mrirea* forei de strngere. Bliminar^a tofcd $
exemplu, prin plierea eontiaelecta4ttlui d#tuuliiMbu U i&cfefc# sili
ciu) conducla micorarea rezistenei termice cfective ^Ue-iu-Atufeftfit 4K
deci) la mrirea caj>abiljtfii in putere 1
Din relaiile (2,103) i (&1U4) m t M ea, in ^ M H | H
cureni fi deci'arii mari, rcz&jtenfr* iernne&
micorat iu \ a Ion le tipice alt*, nv ^lentelor
putere de arii mari f'rtfc ilustrate I I
diametre nominale de 2 meh i %
termicii total il a r e rezidena temttel
_____f PM
h ^ wnf* }>fivo#*r*ban feviti >sp03rit|vt* 1<m imidi n<Wp ^
pstr** *4I ** v*H afe rw mtiM finia il ai pinchen! dr sil I*.
!$M*
i p s i f ;;
!a wtrul ft.rin:'>n, fwm)
tMiH
'.O S
0,0 i
.
o,>a
t t>3
(i. tit
<>11*13
i i ?tiup m tfi anwi um>r plvh*tf' cu di&inetre nonVnale de 50100 tnin#
pim&tfi tezfctf'&fi H _, M* i'Hinimim7., o importan ere-
II . W<&umli i * enta ** unir i J e*,_r!*Uator-ambiant (ar h&u api).,
J Na*imfii timiH din Tabchd . ni p**dfieai pentru temperatura.
4t-*fcfkl # H6&K 'MT('). fmnic a. .silieinhu cade
I m primmM odat m rea tiMiip*r,,!iiiii (vozi figura 2.73). ITn
#pMtsBfst iiiuUyf tu n-iniH ? mu *. o i }M condiietivtut Ub trmico alo
oitb^.ate 45 cujirehii. .Wust a piopn-1, te a material* lo? implicate-
Kimtow; rs&eie pozitiv intrnseca * diapozitivului la excursii
Mut e tefQpMr*tut. C Hl twn pe? ritmo Mructurii tiristorulu este rtui
dUduiti dm dispozitiv se efectiicaz mai dificil,
f
FEEE
4
4L-.
~~i
fgg
ff W0 \
n*K j- *
^*Hr.ttfti dp ttmperat ur-
I riiidu-i, g I g S
bJ rm mi t e MI<5iu m ex,teru>r
M*)Uau?litwe * puterii \ **
M W
2.13.3. Limitri Iii remtiil **1('trot^rom tranzit etm.
impodana terni ied.
I n timpul funcionrii diapozitivelor n ' iir*mrt$ de?urett
I rin perul ui i maximii a joueiium (*ruet*rrii de^ilietiiJ 2W***
i i ** i t valoarea de 120O. Un regim tipic dt* fufttft fd tir^Uj^mm
este ilustrat n figura 2.T.T rureiitu prin diapozitiv, 4* fofiitai!fepttmi;1if*i~
TI
PI r
1 i
4r j i k ' I X l m - d Uj"ii ' a ' ..> i ^r 'i
c h ir- o u $reiat ii*wuai.iiB tiBKIK^^M
j/ ,; iii * b '{r f?
flit ;;.; **
l ar i i i ianplM adine suprrciar val oni m*du Iptj#,, dftlerDsifso essy&fljr%ie
r e a Wttiperautu joaeiuRH n jiumv B&iui j j ffi 1
per i oadel e de: con du cte ale dispozrth fthiit \ iloflHte
peraturii silieiului ( * d'pffojewe I VJ 3*CL
K&eirea structurii are ioc in t.?rvalele de fcg| ei&d { p sfaiSfc &a
iii stare do blocare {of\ , n u i 1. ^ aiurrii mui mm B 9j H l|
torte a dspo/ J tivi*it>f: Wi ^mpemtura | y & w n W & n i t | | |
sa ilejmisoa^'rt o v.uw,u>i tituii; ib) temperatura nu'die | joa^i** *- *
ciclu de funewuum* m, <>jf {figura '.13) nu tr^bub m
2rj i.2*TCi
KeuUa poate f ufilkaU rigori mm H f l w f M
sHtioiwU'. n ieguu de comutai# >a*ra*ideH H Tv i&$
ftiedii pe viu ejeti, o ti ?>f fi?' ftiMJ tmwTS ^|t
poalq,!' pTtitk'ii *d$fu*
peni rn o vttoaro k paterii HUljMta? mt&fc fo* ^ I MBLa
mm un;J J < J .*e tio M *urte, *&'*& f gM !
puterii di si pat e' pe dfepei 1i V
tn^tajatatu^ a -
1in tir' ea^^t4^i;;-
^i sfi i i ue fitipftH.mii eu rezistena iertnu*
g m^n i i element <*mwttutiv ul f4uicttiS
2.70 *i figura 2,71). Sehetnu echivalenta te
BriJ unui tiristof {'vezi figura 2.74) wte format*
(* flecar ****' P lVP <*orespunzin<i um^
U WWW * i * <?<meu al eapselei . Unu, molibden, cupru
toiiiis bfajitA la. jeftefiii* *irueto . de siliciu) n timijru
ftiKPP$
maleri.litiui MVa/c*T
p d
o f i l i i
*<?('4 rfi r&lum (etdumic), v^Wju
t peeificaU in Tabelul 2.2.
-AM r-
^V1" A^V*M." i
T
n?g'wii *k*ftrtrernM: tranzitoriu >sinic-
| ii| 2. Ui j i f^urM^Tl.c.
^ J | fc ttt4t*int tu acr i t reea termic ecbiva*
^ figura 2.74), n acent model ae neglijei&
J HHJ PPy-* IpS detefiHaattde trecerecurentului anodic prii*
S ^P^N. Cwalibderi, eupru ete.).
din figura 2.74 la un nalt treaptd*
I M * electrice similare la un impuls
p f*um 1,75 est ilustrat rspunsul termio
Pt 0 unei impedane termice %&{&*!
i**fit *1 capsulei dispoaitirului (tu eaiw
H B H f . i a a structurii liemiconductoar
j durata plinirii pitulai de putere efectuai/ t#drtp t* ietfe
neskU* e&racterbtiea procretiJ ui de inetic&re ai mm eondmmtoe. iet*^
i<a inKluniunee u inpe(ttrH n erlee meni* nt de timp S f i i }-li e*pdi*i&
l>ri.i) [4 !
STf m i m ( e
ufj<(<* Tt t'Ha vuloaim i ni i. si temperaturii .straetam U sfiritul <*&itlu* | | :
de putere i**, l , r 1 *e temperai ui a n jiiuia, de refrrmL'i, a ^r#eia*i &*j
momentul .tplicftrii imj>ul*u1tji de pfitere jP*, iar [4]
x tm
exte eon stan ia de timp femur determinat de prndtt-ful rnriniiijr expit-
naie de relaiile (2.103) | i (Mlt7i.
8-ji observ;* e4 exb-tvea eapai'H| n termice inHrzie er#terpa
de temperaturii ATf/ ) ia nplwsarea uaai alt. de putere. Timpal de r
*ire menionat exte dietat de eonstao*^de mp termici *&.
Xmpedar;a ternii* tranzitorie Z* in eazi <tif.'utat m exprini. '
prin [4]
Z M
ATr#;
AiC
i M i i
unde AT{t) este rnHpimsul termic tranziteriu, exprimat de lelaia
la saltul de putere Pg.
Se remarc faptul c, pentru timpi I mai miri tfeeii constanta detimp
termic t/A, valoarea impedanei termice Z,* este mult mfeiUMT, valorii
rezistenei termice core^ptmiuioare R<h. Canmina direet a aoaii$
constatri o constituie faptul c o valoare relativ mare a capacitii
termice CtA are un rol important n prevenirea creterii rapide a tem
peraturii n structura diapozitivului.
La ncheierea saltuJ ui-treapt de putere P* (vei figura %w% ti*ai-
peratura T(i ) seade dupa legea [4]
AT(t) a .-% , <1,11^)
Exemplu. O plitelieti do siciu cu 0tdnimen l *1<f!tertrn? '3#
ftvlc i>tt<P*/4 7cm" l ii l volum v$? 0^38 tft* Cn *?. materi. ^
r*ate{a (riilc /'fi cpi>oiUea termk C{| a plaeitirtei , pnfsrm (itifijj
1csprcUv (2.108), viitorii.
mm
mywM*
nm** t),s UW4 c./\v,
Cjfi * 1,75X0^3 ,!!*J rC
(nsfiuihj Io timp ItmiMI ut*, Mpf(i,i jclgfei (2.II*)1. v ^w i
t *
U.4 p t mI^W
Hthtumuf Hrmie OetmturtU ai plarhtlti dt pi4tk >
Consimt de timp termic od&rlatit ctmHnmte*b
2J P*U Otc.) cv/ r consitltrrahi mai mdM WM H 9 **8N#m,
torit* grosimii t (volamUui V) mai utare ai mteriaJ eHr
Rtum a.tiK . ; !
asem
.su pen
ia in]
(de o l
a p r o j
jone i
rai ii se
difuzii
reduc
sar pei
capabi
tura o
J
%tk( 0 <
putere,
pozitiv
iar sa
Hth i c
funcioii
tuiJ ine d
r&a de temprHAt ura A 7 a jonciuni) intr-un di*jwtxiUv ne*ip*ulat la un
*mh~r&9pt& tl6 putoh* & P* Mina forma din figura 2.75.n. Fi<^yr moment
de curba J \ t) este coroiat cu salt ui do putere A ^ prin i titrmodiii
tmfMs&n-ei termici* i mn r i i or ti , defi ni t de relaia (2 .1 1 1 K
Impedana termic tranzitorie Ztkt) a unui tiristor de putere tipie
mi# prezent a tii n figura 2.76. Dispozitivul este montat pe rai radiat nr
igfmit* eeea ee implica meninerea capsulei la o temperaturi* T e constant
t f---------------------
F 2.7">. i n i poi .ma i er nic t r a r i i t t r i r t ^i ) a unui t i m t t r ti pi c Ct pwtt r ,
i egal cu temperatura ambiant T a- Datorit gabaritului mare al unui
asemenea radiator constanta sa de timp termic r tk(t) este considerabil
superioar celorlalte constante termice, dominnd caracteristica Zik(t)
la intervale de timp lungi. Pentru perioade de timp suficient de lungi
(de ordinul zecilor de secundo), impedana termic tranzitorie Z tn(t) se
apropie d valoarea sa staionar, identic egal cu rezistenta termic
jonciune-capsul R,hi~-c- Pentru intervale de timp scurte (de ordinul
milisecumlelor %au chiar mai mici), eirnl putcua disipat P 4 provoac
difuziacldurii deg&jao, ui principal, doar in placheta de siiiciu impedana
Zt*(t) este piopoiional eu \ [4 J Utilizarea dispozitivului fr radiator
reduce atii valoarea rezistenei termice a ansamblului, cit i timpul neee-
s<ir pentru ea Zih{t) s ating valoarea sa staionar (dec i ineria termic) ;
eapabilitafcea in putere este ins, in acest caz, afectat, deoarece tempera
tura capsulei T r nu m ii este meninut la cea a mediului ambiant
V*(T C> Ta, vezi 2-13-2.)..
Datele privind impedana termic tranzitorie (vezi figura 2*?6)
derivate pe baza comportamentului termic la un salt-treapt dc
putere, pot fi utilitate n determinarea rspunsului electrotermic al din-
pozitivelor la o mare varietate de forme ale impulsurilor de curent, singu*
tetu aau repetitive. Componentele impedanoi termieo Zth (rezistena
H fi eapacit^tea *** termice) srit de importan major n nelegerea
fuftoionrii i utilizrii comete a dispozitivelor de putere intr-o multi
pb&m de circuite do for, in caro sini supuse la diferite regimuri do lueru
115"
Din orie prezentate rezulta c :
<*) Rezistena termic i f t* este valoarea maxima a impcdanoi ter
mice Zth. I u regim termic staionar Z th tindo la val oarea R th;
b) i n regim electrotermi c tranzitoriu eu durate i nferi oare constantei
de timp termice Ttin impedana tein ie Zth este ntotdeauna mai mic
deeit rezistena termic R ih, datorit prezenei capaci ti i termi ce Cik;
c) Valoarea redus a impedanei termice Zth pentru timpi pn la
ordinul milisecundelor (vezi figura 2.76) are meritul de a ngreuna crete
rea temperaturii n structura dispozitivului la un nivel dat de putere disi
pat P a;
d) n procese tranzitorii cu perioada de pn la ordinul milisecundelor,
constantele termice de timp ale siliciul ui i materialului aflat n contact
intim eu acesta (vezi figura 2.70 i figura 2.71) joac un rol important
in determinarea excursiei maxime de temperatur a jonciunii. Regimul
electrotermic staionar este controlat intr-o msur considerabil de
radiatorul utilizat, care are o constant de timp termic lunga (de ordinul
minutelor).
2.13.4. llejitnul de suprasarcin
Regimul de suprasarcin (suprasolicitare n putere) al dispozitivelor
este un caz particular al strii de conducie n direct (vezi 2.7) carac
terizat prin densiti ale curentului anodic mult superioare valorii uzuale
de 100 A/ cm2. n regimuri tipice de suprasarcin, densitatea curentului
prin dispozitiv are valori ntre 500.. .1000 A/ cm2, iar n unele cazuri de
civa kA/ cm2. Creterea cderii de tensiune pe dispozitiv, asociat densi
tii mari a curentului de suprasarcin, conduce la disipri substaniale
de putere care induc o cretere considerabil a temperaturii instantanee
a plachetei de siliciu. Depirea n regimul de suprasarcin a unei tempera
turi maxim-admisibile critice conduce la distrugerea electrotermic a dis
pozitivelor.
Potrivit duratei lor, regimurile de suprasarcin se pot mpri n
[16, 18, 23, 24].
suprasarcini de durate reduse, care se manifest intr-un interval
de timp mult mai mic dect constanta de timp termic a plachetei de
siliciu (miliseeunde). Durata practic a acestcr suprasarcini este de ordinul
x nau zeci de j as. Natura lor este, de regul, accidental, iar durata do
manifestare se limiteaz 3a cfceva cicluri de funcionare. n cazul unor
asemenea suprasarcini de durat redus, valoarea sczut a impedanei
termice tranzitorii Zth prezentat n aceste cazuri de dispozitiv (vezi
figura 2.76) este suficient pentru a acomoda puterea disipat.
suprasarcini cu durate avxnd ordinul de mrime al constantei
timp termice a plachetei de sil i ciu (ms), tipice pentru funcionarea dispo
zitivelor la frecvena reelei ( T 20 ms) sau multiplul acesteia. Regi
mul de suprasarcin corespunde n acest caz unui mod concret de lucru
al dispozitivului In calitate de comutator onjofj (de exemplu in modula*
togyre); n cursul unui ciclu de funcionare, tiristorul se afl alternativ f
atarea de conducie direct i in cea de blocare invers. Astfel , la frecvena
reelei (/ =w50 Hz), tiristorul de regul, conduce curent pe o durat
&10 i m, niLi ndn-m in starea de blocare invers n cealalt jumtate &
otelului. Starea do conducie n regim de f*uprasarcin este caracterizat
prin supunerea dispozitivului la pulsuri dreptunghiulare sau sinusoidale de
curent eu o amplitudine creia i corespunde o densitate de curent cu mult
superioara valorii de 100 A/ cm2.
n cazul general de funcionare a tiristoarelor n acest regim de lucru,
factorul e nmplere F F {fiU-factor sau uty cycle) al impulsurilor de curent
difer de 50%. Begimul electrotermic al tiristorului in acest mod de lucru,
inclusiv temperatura instantanee maxim a jonciunii T vimax, deci fia
bilitatea dispozitivului, snt determinate at t de amplitudinea impulsurilor
de suprasarcin, ci t i de factorul de umplere. E ste evident c, la o ampli
tudine constanta a curentului do suprasarcin, un factor de umplere mai
redus la o durat constant a ciclului de funcionare nseamn un
timp de conducie (ou) inai scurt i un timp de repaus (off) mai lung. n
consecina, scderea factorului de umplere al impulsurilor de suprasar
cin implic, n condiiile menionate, un timp de rcire mai lung al pla
chetei de siliciu, adic o temperatur mai sczut a jonciunii T wj n
decursul strii off.
Ca urmare, n cazul unor impulsuri de suprasarcin cu factor de um
plere mai sczut, temperatura medie a siliciului, ct i a ntregii structuri
a dispozitivului este relativ mai redus. Trebuie ns remarcate faptul c
diminuarea considerabil a factorului de umplere a impulsurilor de curent
la frecvena / = 50 400 H z transform regimul de lucru n cel de supra
sarcin de durat scurt.
Depirea n regim de suprasarcin a nivelului maxim de putere,
specificat de fabricani conduce la distrugerea dispozitivelor. Fenomenul de
distrugere electrotermic al tiristoarelor n regim de suprasarcin este n
principal urmtorul. La aplicarea impulsului semi-sinusoidal de curent
cu amplitudinea I m i durat de 10 ins, puterea disipat P d conduce la
creterea treptat a temperaturii jonciunii T vj (vezi figura 2.73 i figura
2.77). L a temperaturi Tvi de peste 125C distribuia de purttori de sar
cin pe suprafaa plachetei de siliciu a dispozitivului in conducie direct
devine neuniform. Ca urmare, acele puncte de pe suprafaa siliciului
care au un exces r el ati v de purttori de sarcin i micoreaz rezis-
tivitatea n raport cu zonele adiacente. n consecin, o cantitate eres-
cind a curentului total de suprasarcin este ulterior deviat n zonele
de conducie preferenial, care au o rezistivitate relativ sczut. Cre
terea implicit a densitii curentului n aceste zone conduce l a :
(a) micorarea n continuare a rezistivitii zonelor i mplicate; (&) la crete
rea local a temperaturii, peste valoarea mediea temperaturii plachetei
de siliciu. L a temperaturi ale plachetei de peste 200C, fenomenele des
crise snt cuplate ntr-o reacie pozitiv : localizarea condueiei (f{lamen
tarea curentului) n cteva zone de pe placheta de siliciu conduce la
creterea simultan a densitii curentului j i a temperaturii locale T,
i la scderea rezistivitii zonale, ceea ce la rndu-i antreneaz
creterea n continuare a densitii j i a temperaturiiT, .a.m.d. Crete
rea n avalan a densitii curentului i temperaturii locale a ctorva
zone da pe placheta de siliciu conduce in final la distrugerea eleetrotermi-
!| | & dispozitivului. Defectarea dispozitivului are loc fie prin atinge-
rea n proce&ul de avalan descris - a temperaturii eutor tiee a sili-
11?
. g| in emitaft ou acesta (i'- exemplu, 5?7cC peit(i%
^ l,l'mtopirea si linului ntr-umil sa 015,1 J,u !f pwfrt* p* di-
lor.fitmlinsW <H>mlu<'iei filanientare, atu1''! find metalul hr m*
Bieiul aro temperaturii oul tic ii ndu'ata (terripcratora do
fSfya siliciului este 14120) [23] [24 .
top
Fig. 2.77, Variai#in timp a puterii dis-pate i temperaturii in ist an-
lanee a jonciunii Tvj ntr-un tiristor cu I t (a v ) == ^3 A i aria util a
ratodului S* -- 0,5 cm*, supus unei suprasarcini singulare de curent
4t ferm sinusoidal cu amplitudinea I m I t s m = 1400 A i durata
<k 10 mi. Temperatura maximi a jonciunii (rJ lieiului) T t j tn dispo/ J - ; II
tivul dtros la densitatea maxim de curent j - - 2^00 A/ cm2 este
Tj W Di*,pozitivul disliujgir.du-se in timpul testri?, tunperateru
Mpi lUi i i H calculat pentru a dua jumtate a c'cluui, este prezenta ia
Unar peniru ilustrare.
Pemmienolo^ria dintrogeiii tiriKt oarel or este api oape identic in oi w
regim de api a tr ei mi , indiferent de durata, acesteia. Tr ebu i e fmil remar
mi faptul ea In durate leMUv lungi &le suprasarcinii (vezi f.irura 2.m|
m, produec feniimenu de difuzie a cald iu ii degaj ate n hiJ iciu ri zonele
taliee ud Utrenie, m timp ee in regimuri de suprasarcinii de durata seuil
Ide ordinul mu mn de ub), fenomenele de di fu zi e tei mi cu. an *J k |
principal in piieiuta de mtieiu, piopnet&tdo t ei mice al e materialelor $gg
eeiit^a\ ind un i ul neglijabil, t'u alto euvinte, n i egimuri bciute de
Meiiva, temperatura iiiietit t ei nlieiuhu eu inel aiul n cont act cu nee* &
l i <mM eu l empoi ai i u a de Tdfeiin& &#* C*m*p^-.
ti tan e .iiiiMUeHimim de apl kai e a pr u nai ei ni i .
f (vmelu/ je, Um*emtma maxima a plachetei de siliciu
H B avei n vi, de-Ati ;u vili Uit ea el eet i n l ei nu* 5 a di spofftov r l
de supi asarei n (form, durata, ampli tu-
^ H lp r de nmplere)
B H | M i mpedauei termi ce Z
temperatnrii nmxi ni e TrJ stabilit la sfii silul ciclului
p ff i l bi u u e precedent.
^^BHjJ iirarea frecvent a redresoarelor de putere n regim de suprasarcin
fenomemil denumit oboseal termicii (vezi $4.5). Tensiunile
.^ijiwtaS^induse de excursiile mari i frecvente ale temperat urii structurii
conduc* In sederea fi abi l i ti i dispozitivelor i la ieirea lor pfei
funei Mare.
tapaMitatea m ^upra^aicin a rediesoarelor de putere (diode #i titw-
'Mfele&te definit de urmtorii parametri i :
| ^}<3erentul>de suu asfticin It?m* definit prin amplitudinea maxim
anui impuls semii nu soidal de curent eu duiata de 10 ms eaie poate
&mrft dispozitivul fr a-1 deteriora I reversibil;
b) Interi ala de curent 1H, care este corelat cu valoarea parametrului
B p i ik fiind utilizat pentru alegerea siguranei de protecie a dispoziti-
viatei la Miprasaiein';
e) Curentul de suprasarcin I T(ov)m> (are ieprezint amplitudinea
Bpiisuriior semisinusoidale de frecven / = 50 Hz ce pot trece prin
^pozitiv pentru o anumit dnrat de tirap (specificat) fr a~i afecta
^fonnaielc;
Curentail repetitiv maxim n stare de eonducie (/ rr?w)>care repie-
mti valoarea de vi r f instantanee a unui curent periodic ce poate parcurge
l&pozitivul iar a depi valoarea curentului eficace maxim-admisibil.
2.13.5. R e g i m u r i r e c u r e n t e i ne r e e u r e n l e . S u m a r pentru u t i l i z a to r .
;> Bia cele prezentate n 2.13.1 2.13.4 r e z u l t n r m l o a i e l o jnin e ip i
^ ghidare p e n t r u utilizator.
H redresor funcioneaz nlr-un regim de luciu lecurent atunci eind
taperalui a instantanee a joneiunii nu depete valoarea maxim admi-
specificat in foaia de catalog (de regul, 125CC). ntr-un
B Bereoarent, temperatura maxim a jonciunii, pcoifieat pentru
SpMe luau recurent, poate fi depit pentru un interval de timp scurt
Ifeesteia^lu, n regim de soprana* <na-. <'afabilitatea instantanee n supra-
permite coordonarea i u n die^oaielor de putere eu dispo-
H protecie aferente (de exemplu, sigurane fuzlbile). Beg^nml
M M funcionare ( -te l abi l i i prin Valoarea curentului de supra-
B ,:v|| Hodu^til'dinlre ivmuuI curentnlut i timp (H). Aceste
eovstlhne atc-lmit care tfirhnie utilizie ikmr pentru
r/e circuit nev z vale intr-o aplica/ ie dat, cum or f i de
mJ B | Imirenfi accidentali. Altfel spus,, datele privind regimul uere-
(W l i : i: de sarem care nu snn*e s snrvin doar de nu
ori * in cursul duratei de viaii a echipamentului care
I n i i w/ i .
^| H n ^>egi i )m l l i ei eer r en i se r efr r t la situaii care nu se repet
ni ui i T j nu rovine la (sau suJ >) valoarea sa-
U i mM k :, . un
maxima ver i fi cat 3. Trebuie subliniat faptul ca durata intervalului intra
dttu suprasarcini (accidentale) t\ u modific condiiile restri cti ve impuse
de datele pentru regimul nermircnt, Astfel de exemplu, un tiristor poate
i iiptt# accidental unei supi asarcin o dat pe z f ; cu toate sicefttca, este
foarte probabil ea dispozitivul t> se defe etexe dup un numr ic a? 100
suprasarcini identice, aplicate succesiv la intervale de o zi.
vegimul recurent este caracterizat prin curentul mediu I TiAV} $i curen*
tul ffwncr I kMS [16],
Curentul ; - {_4r>este definit in principal de rezistena termic Rth a
dispozitivului i pierderile (puteu a disipat) in starea de condueie. Curbele
de interes pentru utilizator piez iuta puterea medie disipat n starea oh
in funcie de curentul mediu / rup pentru diferite unghiuri de conducie
0 '{vezi figura 2.78) piu la frecvene de 400 Hz. Aceste curbe snt bazate
pe formele curentului rezultat dinu -o und, Femi-sinusoidal atunci cirul
amorsarea tiristcrului pe o sarcinii- ezistiv fe efectueaz, cu o intiraere
(180Q 0), Valoarea maxim a pierderilor se obine n cuxent continuu
.f*M?. 2.78. Pierderile medii de putere starea de conducie n iuucie de
coreului mediu i^iAV) al unui tirUtor tipie pentru di feri te unghiuri de
conducie.
(DC). Curbe similare celor din figura 2.78 snfc furnizate i pentru impul
suri rectangulare de curent.
Curentul mediu I TUV) se definete n funcie de temperatura capsulei
3T i unghiul de condueie 0 al timtorului (vezi figura 2,79},
Punctele de funcionare pe aceste curbe se aleg astfel net temperatura
jonciunii in condiiile de lucru date s nu depeasc valoarea sa maxim-
Mtmifcibilit (de regul, 125C). Fanta curbelor din figura 2,79 este depen
dent, in principal, de produsul (jf?^i cJ ^},
O 5 0 100 150 200 2 5 0 300 3 5 0 4 0 0
Curentul mediu I/ avJ n conducie [ A] - *.
1 CurliMi din figura 2.7* *i figura 2.7! i u beam , do reptil, pi on i er i i
df pinii la 400 Ha, prtt'um i w|e de bUn-art in invers.
Cind disiprile legate de comanda pe poart devin importante, limitrile
corespunztoare sint pccifica^e n foaia do catalog.
Fig. 2.79. Curbe tipice pentru un tiristor definind curentul medio J t (a v ) *n
funcie de temperatura cap ulei Tc Ia diferite unghiuri de conducie 0.
Exemplu : Dac tiristorul, ale crui curbe caracteristice sint cele din figura 2.79. este
amorsat imediat ce tensiunea sa anodic devine pozitiv, dispozitivul va conduce un unghi
de 180. Dac temperatura capsulei este meninut la cel mult 80*G dispozitivul este capabil
de a suporta un curent mediu I (a v ^ 235 A. Dac unghiul de amorsare este fntirziatcu 120
(fa de momentul In care tensiunea anodic devine pozitiv), tiristorul va conduce doar 00
ale jumtiii unui ciclu de funcionare. In condiiile unui unghi de conducie de 60, valoarea
maxim a curentului inediu t (a v ) =1 80G este de 115 A, adic substanial inferioar
celei n cazul unghiului de conducie de ISO3.
Punctele terminale din figura 2.79 au un numitor comun : valoarea
identic a curentului eficace Irxm. Corelaia dintre valorile de vrf I my cele
medii (I T(Ar >5 i eficace (I nus) ale curenilor do diferite forme este ilustrat
in figura 2.80.
Important pentru curbele din figura 2.79 este raportul
denumitfactor de form (farm fador). Penii n o fox m de und semisinu-
soidal acest raport este de 1,57.
Exemplu : Valoarea maxi m a curentului identic egal cu ffflws tu regim coijtjnuu
(BC>, ste ite zzM70 A (fi gura 2.79). Pentru un semnal semt-sinnsoWal i un unghi de conducie
valoarea niedie a curentului va fi : ---- 23$ A, 1eiitru un uniii de conducie
1,57
M70 A
0 I gj y raportul Ifim&lIt u i v * este de 1.-879. Iu consecina, curentul mediu este r **
I OIV ; _1_.>
OIA
1-
S h .
m
1
4
*
ip
f
/
_____ f i
rp
Ut ~ 1 - , -H
3) Iav -
l ____ *j
X ' 11
5J (AVC'jf {pStndde
^RMS-
v
w
S / 'W- ^= . t>sin Qd&
?j r J .
2T-<
Fig. *80. Corelfia dintre valorile de vi r f l m. medii I Tt.tv) eicacc a!e cure,llilor t,e
diferiic forme.
Valoarea parametrului Irms Ste i mportant n acele apl i cai i n care
valoarea de v rf (I m) a curentului pri n ti ri stor este mare, i ar factorul
de umplere al impulsurilor de curent pri n di pozi ti v este redus. n aceste
cazuri curentul mediu este, de regul, sub val oarea m axi m I tu v) speci
ficat n catalog, n timp ce valoarea parametrul ui I 2ims poat e fi depit.
Operarea dispozitivelor la cureni Irmsi care depesc valoarea spe
cificat a acestui parametru conduce la nclzi rea excesi v & elementelor
rezistive din structura tiristorului (contacte, i nterfee ete.).
Curbele de tipul celor din figura 2.79 snt specificate n foi l e de catalog
pentru cazul funcionrii tiristoarelor pe sarcini rezistive, unde factorul
de form (raportul I RMts[I t u v )) este maxim. Caracterul inductiv al sarcinii
pe care opereaz dispozitivul micoreaz acest raport. n consecin*
curbele din figura 2.79 snt acoperitoare pentru sarcini inductive.
2.13.6. Relaia dintre eapabiiitatea in putere i timpul de Mocare tq
Proiectarea tiristoarelor implic un compromis ntre eapabiiitatea n
putere a dispoz itivelor i viteza lor de comutare. ntr- un diapozitiv opti
mizat, ambele obiective pot fi atinse simultan doar prin mrirea ariei
plachetei de siliciu. Utilizarea unor plachete de siliciu cu dimetro din
cele mai in aii (50 mm pnla 100 mm) a permis realizarea unor tiristoare
eu o capabilii ate cresend n curent. Mrirea capabilii aii de blocare in
tensiune ( V V nrtM) implic n folosirea unor plachete mai groase i
de rezistivit&te mai mare (vezi 2.5-$ i 2.6), ceea ce are drept conrecine
creterea a t t a cderii de tensiune i ndi rect VT, deci-a puterii-disipate n
conducie cit i mrirea cantitii de sarcin electric stocate n baza groas
ti n starea m, ceea ce conduce la mr ir a inerent a timpului de blocare
V Frecvena maxim de luciu a tiiistoarelor. (vezi 2 . 1 3 , 1 este astfel
determinat de interaciunea complex a multor factori tehnologici, cum
ar fi grosimea bazei n, aria i calitatea plachetei de siliciu, rezistenta si
impe&ana teimic a dispozitivelor, ec.
Dependena timpului de blocare al tuia t oarelor de eapabiiitatea lor
Ib putere este trasat i n figura 2.81. Comportamentul statistic al m n joi i-
J i l . ____ _____ .. ___i i i
i f l
fcft i * 1 '!* api u xi n i H t tU
Ui
V A) V-
W**- t <1iiUoJ *g It i
ft pu tef *i f om t a i e *i vi teza do h u r u a T
| g^i #i s i l :.h l t 4 ;f| i a2 ,1 1 'L -
nitr
m * U * f b
* wi ai l r
PF T
| ^j;
A 7
/
/ , /
/
/ 7 :
r
/
I ig. J ,8i. Corelai ia empi r i ca din irc capabili lat ea n putere
m timpci! de blocare tq al ti rl stoarc or de tensiuni/ cureni
mari.'
Pejilru un tiristor eu tg = 25 jls , conform relaiei 2.112 se obine
VkmIt(av) &5Q kVA.
^ *irent mediu 7yt j f ) ~"200 A, valoarea maxim a tensiunii le blocare Vr u este
Mfm J 1 *'& *f vaioare i mpu sa parametrului tg, obinerea unu* tmtor cu o valoare mal
| | | | i impl ica micorarea tensiunii maxime de blocare Y#m .
, 41. llodalilai de iiiesorare a timpilor de revenire/blocare
j U p ^a t A i l e ti auyi i f* a r odi ei oar el or de pu tei e din n i m m m n ^tmenoff
l ^^f i i l o i t i a t de ti mpu l de vi a ai pu r fM or i l or minoritari din I mdta
SiiLt'Ai. car e dei ei n u n dura l a timpului tie l evei i i r e
2.68) i ar . n eazul ti i u \ q m i l or >i a timpului de b'iaeaje | p
M B S fc M W n J u i de vi afu se eieetma/ ptiu i ni u a u eei ea intenionata,
Sn mi u tehni ci nuel ei e,. a centrilor de recombinare
Urijdo&relor sedu i a timpului l| fj j oa i e obine*
^p i nundu v pi i n mjjkmro e^etne, de l ueui i (vexi
2.14.1. Modaliti tehnologice
loAueerea timpului de via al purttorilor minoritari in bazele redr.
soaelor de putere poate fi obinut pr i n :
a) introducerea de impuriti de recombinare n placheta semiconduc
toare ;
b) tehnici nucleare (radiaii de energii mari).
O serie de impuriti (de exemplu Au, P t) introduse n siliciu au nivele
energetice situate n apropierea mijlocului benzii interzise. Aceste nivele
funcioneaz ea trape, fiind centri eficieni pentru procesele de recombi
nare.
I radierea eu particule de energie nalt (electroni, neutroni, protoni
ete.) are drept rezultat deplasarea atomilor din reeaua cristalin a semi
conductorului, introducnd astfel defecte ale cror nivele energetice snt
situate n banda interzis a siliciului.
Micorarea timpilor de revenire/ blocare si redresoarelor de putere prin
controlarea timpului de via al purttorilor minoritari afecteaz ns
negativ o scrie de parametri de baz ai di spozi ti vel or: cderea de tensiune
n direct, tensiunile de blocare (V DIMl Ver m i ^f bo *n cazul tiristoarelor),
sensibilitatea la amorsare pe poart i cap abilitile n dF/ d t i di/ di (pen
tru tiristoare).
Caracteristicile dispozitivelor n cele trei regimuri de lucru principale,
conducie direct, procesul de tranziie din starea on n off i blocare, snt
dictate de timpi de via diferii.
n starea de conducie direct dispozitivele se afl, de regul, n regim
de injecie nalt (vezi 2.7). Cderea de tensiune n direct VT este deter
minat de timpul de via al purttorilor la nivel mare de injecie zhL
(high-letel lifetime) care depinde numai de concentraia de trape, fiind
independent de poziia energetic a acestor nivele i de dopajul structurii
dispozitivului.
n cursul procesului tranzitoriii de blocare dispozitivele se afl n
regim de injecie redus. Timpul de via al purttorilor minoritari t u
( low-level lifetime), care determin durata diferitelor faze ale procesului
de blocare (trn tq), depinde de concentraia de trape N t} de nivelul ener
getic E t al centrilor de recombinare i de poziia relativ a acestuia fa
de nivelul Fermi (adic de dopajul cu impuriti al stratului semiconductor)
i fa de mijlocul benzii interzise (E t Bc/2).
Curentul de generare al jonciunii care blocheaz tensiunea aplicat
depinde de timpul de via r ee din zona de sarcin spaial. Timpul de
via Tcdepinde doar de concentraia de trape N t si de poziia acestora
fa de mijlocul benzii interzise (E t 2?,), fiind independent de dopajul
eu impuriti al straiului semiconductor considerat.
Timpii de via zLL i au valori cu att mai reduse, cu cit centrii
de recombinare de concentraie K t snt situai mai aproape de mijlocul
benzii interzise a siliciului.
Din cele prezentate rezult c :
0) n vederea micorrii timpului de re venire/ 'blocare (trn tq) timpul
de via trebuie s aib valori reduse;
b) n copul obinerii unei eapabiliti n blocare cit mai mari, deci a
minimizrii curentului rezidual de generare n zona de sarcin spaial
I jonciunii care susine tensiunea aplicat (J gtn ** n j 2t ), timpul
de viaa trebuie s aib taiori ett mai mari ;
124
<?}Minimizarea cderii de tensiune n conducie direct impune maxi-
mizarea timpului de via r nL.
Astfel, ntr-un redresor de putere, utiliznd una dintre metodele teh
nologice de mrire a vitezei de comutare din starea on n starea o/ / , obiec
tivul micorrii parametrilor trn tqy simultan cu optimizarea performan
elor electrice globale ale dispozitivului, impune maximizarea raportului
timpilor de vi a (t hLJ tl l ) i a timpului r,e. Modalitile tehnologice
curente de micorare a timpilor trn tq corespund n msuri diferite cerin
elor enunate n continuare, snt prezentate trsturile distinctive ale
diferitelor proceduri de mrire a vitezei de comutaie a redresoarelor de
putere.
Doparea eu aur constituie cea mai utilizat metod de control a
timpului de via n redresoare de putere. n practic, introducerea aurului
n structura dispozitivului se realizeaz prin evaporarea unei pelicule
subiri (100 .. .500 A) de aur pe suprafaa dispozitivului, operaie urmat
de un proces de difuzie la temperaturi nalte (800 .. .1000C). Aurul este
un difuzant rapid, iar procesul su de difuzie afecteaz toate regiunile
dispozitivului. Doparea cu aur nu este uniform n structura dispoziti
vului : concentraia de aur este ntotdeauna mai mare n regiunile semi
conductorului cu o cantitate mai mare de defecte, deci n zonele puternic
dopate ale dispozitivului. Astfel, de exemplu, n cazul tiristorului, unde
depunerea i difuzia de aur se efectueaz dinspre partea de anod a dis
pozitivului, la sfritul procesului de introducere a acestor impuriti, o
concentraie mai mare de aur se gsete n zona eatodului, puternic dopat
cu fosfor. Ca urmare, toi parametrii dispozitivului snt afectai. Trebuie
remarcat faptul c difuzia de aur este un proces tehnologic dificil de con
trolat intr-o manier reproductibil.
Aurul constituie un mijloc eficient de reducere a valorii timpului de
via a purttorilor datorit faptului c el introduce doi centri adinei
de recombinare n banda interzis a siliciului (figura 2.82): un nivel accep-
B A N D A D E C O N D U C T J E
?-------- --------
P ' 0.l9eV
0,32 e*/ _ J l _ 4
T ~
023eV
?? r ~
I
s ?
T - !
0,4eV
Dominant
0.55eY
- I - A
A - ,
Domtnant
QA2/
04- + j i r
Q26eV
* ,-1
ITI
Qt2?eV
!
J __
mar
koere cw
eteclroni
Irodw* m
neutroni
frig, f,- Mlve^sit fii mud igitrzh a siHciiil** iradierea
ff 4 i eu M'uirei,
i 1, sii *imt lu o o isiai^ de 0* 54 eV ii* inferioar 8benzii
otutueie un ni vei donor (D)f si luat la o distana de 0,tk> eV
de>maiiutea superioara 9benzii de valen (I-r*)* ^Vlieoraiea timpului
Tti are drept eou.seein& creterea cderii de tensiune pe dispozitiv %n starea
Mwtidwlif direct Ia nivel mare de in jecie (vezi 2.7), Beducerea I iiupiilui
<(<'n > ' t >t fih>i ' ' de bl<tc*tv tq (vezi 2 .12),* Mu^i ar^t Um-
ivulul o, eoadueela mi m** atoi C,, a 11 combinrilor ia zona ds mt-
' cina spaiali ( V ~ 2t) a jonciunii cave blocheaz tensiuneaapb-
4Hta {vezi 2.o >i. 2,6). a urmare, duparm cu aur micoreaz. substanial
iti/ iiittkt# Y i mmi 1/ tfo l tir ist oarelor.
Utilizarea platinei [0, 19] pentru o al rolul timpului de via este de
dai a relativ recenta (a* 1B70)* I n comparaie eu,aiuul, platina introduce
.nivele enei getice ale centiilor de recombinare mai deprtate fa de nrij-
beul benzii inerz^e (vezi figura 2.&2)?Ca urmare, pl a una e^ste un element
taie poate ii utilizat pentru controlul timpului de via j l l al rediesoarelor
de pnteie iu ia a reduce simitor timpul dp v-a^ t sc in zonade sarcin
gp&iaia a jonciunii oaie blocheaz tensiunea aplicat. Astfel, platina
picate reduce d liani al timpul de blocare tg (ui general, timpul de blocare
al unui redresor de putere) fr a atf age o cretere corespunztoare a curen
tului rezidual de generare in zona de sarcin spaial a jonciunii care blo-
elitaz tensiunea aplicat.. I n consecin, dopai ea cu platin afecteaz
kti-o msur mai. redus dec.t aurul parametrii l drmi Turn fbo
tiiL-tciueL ;. Utilizarea platinei pentru controlul timpului de via n redre-
ejare de putere este ns substanial mai costiitoare decrt cea a aurului,
Un alt: dezavantaj al plaimii l constituie dependena puternic a timpului
de via t, zLLi teL de temperatur.
Iradierea (bombardamentul) dispozitivelor cu electroni avnd energii
de 1.. .2 MeY constituie o tehnic recent utilizat pentru controlul tim
pului de via [19, 20]. Aceast'metod permite reducerea timpilor tin
% fr a mri corespunztor curentul invers al jonciunii care blocheaz
tensiunea aplicat n reclre soarele de putere. I radierea cu electr oni are o
serie de avantaje fa de tehnicile de reducer e ale timpului de via prin
impurifiearea cu aur pan platin. n primul rnd, procesul de iradiere cu
e~ se efectueaz pe dispozitive f in-ite (ncapsulate), la temperatura camerei}
secven urinat de un ciclu do tratament termic la o temperatur relativ
joasa (22o.. .4()0C). ntruclt doza de iradier e poate i i controlat cu
precizie, acest procedeu de control a timpului de viat este puternic repro-
ductibil. Un alt avantaj const n faptul c efectele iradierii snt uniforme
pe axa longitudinal a diapozitivelor. Datorit acestor avantaje, iradierea
cu e este utilizata din ce n ce mai frecvent n controlul timpului de via
al redresoaieor de putere.
Iradierea cu e a dispozitivelor ereaz defecte in siliciu, care se mau*-
fe*t ca centri de recombinare. Defectele introduc centri adinei n banda
interzis a siliciului, micorind-astiel timpul de via al purttorilor mino
ritari. Astfel, de exemplu, o doz tipic de 7 X 10 3.. .2 X 1014 eleciro*
cu energia de 2 MeY reduce timpul de via al minorii arilor ia
tirislor eu un faotor de 20, conducind astfel la miesorar
substanial a timpului de blocare al dispozitivului [4 201 P
_ Boinbardaiaenul cu e- introdu*, de r ^ei g, Uvi nivel energetice
n bauda mtmm a siliciul ui (vej i'iyma 2.82). 1 upa un tratament termic
jfe fSitfroraBrai, *U feeUior conducela labilii ra unui nv el eftofgf'ttfc
ie recombinare domiftant In ^licil h, situai Ia 0,36 eV \ h
beri i i i i*condueie (Ef). Datorit aoo^t< locaii a nivelului e nergetie *i
mpelor, reducere simitoare a- timpului de blocare al fedworek*r ie
pot W'e tnxe#te in^oitirde o cretere core*pun:rtMt<are a curentului ele gene*
raral J onciunii care blocheaz tensiunea aplicat (4, 20],
Kezultttte similare se obi n prin bombardamentul dtspattheorii neu
trali I sau prin expunerea In raze vi A- ti el prin iradierea en nentirmf nt-
indult patru centri de recombinare. Dup tratamentul tei mic, restructu
rarea defectelor induse de radiaii cre&z un centru aeeeptor dominant
n iciul w, situat chi ar la mijlocul benzii interzise (vezi fi gura 2.82). Da-
t ori tu acestei parti culari ti , curentul de genei ar* in zona de sarcin f par
ial a jonci uni i care blocheaz tensiunea aplicai este mai mare jeett
n cazul bombardamentului cu c . Rezultatele iradierii cu noui oui sint
practic simi lare celor obinute prin difuzia de aur [4, 6, 20].
' Eficacitatea reducerii timpului de mala al purttorilor minoritari n
bazele reresoarelor de putere este apreciat att prin gradul de micorare
al timpului de blocare, cit i prin efectele secndale induse .asupra a-:
fiietiilor principali ai dispozitivelor. Comparaia detaliat n continuare
se refer la reclresoare de putere, avind o istorie tehnologic identic
(procesate simultan), ns utiliznd diferite metode de reducere a timpului
de via : difuzie de aur, respectiv platin i iradiere cu e" cu o doz de
5 x IO13 cm 2. Dispozitivele de referin (martor) nu au centri de recombi
nare indui intenionat. Comparaia se refer la timpul de revenire trr (fi
gura 2.68), parametrul S (relaia 2.86); timpii ts i tnM, curentul invers
j rin dispozitiv I R la o tensiune prestabilit, cderea de tensiune in direct
Yr la o densitate de curent constant ( 100 mA/ cm2). Principalele con
cluzii se pot rezuma astfel :
a) Micorarea cea mai eficient a timpilor tf i trr se obine, n ordine,
prin : difuzie de platin, de aur respectiv iradiere cu e ;
, b) Difuzia de platin este cea mai eficien n reducerea timpului tRM9
urnind, in ordine, iradierea cu e i difuzia de A u ;
c) Kevenirea cea mai lin o au dispozitivele dopate eu platin (va
loare ridicat a parametrului $), urmate, in online, de cele dopate cu aur,
iradiate -cu ej\ i t ele noi Pale (concluzie extfem. de important pentru
utili/ aiea rc-dresoardor in circuitele ijuduetive) j 1 J 'l kJ ti&HM
d) Cderea de tensiune in direct V.T ente, cea mai redus n dispozi
tivele normale, iar n ordine cresctoare* n cele iradiate eu e~, difuzate
eu aur respectiv platin ;
e) Exist diferene minore nlie metodele menionate de reducere
yn%uluiile vii- ta m prive^ abi#e*e& unui compromis optim Siitre
timpul de revenire trr (timpul de blocare sfg>, do p<* o parte i cderea de
temi une in direct, pe de alt parte;
/) Valoarea cea mai nmrea curent ulm invers (i h) se obinu n dispozi-
2J *,2> df Hreut pentru mi fwari ti limbului de blocare.
TiriMmrf eu Hloruit asisUift de poart
Metoda Motorii $t pmirt (ii A T * (xie ftsghted fwr* *?eoff
i t irtiitoarflor, supuse regimului natura! de eomut a ie a (urenuilui
anadic I m i vezi fiuiu 2,83}* cun>u iu aplicarea unui impui negativ pe
poatt in moment ui reaplieani tensiunii anodicc In direct VD. Furnizarea
unui s,drm* m ^ativ pe poart n momentul apariiei rampei dF*/ dl
conduce ia diminuare* timpului de blocare tt In oiice tiristor eonvenkmak
' Fiii- 2.8.. Formele de nnda tipice ale curentului i tensiunii ano-
tliee hi timpul procesului de comut urc din sin rea im n cea dc
off a tiristoarelur cu blocare asistata ue poart.
n tipuri specializate de tiristoare denumite eu blocare asistat d*
poart ((ATT* - gate assisted turn off thyristors), avnd tensiuni
de blocare in direct Vdrm ==1 . . . 2 kV (implicind o grosime a bazei nx
de i r ! = 200 um 10 %)r aplicarea unui curent negativ de poart I c*de
pn la 4 A, corespunztor unei tensiuni VGR = 4 . . .8 Y , conduce n uiod
uzual la o reducere cu aproximativ 50% a timpului de blocare (vezi
figura 2.84) la o aceeai valoare a curentului anodic I TM. Astfel, inodul
de blocare asistat de poart permite relaxarea corelaiei rigide, existente
in ti mtoai ele convenionale, intre pierderile de comutaie la blocate, deter
minate de timpul tq (vezi 2.13) $i pierderile n eundueie directa, ,
Blocarea asistat de poart a permis extinderea frecventei de lucn
I tiristoareloi convenionale pin la 20 k H z.
| Revenirea
I n invers
T
m
T*a un ni vei constant curentului inodlo i m, pn^sei i ai i^mnikltila!
apii<&t pe poart (i;t Va/ d* timpul de blocare <f eret* odat eu :
mrirea ratei de cretere a tensiunii anodice reapUc&tg ( V J t)i
| crefterea ratei de
eoiutare a curentului ano- 4
dk d i j d t ;
FT creterea tempera
turii jonciunii T ri. *j
Timpul de blocare lf 0
crete nesemnificativ odat ^
eu mrirea valorii finale a
tensiunii anodice reaplica-
te Yb.
Mrirea valorii semna- *
lului aplicat pe poart pest e 3
o anumit valoare nu mai jn
conduce la micorarea tim
pului de blocare t* (figura
2.84).
I n tiristoarele care nu
au unturi de catod, meca
nismul fizic de micorare
al timpului de blocare se
bazeaz pe devierea din
spre catod spre poart a
anei pri a curentului de
revenire in direct (vezi fi- Ftg. 2.84. Dependena tipic a timpului de blocare tg de
gura 2.85). Graie acestui semnalul / c*(V CJ l) ntr-un GATT de 1 kV-
fenomen de deviere a cu
rentului parazit, se previne polarizarea n direct a jonciunii de catod, deci
i injecia de electroni din emitorul n 2 n baza p 2. Datorit inhibrii in
jeciei de electroni n baza p21se diminueaz ansele reaprinderii parazite
a tiristorului n momentul reaplicrii rampei dVD/ dt. n tiristoarele care
utilizeaz unturi de catod proiectate n mod adecvat, efectul de polari*
zare n direct a jonciunii de catod este mult atenuat. Astfel, aplicarea
unei tensiuni negative pe poart, duce la apariia unui curent in baza pt
cu sensul de la catod spre poart care determin o cdere de tensiune la
teral n baza pt1 sub catod, cu o polaritate opus celei provocate de curen
tul parazit (de revenire n direct) care ar conduce la polarizarea n direct
a jonciunii de catod i amorsarea parazit a tiristorului.
O variant constructiv care permite eliminarea dezavantajelor un-
turilor de catod se bazeaz pe utilizarea conceptului de dou nivele de in ter-
digitare (TI L two inter digitation leveU) [25, 26]. Spre deosebire de tiris
toarele convenionale, n dispozitivele bazate pe configuraia T I L (vezi
figura 2.86) nu exist o pierdere de arie activ de catod, ntrucit nu snfe
utilizate unturi. ntreaga arie de catod a tiristoarelor T I L este format
din zone n+adinei i superficiale alternate. Una dintre destinaiile func
ionale importante ale zonelor subiri de catod este de a furniza ci pre
fereniale de evacuare spre contactul de poart a curentului parazit generat
in structura tiristorului. ntruct rezistena lateral a bazei sub difu
ziile aubiri n 2 este mult redus n comparaie cu rezistena lateral
0 -7 -2 -3 -4 - l -6
Semnat de poart
Flg. 2.S&. Ilustrarea cnHtallv m
Atter d* curgere a curcntulupara-
cil generat de rampa dVpdt (figu
ra 2.3) !n structura unui tirlstor
s bbcsr? asitatft de poart fr f
unturi de catad.
A l ^ r t f ntvdedc f - (rns
' * ' ' 4 ^ m Para l t
Anvd
&*reMa$i tm*e ab difuziile dinei * r iprotp ntregul curent pUMH
* ti Ittdep&ruu din structur doar d^-i lungul canalelor de evmm&m
create in zonele mai groa*e al bazei pf (vezi figura 2.MK I Htoritii raluri
fcr PedftSf ifete rezistenei bazei pt tub difusiile niliiH dt catod, curentai
dfen&ckmat gjjjpl terminalul d pdtrt& <I m lungul canaU lor prefe
reniale de evacuare, nu poate i& polarizeze suficient de polemic !b direct
neciunile corespunztoare ale jonciunii poart* catod. Ca armare, injecia
de elec troni de pe l u l r ei f suprafa a emitorulni de catod ia basa e*ta
inhibat; ea urmare, In acest mod ne prentimpin aprindere* parazit
m Ifefc&toarelor.
Astfel, conceptul T/ X, uor implementabil tehnologie, permite deeo*
plarea** seciunii npn a tiri storului din procesul regcnerativ de amoraar*
parazit ta momentul aplicrii rampei a\ \ !dt [25, 26],
Datorit partieulantilo r menionate, tu tiristoarele T I L e obin#
uiual un factor ridicat (4 %. .6) de reducere a timpului de blocare V. O
reducere cu 50% a valorii lui i* te obine chiar pentru valori rpduse alt
semnalului de poart ( I UM 0,5 .. .1 A).
2.15. Tipuri dc tiristoare
n funcie de aplicaiile concrete in care snt utilizate, tiristoareU
trebuie s posede :
) Tensiuni de blocare cit mai ridicate;
fc) Capabiliii mari in curent;
a Valori mari ale capabilitilor In dVjdt i d/ dt;
d) Timpi de comutare cit mai redui;
e) Is ivele reduse ale puterii de comand pe poart;
'g f ) Frecvene de lucru cit mai mari.
n prezent exista diferite tipuri de t iris toare care pot ndeplini una
sau mai multe din exigenele enunate mai sus. De regul, mbuntirea
uneia dintre caracteristicile (a)...(/ ) conduce inerent 1a degradarea altor
parametri ai dispozitivelor. Ca urmare, exist tiristoare specializate, optimi-
sate pentru diferite aplicaii. Tinstoarele fabricate n prezent pot fi clasi
ficate in urmtoarele tipuri principale :
) T iris toa re pentru aplicaii la frecventa reelei (Pkase Control Thyris-
lor#) |
2) T iris toare pentru interioare {Inter ter T li t/r ntors);
3) T iris toare asimetrice (Asym metri ca l Thpristors) j
4} T iris toare cu condueie n invers (J t&rerse Oondnciing Thyristors)
5) Tiri*toare cu blocare asistit de poart (Gate-assisted Turn-of f Thf*
fistors) ;
) Tiristoare cu amorsare (activare) optic sau optotiristoare (Lightr
A d i mied Thpristors) ;
7) Tiristoare eu blocare pe poart (Gate Turn-Qff Thpristors).
Eli Tot familiei de ti ri stoare ii lut atribuita diac urile { 2.19) si tr iac uri i a
g : m m <
Tiristoarele pentru aplica| ii la freevciia reelei (Pha*e control taa-
^etter Hi yri *tor*) sint utilizate n circuite in care blocarea acestor dispo-
Prin comutai naturala. Ca urinare, viteza de coxxw
tare p acestor iiistoaj o este redus* Gama de cureni a acestor tiristoare
este i f Mr) se- 5., ,3000 A , iar tensiunile maxime de blocare variaz intre
50 V i 5000 \ . ntrueit pentru aceste tiristoare nu se utilizeaz metode
tehnologice de reducere a timpului de via al purttorilor minoritari (vezi
f 2.24.1), ele au pierderi reduce n conducie direct. Astfel, tiristoare de
acest ti p proiectate pentru cureni mari in conducie direct (diametre
ale structurii de a? 75 mm) au cderi de tensiune Vr la Trj =125CC de
pln la 2,3 V (pentru dispozitive cu Vdr m ~ Vr uu = 3 k V) i sub 2,6 V
(pentru dispozitive cu Vdmm = VRKM = 4 k Y). Tiristoarele utilizate la
frecvena reelei au capabiliti n d F/ di de peste 1000 Y/ pis. Utilizarea
amplificatoarelor de poart integrate (vezi 2.10) permite amorsarea
ti ri stoaiel or de arii mari (diametre ale structurii de 5 0 mm) cu cureni
de poart de numai 1 .. .2 A.
Tiristoarele pentru invertoare (Inverter tliyrstors) se deosebesc de
tiristoarele standard, utilizate la frecvena reelei, prin faptul c au o
valoare relativ redus a timpului de blocare /f (de reinil, tq este cuprins
ntre 5 us i 50 is, n funcie de tensiunea maxim di* blocare a dispozi
tivelor). Combinaiile valorilor maxime ale curentului mediu i tensiunii
de blocare n direct/ invers atinse n acest tip de tiristoare snt de 1500
A/ 1200 V, respectiv de 1200 A/ 2500 V.
Tiristoaiele de tip invertor snt utilizate, de regul, in circuite alimen
tate la tensiunea continu. n aceste aplicaii, tranziia dispozitivelor din
starea on in starea off se realizeaz prin utilizarea unui circuit (rezonant)
auxiliar de comutaie sau prin comutare controlat de ctre sarcin. n
oricare din aceste aplicaii, timpul de blocare al tiristoarelor (tq) are un rol
important. Valoarea ct mai redus a timpului tq permite minimizarea
gabaritului/ greutii componentelor reactive ale circuitului care efectueaz
comutaia. Micorarea timpului de blocare tq n aceste tiristoare se obine
prin una din metodele descrise n 2.14.1. O micorare suplimentar a tim
pului tq se realizeaz prin blocarea asistat de poart [22] (vezi 2.14.2).
Pe ling o valoare redus a timpilor de revenire (trr) i de blocare
* tiristoarele de tip invertor au i o valoare redus a timpului tgt (de
comutare din starea off n starea on) i o capabiliiate ridicat n dt/ 'df.
Micorarea parametrului tgt simultan cu mrirea capabilitii n dt/ d<
*e obine prin utilizarea unor structuri interdigitate i a amplificatoarelor
de poart integrate (vezi 2.10). Tiristoarele moderne pentru invertoare
au capabiliti n dt/ dt de peste 1000 A/ jxs.
2.16. Tiristoare de comutaie pentru frecvene ridicate
Tiristoarele de tip inrertor clasice funcioneaz sat isfetor la frecvent*
de comutaie de 10 .. .15 kHz. In instalaiile de putere ce funcioneaz
la frecvene de as 20 kHz snt utilizate uimtoarele tipuri specializate tt
tiristoare :
g tiristoare eu blocare asistat de poart ( 2.14.2) ;
timioaze asimetrice ( 2.16.1) ;
tiristoare eu conducie n invers ( 2.16.2).
Tiristoarele tisimetiice (Asymmetrical thyristors sau ASCH Asym
metrical Silicon Controlled Rectifiers) si tiristoarele cu eondueie tu f g
m
(RCT ~ Reverse Condueting Thyristors) au n comun absena parial (n
caznl ASCM) sau total (pentru J RCT) a capabilitii de blocare a tensiunii
In invers. F aptul c att A SC R, ct i RCT au eapabilitateade a bloca numai
tensiuni aplicate in direct (-f~pe anod, pe catod) a oferit un grad supli
mentar de autonomie in ameliorarea acelor parametri ai dispozitivelor,
care au un rol important n procesul de comutaie (timpul de blocare t,,
timpul de amorsare t9sy cderea de tensiune n direct VT). n prezent
dispozitive de tip ASC R i RC T cu I TUv) =400 A i VDRM = 2 kV
opereaz n mod curent la frecvene de comutaie de peste 20 kHz. Dispo
zitivele de ti p A SC R au utilizri cu un spectru mai larg n echipamentele
de putere, n timp ce R C T are un domeniu de aplicabilitate extrem de
specializat. Ambele tipuri de dispozitive snt utilizate ca principiu
n acele circuite de putere n care nu snt supuse unei tensiuni inverse.
2.16.1. Tiristorul asimetrie
Trstura distinctiv a tiristoarelor asimetrice (ASCR) const n
faptul c aceste dispozitive nu blocheaz dect ntr-o msur redus ten
siunea invers. Aceast caracteristic a tiristoarelor asimetrice este deter
minat de nserarea unui strat subire de tip n, puternic dopat (w+), intre
anodul p+(p*) i baza groas nx (figura 2.87). La aplicarea unei tensiuni
de blocare n direct pe dispozitiv, existena stratului (tampon n+permite
n comparaie cu un tiristor convenional (simetric) micorarea sub
stanial a extinderii zonei de sarcin spaial a jonciunii centrale (J a)
n direcia stratului de' anod pr. Datorit faptului c zona tampon n+ n
greuneaz avansarea regiunii de cmp electric nspre stratul p19 grosimea
bazei nxpoate fi redus substanial, fr a afecta eapabilitatea de blocare
n direct a dispozitivului. Micorarea grosimii TFfll a bazei nx permite,
la rndu-i, optimizarea corelaiei dintre cderea de tensiune n direct VT i
timpul de blocare tq exprimate, ntr-o prim aproximaie, de (vezi 2.7):
y i E a l (2.114)
D t
unde D i r snt coeficientul de difuzie i, respectiv, timpul de via al
purttorilor minoritari (goluri) n baza nv
Pentru o tensiune de blocare n direct prestabilit, utilizarea unui
strat tampon n+n tiristoarele asimetrice permite reducerea de aproxima
ti v dou ori a grosimii Wni a bazei nx n comparaie cu un tiristor con
venional (asimetric).
Conform relaiei (2.114), njumtirea grosimii WU1a bazei % per
mite reducerea timpului de via t de patru ori (adic rapidizarea dis
pozitivului) n condiiile meninerii la aceeai valoare a cderii de tensiune
n direct VT. Micorarea n aceste condiii a timpului de via se traduce,
de regul, printr-o diminuare cu cel puin 50% a timpului de blocare t9
Intr-un tiristor asimetric (vezi figura 2.88) n comparaie cu un tiristor
convenional (asimetric). Datorit grosimii reduse a bazei % tiristoarele
asimetrice se caracterizeaz printr-un timp de amorsare (tvt) mai scurt i
posed o capabilitate ridicat n di/ di.
133
q;
Fig. 2.87 Structura chematic a unui (a) tiristor convenional (simetric) i a unui (b)
tiristor asimetric la polarizarea n direct anod-catod. Distribuia cimpului electric E este
ilustrat schematic pentru cele dou cazuri. Prezena stratului tampon n+ n tiristorul
asimetric permite micorarea grosimii bazei % n comparaie cu un tiristor simetric.
Fig. 2.88. Compararea corela
iilor experimentale tipiqe cdere
de tensiune n direct (V T) timp
de blocare (/ 9) n tiristoare sime
trice i asimetrice cu tensiuni dt
blocare In direct VBRm 1250 V.
, Timpul .de blocare tq[p $ ] *
L a aplicarea unei tensiuni de blocare In invers p e un tiristor asimetric,
existena zonei tampon n+, adiacent stratului de anod p l9 limiteaz
valoarea maxim a tensiunii la aproximativ 20 Y.
Tiristo&ree asimetrice snt utilizat, de regul, In conjuncie cu diode
iredresoare conectate n paralel, al cror rol este de a limita tenehmea
invers, aplicat la valori de ordinul 1 .. ,2 V,
Tir kt oarele asimetrice sint fabricate n mod curent la tensiuni maxime
de blocare n direct de 2000 Y i cureni J TMV) de pn la 400 A. Binfc
utilitate n circuite invertoare ca di spozi ti ve de comutaie rapid, avlnd
o cdere de tensiune n direct Vt redus.
2.16.2. Tiris torul eu eondueie invers
Tiristorul cu eondueie fit invers (R C T *=Reverie Conuct ng Thyri#-
lor) este un dispozitiv cu structura pnpn i trei terminale (anod, catod,
poart) care are un comportament similar cu cel al unui tiristor conven
ional la polarizarea sa n direct, ins nu posed capabilitatea de a bloca
tensiunea invers aplicat. Aceast particularitate a R C T este dictat de
prezena unturilor nu numai n stratul de catod (*2), dar i n cel de
anod (px). Structura simplificat a unui R C T este prezentat n figura
2.89 .a.
v a)
Flg. 2.89. (a) Structura unui
timior cu eondueie n in
vers (RCT). (b) Caracteristi
ca static V i simbolul
<n| Kzmviiiui.
i 3a
fu i r j l e de anod Mint reali ga te prin introducerea unei zone de tip nf
puM m<- dopate (fi4), Intre contact ui de anod i stratul p afer ent, pe de o
part* $ bura % pe de alt parte.
I*a polarizarea n direct a R C T diapoziti vul se comport ca un tiristor
f<>mi!oiaL fapt reflectat de caracteristica 1V a dispozitivului (vezi
fura 2.89.h). R C T blocheaz tensiunea aplicat n direct i trece In tar ea
de conducie (on) prin aplicarea unui semnal pozitiv pe poart.
La polarizarea n invers a R C T jonciunea J n care n tiristoarele
convenionale blocheaz tensiunea aplicat (vezi 2.5), este scurtcircuitat
la terminalul anod. Ca urmare, R C T nu poate bloca tensiunea apl i cat
i, in consecin, prin dispozitiv circul un curent invers de val or i mari.
Astfel, la polarizarea n invers, R C T se comport ca o di od redresoare
polarizat in direct, fapt reflectat ati t de caracteristica I V (vezi
figura 2.89.d), cit i de simbolul R C T. ntru c t di spozi ti vu l tr ebu i e s
blocheze numai tensiunea anodic aplicat n di rect, ntreaga structur
se contureaz sub un singur unghi (pozi ti v pentru j onci u nea J 2 care
blocheaz tensiunea, vezi 2.5 i 2.6), ceea ce este convenabil di n punct
de vedere tehnologic i permite pstrarea unei arii utile mar i a catodul u i .
R C T are o serie de avantaje n comparaie cu tiri stoarel e conven
ionale, care au doar unturi de catod. n primul rnd, R C T poate opera
la o temperatur mai ridicat a jonciunii (T vi 150C) n compar ai e
cu tiristoarele convenionale (125C). n consecin un R C T poate func
iona la densiti mai mari ale curentului anodic n starea on dec t un
tiristor convenional. n al doilea rnd, comportamentul R C T n starea
de blocare n direct este independent de influena factor i l or de c ti g n
curent i a.,*, iar valoarea tensiuni VFB0(V DRM) este pr acti c egal
cu tensiunea de strpungere n avalan a jonciunii J 2 (vezi 2.6). ntr u
ct tensiunea de strpungere n avalan are un coeficient pozi ti v de var i a
ie cu temperatura, tensiunea VFB0 a unui RC T crete cu temperatura
jonciunii (vezi figura 2.90). Se observ c tensiunea VFBO a unui R C T
continu s creasc la temperaturi T vj de peste 150C, n timp ce. n
cazul unui tiristor convenional VFBO scade rapid pentru T vi > 125C.
n al treilea rnd, un R C T
are n mod inerent un ti mp re
dus de revenire/ blocare din
starea on n starea off ntruct
capabilitatea de blocare n di
rect este independent de aci
unea regenerativ a celor
dou tranzistoare componen
te ale structurii. n consecin
, un R C T poate fi dopat
mai puternic cu aur (sau pla
tin) n vederea micorrii
timpului de via al purttori
lor minoritari (vezi 2.14.1)
n comparaie eu un tiristor
convenional, fr a m dete
riora capabilitatea de bl ocat
n direct a acestui dispozitiv.
T [ 0C]^
Fif, %M f Dependena tipic Ue temperatur a ten-
tanti maxime dfr blocare in direct pentru un HCT
un tir tot or convenional.
8 t ! ut tlizat* n aplicaii de nalt frecven
R i r luciu impu*, tiri&to&rele nu trebuie * blo-
chit ^tensiuni aplicate iii invers.
2.17. OptoUrislonil
Tiristorul activat optic (L AT = Liyjbt Activa ied Thyristor sau
LAS * Light Activatcd Swiich) este un dispozitiv cu patru straturi i
trei terminale care poate fi amorsat cu un semnal luminos (vezi 2.8.2).
Optotiristorul (fototiristorul) permite realizarea unei izolri electrice ntre
circuitele de for i cele de comand prin utilizarea transmisiei pe fibra
optic a semnalului optic de amorsare (vezi figura 2.48). innd seama de
faptul c rspunsul spectral maxim al siliciul ui are loc pentru o lungime
de und X 0,85 .. .1,0 ;xm a energiei radiante, pentru excitaia optic a
acestor dispozitive se utilizeaz diode electroluminiscente (L E D) din GaAs
(vezi 2.23) i laseri din GaAs.
Principiul de amorsare al unui optotiristor este ilustrat in figura 2.48.
Semnalul optic de la un \ LED este transmis prin fibra optic (cablu optic)
pe suprafaa sili ciulul. Iluminarea omogen a catodului pe o zon cu raza
r = rt conduce la generarea de perechi electron-gol n volumul siliciului
situat sub legiunea iradiat. Contribuia cea mai important la curentul
prin structui este datorat perechilor de electron-gol fotogenerate n zona
de sarcin spaiala a jonciunii J 2, polarizat invers (vezi figura 2.91),
precum i in straturile p2i nlf la o distan mai mic dect o lungime de
difuzie a purttorilor minoritari (din aceste baze) de zon de sarcin spa
ial. Purttorii generai n perechi n zona fotoactiv snt separai de
eimpul electric din zona de sarcin spaial intr-un interval de timp de
ordinul nanosecundelor, adic practic instantaneu, n comparaie eu tim
pul de amorsare al unui tiristor tipic (care este de ordinul as). Separarea
purttorilor nseamn c golurile snt transportate n baza p2, iar electronii
in baza % (vezi figura 2.91). n consecin, ambele baze ale dispozitivului
snt alimentate simultan eu o cantitate egal de purttori majoritari prac
tic fr ntrziere fa de momentul fotogenerrii acestora. Ca urmare, n
momentul amorsrii optotiristorului, curentul anodic prin dispozitiv crete
instantaneu i abrupt cu o cantitate egal cu fotocurentul generat. Valoarea
acestui curent este amplificat de aciunea regenerai v a celor dou tran-
zistoare componente ale structurii pnpn, ntr-o manier similar amorsrii
pe poart a unui tiristor convenional (vezi 2.8.1 ).
Se remarc faptul c rolul terminalului de poart dintr-un tiristor
convenional este jucat n acest caz de fibra optic, care este cuplat la
un capt la sursa luminoas, iar la cellalt capt este fixat pe suprafaa
iradiat cu ajutorul unei rini siliconice.
Un optotiristor de putere poate fi amorsat cu o putere optic extrem
de redus ( 0,2 mW pentru un tiristor de 3 kV), deoarece cu ajutorul
fibrei optice puterea optic poate fi concentrat ntr-o zon de dimensiuni
extrem de reduse. Astfel, de exemplu, n cazul utilizrii unui cablu optic
cu diametrul de 100 jim aria iniial n conducie este sub 10"2mmg.
n consecin, densitatea de putere disipat pe aria iniial n conducie
137
Fie. 2.91. Structura unui optotiristor cu dou amplificatoare de poart integrate i indicarea
secvenelor de amorsare la acionare optic.
poate fi substanial*, ceea ce prezint pericolul distrugerii optotiristoru-
lui prin efect di/dt (vezi 2.10). Pentru amplificarea rapid a fotocuren-
tului generat iniial, precum i pentru prevenirea distrugerii optotiristoa-
relor prin efectul di/dt, structura dispozitivelor moderne nglobeaz dou
sau mai multe amplificatoare de poart integrate (vezi 2.10). Spre exem
plificare, amorsarea iniial a dispozitivului din figura 2.91 are loc prin
gtructura pln1p2n2Ga tiristorului integrat de poart TG; curentul anodio
al tiristorului T G devine curent de poart pentru tiristorul TA(p1n1jp2n^)
care, odat amorsat, preia condueia curentului prin structur, determi-
nnd n final intrarea n conducie a tiristorului principal Tpi p^p^n^).
Sensi bi li tatea optotiristoarelor este definit la o tensiune anod-catod
minim (de regul, VD ==6 V), creia i corespunde o extindere minim a
zonei de sarcin spaial a jonciunii J 2, deci a regiunii fotoactive.
Folosirea ca surse de semnal optic a diodelor electrolummiscente
(L E D), care au o putere optic redus (vezi 2.23), implic proiectarea
optotiristoarelor pentru o sensibilitate mrit la excitaia luminoas. Ud
optotiristor sensibil la semnal optic este ns inerent sensibil i la semnale
interne parazite, generate de efectul dF/ dt [4, 6,19, 22] (vezi 2.9.1). Ca
urmare, n optotiristoarele performante se urmrete realizarea unui
compromis ntre sensibilitatea la amorsarea optic i cea parazit. Soluia
acestei probleme const n realizarea unor regiuni fotoactive de dimen
siuni reduse, ceea ce implic arii iniiale n conducie foarte mici. Astfelf
* Un curent de 100 mA pe o arie iniial In conducie de IO*"8mm*, impHc o densitat*
a curentului anodic de 1000 A/ cm* (1).
dimensiunile tipice ale regiunilor fotoaetive n optotiristoare (rl in figura
2.91) snt de 10 pn la 100 de ori mai mici decit dimensiunile zonei de
poart sau ale tiristorului auxiliar (vezi 2.10) n tirist oarele convenionale
eu amorsare electric. Beducerea dimensiunilor zonei fotoaetive reclam
introducerea unor amplificatoare de poart integrate n vederea meninerii
la o valoare ridicat a eapabilitii n di/ di.
Trebuie remarcat faptul c, datorit fenomenului de acumulare simul
tan a sarcinii purttorilor fotogenerai n ambele baze ale optotiristoarelor
n procesul de amorsare, ele au un timp de ntrziere i* mai redus n1com
paraie cu tiristoarele convenionale amorsate electric (avnd o structur
identic). Acest avantaj al optotiristoarelor iese n eviden n cazul cnd
semnalul optic genereaz un fotocurent n baza p2 echivalent cu semnalul
electric aplicat pe poarta unui tiristor convenional avnd aceeai structur.
Prototipurile optotiristoarelor performante au urmtorii parametri
de baz [22]:
> Vdr m = y r r m = 4 kV ;
If{Av) as=1500 A 9
Puterea optic necesar amorsrii: zecimi de m W ;
Capabilitatea n dF/ dt = 1500 . . .2000 V/ pis;
Capabilitatea n dt*/ di = 250 A/ j j ls.
Progresele recente n domeniul optotiristoarelor s-au datorat i imple
mentrii unor concepte noi, cum ar fi cel de amorsare controlat (controQed
tum-on), care permite mrirea eapabilitii n di/ di, precum i proteciei
la breakover, care previne distrugerea dispozitivelor la amorsare prin curent
de avalan (vezi 2.8.3).
Optotiristorul i-a gsit aplicaii n principal n sisteme de comutaie
pentru linii de transmisie ale curentului continuu, care opereaz la tensiuni
extrem de ridicate, precum i n acele sisteme de control fotoelectric unde
izolarea circuitelor de for de circuitele de comand este esenial.
2.18. Tiristoare cu blocare pe poart (G T O )
Tir istorii] eu blocare pe poarl (GTO = (jate turn-off thyristor) este
on dispozitiv cu structura pnpn, amorsabil cu semnal pozitiv pe poart
i care poate fi blocat cu semnal negativ aplicat pe poart chiar fr inver
sarea polaritii tensiunii externe anod-catod (vezi figura 2.64). Dispozi
tivul combin proprietile de baz ale unui tiristor convenional (eapa-
bilitatea ridicat de blocare a tensiunii n direct i invers, sensi bi li tate
ridicat la semnalul de aprindere aplicat pe poart) cu cele ale unui tran-
jristor (capabilitatea de stingere prin aplicarea unui semnal pe terminalul
de comand). Facilitatea de blocare pe poart este avantajoas deoarece
ea confer flexibilitate n diferite aplicaii (invei toare, contactoare statice,
ehoppere, generatoare de impulsuri) i ofer posibilitatea simplificrii
ciretutelor de for. Unul din avantajele principale ale tiristorului GTO
fa de tranzistoarele de putere const n puterea relativ redus consumat
de poart In timpul funcionrii dispozitivului. Astfel, tiristorul GTO
necesit un semnal pe poart numai pe durata proceselor tranzitorii de
amorsare, respectiv de blocare. O comparaie dintre proprietile de baz
p t tiristoarelor GTO i a altor dispozitive de comutaie este prezentat
Tabelul 2.4.
Tabditt 2 .4
T I n*I fo()i Nrali v t i caracteristicilor principale ala dispozitivelor se*nlHMl*ieioare de pater.
Caracteristica
[Tranzistor
: bipolar
Tiristor
GTO
l
TEC-MOS
putere
1TBC-J de
putere
SJ TlF CT
| Translator
cu poart
izolat (I GT)
Starea normal off off off
j off
1
on an
fioshini de Mo*
care la invers
. (V)
50 500,.,4500 50...500
{
50...500
500...3000>200...2500
Tensiunea de
blocare In
direct (V)
50...1000 500...4500 50...500
I
50...500
500...3000 200...2500
Densitatea de
curent In cond-
ucie direct
(A/ cm1)
40
1
200
10
10 200
20
Capabil itatea In
suprasarcin J
i redus foarte bun redus
redus bun
bun
1
Frecvena ma-j
xim dc lucru
(kHz)
50 10 20.000
200.000j 20
50
Puterea necesar |
pentru coman
da porii / bazei mare medie
foarte mic
mic medie
foarte mic
Temperatura
maxim de
lucru CC)
150 125 200 200 200 i
200
Capabiliiatea n
d V/ di
medie bun foarte bun foarte bunj foarte bun
foarte bun
Oapabilitatea n
dl/ di
medie bun foarte bun ifoarte bun! medie
foarte bun
Rezistena la
radiaii
slab slab medie
-1
bun bun i
medie
Tiristorul GTO este preferat tranzistorului de putere n aplicaii de
mare putere la frecvene ntre 1 i 20 kHz datorit capabilitii sale ridi
cate n blocare a tensiunii i a fiabilitii sale la suprasarcin (de cureni
sau tensiuni).
La aplicarea unui impuls pozitiv de comand pe poarta dispozitivului
tiri storului GTO comut din starea de blocare direct n starea de con-
ducie ca un tiristor convenional. La aplicarea pe poart a unui curent
negativ de amplitudine I am i durat tar se declaneaz procesul de blocare
al tiri&torului GTO : curentul i r prin dispozitiv scade, iar tensiunea anod-
c&tod VD crete. Principalele componente ale timpului de blocare al tiris-
torului GTO snt (vezi figura 2.92).
timpul de stocare (storage time) is1 care caracterizeaz ineria di-
pozitivului m rspunsul su l a semnalul de comand aplicat pe poart.
Ti mpul I* dureaz din momentul aplicrii semnalului de blocare pe poart
pin end curentul anodic i r scade la 0% din valoarea sa n starea de
conducie a di spozi ti vu l u i ;
M
Fig. 2.92. Variaia curentului anodic (a), a curentului
de poart (&) i a tensiunii anodice (c) In vederea defi
nirii timpilor caracteristici procesului tranzitoriu de
blocare pe poart a unui tiristor GTO.
Fig. 2.93. Circulaia curenilor prin
structura pnpn echivalat unicii
mensiO.al cu dou tranzistoare com
plementare la blocarea cu semnal de
poart (/ <j) a unui tiristor GTO.
timpul de descretere {fall time) L, definit ca timpul necesar curen
tului anodic i T s scad de la 90 % la 10 % din valoarea sa iniial. Simul
tan are loc creterea tensiunii anod-catod VDJ ntreaga tensiune pe dispo
zi ti v fiind blocat de jonciunea central. Ca urmare, in timpul acestei
faze a procesului tranzitoriu pe dispozitiv se disip o putere apreciabil;
timpul de ncheiere sau revenire (tatt time) tt1 este perioada de
timp necesar pentru scderea curentului anodic i T de la 1 0 % la 2%
din valoarea sa iniial. I n decursul intervalului tt are loc recombinarea
tarcinu reziduale stocate n baza groas n}.
Principiul atingerii pe poart a unui tiristor GTO este ilustrat n
figura 2.93, pe baza modelului unidimensional al structurii pnpn format
din dou, tranzistoare complementari*. Curentul de baz necesar pentru
a menine tranzistorul npn n stare de conducie este (1 - anpu)[k,
timp ce curentul real de baz al acestui tranzistor este - / ).
I n consecin, tiristorul GTO se va bloca dac a [4, 6 ]:
adic dac
L
I gr < (1 ***)^*
4*
- 1
I a
(2.115)
(2.116)
deoarece:
I A = 2* 4-
Definind citigul n curent la blocare G0// c
_________j t / t v ____. 4 - n l r>n(TCl,1
(2.117)
anodic ntrerupt I A{'- -*rTM-r
din relaia (2.116) rezult :
___ a raportul dintre curentul
I t m)* curentul negativ de poart Icb(^o/ / = I ai I gr}
G
//
^21
(2.118)
Conform (2.118) obinerea unui factor \ Gof/ c t mai mare implic
faptul ca suma celor doi a s fie aproape de unitate, meninndu-se n
acelai timp un o,,, suficient deri-
g k g dicat. Valorile uzuale ale lui Gtff
variaz ntre 2 si 8.
n2
a)
G
srZona final
n conducie
Parametrii principali al dispo
zitivelor GTO sint determinai de
fenomenele specifice procesului de
blocare pe poart (vezi figura
2.94): constricia progresiv a
ariei de conducie n direct a cu
rentului anodic, care are loc si
multan cu evacuarea curentului
Igr spre terminalul de poart. La
sfritul timpului de stocare U
curentul anodic se restrnge ntr-o
arie-limit aflat n centrul cato-
dului (vezifigura 2.94.6). denumi
t* arie/ zcmd final in conducie
(final on-zone). Limea acestui
filament al curentului anodie este
extrem de redus (40 xm
60
Fig. 2.94. Seciune transversal priiUr-un tiris-1
tor GTO ea indicarea zonei de conducie a curen
tului anodie, la nceputul procesului tranzitoriu
de frlocare (a) i la sitritul timpului de stocare
l, (b).
Ijim). ntruct n decursul fazei de
stocare t, curentul anodic este
practic constant (vezi figura 2.92)
micorarea ariei n conducie im
plic o cretere substanial a den
sitii curentului n zona final 0
conducie. Dac densitatea curen
tului anodic la Bfritul fazei t* de
pete o anumit valoare criticai
142
atuiK'i puterea can* se disip pe dispozitiv In intervalul i, {vezi figura
$J f2) conduce la supraiiHslzirea structurii pnpn i, in final, ia distrugerea
tlectrot#rmic& a tiristorului. Fenomenul de detectare a dispozitivului se
explic pe baza proceselor descrise in { 2.8 i { 2,10.
O alt limitare tipic tiristo&reior G TO deriv din polarizarea in invers
a jonciunii poartrcatod datorit cderii de tensiune induse pe rezistena
bazei pt de curentul 2C*. Valoarea maxim a curentului care poate
fi extras pe poarta unui tiristor G TO este limitat de tensiunea de str
pungere a jonciunii poart-catod, care are valori tipice de 7 V 77
20 V (vezi 2 J 2). Depirea acestei tensiuni conduce la pierderea controlului
efectuat de poart asupra procesului de blocare, tn cazul in care jonciunea
poart-catod este supus unei tensiuni superioare valorii B V un timp
mai ndelungat (de regul, peste 100 .. .200 y.s), dispozitivul se defecteaz
ireversibil. n consecin, nu se recomand operarea jonciunii poart-ca
tod In regim de avalan.
Tiris torul G TO are urmtorii parametri specifici procesului de blocare
pe poart [19, 26]:
1) Curentul anodic maxim controlabil de poart (peak controllabk anodt
eurrenl sau peak controllable on-state current) Itqm (sau Iato) este valoarea
maxim a curentului n conducie direct care poate fi ntrerupt fiabil
prin aplicarea unui semnal adecvat de comand pe poart. Valoarea aces
tui parametru este limitat pentru un anumit tip de tiristor G TO (de
arie i capsul date) de fenomenele bidimensionale care au loc n structura
pnpn in timpul procesului tranzitoriu de blocare : strpungerea jonciunii
poart-catod i dimensiunile zonei finale de conducie a curentului anodic,
precum i de temperatura jonciunii Tvi i rata tensiunii anodice reapli-
cate (dFp/ di) la sfritul perioadei de stingere. Valoarea acestui parametru
se refer la un singur ciclu onjoff al tiristorului GTO (regim nerepetitiv *)
i este specificat pentru Tti 125C i VD ==2/ 3. VDRM.
2) Curentul anodic maxim controlabil de poart n mod repetitiv (peak
repetitive controllable on-state current) I TQRM este valoarea maxim a curen
tului in conducie direct care poate fi ntrerupt fiabil n mod repetitiv
prin aplicarea unui semnal negativ adecvat de comand pe poart. Para
metrul I rQnu se refer la un regim staionar de funcionare al tiristorului
GTO in regim on/ o/ / , adic la o anumit frecven f de amorsare i blo
care pe poart a dispozitivului. Parametrul Itqkm este specificat n ace
leai condiii ca i I Tqmi menionndu-se totodat frecvena/ de comutare
a tiristorului. Pe ling factorii limitativi menionai pentru ir* para-
metrul este afectat de pierderile in comutaie ale dispozitivului i de
fenomenele electrotermice care le nsoesc. Datorit acestor limitri adi
ionale, valoarea parametrului l TQttu este, de regul, mult inferioar (une
ori chiar de dou ori) fa de curentul maxim Itqm-
3) Timpul de blocare tmi componentele * t, (vezi figura 2.92)
aleprocesulu^de stingere pe poart se specific, de regul, pentru un curent
anodic egal cu I TQr m la o temperatur a jonciunii Tw 1250. Bata de
cretere a tensiunii anodice reaplicate (dVDjt) (vezi figura 2.9S.c) se spe
cific pentru o valoare finalii Va =2/3
* Parametrul poorU i denumirea de rum-rtpeiUiim peak contrvtlabk m-rtvte curetnt.
143
Se utilizeaz adesea notaiile : tdqpentru U; tr(l pentru tir ttq pen
tru tt.
4) Sarcina stocat Qgq (vezi fi gura 2.92.6) este val oarea sarcinii elec
trice extrase pe poart n decursul timpului tgg.
5) Valoarea curentului prin dispozitiv (I TQ) la sfritul timpului de
blocare tg9( t( + tf ). Valoarea acestui curent la nceputul fazei tt este
important n funcionarea dispozitivului pe sarcini inducti ve.
6) Factorul operaional de ctig n curent la blocare (operaional turn-off
gain) Goff
n . ITQRM (ty -| -|
<**// ------ ( . 119)
GRM
definit ca raportul dintre curentul anodic controlabi l de poart n mod
repetitiv I TQJiM (curentul de ieire), i ampli tudi nea I GRM a curentului de
intrare (de poart). Timpii tt, tf i tt (fi gura 2.92) snt de regul, specifi
cai pentru aceast valoare a ctigului Goff. Factorul Goff specificat de
fabricant se recomand a fi utilizat n aplicaiile concrete ale fi ecrui ti p
de tiristor GTO pentru a se obine o comutare rapi d i fi abi l a dispozi
tivului.
7)Factorul maxim de ctig" n curent la blocare (pedk turn-off gain)
C W- w = T j (2-120)
+GRMmin
este definit la valoarea minim 1Grm mma amplitudinii curentului de poart
care mai poate asigura ntreruperea curentului anodic iT pri n dispozitiv.
De regul, Gof/(max)se definete pentru i T ==I Tqrm-
Utilizarea tiristorului GTO la un ctig maxim n curent Goff{max) con
duce inerent la creterea timpului de stingere (tgg) n principal datorit
creterii componentei de stocare, t5.
8) Valoarea critic a ratei de cretere a tensiunii de blocare reaplicate
n direct la stingerea tiristorului GTO (criticai rate of rise of re-applied off
state voltage) Vl&tcr este valoarea maxim a rampei VD/ dt (vezi fi gura
2 .92.0) la care poate fi supus dispozitivul n timpul procesului de blocare.
Depirea acestei valori poate conduce la distrugerea electrotermic a
tiristorului GTO. Parametrul (dVD/ ier) se specific la temperatura jonc
iunii Tv) = 125C pentru o valoare final a tensiunii anodice reaplicate
indirect Vp =2/ 3 VDRM. Valoarea parametrului (d Vo/ dt)^ poate fi egal
cu cap abilitatea n V/ t a tiristorului,
9) Tensiunea invers maxim de poart (peak reverse gate voltage) V^u
este valoarea maxim a tensiunii negative care poate fi aplicat ntre
poart i catod n vederea blocrii tiristorului GTO. Valoarea parametrului
Vjigu este determinat de tensiunea de strpungere poart-catod BVJ 9
care are valori ntre 7 V i 20 V. ,J Sj
10) Vgjoi i Iqrm snt valorile maxime ale tensiunii i curentului de
poart intr-o aplicaie dat.
11) Bata de cretere a curentului invers de poart (rate of nse of reverse
gate ourrent d&eijdt (n A/ is) este viteza de cretere cvasi liniar a curen-
tului negativ de poart, de la valoarea zero la iex S I GBM (vezi figura J
Valorile tipiee ale parametrului di^/ t snt cuprinse ntre 1 A/ jis j
i St) A ui. Mrire ratei dUmJ At la blocarea pe poart, a unui tirwtar GTO
conduce la micorarea substanial a valorii l9 (vezi figura 2.92).
Parametrii de amorsare i conducie direct m definesc identic ea
pentru un tiristor convenional*
Tirtoarele GTO m fabric in prezent intr-o gam. larg de puteri
comutate : de la 6,5 A/ 800V la 2000 A/ 4500V. Specificul circuitelor de
comand pe poart in unele aplicaii consacrate ale tiristoarelor GTO
este prezentat n 8.3.
Variantele constructive care s-au impus In ultimii ani sint urmtoa
rele [22]
Tiristoare GTO cu conducie n i nvers (RCGTO Reverse Conduc-
litt GTO), care utilizeaz unturi de anod (vezi 2.16.2) pentru micora
rea atit a timpului de blocare pe poart, cit i a cderii de tensiune in
direct VT ;
Tiristoare GTO cu poarta ngropat (BGGTO Buried Gate
GTO), n care poarta este ngropata n stiatul pv ceea ce mrete
atit tensiunea de strpungere a jonciunii poart-catod BVJ 2 la 60 V . . .
80 V, ct i eficiena controlului procesului de blocare;
Tiristoare GTO cu dou nivele de interdigitare (T1L GTO Two
Inie rigitation Level s sau double interdigitaied GTO), care prezint avanta
jul unei tehnologii simple de realizare combinate cu o serie de caracte
ristici mbuntite n comparaie cu dispozitivele GTO convenionale.
ntr-un dispozitiv T I L GT O, configuraia poart-catod subdivide
structura vertical a tiristorului ntr-o serie de minitiristoare. Fiecare
dintre aceste minitiristoare conine o structur elementar, pnpn standard
adiacent unei structuri pnpn aparent neregenerative, avind un emitor n2
subire i o baz p2 groas (vezi figura 2.95).
Fig. 2.^5. Sveiune prinlv-im Uristor GTO cu dou ii vele de
interdigitare T I L fwo i'nlerdigitatiori / evels)*
* e - t
Schema echivalen simplificat a unui minit iris tor T I L ele format
diatr~un ti i i i i i &tor pnp ct i t u i p i l ,,drive-ul pentru dou tranzUtoare
ftj* conectate In paralel (vezi figura 2.96).
Bolul funcional principal zo
nelor superficiale de catod t est#
de a asigura o cale preferenialii
I\ de rezisten lateral sczut In
baza j>, pentru evacuarea spre ter-
minalui de poart a curentului
(anodic an de natur prsit)dii
structura di spozi ti vul ui (vezi i
figura 2.36).
Avantajele principale ale ti-
mi oarel or T I L GTO sint urm
toarele [2529 ]:
a) Posibilitatea extragerii ra-
_______ ^p i d e i uniforme a curentului ano
dic chiar din zonele mai ndepr
tate de metalizarea de poart;
b) Atenuarea substanial a
influenei l i mi tati ve a tensiunii
Ide strpungere poart-eatod B Y J t
asupra funcionrii dispozitivului;
c) I nsensibilitate la semnale
interne de zgomot, adic la aci
unea curenilor parazii generai,
de exemplu, de efectul d F/ dl (vezi
figura 2.86);
d) Sensibilitate ridicat la
amorsarea pe poart, concretizat
prin valori r el ati v reduse ale parametrilor I GT, I L i ;
e) Valori relativ mari ale ctigului operaional n blocare GtJ t (8 ...
. . .20);
f ) Fiabilitate electrotermic ridicat, datorat unei arii finale n
conducie la sfritul timpului de stocare t, (figura 2.94. b) mult supe
rioare celei din tiristoarele GTO convenionale.
De remarcat ca o particularitate a tiristoarelor T I L GTO faptul c
in conducie direct curentul anodic este format din componentele / t i
/ , (vezi figurile 2.95 i 2.96) corespunztoare seciunilor pnpn standard,
respectiv celor cu baz ps groas (J j # I z). Pe msura creterii densitii
curentului anodic Sn conducie direct se produce fenomenul de egalizare
a curenilor l x i I , .
Fig. 2.96. Schem echivalent simplificat
(ttBMfmensional) a unui tiristorGTOcu dou
nivele de interdigitare.
Caracteristicile tipice dc
owu 38 Vmv*
k V ; I
blocare ale unui tiristor T I L GTO de putere
125 A) cu o arie util a eatodului l
2.97. 1,7 cm* slnt prezentate n figurai__
Se remarc faptul ca :
a) Tiristorul poate comuta fiabil un curent anodic maxim contro
labil de poart I Tq*m = 600 A, ceea ce corespunde unei densiti dl
curent de 350 A/ cm2 ;
b) La un cttig operaional la blocare Qp/f m , timpul de eom o tare
din starea on n starea off la un curent 1Tq*m *=600 A este sub 30 ^ ?
e) Cltgul I a blocare G,ff crete odat cu creterea curentului anodi c
eomut&t tr * Acest comportament i mpli c di mi nuarea fraci uni i relati ve a
curentului negativ de poart necesar i ntreruperii curentului prin tiristor,
dat cu creterea curentului i T.
Curente! cnotfc [A] *----- *-
Fig. i.y;. Utigul de Luocare Gtf/ i valorile corespunz
toare ale timpilor de stocare it, respectiv de cdere // n
funcie de curentul anodic comutat pentru un t iris tor
GTO cu dou nivele de intcrdigitare (T I L ) de 2kV/ 125A
avind aria catodului de 1,7 cm2.
Ceilali parametri electrici ai dispozitivelor T I L GTO de putere au
urmtoarele val or i :
cderea de tensiune n conducie direct Vr =1, 9 V (la I TM
500 A ; Tv} = 125C);
curentul minim de amorsare I GT ==250 mA (la VD = 6 V ; T^ =
25<);
tensiunea minim de amorsare VGT ~ 700 mV (la V& = 6 V ;
Tfi - 2 5 C );
timpul de amorsare tft = 1 2 jar (la I TU = 600 A ; Gem*5=50);
capabilitatea n dVft 1 kV/ jis (T ci ** 125);
curentul de meninere l a ~ 2 A ;
curentul de suprasarcin I Tm ~ 3,5 kA (T rf =125C);
tensiunea de strpungere poart-catod BVGM =15 V.
Parametrii electrici ai tiristoarelor GTO convenionale cu capabili tate
maxim in curent/ tensiune realizate pn n prezent au urmtoarele va
lori
tensiunea de blocare VDRU = 4500 V ;
curentul anodic maxim-controlabil de poart I TQr m =2000 A ;
timpul de blocare pe poart tq =30 (is (I Tqr u 2 kA) ;
I e&derea de tensiune n direct F T 2 V (b i j , 900 A, 2^ **
147
curentul minim de amorMure I qt # 800 m A
timpul d<amorsare t,f = 10 tin;
curentul de suprasarcin I t sm ==14 kA ;
tensiunea de strpungere poart-catod Vena * V.
Aceste tiristoare nu blocheaz tensiunea invers aplicata, intruclt
an funturi de anod (veri 2.16.2) n vederea micorrii timpului fa.
Utilizarea tirisioarelor QTO n locul celor convenionale permite sim
plificarea ati t a circuitelor de for, ci t i a celor de comand. O modali
tate de simplificare a unui circuit de for utilizind dou tiristoare conven
ionale ( T 9 i Tm) prin nlocuirea acestora cu un singur ti ri stor cu blocare
pe poart (QTO) este ilustrat n figura 2.98.
Fig. 2.98. Simplificarea unui circuit de for clasic utilizind dou tiristoare
convenionale prin nlocuirea acestora cu un singur t iris tor cu blocare de
poart (GTO).
2.19. Diacul.
Diacul (diode ac switch) este un dispozi ti v cu dou termi nal e format
din dou structuri pnpn (diode Shockley) conectate in antiparalel (vezi
figura 2.99). Diacul este un dispozitiv bidirecional, adic este caracterizat
prin stri de on i off atlt pentru polariti pozi ti ve, c t i cele negative
ale tensiunii anodice. n consecin, diacul este utilizat n aplicaii de curent
alternativ (de unde provine i denumirea sa de ac switch).
Comutatorul bidirecional pnpn (diacul) integreaz n aceeai structur
dou diode Shockley, conectate n antiparalel. Simetria structurii diacului
ae traduce printr-un comportament identic la ambele polariti ale ten
siunii aplicate. Caracteristica curent (I ) tensiune (F ) i simbolul dia
cului sint prezentate n figura 2.100. La aplicarea unei tensiuni pozitive
pe terminalul Mx(vezi figura 2.99.&), devine operaionala structura J *i2>s*
a diacului, n timp ee structura adiacent este blocat n invers,
h momentul n care tensiunea pozitiv aplicat pe atinge valoarea
tensiunii de breakover ( VFt0) structura pin1ptn1t a diacului intr n con-
ducie direct (on). Polaritii pozitive a tensiunii pe terminalul M*..&
corespunde caracteristica static I~~V din cadranul I . La aplicarea une*
tensiuni negative pe terminalul M x (in raport cu M t), structura
148
este blocat n invers, operaional devenind structura pin\ p'tn't a diacului.
Atunci cnd tensiunea negativ pe terminalul M t atinge valoarea V FBO
structura p[n\ pa^ a diacului intr n conducie direct (on). Funcionarea
diapozitivului n acest caz este descris de caracteristica static l V din
cadranul I I I .
Din cele prezentate reault c diacul blocheaz tensiunile aplicate de
ambele polariti i conduce n direct n ambele sensuri. Comutarea diacului
din starea off n starea on se efectueaz prin aplicarea unei tensiuni egale
cu VfBO, Amorsarea parazit a diacului se efectueaz prin efectul du/ d t
(vezi 2.9.1).
M?
m
BOBUI
r>2
p2
u
pi
m
ni
pi
Lr
P2
L^J
m .i
Ml
a)
M2
9
n2
Pi'
P2
ni
! 9 1
1 nj

