x t
r r t sau r t y t sau r t xi y j z k
z t
a)Locul geometric
b)Legea miscarii x f1 t ; y f 2 t ; z f 3 t
r t t r t Δr
v
d) Viteza medie t t t t
v2
an v
g)Acceleratia normala (radiala) R
a) Principiul inerţiei a fost formulat prima dată de Galilei şi este cunoscut sub
forma următoare:"Un corp îşi păstrează starea de repaus sau de mişcare
rectilinie şi uniformă atâta timp cât asupra lui nu se exercită nici o forţă, sau
dacă rezultanta tuturor forţelor este zero".
b) Princiul forţei sau a doua lege a dinamicii Newton a descoperit faptul că o
forţă care acţionează asupra unui corp îi imprimă acestuia o acceleraţie,
proporţională cu forţa şi invers proporţională cu masa corpului F=ma
c) Principiul actiunii si reactiunii " Oricărei acţiuni i se opune întotdeauna o
reacţiune egală în modul şi de sens contrar." Cele două forţe, acţiunea şi
reacţiunea, sunt aplicate simultan şi la corpuri diferite, de-a lungul dreptei
care uneşte cele două corpuri. F21=-F12
5) Energia mecanica. Teoremele energiei
Considerăm.mişcarea.punctului.material într-un câmp de forţe
Deplasarea punctului material pe drumul cel mai scurt, dr , se face sub
acţiunea unei forţe F
Se numeşte lucru mecanic elementar efectuat de forţă, mărimea scalară
obţinută din produsul scalar al forţei cu deplasarea: dL Fd r
Lucrul mecanic efectuat de rezultanta forţelor care acţionează asupra
punctului material este egal cu variaţia energiei cinetice a acestuia:
L12 Ec 2 Ec1
teorema variaţiei energiei cinetice
r S
'
r ' S '
7)Oscilatii
-electromagnetice
-electromecanice
Dacă faza iniţială este nulă, se obţin graficele funcţiilor y = f(t), v = f(t) şi a = f(t) din
fig.
si
1. Constantele de integrare
C1 şi C2 se determină din condiţiile iniţiale ale mişcării, fiind numere
reale.Mişcarea descrisă de ecuaţia este neperiodică.Elongaţia tinde la zero
când timpul tinde la infinit, fără ca punctul material să oscileze.
ec devine=>
d)Rezonanta
II Daca Δ φ = π => A = │A1 - A2│=> oscilatorii sunt în opoziţie de fază (daca A1 = A2=> A=0 oscilatia
se stinge)
III Daca Δ φ = π/2 => A = A1 + A2 => oscilatorii sunt în cuadratură de fază
Perioada bătăilor este intervalul de timp între două treceri succesive ale amplitudinii rezultante
ecuatia
generalizată a elipsei
Cazuri particulare:
De aceea, dacă una dintre particule oscilează (vibrează), atunci vor oscila (vor vibra) şi particulele
vecine; în felul acesta oscilaţiile (perturbaţiile) se propagă prin mediu de la o particulă la alta. Prin
propagarea oscilaţiilor se generează undele
Unda reprezintă fenomenul de extindere şi propagare din aproape în aproape a unei perturbaţii
periodice produse într-un anumit punct din mediul de propagare.
Clasificarea undelor:
Marimi caracteristice:
Funcţia de undă reprezină funcţia matematică ce descrie mărimea perturbată notata Ψ(x,y,z,t)
Suprafaţa de undă reprezintă mulţimea punctelor din spaţiu ce oscilează având la un moment
dat aceeaşi valoare a funcţiei de undă, Ψ(x,y,z,t) = constant = a.
Frontul de undă reprezintă suprafaţa de undă cea mai avansată la un moment dat.
