Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
SURSE DE LUMINĂ
ŞI OPTOELECTRONICĂ
2005
Ministerul Educaţiei şi Cercetării
Proiectul pentru Învăţământul Rural
FIZICĂ
2005
© 2005 Ministerul Educaţiei şi Cercetării
Proiectul pentru Învăţământul Rural
ISBN 973-0-04255-1
Introducere
1. INTRODUCERE
Cursul are zece unităţi de învăţare. Unele sunt descriptive şi pot fi relativ
uşor înţelese, mai ales pentru că se referă la aspecte teoretice ale căror
aplicaţii sunt comune. Aceste părţi sunt ample, dar relativ uşor de
urmărit. Sunt unităţi de învăţare referitoare la lumină şi surse de lumină
sau altele care descriu într-o manieră simplificată funcţionarea
dispozitivelor optoelectronice: fotodiodă, celulă solară, fototranzistor,
fototiristor, optocuplor, telecomandă, afişoare, etc.
Între unităţile de învăţare descriptive sunt dispuse alte unităţi de învăţare
în care sunt prezentate elemente ale teoriei care explică funcţionarea
dispozitivelor optoelectronice. Sunt unităţi mai puţin voluminoase dar
ceva mai dificil de desluşit. Aceste unităţi presupun mai multe cunoştinţe
de electricitate şi matematică. Vei căpăta însă parcurgând aceste unităţi
capacitatea de a înţelege ce se ascunde în spatele „minunilor” tehnice
furnizate de optoelectronică.
Studiind acest curs vei găsi răspunsuri la un număr mare de întrebări, care
cu siguranţă te-au preocupat.
Adrian S. DAFINEI
Delia DAVIDESCU
Cuprins Pagina
2. Luminescenţe......................................................................................................... 29
9. Detectori de lumină............................................................................................203
Cuprins Pagina
1. Despre lumină ...................................................................................1
1.1. Obiectivele Unităţii de învăţare 1 - Despre lumină .............................2
1.2. Optoelectronica .................................................................................3
1.3. Despre lumină cu măsură..................................................................5
1.3.1. Frontierele optoelectronicii..............................................................5
1.3.2. Test de autoevaluare 1.1 ................................................................9
1.3.3. Mărimi şi unităţi caracteristice radiometrice şi fotometrice..............9
1.3.4. Corespondenţe şi valori caracteristice ..........................................15
1.3.5. Test de autoevaluare 1.2 ..............................................................17
1.4. Principiile fotometriei........................................................................17
1.4.1. Legea inversului pătratului............................................................17
1.4.2. Legea Lambert a cosinusului........................................................18
1.4.3. Suprafeţe Lambertiene .................................................................19
1.4.4. Fluxul radiant şi fluxul luminos......................................................20
1.4.5. Iradianţa şi iluminarea...................................................................20
1.4.6. Radianţa şi luminanţa ...................................................................21
1.4.7. Intensitatea energetică şi intensitatea luminoasă. ........................21
1.5. Principiile colorimetriei .....................................................................22
1.5.1. Culoarea ca funcţie de compoziţia spectrală ................................23
1.5.2. Colorimetria tricromatică...............................................................24
1.6. Temperatura de culoare ..................................................................24
1.6.1. Test de autoevaluare 1.3 ..............................................................25
1.7. Răspunsuri la testele de autoevaluare ............................................25
1.8. Termeni şi expresii cheie. Principii cheie. Formule cheie ................27
1.9. Lucrare de verificare 1. ....................................................................28
1.10. Bibliografie.....................................................................................28
1.2. Optoelectronica
Dezvoltarea studiilor de optică în laboratoarele şi uzinele electronice
reprezintă o evoluţie normală a radiotehnicii. Aplicaţiile undelor radio au
mers mereu spre utilizarea de frecvenţe din ce în ce mai înalte.
Televiziunea şi telefonia celulară folosesc unde din ce în ce mai scurte
din spectrul undelor radio al radiaţiei electromagnetice.
Două cerinţe fundamentale ale transmisiei de date cer creşterea
frecvenţelor radiaţiilor electromagnetice folosite. Acestea sunt:
O fotografie este alcătuită din pete al căror număr este, uzual, de 50 până
la 100 pe milimetru. Un clişeu obişnuit de 24 × 36mm 2 conţine
N = 24 × 36 × n 2 puncte elementare de informaţie. Pentru filme de mare
sensibilitate, pentru care numărul de pete poate ajunge la 3000 pe
milimetru, un cadru poate conţine până la ~ 1010 puncte de informaţie
elementară. Pentru a analiza complet, punct cu punct, o astfel de imagine
în 1/25s ar fi necesare frecvenţe de 2,5 × 1011 Hz . Tehnicile radio nu sun
capabile deocamdată de astfel de performanţe, în timp ce optic, analiza
se realizează curent. Diferenţa de viteză poate fi înţeleasă din imaginile
de mai jos.
Figura 1.1
Atunci când ochiul compară două fotografii, toate semnalele se compară
simultan cu toate referinţele, Figura 1.2. şi decizia este luată prin
tratamentul paralel al informaţiei .
Acelaşi tip de tratament se petrece şi atunci când imaginea (reprezentând
date de intrare) este legată (prin unde de lumină) cu elementele de
comparare şi decizie ( detectorii - care pot fi petele sensibile de pe un film
sau elementele sensibile ale unei camere foto digitale).
Semnalele electrice sunt, în esenţă, semnale cu dependenţă temporală
care se analizează secvenţial iar semnalele optice sunt semnale spaţiale
care pot fi analizate paralel.
Optoelectronica este astăzi, prin produsele cercetării în domeniu,
Figura 1.2
prezentă în toate domeniile tehnicii. Dispozitive elementare ca diode
electroluminescente, fotodiode , fototranzistori, fototiristori, celule solare,
optocuploare sau sisteme cum sunt camerele foto sau camerele
moderne de filmare, televiziunea modernă, telecomenzi, diverse sisteme
de vizualizare sau iluminare, sisteme moderne de transmisie şi
prelucrare a datelor, sunt toate produse optoelectronice.
Figura 1.3
Prefixele folosite în Tabelul din figura 1.4. definesc multipli şi au
semnificaţiile descrise în coloana a treia a tabelului.
Figura 1.4
Numele zonelor distincte din spectru sunt date în tabelele din figurile 1.5
şi respectiv 1.6.
γ Raze gama
HX Raze X tari
SX Raze X moi
EUV Ultraviolet extrem
NUV Ultraviolet apropiat
Vizibil
NIR Infraroşu apropiat
MIR Infraroşu mediu
FIR Infraroşu îndepărtat
Figura 1.5
Unde radio
EHF Înaltă frecvenţă extremă (Microunde
SHF Super înaltă frecvenţă (Microunde)
UHF Ultra înaltă frecvenţă
VHF Foarte înaltă frecvenţă
HF Înaltă frecvenţă
MF Medie frecvenţă
LF Frecvenţă joasă
VLF Frecvenţă foarte joasă
VF Frecvenţă sonoră
ELF Frecvenţă extreme de joasă
Figura 1.6
Doar o mică porţiune din spectrul radiaţiei electromagnetice este
reprezentată de radiaţia numită în mod curent lumină. Lumina este
porţiunea vizibilă, observabilă cu ochiul, a spectrului electromagnetic. Ea
este caracterizată prin frecvenţe de 7.5×1014 Hz până la 3.8×1014 Hz.
Viteza luminii c , frecvenţa ν şi lungimea de undă λ sunt legate prin
relaţia
c = λ ⋅ν ( 1.3)
Lungimile de undă ale zonei din spectrul radiaţiei electromagnetice
corespunzătoare luminii sunt cuprinse între 400nm şi 800nm . Lumina
excită celulele sensibile ale retinei ochiului uman, bastonaşele şi conurile,
creând un semnal electric. Acest semnal ajunge la creier producând
senzaţia de vedere.
Figura 1.7
Figura 1.7. dă posibilitatea înţelegerii faptului că optoelectronica vizibilului
utilizează o zonă extrem de îngustă a radiaţiilor electromagnetice.
Tehnic, se petrece o extensie a domeniului pe care îl utilizează
dispozitivele optoelectronice. Zona dinspre infraroşu, a radiaţiei termice,
este curent utilizată pentru construirea telecomenzilor sau pentru
aparatura de detecţie în infraroşu. Construcţia în 1964 a oscilatorului
radioelectronic numit carcinotron capabil să producă unde radio cu
frecvenţa de1000GHz ( λ ≈ 300 μm ) a apropiat spectrul
Proiectul pentru Învăţământul Rural 7
Despre lumină
undelor radio de cel optic. Apariţia laserului care lucrează în domeniul
infraroşu îndepărtat ( λ = 3 ÷ 300μm ) a desfiinţat complet graniţa dintre
tehnicile optoelectronice şi cele ale radiotehnicii. Problemele modulării şi
detectării semnalelor utilizate în optoelectronică beneficiază astăzi de
soluţii pot fi în egală măsură considerate optice şi radioelectronice.
4. Decide dacă energia radiaţiei gama este mai mare sau nu decât
energia undelor radio folosite la telefonul celular
Obiectele pot emite sau pot reflecta sau difuza lumina. Lumina care vine
de la un obiect sau care cade pe un obiect poate fi caracterizată cu
mărimi specifice.
Percepţia umană a imaginilor se petrece prin mecanisme fiziologice
complexe de care trebuie să se ţină seama în evaluarea caracteristicilor
vizuale ale unui sistem de iluminare sau de detecţie a luminii. Măsurările
asupra sistemelor optice se pot face însă şi cu instrumente care să
determine caracteristici ale radiaţiei electromagnetice indiferent de
intervalul spectral.
Un prim aspect referitor la percepţia fiziologică a luminii este legat de
banda sensibilităţii spectrale a ochiului. Ochiul nu este însă asimilabil
unui filtru obişnuit, care lasă să treacă o anumită bandă de lungimi de
undă. Datorită caracteristicilor fiziologice ale retinei, sensibilitatea
spectrală a ochiului depinde de intensitatea luminii. Astfel, la nivel de
iluminare ridicat, elementele sensibile ale retinei, care participă la
percepţia luminii, sunt conurile. Tipul de vedere corespunzător acestei
situaţii, vedere fotopică, este vederea diurnă. La nivele mici de iluminare,
elementele sensibile ale retinei, care participă la percepţia luminii, sunt
bastonaşele. Tipul de vedere, vedere scotopică, este vederea nocturnă.
Caracteristicile spectrale ale celor două tipuri, extreme, de vedere sunt
prezentate în figura 1.8.
Figura 1.8
Caracteristicile spectrale ale ochiului uman
Pentru o înţelegere mai bună a mecanismului fiziologic al vederii poţi
accesa de exemplu http://www.tedmontgomery.com/the_eye.
Figura 1.9
Pentru unghiuri solide mici, pentru care suprafaţa determinată pe sfera cu
centrul în vârful unghiului solid poate fi considerată plană (curbura sferei
poate fi neglijată), definiţia de mai sus permite scrierea unei relaţii între
unghiul solid elementar dΩ , aria elementară normală subîntinsă de el
dS n şi distanţa r dintre vârful unghiului solid şi locul în care este dispusă
suprafaţa elementară (normală pe raza locală a sferei)
dS n
r2 = ( 1.7)
dΩ
• Fluxul radiant din unitatea de unghi solid se numeşte intensitate
radiantă. Relaţia sa de definiţie este
∂Φ e
Ie = ( 1.8)
∂Ω
iar unitatea sa de măsură este W / sr . Formula de definiţie a intensităţii
radiante pleacă de la constatarea experimentală că, la distanţe mari (prin
comparaţie cu dimensiunile sursei de lumină) iluminarea scade
proporţional cu pătratul distanţei, r . Evident,
∂Φ e 1
Ee = = Ie 2 ( 1.9)
∂S n r
• Radianţa este o mărime ce serveşte la caracterizarea surselor cu
arie mare. Ea este definită ca intensitatea radiantă corespunzătoare
unităţii de arie a sursei
măsurată în W ⋅ m −2 ⋅ mm −1 .
• Emitanţa spectrală
∂M e
M e,λ = ( 1.13)
∂λ
măsurată tot în 555nm .
Figura 1.10
Se folosesc adesea unităţi de măsură fotometrice tolerate, corelabile cu
unităţile recomandate de Sistemul Internaţional. Astfel, pentru iluminare
se folosesc unităţile prezentate în tabelul din figura 1.11.
Figura 1.13
Câteva iluminările caracteristice, în lux, sunt prezentate în tabelul din
figura 1.14.
Figura 1.14
4. Scrie de câte ori este mai mare iluminarea , în lux, a unei zile
însorite decât a unei nopţi întunecate
E1 ⋅ d 22 = E 2 ⋅ d12 ( 1.23)
Figura 1.15
Aşa cum s-a specificat mai sus, poţi aplica legea inversului pătratului
pentru surse punctiforme. Pentru a admite în mod rezonabil că o sursă
este punctiformă, trebuie să respecţi regula lui «de cinci ori » care
statuează că poţi considera că sursa este punctiformă dacă distanţa de la
sursă la locul în care se calculează iluminarea este de cel puţin cinci ori
mai mare decât cea mai lungă dintre dimensiunile sursei.
Figura 1.16
Figura 1.17
O suprafaţă Lambertiană este aceea care asigură o difuzie uniformă a
radiaţiei incidente astfel încât radianţa sa este aceeaşi indiferent de
direcţia din care este măsurată. Suprafaţa orizontală reflectantă din figura
1.17 are această proprietate.
Multe suprafeţe difuzante reale sunt Lambertiene.
Atunci când priveşti pagina pe care o citeşti, ea pare la fel de luminoasă
indiferent de unghiul dintre direcţia privirii tale şi suprafaţa hârtiei. Ochiul
uman care adună radiaţia dintr-un unghi solid foarte mic, (delimitat de
pupilă) este un detector ideal al luminozităţii
Figura 1.18 arată o suprafaţă care radiază egal în direcţie normală, la 60°
şi la 30o. Întrucât în conformitate cu legea cosinusului un detector de
radiaţie vede un unghi solid de două ori mai mare în direcţia la 60°,
pentru conservarea radianţei trebuie ca reflexia după această direcţie,
60°, să fie jumătate din reflexia după direcţia la 0°.
Figura 1.18
⎧1 lm (lumen)
⎪
⎨= 1.464 x 10 - 3 W la 555 nm ( 1.26)
⎪= 1/(4π ) candelã
⎩
sau
⎧1 lm * s (lumen * secundã )
⎪
⎨ = 1 talbot ( Τ) ( 1.27)
⎪ = 1.464 × 10 −3 Joules la 555 nm
⎩
Figura 1.19
Becul din imaginea de mai sus care radiază identic în toate direcţiile; este
o sursă izotropă de lumină. Dacă intensitatea sa fotometrică este I atunci
fluxul său fotometric are expresia
Φ = 4π ⋅ I ( 1.28)
Figura 1.20
20 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Despre lumină
În figura de mai sus, becul are intensitatea fotometrică de o candelă. O
sursă de 1 candelă produce un flux izotrop de un lumen pe steradian.
Pentru o distanţă de 1 metru, un steradian are o suprafaţă de proiectare
de 1m2. Iluminarea pe această suprafaţă este de un lux. Cu cât distanţa
faţă de sursă la care se măsoară iluminarea unei suprafeţe este mai
mare, cu atât iluminarea este mai mică.
Figura 1.21
Figura 1.22
Figura 1.23
22 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Despre lumină
Aşa cum s-a remarcat în paragraful anterior, senzaţia unei anumite culori
se poate obţine dintr-o multitudine de combinaţii spectrale. Se pot descrie
tehnici care să permită generarea unei anumite culori.
1. Cea mai simplă metodă constă în alegerea dintr-un spectru distribuit
continuu a luminii monocromatice care are nuanţa asemănătoare cu
aceea a luminii de probă, urmată de adăugarea de lumină albă până la
atingerea saturaţiei asemănătoare luminii de probă. Prin variaţia strălucirii
se obţine luminanţa analogă eşantionului care trebuie reprodus.
Lungimea de undă a culorii spectrale pure a cărei nuanţă este identică
nuanţei culorii de probă se numeşte lungime de undă dominantă. Metoda
descrisă poate fi folosită pentru obţinerea oricărei culori.
Metoda pentru obţinerea unei culori descrisă mai sus nu este unică.
Culoarea purpurie poate fi obţinută plecând de la nuanţa de purpuriu sau
amestecând în proporţii potrivite culoare roşie şi violetă.
2. Saturaţia luminii galbene poate fi scăzută fără modificarea nuanţei
prin adăugarea de lumină albastră. Orice culoare poate fi desaturată
asemănător prin adăugarea unei culori convenabile. Culorile care se
desaturează reciproc se numesc culori complementare. Existenţa
culorilor complementare permite construirea unei metode de „construire „
a unei culori. Adăugând unei nuanţe dominante o cantitate din lumina
complementară se obţine un efect analog adăugării de lumină alba în
metoda de la punctul 1. Nuanţa obţinută prin combinaţia de două lumini
monocromatice descrisă în această metode, are o compoziţie spectrală
cu totul diferită de nuanţa identică obţinută prin prima metodă. Culorile
care dau senzaţii identice deşi au compoziţii spectrale diferite se numesc
metamerice spre deosebire de culorile identice cu compoziţii spectrale
identice care se numesc lumini izomerice. Culorile metamerice care
coincide la un anumit tip de iluminare pot fi diferite la altă iluminare.
Deoarece generarea luminii plecând de la o distribuţie continuă de lumini
monocromatice este, tehnic, dificilă, se foloseşte o metodă practică
numită colorimetrie tricromatică.
Tabelul 1.1
1200K Lumânarea
2800K Becul electric obişnuit
3000K Reflectoarele din studiouri foto
5000K Lumina flashului foto, lumina unei zile obişnuite
6000K Lumina la amiaza zile
Răăssppuunnssuurrii
TTeesstt ddee aauuttooeevvaalluuaarree 11..11-- R
Răăssppuunnssuurrii
TTeesstt ddee aauuttooeevvaalluuaarree11.. 22 -- R
4. De 40 de milioane de ori.
Răăssppuunnssuurrii
TTeesstt ddee aauuttooeevvaalluuaarree 11.. 33 -- R
11..
d2
E 2 = E1 ⋅ 22
d1
2
⎛ 1 ⎞
E 0,5 m = E1m ⋅ ⎜ ⎟ = 40lm / m 2
⎝ 0,5 ⎠
2.
a.) Ceea ce suprafaţa „ întoarce” din lumină este
M = 100.0 * 0.85 = 85.0 lm/m2
b.) Luminozitatea sursei este
⎧ =M /π
L
⎨
⎩L = 85.0 / π = 27.1 lm/m /sr = 27.1 cd/m
2 2
3.
Numai 3% din iluminarea nocturnă
⎧ I
⎪ E = d 2 cos θ
⎪
⎪ 100 2
⎨E = ⋅
⎪ 2 × 10 4
2
⎪ 1 −3
⎪ E = 282 lux ≈ 3 × 10 lux
⎩
4.
Nu. Există culori izomerice
5.