1
P i
p2>I
1n2 1
O
Ml
b)
Fig. 2.99. Ilustrarea modalitii de integrare a dou
diode Shockley conectate n antiparalel (a) tn structura
unui diac (b).
F\ g, 2.100. Simbolul i caracteristica curent (f) tensiune {V) ^ <ftoe.
149
2,20. Trinetil
Triaeul (triorfe ac switeh) este un tiristor bidirecional cu trei termi
nale, avind o structur intern format din ase straturi semiconductoare,
care delimiteaz cinci jonciuni pn [6] (vezi figura 2.1 0 1 ). Triacul este
format de fapt din integrarea pe aceeai structur a dou tiristoare con
venionale conectate n antiparalel: tiristorul A (pltt1p2n2) i tiristorul
B Metalizrile emitorilor n%i n4 se extind peste straturile pt
i respectiv pl astfel net pot servi ca terminale de contact att pentru
emitorul de catod, cit i pentru cel de anod. Funcionarea ambelor tirls-
QM?
r>i
Pi
Fig. 2.101.
Structura
unui triac.
T'tisor A
OM]
150
Tiristor B
toare (A i B ) este controlat
de un singur terminal de co
mand (poarta G) .| J onciunea
de poart (J 4) este format
din straturile semiconductoa
re p2i w3. Prezena jonciunii
de poart permite controlul
conduciei curentului prin dis
pozitiv n ambele sensuri, prtn
aplicarea semnalelor bipolare
ntre terminalul O i unul
dintre celelalte dou terminale
(M xi M 2) [4, 6].
Ca i diacul, triacul poate
bloca tensiuni aplicate n am
bele sensuri ntre terminalei
i M 2. Aceast similitudi
ne a celor dou dispozitive
se reflect n caracteristica
static I V a triajului (ve*i
figura 1.102). Spre deosebire
-m l ___1
ins de diac, funci onarea triacului este controlat de *e in naiul ( ^ I 0) apli
cat ]>e poart. Datorit acestei proprieti, triacul este utilizat in cir*
cuite de curent alternativ, aplicaiile sale cele mai frecvente fiind n
domeniul controlului vitezei motoarelor, a temperaturii, a iluminrii
et<\ ( 6].
Principiul de funcionare al triacului [4, 6] este descris in conjuncie
cu fi gura 2.103.
Atunci cind terminalul Mx este pozitivat n raport ou terminalul J f
iar pe poart (O) se aplic un semnal pozitiv fa de M t, repartiia tensiu
nilor pe cele cinci jonciuni este cea indicat n figura 2.103.. n acest
caz, jonciunile J %i J 3 slnt polarizate n direct, iar jonciunile J v J 4
i J 5 snt polarizate n invers. Curentul de comand injectat prin metalizarea
de poart in stratul p, determin intrarea n conducie a structurii pin1p tn9
(tiristorul A). Sensul de curgere al curentului prin structur este de la
terminalul la M 2. Acestui mod de funcionare (semnal +/ <?) i cores
punde caracteristica I V din cadranul I (vezi figura 2.102). n timpul
acestui proces, tiristorul B rmne inactiv, ntruct jonciunile sale de emi-
tor (J 2 i J 5) snt polarizate n invers.
n cazul cnd terminalul Mx este polarizat pozitiv fa de i f 2, ns pe
poarta G se aplic un semnal negativ fa de M 21 situaia este identic cu
cea din cazul precedent, cu deosebirea c jonciunea J xeste polarizat n
direct (vezi figura 2.103.6). Ca urmare, stratul n3 va injecta electroni
n stratul p2. Aceti electroni snt transportai prin baza nx la jonciunea
J v determinnd o injecie de goluri din stratul pxn ra^Conducia n direct
este preluat de structura pxnxp2n2 (tiristorul A). Sensul de curgere
al curentului prin structur este de la terminalul Mxla Mt. Acestui
mod de funcionare (cazul I G) i corespunde tot caracteristica / V
din cadranul I (vezi figura 2.102). n timpul procesului descris mai sus,
tiristorul B rmne inactiv, ntruct jonciunile sale de emitor (J t i J 5)
snt polarizate n invers.
Atunci cnd terminalul Mx este polarizat negativ n raport cu M$
jonciunile J xi <J3snt polarizate n invers, n timp ce jonciunile J t i J 9
snt polarizate n direct (figura 2.103.c i d). Operaional n acest caz
devine tiristorul Bf n timp ce tiristorul A este inactiv, ntruct ambele
sale jonciuni de emitor (J \ i J 3) snt polarizate n invers.
n cazul cnd semnalul aplicat pe poart (G) este pozitiv fa de termi
nalul Mz (vezi figura 2.10.e) jonciunea de poart (J ) este polarizat
n invers, fiind n consecin inactiv. Semnalul pozitiv aplicat pe poart
este injectat direct n stratul p prin metalizarea G, determinnd intrarea
In eonducie a structurii (tiristorul B). Sensul curentului prin
structur este de la terminalul M2la Mx (vezi figura 2.103.C).
n cazul cnd semnalul aplicat pe poart (G) este negativ n raport <m
terminalul Mz (vezi figura 2.103.$), jonciunea de poart J A este polari
zat In direct. Ca urmare, amorsarea tiristorului B este iniiat de injecia
de electroni din stratul 3 n stratul p*. Conducia curentului in direot
e stabilete prin structura p^n^p^n^ cu sensul de la terminalul Jftfa la
Mt. Acestor dou moduri de funcionare ale triacului le corespunde carao-
teristiea ZF din cadranul I I I (vezi figura 2.102).
X *1J
J
i l l
!
* 1 I tT ' "
O,
^"''T 11"'""T1' "!Lr : 1^
r i
1 J |
Cctiducfkt h (Sred?
I t
"' '
i . |. . j . ...... . ..u._
fit y'/S
1 V I P
(~* -4 *--------- S
i i \ ** 3
Avu* Ui j oi integrrii a dou tiriatoare in antiparalel pe acelai eip
Hald fti' U tt^r u per i at a caracteristicilor da ieire, In eliminarea unei
apcal* adium alr si ii eoui-uunilor externe aferente I ntegrarea a dou
l l n i t M r f pe acelai erp are taft drept consecin o wubut iii zare a ariei
til* a triaeul*!, n fer aci fc In oricare diu modurile de lucru deserise n eon-
I st'i e e afl doar o jumtate a tructuni [(>].
Tria* urile *e fabric In prezent intr-o ginii larg de cureni i tensiuni
ta l#00 T ).
Pentru compensarea ne*iiraetriilor caracteristicii de intrare ale unui
trtfttt, in comsnda aeetui dispozitiv In e a, *e utilizeaz diacul [6].
!0 1 . Tristnrul cu inducie static {ti r M on i l controlat de ci mp)
Tiri#Urrv.l m fawhfcfi* T - Hatic J nduction Thyristor) sau
mnifofyki (m ef&i) cfc dmp fF C T i'ield-Controlled Thyr i stor ) *
*tc un di*p*tiv de eomutaic a tind caracteristici i destinaii funcio
nala iuitiare cu cele ale unui fcimtor convenional. Diapozitivul are capaci
tatea de a bloca tensiunea atlt in direct, cit i n invers i are o cdere de
taniutm* fedaal tn starea de condueie direct (m)t [6? 19, 20].
Un 81T FC T {vei figura 2.104) are o structur p*nn+t asemn
toare unei diode p i (vezi 2,3.3), in care regiunea n(i ) incorporeaz
ion* p* puternic dopate conectat* la terminalul de poart (Gr gate).
%mu?le puternic dopate p* m n* iile structurii p*nn+ suit conectate la
terminalul denumii &tmd (A)t respectiv la terminalul de catod (K ). Cana-
hal k tip n al trurturu p* a- formeaz, mpreun cu grila (poarta) p+>
tOnclura de b*$& a unui tranzistor ea efect de cimp ( TE C -J ) de putere,
de and* provin* denumirea de F CT a diapozitivului. Spre deosebire
Inii d i un 1i TC (tr ai i Zi H i or umpolar), un *S7 TJ FCT este un diapozitiv
HpoUt Caracterul bipolar al trueturfi unui SI T F C T este conferit de
jtte. cna stratului p* de anod. **
Frineipid de funcionaro a! diapozitivului este urmtorul [6, 19, 20].
Atunci etnd p$ anod (A ) st vplu'tt o tensiune pozitiv fa de catod (K ),
i m jNNHta {{?) ml* l&at f*n goi (figura 2.104 a), dispozitivul se afl n
fenroa de oondueie direct {*) n aeet regim de lucru, 81T F O T se
Maport ca o diod, pHn* la nivel mare de injecie (vezi 2.3.3). Curentul
^f r m di*pozuiv ude format de golurile *i electronii injectai de Htrtul de
Mufrd p4 f r**petltv de traiul de catod a+, In canalul n. Caracterul bipo
lar al tajeciei, inodataz (micoreaz) substanial reziti vita tea canalului
, ** c are drept consecin o valoare rcdoB a cderii de tensiune
f t fcti mm <m.
I ** tttk fbyriafpr (S l T ) <i.i ulHtrtu fit tiu le japon* (d*
H H H Hli+s&tb Jtrttt *'i MpaiatMwi oii (ta&i* i Trantttior), Uenuml*
SiWMBMp <a fwwi ilin s..A,, CSU? Je FiM-
l owwtiwf; M H
>* a wMMt 4l aniiUr*4 UnwUiigiunU il direct p trata)
ou iip r
W - j. J \
I i r r v -: r r p l
p f i ! i ] TI / p u .
/ } t i V\ \ \ '
------ '{/ / / / i \ \ V\ V \ v. -
-------* s J A / i V\ \ \
*^4*
*
____1
- --------- ;
s -"Vr -
y ii
\ \ \ 1
; V V\
11yynsM H
/ t n \
p*
f j i
t { i *
/ 1 / /
j?' / t
4 /
t l V N
\ V \ H V
\ V s.
s s.. *
o r
I
F i , >..104. ( Sl i nclurj, dasl e a unii I fl coBchwi dWft4.ti |
llnsUBl'Cit principio l.u* blw&rii uniri l TI FOT pa -Mi
li * pu pourii ( - V0K) ftt (io MtiKl * tit " i feP > * m t n ita#
du i >l r e UtrocW p;&sa ver ti cal * i fss poi t i vyl i u , ( ) I fai tr eap h H H ^ B ,
xpanwaoM rcg:iniii tie uirotaA sp^mi io - I HKMfil 1j
rtture* etimsiw BE gBBSI*11t
M M
t e apte** Ni |m4mm mtmhmpmmtmdM * mmrU(&) la rmpen
m MMimhnl (m i flgwi 2 104,1) trie a MmfeiKvt $m di*pozitiy i i
deviat spre a m care 4 n ^ datorit* oegptivru k*% colectori
fi di i i de fMun, tarlaua sasli ft substratul a apare o zon 4
n m l i t ai l l p n i i i dsnUe # el dmtr un f l w ) . Dac t<hh
a * i m l ( - f f i ) api aU pi poart i t * de mare, regiunile
l e sarcin spaiul dintre zonele fi mbifxitttl a se ating tub rou
a* de qattd, M M astfel analul prin <wt m| p curentul
i titafrlr brsr 4 potenlai {V). In figura U O I i lai prezentala
liouW eckiputeniale 41a repoiA pitkl la tensiuni ( V@m) i e raioaia
i l aot ^l nriartitli ytaman fi distribuia tefiicltihil F pe axa de Mia
I n e a structurii. oe otesarv # potruialui V Vifmt& de la o vi fet n
postise &, asnemi tensiunii i| ^kit# pe snodla a valoare negativ inaiim
fi apoi Imasm (w wp aiK^r c Iodul* i#ft la mA| . HOroapa de poten-
B H f d aii i t n t ol ** constituie o b a i i a i pentru dectr wi i , I n i pi edk i i i
Injecia acestor din oaa a41 de eatod io ubstratul . Firi o surs de
elf ut nuni, care i l M a l neutralitatea sarcinii n regiunea a a itructiB^
anodul aa poale tajecta goluri, fi in consecin, dispozitivul trece tu tarea
de Macare la Unei Pentru tranziia dupositinihii din itarea J jf
la I uta a este suficient ndeprtai ea tensiunii invar aplicate pe poart.
La aplicarea anei tmsiuni l%ter$e pe structura 81T dispozitivul se
aots port ea o diod pla la blocare (vezi f 2.3.3).
Raportul k Intre tensiunea anod-catod VAM maxima care poate li
blocat i tensiunea invers poart-catod ( Fcjr) aplicat pentru a mea*
ine. dispozitivul blocat (In starea aff) se numete citig la blocare in
dkect n curent continuu {forwar blocking gain) [6, 19. 20].
U = -----Esfc' (2.121>
F
Valoarea acestui citig este funcie de forma/ adincimea zonei i de
reziftnitatea substratului de tip a. In cadrul diferitelor variante construc
tive ale S lTfF C T realizate pn in prezent s-a urmrit obinerea usui
Ung la blocare u cit mai mare pentru a se putea bloca tensiuni VM cit
snai mari ca tensiuni de poart rezonabile. Dezavantajul principal al struc
turii ca ana p* realizat prin difuzie constituie cltigul mie la blocare
ip m). Astfel, de exemplu, pentru a bloca In direct o tensiune V** **
* 600 este necesar aplicarea unei tensiuni negative de Fw * 150 V
Intre poart i eatod. Aceast psrticulsritate se datoreaz curburii jono
mnti realizate prin difuzie, ceea ce duce la creterea limii canalului a
pe direcia de la catod la a nod. 1 ni l tui a re* cestui dezavantaj s-a realizat
In vtruct uri de SI TjF C Tsvtnd pereii zonei p+verticali (vezi figura 2.104 .c)*
Se observ c datorit faptului c pereii sint paraleli, atingerea regiunilor
de sarcin spaial ie loc pe ntresga lungime a canalului n. Cu structur
de tipul celei din figura 2J 04.e s-au realizat dispozitive care blocheaz
tensiuni directe F ** * oou V prin aplicarea unei tensiuni inverse ps
poart de numai FM =32 V. Cele mai performante dispozitive de tip
MI TjfC T, tilizJ nd zone $* Ingiopate, au urmtorii parametri electrici
1 baz s
v. . , V f a a m a maaim de blocare snod-eatod V4K m 2500 V ;

^ mediu ui odk fer ** A i

tmi| R3 de i tfM M t* % a* {I * i f 1 k A );
timpul ife blocare ^ * S,1 ii (In t f * I k A); *
(* cderea de tensiune inconducie direct Vr *-. ;i-g V la T ** iru*r>
W 300 A ;
1,; e&pab&Ut&teft iu dr dt*> 1000 V/ ja*
~ c&p&bluaiea in di d i > 1400 A/ uS
? ' ierentnl anodic maxim controlfTlnl *=3000 A .
Realizarea unor dispozitive 81T F C T performante este D efal t unor
tehnologii elaborate, deci unor co^tuif mari de fabricaie *
Locul S I T F C T in familia dispozitivelor *eruiconductoare eu comanda
integral a funcionrii de ctre terminalul de comand (poart/ gril sau
bzl ) este ilustrat n Tabelul 2.4. Se remarc faptul c singurele diapozitive
eare pot opera la tensiuni fi cureni mari mit cele de tip 81T F C T fi
tristoarele GTO. S I TF C T au intrinsec o vite?:l de amorsare $i blocare
mai bun dect un tiristor GTO, deoarece pentru trecerea dispozitivului
in stare de conducie este suficient ndeprtarea tensiunii ( VmK) de pol*>
rizare a porii, iar timpul de tranziie din starea on n starea o f f este dic
tai de durata procesului de ndeprtare al purttorilor minoritari din sub
stratul #. Absena ciclului regenerativ, caracteristic structurilor pnpn,
confer dispozitivelor 81T/ FCT o imunitate ridicat la dr/ di static i le
permite s opereze la temperaturi maxime mai ridicate dect tiristoarele
convenionale sau GTO. Dezavantajul dispozitivelor S I T F C T const
in faptul c starea lor normal este de on, polarizarea porii fiind utilizat
pentru meninerea structurii n stare de blocare [6,19, 20, 22].
2.22. Tipuri avansate de tiristoare
Tendi na dominant n domeniul dispozitivelor semiconductoare
de putere av nd un terminal de comand (poart/ baz) pentru controlul
integral { o n l o f f ) al proceselor de comutaie este micorarea puterii de in
trare necesare funcionrii n diferite moduri de lucru (mrirea impedan-
ei de intrare) simultan cu mrirea densitii de curent comutate (mico
rarea cderii de tensiune n direct, adic a rezistenei r9# prezentate in
starea on) [20, 22].
Caracteristicile principale ale dispozitivelor de comutaie cu controlul
integral al secvenelor on/ off de ctre terminalul de comand snt prezen
tate comparativ n Tabelul 2.4. Se observ c dispozitivele unipolare
( TE C-J , TE C-M08), care au o rezist en mare de intrare, necesit o putere
extrem de redus pentru comanda porii, n ti mp ce dispozitivele bipolare
(tirifctorul GTO, 8I T/ F C T, tranzistorul bipolar) au ca trstur distinc
tiv densitatea relativ mare a curentului n conducie direct.
mbinarea acestor dou caracteristici ntr-un singur dispozitiv s-a
realizat prin integrarea funcional bipolar MOS (Bi-MOS).
157
Principiul integrrii funcionale Bi- MOS caro st la baza realizrii
dispozitivelor cu poarta izolat este ilustrat in figura 2.105. Tranzi*.
torul bipolar p , respectiv MOS eu canalul a, conectate n configuraia Dar-
lington, sint realizate pe acelai cip. O tensiune
pc pozitiv de valoare suficient de ridicat aplicat
pe terminalul grilei deschide tranzistorul M08
care asigur curentul de baz al tranzistorului bi-
polar. n starea de eonducie direct aproape n
tregul curent prin dispozitiv tranziteaz prin
tranzistorul bipolar. Atunci cnd tensiunea gril-
surs (F A9)a tranzistorului TE C MOS este zero,
prin structura acestui dispozitiv nu trece curent.
Ca urmare, baza tranzistorului bipolar este n gol
i n consecin, structura B i-MOS se afl n sta
rea off. Se observ c :a) dispozitivul Bi-MOS nu
consum practic putere de intrare, ntruct curen
tul absorbit de grila tranzistorului MOS este practic
nul; 5) n starea on comportamentul structurii Bi-
MOS este dictat n principal de tranzistorul bipo
lar [20, 22].
Beneficiile integrrii Bir MOS snt i mai evidente n cazul tiristoarelor,
intruct acestea snt singurele dispozitive care pot opera la cureni i ten
siuni mari.
Dispozitivul realizat pe baza integrrii funcionale a unei structuri
pnpn cu o poart de tip MOS i care s-a impus n ultimii 5 ani poart
denumirea de tranzistor cu poart izolat (Insulated Gate Transistor = I GT)*.
Structura vertical a unui dispozitiv I G T (vezi figura 2.106) este similar
cu cea a unui tiristor [20, 22]. Ca urmare, un I G T are o capabilitate
ridicat de blocare a tensiunii att n direct, ct i n invers (vezi figura
2.107).
Principiul de funcionare al dispozitivului este urmtorul. La aplicarea
unei tensiuni pozitive pe terminalul de colector (G) fa de emitor (E ), dispo
zitivul se afl n starea de blocare n direct. Amorsarea are loc prin apli
carea unei tensiuni pozitive pe poarta (G) MOS (fa de emitor), care deter
min apariia unui canal de inversie la interfaa dintre baza p i oxid
(SiOg), Iniierea conduciei n direct are loc prin injecia de electroni din
stratul de emitor n baza n, via stratul de inversie. E lectronii ajuni
la jonciunea J x determin o injecie puternic de goluri din stratul p^ de
colector n baza n. Natura bipolar a curentului n starea on, format din
electronii injectai de emitorul n+ i din golurile injectate de stratul
moduleaz conductivitatea bazei n, ceea ce se traduce printr-o cdere
de tensiune redus n conducie direct. Calea principal a curentului iu
condueie direct este cea a componentei de electroni, care urmeaz tra
seul : jonciunea J 3 poarta MOS (vezi figura 2.108). Curentul de goluri
urmeaz traseul: giratul p* baza n - baza p emitorul w*. Pentru
prevenirea fenomenului de lateh-up (agare), care se manifest prin pier-
der controlului porii asupra funcionrii dispozitivului IG1\ trauzisto-
t S
i
d
Fg. 2.105. Ilustrarea ideii
de integrare funcional a
mi ui TE CMOS cu un
tranzistor bipolar (dispozi
tiv B i -M OS ).
* H|*msHvuI poarta i denumirile de COMb'UT (Conduct ivit u - Moduluted - F M **
Effect Tmml ti er) M iU polar Mode MOS Fii T.
C 6 Colector
Fig. 2.106. Geometria vertical a structurii unui tranzistor cu poart
izolat ( GT).
l f f
tic)
Strpungere (in invers)
i
i
^Regiunea Regiunea de
/ activ lsaturaie
r i
3 1 r .
' m
i .
* 1
| I fAt f
Strpungere
( h ffirecl)
Ir
F ig. 2,107. Caracteristica static de ieire curent (/ ) tensiune (V ) *
a unui tranzittor cu poart izolat (IC? T).
rul npn este inactivat prin realizarea unor unturi n emitorul n. Prin
intermediul acestor unturi de rezisten Bs (figura 2.108) baza este conec
tat nemijlocit la metalizarea emitorului. Tranziia dispozitivului IQT
din starea on n starea off se realizeaz prin scderea la zero a potenia
lului porii ceea ce are drept rezultat nchiderea practic instantanee a
cii de curent prin tranzistorul MOS (vezi figura 2.108). Timpul de blocare
este determinat n principal de procesul de recombinare al purttorilor
159
minoritari (goluri) in b.uut n. n vedere micorrii ti mpului de blocare j.
dispozitivelor IGT se utilizeaz iradierea cu electroni (vezi 2.14.1). 1
iVf JI* ^-f-,
Caracteristica stetic / V a unui / GT n conducte direct* se ane.
min eu a a unui TEC-MOS (figura 2.107), avnd dou regiuni distincte:
activ fi de g&nra$e. - |-------------------- j----- I
Fig. 2.108. Schciia echivalent simplificat a tranzistorului cu poart
izolat (I GT) cu indicarea cii curentului principal In starea de con-
ducie direct.
Avantajul esenial al dispozitivelor I G T l constituie puterea practic
nul consumat pe poart n timpul funcionrii i cderea de tensiune
redus n starea de condueie direct. Dispozitivele I G T snt incluse pentru
comparaie n Tabelul 2.4.
Aprute la sfritul anului 1982, tranzistoarele cu poart izolat (10^)
sint fabricate n prezent la puteri de 25 A/ 800 V i 10 A/ 2000V.
Exist i alte utilizri ale structurilor MOS pentru mbuntirea per
formanelor tiristoarelor de putere. Una dintre acestea o constituie uU~
turile de catod controlate de structuri M0Sr care nltur dezavantaje^
principale ale $unturilor convenionale. Utilizarea structurilor MOB lQ
tiristoare (xTO condus la apariia dispozitivului MOS QTO, a crii bl#
care se bazeaz pe devierea curentului principal printr-o cale de joa**
im pedant. Ideea aplicrii integrrii funcionale Bi-MOS n tehnolog1**
tiristoarelor ctig din ce in ce mai mult teren, fiind una dintre tendiu^8
dominante in domeniul cercetrilor vizind ameliorarea performau^0*
diapozitivelor bazate pe structura pnpn [30, 22}.

