Tranzistorul

Tranzistorul este un dispozitiv semiconductor activ cu trei terminale, i care conine dou
sau mai multe jonciuni p-n. Tranzistorul este dispozitivul esenial al oricrui circuit electronic.
De exemplu se tie c procesoarele de generaie nou de la Intel au zeci de milioane de
tranzistoare cu efect de cmp.
Clasificarea tranzistoarelor:
tranzistor bipolar (TB): n-p-n; p-n-p;
tranzistor cu efect de cmp (TEC):
TECMOS:
cu canal indus: canal n; canal p;
cu canal iniial: canal n; canal p;
TEC-J: canal n; canal p;

4. TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din trei straturi de material semiconductor la
care se conecteaz trei electrozi. Cele trei straturi semiconductoare formeaz dou jonciuni p-n.
n funcie de ordinea de amplasare a straturilor semiconductoare se disting dou tipuri de TB:
- p-n-p care conine dou straturi semiconductoare de tip p, ntre care se gsete un strat
semiconductor de tip n (Fig.4.1.a);
- n-p-n care conine dou straturi semiconductoare de tip n, ntre care se gsete un strat
semiconductor de tip p (Fig.4.1.b).
JE
JC
JE JC
C E
E
C
n
n
p
p
n
p
B
E

B
C

B
B
a) Tranzistor p-n-p.
b) Tranzistor n-p-n.
Fig.4.1. Structura i simbolul tranzistorului.
Pentru ambele tipuri de tranzistoare, stratul din mijloc este foarte subire, iar electrodul
corespunztor se numete Baz i se noteaz cu B. Nici straturile exterioare nu sunt identice. Un
strat este mai subire i este mai puternic impurificat, iar electrodul corespunztor se numete
Emitor i se noteaz cu E. Ultimul strat este cel mai gros, iar electrodul corespunztor se numete
Colector i se noteaz cu C.

4.1. Clasificarea tranzistoarelor bipolare.

Un tranzistor este caracterizat printr-o multitudine de parametrii, valori limit sau valori
maxim admisibile date de fabricant ca i date de catalog. Depirea valorilor maxim admisibile
provoac distrugerea tranzistorului. Tot ca i date de catalog se regsesc i caracteristicile de
intrare, de ieire, de transfer, etc.

Dac se noteaz cu ICM valoarea maxim a curentului din colector, i cu PDM valoarea
puterii maxime ce poate fi disipat (prin efect Joule), atunci tranzistoarele pot fi clasificate astfel:
- tranzistoare de mica putere, cu ICM 100mA500mA i PDM 100mW1W;
- tranzistoare de putere medie, ICM: 500mA5A; PDM: 1W5W;
- tranzistoare de putere, ICM: 5A50A; PDM: 5W100W;
- tranzistoare de mare putere, ICM: 50Asute A; PDM: 100Wzeci KW.
Dac notm cu UCE0 valoarea maxim admisibila a tensiunii ntre colector i emitor,
valoare ce reprezint valoarea maxim a tensiunii sursei de alimentare care alimenteaz circuitul
care utilizeaz tranzistorul respectiv, atunci tranzistoarele pot fi clasificate astfel:
- tranzistoare de joas tensiune, cu UCE0 n plaja 20V100V;
- tranzistoare de nalt tensiune, UCE0: 100Vmii V.
Tranzistoarele mai pot fi clasificate n funcie de frecvena pentru care sunt proiectate s
funcioneze:
- tranzistoare de joas frecven sau de audiofrecven (sute KHz MHz);
- tranzistoare de nalt frecven sau radiofrecven (MHzsute MHz);
- tranzistoare de foarte nalt frecven (MHzGHz).

4.2. Principiu de funcionare.

Dup cum s-a precizat anterior, tranzistorul are dou jonciuni p-n, una ntre baz i
emitor (BE) i una ntre baz i colector (BC). Dac s-ar considera cele dou jonciuni ca fiind
independente s-ar putea spune c tranzistorul este o conexiune ntre dou diode conectate una
invers fa de cealalt (Fig.4.2). Dac se ia n considerare un tranzistor n-p-n putem spune c
avem dou diode care au anodul comun i conectat la electrodul B. n aceast situaie oricum am
alimenta circuitul, o diod va fi n conducie iar cealalt va fi blocat, iar prin circuitul n care
sunt montate nu va circula curent.