Nuanţă, strălucire, saturaţie
Principii cheie
Principiile fotometriei
Principiile colorimetriei
Formule cheie
∞
∂We
Φe = Φ L = ℘⋅ ∫ Φ e ,λ ⋅ K λ ⋅ dλ
∂t 0
∂Φ e dΦ L
Ee = EL =
∂S n dS
∂Φ e dΦ L
Ie = IL =
∂Ω dΩ
∂ 2Φ e ∂I dI
Be = = e BL = L
∂S n ∂Ω ∂S n dS n
1.10. Bibliografie
Ca să aprofundezi cunoştinţele pe care le-ai căpătat studiind aceasta
unitate de învăţare, îţi recomandăm să citeşti din
Cuprins Pagina
2. Luminescenţe ................................................................................29
2.1.Obiectivele Unităţii de învăţare 2 - Luminescenţe...........................30
2.2.Surse de lumină..............................................................................30
2.3.Stări energetice pentru electroni.....................................................31
2.4.Electronii în solide ..........................................................................32
2.4.1.Test de autoevaluare 2.1 .............................................................36
2.5.Radiaţie, fluorescenţă, fosforescenţă .............................................37
2.5.1.Procese fizice în luminescenţă ....................................................37
2.5.2.Test de autoevaluare 2.2. ............................................................39
2.6.Tipuri de luminescenţe....................................................................40
2.6.1.Chemoluminescenţă ....................................................................40
2.6.2.Bioluminescenţa ..........................................................................40
2.6.3.Scintilatori ....................................................................................41
2.6.4.Electroluminescenţă ....................................................................41
2.6.5.Plasma ........................................................................................43
2.6.6.Lămpile cu descărcare.................................................................44
2.6.7.Tuburile fluorescente care funcţionează datorită
fotoluminescenţei..................................................................................47
2.6.8.Triboluminescenţa .......................................................................48
2.6.9.Catodoluminescenţa ....................................................................48
2.6.10.Test de autoevaluare 2.3 ...........................................................52
2.7.Răspunsuri la testele de autoevaluare ...........................................53
2.8.Termeni şi expresii cheie. Formule cheie .......................................55
2.9.Bibliografie......................................................................................56
2.10.Test de autoevaluare fără răspunsuri 2 ........................................56
Reţine că în lipsa unei excitaţii, materia aflată în stare solidă, lichidă sau
gazoasă nu emite lumină. În schimb orice sistem aflat în stare de
plasmă reprezintă o sursă de lumină. Plasmele naturale sau artificiale
sunt deci surse obişnuite de lumină.
Soarele, de exemplu este o astfel de sursă de lumină.
În esenţă metoda de obţinere a luminii constă în excitarea unui sistem
fizic peste limita de la care electronii săi pot efectua tranziţii pe stări
excitate, astfel încât prin dezexcitare să producă radiaţii luminoase.
Figura 2.1.
Îţi aminteşti că starea energetică a electronului în atom este descrisă de
patru numere cuantice:
• numărul cuantic principal, n, care asociază electronul unei
anumite pături
• numărul cuantic secundar (orbital) l, legat de momentul orbital al
electronului, şi care determină subpătura căreia îi aparţine electronul
• numărul cuantic magnetic m, care determină locaţia spaţială a
vectorului moment magnetic pentru electronul pe orbită
• numărul cuantic de spin s, legat de momentul
unghiular propriu electronului
Electronii unui atom sau ai unei molecule diferă între ei prin valoarea a
cel puţin unuia dintre cele patru numerele cuantice. Acest fapt este
rezumat de aşa numitul „principiu de excluziune Pauli” care exclude
posibilitatea existenţei unor nivele energetice electronice, care să aibă
toate numerele cuantice identice.
Figura 2.2
Aşa cum observi în figura 2.2, pentru semiconductori şi izolatori,
nivelele libere aflate la dispoziţie sunt cele aflate în banda de conducţie,
separată de banda de valenţă printr-o bandă interzisă. La
semiconductori, încălzirea materialului sau alte tipuri de excitare permit
unor electroni să „escaladeze” banda interzisă, ajungând astfel în zona
cu nivele libere la dispoziţie, banda de conducţie; astfel electronii devin
mobili. La ridicarea temperaturii, la iluminare, sau la bombardament cu
radiaţie semiconductorii în care apar purtători mobili de sarcină devin
conductori.
În dielectrici un proces de excitare de tipul celui descris mai sus nu este
posibil – în principal datorită lărgimii mult mai mari a benzii interzise.
Atunci când într-un semiconductor un electron se eliberează de atomul
propriu, el lasă în urmă un „loc liber” pe care poate „sări” un electron de Golul
este un
la un atom vecin,. Locul liber se mişcă la ultimul atom care şi-a pierdut
simbol
electronul. Electronii legaţi de atomii proprii fac salturi pe distanţe mici, care
între doi vecini din reţeaua cristalului, în timp ce locurile libere se descrie
deplasează pe distanţe mult mai mari în cristal. Se poate descrie mişcarea
mişcarea colectivă a electronilor legaţi din cristal, prin introducerea, colectivă
a
golului, locul liber ocupat succesiv de electronii legaţi prin salt la un
electronil
atom vecin. Golul este o cuasiparticulă, un simbol pentru descrierea or legaţi
mişcării colective a electronilor legaţi. Lui i se va asocia o sarcină
electrică pozitivă, o masă şi o energie.
cinema vezi, la dreapta ta, un loc liber la mijlocul unui rând. Dacă-i rogi,
spectatorii se vor muta fiecare cu câte un scaun la dreapta. Locul gol va
veni spre tine şi tu te vei putea aşeza pe scaunul liber de la capătul din
dreapta al rândului. Fiecare spectator s-a deplasat cu un singur loc spre
dreapta. Locul liber a venit pe distanţă mare spre stânga de la mijlocul
rândului până la tine. Evident că deplasarea locului liber este un simbol
al mişcării colective, pe distanţe scurte, a tuturor spectatorilor de pe
rând.
Proiectul pentru Învăţământul Rural 33
Luminescenţe
4. Descrie triboluminescenţa
2.6.1. Chemoluminescenţă
2.6.2. Bioluminescenţa
2.6.3. Scintilatori
2.6.4. Electroluminescenţă
Lumea noastră imediată este foarte specială. În jur vedem mai ales
materie în stare solidă sau lichidă, în compoziţia căreia intră atomi grei.
Dar de fapt, cea mai mare parte a materiei este compusă din atomi
uşori, hidrogen şi heliu şi se află în stare de plasmă. Soarele şi toate
stelele sunt mingii mari de plasmă. 99% din masa totală a universului
se află în aceste mingii de plasmă. Numai planetele, pulsarii şi câţiva
nori de gaz interstelar şi pulbere interstelară se află în stare solidă ,
lichidă şi gazoasă. În imediata noastră apropiere, plasma naturală este
foarte rară, astfel încât este dificil recunoscută ca stare separată a
materiei. În stare de plasmă se găseşte gazul din pătura atmosferică
superioară la înălţimi cuprinse între 80-90km. De asemenea , în
straturile superioare ale atmosferei , în aurorele polare, aerul este în
stare de plasma. Tehnologiile moderne folosesc diverse forme de
plasmă produsă artificial. Gazul din tuburile fluorescente şi cele din
semnalizatoarele cu neon este plasmă ; arcul luminos al descărcărilor
electrice este plasmă; focul evacuat de rachete este plasma; şi mingiile
de foc produse de bombele nucleare sunt plasma .
Plasma este acea stare a materiei care conţine particule încărcate
libere, adică ioni şi electroni, într-o proporţie suficient de mare pentru a
prezenta proprietăţi electromagnetice. Se ştie că un gaz ionizat în
proporţie de 1% prezintă o conductivitate electrica aproape egală cu a
gazului complet ionizat.
în cazul cel mai general, plasma conţine un amestec de ioni pozitivi ,
electroni şi atomi neutri, uneori chiar şi molecule. Gradul de ionizare
depinde de temperatură: dacă temperatura este scăzută, plasma poate
conţine un număr considerabil de atomi neutri; dacă temperatura este
ridicată aproape toţi atomii pot fi ionizaţi. În funcţie de temperatura
particulelor constituente, plasma este rece, calda sau fierbinte . Cu cât
o plasma este mai caldă, cu atât energia particulelor este mai mare şi
aceasta înseamnă că atomii pot pierde, prin ciocnire, unul sau mai mulţi
electroni din învelişul lor. Plasmele fierbinţi din interiorul Soarelui şi
stelelor sunt complet ionizate la temperaturile de milioane şi zeci de
milioane de grade, care “ard” materia pentru a ne da căldură şi lumină.
Figura 2.9
Figura 2.10. îţi prezintă schema nivelelor energetice ale mercurului şi
tranziţiile responsabile de producerea spectrului de linii ale acestei
substanţe
Figura 2.10
În figura 2.11 poţi observa spectrul de emisie al lămpii cu mercur. Într-o
astfel de lampă se realizează o presiune ridicată a vaporilor de metal,
prin încălzire de la 2 minute până la 5 minute. Din acest motiv lămpile
cu vapori de mercur nu se „aprind” instantaneu.
Figura 2.13
2.6.8. Triboluminescenţa
2.6.9. Catodoluminescenţa
Figura 2.14
Fasciculul de electroni produşi de tunul electronic poate fi deviat cu
ajutorul plăcilor de deflexie. Ele sunt plăci metalice, asemănătoare
armăturilor unui condensator plan, pe care se aplică o diferenţă de
potenţial. La trecerea printre plăcile de deflexie, fasciculul de electroni
este atras de placa pozitivă şi respins de placa negativă. Există două
perechi de plăci de deflexie care permit deplasarea pe verticală,
respectiv pe orizontală a fasciculului de electroni. Devierea fasciculului
de electroni sus-jos, respectiv stânga – dreapta se poate realiza şi cu
ajutorul unor bobine care produc câmp magnetic.
Observi că după trecerea printre plăcile de deflexie, fasciculul de
electroni se deplasează către un ecran luminiscent. Pe acest ecran sunt
dispuse pete foarte mici, distincte, formând o pătură, dintr-o substanţă
care devine luminoasă, datorită bombardamentului electronic.
Caracteristica importantă a acestei luminescenţe este adresabilitatea
punctelor luminescente. Cum pătura de substanţă luminescentă de pe
ecran este de fapt un ansamblu de „pete” luminescente microscopice,
„aprinderea” fiecărei pete se poate face ţintind-o cu fasciculul de
electroni. Tuburile cu raze catodice au ca principal domeniu de aplicare
ecranele televizoarelor, ale osciloscoapelor, ale monitoarelor sau ale
consolelor grafice.
În tuburile catodice ale televizoarelor trei tunuri electronice distincte,
produc trei fascicule foarte fine de electroni - figura 2.15 .
Reţine că fiecare punct luminos-pixel, de pe ecran este un ansamblu de
trei pete din substanţe care supuse bombardamentului cu electroni emit
lumină roşie, verde respectiv albastră. Aceste pete sunt dispuse în şiruri
orizontale.
Încălzirea diferită a celor trei catozi produce intensităţi diferite ale celor
trei fascicule. Acestea sunt mişcate simultan pe orizontală şi , după ce
fac o baleiere completă a lăţimii ecranului iluminând petele unui rând,
reiau mişcarea pe orizontală, adresând de această dată un rând de
pete aflat mai sus. Când se ajunge la cel mai de sus rând de pete,
bobina de deflexie verticală aduce fasciculele pe rândul de pete, cel mai
de jos.
Fiecare fascicul adresează una din petele de culoare ale unui pixel. În
funcţie de încălzirea catodului corespunzător, fasciculele unei culori
Figura 2.15
Observarea imaginii de pe ecranul televizorului este efectul unei iluzii
optice. Ochiul şi creierul păstrează imaginile tuturor pixelilor aprinşi la
momente diferite, şi produce o imagine unică. Dacă se fotografiază
ecranul unui televizor cu un aparat fotografic folosind un timp de
expunere foarte scurt, pe fotografie se va vedea un singur punct aprins
,sau eventual o linie.
Dezavantajul tuburilor catodice este volumul mare, care trebuie vidat.
Studiază cu atenţie figura 2.16 în care este prezentat mecanismul
simplificat al fosforescenţei implicate în funcţionarea tuburilor catodice
şi mecanismul fluorescenţei
Figura 2.16
Figura 2.17
3. Defineşte plasma.
1.Chemoluminescenţa şi bioluminescenţa
2.Scintilaţia. Cristalele scintilatoare cuplate cu fotomultiplicatori
constituie tipul comun de detector de radiaţie cosmică.
3.Plasma este o colecţie de ioni şi electroni nelegaţi, care se
deplasează independent. Existenţa plasmei în care condiţia de
neutralitate electrică nu este respectată, presupune existenţa unei
puternice excitări a atomului, capabilă să-l „desfacă” în componente
care evoluează independent
4.Luminescenţa datorată descărcării în gaze. Lumina apare datorită
unei plasme reci.
5. În descărcare independentă trecerea curentului electric prin gazul
unui tub cu descărcare are loc chiar dacă acţiunea agentului
ionizant extern încetează . Descărcare independentă se produce
deoarece la tensiuni suficient de mari ionii pozitivi capătă energie
cinetică suficientă pentru ca la ciocnirea cu catodul să elibereze
electroni care, la rândul lor, sub acţiunea câmpului extern capătă
Formule cheie
ΔW
ν=
h
2.9. Bibliografie
Ca să aprofundezi cunoştinţele pe care le-ai căpătat studiind aceasta
unitate de învăţare, îţi recomandăm să citeşti din
3.”Luminescence” în www.wilkipedia.org.
As
1.Descrie nivele de activatori. Desenează o schemă energetică de
benzi pentru un material în care există astfel de nivele.
2.Asociază fiecărui tip de luminescenţă procesul prin care este
furnizată energia ulterior radiată.
1.Fotoluminescenţă a. Un proces chimic
2. Electroluminescenţă b. Vibraţii ale cristalului
3. Triboluminescenţă c. Tensionare mecanică
4. Catodoluminescenţă d. Bombardare cu electroni
5. Bioluminescenţă e. Iluminare cu radiaţie din vizibil,
Vis , sau din ultraviolet ,UV.
f. Proces chimic într-un organism
viu
g. Descărcare electrică
h. Bombardare cu particule
încărcate de mare energie, emise
de substanţe radioactive sau
provenite din radiaţia cosmică
3. Numeşte tipurile de luminescenţe care sunt folosite pentru aparate
casnice.
4. Descrie tipul de luminescenţă care apare în fulger.
5. Explică ce reprezintă un pixel de pe ecranul unui televizor.
6.Precizează rolul fiecărei părţi a tubului catodic
7. Selectează răspunsul corect;
Fenomenul de electroluminescenţă stă la baza funcţionării
a. Osciloscopului
b. Monitorului
c. Tubului catodic
d. Lămpii cu descărcare în gaz sau vapori de metale.
8. Descrie modul de funcţionare al tuburilor de iluminat casnic cu
fotoluminescenţă
9. Descrie reprezentarea pe care o ai pentru modul în care Soarele
emite lumină.
⎧ 2 4π 2ν 2
k
⎪⎪ x + k 2
y + k 2
z =
c2
⎨ (3.7)
⎪k 2 = 4π ν
2 2
⎪⎩ c2
Condiţia (3.7) limitează valorile posibile ale componentelor vectorului
de undă astfel că numai anumite direcţii sunt posibile pentru undele
staţionare apărute în cavitate. Dacă vei imagina un spaţiu în care pe
axele de coordonate sunt reprezentate componentele vectorilor
G de
undă ( acest spaţiu este numit spaţiul vectorilor de undă, k ) vei putea
reprezenta modurile permise sub forma unui şir de noduri având
coordonatele
⎛ n x π n y π nz π ⎞
(k x , k y , k z ) = ⎜
⎜ L
, , ⎟.
⎟
( 3.8)
⎝ x Ly Lz ⎠
2πν
k=
c ( 3.11)
2πdν
dk =
c ( 3.12)
Figura 3.1
Distribuţia modurilor în spaţiul k. Fiecare mod este reprezentat printr-un
nod. Nodurile sunt dispuse într-o reţea paralelipipedică. Paralelipipedul
elementar, cel care se repetă în reţea, are muchiile de
⎛ 2π 2π 2π ⎞
lungimi ⎜ , , ⎟ . Pătura sferică de rază dk este marcată pe desen.
⎜L L L ⎟
⎝ x y z ⎠
3.3.3. Statistici
Figura 3.2
Distribuţia Fermi-Dirac la 0 0 K şi la o temperatură T > 0 0 K
66 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Radiaţia termică
La o temperatură T, pentru energia E F probabilitatea de ocupare
este 1/ 2 . Sistemul nu mai este “perfect condensat”; apar stări ocupate
peste nivelul Fermi şi stări libere sub acesta. Îndepărtarea de la
distribuţia de tip treaptă este cu atât mai evidentă cu cât temperatura
este mai ridicată.
Valoarea energiei Fermi este fixată de numărul de particule din sistem;
integrala funcţiei de distribuţie dă numărul total de particule distribuite.
A doua distribuţie, Bose-Einstein, se aplică sistemelor de particule
identice care nu se supun principiului de excluziune Pauli (pentru care
probabilitatea de ocupare a stărilor este nelimitată). Funcţia de
distribuţie pe nivelul energetic de energie W, depinde de parametrul
energie Bose , E B şi este dată de :
1
fBE ( W ) = (W −EB ) ( 3.19)
e k BT
−1
Ca şi în cazul distribuţiei Fermi energia E B se determină din condiţia ca
numărul de particulelor distribuite să fie egal cu numărul de particule din
sistem.
Ambele distribuţii trec – în cazul în care sistemul de particule identice
este foarte “rarefiat”, pentru energii mari şi deci probabilităţi de ocupare
mult mai mici decât 1 – în cea de a treia distribuţie, distribuţia Maxwell
Boltzmann. Funcţia de distribuţie pe nivelul energetic de energie W
este:
W
−
fMB ( W ) = f0 ⋅ e k BT
( 3.20)
Într-adevăr, dacă în numărătorii fracţiilor din expresiile (3.18) şi (3.19) ,
1 se poate neglija faţă de exponenţiale, ambele expresii trec în expresia
(3.20) cu un f0 corespunzător - de exemplu exp(E F / k B ⋅ T ) pentru
distribuţia Fermi.
Modurile radiaţiei electromagnetice sunt reprezentabile prin fotoni;
aceştia sunt particule identice care la 0 0 K pot condensa pe starea
fundamentală, E B = 0 . Este rezonabil să foloseşti în calculele
referitoare la energia stocată în radiaţia din cavitate statistica Bose
scrisă în forma :
1
f (W ) = W
( 3.21)
e k BT
−1
θ dΩ
Figura 3.3
dS = r 2 ⋅ sin θ ⋅ dθ ⋅ dϕ ( 3.25)
Figura 3.4
şi deci unghiul solid pe care îl determină are valoarea
dS
dΩ = = sin θ ⋅ dθ ⋅ dϕ ( 3.26)
r2
Astfel,
π
⎧
⎪ c dΩ c ⋅ A ⋅ du 2
⎪P = ∫2 ⋅ du ⋅
2π
⋅ A ⋅ cos θ =
4π ∫0 2π ⋅ sin θ ⋅ cos θ ⋅ dθ
⎨ ( 3.27)
⎪ c ⋅ A ⋅ du
⎪P ==
⎩ 4
Poţi scrie expresia puterii totală care cade pe unitatea de suprafaţă;
aceasta are expresia
P 2 ⋅ h ⋅ π ν 3 dν
dAT ,ν = = ⋅ hν ( 3.28)
A c2
e k BT − 1
Dependenţa de frecvenţă a raportului puterii la intervalul de frecvenţă
este cunoscută sub numele de lege Planck a radiaţiei
dAT ,ν 2 ⋅ h ⋅π ν3
= ⋅ ( 3.29)
dν c2 hν
e k BT
−1
Figura 3.5
În figura de mai sus este prezentată dependenţa (3.30) pentru câteva
temperaturi pentru care emisia de lumină în zona vizibilă a spectrului
este importantă
Studiind curbele din figura de mai sus se pot face următoarele
observaţii :
♦ Datorită aplicării distribuţiei Bose, probabilitatea de ocupare a
stărilor de energie mare scade dramatic; în aceste condiţii densitatea
de energie la energii mari ( lungimi de undă mici ) este mică. NU mai
apare catastrofa ultravioletă
♦ Se observă că ridicarea temperaturii produce deplasarea spre
lungimi de undă mici a maximului de emisie
♦ Se observă că ridicarea temperaturii conduce la creşterea puternică
a puterii emise de sursă (Această energie este aria de sub fiecare
curbă spectrală corespunzătoare unei temperaturi)
Proprietăţile
radiaţiei
corpului
negru nu
depind de
forma
acestui corp
Figura 3.6
e k BT
−1
Integrând după frecvenţe relaţia (3.32), se obţine ( pentru emisivitatea
integrală P, independentă de frecvenţă):
2π h ε A ∞ ν 3dν
P=
c2 ∫0 hν ( 3.33)
e k BT − 1
Admite că
∞
x 3dx π 4
∫0 e x − 1 = 15 . ( 3.34)
P=
c2 ∫0 ⎜⎝ h ⎟⎠ ⋅ hν
( 3.35)
e k BT
−1
şi ţii seama de (3.33)
⎧ 4
2π hε A ⎛ k BT ⎞ π 4 ⎛ 2 π 5 k B4 ⎞ 4
⎪P = ⋅ ⎜ ⎟ ⋅ = A ⋅ ε ⋅ ⎜⎜ 2 3 ⎟
⎟ ⋅T
⎨ c2 ⎝ h ⎠ 15 ⎝ 15c h ⎠ ( 3.36)
⎪
⎩P = A ⋅ ε ⋅ σ ⋅ T
4
⎪ 13C + 1H →14 N + γ
⎪
⎨ 14 1 ( 3.44)
⎪ N+ H→ O + γ
15
Figura 3.7
Distribuţia spectrală a puterii radiaţiei solare la nivelul mării. În zonele marcate
apare absorbţie datorată substanţei cu numele scris deasupra săgeţii.
