REFERATE

LUCRĂRI DE LABORATOR
CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE – SL3

Filip Claudiu 3123b

ELECTRONICA DIGITALĂ

Cuprins
VII REFERAT 7. CIRCUITE BASCULANTE MONOSTABILE CU TRANZISTOARE.............5
VII.1 Conținutul referatului ...............................................................................................................5
VII.2 Definițiile circuitelor realizate ...................................................................................................................5
VII.3 CBM cu cuplaj colector-bază (schemă, forme de undă și funcționare) .....................................5
Fig. 7.3.1. Schema tipică a unui CBM cu cuplaj colector-bază......................................................5
Fig. 7.3.2. Forme de undă..............................................................................................................6
Fig. 7.3.3. Diagrama ce sintetizează procesul de basculare............................................................6
VII.4 Analiza stării stabile a CBM.....................................................................................................6
Fig. 7.4.1. Sensurile curenţilor și tensiunilor în starea stabilă........................................................6
VII.5 Analiza stării instabile a CBM..................................................................................................7
Fig. 7.5.1. Circuitul de intrare al tranzistorului T1.........................................................................7
VII.6 Posibilități de modificare a duratei stării instabile ...................................................................9
Fig.7.6.1. Modificarea duratei stării instabile................................................................................9
Fig. 7.6.2. Modificarea duratei stării instabile.............................................................................10
VII.7 Proiectarea CBM cu cuplaj colector-bază...............................................................................10
VII.8 Desfășurarea lucrării...............................................................................................................12
Fig. 7.8.1Circuit basculant monostabil configurabil (macheta de laborator)................................12
VII.8.1 Desfășurarea lucrării........................................................................................................13
VII.8.1.1 Simularea circuitului basculant monostabil configurabil..............................................13
VII.8.1.2 Oscilograma cu formele de undă ale circuitului basculant monostabil configurabil.....14
VII.8.2 Desfășurarea lucrării........................................................................................................14
VII.8.2.1 Oscilograma circuitului basculant monostabil de pe osciloscop...................................14
VII.8.2.2 Oscilograma circuitului basculant monostabil cu cuplaj C-B de pe osciloscop............15
VII.9 Răspunsurile la întrebări.........................................................................................................15
VII.10 Observaţii personale.............................................................................................................16
VIII REFERAT 8. CIRCUITE BASCULANTE ASTABILE CU TRANZISTOARE...................17
VIII.1 Conținutul referatului ...........................................................................................................17
VIII.2 Definițiile circuitelor realizate ................................................................................................................17
Fig. 8.1 Circuit basculant astabil cu cuplaj RC colector-bază......................................................18
Fig. 8.2 Circuit basculant astabil cu diode de separaţie................................................................19
VIII.3 Desfăşurarea lucrării.............................................................................................................19

2
ELECTRONICA DIGITALĂ

Fig. 8.3 Schema principala...........................................................................................................19

VIII.3.1 Circuit basculant astabil cu cuplaj RC colector-bază......................................................20
VIII.3.1.1 Schema circuit – teoretic.........................................................................................20
Figura 8.4 Circuit basculant astabil cu cuplaj colector-bază....................................................20
VIII.3.1.2 Simularea circuitului basculant astabil cu cuplaj colector-bază...............................20
Figura 8.5 Schema electrică a circuitului basculant astabil cu cuplaj C-B în simulare.............20
Figura 8.6 Oscilograma circuitului basculant astabil cu cuplaj colector-bază în simulare........21
VIII.3.1.3 Determinări practice................................................................................................21
VIII.3.2 Circuit basculant astabil cu diode de separație ..............................................................................22
VIII.3.2.1 Schema circuit – teoretic.........................................................................................22
Figura 8.8 Circuit basculant astabil cu cuplaj colector-bază....................................................22
VIII.3.2.2 Simularea circuitului basculant astabil cu cuplaj colector-bază...............................22
Figura 8.9 Circuit basculant astabil cu cuplaj colector-bază....................................................22
Figura 8.10 Oscilograma circuitului basculant astabil cu diode de separație simulată .............................23
VIII.3.2.3 Determinări practice................................................................................................23
Figura 8.11 Oscilograma circuitului basculant astabil cu diode de separație de pe osciloscop 23 VIII.4.
Răspunsurile la întrebări..................................................................................................................24
VIII.5. Observații personale ............................................................................................................24
IX. REFERAT 9. STUDIUL CIRCUITELOR DE TEMPORIZARE BE 555.....................................25
IX.1 Conținutul referatului ..............................................................................................................25
IX.2 Definițiile circuitelor realizate ..................................................................................................................25
IX.3 Circuit astabil realizat cu BE 555............................................................................................26
IX.3.1 Schema circuit-teoretic.....................................................................................................26
Figura 9.2 Schema pentru utilizarea ca astabil a circuitului BE 555............................................26
IX.3.2 Simularea circuitului astabil realizat cu BE 555...............................................................27
Figura 9.3 Schema electrică pentru utilizarea ca astabil a circuitului BE 555 simulat..................27
Figura 9.4 Oscilograma circuitului astabil realizat cu BE 555 în simulare..................................27
IX.3.3 Determinări practice.........................................................................................................28
Figura 9.5 Oscilograma circuitului astabil realizat cu BE 555 de pe osciloscop..........................28