Fig.4.2. Schem echivalent cu dou diode.

n realitate datorit faptului c stratul semiconductor median este foarte subire apare aa
numitul efect de tranzistor, care permite circulaia curentului ntre C i E. Efectul de tranzistor
permite trecerea curentului printr-o jonciune polarizat invers (BC) datorit interaciunii ei cu o
jonciune polarizat direct (BE) situat n imediata ei vecintate. Circulaia curenilor prin
tranzistor este prezentat n Fig.4.3.
Dac se ia n considerare tranzistorul n-p-n, la care jonciunea BE este polarizat direct i
jonciunea BC este polarizat invers atunci putem spune c tensiunea dintre colector i emitor
este pozitiv i mai mare dect tensiunea dintre baz i emitor care este de aproximativ 0,7V. n

aceast situaie va exista o circulaie de curent de valoare mare de la colector la emitor, curent
care depinde de valoarea curentului de comand, adic curentul dintre baz i emitor.

a) Tranzistor n-p-n. b) Tranzistor p-n-p.

Fig.4.3. Circulaia curenilor prin tranzistor.
Din cele prezentate anterior, rezult c pentru a conecta un tranzistor ntr-un circuit,
trebuie s cunoate succesiune terminalelor sale. Acest lucru l putem gsii n datele de catalog
ale tranzistorului respectiv. Dac nu avem la dispoziie aceste date sau dac nu tim ce tip de
tranzistor avem, acestea se pot determina printr-o metod practic.
Se consider tranzistorul din Fig.4.4. Pentru a determina terminalele tranzistorului i tipul
su avem nevoie de un aparat de msur care are funcie de msurat diode.

Fig.4.4. a) Tranzistor necunoscut

b) dup determinare.

Cu ajutorul aparatului de msur se efectueaz ase msurtori dup cum urmeaz:

borna + conectat la terminalul 1 i borna la terminalul 2: OL
borna + conectat la terminalul 2 i borna la terminalul 1: 0,628V
borna + conectat la terminalul 2 i borna la terminalul 3: OL
borna + conectat la terminalul 3 i borna la terminalul 2: OL
borna + conectat la terminalul 1 i borna la terminalul 3: OL
borna + conectat la terminalul 3 i borna la terminalul 1: 0,664V
n urma msurtorilor se observ c avem indicaie de prezen tensiune pentru dou
msurtori. Tensiunea apare la borne cnd este polarizat direct o jonciune. Din prima
msurtoare care indic tensiune rezult o jonciune care are anodul la terminalul 2 i catodul la
terminalul 1. Din a doua msurtoare care indic tensiune rezult o jonciune care anodul la
terminalul 3 i catodul la terminalul 1.
Dac se analizeaz construcia tranzistorului se observ c cele dou jonciuni ale sale au
un terminal comun i anume Baza. Din msurtorile de mai sus putem spune c Baza este
conectat la terminalul 1. innd cont c din msurtorile care au indicat tensiune de fiecare dat
borna a fost conectat la terminalul 1 rezult c acest terminal este conectat la un stat
semiconductor de tip n, de unde rezult ca tranzistorul este de tip p-n-p. Din msurtoarea care
indic tensiune mai mare, rezult jonciunea dintre baz i emitor i de aici rezult c terminalul 3
este Emitorul. n cele din urm rezult c terminalul 2 este Colectorul.
-

Dac dup efectuarea tuturor msurtorilor avem o singur msurtoare care indic
tensiune sau avem msurtori care n loc de OL indic o valoare mic sau chiar 0, nseamn
c tranzistorul este defect sau este de alt tip (nu este tranzistor bipolar).

4.3. Zone de funcionare a tranzistorului bipolar.

Funcionarea tranzistorului este strict dependent de modul cum este conectat n circuit,
mai precis n funcie de modul de alimentare a celor trei electrozi. n funcie de tensiunile aplicate
electrozilor, cele dou jonciuni ale tranzistorului pot fi polarizate direct sau invers. Rezult c
tranzistorul poate avea patru zone de funcionare (Fig.4.5).
UBC
UBC
Regiune
Regiune
Regiune
de
Regiune de
activ
activ
saturaie
blocare
invers

