Condiţii de funcţionare în absenţa distorsiunilor pentru

amplificatoarele cu TBJ şi TEC-MOS

Condiţii ce trebuie îndeplinite de amplificatoarele elementare cu TBJ pentru funcţionarea

în absenţa distoriunilor

În general, putem vorbi despre două condiții care trebuie îndeplinite pentru ca un amplificator
elementar cu TBJ să prezinte o ieșire fără distorsiuni: punctul de funcţionare al tranzistorului trebuie să
rămână întotdeauna în regiunea activă şi, de asemenea, condiția de semnal mică trebuie să fie întotdeauna
îndeplinită (datorită faptului că numai sistemele liniare nu distorsionează semnalele procesate).

Având în vedere amplificatorul TBJ simplu din Figura 1, în cele ce urmează vom determina condițiile
pentru care trebuie îndeplinite:

- tranzistorul să funcționeze la semnal mic (CSM pentru TBJ);

- tranzistorul să nu fie blocat (⅂Blocare pentru TBJ) și de asemenea
- tranzistorul să nu se satureze (⅂Saturaţie pentru TBJ).

Figura 1- Etaj de amplificare elementar EC

Condiţia de semnal mic pentru TBJ

Considerând că tranzistorul funcţionează în regiunea activă normală (RAN) (𝑉𝐵𝐸 > 0, 𝑉𝐵𝐶 <
0), relaţia dintre curentul de colector şi tensiunea bază-emitor va fi dată de ecuaţia Shockley:
𝑣𝐵𝐸 𝑣𝐵𝐸
𝑖𝐶 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇 − 1) ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇

unde:

1
 𝑖𝐶 = 𝐼𝐶 + 𝑖𝑐

𝑣𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑣𝑏𝑒

Suntem interesaţi să găsim ecuația care leagă componentele semnalului 𝑖𝑐 și 𝑣𝑏𝑒 și să studiem în
continuare condițiile care trebuie îndeplinite pentru a avea o dependență liniară între aceste două semnale.

Urmează că:
𝑉𝐵𝐸 +𝑣𝑏𝑒 𝑉𝐵𝐸 𝑣𝑏𝑒
𝐼𝐶 + 𝑖𝑐 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇 𝑒 𝑉𝑇

Dar:
𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇

Neliniaritatea relaţiei dintre 𝑖𝑐 şi 𝑣𝑏𝑒 este dată de exponenţială. Vom folosi dezvoltarea în serie
Taylor a funcţiei exponenţiale:

1 1
𝑒 𝑥 = 1 + 𝑥 + 𝑥2 + ⋯ + 𝑥𝑛 + ⋯
2 𝑛!

Dacă |𝑥| ≪ 1, termenii de rang superiori ai dezvoltării pot si neglijaţi, astfel că:

𝑃𝑒𝑛𝑡𝑟𝑢 |𝑥| ≪ 1 ⇒ 𝑒 𝑥 ≈ 1 + 𝑥

Utilizând acest rezultat în cazul amplificatorului cu TBJ, dacă următoare condiţie este îndeplinită:

𝑣
| 𝑉𝑏𝑒 | ≪ 1 ⇔ |𝑣𝑏𝑒 | ≪ 𝑉𝑇 (CSM pentru TBJ)
𝑇

|𝑠𝑖𝑛|≤1
|𝑉𝑏𝑒𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡| ≪ 𝑉𝑇 ⇔ 𝑉𝑏𝑒𝑚 ≪ 𝑉𝑇 (CSM pentru TBJ)
𝑉𝑇
𝑉𝑏𝑒𝑚 < (CSM pentru TBJ în practică)
10

atunci:
𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒
𝐼𝐶 + 𝑖𝑐 = 𝐼𝐶 𝑒 𝑉𝑇 = 𝐼𝐶 (1 + )
𝑉𝑇
𝑣𝑏𝑒
𝑖𝑐 = 𝐼𝐶 = 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒
𝑉𝑇
𝐼
unde 𝑔𝑚 = 𝑉𝐶 este transconductanţa de semnal mic a TBJ.
𝑇

În concluzie, în cazul semnalelor mici (amplitudine mult mai mică decât tensiunea termică),
dependenţa curentului de colector de trensiunea bază-emitor este liniară.

2
 Condiţia de ⅂Blocare pentru TBJ

Este bine ştiut că pentru TBJ comportamentul de SCCT sau SCCC este valid doar în regiunea
activă normală. Astfel, o condiţie importantă pentru funcţionarea în absenţa distorsiunilor este cea de
⅂Blocare. Planul caracteristicilor de ieşire din Figura 2 este utilizat pentru definirea regiunilor de
funcţionare.

Figura 2 – Studiul gamei dinamice în planul caracteristicilor de ieşire

Atunci când în bază este aplicat semnal, punctul de funcţionare se va deplasa pe dreapta de
sarcină. Blocarea apare atunci cand 𝑖𝐶 ajunge la 0. Condiţia generică de ⅂Blocare pentru TBJ va fi:

𝑖𝐶 > 0

Dar:

𝑖𝐶 = 𝐼𝐶 + 𝑖𝑐 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝑐𝑚 sin 𝜔𝑡

Cum:

| sin 𝜔𝑡 | ≤ 1

Urmează că cel mai dezavantajos caz pentru condiţia de ⅂Blocare pentru

sin 𝜔𝑡 = −1:

𝐼𝐶 − 𝐼𝑐𝑚 > 0

astfel că

3
 𝐼𝑐𝑚 < 𝐼𝐶 ( condiţia de ⅂Blocare pentru TBJ)

Pentru a nu ajunge în regiunea de blocare, amplitudinea componentei de semnal a curentului de

colector trebuie să fie mai mică decât componeneta de curent continuu a acestuia.