IX.4 Circuit monostabil realizat cu BE 555.....................................................................................28

IX.4.1 Schema teoretică a circuitului...........................................................................................29
Figura 9.6 Schema de utilizarea ca monostabil a circuitului BE 555...........................................29

3
ELECTRONICA DIGITALĂ

IX.4.2 Simularea circuitului monostabil realizat cu BE 555........................................................29

Figura 9.7 Schema circuitului monostabil realizat cu BE 555 în simulare..................................29
Figura 9.8 Oscilograma circuitului monostabil realizat cu BE 555 în simulare..........................30
IX.4.3 Determinări practice.........................................................................................................30
IX.4 Răspunsurile la întrebări..........................................................................................................31
IX.5 Observaţii personale................................................................................................................31

4
 VII REFERAT 7. CIRCUITE BASCULANTE MONOSTABILE
CU TRANZISTOARE
VII.1 Conținutul referatului

În acest laborator se studiază circuitelor basculante monostabile(CBM) cu tranzistoare

în următoarele configurații:
- CBM cu cuplaj colector-bază;
- posibilități de modificare a duratei stării instabile.
Circuitul basculant monostabile generează la ieșire un impuls dreptunghiular a cărui
durată și frecvență de repetiție depinde de schema de comandă utilizată și de
valorile componentelor.

VII.2 Definițiile circuitelor realizate

Circuite basculante monostabile (CBM) se caracterizează prin doua stări dintre care
una stabilă, iar alta instabilă.
Circuitele basculante monostabile se folosesc drept elemente de memorie temporară,
drept dispozitive de marcare a intervalelor de timp, pentru întârzierea unor impulsuri
standardizate, pentru generarea de impulsuri de durată.
Principalele cerințe impuse CBM sunt stabilitatea duratei stării instabile și
stabilitatea stării sale stabile (inițiale).

VII.3 CBM cu cuplaj colector-bază (schemă, forme de undă

și funcționare)

Schema tipică a unui CBM cu cuplaj colector-bază este data în Fig. 7.3.1

Fig. 7.3.1. Schema tipică a unui CBM cu cuplaj colector-bază

Schema se dimensionează astfel încât starea stabilă să fie caracterizată prin

tranzistoarele T1 blocat și T2 saturat. În starea stabilă condensatorul C se încarcă cu
polaritatea din figură pe circuitul: +EC1 , RC1 , joncțiunea bază-emitor a lui T2, masă până
latensiunea (Ec
- Rc1 Ic0) » EC , unde Ic0 este curentul rezidual al tranzistorului T1 blocat.
 Pentru a bascula circuitul în starea
instabilă, impulsul de comandă se aplică
circuitului de diferențiere Cd1,Rd1 fie direct
pe baza tranzistorului T2 (așa cum
ereprezentat cu linie plină pe schema din Fig.
7.3.1), fie pe colectorul lui T1 blocat
(reprezentat punctat pe figură). În urma
diferențierii impulsului de comandă impulsul
ascuțit negativ rezultat se aplică bazei
tranzistorului saturat T2, declanșând procesul
de basculare, sintetizat prin diagrama din Fig.
7.3.3:

Fig. 7.3.2. Forme de undă

Fig. 7.3.3. Diagrama ce sintetizează

procesul de basculare

VII.4 Analiza stării stabile a CBM

În starea stabilă sensurile curenților și tensiunilor sunt indicate în Fig. 7.4.1.:

Fig. 7.4.1. Sensurile curenţilor și tensiunilor în starea stabilă

Tranzistorul T2 fiind saturat s-au neglijat tensiunile B-E și C-E ale acestuia.
Conform schemei se poate scrie :
 Pentru ca T1 să fie blocat este necesar ca tensiunea Ub1 , cu polaritatea indicată în
figură, să fie mai mare sau egală cu zero. Aceasta implică:

E b − r IC ≥ (7.4.2.)
Eb
r (7.4.3.)
I≤ C
Relația (7.4.3) trebuie să fie satisfăcută în condițiile cele mai defavorabile, adică al
temperatura maximă de funcționare, ceea ce corespunde la Ic0 max. Pentru asigurarea saturării
lui T2 este necesar ca:

Dar, și de unde rezultă conform relației (7.3.4.)

