UNIVERSITATEA BUCURETI

FACULTATEA DE FIZIC







TEZ DE DOCTORAT
(REZUMAT)

C
C
o
o
n
n
t
t
r
r
i
i
b
b
u
u

i
i
i
i
l
l
a
a
s
s
t
t
u
u
d
d
i
i
u
u
l
l
p
p
r
r
o
o
p
p
r
r
i
i
e
e
t
t

i
i
l
l
o
o
r
r

e
e
l
l
e
e
c
c
t
t
r
r
i
i
c
c
e
e

i
i
o
o
p
p
t
t
i
i
c
c
e
e
a
a
l
l
e
e
s
s
t
t
r
r
u
u
c
c
t
t
u
u
r
r
i
i
l
l
o
o
r
r
d
d
e
e
d
d
i
i
o
o
d
d

p
p
e
e
b
b
a
a
z
z

d
d
e
e
s
s
e
e
m
m
i
i
c
c
o
o
n
n
d
d
u
u
c
c
t
t
o
o
r
r
i
i

o
o
r
r
g
g
a
a
n
n
i
i
c
c
i
i

i
i
a
a
n
n
o
o
r
r
g
g
a
a
n
n
i
i
c
c
i
i











Conductor tiinific:
Prof. univ. dr. TEFAN ANTOHE
Doctorand:
MARINA LARISA MGHERUAN

BUCURETI
- 2010 -
2
CUPRINS


Capitolul I INTRODUCERE...................................................................................6

Capitolul II PROPRIETI FIZICE ALE STRATURILOR SUBIRI DIN
SEMICONDUCTORI ORGANICI............................................................................7
2.1. Proprieti chimice i structurale ale unor compui organici.................7
2.1.1. Compui organici cu molecule mici.................................................................7
2.1.2. Polimeri semiconductori...................................................................................7
2.1.3. Corelaii ntre structura chimic i proprietile semiconductoare ale
compuilor organici.....................................................................................................8
2.1.4. Structura solidelor organice cu mas molecular mic.................................8
2.1.5. Structura solidelor organice cu mas molecular mare................................8
2.1.6. Defecte de structur n cazul solidelor organice.............................................8
2.1.7. Doparea poliacetilenelor...................................................................................9

2.2. Structura energetic a solidelor organice.................................................9
2.2.1. Conducia electronic n solidele organice. Calculul orbitalilor
moleculari.....................................................................................................................9
2.2.2. Modelul gaz de electroni liberi pentru calcularea nivelelor energetice
moleculare....................................................................................................................9
2.2.3. Energia de excitare la nivel molecular. Stri electronice excitate..............10
2.2.4. Structura de band a cristalelor moleculare. Modelul Le Blanc................11
2.2.5. Transferul de energie n solidele organice....................................................11

2.3. Proprieti electrice i optice ale solidelor organice..............................12
2.3.1. Generarea purttorilor de sarcin electric de ntuneric............................12
2.3.2. Mecanisme de transport al purttorilor de sarcin n solidele organice....13
2.3.3. Energia de activare a conduciei de ntuneric...............................................13

3
Capitolul III TEHNICI DE INVESTIGARE EXPERIMENTAL...................14
3.1. Absorbia luminii n straturile semiconductoare...................................14
3.1.1. Absorbia intrinsec (fundamental).............................................................14
3.1.2. Absorbia extrinsec (pe impuriti).............................................................15
3.1.3. Absorbia pe purttorii de sarcin liberi......................................................15
3.1.4. Absorbia excitonic........................................................................................15
3.1.5. Absorbia pe vibraiile reelei cristaline........................................................15

3.2. Investigarea spectrelor de absorbie i reflexie......................................15
3.2.1. Spectre de absorbie i de reflexie..................................................................16
3.2.2. Determinarea grosimii stratului probei semiconductoare...........................16
3.2.3. Sfera integratoare............................................................................................17

3.3. Fotoconducia solidelor organice.............................................................17
3.3.1. Fotogenerarea purttorilor de sarcin n solidele organice........................17
3.3.2. Randamentul cuantic......................................................................................18
3.3.3. Cinetica creterii i descreterii fotocurentului. Timpul de via...............18
3.3.4. Dependena fotocurentului de intensitatea radiaiei incidente...................19
3.3.5. Caracteristicile spectrale................................................................................20

3.4. Teoria curenilor limitai de sarcina spaial n semiconductorii
organici..............................................................................................................20
3.4.1. Relaia Mott-Gurney n solide fr stri de captur..................................20
3.4.2. Caracteristica curenilor limitai de sarcina spaial n cazul
semiconductorilor cu nivele discrete de stri de captur n banda
interzis......................................................................................................................20
3.4.3. Caracteristica curenilor limitai de sarcina spaial n cazul
semiconductorilor cu distribuie uniform de stri de captur n banda
interzis......................................................................................................................20
3.4.4. Caracteristica curenilor limitai de sarcina spaial n cazul
semiconductorilor cu distribuie exponenial de stri de captur n banda
interzis......................................................................................................................21
4
3.5. Metode experimentale de studiu al defectelor de structur n
semiconductori. Teoria curenilor termostimulai (TSC)............................21

Capitolul IV EFECTUL FOTOVOLTAIC IN STRUCTURI PE BAZ DE
STRATURI ORGANICE.........................................................................................22
4.1. Fenomene fotovoltaice. Introducere........................................................22

4.2. Originea efectului fotovoltaic...................................................................22

4.3. Efectul fotovoltaic n heterojonciuni pe baz de semicionductori
anorganici.........................................................................................................23
4.3.1. Efectul fotovoltaic la contactul Metal Semiconductor.....23
4.3.2. Efectul fotovoltaic n heterojonciuni...23

4.4. Efecte fotovoltaice n structuri bazate pe semiconductori organici.....24
4.4.1. Mecanismul efectului fotovoltaic. Eficiena fotovoltaic.............................24
4.4.2. Aspecte teoretice ale conversiei energiei solare n celulele cu
semiconductori organici. Mecanisme de modelare ale caracteristicilor
spectrale......................................................................................................................24
4.4.3. Eficiena de conversie a luminii solare..........................................................25

4.5. Structuri de celule fotovoltaice organice.................................................25
4.5.1. Tipuri de materiale..........................................................................................25
4.5.2. Prepararea probelor i proceduri experimentale.........................................26
4.5.3. Principii de lucru de baz...............................................................................26
4.5.4. Tipuri de structuri de celul solar. Rezultate experimentale....................26
4.5.5. Limite ale performanelor celulelor solare...................................................27
4.5.6. Imbuntirea performanelor celulelor solare organice............................27
4.5.7. Influena nanomorfologiei asupra performanelor celulelor solare
organice......................................................................................................................27
5
Capitolul V REZULTATE EXPERIMENTALE.................................................28
5.1. Proprieti electrice i optice ale structurilor fotovoltaice pe baz de
materiale polimerice, P3HT:poli(3-hexiltiofen) i PCBM:1-(3-
metoxicarbonil)-propil-1-fenil-(6,6)C
61
..............28

5.2. Proprieti electrice i optice ale heterojonciunilor formate la
contactul straturilor de sulfur de cadmiu i ftalocianin de cupru,
CdS / CuPc........................................................................................................33

5.3. Proprieti structurale, electrice i optice ale straturilor subiri
nanostructurate de ZnO pentru aplicaii fotovoltaice hibride
organic/anorganic.............................................................................................35

Capitolul VI CONCLUZII.....................................................................................41
BIBLIOGRAFIE........................................................................................................46















6
INTRODUCERE

Consumul tot mai mare de energie al societii moderne reprezint o problem pentru
populaia globului, iar pentru echipele de cercettori n domeniu, o provocare materializat n
cutarea i dezvoltarea de noi tehnologii de producere a energiei, fezabile din punct de vedere
economic, dar i ecologice n acelai timp. Din aceast perspectiv energia solar constituie soluia
ideal, fiind regenerabil, nepoluant, silenioas i nelimitat.
In forma lor cea mai simpl, dispozitivele fotovoltaice pot fi modelate printr-o diod i o surs
de curent conectat n paralel, aceasta din urm descriind procesul de conversie a energiei
electromagnetice n energie electric i, se difereniaz de fotodetectori care opereaz la polarizare
invers, celulele fotovoltaice (PV) lucrnd n cadranul patru al caracteristicii curent-tensiune.
In ultimii ani, eforturile oamenilor de tiin de a gsi materiale potrivite pentru aplicaiile
electronice i optoelectronice au dus la creterea interesului pentru cercetarea proprietilor electrice
i fotoelectrice ale compuilor organici cu proprieti semiconductoare. In structurile de diod pe
baz de semiconductori organici, la iluminare, apare efectul fotovoltaic, i din aceast perspectiv
trebuie luat n considerare rolul de cosensibilizare pe care l au unele straturi subiri organice
utilizate n structuri de celul solar pe baz de semiconductori anorganici, ceea ce duce la lrgirea
caracteristicii spectrale i astfel la creterea eficienei de conversie. Spre deosebire de celulele solare
anorganice convenionale, absorbia luminii ntr-o celul solar organic conduce la producerea de
excitoni, care ulterior trebuie disociai n purttori de sarcin liberi, transportai prin structur i
colectai la electrozi.
Cercetarea n domeniul semiconductorilor organici cunoate o dezvoltare puternic i datorit
caracterului su interdisciplinar, n virtutea cruia combin cunotine de fizica materialelor, fizica
dispozitivelor semiconductoare, chimie organic, chimie fizic, biochimie, biofizic, etc.
Studiul celulelor solare organice i nelegerea mecanismului efectului fotovoltaic produs n
ele, va conduce n timp la elucidarea proprietilor specifice semiconductorilor moleculari, iar
modelele teoretice elaborate astfel vor putea fi apoi extinse i n domeniul materialelor biologice,
contribuind la nelegerea proceselor fizico-chimice care au loc n lumea vie. De asemenea,
materialele organice obinute i pot gsi numeroase aplicaii tehnologice ca biosenzori sau compui
bioactivi, dispozitive biopolimerice, microdispozitive i microsisteme de investigare biomedical,
precum i pentru dezvoltarea de noi materiale i tehnologii pentru realizarea de microstructuri i
nanostructuri cu aplicaii multiple.

7
CAPITOLUL II
PROPRIETI FIZICE ALE STRATURILOR SUBIRI DIN
SEMICONDUCTORI ORGANICI

2.1. Proprieti chimice i structurale ale unor compui organici

2.1.1. Compui organici cu molecule mici
A. Hidrocarburi aromatice
Aceste materiale, alctuite din dou sau mai multe inele aromatice conform formulei generale
C
2n-6
H
n
, au ca principali reprezentani n serie, naftalina C
10
H
8
, antracenul C
14
H
10
, tetracenul C
18
H
12

i pentacenul C
22
H
14
. Modelul de referin pentru studierea comportamentului semiconductor al
compuilor organici monomerici l ofer antracenul. care cristalizeaz n sistem monoclinic cu baze
centrate, avnd dou molecule pe celula elementar i temperatura de topire de 216,6
o
C.
B. Colorani
B1. Ftalocianinele
Ftalocianina liber C
32
N
8
H
18
(H
2
Pc), se caracterizeaz prin tendina de a forma compleci cu
ionii metalici. Ftalocianinele sunt substane care cristalizeaz n sistem monoclinic, n cazul
ftalocianinei de cupru, CuPc (fig. 2.2), celula elementar aparinnd sistemului monoclinic cu baze
centrate, cu constantele de reea: a = 19,6 , b = 4,8 , c = 14,6 , = = 90, = 124.
B2. Dianhidrida perilen tetracarboxilic (PTCDA)
Compusului organic PTCDA cu formula chimic structural C
24
O
6
H
8
, este o substan care
cristalizeaz tot n sistemul monoclinic, cu dou molecule pe celula elementar, cu parametrii de
reea: a = 17,24 , b = 3,72 , c = 11,96 , = = 90, = 98,8.
B3. Complecii donor acceptor
Un complex donor acceptor (DA) conine un compus organic sau anorganic cu energie de
ionizare mic (donor puternic) i un compus cu afinitate electronic mare (acceptor puternic). Din
punct de vedere electric, starea fundamental a complexului este neutr, dar prin absorbia unui
foton se poate produce transferul unui electron de la molecula donoare la molecula acceptoare,
complexul trecnd ntr-o stare excitat cu caracter predominant ionic.
2.1.2. Polimeri semiconductori
Polimerii reprezint o categorie de compui macromoleculari obinui prin reacii de
polimerizare,
n
A nA , unde n este gradul de polimerizare. Pentru n = 2 avem dimeri, pentru
n = 3 trimeri, pn la n = 20 avem polimeri inferiori, iar pentru n > 20 polimeri superiori. Totodat,
prin participarea la polimerizare a monomerilor diferii se obin copolimeri.
8
2.1.3. Corelaii ntre structura chimic i proprietile semiconductoare ale compuilor
organici
Proprietile fizice i chimice ale compuilor organici depind de structura lor chimic i de
tipul de legturi dintre atomii constitueni. De regul, doar atomii cu volum mic, cum ar fi carbonul,
azotul i oxigenul, pot forma legturi duble i triple, iar proprietatea unic a carbonului de a forma
legturi duble cu el nsui sau cu azotul i oxigenul determin marea varietate a proprietilor
electrice ale compuilor organici. Ca exemplu, n cazul grafitului conducia metalic din lungul
straturilor hexagonale formate din atomii de carbon, se datoreaz cuplrii orbitalilor ai acestora,
care formeaz un orbital macromolecular n care electronii sunt complet delocalizai. Pe direcie
perpendicular ns, delocalizarea este mult mai slab din cauza suprapunerii mai slabe a orbitalilor
, ceea ce explic scderea puternic a conductivitii electrice a grafitului n lungul acestei direcii.
2.1.4. Structura solidelor organice cu mas molecular mic
In compuii organici monomerici distanele intermoleculare sunt mari i forele de interacie
slabe, de tip Van der Waals. Moleculele sunt aranjate n pachete strnse astfel nct interacia
molecular este mai puternic. In unele situaii pachetele moleculare formeaz reele cubice cu fee
centrate (CFC) sau microcristalite n lanuri lungi cu reele de tip cubic cu volum centrat (CVC) sau
hexagonal compacte (HC), ca n cazul parafinelor. Cel mai frecvent ns reeaua este de tip
monoclinic cu simetrie joas, ca la ftalocianine i porfirine.
2.1.5. Structura solidelor organice cu mas molecular mare
In cazul polimerilor, dei moleculele acestora sunt extrem de complexe, macromoleculele
acestora pot fi considerate baza unei structuri de tip cristalin, favorabil astfel conduciei electrice,
adic transportului purttorilor de sarcin electric de la o molecul la alta.
2.1.6. Defecte de structur n cazul solidelor organice
A. Defecte punctiforme
Acestea sunt reprezentate de locurile vacante (defecte Schottky) sau de ctre atomii sau
moleculele interstiiale (defecte Frenkel) din reea.
Conductivitatea materialelor solide cu imperfeciuni de acest tip crete de obicei cu numrul
de astfel de defecte. Interstiialele i vacanele se comport ca donori i respectiv acceptori,
constituind surse sau capcane de purttori de sarcin mobili.
B. Defecte macroscopice
Defectele macroscopice, de tip uni, bi sau tridimensional, sunt determinate de procesele de
cretere a cristalelor i pot fi de dou tipuri:
9
a). Imperfeciuni structurale microscopice i macroscopice (fisurile i limitele dintre
microcristalite n cazul policristalelor);
b). Dislocaii (marginale sau elicoidale).
C. Impuriti
a). Impuriti substituionale;
b). Impuriti interstiiale.
2.1.7. Doparea poliacetilenelor
A). Dopanii
Prin expunere la diveri ageni oxidani sau reductori, poliacetilenele pot s-i creasc
conductivitatea electric, n unele cazuri chiar pn la valori caracteristice metalelor.
Dintre agenii oxidani folosii n cazul poliacetilenelor se pot aminti compuii
electronoacceptori AsF
5
, IBr, ICl, halogenii, I
2
, Br
2
, etc., i cteva sruri ale metalelor tranziionale,
n timp ce agenii reductori sunt reprezentai de metalele alcaline (Na, K, Li) sau alcalino-
pmntoase (Y, Sc, Al, Zn, Bi, Ti).
B). Metode i mecanisme de dopare
Poliacetilena se poate dopa chimic, electrochimic sau prin implantare ionic.


