PILA FOTOVOLTAICA SAU BATERIA SOLARA

INTRODUCERE

Pila fotovoltaica reprezinta una din aplicatiile efectului fotoelectric.

Efectul fotoelectric reprezinta fenomenul de emisie de electroni de catre o substanta
sub actiunea radiatiilor electromagnetice.
Fenomenul a fost descoperit de catre Hertz in 1887 iar teoria efectului fotoelectric a
fost elaborata de catre A. Einstein in 1905, care il explica plecind de la ipoteza existentei
fotonilor.
Einstein arata ca efectul fotoelectric poate fi explicat daca se admite ca radiatia are
caracter corpuscular adica este formata din fotoni. Fiecare foton incident este adsorbit de un
electron din interiorul materialului (metal, semiconductor) caruia ii cedeaza intreaga sa
energie (h). In felul acesta, electronul adsorbind fotonul de energie h, isi mareste energia si
capata o mobilitate mult mai mare (adica are o energie cinetica mai mare).

Fotoconductivitate

In cele mai multe materiale singurul efect observat la absorbtia radiatiei

electromagnetice este cresterea temperaturii (incalzirea). Totusi in multi semiconductori,
coloranti (clorofila) precum si in materiale cristaline inalt purificate, au loc procese tranzitorii
care au o mare importanta teoretica si practica. Pentru un chemist, aceste procese reprezinta
reactii fotochimice sau ruperea si formarea legaturilor chimice. Pentru fizicieni aceste procese
reprezinta excitatii la stari energetice mai inalte. Cand aceste stari permit cresterea vitezei de
migrare a sarcinilor electrice materialul devine fotoconductor. In fotoconductorii
conventionali purtatorii de sarcina sunt electronii (n) si golurile (p) care sunt stari cuantice
goale in structura legaturilor din corp. Cativa fotoconductori reprezentativi sunt prezentati in
tabelul 1.

Tabelul 1. Fotoconductori
Material Forma obtinuta de utilizare Lungimea de unda cu cel mai
puternic raspuns la 300K
Selenura de cadmiu dopata cu Film sau monocristal 2,6-1m
cupru SeCd
Sulfura de cadmiu SCd Film sau monocristal 2000-6500
Oxid de cupru, Cu2O Film 0,5-1,3m
Diamant Monocristal 2200-2400
Arsenina de galiu, GaAs Film si monocristal 0,8-1.1m
Germaniu pur, Ge Monocristal 0,4-1.8m
Sulfura de plumb Film si monocristal 1-3m
Siliciu pur, Si Monocristal 0,4-1,3m
Oxid de zinc, ZnO Strate si monocristal 3000-3900
Antimonura de indiu, InSb Film si monocristal 1-6m
 Efectul fotovoltaic in jonctiuni de semiconductor
Conversia energiei din orice forma (in cazul de fata lumina) in energie electrica
necesita separarea sarcinilor. Conversia energieie in jonctiuni de semiconductor se produce
atunci cind perechea electron-gol creata de fotoni este separata de campul electric format de
schimbarea tipului de conductivitate in jonctiunea de tip p-n.
Structura unei diode fotovoltaice, celula fotovoltaica, este prezentata in figura 1. Ea
consta dintr-un cristal semiconductor a carui jonctiune plana p-n este situata in interiorul unei
regiuni foarte inguste de latime 2d care se numeste regiunea activa a diodei fotovoltaice.

Figura 1. Structura celulei fotovoltaice

Regiunea activa I a jonctiunii este marginita deasupra de o regiune II dopata cu

impuritati donoare de tip n si dedesubt de o regiune III dopata cu impuritati acceptoare de tip
p. Latimea acestor regiuni este mult mai mare comparativ cu latimea 2d a regiunii active.

Natura si caracteristicile jonctiunii semiconductoare p-n.