Condiţia de ⅂Saturaţie pentru TBJ

A treia condiţie pentru funcţionarea în absenţa distorsiunilor este ca punctul de funcţionarea să nu

ajungă în regiunea de saturaţie. Aşa cum se observă din planul caracteristicilor de ieşire din Figura 2,
saturaţia apare atunci când 𝑣𝐶𝐸 scade sub 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 . Condiţia generica de ⅂Saturaţie va fi:

𝑣𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇

Dar:

𝑣𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑣𝑐𝑒 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑐𝑒𝑚 sin 𝜔𝑡

Cum:

| sin 𝜔𝑡 | ≤ 1

Urmează că situaţia cea mai dezavantajoasă pentru condiţia de ⅂Saturaţie este atunci când
sin 𝜔𝑡 = −1:

𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑐𝑒𝑚 > 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇

astfel că

𝑉𝑐𝑒𝑚 < 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 (Condiţia de ⅂Saturaţie pentru TBJ)

Pentru a nu ajunge în regiunea de saturaţie, amplitudinea componentei de semnal a tensiunii

colector-emitor trebuie să fie mai mică decât diferenţa dintre componenta de curent continuu şi 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 .

Condiţii ce trebuie îndeplinite de amplificatoarele elementare cu TEC-MOS pentru

funcţionarea în absenţa distoriunilor

În general, putem vorbi despre două condiții care trebuie îndeplinite pentru ca un amplificator
elementar cu TEC-MOS să prezinte o ieșire fără distorsiuni: punctul de operare al tranzistorului trebuie să
rămână întotdeauna în regiunea activă şi, de asemenea, condiția de semnal mică trebuie să fie întotdeauna
îndeplinită (datorită faptului că numai sistemele liniare nu distorsionează semnalele procesate).

Având în vedere amplificatorul cu TEC-MOS simplu din Figura 3, în cele ce urmează vom determina
condițiile pentru care trebuie îndeplinite:

- tranzistorul să funcționeze la semnal mic (CSM pentru TEC-MOS);

- tranzistorul să nu fie blocat (⅂Blocare pentru TEC-MOS) și de asemenea
- tranzistorul să nu intre în regiunea de triodă (⅂Triodă pentru TEC-MOS).

4
 Figură 3- Etaj elementar SC

Condiţia de semnal mic pentru TEC-MOS

Considerând că tranzistorul M funcţionează în regiunea activă, (𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝐻 , 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 −
𝑉𝑇𝐻 ), relaţia dintre curentul de drenă şi tensiunea grilă-sursă va fi dată de:

𝑖𝐷 = 𝐾(𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2

unde:

𝑖𝐷 = 𝐼𝐷 + 𝑖𝑑

𝑣𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑣𝑔𝑠

Suntem interesaţi să găsim ecuația care leagă componentele semnalului 𝑖𝑑 și 𝑣𝑔𝑠 și să studiem în
continuare condițiile care trebuie îndeplinite pentru a avea o dependență liniară între aceste două semnale.

Urmează că:
2 2
𝐼𝐷 + 𝑖𝑑 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 + 𝑣𝑔𝑠 − 𝑉𝑇𝐻 ) = 𝐾[(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 ) + 𝑣𝑔𝑠 ]

2
𝐼𝐷 + 𝑖𝑑 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 + 𝑣𝑔𝑠 − 𝑉𝑇𝐻 ) = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2 + 2𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )𝑣𝑔𝑠 + 𝐾𝑣𝑔𝑠
2

Dar:

𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2

Neliniaritatea relaţiei dintre 𝑖𝑑 şi 𝑣𝑔𝑠 este dată de funcţia pătratică. Totuşi, termenul pătratic poate
fi neglijat dacă:
2
2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )𝑣𝑔𝑠 ≫ 𝑣𝑔𝑠

ceea ce este echivalent cu:

5
 |𝑣𝑔𝑠 | ≪ 2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )

Deoarece :

𝑣𝑔𝑠 = 𝑉𝑔𝑠𝑚 sin 𝜔𝑡

şi:

| sin 𝜔𝑡 | ≤ 1

urmează ca termenul pătratic poate fi neglijat pentru:

𝑉𝑔𝑠𝑚 ≪ 2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 ) (CSM pentru TEC-MOS)

𝑉𝐺𝑆 −𝑉𝑇𝐻
𝑉𝑔𝑠𝑚 < (CSM pentru TEC-MOS în practică)
5

Relaţia dintre componentele de semnal 𝑖𝑑 şi 𝑣𝑔𝑠 va fi:

𝑖𝑑 = 2𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )𝑣𝑔𝑠 = 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠

𝜕𝑖
unde 𝑔𝑚 = 𝜕𝑣 𝐷 = 2𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 ) = 2√𝐾𝐼𝐷 este transconductanţa de semnal mic a
𝐺𝑆
tranzistorului TEC-MOS.

În concluzie, în cazul semnalelor foarte mici (amplitudine mult mai mică decât 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 ),
dependenţa dintre curentul de drenă şi tensiunea grilă-sursă poate fi aproximată liniară.

Condiţia de ⅂Blocare pentru TEC-MOS

Este bine ştiut că pentru TEC-MOS comportamentul de SCCT este valid doar în regiunea activă
(regiunea curenţilor de drenă saturaţi). Astfel, o condiţie importantă pentru funcţionarea în absenţa
distorsiunilor este cea de ⅂Blocare. Planul caracteristicilor de ieşire din Figura 4 este utilizat pentru
definirea regiunilor de funcţionare.