Regiune de
blocare

Regiune
activ

UBE

Regiune de
saturaie

Regiune
activ
invers

UBE

a) Tranzistor n-p-n.
b) Tranzistor p-n-p.
Fig.4.5. Zonele de funcionare a tranzistorului ca funcie de tensiunile de alimentare.
Regimul de blocare.
Regimul de blocare se obine atunci cnd tensiune dintre Baz i Emitor scade sub
valoarea de polarizare a jonciunii (0,7 pentru Si), iar jonciunea dintre Baz i Colector rmne
polarizat invers. n acest regim prin tranzistor nu circul curent i el se comport ca i o
rezisten de valoare infinit, sau un contact deschis (Fig.4.6.a).
Regimul de saturaie.
Un tranzistor este n regim de saturaie cnd valoarea curentului de comand crete i
implicit crete curentul principal pn la o limita la care tensiunea ntre colector i emitor scade
sub 0,7V, deci potenialul colectorului devine mai mic dect al bazei. Din acest moment
jonciunea dintre Baz i Colector este polarizat direct. n practic tensiunea Colector-Emitor nu
poate fi sczut sub o valoare de 0,2V. Din momentul intrrii n saturaie curentul principal
rmne la valoarea de saturaie i nu mai este proporional cu acela de comanda. Curentul de
comand poate s creasc n continuare dar nu mai influeneaz curentul principal. Dac se
neglijeaz cderile de tensiune pe jonciunile deschise tranzistorul este echivalent cu un nod de
circuit (Fig.4.6.b).
n acest regim tranzistorul poate fi folosit ca i element de comutaie. Practic tranzistorul
va fi n regim blocat pentru a avea rol de contact deschis i va fi n regim de saturaie pentru a
avea rol de contact nchis.
Regimul activ.
Regimul activ este regimul normal al tranzistorului pentru majoritatea aplicaiilor. n acest
regim tranzistorul este strbtut de un curent de valoare mare ntre Colector i Emitor, valoare
care depinde de valoarea curentului dintre Baz i Emitor.

n acest regim tranzistorul poate fi echivalat cu o diod conectat ntre Baz i Emitor i o
surs de curent conectat ntre Colector i Emitor (Fig.4.6.c). Sursa de curent echivalent
genereaz un curent constant iE iB , care este proporional cu valoarea curentului iB (denumit
i curent de comand) care parcurge dioda.
Din cele expuse mai sus rezult c tranzistorul care funcioneaz n zona activ are rol de
amplificator.

a)
b)
c)
Fig.4.6. Simbolizarea tranzistorului a) Regim de blocare; b) Regim de saturaie; c) Regim activ.

4.4. Caracteristicile grafice ale tranzistorului.

Pentru a utiliza un tranzistor trebuie s se cunoasc modul n care el poate fi echivalat n
schemele electrice. Din punct de vedere al calculului numeric exist mai multe posibiliti de a
considera un tranzistor. Una dintre posibiliti ar fi considerarea ecuaiilor matematice, dar
aceast metod este foarte dificil. Din acest motiv cele mai utilizate metode sunt: liniarizarea
circuitului i caracteristicile grafice.
Pentru a discuta de caracteristicile grafice ale tranzistorului, trebuie s se cunoasc
modurile n care el poate fi conectat ntr-un circuit. Pentru conectarea ntr-un circuit tranzistorul
se conecteaz cu un terminal la intrare, unul la ieire i cel de-al treilea va fi comun. Din acest
punct de vedere tranzistorul poate fi ntlnit n trei ipostaze: baz comun (BC), emitor comun
(EC), colector comun (CC) (Fig.4.7).
IC
IE
EC
CC
I BC IC
E

Iintr.

IB

Iie.

IB
Iintr.

Iie.
IE

IB
Iintr.

Iie.
IC

a) Baz comun
b) Emitor comun
c) Colector comun
Fig.4.7. Moduri de conectare a tranzistorului n circuit.
n continuare se vor prezenta caracteristicile grafice ale tranzistorului pentru varianta cu
emitor comun. Productorii furnizeaz n cataloage o mulime de caracteristici grafice. Dintre
acestea cele mai importante sunt caracteristica de intrare i caracteristica de ieire.
Dac se reprezint grafic curentul din baz ca funcie de tensiune Baz-Emitor se obine
caracteristica de intrare (Fig.4.8). Practic aceast caracteristic este asemntoare cu
caracteristica grafic a unei diode. Ca i n cazul diodei, jonciunea Baz-Emitor ntr n
conducie la o tensiune de aproximativ 0,7V (n cazul tranzistorului din Si). Bineneles aceast
jonciune are i o tensiune invers maxim care poate fi aplicat, dar care are valori mult mai
mici (datorit faptului c stratul semiconductor din Baz este de dimensiuni foarte reduse) dect
n cazul diodelor. n general tensiunea maxim invers poate fi de aproximativ 5V, i din acest

motiv tranzistorul poate fi protejat la tensiune invers cu ajutorul unei diode conectat cu anodul
la emitor i cu catodul la baz.

