NANOTEHNOLOGIE

Dicionarul Webster definete cuvntul nanotehnologie ca fiind arta manipulrii

unor dispozitive minuscule, de dimensiuni moleculare. Guvernul american ns a investit n
ultimii ani miliarde de dolari n cercetarea n domeniul nanotehnologiilor, n ncercarea de a
transforma-o dintr-o art ntr-o tiin. Ca urmare, activitatea de cercetare din domeniu este
prodigioas. Progresele rapide, mai ales din chimie, au pus la ndemna cercettorilor n
domeniu o varietate de unelte miniaturale minunate.
Nanotehnologia a fost iniial introdus pentru a furniza o int concret acurateei pentru
procesele de fabricaie care implic finisri de ultraprecizie, cum ar fi: tieri ultrafine, diverse
tipuri de prelucrare (procesare) cu fascicule energetice, utiliznd fascicule de fotoni, electroni
sau ioni, evaporarea n strat subire, corodri superficiale ultrafine, etc.
De la prezentarea conceptului de nanotehnologie n anul 1974 la Tokyo, acesta a
ctigat teren att n Europa ct i n S.U.A., referindu-se aici la tiina fenomenelor la scar
atomic.
Cercetarea tiinific este evident necesar ntruct nanotehnologia nu poate avea succes
fr o nelegere tiinific de baz a fenomenelor petrecute la scar atomic.
Noua tehnologie va transforma produsele de fiecare zi i modul n care sunt fabricate
prin manipularea atomilor astfel nct materialele s poat fi micorate, mbuntite i
uurate n acelai timp. Dei modeste, produsele actuale bazate pe nanotehnologie, precum
esturi rezistente la pete i ambalaje pentru alimente proaspete, care au intrat pe pia, unii
oameni de tiin estimeaz c nanotehnologia va juca un rol deosebit de important n viitor.
Datorit unor mbuntiri a microscoapelor, oamenii de tiin pot acum plasa pentru
prima dat atomi singulari unde doresc. Aplicaiile poteniale sunt numeroase: computere
microscopice, nanoparticule pentru tratarea cancerului i motoare nepoluante. Potrivit celor
mai muli oameni de tiin, viitorul nanotehnologic ar putea s ia avnt peste 10-20 de ani,
deoarece trebuiesc depite principalele obstacole cum ar fi n primul rnd lipsa unei
producii economice de mas.
Unele dintre cele mai complicate dispozitive vor necesita o poziionare exact a
miliarde de atomi.
O alt provocare este crearea unei puni de legtur ntre dimensiunile nanoscopice i
macroscopice. Cu alte cuvinte, dispozitivele nanoscopice sunt nefolositoare atunci cnd
trebuie ataate la dispozitive mari, rmnnd deocamdat nesoluionat problema depirii
neajunsurilor menionate. La acestea se adaug temerile derivate din domeniul SF, care
amenin s deraieze nanotehnologia, n acelai mod n care populara anxietate provocat de
super-plante i super-alimente au mpiedicat dezvoltarea biotehnologiei n agricultur.
La nivel mondial, cele dou domenii care ar putea ctiga potenial de pe urma
nanotehnologiei, sunt electronica i biotehnologia.
Spre exemplu, n domeniul biotehnologic, oamenii de tiin promoveaz noiunea de
nanoparticule din aur care ar putea fi activate prin telecomand pentru a se nclzi i a omor
celulele canceroase.
Lucrarea de fa i propune s realizeze o trecere n revist a unora dintre
dispozitivele minuscule i modaliti de realizare cu ajutorul acestora a diferitelor produse,
pind astfel ntr-o nou er a tehnicii de vrf

Prezentarea conceptului
Nanotehnologia este acea ramur a tiinei care permite crearea de materiale, de
dispozitive i de sisteme la scar nanometric (1-100 nm), prin manipularea materiei la
aceast scar, precum i prin exploatarea noilor proprieti ce rezult la scar nanometric,
avnd un puternic impact asupra numeroaselor aplicaii comerciale, militare i spaiale.
n cele ce urmeaz va fi prezentat o descriere de ansamblu al conceptului de
nanotehnologie, pe baza unor exemple menite s ajute la nelegerea conceptului legat de
fabricarea, caracteristicile, aplicaiile i comercializarea produselor din aceasta categorie.
Conceptul de nanotehnologie se caracterizeaz prin faptul c toate procesele care se
studiaz i se produc, au ca unitate de referin nanometrul, ce reprezint a miliarda parte
dintr-un metru (3 - 4 atomi).
Pornind de la definirea acestei dimensiuni, se poate uor deduce c nanotehnologia
reprezint practic un procedeu de asamblare la nivel molecular.
Noua tehnologie are menirea de a transforma produsele de fiecare zi i modul n care
acestea sunt fabricate prin manipularea atomilor, astfel nct materialele s poat fi micorate
i mbuntite n acelai timp.
Dei produsele actuale bazate pe nanotehnologie sunt modeste - precum esturi
rezistente la pete i ambalaje pentru alimente proaspete - care au intrat deja pe pia, unii
oameni de tiin estimeaz c nanotehnologia va juca un rol deosebit de important n viitor.
Datorit unor mbuntiri a microscoapelor, oamenii de tiin pot acum plasa pentru
prima dat atomi singulari acolo unde doresc. Aplicaiile poteniale sunt numeroase:
computere microscopice, nanoparticule pentru tratarea cancerului, motoare nepoluante, etc.

