Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Argument ........................................................................................................ 2
1. Traductoare - generalitati ............................................................................ 3
1.1. Structura general a traductoarelor....................................................... 3
1.2. Caracteristici i performane generale ale traductoarelor..................... 4
1.3. Clasificarea traductoarelor.................................................................... 5
1.4. Categorii de traductoare ....................................................................... 6
2. Traductoare acustice ................................................................................. 11
Bibliografie ................................................................................................... 18
1
Argument
2
1. Traductoare - generalitati
Aparat de msurare
SA
k=constant
20 lg k
lg
4
Influene externe
liniare neliniare
5
Ieire
6
Capsul
manometric
Dispozitiv de
Incint de F
acionare
presiune p
Membran
7
FD
Piese polare
L
Disc cu
fante b)
a)
Gaz Plci
Eclator ionizat detector
v
Gaz
K
u
c)
Fig. 1.14. Exemplu de traductoare cu impulsuri
O alt categorie de traductoare numerice o reprezint traductoarele
rezonatoare, cum ar fi de exemplu: traductoarele cu coard vibrant, traductoarele
cu diapazon, traductoarele piezoelectrice, etc. Principiul de funcionare a acestor
traductoare este urmtorul: dispozitivul rezonator este adus la rezonan, fie n
regim continuu, fie n regim amortizat, msurandul producnd modificarea
frecvenei de rezonan (de exemplu, tensiunea mecanic pentru coarda vibrant,
temperatura pentru diapazon, temperatura sau masa depus pentru un traductor
piezoelectric).
Traductoare integrate
Fabricarea i utilizarea traductoarelor integrate cunoate o dezvoltare din ce
n ce mai mare n ultima perioad, marcat i prin multiplele cercetri ce se fac n
acest domeniu, att n ceea ce privete diversificarea gamei, ct i prin creterea
performanelor acestora.
Fr ndoial, traductoarele integrate ofer o serie de avantaje n comparaie
cu cele clasice, dintre care pot fi citate:
- producia traductoarelor integrate are la baza o tehnologie extrem de dezvoltat
care, n cazul produciei de serie, permite scderea preului de cost/bucat;
- tehnologiile din microelectronic permit realizarea unor traductoare integrate cu
complexitate foarte mare, care conin, pe lng traductorul propriu-zis, i
circuite de condiionare, conversie numeric, uneori chiar i microprocesoare.
8
Deoarece conexiunile dintre traductor i circuite, i, respectiv, ntre circuite este
redus, ele prezint o imunitate mare la perturbaii;
- prin includerea unor traductoare suplimentare pot fi efectuate o serie de
compensri (de exemplu cu variaia de temperatur a mediului ambiant);
- structura complex a traductoarelor integrate permite obinerea unor sensibiliti
ridicate i a unor caracteristici de transfer cu erori de neliniaritate reduse;
- fiabilitatea acestor traductoare este superioar ansamblelor formate din traductor
i circuite de msurare discrete. De exemplu, circuitele LSI (englez Large
Scale Integration) au media timpilor de bun funcionare (MTBF) de ordinul
1011h, de 106 ori mai mare dect n cazul circuitelor cu tuburi electronice i de
103 ori mai mare dect n cazul circuitelor cu tranzistoare;
- consumul de putere poate fi foarte redus (consum spartan); de exemplu, ceasurile
electronice, pot fi alimentate de la o minisursa de energie ani de zile.
Tabloul de mai sus trebuie ns completat cu dezavantajele i limitrile pe
care le prezint momentan traductoarele integrate:
- folosirea siliciului limiteaz domeniile de utilizare a traductoarelor:
a) domeniul de temperatur este cuprins ntre (-100 +200) C;
b) siliciul nu are o serie de proprieti (de exemplu: piezoelectricitate) sau
proprietile sunt restrnse ntr-o anumit gam (de exemplu: efectul
fotoelectric n zona infrarou);
- aciunea unor ageni exteriori (atmosfer, umiditate, soluii) poate distruge
conexiunile sau s atace cipul, dac acestea nu pot fi protejate;
- din cauza densitii mari sunt posibile cuplaje parazite care s conduc la apariia
unor reacii nedorite n traductor.