Intr-o jonctiune de tip p-n, nepolarizata din exterior, purtatorii de sarcina se

autodistribuie in asa fel incat nivelele Fermi ale celor doua regiuni (n si p) sa coincida in
vecinatatea jonctiunii (figura 2a

(a) (b)
Figura 2. Formarea unei jonctiuni p-n prin contactul a doua materiale semiconductoare, de tip
n si p (a).
Electronii atomilor donori din regiunea tip n a jonctiunii vor trece pe nivelele acceptoare de
tip p a jonctiunii, formand un strat cu caracteristici de dipol electric care consta din donori
ionizati pozitiv in regiunea p a jonctiunii, asa cum se vede in figura 2b.
Dipolul astfel format genereaza un camp electric de contact care va deplasa electronii
din banda de conductie in regiunea n a jonctiunii si golurile din banda de valenta in regiunea
p a jonctiunii. Jonctiunea propriu-zisa este definit printr-un plan, in care nivelul Fermi se
gaseste in mijlocul benzii interzise. De o parte si de alta a jonctiunii se formeaza o regiune cu
caracter de dipol, numita strat de epuizare (saracire); acesta da de fapt grosimea jonctiunii p-
n. Stratul de epuizare este pentru fiecare dintre regiunile semiconductoare p si n un strat de
suprafata in care concentratia de purtatori liberi devine neglijabila fata de concentratia
atomilor de impuritate ionizati. Distributia potentialului si grosimea stratului de epuizare
depinde in principal de doi factori: de densitatea starilor de suprafata in cele doua regiuni ale
jonctiunii p-n si de doparea cu impuritati a semiconductorului de baza. Cu cat
semiconductorul este mai puternic dopat cu impuritati, cu atat grosimea stratului de epuizare
este mai mica, pentru ca sarcina de suprafata este egalata de sarcina atomilor de impuritate
dintr-un volum mai mic.
Caracteristic, deci, pentru stratul de epuizare este faptul ca el constituie un domeniu cu
sarcina spatiala, spre deosebire de volumul semiconductorului care ramane neutru din punct
de vedere electric.
Efectul fotovoltaic in jonctiunea p-n

La iluminarea unei jonctiuni p-n nepolarizate apar perechi electron-gol care difuzeaza
in regiunea campului de contact al jonctiunii p-n, unde electronii si golurile sunt dirijati in
directii opuse. Ca urmare, semiconductorul se incarca cu sarcini opuse si apare o tensiune
electromotoare. Acesta este efectul fotovoltaic.
Consideram o jonctiune p-n in figura 3a , iradiata cu fotoni care au o energie mai mare
decait banda interzisa. Absortia fotonilor produce perechi de electron-gol. Campul electric
intern va deplasa cele doua tipuri de purtatori in directii opuse, electronii in regiunea n si
golurile in regiunea p a jonctiunii.
Separarea sarcinilor produce o diferenta de potential in jonctiune (figura 3 b). Notam
ca in acest proces purtatorii sunt purtatori majoritari, dotati cu un timp de viata teoretic infinit.
Dar, dupa fotogenerare, purtatorii de sarcina care depasesc bariera de potential ( b-eU) vor fi
injectati in cele doua regiuni opuse unde devin purtatori minoritari si se recombina.

Figura 3. Aparitia unei fototensiuni, U, intr-o jonctiune p-n.

La bornele jonctiunii se poate masura o tensiune U sau, conectand o rezistenta in circuit, un
curent de valoare mica. Caracteristica curent-tensiune a jonctiunii p-n este data de relatia:

eU
I I 0 exp 1 (1)
kT

unde I0 este curentul de saturatie al purtatorilor liberi, datorat agitatiei termice in

semiconductori.
Daca jonctiunea este scurtcircuitata, curentul de scurtcircuit este

I sc eA Ln L p G (2)

unde A este suprafata jonctiunii p-n, L reprezinta numarul intreg de perioade ale retelei
cristaline L=Na, iar G este viteaza de fotogenerare a purtatorilor. I sc este un current al
purtatorilor minoritari. Daca se utilizeaza in circuitul extern o rezistenta de sarcina, curentul
prin rezistenta are valoarea:
eU
I I sc I 0 exp 1 (3)
kT

De aici se poate deduce fototensiunea in circuit deschis (I=0).

kT I sc
U0 ln 1 (4)
e I0

Dependenta current-tensiune din relatia (3) poate fi ilustrata de diagrama 4 a.

Cand intensitatea radiatiei luminoase incidente creste, atat curentul de scurtcircuit cat si
tensiunea in gol U0 cresc. Curentul Isc creste liniar cu intensitatea radiatiei, conform relatiei
(2), pe cind tensiunea in gol U 0 creste logarithmic, ca in ecuatia (4). Aceasta comportare este
ilustrata in figura 4 b.