Utiliznd binecunoscutele proprieti chimice ale atomilor i moleculelor (care vizeaz

modul de lipire a acestora), nanotehnologia propune construirea de dispozitive moleculare
inovatoare, cu caracteristici extraordinare. Secretul const n a manipula atomii individual i
de a-i plasa exact acolo unde este nevoie, astfel nct s produc structura dorit.

Nanotehnologia se poate defini i ca fiind abilitatea de a transforma materia ordonnd

cu precizie atom dup atom i molecul dup molecul, pentru ca n final s se produc
nanostructuri din care s se poat forma nanoproduse, adic dispozitive i maini.

Direcii de utilizare a nanotehnologiei n confecionarea

echipamentelor militare
Domeniul cercetrii militare este unul extrem de strict, iar informaiile care ajung la
public nu reprezint probabil nici 5% din realitatea analizat i procesat de oamenii de
tiin. Se cunoate totui c tehnologia folosit la confecionarea materialelor folosite pentru
echipamentul are la baz viitorului este n strns legtur att cu avansata nanotehnologie
precum i cu materialele sintetice fortificate cu diveri polimeri.
Este cunoscut faptul c aprarea american cheltuiete anual sume fabuloase pentru
modernizarea forelor militare. Miliarde de dolari sunt destinate domeniilor de cercetare care
au o singur preocupare: modernizarea echipamentelor militare.
n pofida faptului c forele militare americane sunt i n prezent cele mai dotate i mai
eficiemnte din lumea ntreag, autoritile americane sunt foarte interesate de a aduce noi i
noi mbuntiri att echipamentelor ct i aparaturii i armamentului din dotare.
Ultimele descoperiri n materie de echipamente vor fi implementate curnd, urmnd ca
pn n anul 2025 militarul american s aib o uniform inteligent, capabil s-i adapteze
instantaneu culoarea ntr-o perfect corelare cu zona geografic i fauna, dar i cu
modificarea proprietilor de izolare asigurnd o temperatur optim n funcie de condiiile
de mediu specifice zonelor din teatrele de operaii unde militarii i execut misiunile.
Uniformele inteligente se bazeaz pe inserarea n materialele din care acestea sunt
produse a unor particule inteligente, programate special pentru a se adapta situaiilor. Dincolo
de faptul c aceast uniform se va comporta ca un cameleon, are i proprieti inteligente:
dac se rupe, se activeaz un mecanism de regenerare, iar n cazul n care intr n contact cu
substane chimice, are un sistem de autoaprare prin care se va evita deteriorarea. n plus,
uniformele militare din viitor nu fie i nu fac nici un fel de zgomot pe timpul micrii.
Principala caracteristic a hainelor i uniformelor inteligente fabricate din materiale
mbogite cu anumii polimeri este c fac corp comun cu purttorul. Aceste haine respir. n
ciuda faptului c sunt rezistente i acioneaz descurajator asupra efectelor mediului exterior,
purttorului i dau senzaii dintre cele mai benefice: sunt uoare, nu se transpir n ele, asigur
o lejeritate n micare. Dac la toate acestea mai adugm i faptul c aceste haine anticipeaz
multe dintre posibilele efecte ale mediului nconjurtor i apr purttorul de o mulime de
pericole, putem recunoate pe bun dreptate c aceasta reprezint haina ideal pentru om i
nu doar pentru militarii viitorului.
Cercetrile efectuate au luat i iau n considerare mbuntirea inutei militare n
ansamblul ei, deci nu numai a uniformelor propriuzise dar i a ctilor din dotare, accesoriu
care a fost ntotdeauna cea mai blamat component a inutei militare.
Fiind de obicei dintr-un material dur de cele mai multe ori din fier i de civa ani din
kevlar cascheta este un obiect vestimentar dificil de purtat chiar de cei mai clii i antrenai
militari din lume. Pentru a contribui pe deplin la mmrirea gradului de mobilitate al
militarului pe timpul misiunilor, n laboratoarele americane s-au mpins cercetrile astfel
nct se afl n stadiu de proiect o caschet ce va fi confecionat dintr-un material de 70 de
ori mai uor dect actuala pies a garderobei militare.

Componente nanotehnologice n electronic

Primul ingredient necesar pentru a construi circuite la scar molecular este srma.
Astfel de srme trebuie s fie foarte subiri, lungi, rezistente mecanic i s aib o conductan
electric bun. Din fericire chimitii au descoperit o serie de molecule care au exact
proprietile necesare.
Fig.1.2 prezint un fragment din cea mai celebr dintre moleculele descoperite, i
anume nanotubul de carbon. Nanotubul de carbon este caracterizat prin faptul c fiecare atom
de carbon este legat covalent cu vecinii si. Pentru descoperirea acestor molecule, Richard
Smalez de la Universitatea Rice din S.U.A. a primit premiul Nobel pentru chimie n anul
1996. Astfel de molecule au un diametru de 5nm i pot avea lungimi de ordinul milimetrilor.
Se caracterizeaz prin excelente proprieti electrice i mecanice, n pofida dimensiunilor
minuscule.