2.2. Structura energetic a solidelor organice

2.2.1. Conducia electronic n solidele organice. Calculul orbitalilor moleculari
Solidul organic este deseori asimilat cu un gaz molecular orientat. Structura energetic
molecular este foarte important pentru determinarea proprietilor electrice i optice ale
semiconductorilor organici solizi.
Prin rezolvarea ecuaiilor Hartree-Fock se obin valorile proprii ale energiei i funciile de
und unielectronice din care se construiesc orbitalii moleculari, putndu-se calcula apoi distribuia
de sarcin care este corelat cu procesele de transport de sarcin ntre molecule.
2.2.2. Modelul gaz de electroni liberi pentru calcularea nivelelor energetice moleculare
A). Molecule organice liniare
In molecula organic cu muli atomi de carbon, se prezum c electronii sunt liberi s se
mite ntre nite limite energetice date, care definesc benzile energetice permise, situate simetric fa
de planul moleculei.
Pentru moleculele cu un numr foarte mare de electroni delocalizai, valorile proprii ale
energiei i funciile proprii (orbitalii moleculari) obinute prin rezolvarea ecuaiei Schrdinger sunt:
10

2
2 2
2
2 2
8 2 2 mL
h n
m
h
m
p
E
n
= = =

\
|
= x
L
n
L
n

sin
2
, cu ,........ 3 , 2 , 1 = n , pentru L x < < 0
B). Molecule cu sisteme ciclice de electroni
In acest caz, valorile proprii ale energiei sunt:

2
2 2
2mL
h n
E
n
=
2.2.3. Energia de excitare la nivel molecular. Stri electronice excitate
Energia de excitare la nivel molecular reprezint diferena dintre energiile a dou nivele
energetice succesive.
2 2
2
2
1
2 2
1
8 2 2
N N
h N N
E E E
mL
+
(
| | | |
= = +
(
| |
\ \
(


Pentru molecula liniar cu N atomi echidistanai la intervalul l
0
avem:
2
2 2
0
1
8
h N
E
ml N
+
=
Iar n cazul sistemelor ciclice:
2
2 2
0
1
2
h N
E
ml N
+
=
In funcie de felul n care sunt distribuii electronii n orbitalii moleculari, exist trei tipuri de
stri electronice la nivel molecular:
1. Stri (,*) care constau dintr-un electron ntr-un orbital de legtur i un electron * n
orbitalul de antilegtur corespunztor. Dac cei doi electroni au spinii opui starea este de singlet,
1
(,*), iar dac spinii sunt n acelai sens starea este de triplet,
3
(,*).
2. Stri (n,*) care sunt formate prin tranziia unui electron liber din gruprile ce conin azot,
oxigen sau sulf, ctre orbitalii de antilegatur *. Similar, starea este de singlet,
1
(n,*) ,dac cei doi
electroni n,* au spinii antiparaleli i de triplet,
3
(n,*), dac spinii sunt paraleli.
3. Stri (CT), cu transfer de sarcin, care apar n sistemele de electroni n prezena gruprilor
donoare i acceptoare, datorit unui transfer de sarcin intramolecular ntre donor i acceptor. Aceste
stri pot fi i ele de tip singlet,
1
(CT), sau triplet,
3
(CT).
Ca urmare, n cazul iradierii substanelor organice se pot obine ase tipuri de stri excitate:
1
(,*),
3
(,*),
1
(n,*),
3
(n,*),
1
(CT),
3
(CT).
11
2.2.4. Structura de band a cristalelor moleculare. Modelul Le Blanc
Modelul Le Blanc este un model de calcul a structurii de benzi energetice la antracen, C
10
H
8
.
In aproximaia electronilor cvasilegai, legea de dispersie, obinut prin rezolvarea ecuaiei
Schrdinger, folosind celula elementar ipotetic introdus de Le Blanc, este:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) [ ]

r
r
r
r r
r r
r
r r r
r
r r
+ + + + + + = c k c k E k E k k E k E
b
cos cos 2 cos 2 cos cos 2

E
S
(x10
-4
eV) Pentru electroni Pentru goluri
E

E
b

E

-19,8
12,1
0,53
-14,8
-15,9
3,28






Valorile energiilor de schimb intermolecular obinute astfel pentru cristalul de antracen sunt
precizate n tabelul 2.1. Se observ c E

<< E

, E
b
, datorit distanelor mari dintre moleculele
considerate n evaluarea lui E

. Maximul, respectiv minimul energiei se realizeaz n direcia b

r
,
conform condiiile de extrem impuse energiei, atunci cnd 0 = c k
r
r
i
r r
r
r
k k = .

eV E E E E
eV E E E E
b
electron
b
electron
2
max
2
min
10 . 01 , 1 4 2 4
10 . 447 , 0 4 2 4

= + =
= + + =



Astfel, lrgimea total a benzii permise pentru electroni va fi de eV
2
10 . 457 , 1

, deci de ordinul
kT 56 , 0 (similar i pentru goluri).
Calcule de structur de band s-au efectuat i n cazul altor compui organici i s-a constatat c
benzile de valen i de conducie au lrgimi de ordinul kT (10
-2
eV) sau chiar mai mult, ceea ce
indic faptul c modelul de band este o aproximaie potrivit pentru a descrie transportul
purttorilor de sarcin n solidele organice.
2.2.5. Transferul de energie n solidele organice
A. Excitonii
Excitonii sunt cvasiparticule neutre din punct de vedere electric, care pot participa la transferul
de energie prin cristal, fiind deseori implicai n procesele de conducie i fotoconducie, deoarece
prin disociere genereaz purttori de sarcin electric de neechilibru. Excitonii pot fi liberi (Mott-
Wannier) sau legai (Frenkel).
Fig. 2.1
Interacii moleculare folosite pentru calculul
energiilor de schimb intermolecular
a
r
b
r
c
r

r r
+ c

r
r
c

r
Tabelul 2.1
Valorile energiilor de schimb intermolecular pentru
electroni i goluri n cristalul de antracen

12
Energia de excitare a cristalului este format din energia intern i energia cinetic a unei
cvasiparticule (exciton) de mas
ex
m , care se mic prin cristalul unidimensional cu viteza v
r
:
( )
ex
i i
m
k
E k a E k E
2
2 2
2 2
h
r
+ = + = ;
ex ex
m
k
m
p
v
r
h
r
r
= =
unde
2
2
2 a
m
ex

h
= este masa efectiv a excitonului.
Excitonii pot fi asimilai cu nite cvasiparticule mobile, neutre din punct de vedere electric, ce
au energia ( ) k E
r
i cvasiimpulsul k p
r
h
r
= .
B. Polaronii
Polaronii sunt un alt gen de cvasiparticule neutre electric, implicate n procesele de transport
de sarcin i energie prin cristalele moleculare. Un electron de conducie produce prin cmpul su
electric un efect de polarizare a mediului nconjurtor, inducnd astfel n mediu o sarcin pozitiv,
cu care va interaciona. Simultan cu micarea electronului se va deplasa i cmpul de polarizare
produs, sistemul legat format astfel comportndu-se ca o cvasiparticul denumit polaron.

2.3. Proprieti electrice i optice ale solidelor organice

2.3.1. Generarea purttorilor de sarcin electric de ntuneric
A). Generarea intrinsec
Excitarea termic a electronilor din banda de valen n banda de conducie duce la generarea
de purttori de sarcin, procesul fiind similar cu cel ntlnit n cazul semiconductorilor anorganici.
B). Generarea extrinsec
Generarea extrinsec reprezint procesul de excitare termic a nivelelor de defecte aflate n
banda interzis n apropierea marginilor benzilor permise. Astfel, un electron poate s sufere o
tranziie din banda de valen BV pe un nivel acceptor, genernd astfel un gol n BV, sau o tranziie
de pe un nivel donor n banda de conducie BC.
C). Injecia purttorilor de sarcin din electrozi
Purttorii de sarcin electric pot fi generai i prin injecie din contacte, proces puternic
influenat de existena strilor de suprafa, iar prezena curenilor limitai de sarcina spaial
confirm injecia din electrozi solizi sau lichizi a electronilor i a golurilor n solidele organice.
D). Generarea purttorilor de sarcin n prezena unui cmp electric
Un cmp electric intens poate genera purttori de sarcin, prin separarea acestora nainte de a
se putea recombina prin efect Onsager.
13
2.3.2. Mecanisme de transport al purttorilor de sarcin n solidele organice
A). Mecanismul de tunelare
Un electron excitat, de exemplu, pe o stare singlet a unei molecule, poate tunela prin bariera
de potenial dintre molecule, trecnd pe un nivel liber, echivalent energetic, din molecula vecin.
Procesul este facilitat de prezena barierelor intermoleculare nguste, probabilitatea de tunelare fiind:

1 14 11
10 10 ~ '

= s Z D w
T

unde Z este frecvena de ciocnire cu bariera, iar D este coeficientul de transparen al barierei.
B). Mecanismul de hopping
In situaia n care barierele intermoleculare din solid sunt largi, peste 10 , electronii nu se
mai pot deplasa prin tunelare, dar ei pot sri peste aceste bariere, transportul realizndu-se astfel
printr-un mecanism de hopping. Probabilitatea de salt a unui electron de la o molecul la alta este:

kT
E
j H
j
e w

=

unde
j
E este nlimea barierei de escaladat, iar
j
este un factor de frecven.
C). Modelul de band
In cazul n care distanele moleculare sunt mai mici de 5 , mecanismul de transport dominant
este cel de band. Dei n solidele organice cu un grad nalt de ordine, lrgimea benzilor energetice
permise este mic, de ordinul kT la temperatura camerei, iar benzile interzise sunt relativ largi,
modelul de band este o aproximaie util pentru a descrie transportul purttorilor de sarcin.
In urma calculelor de structur de benzi energetice n solidele organice s-a constatat c
mobilitile electronilor i golurilor sunt de ordinul 0,1 10 cm
2
/Vs.

2.3.3. Energia de activare a conduciei de ntuneric
Energia de activare a conduciei de ntuneric se poate determina din dependena conductivitii
de temperatur, fr ns a se putea determina natura ei. n cazul multor solide organice energia de
activare scade cu creterea numrului de electroni , ceea ce sugereaz c n aceste materiale
conducia de ntuneric este datorat excitrii termice a electronilor .
14
CAPITOLUL III

TEHNICI DE INVESTIGARE EXPERIMENTAL


3.1. Absorbia luminii n straturile semiconductoare
3.1.1. Absorbia intrinsec (fundamental)
In cazul acestui tip de absorbie fotonul are o energie suficient pentru a trece un electron din
banda de valen n banda de conducie, deci pentru a crea o pereche electron-gol. In
semiconductori, atunci cnd energia fotonilor incideni devine egal sau mai mare dect lrgimea
benzii interzise, coeficientul de absorbie intrinsec crete rapid ntr-un interval spectral mic, care
definete marginea benzii de absorbie intrinsec.
a). Absorbia intrinsec la tranziii directe.
Coeficientul de absorbie pentru tranziiile directe permise este:
2 / 1
) (
g dp
A = h cu constanta ) (
) 2 (
2 2
2 / 3 *

P
c
n m
A
r r
h
= .
iar coeficientul de absorbie n cazul tranziiilor directe interzise este dat de expresia:

2 / 3
) (
g di
B = h unde
2 * 5/ 2
2 2 * *
( ) 4
3
r
r n p
q m
B
cn m m
=
h h
este aproximativ o constant.
Marginea absorbiei fundamentale, pentru tranziiile verticale, se determin pe baza relaiilor

h
g

= sau
g
hc

=
b) Absorbia intrinsec la tranziii indirecte.
Regulile de selecie permit i efectuarea, cu probabilitate mic, a tranziiilor indirecte (oblice).
Legea de conservare a impulsului cere ca aceste tranziii indirecte s se realizeze prin interacia
electronului att cu cmpul radiaiei ct i cu oscilaiile reelei.
Coeficientul de absorbie pentru tranziiile cu absorbia fononul (
fon g
> h ) este:

1
) (
) (
2

+
=
T k
fon g
a
B
fon
e
A

h
h
iar n cazul tranziiilor cu emisia fononilor, pentru
fon g
+ > h , este:

T k
fon g
e
B
fon
e
A

+
=
1
) (
) (
2
h
h
15
Deoarece pentru
fon g
+ > h sunt posibile procese att cu emisia ct i cu absorbia fononilor,
coeficientul de absorbie pentru tranziiile indirecte va fi: ) ( ) ( ) ( h h h
e a
+ =
3.1.2. Absorbia extrinsec (pe impuriti)
Acest tip de absorbie apare n semiconductorul cu impuriti cu o energie de activare mai
mic dect cea a benzii interzise. Fotonii cu energie inferioar pragului de absorbie intrinsec pot
induce saltul electronilor de pe nivelele de impuriti donoare n banda de conducie sau din banda
de valen pe nivelele de impuriti acceptoare. La marginea absorbiei extrinseci, pentru fotonii cu
energie apropiat de energia de ionizare a nivelului de impuritate
I
, coeficientul de absorbie este:

I r n
I
ex
n m
N m

*
0 17
10 3 , 8 =
unde m
0
este masa electronului liber,
*
n
m masa efectiv a electronului n semiconductor, n
r
indicele
de refracie i N
I
este concentraia atomilor de impuriti.
3.1.3. Absorbia pe purttorii de sarcin liberi
n cazul general, coeficientul de absorbie pe purttori liberi se exprim prin suma:
3/ 2 5/ 2 7/ 2
ac op ion dc ac op ion
C C C = + + + = + +
unde
ion op ac
, , sunt coeficienii de absorbie la mprtierea electronilor pe fononii acustici, pe
fononii optici, pe centrii de impuriti ionizate i, cu mai mic probabilitate, pe defecte complexe.
3.1.4. Absorbia excitonic
Absorbia excitonic se poate realiza dac energia fotonilor absorbii
n
h satisface condiia:

2
n
leg
g n

= h , cu n = 1, 2, 3, ...
3.1.5. Absorbia pe vibraiile reelei cristaline
Absorbia fotonilor din domeniul infrarou poate determina excitarea oscilaiilor termice ale
reelei, acest gen de absorbie suprapunndu-se uneori peste tipurile de absorbie precizate anterior.
Fenomenul mai poart denumirea de absorbie fononic a radiaiei electromagnetice.

3.2. Investigarea spectrelor de absorbie i reflexie
Prin investigarea proprietilor optice ale materialelor se pot obine date importante referitoare
la structura, compoziia, proprietile lor fizico-chimice, structura nivelelor i a benzilor energetice,
precum i referitor la mecanismele procesului de fotoconducie.

16
3.2.1. Spectre de absorbie i de reflexie
Spectrul de absorbie al unui material este obinut prin analiza spectroscopic a luminii
transmise de materialul absorbant care este plasat ntre sursa de lumin i spectroscop.
Dependena coeficientului de absorbie de frecvena luminii folosite, ) ( , sau de lungimea de
und, ) ( , se numete spectru de absorbie al radiaiei, n timp ce dependena ) ( R sau ) ( R a
coeficientului de reflexie se numete spectru de reflexie. Coeficientul de absorbie, care reprezint
probabilitatea de absorbie a fotonului pe unitatea de lungime este:
N
l
f
) (
1
) ( = =
Montajul experimental utilizat n studiul spectrului de absorbie al unei probe semiconductoare
conine trei elemente eseniale i anume: o surs de lumin, un monocromator i un detector
fotosensibil legat la un aparat de msur i nregistrare.

