UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURE TI

INGINERIA SISTEMELOR BIOTEHNICE

ENERGIA SOLAR

Profesor: David Oana

1

S !den : Ni"!#es"! Pe re$An on I%D%R%D%$Gr!&a '((

CUPRINS
1.Radiaia solar.............................................................................. 3 2.nclzirea i rcirea caselor cu raze solare ................................... 4 3.Concentrarea energiei solare la temperatur nalt......................8 4.Conversia fotovoltaic a energiei solare..................................... 11 4.1. lementele semiconductoare..................................................... 11 4.2. Celulele solare................................................................................ 15 !.Conversia energiei solare n alte forme de energie.....................20

1. Radiaia solar
Energia solar este energia emis de Soare, fiind o surs de energie regenerabil. Energia solar poate fi folosit s: genereze electricitate prin celule solare (fotovoltaice) genereze electricitate prin centrale termice solare nclzeasc cldiri, direct nclzeasc cldiri, prin pompe de cldur nclzeasc cldiri i s produc ap cald de consum prin panouri solare termice Instalaiile solare sunt de dou tipuri: termice i fotovoltaice. Soarele este o stea n care n continuu au loc reac ii temo!nucleare, prin care " atomi de #idrogen se transform ntr!un atom de #eliu, cu generare de energie $i cu o pierdere de greutate, de % &t's: (eac ia termonuclear este nso it de o emisie de radia ii electromagnetice, de o natur identic cu cea emis de un corp negru de circa )***+,, av-nd o putere specific de .!/ 01'cm 2 $i o putere emis de ","34*2) 1. Spectrul emisiunii radia iilor electromagnetice cuprinde: 56 cu o lungime de und sub *,5 m (ultraviolet)7 "26 cu o lungime de und ntre *,5 $i *,. m (lumina vizibil)7 %%6 cu o lungime de und de peste *,. m (infraro$u). Soarele av-nd un diametru de 4584"** 0m $i cu o mas de 234* 5* t este compus din: 8*6 #idrogen7 4*6 #eliu7 urme de 9 2, ,, :2 care au o importan deosebit n spectrul termic. ;emperatura n centrul soarelui este de 4%!2* milioane +,, iar la 4** de 0m distan de suprafa a soarelui este de "%** +,, n medie %/** +, :umai o parte redus din energia solar atinge pm-ntul, datorit ung#iului redus fa de pm-nt a traiectoriei razelor solare. (adia ia solar medie care atinge <m-ntul este de "34* 55 erg's, valoare cunoscut sub denumirea de constant solar. (adia ia termic a soarelui se propag prin spa iul e=traterestru fr o scdere apreciabil. Intensitatea radia iilor solare n afara atmosferei este de 2,* calorii'cm2'min corespunz-nd la 4," 01'm2 suprafa 'min. >n atmosfera terestr razele ultraviolete se reduc prin ozon. ?in cauza reflec iei n spa iu $i absorb iei n atmosfer, din energia solar primit de pm-nt (4,%34*42 @1#), numai .*6 deci circa 4,*34*42@1#, atinge pm-ntul. ;rei zile de radia ie solar este ec#ivalent cu produc ia de energie dat de 4,.% milioane de reactoare nucleare de 4*** &1 putere sau de
3

2**** ori consumul actual de energie, pe plan mondial. Energia solar este o surs imens de energie, ca o surs nou de energie termic $i electric, cu toate deficien ele inerente acesteia. (adia ia solar care ptrunde n atmosfer este influen at de absorb ie (de ctre 92, :2, Ar, Be, ,92), de difuzie, cu sc#imbarea de direc ie, de intensitate $i de reflec ie. @radul de reflec ie depinde de natura suprafe ei atinse de razele solare. Albedoul unei suprafe e este raportul ntre radia ia solar reflectat de aceast suprafa $i radia ia global care atinge suprafa a. (adia ia solar dispersat nu dep$e$te 4 01'm2'zi, cu fluctua ii periodice permanente. (adia ia solar este diferit dup pozi ia geografic. >n Austria la Salzburg este de 5 01#'m2'zi iar la <#eoni= n Arizona este de 01#'m2'zi. Ca randament termic de 4*6 pentru 4*** & 1e este necesar o instala ie solar cu o suprafa de /* 0m 2, iar la o e=punere de % 01#'m2'zi, de "/ 0m2. Ca randament termic de 2*6 suprafe ele necesare se reduc la Dumtate. Electricitatea ob inut de la soare este de %* de ori mai eficient dec-t prin arderea biomasei n termocentrale conven ionale. Earia iile n ciclurile de insolare sunt sezoniale $i zilnice, ca atare impun stocarea energiei solare sau utilizarea combinat cu o central termic conven ional sau cu o #idrocentral. Ca o instala ie cu ) zile de stocare 4 01# revine la 4** de cen i, fa de 2% de cen i la o instala ie nuclear. Instala ia de stocare a energiei electrice revine la "* dolari'01#. (ezervele sunt ns nelimitate $i este o energie fr probleme ecologice. <entru a acoperi un necesar de 4**34* 42 01#'an, sunt necesari 534*% 0m2, deci este realizabil. Investi iile sunt accesibile, mai ales la nclzirea locuin elor cu panouri solare.

2. nclzirea i rcirea caselor cu raze solare

>nc de la Aristotel se cunoa$te c pentru nclzirea solar n partea nordic a caselor, desc#iderile trebuie reduse, iar n partea sudic lrgite, cu un umbrar pentru timp de var. Acest principiu de ar#itectur a fost aplicat timp de secole, dar abia dup 48"* de B. Bottel apoi de F. ;rombe $i colab., se elaboreaz, pe baze $tiin ifice, sistemele de nclzire a caselor cu colectoare de raze solare. >nc de la nceput n acest domeniu colaboreaz inginerii specializa i cu probleme solare $i ar#itec ii, elabor-nd sisteme at-t pentru nclzirea c-t $i pentru rcirea locuin elor $i a spa iilor comerciale cu energie termic solar. Gazinul de temperatur sczut, utilizat pentru evaporarea apei $i cristalizarea srurilor din apa mrii, pentru nclzire este inadecvat. <entru nclzirea unei case este nevoie de un bazin de mic ad-ncime,
4

