5.5.

TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP

Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de cmp utilizeaz un
singur tip de purttori de sarcin (electroni sau goluri) care circul printr-un canal
semiconductor. Dac la tranzistoarele bipolare controlul conductivitii se realizeaz prin
variaia unui curent ntre emitor i baz, la tranzistoarele cu efect de cmp controlul
conductivitii se realizeaz prin variaia unei tensiuni aplicate unui electrod de comand
numit gril sau poart (cu rol asemntor bazei TB).
Funcionarea tranzistoarelor cu efect de cmp se bazeaz pe modificarea conductibilitii
unui canal realizat dintr-un material semiconductor prin aplicarea unui cmp electric creat
de tensiunea aplicat electrodului de comand (gril sau poart).
Controlul curentului electric de ctre un cmp electric se numete efect de cmp.
Tranzistoarele cu efect de cmp au urmtoarele avantaje fa de tranzistoarele bipolare :

prezint impedan de intrare foarte mare (deoarece sunt comandate n tensiune)

pot fi utilizate ca rezistene comandate n tensiune

liniaritate bun a circuitului

zgomot redus

gabarit redus (

Dup modul de realizare a canalului (n volum sau la suprafa), tranzistoarele cu efect de

cmp se mpart n dou categorii:
tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune (TEC-J)
tranzistoare cu efect de cmp cu gril izolat (TEC-MOS)
n funcie de tipul de dopare al canalului, tranzistoarele TEC-J se mpart n dou categorii:
TEC cu gril jonciune cu canal n
TEC cu gril jonciune cu canal p
n funcie de modul de realizare al canalului, tranzistoarele TEC-MOS se mpart n dou
categorii:
TEC cu gril izolat cu canal iniial
TEC cu gril izolat cu canal indus
Tranzistorul cu efect de cmp este un dispozitiv electronic cu trei terminale (unele tipuri au
4 terminale) care se numesc Dren, Surs, Gril sau Poart, (Substrat). Sursa i drena
sunt conectate la capetele canalului. Sursa furnizeaz purttorii de sarcin iar drena
colecteaz purttorii de sarcin. Curentul care circul ntre surs i dren se numete
curent de dren i se noteaz cu ID. Grila controleaz curentul de dren n funcie de
tensiunea care se aplic ntre gril i surs VGS.

http://eprofu.ro/electronica

5.5.1 TRANZISTOARE CU GRIL JONCIUNE (TEC-J)

Tranzistoarele cu efect de cmp cu gril jonciune funcioneaz numai cu jonciunea
gril-surs polarizat invers
a. Structurile de baz i simbolurile dispozitivelor TEC cu gril jonciune.
D (DREN)

G
D

gril p

Canal de tip n
G (GRIL)

substrat de tip p

S (SURS)
Figura 5.5.1 Structur i simbol tranzistor TEC-J cu canal N

S (SURS)

G
D

S
G

gril n

Canal de tip p

G (GRIL)

substrat de tip n

D (DREN)
Figura 5.5.2 Structur i simbol tranzistor TEC-J cu canal P
Elementele grafice ale simbolurilor au urmtoarele semnificaii:
sgeata este ntotdeauna plasat pe gril
sgeata este orientat ntotdeauna de la P spre N
grila se plaseaz ntotdeauna n dreptul sursei
TEC-J cu canal P sunt reprezentate inversat (cu sursa n sus) pentru ca sensul
curentului de dren ID s fie reprezentat de sus n jos

http://eprofu.ro/electronica

b. ncapsularea i identificarea terminalelor dispozitivelor TEC cu gril jonciune.

D S G

Figura 5.5.3 Dispunerea terminalelor la TEC-J

OBSERVAIE IMPORTANT!
La unele tipuri de tranzistoare cu efect de cmp, terminalele pot fi dispuse altfel dect sunt
prezentate n figura de mai sus chiar dac capsulele sunt identice. Pentru identificarea
corect a terminalelor recomand utilizarea cataloagelor cu dispozitive TEC unde sunt
prezentate dispunerea terminalelor.
c. Principiul de funcionare al tranzistoarelor cu efect de cmp cu gril jonciune.
n figura 5.5.4 este prezentat modul de polarizare a unui TEC-J cu canal n.