Punctele din graficul de mai jos reprezintă date ale măsurătorilor
efectuate asupra radiaţiei solare de fond de către satelitul
COBE(Cosmic Background Explorer) , iar linia continuă este curba dată
de legea lui Planck pentru o temperatură de 2,735±0,06 K
Figura 3.8
Hiperbola ce trece prin maximele curbelor corespunde legii lui Wien
Figura 3.9
Aşa cum ai dedus mai sus, cu cât temperatura unui corp este mai
scăzută, cu atât energia emisă de acesta în spectrul vizibil este mai
puţină . Randamentul luminos al unei surse este deci cu atât mai mare
cu cât temperatura sa este mai ridicată.
Figura 3.10
Ca să poţi clasifica becurile este important să ştii care sunt unele din
caracteristicile termice ale materialelor din care se fac filamentele.
Aceste materiale trebuie sa fie „greu fuzibile” - să se topească doar la
temperaturi foarte mari. De asemenea, pentru a nu opaciza para
becului şi pentru a nu se subţia filamentul, ele trebuie să se evaporeze
foarte lent – adică să aibă presiuni de vapori scăzute. În plus,
caracteristicile lor emisive trebuie să le facă foarte asemănătoare
corpurilor negre. Materialele care intră în discuţie sunt:
♦ platina,
♦ osmiul,
♦ carbonul şi
♦ wolframul(tungstenul).
Istoric vorbind, primele becuri aveau filamente de cărbune din fibră de
bambus. Becurile cu filament de platină sunt foarte bune dar nepractice
din motive de preţ. Materialul care s-a impus este wolframul.
Caracteristicile de interes ale a materialelor greu fuzibile, folosite pentru
producerea de filamente sunt prezentate în figura de mai jos.
Figura 3.11
Partea 1-a
Scopul lucrării
Nr Sursa Temperatura
S1 Aluminiu la punctul de topire 932K
Modul de lucru
B = 3.745 ⋅ 10 4 λ−5 (e λT
− 1) W / cm 2 μ ⋅ m ( 3.48)
82 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Radiaţia termică
care dă distribuţia spectrală a radiaţiei unui corp negru ca flux de
radiaţie provenit de la unitatea de arie a sursei, emis într-o emisferă. În
relaţie, λ este lungimea de undă exprimată în μm iar T este temperatura
absoluta exprimată în K.
Reprezentarea grafică pe care o vei face va fi semilogaritmică ;vei
utiliza ln(λ) pe axa Ox.
Pe aceeaşi figură vei reprezenta B = f (ln λ ) cu T ca parametru, pentru
temperaturile specifice surselor S1-S6.
2. Reprezintă distribuţia spectrală de la punctul 1 pentru
domeniul vizibil (400-700nm); Vei comenta rezultatele de la punctul 1 şi
2.
3. Reprezintă dependenţa de temperatură a energiei
emise în tot spectrul (legea Stefan-Boltzman)
m
Be = 5.67 ⋅ 10 −12 T 4 ( ) ( 3.49)
cm 2
În reprezentare, vei utiliza domeniul de temperatura 500÷600K. Vei
integra grafic relaţia (3.48) în domeniul (400÷700nm)
4. Utilizând relaţia (3. 49), calculează randamentul
luminos al surselor S1-S6.
5. Reprezintă randamentul luminos ca funcţie de
temperatură
6. Reprezintă grafic (în domeniul de temperaturi
800K÷6000K), dependenţa de temperatură a lungimii de undă
corespunzătoare maximului emisiei.
2897
λM = (μm).
T
Comentează rezultatul.
Partea a 2-a
Scopul lucrării
Modul de lucru
3.8. Răspunsuri
⎪ P1 = =
1 1
⎪ R1 R0 [1 + α (T1 − T0 )]
⎨ 2
( 3.52)
⎪P = U 2 = U 22
⎪ 2
⎩ R2 R0 [1 + α (T2 − T0 )]
U = T 4 ⋅ σ ⋅ R0 ⋅ [1 + α (T − T0 )] ( 3.56)
⎪⎪ ⎜PR ⎟
⎝ 2 0 ⎠
⎨ ( 3.57)
⎪ 4 P
1 b
T
⎪ 1 4 = =4 1
⎪ σ σ
⎪ 4 P
b
⎪T2 = 2
=4 2
⎪⎩ 4
σ σ
Dacă se consideră T0 = 273K şi dacă se utilizează datele problemei
rezultă că
⎧a1 = 1,0167
⎪a = 0,6892
⎪ 2
⎨ ( 3.58)
⎪b1 = 1,9680 ⋅ (W )
14
⎪b = 1,3869 ⋅ (W )1 4
⎩ 2
1 1
În necunoscutele x = respectiv y = , T1 şi T2 sistemul (3.57) se
α 4
σ
scrie
şi respectiv
a 2 − a1
y = T0 ( 3.62)
b1 a 2 − b2 a 1
de unde,
1 b1 a 2 − b2 a 1
α= ( 3.63
T0 b2 − b1
şi
4
⎛ 1 b1 a 2 − b 2 a 1 ⎞
σ = ⎜⎜ ⎟⎟ ( 3.64)
⎝ T0 a 2 − a1 ⎠
Valorile calculate sunt:
α = 0,344 ⋅ 10 −3 K −1; σ = 1,385 ⋅ 10 −13 W ⋅ K −4 ; T1 = 3225K ; T2 = 2273K
Cu valorile determinate dependenţa cerută devine:
2
T2 ⎛ b a − b2 a 1 ⎞ T − T0 ⎛ b1 a 2 − b2 a 1 ⎞
U= 2 R0 ⎜⎜ 1 2 ⎟⎟ 1+ ⎜⎜ ⎟⎟ ( 3.65)
T0 ⎝ a 2 − a1 ⎠ T0 ⎝ b 2 − b1 ⎠
sau
(
U = T 2 ⋅ 1,385 ⋅ 10 −13 ⋅ 1600 1 + 0,344 ⋅ 10 −3 (T − 273) ) ( 3.66)
Figura 3.13
Dependenţa de temperatură a tensiunii pe bec; linia punctată dă
dependenţa aproximativă, parabolică, neglijând dependenţa de
temperatură a rezistenţei.
1.
Soarele Fulgerul
Becul Licurici
Lumânare Tubul de neon
Flacăra lămpii cu petrol Tuburile pentru reclame
luminoase
2.
Tubul de raze X Soarele
Telecomanda Focul de tabără
Cuptorul cu microunde Pointer-ul cu laser
Telefonul celular Led-ul
3. Relaţia 3.30
4. Soarele
Legi cheie
Legea Prevost
Legea Kirchoff
Legea Planck a radiaţiei
Legea Stefan Boltzmann
Legea Wien a deplasării
Formule cheie
dAT ,ν 2 ⋅ h ⋅π ν3
= ⋅
dν c2 hν
e k BT
−1
dAT ,λ 1
= 2h c 2π
dλ ⎛ λ ⋅hkcT ⎞
λ ⋅ ⎜ e B − 1⎟
5
⎜ ⎟
⎝ ⎠
P
E= = ε ⋅ σ ⋅T 4
A
h⋅c
λm ⋅ T = = 2897 μm ⋅ K
4,965 ⋅ k B
3.11. Bibliografie
1. R.H.Kingston, Detection of Optical and Infrared Radiation, Springer
Series in Optical Science
2. Hans C. Ohanian, Physics, W.W. Norton &Company
3. Alex Ryer, Light Measurement Handboock, International Light
Cuprins Pagina
4.Luminescenţa cu emisie de lumină coerentă.........................................91
4.1. Obiectivele Unităţii de învăţare 4 -
Luminescenţa cu emisie de lumină coerentă ........................................92
4.2. Caracteristicile luminescenţei laser ................................................92
4.2.1. Trenuri de undă de lungime finită şi coerenţa luminii...............93
4.3. Efect LASER ..................................................................................94
4.3.1. Structura dispozitivelor laser ...................................................96
4.3.2. Proprietăţile radiaţiei laser .......................................................97
4.4. Relaţia dintre emisia spontană şi stimulată ....................................98
4.4.1. Rate de generare şi recombinare ..........................................100
4.4.2. Criterii de obţinere a efectului laser .......................................101
4.5. Tipuri de dispozitive laser.............................................................102
4.5.1. Pompajul optic .......................................................................103
4.5.2. Pompajul prin injecţie ............................................................106
4.5.3. Testul de autoevaluare 4.1. ...................................................106
4.6. Dioda Luminescentă ....................................................................107
4.6.1. Funcţionarea şi construcţia DL ..............................................109
4.6.2. Caracteristicile diodei luminescente ......................................110
4.6.3. Testul de autoevaluare 4.2. ...................................................111
4.7. Lucrare de laborator.....................................................................112
4.7.1. Sarcinile lucrării .....................................................................112
4.8. Răspunsuri la testele de autoevaluare .........................................113
4.9. Termeni şi expresii cheie. Formule cheie.....................................115
4.10. Test de autoevaluare 4.3 – „ Aplicaţii ale radiaţiilor laser”..........116
4.11. Bibliografie .................................................................................116
Prin coerenţă vei înţelege existenţa unei relaţii de fază stabile în timp între
oscilaţiile din diverse puncte ale mediului de oscilatori.
În figura 4.1. este prezentată o undă care se propagă spre dreapta la
momentul t (imaginea de sus) şi respectiv la un moment ulterior, t+T/4,
(imaginea de jos). Ai putea înţelege figura ca două fotografii succesive ale
unor unde de suprafaţă, de pe marea vălurită uniform pe o întindere foarte
mare.
Figura 4.1
Admite că unda poate fi descrisă prin oscilaţii armonice, sinusoidale, cu
pulsaţie ω ale punctelor câmpului.
Perioada undei T, este intervalul de timp în care oricare oscilator
efectuează o oscilaţie completă.
2π
ω= ( 4.1)
T
Distanţa dintre punctele care oscilează în fază este lungimea de undă a
undei, λ . Viteza de propagare a undei c respectă relaţia
λ
c= ( 4.2)
T
Este evident, într-o perioadă unda avansează cu o lungime de undă.
Fazele oscilaţiilor punctelor aflate la o distanţă de o lungime de undă,
diferă prin 2π .
Punctele din spaţiu separate printr-o distanţă de un sfert de lungime de
undă, marcate în figură prin A şi B , oscilează conform legilor
⎧ y A = A ⋅ sin (ϕ A + ω ⋅ t )
⎨ ( 4.3)
⎩ y B = A ⋅ sin (ϕ B + ω ⋅ t )
Indiferent de momentul de timp la care ne referim, pentru situaţia undei
reprezentată în figura de mai sus
π
ϕB = ϕ A + ( 4.4)
2
Întrucât pentru oricare pereche de puncte din spaţiu diferenţa de fază se
menţine constantă în timp, unda din figură este coerentă.
Imaginează-ţi acum cercurile care apar pe apă atunci când arunci o piatră.
Pe suprafaţa apei se propagă un „puls” – o coroană circulară de valuri cu
Figura 4.2
Dacă punctele A şi B aflate la distanţă de o lungime de undă ar fi atinse de
o undă de suprafaţă cu extensie indefinit de mare, oscilaţiile lor ar fi mereu
în fază. Figura ilustrează variaţia situaţiei reciproce a oscilaţiilor punctelor
A şi B dacă unda nu mai are o extensie indefinit de mare ci doar o
extensie finită.
Figura 4.3
Absorbind energie din exterior, un electron din atom execută o tranziţie de
pe o orbită staţionară caracterizată printr-o energie mai mică, pe alta cu
energie mai mare (fig. 4.3). Vei spune că atomul a trecut în stare excitată.
Invers, când electronul trece de pe un nivel energetic superior pe unul
inferior, atomul cedează energie trecând intr-o stare energetică inferioară.
Majoritatea atomilor se găsesc în starea cu energie minimă , deoarece ei
tind permanent către această stare pe care o vei numi stare fundamentală.
De regulă, după excitare electronul revine rapid (în ~10-8 s) în starea
fundamentală.
În teoria atomului se arată că nu toate tranziţiile sunt permise, interdicţiile
fiind fixate de anumite relaţii între numerele cuantice ale nivelelor de
energie. Nivelele energetice de pe care electronul nu poate trece spontan
(emiţând un foton ) pe nivelul fundamental sau alt nivel inferior se numesc
metastabile, iar atomul aflat într-o astfel de stare se numeşte atom
metastabil. Figura 4.4 iţi prezintă o diagramă cu trei nivele energetice.
Presupune că nivelul 2 este un nivel metastabil.
Figura 4.4
Reprezentarea unei configuraţii a nivelelor de energie
Un atom metastabil poate trece într-o stare energetică inferioară doar în
anumite situaţii , ca de exemplu:
Electronul execută tranziţia de pe nivelul metastabil pe un nivel energetic
mai înalt prin absorbţia unui foton. În felul acesta electronul va putea trece
direct pe nivelul fundamental sau pe un alt nivel inferior de energie ,
emiţând un foton, cu altă energie . Schema evoluţiei ar fi 2 → 3 → 1 ;
Electronul este „instigat” să revină pe nivelul fundamental trimiţând înspre
atomul metastabil o undă electromagnetică frecventa ν2,1,
Proiectul pentru Învăţământul Rural 95
Luminescenţa cu emisie de lumină coerentă
W2 − W1
ν 21 = ( 4.5)
h
Prin inducţie electronul trece de pe nivelul 2 pe nivelul 1 ( în cazul
exemplului dat mai sus ), emiţând la rândul său un foton cu frecventa ν2,1.
Această radiaţie emisă de atomul metastabil este o radiaţie stimulată ,
radiaţie în fază cu radiaţia care a indus procesul.
În mecanica cuantică se arată că este posibilă şi tranziţia spontană de pe
nivelul metastabil pe un nivel energetic inferior , dar probabilitatea acestui
proces este extrem de mică , astfel de tranziţii fiind extrem de rare .
Cea de-a doua schemă de dezexcitare prezentată mai sus descrie emisia
stimulată.
Observă că un singur foton, traversând un mediu plin de sisteme cuantice
aflate într-o stare excitată, poate provoca emisia unui număr foarte mare
de fotoni ale căror unde asociate sunt în fază . Figura 4.5 ilustrează
această situaţie. Dacă primul foton provine de la un semnal exterior, se
realizează un amplificator cuantic .
Pentru apariţia procesului de amplificare a radiaţiei electromagnetice sunt
necesare:
inversia populaţiei, crearea unui număr mare de sisteme excitate astfel
încât nivelul superior W2 să fie ocupat la cât mai multe sisteme,
stimularea emisiei prin inducerea tranziţiei între nivelul excitat şi nivelul
fundamental pentru cât mai multe dintre sistemele excitate.
Figura 4.5
Figura 4.7
După intervale de timp care pot fi estimate numai probabilistic, electronii
revin pe nivelele de plecare emiţând cuante de lumină. Întrucât emisia
luminii este aleatoare, pentru sursele obişnuite de lumina este exclusă
apariţia de lumină având o direcţi sau fază determinată.
În laser, atomii se dezexcită simultan şi ca urmare, lumina ieşită din laser
este coerentă.
Intensitatea luminii emise de sursele obişnuite este suma intensităţilor
datorate fiecărui atom; ca urmare intensitatea este proporţională cu
numărul de atomi. În cazul luminii coerente în care toate undele sunt în
fază, se sumează amplitudinile combinaţiilor atomice şi ca urmare,
intensitatea luminoasă este proporţională cu pătratul numărului de atomi.
Cum numărul de atomi simultan dezexcitaţi chiar dintr-un laser mic este de
aproximativ 10 18 , sursele de lumină laser sunt cu mult mai puternice decât
sursele de lumină necoerentă.
Fenomenul fundamental care apare într-un laser este emisia stimulată;
dezexcitarea unui electron produce o undă care, trecând printr-un atom
care are un electron excitat, produce dezexcitarea rezonantă a acestuia;
ca urmare se produce emisia stimulată a unei unde luminoase coerente
suplimentare. Unda suplimentară are faza şi direcţia undei generatoare.
Fenomenul emisiei stimulate înlocuieşte în laser emisia spontană apăruta
prin dezexcitarea aleatoare din sursele de lumină necoerentă.
Figura 4.8
Tranziţia poate avea loc în ambele sensuri 2 → 1 ca şi 1 → 2 cu condiţia ca
starea de plecare să fie ocupată adică să aibă un electron iar cea finală să Într-un
fie liberă. sistem cu
Tranziţia 1 → 2 este absorbţia cu generare de pereche. două
nivele
Procesul 2 → 1 este un proces de recombinare. În conformitate cu cele lumina
prezentate în paragraful 4.1.2 induce:
• dacă recombinarea apare ca rezultat al trecerii unui foton, ea este
recombinare stimulată. Dacă tranziţia apare spontan, fără un motiv Absorbţie
aparent, ea este recombinare spontană.
Emisie
• dacă emisia stimulată este provocată de o radiaţie exterioară, spontană
atunci în materialul în care s-a realizat inversia de populaţie se produce o
puternică amplificare a radiaţiei exterioare. Laserul funcţionează ca Emisie
amplificator cuantic. stimulată
dacă emisia este declanşată de primii fotoni emişi spontan, laserul
funcţionează ca generator cuantic de radiaţie.
În capitolul anterior ai aflat că dependenţa de frecvenţă a puterii care cade
pe unitatea de suprafaţă este exprimată de legea Planck a radiaţiei
(3.125). Într-un paralelism de tratament firesc, poţi atribui un foton fiecărui
mod . Dacă într-o incintă fotonii sunt distribuiţi cu densitatea ρ (hν ) , atunci
energia care vine spre perete este determinată de numărul de fotoni care
ajung la peretele de arie A în unitatea de timp, ρ × A × c × t şi de energia
hν a fiecărui foton. În această situaţie, puterea care vine pe unitatea de
suprafaţă se poate scrie în funcţie de densitatea de fotoni ρ (hν ) sub
forma hν ⋅ (ρAct ) / A şi prin comparaţie cu formula din capitolul
8π ⋅ n 3ν 2 1
ρ (hν ) = ( 4.7)
c3 ⎛ hν ⎞
exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1
⎝ k BT ⎠
Cantitatea ρ (hν 12 ) este densitatea de fotoni în modul hν 12 .
⎧ ⎛ E 2 − E1 ⎞
⎪ A12 ρ (hν 12 ) exp⎜⎜ ⎟⎟ = A12 ρ (hν 12 ) + B21
⎪ ⎝ K BT ⎠
⎨ ( 4.14)
⎪ A ρ (hν )[exp⎛⎜ E 2 − E1 ⎞⎟ − 1] = B
⎪ 12 12 ⎜ K T ⎟ 21
⎩ ⎝ B ⎠
Prin urmare,
B21 ⎛ ⎛ E − E1 ⎞ ⎞ 8π ⋅ n 3ν 2 1
= ⎜⎜ exp⎜⎜ 2 ⎟⎟ − 1⎟
⎟ ( 4.15)
A21 ⎝ ⎝ K BT ⎠ ⎠ c 3
⎛ hν ⎞
exp⎜⎜ 12 ⎟⎟ − 1
⎝ K BT ⎠
şi pentru că E2 − E1 = hν 12
B21 8π ⋅ n 3ν 2
= ( 4.16)
A21 c3
Raportul coeficienţilor care descriu procesele stimulate respectiv spontane
depinde numai de frecvenţă şi de indicele de refracţie al materialului;
faptul este dovedit experimental. Relaţia (4.16) stabileşte legătura dintre
coeficienţii de recombinare spontană şi stimulată.