cu fund negru pentru absorb ia cldurii pe o suprafa minim de 4"* m2, sistem inutilizabil pe timp de iarn. >nclzirea $i rcirea spa iilor locative se poate realiza printr!un sistem pasiv sau activ. >n sistemul pasiv, radia ia solar este colectat direct prin elemente de structur sau este admis direct n cldire prin ferestre mari proiectate n partea sudic a cldirii dup principiul enun at de Aristotel n antic#itate. Sistemul activ are un colector solar, o instala ie de stocare a cldurii $i un sistem de furnizare a cldurii. ca mediu de transfer de cldur se utilizeaz aerul sau apa cu adaos de antigel, ac ionate prin ventilatoare sau prin pompe n circuitul solar de nclzire sau de rcire. <entru o mai bun valorificare a cldurii de utilizeaz $i pompe de cldur. Htilizarea energiei solare pentru nclzirea spa iilor locative se reduce la cldiri de tip vil sau la spa ii comerciale $i restaurante nclzite cu aer cald sau rcite cu aer condi ionat. Ealoarea energiei termice utilizate n acest scoop nu este ns mic. Htilizarea comercial e=tins pentru blocurile mari, din ora$ele mari este problematic, din cauza intensit ii reduse a nclzirii soare $i a disponibilit ii sale ciclice. Astfel, la :izza $i la ;oronto numai 4%6 din iradierea anual total cade n lunile de iarn, iar la 9slo numai )6. <roblema de baz este stocarea cldurii, care nc nu este rezolvat. Sistemul de nclzire solar este completat printr!un sistem au=iliar de nclzire, pe baz de combustibil fosil. >nclzirea electric este oneroas dintr!un 01 ob in-ndu!se abia /)* de 0cal. >n sistemele pasive de nclzire, dup F. ;rombe, razele solare se absorb printr!un perete n partea sudic a cldirii, acoperit etan$ cu plci de sticl. Aerul trece printre pere ii panoului de sticl n cas, prin desc#ideri practicate aproape de acoperi$. Sunt $i sisteme cu pere i dubli de sticl, cu placa de fund nnegrit, izolate termic n timpul nop ii. >ntr!un alt sistem sistem pasiv, peretele sudic este acoperit cu 2*!2% vase de sticl interconectate, form-nd astfel un perete de ap. apa cald circul n case prin radiatoare. <este noapte, n fata peretelui se ridic un panou de izolare, pentru a reduce pierderile de iradiere. <entru ap cald se utilizeaz colectoare plate umplute cu ap, amplasate pe acoperi$ sau pe partea sudic a cldirii. >n sistemul Skyterm, pe acoperi$ se monteaz un panou de tabl vopsit negru, servind ca suport pentru saci de plastic, prin care circul apa $i transmite prin radia ie cldura n tavanul ncperilor. Hn panou fle=ibil de izola ie acoper noaptea sau n timp de iarn rezervorul de ap. >n unele sisteme, cldura colectat peste zi este stocat prin nclzirea rocii mrun ite, depozitat ntr!o cavitate din subsolul cldirii. aerul cald circul ziua printr!un efect de termosifon ntre colector $i patul de roc, iar noaptea ntre patul de roc $i ncperi.
5

>n sistemul activ colectoarele sunt mai bine studiate $i puse la punct. >n general, se utilizeaz un colector preasamblat. Elementele se pot ncastra n structura cldirii n partea sudic, sau pot forma o parte din acoperi$, fiind nclinate spre sud la )*+ fa de orizontal. Ca instala iile mari sau unde terenul permite, colectorul formeaz un corp separat, neata$at de cldire. ?rept colector se poate utiliza o tubulatur $erpuit din cupru sau din aluminiu, fi=at sau form-nd un corp comun cu o tabl sub ire din acela$i metal maleabil. se poate utiliza $i tabla galvanizat, c-t $i tuburile sub iri de sticl, nnegrite la fund. Eficien a de colectare depinde de coeficientul de transfer de cldur, de gradul de absorb ie a radia iilor solare $i de gradul de reflectare a radia iilor de ctre colector. Eficien a depinde mai ales de timpul $i orele de insolare. <rin colectoare solare se poate ob ine aer cald la peste .*+,. Energia solar fiindciclic, peste noapte $i n unele instala ii pentru 5!) zile nensorite, cldura solar se stoc#eaz. S!au studiat $i se aplic diferite sisteme de stocare mai simple, ca rezervoarele de ap, cu adaos de lic#ide antigel $i containere umplute cu roc mrunt, de % cm diametru. ,ldura specific la ap este de ",4/. ID'0g+,, iar la roc de *,/5. ID'0g+,. >n alte sisteme se utilizeaz cldura Doas de fuziune a unor substan e anorganice sau organice. Frecvent se utilizeaz sarea @lauber, sulfatul de sodiu deca#idrat, av-nd cldura latent de fuziune la "*,)+,, de 252,) 0D'0g. Sulfatul de sodiu an#idru $i sc#imb faza solid! !lic#id la 22,/+, $i se utilizeaz ncorporat sub form de igl, care se poate cimenta cu un Jbeton!polimerK format din poliester, cu adaos de metacrilat de metil, ca aditiv. Este un element colector prefabricat, elaborat de Arc#itectural (esearc#, Civonia, S.H.A. ?oL ,#emic#al <ipe SMstem Inc. au pus la punct elemente de stocare prin ncapsularea clorurii de calciu #e=a#idrat n tuburi de polieten de nalt densitate. ;uburile au form #e=agonal, de 4,/2 m n lungime $i /,8 cm n diametru, asamblate mpreun sub form de fagure $i sunt montate n spa ii nc#ise, separate de cldire. ,lorura de calciu #e=a#idrat sc#imb faza la 2.,2+,. ,apacitatea de absorb ie este de 2")* Gtu'tub, sau de 4/.," Gtu'0g. Se utilizeaz pentru nclzirea cu aeroterme a spa iilor comerciale sau a restaurantelor. Apa c-nd ng#ea la *+, cedeaz cldura latent de55% 0D'0g, iar c-nd se tope$te trebuie s primeasc aceea$i cantitate de cldur. Apa c-nd ng#ea $i mre$te volumul iar g#e a plute$te pe faza lic#id. Ca lic#idele de stocare, faza solid fiind mai grea, se depune la fund $i la topire formeaz straturi neomogene. Se utilizeaz adaosuri de aditive, care s opreasc stratificarea, mrind viteza de solidificare. ?ac apa sau un amestec de ap $i de etilenglicol se utilizeaz n circuitul
6

colectorului solar, cldura este distribuit n structura cldirii prin conducte de alimentare $i de retur, prin radiatoare cu pompe de circula ie, ca la oricare instala ie central de nclzire. <entru distribuirea aerului se utilizeaz o combina ie de evi sub iri $i ventilatoare, similar cu instala iile pentru condi ionarea aerului. Se pot utiliza $i radiatoare din evi sub iri ncorporate n tavanul ncperilor. Eentilatorul de la colector poate fi utilizat pentru distribuirea aerului cald n ncperi. Ca nstala iile de rcire prin radia ii solare, ca absorbant se utilizeaz apa $i ca refrigerent amoniacul. Se mai utilizeaz $i bromura de litiu ca absorbant $i apa ca refrigerent. Sistemul are dezavantaDul c func ioneaz la 85,5+,. <entru a ob ine un nivel nalt de temperatur, energia solar se concentreaz pe colector cu lentile lineare tip Fresnel. >n sistemul Solaris, dup B. ;#omason, drept colector se folosesc foi de aluminiu, vopsite negru $i acoperite etan$ cu sticl, iar aceste panouri se monteaz n pant de )*+, pe acoperi$. ,ldura este stocat ntr!un tanc de ap de circa ) m5 din subsolul cldirii. ;ancul este acoperit de %* t roc mrunt, care se nclze$te de ctre tancul de ap cald. Aerul cald este nsuflat cu un ventilator prin roca cald n ncperi. >n condi ii climatice grele de iarn, colectorul este montat pe versantul sudic al acoperi$ului, pe o e=tensiune independent. 9 copertin alb peste suprafa a colectorului poate reflecta razele solare n timp nnorat $i n timp de iarn. >n partea nordic a cldirii pentru stocarea cldurii, este ngropat un tanc de )* m 5 capacitate, ca mediu de transfer de cldur av-nd un amestec de ap cu etilenglicol. Aerul, ncircuitul secundar, este nclzit printr!un sc#imbtor de cldur, imersat n vasul de stocare. Iarna nclzirea $i vara rcirea se efectueaz printr!o pomp de cldur aer'aer. >ntr!un sistem mai avansat se combin nclzirea activ cu panouri colectoare montate n partea estic a cldirii, cu panouri fotovoltaice pe baz de celule cu sulfur de cadmiu, montate pe acoperi$ul casei. ,ldura de la colectoarele solare se stoc#eaz prin elemente pe baz de sruri eutectice, n depozite subterane. ;emperatura ma=im a celulelor solare pe baz de cadmiu fiind de /2,2+,, n timp de var celule trebuie rcite. <entru stocarea cldurii la "*,)+, se utilizeaz sarea @lauber, sau un amestec eutectic. Sistemul activ de nclzire se poate aplica ori unde este o cantitate rezonabil de raue solare. Sistemul pasiv este mai ieftin, neav-nd pompe, ventilatoare $i sisteme scumpe de control. ?in punct de vedere economic sistemele Solaris $i S0Mterm sunt mai accesibile. ;endin a este ns de a realiza elemente preasamblate unanim acceptate, pentru o produc ie n serie mare, la pre redus. >n prezent plcile colectoare $i elemetele de stocare preasmblate sunt nc foarte scumpe, instala iile
7

