Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
DIODA SEMICONDUCTOARE
Dioda semiconductoare
+
+ + + ++ + + + ++
+ + + + ++ + + +
++ +++ + + +
+++ ++++
+ + + ++ + + +
+
+ + +
Eint
+
++ +
+ + + ++ + + +
++ + + + +
+ + ++++
+
+ + + ++ + + ++ +
+ + ++ + + + ++
ng
ng,ne
ne
x
Vcontact
x
E
x
Fig.2.1
Dac dou astfel de zone sunt realizate n aceeai pastil de material
semiconductor se genereaz o jonciune semiconductoare. Datorit
30
(n)
catod
Fig.2.2
Dioda are dou terminale, fiind deci un dipol. Anodul este conectat
la zona de tip p n timp ce catodul este conectat la zona de tip n. Dac dioda
este conectat ntr-un circuit electronic ea se comport n mod diferit n
funcie de sensul diferenei de potenial la care este supus. Din structura sa
intern se poate observa c dac anodul este la un potenial mai mic dect
catodul, atunci cmpul extern se va aduga cmpului intern i amndou se
vor opune mai drastic curgerii purttorilor majoritari de sarcin prin
jonciune. n aceast situaie bariera de potenial va crete iar despre
jonciune se spune c este polarizat invers. Dac potenialul anodului este
31
Dioda semiconductoare
mai mare dect cel al catodului, cmpul extern i cel intern vor fi orientate
n sens contrar. Bariera de potenial se va micora. Atta timp ct suma celor
dou cmpuri are sensul nspre regiunea p, purttorii de sarcin majoritari
nu se vor putea deplasa prin jonciune. n momentul n care cmpul total i
schimb sensul (bariera de potenial dispare), purttorii majoritari de sarcin
din cele dou zone vor putea traversa jonciunea i dioda va fi parcurs de
un curent electric. n acest caz se spune despre diod c este polarizat
direct.
Dependena intensitii curentului electric prin diod de tensiunea
exterioar aplicat ei (caracteristica volt-amperic) este prezentat n
fig.2.3.
polarizare
inversa
polarizare
directa
tensiuni de deschidere
Fig.2.3
Practic, n polarizare invers dioda este blocat. Se poate observa
ns existena unui curent invers care este datorat purttorilor minoritari
(golurile din zona n i electronii din zona p) care pot traversa jonciunea.
Dar, densitatea lor fiind foarte mic, intensitatea acestui curent, numit
curent invers de saturaie (Is) este practic neglijabil. Ea este de ordinul
zecilor de A. Menionm aici c reprezentarea grafic nu este la scar
tocmai pentru a putea pune n eviden curentul invers de saturaie.
n polarizare direct, atta timp ct bariera de potenial exist,
curentul este practic nul. Cnd aceasta dispare, dioda va permite trecerea
unui curent a crui intensitate crete foarte rapid pentru variaii mici ale
tensiunii aplicate diodei. Valoarea intensitii maxime a curentului direct
poate fi de la civa mA pn la sute de A, n funcie de tipul de diod.
Tensiunea la care dioda ncepe s conduc se numete tensiune de
deschidere i, pentru diodele de siliciu, ea este n jurul valorii de 0,6V.
Dup ce dioda intr n stare de conducie cderea de tensiune pe ea crete
foarte puin (0,1 0,15V).
32
eud
id = I s e kT 1
(2.1)
eud
<< 1
kT
id -Is
(2.2)
Deoarece curentul invers de saturaie este de cele mai multe ori
neglijabil n raport cu ceilali cureni din circuit, n polarizare invers dioda
poate fi considerat blocat (ramur de circuit ntrerupt, id = 0).
eud
n polarizare direct: ud > 0
>> 1 i
kT
(2.3)
eud
id I s e kT
ud E
+
R R
(2.4)
Dioda semiconductoare
alimentare a circuitului E i valoarea rezistenei R rmn constante,
coordonatele punctului static de funcionare, udo i ido, nu se modific.