Din relaţia (4.10) se poate înţelege că raportul probabilităţilor de
recombinare pentru cele două mecanisme posibile este
Pstimulat A21 ρ (hν 12 )
= ( 4.17)
Pspon tan B21
sau
hν 12
exp −1
Pspon tan 8π ⋅ n ν
3 2
K BT ⎛ hν 12 ⎞
= = exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1 ( 4.18)
Pstimulat c3 8π ⋅ n 3ν 2 K T
⎝ B ⎠
c3
Reţine că:
- o recombinare stimulată generează un foton care are aceeaşi frecvenţă,
direcţie de propagare şi fază ca fotonul stimulat.
- o recombinare spontană generează fotoni care se propagă în direcţii
oarecare şi care au faza oarecare deşi frecvenţa este de asemenea ν 12 .
Ţine minte că :
Recombinarea stimulată generează un foton care are aceeaşi
frecvenţă, direcţie de propagare şi fază ca fotonul stimulat.
Aceasta este cheia emisiei radiaţiei coerente.
Figura 4.9
Presupune că, la un moment dat în incinta reprezentată de mediul activ
(figura 4.9), în punctul L0 apare radiaţia de intensitate I 0 spre faţa
caracterizată prin coeficientul de reflexie R1 .Fracţia I 0 R1 este reflectată şi
apoi, după reflexia pe faţa a doua a incintei, paralelă cu prima, I 0 R1 R2 este
reflectată spre punctul iniţial. Dacă, la trecere, pe unitatea de lungime,
câştigul (datorat stimulării) este g iar pierderile α atunci la revenirea
luminii în punctul L0 intensitatea sa este
I = I 0 R1 R2 exp(2l ( g − α )) ( 4.19)
Pentru ca amplificarea luminii să se producă, evident că într-un laser
trebuie ca generarea să fie mai importantă decât recombinarea g ≥ α .
Pentru ca în efectul laser amplificarea luminii să se producă, trebuie ca cel
puţin
R1 R2 exp(2l ( g − α )) = 1 ( 4.20)
sau
[ln R1 R2 ] + (2l ( g − α )) = 0 ( 4.21)
şi deci
1
g =α + ln R1 R2 ( 4.22)
2l
Relaţia 4.22 îţi arată că pentru obţinerea amplificării luminii generarea
trebuie să acopere efectele absorbţiei în material şi ale pierderilor prin
reflexie la feţele cavităţii rezonante.
Din cele prezentate mai sus îţi dai seama că o condiţie obligatorie pentru
funcţionarea laserului este existenţa unei populaţii importante de atomi
excitaţi; aceasta situaţie este numită inversie de populaţie. Întrucât în mod
normal atomii tind să se afle mai degrabă într-o stare neexcitată, starea cu
Figura 4.10
Primul laser optic a fost laserul cu rubin construit de Maiman în 1960.
La acest tip de laser lumina coerentă apare într-o bară de rubin sintetic.
Cristalul de oxid de aluminiu ( Al 2 O 3 ) este impurificat cu atomi de crom
Cr 3+ care sunt responsabili de apariţia emisiei stimulate. Laserul este
pompat optic cu o lampă flash de xenon. Pentru a se
asigura o amplificare a luminii, bara de rubin are la capete oglinzi paralele.
Datorită acestora, dintre undele luminoase care pot apărea în bară, sunt
amplificate numai cele pentru care lungimea de undă intră de un număr
exact de ori în lungimea cristalului şi, în plus, se propagă strict
perpendicular pe oglinzi; divergenţa obişnuită pentru acest tip de fascicul
este de ordinul minutului de arc. Lumina laser iese din bară printr-una din
oglinzi care este semiargintată (fig.4.10). Iniţial, prin emisie spontană, pot
apărea diferite tipuri de radiaţie (a). Oglinzile delimitează o cavitate optică
în care modul propriu este favorizat. Ca urmare radiaţia corespunzătoare
este amplificată selectiv şi atunci când radiaţia iese prin oglinda
semiargintată, această radiaţie coerentă este găsită în fascicul (b).
Atomii de crom din rubin pot emite lungimi de undă între 693 ÷700 nm.
Selectarea unei anumite lungimi de undă din această zonă de roşu a
spectrului vizibil, se realizează printr-o dimensionare geometrică adecvată
a barei de rubin.
Lumina emisă de un laser cu rubin este un puls de aproximativ 10 −3 s,
pentru că acesta este timpul de viaţă pentru atomii de crom excitaţi.
Laserii de acest tip, construiţi din sticle cu neodim, permit obţinerea unor
pulsuri de 10 −12 s cu putere maximă de 10 9 kW.
Modelul simplificat al diagramei de nivele energetice, prezentat în figura
4.11 iţi va permite să înţelegi modul de apariţie a radiaţiei laser într-un
laser cu rubin.
Ionii trivalenţi de crom excitaţi prin intermediul lămpii flash cu xenon se
dezexcită rapid (aprox.100ns) printr-o tranziţie neradiativă, ajungând pe o
pereche de nivele metastabile foarte apropiate. După circa 3ms , printr-o
nouă dezexcitare se emite radiaţia laser cu lungimea de undă de 694,3 nm
.
Figura 4.11
Pentru multe aplicaţii este utilă construirea unor laseri care să lucreze
continuu. Un astfel de sistem cere ca, în medie, rata de excitare a atomilor
să fie egală cu rata emisiei stimulate
Cel mai utilizat laser de acest tip este laserul cu He-Ne (1961).
Schema unui astfel de laser este prezentată în figura 4.12.
104 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Luminescenţa cu emisie de lumină coerentă
Figura 4.12
El constă dintr-un tub de sticlă conţinând amestec de He şi Ne la presiune
joasă. Tubul are la capete două oglinzi paralele, una argintată şi alta
semiargintată ( fig.4.12). În tub, există de asemenea doi electrozi conectaţi
la o sursă de înaltă tensiune, astfel încât electronii ciocnesc atomi de He
excitându-i. Atomii de He ciocnesc la rândul lor atomii de Ne, realizându-
se astfel pompajul laserului.
Analizează diagrama de nivele energetice prezentată în fig.4.13 şi vei
înţelege mecanismul emisiei luminii în laserul cu He – Ne.
Deşi există laseri He-Ne în infraroşu sau care emit radiaţia verde de 543,5
nm, varianta cea mai cunoscută a acestui tip de laser este cea pentru care
se emite radiaţia roşie cu lungimea de undă de 6328Å. O geometrie
adecvată a tubului permite eliminarea lungimilor de undă nedorite.
Figura 4.13
Puteri foarte mari se pot obţine de la laserul bioxid de carbon-azot. În
acest tip de laser, moleculele de CO 2 sunt cele care produc radiaţia laser,
iar moleculele de azot le transferă energie acestora. Laserele de acest tip
pot ajunge la 10 kW în regim continuu. Ele pot lucra şi în regim
Din anul 1962 există laseri la care pomparea se face prin injecţie de curent
electric. Pentru laserii cu injecţie, materialul utilizat iniţial a fost GaAs cu
emisie la λ=0.84μm; ulterior s-a folosit GaAs care poate emite de la
infraroşu la albastru în funcţie de compoziţie.
Figura 4.14
În laserii cu semiconductori pompaţi prin injecţie, mediul activ este o
joncţiune semiconductoare( fig.4.14).
Un dopaj corespunzător al celor regiunilor de conducţie electronică n şi de
goluri p asigură posibilitatea apariţiei inversiei de populaţie, care este
întreţinută de injecţia curentului electric în joncţiune.
O tăiere adecvată a cristalului semiconductor permite realizarea cavităţii
rezonante chiar cu feţele cristalului care reprezintă mediul activ. Desigur
laserii cu semiconductori au particularităţi referitoare la pompaj şi la
caracteristicile emisiei dar, procesele de interacţiune fundamentale dintre
lumină şi materie sunt cele care se regăsesc la fiecare tip de laser:
absorbţia, emisia spontană, emisia stimulată. Poţi afla multe informaţii
interesante despre laseri dacă accesezi site-urile
http://science.howstuffworks.com/laser.htm şi http://www.laserium.com
Figura 4.15
Diodele luminescente sunt foarte asemănătoare laserilor cu injecţie. Ar
putea fi descrise ca laseri cu semiconductori care funcţionează ceva mai
rău. Cavitatea rezonantă nu este realizată şi ca urmare radiaţia emisă este
necoerentă şi cu un grad de monocromaticitate mai redus. În DL excitarea
se realizează prin injecţia purtătorilor de neechilibru la polarizarea în sens
direct a joncţiunii.
Figura 4.16
Pentru realizarea DL cu emisie în domeniul spectral dorit, trebuie ales
semiconductorul din punct de vedere al lărgimii benzii interzise E g şi al
tipului de structuri de benzi.
Din diferite materiale semiconductoare s-au realizat LED-uri care acoperă
domeniile spectrale vizibil şi IR. Pentru domeniul vizibil se folosesc,
materialele GaN (albastru), GaP (verde şi roşu), GaAsP (galben,
portocaliu şi roşu), AlGaAs (roşu), GaAs:Zn, GaAs şi InP, InAs, InSb etc.
(IR apropiat 0.9-8μm), PbSnTe, PbSnSe, HgCdTe etc. (IR îndepărtat 10-
40μ). De observat ca la compuşii ternari banda interzisă poate fi
modificată prin alegerea compoziţiei. De exemplu la GaAs 1− x Px , E g
variază continuu cu x de la 1,4 eV la 2,24 eV (GaP) pentru x=1.
Joncţiunile p-n ale LED-urilor se realizează mai ales prin difuzie sau prin
creştere epitaxială din fază lichidă. La unele din materialele de mai sus ca
GaN, SiC, nu se poate obţine conductibilitate de tip p astfel ca în loc de
joncţiuni se realizează contacte de tip metal, izolator, semiconductor
(MIS).
Dintre materialele cu emisie în vizibil, pe lângă LED-uri discrete se
realizează module de afişaj cu 7 sau mai multe segmente , utilizate în
aparatura cu afişaj numeric. Segmentele luminoase sunt DL acoperite cu o
răşină epoxidică care poate juca şi rol de lentilă. În unele tipuri de
elemente de afişaj segmentele sunt formate nu din câte o dioda ci din mai
multe diode foarte mici.
Caracteristici electrice:
Caracteristici optice:
În laborator vei face măsurări asupra unor diode luminescente care emit în
vizibil (GaP, GaAs 1− x Px ) şi în IR (GaAs). Pentru diodele studiate, vei
determina următoarele caracteristici:
unde Prad este puterea radiantă, = ⋅ ωmax este energia fotonilor la maximul
emisiei iar I este intensitatea curentului electric injectat.
Eficienţa radiantă externă sau randamentul extern se defineşte ca raportul
dintre puterea emisă Prad şi puterea electrică primită Pe de LED
Prad P
η rad ext = = rad ( 4.24)
Pe I f ⋅ Vf
unde I f şi V f sunt valorile nominale ale curentului şi tensiunii directe.
Folosind datele experimentale obţinute anterior vei calcula cele două
eficienţe pentru LED-urile studiate.
Răăssppuunnss --
TTeesstt ddee aauuttooeevvaalluuaarree 44..11 R
continuare
Formule cheie
W2 − W1
ν 21 =
h
hν 12
exp −1
Pspon tan 8π ⋅ n ν
3 2
K BT ⎛ hν ⎞
= = exp⎜⎜ 12 ⎟⎟ − 1
Pstimulat c3 8π ⋅ n ν
3 2
⎝ K BT ⎠
3
c
1
g =α + ln R1 R2
2l
4.11. Bibliografie
Ca să aprofundezi cunoştinţele pe care le-ai căpătat studiind aceasta
unitate de învăţare, îţi recomandăm să citeşti din
3.”Laser ” în www.wilkipedia.org.
Cuprins Pagina
adică:
sau
G G
G ∂E ∂ 2E
ΔE − μ 0σ − μ 0ε 0ε r 2 = 0 ( 5.11)
∂t ∂t
Analog, pentru intensitatea câmpului magnetic poţi scrie relaţiile:
G
∇ × ∇ × H = ∇ × ⎜⎜
G
⎛ ∂D G ⎞ ∂ ∇ × D
+ j ⎟⎟ =
( G
) G
+ σ∇ × E ( 5.12)
⎝ ∂t ⎠ ∂t
G G
G G ∂ ⎛⎜ ∂B ⎞⎟ ∂B
∇(∇H ) − ΔH = ⎜ − ε 0 ε r −σ ( 5.13)
∂t ⎝ ∂t ⎟⎠ ∂t
G G
G ∂ 2H ∂H
ΔH − ε e ε 0 μ 0 2 − σμ 0 =0 ( 5.14)
∂t ∂t
Poţi scrie soluţia ecuaţiei (5.11) sub forma
G G GG G G G
⎧⎪E = E 0 e − i ( qr −ωt ) = E x i + E y j + E z k =
⎨G G G G GG ( 5.15)
− i ( qr −ω ⋅t )
⎪⎩E = (i E 0 x + j E 0 y + kE 0 z )e
Unda
electro- Relaţia 5.15 reprezentă o undă plană monocromatică de frecvenţă
magnetică ω G
este undă ν= şi vector de propagare q . Unda descrisă de (5.15) este plană
2π
plană
întrucât totalitatea punctelor
G pe care la un moment dat oscilează în fază
au vectori de poziţie r care satisfac relaţia
G G
q ⋅ r = const ( 5.16)
G G
şi care aparţine unui plan perpendicular pe q . Pentru intensităţi E ale
câmpului electric de forma (5.15), ecuaţia (5.7) devine:
⎧ G ∂E x ∂E y ∂E z GG
⎪∇E = + + = −i (q x E 0 x + q y E 0 y + q z E 0 z )e −i ( qr −ωt )
⎨ G ∂x ∂x ∂x ( 5.17)
⎪∇E = −iEGqG = 0
⎩
Conform ultimei relaţii din (5.17), rezultă că intensitatea câmpului este
perpendiculară pe vectorul de propagare şi prin urmare unda descrisă
de relaţia (5.15) este transversală într-un mediu în care nu există
încărcare electrică.
Deoarece
G
⎧ ∂E G
⎪ = + iω E
⎪ ∂t
⎨ 2G ( 5.18)
⎪ ∂ E = −ω 2 EG
⎪⎩ ∂t 2
şi cum
⎨ 2 G ( 5.20)
⎪ ∂ E = −q 2 EG
⎪⎩ ∂x 2 x
G
⎧ ∂ 2E G
⎪ 2 = −q y E
2
⎪ ∂y G
⎪⎪ ∂ 2 E G
⎨ 2 = −q z E
2
( 5.21)
⎪ ∂zG G
⎪ΔE = −q 2 E
⎪
⎪⎩
Prin înlocuirea expresiilor de mai sus în ecuaţia (5.11) rezultă
G G G
− q 2 E − μ 0σ ( + iω )E − μ 0 ε 0 ε r ( −ω 2 E ) = 0 ( 5.22)
şi deci
− q 2 − μ 0σiω + ω 2 μ 0 ε 0 ε r = 0 ( 5.23)
adică
iσ
q 2 = μ 0ω 2 (ε 0ε r − ) (5.24)
ω
q este prin urmare o mărime complexă; unda (5.15) va conţine şi o
exponenţială cu exponent real care descrie o atenuare a amplitudinii.
Această scădere este legată de absorbţia luminii.
Evident, în dielectrici în care σ = 0 nu apare nici o atenuare iar q are
forma
ω ⋅n
q = ω μ 0ε 0ε r = ωv = ( 5.25)
c
n fiind indicele de refracţie al materialului.
În materiale conductoare, q se poate scrie – prin analogie – sub forma
ω
q= n ( 5.26)
c
unde n * este indicele de refracţie complex n * = n − iχ unde n este
indicele de refracţie iar χ este coeficientul de extincţie, corelat cu
G
absorbţia luminii în material. Dacă se notează cu q 0 versorul direcţiei
de propagare a luminii se poate scrie:
G G ω
q = q 0 (n − iχ ) ( 5.27)
c
Cu această expresie a vectorului de propagare ecuaţia undei devine:
G G ⎧ G ωG ⎫
E = E 0 exp⎨− i (q 0 r (n − iχ ) − ω ⋅ t )⎬ ( 5.28)
⎩ c ⎭
sau
Proiectul pentru Învăţământul Rural 123
Constante de material optice
G G ⎧ ⎡G G n ⎤⎫ ⎧ G Gω ⎫
E = E 0 exp⎨− iω ⎢q 0 r − t ⎥ ⎬ exp⎨− q 0 r χ ⎬ ( 5.29)
⎩ ⎣ c ⎦⎭ ⎩ c ⎭
4. În dielectrici
a) lumina nu se atenuează;
b) lumina este complet absorbită;
c) este amplificată chiar fără pompaj optic.
⎪⎩ 2
b. Reprezentarea grafică a funcţiei trigonometrice sinus pe o
perioadă, este prezentată în figura de mai jos.
Figura 5.5
⎪⎩ 2
b. Graficele funcţiilor exponenţiale cu exponent real sunt prezentate în
fig.5.6. Exponenţialele reale cu exponent pozitiv sunt funcţii care
descriu o amplificare iar exponenţialele reale cu exponent negativ
descriu atenuări.
Figura 5.6
c. Graficele funcţiilor sinus şi cosinus hiperbolic sunt reprezentate mai
jos.
Figura 5.7
În figura 5.7 este prezentat graficul funcţiei sinus hiperbolic.
Figura 5.8
iar figura 5.8 evidenţiază graficului cosinusului hiperbolic.
III. a. Un produs dintre o funcţie trigonometrică şi o exponenţială reală
cu exponent negativ descrie o oscilaţie amortizată .
b. Graficul funcţiei y(x)=sinx*exp(-x/10) este prezentat în fig. 5.9
Figura 5.9
Oscilaţia comandată de sinus este „împachetată” într-o mapă
determinată de exponenţiala reală cu exponent negativ.
Acum poţi uşor observa că expresia (5.29) conţine factorul de
⎧ G Gω ⎫
atenuare exp⎨− q 0 r χ ⎬
⎩ c ⎭
5.5. Măsurări asupra absorbţiei luminii
Consideră un fascicul paralel de lumină de intensitate I0 , incident pe
suprafaţa unui corp , ca în fig. 5.10.
Diminuarea intensităţii fasciculului luminos ce traversează acest corp va
fi proporţională cu intensitatea fascicolului incident şi cu lungimea
drumului străbătut de fascicul prin material.
Figura 5.10
n 2 = ε 1 − iε 2 = ε * ( 5.38)
Din relaţiile (5.24) şi (5.25) rezultă:
ω2 iσ
q 2 = 2 n 2 = μ 0ω 2 (ε 0 ε r − ) ( 5.39)
c ω
adică
iσ iσ
n 2 = μ 0 ε 0 c 2 (ε r − ) = εr − ( 5.40)
ωε 0 ωε 0
iσ
n 2 = (n − iχ )2 = ε r − ( 5.41)
ωε 0
⎧n 2 − χ 2 = ε r
⎪
⎨ σ ( 5.42)
⎪2nχ = ωε
⎩ o
⎨ 2 2 ( 5.45)
⎪⎩4n χ = ε 22
prin adunare rezultă
(n 2 + χ 2 )2 = ε 12 + ε 22 ( 5.46)
şi deci
⎧⎪n 2 − χ 2 = ε 1
⎨ 2 ( 5.47)
⎪⎩n + χ 2 = ε 12 + ε 22
adică
⎧ 1
⎪n = (ε 1 + ε 12 + ε 22 )
⎪ 2
⎨ ( 5.48)
⎪ χ = 1 (ε − ε 2 + ε 2 )
⎪⎩ 2
1 1 2
Figura 5.11
⎧
⎪n = 1 (ε r + ε r2 + σ )
2
⎪⎪ 2 ω 2ε o2
⎨ ( 5.49)
⎪ 1 σ 2
⎪χ = (ε r − ε r2 + 2 2 )
⎪⎩ 2 ω εo
În tabelul din Figura 5.11 iţi sunt prezentate valorile indicilor de refracţie
pentru câteva dintre cele mai folosite materiale optic transparente
Figura 5.12
pentru cazul în care forţa electrică îndreptată în sus este mai mare
decât greutatea (caz în care pânza pendulului conic are vârful în jos).
