8.

Dispozitive
semiconductoare
Copyright Paul GASNER

Cuprins

Jonciunea PN la frecvene nalte

Diode varactor

Diode PIN

Diode tunel

Dispozitive cu transfer de electroni

Diode IMPATT

Copyright Paul GASNER

8.1 Jonciunea PN la frecvene nalte

se consider o jociune plan, abrupt,

ideal i asimetric la echilibru
termodinamic
nn>>np i pp>>pn i atunci purttorii
majoritari migreaz de cealalt parte a
jonciunii
se formeaz o regiune de sarcin spaial
n regiunea srcit de sarcin (regiune de
barier sau de trecere)
sarcina spaial creeaz un cmp electric i
un potenial de barier, care se opune
migrrii purttorilor majoritari
apar dou tipuri de capaciti:

capacitatea de barier

capacitatea de difuzie

Copyright Paul GASNER

8.1.1 Capacitatea de barier

apare ca urmare a acumulrii de sarcin spaial n regiunea srcit

prin definiie

dQ
C b V Q =
(8.1.1)
dV V =V

n cazul srcirii complete, sarcina acumulat este

NAND
Q=q
Al
(8.1.2)
N A N D
unde A este aria jonciunii i l lrgimea total a regiunii de trecere, care, n
prezena unei tensiuni externe V de polarizare, are expresia

(8.1.3)

iar potenialul de barier este

(8.1.4)
Copyright Paul GASNER

2 s N AN D
V
l=l p l n =
V
V
=l
1

b
0
q NAND
Vb
Wb
NAND
V b=
=V T ln
2
q
ni
4

8.1.1 Capacitatea de barier

pentru o jonciune P+N, NA>>ND i atunci din relaiile precedente,

efectund derivata din definiie

(8.1.5)

s A
C b0
C b=
=
l
1V /V b

unde l0 i Cb0 corespund echilibrului termodinamic

Copyright Paul GASNER

8.1.2 Capacitatea de difuzie

Cd se datoreaz acumulrii de purttori minoritari n exces la polarizri

directe
curentul prin diod este dat de ecuaia Shockley

(8.1.6)

I =I s e

V /V T

unde Is este curentul de saturaie dat de purttorii minoritari

Cd este dat de

p I sp n I sn V /V
e 1
(8.1.7)
Cd=
VT
unde sunt timpii de via ai purttorilor minoritari iar dac n=p= atunci
I
1
dI
(8.1.8)
C d = = g d , g d =
=
VT
dV V =V V T
gd fiind conductana diferenial
T

a diodei n polarizare direct

Copyright Paul GASNER

8.2 Diode varactor

prin reglarea tensiunii de alimentare, diodele varactor (variable reactor) i

modific puternic reactana capacitiv

8.2.1 Capacitatea de barier

se consider o jonciune puternic asimetric P+N, unde impuritile

acceptoare au o variaie abrupt
Ecuaia lui Poisson unidimensional pentru regiunea de trecere este

(8.2.1)

d 2 V qN x
=
2

dx

unde Nx are expresia general

m
(8.2.2)
N x =Bx

integrnd (8.2.1) cu condiiile la limit

V(0)=0, V(l)=Vb+Vi unde Vi tensiunea
invers aplicat, se obine

Copyright Paul GASNER

8.2.1 Diode varactor. Capacitatea de barier

1/m2

m2 V b V i
(8.2.3)
l 0=
qB

sarcina spaial acumulat n regiunea de trecere este

Q b =qAN x l n

(8.2.4)

capacitatea de barier are atunci expresia general

(8.2.5)

m1

dQ b
qAB
C b=
=
dV i m2 V b V i

1/m2

=C b0

Vi
1
Vb

1/m2

unde Cb0 este dat de

(8.2.6)

m1 1/m2

qAB
C b0 =
m2V b

valori diferite pentru m nseamn profile diferite de jonciuni, cum ar fi:

m=0 pentru jonciunea abrupt i ideal; m=1 pentru jonciunea liniar
gradat n regiunea slab dopat; m<0 jonciuni hiperabrupte.