Definim lungimea de undă a undei unidimensionale, ca fiind spaţiul străbătut de undă în timpul unei
perioade.Mai avem Vectorul de undă,viteza de propagare (este constanta ),viteaza de oscilatie a
particulelor in mediu
a) Efectul Doppler
La schimbarea sistemului de referinta, faza undei trebuie sa ramana invariant, Deci la
schimbarea sist. de ref. se observa o modificare a fecventei, care este continutul efectului
Doppler
Să considerăm o masina ce trece pe langa noi în viteză. Vom observa că sunetul produs
de motor nu este „uniform”, ca urmare a fenomenului de variație a lungimii de undă a undelor
sonore, datorat sursei aflate în mișcare
b) Unda de soc
Daca o sursa sonora se misca cu viteza mai mare decat viteza sunetului, apare un fenomen
specific numit unda de soc. Unda de soc reprezinta propagarea intr-un mediu gazos, lichid sau
solid a unei suprafete asupra careia se manifesta o crestere brusca a presiunii insotita de variatia
densitatii, temperaturii si vitezei de miscare a mediului
Z1 1u1
Z 2 2u 2
sin i sin t
r
Legea reflexiei i Legea refracţiei sau legea lui Snellius a refracţiei u1 u2
d) Interferenţa undelor
Fenomenul general de compunere a undelor coerente se numeşte interferenţă.
y1 A1 sin 1t 1
y2 A2 sin 2t 2 prin compunere A A1 A2 2 A1 A2 cos cu
2 2 2
1 2 t 1 2
e)Difracţia undelor
Difracţia este fenomenul de ocolire a obstacolelor de către unde. Obstacolul trebuie sa aibă
dimensiunile comparabile cu lungimii de undă a undei incidente, L ≈ λ
Unda al cărei vector de vibraţie păstrează aceeaşi direcţie în spaţiu se numeşte undă liniar
polarizată
1) Electrostatica
Sarcina electrica notiunea fundamentala, ce sta la baza stiintei electricitătii;
a)Campul electric
Campul electric - spatiul din jurul unei sarcini in care se face simtita actiunea acesteia.
Intensitatea campului electric E este egala cu forta ce actioneaza asupra unitătii de sarcina de
q
E r
4 0 r 3
proba q0: E este o marime vectoriala
campul electrostatic este definit si prin linii de camp – curbele tangente in orice punct la
vectorul de camp electric.
b)Legea lui Gauss
fluxul campului electric printr-o suprafata inchisa este egal cu sarcina q din interiorul acesteia
impartita la 0.
qint
S E dS
0 qint reprezinta sarcina aflata in interiorul suprafetei S
divE
0
legea lui Gauss in forma diferentiala
Ecuatia arata ca in toate punctele din spatiu in care nu exista sarcini electrice, divergenta
campului este nula
c) Potentialul in electrostatic
Potentialul se defineste in functie de lucrul mecanic efectuat pentru deplasarea unei sarcini de
proba intr-un camp electric, este o marime scalara ca alternative de descriere a campului electric
Potentialul creat de o sarcina punctiforma intr-un punct aflat la distanta r de sarcina q este:
E grad
2.Dipolul este un sistem de două sarcini egale şi de semn opus aflate la o distanţă mică
comparativ cu distanţele exterioare
curentul de deplasare
curentul de vid.
Fluxul liniilor de curent printr-o suprafaţă închisă este nul.In orice circuit electric este nevoie de o sursa
de tensiune care sa asigure transportul sarcinilor electrice
Un ohm este rezistenţa unui conductor prin care circulă un curent de 1A dacă la capetele sale se
aplică o tensiune de 1V.
1
R G SI S
G 1
Inversul rezistenţei se numeşte conductanţă (siemens)
1
SI m
1 1
Inversul rezistivităţii este conductivitatea
E
I
R r pentru un circuit simplu
j E
Legea lui Ohm microscopica
Este o lege de material care arată că densitatea de curent în orice punct al unui conductor este
proporţională cu intensitatea câmpului electric.