Dacă G = FE mişcarea este circulară pentru orice ω, perioada mişcării
fiind deci oarecare.
Figura 5.13
⎧ x x x x
⎪cos ϕ = l = = ≅
⎪ x 2 + aB2 aB (x / aB )2 + 1 aB
⎨ ( 5.55)
⎪ eE 4πε 0 EaB2
⎪cos ϕ = =
⎩ (e 2 / 4πε 0 l 2 ) e
Formule cheie
G G
G ∂E ∂ 2E
ΔE − μ 0σ − μ 0ε 0ε r 2 = 0
∂t ∂t
G G ⎧ ⎡G G n ⎤⎫ ⎧ G Gω ⎫
E = E 0 exp⎨− iω ⎢q 0 r − t ⎥ ⎬ exp⎨− q 0 r χ ⎬
⎩ ⎣ c ⎦⎭ ⎩ c ⎭
⎧
⎪n = 1 (ε r + ε r2 + σ )
2
⎪⎪ 2 ω 2ε o2
⎨
⎪ 1 σ2
⎪χ = (ε r − ε r + 2 2 )
2
⎪⎩ 2 ω εo
p0
εr = ⋅ 4πaB3 + 1
k BT0
c c ⎛ 1 4π aB3 p0 ⎞
v= = ≅ c ⎜⎜1 − ⋅ ⎟
⎟
ε r μr 4πaB3 p0 ⎝ 2 k BT0 ⎠
1+
k BT0
5.10. Bibliografie
1. Semiconductor Opto-electronics, T.S.Moss, G.J.Burrell, B.Ellis,
London Buttherworths, p 5-20
2. Fizica stării solide. Proprietăţi dielectrice şi optice, C.
Constantinescu, Editura Universităţii din Bucureşti, p 9-59
Cuprins Pagina
6.2.2. Polarizabilitatea
Figura 6.1
b. În cristale ionice, un câmp exterior poate provoca deplasarea relativă
a ionilor de semne diferite în sensuri contrare, ceea ce duce la apariţia
de dipoli induşi orientaţi pe direcţia câmpului exterior, ca în figura 6.2 .
Polarizare
electronică
ionică
dipolară
Figura 6.2
c. Polarizabilitatea dipolară este caracteristică cristalelor polare,
compuse din molecule cu momente dipolare proprii care suferă o
orientare a acestora în câmpul exterior, ca în figura 6.3.
Figura 6.3
Figura 6.4
Poţi înţelege interacţiunea dintre electroni şi radiaţia electromagnetică,
dacă urmăreşti calculul clasic al comportamentului atomului de
hidrogen în câmp electric staţionar. Acest calcul îţi este prezentat în
continuare .
P = Nex ( 6.5)
astfel că
Nex Ne eE Ne 2
ε r = 1+ = 1+ ⋅ = 1 + ( 6.6)
ε0E ε 0 E mω 02 ε 0 mω 02
Aminteşte-ţi că pentru atomul de hidrogen, raza primului orbital Bohr şi
energia totală pe primul orbital au respectiv expresiile:
⎧ ε 0h2
⎪1r =
⎪ πme 2
⎨ 2
( 6.7)
⎪E = − e
⎪⎩ 1 8πε 0 r1
Dacă ţii cont că
mv 2 mω 2 r12
E1 = − Ecin = − =− ( 6.8)
2 2
vei obţine
mω02 r12 e2
= ( 6.9)
2 8πε 0 r1
şi deci
mω 02ε 0 1
= ( 6.10)
e 2
4πr13
În acest mod, relaţia (6.6) devine:
ε r = 1 + 4πNr13
Astfel, pentru N = 2,68 ⋅10 25 m −3 vei obţine εr=1,0002.
sau r 2 + γr + ω 02 = 0 cu soluţiile
− γ ± γ 2 − 4ω 02
r = ( 6.14)
2
Prin urmare ecuaţia (6.12) are soluţia
− γ − γ 2 − 4ω 02 − γ + γ 2 − 4ω 02
x (t ) = A exp( )t + B exp( )t ( 6.15)
2 2
Pentru frânări nu prea mari, exponenţialele sunt complexe.
O soluţie particulară a ecuaţiei (6.11) este:
x p = Ce iωt ( 6.16)
dx p d 2xp
cu derivatele temporale = Ciωe iωt şi respectiv 2
= −Cω 2 e iωt .
dt d t
Astfel din (6.11) vei obţine:
− Cω 2 me iωt + mγCiωe iωt + ω02 mCe iωt = −eEe iωt şi
eE
C( −ω 2 + iωγ + ω 02 ) = −
m
eE x
C= 2 m ( 6.17)
ω − iωγ − ω 02
Soluţia particulară este:
eE x / m
xp = − e i ωt ( 6.18)
(ω − ω ) + iωγ
2
0
2
− γ − γ 2 − 4ω02
x (t ) = A exp( t) +
2
eE x ( 6.19)
− γ + γ − 4ω2 2
B exp( t ) − 2 m2
0
e iωt
2 (ω0 − ω ) + iωγ
Expresia (6.19) descrie o mişcare oscilatorie amortizată.
După cum ştii:
D = ε 0 E + P = ε 0εE ( 6.20)
din care, în cazul unidimensional, obţii:
ε 0 E x + Px = ε 0εE x ( 6.21)
şi deci,
Px
εr = 1+ ( 6.22)
ε 0E x
Polarizarea produsă de deplasarea sarcinii Ne la distanţa x este dată
de relaţia (6.5) P = Nex . Dacă ţii seama de relaţia (6.22) şi de faptul că
electronii se deplasează în sens opus câmpului,
Nex 0
εr = 1− ( 6.23)
ε 0E x
şi cu x0 = x p
Ne eE x / m
ε r = 1+ ( 6.24)
ε 0E x (ω 0 − ω 2 ) 2 − iγω
2
Ne 2
εr = 1+ ( 6.25)
mε 0[(ω02 − ω 2 ) 2 − iγω ]
ceea ce se poate rescrie sub forma:
Ne 2 [(ω02 − ω 2 ) − iγω ]
εr = 1+ ( 6.26)
mε 0 [(ω02 − ω 2 )2 + γ 2ω 2 ]
Pe de altă parte, aşa cum ştii din precedenta unitate de învăţare,
2
n * = ε * = (n − iχ ) 2 ( 6.27)
Ne 2γω
ε 2 = 2nχ = ( 6.30)
mε 0 [(ω02 − ω 2 )2 + γ 2ω 2 ]
Ţinând cont de relaţiile de mai sus , legăturile dintre componentele
permitivităţii dielectrice şi constantele optice indice de refracţie şi
coeficient de extincţie sunt cele deja găsite în unitatea de învăţare
precedentă adică
⎧ 2 1
⎪⎪n = 2 [ε 1 + ε 1 + ε 2 ]
2 2
⎨ ( 6.31)
⎪χ 2 = 1 [ ε 2 + ε 2 − ε ]
⎪⎩ 2
1 2 1
Atunci:
1 (Ne 2 mε 0 )(ω02 − ω 2 )
n2 = [1 + +
2 (ω02 − ω 2 )2 + γ 2ω 2
( 6.32)
N 2e 4 2mε 0 (ω02 − ω 2 )
1+ 2 2 2 [1 + ]]
m ε 0 [(ω0 − ω 2 )2 + γ 2ω 2 ] Ne 2
1 (Ne 2 mε 0 )(ω02 − ω 2 )
χ2 = [1 − +
2 (ω02 − ω 2 )2 + γ 2ω 2
( 6.33)
N 2e 4 2mε 0 (ω02 − ω 2 )
1+ 2 2 2 [1 + ]]
m ε 0 [(ω0 − ω 2 )2 + γ 2ω 2 ] Ne 2
Din unitatea de învăţare anterioară ştii că
2 iσ
n* = ε −
ωε 0
σ
Astfel că ε = n 2 − χ 2 şi 2nχ = .
ωε 0
⎪⎩ (n + 1) 2 + χ 2
poţi studia comportamentul solidului la trecerea luminii.
Ne 2 γω
ε 2 = 2nχ = ≈0 ( 6.36)
mε 0ω 04
Ne 2ω02 Ne 2
ε1 = n 2 − χ 2 = 1 + ≅ 1 + >0 ( 6.37)
mε 0ω04 mε 0ω02
⎧ Ne 2ω 2
⎪ε 1 = 1 − <0
⎪ mε 0 [ω 4 + γ 2ω 2 ]
⎨ ( 6.41)
⎪ε = 1 − Ne 2
⎪ 1 mε 0 [ω 2 + γ 2 ]
⎩
Deoarece componenta imaginară a permitivităţii tinde să se anuleze,
iar componenta reală a permitivităţii este nenulă, din ε 2 = 2nχ = 0
rezultă lipsa extincţiei χ = 0 şi conform relaţiei de definiţie a
coeficientului de reflexie R = 1. Situaţia este numită reflexie totală.
La frecvenţe şi mai mari componenta reală a permitivităţii redevine
pozitivă şi tinde către valoarea 1 iar componenta imaginară a
permitivităţii rămâne nulă. Zona de frecvenţe este cunoscută sub
numele de zonă a transparenţei totale. La frecvenţe foarte mari sistemul
de sarcini este incapabil să mai urmărească excitaţia. Radiaţia nu mai
interacţionează cu sarcinile şi solidul este complet transparent la
radiaţie.
Figura 6.5
În figura de mai sus îţi sunt prezentate evoluţiile componentelor
permitivităţii dielectrice în funcţie de frecvenţă.
Cu notaţia
ω ′ = ( −ω02 + ω 2 )1 2 , ( 6.42)
Ne 2 ω′
ε1 = 1 − = 0 rezultă
mε 0 ω ′ + γ 2ω 2
2
ω′ mε 0
= ( 6.43)
ω′ + γ ω
2 2 2
Ne 2
Pentru cazul în care frecvenţa proprie a sistemului este atât de mică
faţă de frecvenţa excitatoare încât se poate neglija, ω 0 ≈ 0 , frecvenţa la
care permitivitatea dielectrică îşi schimbă semnul rezultă din relaţia
12
Ne 2 ω2 ⎛ Ne 2 ⎞
1− = 0 şi are valoarea ω = ⎜⎜ − γ 2 ⎟⎟ .
mε 0 ω + γ ω
4 2 2
⎝ mε 0 ⎠
Ne 2
Adesea = ω p este numită frecvenţa plasmei.
mε 0
Experimental, γ ≈ 1014 rad sec , ω p = 1016 rad sec . Pentru ω = ω p
componenta reală a permitivităţii se anulează. Corespunzător, indicele
2πc
de refracţie al materialului tinde să se anuleze şi λ = → ∞ lungimea
nω
de undă a radiaţiei în mediul respectiv tinde la infinit. Sistemul de
electroni oscilează în fază ca un întreg faţă de ionii pozitivi.
Figura 6.6
Scăderea indicelui de refracţie cu creşterea lungimii de undă, adică
creşterea indicelui de refracţie cu creşterea frecvenţei, este un
comportament explicat de dependenţa de frecvenţă a permitivităţii
dielectrice aşa cum apare ea în figura 6.5 pentru zonele I , III, IV şi o
parte din zona II. Acest tip de dependenţă este adesea numit dispersie
normală.
În zona II există o porţiune în care creşterea frecvenţei produce
scăderea permitivităţii şi deci a indicelui de refracţie. Zona îngustă în
care acest fenomen se petrece se numeşte zonă de dispersie anomală.
Pentru a fi observată cu ochiul, zona de dispersie anomală trebuie să
apară pentru lungimi de undă din spectrul vizibil.
Ne 2 γω
ε2 = = 2nχ ( 6.45)
mε 0 ω + γ 2ω 2
4
1
Dacă înlocuieşti “ coeficientul de frecare “ γ cu inversul său, τ = ,
γ
relaţiile (6.44) şi (6.45) devin:
Ne 2 τ2
ε1 = 1 − ( 6.46)
mε 0 ω 2τ 2 + 1
Ne 2 τ
ε2 = ( 6.47)
mε 0 ω(ω τ + 1)
2 2
Cunoşti că
1
n= (ε 1 + ε 12 + ε 22 ) ( 6.48)
2
1
χ= ( −ε 1 + ε 12 + ε 22 ) ( 6.49)
2
Ne 2
Dacă vei nota ω p2 = , relaţiile (6.46) şi (6.47) vor deveni:
mε 0
ω p2τ 2
ε1 = 1 − 2 2 = n2 − χ 2 ( 6.50)
ω τ +1
ω p2τ
ε2 = = 2nkχ ( 6.51)
ω (ω 2τ 2 + 1)
Vei face analiza comportamentului constantei dielectrice a metalului, în
1
trei domenii de frecvenţă determinate de zero, γ = şi ω p .
τ
12
⎛ Ne ⎞ 2
Mărimea ⎜⎜ ⎟⎟ = ω p ≈ 1016 rad sec este frecvenţa electronilor liberi
⎝ mε 0 ⎠
la astfel de frecvenţe.
În ceea ce priveşte coeficientul de frecare, acesta are valori de tipul
γ ≤ 1014 rad sec (∼18 μm).
ω pτ
În această zonă, ωτ + 1 ≅ 1 ; ω pτ >> 1 şi deci, >> 1 .Prin urmare
ω τ 2 +1
2
ε1 < 0 ( 6.52)
şi respectiv
ε 1 ≅ ω p2τ 2 ( 6.53)
ε2 = p
, are – în domeniul de pulsaţii considerat – expresia
ω(ω 2τ 2 + 1)
ωp
ε 2 = ω pτ ( 6.54)
ω
şi deci
ε 2 >> ε 1 ( 6.55)
Dacă ţii cont de relaţiile 6.48, 6.49 rezultă că, pentru zona dată, în care
1
ε 2 >> ε 1 , constantele optice specifice metalului au expresiile n ≅ ε2
2
1
şi χ ≈ ε 2 , adică
2
1 ω pτ
2
n2 ≈ χ 2 ≈ ( 6.56)
2 ω
Cum ω pτ >> 1 şi ω p >> ω , vei obţine că n 2 ≈ χ 2 >> 1.
În aceste condiţii, atât reflexia cât şi absorbţia sunt puternice, pentru că
2ω ⋅ χ (n − 1) 2 + χ 2
α= şi R =
c (n + 1) 2 + χ 2
În domeniul considerat,
n2 + χ 2
R= =1 ( 6.57)
n2 + χ 2
2ω ω pτ ω p 2
2
α= ⋅ = τω ( 6.58)
c 2ω c
Ne 2 2 2πc
α= ⋅ τ sau
c mε 0 λ
2 Ne 2 π ⋅ c ⋅τ N ⎛ πτ ⎞
α= = e⋅2⋅ ⎜ ⎟ ( 6.59)
c mε 0 λ λ ⎜⎝ mε 0 ⎟⎠
Relaţia (6.59) cunoscută sub numele de relaţia Rubens – Hagens,
conduce la o dependenţă corectă a coeficientului de absorbţie în
domeniul microundelor.
n=
1
2
(
ε 1 + ε 12 + ε 22 ≈ 0 = 0) ( 6.61)
χ=
1
2
(ε 2
1 )
+ ε 22 − ε 1 ≈ − ε 1 =
ωp
ω
( 6.62)
1
6.6.3. Domeniul . frecvenţelor mari << ω p << ω - (III)
τ
În acest domeniu
ω p2τ 2 ω p2τ 2
ε1 = 1 − 2 2 ≈ 1− 2 2 ≈ 1 ( 6.63)
ω τ +1 ωτ
ω p2τ ω p2τ ω p2
ε2 = ≈ = ≈0 ( 6.64)
ω (ω 2τ 2 + 1) ω 3τ 2 ω 3τ
deci
ε 2 << ε 1 ( 6.65)
Prin urmare
⎧n ≈ 1
⎨ ( 6.66)
⎩χ ≈ 0
şi în mod corespunzător
⎧R = 0
⎨ ( 6.67)
⎩α = 0
În această zonă se realizează transparenţa totală.
Figura 6.7
Aşa cum s-a afirmat, la metale ω p ≈ 1016 rad sec iar γ ≈ 1013 rad sec
1
deci ordinea < ω p este naturală.
τ
• Indicele de refracţie
• Coeficientul de reflexie
• Coeficientul de absorbţie
Formule cheie
Ne 2 (ω02 − ω 2 )
ε1 = n 2 − χ 2 = 1 +
mε 0 [(ω02 − ω 2 )2 + γ 2ω 2 ]
Ne 2γω
ε 2 = 2nχ =
mε 0 [(ω02 − ω 2 )2 + γ 2ω 2 ]
⎧ 2 1
⎪⎪n = 2 [ε 1 + ε 1 + ε 2 ]
2 2
⎨
⎪χ 2 = 1 [ ε 2 + ε 2 − ε ]
⎪⎩ 2
1 2 1
⎧ε = n 2 − χ 2
⎨ 1
⎩ε 2 = 2nχ
⎧ 2ω ⋅ χ
⎪α = c
⎪
⎨
⎪R = (n − 1) + χ
2 2
⎪⎩ (n + 1) 2 + χ 2
6.10. Bibliografie
1. Semiconductor Opto-electronics, T.S.Moss, G.J.Burrell, B.Ellis,
London Buttherworths, p 5-20
Cuprins Pagina
⎡⎛ n2*ω ⎞ ⎤
ϕ refractat = −i ⎢⎜⎜ ⎟⎟(cosθ ' 'z + sin θ ' 'x ) − ωt ⎥ ( 7.9)
⎣⎝ c ⎠ ⎦
Figura 7.1
Consideră că unda luminoasă care ajunge la suprafaţa de separare a
mediilor este polarizată eliptic. Amplitudinea sa E 0 are respectiv
componentele Ep (conţinută în planul de propagare) şi En
(perpendiculară pe planul de propagare) .
Pentru undele incidentă, reflectată şi refractată, având respectiv
intensităţile câmpului electric de amplitudini E , E ', E '' , componentele
sunt date de:
⎧E x = E p cos θ
⎪
⎨E z = −E p sinθ ( 7.10)
⎪
⎩E y = E n
⎧E x| = −E p| cos θ '
⎪⎪ |
⎨E z = −E p sinθ '
|
( 7.11)
⎪ |
⎪⎩E y = E n
|
Dacă ţii cont de relaţiile de mai sus, componentele după polarizare ale
amplitudinii câmpului electric în undele incidentă, reflectată şi refractată
devin:
⎧ | ⎧⎪ ⎡ n * ⎤ ⎫⎪
⎪E p = E p 0 exp⎨iω ⎢t − 1 (x ⋅ sin θ '− z ⋅ cos θ ')⎥ ⎬
|
⎪ ⎪⎩ ⎣ c ⎦ ⎪⎭
⎨ ( 7.14)
⎪ | ⎧⎪ ⎡ n1* ⎤⎫
E
⎪ n = E |
n0 exp ⎨iω ⎢t − (x ⋅ sinθ '−z ⋅ cos θ ')⎥ ⎪⎬
⎩ ⎪⎩ ⎣ c ⎦ ⎪⎭
⎧ || ⎧⎪ ⎡ n 2* ⎤⎫
⎪ p
E = E ||
p0 exp ⎨iω ⎢t − (x ⋅ sinθ ' '+ z ⋅ cos θ ' ')⎥ ⎪⎬
⎪ ⎪⎩ ⎣ c ⎦ ⎪⎭
⎨ ( 7.15)
⎪ || ⎧⎪ ⎡ n 2* ⎤ ⎫⎪
E
⎪ n = E ||
n0 exp ⎨ iω ⎢t − ( x ⋅ sin θ ' ' + z ⋅ cos θ ' ' )⎥⎬
⎩ ⎪
⎩ ⎣ c ⎦ ⎪⎭
Datorită omogenităţii planului xOz, dependenţa soluţiilor ecuaţiilor
Maxwell de x şi y în acest plan trebuie să fie unică.