Figura 3.1
Lanul de msur folosit pentru obinerea spectrului de absorbie al unei probe
3.2.2. Determinarea grosimii stratului probei semiconductoare
Tehnica franjelor de interferen este o metod (utilizat att n spectroscopia IR i n cea UV-
VIS) de determinare rapid, exact i nedistructiv a grosimii unui material, metod

Figura 3.2
Schema optic pentru explicarea
teoriei franjelor de interferen



17
Fasciculul incident (B) sub unghiul sufer fenomene multiple de reflexie i refracie att pe
suprafaa superioar ct i pe cea inferioar a stratului, diferena de drum optic fiind:

2
cos 2

+ = nd
unde: n este indicele de refracie al stratului, d este grosimea stratului, este unghiul de refracie i
este lungimea de und a luminii, iar condiia de maxim i minim va fi,
i
n nd = cos 2 .
Scriind ultima relaie pentru dou lungimi de und
1
i
2
(
2 1
< ) i notnd cu N numrul
de franje dintre
1
i
2
, se obine relaia pentru grosimea stratului investigat:

) sin ( ) ( 2
cos ) ( 2
2 2
1 2
2 1
1 2
2 1





=

=
n
C N
n
C N
d
Factorul 10 = C /nm permite exprimarea lungimilor de und n nm, iar grosimea stratului n .
3.2.3. Sfera integratoare

Acest accesoriu se
utilizeaz pentru a amplifica
intensitatea radiaiei
reflectate dac aceasta este
prea slab.


3.3. Fotoconducia solidelor organice
3.3.1. Fotogenerarea purttorilor de sarcin n solidele organice
A). Procese unifotonice
1) Fotogenerarea intrinsec - implic absorbia unui foton cu energie mai mare dect energia
benzii interzise, ceea ce induce transferul unui electron din banda de valen n banda de conducie
prin tranziii directe sau indirecte.
2) Fotogenerarea extrinsec are loc dac fotonul absorbit are energie mai mic dect cea a
benzii interzise iar n semiconductor exist nivele donoare sau acceptoare plasate n banda interzis.
3) Absorbia unui foton poate induce excitarea moleculelor solidului organic crend excitoni,
care pot disocia prin excitare termic, pot difuza la suprafa i apoi disocia, pot disocia pe strile de
dopant, pot genera procese de detrapare optic, sau pot determina injecia optic din electrozi.
Figura 3.3
Construcia sferei integratoare

18
B). Procese dublu fotonice
1) Interacia exciton-exciton. Un prim foton absorbit generaz excitoni, n timp ce absorbia
unui alt foton determin interacia excitonilor n urma creia rezult purttori de sarcin liberi.
2) Fotoionizarea excitonilor. Prin absorbia unui foton, excitonul singlet sau triplet poate s
absoarb energia de la al doilea foton, ionizndu-se i producnd astfel purttori de sarcin.
3.3.2. Randamentul cuantic
Procesele de fotogenerare sunt caracterizate de randamentul cuantic primar, care reprezint
numrul de perechi electron-gol generate ntr-un semiconductor intrinsec prin absorbia unui foton.
s ST n f
f
K K K K
K
+ + +
=
unde
f
K este rata de generare de purttori de sarcin,
n
K este rata de dezexcitare neradiativ,
ST
K
este rata de tranziie de la starea excitat singlet la starea excitat triplet, iar
s
K este rata de stingere
a strii excitate fr perturbarea purttorilor de sarcin.
Randamentul cuantic global este raportul dintre numrul de purttori de sarcin care trec prin
circuitul exterior ( q I
f
/ ) i numrul de fotoni absorbii n acel interval de timp ( gVd ):

gVd
q I
G
f
/
=
unde q este sarcina elementar, iar g este rata de generare a radiaiei incidente pe prob.

3.3.3. Cinetica creterii i descreterii fotocurentului. Timpul de via
A). Timpul de via
Timpul de via staionar al purttorilor de sarcin, , care determin concentraia staionar
de purttori excedentari rezultai prin iluminarea fotoconductorului, depinde de o serie de factori ca:
prezena strilor de defecte n fotoconductor, intensitatea radiaiei incidente, temperatur, etc.
In general, timpul de via al electronilor poate fi exprimat n forma:

r th r r r
N v S N K
1 1
= =
r
N fiind numrul de centri de recombinare, iar
r
K coeficientul de recombinare al electronilor.
B). Creterea i descreterea fotocurentului
Dependena temporal a concentraiei de purttori excedentari, n aproximaia timpului de
via constant al electronilor
n 0
, respectiv a golurilor
0 p
, este:
19
|
|

\
|
=

n
t
stat
e n n
0
1

;
|
|

\
|
=

p
t
stat
e p p
0
1


care arat creterea exponenial a concentraiei pn la atingerea valorii de saturaie
stat
n , dup
timpul
n 0
(respectiv
stat
p dup
0 p
). Conform legii lui Ohm, densitatea fotocurentului este:
E p n q J
p n f
r r
) ( + =
care crete exponenial n timp din momentul aplicrii luminii pn la atingerea unei valori
staionare
stat f
J . La ntreruperea luminii (g = 0),
|
|

\
|
=
n
stat
t
n n
0
exp

, deci fotocurentul i
fotoconductivitatea scad exponenial n timp pn la o valoare staionar.

3.3.4. Dependena fotocurentului de intensitatea radiaiei incidente
S-a constatat c, att la solidele organice ct i la cele anorganice, fotocurentul depinde de
intensitatea radiaiei incidente dup o funcie putere:
m
L f
I I
Caracteristicile ( )
L f
I f I = pot fi explicate pe baza urmtoarelor modele:
1) Modelul bazat pe cinetica fotoconduciei (explic situaiile m = 0,5 i m = 1)
i) La nivele mari de injecie optic (
0 0
, p n n >> ):

5 , 0
L
L
stat f
I
I g
n I =

ii) La nivele mici de iluminare (
0 0
, p n n << ), ) ( / 1
0 0
p n + = :

L
L
stat f
I
p n
I
p n
g
n I
+
=
+
=
) ( ) (
0 0 0 0

2) Modelul de defecte (explic situaiile 1 5 , 0 < < m )

T T
T
L f
c
c
I I
+

3) Modelul excitonic (explic situaiile m = 1, m = 2 i m = 4)
Interacia exciton-exciton explic valoarea m = 1,
L f
I I , iar cazul m = 2 este un rezultat al
efectelor de volum, la iluminare cu lumin slab absorbit (
2
L f
I I ).
Valoarea m = 4 a fost atribuit producerii excitonilor singlet n procesele dublu fotonice i este
explicat pe baza faptului c excitonii singlet excitai de tranziiile dublu fotonice produc purttori
de sarcin n pereche care se anuleaz reciproc,
f
I
4
L
I .
20
4) Modelul curenilor limitai de sarcina spaial, ( )
L CLSS f
I f I =
In acest caz, dependena este descris de relaia,

L f
I I
3.3.5. Caracteristicile spectrale
n cele mai multe sisteme fotoconductoare, corespondena dintre spectrele de aciune i cele de
absorbie arat c fotoconducia este determinat de energia absorbit de moleculele solidelor
organice i nu se datoreaz impuritilor, aa cum s-a considerat iniial. Deosebiri ntre spectrele de
aciune i cele de absorbie se obin n anumite condiii i pentru unele materiale anorganice, acestea
constnd n deplasri ale picurilor de fotoconducie fa de picurile de absorbie, ctre lungimi de
und mai mari, sau n obinerea unui spectru de fotoconducie total inversat fa de cel de absorbie.

3.4. Teoria curenilor limitai de sarcina spaial n semiconductorii organici

3.4.1. Relaia Mott-Gurney n solide fr stri de captur

Curenii limitai de sarcina spaial (CLSS) apar atunci cnd concentraia de purttori liberi
injectai din contacte depete concentaia de purttori intrinseci produi prin excitare termic.
Caracteristica I-V a CLSS pentru un solid fr stri de captur (relaia Mott-Gurney) este dat de:
2
3
9
8
CLSS
U
J
d
=

3.4.2. Caracteristica curenilor limitai de sarcina spaial n cazul semiconductorilor cu nivele
discrete de stri de captur n banda interzis
2 2
3 3
9 9
( ) exp( )
8 8
ef
t
CLSSd
t
N
E U U
J
d d N kT


= =
Tensiunea de tranziie de la regimul de conducie ohmic la cel al CLSS devine:
2
0
8
9
O CLSSd
n qd
U

=

3.4.3. Caracteristica curenilor limitai de sarcina spaial n cazul semiconductorilor cu
distribuie uniform de stri de captur n banda interzis
Distribuia uniform sau liniar a capcanelor n banda interzis a semiconductorului este
caracterizat printr-o funcie de tipul (E) = N
t
/E.
2
0 0
0 0 3 2
9 9
exp( ) exp( )
8 8
CLSSl
qn d qn U U
J U U
CU d C d
= =
21
3.4.4. Caracteristica curenilor limitai de sarcina spaial n cazul semiconductorilor cu
distribuie exponenial de stri de captur n banda interzis
In anumite solide organice (antracen, ftalocianine, porfirine, etc.) s-a constatat c exist o
distribuie exponenial de stri de captur n banda interzis, descris de o funcie de tipul:
( ) exp( )
t
c c
N E
E
kT kT
=
2 1
0 0 3 2 1
9 9
8 8
CLSSe ef
t
U U
J q N
d qN d

+
+
| |
= =
|
\
, unde = T
c
/T.








3.5. Metode experimentale de studiu al defectelor de structur n semiconductori.
Teoria curenilor termostimulai (TSC)
Metoda const n aducerea probei analizate la o temperatur joas i iluminarea ei cu un flux
de fotoni care produc tranziii BV-BC. Purttorii de neechilibru creai astfel vor ocupa strile de
captur i, dac temperatura este suficient de joas pentru a face improbabil re-emisia lor n banda
de conducie, vor rmne pe aceste stri. Durata iradierii trebuie s fie suficient pentru saturarea
strilor de captur. Dup ntreruperea fluxului luminos se aplic un cmp electric i proba este
nclzit cu vitez constant. Cu creterea temperaturii, purttorii de pe nivelele localizate vor fi
emii treptat n banda de conducie, pn la golirea nivelului respectiv, determinnd creterea
curentului msurat. Fiind purttori de neechilibru ei vor recombina dup un timp de ordinul timpului
de via, dependena de temperatur a curentului termostimulat fiind curb cu un maxim, a crui
form i poziie permit determinarea unor parametri ai nivelului local responsabil de producerea lui.
n funcie de temperatura la care este iluminat proba iniial, metoda permite investigarea mai
multor nivele, situate la diferite adncimi energetice n banda interzis.
U
s
U
uce
U
O-CLSS
U
O-CLSSe
I ~ U
+1
I ~ U

I ~ U
2
I ~ U
2
logU
I = const.
logI
Fig. 3.4
Caracteristica curent - tensiune a CLSS
ntr-un domeniu foarte larg de tensiuni
aplicate
22
CAPITOLUL IV
EFECTUL FOTOVOLTAIC IN STRUCTURI
PE BAZ DE STRATURI ORGANICE

4.1. Fenomene fotovoltaice. Introducere
Efectul fotovoltaic apare la interacia luminii cu un semiconductor, atunci cnd sunt generate
particule mobile care se pot mica n solid prin transport direct n benzi energetice sau prin hopping
i dac exist un cmp electric care s separe purttorii de sarcin provenii din fotogenerarea direct
sau din disocierea excitonilor creai de lumin, pompndu-i n circuitul exterior .
La circuit deschis structura se polarizeaz cu tensiunea de mers n gol V
OC
, curentul de
scurtcircuit, de densitate j
SC
, reprezentnd fotocurentul. La iluminare, prin structur trece un curent
de densitate j, puterea fiind negativ, structura comportndu-se astfel ca un generator de energie.









Eficiena celulei solare se definete prin:
inc
SC OC
inc
m
P
I V FF
P
P .
= = , unde
SC OC
m m
I V
I V
FF = este
factorul de umplere. Caracteristica I V complet a celulei solare (figura 4.1) este dat de:

( )
1
S
q V IR
kT S
S L
Sh
V IR
I I e I
R

| |

| = +
|
\

i este obinut pentru celula solar real (figura 4.2), unde R
S
este rezistena serie datorat
materialului semiconductor i rezistenei la contacte, iar R
Sh
este rezistena unt.

4.2. Originea efectului fotovoltaic

Pentru a analiza sursele efectului fotovoltaic, se calculeaz tensiunea la circuit deschis V
OC
, i
se interpreteaz termenii care intervin n expresia acesteia.
I
V
OC
V
m
V
m
I
SC
I
0
m
P
Figura 4.1
Caracteristica IV a celulei solare
ideale
Figura 4.2
Circuitul echivalent al celulei solare
reale
>>
S
R
0
R
Sh
R
d
I
L
I
I
23

( ) ( )
( ) ( )
0
0 0 0
0 0

ln ln
L L L
n p g
p
n
OC
L L
V C
p n p n
q n p d E q p
q n d
V E dx dx dx
dx dx
d N d N
kT kT d p d n
p n dx dx
dx dx dx dx





+ +

= + +
(
| |
+
( |
\




Primul termen arat contribuia cmpului electrostatic E
0
, termenii 2, 3 i 4 arat contribuia la
fototensiune a variaiei cu poziia a afinitii electronului i golului, i a variaiei cu poziia a
densitii efective de stri din BC i BV, iar ultimul termen pune n eviden tensiunea Dember
(asociat cu diferena ntre mobilitile electronului i golului), ca surs a efectului fotovoltaic.

4.3. Efectul fotovoltaic n heterojonciuni pe baz de semicionductori anorganici
4.3.1. Efectul fotovoltaic la contactul Metal Semiconductor

Diagrama energetic a structurii
iluminate la circuit deschis este
prezentat n figura 4.3.
Despicarea nivelului Fermi la
iluminare n condiii de circuit deschis
este rspunztoare de prezena
fototensiunii V.


Dac la bornele contactului M/S iluminat se leag o rezisten de sarcin, atunci structura va fi
polarizat direct i va fi strbtut de un curent de ntuneric de sens opus fotocurentului (figura 4.4).
Caracteristica I V la iluminare va fi :
L
nkT
qV
d
I e I I
|
|

\
|
= 1
0

iar tensiunea la circuit deschis:

2 *
ln
T A
I
q
nkT
nV V
L
Bn OC
+ =
4.3.2. Efectul fotovoltaic n heterojonciuni
O heterojonciune reprezint contactul dintre doi semiconductori care difer nu doar prin tipul
de conducie ci i prin lrgimile benzilor interzise, prin masele efective ale purttorilor de sarcin i
Figura 4.4
Circuitul echivalent al
structurii iluminate
>>
R
Id
L
I
I
D
Figura 4.3
Diagrama energetic a structurii iluminate, la circuit deschis
qV
l
n
E
V

q(V
Bn
-V)

Bn
F
n
Semiconductor Metal
E
C

F
p
24
prin constantele dielectrice ale celor dou materiale. Astfel, ntr-o heterojonciune poate exista pe
lng cmpul electrostatic i un cmp efectiv de fore ce poate contribui la rspunsul fotovoltaic.









Caracteristica I-V a structurii la iluminare este de tipul: ( )
L
AV
j e j j = 1
0
, iar tensiunea la
circuit deschis se exprim prin relaia :
|
|

\
|
+
+
= 1 ln
1
0
2 1
j
j j
A
V
OC

4.4. Efecte fotovoltaice n structuri bazate pe semiconductori organici
4.4.1. Mecanismul efectului fotovoltaic. Eficiena fotovoltaic
Excitonii creai de fotonii incideni pot s se sting neradiativ, dar ei pot ntlni i un complex
cu transfer de sarcin format dintr-o molecul a solidului organic i dopant, cruia i poate transfera
un electron, ce se va plasa pe cel mai de jos orbital molecular neocupat al complexului. Electronul
de pe orbitalul cel mai cobort al al complexului i golul de pe orbitalul cel mai nalt al moleculei
organice se pot recombina din start (recombinare iniial Onsager) sau se pot separa n purttori de
sarcin, ntr-o regiune n care exist un cmp electric de construcie.