: r2 < b · Rc2 (7.4.5.)

Relația (7.4.5) trebuie să fie satisfăcută în condițiile cele mai defavorabile, adică
pentru bmin.

VII.5 Analiza stării instabile a CBM

Așa cum s-a arătat în paragraful VII.3, blocarea lui T2 în starea instabilă este asigurată
de tensiunea de la bornele lui C, astfel că pentru blocarea lui T 2 nu se impune nici o
restricție asupra elementelor schemei CBM. Singura restricție este dictată de
tensiunea inversă admisibilă a joncțiunii B-E a lui T2. În acest scop este necesar ca
tensiunea la bornele lui C (aproximativ EC) să nu depășească tensiunea inversă admisibilă B-
E.
Uneori, pentru înlăturarea acestei restricții se conectează în baza lui T2 o diodă , cu
catodul spre bază, astfel încât tensiunea de la bornele condensatorului să se aplice pe doua
diode polarizate invers: dioda echivalentă joncțiunii B-E și dioda conectată suplimentar.
În scopul determinării condiției de saturare a tranzistorului T1 în starea instabilă , în
Fig. 7.5.1 s-a desenat circuitul de intrare al tranzistorului T1.

Fig. 7.5.1. Circuitul de intrare al tranzistorului T1

Dar,
Conform Fig. 7.5.1. se poate scrie :

I = ib1+Ir1 (7.4.1.)

(s-a neglijat tensiunea B-E a lui T1 saturat) și .

Rezultă atunci : (7.4.2.)

Curentul de colector al tranzistorului T1 saturat se calculează cu relația

:
(7.4.3.)

Pentru asigurarea saturării lui T1 este necesar ca:

(7.4.4.)

Înlocuind în relația (7.4.4.) , relațiile (7.4.2.) și (7.4.3.) rezultă :

(7.4.5.)

Relația (7.4.5.) trebuie să fie satisfăcută în condițiile cele mai defavorabile, adică pentru ßmin.

Durata T2 a stării instabile a CBM este determinată de intervalul de tip în care

condensatorul C se descarcă de la valoarea corespunzătoare stării inițiale (EC - RC1IC0) până la
o tensiune egală care nu mai poate asigura blocarea tranzistorului T2.
Deoarece UC(0) = EC - RC1IC0 (7.4.6.)
reprezintă tensiunea la bornele condensatorului în starea inițială (stabilă) a CBM, dacă starea
instabilă ar dura un timp nelimitat, condensatorul C s-ar descarcă și apoi s-ar încărca cu
polaritate inversă față de cea indicată în figura 7.5.1, până la valoarea:
UC(w) = -(EC + r2IC0 ) (7.4.7.)
Semnul minus din relația (7.4.7.) specifică faptul că tensiunea la
bornele condensatorului este inversa față de starea stabilă.
 VII.6 Posibilități de modificare a duratei stării instabile

O variantă de modificare a duratei stării

instabile este dată în Fig. 7.6.1. :
În starea (T1 blocat, T2 saturat), condensatorul C
se încarcă cu polaritatea indicată în figură până la
valoarea :
UC(0) = EC (7.6.1)

Dacă starea instabilă (T1 saturat, T2 blocat) ar dura

un timp nelimitat, condensatorul C s!ar descarcă și apoi, s!
ar încarcă cu polaritate inversă față de cea indicată în
figură, până la valoarea:

(7.6.2)
(
Fig.7.6.1. Modificarea duratei stării instabile

Legea de variașție a tensiunii la bornele condensatorului în starea instabilă a

CBM este dată de relaia:
Uc(t)=UC(∞)+[UC(0)!UC(∞)] e!t/Cr2 = ! (R’ C1/RC1) Ec + (Ec + R’ C1/RC1!Ec) e! t/Cr2 (7.6.3)

(r2 >> RC1 și deci cu atât mai mult r2 >> RC1||R’’C1) . Durata

stării instabile se calculează atunci din condiția :

UC(Ti) = (R’’ C1 / R’C1) EC (7.6.4)
Din relaiile (7.5.2) și (7.6.4) rezultă :
Ti = r2C ln (1+ R’C1 / Rc1) (7.6.5)

Se observă din ultima relaie posibilitatea modificării

duratei stării instabile prin modificarea rezistentei
R’C1 . Pentru R’C1 = RC1 rezultă relaia dedusa
anterior (7.6.2).

