Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
T.E.-cap.3 Realizare Plachete Semiconductoare
T.E.-cap.3 Realizare Plachete Semiconductoare
În realitate rezultatul acestei reacţii rezultă în urma unui număr mare de reacţii
chimice intermediare.
Siliciul care se obţine în urma electrolizei are puritatea de 98 %. Puritatea
trebuie mărită în continuare, cu multe ordine de mărime, până la obţinerea unui
material utilizabil în microelectronică.
28 Tehnologia siliciului
grafit
Cuarţ, carbon
CO, SiO2, H2O
Fig. 3.1 Electroliza silicei pentru obţinerea siliciului topit de calitate metalurgică
Prin distilare într-un reactor, aşa cum este cel prezentat în figura 3.2 se obţin
purităţi superioare. Triclorosilanul astfel purificat este în continuare redus, pentru a
repune în libertate siliciul. Reacţia chimică de bilanţ este următoarea:
SiHCl3 (gaz) + H2 (gaz) ——> Si (solid) + 3HCl (gaz) (3.3)
Reacţia cu clorul permite o primă purificare, întrucât precipitaţii cloraţi ai
metalelor nu sunt solubili în triclorosilan. Prin distilare se obţin purităţi superioare.
Puritatea obţinuta este de ordinul a 1 ppm (o parte la milion), ceea ce corespunde unei
concentraţii de impurităţi de ordinul 1016 cm-3.
Cameră de reacţie
Punte de siliciu
Siliciu policristalin
Clopot de cuarţ
Suport de grafit
Gaze reziduale
SiHCl3+H2
Fig. 3.2 Schema unui reactor pentru producerea siliciului de calitate electronică pornind de
la SiHCl3
Pornind de la acest siliciu policristalin purificat se fabrică monocristalul. Siliciul
purificat este folosit pentru a forma şarjele cu care se încarcă reactorul de creştere a
monocristalului.
Purificarea siliciului are loc în continuare prin metode fizice.
b) purificarea fizică
Aceste metode de purificare se bazează pe redistribuirea impurităţilor existente în
material la trecerea acestuia din faza lichidă în faza solidă. Eficienţa metodei depinde
de coeficientul de repartiţie kr ( kr = N s Nl ) dintre concentraţia de impurităţi în fază
solidă Ns şi concentraţia de impurităţi în fază lichidă Nl . Pentru kr>1 rezultă o
concentrare a impurităţilor în faza solidă, iar pentru kr<1 se obţine o concentrare a
impurităţilor în faza lichidă. În practică se utilizează următoarele variante:
- metoda solidificării directe, prin care materialul aflat iniţial în stare lichidă
se solidifică treptat prin deplasarea unei singure interfeţe solid-lichid;
- metoda topirii zonale simple – constă în topirea unei zone a lingoului de
material semiconductor şi deplasarea lentă a acestei zone de-a lungul
30 Tehnologia siliciului
y y
Bobină de inducţie
T
Lingou de Siliciu
a) b)
Fig. 3.3 Schema topirii zonale a) Principiul încălzirii prin inducţie
a) Variaţia temperaturii
c) obţinerea lingoului
Evoluţia dimensiunilor lingourilor a fost legată de evoluţia gradului de control
asupra parametrilor de proces şi echipamentelor asociate, având ca scop creşterea
randamentului de fabricaţie şi reducerea costurilor de producţie pe circuit integrat
realizat. Astfel, în mai puţin de 30 de ani, diametrul plachetelor a crescut de 10 ori,
respectiv de la 25 mm în 1964 la 300 mm în 1998.
d) tragerea şi creşterea cristalului
Altă tehnică folosită pentru realizarea lingourilor de mari dimensiuni porneşte de
la un lingou de siliciu policristalin obţinut în reactorul de reducere a triclorosilanului
prezentat anterior (fig. 3.2). Creşterea cristalului se obţine pornind de la un germene
fixat la extremitatea lingoului, prin deplasarea unei zone topite (fig. 3.4).