4.4.2. Aspecte teoretice ale conversiei energiei solare n celulele cu semiconductori organici.
Mecanisme de modelare ale caracteristicilor spectrale
A). Modelul Amal K. Ghosh, Don L. Morel, Tom Feng, Robert F. Shaw, Charles A. Rowe jr.
Acesta este modelul cel mai frecvent ntlnit n literatur, elaborat pentru celula Al/MgPc/Ag,
i care prezint o teorie a dependenei fotocurentului de scurtcircuit de coeficientul de absorbie,
grosimea stratului organic, randamentul cuantic i lungimile de difuzie ale purttorilor de sarcin.
Autorii consider c fotonii absorbii genereaz direct purttori de sarcin liberi care particip la
fotocurent (acesta fiind cazul cel mai frecvent ntlnit la ftalocianine), i nu in cont de prezena
1 C
E
2 C
E
2 V
E
1 V
E
F
E
C
E
V
E
h
1
l
2
l
0
x
d
n ) 2 (
p ) 1 (
Figura 4.5
Diagrama energetic a unei heterojonciuni pn
25
excitonilor, artnd c i n eventualitatea formrii lor, acetia nu ajung la regiunea de cmp intern
prin difuzie, stingndu-se rapid prin interacie cu centrii de impuritate sau cu fononii.
Comportarea caracteristicilor spectrale la iluminarea n direcii opuse sugereaz c bariera de
la interfaa Al/MgPc este regiunea fotosensibil.
B). Modelul excitonic (Chamberlain)
Acest model se bazeaz pe implicarea excitonilor singlet n procesul de generare a purttorilor
de sarcin. Se consider c procesul dominant de creare a purttorilor de sarcin, l constituie
disocierea excitonilor creai de lumin pe centrii de dopant, mecanismul fiind confirmat de o
mulime de rezultate experimentale obinute n studiile de fotoconducie pe ftalocianine.
Modelul excitonic a fost elaborat pe baza unei structuri de tipul Al/CuPc + dopant/Au.

4.4.3. Eficiena de conversie a luminii solare
Pentru o celul solar, eficiena de conversie poate fi scris n general sub forma :
( )
( )
( ) ( ) ( )
OC SC
E
E
SC
g
OC
E
E
g
S
V I
IV
dE E N R
q
I
E
qV
dE E EN
EdE N E
R
g

=
max max
max
1
1
0
0

n care primul factor reprezint pierderile prin reflexie, al doilea eficiena de absorbie a luminii,
urmeaz factorul de tensiune, randamentul cuantic mediu i factorul de umplere. R reprezint
factorul de reflexie, iar N(E) este densitatea fluxului de fotoni incideni pe unitatea de energie.
Pentru celulele solare cu un singur strat organic valoarea teoretic obinut este 4%
S
= .

4.5. Structuri de celule fotovoltaice organice
4.5.1. Tipuri de materiale
Pe lng capacitatea de a absorbi lumina solar i de a crea purttori de sarcin, materialele
utilizate n celulele solare trebuie s aib i abilitatea de a transporta aceti purttori fotogenerai.
Aceste caliti sunt caracteristice materialelor cu sisteme extinse de electroni delocalizai:
ftalocianine (materiale donoare de electroni), perilenul i derivaii si cu conducie de tip n
(materiale acceptoare de electroni). Fulerena, C
60
i derivaii si (PCBM), polimerii conjugai, dintre
care se poate aminti P3HT, reprezint alte materiale utilizate cu succes n realizarea celulelor
fotovoltaice. In construcia celulelor solare de tip donor acceptor, polimerii donori pot fi combinai
att cu polimeri acceptori, ct i cu fulerene, n structuri duble planare, difuze sau n amestecuri.
26
4.5.2. Prepararea probelor i proceduri experimentale
Tehnicile utilizate pentru realizarea filmelor subiri sunt complementare n ceea ce privete
alegerea materialelor. Materialele cu molecule mici pot fi termic mai stabile dar mai puin solubile
dect polimerii. Polimerii se descompun sub aciunea cldurii excesive i au o mas molar prea
mare pentru a se evapora. Ca urmare, n cazul materialelor cu molecule mici, evaporarea este cea
mai bun soluie, n timp ce pentru polimerii semiconductori se utilizeaz procesarea din soluie.
La procesarea din soluie se utilizeaz diverse tehnici cum ar fi:
- spin coating, doctor blading, screen-printing, inkjet printing.
4.5.3. Principii de lucru de baz
Procesul conversiei energiei luminoase n energie electric ntr-o celul solar se realizeaz n
patru etape consecutive:
1.) Absorbia fotonului, ceea ce duce la formarea unei stri excitate electron gol (exciton).
2.) Difuzia excitonului spre o regiune n care
3.) Are loc separarea purttorilor de sarcin.
4.) In final, transportul sarcinii la anod (golurile) i la catod (electronii), pentru a genera un
curent printr-un consumator.

4.5.4. Tipuri de structuri de celul solar. Rezultate experimentale

I. Structura ITO/CuPC/(CuPc+TPyP)/TPyP/Al celul fotovoltaic cu trei straturi, cu regiune
activ lrgit n stratul de colorant codepus
Celula prezint un puternic efect de redresare la ntuneric, caracterizat de un raport de
redresare (curent direct/curent invers) de cca. 500, la o tensiune de 1 V.
Din caracterizarea electric a celulei s-au stabilit parametrii :
R
s
= 5.82 M, R
sh
~ 2 G, n = 2.79, I
0
= 6,2.10
-13
A.
II. Heterojonciunea n volum (Bulk heterojunction)
Heterojonciunea n volum se obine prin amestecarea la nivel microscopic a componentelor
semiconductoare donoare i acceptoare, astfel nct fiecare interfa donor-acceptor se afl la o
distan mai mic dect lungimea de difuzie, fa de locul absorbiei. Dispozitivul este similar cu un
dispozitiv dublu strat, dar cu o suprafa interfacial mult lrgit, n care are loc separarea
purttorilor. Cu alte cuvinte, fazele donoare i acceptoare trebuie s formeze o reea bicontinu i
interpenetrant i de aceea, dispozitivele cu heterojonciuni n volum sunt mult mai sensibile la
nanomorfologia amestecului.
27








III. Heterojonciune difuz dublu strat (Diffuse bilayer heterojunction)

Un alt tip posibil de arhitectur a acestor dispozitive de tip celul fotovoltaic, care conceptual
este situat ntre heterojonciunea n volum i cea cu dublu strat, l constituie heterojonciunea difuz
dublu strat, care urmrete s adapteze avantajele ambelor structuri precizate anterior.

4.5.5. Limite ale performanelor celulelor solare

Eficiena de conversie a unei celule solare depinde liniar de trei factori: tensiunea de circuit
deschis V
OC
, curentul de scurtcircuit I
SC
i factorul de umplere FF.
Interdependena dintre factorii care determin eficiena de conversie a celulelor fotovoltaice
implic gsirea soluiilor de compromis care s optimizeze funcionarea acestor dispozitive.

4.5.6. Imbuntirea performanelor celulelor solare organice
Performanele celulelor solare organice pot fi mbuntite prin optimizarea arhitecturii
structurii, prin creterea domeniului de absorbie, prin mbuntirea transportului purttorilor de
sarcin electric i creterea eficienei de colectare a acestora la electrozi.

4.5.7. Influena nanomorfologiei asupra performanelor celulelor solare organice
Necesitatea obinerii unui amestec intim ntre fazele donoare i acceptoare dintr-o
heterojonciune de volum face aceast abordare sensibil n special la nanomorfologia structurii. In
cazul sistemelor procesate din soluie exist o dependen puternic a morfologiei finale de natura
solventului utilizat, timpul de evaporare al acestuia, interaciile de suprafa i declirea final. In
sistemele moleculare evaporate n vid, morfologia final depinde de rata de evaporare, temperatura
substratului i de asemenea de declirea final. Evident, compoziia sistemului donor-acceptor este
un alt factor ce determin morfologia final.

Figura 4.6
Celula cu heterojonciune n volum: a) structura
dispozitivului, b). diagrama energetic.
LWFE-electrod cu lucu de extracie mare;
SWFE-electrod cu lucu de extracie mic.
28
CAPITOLUL V
REZULTATE EXPERIMENTALE

5.1. Proprieti electrice i optice ale structurilor fotovoltaice pe baz de
materiale polimerice, P3HT:poli(3-hexiltiofen) i PCBM:1-(3-metoxicarbonil)-
propil-1-fenil-(6,6)C
61

Structurile fotovoltaice fabricate i investigate [148], cu P3HT i PCBM i, respectiv,
amestecuri ale acestora P3HT:PCBM(1:1), n secvenele ITO/PEDOT/P3HT/Al,
ITO/PEDOT/PCBM/Al i ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al, au fost realizate folosind un substrat
de sticl optic, acoperit cu un strat de ITO de 30 nm grosime, pe care s-au depus prin spin coating
straturile PEDOT i P3HT, PCBM sau P3HT:PCBM(1:1). Electrodul de spate din aluminiu a fost
depus n final prin evaporare termic n vid. Pentru toate probele s-au fcut msurtori de
caracteristici I-V, la ntuneric i iluminare n condiiile spectrului A.M.1.5, i apoi au fost explicate
pe baza comportrii interfeei electrod/semiconductor organic. Experimental a fost msurat o
eficien cuantic de 28%, eficiena de conversie fiind superioar n cazul structurii blend.





Figura 5.1
Structura celulelor fotovoltaice pe baz de P3HT, PCBM, respectiv P3HT: PCBM (1:1)
Inregistrarea spectrelor de absorbie s-a fcut la temperatura camerei, cu Spectrometrul UV-VIS
Perkin-Elmer Lambda 35 i cu un montaj coninnd un monocromator Cornerstone 130 i un
electrometru Keithley 2400, controlat de un calculator. Caracteristicile curent-tensiune ale celulelor,
att la ntuneric ct i la iluminare cu lumin monocromatic, la lungimi de und corespunztoare
maximului din spectrul de absorbie al fiecrei probe, au fost ridicate la temperatura camerei. In
plus, zona corespunztoare cadranului patru al acestor caracteristici a fost trasat n lumin solar
simulat (100 mW/cm
2
) cu ajutorul simulatorului solar AM 1.5.
I. Structura ITO/PEDOT/P3HT/Al
In figura 5.2 este prezentat caracteristica I-V a structurii la ntuneric, la temperatura camerei,
att la polarizare direct ct i invers. Dependena obinut este puternic asimetric, cu un factor de
29
redresare de 500 la 3.5 V. Asimetria se consider c se datoreaz barierei Schottky de la interfaa
Al/P3HT, cellalt contact, ITO/PEDOT/P3HT fiind ohmic.

Figura 5.2
Caracteristica I-V de ntuneric a celulei
ITO/PEDOT/P3HT/Al investigate






Figura 5.3
Spectrul de absorbie al stratului P3HT (rou)
i spectrul de aciune normalizat al structurii
ITO/PEDOT/P3HT/Al (negru)


Din cadranul patru al caracteristicii I-V a celulei, la iluminare prin ITO, cu lumin
monocromatic corespunztoare maximului din spectrul de aciune, = 550 nm, s-au determinat
parametrii celulei, ce caracterizeaz rspunsul fotovoltaic al acesteia: curentul de scurtcircuit,
Isc =1,3610
-7
A, tensiunea la circuit deschis, Voc = 0.9V i factorul de umplere FF = 16,7%.
II. Structura ITO/PEDOT/PCBM/Al
Pentru aceast configuraie, caracteristica I-V la ntuneric, la temperatura camerei, la
polarizare direct i invers (figura 5.4) este asimetric, cu un factor de redresare mult mai mic, de
10 la 2V. Celula nu prezint rspuns fotovoltaic, acionnd ca o simpl fotorezisten.
Din figura 5.5, n care apar spectrul de absorbie al PCBM mpreun cu spectrul de aciune al
structurii ITO/PEDOT/PCBM/Al, se constat rspunsul antibatic al stratului PCBM.


Figura 5.4
Caracteristica I-V de ntuneric a celulei
ITO/PEDOT/PCBM/Al investigate

30



Figura 5.5
Spectrul de absorbie al stratului PCBM (rou)
i spectrul de aciune normalizat al structurii
ITO/PEDOT/PCBM/Al (negru)



Faptul se datoreaz efectului de filtru al stratului organic, n care fotonii absorbii creeaz purttori
de sarcin la distan mare fa de interfaa PCBM/Al, la care nc exist un cmp intern, (contactul
nefiind unul perfect ohmic) i doar fotonii slab absorbii n volumul stratului PCBM vor genera
fotopurttori n regiunea cmpului electric intern, care apoi s contribuie la rspunsul fotovoltaic.
III. Structura ITO/PEDOT/P3HT:PCBM (1:1)/Al
Proprietile fotovoltaice ale celulelor mixte (blend) sunt superioare celor ale celulelor cu un
singur strat organic (figura 5.7), asimetria caracteristicii I-V fiind i aici prezent. Spectrul de
absorbie al stratului P3HT:PCBM(1:1) i spectrul de aciune al celulei ITO/P3HT:PCBM/Al sunt
reprezentate n figura 5.6, n care se vede c maximul spectrului de aciune, de la 485 nm, este uor
deplasat spre regiunea roie a spectrului vizibil, fa de maximul local de absorbie de la 455 nm, al
stratului organic (iluminare prin ITO). Parametrii celulei mixte ce caracterizeaz rspunsul
fotovoltaic al acesteia sunt: curentul de scurtcircuit, Isc =2,2410
-8
A, tensiunea la circuit deschis,
Voc = 0,46V i factorul de umplere FF = 20,6%.

Figura 5.6
Spectrul de absorbie al P3HT:PCBM (1:1) (rou) i spectrul de aciune
normalizat al structurii ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al (negru)




Figura 5.7
Spectrele de aciune ale celor trei probe analizate,
P3HT (negru), PCBM (rou), P3HT:PCBM 1:1 (verde)

31
Pornind de la aceste rezultate promitoare, am aprofundat n continuare studiul acestor tipuri
de structuri, fabricnd alte probe similare, realiznd i alte investigaii experimentale, dup cum
urmeaz [149].
Caracteristicile morfo-structurale ale probelor au fost puse n eviden prin microscopie
atomic AFM. Cristalinitatea i grosimea straturilor au fost de asemenea determinate prin
reflectometrie de raze X, cu un difractometru Bruker D8 Discover XRD.
Inregistrarea spectrelor de absorbie s-a fcut la temperatura camerei, cu Spectrometrul UV-VIS
Perkin-Elmer Lambda 35 i cu montajul coninnd monocromatorul Cornerstone130 i un
electrometru Keithley 2400, controlat de un calculator. Caracteristicile curent-tensiune ale celulelor,
att la ntuneric ct i la iluminare cu lumin monocromatic, la lungimi de und corespunztoare
maximului din spectrul de absorbie al fiecrei probe, au fost ridicate la temperatura camerei. In
plus, zona corespunztoare cadranului patru a fost trasat sub lumin monocromatic, cu diferite
lungimi de und relativ la maximul spectrului de aciune al fiecrei structuri investigate.
Investigaiile mofologice ale straturilor subiri studiate s-au realizat prin difracie de raze X.
Din curbele de reflectometrie s-au calculat grosimea i dimensiunile cristalitelor (tabelul 5.1).
Tabelul 5.1
Valori pentru grosimea i rugozitatea straturilor investigate din structurile
ITO/PEDOT/P3HT, ITO/PEDOT/PCBM i ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)
Structura Grosime (nm) Rugozitate (nm)
ITO/PEDOT/P3HT 97 10
ITO/PEDOT/PCBM 139 15
ITO/PEDOT/P3HT:PCBM 123 13

IV. Proprieti electrice i optice ale structurii ITO/PEDOT/P3HT/Al
Figura 5.8 prezint caracteristicile I-V la ntuneric, att la polarizare direct ct i invers.





-1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5
-2.0x10
-4
0.0
2.0x10
-4
4.0x10
-4
6.0x10
-4
8.0x10
-4
1.0x10
-3
1.2x10
-3
1.4x10
-3
1.6x10
-3


I
(
A
)
V(V)
Figura 5.8
Caracteristica I-Vde ntuneric a celulei
ITO/PEDOT/P3HT/Al
(msurtori fcute la 2 ore dup depunerea
contactului de vrf din aluminiu)

32
Dependena curentului de tensiune nu este liniar i este puternic asimetric, avnd un factor de
redresare de 200 la 1,5V i care crete la 500 pentru tensiunea maxim aplicat de 3,5V.
Pornind de la ecuaia Shockley modificat, s-a fcut caracterizarea interfeei Al/P3HT,
responsabile pentru comportarea electric i fotoelectric a celulei, i s-au calculat parametrii de
jonciune: R
S
=328, R
sh
=58,13 K, I
0
=7,210
-11
A i n=2,29.
V. Proprieti electrice i optice ale structurii ITO/PEDOT/PCBM/Al
Caracteristica curent-tensiune obinut la ntuneric i la temperatura camerei, pentru structura
ITO/PEDOT/PCBM/Al, la polarizare direct i invers, este artat n figura 5.9. Dependena este
asimetric, cu un factor de redresare R
R
de circa 10 la o tensiune de 2 V.