O altă variantă de modificare a duratei stării instabile

este dată în .
Fig. 7.6.2. Modificarea duratei stării instabile

În schema propusă, în starea instabilă condensatorul C se descarcă la curent constant

datorită repetorului pe emitor realizat cu tranzistorul T3. În felul acesta, tensiunea la bornele
condensatorului C variază liniar, ceea ce constituie principalul avantaj al schemei, deoarece
intersecia dintre tensiunea liniar variabilă ce constituie ub2 $i axa absciselor (vezi ) se
realizează într!un punct ferm, conducând astfel la o durată a stării instabile foarte precisă.

Curentul constant de descărcare al condensatorului C se determină cu relaia:

IE = Icondesat»UZ / P = const. (7.6.6) unde UZ este tensiunea
stabilizată de dioda Zener DZ, mult mai mare decât tensiunea B-E a tranzistorului deschis T3,
iar P valoarea rezistorului variabil RS. Dacă în starea stabilă condensatorul C este încărcat cu
polaritatea din figură la valoarea UC(0) = EC, atunci în starea instabilă legea de variaie a
tensiunii la bornele condensatorului (identică practic cu legea de variaie a tensiunii B-E, ub2,
a tranzistorului T2) este descrisă de ecuaia:
UC(t) = 1/C ∫ Icondensator dt - EC = Uzt / CP ! Ec
Dacă Ti este durata stării instabile rezultă :
UC(Ti) = 0 = Uz/CP * Ti ! EC (7.6.7)
de unde rezultă:
Ti = CP * Ec/Uz
Se observă din ultima relaie posibilitatea modificării duratei stării instabile prin
modificarea rezistorului semireglabil RS.
Pentru asigurarea saturării tranzistorului T2 în starea stabilă este necesar să
fie îndeplinită condiția
UZ / P ≥ EC / βRC2 (7.6.8)

VII.7 Proiectarea CBM cu cuplaj colector-bază

1. Date de proiectare
Se impun de obicei, următoarele dare de proiectare:
- amplitudinea US, a impulsului generat de CBM;
- durata stării instabile, Ti ;
- temperatura maximă la care va funcționa CBM, tmax
- frecvența cu care se va comanda CBM, f;
- coeficientul impus al instabilității termice, KT.
2. Dimensionarea surselor de alimentare :
- EC = (1.1 - 1.3)US
- Eb = (0.1 - 0.2)EC
 3. Alegere a tranzistoarelor
- fαo = f / 0.6, frecvența de tăiere a tranzistoarelor.
- UBE invers ≥ EC
Dacă ultima inegalitate nu este îndeplinită se înseriază cu baza tranzistorului T2 o
dioda cu catodul spre baza lui T2 .
4. Determinarea valorii rezistoarelor RC1, RC2.

Se trasează curbele β1 = f (ic1) $i β2 = f (ic2), unde ic1 $i ic2 sunt cureni de colector al
tranzistoarelor T1, respectiv T2 . Din aceste caracteristici se determina ic1 opt. corespunzător
lui β2max respectiv. Rezulta atunci :
R c1 = Ec / I c1opt și R c2 = Ec / I c2opt
Dacă nu se pot trasa aceste caracteristici , rezistoarele Rc se calculează din condiția ca
pe aceste rezistoare căderea de tensiune, datorită curenților reziduali, să fie neglijabilă
comparativ cu sursa de alimentare Ec. Aceasta conduce la :
R c1 = Rc2 = (0.05 ! 0.06) Ec / I c0max
(tmax-t catalog) /8¸10
unde IC0max = IC0catalog 2
În ambele situații trebuie să se verifice inegalitățile :
EC / RC1 ≤ IC1 admisibil și Ec / Rc2 ≤ IC12admisibil.
În general, dacă se dorește un consum redus de la sursa de alimentare se vor adopta
pentru rezistoarele de colector valori mari. Pe de altă parte, o valoare ridicată a rezistorului de
colector Rc 1 determină o durată mai mare a frontului anterior al impulsului generat de
colectorul tranzistorului T1 .
De aceea, este necesar să se verifice și posibilitatea de încărcare a condensatorului C
în starea stabilă până la aproximativ Ec, condiție tradusă prin inegalitatea:
3Rc1max C ≤ 1/f – Ti
Determinarea rezistorului r2
Pentru determinarea saturării tranzistorului T2 în starea stabilă $i asigurarea unui coeficient
de instabilitate termică mai mic sau cel mult egal cu cel impus (KT) se dimensionează
rezistorul r2 din condiția. :