solare fiind astfel nc nerentabile. ;endin a n cercetare $i de elemente de stocare, mai ieftine $i mai eficace.

3. Concentrarea energiei solare la temperatur nalt

Energia solar fiind diluat, pentru a ob ine cldur la parametrii ridica i, razele solare sunt concentrate pe arii mult reduse. (azele solare fiind aproape paralele, drept concentrator de raze solare se utilizeaz oglinda parabolic. <arametrii care determin marimea imaginii soarelui $i intensitatea razelor solare sunt: desc#iderea oglinzii ( D), distan a focal (f) $i raportul n=D/f. Sunt sisteme cu focalizare linear, cu oglinda parabolic care concentreaz razele solare pe un tub din focarul oglinzii, n pozi ie paralel cu oglinda. <rin tub ca fluid trece apa, care se poate evapora, sau utiliza pentru nclzire direct. ,u o fotocelul se urmre$te soarele, prin diriDarea mecanismului de rotire, pentru a men ine oglinda n pozi ia optim de insolare. Sistemul cu tub evacuat seamn cu o lamp fluorescent $i con ine un tub interior. >ntre tuburi spa iul este vidat, pentru o mai bun izolare termic. <rintr!un tub central mai sub ire trece mediul de transfer de cldur, apa sau alt lic#id. ;uburile evacuate sunt eficiente la 4%*+,, fa de /2+, c-t se ob ine prin colectoare plate, fr concentrare. >n sistemul turn solar ca receptor central, razele solare sunt focalizate printr!un numr mare de #eliostate, seturi de oglinzi form-nd o suprafa mare reflectant. Energia solar reflectat de #eliostate este focalizat pe turnul solar de recep ie, din miDlocul c-mpului de oglinzi. Se pot atinge temperaturi de 45.*+,. Hn c-mp #eliostat av-nd o suprafa foarte mare de oglinzi 4,5 0m 2, i corespunde un turn solar la 2)* m nl ime. Este un sistem care se poate utiliza ca o surs energetic de v-rf, la %**!4*** dolari'01 instala i. Aproape Dumtate din valoare de investi ie revine pentru #eliostate. >n caz de stocare a energiei pentru o func ionare continu, c#eltuielile se mresc. Ca GarstoL, n sudul de$ertului californian, s!a construit de ctre Sandia :ational Caboratories, S.H.A., o instala ie cu turn solar, furnoz-nd 4* &1e (fig. 4) Sistemul de focalizare punctiform are o oglind parabolic, ca o farfurie, care urmre$te pozi ia soarelui pe cer $i concentreaz razele solare ntr!un receptor din focarul oglinzii. Se pot atinge 48.*+,, la raportul nN2!5, n dispozitive de recep ie de tip furnal. Sistemul este studiat de O<C (Oet <ropulsion CaboratorM, <asadena). Opl studiaz variante de aplicare pe baz de: ciclu (an0in cu fluid organic la "**+,,
8

urmat de un ciclu (an0in cu ap, pentru a ob ine aburi de %5/+,7 ciclul GraMton, utiliz-nd aerul la /4)!42)*+,7 $i motoare Stirling la /4)+,, utiliz-nd ca mediu de lucru #idrogenul sau #eliul.

Figura 4! Instala ie cu turn solar, GarstoL ,a urmare, sunt dou tipuri de cuptoare la temperatur ridicat. ?up sistemul de focalizare punctiform sunt cuptoare cu inciden direct, la care concentratorul este orientat dup soare. ?up sistemul turn solar, sunt cuptoare tip #eliostat, la care radia iile sunt diiDate pe un concentrator fi=, cu aDutorul unor oglinzi mobile numite #eliostat. ,uptorul tip #eliostat este mai adecvat pentru fuziune. <entru orientarea oglinzilor dup pozi ia soarelui pe cer, se aplic trei metode: cu taimer, cu un servosistem sau prin opera ie manual. <entru concentrator se utilizeaz mai ales sticla optic polizat, pe suprafa a din fa av-nd un strat de aluminiu sau de argint depus epita=ial n cuptoare cu vid. Suprafa a aluminat sau argintat se proteDeaz cu un film de siliconi sau de mas plastic transparent. ;urnul solar, ca receptor central, este considerat optim pentru instala iile energetice centrale. Sistemele cu focalizare linear sau punctiform se aplic n instala ii modulare, care se pot amplasa dup
9

necesit i, ntr!un comple= industrial. Sistemul de focalizare punctiform este mai adecvat pentru generatoare de electricitate n localit i izolate sau n cele cu re ele electrice de putere redus. 9glinzile parabolice cu un receptor central, cu mecanism de urmrire a soarelui cu dubl a=, au o eficien de conversie de circa /*6 fa de %*6la focalizarea linear $i de 5*6 la colectoarele plane. >n 48%2, un furnal solar s!a construit de F. ;rombe la &ont!Couis, Fran a. Instala ia are #eliostate $i un concentrator cu a= optic orizontal, av-nd 4* m desc#idere, ) m lungime focal $i nN4,.. Energia solar incident era de .*01. ,oncentratorul are 5%** oglinzi, iar #eliostatul 4*,%345 m cu %"* de oglinzi. Furnalul :atic0, &assac#usetts, apar in-nd armatei S.H.A., are un concentrator de /,% m2, fiind format dintr!un mozaic de 4/* de oglinzi sferice, cu o distan focal de 4*,8 m, aranDate sbform de suprafa sferic, cu focarul n centru. Suprafa a oglinzilor este iluminat $i proteDat cu nveli$ de Si9. Beliostatul este compus din 5%) de oglinzi, argintate pe spate, aranDate pe o suprafa plan. >n laboratorul de energie solar la 9deillo, n <irineii francezi, la 4/** m altitudine, s!a montat un concentrator cu )5 de #eliostate, aranDate n trepte pe o pant de munte, fiecare av-nd )3.,% m, cu 4/* oglinzi de %*3%* cm, argintate pe spate. ?irec ia #eliostatelor se sc#imb dup pozi ia soarelui printr!un sistem #idraulic. ,oncentratorul parabolial de "*3%" m este format din 8%** de oglinzi plane, argintate pe spate $i curbate mecanic. Suprafa a efectiv a concentratorului este de 48** m2, la o inciden de energie solar de 4/**01. datorit pierderilor prin reflec ie, energia razelor concentrate este de circa 4*** 01. ?istan a focal este de 4/ m, iar raportul nN2,/. ;emperatura ma=im n focar este de "***I. S!au mai construit furnale de )*!4** 01 energie solar, n Algeria $i Oaponia. >n Fran a, ,reus-ot!Coire $i grupul de inginerie Gertin ,ie, a pus la punct un sistem numit ;#e0 (;#ermo Belio ElectriPue IiloLatt), la o capacitate de 5*01 de energie termic la 2%*! !5**+,. Sistemul se aplic n dou instala ii industriale alimentare. 9 instala ie demonstrativ a sistemului de focalizare punctiform s!a montat ntr!o fabric de tricotaDe, furniz-nd energie electric, aburi la 4.*+,, aer condi ionat $i ap cald. Instala ia are un colector de 42*,. m diametru la o produc ie de 5 &1t# $i "** 01e. Hleiul siliconic nclzit la "**+, este mediul de transfer de cldur. <entru o instala ie de amoniac de )** t'zi, apar in-nd de EalleM :itrogen <roducers, Inc., s!a proiectat un reformer primar solar, la o valoare de investi ie de 45,% milioane dolari. Beliostatul are 44%5 de oglinzi, controlate printr!un computer, cu orientare solar, care reflect razele solare print!o cavitate a cuptorului de reformare, montate pe un
10