Atunci când în grilă este aplicat semnal, punctul de funcţionare se va deplasa pe dreapta de
sarcină. Blocarea apare atunci cand 𝑖𝐷 ajunge la 0. Condiţia generică de ⅂Blocare pentru TEC-MOS va
fi:

𝑖𝐷 > 0

Dar:

𝑖𝐷 = 𝐼𝐷 + 𝑖𝑑 = 𝐼𝐷 + 𝐼𝑑𝑚 sin 𝜔𝑡

Deoarece:

| sin 𝜔𝑡 | ≤ 1

6
Urmează că situaţia cea mai dezavantajoasă pentru condiţia de ⅂Blocare va fi pentru
sin 𝜔𝑡 = −1:

𝐼𝐷 − 𝐼𝑑𝑚 > 0

Figura 4 – Studiul gamei dinamice în planul caracteristicilor de ieşire

astfel că

𝐼𝑑𝑚 < 𝐼𝐷 (Condiţie de ⅂Blocare pentru TEC-MOS)

Pentru a nu ajunge în regiunea de blocare, amplitudinea componentei de semnal a curentului de

drenă trebuie să fie mai mică decât componeneta de curent continuu a acestuia.

Condiţia de ⅂Triodă pentru TEC-MOS

A treia condiţie pentru funcţionarea în absenţa distorsiunilor este ca punctul de funcţionare să nu

ajungă în regiunea de triodă. Aşa cum se observă din planul caracteristicilor de ieşire reprezentat în
Figura 4, funcţionarea în regiunea de triodă apare atunci când 𝑣𝐷𝑆 scade sub 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 . Condiţia
generica de ⅂Triodă va fi:

𝑣𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻

7
Dar:

𝑣𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑣𝑑𝑠 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑑𝑠𝑚 sin 𝜔𝑡

Deoarece:

| sin 𝜔𝑡 | ≤ 1

urmează ca situaţia cea mai dezavantajoasă pentru condiţia de ⅂Triodă va fi pentru

sin 𝜔𝑡 = −1:

𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝑑𝑠𝑚 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻

astfel că

𝑉𝑑𝑠𝑚 < 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑇𝐻 (Condiţia de ⅂Triodă pentru TEC-MOS)

Pentru a nu ajunge în regiunea de triodă, amplitudinea componentei de semnal a tensiunii drenă-

sursă trebuie să fie mai mică 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑇𝐻 .

Reluăm în continuare problemele studiate la Seminarul #6, la care adăugăm cerinţe suplimentare legate de
subiectul funcţionării în absenţa distorsiunilor.

P2. Se consideră următorul amplificator cu TBJ NPN. Se cunosc 𝛽 = 100 şi 𝑉𝐵𝐸 (𝑅𝐴𝑁) = 𝑈𝐷 = 0.6𝑉. Se
cer:

a. PSF
𝑣𝑜
b. 𝑎𝑣 = 𝑣𝑖
c. 𝑅𝑖𝑏 , 𝑅𝑖 , 𝑅𝑜
d. 𝑎𝑣𝑔 , 𝑎𝑖 , 𝑎𝑝
e. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑄 să respecte condiţia de semnal mic
f. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑄 să nu se blocheze
g. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑄 să nu se satureze
h. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât amplificatorul să funcţioneze fără distorsiuni

8
 Figura 5 – Circuit de studiu pentru problema P2

Se va realiza o analiză duală, pentru CC şi respectiv pentru semnal mic. Pentru realizarea circuitelor
echivalente fiecărui caz în parte, se va ţine cont de echivalenţele din Tabelul 1.

a. Schema echivalentă în CC se obţine substituind condensatoarele din circuit cu circuite deschise

şi pasivizând generatoarele de semnal. Rezistorii cu un terminal în aer nu se mai reprezintă.

Figura 6- Schema echivalentă pentru CC

Deoarece 𝐽𝐸 este polarizată direct de către sursa 𝑉𝐸𝐸 , vom presupune ca regiune de funcţionare 𝑅𝐴𝑁.

Metoda I – Fără a neglija curentul de bază

𝑃𝑝 𝑄 ∈ 𝑅𝐴𝑁 ⇒ 𝑉𝐵𝐸 = 𝑈𝐷 şi 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 . Vom verifica: 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐵𝐸 .

Aplicăm mai întâi TKII pe ochiul de circuit ce include 𝐽𝐸:

9
 𝐾𝐼𝐼(𝑂1): 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + (𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 )𝐼𝐸 − 𝑉𝐸𝐸 = 0

Aplicând TKI în secţiunea TBJ:

𝐾𝐼(𝐸): 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵

Subtituind 𝐼𝐸 în relaţia 𝐾𝐼𝐼(𝑂1):

𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑈𝐷 + (𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 )(𝛽 + 1)𝐼𝐵 − 𝑉𝐸𝐸 = 0 ⇒

𝑉𝐸𝐸 − 𝑈𝐷 2 − 0.6
𝐼𝐵 = = = 10.67𝑢𝐴
(𝛽
𝑅𝐵 + + 1)(𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 ) 10𝑘 + (101)(0.2𝑘 + 1𝑘)

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 1.067𝑚𝐴

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 = 1.077𝑚𝐴

Aplicând TKII pe ochiul ce include 𝑉𝐶𝐸 :

𝐾𝐼𝐼(𝑂2): −𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐶𝐶 + 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + (𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 )𝐼𝐸 = 0

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐸𝐸 + 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 − (𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 )𝐼𝐸 = 7 − 2𝑘Ω ∙ 1.067𝑚𝐴 − 1.2𝑘Ω ∙ 1.077𝑚𝐴 = 3.57𝑉
> 0.6𝑉 ⇒ 𝑃𝑝 "𝐴"

Punctul static de funcţionare este:

𝑄(𝑉𝐶𝐸 = 3.57𝑉; 𝐼𝐶 = 1.067𝑚𝐴)

Metoda II – Neglijând curentul de bază

Considerăm 𝛽𝐶𝐶 → ∞.