Figura 5.9
Caracteristicile de ntuneric ale celulei ITO/PEDOT/PCBM/Al

Parametrii determinai ai celulei sunt: R
s
=113, R
sh
=9730 , n=2,8, I
0
=410
-8
A.
VI. Proprieti electrice i optice ale structurii mixte ITO/PEDOT/P3HT:PCBM[1:1]/Al
Caracteristica I-V a celulei ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al, la ntuneric, la polarizare
direct i invers este artat n figura 5.10. Dependena este neliniar i puternic asimetric, cu un
factor de redresare de circa 120 la 1V, i care crete pe msur ce crete tensiunea aplicat.








Figura 5.10
Caracteristicile I-V ale structurii ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al la ntuneric (curba neagr)
i la iluminare cu lumin monocromatic cu lungimea de und de 400 nm (curba verde)
-2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
-2.0x10
-3
-1.0x10
-3
0.0
1.0x10
-3
2.0x10
-3
3.0x10
-3
4.0x10
-3
5.0x10
-3
6.0x10
-3
7.0x10
-3


I
(
A
)
V(V)
-1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0
-3.0x10
-6
-1.5x10
-6
0.0
1.5x10
-6
3.0x10
-6
4.5x10
-6
6.0x10
-6


I
(
A
)
V(V)
33
Corobornd comportrile probelor anterioare, putem presupune c asimetria se datoreaz
diferenei dintre lucrurile termodinamice de extracie ale electrozilor ITO/PEDOT i Al, interfaa
Al/P3HT:PCBM(1:1) fiind un bun colector de electroni, n timp ce interfaa,
ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1), este un bun colector de goluri.
Spectrul de absorbie al amestecului organic P3HT:PCBM (1:1) este extins de la 300 nm la
700 nm, suprapunnd domeniile principale de absorbie ale P3HT (400-700nm) i PCBM (300-
500nm), i dovedind c aa-numitul efect de cosensibilizare exist i n cazul structurilor blend ca
i n cazul structurii duble donor-acceptor.
Tabelul 5.2
Parametri tipici ai structurilor
ITO/PEDOT/P3HT/Al; ITO/PEDOT/PCBM/Al; ITO/PEDOT/P3HT: PCBM (1:1)/Al
tensiunea la circuit deschis (V
OC
), curentul de scurtcircuit (I
SC
), puterea maxim obinut (Pm),
puterea incident (Pin), factorul de umplere (FF), eficiena de conversie ()
ITO/PEDOT/P3HT/Al ITO/PEDOT/PCBM/Al ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al
V
OC
(V) 0,84 0,1 0,58
I
SC
(A) 1,8510
-8
4,110
-8
1,3510
-6
P
m
(W) 1,710
-9
5,8810
-10
2,2510
-5

P
in
(W) 2,1510
-5
3,310
-5
5,1910
-5

FF (%) 10 14 28
(%) 0,01% 0,0017% 0,44%

5.2. Proprieti electrice i optice ale heterojonciunilor formate la contactul
straturilor de sulfur de cadmiu i ftalocianin de cupru, CdS / CuPc
Heterojonciunea pn, format la contactul dintre semiconductorul organic de tip p (CuPc) i
cel anorganic de tip n (CdS) a fost investigat din punct de vedere al proprietilor electrice, optice
i fotovoltaice. Interfaa dintre cele dou materiale, caracterizat prin prezena a numeroase defecte,
este responsabil de proprietile fotovoltaice ale structurii, parametri electrici ai jonciunii
CdS/CuPc fiind determinai prin interpretarea caracteristicii curent tensiune la ntuneric.
Structura ITO/CdS/CuPc/Cu realizat, a fost caracterizat electric prin ridicarea caracteristicii
I-V la ntuneric i la iluminare cu lumin alb (10 mW/cm
2
), apoi optic prin trasarea i studierea
caracteristicilor spectrale, fiind ulterior analizat i din punct de vedere al efectelor fotovoltaice.
Structurile de celul pe care s-au fcut msurtorile electrice i fotoelectrice au fost realizate
prin evaporare n vid, pe un substrat de sticl acoperit cu ITO (300 nm), n ordine depunndu-se
34
stratul de CdS (1000 nm), apoi stratul organic de ftalocianin de cupru (500 nm), iar n final
contraelectrodul de cupru, cu o suprafa efectiv de 0,32 cm
2
, suprafa ce definete aria activ a
celulei. Configuraia celulei este inserat n figura 5.11.
Rezultate obinute
Caracteristicile I-V, la ntuneric i la iluminare cu lumin alb, ale celulei fotovoltaice
ITO/CdS/CuPc/Cu, sunt prezentate n figura 5.11. Se constat c structura prezint proprieti
redresoare, precum i efect fotovoltaic.















Din panta dependenei lnJ = f(V) (figura 5.12) s-au determinat parametri de diod n = 2,54 i
J
0
= 1,36.10
-7
A/cm
2
, acestea indicnd prezena unui numr mare de defecte la interfaa CdS/CuPc,
defecte care faciliteaz recombinarea electron-gol. La tensiuni directe peste 500 mV, curentul se
abate de la dependena exponenial de tensiune (figura 5.12A), din cauza efectelor sarcinii spaiale
n stratul organic. Fitarea acestei regiuni duce la dependena I ~ BU
3,75
(figura 5.12B) care este
caracteristic cristalelor moleculare organice cu distribuie exponenial de stri de captur n banda
interzis (cazul CuPc). Parametrii obinui sunt = 2,75 i T
C
= 825 K. Parametrii tipici de celul
solar obinui pentru structura considerat sunt: V
OC
= 375 10 mV, J
SC
= 58,12 0,01 A/cm
2
,
FF = 0,53 0,01, iar eficiena de conversie a atins valoarea de 0,115%. Spectrul de absorbie al
stratului de CuPc este prezentat n figura 5.13, iar spectrul de aciune al celulei n figura 5.14.
Figura 5.11
Configuraia celulei ITO/CdS/CuPc/Cu i caracteristicile I-V
a). La ntuneric; b). La iluminare prin electrodul ITO
Figura 5.12
Dependena lnJ = f(V) pentru celula
ITO/CdS/CuPc/Cu, la polarizare direct i la ntuneric
35













Fotonii cu energie mai mic dect energia de prag n CdS sunt absorbii dominant n regiunea
de interfa i n baz (stratul de CuP). Fotonii absorbii n regiunea de interfa i aduc aportul la
peak-ul din spectrul de aciune de la 550 nm, iar cei puternic absorbii n stratul organic particip la
cele dou peak-uri lrgite din spectrul de aciune (centrate pe 620 nm i respectiv pe 690 nm),
corespunztoare maximelor din spectrul de absorbie al stratului de CuPc (figura 5.29). Aceast
comportare sugereaz faptul c regiunea de cmp intern este puternic extins n stratul de CuPc,
cum este i firesc, deoarece concentraia de purttori de sarcin de echilibru n CuPc este mult mai
mic dect n CdS. Ca urmare, interfaa CdS/CuPc este responsabil pentru proprietile electrice i
optice ale celulei. La interfa se creaz o heterojonciune care se extinde aproape integral n stratul
organic, de-a lungul cruia se realizeaz cmpul electric intern, n care purttorii de sarcin generai
prin disocierea excitonilor sunt separai i colectai la cele dou contacte, ITO/CdS (colector de
electroni), respectiv Cu/CuPc (colector de goluri).

5.3. Proprieti structurale, electrice i optice ale straturilor subiri
nanostructurate de ZnO pentru aplicaii fotovoltaice hibride organic/anorganic
In cele ce urmeaz am prezentat cteva rezultate ale caracterizrilor fcute asupra structurii,
proprietilor electrice i optice ale celulelor fotovoltaice hibride, organic/anorganic, care utilizeaz
straturi subiri nanostructurate de oxid de zinc, ZnO, ca i electrozi fotosensibilizai [150]. Am
investigat proprietile structurale, electrice i optice ale straturilor subiri de oxid de zinc, ZnO.
C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
u
l

d
e

a
b
s
o
r
b

i
e
,

(
x

1
0
5

c
m
-
1
)

Lungimea de und, (nm)
Figura 5.13
Spectrul de absorbie al stratului de ftalocianin de
cupru utilizat n structura fotovoltaic descris
F
o
t
o
c
u
r
e
n
t
u
l

(
u
n
i
t

i

a
r
b
i
t
r
a
r
e
)

Lungimea de und, (nm)
Figura 5.14
Spectrul de aciune al celulei ITO/CdS/CuPc/Cu, la
iluminare prin ITO/CdS
36
Stratul nanostructurat de ZnO a fost depus prin ablaie laser (tabelul 5.3), pe substratul din sticl
optic, structura i morfologia fiind optimizate pentru aplicaiile fotovoltaice hibride
organic/anorganic. Stratul de ZnO are o mare transparen n regiunea vizibil a spectrului solar,
transmitana optic n aceast zon fiind de peste 75%.
Analiza structural a probelor prin difracie de raze X (figura 5.15), a artat faptul c straturile
au o structur hexagonal compact de tip wurtzit, cu planele (001) orientate preferenial n direcia
de cretere. Acest tip de mpachetare, cu axa c perpendicular pe suprafaa stratului, care se produce
chiar i la temperaturi sczute ale substratului, pare s fie specific oxidului de zinc.
Tabelul 5.3
Condiiile de depunere PLD i parametrii straturilor obinute astfel
Proba inta Substratul Temperatura de
depunere (
o
C)
Presiunea
oxigenului (Pa)
Dimensiunea
cristalitelor D
eff

(nm)
Grosimea
stratului
(nm)
ZO1 ZnO Sticl optic 400 6.5 34 248
ZO2 ZnO:Al (2%) Sticl optic 400 6.5 61 296
ZO3 ZnO Sticl optic 400 1.3 32 460











Figura 5.15
Spectrul experimental de difractie X pentru probele studiate (a),
precum i peak-ul (002) normalizat, mrit (b)

I. Caracterizare electric
Msurtorile Hall efectuate au artat c densitatea purttorilor liberi de sarcin este practic constant
pentru toate probele, n domeniul de temperaturi (50 320 K), dependena de temperatur a
rezistivitii probelor analizate (figura 5.16) datorndu-se mobilitii purttorilor de sarcin.

37



Figura 5.16
Dependena rezistivitii electrice de temperatur





Ca i concluzii pariale ale acestui studiu menionm urmtoarele:
o Straturile nanostructurate de ZnO au fost depuse prin tehnica de ablaie laser (PLD), pe un
substrat din sticl optic;
o Analiza structural a probelor, prin difracie de raze X, a scos n eviden faptul c straturile
de ZnO au o structur hexagonal compact de tip wurtzit, cu planul (001) orientat
preferenial n direcia de cretere;
o Stratul de ZnO are o mare transparen n regiunea vizibil a spectrului solar, transmitana
optic n aceast zon fiind de peste 75%;
o In ceea ce privete rezistivitatea probelor, doparea extrinsec cu aluminiu s-a dovedit a fi mai
puin eficient dect cea intrinsec: 310
-3
.m pentru ZnO:Al (proba ZO2) la temperatura
camerei, fa de 610
-4
pentru ZnO (proba ZO3);
o Structura ZnO/CuPc/Au realizat are o eficien cuantic extern maxim de 12%, dar
necesit mbuniri pentru a crete eficiena optic i colectarea purttorilor de sarcin.

Rezultatele obinute n acest studiu au condus la continuarea cercetrilor [151] cu privire la
celulele solare hibride de tip ITO/ZnO/CuPc/Cu.
Strategia de cretere a performanelor dispozitivelor fotovoltaice const, printre altele, n
crearea unei interfee extrem de rugoase ntre straturile componente, pentru a optimiza transferul
sarcinii, i de asemenea de a mbunti colectarea purttorilor de sarcin la electrozi.
Straturile de oxid de zinc au fost sintetizate prin ablaie laser KrF pulsat, pe un substrat de
sticl optic, inta fiind ZnO (tabelul 5.4). Presiunea din camera de reacie a fost redus sub 10
-4
Pa.
Spectrul de absorbie al CuPc i spectrul de aciune, al fotocurentului de scurtcircuit al
structurii de celul solar investigat (ZSC7), sunt prezentate n figura 5.17.
38
Tabelul 5.4
Parametrii straturilor ZnO depuse prin tehnica PLD
Proba inta Substratul Temperatura de
depunere (
o
C)
Presiunea
oxigenului (Pa)
Grosime
strat (nm)
Banda
interzis (eV)
ZSC3 ZnO Sticl optic/ITO 300 nm 200 13 293 3.24
ZSC5 ZnO Sticl optic/ITO 300 nm 200 6.5 510 3.26
ZSC7 ZnO Sticl optic/ITO 300 nm 200 40 537 -
ZSC9 ZnO Sticl optic/ITO 300 nm 350 13 388 3.24

II. Caracterizarea optoelectric a structurilor ITO/ZnO/CuPc/Cu












Figura 5.17
Spectrul de absorbie al CuPc i spectrul de aciune al structurii ITO/ZnO/CuPc/Cu

Caracteristicile I-V la ntuneric i lumin, nregistrate la temperatura camerei, la iluminare cu
lumin alb de la o lamp incandescent cu puterea 1,34 mW, sunt prezentate n figura 5.18, lumina
fiind incident pe contactul ITO.

Figura 5.18
Caracteristica I-V a celulei ITO/ ZnO/CuPc/Cu
la ntuneric (curba neagr)
i la iluminare cu lumin alb (curba roie)



-0.3 -0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2 0.3
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
30


I (A)
U (V)
0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12
-4
-2
0


3.815
SC
I A =
102
OC
V mV =
39
Caracteristica de ntuneric arat o comportare redresoare a dispozitivului. La iluminare, dei
valoarea tensiunii la circuit deschis pare promitoare, curentul de scurtcircuit este ns foarte mic,
iar rezistena serie a structurii este mare. Factorul de umplere msurat are valoarea FF = 29,8%.
In fine, am realizat o ultim caracterizare a structurilor hibride ZnO/CuPc, n care oxidul de
zinc nanostructurat este utilizat ca electrod [162], datorit proprietilor sale specifice.
Straturile subiri de ZnO au fost depuse prin ablaie laser utiliznd o surs cu excimer KrF*
(=248 nm,
FWHM
=25ns), condiiile de cretere i parametrii straturilor fiind precizai n tabelul 5.5.

Tabelul 5.5
Parametri straturilor ZnO obinute prin depunere PLD
Proba inta Substratul Temperatura de
depunere (
o
C)
Presiunea
(mbar)
Rugozitatea
(nm)
Grosimea
stratului (nm)
ZnO_1 In
2
O
3
:ZnO Sticl optic 500 5 7 513
ZnO_2 In
2
O
3
:ZnO Sticl optic 500 5 3 430

III. Caracterizare structural i morfologic
Morfologia straturilor de oxid de zinc (faz hexagonal compact de tip wurtzit), depuse prin
ablaie laser, obinut prin microscopie AFM este prezentat n figura 5.19, pentru cele dou probe
fabricate.












Figura 5.19
Scanarea topografic AFM pentru proba ZnO_1 (a), respectiv ZnO_2 (b)
). a
). b
Figura 5.20
Spectrul de difracie X pentru cele dou
probe, ZnO_1, ZnO_2
40
Coeficientul Hall R
H
este practic constant pe tot domeniul investigat de temperaturi, exceptnd
zona din vecittatea temperaturii camerei, unde este uor dependent de temperatur (figura 5.21), cu
observaia c proba ZnO_1 are o conducie de tip p, iar ZnO_2 de tip n.











IV. Caracterizri fotovoltaice ale structurilor hibride ZnO/CuPc/Al
In figura 5.22 este prezentat dependena spectral a eficienei cuantice externe, pentru
structura ZnO-PLD/CuPc/Al, la temperatura camerei (25C), mpreun cu spectrul de absorbie.
Dup cum se observ, spectrul de aciune are un comportament batic, maximul su de la 660 nm
fiind uor deplasat spre rou, comparativ cu maximul local de la 610 nm din spectrul de absorbie
optic. La lungimi de und peste 800 nm, fotonii incideni sunt puternic absorbii, iar efectul
fotovoltaic la interfaa CuPc/Al este suprimat. Maximul eficienei cuantice externe este de 0,18.