turn nalt de .8 m. Hn material refractar din fibre de sticl siliconic din interiorul reformerului recep ioneaz cldura solar $i o transmite tuburilor de o el, umplute cu catalizator de reformare pe baz de nic#el. >n timpul func ionrii instala iei solare, arztoare au=iliare prenclzesc aburii $i gazul metan la %4*+,. >n reformerul solar temperatura gazelor se ridic la .52+,. gazul de sintez cu .*6 #idrogen trece n reformerul secundar din instala ia e=istent de amoniac. Instala ia intr n regim normal de func ionare dup 4%* min $i ncepe s piard cldur la 5* min nainte de asfin itul soarelui, dup care automat gazele trec prin reformerul primar din vec#ea instala ie, nclzit cu gaz metan. >n condi ii optime, timp de / ore pe zi, receptorul solar genereaz 42% milioane Gtu'#, adic 846 din energia necesar n instala ia de amoniac. Se reduce consumul de gaz metan cu 2/6, la un cost annual de un milion de dolari. Instala ia solar furnizeaz energia la %,.* dolari'milion Gtu, apro=imativ de dou ori pre ul gazului metan. Ca Hniversitatea din statul :eL &e=ico s!a testat proiectul denumit Solc#em, pentru stocarea $i transportul la distan a energiei solare. Sistemul este similar cu ciclul Eva I! !Adam I, aplicat la OQlic#, @ermania. ,ldura solar se preia prin reac ia endoterm de reformare a gazului metan $i a bio=idului de carbon. @azul de sintez care rezult se transport la distan prin conducte, la o instala ie de metanare cu conversia gazului de sintez n metan. Este o reac ie e=oterm, prin care se cedeaz cldura solar stocat. (eformerul este un tub de o el, rsucit n form de spiral coa=ial n interiorul tubului av-nd catalizatorii de reformare pe baz de nic#el. &etanul $i bio=idul de carbon prenclzit trec prin tub $i la .%*! 82%+,formeaz gazul de sintez. (eformerul este amplasat n focarul unui colector solar de )!. m n diametru, av-nd o capacitate termic de 2% 01. (eac ia invers de metanare are loc ntr!o instala ie de conversie, ca n instala iile conven ionalede amoniac, similar ca n ciclul Adam I. ,ldura emanat se poate stoca $i ntr!o solu ie eutectic de clorur de sodiu, de potasiu $i de magneziu.

4. Conversia fotovoltaic a energiei solare

4.1. lementele semiconductoare 9 cale foarte tentant de a converti energia solar direct n electricitate se bazeaz pe efectul fotovoltaic, ca o consecin a absorb iei radia iei solare ntr!un element semiconductor.
11

,onductibilitatea electric a corpurilor solide variaz foarte mult. ,orpurile ru conductoare de electricitate, cum ar fi cuar ul topit cu o conductibilitate de 234*!4. m#o'm servesc ca izolatoare. ,orpurile bune conductoare de electricitate, cum ar fi metalele n general7 argintul, de e=emplu, are o conductibilitate electric de )34* . m#o'm. &aterialele cu o conductibilitate intermediar se numesc semiconductori. ,orpurile solide sub form de cristale au o structur cu nivele de energie sub form de benzi, care nsumeaz nivelele energetice ale atomilor nvecina i. Ca fel ca $i n atomi,, electronii pot e=ista numai la anumite nivele. <rincipiul de e=cludere <auli limiteaz $i n acest caz numrul electronilor care pot e=ista la un anumit nivel de energie. >ntr!un cristal, atomii sunt n contact unul cu altul, ca atare $i nivelele lor energetice discrete sunt str-ns legate mpreun, form-nd benzi sau nivele energetice pe care!l are un atom izolat. ?eoarece ntr! un cristal pot fi 4*22 atomi'cm, nivelul energetic permis ntr!o band se poate considera continuu. Energia electronilor n cristal se poate reprezenta printr!o diagram energetic unidimensional, cu benzi de energie n care electronii pot fi prezen i $i benzi de energie n care dup principiul lui <auli, electronii nu pot s e=iste, deci benzi interzise. C imea acestor benzi depinde de structura atomic a elementelor constituente. Fa de spa iile benzilor libere, numrul electronilor din atomii nvecina i este redus. Electronii n mod constant caut s ocupe un nivel energetic mai sczut $i n mod constant dac sunt e=cita i prin fononi sau fotoni, caut s treac ntr!un nivel energetic superior. >n cele mai multe cazuri, distribu ia electronilor pe nivele permise se poate descrie prin func ia fermi. Aplic-nd statistica Fermi!?irac, probabilitatea f(E), ca o stare de energie E s fie ocupat de un electron, este dat prin rela ia:

n care f(E) este func ia Fermi7 E R energia unei stri permise7 EF R energia Fermi7 0G R constanta lui Gotzman $i ; R temperatura absolut. Ca temperatura camerei 0GS; este egal cu *,*2% eE. Energia Fermi sau nivelul Fermi este prin defini ie energia la care probabilitatea ca o stare s fie umplut cu electroni, este e=act %*6. >n ec#ilibru termodinamic prin nivelul Fermi se asigur ntotdeauna contactul ncruci$at ntre dou elemente.
12