. Nanotubul de carbon. Partea din stnga a unei singure molecule

 Al doilea ingredient de care avem nevoie este un comutator, care poate nchide i
deschide circuite. Din fericire i pentru acest dispozitiv exist o pletor de alternative. n fig.
1.3. este prezentat un astfel de comutator molecular.
Molecula polarizat prezentat n fig. 1.3.(a) este caracterizat printr-un nor de sarcin
electric asimetric. n poziia din stnga norul blocheaz trecerea curentului electric. Aplicnd
un potenial ridicat cauzm rotirea moleculei i reorientarea norului electronic; molecula din
poziia din dreapta a figurii menionate conduce curent electric ntr-o singur direcie,
comportndu-se ca o diod.
Molecula are memorie, deoarece rmne mult vreme n poziia n care a fost pus.
Un potenial mare negativ poate muta molecula napoi la starea neconductoare.

a) Comutatorul molecular cruia i s-a aplicat un potenial ridicat;

b) Comutatorul molecular plasat ntre dou nanosrme.
n fig. 1.3.(b) este prezentat micrografia unui comutator molecular cuplat cu dou
nano srme. Acest comutator poate fi poziionat cu precizie ridicat prin urmtoarele
procedee chimice simple, astfel:
1. Cele dou srme se fabric separat;
2. Se nmoaie una dintre srme ntr-o soluie care conine molecule-comutator;
3. Cele dou srme se suprapun n unghi drept.
Respectnd cele menionate mai sus, comutatorul de la intersecia celor dou srme se
va cupla de ambele, devenind astfel operaional.
Faptul c putem construi srme izolate i legate prin comutatoare nu este suficient
pentru a construi circuite complexe. Trebuie s fim capabili s construim n mod eficient (n
paralel) multe astfel de srme cuplate cu comutatoare.
Din fericire, chimitii au descoperit un fenomen care ne ofer soluia ntr-un mod
aproape miraculos. Acest fenomen se numete auto-asamblare (self-assembly). Una din
formele sale se manifest astfel: se realizeaz o soluie cu un anumit tip de molecule.
n soluie se nmoaie un suport dup care soluia se nclzete, se extrage suportul i n
mod spontan, fr a avea vreun control dinafar, moleculele din soluie se aeaz ntr-o
structur aproape regulat.
n acest mod se pot construi simultan zeci sau sute de srme paralele, aflate la distane
foarte mici una de alta.
 Nanocalculatoarele
n aceast seciune ne-am propus s schim modalitatea de mbinare a nanotehnologiei
i a hardware-ului reconfigurabil n scopul construirii mainilor de calcul.
Avnd n vedere cercetrile n domeniu, n fig.1.6 este prezentat arhitectura unui
sistem de calcul bazat pe nanotehnologii ce const dintr-un nanocircuit ce are la baz o gril
bidimensional de grupuri (clusters), legate prin srme configurabile de lungimi diferite,
fiecare grup constnd dintr-o gril de nanoblocuri.
Structura aceasta este foarte asemntoare cu cea a circuitelor reconfigurabile
disponibile comercial numite FPGA (Field Programmable Gate Array), pentru care exist
deja mult experien n proiectarea sculelor i tehnologiilor de compilare, plasare i rutare.

Reprezentarea structurii unui nanocircuit i a unui nanobloc

Astfel de circuite pot fi fabricate printr-o mixtur de tehnologii: fiecare nanobloc este
fabricat folosind nanotehnologii. Lcaurile pentru grupuri i srmele lungi sunt fabricate prin
tehnologia CMOS, fiecare nanobloc este apoi inserat ntr-un astfel de loca. Au fost puse la
punct metode prin care se pot configura nanoblocurile.
Dup fabricaie, circuitele vor fi cuplate ntr-un calculator care va testa grupurile,
pentru a gsi unul perfect funcional. Urmeaz apoi configurarea acestui grup de ctre
calculator cu ajutorul unui program de autotestare, prin care restul circuitului este testat
pentru a gsi alte defecte.
Nanoblocurile defecte vor fi nregistrate ntr-o list de defecte ataat circuitului. Atunci
cnd circuitul este utilizat, compilatorul care genereaz configuraia va folosi aceast list de
defecte pentru a genera un circuit care folosete numai prile funcionale.
 PROPRIETILE NANOMATERIALELOR