Fig.2.4
Fig.2.5
did
e kTd
e
gm =
= Is
e
=
id
du d
kT
kT
(2.5)
sau,
gm = 40.id
[mA/V]
(2.6)
polarizare
inversa
DIODE
IDEALIZATE
polarizare
inversa
polarizare
directa
polarizare
inversa
polarizare
directa
Fig.2.6
Exist situaii n care cderea de tensiune pe jonciunea polarizat
direct nu poate fi neglijat n raport cu celelalte tensiuni din ramura de reea,
dar poate fi neglijat rezistena diodei n curent continuu. Caracteristica
volt-amperic idealizat, corespunztoare acestei situaii este prezentat n
fig.2.6b. n polarizare direct dioda poate fi nlocuit n circuit cu un
ntreruptor nchis pe care apare o cdere de tensiune de aproximativ 0,65V
(tensiunea pe jonciunea aflat n stare de conducie deplin).
O situaie mai apropiat de comportarea real a diodei este cea din
fig.2.6c. Aici se ine seama att de cderea de tensiune pe jonciunea
polarizat direct ct i de rezistena diodei n curent continuu. n polarizare
direct dioda poate fi nlocuit n circuit cu un ntreruptor nchis pe care
apare o cdere de tensiune de aproximativ 0.65V conectat n serie cu o
rezisten cu valoarea rd.
Dioda semiconductoare
tensiune sinusoidal u = Usint. Aceasta determin apariia prin diod a
unui curent variabil de forma i = gmUsint (vezi relaia (2.5)), curent care se
suprapune peste curentul de polarizare n curent continuu ido. Astfel,
tensiunea total la bornele diodei i curentul total prin ea sunt descrise de
ecuaiile:
Q
M
P
Fig.2.7
ud = U do + U sin t
(2.7)
id = I do + g mU sin t
(2.8)
Observaii:
modelul de semnal mic nu se poate aplica mrimilor statice. ntre
tensiunea continu de polarizare i curentul continuu nu este
valabil o relaie de tipul Ido = gmUdo.
modelul de semnal mic se poate aplica atunci cnd amplitudinea
tensiunii variabile este mult mai mic dect tensiunea continu de
polarizare n curent continuu.
36
D1
D2
C
D4
uR
D3
Fig.2.8
Fig.2.9
Dac la bornele de intrare ale punii se aplic o tensiune sinusoidal
ca cea reprezentat grafic n fig.2.9a atunci, dac amplitudinea acesteia este
mai mare dect dublul tensiunii de deschidere a unei diode (tensiunea de
trecere n stare de conducie), n alternana pozitiv vor conduce diodele D1
i D3 iar n alternana negativ, diodele D2 i D4. Astfel, prin rezistena R
curentul va circula n acelai sens n ambele semiperioade, obinndu-se la
bornele ei o tensiune redresat. n fiecare jumtate de perioad tensiunea la
bornele rezistenei, deci i curentul prin ea, vor avea aspectul unor jumti
pozitive de sinusoid (fig.2.9b, curba subire). Aceasta este redresarea
bialternan. Amplitudinea tensiunii redresate este mai mic datorit
37
Dioda semiconductoare
cderilor de tensiune pe jonciunile celor dou diode aflate simultan n stare
de conducie. Cnd tensiunile redresate sunt mari, aceast pierdere este
neglijabil. Semnalul redresat este unul periodic, avnd frecvena egal cu
dublul frecvenei semnalului aplicat la intrarea punii.
n multe aplicaii avem nevoie de o tensiune constant n timp.
Reducerea fluctuaiilor n timp ale tensiunii se poate face prin adugarea n
paralel cu consumatorul (n cazul de fa, R) a unui condensator cu o
capacitate ct mai mare. Acesta se ncarc n alternana pozitiv i se
descarc prin R n alternana negativ. Cu ct constanta de timp, = RC, a
circuitului de descrcare a condensatorului este mai mare, cu att tensiunea
la bornele sale, deci i tensiunea pe sarcin, scade mai lent comparativ cu
scderea pur sinusoidal. n acest fel, la bornele sarcinii se obine o tensiune
redresat cu fluctuaii temporale mult mai mici dect cele obinute n cazul
redresrii bialternan simple (fig.2.9b, curba mai groas). Pentru c
atenueaz din fluctuaii, condensatorul C se numete condensator de
netezire.
Am vzut c tensiunea redresat este una fluctuant n timp, dei i
pstreaz polaritatea. Dac o descompunem n elementele ei, ea are o
component continu i una variabil n timp. Se definete factorul de
ondulaie al tensiunii, , astfel:
tensiunea curentului variabil
factorul de ondulatie =
tensiunea curentului continuu
Expresia lui poate fi dedus folosindu-ne de expresiile puterilor.