𝑃𝑝 𝑄 ∈ 𝑅𝐴𝑁 ⇒ 𝑉𝐵𝐸 = 𝑈𝐷 . Vom verifica: 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐵𝐸 .

𝐼
Deoarece: 𝛽𝐶𝐶 → ∞ ⇒ 𝐼𝐵 = 𝛽 𝐶 → 0 şi 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶
𝐶𝐶

Aplicăm mai întâi TKII pe ochiul de circuit ce include 𝐽𝐸:

𝐾𝐼𝐼(𝑂1): 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + (𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 )𝐼𝐸 − 𝑉𝐸𝐸 = 0

Deoarece 𝐼𝐵 ≅ 0 şi 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 , relaţia devine:

𝑈𝐷 + (𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 )𝐼𝐶 − 𝑉𝐸𝐸 = 0 ⇒

𝑉𝐸𝐸 − 𝑈𝐷 2 − 0.6
𝐼𝐶 = = = 1.16𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐸
𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 0.2𝑘 + 1𝑘

Aplicând TKII pe ochiul ce include 𝑉𝐶𝐸 :

10
 𝐾𝐼𝐼(𝑂2): −𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐶𝐶 + 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + (𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 )𝐼𝐸 = 0

Deoarece 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 :

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐸𝐸 + 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 )𝐼𝐶 = 7 − 3.2𝑘Ω ∙ 1.16𝑚𝐴 = 3.28𝑉 > 0.6𝑉 ⇒ 𝑃𝑝 "𝐴"

Punctul static de funcţionare este:

𝑄(𝑉𝐶𝐸 = 3.28𝑉; 𝐼𝐶 = 1.16𝑚𝐴)

NOTA

Deşi ofera rezultate aproximative, Metoda II prezintă avantajul unui efort de calcul redus.

Putem calcula în acest moment parametrii de semnl mic:

𝐼𝐶 1.067𝑚𝐴
𝑔𝑚 = = = 42.68𝑚𝑆
𝑉𝑇 25𝑚𝑉

𝛽 100
𝑟𝜋 = = = 2.34𝑘Ω
𝑔𝑚 0.04268

b. Pentru determinarea amplificării în tensiune de semnal mic vom folosi schema echivalentă
pentru semnal mic. Acesta se obţine pasivizând sursele de CC, substituind condensatoarele de
cuplaj cu scurt-circuite şi tranzistorul cu modelul echivalent de semnal mic în RAN. 𝑅𝐸2 nu se mai
reprezinta deoarece are ambele terminale la masă.

Figura 7- Schema echivalentă pentru semnal mic

Pentru a determina amplificarea în tensiune, se pleacă de la ieşire şi se caută relaţii care să lege
tensiunea de ieşire de cea de intrare:

𝑂𝐻𝑀: 𝑣𝑜 = −(𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )𝑖𝑐 = −𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )

Căutăm o relaţie ce leagă 𝑣𝑏𝑒 de 𝑣𝑖 :

𝐾𝐼𝐼(𝑜1): −𝑣𝑖 + 𝑣𝑏𝑒 + 𝑅𝐸1 𝑖𝑒 = 0

11
Aplicând TKI în nodul e:
𝑣𝑏𝑒
𝐾𝐼(𝑒): 𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 + 𝑖𝑐 = + 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒
𝑟𝜋

Substituind în relaţia anterioară, se obţine relaţia căutată între 𝑣𝑏𝑒 şi 𝑣𝑖 :

𝑣𝑏𝑒
−𝑣𝑖 + 𝑣𝑏𝑒 + 𝑅𝐸1 ( + 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 ) = 0
𝑟𝜋
𝑣𝑖
𝑣𝑏𝑒 =
1
1 + 𝑅𝐸1 (𝑟 + 𝑔𝑚 )
𝜋

Substituind expresia lui 𝑣𝑏𝑒 în relaţia ce defineşte 𝑣𝑜 :

𝑣𝑖
𝑣𝑜 = −𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 ) = −𝑔𝑚 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )
1
1 + 𝑅𝐸1 ( + 𝑔𝑚 )
𝑟𝜋

Urmează că:

𝑣𝑜 𝑔𝑚 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 ) 42.68𝑚𝑆(2𝑘Ω‖10𝑘Ω)

𝑎𝑣 = =− =− ≅ −7.4
𝑣𝑖 1 1
1 + 𝑅𝐸1 (𝑟 + 𝑔𝑚 ) 1 + 0.2𝑘Ω ( + 42.68𝑚𝑆)
𝜋 2.34𝑘Ω

c. Pentru determinarea 𝑅𝑖𝑏 vom folosi schema următoare în care un generator de test se aplică în
nodul în care se doreşte evaluarea rezistenţei de intrare:

Figura 8- Schema echivalentă pentru determinarea 𝑅𝑖𝑏 = 𝑣𝑡 /𝑖𝑡

Pentru circuitul din Figura 8 căutăm să scriem relaţii între 𝑣𝑡 şi 𝑖𝑡 :

𝑣𝑡
𝑅𝑖𝑏 =
𝑖𝑡

𝑂𝐻𝑀: 𝑣𝑏𝑒 = 𝑟𝜋 𝑖𝑡

𝐾𝐼𝐼(𝑜1) : − 𝑣𝑡 + 𝑟𝜋 𝑖𝑡 + 𝑅𝐸1 (𝑖𝑡 + 𝑔𝑚 𝑟𝜋 𝑖𝑡 ) = 0 ⇔

12
 𝑣𝑡
𝑅𝑖𝑏 = = 𝑟𝜋 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸1 = 2.34𝑘Ω + 101 ∙ 0.2𝑘Ω = 22.54𝑘Ω
𝑖𝑡