Fig.4.8. Caracteristica de intrare a tranzistorului.

Caracteristica de ieire este o reprezentare grafic a curentului din colector ca funcie de
tensiunea Colector-Emitor. n general aceast grafic se reprezint ca i o familie de caracteristici,
fiecare caracteristic depinznd ce curentul de comand (curentul din baz) (Fig.4.9).

Fig.4.9. Caracteristica de ieire a tranzistorului n conexiune Emitor comun.

Pe caracteristica de ieire exist patru zone:
zona A este zona de blocare a tranzistorului;
zona B este zona de saturaie a tranzistorului;
zona C este zona cu putere maxim de disipaie;
zona cuprins ntre aceste zone este zona activ a tranzistorului.
Tot din grafic se poate observa c un tranzistor la un moment dat trebuie s se ntr-un
anumit punct de funcionare P(UCE, IC). Acest punct de funcionare depinde de mai muli factori

cum ar fi: valoarea curentului de comand, valoarea factorului de amplificare n curent, valoarea
temperaturii tranzistorului, etc.
Pentru determinarea punctului static de funcionare a unui tranzistor trebuie s
determinm valoarea curentului din colector i tensiunea Colector-Emitor. Pentru determinarea
lor se poate utiliza orice teorem de calcul a circuitelor electrice. n special pentru aplicaii simple
cel mai rapid mod de obinere a rezultatului este aplicarea teoremei a doua a lui Kirchhoff.

4.5. Circuite de polarizare a tranzistoarelor.

Din cele prezentate anterior se tie c tranzistorul n zona activ are rol de amplificator.
Pentru a-i face funcia ct mai corect acesta trebuie s respecte cteva condiii dintre care se
menioneaz:
polarizarea corect a jonciunilor;
stabilitate la variaii ale tensiunii de alimentare;
stabilitate la variaii de temperatur.
Pentru nlturarea efectelor variaiilor de tensiune se folosesc surse de tensiune stabilizate.
Variaiile de temperatur care apar datorit modificrilor de temperatur din mediul nconjurtor
i datorit pierderilor din tranzistor prin efect Joule, sunt mai greu de controlat. n general pentru
controlarea lor intervin costuri considerabile care n general nu sunt justificabile.
Cel mai important lucru pentru o funcionare corect este polarizarea tranzistorului.
Aceasta se poate face prin mai multe metode.
Cel mai simplu circuit de polarizare a tranzistorului este circuitul de polarizare n curent
(Fig.4.10.a). Dac se aplic o teorem de calcul a circuitului electric, se obin valorile curentului
din colector i a tensiunii Colector-Emitor ca fiind:
V U BE
I C 0 CC
RB
U CE VCC RC I C
Din relaiile de mai sus se observ dezavantajele acestei scheme. Primul dezavantaj ar fi
sensibilitatea foarte mare la variaiile de temperatur. Practic la o variaie de cteva zeci de grade
tranzistorul poate ajunge din regimul activ n regimul de saturaie. Un al doilea dezavantaj este c
pentru cunoaterea punctului de funcionare trebuie s se cunoasc foarte exact valoarea
factorului de amplificare n curent ( 0 ).
Dac se ia n considerare circuitul de polarizare cu rezisten de compensare termic
(Fig.4.10.b) i se aplic o teorem de calcul al circuitului se obin urmtoarele relaii:
V U BE
I C CC
R
RE B
0
U CE VCC RC RE I C

Din relaiile de mai sus se observ c valoarea curentului din colector depinde i de
rezistena din emitor care n general are o valoare mai mare. Din acest motiv aceast schem este
mai puin sensibil la variaia de temperatur. Deoarece valoarea rezistenei din emitor este mai
mare nseamn c variaia termenului RB 0 influeneaz mai puin valoarea curentului din
colector i deci schema este mai puin sensibil i la variaia factorului de amplificare n curent.