Generaliti privind propritile nanomaterialelor

Mediu condensat este starea lichid i cristalin a substantei. Sistemele moleculare
complicate pot fi transformate n stare condensat ca o trecere din starea gazoasa n stare
condensat.
n stare cristalin se ntilnesc toate corpurile solide. Cu studierea diferitor structuri
cristaline se ocup cristalografia. Fr ideile de baz formate n cristalografie, nu se poate
ntelege ce reprezinta un corp solid. Meritele cristalografiei au fost att de convingatoare, c n
mare msur au influenat dezvoltarea de mai departe a ideilor noastre despre fizica corpului
solid. Aa c simetria translativ a cristalelor a determinat celul elementar a cristalului.
Fiecarui tip de cristal i corespunde o singura celul elementar. Unirea celulelor elementare
formeaz structura cristalin. Fiecare structur cristalin are proprietile sale geometrice.
Pentru descrierea diferitelor direcii n cristal se introduc indici de direcie. Toate acestea
mpreun permit s descriem corect structura cristalin.
Simetria cristalelor
Corpurile cristaline au proprieti de simetrie. Se numesc simetrice acele corpuri, care
snt formate din pari identice. Elementele simetriei sunt suprafaa de simetrie i axa de
simetrie. La axele de simetrie se adaug irul simetrei. Toate cristalele sunt simetrice, i
aceasta nseamn, c n fiecare cristal se pot defini suprafaa de simetrie i axa de simetrie de
diferite ordine.
Dupa simetria formei exterioare cristalele se mpart n 32 de clase, unite n apte
sisteme: cubic, hexagonal, tetragonal, trigonal, rombic. Fiecare sistem se caracterizeaza
printr-un ansamblu determinat de elemente ale simetriei. n cristalele sistemului cubic sunt
prezente trei axe de ordinul patru; n sistemul hexagonal axe de ordinul ase; n cel trigonal
axe de ordinul trei; n sistemul rombic sunt prezente trei axe perpendiculare una pe alta de
ordinul doi; n cristalele sistem monopana se conine numai o singur axa de ordinul doi i n
sfrit n sistemul tripan lipsesc total suprafeele de simetrie i axele de simetrie.
Structurile cristaline tipice
Multe material constructive, ca metalele, au structuri cristaline simple. Dintre cele mai
rspndite este structura hexagonal compact (SHC.) i structura cubic cu fee centrate
(SCFC). Numrul de atomi n celula elementar a SHC este 5, iar n SCFC este 4. Structura
cubic centrat intern (SCCI) se ntlnete mai rar, iar structura cubic simpl (SCS) are un
singur element. Numrul de atomi n celula elementar a acestor structuri este doi sau unu.
n structura cubic simpl atomii sunt distribuii numai n colurile cubului, i se ating
reciproc de-a lungul laturilor cubului.
Structura centrat intern se ntlnete la toate metalele alcaline i alte metale, iar
unele au o structura centrat intern numai ntr-o gam de temperaturi. celula elementar n
SCCI reprezint un cub cu atomii n fiecare col i n centru. Aa cum numrul de atomi n
SCI este de numai doi i aceasta structura nu are ambalare compact. Totalitatea atomilor n
SCI sunt aranjai n lungul diagonalei cubului. Fiecare atom n aceast structur este nconjurat
de 8 atomi.
Structura cubic cu fee centrate este destul de densa. Celula elementar conine
patru atomi, care ocup toate colurile cubului i centru fiecrei fee. Aceast structur are
simetrie, care permite rotirea la 900 a fiecrei laturi a cubului. Fiecare atom din acesta
structura este nconjurat de 12 vecini. Atomii se ating unul cu altul n lungul feei pe
diagonala.
Structura hexagonal compact n cristale se ntlneste destul de des. Aceasta
structura se formeaza prin asezarea suprafetelor compacte n consecutivitate (ir) simpl: doua
suprafee compacte se ating uor una cu alta, aa ca, fiecare atom a unei suprafee cade ntre
trei atomi a suprafeei vecine. Fiecare atom in asa structura este inconjurat de 12 vecini
apropiati.
Piramida tetragonal. Aceast structur are 6 atomi, iar n stratul doi de coordonare
se afl 8 atomi, care sunt ecranai de 6 vecini apropiai. n natur se gsesc structuri i mai
compacte, ca de exemplu diamantul.
Structura diamantului. Reeaua diamantului are structura cubic.
n colurile cubului de baz, avnd structura cu fee centrate, sunt adaugai atomi, care
mpart cubul de baz n 8 pri egale. De aceea o parte din atomi se aseaza n vrfuri i
centrele feelor unui cub, iar alta n vrfuri i centrele feei altui cub. Prima sfera de
3a / 4
coordonate a reelei diamantului conine 4 atomi, distana dintre ei este de . A doua
a/2
sfera de coordonate se afl la distana i conine 4 atomi. A treia sfera de coordonate
10a / 4
conine de asemenea 4 atomi, care sunt asezai la distana , i n sfrit sfera patru de
13a / 4
coordonate se afl la distana de i are 4 atomi. n calculele energetice ale straturilor
cristaline esta necesar s se analizeze cristalul din diferite directii n spatiu. n legatur cu
aceasta n cristalografie se studiaza cteva metode descriere a propritilor substanei.

Nanotehnologia de obinere a metaloceramicii

Materialele metaloceramice se folosesc n diferite domenii: construcii de aeronave,
motoare, n medicin i alte domenii. O mare importan are ceramica pe baza de Ti. Tipic
reprezentativ pentru ceramic, reprezint topirea pe baz de ( Ti -2%), aluminiu titan (Ti -

% Al) i deasemenea topirea tripl de forma (Ti- % C i % Al).
Tehnologia de obinere a astfel de substane metaloceramice la nanonivele este grea i
complicat. Este condiionat de faptul c tehnologia de obinere nu are n baza sa un model
fizico-chimic de formare a materialelor metaloceramice la nanonivele. La fabricarea acestor
materiale nu se obin rezultate bine determinate. Aceast tehnologie este extrem de
costisitoare i ca atare limitez utilizarea acestor materiale pe o scar mai larg.
Pentru obtinerea aliajelor triple de titan e necesar de a aplica metalurgia granular.
Proporia optim a greutii compoziiei este Ti-0,35%, C-6,44% i Al. Temperatura nclzirii
compoziiei amestecului trebuie s fie mai mare dect temperatura de topire a aluminiului,
dar s nu ntreac temperatura de topire a Ti, adica trebuie sa fie o medie ntre aceste dou
temperaturi i anume 1300-1400 K. La presiunea 200 MP are loc un oc triplu de
temperatur, cu ncalzire la 1100 K. S-a dovedit experimental c scderea temperaturii
trebuie s dureze pna la 1 or n aer atmosferic. Cu acest procedeu de nclzire i rcire
straturile superioare vor fi saturate cu atomi de oxigen i azot, i care trebuie s umple
golurile intercluster de domensiuni mici din titan, odat cu formarea catalitic a moleculelor
TiO i TiN. Aceasta va duce la o evident mbuntire a proprietilor mecanice ale acestui
material metaloceramic. Astfel c straturile superioare vor umple toate golurile fisurale i
sferice de mici dimensiuni.