Figura 4. (a), Caracteristica curent-fototensiune intr-o fotodioda din GaAs.

 Figura 4 (b), Fotocurentul si fototensiunea in functie de intensitatea radiatiei incidente.

Circuitul echivalent simplificat al unei diode fotovoltaice este prezentat in figura 5, in

care curentul general este Is; curentul de jonctiune este Ij, iar curentul de sarcina este IL.
Rezistentele in serie sunt reprezentate de RC.

Figura 5. Circuit echivalent al unei diode fotovoltaice.

Ecuatiile care guverneaza relatiile I-U ale celulei sunt:
Is=Ij+IL (5)
Ij=I0exp[Uj-1] (6)
I0=Aexp[-Ij] (7)
Uj=UL+ILRC (8)
In care I0 este curentul de saturare a jonctiunii in intuneric; A este o constanta materiala care
depinde de viata purtatorilor de viata minoritari, de constanta de difuzie, de densitatea de stare
si dopaj; =q/kT in care q este marimea sarcinii electronice, k si T avand semnificatiile
cunoscute.
Relatiile pentru curentul si tensiunea in circuit deschis impreuna cu determinarea
dependentei U-I, puterii W si a eficientei au la baza ecuatiile 5-8.
Eficienta de colectare se defineste ca numarul de electroni care trece prin sarcina pe
foton adsorbit. Valoarea sa nu depaseste unitatea si depinde de adancimea jonctiunii, de
difuzia si lungimea de difuzie a purtatorilor minoritari, de constanta de adsorbtie a luminii etc.
 Celulele fotovoltaice pot fi confectionate dintr-o mare varietate de semiconductori.
Cele mai bune rezultate obtinute sunt prezentate in tabelul 2.

Tabel 2.
Semiconductor Eficienta %
Si 15
InP 2
GaAs 13
CdTe 6
Cu2O 0,5
Se 1
GaP <0,5
CdS 6-7

Bateria solara, denumita si fotodioda este, deci, o aplicatie a efectului fotoelectric; ea

serveste la transformarea energiei radiatiilor solare in energie electrica. Schema de principiu
este data in figura 6.

Figura 6. Baterie solara

Fotodioda consta dintr-o placa subtire de cupru avand pe ea un strat semiconductor cu
conductie de electroni si peste acesta un strat de semiconductor cu conductie de goluri.
Urmeaza al patrulea strat care este transparent si are o conductivitate electrica mare.
Fotodioda se introduce intr-un circuit in care se afla un micoampermetru A si un resistor R,
asa cum se observa din figura 6. Daca se folosesc substante ca seleniul, sulfura de cadmiu,
etc randamentul de transformare a energiei radiatiilor in energie electrica este 1-5%.
Randamentul poate ajunge pana la 15% daca se folosesc substante ca siliciul, de exemplu. De
aceea, in constructia bateriilor solare se foloseste in prezent siliciul. Bateriile solare sunt
utilizate ca surse de energie electrica la bordul satelitilor artificiali, al navelor cosmice sau
chiar pentru alimentarea cu energie electrica a unor comunitati umane restranse.
Celula fotovoltaica. Sursa de tensiune sau de curent

In principiu, unei surse generatoare de energie electrica continua ii sunt proprii doua
marimi caracteristice: forta electromotoare, E si rezistenta interna r.
Curentul electric I ce poate fi debitat de o sursa generatoare de energie electrica
depinde atat de marimea E, cat si de valoarea totala a rezistentei din circuit in care intra atat r
cat si rezistenta de sarcina (a consumatorului) notata cu R. Sarcina electrica proprie descrierii
de mai sus este redata in figura 7. In stanga este reprezentata forta electromotoare E in serie
cu rezistenta proprie r, constituind la bornele A-B, generatorul propriu zis, iar in dreapta se
afla consumatorul conectat la bornele A-B, concretizat prin rezistenta de sarcina R.

Figura 7. Schema sursei generatoare de energie electrica.