Copyright Paul GASNER

8.2.2 Diode varactor. Rezistena serie

rezistena serie (de volum) este determinat de regiunea slab dopat ntr-o
jonciune asimetric
rezistena de volum este aproximativ egal cu cea a stratului epitaxial

(8.2.7)

R s=

xe

xe

1
1
1

x
dx=
dx

n
Al
A l n x

iar pentru o jonciune abrupt m=0, unde n(x) este constant, ecuaia de mai
sus devine
1
(8.2.8)
R s=
x e l n

A n

Copyright Paul GASNER

8.2.3 Diode varactor. Scheme echivalente

Cb este capacitatea de barier, Rd

rezistena diferenial a jonciunii (la
polarizri inverse), Rs rezistena
serie, Cc capacitatea de ncapsulare,
Ls inductana terminalelor, Cs
capacitate datorat efectelor de
margine
la frecvene joase este preferat
schema echivalent simplificat din b
Frecvena limit pentru o tensiune
invers de polarizare Vi

(8.2.9)

Copyright Paul GASNER

1
f V =
2 C b Rs
i

10

8.2.3 Diode varactor. Scheme echivalente

Frecvena limit pentru polarizare nul

(8.2.10)

Frecvena critic
(8.2.11)

f V =
i

1
2 C b0 R s

1/C bmin 1/C bmax

f cr =
2 Rs

unde Cbmin este capacitatea corespunztoare tensiunii inverse de strpungere

iar Cbmax corespunde unei tensiuni pozitive apropiate de zero
Factorul de calitate, (raportul dintre energia nmagazinat n elementele
reactive i energia disipat)
C b R d
Q=
(8.2.12)
2 2
1 C b R d R s

Copyright Paul GASNER

11

8.2.4 Diode varactor. Aplicaii

mixere de semnal (modulatoare, multiplicatoare de frecven)

detecie

generatoare

amplificatoare parametrice

elemente de acord

Copyright Paul GASNER

12

8.2.4 Amplificator parametric

Copyright Paul GASNER

13

8.3 Diode PIN

dioda PIN este format din dou regiuni

puternic dopate P i N, izolate printr-o
regiune intrinsec I
stratul I conine mici cantiti de
impuriti acceptoare (strat ) sau
donoare (strat )
w<<Lp,Ln
sarcina spaial a regiunii de trecere se
formeaz n regiunile puternic dopate
srcirea total a regiunii intrinseci se
realizeaz prin aplicarea unei tensiuni
inverse Vs numit tensiune de srcire

Copyright Paul GASNER

14

8.3.1 Diode PIN. Polarizarea invers

Capacitatea de barier Cb este aproximativ constant la

polarizri inverse deoarece lrgimile regiunilor de
sarcin spaial rmn constante i egal distanate din
cauza doprii puternice a regiunilor P i N
Rezistena diferenial invers Rd are valori foarte mari
Rs = rezistena de volum a regiunilor P i N i
rezistena contactelor ohmice
Ri = rezistena de volum asociat regiunii I
Cc = capacitatea de ncapsulare, Cs capacitatea de
margine datorat contactelor, Ci capacitatea regiunii I
La tensiuni de polarizare relativ mici (Vinv<Vs),
regiunea intrinsec nu este sarcit n totalitate, ci doar
pe o distan a<w

Copyright Paul GASNER

15

8.3.1 Diode PIN. Polarizare invers

2
a=
V b V inv

qNI

(8.3.1)

dac A este aria jonciunii, iar i =1/ q N I este rezistivitatea stratului, se

gsete

(8.3.2)

1/ 2

A
C b=
,
a

A
C i=
,
wa

Ri =i

wa
A

dac Vinv=Vs, atunci a=w i atunci C b = A/ w , C i = , Ri =0

pentru Vinv>Vs, Cc, Cs i Ls au valori foarte mici iar Rd foarte mari, astfel
c n schema echivalent general numai Cb i Rs sunt importante
pentru Vinv<Vs, Ri este mic din cauza existenei purttorilor de sarcin n
aceast regiune incomplet srcit

Copyright Paul GASNER

16

8.3.1 Diode PIN

Copyright Paul GASNER

17

8.3.2 Diode PIN. Polarizare direct

goluri din regiunea P i electroni din regiunea N sunt injectai n regiunea I

i cum w<<Lp,Ln aceast regiune va conine purttori mobili n concentraie
relativ mare
rezistena serie a diodei scade foarte rapid cu tensiunea aplicat, n mod
identic ca la o diod semiconductoare obinuit

