Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Jonctiunea PN PDF
Jonctiunea PN PDF
l = ln + lp N A lp = N D ln
qN D l n
- campul electric maxim: E M =
εOε r
⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤ ⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤
- caracteristica statica:I D = I O,d ⎢exp⎜ D ⎟ − 1⎥ + I O,gr ⎢exp⎜ D ⎟ − 1⎥
⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦ ⎣ ⎝ 2kT ⎠ ⎦
⎛ D p p nO D n n pO ⎞
- componenta de difuzie a curentului: I O, d = A J q⎜ + ⎟
⎜ L L n ⎟⎠
⎝ p
n
- componenta de generare-recombinare: I O,gr = A J q i l
2τ O
Ln = Dnτn Lp = Dpτp τO = τ p = τ n
1
- coeficientul de multiplicare in avalansa: M= m
⎛ V ⎞
1 − ⎜⎜ R ⎟⎟
⎝ VBR ⎠
nkT
- rezistenta interna: Ri =
q ID
τ
- capacitatea de difuzie: C d = O
2Ri
ε ε A
- capacitatea de bariera: C b = O r J
l
1
Probleme rezolvate
O observatie utila pentru verificarea calculelor de acest tip este aceea ca inaltimea
barierei interne de potential creste cu aproximativ 60 mV pentru fiecare ordin de marime al
argumentului functiei logaritm.
3.2. Pentru o jonctiune pn liniar gradata (ND – NA)(x) = a.x (a este gradientul
concentratiei nete de impuritati). Cu aproximatia golirii complete sa se calculeze
distributiile campului electric E(x) si potentialului φ(x) la echilibru termic. Daca
jonctiunea este realizata din siliciu si a = 1021 cm-3, sa se calculeze la T = 300 K
inaltimea barierei interne de potential si largimea regiunii de sarcina spatiala.
2
q a l3O
Φ ( x) = −
qa
24 ε
(
4 x 3 − 3lO2 x − lO3 ) Φ BO =
12 ε
Diferenta interna de potential ΦBO se poate calcula presupunand satisfacuta ipoteza
ionizarii complete si tinand cont de faptul ca nivelul Fermi este constant in toata structura la
echilibru termic. La margimea regiunii de sarcina spatiala (in zona neutra invecinata) se poate
exprima pozitia nivelului Fermi in functie de concentratiile de purtatori. De exemplu pentru
electroni concentratia este:
⎛l ⎞
- in zona n (purtatori majoritari): n n (l n , + ) = a ⎜ O ⎟
⎝ 2 ⎠
n i2
- in zona p (purtatori minoritari): n p ( −l p, − ) =
⎛l ⎞
a⎜ O ⎟
⎝ 2 ⎠
Rezulta:
kT ⎛⎜ n n (l n , + ) ⎞⎟ kT ⎛ a 2 lO2 ⎞ 2 kT ⎛ a lO ⎞
Φ BO = ln = ln⎜ ⎟= ln⎜⎜ ⎟⎟
q ⎜⎝ n p (−l p, − ) ⎟⎠ q ⎜⎝ 4 n i2 ⎟⎠ q ⎝ i ⎠
2 n
Calculul largimii regiunii de sarcina spatiala (regiunii golite) presupune rezolvarea
ecuatiei neliniare:
q a l 3O 2 kT ⎛⎜ a l O ⎞⎟
= ln
12 ε q ⎜ 2n ⎟
⎝ i ⎠
In conditiile din problema ni = 1.45 1010 cm-3, εr = 11.7 si kT/q = 0.026 V. Rezulta
rezolvand ecuatia (de exemplu prin metoda incercarilor repetate sau formand un sir de iterare
corespunzator teoremei de punct fix) valoarea lO = 0.378 µm. Diferenta interna de potential
rezulta ΦBO = 0.696 V.
3.3. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 1017 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Constantele de difuzie ale purtatorilor
minoritati sunt Dn = 25 cm2/s si Dp = 10 cm2/s. Timpul de viata al purtatorilor de
sarcina este τ O = τ p = τ n = 0.5 µs.
a) Sa se calculeze concentratiile de purtatori in ipoteza ionizarii complete.