5. Determinarea rezistorului r1

6. Determinarea condensatorului C

7. Determinarea rezistorului R
 8. Circuitul de diferențiere Cd,Rd precum și amplitudinea impulsului de comandă
se dimensionează la fel ca în cazul CBB.
Trebuie făcută remarca că în cazul CBM realizate cu tranzistoare pe bază de Si se poate
renunța la sursa Eb și rezistorul R1 deoarece tensiunea UCE2 sat în starea stabilă este mai
mică decât tensiunea bază!emitor de deschidere a tranzistorului T1. În această
situație dimensionarea rezistorului R se efectuează din condiția R ≤ βminRc1 – Rc2.
CBM se pot realiza și cu tranzistoare de tip pnp după aceleași scheme prezentate cu
tranzistoarele npn, dacă se inversează polaritatea surselor de alimentare. Toate
relațiile, concluziile și proiectarea rămân valabile și pentru schemele realizate cu tranzistoare
de tippnp. Pentru protejarea joncțiunii bază - emitor a tranzistorului T2 (de tip pnp) se va
conecta în acest caz o diodă în serie cu baza tranzistorului T2, cu anodul spre bază.

VII.8 Desfășurarea lucrării

În cadrul lucrării de laborator se studiază circuitul basculant monostabil cu cuplaj

colector-bază, modurile de comandă a circuitului şi posibilităţile de modificare a stării
instabile utilizând macheta de laborator a cărei schemă este dată în figura 7.8.1.

Fig. 7.8.1Circuit basculant monostabil configurabil (macheta de laborator)

S-au folosit următoarele componente: R1=Rc1_1=R2= 10kΩ, RB2=RB1=22k, Rc1=100

Ω, R3=R5=1kΩ, Rc2=2.2kΩ, C1=C2=C2a=47 nF.
VII.8.1 Desfășurarea lucrării
Se aplică la intrarea în circuit un semnal de comandă cu următorii parametrii:
vv=5V ; F=500Hz.

VII.8.1.1 Simularea circuitului basculant monostabil configurabil

 VII.8.1.2 Oscilograma cu formele de undă ale circuitului basculant
monostabil configurabil

VII.8.2 Desfășurarea lucrării

În figura următoare este prezentată oscilograma rezultată în urma efectuării
măsurătorilor de pe macheta din laborator. Oscilograma a fost obținută conectând JP3_1 între
punctele 2-3.

VII.8.2.1 Oscilograma circuitului

 Dacă avem JP3_1 conectat în punctele 1-2,iar JP3 în punc
tele 2-1,cu condensator de 47uF rezultă următoarea oscilogramă( Figura VII.8.2.2).

VII.8.2.2 Oscilograma circuitului

VII.9 Răspunsurile la întrebări

1. Cum poate fi modificată durata stării instabile a unui CBM?

Starea instabile a unui CBM poate fi modificată prin modificarea rezistentei

Rc1 din colectorul tranzistorului T1 şi prin modificarea rezistorului semireglabil RS.

2. Ce factori determină durata minimă a stării instabile?

Durata stării instabile este determinată de intervalul de timp în care

condensatorul C se descarcă de la valoarea corespunzătoare stării inițiale până
la o tensiune egală ce nu mai poate asigura blocarea tranzistorului T2. Valoarea
minimă a duratei stării instabile se înregistrează la temperatura maximă de
funcționare (adică valoarea maximă a curentului rezidual de colector.)
3. Ce factori limitează tensiunea de alimentare a unui CBM? Cum pot fi
atenuaţi aceştia?

- factorii ce limitează tensiunea de alimentare a unui CBM sunt:

- tensiunea de la bornele C;
- tensiunea inversă admisibilă a joncțiunii B-E a lui T2;
- adică tensiunea de la bornele lui C nu trebuie să depăşească tensiunea inversă
admisibilă B-E.
4. Cum apreciaţi funcționarea circuitului,dacă pe intrarea de comandă se aplică un
semnal a cărui frecventă este de 1kHz?