Din cadranul IV al caracteristicii I-V (figura 5.23) la iluminare n spectrul solar AM 1.5, s-au
obinut parametrii ce caracterizeaz rspunsul fotovoltaic al celulei: FF=25%, =0,16%.
Figura 5.21
Dependena de temperatur a coeficientului Hall,
pentru cele dou probe ZnO_1, respectiv ZnO_2
Figura 5.22
Dependena spectral a eficienei cuantice externe
(negru) i spectrul de absorbie (rou) pentru
structura ZnO-PLD/CuPc/Al
41













CAPITOLUL VI

CONCLUZII

Cercetrile tiinifice n domeniul materialelor semiconductoare utile n aplicaiile
optoelectronice, demonstreaz importana deosebit acordat n ultimul timp, materialelor
polimerice ncorporate n structuri fotovoltaice cu heterojonciuni de volum sau n diverse
dispozitive hibride, foarte promitoare din punct de vedere al rspunsului fotovoltaic.
In studiile experimentale pe care le-am efectuat asupra structurilor cu heterojonciuni de
volum pe baz de amestecuri polimerice i fulerene, P3HT-PCBM, straturile active au fost depuse
pe un substrat de sticl acoperit cu ITO, prin tehnica spin coating.
Am trasat caracteristicile I-V att la ntuneric ct i la iluminare (prin electrodul ITO) cu
lumin monocromatic sau n condiiile spectrului solar AM 1.5, caracteristici din care am extras
parametrii jonciunii, precum i parametrii care caracterizeaz rspunsul fotovoltaic al
dispozitivelor. Asimetria i neliniaritatea acestor caracteristici a fost explicat pe seama comportrii
interfeei dintre electrodul de contact i semiconductorul organic [148].
Pentru proba ITO/PEDOT/P3HT/Al s-a obinut un bun factor de redresare (500 la 3,5V) i de
asemenea un rspuns fotovoltaic care se datoreaz barierei Schottky de la interfaa Al/P3HT,
rspuns caracterizat de parametrii: curentul de scurtcircuit Isc =1,3610
-7
A, tensiunea la circuit
deschis Voc = 0,9V, factorul de umplere FF = 16,7% [148].
Figura 5.23
Caracteristica I-V din cadranul patru, pentru
celula fotovoltaic ZnO-PLD/CuPc/Al, la
iluminare AM 1.5
42
In cazul probei ITO/PEDOT/PCBM/Al, factorul de redresare este mult mai mic (20 la 2V),
structura nu prezint rspuns fotovoltaic, ci acioneaz ca o simpl fotorezisten, interfaa
PCBM/Al fiind de tip ohmic [148].
Structura mixt ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al, are un promitor rspuns fotovoltaic,
caracterizat de parametrii: Isc =2,2410
-8
A, Voc = 0,46V, FF = 20,6% [148].
In ceea ce privete spectrele de aciune ale celor trei probe studiate, se constat faptul c n
cazul structurii blend, ITO/PEDOT/P3HT:PCBM (1:1)/Al, acesta are o extindere mult mai mare pe
domeniul de lungimi de und investigat, fiind o suprapunere a spectrelor de aciune ale probelor
simple, ITO/PEDOT/P3HT/Al i ITO/PEDOT/PCBM/Al, ceea ce dovedete superioritatea celulei
mixte relativ la domeniul spectral n care prezint rspuns fotovoltaic [148].
Msurtori similare, cu accent pe interpretarea caracteristicilor curent-tensiune la ntuneric,
realizate pe un alt set de probe de acelai tip [149], au avut ca prim scop caracterizarea interfeelor
Schottky, responsabile pentru comportarea electric i fotoelectric a celulelor.
Astfel, n cazul celulei ITO/PEDOT/P3HT/Al, am obinut urmtorii parametri de jonciune:
rezistena serie, R
S
= 328, rezistena unt, R
Sh
= 58,13 K, curentul invers de saturaie,
I
0
= 7,210
-11
A i factorul de diod, n = 2,29. In ceea ce privete spectrul de aciune al
fotocurentului de scurtcircuit, acesta este batic, relativ la spectrul de absorbie al stratului P3HT, iar
rspunsul fotovoltaic este caracterizat prin parametrii: V
OC
= 0,84V, I
SC
= 1,8510
-8
A, FF = 10%,
= 0,01% [149].
Pentru structura ITO/PEDOT/PCBM/Al, parametrii specifici jonciunii sunt: R
S
= 113,
R
Sh
= 9730 , I
0
= 410
-8
A, n = 2,8, raportul de redresare fiind ns foarte mic (10 la tensiunea
2V), de asemenea i rspunsul fotovoltaic fiind foarte slab. In plus, se observ rspunsul anti-batic al
stratului PCBM, maximul fotocurentului din spectrul de aciune fiind obinut la minimul de
absorbie, lucru ce se datoreaz efectului de filtru al stratului PCBM. Rspunsul fotovoltaic n acest
caz, este caracterizat prin parametrii: V
OC
= 0,1V, I
SC
= 4,110
-8
A, FF = 40%, = 0,0017% [149].
In cazul structurii mixte, ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al, rspunsul fotovoltaic este
caracterizat prin parametrii: tensiunea la circuit deschis V
OC
= 0,58V, curentul de scurtcircuit
I
SC
= 1,3510
-6
A (cu dou ordine de mrime mai mare dect n cazul structurilor simple), factorul
de umplere FF = 28%, eficiena de conversie = 0,44% i puterea maxim P
m
= 2,2510
-5
W [149].
Se constat c aceste valori sunt mult superioare celor din cazul structurilor simple pe baza de P3HT
sau PCMB, parametrii celulelor modificndu-se ns n timp, fa de valorile lor obinute imediat
dup prepararea probelor.
43
Amestecul P3HT:PCBM (1:1) reprezint un material foarte promitor pentru realizarea
celulelor fotovoltaice polimerice, fiind necesare ns studii de optimizare relativ la structura spaial
i stabilitatea n timp a proprietilor sale, pentru a crete eficiena de conversie a dispozitivelor
fotovoltaice ce l ncorporeaz.

Un alt tip de structur caracterizat din punct de vedere al proprietilor electrice, optice i
fotovoltaice a fost heterojonciunea format la contactul dintre un semiconductor organic de tip p
(CuPc) i unul anorganic de tip n (CdS). Din investigarea structurii ITO/CdS/CuPc/Cu, prin
interpretarea caracteristicilor electrice i apoi spectrale, s-au obinut parametrii de diod n = 2,54 i
J
0
= 1,36.10
-7
A/cm
2
(ceea ce indic prezena unui numr mare de defecte la interfaa CdS/CuPc,
defecte care faciliteaz recombinarea electron-gol), precum i = 2,75 i T
C
= 825 K. Parametrii de
celul solar obinui pentru structur sunt: V
OC
= 375 10 mV, J
SC
= 58,12 0,01 A/cm
2
,
FF = 0,53 0,01, eficiena de conversie fiind 0,115%.
Ultima categorie de structuri fotovoltaice pe care am investigat-o a fost cea hibrid,
organic/anorganic, n care am urmrit studierea proprietilor structurale, electrice i optice ale
straturilor subiri nanostructurate de oxid de zinc, ZnO.
Straturile subiri de ZnO nanostructurat, depuse prin ablaie laser pulsat (PLD) pe un substrat
de sticl optic, au o structur hexagonal compact de tip wurtzit (evideniat prin analiza
structural a probelor, fcut prin difracie de raze X) cu axa c orientat perpendicular pe substrat, o
foarte bun transparen n regiunea vizibil a spectrului solar, transmitana optic n aceast zon
fiind de peste 75%, precum i rezistiviti electrice n domeniul 10
-4
10
-2
.m [150].
Spectrele de fotoluminescen arat caracteristici similare pentru toate probele analizate (ZO1,
ZO2, ZO3), care prezint emisii de pe nivele adnci, la circa 518 nm (2,39 eV, banda verde), emisii
n general atribuite unei tranziii donor de suprafa acceptor de adncime. De fapt, straturile TCO
au densiti mari de defecte punctiforme, care se comport ca donori sau acceptori [150].
In ceea ce privete densitatea purttorilor liberi de sarcin, aceasta este practic constant
pentru toate probele, n domeniul de temperaturi (50 320 K), aa cum reiese din msurtorile Hall
efectuate. Astfel, dependena de temperatur observat a rezistivitii probelor analizate se datoreaz
mobilitii purttorilor de sarcin.
Structura fotovoltaic de tip ZnO/CuPc/Au realizat, cu o eficien cuantic maxim de 12%,
are performane modeste, necesitnd mbuntiri pentru a mri eficiena optic i colectarea
sarcinilor electrice [150].
44
In cazul structurii ITO/ZnO/CuPc/Cu, s-au caracterizat structural patru probe (ZCS3, ZCS5,
ZCS7, ZCS9), fapt care a indicat prezena fazei wurtzit, una din probe (ZCS7) fiind apoi
caracterizat electric [151]. Calitatea texturii i cristalinitatea straturilor studiate sunt foarte sensibile
la presiunea oxigenului din camera de reacie n timpul depunerii filmelor, o presiune mrit ducnd
la creterea calitii structurii cristaline obinute.
Lrgimea benzii interzise pentru probele analizate este n domeniul 3,24 3,26 eV
(comparativ cu 3,3 34 eV pentru structurile cu jonciune de volum).
Spectrul de aciune nregistrat arat un rspuns fotovoltaic bine definit, n domeniul de
absorbie al stratului organic. Caracteristica curent-tensiune la iluminare, n cadranul IV (regim de
fotoelement) a condus la obinerea unui factor de umplere FF = 28,9% [151]. Structura trebuie ns
ameliorat, n sensul reducerii rezistenei serie i creterii curentului de scurtcitcuit.
Ulterior, au fost realizai electrozi nanonstructurai de ZnO prin tehnici diverse, n scopul
utilizrii lor n fabricarea celulelor fotovoltaice hibride organic/anorganic [152]. Structurile
fotovoltaice hibride bazate pe electrozi nanostructurai de oxid de zinc sensibilizai cu colorani
organici (ftalocianin de cupru, n particular) au fost apoi caracterizate structural, electric i optic.
Morfologia straturilor de oxid de zinc, depuse prin ablaie laser, obinut prin microscopie
AFM, arat gruni orientai perpendicular pe substrat, stratul prezentnd o faz hexagonal compact
de tip wurtzit.
In ceea ce privete eficiena cuantic extern a structurilor ZnO/CuPc/Al, aceasta prezint un
maxim de 0,18%.
Privind nainte spre viitorul energiei solare, devine evident faptul c studiul diverselor
materiale i realizarea design-ul structural reprezint prioriti de cercetare n domeniu. Oricare ar fi
tipul de dispozitiv fotovoltaic, indiferent crei generaii tehnologice i-ar aparine, sunt necesare n
continuare cercetri sistematice cu privire la fiecare strat component, la interaciunea dintre straturile
succesive, precum i la optimizarea electrozilor fabricai din oxizi metalici conductori, transpareni
pentru lumina incident.







45
Contribuii personale
In urma efecturii studiilor teoretice i practic-experimentale referitoare la tema tezei de doctorat,
pot meniona urmtoarele contribuii personale la realizarea acesteia:
1. Efectuarea unei vaste documentri asupra literaturii de specialitate referitoare la fenomenele
de transport, statistica purttorilor de sarcin, conducia electric i fotoconducia n
semiconductorii organici i anorganici.
2. Documentare asupra unei mari varieti de materiale organice (ftalocianine, fulerene,
polimeri) sau oxizi metalici transpareni cu proprieti conductoare (ITO, ZnO), materiale cu
proprieti utile n aplicaiile optoelectronice.
3. Prezentarea sintetic a relaiilor de calcul privind caracterizarea jonciunilor redresoare i a
celulelor fotovoltaice cu componente organice, cu accent pe evidenierea parametrilor lor
specifici.
4. Efectuarea unor analize comparative privitoare la rspunsul fotovoltaic al diferitelor structuri
de celul solar cu semiconductori organici.
5. Participare la prepararea probelor asupra crora s-au realizat ulterior msurtorile
experimentale (pregtirea substratului, depunerea straturilor active i a contactelor).
6. Realizarea de msurtori optice i electrice (spectre de absorbie, spectre de aciune,
caracteristici curent-tensiune, la ntuneric i iluminare, spectre de transmitan i
fotoluminescen) asupra structurilor de celul fotovoltaic realizate (heterojonciuni de
volum sau structuri hibride).
7. Analiza spectrelor i a caracteristicilor ridicate, urmat de prelucrarea i interpretarea datelor
experimentale culese n timpul msurtorilor efectuate. Determinarea parametrilor de
jonciune i a celor specifici celulelor fotovoltaice.
8. Evidenierea caracteristicilor morfo-structurale ale unor probe investigate (microscopie
AFM, SEM).
9. Caracterizarea straturilor de ZnO depuse prin ablaie laser (analiz structural, spectre de
absorbie, spectre de fotoluminescen), caracterizarea optoelectronic a structurilor hibride
ZnO/CuPc cu accent pe interpretarea caracteristicii curent-tensiune din cadranul IV, specific
regimului de funcionare ca fotoelement.
10. Analiza comparativ a structurilor fotovoltaice hibride ZnO/CuPc, n care electrodul ZnO a
fost fabricat prin diverse tehnici (ablaie laser pulsat, depunere electrochimic sub form de
nanostraturi sau nanofire).