Proprietile mecanice ale nanomaterialelor

Mecanica solidului rigid deformabil, se studiaz n momentul actual la nivel micro,
mezo i macro. Mult timp, deformarea solidului rigid se studia prin metoda determinarii
cantitative a proprietilor de deformare la nivel micro, cu trecerea la nivel macro, prin
introducerea caracteristicilor integrale ale comportrii solidului rigid n condiiile diferitor
influene mecanice, trecnd pragul interfazal spre formarea nanoparticulelor sub forma de
clustere cu compozitia lor interioar i influena intercluster. Acest gol l-a umplut
mezomecanica.
Rezultatele obinute la acest nivel de studiere a proprietilor solidelor rigide, a permis
cunoaterea dinamicii solidului rigid deformabil i n special a proprietilor plastice ale
diferitelor materiale compozite.
ns n mezomecanica nu studiaz mecanica formrii particulelor relativ mari la nivel
micro i interaciunea lor la nivel mezo.
n continuare se studiaz aceast problem din perspectiva modelului parial
cuantomecanic al deformrii solidului rigid, aplicabil la proprietile mecanice ale
materialelor.
Solicitrile mecanice asupra solidului rigid sunt: compresiunea, rsucirea, ncovoierea.
Proprietile electrice, magnetice i altele vor fi studiate aparte.
Construcia de maini din secolul XXI pune mari probleme i noi cerine n faa
diferitelor materialelor. Materialele trebuie s lucreze n condiii deosebite: s reziste la
temperaturi joase i nalte, stri de tensiune prelungite, s aib rigiditate nalt i oboseal
joas. Cu toate acestea, caracteristicile masice trebuie s fie minime. Pentru a asigura astfel
de proprieti, este necesar s se formuleze clar modelul fizic a reacionii solidului rigid la
diferite solicitri mecanice avnd n vedere ultimele descoperiri n acest domeniu.
n momentul actual s-au propus urmtoarele modele de teorii asupra solidului rigid: 1.
Teoria inelar a lui Frenkel; 2. Modelul volumului liber; 3. Teoria sibotaxis; 4. Modelul
cvasichimic; 5. Modelul clusterial.
n toate aceste modele, s-a revzut interaciunea binar cu aplicarea potenialului
Lenard-Jones i modelului cuantomecanic monoparticular. La prima vedere se prea c
folosirea pseudopotentialului evident n modelul monoparticular n locul potenialului
Lenard-Jones este de perspectiv. ns, toate modelele studiate sunt semiempirice. Fiecare
model explic mulumitor doar unele proprieti ale solidului rigid, iar calculele teoretice
pentru un model sau altul au condus la diferene fa datele experimentale cu cel puin un
ordin de mrime. Materialul experimental foarte bogat obinut n domeniul mecanicii
corpului rigid, a permis aprofundarea mecanicii diferitelor materiale constructiv pentru
diferite solicitri mecanice.
De exemplu: obinerea diagramei tensiune-deformaie (-) la ntindere a permis
determinarea precis n domeniul deformaiilor rigide i plastice, de a determina pentru tip de
materiale limita rigiditii i limita de curgere.
Limitele deformaiilor elastice depind de temperatur. Cu creterea temperaturii
deformaiei elastice scade spre zero.
n conditii dinamice ale ncrcrii apare deformarea neuniform. Deformarea intirzie,
adic creterea deformaiei ncepe nu imediat ci peste un timp oarecare dupa nceputul
ncrcrii.
 Pentru un rind de materiale compozite, astfel de aliaj este Cu- 12%Al-4,5%Mn si
nichelat de Ti, are loc efectul retinerii formei. Astfel de materiale la comprimare-intindere n
conditii izotermice de ncrcare au proprietatea de histerezis.
Deformarea plastic a corpului solid policristalin este nsoit de o reformare structural
cnd se petrece transformarea din policristalin n monocristalin. Aceast proprietate a
corpului solid a fost observat n etapa de nceput a folosirii razelor Roentgen pentru analiza
corpului solid.
n articolul su Panin V.E evideniaz foarte clar mezomecanica, ca baz pentru
studierea proprietilor mecanice ale corpului solid. Prima curb "ncrcare-deformare" poate
fi definit prin trei etape ale curbei deformrii i anume:
I. cmpul liniar, descris de legea lui Hook;
II. dependena neliniara reversibila, care de asemenea poate fi descris de Legea lui
Hook, nsa folosind modelul lui Young;
III. cmpul de trecere de la dependenta reversibila la ireversibila.
Primele dou nivele ale dezvoltrii deformrii pot fi nelese destul de convingtor. Al
treilea nivel este determinat ca un mezonivel. La mezonivelul-1 se formeaz structuri
disipative n structura iniial a modelului i la mezonivelul 2 apar distribuiri stochastatice
mezopolos i are loc fragmentarea modelului. Trebuie s presupunem ca mezonivelul-1
incepe s se formeze pe o poriune nelinear reversibil dependenei tensiune-deformare, i
mezonivelul 2 n zona de curgere a modelului. La macronivel apare formarea "gtului"
modelului cu pierderea global a rezistenei lui ca un ntreg. Toate acestea apar ca macrolinii
localizate. La dilatarea modelului apare formarea "gtului" exact la mijloc. Caracterul
reaciunii se transmite cu o anumit vitez prin corpul solid de la fiecare zon a solicitrii
modelului i aceste reaciuni se ntlnesc cu exactitate la mijlocul modelului, se amplific
unul pe altul i ca rezultat n aceste locuri apare o distrugere puternic.
Ce genuri de interaciuni determin viteza distribuirii reactiunii n corpul solid poate fi
nteles doar la micronivele. Toate materialele constructive conin un numr mare de defecte
de diferite proveniene i diferite mrimi. Distributia acestor defecte pe volumul corpului este
ceva aleator. Aleatoare pot fi i aciunile exterioare. Acest fapt a condus la descrierea
problemei distrugerii folosind metoda statistic. Datele experimentale la diferite ncercri de
modele din acelai material confirm natura statistica a distrugerii.
Scurta analiza efectuat a proprietilor mecanice iniiale ale corpurilor solide ne permit
s punem problema foarte precis: trebuie s obinem explicarea fizico-matematic a tuturor
proprietilor la micronivel. O astfel de explicare este necesar pentru modelarea la calculator
a proprietilor fizico-mecanice prin metoda analizei rezultate la micro-, mezo- si
macronivele. Modelul monomolecular cuantomecanic nu a permis efectuarea acestei analize
pe deplin. De aceea astfel de probleme se pot rezolva la un nivel nou prin aplicarea modelului
bimolecular cuantomecanic.
 SISTEME DE PROCESARE LA NIVEL NANOMETRIC