După cum se observă din simularea de mai jos, dacă se aplică un semnal pe
intrarea de comandă cu frecvența de 1kHz, se observă o creștere a duratei stării
instabile a circuitului.

VII.10 Observaţii personale

 VIII. REFERAT 8. CIRCUITE BASCULANTE ASTABILE
CU TRANZISTOARE
VIII.1 Conținutul referatului
Lucrarea de laborator are ca scop studierea circuitelor basculante astabile (CBA) cu
tranzistoare în următoarele configuraţii:
- CBA cu cuplaj colector-bază;
- CBA cu diode de separaţie.

Circuitele basculante astabile generează la ieşire impulsuri dreptunghiulare a căror durată şi

frecvenţă de repetiţie depinde de schema utilizată şi valorile componentelor.

VIII.2 Definițiile circuitelor realizate

Circuitul basculant astabil este un circuit care are două stări cvasistabile şi care trece
dintr-o stare în alta fără acţionare exterioară. Circuitele basculante astabile se utilizează ca
generatoare pilot pentru diverse dispozitive electronice.
Cerinţa principală impusă acestor generatoare este legată de stabilitatea frecvenţei
oscilaţiilor proprii. Datorită variaţiilor tensiunii de alimentare, înlocuirii componentelor,
variaţiilor temperaturii mediului ambiant sau altor cauze, stabilitatea frecvenţei proprii de
oscilaţie a circuitelor basculante astabile nu este prea ridicată. În cazurile când se doreşte o
stabilitate mare se utilizează oscilaţiile cu quartz.
Un circuit basculant astabil poate funcţiona şi în regim de sincronizare declanşată sau
comandată. În primul caz, la fiecare impuls de declanşare, circuitul porneşte cu faza fixă a
oscilaţiilor. În al doilea caz, circuitul basculant astabil generează impulsuri atât timp cât la
intrarea sa se află un semnal cu un anumit nivel logic.
Schema unui circuit basculant astabil poate fi implementată cu componente discrete
(tranzistoare, diode, condensatoare, rezistoare) sau cu elemente logice integrate (de tip TTL,
CMOS, ECL, I2L etc.).

În continuare sunt prezentate circuite basculante astabile cu tranzistoare.

8.2.a. Circuit basculant astabil cu cuplaj colector-bază

Schema circuitului basculant astabil cu cuplaj colector-bază este prezentată în Fig.
8.1Schema are două stări cvasistaţionare: T1blocat - T2saturat, respectiv starea
complementară (T1 saturat - T2 blocat). Prezenţa buclei de reacţie pozitivă provoacă trecerea,
în avalanşă, dintr- o stare în cealaltă.

Se consideră că înainte de momentul t = 0, tranzistorul T2 conduce la saturaţie, iar T1 este

blocat. Condensatorul C1 se încarcă prin R1 şi T2 iar tensiunea pe el tinde spre valoarea
tensiunii de alimentare +Ec. În momentul t = 0, UB1 atinge tensiunea de intrare în conducţie
UY1 şi tranzistorul T1 începe să conducă, trecând, după basculare, în saturaţie.
 Fig. 8.1 Circuit basculant astabil cu cuplaj RC colector-bază

Saltul negativ de tensiune ce apare în colectorul lui T1, se transmite pe baza lui T2, blocându-
l. Tensiunea pe colectorul acestuia creşte brusc, iar această creştere se transmite pe baza lui
T1 dând naştere supracreşterii UBE1.

8.2.b. Posibilităţi de îmbunătăţire a fronturilor anterioare ale impulsurilor generate

de CBA

În aplicaţii se folosesc diverse metode de îmbunătăţire a fronturilor impulsurilor

generate de CBA. Metodele mai frecvent folosite, sunt:
a) Separarea colectoarelor de capacităţile C1 şi C2 prin intermediul a două diode;
b) fixarea la un potenţial constant a colectoarelor tranzistoarelor;
c) cuplarea unui formator de impulsuri la ieşirea CBA (circuit trigger).