În particular, în planul z=0 undele Ep, Ep’, Ep’’ trebuie să aibă aceeaşi
dependenţă de x .
dE p n1*
=− (sinθ )E p =
dx z =0
c z =0
( 7.16)
η ⎡ ⎛ n* ⎞⎤
= − (sinθ )E p 0 exp⎢iω ⎜⎜ t − 1 sinθ ⋅ x ⎟⎟⎥
c ⎢⎣ ⎝ c ⎠⎥⎦
dE p| n1*
=− (sinθ ' )E p| =
dx c z =0
z =0
( 7.17)
n *
⎡ ⎛ n1* ⎞⎤
= − (sinθ ' )E p 0 exp⎢iω ⎜⎜ t −
1 |
sinθ '⋅x ⎟⎟⎥
c ⎣⎢ ⎝ c ⎠⎦⎥
dE p|| n 2*
= − (sinθ ' ' )E p|| =
dx c z =0
z =0
( 7.18)
n* ⎡ ⎛ n* ⎞⎤
= − 2 (sinθ ' ' )E p|| 0 exp⎢iω ⎜⎜ t − 2 sin θ ' '⋅x ⎟⎟⎥
c ⎢⎣ ⎝ c ⎠⎥⎦
Într-adevăr, atât pentru unda incidentă cât şi pentru undele reflectată şi
refractată, dependenţa de timp şi poziţie este de forma
Κ exp[iω (t − β x )] ( 7.19)
Dacă impui condiţia ca dependenţa de x să fie aceeaşi pentru toate
undele, vei obţine relaţiile:
Cele două legi ale opticii geometrice, care sunt cu uşurinţă observate
experimental, devin astfel consecinţe ale teoriei radiaţiei
electromagnetice referitoare la propagarea undelor.
⎪E n =
1 1
⎪ n n
n2* + n1*
⎩
⎧ " E p ⋅ n1*
⎪E p = 2 *
⎪ n1 + n 2*
⎨ ( 7.31)
⎪E " = 2 E n ⋅ n1
*
⎪ n n1* + n 2*
⎩
Expresiile simplificate ale relaţiilor Fresnel – pentru situaţia incidenţei
normale îţi permit observaţii referitoare la intensităţile relative ale
componentelor câmpului electric după atingerea interfeţei.
7.4.3. Aplicaţie
Soluţie
4n1n 2
T p = Tn = ( 7.43)
(n1 + n 2 )2
π
Din relaţia (7.40) rezultă că, dacă θ "+θ = atunci tg (θ "+θ ) = ∞ şi deci
2
Rp = 0 ( 7.44)
Figura 7.2
Unghiul Brewster este pentru Şi de aproximativ 73 D ; Oglinzile deşi
utilizate la acest unghi sunt foarte bune polarizoare pentru infraroşu.
În cazul în care la o interfaţă primul mediu este aer (naer=1) iar cel de-al
doilea este un mediu conductor cu:
n * = n − iχ ( 7.45)
unde n este indicele de refracţie iar χ este indicele de absorbţie, poţi
scrie coeficientul de reflexie sub forma
(n − 1) + χ 2
2
n − iχ − 1
2
R= = ( 7.46)
n − iχ + 1 (n + 1)2 + χ 2
Pentru materiale cu absorbţie scăzută (cu conductivitate redusă) pentru
care χ este mic, coeficientul de reflexie devine
R=
(n − 1)2 ( 7.47)
(n + 1)2
Relaţia7.47 este identică aceleia care exprimă dependenţa lui R de
indicele de refracţie n pentru dielectrici.
Pentru metale, pentru care χ este foarte mare, vei obţine R ≅ 1;
Pentru materiale semiconductoare cu indicele de absorbţie mare,
situaţia este asemănătoare.
Cazul este numit reflexie metalică ;absorbţia şi reflexia sunt totodată
foarte mari.
Figura 7.3
Proiectul pentru Învăţământul Rural 171
Comportamentul luminii la interfeţe
7.4.6. Reflexie la suprafaţa aer-conductor
((
n 2* cos θ ' ' = n 2* )
2
− sin 2 θ ) 1
2
= α − iβ ( 7.48)
cos(θ − α ) + iβ (cos θ − α )2 + β 2
2
Rn = = ( 7.50)
cos(θ + α ) + iβ (cos θ + α )2 + β 2
şi analog, din relaţiile de definiţie ale coeficienţilor de reflexie pentru
unda în planul de incidenţă vei găsi relaţiile
Rp = Rn
(α − sinθ ⋅ tgθ ) + β 2
2
( 7.53)
(α + sinθ ⋅ tgθ )2 + β 2
Pentru semiconductori, în majoritatea cazurilor de interes, n este de
câteva unităţi iar χ este subunitar. Deci n 2 >> χ 2 2 şi de asemenea
n 2 >> sin 2 θ . În aceste condiţii din ecuaţiile
⎧α 2 − β 2 = n 2 − χ 2 − sin 2 θ
⎨ ( 7.54)
⎩αβ = nχ
vei obţine
172 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Comportamentul luminii la interfeţe
n = α + β − 2α β ;4n χ = 4α β
4 4 4 2 2 2 2 2 2
( 7.55)
După o prelucrare matematică simplă, relaţiile vor deveni
( ) (
n 2 n 2 + 4χ 2 = α 2 + β 2 )
2
n2 = α 2 − β 2
şi prin urmare,
⎧α ≅ n
⎨ ( 7.56)
⎩β ≅ χ
Din considerentele anterioare rezultă că Rn variază foarte puţin cu
unghiul, plecând de la o valoare de aproximativ 30% la incidenţă
normală, spre 100% la incidenţă la unghiuri apropiate de 90o (Ca la Si)
Rp are aceeaşi valoare cu Rn la incidenţă normală. Ulterior trece printr-
sin 2 θ
un minim pentru situaţia α = adică, pentru tgθ ≅ n , după care
cos θ
creşte la 100% pentru 90o. (pentru că n ≅ α ;sinθ ≅ 1 )
Pentru materiale cu indicele de refracţie în domeniul n ∈ (3 ÷ 6) unghiul
de reflectivitate minimă are valori cuprinse între 71o-81o.
Dacă se măsoară unghiul de incidenţă, şi radiaţia reflectată de o
suprafaţă pentru cele două polarizări se pot determina n şi χ din numai
două măsurări de reflectivitate.
Reţine că în studii experimentale R n variază lent în funcţie de unghiul
de incidenţă şi nu poate furniza prea multe informaţii.
În contrast R p ca funcţie de unghiul de incidenţă variază foarte rapid în
jurul unghiului Brewster astfel că măsurări în jurul acestui unghi dau n şi
k destul de acurat. Trebuie să remarci că dacă se face o măsurare a
raportului R p / R n , aceasta este şi mai acurată.
Formule cheie
Ne 2 (ω02 − ω 2 )
ε1 = n − χ = 1 +
2 2
mε 0 [(ω02 − ω 2 )2 + γ 2ω 2 ]
Ne 2γω
ε 2 = 2nχ =
mε 0 [(ω02 − ω 2 )2 + γ 2ω 2 ]
⎧ 2 1
⎪⎪n = 2 [ε 1 + ε 1 + ε 2 ]
2 2
⎨
⎪χ 2 = 1 [ ε 2 + ε 2 − ε ]
⎪⎩ 2
1 2 1
⎧ε 1 = n 2 − χ 2
⎨
⎩ε 2 = 2nχ
⎧ 2ω ⋅ χ
⎪⎪α = c
⎨
⎪R = (n − 1) + χ
2 2
⎪⎩ (n + 1) 2 + χ 2
Pen
9. Calculează grosimea unei plăci din metalul de mai sus care face
să scadă de e ori intensitatea unui fascicul cu lungimea de undă dată
la punctul anterior.
Cuprins Pagina
dI = I 0 ⋅ k ⋅ e − kx ( 8.3)
Admite că eficienţa cuantică a proceselor de generare este unitară şi că
rata de generare a purtătorilor g este egală cu rata de absorbţie a
fotonilor adică
g = I 0 ⋅ k ⋅ e − kx ( 8.4)
Purtătorii generaţi se pot recombina în volum sau la suprafaţă.
Recombinarea în volum în care rata de variaţie a concentraţiei de
purtători excedentari este proporţională cu concentraţia se numeşte
recombinare lineară.
În cazul în care se petrece o recombinare directă a electronilor şi
golurilor excedentare, fiecare act de recombinare conduce la
antrenarea unui electron şi a unui gol.
Proiectul pentru Învăţământul Rural 181
Fenomene de transport cu purtători generaţi optic
Ratele de recombinare pentru electroni şi goluri vor fi în acest caz egale
re = rg ( 8.5)
re = rg =
(np − n0 p0 ) ( 8.6)
(n0 + p0 )τ
Concentraţiile de purtători din material sunt constituite din suma
concentraţiilor de purtători de echilibru n şi p şi concentraţiile de
purtători de neechilibru datoraţi iluminării Δn , Δp adică
n = n 0 + Δn , p = p0 + Δp .
Vei studia situaţia nivelului mic de iluminare, ceea ce implicit înseamnă
un nivel mic de purtători de neechilibru adică n0 > Δn , p 0 > Δp .
re = rg =
(n0 + Δn )(p0 + Δp ) − n0 p0 ( 8.7)
(n0 + p0 )τ
Recombinarea la suprafaţă este direct proporţională cu concentraţia de
purtători excedentari astfel că, la suprafaţă curentul de goluri este:
j = s ⋅ Δp ( 8.8)
Aminteşte-ţi că ecuaţia de continuitate pentru densitatea de sarcină,
aşa cum este cunoscută din hidrodinamică sau electrodinamică are
expresia:
dρ G
+ Δρv = 0 ( 8.9)
dt
sau
dn G dn
+ Δnv = 0 ; + ΔJ = 0 ( 8.10)
dt dt
unde ρ este densitatea de sarcină, n este densitatea de particule
G
încărcate, v viteza de deplasare a sarcinii iar J este curentul de
particule.
Cum variaţia temporală a concentraţiei este dată de
dn
= g −r ( 8.11)
dt
vei obţine pentru geometria descrisă în figura 8.1
dI y e(np − n 0 p0 )
= kI 0 e − ky − ( 8.12)
dy (n 0 + p0 )τ
8.3.2. Ecuaţiile de transport
8.4. Fotodifuzia
Cel mai simplu fenomen de transport în care sunt implicaţi purtători de
sarcină excitaţi cu lumină, fenomen care apare în materiale omogene şi
în absenţa oricărui câmp exterior, este fotodifuzia. Trebuie accentuată
lipsa oricărei neregularităţi în materialul în care apare fenomenul – cu
excepţia faptului că în zona iluminată apare o concentraţie mai mare de
purtători.
Figura 8.1
d
J y+ = −eDg (Δp ) + eμ g pE ( 8.14)
dy
pentru electroni şi respectiv
d
J y− = +eDe (Δu ) + enμ e E ( 8.15)
dy
pentru goluri.
d
(Δn ) = (μ g bEn − J y ) 1 ( 8.27)
dy bDg
Elimină între cele trei relaţii de mai sus variaţiile concentraţiilor de
purtători de neechilibru şi vei obţine
d 2J y
2
= −k 2 I 0 e −ky −
1
Dg (n + p )τb
[nμ g bEp − nbJ y − pμ b bEn − pJ y ] ( 8.28)
dy
sau, evident
d 2J y
= −k 2I 0 e −ky +
(p + nb ) J ( 8.29)
Dg (n + p )τb
2 y
dy
Dacă ţii cont de geometria impusă problemei, conform căreia toate
punctele aflate în plane paralele cu planul xOz sunt echivalente, atunci
concentraţiile de purtători excedentari, şi toate celelalte mărimi care
descriu fenomenele de transport nu pot avea dependenţă decât după
“adâncimea” y a probei.
Dacă defineşti o lungime de difuzie ambipolară L prin relaţia
τDg b(p + n )
L2 = ( 8.30)
p + nb
poţi rescrie (8.29) sub forma:
d 2J y Jy
2
− 2
= −k 2 I 0 e −ky ( 8.31)
dy L
Soluţia ecuaţiei (8.31), alcătuită prin sumarea soluţiei generale a
ecuaţiei omogene cu o soluţie particulară a ecuaţiei neomogene are
forma
y y L2 k 2 I 0 e − ky
J y (y ) = Ash + Βch − ( 8.32)
L L k 2 L2 − 1
J y ( y = t ) = + sΔp( y = t ) = 0 (8.35)
t
⎪sh = e L
−e L
eL
⎪⎪ L ≅
2 2 ( 8.36)
⎨ t t t
⎪ t eL +e
−
L
eL
⎪ch = ≅
⎪⎩ L 2 2
Fără a considera că este o condiţie restrictivă, poţi admite că
e −kt ≅ 0 ( 8.37)
Înţelesul relaţiei de mai sus este că absorbţia luminii în material este
suficient de puternică pentru ca nici unul din fotonii incidenţi pe faţa
superioară să nu mai poată ieşi din material. Dacă lumina ar ieşi din
material (materialul ar fi transparent) generarea de purtători excedentari
datorită iluminării ar fi redusă şi n-ar avea sens studiul fenomenelor de
transport pentru purtătorii generaţi de lumină.
Curentul de particule (8.32) respectă, la feţele plăcii condiţiile (8.34) şi
(8.35) ceea ce conduce la:
⎧ k 2 L2I 0
⎪ J (0 ) = B − =0
⎪ k 2 L2 − 1
⎨ t 2 2 − kt
( 8.38)
⎪J (t ) = (A + B )e L − L k I 0 e = 0
⎪⎩ k 2 L2 − 1
astfel încât
k 2 L2 I 0
−A=B= 2 2 ( 8.39)
k L −1
şi deci
k 2 L2 I 0 ⎛ y y ⎞ k 2 L2 I 0 e − ky
J y (y ) = ⎜ − sh + ch ⎟− 2 2 ( 8.40)
k 2 L2 − 1 ⎝ L L⎠ k L −1
sau
k 2 L2 I 0 ⎛ − L ⎞
y
J y (y ) = ⎜ e − e −ky ⎟ ( 8.41)
k L − 1 ⎜⎝
2 2 ⎟
⎠
Dacă absorbţia este foarte puternică, adică dacă lumina este absorbită
pe o adâncime mai mică decât lungimea pe care purtătorii generaţi
difuzează, kL >> 1 , expresia (8.41) devine
⎛ −y ⎞
J y (y ) = I 0 ⎜⎜ e L − e −ky ⎟⎟ ( 8.42)
⎝ ⎠
Existenţa curentului de particule în material conduce la apariţia unui
câmp electric interior, a cărui dependenţă de adâncime poate fi
determinată.
Reaminteşte-ţi că ipotezele de lucru sunt că proba are grosimea mult
mai mare decât lungimea de difuzie şi că lumina nu iese din probă,
astfel încât L << t , k ⋅ t >> 1 .
Derivează în raport cu y condiţia de neutralitate (8.33) şi vei obţine
relaţia
d 2E e ⎡d d ⎤
dy 2
=
ε 0ε ⎢ dy (Δp ) − dy (Δn )⎥ ( 8.43)
⎣ ⎦
Sau, ţinând seama de expresiile (8.26) şi (8.27), vei obţine
d 2E e ⎡ ⎤
= ⎢ (− J + μ pE ) 1
+
1
(J + b μ nE )⎥ ( 8.44)
dy 2 ε 0 ε ⎣⎢
y g y g
Dg Dg b ⎦⎥
adică
d 2 E eμ g (n + p )E e (1 − b )
− = Jy ( 8.45)
dy 2
ε 0 εDg εε 0 bDg
Pentru simplificarea expresiei din (8.45) foloseşte următoarele notaţii
⎧ 2 εε 0 Dg εε 0 kT
⎪d = =
⎪ (n + p )eμ g (n + p )e 2
⎨ ( 8.46)
⎪E = I 0 (1 − b )
⎪ ef bμ g (n + p )
⎩
Mărimile definesc o adâncime şi respectiv un câmp electric efectiv.
Dacă ţii cont de (8.42) şi foloseşti relaţiile propuse vei obţine
d 2E E E ef ⎛ − yL ⎞
− = ⎜ e − e −ky ⎟ ( 8.47)
dy 2 d 2 d 2 ⎜⎝ ⎟
⎠
O soluţie particulară a ecuaţiei (8.47) este:
⎛ L2 −
y
e − ky ⎞⎟
E p = ⎜⎜ 2 e L
− ⎟E ef ( 8.48)
⎝ d − L2
d 2 2
k − 1 ⎠
iar soluţia generală a omogenei ecuaţiei (8.47), dependentă de două
constante de integrare, (C, D ) , se scrie
⎛ 2 − yL ⎞
y y ⎜ Le e − ky ⎟
E (y ) = Csh + Dch + E ef ⎜ 2 − 2 2 ⎟ ( 8.49)
⎜d −L d k − 1⎟
2
d d
⎝ ⎠
Proiectul pentru Învăţământul Rural 187
Fenomene de transport cu purtători generaţi optic
⎛ 2 − Lt ⎞
t t ⎜ Le e −kt ⎟
E (t ) = Csh + Dch + E ef ⎜ 2 − 2 2 ⎟=0 ( 8.51)
⎜d −L d k − 1⎟
2
d d
⎝ ⎠
t t
− −
Din motive evidente e L
≅ 0 , e −kt ≅ 0 şi întrucât e d
≅ 0 îţi rezultă că
t
t t e d
sh ≅ ch ≅ .
d d 2
În aceste condiţii (8.51) capătă forma extrem de simplă
C+D=0 ( 8.52)
În concluzie, din (8.50) şi (8.52) vei obţine că
⎛ L2 1 ⎞
C = −D = E ef ⎜⎜ 2 − 2 2 ⎟ ( 8.53)
⎝d −L
2
d k − 1⎟⎠
iar câmpul electric intern va avea expresia
⎡ L2 ⎛ − Ly −
y
⎞ 1 ⎛ − ky −
y
⎞⎤
E (y ) = E ef ⎢ 2 ⎜e − e d
⎜
⎟− ⎜e − e d
⎟ d 2 k 2 − 1⎜
⎟⎥
⎟ ( 8.54)
⎣⎢ d − L
2
⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎦⎥
E (y ) = E ef ⎢e − e ⎥L
( 8.55)
⎣⎢ ⎦⎥
Ecuaţia de neutralitate se poate scrie în condiţiile impuse sub forma:
εε 0 ⎡ 1 −y 1 −y ⎤
Δp − Δn = E ef ⎢− e d + e L ⎥ ( 8.56)
e ⎢⎣ d L ⎥⎦
Dacă
Δp(y 0 ) − Δn (y 0 ) = 0 ( 8.57)
sarcinile pozitivă şi negativă sunt “separate” de un plan în care se
realizează neutralitatea, plan aflat la adâncimea y 0 .
Condiţia (8.57) fixează “graniţa” dintre o zonă pozitivă şi una negativă.
Purtătorii de sarcină sunt generaţi simultan dar datorită proprietăţilor de
difuzie şi mobilitate diferită, ei ajung în material la adâncimi diferite. Prin
urmare poate apare încărcare electrică distinctă pentru straturi de
Figura 8.2
Dacă se aplică un câmp electric slab, ecuaţiile care guvernează
deplasările de sarcină, nu conţin distribuţii de purtători modificate de
câmp.