46
BIBLIOGRAFIE
Capitolul I
1. S. R. Forrest, M. L. Kaplan and P. H. Schmidt, J. Appl. Phys., ii, 1492 (1984).
2. S. R. Forrest, M. L. Kaplan, and P. H. Schmidt, J. Appl. Phys., 56, 543 (1984).
3. S. Antohe, N. Tomozeiu, and S. Gogonea, Phys. Stat. Sol. (a), 125, 397 (1991).
4. A. K. Ghosh, and T. Feng, J. Appl. Phys., 49, 5982 (1988).
6. R. D. Loutfy, J. H. Sharp, C. K. Hsiao, and R. Ho, J. Appl. Phys., 552, 5218 (1981).
7. S. Antohe, I. Secreanu, I. Dima, I. Munteanu, V. Tomozeiu, SWE'89 Bucharest.
8. S. R. Forrest, M. L. Kaplan, P. H. Schmidt, J. M. Parsey, Jr., J.Appl. Phys., 58, 8,67 (1985).
9. S. R. Forrest, Al. L. Kaplan, P. H. Schmidt, and J.V. Gates, J. Appl. Phys., 57, 2892 (1985).
10. S. Antohe and A. Vonsovici, Phys. Stat. Sol. (a), 124, 583 (1991).
11. S. R. Forrest, P. H. Schmidt, J. Appl. Phys., 59, 513 (1986).
12. D. Whrle and D. Meissner, Organic Solar Cells, Adv. Mater. 3, 129 (1991).
13. C.J. Brabec, N.S. Sariciftci, and J.C. Hummelen, Plastic Solar Cells, Adv. Funct. Mater. 11, 15 (2001).
14. J. Nelson, Organic photovoltaic films, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 6, 87 (2002).
15. J.-M. Nunzi, Organic photovoltaic materials and devices, C. R. Physique 3, 523 (2002).
16. Organic Photovoltaics: Concepts and Realization; Vol. 60, edited by C.J. Brabec, V. Dyakonov, J. Parisi, and N.S.
Sariciftci (Berlin, 2003).
17. P. Peumans, A. Yakimov, and S.R. Forrest, Small molecular weight organic thin-film photodetectors and solar cells,
J. Appl. Phys. 93, 3693 (2003).
18. Semiconducting Polymers; edited by G. Hadziioannou and P.F. van Hutten (WILEY-VCH, Weinheim, 2000).
19. C. Winder and N.S. Sariciftci, Low Bandgap Polymers for Photon Harvesting in Bulk Heterojunction Solar Cells, J.
Mater. Chem., in press (2004).
20. C.D. Dimitrakopoulos and D.J. Mascaro, Organic thin-film transistors: A review of recent advances, IBM J. Res.
Dev. 45, 11 (2001).
21. L.A.A. Pettersson, L.S. Roman, and O. Ingans, Modeling photocurrent action spectra of photovoltaic devices based
on organic thin films, J. Appl. Phys. 86, 487 (1999).
22. T. Stbinger and W. Brtting, Exciton diffusion and optical interference in organic donoracceptor photovoltaic
cells, J. Appl. Phys. 90, 3632 (2001).
23. B.A. Gregg and M.C. Hanna, Comparing organic to inorganic photovoltaic cells: Theory, experiment, and
simulation, J. Appl. Phys. 93, 3605 (2003).
24. A. Vlad, Dana Serban, Microscopic morphology of thin films pf phtalocyanine/perylene blends for
organic solar cell devices, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 871E, MRS (2005)
25. I.D. Parker, Carrier tunneling and device characteristics in polymer light-emitting diodes, J. Appl. Phys. 75, 1656
(1994).
26. A.K. Gosh, D.L. Morel, T. Feng, R.F. Shaw, and C.A. Rowe(Jr.), Photovoltaic and rectification properties of Al/Mg
phthalocyanine/Ag Schottky-barrier cells, J. Appl. Phys. 45, 230 (1974).
27. S.M. Sze, Physics of semiconductor devices (J. Wiley & Sons, New York, 1981).
28. C.W. Tang, Two-layer organic photovoltaic cell, Appl. Phys. Lett. 48, 183 (1986).
47
29. P. Peumanns, V. Bulovic, and S.R. Forrest, Efficient photon harvesting at high optical intensities in ultrathin organic
double-heterostructure photovoltaic diodes, Appl. Phys. Lett. 76, 2650 (2000).
30. J. Xue, S. Uchida, B.Rand, S.Forrest, 4.2% efficient organic photovoltaic cells with low series resistences, Appl.
Phys. Lett. 84, 3013 (2004).
31. R.N. Marks, J.J.M. Halls, D.D.C. Bradley, R.H. Friend, and A.B. Holmes, The photovoltaic response in poly(p-
phenylene vinylene) thin-film devices, J. Phys.: Condens. Matter 6, 1379 (1994).
32. A. Gadisa, M. Stevensson, M. Andersson, O. Inganas, Correlation between oxidation potential and open-circuit
voltage of composite solar cells based on blends of polythiophenes/fullerene derivate, Appl. Phys. Lett. 84, 1609 (2004).
33. N.S. Sariciftci, L. Smilowitz, A.J. Heeger, and F. Wudl, Photoinduced electron transfer from a conducting polymer
to buckminsterfullerene, Science 258, 1474 (1992).
34. N.S. Sariciftci, D. Braun, C. Zhang, V.I. Srdanov, A.J. Heeger, G. Stucky, and F. Wudl, Semiconducting polymer-
buckminsterfullerene heterojunctions: Diodes, photodiodes, and photovoltaic cells, Appl. Phys. Lett. 62, 585 (1993).
35. G. Yu, J. Gao, J.C. Hummelen, F. Wudl, and A.J. Heeger, Polymer Photovoltaic Cells: Enhanced Efficiencies via a
Network of Internal Donor-Acceptor Heterojunctions, Science 270, 1789 (1995).
36. J.C. Hummelen, B.W. Knight, F. LePeq, F. Wudl, J. Yao, and C.L. Wilkins, Preparation and Characterization of
Fulleroid and Methanofullerene Derivatives, J. Org. Chem. 60, 532 (1995).
37. P. Schilinsky, C. Waldauf, C. Brabec, Appl. Phys. Lett. 81, 3885 (2002).
38. P. Peumans and S.R. Forrest, Erratum: "Ver-high-efficiency double-heterostructure copper phthalocyanine/C60
photovoltaic cells" [Appl. Phys. Lett. 79, 126 (2001)], Appl. Phys. Lett. 80, 338 (2002).
39. P. Schilinsky, C. Waldauf, and C.J. Brabec, Recombination and loss analysis in polythiophene based bulk
heterojunction photodetectors, Appl. Phys. Lett. 81, 3885 (2002).
40. F. Padinger, R.S. Rittberger, and N.S. Sariciftci, Effects of Postproduction Treatment on Plastic Solar Cells, Adv.
Funct. Mater. 13, 1 (2003).
41. M.M. Wienk, J.M. Kroon, W.J.H. Verhees, J. Knol, J.C. Hummelen, P.A. van Hall, and R.A.J. Janssen, Efficient
Methano[70]fullerene/MDMO-PPV Bulk Heterojunction Photovoltaic Cells, Angew. Chem. Int. Ed. 42, 3371 (2003).
42. W.U. Huynh, J.J. Dittmer, and A.P. Alivisato, Hybrid Nanorod-Polymer Solar Cells, Science 295, 2425 (2002).
43. B.O'Regan, M. Grtzel, A low cost, high-efficiency cell based on dye-sensitized TiO2 films, Nature 353, 737 (1991).
44. Y. Saito, T. Kitamura, Y. Wada, and S. Yanagida, Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) as a hole conductor in solid
state dye sensitized solar cells, Synth. Met. 131, 185 (2002).
45. M. Pientka, V. Dyakonov, D. Meissner, A. Rogach, D. Talapin, H. Weller, L. Lutsen, and D. Vanderzande,
Photoinduced charge transfer in composites of conjugated polymers and 02. semiconductor nanocrystals,
Nanotechnology 15, 163 (2004).
46. E. Arici, H. Hoppe, F. Schffler, D. Meissner, M.A. Malik, and N.S. Sariciftci, Hybrid Solar Cells based on
inorganic nanoclusters and semiconductive polymers, Thin Solid Films 451-452, 612 (2004).
47. E. Arici, N.S. Sariciftci, and D. Meissner, in Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, edited by H. S.
Nalwa (American Scientific Publishers, Stevenson Ranch, 2004).
48. F. Padinger, T. Fromherz, P. Denk, C.J. Brabec, J. Zettner, T. Hierl, and N.S. Sariciftci, Degradation of Bulk
Heterojunction Solar Cells Operated in an Inert Gas Atmosphere: A Systematic Study, Synth. Met. 121, 1605 (2001).
49. Bernard Kippelen Organic Photovoltaics to reduce carbon emissions, oct. 2007 (www.osa-opn.org)
48
Capitolul II
50. W. H. Bragg, Proc. Phys. Soc., 35, 167 (1952).
51. S.R. Forrest, M.L. Kaplan and P.H. Schmidt, J. Appl. Phys. 55, 1492 (1984)
52. H.Meier, Organic Semiconductors. Dark and Photoconductivity of Organic Solids, Verlag Chemie GmbH,
Weinheim (1974)
53. I. Dima, I. Munteanu, Materiale i dispozitive semiconductoare, EDP, Bucuresti, pag. 14 (1980)
54. V. V. Grecu, A. Ionescu, Fizica moleculei, T.U. Bucureti, pag. 30 (1987)
55. H. Meier, Die Photochemie der Organischen Farbstoffe, Spinger Verlag, Berlib, pag. 32 (1963)
56. H. Meier, Spectral Senzitisation, Focal Press, London/New York (1968)
57. N. N. Uzov and V. A. Benderski, Phys. Stat. Sol., 37, 535 (1970)
58. G.D. Thaxton, R.C. Jarnagin and \M. Silver, J. Phys. Chem., 66, 2461 (1962)
59. K. Kambe, Progr. Theor. Phys. 40, 136 (1967)
60. J. M. Andre, L. Gouverneur and G. Leroy, Bull. Soc. Chim. Belges, 76, 661 (1967)
61. J. Chen, J. Chem. Physics, 51, 3241 (1969)
62. P. Devaux and G. Delacote, J. Chem. Physics, 52, 4922 (1970)
63. H. Sato and C. Okazaki, Bull. Chem. Soc. Japan, 42, 1439 (1969)
64. H. Morris and J. Yates, Disc. Faraday Soc. No. 51, 24 (1971)
65. H. Chojnacki, Theoret. Chim. Acta, Berlin, 12, 373 (1968)
66. R. Stilbey, J. Jortner, S. Rice and T. Vala, J. Chem. Physics, 43, 2925 (1965)
67. M. Sukigara and R.C. Nelson, Molecular Physics, 17, 387 (1969)
68. R.J. Elliott, Phys. Rev., 124, 340 (1961)
69. J. H. Sharp and M. Smith, Physical Chemistry, vol.10, Academic Press, New york, p. 435 (1970)
70. D.D. Eley and M.R. Willis, Symposium on Electrical Conductivity in Organic Solids, Interscience Publ.,
New York, p. 247-276 (1967)
71. D.D. Eley, J. Polimer Sci. C 17, 73 (1967)
72. J. Katz, S.A. Rice, S. Choi and J. Jortner, J. Chem. Physics, 39, 1683 (1963)
73. O.H. Le Blanc, J. Chem. Physics, 33, 626 (1960)

Capitolul III
74. I. Munteanu, Fizica solidului, Ed. CREDIS Universitatea din Bucureti (2002).
75. I. Dima, I. Licea, Fenomene fotoelectrice n semiconductori i aplicaii, Ed. Academiei, Bucureti (1980).
76. S. Antohe, Materiale i dispozitive electronice organice, Ed. Univ. Bucureti (1996)
77. *** A Guide for Integrating Sphere. Theory and Applications from Labsphere PerkinElmer, U. K.
78. S. Antohe, Phys. Stat. Sol. (a) 136, 401-410 (1993).
79. D.C. Look, D.C. Look, in Semiconductors and Semimetals, eds R.K. Willardson and A.C. Beer, (Academic, New
York, 1983), Vol. 19, p. 75.
80. S.M. Ryvkin, "Photoelectric Effects in Semiconductors", New York, 1964.
81. R.H. Haering, E.N. Adams, Phys. Rev., 117, 451 (1960).
82. L. Ion, S. Antohe, J. Appl. Phys, 97, 013513 (2005).
49
83. M. Pavlovi, U.V. Desnica, J. Appl. Phys., 84, 2018 (1998).
84. D.C. Look et al., Phys. Rev. B55, 2214 (1997).

Capitolul IV
85. A.K. Ghosh, D. Morel, R.F. Show and C.A. Rowe Jr J. Appl. Phys., 45, 230 (1974);
86. C.W. Tang, A. Albrecht J. Chem Phys., 63, 953 (1975);
87. F. Kampas, M. Gouterman - J. Chem Phys., 81, 690 (1977);
88. F.R. Fau, L.R. Faulkner - J. Chem Phys., 69, 3334 (1978);
89. G.A. Chamberlain, R.E. Malpas Faraday. Discuss. Chem. Soc., 70, 229 (1980);
90. G.A. Chamberlain, P.J. Coneyand, S. Denison Nature, 289, 45 (1981);
91. Y. Harima, K. Yamashita Appl. Phys. Lett., 45, 1144 (1984);
92. C.W.Tang - Appl. Phys. Lett., 48(2), 183 (1986);
93. S. Antohe, L. ugulea Phys. Stat. Sol., 128, 253-260 (1991);
94. S. Antohe Rev. Roum. Phys., 37(3), 309-313 (1992) ;
95. S. Antohe, V. Ruxandra, L. ugulea, V. Gheorghe Journal de Physique III (1995);
96. S. Antohe, V. Ruxandra. L. Tugulea, V. Gheorghe, D. Ionascu, J. Phys. III France 6, 1133 (1996).
97.. S. Antohe, L. Ion, N. Tomozeiu, T. Stoica, E. Barna, Solar Energy Materials&Solar Cells 62, 207-216 (2000);
98. A. Goetzberger, C. Hebling, and H.-W. Schock, Photovoltaic materials, history, status and outlook, Materials
Science and Engineering R 40, 1 (2003).
99. B.A. Gregg, Excitonic Solar Cells, J. Phys. Chem. B 107, 4688 (2003).
100. D. Gebeyehu, M. Pfeiffer, B. Maennig, J. Drechsel, A. Werner, and K. Leo, Highly efficient p-i-n type organic
photovoltaic devices, Thin Solid Films 451-452, 29 (2004).
101. T. Yohannes, F. Zhang, M. Svensson, J.C. Hummelen, M.R. Andersson, and O. Ingans, Polyfluorene copolymer
based bulk heterojunction solar cells, Thin Solid Films 449, 152 (2004).
102. E.A. Katz, D. Faiman, S.M. Tuladhar, J.M. Kroon, M.M. Wienk, T. Fromherz, F. Padinger, C.J. Brabec, and N.S.
Sariciftci, Temperature dependence for the photovoltaic device parameters of polymer-fullerene solar cells under
operating conditions, J. Appl. Phys. 90, 5343 (2001).
103. V. Dyakonov, The polymer-fullerene interpenetrating network: one route to a solar cell approach, Physica E 14, 53
(2002).
104. W. Geens, T. Aernouts, J. Poortmans, and G. Hadziioannou, Organic co-evaporated films of a PPV-pentamer and
C60: model systems for donor/acceptor polymer blends, Thin Solid Films 403-404, 438 (2002).
105. D. Gebeyehu, B. Maennig, J. Drechsel, K. Leo, and M. Pfeiffer, Bulk-heterojunction photovoltaic devices based on
donor-acceptor organic small molecule blends, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 79, 81 (2003).
106. P. Peumans, S. Uchida, and S.R. Forrest, Efficient bulk heterojunction photovoltaic cells using small-molecular-
weight organic thin films, Nature 425, 158 (2003).
107. K. Tada, K. Hosada, M. Hirohata, R. Hidayat, T. Kawai, M. Onoda, M. Teraguchi, T. Masuda, A.A. Zakhidov, and
K. Yoshino, Donor polymer (PAT6) - acceptor polymer (CNPPV) fractal network photocells, Synth. Met. 85, 1305
(1997).
50
108. J.J. Dittmer, E.A. Marseglia, and R.H. Friend, Electron Trapping in Dye/Polymer Blend Photovoltaic Cells, Adv.
Mater. 12, 1270 (2000).
109. K. Petritsch, J.J. Dittmer, E.A. Marseglia, R.H. Friend, A. Lux, G.G. Rozenberg, S.C. Moratti, and A.B. Holmes,
Dye-based donor/acceptor solar cells, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 61, 63 (2000).
110. L. Schmidt-Mende, A. Fechtenktter, K. Mllen, E. Moons, R.H. Friend, and J.D. MacKenzie, Self-Organized
Discotic Liquid Crystals for High-Efficiency Organic Photovoltaics, Science 293, 1119 (2001).
111. M. Granstrm, K. Petritsch, A.C. Arias, A. Lux, M.R. Andersson, and R.H. Friend, Laminated fabrication of
polymeric photovoltaic diodes, Nature 395, 257 (1998).
112. C.J. Brabec, A. Cravino, D. Meissner, N.S. Sariciftci, M.T. Rispens, L. Sanchez, J.C. Hummelen, and T. Fromherz,
The influence of materials work function on the open circuit voltage of plastic solar cells, Thin Solid Films 403-404, 368
(2002).
113. C.J. Brabec, A. Cravino, D. Meissner, N.S. Sariciftci, T. Fromherz, M.T. Rispens, L. Sanchez, and J.C. Hummelen,
Origin of the Open Circuit Voltage of Plastic Solar Cells, Adv. Funct. Mater. 11, 374 (2001).
114. C. Melzer, V.V. Krasnikov, and G. Hadziioannou, Organic donor/acceptor photovoltaics: The role of C60/metal
interfaces, Appl. Phys. Lett. 82, 3101 (2003).
115. C.J. Brabec, S.E. Shaheen, C. Winder, N.S. Sariciftci, and P. Denk, Effect of LiF/metal electrodes on the
performance of plastic solar cells, Appl. Phys. Lett. 80, 1288 (2002).
116. F.L. Zhang, M. Johansson, M.R. Anderson, J.C. Hummelen, and O. Ingans, Polymer solar cells based on MEH-
PPV and PCBM, Synth. Met. 137, 1401 (2003).
117. M.C. Scharber, N.A. Schulz, N.S. Sariciftci, and C.J. Brabec, Optical- and photocurrent-detected magnetic
resonance studies on conjugated polymer/fullerene composites, Phys. Rev. B 67, 085202 (2003).
118. H. Hoppe, M. Niggemann, C. Winder, J. Kraut, R. Hiesgen, A. Hinsch, D. Meissner, and N.S. Sariciftci, Nanoscale
morphology of conjugated polymer/fullerene based bulk-heterojunction solar cells, Adv. Funct. Mater., submitted
(2004).
119. J.A. Barker, C.M. Ramsdale, and N.C. Greenham, Modeling the current-voltage characteristics of bilayer polymer
photovoltaic devices, Phys. Rev. B 67, 075205 (2003).
120. H. Hoppe, N. Arnold, D. Meissner, and N.S. Sariciftci, Modelling the optical absorption within conjugated
polymer/fullerene-based bulk-heterojunction organic solar cells, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 80, 105 (2003).
121. D. Gebeyehu, B. Maennig, J. Drechsel, K. Leo, and M. Pfeiffer, Bulk-heterojunction photovoltaic devices based on
donor-acceptor organic small molecule blends, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 79, 81 (2003).
122. G. Greczynski, T. Kugler, and W.R. Salaneck, Energy level alignment in organic-based three-layer structures
studied by photoelectron spectroscopy, J. Appl. Phys. 88 (2000).
123. S.K.M. Jnssona, J. Birgerson, X. Crispin, G. Greczynski, W. Osikowicz, A.W.D. van der Gonc, W.R. Salaneck,
and M. Fahlman, The effects of solvents on the morphology and sheet resistance in poly(3,4-ethylenedioxythiophene)
polystyrenesulfonic acid (PEDOTPSS) films, Synth. Met. 139, 1 (2003).
124. J. Drechsel, B. Mnnig, F. Kozlowski, D. Gebeyehu, A. Werner, M. Koch, K. Leo, and M. Pfeiffer, High efficiency
organic solar cells based on single or multiple PIN structures, Thin Solid Films 451-452, 515 (2004).
51
125. M.T. Rispens, A. Meetsma, R. Rittberger, C.J. Brabec, N.S. Sariciftci, and J.C. Hummelen, Influence of the solvent
on the crystal structure of PCBM and the efficiency of MDMO-PPV:PCBM 'plastic' solar cells, Chem. Commun. 17,
2116 (2003).
126. M.A. Loi, P. Denk, H. Hoppe, H. Neugebauer, C. Winder, D. Meissner, C. Brabec, N.S. Sariciftci, A. Gouloumis,
P. Vazquez, and T. Torres, Long-lived photoinduced charge separation for solar cell applications in phthalocyanine-
fulleropyrrolidine dyad thin films, J. Mater. Chem. 13, 700 (2003).
127. A. Cravino, G. Zerza, M. Maggini, S. Bucella, M. Svensson, M.R. Andersson, H. Neugebauer, C.J. Brabec, and
N.S. Sariciftci, A Soluble Donor-Acceptor Double-Cable Polymer: Polythiophene with Pendant Fullerenes, Monatsh.
Chem. 134, 519 (2003).
128. T. Kietzke, D. Neher, K. Landfester, R. Montenegro, R. Gntner, and U. Scherf, Novel approaches to polymer
blends based on polymer nanoparticles, Nature Mater. 2, 408 (2003).
129. W. Geens, S.E. Shaheen, C.J. Brabec, J. Poortmans, and N.S. Sariciftci, Field-effect mobility measurements of
conjugated polymer/fullerene photovoltaic blends, presented at the 14th International Winterschool/Euroconference,
Kirchberg, Austria, 2000 (AIP).
130. K.M. Coakley and M.D. McGehee, Photovoltaic cells made from conjugated polymers infiltrated into mesoporous
titania, Appl. Phys. Lett. 83, 1 (2003).
131. D.J. Milliron, C. Pitois, C. Edder, J.M.J. Frechet, and A.P. Alivisatos, Designed for Charge Transfer: Complexes
of CdSe Nanocrystals and Oligothiophenes,, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 725, p.177, 2002, (Mat. Res. Soc.).
132. Sam-Shajing Sun, Larry R. Dalton, Introduction to Organic electronic and Optoelectronic Materials and Devices,
CRC Press Taylor&Francis Group, Boca Raton, London, New York, p.407-409.