3
n i2
- purtatori minoritari: n p,O = = 2.2 10 3 cm -3
NA
b) Sa se calculeza inaltimea barierei interne de potential.
kT ⎜⎛ N A N D ⎟⎞
φ B,O = ln = 0.699 V
q ⎜⎝ n i2 ⎟⎠
5
Expresia densitatii de curent datorata fenomenelor de generare-recombinare este:
⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤ n ⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤
J D,gr = J O,gr ⎢exp⎜ D ⎟ − 1⎥ = q i l ⎢exp⎜ D ⎟ − 1⎥
⎣ ⎝ 2kT ⎠ ⎦ 2τ O ⎣ ⎝ 2kT ⎠ ⎦
Se remarca faptul ca dependenta curentului de tensiunea de polarizare are loc atat
direct, prin intermediul functiei exponentiale, cat si indirect, prin intermediul largimii regiunii
de sarcina spatiala l (deci trebuiesc utilizate rezultatele obtinute la punctul c).
Pentru VF = 0.5 V, rezulta: JD,rec = 1.77 10-3 A/cm2.
Comparand aceasta valoare cu cea obtinuta la punctul f pentru densitatea curentului de
difuzie, rezulta ca, pentru siliciu, componenta de recombinare a curentului in direct prin
jonctiune reprezinta o abatere importanta de la legea diodei ideale. Datorita dependentei
reduse de tensiune prin intermediul largimii regiunii de sarcina spatiala, aceasta abatere va fi
cu atat mai importanta cu cat tensiunea de polarizare in direct este mai mica. Aceasta abatere
devine neimportanta la tensiuni de polarizare mai mari.
Pentru VR = 10 V, rezulta: JD,gen = - 8.64 10-7 A/cm2.
Comparand aceasta valoare cu cea obtinuta la punctul f pentru densitatea curentului de
difuzie, rezulta ca componenta de generare a curentului invers este dominanta pentru
jonctiunile din siliciu polarizate invers la temperatura camerei (este mai mare cu cateva ordine
de marime).
Calculul rezistentei interne de semnal mic (de fapt al conductantei) se face calculand
panta caracteristicii statice I/V corespunzatoare punctului static de functionare dat. Tinand
cont de punctele f si g, rezulta ca pentru polarizarea in invers a jonctiunii numai componenta
de generare depinde de tensiunea aplicata (curentul de difuzie este practic constant la tensiuni
inverse mai mari de 3kT/q).
Caracteristica curent de generare-tensiune devine in aceste conditii:
ni
I D,gen = − q l( VD )
2τ O
Prin derivare, conductanta de semnal mic se obtine ca:
1 d ID d I D,gen n i d l( VD )
gi = = = =−q
ri d VD VD = − VR
d VD 2τ O d VD V
VD = − VR D = − VR
Deci:
1 d l( VD ) d ln (l( VD ) )
g i == I D,gen = I D,gen
l( VD ) d VD V d VD
D = − VR D = − VR
V
Dependenta de tensiune a largimii regiunii golite este (punctul c):
2ε O ε r 1
l( VD ) ≅ (φ B,O − VD )
q ND
Dupa cateva calcule simple, rezulta:
d ln (l( VD ) ) −1
=
d VD 2(Φ B,O + VR )
V D = − VR
Rezultatul final este:
6
2(Φ BO + VR )
ri = −
A J J D,gen
Tinand cont de rezultatele obtinute la punctele b si g, rezulta rI = 2.48 MΩ. Rezultatul
reprezinta o valoare foarte mare a rezistentei interne a unei jonctiuni polarizate invers, dar
aceasta valoare este finita (nu infinita, dupa cum rezulta din legea diodei ideale).
Deoarece largimea regiunii de sarcina spatiala este mult mai mica decat grosimile
zonelor n si p (punctul c), putem considera Wp ≅ Wp,O = 100 µm si Wn ≅ Wn,O = 250 µm.
Regiunile neutre se comporta ca niste rezistoare a caror valoare poate fi calculata cu relatia:
W
R =ρ
AJ
Trebuiesc calculate rezistivitatile celor doua zone neutre. La nivel mic de injectie,
rezulta:
1 1
ρp ≅ = = 0.156 Ω.cm
q p p,O µ p q N A µp
1 1
ρn ≅ = = 6.25 Ω.cm
q n n ,O µ n q N D µn
Pentru calculul mobilitatilor purtatorilor au fost utilizate relatiile lui Einstein si a fost
neglijata dependenta acestora de concentratia de impuritati. Pentru cele doua regiuni neutre
rezulta urmatoarele valori ale rezistentelor serie care, la nivel mic de injectie, nu depind de
tensiunea de polarizare a jonctiunii:
- zona p: Rp = 0.156 Ω;
- zona n: Rp = 15.62 Ω.