VGS

+
G

VGG +
+

N
P

ID

+
+
V
- DD

N
S

ID

VGS
-

VGS < ID >

ID

+
G

VGG +
+

N
P

+
+
V
- DD

N
S

VGS > ID <

Figura 5.5.4 Polarizarea i funcionarea unui tranzistor TEC-J cu canal N

VGG este tensiunea de comand cu care se polarizeaz invers jonciunea pn gril-surs.
Polarizarea invers a jonciunii gril-surs cu tensiune negativ pe gril, genereaz n
jurul jonciunii pn o regiune golit care se extinde n semiconductorul mai slab dopat, n
zona canalului, mrindu-i rezistena prin ngustarea lui. Astfel, tranzistorul prezint ntre
gril i surs o rezisten de intrare foarte mare. Din acest considerent curentul de gril
este foarte mic (de ordinul zecilor de nanoamperi) Limea canalului, implicit rezistena lui,
pot fi comandate prin modificarea tensiunii gril-surs.
VDD este tensiunea dintre dren i surs care furnizeaz curentul de dren ID, care circul
dinspre dren spre surs. Acest curent este comandat de tensiunea gril-surs.
Cu ct tensiunea gril-surs UGG este mai mare cu att canalul se ngusteaz i valoarea
curentului de dren ID scade (figura 5.5.4 b).

http://eprofu.ro/electronica

d. Caracteristicile tranzistoarelor cu efect de cmp cu gril jonciune.

Deoarece jonciunea gril-surs este polarizat invers, aceste tranzistoare nu au
caracteristic de intrare.
n cele ce urmeaz se vor prezenta caracteristica de ieire ID = f(VDS) i caracteristica
de transfer ID = f(VGS) pentru tranzistorul BC264 care are urmtoarele date de catalog:
tensiunea dren-surs VDS = 15V
tensiunea de blocare gril-surs VGS(blocare) = 5V
Tensiunea de blocare reprezint valoarea tensiunii VGS pentru care curentul ID 0
curentul de dren maxim IDSS = 12 mA
Caracteristica de ieire

Caracteristica de transfer

IDSS

12

ID(mA)

VGS = 0V

10

7,68mA

VGS = - 1V

8
6

VGS = - 2V

4,32mA

VGS = - 3V

1,92mA

VGS = - 4V

0,48mA

-VGS
-5
VGS(blocare)

-4 -3 -2 -1

Regiune ohmic

5VP

10

Regiune de curent constant

15

VDS

Strpungere

Figura 5.5.5 Graficele caracteristicilor de transfer i ieire unui TEC-J cu canal N

Pentru a trasa graficul caracteristicii de transfer trebuie determinate coordonatele ID n
funcie de valorile VGS. Pentru determinarea lor se utilizeaz formula:

I D = I DSS (1

VGS
VGS (blocare )

)2

VGS = 1 I D = 12 (1

1 2
) = 7, 68mA
5

VGS = 2 I D = 12 (1

2 2
) = 4,32mA
5

VGS = 3 I D = 12 (1

3 2
) = 1,92mA
5

VGS = 4 I D = 12 (1

4 2
) = 0, 48mA
5

Pe graficul de ieire ntlnim VP care se numete tensiune de strangulare. Aceasta

reprezint valoarea tensiunii dren-surs de la care curentul de dren ncepe s fie
constant. VP este ntotdeauna egal n modul cu VGS(blocare) i de semn opus cu aceasta.
Pe graficul caracteristicii de ieire se pot observa regiunile n care lucreaz un TEC-J.

http://eprofu.ro/electronica

e. Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp cu gril jonciune.

Prin polarizarea TEC-J se urmrete obinerea unei tensiuni de comand VGS i a unui
curent de dren ID de valoare dorit, deci un PSF adecvat. n cele ce urmeaz se va trata
numai polarizarea TEC-J cu canal n, deoarece sunt cele mai utilizate n practic.
e1. POLARIZAREA AUTOMAT
La acest tip de polarizare jonciunea gril-surs nu se polarizeaz de la o surs de
tensiune separat, ea va fi polarizat automat. Aceast polarizare se poate face cu
configuraia din figura 5.5.6. Grila se conecteaz la masa montajului printr-un rezistor de
valoare foarte mare

pentru a izola fa de mas semnalul de curent alternativ n

circuitele de amplificare.
VDD
12V

ID
+
A

ID = 2,573mA
-

VGS = VG VS = 0 0,841 = - 0,841

2.573m

PSF(-0,84V ; 2,57mA)