U2
W UIt I 2 R t t
La trecerea curentului electric print-un conductor acesta se incalzeste R W SI J
g) Gruparea rezistoarelor
In serie:
In pararel:
Amperul – reprezinta intensitatea unui curent electric constant care se stabileste prin doua
conductoare rectilinii, paralele, foarte lungi, asezate in vid la distanta de un metru unul de altul, intre
care se exercita o forta de 2*10-7N pe fiecare metru de lungime
Modulul forţei Lorentz este: F qvB sin unde α este unghiul dintre direcţiile vectorilor B şi v
Cp. magnetic poate fi descris prin linii de camp: Cazul unei spire circulare
m Bd S , [ m ]SI Wb
S
B dl 0 I i
oarecare
c) Legea lui Ampere in magnetostatica i 1
Ne arată că pentru un contur închis conţinând un curent I, circulaţia este nenulă şi nu depinde
de forma conturului.
rot B 0 j
forma diferenţială a legii lui Ampère: cea mai simplă dar totodată cea mai generală
lege care exprimă legătura între câmpul magnetic şi sarcinile electrice aflate în mişcare
d) Legea Biot – Savart
Dacă un curent electric străbate un conductor de o formă oarecare, câmpul magentic creat
este suma vectorială a tuturor câmpurilor magnetice create de fiecare porţiune elementară a
conductorului.
Intensitatea a câmpului magnetic creat de un element de lunigime dl la distanţa r de el, este:
I dl er I dl r
dH H r 3
4 r 2
4 er - este versorul ce descrie directia vectorului de pozitie
Cu ajutorul legii Biot - Savart se poate obţine inducţia creată de un conductor finit
0 I
B
Pentru fir infinit de lung 2a
0 I R 2
B z k
2 R 2 z 2
32
I
B z 0 k
e) Câmpul magnetic al curentului circular 2R
nI
B 0 cos 2 cos 1 k
f) Pentru un solenoid format din N de spire 2
4) Efectul Hall
Efectul Hall apare întotdeauna când un conductor sau un semiconductor, traversat de un curent
electric, este supus acțiunii unui câmp magnetic perpendicular pe direcția curentului și se
manifestă prin apariția unei tensiuni, denumită tensiune Hall. Efectul Hall poate fi folosit pentru
măsurarea câmpurilor magnetice
I B RH
1
constanta Hall
U H RH x z
a ne
5) Regimul Variabil
a)Fenomenul inductiei electromagnetice
Generatorul electric:Un motor electric poate functiona si ca generator electric convertind energie
cinetică mecanică în energia cinetică a particulelor electrizate si anume curent electric
d m
e
b) Legea Faraday – Lenz: dt unde semnul " - " se referă doar la sensul curentului indus
(regula lui Lenz)
c) Autoinductia
Fenomen datorat modificării de flux datorită variaţiei curentului din însuşi circuitul inductor.
N 2S d
L 0 n 2l r 2 0
sau l
L
LSI H (Henry)
dI inductanta bobinei:
În cazul legării mai multor conductoare acestea se comportă ca şi rezistenţele: serie si parallel
d) Energia magnetica
La trecerea curentului printr-un solenoid în acesta se înmagazinează o energie:
1 N 2S 2 1 0 NI max NI max 1
W 0 I max S l BH V
2 l 2 l l 2
1
w BH
Se defineşte densitatea volumică de energie w= W/V, 2
e) Ecuatiile Maxwell
E E
r
B r
B
7) Energia undelor electromagnetice
densităţile de energie ale câmpurilor statice, electric şi magnetic, determină o energie totală
1
W
2V
D B H ) dV (*)
( E
Consideram un volum care posedă o energie exprimată de (*). Este de aşteptat ca la propagarea
câmpului din aproape în aproape sub formă de undă această energie să părăsească volumul în
care se găseşte iniţial. Aceasta reprezintă o scădere a energiei în timp:
W 1
t
D B H dV
2 t V
E
8) Teoria electromagnetica macroscopica a luminii
Lumina vizibilă este acel domeniu al spectrului undelor electromagnetice din intervalul de
lungimi de undă λ∈[350, 750] nm.
a) Principiile opticii geometrice
1principiul propagarii rectilinii a luminii
într-un mediu omogen si izotrop lumina se propaga în linie dreapta pâna la întâlnirea
unui obstacol sau a unui alt mediu.
2principiul independentei propagarii razelor
razele luminoase necoerente care se întâlnesc într-un punct nu se influenteaza
reciproc, pastrându-si fiecare directia initiala de propagare.