Cunoscând 𝑅𝑖𝑏 , putem determina 𝑅𝑖 :

𝑅𝑖 = 𝑅𝐵 ‖𝑅𝑖𝑏 ≈ 6.93𝑘Ω

Pentru determinarea 𝑅𝑜 vom folosi schema următoare în care un generator de test se aplică în
nodul în care se doreşte evaluarea rezistenţei de ieşire:

Figura 9- Schema echivalentă pentru determinarea 𝑅𝑜 = 𝑣𝑡 /𝑖𝑡

Deoarece şi baza şi emitorul TBJ sunt conectate la masă, acesta este blocat:

𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒
𝐾𝐼𝐼(𝑜1): (𝑅𝑔 ‖𝑅𝐵 ) + 𝑣𝑏𝑒 + 𝑅𝐸1 ( + 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 ) = 0 ⇒ 𝑣𝑏𝑒 = 0 ⇒ 𝑖𝑐 = 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = 0
𝑟𝜋 𝑟𝜋

Urmează că:

𝑖(𝑅𝐶 ) = 𝑖𝑡
𝑣𝑡
𝑅𝑜 = = 𝑅𝐶
𝑖𝑡

d. Pentru determinarea 𝑎𝑣𝑔 se va utiliza următoarea schema echivalentă în care intrarea în

amplificator este substituită de 𝑅𝑖 :

Figura 10 – Circuit echivalent pentru determinarea 𝑎𝑣𝑔

Pentru circuitul din Figura 10 putem scrie:

13
 𝑅𝑖
𝐿𝐷𝑇: 𝑣𝑖 = 𝑣
𝑅𝑖 + 𝑅𝑔 𝑔

Umează că:

𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑣𝑖 𝑣𝑜 𝑣𝑖 𝑅𝑖 6.93𝑘Ω
𝑎𝑣𝑔 = = = = 𝑎𝑣 = −7.4 ≅ −6.83
𝑣𝑔 𝑣𝑔 𝑣𝑖 𝑣𝑖 𝑣𝑔 𝑅𝑖 + 𝑅𝑔 6.93𝑘Ω + 0.6𝑘Ω

Pentru determinarea amplificării în curent, se realizează definirea acesteia funcţie de 𝑎𝑣 prin utilizarea
Legii Ohm:

𝑖𝑜
𝑎𝑖 =
𝑖𝑖
𝑣𝑖 𝑣𝑜 𝑅𝑖 𝑅𝑖 6.93𝑘Ω
𝑂𝐻𝑀: 𝑖𝑖 = ⇒ 𝑎𝑖 = − = −𝑎𝑣 = 7.4 ≈ 5.13
𝑅𝑖 𝑣𝑖 𝑅𝐿 𝑅𝐿 10𝑘Ω
𝑣𝑜
𝑂𝐻𝑀: 𝑖𝑜 = −
𝑅𝐿 }

Amplificarea în putere se poate determina în funcţie de 𝑎𝑣 şi 𝑎𝑖 :

𝑣𝑜2
𝑝𝑜 𝑅𝐿 𝑣𝑜2 𝑅𝑖 𝑅𝑖
𝑎𝑝 = = 2 = 2 = 𝑎𝑣2 = |𝑎𝑣 𝑎𝑖 | ≈ 40
𝑝𝑖 𝑣𝑖 𝑣𝑖 𝑅𝐿 𝑅𝐿
𝑅𝑖

e. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑄 să respecte condiţia de semnal mic

CSM pentru TBJ este:

𝑉𝑇
𝑉𝑏𝑒𝑚 <
10

Deoarece ni se cere amplitudinea maximă a semnalului de ieşire şi cunoaştem amplitudinea maximă a

tensiunii 𝑣𝑏𝑒 astfel încât să se respecte CSM, pe schema de semnal mic din Figura 7 căutăm o relaţie între
semnalele 𝑣𝑜 şi 𝑣𝑏𝑒 :

Figura 7- Schema echivalentă pentru semnal mic

14
 𝑂ℎ𝑚: 𝑣𝑜 = −𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )

Dar:

𝑣𝑏𝑒 = 𝑉𝑏𝑒𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡

𝑣𝑜 = 𝑉𝑜𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜋) = −𝑉𝑜𝑚 sin 𝜔𝑡

Urmează că:

𝑉𝑜𝑚 sin 𝜔𝑡 = 𝑔𝑚 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )𝑉𝑏𝑒𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡

𝑉𝑇
𝑉𝑜𝑚 = 𝑔𝑚 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )𝑉𝑏𝑒𝑚 < 𝑔𝑚 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 ) = 42.68𝑚𝑆 ∙ 1.66𝑘Ω ∙ 2.5𝑚𝑉 ≅ 0.177𝑉
10

f. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑄 să nu se blocheze

Condiţia de ⅂Blocare pentru TBJ:

𝐼𝑐𝑚 < 𝐼𝐶

Deoarece ni se cere amplitudinea maximă a semnalului de ieşire şi cunoaştem amplitudinea maximă a

curentului 𝑖𝑐 astfel încât să se respecte C⅂Blocare, pe schema de semnal mic din Figura 7 căutăm o relaţie
între semnalele 𝑣𝑜 şi 𝑖𝑐 :

Figura 7- Schema echivalentă pentru semnal mic

𝑂ℎ𝑚: 𝑣𝑜 = −𝑖𝑐 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )

Dar:

𝑖𝑐 = 𝐼𝑐𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡

𝑣𝑜 = 𝑉𝑜𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜋) = −𝑉𝑜𝑚 sin 𝜔𝑡

Urmează că:

15
 𝑉𝑜𝑚 sin 𝜔𝑡 = (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )𝐼𝑐𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡

𝑉𝑜𝑚 = (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )𝐼𝑐𝑚 < (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )𝐼𝐶 = 1.66𝑘Ω ∙ 1.067𝑚𝐴 ≅ 1.77𝑉

g. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑄 să nu se satureze

Condiţia de ⅂Saturaţie pentru TBJ:

𝑉𝑐𝑒𝑚 < 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇

Deoarece ni se cere amplitudinea maximă a semnalului de ieşire şi cunoaştem amplitudinea maximă a

tensiunii 𝑣𝑐𝑒 astfel încât să se respecte C⅂Saturaţie, pe schema de semnal mic din Figura 7 căutăm o
relaţie între semnalele 𝑣𝑜 şi 𝑣𝑐𝑒 :

Figura 7- Schema echivalentă pentru semnal mic

𝐾𝐼𝐼𝑜2: 𝑣𝑜 − 𝑣𝑐𝑒 − 𝑅𝐸1 𝑖𝑒 = 0

Putem scrie:

𝑂ℎ𝑚: 𝑣𝑜 = −𝑖𝑐 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )

𝑖𝑐 = −𝑣𝑜 /(𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )

𝑖𝑐
𝑖𝑏 =
𝛽

𝛽+1
𝑖𝑒 = (𝛽 + 1)𝑖𝑏 = 𝑖
𝛽 𝑐

Urmează că:

𝛽 + 1 𝑣𝑜
𝐾𝐼𝐼𝑜2: 𝑣𝑜 − 𝑣𝑐𝑒 + 𝑅𝐸1 =0
𝛽 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )

𝛽 + 1 𝑅𝐸1
𝑣𝑜 (1 + ) = 𝑣𝑐𝑒
𝛽 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )

16
 1
𝑣𝑜 = 𝑣𝑐𝑒
𝛽 + 1 𝑅𝐸1
1+
𝛽 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )

Dar

𝑣𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑒𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜋)

𝑣𝑜 = 𝑉𝑜𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜋)

Urmează că:

1 1
𝑉𝑜𝑚 = 𝑉𝑐𝑒𝑚 < (𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 )
𝛽 + 1 𝑅𝐸1 𝛽 + 1 𝑅𝐸1
1+ 1+
𝛽 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 ) 𝛽 (𝑅𝐶 ‖𝑅𝐿 )
1
= (3.57𝑉 − 0.2𝑉 ) = 3𝑉
100 + 1 0.2𝑘
1 + 100
1.66𝑘

h. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât amplificatorul să funcţioneze fără distorsiuni

𝑉𝑜𝑚 = min{𝑉𝑜𝑚𝐶𝑆𝑀 ; 𝑉𝑜𝑚𝐶⅂𝐵 ; 𝑉𝑜𝑚𝐶⅂𝑆 } = min{0.177; 1.77; 3} = 0.177𝑉

P3. Considerand 𝐾 = 0.5 𝑚𝐴⁄𝑉 2 si 𝑉𝑇𝐻 = 2𝑉, sa se determine:

a. Schema echivalentă în curent continuu;

b. PSF(M) şi gm(M);
c. Schema echivalentă în semnal mic şi mijloc de bandă
d. 𝑎𝑣 , 𝑅𝑖 , 𝑎𝑣𝑔 , 𝑅𝑜 , 𝑎𝑖 , 𝑎𝑝 ;
e. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑀 să respecte condiţia de semnal mic
f. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑀 să nu se blocheze
g. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑀 să nu intre în triodă
h. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât amplificatorul să funcţioneze fără distorsiuni

17
 Figura 11 – Circuit de studiu pentru P3

a. Schema echivalentă în CC se obţine substituind condensatoarele din circuit cu circuite deschise

şi pasivizând generatoarele de semnal. Rezistorii cu un terminal în aer nu se mai reprezintă.

Figura 12- Schema echivalentă pentru CC

Presupunem 𝑀 ∈ 𝑅𝐴 ⇒ 𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2. Vom verifica ulterior dacă:

𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝐻

𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻

O a doua ecuaţie ce conţine aceleaşi variabile se obţine aplicând 𝑇𝐾𝐼𝐼 pe 𝑂1:

−𝑉𝑅2 + 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 = 0

unde:

𝑅2
𝐿𝐷𝑇: 𝑉𝑅2 = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷

Utilizând relaţia ce defineste expresia curentului de drenă în regiunea activă şi ultima relaţie obtinută,
formăm un sistem de două ecuaţii şi două necunoscute:

18
 𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2
{ 𝑅2
− 𝑉 + 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 = 0
𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷

Substituim expresia lui 𝐼𝐷 din prima ecuaţie în cea de-a doua şi obţinem o ecuaţie gradul II în
necunoscuta 𝑉𝐺𝑆 .

𝑅2
− 𝑉 + 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2 = 0
𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷

𝐼𝐷 = 0.58𝑚𝐴; 𝑉𝐺𝑆 = 3.08𝑉

Cunoscând acum 𝑉𝐺𝑆 şi 𝐼𝐷 , putem să determinăm valoarea lui 𝑉𝐷𝑆 aplicând 𝑇𝐾𝐼𝐼 pe un ochi ce include
această tensiune:

𝑇𝐾𝐼𝐼(𝑂2) : − 𝑉𝐷𝐷 + 𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 = 0

𝑉𝐷𝑆 = 17.95𝑉

Putem calcula în acest moment parametrul de semnal mic:

𝑔𝑚 = 2𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 ) = 2√𝐾𝐼𝐷 = 1.08𝑚𝑆

Pentru determinarea amplificării în tensiune de semnal mic vom folosi schema echivalentă pentru
semnal mic. Acesta se obţine pasivizând sursele de CC, substituind condensatoarele de cuplaj cu scurt-
circuite şi tranzistorul cu modelul echivalent de semnal mic în RA.