În figura 8.2 este dată schema unui CBA cu diode de separare. Diodele D1 şi D2
realizează separarea circuitelor de încărcare a capacităţilor C1 şi C2 de colectoarele
tranzistoarelor făcând posibil saltul abrupt, al tensiunii pe colectorul tranzistorului care se
blochează, de la 0,3V la valoarea tensiunii Ec. Utilizarea acestei metode se bazează pe faptul
că la blocarea unui tranzistor, potenţialul colectorului variază mai rapid decât tensiunea la
bornele capacităţii care se încarcă.
De exemplu, dacă tranzistorul T1 trece în starea de blocare, dioda D1 se blochează,
încărcarea condensatorului C2 efectuându-se prin rezistenţa R'’. Frontul anterior impulsului
obţinut pe colectorul tranzistorului T1 va depinde în acest caz numai de timpul de comutaţie
al acestui tranzistor, deoarece circuitul de încărcare alcondensatorului C2 este separat prin
dioda D1 de colectorul tranzistorului.
 Fig. 8.2 Circuit basculant astabil cu diode de separaţie

În proiectare unui CBA de acest tip, trebuie să se considere că sarcina tranzistorului saturat
este Rc1 || R'', respectiv Rc2 || R', deoarece atunci când tranzistorul intră în conducţie, dioda
din colectorul său se deschide.

VIII.3 Desfăşurarea lucrării

În cadrul lucrării de laborator se studiază circuitul basculant astabil cu cuplaj colector-

bază, circuitul basculant astabil cu diode de separaţie, utilizând macheta a cărei schemă este
dată în Figura 8.3.

Fig. 8.3 Schema principala

Componentele folosite au valorile: R1=1k , R2=1k , R3= 2.2k , R4=2.2 k , RB1=RB2= 47

k , Rc1=2.2 k , Rc2= 2.2k , C1=C2=C1a=C1b= 10nF C2a=C2b=10µF.
VIII.3.1 Circuit basculant astabil cu cuplaj RC colector-bază

VIII.3.1.1 Schema circuit – teoretic

Figura 8.4 Circuit basculant astabil cu cuplaj colector-bază

VIII.3.1.2 Simularea circuitului basculant astabil cu cuplaj colector-bază

Figura 8.5 Schema electrică a circuitului basculant astabil cu cuplaj C-B în simulare
Figura 8.6 Oscilograma circuitului basculant astabil cu cuplaj colector-bază în simulare

VIII.3.1.3 Determinări practice

Circuitul a fost alimentat cu o tensiune de alimentare Ec= 12V.

Figura 8.7 Oscilograma circuitului basculant astabil cu cuplaj colector-pe osciloscop

VIII.3.2 Circuit basculant astabil cu diode de separație

VIII.3.2.1 Schema circuit – teoretic

Figura 8.8 Circuit basculant astabil cu cuplaj colector-bază

VIII.3.2.2 Simularea circuitului basculant astabil cu cuplaj colector-bază

Figura 8.9 Circuit basculant astabil cu cuplaj colector-bază

 Figura 8.10 Oscilograma circuitului basculant astabil cu diode de separație simulată

VIII.3.2.3 Determinări practice

Figura 8.11 Oscilograma circuitului basculant astabil cu diode de separație de pe

osciloscop
 VIII.4. Răspunsurile la întrebări

1. Cum poate fi modificată perioada de oscilaţie? Dar factorul de umplere?

Perioada de oscilație poate fi modificată cu ajutorul unei externe de comandă.

Un astfel de circuit este un convertor tensiune-frecvenţă.

2. Cât este tensiunea de alimentare limită inferioară, respectiv superioară şi de

ce factori este determinată?

Limita inferioară este de 5V ,iar cea superioară este de 15V. Aceste limite sunt
determinate de tranzistoare, deoarece au nevoie de o anumită tensiune pentru a trece
în starea de saturație sau pot ajunge în stare de suprasaturație.
3. Ce factori determină frecvenţa maximă de oscilaţie? Dar frecvenţa minimă
de oscilaţie?
Factorii ce determină frecvența maximă de oscilație sunt: variațiile
de alimentare, înlocuirea componentelor, variația temperaturii mediului ambiant sau
alte cauze.
4. Presupunând că este necesară proiectarea unui circuit basculant astabil având o
anumită frecvenţă de oscilaţie, care ar fi succesiunea de calcule (etape de
proiectare) necesare? Ce condiţii suplimentare trebuie îndeplinite de elementele de
circuit?

Frecvența de oscilație a circuitului astabil este dependeta de valorile lui R și C.

5. Enumeraţi câteva utilizări posibile ale circuitelor basculante astabile.

Circuitele basculante astabile se utilizează ca generatoare pilot pentru diverse

dispozitive electronice.

VIII.5. Observații personale

 IX. REFERAT 9. STUDIUL CIRCUITELOR DE TEMPORIZARE BE
555

IX.1 Conținutul referatului

Lucrarea de laborator are ca scop studierea circuitului de temporizare BE 555. Sevor

analiza schemele de astabil şi monostabil.