C. DISPOZITIVE AUXI LI ARE

2.23. Diode eleetroluminescentc (L E D )
Diodele eleotrol mn inescente (L E D Light Emitting Diode*) smt fu
esen jonciuni semiconductoare care, polarizate direct, emit radiaii optice
(fotoni n zonele de vizibil i infrarou ale spectrului electromagnetic
[6, 16J .
Emisia de fotoni dintr-o jonciune pn polarizat direct are loc ca
urmare a reco .bnrii radiai ve a ectronilor aflai la marginea inferioar
a benzii de cetii ucie cu golurile aflate la marginea superioar a benzii
b)
Emiss* de
fotoni (lumina)
Emisie de
cldur
cj
Fig 2.109. Recombinarea bandu-band ntr-un semiconductor (a) i polarizarea unui LED(b}.
de valen (vezi figura 2,109). Energia fotonilor emii corespunde limii
E g a benzii interzise a materialului semiconductor
(2.123)
unde h 6,626 x IO34 J s este constanta lui Planck iar v este frecvena
fotonului.
Lungimea de und X a radiaiei emise rezult nlocuind n (2.123)
v asee/ x (e =5 2,997 X 10s m/ s este viteza luminii):
hc
(2.124)
care se reserie nlocuind valorile numerice pentru h i c
. - 1,24
J MeV]
I I K
ii e 228
(2 125)
161
Pentru excitam* optic a dispozitivelor semiconductoare di n sh
*fnt utilizate LED- uri realizate din Ga As (E a = 1,42 eV Ia 300 K ).
torm relaiei (2.125), lungimea de und corespunztoare maximufJ
emisiei luminoase a unui XSZ) din Ga As este
1,24
1,42 (eV)
0,87 fim
(2.120)
Aceast lungime de unda corespunde zon ei de i n fr ar ou a spectrul ^
energiei radiante (vezi figura 2.110). Di str i bu i a emi si ei spectr al e a j#_
urilor din GaAs este prezentat n fi gur a 2.111 mpr eu n cu sensi bi l i tate
relativ n rspuns la excitaia optic a unor di s pozi ti ve optoel ectr oni ce de
putere. Se observ c diodele l ectroluminescente cu emisie luminoas ia
Q2 Q3 Q19 0455 C*92 0577 Q597 0,622
L_L I I l I____I I
0.77 7,5
6J0
iMtravtcfef jniofet dbasfru verde gal ben porfoeai i u rou J
Spectru vizibil
Fig. 2.110. Lungimile de und corespunztoare zonelor ultravi ol et, vi zi bi l i infrarou ale spec
trului.
. Lung/ mea de anef a A [j i /rnJ
F*g. 2.111. Intensitatea relativ a emisiei luminoase pentru di odel e elcctroJ uioinJ *
cente din GaAs i sensibilitatea relativ In rspuns la exci tai a optic a io tot *'**'*
statorului i fototiristorului din siliciu.
162
Infrarou slut cele mai adecvate pentru comanda optica a diKpoxitivelof
semieonductonre din fiiiieiu (vezi $ 2.8.2 l 2.17).
O caracteristic relevant a unui L E D este dependena puterii optic
emise H9 (n mW) de curentul de intrare (vezi figura 2,112). Eficiena
unui LED (putere* optic generat la un curent de exci tai e constant) scad
odat cu creterea temperaturii ambiante Ty Intruct n acest caz, la
procesele de recombinare*
tranziiile indirecte * (via
trape) capt o pondere ere-
cind.
Comanda diodelor lec
troluminescente in impulsuri
permite mrirea amplitudinii
curentului de excitaie i,
deci, a puterii optice gene
rate. Factorul de umplere al
impulsurilor de curent tre
buie ales astfel nct curentul
mediu de excitaie al diodei
s nu depeasc valoarea
maxim a curentului, speci
ficat n foaia de catalog.
Structura constructiv
a unui L E D este ilustrat
n figura 2.113. Diferitele va
riante constructive influen
eaz performanele optice
ale acestor dispozitive [16].
Puterea optic efectiv
WH' receptat de la un L E D
depinde de unghiul preferenial de radiaie al acestor dispozitive op-*
toelectronice [16].
Fig. 2,113. Structura unui LED.
* 1 materiale semiconductoare cu valori mari ale limii benzii interzise Eq (eum este
de exemplu GaAs), pe ling recombinrile radiative band-band, caracterizate prin trecerea
direct a unui electron din banda de conducie n banda de valen i recombinarea saca ua
gfi, simultan cu emisia unui foton, slut foarte probabile tranziiile Indirecte, prin intermediul
trapelor situate n banda interzis a semiconductorului. Trecerea electronilor din banda de eon
diictie In cea de valen prin intermediul trapelor este nsoit, atlt de degajare de cldur
{ImiQoS) cit $de misie radian (yezi figura .109.),
i i ...... . ii im - - . 113
. . .' : .
Tc =2$aC
Fig. 2.112. Dependena tipic a puterii optice H#emise
de un L E D de curentul su de intrare.
2.24. Optoeuplosre
Optocupioarele (fotocuploarele) snt formate prin combinarea i ntr-o
singur capsul a unei diode electroluminescente (L E D) i a unui dispo
zitiv sensibil la lumin (fotodetector) [61, Optocuploarele i gsesc utili
zare n acele aplicaii n care este important izolarea electric (separarea)
semnalului de intrare de cel de ieire. n calitate de fotodetectori snt utili*
ate fotodiode i fototranzistoare (vezi figura 2.114). Optocuploarele
I QPTQCUPLOP
Semnaf de
intrare
(electric!
-o~
Fotodioda
.J - 1
Pi Ieire
\ \ tsemnat
el ectri c}
GPTOCUPLOR
4-0-
Semncjl de j
intrare
(electric) j
O-
LED
Jonciunea
$ C-Q
i VCF
-ti r
_____| ___11
Fctotranzistor
| Rl fTfsem/ io/
Li electric}
b)
Fig. 2.114. Structura optocuploarelor eu LED i fotodiod (o), cu LED i fototran-
zistor (&).
(LE D -f- fotodioda sau LED - f fototranzistor n aceeai capsul) transform
succesiv, semnalul electric de la intrare ntr-un semnal optic care, receptat
de fotodetector, este reconvertit n semnal electric, furnizat n sarcina
(vezi figura 2.114).
Principiul de funcionare al optocuploarelor se bazeaz pe modifica
rea caracteristicii curent (I ) tensiune (F ) a unui fotodetector, datorit
generrii perechilor de electron-gol ntr-o jonciune pn iluminat.
n cazul funcionrii unei jonciuni pn ca fotodiod (vezi figura 2.115)*
prin diapozitivul polarizat invers de o surs de tensiune extern, trece
164
Fig. 2.115. Caracteristica curent (/ ) tensiune (V) a unei diode Ia ntuneric l la lumin
n regim de fotodiod.
la ntuneric curentul invers de gat ura ie I 0. L a iluminare, prin fotodiod
trece curentul [6]
unde I este fotocurentul datorat iluminrii O (l x) S9 = (I / 0 ) este
sensibilitatea integral a fotodetectorului (i A/ lx). Curentul i este, de
regula, mult mai mare dect I 0.
Pentru optocuploarele care utilizeaz fotodiode raportul de transfer
al curenilor I %l l x (vezi fi gura 2.114.a) este de ordinul I O3. Acest raport
este mrit la I O-1 pri n utilizarea n calitate de fotodetectori a fototran-
zistoarelor (vezi figura 2.114.&).
Utilizarea tranzistorului ca fotodetector n optocuploare se bazeaz
pe amplificarea fotocurentului generat prin iluminarea acestui dispozitiv.
Senzorul excitaiei optice a fototranzistorului este jonciunea baz-colec-
toi? a dispozitivului (vezi figura 2.116) care este polarizat invers. n
I = (I G + I * ) - - i h + ),
(2.127)
CQ
fi
Fig. 243.6. rjKtB de principiu a unui fototranz'ibtor / ifji () i modelil
N K g l K I g u de circuit (b).
figura 2.116.6 ia jonciunea fotosensibil este modelat de fotodioda Df
plasat In paralel eu capacitatea de barier a jonciunii eolecor-baas 0*.
Olnd baza B a fototran i ist-orului este n gol, curentul I aMO prin diapozitiv
este de (1 4- 3}ori mai mare docil curentul fotogenerat 1t
U * t U - (1 + >I i -
(3.138)
Valori mai mari ale ctigului (I 2/ Ii)se obin n cazul optocuploarek
care folosesc dou fofcotranziatoare In conexiune Darlington (vezi figura
2.117). I>a iluminare curenii de eraitor (I Bv I S2) ai celor doutranzistoaro
din configuraia foto-Darlington (vezi figura 2.117.6) sint exprimai d#
relaiile [6, 16]
I *i = / #i (Pi + 1),
1*2 = Vzi + **)(& + 1)
(2.129)
(2.130)
o
B
O C
.
*
<
Ql
tA)t
t i
02
*2)
b)
Fia. 2.117- Simbolul unui fototranzistor Darlington (a) i modelul su
de circuit (b).
unde % snt factorii de ctig n curent ai traizistoarelor respectiv
QtIn conexinnea cu emitorul comun, I $v Z*3 snt curenii generai optio
n jonciunile colector-baz a celor dou tranzistoare.
nlocuind relaia (2.129) n (2.130), curentul de ieire 2*{= I **) al
configuraiei foto-Darlington se obine sub forma
U - % =* [ I 4 I *A h + l )](P i $ 1). (2.131)
Dac 1$2 < I Bv neglijnd unitatea n (2.130), curentul de ieire al
configuraiei foto-Darlington iluminate capt urmtoarea expresie sim
plificat :
I * =* I H fa I <J>1 (32. (2.133)
Polarizarea bazei poate mri sau micora sensibilitatea configuraiei
foto-Darlington la excitaia optic (n funcie de polaritatea semnalului
aplicat pe baz).
Caracteristica tipic de transfer a unui optocuplor utiliznd fototraa-
zistoare este prezentat n figura 2.118. Liniaritatea caracteristicii, valoarea
de ieire i a celui de iu tuner ie slut influenate de temperatur
l tensiunea eoleetor-emifor t Cw la care este operat tranzistorul de la
m i i
Fg.2tll8. Dependena tipic a curentului
de ieire l 3n funcie dc curentul de intrare
/ , {caracteristica de tran.fer)ntr-un opto-
CKplar utilnd ca receptor nn Ifoio-r Dar
lington.
*o-
Configuraiile foto-Dar-
iington utilizate n optocu-
ploare au rspunsul spectral
centrat pe lungimea de und
X = 0,85 ftm, un curent de
colector maxim de ss 250 mA,
o putere disipat de 200 mW
la 250. Prezena capacitii
de barier GCb (figura 2.116.6)
degradeaz rspunsul n frec
vena al optocuploarelor ca
re folosesc fototranzistoare.
Astfel, timpul tipic de rs
puns, care pentru o fotodio
d este de 10 ns, are va
lori n jurul a 5 pts pentru
fototranzistor i de 50 is
pentru foto-Darlington [6].
0PT0CUPL0R
X
Fig. 2.119. Optocuplor LE D i fototiristor.
LED

.
+Anatf
Fototiristor
-Catod
O
Principiul de funcionare al optocuplorului utiliznd un LED i un
tiristor eu amorsare optic (vezi figura 2.119) este identic cu cel descris
n 2.8,2 i 2.17.
2.25. Tranzistoare imijonciime (TOT)
Tranzistorul nnijonciune (Unijunction Transistor) TUJ este un
dispozitiv semiconductor frecvent utilizat n comanda amorsrii pe poart
a tiristoarelor convenionale [14]. Structura de principiu a unui TUJ
este prezentat n figura 2.120. La capetele zonei n uniform dopat
exist dou contacte ohmice care poart denumirea de baz 1 (B l ) i baza
2 (B2). J onciunea pn, situat ntre B l i B2, poart denumirea de jonc
iune de emitor .
Schema echivalent simplificat a TUJ (vezi figura 2.120. o) cuprinde
dioda jp, care modeleaz jonciunea pn, i dou rezistene BBl (rezistena
stratului n dintre B l i planul A situat n dreptul jonciunii de emxtor)
i RBt {rezistena stratului n ntre contactul B2 i planul A). xvezistena
R b* interbaze este definit prin relaia [1 4 ]:
Rbs - Rbi +
/ a?
a)
Contact
ohmic
82 (Baza 2)
Ie
4-
Efnitar
I I
* 4 - T v
83
Q, \ 5UBazaU
----- t ------------
(2.133)
t>) Ci
FiS. 2.120. Simbolnl (a), structura intern (&}i schema echivalent simplificat (c)
unui tranzistor unujonciune (TU J ).
Caracteristica curent (I ) tensiune (F) a T U J are trei regiuni dis
tincte (vezi figura 2.121): de rezisten mare, specific strii de blocare
(o j f ); de rezisten joas, cnd dispozitivul se afl n conducie directa
Ion) ; de rezisten dinamic negativ [3, 6, 14]. Din punctul de vedere al
formei caracteristicii I F, T U J face parte din familia tiristoarelor. Spre
deosebire ns de tiristoare, a cror amorsare are loc n principal prin aciu-
1ig 3 131 Caracteristica static cure.it^/ le ui uiue ( T l a unui
(TUJ ).
Bea regenerai v a celor dou tranzistoare bipolare echivalente componente
ale structurii (vezi 2.8), trecerea unui T U J din starea de blocare (o/ jf)
in starea de conducie direct (on) are loc datorit modulrii conductivi
tii bazei dispozitivului.
Principiul de funcionare al T U J din figura 2.120b poate fi urmrit
n conjuncie cu caracteristica sa / F din figura 2.121* I n timpul funcio
nrii dispozitivului, terminalul B l este conectat la mas, potenialul emi-
torului (F j ) este pozitiv fa de mas, n timp ce baza B2 este polarizat
pozitiv de sursa de tensiune VSB. Tensiunea inter baze Y BB determin
trecerea unui curent electric prin stratul de siliciu n, cu sensul de la B2
nspre B l .
Potenialul oricrui punct aflat in planul este determinat de VBB
i divizorul rezistiv RB3 conform relaiei [6,14] (vezi figura 2.120.6):
T a = VBB- ==VBB _ - ==yVBB, (2.134)
R bi *r Rbz R bm
fiind o fraciune a tensiunii interbaze VBB. Parametrul
Rbi Rbi
Rb\ + Rb2
(2.135)
poart denumirea de raport de divizare intrinsec (Stan-off ratio) i are
valori tipice cuprinse ntre 0,5.. .0,8.
Ati ta timp cit tensiunea de pe emitor (F *) este inferioar valorii
F j 5*(F * < y)VBB), jonciunea pn a T U J este polarizat invers. n conse
cin, prin circuitul emitorului (E B l ) trece un curent invers de valoare
redus (practic, curentul invers de saturaie al unei jonciuni pn vezi
2X2). n punctul B al caracteristicii I F (vezi figura 2.121) se produce
egalizarea potenialelor straturilor p i n ale jonciunii '(F * = nVBB) i,
n consecin, curentul prin circuitul E -B1 este zero. Dac se continu
creterea tensiunii VE peste valoarea y}VBB, atunci jonciunea pn se polari
zeaz n direct i prin circuitul de emitor (E B l ) trece un curent direct
(dinspre stratul p spre stratul n) de valoare redus, care crete cu VE. Dac
tensiunea aplicat pe emitor (F *) depete mrimea nVBB cu o valoare
egal cu cderea de tensiune VD n direct pe jonciunea pn de emi
tor [6] [14]
Fs = v\ Vbb ^ F D = VP (2.136)
atunci se va declana o injecie puternic de goluri din stratul p n baza
<n) de siliciu. Acestui fenomen i corespunde punctul de v r f P (Peak
faini) cu coordonatele (F/ >, I P) de pe caracteristica / F a dispozitivului
(vezi figura 2.121). Golurile injectate n stratul n se deplaseaz nspre
contactul B l . Prezena golurilor ntre planul A i contactul B l mrete
conductivitatea or [2, 6]
a = g(fi*n - f (2.137)
a acestei poriuni a bazei n in comparaie cu valoarea ei =* carac
teristic strii de blocare. n consecin, rezistena zonei cuprins ntre
A i B l scade mult fa de valoarea sa, specific zonei de blocare a carac
teristicii I V (Rbi) Procesul de modulare a conductivitii bazei B l
continu pe msura creterii curentului I s, ceea ce atrage dup sine sc
derea tensiunii F j pe emitor. Ca urmare, dispozitivul tranziteaz prin
regiunea P F de rezisten dinamic negativ (dvg/ dia < 0) a ca rac te*
fisticii sale (vezi figura 1.121). Pentru cureni care depesc valoarea euren-
tnlui de vale J r. tranzistorul se afl in zona de saturaie. Timpul de comu
tare al TUJ din punctul de vrf (P) in punctul de vale V (Vattey point)
depinde de geometria structurii tranzistorului i de condiiile polarizrii
sale. Acest timp este direct proporional cu distana dintre emitor i con
tactul B l .
Funcionarea i tranziiile succesive ale TUJ ntre principalele mm
ale caracteristicii sale este ilustrat de aplicaia clasic a dispozitivului
intr-un montaj frecvent utilizat pentru comanda amorsrii pe poart a
tiristoarelor convenionale (vezi figura 2.122). Circuitul funcioneaz ca
oscilator de relaxare, care furnizeaz periodic impulsuri pozitive (FBl) pe
rezistorul Rv Aceste impulsuri pot fi utilizate pentru comanda amorsri!
pe poarta a tiristoarelor (vezi 8.2),
11
Fig. 2.122. Oscilatorul de relaxare ,.clasic cu T UJ (a ) i formele de und In punctele sal#
* ,1* I principale (b)
Funcionarea oscilatorului din figura 2.122 se poate, urmri din momentul n care are
Ioc ncrcarea exponenial a condensatorului C de ctre curentul / , exprimat de relaia
(2.138)
r i s S s S B W r S s a s a s d a p f i a s
Perioada T a oscilaiilor circuitului k l e i a CCl" ,ttl deSCrlS .Wi
r * RC n
1- 71
2/ J RC logw
(2.4^
fiind practic independent de tensiunea de alimentare (VBb) i de temperatur. ^
Amplitudinea impulsurilor generate la ieirea circuitului de relaxare depinde de ^L .
nea de alimentare V** (eu valori intre 10 V i 35 V), de tipul de TUJ ales, precum i
rite componentelor R, Rt H*, C. Forma dreptunghiular a impulsurilor din figura ;J |
ie i fal i ta ti ; !n configuraii practic impuhul are *t front de cretere cu o irst de 1.
3 Nur pe msura deeeircrll eoriCtensa torului C v^nirf instntaarc a semnalului de Ieire
m <tiiRlBea*
Tranzistoarele uni jonciune pot fi realizata i n varianta comple
mentar *, n care substratul (bazele) este siliciul de tip p, iar e mi torul
de tip n. Ca urmare, tensiunile i curenii au polariti, respectiv sensuri
opusa (figura 2.123.) in raport cu T UJ din figura 2.120.6. Caracteristic*
/ V a T UJ complementar?9se obine din aceea a unui T UJ obinuit
printr-o rotaie de 180 n jurul ori gin ei (apare n cadranul U I al coordo
natelor I V).
In figura 2*123. este prezentat un circuit de comand pe poart a
tiristoarelor convenionale utilizind un T UJ complementar, montaj
analog oscilatorului de relaxare din figura 2.122.6.__________________- -v
Fig. 2.123. (oi Simbolul, tensiunile i curenii pentru un TUJ complementar4; (b) Schema
ech ivaleut simplificat de circuit a dispozitivului; \ ti) Schema unui oscilator de relaxate cu
TUJ complementar
2.26. Tranzistoare unijoiiciune programabile
Denumirea de tranzistor uni jonciune programabil (PUT Program-
mable Unijuneton Transistor) este atribuit unui dispozitiv care combin
structura unui tiristor cu proprietile/ caracteristica I V a unui T U J
[]. Dispozitivul este format din patru straturi semiconductoare (pttpn)
i are trei terminale (anod, cato i poart). Spre deosebire ins de un
tiristor, ntr-un T UJ programabil electrodul de comand (G) estconec
tat la baza i nu a cea de tip p (vezi figura 2.124). Raportul de divizare
%9 al unui TTJ J programabil este stabilit de rezistenele externe Bl%Rt
(vezi figura 2.125).
Denumirea de TUJ complementar" ete relativ, fiind determinat de faptul c \ ii
tanta cu emitor a a aprut din punct de vedere Istoric dup TUJ obinuit (eu emitor p). ,
----
O+ijn
7)v ..zr
A +i ?
(2.140)
171
i au de re*iten^le internale bazelor (l?l, ea in cazul unui TUJ
obinuit (vezi figura 2.120-c).
Funcionarea unui TUJ progtamabi) este controlat do corelaia
dintre potenialul anodului {T ,) i cal al porii (F), aimndou pozitiv
O i UtMa}
(Poorti )
F*g. 2.124. Structura (a) fi mbolul (*) untf
T0J nrotramabit!'
bjtfCatod) ' * bKKatod)
a/ .<
fa de mas (vezi figura 2.125). Atunci cind Vd < VG jonciunea anod*
poart este polarizat invers i prin circuitul 0 A trece un curent inver*
de valoare redus, ea ordin de mrime egal cu curentul invers de saturaia
al anei jonciuni pn (vezi 2.1.2). Dac V =* F ff, curentul invers prin
i
m
a)
I
*<
6/
Pig. 3.123, (a) TUJ programabil In starea de Mocar. (&) Condi
ia du amorsare a unui TUJ programabil.
circuitul GA devine zero, ins dispozitivul se menine n zona de blocare,
tn momentul n care tensiunea anodic VA atinge valoarea de prag Vr
(vezi figura 2.121)
VP * F 0 + Vu (2.141)
depind tensiunea pe poart F0 cu o valoare egal cu tensiunea de
prag FDa unei jonciuni pn de siliciu, polarizarea n direct a jonciunii
anod-poart declaneaz procesul regenerativ de tranziie a dispozitivului
prin regiunea de rezisten dinamic negativ in zona de conducie*
Pentru cureni 1A (vezi figura 2.125.6) mai mari decit I v (vezi figura
2.121), dispozitivul se afl in regiunea de saturaie a caracteristicii sal
cnrent-tensiune.
Oscilatorul de i t k M T i reatiiit cu im T VJ programabil mim ilustrat tu fi | rt % \ M. I n
accatti sidscml. potenialul porii Tme.;* prestabilit de ten&maaa (- f V ) i divtzorul A, | L
la~Vl**i*a
r= r * vr <*<#
- * , + * i w . |
f >ffrjf un rirtn <'efuncionare, condrasatorul C loctrel ob polaritatea itdictii n figura
3*128, D flecare stai cwi mvtiam* anodic (adic pa coidifliator) alme vatoaroa <* KM
<2.Ul), dUpoziilvai Intri ta coadueia
f
fflg.. 2.128. Schema unui oscilator de relaxare . r f N"
V J programabil.
' t ; * i
a---- m
mVx
1
Ki?3(indieat punctat n figura 2.126) i a ieire apar un impuls pozitiv. Dup descrcarea
condensatorului, V*< Vq, dispozitivul se blocheaz i ncrcarea condensatorului C de ctre
curentul marcheaz renceperea unui nou ciclu de funcionara., Perioada T a oscilai* or
este dat de relaia (2.140), In care r\f este dat de (2.142). Frecvena oscilaiilor poate fi, pro
gramat' (ajustata) prin intermediul rezistenelor i?t i/ sau Rv
2.27. Dispozitive auxiliare de comutaie eu structura pupn
In afara de T U J programabil, exist doua dispozitive auxiliare de
comutaie cu structura pnpn i poart de anod, care poart denumirea
dSilicon Unilateral Switeli (SUS) i respectiv de Silicon Bilateral Swileh
<SB5) [6, 16].
Un comutator unilateral din siliciu (SUS) este un tiristor de dimensiuni
reduse cu terminalul de poart conectat pe stratul de baz n i cu o diod
de avalan incorporat ntre contractul de poart i catod (vezi figura
2.127). Caracteristica curent (I ) tensiune (F ) a unui SUS este similar
cu cv a unui tirintor. Diapozitivul ntr in conduciein momentul in car*
tensiunea pe poam de anod dep&ete valoarea tensiunii de avalan a
diodei incorporate,. IK^pozitiro) este utiUnt in circuite de relaxare de tipul
celor din figura 2,122 i figura 2.126* S US prezint avantajul unei ten
siuni de amorsare extrem de stabile i independente de temperaturi, a
crei valoare e&ip determinat exclusiv de tensiunea de avalan a diodei
(care este practic independeni!1 de temperatur). ntruclt tensiunea de
amorsare a unui SUS este prestabilit de dioda de avalan, acest dispo-
nativ prezint o flexibilitate mult redus in ceea ce privete facilitatea
de ajustare a frecvenei unui oscilator de relaxare n comparaie cu un T VJ
programabil.
Un comutator bilateral de siliciu { S B S ) este format din dou dispo
zitive de tip SUS conectate spate in spate (vezi figura 2.128) i inte
grate pe acelai substrat de siliciu. Caracteristica 1 V a acestui dispozitiv
b)
Fig. 2.128. Simbolul (a), structura intern schematic (b) i caracteristica static curent-tensione
(<) a unui comutator bidirecional {SBS) cu structura pnpn.
(figura 2.128.) este similar cu cea a unui triac (vezi 2.20). S BS func
ioneaz ca un comutator comandat de polaritile pozitive, respectiv
negative ale tensiunii aplicate. Acest comutator bilateral este utilizat in
principal pentru comanda cu impulsuri alternate (J t VG) a triacurilor.
BIBLIOGRAFIE
1, A- S. Grave, l'lziea l tehnologia diapozitivelor semiconductoare, Bucureti Ed. Tehalei#
1973.
2, M. Drgnucu, Kleetrtmlea eorfmlnl solid, Bucureti, Ed. Tehnic, 1972.
3, J . Millman, C. C. Hulkias, Integrated tlretronicN : Analog and Digital Circuite and System
Nr*r York, Mc Graw- HiU, i72.
174
4- S. K. Ghandhi, Semiroadurtor Power Devie, New York, WUev, 1977,
5- X>. Chatelain, IWsp*sitifs a Seatteoadneftear, Lausanne Ed. Georgi, 1979.
< S. M. S , Physics of Semiconductor Devices, New York, Wiley, 1091.
7. M. Rubai, Power Semiconductors, Berlin, Springer Verlag, 1984.
8. R. C. Grocer, Epi and Schottky diodes In R. Sittig and P. Roggwilier (editors), Semiconduc
tor Devices for Power Conditioning, New York, Plenum Press, 1982, pp. 331 361.
9. B. J . Baliga, A . . Stars, M. M. Banicls, J R. M, Campbell, IF. Garwacki, J . P. Wal
den, Ga-As Sehotiky power Rectifiers, I E E E Transactions on Electron Devices Ell-32 an
11301134 (1985).
10. /> Daacdlu, G. Brezeanu, P. A. Dan, Comuetnl meiai-seuii conductor, Ed. Academiei
RSR, Bucureti, 1988.
tt. E. I f. Rhoderick, Yfetal Semiconductor Contacts, Oxford, Clarendon Press, 1978.
I X C. Brezeanu, E. Golu, P.A. Dan, G. Dumitrescu, (J a nou dispozitiv de putere : dioda Sehottkv,
in vol. Lucrrile CAS108,
13* jP* A. Dan, N- Popescu, G. Brezeanu, F. Gata, E. Golii, Dioda Sehottky mesa o soluia
radical pentru nlturarea afectelor de margine, in voi. Lucrrile C VS I 584, pp. 912.
14. F. E. Gentry, F. w. Gutzwiller, N. H. Holonyak and E. E. Von Zaslrow, Semiconductor
Controlled Rectifiers, Englewood Cliffs, Prent ice-Hall, 1964.
15. W. Ger lack, Thyristoren, Berlin, Springer Verlag, 1979.
16. D. R. Graf ham and J . C. Hey (editors), General Electric SCR Manual (5th edition), Syra
cuse, (N.Y.), 1972.
17. A. Blicher, Thyristor Physics, New York, Springer Verlag, 1976.
18. *** WE ST I \ G H OUSE, Introduction to Solid-State Power Electronics, Youngwood, Pa..
1977.
19. R. Sittig and P. Roggwilier (editors), Semiconductor Devices for Power Conditioning, New
York, Plenum Press, 1982.
20. B. J . Baliga and D. V. Chen, Power Transistors : Device Design and Application*, New York
I E E E Press, 1984.
21. A. Blicher, Physics of semiconductor power devices, Reports on Progress in Physics, vol.
45, Nr. 4, 1982, pp. 427-468.
22. M. S. Adler, K . W. wyang, B. J . Baliga, and R. A. Kokosa, The evolution of power
device technology, I E E E Transactions on Electron Devices, vol. ED-31, Nr. 11, 1984,
pp. 15701591.
23. A. Silard, M. Bodea and M. Luca, Predicting the surge capability of power thryristors.
Electronics Letters, vol. 16, Nr. 9, 1980, pp. 325327.
24. A . Silard, M . Bodea, and M. Luca, Computer-aided investigation and prediction of the surge
capability of power thyristors, Revue Roumaine des Sciences Techniques, Electrotechniquo
et Energettque, vol. 26, Nr. 2, 1981, pp. 227235 (part 1), Nr. 3, 1981, pp. 389 399
(part 2).
25- A. Silard, F. ^mudu, and M. Mrgrit, Hicjh-power, TI L-type gate-assisted turn-off
thyristors, International J ournal of Electronics, vol. 60, 1986, pp. 347359.
26. A . Silard, F. Turudu, M. Mrgrit and B. Kosa, High-power double-interdigitated (TI L )
GT/ GAT thyristors, I E E E Transactions on Electron Devices, vol. ED-34, Nr. 8, 1987
pp. 18071815.
27. A- Silard, S. J Rusu, F. Turudu and B. Kosa, A double iuterdigitated GTO switch, I E E E
Transactions on l eetron Devices, vol. ED-31, Nr. 9, 1984, pp. 322329.
28. A. Silard, F. Turudu and B, Kosa, Development of 60 A, T0-220 packaged double
interdigitated TI L ) GTO thyristors with enhanced electrothermal reliability, International
J ournal of Electronics, vol. 61, Nr. 4, 1986, pp. 497512. _
29. A. Silard, F . Turudu, M, Mrgrit and B. Kosa, Implementing the TI L concept I *
high-power GTOs, I E E E Electron Device Letters, vol. EDL-7, Nr. 9, 1986, pp. 528- 53#
-. Tehnologia de fabricaie
Toate diodele i tiristoarele de putere se realizeaz plecnd de h na
mon<fen'\ t*l ie tilieiu. Transformarea acestuia dintr-o bar cilindric
{lingou) intr-un dispozitiv semiconductor
putere comport parcurgerea etapelor ilustrate
n figura 3.1. Fiecare etap n parte include
zeci sau sute de operaiuni distincte din combi
naia crora rezult fluxurile tehnologice al
familiilor de diode, tiristoare i ansambluri ;
modulare.
&anmrea lingoului dl? Si
manocristatin dopat
_1_
Obinerea i prelucrarea
plachetelor cfeSi monocnsic-
......... Un_____
Realizarea structurilor
semiconductoare
. Montajul i
ncapsularea structurilor
semiconductoare
Protejarea chimica
a dispozitivelor
semiconductoare
Sortarea
dispozitivelor
semiconductoare
Marcarea i
jtrabalarea diapozitivelor
semiconductoare
pig. 3.1. Etapele tehnologic
de obinere a diodelor i tiris-
toarelor de putere.
O caracteristic a fabricaiei dispozitiTeler 1
semiconductoare de putere este durata mare a
drumului parcurs de la monocristal la dispoi- j,
tivul final. ntr-adevr, la numrul ridicat al
pailor tehnologici, cu nimic inferior celor
caracteristici pentru cele mai complicate
circuite integrate, se adaug timpii ndelungai
de procesarea structurilor semiconductoare i
diferitele stocri necesare desfurrii unor pro- J
cese fizico-chimice lente (polimerizri, de^aeti- *
vri dup aplicarea unor tehnici nucleare) pre
cum i stabilizrii unor parametri electrici. Aa
se explic de ce durata minim a fabricm
dispozitivelor semiconductoare de putere varia#* |
ntre trei i zece sptmni, uneori chiar i mai
mult. Evident, acest lucru este valabil pentru
produsele din fabrioaia de serie, care du
ateapt lmurirea unor probleme de elaborare.
ncercrile tehnologice pentru corectarea ubo
etape de proces sau realizarea unor dispozitive
noi snt n general extrem de laborioase i P^'
supun de cele mai multe ori o bogat exp^1'
en prealabil.
O particularitate a fabricaiei dispo*^'
velor semiconductoare este caracterul ei
tistic. Numrul imens de factori care influ*
eaz obinerea n final a parametrilor electr^
termici, mecanici i climatici dorii face*? ?
ciuda precauiilor celor mai severe, num1* j
parte din cipurue (structurile) de iiHdu
176
alte semifabricate oare intr ntr-o etap tehnologic s fie acceptate
ca dispozitive finale.
Ca urmare, printre noiunile eseniale care guverneaz producia
de componente semiconductoare apare aceea de randament, adic raportul
dintre numrul produselor corespunztoare i cel al semifabricatelor care
intr n procesul sau etapa tehnologic examinate. Spre exemplu, dac
in sortarea final intr 100 tiristoare i numai 90 dintre acestea corespund
cerinelor Standardului Tehnic de Eamur (S T B ), randamentul de sortare
final este de 90%. Desigur, orice productor lupt pentru randamente
cit mai apropiate de 100 %.
Un alt aspect legat de caracterul statistic amintit se refer \&dispersia
valorilor unor parametri electrici ai dispozitivelor procesate simultan i
prin aceeai tehnologie. De exemplu, n cazul unor diode de medie putere
proiectate pentru I FAv = 32 A i VRKM 1600 V, n urma finalizrii
unui lot de fabricaie omogen rezult diode cu I FAV 25 .. .32 A i VRRX =
50 .. .1600 V. n general, dispersia tehnologic a parametrilor electrici se
ncadreaz ntr-o repartiie de tip clopot Gauss, iar nivelul tehnologic
se reflect n plasarea maximului acestei repartiii ct mai aproape de
valorile proiectate i micorarea ct mai puternic a dispersiei. Mai mult
chiar, atunci cnd un parametru se ncadreaz n limitele admise de STR,
cunoaterea repartiiei valorilor concrete ale acestui parametru d infor
maii despre calitatea tehnologiei. Astfel, o repartiie necentrat, cu mai
multe maxime, se coreleaz cu neajunsuri tehnologice (neuniformiti de
proces) care se pot traduce n vicii ascunse ale dispozitivelor finale.
n cele ce urmeaz se vor descrie cteva etape principale din procesul
complex al fabricrii diodelor i tiristoarelor de putere. Prezentarea va fi
orientat spre fenomenele fizico-chimice i tehnicile de prelucrare, a cror
cunoatere va completa imaginea necesar utilizatorului pentru nele
gerea funcionrii i limitelor folosirii acestor tipuri de dispozitive. I nfor
maii suplimentare de detaliu snt publicate n literatura de specialitate
[1,2,3, 4, 5].
n figura 3.2 snt schiate seciuni ale unora dintre cele mai reprezen
tative dispozitive semiconductoare de putere. Se disting elementele com
ponente eseniale:
(a) structura semiconductoare, care asigur funcia electric a dispo
zitivului ;
(b) capsula, care asigur accesul electric i termic la structura semi
conductoare i n acelai timp separarea i protejarea acesteia fa
de mediul nconjurtor, fr -i afecteze funcia electric;
(c) elemente auxiliare, destinate compatibilizrii electrice, termice,
mecanice i geometrice a structurii cu capsula.
Asupra tuturor acestor elemente se concentreaz, de altfel, principa
lele eforturi de proiectare tehnologic i de dispozitiv.
Spre deosebire de domeniul microelectronicii, unde creterea nivelului
de complexitate i a gradului de integrare constituie caracteristica domi
nant de performan, n electronica $e putere btlia se duce pentru Gre
i t7
teren densitii de putere controlat, tradus pr i n cureni de conduci e i ten
siuni de blocare cit mai ri dicate, corelate cu vi teze de comutare cit mai mari
Se ating limitri fi zi ce ale di spozi ti vul ui semi conductor legate de perfeciei
nea monocri&tal ului, temperaturi le maxi me de funcionare i posi bi l i ti l e de
evacuare efi cient a cldurii. ntruct zonele acti ve ale di spozitivelor semi
conductoare de putere se afl n volumul acestora (i nu n eventuale
straturi superficiale), ocupnd arii deosebit de mari, aceste ti puri de dispo
zitive implic utilizarea unor monocristale de siliciu de cea mai nalta
perfeciune i puritate, precum si aplicarea unor procese tehnologice
foarte curate i bine controlate. n figura 3.3 este i l ustrat evoluia dia
metrele r structurilor de mare putere fabricate l a I P RS-B A N E AS A.
-Pb'Sn
- Si (metalizat)
-PbSn
Fig. 3,2. Seciuni prin dispozitive de putere : ()diod contactat prin lipire tu capsai
(fc) diod contactat prin aliere l lipire in capsul cu urub ;
Ehnwnfe pmf
tiv &nbcfo-\
mp&Mubor^
Pfafemf orga/ vc
pentru proiecie
s pckitare
CamM disc
ir#tot~c*nitc$
S AbSi Mo g o
(metokzat)
Fig. 3.2. (continuare) Seciuni prin dispozitive de putere:
i tS tlrlstor contactat prin aliere i presare In capsul cu urub ; (<*) tirt*tor omtlactat. prin
fi pra*re in capsul cu brfi plat ; fe) Uri stuf contactat prin aliere i pie*arc In capsul disc
m
J k m
31. Prwtsaffa monoeri* laiului de silieiu
Realizarea lingoului <tesiliei moaocritalm este condiionat de
m%0
!&) eresierm mmui Mimocrw&fi de volum ci t mai mare. cu structur ctk
cit mm perfect| i cu un grad et mm nalt de puri tate imiai; *
(b) im purificar ea r^Kfot a mono cri&talulii i .
T I
2 *4 >
I - M
dtafe efe
pa te re
W79 75 J W W5 7**5
Fig. 3.4. Cara eteri
ffig. 5.3. Evoluia diametrului maxim al struc- I_I___I___________
de diode i tiristoare realizate ta J PRS- blocare, corespunztoare strpungerii
B XEAS. 1 ; i strpungerii moi".
Creterea monoeristalului are loc prin solidificare din faza l i c h i zi
(topitur) ia jurul unui germene monoeristalin. Metoda de tragere a mono- -
cristalului din topi tur (metoda Czockm* jj
ski CZ) conduce in general la prezeoil|
unei mari cantiti de oxigen in reeaua |
cristalin (peste 5 X 10l t atomi;om?'u-J
precum i la o densitate ridicat de i
defecte de reea dislocaii i asociaii 1
ale acestora (pln la lCH/ cm*).
O metod superioara de cretere i
purificare const n deplasarea de-a lungul
monocr ist aiului a unei zone cu tomp^*
ratura mai ridicat dect temperatura de
topire (metoda topirii zonare sau a sonei
flotante - F Z). Pe aceast cale rezult* o
densitate foarte mic de dislocaii |
500/ cm2), o densitate practic nul de
defecte grave (asociaii de defecte da
reea), un coninut redus de oxigen (sul)
5 x IO1* atomi / cm3) i, prin contr ol
riguros al materiei prime, un conin
redus de carbon' (sub 5 x IO16 atomi/ cm3)-
De precizat c prezena {oxigenului 4
carbonului n reeaua* cristalin condal
n gea&r&l, la crete rea curenilor rezid
Fig- 3.5. Comparaie latre siliciu)
crescut prio metoda zoaci (latante
(F Z) i siliciul dopat prin transmu
taie nuclear {NT3% dia punctul de
vedere al padientului lateral (dup
raza r a seciunii transversaie a lin
goului) i striaiilor** de reeistivi
tate (p).
iac
*i jo&cmnOor ia blocare, obinindu-^e aa-numitele caracteristici de
blocare moi** (vei figura 3.4).
n cazul dispozitivelor de foarte mare putere oare, practic, utilizeaz
ntreaga arie a plachetei sau o poriune nsemnat din aceasta pentru un
singur dispozitiv, ca i n cazul dispozitivelor de tensiune foarte nalt,
neunifornoitile de dopare inerenta metodei F Z pot fi duntoare prin
aceea c strpungerea jonciunilor semiconductoare va fi local, puind
conduce la distrugerea dispozitivului In funcionare. Gradienii laterali
i striatiiie de rezistivitate se atenueaz considerabil (vezi figura 3.5)
prin aplicarea tehnicii avansate de dopare a monocristalului de siliciu foarte
pur i de rezist ivi tate foarte ridicat cu ajutorul transmutaiei nucleare
(3TTi>), prin care izotopul ^Si transmut in izotopul 31P n urma bom
bardamentului cu neutroni (captur neutronic).
Debitarea plachetelor de siliciu din lingoul mapcristalin se face prin
tiere cu disc diamant at. Tierea produce la suprafaa plachetei defecte ce
se pot propaga n volumul acesteia n timpul proceselor termice ulterioare,
afectnd n acelai timp concentraia de suprafa i aiincimile de difuzie
ale impuritilor dopante i puind conduce chiar la apariia unor filamente
puternic dopate de-a lungul defectelor induse.
E liminarea stratului perturbat se face prin lefuirea suprafeei cu abra
zivi n mediu de ulei sau ap, pe adncimi de cteva zeci de am.
Curarea suplimentar a suprafeei i micorarea rugozitii se asigur
prin lustruirea chimic sau mecano-chimic a plachetei. Ultima situaie
(suprafa oglind ) se impune atunci cnd n fluxul tehnologie urmeaz
creteri epitaxiale sau procese fotolitografice.
' 3.2. Realizarea structurilor
Struetura este elementul activ al dispozitivului semiconductor i
prezint toate caracteristicile electrice funcionale pentru care este con
ceput acesta. Spre exemplu, unei structuri de tiristor i se pot aplica ten
siunile de blocare n direct i invers precum i impulsuri de amorsare pe
electrodul de poart, spre a se testa comportarea sa electric, ntocmai
ca pe un dispozitiv ncapsulat. n fabricaie aceast posibilitate prezint
o importan deosebit deoarece permite selecionarea structurilor dup
parametrii electrici nainte de ncapsulare i eliminarea acelor structuri
care nu corespund cerinelor din programul de sortare final. Oa urmare,
se poate evita irosirea materialelor scumpe specifice ncapsulrii (cupru,
argint, ceramic, sticl, materiale plastice speciale .a.), a cror prelucrare
n vederea montajului i etanrii impune tehnologii de prelucrare, msuri
de oompatibilizare i precizie dimensional extrem de critice i costisitoare.
n figurile 3.6 i 3.7 snt schiate cteva tipuri de structuri. Pentru
puterile mici i medii predomin formele ptrat, dreptunghiular sau hexa
gonal, care permit decuparea cu pierderi minime din placheta de siliciu
(vezi figura 3.8). Structurile de puteri i tensiuni mari au simetrie circular,
pentru a evita concentrrile de cimp electric caracteristice colurilor, cl|
i pentru utilizarea maxim a spaiului disponibil n capsul (de aseme-
Dea ciicuar, in general). Suprafeele cipului (structura din siliciu) sn
cuprinse nti e cfva mm2i zeci de cm2, n funcie de puterea dispozitu
cupr
vuiui.
Metalizare
Bkxki desfUdu Sffcf de pasivart
Siliciu
Metalizare
m
/
7 C
="
i