Curentul I care circula prin schema prezentata poate fi determinat prin aplicarea legii lui Ohm,
adica:
E
I (9)
rR
de aici se obtine: E=rI+RI sau RI=E-rI.
Caderea de tensiune pe rezistorul de sarcina R, adica tensiunea la bornele A-B, care se noteaza
cu U, are valoarea U=RI si poarta denumirea de tensiune la borne.
Inlocuind pe RI cu U in relatia gasita mai inainte rezulta:

U=RI=E-rI (10)

Aceasta relatie arata ca valoarea tensiunii U masurata la bornele A-B nu este constanta, ci
variaza odata cu modificarea curentului in circuit, respectiv odata cu modificarea rezistorului
R. Cresterea valorii lui R duce la micsorarea curentului in circuit, iar tensiunea la borne
creste. In situatia limita, cand R=0 sau R=, vom constata in primul caz (situatie de
scurtcircuit) U=0, iar in al doilea caz U=E, adica tensiunea de mers in gol. Tensiunea la borne
a unui asemenea generator poate varia de la 0 la o valoare E, functie de R. O asemenea sursa
este o sursa de tensiune neconstanta, nestabilizata.
Se pune problema cum se poate obtine o sursa de tensiune care sa-si pastreze tensiunea de
iesire constanta, insensibila la variatiile rezistentei de sarcina.
Se considera relatia

E=rI+RI=rI+U sau I=E/r+R sau U=E-rI=RI

si se urmaresc modificarile care au loc cand variaza atat R, cat si r.

E=12V; r=0, 1, 2., 5, 10, 50 ; R=5, 10, 20, 50, 100.
Astfel, pentru r=0 rezulta R=5; I=12/0+5=2,4; U=12-0=12V.
Rezultatele se regasesc reprezentate grafic in figura 8. Examinand acest grafic se observa
curba pentru r=0; pentru acest caz se observa ca desi curentul din circuit variaza de la 0,12A
la 2,4A tensiunea de la borne U se mentine constanta la valoarea de 12V. Acesta este un caz
teoretic deoarece practic nu exista o sursa avand rezistenta nula. Exemplul este bun deoarece
indica ce cale trebuie urmata pentru a obtine o tensiune constanta la bornele unui generator si
anume necesitatea obtinerii unei rezistente interne mici.

I [A]
Figura 8. Graficul U-I cu parametrul r.

Din grafic se observa ca pentru realizarea unei surse cat mai stabile, valoarea
rezistentei interne trebuie sa fie mai mica de 1. Tot din grafic se observa ca pe masura ce
rezistenta interna creste, lipsa de stabilitate a tensiunii de iesire creste foarte pronuntat,
ajungind ca pentru valori de la 5 in sus, sursele sa devina de nefolosit.
In concluzie, pentru a obtine o sursa de energie electrica cu tensiune constanta la
borne, indiferent de valoarea curentului din circuit, este necesar ca rezistenta interna a acesteia
sa fie aproape nula. O asfel de sursa poarta denumirea de sursa cu tensiune constanta, sursa
cu rezistenta interna nula fiind denumita sursa ideala de tensiune.
Sursa de curent constant.
Revenind la graficul din figura 8 se poate remarca faptul ca pe masura ce rezistenta
interna r a sursei creste, curentul maxim debitat scade. Pentru a mari valoarea curentului
debitat este necesar in primul rand sa marim valoarea fortei electromotoare E, deoarece
curentul I este proportional cu marimea E:

I=E/(r+R)
Tot din grafic se observa ca pentru valori din ce in ce mai mari ale lui r, dependenta curentului
I de tensiunea U este din ce in ce mai mica.
Pentru a constata mai concret comportarea schemei in cazul maririi rezistentei interne
r (deci contrar situatiei avute pentru sursa de tensiune constanta) se intocmeste graficul din
figura 9.

Figura 9. Graficul U-I pentru sursa de curent constant: 1)E=1000V, r=1000;

2)E=100V, r=100; 3)E=10V, r=10.