Ca o band e=tern la un corp solid par ial ocupat de electroni, ca la metale, prin aplicarea unui curent electric e=terior, se poate sc#imba ocuparea nivelului energetic cu electroni $i electricitatea se poate scurge prin aceast band. ?ac banda este complet goal sau complet umplut cu electroni curentul electric nu se poate scurge prin aceast band. Substan a respectiv este un bun izolator de electricitate. >ntre banda de conduc ie $i banda de valen e=ist o band interzis mai mult sau mai pu in lat, n care electronii nu pot e=ista. Ganda de valen corespunde la corpurile solide cu starea de baz a electronilor din atomii constituen i. Ca semiconductori, zona interzis este mai ngust. Astfel, alumina la temperatura camerei are un spa iu liber de energi (E gap), de 4* eE, iar germaniu, care este un semiconductor, are abia *,. eE. Ca un semiconductor la temperatura camerei banda de conduc ie este plin. Hnii electroni ns, dac primesc suficient energie termic sau dac primesc o cantitate suficient de energie printr!o rau de lumin, pot s sar din banda de valen , peste zona ngust interzis, n banda de conduc ie ocupat.. ,u c-t este mai ridicat temperatura sau intensitatea sursei de lumin, cu at-t mai mul i electroni e=cita i vor trece n banda de conduc ie. Ace$ti electroni pot accepta energia electric, care astfel poate traversa cristalul. >n banda de valen , prin trecerea electronului n banda de conduc ie, ram-ne JgolK locul pe care!l ocupa. Hn electron l-ng un JgolK, poate sri nuntru, ls-nd astfel un alt loc gol, care poate fi ocupat n continuare de un alt electron vecin, deci o succesiune de electroni, care astfel pot accespta energia electric. Astfel, la semiconductori, conductibilitatea rezult din plus de electroni n banda de conductibilitate $i din goluri n banda de valen . Semiconductorii sunt monocristale ob inu i la o puritate de un grad electronic (: cu cinci p-n la nou de nou: 8888888886). <rin adaosuri de anumite impurit i n cantit i minore, numite dopan i, se poate diriDa tipul dominant de conductibilitate. Semiconductorii pe baz de electroni n plus sunt de tipul n, cu sarcin negativ, iar pe baz de goluri sunt de tipul p, cu sarcin pozitiv. Astfel, dac un monocristal de siliciu perfect pur este dopat ca impuritate cu un nucleu de fosfor, acesta fa de siliciu av-nd un electron n plus, cedeaz acest eectron. care trece n banda de conduc ie. &en inut prin for e culombiene de atrac ie, electronul poate fi mutat printr!un c-mp electri, form-nd un electron de conduc ie. Siliciul dopat cu fosfor devine astfel un semiconductor de tipul n. <utem avea $i un semiconductor intrinsec tip n, dac electronul n plus provine nu prin dopare, ci prin e=citarea electronilor din banda de valen . Siliciul monocristal pur dopat cu aluminiu, care fa de siliciu are un electron n minus, va crea n banda de valen un JgolK, o deficien
13

de electroni. Hn electron de valen poate sri n acest gol, cu mai pu in energie dec-t cea necesar pentru a sri peste banda interzis, devenind astfel un purttor de sarcini pozitive. Siliciul dopat cu o substan cu deficien de electroni fa de siliciu este un semiconductor tip p. Ca semiconductori, energia Fermi este la miDlocul bandei interzise (Ef=Egap/2). Ca semiconductorii de tip e=trinsec, prin dopare, nivelul energiei Fermi este mpins fie spre nivelul acceptor de energie ( Ea), fie spre nivelul donor de energie (Ed), dup natura dopantului. <ozi ia e=act a nivelului Fermi depinde de nivelul de dopare (atomi de impurit i'cm2) $i de temperatura absolut, datorit e=citrii termice a electronilor. >n semiconductori, prin absorb ie, fotonii pot e=cita electronii la un poten ial suficient de ridicat ca s poat sri banda de valen n banda de conduc ie. @olul lsat de electroni n banda de valen devine purttor de sarcin. absorb ia de fotoni este dat ca o func ie a distan ei x n material, prin rela ia: J(x)=J(0)e dx n care: J(x) este intensitateafotonului la o ad-ncime x7 J(0) este intensitatea inciden ei pe material $i d coeficientul de absorb ie. Astfel, dac se ia un T tipic de 4* " cm!4, atunci 8*6 din fotoni se vor absorbi p-n la o ad-ncime de 2,5 m. <rintr!o Donc iune p n se formeaz un c-mp electric, care mtur electronii ntr!o direc ie $i golurile n alta. ?ac Donc iunea este n ec#ilibru termodinamic, atunci energia Fermi trebuie s fie uniform peste tot. <entru a separa electronii e=cita i prin fotoni n Donc iunea p n, se aplic un c-mp electric de diod, care poate colecta energia electric produs, separ-nd purttorii de sarcini. ,a urmare, rezisten a la curentul electric a semiconductorilor, deci rezistivitatea devine un factor important $i determin mobilitatea purttorului de sarcin la aplicarea unui c-mp electric. (ezistivitatea este dat prin rela ia: UNnVeV n care: n este numrul electronilor7 e este sarcina electric $i mobilitatea. ,a ordine de mrime, ca valori de rezistivitate sunt: la izolatori, 4*4% o#mVcm, iar la metale 4*!) o#mVcm. ;impul de via este timpul mediu ntre formarea unei perec#i de electroni!gol $i recombinarea lor. Imperfec iunile n cristale datorate doprii, defectele de vacan $i de disclocri sau de suprafa produc centre de recombinri $i scad lungimea de difuzie a purttorului de sarcini $i timpul de via .

14

>ntr!o fonc iune p n ideal, rela ia ntre curent $i voltaD este dat prin rela ia: Ji=JsWe=p.(!e'k")!4X n care: E este voltaDul impus de!a lungul Donc iunii, e este sarcina electronic, k constanta lui Gotzman $i " temperatura absolut. ,urentul de saturare Js se ob ine, dac peste diod se aplic un puternic voltaD negativ. ?ac lumina cade pe Donc iune, se ceeaz o perec#e electron! gol $i se scurge prin Donc iune un flu= constant de curent electric. ,urentul net este diferen a ntre curentul normal de diod $i curentul generat prin lumin J#. >ntr!o celul ideal, voltaDul la circuitul desc#is este dat prin rela ia: EcdN(k"/e)lnW(J# /J0)Y4X ?atorit lui J0, rezult dependen a voltaDului curentului de diod Ecd de temperatur. Ca evaluarea celulelor solare, de obicei, se uutilizeaz termenii defini i prin ecua ia: ZN Jmp !mp/ $s=( J# Eg/ $s)( Jmp !mp/ J# !%d)(e !%d/ Eg) Factor de umplere Factor de voltaD

Factorul de umplere arat c-t de bine s!a e=ecutat Donc iunea $i c-t de sczute sunt rezisten ele n serie. 9 valoare tipic de factor de umplere pentru celula de siliciu este de circa *,/. Factorul de voltaD este determinat de propriet ile fundamentale ale materiei din celul $i pentru celulele de siliciu este de circa *,%. ,urentul generat de lumina solar este datorat perec#ii de electron!gol creat n Donc iunea de semiconductori tip p n prin absorb ie de fotoni, av-nd o energie mai mare dec-t a zonei libere de semiconductori. :umrul de fotoni este o func iune a energiei fotonilor. ,urentul indus prin lumin descre$te monoton cu cre$terea zonei libere a semiconductorilor. ,urbele de eficien probabil s!au calculat lu-nd ca baz caracteristicile Donc iunii p n, eficien a nu poate dep$i valori peste 2*! 2%6. Cimitarea este datorat mai ales spectrului solar. E=cesul de energie peste energia benzii libere (band gap) se pierde sub form de cldur. Fotonii cu nivel energetic mai sczut, sub a benzii libere, se pierd neav-nd posibilitatea s e=cite electroni. ?atorit acestor diferen e n nivelele de energie, n celula de siliciu numai ""6 din energia spectrului solar poate fi convertit n electricitate. 4.2. Celulele solare
15