Circuitul de polarizare cu divizor rezistiv (Fig.4.10.c) are urmtoarele formule de calcul

ale mrimilor de ieire:
R2
VCC U BE
R1 R2
IC
R1 R2
R R2
RE 1
0
U CE VCC RC RE I C

Din relaiile de mai sus se observ c influena factorului de amplificare este mai redus
dect la schemele anterioare i de aici rezult c aceast circuit este cel mai bun pentru realizarea
polarizrii tranzistorului.
Ultimul circuit de polarizare prezentat este circuitul cu diod Zener (Fig.4.10.d). Acesta
are avantajul c datorit diodei Zener, potenialul aplicat Bazei este n permanen constant.

a) Circuit de polarizare n curent

b)Circuit de polarizare cu rezisten de compensare termic

c) Circuit de polarizare cu divizor rezistiv

d) Circuit de polarizare cu diod Zener
Fig.4.10. Scheme de polarizarea ale tranzistorului.

4.6. Tranzistorul bipolar n regim de comutaie.

n regim de comutaie rolul tranzistorului este de a permite sau nu permite stabilirea unui
curent ntre terminalele Colector i Emitor. n concluzie pentru ca un tranzistor s funcioneze n
regim de comutaie el trebuie s funcioneze n regimul de saturaie (pentru nchiderea circuitului)
i n regimul de blocaj (pentru deschiderea circuitului).
Din Fig.4.11 se observ c n momentul cnd se aplic o tensiune mai mare de 0,7V
terminalului Baz, jonciunea baz-emitor intr n conducie. Timpul de intrare n conducie a
acestei jonciuni (ti) este similar cu timpul de intrare n conducie a unei diode. Dup ce aceast
jonciune este n conducie, intr n conducie i jonciunea baz-colector care are un timp de
ntrziere (tcr) ceva mai mare. mpreun cei doi timpi formeaz timpul de nchiderea a circuitului
denumit i timp de comutaie direct (tcd).

Fig.4.11. Forma de und a curenilor prin tranzistor cnd acesta funcioneaz n regim de
comutaie.
La anularea tensiunii de comand din Baz, jonciunea baz-emitor se blocheaz, iar
curentul din baz scade pn la o valoare maxim negativ (a se vedea funcionarea diodei n
regim de comutaie), valoare care se pstreaz un anumit timp. Momentul de la dispariia
tensiunii din baz i pn cnd ncepe creterea curentului din baz de la valoarea maxim
negativ spre 0 poart denumirea de timp de stocare (ts), deoarece pe aceast durat jonciunea
baz-colector rmne n conducie, iar curentul din colector se pstreaz aproximativ la aceiai
valoare. Durata n care curentul din baz cretere de la valoarea maxim negativ pn la 0,
poart denumirea de timp de cdere (tc). mpreun cei doi timpi formeaz timpul de comutaie
invers a tranzistorului (tci).
n concluzie, tranzistorul n regim de comutaie funcioneaz ca i un comutator
comandat.

4.7. Fototranzistorul.
Fototranzistorul este n general un tranzistor de tip n-p-n, a crui baz nu este conectat
ntr-un circuit de electric. Practic rolul curentului din baz l preia fotonii care genereaz n baz
un curent care are rol de a polariza jonciunea baz-emitor.

Fig.4.12. Simbolul i modul de construcie a unui fototranzistor.

Rolul curentului din baz din care rezulta caracteristica de ieire a tranzistorului, este
preluat pentru fototranzistor de gradul de iluminare (Fig.4.13). Din aceast figur se poate
observa c dac avem o lumin mai puternic pentru polarizare, valoarea curentului din colector
crete.

Fig.4.13. Caracteristica de ieire a fototranzistorului.

Cea mai important aplicaie a fototranzistorului este optocuplorul, un circuit electronic
care face izolaie optic ntre dou circuite electrice diferite. Cu alte cuvinte dac vrem s
comandm curentul dintr-un circuit, cu ajutorul curentului din alt circuit, fr a exista nici o
legtur electric ntre ele, n circuitul de comand introducem o diod luminiscent care produce
o iluminare. n circuitul comandat introducem un fototranzistor care preia lumina de la dioda
luminiscent. Bineneles optocuplorul conine cele dou elemente ncapsulate pentru c n caz
contrar fototranzistorul ar putea intra n conducie de la lumina exterioar.