Unitate de procesare, tensiuni de rupere i densitate de energie de

procesare
n ultima vreme a devenit tot mai necesar fabricarea de produse inteligente precise cu
o acuratee extrem de nalt i realizare fin de ordinul nanometrilor. n mod clar, pentru a
produce astfel de produse de nalt precizie trebuie utilizate sisteme de prelucrare/procesare
n domeniul subnanometric sau de tip atom cu atom. Unitatea de prelucrare/procesare
corespunde dimensiunii unei poriuni din cip n procesele de mascare, unui pas din
procesele de deformare i unui cluster molecular n procesele de consolidare.

Tensiunea de rupere n domeniul reelei atomice

Atunci cnd sunt utilizate uniti de prelucrare de dimensiuni atomice, apare o
s
problem serioas: rezistena al forfecare sau tensiunea de rupere (N mm-2) sau energia
specific la forfecare (J cm-3) devine extrem de mare.
Un exemplu de dependen a tensiunii de forfecare de grosimea probei pentru oel
carbon este prezentat n figura 6.1.

Relaia dintre grosimea probei i rezistena la forfecare pentru oel-carbon

SAE 1112

Curba arat c, cu ct grosimea probei devine mai mic, rezistena la forfecare la

frontul de atac al sculei de achiere sau al granulei abrazive devine extrem de mare,
apropiindu-se de tensiunea de forfecare teoretic th din materialele fr defecte sau de tria
legturii din oel-carbon:
th=G/2=1,3104 Nmm-2 (3.1)
unde G = 8,2 104 N mm-2 este modulul de rigiditate al oel-carbonului.
Motivul pentru care rezistena la forfecare devine aa de mare la frontul de achiere
pentru nivelul atomic, este acela c exist numai defecte punctuale care pot iniia ruperea
structurii la nivelul legturilor atomice. Totui, dup cum se prezint schematic n figura 6.2,
n metalele ductile, ruperea prin alunecare pentru uniti de prelucrare/procesare ntre 0,1 i
10 m provine din dislocaiile relativ uor de deplasat din granula cristalin metalic, n care
intervalul mediu de reapariie a unei dislocaii mobile este de circa 1 m, iar n granula
cristalin a unei ceramici fragile, ruperea apare datorit microfisurilor care sunt, de asemenea,
distribuite pe un interval mediu de circa 1 m.

Distribuia defectelor n materiale: rupere datorat dislocaiilor mobile n materialele

ductile, respectiv microfisurilor n materialele fragile

Pentru uniti de procesare mai mari de 10 m, ruperea metalelor ductile datorat

deplasrii prin forfecare ncepe ntr-un punct slab la limita de granul sau ntr-o cavitate, iar
n ceramicile fragile ruperea apare n principal din fisurile din jurul interfeelor granulare. Din
acest motiv, prelucrarea cu maini-unelte obinuite ce utilizeaz muchii ascuite sau abrazivi
fixai pe sculele de lefuire (rectificare) nu poate produce achii de dimensiuni atomice,
ntruct muchiile de tiere se uzeaz rapid datorit naltei rezistene la forfecare. ns, sculele
i abrazivii pe baz de diamant pot fi utilizate pentru achiere i rectificare fin datorit
rezistenei lor mari la uzur. Mai mult, lepuirea i lustruirea, care folosesc abrazivi liberi, pot
fi utilizate pentru procesarea atom cu atom a materialelor.
 PRELUCRARE NANOTEHNOLOGIC