<rimele celule solare s!au utilizat ca surse de energie n reactoarele spa iale. ?up 48%., c-nd s!a lansat de H.(.S.S. satelitul Sputnic $i -n 48%/ de S.H.A. satelitul Eangard I, peste 4*** de sateli i au fost ec#ipa i cu celule solare, convertind cu o efecien de 4*!446 razele solare n electricitate, de la c- iva La i, p-n la 2* de 01 pe satelit. Ca misiuni de peste o lun se utilizeaz ca surs electric celulele solare$i generatoare moelectrice nucleare. Sunt sateli i cu patru panouri la 4** 01 putere, fiecare panou av-nd 8,2 m n l ime $i 5*,% m n lungime. ,elulele solare sunt pe baz de semiconductori de siliciu dopat cu litiu, cu contacte din titan!argint. Siliciul monocristal se poate considera ca un material adecvat pentru confec ionarea celulelor solare, av-nd: energia E gap de 4,4 eE7 mobilitatea la 5** I la tipul n de 4"%* cm2VE!4s!4 $i la tipul p de %** cm2VE!4s!47 timpul de via la tipul n este de "** s $i lungimea de difuzie de 4** m. Semiconductorii de siliciu se ob in din siliciu policristal pur. &onocristalul, dup procedeul ,zoc#rals0i se trage din topitura de siliciu dintr!un creuzet mai mare, cu cristale germene. ?up procedeul de topire zonal, bara de siliciu policristalin se purific simultan cu ob inerea barei de monocristal. ;opirea zonal se poate efectua $i fr contact cu aparatul de zonare, fiind men inut n suspensie, electromagnetic. Se ob in bare de monocristal de siliciu de %*!8* mm diamtru $i de .*!/* cm lungime. Gara de monocristal perpendicular pe a=ul optic se taie cu diamant n plcu e de circa "** m grosime. <lcu ele rotunde sunt preluctare pe ambele suprafe e prin polizare $i decapare cu acizi, ob in-nd astfel lamele uniforme de 5** m grosime. >n topitura pur de siliciu policristal se introduce ca dopant borul (circa 4* 4% atomi'cm5), rezult-nd astfel un monocristal de siliciu tip p, cu o rezistivitate de 4* o#mVcm. A$a cum s!a vzut efectul voltaic se produce numai la Donc iunea semiconductorului de tip p cu semiconductorul tip n& Oonc iunea p n pe aceea$i plcu se poate realiza dac una din suprafe e prin difuzie de dopant se transform n semiconductor tip n. Suprafa a plcu ei pentru tipul p se acoper cu un strat protector. <lcu ele se introduc ntr!un cuptor special de difuzie, n care avem n cantitate precis, un dopant n stare gazoas tip n, ca fosforul. Epita=ial, fosforul difuzeaz n suprafa a neacoperit a plcii la o ad-ncime de circa *,2 m. Acest strat este astfel un semiconductor tip n, cu plus de electroni. ,oncentra ia de impurit i pe stratul superior cre$te la 4* 2* atomi'cm5, nainte de a scoate placadin cuptor. Astfel se realizeaz un strat de semiconductor tip n, cu Donc iune perfect $i ad-ncime foarte mic.@rosimea stratului tip

16

n se poate regla prin timpul de reten ie n cuptor, prin temperatura de difuzie $i cantitatea de dopant. ,ontactele metalice pe plcu se realizeaz prin metalizare cu un aliaD ;i!Ag, la )**+,, n stare de vapori, ntr!un cuptor cu vid avansat. Suprafa a superioar tip n a plcu ei se acoper cu o masc, av-nd liber doar c-teva f-$ii n form de degete, iar parte inferioar tip p se metalizeaz pe toat suprafa a. Suprafa a colectorului de curent tip n este de cel mult %6, astfel ca razele solare s poat ptrunde masiv, p-n la Donc iune. <este plcu , n vid avansat se depune un strat antireflectant de Si92. Fiecare plcu astfel preparat poate genera circa *,%E, curentul fiind direct propor ional cu suprafa a superioar liber a plcu ei. ,elulele solare prin contactele metalice se leag n serii paralele, dup voltaDul cerut, form-nd panourile solare. <entru a le proteDa $i a evita o=idarea contactelor metalice, panourile se acoper cu un strat transparent de sticl, de polimer acril sau epo=idic. Hn panou solar se garanteaz pentru 4* ani de func ionare la o eficien de 4"6. ,a o variant mbunt it s!au elaborat celule solare ,omsat! violete, cu lonc iuni nead-nci $i cu un start antireflectant special pe baz de ;a29% sau de ;i9=. ,elula rspunde la spectrul solar n lungimea de und n domeniul violet (*,5 m). ,elulele solare ,:( (,omsat :on (eflectiv), denumite celulele solare negre, au suprafa a superioar te=turizat su o form piramidal, cu dubl reflec ie.Se reduce astfel coeficientul de reflectare (*,5) al plcu ei plosate de siliciu. ,elulele solare E&O (Eertical &ulti Ounction) se ob in din plcu e de siliciu monocristalin, tiate sub o form dreptung#iular de 432, 232 sau 23" cm. <lcu ele dreptung#iulare se prelucreaz la fel ca $i lamelele rotunde, cu Donc iune p n prin difuzie $i cu contacte metalice ;i! Ag, prin metalizare n vid avansat. la celulele solare E&O, plcu ele se asambleaz una peste alta, dup care din partea lateral, perpendicular pe Donc iuni se taie o parte sub form de f-$ii verticale. Oonc iunile se leag n serie electric. Suprafa a celulei solare con ine astfel o serie de Donc iuni, care se ntind paralale cu razele solare. Ca celulele de 232 cm cu 2** de Donc iuni, se ob in 4** E. Aceste celule se utilizeaz la un nivel nalt de radia ii solare sau n spa ii e=traterestre, cu zone puternice de iradiere. Acela$i efect se ob ine dac suprafa a superioar tip n a celulei solare se graveaz cu $an uri paralele de % m ad-ncime. Aceste celule cu canelur desc#is se fabric de ;e=as Instruments. Energia solar fiind ciclic, celulele solare trebuie cuplate cu instala ii cu o produc ie continu de electricitate, cum ar fi o #idrocentral care ar putea prelua produc ia de energie pe timp de noapte. <entru a ob ine prin celule solare, fr ntrerupere, curent electric, s!a emis
17