3principiul reversibilitatii drumului razelor:
O raza de lumina care parcurge un sistem optic într-un sens, va parcurge sistemul pe
acelasi drum optic daca este dirijata în sens invers.
b) legile reflexiei luminii
Legea1:Raza.incidenta,raza.reflectata.si..normala.în.punctul.de.incidenta.la suprafata de
separare a celor doua medii se afla în acelasi plan.
Legea 2: Unghiul de incidenta (i) este egal cu unghiul de reflexie (r)
legile refractiei luminii
◦ Legea1:Razaincidenta,raza.refractata.si normala în punctul de incidenta la
suprafata.de.separare.acelor.doua medii se afla în acelasi plan.
sin r n1
◦ Legea 2: (Legea Snellius-Descartes): sin i n2
c) Interferenta luminii
Interferenţa este fenomenul general al suprapunerii undelor în spaţiu
Rezultatul interferenţei este o undă staţionară, caracterizată de maxime şi minime de
interferenţă. Condiţia necesară pentru interferenţă este ca undele să fie coerente.
d) Difractia luminii
Prin difracţie se înţelege fenomenul de schimbare a direcţiei de propagare a undei la întâlnirea
unor obstacole cu dimensiuni de ordinul de mărime al lungimii de undă a luminii
reţeaua de difracţie - constă dintr-o succesiune de zone opace şi transparente practicate într-un
paravan şi aflate la distanţa d una de alta
Condiţia de a obţine în punctul P maximul: d sin n unde d este constanta de reţea iar α
este unghiul sub care se vede punctul P
e) Polarizarea luminii
Lumina este o undă electromagnetică transversală, fiind emisă în mod natural de atomii si
moleculele din sursele de lumină, ca o undă nepolarizată.
O unda care poseda directii privilegiate in care se executa vibratiile sale s.n. unda polarizata iar
fenomenul prin care se produc astfel de unde s.n. polarizare .
Daca vectorul electric are o singura directie de oscilatie avem de-a face cu lumina total
polarizata (liniar) iar daca E poate oscila in mai multe directii posibile, cuprinse intr-un interval
unghiular, lumina este partial polarizata
9) Bazele fizice ale mecanicii cuantice
a) Marimi energetice si fotometrice
Marimile care se definesc in functie de energia transportata = marimi energetice;
◦ Fluxul energetic reprezinta energia campului transportata in unitatea de timp printr-o
suprafata in directie normala la aceasta [W]
Intensitatea energetica – cantitatea de energie transportata normal in unitatea de timp
prin unitatea de suprafata:
Iluminarea energetica – fluxul energetic care cade pe unitatea de suprafata a obiectului
supus iluminarii
Marimile care se definesc in functie de sensibilitatea la lumina a ochiului se numesc marimi
fotometrice
Fluxul luminos [lm] – lumen
Intensitatea luminoasa [cd] – candele
Iluminarea [lx] – lucsi
b) Radiatia termica
Un corp aflat la o anumită temperatură emite radiaţie electromagnetică în exterior. Cu cât
temperatura lui este mai ridicată, cu atât emisia este mai mare
Radiaţia electromagnetică emisă de un corp incandescent are lungimi de undă din domeniul
ultaviolet. => radiaţia termică este specifică tuturor corpurilor.
Corpul negru:Un corp care absoarbe întreaga energie a radiaţiei care cade pe el
c) Efectul fotoelectric si efectul Compton
Efectul fotoelectric extern este emiterea de electroni din materie în urma absorbției de radiație
electromagnetică, de exemplu radiație ultravioletă sau raze X. Un termen învechit pentru efectul
fotoelectric este efectul Hertz.
Importanța acestui fenomen în dezvoltarea domeniului fizicii constă în a sprijini formarea
conceptului de dualitate undă-corpuscul a radiației electromagnetice. Explicația matematică a
fenomenului a fost dată de Albert Einstein, pe baza unor ipoteze cuantice formulate de Max Planck.