bj c)
a)
Fig. 3.6. Structuri de diode (o) i tiristoare (b, c) de mic i medie putere.
Fht,
Structur de tiristor de mare putere.
F i g. 3.8. Decuparea structurilor
ptrate din placbeta de siliciu*
Bealizarea oricrei structuri de diod sau tiristor presupune obliga*
toriu patru grupe mari de operaiuni:
a) formarea straturilor de tip p i de tip n n volumul monoeristalulu*
de siliciu;
b) realizarea unor contacte neredresoare (ohmice) pe suprafeele electro
zilor principali i de comand;
c) separ** (decuparea) cipurilor din plachet;
i ) prelucrarea, pasivarea i protejarea poriunilor n c a r e jonciunii
/ m ntlnesc suprafaa exterioar a structurii.
n figurile 3.9 i 3.10 snt ilustrate schematic transformrile senaico'
dueorului in toate cel ^iiii u etape, pentru o diod i un tiristor, n cazu
dispozitivelor rapide intervine suplimentar i .
e) procesul de reducee a timpului de via al purttorilor de sarcio*
minoritari din semiconductor.
Limitele metalizrii
de catod
Limitele difuziei
de catod
unturi In catod
Zona laterala profilat
mesa
. de
Electrod fermocom -
__1 pensator din moftbden
f -
f -
1
, Siliciu
\ Zn e
difuzate
Metalizare
r
T
P-
*>/
r 3
I
P+
Repartitor metalic ''
Aliaj de lipire
Material organic de
protecie si pasiva re
. Arrihaza /rietotidi
Oi
/ Bioxid de siliciu
P*
Conexiune de poarta
F ig. 3.9. Realizarea structurii de diod i
(a) formarea straturilor p i n ( b ) rea
lizarea contactelor; (c) separarea din
plachet; (d) pasivarea i protejarea
structurii.
Fig. 3.10, Realizarea structurii de irfstoff
(a) formarea straturilor p i a \ \ l>) realizarea
contactelor t (b) separarea din plachet
(d) pasivarea i protejarea structurii.
3.2.1. Formarea straturilor de tip p i n
n capitolul precedent an fost prezentate configuraiile celor mai
reprezentative tipuri de diode i tiristoare de putere. A rezultat c ntreaga
comportare electric a dispozitivului este condiionat de felul cum snt
dispuse straturile de tip p i n ntr-un substrat iniial ales corespunztor.
O serie de criterii teoretice de proiectare permit stabilirea corelaiilor
care exist ntre parametrii electrici i cei tehnologici.
Astfel, se pot determina tensiunile de blooare maxim obtenabile in
funcie de rezitivitatea semiconductorului (care limiteaz tensiunea de
strpungere) i de grosimea zonei slab dopate (care condiioneaz tensiu
nea de ptrundere a regiunii de sarcin spaial pn la marginea acestei
one vezi figura 3.11).
Un alt exemplu este ilustrat n figura 3.12. Curentul de suprasarcin
accidental constituie o limitare major a diapozitivului, datorit dep
irii temperaturii maxim admisibile a jonciunii. Pentru tensiuni de blocare
identice, deci pentru condiii tehnologice similare (conform figurii 3.11)f
Fig. 3.11. Diagrame pentru determinarea Fig. 3.12. Corelaia ntre densitatea maxim de
tensiunii maxime de blocare n funcie curent de suprasarcin accidental i tensiunile
de reziti vita tea semiconductorului i de blocare maxime, pentru diodele i tiristoarek
grosimea w a regiunii slab dopate. realizate la 1PRS-B NE ASA,
densitatea maxim de curent de suprasarcin este mai mic in cazul unei
puteri disipate superioare (cazul dispozitivelor rapide n raport cn cele
normale), respectiv n cazul dispozitivelor care utilizeaz pentru conducia
curentului principal o parte mai mic din aria total a structurii (cazul
tiristoarelor n raport cu diodele).
Tipul de conductibilitate depinde de prezena n reeaua monocrista-
lin de siliciu a anumitor atomi de impuritate, donori sau acceptori de
electroni, introdui acolo prin tehnici diverse, dintre care cele mai impor
tante in domeniul semiconductoarelor de putere snt alierea i difuzia.
Alierea const n formarea prin nclzire a unui aliaj de exempln
alumirriu-siliciu i recristalizarea sa prin rcire. Prin recristalizare,
siliciul nglobeaz la solidificare atomi trivaleni acceptori de aluminiu
care ii confer o conductibilitate de tip p. Alierea conduce la obinerea
unui profil foarte abrupt al concentraiei de impuriti (vezi figura 3.13).
Profilul foarte abrupt constituie singurul avantaj pentru care se mai utili
zeaz aceast tehnic greoaie (de exemplu pentru realizarea diodelor Zener
de tensiuni joase), la care astzi s-a renunat aproape n ntregime.
Biitzia este unul din procesele tehnologice cheie n fabrioarea
diodelor i tiristoarelor.
n esena, difuzia const n deplasarea lent a atomilor de i m p u ri t at e
prin reeaua monocristalin de siliciu, din zona concentraiei ridicate de
impuriti n direcia concentraiei sczute. n figura 3.14 este ilustra*
profilul concentraiei de impuriti (pe scurt profilul de difuzie pentru
dou cazuri reprezentative):
a) Concentraia la suprafa a impuritilor N 3 se menine constant
pe toat durata difuziei. Cu alte cuvinte gursa de impuriti este suficient
de bogat nct s completeze mereu ceea ce ptrunde n semiconductor.
A l S i
Fig. 3.13. Profil de impuriti abrupt
obinui prin aliere- i repre
zint concentraiile de impuriti
acceptoare, respectiv doboare.
Fig
zie:
*/ 2Vf f -------- *
3.14. Profile de impuriti obinute prin difa-
(a) Ng = constant i (b) Q = constant.
n acest caz concentraia de impuriti variaz in adincime (a?) i n timp (Q
dup relaia
N(x, t) = Nseiic . (3J .)
2 |f Dt
unde D este coeficientul de difuzie al impuritilor n siliciu.
b) Concentraia Ns scade n timp pe durata difuziei, ns cantitatea
totala de impuriti din semiconductor Q rmne constanta, ceea ce se n*
tmpl atunci cnd se ndeprteaz sursa exterioar de impuriti, iar difu
zia are loc prin redistribuirea atomilor existeni, provenii eventual din
procesul descris la punctul a). n aceast situaie profilul de impuriti
reprezint o distribuie Gaussian
* (iB I t A t esp ( - i l r b esp ( - i l r ) * (3a)
v Numeroase alte cazuri mai complicate se ntlnesc in practic i stat
studiate n literatura dedicat difuziei, mpreun cu rezolvrile analitiee
sau numerice corespunztoare.
De.fi difuzia are loc la orice temperatur, viteza de naintare a oeloi
mai uzuale specii de impuritate este neglijabil sub 100QG. Proiectantul
fi tehnologul de dispotftfr urmresc s obin n urma difuziei o adineiuj^
ontrolat de ptrundere a impuritilor utile pentru formarea jonciuni
(m), o concentraia de suprafa N, stabilit, precum i un anumit profil
M(s ) al impuritilor. n figura 3.15 este reprezentat profilul tipic de dift*j
i e a! unei diode i e 'putere, iar In figura 3.16 profilul de difuzie al xaim
Hrisier.
|* 3.15. Profil de difuzie pentr*
diode de putere.
Fig. 3.16. Profil de difuzie pentru
ti ri st oare de putere.
Difuzia, se realizeaz n cuptoare speciale care permit controlul riguro*
al temperaturii i cureniei procesului. Plachetele de siliciu, poziionate
In general vertical pe nacele adecvate, sint introduse n tubul din cuar
sau din curbur de siliciu al cuptorului, n zona de pal i er care asigur
pentru temperatur o precizie mai bunr de efc 0.5C. Necesi tatea acestei
precizii ait de ridicate deriv din dependena exponenial a coeficientului
de difuzie de temperatura T
(3.3)
unde E . reprezint o energie de activare, iar k - constanta lui Boit
mann.
186
Difuzia poate avea ioe in tub totdku sau nchis.
n primul oaz prin tubul cuptorului curgun gaz (de exemplu azot,
oxigen sau un gaz inert), oare transport vapori ai speciei dopau te. Aceti
v&pori slut introdui In gazul purttor prin borbotarea, naintea intrrii
tu cuptor, a unor surse de difuzie lichide (de exemplu P(KS3 pentru fo*fo>
| i BBr, pentru bor).
ntr-o alt variant atomii de impuritate provin din aa-n urnitele
surse de difuzie solide planare, care se prezint sub forma unor plachete
de bioxid de siliciu poros dopat (20...60%) eu compui al impuritii
(miruri, oxizi etc.). Specia de impuritate exdifuzeaz din aceste surse
fiind apoi preluat de gazul purttor i depus pe plachetele de siliciu, in
care ulterior va difuza.
n sfrit, difuzia se poate realiza i din surse pensulate, care oonstaa
in suspensii volatile ale peciei difuzane (n stare pur, oxid, nitrur sau
alt compus) depuse pe plachetele de siliciu naintea introducerii ia cuptor
n cazul difuziei n tub nchis, specia dopant este introdus mpreun
eu plachetele de siliciu ntr-un tub de cuar etanat (fiol), vidat i apoi
umplut cu un gaz inert (de obicei argon) la o presiune astfel aleas nc*t
aceasta s ating 1 atm la temperatura de proces, la care dopantul se eva
por i creaz o atmosfer de concentraie uniform in ntreaga fiol.
Difuzia n tub nchis permite i folosirea unor surse combinate pentru
introducerea simultan in reeaua cristalin a mai multor tipuri de impuri
tate (de exemplu difuzia de galiu acceptor, respectiv fosfor donor,
din sursa de fosfur de galiu).
n sfrit, mai trebuie menionat faptul c, n mediu oxidant la supra
faa plachetei de siliciu se pot forma oxizi cu coninut de atomi de impuri
tate (sticle dopate) care pot fi utilizate ca surse de difuzie n continuare,
dar care prezint i dezavantajul de a constitui ulterior straturi nedorite,
greu de ndeprtat de pe suprafa,
n Tabelul 3.1 se face o comparaie ntre diferitele tipuri de difuzie.
Pentru dispozitivele semiconductoare de mare putere, crora ie snt carac
teristice costurile ridicate, difuzia n tub nchis se dovedete superioar
atit din punct de vedere tehnic, ct i economio. n cazul diapozitivelov
de mic i medie putere, mult mai ieftine, snt preferate n primul rnd
pe criterii economice difuziile n tub deschia.
Diodele i tiristoareie de putere se remarc, printre altele prin difuzii
adinei {xi de ordinul a zeci de ixm), gradieni de concentraie miei la jonc
iuni, precum i o deosebit uniformitate a profilului de dopa/ re pe ntreaga
suprafa a plachetei. Toate acestea snt necesare pentru obinerea uno
tensiuni de blocare ct mai mari, pe arii de siliciu care s asigure cureni
de conducie foarte mari. Aa se explic durata mare, uneori de zile n
ir, a difuziilor pentru dispozitivele de putere. Pentru a mai otiga timp se
folosesc temperaturile maxime care nu afecteaz iremediabil perfeciunea
reelei cristaline, in intervalul 1200... 13000,
n cazul diodelor de putere impuritile utile de tip p difuzeaz prin
toat suprafaa viitorului aaod iar cele de tip n prin toat suprafaa viitoru
lui eatod. Se obine n final o plachet de siliciu cu straturi p'pn sau
n*np aa cum se vede n figura 3.17. Prin fragmentarea plachetei se obin
structurile diodelor de putere dorite.
Comparaie Intre dfferittle tipuri de difuzie*
Tabelul 3.1
| *.*>^^^J Carac teristici
Tp difuzie '.
Tub deschis
j Tub nchis
Sursa gaz purttor { solida planara
pensulat
(simpl 5$u com
binat
Uniformitatea pe plachet moderat moderat
j moderat | foarte bun
Uniformitatea pe lot [ gradient de-a
| lungul tubului
burs bun
j foarte bun
ReprmtuctibQftate j modera t j moderat
] bun buna
Selectivitate da
da
nu da
Bumr pai proces
i ...... ... .....
| 2
| 2
1
... i f
Formare de sticle dopate i moderat intens J foarte intens de Ioc1
I---- ;>><7fcHS
Randament moderat | moderat
M rnoderat I foarte mare
Dopri combinate nu nu [ fa-spate j da :
Sensibilitate la contaminare mare mare mare mic
Cost/ difuzie mic
'I ? ---- y, m
moderat foarte mie foarte mare
Productivitate
aproximativ
I 200 plachete
pe lot
1 100 plachete
po lot
1000 plachete 1000 - 2000
pe lot (plachete pe lot
P*
Fig. 3,17, Plachete de diode
redresoare (difuzie neselectivj.
n*1
P*.
n cazul tirist oareior i triacelor difuzia impuritilor de tip n car
dopeaz catodul trebuie s aib loc numai pri n anumi te suprafee precis
delimitate ale plachetei de siliciu (vezi figura 3.18). Bezuit c n anumite
Fosfor
Fig- 3.18. Difuzia selectiv la tiristoare.
rr:
BrOXtJ
SticlP
(masca &&
difuzie/
poriuni ptrunderea atomilor de impuritate trebuie mpiedicat cu aju
torul unui strat de baraj cu geometrie adecvat. Se utilizeaz tehnologia
188
atit do ingenioas care a revoluionat fabricarea dispozitivelor semicon
ductoare i a condus la apariia circuitelor integrate: fotogravura stra
turilor de bioxid de siliciu. Proprietatea bioxidului de siliciu de a fi n oare*
care msur, impermeabil la ptrunderea unora dintre speciile de atomi
utili de impuritate (de exemplu fosfor, bor) ii tace ni fie un strat de baraj
ideal pentru scopul artat mai sus. Tehnica de fotogravur oon&t in
delimitarea cu mijloace fotoehimice a zonelor acoperite eu oxid de zonele
in care oxidul a fost ndeprtat (gravat), aa cum reiese din desenul sim
plificat din figura 3.19 n cazul utilizrii aa-numitului strat fotosenibii
1
Qxidare
2
Depunere
fetorezist
{etalareJ
3
Miniere i
expunere
{iluminare}
ndeprtare]
fctorezist
expus
(developare)
Siiieiu
\
s; Bioxid de
/ siliciu
.Fetorezist
Masc
4
ortare |
Fig. 3.19. Etapele pj oceslmi
de (otosravur.
ndeprtare
bioxid de
siiieiu din
fereastr
6
ndeprtare
foforezist
(fotorezist) pozitiv, care in zonele iluminate devine solubil in soluii spe
cifice. O situaie invers, dar similar ca mod de lucru, se petrece in cazul
utilizrii fotorezistuJ ui negativ (devine solubil n poriunile neexpuse la
lumin).
O metod mai rapid i mult mai ieftin decit procesele fofcolitogra-
fice, aplicabil numai plachetelor rugoase i pentru geometrii cu tolerane
necritice (zeci de im), const in mascarea serigrafic a plachetelor, priB
depunerea pe suprafaa plachetei a unei pelicule de cerneal serigrafic,
printr-o sit fin care a fost in prealabil impermeabilizat selectiv prin
metode fotografice. Aceast tehnic se aplic la fabricarea tiristoarebr
de putere mare, ale cror dimensiuni orizontale minime depesc 100 um.
Un aspect specific proceselor selective (atit pentru difuzii, cit i meta
lizrile ulterioare) rezid in necesitatea alinierii mtilor n fazele succesive
de fotogravur sau serigrafie. Cu cit toleranele dimensionale ale structurii
snt mai reduse, cu atit alinierea este mai critic. n cazul triacelor se
practic difuzii i metalizri selective atit pe faa cit i pe spatele plachetei,
astfel incit este necesar dubla aliniere fa-spate a mtilor cu geometria
orizontal realizat la fazele anterioare.
In capitolul precedent s-a subliniat importana conservriiu timpului
de via al purttorilor de sarcin n timpul procesului tehnologic i a reducerii
lui controlate numai pentru dispozitivele rapide. S-a artat c scderea
necontrolat a timpului de via nrutete proprietile redresoare ale
diodelor i tiristoarelor, mrind pierderile de energie n conducie i blocare.
Pericolul principal l constituie ptrunderea n reeaua monocristalului de
siliciu a unor impuriti nedorite, alturi de cele utile care sint difuzate
intenionat. Impuritile nedorite, n special atomi metalici cu nivele de
energie adinei n banda interzis (aur, platin, argint, cupru, zinc, fier,
nichel, sodiu .a.) precum i defectele reelei cristaline reduc drastic timpul
de via prin efectul de capcan asupra purttorilor de sarcin. Tehnologii
vorbesc de un fenomen de otrvire a reelei cristaline cu atomi sau defecte
capcan. Evitarea acestui efect nedorit presupune numeroase msuri
de precauie pentru manipularea i pregtirea plachetelor n vederea
i n timpul difuziei : atmosfer desprfuit, splri laborioase n apa
demineralizat i reactivi de puritate electronic, procese termice
riguros controlate cu variaii lente de temperatur, n vederea redu
cerii riscului de deteriorare a reelei cristaline a siliciului etc. Mai mult,
snt practicate procese tehnologice specifice de captare i extragerea
impuritilor i de anihilare a defectelor nedorite din semiconductor (de
numite generic procese de getterizare). Natura a fcut ca majoritatea ato
milor metalici parazii s difuzeze mult mai rapid dect impuritile
utile sporind astfel dificultile complicatului proces de difuzie.
3.2.2. Realizarea structurilor rapide i de comutaie
Creterea vitezei de comutaie a dispozitivelor semiconductoare se
obine prin reducerea controlat a timpului de via al purttorilor de sar
cin mobili minoritari. Acest lucru se poate realiza pe mai multe ci:
a) difuzia unor impuriti care se comport ca centri de recombinan
pentru purttorii mobili (de exemplu aur sau platin);
b) inducerea unor defecte n reeaua monocristalin, prin iradiere ett
particule elementare suficient de energetice (electroni, neutroni), defectele
create avnd acelai rol de centri de recombinare pentru purttorii mobili-
Spre deosebire de primul caz, efectele iradierii sint reversibile n unsu*
unui tratament termie de temperatur nu prea ridicat (sute de QC), ceea
190
ce ofer posibilitatea relurii pentru remediere a unor eventuale iradieri
reuite, fr a compromite rezultatele tratamentelor termice anterioare,
desfurate la temperaturi mult mai ridicate,
O precauie special trebuie luat, hi privina parametrilor eUctrici eart
se altereaz in urma reducerii timpului de via l purttorilor minoritari t
tensiunile de condueie n direct i curenii de blocare cresc, iar sensibili
tatea faa de impulsurile de comand scade. Aadar, din punct de vedere
tehnologic se impune gsirea unui proces optimizat de cretere a vitezei
de comutaie fr compromiterea peste anumite limite a celorlalte perfor
mane de dispozitiv.
Timpul de comutare poate fi redus suplimentar micornd cantitatea
total de sarcin de minoritari stocat, prin reducerea grosimii regiunii
slab dopate, cu preul scderii capabilitii de blocare, dar i cu avantajul
micorrii cderii de tensiune n direct. Pentru aceasta, structura activ
se realizeaz ntr-un strat de siliciu subire, slab dopat, crescut epitaxial
pe un substrat de siliciu gros, cu conductibilitate electric foarte mare,
avnd n primul rnd rolul unui suport mecanic adecvat. Acesta estcazul
diodelor ultrarapide.
O metod radical de reducere practic la zero a timpilor de comutaie
const n realizarea unor dispozitive a cror funcionare nu se mai bazeaz
decit pe purttorii de sarcin majoritari diodele Schottky.
3.2,3, Realizarea contactelor ohmi ce pe suprafeele electrozilor prin
cipali sau de comand
Legtura electric dintre monocristalul de siliciu dopat cu impuriti
i circuitul exterior se realizeaz prin intermediul unor straturi metalice
depuse pe suprafaa electrozilor principali (anod, catod) i de comand
(poarta, n cazul tiristoarelor). Aa
cum rezult i din figura 3,20 me
talele de contact se depun dup
ce este realizat configuraia stra
turilor pn specific dispozitivului.
Contactul oh mic al structurilor
de putere trebuie s ndeplineasc
cerine comune i altor dispozitive
semiconductoare [6] :
a) rezisten de contact mi-
3.28. Metalizare chimica pentru plachete nim }
de diode. b) aderen maxim a stra
tului metalic ;
c) compatibilitatea metalului depus ou elementele de contact din
construcia dispozitivului semiconductor, exterioare structurii*
I>ispozitivelor de putere le sint ns caracteristice sxiprajeele mari
contactului (pn la zeci de cm2) i solicitarea termic deosebit de intens
(vi ai i de temperatur de zeci de grade in citeva secunde). O degradare
contactului chiar pe o poriune redus din suprafaa metalizat poate
compromite n timp scurt ntregul dispozitiv prin disiparea masiv de
putere n poriunea afectat. Apare deci justificat preocuparea produc-
191
torului pentru un contact neredrcsor ferm, eu rezisten ndelungat Ia
variaiile de temperatur.
Caracterul ohmic al contactului metal-semiconductor const n
valoarea extrem de redus a rezistenei specifice de contact. Acest parametru
este condiionat de nlimea i lrgimea barierei de potenial ce se for- I
meaz ntre metal i semiconductor [6]. O barier suficient de sczut si sau
ngust asigur micorarea rezistenei specifice de contact sub I O 4Qcm2,
astfel incit cderea de tensiune pe contact (mult sub 10 mV la o densi- S
tate de curent de 100 A/ cm2) este neglijabil in raport cu tensiunile pe
zonele active ale dispozitivului. Metalele uzuale conduc la bariere prea
nalte pentru obinerea contactelor ohmice, aa ncit n practic se prefer
ngustarea barierei prin doparea superficial puternic cu impuriti a
semiconductorului. n cazul dispozitivelor de putere, aceasta se realizeaz
n primul rnd prin difuzie, dar i prin penetrarea n semiconductor a unor }
atomi dopani coninui n stratul metalic (chiar atomi ai metalului j
n cazul contactelor de aluminiu pe siliciu, sau impuriti din stratul nieta-
lie de exemplu fosforul coninut n stratul de nichel depus chimic), n
urma tratamentului termic post metalizare.
Pentru realizarea contactului ohmic pe structurile diodelor i tir ist oa- 1
relor de putere se folosesc trei tehnologii principale.
a) depunerea chimic i electrochimic a unuia sau mai multor straturi
de metal (nichel, aur, plumb, etc.);
, b) depunerea prin evaporare n vid a unuia sau mai multor straturi d*
metal (nichel, crom, titan, argint, aur, etc.);
e) alierea silieiului (de exemplu cu aluminiu, eventual aliaj aluminiu-
siliciu) pe un suport metalic (wolfram, molibden) cu coeficientul de dilatare
apropiat care s confere ansamblului siliCiu-suport a rezisten ridicat
la variaii de temperatur.
Metodele chimice, foarte productive, dar cu un grad mai sczut de j
uniformitate i reproductibilitate, snt utilizate eu predilecie pentru
dispozitivele de mic i medie putere. Evaporarea i alierea pe electrod
termocompensaor, procese mai puin productive, costisitoare, ns de o
bun reproductibilitate i uniformitate, snt caracteristice dispozitivelor
de mare putere (arie mare).
3.2.4. Separarea i pai varea structurilor semiconductoare
n descrierea procesului de difuzie s-a artat c procesul tehnologic
de realizare a jonciunilor pn comport nenumrate precauii i msuri
de acuratee. Printr-o fabricaie bine condus se pot realiza n* volumul,
semiconductorului jonciuni cu excelente proprieti de blocare (cu alte
cuvinte curenii reziduali foarte mici i iniierea avalanei uniform, &
ntreg volumul structurii).
Din pcate, n toate cazurile, jonciunea pn are poriuni care ies 1*
suprafa venind n contact cu mediul nconjurtor.
n calitate de exemple tipice se vor examina cele dou structuri dese- yg
nate n figura 3.21, n cazul (a) impuritile au difuzat n siliciu prin1'0
fereastra deschis n stratul de bioxid de siliciu, formind o jonciune />* J g
Se observ c zona n care jonciunea iese la suprafa este p r ot ej a t
Stratul de oxid, n practic, aceast tehnologie, denumit planar lQ |
poate asigura tensiuni nalte de blocare deoarece cu mult nainte ca |
lana s se produc n zona plan, apare strpungerea n poriunea de curbur
a jonciunii, unde cimpul electric este mult mai intens. La dispozitivele
de putere aceast tehnologie este utilizat pentru obinerea jonciunilor
nesupuse unor tensiuni de blocare mari (de exemplu jonciunea poart-ea-
tod la tiristoare).
Diodele i tiristoarele de putere snt realizate n cvasitotalitatea lor
printr-o alt tehnologie, evitndu-se curbarea jonciunilor pn care trebuie
s^suporte tensiuni de blocare ridicate. Impuritile snt difuzate prin toat
suprafaa structurii, iar jonciunea pn iese din volum printr-o poriune,
situat pe muchia structurii. Tehnologia, ca i structurile de acest tip
poart denumirea de mesa. Comportarea n volum a structurilor mesa
este excelent, dar prelucrarea i protejarea suprafeei laterale presupune o
complicat succesiune de operaiuni pentru separarea structurilor, realizarea
profilului lateral tip ,,mesau i n final pasivarea acestei zone. Aceste
operaiuni snt ilustrate pentru cteva situaii concrete n figura 3.22.
Separarea structurilor semiconductoare din placheta de siliciu
se poate realiza cu mijloace mecanice (zgriere cu vrf diamantat, decu
pare cu jet abraziv sablare), chimice (corodarea selectiv a unor anuri
n placheta de siliciu) sau cu laser (topire local a semiconductorului).
Conturarea profilului mesa se bazeaz pe metode mecanice
(decupare cu disc diamantat profilat, conturare prin sablare cu jetf de
abraziv la unghiul dorit, lefuire mecanic n suspensie abraziv cu ajuto
rul unor cupe metalice cu raz de curbur adecvat) sau chimice (nsi
corodarea chimic asigur obinerea unui astfel de profil). Din raiuni
legate de fizica dispozitivului semiconductor, comentate n capitolul pre
cedent, profilul mesa optimizat presupune asigurarea unor unghiuri
bine alese ntre jonciunile pn i suprafaa lateral a structurii. Pentru ca
strpungerea s nu aib loc n zona de margine a structurii, este necesar
realizarea aa-numitului unghi favorabil pozitiv (unghi ascuit n zona slab
I dopat vezi figura 3.23). n cazul tiristoarelor, existena a dou jonc
iuni paralele care trebuie s blocheze tensiuni mari creaz complicaii n
suprafeei laterale pentru ndeprtarea stratului de siliciu perturbat meca-
Mfe. H impurificat (decapare), urmat de acoperirea acestei suprafee cu
trat dielectrie protector, de natur organic (polimer) sau anorganic
{tel special, oxizi), care are att rol de pasivare, adic de a forma leg-
g c h i m i c e eu atomii de la suprafa rmai cu legturi nesatisfcute n
Urma ntreruperii reelei cristaline, cit i rol de protecie fa de agresivi-
V H H K ^^- c h i n u e a ambianei nconjurtoare (umiditate, ioni mobili
Btoxid de siliciu
/ Siliciu
J .' A.'
PLANAR
MESA
b)
F ig. 3.21. J onciuni pn planar (a) i mesa (&).
asigurarea unghiului favorabil pentru ambele jonciuni (vezi figura 3.23).
Pasivarea presupune, ca etap preparativ, prelucrarea chimic a
193
m
J /|*M
F v \ A * f P w -
- y r y
Setuhe 4r
rnrtrr rfwwni
Repartitor
rnefcHtc
Ath j de
iiptre
enredare
chmtck
M 4
Bornei d t u k u u (masc}
/ Stciu
Metal Sticla de pascare
=o
ZZ3
to s er
Stcm
n*
n
~ n
*
J et
abraziv $
Soluie de Materi al or gante
carodare chenca #^ s <y a r f >
P*
= r n
=o
n*
n
Electrodtrmocompfnatc
(Mq,W}
J et
abraziv
Saw
o
Metal
Sol ui e de
cotodare chimica
J L
Materni orgoruc
de pantere
(a ) di od decuf**
L ( ) di od decuP
BBMtiristor prof**
R 3)|
_- . . _z__ -,. ---TCT ------ (e) tiTOuB uvr^a
ca J et b r a i v, pr ofi l at m m cu Mispensie abr axi v I n cu p m et a l i c i , cor od at chi mi c i ^
vat or gani c.
gg. 3.23. Metod de eparare, profilare fi pasivare a structurilor mesa :
eu vlrf diamantat, profilat mesa priii corodare dumica i pasival organcLJ ^ r~ {jp
i fofilat nev* cu disc diamantat, corodat chimic i pasivat organic; (c) tiristor P
numn prin corodare chimic, pai val cu sticl i separat cu disc diamantat; (d ) diod y .^i
cu laser, profilat mesa cu J et abraziv, corodat chimic i pasiva t organicj(e) diod ;
etc.). n plus, eventualele sarcini electrice fixe sau mobile (ioni) din stratul
dielectric influeneaz cimpoi electric din semiconductor n apropierea
suprafeei laterale.
Dac se imagineaz dispozitivul real ca fiind format dintr-un dispo
zitiv de volum i unul de suprafa conectate n paralel (vezi figura
3.24) rezult c obiectul pasivrii este obinerea unui dispozitiv de supra
fa cu proprieti de blocare ct mai stabile i apropiate de cele de vo~
Lfoghi pozitiv
Unghi /
Fig. 3.23: Pr ofi l e mesa : (a ) diod cu unghi pozi ti v; (b) tiristor cu unghi pozitiv (a), i nega
t i v (4S ); (c) tiristor cu dublu unghi pozitiv (a, 8).
lum. Dependena puternic a curentului rezidual I BS de forma, calitatea
prelucrrii i curenia suprafeei fac din pasivare una dintre etapele cele
mai critice n realizarea diodelor i tiristoarelor de putere. De cele mai multe
ori problemele de blocare ale acestor dispozitive provin din untarea volu
mului de ctre curenii reziduali de valoare mai mare pe suprafa. De
calitatea i stabilitatea legturilor chimice formate la interfaa pasivant-
semiconductor i de starea electric rezultat n urma fixrii diferitelor
specii de ioni depind n mod esenial proprietile de blocare ale viitorului
dispozitiv.
n i
F i g. 3,24. Diod mesa i schema sa echivalent in blocare
(cu dou diode n paralel).
I n timp ce pasivarea cu sticl (glasivare) se aplic pe plachet, la
nivelul structurii, pasivarea organic se realizeaz n general pe structuri
Ppite sau aliate pe elemente metalice, care confer robusteea mecanic
fHeees&r n timpul procesului. Ambele metode au avantaje i dezavantaje
^are, ia prezent, delimiteaz folosire uneia sau alteia n funcie de scopul
riarit i nivelul tehnologic al productorului. Este cert c glasivarea
teren* dar deocamdat pasivanii organici snt preferai pentru dis
pozitivele de mare putere i nalt tensiune. In cazul diodelor i tiristoare-
1 de mic i chiar medie putere, anumite tehnologii de glasivare confer
1 stabilitate excepionala in blocare.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . r
Este important ca tehnologia folosit s permit o caracterizare cit mo 1
complet a structurilor nainte de ncapsulare. n acest fel se evi t cheltuiala i
material i manopera aferente neapsnlrii unor structuri defecte. la
cazul dispozitivelor de mare putere se msoar pe structuri (aliate) ev&. |
totalitatea parametrilor electrici ai dispozitivului final, decizia de montajA
fiind temeinic justificat. Pentru structurile mici care se fabric in Turnat
de sute de mii sau milioane pe lun se face apel la metode statistice de
evaluare a calitii pentru luarea deciziei de montaj. Pr opr i eti l e de bio- | f
care ale struct urilor de mic si medie putere pasivate organic se pot msura*'f|
in general, numai dup lipirea pe ambaz, pasivarea fi i nd ulterioar ace- 1
tui proces. Pentru unele categorii de diode i tiristoare de puteri mici. |
i anume cele glasivate, structurile se msoar bucat cu bucat pentru 1
clasificarea dup tensiunea de blocare iar n cazul tiristoarelor i dup 1
parametrii de amorsare.
3.3. ncapsularea
Structura semiconductoare se monteaz, n general, pe un suport |
metalic {ambaz, gril) i se nchide cu ajutorul unei piese numit capot,
care conine trecerea metal-dielectric (ceramic, sticl) sau prin nglobau
ntr-o rin dielectric de ncapsulare.
ncapsularea asigur, pe de o parte, contactarea electric, termica |
i mecanic adecvat a structurii semiconductoare, fcnd-o accesibili
din punct de vedere electric i termic dinspre exteri or, i ar pe de alt parte, ^
protecia fa de mediul nconjurtor (umiditate, pr af, ageni chimici, |
ionizare, radiaii), robusteea mecanic i manevr abi l i tatea necesare 5a J
condiiile concrete de utilizare.
Tehnologiile dispozitivelor de putere cu siliciu se pot clasifica dup j
modul de contactare a semiconductorului metalizat cu elementele metalic#M
adiacente [7]:
a) lipirea pe cupru, nichel, oel, alam .a.;
b) alierea pe metale cu coeficieni de dilatare termic ci t mai apropiai J
de cel al siliciului (molibden, wolfram), cu aliaje de aluminiu i siliciu; .
c) presarea semiconductorului ntre elemente metalice, evitndu-se J
astfel un contact mecanic rigid ntre suprafeele adiacente.
Se utilizeaz frecvent i variante hibride (de exemplu aliere + lipirer J
sau presare + aliere). J H
Lipirea (vezi figura 3.2.a) este un proces ieftin, realizat cu aliaje gj
pe baz de plumb n cuptoare la temperaturi nu prea ridicate (250
450 ), cu atmosfer reductoare (hidrogen sau azot hidrogenat ul l rapure) j
n vederea evitrii prezenei oxizilor n/ pe materialele care participa & j
lipire. Limitrile legate de cavitile formate n al i aj ul de lipire, diferi
tele de coeficieni de dilatare ai materialelor adiacente, umectarea i mp^;j
feet .a. fac ea aceast metod s fi e uti l i zat n mod curent mai |
n domeniul puterilor mici i medii.
Alierea (vezi figura 3.2.b) prezint proprieti superioare S
(aderen mbuntit, densitate mult mai mic a cavitilor n M
mperechere a coeficienilor de dilatare, micorarea tensiunilor meean^f B
n siliciu i aliaj) ns este mai costisitoare, aplieindu-se n special dispui
H r de puteri i arii mari. Procesul are l oc l a temperaturi mai xicaM$S
(600 . 1.800O) in atmosfer reductoare de nalt puritate.
I M
1 Presarea (vezi figurile 3.2 .<?k. .0) conduce la complicarea conside
rabil &construciei dispozitivului. Astfel, se remarc prezena unor <*le-
mente auxiliare (elemente metalice pentru contact i pentru preluare
denivelrilor elementelor adiacente, elemente elastice pentru asigurare
forelor de presare necesare sute de fcN, elemente dielectrice pentru
izolri interioare). Piesele puse n contact trebuie s fie deosebit de curate i
prelucrate cu nalta precizie, iar atmosfera din capsul trebuie s fie inert,
pentru a preveni formarea n timp a straturilor de oxid pe suprafeele puse
in contact. Suprafeele adiacente contactate prin presare trebuie s con
stituie n general perechi de metale cu proprieti antifriciune, care se vor
putea deforma (n urma variaiilor termice) relativ independent, cu mico
rarea corespunztoare a solicitrilor mecanice distructive. Astfel de defor
mri se accentueaz odat cu creterea dimensiunilor ariilor contactate,
astfel inet presarea este preferat altor metode la dispozititele de arii (deci
i e puteri) foarte mari.
n continuare, n Tabelul 3.2, se compar performanele corespunz
toare celor trei metode de contactare [7]. Se noteaz cu P0puterea maxim
n curent continuu la o densitate dat de curent n condueie direct (de
exemplu 100 A / cm2 prin semiconductorul avnd aria activ S. n prim
aproximaie P Q~ S. Rezistenele specifice de contact i cele serie parazite
snt neglijabile. Rezistena termic jonciune-eapsul (R:hje) are variaia
aproximativ Bihj- C~ 1/ $ ~ l/ 'P0 ceea ce este confirmat n figura 3.25.
Tabel ul 3.2
Comparaie Intre performantele metodelor de contactare la elteva tipuri semnifita-
tfve de diode i tiristoare fabricate la IPRS-B NEA SA , pentru P0 = 1.. .1500 \ Y.
Parametrul Lipire
Al i er e- f Lipire
Presare
Rezistenele specifice de
contact i serie parazite
< (<){n cm2)
Rezistenele specifice ter
mice jonciune-capsul
(cGcm3/ W)
gril
ambaz
fe~ disc
Stress maxim
aliaj : o(kgf / mms)
* aliaj : <cr
I O "4
0 , 35 . . . 0, 4
0,15... 0,25
- {24 -. .40)
0, 45.. 1
0,38
10-
1 0,33. -.0.45
t 0, 18, . . 0,27
(12.. .14)
0,38(A).. >0,64(A1-Si)
Numr minim cicluri obo-
0,15*10*
10* 2 10*
A#'-
.jftrfl An
| ;
I l i i K H
| U
0,004 , -W i
0,007 . - -0 ,013
0,58
1,70
031 .. .0,50
0,22. . 0 28
05.. .1,08.1
, 0,44. / 0,S2i
La putori crue (8 mic) evacuarea lateral considerabil a cldurii
Altereaz aceast proportion&litaie. Rezistena specifica termica jonc-
iune-eapsul (R m^-S ) este, minim* pentru di spozitive lipi te pe am~
baz de cupru, creseind considerabil n cazul lipirii pe alama sau alierii
pe molibden (urmat de lipire sau presare pe cupru). Atunci cina are ioc
Fig. 3.25. Rezistenta termic jonciune-capsul n funcie de puterea maxim
in curent continuu la 100 A/ cm3, pentru diferite tehnologii de contactare
utilizate la I P R S -B NE A S A . (L lipire, A L aliere i lipire, P
, ; . presare, P A precare i aliere).
evacuarea bilateral a cldurii (cazul capsulelor disc), acest parametru
se reduce practic cu 50%. Solicitrile termo-mecanice, exprimate prif
raportul dintre tensiunile mecanice (a) i valoarea acestora la rupere (<*r)
niiit mari in cazul lipirii, medii In cazul alierii i practic nule n cazul
presrii pure, ceea ce conduce la mbuntirea considerabil a rezistene*
la oboseal termic* n cazul alierii n comparaie cu lipirea, respeci?
m cazul presrii in comparaie cu alierea.
n alegerea metodei de contactare nu se poate face abstracie de
aspectele economice. n figura 3.26 este ilustrat variaia costurilor mor
teriale totale (,), respectiv aferente contractrii (Oc), n funcie de V
Kste de ateptat Ce~ ceea ee este confirmat de proporionalitate*
Ce B i V Odat cu trecerea de la lipire, la aliere i apoi la presare* ere$%
ionderea C6n 0*, datorit In primul rind elementelor metalic e i
I vamtH rapUk f repetate ale temperaturii, de exemplu intre U5*C t 125% W
&.
(o contribuie nsemnat avnd i materialele utilizate pentru metalizarea
iemieonductorulu). Al tfel spus, crete costul pe watt al contractrii. Cele
artate explic opiunea pentru lipire la puteri miei i medii, respectiv
pentru aliere i presare la puteri mari.
Fig. 3.26. Costurile materiale totale (Q ) i cele aferente contactrii (Ce), In
funcie de puterea maxim in curent continuu la 100 A/ cm2, pentru diferite
tehnologii de contactare utilizate la IPRS-BNEASA (L lipire, AL
aliere i lipire, P presare, PA presare i aliere),
nchiderea etan a capsulelor de diode i tirisloare presupune pre
cauii i tehnologii speciale, datorit rolului deosebit pe care ncapsularea
joac n fiabilitatea produsului. ntr-adevr cele mai multe dispozitive
^e putere snt supuse unor intense solicitri termice i electrice. Variaiile
Sffde de temperatur, cmpurile electrice de valoare ridicat, agenii
chimici .a., acioneaz asupra materialelor din construcia dispozitivului
.-B n mod cu totul deosebit n zonele de mbinare a unor materiale diferite :
hpiri, suduri. Transformrile microscopice care au loc n timp sub aciu
nea factorilor amintii pot crea puncte sau poriuni n care se produce o
f4mbtrnireM accelerat, cu pierderea proprietilor iniiale. n conse
cin, i bun parte din eforturile specialitilor se concentreaz asupra
combinaiilor de materiale i t ehnologiilor de prelucrare care eonfer
rezistena maxim la factorii de stress electric, termic, mecanic, chimie
a u combinat.
Sinfc importante trei zone principale de mbinare (vezi figura 3.2):
a) Intre structura semiconductoare i electrozii exteriori;
b) intre elementele metalice i dielectrice din construcia capsulei; 1
c) ntre elementele metalice care se mbin prin sudur la nchiderea
capsulei.
Soluiile snt legate de gsirea metalelor/ aliajelor potrivite i compa
tibile in cazurile metal-sticl i metal-metal, de metalizarea corespunz
toare a dielectrieului ceramic sau, n cazul materialelor plastice, de prelu
crarea foarte atent a matrielor de ncapsulare i alegerea rinilor de
ncapsulare cu proprieti adecvate i compatibile cu elementele metalice
pe care trebuie s adere. Nu este obiectul lucrrii de fa examinarea
detaliat a problemelor care apar la mbinrile amintite. De reinut doar
c n prezent tehnologiile i materialele fol osi te pentru ncapsul area diodelor
i tiristoarelor de putere permit o foarte dun comportare a dispozi ti vel or n
funcionare. Mai mult dect att, n procesul de fabricaie se efectueaz
numeroase ncercri care atest calitatea corespunztoare a diferitelor
mbinri. Astfel, toate tipurile de diode i tiristoare s nt testate l a etaneitate
prin prelevri statistice, iar cele de mare putere s nt supuse n procent de
100% unei probe de etaneitate dup ncapsul are.
n ceea ce privete ansamblurile modulare compacte, dei proble
mele tehnologice snt mai numeroase n primul rnd datorit construciei
interne mult mai complexe, principiile de baz ale ncapsulrii snt iden
tice cu cele discutate mai sus pentru dispozitivele discrete.
3,4. Proteciile chimice
n majoritatea cazurilor prile metalice din construcia diodelor i
tiristoarelor de putere snt realizate din cupru sau aliaje ale acestuia,
precum i aliaje ale fierului i nichelului.
In timpul procesului tehnologie de montaj dispozitivele semiconduc
toare sufer numeroase tratamente termice" (lipiri, stocri la temperatur)
care conduc n mod inevitabil la oxidarea unor poriuni ntinse din supra
feele metalice exterioare. Straturile de oxid mpiedic lipirea corect
dispozitivelor n cablaj sau contactul electric ferm n cazul fixrii pe radi-
toi . Pe de alt parte, chiar dac prin precauii speciale s-ar obine n final
u d dispozitiv curat, fr straturi de oxid, funcionarea n diferite medii
umede sau corozive ar produce o degradare rapid a suprafeelor exterioare.
Nu trebuie uitat i faptul c nclzirea dispozitivului n funcionare acce
lereaz cinetica procesului de oxidare a suprafeelor i mbinrilor meta
lice.
n consecin, naintea controlului electric final i marcrii toate dup0'
xitivele semiconductoare de putere snt supuse unei protecii chimice cor
pumzto&r#*
Proi ecia chimte const In depunerea aderent pe toate prile meta
lice a unui strat de stania sau nichel de grosime sufi ci ent pentru a res& Sj
chimice sau climatice a mediului nconjurtor, Grosimea sfcrav
tulul dema variaaafc de la 3, *. an pentru condiii normale de func^"'
nare ajuiignd, pn la 10. *.15 pentru condiii speciale. ncetei ^
pentru valuar& calitii depunerilor siut Bt*nd*rdi*ate i asigur verifi
carea accelerat a comportrii dispozitivelor in mediul sperifieat aa cum
se descrie lu capitolele urm atoare. Bpre exemplu funcionarea In mediu
tropical este Emulai prin ncercri de clduvi umed n timp ee eond?-
iile marine s-e reproduc prin neeicri severe de cea alin. Pentru
diapozitivele care se monteaz In apaiatur prin lipire cu aliaje de coit or
protecia chimic se face prin Manare fi este ui mat de o prob de suda-
bilitate.
I n afara rezistenei la coroziune i sud abilitaii corespunztoare J
protecia chimic are i un important rol e stetie, conferind un aspect plcut, |
atrgtor. n acest scop se folosesc de cele mai multe ori acoperiri lucioase
l se examineaz cu atenie suprafeele metalice pentru eliminarea petelor
sau depunerilor cu aspect neplcut.
3.5. Sortarea i marcarea
Dispozitivele semiconductoare de putere sini supusef nainte de 1irraret
unui control unitar al parametrilor electrici, termici f i mecanici eseniali,
precum si unei verificri dimensionale i de aspect n conformitate cu prere-
derile Standardelor Tehnice de Ramur. Acest control permite eliminarea
produselor neeorespunztoare, precum i sortarea celor bune dup ela*e
de valori ale parametrilor msurai.
n funcie de tehnologie, se poate aplica naintea controlului final o
imbtrnire accelerat (de exemplu stocare timp de 48 de ore la tem
peratura maxim admisibil) n vederea punerii n eviden i a nlturrii
defectelor timpurii. Produsele cu destinaie special parcurg un program
mai complex de probe de mbtrnire i selecie consecutiv. O parte
din parametrii tehnico-funcionali se verific numai prin prelevare (para
metrii stabili prin tehnologie i a cror msurare este foarte dificila sau
distructiv). n cadrul probelor periodice de tip (sau de lot In situaii
speciale), precum i n urma ncercrilor de fiabilitate, se verific toi
parametrii tehnico-funcionali ai dispozitivelor respective.
Dup sortare, diodele, tiristoarele i ansamblurile modulare se marcheaz
dup urmtorul sistem unitar n ordinea citirii :
a) marca fabricii ($) ;
b) litere care desemneaz funcia dispozitivului (D diod, T
tiristor, TB triac, M modul etc.) ;
e) cifre care exprim valoarea curentului mediu redresat ;
d) litere care specific dac dispozitivul este normal, rapid, cu avalan
controlat etc. ;
e) cifre care exprim valoarea tensiunii de blocare maxime repe
titive ;
f ) litere care precizeaz polaritatea diodei sau pentru tiristoare
S tipul capsulei, valoarea tt i de/ di.
Se marcheaz, de asemenea, perioada fabricaiei,iar la dispozitivele
de mare putere i seria dispozitivului.
H K L I ......... 201
Trebuie observat c fa, de acest sistem exist ias i excepii, mo*
imite istoric prin adoptarea relativ trzie a sistemului unitar de mar
care. n majoritatea situaiilor de excepie, dei succesiunea semnelor m
abate de la ordinea precizat mai sus, parametrii eseniali snt totui
exprimai in olar.
BIBLIOGRAFIE
I A. S. Groae, Fizica si tehnologia dispozitivelor seraicontiuetoare, Ed. Tehnici, Bocartfl
1973.
2. F. E. Gentry, F. W' GutzwiUer, .V. Hol onyak, E. E. von Zastrow, Semiconductor Con-
troiled Rectifici, Prcntice-Hall, New J ersey, 1964.
3. A- Blicher, Thyristor l'hy.,itsi. Springer-Verlag, Berlin, 1976.
4. S. K. Ghandi, Semiconductor Power Devices, J ohn Wtley A Sons, New York, 1978.
5. K Sittig, P. Roggwiller (edi lori), Semiconductor Devieej for Power Conditioning, Plenunv
Press, New York, 1982.
6. D. Dasclii, Gh. Brezeanu, P. A. Dan, Contactul metal-semieonduetor In microelectro
nic#. Ed. Academiei, Bucureti, 1988.
7. /. A. Dan, Contactarea electr!e termic 1 mecanic a dispozitivelor semiconductoare de
putere cu llieiu, Electrotehnica, Electronica i Automatica, voi. 30, nr. 1, p. 610, 1986.
4. Valori limit absolut i valon
caracteristice
4.1. Semnificaii
Utilizarea dispozitivelor semiconductoare de putere n condiii de efi
cien economic i de siguran n exploatare presupune existena unui
sistem comun de cunotine pentru toi factorii implicai : proiectant de dispo
zitive, productor de dispozitive, proiectant de echipamente, productor de
echipamente, beneficiar. Acest sistem comun de cunotine este coninut
n documentele normative i informative pentru dispozitivele semicon
ductoare de putere i asigur un limbaj cu semnificaii omogene din punct
de vedere tehnic pentru : ncheierea contractelor comerciale, rezolvarea
litigiilor sau divergenelor cu privire la calitate, precum i pentru tradu
cerea n mrimi utilizabile a performanelor dispozitivului. Acest limbaj
asigur de asemenea posibilitatea comparrii performanelor dispozitive
lor realizate de productori diferii n vederea stabilirii echivalenelor.
4.1.1. Documente normative i informative
Documentele normative cu referire la dispozitivele semiconductoare
de putere snt grupate in mai multe sisteme.
Sistemul de standarde de stat STAS cu grad maxim de,
generalizare, coninnd informaii despre simboluri, terminologie, definiii
metode de msurare, ncercare sau verificare. Prescripiile coninute n
aceste standarde snt obligatorii pentru celelalte documente normative.
Menionm c standardele de stat elaborate n R.S.B. pentru dispoziti
vele semiconductoare de putere snt aliniate la standardele internaionale
elaborate de Comitetul Electrotehnic Internaional (C E I ) i de Comitetul
Interelectrou (C A E R).
Standardele de stat care se aplic n industria de dispozitive semi
conductoare de putere snt listate in Tabelul 4.1.
Pentru industria de componente electronice s-au elaborat documente
normative care se refer la clasa de produse omogene din punct de vedere
funcional (de exemplu diode rapide). Aceste documente se numesc stan
darde tehnice de ramur (respectiv STR ).
n Tabelul 4.2 snt listate standardele tehnice de ramur ce au drept
obiect dispozitive semiconductoare de putere.
Menionm c denumirea de standard tehnic de ramur nlocuiete ve
chea denumire de norm tehnic de ramur (N T l i ) cunoscut de utilizatori.
Fiecare tip de produs este descris la rndul J ui de un standard tehnic
de j amu I mu de o anex la unul din bland aici ele tehnice cu caracter
geser&l.
Tabelul i.|
4#stat f t t m aplic dfcwzHHelor wmlffiadsrtoii 4 patere.
Nr. STAS
Deuumire#
Dala Intrri}
!n vigoare
(ta, luni, ai)
f l
10*54
I
7l3fl - 71
7128/ 5 85
7128 .*6 -71
T nftft-
10228- 84
11418- 80
11437- 8
12123jll 82
12123 ;3 -83
3160/ 84
3160/ 2-84
3160/ 334
174/ 1-77
1:0307 75
.6531*-
86667-7
669283
8393/ 1.. .27
Semne convenionale pentru scheme electrice. Dispozitive senii-;
conductoare. |810601
Hedresoare eu semiconductoare Condiii tehnice generale dej
calitate- 770001
Dispozitive semiconductoare i circuite Integrate. Simboluri hte-j
rate. Heguli generale 720501
Simboluri literale pentru dispozitive semiconductoare i circuite
integrate. Simboluri pentru diode redresoare. 850201
Dispozitive semiconductoare i circuite integrate. Simboluri lite-j
rate pentru tlristoare. 1720501
Dispozitive semiconductoare i circuite integrate. Simboluri lite
rale pentru tranzistoare uni jonciune. 800701
Diode re dresoare cu siliciu.
Dispozitive semiconductoare. Tranzistoare unijonciune. Ter-|
minoogie, 800401
Tranzistoare unijonciune. Metode de msurare a parametrilor)
principali. 800801
i Dispozitive semiconductoare. Diode redresoare. Metode de msu-j
rare a caracteristicilor electrice i termice. 82 0901
Dispozitive semiconductoare. Diode cu tensiune de referin i;
| diode stabilizatoare de tensiune. Metode de msurare a caracte-;
I risticilor electrice. 8309 01
Verificarea calitii loturilor de produse pe baza nivelului dej
calitate acceptabil (QL). Reguli de utilizare a procedeelor i
! tabelelor statistico-matematice pentru verificarea calitii prin;
| atribute i prin msurare. 1841201
| Verificarea calitii loturilor de produse pe baza nivelului de cali-j
} tat acceptabil (AQL). Procedee i tabele statistico-matematice:
ppentru verificarea calitii prin atribute (nlocuiete STAS
316072). | S41201
Verificarea calitii loturilor de produse pe baza nivelului de caii
taete acceptabil. Procedee i tabele statistico-matematice pentru!
verificarea calitii prin msurare (nlocuiete STAS 882072) 841201
Fiabilitate, mentenabllitate i disponibilitate. Fiabilitate. Terf
| minoogie. |770801
! Fiabilitatea produselor industriale. Indicatori de fiabilitate 1750801
I Protecie climatic. mprirea climatic a pmintului n scopuri]
| tehnice. :830201
I Protecia climatic. Program de ncercri climatice. 780901
| Protecia climatic. Tipuri de protecie climatic. 830201
1 ncercri climatice i mecanice
Forma i coninutul unui standard tehnic deramura snt reglementat
de ordinul 90 al 0'NBT i ordinul 99 al MI E T .
Un standard tehnic de ramur trebuie s conin :
capitolul 1 : Generaliti, in care snt precizate denumirea produ
sului, domeniul de utilizare, limitrile n funcionare,
date despre tehnologie etc. *,
capitolul 2 : Condi i i tehnice n care snt precizate toate mrimile
ce pot fi msurate i verificate i care permit defi
nirea performanelor dispozitivelor (mas, dimen
siuni, caracteristici electrice, termice, mecanice
climatice, funcionale i de fi abli tatc);
TmMal .S
Stindard tehnice de ramur pentru diapozitive Hfmlmndudttarp de patere.
K| lpt STB - j Denumirea S TR
S TR K1903/ 80
STR E972fl 84
IpPif E2145a~81
S TR K8H/ 82
STR K3236/ 82
STR E i 80
STR
S T R 114/ 78
STR 217/ 78
j Diode r dre s oare tm siliciu
Puni redresoare trifazate auto
1 Ansambluri de rcire (Radiatoare)
| Tiristoare de putere
I , Diode de putere
Componente electronice In execuie J'A2 i TAS
! Componente electronice de uz industrial
Diode cu siliciu profesionale de mic i medie putere
Tiristoare de uz profesional
capitolul 3 : Reguli de verificare a calitii n care snt precizate
procedurile prin care se verific conformitatea con
diiilor teliniee ale produsului (ncercri de omolo
gare, ncercri de tip i ncercri de lot recepie)
i criteriile de acceptare, respingere;
; capitolul 4 : Metode de verificare a calitii in care snt precizate
metodele de ncercare corespunztoare condiiilor
teliniee precizate in Capitolul 2;
* capitolul 5 : Marcare, conservare, ambalare, transport, depozitare
n care sint prevzute informaiile privind modul de
marcare, sistemul de ambalare, precum i regulile
de conservare, transport i ambalare ;
0. ^- capitolul 6 : Garanii cuprinde informaiile privind termenul
de garanie, modul n care se acord garaniile, con
diiile n care se face o reclamaie, etc. ;*
tr capitolul 7 : Acte nsoitoare i inventar de livrare n care se preci
zeaz actele nsoitoare ale produsului (certificat de
garanie, instruciuni de montaj, ntreinere, exploa
tare) precum i detalii privind inventarul de livrare.
Menionm c documentele normative snt cele care stabilesc cadrul
legal al relaiilor dintre productor i beneficiar. Ele furnizeaz procedeele
de demonstrare a conformitii produsului n raport cu calitatea proiec
tata.
n afara documentelor normative, productorul de dispozitive semi
conductoare de putere elaboreaz o serie de documente cu caracter infor
mativ care au drept scop transmiterea unor informaii asupra :
dependenei unor caracteristici electrice de anumii parametrii
H gl ar fi temperatura, tensiunea de lucru :
I corelaiile ce exist ntre anumite caracteristici (de exemplu leg-
t a a Intre sarcina stocat Qt i curentul de conducie I FM) ;
| metodelor de protecie a dispozitivelor la diverse regimuri de supra-
I
3 metodelor de msurare ale unor caracteristici electrice sau de calcul
K ^pul ui de ncrcare;
metodelor corecte de montare i exploatare a dispozitivelor.
105
Documentele informative uzuale elaborate de productorul de diapo
zitive $nt:
o Cataloage\ ce conin o gin larg de informaii despre fiecare tip
de dispozitiv destinate proiectanilor de echipamente.
Foaia de catalog este imaginea cea mai complet a performanelor
unui dispozitiv. Avnd n vedere c tehnologia semi conduetorilor este
caracterizat printr-o dispersie relativ ridicat a mrimilor caracteristice,
n catalog snt prezentate in general pefonnanele unui dispozitiv mediu.
In cataloage snt date informaii asupra unor corelaii ntre parametrii
care se msoar cu echipamente complexe, in condiii nestandard si care
permit optimizarea proiectrii echipamentului. Datele de catalog nu se
garanteaz : se admite n principiu c o dat de catalog tipic se verific
pentru cel puin 90% din dispozitive cu o dispersie maxim de 30%
fa de valoarea tipic.
O Cataloage de echivalene conin informaii privind compatibili
tatea dintre produsele I PRS-B NE ASA i produsele altor firme.
o Note de aplicaii conin informaii referitoare la o aplicaie tipic
sau particular pentru un anumit tip de dispozitiv, la o nou variant teh
nologic de realizare a acestuia etc.
o Reclame comerciale conin informaii sumare despre peiforman-
ele funcionale ale dispozitivului corelate cu date de eficien economic.
o Manuale de utilizare - publicaii care cuprind informaii detaliate
rezultate din experiena productorului de dispozitive n relaiile cu bene
ficiarii, detalii cu privire la tehnologiile de fabricaie etc.
4.1.2. Sisteme de valori limit absolut
Orice dispozitiv semiconductor de putere prezint limitri fizice pro
prii care restrng condiiile de utilizare. Aceste restrngeri ale condiiilor
de utilizare se traduc n valori limit absolut pentru anumite condiii am- j
bientale sau de ncrcare electric.
Sistemul constituit din totalitatea valorilor limit absolut care intro
duc restricii n utilizarea dispozitivului formeaz sistemul valorilor limit
absolut.
Definiia dat de CEI pentru sistemul de valori limit absolut este
urmtoarea:
Valorile aparimnd sistemului delimita absolut snt limite ale condi
iilor de mediu i de funcionare aplicabile dispozitivelor electronice de tip
determinai, definii prin caracteristicile sale publicate, l imite ce nu trebuie
depite nici n cele mai defavorabile condiii probabile. Fabricantul deter
min aceste limite pentru a obine o funcionare satisfctoare a dispozitivelor
i nu-i asum nici o responsabilitate i n ceea ce privete variaiile datorat$
echipamentului sau condiiilor exterioare, efectul modificrii condiiilor de
funcionare datorat dispersiei caracteristicilor dispozitivului considerat f i *
celorlalte dispozitive ale echipamentului (sistemului). Utilizatorul trebuie s
prevad sistemul astfel ca la punerea n funciune i n cursul exploatri
nici o valoare limit privind aplicaia dat s nu fi e depit n cele nia\
defavorabile condiii probabile de utilizare care depind de variaia tensiun**
reea, de dispersie pieselor detaate ale aparatului, de modificrile cow|
fiilor de reglaj, de variaia sarcinii sau semnalului, de condiiile exterio&re .
ca i de dispersia caracteristicilor dispozitivului considerat i a Morit*
dispozitive ae sistemuluiu. :f
Menionm e fiecare valoare limit absolut este imperativ n sensul
III depirea ei provoac degradarea ireversibil a dispozitivului.
Nu se admit compensaii mutuale ale valorilor limit absolut.
Un lucru extrem de important pentru proiectanii de echipamente
eu dispozitive semiconductoare de putere l reprezint corelaia strms
dintre fiabilitatea dispozitivului i gradul de ncrcare al dispozitivului In
sensul apropierii de una din valorile limit absolut. n acest sens, cnd
fiabilitatea sistemului este funcia scop principal se vor lua msuri pentru
funcionarea dispozitivelor In condiii de solicitare cit mai deprtate de
valorile limit absolute, (coeficientul de siguran ales pentru valorile
limit absolute va fi ct mai mare).
4.1.3. Valori caracteristice
Dispozitivele semiconductoare de putere .sini. definite de o serie de
mrimi msurabile care permit evaluarea calitii produsului la produc
tor precum i urmrirea comportrii n exploatare. Valorile acestor mrimi
e numesc valori caracteristice.
Pentru productor, valorile caracteristice se msoar pentru fiecare
-dispozitiv i asigur conformitatea acestuia cu documentul normativ (stan
dardul tehnic al produsului). Pentru utilizator, valorile caracteristice sint
folosite n proiectarea echipamentului i n urmrirea evoluiei n timpul
exploatrii.
n funcie de importana parametrului msurat se pot distinge :
Valori caracteristice principale respectate de toate dispozitivele
ce se livreaz. Valoarea caracteristic extrem constituie pragul de separare
ntre un dispozitiv corespunztor i unul defect. n afar de valorile carac
teristice extreme se precizeaz n foile de catalog valori caracteristice tipice
care snt valorile pe care un parametru le ia cu maxim probabilitate.
Valorile caracteristice tipice snt determinate de factorii care influeneaz
procesul tehnologic de fabricaie i nu pot fi garantate. Valorile tipice snt
utilizate de productor pentru pilotarea proceselor tehnologice n scopul
meninerii stabilitii i reproductibilitii performanelor.
Valorile tipice snt utile pentru proiectanii de echipamente n sensul
-c permit unele optimizri (sub rezerva verificrii practice, experimentale).
Valori caracteristice secundare snt valorile caracteristice ale
unor parametri care nu condiioneaz buna funcionare a dispozitivului.
Valorile caracteristice secundare snt utilizate de proiectant pentru obi
nerea celor mai bune performane ale echipamentului n care este folosit
dispozitivul.
Documentele normative prevd i pentru caracteristicile secundare valori
-extreme (maxime sau minime) garantate de productor. n cataloage
se dau de asemenea valori tipice pentru aceste caracteristici.
Valori caracteristice informative snt valorile unor parametrii care
rezult automat n cazul dispozitivelor semiconductoare ce satisfac condi
iile impuse pentru valorile caracteristice principale i secundare, snt deter
minate de concepia dispozitivului (geometrie etc.) i snt relativ indepen
dente la fluctuaiile normale ale procesului tehnologic. Pentru caracteris
ticile informative se dau valori tipice n cataloage, dar nu snt prevzute
in documentele normative i nu se garanteaz de productor. Acesta urm
rete In timp evoluia valorilor tipice ale acestor caracteristici pentru a
sesiza, apariia nor derive ale proceselor tehnologice i pentru a lua mor
de remediere. n nici o situaie o caracteristic informativ nu va prezenta
o valoare critic pentru funcionalitatea unui dispozitiv.
4.2. Sistemul valorilor limit absolut pentru dispozitive semiton-
duetoare de putere
n timpul operaiunilor de montare in echipament precum i pe toat
durata de utilizare, dispozitivele semiconductoare snt supuse la solicitri
complexe de natur mecanic, electric, climatic i termic ce pot afecta-1
performanele de fiabilitate.
Proiectantul, respectiv productorul de dispozitive trebuie s asigure o
bun imunitate a dispozitivelor la astfel de solicitri. Dificultatea verifi
crii modului de comportare a dispozitivului n toate situaiile reale de
exploatare a impus definirea unor sisteme standardizate de ncercri prin
care s se valideze comportarea n cele mai severe condiii. n figura 4.1
este reprezentat relaia ce exist ntre severitatea condiiilor reale de ex
ploatare, severitatea ncercrilor prevzute in documentele normative ijy
limitele fizice reale ale dispozitivului In condiiile unei proiectri i fabri
caii corespunztoare.
Este de remarcat faptul c mrimea intervalelor St (asigurarea utili
zatorului) i $2(asigurarea productorului) este determinat de compro
misul optim calitatepre de cost.
n concluzie snt de reinut dou idei importante :
Pretenii exagerate pentru performanele dispozitivului nseamn j
cheltuieli de producie exagerate;
Utilizatorul este obligat s aleag n mod judicios mrimea inter
valului de siguran 8l ackmnd n dou direcii alegerea unor dispo
zitive cu performane optime calitatepre i asigurarea unor mijloace de
protecie convenabile.
Domeniul Domeniul Domeniul
soiteitri 1er ' ncercrilor . iirnifritor
iizuale in standardiza fizice reai e
exploatare te. (defectare)
w m m
mm :
St ; - Si
I ntensi tatea soba rilor
Fig. 4,1. nl al a Intre intensitatea solicitrilor In condiii reale de exploa
tai , tn condiii de ncercare standardiza te i Urnita uti c de distrugere a
dispozitivului ; SI este asigurarea utilizatorului ; $2 este asigurarea pro-
doc torului.
Hfisutatea realizrii unor mijloace de testare care s asigure o cot#*B-
binaie exhaustiv a tuturor tipurilor de solicitri precum i relativa Inde
penden a efectelor au determinat mprirea metodelor de iweicaren
ncercri climatice, ncercri mecanice, ncercri termice i meercii
electr ice.
4.2,1. Valori limit absoNti mecanice
Solicitrile mecanice intense asupra dispozitivelor semiconductoare
de putere apar eu preponderen In mmtcarele situaii :
in timpul transportului: ocuri, zdruncinturi, cderi accidentale;
n timpul montajului in echipamente : solicitri asupra termina
lelor, traciune, ndoire, rsucire sau cuplu de st rngere, presare ;
in unele aplicaii ee presupun regimuri de vibraii sau acceleraii
g (echipamente montate pe autovehicule, pe aparate de zbor, pe
motoare ete.).
Consecinele acestor solicitri mecanice pot f i :
deteriorarea unor elemente constructive ale capsulei rupere
f terminale, spargerea sau fisurarea materialelor izolatoare;
deformarea suprafeelor care asigur transferul termic *au contac
tul electric al dispozitivului cu radiatorul;
deteriorarea contactelor interne dintre structura de siliciu i ele
mentele capsulei.
Pentru verificarea robusteii mecanice, n funcie de tipul dispoziti
vului, de modul de montare in echipament precum i de aplicaia cruia
acesta ii este destinat, se ntocmete un plan de ncercri:
; se aleg ncercri la care urmeaz a fi testat dispozitivul (una sau
mai multe ncercri din Tabelul 4.3)
sL se precizeaz severitatea fiecrei ncercri (n figuiile 4.2 i 4.3
snt date eiteva detalii despre intensitatea unor solicitri n cazul unor
aplicaii tipice)
se precizeaz mrimea eantionului ce se testeaz, metodele prin
care se evalueaz comportarea, precum i condiiile de acceptareres
pingere .
Precizm c acest plan de ncercri mecanice este prevzut In docu
mentele normative ale dispozitivului (STAS, STB sau caiet de sarcini).
Menionm de asemenea c respectnd toate prescripiile productorului
privind transportul, montajul n echipament i alegnd un dispozitiv eu
performanele corespunztoare aplicaiei nu exist riscuri de deteriorare
a acestuia prin solicit ari mecanice. Mai mult, pentru a evita manipulrile
improprii la montajul pe radiator (extrem de frecvente) productorul de
, dispozitive de mare putere i-a asumat i aceast sarcin (vezi Capitolul 9y
J Module).
4.2.2. Valori limit absolut climatice
Factorii agresivi ai mediului ambiant de funcionare, de tiansport sau
de depozitare pot aciona asupra dispozitivului semiconductor de putere
provocnd degradarea elementelor de ncapsulare i, n timp, deteriorarea
caracteristicilor electrice. Pentru a preveni efectele mediului ambiant,
dispozitivul semiconductor de putere este nzestrat din proiectare i exe
cuie cu o seam de caliti definite generic prin protecii climatice. n
M
M
Fig. 4.2. Modul de distribuire a solicitrilor la vi br ai i pentru e teva domenii
uzuale de aplicaii a dispozitivelor semiconductoare de putere.
210
TaMui i .i .
fniwrrlrir mecanice landardizafe pentrn veri i carca dispostiveor wffllenadue-
toare de putere.
1Hr,
ncercare Numr STAS Metoda; de ncercare
t 1Rezistena mecanic a tcr-l[ STAS 8393/ 11-70 CAgl traciunne
minatelor
C7* - ndoire
u* ~
torsiune
V4 - cuplu
2 [Vibraii
STAS 8393/ 19-81 Fc
W3 II ncercri la impact STAS 8393/ 13- 79
STAS 8393/ 16- 79
E
J ?. -
cdere liber
focuri
STAS 8393/ 17-70
STAS 8393/ 1870
E* ~
Eb ~
cdere i rstur
nare
zdruncinturi
4 | ncercarea la acceleraie
[ constant
STAS 8393/ 12-79
| G*
documentele normative ale fiecrui produs (S TAS, S T R sau caiet de sarcini}
condiiile limit de utilizare din punct de vedere al factorilor ambiani
sint precizate de :
categoria climatic ce exprim (conform STAS 8393/ 177)
limitele extreme ale temperaturii ambiante precum i numrul de zile de
ncercare de cldur umed pe care dispozitivul le suport fr s se defec
teze (de exemplu categoria climatic 55/ 100/ 56 arat c dispozitivul
poate funciona n gama de temperaturi ale mediului ambiant 55C ...
- f 100C i rezist la o ncercare de cldur umed de 56 zi l e);
execuia climatic exprim gradul n care produsul are asigurat
protecia climatic necesar pentru a funciona n diferite zone climatice
(conform STAS 6535 -83, STAS 6667-78 i STAS 6692-83).
Protecia climatic a unui dispozitiv este exprimat de o secven de litere
i cifre :
Semnificaia secvenei de litere Semnificaia secvenei de cifre
X m climat normal 1 - condiii foarte grele
T elimat tropical - ~ condiii grele
TA climat tropical i climat arid 3 condiii uoare
F climat rece
De exemplu un dispozitiv care are prevzut n documentul normativ
tipul de protecie TA2 este apt s funcioneze normal n climat tropical
umed sau n climat arid n condiii grele de exploatare. Pentru validarea
abtlor unui dispozitiv la solicitri climatice documentul normativ
H acestuia prevede o secven de ncercri climatice (alese din ncercrile
standardizate prezentate n Tabelul 4.4.) preciznd mrimea eantionului
^upus MK^ercrii, modul de evaluare a rezultatelor ncercrii precum i
criteriile de acceptare, respingere.
M M r i M l . smdmrdin. I * . 1
# putere
Mr.
crt.
fimiram
Numr STAS
Metoda de la
> t [Frt#
83W3/ 37? AA
Cldur uwnti'
| ti1itwiH atnWM continuii Mfc3/ 4~I i
t A '
CA
4 [ Ceay salinii
S93/ ft~'C2
K A
.. | Muc? gal
$38%17-^7$