Capitolul V
133. Antohe,S.;Ruxandra,V.; Tugulea,L.; Gheorghe,V.;Inascu,D.,J.Phys.III France 1996, 6, 1133.
134. M. Hiramoto, H. Fujiwara, and M. Yokoyama, Appl.Phys. let., 58, 1062-1064, 1991.
135. S. Antohe, Chapter 11 ,,Electronic and Optoelectronic Devices Based on Organic Thin Films in Handbook of
Organic Electronics and Photonics, Electronic Materials and Devices, Edited by Hari Singh Nalwa, Volume 1 : Pages:
433, 440, American Scientific.
136. S. Sun and N. S. Sariciftci (eds), Organic Photovoltaics: Mechanisms, Materials and Devices, CRC Press, Boca
Raton, FL, 2005
137. B. A. Gregg, Coulomb forces in excitonic solar cells, in S. Sun and N. S. Sariciftci (eds), Organic Photovoltaics:
Mechanisms, Materials and Devices, CRC Press, Boca Raton, FL, 2005, p.139
138. T. Minami, H. Sonohara, T. Kakumu, S. Takata, Thin Solid Films, 270, 37 (1995).
139. H. L. Ma, D. H. Zhang, P. Ma, S. Z. Win, S. Y. Li, Thin Solid Films, 263, 105 (1995).
140. K. Utsumi, O. Matsunaga, T. Takahata, Thin Solid Films, 334, 30 (1998).
141. S. H. Jeong, S. Kho, D. Jung, S. B. Lee, J. -H. Boo, Surf. Coat. Tech., 174-175, 187 (2003)
142. H. Kim, J.S. Horwitz, W.H. Kim, A.J. Makinen, Z.H. Kafafi, D.B. Crisey, Thin Solid Films, 420-421, 539 (2002).
143. T. Miyata, Y. Minamino, S. Ida, T. Minami, J. Vac. Sci. Technol., A22, 1711 (2004).
144. M. -M. Bagheri-Mohagheghi , M. Shokooh-Saremi, Thin Solid Films, 441, 238 (2003).
145. S.-Y. Lee, B.-O. Park, Thin Solid Films, 510, 154 (2006).
52
146. S.B. Zhang, S.-H. Wei, A. Zunger, Phys. Rev. B63, 075205 (2001).
147. C. Tazlaoanu, L. Ion, I. Enculescu, M. Sima, Elena Matei, R. Neumann, Rosemary Bazavan, D. Bazavan, S.
Antohe, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol 40/7 pp 2504-2507, 2007.
148. Electrical and Photoelectrical Properties of Organic Photovoltaic Cells Based on poly(3-hexylthiophene)and
1-(3-methoxycarbonyl)-propyl-1-phenyl-(6,6)C61, Camelia Florica, Iulia Arghir, Polona Skraba, Alina Dora Crian,
Larisa Mgheruan, C. Tzloanu, L. Ion, S. Antohe, Int. Workshop on RENEWABLE ENERGY SOURCES,
Bucharest, November 15, 2008, Proceedings, Supplement of Quality access to success Journal Year 9, no. 94, 2008,
ISSN 1582-2559, CNCSIS B+, included in EBSCO Publishing database, pgs 1-11.
149. Electrical and Photoelectrical Properties of Organic Photovoltaic Cells Based on Polymer Blends
ITO/PEDOT/P3HT: PCBM (1:1), Larisa Mgheruan, Polona Skraba, Cristina Besleaga, Sorina Iftimie, N. Dina, M.
Bulgariu, C.G. Bostan, C. Tazlaoanu, A. Radu, L. Ion, M. Radu, A. Tanase, G. Bratina, S. Antohe, Journal of
Optoelectronics and Advanced Materials, Vol. 12 , No. 2, Febr. 2010, pg. 212 - 218
150. Electrical and Photoelectrical Properties of Nanostructured ZnO Thin Films for Photovoltaic Applications,
S. Antohe, L. Ion, C. Tzloanu, G. Socol, L. Mgheruan, I. Enculescu, D. Bazavan, I. N. Mihailescu, and V. A.
Antohe, MRS Spring Meeting April 9-16, 2007, Moscone West, San Francisco, SUA , Z 4.9 pg.538.
151. Photosensitization of ZnO Nanostructured Thin Films with Organic Dyes, C. Tazlaoanu
a
, L. Ion
a
, G. Socol
b
,
Marcela Socol
c
, I.N. Mihailescu
b
, F. Stanculescu
a
, I. Enculescu
c
, Felicia Ionescu
c
, Oana Ghenescu
d
, Larisa
Mgheruan
a
, S. Antohe
a
, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, Vol. 9 , No. 5, May 2007, 1342-1346 .
152. Nanostructured ZnO Electrodes for Photovoltaic Applications, Iulia Arghir, Larisa Mgheruan, Cristina
Beleag, V. Covlea, V.A. Antohe, T.L. Mitran, C.Tzloanu, I. Enculescu, L. Ion, S. Antohe.
153. Structural, Optical and Electrical Properties of Nanostructured ZnO Thin Films for Hybride Photovoltaic
Cells, C. Tzloanu, M. Radu, V. Covlea, Larisa Mgheruan, L. Ion, S. Antohe, Int. Workshop on RENEWABLE
ENERGY SOURCES, Bucharest, November 15, 2008, Proceedings, Supplement of Quality access to success
Journal Year 9, no. 94, 2008, ISSN 1582-2559, CNCSIS B+, included in EBSCO Publishing database, pgs 1-6.
154. Defects Induced by Electron-Irradiation in Polycrystalline CdSe Thin Films Investigated by Thermally
Stimulated Current Method, L. Ion, C. Tzloanu, V. A. Antohe, Larisa Mgheruan, Oana Ghenescu, M.
Ghenescu, Felicia Ionescu, V. Covlea, I. Stan, S. Antohe, 2005 Annual Scientific Conference - Program and Abstracts ,
Faculty of Physics, University of Bucharest, May 27, 2005, pg. 60.
155. Electrical Properties of CuPc Thin Films Investigated by Space-Charge-Limited-Currents and Thermally
Stimulated Current Methods, L. Ion, Marcela Socol, C. Tzloanu, Larisa Mgheruan, G. Socol, Felicia Ionescu, S.
Antohe, Annual Scientific Conference-Program and Abstracts , Fac. of Physics, Univ. Bucharest, May 27, 2005, pg. 61.
156. Electrical and Optical Properties of Nanostructured ZnO Thin Films, C. Tzloanu, L. Ion, G. Socol, I.N.
Mihailescu, Marcela Socol, Larisa Mgheruan, Felicia Ionescu, S. Antohe, 2006 Annual Scientific Conference,
Friday, May 26, 2006, Program and Abstracts, pg. 15.
157. Photosensitization of ZnO Nanostructured Thin Films with Organic Dyes, C. Tazlaoanu
a
, L. Ion
a
, G. Socol
b
,
Marcela Socol
c
, I.N. Mihailescu
b
, F. Stanculescu
a
, I. Enculescu
c
, Felicia Ionescu
c
, Oana Ghenescu
d
, Larisa
Mgheruan
a
, S. Antohe
a
, Oral Presentation to The Fifth International Edition of Romanian Conference on Advanced
Laterials, September 11-14th, 2006, Bucharest-Magurele, Romania, Abstract Book, pg.77.
158. Structural and Optical Properties of Nanostructured ZnO Thin Films Deposited by Pulsed-laser Technique,
53
D. Bzvan, Rosemary Bzvan, Larisa Mgheruan, Marcela Socol, C. Tzloanu, V. Covlea, L. Ion, S. Antohe,
Univ. of Bucharest, Fac. of Physics 2007 Ann. Sci. Conf., Fri Sat, June 1 2, 2007, Program and Abstracts, pg. 112.
159. The Photoelectrical Characterizations of Bulk-heterojunctions Photovoltaic Structures Based on P3HT-
PCBM Blends, Alina Dora Crian, Larisa Mgheruan, Dana erban, Andrea tefania popescu, C. Tzloanu, L. Ion,
S. Antohe, University of Bucharest, Faculty of Physics 2007 Annual Scientific Conference, Friday Saturday, June 1
2, 2007, Program and Abstracts, pg. 114.
160. Photoelectrical properties of hybrid inorganic/organic structures based on CdTe nanowires and organic dyes
films for photovoltaic applications, L. Ion, I. Enculescu, Elena Matei, Rosemary Bzvan, Larisa Mgheruan, S.
Antohe, Symposium P: Advanced organic and/or inorganic functional materials of the E-MRS 2008 Spring Meeting,
Strasbourg (France), May 26 to 30, 2008.
161. Electrical and Optical Characterization of Photovoltaic Cells Based on Polymer Blends P3HT:PCBM (1:1),
Sorina Iftimie, Cristina Beleag, Polona Skraba, C. Tzloanu, Larisa Mgheruan, T. Alionte, L. Ion, G. Bratina, S.
Antohe, University of Bucharest, Faculty of Physics, 2009 Annual Scientific Conference, Friday , June 5, 2009, oral
presentation, Program and Abstracts, pg. 167.
162. Structural, Electrical and Optical Properties of Nanostructured ZnO Thin Films for Optoelectronics
Applications, Larisa Mgheruan, C. Tzloanu, V. Covlea, L. Ion, S. Antohe, E-MRS 2009, Spring Meeting,
Congress Center, Strasbourg, France, June 8-12, 2009, P3-75, Symposium A: Mesoscopic Dye Sensitized and Organic
Heterojunction Solar Cells, 10 June, 2009, 14.00, pg.A-32.
163. Electrical and Photoelectrical Properties of Organic Photovoltaic Cells Based on poly(3-hexylthiophene) and
1-(3-methoxylcarbonyl)-propyl-1-phenyl-6,6)C61, S. Iftimie, P. Skraba, C. Tzloanu, A. Radu, L. Mgheruan, M.
Radu, C. Besleaga, I. Arghir, L. Ion, G. Bratina, S. Antohe, 6
th
Internat. ConferenceNN09& 3
rd
Internat. Summer
School-SS-NN09 on Nanosciences & Nanotechnologies, Aristotle Univ. of Thessaloniki, 13-15 July 2009, Abstract
Book, pg.110.
164. Electrical and Photoelectrical Properties of Organic Photovoltaic Cells Based on Polymer Blends
ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1), Sorina Iftimie, Cristina Besleaga, C. Tzloanu, Larisa Mgheruan, L. Ion, M.
Radu, A. Tanase, S. Antohe, Sixth International Edition of Romanian Conference on Advanced Materials: ROCAM
2009, August 25-28th, 2009, Braov, Romania- oral 15 min, Abstract Book pg. 81.
165. Wendy U. Huynh, Janke J. Dittmer, A. Paul Alivisatos, Hybrid Nanorod-Polymer Solar Cells, Science , 29 March
2002, Vol. 295. no. 5564, pg. 2425 2427, (2002).
166. Gang Li, Vishal Shrotriya, Jinsong Huang, Yan Yao, Tommoriarty, Keith Emery, Yang Yang, High-efficiency
solution processable polymer photovoltaic cells by self-organization of polymer blends, Nature materials, vol. 4, (2005).
167. Gilles Dennler, Hans-Jrgen Prall, Robert Koeppe, Martin Egginger, Robert Autengruber, and Niyazi Serdar
Sariciftci, Enhanced spectral coverage in tandem organic solar cells, Appl. Phys. Lett. 89, 073502 (2006).
168. Jin Young Kim, Kwanghee Lee,* Nelson E. Coates, Daniel Moses, Thuc-Quyen Nguyen, Mark Dante, Alan J.
Heeger, Efficient Tandem Polymer Solar Cells Fabricated by All-Solution Processing, Science 317, 222 (2007).
169. Chien-Hung Lin, Surojit Chattopadhyay, Chia-Wen Hsu, Meng-Hsiu Wu, Wei-Chao Chen, Chien-Ting Wu, Shao-
Chin Tseng, Jih-Shang Hwang, Jiun-Haw Lee, Chun-Wei Chen, Cheng-Hsuan Chen, Enhanced Charge Separation by
Sieve-Layer Mediation in High-Efficiency Inorganic-Organic Solar Cells, www.advmat.de, Adv. Mater., 20, 15 (2008).
170. S. Antohe, I. Munteanu, I. Dima, Re. Roum. Phys., 34(6), 665 (1989).