R2
2.2k

D
G

T
BC264D
+

S
R1
10M

VGS
-0.841

R3
330

Figura 5.5.6 Polarizarea automat a unui tranzistor TEC-J cu canal N

e2. POLARIZAREA PRIN DIVIZOR DE TENSIUNE
La acest tip de polarizare jonciunea gril-surs se polarizeaz invers prin intermediul
unui divizor rezistiv de tensiune. Circuitul de polarizare este prezentat n figura 5.5.7
VDD
15V
R1
6.8M

ID
+
A

1.148m

R
3.3k

ID = 1,15mA
VGS = VG-VS = 1,91 - 3,09 = - 1,18V
PSF(-1,18 ; 1,15)

D
T
BC264C

G
S

Vg
G
+

1.906
-

R2
1M

R3
2.7k

VS
+

3.096

Figura 5.5.7 Polarizarea prin divizor de tensiune a unui tranzistor TEC-J cu canal N

http://eprofu.ro/electronica

5.5.2 TRANZISTOARE CU GRIL IZOLAT (TEC-MOS)

Structura TEC-MOS difer de structura TEC-J prin faptul c poarta (grila) tranzistorului
este izolat fa de canal printr-un stat subire de dioxid de siliciu (SiO2). Datorit izolaiei
realizat de stratul de oxid, aceste tranzistoare au rezistena de intrare foarte mare (de
ordinul 1015 ) i curentul de gril extrem de mic (de ordinul 10-15 A).
n funcie de modul de funcionare sunt dou categorii de TEC-MOS:
TEC-MOS cu canal iniial la acest tip de tranzistoare canalul este ntotdeauna
prezent fiind realizat prin mijloace tehnologice
TEC-MOS cu canal indus la acest tip de tranzistoare canalul apare n condiiile
n care tranzistorul este polarizat corespunztor
a. Structurile de baz i simbolurile dispozitivelor TEC-MOS.
a1. TEC-MOS cu canal iniial.
S (SURS)

G (GRIL)

D (DREN)

S (SURS)

G (GRIL)

D (DREN)

strat izolator - SiO2

canal

P
substrat

a
Figura 5.5.8 Structur TEC-MOS cu canal iniial
S (SURS)

G (GRIL)

D (DREN)

b
a. canal n b. canal p

S (SURS)

G (GRIL)

D (DREN)

strat izolator - SiO2

N

canal

substrat
a
Figura 5.5.9 Structur TEC-MOS cu canal indus

canal iniial de tip N

canal iniial de tip P

b
a. canal n b. canal p

canal indus de tip N

Figura 5.5.10 Simboluri grafice pentru TEC-MOS

http://eprofu.ro/electronica

canal indus de tip p

b. Principiul de funcionare al dispozitivelor TEC-MOS.

b1. Funcionarea unui dispozitiv TEC-MOS cu canal iniial N
Un TEC-MOS, n funcie de modul de polarizare al grilei, poate lucra n regim de srcire
sau n regim de mbogire. Dac tensiunea aplicat pe gril este negativ tranzistorul
lucreaz n regim de srcire (fig.5.5.11 a), iar dac tensiunea aplicat pe gril este
pozitiv tranzistorul lucreaz n regim de mbogire (fig.5.5.11 b).

RD
-

ID

RD

VGG

+
+
+
+
+

ID

G -

VDD

+
-

VGG

+
-

+
+
+
+

VDD

+
-

Figura 5.5.11 Funcionarea unui TEC-MOS cu canal iniial N

Dac pe gril se aplic o tensiune negativ, sarcinile negative de pe gril ndeprteaz
electronii de conducie din canalul n, care vor lsa n urma lor goluri. Deoarece canalul
rmne srcit n electroni, conductivitatea lui scade, ceea ce duce la scderea intensitii
curentului de dren ID. Cu ct crete tensiunea VGG cu att scade curentul ID, pn ce
canalul se golete complet i curentul ID devine nul (figura 5.5.11 a).
Dac pe gril se aplic o tensiune pozitiv, sarcinile pozitive de pe gril atrag electronii de
conducie din canalul n. Deoarece canalul se mbogete n electroni, conductivitatea lui
crete, ceea ce duce la creterea intensitii curentului de dren ID. Cu ct crete
tensiunea VGG cu att crete curentul ID (figura 5.5.11 b).
n cazul TEC-MOS cu canal iniial P, tranzistoarele funcioneaz n mod similar, cu
excepia faptului c polaritile tensiunilor sunt inversate.
n cele mai multe cazuri, aceste tranzistoare sunt utilizate n regim de srcire.