6 j Pmtunt atmosferic joas 1389^- 19

NA , HB, W. | V tfl i l i de temperatur 83f5/ 14~Tt .vc
-
11 ipire
8393/ 15 79 TA> TB. r e
{Aciunea prafului i nisipului j 8393/ 2U -79
L A , Lli< LC
t t ] Aciunea Hidrogenului sulfurai 8393/ 22 82 Mfl*
11 ] Aciunea radiaiilor solare
8393/ 23 84 SA :| f
u Etaneitate
393/ 2684
Acest sistem de ncercri climatice prevzut In documentul normativ
al produsului se constituie in sistemul de valori limit absolut climatic
ale dispozitivului n cadrul cruia productorul acorda garaniile. Featra
oondiii climatice speciale neprecizate n standardele de ncercri este obli
gatorie consultarea productorului de dispozitive.
Efectele solicitrilor climatice asupra dispozitivului se concretizeaz
prin :
oorodarea i oxidarea prilor metalice a capsulei;
fisurarea elementelor izolatoare (din ceramic, sticl sau raaaa
plastic);
alterarea mbinrilor sudate sau lipite si pierderea etaneitii
capsulei;
deteriorarea contactelor interne sudate;
mbatrinirea elementelor din mas plastic (rini de ncapsulam
| jL sau de pasivare a jonciunilor);
pierderea rigiditii izolatorilor datorit formrii de compui con-
ductivi (prin condens, oxidare sau formare de colonii de mucegaiuri).
4.2.3. Valori limit absolut termice
Temperatura este mrimea fizic ce exercit influena cea mai impof *
tant asupra comportrii unui dispozitiv semiconductor de putere; e
determin mrimea caracteristicilor electrice ale dispozitivului, influen
eaz modul de manifestare a solicitrilor mecanice sau climatice, condi
ioneaz fiabilitatea dispozitivului. Limitarea major a solicitrilor pe
care le suport un dispozitiv este in consecin o limitare termic.
Pentru dispozitivele- semiconductoare 89 definete In acest sens o
temperatur limit absolut temperatura virtual a jonciunii in J unei#*:
nare Tvi cu dou valori extreme ;
T,, temperatura virtual minim a jonciunii n funcio
nare ; sub aceast temperatur dispozitivul iai pierde caracteristicii
fou eti on a^M 51
WM
--temperatura virtual maxima a jonciunii in funcio
nare ; peste aceast temperatur dispozitivul i pierde caracteris
ticile funcionale (de obicei in mod ireversibil).
Menionm] c aceast temperatur este o mrime inaccesibil msu
rtorilor directe. Ea este definit pentru a fi folosit n proiectarea echipa
mentului. Valorile uzuali}snt urmtoarele :
Pentru dispozitivele din gerraaniu Tvj mas = 80CJ .. .100CC ;
Pentru dispozitivele din siliciu (tip diod) Tvjmi9 = 125C...
200C>;
Pentru dispozitivele cu mai multe jonciuni (tiristor-triac,etc.)
T 9im<lx = 100C .. .125C);
f/'-h Pentru dispozitive ncapsulate n rin sau n mas plastic,
T9imin ==3o0.. .40C ;
Pentru dispozitive n capsul metal sticla sau metal ceramic,
Tvjwin 40C . . 65C.
La temperaturi mai mici deet Tvjmin efectul temperaturii se mani
fest n special la nivelul contactului dintre materiale diferite din punctul
le vedere al coeficienilor de dilatare (contracii neuniforme). T < T pfmim
pot provoca fisuri sau spargeri ce distrug dispozitivul. La temperaturi mai
mari dect Tvj imx apar limitri funcionale ale structurii semiconductoare
(fenomene de ambalare termic, de cretere excesiv a curenilor reziduali,
pierderea capacitii de blocare, etc.) ce determin distrugerea ei irever
sibil.
Este de remarcat de asemenea faptul c fiabilitatea dispozitivului
este o funcie strict dependent de temperatura virtual a jonciunii n
funcionare (X ~ e~E*lkTvi). n consecin criteriul cel mai important in
proec tarea unui echipament cu dispozitive semiconductoare este de mini
mizare a temperaturi Tvj n funcionare (innd cont bineneles de cos
turile pe care le implic aceasta : sisteme de rcire, tip de dispozitiv, cerin
ele de fiabilitate ale echipamentului etc.).
Avnd n vedere faptul c Tvj este o mrime inaccesibil msurrii
directe se definesc temperaturi limit absolut corelate cu Tvj dar acce
sibile msurrii directe i controlului cum ar f i :
Tc temperatura capsulei n timpul funcionrii, cu precizarea
locului concret n care se msoar; pentru unele capsule (n special la
dispozitivele de mare putere) se practic n baza de cupru a capsulei o
gaur in care se introduce termosonda sau termocuplul pentru msurarea
temperaturii.
Trebuie menionat i faptul c temperatura maxim'a capsulei este
o funcie corelat cu puterea total disipat pe dispozitiv, conform rela
iei :
|| Tijintx emat 5=5-*ici e* (4.1)-
Cum TrJ mas i Muf-c snt mrimi precizate pentru un dispozitiv dat,
rezult c zona de funcionare permis este cea de sub spaiul haurat
BH figura. hH
n general nu se definete o valoare minim a temperaturii capsulei
$n timpul funcionrii, admindu-se c 2V* =* TVJ miH.
Pentru situaiile n care este greu de definit sau de msurat tempera-
tura capsulei i In cazul ansamblelor dispozitir-radiator se definete vafoa
rea limit absolut a mediului ambiant.________________________
Tm temperatura mediului
za ta a dispozitivului.
Este utilizat in special pentru
sistemul de rcire (vezi Capitolul 9,
t i g. 4 4. Limitarea temperaturii maxinTe a|
capsulei TemaX datorat puterii totale disipate
de dispozitiv Pt0t-
ambiant intr-o vecintate bine pfeffl
dispozitive complexe avind integrai
Module). n aceast situaie
este o mrime complet definit,
fapt ce permite definirea valorii
limit absolut maxima a tempe
raturii ambiant
1 vj max a max ~~ ^ {4 .2)
Se admite de asemenea in
mod tacit c Tmmtm TrJ mim. n
afara acestor temperaturi care se
refer strict la regimul de func
ionare al dispozitivului se mai
definesc valori limit absolut
pentru regimul de stocare (n
jstare de nefuncionare) cu o va
loare minim Tstgmin i o valoarei
maxim Tst0max.
ntre temperaturile limit absolut exist urmtoarele relaii:
T 8(amin T stg maz T a max max T v}
4.2.4. Valori limit absolut electrice
n timpul funcionrii, jonciunea (sau jonciunile) dispozitivului seini- |
conductor poate fi n una din urmtoarele stri :
in regim de polarizare invers sau blocare (pentru tiristoare 1 J
triace);
n regim de conducie;
n regim de comutaie de la polarizare invers la conducie; :
n regim de comutaie din conducie n polarizare invers; .YjjjS
n regim de avalan (n cazul diodelor stabilizatoare sau diodelor ^
cu avalan controlat). fd j H
Pentru fiecare din aceststri snt posibile solicitri de natur elecv |
tric ce provoac degradarea ireversibil a structurii semiconductoare* j
Se definesc n acest sens valori limit absolut ce trebuie respectate c jjj
strictee pe toat perioada de funcionare a dispozitivului.
n re| im de polarizare invers se definesc urmtoarele valori limitJ
absolut:
Vn tensiunea invers continu
Vbwu ~~tensiunea invers de virf de lucru
VRSM tensiunea invers de vrf repetitiv
l rR tensiunea invers de vrf de suprasarcin
i f WJ ( tensiunea continu permanenii In stare blocat (pentru
tfmte&re i triace)
W&% ~~tensiune de virf de lucra n stare blocat (pentru Uris-
toare i fcriaee)
I tensiunea de vi r f repetitiv in stare blocat (pentru
ti tist oare i triace)
VsM tensiunea de virf accidental In stare blocat (pentru
I tiriatoare l triace).
I u figura 4.5 snt reprezentate semnificaiile acestor valori limita p
tensiuni.
* ' b!
;F*g. 4.5. Reprezentarea grafic a valorilor limit absolute de tensiune, (a) Diode redresoare,
(b) Tiristoare i triace.
NOT : Depirea valorilor limit absolute VRl RWMl VRI{M, VDtMl VDRM
i VRRM nu provoac distrugerea imediat a dispozitivului ns determin
H deteriorare nesesizabil a structurii i reducerea n consecin a fiabilitii.
Depirea valorilor limit absolute Vr sm sau VDsM poate provoca distru
gerea imediat a dispozitivului (pierderea parial sau completa a capacitii
de blocare a jonciunii) prin depirea cmpului critic (de strpungere) sau
prin aprindere necontrolat prin depirea Vm.
n regim de conduct ic. jonciunile dispozitivului snt polarizate n
direct i snt parcurse de curen i inteni, ca urmare valorile limit absolut
pentru regimul de condueie se vor referi la curenii ce parcurg dispozitivul,
cureni care determin o nclzire puternic a structurii de siliciu sau a
dementelor constructive ale capsulei.
Se definesc astfel urmtoarele valori limit absolute :
| I F(I T) curentul direct continuu n stare de condueie prin diod sau
iiristor rf definit printr-o curb ce indic valoarea maxim n funcie de
condiiile de rcire (precizate prin Tesau Ta). Este o valoare limit ce se
utilizeaz In cazul iu care dioda sau tiristorul snt folosite ca elemente de
separare n surse do curent continuu.
215
ijMvmj I t avu ~ curentul mediu redresat maxim definii pristr^g
curb ce indic valoarea maxim a valorii medii calculate pentru euraatifl
de conducie definit prin form (sinusoidal, trapezoidal sau drepiuagM^l
Iar), unghi de conduct ie, pentru condiii precizate de rcire a dispoziti
vului (precizate prin T^, Tt sau Ta) i n condiii de sarcin precizate
(sarcin pur rezistiv, sarcin rezistiv capac itiva sau rezitiv inductivul
vezi figura 4.6).
Iw/ f {I f j r msmi t bmsm) m curentul eficace maxim definit prin va- \
loarea maxim a valorii eficace a curentului de conducie. Aceast valoare ;
F i g. 4.6. L i mi tarea curentului 1
mediu redresat I a v datorat
temper atu r i i de referin (T sau
Tm) pentru diferite unghii] de
conduci e i pentru diferite tlpwfc
de sarcin, (a) Sarcin mi M h i .
(&) Sarcin capaetiv.
nu poate fi depit n funcionare continu fr riscul de a provoca dete
riorarea electric sau mecanic a dispozitivului (prin deteriorarea contac
telor interne).
I f r mj I t r m curentul de vrf maxim definit prin familii de curbe
ce indic valoarea maxim a curentului de v rf in funcie de forma i durata
impulsurilor de curent, de frecvena de repetiie n condiii precizate de
rcire (definite prin Te) (vezi figura 4.7). Aceste valori limit se defmese
pentru diode i tristoare rapide.
ai
bf
Fig. 4-7. Limitarea valorii maxime de virf a curentului de conducie f ggrftfr
forma i durata Impulsurilor fi de frecvena de repetiie. (*) Impulsuri semisiuor<i^ '
(b) impulsuri trap*zoidale.
I ti s t curentul de vrf maxim intermitent valoarea ma
xim a curentului da conducie pe care dispozitivul o poate suporta perio
dic pentru intervale scurte de timp definit prin familii de curbe ce
indic valoarea medie in condiii precizate de aplicare (perioada de repe
tiie i factor de umplere F ) i condiiile anterioare de ncrcare (I r*ri
1TV) (vezi figura 4.8).
t
?favj >1f av2>1f av3 > - 0
. o
r *
S- S
1f !NT2 FINII -IN
F i g. 4.8, L imitarea curentului maxim intermitent ^f i n t (^t i n t ) datorat factorului de umplere
F s s t l T i curentului mediu existent nainte de aplicarea impulsului intermitent i f s v
i a ) Variaia 1f i u t pentru ncrcare anterioar nul (I Jp j y =0 ) pentru F =F Xse obine f i n t
=* I FiNv m Diminuarea I f mn t pentru I p^v # 0; pentru F = F x se obine la l p AVs # ^
1 F l N T = I F l N T < h l N T x
Iy(ov)i I nov) curentul de conducie de suprasarcin previzibil
valoarea maxim a curentului de vrf de conducie sinusoidal (/ = 50 Hz)
cu care se poate ncrca dispozitivul pentru o perioad scurt de timp n
condiiile n care se precizeaz condiiile de ncrcare anterioare acestui
moment. Dup fiecare aplicare a suprasarcinii previzibile dispozitivul
trebuie s revin in starea de ncrcare iniial (inclusiv din punct de vedere
termic). Se definete printr-o familie de curbe ce indic dependena de
durata regimului de suprasarcin previzibil i de curentul mediu anterior
momentului aplicrii regimului 4e suprasarcin previzibil (vezi figura 4.9).
4.9. L fej i tami curentului de suprasarcin previzibila lF{OV) In funcie
de (forat regimului de wiprasarcm tp i d ucrearca iiierioaru supra-
: MUPCiniti J jtAV- *
] '.- ii _ | curentul &** suprasarcin nepreeizibil - val oam
maximi a^Bui t w a d i impulsuri de com i t sinusoidal (/ fl OH a) p e g
r fu mi i i i r nl o raport* aeeidenlal (ni regim de avane). Se deinem,
nriutr-e familie tir rorhc >t indie* dependent de durai a r egi m u l de nM m
osrna* iH>urpvirihiU in funcie de curentul mediu de ncrcare anterior
aplicrii tk- iMisiumn mvr n i V aplicat iu ti mpul nolicitni (Tea
f p r 4.1IH.
Fig. 4 10. Limitarea curentului de suprasarcin nepre vizibil I f oOV) m 1*
funcie de durata regimului de suprasarcin, de ncrcarea anterioar
litprtsardiui J jrjy i de tensiunea Invers aplicat n timpul suprasarcini
VJ tM
1 I t sm curentul de suprasarcin accidental val oare* ma
ximi de vrf a unui impuls de curent de form semisinusoidal i de durat
precizat (10 ms in mod uzual) pe care dispozitivul o poate suport* cu
condiia s nu i se aplice tensiune invers.
Dispozitivele semiconductoare suport un numr l imitat de impulsul*
de suprasarcin i la intervale mari de timp. Se accept n general c i dup
aplicarea a 2050 impulsuri de suprasarcin degradarea dispozitivului
este cert. De asemenea, dup aplicarea suprasarcinii de curent se poate
pierde temporar capacitatea de blocare a jonciunii. Curentul de supra
sarcin accidental se definete n mod uzual pentru dou t emperat ur a*G
jonciunii Tfi = 25CC .. .45C i T* *=T viimz. -J
H - integrala de curent valoarea maxim a integralei calculata
asupra ptratului curentului de suprasarcin accidental:
IH
Iv %r**
I| sar sin* oU di
(4-^
hi care * *-=2*/ ~ 2n 50 rad/ s.
8* definete (in mod similar cu pentru dou temper atu r i
joneiumi: - 251 ., .45'X- tji 7\ t ~ 2 ^,. Integrala de curent este ttwgj
zat In proiectarea totemului de protecie la supracureni (permite awjl
rea siguranelor tu&bt!>, l\ *atru durate mai mici de 10 ms* integra*5* J E
curent pentru a dispuzitiv diminueaz. Dependena tipic a
11
I i i esfusnt. de durata suprasarcinii este dati In figura 4.11. Gradnl de dinii-
rsuare depinde de t ipul capsulei i dimensiunile structurii.
t [ m s j ------
Fig. 4.11. Reducerea valorii maxime a integralei de curent pentru
impulsuri de suprasarcin accidental cu durat mai mic de 10 ms.
1 Dispozitiv de medie putere (ex. : capsula J 022O). 2 Dispozitiv
de mare putere (ex. s capsula T50)
Cu privire la valorile limit de suprasarcin de curent se impun cteva
precizri suplimentare destinate proiectanilor de echipamente :
pentru regimurile de pornire, avarii de mic importan i cu frec
vena mare, proiectarea echipamentului se face respectnd in principal
valoarea limit absolut I^or) sau Ir(on-
pentru avarii grave, eu o frecven redus (scurtcircuitarea parial
a sarcinii, conectare accidental a unei sarcini suplimentare etc.), la proiec
tarea echipamentului se va lua n considerare valoarea limit Inov)
Pentru aceste avarii este necesar prevederea unor sisteme de aver
tizare sau ntrerupere automat a alimentrii echipamentului (sisteme cu
protecie termic, comutarea alimentrii etc.).
pentru regimurile de avarie foarte grav (tolerabile doar de cteva
ori n exploatarea dispozitivului) la proiectarea echipamentului se vor lua
n considerare valorile limit absolut I F3\ (^tsm) i ( ijdi necesare pentru
proiectarea, corect a sistemului de protecie prin sigurane fuzibile. Regi
murile de curent de suprasarcin accidental pot s apar in cazul scurt
circuitrii complete a sarcinii, la conectarea accidental la mas sau la
sursele de alimentare, la inversarea accidental a polaritii etc.
n Tabelul 4.5 snt precizate o serie de consecine ale diverselor regi
muri de suprasarcin asupra dispozitivului semiconductor.
Regimul de comutaie din polarizare invers sau blocare In condticie
poate afecta n mod esenial comportarea dispozitivului semiconductor.
Consecinele cele mai drastice snt datorate vitezei de cretere a curentului
e eooducie. Se definesc pentru dispozitivele semiconductoare de putere
CMra{it iBtrt eon sseelfale uprwiifinihtr 4c* etirent iFiOV}* lFtGP)M -?f h s m
I*4mh
i - 5^ Descrierea efectului
T
/ FtOT)
ipul de suprasarcla
j lF{OV)U
T{OV)M 1 1
5
%l i t
Se depii-fe Ttj
Se pcate reapHca tensiunea inversa
nu
da
da
da
( v r < ^ h x m ) I
d * i
Se menin caracteristicile electrice in l i mi tel e
impuse da nu Kl'f
Apar degradri fizice semnificative ale dis
pozitivului care s implice declasarea l u i j nu nu au/i
Este limitat numrul de solicitri Ia care
poate fi supus dispozitivul
da
(c teva mi i )
da
(ci te va zeci ) >.
dad
(dtewj
comandate (tiristor, triac etc,) ui mat o arele valori limit absolut (ini
tur cu comutaia):
dt/ dt viteza critic de cretere a curentului de conducie. n ||
mentele noi matice aceast valoare este precizat pentru uimatcaJ
condiii:
tensiunea de blocare nainte de comutaie (2/ 3 I rw ) ; -
~ valoarea de vrf a curentului [n starea de conducie (2J 0) ;.
valoarea maxim a temperaturii capsulei sau a mediului am&fj
condiii de amorsare pe poart.
Valoarea limit absolut di/ di poate fi definit pentru dou legi
de funcionare : (dijdt)e pentru regim de avarie ce poate f i suportet
un numr redus de ori n timpul utilizrii dispozitivului i la inteiv&t flj
de timp i (didt)r pentru regim normal de funcionare n care
tivul poate suporta un numr nelimitat de solicitri de acest tip. MeBt*&
c respectarea condiiilor de comand pe poart este absolut impeia
n figura 4.12 este reprezentat variaia tipic a valorii absoJ s&j
mrimii (di/ di)r n funcie de condiiile de comand pe poart*
vena de repetiie i de tensiunea de blocare.
Pentru diodele redresoare de mare putere rapide se definete ejj
menea o valoare limit pentru panta de cretere a curentului de eondtagj
di/ di viteza critic de cretere a curentului de conducie. Aceast
estnecesar pentru a prentmpina fenomenele de aglomerare a 1B
tului n anumite zone (nu toata aria jonciunii trece instantaneu iMji
de condueie) fapt ce conduce la supranclzirea acestor zone la jflHj
turi capabile s distrug dispozitivul.
n figura 4.13 este reprezentat variaia tensiunii n conctuc*Si
o diod creia i pe aplic un impuls de curent cu pant foarte mare* j H
:j>$0 A/ | iS)
n direct corelaie cu difdt Fe calculeaz val oar ea limit:l| ^B
disipate n regim de comutaie (vezi figura 4.13).
fo [ H z ]
b)
Vo m M -
c)
Fig. 4.J 2. Reducerea vaorii maxime (i/ di) n funcie de
<) condiiile de comand pe poart (I g m^GT* / *)(6) frecvena
de lucru f& ic) tensiunea de blocare nainte de comutaie Vpii-
H O T : Valoarea de normare corespunde cu valoarea din
STR.
Aceasta putere disipat nu trebuie s determine depirea temper*$d|
maxime a jonciunii nioi pentru timpi foarte scuri.
n regimul de comutare n stare bloeat comportarea dispozitmii&t
este condiionat de starea anterioar acestei comutri. Se definesc astfel,
pentru regimul de comutare n stare blocat n care I p (respectiv I T) =o,
valori limit ale pantei de cretere a tensiunii de blocare VD (n cazat
tiristoarelor) sau a tensiunii inverse Vr (n cazul diodek>r):
zei de cretere a tensiunii inverse VR care nu provoac degradarea jonc
iunii, n condiii de temperatur prescrise.
Documentele normative nu prevd n general aceast valoare limita
absolut (efectele acestui' tip de solicitare snt puin studiate) ins din
experiena noastr putem afirma c aplicarea unor tensiuni inverse eu
pant mai mare de 1000 V/ jjls poate provoca distrugerea diodei. n acest
sens, recomandm proiectanilor de echipamente ca n situaiile n care exista
posibilitatea apariiei unor asemenea pante de cretere s prevad sisteme t
protecie (grupuri RC).
Pentru tiristoare i triace se mai definete o valoare limit a vitezei
de cretere a tensiunii de blocare pentru situaia cnd are loc comutaia
din regim de eonducie n regim de blocare (deci I T ^ 0).
(vlt)R viteza critic de cretere a tensiunii de blocare reaplmtm
dup regimul de comutare din Starea de conducie n starea de blocare definita
prin valoarea maxim precizat pentru o anumit temperatur a eapsul^
sau a mediului ambiant i pentru condiiile de comutare din eonducie 8
blocare (vezi figura 4.14). Depirea acestei valori limit atrage dup. *i>
pierderea controlului prin poart cu riscul nclzirii excesive i al degr**
drii dispozitivului prin comutare necontrolat n regim de condueie^j
Ilegitimi de avalan controlata este regimul n care funcionezi
dou grupe mari de dispozitive semiconductoare :
diodele stabilizatoare de tensiune n gama 6 V . . .200 V penirt
care regimul de funcionare pe caracteristica de strpungere n &vata$|
(dr/ di)cr viteza critici de
cretere a tensiunii de blocareya-
loarea maxim a vitezei de cre
tere a tensiunii de blocare V6
pentru care tiristorul nu comuta
n starea de conducie n condiiile
n care nu exist semnal pe poart
iar temperatura jonciunii are
valoarea maxim.
Fig. 4.13. Variaia relativ a tensiunii de con
ducie pentru o diod la comutaie, pentru un
curent de conducie eu dr/ d/ mare
Proiectantul de echipameat;
trebuie s ia msuri pentru evita
rea depirii acestei valori, n caz
contrar, exist riscuri majore de
defectare a dispozitivului prin
aprindere necontrolat.
d/ dl viteza critic de
cretere a tensiunii inverse pentru
o diod valoarea maxim a vite-
este un regim permanent (Re folosesc ea elemente stabilizatoare n surse
de curent continuu):
diodele redresoare cu avalan controlat In gama 400 V .. .1700 V
pentru care regimul de funcionare pe caracteristica de avalana este un
regim de impulsuri distribuite aleator n timp (pe folosesc fie ca diode
redresoare cu autoprotecie la supratensiuni, fie ca diode de protecie la
supratensiuni pentru alte dispozitive semiconductoare de putere : tiristoare,
tranxistoare etc.). Se definesc astfel valori limit specifice pentru fiecare
din aceste ginpe de disozitrve.
F i g. 4. 14 Formele de variaie calitativ a curentului i tensiunii
pentru un tiristor comutat din conducie In blocare. 1 timtorul
nu se reamorseaz la aplicarea du/dl . 2 - tiristorul se reamorseaza
la aplicarea dp/ d/ .
Pentru diodele stabilizatoare se definesc urmtoarele valori limit
absolut:
Izms curentul de suprasarcin accidental n regim de avalan
definit prin valoarea maxim a unui impuls de curent de durat precizat,
in condiiile n care este dat temperatura capsulei Te sau temperatura
ambiant Ta.
J zm ~curentul maxim de stabilizare n regim continuu definit prin
valoarea maxim In condiii de rcire precizate prin temperatura capsulei
Tt sau temperatura ambiant Ta i pentru o clas de tensiune de stabili
zare dat.
fn figura 4,15 este reprezentat variaia curentului maxim de stabUi-
I I r e n funcie de tensiunea de stabilizare*.
I Pzm puterea maxim n regim de stabilizare ~ este definit prin
valoarea maxim pentru condiii de rcire precizate prin temperatura
capsulei S mu temperatura ambiant Tm(vessi figura 4*16).
Pentru diodele redresoare cu aval an controlat se definesc urmtoarele
valori limit absolut:
Pi* ~ puterea de suprasarci n acci dental {nerepeti ti v) defmi|
prin valoarea maxim a unui impuls de putere n regim de avalan ava#
Fig. 4.15. Limitarea curentului maxim in regim de stabilizare I gu
in funcie de tensiunea de stabilizare Vzm. (exemplu pentru dioda
stabilizatoare tip 50DZ).
7cmin Tema* fymat Tg/fTai
(Qnun) (Tomas)
Fig- 4.16. Definirea ariei permise de funcionare pentru
o diod stabilizatoare de tensiune.
durata i orma precizate. Se precizeaz, de ademenea condiiile de
ale dispozitivului prin temperatura capsulei T e sau temperatura medit#*
ambiant T* ; J j
P/ H putere de vrf repetitiv n regim de avalan definit P*1
valoarea maxim a impulsurilor de putere n f uncie de factorul de
(raportul dintre durata unui impui* i perioada de repetiie) i eou#^i
de rcire precizate prin temperatura capsulei sau temperatura amWj
Pio puterea metUe disipat in regim de fnmimare n avalan
controlata definit pnn valoarea maxim n condiiile precizate de factor
de umplere i de rcire.
Pentru dispozitivele prevzute ou electrod de comand (tiristoare, triace)
este necesar impunerea unor limitri asupra solicitrilor electrice ce pot
fi aplicate pe electrodul de comand Se definesc astfel:
tensiunea direct de vrf de poart definit prin valoarea
maxim a tensiunii aplicat Intre poart si catod n condiii precizate de
temperatura virtual a jonciunii.
Ifgm curentul direct de vrf de poart definit prin valoarea maxi
m a curentului injectat n poart in condiii de temperatur precizate.
P f om valoarea maxim a puterii disipate de jonciunea poart-
catod polarizat direct n funcie de durata impulsurilor de comand.
n figura 4.17 este reprezentat variaia tipic a acestor valori limit
In cazul unui tir ist or.
F ig. 4.17. Definirea ariei permise de funcionare pentru
tiristor la aplicarea comenzii de amorsare.
Pentru polarizarea invers a jonciunii poart-catod se definete:
Vbgm *tensiunea invers de vrf pe poart valoarea maxim a
tensiunii inverse ce poate fi aplicat jonciunii poart-catod fr a dete
riora dispozitivul.
Pentru tiristoarele a cror blocare este comandat prin poart (GTO)
se definesc de asemenea valori limit privind semnalul de comand de blo
care pe poart [9]:
Vr gm fii tensiunea invers de vrf intre poart i catod definit de
valoarea maxim n condiii de temperatur precizate.
I hom ~ curentul invers de vrf de poart *valoare maxim a
curentului extras prin poart n condiii precizate de temperatur.
P r gm puterea maxim disipat pe poart la aplicarea unui impuls
de stingere de amplitudine i durat precizate.
n figura 4.18 este reprezentat variaia tipic a acestor valori limit
specifice tir is Coaielor cu stingere pe poart.
29*
225
In Tabrtul 4.6 tU prezentate sistemele valorilor l i mi t absolute |
i rh-rirk-t minimale pentru tipurile uzuale de dispozitive semiconMom^
fh putere. Menionm ca in funcie de anumit condi i i speciale de
m* pot defini i alte valori limit absolute. n general aceste valori 1unii
absolute pentru aplicaii speciale fac obiectul unor cai ete de sarcini, r
F i g. 4.18. D efi n i r ea ariei permise <fc
fu nci onar e pentru poarta ttri $tM|
GT O la apl i car ea comenzii de sting**.
RGM
Pentru evitarea unor incidente ce pot afecta buna funcionare a dispo
zitivelor semiconductoare de putere, recomandm respectarea algoritmo!
dat mai jos pentru verificarea modului in care sint respectate valorile limit
absolute.
(1) Dispozitivul ales este compatibil din punct de vedere al solicit- j
rilor mecano-climatice cu condiiile reale de uti l i zare ?
- N u se alege alt tip de dispozitiv sau se iau m s uri de protejan
dispozitivului sau de reducere a solicitrilor.
Nu exist certitudine (solicitrile snt de natur deosebit, neeT| l
luate prin ncercri standardizate) se recomand consultarea proudr 1
torului de dispozitive semiconductoare.
Da se trece la pasul urmtor al algoritmului.
(2) Este dimensionat corespunztor sistemul de evacuare a calda j
disipate de dispozitiv n timpul funcionrii (r ezu l tatu l comparaiei intre
puterea disipat de dispozitiv n regim de conducie, blocare, comutai*
etc, i cldura ce poate fi evacuat)!
Nu se alege un dispozitiv cu performane superioare sau se faM '?
ntete sistemul de evacuare al cldurii.
~ Xu exist certitudine (regimul de funcionare este de ti p particular
neexistind date suficiente pentru calculul puterii di si pate) ~~se reconm**
consultarea productorului.
Da se trece la pasul urmtor al algori tmul ui .
(3) Snt respectate valorile limit absolute el ectr i ce si termice! J
Nu se alege un dispozitiv cu performane superioare sau se
msuri de protecie la solicitrile excesive.
Nu exist certitudine (aplicaia presupune sol i ci tri ee nu f*t|
fi uor comparate eu valorile limit absolute) se recomand coHsa&^jW
productorului de dispozitive de putere.
Da se trece la pasul urmtor al al gori tmu l u i .
(4) 1xist& concord ani a intre mrimile eval uate n etapa de*
prin calcul i msurtorile experimentale asupra modelului fi zi c ^ m F
Tabelul 4.6.
Sistemul minimal dc valori limit absolut (termlr l electrice) pentru dispozitive
semiconductoare de patere.
Sr. 1
cit. I
T p dispozitiv
Sistem minimal de valori limit absolut termice
l electrice
DIODE
1
Diode redresoare normale
IpiAVh IpRM, ?rSM, lp(OV)
Vfi, \ ffjpij/ , Vr x M' Vr s m
%g] mi tu 1 vl max, Tcm ax **t* ?*mar
2 Diode redresoare rapide
Ip(AVh Ief.f> IpRAt, F(Pr)> lF(OY)M* FSM
dip dl, diftjdl, J u r m
^i> ^h w m>VRR$f, Vusu* dp/ d/
T>J mi, 1 vj max, - c max Sau Ta max
3 Diode redresoare cu avalan
1 controlat
~ IP{AY)> I f r m, I f (o v ), I f s m
Vr w m
P r r m, P r s m
Tvj min, Tvj max, Te mas ^U Ta max
4 1 Diode cu avalan controlat
j pentru protecia la supratensiuni
Vr w m
P r r m, Pr s m
f~ Tvi min, Tvf max, Te max sau Ta max
|
5 1 Diode stabilizatoare de tensiune
i I f s m, I z s m
j Pz, PZSM
Tvj min, Tvj max, Te max sau Ta max
TI RISTOARE
1 i Tiristoare normale (blocate n!
[ invers) ;. I ta y , I tr m, lT(OVh I t{0y)M,I >tsm dil di, P i
p Vd , Dj)wm, Vd r m, Vbssr, dofdt
Vr , Vr wm, Vr e m, Vr s m
H V I . T }GM, Vq m, VRGM, P GM
Tvj min, Tvj max. Te wax sau Ta max
2 I Tiristoare normale (conducind ini
i f i 1 invers
% ] T^fsioare rapide {Blocate In
invers;
I t AV> I f a V> ^Tef/ > TIOV) J FOV, ?FSM TSM
dil d/, m
Vj d, Vjjjpjf, Vdr m* Vds m, vfdt
I gM Vg M> VbFm, PGM
T v j min, Tvj max, Te max saU Ta max
I av> I trm> I t(ov)> 1t(QV)M> I rsMt di/ d/ , P i
V, Ydwm, v d r u > Vdsm, de/ di
Vr , Vr wm> 'Sr r m* v r s m
}qm> vgm> Vr gm, Pqm
^ . ___ TU
RRM
-w** 'W5*' T<80*f* * . I_
Tvj min, T vj m a x , max, *au Ta max
I { Tiristoare rapide (conducnd nj
l-b I ^ttwrs)
J t Ay J f AV I r t f f J nOV)> %T{OV}M> I f OV, ( dildt)
(difdt)F, PI , I fsm, I t s m
Vj>, J pwMi Vj)RM> vdsm>
I q m, Vg m, Vr o m, poai
Tabelai 4*6 (cmttWj M
Tip diipwitiv
5 | T iris toare cu. st Incert for lat pe
poart
Trioce
Sfsieim minimal de vaiori limit absolute termfa
fl electrice
I a V ' T t f f ' ItQV* FOV* I t s m* fft, Pi
'/ > K mFM* VD*JLl VfitfM* titfj i
V>. Vr.nst, Vr s m
ku* V(iM IfiGHf, YhgU* Pcz-!
Tei TyimMM* 7V m*r sau T* mmm
'/ > ^ VwMr Vd RMi VjDMr dl, &eif
iefft It r m, Irsid' di/ of, /*/
Vfij/ , /c.V ^cw
Trfmin, 7V/ nflSi Temar *** 7**
tipului ? (aceast verificare eslc er a ui ai important din tot algor i tmi
i cel mai adesea neglijat).
Xu se efectueaz o verificare amnunit a proiectului t a modu-
Ivi de execuie a echipamentului pentru a detecta cauza neconcordanei.
Da msurtorile experimentale valideaz corectitudinea proiesA
tului echipamentul este bine proiectat i executat.
4.3. Caracteristici electrice i termice
Caracteristicile electrice i termice constituie un sistem de mrim i msura
bile care descriu complet un dispozitiv din punct de vedere funcional. Msu
rarea caracteristicilor termice i electrice ale unui dispozitiv asigur poo*jj
bilitatea verificrii conformitii acestuia cu documentul normativ. %
De asemenea evaluarea calitativ a dispozitivului att de ctre pro
ductor (prin sortare final) ct i de ctre utilizator (prin probe de re
cepie) se bazeaz tot pe msurarea unor caracteristici electrice.
n concluzie, caracteristicile electrice i termice formeaz sistemul prii*
care productorul supravegheaz buna desfurare a procesului tehnloaw*
asigur conformitatea produsului cu documentele normative i creaz un
sistem de evaluare a calitii lipsit de ambiguitate n relaia cu utiz^omM
La rndul lor, utilizatorii folosesc caracteristicile electrice i termice n
operaiunile de proiectare a echipamentului, de evaluare i optimizare *
performanelor, sau ca baz a reclamaiilor calitative.
n continuare se vor prezenta caracteristicile electrice i termice j
pate n mod similar cu valorile limit absolut n funcie de regimul
funcionare n care se afl dispozitivul (eonducie, blocare, conmtatM
avalan, stabilizare) i cele referitoare la semnalele de comand pe poartSj
4.3.1. Caracteristici electrice In regim de blocare
La aplicarea unei tensiuni inverse pe o diod sau pe un tiristor, sa51
unei tensiuni de blocare n direct pentru tiristor i triae jonciunea (3oH j
iunile) snt strbtute de cuieni de valori foarte mici (cureni reriduaw^
228
Capabilitatea de blocare a jonciunii (jonciunilor) este caracterizat,
prin mrimea acestor cureni reziduali n condiiile aplicrii unei tensiuni
date i la o temperat ur- precizat a jonciunii. Astfel :
pentru diod l RMcurentul invers de xtrjf precizat la o tensiune inter s
(In mod uzual se alege V** <mr ^ ) i la dou temperaturi ale jonc
iunii (T vJ = 25X1 i Tpj m TrJ niaz),
pentru tiristor 1RM definit identic ca la diod i l bM curentul
direct de virf n stare blocat la o tensiune direct n stare de blocare
Vm (n mod uzual VDu =V DWM) i la dou temperaturi ale jonciunii
(T^ 25C i Ttf Tvjm' X). Se poate considera c atit I im ct i
Fe dubleaz pentru o cretere a temperaturii de aproximativ 8C.
Pentru tiristoare i triace se pot defini curentul i tensiunea de ntoarcere,
respectiv I B0 i VB<>. Aceste mrimi au o valoare pur informativ avnd
n vedere c T ^M(valoare limit absolut) este mai mic dect Vbo.
Este extrem de important de reinut faptul c VBO i I BO snt puternic
dependente de condiiile de polarizare ale porii. Astfel pentru tensiuni
pozitive de poart (chiar mici, echivalente cu tensiunea de saturaie pe un
tranzistor) tensiunea de ntoarcere VB0 scade foarte puternic. De aceea,
in aplicaii, pentru regimul de blocare al tiristorului se recomand respec
tarea condiiei de polarizare a porii VG< 0. n cazul triacelor, avnd n
vedere c pot fi amorsate i cu tensiuni negative pe poart, condiia de
polarizare a porii n regim de blocare este Va = 0.
n mod similar, temperaturile mari de utilizare pot determina n cazul
unor tensiuni mari de lucru apariia, unor cureni reziduali 1DM> I Bmfapt
ce poate produce amorsarea necontrolat a tiristorului.
Curenii reziduali ce parcurg jonciunile polarizate la tensiuni mari
determin disiparea unor puteri considerabile ce nu pot fi neglijate la.
efectuarea bilanului termic al dispozitivului (n special in cazul dispozi
tivelor de mare putere).
Pentru regimul de polarizare invers se calculeaz
4.3.2. Caracteristici electrice n regim de eondueie
n regim de eondueie jonciunea (jonciunile) dispozitivului semicon
ductor snt polarizate n direct. Mrimile caracteristice pentru acest, regim
se refer la cderea de tensiune pe jonciune, la puterea disipat, precum
i la citeva puncte caracteristice de pe curba Fr(J r) pentru tiristoare (curen
tul de meninere I H curent de aer o a. j I L).
n general pentru regimul de eondueie se definete fie valoarea
maxim a cderii de tensiune VFU (respectiv VTM) n anumite condiii
specificate, fie curba caracteristic T*{I r ) valoarea tipic i maxim, fie
T
(4.6)
o
Pentru regimul de blocare se calculeaz
T
(4.7)
o
m tJ r timpul de revenire directdefinit ca valoare maxim a inter
valului de titrip cupiins ntre momentul trecerii curentului de conducie
prin valoarea 0,1 t m si momentul trecerii tensiunii de conducie prin valoa
rea 1.1 V/ \ W(/ / .-,j este valoarea final a curentului de conducie i V PM este
valoarea staionar a tensiunii n conducie la curentul I Fu)-
tu figura 4.21 sint redate grafic semnificaiile acestor caracteristici.
M
L
/
i
Fig. 4.21. Formele de und la comutarea
unei diode din blocare In conducie.
3'ptm puterea de vrf e comutaie definit ca valoarea maxim
a puterii in regim de comutaie, Se calculeaz, cu relaia :
^m r \ iw- vfR (4.11)
n timpul regimului de comutaie valorile instantanee mari ale tensiu^
nii de conducie determin apariia unor supracreteri de temperatur a
j onci uni i ce pot duce la depirea valorii maxime admise.
P f t (av) puterea medie de comutaie disipat n sens direct definita
ca valoare medie calculat pe o perioad a puterii in regim de comutaie*
V/ f
k , (4.121
Puterea medie disipat in regim de comutare poate determina ocre-
tere imjj>ortant a temperaturii de lucru a dispozitivului. Pentru utilizQfty
<i dispozitivelor semiconductoare, puterea medie disipez
i n reaim de comutaie trebuie luat iu mod obligatoriu in calculul bilanului
| (pm*c. atenionm c valori mari ale curentului I m i ale pantei de cre<l
^re4i/ dl vatei mari caracteristicilor v FH. tfrl * P f t V0 I S
Comutarea normal a tkistoarelor i a triacelor din starea de blocaj*
de cornj&icie ete comandat prin aplicarea unui semnal pe poartHi
Comutarea poate fi amorsat ns i in iimwI iiedorit prin depjffirwtj1
valorii limit vjdt sau (dr/ di)*, fie prin depirea tensiunii de ntoarcere
VB0 (deci depirea valorii limit VDSH). Aceste regimuri de comutare
extrem de duntoare pentru dispozitivul semiconductor (duc Iii general
la distrugere prin dt/ di).
La comutarea prin comand pe poart se manifest o foflzaterr fnire
\ variaia tensiunii i cea a curentului prin tirixtor fa de momentul
I Aceast ntrziere est caracterizat
prin :
t9l timpul de amorsare pe-
poart definit ca intervalul nmxim de
timp intre momentul aplicrii nem na
iului de comand pe jw>art i momen
tul n care tensiunea pe fimtor .arad*
la o valoare precizat, Formele de und
corespunztoare slut date tu figura 4.23*
Timpul de amorsare este rezultatul
nsumrii timpului de iitirziere a cre-
terii comandate prin poart m 1
pului de cretere comandat pe poart tr,
t# definit ca intervalulicfcp
un punct de referin de pe *emnabil
de comand (In mod uzual 0,1 l eMi *
momentul in cae tensiunea de bloe&r*
pe tiristor scade la o valoare preeiafttll
tarea unui tiristor (riac) din blocare n v* lBOu U2QU 0 ^ * d&)
condaci. tr definit ea intervalul intre
momentul cixtd temi unea de blocare
pe tiristor a sczut la o valoare precizat (n mod uzual 0,9 V0H) mmomw-
tul in care atinge o valoare inferioar specificat (in mod uzual 04 r w ),
n timpul comutaiei din blocare in conducie din cauza vitezei li mir
tate de extindere a ariei de conducie pe jonciunile tiristorului (triacului}
se disip puteri considerabile care pot fie duce la depirea temperaturii
maxime a jonciunii pentru timpi scuri, fie s contribuie cu o pofxler*
important n bilanul termic de regim staionar al d^-poziriyalaL
evaluarea efectelor regimului de comutare asupra temperaturii masau
instantanee a jonciunii sau a temperaturi medii de lucru se d&faeag
urmtoarele puteri:
P Tt u puterea de virf disipat n regim de comutaie drn bloe&r*
n conducie. Puterea de virf se calculeaz wmfon relaii ;
fstTH * Max [%(*) {*43}
n care i i T(0 au o variaie tipicii dat n figu 4*23. Ftfeie* de jl
permite calcularea smpracreterii de temperatur | jeiieiiwi 1*
taie.
4.:j J L C.ararif'ristHi electrice ta regim de comutaie din conducie iu
blocare
F enomene ce au loc lu timpul comutrii dispozitivelor Remiconduc-
boare d fraiere din tare de conducie n tarea de polarizare invera sau
blocare au o co atribuie important la creterea puterii disipate (respectiv
a temperaturii J oueiunU) ^ la limitarea frecvenei de lucru. ntre regia*111
de comutaie al diodelor i al tiristoarelor exist, o serie de diferene, fa-P*
pentru care ^rat?terteidcile electrice specifice regimului de comutaie in
ottdueie tu blocare m Vor examina separat,
atom:
-.unor intrinseci funcion&rii diodelor, invers1^
tenjonun l * -tHwav-b ^4* m implio blocarea instantanee a j on ci u n i i .
Wfrteilir de undi tipice pentru regimul de comutare din condueie In I *
B | In fiur* iM.
i ' r, 01 p*term mqlit disipat i regim de comutaie din bl0Ql
I n i'oui/ ^hV, Puterea medie tn* e&leueaiconform relaiei: i
*r() d
l*uot*a medie disipai, la comutare se ia ta calculul bilanului termic <
p on d er e ei canetfi in general cu frecvena de lucru.
F*g. 4.i i. Variaia tipu-j a tensiunii Fig. 4.24. Formele de und la comutarea
i {mierii pentru un Urato r unei diode din regim de conducie In regim
ftH3;>r*at p* poarfcfi (Ist camutatle). de blocare.
-~,diF/ dt
0.1/dom^
r^M i ti l i zeaz urmtoarei* mrimi earaeteristc : $
trr timpul de revenire inter na definit ca valoarea maxim a
intervalului de timp ntre momentul trecerii curentului prin zero k iftc
trece din regimul de conducie n regimul de blocare) i momentul in care
curentul invers prin diod scade la o valoare precizat {4 / ***
0,25 lnnu)
Timpul de revenire invers depinde de temperatura jonciunii, de
curentul de conducie anterior comutrii J fM. de panta de scdere * curen-
tului de conducie dv/ df.
t, timpul de itocare definit ca intervalul de timp dintre moment#!
trecerii curentului de conducie prin zero i momentul in care curentul
invers prin diod atinge valoarea maxim. Timpul de stocare coe*puniie
procesului de extragere a sarcinii stocate la nivelul jonciunii si etfie %
component din timpul de revenire invers. Raportul dintre timpul de
revenire invers i timpul de stocare create odat cu cretere tenaSM
inverse aplicate. Gama de valori tipice este indicat fn Tabelul 4.7.
Qt sarcina stocat definit ca
I valoare maxim a sarcinii extr as din
diod ntre momentul trecerii curen
tului de conducie prin zero $i momen
tul n care curentul invers atinge valoa
rea maxim Irum- Sarcina stocat etfte
o caracteristic co depind de tempera
tura jonciunii T#/, de curentai de con
ducie J ru i de viteza de scdwpe %
curentului ~~di,jdt.
Sarcina stocat maxim este dat in general prin familii de curbe (ttsii
figura 4.25) ce indic dependena de parametrii di>/ dti **r M |
I r bm curentul de revenire invers definit ca valoare maxim^ ie
vrf a curentului invers in timpul regimului de comutare din conducie
n blocare.
Ta6e/ ut 4.7. Valuri tipice ale raportului
l l tt In funcie de tensiunea invers apli
cat.
Gama de valori a |
tensiunii inverse V
( Y rrm)
IrrlU
100.. .800 1, 1. .. 1,25
800...1800 1,25. ..2,1
1800.. .3000 2,1 . . ^, 3
2,3. -12,6 3000...4800
F i | . 4. 25, V a r i a i i * t i p j n M i r e i m i i t A a t r f i h; f u f t e f i
c o n d u r i i WgS H H de
Sarcina stocat, timpul de !
legale prin urmtoarele relaii:
stocat, timpul de stocare i curentul de revenire invers xint
Ihhm = \ -Aifldt\ tt =]f 2Q\ -di Fldt
(4.1 G)
tu timpul regimului de comutaie, pe jonciunea diodei are loc o disi
pare considerabilii de putere. Aceast#putere poate determina depirea
temperaturii maxime instantanee a jonciunii (prin valoarea ei de vrf)
nau are o pondere important n bilanul termic al diodei.
PnQt puterea de ri rf de comutaie disipat n sens invers. Aceast
putere se calculeaz cu relaia :
hi sc utilizeaz n calculul temperaturii maxime a jonciunii.
Pjjofin puterea medie de comutaie disipat n sens invers.
Aceast putere se calculeaz cu relaia :
Menionm c n cazul diodelor normale parametrii trn Qs, P RQM i
pRXAn an valori considerabile (ou circa im ordin de mrime mai mari ect
n cazul diodelor rapide). Utilizarea unor astfel de diode n regim de comu
taie la frecvene mari este din aceast cauz contraindicat. Pentru astfel
de aplicaii sint recomandate diodele rapide caracterizate prin sarcini
tocate mult reduse i timpi de revenire mai scuri.
TlfilSTOAHE, TIUACE
Fenomenele ce au loc n timpul comutrii tiristorului din starea de
conducie In starea de blocare au o importan deosebit n funcionare,
in special la frecvene mari. Parametrii electrici utilizai pentru regimul de
comutare permit evaluarea supracreterii de temperatur, dimensionarea
elementelor din circuit ce intluenez comutarea etc.
Variaia curentului i tensiunii prin tiristor (triac) la comutarea din
eondueie n bloeare este reprezentat n figura 4.26.
Be utilizeaz urmtoarele caracteristici:
fl -r timpul de blocare al unui tiristor (triac) prin comutarea circui
tului, definit ca valoarea maxim a intervalului de timp ntre momentul
anulrii curentului principal prin tiristor i momentul trecerii prin zero a
tensiunii directe de blocare reaplicate care nu provoac reamorsarea tiris?
torului prin (do/ di).
Timpul de blocare t se definete In condiii precizate de :
H di/ dt viteza de descretere a curentului de conducie (n mod
turnai di/ dt I 20 A/ jis)
Pno* = Max 1VR(t) ij*(<)|orr
'rf
1
(4.18)
o
236
I rM valoarea de vrf a curentului nainte de blocare (in mod
uzual Itm Itavm)
VH valoarea tensiunii inverse maxime (n mod uzual v R ==
= 100 V)
(dtf/ di)* viteza de cretere a tensiunii de blocare reaplicate
Vo valoarea de vrf a tensiunii de blocare reaplicate (n mod
| uzual Vp 0767 Vurm)
Fig 4.26. Formele (lc und ale tensiunii i curentului la comutarea
prin circuit a unui tiristor din conducte In blocare.
n figura 4.27 snt reprezentate variaiile tipice ale valorii normate
K n funcie de parametrii de comutaie.
Pe fiecare curb este marcat cu simbolul x valoarea prevzut n
[ISTM (msurat n condiiile standard).
3 c j
Fig. 4.27. Dependenta timpului de blocare ( aloare urmaia; ui funcie de (a) vite** do des
cretere a curentului, (4) tensiunea invers, (e) tempera ctva jonciunii.
Pentru tiristoare conduond in invers sau tiristoare av nd cuplate in
antiparalel diode se definete de asemenea <, (bineneles Va aplicat
iristoruluiosto limitat la VP al diodei n antiparalel).
237
In timpul procesului de comutare din starea de conducie n starea
le blocare n tiristor an loc o serie de fenomene (extragere de curent pn
la blocarea jonciunilor, recombinarea sarcinii n exces etc.)care determin
apariia unor creteri considerabile de temperatur i limitri ale frecven
ei maxime de lucru. Pentrn aplicaii la frecvene ridicate se utilizeaz
tiristoare rapide la care efectele fenomenelor de comutaie snt minimizate
Q, sarcina extras la comutarea prin circuit definit ca valoarea
total a sarcinii extrase ntre momentul trecerii prin zero a curentului de
conducie I T i momentul n care curentul de revenire invers de valoarea
maxim
I i i
di,
di!
(4.19)
n figura 4.28 este reprezentat variaia tipic a sarcinii extrase Q n
funcie de parametrii de comutaie, pentru tiristorul rapid T600F.
Qf sarcina rezidual recombinat dup blocarea jonciunii de
catod.
dt/ dij (4.20)
Fig. 4.28. Dependena rarcinil extrase
Q iu funcie de parametrii regimului de
comutaie : I m, di/ di (ex.: tiristorul
T290F)
-diA/ t [Mm*]
Pentru regimul de comutaie se definesc urmtoarele puteri:
I hqi* ~puterea de vrf de comutaie (prin circuit) din conduoiie
in blocare a unui tiristor (sau triac). Aceast putere se calculeaz cu rela
ia |
= Max | V(I) i(()| V (4.21)*
1*bq<av) puterea medie disipat la comutaie tiristorului din con-
duvie n blocare. Aceast putere se calculeaz cu relaia
PQC4V7 =** \ ^n(i) "Pjr(f) (4.22)r
o
, / Paca 8e ia n considerare viteza de cretere a tensiunii inverse dr*/ d<,
relaia (4.22) poate l i nlocuit, cu una din relaiile de mai jos n funcie
ae raportul existent ntre timpul de cretere al tensiunii invers
t0 sa* i (din figura 4.23).
Astfel pentru tr > tf
11 (&vR!d t)t/ I RRH
1 mw ~ ------ ------ (4.23)
iar pentru tr < tf
p ~ [ I r bm , I mo 1T h , I r oUr m t/ #0~
1 RQ(AV) ~ J ' -r ic'jtM----- j- - ----- (4.24)
1 6 3 J tf 2 t,
In care Ino I r r m ~
4.3.5. Caracteristici electriec ia regim de avalan (stabilizare)
Snt utilizate n general dou clase de dispozitive ce pot funciona n
regim de avalan pe caracteristica invers :
diode stabilizatoare de tensiune diode care snt destinate s
funcioneze n mod continuu (sau cu factori de umplere mari) n regim
de avalan. Tensiunile de strpungere se situeaz n gama 6. .. 200 V.
Snt folosite n general ca elemente regulatoare n sursele de alimentare
stabilizate.
diode cu avalan controlat (sau diode supresoare) care funcio
neaz intermitent sau accidental n regim de avalan. Pentru gama de
tensiuni cuprins ntre 6.. .200 V, diodele stabilizatoare de tensiune pot
fi utilizate i ca diode supresoare. Diodele cu avalana controlat snt
realizate n gama 400.. .2000 V.
Pentru diodele stabilizatoare de tensiune se utilizeaz urmtoarele
caracteristici electrice (vezi figura 4.29):
VZT tensiunea nominal de stabilizare, definit ca valoare a ten
siunii de stabilizare la un curent 1ZT. n funcie de acest parametru diodele
stabilizatoare snt sortate n clase de tensiune. Pentru definirea claselor
de tensiune se utilizeaz seriile de precizie J E724, E12, E6. n Tabelul 4.8
snt precizate valorile VZT}YZmin i Vg * Se observ c ntre dou clase
de tensiune consecutive exist o zon de suprapunere (VZmax2kclasei infe
rioare este mai mare decit a clasei superioare).
VZK tensiunea minim de stabilizare definit ca valoare minim
a tensiunii pentru care funcia de stabilizare se menine.
rZT rezisten dinamic a caracteristioii definit ca valoare ma
xim a rezistenei msurat n jurul punctului F., I MT de pe curba r*(t*)
i calculat cu relaia :
A VXT
?ZT *
(4.25)
0}1 IzK
2m
Tabelai 4.g
in care
Al z y^(l,0HIzt ) Fjj(0,95 I zt)
rzK rezisten dinamic a caracteristicii definit ca valone ma
xim a rezistenei msurate in jurul punctului VZSf I ZK de pe curba Vz(ig)
i calculat cu relaia :
AF2J T
l a
0)1 IzK
n care
V(1.^11 ^g;) Vg
La valori ale tensiunii mai mici dec
comport ca diodele cu jonciuni
polarizate n invers.
Pentru evaluarea capabilitii
de blocare a diodei stabilizatoare
la tensiuni inverse de polarizare
Vx < Vzk se utilizeaz urmtoarea
mrime caracteristic:
I R curent rezidual definit
ca valoare maxim a curentului
invers prin dioda stabilizatoare pola
rizat la o tensiune F R = (2/ 3)F2T.
Tensiunea de stabilizare F^este
o mrime dependenta de tempera-
F , diodele stabilizatoare s&
Fig. 4.2!)". Caracteristic tipic, a unei diode
stabilizatoare de tensiune.
tur. Avnd n vedere faptul c utili
zarea tipic pentru diodele stabiliza
toare o reprezint sursele de alimentare stabilizate se definete o caracte
ristic ce permite determinarea variaiilor V2T datorat variaiilor de tem
peratur.
<trz coeficientul de variaie liniar a tensiunii de stabilizare cu
temperatura definit ca valoare maxim a variaiei tensiunii de stabilizare-
nominale AF zr la o variaie a temperaturii jonciunii AT
CCfg =.;
AFrx
AT
(4.27).
Menionm c *VMeste o mrime pozitiv, deci pentru realizarea unor
referine stabilizate n raport cu variaia de temperatur se recomandm
utilizarea unor jonciuni polarizate tn direct pentru compensarea lui
ot.r j (ajrp= 1,8.. .2,2 mV/ C). De asemenea, la efectuarea bilanului
termic pentru diodele stabilizatoare de tensiune trebuie luat n considerare
mecanismml de reacie electrotermic pozitiv (la I M constant):
p , t U t , t F,t ~ ~
241
Neglijarea acestui efect poate determina ambalarea termic a diode
stabilizatoare.
Pent ru diodele cu avalan controlat i pentru diodele supresoare se
utilizeaz urmtoarele mrimi caracteristice :
1im- tensiunea de strpungere definit ca valoare a tensiunii
pent ru care curentul prin dispozitiv crete la o anumit valoare precizat
I br pe caracteristica de strpungere.
ra rezistena diferenial a caracteristicii de avalan definit de
relaia
n care Va este tensiunea la curentul de suprasarcin I usm n figura [4.30
stnt puse n eviden semnificaiile acestor mrimi.
Fig. 4.30. Caracteristica invers a unei diode cu
avalan controlat
care
I . P,/ F*n
Prin P am notat' puterea impulsului de suprasarcin de tensiune
accidental iar I , este curentul de avalan corespunztor acestui impuls.
4.3.0. Caracteristici eleetriee de poart
Caracteristicile electrice de poart formeaz un set de mrimi care
caracterizeaz comportarea tiristorului (respectiv triacului) la semnale
electrice aplicate pe poart. Se definesc astfel caracteristicile electrice de
amorsare prin poart (care asigur comportara dorit n regimul de comu
taie din blocare In conducie), caracteristicile de neamorsare pe poart
(care asigur imunitatea tiristorului la semnale parazit pe poart) i
caracteristicile de comand pentru stingerea pe poart (n cazul tiristoa-
relor <? TO).
Pentru caracterizarea tiristoarelor se folosesc urmtoarele mrimi [2] :
I qt curentul de amorsare pe poart definit ca valoare minim a
curentului injectat n poart pentru care tiristoarele comut (indiferent
de dispersia tehnologic).
Vgt tensiunea de amorsare pe poart definit ca valoare minim
a tensiunii aplicate pe poart pentru care tiristoarele comut (indiferent
de dispersie tehnologic).
FG2.,(FG;yr) tensiunea de neamorsare pe poart definit ca valoare
maxim a tensiunii aplicate pe poarta tiristorului care nu provoac comu
tarea acestuia.
I gd{I qnt ) curentul de poart corespunznd tensiunii de neamorsar&
Ygnt-
Caracteristicile de poart depind de temperatura dispozitivului. De
asemenea, din cauza condiiilor tehnologice concrete de realizare a tiris
toarelor exist o dispersie important a valorilor caracteristice I Gt i
Vgt- n documentele normative se dau n general valorile limit maxim
pentru I GT i VGT la Tt} 25C i la n cataloage snt prezentate
informaii mai detaliate asupra caracteristicilor de poart (vezi figura 4.31)
Astfel, pentru fiecare tip de tiristor (triac) se definete planul valorilor
caracteristice, Ve I Qdelimitat de VGmat(i G), VGmin(i ^ n care snt
precizate valorile caracteristice I GT la T Tvimin1 T =25C i T = T v1maM
F Gr la T = TVJ min, T = 25C i T Tvjmax, precum i curbele P Gmax =
= YGmaxI Gmax diferite durate ale impulsului de comand.
Astfel, n zona I amorsarea tiristorului este imposibil, n zona I I
amorsarea tiristorului este probabil iar n zona I I I este cert. Curbele
limit PGmax trebuie respectate ca valori limit absolut.
*b
Fig. 4-31 Caracteristici de poart pen
tru un tip de tiristor; I zona de Wj
amorsare imposibil, 11 zona de 2?C
amorsare probabil, 111 zona de amor
sare sigur.
Condiiile optime de comand pe poart snt precizate de ctre urm
toarele mrimi:
ta intervalul de cretere a curentului pe poart definit ca intervalul
n care curentul de poart crete de la 0,1 la 0,9I G (I G este valoarea
final a curentului de poart).
t0 durata impulsului de comand
Ft tensiunea n gol a generatorului de comand pe poart.
I K curentul de scurtcircuit al generatorului de comand pe poart.
I 0 curentul de poart.
dialt viteza de cretere a curentului pe poart.
n Seciunea 4.2 este comentat influena semnalului de comand
pe poart atlt asupra capabilitii tiristorului la solicitarea di/ d/ cit i
asupra puterii disipate n timpul comutrii. Nerespectarea prescripiilor
pentru semnalul de comand pe poart poate determina distrugerea tirig.
torului prin di/ dl sau prin depirea temperaturii maxime a jonciimiil
n cazul comenzii unor tiristoare conectate n serie sau n paralej
trebuie luate precauii suplimentare (vezi Capitolul 7).
Pentru caracterizarea tiristoarclor cu stingere pe poart (GTO) se
folosesc urmtoarele mrimi:
V0q tensiunea de dezamorsare pe poart definit ca valoarea
minim a tensiunii aplicate pe poart n sens invers care asigur dezamor
sarea tiristorului (comutarea din regim de conducie n regim de blocare).
I qq curentul de dezamorsare pe poart definit drept curent
extras din poart care asigur dezamorsarea tiristorului.
VQ factorul de etig la dezamorsare definit ca raportul ntre
curentul de conducie I Tu i curentul de dezamorsare pe poart I GQ.
4.3.7. Caracteristici termice
Caracteristicile termice ale unui dispozitiv snt mrimi msurabile care
permit efectuarea complet a bilanului termic (relaia dintre cldura disipat
n dispozitiv i cldura evaeuat prin sistemele de rcire) i calcularea tem
peraturilor punctelor de referin n orice regim de funcionare.
Pentru regimuri de funcionare staionare se utilizeaz mrimi carac
teristice de tipul rezisten termic JRth (independent de titnp). Pentru
regimuri de funcionare de scurt durat sau intermitente se utilizeaz
impedana termic tranzitorie Zlh (dependent de timp).
Pentru caracterizarea regimului staionar de funcionare se utili
zeaz urmtorii parametrii:
Rtn-e rezistena termic jonoiune-capsul definit ca raportul
Intre diferene dintre temperatura jonciunii i temperatura capsulei
Intr-un punct precizat n condiia n care dispozitivul disip puterea Pm
i se afl la echilibru termic.
rp __ rp
(4.2 8)
& M
Condiia de echilibru termic este ndeplinit atunci cnd Tvf, T, i
P M nu variaz n timpul funcionrii.
Rtke-h rezistena termic capsul-radiator sau rezistena termic
de contact definit ca raportul ntre diferena da temperatur dintre capsul
i un punct de referin de pe radiatorul pe care se monteaz dispozitivul
i puterea total disipat de acesta n condiii de echilibru termic.
(4.39)
* tot
Rtkk-a rezistena termic radiator-ambiant definit ca raportul
intre diferena de temperatur dintre punctul de referin de pe radiator
i temperatura mediului de rcire (sau ambiant) i puterea total disipat
'de dispozitiv n condiii de echilibru termic.
. (4-30)
**tot
Evident, rezistena termici jonciune-ambiant este dat de suma rezis
tenelor termice definit de relaiile (4.28), (4.29) i (4.30).
RthJ ~a *=-R/ - *4" -ifte-t + -B** *- (-4.31)
Pentru calculul temperaturilor n cazul unor regimuri de funcionare
de scurt durat (care nu permit atingerea echilibrului termic) sau n regim
de funcionare intermitent trebuie inut cont de efectul capacitilor ter
mice echivalente.
Pentru caracterizarea regimului de funcionare de scurt durat sau
intermitent se folosesc urmtoarele mrimi:
Zlhf_e(t) impedana termic tranzitorie jonciune-capsul defi
nit ca variaia temperaturii jonciunii dup un interval de timp t de la
aplicarea unui impuls de putere n form de treapt, raportat puterea
acestui impuls:
(4.32)
Plot
Impedana termic tranzitorie se d sub forma unei curbe avnd forma
tipic dat n figura 4.32.
Zthc-a (i) impedana termic tranzitorie capsul-ambiant definit
ca variaia temperaturii de referin a capsulei dup un interval de timp
de la aplicarea unui impuls de putere n form de treapt, raportat la
valoarea impulsului de putere care determin aceast variaie :
(4.33)
Ml
Valoarea impedanei termice radiator-ambiant depinde de modul de
rcire folosit:
o pentru convecie natural Zth este dependent in primul rnd
de puterea total disipat de dispozitiv. n figura 4.33 este reprezentat
variaia tipic a impedanei termice n funcie de ncrcarea n
putere a dispozitivului P*.
o pentru convecie forat Zth este dependent n mod esenial
de parametrii mediului de rcire viteza vmsau debitul de volum al aeru-
lui Vm, cderea dc presiune n lungul radiatorului Ap. n figura 4 *
reprezentat variaia tipic a impedanei termice Zthk_a jn fwJ
debitul de aer. Ic^e
Fig. 4,33. Dependena impedanei termice radiator-ambiant de puterea disipat (n regim d
convecit natural). (E x . : ansamblu de rcire tip K X 18030) J
Fig. 4 34. Dependena impedanil termice radiator ambiant de debitul
de aer (convccte toratft . (Kx.: nnsambiul de rcire tip K X 18030)
n figura 4.35 este reprezentat variaia tipic a cderii de presiune
a aerului n funcie de debitul de aer.
n cazul radiatoarelor rcite cu ap alura curbelor caracteristice este
similar cu aceea pentru radiatoarele rcite forat cu aer. Radiatoarele
rcite eu ap asigur ns, n condiii de gabarit extrem de avantajoase,
impedane i rezistene termice eu aproximativ; un ordin de mrime mai
mici, dect n cazul radiatoarelor rcite cu aer.
APL
f W j !
Fig. 4.35. Variaia tipic a cderii de presiune a fluxului de aer de r ti
are n funcie de debitul aerului (convecie forat, (ex . : ansamb Iul
de rcire RlbOEbQ)
n cazul diodelor redresoare i al tiristoarelor normale i rapide, n
afar de curba de impedan termic tranzitorie ZthJ_e(t) se definete o
rezisten termic adiional.
Ar rezisten termic adiional este definit ca o rezisten ter
mic suplimentar fictiv ce trebuie adugat rezistenei termice
sau impedanei termice tranzitorii Zth,_ e pentru a reflecta influena un
ghiului de conducie. n mod uzual Ar este dat n documentele normative
sau cataloage fie sub forma unei curbe de variaie n funcie de unghiul
de conducie (vezi figura 4.36) fie direct nglobat sub forma unei familii
de curbe n curba Zlhj_e(t) (vezi figura 4.37)
n unele cazuri, impedana termic tranzitorie Zti,_Qpoate fi dat
printr-o relaie de aproximare analitic de forma
Zlhj. c(t) = K J X - e - ^ j . (4. 34)
i-l
n aceste cazuri, in documentele normative sau n foile de catalog se pre
cizeaz valorile J ?tM i ?<pentru dispozitivul respectiv.
Pentru dispozitivele semiconductoare de mare putere montate pe radia
toare, pentru oare rcirea este asigurat prin ventilaie forat sau cu
lichid, n documentele normative sint fcute precizri asupra tipului de
radiator ee trebuie utilizat, asupra condiiilor de montare pe radiator pre
cum i informaii cu privire la debitele de fluid eto.
Piji, 4 34, rHpcnd^ns rezistenei termic adiionale de unghiul de
rvndurie 8 pentru regim de impulsuri sinusoidale i regim de impulsuri
drept unijliiulare . (es.; dioda J D400 IV * )
6
ZT >30*
"">60*
^>90
--------- DC
F%- 4.17. lmpedant temur tranzitorie i impedana termic in regim
de impusuri *pM>id*le mu trapezoidaic.
4.4. (iBfiw^ristipi de fiabilitate
4.4X Caraeteritii generale de fiabilitate
Calitatea reprxwi& urna ^udloT unui produs care ii permit sSri
ind^pb* ^ &fniw ia perst rn care a fost creat i e ste perceput & sub douft
ctmformiUUa cu specificaia Wftwiefc (pe fcimane iniiale) i
- fi&MUUsUni eare exprim modul fea care performant tio iniiale >'e
** * -timp.
Fiabilitatea h<* definete ea probabilitate de hun %meiwmT*xe ia mo
melii u I i e noteaz R{t) (R&liabilitit fiabilitate). Probabili taiea de bun
funcionare B{t) i probabilitatea de defectare pte ia momentul , jrt}
<Failure. defectare) snl, evident, ta relaia :
m ) + #(*>* i.
Funcia F(i) se mai numete i repartiie a momentelor de defecare.
Pornind de la aceste funcii se definesc urmtoarele earaeteriatiet
de fiabilitate : densitatea de probabilitate f{t), intensitatea de defeeiare Zii)
i media duratei de via M, prin relaiile (4.35). (4.36) i (4,37):
dJ Ft]
di
digj)
dl
( j f t
{/ (t)di reprezint probabilitatea ea defectarea s se produc n interval!,
de timp di din jurul momentului de timp f).
Z(t) a
ft)
m
[Z(t)t exprim probabilitatea apariie* defectului n intervalul de timp
di n jurul momentului i , tiind c pi n n momentul t defee ar m *-a,
produs].
Media duratei de via, M ne definete ca moment de ordinul
variabilei aleatoare de timp I (4 momentul defectrii), avnd expi v
t m di
(4.3?>
M se poate exprima i n funcie de M{t) :
mm
ilar, observtnd ci paatcza ***
i al), rezult **
j f
ideitfe ai {\ m i8<$ * i
s-wwwp. tvmm *H i w. * * * * !>ni opozltlvde.
Wf! *' W f nfnrta2i o l *S* " P 0" -
lal vi v te*** WHtMtlt. , . 1 ,
iHj,,, , tic ilMnhnJ ic * t tmp h i i d ed r fecfi wtab H ^
dl ffealfHalrtti, ftit) vari??. t-xforufift tinip, coiifoim relaiei (4.39) gl
B(i) * cxp(~ XI), (4.39)
l'Urind de la capt fiprwue, rezult expresiile ea laet eristici lor de
Abilitate:
^(4^40)
l/ (f) mX esp(-~Xf).
2(11 *=X, constant in timp
i 1
(4.41)
(4.42)
Lcec Wiibuli. de dirtribuie a tii&pului de defectare are expresia (4.43):