O suprafață metalică expusă radiației electromagnetice poate să emită, în anumite condiții, electroni
liberi, care produc un curent electric dacă sunt accelerați sub acțiunea unui câmp electric. Electronii
emiși prin efectul fotoelectric se numesc fotoelectroni. Experimental s-a constatat că pentru a observa
emisia de electroni este nevoie ca radiația electromagnetică să aibă o frecvență deasupra unei limite
inferioare care depinde de natura materialului sau, echivalent, lungimea de undă trebuie să fie sub o
anumită valoare. Intensitatea fluxului de radiație incident influențează mărimea curentului electric
produs, dar nu determină apariția fenomenului.
Efectul se produce nu numai pe metale ci și pe alte materiale, atât conductoare cât și izolatoare, dar
conductibilitatea electrică a materialului este necesară în aplicațiile în care efectul fotoelectric se
detectează prin apariția unui curent electric.
Explicatie : Efectul fotoelectric extern poate fi explicat simplu dacă se acceptă ipoteza că
radiația electromagnetică este formată din particule (pe care le numim fotoni). Fiecare foton poartă o
cantitate de energie proporțională cu frecvența de oscilație a câmpului electromagnetic. La incidența
fotonului pe suprafața unui metal este posibil ca această energie să fie transferată unui electron din
rețeaua cristalină a metalului. Dacă energia transferată este suficientă pentru ca electronul să
depășească bariera de potențial pusă de interfața dintre metal și vid, atunci electronul poate
părăsi cristalul și deveni liber.
Efectul Compton
În anul 1921 fizicianul Compton a confirmat pe deplin teoria cuantelor de lumină prin
observarea fenomenului de difuzie a fotonilor din razele X pe electroni.El a determinat mişcarea
unui foton înainte şi după ciocnirea lui cu un electron, arătând că fotonul are impuls şi
energie.Dispozitivul experimental utilizat de Compton constă dintr-o sursă de raze X care emite
radiaţie spre un bloc de grafit. Se obţine o radiaţie difuzată sub un anumit unghi, θ, ce este
captată de un detector. Razele incidente au lungimea de undă λ.
Se constată că razele difuzate au o lungime de undă mai mare decât lungimea de undă a razelor
incidente, λ`>λ. Diferenţa Δλ = λ`−λ se numeşte deplasare Compton.valoarea deplasării Compton
depinde numai de unghiul de difuzie θ.
𝜕2 𝜕2 𝜕2 2𝑚
( 2
+ 2
+ 2
) 𝛹(𝑥, 𝑦, 𝑧) 2 (𝐸 − 𝑈(𝑥, 𝑦, 𝑧))𝛹
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧 ℏ
=0
g) Pachete de unde
O unda monocromatica nu poate descrie miscarea unei particule.Consideram o unda
monocromatica de forma
i
px Et
x, t Aei kx t Ae
Viteza de propagare a undei este egala cu viteza de propagare a frontului de unda
10) Elemente de fizica starii solide
Starea solidă este o stare condensată a materiei, caracterizată prin interacţii interatomice
suficient de puternice pentru a conferi materialului un volum propriu şi o formă proprie.
Corpurile solide pot fi:
(i) cristaline, care sunt caracterizate printr-o stuctură ordonată, pe domenii întinse având
aceeaşi configuraţie
(ii) amorfe, care prezintă o structură de ordine numai pe domenii foarte restrânse, configuraţia
fiind diferită în spaţiu.