Aceasta zonă este încălzită prin inducţie până la limita de topire a siliciului.
Procesul de încălzire se obţine prin intermediul unei bobine parcurse de curent de
înalta frecvenţă, care induce în lingou curenţi turbionari (Foucault), la fel ca şi în cazul
purificării lingoului. Se exploatează fenomenul de difuzie a impurităţilor într-un solid,
la temperatură înaltă. Diametrul lingoului este determinat de parametrii fizici în timpul
tragerii. La componentele semiconductoare binare (din grupele III-V) este folosită şi o
Tehnologie electronică 31
altă variantă pentru tragerea de lingouri. În acest caz, lingoul se obţine într-o formă
paralelipipedică, iar cristalizarea se efectuează progresiv, pornind de la una din
extremităţi. Această metoda este numită metoda "Bridgman" (fig. 3.5). Această
tehnică este folosită, în special, pentru lingouri din compuşi III - V, cum ar fi GaAs.
Direcţia [100]
Marcaj de referinţă
h) polizajul cilindric
In cursul tragerii diametrul lingoului variază uşor, suprafaţa fiind ondulată.
Pentru a obţine plachete de acelaşi diametru este necesară o polizare cilindrică.
i) polizarea unei teşituri de referinţă
Acest reper (fig.3.8) va folosi ca referinţă în cursul procedeului de fabricaţie
(orientarea zonelor de conducţie în raport cu axele cristalului, reperarea desenelor
gravate în cursul fotolitografiei, decuparea cipurilor după axele cristalografice).
Se vor realiza suplimentar şi alte repere, aşa cum se indică în figura 3.8, în
funcţie de tipul de dopaj al substratului şi de orientarea sa cristalografică. La
plachetele cu diametru mai mare de 3 inch (ţoli) (1 inch =25,4 mm) se foloseşte un
reper cristalografic în formă de crestătură.
Se pot distinge uşor tipurile de dopaj n şi p precum şi orientările cristalografice.
Pe lingou se marchează datele de identificare ale lingoului cu ajutorul unui fascicul
laser: numărul lotului în care s-a realizat, data fabricaţiei (fig. 3.9).
numărul lotului;
data fabricaţiei.
Din lingoul de siliciu cristalin se obţin plachetele (wafers) pe care prin tehnologii
specifice urmează a se realiza dispozitivele electronice şi circuitele integrate.
Succesiunea principalelor operaţii de obţinere a plachetelor se prezintă în cele ce
urmează:
Tehnologie electronică 33
a) debitarea plachetelor
Dup ă ob ţinerea lingoului de siliciu monocristalin acesta va fi decupat în discuri
subţiri ce vor reprezenta plachetele (wafers). O modalitate de debitare a plachetelor
(fig. 3.10) este aceea care se face cu ajutorul unui ferăstrău diamantat. Pânza
fierăstrăului are grosime g≈400µm şi realizează debitarea de plachete semiconductoare
cu grosimea de 400µm ... 600µm brut, după tăiere.
I
UBC
A B C D
Placheta
Prin doi dintre aceşti electrozi se injectează un curent I în circuit, iar între ceilalţi
doi electrozi se măsoară tensiunea UBC care ia naştere. În funcţie de configuraţia
electrozilor, se poate determina prin calcul rezistivitatea plachetei. Atunci când
electrozii sunt coliniari şi echidistanţi (fig. 3.12) rezistivitatea se calculează [12] cu
relaţia:
2π ⋅ a ⋅U BC
ρ= (3.4)
I
l) reperarea - marcarea
Se marchează pe lingou cu ajutorul unui fascicul laser: numărul lotului în care s-
a realizat, data fabricaţiei. Prin aceste reperare este posibilă urmărirea plachetei de-a
lungul întregii linii de fabricaţie.
36 Tehnologia siliciului