Generaliti
Nanoprelucrarea este realizat prin nanoachiere, nanolefuire i honuire, nanolepuire
i lustruire, etc.
Unitatea de procesare n aceste metode este de civa zeci de nanometri, astfel c o
comportare la indentare i zgriere n domeniul clusterilor atomici const, n principal, n
alunecare prin forfecare datorit ruperii elastice, care are la baz defectele punctuale din
domeniul fr dislocaii i fr microfisuri.
Nanoachierea este principala metod de prelucrare bazat pe forfecare utiliznd cuite
diamantate cu un singur vrf pentru materialele moi i ductile, n timp ce nanolefuirea i
honuirea sunt utilizate la prelucrarea ductil fr fisurare a materialelor dure i fragile, prin
folosirea discurilor i granulelor de diamant. Nanolepuirea i lustruirea sunt utilizate pentru
prelucrarea materialelor dure i fragile cu pulberi abrazive.
Nanoachierea implic o mrime de prelucrare de civa zeci de nanometri, dar
tensiunea de tiere care acioneaz la extremitatea sculei este foarte mare, comparabil cu
forele de legtur atomice. Drept rezultat, singurele scule disponibile se limiteaz la diamant,
iar prelucrarea este limitat la materialele moi i ductile. Nanoachierea produce o suprafa
foarte fin de tip oglind, iar stratul degenerat rezultat este extrem de subire. De curnd, s-au
ncercat simulri computerizate ale achierii la scar atomic.
Nanolefuirea i honuirea creeaz o alunecare prin forfecare cu o adncitur de tiere de
civa zeci de nanometri i sunt cele mai des folosite la obinerea suprafeelor lipsite de fisuri
pe materiale dure i fragile, cum ar fi sticla i ceramicile. Nu este nevoie de spus c tensiunea
de lucru care acioneaz la muchia tietoare a abrazivilor este extrem de ridicat. n
consecin, pot fi utilizai numai abrazivi de diamant cu granule foarte fine prelucrare cu
abrazivi staionari n domeniul de procesare la nivel de clusteri atomici.
Spre deosebire de prelucrarea cu abrazivi staonari, lepuirea fin i lustruirea tip oglind
n domeniul clusterilor de atomi fac apel la abrazivi regenerabili (mobili) foarte fini, dar
mecanismele celor dou metode sunt destul de diferite, dup cum se indic n figura 4.1.
Lustruirea tip oglind se realizeaz prin polizare cu abrazivi fini teii, dar rezisteni termic,
cum ar fi: Fe2 O3, Cr2O3, CeO2 sau MgO. n aceast metod, abrazivii nglobai n suprafaa
plcii de lustruire au o deplasare n raport de suprafaa piesei de prelucrat, netezind suprafaa
acesteia, prin forfecarea general, de defectele punctuale. Lepuirea fin, pe de alt parte,
utilizeaz plci semidure pentru a realiza ndeprtarea materialului cu alungiri fine i dure,
dei mai de grab fragile cu muchii ascuite, cum ar fi diamantul, BN-cubic, SiC, SiO 2 sau
B4C.
 Lepuirea fin i lustruirea tip oglind pentru materialele dure i fragile cum ar fi
sticla, ceramicile, aliajele superdure etc: (a) lustruirea tip oglind a sticlei (abrazivi: SnO2
Fe2O3, MgO, Ce2O3, rezisteni termic); (b) lepuirea fin a sticlei (abrazivi:diamant, SiC,
B4C, c-BN) dur i ascuit; (c) fisurarea la ntindere pentru achierea fragil; (d)
alunecarea prin forfecare pentru achierea ductil; (e) prelucrarea fin ultrasonic; (f)
sablare normal.

Fisurarea datorit ruperilor foarte fine de la suprafa este iniial de defectele punctuale
la extremitatea cavitilor n form de pan imprimat de muchiile ascuite ale abrazivilor
duri care se rostogolesc ntre placa de leptuire i suprafaa piesei de prelucrat, dup cum se
prezint n figurile 4.1 (b), (c) i (d).
t
Tensiunea de rupere la extremitatea ascuit a amprentei este mrit de efectul de
pan i de factorul de concentrare a tensiunii pentru a depai limita de rupere elastic la
tf th
ntindere . Cnd limita de rupere elastic la ntindere este mai mic de dou ori dect
sf
limita de rupere elastic de forfecare , materialul este considerat fragil. Cu alte cuvinte,
tf / 2 sf
avem n materiale de sablare cu abrazivi duri foarte fini i reprezint n
principiu acelai tip de proces ca lepuirea avansat, dup cum se prezint n figura 4.1 (e) i
(f).
 Procesarea subgranul
Procesarea subgranul a metalelor ductile
Ruperea prin forfecare sau deformarea plastic a metalelor ductile pornete de la
dislocaiile n domeniul 1-10 m, ceea ce corespunde unei dimensiuni subgranulare.
a) Dislocaiile i vectorul Burgers
Materialele ductile, cum ar fi metalele Al i Fe, sunt alctuite din granule
monocristaline cu dimensiuni de la civa micrometri la civa zeci de micrometri. n
granulele cristaline, ntotdeauna exist defecte liniare, cum ar fi dislocaiile marginale i
elicoidale. Astfel de dislocaii n monocristale reprezint o dezordonare a aranjamentului
atomic, aa cum se poate observa din figurile 4.2 i 4.3.

Fig. 4.2 Defectele liniare (dislocaii)