a) Forte interatomice
Structura materiei cristaline – succesiune periodica de atomi sau molecule
Exista.forte.de.interactiune.intre.atomi forte de atractie si de respingere(permit ca atomi sa
stea uniti in cristal
Atomul in cristal se gaseste in echilibru
Rezultanta.fortelor.trebuie.sa.fie.zero(atractie=respingere)
Energia potentiala trebuie sa fie negativa
b) Interactiunea atractiva
Dependenta de natura atomilor.Poate fi de tipul:
a. Van de Waals
b. Ionica
c. Covalenta
d. Metalica
e. Legaturi de hidrogen
1. Van de Waals
Responsabila pentru formarea cristalelor gazelor inerteApare datorita faptului ca momentul
dipolar instantaneu al e- fata de nucleu este diferit de zero, chiar daca momentul dipolar mediu
este zero.Ceea ce duce la aparitia unei inetractiuni de atractie intre doi atomi aflati la distanta R
unul de celalalt . Este foarte slaba => cristalele gazelor nobile au temperaturi de topire foarte
joase
2. Ionica
Este datorata interactiunii electrostatice dintre doi ioni incarcati cu sarcini electrice de semn opus Se
formeaza prin transferul de e- intrei cei doi ioniSpecifica elementelor din grupa a VII si prima grupa.Tind
sa-si formeze structura de octet pe stratul de valenta. este o legatura puternica avand valoarea cuprinsa
intre 3 si 8eV
3. Covalenta
Se realizeaza prin punerea in comun a e- => structuri stabile de gaz inertEste anizotropa fiind
orientata pe directia pe care e- sunt pusi in comun.Este caracteristica elementelor din grupa a
IV-a (C, Si, Ge). Variatie mare in putere
4. Metalica
Materialele cu aceasta legatura sunt caracterizate prin conductibilitate electrica mare => exista un
nr. mare de e- liberi care se pot deplasa sub influenta cp. electrice externe
Cristalele metalice pot fi imaginate ca un aranjament periodic de ioni pozitivi cufundati intr-o mare
de e- liberi.Este izotropa.Puterea.variaza.de.la.0.7ev.pentru.Hg.la 8.8eV pentru W
Metalelesunt.elastice,.ductile,.maleabile si prezinta o mare plasticitate
c) Cristale
a) Reteaua se defineste ca fiind locul geometric al punctelor din spatiu care sunt
determinate de vectorul:
cu mi= 1, 2, 3, numere intregi vectori fundamentali ai retelei (necoplanari).
Marimile s.n. constantele retelei. exista un numar de sapte sisteme cristalografice
14tipuri,de.celule.elementare numite si retele Bravais
b) Directii si plane
directie cristalina - este determinata de dreapta care trece prin cel putin doua noduri ale retelei
(este data de trei indici [n1n2n3 ], care sunt indicii nodului cel mai apropiat fata de alt nod luat ca origine
si care se gasesc pe directia respectiva, sunt numere prime intre
planul cristalografic - este un plan imaginar care contine cel putin trei noduri ale retelei
c)Defecte in cristale
intr-un cristal apar imperfectiuni ale retelei cristaline.Influente asupra propietatilor materialelor
respective.Datorita temperaturii atomii din reteaua cristalina vibreaza in jurul pozitiei de
echilibru
Defectele retelei cristaline
◦ de structura(punctiforme ,liniare de suprafata, de volum)
datorita impuritatilor(substitionale,interstitiale)
d) Semiconductorii
1. Monocristal
Realizarea dispozitivelor semiconductoare se bazeaza pe utilizarea
materialelor semiconductoare sub forma de monocristal
Metoda cresterii monocristalului din topitura
Prin.taierea.in.felii.subtiri.pe.anumite.directii cristaline (110) se obtin “wafers” care slefuite
si.apoi.curatate.chimic.sunt.folosite.ptr. fabricarea dispozitivelore semiconductoare
Cresterea epitaxiala
2. Fabricarea structurilor pentru dispozitivele semiconductoare
Dispozitive precum: diode, tranzistori, termistori.Separate sau combinate=> circuite integrate –
CI.Asamblul tuturor proceselor derulate cu scopul fabricarii unui CI s.n. tehnologie
e) Teoria benzilor energetice (+)