Pentru a pleca cu toate curbele din acelasi punct se mareste o data cu valoarea r si
valoarea fortei electromotoare E. Se considera pentru E valori de 10; 100 si 1000V; pentru r
valorile 10, 100 si 1000 iar pentru R valorile de 0, 5, 10, 50 si 100.
Pentru E=10V; r=10 si R=0 rezulta I=10/(10+0)=1A; U=0V.
Pentru cazul cand E si r se obtine o dreata verticala pe grafic. Pentru fiecare caz s-a
considerat valoarea de curent de scurtcircuit (R=0), si I=1A.
Din figura 9 se constata ca pe masura ce marimile E si r cresc, se ajunge la situatia
cand, indiferent de tensiunea la borne, curentul are aceeasi valoare. Cazul ideal apare atunci
cand atat E cat si r tind catre infinit. Pentru situatia practica, cum ar fi dreapta E=1000V si
r=1000 se observa ca si aceasta are o verticalitate foarte pronuntata. Aceasta independenta a
curentului debitat fata de tensiunea de la borne, respectiv fata de marimea rezistentei de
sarcina, caracterizeaza ceea ce se numeste sursa de curent constant.
Ca definitie, o sursa de curent constant este acea sursa la care curentul de iesire se
mentine constant si este indiferent de modificarea rezistentei din circuitul exterior (de sarcina)
respectriv fata de tensiunea la borne.
Trebuie sa se retina faptul ca o sursa de curent constant are o rezistenta interna foarte
mare. Ca surse de curent constant pot fi amintite: baretorul, pentoda, tranzistoarele cu effect
de cimp, precum si o serie de montaje in general tranzistorizate.
 Puterea pilei

In practica curenta, puterea de iesire a unei surse de putere se poate masura prin doua
metode: o metoda directa si o metoda indirecta.
Metoda directa consta in conectarea la bornele de iesire ale amplificatorului de putere
a unui watt-metru, valoarea fiind citita direct in wati. Metoda indirecta consta in masurarea fie
a curentului prin sarcina, fie a tensiunii pe sarcina si efectuarea calculelor necesare pentru
gasirea valorii puterii electrice.
In ambele cazuri se pleaca de la definitia puterii, exprimata prin relatiile:

P=UI=U2/R=RI2, unde
P-puterea electrica exprimata in W;
U-tensiunea de sarcina, exprimata in V;
I-curentul prin sarcina, exprimat in A; R-rezistenta sau impedanta (Z) a sarcinii, exprimata in
.
Astfel, daca se cunoaste valoarea impedantei sarcinii conectata la iesirea unei surse si
se conoaste si tensiunea pe aceasta impedanta, se poate afla cu usurinta valoarea puterii
debitate, aplicand relatia:
P=U2/Z

MATERIALE SI MOD DE LUCRU

MATERIALE
Celula fotovoltaica; ampermetru; voltmetru; rezistente electrice, conductori.
MOD DE LUCRU
Se realizeaza montajul din figura 10;
1. Se fixeaza bateria in pozitie orizontala;
2. Se masoara tensiunea electromotoare pe fiecare element;
3. Se leaga in serie cele doua celule formand o baterie;.
4. Se masoara tensiunea electromotoare a bateriei;
5. Se modifica unghiul de expunere din 15 in 15 pana la 90;
6. Pentru fiecare unghi se determina tensiunea electromotoare
7. Se leaga in paralel cele doua celule formand o baterie;.
8. Se masoara tensiunea electromotoare a bateriei;
9. Se modifica unghiul de expunere din 15 in 15 pana la 90;
10. Pentru fiecare unghi se determina tensiunea electromotoare
11. Se determina valoarea unghiului de incidenta optim
12. Pentru unghiul de incidenta optim se introduce in circuit un consumator o
rezistenta electrica (valorea rezistentei se masoara folosind un multimetru)
13. Se determina tensiunea si intensitatea curentului electric din circuit (intensitatea se
va determina timp de 10 minute, din minut in minut).
14. Se ridica curba U=f(I)
15. Se defineste daca este sursa de tensiune constanta sau de curent constant, Figura 8
si Figura 9. 1

3
 R
V

Figura 10 Schema circuitului electric: 1-celula fotovoltaica; 2-voltmetru; 3-

ampermetru.

PRELUCRAREA REZULTATELOR
B. Datele experimentale se sistematizeaza in tabelul de mai jos:
element () E (V) R () U (V) I(A) P(VA)
0 - - -
15
30
1 45
60
75
90
Baterie 0
serie 15
30
45
60
75
90
Baterie 0
paralel 15
30
45
60
75
90