http://eprofu.ro/electronica

b2. Funcionarea unui dispozitiv TEC-MOS cu canal indus

La aceste tranzistoare canalul de conducie nu este realizat constructiv (figura 5.5.12 a).
Canalul de conducie este indus dac tranzistorul este polarizat corect cu o tensiune grilsurs mai mare dect tensiunea de prag (figura 5.5.12 b).
TEC-MOS cu canal indus lucreaz numai n regim de mbogire.

RD

N
G
Substrat

VGG

+
-

+
+
+
+

ID

canal indus

VDD

+
-

N
S

Figura 5.5.12 Funcionarea unui TEC-MOS cu canal indus N

Dac pe grila tranzistorului se aplic o tensiune pozitiv mai mare dect tensiunea de
prag, aceasta genereaz pe suprafaa substratului un strat subire de sarcini negative n
regiunea de substrat din vecintatea grilei. Astfel se induce un canal ntre dren i surs a
crui conductivitate crete odat cu creterea tensiunii gril-surs. Cu ct crete tensiunea
VGG cu att crete curentul ID (figura 5.5.12 b).
Un TEC-MOS obinuit are canalul de conducie ngust i lung ceea ce duce la o
rezisten dren-surs mare. Acest lucru limiteaz utilizarea tranzistoarelor n circuite de
cureni mici. Pentru utilizarea tranzistoarelor n circuite de putere trebuie modificate din
construcie dimensiunile i forma canalului. Prin lrgirea i scurtarea canalului, rezistena
lui scade, permind obinerea unor tensiuni i cureni mai mari.
Precauii la manevrarea TEC-MOS
Dispozitivele TEC-MOS se pot distruge foarte uor datorit descrcrilor electrostatice.
Pentru a prevenii aceast situaie trebuie luate urmtoarele msuri de precauie:
dispozitivele TEC-MOS trebuie pstrate n ambalaj din material antistatic cu
terminalele scurtcircuitate cu staniol sau un conductor metalic subire
scurtcircuitul dintre terminale se ndeprteaz numai dup ce tranzistorul a fost lipit
nu este permis aplicarea unui semnal de intrare pe grila tranzistorului dac
circuitul n care este acesta nu este alimentat n curent continuu.

http://eprofu.ro/electronica

c. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS.

c1. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS cu canal iniial N

VDD
12V

ID

RD

+
A

2.316m

Tranzistorul BF908WR are

820

dou grile deoarece are un

D
G
RG

T
BF908WR

canal iniial i un canal indus.

VDS
+

10.099

VDS = VDD RD I D

10M

Figura 5.5.13 Polarizare la zero a unui dispozitiv TEC-MOS cu canal iniial N

c2. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS cu canal indus N
VDD
24V
R1
RD
ID
100k
150
+
A

D
G

VGS
+
-

3.130

T
2N7000

ID(cond)=500mA la VGS=10V

+
-

14.370

VGS(prag) = 2 V
ID(cond)=75mA la VGS= 4,5V

VDS
V

Valori

obinute

cu

simulatorul MULTISIM:

VGS = 3,13 V

R2
15k

0.064

Date de catalog 2N7000

ID = 64 mA
VDS = 14,37 V

Figura 5.5.14 Polarizare prin divizor de tensiune a unui TEC-MOS cu canal indus N
VDD
15V

RD

3.3k

ID
+
A

3.787m

D
G

VGS
+

2.274

VDS
T
2N7000

2.502
-

obinute

cu

simulatorul MULTISIM:

R1
10M

Valori

VGS = 2,27 V
ID = 3,78 mA
VDS = 2,50 V

Figura 5.5.15 Polarizare cu reacie n dren a unui TEC-MOS cu canal indus N

http://eprofu.ro/electronica