In solide cristaline energia e- atomici se structureaza in benzi energetice: permise si interzise
Consideram.un.atom.d.H.izolat. Fc. de unda asociata e- acestuia de pe nivelul 1s este de
forma:
3
1 1 2 a0
r
100 e
a0 unde a0=0.529Å - prima raza Bohr
f) Masa efectiva
Miscarea e- in reteaua cristalina este diferita de micarea sa in spatiul liber.In cazul liber daca
intre doi electrozi se aplica un cp. electric atunci miscarea e- este uniform accelerate
Fext eE ma
Masa efectiva reprezinta masa cu care se misca e- in reteaua cristalina si exprima interactiile e-
cu cristalul.Deoarece cristalul nu este izotrop masa efectiva este dependenta de directia de
deplasare a e-.Poate sa fie pozitiva sau negative.La ruperea unei legaturi covalente apare o
pereche e- gol.Sub actiunea unui cp electric extern e- se va misca accelerat avand la dispozitie
toate nivelele energetice din BC
E Fi EV
p0 pi NV e kT
concentratia intrinseca va fi
E E Fi E E E E
C Fi V C V
ni2 ni pi N C NV e kT
e kT
N C NV e kT
Eg
ni2 N C NV e kT
Eg reprezinta largimea benzii interzise.La temp T => ni este constanta si nu depinde de nivelul
Fermi
ii. Nivelul Fermi intrinsic
Punem conditia de neutralitate electrica a semicond. Intrinsic
EC E Fi E Fi EV
NC e kT
NV e kT
EFi
1
EC EV 1 kT ln NV
2 2 NC
Daca masele efective sunt egale => Efi se gaseste la jumatatea benzii interzise.
b) Semiconductori extrinseci
Sunt semic. dopati controlat cu impuritati
Doua tipuri de impuritati:(Donoare ,Acceptoare)
Purtatorii majoritari – datorati impuritatilor(Sunt datorati ionizarii impuritatilor )
i) Energia de ionizare
Energia pe care trebuie sa o cedam unui atom pentru a desprinde un e- din invelisul electronic al
acestuia => electron liber si ion pozitiv
ii) Statistica purtatorilor de sarcina in semiconductori extrinseci
Concentratia e- si a golurilor difera.Nivelul Fermi pt. semic. extrinsec difera de cel al semic. Intrinsic
In cazul semic. de tip n se poate scrie
EC E F EC E Fi E F E Fi
n0 N C e kT
NC e kT
e kT
E F E Fi
n0 ni e kT
E E Fi
F
E F E Fi
p0 ni e kT
p
EF EFi kT ln 0
Pentru semic. de tip p avem ni
v)Semnificatia nivelului energetic Fermi
La T≠0K, semic. aflat la echilibru termodinamic, EF este acelasi in tot cristalul semic. si deci poate
fi luat ca un nivel de referinta in evalularea purtatorilor.
(+)Î n c o n s t r u c ţ i a d i s p o z i t i v e l o r e l e c t r o n i c e s e f o l o s e s c s e m i c o n d u c t o a r e
i m p u r i f i c a t e . S e m i c o n d u c t o a r e l e i m p u r i f i c a t e ( n u m i t e semiconductoareextrins
eci) se obţin din semiconductoarele pure prin înlocuirea, fără a modificastructura reţelei,
a unui atom semiconductor cu elemente a căror valenţă diferăcu o unitate în plus
(pentavalente) sau în minus (trivalente).Procedeul tehnologic prin care se obţin semiconductoare
extrinseci poartănumele de dopare
Dacă doparea se face cu elemente pentavalente se obţin semiconductoare de tip n.La un semiconductor
de tip n: electronii sunt purtători majoritari;
Intr-un semiconductor intrinsec numarul de purtatori excitati termic este foarte mic. De exemplu, la
temperatura camerei, numarul de electroni excitati termic în banda de conductie este de 1,5x10 10
electroni/cm pentru Si si de 1,1x10 electroni/cm pentru GaAs, în timp ce intr-un metal numarul de
electroni liberi pe unitate de volum este de aproximativ IO28 electroni/cm . Din aceasta cauza
rezistivitatea electrica a semiconductorilor puri este foarte mare si, în consecinta, materialele
semiconductoare pure nu sunt adegvate pentru aplicatii în electronica
◦ Ciocniri cu atomii retelei care vibreaza termic (vibratie care depinde de temperatura si
deci cu fononii retelei)
k) Mecanism de difuzie
Difuzia purtatorilor de sarcina=>curent de difuzie