Dac notm amplitudinea tensiunii redresate cu UR = U 1,3V, atunci
puterea de curent continuu consumat de sarcin este:
2
T /2
4U 2
u 2 1 2
p= =
= u R (t )dt = 2 R
R
R T 0
R
(2.9)
2U R
(2.10)
T /2
U R2
0 u (t )dt = 2R
2
R
(2.11)
U R2
R
1 4
2
2
(2.12)
1 4
2 2
(2.13)
u
2
=
1
8
u=
(2.14)
Dioda semiconductoare
Zener n care purttorii de sarcin sunt generai chiar de ctre cmpul
electric care se creeaz n jonciune. Efectul Zener se poate produce dac
exist o dopare foarte mare a semiconductorului corelat cu un cmp
electric foarte intens.
Dac intensitatea curentului invers crete necontrolat atunci structura
semiconductoare se nclzete i are loc distrugerea jonciunii prin ambalare
termic. Pentru evitarea acestui proces, n circuitul de polarizare a diodei se
va conecta ntotdeauna o rezisten de limitare a curentului.
anod
catod
Fig.2.10
Principalii parametri caracteristici ai diodei stabilizatoare sunt:
tensiunea de stabilizare UZ, cuprins n intervalul 2 180V.
curentul invers maxim IZmax, determinat de puterea maxim pe care o
poate disipa jonciunea. Ea depinde de tipul de diod i este n jurul
valorii de 10W.
rezistena intern rZ, cu valori de la civa , la cteva zeci de . Ea
este definit pe poriunea liniar din jurul tensiunii de stabilizare ca:
u Z
rZ =
(2.15)
i Z
Cea mai simpl modalitate de folosire a diodei ca element de
stabilizare a tensiunii este prezentat n fig.2.11. n schem, rezistena de
sarcin Rs pe care dorim o tensiune constant este conectat n paralel cu
dioda stabilizatoare. Totodat, n circuitul de polarizare a diodei este
prezent i rezistena de limitare a curentului, Rl. n practic se lucreaz cu
Rs >> rZ, deci is << iZ i i Z i .
40
Fig.2.11
O msur a nivelului de stabilizare a tensiunii de ieire este factorul
de stabilizare S, definit ca:
S=
u in
u ies
(2.16)
(2.17)
(2.18)
Rl
rZ
(2.19)
Dioda semiconductoare
+
Fig.2.12
Expresia analitic a acestei dependene este:
CB =
C Bo
(2.20)
u
1 d
UD
Fig.2.13
Dup atingerea unei valori maxime (de saturaie), curentul se va
micora deoarece creterea tensiunii directe de polarizare determin, pe
lng micorarea nlimii barierei de potenial, i lrgirea ei (poriunea AB
a caracteristicii volt-amperice). Pe aceast poriune, rezistena diferenial
42
Fig.2.14
Atunci cnd metalul este la un potenial pozitiv fa de
semiconductor dioda intr n stare de conducie la o tensiune de aproximativ
0,35V (mai mic dect n cazul unei diode obinuite). Electronii din
semiconductor, traversnd jonciunea, ajung n metal unde nu se vor
deosebi cu nimic de electronii de conducie ai acestuia. n metal, ei nu mai
sunt purttori minoritari aa cum ar fi ntr-un semiconductor de tip p. Astfel
ei i pierd personalitatea i, la schimbarea polaritii, este indiferent care
electroni se ntorc n semiconductor, cei ai semiconductorului sau cei ai
metalului. De aceea viteza de comutaie din starea de conducie n starea de
blocare este cel puin cu un ordin de mrime mai mare dect cea a unei
diode obinuite. Timpul de comutaie al unei diode Schottky este de
aproximativ 50ps. Deoarece nu exist purttori minoritari, curentul invers
prin diod este nul.
Fiecare dispozitiv semiconductor trebuie s aib conexiuni metalice
cu elementele de circuit exterioare lui. Conexiunea semiconductor metal
trebuie s fie ohmic i nu redresoare. Pentru aceasta, ele se realizeaz prin
interpunerea ntre semiconductor i metal a unui strat semiconductor cu
gradient de densitate de dopaj. Densitatea este foarte mare (ca a metalului)
n zona contactului cu metalul i scade treptat spre semiconductor.
43
Dioda semiconductoare
Fig.2.15
Fig.2.16
[nm]
940
660
610
590
540
Culoare
infrarou
rou
portocaliu
galben
verde
44