Densitatea de fotocurent va fi determinată de concentraţia de purtători
excedentari şi de mobilitatea acestora. Pentru fotoconducţia intrinsecă,
caz în care Δn = Δp , fotocurentul este dat de expresia
Δj = μ g ⋅ (b + 1) ⋅ Δp ⋅ e ⋅ E x ( 8.63)
t t I k 2 e − kt L2 ⎡ 1⎛ t t ⎞ kI e − kt ⎤
Ash + Bch − 0 2 2 = sτ ⎢− ⎜ Ash + Bch ⎟ − 2 0 2 ⎥ ( 8.72)
L L k L −1 ⎣ L⎝ L L ⎠ k L − 1⎦
Dacă radiaţia este complet absorbită în probă (kt >> 1) , atunci e −kt ≅ 0
şi deci ,
t t
+ αsh
ch
A = −B L L ( 8.73)
t t
sh + αch
L L
⎣ L ⎦ ( 8.77)
⎡⎛ t⎞ y ⎛ t ⎞ y⎤
⎢⎜1 + αth L ⎟ch L − ⎜ α + th L ⎟sh L ⎥
⎣⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎦
În aceste condiţii
t
τ ⋅ I0 L ⋅ τ ⋅ k ⋅ I 0 (kL + α )
ΔP = ∫ Δp(y )dy = (e − kt
)
−1 + ×
k L −1
( )(
⎡
) ⎤
2 2
t
0
k L − 1 ⎢ 1 + α th + 2α ⎥
2 2 2
⎣ L ⎦ ( 8.78)
⎡⎛ t⎞ t ⎛ t ⎞⎛ t ⎞⎤
⎢⎜1 + αth L ⎟sh L − ⎜ α + th L ⎟⎜ ch L − 1⎟⎥
⎣⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎝ ⎠⎦
sτ
În cazul în care la suprafaţă recombinarea este mică, α = ≅ 0 relaţia
L
(8.78) devine
τ ⋅ I0 L2 k 2 ⋅ τ ⋅ I 0
ΔP = (e − kt
−1 + 2 2) ⎡ t t ⎤
⎢sh L − ch L + 1⎥ ( 8.79)
k L −1
2 2
k L −1 ⎣ ⎦
şi , dacă t >> L
τ ⋅ I 0 ⋅ e − kt
ΔP = τ ⋅ I 0 + ( 8.80)
k 2 L2 − 1
Pentru o probă suficient de groasă, pentru care e − k ⋅t ≈ 0
ΔP = τ ⋅ I 0 ( 8.81)
Înlocuieşte în expresia (8.63) concentraţia de purtători exprimată prin
(8.81), şi vei obţine
Δj = μ g ⋅ (b + 1) ⋅ I 0 ⋅ τ ⋅ e ⋅ E x ( 8.82)
Metoda experimentală
Figura 8.3
Montaj pentru măsurarea fotocurentului pentru generare optică intensă
Figura 8.4
Montajul pentru măsurarea fotoconducţiei prin metoda compensării: Rs -
rezistenţă de sarcină; B - sursă de curent continuu.
Figura 8.5
Schema instalaţiei pentru măsurarea fotoconducţiei în cazul iluminării
probei cu pulsuri dreptunghiulare de lumină:
Rs - rezistenţă de sarcină;
B - sursa de curent continuu.
Rezultatele urmărite
Sunt studierea dependenţei semnalului electric obţinut experimental de
intensitatea fluxului luminos. Vei lucra folosind un bec cu filament
punctiform, astfel că vei putea admite că variaţia fluxului luminos este
proporţională cu inversul pătratului distanţei de la sursă la fotorezistor.
Vei realiza montajul din figura 8.3 şi vei măsura Δσ f în regim de câmp
constant pentru fotorezistenţele care îţi vor fi puse la dispoziţie. Vei
verifica proporţionalitatea dintre intensitatea radiaţiei incidente şi Δσ f .
În acest scop vei măsura σ f pentru diferite distanţe de la sursa de
lumină la fotorezistenţă folosind montajul cu lumină pulsată din figura
⎛ 1 ⎞
8.5. şi vei construi grafice Δσ f = f ⎜ 2 ⎟
⎝d ⎠
Protocolul care trebuie să-l întocmeşti va cuprinde descrierea tipurilor
de fotorezistenţe asupra cărora ai făcut măsurări, tabele cu rezultatele
măsurărilor de fotoconducţie în funcţie de intensitatea luminoasă,
reprezentări grafice şi comentarii.
2. Randamentul cuantic
a) este întotdeauna 1,
b) nu poate avea nici o dată valoarea 105
c) este aproximativ egal cu unitatea în procesele de interacţiune dintre
lumină şi semiconductori.
kTμ cm 2
1. Conform relaţiei Einstein D = ≈ 13
e s
2. c) Randamentul cuantic poate fi supra sau subunitar ; el este
aproximativ egal cu unitatea în procesele de interacţiune dintre
lumină şi semiconductori
3. Intervalul de timp (între actul generării şi recombinării) în care
fiecare purtător de sarcină excedentar participă la fenomene de
transport din material poartă denumirea de timp de viaţă τ .
Evident, această mărime diferă pentru fiecare purtător. Mărimea
timp de viaţă pentru ansamblul purtătorilor excedentari are
semnificaţia inversului probabilităţii de recombinare. Un timp de
viaţă posibil este 0,1s.
⎪⎩ 2
şi cum în circumstanţele date e − x ≈ 0 rezultă că
⎧ ex
⎪⎪ sh( x ) ≈
2
⎨ x
⎪ch( x ) ≈ e
⎪⎩ 2
5. Fenomenul prin care unele materiale îşi modifica proprietăţile
electrice (conductivitatea) sub acţiunea radiaţiei electromagnetice
Formule cheie
dn G dn
Ecuaţia de continuitate + Δnv = 0 ; + ΔJ = 0 ;
dt dt
Ecuaţiile de transport
d
J y+ = −eDg (Δp ) + eμ g pE ;
dy
d
J y− = +eDe (Δu ) + enμ e E ;
dy
kTμ
Relaţia Einstein D= ;
e
Densitatea de fotocurent Δj = μ g ⋅ (b + 1) ⋅ I 0 ⋅ τ ⋅ e ⋅ E x ;
8.12. Bibliografie
1. Semiconductor Opto-electronics, T.S.Moss, G.J.Burrell, B.Ellis,
London Buttherworths, p 5-20
2. Fizica stării solide Caiet de lucrări de laborator Editura
Universităţii din Bucureşti,
3. Fizica stării solide Proprietăţi dielectrice şi optice, V. Dolocan,
Editura Universităţii din Bucureşti
4. R.H.Bube, Photoconductivity of Solids, London-NewYork, pg
81-116
Cuprins Pagina
Figura 9.1
Figura 9.2
În figura 9.2 îţi sunt prezentate domeniile spectrale ale principalilor
detectori ( şi ale principalelor surse) de lumină, interesante din punct de
vedere tehnic.
9.3. Detectori cu efect fotoelectric extern
Figura 9.3
curent electric care se măsoară – ca în figura 9.3. Catodul fotosensibil
este făcut din metale alcaline (sau compuşi ai acestora) cum ar fi
potasiul, cesiul, rubidiul, oxid de cesiu, etc. Între fotocurentul măsurat în
circuitul fotocelulei şi intensitatea luminii care cade pe fotocatodă există
o relaţie liniară.
9.3.2. Fotomultiplicatorul
Figura 9.4
Fotonii incidenţi cad pe un catod fotosensibil (care reprezintă fereastra
de intrare în dispozitiv) din care extrag electroni prin efect fotoelectric
extern. Aceşti electroni sunt dirijaţi către prima dinodă care este primul
multiplicator de electroni.
206 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Detectori de lumină
Întrucât în timpul deplasării între catod şi dinodă fotoelectronii se mişcă
într-un câmp electric accelerator, la ciocnirea dinodei ei au suficientă
energie pentru a face să se emită din dinodă mai mulţi electroni.
Mişcarea electronilor este datorată câmpului electric stabilit în interiorul
fotomultiplicatorului. Prin ciocnirea unei dinode , fiecare dintre electronii
aflaţi în mişcare produce la rândul lui un număr de electroni (mai mare
decât unul). Electronii care pleacă din prima dinodă sunt acceleraţi de
câmpul electric din tub şi sunt multiplicaţi de a doua dinodă şi aşa mai
departe până la anodul care colectează cascada electronilor multiplicaţi
de sistemul de dinode: sursa primară a cascadei este electronul
generat de foton. Cea mai importantă parte a fotomultiplicatorului este
sistemul de dinode a căror geometrie este astfel aleasă încât să
permită construirea unei succesiuni de diferenţe de potenţial care să
asigure accelerarea electronilor şi multiplicarea fluxului de electroni la
fiecare dinodă. .
Fluxul electronilor datoraţi fotonului incident produce un puls de
tensiune care semnalează detecţia unui foton de fotocatod. În figura 9.5
este prezentată imaginea unui tub fotomultiplicator.
Figura 9.5
⎨ EFp − Ev ( 9.1)
⎪ −
⎩ p = Nve
kT
Bias
este un termen
internaţional
uzual care are
semnificaţia de
polarizare
electrică
Figura 9.6
De o parte şi de alta a planului care separă cele două zone ale
joncţiunii vor apare sarcini spaţiale necompensate care vor da naştere
unui câmp electric intern de difuzie (fig. 9.6. b). Apariţia acestui câmp
electric va împiedica continuarea procesului de difuzie a purtătorilor de
sarcină majoritari, determinând stabilirea unei stări de echilibru dinamic.
Între regiunile n şi p ale semiconductorului se va stabili o diferenţă de
potenţial Vbi (fig.9.7.), care se numeşte diferenţă de potenţial de contact
sau de difuzie.
Prin urmare, joncţiunea p-n reprezintă stratul de tranziţie dintre două
regiuni ale semiconductorului cu conductivităţi de tipuri diferite în care
există un câmp electric de difuzie.
Figura 9.7
Proiectul pentru Învăţământul Rural 209
Detectori de lumină
Figura 9.8
Rezolvând ecuaţia Poisson cu condiţii la limită corespunzătoare, se
poate găsi legătura dintre lărgimea stratului cu încărcare electrică
efectivă – stratul de baraj – şi valoarea barierei de potenţial Vbi .
Cu notaţia
W0 = x n + x p ( 9.6)
vei obţine:
⎧ NA
⎪ x n = N + N W0
⎪ D A
⎨ ( 9.7)
⎪x = ND
W0
⎪⎩ p
ND + N A
unde
2ε (N D + N A )
W0 = Vbi ( 9.8)
qN A N D
este lăţimea stratului de sarcină spaţială,
ε = ε0εr. q - sarcina elementară.
Pentru a determina diferenţa de potenţial de contact, din figura 9.8. vei
observa că
⎧⎪qVbi = E g − q (Vn − Vp )
⎨ ( 9.9)
⎪⎩E g = E c − EV
dar cum
⎧qVn = EC − E F
⎨ ( 9.10)
⎩qV p = E F − EV
şi dacă ţii cont de relaţiile 9.1 şi 9.2 îţi va rezulta:
Nc Nv ⎡ Nc Nv ⎤ nn0 pn0
qVbi = kT ln 2
− ⎢ kT ln + kT ln ⎥ = kT ln ( 9.11)
ni ⎢⎣ n p0 n p0 ⎥⎦ ni 2
unde cu n n 0 şi p p 0 s-au notat concentraţiile purtătorilor de sarcină
majoritari din regiunile n şi respectiv p.
Figura 9.9
unde semnele - şi + corespund polarizării directe şi respectiv inverse.
Întrucât, la polarizarea directă, concentraţiile purtătorilor de sarcină
minoritari sunt mari în imediata apropiere a stratului de sarcină spaţială
şi scad spre interiorul regiunilor neutre, va avea loc difuzia lor spre
contactele metalice. Dacă lungimile regiunilor neutre ln şi lp sunt mai
mici decât lungimile de difuzie Ln şi Lp atunci se pot neglija procesele de
recombinare în aceste regiuni iar mecanismul dominant pentru
transportul purtătorilor de sarcină rămâne difuzia. În plus dacă se
presupune că lărgimea stratului de sarcină spaţială este suficient de
mică pentru a putea fi neglijate procesele de generare, caracteristica
curent - tensiune a uni astfel de diode ideale are forma :
⎛ qV ⎞
I = I S ⎜ e kT − 1⎟ ( 9.13)
⎝ ⎠
unde IS este densitatea curentului de saturaţie sau densitatea curentului
invers al joncţiunii p-n ideale.
Gap
este un termen
internaţional
uzual care are
semnificaţia de
interval energetic
corespunzător
benzii interzise
Figura 9.10
a) semiconductorii la care minimul benzii de conducţie caracterizat de
vectorul de undă Kmin şi maximul benzii de valenţă caracterizat cu Kmax
sunt dispuse în acelaşi punct al zonei Brillouin ( în mod obişnuit în
punctul K = 0 ). Astfel de semiconductori posedă benzi “ aliniate “ ( fig.
9.10. a ) Kmin = Kmax .
212 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Detectori de lumină
b) semiconductorii la care extremele benzii de conducţie şi de valenţă
sunt situate la K diferiţi astfel încât Kmin ≠ Kmax. În acest caz se spune că
semiconductorii au benzi " nealiniate " ( fig.9.10.b ).
Deoarece impulsul fotonului Pfoton = =q este neglijabil de mic în
comparaţie cu impulsul electronului, obţinem pentru vectorul de undă al
electronului egalitate Ki = Kf , care exprimă faptul că fotonul nu
comunică electronului de valenţă decât energie. Prin urmare, sub
acţiunea radiaţiei electromagnetice vectorul de undă al electronului
rămâne neschimbat.
Figura 9.11
Figura 9.12
Tranziţii optice indirecte:
1 - cu absorbţia fononului 2 - cu emisia fononului
Principalele caracteristici ale fenomenului de absorbţie optică
fundamentală, în cazul tranziţiilor indirecte sunt:
- valori mai mici ale coeficientului de absorbţie în comparaţie cu
tranziţiile directe bandă-bandă.
- dependenţa mai pronunţată a coeficientului de absorbţie de energia
fotonilor.
- dependenţa mai pronunţată de temperatură a coeficientului de
absorbţie, datorită dependenţei distribuţiei fononilor de temperatură.
EA EA
EV 5
2 3
Figura 9.13
Tranziţii posibile ale electronilor în cazul absorbţiei pe impurităţi
optice pe 1. tranziţie nivel donor - bandă
de conducţie
2. tranziţie bandă de valenţă - nivel acceptor
3. tranziţie bandă de valenţă - nivel donor
4. tranziţie nivel acceptor - bandă de conducţie
5. tranziţie nivel acceptor - nivel donor
Figura 9.14
216 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Detectori de lumină
Pentru ambele modalităţi de iluminare ecuaţia caracteristicii curent-
tensiune a fotodiodei, poate fi redusă la aceeaşi formă generală:
⎛ eV ⎞
I = I s ⎜⎜ e kT − 1⎟⎟ − I L ( 9.18)
⎝ ⎠
Figura 9.15
În figura 9.15. sunt date caracteristicile curent tensiune ale fotodiodei
construite conform cu această expresie.
Regimul de fotodiodă propriu zisă exploatează dispozitivul, de regulă, în
zona din cadranul III; zona din cadranul IV în care puterea este
negativă (curentul şi tensiunea au sensuri diferite) corespunde
regimului de fotoelement în care fotodioda converteşte puterea
luminoasă în putere electrică.
Pentru V>>kT/e, curentul în circuitul fotodiodei nu depinde de mărimea
tensiunii aplicate în sens invers, V invers.
Ca rezultat caracteristica I-V reală a curentului de întuneric al
fotodiodei, nu depinde de tensiunea inversă.
La iluminarea fotodiodei curentul prin ea creşte şi caracteristica se
deplasează în sus, iar panta ei faţă de axa tensiunilor se modifică.
Creşterea curentului prin fotodiodă este proporţională cu fluxul luminos
care acţionează asupra sa.
Figura 9.16
Valoarea maximă a fotocurentului se obţine în condiţii de scurtcircuit
(rezistenţa de sarcină externă nulă, V=0) şi anume:
I = Isc ( 9.22)
În figura de mai jos îţi sunt prezentate diferite variante constructive de
fotodiode pentru diferite zone ale spectrului luminos.
Figura 9.17
9.7. Celule solare
Funcţionarea unei celule solare se bazează pe efectul fotovoltaic, atât
doar că radiaţia incidentă provine de la soare. Celulele solare pot
reprezenta, în anumite situaţii, o alternativă neconvenţională pentru
furnizarea de energie electrică. Fiecare dintre voi a folosit un
microcalculator alimentat cu baterie solară. Imaginile de mai jos
Schema echivalentă cel mai des folosită pentru celulele solare este
prezentată în figura 9.20 unde Rs, Rsh, RL sunt rezistenţele serie, şunt şi
de sarcină iar IL este un generator de curent care reprezintă curentul
datorat purtătorilor generaţi de lumină
Figura 9.20
Aplicând în circuit legea lui Kirchhoff, vei obţine caracteristica curent-
tensiune a celulei solare:
⎛ −e (V −IRs ) ⎞ V − IR
I = I s ⎜ e kT − 1⎟ + s
− IL ( 9.23)
⎜ ⎟ R
⎝ ⎠ sh
9.8.1. Fototranzistorul
Figura 9.21
Dacă vei considera funcţionarea fototranzistorului cu bază liberă, adică
pentru I0 = 0, purtătorii de neechilibru majoritari rămân în regiunea
bazei, a cărei sarcină variază ceea ce conduce la variaţia barierei de
potenţial a joncţiunii emitorului. Ca rezultat, creşte curentul purtătorilor
minoritari injectaţi în bază din regiunea emitorului.
Formarea în regiunea bazei, la iluminarea ei, a unei sarcini spaţiale
suplimentare, cu purtători majoritari de neechilibru, este care asigură în
tranzistor amplificarea fotocurentului. Este „ca şi cum” lumina asigură
curentul pe care altfel, galvanic, îl asigură polarizarea bazei.
Figura 9.22
Proiectul pentru Învăţământul Rural 221
Detectori de lumină
Vei analiza în continuare procesele fizice care au loc în fototranzistorul
conectat în circuitul cu emitorul comun (fig.9.22 d).
Diagrama energetică a structurii p-n-p în absenţa polarizări şi la
echilibru termodinamic este prezentată în figura (9.23.).
Această figura îţi prezintă diagrama energetică a structurii p-n-p, pentru
polarizarea directă a emitorului şi polarizarea inversă a colectorului.
Pentru curentul de colector putem scrie relaţia:
Figura 9.23
I c = α 0 ⋅ I E + ICB 0 ( 9.25)
unde Δp0 este concentraţia golurilor injectate din emitor, la întuneric iar
Δpf este concentraţia golurilor generate fotonic în baza
fototranzistorului.
Curenţii din emitor şi colector îi poţi scrie:
⎧IE = IE 0 + IEL
⎨ ( 9.34)
⎩IC = IC 0 + ICL
iar curentul de bază conform legii lui Kirchhoff va fi:
IB = IE − IC ( 9.35)
ICo şi IEo reprezintă curenţii de colector şi emitor în absenţa iluminării la
tensiunile de polarizare VCB şi VEB iar IEL şi ICL sunt curenţii de
scurtcircuit din joncţiunile emitorului şi colectorului când baza
fototranzistorului este iluminată.
În aceste condiţii poţi scrie :
⎛ qVEB ⎞
IE = IEB 0 ⋅ ⎜⎜ e kT − 1⎟⎟ + α i (IC − I 'CL ) − I 'EL ( 9.36)
⎝ ⎠
⎛ qVCB ⎞
IC = −ICB 0 ⋅ ⎜⎜ e kT − 1⎟⎟ + α 0 (IEL − I 'CL ) − I 'CL ( 9.37)
⎝ ⎠
unde IEB0 şi ICB0 sunt curenţii inverşi de saturaţie ai emitorului şi
colectorului; VEB şi VCB sunt căderile de tensiune pe emitor şi colector;
α0 şi αi sunt factorii de transfer ai curentului din emitor când
fototranzistorul este conectat în sens direct şi respectiv invers; I'CL şi I'EL
Proiectul pentru Învăţământul Rural 223
Detectori de lumină
sunt fotocurenţii de scurtcircuit din emitor şi colector când este iluminată
baza. Cu notaţiile
⎧IEL = α i ⋅ I 'CL +I 'EL
⎨ ( 9.38)
⎩ICL = α 0 ⋅ I 'EL +I 'CL
Figura 9.25
1
M= n
( 9.57)
⎛V ⎞
1 − ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ VB ⎠
unde V este tensiunea de străpungere a joncţiunii Jb fără a ţine cont de
efectul de tranzistor iar n este o constantă care depinde de natura
materialului semiconductor (pentru Si, 3 < n <6). Tine cont de faptul că
⎧⎪ I p = α 1 (I A + I LC ) + I pf + I CO1
⎨ ( 9.58)
⎪⎩ I n = α 2 (I K + I G + I LAA ) + I nf + I CO 2
unde I pf şi I nf sunt curenţi de goluri şi respectiv, de electroni, cauzaţi
de generarea optică în regiunea de câmp intens. Din relaţiile (9.56) şi
(9.57) îţi rezultă
I = M (α1 I A + α 2 I K + I LT + α 2 I G + I CO ) ( 9.59)
unde I nf + I pf = I LB , I CO = I CO1 + I CO 2 iar I LT a fost definit mai sus. În
continuare distingem două cazuri :
(a) Electrodul de comandă este în gol I G = 0 . În acest caz I A = I K = I şi
introducând (9.57) în (9.59) obţii
αI + I LT + I CO
V = VB n 1 − ( 9.60)
I
(b) Fototiristorul este comandat şi de curentul I G prin poarta
catodică. În acest caz
I K = I + I G şi relaţia analogă cu (9.60) este în acest caz
Figura 9.31
Figura 9.32
În funcţie de rezistenţă de sarcină R, mulţimea punctelor (I,V) determină
o curbă în cadranul patru al planului (I,V) numită caracteristica
fotoelementului, figura 9.32.. De fapt chiar pentru R=0, căderea de
tensiune pe diodă nu este nulă deoarece există contribuţia rezistenţei
serie a dispozitivului, Rs, determinată de rezistenţele regiunilor neutre şi
ale contactelor.