Rezistenta serie a structurii rezulta: RS = 15.78 Ω.
Pentru a estima efectul acestei rezistente asupra functionarii jonctiunii trebuie
calculata caderea de tensiune pe rezistenta serie si comparata cu caderea de tensiune pe
regiunea de bariera. Utilizand calculele de la punctele f si g pentru VF = 0.5 V, rezulta un
curent prin dioda ID ≅ 0.844 mA, deci o cadere de tensiune pe rezistenta serie:
RS ID = 13.3 mV,
8
Valoarea obtinuta este neglijabila fata de caderea de tensiune pe jonctiune de 500 mV.
Consideram ca efectul rezistentei serie devine semnificativ daca caderea de tensiune pe ea
este de 10% din caderea de tensiune pe regiunea de bariera. Daca consideram ca prin structura
trece numai curent de difuzie (vezi punctul g), tensiunea dorita se obtine din rezolvarea
ecuatiei neliniare:
⎛ qV ⎞
R S I O,d exp⎜ F ⎟ = 0.1 VF
⎝ kT ⎠
Cu IO,d = 3.75 10-12 A, rezulta VF = 0.536 V.
Probleme propuse
3.7. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 5 1015 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Aria jonctiunii este AJ = 10-2 cm2 si
jonctiunea este polarizata la o tensiune inversa VR = 5 V. Sa se calculeze:
a) diferenta interna de potential; b) largimea regiunii de sarcina spatiala;
c) campul electric maxim; d) capacitatea totala a jonctiunii.
3.9. O jonctiune pn abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, este uniform dopata
cu NA = 1018 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Aria jonctiunii este AJ = 6 10-4 cm2. In
paralel cu jonctiunea este plasata o inductanta de 2 nH. Sa se calculeze frecventa
de rezonanta la o tensiune de polarizare inversa de a) VR = 1 V; a) VR = 10 V.
Indicatie. Din expresia capacitatii de bariera si cu relatia din care se calculeaza largimea
regiunii golite, rezulta direct gradientul de concentratie neta de impuritati.
3.12. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 5 1015 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Constantele de difuzie ale purtatorilor
minoritati sunt Dn = 25 cm2/s si Dp = 10 cm2/s. Timpul de viata al purtatorilor de
sarcina este τ O = τ p = τ n = 0.5 µs. Jonctiunea este polarizata la o tensiune
directa VF = 0.6 V. Sa se calculeze:
a) componenta de difuzie a curentului prin jonctiune;
b) componenta de generare-recombinare a curentului;
10
c) la ce tensiune componenta de difuzie a curentului egaleaza componenta de
generare-recombinare;
d) sa se determine campul electric din regiunea p neutra.
3.13. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 1016 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Sa se determine tensiunea maxima de
polarizare in direct a jonctiunii pana la care aproximatia de nivel mic de injectie
ramane valabila.
3.14. O jonctiune abrupta din GaAs, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 5 1015 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Constantele de difuzie ale purtatorilor
minoritati sunt Dn = 150 cm2/s si Dp = 7.5 cm2/s. Timpul de viata al purtatorilor
de sarcina este τ O = τ p = τ n = 0.5 µs. Jonctiunea este polarizata la o tensiune
inversa VR = 10 V. Sa se calculeze:
a) componenta de difuzie a curentului prin jonctiune;
b) componenta de generare-recombinare a curentului.
11
- constantele de difuzie: Dn = 25 cm2/s si Dp = 10 cm2/s;
- rezistivitatea zonei n: ρn = 0.5 Ω.cm;
- rezistivitatea zonei p: ρp = 0.04 Ω.cm;
- timpul de viata al purtatorilor: τ O = τ p = τ n = 1µs ;
- aria jonctiunii: AJ = 10-4 cm2;
Sa se calculeze:
a) curentul prin structura la VR = 10 V;
b) curentul prin structura la VF = 0.6 V;
c) rezistenta serie a structurii la echilibru termic;
d) capacitatea structurii la echilibru termic si trasati dependenta capacitatii de
bariera de tensiunea inversa pe jonctiune.
3.21. O jonctiune abrupta asimetrica p+n din siliciu, uniform dopata, este
proiectata pentru o tensiune minima de strapungere de VB = 15 V. Sa se
determine concentratia maxima de impuritati a zonei mai slab dopate. Se
considera campul electric critic egal cu 4 105 V/cm.
12