Fig. 4.3 Dislocaii elicoidale (W. T Read Jr. 1953, Dislocations in Crystals, Me Graw
Hill, New York ) : (a) alunecare ce produce o dislocaie elicodial ntr-o reea cubic
simpl. Dislocaia se afl pe direcia AD paralel cu direcia de alunecare. Alunecarea a
aprut n zona ABCD; (b) aranjamentul atomic n jurul dislocaiei elicoidale. Planul
figurii este paralel cu linia de alunecare. ABCD reprezint aria alunecat, iar AD este
dislocaia elicodial. Cercurile goale reprezint atomii din planul aflat exact deasupra
planului de alunecare, iar cercurile pline sunt atomii din planul aflat exact sub planul de
alunecare.
 O dislocaie marginal este un defect
liniar orientat al reelei atomice, marcat cu

semnul n seciunea transversal n timp
ce o dislocaie elicoidal este un defect
spiral orientat al reelei cristaline dup cum
arat semnul care indic direcia spiralei.
Vectorul Burgers, care definete dezordinea
indic direcia i mrimea dislocaiei.
Direcia vectorului Burgers pentru
dislocaiile marginale este normal pe linia
de dislocaie, n timp ce pentru dislocaiile
elicodale este paralel cu linia de dislocaie.
Densitatea dislocaiilor poate fi
definit de lungimea liniilor de dislocaie
din unitatea de volum (cm-3), prin numrul
de seciuni ale liniilor de dislocaii pe
unitatea de suprafa (cm-2), sau prin
intervalul mediu dintre liniile de dislocaii secionate (cm). Intervalul dintre dislocaiile
marginale este de ~ 1 cm ntr-un monocristal de siliciu (cristal fr defecte).
b) Fora Peierls-Nabarro sau tensiunea Peirls pentru alunecarea tangenial
bazat pe defectele de dislocaie n metalele ductile
Cnd se aplic o sarcin unei piese de lucru ce cauzeaz o alunecare tangenial, atomii
reelei din jurul liniei de dislocaie se deplaseaz de-a lungul vectorului Burgers. Cu alte
cuvinte, linia de dislocaie determin atomii s se deplaseze cu o unitate de distan reticular
din reeaua atomic. Tensiunea de forfecare necesar pentru a deplasa o dislocaie printr-o

reea cristalin ntr-o anumit direcie este dat de tensiunea Peierls c (Nm-2), care se
bazeaz pe o lege for atomic-distan de tip sinusoidal:
c 2G / 1 2 exp 2 / b
(4.1)
unde :
G - modulul de elasticitate de forfecare (Nm-2);

- coeficientul lui Poisson;
b - mrimea vectorului Burgers corespunztor distanei atomilor dintr-o direcie de
alunecare particular (m);

- limea regiunii de dislocaie efectiv (m).
/ b 1 / 1
Pentru reeaua cubic central intern a metalelor ductile (figura 7.4)
/ b 1 / 1
pentru un plan de alunecare, iar pentru ceramicile fragile , astfel c
este destul de mic din cauza creterii tip treapt a potenialului de legtur atomic lng
nodurile reelei. Este uor de intuit c exist un cmp potenial nalt n jurul liniilor de
dislocaie datorit dezordinii reelei fcnd astfel uoar apariia alunecrii prin forfecare.
/ b 1 / 1
n fier (metal ductil), de exemplu, cu =0,28 i ,
 c 2G / 1 2 exp 2 / 1 G / 2,9910 3 36
MPa (4.2)
pentru G=80 GPa.
Valoarea calculat este apropiat de valoarea real a rezistenei la forfecare, care este

considerabil mai scazut (cu un factor de 1/500 la 1/300) dect rezistena teoretic =G/2 .
c

Fig. 4.4 Potenialul de legtur atomic U0, vectorul Burgers b i limea regiunii de
dislocaie efectiv n materiale fragile i ductile.

Figura 4.5 arat un model de propagare a liniei de dislocaie datorit unei surse Frank-
Read. n acest model, tensiunea de ncrcare extern produce deformarea dislocaiei care se
propag.
c) Tensiunea Peierls n materiale fragile
Chiar dac numrul de dislocaii este extrem de mic n domeniul subgranul al

materialelor fragile, microfisurile sunt distribuite dens. Mai mult, tensiunea Peierls c
datorat dislocaiilor este destul de mare pentru c n ecuaia lui Peierls, G este extrem de

mare cnd /b este foarte mic (comparativ cu materialele ductile). De exemplu, c pentru

diamant este > 10 GPa (G=900 GPa), iar c pentru cristalul de siliciu este 5-6 GPa (G=125
GPa). De aceea, ruperea fragil datorit microfisurilor este posibil s apar la tensiuni sczute
n ceramici, dup cum s-a menionat anterior.

Fig 4.5 Modul de propagare a dislocaiei datorit sursei Frank-Read

 Motivul pentru care materiale ca diamantul i siliciul au tensiuni Peierls extrem de
mari este acela c:
- structura lor atomic const din puternice legturi covalente;
- structura lor de tip diamant cu reele cubice centrateintern i cu fee centrate conin
plane greu glisante n cristal.
Din acest motiv este foarte dificil de a depi bariera abrupt de potenial de legtur
atomic i de a deplasa un atom ctre urmtoarea poziie din reea.
n materiale ceramice, cum ar fi Si O2, se gsesc structuri de tip diamant similare,
constnd din diferii atomi cu puternice fore de legtur. Astfel, tensiunile Peierls ale Al 2O3
sau ale ceramicilor similare sunt 4-6 GPa.
La temperaturi ridicate, alunecarea tangenial a atomilor n materialele ceramice
apare mai rapid dect la temperatura camerei, deoarece atomii posed o nalt energie de
vibraie termic care corespunde unei creteri a energiei poteniale libere. n acest fel devine
mai uoar depirea barierei de potenial a legturilor atomice. n diamant, de exemplu,
alunecarea de forfecare apare la o tensiune de 50 MPa la 1800C. n cristalul de Si aceasta se
ntmpl la 600C, iar n cristalul de Ge la 800C. Acest efect al temperaturii apare n
lustruirea la nivel atomic i clusterii atomici ai diamantului cnd piesa de diamant deseori se
nclzete pn la rou.