BI )* ei}
K )
(4.43)
ende a etic parametrul de cal, iar 8 ete parametrul de form; in acest
@a$
/ (t> ~~t~* erp | -\
Zi i ] y*f-.r
8 a
M 1+t )
(4.44)
(4.46)
(4.46)
8 b<' * f i y re ; J n autia Weibull este identic ca P -
i^*j<HMifiiai& i ta' k*dc
11
lk*triUotreal a mn tnlfkr dtftttrii e?te caracterizat, de o rat^ I
iigt<Mi<?ta*c a rttn rfpm*utarf grafic (in funcie de timp) geamn <
mf m p ** 4M),
I o b * r i I i ! perioade de t imp j J
I i tjvo* 4$ iintreji; g* aceast perioad (de Vm^*a
^W mmk alpttaiii *atru dl#voiilb*le & puUr*) semanifest defectele d&ftr
'rgf-1 *^ #^!^ait4| ^e| e| de montaj stabilizri incompl*^*
gffgj| | totalitatea materialelor etc.).
l Z ptriondn df viat util, earacteri:zat& <t* oral 4*
ntaiitu; aici ajv.tr defectele aicidenuk. inerent** d#H H
dat; ea ne ntinde pe o durat de aeei de mii , . - * m <$m * m
n funcie de tehnologie i noliritarea aplicat <*onvw>nc^<5*of *. , * , ,
I I I umra te caracterizat de credererapida a ratei e fms
tare, ea urmare a acumulrii de modificri minore pinla limita accepva-
bil pentru buna funcionare a dispozitivelor.
i i i
/ 'ptroada fecfrife? .0 haeref
ti-viata titil
III debutul UZuri v.."" <;J
in
Fig! 43s! DepcmicnU iaieaiiil <i defectare Uv funcie Oft l u
Astfel, ele exemplu, Incurbul vieii util ua dispozitiv ca structura contuetatl ca aliaj
moalecsl :lupuslaoserie de cicluri <tetemperaturii increat -..'iar
in cursul accstwvrtatil d<l tempwatufln alia}auatectcsa1radnrtHl
tivului. n momentMl tacare UturUsa unei* jlipitura structurii se lratt^tSi
se i nmUpe l funciasa este deiiujUvcumptismis. iwaiilar wpitrec- ilucrrite ti in cajadia
carecurentul reiWuai att u#ar in ti m. U ua HKoeat 4ut > j dr.>nLuUi reaiduaipoul*
provoca ambalareatermica dispuilifidSl ncheiaii c i coatetea Utn iarjei* * acestuia.
4.4.2. Proiectarea i asigurarea iahtUtaii
Cttlitatfii? diodelor i tirisk&rfof &&tilisiu vmlutziA
conceperii f i ercistenei awstom. de h pmim ptml U Mimr*. sifurar%
calitii dispozitivelor, decizia fiabilitiii lor m fM \ ucepittd ctes^la.
analizarea proiectului, studiul i alegerea iuruizorteT^^oefatinai m
Iul de recepie al materialelor i prilov couipoueafea, controlul proe^elor;
testarea i sortarea final, ineercrie deverificara a calitii (tu
unor metode de verificare eficiente) i setermin eu recomand rite
zaro i utilizarea propriu-stisa.
Piesele faljricate aparin uneia din cele trei grupe definite H
. d)- piese- ou mltiato %Hpr#*b&; v
//i piese eu (ltiates<t&4, ptfcHftrti tefwUHti a
intimpitor \
o) piese cu lata afe, p H 4
MitaU ala QptrafUkt a prmttlw- 'M
n genial procentul de pu^c din eaW^oRa a di>aa> lua?tir#H*u^
iji este inerent tehnologia infe
defectele din caloria a jBsfo ^ ...""
urraairea unor at^ideute t^ino^gba aarezolvaU Ia ,*
Asigurarea calitii acioneaz in special pentru minimizarea acestui
procent de defecte (categoria c) prin mijloace diverse ca, de exemplu p|
controlul integral al materiilor i materialelor la recepie ;
controale integrale in punctele critice din fluxul de fabricaie ;
aspect diapozitive montate neincapsnlate, controale electrice finale etc*
controale prin prelevare* la procesele cu caden mare i risc mare de
dereglare;
controale prin prelevare n cazul n care verificarea este foarte
important dar este i distructiv;
ntocmirea de fie de urmrire cu conservarea tuturor rezultatelor
controalelor pe loturi;
ntocmirea de fie de post pentru aprecierea calitii funcionrii
procesului postului respectiv.
4.4,3. Programe de selecie
Cerinele in ce privete funciile pe care trebuie s le ndeplineasc-
un dispozitiv Kmt diverse. Astfel, n condiiile funcionrii n mediu agresiv
(pe nave, in mediu eu hidrogen sulfurat, sub capota automobilelor etc.>
sau in zone climatice tropicale, umede, deertiee sau cu climat friguros
este nevoie ea dispozitivele f reziste si F fie protejate la aciunea fac
torilor respectivi. Rezult c funcia de rezisten la factorii climatici tre
buie amplificat.
Pentru aplicaii speciale sau cu posibilitate de reparare redus este
evoie ca dispozitivele s aib fiabilitate mbuntit.
In aplicaiile industriale cu multe repere folosite i serie mare, flux
ndelungat, termene critice i importan economic sau social mare este
nevoie de dispozitive care s ntruneasc, pe lng funciile nominale,
urmtoarele cerine:
s nu se defecteze n timpul montajului industrial;
s se monteze cu uurin (lipire, nurubare etc.);
s nu se defecteze la punerea sub sarcin sau la regimurile tranzir
ton i ;
s prezinte o rat de defectare redus, n primele sute de ore de
funcionare;
cerinele de mai sus s fie asigurate pentru fiecare lot de livrare.
S-au enumerat in pai agrafele anterioare elementele specifice ctorva
clase de aplica vii. La aceste cerine s-a rspuns prin elaborarea la IPI S-
BA2VEA a unor Programe de selecie care au ca scop asigurarea funciilor
pmifice sv pl i m cutare plec n d de la produse realizate n tehnologia de baz.
Programele de selecie i livrare se mjart n dou categorii:
1}Prima catigorie se refer la marea majoritate a programelor exi8*
teiste v programul industrial, programul profesional, programul pentru
itraie, programul naval, programul Drobeta etc.
n cadrul acestor programe de selecie, piesele snt supuse 100%
ha propam de ncercri climatice i funcionale, n fluxul tehnologic, dar
controlul <!e recepie ie face numai la parametrii electrici, aspect, marc arc
fi dimensiuni.
2, A doua categorie te refer la noile produse industriale la care se
ncearc $4 feer*puidla cerinelept*ntni componente utilizate n Industrie
deferise mai nainte. * a*eiwenea, se, mut accentul de interes de la modul
de elaborare a produselor la controlul asigurrii funciilor suplimentat**
la recepie, pe fiecare lot, n acest scop snt introduce m ta*dardele de
ramur ale acestor componente reguli suplimentare de verificare pe aeitf
lor livrat, cum ar I I : f
- controlul nedistructiv al sertizrilor i al comportrii la sT3jHa*&r-
cini;
verificarea ratei de delectare incipiente (168 ore); | 1|
controlul grosimii straturilor metalice de acoperire. Aceast, sec
ven. de ncercri de lot a fost stabilit avind n vedere :
problemele aprute de-a lungul anilor n exploatarea diapozitivelor
de putere;
evidenierea funciilor dispozitivelor de maxim interes pentru
beneficiarii de componente; acest lucru s-a dovedit a fi destul de dificil;
gsirea unor metode rapide i nedistructive (n marea lor majori
tate) pentru verificarea unor operaii sau procese tehnologice critice;
4* acumularea unei experiene bogate din activitatea legat de expor
tul de componente la firme strine (AEG Telefunken, Internaional Mceti-
fier, Control Data, Tesla, Philips, Mayekatca etc.)
Prin elaborarea standardelor de ramur de componente industriale
se realizeaz un cadru clar de livrare a unor dispozitive cu calitate certi
ficat, la fiecare livrare, prin ncercrile de recepie. Este cert c prin folo
sirea componentelor de uz industrial calitatea echipamentelor i a fabric
eaiei echipamentelor se va mbunti substanial.
4.5. Mecanisme de defectare
Procesele de defectare reprezint ansambluri coerente de infoi maii
referitoare la ntregul lan de evenimente ee conduc la defectarea dispozi
tivelor de putere : cauze, modificri fizice, chimice, metalurgice sau meca
nice i efectele lor.
Prin mecanism de defectare vcm nelege o denumire generic eare retine
n esen cauza principal i/ sau un fragment mai important din procesul
de defectare i/ sau caracterizai ea succint a efectului major asupra perfor
manelor diodelor $i tiristoarelor de putere. Acest lucru este ilustrat- de
urmtoarele exemple de titluri de mecanisme de defectare :
Defectarea la radiaii Indic numai cauza delectlWa
Oboseala termic indic un fragment din procesul de defectare I
Coroziunea capsulei indic procesul, dar i rezultatul su.
Tratarea riguroas a proceselor de defectare necesit un spaiu mult.
mai larg deet. cel pe care i-l propune aceast carte. De J gK sub titlul
Mecanisme de defectare se abordeaz problema proceselor de defect**
prezentate strict n esena lor, complettndv-se astfel imaginea semmJ m
d miori limit absolutai ett evenimentele ce se produc la depirea acest*#.
Dintre mecanismele de defectare snt dcscrife cele care produc marea na&ip-
ritate a defectelor din aplicaiile industrial* || cum ar fi, de eseutpm.
degradarea pasivftri *- dar slnt prezent ateeen el uele meesiu^m** mm
controlul robusteii terminalelor; ^ ' h h h h h
verificarea nudabilitii;
- controlul nedistructiv al lipiturilor interne;
pum comentateialiteraturado specialitate, curaar if deexemplu, degr%.
darea 1radiaii,
S&k-mM presentat in aceast seciune intereseaz proiectanii ^
echipamente. pentru euooaterea mai profund a performanelor i ljm^
rilor diodelor i tiristoarelor de putere. De asemenea, materialul este <j0
iefesptw i pentru specialitii din exploatarea echipamentelor, nsensul
i&terpm&rii coreeia unor eftderi de dispozitive fi stabilirii unor msuri
emettre eficiente. Se oferi in acest mod beneficiarilor diodelor i tiristoa-
felur de putere elementele strict necesare unui dialogcompetent cuoricare
Itornlsor.
Mecanismele de defectare comunediodelor i tiristoorelor nt tratat#
eaHaren primele paragrafe, iar ncontinuareslnt abordatemecanismele
de defectare specifice.
i,5,K IMee tarea la saprasareiai de eu mit ia eoadaeie In direct
Diodele-i urtoareledeputerepot ii degradatesaudistrusedesupra-
rctiuledecurent in eonduc eiuadie; . Caracterul i amploareadegradrii
pist t'h* valoarea i durataimpusurilor decurent aplicate.
Depirea /*Irm- Injectam in diapozitivaunui curent decon-
m%mtadimt, mi valoareamai mare decit Ifsm, respectivITSMt peo
rat de una aunai multeperioade (50Hz), cusaufraplicareauite-
E3B9&atemiunii deblocate\ R.fi, genereazurmtoareleevenimente:
temperaturalocaltnpimctelefierbini poateatingevalori de
HKfcaea<m>determin topireasiliciului ;
la diapozitivele de inie i medie putere, aliajelemoi folositelalipi
rea <?uturilor pe amliai (PbKu, PbAgln) setopesc; seproducempro-
-ftjNsaalia/ oha topit din zonalipitura pe pereii interiori ai capsulei; la
cApddb^ aliajul esteejectat Inexterior;
pladiodelei Urlstoareledemarputere, realizateprinsuduri tari
ale*lrwvurilor *ilkiuperepartitori |mmolibdenaparesuprancal-
%11 Wmm0age*nerar<*a<urentalui, ceeaeedeterminoreacie!nlan pozitiv*
mfaw&ikfa!p**aV>ca&a uiUebilai *f
t- te*upH al n i i graclientol tiiaietietemperaturprovoacfigurarea
temperat uraraedieInRtmeturatimsiliciu, atingevalori de250.fi
taparetopireaaliajului delipiri*&*#ueImli pitmb6^-m
aparemt^ralllnri inaliaj;
materialce de. privare *e pot det <ik*ra. Injatijrd p^ii>rrftiek
de bloc ai t*,
Efectelesplieimhpetateaimpulsurilor tl*j reiat dep04iK'ela
direct euvaluarlamal uiaredecit 1rio*Msint cumulativei prvoa<r3>dete
riorareapro#resi v&aperformanelor lis- j oetivelur.
Trebuieuhliniat faptul tiuurmaaplicrii acestei mptmaxtnmda-
pozitivul isi pierdetempitfar atit capacitateadeblocarentea^i&e*#k^
tiriator) eit ,tcapacitateadealspuudr lacomandapeport4|tiiler)f
pinAlemaderetemperaturii elementului semiconductor subaprornafcirr
220'<tediodeni aproximativ150^0lat iristoare,
Dac euprtutareifui de eurent e&U urmat de aplita?s& tfinaiumii de Mo
care Vnm, procesul de degradare treptat este tnlixmit de det/ rmOarm br**r
fi total a diapozitivelor, eaurmareaprelurii unei energii suplimentare
Intimpul aplicrii tensiunii inverse.
Depirea J rr>,- / r ,r,n . Diodele i flriMoarele de putere trebttie s
suporteaplicarea unor suprasarcini de curent de conduc ie n di mt mal
mari decrt J/(0rJjwh<1***aii *i c t deeit /r(orT-, [narjUl$%facondi
i i l e apl i cam unor tensiuni averse de pln s 0,M V/mm Acest lucra este
valabil dac. serespecf. indicaiile date In foai a de catalog in ceea ce j ire
vestevaloarea, duratatrenului le impulsuri i condiiile de evacuare a
cldurii.
4.5.2. Defectarealasuprasareiiti de tensiunei suprasarcini de pa*
tereInstrpungere
Defectarean exploatare a multor diode i tir istoare de patefce
datorat, aplicrii laborne a unor tensiuni eu valoarea mai mare t^cit ea
admis. Defectareasepoate produce in dou moduri;
prinstrpungereaizolaturilor smtonturnare*f , ^
prindefectareastructurii dinsiliciulaaplicarunei puteri exce
siveinregimdestrpungere.
Strpuncferea uolatorilor sau ronturaare. Strpungerea
poate apareja punile monofazate cu eapsul Hatcfc isolai de puntea
propriu-zis, la module mpacte i la dtverwe modulde puiere aud
parte de for este izolai de hiemal de comand a susinere. Dm*
menul de mpm&sm #*te favorizat < prezena maezeHi. In general
str&nuiiKeiea izolatorilor cr*** o cale de curent parazita de ilet mb
trnk. '
la ea* atate constituie strtauremi fc^tor^dm Mfc
lacapsulele de tipul /*>33, *M, M$tM$, jtttel gA
3000 ore de funcionareincondiHgrele(umiditate, praf^pe *
izolare se iormeazAcanaleconductoare {xm pm
disteadecontinuare. -W
Apar astfelti*pm>*c
definitiv funcionarea dlwi*>*k*
de dese&reri fme pe sufBi^
Oeri e). *-'
Detectai* trnctimi din silleiu 1 aplienrea unei puteri excesiv in
trezim de strpunjert*. Ov ojonciunepn este adun&n regim de strr
pun gen* <-u o Alergie suficient domare, ease defecteaz ireversibil i total
{vezi figura 4 .40).
Cana!
Fi:,. 4,39. Defect* rea prin contumar e datorata
unor canale conductoare parazite, la capsula DO-13.
Modelul defectrii [51 ine seama de urmtoarele fapte:
pe*teoanumitdensitatede curent </D, caracteristicaInVHa
unei diodepolarizateiastrpungereprezinto zonacurezistendina-
micnegativ$
exist neuniforinitii inerente ale rezistivitii siliciul ui, in planul
structurii:
d^cc/ot*rfrco inificjf
Q)ccracrf,shca stectat
: 11 & <. U*ettr ei*#terMiei}ut.ii ouc^iiutl m la \
^ * * i pateri eiwuv* la regim 4# strpungere.
I tua*&r*t*en&diii i^vtaLttjUf ^orepunxfnaredefectrii unei fcrueturi
la- afftaacga-mmimteri e*<:i venr<*gimdestrpungere***
ia | aerjMl* diode* epr$ jml* de tensiaee mai mare decit
m <iu- ia t fpuuu*^ dUielwriet jonciunii / >*;
pe o zon. de arie mic cu rezistivitatecea mai mic, densitate
de curent depete limita J a *, caracteristicaIs~~Va %diodei aaecaai^
acestei mici zone intr in regiunea cb rezisten dinamic nesativ: drept
consecin onrentul se va aglomera ctreaceasta zon.;
localizarea curentului pe o ariefoartemicii provoac nclzire
puternic a acestei zone; dup un timp scurt, deei te va zeci de nucronfr-
cunde se produce topirea localasiliciului, nsoitde cderea tensiunii
de strpungere aproape la zero
zona de topire se poate extinde, nsoitdenrutirea condiiilor
de contactare i rcire pin inmomentul n careserealizeaz echilibrai
ntre puterea absorbit i cea evacuat dediodsaupin end caua*
extern a fenomenelor dispare.
4.5*3, Defectarea la temperaturi excesive. Ambalarea termie
Defectarea latemperaturi excesive. Temperaturaconstituie factorul
esenial pentru majoritatea proceselor dedegradare, latoate elemente!
dispozitivelor de putere : structura dinsiliciu, elementede contactare,
capsul.
Structura dinsiliciuse poate fisuradacestesupusla temperaturi
de peste I75C Bau sub 55*0. Metalizareastructurii dinsiliciuii?i modific
propri6tlle de conducie i aderencaurmareaaccelerrii reaciilor
chimice la temperaturi nalte. n interfaametalizare-siliciupot apare
fisuri cn tendin de propagare Involumul structurii dinsiliciu. Materia
lele organice de pasiva rese depolimerizeazlatemperaturi de peste 175*0
dup citeva sute ... mii de ore.
Sistemul decontactareprin lipire cu aliaj moale(PbSn, PbAgln') rea~
lizeaz adaptarea dilatrilor diferitealestructurii din siliciu i ambazei
din cupru. Cu cit excursia detemperaturpecare suport lipituraeste
mai mare, cu atit va fi mai maredeformareaplastic aaliajului. Energia
transferat aliajului prinintermediul deformrilor plastic*generoas
fisuri in masa aliajului. Acestea nrutescatit rezistena termicet i
rezistena electric introduse dealiaj.
La dispozitivele cucontactepresate dilatrilediferi lealeelementelor
n contact conduc1*alunecri relativealesuprafeelor. Kfectui frft&rtlor
ce apar In acest modeste minimizat priaalegereajudicioasapereefeiler
de materiale n contact. Seobineastfel ocomportaresuperioeraacestvA
tip de contactarefa decontactareaprinlipire, lasolicitrileintroduse
de temperaturile extreme.
Gapsvidemetal-eeramicsaumetai-Aticlsepot fisuralanivelul sudu
rilor intruperechiledemateriale, undeseooncenUtswtmastmul efortului
denaturtermic. Eigidtateadieteetrtcaizolatorilor dinHffl I
sticlscadelatemperaturi nalte. Rezistenadeizolaieaacestor oapsul*
poatescdealatemperaturi negativ, dmoatizacouiteusruumei^eUi rp%
dualepepereii Interiori i cagulei*,
Capsuleledinr&wi epasLidke*ausmeoa^, *fiiure^^i^mar^
pi'oprietti deprotecie\ aciuneafoctoriter demedm(eian$ifcvt*U
aceastampoatentmpl*eindtemperatumambiantdep^e^13TO
sauscadesub'**MTC. fc
AcoperirilemehUioedeprotecie
1 tcniueraluri de uwte ^
joase, de ordtmj) i . J t&Si I M O S H H H i H i
-
I
petermiidkk' rttsMu.fum- dt*ohuinnipru(dupci leva gute...
deore), mti cervm^Mtimtesud&bilitateaace*lor terminale.
JPrintecautelefrecveutegeneratoarede temperaturi excesivemm-
k&fiim.
- suprancrcareairi putereadispozitivelor;
' evitareafcecoreapunxtoareacldurii disputededispozitive
urnitei eadmbilanul puterii disipatedediapozitivea puterilor
d&ipate1*fmi&u&fe, nblocaresaulacomandapepoartlatiriHtoare*
'StemperaturaatubiautAexcesiv;
?>- pnuatfm decurent, tenaiune, putere;
~~apreciereeroBatamomentului realizrii echilibrului termici
#isi>obrcasituaiei observatepentruregimul permanent. Astfel, de
jRxtfUplu, *4*vraf<w Umperttufi i radiatorului MM dup un mi nut
4a Ut pmtterm tn funciune d o gupmiempemtur de aproxi mati v 6 ori
f*#i Mea dseit m'4-Wf i mmurtit i s stahilim tr*iimv1ui d& echi l i bru
tmm tui*r rmL i:.|m . .. * .....
AaMntatermic
FiUi<ii >imi ea diodt lor |i in *oarelor deputerelaotemperaturcu
pr^iinialetvidul jwjrufi*specificat: esteabsolut obligatorie, dinmotivele
fjnpueiuparagraful precedent. Acetst#temperaturrezultdinechili
brul iutreputereadiaipat, P&i putereaevacuatPa>ilustrat dereia-
Mfe- (lljf,
Po- P,f +FAr 4- r9Ar (4.47)
(4.48)
.< gjt * ftfk;--- f
P*P* (4.49);
n ?*%tUV (4 47). (4.4$), (4.4), P , 4f eateputereamediedisipat
%njudn*-! i<\ t*nivP'eputereamediedisipatteblocare, iar P^qat ~
| roi**mi. tMedie pierdut m emnutaia in invers.
^iieRul meriii^iilitateac-eamai pronunatlatemperaturi este
1%ur ^ citaia(4i(l):
IV i*/ P f A ( -J - -)], X in IC (4.50)
L VJ t*ir M/ J
T <P#*>rtemWr<>atiMpaiInblocare, dacT) ** , iar A espiini
Wft 4#vairtap#attttftrt. akipat*1Wpeare(mai precisaeureutulu
mWMWifcK#1teufunctUt'i me*adinitteiu, valoarealui A e*t*
I*i n #v reiat iiU (4.47, 4.48, 4.4i>), capt torina
uode T*$r rejrezmttl. tempmton puls fcaltti fi*" rtterint-A*
dat; ea poateti a mediului, 7, a pnne tui ui defpire m tnple,
T{*aaaradiatorului, Tt.
Dinanalia*i expresiei (4.51) 4 constatapotUnlittM r%#tjmex twtM
procmtermicreqen*raiiw, cunoscut subdsnumir*deambalaretermic, Astfel
daoRw-rhf constant, o cretere mic aIm T, determincreterea
exponenialaputerii disipate; aceasta conduce, lariudni sa Iaonon
creteredetemperaturi a jonciunii efcc. Acest proces iuavalanear
poateduceladepireavalorii maximea temperaturii jonoitmii poaUt fi
evitat dacseimpundoucondiii. Prima condiie esteeapentruecuaia
(4.51) sexisteosoluietaT, i aceast soluie sa aparin domeniului de
valori permisepentruTf, iar adouacon di ie este ca
d f0
dTj
<
i i i
dT,
(443}
Aceastrelaieexprim urmtoarea condiie fizic: creterea de pateri
disipat, datoratunei creteri miei a lui Tf sfie mai mic dect cre
tereadeputereevacuat, datorat aceleiai creteri mici a lai T,.
Dacexprimmpe P*, in funciede VMiTi IKMi considerm c
Pf,AVnuvariazeuTh obinem din relaia (4.52)
Tj iaK
Dinrelaia(4,53) sepoate observa c rezistenatermicjoac ua rol
important In asigurarea stabilitii termiceadispozitivelor depatore, t*
aceeai relaie, fmer h* reprezintputereamediedatorat pierderilor
nblocare; exprimarea puterii medi i inblocarenaceastforma est bao&t
peaproximareaconservativ dat da relaia(4.54)
- T
ExcmpU
> Fio o diodil HA'XJ c*re fuftci ** 1* (gtta <$rad** & r**. >mm* *
tai pe barel mataife et sigflfd a30*0/ W. Tmi am*, ftirvfit ffj y*f S e Vum
* V. Din retolvsrta ec*ki (4.S1)* wmitat Tf** ISCff. m irwtc Uii'i
Condiia de labUituU impisf Nwiiwr i*g*UUti
d*i ftjultfumea, cu Hait* *#
Ift *ttUhUaff%tennica au anpi h .
iN* k T? ** I-HWB *41)0 V ; eurentul tnv c
#1; vtrf A# 3 mA.i'.tttwte k **1 montat p* ludator ci funckmeaa conretatji
ift m tir*, r t* i i f fietHf-f# partvunwt'tf ; ni ttst * Rttf* **tf Ue aproximativ 50C/ W
Gon&fta #e ^sfelliatfc ttrawtei sm s* verifici.
H E S - M# * ! ' * (125 + a^l)3
>. ,- > ; . .fcSS* J il x $}**. "
{^"'5/' -'V': .Iy ^..;-' '\... t . . 50 X $300
ift
K n 0,446 > 0,382
fltKiH i Me un finie* Ums^ ftM) i se anibleazi terml.
44.4. Ofiii'a termie. Dejradarea eontaetelor
tit**ealaUtmHk
Btruetuiedusiliciusiui contactateekntriei termiclaambazeprin
lipire al saje{M*lazadePbSasaapiirt presare. lutimpul funcionrii
temperaturii structurii *i acelorlalteclementecucarevinencontact
poatevariaIni^ifctemperaturilor permise(ngeneral 40 .. ,4~150CC.
Biseau* aiuritor diferitealecoeficienilor dedilataretermic. ntre
diverseleelementeimHiimtt apar eforturi mecanicedeoriginetermic.
Efect ui acestor eforturi aaupralipHurii dintrestructuradinsiliciui ele
menteleadiacenteestecunoscut subnumeledeoboseal termic [1 ].
Hi efortul laeareeste8upu<aliajul delipiredepetelimitasa
4eclas! iertateapar deionnarileplastice. Deformrileplasticesnt nsoite
fe-ajiarHiafi.ui itor inalia] cai cdeterminainceledinurmcreterearezis
tenei mtmu^hi eieetnceaacestuia. *roeesul edegradareestecumula
nt si regHierstiv{erttu-r<*aresistenei termicet electricealipiturii e^on-
tmk cretereatemperat urii structurii i, consecina'mreteefortul
4*oirifp-aetermicVf*roesul dedegradaregtemai accentuat iaperiferia
$udn?yeualiaj, deoareceaki eforturileauvalori maxime. Degradarea
lipitamtruetuni laarabazemanifestaperi ncretereauoaraatensiunii
t eomJmie, ?(eu1,0,. .100 ruYdup3000 .. .6000cicluri cuATj =
i ptiueie*teieamarcata, arezistenei termicejonciunie-cai>Bul&,
Ut/n-*1 vt**4k' cu50.. 400%ta&d#valoareainiial, dup3000.. ,6000
ewluri euTj m100T%
t^cercrile sistematice avtnd ca obiect verificarea rezistenei lipituri
l e cu aliaj moaie la solicit ares de oboseala termici arat c, intre num&rul
feveaiuit ei^ur**a jb tempe rturi 4T a ciclurilor i diametral I* al
: tal artui Uzurii) exist reaja f3j
S I )\ )* ** C . (4.55)
|8k|h::0 ite0
Valoarea antei Cdinrelaiademai uestedeterminat &depere-
ji^aa a^ai/aj^aliaar^patii^deilfemsi dciaracteristic^la
facwsM^rli^ak^piturti (gfOiii#, orm&) precumi destructiuasa(pu1**
iH H H fi H | | K -
3 i te putere raaUxat la l i* Rti- H M ^
tt m a n *Vi llftj tnuab tmi ti k l a 6000 , , . \ m m r ieluri
detempeialmcukTf *=&ItM^O\ aeeaMperformanaafoat
prinoptimizareaaoluiet constructivea4ipoxitrvelo'f.
Tehnolog!de realizare, a contactelor prinpresare, utilizaii pentru
dispoziii!'di mareputereeliminproblemelespecificeintrodusedefefio-
menii! deobosealtermic, tnaeea^l&situaie disvpozitrreletnprezijrt&
deteriorri sensibilenici dup 100 000 cicluri cu &Tg wlCW^D.
Degradarea contactelor
Legturelectricntrestiuctmadnsiliciui borneleexterioareii
dispozitivului .~e(aceprininteimediul unor elementeauxiliare, cumar fi
conexiune intein dincnpni, lipitpesfiuctuii sertizat&aborii*
extern.;
fir dinaluminiu-udat lasiiuciiui labornaexterni;
coi#, lipitlastmctui;
tres, i>erti zati laboi mi extern, cucappiesat peatrwctur;
piesdecuprupresatpestructur.
nanumitesituaii rezistenaelectne&atraseului realist deatesto
elementeauxiliareerectesausetransformncircuit deschis, eucon
secineuor deapreciat. Manifestareaexternaacestui fenomenoeoiwt-
tuiecreterea tensiunii deconduciendirect i sa u apariia instabilitii
caracteristicii de conducie n direct.
Cauzeleapariiei acestui tipdedefectesedatoreaz:
productorului dedispozitivei sint generatedereglajeincorect#
aleproceselor saugreeli deoperator; elesinfceliminateptiucontrolul
proceselor i controlul interfazical f-omponentelor, precum*i lasortarea
finalexecutatpefiecarecomponent;
beneficiarului, nurmafolosirii incorecteadiapozitivului: soliei*
ti i mecanicenepermise, nclziri poatelimitelestipulate*depireavalo*
rilor curenilor IFrmsm, ^onw?^ respectiv Jtsm-
Frecvenaacestui defect nexploatareestedestul deredus, insdepis
tareasaestedificil, incondiiilencarenupoatefi vizualizatraraeii-
risticadeconducieadispozitivului bnuit afi defect.
4.5.5. Degradareapasiv&rii
Degradareapasi varii constituieunadincelemai frecventecauze<3
defectarealedispozitivelor semiconductoaredepatine. Kamwiinife#t&
princretereacurentului rezidual al strugurii.
Mecanismelededefectarea pasivrii afnt pacifice pentruflecare*lfc-
nologiedepasivare: prinacoperireeu, materialeorganice{polimeri skoftQ1
sausilastene) sauprinacoperirecumaterialeanargantee{bioxid9
fi/sausticldeprivare), -
Degradarea pasivrii orpoiw |
Pasivareacumaterialeorganiceeon*tfa depunerea um*l
silastenpestesuprafaa lateialcorodatcMniic a pastiU-i din | ilicit
nrealitatesiliciul se acoperpractic instantaneu ca opeJ ieuJ Stk* cjlu
nativ (imediat dupcorodai e), crescutlateatpemura |hHh|HhH
pasivareaesterealizatdeeJedoustraiuri sacteeaSv*: de oxkl I M|
ten. He reine faptul eoxidul nativ H| ^BWBa