conceptul SS<S (Satelit Solar <oLer Station) pentru o central solar pe satelit. Hn satelit gigant, cu celule solare pe o suprafa de de " 0m 2 cu o anten av-nd diametrul de 4 0m, poate produce fr ntrerupere 4**** &1e'zi. Electricitatea produs se converte$te n microunde, preluate de o anten de recep ie pe sol , cu un diametru de . 0m. Eficien a de transmitere a curentului electric cu miDloace te#nice cunoscute astzi, este de 546. >n prezent cea mai mare central electric bazat pe celule solare s!a realizat n ,alifornia la o putere de 4&1p. ,ostul celulelor solare este foarte mare. ?in costurile de produc ie "*!%*6 revine pentru confec ionarea plcilor de siliciu, la un pre al siliciului pentru semiconductori de 4/*?&'0g. >n limitele de impurit i admise, a$a!numitul Jsiliciu cristalinK pentru celulele solare trebuie redus la sub 2*?&'0g. Siliciul cristalin con ine de 5!" ori mai multe impurit i n compara ie cu siliciul ultrapur $i se poate ob ine prin patru grupe de procedee, pe baz de siliciu metalurgic, de #e=afluorsilicat $i de Si9 2. Ca procedeul conven ional Siemens, siliciul te#nic ob inut prin reducere carbotermic este clorurat $i triclorsilanul, SiB,l 5 este redus la 4*%*+, sub un form de bare de siliciu policristalin n reactoarele tip Siemens!,. Ca un randament de 2*6, consumul de energie este de 2%* 01#'0g Si. >ntr!o variant de proces, ?oL ,orning n loc de SiB,l 5 , reduce SiB2,l2, diclorsilanul, la un randament dublu $i la un consum de energie de 8* 01#'0g, fr s sc#imbe reactorul Siemens. ?iclorsilanul l ob ine din triclorsilan, cu sc#imbri de ioni $i la ..+,. ,ostul se reduce la )*!.* ?&'0g Si. >n Oaponia, :E?9, (:eL EnergM ?evelopment 9rganisation) n loc de reactorul Siemens!, utilizeaz un pat fluidizat, reduc-nd astfel consumul de energie la 5* 01#'0g Si. ?up procedeul 'ni(n )ar*id, triclorsilanul se ob ine din siliciu te#nic n pat fluidizat, cu Si,l" $i B2. ?up distilare, pe sc#imbtori de ioni se ob ine diclorsilan. ?up o nou purificare prin distilare, din SiB2,l2 catalitic se ob ine silan, SiB", care se reduce ntr!un pat fluidizat, cun un randament de 8*6. Instala ia pilot are o capacitate de 42* t'an Si. >ntr!un pr(%edeu ela*(rat de Du $(nt $i preluat de Gattelle, tetraclorura de siliciu se reduce la 8**+,, n stare de vapori cu zinc $i cu separarea [n,l2 prin condensare. <rocedeul a fost abandonat. >n pr(%edeul Fa& +er(%,em, tetraclorura de siliciu este redus n faz gazoas cu sodiu metalic, ntr!un reactor de grafit. <icturile de siliciu se colecteaz ntr!un vas de cuar , iar clorura de sodiu n stare de vapori se evacueaz din reactor. <rocedeul este n curs de cercetare. >n a doua grup de procedee, tot pe baz de siliciu te#nic, purificarea are loc prin procedee fizice. Ca pr(%edeul -a%ker, siliciul te#nic n stare topit se purific de Al $i ,a, prin barbotare de 9 2 $i ,l2.
18

>n continuare, topitura este tratat cu o alt topitur de o=id de bariu sau de sulfuri, elimin-nd astfel ;i, &n, E $i borul. <entru o purificare avansat a borului, siliciul purificat de Al $i ,a este fin mcinat $i splat cu BF'B:95. Siliciul splat este cristalizat dintr!o topitur de Al'Si te#nic $i n stare topit este turnat n forme, pentru celule solare. >n faza pilot s! au ob inut $arDe de 5*!4** 0g. Ca pr(%edeul .eli(sil $i $ragma din Italia, acest procedeu se aplic pe baz de siliciu te#nic ob inut din cuar $i din crbune pur. Ca pr(%edeul SE/0 (Solar EneregM (esearc# Institute), n electrozi de cupru cu 4)6 Si , siliciu este re inut de ,u 5Si, care ac ioneaz ca un filtru de impurit i. >ntr!o celul electrolitic cu topitur de CiF'IF'I2SiF), siliciul de la anozii de cupru difuzeaz $i se depun sub form cristalin pe electrozii de grafit. Electroliza poate fi efectuat si la temperatur nalt, n stare de vapori. Fotocelulele au o eficien de circa 426. Ca a treia grup de procedee, materia prim este acidul #e=afluorsilicic, ob inut la fabricarea acidului fosforic. ?up pr(%edeul S/0 (Stanford (esearc# Institution) cu :aF sau :a,l se ob ine #e=afluorsilicatul de sodiu, :a2SiF), din care n stare topit, cu adaos de IF, la .%*+, pe cale electroc#imic, pe catozii de grafit se depune Si pur. >ntr!o variant de proces, din :a 2SiF) la /**+,, se ob ine SiF ", care cu vapori de :a se reduce la Si $i :aF, care se elimin prin splare cu acizi. <rodudul ob inut poate fi nclzit la 4""*+,, peste punctul de topire al siliciului, cu separarea siliciului n faz topit. celulele solare au o eficien de 42,%6. Ca a patra grup de procedee materia prim este Si9 2, sub form de nisip cuar os. >n pr(%edeul -a%ker, cuar ul n topitur de aluminiu, cu adaos de Al2S5 pentru purificare, este redus la circa 44**+,. ?up o rcire la )%*+,, se separ zgura $i siliciul se toarn sub form de plci pentru celulele solare, centrifugate pentru separarea urmelor de topitur. <lcile se purific prin splare cu acizi. (evenind la procedeul conven ional de reducere carbotermic, n procedeul elaborat de E==on'El0em (norvegian), ca materie prim se utilizeaz siliciu 88,86, sub form de fibre de sticl $i negru de fum, purificat prin splare cu B,l fierbinte. ?up peletizarea $i bric#etarea lor cu un adeziv foarte pur, siliciul redus ntr!un cuptor cu arc de %%* 0EA, cu electrozi din grafit ultra pur. >ntr!un pilot s!au ob inut 4% 0g Si'#. Se cerceteaz ndeprtarea total a carburii de siliciu din topitur. Eficien a celulelor este de peste 4*6. ?in punct de vedere economic, reducerea carbotermic $i purificarea siliciului te#nic par procedee mai avantaDoase, fr s se ating nivelul de 2*?&'0g Si. <rocedeul Hnion ,arbid, cu reducerea pirolitic a silanului poate fi nc luat n considerare.
19

,elulele solare ob inute pe baz de siliciu policristalin, au o eficien de 2!56. ,ontactul ntre particulele policristaline in#ib curgerea electronilor, form-nd centre de recombinare. &rind dimensiunea particulelor peste grosimea celulelor conven ionale, s!ar putea ob ine celule mai eficiente. Se caut s se ob in celule solare $i din alte materiale semiconductoare. ?up celulele de siliciu, mai mult s! au studiat cele pe baz de sulfur de cadmiu'sulfur de cupru: ntre cei doi semiconductori n loc de Donc iune p n, se formeaz o #eteroDonc iune av-nd energie de banda Egap de 4," eE, similar cu a siliciului. Se pot ob ine celule solare de grosime de 2* m, prin procedee termice simple fr a trece prin faza de monocristal, la o eficien de %! /6. Arseniura de galiu, utilizat de H.(.S.S. pentru primii sateli i, are o energie de band Egap de 4," eE. ,elulele solare cu o Donc iune p n au o eficien la sol de 426. <rin #eteroDonc iuni pe baz de @aAs'@a 4! =Al=As, s!au ob inut eficien e de 486. ,elulele sunt eficiente dar scumpe. Semiconductori amorfi, cu mai multe straturi p n, s!au ob inut de B. Fritzc#e $i O. Ia0alios, cu depunere cu plasm, n dou camere separate, cu o sfer central pe care o monteaz substratul $i o camer a=ial. Substratul se poate roti dintr!o camer, prin camera intermediar, n a doua camer. Hn amestec de silan $i fosfin ca dopant se introduce n prima camer $i cu plasm se depune un film sub ire de siliciu amorf (a!Si:B) dopat!n. <lasma se ntrerupe $i substratul se rote$te n camera intermediar, n care un curent de argon elimin gazele reziduale . <rin rotirea sferei, substratul este introdus n a doua camer, n care dintr!un amestec de silan $i diboran, cu plasm, se depune pe primul film de siliciu amorf un nou film de siliciu amorf (a!Si:B) dopat! p. ,ontrol-nd grosimea straturilor prin timpul de $edere n camere se pot ob ine straturi succesive p n, de la 2/ \ la 2/* \ grosime de strat. >n mod similar cu silan $i silanY:B5, se pot ob ine straturi suprapuse de aliaD de siliciu! #idrogen $i siliciu!nitrur, (a!Si:B'a!Si: =) Ca un semiconductor amorf, cu 44 straturi dopate! n $i 4* straturi dopate!p, la o grosime de 2.2 \ pe strat, conductivitatea la ntuneric era de 4*!) (o#m!cm)!4. Semiconductorul amorf e=pus c-teva secunde la lumin, la temperatura camerei, avea o conductivitate de peste 4* !5 (o#m!cm)!4. Ca ntuneric, conductivitatea revine la valoarea ini ial. ,re$terea de peste 4** de ori a fotoconductivit ii persistente, se e=plic par ial prin modelul ?Q#ler, prin dou procese de recombinare, rezult-nd scderea conductivit ii la ntuneric. Fenomenul se cerceteaz n continuare, fr a i se atribui nc o valoare practic.