IX.2 Definițiile circuitelor realizate

Circuitul integrat BE 555 este un circuit integrat monolitic bipolar care realizează
temporizări sau oscilaţii libere prin încărcarea şi descărcarea controlată a unui condensator
extern.

Circuitele temporizatoare sunt circuite specializate astfel concepute încât, cu ajutorul

unui număr minim de componente externe, permit obţinerea de intervale precise de timp.
Datorită proprietăților lor aceste circuite integrate sunt utilizate în mod special pentru
realizarea de circuite basculante monostabile şi astabile.

Etajul final este astfel proiectat şi realizat, încât suportă curenţi mari de ieşire (până la
200 mA). La o alimentare corespunzătoare, de 5V, ieşirea este compatibilă cu nivelele TTL.
Gama de valori a tensiunii de alimentare se întinde de la 4,5 V la 18 V.

Circuitul integrat BE 555, datorită structurii interne, este unul dintre cele mai versatile
circuite integrate fiind cunoscute peste 100 de scheme de utilizare a acestui circuit.
 Figura 9.1. Schema logică echivalentă a circuitului BE 555

IX.3 Circuit astabil realizat cu BE 555

IX.3.1 Schema circuit-teoretic

Schema de bază pentru utilizarea circuitului BE 555 ca astabil este prezentată în Figura 9.2.

Figura 9.2 Schema pentru utilizarea ca astabil a circuitului BE 555

IX.3.2 Simularea circuitului astabil realizat cu BE 555

Figura 9.3 Schema electrică pentru utilizarea ca astabil a circuitului BE 555 simulat

Figura 9.4 Oscilograma circuitului astabil realizat cu BE 555 în simulare

IX.3.3 Determinări practice
Montajul de laborator a fost alimentat de la o sursă stabilizată cu +15V.

Figura 9.5 Oscilograma circuitului astabil realizat cu BE 555 de pe osciloscop

IX.4 Circuit monostabil realizat cu BE 555

Structura internă a circuitului BE 555 permite realizarea cu uşurinţă a unui

circuit astabil (oscilator de relaxare) cu semnal de ieşire dreptunghiular.
 IX.4.1 Schema teoretică a circuitului
În figura 9.6 este prezentată schema clasică de utilizare ca oscilator.

Figura 9.6 Schema de utilizarea ca monostabil a circuitului BE 555

IX.4.2 Simularea circuitului monostabil realizat cu BE 555

Figura 9.7 Schema circuitului monostabil realizat cu BE 555 în simulare

 Figura 9.8 Oscilograma circuitului monostabil realizat cu BE 555 în simulare

IX.4.3 Determinări practice

Se aplică un semnal de comandă dreptunghiular cu f=100Hz de la ieşirea TTL a
generatorului de semnal, folosind circuitul derivator de la intrare.
IX.4 Răspunsurile la întrebări
1. Ce avantaje prezintă utilizarea schemelor de temporizare realizate cu circuitul BE 555?

Circuitele de temporizare sunt circuite specializate concepute astfel încât, cu ajutorul unui număr
minim de componente externe, permit obţinerea unor intervale de timp precise, de aceea este importantă
utilizarea schemelor de temporizare.

2. Apreciaţi valoarea maximă a rezistenţei R1 pentru configuraţia de monostabil. Explicaţii.

Pentru a se asigura o precizie suficient de bună a temporizării este necesar să se asigure un curent de
încărcare a condensatorului C1 de cel puţin 10 ori mai mare decât curentul de fugă al acestuia.
Considerăm cazul cel mai defavorabil când C1 este electrolitic şi are un curent de fugă de ordinul
amperilor .În acest caz, R1max este egal cu 495Ω.

3. Care este efectul comenzii ALO?

Efectul comenzii ALO este de a realiza un circuit de aducere la zero prin care se poate
întrerupe ciclul normal al timer-ului (normal, intrarea ALO este cuplată la sursa de alimentare şi
devine activă când tensiunea pe ALO scadesub 0,5V);

4. Descrieţi alte aplicaţii ale circuitului BE 555.

 circuit basculant monostabil - cu durata de temporizare ajustabilã ;

 circuitbasculantastabil-generatorde semnalrectangularcuperioadașiumplerea
ajustabilã ;
 circuit basculant bistabil ;
 metronom ;
 detector de lipsă de impuls (monostabi retriggerabil).

IX.5 Observaţii personale