I I I
119
i r t i u ; h !
1 | i !f| :' |
f| I f 't ? i
" -e. 9 2 S T' w f t &. I
1 * 1 t | f I l i s
f t ! * H i r ; l *
l l l i
lT * i i W W $
r * # u *
*r #r * i s? <
U l m i i
l i
i r !
pft* fi p+r*l4 tut*t*hiiit*ie* caracteristicii. curent rezidual crescut)
muavfculre^att (m&t fimttt V. I a nclzirea dispozitivului defectul dispar
'itiiwur^-fii unw**^ * evaperirii apei.
t^faviimeli*ert&feaadttgtaare*iet piolcjatlaptrundereaumiditi
prin 0i*at*timcagulei AplicareataUtilizareaunor solicitri meoaniee
iiirrmwmmat mari dectt celeadmisepoateoonduclapierdereaetanei?
t&urifKiMor.
&m*k cel* ibm vulnerabile la p&tnwdere apei slut mbinrilei
tmtmr&eisolate: aud urile capalei, Midnrilemetal-sticiAi metal-ceramici,
tm#rde met&lplMtie, metal-sticl fi metal-c^ramici. Siat deasemenea
v^aerab* capsulele realizate prin umplere earini organice.
4 Ceraitaaea capsulelor
Acoperirile de protecie ale capsulelor eomponentelor snt destinate
tttdixrii dispozitivelor inmerii eu agresivitateredus, nczui ncare
mediul *#te deoaebit de agresiv i conine cloruri de sodiu, depotasiu, de
alela sau de magneziu saa hidrogensulfurat i ap-, poateaparecoroziu
nea unoradin metalele de acoperire sau chiar a metalului debazal capsu
lei. bonele de atac chimicsUit localizate la suduriicapsulei i pesupra
feele ea mierofimin hw eori aeaooperii.
n canal unor aplicaii la condiii grele de mediuseimpuneutilizarea
utu*r i omponente cu acoperire chinui eadeprotecie mbuntiti luarea
tmof mihun de protecie la construirea echipam intui ui.
4.5.8 Dffadam elecaeatetar aastitutive
Iu aaest paragraf vor fi deacrije eiteva tipuri da defecte produse de
gradarea eleuienUdm constitutive ale diapozitivelor semiconductoare
di* puieii' Acest* defect** par inmod neateptat i sint In general
eaiastotalc.
Fii wi m tielei deizolare acapsulelor apareincazul Incare! deten-
Stonareaceurmwazil sudurii sticlei uti e-deupleti. tuacest cazdescr
carea leiwiuoii internar producealeator avi midrept consecinfisurarea
iol*fc<tojlui dinUcl4. Aceaslaprovoac, Ingenerai dezetanareacapsulei
fi ed**frt| performanelor deblocarealediapozitivelor. Frecvenadeapa-
liipa aee*tui def<"Ct este redus.
turare*materialelor plasticefolositetaumplereacapsulelor poate
aparatonei MndeoeidbUudedilatareai materiaclor{incontact nuslut
iar formaeonstraetlvaupermiteacestor materialeaft se
dfialet9act,
: Sfrtfm&d te, numai in condtiilu unei atmosfere umejje fi la
tesoperatari f^M^drve prtu dt^rudarea caracteristicii de blocare a dispoziti-
-'1H M
siliciul oonine defecte majore de earefter*; ^*> "5
structura din siliciu provine jfintr-o plachet puurale U^mhiuKt
Defectareaesteingeneral antrenattermicaumecanie.
Defecteledeacest, tipfnfc relativ puine, bn prtidSK moatersa difi
funcieadispozitivelor, 8e observ dou tipuri demanifestare a&&&>*
tclor:
dispozitivul estescurt circuit;
dispozitivnl prezintocaracteristic de blocareeu dou ramari*
ca nfigura4.43
Fig, 4.43. Caracteristica de btnori a uut
pastile din siliciu fisurat: a, l ~ cefe dosi
ramri ale caracteristicii du blocare; ra~
mura t este stabil dac puterea ia ia vom
nu crete excesiv; e caracteristica de
scurt-circuit, consecin a nclzirii n t m i
i topirii locale a iMctaial.
Comportareaaceastesterezultatul aciunii capcanelor departttsr
desarcinceapar nfisuraproaspt creat. Subliniemfaptul ene.re*rea
in putereIninversaunui asemenea dispozitiv produce, inceledinurm,
topirealocalizataailieiului, la nivelul fisurii i transformarean t&ar
circuit adispozitivului.
4.5.9. Defectarea*lamoliei ri mecanice
Solicitrilemecanicecucaresini confruntatedispozit/velesemkoct
duotoaredinsiliciusint dedoutipuri: solicitri statice i sobeitri dina
mice.
Seconstatcsolicitrile mecanice dinamic* (vibraii, zdruncin*
turi, ocuri) practicnuproducdefectareadispozitivclnr de patere, 1
sint nlimiteleprescrise.
Solicitrilestaticecareincludtsalteftrtfesuportatedep*e**&&
manipularefi montareproduc, uneori, wprocent suprtor defetate.
Deoarecesolicitrilestat ireint foartediverse{traciune, mpiniajuruh,
torsiune, rsucire, piitfe, apsareete,), iar Bum_nadecapenltvfoi
pentrudiodei ttrtstoaredeputerelaIPM+BMMAMJLest*mare1
detipuri decapsule), vor fi discutatenumai tipurilededefect*mal se&tgoN
ficative. I)easemenea, eapsuielevor agrup*tedupa^mnareaeomr#-..
ttv.
Capsule de plntto FI U l septul* netskilidl DOI & Awti |
slut prevzute u terminale suple. l>ef*:iarea apaie la eeutiac*
torsiuni nepennise ale terminaWof tpsst# t&F la M mm de
au a plierea terminalelor direct din sudura. (DOiS) san din ncastrare
f'Mftsa Vmpere termmal*4or din tonele menionate.
ttn.ifrl eu arul tip B0-*4< 00STO 48, ICS, Bi- B 27,
B 4g, I Meciare poair apari' In uimitoarele situaii :
se aplici o TorS, de traciune extrem de mare asupra conexiunii
^treeei, pe o direcie diferit de axa longitudinal a dispozitivului ; in
lnnf *.,$? poat apare smulgerea je xiunii sau spargerea izolatorului din
iiifl mq din ceramici ;
capsulat -ie strtnsi cu un cuplu excesivsau/ i pe o suprafa rie-
pfaB*a;*i ncondiiileIncarefiletai e*teun euvaselin ; In acest
*#efoarteposibil si se sparg structura din siliciu ;
^antrenul est*prea mare iau i gaura filetati nu este perpendicu
lar* pe suprafaa de aezare ; m ace- eaz este posibil si ne spargi structrura
iHksi
..**. aplici uti e Hpiu ne permis ia conexiunea ncastrata in sticl sau
g*giidk< In acest caz tudtira eonexiune-sticl sau conexiunc-ceramiei
* * - iii y diH]w>*1tival i,( pierde etaneitatea, iar rezistena mecanici
I ^j;iKi>iii <uit *mtsderabiL,
fApswi* tifi Defectareapoateaparein urmtoarele situaii:
-- presarea capulei m faci*fatr-oguri eu diametrul prea mic i cu
a tor ev<>tv de mare ; eapftla se poatedeformai structura din siliciu
fe po&U sparge f
asupm conexiunii seexercii o fori detraciune sau un cuplu
aepmm** ec* produc ruperea sudurii ntreconexiunei sticla.de izolare;
ffip^rHtTTi1^ df/ .^Um ;<u/ iar rezistenamecanic a conexiunii scade
(.ap!K\li, Hedefecteazfoarte,*reudaci seaplici solicitri statice
prmtJ*dai sepot defectaiac,*sust supuselaforesauloviri oetindsi
cagulasaudacsiat triaseintresuprafeeneplane.
Fi2, Defectarea acestei capsule se poate produce in urmitoa-
rwi* ciMiri ;
- #iriii%e*e pe *upraf ae de rcire neplane; aceastapoate duce la
iMr| rfia itruetuni din silve ia ;
ind<mua dm ncastrare trai* t unu sau cuplu excesive la conexiune ;
igialtaa produc rupere ^udnru stivli-eonexiune, eu consecine asupra
eta^itrii i robu*le$i terminalului respectiv,
( Ti) *0 fi Silf 31. Hodoleeu*4laapliuareaurmtoarelor
r gae^ueexc*His<*laterminale
m4o*rr*t#nn>mk*lor dinineastraresaundoireaterminalelor pe
; -mkm i ?;
U rimmvrr* tnnnmaleior.; - ;
. iariagerea. ap*uM pe suprafee ueplatie; aceasta poateduc la
hB|hh stru^turndinwlMu.
tifwtf8 ~8Daci aaupcaterminatelor auxiliarseexercii efor-
ImHi ri poalesureemrupereaacestora.
W w m
CapsuleT2#,T-38,T-5i. L capsuleIntimsodowtipw'J m
defect:
spargerea pastilei de ilieiu produc de i&ritigereexcesiv isire
suprafee neplane;
1ruperea bornelor pentruterminalul depoart$i pentrueaiodut
auxiliar, provocat de aplicareaunor eforturi excesive(traciune, ndoire,
loviri).
Ambele tipuri de defecte Kint ins extrem de rai* ictilnite.
Capsule1PM, BC. Defectareaprinrupereaterminalelor poate sur?#!#!
ca urmare a aplicrii unei traciuni excesiveauandoirii dinncastrarea
terminalelor.
Capsule3PM. 4PT2. ndoireadmncastrare?aundoireaduplatura
micpot produce, lafel cai ti aciuneaexcesiv, rupereaconexiuialer.
Capsuleiemodule. Lapunileedresoareauto(40PT2, 45P3H2,
60PT2) i lamodule(diod-diod, tiristor-tiristor sautimtoi-dkjiri&)
defectareamecanicpoateapareatit laaplicareaunei solicitri direct
asupradispozitivelor semiconductoarecomponentesauasupraixnbinr
rilepracticatepentruconstrucialor saupentrumontarealor.
Astfel, montareapunilor 40PT2saut>OPTZpesuprafeedeaezare
neplaneprovoacunputernicefort deforfecaretransmis, ladiodeleRAG
prinintermediul conexiunilor. ModuleleiiIi, deexemplu*pot fi distruse
dacsuprafaadeaezarearadiatorului pecareemonteazestenepten.
4.5.10. Degradarea la radiaii
Dispozitivelesemiconductoaredinsiliciusnt puternic'afectate
expunerea laradiaii nucleare.
Defecteleprodusensiliciudepinddetipul i caracteristicilera<
incidente[4].
Radiaiafi producedeicctepunctualesubfotmaperechilor ntorii-
ial-vacan. Numjul defectelor nsiliciudepindededozafi energia
radiaiei. efectelepunctualepioduFesnt mobileinsOicm, pesteoauumM
tcmpciatui. Elesepot giuj antreelesaucuimpuritileI pot da
natereladefectecomplexe. S
Radiaiayproduceacelai tipdedefect eai radiai*$Ait/el fotef$l
producpernei electron-poutmnsaucedeazparial energianoi lactron
(efect Oompton) saucedeastotal energiaunui electronelect fotetelefctrifcjL
Electronii energetici produi deradiaiaincidenI ff componta1*2
earadiaia$inciden.
Radiaia de neutroni produce degete dvoHibitde coaapWJ u^
sub numeledeciefefcine (*fcteeie de defecte).
Defectele permanenta introduse de u adie* e mtidttic
tileelectriceftJesilieiului, inuimioaleleavodur I I l~
:~+concentraia dejwilltftimobil ;
& timpul de via *J mrttoiilor oaisoritari Scade |
- mobilitatea purttorilor mobili scade;
H# f>rwiuee iii aceat fel creterea nsiuJiii dcondueiefi ofeftern
acurenilor rafciduahai diapozitivelor semiconductoare
4VU. la di/dt
Shuv.i defdtK3ik afiri ^toatelor nuserealteazsimultan, nloate
ti 1*artei structurii dinsiliciuAceasttaresepropagdinvecintatea
et-etrodului depowtt (iif oproduce, nspreperiferiatiristorului, ouo
vi**finitdeaproximativ100 [m/jAS[$}. Dwvi tonadecreterea
eureotolmanodic, di di estpreamare, curentai esteobligat scircule
pnntt-oam*decorni ucefoartelimitata, invecintateaelectrodului de
oniao<&, jjrodoeindnclzireaexcesivaacestei aone. Supranclzirea
datorti. vitezei decretereexagerateacurentului anodic, d/dt estemai
accentuatatunci cinddeschidereatiristorului arelocaccidental i necon-
trotet, prindr dt anhraak-evtr. nacest ca*rarpindireastrii decon-
dueiesefaeencet t fenomenul deaglomerareestemai intens.
Itefeetarmprindijt sedatoreazinultiminstansupranclzirii
Iacaleahtrueiuiii dinsiliciui arecaefect difuzialocalmetaliaare-siliciu,
topireananfisurareasllcinlui.
4.5.12. Defectarea prindv/dt la timteare
Becunoatefapt ui c aplicarea unor pante de tensiune intreanodul
l glodul tiristoareloi poate conduce, inanumite situaii la deschiderea
iedorita acestora. Astfel, nprindereaare locmai intii in zonacarende-
condiiadr*coaducie1a nivelul cel mai sczut al densitii de
curent anodic. Aceast, zon preia ntregul curent anodic i este obligat
ssuporteaproapeintegral puterea pierdut 1a comutaie. Supranclzirea
oralestefoarteputernicdac di dl nu se limiteaz i poateconduce
Ni difuziaIntremetalizarei siliciu, topirea sau fisurarea siliciulni. TJ n
fenomen similar se producei laaprinderea prin break-orer, cu meninu-
cazzonadefectatesteplasat, in general la periferia struc-
terii tirifitoi ului.
4*5,L3. tiMibiiitaiea tfieoiinii de uAiiizan
THodeetahilizatoaresnt destinaisstabilizezetensiunealabornele
fatf isatr-oplaja de cureni de strpungeredat. Elennsnt proiect ate|i
i aII.secereaasiguretolerante;.foartestrlnseale. tensiunii dentabiU-
aaret niej stabilitate deosebit intimpaacestei tensiuni.
Aecst* performane sint realizatesi garantate doar pentrudiodei
m*?fvn*4?tmrnun*. n multe cazuri ns, diodelestabilizatoareslnt
fe&ifcite inIncul diodelor eu relermA de tensiunedin motivediverse. ba
tttseleeseraplarediaceste diode stabilizatoare se observetensiune*
f*msurat launcurent l9se modific in timp, frotendinanumit
ea^aksari de plntaaproximativ1,5%dinVt, Esteevident cpentruo
referinde| a*iaae aceasta! jwrtormanrelativslab*Caua*acestui
:
estecaptareat eliberarealeatoareapurtlAotUwf d#rjamGte
rapcaneleeiiatenteialicshi i pesuprafaana. Aceatenarcii ffwaitfre#
dtMribniadeeitnpdeclic, dec*i tensiuneadestabilizare
4.0. dam se alege ulii dispozitiv semiconductor de patere
4.6.1. Criterii de alegere
Problemaalegerii unui dispozitivsemiconductor depaterecompori
doucazri distincte:
utilizatorul intenioneazsfoloseascdispozitiralali^mieciBdacter
doputereeapies de sehimh pentrunlocuirea uncia defecte dintr-an eW-
pament dinimport saurealizat cucomponentedin import (ca*nl echipa
mentelor realizateeucomponenteIPES- BAMEAHAeste banal) ;
utilizatorul intenioneaz&afoloseascdispozitivul eraieondne-
tor deputereintr-unechipament nou saureproieetat (situaie ineare atili*
zatorul i a^umi rolul deproieetant ai echipamentului).
ncazul ncaredispozitivul cetrebuie ales are rolul "pies de sehtnfc
utilizatorul trebuiesparcurgurmtorul algoritm de operaii :
1 . Stabilireaperformanelor dispozitivului ce trebuie nlocuit (identi
ficareaproductorului i atipului, obinereadatelor tehnice aleprodusul ai
dincatalogul firmei respectiveetc.).
2. Alegereaunui dispozitivdinfabricaiaIPRS-BNEASAcaper
formanecel puinegaleeualedispozitivului cetrebuie nlocuit (ta aee&i
scopsefolosesccataloageledeprodusesaughid urile de echivalen, editate
deIPR8-BNEASA, comparaiaperformanelor fcndu-se n urm
toareaordine:
sealegetipul decapsul cel mai apropiat de al diapozitivului ee
t rebuienlocuit;
sealegetipul dedispozitivin capsula respectivi care aati&faee
TOATEVALORILELIMITABSOLUTE (temperatura jonciunii
T<. ncrcareaincurent, ncrcarein tensiune, limitrile iure*ea$a
delucra, solicitri mecanicei climatice etc.).
Serecomandacadupefectuareanlocuirii {respectndregulilede
montaj precizateincapitolul T, utilizatorul sefectuezei te vamA* urtori
deverificareatemperaturii de funcionarefinpunctele precizate ia $a
decatalogaprodusului).
n cazul incare dispozitivul ce trebuie nlocuit provin di eaoU*;
guraii speciale de circuit cum ar fi grupuri de dispozitive conectate | |
paralel, in serie sau n combinaii serie paralel m ttcvmcmM niominm
tuturor dispoziiilor i* k#j| M1 9P (r<^pctina~rfrecomandrile
pentru astfel de cazuri din capitolul T), i l i l ^
nca&ul lacarenuegineteuaec&valent al dispoxtvuteilll
reeomandi unafimurmtoarele'
nomenclatorul IFBS-P HBBA
opiuni:
se contacteaz specialiti*
Pentru gsirea unei soluii (sortare speciala et^,};
ieRS-BiSBASA ~ M(i* p i #
reproiecteazhemaresp^di <porninddeladispozitivesemi
conductoaredi ii nomfiiielatoiul / PJtiS- liJ?EA SA, inacest cazi e^pee-
tDtu-swcrteHili<IealeprrecoreNpunz toanepentruproiectenoi.
n cazul n eare dispozitivul urmeaz sa fie ales 'pentru un echipament
(prwicei nou) utilizatorul trebuie.-a verificeprinGAIXULi apoi prin
M ASMATOlfrdTsiKtcniniievalori Iimfi a al dispozitivului este respectat
fn totalitate (eoufarm precizrilor din 4.1 i 4.2).
Inacest sensserecomandutilizai eaboi mei tehnicesauastandar-
dului de proriu- cadocument normativcaicdescriecomplet i corect dispo-
ziivuJ.
Avimt invederec&precizriledin4.2privindsistemul devalori
limii*absolut &mecanice$i climaticesiit completesevaprecizamodul
Incaii- vafi verificaii compatibilitateadispozitivului dinpunctul de
vedereai internului devalori limittermicefi electrice.
nTabelul 4.Vxnt precizateverificrileeetrebuieefectuatenfuncie
4tipul dispnjsitivum.
. Tabelul 4-9
Criterii i t <vmptiM$Utfe ie dispozitivelor sctnU*<j>ndncioare de putere pentru a; licat.
,TJ rii<M*re
(toata
J annUa)
Diode
Ereii de compatibilitate
Bftrmale I
>t- 1
rapide
u avalan
controlat
1stabilizatoare
loercare in putere (TWm s )
w
^
.
Capslsiitaiea de Mwarr
' ;
I M b i
. "
f e *; )$!<k
laercareti ia regim dina
mic {Aiti, fi, toau-'j
tetie)
r 1 * .
7 - x.
de HprB^arcm.i j
m g # ' 1
1' k
r f t f . *
Ibx&rctre 1q event (I t a Vi )
frimtu f r or 1
!; ! 1; * ) < ^ . ,
# verificare* cwi'aparUfeiHtlH tic obligatorie :
t, iMOdwi' verilkwrea
#.6.2. Calculai ncrcrii fa putere
;v ,,Cois#d regimul eeetrc iu eaje urmeaz i lucreze dispozitivul
i^atfcori4uctor secalculeazputerea disipai total ca o uma, a pierde
rilor de putere pentrufiecare regim de funcionare (bl ocar e, comutaie,
eonducre, stabilizareetc.}, conicimdefiniiilor de la 4.3. Estimud In
mod rt mai reali! temperat faambiantamaxim, de funcipnare T%aM se
calculeaz temperatura virttialmaximi ajonciunii eu relaia demai J os
(preaupunirid complet caracterizai sistemul de rcire):
Condiiaminimade compatibilitate este
%*)!%#mat <
(4vI>
' inlndcont decompromisul optimaeeepfcabii ntrepre de eo*tj
gabar i t, siguran n exploatare, fiabilitate, serecomandca raportul
T'ifTvtmBtc&aibvalori Ingama0,7.. ,0,9. 1
4.0.3. Alegereaeapabilitii de blocare
Valorile limitalecaracteristicilor debkwaareaaul%amuainvers
pentru diode $tiristoaresnt precizateincataloageaunormetehrtiee
prin clasele de tensiuneVDWM, respectivVRKjt.
Cunoscind caracteristicilesurselor dealimentare, ale sarcinii l alegind
proteciile la supratensiuni corespunztoare(vezi | 7.6.2), ftepot wtabili
urmtoarele reguli dealegereaclaselor detensiune invers i de blocare*
Pentru diode i
in care VN este tensiuneainversnormalce poate sapar la bornei
diodei estimat dincalculul circuitului (fr perturbrile accidentale
datorate reele sausarcinii), iar Or estecoeficientui de xi i w tnn inten-
siune.
Valorile uzualepentrucoeficientul desiguranintensiunefiint 1
Pentru aplicaii ncaresupratensiunilesepot determinasausint utili
zate elemente deproteciesepot alegevalorile minimealelui Gr.
Pentru diodeluorlndnmedii industrialecuperturbaii electromag
netice putemiqe sauconeetatelareeledeputeri mari selucreazcuva
lori C > 2,5.1.
Pentru tiristoare:
n cai;e Cr = 1*7.. .2 (avndia vederec in majoritatea aplreaiil or apar
elemente supresoarealetensiunilor accidentale).
ncrcarea In curent in regim de durata a diodelor.
Regimul de durat infuncionare a diodelor estetipicpentrueon fer
fcizoarolodeputerecefuncioneazlafrecvenareetei (40,. .90 ix). a
acest regim, ncrcareancurent esteluni tatsimultande dou valori
limit absolut.
lfI{MsMCurefttul eficace maxim admisibil ^
Temperaturavirtualoaximadmisibilajoneiuuii*
(4.58)
C r ?,5.. .2,5.
Ymn=Gr^if, respectiv
= vrF| r
M l
4.8.4. Calculul ncrcrii in curent
9
5
H
H
f H
jnr curt>t\ t%ihii tjk* <mrhu u- (tjrr^fftt pjfirt unghiul le ^ondini*
tL d^terminA \ flrntt&mt vj un ntedt %fuKfttoitii pHn tlodft conform
Ifum ** $*($)
tu et.J F ( 6- w*te fQtfHmi 4* form {Y*Mvl 4.J 0).
Tabelul 4.19,
P i y *<Mi| tartori tw# 4 Im m | F yt M 4e h h < &Ih ! fc eeewl s
T4.ft
h
$3f??X! curmihJ f 1
[iimececsrwuf
F M
1
yvs?
(Zh m
W 4 1
247 W~3,4 '-1
3
t r \ c \
so i 'S?
1.4
&.../ &
, \ m
y
Hm '1
iii Mi^fi'iiriHriiittoiiiiii' li
_: 452' ' 1 ' 4,f
ax r& #
m

m
1. -
T ?77
10$
;
m i
g a l i
p g J l# i '*$ 23AZ
#
m . M
;J a j . .j,,}..
. M
% 1 B .
rT 3S>
: ^ V
7 \ . . m
tp $

A ^
^ I ^f
.
6
- y
TfTimmt
t i m
*S\ 0 H
fV**!
J :.j sl
.
*e po*t* afegf3 dioda .eufpptf^te^ apBbaie- leipeethr i psu^i&eteHI.
Vf.0, r# 2Vi mn R* s B t iaie de eataiog) fi se poate ismttmsmuk nb
temui tle rleir* ( J i , ; -
Pentru o miiizswv teet a rekiikF (+.80), (441) # H48>te etfsis*
gcfc / FRS-BJ USWJ J iA aiat date pentru fiecare tip de diod diagrame
pentru determinare* fie a oftatului mMre lunit pentru numite ^ndiii
de r&etre, fie %oon4i iilor minim** de rcire pentru tai arent mediu *t.
n iigHr4.44 sini dati m txtnpk t uUiaadiagramti (ife exrmpta penii/ &flfoVt
a) pentru o aplicai* cu / T i r* K*>A, *l2<r*l, detemUwt eam*<rtsifea
ansamblului de rcire 4- Ar < C,tfC/ W)
*>Pntru oaplicaieinewt t-lW*l, , ..tCrCidlpd* KWS k maatat* f*
ansamblul de rcire eu J !(jkc_* f AffT ~ O.OTC/ W cureat! mediu tifetenbU este
I t avm = A
c) pentru o aplicaie cti formi de impsisan tjffepusgliiulare<?B| o diodi EQOOt
tncrcat Ia curentul 400A |l mautai peunwamWo de rle recu y , a
0,orc/ w poate fi utiiizstpini la 2.^, * ssNg.
Fig. 4.44. Diagram pentrucakulul tBcirdtni Infwtm a ilsedei j&Ofk fc'Mtnitfedutilt*
(a) (F.xctnplu detitterminaresistemului eeem*rea ciWitfti riadu e M A
omi m rtmt p - : i | M W
(I ) Exemplu de dt<muaarr uurrn(ult medMWtoteoabtt rtd a* a| H H R
T, m# S0*C, ^u + P * {i riirK r ~w &).
( f ) i :\ implii de determiwtr ftmperetufd wafcfeaie mim ttUUm pentw u m #
d* impulsuri dreptunghiular* ev 4 * r*J , fi nvwtotl p* de rfcsa*
cu fl i u , f l f *" ' rt~"
In Tatolul 4,11 s4nt w*ntater>?oiti>& tipfa r*drwsowe cdttoOe
ui pro una cu furmeif dc uju& proim on ^i, H H 9 | H |
Irf, efirac.o i medii afe aeritii
lnereare n rurfat b frepfmlJ wwt |
Funcionara i frm (mUmiem * g * '.
tuturor limitrilor HWpuB^toe njEimaht # 1
reelei (precisa^ n pangmtul B H M pA s
-m
regimul ieftmeionareIafrecvenejoaseoconstituievariai3emari Uto
temperaturftalestructririj desiliciudi coneemfenefasteajraprfiabB-
tarii dispozitivului (fenomenul estecunoscut subdenumireade
termic).
turnoduzual, pentrudiodelerealizateprintehnologiadelipireca
aliaje moi pearabaznumrul maximdeastfel devariaii detcmperafcaril
(cicluri termice) depeterar cifrade10000. Pentruastfel deaplicaii
se recomand utilizareadiodelor cucontactepresate, careasigurobun
fiabilitate lactevazeci demii decicluri. Serecomandtotui' caexcursia
maxim de temperatursrespecte, Ingeneral, condiiaATri <60*C.
Calculul ncrcrii maximepentruacest regimdefuncionareaeface
pe bazarelaiei (4.63)
n care T! tt
(4.03)
'37T(
reprezintexprimareaanaliticaimpedanei
termice tranzitorii adiodei.
Din relaia (4.63) rezultvaloareamaximamrimii P,m valoarea
de vrf a pierderilor ncondueiepentruuncurent dreptunghiular cudurata
0
t-r T i perioadaT.
360 *
Excursia maximdetemperaturpejonciunesecakuleaz ca re
laia :
ATft
(
i * 1 ;
t t fl v
dacATvj m(ut >60T, se vareducevaloareaPfMmmodcorehpunzto.
Cu valoareaPeMastfel determinatsecalculeaz
mffl
i sepoateutilizaapoi diagramasimilareuceadinfigura4.43pentru
determinareancrcrii diodei (curent mediumaxim, curent eficace) i a
sistemului dercire. i ", * f^||
ncurcareaincurent tafrecvenemedii t nalte
Lafrecvenemai mari deeit freevenareelei pierderiledecomata
devindinceIncemai importante, inspecial celedecomutaiedm^
deconducionblocare. Putereatotalmedieeateda&| u&ec$t cazdi
relaia
p . m p- ^i. vl .r i
Precizm c pentru M tM de apla-aii au u ar ea diodel or redi
rapide este obligatorie. *V*
S l pj j l ; .^
de uiitU ipit < ale t iu^ntului !ji alo tcu*mnii pentru o uioti
comutaitim pornim m- mtom uv snt dai ia figura 4.45.
T^rerii* hi rrfioi de conduc ie ><*calculeaz cu relaia (A.67), inind
fe#;de .iii k tan al curent;ului.
f*Mr$etife in regHraui ie comutaie mc determin folosind relaia (4.67)
Pm **/ V-*vQt (*#?)
I^v-w
t % 4 fle tecii curentului fi afe teasian psntfU diod la comutarea din con
tlari#Hi iii>-.--*rr #i v;iru.ia puterii sas lan la se ta acest interval.
ia care f l/f Mie frecvena delucru, Vgat ~tensiunea inversdevrf
#Qt<*te **nin*de r?nirt. Sarcina stocat Q, se determinin funcie
4e curentul de vri* l ,Mfi panta de descretere a curentului dF/di din
swrtoele date ia foile de catalog (exemplu figura 4.46).
F>4- 4.47. Nomogram de calcul apaterii rtecomutaieP^r ft*eie rtetarcina rtaeati
ffaeveaa 4 lucru f i ttai i wM in vers V^.
ncrcareaneurent nmjimdesuprasarcina diodelor
La dimensionarea capabit|i incurent adiodelor, proiectantul d
echipamente Ta trebui sdetermine$ solicitrilecarepot apar n
regim de avarie(scurtcircuit). Menionmea taa -este condiii tempera
tura jonciunii poate, depi pentruaninterrai $ettrt valoare* lisai UL
absolut T9tms1 cucondiiacatensiuneainve*r-i||| sfiereduc a
consecin.
Solicitrileinregimdesuprasarcinafecteazinmoddrasticfcabiii-
tateadispozitivului, Inconsecinproiectantul iHfcaobligat &prvYadi
sistemul deprotecie cares limiteia minimum numrul acestora,
Kegimurile de suprasarcin pot fi :
Suprasarcin widnUai 4e eurent. Poate s aparmregimdbiiui
circuit al sarcinii, cndcurentul de virf suportat dediodpoaterete
lavalori de10, .15 ori mai mari deeii curenii nominal. Acest upracareat
poatefiaplicatpeoduratredus{t* daplcaretrebuientrerupt
deunclement deprotecieultrarapid. , j
tnfoiledecatalog^nt preeiaatevalorUelimitJf***peatnt t*10 aa
I(la fi' T, mi f* * 45*0) aa vsUoama IH (i wlitfrala
Icvrcwndefinitderelaia(4.81(mi tom4Mi , .ifrC'mm
______
irenf) definit de relaia (4.8) (ml i figura 4.4> *'
||| .JmMmmI
m m i V) dl
Pentru durate mai mici de 10 a te foile de tataia g 4! data mrtmim
*H(t) (ve*i figura 4.4*).
Supr ai nt ' 4rr*rt de srari dvrat t n eur mt a di odel or. A c es t r egi m
poate *& apar i i tft cazu l mint rugini de avar i e pr el u n gi t n car e cu r en tu l
cr ete | **t e val oar ea nominal . n foi l e di catal og anfc date pen tr u aceste
si tu ai i val ori i * Umil A / m ^ oare asigur i mu ni tatea di odei l a aceste
j noliciAri.
l
\
_ V ' | Fig. 4.4. Diagram pentru determinarea 1n-
\ s i ttfn i r i de curent.
V
Mt \ :*
Fig. 4.49. li)<efraia de cumit peatro diode de mare puteri
| |
t Li % \ w . i 5 0 e*U dat dependena nor mat a val or i i i , (0nM n fu n c-
iedeIpap-
ffafmdnerwrr prw&ibiidemrent adiodelor. Acest regimnuduce
kl cUsfK&ireavalorii limit i estedescurtadurat. nfoilede
catalogeste precizaii valoarealimitacurentului mediudesupramcr-
aire^#0ri nftmeiedecondiiiledencrcareanterioaresolicitrii i
rkj.iii.dede^a^kiiisUciletermicetranzitorii ale. ansamblului diod-sistem
#ercire..
Curea tul mediudesuprancrcare cuduratator sepoate
ateul* din relaia {I M )
*" T* m & Hh{P#>v 1j paV{9)) W) (4.69)
o 04005, D495S, DSOQN, D630N, D8O0N, Dl G00N\
b D325NI R), D35SN( Rl D400N (RJ , D450N(R), _
D3S6 Nt D406N, 01300N. DHZOON
S
tp[ anJ -

O
V
I
M
pAV<^ putereamedienaintedettprattfliwtsre
-f putereamedie iuperioada de *apflBCb0W
duratasuprancrcrii
tlt,AW rezistena termica regimului de preinc&rcafe
P"'F,p> W, V + r,F - PrArm t4 7(,J
* - w r + rF F- PK' <47l>
*of * (w l)i 4- ^ T a (4.?^)
360 .. j . , V i **
= fim., + Ar(Q) t B,t <t TS>
z (, i ,. ,(i o0 ;;+: i K ):+!Z . . '. - . f o F )
Hg, 4,50. Curentul ac, sttprasardo accident ia I > K *& ; | #. ' i
E xemplu : O diod >300,V, montat# intr-un arwamblu de rteire Up
ueent mediu i.p (},)=* 300 A cu 0 180* ei. Se aplici an regi de j w, Wm*
cu / fOf -600 A, neutru un nuinf de 30 perioade | T H
mH 50 rta* I
Care este temperatura maximi a emlul de rfteula c*rc poaa
r*n la acest regim? ^ ^ H m W W W H
Soluie : Conform relaiilor <4.70) fi valarde ***% 1 1
iute din foaia de catalog a diodei
PfavW ** 4,17w | 7 | BH
POT* 1307 W-
Twt *ta falit a fe rffeMfel 08QUAF fi *! anwro&lotui da relre K X I M ~ 34
nnnittfl rw#wmr nlttWi r I fijM
4 fe*:#c/vv f <mkm&t ./w *f o,e? *erw * o.isafi'C/ w,
i -mi / or * - <M* cn\ I M M *CyW 4- 0,005 C/ W - 0*04958C/ W
ytta4 dbril iKtuti ta relaii (iH) ** HI Ta m*< M'C.
laetearea tn itnnt *
Toate consideraiile privind ncrcare* in curent i diodelor tn regim
di In r*0m dk* funcionare intermitent i in regim de suprasarcin,
t sklic& fi Ir ual tiristoarelor.
n apliesiiieincare ne lucreaz la frecvena reelei (40.. .60 Hz) iau
a fmv. r , , - rasi miei se utilizeaz tiristoare normale.
Peftt-ra frecvenemai mari se utilizeaztiristoare rapide, la care pro-
hlemeb* de calcul alencrcrii la curent snfccomplicate de ponderea
important a pierderilor decomutaie (la amorsare i stingere).
In cazai rimatelor in care problemelede atingereale tiristoarelor nu
atnt critice (mtervalul la Mure se comut din noutiristorul Inconducie
e#t* de circa trei ori mai mare deeit timpul de dezamorsare prin circuit
t, - situaie frecvent pentru invertoare lucrind la frecvena reelei sau
ptsitru circuite de impulsuri la frecvene medii) este necesar ealeulnl ncr
crii determinat de curentul <k conducie i de pierderile medii de putere
(iaelvuv eele de amorsare i stingere).
Fantru invertoare cu conducie forat, temperaturile instantanee in
fgimurilt- <le comutaie pot s ating valori extrem de mari. Pentru
J taftrrarea in curent a tiristonreior in astfel de aplicaii este necesar deter-
fujuyiea temperat un lor instantanee maxime.
Evaluareancrcrii tiristoarelor estefacilitat prin introducerea n
4oite#catalogadoudiagrame[8,10}:
PA " diagrama pentrudeterminarea sumei pierderilor de putere
t* amorsare |i n regim deconducie[P tt + J *t) (se neglijeazpierde
rile la stingerea tiri* torului).
UTS illagmmapentrudeterminareaenergiei totale (TFIW)
pc&tru un impuls sinusoidal decurent i urmtoarele condiii:
tensiunea de blotsure Vm ** 0,0? VmM ;
tensiunea invers* V** 5 V ;
panta*de cretere a tensiunii inverse dvajdt = 100 V/ pis;
generator de comand F* 10 V, 1 l A, (, 1 jxs;
reeaua HC i MM) A 0,02 ?**{ )
. ; O < 0*2S jfcF
| j fasepa4*. vti i &m timgnmti PAC
TH0 tratoata* funcion*ta regimeteconducie eu Impaieuri dreptuagb*
1 **! 1*m** Pil A* tt dwr*t* 7/3* 600 a fi tracvea* 0repetiie fv * 1 kH*-
Vrie*rn area* fi anfciar fureutahii a ensducto ala lr lt 40 A/ u. Tensiunea I
I fa* Mutai# asta *8V.
Otr Oe pate*** Mptt la Mi a) regimului Sa amarura?
* * * * * * ia elUttWl tkapulai da cwMtueie ?
- B Cura a*ta i*i3*ratura maxim* a pu sl
tiv 4.49 a* sfaaaMsiMts
P 0 tmm 4f* f*Hlw.ii S eaa4uea ;
.,$) #>s^issa PAf - # r m v i r mtpm coreatul & coaictucia i
1 W t e 0 m S i i PWtfcNr r n r n i m Ui antanara.
r^f500^,
rwsM** f
/
p. emw>. d. m
r ' S <c s. y *wtel f c g
J?Gh
&
m m wo so worn wo
t W
H
j gmgm
flaajKti da aattafter* al ariei da randBctl* fwntru tirtotortri Ti 96F te da 90{a (eoresp**..
da IMMpthu pawtm mm neteit <t<*) iatri In ragisusea %(/ ) *. et)
paw-ata ia euidwria % T/ 3 **>600 |ts > 90 pe, daci ttriatorul functlaneaii t
Mgtantv*rt*paaandWrtaMapleti a90p,
0 M l * # m U*<* 3?&jr, fMttfti :
4tMC** 3M A/ pa 1 f#a* i f c * * 800 A
| t M 1 **dare I ttfhtond h H m i i la /" l kUz m aplic un factor de corecie 0,(1
fMnfvnm Agwrii | .Q - AqMMbi t ifl cu frecventa de lucru) i rezuli
di / dft t * A/ p*
alkrtHt m wmeMae HMMiifaift pe diagrama PAC 9 impulsului dreptunghiular tini 1t i ni si a>|
penini llrti ter (turba p*aet *l i a).
i MfoM 4 mat, wiwrw regimului precizat la probfotni, tata reprezentat prin curb* .t
V i l wti i P i f ) a* trutpss din dliiruei fi 4s cari iinar de timp, obinlndu-sa curba
variaiei paterii taatantaiwr pa Urlet ar, Prin i a t i p grafic u obin. valoarea media a
patent, iaaamaatd >m i i da aattisdeiii a artei de conducie
tw u tm w
% nferaaiul tm - T f l t tirtitortJ t est* tneircat ttic n curent, puterea pentru acest inter-
<d ftfcad
pKfttm MtfrvslK I li| <aaf/ w %
Pfait ~~*Toirm 4f^i t W;
** pentre tetamtHt #.aa J y*,(tUjdt) ===uo A/ p* * $ pi
f I S t t t . ,, . ^r ai * t/ ah P*m m w
Pvteraa t ^4 I n pemaU la eoc| uc| i r/ 2 - f i) este
k 3m w '
h
Pfetitmi aneefta ** P - ss 11$ W
>*aire tiriUurul 71*6# O.tlf'C/ W, 8 iSO% deci S T ]^P T J L Y =
h| 'HJ PC
V r i n jiiiiiii a iamparafurir *p wi *i n u dad
* aM* yW wai Af*e ** t W f i *** 2,5*C ==i03>&G ;
tummpkti de utUttmrt * diagram f f S .
V lrtatw rawi f' trebui i lw:Uof*eie io raglan dc conduttic cu Impulsuri sinusoidale
4 eteenl c* wptttdiMa trm * <> A j durata 0,5 n>* la freeventa de repetiia
$>* i| i K l C tn aate nitemui da r*cire necesar, cuucwtlnd ei Ta mast ~ 46 C?
la HUN 4.43 Ut aepwentati diagr^na ETS a Urstorului TXi QF. Di diagram rezuli
I ppPf; J fn j p A t >' iea aoargta itali
M y f i
;. i "Mofete- tt^aHI wiadl aia m aeaat as
| #,41 > 0,4 Ka X tOO Ma 330 W.
- f mm mt w i muti fati ,, M aaawi 0Uii*iri Mambluiui tk rieira >t50 - j C(MBve<a
/din dccaU!o*: tU/-0 **O,WCfW* * O.Jfft/Wk
r,i +320w(o,oerc/w4- oj*g/*>ism-c
deci
_|r i > r i m *
Remit, deci, dl radiatorul R159, In refim de mafie niturald, Mf* peot/ i
acea jt aplicaie fi ei este necesari utili zer te unui sistemde oenMar* forfoti.
fp fmsj
F ig. 4.52. Exemplu de utilizare a diagramei R T S pentru cal ea Iu I
puterii tn comutaie i eoodueie (Trister T290F).
Dimensionarea acestuia se face ta bau nruti Urel detominlrt i
T ti m i a? taS - C f- 48*0
B, - = -------^ ----------*<-*, *T w M* /
= 0,17*C/W
Din curba / iu, _ .(.) pentru ansamblul HISO rexulti c alegerea unu! sUUaa da ventUar
cu Uf 3 3 m/ s asigur un ft*- * 0,l*C/ W coadiie suficient pentru funcionare guri a
tcistorului T29QF In regimul menionat.
ncrcarea iu eurcat a tiristoarelor la frecvene ridicate
Pentru aplicaiile la frecvente ridicate este obligatorie utilizate* tiri*
toarelor rapide. Calculul iue&rc4rii in curea t trebaie sA in eaat In acest
ca* i de pierderile ce apar la comutarea timtorului din conducie in blo
care.
Puterea di&ipaU in timpul comutrii din conducie tn bloetu^R ____
min creteri importante ale temperaturii jonciunii In timpul eomut&rii
precum i la creterea puterii medii de dispoxitiv. n figura 4,&3 j| | j pp>
prezentate formele de undi ale curentului i tensiunii In timpul cotuui&rii
din conduoie tn blocare.
Puterea In timpul comut&rU se poate calcula eu relaia |
i I o
Onnoftrtod valorile /rif, di/ di, f a i l V sg poate calcula puterea
la comutaie, utilhtind reia| iile simplificate
(4.78)
(I mm/+ W^ ^Jur i *4* **t** (( W
pentru i/ 0>i 0 (4.79)
4.53- Formele de und ale curentu
i tensiunii pentru regimul de comu
taie din conducie n blocare.
te <*awe : / *** ~ | | *j~t ^* J WV l^u datele de catalog)
|fc ; J *o % J *** ------
S8S C-A.
dv*/di
Imfcrlmlktr de t0, /*,, etc. esteilustrattafigura
Sifetipie*atimpului dedescretere(valoareliuiarizat&) bo
ureutaiiii lvri la comutaiepeutrutipuriledetiristoare produsede
I A'414li este datmfigura4.54.
ngeneral, putereadisipatfhttraml comutaiei e*t#uniformdfctd-
iniitr. Inavia structurii. Cu toate arestea. e ^0atranformat& }ncfddur&
Intimpul comutaiei nupoatefi orict de mare, deoarece pot apar
10
S90F
T135F 290F
50Ff TS3FJ S0F
20 ijQ600100 200 *00600 10002000*400 10000
stVfi / dt[jn]---#
F i g- 4.54. V ar i at ia t i m p u r i de decr el eF e a tenciujtti mvr r w r t .
tf%In fu n c i e de pan ta de descretere avRtii.
zone de supranclzire localizate hi jurul unor neomogenit&i miei din
structur, supranclziri care pot provoca distrugerea dispozitivului la
aplicarea tensiunii inverse.
E nergia corespunztoare comutaiei din eondncle ba bloeaits se cal
cul eaza cu relaia
P nat
HQl FO
(i M
Tubelui 4. gi
Valoarea maxim a e oergi el l a timpul
comutrii din iundiirli In bfo>
eare l W)
IAceast, energie trebuie s lie mai mic' decit cea
I TabekU 4J 0>
n cazul in care valoarea caleuia-
t Wm > din Tabdul 4 . U pro
iectantul areunadinurmtoarele
&T.
mmn:
aeeuntirifttorcucla&&raai
bunde ^{implicit valorile0 , #/*#*
vor fi mai unici); , , ^^dat&
modific valorile compon en t*!^
dincircuitul decomutare(B, $'f f,
utilizeazoreactandecoma-
tare {inductaasaturab) 1
dacaplicaiaopermit^
seaafc 1 d i o# In aoti par am^ t ^l ^
arepermitpracticanulareami
H eoit4te$e I tirador. HHB B
Utilizare unei reaetane de comutaie are u efee* lavoratai
aulicitftrii la care ente -supuH tirwfeui'wl Cuiwtul invers; cat* limit* " i i '
sweet oaz la curentul de saturaie al r*et*rtei fonaa de und& a em^niului
iu cazul ut ilizrii reactanfei este dat in figura p| |
Tipul Urfct arului
--------- 4^ ^^|
T3F, TtF 10
TlOF, TiQF l
CpFj W , TMF
25
TS0,F, TQ3F,T80F 4
TlfSP, T2WT
$OOF m '
Timpul dc revenire este in acest ea mai mare de cileya oi i . t i l i -
aurea uuei rezistene a paralel cu inductanta Hiurabila permite optimi-
sarea timpului de revenire.
>f
frjto. 4 ,V> F orma de undit a curentului prin ti m ter In regimul de comuta {.ie din con
duc i l a blocare ia cu u l u ti li zri i unei reactane de comutaie.
4''teului pierderilor de putere pentru aceast varianta seface astfel:
Se determina valoarea sarcinii stocate Q, cunoscind valorile
I r * - di/ df;
Se alege reactana de comutare caracterizat de curentul de satu
raie /<, >}i de timpul de cretere t ;
'Si* determin valoarea de vi i f a curentului invers h m innd cont
de "l e dou situaii posibile
* f e l V t Q l f =3B
tas i n care lasM n? *n
~S 2 : (J t >Q n
<m ia care l MM * {! * * r *{Q* Q ) di/ di]1/2
Detertnuiare* puterii disipate ta comutaie seface in continuare cu
reiai (4.70V
'' E tefttplf 4* ffrmitetoft
J. Ui umtor Jltol- UtWiiCtrebui#.&Sfuncionezeinregimdeconducticcuimpulsuri
drept migluul hm:Secuieut cu 200A, durat*T/2=500jasi frecventaderepetiie
, a*f kftt Xiiftui*vartidk1 acurentului este^thfjcM*40A/y*. liriatorul estesupusdupft
tMirfWil laalatwtaaefeavfcsVMHUOV, vitezadecretereatensiunii Inversefiindd
|| M. a.WlWV/js.
<5wa. 11aertadisipatIntimpul comutrii dinconduct ie|nblocar*?
,,%.Om pHJ Unaa in tuapui seroutArU din conducte tn blocare!
s * - '* 1*1* MmiarralMra mawai* a epeutei, 7, innd cont de puterea d&iput la
ty(|t|f -miftlHPpil). aonda| ii> |xblocat* l
^WaTjJ s' rczultlr Ca{a'S timarul! per.M / jp*- 2$6 S- im-
O* =* ISO uAs
SipSI
ItUlU
dij
dT
30,
iii
*' [40 A/ .^ y 2 ; f ; W
Din figura 4.54 rezult pentru tiristorul fi t 5 U d*.di =100 i fys-
#/* =* 1.8 Jis,
Iar din valorile VitM == goo V i deSJ / ai = 1000 V/ us, rezult
rara
soov
0,8 uS.
Ua/di 1<M)0 V/ pi
Deoarece I/ #> /ft, puterea n comutaie Pr q se calculeaz ca relaia {4.79i
J ,
Ir uu
Ofo <l)33
105 A
0,8 a) 47 A,
PflQ =
(105 A4&
i/ o ' . 1,45/ pis
Omultn- Ir o I'^ r mU *{* / * o (ffe ~ JfcNU
... . . . . . .... aee
-, fyd
"4- 4/A/> -4- S08V x 8 %? i 4.-A X &00Y(l,4 as 0,$ u.v>H
l,4fs
= 25 660 W,
ffjQ P r qI/ o 47,5 fijWs.
Din tabelul 4.11, pentru T195F aven* mWs,eei cum Whqh re*eJ tfiI-
nu slnt necesare precauii pentru reducerea energiei de comutaie (reactan de comutaie etc*).
Puterea medie suplimentar datorat comutaiei rate
Prqav PRQXtfo x fo 25.660W x 1,85 as > 10*s-1 w>47,5 W.
Supracreterea de temperatur datorat paterii dibpate la comutarea din coadaci n
blocare este
AT}0 w P r q a v Rth h = 47,5 W x OlT'C/ W = 8,1C
Avi nd I n vedere puterea disipat In condueie (vezi exemplul dat la utilizai* diagrass*
l or PAC), rezult c TCm*x trebuie redus de la valoarea Te * 103,5C a vuloarea
r* * 103.5T- - 6, I X ~ 97,4cC
2. Utilizarea reactaiifei de comutare 'jgt-
Un tlristor cu rcire unilateral (baz plat) are un regim de condueie .a impulsuri drep
tunghiulare cu 1t u ~~550 A, idt/ d/ = 100 A/ as, cu durata Te/4=s=100 fts i ca freevena [de
repetiie f 0 = 2,5 kliz. Tensiunea de blocare nainte de comutaie este Y ^ h ~ 500 V, Duptomu-
taic tiristorul este polarizat invers la V&j#~ 900 V, (jeg/ di m t>00 \ fyts- W * ' -yj
Cc sistem de rcire trebuie utilizat I n acest caz?
Valoarea 1 t m ~ 550 A, orienteaz opiunile spre timtoarele rapide tn capsula50 I
sau T 290F).
U n diagrama PAC a tirlstoruul Tt9&F, timpul di extindere ai arte* de g B M g g
comu
peru
u tal i e este t r + t,p 90 s.. Durata strii de eondtwie t p **'. 100 *s > i l
i l t uti li zarea tirlstorului T I 95F In aceast aplicai.
Curentul eficace este:
fTRUS tru
I I ]'/S
**/00A
I r ] -
. A
deci Jt r ms < I t r ms m ** 450 A dat In catalog pentru TltJ SaF.
Avi n d In vedere c frecvena de lutru f 2,5 k l l * ^ M Hz d i tfrb*
fi gu r a 1.12, valoarea limit a paranjetrului dt7ti4v< tmtibUia corfetati fu lagfcft!1''!ftH 4K3&
i i i j U m * C dt/ J / ffH 0,41 A/ js * 1
epentruutili?;Urivinnil TldSf' Ineoncti(iUe/2,5kflzi di/d/ 100A,'u.s
Mt lstitisami ttnei rmritmfe rff comutaie.
Alegi mi uncurent iepalier l$<rI0A(rezonabil doobinut cuorezistenconectatir.
IMtruWl peindiu t.tnt) scjxwteconstrui odiagrampentrudeterminareatimpului demeninere
tt curentul! lepalier eunwadinfigura4.56.
Utilu-lnddiagramaPACaHrislnrului 7*195/' sedeterminprinintegraregraficputerea
corespunztoareregimului decomutaiei conducie(conformfigurilor 4.57l 4.58), rezult
#**105psi Prp**1*50W.
Putereamediecorespunztoareregimului deconduct iei comutaieesteP t p a v
: insoW>105psX2,5XIOV1 st 48W,
ligi.ittj. Diagramapentrudeterminareaparametrilor reactanei decomutaie,
fa) Formadeundlimitacurentului deconduciepentrutiristorul T195F
<lj>y-800Adi/d/p,t 82A/i) laf92,5kHz(conformdatelor decatalog).
(ti) Formadeundacurentului Incazul cindnuseutilizeazreactanade
comutaie(Itm-- *50A, di'd/ 100A/p*(c) Formadeundacurentului iu
cazul utilizrii unei r*aetanedecomutaieacurentul deprag/yy*=40A
>%&p*-
Cretere#detemperaturdatoratacestei puteri este
A l -i m 338 F ' P. i V i h l -.c ~~ I t PAV l Uk )-~t,DC T ^ r l t 4 * ) *5
4*48\V(0,1 XC/W+0,04*0/W)7?C
Ded^fsfUireadetempwrarturdatorai regimului decomutaiel conducieesteA/j_dSi 77:iG.
l*eatrsBeaieulaneaupracreterii detemperaturdatoratputerii disipatentimpul coma*
Urisdmetmdueieinblocareprocedmastfel -.
: tft raisgmmudeproiectareareactanei (vezi figura4.58), avem;
f **40*
Qe**/g*?***3,*o
r 4tei 4t*le 4* eat&log pentru n&f.F Ia J g>n** 550 A i dir / di - lor) A/ p*, avera i
Ci - 0* .?, ?i' A*
4. 57. i
'^gratnaPicaUrtorului T195Fpentruaplicaiadata.
$
t Cp *1
J h'ig. 4.68. Diagram pentru determinarea grafici * pu l *i medii c&
i mn regimului. de comutaie couduc{>. J j
dinI igura4.S4pentrutlristorul Tt&P1trgft**690 av*H
teo~fts-
'Jfimpui iecreterea! tensiunii inverseInewttt) ra||||wj dat!*\ ,
v* ' S B S
ifccl/cum<****/, vomcalcul*pU*aHHH H e * fP*
(fag/ di)tpgl&J LM w m| h E | WB
HH I
fur 9HKirfUi ewee| *wsiter i*t*
-m P-&%f * iartl) w X l.fe j.s a ftaW**< t g*
M>Ws
(din Tskdul 4-i J f
J ^tafa &b O M 1} IMW
'vO/;J r.. -'Z,, f|9
** jHO*
M>u _ ,
6800 W o22S W,
IMtts
PjNMP^A W X 0,18"C|W=>. fc*C
Valaart' #mexkei * t*otprriurii cnpreMi in funrtkMta* deUy*mm aetfci
r**4 A - m*c - c f t + a,m~ 44.4^.
| Rp*CMBt <H WMK atflfiabll .# attrtf | arm&ioarea eondiie :
W
w N *1
igiisi pnatm M*t*aM i * Mfcsir* ra aer *,**, ^.4tf:C l atu Hci Uebuie optat pentru un
MlM # *re p ap (T* *iKfC). dee*
Hm '
4,rc arc
0#rc/w
46 w +aam
flhM# * * m atta* rtailisa 4a tWMrtm t wet
#aJ * 4 V- c%/dr, 20,!** * i A/ p* x S X 260 As}1/* - 230 A
<1#R/iWfft*I r n m 100 T/ tMX UI Mi x 230 A
r#a ---------- --------------------- r , y X : M:-------- =,.34.500 W
R a&. -wf*v lift IU
n i * pmr m * fOW,
pi
Pe Mm (Mi. pifti mare decti 1 *a*ul atiituiii reacias* i i * -- 20,8'G valoare ce ex-
MImmAk wa MihMa ife XiStept titfin WilillWl
siMot*iutiiE
f , 4. >>tt3<ipa<itUe **ilraa4liietr Manosl de atilizar, Editura Tebnici
ftuBDtfpfU, lljfc ;
% A i*#;/ *, l ?wtmtm l 'Uite 4* putre ( hdi tura Fehnx Bucureti, 1984-
I . * * WH I M , KI.M1RM M El Maaa( Fiii* ftMMaa, ftynwiu 1072.
4, E J<{;hsfip<!> fcean *wa4arr Kfct*M. and Ilarii ai !< ifirt.
' ' j i m W'fcy ad i atu la., W f l '
I M V4*i - fMwi ma }*atVfio>tW>r pa la apUearea apraianinaiIar. Kyi tehnicii
:;.,. ..i#M K mm***, .W-l-
\ ' ' ^ fabjcfot* pky*it>, hptiu%t:r Varia, Mw York 19?.
K j U ft'tm- S#..-im. MthWtaiM l wl (4 ta kyie| tiawe a piaeiaallar m Nat A tehnic A
'HM.*. tefe (
> P ,<***#fat mm lava-aa *ad lura^ufj pi r ham la lan lhri(ti>,
% ^ t i y i i s k o .
H | I I 'Fl'.J^i"N K J^|, ttaa wd Ikriatm, lerhaka fJ^at. IWI&.
M.. A. Ifttihu, a isr-hufn, lluininit ( hu r v^ti mn ) uf ia>rll*irs | w^*>
W & m' ' At '- ? v ; i i s N
5, Msurarea i verificarea
I caracteristicilor
Dup. cumamartat anlmor caracteristicilediapozitivelor emico-'
ductoare uit nrimi aceesubilem&rarifii ml verificrii ea$tItativ^FeH"
tru a evita ambiguitilecepot rezultadinmodalitiidiferitedemiau-
rare verificare, metodei demnurfi de verificarennt prtisGt#cwnpl
mdocumentelenormative(standardeteiintci*deramur, caietedecerni}
si standarde Lestat (STA.'i-uri). 3Iai mult, aviudinvedereeom-ordii^m
standardelor dinU.S.R. cuahmdardeleinternaional[CEI, In'relentToX
i ustandardeledinrileindujirialt azamalc(Ifrana, KFG, 3UAetc)*
se poate afirmacexistomarelimilitudineini reiodul demsurarei
verificare acaracteristicilor dispozitivelor Mrmeonductoaredeputere
fabricatelaIPB8-BNEASi cei practicat defirmelesimilaredin
lume. Esteasiguratastfel posibilitateaiater^njabilitii dL^pwixitivelot
realizate dediferii productori inbazaprecizrii .valorii eitorvacara<-
teristici.
n mod uzual exist mai multetehnici de evaluareaanei caracter*
tici : i .
Msuraredirectutilizindunaparat peeializat iemsurarea
mrimii fizicerespective(curent, rca-mae, for, (recvt-aele,), Pwcizia
cucaresemsoarearacterimeadepindeinprincipal deelasadepreemm
aaparatului, S
Msurare indirect -- in situai n careocaracteristicesfcedes
cris priatr-o relaie matematic intre dou au mai multemrimi direct1
msurabile. Astfel de mrimi ritul' spre exemplu rezistenadinamicim j
rent rr, coeficientul de variaiecit temperaturaal tensiunii degfll&ili*/
zaro putereadwpauetc, Precisiadeevaluareatmei astfel dearac-
teristiei este o funciemai complicatcedepindedeclaseledef^ecipl^
ale Instrumentelor folosite ! derelaia cesestabiletentremrimiledirect
msurabile.
DcLerminiireii valorii unei fwacteristiei Inbas*msurrii m
mrimi i acunoaterii variaiei unor parametrii cuaceste, mrimi arde****/
aw'ni.i iuoidcul valoareacaraeterlstaM. &4ecastd, spre H
ternioeoaresedetermin.prinoakul, cunosetnddep^nd**^
liniaratensiunii inetmd|$seulemperatnf^.-g>>^.
nprincipiupreciziadeterminrii depindepedeoParte
piefeMoaaparatelor utittsatlWi p direeiM. unoradmvmrimrfi%
Pdealtpartedegradul deooneordftnai variaiei parametrul u*t&
al dirtpisitiTulul mpesi^eavariaian| *B I fe
Vertfiwrmunei carsetar**&mtuatiatacareHHH
**iviWlaraportare*dfcvnWwfr. hi'anmtt gj |g|
mrimedirect incurabil ||J|H#comportareaigMggaa
timpul solicitrii seutilizeazurmtoarearneto<ld#cfaluareacarac
teristicii :
semsoar unasaumai multe caracteristici semnificative nainte*
deaplicareasolicitrii (sealeg ngeneral caracteristicile ce slnt cel mai
puternicafectatedesolicitare);
se aplicsolicitareaprevzut;
launtimpdupncetarea solicitrii (timp necesar pentru reveni
rea dispozitivului n starea de echilibru) se remsoar caracteristicile
semnificative(bineneles In condiiile identice cu cele dinaintea soliei
trii).
nurmacomparaiei ntre valorile msurate nainte i dup aplicarea
solicitrii sestabilete conformitatea dispozitivului din punctul de vedere
ai caracteristicii verificate. n general, cum la verificarea unei caracteris
tici de acest tip rezultatul este calitativ (corespunde, nu corespunde) este
importantprecizia cu care se msoar caracteristicile semnificative nainte
i dupsolicitare (definit de clasa de precizie a aparatelor folosite) pre
cumi precizia instrumentelor cu care se aplic Solicitarea (atenie* n
general prin depirea nivelului prescris pentru o solicitare se poate depi
sistemul de valori limit absolut).
5.1. Verificarea caracteristicilor mecanice
Verificareacaracteristicilor mecanicepentruundispozitivsemicon
ductor deputere presupune :
Verificarea conformitii dimensionale i constructive a dispoziti
vului care sefacecu instrumente uzualedemsurareadimensiunilor
(ubler, micrometru) sau cu instrumente specialedemsurarea planeitii
i rugozitii pentru zonele de contact termic i electric. n cazul ncare
este necesar, sepoate proceda i la o analiz aprofundat a materialelor
utilizate ineonstruciadispozitivului. Aceast analiz este posibil doar
nlaboratoare specializatepentru astfel de determinri;
Verificarea comportrii dispozitivului la solicitrile mecanice prev-
mite in sistemul de valori limit absolut mecanice.
Gummodul deverificareestedescrisnamnunimenstandardele
menionate n4.2i ndocumentelenormativealeproduselor nuvom
proceda la descrierealor. Vomfacetotui orecomandare: este imperativ*
respectareaeu strictee a tuturor etapelor prevzute pentru efectuarea un&
astfel deverificri (precondiionarea, respeetivpregtireaprobelor n
vederea ncercrii, condiionarea, respectivaplicareasolicitrii curespec
tareastrict a gradului de severitateprevzut i fpostcondiionarea, asigu
rarea perioadei necesare pentru revenireainstaredeechilibru).
Verificarea conformitii dispozitivului se face prin evaluareaintegri
tftii mecanice a capsulei (examen vizual obinuit sau cu mijloace optic#
de mrire : lup, microscop) i prin msurarea unor caracteristici electrici
emnieative (curent invers, tensiune n conducie etc.).
tm
5*2. Verificarea caracteristicilor climatice
Verificarea caracteristicilor climatice pentru un dispozitiv semicon
ductor de putere presupune :
Verificarea conformitii tipurilor f i grosimilor acoperirilor de
protecie (acoperiri electroehimice, eloxri, lcuiri). Aceste verificri se fae
pe baza metodofogiilor elaborate de institute specializate (I C P E ) n labo
ratoare specializate, dotate n mod corespunztor.
Verificarea comportrii dispozitivelor la solicitrile climatice prev
zute n sistemul de valori limit absolut climatice.
Modul de efectuare al ncercrilor climatice este descris n amnun
ime n standardele de ncercri climatice n 4.2. Severitatea ncercrilor,
criteriile de evaluare i verificarea dup solicitare snt prevzute n docu
mentele normative ale dispozitivului. Ca i n cazul verificrilor caracte
risticilor mecanice este imperios necesar respectarea cu strictee a secvenei
de ncercare i a severitii solicitrii.
Menionm de asemenea c proiectantul (respectiv realizatorul) de
echipamente poate asigura protecii superioare din punct de vedere cli
matic chiar n condiiile utilizrii unor dispozitive normale ca performane-
Metodele recomandate constau n aplicarea unor lacuri de protecie sau de
compundare a cablajelor, n realizarea unor carcase judicioase proiectate
care asigur protecia la aciunea agenilor agresivi (umezeal, praf etc.)
5.3. Msurarea i verificarea caracteristicilor electrice
Msurarea (verificarea) caracteristicilor electrice constituie un instru
ment de evaluare folosit de productor i utilizator n urmtoarele situaii:
n timpul procesului de fabricaie a dispozitivelor pentru evaluarea
calitii i stabilitii unor procese tehnologice. Astfel, pentru evaluarea
proceselor de impurificare controlat se pot msura tensiuni de strpun
gere, caracteristici de aprindere, tensiuni n conducie, etc. Evaluarea pro
ceselor de montaj (lipiri, alieri, suduri) se face n general prin msurarea
caracteristicilor de conducie, a rezistenei i impedanei termice tranzi
torii. Metodele de msurare snt stabilite n aceste cazuri de productor.
Pentru sortarea final a dispozitivelor n acest caz msurtorile
stabilesc conformitatea produsului cu documentele normative i se execut
te condiii precizate. Aceste msurtori trebuie s dea rezultate reproduc-
tibile n cazul repetrii lor.
Pentru controlul de calitate la recepionarea produselor n acest
H msurtorile se execut fie la productor fie la utilizator pe eantioane
frfese conform metodologiei standardizate de controlul statistic. Oondi-
M i metodele de msurare snt n conformitate cu documentele norma
tive ale produsului.
, J lll I Pentru caracterizarea produsului n acest caz msurtorile se
^etueaz n vederea stabilirii complete a performanelor unui dispozitiv.
Condiiile f i metodele de msuare snt n mest caz diferite de cele prevzute
^documentele normative. Pe baza acestor msurtori se obin informaii
spre evoluia n timp a valorilor tipice, despre stabilitatea proceselor
TV ii-rH m&sur&tori se pun la dispoziia utili*%-
tarilor (prin mtaki*c, noi tehnice etc.)
0<ufi xitmH&i nofini!? n carM eftaS meniritorle i ncer
crilejtmi mmtoarele;
-- unpuaiura mediului ambiant; 25 $'0
',.;." nnndiv e a 'b%'
- wx^ianea arci -rc^: tSyi -. .102 kPa
~~fre' t enareetei d>- ut im.atare: 50Uj -3BU
Doa*e?eu..\..in*ohf.*m*!edemaduradeprincipiudateunormei#
w*&ni<Ti(' h*t4*riSdyti ValorilespecificatepentruponaponenteHnt de
fcMfe 4 T Z ' *"l'> . i .
Be Wbmte, de aaemcuea imprecizia maximii asupra unei valori
m&mrafc* in cornii alternativ poete fi de 5% iar in curea ocontinuu da
8 p
Pentru mCmn'vca. caractarintfdlor de corni ucie n curent continuu sa
admite mi nm*l maxim al jmlsaiei ttrl la vrf al sursei de curent do 10%,
lustru rmistirareacaracteristicilor inversi de blocare, nivelul vrf ta vrf
al sursei d<* tensiune nu trebuie s dep&eascft 1 %; de asemenea*
nu trebuie s apar tensiuni tranzitorii eare sa depeasc vreuna di
fd^l Mnnfc&al>*olut&.
m- flr tapune de aenaeo** nodaoerea la cei mai mic nivel posibil al
eaacitAiilor prasik1.>i al induftan*4or rezidualei Toate maisnitoril#
mvor ett**a Inoeniii de eeiiilibru termic al dispo*iti vului.
5.3.1. Msurarea i verifici rea earaeterbtieilor n regim de eondueflt
Uurarea teutoiuuti iu eemlueic.
Schema de principia pentrumsurareestedat& de figura 5.1.
Generatorul de curent trebuie asigure injectarea unui curent ea
valoare n^iablU, Forma deundA acurentului poate fi semisiaasoidal sa
lmp**oidali. Factorul deumplere(raportul dintre durata impulsuriloi
e
z d c - j
&
4
k
S
mMrn <ieprititai*ki mouUjuliu tuSsttiry,, rw f
,1a3yl0ii Ut ran/iuc*s m M
#&wmt M U#d&repatAie) trebuietmgwvvendimiadeetdil-
W&u,. tofpfr. %. 4W#sMu! m^mat, Vitezadacretereacurentului
M1M**rfi mNn laavallarinterioarrajoril Uapitabsolut (4f
i*#e$j| Jenrratorului fieprinutilizam*uu^ induc tanedefcni tarK
t8 |attaktfksftudigital) fcrefwfos&aiiguremsura**
Huientului tojetac. Jjnperuietrui a#ppatenlocui fiuua
|QBt calibrat avndconectat teparalei unvoltmeferueprmatetatmpa*
&toare.
Voltmetrul (de tip analogie sau digital) trebuis& asigure mfcranrarea
valorii tensiunii n condttcie la un moment cit apropiat d& jasocoentol
sagurrii curentului.
Conectarea dispozitivului in circuitul de msurare se va iace ( hm#
obligatoriu prin contacte Kelvin (contacte n 4 puncte).
Pentrutiristoareestenecesarfieutilizarea unui generator de ecBiwHti
pepoart(comandat degeneratorul decurent) fie realizarea
rinconectareaporii laanod.
Schemapernieefectuareaurmtoarelor msurtori:
ridicareacaracteristicii VAI,) aau Vr{h) i deducerea prin eakral
aparametrilor VT0i rr pentrudeterminareaearaeterwtieu de aeroxi-
mareadispozitivului;
msurarea tensiunii maxime n conducie F^M, respectiv F , la
emrentul / * (respectiv / **) precizat In documentul normativ sau la datei
da catalog.
Msurareacurentului de meninere lB.
Schemadeprincipiupentrumsurareeste cea din figura 5-2. g
Pentrumsurareseprocedeaznurmtorul mod: se aduce fijja
valoareaminim(i2x=0); seamorseazt iristorul priinchiderea tri%re-
rap&torului K (curentul printiristor este de aproximativ 1 A).
Pi*, s.
Schema fir ^iiicipia * pnt''t( ro&f ura
ta rt fiiruntatui cio u n i u m - 1#
W U i
&
Sedeschidentreruptorul Jt i tem&r$te
te&ei JL. Secitetevaloareacurentului nmomentul **
areatiri storului (cureni scadehru*eiaaero). Utilndoi i
tatafcsepoatedeterminavariaiaeureotaU
teratura. , H"t-.lt*-:
Msurarea eurealaM H
Schema de principiu HI mfeufare H I ft
Modelucruestenrmtom*;
tasletenaBxlavaloarta maxim. >up& fieea^impui de oig*
pftftttcuf*afcw, j*rmMristor trebuieift anulece. ftemfcrorea*;! vptafc
valoare*resi*femi i? erfceiaaceai mod valoareaouretului i f).
"^r - "1..^VVV." >
f
\_
F
___ v. jteitrwa<4epfHtdptHatuent <jtthnpentrumis urarea
t*rniwlui d anrtpj / .
su*i?a- dmat i-s:.ij lt W urentul prin iritor (msurat pe amper-
Hwggl peutru care la finele impui*ului de tomando timtorul rtnfrie tu
(v figura 4)
f*
n
p Ftg. 5.4. Formele de und vzuali-
l ate pe osciloscop la msurarea
curentului de acrcaj.
in fiaon
tfcitixtail o ijwmtA tttrmo.-tatat m poate mita ura variaia curen talul
wm*&}/*. <it temperatura.
vVV'v | . '
IUbirit. r#*ijwHiett tulii de variaie lettiunii tn eottdtietie ea lefl"
0*t {%rrb
4# pi hm tpm perlina a i u r a r ea aeoatui parametru s i e ee*
h B I
m meam vMm#&ml trebuie a4 fie de precizie eor<?*pun*fc*
^p| 0 # trbaleI fieeon*bant&peperioada mfcaurftr*
1mtuu*al mi tata#*\Meuulei termostatateearea*!?**
atemperaturii. 8*t(taa*&curnitul demjUurb(iugene-
B
9H &
Mejnua&fla
r al laovaloarecaprinuingsam10 nA. ,'J A) ps*'ia*e*aftfctnufkm&to
Instaredecondueiela temperaturareglata. Pantacalculai adreptei
Vjr(T) ^au Vt( T) d valoareaparametrului***respectiv**T.
cStf tncazul timtoarelor, pentrunivele
mici, alecurentului depolarizarepot
apardiscontinuiti tnvariaiaVT(T) da
torateeonducici pariale(peoarielimi
tat). nacest cazestenecesarAlegerea
unui curent depolarizaremai mare.
Valoriletipicealeacestor coeficieni
snt aYp-7 1,8.. .2,1 mY/Cpeltru
diodei arr ==-S... 2,5mVfC. Pen
trucurerii decondnciemari acesteva
lori mi mai snt valabile(a?*, arr devin
pozitivi).
X-J
Pig. 5,5. Sehetna de daei to a
moBlajulwfi pentru m&sra*e* ef t *
taenluitn dc w j ^e ca U n p M N n
a tenstaaH In eondveie
Verificarea comportrii la suprasarcin de curent / rm9 1$m*
Avindtnvederec>IPaMi lTsusnt valori limit ab&olut, verifi
careacomportrii dispozitivelor laaceastasolicitare se face periodic (la
repetareaprobelor detip) peuneantionrestrins. Verificarea consta In
comparareaunor parametrii electrici (Ibm>Im> ^Vm) nainte i
dupaplicareasolicitrii. Schemadeprincipiua montajului pentru apli
careasuprasarcinii esteceadinfigura5.6.
ntreruptorul K trebuie s asigure prin nchidere aplicare unuui
singur impulsdesuprasarcin de curent de fonn sinusoidalcu durata
de10 ms(trebuie s fie comandat la trecerea prin zero a tensiunii de bor
neletransformatorului Tl zeci de A.. .20 kA. OuneoRutent, genera-
Q
-w-
Hy ij
f
r
V
_L>
vi
*
Flf. 5.0. Sdicma tic prtadp* * reanitiuhj f-i-nire fc. 't WIV*.
I ________________ w 6 tt| tfwa>woA 4t cirmvt % a 1 |\
torul dcpoarta trebuie sasi|fureeoiuad&fvnm\
%asigtirft apfcfiatenshmuio^cnie- sutedeVfalii
dupft upljcare# c supnisamn do curent ap*:u;&.
Memiaiicrnana negativa prin, dU>dM>). h\ timpuiajak^t^u^niui
comanda pe poart trebuie H fie anulat.
kJu aliment^iUt lacerai M&
curentului doaupiasardu eu apii(^rA tensiunii inverse)
Verificarea comportrii Ia diferite regimuri de curent de conducie:
iwriii i i i f*i v/?*//*
ngeneral bunafttncionarpteregimuriledecurent deconducie
deffiftteeavalori limitabsolutestevalidatpriamsurareaunor earaa-
reriatiei elecftrio(Frart Zm etc.). Periodic, larepetareprobelot
detip, seefectueaei ncercri defuncionarenastfel*deregimuri cu o
durataprefixat{deei. 168ore, .*>00or el 000ore). Efectul solicitrii
asupradispOTitivului esteevaluat prinmsurareaunor caracteristku eleo-
triee(camil tnv*ri audeblocare I>h I Bf tensiunenstart* de conducie
V V t f t ) dup terminarea ncercrii.
5.3,2. Murarea i verificarea caracteristicilor n reflim de blocare i
polarizare invers
Mnurreneurtoiilor rezidii ali l&ur
8chcmadeprincipiupentrumsurareaacestor parametrii este dat
te figura $.T.
tafunciedepreei*irlefcuteladocumentul normativ se regleaz
valoareatenwi unii inverse(sau deblocare In cazul tiristoarelor) i a empe~
ratvrii deReferinadispozitivului.
%X Scfceaai 4 principiul tnoaUjuia peotra mturarea curentului rezidual J MS> J jub
t ^- n n n t esBOnttt, >)-c vr en t tmli lnnoldil.
O precauiecetrebuierespectatlaaceastmsurtoareesteceaa
respectrii valorilor prescrisepentruvalorileimpusede/dl att ladioda
dt i laterPtoart (vesi 4,3.4).
Verificarea comportrii la aplicarea tensiunii inverse de vtrf aeeida*
ti b Fim *aa a tensiunii de vtrf accidentale ta stare blocat V0m-
ftebama ie principiu pentru verificarea acestor valori Urnit absolui
aste mm dui figura 5.8,
Ou lotrsrttpkirul K deschis se regiear tensiunea sinusoidal la vata-
rts prin4 tn documentele normativa.
reg$a* temperatura de referin cu ajutorul incintei termosta tata.
8# oomaud nchiderea ntreruptorului K pentru o semi perioad,
in sttoapu 'ta eare documentul aormativ prevad aplicarea asa* multe*
ifl^pniaxxrl se va usibea un eomulator deMnwte programabil.
m
Modul deevaluareal comportrii disposU-millnla&ee*t4palici tor*
onstneomparareacurenilor reziduali /, lai fmm*ur$i faitmim*
pileprecizateindocumentul normativ. Lam&duzual Vxtr *wm
respectiv ? ** VavM.
6
f . ,
9 tr
rin
!
r
1
? i j L l h
i |
Vb$M
F l f. 5.8. Schema de prlndpin a mantajalul pentru ncercarea diodelor i tiriitoareJ e
ia twuiuu* de suprasarcini ^osm> ^nsM
5.3.3. Msurareafi verificareacaracteristicilor regimului ie comutaie
din blocaretn eondtteie
Msurareafaraeterutieikr ie eemntaje a diodeier V^ i tft.
Acestecaracteristici tedefinescdoar pentrudiodelerapide destina, te
Alucreze inregim decomutaielafrecveneridicate. Schema deprincipiu
pentrumsurareaacestor caracteristici estedatinfigura5.9,
Seregleaznivelul curentului lmi pantade cretereafurimtulai
4k(,/ t Inconformitateeuprevederiledocumentelor normative. Se viraftfi-