Conductana diodei este proporional cu sarcina acumulat n zona

intrinsec, iar sarcina este dependent de curentul ce trece prin diod:
dQ d Q d
(8.3.3)
id =

dt

unde este timpul mediu de recombinare al purttorilor mobili de sarcin n

stratul I, Qd sarcina acumulat n regiunea I, iar Qd/ reprezint curentul
injectat n stratul I

dac alimentarea diodei se face cu un curent continuu peste care se

suprapune o component alternativ, atunci sarcina acumulat va fi
modulat de componenta alternativ

Copyright Paul GASNER

18

8.3.2 Diode PIN. Polarizare direct

(8.3.4)

i d j
Q d =
1 j

o component cu o frecven mai mare dect f0=1/2 are acelai efect ca

i componenta continu, redresnd semnalul alternativ ca o diod obinuit
la frecvene mai mari dect f0 dioda
se comport ca un rezistor liniar a
crui rezisten poate fi controlat
cu un curent continuu sau alternativ
de joas frecven ce strbate dioda.

Copyright Paul GASNER

19

Copyright Paul GASNER

20

8.3.3 Mod de funcionare cu rezisten variabil

Copyright Paul GASNER

21

8.3.4 Diode PIN. Comutatoare

Copyright Paul GASNER

22

8.3.5 Diode PIN. Atenuatoare

Copyright Paul GASNER

23

8.3.6 Diode PIN. Defazoare

Copyright Paul GASNER

24

8.4 Diode tunel (DT)

funcionarea se bazeaz pe efectul de tunelare interbenzi:

tunelarea unei bariere de energie potenial de ctre electroni a cror
energie este mai mic dect nlimea barierei; pentru ca acest fenomen s
fie posibil este necesar ca limea acesteia s fie foarte mic, de ordinul 10100
limita inferioar a benzii de conducie Wc din regiunea de tip N este situat
energetic mai jos dect limita superioar a benzii de valen Wv din
regiunea de tip P (jonciuni PN la polarizri inverse puternice)
la DT suprapunerea benzilor are loc chiar la echilibru termodinamic i la
tensiuni directe nu prea mari
semiconductorul trebuie s fie degenerat
funcionarea DT i forma caracteristicii statice pot fi explicate utiliznduse modelul zonal simplificat

Copyright Paul GASNER

25

8.4 Diode tunel

Copyright Paul GASNER

26

8.4 Diode tunel

Copyright Paul GASNER

27

8.4 Diode tunel

Copyright Paul GASNER

28

8.5 Dispozitive cu transfer de electroni. Efect Gunn

Gunn (1963) observ apariia

oscilaiilor de nalt frecven n
eantioane de GaAs sub aciunea
unor cmpuri electrice foarte
puternice (2-4KV/cm)
perioada oscilaiilor este
aproximativ egal cu timpul de
tranzit al electronilor
(semiconductor tip N) ntre catod
i anod
oscilaiile sunt efectul formrii i
deplasrii unor dipoli de sarcin
spaial n semiconductor
cmpul creat de dipol se numete
domeniu de cmp nalt
<1000GHz

Copyright Paul GASNER

29

8.5.1 Mecanismul Ridley-Watkins-Hilsum

oscilaiile (efectul) Gunn se explic prin existena unei rezistene

difereniale negative de volum (RDNV)
RDNV a fost prezis de Ridley, Watkins i Hilsum bazndu-se pe
mecanismul de transfer de electroni

ntr-un semiconductor tip N, curentul de drift este dat de:

j=q n0 0 E
(8.5.1)

unde n0 concentraia electronilor la echilibru termodinamic, n mobilitatea

electronilor

se aplic modelul two-valley, n care BC prezint dou minime,

corespunztoare direciilor [000] pentru minimul fundamental i [100]
pentru minimul satelit
masa efectiv n minimul fundamental este m1*, mobilitatea electronilor
este 1, iar concentraia n1; n minimul satelit, masa efectiv, mobilitatea i
concentraia electronilor sunt m2* i 2 respectiv