Cu toate dezavantajele amintite, pentru unele dintre ele gsindu-se soluii de
rezolvare, traductoarele integrate au inceput s aib o larg rspndire n
construcia de automobile, bunuri de larg consum, tehnologie biomedical, etc.
Ultimele cercetri n acest domeniu vizeaz utilizarea i a altor materiale
dect siliciul, folosirea unor tehnologii compatibile care presupun utilizarea altor
materiale i procese care s permit extinderea domeniilor de utilizare a
traductoarelor, precum i dezvoltarea tehnicilor de microprelucrare.
n cadrul circuitelor integrate pe baz de siliciu pot fi realizate o serie de
componente active sau pasive ca rezistoare, diode, tranzistoare, etc., ai cror
parametrii pot fi modificai prin intermediul unor msuranzi.
Astfel, energia radiant modific numrul purttorilor de sarcin n cadrul
dispozitivelor semiconductoare, modificnd prin aceasta i proprietile lor. Pe
aceast baz se pot realiza traductoare generatoare, ca fotodiodele, sau parametrice
ca: fotorezistoare, fotodiode sau fototranzistoare. Dintre dispozitivele fotosensibile
9
integrate pot fi citate: reele de fotodiode, realizate n form matricial i
dispozitivele cu transfer de sarcin (englez Charge-coupled devices CCD).
Deoarece sensibilitatea spectral pentru siliciu este maxim n domeniul 0,8
0,9 m, modificarea domeniului de msurare se poate face n tehnologii
compatibile; astfel, cipul se acoper cu un strat de SiO 2 peste care se depune prin
evaporare CaS (sensibilitate maxim la 0,7m) sau InSb (sensibilitate maxim la
7m).
Proprietile piezorezistive ale siliciului sunt folosite pentru realizarea unor
dispozitive sensibile la deformaii; astfel pot fi realizate piezorezistoare,
piezodiode sau piezotranzistoare; trebuie reinut c aceste traductoare sunt
sensibile i la efectul temperaturii, motiv pentru care necesit circuite de msurare
compensate termic.
Siliciul nu are proprieti piezoelectrice; realizarea unor traductoare integrate
piezoelectrice este ns posibil folosind o tehnologie compatibil. Astfel, prin
depunerea pe cipul de siliciu a unor straturi piezoelectrice, ca ZnO sau CdS, pot fi
realizate dispozitive cu unde acustice de suprafata SAW (englez Surface
Acoustic Wave) sau tranzistoare cu efect de cmp sensibile la tensiuni mecanice
(POSFET).
Pentru multe aplicaii, dependena caracteristicilor dispozitivelor
semiconductoare de temperatur ridic o serie de probleme de proiectare; aceast
dependen este util n realizarea unor traductoare de temperatur. n tehnologia
siliciului pot fi realizate termorezistoare, termodiode, termotranzistoare i chiar
termocupluri. De multe ori aceste traductoare permit msurarea indirect a altor
mrimi, ca de exemplu debitul.
Realizarea unor inductane n cadrul tehnologiei siliciului este destul de
dificil; n principiu, ntr-un substrat de tip n se poate realiza o nfurare de
siliciu de tip p, ns cu un numr relativ mic de spire. Din aceast cauz,
traductoare inductive n tehnologia siliciului se realizeaz destul de rar. Mult mai
rspndite sunt traductoarele sensibile la aciunea cmpului magnetic, ca:
magnetorezistoarele, traductoarele cu efect Hall, magnetodiodele i
magnetotranzistoarele. De multe ori acestea se realizeaz i n tehnologie
compatibil, prin combinaii cu filtre subiri din Ni-Co sau Ni-Fe.
O dezvoltare important au cunoscut-o traductoarele folosite la analizele
fizico-chimice, realizate n tehnologia siliciului; astfel pot fi realizate o serie de
traductoare cu efect de cmp sensibile la prezena unor substane.
10
2. Traductoare acustice
11
Fig.1. Microfon de presiune
12
Fig.3. Microfon de presiune cu gradient de presiune
16
0
1
T T
I lim p t u t dt ,
T
17
Bibliografie
18