Figura 13 - Schema echivalentă pentru semnal mic

Pentru a determina amplificarea în tensiune, se pleacă de la ieşire şi se caută relaţii care să lege
tensiunea de ieşire de cea de intrare:

𝑂𝐻𝑀: 𝑣𝑜 = −(𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )𝑖𝑑 = −𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )

Căutăm o relaţie ce leagă 𝑣𝑔𝑠 de 𝑣𝑖 :

𝐾𝐼𝐼(𝑜1): −𝑣𝑖 + 𝑣𝑔𝑠 + 𝑅𝑆 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 = 0

19
 Se obţine relaţia căutată între 𝑣𝑔𝑠 şi 𝑣𝑖 :

𝑣𝑖
𝑣𝑔𝑠 =
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆

Substituind expresia lui 𝑣𝑔𝑠 în relaţia ce defineşte 𝑣𝑜 :

𝑣𝑖
𝑣𝑜 = −𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 ) = −𝑔𝑚 (𝑅 ‖𝑅 )
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 𝐷 𝐿

Urmează că:

𝑣𝑜 𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )
𝑎𝑣 = =− =⋯
𝑣𝑖 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆

Putem determina 𝑅𝑖 direct deoarece pentru MOS 𝑅𝑖𝑔 = ∞:

𝑅𝑖 = 𝑅1 ‖𝑅2 ‖𝑅𝑖𝑔 = 𝑅1 ‖𝑅2 = ⋯

Pentru determinarea 𝑅𝑜 vom folosi schema următoare în care un generator de test se aplică în
nodul în care se doreşte evaluarea rezistenţei de ieşire (generatorul 𝑣𝑔 trebuie pasivizat!):

Figura 14 - Schema echivalentă pentru determinarea 𝑅𝑜 = 𝑣𝑡 /𝑖𝑡

Deoarece şi grila şi sursa TEC MOS sunt conectate la masă, acesta este blocat:

𝐾𝐼𝐼(𝑜1): (𝑅𝑔 ‖𝑅1 ‖𝑅2 ) ∙ 0 + 𝑣𝑔𝑠 + 𝑅𝑆 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 = 0 ⇒ 𝑣𝑔𝑠 = 0 ⇒ 𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 = 0

Urmează că:

𝑖(𝑅𝐷 ) = 𝑖𝑡
𝑣𝑡
𝑅𝑜 = = 𝑅𝐷
𝑖𝑡

Pentru determinarea 𝑎𝑣𝑔 se va utiliza următoarea schema echivalentă în care intrarea în amplificator
este substituită de 𝑅𝑖 :

20
 Figura 15 – Circuit echivalent pentru determinarea 𝑎𝑣𝑔

Pentru circuitul din Figura 15 putem scrie:

𝑅𝑖
𝐿𝐷𝑇: 𝑣𝑖 = 𝑣
𝑅𝑖 + 𝑅𝑔 𝑔

Umează că:

𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑣𝑖 𝑣𝑜 𝑣𝑖 𝑅𝑖
𝑎𝑣𝑔 = = = = 𝑎𝑣 =⋯
𝑣𝑔 𝑣𝑔 𝑣𝑖 𝑣𝑖 𝑣𝑔 𝑅𝑖 + 𝑅𝑔

Pentru determinarea amplificării în curent, se realizează definirea acesteia funcţie de 𝑎𝑣 prin utilizarea
Legii Ohm:

𝑖𝑜
𝑎𝑖 =
𝑖𝑖
𝑣𝑖 𝑣𝑜 𝑅𝑖 𝑅𝑖
𝑂𝐻𝑀: 𝑖𝑖 = ⇒ 𝑎𝑖 = − = −𝑎𝑣 =⋯
𝑅𝑖 𝑣𝑖 𝑅𝐿 𝑅𝐿
𝑣𝑜
𝑂𝐻𝑀: 𝑖𝑜 = −
𝑅𝐿 }

Amplificarea în putere se poate determina în funcţie de 𝑎𝑣 şi 𝑎𝑖 :

𝑣𝑜2
𝑝𝑜 𝑅𝐿 𝑣𝑜2 𝑅𝑖 𝑅𝑖
𝑎𝑝 = = 2 = 2 = 𝑎𝑣2 = |𝑎𝑣 𝑎𝑖 | = ⋯
𝑝𝑖 𝑣𝑖 𝑣𝑖 𝑅𝐿 𝑅𝐿
𝑅𝑖

e. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑀 să respecte condiţia de semnal mic

CSM pentru MOS este:

𝑉𝐺𝑆 −𝑉𝑇𝐻
𝑉𝑔𝑠𝑚 < 5

21
Deoarece ni se cere amplitudinea maximă a semnalului de ieşire şi cunoaştem amplitudinea maximă a
tensiunii 𝑣𝑔𝑠 astfel încât să se respecte CSM, pe schema de semnal mic din Figura 7 căutăm o relaţie între
semnalele 𝑣𝑜 şi 𝑣𝑔𝑠 :

Figura 13 - Schema echivalentă pentru semnal mic

𝑂ℎ𝑚: 𝑣𝑜 = −𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )

Dar:

𝑣𝑔𝑠 = 𝑉𝑔𝑠𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡

𝑣𝑜 = 𝑉𝑜𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜋) = −𝑉𝑜𝑚 sin 𝜔𝑡

Urmează că:

𝑉𝑜𝑚 sin 𝜔𝑡 = 𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )𝑉𝑔𝑠𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡

𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 3.08 − 2

𝑉𝑜𝑚 = 𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )𝑉𝑔𝑠𝑚 < 𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 ) = 1.08𝑚𝑆 ∙ 1.66𝑘Ω ∙ = 0.39𝑉
5 5

f. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑀 să nu se blocheze

Condiţia de ⅂Blocare pentru TEC-MOS:

𝐼𝑑𝑚 < 𝐼𝐷

Deoarece ni se cere amplitudinea maximă a semnalului de ieşire şi cunoaştem amplitudinea maximă a

curentului 𝑖𝑑 astfel încât să se respecte C⅂Blocare, pe schema de semnal mic din Figura 13 căutăm o
relaţie între semnalele 𝑣𝑜 şi 𝑖𝑑 :

22
 Figura 13 - Schema echivalentă pentru semnal mic

𝑂ℎ𝑚: 𝑣𝑜 = −𝑖𝑑 (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )

Dar:

𝑖𝑑 = 𝐼𝑑𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡

𝑣𝑜 = 𝑉𝑜𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜋) = −𝑉𝑜𝑚 sin 𝜔𝑡

Urmează că:

𝑉𝑜𝑚 sin 𝜔𝑡 = (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )𝐼𝑑𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡

𝑉𝑜𝑚 = (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )𝐼𝑑𝑚 < (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )𝐼𝐷 = 1.66𝑘Ω ∙ 0.58𝑚𝐴 = 0.963𝑉

g. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât 𝑀 să nu se triodeze

Condiţia de ⅂Triodă pentru TEC MOS:

𝑉𝑑𝑠𝑚 < 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑇𝐻

Deoarece ni se cere amplitudinea maximă a semnalului de ieşire şi cunoaştem amplitudinea maximă a

tensiunii 𝑣𝑑𝑠 astfel încât să se respecte C⅂Triodă, pe schema de semnal mic din Figura 13 căutăm o relaţie
între semnalele 𝑣𝑜 şi 𝑣𝑑𝑠 :

Figura 13- Schema echivalentă pentru semnal mic

23
 𝐾𝐼𝐼𝑜2: 𝑣𝑜 − 𝑣𝑑𝑠 − 𝑅𝑆 𝑖𝑑 = 0

Putem scrie:

𝑂ℎ𝑚: 𝑣𝑜 = −𝑖𝑑 (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )

𝑖𝑑 = −𝑣𝑜 /(𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )

Urmează că:
𝑣𝑜
𝐾𝐼𝐼𝑜2: 𝑣𝑜 − 𝑣𝑑𝑠 + 𝑅𝑆 =0
(𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )

𝑅𝑆
𝑣𝑜 (1 + ) = 𝑣𝑑𝑠
(𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )

1
𝑣𝑜 = 𝑣𝑑𝑠
𝑅𝑆
1+
(𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 )

Dar

𝑣𝑑𝑠 = 𝑉𝑑𝑠𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜋)

𝑣𝑜 = 𝑉𝑜𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜋)

Urmează că:

1 1 1
𝑉𝑜𝑚 = 𝑉𝑑𝑠𝑚 < (𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑇𝐻 ) = (17.95 − 3.08 + 2 )
𝑅𝑆 𝑅𝑆 0.5𝑘
1+ 1+ 1 +
(𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 ) (𝑅𝐷 ‖𝑅𝐿 ) 1.66𝑘
= 1.54𝑉

ℎ. 𝑉𝑜𝑚 astfel încât amplificatorul să funcţioneze fără distorsiuni

𝑉𝑜𝑚 = min{𝑉𝑜𝑚𝐶𝑆𝑀 ; 𝑉𝑜𝑚𝐶⅂𝐵 ; 𝑉𝑜𝑚𝐶⅂𝑇 } = min{0.39; 0.96; 1.54} = 0.39𝑉

24
Probleme tip examen

P1. Considerând 𝐾 = 0.5𝑚𝐴/𝑉 2 şi 𝑉𝑇𝐻 = 2𝑉, să se determine 𝐼𝐷 , 𝑉𝐺𝑆 , 𝑉𝐷𝑆 şi regiunea de funcţionare a
tranzistorului MOS. (Vezi Sem #2)

P2. Se consideră următorul circuit în care diodele se modelează cu DI şi 𝑈𝐷 = 0.6𝑉. Condensatoarele

pot fi considerate scurt-circuit în semnal mic. Să se determine punctul static al fiecărei diode precum şi
𝑣𝑜
transferul de semnal mic 𝑎 = 𝑣𝑖
. (Vezi Sem #4)

P3. Considerând 𝛽𝐶𝐶 → ∞ si 𝑈𝐷 = 𝑉𝐵𝐸 (𝑅𝐴𝑁) = 0.6𝑉, să se determine:

a. 𝐼𝐷 , 𝐼𝐶 ;
b. 𝑉𝐵 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐶 şi regiunea de funcţionare a tranzistorului;
c. Schema complementară cu tranzistor PNP şi aceleaşi surse de alimentare;
(Vezi Sem #6)

25
P4. Considerand 𝐾 = 0.5 𝑚𝐴⁄𝑉 2 si 𝑉𝑇𝐻 = 2𝑉, sa se determine:

a. Schema echivalenta in curent continuu;

b. PSF(M) si gm(M);
c. Schema echivalenta in semnal mic si mijloc de banda
d. 𝑎𝑣 , 𝑅𝑖 , 𝑎𝑣𝑔 , 𝑅𝑜 , 𝑎𝑖 , 𝑎𝑝 ;
e. 𝑉𝑜𝑚 pentru care M nu mai respecta conditia de semnal mic;
(Vezi Sem #7)

26