Sunteți pe pagina 1din 5

Tranzistorul MOS

1. Prezentare general
Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) este un dispozitiv cu trei
terminale, furnizat de ctre productori sub diverse forme (capsule), un
exemplu fiind prezentat n Figura 1.
Cele trei terminale ale tranzistorului MOS se numesc DREN, GRIL,
respectiv SURS.

Figura 1. Tranzistorul MOS.

n funcie de structur, exist dou categorii principale de tranzistoare


MOS:
ca canal indus
cu canal iniial
n plus, n funcie de structura canalului, aceste tranzistoare MOS sunt
de 2 tipuri i anume:
cu canal de tip N
cu canal de tip P
Diferenele de funcionare ntre tranzistoarele MOS cu canal indus, respectiv
cu canal iniial sunt minore, din acest motiv, n continuare se vor prezenta
numai tranzistoarele MOS cu canal indus, fiind remarcate numai diferenele
ntre cele 2 clase de tranzistoare.

n circuitele electronice, tranzistoarele MOS sunt simbolizate ca n


Figura 2.

Figura 2. Simbolul electronic al tranzistoarelor MOS.

2. Mrimile electrice ale tranzistorului bipolar


La nivelul tranzistorului MOS apar 4 mrimi electrice:
1 curent curentul care este generat ntre DREN i SURS:
o iD curentul de dren
3 tensiuni tensiunile ntre terminalele tranzistoarelor:
o vGS tensiunea gril-surs
o vGD tensiunea gril-dren
o vDS tensiunea dren-surs
Sensul curentului de dren este de la dren i surs. Referinele
tensiunilor depind de tipul canalului tranzistorului MOS. Astfel, sensul
curentului, respectiv referinele tensiunilor sunt prezentate n Figura 3. n

aceast figur s-a reprezentat i curentul din grila tranzistorului notat iG.
Trebuie reinut ns c valoarea acestui curent este ntotdeauna nul.

Figura 3. Mrimile electrice ale tranzistoarelor MOS. Curentul iG=0 intotdeauna.

3. Funcionarea tranzistorului MOS.


Relaiile dintre mrimile electrice ale tranzistorului MOS depind de
regimul de funcionare al acestuia.
Tranzistorul MOS poate funciona n 3 moduri distincte, numite regiuni
de funcionare, stabilite de relaia dintre tensiunile tranzistorului. Regiunile
de funcionare ale tranzistorului MOS sunt:

REGIUNEA DE BLOCARE:
o

condiia de funcionare: vGS < VTH (canal N)

unde VTH reprezint un parametru al tranzistorului MOS numit


tensiune de prag; valoarea acestei tensiuni este:
pozitiv pentru tranzistorul MOS cu canal indus de tip N, negativ
pentru tranzistorul MOS cu canal indus de tip P;
negativ pentru tranzistorul MOS cu canal iniial de tip N,
pozitiv pentru un tranzistor MOS cu canal iniial de tip P;
o

n aceast

regiune,

funcionarea

tranzistorului

MOS este

descris de ecuaia de funcionare:


iD 0

5.7

n aceast regiune, comportamentul tranzistorului MOS poate fi


exploatat pentru prelucrarea sau generarea semnalelor digitale.

REGIUNEA LINIAR:
o

condiia de funcionare: vGS > VTH i vDS < vGS - VTH

n aceast

regiune,

funcionarea

tranzistorului

MOS este

descris de ecuaia de funcionare:


v

i D 2 k vGS VTH DS v DS
2

5.8

unde k este un parametru al tranzistorului care se msoar n


mA
V2
o

(miliamperi mprit la voli la ptrat).

n aceast regiune, tranzistorul MOS se comport ca o rezisten


a crei valoare poate fi controlat de o tensiune tensiunea
gril-surs.

REGIUNEA DE SATURAIE:
o

condiia de funcionare: vGS > VTH i vDS > vGS - VTH

n aceast

regiune,

funcionarea

tranzistorului

MOS este

descris de ecuaia de funcionare:


i D k vGS VTH 2
o

5.9

n aceast regiune tranzistorul MOS poate fi utilizat pentru


prelucrarea analogic a semnalelor, fiind singura regiune de
funcionare n care tranzistorul NOS poate AMPLIFICA LINIAR
semnale;

Funcionare i utilizri

TEC-MOS sunt foarte mult utilizate

n realizarea circuitelor integrate n

special n circuite digitale . Ele sunt utilizate att ca dispozitive active ct i ca

rezistene sau capaciti . Circuitele integrate cu TEC pot fi produse cu un


nivel mare de complexitate la preuri de cost reduse. Creterea gradului de
integrare prin micorarea dimensiunilor duce la reducerea capacitilor
parazite i la creterea vitezei de lucru.

O aplicaie important a tranzistorului TEC - MOS este inversorul CMOS .


Acesta face parte dintr-o familie de circuite care utilizeaz tranzistoare cu
simetrie complementar . Avantajul principal al familiei CMOS este consumul
de putere foarte mic. Inversorul CMOS poate fi utilizat i ca amlificator de
semnal mic.

Pot fi folosite i n comutaie, un circuit CMOS important fiind comutatorul


bilateral pentru semnale analogice,

Defecte
Un dezavantaj al TEC-MOS este marea fragilitate fa de apariia unor tensiuni
accidentale pe poart. Sarcini extrem de mici pot determina tensiuni de ordinul
sutelor care pot distruge tranzistorul . Din aceast cauz la utilizarea TEC-MOS
trebuie luate precauii speciale de punere la mas a tuturor elementelor cu care iau
contact ( mna operatorului, ciocanul de lipit) .
Pentru a evita distrugerea componentelor MOS

pinii acestora vor fi scurtcircuitai printr-un fir conductor pn dup


introducerea n circuit

toate intrrile neutilizate vor fi conectate la mas , la E S sau la ED


utilizatorul va evita folosirea n mbrcminte a unor materiale care
favorizeaz acumularea de sarcini electrice

este indicat folosirea unei brri metalice prin care mna operatorului s fie
conectat la potenialul de referin

Trebuie precizat c unele dispozitive MOS sunt prevzute cu circuite de protecie


ncapsulate.

S-ar putea să vă placă și