Flg. &#. Scliema da prlaiplft pcetru jtii.urer^e timpului de rr*rtttto

difeoUt Ut dU<5# Farwaal* de wn4 ia mutarea tn direct * tfNude&rf.'
MMft pe oBeiloseojml eu | poturi variaia in timp a eufratului 91 unaifiuii
V* diod. Se cites valorile earaeteritk'ilor V* i H
diagramele ia variaie iin iigura $t.
Hwn>ra tiivhii MMhMit tirUtoarelor ^
-A*. :
efeaHpa4artneiplw*itr&maurareaeatei raraeteriutiej ertelat&
fet Il.ff* *16
"*w n fl i i 1fc*ih*fea <ehlmar* pe tirUt<r la valoarea prescris/ ta
dneftmfital numtam 1 dposi tivului. Se comand generatorul de poart
la veidomi MtKinAi'ii ttritlwrola. S* viiaaligeaz p* oiloacopui en dou
~avw
*J L*
**1
Mg. ata 'Sdta&t- *taet|Mvanvmtajuta!
8 ,:.li*atfFwwr* tfei
Pca timpului de i mu fttr g jpc poart
fN lirktiMtrt'Uir
liuunl po^rta-f'utodVa*
pului decreteretrf res-
tmtmi variaia laataaU anodeatod Tmfl
Hi0 viu*? valorile timpului; dets^iicft U i a
appflv aama kir L.
In rm*d uzual, tttiatorul seeomui la 6 curent de conducie, I r **
11. ;io A , twao**t ea/ nu lat acemafe miauri 4precauie pentrulimi-
t$mi t pr%i tirintorTempetaata Hcare <**efectueazmsurtoarea
u* M?anormalii tT .V<). iJinde&fcenecsaoar&evaluareacomportrii
ta &lteu<*n{*?ratufi [ T,*, sau 7.,) v* planeaztirwtorul intr-oincint
'lisiaiaelaUitA.
XMtkmnm tf ywlifi ta apliear*(di/di), i (dt/dt)r.
Viina d^primiptui^iruverificareacelor douavalori limitabao-
iuta teaiadintigaia*U-
FatruTfsriliereaeomporlrii a(dt/dijwgeneratorni de comand
ambetaaataguximpui*deamura^reatirUtorului. Pentruverificareaeom-
portrii la(di/dl), generatorul deoomaadi apHefr repetitivL r*30Hi)
immlsuri aemorare| rtristoralnl. W^fffwBS
Valorileelementelor deredare| pante*amplitudinii impulsului 1
curent necalculeazearelaiile:
J e*
7/
/f, - 0,58
17J jSdiL
' "i r
3 B

di/dl 50,5
ncaref mi esteteniumiastaredeblocarenaintedeaplicaroasoliei*
ifirii..- ,'y***v..,.... ;,>.. ^;;i:.
| Inaceast nituaie:
H
*t
Incarety>1 x*si Irii <2ITrsint condiii obligatorii,
Evaluareacomportrii dispozitivului laacest esoliei ri sefaeepria
comparareavalorilormsuratealecurenilorreziduali In*si nainta
i dupaplicareasolicitrii. Temperaturalacareteexecutsolurtarsa
scregleazcuajutorul incintei termotatate.
5.3.4. Msurareai verificareafret*rLuieik>r regimului de eiuauta^a
dineondueienblocare
Msurarea (ararteritieilor f, i Qt peutru diode.
SchemadeprineipiupentrumaurareaccWr ilftuearai terittic eala
ceadinfigura5.12.
Seregleazgeneratorul deeurent pentrucurentul deconducie prin
-diodprecizat in documentt normativ{fM&Tytygemenii). ^ia-
' -
M
or
+ / r !a
0
!M S M H h m z m
MiM, .S-lSLS' Ma # , #*^5^.,^*' ^p W, 1W
m
ftau irmfratornt | | tenrftta*tnmai indnctanaX pentruasigurarea
ondivutor pNwttut*intih normat a{F**fi li/di). Comuta-
oarelecWtnm^C#, fr(/irehun*ii funcionezeInoroBkal; deschi
dereiui CU, trata) tes&rmiuid cunchiderea Ini MVPeformade und
VisnaUsatalaosciloscopmttefftvalorileparametrilor irri amm-
ItaftMftaitocat la dwxfa *e flaleulcai. c*urelaia
Qt sa M (5.5>
MiaaiarNi c*reteriilieikr lr Q, fi pentru tiristeare.
Hebema de principiu pentru mia urarea acestor parametrii este dat
li figura SsI|
8e tt$\ mt nielul curentului de conducie I f (din generatorul de
aent tfC). ft* rigleezft - dt di i VMu cu ajutorul indnetanei reglabile
t |i afuniei dl? t*a*iune 8e regltas df/ di i Fa* cu ajutorul
frCit'taGfti Uf, fi generatorului de tensiuneCrT,. Se refleaz temperatura
J
flg >-i - >-Mtmd*. m | Mtni MbaiftrM iispaiai d* blocare i pentru
Si a4i ' &i>s$#* UfisJ -orolaj pria e&nautii circuitului.
la saentafcenn>i*urtat. j^^ut&oarele Cl fi OJ Li nt antfei comandate
; todt bl TOEttfeitol nchiderii comutatorului VKt}CEl m deschidentreru-
f&orui 0M$ IneWdedup un interval M reglabil de la nchiderea ntre*
ruptului 0Bt. ie crefte continuo intervalul di pini n momentul n
ar* Unstorul au mai reamorseas*. Infcsrralol Ai corespunde timpului de
decamfjraareal tirokorilai, it Din formele de undi Visual isate pe oscilo-
mop p H I eahrile iatsrralelar U fi tf precum i raloare* eu ren tul ni
vrs | | / * ar psnait calcularea paraiaetrilor Q, i Qf :
mm
II siirar** careteri*tieilr deeomntaie pentra tir i larel e tm Miaffff
te poart (GTO) t i r #.
Schema, (it- principiu a, montajniui folosit piatrami xeti ti timpuloi
de comutarecomandat pe poart, f*i al fac torului de amplificareal
porii VQ estedat n figura 5.14.
^^Hprinreglarea6fTtfi H}sestabiletenivekii decurent Inatda
iucti^^^prgixat indocumentul normativ) nivelat letisitinudup oonducie JLfu(p
blocare *t>M
F i g. 5.14. Schema de principiu a moniajului pentru msurarea thtipuHu de stfagefc prm pcn otl
pentru tiristoarc cu stingere pe poart (Ci 70). F or wei t 4e uudfi la sti ager timtarai&& G T O .
Se amorseaz tiristorul prin nchiderea lui K l | i deschiderea lui STg.
Dup amorsare, se deschide comutatorul K x fi se nchide K t (nivelul
curentului de stingere pe poart Iugmse regleas^eu 0Tt). Be citesc inier-
talele de timp corespunztoare timpului de intlrziere tmt a timnmlui d
cretere trf.
Folosind acelai circuit se poate determina factorul de s^mpliiicace al
porii, definit ca raportul dintre curentul de oonducie Irm i curentul d#
stingere extras prin poart / **
Verificarea comportrii tiristoareler ia aplicarea (dit/ t)0r+
Schema de principiu a montajului care permite verificare* caespodr*
tirii la aplicarea (de/ dt) este dat& tn figura 5.15.
n conformitate cu precizrile din documentul normativ *1 tirtelan**
lui ie regleasi *O,0tFWn fi m T* M . _
8e regleaz (cu ajutorul rezistenei Kj) m&rimea mtervfMNu ir oore*-
puasatoare vitozei critice de creftere a tensiunii da blocare,
_a Tt vm
0t633
(dt/ d*W
0 t42
(de/ dIU
o m
Toate aceste reglaje seexecut pe ua tiristor ee pmi nU
enmpcnrtare bun* la aecaafti toHeitra ^
Be rerifici comportarea tiristoarslor urrolHmd fomm and pe
loaeqp. Oele oare cx>mut p aplic*** (d/ d*V
^S n E U H
j ...
4l? 0,1 lg*\ He eite*| t* variaia AFg coreipunztoare pe oltmetrul V.
fc almtW*a& valord reiigtaae dinamia cu un din relaiile :
r*r
AF*
A/ f
(5.f)
frc
| n
* , 1
tlfoiinrrawtifieotnlni devariaieeatemperaturaatensiunii de
*i afeitare
Sc-hi isj* de principiu a iKoatjulul folosit pentru msurare ooeficien-
i: tutui-, r* $* dai& io figura 5.19.
A* regie/ A curentai de polarizare prin<kk Ftr inconformitateeu
doc umen tal ui normativ. I^ntruacr&stmsurtoareseraco-
t&an<J&catoenttermotfiatut& *kfie oU*m*cuulei (pentruminimizarea
m*
I | i tmmm. .f*1"r P
S F
L T
4>
rfcfin 4* principiu a montajului pentru
:*fVceatulul ti variaie tensiunii de
tabfilxare cu temperatura *yg
flifciualor aleatoareala temperaturi). SemsoartensiuneaVZT1a
f* ^ f5. i la 7 " T* mm* Tarvficixuiu'fte naenLaerea rigurosconstanta
eamatalui elepolar ixareJn.
VoUmr&rul pentru oUiraa teaataaii Vt7 trebuie A aibl o rezoluie
&ai puu* i V
Valuarla cara* terUVk'ii rg te ealculeai& ca una din relaiile:
r " l ~ .
o
(5.13)
atutao dad iri este exprimat la (jrpmfC) au
TwM . , . . ~ r \ r-r.
**"* T .......
MM *#
afean ftA %*ata ax primat ta (mV/ "0)
li wmr tMMaaU 4 atryaa^eva KM pentru diodele ea avalaaf*
g*ft*rta #a yriaeiffct a montajului folowt paatra mteiirart* t*usiuail
N *at* dai* la fifara *.#0
Se regieaz nfaeul eurentului prin au*** tfpm Sm&tm
lan la valoarea precizat n (fcie*jtoi &0awtiv *1 pr4malgi. Se
citete valoarea, tensiunii pe diod ?,* ca ajutorul vaii>etrt*]K t* valoa
rea curentului fiind citit pe ampermetrul i .
Fig
Verificareacomportri! diodelor ra avalan controlatla aplicarea
puteri! tn regim de avalan P*.
Schema de principia amontajului pentruverificarea comportriIb
regim de suprasarcin pe caracteristicadeavalaneste dat in igan*
5.21*
Pentra stabilireatensiunii U, dencrcarea condensatoraiai Cmt
neeesar cunoatereavalorii caracteristiceVBa dispozitivului testat.
0 0 n i
li-ig.; V5U. Srhrrj'BI
le avtilanj a d1
npHi k mmisjitl! p#nini fneercan* ia te r *:m
t <myktt#* (mtrateiA. &tsm<&edA $|g|ji
wrrtafi , . '''IvT ^
t>ocuiueitlul normativ prevede o valoare limit pentru potar^a impulsului
de suprasarcin Pbjm- t'urentul maxim tu regim de avaian / ** H|
deter mi nat In principiu de valoarea rezistenei de | aat M$ i de jwBFm*
Intre te&siunea 1tnercara a eondensaioralui P, | i teasiuiiea da st**- J Mj
p w g ^ .
nmodevident dumtndeIj*sami pulsului N*controlatInprinci
pal --^twaiistaifi^t^1timp '* t
&$tlmanv modului de eomporiftre * diodelor su^ise hi aceasta inner-
mr* m fa prin emn futiratea eamitiilui rezidual /** msurat nainte i
dupAlaccreare,
Menionm<$diodelecarenucorespundlaaeeaxtho 1iritaresedete-
ikffisi complet ntimpul neererli (nrartiifcuit*il).
J Ml, Vi^Hraifi i n*rificarea earaeteH*t*ei4ef eleelriee de poart
Msurarea ea raeterM eilor de amorsare J ^p* t>r si a tensiunii de
WHmMHMireVvp*
^fecuitJi deprineipiuamontajului folosit pentrumsurareaearaeteris-
ticilor|{ir #* ratedatInfigura5.22.
Elementul*circuitului anodiciat standardizate (tensiunea 0Txx
V, %*3) . -
Friarulareateaiunii furnizatede 0 Tt i arezistenei Rt seobine
puiiiareft ttrintorului (triaeuluij. Momentul amoririi estedat deaprih-
BShhh| . ' i%
r------- MV
* P
i..;; * *tj| ftgSSt* Schema de arimipie *,montajului pentru
miafyrmcinettfMwiki 4cpoaftuIct?*iiT>VctlT
I pmtimttrM*K fi brucc,:
4nmI^hIidecontrai. Valoare*tensiunii poart-catodmsuratain acest
mom^utp*- voitmetrul Vestet\r. Valoareacurentului msurat peam-
p**rmetnil 4mmoment ui amorsrii este
Incintaterimwtatatasiguri temperaturilestandarddemsurareale
m0bt earactcristtdT-.T*: T^r*,.
Valoareauucinuatensiunii poaiU-ratod, pititpevoltmetrul V
imcornUu*|L*m carenudeterminaamorsaretiristorului este
i^foare^misuratacarneteristicii Tao (tensiunea<Jeneamorsarcne
pmmb i
5.3 .. Msurarea ararlerbtietlor electrice eatrasorul decaracteristici
^^ijraiiiri^4*earaetemtiei (mrvetmmInlb*englez) teunaparat
4m&$mcarejasmitemsurareaunui marenumr decaracteristici speci-
fiwtUg^vek' iiisiajbcoQda^t^aredeputere, Astfel detrasoaredecarac-
tetrtimmuiilbe&.?,&InImUW$efabricaieadiapozitivelor deputeren
Copal Hmim&tii uuor pentrupilotareaprocesului defal^ieaM-
fcIj^p^Mdovedescutilitatetnontrolui derecepieal loturi-
i mm*-** i ^ 11
tf^ura5.23eteprezentatschema(k^iacipiuawnai tr&mr de
<aracterWHrt.
Generatorul 4e tensiune GI poate fi programat i| lnerem tntr-unul din
urmtoarelemoduri:
generator jeeajmusoidal (/ =s50Hz) epolaritate^leeta)>il4(e
poate selectaalternana pozitiv mu negativii);
R*
M U I S B
c7ty ffsP >
-------1------------ i ----r ]/ W ,
Fig. 5.28. Sihema de prmeipfi a IrasotiiiJ de craetmtfci.
generator sinusoidal (f =5UHz);
generator detensiunecontinuaeupolaritatesdeetabdili
Generatorul esteprevzut euunselector degamedeteiiiiani (0 T, v.T,
OV.. .75V, 0 V... .350V; 0 V.. .1600V). tu fiecaregatt#g&iimeam
poatereglacontiunuintrevaloareaminim*\ maximii. I>easeraeot, prin
reglarearezistenei serieRsepoatelimitaputereamaximageneratorului
detensiune.
Generatorul de tensiune GTT este folosit pentru eomanda pe poart.
Generatorul poate fi programat s lucreze in unul din urmtoarele mo^tri i
~generator decurent saugenerator detensiune;
polaritate pozitiv, in raport eu borna de referin;
polaritate negativ n raport eu bornadereferin;
programarea numrulm de trepte (1,. .10 trepte) | , | f| | M
programarea nivelului treptei de tensiune sau cv&mt; jj '%
apliearea treptelor detansi ane(curent^pt^steuu nivel dit reiermi
continuu reglabil;
..plieam unui singur impuls comandat manual sau impukuri HQ|
tinue sine.ronuate eu reeaua. ^ 7
Amplificatorul ia temium AT acioneaz anupra hileia]nhu.orixN|tal
delleia pe orizont14 iiind prt>porional cu teonii^m | | bo.cael%dlsnoi'
tivului. Factorul de aiupltficare sepoate regla In la H H
la 200 V/diy.
Amplifioatorul deeurmtA/ J M'umms asupra hakiajului ^er)^#^pR
xia pe vertical fiind proporionala ou curentul plin dipozif.
de amplifiaife se poate regla tn trepte de la 0,5 lAftr la | A0r,
TrasoareledBPacteristiei snt {sreftote<^bome: a
lor demAsur&tipkiftte*varswtteBHHHHH &tipM
(borHeledehotareI HH| siut iepwatedebom^ ^
s
Msurarea caracteristicilor inversf eu trasorul de earaeteristiei
Pentruvizualizareacaracteristicii Vn(In) aunei diode siautlristor
ge | )roec(i(*azii altfel:
se alege polaritatea corespunztoare a generatorului de tensiune
(eu borna plus spre catod).
*se alegemodul delucru(curent continuusau curent alternativ)^
se alegefactorul deamplificareal amplificatorului detensiune*
sealegefactorul deamplificareal amplificatorului decurent.
Se crete nivelul tensiunii inverseaplicatedispozitivului obinindu-se-
caracteristica Vn(In) similara cu cea"prezentat n figura 5.24.
I
i
1
j
_J
I
- -
-4- |
-
1(
1
1
1
f
o)
Fig. 5.24. Vizualizarea caracteristicii YR( I M) pe trasorul de caracteristici: (a) Vizualiza
rea caracteristicii n curent alternativ semisinusoidal; (6) Vizualizarea unui punct al
caracteristicii n curent continuu.
Msurare* caracteristicilor de blocare eu trasorul de caracteristici
Pentru vizualizareacaracteristicii V0(IB) aunui t iristor sautriacse
procedeaz astfel:
se alege polaritatea corespunztoareageneratorului detensiune
(cu borna plus spre anod);
se alege modul de lucru (curent continuusaucurent alternativ) ;.
se aleg factorii deamplificarepentruamplificatorul detensiune
i de curent;
se crete nivelul tensiunii deblocare aplicate.
Caracteristica de blocareVd(Id) obinutpetrasor arcunaspect-
similar cu cel din figura 5.25.
Vizualizarea caracteristicilor de curent alternativ ea trasarul de carac
teristici
Utilirlnd modul de lucru curent alternativ se pot risualiza concomi
tent caracteristicile inverse i de blocare ale unui tiristor. a fifura 5.36
este preeeatati alura caracteristicilor de curent alfcsraativ.
310
Vizualizarea caracteristicilor ie eeadacie entradiode i turUtosre
Pentru vizualizarea caracteristicilor deeonducieF*(jTF), respectiT
yr(IT) seprocedeazastfel:
sealegepolaritatea corespunztoare ageneratorului de curent (plu
sul la anod);
' ge alege modul de lucru (curent continuu aau semuinusoidal);
se alege semnalul decomand pepoart(numr de trepte: 1, ni?e-
tai treptei: 1Q= (2.. .5) l<# al tipului dedispozitiv$i polaritatea semna
lului).
Aspectul caracteristicii de eonducie vizualizat pe trasorul de carac
teristici este cel din figura $.27.
Metoda de msurare imcurent continuuprestat dezavantajul unor
erori demsurmai mari datorit nclzirii dispozitivului ntimpul msu
rtorii.
Unele tipuri detrasoare(deezempluTEKT&ONIX576) auprevzut ca
accesoriu un sertar demsurlacureni mari (plnla200 A) careprin
dara taredusa impulsurilor decurent (80 u$) asigurcondiii izoterme
da msur.
ff tf
lyi \ T WtmtJ im*** teriHirii Vf/ #) },* Jramntt 4* ttrftcUffitkl {>Vizualizarea
tWWtWTWWl ImiMUint i l i fw l l r iititiiipiiirtat ( Tiuhrw MtUl ai ciwctifftttictt
i> <nvnt tia4MI _... -- -1
rttr#atvlt(i 4#*rn| iuMr* l t i 4am^ij 1L n ajutora! tra-
wmlei deitnct#(i^ri
lJ*3ini mAiorarea umttului de metii'nerp se procetlciixaastfel:
-#dk,H**Msaregimul d<>Ineru incurent continuu
m Apiw* b*6ioiiiui o teosiine aeodiriv V3 * 6 V
** m regii; asfc reat&iena ieri k* valoarta J m Z O
ie. seM-ii as&regimul deoomandAmanuala, cuunsingur unpul k
pepmrt(1$>lr pnntratipul retpeetir detirisor).
Prouroand eu1 <uupulsui de oomandfcpepoart.
TINitarnl n*r*iua spatul tm din ponia F#* I T ,' J w O la pozi-
V* Ff 1 V, T i Jk
Aciunlm! asuprabutonului dereglare *taMtiiui iereducecontinuu
UwMl eumitului pnntiristor.
l((((#((rswwFS iugtH*#fc-i& <S trvMrttt**' )f pt
r r r Ti '
pMmy"i
f c d
t i T
;;; ; t L
f _*s
K-Ti' \ "
V r r f -
e'm / * cswfitjniiide viorii mHtime a clientului ptin tirt*
^ oufjjnr- m condne-bvXInboflnd *ub iStteiwrt. valoare;
J P Hh f-v.a ta yHi Hhk *;
..iitlin** t$6&**b mprwmt*&& mc^kni^k^ visualuata pe fora** -
finii tnildBiirr<i>flrgtti^
-
Pentru m&gttr&rrcacurea tui ai deteiop}, *ejrrirmwligdiiii li mnrt jnrittr
-cu preeixureeA inimii regi* K, *, o v. fte er**t* pitim* | m
omattda manuali pe poart <potul ra m*e depeaxafV 0 ti?
poliie J T, ?. i J acaceast nov porie na m wmtfmm teaetarea
<omonxii pe i>nnrffi., se erete la contfoaare Ta rtnjSt eb*d *p>tI rimuar
agat*5 ntr uapuurt It, fYstabil. Valoareacure&tuiidpmtiti afceiat
ea* c*<rc*pundeeurentuui de amjaj h. nfiguri 5.29e*ti r#pteitl*i
evoluia i>tt}ltri la mimtiraroa certai paraiiietn.
ftf , f<2i. V*Ii3i*rtii h mitymtp
ftimtfMhit t* iemneiet^ei-
Msurareaeandirblieilor 4cpsftcatrasarai 4eearactcrislici
PentrumsurareacaracteriAtk-iluardcpoartI^r, Vgt #proi,ed4
astfel; vi?'
se se1eteM& modal de twra ia curent eoniiaut; -tj
seregleazteiuiuaeaauodiciai\ tV; , , f,' s|
**tercgleazarezistenaserUS*.$Q;
seselecteazmodul maaaal decumandp#poart, ,'.' 'J
Seaplicasueewimpulsuri det*wnand&(6 treapt) eaam^Uutiae
dincetacemai mare(reglajul amplitudinii mpoatefaceooattouxi pcx
referinadecurent continuu). Valoareaamplitudinii curentului sautft.
sitimi depoartacarepermitemeanWaUriitorulai autriacului iiar*
dcconduciecorespundecurentului dcamorsare/aTsauen^uaii deaBie^:
sare*et*
Pltf. &.*). ViTatifm MtiN4>*
craet;rtttHrUaf d* fwrti ifff li 'ftfTp*iniMWl 9*-
entHiifi^-
t . - I
i i (f * y, i 1 1 1 1 n n n 1 1Vt h 1 1
^ C m H H
Histtrarea(raftirifttlr^r eieetrie pentru diode stabilizatoare do
Trasorul thenrcttiiilkt pornitra&iurareaurmtoarelor caracte
ristici eWi! u*' pentru u&d<* tabilizatoare; teaiinnea de tbili2are nomi
nal minira V,,Afi roiisten*dmamic pocaracteristicadostabili-
m#?. Tfliieirwf#^raHctasUci teobinprinvizualizare caracteristicii
VAh)
J **aira vizualizarea oaraeUiriMtieii io procedeaz tnt fel:
:-<mm ( t*' polaritatea generatorul oi de tensiune (borna plus la
eiid&l dkdel);
iotecieaamodul delucru: curent semiidnuMklal
--*mTrlrr-t-rartfactorii deimplifieui pentrucurent i tensiune,
*CWsfieprogresivtensiunealabornelediodei pinseobinecarac-
fcftritHfadeAtaiiii?:ar<*P^'{Jzysimilareaceadinfigura5.31.
Ktg_. &.31. Vizunii zarea caracteristicii ^z{^0
t ditdiUt# stabilizatoare de tensiune pe
trasorul de caracteristici.
J th
ICfyi1 A Tr$mml fatfaraefensitci nupoatefi utilizat pentrum&8urarc&
Mf&xiteriMiieik*T de mmui si e (4ri Ir Vd de/ dl, di/ di ete.).
54 Majorarea caracteristicilor termic*
M&Mtmrimfe4anfet lemiieetranzitorii joaciuoe-eapnlZ*j.t
f*&w&4*pr4io'*iH8amontajului folosit pentrumsurareaimpedan-
f**i imiam#tranzitorii jonc iane- c&psulZ*^esteeadinfigura5*32*
L joai'Vlawi fiindinaccesibilmiWr&iii directeseutili
;gea>%&dr*?|rt< *' uuparametruelectricmsurabil ae&rui variaia
j^-:t*^iiitl3fik nmoduzual acest parametruestetsen*
diepozitivarepesintftevariaieliniari eti ternara*
tteimmbofjl *$ e$g?e& eu tontul de conduct ie prin dispozitiv
la40Pcurbat 1 / mm*nt*provoacopf
aeiliifiiattitft * pmoduzual /, m10., uri u*Apc
nclzire
entru
1 'SSniASj|*i tiristoarei triae#, M&rameapara-
t , . etttemperaturap, iefaceeadrisipowf&vol defcH*tafc
entopolarizat cawenfcnl I*
: tfiilzire cmd disp^liv a M -
mare \f. 10.. .100 A) ear^detenaininetttzireadUpoxtiTular. (<eat,a>
u - v - s r
+'1/
0
Ide
:v ,
"
;/T
l&
4
Fig. 5*32. Schema de principiu a wntajafel pesim srserkrca ttnpedantei teeaice
tranzitorii joac
Ft#awie de uu4 In t i t r a i
torul de curent permite regtoiea#Viltiul ^ a duratei de apUeare a ceren-
tului de nclzire.
Msurind tensiunea pe dispozitiv nainte ^dupi aplicarea cnrentahii
de nclzire se poate' ealeuik valoarea uuip^jbiAei tei^pako tranzitorii in
funcie ^e durata impulsului de nclzir it.
Prin definiie:
deoarece
re^Tfca
mm
k. * :;
I .F
Incare4 Fn1i F.*#eirescdepeformelepuiwli yizailixaiepe
sop.
Pentra asiguri vrea preeiziet de mstai&t*f bule ^ re&pectate
rele condiii:
~~temperatura capsulei Ta va fi meuAuat eoaiitaatl, pr^ a t ^
s^rea unul radiator adecvat (de vleria| i: r^tsit ea apl)
uifeurarea tensiunii V n eva face U m inervai p d>*
. iinu.uUudetneftliire*akastfel ln<t lo*rtovariattonsiiea^
iuratefen)iaaetertraa*itorii eleeaieein di^&tut dwr
iunii nu tea<teeiuailioativ. ta nuai uxnal Al ^ .. J iO aa
IMn iii;L:u)nn,ea earactori^U Z#<., penttn valori. dleri ^:.
eurentultd de nchie ** X^-Mot ea nrba ^ ;>. j
lori deMl afodatatei apid^^
eutitiUAt, loea64 viattWi eoal#i|^,^e
eapui Mtk m>

1
m . .1*
MetodUt dc*cmpermit*msurarecaracteristicilor Za *
M* j*t <?ueroareeepoatefi greueohortnub5%dinurmtoarelemo
tive | c^ftr teului # variaieal tensiunii lastaredeconducie*#> nu este
acelai pentrutoatedisposittTeledintr-unlot defabricaie: ncokmlul
impedanci tcnulw Ifteuiltofii iw utilizeaz 4 mrimi fitectriw afectat
fifwri (lemsur(F^i, I*i Wmf*
PunfBmitimrtrmmeprevinemai ridicat aacestei cwictfrkrtidmpoate
utiliza tw^odt derivat lin ceaprezentat anterior,
-SilKnvi di* priraiptu a montajului care asigur aceast msurare est
el dmfigura5.33.
iir-nml;^ni ii*- curent asiguraplicareaunui impulsdenclzire, cu
jnrsisl deaplicareaunui curent depolarizare//. Diapozitivui
t l
-
\k
tfP
_ i
1* S J
w
| T ?
f
L,' L____
Mi
Vi
WafcB
cktHMd#iM&ef'i'
jxtoM fig , Fac
pentru msurarea rezistenei I er
ek ti? hd tu timpul msurtorii.
dr usRtai este introdu! in ti-o incint termostatat cu temperatura regla-
bi l 17 iifi meni nzual o baie termostatat ea ulei),
SM*eu$ademsuresteurw&foare;!:
latemperatura 7, - Ta a incintei termostatate se aplic impulsul
deiMjUiin/, euduratat,. Se, musoartensiunea in stare de conducie
laetpireui ui depularizaru/,.
m erecte teui pe tul arabideulei, msurindcontinuu tensiunea
V'miatu ren tui de poiarizajelr,
nrulmentul incareTrmmi *. mmsoartemperaturaT%abii
deuici t*murturvafi crc&eutaufkient delent casseasigureatin*
fejhilibrului termicintredispozitivi baiadi*ulei). Secalculeaz
Za j| ea relaia;
~ f e r ,
*'mUO
(5.21)
Valoarea astfel obinui*. este mai precis dedare ce nu intervine earac*
Miea r*. u*uq jafurile f j i 2', pot ti msurate cu o precisie Toarte
tfsarar**ttuwdanei termiectranzitorii rt*diuior-umlimi Zar-
' ujs*dai&4ei termicetranzitorii radiatoratubiaftt cunsti
Iii mimni! e*wiuviei 4i*^twrii fevfer-uii pimet specificat ai radiat-
1 retur te- -uuMiful! mtareduj^iMtivuiiu1 mmapUcuunimpui' treaptde
tfchemadeprincip! * montejnlui okmt *te dM t fi*w* **
w'st ,
Trk
Tr
A fi
Tlg. 5,34. Sijietua ii* principiu g njoiilajUfti pentru niutrarH iwdittei I fiMicf lfwrrtn>
* radi fer Feiinci* de uuti tn timpul usa urioni "'.... y V., ,
Se regleaz nivelul curentului injectat indispozitiv. Putereadisipar
de dispozitiv este calculat cuvalorilemsuratedeampennetni f voii-,
metru:
p~imv
Temperaturamsuratcontinuucutw>ndadetemperaturaTarte
nregistratdeinregistratornl detemperatur/ T. Tmpedaa*termici
tranzitoriesecalculeazcurelaia;
Za U i ) - . i H 2Z , ~ (5 35 )
Incazul incareansamblul de. rcirefuncioneazinreginadeTente*
laieforat, montajul sesuplimenteazeuunsistemdeventilaieforat
(turbinsauventilator) i cuaparatedemnuravitezei, debitului fi
presiunii aerului dercire(anemometre), SemsoarvariaiZ*r-bat
funciedeviteza(debitul) aerului dercire. Pentruansamblurilercite
culichid, montajul sesuplimenteazdeasemeneacudebitlitrei cusonda
detemperaturpentrumsurareatemperaturii lichidului dercirelaintra-
reai ieireadmansambludercire,
Avindinvederecapacitiletermicemari aleansamblurilor dereire,
msurareacompletacurbei Z**J<t) poatedaracea2~3ore.
Evident, valoarealacaresestabilizeazcurba***(0 estereziv
fetiatermicradiator-ambiant
Temperaturaambiantsemsoarlaodistani deeea30
ansamblul dercire.
Montajul poatefi folosit i pentrumsurarearezistenei termice%
contactului Ukspozi tiv-radiator Ha*-inacesfcscopmutilizeazdonfc
termometrecarepermit msurareatemperaturii inpunctul ap*H>ifie*i pe
capsuli tntrunpunct peeifieat peradiator. ^^gjSjfeei
5.5, Verificarea caracteristicilor funciona ie ) de umluran
Verificarea caracteristicilor funcionalei de andurani ptvupwae
ncrcarea electric i/sa, Ujunic a. dwpwsi4 Te^|| mriwfc. apropiai
sau identici cucei nominali paoduratde tiran dat uraiaUd* *uam\ tul
performanelor dispozitivelor. mvenfn^atfeiaptiti^^atiii^jali\-elar
deandeplini funcieprincipalpentm can aufect eratt*- w
- iio cm da
A rtrifu'mr* *t rrfcut ( cadrul nGervrifor de tip (periodic*)
*i 4*wmtf&'nti-. taf&ttaie##i|knnUTQl dputeredistingemurmtoarele
uveerciri:
taeerc&rt detipra#tomti&accidentaldeeurvnt saudepufcere(spe
cificdy3!ltfyfrkvr rvdreainirei tfcweriaetacapitolul 5.3;
Inaere&ri deobosealtermici - specificedispozitive)rcdresoar
!* putere* medic si marc;
*, * intwen n regim de redresare*frprcifw*edi* pozitivelor redrefcoare
de ruit.' edie putere (foarte rar l de marc putere);
ncercri inregimdeblocarelacaldspecificedispozitivelor
redreaoire;
inregundetocarelaaJUl - pentruoatedispozitivelej
~InceH'nninregimdestabilizarepentrudiodelestabilizatoare;
-*ncercri di*funcionarencircuitespecialedetest - -pentrurliace
f*altediwpofcttivespecialedecomandsat protecie.
s eontimiarr vor fi pr**jentate ncercrile de andurart practicata
pentru dispozitivele B^nuconduct^are de putere, la I P MS- INEA SA.
ci^-e fn^erpftrf ni ut asemntoare' qu cele recumandftte te public ia CEI
~ ncercareaInreiaderedresare
4 ^astkic-re^reaefolositlaVerMcajceadispozitivelor ir^e|oarei
diode, '}-f: fi puni redresoare. ^.UciUw'earuuipoiu'Utei'cstedeosebit
ie- *.,,>>. Astfel, dispozitivul e<Uasnpua' urmi regimdetnc&rcareefec-
ipief ivezi figura5,354*), aaluett X*
Schemachrtritulni electric Inremureestedatmtigrnr535.
Schemafolositprezint, avantajul economisirii **erp4*mrmter
prinfolosireaadousursedealimentaro, pentrudipzitirvttlt*tat DT) I
sursa1 (Jir. 1 i Tr. 1)asigurcxirentul direct de eonddcie Im* **r i
sursa2 (jir. 2i Tr. 2}asigur, tensiuneadeblocare. Funcionai rem-
tului arelocInmodul urmtor. Peprimawmiperioad(, Tfytrwtorul
Thestedeschisi seaplicdiodei DTtensiuneadelauirsa Qt n&
impedaninterna) provoendtrecereacurentului semisinnsoida i9eam
plitudine r, ; rr rezistenaechivalentadSspozitvidai testat
inconducie). ntimpul semi perioadei urmtoaretiristorul Tkvblo
cheaz, ceeacefacecatensiuneageneratdesursa#sfkt aplicatdia
pozitivului testat.
ncercareaareoduratde1000 ore. Pentruevidenierea ventnaelof
modificri aleperformanelor dispozitivului testat, mexecutlafinele
celor 1000ore$i peparcursul lor (la2.. .3momentediferite) msurarea
parametrilor principali ai componentei. s^r^^^SBKBj^
5.5.2.ncercareadeobosealtermie
ncercareaseaplicnumai dispozitivelor de putere, laeaseIneJzize*
datoratfuncionrii estemai marede30.. .50^0, lajonciune*ncerca
reamai estecunoscuti subdenumireadeoiktretermhprm dena-
miremai sugestivnceeaceprivetemodul derealizareal ncercrii.
Astfel, ncercareaconstinnclzireai rcireanccesivacompo
nentei, cuuncart detemperatural capsulei sau jonciunii, prescris,
nclzireaseface, ingeneral, printrecereacurentului prindispoiati?, sar
rcireasefaceforat prinventilaresaucu ap, curentul denclzitefiind
ntrerupt. Perioadeledenclzirei respectivrcire trebuies&' ffeaproxi
mativegale. Durataunui ciclucomplet trebuiesfiede1 . .10 minut**
pentruaconservamecanismul de defectare visat. Numrul decicluri
executat?estede1000.. .5000.
5.5.3.ncercarea de blocarela cald ..
Esteintilnitnumai incazul diodelor i timtoarelor i constn
meninereaacestorasubtensiune(semsinusoidalsaucontinu) iai regim
deblocarei latemperaturridicat(ngeneral Ta-; ?*> ;
ncercareadureaz1000om. Eaestedeosebit deduratit peutsi
olt i pentrutirwtoare. LafineleIneerdUii, precumi pep*weurstt?>
2 .. .3 momentediferitedetimp) eexecutmsurare paraawttiktr p*ia~
oipali ai 'omponcntelor, pentruevideniereaeva#uak*Jor m&&ttsi saa
defecte, (;?.;
5.5.4, Tumoarea de stocare la eald
Const In mon inerea coxnpoucwtilr timp de 1000 uro* la i ianpt ifciiir
ambiant maxim* permis. ttsle folosit pentru . ?
de degradare activate de temperatur, ta casnl aoessei ia<^e*ri sme
se pot aplica m.d uor criterii aeekr**, la vaderta :ars^
de solicitare.
.1& fneercare* de fnneiooar* lu regim de stafeilU^r*| ^|
;*tefotast' pewtru:Tcrifieaseaeemafliyrtl diodelor*
i diodelor nutensiunedereferin, ^msttnapifcareaycaws^^^
bilizaremaxim specificat iu condiii de rcii asigurate, timp de 1000] ore.
8eexecut*msurtori la 1000 ore, precum i la 2 .. .3 momente de timp
diferite, peparcursul ncercrii, pentru toi parametrii principali.
Slttlli f Mf V^-P- i ./ V-' :;
5.5.6. ncercri de funcionare in circuite specialede test
Pentru reproducerea condiiilor de solicitaredinexploatare, ncee-
oftrile dispozitivelor speciale(decomandi deprotecie) sefacnciroaite
speciale care reprezintnfondreplicasimplificatacircuitelor reale.
Durata acestor ncercri estede1000 ore.
5.6. Verificarea fiabilitii
Fiabilitateadispozitivelor semiconductoare de putere este exprimat
prinratade^defectare in timp. Condiia tehnic de fiabilitate conine,
pelngvaloarea ratei de defectare i alte precizri asociate, fr de care
aceastaar fi greu de verificat. Acestea snt :
tipul funciei de fiabilitate Rit) :
nivelul de ncredere asociat viorii garantate a ratei de defectare;
^ intervalul de timp asociat !rateide defectare garantate :
i>>: . w solicitarea aplicat ;
f- s- criteriile de defectare aplicate. >
Bata de defectare se calculeaz pe baza rezultatelor unor teste de
verif ieire care pot fi de trei tipuri:
PPH teste, cenzurate : ncercarea se oprete cind s-a realizat numrul de
defecte stabilit ;
teste trunchiate : ncercarea se oprete cnd s-a realizat timpul
stabilit;,
ui): teste combinate: ncercarea se oprete cnd se realizeaz primul
din celedou evenimente numrul fixat de defecte sau timpul de ncer
care.
Pentrudispozitivele de putere funcia de fiabilitate exponenial
modeleazfoartebine defectarea in timp a acestora. n consecin, rezult
crata de defectare este constant n timp.
Nivelul dencredere asociat valorii garantate a ratei de defectare este
90%, iar duratancercrilor trunchiate est 5000 ore.
Solicilrile^aplicatesnt simple sau combinate :
stocare la temperatura maxim a jonciunii (100C .. .1750) ;
blocarela cald : componentele snt meninute la cald aa net
jonciuneasaibaproximativ temperatura maxim permis, u aplica
reatensiunii inversenominalesauaunei fraciuni din e ;
redresare : componentelesnt supusennui regimelectricderedre
sare, aa1inet jonciuneaajungenvecintateatemperaturii maxime
permise, prin alegerea adecvatacondiiilor dercire;
funcionare n regimdestabilizarelao puterecareasiguratin
gerea temperaturii maxime ajonciunii.
Criteriile de defectare, extrem $e severet sar^ciQneaz ca defect un
dispozitiv semiconductor de putere dac cel puin unul din parametrii si
principali a depit specificaiile documentului su normativ.