20

!. Conversia energiei solare n alte forme de energie

Ca conversia direct a energiei solare n electricitate n afar de efectul fotovotaic, ca variante utilizate sunt: efe%tul f(t(emisi1, efe%tul f(t(gal1ani% $i efe%tul f(t(magneti%& Efectul fotoemisiv se realizeaz prin eDectarea electronilor de pe suprafa a unui corp solid sau lic#id, datorit unor radia ii electromagnetice incidente. Fotonii sunt absorbi i de electronii de pe suprafa a unui corp. Energia ma=im a electronilor dep$ind nivelul Fermi de energie, (Ef), trec ntr!o zon mai ridicat, (Em), din care pot scpa. Efectul de fotoemisie cre$te prin defecte de structur cristalin, indus prin introducerea unui gol de ion negativ n structur. se formeaz centre de culoare prin absorb ie de lumin $i stri de e=citare, cu transfer de energie la aceste centre, care asfel pot eDecta electronii la suprafa . Fotoemisia prin e=citare indus poate e=ista n anumite metale, n semiconductori $i n #alogenurile alcaline. Efectul fotogalvanic are loc ntr!o solu ie cu un colorant $i un reductor adecvat. >n celula forogalvanic avem doi electroziiner i din care unul n raze solare $i al doilea n ntuneric. ,olorantul purpuriu, tionina, sub ac iunea razelor este redus la ioni fero$i, la leucotionina incolor, cu transfer de electroni. Ca electrodul negativ fr lumin are loc o reac ie invers. Solu ia decolorat fa de cea purpurie, are un poten ial cu *," E mai pu in. ?atorit diferen ei de poten ial, n circuitzul e=terior avem curent electric, prin scurgerea electronilor spre electrodul ntunecat. Ca conversia fotomagnetic, o plac dee cupru racit criogenic, ntr! un c-mp magnetic tangen ial, prime$te raze de lumin n direc ie a=ial. Se creeaz o diferen de poten ial, n direc iile perpendiculare pe c-mpul magnetic $i pe c-mpul luminos, deci un curent electric. Energia solar se poate converti n cldur, dup care cldura se poate converti n electricitate, direct asu indirect. <rocedeele fizice de conversie a cldurii sunt: termoelectricitatea, efectul termiionic, efectul magneto#idrodinamic, efectul electrodinamic $i feroelectricitatea. ;ermoelectricitatea se bazeaz pe efe%tul See*e%k0, deci pe diferen a de voltaD ntre dou metale sau semiconductori, la temperaturi diferite. electronii n corpul cald au o energie cinetic mai ridicat, deci o mai mare vitez $i ca atare difuzeaz spre corpul rece. Se formeaz o for electromotoric, denumit voltaD Seebec0, care cre$te p-n la scurgerea electronilor. Hn sistem termoelectric are un convertor care concentreaz energia solar, care se stoc#eaz ntr!un material

21

adecvat, cum ar fi #idrura de litiu. Energia termic se scurge apoi spre un radiator prin termoelemente. Efectul termiionic apare prin eliberarea electronilor de pe o suprafa metalic cald, emi torul, care migreaz spre un colector, ced-nd astfel anodului energia subform de cldur. ?iferen a ntre nivelul energetic al emi toru0ui $i al colectorului se transform n curent electric. Hn sistem termiionic solar se compune dintr!un concentrator solar, o cavitate cilindric con in-nd celulele termiionice cu o suprafa ceramic, legat de un metal refractar e=terior, care formeaz catodul. ,ldura utilizat pentru ionizarea unui gaz se poate transforma n electricitate prin procedeul &B?, magneto#idrodinamic. @eneratorul de putere &B? converte$te direct n electricitate energia cinetic $i termic al unui conductor, gazul ionizat, care se scurge n prezen a unui c-mp magnetic. Efe%tul 2.D se bazeaz pe faptul c un ion pozitiv transportat n contra unui c-mp electric prin intermediul unui curent neutral de gaze calde. @enerarea de for feroelectric se bazeaz pe sc#imbarea gradului de permeabilitate al unui corp dielectric, sub influen a temperaturii, cu conversia energiei termice n electricitate. conversia are loc datorit efectului :ernst, cu generare de emf ntre capetele a dou corpuri, perpendicular pe direc ia flu=ului de cldur $i pe c-mpul magnetic. >n general, n orice reac iereversibil indus prin soare poate forma baza unui proces de conversie. Energia necesar trebuie s fie egal cu energia de e=citare a moleculei, av-nd un nivel de "*!4** 0cal'mol. <oate fi convertit astfel lumina vizibil $i ultraviolet. procedeele primare fotoc#imice cuprind opt variante posibile: rearanDarea intermolecular la un produs stabil7 fotoizomerizarea7 procese fotofizice, fotoionizri7 descompunere de molecule nee=citate7 fotoconduc ia n solide7 fotofomoliza sau formarea de radicali liberi $i transferul de electroni. <rima reac ie nu este reversibil. A doua reac ie este un proces de Doas energie $i poate fi o metod eficient pentru conversia de energie. Fotoionizarea este o reac ie de energie ridicat $i se poate aplica la cesiu. Fluorescen a este un e=emplu de proces fotofizic $i poate fi util pentru conversia energiei solare. Electrozii pot fi acoperi i cu o substan fluorescent $i supus la razele solare. (ezult o diferen de poten ial ntre electrozi, deci un curent electric. ?escompunerea de molecule nee=citate sub ac iunea luminii se poate efectua prin transfer de electroni, sau prin rupere de legtur cu formare de radicali liberi. (eac ii de transfer de electroni au loc adesea sub ac iunea luminii ultraviolete.
22

@enerare de energie fotovoltaic este un e=emplu de fotoconduc ie n corpuri solide. Foto#omoliza este unul din procedeele care permit stocarea energiei solare dup conversie. ca e=emplu se poate da fotoliza clorurei de nitrozil, o reac ie reversibil $i endoterm. ,onversia prin energie fotogalvanic este un e=emplu tipic de reac ie cu transfer de electroni.

23