Remarcă faptul că pentru acest mod de funcţionare produsul P=IV este
negativ. În concordanţă cu convenţia termodinamică pentru dispozitive
generatoare de putere, intersectând caracteristica din figura 9.32 cu
dreapta de ecuaţie V= -RLI obţinem punctul de funcţionare al
dispozitivului, puterea debitată fiind egală cu aria dreptunghiului
haşurat. Poţi observa cu uşurinţă că există o singură valoare a
rezistenţei de sarcină RLm pentru care puterea debitată este maximă.
Fotocurentul şi tensiunea corespunzătoare puterii maxime se
dP
determină din condiţia = 0 dar utilizarea acestei ecuaţii necesită
dV
cunoaşterea ecuaţiei caracteristicii I = I(V).
Figura 9.33
Instalaţia experimentală este constituită dintr-un banc optic, pe care sunt
montate sursa luminoasă şi dispozitivul astfel încât distanţa dintre acestea
două poate fi variată. Dispozitivul, fotodiodă sau fotoelement, este legat
într-un circuit serie format dintr-o sursă de tensiune reglabilă
de polarizare(ST), un miliampermetru şi o rezistenţă de sarcină R, ca în
figura 9.33. Cu ajutorul unui voltmetru electronic se citeşte tensiunea de
pe dispozitiv.
Cu această instalaţie se realizează obiectivele lucrării astfel:
1. a) se ridică punct cu punct caracteristica de întuneric
b) conectându-se sursa luminoasă, se ridică în mod analog, pentru
trei valori distincte ale fluxului luminos obţinute prin alegerea a trei
distanţe d1, d2, d3 dintre sursă şi dispozitiv, caracteristicile (Φ1), (Φ2) şi
( Φ 3) .
c) considerând punctul Ao de funcţionare a dispozitivului, adică la
întuneric, pentru o anumita rezistenţă de sarcină R, şi o tensiune de
polarizare inversă, se construieşte dreapta de sarcină (Δ) urmărindu-se
deplasarea punctului de funcţionare pentru mai multe valori ale fluxului
luminos.
d) măsurându-se cu un aparat special (luxmetru) nivelul iluminării
date de sursă se determină sensibilitatea integrală a dispozitivului
pentru o anumită tensiune standard de polarizare, VR, după expresia:
j ( μA ) V R
S= ilu min are ( lx ) ( 9.63)
Figura 9.34
În figura 9.34 poţi vedea perechi de goluri – electroni create în bază şi
colector Funcţionarea fototranzistorului poate fi înţeleasă urmărind
figura. Fototranzistorul este polarizat în montaj cu emitorul comun şi
baza la circuit deschis. La iluminarea joncţiunii colectorului se creează
perechi electron gol purtătorii fiind separaţi de câmpul joncţiunii; golurile
sunt antrenate spre colector iar electronii difuzează în bază. Astfel,
partea n a joncţiunii emitor se încarcă negativ, ceea ce corespunde unei
polarizări directe. Această polarizare determină o injecţie suplimentară
de goluri din emitor în bază. Creşterea totală a curentului de colector
depinde de care anume dintre regiuni este iluminată şi de factorul de
amplificare al tranzistorului.
În toată discuţia de mai sus terminalul baza a tranzistorului a rămas
deschis. Deci, la fel ca tranzistorii bipolari, fototranzistorii pot fi
dispozitive cu două sau cu trei terminale.
Deşi un fototranzistor cu două terminale arată ca o diodă, dispozitivul
nu este o fotodiodă deoarece are câştig de curent. Versiunea cu trei
terminale a fototranzistorului poate de asemenea funcţiona ca un
tranzistor bipolar cu o sursă de lumină la intrare. În multe aplicaţii se
foloseşte fototranzistorul cu doua terminale numai cu sursa de lumina la
intrare.
Obiectivele lucrării
Simbolul dispozitivul este prezentat în figura 9.35. În lucrarea de
laborator se studiază următoarele caracteristici ale fototranzistorilor
Figura 9.35
a) Caracteristica I - V ; Ice=f(Vce)
Pentru aceasta, vei folosi realiza montajul din figura (9.37)
Curentul se calculează din relaţia
⎧ V1
⎪I =
⎨ R1 ( 9.64)
⎪Φ = constant
⎩
Figura 9.36
Modificările de flux luminos sunt considerate relativ la valoarea iniţială a
fluxului şi se calculează conform relaţiei
x02
Φ = Φ0 ( 9.65)
x2
unde care x este distanţa între sursă şi fototranzistor
b) Caracteristica ICE=f(Φ)
Pentru aceasta vei polariza fototranzistorul ducându-l în zona de
saturaţie
VCE = constant
În regiunea de saturaţie a caracteristicii I – V şi prin modificarea
distanţei x vei obţine dependenţa liniară de flux a curentului.
c) Caracteristica spectrala: ICE=f(λ).
Vei studia caracteristica folosind montajul prezentat în figura 9.37 ; Vei
face o comparaţie între sensibilitatea spectrală a fototranzistorului şi
sensibilitatea unei fotodiode.
Figura 9.37
236 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Detectori de lumină
d) Caracteristicile optocuplorului . Vei realiza combinaţia din figura
(9.38) dintre un fototranzistor şi un led cu emisie în roşu. Vei analiza
modul comun de lucru al fototranzistorului şi ledului.
Figura 9.38
Sarcinile lucrării:
¾ Vei realiza montajul din figura şi vei calcula curentul electric din
relaţia (9.64):
9.13.1. Soluţie
Răăssppuunnssuurrii
TTeesstt ddee aauuttooeevvaalluuaarree 99..11 --R
1. În efectul fotoelectric, energia fotonului este absorbită de
electron. La efectul fotoelectric extern absorbţia fotonului
produce eliberarea electronului. În cazul efectului fotoelectric
intern electronul care absoarbe fotonul îşi schimbă starea
rămânând în interiorul materialului.
2. Semiconductorii sunt neutri din punct de vedere electric. În
semiconductorul de tip n nu există mai mulţi electroni. Electronii
sunt însă mobili în interiorul materialului. În materialul de tip n,
în zona stratului de baraj apare o sărăcire în electroni deci o
încărcare pozitivă . În zonă există efectiv sarcină pozitivă
suplimentară. Zona nu este electric neutră
3. La temperaturi ridicate, concentraţia de fononi care pot asista
procesul de absorbţie indirectă este mai mare. Prin urmare
tranziţia indirectă cu absorbţie de fonon este mai probabilă la
temperaturi înalte.
4. La polarizare inversă curentul oricărei diode este independent
de tensiunea aplicată ( până la apariţia străpungerii).
Iluminarea produce creşterea concentraţiei de purtători
minoritari şi creşterea curentului invers. Prin urmare, la
polarizare inversă curentul diodei depinde de iluminare şi nu
depinde de tensiunea aplicată.
Formule cheie
k f − k i = q : ε f − ε i = =ω
kT ⎛ I sc ⎞
V = VCD = ln⎜⎜ + 1⎟⎟
q ⎝ Is ⎠
⎛ −e (V −IRs ) ⎞ V − IR
I = I s ⎜ e kT − 1⎟ + s
− IL
⎜ ⎟ R
⎝ ⎠ sh
α 2 I G + I CO 2 + I CO1
IA =
1 − (α 1 + α 2 )
αI + α 2 I G + I LT + I CO
V = VB n 1 −
I
Pen
9.17. Bibliografie
1. Semiconductor Opto-electronics, T.S.Moss, G.J.Burrell, B.Ellis,
London Buttherworths,
2. S.Nan, I.Munteanu, Gh.Băluţă Dispozitive fotonice cu
semiconductori, Editura Tehnică
3. Caiet de lucrări de laborator de Fizica Solidului, Editura
Universităţii din Bucureşti
4. A. Chappel, Optoelectronics, Theory and Practice, McGraw Hill
Book Company
5. Fizica stării solide vol 2. Proprietăţi dielectrice şi optice, C.
Constantinescu, Editura Universităţii din Bucureşti,
6. Fizica stării solide Proprietăţi dielectrice şi optice, V. Dolocan,
Editura Un
Cuprins Pagina
10.2. Afişoare
Informaţia afişată, receptabilă vizual, – aşa cum este ea condiţionată
tehnic astăzi – apare în două forme şi anume :
¾ Forma text
¾ Forma grafică
Figura 10.1
Reprezentarea grafică a semnelor scrierii latine în sistemul cu şapte
segmente îţi este ilustrată de figura 10.2
Figura 10.2
Aşa cum observi din figură, literele latine şi cifrele arabe pot fi inteligibile
în această reprezentare, chiar dacă grafica reprezentării nu este cu
totul mulţumitoare. Prin comanda electronică a aprinderii barelor se
poate face afişarea oricărui caracter alfanumeric.
Figura 10.3
Un număr mare de pixeli cere frecvenţe foarte mari ale semnalelor care
accesează pixelii. Implicit, procesele care se petrec în material şi
datorită cărora luminozitatea pixelului variază, trebuie să fie procese
foarte rapide, care să poată urmări bine viteza de variaţie a semnalelor.
Problemele de afişare, rezolvate tehnic de la apariţia televiziunii au fost
o sfidare pentru electronişti. Tehnicile actuale ale ecranelor cu cristale
lichide sau cu plasmă se datorează evoluţiei din domeniul
optoelectronicii.
Figura 10.4 Cristal lichid nematic; axele lungi ale moleculelor sunt
aliniate cu directorul .
Figura 10.6 Cristal lichid smectic; axele moleculelor din strat sunt
dispuse pe direcţia normalei la strat.
Figura 10.7 Cristal lichid smectic; axele moleculelor din strat sunt
dispuse înclinat faţă de direcţia normalei la strat.
Figura 10.8
A. Dioda Laser
Sursa de lumină în acest experiment este o diodă laser care emite
lumină laser cu lungimea de undă de 650 nm. Când intensitatea
curentului prin dioda laser (LD) este mai mare decât o valoare de prag,
dioda laser emite lumină monocromatică, parţial polarizată şi coerentă.
Când intensitatea curentului prin dioda laser (LD) este mai mică decât
valoarea de prag, intensitatea luminii emise este foarte mică. Peste
valoarea de prag a intensităţii curentului prin dioda laser, intensitatea
luminii emise creşte dramatic odată cu creşterea intensităţii curentului şi
este dependentă linear de aceasta. Dacă intensitatea curentului este în
continuare crescută, rata de creştere a intensităţii luminii emise în
funcţie de creşterea intensităţii curentului scade datorită creşterii
temperaturii diodei laser. Domeniul optim de funcţionare al diodei laser
este regiunea în care dependenţa dintre intensitatea luminii emise şi
intensitatea curentului prin diodă este lineară. În general, curentul de
prag Ith este definit (din graficul dependenţei intensităţii luminii emise de
intensitatea curentului electric prin diodă) ca valoare a intensităţii
curentului determinată de intersecţia extrapolării porţiunii lineare cu axa
curentului.
1. Experimente şi proceduri
Caracteristicile diodei laser şi ale fotodetectorului
3V
Sarcini experimentale:
Sarcini experimentale
Figura 10.17
Majoritatea tuburilor cu descărcare au electrozi în forma cifrelor de la 0
la 9 ( şi uneori punct zecimal) dar există şi tuburi alfanumerice care
permit afişări de semne sofisticate. Afişorul prezentat mai jos are 16
segmente de afişare.
Figura 10.18
Tuburile Nixi se folosesc în voltmetre, multimetre, frecvenţmetre sau
numărătoare şi în aplicaţii domestice de tipul afişoarelor de etaj la lifturi.
Operarea lor se face cu tensiuni de 200V curent continuu. Tuburile sunt
foarte fiabile având viaţa de 200.000 ore sau mai mult.
Figura 10.19
În imaginea din figura (10.19) este prezentat un frecvenţmetru cu afişor
cu tuburi Nixi.
diode cu vid, chiar dacă unele din aceste tuburi au mai mulţi catozi.
Gazul din tubul cu catod rece este ionizat prin aplicarea unei tensiuni
suficient de mari între anodul şi catodul tubului; caracteristica I-V a
tubului este nelineară. Dezexcitarea ionilor de gaz care asigură
transportul curentului în tub produce lumină; datorită acestui fapt
tuburile cu catod rece pot fi folosite pentru afişare. Gazul din tub
conţine, chiar în condiţiile lipsei unei tensiuni aplicate, un număr
oarecare de electroni liberi şi ioni apăruţi datorită ionizării induse de
cauze naturale (de exemplu radiaţia cosmică).Aceşti ioni se deplasează
aleator şi recombină fără a produce un curent în tub. La aplicarea unei
tensiuni mici (de aproximativ 10V) ionii şi electronii existenţi sunt driftaţi
şi în tub apare un curent extrem de slab (de aproximativ 10-14A) datorat
deplasării fiecărui tip de purtătorilor de sarcină către electrodul cu
polarizare opusă.. Dacă tensiunea de polarizare a tubului este
suprimată, mişcarea purtătorilor de sarcină din tub redevine aleatoare şi
prin tub nu mai trece curent electric. La creşterea tensiunii aplicate pe
tub, intensitatea curentului electric creşte deoarece creşte viteza de
deplasare a purtătorilor de sarcină şi scade numărul de recombinări ale
purtătorilor în timp ce traversează tubul. Curentul care trece prin tub la
tensiuni de ordinul a 10V este de aproximativ 10-12A. Începând din
punctul 2, practic toate sarcinile din tub ajung respectiv la anod şi la
catod; creşterea tensiunii aplicate nu poate produce o creştere a
curentului prin tub (porţiunea 2-3 din caracteristică). Creşterea în
continuare a tensiunii aplicate produce o creştere a vitezei ionilor şi a
electronilor din tub. Datorită masei lor mici în comparaţie cu masa
atomilor de gaz din tub, electronii suferă ciocniri elastice în cursul
deplasării prin tub şi pot ajunge la energii cinetice suficient de mari
pentru ca, la un moment dat, să poată produce prin ciocnire ionizarea
unui atom de gaz şi apariţia unui nou electron liber. Energia necesară
unui astfel de proces se numeşte energie de ionizare şi este specifică
fiecărui gaz. Prin producerea succesivă de astfel de fenomene are loc o
multiplicare puternică a numărului de purtători de sarcină din tub.
Întrucât masa ionilor este comparabilă cu masa atomilor de gaz,
ciocnirile dintre ioni şi atomi produc o redistribuire a energiei şi nu sunt
responsabile de multiplicarea numărului de purtători. În porţiunea ultimă
a caracteristicii, pentru tensiuni mari, intensitatea curentului creşte
datorită creşterii numărului de electroni prin multiplicarea în gaz.
Descărcare nu se poate autoîntreţine deoarece toţi electronii apăruţi în
tub ajung la anod.
Sarcinile experimentului
Între anodul şi catodul unui tub umplut cu gaz la presiune scăzută, pot
apare diferite tipuri de descărcări electrice depinzând de natura şi
presiunea gazului, de materialul catodului, de distanţa dintre anod şi
catod, de tensiunea aplicată între anod şi catod şi de curentul prin tub,
aşa cum s-a precizat mai sus.
1.Primul scop al experimentului este ridicarea unor caracteristici curent
- tensiune cu tensiunea în creştere şi apoi în scădere pentru toţi catozii
(toate cifrele de la 0 la 9) pentru un tub cu gaz de presiune mică şi cu
catod rece .
Se recomandă folosirea pentru curent a unei scale logaritmice şi pentru
tensiune a unei scale lineare.
256 Proiectul pentru Învăţământul Rural
Tehnică şi optoelectronică
Se va observa şi explica disimetria caracteristicilor la sensuri diferite de
evoluţie a tensiunii.
2. Al doilea scop al lucrării este studierea constanţei densităţii de curent
prin tub. Pentru aceasta se va măsura intensitatea curentului în regim
de funcţionare pentru tubul Nixi pentru electrozii 0, 3,8 şi 1.
Se va studia dependenţa acestei intensităţi de aria estimată a
electrodului.
Metodica experimentală
Figura 10.20
Există numeroase aparate care folosesc mai mult decât un dispozitiv
optoelectronic. Exemplul tipic pentru o astfel de situaţie este
optocuplorul.
10.4. Optocuplorul
Un optocuplor este un dispozitiv care foloseşte metode optoelectronice
pentru a transmite semnale de la un circuit transmiţător la un circuit
receptor. Optocuplorul este numit adesea opto-izolator pentru că
realizează decuplarea galvanică a circuitului transmiţător de cel
receptor.
Gândeşte-te la un televizor. Ca dispozitiv, el primeşte semnale din două
direcţii:
1.De la antenă (sau cablu) televizorul primeşte semnalul care poartă
imaginile TV. Electronica aparatului asigură acordarea la diversele
surse de semnal, posturi emiţătoare; semnalul este apoi amplificat şi
trimis sistemului electronic în măsură să producă imaginea şi sunetul.
Receptorul de semnal(antena), circuitele de acordare, de amplificare,
de producere pentru imagine se află în acelaşi aparat şi sunt cuplate
galvanic în sensul ca sunt legate din punct de vedere electric prin
alimentarea comună şi prin felul în care schimbă semnale între ele.
2. Aparatul de televizor primeşte comenzile referitoare la modul de
funcţionare ( selecţia canalului, intensitatea sunetului şi multe altele)
prin manevrarea telecomenzii. Pe faţa acesteia există o diodă
luminescentă care emite în infraroşu şi trimite semnale de comandă
„citite” de o fotodiodă aflată pe panoul din faţă al televizorului.
Telecomanda şi televizorul nu sunt cuplate galvanic-nu au nici o
legătură electrică Schimbul de informaţii de la telecomandă la televizor
se face prin raza infraroşie emisă de telecomandă.
Datorită cuplajului galvanic orice defecţiune între sistemele cuplate
poate produce defecţiuni dramatice ale tuturor celorlalte. Gândeşte-te
de exemplu că un trăsnet loveşte antena televizorului. În schimb orice
manevre electrice ai face asupra telecomenzii nu poţi produce
defecţiuni televizorului, tocmai datorită lipsei legăturii directe.
Fără a ne referi la situaţii extreme, adesea între părţi diferite, cuplate
galvanic, ale unor aparate apar influenţări reciproce, nedorite, care pot
fi eliminate prin eliminarea cuplajului galvanic. Este ceea ce face
optocuplorul.
Figura 10.23
Partea
esenţială a
mouse-ului este
un ansamblu
de două
dispozitive
optoelectronice.
Figura 10.24
10.5.1. Telecomanda
Figura 10.25
P = 5 ,2 X 10 −4 W
2. Pixelul RGB
2 ⎛ ch ⎞
v= ⎜ − L ⎟ = 6 X 10 5 m / s
m⎝ λ ⎠
10.10. Bibliografie
1. Semiconductor Opto-electronics, T.S.Moss, G.J.Burrell, B.Ellis,
London Buttherworths,
2. Fizica stării solide vol 2. Proprietăţi dielectrice şi optice, C.
Constantinescu, Editura Universităţii din Bucureşti,