Copyright Paul GASNER

30

8.5.1 Mecanismul RWH

concentraia de echilibru este

n0=n1+n2
deoarece m1*<m1*, mobilitile
vor fi 1>2
mecanismul RWH const n
transferul de electroni (sub
influena unui cmp electric)
din minimul fundamental n
minimul satelit

conductivitatea n regim
staionar este
=q n1 1n2 2 =q n0

(8.5.2)

iar densitatea de curent

(8.5.3) j= E=q n0
E=q n0 v
Copyright Paul GASNER

31

8.5.1 Mecanismul RWH

la cmpuri slabe EEa, toi electronii sunt n minimul fundamental i

densitatea de curent este j1
la cmpuri intense EEb, toi electronii sunt n minimul satelit i densitatea
de curent este de tipul j2
pentru EaEEb, electronii
ocup stri n ambele
minime

RDVN exist doar dac

1 E a 2 E b
(8.5.4)

Copyright Paul GASNER

32

8.5.1 Mecanismul RWH. Condiii

Condiii necesare transferului inter-minime

temperatur suficient de joas pentru ca electronii s se situeze n

minimul fundamental n absena cmpului electric

n minimul fundamental, densitatea de stri i masa efectiv s aib

valori mici i mobilitatea s fie ridicat, iar n minimul satelit
densitatea de stri i masa efectiv s aib valori mari i mobilitatea
redus

intervalul energetic dintre minime s fie mai mic dect limea benzii
interzise (pentru a evita multiplicarea n avalan)

Copyright Paul GASNER

33

8.5.2 Moduri de funcionare a DTE

Copyright Paul GASNER

34

8.5.2 Criteriul Kroemer

pentru formarea unei instabiliti puternice de

sarcin spaial sunt necesare:

concentraii mare de electroni

lungimea eantionului mare pentru ca

instabilitatea s se formeze complet

rata de cretere a sarcinii n instabilitate este

t /
Q x , t =Q xvt , 0e
(8.5.5)

unde
(8.5.6)

s
s
D= =
q n0d

maximul din (8.5.5) se obine pentru t=l/v, iar

exponeniala devine exp(l/vD)

e necesar ca exponentul sa fie supraunitar,

deci
no l s v / q n0d
(8.5.7)

Copyright Paul GASNER

35

8.5.2 Moduri de funcionare a DTE

12

s v / q n0d10 cm

n GaAs

1. n0l >1012cm-2: domeniile de cmp nalt se formeaz complet - mod cu timp

de tranzit sau mod Gunn pur (oscilator)
2. n0l <1012cm-2: domeniile de cmp nalt nu se formeaz, dar iau natere unde
cresctoare de sarcin spaial regim de amplificare stabil
3. la DTE cu neuniformiti de concentraie i acumulri iniiale foarte mici,
cmpul electric rmne constant pe lungimea dispozitivului; pentru
circuitul extern, DTE va prezenta o rezisten diferenial negativ pur
mod cu sarcin spaial limitat (LSA limited space-charge
accumulation)

Copyright Paul GASNER

36

8.5.3 Oscilatoare

Copyright Paul GASNER

37

8.5.3 Oscilatoare

Copyright Paul GASNER

38

8.6 Diode IMPATT

8.6.1 Structura Read

Impact Ionization Avalanche and Transit

Time
modul IMPATT presupune polarizarea
invers a unei jonciuni PN n regiunea de
strpungere n avalan
la tensiuni inverse mari, sarcina spaial
se ntinde n regiunile N i I, iar cmpul
electric este maxim la interfaa P+N
pe o distan xa, cmpul este suficient de
puternic pentru a produce multiplicarea n
avalan a purttorilor minoritari:

golurile sunt captate n regiunea P+

electronii se deplaseaz spre N+,

traversnd regiunea de tranzit I

Copyright Paul GASNER

39

8.6 Diode IMPATT

se formeaz dou regiuni:

regiunea de multiplicare n avalan 0 x xa

regiunea de tranzit xa x w

n regiunea de multipicare n avalan se suprapune peste cmpul de

polarizare E0 un cmp alternativ E~<<E0 , astfel nct E~+E0Ecr cmpul
de la care se declaneaz multiplicarea

Copyright Paul GASNER

40